JP7474040B2 - 自発光型表示パネル - Google Patents

Description

本開示は、有機電界発光素子（以下「有機ＥＬ素子」という）などの発光素子を含む画素を、基板の主面に沿って二次元配置してなる表示パネルおよび当該表示パネルの製造方法に関する。

近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。

トップエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板上に光反射性材料からなる画素電極（反射電極）、有機層（発光層を含む）、及び光透光性材料からなる対向電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、反射電極にて反射されて対向電極から出射される反射光と、発光層から直接出射される直接光とが干渉して強められて外部に出射される光共振器構造を採ることにより高い光取り出し効率を実現することができる。

カラー表示用の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色の副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。そして、一般に、有機ＥＬ表示パネルでは、各画素に設けられた反射電極の外縁による外光の照り返しによる表示のコントラストが低下や隣接福画素間の混色を防止して、出射される光の色純度を向上するために、隣接する副画素間の境界に格子状の遮光膜と、遮光膜に囲まれた副画素の上方にＲＧＢの発光色に対応したカラーフィルタ層が設けられていた（例えば、特許文献１）。

しかしながら、斜め方向から有機ＥL表示パネルを見たときに、格子状の遮光膜が各色副画素の発光領域の一部を遮光するために表示画像の色度が変化するという課題があった。これに対し、例えば、特許文献２には、ＲＧＢ各色の副画素を区画する隔壁と格子状の遮光膜との大きさをＲＧＢ各色の副画素ごとに異ならせることにより斜め方向からの視認時における色度変化を低減する技術が開示されている。

特開２００８－２２６７４７号公報 特開２０１１－４０３５２号公報

ところが、特許文献１に記載される構造では、高精細化された有機ＥＬ表示パネルにおいて、斜め方向からの視認時における色度変化を十分に低減することが難しいという課題があった。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高精細化が可能であり、かつ、斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る自発光型表示パネルは、複数の副画素からなる画素が行列状に配された自発光型表示パネルであって、前記画素を構成する前記副画素ごとに発光色が異なる複数の発光素子と、行方向における前記発光素子と前記発光素子との間に配され、列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、前記発光素子の出射方向の下流側に、平面視において各前記発光素子と対向する位置に開口が設けられた遮光膜とを備え、平面視において、行方向における前記遮光膜の開口縁と前記発光素子との距離は、前記発光素子と行方向に隣り合う前記列バンクの行方向の幅のうち、前記発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、前記発光素子の発光色に応じて異なることを特徴とする。

本開示の一態様に係る自発光表示パネルは、高精細化が可能であり、かつ、斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減することができる。

実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。 図１におけるＡ１－Ａ１で切断した模式断面図である。 図１におけるＡ２－Ａ２で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程の工程図である。 （ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるにおける前面板の製造の状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、遮光膜１３３の開口１３３ａの開口幅を異ならせた比較例における発光素子の拡大断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、遮光膜１３３の開口１３３ａの開口幅を異ならせた比較例における発光素子の拡大断面図である。 実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。 変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの、図２におけるＡ１－Ａ１と同じ断面で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の行方向に切断した断面における発光層１２３までの機能層の膜厚の測定結果である。 有機ＥＬ表示パネルの副画素における図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で測定した色度（ｙ値）分布の測定結果を示す模式図である。 変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Bの、図２におけるＡ１－Ａ１と同じ断面で切断した模式断面図である。 有機ＥＬ表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する模式図である。 有機ＥＬ表示パネルの画素を行方向に切断した模式断面図である。

≪本開示の一態様に至った経緯≫
図１９は、有機ＥＬ表示パネル１０Ｘの画素を行方向（図１９のＸ方向）に切断した模式断面図である。有機ＥＬ表示パネル１０Ｘでは、基板１ｘの上面に各条が列方向（図１９のＹ方向）に延伸するバンク２２に区切られた、Ｒ、Ｇ、Ｂの色の光を発する発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂが行方向に並んで配され１画素を構成している。発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとバンク２２は無機材料からなる封止層２６に被覆され、樹脂材料からなる接合層２７を介して、基板１ｘが距離Ｌｙだけ離間した上部基板３０と接合されている。上部基板３０には、発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂと対向する部分に開口を有する黒色顔料を含む遮光膜３３が配され、開口内に発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂと対向するように、それぞれカラーフィルタ層３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが配されている。

表示パネル１０Ｘでは、発光素子幅をＷｅｌ、遮光膜３３の開口の幅をＷｂｍ、発光基準点と遮光膜１３３との距離をＬｙとしたとき、遮光膜３３の開口の幅ＷｂｍＲ、ＷｂｍＧ、ＷｂｍＢは、対向する発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの幅ＷｅｌＲ、ＷｅｌＧ、ＷｅｌＢよりも大きく、発光素子２３から出た光は上方（図１９のＺ方向）に出射される。

表示パネル１０Ｘを視野角αとして視線Ｃの方向から視したとき、遮光幅はＬｘ、発光素子幅Ｗｅｌに対する遮光率はＬｘ／Ｗｅｌとなる。そのため、発光素子２３から看者が視認する輝度の減少率は遮光率が大きい程、増加する。このとき、発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ間で輝度の減少率が異なる場合には、発光素子１００Ｒ、Ｇ、Ｂからの輝度バランスが変化して看者が視認する色度が変化し、斜め方向からの視認時におけるグレーや中間調における色度ズレとして認識される。

この課題に対し、例えば、特許文献２では、ＲＧＢ各色の発光素子１００を区画するバンク２２間の間隙と格子状の遮光膜３３の開口の大きさをＲＧＢ各色の副画素ごとに異ならせることにより、発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの遮光率を意図的に異ならせて、斜め方向からの視認時における色度変化を補償して低減する技術が提案されている。しかしながら、発明者の検討では、高精細化された有機ＥＬ表示パネルにおいては、画素密度が増加して発光素子２３の面積が減少するために、特許文献２に記載の方法では、斜め方向からの視認時における色度変化を十分に低減することが難しいという問題があった。

例えば、バンク２２に対し格子状の遮光膜３３の開口面積を減少したときには、上部基板３０と背面基板１ｘとの貼り合わせの際に、上部基板３０に形成された遮光膜３３の発光素子１００に対するアライメントが難化する場合がある。また、バンク２２に対し格子状の遮光膜３３の開口面積を増加したときには、遮光膜３３の最小線幅を確保するために開口Ｗｂｍの増加が制限されて、遮光率を十分に低減できない場合がある。

また、視野角αにおける発光素子２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂの遮光率が構造上異なることにより、看者が視認する色度が変化する場合もある。

この問題を解決するため、発明者は、高精細化が可能であり、かつ、正面から４５°以上傾斜した斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルの構造について鋭意検討を行い、本開示の一態様に係る自発光表示パネルに想到したものである。

なお、発光素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示パネルに限らず、発光層が無機材料からなる無機ＥＬ表示パネルや、発光層が、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：quantum dot-LED）からなる量子ドット表示パネルなど、およそ自発光素子を備え、ウエットプロセスにより有機機能層を形成して光共振器構造を構築した表示パネルについても同様の課題が生じる。

≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る自発光型表示パネルは、複数の副画素からなる画素が行列状に配された自発光型表示パネルであって、前記画素を構成する前記副画素ごとに発光色が異なる複数の発光素子と、行方向における前記発光素子と前記発光素子との間に配され、列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、前記発光素子の出射方向の下流側に、平面視において各前記発光素子と対向する位置に開口が設けられた遮光膜とを備え、平面視において、行方向における前記遮光膜の開口縁と前記発光素子との距離は、前記発光素子と行方向に隣り合う前記列バンクの行方向の幅のうち、前記発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、前記発光素子の発光色に応じて異なることを特徴とする。

