JP7499359B2 - マルチプル金属ハウジングを有するモジュラーマイクロ波源 - Google Patents

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本出願は、２０２０年６月１０日に出願された米国非仮特許出願第16/898,259号の優先権を主張し、その全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。

複数の実施形態は、半導体製造の分野に関し、特に、高周波プラズマ源用のモノリシックソースアレイに関する。

高周波プラズマ源の中には、誘電体プレート内の開口部を貫通するアプリケータを含むものがある。誘電体プレートを貫通する開口部は、アプリケータ（例えば、誘電体キャビティ共振器）が、プラズマ環境に曝露されることを可能にする。しかし、アプリケータを取り囲むスペース内の誘電体プレート内の開口部内にもプラズマが生成されることが示されてきた。広い面積にわたる二次元プラズマ均一性が所望される処理チャンバ内では、この構造が、処理チャンバ内のプラズマ不均一性をもたらす可能性がある。

幾つかの実施形態では、アプリケータが、誘電体プレートの上に、又は誘電体プレートの中（しかし貫通していない）のキャビティ内に配置される。このような構成は、チャンバの内部との結合を低減させ、したがって、最適なプラズマ生成を提供しない。高周波電磁放射とチャンバの内部との結合は、高周波電磁放射が伝播する必要がある誘電体プレートとアプリケータとの間の更なるインターフェースのために部分的に低減する。更に、各アプリケータでの、また異なる処理ツールにわたる、インターフェース（例えば、アプリケータの配置、アプリケータ及び／又は誘電体プレートの表面粗さ、誘電体プレートに対するアプリケータの角度など）の変動は、プラズマの不均一性をもたらす可能性がある。

特に、アプリケータが誘電体プレートから離散した構成要素であるときに、プラズマの不均一性（単一の処理チャンバ内及び／又は異なる処理チャンバにわたる（例えば、チャンバ整合について））は、より生じ易い。例えば、離散した構成要素では、小さな変動（例えば、アセンブリ内の変動、機械加工公差など）が、チャンバ内の処理条件に負の影響を与えるプラズマ不均一性をもたらす可能性がある。

本明細書で開示される複数の実施形態は、モジュラーマイクロ波ソースアレイを含む。一実施形態では、ソースアレイ用のハウジングアセンブリが、第１の導電層を備える。第１の導電層は、第１の熱膨張係数（CTE）を有する。ハウジングアセンブリは更に、第１の導電層の上に第２の導電層を備え、第２の導電層は、第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する。一実施形態では、ハウジングアセンブリが、ハウジングアセンブリを通る複数の開口部を更に含み、ここで、各開口部は、第１の導電層及び第２の導電層を貫通する。

更なる一実施形態は、ソースアレイを備えるアセンブリを含み、ソースアレイは、誘電体プレート、及び誘電体プレートの表面から上に延在する複数の誘電体共振器を備える。一実施形態では、アセンブリが、ソースアレイの上にハウジングアセンブリを更に備える。一実施形態では、ハウジングアセンブリが、誘電体プレートの表面上に第１の導電層を備え、第１の導電層は、第１の熱膨張係数（CTE）を有する。ハウジングアセンブリは更に、第１の導電層の上に第２の導電層を備え、第２の導電層は、第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する。一実施形態では、ハウジングアセンブリが、ハウジングアセンブリを通る複数の開口部を更に備え、各開口部は、第１の導電層及び第２の導電層を貫通し、各開口部は、複数の誘電体共振器のうちの１つを収容する。

更なる一実施形態は、処理ツールを含む。処理ツールは、チャンバ、及びチャンバと相互作用するアセンブリを備えてよい。一実施形態では、アセンブリが、ソースアレイを備える。一実施形態では、ソースアレイが、第１の表面、及び第１の表面とは反対側の第２の表面を有する誘電体プレートを備え、第２の表面は、チャンバの内部空間に曝露され、第１の表面は、外部環境に曝露される。ソースアレイは、誘電体プレートの第１の表面から外に延在する複数の誘電体共振器を更に備えてよく、ここで、複数の誘電体共振器及び誘電体プレートは、モノリシック構造である。一実施形態では、アセンブリが、モノリシックソースアレイの上にハウジングアセンブリを更に備えてよい。一実施形態では、ハウジングアセンブリが、誘電体プレートの表面の上に第１の導電層を備えてよく、第１の導電層は、第１の熱膨張係数（CTE）を有する。ハウジングアセンブリは更に、第１の導電層の上に第２の導電層を備え、第２の導電層は、第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する。一実施形態では、ハウジングアセンブリが、ハウジングアセンブリを通る複数の開口部を更に備えてよく、ここで、各開口部は、第１の導電層及び第２の導電層を貫通し、各開口部は、複数の誘電体共振器のうちの１つを収容する。

上述の概要は、全ての実施形態の包括的なリストを含むものではない。上述された概要の様々な実施形態、並びに以下の詳細な説明で開示されるもの、及び本出願の特許請求の範囲で特に指摘されたものの、適切な組み合わせの全てから実施することができる、全てのシステム及び方法が含まれると考えられる。そのような組み合わせは、上述の概要で特に挙げられていない特定の利点を有する。

一実施形態による、複数のアプリケータを備えるモノリシックソースアレイを有するモジュラー高周波放出源を備える処理ツールの概略図である。 一実施形態による、モジュラー高周波放出モジュールのブロック図である。 一実施形態による、複数のアプリケータ及び誘電体プレートを備えるモノリシックソースアレイの斜視図である。 一実施形態による、形状が六角形である複数のアプリケータを有するモノリシックソースアレイの平面図である。 一実施形態による、モノリシックソースアレイ、及びアセンブリを形成するためにモノリシックソースアレイと相互作用するハウジングの斜視図である。 一実施形態による、モノリシックソースアレイとハウジングが共に嵌合された後のアセンブリの断面図である。 一実施形態による、第２の部分にボルト留めされた第１の部分を示すハウジングの一部分の断面図である。 一実施形態による、第２の部分に接合された第１の部分を示すハウジングの一部分の断面図である。 一実施形態による、界面層を用いて第２の部分に接着された第１の部分を示すハウジングの一部分の断面図である。 一実施形態による、アセンブリからの構成要素を備えるアプリケータの断面図である。 一実施形態による、ハウジングの第２部分内にガス分配ネットワークを備えるアセンブリの断面図である。 一実施形態による、ハウジングの第１の部分内に流体チャネルを備えるアセンブリの断面図である。 一実施形態による、モノリシックソースアレイ及びハウジングを含むアセンブリを備える処理ツールの断面図である。 一実施形態による、高周波プラズマツールと併せて使用され得る例示的なコンピュータシステムのブロック図を示す。

