JP7469348B2 - 配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は配線基板および配線基板の製造方法に関する。

ＩＣチップやＬＥＤ素子のような半導体素子を基板に実装する半導体装置においては、配線基板の裏面から露出する外部接続端子が実装用の電極として用いられる。外部接続端子の形成方法として、リードフレームを用いることの他に、めっきによる薄膜を用いる方法が知られている。めっきによる薄膜を用いる場合、外部接続端子を薄く形成できる反面、外部接続端子が基板から剥離または抜脱しやすくなるという課題が生じるため、外部接続端子の上端周縁に断面庇形状の凸部を形成する対策が提案されている（特許文献１）。

特開２００２－４０７７号公報

本発明は、配線層が形成される主面と外部接続端子が設けられた裏面を有する配線基板において、外部接続端子が剥離または抜脱するという課題を解決することを目的とする。

本発明の配線基板は、底面が露出する外部接続端子と、前記外部接続端子を取り囲む単層からなる絶縁層と、前記絶縁層の上層であり、前記絶縁層に設けられたビアを介して前記外部接続端子と電気的に接続される配線層と、を備える配線基板において、前記外部接続端子の底面および前記絶縁層の底面は、同一平面上にあり、前記外部接続端子の底面を構成する底部導電層の上面に、上方の前記絶縁層に突出するように形成された柱状の複数の凸部を備えることを特徴とする。

上記配線基板において、前記ビアは前記凸部よりも直径が大きく、前記複数の凸部は前記ビアを囲繞するように配置されていることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記ビアが、複数の柱状部材からなり、前記複数の凸部が、前記ビアを囲繞するように配置されていることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記底部導電層の中心から底部導電層の外縁までの距離をＲとした場合、前記凸部と前記底部導電層の外縁との距離がＲ／３以下となるように前記複数の凸部が配置されていることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記ビアは前記絶縁層に形成されたビア孔に形成され、前記ビア孔は内周面が粗面化されていることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記凸部は前記絶縁層に形成された凸部孔に形成され、前記凸部孔は内周面が粗面化されていることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記凸部は前記絶縁層に形成された凸部孔に形成され、前記凸部を介して前記底部導電層と前記配線層が電気的に接続されることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記凸部が、３～３２個の柱状部材からなることを特徴としてもよい。
上記配線基板において、前記配線層は前記絶縁層の上面に形成されており、前記複数の凸部は、前記配線層に到達しない厚さに形成されていることを特徴としてもよい。

本発明の配線基板の製造方法は、底面が露出する外部接続端子と、前記外部接続端子を取り囲む絶縁層と、前記絶縁層の上層であり、前記絶縁層に設けられたビアを介して前記外部接続端子と電気的に接続される配線層と、を備える配線基板の製造方法であって、前記外部接続端子を支持板上に形成する外部接続端子形成工程、前記外部接続端子を取り囲み、その底面が前記外部接続端子の底面と同一平面上にある単層からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程、前記外部接続端子と配線層を電気的に接続するビアを形成するビア形成工程、前記絶縁層の上層に配線層を形成する配線層形成工程、を含み、さらに、前記外部接続端子の底面を構成する底部導電層の形成後に、前記底部導電層の上面から上方の前記絶縁層に突出する柱状の複数の凸部を形成する工程を含むことを特徴とする。

本発明によれば、配線層が形成される主面と外部接続端子が設けられた裏面を有する配線基板において、外部接続端子が剥離または抜脱するという課題を解決することが可能となる。また、外部接続端子の放熱性および耐熱性を向上させることが可能となる。

第１実施形態にかかる半導体装置の断面図である。 第１実施形態にかかる底部導電層の平面図である。 第１実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 図３に続く工程を示す図である。 図４に続く工程を示す図である。 図５に続く工程を示す図である。 第２実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。 図７に続く工程を示す図である。 図８に続く工程を示す図である。 第２実施形態にかかる底部導電層の平面図である。 第３実施形態にかかる配線基板の断面図および底部導電層の平面図である。 各実施形態における変形例を示す半導体装置の断面図である。 従来の配線基板の製造工程を説明する断面図および底部導電層の平面図である。

