JP7512487B2 - 光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、光モジュールに関する。

特許文献１には、プレーナ型アクチュエータが記載されている。このプレーナ型アクチュエータは、デバイス基板上に設置された枠状の固定部を備えている。固定部の内側には、支持梁としてのトーションバーを介して可動部が揺動自在に支持されている。また、固定部の周囲には、枠状のヨークが設置されており、このヨークの内側には、可動部を挟んで対向配置される一対の磁界発生手段が設置されている。固定部の駆動コイル部分には、磁界発生手段の斜め磁場が働くようにされている。

このプレーナ型アクチュエータにおいては、可動部の駆動コイルに電流を流すと磁界が発生し、この磁界と磁界発生手段による静磁界との相互作用によりローレンツ力が発生する。これにより、トーションバーの軸方向と平行な可動部の対辺部分に互いに逆方向の回転力が発生し、この回転力とトーションバーの復元力とが釣合う位置まで可動部が揺動される。そして、駆動コイルに交流電流を流すことにより、可動部が揺動し、反射ミラーにより光ビームを偏向走査できる。

特開２０１４－２００１４０号公報

特許文献１に記載されたプレーナ型アクチュエータにおいては、磁界発生手段の上端面に対して、磁界発生手段を連結して保持する保持手段としての保持板が接着剤等により取付けられ、磁界発生手段の強固な保持を図っている。ところで、このプレーナ型アクチュエータのように、可動部を支持するデバイス基板と磁界発生手段とが接触している状態であると、磁界発生手段の熱膨張による応力がデバイス基板及び可動部に作用する。その結果、デバイス基板及び可動部に意図しない傾きが発生するおそれがある。

そこで、本発明は、ミラーユニットの傾きを抑制可能な光モジュールの提供を目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を進める中で、次のような知見を得た。すなわち、上述したような光モジュールにあっては、磁界発生手段として、ハルバッハ配列の複数の磁石を用いることが考えられる。ハルバッハ配列の磁石においては、その熱膨張の方向が磁化の向きによって異なる。このため、磁石に接する部材に対して複雑な応力が磁石から作用し得る。したがって、特にハルバッハ配列の磁石を用いた場合には、ミラーユニットの傾きを抑制するに際して、磁石からの応力のミラーユニットへの伝達を抑制することがより重要となる。本発者は、以上のような知見に基づいて更なる研究を重ねることにより、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る光モジュールは、コイルを含む可動ミラー部を有するミラーユニットと、上面及び底面と上面から底面に延びる側面とを有し、可動ミラー部に作用する磁界を発生させる磁石部と、磁石部を保持する保持部材と、を備え、磁石部は、上面から底面に向かう第１方向に力が作用する第１磁石と、底面から上面に向かう第２方向に力が作用する第２磁石と、を含むハルバッハ構造を有し、保持部材は、第１方向に第１磁石に作用する力、及び、第２方向に第２磁石に作用する力に抗して磁石部を一体に保持しており、ミラーユニットは、保持部材により上面上に支持されており、上面とミラーユニットとの間には、磁石部からの応力を緩和するための緩和層が設けられている。

この光モジュールにおいては、ミラーユニットの可動ミラー部に作用する磁界を発生させる磁石部が、第１磁石と第２磁石とを含むハルバッハ構造を有している。このような磁石部は、保持部材によって、第１磁石及び第２磁石に作用する力に抗して一体に保持されている。ミラーユニットは、この保持部によって、磁石部の上面上に支持されている。そして、磁石部の上面とミラーユニットとの間には、磁石部からの応力を緩和するための緩和層が設けられている。したがって、このようなハルバッハ構造の磁石部を用いた光モジュールにおいて、磁石部からミラーユニットへの応力の伝達が抑制され、ミラーユニットの傾きが抑制される。

本発明に係る光モジュールにおいては、保持部材は、上面上に位置し、第２方向への磁石部の移動を規制するための規制部を有し、ミラーユニットは、規制部に支持されていてもよい。この場合、磁石部が保持部材によって確実に一体に保持され得る。また、ミラーユニットが、磁石部の上面上の規制部に支持されるので、上面とミラーユニットとの間に緩和層を設けることが容易となる。

本発明に係る光モジュールにおいては、規制部は、緩和層の少なくとも一部を構成していてもよい。この場合、緩和層の少なくとも一部を規制部と共通化できる。

本発明に係る光モジュールにおいては、規制部は、上面とミラーユニットとの間を充填しており、緩和層の全体を構成していてもよい。この場合、規制部と緩和層の全体とを共通化できる。

本発明に係る光モジュールにおいては、規制部は、上面と側面との接続部分から上面の内側に向けて延在すると共に、上面上に内縁を有しており、緩和層は、規制部と、内縁によって規定される空間に形成された空気層と、によって構成されていてもよい。この場合、規制部によって磁石部の移動を規制しつつ、磁石部からミラーユニットへの応力の伝達を空気層によって確実に抑制可能である。

本発明に係る光モジュールにおいては、保持部材は、側面を支持する側壁部を有し、規制部は、側壁部と一体に形成されていてもよい。この場合、規制部を含む保持部材の構成が簡略化される。

本発明に係る光モジュールにおいては、保持部材は、側面を支持する側壁部を有し、規制部は、上面に交差する方向からみて上面を覆うように上面上に設けられ、上面に接触する接触部を有し、接触部は、側壁部に接続されていてもよい。この場合、磁石部の上面を接触しつつ覆う接触部が側壁部に接続されることにより、磁石部をより強固に保持できる。

本発明に係る光モジュールにおいては、上面に交差する方向における接触部の厚さは、上面に沿う方向における側壁部の厚さよりも薄くてもよい。この場合、ミラーユニットと磁石部との間の距離が小さくなるので、ミラーユニットにおいて磁石部の磁界を効率的に利用できる。この結果、消費電力を低減可能である。

本発明に係る光モジュールにおいては、緩和層は、接触部と、上面及び接触部上に形成された空気層と、を含んでもよい。この場合、接触部によって磁石部を強固に保持しつつ、磁石部からミラーユニットへの応力の伝達を空気層によって確実に抑制可能である。

本発明に係る光モジュールにおいては、ミラーユニットは、上面に交差する方向からみて、第１磁石に重複しない位置において保持部材により支持されていてもよい。この場合、第２磁石部に熱膨張が生じたとしても、ミラーユニットが傾きにくい。

本発明に係る光モジュールにおいては、緩和層は、磁石部のヤング率よりも低いヤング率の部分を含んでもよい。このように、磁石部のヤング率よりも低いヤング率の部分を含む緩和層によって、磁石部からミラーユニットへの応力の伝達を抑制できる。

本発明によれば、ミラーユニットの傾きを抑制可能な光モジュールを提供できる。

本実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。 図１に示された光モジュールの平面図である。 図２におけるIII－III線に沿っての模式的な断面図である。 図１に示されるＭＥＭＳミラーの平面図である。 磁石部及びパッケージを示す図である。 本実施形態に係る光モジュールの断面図である。 第１変形例に係る光モジュールを示す図である。 第２変形例に係る光モジュールを示す図である。 第３変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。 第４変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。 第５変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。

以下、一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同一の要素同士、または、相当する要素同士には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
［第１実施形態］

