JP7460880B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
前記複数の発光素子を封止するケースであって、前記複数の発光素子から放射された光を透過する透光領域を有するケースと、前記透光領域の少なくとも一部を覆う複数の主レンズであって、前記第1発光素子から放射される光をコリメートまたは収束する第1主レンズ、および、前記第2発光素子から放射される光をコリメートまたは収束する第2主レンズを含む、複数の主レンズと、前記ケースの内部に配置された複数の副レンズであって、前記第1発光素子と前記第1主レンズとの間の光路上に位置する第1副レンズ、および、前記第2発光素子と前記第2主レンズとの間の光路上に位置する第2副レンズを含む複数の副レンズとを備える。
以下、本開示の実施形態を説明する。まず、図3を参照しながら、後述する実施形態に共通する発光装置の基本的な構成の例を説明する。図3は、発光装置の構成例を模式的に示す図である。これらの図面には、参考のため、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸が模式的に示されている。使用時における発光装置の向きは任意であり、図示されている発光装置の向きによって制限されない。
以下、図4Aから図8を参照して、第1の実施形態を説明する。
以下、図9Aから図12を参照して、第2の実施形態を説明する。
以下、図13Aから図16を参照して、第3の実施形態を説明する。第3の実施形態における発光装置100は、リフレクタRを備えていない。
Claims (13)
- 第1発光素子および第2発光素子を含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を封止するケースであって、前記複数の発光素子から放射された光を透過する透光領域を有するケースと、
前記透光領域の少なくとも一部を覆う複数の主レンズであって、前記第1発光素子から放射される光をコリメートまたは収束する第1主レンズ、および、前記第2発光素子から放射される光をコリメートまたは収束する第2主レンズを含む、複数の主レンズと、
前記ケースの内部に、前記第1主レンズ及び前記第2主レンズから離隔して、相互に独立して配置された複数の副レンズであって、前記第1発光素子と前記第1主レンズとの間の光路上に位置する第1副レンズ、および、前記第2発光素子と前記第2主レンズとの間の光路上に位置する第2副レンズを含む複数の副レンズと、
を備え、
前記第1副レンズおよび前記第2副レンズは、それぞれ、前記第1発光素子および前記第2発光素子の実装ずれ、または放射される光の特性の違いを補償し、
前記複数の主レンズは、前記第1主レンズと前記第2主レンズとが連結されたレンズアレイに含まれている、発光装置。 - 前記ケースは、前記複数の発光素子を支持する基部と、前記複数の発光素子を覆うカバーとを有し、
前記透光領域は前記カバーの少なくとも一部に設けられている、請求項1に記載の発光装置。 - 前記基部は、前記複数の発光素子が配列された底部と、前記複数の発光素子を取り囲む枠部とを含み、
前記カバーは前記枠部によって支持されている、請求項2に記載の発光装置。 - 前記枠部は、前記カバーから前記底部に至るまでの間に段差部を有し、
前記複数の副レンズのそれぞれは、前記枠部の前記段差部によって支持されている、請求項3に記載の発光装置。 - 前記複数の発光素子は、それぞれ、端面からレーザビームを出射する複数のレーザ素子である、請求項1から4のいずれかに記載の発光装置。
- 前記複数のレーザ素子から出射された前記レーザビームを前記透光領域に向けて反射するリフレクタを備える、請求項5に記載の発光装置。
- 前記第1副レンズは、前記第1発光素子と前記リフレクタとの間に位置し、
前記第2副レンズは、前記第2発光素子と前記リフレクタとの間に位置している、請求項6に記載の発光装置。 - 前記複数の主レンズは、前記第1主レンズと前記第2主レンズとが連結されたレンズアレイに含まれており、
前記レンズアレイは、前記ケースに支持されている、請求項1から7のいずれかに記載の発光装置。 - 前記第1発光素子から放射される光のピーク波長は、前記第2発光素子から放射される光のピーク波長とは異なっている、請求項1から8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記第1副レンズの位置および向きは、前記第1主レンズおよび前記第1副レンズの組が規定する焦点を、前記第1発光素子の発光領域に一致させ、
前記第2副レンズの位置および向きは、前記第2主レンズおよび前記第2副レンズの組が規定する焦点を、前記第2発光素子の発光領域に一致させる、請求項1から9のいずれかに記載の発光装置。 - 前記複数の発光素子は、第3発光素子を含み、
前記複数の主レンズは、前記第3発光素子から放射された光をコリメートまたは収束する第3主レンズを含み、
前記複数の副レンズは、前記第3発光素子と前記第3主レンズとの間の光路上に位置する第3副レンズを含む、請求項1から10のいずれかに記載の発光装置。 - 前記第1発光素子から放射される光は青色の光であり、
前記第2発光素子から放射される光は緑色の光であり、
前記第3発光素子から放射される光は赤色の光である、請求項11に記載の発光装置。 - 前記第1主レンズは、前記第1発光素子から放射される光をコリメートし、
前記第2主レンズは、前記第2発光素子から放射される光をコリメートする、請求項1から12のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019198334A JP7460880B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 発光装置 |
| US17/069,299 US11575243B2 (en) | 2019-10-31 | 2020-10-13 | Light emitting device |
| US18/149,241 US11876342B2 (en) | 2019-10-31 | 2023-01-03 | Light emitting device |
| US18/495,403 US12294196B2 (en) | 2019-10-31 | 2023-10-26 | Light emitting device |
| JP2024016420A JP7560798B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
| JP2024016361A JP7678377B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
| US19/096,944 US20250233386A1 (en) | 2019-10-31 | 2025-04-01 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019198334A JP7460880B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 発光装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024016361A Division JP7678377B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
| JP2024016420A Division JP7560798B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021072372A JP2021072372A (ja) | 2021-05-06 |
