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JP7481109B2 - Power Module - Google Patents
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JP7481109B2 - Power Module - Google Patents

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Description

本発明は、パワーモジュールに関する。 The present invention relates to a power module.

電気自動車あるいはハイブリッド自動車では、車両の動力源としてモータを搭載しており、このモータに供給する電力を制御するために電力変換装置を備えている。電力変換装置はパワー半導体素子を内蔵したパワーモジュール、そのパワーモジュールを駆動する駆動回路、それらを制御する制御回路、および電流平滑化用のコンデンサを備えている。 Electric and hybrid vehicles are equipped with a motor as the vehicle's power source, and a power conversion device is provided to control the power supplied to this motor. The power conversion device includes a power module with built-in power semiconductor elements, a drive circuit that drives the power module, a control circuit that controls them, and a capacitor for smoothing the current.

パワーモジュールは、電力変換の損失のために大量の熱を発生するため温度が上昇するとパワーモジュールの性能が低下し、耐用寿命も短くなる虞がある。その熱の影響を防ぐために、高効率的な冷却技術に関して様々な技術開発がなされてきた。 Power modules generate large amounts of heat due to power conversion losses, so if the temperature rises, the performance of the power module decreases and there is a risk that its useful life will also be shortened. To prevent the effects of this heat, various technological developments have been made regarding highly efficient cooling technologies.

パワーモジュールの冷却技術の一つとして、パワー半導体素子を収容した回路体の放熱ベースを冷媒流路の中に配置する直接冷却構造は高い冷却性能が得られる。また、回路体の表裏両面から冷却する両面直接冷却構造も高い冷却性能があり、実用化されている。 As one of the cooling technologies for power modules, a direct cooling structure in which the heat dissipation base of the circuit body housing the power semiconductor elements is placed inside the refrigerant flow path provides high cooling performance. In addition, a double-sided direct cooling structure that cools the circuit body from both the front and back also has high cooling performance and has been put to practical use.

例えば、特許文献1には、回路体の放熱ベースと対向して、冷媒を流す流路を形成する流路カバーを設け、流路カバーの縁を放熱ベースにレーザ溶接することが記載されている。 For example, Patent Document 1 describes providing a flow path cover that faces the heat dissipation base of the circuit body and forms a flow path for the refrigerant, and laser welding the edge of the flow path cover to the heat dissipation base.

パワーモジュールの流路は冷媒が流れているため、内圧が発生する。その内圧は溶接部に高い応力を与え、溶接部に内部欠陥があった場合は、欠陥近傍の強度が不足し、溶接割れ等が表面まで進展することによる気密・水密を確保できない。特に、溶接割れに外力が加わると進展が早くなる。これら製品品質の観点から溶接割れを完全に無くすことが要求されている。 Since a refrigerant flows through the flow paths of a power module, internal pressure is generated. This internal pressure places high stress on the welded parts, and if there is an internal defect in the welded part, the strength around the defect will be insufficient, and weld cracks will progress to the surface, making it impossible to ensure airtightness and watertightness. In particular, weld cracks will progress quickly if an external force is applied to them. From the perspective of product quality, it is necessary to completely eliminate weld cracks.

特開2019-68533号公報JP 2019-68533 A

流路カバーと放熱ベースとの溶接部に、溶接割れが生じやすく、溶接部の内部欠陥が流路の気密性を損ねる課題があった。 The welded joint between the flow passage cover and the heat dissipation base was prone to weld cracks, and internal defects in the welds could impair the airtightness of the flow passage.

本発明のパワーモジュールは、回路体と、前記回路体の放熱ベースの外周部に溶接部で固定され、前記放熱ベースとの間に冷媒が流れる流路空間を形成する流路カバーとを備え、前記流路カバーの外周端から前記溶接部の中心までの距離は、前記流路カバーの板厚より大きく、前記溶接部の組成は、Mg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)、Si含有量が0.2~0.6%であるアルミニウム合金によ形成される。
本発明のパワーモジュールは、複数の回路体と、前記複数の回路体を連結し、前記回路体の放熱ベースと第2溶接部で固定される中間フレームと、前記中間フレームの外周部に第1溶接部で固定され、前記放熱ベースとの間に冷媒が流れる流路空間を形成する流路カバーとを備え、前記流路カバーの外周端から前記第1溶接部の中心までの距離は、前記流路カバーの板厚より大きく、前記中間フレームの内周端から前記第2溶接部の中心までの距離Lsと中間フレームの板厚Tsとの関係は、0<Ls/Ts<3.0であり、前記第1溶接部の組成はMg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)であるアルミニウム合金によ形成される。
The power module of the present invention includes a circuit body, and a flow path cover fixed to an outer periphery of a heat dissipation base of the circuit body by a weld and forming a flow path space between the circuit body and the heat dissipation base through which a refrigerant flows, the distance from the outer periphery of the flow path cover to the center of the weld is greater than the plate thickness of the flow path cover, and the weld is made of an aluminum alloy having a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass%, the same applies below) and a Si content of 0.2 to 0.6% .
The power module of the present invention includes a plurality of circuit bodies, an intermediate frame that connects the plurality of circuit bodies and is fixed to a heat dissipation base of the circuit bodies at a second welded portion, and a flow path cover that is fixed to an outer periphery of the intermediate frame at a first welded portion and forms a flow path space between the intermediate frame and the heat dissipation base through which a refrigerant flows, wherein a distance from an outer periphery end of the flow path cover to a center of the first welded portion is greater than a plate thickness of the flow path cover, a relationship between a distance Ls from an inner periphery end of the intermediate frame to the center of the second welded portion and a plate thickness Ts of the intermediate frame is 0<Ls/Ts<3.0, and a composition of the first welded portion is formed of an aluminum alloy having a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass%, the same applies below).

