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JP7490692B2 - Organic Film Forming Equipment - Google Patents
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Description

本発明の実施形態は、有機膜形成装置に関する。 An embodiment of the present invention relates to an organic film forming apparatus.

有機ELディスプレイなどに設けられる基板として、有機膜が用いられている。例えば、有機膜には、ポリイミド膜がある。例えば、ポリイミド膜は、基板と、基板の上面に塗布されたポリアミド酸を含む溶液と、を有するワークを、100℃~600℃程度に加熱して、ポリアミド酸をイミド化することで形成される。形成されたポリイミド膜は基板から剥離され、例えば、有機ELディスプレイなどに用いられる。 Organic films are used as substrates for organic electroluminescence displays and the like. For example, an organic film is a polyimide film. For example, a polyimide film is formed by heating a workpiece having a substrate and a solution containing polyamic acid applied to the upper surface of the substrate to approximately 100°C to 600°C to imidize the polyamic acid. The formed polyimide film is peeled off from the substrate and used, for example, in organic electroluminescence displays and the like.

ポリイミド膜などの有機膜を形成する装置として、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、チャンバの内部に設けられ、ワークを加熱するヒータと、を備えた有機膜形成装置が提案されている。 As an apparatus for forming organic films such as polyimide films, an organic film forming apparatus has been proposed that includes a chamber capable of maintaining an atmosphere at a reduced pressure below atmospheric pressure, and a heater provided inside the chamber for heating the workpiece.

ここで、有機膜形成装置の製造時やメンテナンス時などにおいて、チャンバの内部からヒータを取り外したり、チャンバの内部にヒータを取り付けたりする必要がある。そのため、単に、チャンバの内部にヒータを取り付けると、有機膜形成装置の製造やメンテナンスなどが困難となる。 Here, when manufacturing or maintaining the organic film forming apparatus, it is necessary to remove the heater from inside the chamber or install a heater inside the chamber. Therefore, simply installing a heater inside the chamber makes it difficult to manufacture or maintain the organic film forming apparatus.

そこで、チャンバに対してヒータの着脱を容易に行うことができる有機膜形成装置の開発が望まれていた。 Therefore, there was a need to develop an organic film formation device that allows the heater to be easily attached and detached from the chamber.

特開2019-205991号公報JP 2019-205991 A

本発明が解決しようとする課題は、チャンバに対してヒータの着脱を容易に行うことができる有機膜形成装置を提供することである。 The problem that this invention aims to solve is to provide an organic film forming apparatus that allows the heater to be easily attached and detached from the chamber.

実施形態に係る有機膜形成装置は、基板と、前記基板の上面に塗布された有機材料と溶媒とを含む溶液と、を有するワークを、大気圧よりも減圧された雰囲気で加熱可能な有機膜形成装置であって、前記大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバの内部を排気可能な第1の排気部と、前記チャンバ内に支持される前記ワークに対向し、筒状を呈し、一方向に延びた形体を有し、開口した両側の端部が前記チャンバの内部に設けられた案内部と、前記案内部の内部に設けられ、軸方向に貫通する第1の孔を有する支持部と、前記第1の孔に着脱自在に設けられ、前記案内部に沿って延びる発熱部を有するヒータと、を備えている。
The organic film forming apparatus according to the embodiment is capable of heating a workpiece having a substrate and a solution containing an organic material and a solvent applied to an upper surface of the substrate in an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure, the organic film forming apparatus comprising: a chamber capable of maintaining the atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure;
The apparatus comprises a first exhaust section capable of exhausting the inside of the chamber, a guide section facing the work supported in the chamber , having a cylindrical shape and extending in one direction, with both open ends provided inside the chamber, a support section provided inside the guide section and having a first hole penetrating in the axial direction, and a heater which is detachably provided in the first hole and has a heat generating section extending along the guide section.

本発明の実施形態によれば、チャンバに対してヒータの着脱を容易に行うことができる有機膜形成装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, an organic film forming apparatus is provided that allows the heater to be easily attached and detached from the chamber.

本実施の形態に係る有機膜形成装置を例示するための模式斜視図である。1 is a schematic perspective view illustrating an organic film forming apparatus according to an embodiment of the present invention; 温度制御部を例示するための模式断面図である。4 is a schematic cross-sectional view illustrating a temperature control unit. FIG. (a)~(c)は、支持部と、ワークとの位置関係を例示するための模式断面図である。1A to 1C are schematic cross-sectional views illustrating the positional relationship between a support portion and a workpiece. 有機膜の形成工程を例示するためのグラフである。1 is a graph illustrating a process of forming an organic film. 他の実施形態に係る温度制御部を例示するための模式断面図である。11A and 11B are schematic cross-sectional views illustrating a temperature control unit according to another embodiment. 他の実施形態に係る支持部を例示するための模式断面図である。10A to 10C are schematic cross-sectional views illustrating a support portion according to another embodiment. 図6における支持部のA-A線方向の模式断面図である。7 is a schematic cross-sectional view of the support part in FIG. 6 taken along line AA. 図6における開閉扉のB-B線方向の模式断面図である。7 is a schematic cross-sectional view of the opening and closing door in the direction of line BB in FIG. 6. 他の実施形態に係る温度制御部を例示するための模式断面図である。11A and 11B are schematic cross-sectional views illustrating a temperature control unit according to another embodiment. 流体制御部の作用を例示するための模式図である。5A and 5B are schematic diagrams for illustrating the operation of a fluid control unit. 流体の配管系統図である。FIG.

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、以下においては、基板の上面に塗布された有機材料を含む溶液を減圧雰囲気で焼成して有機膜を形成する有機膜形成装置について説明する。
Hereinafter, an embodiment will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In the following, an organic film forming apparatus will be described which forms an organic film by baking a solution containing an organic material applied to the upper surface of a substrate in a reduced pressure atmosphere.

図1は、本実施の形態に係る有機膜形成装置1を例示するための模式斜視図である。
なお、図1中のX方向、Y方向、およびZ方向は、互いに直交する三方向を表している。本明細書における上下方向は、Z方向とすることができる。
FIG. 1 is a schematic perspective view illustrating an organic film forming apparatus 1 according to the present embodiment.
1, the X direction, the Y direction, and the Z direction represent three directions that are perpendicular to one another. In this specification, the up-down direction can be regarded as the Z direction.

ワーク100は、基板と、基板の上面に塗布された有機材料と溶媒とを含む溶液と、を有する。
基板は、例えば、ガラス基板や半導体ウェーハなどとすることができる。ただし、基板は、例示をしたものに限定されるわけではない。
溶液は、有機材料と溶媒を含んでいる。有機材料は、溶媒により溶解が可能なものであれば特に限定はない。溶液は、例えば、ポリアミド酸を含むワニスなどとすることができる。ただし、溶液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
The workpiece 100 has a substrate and a solution containing an organic material and a solvent applied to the upper surface of the substrate.
The substrate may be, for example, a glass substrate, a semiconductor wafer, etc. However, the substrate is not limited to the examples given.
The solution contains an organic material and a solvent. The organic material is not particularly limited as long as it can be dissolved by the solvent. The solution can be, for example, a varnish containing polyamic acid. However, the solution is not limited to the exemplified ones.

有機膜形成装置1は、ワーク100を、大気圧よりも減圧された雰囲気で加熱することができる。
図1に示すように、有機膜形成装置1には、チャンバ10、排気部20(第1の排気部の一例に相当する)、処理部30、冷却部40、およびコントローラ50が設けられている。
チャンバ10は、箱状を呈している。チャンバ10は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有している。チャンバ10の外観形状には特に限定はない。チャンバ10の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。チャンバ10は、例えば、本体10a、開閉扉13、蓋15を有する。
The organic film forming apparatus 1 can heat the workpiece 100 in an atmosphere that is reduced in pressure below atmospheric pressure.
As shown in FIG. 1, the organic film forming apparatus 1 includes a chamber 10 , an exhaust unit 20 (corresponding to an example of a first exhaust unit), a processing unit 30 , a cooling unit 40 , and a controller 50 .
The chamber 10 has a box shape. The chamber 10 has an airtight structure capable of maintaining an atmosphere at a reduced pressure lower than atmospheric pressure. There is no particular limitation on the external shape of the chamber 10. The external shape of the chamber 10 may be, for example, a rectangular parallelepiped. The chamber 10 has, for example, a main body 10a, an opening/closing door 13, and a lid 15.

本体10aは、筒状を呈している。本体10aの一方の端部にはフランジ11を設けることができる。本体10aの他方の端部にはフランジ14を設けることができる。本体10a、フランジ11、およびフランジ14は、例えば、ステンレスなどの金属から形成されている。なお、本体10aの両端部を接続する外壁を側面10a1と呼ぶ。 The main body 10a is cylindrical. A flange 11 can be provided at one end of the main body 10a. A flange 14 can be provided at the other end of the main body 10a. The main body 10a, the flange 11, and the flange 14 are formed from a metal such as stainless steel. The outer wall connecting both ends of the main body 10a is called the side surface 10a1.

フランジ11には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。本体10aの、フランジ11が設けられる側の開口は、開閉扉13により開閉可能となっている。 The flange 11 can be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the main body 10a on the side where the flange 11 is provided can be opened and closed by an opening and closing door 13.

開閉扉13は、板状を呈し、例えば、ステンレスなどの金属から形成されている。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11(シール材12)に押し付けられることで、本体10aのフランジ11が設けられた側の開口が気密になるように閉鎖される。図示しない駆動装置により、開閉扉13がフランジ11から離隔することで、チャンバ10の開口を介したワーク100の搬入または搬出が可能となる。 The opening/closing door 13 is plate-shaped and made of a metal such as stainless steel. A drive device (not shown) presses the opening/closing door 13 against the flange 11 (sealing material 12), closing the opening on the side of the main body 10a where the flange 11 is provided so that it is airtight. A drive device (not shown) separates the opening/closing door 13 from the flange 11, allowing the workpiece 100 to be loaded or unloaded through the opening of the chamber 10.

フランジ14には、Oリングなどのシール材12を設けることができる。本体10aの、フランジ14が設けられた側の開口は、蓋15により閉鎖されている。 The flange 14 can be provided with a sealing material 12 such as an O-ring. The opening of the main body 10a on the side where the flange 14 is provided is closed by a lid 15.

蓋15は、板状を呈し、例えば、ステンレスなどの金属から形成されている。蓋15には、孔15aが設けられている。また、蓋15には、後述するヒータ32aを取り付けるためのホルダ32dが設けられている(図2参照)。例えば、ホルダ32dと孔15aの数は、後述するヒータ32aの数と同じとすることができる。
なお、開閉扉13、または本体10aの側面10a1に孔15aと同様の孔を設け、ヒータ32aを取り付けるようにしても良い。
The lid 15 is plate-shaped and made of a metal such as stainless steel. The lid 15 is provided with holes 15a. The lid 15 is also provided with holders 32d for mounting heaters 32a (described later) (see FIG. 2). For example, the number of holders 32d and holes 15a can be the same as the number of heaters 32a (described later).
Alternatively, a hole similar to the hole 15a may be provided in the door 13 or the side surface 10a1 of the main body 10a, and the heater 32a may be attached to the hole.

ネジなどの締結部材を用いて、蓋15がフランジ14に取り付けられた際には、蓋15がフランジ14(シール材12)に押し付けられる。また、ヒータ32aが蓋15に設けられたホルダ32dと気密に接続されることで、本体10aのフランジ14が設けられた側の開口が気密になるように閉鎖される(図2参照)。 When the lid 15 is attached to the flange 14 using a fastening member such as a screw, the lid 15 is pressed against the flange 14 (sealing material 12). In addition, the heater 32a is airtightly connected to the holder 32d provided on the lid 15, so that the opening on the side of the body 10a where the flange 14 is provided is closed so as to be airtight (see FIG. 2).

また、メンテナンスなどを行う際には、蓋15を取り外すことで、本体10aの、フランジ14が設けられた側の開口を露出させることができる。なお、蓋15は、必ずしも必要ではなく、例えば、蓋15と本体10aとが一体となっていてもよい。つまり、一端が閉塞された筒状形状の本体10aとしてもよい。
また、メンテナンスを行う際には、ヒータ32aを取り外して蓋15を取り外すことができる。
Furthermore, when performing maintenance, the opening of the main body 10a on the side where the flange 14 is provided can be exposed by removing the lid 15. The lid 15 is not necessarily required, and for example, the lid 15 and the main body 10a may be integrated together. In other words, the main body 10a may be cylindrical with one end closed.
Furthermore, when performing maintenance, the heater 32a can be removed and the lid 15 can be removed.

本体10aの側面10a1には冷却部16を設けることができる。冷却部16は、開閉扉13および蓋15にも設けることができる。冷却部16には、図示しない冷却水供給部が接続されている。冷却部16は、例えば、ウォータージャケット(Water Jacket)とすることができる。冷却部16が設けられていれば、チャンバ10の外壁温度が所定の温度よりも高くなるのを抑制することができる。 A cooling section 16 can be provided on the side surface 10a1 of the main body 10a. The cooling section 16 can also be provided on the opening and closing door 13 and the lid 15. A cooling water supply section (not shown) is connected to the cooling section 16. The cooling section 16 can be, for example, a water jacket. If the cooling section 16 is provided, it is possible to prevent the temperature of the outer wall of the chamber 10 from rising above a predetermined temperature.

排気部20は、チャンバ10の内部空間を排気する。そのため、ワーク100は、大気圧よりも減圧された雰囲気において放射による熱エネルギーによって加熱される。
排気部20は、第1の排気部21、第2の排気部22、および第3の排気部23を有することができる。
第1の排気部21は、チャンバ10の底面に設けられた排気口17に接続されている。 第1の排気部21は、排気ポンプ21aと、圧力制御部21bを有することができる。 排気ポンプ21aは、例えば、ドライ真空ポンプなどとすることができる。
圧力制御部21bは、排気口17と排気ポンプ21aとの間に設けられている。圧力制御部21bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部21bは、例えば、APC(Auto Pressure Controller)などとすることができる。
The exhaust unit 20 exhausts the internal space of the chamber 10. Therefore, the workpiece 100 is heated by radiated thermal energy in an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure.
The exhaust section 20 may have a first exhaust section 21 , a second exhaust section 22 , and a third exhaust section 23 .
The first exhaust unit 21 is connected to an exhaust port 17 provided on the bottom surface of the chamber 10. The first exhaust unit 21 may include an exhaust pump 21a and a pressure control unit 21b. The exhaust pump 21a may be, for example, a dry vacuum pump.
The pressure control unit 21b is provided between the exhaust port 17 and the exhaust pump 21a. The pressure control unit 21b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10. The pressure control unit 21b can be, for example, an APC (Auto Pressure Controller).

また、排気口17と第1の排気部21(圧力制御部21b)との間には、排気された昇華物をトラップするためのコールドトラップ24を設けることができる。また、排気口17とコールドトラップ24との間にはバルブ25を設けることができる。バルブ25は、後述する冷却工程において、流体101がコールドトラップ24に流入するのを抑制するために設けられる。 A cold trap 24 for trapping the exhausted sublimate can be provided between the exhaust port 17 and the first exhaust section 21 (pressure control section 21b). A valve 25 can be provided between the exhaust port 17 and the cold trap 24. The valve 25 is provided to prevent the fluid 101 from flowing into the cold trap 24 in the cooling process described below.

