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JP7513874B2 - Sensor Storage Device - Google Patents
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JP7513874B2 - Sensor Storage Device - Google Patents

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JP7513874B2 JP2020123368A JP2020123368A JP7513874B2 JP 7513874 B2 JP7513874 B2 JP 7513874B2 JP 2020123368 A JP2020123368 A JP 2020123368A JP 2020123368 A JP2020123368 A JP 2020123368A JP 7513874 B2 JP7513874 B2 JP 7513874B2
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  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Description

本開示は、センサ収容装置に関する。 This disclosure relates to a sensor housing device.

赤外線センサやLidar(Light Detection and Ranging)等など、所定波長の電磁波を射出してその反射波を受信することにより障害物を検知するセンサが広く用いられている。このようなセンサは、特に屋外に用いられる場合にはセンサ収容装置に収容される。かかるセンサ収容装置には、電磁波の射出および受信を行うための窓が設けられている。かかる窓は、センサ収容装置の前面に形成された開口を、ガラスや樹脂などにより形成されて電磁波の光透過性を有する板状のスクリーンにより塞ぐことにより形成される。低温環境下においてスクリーンに雪や霜が付着すると、電磁波の射出や受信が抑制される。そこで、スクリーンの表面に配置される導電膜を用いたヒータが種々提案されている。特許文献1のヒータでは、導電膜を、温度センサとヒータの両方の用途で用い、例えば時分割して温度検知とスクリーンの加熱とを行う。 Sensors such as infrared sensors and Lidar (Light Detection and Ranging) are widely used, which detect obstacles by emitting electromagnetic waves of a specific wavelength and receiving the reflected waves. Such sensors are housed in a sensor housing device, especially when used outdoors. Such a sensor housing device is provided with a window for emitting and receiving electromagnetic waves. Such a window is formed by closing an opening formed in the front of the sensor housing device with a plate-shaped screen made of glass, resin, or the like and having optical transparency for electromagnetic waves. When snow or frost adheres to the screen in a low-temperature environment, the emission and reception of electromagnetic waves are suppressed. Therefore, various heaters using a conductive film placed on the surface of the screen have been proposed. In the heater of Patent Document 1, the conductive film is used for both the purpose of a temperature sensor and a heater, and for example, temperature detection and heating of the screen are performed in a time-division manner.

特開2017-103194号公報JP 2017-103194 A

スクリーンに付着した雪や水は、自重で下方に移動してスクリーンの下部側に集まる傾向にある。したがって、スクリーンの下部側において上部側に比べて局所的により多く発熱させたいという要請がある。しかし、従来では、このようにスクリーンにおいて局所的により多く発熱させることについて、十分な検討がなされていないのが実情である。例えば、特許文献1のヒータによれば、雪や水が付着している場合には、温度センサの検出結果に基づき、スクリーン全体がより多く発熱してしまい、局所的により多く発熱させることはできない。このため、特許文献1のヒータでは、局所的に覆っている雪を溶かすために、かかる雪を融解可能な程度の大きな電力を導電膜全体に供給し、スクリーン全体を高い温度で加熱してしまうおそれがある。この場合、雪に覆われていない部分が過剰に加熱され、アクリル等の樹脂製のスクリーンにおいては、かかる部分が変形するおそれがある。 Snow and water that adhere to the screen tend to move downwards under their own weight and gather at the bottom of the screen. Therefore, there is a demand for locally generating more heat at the bottom of the screen compared to the top. However, in the past, sufficient consideration has not been given to locally generating more heat on the screen. For example, with the heater of Patent Document 1, when snow or water adheres to the screen, the entire screen generates more heat based on the detection results of the temperature sensor, and it is not possible to locally generate more heat. For this reason, in the heater of Patent Document 1, in order to melt the snow that covers the screen locally, a large amount of power sufficient to melt the snow is supplied to the entire conductive film, and there is a risk that the entire screen will be heated to a high temperature. In this case, the parts not covered by snow will be excessively heated, and in a screen made of resin such as acrylic, there is a risk that such parts will be deformed.

上述の問題は、電磁波を照射せずに、電磁波を受信するのみのセンサ、例えば、可視光を受信して撮像する撮像カメラを収容するセンサ収容装置においても共通する。また、センサを屋外において用いる場合に限らず、屋内において用いる場合も、スクリーンに曇りが生じることを防ぐ等の目的のためにヒータを用いる構成において共通する。そこで、センサ収容装置のスクリーンにおいて局所的により多く発熱可能な技術が望まれる。 The above-mentioned problem is also common to sensors that only receive electromagnetic waves without emitting electromagnetic waves, such as sensor housing devices that house imaging cameras that receive visible light and capture images. In addition, this problem is not limited to cases where the sensor is used outdoors, but is also common when the sensor is used indoors, in configurations that use heaters for purposes such as preventing fogging on the screen. Therefore, technology that can generate more heat locally on the screen of the sensor housing device is desired.

本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
[形態1]電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置であって、前記電磁波を受信するための開口部と、前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、を備え、前記導電膜において前記第2電極に電気的に接続される第2接続部位は、前記導電膜において前記第1電極に電気的に接続される第1接続部位における平均電流密度よりも高い平均電流密度を有する高電流密度部を含み、前記第1電極は、前記第1辺の全体に亘って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺の全体に亘って前記第2辺に電気的に接続され、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さく、前記第2辺は、前記センサ収容装置の使用状態において、前記第1辺に対して下方に位置する辺である、センサ収容装置。
[形態2]電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置であって、前記電磁波を受信するための開口部と、前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、を備え、前記第2電極が前記第2辺に接続される接続長さは、前記第1電極が前記第1辺に接続される接続長さよりも小さく、前記第1電極は、前記第1辺の全体に亘って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺の全体に亘って前記第2辺に電気的に接続され、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さく、前記第2辺は、前記センサ収容装置の使用状態において、前記第1辺に対して下方に位置する辺である、センサ収容装置。
The present disclosure can be realized in the following forms.
a first electrode electrically connected to a first side of the conductive film for applying a voltage to the conductive film; and a second electrode electrically connected to a second side of the conductive film facing the first side for applying a voltage to the conductive film, wherein a second connection portion of the conductive film electrically connected to the second electrode includes a high current density portion having an average current density higher than an average current density at a first connection portion of the conductive film electrically connected to the first electrode, the first electrode being electrically connected to the first side along the entirety of the first side, the second electrode being electrically connected to the second side along the entirety of the second side, a length of the second side being smaller than a length of the first side, and the second side being a side that is located lower than the first side when the sensor containing device is in use.
[Form 2] A sensor housing device for housing a sensor that receives electromagnetic waves, the sensor housing device comprising: an opening for receiving the electromagnetic waves; a screen covering the opening and transparent to the electromagnetic waves; a conductive film arranged in a planar shape along a surface of the screen and having electrical conductivity and transparency to the electromagnetic waves; a first electrode electrically connected to a first side of the conductive film for applying a voltage to the conductive film; and a second electrode electrically connected to a second side of the conductive film opposite to the first side for applying a voltage to the conductive film, wherein a connection length along which the second electrode is connected to the second side is shorter than a connection length along which the first electrode is connected to the first side, the first electrode is electrically connected to the first side along the entire first side, and the second electrode is electrically connected to the second side along the entire second side, the length of the second side is shorter than the length of the first side, and the second side is a side that is located below the first side when the sensor housing device is in use.