図１は、本実施形態に係る光モジュールを示す斜視図である。図２は、図１に示された光モジュールの平面図である。図３は、図２におけるIII－III線に沿っての模式的な断面図である。図５は、磁石部及びパッケージを示す図である。図１～３，５に示される光モジュール１００は、ミラーユニット４０と、磁石部５０と、パッケージ６０（保持部材）と、を備えている。ミラーユニット４０は、電磁駆動方式のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ミラー１と、ＭＥＭＳミラー１を収容するミラーパッケージ４１を有している。ミラーパッケージ４１は、ベース４２と、側壁４３と、窓材４４と、を有している。

ベース４２は、例えば、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム等の非磁性材料によって矩形板状に形成されている。側壁４３は、例えば、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウム等の非磁性材料によって矩形筒状に形成されている。窓材４４は、例えば、ガラス等の透光性材料によって形成された矩形板状の基材の両表面に反射防止膜が形成されることで、構成されている。

窓材４４は、側壁４３の一方の開口を気密に封止するように、例えば低融点ガラス等の接合材によって側壁４３に接合されている。ベース４２は、側壁４３の他方の開口を気密に封止するように、例えば低融点ガラス等の接合材によって側壁４３に接合されている。窓材４４と側壁４３との接合、及び、側壁４３とベース４２との接合としては、低融点ガラスを用いた接合以外にも、例えば、樹脂接着剤、低温はんだ（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｃｕ系）、低温ロウ材（Ａｕ／Ｓｎ合金、Ａｕ／Ｇｅ合金等）、高温ロウ材（Ａｇ系等）、プロジェクション溶接、シームシール溶接、レーザ溶接、電子ビーム溶接等を用いた封止でもよい。窓材４４及び側壁４３の一方の開口（すなわち、窓材４４によって封止される開口）は、ベース４２に対向している。ベース４２と側壁４３とは、非磁性材料によって一体的に形成されていてもよい。

ＭＥＭＳミラー１が有する支持部２は、例えば樹脂によってベース４２の内側表面４２ａ（ベース４２の表面のうちミラーパッケージ４１の内面を構成する面）に取り付けられている。磁石部５０は、ベース４２の外側表面４２ｂ（ベース４２の表面のうちミラーパッケージ４１の外面を構成する面）に対向するように、パッケージ６０に収容されている。磁石部５０は、パッケージ６０の一部、及び、ベース４２を介して、ＭＥＭＳミラー１が有する第１可動部３と対向している。ＭＥＭＳミラー１及び磁石部５０については、後に詳述する。

図４は、図１に示されるＭＥＭＳミラーの平面図である。図４に示されるように、ＭＥＭＳミラー１は、支持部２と、第１可動部（可動部）３、第２可動部（可動部）４、一対の第１連結部５、一対の第２連結部６、及び、ミラー７を含む可動ミラー部１０と、を有している。支持部２、第１可動部３、第２可動部４、一対の第１連結部５及び一対の第２連結部６は、例えばシリコンによって一体的に形成されている。

第１可動部３は、例えば矩形板状に形成されている。第２可動部４は、光軸方向Ａから見た場合に隙間を介して第１可動部３を囲むように、例えば矩形環状に形成されている。支持部２は、光軸方向Ａから見た場合に隙間を介して第２可動部４を囲むように、例えば矩形枠状に形成されている。つまり、支持部２は、光軸方向Ａから見た場合に第１可動部３及び第２可動部４を囲むように枠状に形成されている。

第１可動部３は、第１軸線Ｘ１周りに揺動可能となるように、一対の第１連結部５を介して第２可動部４に連結されている。つまり、第１可動部３は、支持部２において第１軸線Ｘ１周りに揺動可能となるように支持されている。第１可動部３は、第１部分３１と、第２部分３２と、を含んでいる。第１部分３１は、光軸方向Ａから見た場合に例えば円形状に形成されている。第２部分３２は、光軸方向Ａから見た場合に例えば矩形環状に形成されている。第１部分３１は、光軸方向Ａから見た場合に第２部分３２に囲まれており、複数（ここでは２つ）の接続部分３３を介して第２部分３２と接続されている。つまり、第１部分３１と第２部分３２との間には、複数の接続部分３３を除いて隙間が形成されている。

接続部分３３は、例えば、矩形状の第２部分３２の内縁のうち第２軸線Ｘ２に交差する２辺の中央部に位置している。すなわち、接続部分３３は、ここでは、第２軸線Ｘ２上に位置している。第１部分３１は、少なくとも第２軸線Ｘ２に沿った方向において第２部分３２に接続されていればよい。第２可動部４は、第２軸線Ｘ２周りに揺動可能となるように、一対の第２連結部６を介して支持部２に連結されている。つまり、第２可動部４は、支持部２において第２軸線Ｘ２周りに揺動可能となるように支持されている。第１軸線Ｘ１及び第２軸線Ｘ２は、光軸方向Ａに垂直であり、互いに交差している（ここでは、互いに直交している）。なお、第１部分３１は、光軸方向Ａから見た場合に矩形状又は多角形状に形成されていてもよい。また、第１部分３１は、光軸方向Ａから見た場合に、円形状（例えば楕円形状）に形成されていてもよい。第２部分３２は、光軸方向Ａから見た場合に五角形以上の多角形環状又は円環状に形成されていてもよい。

一対の第１連結部５は、第１可動部３の第２部分３２と第２可動部４との間の隙間において、第１可動部３を挟むように第１軸線Ｘ１上に配置されている。各第１連結部５は、トーションバーとして機能する。一対の第２連結部６は、第２可動部４と支持部２との間の隙間において、第２可動部４を挟むように第２軸線Ｘ２上に配置されている。各第２連結部６は、トーションバーとして機能する。

ミラー７は、第１可動部３の第１部分３１に設けられている。ミラー７は、第１軸線Ｘ１と第２軸線Ｘ２との交点を含むように、第１部分３１の一方の表面（窓材４４側の表面）に形成されている。ミラー７は、例えば、アルミニウム、アルミニウム系合金、金又は銀等の金属材料によって、円形、楕円形又は矩形の膜状に形成されており、ミラー７の中心は、光軸方向Ａから見た場合に、第１軸線Ｘ１と第２軸線Ｘ２との交点に一致している。このように、複数の接続部分３３を介して第２部分３２と接続された第１部分３１にミラー７が設けられているため、第１可動部３が共振周波数レベルで第１軸線Ｘ１周りにおいて揺動しても、ミラー７に撓み等の変形が生じることが抑制される。

更に、ＭＥＭＳミラー１は、第１駆動用コイル（コイル）１１と、第２駆動用コイル（コイル）１２と、配線１５ａ，１５ｂと、配線１６ａ，１６ｂと、電極パッド２１ａ，２１ｂと、電極パッド２２ａ，２２ｂと、を有している。なお、図２では、説明の便宜上、第１駆動用コイル１１及び第２駆動用コイル１２を一点鎖線で示し、配線１５ａ，１５ｂ及び配線１６ａ，１６ｂを実線で示す。

第１駆動用コイル１１は、第１可動部３の第２部分３２に設けられている。第１駆動用コイル１１は、光軸方向Ａから見た場合におけるミラー７の外側の領域（すなわち、第２部分３２）においてスパイラル状（渦巻き状）に複数回巻かれている。第１駆動用コイル１１には、磁石部５０によって発生させられる磁界が作用する。