第2の排気部22は、チャンバ10の底面に設けられた排気口18に接続されている。 第2の排気部22は、排気ポンプ22aと、圧力制御部22bを有することができる。 第2の排気部22は、高真空の分子流領域まで排気可能な排気能力を有する。排気ポンプ22aは、例えば、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。 The second exhaust section 22 is connected to an exhaust port 18 provided on the bottom surface of the chamber 10. The second exhaust section 22 can have an exhaust pump 22a and a pressure control section 22b. The second exhaust section 22 has an exhaust capacity capable of exhausting up to a molecular flow region of high vacuum. The exhaust pump 22a can be, for example, a turbo molecular pump (TMP).

圧力制御部22bは、排気口18と排気ポンプ22aとの間に設けられている。圧力制御部22bは、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計などの出力に基づいて、チャンバ10の内圧が所定の圧力となるように制御する。圧力制御部22bは、例えば、APCなどとすることができる。 The pressure control unit 22b is provided between the exhaust port 18 and the exhaust pump 22a. The pressure control unit 22b controls the internal pressure of the chamber 10 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10. The pressure control unit 22b can be, for example, an APC.

また、第1の排気部21の場合と同様に、排気口18と第2の排気部22(圧力制御部22b)との間にコールドトラップ24を設けることができる。また、排気口18とコールドトラップ24との間にはバルブ25を設けることができる。 As in the case of the first exhaust section 21, a cold trap 24 can be provided between the exhaust port 18 and the second exhaust section 22 (pressure control section 22b). A valve 25 can be provided between the exhaust port 18 and the cold trap 24.

第3の排気部23は、排気口18と第2の排気部22のバルブ25との間に接続されている。第3の排気部23は、工場の排気管などに接続されている。第3の排気部23は、例えば、ステンレスなどの配管とすることができる。第3の排気部23と工場の排気管との間にはバルブ25を設けることができる。 The third exhaust section 23 is connected between the exhaust port 18 and the valve 25 of the second exhaust section 22. The third exhaust section 23 is connected to an exhaust pipe of a factory or the like. The third exhaust section 23 can be, for example, a pipe made of stainless steel or the like. A valve 25 can be provided between the third exhaust section 23 and the exhaust pipe of the factory.

チャンバ10の内部空間を減圧する場合には、まず、第1の排気部21によりチャンバ10の内圧が10Pa程度になるようにする。次に、第2の排気部22によりチャンバ10の内圧が10Pa~1×10-2Pa程度となるようにする。 When reducing the pressure in the internal space of the chamber 10, first, the internal pressure of the chamber 10 is adjusted to about 10 Pa by the first exhaust part 21. Next, the internal pressure of the chamber 10 is adjusted to about 10 Pa to 1×10 −2 Pa by the second exhaust part 22.

第1の排気部21は、大気圧から所定の内圧まで粗引き排気を行うので、第1の排気部21の排気量は第2の排気部22の排気量よりも多い。また、第2の排気部22は、粗引き排気の完了後、さらに低い所定の内圧まで排気を行う。なお、第3の排気部23は、後述する冷却工程において流体101を工場の排気管に排出するために用いられる。 The first exhaust section 21 performs rough exhaust from atmospheric pressure to a predetermined internal pressure, so the exhaust volume of the first exhaust section 21 is greater than the exhaust volume of the second exhaust section 22. In addition, after rough exhaust is completed, the second exhaust section 22 performs exhaust to an even lower predetermined internal pressure. The third exhaust section 23 is used to exhaust the fluid 101 to the factory exhaust pipe in the cooling process described below.

処理部30は、フレーム31、温度制御部32、ワーク支持部33、均熱部34、均熱板支持部35、およびカバー36を有する。
処理部30の内部には、処理領域30aおよび処理領域30bが設けられている。処理領域30a、30bは、ワーク100に加熱処理を施す空間となる。ワーク100は、処理領域30a、30bの内部に支持される。処理領域30bは、処理領域30aの上方に設けられている。なお、2つの処理領域が設けられる場合を例示したがこれに限定されるわけではない。1つの処理領域のみが設けられるようにすることもできる。また、3つ以上の処理領域が設けられるようにすることもできる。図1においては、一例として、2つの処理領域が設けられる場合を例示するが、1つの処理領域、および、3つ以上の処理領域が設けられる場合も基本的な構成は同様である。
The processing section 30 has a frame 31 , a temperature control section 32 , a workpiece support section 33 , a heat equalizing section 34 , a heat equalizing plate support section 35 , and a cover 36 .
The processing section 30 is provided with a processing region 30a and a processing region 30b. The processing regions 30a and 30b are spaces for subjecting the workpiece 100 to a heat treatment. The workpiece 100 is supported inside the processing regions 30a and 30b. The processing region 30b is provided above the processing region 30a. Note that, although the case where two processing regions are provided is illustrated, the present invention is not limited to this. Only one processing region may be provided. Also, three or more processing regions may be provided. In FIG. 1, the case where two processing regions are provided is illustrated as an example, but the basic configuration is the same in the case where one processing region and three or more processing regions are provided.

処理領域30a、30bは、均熱部34(上部均熱板34a、下部均熱板34b、側部均熱板34c、側部均熱板34d)により囲まれている。処理領域30a、30bと、チャンバ10の内部の、処理領域30a、30bの外側の空間とは、上部均熱板34a同士の間の隙間、および下部均熱板34b同士の間の隙間、カバー36同士の隙間、カバー36に設けられた孔やスリットなどを介して繋がっている。そのため、チャンバ10の内部の、処理領域30a、30bの外側の空間の圧力が減圧されると、処理領域30a、30bの圧力も減圧される。 The processing areas 30a, 30b are surrounded by a heat equalizing section 34 (upper heat equalizing plate 34a, lower heat equalizing plate 34b, side heat equalizing plate 34c, side heat equalizing plate 34d). The processing areas 30a, 30b are connected to the space inside the chamber 10 outside the processing areas 30a, 30b via the gaps between the upper heat equalizing plates 34a, the gaps between the lower heat equalizing plates 34b, the gaps between the covers 36, and holes and slits provided in the cover 36. Therefore, when the pressure in the space inside the chamber 10 outside the processing areas 30a, 30b is reduced, the pressure in the processing areas 30a, 30b is also reduced.

また、チャンバ10の内部の、処理領域30a、30bの外側の空間の圧力が減圧されていれば、処理領域30a、30bから外部に放出される熱を少なくすることができる。そのため、蓄熱効率を向上させることができるので、ヒータ32aに印加する電力を低減させることができる。印加電力を低減させることができれば、省エネルギー化とヒータ32aの長寿命化を図ることができる。また、蓄熱効率が向上すれば、急激な温度上昇を必要とする処理に対応するのが容易となる。また、チャンバ10の外壁の温度が高くなるのを抑制することができるので、冷却部16を簡易なものとすることができる。 In addition, if the pressure in the space outside the processing regions 30a, 30b inside the chamber 10 is reduced, the amount of heat released from the processing regions 30a, 30b to the outside can be reduced. This improves the heat storage efficiency, allowing the power applied to the heater 32a to be reduced. Reducing the applied power can save energy and extend the life of the heater 32a. Furthermore, improved heat storage efficiency makes it easier to handle processes that require a rapid increase in temperature. Furthermore, the temperature of the outer wall of the chamber 10 can be prevented from rising, allowing the cooling section 16 to be simplified.

フレーム31は、細長い板材や形鋼などを用いた骨組み構造を有している。フレーム31の外観形状は、チャンバ10の外観形状と同様とすることができる。フレーム31の外観形状は、例えば、直方体とすることができる。 The frame 31 has a framework structure using elongated plate materials, shaped steel, etc. The external shape of the frame 31 can be the same as the external shape of the chamber 10. The external shape of the frame 31 can be, for example, a rectangular parallelepiped.

また、フレーム31には、複数の梁31aが設けられている。複数の梁31aは、処理領域30a、30bの長手方向(図1中のX方向)に延びている。フレーム31の開閉扉13側に設けられた梁31aは、フレーム31の蓋15側に設けられた梁31aと対向している。梁31aには、複数の均熱板支持部35を所定の間隔で並べて設けることができる。 Furthermore, the frame 31 is provided with a plurality of beams 31a. The plurality of beams 31a extend in the longitudinal direction (X direction in FIG. 1) of the processing regions 30a and 30b. The beams 31a provided on the opening/closing door 13 side of the frame 31 face the beams 31a provided on the lid 15 side of the frame 31. A plurality of heat equalizing plate support parts 35 can be provided on the beams 31a in a line at a predetermined interval.

温度制御部32は、複数設けることができる。複数の温度制御部32は、処理領域30a、30bの長手方向(図1中のX方向)に並べて設けられている。温度制御部32は、ワーク100を加熱する。温度制御部32の数、間隔などは、加熱する溶液の組成(必要となる溶液の加熱温度など)、ワーク100の大きさなどに応じて適宜変更することができる。温度制御部32の数、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。 A plurality of temperature control units 32 may be provided. The plurality of temperature control units 32 are arranged in the longitudinal direction (X direction in FIG. 1) of the processing regions 30a and 30b. The temperature control units 32 heat the workpiece 100. The number and spacing of the temperature control units 32 may be changed as appropriate depending on the composition of the solution to be heated (such as the required heating temperature of the solution) and the size of the workpiece 100. The number and spacing of the temperature control units 32 may be determined as appropriate by performing simulations, experiments, etc.

温度制御部32は、処理領域30a、30bの下部、および処理領域30a、30bの上部に設けることができる。処理領域30a、30bの下部に設けられた温度制御部32は、処理領域30a、30bの上部に設けられた温度制御部32と対向している。 The temperature control unit 32 can be provided at the bottom of the processing areas 30a, 30b and at the top of the processing areas 30a, 30b. The temperature control unit 32 provided at the bottom of the processing areas 30a, 30b faces the temperature control unit 32 provided at the top of the processing areas 30a, 30b.

なお、複数の処理領域が上下方向に重ねて設けられる場合には、下側の処理領域と上側の処理領域との間に設けられた温度制御部32を、上下の処理領域におけるワーク100の温度制御に用いることができる。つまり、処理領域30aと処理領域30bとの間に温度制御部32を設ける。この様にすれば、温度制御部32の数を減らすことができるので、加熱の際の消費電力の低減、冷却の際の後述する流体101の消費量の低減、製造コストの低減、省スペース化などを図ることができる。 When multiple processing regions are stacked vertically, the temperature control unit 32 provided between the lower processing region and the upper processing region can be used to control the temperature of the workpiece 100 in the upper and lower processing regions. In other words, the temperature control unit 32 is provided between processing region 30a and processing region 30b. In this way, the number of temperature control units 32 can be reduced, which can reduce power consumption during heating, reduce the consumption of fluid 101 (described later) during cooling, reduce manufacturing costs, and save space.

処理領域30aの内部に支持されたワーク100の下面(基板の裏面)は、処理領域30aの下部に設けられた複数の温度制御部32(温度制御群3a)により加熱または冷却される。処理領域30aの内部に支持されたワーク100の上面(溶液)は、処理領域30aと処理領域30bとにより兼用される複数の温度制御部32(温度制御群3ab)により加熱または冷却される。処理領域30bの内部に支持されたワーク100の下面(基板の裏面)は、温度制御群3abにより加熱または冷却される。処理領域30bの内部に支持されたワーク100の上面(溶液)は、処理領域30bの上部に設けられた複数の温度制御部32(温度制御群3b)により加熱または冷却される。なお、温度制御群を区別しない場合には、単に、温度制御群3と呼ぶ。 The lower surface (back surface of the substrate) of the workpiece 100 supported inside the processing area 30a is heated or cooled by a plurality of temperature control units 32 (temperature control group 3a) provided at the bottom of the processing area 30a. The upper surface (solution) of the workpiece 100 supported inside the processing area 30a is heated or cooled by a plurality of temperature control units 32 (temperature control group 3ab) shared by the processing area 30a and the processing area 30b. The lower surface (back surface of the substrate) of the workpiece 100 supported inside the processing area 30b is heated or cooled by the temperature control group 3ab. The upper surface (solution) of the workpiece 100 supported inside the processing area 30b is heated or cooled by a plurality of temperature control units 32 (temperature control group 3b) provided at the top of the processing area 30b. When the temperature control groups are not distinguished, they are simply called the temperature control group 3.

図2は、温度制御部32を例示するための模式断面図である。
図2に示すように、温度制御部32は、例えば、ヒータ32a、案内部32b、支持部32c、およびホルダ32dを有する。
ヒータ32aは、例えば、発熱部32a1、フランジ32a2、および端子32a3を有する。
発熱部32a1は、案内部32bの内部に、着脱自在に設けられている。発熱部32a1は、案内部32bに沿って延びている。発熱部32a1は、電力を熱に変換する。発熱部32a1は、例えば、シーズヒータ、セラミックヒータ、カートリッジヒータなどとすることができる。また、発熱部32a1の外面を覆う石英カバーをさらに設けることもできる。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the temperature control unit 32.
As shown in FIG. 2, the temperature control unit 32 includes, for example, a heater 32a, a guide unit 32b, a support unit 32c, and a holder 32d.
The heater 32a includes, for example, a heat generating portion 32a1, a flange 32a2, and a terminal 32a3.
The heat generating portion 32a1 is detachably provided inside the guide portion 32b. The heat generating portion 32a1 extends along the guide portion 32b. The heat generating portion 32a1 converts electric power into heat. The heat generating portion 32a1 may be, for example, a sheath heater, a ceramic heater, a cartridge heater, or the like. A quartz cover may also be provided to cover the outer surface of the heat generating portion 32a1.

フランジ32a2は、板状を呈し、発熱部32a1の、一方の端部の近傍に設けられている。フランジ32a2は、例えば、発熱部32a1の外面に気密に溶接することができる。これによって、発熱部32a1が蓋15に設けられたホルダ32d、フランジ32a2を介して気密に接続される。フランジ32a2の材料は、例えば、ステンレスなどの金属とすることができる。 The flange 32a2 is plate-shaped and is provided near one end of the heat generating portion 32a1. The flange 32a2 can be airtight welded to the outer surface of the heat generating portion 32a1, for example. This allows the heat generating portion 32a1 to be airtightly connected via the holder 32d provided on the lid 15 and the flange 32a2. The material of the flange 32a2 can be, for example, a metal such as stainless steel.

チャンバ10の外部において、フランジ32a2は、ネジなどの締結部材を用いて、ホルダ32dのフランジ32d1に着脱自在に設けられる。ヒータ32aのフランジ32a2を、ホルダ32dのフランジ32d1に取り付けた際には、チャンバ10の内部空間が気密となるように封止される。 Outside the chamber 10, the flange 32a2 is detachably attached to the flange 32d1 of the holder 32d using a fastening member such as a screw. When the flange 32a2 of the heater 32a is attached to the flange 32d1 of the holder 32d, the internal space of the chamber 10 is sealed so as to be airtight.