本発明によれば、溶接部の溶接割れを防止して、流路の気密性を保つことができる。 The present invention makes it possible to prevent weld cracks in the welded parts and maintain the airtightness of the flow path.

第1の実施形態におけるパワーモジュールの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of the power module according to the first embodiment. 第1の実施形態における流路カバーと放熱ベースとの溶接部の近傍の断面図である。5 is a cross-sectional view of the vicinity of a welded portion between a flow passage cover and a heat dissipation base in the first embodiment. FIG. 溶接割れ感受性に及ぼす溶接位置と板厚の比率の影響を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the effect of the ratio of the welding position and the plate thickness on the weld crack susceptibility. 溶接部の溶接ビードの形状を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the shape of a weld bead of a welded portion. 第1の実施形態におけるパワーモジュールの上面図である。FIG. 2 is a top view of the power module according to the first embodiment. 第2の実施形態におけるパワーモジュールの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a power module according to a second embodiment. 第2の実施形態におけるパワーモジュールの溶接部の近傍の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of a welded portion of a power module according to a second embodiment. 第2の実施形態におけるパワーモジュールの上面図である。FIG. 11 is a top view of a power module according to a second embodiment. 第2の実施形態の変形例における溶接部の近傍の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of a welded portion in a modified example of the second embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The following description and drawings are examples for explaining the present invention, and some parts have been omitted or simplified as appropriate for clarity of explanation. The present invention can also be implemented in various other forms. Unless otherwise specified, each component may be singular or plural.

図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。 The position, size, shape, range, etc. of each component shown in the drawings may not represent the actual position, size, shape, range, etc., in order to facilitate understanding of the invention. Therefore, the present invention is not necessarily limited to the position, size, shape, range, etc. disclosed in the drawings.

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態におけるパワーモジュール100の断面図である。
図1に示すように、パワーモジュール100の回路体120は、2個のパワー半導体素子100-a、100-bを内蔵している。
[First embodiment]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a power module 100 according to the first embodiment.
As shown in FIG. 1, a circuit body 120 of a power module 100 incorporates two power semiconductor elements 100-a and 100-b.

2個のパワー半導体素子100-a、100-bは、その両面が第1接着樹脂101-a、101-bにより導電基板102-a、102-bと接着されている。導電基板102-a、102-bは、第2接着樹脂103-a、103-bにより複層の構造を有する冷却基板110-a、110-bと接合される。冷却基板110-a、110-bは、導電層104-a、104-b、絶縁層105-a、105-b、放熱ベース106-a、106-bを積層してなり、放熱ベース106-a、106-bが外側に配置される。 The two power semiconductor elements 100-a, 100-b are bonded on both sides to conductive substrates 102-a, 102-b by first adhesive resins 101-a, 101-b. The conductive substrates 102-a, 102-b are joined to cooling substrates 110-a, 110-b, which have a multi-layer structure, by second adhesive resins 103-a, 103-b. The cooling substrates 110-a, 110-b are formed by laminating conductive layers 104-a, 104-b, insulating layers 105-a, 105-b, and heat dissipation bases 106-a, 106-b, with the heat dissipation bases 106-a, 106-b being arranged on the outside.

回路体120は、パワー半導体素子100-a、100-b、導電基板102-a、102-b、冷却基板110-a、110-b等を図示省略した樹脂により封止して構成される。 The circuit body 120 is constructed by sealing the power semiconductor elements 100-a, 100-b, conductive substrates 102-a, 102-b, cooling substrates 110-a, 110-b, etc. with resin (not shown).

放熱ベース106-a、106-bには、外側に向けて複数の冷却ピンフィン107-a、107-bが接合されている。さらに、放熱ベース106-a、106-bの冷却ピンフィン107-a、107-bをカバーする流路カバー202-a、202-bが設置されている。流路カバー202-a、202-bは放熱ベース106-a、106-bの外周部に第1溶接部301-a、301-bで固定され、放熱ベース106-a、106-bとの間に冷媒が流れる流路空間203-a、203-bを形成する。 A number of cooling pin fins 107-a, 107-b are joined to the heat dissipation bases 106-a, 106-b facing outward. In addition, flow path covers 202-a, 202-b are installed to cover the cooling pin fins 107-a, 107-b of the heat dissipation bases 106-a, 106-b. The flow path covers 202-a, 202-b are fixed to the outer periphery of the heat dissipation bases 106-a, 106-b with first welds 301-a, 301-b, and form flow path spaces 203-a, 203-b through which the refrigerant flows between the heat dissipation bases 106-a, 106-b.

このような構成のパワーモジュール100は、パワー半導体素子100-a、100-bから発生した熱が冷却ピンフィン107-a、107-bに伝導し、冷媒が流路空間203-a、203-bを流れることにより、パワー半導体素子100-a、100-bの熱が冷却される。なお、本実施形態では両面直接冷却構造のパワーモジュール100を示すが、片面直接冷却構造のパワーモジュールであってもよい。 In the power module 100 configured as described above, heat generated from the power semiconductor elements 100-a, 100-b is conducted to the cooling pin fins 107-a, 107-b, and the refrigerant flows through the flow passage spaces 203-a, 203-b, thereby cooling the heat of the power semiconductor elements 100-a, 100-b. Note that, although the power module 100 with a double-sided direct cooling structure is shown in this embodiment, a power module with a single-sided direct cooling structure may also be used.