係る構成により、高精細化が可能であり、かつ、斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルを実現できる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記複数の発光素子は、前記発光素子の発光色に応じて行方向の発光素子幅が異なり、前記発光素子幅が大きい前記発光素子は、前記発光素子幅が小さい前記発光素子よりも、前記開口縁と前記発光素子との距離が小さい構成としてもよい。

係る構成により、画素を構成する複数の発光素子において発光素子幅が異なる場合において、発光素子幅が相対的に小さい発光素子において、その発光素子と行方向に隣り合う列バンクの行方向の幅のうち、発光素子の側に位置する部分の幅を他の発光素子よりも拡大することにより、発光素子幅及び遮光率の同時に縮小することができる。これにより、高精細化された有機ＥＬ表示パネルにおいて、画素密度が増加して発光素子の単位面積が減少した場合でも、斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルの構造を実現できる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記遮光膜における前記開口と前記開口との間の桟部分のうち、行方向の幅が相対的に小さい前記桟部分と対向する前記バンクの行方向の幅は、行方向の幅が相対的に大きい前記桟部分と対向する前記バンクの行方向の幅よりも大きい構成としてもよい。

係る構成により、画素を構成する複数の発光素子において発光素子幅が異なる場合において、発光素子幅が相対的に小さい発光素子において、その発光素子と行方向に隣り合う列バンクの行方向の幅のうち、発光素子の側に位置する部分の幅を他の発光素子よりも拡大すると同時に、遮光膜における桟の部分の行方向の幅を縮小する。これにより、発光素子幅を遮光率を同時に縮小するとともに、遮光率をより一層効果的に縮小することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記複数の発光素子は、前記発光素子の発光色に応じて行方向における発光分布が異なり、前記発光分布における１／２輝度発生領域幅が大きい前記発光素子は、前記１／２輝度発生領域幅が小さい前記発光素子よりも、前記開口縁と前記発光素子との距離が大きい構成としてもよい。

係る構成により、発光素子の輝度分布の急峻度の違いにより、各色発光素子を斜め方向から視したときの見かけの遮光率が同じでも各色発光素子から視認される輝度が異なる場合において、斜め方向からの視認時における色度変化を低減できる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記複数の発光素子は、前記遮光膜における前記開口と前記開口との間の桟部分の行方向の幅は、前記発光素子の発光色によらず一定である構成としてもよい。

係る構成により、桟の部分の幅を製造プロセス上許容される遮光膜の最小線幅を確保しつつ、遮光率の減少により視野角αの方向から視したときの輝度を増加することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、複数の前記画素は行列状に配されており、前記画素ごとに発光色が異なる前記発光素子が行方向に列設されており、さらに、行方向における前記発光素子と前記発光素子との間に配され、列方向に延伸されてなる複数のバンクを備え、前記発光素子は、行方向に隣接する２つの前記バンク間の間隙に配された塗布膜からなる発光層を有し、前記発光層は、それぞれ、前記バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部の行方向の両側に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含む構成としてもよい。

係る構成により、斜め方向から視認したときの遮光率は、行方向の遮光率が列方向の遮光率よりも大きい関係となり、視野角から視認される色度変化も行方向の色度変化が列方向の色度変化よりも大きい関係とすることができる。そのため、遮光膜の開口における行方向の縁に、例えば、行方向における遮光膜の開口縁と発光素子との距離は、その発光素子と行方向に隣り合う列バンクの行方向の幅のうち、発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、斜め方向からの視認時における色度変化を効果的に低減できる発光パネルの構造を実現できる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、各前記発光素子から発せられた光の一部が前記遮光膜における前記開口の縁によって遮られることに起因して生じる、行方向における視野角４５°から観測される色度と、列方向における視野角４５°から観測される色度との間の色差は、０より大きく０．０２以下である構成としてもよい。

係る構成により、遮光膜の各開口の、行方向および列方向における開口幅を縮小して遮光率を増加させたときの、斜め方向から視認される色度変化を低減することができる。

また、別の態様では、上記の何れかの態様において、各前記発光素子から発せられた光の一部が前記遮光膜における前記開口の縁によって遮られることに起因して生じる、列方向における視野角４５°から観測される輝度は、行方向における視野角４５°から観測される輝度よりも３％以上大きい構成としてもよい。

係る構成により、発光素子の発光層が列バンク間の間隙内に連続して形成された長尺状の塗布膜からなる場合において、発光素子の遮光率の違い補い斜め方向からの視認時における色度変化をより一層精度よく補償することができる発光パネルの構造を実現できる。

≪実施の形態≫
＜有機ＥＬ表示パネル１０の全体構成＞
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。図１は、表示パネル１０の一部を拡大した模式平面図である。

表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の発光素子１００がマトリックス状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図１におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。

図１に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（区別しない場合は、「発光素子１００」とする）を規制する列バンク１２２Ｙと行バンク１２２Ｘ（総称して「バンク１２２」とする）とが配された区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）から構成されている。発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、赤色に発光する自己発光領域１００ａＲ、緑色に発光する自己発光領域１００ａＧ、青色に発光する自己発光領域１００ａＢ（区別しない場合は「自己発光領域１００ａ」とする）の何れかが形成されている。各発光素子１００は、発光単位である副画素１００ｓｅに対応する。表示パネル１０の領域１０ｅには、行方向に並んだ３つの副画素１００ｓｅから構成された単位画素１００ｅが行列状に配されている。

また、図１に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘは、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されており、自己発光領域１００ａＢ、１００ａＧ、１００ａＲの面積もこの順に大きい。したがって、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの行方向の幅ＷｅｌＢ、ＷｅｌＧ、ＷｅｌＲは、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されている。

表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク１２２Ｙが複数行方向に並設されている。

一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。

１２２ｚと定義し、自己発光領域１００ａＲに対応する間隙を赤色間隙１２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する間隙を緑色間隙１２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する間隙を青色間隙１２２ｚＢ（以後、区別しない場合は「間隙１２２ｚ」）とする。

また、図１に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙１２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配され、非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ₁とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）１１９ｃ（１１８ａ）が設けられている。

＜表示パネル１０の各部構成＞
表示パネル１０における発光素子１００の構成について、図２、図３を用いて説明する。図２、図３は、図１におけるＡ１－Ａ１、Ａ２－Ａ２で切断した模式断面図である。

本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。

（発光素子部）
［基板１００ｘ］
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。

基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。

ＴＦＴ回路は、発光素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。本実施の形態では、ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。配線は、ＴＦＴのソースＳ₁ と対応する画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。

［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するとともに、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。

平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁ に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔１１８ａが開設されている。

［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける領域１０ｅの上面に位置する平坦化層１１８上には、図２、３に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。

画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。表示パネル１０はトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。本実施の形態では、上述のとおり、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒにおける画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ（Ｂ）、（Ｇ）、（Ｒ）は、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されている。これにより、発光層１２３の電流密度を、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に小さくして各色の発光素子１００の素子寿命の違いを補うように構成されている。

平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ₁に接続される配線とが接続される。

［ホール注入層１２０］
画素電極１１９及上には、図２、３に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。

ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなる下層と、後述する間隙１２２ｚＲ、間隙１２２ｚＧ、間隙１２２ｚＢ内の下層の上それぞれに積層された有機物からなる上層とを含む。ＲＧＢの各副画素に形成される上層は、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されている。

本実施の形態では、図３に示すように、間隙１２２ｚＲ、間隙１２２ｚＧ、間隙１２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０は列方向に延伸するように線状に設けられている。

［バンク１２２］
図２に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク１２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある（以後、区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。

列バンク１２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク１２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。また、列バンク１２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。

ここで、図１３に示すように、平面視において、行方向における後述する遮光膜１３３の開口１３３ａの縁と発光素子１００との距離は、列バンク１２２Ｙの行方向の幅を異ならせることにより、発光素子１００の発光色に応じて異なる構成を採る。