第１駆動用コイル１１は、第１可動部３の表面に形成された溝内に配置されている。つまり、第１駆動用コイル１１は、第１可動部３に埋め込まれている。第１駆動用コイル１１の一端は、配線１５ａを介して電極パッド２１ａに接続されている。配線１５ａは、第１可動部３から、一方の第１連結部５、第２可動部４及び一方の第２連結部６を介して、支持部２に延在している。配線１５ａ及び電極パッド２１ａは、例えば、タングステン、アルミニウム、金、銀、銅又はアルミニウム系合金等の金属材料によって一体的に形成されている。なお、第１駆動用コイル１１と配線１５ａとは、互いに接続されている。

第１駆動用コイル１１の他端は、配線１５ｂを介して電極パッド２１ｂに接続されている。配線１５ｂは、第１可動部３から、他方の第１連結部５、第２可動部４及び他方の第２連結部６を介して、支持部２に延在している。配線１５ｂ及び電極パッド２１ｂは、例えば、タングステン、アルミニウム、金、銀、銅又はアルミニウム系合金等の金属材料によって一体的に形成されている。なお、第１駆動用コイル１１と配線１５ｂとは、互いに接続されている。

第２駆動用コイル１２は、第２可動部４に設けられている。第２駆動用コイル１２は、第２可動部４においてスパイラル状（渦巻き状）に複数回巻かれている。第２駆動用コイル１２には、磁石部５０によって発生させられる磁界が作用する。第２駆動用コイル１２は、第２可動部４の表面に形成された溝内に配置されている。つまり、第２駆動用コイル１２は、第２可動部４に埋め込まれている。

第２駆動用コイル１２の一端は、配線１６ａを介して電極パッド２２ａに接続されている。配線１６ａは、第２可動部４から、一方の第２連結部６を介して、支持部２に延在している。配線１６ａ及び電極パッド２２ａは、例えば、タングステン、アルミニウム、金、銀、銅又はアルミニウム系合金等の金属材料によって一体的に形成されている。なお、第２駆動用コイル１２と配線１６ａとは、互いに接続されている。

第２駆動用コイル１２の他端は、配線１６ｂを介して電極パッド２２ｂに接続されている。配線１６ｂは、第２可動部４から、他方の第２連結部６を介して、支持部２に延在している。配線１６ｂ及び電極パッド２２ｂは、例えば、タングステン、アルミニウム、金、銀、銅又はアルミニウム系合金等の金属材料によって一体的に形成されている。なお、第２駆動用コイル１２と配線１６ｂとは、互いに接続されている。

以上のＭＥＭＳミラー１における可動ミラー部１０の動作の例を挙げる。第１例としては、第１駆動用コイル１１に高周波数の駆動電流が印加される。このとき、第１駆動用コイル１１には、磁石部５０によって発生させられた磁界が作用しているため、第１駆動用コイル１１にローレンツ力が発生する。これにより、第１可動部３は、例えば、共振周波数レベルで第１軸線Ｘ１周りにおいて揺動させられる。

また、第２駆動用コイル１２には、一定の大きさの駆動電流が印加される。このとき、第２駆動用コイル１２には、磁石部５０によって発生させられた磁界が作用しているため、第２駆動用コイル１２にローレンツ力が発生する。これにより、第２可動部４は、例えば、駆動電流の大きさに応じて第２軸線Ｘ２周りにおいて回動させられ、その状態で停止させられる。これにより、ＭＥＭＳミラー１によれば、所定の光源からの光をミラー７により反射させつつ走査することが可能とされている。この第１例では、第１可動部３が共振周波数で揺動されると共に第２可動部４が静的に用いられる。

第２例としては、第１例の第１可動部３の動作と同様に、第１駆動用コイル１１に高周波数の駆動電流が印加されることによって第１可動部３が共振周波数に応じて揺動されると共に、第２駆動用コイル１２に高周波数の駆動電流が印加されることによって第２可動部４が共振周波数に応じて揺動される。このように、この第２例では、第１可動部３及び第２可動部４の両方が、共振周波数で揺動される。

第３例としては、第１例の第２可動部４の動作と同様に、第１駆動用コイル１１に対して一定の大きさの駆動電流が印加されることによって、第１可動部３が駆動電流の大きさに応じて第１軸線Ｘ１周りにおいて回動させられて停止させられると共に、第２駆動用コイル１２に対して一定の大きさの駆動電流が印加されることによって、第２可動部４が駆動電流の大きさに応じて第２軸線Ｘ２周りにおいて回動させられて停止させられる。このように、この第３例では、第１可動部３及び第２可動部４の両方が、静的に用いられる。

第４例としては、例えば第２可動部４が設けられていない場合等であって、第１駆動用コイル１１に高周波数の駆動電流が印加されることにより、第１可動部３のみが共振周波数に応じて揺動される。さらに、第５例としては、同様の場合であって、第１駆動用コイル１１に対して一定の大きさの駆動電流が印加されることによって、第１可動部３が駆動電流の大きさに応じて第１軸線Ｘ１周りにおいて回動させられて停止させられる。これらの第４例及び第５例では、第１可動部３のみが揺動または静的に用いられる。

なお、図３に示されるように、ベース４２の内側表面４２ａには、第１可動部３及び第２可動部４と対向するように凹部４２ｃが形成されている。第１可動部３及び第２可動部４は、この凹部４２ｃによって、ベース４２に干渉することなく揺動可能とされている。

再び図１～３，５を参照する。磁石部５０は、ミラーユニット４０（ＭＥＭＳミラー１）に作用する磁界を発生させる。磁石部５０は、上面５０ａと、上面５０ａの反対側の底面５０ｂと、上面５０ａから底面５０ｂに延びて上面５０ａと底面５０ｂとを互いに接続する側面５０ｓと、を有している。磁石部５０は、多角形柱状を呈している。ここでは、磁石部５０は、六角柱状である。したがって、上面５０ａ及び底面５０ｂは、六角形状であり、側面５０ｓは六角形環状である。上面５０ａと底面５０ｂとは、互いに略平行である。

磁石部５０は、複数の磁石が組み合わせられて構成されている。ここでは、磁石部５０は、第１磁石５１と、第１磁石を挟むように配置された一対の第２磁石５２，５３と、を含む。第１磁石５１は、上面５０ａから底面５０ｂに至るように延びる多角形柱状（ここでは四角柱状）である。したがって、第１磁石５１は、その端面が、上面５０ａ及び底面５０ｂの一部のエリアを構成する。より具体的には、第１磁石５１は、上面５０ａにおけるエリア５１ａと、底面５０ｂにおけるエリア５１ｂと、を含む。

第２磁石５２，５３は、それぞれ、上面５０ａから底面５０ｂに至るように延びる多角形柱状（ここでは三角柱状）である。したがって、第２磁石５２，５３は、その端面が、上面５０ａ及び底面５０ｂの一部のエリアを構成する。より具体的には、第２磁石５２は、上面５０ａにおけるエリア５２ａと、底面５０ｂにおけるエリア５２ｂと、を含む。また、第２磁石５３は、上面５０ａにおけるエリア５３ａと、底面５０ｂにおけるエリア５３ｂと、を含む。ここでは、上面５０ａは、エリア５１ａ，５２ａ，５３ａから構成されており、底面５０ｂは、エリア５１ｂ，５２ｂ，５３ｂから構成されている。

第２磁石５２，５３のエリア５２ａ，５３ａは、ここでは、それぞれ三角形状を呈している。したがって、第２磁石５２のエリア５２ａは、磁石部５０の外側に臨む第１辺部分５２ｐ及び第２辺部分５２ｒを含む。また、第２磁石５３のエリア５３ａは、磁石部５０の外側に臨む第３辺部分５３ｐ及び第４辺部分５３ｒを含む。