図2は、第1溶接部301-aの近傍の断面図である。
図2に示すように、流路カバー202-aと放熱ベース106-aは、第1溶接部301-aにおいて、レーザ溶接により接合される。後述するように、流路カバー202-aの外周端202-eから第1溶接部301-aの中心位置までの距離をLd、流路カバー202-aの板厚をTdとする。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the first welded portion 301-a and its vicinity.
2, the flow passage cover 202-a and the heat dissipation base 106-a are joined by laser welding at a first welded portion 301-a. As described later, the distance from the outer peripheral end 202-e of the flow passage cover 202-a to the center position of the first welded portion 301-a is denoted by Ld, and the plate thickness of the flow passage cover 202-a is denoted by Td.

次に、放熱ベース106-aと流路カバー202-aに使用される材質の組成について説明する。なお、放熱ベース106-bと流路カバー202-bも同様である。 Next, we will explain the composition of the materials used for the heat dissipation base 106-a and the flow path cover 202-a. The same applies to the heat dissipation base 106-b and the flow path cover 202-b.

放熱ベース106-aと流路カバー202-aは同じ組成成分を有するアルミ合金を使用する。具体的には、Mg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)、Si含有量が0.2~0.6%、Cu含有量が0.2%以下、Mn含有量が1.5%以下、他の合金元素含有量が合計0.5%以下のアルミ合金の板材を使用する。 The heat dissipation base 106-a and the flow path cover 202-a use an aluminum alloy with the same composition. Specifically, an aluminum alloy plate material is used that has an Mg content of 0.2-2.0% (mass%, the same applies below), a Si content of 0.2-0.6%, a Cu content of 0.2% or less, a Mn content of 1.5% or less, and a total content of other alloying elements of 0.5% or less.

アルミ合金の組成成分を前述のように指定した理由は、レーザ溶接の割れを防止するために選定したものである。これは、組成成分が異なるアルミ合金のレーザ溶接実験を行い、その組成成分の差異とレーザ溶接割れ感受性(割れの発生し易さ)の相関性を分析した結果である。具体的に、Mg含有量が0.2%以下であれば、アルミ合金の強度が不足であり、2.0%を超えると、同じ溶接条件で割れの発生率が急激に上昇する。また、Mg含有量が大きくなると、レーザ溶接際にMgの激しい蒸発による第1溶接部301-aに生じるボイドの比率やボイドのサイズも急増し、流路における冷媒の水圧により冷媒の漏れリスクが高くなる。 The reason why the compositional components of the aluminum alloy are specified as above is that they were selected to prevent cracks during laser welding. This is the result of conducting laser welding experiments on aluminum alloys with different compositional components and analyzing the correlation between the differences in compositional components and laser welding cracking susceptibility (ease of cracking). Specifically, if the Mg content is 0.2% or less, the strength of the aluminum alloy is insufficient, and if it exceeds 2.0%, the occurrence rate of cracks increases sharply under the same welding conditions. Furthermore, as the Mg content increases, the ratio and size of voids that occur in the first welded part 301-a due to the intense evaporation of Mg during laser welding also increases sharply, and the water pressure of the refrigerant in the flow path increases the risk of refrigerant leakage.

Si含有量を0.2~0.6%に指定した理由は、アルミ合金としての強度向上するために一定の合金元素を添加する必要があるためである。Si含有量は溶接の際に溶融池の流動性を改善する効果があり、また、溶融池の凝固中に共晶組織を形成でき、溶接割れの低減に一定の効果を果たす。しかし、Si含有量が0.6%を超えると、逆に割れ感受性が高くなる。 The reason why the Si content is specified as 0.2-0.6% is that a certain amount of alloying elements must be added to improve the strength of the aluminum alloy. The Si content has the effect of improving the fluidity of the molten pool during welding, and also allows the formation of a eutectic structure during the solidification of the molten pool, which has a certain effect on reducing weld cracks. However, if the Si content exceeds 0.6%, the cracking sensitivity increases.

Cuは一般的に割れの発生を促進する元素であるが、耐食性や強度向上のために少量を添加する必要がある。本実施形態ではCu含有量が0.2%以下となっている。 Cu is an element that generally promotes cracking, but it is necessary to add a small amount to improve corrosion resistance and strength. In this embodiment, the Cu content is 0.2% or less.

Mnは靭性と耐食性の劣化防止の効果があり、特に優れる硬化効果が大きいため、アルミ合金としてよく使われている合金元素である。しかし、レーザ溶接の場合、Mn含有量が1.5%以上になると、溶接割れの発生比率が高くなるため、本実施形態では1.5%以下とした。 Mn is an alloying element that is often used in aluminum alloys because it has the effect of preventing deterioration of toughness and corrosion resistance, and has a particularly excellent hardening effect. However, in the case of laser welding, if the Mn content is 1.5% or more, the occurrence rate of weld cracks increases, so in this embodiment, it is set to 1.5% or less.