(1)本開示の一形態によれば、電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置が提供される。このセンサ収容装置は、前記電磁波を受信するための開口部と、前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、を備え、前記導電膜において前記第2電極に電気的に接続される第2接続部位は、前記導電膜において前記第1電極に電気的に接続される第1接続部位における平均電流密度よりも高い平均電流密度を有する高電流密度部を含む。
この形態のセンサ収容装置によれば、導電膜において第2接続部位は、導電膜において第1電極に電気的に接続される第1接続部位における平均電流密度よりも高い平均電流密度を有する高電流密度部を含むので、かかる高電流密度部において他の部位に比べてより多くの発熱を生じさせることができる。したがって、スクリーンのうち、導電膜の第2辺の近傍において局所的に多く発熱させることができる。このため、例えば、第2辺が下方、第1辺が上方となるようにセンサ収容装置を配置することにより、スクリーンの下部側において雪や水が局所的にスクリーンを覆うような場合に、これら雪や水を発熱により除去できる。
(2)上記形態のセンサ収容装置において、前記第1電極は、前記第1辺の全体に亘って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺の全体に亘って前記第2辺に電気的に接続され、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さくてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2電極が第2辺に電気的に接続される長さは第1電極が第1辺に電気的に接続される長さよりも短いので、第2接続部位全体を高電流密度部として構成して、第2接続部位においてより多く発熱させることができる。
(3)上記形態のセンサ収容装置において、前記導電膜に対して、前記第1辺から前記第2辺に向かう方向と直交する方向に隣接する絶縁部を、さらに備え、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さく、前記第1電極は、前記導電膜と前記絶縁部とのうち前記導電部にのみ接続され、前記第2電極は、前記導電膜と前記絶縁膜とのうちの両方に接続されていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2電極の長さを第2辺の長さよりも大きく構成しても、高電流密度部における平均電流密度を、第2電極の長さを第2辺と同じ長さとした場合と同程度にできる。したがって、第2電極の長さを大きくして導電膜との接続性を向上させつつ、高電流密度部の平均電流密度を高めることができる。
(4)上記形態のセンサ収容装置において、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さと等しく、前記第2電極の前記第2辺に沿った長さは、前記第1電極の前記第1辺に沿った長さよりも小さくてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2接続部位における平均電流密度を第1接続部位における平均電流密度よりも高めることができる。このため、第2接続部位全体を高電流密度部として構成できる。
(5)上記形態のセンサ収容装置において、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さと等しく、前記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺に沿った長さが前記第2辺よりもそれぞれ小さい第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分においてそれぞれ前記第2辺に電気的に接続され、前記第2部分における前記第2辺と交差する交差方向の厚さは、前記第1部分における前記交差方向の厚さよりも大きく、且つ、前記第1電極における前記交差方向の厚さよりも大きくてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2部分における第2辺と交差する交差方向の厚さは、第1部分における交差方向の厚さよりも大きく、且つ、第1電極における交差方向の厚さよりも大きいので、第2接続部位のうち、第2部分と接続される部位における平均電流密度を第1部分と接続される部位における平均電流密度および第1接続部位における平均電流密度よりも高くできる。このため、第2部分と接続される部位を高電流密度部として構成できる。
(6)上記形態のセンサ収容装置において、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さと等しく、前記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺に沿った長さが前記第2辺よりもそれぞれ小さい第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分においてそれぞれ前記第2辺に電気的に接続され、前記第2部分は、前記第1部分を形成する材料よりも高い導電率を有し、且つ、前記第1電極を形成する材料よりも高い導電率を有する材料により形成されていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2部分は、第1部分を形成する材料よりも高い導電率を有し、且つ、第1電極を形成する材料よりも高い導電率を有する材料により形成されているので、第2接続部位のうち、第2部分と接続される部位における平均電流密度を第1部分と接続される部位における平均電流密度および第1接続部位における平均電流密度よりも高くできる。このため、第2部分と接続される部位を高電流密度部として構成できる。
(7)上記形態のセンサ収容装置において、前記導電膜は、第1部位と、前記第1部位に対して前記第1辺から前記第2辺に向かう方向と直交する方向に隣接する第2部位であって、前記第1部位よりも厚さが小さな第2部位と、を含み、前記第2電極が前記第2部位に接続される接続長さは、前記第1電極が前記第2部位に接続される接続長さよりも小さくてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、導電膜は、第1部位と厚さが小さな第2部位とを含み、第2電極が第2部位に接続される接続長さは、第1電極が第2部位に接続される接続長さよりも小さいので、第2部位おいて第2電極と接続される部位における平均電流密度を、第1接続部位における平均電流密度よりも高くして高電流密度部として構成できる。
(8)上記形態のセンサ収容装置において、前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さと等しく、前記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、前記第2電極は、前記第2辺の全体に沿って前記第2辺に電気的に接続され、部分的に電極厚みが設けられていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2電極は、部分的に電極厚みが設けられているので、電極厚みが設けられている部分と接続される部位における平均電流密度を、電極厚みが設けられていない部分と接続される部位における平均電流密度よりも高くできる。このため、電極厚みが設けられている部分と接続される部位を高電流密度部として構成できる。
(9)上記形態のセンサ収容装置において、前記第1電極と前記第2電極とからなる一対の電極のうちの少なくとも一方と、前記導電膜と、の間に配置され、前記一対の電極のうちの一方と前記導電膜とに接続された可変抵抗器と、を備え、前記可変抵抗器の抵抗値は、温度が低い場合に温度が高い場合と比べて小さい特性を有してもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、可変抵抗器の抵抗値は、温度が低い場合に温度が高い場合に比べて小さい特性を有するので、低温時に可変抵抗器を流れる電流を増大させることができ、導電膜において可変抵抗器が接続されている部位を他の部位に比べて昇温させることができる。また、可変抵抗器は、一対の電極のうちの少なくとも一方と導電膜との間に配置されているので、導電膜における電磁波の透過面積が狭くなることを抑制できる。これらのことから、本形態のセンサ収容装置によれば、スクリーンにおける電磁波の透過可能面積が狭くなることを抑制しつつ、加熱が必要な部位を局所的に加熱できる。
(10)上記形態のセンサ収容装置において、複数の前記可変抵抗器を備え、前記複数の可変抵抗器は、前記一対の電極のうちの少なくとも一方と前記導電膜との間において前記2つの辺と平行な方向に互いに離れて配置されていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、複数の可変抵抗器は、一対の電極のうちの少なくとも一方と導電膜との間において2つの辺と平行な方向に互いに離れて配置されているので、可変抵抗器が接続された複数の部位において、互いに温度が異なる場合においても、それぞれの温度に応じた電流、具体的には温度が低いほど多くの電流を流すことができ、部分的に雪に覆われて局所的に低温であるといったスクリーンにおける温度分布が存在する場合に、各部位を適切に加熱できる。
(11)上記形態のセンサ収容装置において、前記可変抵抗器は、前記電磁波の透過性を有する基板と、前記基板に導電性材料で形成された配線パターンと、により構成されていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、可変抵抗器は、電磁波の透過性を有する基板と、基板に導電性材料で形成された配線パターンと、により構成されているので、可変抵抗器によりスクリーンにおける電磁波の透過面積が狭くなることを抑制できる。
(12)上記形態のセンサ収容装置において、前記スクリーンは、前記2つの辺が互いに対向する対向方向と交差する方向である交差方向に湾曲していてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、スクリーンは、2つの辺が互いに対向する対向方向と交差する方向である交差方向に湾曲しているので、例えば、センサ収容装置が屋外で用いられた場合に、風向きなどの環境条件によって雪や霜などがスクリーンにおける様々な場所に様々な態様で付着し易い。しかし、このような状況であっても、雪等が局所的に付着する部位に可変抵抗器を配置することにより、かかる部位を局所的に加熱して雪等を溶解できる。
(13)上記形態のセンサ収容装置において、使用状態において、前記センサ収容装置は、前記対向方向が鉛直方向と平行となるように配置され、前記スクリーンは、前記2つの辺と平行する2つの辺を有する輪郭形状を有し、前記輪郭形状に含まれる2つの辺のうち、前記使用状態において鉛直下方側の辺の長さは、鉛直上方側の辺の長さに比べて短くてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、スクリーンのうちの鉛直下方側の辺の近傍は、スクリーンの上方に付着した雪が自重により滑り落ちて集まり易く、部分的に低温になり易い。しかし、このような状況においても、低温になり易い鉛直下方部位に可変抵抗器を配置することにより、低温となっている部位と可変抵抗器を近づけて、加熱時に熱を雪等に伝え易くでき、効率的に局所加熱を実現できる。
(14)上記形態のセンサ収容装置において、使用状態において、前記センサ収容装置は、前記一対の電極が前記導電膜を挟んで鉛直方向に互いに対向して配置され、前記可変抵抗器は、前記一対の電極のうちの鉛直下方側の電極と前記導電膜との間に配置されていてもよい。
この形態のセンサ収容装置によれば、可変抵抗器は、一対の電極のうちの鉛直下方側の電極と導電膜との間に配置されているので、スクリーンの上方に付着した雪が自重により滑り落ちて集まって低温になり易い鉛直下方部分の温度に応じて導電膜に流れる電流を制御でき、雪や水等をより確実に除去できる。
(15)本開示の他の形態によれば、電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置が提供される。このセンサ収容装置は、前記電磁波を受信するための開口部と、前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、を備え、前記第2電極が前記第2辺に接続される接続長さは、前記第1電極が前記第1辺に接続される接続長さよりも小さい。
この形態のセンサ収容装置によれば、第2電極が第2辺に接続される接続長さは、第1電極が第1辺に接続される接続長さよりも小さいので、導電膜において第2電極に接続される部位において、他の部位、例えば、第1電極が接続される部位に比べてより多くの発熱を生じさせることができる。したがって、スクリーンのうち、導電膜の第2辺の近傍において局所的に多く発熱させることができる。このため、例えば、第2辺が下方、第1辺が上方となるようにセンサ収容装置を配置することにより、スクリーンの下部側において雪や水が局所的にスクリーンを覆うような場合に、これら雪や水を発熱により除去できる。
(1) According to one aspect of the present disclosure, there is provided a sensor housing device housing a sensor that receives electromagnetic waves, the sensor housing device including: an opening for receiving the electromagnetic waves, a screen that closes the opening and is transparent to the electromagnetic waves, a conductive film that is disposed in a planar shape along a surface of the screen and is conductive and transparent to the electromagnetic waves, a first electrode that is electrically connected to a first side of the conductive film and is for applying a voltage to the conductive film, and a second electrode that is electrically connected to a second side of the conductive film that faces the first side and is for applying a voltage to the conductive film, wherein a second connection portion of the conductive film that is electrically connected to the second electrode includes a high current density portion that has an average current density higher than an average current density at a first connection portion of the conductive film that is electrically connected to the first electrode.
According to this embodiment of the sensor accommodating device, the second connection portion of the conductive film includes a high current density portion having an average current density higher than the average current density of the first connection portion of the conductive film that is electrically connected to the first electrode, so that the high current density portion can generate more heat than other portions. Therefore, it is possible to locally generate more heat in the screen near the second side of the conductive film. For this reason, for example, by arranging the sensor accommodating device so that the second side is downward and the first side is upward, when snow or water locally covers the lower side of the screen, the snow or water can be removed by heat generation.
(2) In the sensor containing device of the above form, the first electrode may be electrically connected to the first side along the entirety of the first side, the second electrode may be electrically connected to the second side along the entirety of the second side, and the length of the second side may be smaller than the length of the first side.
According to this form of sensor containing device, the length over which the second electrode is electrically connected to the second side is shorter than the length over which the first electrode is electrically connected to the first side, so that the entire second connection portion can be configured as a high current density portion, allowing more heat to be generated at the second connection portion.
(3) In the sensor containing device of the above form, the sensor containing device may further include an insulating portion adjacent to the conductive film in a direction perpendicular to the direction from the first side to the second side, wherein the length of the second side is smaller than the length of the first side, the first electrode is connected only to the conductive portion of the conductive film and the insulating portion, and the second electrode is connected to both the conductive film and the insulating portion.
According to the sensor containing device of this embodiment, even if the length of the second electrode is configured to be longer than the length of the second side, the average current density in the high current density portion can be made approximately the same as when the length of the second electrode is the same as the length of the second side. Therefore, the average current density in the high current density portion can be increased while improving the connectivity with the conductive film by increasing the length of the second electrode.
(4) In the sensor containing device of the above form, the length of the second side may be equal to the length of the first side, and the length of the second electrode along the second side may be smaller than the length of the first electrode along the first side.
According to the sensor containing device of this aspect, the average current density in the second connection portion can be made higher than the average current density in the first connection portion, so that the entire second connection portion can be configured as a high current density portion.
(5) In the sensor containing device of the above form, the length of the second side may be equal to the length of the first side, the first electrode may be electrically connected to the first side along the entire first side, the second electrode may have a first portion and a second portion whose length along the second side is smaller than the second side, and the second electrode may be electrically connected to the second side at the first portion and the second portion, and the thickness of the second portion in a cross direction intersecting with the second side may be greater than the thickness of the first portion in the cross direction and greater than the thickness of the first electrode in the cross direction.
According to this embodiment of the sensor housing device, the thickness of the second portion in the cross direction intersecting with the second side is greater than the thickness of the first portion in the cross direction and is also greater than the thickness of the first electrode in the cross direction, so that the average current density in the portion of the second connection portion connected to the second portion can be made higher than the average current density in the portion connected to the first portion and the average current density in the first connection portion, thereby making it possible to configure the portion connected to the second portion as a high current density portion.
(6) In the sensor containing device of the above form, the length of the second side may be equal to the length of the first side, the first electrode may be electrically connected to the first side along the entire first side, the second electrode may have a first portion and a second portion whose length along the second side is smaller than the second side, and the second electrode may be electrically connected to the second side at the first portion and the second portion, and the second portion may be formed from a material having a higher conductivity than a material forming the first portion and a material having a higher conductivity than a material forming the first electrode.
In this embodiment of the sensor housing device, the second portion is formed of a material having a higher electrical conductivity than the material forming the first portion and having a higher electrical conductivity than the material forming the first electrode, so that the average current density at the portion of the second connection portion connected to the second portion can be made higher than the average current density at the portion connected to the first portion and the average current density at the first connection portion, thereby making it possible to configure the portion connected to the second portion as a high current density portion.
(7) In the sensor containing device of the above form, the conductive film includes a first portion and a second portion adjacent to the first portion in a direction perpendicular to the direction from the first side to the second side, the second portion having a smaller thickness than the first portion, and a connection length along which the second electrode is connected to the second portion may be smaller than a connection length along which the first electrode is connected to the second portion.
According to this form of sensor containing device, the conductive film includes a first portion and a second portion having a smaller thickness, and the connection length along which the second electrode is connected to the second portion is smaller than the connection length along which the first electrode is connected to the second portion, so that the average current density in the portion connected to the second electrode in the second portion can be made higher than the average current density in the first connection portion, thereby configuring it as a high current density portion.
(8) In the sensor containing device of the above form, the length of the second side may be equal to the length of the first side, the first electrode may be electrically connected to the first side along the entire first side, and the second electrode may be electrically connected to the second side along the entire second side, and an electrode thickness may be provided in part.
According to this embodiment of the sensor housing device, since the second electrode is partially provided with an electrode thickness, the average current density at the portion connected to the portion with the electrode thickness can be made higher than the average current density at the portion connected to the portion without the electrode thickness, so that the portion connected to the portion with the electrode thickness can be configured as a high current density portion.
(9) In the sensor containing device of the above-described form, a variable resistor may be provided, which is arranged between at least one of a pair of electrodes consisting of the first electrode and the second electrode and the conductive film, and is connected to one of the pair of electrodes and the conductive film, and the resistance value of the variable resistor may have a characteristic that is smaller when the temperature is low than when the temperature is high.
According to the sensor housing device of this embodiment, the resistance value of the variable resistor has a characteristic that it is smaller at low temperatures than at high temperatures, so that the current flowing through the variable resistor can be increased at low temperatures, and the temperature of the portion of the conductive film to which the variable resistor is connected can be raised compared to other portions. Also, since the variable resistor is disposed between at least one of the pair of electrodes and the conductive film, the transmission area of the electromagnetic wave in the conductive film can be prevented from narrowing. For these reasons, according to the sensor housing device of this embodiment, the portion requiring heating can be locally heated while preventing the transmission area of the electromagnetic wave in the screen from narrowing.
(10) In the sensor containing device of the above-described form, a plurality of the variable resistors may be provided, and the plurality of variable resistors may be arranged apart from each other in a direction parallel to the two sides between at least one of the pair of electrodes and the conductive film.
According to this form of sensor containing device, the multiple variable resistors are arranged at a distance from each other in a direction parallel to the two sides between at least one of the pair of electrodes and the conductive film. Therefore, even if the temperatures are different at the multiple locations to which the variable resistors are connected, a current according to each temperature, specifically, the lower the temperature, the more current can flow. Therefore, when there is a temperature distribution on the screen, such as when it is partially covered with snow and locally cold, each location can be appropriately heated.
(11) In the sensor containing device of the above aspect, the variable resistor may be configured with a substrate that is transparent to the electromagnetic waves, and a wiring pattern formed on the substrate using a conductive material.
According to this form of sensor containing device, the variable resistor is composed of a substrate that is transparent to electromagnetic waves and a wiring pattern formed on the substrate from a conductive material, so that the variable resistor can prevent the transmission area of the electromagnetic waves on the screen from becoming narrower.
(12) In the sensor housing device of the above aspect, the screen may be curved in an intersecting direction that intersects with the opposing direction in which the two sides face each other.
According to this form of sensor housing device, since the screen is curved in a cross direction that crosses the facing direction in which the two sides face each other, for example, when the sensor housing device is used outdoors, snow, frost, etc. are likely to adhere to various locations on the screen in various ways depending on environmental conditions such as wind direction. However, even in such a situation, by arranging a variable resistor in a location where snow, etc. locally adheres, it is possible to locally heat such a location and melt the snow, etc.
(13) In the sensor containing device of the above form, in a usage state, the sensor containing device is arranged so that the opposing direction is parallel to the vertical direction, and the screen has a contour shape having two sides parallel to the two sides, and of the two sides included in the contour shape, the length of the side on the vertically lower side in the usage state may be shorter than the length of the side on the vertically upper side.
With this type of sensor housing device, the vicinity of the vertically lower edge of the screen is prone to localized low temperatures because snow that has accumulated on the upper side of the screen slides down due to its own weight and collects there. However, even in such a situation, by locating the variable resistor in the vertically lower area that is prone to low temperatures, the variable resistor can be brought close to the low-temperature area, making it easier to transfer heat to the snow, etc., during heating, and efficiently achieving localized heating.
(14) In the sensor containing device of the above form, in a state of use, the sensor containing device may be arranged so that the pair of electrodes are arranged vertically facing each other with the conductive film in between, and the variable resistor is arranged between the vertically lower electrode of the pair of electrodes and the conductive film.
In this form of sensor housing device, the variable resistor is positioned between the vertically lower electrode of the pair of electrodes and the conductive film, so that the current flowing through the conductive film can be controlled in accordance with the temperature of the vertically lower part where snow that has adhered to the top of the screen slides down under its own weight and collects, tending to become cold, thereby making it possible to more reliably remove snow, water, etc.
(15) According to another aspect of the present disclosure, there is provided a sensor housing device for housing a sensor that receives electromagnetic waves, the sensor housing device including: an opening for receiving the electromagnetic waves, a screen that closes the opening and is transparent to the electromagnetic waves, a conductive film that is disposed in a planar shape along a surface of the screen and is conductive and transparent to the electromagnetic waves, a first electrode that is electrically connected to a first side of the conductive film and is for applying a voltage to the conductive film, and a second electrode that is electrically connected to a second side of the conductive film that faces the first side and is for applying a voltage to the conductive film, wherein a connection length of the second electrode connected to the second side is shorter than a connection length of the first electrode connected to the first side.
According to this embodiment of the sensor accommodating device, the connection length of the second electrode connected to the second side is shorter than the connection length of the first electrode connected to the first side, so that the portion of the conductive film connected to the second electrode can generate more heat than other portions, for example, the portion to which the first electrode is connected. Therefore, it is possible to locally generate more heat in the screen near the second side of the conductive film. For this reason, for example, by arranging the sensor accommodating device so that the second side is downward and the first side is upward, when snow or water locally covers the lower side of the screen, the snow or water can be removed by heat generation.

本開示は、種々の形態で実現することも可能である。例えば、センサ収容装置とセンサ装置とを含むセンサ、センサ収容装置用スクリーン装置等の形態で実現することができる。 The present disclosure can be realized in various forms. For example, it can be realized in the form of a sensor including a sensor housing device and a sensor device, a screen device for a sensor housing device, etc.