本明細書で説明されるシステムは、高周波プラズマ源用のモノリシックソースアレイを含む。以下の説明では、実施形態の網羅的な理解を提供するために多数の具体的な詳細事項が明記される。実施形態は、これらの具体的な詳細がなくとも実践可能であることが、当業者には明らかになろう。他の事例では、実施形態が不必要に不明瞭にならないように、周知の態様については詳細に説明していない。更に、添付の図に示す様々な実施形態は、例示的な表現であり、必ずしも縮尺どおりには描かれていないことを理解されたい。

上述されたように、離散したアプリケータを有する高周波数プラズマ源は、チャンバ内にプラズマの不均一性をもたらし、チャンバの中への高周波数電磁放射の非最適注入をもたらす可能性がある。プラズマの不均一性は、アセンブリの問題、製造公差、劣化などの種々の理由のために生じることがある。高周波電磁放射のチャンバの中への非最適注入は、アプリケータと誘電体プレートとの間のインターフェースから（部分的に）もたらされることがある。

したがって、本明細書で開示される複数の実施形態は、モノリシックソースアレイを含む。一実施形態では、モノリシックソースアレイが、誘電体プレート、及び誘電体プレートの表面から上に延在する複数の突出部を含む。特に、突出部と誘電体プレートとは、モノリシックな部分を形成するすなわち、突出部と誘電体プレートとは、材料の単一ブロックから製造される。突出部は、アプリケータとして使用されるのに適した寸法を有する。例えば、モノポールアンテナを収容する、突出部の中への孔が製造されてよい。したがって、突出部は、誘電体キャビティ共振器として機能してよい。

ソースアレイをモノリシックな部分として実装することは、幾つかの利点を有する。１つの利点は、部分間に高度の均一性をもたらすために、厳しい機械加工公差が維持されてよいことである。離散したアプリケータは組み立てを必要とするが、モノリシックソースアレイは、潜在的な組み立てのばらつきを回避する。更に、モノリシックソースアレイの使用は、高周波電磁放射のチャンバの中への改善された注入を提供する。というのも、アプリケータと誘電体プレートとの間に物理的インターフェースがもはや存在しないからである。

モノリシックソースアレイはまた、チャンバ内の改善されたプラズマ均一性をもたらす。特に、プラズマに曝露される誘電体プレートの表面は、アプリケータを収容するためのいかなる間隙も含まない。更に、突出部と誘電体プレートとの間に物理的インターフェースがないことにより、誘電体プレートにおける横方向の電界広がりが改善される。

幾つかの実施形態では、モノリシックソースアレイが、薄い誘電体プレートを備える。薄いプレートは、チャンバの中への高周波電磁放射の改善された注入を可能にするが、薄いプレートはまた、亀裂を受け易い。特に、モノリシックソースアレイの材料と、モノリシックソースアレイを取り囲む導電性ハウジングと、の間の熱膨張係数（CTE）の不整合に起因する応力は、モノリシックソースアレイにかなりの応力を誘起する可能性がある。例えば、モノリシックソースアレイは、酸化アルミニウム（約７から８ppmのCTEを有する）を含んでよく、導電性ハウジングは、アルミニウム（約２２ppmのCTEを有する）を含んでよい。

したがって、本明細書で開示される複数の実施形態は、第１の導電層及び第２の導電層を備える導電性ハウジングを含む。第１の導電層は、モノリシックソースアレイの誘電体プレートと相互作用してよく、第２の導電層は、第１の導電層の上にある。第１の導電層は、モノリシックソースアレイのCTEに、より緊密に一致するCTEを有してよい。例えば、第１の導電層は、チタン（約８ppmのCTEを有する）を含んでよい。したがって、第１の導電層は、第２の導電層とモノリシックソースアレイとの間にバッファを提供し、モノリシックソースアレイ内に誘起される熱応力を低減させる。

次に、図１を参照すると、一実施形態による、プラズマ処理ツール１００の断面図が示されている。幾つかの実施形態では、処理ツール１００が、プラズマを利用する任意の種類の処理工程に適した処理ツールであってよい。例えば、処理ツール１００は、プラズマ化学気相堆積（PECVD）、プラズマ原子層堆積（PEALD）、エッチング及び選択的除去のプロセス、並びにプラズマ洗浄向けに使用される、処理ツールであってよい。更なる実施形態は、プラズマの生成（例えば、マイクロ波加熱など）なしで高周波電磁放射を利用する処理ツール１００を含んでよい。本明細書で使用される場合、「高周波（high-frequency）」電磁放射は、無線周波数（radio frequency）放射、超高周波放射、極超高周波放射、及びマイクロ波放射を含む。「高周波」とは、０．１MHzと３００GHzとの間の周波数を指してよい。

概して、複数の実施形態は、チャンバ１７８を含む処理ツール１００を含む。処理ツール１００において、チャンバ１７８は減圧チャンバであってよい。減圧チャンバは、所望の減圧を提供するためにチャンバからガスを除去するためのポンプ（図示せず）を含んでよい。更なる複数の実施形態は、チャンバ１７８の中に処理ガスを提供するための１以上のガスライン１７０、及び、チャンバ１７８から副生成物を除去するための排気ライン１７２を含む、チャンバ１７８を含んでよい。図示されていないが、基板１７４の上に処理ガスを均一に分配するためのモノリシックソースアレイ１５０（例えば、シャワーヘッドとしての）を介してガスをチャンバ１７８の中に注入してよいことも理解されたい。

一実施形態では、基板１７４が、チャック１７６上で支持されてよい。例えば、チャック１７６は、静電チャックなどの任意の適切なチャックであってよい。チャック１７６は、処理中に基板１７４に対して温度制御を提供するための冷却ライン及び／又はヒータも含んでよい。本明細書で説明される高周波放出モジュールのモジュラー構成により、複数の実施形態は、処理ツール１００が任意のサイズの基板１７４を収容することを可能にする。例えば、基板１７４は、半導体ウエハ（例えば、２００mm、３００mm、４５０mm、又はそれより大きい）であってよい。代替的な複数の実施形態はまた、半導体ウエハ以外の基板１７４も含む。例えば、実施形態は、（例えば、ディスプレイ技術用の）ガラス基板を処理するために構成された処理ツール１００を含んでよい。