以下、図面を参照して本発明の各実施形態を説明する。なお、以下に示す図面において、各部材の形状や、長さ、幅、厚さなどのサイズ、および長さ、幅、厚さの比率は、発明の構成を明確にするため、適宜、実際とは異なる形状、サイズおよび比率で示されている。従って、図示された各部材の形状、サイズおよび長さ、幅、厚さの比率は、同一部材の同一要素や他の部材の同一要素と対比して斟酌されるべきではない。

＜従来例＞
図１３は、従来の配線基板９０３を説明する断面図および底部導電層の平面図である。図１３（Ａ）に示すように、配線基板９０３は、第１の絶縁層９３１と、第２の絶縁層９３２とを備えている。第１の絶縁層の底面には、外部接続端子を構成する底部導電層９２１が設けられている。底部導電層９２１は、ビア９２２を介して配線層９２３と電気的に接続されている。図１３（Ｂ）は、底部導電層９２１およびビア９２２の平面図である。第２の絶縁層９３２の天面には、半導体素子と接続される上層配線層９２４が設けられている。

このような従来の配線基板９０３は、支持板９１０上に配線層および絶縁層を積層して形成されるが、支持板９１０を引き剥がす際に底部導電層９２１が絶縁層９３１から剥離するという問題や、実装後に底部導電層９２１が抜脱するという問題があった。
この原因は、底部導電層９２１が約１０μｍ程度と薄いため、支持板９１０を引き剥がす際に、絶縁層９３１と底部導電層９２１との密着性が低下することによるものと推察される。また、底部導電層９２１と絶縁層９３１の熱抵抗値の違いにより、膨張係数差が界面に集中することにより界面剥離が生じることや、ビア９２２用の孔を開口した際に、開口部から露出する底部導電層９２１の露出面から露出面の周囲にまで、底部導電層９２１の酸化による剥離が進行することも原因であると推察される。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態にかかる半導体装置１の断面構造を模式的に示す図である。半導体装置１は、半導体素子２と、半導体素子２が搭載される配線基板３とを備えている。半導体素子２は絶縁性の封止樹脂４によって封止されている。配線基板３は、半導体素子２の搭載面となる基板主面３ａと、基板主面３ａとは反対側の基板裏面３ｂとを有する。基板主面３ａ上には半導体素子を電気的に接続するための配線層４３が形成されている。配線層４３は、複数の金属層による多層構成とするのでも良い。配線層４３への半導体素子の電気的な接続は、一例としてフェイスダウン接続を図示しているが、ワイヤーボンディングによる接続であっても良い。

配線基板３の基板裏面３ｂから露出するように設けられた外部接続端子４０は、半導体装置１を実装基板（不図示）に実装するための端子である。外部接続端子４０は、基板裏面３ｂから露出する底部導電層４１と、底部導電層４１に形成した凸部１４１からなり、裏面３ｂ側から露出する底部導電層４１と基板裏面３ｂとは、同一平面上にある。底部導電層４１と配線層４３は、絶縁層３１に形成されたビア１４２により電気的に接続されている。

図２は、基板主面３ａ側から見た外部接続端子４０である。本実施形態では、図２に示すように、底部導電層４１の上面に、上方に突出する８個の凸部１４１が環状に等間隔で設けられている。ビア１４２は、底部導電層４１の中心に位置し、８個の凸部１４１に囲まれている。複数個の凸部１４１を設けることにより、外部接続端子４０と絶縁層３１との密着性が増し、外部接続端子４０の剥離、抜脱耐性を向上することができる。

凸部１４１は、所望する密着強度に応じて位置、個数および厚さを調整できる。凸部１４１の数は、任意の複数個とすることできるが、好ましくは３～３２個または４～２４個とすることが開示される。４個から１２個までの凸部１４１を設けた比較実験の結果、凸部１４１の数を増やした方が接合強度（シェア試験値）に優れることが確認できた。