本開示の一実施形態としてのセンサ収容装置の外観形状を示す側面図である。1 is a side view showing an external shape of a sensor containing device according to an embodiment of the present disclosure. 第1実施形態のセンサ収容装置の外観形状を示す正面図である。FIG. 2 is a front view showing the external shape of the sensor containing device of the first embodiment. 第1実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view mainly showing an external configuration of a screen in a first embodiment. 第1実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 2 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen in the first embodiment. 第2実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 11 is a developed plan view mainly showing the external configuration of a screen in a second embodiment. 第3実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 13 is a developed plan view mainly showing the external configuration of a screen in a third embodiment. 第4実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 13 is a developed plan view mainly showing the external configuration of a screen in a fourth embodiment. 第5実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 13 is a developed plan view mainly showing the external configuration of a screen in a fifth embodiment. 第6実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す展開平面図である。FIG. 23 is a developed plan view mainly showing the external configuration of a screen in a sixth embodiment. 第7実施形態におけるスクリーンの外観構成を主として示す斜視図である。FIG. 23 is a perspective view mainly showing the external configuration of a screen in a seventh embodiment. 第7実施形態における導電膜、一対の電極、および可変抵抗器の電気的接続を模式的に示す説明図である。13 is an explanatory diagram illustrating an electrical connection between a conductive film, a pair of electrodes, and a variable resistor in a seventh embodiment. FIG. 第7実施形態における可変抵抗器の詳細構成を示す平面図である。FIG. 23 is a plan view showing a detailed configuration of a variable resistor in the seventh embodiment. 第7実施形態におけるスクリーンに雪が局所的に付着した状態における導電膜を流れる電流を模式的に示す説明図である。13 is an explanatory diagram illustrating a schematic diagram of a current flowing through a conductive film in a state in which snow locally adheres to the screen in the seventh embodiment. FIG. 第8実施形態の可変抵抗器の等価回路を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of a variable resistor according to an eighth embodiment.

A.第1実施形態:
図1は、本開示の一実施形態としてのセンサ収容装置10の外観形状を示す側面図である。図2は、第1実施形態のセンサ収容装置10の外観形状を示す正面図である。図1には、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸が表わされている。本実施形態において、X-Y平面は、水平方向と平行な平面である。また、+Z方向は鉛直上方を示す。本実施形態では、+X方向および-X方向を「X軸方向」と総称する。同様に、+Y方向および-Y方向を「Y軸方向」と、+Z方向および-Z方向を「Z軸方向」と、それぞれ総称する。他の図面に示すX軸、Y軸およびZ軸は、図1に示すX軸、Y軸およびZ軸に対応する。
A. First embodiment:
FIG. 1 is a side view showing the external shape of a sensor containing device 10 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 2 is a front view showing the external shape of the sensor containing device 10 according to the first embodiment. FIG. 1 shows an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis that are orthogonal to each other. In this embodiment, the X-Y plane is a plane parallel to the horizontal direction. The +Z direction indicates a vertically upward direction. In this embodiment, the +X direction and the -X direction are collectively referred to as the "X-axis direction". Similarly, the +Y direction and the -Y direction are collectively referred to as the "Y-axis direction", and the +Z direction and the -Z direction are collectively referred to as the "Z-axis direction". The X-axis, the Y-axis, and the Z-axis shown in other drawings correspond to the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis shown in FIG. 1.

図1および図2に示すように、センサ収容装置10は、センサ装置200および駆動部210を収容する。本実施形態において、センサ装置200は、電磁波を照射光R1として射出し、その反射波R2を受信することにより、物体の位置および大きさを特定する。本実施形態において、電磁波は赤外線レーザ光である。駆動部210は、センサ装置200の向きを上下左右に移動させる。例えば、センサ装置200が備える図示しない制御装置は、予め定められたプログラムに従って、駆動部210を制御して、センサ装置200の向きを所定の時間間隔で所定の方向に移動させる。また、例えば、センサ装置200が備える図示しない制御装置は、センサ装置200と無線通信可能な遠隔操作装置における監視員の操作に応じて、駆動部210を制御して、センサ装置200の向きを所定の時間間隔で所定の方向に移動させる。 1 and 2, the sensor housing device 10 houses the sensor device 200 and the drive unit 210. In this embodiment, the sensor device 200 emits electromagnetic waves as irradiated light R1 and receives reflected waves R2 to identify the position and size of an object. In this embodiment, the electromagnetic waves are infrared laser light. The drive unit 210 moves the orientation of the sensor device 200 up, down, left, and right. For example, a control device (not shown) included in the sensor device 200 controls the drive unit 210 according to a predetermined program to move the orientation of the sensor device 200 in a predetermined direction at a predetermined time interval. Also, for example, a control device (not shown) included in the sensor device 200 controls the drive unit 210 in response to the operation of a monitor on a remote control device capable of wireless communication with the sensor device 200 to move the orientation of the sensor device 200 in a predetermined direction at a predetermined time interval.

図1および図2に示すように、センサ収容装置10は、上部ケース部11と、下部ケース部12と、スクリーン100とを備える。上部ケース部11は、センサ収容装置10の最上部に位置し、センサ装置200および駆動部210を上方から覆う。上部ケース部11は、半ドーム状の外観形状を有する。本実施形態において、上部ケース部11は、樹脂により形成されている。樹脂としては、例えば、ポリエチレンやエンジニアリングプラスチックやアクリル樹脂などが用いられる。なお、樹脂に代えて、アルミニウムやステンレス鋼などの金属により形成されてもよい。 As shown in Figures 1 and 2, the sensor housing device 10 includes an upper case part 11, a lower case part 12, and a screen 100. The upper case part 11 is located at the top of the sensor housing device 10 and covers the sensor device 200 and the driving part 210 from above. The upper case part 11 has a semi-dome-shaped external shape. In this embodiment, the upper case part 11 is made of resin. Examples of resin that can be used include polyethylene, engineering plastic, and acrylic resin. Note that instead of resin, the upper case part 11 may be made of a metal such as aluminum or stainless steel.

図1および図2に示すように、下部ケース部12は、センサ収容装置10の中央部および最下部に位置し、センサ装置200および駆動部210を側方および下方から覆う。下部ケース部12の最上部は、上部ケース部11の最下部と接続されている。本実施形態において、下部ケース部12は、上部ケース部11と同じ材料により形成されている。下部ケース部12の上部には、水平方向に沿っておよそ180度の角度範囲で開口部13が形成されている。開口部13は、照射光R1を、スクリーン100を介して外部へと射出し、また、外部から届く反射波R2をセンサ装置200へと透過する。開口部13の鉛直方向の高さ、すなわちZ軸方向の大きさは、センサ装置200による電磁波の射出範囲の高さ方向の範囲よりも大きい。また、開口部13の水平方向の幅、すなわち、X軸方向の大きさは、図2に示すように、下部ケース部12の幅の80%よりも大きく、センサ装置200による電磁波の射出範囲の水平方向の範囲よりも大きい。 1 and 2, the lower case part 12 is located at the center and the bottom of the sensor storage device 10, and covers the sensor device 200 and the driving part 210 from the side and below. The top of the lower case part 12 is connected to the bottom of the upper case part 11. In this embodiment, the lower case part 12 is made of the same material as the upper case part 11. An opening part 13 is formed in the upper part of the lower case part 12 in an angle range of approximately 180 degrees along the horizontal direction. The opening part 13 emits the irradiation light R1 to the outside through the screen 100, and transmits the reflected wave R2 arriving from the outside to the sensor device 200. The vertical height of the opening part 13, i.e., the size in the Z-axis direction, is larger than the height range of the electromagnetic wave emission range by the sensor device 200. In addition, the horizontal width of the opening part 13, i.e., the size in the X-axis direction, is larger than 80% of the width of the lower case part 12 and larger than the horizontal range of the electromagnetic wave emission range by the sensor device 200, as shown in FIG. 2.

図3は、第1実施形態におけるスクリーン100の外観構成を主として示す斜視図である。図4は、第1実施形態におけるスクリーン100の外観構成を主として示す展開平面図である。スクリーン100は、開口部13を塞ぐ。スクリーン100は、電磁波の透過性を有する。したがって、センサ装置200は、スクリーン100を介して外部へと照射光R1を照射可能であり、また、外部から届く反射波R2を、スクリーン100を介して受信可能である。本実施形態において、スクリーン100は、ガラスにより形成されている。なお、ガラスに代えて、ポリエチレンやエンジニアリングプラスチックやアクリル樹脂などの樹脂により形成されてもよい。図4に示すようにスクリーン100は、略扇状の展開平面形状を有する。組み付け状態、換言すると使用状態において、スクリーン100における鉛直上方側の辺と、鉛直下方側の辺とは互いに対向する。換言すると、これら2つの辺は使用状態においてZ軸方向に互いに対向する。Z軸方向は対向方向とも呼ぶ。スクリーン100は、この対向方向と交差する方向(以下、「交差方向」とも呼ぶ)に湾曲する。具体的には、スクリーン100は、X軸方向の中央に向かうにつれてセンサ装置200から遠ざかる方向(-Y方向)に突出するように湾曲する。使用状態において、スクリーン100の鉛直下方側の辺は、鉛直上方側の辺に比べて短い。このため、スクリーン100に付着して自重でスクリーン100の表面を滑り落ちた雪や水は、比較的狭い範囲に集まって溜まることとなる。スクリーン100の外側表面S1には、反射防止および撥水のための薄膜が形成されている。スクリーン100の内側表面S2には、後述する導電膜110が形成されている。 3 is a perspective view mainly showing the external configuration of the screen 100 in the first embodiment. FIG. 4 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100 in the first embodiment. The screen 100 covers the opening 13. The screen 100 is transparent to electromagnetic waves. Therefore, the sensor device 200 can irradiate the irradiation light R1 to the outside through the screen 100, and can receive the reflected wave R2 arriving from the outside through the screen 100. In this embodiment, the screen 100 is made of glass. Instead of glass, the screen 100 may be made of resin such as polyethylene, engineering plastic, or acrylic resin. As shown in FIG. 4, the screen 100 has a substantially fan-shaped developed planar shape. In the assembled state, in other words, in the used state, the vertical upper side and the vertical lower side of the screen 100 face each other. In other words, these two sides face each other in the Z-axis direction in the used state. The Z-axis direction is also called the facing direction. The screen 100 curves in a direction intersecting this opposing direction (hereinafter also referred to as the "intersecting direction"). Specifically, the screen 100 curves so as to protrude in a direction (-Y direction) away from the sensor device 200 as it moves toward the center in the X-axis direction. In a used state, the vertically lower side of the screen 100 is shorter than the vertically upper side. For this reason, snow and water that adhere to the screen 100 and slide down the surface of the screen 100 due to its own weight will gather and accumulate in a relatively narrow area. A thin film for anti-reflection and water repellency is formed on the outer surface S1 of the screen 100. A conductive film 110, which will be described later, is formed on the inner surface S2 of the screen 100.

図3および図4に示すように、センサ収容装置10は、スクリーン100に接合された複数の構成要素をさらに備える。具体的には、センサ収容装置10は、導電膜110と、一対の電極121、122を、さらに備える。 3 and 4, the sensor containing device 10 further includes a number of components joined to the screen 100. Specifically, the sensor containing device 10 further includes a conductive film 110 and a pair of electrodes 121 and 122.

導電膜110は、スクリーン100と同様な形状(相似な形状)と、スクリーン100よりも小さな大きさを有する。すなわち、本実施形態において、導電膜110は、図4に示すように、略扇状の展開平面形状を有する。このため、導電膜110の鉛直上方の辺L1(以下、「第1辺L1」と呼ぶ)の長さLa1は、導電膜110の鉛直下方の辺L2(以下、「第2辺L2」と呼ぶ)の長さLb1よりも長い。導電膜110は、スクリーン100の内側表面S2に沿って面状に配置されている。導電膜110は、導電性と赤外線レーザの透過性とを有する。本実施形態において、導電膜110は、光透過性も有する。本実施形態において、導電膜110は、ITO膜(酸化インジウムと酸化錫の混合物の膜)である。なお、ITO膜に限らず、銀ナノワイヤ膜や、導電性ポリマー膜など、光透過性を有する任意の導電膜を用いてもよい。また、電磁波(赤外線レーザ)の透過性を有し、且つ、光透過性を有しない任意の導電膜を用いてもよい。導電膜110は、スクリーン100の内側表面S2に、例えば、スパッタリングやフィルム蒸着やCVD(化学的気相法)等により形成されている。本実施形態において、導電膜110は、導電膜110の鉛直上方側の辺がスクリーン100の鉛直上方側の辺と平行となり、且つ、導電膜110の鉛直下方側の辺がスクリーン100の鉛直下方側の辺と平行となるように形成されている。 The conductive film 110 has a shape similar to that of the screen 100 (similar shape) and a size smaller than that of the screen 100. That is, in this embodiment, the conductive film 110 has a substantially fan-shaped developed planar shape as shown in FIG. 4. Therefore, the length La1 of the vertical upper side L1 (hereinafter referred to as the "first side L1") of the conductive film 110 is longer than the length Lb1 of the vertical lower side L2 (hereinafter referred to as the "second side L2") of the conductive film 110. The conductive film 110 is arranged in a planar shape along the inner surface S2 of the screen 100. The conductive film 110 has electrical conductivity and infrared laser transparency. In this embodiment, the conductive film 110 also has optical transparency. In this embodiment, the conductive film 110 is an ITO film (a film of a mixture of indium oxide and tin oxide). In addition to the ITO film, any conductive film having optical transparency, such as a silver nanowire film or a conductive polymer film, may be used. Alternatively, any conductive film that is transparent to electromagnetic waves (infrared laser) but not transparent to light may be used. The conductive film 110 is formed on the inner surface S2 of the screen 100 by, for example, sputtering, film deposition, or CVD (chemical vapor deposition). In this embodiment, the conductive film 110 is formed so that the vertical upper side of the conductive film 110 is parallel to the vertical upper side of the screen 100, and the vertical lower side of the conductive film 110 is parallel to the vertical lower side of the screen 100.

一対の電極121、122は、導電膜110に電圧を印加するために用いられる。図3および図4に示すように、一対の電極121、122は、いずれもライン状の外観形状を有する。一対の電極121、122は、図示しない電源に接続されている。図3および図4に示すように、上部電極121は、スクリーン100の内側表面S2のうち、導電膜110の上方に配置され、導電膜110の第1辺L1の全体に亘って第1辺L1に電気的に接続されている。下部電極122は、スクリーン100の内側表面S2のうち、導電膜110の下方に配置され、導電膜110の第2辺L2の全体に亘って第2辺L2に電気的に接続されている。 The pair of electrodes 121, 122 are used to apply a voltage to the conductive film 110. As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the pair of electrodes 121, 122 each have a line-shaped external shape. The pair of electrodes 121, 122 are connected to a power source (not shown). As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the upper electrode 121 is disposed above the conductive film 110 on the inner surface S2 of the screen 100, and is electrically connected to the first side L1 of the conductive film 110 over the entire first side L1. The lower electrode 122 is disposed below the conductive film 110 on the inner surface S2 of the screen 100, and is electrically connected to the second side L2 of the conductive film 110 over the entire second side L2.