第１磁石５１及び第２磁石５２，５３は、それぞれの磁極がハルバッハ配列となるように配列されている（すなわち、磁石部５０は、ハルバッハ構造を有している）。ここでは、第２磁石５２は、その第１磁極（例えばＮ極）が底面５０ｂ側に位置し、且つ、その第２磁極（例えばＳ極）が上面５０ａ側に位置するように配置されている。第２磁石５３は、第２磁石５２と逆向きに配置されている。すなわち、第２磁石５３は、その第１磁極が上面５０ａ側に位置し、且つ、その第２磁極が底面５０ｂ側に位置するように配置されている。一方、第１磁石５１は、第２磁石５３側に第１磁極が位置し、且つ、第２磁石５２側に第２磁極が位置するように配置されている。

第１磁石５１、第２磁石５２，５３は、以上のような磁極の配列となるように配置されて組み合わされている。このため、磁極同士の引力及び斥力によって、第１磁石５１には、上面５０ａから底面５０ｂに向かう第１方向Ｄ１に力が作用する。一方、第２磁石５２，５３には、底面５０ｂから上面５０ａに向かう第２方向Ｄ２に力が作用する。したがって、磁石部５０を一体的に保持するための構成が必要となる。本実施形態においては、パッケージ６０がその機能を有する。

パッケージ６０は、磁石部５０を収容している。パッケージ６０は、底壁部６１、側壁部６２、及び規制部６３を備えている。底壁部６１と側壁部６２とは、互いに一体的に形成されている。規制部６３は、底壁部６１及び側壁部６２と別体に形成されている。パッケージ６０は、全体として直方体状を呈している。底壁部６１は、矩形の平板状を呈している。底壁部６１は、磁石部５０の底面５０ｂに接触して底面５０ｂを支持している。すなわち、底壁部６１は、第１磁石５１のエリア５１ｂ、第２磁石５２のエリア５２ｂ、及び、第２磁石５３のエリア５３ｂを支持している。

側壁部６２は、底壁部６１の外縁に沿って立設されている。したがって、ここでは、側壁部６２は、矩形環状となっている。側壁部６２は、磁石部５０の側面５０ｓに接触して側面５０ｓを支持している。

規制部６３は、磁石部５０の上面５０ａ上に設けられている。規制部６３は、磁石部５０の上面５０ａに接触して上面５０ａを支持している。規制部６３は、上面５０ａの全体にわたって配置されており、第１磁石５１のエリア５１ａ、第２磁石５２のエリア５２ａ、及び、第２磁石５３のエリア５３ａを支持している。規制部６３は、第２方向Ｄ２への磁石部５０（例えば第２磁石５２，５３）の移動を規制する。これにより、パッケージ６０は、全体として、少なくとも第１方向Ｄ１に第１磁石５１に作用する力、及び、第２方向Ｄ２に第２磁石５２，５３に作用する力に抗して磁石部５０を一体に保持している。

規制部６３は、複数の部分から構成されている。具体的には、規制部６３は、接触部６３ａと蓋部６３ｂとを含む。接触部６３ａは、全体として概ね平板状に形成されている。接触部６３ａは、ここでは、磁石部５０の上面５０ａの全体にわたって延在している。したがって、ここでは、接触部６３ａは、上面５０ａに交差（直交）する方向からみて上面５０ａを覆うように上面５０ａ上に設けられ、上面５０ａの全体に接触している。

蓋部６３ｂは、側壁部６２における底壁部６１と反対側の端部に設けられている。蓋部６３ｂは、側壁部６２の端部の一部に設けられており、側壁部６２に沿った方向からみて略Ｕ字の枠状に形成されている。蓋部６３ｂは、側壁部６２から上面５０ａ上に張り出すように延在している。換言すれば、蓋部６３ｂは、側壁部６２から磁石部５０の上面５０ａに掛け渡されるように延在している。さらに換言すれば、蓋部６３ｂは、磁石部５０の側面５０ｓと上面５０ａとの接続部分から上面５０ａの内側に向けて延在している。

これにより、蓋部６３ｂは、上面５０ａに交差する方向からみて（図５の（ｂ）参照）六角形状の上面５０ａの３つの辺部分を覆っている。特に、蓋部６３ｂは、上面５０ａに交差する方向からみて、第２磁石５２のエリア５２ａの第１辺部分５２ｐの大部分（例えば全体）を覆うと共に、第２辺部分５２ｒの大部分を覆っている。さらに、蓋部６３ｂは、上面５０ａに交差する方向からみて、第２磁石５３のエリア５３ａの第３辺部分５３ｐの大部分を覆っている。ただし、蓋部６３ｂは、第２磁石５３のエリア５３ａの第４辺部分５３ｒを解放しており（覆っておらず）、露出させている。この蓋部６３ｂの解放部分６３ｐは、後述するように配線部の引出部を形成している。なお、ここでは、蓋部６３ｂは、第１磁石５１のエリア５１ａの４つの角部のうちの３つを覆っている。

以上のような蓋部６３ｂと磁石部５０の上面５０ａとの間には、接触部６３ａの周縁部の少なくとも一部（例えば４つの辺部分のうちの３つ）が挟まれている。接触部６３ａは、上面５０ａ及び蓋部６３ｂの両方に接触している。蓋部６３ｂは、接触部６３ａに接触した状態において、例えばボルト等の締結部材６４によって側壁部６２に締結されている。これにより、接触部６３ａ及び蓋部６３ｂ（すなわち規制部６３）は、側壁部６２に対して固定され、第２方向Ｄ２への磁石部５０（例えば第２磁石５２，５３）の移動を規制する。このように、ここでは、接触部６３ａは、パッケージ６０の側壁部６２とは別体に形成されているものの、側壁部６２に接続されている（側壁部６２に至っている）。

このように、パッケージ６０は、底壁部６１、側壁部６２、及び、規制部６３が、磁石部５０の各面を支持することにより、磁石部５０を機械的に一体的に保持している。パッケージ６０は、全体として、磁石部５０の互いに連続する（接続された）上面５０ａ、底面５０ｂ、及び、側面５０ｓに接触している。また、ここでのパッケージ６０は、規制部６３が締結部材６４からの外力によって側壁部６２に締結されることにより、全体として一体化されている。

ここで、接触部６３ａは、磁石部５０と反対側に臨む表面６３ｓと、当該表面６３ｓから突出する支持部６３ｃと、を含む。ここでは、一対の支持部６３ｃが表面６３ｓに設けられている。支持部６３ｃは、長尺の矩形板状に形成されており、互に離間した状態において互いに略平行に延在している。ミラーユニット４０は、この支持部６３ｃ上に載置され、支持部６３ｃによって支持されている。すなわち、ミラーユニット４０は、パッケージ６０（特に支持部６３ｃを含む規制部６３）により上面５０ａ上に支持されている。ここでは、ミラーユニット４０のベース４２の外側表面４２ｂが、上面５０ａ側に臨み支持部６３ｃに接触している。ベース４２は、例えば、接着樹脂等によって支持部６３ｃに接合されている。

このような支持構造とすることにより、ミラーユニット４０（外側表面４２ｂ）と磁石部５０の上面５０ａとの間には、ミラーユニット４０及び磁石部５０と異なる部分が介在することとなる。ここでは、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間には、規制部６３の接触部６３ａ、及び、支持部６３ｃの高さに相当する空気層６３ｄから構成される層が介在されている。換言すれば、ミラーユニット４０は、直接的に磁石部５０に接触することなく、上面５０ａ上に支持されている。