一実施形態によれば、処理ツール１００は、モジュラー高周波放出源１０４を含む。モジュラー高周波放出源１０４は、高周波放出モジュール１０５のアレイを備えてよい。一実施形態では、各高周波放出モジュール１０５が、発振器モジュール１０６、増幅モジュール１３０、及びアプリケータ１４２を含んでよい。図示されているように、アプリケータ１４２は、モノリシックソースアレイ１５０に一体化されているものとして概略的に示されている。しかし、モノリシックソースアレイ１５０は、アプリケータ１４２（例えば、誘電共振体）と、チャンバ１７８の内部に面する誘電体プレートと、の１以上の部分を含む、モノリシック構造であってよいことを理解されたい。

一実施形態では、発振器モジュール１０６及び増幅モジュール１３０が、固体状態電気部品である電気部品を備えてよい。一実施形態では、複数の発振器モジュール１０６の各々が、異なる増幅モジュール１３０と通信可能に結合されてよい。幾つか実施形態では、発振器モジュール１０６と増幅モジュール１３０との間には１：１の比率があってよい。例えば、各発振器モジュール１０６は、単一の増幅モジュール１３０と電気的に結合されてよい。一実施形態では、複数の発振器モジュール１０６が、インコヒーレントな電磁放射を生成してよい。したがって、チャンバ１７８内で誘起される電磁放射が、望ましくない干渉縞をもたらす様態で相互作用することはない。

一実施形態では、各発振器モジュール１０６が、増幅モジュール１３０に伝送される高周波電磁放射を生成する。電磁放射は、増幅モジュール１３０によって処理された後で、アプリケータ１４２に伝送される。一実施形態では、アプリケータ１４２が、各々、チャンバ１７８の中に電磁放射を放出する。幾つかの実施形態では、アプリケータ１４２が、プラズマを生成するために、チャンバ１７８内で電磁放射を処理ガスに結合させる。

次に、図２を参照すると、一実施形態による、固体高周波放出モジュール１０５の概略図が示されている。一実施形態では、高周波放出モジュール１０５が、発振器モジュール１０６を備える。発振器モジュール１０６は、所望の周波数の高周波電磁放射を生成するために、電圧制御された発振器１２０に入力電圧を提供するための電圧制御回路２１０を含んでよい。複数の実施形態は、約１Vと１０V DCとの間の入力電圧を含んでよい。電圧制御された発振器１２０は電子発振器であり、その発振周波数は入力電圧によって制御される。一実施形態によれば、電圧制御回路２１０からの入力電圧は、電圧制御された発振器１２０が、所望の周波数で発振することをもたらす。一実施形態では、高周波電磁放射が、約０．１MHzと３０MHzとの間の周波数を有してよい。一実施形態では、高周波電磁放射が、約３０MHzと３００MHzとの間の周波数を有してよい。一実施形態では、高周波電磁放射が、約３００MHzと１GHzとの間の周波数を有してよい。一実施形態では、高周波電磁放射が、約１GHzと３００GHzとの間の周波数を有してよい。

一実施形態によれば、電磁放射は、電圧制御された発振器１２０から増幅モジュール１３０に伝送される。増幅モジュール１３０は、ドライバ／前置増幅器２３４と主電力増幅器２３６とを含んでよく、それらの各々が、電源２３９に結合されている。一実施形態によれば、増幅モジュール１３０は、パルスモードで動作してよい。例えば、増幅モジュール１３０は、１％と９９％との間のデューティサイクルを有してよい。より具体的な一実施形態では、増幅モジュール１３０が、約１５％と５０％との間のデューティサイクルを有してよい。

一実施形態では、電磁放射が、増幅モジュール１３０によって処理された後で、サーマルブレイク２４９及びアプリケータ１４２に伝送されてよい。しかし、サーマルブレイク２４９に伝送される電力の部分は、出力インピーダンス内の不整合によって反射して戻るかもしれない。したがって、幾つかの実施形態は、順方向電力２８３及び反射電力２８２のレベルを感知し、制御回路モジュール２２１にフィードバックすることを可能にする、検出器モジュール２８１を含む。検出器モジュール２８１は、システム内の１以上の異なる箇所（例えば、サーキュレータ２３８とサーマルブレイク２４９との間）に位置付けられてよいことを理解されたい。一実施形態では、制御回路モジュール２２１が、順方向電力２８３及び反射電力２８２をインタープリット（interpret）し、発振器モジュール１０６と通信可能に結合されている制御信号２８５のレベル、及び、増幅モジュール１３０と通信可能に結合されている制御信号２８６のレベルを特定する。一実施形態では、制御信号２８５が、増幅モジュール１３０に結合される高周波放射を最適化するように、発振器モジュール１０６を調整する。一実施形態では、制御信号２８６が、増幅モジュール１３０を調整して、サーマルブレイク２４９を介してアプリケータ１４２に結合される出力電力を最適化する。一実施形態では、発振器モジュール１０６及び増幅モジュール１３０のフィードバック制御が、サーマルブレイク２４９内のインピーダンス整合の調整に加えて、反射電力のレベルが順方向電力の約５％未満になることを可能にしてよい。幾つかの実施形態では、発振器モジュール１０６及び増幅モジュール１３０のフィードバック制御が、反射電力のレベルが順方向電力の約２％未満になることを可能にする。

したがって、複数の実施形態によって、処理チャンバ１７８の中に結合される順方向電力のパーセンテージの増大、及び、プラズマに結合される使用可能電力の増大が可能になる。更に、フィードバック制御を使用するインピーダンスチューニングは、典型的なスロットプレートアンテナにおけるインピーダンスチューニングよりも優れている。スロットプレートアンテナでは、インピーダンスチューニングは、アプリケータ内に形成された２つの誘電体スラグを移動させることを伴う。これは、アプリケータ内の２つの分離された構成要素の機械的運動を含む。それは、アプリケータの複雑さを高める。更に、この機械的運動は、電圧制御された発振器１２０によって提供されてよい周波数の変化ほどには精密ではないだろう。