本実施形態では、放熱ベース106-aと流路カバー202-aは同じ組成を有する材質を使用し、溶接中にも添加材を使用せず、溶接後に形成された溶接金属(第1溶接部301-aの金属)の組成は放熱ベース106-aと流路カバー202-aと同じ成分である。すなわち、第1溶接部301-aの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%、Si含有量が0.2~0.6%、Cu含有量が0.2%以下、Mn含有量が1.5%以下、他の合金元素含有流量が合計0.5%以下、残りはAlである。仮に、放熱ベース106-aと流路カバー202-aが前述と異なる組成を有する材質を使用しても、少なくとも第1溶接部301-aの組成が前述と同じ結果になれば、溶接割れを防止することができる。 In this embodiment, the heat dissipation base 106-a and the flow path cover 202-a are made of materials having the same composition, no additives are used during welding, and the composition of the weld metal (metal of the first welded part 301-a) formed after welding is the same as that of the heat dissipation base 106-a and the flow path cover 202-a. That is, the composition of the first welded part 301-a is Mg content 0.2 to 2.0%, Si content 0.2 to 0.6%, Cu content 0.2% or less, Mn content 1.5% or less, other alloy element content flow rate 0.5% or less in total, and the remainder Al. Even if the heat dissipation base 106-a and the flow path cover 202-a are made of materials having a different composition from the above, as long as the composition of at least the first welded part 301-a is the same as the above, weld cracks can be prevented.

前述のようなアルミ合金の組成成分であれば、後述の溶接構造に対しての最も溶接割れ感受性が低い組成である。溶接構造の変更により構造の剛性が改善された場合、前述の組成成分の範囲に対しての要求は若干広くなる。特に、Mg以外のほかの元素に対して、溶接構造に応じて調整可能性がある。そのため、本実施形態で溶接した第1溶接部301-aの組成は、Mg含有量0.2~2.0%がレーザ溶接割れの防止として最小限の必須条件である。 The aluminum alloy composition as described above is the composition with the lowest susceptibility to weld cracking for the weld structure described below. If the rigidity of the structure is improved by changing the weld structure, the requirements for the range of compositional components described above will be somewhat broader. In particular, elements other than Mg may be adjusted depending on the weld structure. Therefore, the composition of the first welded part 301-a welded in this embodiment has a Mg content of 0.2 to 2.0%, which is the minimum required condition for preventing laser weld cracking.

次に、流路カバー202-aの板厚Tdと溶接構造について図2を参照して説明する。
本実施形態での流路カバー202-aは、板厚Tdが1.0mm以上、3.0mm以下の板材を用いる。これは、全体の構造強度と剛性に対しての要求から板厚1.0mm以上が必要であり、板厚3.0mm以上になるとパワーモジュール100全体が大きくなり、レーザ溶接に使われている入熱量も増加しなければならない。その結果、溶接割れし易く、溶接部分の変形も大きくなる。
Next, the plate thickness Td and the welding structure of the passage cover 202-a will be described with reference to FIG.
In this embodiment, the flow passage cover 202-a uses a plate material with a plate thickness Td of 1.0 mm or more and 3.0 mm or less. This is because a plate thickness of 1.0 mm or more is necessary due to the requirements for the overall structural strength and rigidity. If the plate thickness is 3.0 mm or more, the entire power module 100 becomes larger, and the amount of heat input used in laser welding must also increase. As a result, the weld is more likely to crack and the deformation of the welded part becomes larger.

前述の材質組成および溶接構造におけるレーザ溶接の溶接条件は、流路カバー202-aの板厚により異なるが、流路カバー202-aの板厚Tdが1.0mm以上、3.0mm以下である場合は次のとおりである。レーザ波長は、1.0μm以上、レーザ出力は、1.0kW~4.0kW、溶接速度は、2.0m/分~20m/分、シールドガスは、ArまたはN2。本実施形態では波長1.0μm以上の赤外線レーザを用いたが、波長500μm~550μmのグリーンレーザ、又は波長300μm~400μmのブルーレーザを使用してもよい。 The welding conditions for laser welding in the above-mentioned material composition and welded structure vary depending on the plate thickness of the flow path cover 202-a, but are as follows when the plate thickness Td of the flow path cover 202-a is 1.0 mm or more and 3.0 mm or less. The laser wavelength is 1.0 μm or more, the laser output is 1.0 kW to 4.0 kW, the welding speed is 2.0 m/min to 20 m/min, and the shielding gas is Ar or N2. In this embodiment, an infrared laser with a wavelength of 1.0 μm or more is used, but a green laser with a wavelength of 500 μm to 550 μm or a blue laser with a wavelength of 300 μm to 400 μm may also be used.

流路カバー202-aの板厚Tdを決めた後に、溶接位置を決める。即ち、図2に示す流路カバー202-aの外周端202-eからレーザ照射位置(第1溶接部301-aの中心位置)までの距離Ldは、流路カバー202-aの板厚Tdに対しての比率が、Ld/Td>1.0の条件で決定する。 After determining the thickness Td of the flow path cover 202-a, the welding position is determined. That is, the distance Ld from the outer peripheral end 202-e of the flow path cover 202-a shown in FIG. 2 to the laser irradiation position (the center position of the first welded portion 301-a) is determined so that the ratio to the thickness Td of the flow path cover 202-a is Ld/Td>1.0.

図3は、溶接割れ感受性に及ぼす溶接位置と板厚の比率の影響を説明する図である。横軸はLd/Tdを、縦軸は割れ感受性を示す。
レーザ溶接割れ感受性の実験は、板厚が異なるアルミ板材の試験片を用いた。そして、板厚が異なるアルミ板材の試験片毎に、レーザ照射位置を試験片の外周端202-eからの距離を変更しながら、一定のレーザ出力と溶接速度の溶接条件により、板材を貫通溶接できるビードオンプレート溶接を行った。そして、溶接後に溶接ビードの中心の割れの発生状況から評価した。割れの長さから定量的に割れ感受性を評価できる。
3 is a diagram for explaining the influence of the ratio of the welding position and the plate thickness on the weld crack susceptibility, in which the horizontal axis indicates Ld/Td and the vertical axis indicates the crack susceptibility.
The laser welding crack susceptibility experiment used aluminum plate test pieces with different plate thicknesses. For each aluminum plate test piece with different plate thicknesses, bead-on-plate welding capable of penetrating the plate material was performed under welding conditions of constant laser output and welding speed while changing the distance of the laser irradiation position from the outer peripheral end 202-e of the test piece. After welding, the occurrence of cracks in the center of the weld bead was evaluated. The crack susceptibility can be quantitatively evaluated from the length of the crack.