端子32a3は、発熱部32a1の、フランジ32a2が設けられる側の端部に設けられている。端子32a3は、発熱部32a1に設けられた発熱体と電気的に接続されている。端子32a3には、有機膜形成装置1の外部に設けられた電源や制御装置などが電気的に接続される。つまり、端子32a3を介して、発熱部32a1に設けられた発熱体に電力が供給される。この場合、端子32a3は、蓋15の外側、すなわち有機膜形成装置1(チャンバ10)の外側に露出している。そのため、電源ケーブルを端子32a3に着脱するのが容易となる。なお、端子32a3を覆う絶縁カバーをさらに設けることもできる。 The terminal 32a3 is provided at the end of the heating section 32a1 on the side where the flange 32a2 is provided. The terminal 32a3 is electrically connected to the heating element provided in the heating section 32a1. A power source, a control device, or the like provided outside the organic film forming apparatus 1 is electrically connected to the terminal 32a3. That is, power is supplied to the heating element provided in the heating section 32a1 via the terminal 32a3. In this case, the terminal 32a3 is exposed to the outside of the lid 15, i.e., the outside of the organic film forming apparatus 1 (chamber 10). This makes it easy to attach and detach the power cable to the terminal 32a3. An insulating cover that covers the terminal 32a3 can also be provided.

案内部32bは、ワーク100の基板表面に対向するように設けられている。案内部32bは、筒状を呈し、一方向に延びた形体を有している。案内部32bの両側の端部は、チャンバ10(処理領域30a、30b)の内部に設けられている。案内部32bの両側の端部は開口している。案内部32bは、処理領域30a、30bの短手方向(図2中のY方向)に延びている。案内部32bには、一対のブラケット32b1を設けることができる。例えば、案内部32bの両側の端部のそれぞれに、ブラケット32b1を溶接することができる。ブラケット32b1は、例えば、ネジなどの締結部材を用いて、フレーム31の梁31aに取り付けられる。
案内部32bは、熱伝導率が高く、耐熱性を有する材料から形成される。例えば、案内部32bの材料は、ステンレスなどの金属とすることができる。
この案内部32bを有することにより、発熱部32a1はチャンバ10内の他の部材に干渉することなく抜き差しをすることができる。
The guide portion 32b is provided so as to face the substrate surface of the workpiece 100. The guide portion 32b has a cylindrical shape and has a shape extending in one direction. Both ends of the guide portion 32b are provided inside the chamber 10 (processing regions 30a, 30b). Both ends of the guide portion 32b are open. The guide portion 32b extends in the short direction (Y direction in FIG. 2) of the processing regions 30a, 30b. A pair of brackets 32b1 can be provided on the guide portion 32b. For example, the brackets 32b1 can be welded to each of the both ends of the guide portion 32b. The brackets 32b1 are attached to the beams 31a of the frame 31 using, for example, fastening members such as screws.
The guide portion 32b is made of a material having high thermal conductivity and heat resistance, for example, a metal such as stainless steel.
By providing this guide portion 32b, the heat generating portion 32a1 can be inserted and removed without interfering with other members within the chamber 10.

支持部32cは、案内部32bの内部に設けられている。支持部32cは、案内部32bの内部において、ヒータ32a(発熱部32a1)を支持する。例えば、支持部32cには、軸方向に貫通する孔32c1(第1の孔の一例に相当する)が設けられている。発熱部32a1は、孔32c1に着脱自在に設けられる。そのため、孔32c1の内壁と発熱部32a1との間には僅かな隙間を設けることができる。 The support portion 32c is provided inside the guide portion 32b. The support portion 32c supports the heater 32a (heat generating portion 32a1) inside the guide portion 32b. For example, the support portion 32c is provided with a hole 32c1 (corresponding to an example of a first hole) that penetrates in the axial direction. The heat generating portion 32a1 is provided in the hole 32c1 so as to be detachable. Therefore, a small gap can be provided between the inner wall of the hole 32c1 and the heat generating portion 32a1.

案内部32bの内部空間と、チャンバ10(処理領域30a、30b)の内部空間とは、孔32c1の内壁と発熱部32a1との間の隙間、あるいは、案内部32bの内壁と支持部32cとの間の隙間を介して繋がっている。そのため、案内部32bの内部空間と、チャンバ10の内部空間との間に圧力差が生じるのを抑制することができる。 The internal space of the guide portion 32b and the internal space of the chamber 10 (processing regions 30a, 30b) are connected via the gap between the inner wall of the hole 32c1 and the heat generating portion 32a1, or the gap between the inner wall of the guide portion 32b and the support portion 32c. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a pressure difference between the internal space of the guide portion 32b and the internal space of the chamber 10.

支持部32cは、少なくとも1つ設けることができる。例えば、案内部32bの、ホルダ32d側とは反対側の端部の近傍に1つの支持部32cを設けることができる。この様にすれば、1つの支持部32cと、ホルダ32dとにより発熱部32a1を支持することができる。 At least one support portion 32c can be provided. For example, one support portion 32c can be provided near the end of the guide portion 32b opposite the holder 32d side. In this way, the heat generating portion 32a1 can be supported by one support portion 32c and the holder 32d.

複数の支持部32cが設けられていれば、支持部32cと支持部32cとの間の領域において、案内部32bの内壁と、発熱部32a1との間の距離を略一定にすることができる。そのため、例えば、案内部32bの外面における温度にばらつきが生じるのを抑制することができる。 If multiple support parts 32c are provided, the distance between the inner wall of the guide part 32b and the heat generating part 32a1 can be made approximately constant in the area between the support parts 32c. Therefore, for example, it is possible to suppress the occurrence of temperature variations on the outer surface of the guide part 32b.

ただし、ヒータ32aの発熱と冷却に伴い、発熱部32a1には膨張と収縮が生じるので、発熱部32a1と支持部32cとの間に擦れが生じるおそれがある。また、後述するように、案内部32bの、支持部32cと対向する領域の温度が高くなる。そのため、支持部32cの数を多くすると、パーティクルが発生しやすくなり、また、ワーク100の面内において温度のばらつきが大きくなるおそれがある。
また、支持部32cが案内部32bの中央領域に設けられると、ヒータ32aの熱がワーク100の中央付近に伝わりやすくなり、ワーク100面内における温度のばらつきを均等に近づける目的を果たすことができない。したがって、支持部32cは案内部32bの中央部を避けた両端に、パーティクルが発生しにくい数(例えば一つずつ)だけ設けられることが最も好ましい。
However, as the heater 32a heats up and cools down, the heat generating portion 32a1 expands and contracts, which may cause friction between the heat generating portion 32a1 and the support portion 32c. Also, as described below, the temperature of the region of the guide portion 32b facing the support portion 32c increases. Therefore, if the number of support portions 32c is increased, particles are more likely to be generated, and there is a risk that the temperature variation within the surface of the workpiece 100 may increase.
Furthermore, if the support portion 32c is provided in the central region of the guide portion 32b, the heat of the heater 32a is easily transferred to the vicinity of the center of the workpiece 100, and the purpose of making the temperature variation in the surface of the workpiece 100 closer to uniform cannot be achieved. Therefore, it is most preferable that the support portions 32c are provided on both ends of the guide portion 32b avoiding the central portion, in a number (e.g., one each) that is unlikely to generate particles.

また、支持部32cの孔32c1の、ホルダ32d側の開口には、テーパ面32c2を設けることができる。テーパ面32c2が設けられていれば、孔32c1の内部にヒータ32a(発熱部32a1)を挿入するのが容易となる。
支持部32cは、熱伝導率が高く、耐熱性を有する材料から形成される。例えば、支持部32cの材料は、ステンレスなどの金属とすることができる。
なお、支持部32cの形状は、案内部32bの断面形状である円形に沿って設けられる例以外にも、例えば半円状(発熱部32a1の下方のみを支える形状)であっても良い。
Furthermore, a tapered surface 32c2 may be provided at the opening of the hole 32c1 of the support portion 32c on the holder 32d side. If the tapered surface 32c2 is provided, it becomes easy to insert the heater 32a (heat generating portion 32a1) into the hole 32c1.
The support portion 32c is made of a material having high thermal conductivity and heat resistance, for example, a metal such as stainless steel.
The shape of the support portion 32c may be, for example, semicircular (a shape that supports only the lower part of the heat generating portion 32a1) other than the example in which the support portion 32c is provided along the circular cross-sectional shape of the guide portion 32b.

ホルダ32dはフランジ32dを有し、蓋15の外面に設けられている。加熱処理を行う際には、チャンバ10の内部空間が大気圧よりも減圧された雰囲気となる。そのため、ホルダ32dは、例えば、蓋15に気密となるように溶接される。ホルダ32dの材料は、例えば、ステンレスなどの金属とすることができる。 The holder 32d has a flange 32d1 and is provided on the outer surface of the lid 15. When performing the heat treatment, the internal space of the chamber 10 has an atmosphere reduced below atmospheric pressure. Therefore, the holder 32d is, for example, welded to the lid 15 so as to be airtight. The material of the holder 32d can be, for example, a metal such as stainless steel.

ホルダ32dには、蓋15に設けられた孔15aと連通する孔32d2が設けられている。ヒータ32aは、チャンバ10の外部から、孔32d2および孔15aを介して、支持部32cの孔32c1に挿入することができる。
また、ヒータ32aのフランジ32a2は、例えば、ネジなどの締結部材を用いて、ホルダ32dのフランジ32d1に着脱自在に取り付けられる。
The holder 32d is provided with a hole 32d2 that communicates with a hole 15a provided in the lid 15. The heater 32a can be inserted from outside the chamber 10 into a hole 32c1 of the support portion 32c via the hole 32d2 and the hole 15a.
Furthermore, the flange 32a2 of the heater 32a is detachably attached to a flange 32d1 of the holder 32d using a fastening member such as a screw.

以上のように、本実施の形態に係る有機膜形成装置1によれば、案内部32bを有することにより、チャンバ10に対してヒータ32aの着脱を容易に行うことができる。そのため、有機膜形成装置1の組立作業やメンテナンス作業が容易となる。 As described above, according to the organic film forming apparatus 1 of this embodiment, the heater 32a can be easily attached and detached to and from the chamber 10 by having the guide portion 32b. This makes it easier to assemble and maintain the organic film forming apparatus 1.

なお、ヒータ32aのフランジ32a2と、ホルダ32dのフランジ32d1との間には、シール部材を設けることもできる。シール部材が設けられていれば、チャンバ10の内部空間を気密に保つのが容易となる。 A seal member can be provided between the flange 32a2 of the heater 32a and the flange 32d1 of the holder 32d. If a seal member is provided, it becomes easier to keep the internal space of the chamber 10 airtight.

また、ホルダ32dには、ヒータ32a(発熱部32a1)において発生した熱が伝わる。そのため、ホルダ32dに冷却部を設けることもできる。冷却部は、例えば、ホルダ32dにガスを吹き付けるものとすることもできるし、ホルダ32dの内部に設けられた流路にガスや液体を流すものとすることもできる。冷却部が設けられていれば、ホルダ32dの温度、ひいては蓋15の温度が高くなり過ぎるのを抑制することができる。 In addition, heat generated in the heater 32a (heat generating portion 32a1) is transferred to the holder 32d. Therefore, a cooling portion can be provided in the holder 32d. The cooling portion can be, for example, a portion that blows gas onto the holder 32d, or a portion that flows gas or liquid through a flow path provided inside the holder 32d. If a cooling portion is provided, the temperature of the holder 32d, and therefore the temperature of the lid 15, can be prevented from becoming too high.

前述した様に、案内部32bの内部空間には、発熱部32a1が設けられる。案内部32bの内壁と、発熱部32a1との間に空間がある領域においては、発熱部32a1において発生した熱は、輻射により、案内部32bに伝わる。案内部32bの内壁と、発熱部32a1との間に支持部32cがある領域においては、発熱部32a1において発生した熱は、支持部32cを介した熱伝導により、案内部32bに伝わる。この場合、輻射よりも熱伝導の方が熱が伝わり易いので、案内部32bの、支持部32cと対向する領域の温度が、案内部32bの、支持部32cと対向していない領域の温度よりも高くなる。 As described above, the heat generating portion 32a1 is provided in the internal space of the guide portion 32b. In the area where there is a space between the inner wall of the guide portion 32b and the heat generating portion 32a1, the heat generated in the heat generating portion 32a1 is transferred to the guide portion 32b by radiation. In the area where the support portion 32c is located between the inner wall of the guide portion 32b and the heat generating portion 32a1, the heat generated in the heat generating portion 32a1 is transferred to the guide portion 32b by thermal conduction via the support portion 32c. In this case, since heat is transferred more easily by thermal conduction than by radiation, the temperature of the area of the guide portion 32b facing the support portion 32c becomes higher than the temperature of the area of the guide portion 32b not facing the support portion 32c.

一方、ワーク100の周縁領域は、ワーク100の中央領域よりもチャンバ10の内壁に近くに位置する。そのため、ワーク100の周縁領域の熱は、ワーク100の中央領域の熱よりもチャンバ10の内壁に伝わり易くなる。その結果、ワーク100の周縁領域の温度が、ワーク100の中央領域の温度よりも低くなりやすくなる。 On the other hand, the peripheral region of the workpiece 100 is located closer to the inner wall of the chamber 10 than the central region of the workpiece 100. Therefore, the heat of the peripheral region of the workpiece 100 is more easily transferred to the inner wall of the chamber 10 than the heat of the central region of the workpiece 100. As a result, the temperature of the peripheral region of the workpiece 100 is more likely to be lower than the temperature of the central region of the workpiece 100.

前述した様に、案内部32bの、支持部32cと対向する領域の温度は、案内部32bの、支持部32cと対向していない領域の温度よりも高くなる。そのため、案内部32bの、支持部32cと対向する領域が、ワーク100の周縁領域の近傍に設けられていれば、ワーク100の周縁領域の温度を上昇させることができる。その結果、ワーク100の周縁領域の温度と、ワーク100の中央領域の温度との差を小さくすることができるので、ワーク100がその表面全体において均等に熱せられ、形成される有機膜の品質を向上させることができる。 As described above, the temperature of the area of guide portion 32b facing support portion 32c is higher than the temperature of the area of guide portion 32b not facing support portion 32c. Therefore, if the area of guide portion 32b facing support portion 32c is provided near the peripheral region of workpiece 100, the temperature of the peripheral region of workpiece 100 can be increased. As a result, the difference in temperature between the peripheral region of workpiece 100 and the central region of workpiece 100 can be reduced, so that workpiece 100 is heated evenly over its entire surface, improving the quality of the organic film that is formed.