また、凸部１４１を底部導電層の外縁４１ａの近傍に設けた方が、接合強度（シェア試験値）に優れることが確認できた。すなわち、ビアの外縁１４２ａから凸部１４１までの距離Ｌ１が底部導電層の外縁４１ａから凸部１４１までの距離Ｌ２よりも大きくなるように凸部１４１を設けることが好ましい。
別の観点からは、凸部１４１を、例えば、底部導電層４１の中心から底部導電層の外縁４１ａまでの距離（図２の例では半径）をＲとした場合、凸部１４１と底部導電層の外縁４１ａとの距離Ｌ２がＲ／３以下となるような配置とすることが好ましく、Ｒ／４以下となるような配置とすることがより好ましい。
また、凸部１４１の設置条件が同一である場合、凸部１４１の直径を大きくした方が、より接合強度（シェア試験値）に優れることが確認できた。

次に、図１に示した配線基板３の製造方法について説明する。図３から図６は、製造方法の一例を示す断面図である。なお、図３から図６では配線基板の一部についての製造工程を示しているが、実際には、支持板１０上には必要な配線パターンに応じた大きさの配線基板が製作される。

図３（Ａ）に示す工程では、シード層１２が形成された支持板１０を示している。本実施形態の支持板１０は、ガラスや銅からなる角形の基板であり、シード層１１としては、例えば、チタン（Ｔｉ）を用いる。

図３（Ｂ）に示す工程では、シード層１１上の全面にフォトレジスト２１を形成する。フォトレジスト２１は、例えば、ドライフィルムタイプの感光性レジストフィルムをラミネータでラミネート形成することにより形成される。フォトレジスト２１は、厚み公差を許容できる程度に底部導電層４１の厚さより厚く構成され、例えば、２０～４０μｍ程度とする。

図３（Ｃ）に示す工程では、フォトマスク（図示せず）を用いてフォトレジスト２１を露光する。フォトマスクには、底部導電層４１の形状に対応するパターン形状の非透過部と、非透過部の周囲の透過部とが形成されている。フォトマスクを用いた露光により、フォトレジスト２１は、透過部に対応する部分が感光する。

続いて、フォトマスクを除去し、フォトレジスト２１の現像処理を行って、フォトレジスト２１の非感光部分を除去する。その結果、フォトレジスト２１には、底部導電層４１の形状に対応するパターン形状の開口部１２１が形成される。

図３（Ｄ）に示す工程では、フォトレジスト２１の開口部１２１の底部に露出するシード層１１上に、電解めっきにより底部導電層４１を形成する。電解めっきに使用する金属としては、例えばＣｕである。底部導電層４１の厚さは、例えば、１０～３０μｍである。その後、フォトレジスト２１を除去する。

図４（Ａ）に示す工程では、底部導電層４１の上面の全面にフォトレジスト２２を形成する。フォトレジスト２２は、ドライフィルムタイプの感光性レジストフィルムをラミネータでラミネート形成し、感光することにより形成される。フォトレジスト２２は、厚み公差を許容できる程度に凸部１４１の厚さより厚く構成され、例えば、１３～２２μｍである。

図４（Ｂ）に示す工程では、レーザーアブレーションまたはリソグラフィーにより、凸部１４１を形成する位置に凸部孔１２２を形成する。これにより、凸部１４１を設ける部分の底部導電層４１が凸部孔１２２を介して露出する。本実施形態では、図２に示す凸部１４１に対応する位置に８個の凸部孔１２２を形成した。各凸部孔１２２は、後述するビア孔１５１よりも小径かつ同径であり、例えば、直径１０～１００μｍである。

図４（Ｃ）に示す工程では、図４（Ｂ）で形成した凸部孔１２２の底部に露出する底部導電層４１の上面に、電解めっきにより、凸部１４１を形成する。配線層４３との絶縁性を確保するため、凸部１４１の厚さはビア１４２の厚さ以下の厚さとすることが好ましく、例えば、３～３０μｍ、好ましくは５～２０μｍの厚さで形成される。その後、フォトレジスト２２を除去する。なお、凸部１４１を、配線層４３に到達する厚さに形成することもできるが、この場合、配線層４３のパターン形状に制約が生じることとなる。