言い換えれば、発光素子１００の発光色に応じて、列バンク１２２Ｙの行方向における幅のうち隣り合う発光素子１００の側に位置する部分の幅が異なることにより、行方向における遮光膜１３３の開口１３３ａの縁と発光素子１００の外縁との距離が異なる態様を採る。

具体的には、発光素子１００Ｒを区画する２本の列バンク１２２Ｙのうち、発光素子１００Ｂと発光素子１００Ｒとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢと発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲとから構成され、発光素子１００Ｒと発光素子１００Ｇとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）は、発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲと発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧとから構成される。そして、発光素子１００Ｒの発光色に応じて発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲが規定される。

ここで、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）において、発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢと、発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）を発光素子幅ＷｅｌＲと発光素子幅ＷｅｌＢとで内分した点によって分割される構成としてもよい。あるいは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）を等分した点によって分割されてもよい。

同様に、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）において、発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲと、発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）を発光素子幅ＷｅｌＲと発光素子幅ＷｅｌＧとで内分した点によって分割される構成としてもよい。あるいは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）を等分した点によって分割されてもよい。

同様に、発光素子１００Ｇを区画する２本の列バンク１２２Ｙのうち、発光素子１００Ｒと発光素子１００Ｇとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）は、発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲと発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧとから構成され、発光素子１００Ｇと発光素子１００Ｂとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）は、発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧと発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢとから構成される。そして、発光素子１００Ｇの発光色に応じて発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧが規定される。

ここでも、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）において、発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧと、発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）を発光素子幅ＷｅｌＧと発光素子幅ＷｅｌＢとで内分した点によって分割される構成としてもよい。あるいは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）を等分した点によって分割されてもよい。

さらに、発光素子１００Ｂを区画する２本の列バンク１２２Ｙのうち、発光素子１００Ｇと発光素子１００Ｂとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）は、発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧと発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢとから構成され、発光素子１００Ｂと発光素子１００Ｒとの間に配された列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢと発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲとから構成される。そして、発光素子１００Ｂの発光色に応じて発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢが規定される。

したがって、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｒ－Ｇ）は、発光素子１００Ｒの発光色と発光素子１００Ｇの発光色に基づいて規定される。同様に、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｇ－Ｂ）は、発光素子１００Ｇの発光色と発光素子１００Ｂの発光色に基づいて規定される。さらに、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００Ｂの発光色と発光素子１００Ｒの発光色に基づいて規定される。

表示パネル１０では、列バンク１２２Ｙの隣接する発光素子１００の側に位置する部分の幅は、その発光素子１００の発光色に応じて異なる。具体的には、行方向の発光素子幅Ｗｅｌが大きい発光素子１００は、発光素子幅Ｗｅｌが小さい発光素子１００よりも、列バンク１２２Ｙの行方向におけるその発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋが小さく構成される。具体的には、発光素子１００の行方向の発光素子幅ＷｅｌＢ、ＷｅｌＧ、ＷｅｌＲは、発光素子１００Ｂ、Ｇ、Ｒの順に大きく構成されているので、列バンク１２２Ｙの行方向における発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋは、ＷｂｋＢ、ＷｂｋＧ、ＷｂｋＲの順に小さく構成されている。

行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク１２２Ｙを貫通するようにして行方向に設けられており、各々が列バンク１２２Ｙの上面１２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク１２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。

［ホール輸送層１２１］
図２、３に示すように、間隙１２２ｚＲ、１２２ｚＧ、１２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０に接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂは、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されていてもよい（以後、区別しない場合は「ホール輸送層１２１」とする）。

本実施の形態では、後述する間隙１２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。

［発光層１２３］
図２、３に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク１２２Ｙにより規定された間隙１２２ｚＲ、間隙１２２ｚＧ、間隙１２２ｚＢ内では、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂは、それぞれ列方向に延伸するように線状に設けられている。

各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて対向電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成され、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。

発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲１００ｂでは、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分が自己発光領域１００ａとなり、行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂの上方にある部分は非自己発光領域となる。

各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と対向電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて対向電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成されている。すなわち、それぞれの発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が画素電極１１９にて反射されて対向電極１２５を通して上方に出射される反射光と、発光層Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂから発された光が対向電極１２５を通して上方に出射される直接光とが干渉して強め合う構造を有する。そのため、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ、ホール輸送層１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂの膜圧が、ＲＧＢの各副画素によって異なって形成されている。

なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらが改善される。

［電子輸送層１２４］
図２、３に示すように、列バンク１２２Ｙ及び列バンク１２２Ｙにより規定された間隙１２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。

［対向電極１２５］
図２、３に示すように、電子輸送層１２４上に、対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。対向電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。

［封止層１２６］
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有することが必要である。

（発光素子部の構成材料）
発光素子部の各部の構成材料について、一例を示す。

［基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）］
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。

ＴＦＴ層は、基材に形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。

ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。

基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。

［画素電極１１９］
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有する。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０～９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０^-8（１０ ｎΩｍ）と小さく、画素電極１１９の材料として好適である。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。

金属層としては、アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。

［ホール注入層１２０］
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

本実施の形態では、ホール注入層１２０は、膜厚が２ｎｍ以上（ここでは一例として１０ｎｍ）３０ｎｍ以下の酸化タングステン層として構成される。ホール注入層１２０は、酸化タングステンから構成されることが望ましいが、通常混入し得る程度の極微量の不純物が含まれていてもよい。

ホール注入層１２０は、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。

［バンク１２２］
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。

又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。

また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。

［ホール輸送層１２１］
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene)）などを用いることができる。

［発光層１２３］
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。

具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５－１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

［電子輸送層１２４］
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。

また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。

［対向電極１２５］
対向電極１２５は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。

対向電極１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。

［封止層１２６］
封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成される。例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。

［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙１２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙１２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙１２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。カラーフィルタ層１３２は膜厚が、１μｍ以上４μｍ以下の範囲で形成されていることが好ましい。カラーフィルタ層１３２は、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成されたカラーフィルタ層形成用のカバーガラスからなる上部基板１３０に対し、カラーフィルタ層材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。

［遮光膜１３３］
上部基板１３０には、図２、３に示すように、各副画素の発光領域１００ａに対向する位置に開口１３３ａが開設されており、列バンク１２２Ｙの上方であって各副画素の発光領域１００ａ間の行方向における境界に対応する位置、及び行バンク１２２Ｘの上方であって各副画素の発光領域１００ａ間の列方向における境界に対応する位置を覆う遮光膜１３３が形成されている。

遮光膜１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。いわゆるブラックマトリクスである。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。

遮光膜１３３における開口１３３ａの行方向の幅Ｗｂｍａ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍａ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍａ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００の発光色によらず等価に構成されている。また、開口１３３ａ間の桟の部分の行方向の幅Ｗｂｍ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍ（Ｂ－Ｒ）も、発光素子１００の発光色によらず等価に構成されている。遮光膜１３３は、いわゆるブラックマトリクスである。また、「桟」とは、遮光膜１３３の開口１３３ａ以外の格子状の枠を構成するＸ方向に延伸した横のパターン、又はＹ方向に延伸した縦のパターンを指す。

表示パネル１０では、上述のとおり、行方向の発光素子幅Ｗｅｌが大きい発光素子１００は、発光素子幅Ｗｅｌが小さい発光素子１００よりも、列バンク１２２Ｙの行方向におけるその発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋが小さく構成されている。その結果、行方向の発光素子幅Ｗｅｌが大きい発光素子１００は、発光素子幅Ｗｅｌが小さい発光素子１００よりも、遮光膜１３３の開口１３３ａの行方向の縁と発光素子１００の外縁との距離が小さい構成となる。