図3(a)~(c)は、支持部32cと、ワーク100との位置関係を例示するための模式断面図である。
なお、図3(a)~(c)においては、ワーク100の一方の周縁側を描いているが、ワーク100の他方の周縁側も同様である。また、図3(a)~(c)においては、ワーク100の上方に支持部32cが設けられる場合を描いているが、ワーク100の下方に支持部32cが設けられる場合も同様である。
3A to 3C are schematic cross-sectional views illustrating the positional relationship between the support portion 32c and the workpiece 100. FIG.
3(a) to 3(c) depict one peripheral side of the workpiece 100, but the same is true for the other peripheral side of the workpiece 100. Also, while Figures 3(a) to 3(c) depict a case in which the support portion 32c is provided above the workpiece 100, the same is true for a case in which the support portion 32c is provided below the workpiece 100.

図3(a)に示すように、平面視において(ワーク100の基板の面に垂直な方向から見て)、支持部32cは、ワーク100の周縁の外側に設けることができる。この様にすれば、下部均熱板34bまたは上部均熱板34aの周縁領域の温度を上昇させることができる。ワーク100の周縁領域の熱は、下部均熱板34bまたは上部均熱板34aを介してチャンバ10の内壁に伝わるので、下部均熱板34bまたは上部均熱板34aの周縁領域の温度が高くなれば、チャンバ10の内壁に奪われてしまう熱を補うことができる。
そのため、ワーク100の周縁領域の温度と、ワーク100の中央領域の温度との差を小さくすることができる。
3A, in a plan view (viewed from a direction perpendicular to the surface of the substrate of the workpiece 100), the support portion 32c can be provided outside the periphery of the workpiece 100. In this way, the temperature of the peripheral region of the lower heat equalizer plate 34b or the upper heat equalizer plate 34a can be increased. Since the heat of the peripheral region of the workpiece 100 is transferred to the inner wall of the chamber 10 via the lower heat equalizer plate 34b or the upper heat equalizer plate 34a, if the temperature of the peripheral region of the lower heat equalizer plate 34b or the upper heat equalizer plate 34a increases, the heat that is lost to the inner wall of the chamber 10 can be compensated for.
Therefore, the difference in temperature between the peripheral region of the workpiece 100 and the central region of the workpiece 100 can be reduced.

図3(b)に示すように、平面視において、支持部32cは、ワーク100の周縁の内側に設けることができる。この様にすれば、図3(a)同様、下部均熱板34bまたは上部均熱板34aの周縁領域の温度が高くなり、これによって、熱が奪われやすいワーク100の周縁領域の温度を補うことができる。
そのため、ワーク100の周縁領域の温度と、ワーク100の中央領域の温度との差を小さくすることができる。
As shown in Fig. 3(b) , in a plan view, the support portion 32c can be provided inside the periphery of the workpiece 100. In this way, the temperature of the peripheral region of the lower heat equalizing plate 34b or the upper heat equalizing plate 34a becomes high, as in Fig. 3(a) , and this makes it possible to compensate for the temperature of the peripheral region of the workpiece 100, which is easily lost heat.
Therefore, the difference in temperature between the peripheral region of the workpiece 100 and the central region of the workpiece 100 can be reduced.

図3(c)に示すように、平面視において、支持部32cは、ワーク100の周縁と重なる位置に設けることができる。この様にすれば、図3(a)において説明した様に、ワーク100の周縁領域の熱がチャンバ10の内壁に奪われても、これを補うことができる。またさらに、図3(b)において説明した様に、熱が逃げやすいワーク100の周縁領域の温度を上昇させることができる。
そのため、ワーク100の周縁領域の温度と、ワーク100の中央領域の温度との差を小さくすることがさらに容易となる。
As shown in Fig. 3(c), in a plan view, the support portion 32c can be provided at a position overlapping the periphery of the workpiece 100. In this way, even if heat in the peripheral region of the workpiece 100 is lost to the inner wall of the chamber 10 as explained in Fig. 3(a), this can be compensated for. Furthermore, as explained in Fig. 3(b), the temperature of the peripheral region of the workpiece 100, from which heat easily escapes, can be increased.
Therefore, it becomes easier to reduce the difference in temperature between the peripheral region of the workpiece 100 and the central region of the workpiece 100 .

なお、支持部32cを設ける位置は、前述したとおり、図3(a)に示す位置、および図3(b)に示す位置においても一定の効果はあるものの、図3(c)に示す位置(ワーク100の周縁と重なる位置)が最も好ましい。図3(a)に示す位置の場合には、下部均熱板34b(上部均熱板34a)の位置がチャンバ10の内壁に近いことから、下部均熱板34b(上部均熱板34a)の周縁領域の熱が奪われやすくなる。また、図3(b)に示す位置の場合には、ワーク100の周縁位置がチャンバ10の内壁に近いことから、ワーク100の周縁領域の熱が奪われやすくなる。したがって、図3(c)に示す位置(ワーク100の周縁と重なる位置)に支持部32cを設けることが最も効果的である。 As mentioned above, the position of the support portion 32c is most preferably the position shown in FIG. 3(c) (a position overlapping the periphery of the workpiece 100) although the positions shown in FIG. 3(a) and FIG. 3(b) are also effective to a certain extent. In the case of the position shown in FIG. 3(a), the lower heat equalizer plate 34b (upper heat equalizer plate 34a) is close to the inner wall of the chamber 10, so the heat of the peripheral region of the lower heat equalizer plate 34b (upper heat equalizer plate 34a) is easily taken away. In addition, in the case of the position shown in FIG. 3(b), the peripheral position of the workpiece 100 is close to the inner wall of the chamber 10, so the heat of the peripheral region of the workpiece 100 is easily taken away. Therefore, it is most effective to provide the support portion 32c in the position shown in FIG. 3(c) (a position overlapping the periphery of the workpiece 100).

また、案内部32bの軸方向における支持部32cの長さを変えることで、ワーク100の、支持部32cにより加熱される領域の大きさを変えることができる。例えば、ワーク100の周縁近傍における温度の低い領域の大きさに応じて、支持部32cの長さを変えることができる。 In addition, by changing the length of the support portion 32c in the axial direction of the guide portion 32b, the size of the area of the workpiece 100 that is heated by the support portion 32c can be changed. For example, the length of the support portion 32c can be changed depending on the size of the low-temperature area near the periphery of the workpiece 100.

図1に示すように、ワーク支持部33は、処理領域30a、30bの内部において、ワーク100の下面を支持する。ワーク支持部33は、複数設けることができる。複数のワーク支持部33は、処理領域30aの下部、および、処理領域30bの下部に設けられている。複数のワーク支持部33は、棒状体とすることができる。 As shown in FIG. 1, the work support portion 33 supports the underside of the work 100 inside the processing regions 30a and 30b. A plurality of work support portions 33 may be provided. The plurality of work support portions 33 are provided below the processing region 30a and below the processing region 30b. The plurality of work support portions 33 may be rod-shaped.

複数のワーク支持部33の上端は、処理領域30a、30bの内部に位置し、ワーク100の下面に接触する。そのため、複数のワーク支持部33の上端の形状は、半球状などとすることが好ましい。この様にすれば、ワーク100の下面に損傷が発生するのを抑制することができる。また、ワーク100の下面と複数のワーク支持部33との接触面積を小さくすることができるので、ワーク100から複数のワーク支持部33に熱が伝わり難くなる。 The upper ends of the multiple work support parts 33 are located inside the processing regions 30a, 30b and contact the underside of the work 100. For this reason, it is preferable that the shape of the upper ends of the multiple work support parts 33 is hemispherical or the like. In this way, damage to the underside of the work 100 can be suppressed. In addition, since the contact area between the underside of the work 100 and the multiple work support parts 33 can be reduced, heat is less likely to be transferred from the work 100 to the multiple work support parts 33.

複数のワーク支持部33の数、配置、間隔などは、ワーク100の大きさや剛性(撓み)などに応じて適宜変更することができる。複数のワーク支持部33の数、配置、間隔などは、シミュレーションや実験などを行うことで適宜決定することができる。 The number, arrangement, spacing, etc. of the multiple work support parts 33 can be changed as appropriate depending on the size and rigidity (deflection) of the work 100. The number, arrangement, spacing, etc. of the multiple work support parts 33 can be appropriately determined by performing simulations, experiments, etc.

均熱部34は、複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dを有する。複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dは、板状を呈している。 The heat equalizing section 34 has a plurality of upper heat equalizing plates 34a, a plurality of lower heat equalizing plates 34b, a plurality of side heat equalizing plates 34c, and a plurality of side heat equalizing plates 34d. The plurality of upper heat equalizing plates 34a, the plurality of lower heat equalizing plates 34b, the plurality of side heat equalizing plates 34c, and the plurality of side heat equalizing plates 34d are plate-shaped.

複数の上部均熱板34aは、ワーク100の上方に設けられた複数の温度制御部32とワーク100との間に設けられている。複数の上部均熱板34aは、複数の温度制御部32と離隔している。複数の上部均熱板34aは、複数の温度制御部32が並ぶ方向(図1中のX方向)に並べて設けられている。 The upper heat equalizing plates 34a are provided between the workpiece 100 and the temperature control units 32 provided above the workpiece 100. The upper heat equalizing plates 34a are spaced apart from the temperature control units 32. The upper heat equalizing plates 34a are arranged in the direction in which the temperature control units 32 are arranged (the X direction in FIG. 1).

複数の下部均熱板34bは、ワーク100の下方に設けられた複数の温度制御部32とワーク100との間に設けられている。複数の下部均熱板34bは、複数の温度制御部32と離隔している。複数の下部均熱板34bは、複数の温度制御部32が並ぶ方向(図1中のX方向)に並べて設けられている。 The multiple lower heat equalizing plates 34b are provided between the workpiece 100 and the multiple temperature control units 32 provided below the workpiece 100. The multiple lower heat equalizing plates 34b are spaced apart from the multiple temperature control units 32. The multiple lower heat equalizing plates 34b are arranged in the direction in which the multiple temperature control units 32 are arranged (the X direction in FIG. 1).

側部均熱板34cは、複数の温度制御部32が並ぶ方向において、処理領域30a、30bの両側(図1のX方向)の側部のそれぞれに設けられている。側部均熱板34cは、カバー36の内側に設けることができる。また、側部均熱板34cとカバー36との間に、側部均熱板34cおよびカバー36と離隔して設けられた少なくとも1つの温度制御部32を設けることもできる。
このように側部均熱板34cとカバーとの間に温度制御部32を設けることによって、側部均熱板34cにワーク100を焼成することによって生じた昇華物が付着するのを防止することができる。
The side heat equalizing plates 34c are provided on both sides (X direction in FIG. 1) of the processing regions 30a, 30b in the direction in which the multiple temperature control sections 32 are arranged. The side heat equalizing plates 34c can be provided inside the cover 36. In addition, at least one temperature control section 32 can be provided between the side heat equalizing plates 34c and the cover 36, spaced apart from the side heat equalizing plates 34c and the cover 36.
By providing the temperature control section 32 between the side heat equalizing plate 34c and the cover in this manner, it is possible to prevent sublimates produced by baking the workpiece 100 from adhering to the side heat equalizing plate 34c.

側部均熱板34dは、複数の温度制御部32が並ぶ方向と直交する方向(図1のY方向)において、処理領域30a、30bの両側の側部のそれぞれに設けられている。
処理領域30a、30bは、複数の上部均熱板34a、複数の下部均熱板34b、複数の側部均熱板34c、および、複数の側部均熱板34dにより囲まれている。また、これらの外側をカバー36が囲んでいる。
なお、開閉扉13側の側部均熱板34dは、カバー36とともに開閉扉13に設けられるようにし、開閉扉13を開閉したときにワーク100の搬入および搬出をスムーズに行えるようにしても良い。
The side heat equalizing plates 34d are provided on both sides of the processing regions 30a, 30b in a direction (Y direction in FIG. 1) perpendicular to the direction in which the temperature control sections 32 are arranged.
The processing regions 30a and 30b are surrounded by a plurality of upper heat equalizing plates 34a, a plurality of lower heat equalizing plates 34b, a plurality of side heat equalizing plates 34c, and a plurality of side heat equalizing plates 34d.
In addition, the side heat equalizing plate 34d on the opening/closing door 13 side may be provided on the opening/closing door 13 together with the cover 36, so that the workpiece 100 can be smoothly loaded and unloaded when the opening/closing door 13 is opened and closed.

複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bの材料は、熱伝導率の高い材料とすることが好ましい。複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bの材料は、例えば、アルミニウム、銅、ステンレスなどの金属とすることができる。
また、側部均熱板34c、34dの材料は、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの材料と同じとすることができる。
The upper and lower heat equalizing plates 34a and 34b are preferably made of a material having high thermal conductivity, such as a metal such as aluminum, copper, or stainless steel.
Moreover, the material of the side heat equalizing plates 34c, 34d can be the same as the material of the upper heat equalizing plate 34a and the lower heat equalizing plate 34b.

ここで、ヒータ32aは、一方向に延びた形体を有しているので、熱の放射は、ヒータ32aの中心軸を中心として放射状に行われる。この場合、温度制御部32の中心軸と、加熱の対象領域との間の距離が短くなるほど温度が高くなる。そのため、複数のヒータ32aが、ワーク100に対向して設けられている場合、ワーク100の面内に温度のばらつきが生じ易くなる。 Here, since the heater 32a has a shape that extends in one direction, heat is emitted radially from the central axis of the heater 32a. In this case, the shorter the distance between the central axis of the temperature control unit 32 and the area to be heated, the higher the temperature. Therefore, when multiple heaters 32a are provided facing the workpiece 100, temperature variations are likely to occur within the surface of the workpiece 100.

この場合、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bが設けられていれば、複数のヒータ32aによる加熱は、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bを介して行われる。すなわち、複数のヒータ32aから放射された熱は、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bに入射し、これらの内部を面方向に伝搬しながらワーク100に向けて放射される。そのため、ワーク100の面内に温度のばらつきが生じるのを抑制することができ、ひいては形成された有機膜の品質を向上させることができる。 In this case, if an upper heat equalizing plate 34a and a lower heat equalizing plate 34b are provided, heating by the multiple heaters 32a is performed via the upper heat equalizing plate 34a and the lower heat equalizing plate 34b. That is, the heat radiated from the multiple heaters 32a is incident on the upper heat equalizing plate 34a and the lower heat equalizing plate 34b, and is radiated toward the workpiece 100 while propagating inside them in the planar direction. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of temperature variations within the surface of the workpiece 100, and ultimately to improve the quality of the formed organic film.

なお、複数の上部均熱板34aおよび複数の下部均熱板34bが設けられる場合を例示したが、上部均熱板34aおよび下部均熱板34bの少なくとも一方は、単一の板状部材であってもよい。 Although the above example illustrates a case in which multiple upper heat equalizing plates 34a and multiple lower heat equalizing plates 34b are provided, at least one of the upper heat equalizing plates 34a and the lower heat equalizing plates 34b may be a single plate-shaped member.