ミラーユニット４０と上面５０ａとの間に介在する層は、磁石部５０からの応力を緩和するための緩和層として機能する。すなわち、光モジュール１００においては、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間には、磁石部５０の応力を緩和するための緩和層８０が設けられている。より具体的には、第２方向Ｄ２（上面５０ａに交差（直交）する方向）からみたときにミラーユニット４０と磁石部５０とが重なる領域において、ミラーユニット４０と磁石部５０との間に介在する部分が緩和層８０として機能する。磁石部５０からの応力は、例えば、磁石部５０が熱により膨張した際に生じする応力である。ここでは、緩和層８０は、上面５０ａ上に、上面５０ａに交差する方向に順に配置された中実の接触部６３ａと空間である空気層６３ｄとの２層から構成される。換言すれば、緩和層８０は、接触部６３ａと、上面５０ａ及び接触部６３ａ上に形成された空気層６３ｄと、を含む。

特に、ここでは、接触部６３ａの支持部６３ｃは、第１磁石５１を挟む一対の第２磁石５２，５３上に設けられており、ミラーユニット４０がこの支持部６３ｃによって支持されている。また、上面５０ａに交差（直交）する方向における接触部６３ａの（支持部６３ｃを含めた）厚さＴ６３は、上面５０ａに沿う方向における側壁部６２の厚さＴ６２よりも薄い。なお、接触部６３ａの厚さＴ６３とは、第１方向Ｄ１（上面５０ａに交差（直交）する方向）からみたときにミラーユニット４０と接触部６３ａとが重なる領域における接触部６３ａの底面から頂面までの距離のことをいう。特に、接触部６３ａに支持部６３ｃが設けられている場合には、接触部６３ａの厚さＴ６３とは、第１方向Ｄ１からみたときにミラーユニット４０と接触部６３ａとが重なる領域における接触部６３ａの底面から支持部６３ｃの頂面までの距離のことである。接触部６３ａの底面とは、接触部６３ａにおける磁石部５０に臨む面であり、接触部６３ａ及び支持部６３ｃの頂面とは、それぞれにおける磁石部５０と反対側に臨む面である。

緩和層８０は、空気等の気体であるか、気体でない場合は磁石部５０のヤング率よりも低くされている。本実施形態においては、緩和層８０は、空気等の気体である部分（空気層６３ｄ）と、ヤング率が磁石部５０のヤング率よりも低い部分（接触部６３ａ）と、を含む。なお、緩和層８０が、気体でない複数の部分（例えば、上面５０ａ上に積層された複数の層）を含む場合、当該部分（層）ごとに磁石部５０のヤング率と比較し、少なくとの１つの部分（１つの層）のヤング率が磁石部５０のヤング率よりも低ければよい。

ここで、パッケージ６０の規制部６３以外の部分は、例えばインサート成型により磁石部５０を収容した状態において一体成型される。具体的には、この例では、パッケージ６０の規制部６３以外の部分は、接触部６３ａが設けられた磁石部５０を金型に配置した後に第１磁石５１及び第２磁石５２，５３が互いに分離しないように保持しながら、金型に樹脂を導入することにより一体成型される。

パッケージ６０の材料は、例えば、スーパーエンジニアリングプラスチックやエンジニアリングプラスチックに分類される樹脂が好ましく、例えばPPS(ポリフェニレンスルファイド)、LCP(液晶ポリマー)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)等である。更にパッケージ６０の材料は、機械的強度や耐熱性を向上させるためにフィラー強化されていても良い。一方、磁石部５０の材料は、例えば、ネオジム磁石、サマリウムコバルト磁石、フェライト磁石等である。緩和層８０を構成する規制部６３の材料、及び、磁石部５０の材料は、例えば上記の材料の中で、上述したヤング率の関係を満たすように選択され得る。

なお、光モジュール１００は、コネクタ７０と、コネクタ７０に接続された配線部７１と、をさらに備えている。コネクタ７０は、パッケージ６０の側壁部６２内に埋設されている。配線部７１は、コネクタ７０から延び、規制部６３の解放部分６３ｐを介して光モジュール１００（例えばベース４２）に接続されている。配線部７１とＭＥＭＳミラー１とは、例えばワイヤＷによって電気的に接続されている。

以上説明したように、光モジュール１００においては、ミラーユニット４０の可動ミラー部１０に作用する磁界を発生させる磁石部５０が、第１磁石５１と第２磁石５２，５３とを含むハルバッハ構造を有している。このような磁石部５０は、パッケージ６０によって、第１磁石５１及び第２磁石５２，５３に作用する力（例えば互いの磁力による相互作用により生じる力）に抗して一体に保持されている。ミラーユニット４０は、このパッケージ６０によって、磁石部５０の上面５０ａ上に支持されている。そして、磁石部５０の上面５０ａとミラーユニット４０との間には、磁石部５０からの応力を緩和するための緩和層８０が設けられている。したがって、このようなハルバッハ構造の磁石部５０を用いた光モジュール１００において、磁石部５０からミラーユニット４０への応力の伝達が抑制され、ミラーユニット４０の傾きが抑制される。

また、光モジュール１００においては、パッケージ６０は、上面５０ａ上に位置し、第２方向Ｄ２への磁石部５０の移動を規制するための規制部６３を有している。そして、ミラーユニット４０は、規制部６３に支持されている。このため、磁石部５０がパッケージ６０によって確実に一体に保持され得る。また、ミラーユニット４０が、磁石部５０の上面５０ａ上の規制部６３に支持されるので、上面５０ａとミラーユニット４０との間に緩和層８０を設けることが容易となる。

特に、光モジュール１００においては、規制部６３の接触部６３ａの表面６３ｓに支持部６３ｃが突設されており、ミラーユニット４０が当該支持部６３ｃに支持されている。このため、ミラーユニット４０の支持のための接触面の面積が小さくなり、磁石部５０からミラーユニット４０への応力の伝達が確実に抑制される。

また、光モジュール１００においては、規制部６３は、緩和層８０の少なくとも一部を構成している。このため、緩和層８０の少なくとも一部を規制部６３と共通化できる。

さらに、光モジュール１００においては、緩和層８０のヤング率は、磁石部５０のヤング率よりも低い。このように、磁石部５０のヤング率よりも低いヤング率の緩和層８０によって、磁石部５０からミラーユニット４０への応力の伝達を抑制できる。

ここで、光モジュール１００においては、緩和層８０が、上面５０ａに交差する方向からみて上面５０ａを覆うように上面５０ａに接触する中実の接触部６３ａと、上面５０ａ及び接触部６３ａ上に設けられた空間に形成された空気層６３ｄと、の二層を含む。この場合、磁石部５０に接触する接触部６３ａによって磁石部５０の上面５０ａが覆われることにより、磁石部５０がより強固に保持される。そのうえに、空気層６３ｄによって磁石部５０からミラーユニット４０への応力の伝達が確実に抑制される。

特に、光モジュール１００においては、一対の第２磁石５２，５３上に設けられた支持部６３ｃによって、ミラーユニット４０が支持されている。換言すれば、第１磁石５１上にはミラーユニット４０の支持構造が介在しない。さらに換言すれば、ミラーユニット４０は、上面５０ａに交差（直交）する方向からみて、第１磁石５１に重複しない位置においてパッケージ６０（支持部６３ｃ）により支持されている。これにより、次のような効果が得られる。