上述のように、第1辺L1の長さLa1は、第2辺L2の長さLb1よりも長い。このため、下部電極122が第2辺L2に電気的に接続される接続長さは、上部電極121が第1辺L1に電気的に接続される接続長さよりも小さい。したがって、導電膜110において下部電極122に電気的に接続される部位Ar2(以下、「第2接続部位Ar2」と呼ぶ)は、導電膜110において上部電極121に電気的に接続される部位Ar1(以下、「第1接続部位Ar1」と呼ぶ)における平均電流密度よりも高い電流密度を有する。これにより、第2接続部位Ar2において、単位面積当たりに第1接続部位Ar1よりも多くの発熱を生じさせることができる。このため、スクリーン100の外側表面S1に付着した雪や水が自重により下方に移動してスクリーン100の下部側に集まってスクリーン100を局所的に覆った場合であっても、これら雪や水を融解・蒸発させることが可能な程度の熱を、かかる部位に生じさせることができる。上述の第1接続部位Ar1は、導電膜110において上部電極121から所定の距離だけ離れた領域である。同様に、第2接続部位Ar2は、導電膜110において下部電極122から所定の距離だけ離れた領域である。「所定の距離」とは、本実施形態では、5mm(ミリメートル)である。なお、5mmに限らず、上部電極121から下部電極122までの距離の1/2よりも小さな任意の値であってもよい。 As described above, the length La1 of the first side L1 is longer than the length Lb1 of the second side L2. Therefore, the connection length of the lower electrode 122 electrically connected to the second side L2 is smaller than the connection length of the upper electrode 121 electrically connected to the first side L1. Therefore, the part Ar2 electrically connected to the lower electrode 122 in the conductive film 110 (hereinafter referred to as the "second connection part Ar2") has a higher current density than the average current density in the part Ar1 electrically connected to the upper electrode 121 in the conductive film 110 (hereinafter referred to as the "first connection part Ar1"). This allows the second connection part Ar2 to generate more heat per unit area than the first connection part Ar1. Therefore, even if snow or water attached to the outer surface S1 of the screen 100 moves downward due to its own weight and gathers on the lower side of the screen 100 to locally cover the screen 100, heat sufficient to melt and evaporate the snow or water can be generated in such a part. The above-mentioned first connection site Ar1 is a region of the conductive film 110 that is a predetermined distance away from the upper electrode 121. Similarly, the second connection site Ar2 is a region of the conductive film 110 that is a predetermined distance away from the lower electrode 122. In this embodiment, the "predetermined distance" is 5 mm (millimeters). Note that this is not limited to 5 mm, and may be any value that is smaller than 1/2 the distance from the upper electrode 121 to the lower electrode 122.

本実施形態では、第2接続部位Ar2全体が本開示における「高電流密度部」に相当する。また、上部電極121は本開示における第1電極に、下部電極122は本開示における第2電極に、それぞれ相当する。 In this embodiment, the entire second connection portion Ar2 corresponds to the "high current density portion" in this disclosure. Furthermore, the upper electrode 121 corresponds to the first electrode in this disclosure, and the lower electrode 122 corresponds to the second electrode in this disclosure.

以上説明した第1実施形態のセンサ収容装置10によれば、導電膜110において第2接続部位Ar2は、導電膜110において上部電極121に電気的に接続される第1接続部位Ar1における平均電流密度よりも高い平均電流密度を有する高電流密度部に相当するので、かかる高電流密度部において他の部位に比べてより多くの発熱を生じさせることができる。したがって、スクリーン100のうち、導電膜110の第2辺L2の近傍において局所的に多く発熱させることができる。このため、スクリーン100の下部側において雪や水が局所的にスクリーンを覆うような場合に、これら雪や水を発熱により除去できる。 According to the sensor accommodating device 10 of the first embodiment described above, the second connection site Ar2 in the conductive film 110 corresponds to a high current density portion having a higher average current density than the average current density in the first connection site Ar1 electrically connected to the upper electrode 121 in the conductive film 110, so that more heat can be generated in this high current density portion than in other portions. Therefore, more heat can be generated locally in the vicinity of the second edge L2 of the conductive film 110 in the screen 100. Therefore, in cases where snow or water locally covers the lower side of the screen 100, the snow or water can be removed by generating heat.

また、下部電極122が第2辺L2に電気的に接続される長さLb1は上部電極121が第1辺L1に電気的に接続される長さLa1よりも短いので、第2接続部位Ar2全体を高電流密度部として構成して、第2接続部位Ar2においてより多く発熱させることができる。 In addition, the length Lb1 over which the lower electrode 122 is electrically connected to the second side L2 is shorter than the length La1 over which the upper electrode 121 is electrically connected to the first side L1, so the entire second connection site Ar2 can be configured as a high current density area, allowing more heat to be generated at the second connection site Ar2.

B.第2実施形態:
図5は、第2実施形態におけるスクリーン100aの外観構成を主として示す展開平面図である。第2実施形態のセンサ収容装置10は、スクリーン100に代えてスクリーン100aを備えている点と、一対の電極121、122に代えて、一対の電極121a、122aを備えている点と、導電膜110に代えて導電膜110aを備えている点と、一対の絶縁部111a、111bを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第2実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
B. Second embodiment:
5 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100a in the second embodiment. The sensor containing device 10 of the second embodiment differs from the sensor containing device 10 of the first embodiment in that the sensor containing device 10 of the second embodiment includes a screen 100a instead of the screen 100, a pair of electrodes 121a, 122a instead of the pair of electrodes 121, 122, a conductive film 110a instead of the conductive film 110, and a pair of insulating parts 111a, 111b. The other configurations of the sensor containing device 10 of the second embodiment are the same as those of the sensor containing device 10 of the first embodiment, so the same reference numerals are used for the same configurations and detailed description thereof will be omitted.

図5に示すように、第2実施形態のスクリーン100aは、矩形の平面視形状を有する。したがって、上部電極121aと、下部電極122aとは、互いに平行かつ同じ長さを有する。一対の電極121a、122aは、直線状の外観形状を有する点においてのみ、第1実施形態の一対の電極121、122と異なる。 As shown in FIG. 5, the screen 100a of the second embodiment has a rectangular shape in plan view. Therefore, the upper electrode 121a and the lower electrode 122a are parallel to each other and have the same length. The pair of electrodes 121a, 122a differs from the pair of electrodes 121, 122 of the first embodiment only in that they have a linear external shape.

第2実施形態の導電膜110aは、上辺が下辺よりも大きな台形の平面視形状を有する。導電膜110aは、平面視形状においてのみ第1実施形態の導電膜110と異なる。導電膜110aの下辺である第2辺L20の長さLb10は、上辺である第1辺L1の長さLa10よりも小さい。 The conductive film 110a of the second embodiment has a trapezoidal shape in plan view with the upper side larger than the lower side. The conductive film 110a differs from the conductive film 110 of the first embodiment only in the shape in plan view. The length Lb10 of the second side L20, which is the lower side of the conductive film 110a, is smaller than the length La10 of the first side L1, which is the upper side.

導電膜110aの-X方向に隣接して第1絶縁部111aが配置されている。同様に、導電膜110aの+X方向に隣接して第2絶縁部111bが配置されている。換言すると、導電膜110aは、一対の絶縁部111a、111bによりX軸方向に挟まれている。図5に示すように、一対の絶縁部111a、111bは、いずれも直角三角形の平面視形状を有する。そして、一対の絶縁部111a、111bと導電膜110aとを合わせた部材の平面視形状は、図5に示すように矩形である。なお、一対の絶縁部111a、111bと導電膜110aとは、互いに接着されている。一対の絶縁部111a、111bは、いずれも絶縁部材により形成されている。かかる絶縁部材としては、例えば、ポリエチレンやポリアミドなどの合成樹脂であってもよい。下部電極122aは、導電膜110aと一対の絶縁部111a、111bとの両方に接続されている。 The first insulating portion 111a is disposed adjacent to the conductive film 110a in the -X direction. Similarly, the second insulating portion 111b is disposed adjacent to the conductive film 110a in the +X direction. In other words, the conductive film 110a is sandwiched in the X-axis direction by a pair of insulating portions 111a and 111b. As shown in FIG. 5, the pair of insulating portions 111a and 111b each have a right-angled triangular shape in plan view. The member formed by combining the pair of insulating portions 111a and 111b and the conductive film 110a has a rectangular shape in plan view as shown in FIG. 5. The pair of insulating portions 111a and 111b and the conductive film 110a are bonded to each other. The pair of insulating portions 111a and 111b are both formed of an insulating material. Such an insulating material may be, for example, a synthetic resin such as polyethylene or polyamide. The lower electrode 122a is connected to both the conductive film 110a and the pair of insulating parts 111a, 111b.

図5に示すように、導電膜110aにおいて下部電極122aと接続する部位、すなわち第2接続部位Ar12のX軸方向の長さLb10は、導電膜110aにおいて上部電極121aと接続する部位、すなわち第1接続部位Ar11のX軸方向の長さLa10よりも短い。そして、下部電極122aにおいて、一対の絶縁部111a、111bと接する部分には、電流が流れない。このため、第2接続部位Ar12における平均電流密度は、第1接続部位Ar11における平均電流密度に比べて大きい。第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、第2接続部位Ar12全体は、本開示の高電流密度部に相当する。 As shown in FIG. 5, the length Lb10 in the X-axis direction of the portion of the conductive film 110a that connects to the lower electrode 122a, i.e., the second connection portion Ar12, is shorter than the length La10 in the X-axis direction of the portion of the conductive film 110a that connects to the upper electrode 121a, i.e., the first connection portion Ar11. In addition, no current flows through the portion of the lower electrode 122a that contacts the pair of insulating portions 111a and 111b. Therefore, the average current density in the second connection portion Ar12 is greater than the average current density in the first connection portion Ar11. In the second embodiment, as in the first embodiment, the entire second connection portion Ar12 corresponds to the high current density portion of the present disclosure.

以上説明した第2実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、第2辺L20の長さLb10は、第1辺L1の長さLb10よりも小さく、第1電極121aは、導電膜110aと一対の絶縁部111a、111bとのうち導電膜110aにのみ接続され、第2電極122aは、導電膜110aと一対の絶縁部111a、111bとのうちの両方に接続されているので、第2電極122aの長さを第2辺L20の長さよりも大きく構成しても、高電流密度部における平均電流密度を、第2電極122aの長さを第2辺L20と同じ長さとした場合と同程度にできる。したがって、第2電極122aの長さを大きくして導電膜110aおよび一対の111a、111bとの接続性を向上させつつ、高電流密度部の平均電流密度を高めることができる。 The sensor accommodating device 10 of the second embodiment described above has the same effect as the sensor accommodating device 10 of the first embodiment. In addition, the length Lb10 of the second side L20 is smaller than the length Lb10 of the first side L1, and the first electrode 121a is connected only to the conductive film 110a among the conductive film 110a and the pair of insulating parts 111a and 111b, and the second electrode 122a is connected to both of the conductive film 110a and the pair of insulating parts 111a and 111b. Therefore, even if the length of the second electrode 122a is configured to be longer than the length of the second side L20, the average current density in the high current density portion can be made to be approximately the same as when the length of the second electrode 122a is the same as the second side L20. Therefore, the average current density in the high current density portion can be increased while improving the connectivity between the conductive film 110a and the pair of 111a and 111b by increasing the length of the second electrode 122a.

C.第3実施形態:
図6は、第3実施形態におけるスクリーン100aの外観構成を主として示す展開平面図である。第3実施形態のセンサ収容装置10は、スクリーン100に代えてスクリーン100aを備えている点と、一対の電極121、122に代えて、一対の電極121a、122bを備えている点と、導電膜110に代えて導電膜110bを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第3実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第3実施形態のスクリーン100aは、第2実施形態のスクリーン100aと同じである。また、上部電極121aは、第2実施形態の上部電極121aと同じである。したがって、上部電極121aのX軸方向に沿った長さLa10は、第2実施形態の上部電極121aの長さLa10と同じである。
C. Third embodiment:
6 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100a in the third embodiment. The sensor containing device 10 of the third embodiment is different from the sensor containing device 10 of the first embodiment in that the sensor containing device 10 of the third embodiment includes a screen 100a instead of the screen 100, a pair of electrodes 121a, 122b instead of the pair of electrodes 121, 122, and a conductive film 110b instead of the conductive film 110. Since the other configurations of the sensor containing device 10 of the third embodiment are the same as those of the sensor containing device 10 of the first embodiment, the same components are given the same reference numerals and detailed description thereof is omitted. The screen 100a of the third embodiment is the same as the screen 100a of the second embodiment. Moreover, the upper electrode 121a is the same as the upper electrode 121a of the second embodiment. Therefore, the length La10 of the upper electrode 121a along the X-axis direction is the same as the length La10 of the upper electrode 121a of the second embodiment.

第3実施形態の導電膜110bは、スクリーン100aと同様に矩形の平面形状を有する。導電膜110bの上辺L21と下辺L22とは互いに平行であり、且つ、同じ長さを有する。 The conductive film 110b of the third embodiment has a rectangular planar shape similar to the screen 100a. The upper side L21 and the lower side L22 of the conductive film 110b are parallel to each other and have the same length.