次に、図３Ａを参照すると、一実施形態によるモノリシックソースアレイ３５０の斜視図が示されている。一実施形態では、モノリシックソースアレイ３５０が、誘電体プレート３６０、及び誘電体プレート３６０から上に延在する複数の突出部３６６を含む。一実施形態では、誘電体プレート３６０と複数の突出部３６６とが、モノリシック構造である。すなわち、突出部３６６の下部と誘電体プレート３６０の第１の表面３６１との間に物理的インターフェースが存在しない。本明細書で使用されるときに、「物理的インターフェース」は、第２の離散した本体の第２の表面に接触する第１の離散した本体の第１の表面を指す。しかし、他の実施形態では、突出部３６６が、誘電体プレート３６０との物理的インターフェースを有する離散した共振器であってよい。

突出部３６６の各々は、処理チャンバ１７８の中に高周波電磁放射を注入するために使用されるアプリケータ１４２の一部分である。特に、突出部３６６は、アプリケータ１４２の共振体として機能する。アプリケータ１４２の他の構成要素（例えば、モノポールアンテナ及び共振体を取り囲む接地されたハウジング）は、モノリシックソースアレイ３５０から離散した構成要素であってよく、これについては以下でより詳細に説明する。

誘電体プレート３６０は、第１の表面３６１、及び第１の表面３６１とは反対側の第２の表面３６２を備える。誘電体プレートは、第１の面３６１と第２の面３６２との間に第１の厚さＴ_１を有する。一実施形態では、第１の厚さＴ_１が、約３０mm未満、約２０mm未満、約１０mm未満、又は約５mm未満である。特定の一実施形態では、第１の厚さＴ_１が約３mmである。第１の厚さＴ_１を薄くすることによって、処理チャンバの中への高周波電磁放射の結合が改善される。厚さＴ_１の低減は、誘電体プレート３６０の機械的完全性を減少させることを理解されたい。特に、誘電体プレート３６０は、システムからの熱応力の結果として、亀裂をより生じ易い。しかし、本明細書で開示される複数の実施形態は、誘電体プレート３６０のCTEに緊密に整合するCTEを有する第１の導電層を含む導電性ハウジング（以下でより詳細に説明される）を備える。そのようにして、熱応力が低減され、上述のような薄い誘電体プレート３６０の使用が可能になる。図示されている実施形態では、誘電体プレート３６０が、実質的に円形状で示されている。しかし、誘電体プレート３６０は、任意の所望の形状（例えば、多角形、楕円形、楔形など）を有してもよいことを理解されたい。

複数の突出部３６６は、誘電体プレート３６０の第１の表面３６１から上に延在する。例えば、側壁３６４は、誘電体プレート３６０の第１の表面３６１と実質的に垂直に配向される。突出部３６６は、第３の表面３６３を更に含む。第３の表面３６３は、第１の表面３６１と実質的に平行であってよい。一実施形態では、孔３６５が、各突出部の第３の表面３６３の中に配置される。孔３６５は、アプリケータ１４２のモノポールアンテナを収容するようにサイズ決定される。一実施形態では、孔３６５が、突出部３６６の軸心に配置される。

一実施形態では、突出部３６６が、第１の表面３６１と第３の表面３６３との間で第２の厚さＴ_２を有してよい。一実施形態では、第２の厚さＴ_２が、アプリケータ用の共振体を提供するように選択されてよい。例えば、突出部３６６の寸法は、とりわけ他の考慮事項の中で、少なくとも、モノリシックソースアレイの材料、誘電体プレート３６０の厚さ、及び所望の動作周波数に依存してよい。複数の実施形態は、概して、誘電体プレートの第１の厚さＴ_１が増加するにつれて、突出部の第２の厚さＴ_２を低減させることを含んでよい。

一実施形態では、複数の突出部３６６が、アレイ状に配置される。図示されている一実施形態では、複数の突出部３６６が、最密アレイ状に配置されているが、他の充填配置も可能である。更に、１９個の突出部３６６が図示されているが、複数の実施形態は、誘電体プレート３６０の第１の表面３６１から離れるように延在する１以上の突出部３６６を含んでよいことを理解されたい。図示されている一実施形態では、突出部３６６の各々が、同じ寸法（例えば、厚さＴ_２及び幅Ｗ）を有する。他の複数の実施形態では、突出部３６６の寸法が、不均一であってもよい。

一実施形態では、モノリシックソースアレイ３５０が、誘電材料を含む。例えば、モノリシックソースアレイ３５０は、セラミック材料であってもよい。一実施形態では、モノリシックソースアレイ３５０に使用されてよい１つの適切なセラミック材料が、Al₂O₃である。モノリシック構造は、材料の単一ブロックから製造されてよい。他の複数の実施形態では、モノリシックソースアレイ３５０の大まかな形状が、成形プロセスで形成されてよく、その後、所望の寸法で最終構造を提供するように機械加工されてよい。例えば、グリーン状態の機械加工及び焼成を使用して、モノリシックソースアレイ３５０の所望の形状を提供することができる。

次に、図３Ｂを参照すると、更なる一実施形態によるモノリシックソースアレイ３５０の平面図が示されている。モノリシックソースアレイ３５０は、第１の表面３６１に平行な平面に沿って見たときに突出部３６６が異なる断面を有することを除いて、図３Ａのモノリシックソースアレイ３５０と実質的に同様である。図３Ｂでは、突出部３６６の輪郭が、図３Ａでは円形であるのとは対照的に、実質的に六角形状である。円形及び六角形の断面の実施例が示されているが、突出部３６６は、多くの異なる断面を含んでよいことを理解されたい。例えば、突出部３６６の断面は、中心対称である任意の形状を有してよい。

次に、図４Ａを参照すると、一実施形態によるアセンブリ４７０の分解図が示されている。一実施形態では、アセンブリ４７０が、モノリシックソースアレイ４５０及びハウジング４７２を備える。モノリシックソースアレイ４５０は、上述されたモノリシックソースアレイ３５０と実質的に同様であってよい。例えば、モノリシックソースアレイ４５０は、誘電体プレート４６０、及び誘電体プレート４６０から上に延在する複数の突出部４６６を含んでよい。