図3は、その溶接割れの長さに基づく割れ感受性(割れの発生やすさ係数)に及ぼすLd/Tdの関係を示す。図3に示すように、Ld/Tdの増加に伴い、レーザ感受性が低くなる。すなわち、一定の板厚Tdに対して、第1溶接部301-aの位置を板材の外周端202-eから距離を長くすると、第1溶接部301-aと外周端202-eの間にある材料に一定の変形能力がある。この場合、第1溶接部301-aに対しての拘束度が低くなり、第1溶接部301-aに与えた引張応力が低くなり、溶接割れを防止することになる。特に、Ld/Tdは1.0以上の場合、その引張応力は急激に減少するため、本実施形態では、割れのない良好な溶接ができることを確認した。 Figure 3 shows the relationship between Ld/Td and the crack susceptibility (coefficient of susceptibility to cracking) based on the length of the weld crack. As shown in Figure 3, as Ld/Td increases, the laser sensitivity decreases. That is, for a given plate thickness Td, if the position of the first welded portion 301-a is increased in distance from the outer peripheral end 202-e of the plate material, the material between the first welded portion 301-a and the outer peripheral end 202-e has a certain deformation capacity. In this case, the degree of restraint on the first welded portion 301-a decreases, and the tensile stress applied to the first welded portion 301-a decreases, preventing weld cracks. In particular, when Ld/Td is 1.0 or more, the tensile stress decreases rapidly, and it has been confirmed that good welding without cracks can be performed in this embodiment.

このように、距離Ldと板厚Tdの比率をLd/Td>1.0に設定した理由は、実験により、図3に示すようなレーザ溶接割れ感受性とLd/Tdの相関性が得られたからである。 The reason why the ratio of distance Ld to plate thickness Td was set to Ld/Td > 1.0 is that experiments have demonstrated a correlation between laser weld cracking susceptibility and Ld/Td, as shown in Figure 3.

図4は、第1溶接部301-aの溶接ビードの形状を示す図である。
第1溶接部301-aの溶接ビードの幅Wと板厚Tdの比は0.3<W/Td<1.0である。これは、第1溶接部301-aの強度を確保するために一定の溶接ビードの幅Wが必要であり、また、溶接ビードの幅WがTdを上回ると、溶接変形と応力も大きくなるためである。
FIG. 4 is a diagram showing the shape of the weld bead of the first welded portion 301-a.
The ratio of the weld bead width W of the first welded portion 301-a to the plate thickness Td is 0.3<W/Td<1.0. This is because a certain weld bead width W is necessary to ensure the strength of the first welded portion 301-a, and also because welding deformation and stress increase when the weld bead width W exceeds Td.

図5は、本実施形態におけるパワーモジュール100の上面図である。
流路カバー202-aは、長さ約250~300mm、幅は約40-100mmのサイズで、その全周を第1溶接部301-aによって放熱ベース106-a(図1参照)に固定する。図中の3個の四角形の点線枠109は、それぞれ複数のパワー半導体素子が含まれている領域を示している。なお、A-A線の断面図が図1である。
FIG. 5 is a top view of the power module 100 in this embodiment.
The flow path cover 202-a is approximately 250-300 mm long and 40-100 mm wide, and is fixed to the heat dissipation base 106-a (see FIG. 1) by first welded parts 301-a all around. The three dotted rectangular frames 109 in the figure each indicate an area including a plurality of power semiconductor elements. The cross-sectional view taken along line A-A is shown in FIG. 1.

[第2の実施形態]
図6は、第2の実施形態におけるパワーモジュール200の断面図である。
図6に示す第2の実施形態におけるパワーモジュール200は、図1に示す第1の実施形態におけるパワーモジュール100と比較して、複数の回路体120を連結する中間フレーム201-a、201-bを設けた点が相違する。図1に示す第1の実施形態と同一の個所には同一の符号を付してその説明を省略する。
[Second embodiment]
FIG. 6 is a cross-sectional view of a power module 200 according to the second embodiment.
A power module 200 in the second embodiment shown in Fig. 6 differs from the power module 100 in the first embodiment shown in Fig. 1 in that intermediate frames 201-a, 201-b are provided to connect a plurality of circuit bodies 120. The same parts as those in the first embodiment shown in Fig. 1 are given the same reference numerals and their description will be omitted.