第3実施形態の下部電極122bのX軸方向に沿った長さLb10は、導電膜110bの下辺L22の長さよりも短い。下部電極122bは、導電膜110bの下辺L22のうち、X軸方向の略中央に電気的に接続されている。導電膜110bにおいて下部電極122bと接続する部位、すなわち第2接続部位Ar22のX軸方向の長さLb10は、第2実施形態の第2接続部位Ar12の長さLb10と同じである。また、導電膜110bにおいて上部電極121aと接続する部位、すなわち第1接続部位Ar11のX軸方向の長さLa10は、第2実施形態の第1接続部位Ar11のX軸方向の長さLa10と同じである。したがって、第3実施形態においても、第2接続部位Ar22のX軸方向の長さLb10は、第1接続部位Ar11のX軸方向の長さLa10よりも短い。このため、第2接続部位Ar22における平均電流密度は、第1接続部位Ar11における平均電流密度に比べて大きい。第3実施形態においても、第1実施形態と同様に、第2接続部位Ar22全体は、本開示の高電流密度部に相当する。 The length Lb10 of the lower electrode 122b in the X-axis direction in the third embodiment is shorter than the length of the lower side L22 of the conductive film 110b. The lower electrode 122b is electrically connected to approximately the center of the lower side L22 of the conductive film 110b in the X-axis direction. The length Lb10 of the second connection part Ar22, which is the part of the conductive film 110b that connects to the lower electrode 122b, is the same as the length Lb10 of the second connection part Ar12 in the second embodiment. In addition, the length La10 of the first connection part Ar11, which is the part of the conductive film 110b that connects to the upper electrode 121a, is the same as the length La10 of the first connection part Ar11 in the X-axis direction in the second embodiment. Therefore, in the third embodiment, the length Lb10 of the second connection part Ar22 in the X-axis direction is shorter than the length La10 of the first connection part Ar11 in the X-axis direction. Therefore, the average current density at the second connection site Ar22 is greater than the average current density at the first connection site Ar11. In the third embodiment, as in the first embodiment, the entire second connection site Ar22 corresponds to the high current density portion of the present disclosure.

以上説明した第3実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、下部電極122bのX軸方向の長さは、上部電極121aのX軸方向の長さよりも小さいので、第2接続部位Ar22における平均電流密度を第1接続部位Ar11における平均電流密度よりも高めることができる。このため、第2接続部位Ar22全体を高電流密度部として構成できる。 The sensor containing device 10 of the third embodiment described above has the same effect as the sensor containing device 10 of the first embodiment. In addition, since the length of the lower electrode 122b in the X-axis direction is smaller than the length of the upper electrode 121a in the X-axis direction, the average current density at the second connection site Ar22 can be made higher than the average current density at the first connection site Ar11. Therefore, the entire second connection site Ar22 can be configured as a high current density portion.

D.第4実施形態:
図7は、第4実施形態におけるスクリーン100aの外観構成を主として示す展開平面図である。第4実施形態のセンサ収容装置10は、スクリーン100に代えてスクリーン100aを備えている点と、一対の電極121、122に代えて、一対の電極121a、122cを備えている点と、導電膜110に代えて導電膜110bを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第4実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第4実施形態のスクリーン100aは、第2実施形態のスクリーン100aと同じである。また、上部電極121aは、第2実施形態の上部電極121aと同じである。したがって、上部電極121aのX軸方向に沿った長さLa10は、第2実施形態の上部電極121aの長さLa10と同じである。導電膜110bは、第3実施形態の導電膜110bと同じである。
D. Fourth embodiment:
7 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100a in the fourth embodiment. The sensor containing device 10 of the fourth embodiment is different from the sensor containing device 10 of the first embodiment in that the screen 100a is provided instead of the screen 100, that a pair of electrodes 121a, 122c is provided instead of the pair of electrodes 121, 122, and that a conductive film 110b is provided instead of the conductive film 110. Since the other configurations in the sensor containing device 10 of the fourth embodiment are the same as those in the sensor containing device 10 of the first embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations, and detailed description thereof is omitted. The screen 100a of the fourth embodiment is the same as the screen 100a of the second embodiment. In addition, the upper electrode 121a is the same as the upper electrode 121a of the second embodiment. Therefore, the length La10 of the upper electrode 121a along the X-axis direction is the same as the length La10 of the upper electrode 121a of the second embodiment. The conductive film 110b is the same as the conductive film 110b in the third embodiment.

第4実施形態の下部電極122cは、一対の第1部分123と、第2部分124とにより構成されている。一対の第1部分123および第2部分124のX軸方向の長さは、いずれも導電膜110bの下辺L22の長さよりも小さい。第2部分124は、一対の第1部分123によりX軸方向に挟まれており、それぞれの第1部分123に接続されている。一対の第1部分123のY軸方向の長さ(厚さ)は、互いに等しく、また、上部電極121aのY軸方向の長さ(厚さ)に等しい。そして、第2部分124のY軸方向の長さ(厚さ)は、一対の第1部分123のY軸方向の長さ(厚さ)よりも大きい。このため、導電膜110bにおいて第2部分124と接続する部位Ar32における平均電流密度は、一対の第1部分123と接続する一対の部位Ar31における平均電流密度に比べて大きい。第4実施形態においては、一対の部位Ar31と部位Ar32とを合わせた部位が本開示における第2接続部位に相当する。また、導電膜110bにおいて下部電極122cのうちの第2部分124と接続する部位Ar32は、本開示における高電流密度部に相当する。 The lower electrode 122c of the fourth embodiment is composed of a pair of first portions 123 and a second portion 124. The lengths of the pair of first portions 123 and the pair of second portions 124 in the X-axis direction are both smaller than the length of the lower side L22 of the conductive film 110b. The second portion 124 is sandwiched between the pair of first portions 123 in the X-axis direction and connected to each of the first portions 123. The lengths (thickness) of the pair of first portions 123 in the Y-axis direction are equal to each other and are equal to the length (thickness) of the upper electrode 121a in the Y-axis direction. The length (thickness) of the second portion 124 in the Y-axis direction is larger than the length (thickness) of the pair of first portions 123 in the Y-axis direction. Therefore, the average current density in the portion Ar32 in the conductive film 110b that connects to the second portion 124 is larger than the average current density in the pair of portions Ar31 that connect to the pair of first portions 123. In the fourth embodiment, the combined portion of the pair of portions Ar31 and Ar32 corresponds to the second connection portion in this disclosure. Also, the portion Ar32 of the conductive film 110b that connects to the second portion 124 of the lower electrode 122c corresponds to the high current density portion in this disclosure.

以上説明した第4実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、第2部分124におけるY軸方向の厚さは、第1部分123におけるY軸方向の厚さよりも大きく、且つ、上部電極121aにおけるY軸方向の厚さよりも大きいので、第2部分124と接続される部位Ar32における平均電流密度を第1部分123と接続される部位Ar31における平均電流密度および第1接続部位Ar11における平均電流密度よりも高くできる。このため、第2部分124と接続される部位Ar32を高電流密度部として構成できる。 The sensor containing device 10 of the fourth embodiment described above has the same effect as the sensor containing device 10 of the first embodiment. In addition, since the thickness in the Y-axis direction of the second portion 124 is greater than the thickness in the Y-axis direction of the first portion 123 and greater than the thickness in the Y-axis direction of the upper electrode 121a, the average current density in the portion Ar32 connected to the second portion 124 can be made higher than the average current density in the portion Ar31 connected to the first portion 123 and the average current density in the first connection portion Ar11. Therefore, the portion Ar32 connected to the second portion 124 can be configured as a high current density portion.

E.第5実施形態:
図8は、第5実施形態におけるスクリーン100aの外観構成を主として示す展開平面図である。第5実施形態のセンサ収容装置10は、スクリーン100に代えてスクリーン100aを備えている点と、一対の電極121、122に代えて、一対の電極121a、122dを備えている点と、導電膜110に代えて導電膜110bを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第5実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第5実施形態のスクリーン100aは、第2実施形態のスクリーン100aと同じである。また、上部電極121aは、第2実施形態の上部電極121aと同じである。したがって、上部電極121aのX軸方向に沿った長さLa10は、第2実施形態の上部電極121aの長さLa10と同じである。導電膜110bは、第3実施形態の導電膜110bと同じである。
E. Fifth embodiment:
8 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100a in the fifth embodiment. The sensor containing device 10 of the fifth embodiment is different from the sensor containing device 10 of the first embodiment in that the sensor containing device 10 of the fifth embodiment includes a screen 100a instead of the screen 100, a pair of electrodes 121a, 122d instead of the pair of electrodes 121, 122, and a conductive film 110b instead of the conductive film 110. Since the other configurations of the sensor containing device 10 of the fifth embodiment are the same as those of the sensor containing device 10 of the first embodiment, the same reference numerals are used for the same configurations, and detailed description thereof will be omitted. The screen 100a of the fifth embodiment is the same as the screen 100a of the second embodiment. Moreover, the upper electrode 121a is the same as the upper electrode 121a of the second embodiment. Therefore, the length La10 of the upper electrode 121a along the X-axis direction is the same as the length La10 of the upper electrode 121a of the second embodiment. The conductive film 110b is the same as the conductive film 110b in the third embodiment.

第5実施形態の下部電極122dは、一対の第1部分125と、第2部分126とにより構成されている。一対の第1部分125および第2部分126のX軸方向の長さは、いずれも導電膜110bの下辺L22の長さよりも小さい。第2部分126は、一対の第1部分125によりX軸方向に挟まれており、それぞれの第1部分125に接続されている。本実施形態において、第2部分126は、一対の第1部分125を形成する部材および上部電極121aを形成する部材よりも高い導電率を有する材料により形成されている。具体的には、本実施形態では、第2部分126は、銀(Ag)により形成され、一対の第1部分125および上部電極121aは銅(Cu)により形成されている。このため、導電膜110bにおいて第2部分126と接続する部位Ar42における平均電流密度は、一対の第1部分125と接続する一対の部位Ar41における平均電流密度に比べて大きい。第5実施形態においては、一対の部位Ar41と部位Ar42とを合わせた部位が本開示における第2接続部位に相当する。また、導電膜110bにおける下部電極122dのうちの第2部分126と接続する部位Ar42は、本開示における高電流密度部に相当する。 The lower electrode 122d of the fifth embodiment is composed of a pair of first portions 125 and a second portion 126. The lengths of the pair of first portions 125 and the pair of second portions 126 in the X-axis direction are both smaller than the length of the lower side L22 of the conductive film 110b. The second portion 126 is sandwiched between the pair of first portions 125 in the X-axis direction and is connected to each of the first portions 125. In this embodiment, the second portion 126 is formed of a material having a higher conductivity than the material forming the pair of first portions 125 and the material forming the upper electrode 121a. Specifically, in this embodiment, the second portion 126 is formed of silver (Ag), and the pair of first portions 125 and the upper electrode 121a are formed of copper (Cu). Therefore, the average current density in the portion Ar42 of the conductive film 110b that connects to the second portion 126 is larger than the average current density in the pair of portions Ar41 that connect to the pair of first portions 125. In the fifth embodiment, the combined portion of the pair of portions Ar41 and Ar42 corresponds to the second connection portion in this disclosure. Also, the portion Ar42 of the conductive film 110b that connects to the second portion 126 of the lower electrode 122d corresponds to the high current density portion in this disclosure.

以上説明した第5実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、第2部分126は、第1部分125を形成する材料(Cu)よりも高い導電率を有し、且つ、上部電極121aを形成する材料(Cu)よりも高い導電率を有する材料である銀(Ag)により形成されているので、第2部分126と接続される部位Ar42における平均電流密度を第1部分125と接続される部位Ar41における平均電流密度および第1接続部位Ar11における平均電流密度よりも高くできる。このため、第2部分126と接続される部位を高電流密度部として構成できる。 The sensor containing device 10 of the fifth embodiment described above has the same effect as the sensor containing device 10 of the first embodiment. In addition, since the second portion 126 is formed of silver (Ag), which has a higher conductivity than the material (Cu) forming the first portion 125 and has a higher conductivity than the material (Cu) forming the upper electrode 121a, the average current density in the portion Ar42 connected to the second portion 126 can be made higher than the average current density in the portion Ar41 connected to the first portion 125 and the average current density in the first connection portion Ar11. Therefore, the portion connected to the second portion 126 can be configured as a high current density portion.

F.第6実施形態:
図9は、第6実施形態におけるスクリーン100aの外観構成を主として示す展開平面図である。第6実施形態のセンサ収容装置10は、スクリーン100に代えてスクリーン100aを備えている点と、一対の電極121、122に代えて、一対の電極121a、122aを備えている点と、導電膜110に代えて導電膜110cを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第6実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第6実施形態のスクリーン100aは、第2実施形態のスクリーン100aと同じである。また、一対の電極121a、122aは、第2実施形態の一対の電極121a、122aと同じである。
F. Sixth embodiment:
9 is a developed plan view mainly showing the external configuration of the screen 100a in the sixth embodiment. The sensor containing device 10 of the sixth embodiment is different from the sensor containing device 10 of the first embodiment in that the screen 100a is provided instead of the screen 100, that the pair of electrodes 121a, 122a are provided instead of the pair of electrodes 121, 122, and that the conductive film 110c is provided instead of the conductive film 110. Since the other configurations in the sensor containing device 10 of the sixth embodiment are the same as those in the sensor containing device 10 of the first embodiment, the same reference numerals are given to the same configurations, and detailed description thereof is omitted. The screen 100a of the sixth embodiment is the same as the screen 100a of the second embodiment. In addition, the pair of electrodes 121a, 122a are the same as the pair of electrodes 121a, 122a of the second embodiment.

第6実施形態の導電膜110cは、一対の第1部位112aと、第2部位112bとを備えている。一対の第1部位112aの平面視形状は、第2実施形態の一対の絶縁部111a、111bの平面視形状と同じである。第2部位112bの平面視形状は、第2実施形態の導電膜110aの平面視形状と同じである。第2部位112bの厚さ(Y軸方向の長さ)は、一定であり、一対の第1部位112aの厚さ(Y軸方向の長さ)に比べて大きい。このため、第2部位112bにおける平均電流密度は、一対の第1部位112aにおける平均電流密度よりも大きくなる。さらに、図9に示すように、下部電極122aが第2部位112bに接続される接続長さは、上部電極121aが第2部位112bに接続される接続長さよりも小さい。このため、第2部位112bにおいて下部電極122aと接続する部位Ar52における平均電流密度は、一対の第1部位112aにおいて下部電極122aと接続する部位Ar51における平均電流密度よりも大きく、また、第1接続部位Ar11における平均電流密度よりも大きい。第6実施形態においては、部位Ar52は、本開示の高電流密度部に相当する。 The conductive film 110c of the sixth embodiment includes a pair of first portions 112a and a second portion 112b. The planar shape of the pair of first portions 112a is the same as the planar shape of the pair of insulating portions 111a, 111b of the second embodiment. The planar shape of the second portion 112b is the same as the planar shape of the conductive film 110a of the second embodiment. The thickness (length in the Y-axis direction) of the second portion 112b is constant and is larger than the thickness (length in the Y-axis direction) of the pair of first portions 112a. Therefore, the average current density in the second portion 112b is larger than the average current density in the pair of first portions 112a. Furthermore, as shown in FIG. 9, the connection length where the lower electrode 122a is connected to the second portion 112b is smaller than the connection length where the upper electrode 121a is connected to the second portion 112b. Therefore, the average current density in the portion Ar52 where the second portion 112b connects to the lower electrode 122a is greater than the average current density in the portion Ar51 where the pair of first portions 112a connect to the lower electrode 122a, and is also greater than the average current density in the first connection portion Ar11. In the sixth embodiment, the portion Ar52 corresponds to the high current density portion of the present disclosure.