具体的には、発光素子１００の行方向の発光素子幅ＷｅｌＢ、ＷｅｌＧ、ＷｅｌＲは、発光素子１００Ｂ、Ｇ、Ｒの順に大きく構成されているので、列バンク１２２Ｙの発光素子１００側の幅Ｗｂｋは、ＷｂｋＢ、ＷｂｋＧ、ＷｂｋＲの順に小さく構成されている。そして、遮光膜１３３の開口１３３ａの行方向の縁と発光素子１００の外縁との行方向の距離は、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に小さく構成されている。

また、遮光膜１３３は列バンク１２２Ｙと行方向に重なり、遮光膜１３３の行方向おける中心は、列バンク１２２Ｙの行方向において、両側の発光素子１００に対応する部分の間の境界と一致する構成としてもよい。

また、遮光膜１３３における開口１３３ａは少なくとも行方向において対応する発光素子１００を内含してもよい。

なお、遮光膜１３３は、それぞれ膜厚が、例えば、１μｍ以上２μｍ以下の範囲で形成されていてもよい。

［接合層１２７］
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。

＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図４～１０を用いて説明する。図４は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程の工程図である。図５～１０における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。

［基板１００ｘの準備］
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図４におけるステップＳ１、図５（ａ））。

［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図４：ステップＳ２、図５（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘ１の上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、平坦化層１１８の上面は平坦化した形状となる。

平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。

次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が平坦化層１１８上に配される。

［画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成を行う（図４：ステップＳ３）。

先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。

次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。

さらに、金属膜１１９ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下でホール注入層１２０を形成するためのホール注入層１２０用の金属膜１２０’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図５（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。

その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。

その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属膜１２０’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０を形成する。

続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０を介して、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施してパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。

ホール注入層１２０の形成において、例えば、ホール注入層１２０と画素電極１１９とをドライエッチングで一括に処理してもよい。

最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０の積層体を形成する（図６（ｂ））。

［バンク１２２の形成］
ホール注入層１２０のホール注入層１２０を形成した後、ホール注入層１２０を覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙１２２ｚを形成するように列バンク１２２Ｙを形成する（図４：ステップＳ４、図６（ｃ））。

先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０上に、スピンコート法などを用い、行バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。

行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。

次に、列バンク１２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク１２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙１２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙１２２ｚを開設して列バンク１２２Ｙを形成する。

具体的には、列バンク１２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。

次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク１２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。

ここで、ホール注入層１２０は、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク１２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０として完成する。

［有機機能層の形成］
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図４：ステップＳ６、７、図６（ｄ）、図７（ａ））。

ホール注入層１２０の上面に、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてホール注入層の上層を形成してもよい。

ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる。

発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図４：ステップＳ６、図７（ａ））。具体的には、基板１００ｘは、列バンク１２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向（図７（ａ）では紙面奥行き方向）に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク１２２Ｙ同士の間隙１２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。

また、この工程では、副画素形成領域となる間隙１２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。

基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。

なお、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。

［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図４：ステップＳ８、図７（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４は、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜し、さらに、有機材料と金属材料とを共蒸着法により成膜する。なお、電子輸送層１２４の膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。

［対向電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５を形成する（図４：ステップＳ９、図７（ｃ））。

先ず、対向電極１２５は、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。本例では、対向電極１２５Ａを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。

次に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。

［封止層１２６の形成］
対向電極１２５Ｂを被覆するように、封止層１２６を形成する（図４：ステップＳ１０、図７（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。

［前面板１３１の形成］
次に、図４のステップＳ１０における前面板１３１の製造方法について説明する。図８（ａ）～（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造におけるにおける前面板の製造の状態を示す図１におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。

先ず、透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光膜の材料（１３３´）を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図８（ａ））。

塗布した遮光膜の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図８（ｂ））。

その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光膜１３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光膜１３３が完成する（図８（ｃ））。このとき、遮光膜１３３は、基板１００ｘと対向させたときに、基板１００ｘに形成されたバンク１２２の上方であって各副画素の発光領域１００ａ間の行及び列方向における境界に対応する部分に位置するようにパターニングされている。

次に、遮光膜１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図８（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図８（ｅ））。

その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図８（ｆ））。

この工程を各色のカラーフィルタ層材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図８（ｇ））。このとき、遮光膜１３３の内方にカラーフィルタ層１３２Ｂが形成される。以上で前面板１３１が形成される。

［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図９（ａ））。

続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図９（ｂ））。

このとき、前面板１３１に形成された遮光膜１３３は、基板１００ｘに形成されたバンク１２２の上方であって各副画素の発光領域１００ａ間の行及び列方向における境界に対応する部分に位置するようアライメントされている。

＜効 果＞
以下、実施の形態に係る表示パネル１０の効果について説明する。

図１０（ａ）～（ｂ）、図１１（ａ）～（ｂ）は、表示パネル１０において、遮光膜１３３の開口１３３ａの開口幅を異ならせた比較例における発光素子の拡大断面図である。

先ず、図１０（ａ）に示すように、表示パネル１０では、発光素子幅をＷｅｌ０、遮光膜１３３の開口１３３ａの幅をＷｂｍａ０、発光基準点と遮光膜１３３との間の光学距離をＬｙ０としたとき、視野角をαとして視線Ｃの方向から視したときの遮光幅はＬｘ０、発光素子幅をＷｅｌ０に対する遮光率はＬｘ０／Ｗｅｌ０となる。

次に、図１０（ｂ）に示すように、発光素子幅をＷｅｌ０より短い発光素子幅Ｗｅｌ１に縮小し、同時に遮光膜１３３の開口幅Ｗｂｍａ０も同等の長さだけ縮小した場合を想定する。このとき、視野角αの方向から視したときの遮光幅はＬｘ０と変化しないが、遮光率はＬｘ０／Ｗｅｌ０より大きいＬｘ０／Ｗｅｌ１となる。これより、視野角αの方向から視したときの輝度は遮光率に応じて減少する。

図１０（ｂ）の表示パネルに対し、遮光率はＬｘ０／Ｗｅｌ１を変化させるために、遮光膜１３３の開口１３３ａの開口幅Ｗｂｍａ１を増加させる場合を想定する。例えば、図１１（ａ）に示すように、遮光膜１３３の開口１３３ａの開口幅をＷｂｍａ１より長い開口幅をＷｂｍ０に拡大したとき、視野角αの方向から視したときの遮光幅はＬｘ０より短いＬｘ１となり、遮光率はＬｘ０／Ｗｅｌ１より大きいＬｘ１／Ｗｅｌ１とすることができる。これより、視野角αの方向から視したときの輝度は遮光率の減少により改善（増加）する。

しかしながら、遮光膜１３３の開口１３３ａ間の桟の部分の幅Ｗｂｍ１が、製造プロセス上許容される遮光膜１３３の最小線幅を確保するために開口幅Ｗｂｍ０の増加が制限される場合には、遮光幅及び遮光率を十分に減少できない場合がある。 これに対し、本実施の形態に係る表示パネル１０では、図１１（ｂ）に示すように、図１１（ａ）の表示パネルに対し、列バンク１２２Ｙの行方向に幅をＷｂｋ０より大きいＷｂｌ１まで拡大することにより、遮光膜１３３の開口１３３ａ間の桟の部分の幅をＷｂｍ１より大きいＷｂｍ０に戻すことができる。これより、桟の部分の幅を製造プロセス上許容される遮光膜１３３の最小線幅を確保しつつ、遮光率をＬｘ０／Ｗｅｌ１より小さいＬｘ１／Ｗｅｌ１とすることができる。これより、遮光率の減少により視野角αの方向から視したときの輝度を改善（増加）することができる。

本実施の形態では、上述のとおり、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒにおける画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ（Ｂ）、（Ｇ）、（Ｒ）は、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されている。