複数の均熱板支持部35(上部均熱板支持部)は、複数の上部均熱板34aが並ぶ方向に並べて設けられている。均熱板支持部35は、複数の上部均熱板34aが並ぶ方向において、上部均熱板34a同士の間の直下に設けることができる。複数の下部均熱板34bを支持する複数の均熱板支持部(下部均熱板支持部)も同様の構成を有することができる。 The multiple heat equalizer plate support parts 35 (upper heat equalizer plate support parts) are arranged in a line in the direction in which the multiple upper heat equalizer plates 34a are arranged. The heat equalizer plate support parts 35 can be arranged directly below between the upper heat equalizer plates 34a in the direction in which the multiple upper heat equalizer plates 34a are arranged. The multiple heat equalizer plate support parts (lower heat equalizer plate support parts) that support the multiple lower heat equalizer plates 34b can also have a similar configuration.

カバー36は、板状を呈し、フレーム31の上面、底面、および側面を覆っている。この場合、開閉扉13側のカバー36は、前述のとおり、例えば、開閉扉13に設けることができる。カバー36は処理領域30a、30bを囲っているが、例えば、カバー36同士の間に隙間を設けたり、孔やスリットなどを設けたりすることができる。この様にすれば、チャンバ10の内壁とカバー36との間の空間と、処理領域30a、30bとが繋がるので、処理領域30a、30bの内部空間の圧力が、チャンバ10の内壁とカバー36との間の空間の圧力と同じとなる。また、フレーム31の側面を覆うカバー36には、流体101を、温度制御群3が設けられた空間に供給、または、温度制御群3が設けられた空間から排出するための孔36aが設けられている。カバー36は、例えば、ステンレスなどから形成することができる。 The cover 36 is plate-shaped and covers the top, bottom, and sides of the frame 31. In this case, the cover 36 on the opening/closing door 13 side can be provided on the opening/closing door 13, as described above. The cover 36 surrounds the processing areas 30a and 30b, but for example, gaps can be provided between the covers 36, or holes or slits can be provided. In this way, the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36 is connected to the processing areas 30a and 30b, so that the pressure in the internal space of the processing areas 30a and 30b becomes the same as the pressure in the space between the inner wall of the chamber 10 and the cover 36. In addition, the cover 36 covering the side of the frame 31 has holes 36a for supplying the fluid 101 to the space in which the temperature control group 3 is provided, or for discharging the fluid 101 from the space in which the temperature control group 3 is provided. The cover 36 can be made of, for example, stainless steel.

冷却部40は、第1の流路40aを介して、温度制御群3が設けられた空間に流体101を供給する。なお、前述した様に、温度制御群3が設けられた空間は、梁31a、上部均熱板34a、下部均熱板34b、カバー36によって囲まれている。
冷却部40は、温度制御群3を冷却することで、温度制御群3に対向するワーク100を間接的に冷却する。
The cooling unit 40 supplies the fluid 101 through the first flow path 40a to the space in which the temperature control group 3 is provided. As described above, the space in which the temperature control group 3 is provided is surrounded by the beam 31a, the upper heat equalizing plate 34a, the lower heat equalizing plate 34b, and the cover 36.
The cooling unit 40 cools the temperature control group 3 , thereby indirectly cooling the workpiece 100 facing the temperature control group 3 .

冷却部40は、例えば、供給源41、および流量制御部42を有する。
供給源41は、流体101を供給する。供給源41は、例えば、高圧ガスボンベや工場配管などとすることができる。
流体101は、例えば、ドライエアー、あるいは、窒素ガス、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスとすることができる。ただし、流体101の種類は例示をしたものに限定されるわけではない。
The cooling unit 40 includes, for example, a supply source 41 and a flow rate control unit 42 .
The supply source 41 supplies the fluid 101. The supply source 41 may be, for example, a high-pressure gas cylinder or factory piping.
The fluid 101 may be, for example, dry air or an inert gas such as nitrogen gas, argon, helium, etc. However, the type of the fluid 101 is not limited to the examples given.

ここで、流体101が酸素を含むガスである場合には、高温状態にある案内部32bが酸化するおそれがある。そのため、流体101は、酸素を含まないガス、例えば、窒素ガスなどの不活性ガスとすることが好ましい。 Here, if the fluid 101 is a gas containing oxygen, there is a risk that the guide portion 32b, which is in a high temperature state, will oxidize. Therefore, it is preferable that the fluid 101 is a gas that does not contain oxygen, for example, an inert gas such as nitrogen gas.

また、流体101の温度は、例えば、常温(25℃)以下とすることができる。この場合、流体101を冷却する冷却器を設けたり、液状の流体101を気化させた際の気化熱により、ガス状の流体101の温度を低下させたりすることができる。
流体101の温度が低ければ、温度制御群3の温度を迅速に低下させることができ、ひいてはワーク100の温度を迅速に低下させることができる。
The temperature of the fluid 101 may be, for example, room temperature (25° C.) or lower. In this case, a cooler for cooling the fluid 101 may be provided, or the temperature of the gaseous fluid 101 may be reduced by using the heat of vaporization generated when the liquid fluid 101 is vaporized.
If the temperature of the fluid 101 is low, the temperature of the temperature control group 3 can be quickly lowered, and therefore the temperature of the workpiece 100 can be quickly lowered.

流量制御部42は、例えば、流体101の供給と供給の停止、流量や圧力の制御などを行う。流体制御部42は、例えば、マスフローコントローラや、ニードルバルブなどとすることができる。 The flow rate control unit 42 , for example, starts and stops the supply of the fluid 101, and controls the flow rate and pressure of the fluid 101. The fluid control unit 42 can be, for example, a mass flow controller or a needle valve.

コントローラ50は、CPU(Central Processing Unit)などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えている。コントローラ50は、例えば、コンピュータである。
コントローラ50は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、有機膜形成装置1に設けられた各要素の動作を制御する。
例えば、コントローラ50は、処理領域30a、30bに設けられた図示しない温度計の検出値に基づいて、ヒータ32aに印加する電力や、第1の流路40aを介して温度制御群3に供給する流体101の流量を制御する。
また、後述するように、コントローラ50は、例えば、処理領域30a、30bに設けられた図示しない温度計の検出値に基づいて、第2の流路40bを介して流体供給部32e、232eに供給する流体101の流量や、流体101の供給位置を制御する(図5、図9~図11を参照)。
The controller 50 includes a calculation unit such as a CPU (Central Processing Unit) and a storage unit such as a memory. The controller 50 is, for example, a computer.
The controller 50 controls the operation of each element provided in the organic film forming apparatus 1 based on a control program stored in the storage unit.
For example, the controller 50 controls the power applied to the heater 32a and the flow rate of the fluid 101 supplied to the temperature control group 3 via the first flow path 40a based on the detection value of a thermometer (not shown) installed in the processing regions 30a and 30b.
As will be described later, the controller 50 controls the flow rate of the fluid 101 supplied to the fluid supply units 32e and 232e via the second flow paths 40b and the supply position of the fluid 101, for example, based on the detection value of a thermometer (not shown) provided in the processing regions 30a and 30b (see FIGS. 5, 9 to 11).

次に、有機膜形成装置1の動作について例示をする。
まず、コントローラ50は、開閉扉13をフランジ11から離隔させる。そして、図示しない搬送装置により、ワーク100がチャンバ10の内部に搬入される。
次に、コントローラ50が、有機膜形成装置1に設けられた各要素の動作を制御して、有機膜の形成工程を実施する。
Next, the operation of the organic film forming apparatus 1 will be illustrated.
First, the controller 50 moves the opening and closing door 13 away from the flange 11. Then, the workpiece 100 is carried into the chamber 10 by a transfer device (not shown).
Next, the controller 50 controls the operation of each element provided in the organic film forming apparatus 1 to carry out the organic film forming process.

図4は、有機膜の形成工程を例示するためのグラフである。
図4に示すように、有機膜の形成工程においては、昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、加熱処理工程(2)、および冷却工程が順次実行される。
FIG. 4 is a graph illustrating a process of forming an organic film.
As shown in FIG. 4, in the process of forming an organic film, a temperature increasing step (1), a heat treatment step (1), a temperature increasing step (2), a heat treatment step (2), and a cooling step are carried out in this order.

まず、昇温工程(1)が実施される。昇温工程(1)においては、排気部20によりチャンバ10の内部空間が所定の圧力まで減圧される。減圧する際の圧力は、溶液中のポリアミド酸がチャンバ10の内部空間に残留する酸素と反応して酸化されない圧力であればよい。例えば、減圧する際の圧力は、100Pa~1×10-2Paとすればよい。つまり、第2の排気部22による減圧は、必ずしも必要ではなく、第1の排気部21により、チャンバ10の内部空間の圧力が10Pa~100Paとなれば、ヒータ32aによるワーク100の加熱を開始してもよい。
また、昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、および加熱処理工程(2)においては、減圧された圧力が維持される。
First, the temperature increasing step (1) is carried out. In the temperature increasing step (1), the internal space of the chamber 10 is depressurized to a predetermined pressure by the exhaust unit 20. The pressure at which the pressure is reduced may be any pressure at which the polyamic acid in the solution does not react with oxygen remaining in the internal space of the chamber 10 and is not oxidized. For example, the pressure at which the pressure is reduced may be 100 Pa to 1×10 −2 Pa. In other words, the reduction in pressure by the second exhaust unit 22 is not necessarily required, and once the pressure in the internal space of the chamber 10 reaches 10 Pa to 100 Pa by the first exhaust unit 21, heating of the workpiece 100 by the heater 32a may be started.
Furthermore, the reduced pressure is maintained in the temperature increasing step (1), the heat treatment step (1), the temperature increasing step (2), and the heat treatment step (2).

チャンバ10の内部空間が所定の圧力まで減圧されると、ヒータ32aに電力が印加される。すると、図4に示すように、ワーク100の温度が上昇する。ワーク100の温度が上昇する工程を昇温工程と呼ぶ。本実施の形態に係る有機膜の形成工程においては、昇温工程が2回(昇温工程(1)、(2))実施される。 When the internal space of the chamber 10 is depressurized to a predetermined pressure, power is applied to the heater 32a. Then, as shown in FIG. 4, the temperature of the workpiece 100 increases. The process of increasing the temperature of the workpiece 100 is called the temperature increase process. In the organic film formation process according to this embodiment, the temperature increase process is performed twice (temperature increase processes (1) and (2)).

例えば、コントローラ50は、昇温工程(1)において、図示しない温度計の検出値に基づいて、ヒータ32aに印加する電力を制御する。
この場合、コントローラ50の記憶部は、加熱処理工程(1)における第1の温度、および昇温工程(1)の時間を予め記憶している。コントローラ50の演算部は、昇温工程(1)の時間が経過する前に、加熱処理工程(1)における第1の温度となるように、ヒータ32aを制御する。
For example, in the temperature increasing step (1), the controller 50 controls the power applied to the heater 32a based on the detection value of a thermometer (not shown).
In this case, the memory unit of the controller 50 prestores the first temperature in the heat treatment step (1) and the time of the temperature increase step (1). The calculation unit of the controller 50 controls the heater 32a to reach the first temperature in the heat treatment step (1) before the time of the temperature increase step (1) has elapsed.

昇温工程(1)の後、加熱処理工程(1)が実施される。加熱処理工程(1)においては、第1の温度を所定時間維持する。本実施の形態に係る有機膜の形成工程においては、加熱処理工程が2回(加熱処理工程(1)、(2))実施される。 After the temperature increasing step (1), the heat treatment step (1) is carried out. In the heat treatment step (1), the first temperature is maintained for a predetermined time. In the organic film forming process according to this embodiment, the heat treatment step is carried out twice (heat treatment steps (1) and (2)).

加熱処理工程(1)においては、例えば、第1の温度でワーク100を所定時間加熱し、溶液に含まれている水分やガスなどを排出させる。第1の温度は、例えば、100℃~200℃とすればよい。
例えば、コントローラ50は、図示しない温度計により、ワーク100の温度を検出し、ワーク100が第1の温度となるようにヒータ32aに印加する電力を制御する。
In the heat treatment step (1), the workpiece 100 is heated at a first temperature for a predetermined time to remove moisture, gas, etc. contained in the solution. The first temperature may be, for example, 100° C. to 200° C.
For example, the controller 50 detects the temperature of the workpiece 100 using a thermometer (not shown), and controls the power applied to the heater 32a so that the workpiece 100 has a first temperature.

加熱処理工程(1)を実施することで、溶液に含まれている水分やガスが、形成された有機膜に含まれるのを抑制することができる。なお、溶液の成分などによっては加熱処理工程(1)を、温度を変えて複数回実施することもできるし、加熱処理工程(1)を省くこともできる。 By carrying out the heat treatment step (1), it is possible to prevent moisture and gas contained in the solution from being contained in the formed organic film. Depending on the components of the solution, the heat treatment step (1) can be carried out multiple times at different temperatures, or the heat treatment step (1) can be omitted.

加熱処理工程(1)の後、昇温工程(2)が実施される。例えば、コントローラ50は、図示しない温度計の検出値に基づいて、ヒータ32aに印加する電力を制御する。
この場合、コントローラ50の記憶部は、加熱処理工程(2)における第2の温度、および昇温工程(2)の時間を予め記憶している。コントローラ50の演算部は、昇温工程(2)の時間が経過する前に、加熱処理工程(2)における第2の温度となるように、ヒータ32aを制御する。
After the heat treatment step (1), a temperature increasing step (2) is performed. For example, the controller 50 controls the power applied to the heater 32a based on a detection value of a thermometer (not shown).
In this case, the memory unit of the controller 50 prestores the second temperature in the heat treatment step (2) and the time for the temperature increase step (2). The calculation unit of the controller 50 controls the heater 32a to reach the second temperature in the heat treatment step (2) before the time for the temperature increase step (2) has elapsed.

昇温工程(2)の後、加熱処理工程(2)が実施される。加熱処理工程(2)においては、第2の温度を所定の時間維持し、溶液から有機膜を形成する。第2の温度は、イミド化が起きる温度とすればよく、例えば、300℃以上とすればよい。例えば、分子鎖の充填度の高い有機膜を形成する場合には、第2の温度を400℃~600℃とすればよい。 例えば、コントローラ50は、図示しない温度計により、ワーク100の温度を検出し、ワーク100が第2の温度となるようにヒータ32aに印加する電力を制御する。 After the temperature increasing step (2), the heat treatment step (2) is carried out. In the heat treatment step (2), the second temperature is maintained for a predetermined time, and an organic film is formed from the solution. The second temperature may be a temperature at which imidization occurs, for example, 300°C or higher. For example, when forming an organic film with a high degree of molecular chain packing, the second temperature may be set to 400°C to 600°C. For example, the controller 50 detects the temperature of the workpiece 100 using a thermometer (not shown), and controls the power applied to the heater 32a so that the workpiece 100 reaches the second temperature.

加熱処理工程(2)の後、冷却工程が実施される。冷却工程は、有機膜が形成されたワーク100の温度を冷却部40によって低下させる工程である。冷却工程においては、ワーク100を、搬出可能な温度まで冷却する。
なお、搬出可能な温度とは、少なくとも、ワーク100に形成されている膜の膜質が酸素を含む空気に触れても変化しない温度(例えば100℃以下)である。
After the heat treatment step (2), a cooling step is performed in which the temperature of the workpiece 100 on which the organic film is formed is lowered by the cooling unit 40. In the cooling step, the workpiece 100 is cooled to a temperature at which the workpiece 100 can be carried out.
The temperature at which the workpiece 100 can be unloaded is at least a temperature (for example, 100° C. or lower) at which the quality of the film formed on the workpiece 100 does not change even when exposed to air containing oxygen.