以上説明した第6実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、下部電極122aが第2部位112bに接続される接続長さは、上部電極121aが第2部位112bに接続される接続長さよりも小さく構成され、また、第2部位112bの厚さが一対の第1部位112aの厚さよりも大きく構成されているので、部位Ar52の平均電流密度を、一対の部位Ar51の平均電流密度および第1接続部位Ar11における平均電流密度よりも高くでき、かかる部分を高電流密度部として構成できる。 The sensor storage device 10 of the sixth embodiment described above has the same effect as the sensor storage device 10 of the first embodiment. In addition, the connection length of the lower electrode 122a connected to the second portion 112b is configured to be shorter than the connection length of the upper electrode 121a connected to the second portion 112b, and the thickness of the second portion 112b is configured to be greater than the thickness of the pair of first portions 112a, so that the average current density of portion Ar52 can be made higher than the average current density of the pair of portions Ar51 and the average current density at the first connection portion Ar11, and such portions can be configured as high current density portions.

G.第7実施形態:
図10は、第7実施形態におけるスクリーンの100外観構成を主として示す斜視図である。図11は、第7実施形態における導電膜、一対の電極、および可変抵抗器の電気的接続を模式的に示す説明図である。第7実施形態のセンサ収容装置10は、導電膜110に代えて導電膜110dを備えている点と、3つの可変抵抗器131、132、133とを備えている点とにおいて、第1実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第3実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、図11では、説明の便宜上、スクリーン100および導電膜110dの形状を矩形として表しているが、いずれも図4に示す導電膜110と同様に、略扇形の平面視形状を有している。3つの可変抵抗器131、132、133を、可変抵抗器130と総称することもある。
G. Seventh embodiment:
FIG. 10 is a perspective view mainly showing the external configuration of the screen 100 in the seventh embodiment. FIG. 11 is an explanatory diagram that shows the electrical connection of the conductive film, the pair of electrodes, and the variable resistor in the seventh embodiment. The sensor accommodating device 10 in the seventh embodiment is different from the sensor accommodating device 10 in the first embodiment in that it includes a conductive film 110d instead of the conductive film 110 and three variable resistors 131, 132, and 133. The other configurations in the sensor accommodating device 10 in the third embodiment are the same as those in the sensor accommodating device 10 in the first embodiment, so the same components are given the same reference numerals and detailed descriptions thereof are omitted. In FIG. 11, for convenience of explanation, the screen 100 and the conductive film 110d are shown as rectangular shapes, but both have a substantially sector-shaped planar shape similar to the conductive film 110 shown in FIG. 4. The three variable resistors 131, 132, and 133 may be collectively referred to as the variable resistor 130.

導電膜110dは、幅(第1辺L1から第2辺L2に向かう方向の長さ)が第1実施形態の導電膜110に比べて小さい点においてのみ、第1実施形態の導電膜110と異なる。 The conductive film 110d differs from the conductive film 110 of the first embodiment only in that the width (length in the direction from the first side L1 to the second side L2) is smaller than that of the conductive film 110 of the first embodiment.

図10および図11に示すように、可変抵抗器130は、導電膜110dの鉛直下方側の辺L2aと下部電極122との間に配置され、導電膜110dおよび下部電極122にそれぞれ電気的に接続されている。3つの可変抵抗器131、132、133は、導電膜110dの鉛直下方側の辺L2aと平行な方向Dに互いに離れて配置されている。可変抵抗器131は、方向Dに沿った導電膜110dの中央部に対応する位置に配置されている。他の2つの可変抵抗器132、133は、方向Dに沿った導電膜110dの両端に近い位置に配置されている。 As shown in Figures 10 and 11, the variable resistor 130 is disposed between the vertically lower side L2a of the conductive film 110d and the lower electrode 122, and is electrically connected to the conductive film 110d and the lower electrode 122. The three variable resistors 131, 132, and 133 are disposed apart from each other in a direction D parallel to the vertically lower side L2a of the conductive film 110d. The variable resistor 131 is disposed at a position corresponding to the center of the conductive film 110d along the direction D. The other two variable resistors 132 and 133 are disposed near both ends of the conductive film 110d along the direction D.

図12は、可変抵抗器130の詳細構成を示す平面図である。可変抵抗器130は、いずれも同じ構成を有する。可変抵抗器130は、フィルム基板140と、電気抵抗部141とを有する。 Figure 12 is a plan view showing the detailed configuration of the variable resistor 130. All variable resistors 130 have the same configuration. The variable resistor 130 has a film substrate 140 and an electrical resistance portion 141.

フィルム基板140は、樹脂製のフィルム部材により形成されている。かかる樹脂としては、例えば、ポリイミドやPETやPEN等が用いられる。なお、樹脂に代えて、ガラスやSi(ケイ素)基板によりフィルム基板140が形成されてもよい。 The film substrate 140 is formed from a resin film member. Examples of such resin include polyimide, PET, and PEN. Instead of resin, the film substrate 140 may be formed from glass or a Si (silicon) substrate.

電気抵抗部141は、方向Dに折り返しながらZ軸方向に向かう折れ線状の配線パターンを有する。電気抵抗部141は導電性部材により形成される。本実施形態では、電気抵抗部141は、銅により形成されている。具体的には、電気抵抗部141は、フィルム基板140の表面に上記配線パターンとなるように銅が成膜されて、形成されている。なお、銅に代えて、銀や鉄といった温度が低い場合に高い場合に比べて電気抵抗が低い任意の種類の導電材料を用いてもよい。このような構成を有する可変抵抗器130の電気抵抗は温度特性を有する。具体的には、可変抵抗器130は、可変抵抗器130の電気抵抗値は、温度が低い場合に、温度が高い場合に比べて小さい特性を有する。可変抵抗器130の電気抵抗が上述のような温度特性を有するため、低温環境下においては、可変抵抗器130の電気抵抗が低減し、導電膜110を流れる電流が大きくなる。このため、導電膜110において発生するジュール熱の熱量が増大し、スクリーン100をより加熱できる。したがって、スクリーン100に付着する雪を融解し、また、付着する液水を蒸発させることができる。後述するような雪や水等がスクリーン100に局所的に付着した状態ではない状態、例えば、スクリーン100に雪等が付着していない状態、或いは、スクリーン100に雪が均等にまんべんなく付着している状態では、上部電極121から下部電極122に流れる電流は、図11において破線矢印により示すように、方向Dに分散して導電膜110dを流れて、3つの可変抵抗器130を通って下部電極122に向かう。 The electrical resistance portion 141 has a zigzag wiring pattern that turns back in the direction D and faces the Z-axis direction. The electrical resistance portion 141 is formed of a conductive material. In this embodiment, the electrical resistance portion 141 is formed of copper. Specifically, the electrical resistance portion 141 is formed by depositing copper on the surface of the film substrate 140 so as to form the above-mentioned wiring pattern. Note that, instead of copper, any type of conductive material that has a lower electrical resistance at low temperatures than at high temperatures, such as silver or iron, may be used. The electrical resistance of the variable resistor 130 having such a configuration has a temperature characteristic. Specifically, the variable resistor 130 has a characteristic that the electrical resistance value of the variable resistor 130 is smaller at low temperatures than at high temperatures. Since the electrical resistance of the variable resistor 130 has the above-mentioned temperature characteristic, in a low-temperature environment, the electrical resistance of the variable resistor 130 is reduced and the current flowing through the conductive film 110 is increased. As a result, the amount of Joule heat generated in the conductive film 110 increases, and the screen 100 can be heated more. Therefore, snow adhering to the screen 100 can be melted, and liquid water adhering to the screen 100 can be evaporated. In a state in which snow, water, etc. are not locally attached to the screen 100, as described below, for example, in a state in which snow, etc. is not attached to the screen 100, or in a state in which snow is evenly and uniformly attached to the screen 100, the current flowing from the upper electrode 121 to the lower electrode 122 is dispersed in direction D, as shown by the dashed arrow in FIG. 11, flows through the conductive film 110d, passes through the three variable resistors 130, and heads toward the lower electrode 122.

図13は、スクリーン100に雪が局所的に付着した状態における導電膜110dを流れる電流を模式的に示す説明図である。図13では、スクリーン100に付着した雪Snが二点鎖線により表わされている。上述のように、スクリーン100は、X軸方向の中央に向かうにつれてセンサ装置200から遠ざかる方向(-Y方向)に突出するように湾曲しているため、+Y方向の風に乗ってスクリーン100に雪が付着する場合、方向Dの中央部の鉛直下方により多くの雪が付着する。このような状況においては、可変抵抗器131の近傍の温度は、他の2つの可変抵抗器132、133の近傍の温度よりも低くなる。このため、可変抵抗器131の電気抵抗値は、他の2つの可変抵抗器132、133の電気抵抗値よりも小さくなる。その結果、図13において破線矢印に示すように、上部電極121から可変抵抗器131に向かう電流が増大する。したがって、スクリーン100において方向Dの中央部の鉛直下方を局所的により加熱でき、雪Snを融解できる。また、このとき、可変抵抗器131に流れるほどの大きさの電流は可変抵抗器132、133を流れないので、スクリーン100の方向Dの両端において過度に加熱されてスクリーン100が変形することを抑制できる。 Figure 13 is an explanatory diagram showing a schematic diagram of the current flowing through the conductive film 110d when snow is locally attached to the screen 100. In Figure 13, snow Sn attached to the screen 100 is represented by a two-dot chain line. As described above, the screen 100 is curved so that it protrudes in a direction (-Y direction) away from the sensor device 200 as it moves toward the center in the X-axis direction. Therefore, when snow adheres to the screen 100 by wind in the +Y direction, more snow adheres vertically downward to the center of the direction D. In such a situation, the temperature near the variable resistor 131 is lower than the temperature near the other two variable resistors 132 and 133. Therefore, the electrical resistance value of the variable resistor 131 is smaller than the electrical resistance values of the other two variable resistors 132 and 133. As a result, as shown by the dashed arrow in Figure 13, the current from the upper electrode 121 to the variable resistor 131 increases. Therefore, the area vertically below the center of the screen 100 in the direction D can be locally heated, and the snow Sn can be melted. In addition, at this time, a current large enough to flow through the variable resistor 131 does not flow through the variable resistors 132 and 133, so that it is possible to prevent the screen 100 from being deformed due to excessive heating at both ends of the screen 100 in the direction D.

以上説明した第7実施形態のセンサ収容装置10は、第1実施形態のセンサ収容装置10と同様の効果を有する。加えて、可変抵抗器130の抵抗値は、温度が低い場合に温度が高い場合に比べて小さい特性を有するので、低温時に可変抵抗器130を流れる電流を増大させることができ、導電膜110dにおいて可変抵抗器130が接続されている部位を他の部位に比べて昇温させることができる。また、可変抵抗器130は、下部電極122と導電膜110dとの間に配置されているので、導電膜110dにおける電磁波の透過面積が狭くなることを抑制できる。これらのことから、第7実施形態のセンサ収容装置10によれば、スクリーン100における電磁波の透過可能面積が狭くなることを抑制しつつ、加熱が必要な部位を局所的に加熱できる。 The sensor accommodating device 10 of the seventh embodiment described above has the same effect as the sensor accommodating device 10 of the first embodiment. In addition, since the resistance value of the variable resistor 130 has a characteristic that it is smaller when the temperature is low than when the temperature is high, the current flowing through the variable resistor 130 can be increased at low temperatures, and the part of the conductive film 110d to which the variable resistor 130 is connected can be heated more than other parts. In addition, since the variable resistor 130 is disposed between the lower electrode 122 and the conductive film 110d, the electromagnetic wave transmission area of the conductive film 110d can be prevented from narrowing. For these reasons, according to the sensor accommodating device 10 of the seventh embodiment, the part that needs to be heated can be locally heated while preventing the electromagnetic wave transmission area of the screen 100 from narrowing.

また、3つの可変抵抗器131~133は、下部電極122と導電膜110dとの間において2つの辺と平行な方向に互いに離れて配置されているので、可変抵抗器130が接続された複数の部位において、互いに温度が異なる場合においても、それぞれの温度に応じた電流、具体的には温度が低いほど多くの電流を流すことができ、部分的に雪に覆われて局所的に低温であるといったスクリーン100における温度分布が存在する場合に、各部位を適切に加熱できる。 The three variable resistors 131-133 are arranged at a distance from each other between the lower electrode 122 and the conductive film 110d in a direction parallel to the two sides. Therefore, even if the temperatures differ from one another at the multiple locations to which the variable resistors 130 are connected, a current according to each temperature can flow, specifically, the lower the temperature, the more current can flow. This allows each location to be appropriately heated when there is a temperature distribution on the screen 100, such as when it is partially covered with snow and locally cold.

また、可変抵抗器130は、電磁波の透過性を有するフィルム基板140と、フィルム基板140に導電性材料で形成された配線パターンと、により構成されているので、可変抵抗器130によりスクリーン100における電磁波の透過面積が狭くなることを抑制できる。 In addition, the variable resistor 130 is composed of a film substrate 140 that is transparent to electromagnetic waves and a wiring pattern formed on the film substrate 140 with a conductive material, so that the variable resistor 130 can prevent the electromagnetic wave transmission area of the screen 100 from becoming narrower.