表示パネル１０Ｘを視野角をαとして視線Ｃの方向から視したときの、発光素子幅Ｗｅｌに対する遮光率Ｌｘ／Ｗｅｌは、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの順に大きい。そのため、発光素子から看者が視認する輝度の減少率は遮光率が大きい発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの順に増加するため、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂからの輝度バランスが変化して看者が視認する色度が変化し、斜め方向からの視認時におけるグレーや中間調における色度ズレとして認識される。

これに対し、表示パネル１０では、上述のとおり、表示パネル１０では、行方向の発光素子幅Ｗｅｌが大きい発光素子１００は、発光素子幅Ｗｅｌが小さい発光素子１００よりも、列バンク１２２Ｙの行方向におけるその発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋが小さく構成されており、行方向の発光素子幅Ｗｅｌが大きい発光素子１００は、発光素子幅Ｗｅｌが小さい発光素子１００よりも、遮光膜１３３の開口１３３ａの行方向の縁と発光素子１００の外縁との距離が小さく構成されている。具体的には、本実施の形態では、行方向の発光素子幅がＢ、Ｇ、Ｒの順に大きく構成された発光素子１００に対し、列バンク１２２Ｙの発光素子１００側の幅Ｗｂｋは、ＷｂｋＢ、ＷｂｋＧ、ＷｂｋＲの順に小さく構成され、遮光膜１３３の開口１３３ａの行方向の縁と発光素子１００の外縁との行方向の距離は、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に小さく構成されている。そのため、列バンク１２２Ｙの行方向における発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋに伴う遮光率の増加は、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒに大きい態様となる。

これより、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの遮光率の違いを相殺する方向に変化させて遮光率の違いを補うことで、斜め方向からの視認時における色度変化を低減することができる。

このとき、表示パネル１０では、画素を構成する複数の発光素子１００において発光素子幅Ｗｅｌが異なる場合において、発光素子幅Ｗｅｌが相対的に小さい発光素子１００において、列バンク１２２Ｙの行方向におけるその発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋを他の発光素子よりも拡大することにより、発光素子幅Ｗｅｌ及び遮光率の同時に縮小することができる。

これにより、高精細化された有機ＥＬ表示パネルにおいて、画素密度が増加して発光素子１００の単位面積が減少した場合でも、正面から４５°以上傾斜した斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルの構造を実現できる。

＜まとめ＞
以上のとおり、本開示の実施の形態に表示パネル１０は、複数の副画素１００ｓｅからなる画素が行列状に配された自発光型表示パネルであって、画素を構成する副画素１００ｓｅごとに発光色が異なる複数の発光素子１００と、行方向における発光素子１００と発光素子１００との間に配され、列方向に延伸されてなる複数の列バンク１２２Ｙと、発光素子１００の出射方向の下流側に、平面視において各発光素子１００と対向する位置に開口１３３ａが設けられた遮光膜１３３とを備え、平面視において、遮光膜１３３の開口１３３ａは少なくとも行方向において発光素子１００と重なり、行方向における遮光膜１３３の開口１３３ａの縁と発光素子１００との距離は、発光素子１００と行方向に隣り合う列バンク１２２Ｙの行方向の幅のうち、発光素子１００の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、発光素子１００の発光色に応じて異なる構成されていてもよい。

係る構成により、高精細化され画素密度が増加して発光素子１００の面積が減少した場合でも、斜め方向から表示画像を見たときの出射光の色度変化を低減する自発光表示パネルの構造を実現できる。

≪有機ＥＬ表示装置１の回路構成≫
以下では、実施の形態に係る表示パネル１０を用いた有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１２を用い説明する。

図１２に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。

表示パネル１０は、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とにより構成されている。

表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発光する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図１３を用い説明する。

図１３は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する発光素子１００における回路構成を示す回路図である。

図１３に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ₁は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ₂は、スイッチングトランジスタである。

スイッチングトランジスタＴｒ₂のゲートＧ₂は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ₂ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ₂ のドレインＤ₂は、駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁に接続されている。

駆動トランジスタＴｒ₁のドレインＤ₁は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ₁ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける対向電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。

なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ₂のドレインＤ₂及び駆動トランジスタＴｒ₁のゲートＧ₁と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。

表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ₂からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ₂からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。

また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。

≪変形例≫
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機ＥＬ表示パネルの変形例を説明する。

＜変形例１＞
実施の形態に係る表示パネル１０では、遮光膜１３３における開口１３３ａの行方向の幅Ｗｂｍａ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍａ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍａ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００の発光色によらず等価に構成され、開口１３３ａ間の桟の部分の行方向の幅Ｗｂｍ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍ（Ｂ－Ｒ）も、発光素子１００の発光色によらず等価に構成されている構成とした。変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、開口１３３ａ間の桟の部分の行方向の幅Ｗｂｍ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍ（Ｂ－Ｒ）も、発光素子１００の発光色により異なり、その結果、遮光膜１３３における開口１３３ａの行方向の幅Ｗｂｍａ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍａ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍａ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００の発光色より異なるように構成されている点で実施の形態と相違する。

図１４は、変形例１に係る表示パネル１０Ａの、図２におけるＡ１－Ａ１と同じ断面で切断した模式断面図である。図１４に示すように、変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、遮光膜１３３における開口１３３ａと開口１３３ａとの間の桟の部分のうち、行方向の幅Ｗｂｍが相対的に小さい桟部分と対向する列バンク１２２Ｙの行方向の幅Ｗｂｋは、行方向の幅Ｗｂｍが相対的に大きい桟部分と対向する列バンクの行方向の幅Ｗｂｋよりも大きいことを特徴とする。具体的には、図１４に示すように、表示パネル１０Ａでは、行方向における幅Ｗｂｋが大きい列バンク１２２Ｙの部分の上方に位置する遮光膜１３３の桟は、行方向における幅Ｗｂｋが小さい列バンク１２２Ｙの部分の上方に位置する遮光膜１３３の桟よりも、行方向における幅が小さい構成を採る。

係る構成により、表示パネル１０では、画素を構成する複数の発光素子１００において発光素子幅Ｗｅｌが異なる場合において、発光素子幅Ｗｅｌが相対的に小さい発光素子１００において、列バンク１２２Ｙの行方向におけるその発光素子１００の側に位置する部分の幅Ｗｂｋを他の発光素子よりも拡大すると同時に、遮光膜１３３における桟の部分の行方向の幅を縮小することにより、実施の形態と同様に、発光素子幅Ｗｅｌを遮光率を同時に縮小するとともに、遮光率をより一層効果的に縮小することができる。

＜変形例２＞
実施の形態に係る表示パネル１０では、一例として、発光素子１００Ｂの発光基準点と遮光膜１３３の開口１３３ａの縁との間の出射方向における最大距離ＬＢが、発光素子１００Ｒ、Ｇよりも長い態様を用いて実施の形態を説明した。本実施の形態では、上述のとおり、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒにおける画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ（Ｂ）、（Ｇ）、（Ｒ）が、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されており、発光素子１００Ｂの遮光率が最小となる。これに対し、表示パネル１０における上記構成を採ることにより、画素電極１１９の行方向の長さが最も大きい発光素子１００の遮光率を増大させて、発光色による遮光率の変化を効果的に補償することができる。

しかしながら、発光素子１００の遮光率を異ならせる要因は画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ以外にも存在する。

図１５は、表示パネル１０の発光素子１００Ｂを行方向に切断した断面における発光層１２３までの機能層の膜厚の測定結果である。図１５に示すように、塗布法により形成される機能層の膜厚は、バンク間の間隙１２２ｚの行方向の中心（ｘ＝０）を含む幅±７．５μｍの範囲において約０．２６から０．３３の範囲であり、膜厚の変動幅が０．０７以下である平坦部１２３ｆｌが存在している。一方、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側では、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が０．３３から０．７３に向けて徐々に増加しており、平坦部１２３ｆｌのｘ方向の両側５μｍに平坦部１２３ｆｌよりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎが存在している。