本実施形態においては、回路体120の放熱ベース106-a、106-bは、第2溶接部302-a、302-bにおいて、中間フレーム201-a、201-bと固定される。さらに、流路カバー202-a、202-bは、中間フレーム201-a、201-bの外周部に第1溶接部301-a、301-bで固定される。流路カバー202-a、202-bは、放熱ベース106-a、106-bとの間に冷媒が流れる流路空間203-a、203-bを形成する。本実施形態では、第1の実施形態に比べて、流路カバー202-a、202-bは放熱ベース106-a、106-bに直接には溶接されない。なお、中間フレーム201-a、201-bを設けることにより、放熱ベース106-a、106-bと流路カバー202-a、202-bを直接溶接しないので、熱等による変形が少なく、流路カバー202-a、202-bが割れにくい。 In this embodiment, the heat dissipation bases 106-a, 106-b of the circuit body 120 are fixed to the intermediate frames 201-a, 201-b at the second welded parts 302-a, 302-b. Furthermore, the flow path covers 202-a, 202-b are fixed to the outer periphery of the intermediate frames 201-a, 201-b at the first welded parts 301-a, 301-b. The flow path covers 202-a, 202-b form flow path spaces 203-a, 203-b through which the refrigerant flows between the heat dissipation bases 106-a, 106-b. In this embodiment, unlike the first embodiment, the flow path covers 202-a, 202-b are not directly welded to the heat dissipation bases 106-a, 106-b. Furthermore, by providing the intermediate frames 201-a, 201-b, the heat dissipation bases 106-a, 106-b and the flow path covers 202-a, 202-b are not directly welded, so there is little deformation due to heat, etc., and the flow path covers 202-a, 202-b are less likely to crack.

回路体120は、パワー半導体素子100-a、100-b、導電基板102-a、102-b、冷却基板110-a、110-b等を図示省略した樹脂により封止して構成される。なお、本実施形態では両面直接冷却構造のパワーモジュール200を示すが、片面直接冷却構造のパワーモジュールであってもよい。 The circuit body 120 is constructed by sealing the power semiconductor elements 100-a, 100-b, conductive substrates 102-a, 102-b, cooling substrates 110-a, 110-b, etc. with resin (not shown). Note that, although this embodiment shows a power module 200 with a double-sided direct cooling structure, a power module with a single-sided direct cooling structure may also be used.

図7は、第2の実施形態におけるパワーモジュール200の溶接部の近傍の断面図である。
流路カバー202-aと中間フレーム201-aの溶接は、図2に示した第1の実施形態と同様である。すなわち、流路カバー202-aの外周端202-eからレーザ照射位置(第1溶接部301-aの中心位置)までの距離Ldは、流路カバー202-aの板厚Tdに対しての比率が、Ld/Td>1.0である。これは、第1の実施形態と同様に、溶接割れを防止するために必要な比率である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the vicinity of a welded portion of a power module 200 according to the second embodiment.
The welding of the flow passage cover 202-a and the intermediate frame 201-a is the same as that of the first embodiment shown in Fig. 2. That is, the ratio of the distance Ld from the outer peripheral end 202-e of the flow passage cover 202-a to the laser irradiation position (the center position of the first welded portion 301-a) to the plate thickness Td of the flow passage cover 202-a is Ld/Td>1.0. This is a ratio necessary to prevent weld cracks, as in the first embodiment.

放熱ベース106-aと中間フレーム201-aを接続する第2溶接部302-aは、中間フレーム201-aの内周端である。すなわち、溶接継手はすみ肉継手である。中間フレーム201-aの内周端から第2溶接部302-aの中心までの距離をLs(図9参照)とすると、距離Lsと中間フレーム201-aの板厚Tsの比は、Ls/Ts=0である。 The second welded portion 302-a that connects the heat dissipation base 106-a and the intermediate frame 201-a is the inner peripheral edge of the intermediate frame 201-a. In other words, the welded joint is a fillet joint. If the distance from the inner peripheral edge of the intermediate frame 201-a to the center of the second welded portion 302-a is Ls (see Figure 9), then the ratio of the distance Ls to the plate thickness Ts of the intermediate frame 201-a is Ls/Ts = 0.

図8は、本実施形態におけるパワーモジュール200の上面図である。
この例では、3個の回路体120が中間フレーム201-aで連結されている。各回路体120の放熱ベース106-a(図6参照)は、中間フレーム201-aと第2溶接部302-aにおいて固定されている。第2溶接部302-aは、回路体120の放熱ベース106-aの全外周である。流路カバー202-aは、その全外周を第1溶接部301-aによって中間フレーム201-aと固定されている。なお、B-B線の断面図が図6である。
FIG. 8 is a top view of the power module 200 in this embodiment.
In this example, three circuit bodies 120 are connected by an intermediate frame 201-a. The heat dissipation base 106-a (see FIG. 6) of each circuit body 120 is fixed to the intermediate frame 201-a at a second welded portion 302-a. The second welded portion 302-a is the entire outer periphery of the heat dissipation base 106-a of the circuit body 120. The flow path cover 202-a is fixed to the intermediate frame 201-a at its entire outer periphery by a first welded portion 301-a. The cross-sectional view of the line B-B is shown in FIG. 6.

(変形例)
図9は、第2の実施形態の変形例における溶接部の近傍の断面図である。
流路カバー202-aと中間フレーム201-aの溶接は、図2に示した第1の実施形態と同様である。すなわち、流路カバー202-aの外周端202-eからレーザ照射位置(第1溶接部301-aの中心位置)までの距離Ldは、流路カバー202-aの板厚Tdに対しての比率が、Ld/Td>1.0である。これは、第1の実施形態と同様に、溶接割れを防止するために必要な比率である。
(Modification)
FIG. 9 is a cross-sectional view of the vicinity of a welded portion in a modified example of the second embodiment.
The welding of the flow passage cover 202-a and the intermediate frame 201-a is the same as that of the first embodiment shown in Fig. 2. That is, the ratio of the distance Ld from the outer peripheral end 202-e of the flow passage cover 202-a to the laser irradiation position (the center position of the first welded portion 301-a) to the plate thickness Td of the flow passage cover 202-a is Ld/Td>1.0. This is a ratio necessary to prevent weld cracks, as in the first embodiment.