例えば、搬出されるワーク100の温度が常温となっていれば、ワーク100の搬出がより容易となる。ところが、ワーク100の温度が常温となるような冷却を行えば、チャンバ10の内部空間やヒータ32aの温度が常温に近くなる、そのため、次のワーク100を処理する際の昇温工程(1)の時間が長くなる。すなわち、生産性が低下するおそれがある。 For example, if the temperature of the workpiece 100 to be removed is room temperature, it will be easier to remove the workpiece 100. However, if cooling is performed so that the temperature of the workpiece 100 is room temperature, the temperature of the internal space of the chamber 10 and the heater 32a will be close to room temperature, and therefore the time required for the heating process (1) when processing the next workpiece 100 will be longer. In other words, there is a risk of a decrease in productivity.

そこで、本実施の形態に係る冷却工程においては、ワーク100の温度が、50℃~90℃程度(第3の温度)となるようにする。この様にすれば、チャンバ10の内部空間の温度やヒータ32aの温度が過度に低くなることがないので、次のワーク100を加熱処理する際の昇温工程(1)の時間が長くなるのを抑制することができる。 Therefore, in the cooling process according to this embodiment, the temperature of the workpiece 100 is set to about 50°C to 90°C (third temperature). In this way, the temperature of the internal space of the chamber 10 and the temperature of the heater 32a do not become excessively low, so that the time required for the heating process (1) when the next workpiece 100 is heat-treated can be prevented from becoming too long.

また、冷却工程において、チャンバ10の内部空間に流体101を供給して、ワーク100を直接冷却することもできる。しかしながら、チャンバ10の内部空間の体積は大きいため、高温となっている部材、例えば、ヒータ32aおよび均熱部34を冷却するのは困難である。ワーク100に流体101を供給して冷却したとしても、ワーク100の周囲の部材の温度が高いと、周囲の部材からワーク100へ熱が伝わる。結果として、ワーク100を直接冷却しても、ワーク100を冷却するのに時間を要する。また、多量の流体101を必要とするのでランニングコストが増大する。またさらに、チャンバ10の内部空間に流体101を供給すると、溶液を加熱した際に生じ、チャンバ10の内壁などに付着している昇華物が剥離して、有機膜の上に付着するおそれがある。有機膜の上に昇華物が付着すると、有機膜の品質が悪くなる。 In addition, in the cooling process, the workpiece 100 can be directly cooled by supplying the fluid 101 to the internal space of the chamber 10. However, since the volume of the internal space of the chamber 10 is large, it is difficult to cool high-temperature members, such as the heater 32a and the soaking section 34. Even if the workpiece 100 is cooled by supplying the fluid 101 to it, if the temperature of the members around the workpiece 100 is high, heat is transferred from the members to the workpiece 100. As a result, even if the workpiece 100 is directly cooled, it takes time to cool the workpiece 100. In addition, a large amount of fluid 101 is required, so the running cost increases. Furthermore, if the fluid 101 is supplied to the internal space of the chamber 10, there is a risk that the sublimate that is generated when the solution is heated and adheres to the inner wall of the chamber 10, etc., will peel off and adhere to the organic film. If the sublimate adheres to the organic film, the quality of the organic film will deteriorate.

そこで、本実施の形態に係る冷却工程においては、温度制御群3が設けられた空間(梁31a、上部均熱板34a、下部均熱板34b、カバー36によって囲まれた空間)に流体101を供給して、ワーク100を間接的に冷却している。この様にすれば、ワーク100の周囲の部材(ヒータ32aおよび均熱部34)を直接冷却することができる。ワーク100の周囲の部材の温度が下がれば、結果として、ワーク100を冷却する時間を短縮することができる。また、温度制御群3が設けられた空間の体積は小さいので、流体101の量を低減させることができる。そのため、ランニングコストの低減を図ることができる。 Therefore, in the cooling process according to this embodiment, the fluid 101 is supplied to the space in which the temperature control group 3 is provided (the space surrounded by the beam 31a, the upper heat equalizing plate 34a, the lower heat equalizing plate 34b, and the cover 36) to indirectly cool the workpiece 100. In this way, the components around the workpiece 100 (the heater 32a and the heat equalizing section 34) can be directly cooled. If the temperature of the components around the workpiece 100 is reduced, the time required to cool the workpiece 100 can be shortened. In addition, since the volume of the space in which the temperature control group 3 is provided is small, the amount of fluid 101 can be reduced. This allows the running costs to be reduced.

冷却工程においては、コントローラ50は、第1の排気部21および第2の排気部22のバルブ25を閉じる。また、コントローラ50は、冷却部40を制御して、温度制御群3が設けられた空間に流体101を供給する。温度制御群3が設けられた空間に流体101が供給されることで、ワーク100が間接的に冷却される。コントローラ50は、図示しない温度計の検出値が第3の温度となるまで流体101の供給を維持する。コントローラ50は、チャンバ10の内圧を検出する図示しない真空計の検出値が大気圧と同じ圧力となったら、第3の排気部23のバルブ25を開け、流体101をチャンバ10の外部に排出する。 In the cooling process, the controller 50 closes the valves 25 of the first exhaust section 21 and the second exhaust section 22. The controller 50 also controls the cooling section 40 to supply the fluid 101 to the space in which the temperature control group 3 is provided. The supply of the fluid 101 to the space in which the temperature control group 3 is provided indirectly cools the workpiece 100. The controller 50 maintains the supply of the fluid 101 until the detection value of a thermometer (not shown) reaches the third temperature. When the detection value of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the chamber 10 reaches the same pressure as atmospheric pressure, the controller 50 opens the valve 25 of the third exhaust section 23 and discharges the fluid 101 to the outside of the chamber 10.

なお、後述するように、冷却工程においては、温度制御部132、232に設けられた案内部32bの内部に流体101を供給してもよい。この様にしても、ワーク100を間接的に冷却することができる。また、温度制御群3が設けられた空間と、温度制御部132、232に設けられた案内部32bの内部に流体101を供給すれば、冷却工程の時間を短縮することができる。 As described below, in the cooling process, the fluid 101 may be supplied to the inside of the guide portion 32b provided in the temperature control portion 132, 232. In this manner, the workpiece 100 can be indirectly cooled. Furthermore, if the fluid 101 is supplied to the space in which the temperature control group 3 is provided and to the inside of the guide portion 32b provided in the temperature control portion 132, 232, the time required for the cooling process can be shortened.

次に、コントローラ50は、開閉扉13をフランジ11から離隔させる。そして、図示しない搬送装置により、ワーク100がチャンバ10の外部に搬出される。
以降、前述した手順を繰り返すことで、複数の有機膜を形成することができる。
Next, the controller 50 moves the opening/closing door 13 away from the flange 11. Then, the workpiece 100 is carried out of the chamber 10 by a transfer device (not shown).
Thereafter, the above-mentioned procedure can be repeated to form a plurality of organic films.

図5は、他の実施形態に係る温度制御部132を例示するための模式断面図である。
図5に示すように、温度制御部132は、例えば、ヒータ32a、案内部32b、支持部32c、ホルダ32d、および流体供給部32eを有する。
前述した様に、ワーク100の周縁領域の熱は、ワーク100の中央領域の熱よりもチャンバ10の内壁に伝わり易くなる。そのため、ワーク100の周縁領域の温度が、ワーク100の中央領域の温度よりも低くなりやすい。この場合、ワーク100の周縁領域の近傍に支持部32cが設けられていれば、ワーク100の周縁領域の温度を上昇させることができる。しかしながら、この様にしても、ワーク100の中央領域の温度と、ワーク100の周縁領域の温度との差が依然として大きい場合がある。また、例えば、ワーク100の周縁領域の温度を上昇させるべく、ヒータ32aの出力値を高くした場合には、ワーク100の中央領域の温度までもが高くなり過ぎてしまうことがある。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a temperature control unit 132 according to another embodiment.
As shown in FIG. 5, the temperature control unit 132 includes, for example, a heater 32a, a guide unit 32b, a support unit 32c, a holder 32d, and a fluid supply unit 32e.
As described above, the heat of the peripheral region of the workpiece 100 is more easily transferred to the inner wall of the chamber 10 than the heat of the central region of the workpiece 100. Therefore, the temperature of the peripheral region of the workpiece 100 is likely to be lower than the temperature of the central region of the workpiece 100. In this case, if the support portion 32c is provided near the peripheral region of the workpiece 100, the temperature of the peripheral region of the workpiece 100 can be increased. However, even in this case, the difference between the temperature of the central region of the workpiece 100 and the temperature of the peripheral region of the workpiece 100 may still be large. In addition, for example, when the output value of the heater 32a is increased in order to increase the temperature of the peripheral region of the workpiece 100, the temperature of the central region of the workpiece 100 may also become too high.

そこで、温度制御部132には、案内部32bの、ワーク100の中央領域と対向する領域の温度を制御する流体供給部32eが設けられている。
図5に示すように、流体供給部32eは、案内部32bの内部に、例えば、流体101を供給する。例えば、案内部32bの内部の、ワーク100の中央領域と対向する位置に流体101を供給する。案内部32bの内部に供給された流体101は、孔32c1の内壁と発熱部32a1との間の隙間や、あるいは、案内部32bの内壁と支持部32cとの間の隙間を介して、案内部32bの外部に排出される。
Therefore, the temperature control section 132 is provided with a fluid supply section 32 e that controls the temperature of the area of the guide section 32 b that faces the central area of the workpiece 100 .
5, the fluid supply unit 32e supplies, for example, a fluid 101 to the inside of the guide unit 32b. For example, the fluid 101 is supplied to a position inside the guide unit 32b facing the central region of the workpiece 100. The fluid 101 supplied to the inside of the guide unit 32b is discharged to the outside of the guide unit 32b through a gap between the inner wall of the hole 32c1 and the heat generating unit 32a1, or a gap between the inner wall of the guide unit 32b and the support unit 32c.

流体供給部32eは、例えば、図1に示す第2の流路40bに接続することができる。また、流体101の供給と供給の停止、流体101の流量や圧力の制御などを行う流体制御部32e1を設けることもできる。流体制御部32e1は、例えば、マスフローコントローラや、ニードルバルブなどとすることができる。 The fluid supply unit 32e can be connected to, for example, the second flow path 40b shown in FIG. 1. In addition, a fluid control unit 32e1 can be provided that controls the supply and stop of the fluid 101, the flow rate and pressure of the fluid 101, and the like. The fluid control unit 32e1 can be, for example, a mass flow controller or a needle valve.

流体101が供給されることで、案内部32bの、ワーク100の中央領域と対向する領域の温度が低下する。そのため、ワーク100の中央領域の温度が、ワーク100の周縁領域の温度よりも高くなり過ぎるのを抑制することができる。つまり、ワーク100の中央領域と周縁領域との温度差を少なくすることができる。 By supplying the fluid 101, the temperature of the area of the guide portion 32b facing the central area of the workpiece 100 decreases. Therefore, it is possible to prevent the temperature of the central area of the workpiece 100 from becoming too high compared to the temperature of the peripheral area of the workpiece 100. In other words, it is possible to reduce the temperature difference between the central area and the peripheral area of the workpiece 100.

また、流体制御部32e1により、流体101の流量や圧力を制御することで、案内部32bの、ワーク100の中央領域と対向する領域の温度、ひいてはワーク100の中央領域の温度を制御することもできる。
また、流体101が供給される位置を変えることで、ワーク100の、温度を制御する領域の位置を変えることができる。
また、流体101の制御は、ヒータ32aに印加される電力の制御とともに行ってもよいし、ヒータ32aへの電力の印加を停止した後に行っても良い。
In addition, by controlling the flow rate and pressure of the fluid 101 using the fluid control unit 32e1, the temperature of the area of the guide unit 32b facing the central area of the workpiece 100, and ultimately the temperature of the central area of the workpiece 100, can be controlled.
Moreover, by changing the position where the fluid 101 is supplied, the position of the region of the workpiece 100 where the temperature is to be controlled can be changed.
Furthermore, the control of the fluid 101 may be performed together with the control of the power applied to the heater 32a, or may be performed after the application of power to the heater 32a is stopped.

なお、この様な制御は、前述した昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、および加熱処理工程(2)における場合である。前述した冷却工程においては、単に冷却を行えばよいので、ヒータ32aへの電力の印加を停止して、所定の流量の流体101を流せば良い。
また、昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、加熱処理工程(2)においては、前述したとおり、それぞれ所定の圧力下での処理が求められるため、流体101を供給するときには、処理領域30aおよび処理領域30bの圧力が所定の圧力を維持できるよう、後述する排気部60によって排気を行うことが好ましい。
This type of control applies to the above-mentioned temperature increasing step (1), heat treatment step (1), temperature increasing step (2), and heat treatment step (2). In the above-mentioned cooling step, since cooling is simply required, the application of power to the heater 32a is stopped and a predetermined flow rate of the fluid 101 is allowed to flow.
As described above, the temperature increase process (1), the heat treatment process (1), the temperature increase process (2), and the heat treatment process (2) each require processing under a predetermined pressure. Therefore, when supplying the fluid 101, it is preferable to perform exhaust using the exhaust section 60 described later so that the pressure in the processing region 30a and the processing region 30b can be maintained at a predetermined pressure.

図6は、他の実施形態に係る支持部132cを例示するための模式断面図である。
図7は、図6における支持部132cのA-A線方向の模式断面図である。
図6および図7に示すように、支持部132cには、軸方向を貫通する孔132c1(第2の孔の一例に相当する)が設けられている。案内部32bの内部空間と、チャンバ10の内部空間とは、孔132c1を介して繋がっている。孔132c1は、案内部32bの内部に供給された流体101の排出口となる。孔132c1が設けられていれば、流体101の排出が容易となるので、案内部32bの内部に供給する流体101の流量を増加させることができる。そのため、案内部32bの温度制御、ひいてはワーク100の温度制御が容易となる。本実施形態においても、流体101は昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、および加熱処理工程(2)において供給される。
なお、流体101は、図5に示す流体供給部32eと同様の機構によって供給される。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a support portion 132c according to another embodiment.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the support portion 132c taken along line AA in FIG.
As shown in FIG. 6 and FIG. 7, the support portion 132c is provided with a hole 132c1 (corresponding to an example of a second hole) penetrating in the axial direction. The internal space of the guide portion 32b and the internal space of the chamber 10 are connected via the hole 132c1. The hole 132c1 serves as an outlet for the fluid 101 supplied to the inside of the guide portion 32b. If the hole 132c1 is provided, the fluid 101 can be easily discharged, so that the flow rate of the fluid 101 supplied to the inside of the guide portion 32b can be increased. Therefore, the temperature control of the guide portion 32b and therefore the temperature control of the workpiece 100 can be easily performed. In this embodiment, the fluid 101 is also supplied in the temperature increase process (1), the heat treatment process (1), the temperature increase process (2), and the heat treatment process (2).
The fluid 101 is supplied by a mechanism similar to the fluid supply unit 32e shown in FIG.