図４（Ｄ）に示す工程では、絶縁層５１が絶縁フィルムをラミネータでラミネート形成することにより形成される。絶縁層５１の厚さは、凸部１４１と配線層４３との絶縁性を確保できる厚さとし、例えば、３０～４０μｍである。

図５（Ａ）に示す工程では、絶縁層５１の所定位置に図示しないレーザー装置からレーザー光を照射して絶縁層５１を局所的に蒸発させるレーザーアブレーションによりビア孔１５１を形成する。ビア孔１５１は、例えば、直径５０～２００μｍ、深さ1０～５０μｍである。ビア孔１５１の内周面はレーザー光の照射の影響により粗面化している。

図５（Ｂ）に示す工程では、ビア孔１５１から露出する底部導電層４１および絶縁層５１の上面、並びに、ビア孔１５１の内周面に、シード層１２を形成する。シード層１２は、ビア孔１５１の内周面の粗面の影響による凹凸が残る厚さの金属膜で形成されており、例えば、無電解めっきにより膜厚１μｍ以下程度のＣｕ膜を形成する。

図５（Ｃ）に示す工程では、シード層１２の上面の全面にフォトレジスト２３を形成する。フォトレジスト２３は、ドライフィルムタイプの感光性レジストフィルムをラミネータでラミネート形成し、感光することにより形成される。

続いて、フォトマスク（図示せず）を用いてフォトレジスト２３を露光する。フォトマスクには、配線層４３の形状に対応するパターン形状の非透過部と、非透過部の周囲の透過部とが形成されている。フォトマスクを用いた露光により、フォトレジスト２３は、透過部に対応する部分が感光する。

図５（Ｄ）に示す工程では、フォトマスクを除去し、フォトレジスト２３の現像処理を行って、フォトレジスト２３の非感光部分を除去する。その結果、配線層４３を形成する箇所のみフォトレジスト２３が取り除かれ、シード層１２が露出する開口部１５２が形成される。

図６（Ａ）に示す工程では、シード層１２を利用した電解めっきにより、フォトレジスト２３に覆われていないシード層１２上に、金属層４２およびビア１４２を形成する。

図６（Ｂ）に示す工程では、フォトレジスト２３を除去する。それにより、フォトレジスト２３に覆われていたシード層１２が露出する。

図６（Ｃ）に示す工程では、前工程で露出した、金属層４２に覆われていないシード層１２を、エッチングにより除去する。こうして各パターンが電気的に独立した、配線層４３の形成が完了する。

図６（Ｄ）に示す工程では、支持板１０を配線基板３から剥離する。剥離処理は引き剥がすことによる処理でも良いが、支持板１０が銅などの金属である場合は、溶解による除去を行っても良い。さらに、支持板１０底面に残るシード層１１をエッチングにより除去することにより、配線基板３が完成する。
または、図６（Ｃ）の工程の後に、配線層４３に半導体素子等の電子部品を接続した後、絶縁性の封止樹脂により電子部品等を封止してから、図６（Ｄ）の工程を行っても良い。

以上に説明した第１実施形態の配線基板３は、底部導電層４１から上方に延出される複数個の凸部１４１が絶縁層５１にスパイクのごとく埋設されていることから、外部接続端子４０の絶縁層５１に対する密着が強固である。また、複数個の凸部１４１を設けることにより、外部接続端子４０の放熱性および耐熱性が向上する。
したがって、第１実施形態の配線基板３によれば、外部接続端子４０の剥離、抜脱の問題を解決することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態の配線基板２０３の製造方法を、図７から図９までを参照しながら説明する。第１実施形態と同様の構成については、第１実施形態と同じ符号を付し、説明を省略する。
第２実施形態の配線基板２０３の製造方法において、図７よりも前の工程は、第１実施形態の図３に示す工程と同様であるので説明を省略する。