すなわち、第２磁石５２，５３は、熱膨張による膨張方向が互いに同一である（第１磁石５１の膨張方向は異なる）。したがって、第２磁石５２，５３上の支持部６３ｃによってミラーユニット４０を支持すれば、第２磁石５２，５３に熱膨張が生じたとしても、ミラーユニット４０が傾きにくい。すなわち、ミラーユニット４０の支持構造は、どこに配置されていてもよいが、上面５０ａに交差（直交）する方向からみて第１磁石５１に重複しない位置に配置されていることがさらに好ましい。

また、光モジュール１００においては、上面５０ａに交差する方向における接触部６３ａの厚さＴ６３が、上面５０ａに沿った方向における側壁部６２の厚さＴ６２よりも薄い。このため、ミラーユニット４０と磁石部５０との間の距離が小さくなるので、ミラーユニット４０において磁石部５０の磁界を効率的に利用できる。この結果、消費電力を低減可能である。
［第２実施形態］

引き続いて、本発明の第２実施形態について説明する。図６は、本実施形態に係る光モジュールの断面図である。図６に示される光モジュール１００Ａは、図１～５に示された光モジュール１００と比較して、規制部６３の構造、及び、ミラーユニット４０の支持構造において光モジュール１００と相違しており、他の点において光モジュール１００と一致している。光モジュール１００Ａにおいては、規制部６３の一部が、底壁部６１及び側壁部６２と一体に形成されている。この点についてより具体的に説明する。

図６に示されるように、光モジュール１００Ａにおいては、接触部６３ａが底壁部６１及び側壁部６２と別体に形成されると共に、蓋部６３ｂが側壁部６２と一体に形成されている。蓋部６３ｂは、側壁部６２における底壁部６１と反対側の端部に設けられている。蓋部６３ｂは、側壁部６２から上面５０ａ上に張り出すように、側壁部６２から連続的に延在している。換言すれば、蓋部６３ｂは、側壁部６２から磁石部５０の上面５０ａに掛け渡されるように延在している。さらに換言すれば、蓋部６３ｂは、磁石部５０の側面５０ｓと上面５０ａとの接続部分から上面５０ａの内側に向けて延在している。これにより、蓋部６３ｂは、上面５０ａ上に内縁６３ｅを有することとなる。接触部６３ａは、光モジュール１００の接触部６３ａと比較して、支持部６３ｃを有していない点において相違している。接触部６３ａは、平板状に形成されている。

そして、光モジュール１００Ａにおいては、ミラーユニット４０が蓋部６３ｂ上に載置され、蓋部６３ｂによって支持されている。すなわち、ここでも、ミラーユニット４０は、パッケージ６０（特に蓋部６３ｂを含む規制部６３）により上面５０ａ上に支持されている。ここでも、ミラーユニット４０のベース４２の外側表面４２ｂが、上面５０ａ側に臨み蓋部６３ｂに接触している。このように、ここでは、接触部６３ａは、パッケージ６０の側壁部６２とは別体に形成されているものの、側壁部６２に接続されている（側壁部６２に至っている）。ベース４２は、例えば接着樹脂等によって蓋部６３ｂに接合されている。

このような支持構造とすることにより、ミラーユニット４０（外側表面４２ｂ）と磁石部５０の上面５０ａとの間には、蓋部６３ｂのミラーユニット４０が載置される部分、接触部６３ａ、及び、蓋部６３ｂの高さに相当する空気層６３ｄから構成される緩和層８０が介在することとなる。すなわち、光モジュール１００Ａにおいても、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間には、磁石部５０の応力を緩和するための緩和層８０が設けられている。空気層６３ｄは、蓋部６３ｂの内縁６３ｅにより規定される空間に形成される。

すなわち、ここでも、緩和層８０は、接触部６３ａと、上面５０ａ及び接触部６３ａ上に形成された空気層６３ｄと、を含む。上面５０ａに交差（直交）する方向における接触部６３ａの厚さと蓋部６３ｂの厚さとの合計の厚さのＴ６は、上面５０ａに沿う方向における側壁部６２の厚さＴ６２よりも薄い。これにより、ミラーユニット４０と磁石部５０との間の距離が小さくなるので、ミラーユニット４０において磁石部５０の磁界を効率的に利用できる。この結果、消費電力を低減可能である。

以上のような光モジュール１００Ａによっても、光モジュール１００と同様の効果を奏することができる。特に、光モジュール１００Ａによれば、接触部６３ａの構造、及び、ミラーユニット４０の支持構造が簡略化される。また、光モジュール１００Ａの製造の際には、接触部６３ａが設けられた磁石部５０のインサート成型により、規制部６３の一部である蓋部６３ｂを底壁部６１及び側壁部６２と一体に形成できる。

なお、光モジュール１００Ａにおいては、第２磁石５２，５３のみの上に蓋部６３ｂが配置されるように、蓋部６３ｂの形状を変更してもよい。この場合、第１磁石５１上にはミラーユニット４０の支持構造が介在しないことになる。換言すれば、ミラーユニット４０は、上面５０ａに交差（直交）する方向からみて、第１磁石５１に重複しない位置においてパッケージ６０（蓋部６３ｂ）により支持されることとなる。この場合には、第２磁石５２，５３に熱膨張が生じたとしても、ミラーユニット４０が傾きにくくなる。

以上の実施形態は、本発明の一実施形態について説明したものである。したがって、本発明は、上述した光モジュール１００，１００Ａに限定されない。本発明は、上述した光モジュール１００を任意に変更したものとし得る。引き続いて、変形例について説明を行う。

図７は、第１変形例に係る光モジュールを示す図である。図７の（ａ）は断面図であり、図７の（ｂ）は模式的な平面図である。図７に示される光モジュール１００Ｂは、図６に示された光モジュール１００Ａと比較して、規制部６３の構造、及び、ミラーユニット４０の支持構造において光モジュール１００Ａと相違しており、他の点において光モジュール１００Ａと一致している。

光モジュール１００Ｂにおいては、規制部６３が単一の部分からなり、その全体が、底壁部６１及び側壁部６２と一体に形成されている。より具体的には、ここでは、規制部６３が、磁石部５０の上面５０ａと、側壁部６２における底壁部６１と反対側の端部と、の間において、側壁部６２から上面５０ａ側に張り出すように、側壁部６２から連続的に延在している。規制部６３は、側壁部６２から磁石部５０の上面５０ａに掛け渡されるように延在している。換言すれば、規制部６３は、磁石部５０の側面５０ｓと上面５０ａとの接続部分から上面５０ａの内側に向けて延在している。規制部６３は、上面５０ａの全体にわたって延びておらず、上面５０ａ上に内縁６３ｅを有する。

そして、光モジュール１００Ｂにおいては、ミラーユニット４０が規制部６３上に載置され、規制部６３によって支持されている。すなわち、ここでも、ミラーユニット４０は、パッケージ６０（特に規制部６３）により上面５０ａ上に支持されている。ここでも、ミラーユニット４０のベース４２の外側表面４２ｂが、上面５０ａ側に臨み規制部６３に接触している。ベース４２は、例えば接着樹脂等によって規制部６３に接合されている。