一実施形態では、ハウジング４７２が多層導電体を備える。例えば、ハウジング４７２は、第１の導電層４７３_Ａ、及び第１の導電層４７３_Ａの上の第２の導電層４７３_Ｂを備えてよい。第１の導電層４７３_Ａは、第１の材料を含み、第２の導電層４７３_Ｂは、第１の材料とは異なる第２の材料を含む。特に、第１の材料は、第２の材料の第２のCTEよりも小さい第１のCTEを有する。一実施形態では、第１のCTEが、モノリシックソースアレイ４５０の第３のCTEと緊密に整合されてよい。すなわち、第１のCTEと第３のCTEとの差は、第２のCTEと第３のCTEとの差よりも小さくてよい。例えば、第１の導電層４７３_Ａは、チタンを含んでよく、第２の導電層４７３_Ｂは、アルミニウムを含んでよい。一実施形態では、第１の導電層４７３_Ａと第２の導電層４７３_Ｂとが、個別に接地されてよい。他の複数の実施形態では、第１の導電層４７３_Ａと第２の導電層４７３_Ｂとが、機械的に又は任意の形態の金属結合により接合されてよく、実質的に均一な接地電位に保持される単一の導電体４７３を形成してよい。

一実施形態では、ハウジング４７２が、複数の開口部４７４を備える。開口部４７４は、第１の導電層４７３_Ａ及び第２の導電層４７３_Ｂの厚さを完全に貫通してよい。開口部４７４は、突出部４６６を受容するようにサイズ決定されてよい。例えば、ハウジング４７２が、（矢印で示すように）モノリシックソースアレイ４５０に向かって変位すると、突出部４６６が開口部４７４の中に挿入されることになる。

次に、図４Ｂを参照すると、一実施形態によるアセンブリ４７０の断面図が示されている。図示されているように、ハウジング４７２の第１の導電層４７３_Ａは、誘電体プレート４６０の第１の表面４６１によって支持される。図示されている一実施形態では、第１の導電層４７３_Ａが、第１の表面４６１によって直接的に支持されているが、熱界面材料などが、第１の導電層４７３_Ａを第１の表面４６１から分離してもよいことを理解されたい。一実施形態では、誘電体プレート４６０の第２の表面４６２が、ハウジング４７２から離れる方向に面している。

一実施形態では、ハウジング４７２が、第３の厚さＴ_３を有する。ハウジング４７２の第３の厚さＴ_３は、突出部４６６の第２の厚さＴ_２と同様であってよい。他の複数の実施形態では、ハウジング４７２の第３の厚さＴ_３が、突出部４６６の第２の厚さＴ_２よりも大きくても小さくてもよい。図示されている一実施形態では、第１の導電層４７３_Ａの厚さが、第２の導電層４７３_Ｂの厚さよりも小さい。幾つかの実施形態では、第１の導電層４７３_Ａが、第２の導電層４７３_Ｂの厚さの約半分以下、４分の１以下、又は８分の１以下の厚さを有してよい。しかし、他の複数の実施形態では、第１の導電層４７３_Ａの厚さが、第２の導電層４７３_Ｂの厚さ以上であってよいことを理解されたい。

図示されている一実施形態では、開口部４７４が、突出部４６６の幅Ｗよりも大きい開口部直径Ｏを有する。寸法の差により、突出部４６６の側壁と導電体４７３の側壁との間に間隙４７５が生じる。間隙４７５は、モノリシックソースアレイ４５０とハウジング４７２との間の確実な適合を依然として維持しながら、ある程度の熱膨張を可能にするのに適していてよい。幾つかの実施形態では、ハウジング４７２が、モノリシックソースアレイ４５０と機械的に結合される。

以下でより詳細に図示されるように、アセンブリ４７０の異なる表面は、異なる環境に曝露される。例えば、第２の表面４６２は、チャンバ空間に曝露されるように構成される。アセンブリ４７０の反対側は、動作中のチャンバ空間よりも高い圧力（例えば、約１．０気圧以上）を有する大気又は他の環境に曝露されるように構成される。したがって、導電体４７３と突出部４６６との間の小さな間隙４７５は、プラズマの点火に適した低圧環境を経験しないことになる。

次に、図４Ｃ～図４Ｅを参照すると、様々な実施形態による、ハウジング４７２の第１の導電層４７３_Ａと第２の導電層４７３_Ｂとの間の異なるインターフェースを描く一連の断面図が示されている。

次に、図４Ｃを参照すると、一実施形態による、締結具４９２によって第２の導電層４７３_Ｂに機械的に結合された第１の導電層４７３_Ａの断面図が示されている。一実施形態では、締結具４９２がボルトなどである。ボルトは、第１の導電層４７３_Ａ内の凹部４９１の中に挿入されてよく、第２の導電層４７３_Ｂを貫通してよい。

次に、図４Ｄを参照すると、一実施形態による、界面（インターフェース）における機械的接合によって第２の導電層４７３_Ｂに機械的に結合された第１の導電層４７３_Ａの断面図が示されている。例えば、拡散接合プロセスなどを使用して、機械的接合が形成されてよい。そのような複数の実施形態では、外的締結具４９２を必要としなくてよい。

次に、図４Ｅを参照すると、一実施形態による、界面層４９３によって第２の導電層４７３_Ｂに機械的に結合された第１の導電層４７３_Ａの断面図が示されている。一実施形態では、界面層４９３が接着剤であってもよい。接着剤は導電性接着剤であってもよい。他の複数の実施形態では、界面層４９３が絶縁性接着剤であってもよく、第１の導電層４７３_Ａと第２の導電層４７３_Ｂとは、別個に接地されてよい。幾つかの実施形態では、界面層４９３が、電気ガスケットとして機能して、第１の導電層４７３_Ａと第２の導電層４７３_Ｂとの間の電気的結合を改善する。

次に、図４Ｆを参照すると、一実施形態による、アセンブリ４７０と一体化されたアプリケータ４４２の断面図が示されている。一実施形態では、アプリケータ４４２が、突出部４６６、突出部４６６を取り囲むハウジング４７２、及び孔４６５の中に延在するモノポールアンテナ４６８を備える。一実施形態では、導電性プレート４７６が、突出部４６６の上面をカバーしてもよい。したがって、アセンブリ４７０の部分は、アプリケータ４４２の構成要素として使用されてよい。例えば、突出部４６６は、モノリシックソースアレイ４５０の部分であり、アプリケータ４４２の誘電体キャビティ共振器として機能し、第１の導電層４７３_Ａ及び第２の導電層４７３_Ｂは、ハウジング４７２の部分であり、アプリケータ４４２用の誘電体キャビティ共振器を取り囲む接地面として機能する。