また、スクリーン100は、交差方向に湾曲しているので、例えば、センサ収容装置10が屋外で用いられた場合に、風向きなどの環境条件によって雪や霜などがスクリーン100に局所的に付着し易い。しかし、このような状況であっても、雪等が局所的に付着する部位に可変抵抗器130が配置されているので、かかる部位を局所的に加熱して雪等を溶解できる。 In addition, because the screen 100 is curved in the cross direction, for example, when the sensor housing device 10 is used outdoors, snow, frost, and the like are likely to adhere locally to the screen 100 depending on environmental conditions such as wind direction. However, even in such a situation, since the variable resistor 130 is disposed in the area where snow, etc., adheres locally, it is possible to locally heat such an area and melt the snow, etc.

また、センサ収容装置10では、スクリーン100のうちの鉛直下方側の辺の近傍は、スクリーン100の上方に付着した雪が自重により滑り落ちて集まりやすく、部分的に低温になり易い。しかし、このような状況においても、低温になり易い部位に可変抵抗器130が配置されているので、かかる部位を局所的に加熱して雪や水等を除去できる。 In addition, in the sensor housing device 10, snow that has adhered to the upper part of the screen 100 tends to slide down and collect due to its own weight near the vertically lower edge of the screen 100, making the area prone to low temperatures. However, even in such a situation, the variable resistor 130 is located in an area that is prone to low temperatures, so that such an area can be locally heated to remove snow, water, etc.

また、可変抵抗器130は、下部電極122と導電膜110との間に配置されているので、スクリーン100の上方に付着した雪が自重により滑り落ちて集まり低温になり易い鉛直下方部分の温度に応じて導電膜110に流れる電流を制御でき、雪や水等をより確実に除去できる。 In addition, since the variable resistor 130 is disposed between the lower electrode 122 and the conductive film 110, the current flowing through the conductive film 110 can be controlled according to the temperature of the vertically lower part where snow that has adhered to the upper part of the screen 100 slides down due to its own weight and accumulates, which tends to become cold, and snow, water, etc. can be removed more reliably.

H.第8実施形態:
図14は、第8実施形態の可変抵抗器130aの等価回路を示す説明図である。第8実施形態のセンサ収容装置10は、可変抵抗器130に代えて、可変抵抗器130aを備える点において第7実施形態のセンサ収容装置10と異なる。第8実施形態のセンサ収容装置10におけるその他の構成は、第7実施形態のセンサ収容装置10と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。なお、第8実施形態においても、3つの可変抵抗器130aは第7実施形態の可変抵抗器130と同じ位置に配置されている。
H. Eighth embodiment:
14 is an explanatory diagram showing an equivalent circuit of the variable resistor 130a of the eighth embodiment. The sensor accommodating device 10 of the eighth embodiment differs from the sensor accommodating device 10 of the seventh embodiment in that it includes a variable resistor 130a instead of the variable resistor 130. The other configurations of the sensor accommodating device 10 of the eighth embodiment are the same as those of the sensor accommodating device 10 of the seventh embodiment, so the same components are given the same reference numerals and detailed descriptions thereof are omitted. In the eighth embodiment, the three variable resistors 130a are arranged in the same positions as the variable resistors 130 of the seventh embodiment.

第8実施形態の可変抵抗器130aは、上述の可変抵抗器130と、トランジスタ151と、プルダウン抵抗器152とを備える。本実施形態の可変抵抗器130は、トランジスタ151のゲート電極と、電源VCCとの間に配置されている。電源VCCは、上部電極121が接続されている電源と同じである。トランジスタ151のコレクタ電極は、導電膜110dに接続されている。トランジスタ151のエミッタ電極は、下部電極122を介してグランドGNDに接続されている。プルダウン抵抗器152は、可変抵抗器130と下部電極122との間に配置されている。 The variable resistor 130a of the eighth embodiment includes the variable resistor 130 described above, a transistor 151, and a pull-down resistor 152. The variable resistor 130 of this embodiment is disposed between the gate electrode of the transistor 151 and a power supply VCC. The power supply VCC is the same as the power supply to which the upper electrode 121 is connected. The collector electrode of the transistor 151 is connected to the conductive film 110d. The emitter electrode of the transistor 151 is connected to the ground GND via the lower electrode 122. The pull-down resistor 152 is disposed between the variable resistor 130 and the lower electrode 122.

上記構成を有する可変抵抗器130aでは、可変抵抗器130aの温度が所定温度以下になった場合に、可変抵抗器130の抵抗値が所定の抵抗値以下となり、トランジスタ151をオンすることが可能な程度の電圧がトランジスタ151のゲート電極に印加されることとなる。トランジスタ151のゲート電極がオンすることにより、導電膜110dに電流が流れ、スクリーン100が加熱される。したがって、第7実施形態と同様に、スクリーン100のうち、雪が付着するなどして温度が低下した領域の近傍に位置する可変抵抗器130aにおいて、トランジスタ151がオンして導電膜110dに電流が流れ、該当する領域が加熱されて雪等が除去されることとなる。 In the variable resistor 130a having the above configuration, when the temperature of the variable resistor 130a falls below a predetermined temperature, the resistance value of the variable resistor 130 falls below the predetermined resistance value, and a voltage capable of turning on the transistor 151 is applied to the gate electrode of the transistor 151. When the gate electrode of the transistor 151 is turned on, a current flows through the conductive film 110d, and the screen 100 is heated. Therefore, as in the seventh embodiment, in the variable resistor 130a located near an area of the screen 100 where the temperature has dropped due to snow adhering thereto, the transistor 151 is turned on and a current flows through the conductive film 110d, heating the corresponding area and removing the snow, etc.

他方、可変抵抗器130aでは、可変抵抗器130aの温度が所定温度よりも高い場合には、可変抵抗器130にはほとんど電流が流れない。このため、可変抵抗器130を流れる電流により発生するジュール熱を抑制でき、可変抵抗器130が高温となることを抑制できると共に、雪等がスクリーン100に付着しておらずスクリーン100を加熱する必要が無い場合に、スクリーン100を加熱しないで済み、省電力を実現できる。 On the other hand, in the case of the variable resistor 130a, when the temperature of the variable resistor 130a is higher than a predetermined temperature, almost no current flows through the variable resistor 130. This makes it possible to suppress Joule heat generated by the current flowing through the variable resistor 130, and to prevent the variable resistor 130 from becoming too hot. In addition, when snow or the like is not attached to the screen 100 and there is no need to heat the screen 100, the screen 100 does not need to be heated, which allows power saving to be achieved.

以上説明した第8実施形態のセンサ収容装置10は、第7実施形態のセンサ収容装置10と同様な効果を有する。加えて、可変抵抗器130が、導電膜110と下部電極122との間に配置されたトランジスタ151のゲート電極に接続されているので、可変抵抗器130aの温度が所定温度以下の場合に、導電膜110に電流を流してスクリーン100を加熱できる。また、可変抵抗器130aの温度が所定温度よりも高い場合には、可変抵抗器130に電流を流さないようにして可変抵抗器130における発熱を抑制でき、また、スクリーン100を無駄に加熱せずに済み、省電力を実現できる。 The sensor containing device 10 of the eighth embodiment described above has the same effect as the sensor containing device 10 of the seventh embodiment. In addition, since the variable resistor 130 is connected to the gate electrode of the transistor 151 arranged between the conductive film 110 and the lower electrode 122, when the temperature of the variable resistor 130a is equal to or lower than a predetermined temperature, a current can be passed through the conductive film 110 to heat the screen 100. When the temperature of the variable resistor 130a is higher than the predetermined temperature, heat generation in the variable resistor 130 can be suppressed by preventing current from passing through the variable resistor 130, and the screen 100 can be prevented from being unnecessarily heated, thereby realizing power saving.

I.他の実施形態:
(I1)第2ないし第6実施形態では、スクリーン100aおよび導電膜110a~110cの平面視形状は矩形であったが、これらはいずれも第1実施形態と同様に略扇形形状であってもよい。例えば、第2実施形態であれば、図4において導電膜110の両端に一対の絶縁部111a、111bと同様な絶縁部を設ける構成としてもよい。第3実施形態であれば、図4において下部電極122の長さを短く構成してもよい。第4実施形態であれば、図4において、下部電極122をY軸方向の長さ(厚さ)の異なる複数の部位が接続された構成としてもよい。第5実施形態であれば、図4において、下部電極122を導電率が異なる複数の部位が接続された構成としてもよい。第6実施形態であれば、図4において、導電膜110を厚さが異なる複数の部位からなる構成としてもよい。
I. Other embodiments:
(I1) In the second to sixth embodiments, the screen 100a and the conductive films 110a to 110c have a rectangular shape in plan view, but they may all be substantially sector-shaped as in the first embodiment. For example, in the second embodiment, the conductive film 110 may be provided with insulating parts similar to the pair of insulating parts 111a and 111b at both ends in FIG. 4. In the third embodiment, the length of the lower electrode 122 may be shortened in FIG. In the fourth embodiment, the lower electrode 122 may be configured to have a configuration in which multiple parts having different lengths (thicknesses) in the Y-axis direction are connected in FIG. In the fifth embodiment, the lower electrode 122 may be configured to have a configuration in which multiple parts having different conductivities are connected in FIG. In the sixth embodiment, the conductive film 110 may be configured to have a configuration in which multiple parts having different thicknesses are connected in FIG. 4.

(I2)第2実施形態では、一対の絶縁部111a、111bは、導電膜110aを挟むように配置されていたが、本開示はこれに限定されない。一対の絶縁部111a、111bのうち、どちらか一方に相当する部分を、導電膜110aの一部として構成してもよい。かかる構成においても、導電膜110aにおいて下部電極122aと接続する部位のX軸方向の長さは、第1接続部位Ar11のX軸方向の長さよりも短く構成できるので、第2実施形態と同様な効果を奏する。また、一対の絶縁部111a、111bのうちの少なくとも一方の平面視形状は、直角三角形に限らず、任意の多角形形状であってもよい。 (I2) In the second embodiment, the pair of insulating parts 111a, 111b are arranged to sandwich the conductive film 110a, but the present disclosure is not limited to this. A portion corresponding to one of the pair of insulating parts 111a, 111b may be configured as part of the conductive film 110a. Even in such a configuration, the length in the X-axis direction of the part of the conductive film 110a that connects to the lower electrode 122a can be configured to be shorter than the length in the X-axis direction of the first connection part Ar11, so that the same effect as in the second embodiment is achieved. In addition, the planar shape of at least one of the pair of insulating parts 111a, 111b is not limited to a right-angled triangle, and may be any polygonal shape.

(I3)第3実施形態において、下部電極122bは、導電膜110bの下辺L22のうち、X軸方向の略中央に電気的に接続されていたが、下辺L22のうちの他の部分に電気的に接続されていてもよい。 (I3) In the third embodiment, the lower electrode 122b was electrically connected to approximately the center of the lower side L22 of the conductive film 110b in the X-axis direction, but it may be electrically connected to another part of the lower side L22.

(I4)第4実施形態において、下部電極122cは、第2部分124が一対の第1部分123によりX軸方向に挟まれた構成を有していたが、本開示はこれに限定されない。下部電極122cは、第1部分123と第2部分124とをそれぞれ1つずつ有し、これらが接続された構成を有していてもよい。 (I4) In the fourth embodiment, the lower electrode 122c has a configuration in which the second portion 124 is sandwiched between a pair of first portions 123 in the X-axis direction, but the present disclosure is not limited to this. The lower electrode 122c may have a configuration in which one each of the first portion 123 and the second portion 124 are connected.

(I5)第5実施形態において、第2部分126は、銀(Ag)により形成され、一対の第1部分125および上部電極121aは銅(Cu)により形成されていたが、本開示はこれに限定されない。例えば、第2部分126を銅により形成し、第1部分125および電極121aをステンレス鋼(SUS)により形成してもよい。また、例えば、第2部分126を金(Au)により形成し、第1部分125および電極121aを銀により形成してもよい。すなわち、一般には、第2部分126は、一対の第1部分125を形成する部材および上部電極121aを形成する部材よりも高い導電率を有する任意の材料により形成されてもよい。 (I5) In the fifth embodiment, the second portion 126 is formed of silver (Ag), and the pair of first portions 125 and the upper electrode 121a are formed of copper (Cu), but the present disclosure is not limited to this. For example, the second portion 126 may be formed of copper, and the first portion 125 and the electrode 121a may be formed of stainless steel (SUS). Also, for example, the second portion 126 may be formed of gold (Au), and the first portion 125 and the electrode 121a may be formed of silver. That is, in general, the second portion 126 may be formed of any material having a higher conductivity than the material forming the pair of first portions 125 and the material forming the upper electrode 121a.

(I6)第6実施形態では、一対の第1部位112aは、第2部位112bを挟むように配置されていたが、本開示はこれに限定されない。一対の第1部位112aのうち、いずれか一方に相当する部位を、第2部位112bの一部として構成してもよい。かかる構成においても、第2部位112bにおいて下部電極122aと接続する部位のX軸方向の長さは、第1接続部位Ar11のX軸方向の長さよりも短く構成できるので、第6実施形態と同様な効果を奏する。また、一対の第1部位112aのうちの少なくとも一方の平面視形状は、直角三角形に限らず、任意の多角形形状であってもよい。 (I6) In the sixth embodiment, the pair of first portions 112a are arranged to sandwich the second portion 112b, but the present disclosure is not limited to this. A portion of the pair of first portions 112a corresponding to one of the pair of first portions 112a may be configured as part of the second portion 112b. Even in this configuration, the length in the X-axis direction of the portion of the second portion 112b that connects to the lower electrode 122a can be configured to be shorter than the length in the X-axis direction of the first connection portion Ar11, thereby achieving the same effect as in the sixth embodiment. Furthermore, the planar shape of at least one of the pair of first portions 112a is not limited to a right-angled triangle, and may be any polygonal shape.

(I7)第7、8実施形態では、可変抵抗器130、130aの数は、それぞれ3つであったが、任意の数であってもよい。具体的には、1つでも2以上の任意の複数であってもよい。また、各可変抵抗器130、130aは、互いに方向Dに離れて配置されていたが、これに代えて、互いに接して配置されていてもよい。 (I7) In the seventh and eighth embodiments, the number of variable resistors 130, 130a was three, but any number may be used. Specifically, the number may be one or any number of two or more. Also, the variable resistors 130, 130a were arranged apart from each other in the direction D, but instead, they may be arranged in contact with each other.