| JP7460880B2 true JP7460880B2 (ja) | 2024-04-03 |
Family
ID=75686476
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019198334A Active JP7460880B2 (ja) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | 発光装置 |
| JP2024016361A Active JP7678377B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
| JP2024016420A Active JP7560798B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024016361A Active JP7678377B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
| JP2024016420A Active JP7560798B2 (ja) | 2019-10-31 | 2024-02-06 | 発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US11575243B2 (ja) |
| JP (3) | JP7460880B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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2019
- 2019-10-31 JP JP2019198334A patent/JP7460880B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-13 US US17/069,299 patent/US11575243B2/en active Active
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2023
- 2023-01-03 US US18/149,241 patent/US11876342B2/en active Active
- 2023-10-26 US US18/495,403 patent/US12294196B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-06 JP JP2024016361A patent/JP7678377B2/ja active Active
- 2024-02-06 JP JP2024016420A patent/JP7560798B2/ja active Active
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- 2025-04-01 US US19/096,944 patent/US20250233386A1/en active Pending
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| JP2001111176A (ja) | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
| JP2002214482A (ja) | 2001-01-15 | 2002-07-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光モジュール |
| JP2006054414A (ja) | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Dongbuanam Semiconductor Inc | Cmosイメージセンサ及びその製造方法 |
| US20070054280A1 (en) | 2005-09-08 | 2007-03-08 | Intel Corporation | High throughput optical micro-array reader capable of variable pitch and spot size array processing for genomics and proteomics |
| US20090245315A1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Victor Faybishenko | Laser diode assemblies |
| US20090323752A1 (en) | 2008-06-26 | 2009-12-31 | Vadim Chuyanov | High brightness laser diode module |
| JP2014149494A (ja) | 2013-02-04 | 2014-08-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュールの製造方法 |
| US20140339509A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
| JP2016225448A (ja) | 2015-05-29 | 2016-12-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光源装置およびプロジェクター |
| JP2017059628A (ja) | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 光部品、光モジュール及び光部品の製造方法 |
| JP2017085036A (ja) | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US20190103723A1 (en) | 2017-10-02 | 2019-04-04 | Nichia Corporation | Light emitting device and optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240055828A1 (en) | 2024-02-15 |
| JP2024040276A (ja) | 2024-03-25 |
| JP7560798B2 (ja) | 2024-10-03 |
| JP2021072372A (ja) | 2021-05-06 |
| JP2024036543A (ja) | 2024-03-15 |
| US12294196B2 (en) | 2025-05-06 |
| JP7678377B2 (ja) | 2025-05-16 |
| US20250233386A1 (en) | 2025-07-17 |
| US11575243B2 (en) | 2023-02-07 |
| US20230147991A1 (en) | 2023-05-11 |
| US20210135426A1 (en) | 2021-05-06 |
| US11876342B2 (en) | 2024-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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