モノポールアンテナ４６８は、アセンブリ４７０の上方でシールディング４６９によって取り囲まれてよく、モノポールアンテナ４６８は、高周波電源（例えば、高周波放出モジュール１０５など）と電気的に結合されてよい。モノポールアンテナ４６８は、導電性プレート４７６を貫通し、孔４６５の中に延在する。幾つかの実施形態では、孔４６５は、モノポールアンテナ４６８よりも突出部４６６の中により深く延在する。更に、孔４６５の幅は、モノポールアンテナ４６８の幅よりも大きくてよい。したがって、幾つかの実施形態では、モノリシックソースアレイ４５０の損傷を防止するために、熱膨張に対する公差が提供される。また、図４Ｆには、導電体４７３の下面と誘電体プレート４６０の第１の表面４６１との間に熱界面材料４７７が示されている。熱界面材料４７７は、能動的加熱又は冷却がアセンブリ４７０内に実装されるときに、導電体４７３と誘電体プレート４６０との間の熱伝達を改善してよい。

幾つかの実施形態では、ハウジング４７２が、能動的加熱及び／又は冷却用のガス分配ネットワーク及び／又は流体チャネルを更に備えてもよい。多層ハウジング４７２と一体化されたそのような構造を描く複数の実施形態が、図５及び図６で示されている。

次に、図５を参照すると、一実施形態による、アセンブリ５７０の一部分の断面図が示されている。アセンブリ５７０は、モノリシックソースアレイ５５０、ハウジング５７２、及び蓋プレート５７６を備える。

一実施形態では、第１の導電層５７３_Ａの表面５３３が、誘電体プレート５６０の第１の表面５６１によって支持される。一実施形態では、誘電体プレート５６０の第２の表面５６２が、ハウジング５７２から離れる方向に面している。モノリシックソースアレイ５５０の突出部５６６は、ハウジング５７２の開口部の中に適合する。一実施形態では、蓋プレート５７６が、ハウジング５７２及び突出部５６６をカバーする。例えば、蓋プレート５７６の第２の表面５１１は、ハウジング５７２の表面５３４をカバーする。モノポールアンテナ５６８は、蓋プレート５７６を貫通して、突出部５６６の軸心において孔５６５の中に延在してよい。孔５６５の幅は、モノポールアンテナ５６８の幅よりも大きくてよい。モノポールアンテナ５６８は、電源（例えば、高周波放出モジュール１０５）と電気的に結合される。

一実施形態では、ガス分配ネットワークが、アセンブリ５７０の構成要素を貫通する。ガスが、最初に、ガスライン５１８によってアセンブリ５７０の中に供給される。ガスライン５１８は、カプラ５１９によって蓋プレート５７６の第１の表面５１２に結合される。Ｏリング（図示せず）が、カプラ５１９と第１の表面５１２との間に配置されてよい。次いで、処理ガスは、蓋プレート５７６を貫通する孔５１４を通って移動する。ガス分配は、ハウジング５７２の第２の導電層５７３_Ｂ及び第１の導電層５７３_Ａを貫通する孔５３５によって継続する。一実施形態では、Ｏリングなど（図示せず）が、孔５１４と孔５３５との間の界面を取り囲み、密封を提供してよい。

図示されているように、孔５３５は、第１の導電層５７３_Ａ内でチャネル５３０と交差する。チャネル５３０は、処理ガスを横方向に分配する。チャネル５３０は、カバー５３１によって密封され、ガスは、カバー５３１の複数群の孔５３７を通過することによって、ハウジング５７２の外に分配される。一実施形態では、次いで、ガスが、誘電体プレート５６０を貫通する孔５６３を通って流れる。孔５６３は、複数群５３２において孔５３７と整列されてよい。一実施形態では、誘電体プレート５６０を貫通する孔５６３が、カバー５３１を貫通する孔５３７の直径よりも大きい直径を有する。一実施形態では、Ｏリングなど（図示せず）が、カバー５３１内の孔５３７と誘電体プレート５６０を貫通する孔５６３との間の界面を取り囲む。図示されている一実施形態では、チャネル５３０が、完全に第１の導電層５７３_Ａ内にあるものとして示されている。しかし、チャネル５３０の幾つかの一部又は全部が、他の複数の実施形態では、第２の導電層５７３_Ｂ内に配置されてよいことを理解されたい。

次に、図６を参照すると、一実施形態によるアセンブリ６７０の断面図が示されている。図示されている一実施形態は、モノリシックソースアレイ６５０、ハウジング６７２、及び蓋プレート６７６を描いている。一実施形態では、ハウジング６７２が、誘電体プレート６６０によって支持され、突出部６６６の周囲を覆っている。ハウジング６７２は、第１の導電層６７３_Ａ及び第２の導電層６７３_Ｂを含んでよい。ハウジング６７２の第２の導電層６７３_Ｂは、カバー６３１によって密封されたチャネル６３０を備える。蓋プレート６７６は、ハウジング６７２及び突出部６６６の上に載置されている。一実施形態では、モノポールアンテナ６６８が、蓋プレート６７６を貫通し、蓋プレート６７６の下方の突出部６６６内の孔６６５の中に適合してよい。

一実施形態では、ステム６３７が、蓋プレート６７６の導電性ボディ６７９を貫通している。ステム６３７は、熱流体源（図示せず）と流体結合されてよい。第２のステム６３７（図６の平面から外れて）が、チャネル６３０を通って流れる熱流体の出口であってよい。一実施形態では、蓋プレート６７６が、１以上の加熱要素６１９を備えてよい。例えば、外側加熱要素６１９_Ａ及び内側加熱要素６１９_Ｂが、導電性ボディ６７９内のトレンチの中に図示されている。加熱要素６１９は、カバー６１７_Ａ、６１７_Ｂによってカバーされてよい。図示されている一実施形態では、チャネル６３０が、完全に第２の導電層６７３_Ｂ内にあるものとして示されている。しかし、チャネル６３０の一部又は全部が、他の複数の実施形態では、第１の導電層６７３_Ａ内に配置されてもよいことを理解されたい。

次に、図７を参照すると、一実施形態によるアセンブリ７７０を含む処理ツール７００の断面図が示されている。一実施形態では、処理ツールが、アセンブリ７７０によって密封されたチャンバ７７８を備える。例えば、アセンブリ７７０は、チャンバ７７８の内部空間７８３に対する減圧密封を提供するために、１以上のＯリング７８１に対して載置されてよい。他の複数の実施形態では、アセンブリ７７０が、チャンバ７７８と接触してよい。すなわち、アセンブリ７７０は、チャンバ７７８を密封する蓋の部分であってよい。一実施形態では、処理ツール７００が、複数の処理空間（共に流体結合されてよい）を含んでもよく、各処理空間は、異なるアセンブリ７７０を有する。一実施形態では、チャック７７９などが、ワークピース７７４（例えば、ウエハ、基板など）を支持してよい。