図７（Ａ）に示す工程では、絶縁層５１が絶縁フィルムをラミネータでラミネート形成することにより形成される。絶縁層５１の厚さは、凸部１２４１およびビア１２４２の厚みを確保できる厚さとし、例えば、２０～４０μｍである。

図７（Ｂ）に示す工程では、絶縁層５１の所定位置に図示しないレーザー装置からレーザー光を照射して凸部孔２２１およびビア孔２２２を形成する。各凸部孔２２１は同じ寸法であり、例えば、直径１０～１００μｍであり、深さ1０～５０μｍである。ビア孔２２２は凸部孔２２１よりも大径であり、例えば、直径５０～２００μｍ、深さは凸部孔２２１と同じである。ビア孔２２２および凸部孔２２１の内周面はレーザー照射の影響により粗面化している。

図７（Ｃ）に示す工程では、凸部孔２２１およびビア孔２２２の底部に露出する底部導電層２４１上に、電解めっきにより凸部１２４１およびビア１２４２を形成する。電解めっきに用いる金属としては、例えばＣｕである。ビア孔２２２および凸部孔２２１の内周面はレーザー照射の影響により粗面化しているため、ビア１２４２と絶縁層５１だけでなく、凸部１２４１と絶縁層５１も強く密着することにより、剥離、抜脱への耐性がより高められる。

図７（Ｄ）に示す工程では、凸部１２４１、ビア１２４２および絶縁層５１の上面にシード層１２を形成する。シード層１２の形成方法は第１実施形態と同様である。

図８（Ａ）に示す工程では、シード層１２の上面の全面にフォトレジスト２３を形成する。フォトレジスト２３の形成方法は第１実施形態と同様である。

続いて、フォトマスク（図示せず）を用いてフォトレジスト２３を露光する。フォトマスクには、配線層２４３の形状に対応するパターン形状の非透過部と、非透過部の周囲の透過部とが形成されている。フォトマスクを用いた露光により、フォトレジスト２３は、透過部に対応する部分が感光する。

図８（Ｂ）に示す工程では、フォトマスクを除去し、フォトレジスト２３の現像処理を行って、フォトレジスト２３の非感光部分を除去する。その結果、配線層２４３を形成する箇所のみフォトレジスト２３が取り除かれ、シード層１２が露出する開口部２５２が形成される。

図８（Ｃ）に示す工程では、シード層１２を用いた電解めっきにより、フォトレジスト２３に覆われていないシード層１２上に、金属層２４２を形成する。

図９（Ａ）に示す工程では、フォトレジスト２３を除去する。それにより、フォトレジスト２３に覆われていたシード層１２が露出する。

図９（Ｂ）に示す工程では、前工程で露出した、金属層２４２に覆われていないシード層１２を、エッチングにより除去する。こうして配線層２４３の各パターンは電気的に独立し、配線層２４３の形成が完了する。

図９（Ｃ）に示す工程では、支持板１０を配線基板２０３から剥離する。剥離処理は引き剥がしによる処理でも良いが、支持板１０が銅などの金属である場合は、溶解による除去を行っても良い。さらに、支持板１０底面に残るシード層１１は、エッチングにより除去することにより、配線基板２０３が完成する。
または、図９（Ｂ）の工程の後に、配線層２４３に半導体素子等の電子部品を接続した後、絶縁性の封止樹脂により電子部品等を封止してから、図９（Ｃ）の工程を行っても良い。

図１０は、配線基板２０３の主面側から見た外部接続端子５０である。本実施形態では、図１０に示すように、底部導電層２４１の上面に、上方に突出する１２個の凸部１２４１が環状に等間隔で設けられている。ビア１２４２は、底部導電層２４１の中心に位置し、１２個の凸部１２４１に囲まれている。第２実施形態においても、複数個の凸部１２４１を設けることにより、外部接続端子５０と絶縁層５１との密着性が増し、外部接続端子５０の剥離、抜脱耐性を向上することができる。なお、凸部１２４１の数は例示の１２個に限定されず、任意の複数個とできることは、第１実施形態と同様である。