孔132c1は、少なくとも1つ設けることができる。図6および図7に例示をした支持部132cには、複数の孔132c1が設けられている。孔132c1の数と配置は、例示をしたものに限定されるわけではない。孔132c1の数と配置は、例えば、支持部132cの径寸法、流体101の流量などに応じて適宜変更することができる。 At least one hole 132c1 can be provided. The support portion 132c illustrated in Figures 6 and 7 has multiple holes 132c1. The number and arrangement of the holes 132c1 are not limited to those illustrated. The number and arrangement of the holes 132c1 can be changed as appropriate depending on, for example, the diameter dimension of the support portion 132c, the flow rate of the fluid 101, etc.

図6に示すように、流体101は発熱部32a1に接することにより加熱されて発熱部32a1の温度と同じ温度程度の高温の流体となり、孔132c1から排出された高温の流体101aは、チャンバ10の内壁(開閉扉13)に到達する。そのため、チャンバ10の内壁(開閉扉13)に絶えず熱が供給され、開閉扉13の温度が下がりにくい状態となってしまう。開閉扉13の温度が高いまま保たれていると、加熱処理工程から冷却工程にうつったときに、冷却効率が悪くなり、冷却時間が長くかかってしまうことがある。そのため、以降において、開閉扉13の温度を適切に保つ(冷却工程において冷却を妨げることのない程度の温度に保つ)ための構成について説明する。 As shown in FIG. 6, the fluid 101 is heated by contact with the heat generating portion 32a1 and becomes a high-temperature fluid at approximately the same temperature as the heat generating portion 32a1, and the high-temperature fluid 101a discharged from the hole 132c1 reaches the inner wall (opening door 13) of the chamber 10. As a result, heat is constantly supplied to the inner wall (opening door 13) of the chamber 10, making it difficult to lower the temperature of the opening door 13. If the temperature of the opening door 13 is kept high, the cooling efficiency may deteriorate when moving from the heating process to the cooling process, and the cooling time may be long. Therefore, hereinafter, a configuration for maintaining the temperature of the opening door 13 at an appropriate level (maintaining a temperature that does not hinder cooling in the cooling process) will be described.

図8は、図6における開閉扉13のB-B線方向の模式断面図である。
図8に示すように、開閉扉13の、孔132c1から排出された流体101aが到達する領域は、凹凸面13aとすることができる。凹凸面13aは、複数の凹部、および複数の凸部の少なくともいずれかを有することができる。すなわち、チャンバ10の内壁面の、孔132c1と対向する領域には、複数の凹部、および複数の凸部の少なくともいずれかが設けられている。凹部は、溝であってもよいし、孔であってもよい。凸部は、突起であってもよいし、線状体であってもよい。つまり、流体101aが到達する領域の表面積が、平坦な場合と比較して大きくなるようにすることができる。複数の凹部、および複数の凸部の数、大きさ、配置、形体などは、流体101aの流量や温度などに応じて適宜変更することができる。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the opening and closing door 13 taken along line BB in FIG.
As shown in FIG. 8, the area of the opening/closing door 13 where the fluid 101a discharged from the hole 132c1 reaches can be an uneven surface 13a. The uneven surface 13a can have at least one of a plurality of recesses and a plurality of protrusions. That is, at least one of a plurality of recesses and a plurality of protrusions is provided in the area of the inner wall surface of the chamber 10 facing the hole 132c1. The recesses may be grooves or holes. The protrusions may be protrusions or linear bodies. That is, the surface area of the area where the fluid 101a reaches can be made larger than that in the case of a flat surface. The number, size, arrangement, shape, etc. of the plurality of recesses and the plurality of protrusions can be appropriately changed depending on the flow rate, temperature, etc. of the fluid 101a.

流体101aが到達する領域が凹凸面13aとなっていれば、流体101aの熱を開閉扉13に伝えるのが容易となる。そのため、流体101aの熱を開閉扉13の外部に効率良く排出することができる。このような構成を有する場合には、加熱処理工程中に開閉扉13の温度が高くなりすぎることを防止し、その後の冷却工程においてチャンバ10の内部空間の冷却が容易となる。 If the area where the fluid 101a reaches is an uneven surface 13a, it becomes easier to transfer the heat of the fluid 101a to the opening and closing door 13. Therefore, the heat of the fluid 101a can be efficiently discharged to the outside of the opening and closing door 13. With such a configuration, it is possible to prevent the temperature of the opening and closing door 13 from becoming too high during the heating process, and it becomes easier to cool the internal space of the chamber 10 in the subsequent cooling process.

また、前述したように開閉扉13の外面には、冷却部16(例えば、ウォータージャケット)を設けることができる。そのため、図8に示すように、凹凸面13aに対向する位置に設けられた冷却部16の冷却能力を、開閉扉13の他の領域に設けられた冷却部16の冷却能力よりも高くすることができる。すなわち、チャンバ10の外壁面の、孔132c1と対向する領域における冷却部16の冷却能力を、チャンバ10の外壁面の、孔132c1と対向する領域以外の領域における冷却部16の冷却能力よりも高くすることができる。 As described above, a cooling section 16 (e.g., a water jacket) can be provided on the outer surface of the opening/closing door 13. Therefore, as shown in FIG. 8, the cooling capacity of the cooling section 16 provided at the position facing the uneven surface 13a can be made higher than the cooling capacity of the cooling section 16 provided in other areas of the opening/closing door 13. In other words, the cooling capacity of the cooling section 16 in the area of the outer wall surface of the chamber 10 facing the hole 132c1 can be made higher than the cooling capacity of the cooling section 16 in areas of the outer wall surface of the chamber 10 other than the area facing the hole 132c1.

例えば、図8に示すように、凹凸面13aに対向する位置に設けられた冷却部16の配管ピッチを狭くすることができる。また、凹凸面13aに対向する位置に設けられる冷却部16と、他の領域に設けられ冷却部16とを別個に設けることもできる。そして、例えば、凹凸面13aに対向する位置に設けられる冷却部16に流す冷媒の量を多くしたり、冷媒の温度を低くしたりすることができる。 For example, as shown in FIG. 8, the piping pitch of the cooling section 16 provided at a position facing the uneven surface 13a can be narrowed. Also, the cooling section 16 provided at a position facing the uneven surface 13a and the cooling section 16 provided in another area can be provided separately. Then, for example, the amount of refrigerant flowing through the cooling section 16 provided at a position facing the uneven surface 13a can be increased, or the temperature of the refrigerant can be lowered.

この様にすれば、流体101aの熱を開閉扉13の外部にさらに効率良く排出することができる。また、チャンバ10の内部空間の冷却がさらに容易となる。 In this way, the heat of the fluid 101a can be more efficiently discharged to the outside of the opening and closing door 13. In addition, it becomes easier to cool the internal space of the chamber 10.

次に、図9および図10を用いて他の実施形態について説明する。
図9は、他の実施形態に係る温度制御部232を例示するための模式断面図である。
図9に示すように、温度制御部232は、例えば、ヒータ32a、案内部32b、支持部32c、ホルダ32d、および、複数の流体供給部232eを有する。
流体供給部232eは、案内部32bの内部に、例えば、流体101を供給する。また、流体供給部232eは、案内部32bの内部に供給された流体101を排出することもできる。
Next, another embodiment will be described with reference to FIG. 9 and FIG.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a temperature control unit 232 according to another embodiment.
As shown in FIG. 9, the temperature control unit 232 includes, for example, a heater 32a, a guide unit 32b, a support unit 32c, a holder 32d, and a plurality of fluid supply units 232e.
The fluid supply unit 232e supplies, for example, the fluid 101 to the inside of the guide unit 32b. The fluid supply unit 232e can also discharge the fluid 101 supplied to the inside of the guide unit 32b.

流体供給部232eには、流体制御部232e1を設けることができる。流体制御部232e1は、例えば、図1に示す第2の流路40bに接続することができる。流体制御部232e1は、案内部32bの内部への流体101の供給と供給の停止、流体101の流量や圧力の制御、および、案内部32bの内部に供給された流体101の排出を行う。流体制御部232e1は、例えば、開閉弁を2つ有するものとしたり、3方弁としたりすることができる。また、流体制御部232e1は、流体101の流量や圧力を制御する機能をさらに有することもできる。 The fluid supply unit 232e may be provided with a fluid control unit 232e1. The fluid control unit 232e1 may be connected to, for example, the second flow path 40b shown in FIG. 1. The fluid control unit 232e1 supplies and stops the supply of the fluid 101 to the inside of the guide unit 32b, controls the flow rate and pressure of the fluid 101, and discharges the fluid 101 supplied to the inside of the guide unit 32b. The fluid control unit 232e1 may have, for example, two on-off valves or may be a three-way valve. The fluid control unit 232e1 may also have the function of controlling the flow rate and pressure of the fluid 101.

図10は、流体制御部232e1の作用を例示するための模式図である。
図10に例示をした流体制御部232e1は、2つの開閉弁を有している。一方の開閉弁は、第2の流路40bに接続することができる。他方の開閉弁は、排気部60(第2の排気部の一例に相当する)に接続したり、工場の配管などに接続したりすることができる。なお、排気部60に関する説明は後述する。
FIG. 10 is a schematic diagram illustrating the operation of the fluid control unit 232e1.
The fluid control unit 232e1 illustrated in Fig. 10 has two on-off valves. One on-off valve can be connected to the second flow path 40b. The other on-off valve can be connected to an exhaust unit 60 (corresponding to an example of a second exhaust unit) or to piping in a factory. The exhaust unit 60 will be described later.

例えば、図10に示すように、中央にある流体制御部232e1の一方の開閉弁を開いて案内部32bの内部へ流体101を供給する。中央にある流体制御部232e1の他方の開閉弁は閉じた状態にする。例えば、左側にある流体制御部232e1の一方の開閉弁を閉じて案内部32bの内部へ流体101が供給されないようにする。左側にある流体制御部232e1の他方の開閉弁を開いて、案内部32bの内部に供給された流体101を排出する。例えば、右側にある流体制御部232e1の2つの開閉弁は閉じた状態にする。 For example, as shown in FIG. 10, one of the on-off valves of the fluid control unit 232e1 located in the center is opened to supply fluid 101 into the inside of the guide unit 32b. The other on-off valve of the fluid control unit 232e1 located in the center is closed. For example, one of the on-off valves of the fluid control unit 232e1 located on the left side is closed to prevent fluid 101 from being supplied into the inside of the guide unit 32b. The other on-off valve of the fluid control unit 232e1 located on the left side is opened to discharge the fluid 101 supplied into the inside of the guide unit 32b. For example, the two on-off valves of the fluid control unit 232e1 located on the right side are closed.

この様にすれば、図10に示すように、案内部32bの内部において、中央側から左側に流体101を流すことができる。そのため、案内部32bの、左側の領域の温度を制御することができる。 In this way, as shown in FIG. 10, the fluid 101 can be caused to flow from the center to the left side inside the guide portion 32b. Therefore, the temperature of the left region of the guide portion 32b can be controlled.

また、例えば、右側にある流体制御部232e1の一方の開閉弁を閉じて案内部32bの内部へ流体101が供給されないようにする。右側にある流体制御部232e1の他方の開閉弁を開いて、案内部32bの内部に供給された流体101を排出する。例えば、左側にある流体制御部232e1の2つの開閉弁は閉じた状態にする。 For example, one of the on-off valves of the fluid control unit 232e1 on the right side is closed to prevent the fluid 101 from being supplied to the inside of the guide unit 32b. The other on-off valve of the fluid control unit 232e1 on the right side is opened to discharge the fluid 101 supplied to the inside of the guide unit 32b. For example, the two on-off valves of the fluid control unit 232e1 on the left side are kept closed.

この様にすれば、図10に示すように、案内部32bの内部において、中央側から右側に流体101を流すことができる。そのため、案内部32bの、右側の領域の温度を制御することができる。 In this way, as shown in FIG. 10, the fluid 101 can be caused to flow from the center to the right side inside the guide portion 32b. Therefore, the temperature of the right region of the guide portion 32b can be controlled.

以上に説明した様に、流体制御部232e1を有する複数の流体供給部232eが設けられていれば、案内部32bの、温度制御を行う領域を変えることができる。そのため、ワーク100の温度をより適切に制御することができる。 As described above, if multiple fluid supply units 232e each having a fluid control unit 232e1 are provided, the area of the guide unit 32b where temperature control is performed can be changed. Therefore, the temperature of the workpiece 100 can be more appropriately controlled.

なお、この様な制御は、前述した昇温工程(1)、加熱処理工程(1)、昇温工程(2)、および加熱処理工程(2)における場合である。前述した冷却工程においては、単に冷却を行えばよいので、ヒータ32aへの電力の印加を停止して、所定の流量の流体101を流せば良い。 This type of control applies to the above-mentioned heating process (1), heat treatment process (1), heating process (2), and heat treatment process (2). In the above-mentioned cooling process, since cooling is simply required, the application of power to the heater 32a is stopped and a predetermined flow rate of the fluid 101 is allowed to flow.

図11は、流体101の配管系統図である。
図11に示すように、第1の流路40aは、温度制御群3a、3ab、3bが設けられた空間に接続されている。
第1の流路40aは、例えば、供給源41、配管43、流量制御部42、および配管44を有する。流量制御部42は、配管44と供給源41との間に1つ設けられている。具体的には、流量制御部42は、配管43と接続されている。
FIG. 11 is a piping diagram of the fluid 101.
As shown in FIG. 11, the first flow path 40a is connected to the space in which the temperature control groups 3a, 3ab, and 3b are provided.
The first flow path 40a has, for example, a supply source 41, a pipe 43, a flow rate control unit 42 , and a pipe 44. One flow rate control unit 42 is provided between the pipe 44 and the supply source 41. Specifically, the flow rate control unit 42 is connected to the pipe 43.

配管43は、3つの端部43a、43b、43cを有する三つ又構造の配管である。配管43は、例えば、ステンレスなどの金属から形成される。例えば、配管43の端部43aは、供給源41と接続されている。配管43の端部43bは、例えば、流量制御部42と接続されている。なお、配管43は、三つ又の継手に、ストレートの配管が3本接続された構造でもよい。
配管43は、流量制御部42を介して、配管44と接続される。
The pipe 43 has a three-way structure with three ends 43a, 43b, and 43c. The pipe 43 is made of a metal such as stainless steel. For example, the end 43a of the pipe 43 is connected to the supply source 41. The end 43b of the pipe 43 is connected to the flow rate control unit 42. The pipe 43 may have a structure in which three straight pipes are connected to a three-way joint.
The pipe 43 is connected to the pipe 44 via a flow rate control unit 42 .

配管44は、流量制御部42と接続されていない端部が3つに分岐した構造を有する。例えば、3つに分岐した端部を、分岐部44a、分岐部44ab、分岐部44bとする。分岐部44a、44abおよび44bのそれぞれは、複数の温度制御部32が設けられた空間に接続される。 The pipe 44 has a structure in which the end that is not connected to the flow control unit 42 branches into three. For example, the three branched ends are called branch 44a, branch 44ab, and branch 44b. Each of branch 44a, 44ab, and 44b is connected to a space in which multiple temperature control units 32 are provided.