一実施形態では、アセンブリ７７０が、上述されたアセンブリ４７０と実質的に同様であってよい。例えば、アセンブリ７７０は、モノリシックソースアレイ７５０及びハウジング７７２を備える。モノリシックソースアレイ７５０は、誘電体プレート７６０、及び誘電体プレート７６０の第１の表面７６１から上に延在する複数の突出部７６６を備えてよい。誘電プレート７６０の第２の表面７６２は、チャンバ７７８の内部空間７８３に曝露されてよい。ハウジング７７２は、突出部７６６を受けれるようにサイズ決定された開口部を有してよい。幾つかの実施形態では、熱膨張を可能にするために、突出部７６６とハウジング７７２の導電体７７３との間に間隙７７５が設けられてよい。一実施形態では、ハウジング７７２が、第１の導電層７７３_Ａ及び第２の導電層７７３_Ｂを備えてよい。一実施形態では、モノポールアンテナ７６８が、突出部７６６内の孔７６５の中に延在してよい。モノポールアンテナ７６８は、ハウジング７７２及び突出部７６６の上の上部プレート７７６を貫通してよい。

一実施形態では、チャンバ空間７８３が、プラズマ７８２を生成するのに適していてよい。すなわち、チャンバ空間７８３は、減圧チャンバであってよい。一実施形態では、第２の表面７６２のみが、チャンバ空間７８３に曝露される。しかし、幾つかの実施形態は、処理環境から第２の表面７６２を保護するために、第２の表面７６２を覆う保護層（図示せず）を含んでよい。モノリシックソースアレイ７５０の他の表面は、チャンバ空間７８３の外側にあり、したがって、プラズマ７８２を生成するために必要とされる低圧状態を経験しない。したがって、突出部７６６の側壁と導電体７７３との間の間隙７７５内に高電場が存在するとしても、プラズマは生成されない。

次に、図８を参照すると、一実施形態による処理ツールの例示的なコンピュータシステム８６０のブロック図が示されている。一実施形態では、コンピュータシステム８６０が、処理ツールに結合され、処理ツール内の処理を制御する。コンピュータシステム８６０は、ローカルエリアネットワーク（LAN：Local Area Network）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネットにおいて、他のマシンに接続され（例えばネットワーク化され）てよい。コンピュータシステム８６０は、クライアント‐サーバネットワーク環境内でサーバ又はクライアントマシンの役割で、或いは、ピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境内でピアマシンとして動作してよい。コンピュータシステム８６０は、パーソナルコンピュータ（PC：personal computer）、タブレットPC、セットトップボックス（STB：set-top box）、パーソナルデジタルアシスタント（PDA：Personal Digital Assistant）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ若しくはブリッジ、又は、そのマシンによって行われる動作を特定する（連続した又は別様な）指示命令のセットを実行可能な任意のマシンであってよい。更に、コンピュータシステム８６０として単一のマシンのみを示しているが、用語「マシン」は、本明細書に記載の方法のうちの任意の１以上を実施するために、指示命令のセット（又は複数のセット）を個々に、又は連携的に実行するマシン（例えば、コンピュータ）の任意の集合体を含むとも解釈すべきである。

コンピュータシステム８６０は、指示命令が記憶された非一過性のマシン可読媒体を有するコンピュータプログラム製品、又はソフトウェア８２２を含んでいてよく、これらの指示命令は、実施形態による処理を実施するコンピュータシステム８６０（又は他の電子デバイス）をプログラムするために使用されてよい。マシン読取可能な媒体は、マシン（例えばコンピュータ）によって読み出し可能な形態により情報を格納又は伝送するための任意の機構を含む。例えば、マシン可読（例えば、コンピュータ可読）媒体は、マシン（例えば、コンピュータ）可読記憶媒体（例えば、読み出し専用メモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイスなど）、マシン（例えば、コンピュータ）可読伝送媒体（電気的形態、光学的形態、音響的形態、又はその他の伝播される信号の形態（例えば、赤外線信号、デジタル信号など））などを含む。

一実施形態において、コンピュータシステム８６０は、バス８３０を介して互いに通信し合う、システムプロセッサ８０２、メインメモリ８０４（例えば、読み出し専用メモリ（ROM）、フラッシュメモリ、シンクロナスDRAM（SDRAM：synchronous DRAM）又はランバスDRAM（RDRAM：Rambus DRAM）などのダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM：dynamic random access memory））、スタティックメモリ８０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM：static random access memory）など）、及び二次メモリ８１８（例えば、データストレージデバイス）を含む。

システムプロセッサ８０２は、マイクロシステムプロセッサ、中央処理ユニットなどの１以上の汎用処理デバイスを表す。より詳細には、システムプロセッサは、複合指示命令セット演算（ＣＩＳＣ：complex instruction set computing）マイクロシステムプロセッサ、縮小命令セット演算（ＲＩＳＣ：reduced instruction set computing）マイクロシステムプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ：very long instruction word）マイクロシステムプロセッサ、他の指示命令セットを実行するシステムプロセッサ、又は、指示命令セットの組み合わせを実行するシステムプロセッサであり得る。システムプロセッサ８０２は、特定用途向け集積回路（ASIC：application specific integrated circuit）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA：field programmable gate array）、デジタル信号システムプロセッサ（DSP：digital signal system processor）、ネットワークシステムプロセッサといった、１以上の特殊用途処理デバイスであってもよい。システムプロセッサ８０２は、本明細書に記載の動作を実行するための処理論理８２６を実施するように構成されている。

コンピュータシステム８６０は、他のデバイス又はマシンと通信するためのシステムネットワークインターフェースデバイス８０８を更に含んでよい。コンピュータシステム８６０は、ビデオディスプレイユニット８１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：liquid crystal display）、発光ダイオードディスプレイ（LED：light emitting diode）、又は陰極線管（ＣＲＴ：cathode ray tube））、英数字入力デバイス８１２（例えば、キーボード）、カーソル制御デバイス８１４（マウスなど）、及び信号生成デバイス８１６（例えば、スピーカ）も含み得る。