すなわち、発光層１２３は、それぞれ、バンク間の間隙１２２ｚの行方向の中心を含む幅の範囲に存在し行方向に層厚が所定の範囲内にあって均一な平坦部１２３ｆｌを有する。また、発光層１２３は、平坦部１２３ｆｌの行方向の両側に存在し平坦部１２３ｆｌよりも層厚が厚いピンニング部１２３ｐｎとを含む。ピンニング部１２３ｐｎでは、平坦部１２３ｆｌから離間するにつれて層厚が最大膜厚に向けて徐々に増加している。

図１６は、表示パネル１０の各色副画素における図２におけるＡ１－Ａ１と同じ位置で測定した単色光の輝度（相対輝度）分布の測定結果を示す模式図である。

図１６に示すように、表示パネル１０の各色発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにおいて、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において相対輝度０．１以上の発光輝度の分布が観測された。発光輝度の分布形状は、各色発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって異なり、発光素子１００Ｇにおいて発光素子１００Ｒ、１００Ｂよりもより急峻な分布形状を示した。

また、各色発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを、視野角αの方向から視したときに、発光素子１００Ｒ、１００Ｂの方が発光素子１００Ｇよりも視認される輝度の低下率は大きいことが発明者の検討により確認されている。

発光層１２３において相対的にピンニング部１２３ｐｎに比べて膜厚が小さい平坦部１２３ｆｌはピンニング部１２３ｐｎに比べて電気抵抗が小さいために、電流密度が高くなり平坦部１２３ｆｌにおける発光が支配的になる。そのため、発光層１２３の平坦部１２３ｆｌに相当する範囲において相対輝度０．１以上の発光輝度の分布が観測されたと考えられる。

また、発光層１２３の製造工程では、上述のとおり、副画素形成領域となる間隙１２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成される。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行うが、インク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩは、含まれる有機発光層の材料の種類、溶質の密度、インクの粘度、塗布される液滴の数等が互いに異なるために、形成される発光層１２３の膜形状が異なる傾向がある。本例では、発光素子１００Ｇの発光層１２３Ｇにおける平坦部１２３ｆｌのｘ方向の幅が、発光素子１００Ｒ、Ｂの発光層１２３Ｒ、１２３Ｂにおける平坦部１２３ｆｌの幅よりも小さく、そのため、発光素子１００Ｇの方が発光素子１００Ｒ、１００Ｂよりもより急峻な分布形状を示したと考えられる。

そして、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂよりもより輝度分布の形状の違いにより、各色発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを、視野角αの方向から視したときに、遮光幅、遮光率が同じであったとしても、発光素子１００Ｒ、１００Ｂの方が発光素子１００Ｇよりも視認される輝度の低下率は大きく、視野角αの方向から視したときに発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの輝度バランスが変化して視認される色度が変化する。

変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、最も急峻な発行分布を有する発光素子１００Ｇに対して、列バンク１２２Ｙの行方向における発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧが他の発光素子１００Ｂ、Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢ、幅ＷｂｋＲよりも小さく構成した点で実施の形態と相違する。 図１７は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂの、図２におけるＡ１－Ａ１と同じ断面で切断した模式断面図である。図１７に示すように、表示パネル１０Ｂでは、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒにおける画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ（Ｂ）、（Ｇ）、（Ｒ）は等しく構成され、発光素子１００の行方向の発光素子幅ＷｅｌＲ、ＷｅｌＧ、ＷｅｌＢも発光素子１００Ｂ、Ｇ、Ｒ間で等価に構成されている。また、開口１３３ａ間の桟の部分の行方向の幅Ｗｂｍ（Ｒ－Ｇ）、Ｗｂｍ（Ｇ－Ｂ）、Ｗｂｍ（Ｂ－Ｒ）は、発光素子１００の発光色によらず等価に構成されている。そして、列バンク１２２Ｙの行方向における発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧが、発光素子１００Ｂの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢ及び発光素子１００Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＲよりも小さく構成されている。

ここで、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋにおいて、列バンク１２２Ｙを行方向に挟む左右の各色発光素子１００における１／２輝度発生領域の幅と反比例するように内分した点によって分割される構成としてもよい。あるいは、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋを、列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋを等分した点によって分割される構成としてもよい。

そのため、発光素子１００Ｇにおける遮光幅を、発光素子１００Ｒ、１００Ｂにおける遮光幅よりも大きくして、発光素子１００Ｇにおける遮光率を、発光素子１００Ｒ、１００Ｂにおける遮光率よりも大きくすることができる。

これにより、表示パネル１０Ｂによれば、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの輝度分布の急峻度の違いにより、各色発光素子１００を斜め方向から視したときの見かけの遮光率が同じでも各色発光素子１００から視認される輝度が異なる場合において、斜め方向からの視認時における色度変化を低減できる。すなわち、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの輝度減少率の違いを補償するように、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの遮光率を変化させることで、斜め方向からの視認時における色度変化を低減することができる。

＜光共振器構造への影響＞
表示パネル１０では、光取り出し効率を調整するため、共振器構造が採用されている。図１８は、本実施形態にかかる表示パネル１０の光共振器構造における光の干渉を説明する図である。当図では１つの副画素１００ｓｅに相当する素子部分について説明する。

この発光素子１００の副画素１００ｓｅの光共振器構造において、発光層１２３からはホール輸送層１２１との界面近傍から光が出射されて各層を透過していく。この各層界面において光の一部が反射されることによって光の干渉が生じる。

発光層１２３から出射され対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第１光路Ｃ₁と、発光層１２３から、画素電極１１９側に進行した光の一部が、画素電極１１９で反射された後、発光層１２３および対向電極１２５を透過して発光素子の外部に出射される第２光路Ｃ₂とが形成される。そして、この直接光と反射光との干渉が生じる。

図１８に示す光学膜厚Ｌ₁は、第１光路Ｃ₁と第２光路Ｃ₂との光学距離の差に対応している。この光学膜厚Ｌ₁は、発光層１２３と画素電極１１９との間に挟まれたホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の合計の光学距離である。

発光層１２３から対向電極１２５側に進行した光の一部が、対向電極１２５で反射されて、さらに画素電極１１９で反射された後、発光素子の外部に出射される第３光路Ｃ₃も形成される。そして、この第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉が生じる。第２光路Ｃ₂と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は図２７に示す光学膜厚Ｌ₂に対応する。この光学膜厚Ｌ₂は、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。

第３光路Ｃ₃を経由する光と、上記第１光路Ｃ₁を経由する光との干渉も生じる。第１光路Ｃ₁と第３光路Ｃ₃との光学距離の差は、図１３に示す光学膜厚Ｌ₃に対応する。光学膜厚Ｌ₃は、上記光学膜厚Ｌ₁と光学膜厚Ｌ₂の和である（Ｌ₃＝Ｌ₁＋Ｌ₂）。光学膜厚Ｌ₃は、画素電極１１９と対向電極１２５との間に挟まれたホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４の合計の光学距離である。

光共振器構造を用いた発光素子における光学距離の設計では、上記のうち、光学膜厚Ｌ₁の調整のために決定されたホール注入層１２０、ホール輸送層１２１の膜厚を踏まえて、光学膜厚Ｌ₂と光学膜厚Ｌ₃の両方の調整のために発光層１２３膜厚が決定される。このとき、発光層１２３膜厚が影響する光学膜厚Ｌ₂、Ｌ₃の調整では、各色の発光波長の違いにより、光学的な最適電極間距離は赤色副画素が最も長く、青色副画素が最も短い構成となる。