分岐部44a、44abおよび44bは、フレーム31の側面を覆っている一方のカバー36に設けられた孔36aに接続されている。温度制御群3a、3ab、3bが設けられた空間に供給されたほとんどの流体101は、他方のカバー36の孔36aからチャンバ10の内部空間へと排出される。 The branches 44a, 44ab, and 44b are connected to a hole 36a provided in one cover 36 that covers the side of the frame 31. Most of the fluid 101 supplied to the space in which the temperature control groups 3a, 3ab, and 3b are provided is discharged from the hole 36a in the other cover 36 into the internal space of the chamber 10.

温度制御群3が設けられた空間を形成する上部均熱板34aおよび下部均熱板34bと、梁31aあるいはカバー36との間には、僅かに隙間が空いている。そのため、温度制御群3a、3ab、3bが設けられた空間に供給された流体101の一部は、上部均熱板34aの隙間および下部均熱板34bの隙間から処理領域30a、30bに排出される。なお、温度制御群3a、3ab、3bが設けられた空間に供給されたほとんどの流体101が他方のカバー36の孔36aから排出されるように、上部均熱板34aの隙間および下部均熱板34bの隙間のコンダクタンスが他方のカバー36の孔36aのコンダクタンスよりも大きくなるようにすることが好ましい。 There is a small gap between the upper heat equalizer plate 34a and the lower heat equalizer plate 34b, which form the space in which the temperature control group 3 is provided, and the beam 31a or the cover 36. Therefore, a part of the fluid 101 supplied to the space in which the temperature control groups 3a, 3ab, and 3b are provided is discharged to the processing areas 30a and 30b through the gaps in the upper heat equalizer plate 34a and the gaps in the lower heat equalizer plate 34b. Note that it is preferable that the conductance of the gaps in the upper heat equalizer plate 34a and the gaps in the lower heat equalizer plate 34b be greater than the conductance of the holes 36a in the other cover 36 so that most of the fluid 101 supplied to the space in which the temperature control groups 3a, 3ab, and 3b are provided is discharged through the holes 36a in the other cover 36.

第2の流路40bは、温度制御群3a、3ab、3bに設けられた温度制御部32、232(32e1、232e1)に接続されている。
第2の流路40bは、例えば、供給源41、配管43、配管45、流量制御部42、および配管46を有する。供給源41は、第1の流路40aと共有することができる。なお、流量制御部42は省くこともできる。
The second flow path 40b is connected to the temperature control units 32, 232 (32e1, 232e1) provided in the temperature control groups 3a, 3ab, 3b.
The second flow path 40b has, for example, a supply source 41, a pipe 43, a pipe 45, a flow rate control unit 42 , and a pipe 46. The supply source 41 can be shared with the first flow path 40a. The flow rate control unit 42 can be omitted.

配管45の一方の端部は、図示しない継手により、配管43の端部43cと接続される。配管45の他方の端部は、3つに分岐している。各分岐した部分を、分岐部45a、分岐部45ab、分岐部45bとする。本実施形態では、分岐部45a、分岐部45abおよび分岐部45bは、同じ構造であるので、説明を簡略化するために分岐部45aについてのみ説明する。 One end of the pipe 45 is connected to the end 43c of the pipe 43 by a joint (not shown). The other end of the pipe 45 branches into three parts. The branched parts are referred to as branch portion 45a, branch portion 45ab, and branch portion 45b. In this embodiment, branch portion 45a, branch portion 45ab, and branch portion 45b have the same structure, so to simplify the explanation, only branch portion 45a will be explained.

分岐部45aは、さらに複数の分岐を有することができる。本実施形態では、処理領域30a(30b)を中央部分とその両側の部分とに分けて温度制御を行うため、分岐部45aは、3つの分岐を有する。 The branching portion 45a can further have multiple branches. In this embodiment, the branching portion 45a has three branches because the processing area 30a (30b) is divided into a central portion and portions on both sides thereof for temperature control.

分岐部45aの3つの分岐を、分岐部45a1、分岐部45a2、分岐部45a3とする。
分岐部45a1、分岐部45a2、および分岐部45a3は、流量制御部42と接続される。そして、分岐部45a1、分岐部45a2、および分岐部45a3は、流量制御部42を介して配管46と各々接続される。
The three branches of the branch portion 45a are referred to as a branch portion 45a1, a branch portion 45a2, and a branch portion 45a3.
The branch portion 45a1, the branch portion 45a2, and the branch portion 45a3 are connected to the flow control portion 42. The branch portion 45a1, the branch portion 45a2, and the branch portion 45a3 are each connected to the pipe 46 via the flow control portion 42.

配管46の、流量制御部42と接続された端部とは反対の端部は、処理領域30a(30b)の中央部分とその両側の部分に設けられた温度制御部32の数だけ分岐している。本実施の形態においては、配管46は、6つの端部を有する6又構造である。なお、配管46は、複数の継手と複数の真っ直ぐな配管を組み合わせた構造、あるいは、複数の継手と複数のチューブを組み合わせた構造を有していてもよい。
配管46は、例えば、流体制御部32e1、232e1に接続することができる(図5、図9を参照)。
The end of the pipe 46 opposite to the end connected to the flow rate control unit 42 is branched into the same number of temperature control units 32 provided in the central part of the processing region 30a (30b) and on both sides of the central part. In this embodiment, the pipe 46 has a six-pronged structure having six ends. The pipe 46 may have a structure in which multiple joints and multiple straight pipes are combined, or a structure in which multiple joints and multiple tubes are combined.
The pipe 46 can be connected to, for example, the fluid control units 32e1, 232e1 (see Figures 5 and 9).

流体制御部232e1からの排気は、例えば、工場の配管に接続すれば良い。
この場合、図10、および図11に示すように、流体制御部232e1の排気側を排気部60に接続することもできる。排気部60は、流体制御部232e1から排出された流体101をチャンバ10の内圧よりも低い圧力で吸引する。排気部60は、例えば、タンクと、排気ポンプを備えたものとすることができる、この様にすれば、案内部32bの内部に供給された流体101を、案内部32bの外部に排出するのが容易となる。そのため、前述した案内部32bの内部における流体101の流れが円滑になる。その結果、案内部32bの部分的な制御が容易となる。
The exhaust air from the fluid control unit 232e1 may be connected to piping in a factory, for example.
In this case, as shown in Fig. 10 and Fig. 11, the exhaust side of the fluid control unit 232e1 can be connected to the exhaust unit 60. The exhaust unit 60 sucks the fluid 101 discharged from the fluid control unit 232e1 at a pressure lower than the internal pressure of the chamber 10. The exhaust unit 60 can be equipped with, for example, a tank and an exhaust pump. In this way, it becomes easy to discharge the fluid 101 supplied inside the guide unit 32b to the outside of the guide unit 32b. Therefore, the flow of the fluid 101 inside the guide unit 32b described above becomes smooth. As a result, it becomes easy to partially control the guide unit 32b.

また、処理領域30a(30b)における中央領域の温度は、中央領域の両側に位置する領域の温度よりも高くなりやすい。処理領域30a(30b)内で温度にばらつきが生じると、ワーク100の面内において温度のばらつきが発生するおそれがある。ワーク100の面内において温度のばらつきあれば、有機膜の組成が不均一となり品質が低下するおそれがある。この場合、処理領域30a(30b)における中央領域と、中央領域の両側に位置する領域とで、流体101の制御を別々に行えば、ワーク100に温度のばらつきが生じるのを抑制することができる。 The temperature of the central region in the processing region 30a (30b) is likely to be higher than the temperature of the regions located on either side of the central region. If temperature variations occur within the processing region 30a (30b), there is a risk of temperature variations occurring within the surface of the workpiece 100. If there is temperature variation within the surface of the workpiece 100, the composition of the organic film may become non-uniform, resulting in a risk of reduced quality. In this case, if the fluid 101 is controlled separately in the central region in the processing region 30a (30b) and in the regions located on either side of the central region, it is possible to suppress temperature variations occurring in the workpiece 100.

例えば、分岐部45a2の流体101の流量が、分岐部45a1、45a3の流体101の流量よりも多くなるように、分岐部45aに設けられた各流量制御部42を制御するようにすればよい(図11を参照)。分岐部45ab、分岐部45bも同様に制御すればよい。
For example, the flow rate control units 42 provided in the branch portion 45a may be controlled so that the flow rate of the fluid 101 in the branch portion 45a2 is greater than the flow rates of the fluid 101 in the branch portions 45a1 and 45a3 (see FIG. 11). The branch portions 45ab and 45b may be controlled in a similar manner.

以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these descriptions.
Furthermore, any modifications to the above-described embodiments made by those skilled in the art are also encompassed within the scope of the present invention as long as they incorporate the features of the present invention.
Furthermore, the elements of each of the above-described embodiments can be combined to the greatest extent possible, and combinations of these are also included within the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention.

1 有機膜形成装置、3 温度制御群、10 チャンバ、20 排気部、30 処理部、30a 処理領域、30b 処理領域、32 温度制御部、32a ヒータ、32a1 発熱部、32b 案内部、32c 支持部、32c1 孔、32c2 テーパ面、32e 流体供給部、32e1 流体制御部、40 冷却部、50 コントローラ、60 排気部、100 ワーク、101 流体、132 温度制御部、132c1 孔、232 温度制御部、232e 流体供給部、232e1 流体制御部 1 organic film forming apparatus, 3 temperature control group, 10 chamber, 20 exhaust section, 30 processing section, 30a processing area, 30b processing area, 32 temperature control section, 32a heater, 32a1 heat generating section, 32b guide section, 32c support section, 32c1 hole, 32c2 tapered surface, 32e fluid supply section, 32e1 fluid control section, 40 cooling section, 50 controller, 60 exhaust section, 100 work, 101 fluid, 132 temperature control section, 132c1 hole, 232 temperature control section, 232e fluid supply section, 232e1 fluid control section

Claims (10)

基板と、前記基板の上面に塗布された有機材料と溶媒とを含む溶液と、を有するワークを、大気圧よりも減圧された雰囲気で加熱可能な有機膜形成装置であって、
前記大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバの内部を排気可能な第1の排気部と、
前記チャンバ内に支持される前記ワークに対向し、筒状を呈し、一方向に延びた形体を有し、開口した両側の端部が前記チャンバの内部に設けられた案内部と、
前記案内部の内部に設けられ、軸方向に貫通する第1の孔を有する支持部と、
前記第1の孔に着脱自在に設けられ、前記案内部に沿って延びる発熱部を有するヒータと、
を備えた有機膜形成装置。
1. An organic film forming apparatus capable of heating a workpiece having a substrate and a solution containing an organic material and a solvent applied to an upper surface of the substrate in an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure,
a chamber capable of maintaining an atmosphere reduced in pressure below atmospheric pressure;
a first exhaust unit capable of exhausting the inside of the chamber;
a guide portion facing the work supported in the chamber , having a cylindrical shape and extending in one direction, with both open ends provided inside the chamber;
a support portion provided inside the guide portion and having a first hole passing therethrough in an axial direction;
a heater that is detachably provided in the first hole and has a heat generating portion that extends along the guide portion;
An organic film forming apparatus comprising:
前記ワークの面に垂直な方向から見て、前記支持部は、前記ワークの周縁と重なる位置に設けられている請求項1記載の有機膜形成装置。 2. The organic film forming apparatus according to claim 1 , wherein the support portion is provided at a position overlapping a periphery of the workpiece when viewed from a direction perpendicular to a surface of the workpiece . 前記チャンバの外壁には、前記ヒータを前記案内部に挿入するための孔が設けられ、
前記外壁には、前記ヒータを前記外壁に対して気密に接続するためのホルダが設けられている請求項1または2記載の有機膜形成装置。
a hole for inserting the heater into the guide portion is provided in an outer wall of the chamber;
3. The organic film forming apparatus according to claim 1, wherein the outer wall is provided with a holder for airtightly connecting the heater to the outer wall.
前記第1の孔の開口には、テーパ面が設けられている請求項1~3のいずれか1つに記載の有機膜形成装置。 4. The organic film forming apparatus according to claim 1 , wherein the opening of the first hole is provided with a tapered surface. 前記案内部の内部に、流体を供給可能な少なくとも1つの流体供給部をさらに備えた請求項1~4のいずれか1つに記載の有機膜形成装置。 The organic film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising at least one fluid supply unit capable of supplying a fluid inside the guide unit. 前記流体供給部は複数設けられ、
前記複数の流体供給部のそれぞれは、前記案内部の内部に供給される前記流体を制御可能な流体制御部を有する請求項5記載の有機膜形成装置。
A plurality of the fluid supply units are provided,
6. The organic film forming apparatus according to claim 5, wherein each of the plurality of fluid supplying parts has a fluid control part capable of controlling the fluid supplied to the inside of the guide part.
前記流体制御部は、前記案内部の内部に供給された前記流体の排出をさらに制御可能であり、
前記流体制御部の前記流体の排出側は、第2の排気部に接続され、
前記第2の排気部は、前記流体制御部から排出された前記流体を前記チャンバの内圧よりも低い圧力で吸引可能である請求項6記載の有機膜形成装置。
The fluid control unit is further capable of controlling the discharge of the fluid supplied to the inside of the guide unit,
The fluid discharge side of the fluid control unit is connected to a second exhaust unit,
7. The organic film forming apparatus according to claim 6, wherein the second exhaust section is capable of sucking the fluid discharged from the fluid control section at a pressure lower than the internal pressure of the chamber.
前記支持部は、軸方向に貫通する第2の孔を有し、
前記第2の孔を介して、前記案内部の内部空間と、前記チャンバの内部空間と、が繋がっている請求項1~7のいずれか1つに記載の有機膜形成装置。
The support portion has a second hole passing therethrough in the axial direction,
8. The organic film forming apparatus according to claim 1, wherein an internal space of the guide portion is connected to an internal space of the chamber through the second hole.
前記チャンバの内壁面の、前記第2の孔と対向する領域には、複数の凹部、および複数の凸部の少なくともいずれかが設けられている請求項8記載の有機膜形成装置。 The organic film forming apparatus according to claim 8, wherein at least one of a plurality of recesses and a plurality of protrusions is provided in the region of the inner wall surface of the chamber facing the second hole. 前記チャンバの外壁面に設けられた冷却部をさらに備え、
前記チャンバの外壁面の、前記第2の孔と対向する領域における前記冷却部の冷却能力は、前記チャンバの外壁面の、前記第2の孔と対向する領域以外の領域における前記冷却部の冷却能力よりも高い請求項8または9に記載の有機膜形成装置。
A cooling unit is further provided on an outer wall surface of the chamber,
10. The organic film forming apparatus according to claim 8, wherein the cooling capacity of the cooling section in a region of the outer wall surface of the chamber facing the second hole is higher than the cooling capacity of the cooling section in a region of the outer wall surface of the chamber other than the region facing the second hole.
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