以上に説明した第２実施形態の配線基板２０３は、底部導電層２４１から上方に延出される複数個の凸部１２４１が配線層２４３と接合されており、また、ビア孔２２２の内周面だけでなく、凸部孔２２２の内周面もレーザー照射の影響により粗面化しているため、外部接続端子５０と絶縁層５１との密着性が高く、剥離、抜脱することへの耐性はより強くなる。さらに、複数個の凸部１２４１が、配線層２４３と底部導電層２４１との放熱経路となることで、半導体装置の放熱性を向上することが出来る。

＜第３実施形態＞
第３実施形態の配線基板３０３を、図１１を参照しながら説明する。
第３実施形態の配線基板３０３は、単一の大径のビアではなく、第２実施形態のビアよりも小径のビアを複数備える点で、第２実施形態の配線基板２０３と相違する。以下では、第２実施形態との相違点を中心に説明をし、一致点については説明を省略する。

第３実施形態の配線基板３０３は、底部導電層３４１から第１の環に沿って配置された８個の凸部１３４１と、第１の環よりも小径の第２の環に沿って配置された８個のビア１３４２とを備えている（図１１（Ｂ）参照）。第１の環に沿って配置された８個の凸部１３４１は、ビア１３４２と比べ底部導電層の外縁３４１ａに近い位置に等間隔に配置されている。第２の環に沿って配置された８個のビア１３４２は、底部導電層３４１の中心付近に等間隔に離れて配置されている。なお、凸部１３４１およびビア１３４２の数は例示の８個に限定されず、例えば、それぞれ３～２４個とすることが開示される。また、凸部１３４１およびビア１３４２の数は、同数である必要はなく、いずれか一方の数が他方の数よりも多くなるように構成しても良い。

図１１（Ａ）に示すように、パターン化された金属層３４２とシード層１２からなる配線層３４３は、その底部において、凸部１３４１およびビア１３４２と接合されているため、配線層３４３と底部導電層３４１は、凸部１３４１およびビア１３４２を介して電気的に接続されている。第３実施形態では、配線層３４３と底部導電層３４１間の電気的接続を、凸部１３４１およびビア１３４２で担うものであるため、図２におけるビア１４２のように、大径のビアを用いたときのその断面積に対して、凸部１３４１およびビア１３４２の断面積の合計面積は、同程度以上であることが好ましい。

凸部１３４１の接合強度を強くするとの観点からは、凸部１３４１を底部導電層の外縁３４１ａの近傍に設けること好ましい。例えば、底部導電層３４１の中心から底部導電層の外縁３４１ａまでの距離（図２の例では半径）をＲとした場合、凸部１３４１と底部導電層の外縁３４１ａとの距離がＲ／３以下となるような配置とすることが好ましく、Ｒ／４以下となるような配置とすることがより好ましい。

以上に説明した第３実施形態の配線基板３０３は、外部接続端子６０と配線層３４３が複数個の凸部１３４１および凸部１３４２により電気的に接続されており、また、すべての凸部孔の内周面を粗面化しているため、絶縁層５１との密着性が強く、剥離、抜脱耐性が高いものとなっている。

＜変形例＞
第１～３実施形態の配線基板において、外部接続端子に１層の配線層のみが電気的に接続されている構成を示したが、図１２に示すように、配線層４３に絶縁層３２を積層したうえで、さらなる上層配線層２４４を形成しても良い。上層配線層２４４の形成方法としては、第１実施形態において、ビア１４２および配線層４３を製造した方法と同様なので説明を省略する。図１２では第１実施形態の配線基板３をベースに絶縁層３２および上層配線層２４４を形成した構成を示しているが、第２実施形態または第３実施形態の配線基板（２０３、３０３）であっても、同様の方法で絶縁層３２および上層配線層２４４を形成できる。また、同様の製造方法を繰り返すことで、より多層の配線層をもつ配線基板としても良い。