発明者の検討によると、斜め方向から見たときには実効的な光路長は、視認する方向の正面に対する角度が増加するにつれて徐々に減少する。そのため、発光に伴い干渉して強め合う光の波長が短波長側にシフトし、視認する方向の正面かに対する角度が増加したときには発光に伴い出射される光の波長が短波長側にシフトする。

これに対し、表示パネル１０Ｂでは、複数の発光素子１００は、発光素子１００の発光色に応じて行方向における発光分布が異なり、発光分布における、例えば、１／２輝度発生領域幅が大きい発光素子１００は、１／２輝度発生領域幅が小さい発光素子１００よりも、開口縁と発光素子との距離が大きい構成としてもよい。具体的には、本例では、最も急峻な発行分布を有する発光素子１００Ｇに対して、列バンク１２２Ｙの行方向における発光素子１００Ｇの側に位置する部分の幅ＷｂｋＧが、他の発光素子１００Ｂ、Ｒの側に位置する部分の幅ＷｂｋＢ、幅ＷｂｋＲよりも小さく構成したことを特徴とする。そのため、発光素子１００Ｇにおける遮光幅を、発光素子１００Ｒ、１００Ｂにおける遮光幅よりも大きくして、発光素子１００Ｇにおける遮光率を、発光素子１００Ｒ、１００Ｂにおける遮光率よりも大きくすることができる。これより、発光素子１００によって異なる、斜め方向から見たときのピンニング部１２３ｐｎに起因する出射光の短波長側へのシフト量を補うように、各色発光素子１００の遮光率を変更することができる。

したがって、表示パネル１０によれば、斜め方向から見たときの平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の出射を発光素子の発光色に応じて遮光率を調整して出射することができ、表示パネルの斜め方向から見たときの各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。

＜行及び列方向における色度ズレの違い＞
本実施の形態に係る表示パネルでは、発光層１２３の形成は、例えば、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを長尺状の列バンク１２２Ｙにより規定される間隙１２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる。このとき、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている連続して形成された長尺状の塗布膜となる。そのため、各発光素子１００において、発光層１２３の膜形状は、行列方向において、平坦部１２３ｆｌの両側に離間するにつれて膜厚が徐々に増加するピンニング部１２３ｐｎが存在する膜形状となる。このとき、列方向における平坦部１２３ｆｌの長さが行方向における平坦部１２３ｆｌの長さよりも大きい態様となる。また、表示パネル１０では行方向に並んだ３つの発光素子１００から構成された単位画素１００ｅが行列状に配されているために、各発光素子１００に相当する副画素１００ｓｅの行及び列方向の長さも、列方向の長さが行方向の長さよりも長い態様となる。そのため、斜め方向から視認したときの遮光率は、行方向の遮光率が列方向の遮光率よりも大きい関係となり、視野角から視認される色度変化も行方向の色度変化が列方向の色度変化よりも大きい関係となる。したがって、遮光膜１３３の開口１３３ａにおける行方向の縁において、本開示に係る構成、すなわち、行方向における発光素子１００Ｇの側に位置する部分の列バンク１２２Ｙの幅Ｗｂｋが発光素子１００の発光色によって異なる構成を採ることにより、斜め方向からの視認時における色度変化を効果的に低減できる発光パネルの構造を実現できる。さらに、遮光膜１３３の開口１３３ａにおける列方向の縁では、バンク１１２Ｘの間隔は等間隔としても斜め方向からの視認における色度変化が問題となることは少ない。

すなわち、本実施の形態では、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する遮光膜１３３の各開口１３３ａの、行方向および列方向における開口幅Ｗｂｍは、各発光素子１００から発せられた光の一部が遮光膜１３３によって遮られることに起因して視野角α（αは例えば４５°）から視認される輝度が行方向および列方向において互いに異なる態様となる。

そして、本実施の形態では、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応する開口１３３ａの、行方向および列方向における開口幅Ｗｂｍは、さらに、行方向および列方向における視野角α（αは例えば４５°）から観測される色度（ｕ’ｖ’）間の色差（Δｕ’ｖ’）が０．０２０以下となるように構成されている。

具体的には、各発光素子１００から発せられた光の一部が遮光膜１３３における開口１３３ａの縁によって遮られることに起因して生じる、行方向における視野角４５°から観測される色度と、列方向における視野角４５°から観測される色度との間の色差は、０より大きく０．０２０以下である構成を採る。

係る構成により、遮光膜１３３の各開口１３３ａの、行方向および列方向における開口幅Ｗｂｍを縮小して遮光率を増加させたときの、斜め方向から視認される色度変化を低減することができる。

また、色差（Δｕ’ｖ’）は０．００４以下となるよう構成してもよい。これにより、色差（Δｕ’ｖ’）が人間の認識限界以下とすることができる。

また、本実施の形態では、各発光素子１００から発せられた光の一部が遮光膜１３３における開口１３３ａの縁によって遮られることに起因して生じる、列方向における視野角４５°から観測される輝度は、行方向における視野角４５°から観測される輝度よりも３％以上大きい場合に、本開示に係る、例えば、行方向における遮光膜の開口縁と発光素子との距離を、その発光素子と行方向に隣り合う列バンクの行方向の幅のうち、発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることは有効である。すなわち、発光素子１００の発光基準点と、発光素子１００Ｂに対応する遮光膜１３３との間の光学距離を、各発光素子１００における遮光率の大きさに応じて異ならせることにより、各発光素子１００からの輝度バランスを制御して、行方向および列方向における視野角α（αは例えば４５°）から観測される色度（ｕ’ｖ’）の最適点を一致させることができる。これより、発光素子１００の発光層１２３が列バンク１２２Ｙ間の間隙１２２ｚ内に連続して形成された長尺状の塗布膜からなる場合において、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの遮光率の違いを補い斜め方向からの視認時における色度変化をより一層精度よく補償することができる発光パネルの構造を実現できる。

＜その他の変形例＞
実施の形態及び変形例に係る表示パネル１０、１０Ａでは、行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘは、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒの順に大きく構成されており、自己発光領域１００ａＢ、１００ａＧ、１００ａＲの行方向の長さ及び面積もこの順に大きい構成としている。しかしながら、上記は一例であって、画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ（自己発光領域１００ａＢ、１００ａＧ、１００ａＲ）の行方向の長さ及び面積は、上記に限定されない。例えば、変形例Ｂに示すように、画素電極１１９の行方向の長さ１１９ｘ、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒは、発光素子１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒで等価としてもよい。あるいは、発光素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの順に大きいなど、他の構成としてもよい。

実施の形態に係る発光素子１００では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１又は電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間にホール輸送層１２１、発光層１２３が存在する構成や、発光層１２３と電子輸送層１２４が存在する構成、ホール輸送層１２１、発光層１２３と電子輸送層１２４が存在する構成としてもよい。また、発光層１２３の他に、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層の何れかを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。

実施の形態に係る表示パネル１０では、バンク１２２の形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が列方向（図１のＹ方向）に延伸する列バンク１２２Ｙが複数行方向に並設されており、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の間には、各条が行方向（図１のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設され、行バンク１２２Ｘが形成される領域は、発光層１２３が列状に連続して形成されているが、有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる構成としている。しかしながら、行バンク１２２Ｘが形成される領域には、発光層１２３が形成されておらず、発光層１２３は行バンク１２２Ｘと列バンク１２２Ｙが形成する格子内に島状に形成され、副画素毎に分離している態様としてもよい。係るピクセルバンクにより区画される発光層１２３においても、発光層１２３のピンニング部１２３ｐｎにおける色度が変化する。このような場合でも、表示パネル１０によれば、斜め方向から見たときの平坦部１２３ｆｌとピンニング部１２３ｐｎからの発される光の出射を発光素子の発光色に応じて遮光率を調整して出射することができ、表示パネルの斜め方向から見たときの各副画素からの出射光の色度の変化を抑制することができる。