このような支持構造とすることにより、ミラーユニット４０（外側表面４２ｂ）と磁石部５０の上面５０ａとの間には、規制部６３のミラーユニット４０が載置される部分、及び、規制部６３の高さに相当する空気層６３ｄから構成される緩和層８０が介在することとなる。すなわち、光モジュール１００Ｂにおいても、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間には、磁石部５０の応力を緩和するための緩和層８０が設けられている。空気層６３ｄは、規制部６３の内縁６３ｅにより規定される空間に形成される。

以上の光モジュール１００Ｂによっても、光モジュール１００Ａと同様の効果を奏することが可能である。また、光モジュール１００Ｂによれば、規制部６３によって磁石部５０の移動を規制しつつ、磁石部５０からミラーユニット４０への応力の伝達を空気層６３ｄによって確実に抑制可能である。さらに、光モジュール１００Ｂにおいては、規制部６３が単一の部分からなるため、パッケージ６０の構造、及び、ミラーユニット４０の支持構造が簡略化される。また、光モジュール１００Ｂの製造の際には、磁石部５０のインサート成型により、規制部６３の全体を底壁部６１及び側壁部６２と一体に形成できる。

なお、以上の光モジュール１００，１００Ａ，１００Ｂにおいては、可動ミラー部１０の２つの揺動軸（第１軸線Ｘ１及び第２軸線Ｘ２）に対して、磁石部５０による磁界Ｍの向きが斜めになるような磁石部５０の構成とされている。

図８は、第２変形例に係る光モジュールを示す図である。図８の（ａ）は断面図であり、図８の（ｂ）は模式的な平面図である。図８に示される光モジュール１００Ｃは、図７に示された光モジュール１００Ｂと比較して、規制部６３の構造、ミラーユニット４０の支持構造、及び、磁石部５０の構成において光モジュール１００Ｂと相違しており、他の点において光モジュール１００Ａと一致している。

光モジュール１００Ｃにおいても、光モジュール１００Ｂと同様に、規制部６３が単一の部分からなると共に、底壁部６１及び側壁部６２と一体に形成されている。ただし、ここでは、規制部６３（ここでは接触部でもある）は、側壁部６２における底壁部６１と反対側の端部から上面５０ａの全体を覆うように延設されている。つまり、ここでは、磁石部５０が、底壁部６１、側壁部６２、及び、規制部６３からなるパッケージ６０によって覆われる。

そして、光モジュール１００Ｃにおいては、ミラーユニット４０は、規制部６３上に載置され、規制部６３に支持されている。ここでも、ミラーユニット４０は、パッケージ６０（特に規制部６３）により上面５０ａ上に支持されている。ここでも、ミラーユニット４０のベース４２の外側表面４２ｂが、上面５０ａ側に臨み規制部６３に接触している。ベース４２は、例えば接着樹脂等によって規制部６３に接合されている。

光モジュール１００Ｃにおいては、規制部６３は、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間を充填している。すなわち、ここでは、ミラーユニット４０と上面５０ａとの間に介在する緩和層８０の全体が規制部６３から構成される。なお、規制部６３の厚さは、側壁部６２の幅よりも薄い方が、磁石部５０の磁力を効率的に利用でき、消費電力を低減できるため、さらに好ましい。なお、規制部６３の厚さとは、規制部６３における磁石部５０に臨む底面と磁石部５０の反対側に臨む頂面との間の距離である。また、側壁部６２の幅（厚さＴ６２）とは、側壁部６２における磁石部５０に臨む内側面と磁石部５０の反対側に臨む外側面との間の距離である。

以上の光モジュール１００Ｃによっても、光モジュール１００Ｂと同様の効果を奏することが可能である。特に、光モジュール１００Ｃによれば、規制部６３と緩和層８０の全体とを共通化できる。なお、図８の（ｂ）に示されるように、光モジュール１００Ｃにおいては、可動ミラー部１０が第１軸線Ｘ１又は第２軸線Ｘ２のみを揺動軸とする場合に、その揺動軸に対して、磁石部５０による磁界Ｍの向きが直交するような磁石部５０の構成とされている。ただし、光モジュール１００Ｃにおいても、光モジュール１００Ｂと同様に、可動ミラー部１０の２つの揺動軸（第１軸線Ｘ１及び第２軸線Ｘ２）に対して、磁石部５０による磁界Ｍの向きが斜めになるような磁石部５０の構成を採用してもよい。

図９は、第３変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。図９に示される光モジュール１００Ｄにおいては、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続のためのリードフレームが、パッケージ６０にインサート成型により一体形成されている。ここでは、１つの側壁部６２内に複数の第１リード９１が埋設されており、第１リード９１の頂部が規制部６３の外表面に露出されてパッド部が形成されている。また、互に対向する一対の側壁部６２（ここでは第１リード９１が形成された側壁部６２とは別の側壁部６２）の底壁部６１側の側面からは、第１リード９１に電気的に接続された第２リード９２が突設されている。ＭＥＭＳミラー１は、ベース４２に設けられたワイヤ９３が第１リード９１に接続されることにより、第１リード９１及び第２リード９２を介して外部に電気的に接続され得る。なお、第２リード９２は、パッケージ６０の底壁部６１に突設されていてもよい。

図１０は、第４変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。図１０に示される光モジュール１００Ｅにおいては、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続のための配線パターンがパッケージ６０の外表面に形成されている。ここでは、互に対向する一対の側壁部６２の外表面から規制部６３の外表面（ミラーユニット４０側の表面）にわたって延在する配線９４が形成されている。規制部６３の外表面には、配線９４の終端にパッド部が設けられている。一方、ベース４２の外側表面４２ｂには、配線９４側のパッド部と対応する位置にパッド部が設けられている。ベース４２の外側表面４２ｂのパッド部と規制部６３の外表面のパッド部とは、例えば半田接続等により電気的に接続されている。ベース４２の外側表面４２ｂのパッド部は、ベース４２の内部に設けられた内部配線とワイヤＷを用いたワイヤボンディングによって、ＭＥＭＳミラー１と電気的に接続されている。これにより、ＭＥＭＳミラー１の配線９４を介した電気的な接続を行い得る。

図１１は、第５変形例に係る光モジュールを示す斜視図である。図１１に示される光モジュール１００Ｆにおいては、パッケージ６０の１つの側壁部６２の外表面から規制部６３の外表面（ミラーユニット４０側の表面）の端部にわたって延在する配線９５が形成されている。配線９５の規制部６３上の部分はパッド部とされており、ベース４２に設けられた別のパッド部９６との間をワイヤ９３により接続することにより、ＭＥＭＳミラー１の配線９５を介した電気的な接続を行い得る。

以上の実施形態は、本発明に係る光モジュールの一実施形態について説明したものである。したがって、本発明に係る光モジュールは、上述した光モジュール１００～１００Ｆに限定されず、光モジュール１００～１００Ｆを任意に変更したものとされ得る。

例えば、光モジュール１００～１００Ｆの間において、各部の構造を相互に変更して適用し得る。より具体的には、光モジュール１００～１００Ｃにおいて、光モジュール１００Ｄ～１００Ｆのような、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続構造を採用してもよい。或いは、光モジュール１００～１００Ｂにおいて、光モジュール１００Ｃのように、可動ミラー部１０が第１軸線Ｘ１又は第２軸線Ｘ２のみを揺動軸とする場合に、その揺動軸に対して、磁石部５０による磁界Ｍの向きが直交するような磁石部５０の構成を採用してもよい。