また、中間フレーム201-aの内周端201-eから第2溶接部302-aの中心までの距離Lsは、中間フレーム201-aの板厚Tsに対して、0<Ls/Ts<3.0の条件を満たすように設定する。Ld/Tsを3.0以下とする理由は、パワーモジュール200と流路のサイズをできるだけ小型化するためである。 The distance Ls from the inner peripheral end 201-e of the intermediate frame 201-a to the center of the second welded portion 302-a is set so as to satisfy the condition 0 < Ls/Ts < 3.0 with respect to the plate thickness Ts of the intermediate frame 201-a. The reason for setting Ld/Ts to 3.0 or less is to make the size of the power module 200 and the flow path as small as possible.

第2の実施形態のパワーモジュール200において、第1溶接部301-aの組成はMg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)であるアルミニウム合金による形成される。また、第2溶接部302-aの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%であるアルミニウム合金により形成される。さらに、放熱ベース106-a、106-bと中間フレーム201-a、201-bと流路カバー202-a、202-bの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%、Si含有量が0.2~0.6%、Cu含有量が0.2%以下、Mn含有量が1.5%以下であるアルミニウム合金により形成される。このような組成とすることにより溶接割れを防止することができる。 In the power module 200 of the second embodiment, the first welded portion 301-a is made of an aluminum alloy with a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass %, the same applies below). The second welded portion 302-a is made of an aluminum alloy with a Mg content of 0.2 to 2.0%. The heat dissipation bases 106-a, 106-b, the intermediate frames 201-a, 201-b, and the flow path covers 202-a, 202-b are made of an aluminum alloy with a Mg content of 0.2 to 2.0%, a Si content of 0.2 to 0.6%, a Cu content of 0.2% or less, and a Mn content of 1.5% or less. By using such a composition, weld cracks can be prevented.

以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
(1)パワーモジュール100は、回路体120と、回路体120の放熱ベース106-a、106-bの外周部に第1溶接部301-a、301-bで固定され、放熱ベース106-a、106-bとの間に冷媒が流れる流路空間203-a、203-bを形成する流路カバー202-a、202-bとを備え、流路カバー202-a、202-bの外周端202-eから第1溶接部301-a、301-bの中心までの距離は、流路カバー202-a、202-bの板厚Tdより大きく、第1溶接部301-a、301-bの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)であるアルミニウム合金による形成される。これにより、溶接部の溶接割れを防止して、流路の気密性を保つことができる。
According to the embodiment described above, the following advantageous effects can be obtained.
(1) The power module 100 includes a circuit body 120 and flow path covers 202-a, 202-b that are fixed to the outer periphery of the heat dissipation bases 106-a, 106-b of the circuit body 120 by first welds 301-a, 301-b and form flow path spaces 203-a, 203-b through which a refrigerant flows between the heat dissipation bases 106-a, 106-b, and the distance from the outer periphery end 202-e of the flow path covers 202-a, 202-b to the center of the first welds 301-a, 301-b is greater than the plate thickness Td of the flow path covers 202-a, 202-b, and the composition of the first welds 301-a, 301-b is formed of an aluminum alloy with a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass %, the same applies below). This prevents weld cracks in the welds and maintains the airtightness of the flow paths.

(2)パワーモジュール200は、複数の回路体120と、複数の回路体120を連結し、回路体120の放熱ベース106-a、106-bと第2溶接部302-a、302-bで固定される中間フレーム201-a、201-bと、中間フレーム201-a、201-bの外周部に第1溶接部301-a、301-bで固定され、放熱ベース106-a、106-bとの間に冷媒が流れる流路空間203-a、203-bを形成する流路カバー202-a、202-bとを備え、流路カバー202-a、202-bの外周端202-eから第1溶接部301-a、301-bの中心までの距離は、流路カバー202-a、202-bの板厚より大きく、中間フレーム201-a、201-bの内周端201-eから第2溶接部302-a、302-bの中心までの距離Lsと中間フレーム201-a、201-bの板厚Tsとの関係は、0<Ls/Ts<3.0であり、第1溶接部301-a、301-bの組成はMg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)であるアルミニウム合金による形成される。これにより、溶接部の溶接割れを防止して、流路の気密性を保つことができる。 (2) The power module 200 includes a plurality of circuit bodies 120, intermediate frames 201-a, 201-b that connect the plurality of circuit bodies 120 and are fixed to the heat dissipation bases 106-a, 106-b of the circuit bodies 120 by second welding parts 302-a, 302-b, and flow path covers 202-a, 202-b that are fixed to the outer periphery of the intermediate frames 201-a, 201-b by first welding parts 301-a, 301-b and form flow path spaces 203-a, 203-b through which a refrigerant flows between the flow path covers 202-a, The distance from the outer peripheral end 202-e of the intermediate frame 201-a, 201-b to the center of the first welded portion 301-a, 301-b is greater than the plate thickness of the flow path cover 202-a, 202-b, and the relationship between the distance Ls from the inner peripheral end 201-e of the intermediate frame 201-a, 201-b to the center of the second welded portion 302-a, 302-b and the plate thickness Ts of the intermediate frame 201-a, 201-b is 0<Ls/Ts<3.0, and the composition of the first welded portion 301-a, 301-b is formed from an aluminum alloy with a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass %, the same below). This prevents weld cracks in the welded portion and maintains the airtightness of the flow path.