また、上記実施の形態では、行方向に隣接する列バンク１２２Ｙ間の間隙１２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。

表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。

また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。

また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に対向電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。

また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ₁、Ｔｒ₂が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つの副画素に対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。 さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。

また、上記実施の形態では、発光層として有機ＥＬを使用した有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明したが、その他、発光層として無機ＥＬを使用した無機ＥＬ表示パネルや、発光層として量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum dot Light Emitting Diode）を使用した量子ドット表示パネル（例えば、特開２０１０－１９９０６７号公報参照）などの表示パネルについても、発光層の構造や種類が異なるだけで、画素電極と対向電極との間に発光層やその他の機能層を介在させるという構成において有機ＥＬ表示パネルと同じであり、当該発光層やその他の機能層の形成に塗布方式を採用する場合には、本発明を適用することが可能である。

≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。

また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。

また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。

また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。

さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。

本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。

１ 有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ 有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ 区画領域（表示用領域）
１００ 有機ＥＬ素子
１００ｅ 単位画素
１００ｓｅ 副画素
１００ａ 自己発光領域
１００ｂ 非自己発光領域
１００ｘ 基板（ＴＦＴ基板）
１１８ 平坦化層
１１９ 画素電極（反射電極）
１２０ ホール注入層
１２１ ホール輸送層
１２２ バンク
１２２Ｘ 行バンク（行絶縁層）
１２２Ｙ 列バンク（列絶縁層）
１２２ｚ（１２２ｚＲ、１２２ｚＧ、１２２ｚＢ） 間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ） 発光層
１２４ 電子輸送層
１２５ 対向電極
１２６ 封止層
１２７ 接合層
１３０ 上部基板
１３１ 前面板
１３２ カラーフィルタ層
１３３ 遮光膜

Claims (7)

1. 複数の副画素からなる画素が行列状に配された自発光型表示パネルであって、
   基板と、
   前記画素を構成する前記副画素ごとに発光色が異なる複数の発光素子と、
   前記基板と前記複数の発光素子のそれぞれの間に配され、当該発光素子に対応して設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の発光素子を挟んで、前記複数の画素電極とは反対側に配された対向電極と、
   行方向における前記発光素子と前記発光素子との間に配され、列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、
   前記発光素子の出射方向の下流側に、平面視において各前記発光素子と対向する位置に開口が設けられた遮光膜とを備え、
   前記複数の発光素子のそれぞれは、前記画素電極と前記対向電極間の通電により発光する発光層を含み、行方向に隣り合う一方の列バンクの側壁下端部の位置から他方の列バンクの側壁下端部の位置までの間に亘って設けられており、
   前記列バンクの側壁下端部の行方向における位置を、前記発光素子の行方向端縁の位置としたとき、
   平面視において、行方向における前記遮光膜の開口縁と前記発光素子の行方向端縁との距離は、前記発光素子と行方向に隣り合う前記列バンクの行方向の幅のうち、前記発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、前記発光素子の発光色に応じて異なり、
   前記複数の発光素子は、前記複数の列バンクのうちの一の列バンクを介して行方向に隣り合う第１の発光素子とこれとは発光色が異なる第２の発光素子とを含み、
   前記遮光膜において、前記第１の発光素子と対向する位置に設けられた開口を第１の開口、前記第２の発光素子と対向する位置に設けられた開口を第２の開口とし、
   平面視において行方向に、前記第１の開口における前記一の列バンクの側に位置する開口縁を第１の開口縁、前記第２の開口における前記一の列バンクの側に位置する開口縁を第２の開口縁としたとき、
   前記第１の開口の行方向の幅の方が前記第１の発光素子の行方向の幅よりも広く、前記第２の開口の行方向の幅の方が前記第２の発光素子の行方向の幅よりも広く、
   前記一の列バンクの、前記第１の発光素子が位置する側の側壁下端部の位置を、前記第１の発光素子の行方向端縁の位置とし、前記第２の発光素子が位置する側の側壁下端部の位置を、前記第２の発光素子の行方向端縁の位置としたとき、
   平面視において、前記第１の開口縁と前記第１の発光素子の行方向端縁との距離と、前記第２の開口縁と前記第２の発光素子の行方向端縁との距離とが異なる
   自発光型表示パネル。
2. 前記複数の発光素子のそれぞれについて、行方向に隣り合う一方の列バンクの側壁下端部の位置から他方の列バンクの側壁下端部の位置までの間の距離を、当該発光素子の行方向における発光素子幅としたとき、
   前記複数の発光素子は、前記発光素子の発光色に応じて行方向の発光素子幅が異なり、
   前記発光素子幅が大きい前記発光素子は、前記発光素子幅が小さい前記発光素子よりも、前記開口縁と前記発光素子との距離が小さい
   請求項１に記載の自発光型表示パネル。
3. 複数の副画素からなる画素が行列状に配された自発光型表示パネルであって、
   基板と、
   前記画素を構成する前記副画素ごとに発光色が異なる複数の発光素子と、
   前記基板と前記複数の発光素子のそれぞれの間に配され、当該発光素子に対応して設けられた複数の画素電極と、
   前記複数の発光素子を挟んで、前記複数の画素電極とは反対側に配された対向電極と、
   行方向における前記発光素子と前記発光素子との間に配され、列方向に延伸されてなる複数の列バンクと、
   前記発光素子の出射方向の下流側に、平面視において各前記発光素子と対向する位置に開口が設けられた遮光膜とを備え、
   前記複数の発光素子のそれぞれは、前記画素電極と前記対向電極間の通電により発光する発光層を含み、行方向に隣り合う一方の列バンクの側壁下端部の位置から他方の列バンクの側壁下端部の位置までの間に亘って設けられており、
   前記列バンクの側壁下端部の行方向における位置を、前記発光素子の行方向端縁の位置としたとき、
   平面視において、行方向における前記遮光膜の開口縁と前記発光素子の行方向端縁との距離は、前記発光素子と行方向に隣り合う前記列バンクの行方向の幅のうち、前記発光素子の側に位置する部分の幅を異ならせることにより、前記発光素子の発光色に応じて異なり、
   前記遮光膜における前記開口と前記開口との間の桟部分のうち、
   行方向の幅が相対的に小さい前記桟部分と対向する前記列バンクの行方向の幅は、行方向の幅が相対的に大きい前記桟部分と対向する前記列バンクの行方向の幅よりも大きい
   自発光型表示パネル。
4. 前記複数の発光素子は、前記遮光膜における前記開口と前記開口との間の桟部分の行方向の幅は、前記発光素子の発光色によらず一定である
   請求項１～３の何れか１項に記載の自発光型表示パネル。
5. 前記画素ごとに発光色が異なる前記発光素子が行方向に列設されており、
   前記発光層は、行方向に隣接する２つの前記列バンク間の間隙に配された塗布膜からなり、それぞれ、前記列バンク間の間隙の行方向の中心を含む範囲に存在し行方向に層厚が均一な平坦部と、前記平坦部の行方向の両側に存在し前記平坦部よりも層厚が厚いピンニング部とを含む
   請求項１～４の何れか１項に記載の自発光型表示パネル。
6. 各前記発光素子から発せられた光の一部が前記遮光膜における前記開口の縁によって遮られることに起因して生じる、行方向における視野角４５°から観測される色度と、列方向における視野角４５°から観測される色度との間の色差は、０より大きく０．０２０以下である
   請求項５に記載の自発光型表示パネル。
7. 各前記発光素子から発せられた光の一部が前記遮光膜における前記開口の縁によって遮られることに起因して生じる、列方向４５°視野角から観測される輝度は、行方向４５°視野角から観測される輝度よりも３％以上大きい
   請求項５に記載の自発光型表示パネル。

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