以上、本発明の好ましい実施形態例について説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態例の記載に限定されるものではない。上記実施形態例には様々な変更・改良を加えることが可能であり、そのような変更または改良を加えた形態のものも本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、上記実施形態例では、凸部およびビアはいずれも円柱形であったが、断面が多角形の柱などの形状であってもよい。

１…半導体装置
２…半導体素子
３、２０３、３０３、９０３…配線基板
４…封止樹脂
１０、９１０…支持板
１１、１２、１３、９１１、９１２…シード層
２１～２４…フォトレジスト
３１、３２、５１…絶縁層
４０、５０、６０…外部接続端子
４１、２４１、３４１、９２１…底部導電層
４２、２４２、３４２…金属層
４３、２４３、３４３、９２３…配線層
１２１、１５２、２５２…開口部
１２２、２２１…凸部孔
１４１…凸部
１４２、９２２…ビア
１５１、２２２…ビア孔
２４４、９２４…上層配線層
９３１…第１の絶縁層
９３２…第２の絶縁層

Claims (13)

1. 底面が露出する外部接続端子と、
   前記外部接続端子を取り囲む単層からなる絶縁層と、
   前記絶縁層の上層であり、前記絶縁層に設けられたビアを介して前記外部接続端子と電気的に接続される配線層と、を備える配線基板において、
   前記外部接続端子の底面および前記絶縁層の底面は、同一平面上にあり、
   前記外部接続端子の底面を構成する底部導電層の上面に、上方の前記絶縁層に突出するように形成された柱状の複数の凸部を備えることを特徴とする配線基板。
2. 前記ビアは前記凸部よりも直径が大きく、
   前記複数の凸部は前記ビアを囲繞するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記ビアが、複数の柱状部材からなり、
   前記複数の凸部が、前記ビアを囲繞するように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
4. 前記底部導電層の中心から底部導電層の外縁までの距離をＲとした場合、前記凸部と前記底部導電層の外縁との距離がＲ／３以下となるように前記複数の凸部が配置されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
5. 前記ビアは前記絶縁層に形成されたビア孔に形成され、前記ビア孔は内周面が粗面化されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
6. 前記凸部は前記絶縁層に形成された凸部孔に形成され、前記凸部孔は内周面が粗面化されていることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
7. 前記凸部は前記絶縁層に形成された凸部孔に形成され、前記凸部を介して前記底部導電層と前記配線層が電気的に接続されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
8. 前記凸部が、３～３２個の柱状部材からなることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
9. 前記配線層は前記絶縁層の上面に形成されており、
   前記複数の凸部は、前記配線層に到達しない厚さに形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の配線基板。
10. 底面が露出する外部接続端子と、前記外部接続端子を取り囲む絶縁層と、前記絶縁層の上層であり、前記絶縁層に設けられたビアを介して前記外部接続端子と電気的に接続される配線層と、を備える配線基板の製造方法であって、
    前記外部接続端子を支持板上に形成する外部接続端子形成工程、
    前記外部接続端子を取り囲み、その底面が前記外部接続端子の底面と同一平面上にある単層からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程、
    前記外部接続端子と配線層を電気的に接続するビアを形成するビア形成工程、
    前記絶縁層の上層に配線層を形成する配線層形成工程、を含み、
    さらに、前記外部接続端子の底面を構成する底部導電層の形成後に、前記底部導電層の上面から上方の前記絶縁層に突出する柱状の複数の凸部を形成する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
11. 前記外部接続端子の底面を構成する底部導電層の形成後に、当該底部導電層を覆うフォトレジスト層を形成し、当該フォトレジスト層に凸部孔を形成し、当該凸部孔に前記複数の前記凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
12. 前記絶縁層を形成後に、内周面が粗面化された凸部孔を前記絶縁層に形成し、前記凸部孔に前記凸部を形成することを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
13. 前記ビア形成工程において、内周面が粗面化されたビア孔を前記絶縁層に形成し、前記ビア孔に前記ビアを形成することを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の配線基板の製造方法。