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の特徴を損なわない限り、本発明の技術思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。また、上述の実施形態と変形例を組み合わせた構成としてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and other forms that are conceivable within the scope of the technical concept of the present invention are also included within the scope of the present invention, so long as they do not impair the characteristics of the present invention. In addition, the above-described embodiment may be combined with modified examples.

100、200・・・パワーモジュール、100-a、100-b・・・パワー半導体素子、101-a、101-b・・・第1接着樹脂、102-a、102-b・・・導電基板、103-a、103-b・・・第2接着樹脂、104-a、104-b・・・導電層、105-a、105-b・・・絶縁層、106-a、106-b・・・放熱ベース、107-a、107-b・・・冷却ピンフィン、110-a、110-b・・・冷却基板、120・・・回路体、201-a、201-b・・・中間フレーム、201-e・・・内周端、202-a、202-b・・・流路カバー、202-e・・・外周端、203-a、203-b・・・流路空間、301-a、301-b・・・第1溶接部、302-a、302-b・・・第2溶接部。 100, 200... Power module, 100-a, 100-b... Power semiconductor element, 101-a, 101-b... First adhesive resin, 102-a, 102-b... Conductive substrate, 103-a, 103-b... Second adhesive resin, 104-a, 104-b... Conductive layer, 105-a, 105-b... Insulating layer, 106-a, 106-b... Heat dissipation base, 107-a, 10 7-b...cooling pin fins, 110-a, 110-b...cooling substrate, 120...circuit body, 201-a, 201-b...intermediate frame, 201-e...inner peripheral end, 202-a, 202-b...flow path cover, 202-e...outer peripheral end, 203-a, 203-b...flow path space, 301-a, 301-b...first welded part, 302-a, 302-b...second welded part.

Claims (5)

回路体と、
前記回路体の放熱ベースの外周部に溶接部で固定され、前記放熱ベースとの間に冷媒が流れる流路空間を形成する流路カバーとを備え、
前記流路カバーの外周端から前記溶接部の中心までの距離は、前記流路カバーの板厚より大きく、
前記溶接部の組成は、Mg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)、Si含有量が0.2~0.6%であるアルミニウム合金によ形成されるパワーモジュール。
A circuit body;
a flow path cover that is fixed to an outer periphery of the heat dissipation base of the circuit body by a welding portion and that forms a flow path space through which a refrigerant flows between the flow path cover and the heat dissipation base,
A distance from an outer peripheral end of the flow passage cover to a center of the welded portion is greater than a plate thickness of the flow passage cover,
The power module is formed from an aluminum alloy having a composition of the welded portion with a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass %, the same applies below) and a Si content of 0.2 to 0.6% .
請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、
前記放熱ベースおよび前記流路カバーの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%、Si含有量が0.2~0.6%、Cu含有量が0.2%以下、Mn含有量が1.5%以下であるアルミニウム合金により形成されるパワーモジュール。
2. The power module according to claim 1,
The heat dissipation base and the flow path cover are made of an aluminum alloy having a composition including an Mg content of 0.2 to 2.0%, an Si content of 0.2 to 0.6%, a Cu content of 0.2% or less, and an Mn content of 1.5% or less.
複数の回路体と、
前記複数の回路体を連結し、前記回路体の放熱ベースと第2溶接部で固定される中間フレームと、
前記中間フレームの外周部に第1溶接部で固定され、前記放熱ベースとの間に冷媒が流れる流路空間を形成する流路カバーとを備え、
前記流路カバーの外周端から前記第1溶接部の中心までの距離は、前記流路カバーの板厚より大きく、
前記中間フレームの内周端から前記第2溶接部の中心までの距離Lsと前記中間フレームの板厚Tsとの関係は、0<Ls/Ts<3.0であり、
前記第1溶接部の組成はMg含有量が0.2~2.0%(質量%、以下同じ)であるアルミニウム合金によ形成されるパワーモジュール。
A plurality of circuit bodies;
an intermediate frame that connects the plurality of circuit bodies and is fixed to the heat dissipation bases of the circuit bodies by second welded portions;
a flow path cover that is fixed to an outer periphery of the intermediate frame by a first welded portion and that forms a flow path space through which a refrigerant flows between the intermediate frame and the heat dissipation base,
A distance from an outer peripheral end of the flow passage cover to a center of the first welded portion is greater than a plate thickness of the flow passage cover,
A relationship between a distance Ls from an inner peripheral end of the intermediate frame to a center of the second welded portion and a plate thickness Ts of the intermediate frame is 0<Ls/Ts<3.0,
The power module is formed from an aluminum alloy having a composition of the first welded portion with a Mg content of 0.2 to 2.0% (mass %, the same applies below).
請求項に記載のパワーモジュールにおいて、
前記第2溶接部の組成は、Mg含有量が0.2~2.0%であるアルミニウム合金により形成されるパワーモジュール。
4. The power module according to claim 3 ,
The power module is formed from an aluminum alloy having a composition of the second welded portion with a Mg content of 0.2 to 2.0%.
請求項に記載のパワーモジュールにおいて、
前記放熱ベースと前記中間フレームと前記流路カバーの組成は、Mg含有量が0.2~2.0%、Si含有量が0.2~0.6%、Cu含有量が0.2%以下、Mn含有量が1.5%以下であるアルミニウム合金により形成されるパワーモジュール。
4. The power module according to claim 3 ,
The heat dissipation base, the intermediate frame, and the flow path cover are made of an aluminum alloy having a Mg content of 0.2 to 2.0%, a Si content of 0.2 to 0.6%, a Cu content of 0.2% or less, and a Mn content of 1.5% or less.
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