また、光モジュールにおいては、上述した光モジュール１００～１００Ｆのように、規制部６３がミラーユニット４０を支持する態様に限らず、例えば、上面５０ａに交差する方向からみて磁石部５０に重複しない位置において側壁部６２に設けられた凸部等に、ミラーユニット４０が支持される態様であってもよい。すなわち、光モジュールとしては、上面５０ａとミラーユニット４０との間に緩和層８０を形成しつつ、保持部材としてのパッケージ６０にミラーユニット４０が支持されていればよい。

さらに、可動ミラー部を含むチップを搭載（実装）するセラミック基板等を備えない場合には、可動ミラー部を含むチップのみがミラーユニットである。すなわち、ミラーユニットとは、例えば、ベース４２（セラミック基板等）を備えない場合には、ＭＥＭＳミラー１（可動ミラーを含むチップ）のみである。この場合、ＭＥＭＳミラー１の支持部２が、パッケージ６０により上面５０ａ上に支持されると共に、ＭＥＭＳミラー１と上面５０ａとの間に緩和層８０が形成される。

より具体的には、この場合、上記の第１実施形態（例えば図１）においては、ＭＥＭＳミラー１が、パッケージ６０の接触部６３ａの支持部６３ｃに載置されて支持されることとなる。また、この場合、第２実施形態（例えば図６）においては、ＭＥＭＳミラー１がパッケージ６０の蓋部６３ｂに載置されて支持されることとなる。また、この場合、図７，８に示された例においては、ＭＥＭＳミラー１がパッケージ６０の規制部６３に載置されて支持されることとなる。さらに、この場合、上面５０ａに交差する方向からみて磁石部５０に重複しない位置において側壁部６２に設けられた凸部等に、ＭＥＭＳミラー１が載置されて支持されてもよい。

また、ミラーユニットが可動ミラー部を含むチップのみである場合、図９に示された例においては、ＭＥＭＳミラー１から直接的に、第１リード９１のパッド部にワイヤＷを接続することによって、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続を行うことができる。また、図１０に示された例においては、ＭＥＭＳミラー１の裏面にパッド部を設けると共に、配線９４のパッド部とバンプによって接続することにより、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続を行うことができる。さらに、図１１に示された例においては、ＭＥＭＳミラー１から直接的に、配線９５のパッド部にワイヤＷを接続することにより、ＭＥＭＳミラー１の電気的な接続を行うことができる。

一方、可動ミラー部を含むチップがセラミック基板等に搭載（実装）されている場合には、可動ミラー部を含むチップに加えて、セラミック基板等を含んでミラーユニットである。例えば、ＭＥＭＳミラー１（可動ミラーを含むチップ）がベース４２（セラミック基板等）に搭載（実装）されている場合、ベース４２をも含んでミラーユニットである。この場合については、上記実施形態にて説明されたとおりである。可動ミラーを含むチップが搭載（実装）されたセラミック基板等は、保持部材に載置されることで保持部材に支持されている。すなわち、保持部材が磁石部を一体に保持しているのに対して、この場合のセラミック基板等は磁石部の一体的な保持に寄与しない。

この場合については、上記実施形態に記載されたとおりである。また、ここでの搭載（実装）とは、可動ミラーを含むチップが、電気的及び／又は機械的及び／又は構造的にセラミック基板等に接続されていることを意味し、可動ミラーを含むチップがセラミック基板等に載置されるのみの場合を除く。可動ミラーを含むチップが、電気的にセラミック基板等に接続される場合には、セラミック基板等は配線基板として機能し得る。なお、セラミック基板等は、セラミック基板の他に、ガラスエポキシからなる基板であってもよい。

さらに、ミラーユニットを磁石部の上面に接着剤により直接接合した場合に、ミラーユニットと磁石部との間に介在する接着剤は緩和層として機能しない。

１０…可動ミラー部、１１…第１駆動用コイル（コイル）、１２…第２駆動用コイル（コイル）、４０…ミラーユニット、５０…磁石部、５０ａ…上面、５０ｂ…底面、５０ｓ…側面、５１…第１磁石、５２，５３…第２磁石、６０…パッケージ（保持部材）、６３…規制部、６３ｄ…空気層、６３ｅ…内縁、８０…緩和層、１００～１００Ｆ…光モジュール。

Claims (12)

1. コイルを含む可動ミラー部を有するミラーユニットと、
   上面及び底面と前記上面から前記底面に延びる側面とを有し、前記可動ミラー部に作用する磁界を発生させる磁石部と、
   前記磁石部を保持する保持部材と、
   を備え、
   前記磁石部は、前記上面から前記底面に向かう第１方向に力が作用する第１磁石と、前記底面から前記上面に向かう第２方向に力が作用する第２磁石と、を含むハルバッハ構造を有し、
   前記保持部材は、前記上面を支持する規制部と、前記底面を支持する底壁部と、前記側面を支持し、前記規制部と前記底壁部とを接続する側壁部と、を有し、
   前記保持部材は、前記第１方向に前記第１磁石に作用する力、及び、前記第２方向に前記第２磁石に作用する力に抗して前記磁石部を一体に保持しており、
   前記ミラーユニットは、前記保持部材により前記上面上に支持されており、
   前記上面と前記ミラーユニットとの間には、前記磁石部からの応力を緩和するための緩和層が設けられており、
   前記緩和層は、前記上面上に形成された空気層を含む、
   光モジュール。
2. 前記規制部は、前記緩和層の少なくとも一部を構成している、
   請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記規制部は、前記上面と前記側面との接続部分から前記上面の内側に向けて延在すると共に、前記上面上に内縁を有しており、
   前記緩和層は、前記規制部と、前記内縁によって規定される空間に形成された前記空気層と、によって構成されている、
   請求項２に記載の光モジュール。
4. 前記規制部は、前記側壁部と一体に形成されている、
   請求項１～３のいずれか一項に記載の光モジュール。
5. 前記規制部は、前記上面に交差する方向からみて前記上面を覆うように前記上面上に設けられ、前記上面に接触する接触部を有し、
   前記接触部は、前記側壁部に接続されている、
   請求項１～４のいずれか一項に記載の光モジュール。
6. 前記上面に交差する方向における前記接触部の厚さは、前記上面に沿う方向における前記側壁部の厚さよりも薄い、
   請求項５に記載の光モジュール。
7. 前記緩和層は、前記接触部と、前記上面及び前記接触部上に形成された前記空気層と、を含む、
   請求項５又は６に記載の光モジュール。
8. 前記ミラーユニットは、前記上面に交差する方向からみて、前記第１磁石に重複しない位置において前記保持部材により支持されている、
   請求項１～７のいずれか一項に記載の光モジュール。
9. 前記緩和層は、前記磁石部のヤング率よりも低いヤング率の部分を含む、
   請求項１～８のいずれか一項に記載の光モジュール。
10. 前記規制部は、前記上面と前記側面との接続部分から前記上面の内側に向けて延在すると共に、前記上面上に内縁を有しており、前記磁石部の前記上面の一部を露出している、
    請求項１に記載の光モジュール。
11. 前記上面に交差する方向からみて、前記ミラーユニットの外縁は、前記磁石部の外縁よりも内側に位置している、
    請求項１～１０のいずれか一項に記載の光モジュール。
12. 前記磁石部は、前記第１磁石を挟むように配置された一対の前記第２磁石を含み、
    前記ミラーユニットは、前記上面のうちの前記一対の第２磁石のそれぞれに対応するエリアにおいて、前記保持部材により支持されている、
    請求項１～１１のいずれか一項に記載の光モジュール。

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