二次メモリ８１８は、本明細書に記載の方法又は機能のうちの任意の１以上のものを具現化する、１以上の指示命令セット（例えば、ソフトウェア８２２）が記憶されている、マシンアクセス可能記憶媒体８３２（又は、より具体的には、コンピュータ可読記憶媒体）を含んでよい。このソフトウェア８２２は、コンピュータシステム８６０によって実行されている間、完全に又は少なくとも部分的に、メインメモリ８０４及び／又はシステムプロセッサ８０２の中にも常駐していてよく、メインメモリ８０４及びシステムプロセッサ８０２はまた、マシン可読記憶媒体も構成してもよい。このソフトウェア８２２は更に、システムネットワークインターフェースデバイス８０８を介してネットワーク８２０を経由して送信又は受信されてよい。一実施形態では、ネットワークインターフェースデバイス８０８が、RF結合、光結合、音響結合、又は誘導結合を使用して動作してよい。

マシンアクセス可能記憶媒体８３２は、例示的な一実施形態では単一媒体として示されているが、「マシン可読記憶媒体」という用語は、１以上の組の指示命令を保存する、単一の又は複数の媒体（例えば、集中データベース若しくは分散データベース、及び／又はそれに関連付けられたキャッシュ及びサーバ）を含むものであると解釈すべきである。用語「マシン可読記憶媒体」はまた、マシンによって実施される指示命令のセットを記憶すること又は符号化することが可能であり、且つ、方法のうちの任意の１以上をマシンに実施させる任意の媒体を含むとも解釈すべきである。従って、「マシン可読記憶媒体」という用語は、固体メモリ、光媒体、及び磁気媒体を含むが、それらに限定されないと解釈すべきである。

前述の明細書では、特定の例示的な実施形態が説明された。以下の特許請求の範囲から逸脱しない限り、例示の実施形態に様々な修正を加えることができることが明らかになろう。従って、本明細書及び図面を限定的と捉えるのではなく、例として見なすべきである。

Claims (20)

1. 高周波プラズマ源に含まれるソースアレイ用のハウジングアセンブリであって、
   第１の導電層であって、第１の熱膨張係数（CTE）を有する第１の導電層、
   前記第１の導電層の上の第２の導電層であって、前記第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する第２の導電層、並びに
   前記ハウジングアセンブリを通る複数の開口部であって、各開口部は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を貫通する、複数の開口部を備える、ハウジングアセンブリ。
2. 前記第１の導電層は、前記第２の導電層と機械的に結合されている、請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
3. 前記第１の導電層は、前記第２の導電層にボルト留めされている、請求項２に記載のハウジングアセンブリ。
4. 前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電気ガスケットを更に備える、請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
5. 前記第１のCTEが約１０ppm以下であり、前記第２のCTEが約２０ppm以上である、請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
6. 前記第１の導電層はチタンを含み、前記第２の導電層はアルミニウムを含む、請求項５に記載のハウジングアセンブリ。
7. 前記第１の導電層は、ガス分配ネットワークを備える、請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
8. 前記第２の導電層は、流体チャネルを備える、請求項１に記載のハウジングアセンブリ。
9. 誘電体プレート、及び前記誘電体プレートの表面から上に延在する複数の誘電体共振器を備える、ソースアレイ、並びに
   前記ソースアレイの上のハウジングアセンブリを備える、アセンブリであって、前記ハウジングアセンブリは、
   前記誘電体プレートの前記表面の上の第１の導電層であって、第１の熱膨張係数（CTE）を有する第１の導電層、
   前記第１の導電層の上の第２の導電層であって、前記第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する第２の導電層、及び
   前記ハウジングアセンブリを通る複数の開口部であって、各開口部は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を貫通し、前記複数の誘電体共振器のうちの１つを収容する、複数の開口部を備える、アセンブリ。
10. 前記誘電体プレートは第３のCTEを有し、前記第１のCTEと前記第３のCTEとの間の差は、前記第２のCTEと前記第３のCTEとの間の差よりも小さい、請求項９に記載のアセンブリ。
11. 前記ハウジングアセンブリは、熱界面材料によって前記誘電体プレートの前記表面から分離されている、請求項９に記載のアセンブリ。
12. 前記第１の導電層は、前記第２の導電層と機械的に結合されている、請求項９に記載のアセンブリ。
13. 前記第１の導電層は、前記第２の導電層にボルト留めされている、請求項１２に記載のアセンブリ。
14. 前記第１の導電層はチタンを含み、前記第２の導電層はアルミニウムを含み、前記誘電体プレートは酸化アルミニウムを含む、請求項９に記載のアセンブリ。
15. 前記複数の開口部は、前記ハウジングアセンブリの厚さ全体を貫通する、請求項９に記載のアセンブリ。
16. 前記複数の誘電体共振器と前記誘電体プレートとは、モノリシック構造である、請求項９に記載のアセンブリ。
17. チャンバ、並びに
    前記チャンバと相互作用するアセンブリを備える、処理ツールであって、前記アセンブリは、
    ソースアレイであって、
    第１の表面、及び前記第１の表面とは反対側の第２の表面を有する、誘電体プレートであって、前記第２の表面は、前記チャンバの内部空間に曝露され、前記第１の表面は、外部環境に曝露される、誘電体プレート、及び
    前記誘電体プレートの前記第１の表面から外に延在する複数の誘電体共振器であって、前記複数の誘電体共振器と前記誘電体プレートとは、モノリシック構造である、複数の誘電体共振器を備える、ソースアレイと、
    モノリシックソースアレイの上のハウジングアセンブリであって、
    前記誘電体プレートの前記表面の上の第１の導電層であって、第１の熱膨張係数（CTE）を有する第１の導電層、
    前記第１の導電層の上の第２の導電層であって、前記第１のCTEとは異なる第２のCTEを有する第２の導電層、及び
    前記ハウジングアセンブリを通る複数の開口部であって、各開口部は、前記第１の導電層及び前記第２の導電層を貫通し、前記複数の誘電体共振器のうちの１つを収容する、複数の開口部を備える、ハウジングアセンブリとを備える、処理ツール。
18. 各誘電体共振器は孔を備え、モノポールアンテナが、各孔内に配置されている、請求項１７に記載の処理ツール。
19. 各モノポールアンテナは、異なる高周波放出モジュールに結合されている、請求項１８に記載の処理ツール。
20. 前記モノリシックソースアレイから離れる方向に面している前記ハウジングアセンブリの表面の上にプレートを更に備える、請求項１７に記載の処理ツール。

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