(I8)第7、8実施形態における可変抵抗器130に代えて、PTC(Positive Temperature Coefficient)サーミスタを用いてもよい。すなわち、一般には、電気抵抗値が、温度が低い場合に温度が高い場合に比べて小さい特性を有する任意の種類の可変抵抗器を、本開示のセンサ収容装置に用いてもよい。 (I8) A PTC (Positive Temperature Coefficient) thermistor may be used instead of the variable resistor 130 in the seventh and eighth embodiments. In other words, in general, any type of variable resistor having a characteristic that the electrical resistance value is smaller at low temperatures compared to at high temperatures may be used in the sensor housing device of the present disclosure.

(I9)各実施形態において、スクリーン100は、交差方向に湾曲していたが、湾曲することに代えて、屈曲してもよい。或いは、平面状であってもよい。また、各実施形態において、スクリーン100の鉛直下方側の辺は、鉛直上方側の辺と同じか短かったが、本開示はこれに限定されない。スクリーン100の鉛直下方側の辺が鉛直上方側の辺に比べて長くてもよい。 (I9) In each embodiment, the screen 100 is curved in the cross direction, but instead of being curved, it may be bent. Alternatively, it may be flat. Also, in each embodiment, the vertically lower side of the screen 100 is the same length as or shorter than the vertically upper side, but the present disclosure is not limited to this. The vertically lower side of the screen 100 may be longer than the vertically upper side.

(I10)第7、8実施形態において、可変抵抗器130、130aは、導電膜110と下部電極122との間に配置されていたが、これに代えて、または、これに加えて、導電膜110と電極121との間に配置されていてもよい。 (I10) In the seventh and eighth embodiments, the variable resistors 130 and 130a were arranged between the conductive film 110 and the lower electrode 122, but instead of or in addition to this, they may be arranged between the conductive film 110 and the electrode 121.

(I11)各実施形態において、センサ装置200が照射および受信する電磁波は、赤外線レーザであったが、赤外線レーザに限らず、任意の波長の電磁波であってもよい。例えば、近赤外線光や、遠赤外線光や、マイクロ波であってもよい。さらに、センサ装置200は、電磁波の照射と受信のうち、受信のみを行う構成であってもよい。例えば、センサ装置200は、可視光を受信して画像を形成する撮像装置により構成されてもよい。かかる構成においても、スクリーン100、100aを透過する可視光がスクリーン100、100aに付着した雪により遮られることを抑制できる。 (I11) In each embodiment, the electromagnetic waves emitted and received by the sensor device 200 are infrared lasers, but they are not limited to infrared lasers and may be electromagnetic waves of any wavelength. For example, they may be near-infrared light, far-infrared light, or microwaves. Furthermore, the sensor device 200 may be configured to only receive electromagnetic waves, instead of emitting and receiving them. For example, the sensor device 200 may be configured with an imaging device that receives visible light and forms an image. Even in such a configuration, it is possible to prevent visible light passing through the screens 100, 100a from being blocked by snow adhering to the screens 100, 100a.

(I12)第4実施形態のスクリーン100aにおいて、第1部分123をほぼ厚さの無い電極として構成し、これに対して、第2部分124において電極厚さを設ける構成としてもよい。「ほぼ厚さの無い電極」とは、このようなスクリーンのヒータ用の電極としては非常に薄い、例えば、厚さが1mm以下の電極を意味する。これに対して、電極厚さとは、例えば、1mmよりも大きな厚さを意味する。また、例えば、電極厚さとは、電極厚さが設けられている部分は、電極厚さが設けられていない部分に比べて厚さが2倍以上であるような状態も含む広い概念を有する。このような構成においても、第4実施形態のスクリーン100aと同様な効果を奏する。 (I12) In the screen 100a of the fourth embodiment, the first portion 123 may be configured as an electrode with almost no thickness, and the second portion 124 may be configured to have an electrode thickness. An "electrode with almost no thickness" means an electrode that is very thin for a heater electrode of such a screen, for example, an electrode with a thickness of 1 mm or less. In contrast, the electrode thickness means a thickness greater than 1 mm, for example. Also, for example, the electrode thickness has a broad concept that includes a state in which the portion where the electrode thickness is provided is more than twice as thick as the portion where the electrode thickness is not provided. Even with such a configuration, the same effect as the screen 100a of the fourth embodiment can be achieved.

本開示は、上記各実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する各実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and can be realized in various configurations without departing from the spirit of the present disclosure. For example, the technical features in each embodiment corresponding to the technical features in each form described in the Summary of the Invention column can be replaced or combined as appropriate to solve some or all of the above-described problems or to achieve some or all of the above-described effects. Furthermore, if a technical feature is not described in this specification as essential, it can be deleted as appropriate.

10…センサ収容装置、11…上部ケース部、12…下部ケース部、13…開口部、100,100a…スクリーン、110,110a~110d…導電膜、111a,111b…絶縁部、112a…第1部位、112b…第2部位、121,121a…上部電極、122,122a~122d…下部電極、130…可変抵抗器、130a…可変抵抗器、131…可変抵抗器、132…可変抵抗器、133…可変抵抗器、140…フィルム基板、141…電気抵抗部、151…トランジスタ、152…プルダウン抵抗器、200…センサ装置、210…駆動部、Ar1,Ar11…第1接続部位、Ar2,Ar12,Ar22,Ar32,Ar42,Ar52…第2接続部位、D…方向、GND…グランド、L1,L21…第1辺、L2,L20,L22…第2辺、R1…照射光、R2…反射波、Sn…雪、VCC…電源 10...sensor housing device, 11...upper case part, 12...lower case part, 13...opening, 100, 100a...screen, 110, 110a to 110d...conductive film, 111a, 111b...insulating part, 112a...first part, 112b...second part, 121, 121a...upper electrode, 122, 122a to 122d...lower electrode, 130...variable resistor, 130a...variable resistor, 131...variable resistor, 132...variable resistor, 133...variable Resistor, 140...film substrate, 141...electrical resistance portion, 151...transistor, 152...pull-down resistor, 200...sensor device, 210...drive portion, Ar1, Ar11...first connection portion, Ar2, Ar12, Ar22, Ar32, Ar42, Ar52...second connection portion, D...direction, GND...ground, L1, L21...first edge, L2, L20, L22...second edge, R1...irradiated light, R2...reflected wave, Sn...snow, VCC...power supply

Claims (14)

電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置であって、
前記電磁波を受信するための開口部と、
前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、
前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、
前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、
前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、
を備え、
前記導電膜において前記第2電極に電気的に接続される第2接続部位は、前記導電膜において前記第1電極に電気的に接続される第1接続部位における平均電流密度よりも高い平均電流密度を有する高電流密度部を含み、
前記第1電極は、前記第1辺の全体に亘って前記第1辺に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2辺の全体に亘って前記第2辺に電気的に接続され、
前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さく、
前記第2辺は、前記センサ収容装置の使用状態において、前記第1辺に対して下方に位置する辺である、
センサ収容装置。
A sensor housing device that houses a sensor that receives electromagnetic waves,
an opening for receiving the electromagnetic wave;
a screen that covers the opening and is transparent to the electromagnetic waves;
a conductive film disposed in a planar shape along a surface of the screen, the conductive film having electrical conductivity and electromagnetic wave permeability;
a first electrode electrically connected to a first side of the conductive film for applying a voltage to the conductive film;
a second electrode electrically connected to a second side of the conductive film opposite to the first side, for applying a voltage to the conductive film;
Equipped with
a second connection portion of the conductive film electrically connected to the second electrode includes a high current density portion having an average current density higher than an average current density of a first connection portion of the conductive film electrically connected to the first electrode ,
the first electrode is electrically connected to the first side over the entirety of the first side,
the second electrode is electrically connected to the second side over the entire second side,
The length of the second side is smaller than the length of the first side,
The second side is a side located below the first side when the sensor housing device is in a use state.
Sensor housing device.
請求項に記載のセンサ収容装置において、
前記導電膜に対して、前記第1辺から前記第2辺に向かう方向と直交する方向に隣接する絶縁部を、さらに備え、
前記第1電極は、前記導電膜と前記絶縁部とのうち前記導電膜にのみ接続され、
前記第2電極は、前記導電膜と前記絶縁部とのうちの両方に接続されている、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 1 ,
an insulating portion adjacent to the conductive film in a direction perpendicular to a direction from the first side to the second side,
the first electrode is connected only to the conductive film among the conductive film and the insulating portion;
The second electrode is connected to both of the conductive film and the insulating portion.
請求項1に記載のセンサ収容装置において
記第2電極の前記第2辺に沿った長さは、前記第1電極の前記第1辺に沿った長さよりも小さい、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 1 ,
A sensor containing device, wherein a length of the second electrode along the second side is smaller than a length of the first electrode along the first side.
請求項1に記載のセンサ収容装置において
記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2辺に沿った長さが前記第2辺よりもそれぞれ小さい第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分においてそれぞれ前記第2辺に電気的に接続され、
前記第2部分における前記第2辺と交差する方向であって前記導電膜の厚さ方向と平行な方向である交差方向の厚さは、前記第1部分における前記交差方向の厚さよりも大きく、且つ、前記第1電極における前記交差方向の厚さよりも大きい、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 1 ,
the first electrode is electrically connected to the first side along the entirety of the first side;
the second electrode has a first portion and a second portion, each of which has a length along the second side smaller than the second side, and is electrically connected to the second side at the first portion and the second portion,
A sensor containing device, wherein a thickness in a cross direction, which is a direction that crosses the second side in the second part and is parallel to the thickness direction of the conductive film , is greater than a thickness in the cross direction in the first part and is also greater than a thickness in the cross direction in the first electrode.
請求項1または請求項に記載のセンサ収容装置において
記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2辺に沿った長さが前記第2辺よりもそれぞれ小さい第1部分および第2部分を有し、前記第1部分および前記第2部分においてそれぞれ前記第2辺に電気的に接続され、
前記第2部分は、前記第1部分を形成する材料よりも高い導電率を有し、且つ、前記第1電極を形成する材料よりも高い導電率を有する材料により形成されている、センサ収容装置。
The sensor containing device according to claim 1 or 4 ,
the first electrode is electrically connected to the first side along the entirety of the first side;
the second electrode has a first portion and a second portion, each of which has a length along the second side smaller than the second side, and is electrically connected to the second side at the first portion and the second portion,
The second portion is formed of a material having a higher electrical conductivity than a material forming the first portion and a material having a higher electrical conductivity than a material forming the first electrode.
請求項1に記載のセンサ収容装置において、
前記導電膜は、
第1部位と、
前記第1部位に対して前記第1辺から前記第2辺に向かう方向と直交する方向に隣接する第2部位であって、前記第1部位よりも厚さが大きな第2部位と、
を含み、
前記第2電極が前記第2部位に接続される接続長さは、前記第1電極が前記第2部位に接続される接続長さよりも小さい、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 1,
The conductive film is
A first portion;
a second portion adjacent to the first portion in a direction perpendicular to a direction from the first side to the second side, the second portion having a thickness greater than that of the first portion;
Including,
A connection length over which the second electrode is connected to the second portion is shorter than a connection length over which the first electrode is connected to the second portion.
請求項1に記載のセンサ収容装置において
記第1電極は、前記第1辺の全体に沿って前記第1辺に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2辺の全体に沿って前記第2辺に電気的に接続され、部分的に電極厚みが設けられており、
前記電極厚みは、前記第2電極のうちの前記電極厚みが設けられている部分を除く他の部分の厚みの2倍以上の厚みである、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 1 ,
the first electrode is electrically connected to the first side along the entirety of the first side;
the second electrode is electrically connected to the second side along the entirety of the second side and has an electrode thickness partially provided thereon;
The electrode thickness is at least twice as thick as a thickness of a portion of the second electrode excluding a portion where the electrode thickness is provided.
請求項1から請求項までのいずれか一項に記載のセンサ収容装置において、
前記第1電極と前記第2電極とからなる一対の電極のうちの少なくとも一方と、前記導電膜と、の間に配置され、前記一対の電極のうちの一方と前記導電膜とに接続された可変抵抗器を、さらに備え、
前記可変抵抗器の電気抵抗値は、温度が低い場合に温度が高い場合と比べて小さい特性を有する、センサ収容装置。
The sensor housing device according to any one of claims 1 to 7 ,
a variable resistor disposed between at least one of a pair of electrodes consisting of the first electrode and the second electrode and the conductive film, and connected to the one of the pair of electrodes and the conductive film;
The variable resistor has a characteristic that its electrical resistance value is smaller when the temperature is low than when the temperature is high.
請求項に記載のセンサ収容装置において、
複数の前記可変抵抗器を備え、
前記複数の可変抵抗器は、前記一対の電極のうちの少なくとも一方と前記導電膜との間において前記第1辺および前記第2辺と平行な方向に互いに離れて配置されている、センサ収容装置。
The sensor containing device according to claim 8 ,
A plurality of the variable resistors are provided,
The plurality of variable resistors are disposed apart from one another in a direction parallel to the first side and the second side between at least one of the pair of electrodes and the conductive film.
請求項または請求項に記載のセンサ収容装置において、
前記可変抵抗器は、前記電磁波の透過性を有する基板と、前記基板に導電性材料で形成された配線パターンと、により構成されている、センサ収容装置。
The sensor housing device according to claim 8 or 9 ,
The variable resistor is configured from a substrate that is transparent to the electromagnetic waves and a wiring pattern formed on the substrate using a conductive material.
請求項から請求項10までのいずれか一項に記載のセンサ収容装置において、
前記スクリーンは、前記第1辺および前記第2辺が互いに対向する対向方向と交差する方向である交差方向に湾曲している、センサ収容装置。
The sensor housing device according to any one of claims 8 to 10 ,
The screen is curved in a cross direction that crosses the opposing direction in which the first side and the second side face each other.
請求項11に記載のセンサ収容装置において、
使用状態において、前記センサ収容装置は、前記対向方向が鉛直方向と平行となるように配置され、
前記スクリーンは、前記第1辺および前記第2辺と平行する2つの辺を有する輪郭形状を有し、前記輪郭形状に含まれる2つの辺のうち、前記使用状態において鉛直下方側の辺の長さは、鉛直上方側の辺の長さに比べて短い、センサ収容装置。
The sensor containing device according to claim 11 ,
In a usage state, the sensor containing device is disposed so that the facing direction is parallel to a vertical direction,
The screen has a contour shape with two sides parallel to the first side and the second side, and of the two sides included in the contour shape, the length of the side on the vertically lower side in the usage state is shorter than the length of the side on the vertically upper side, in the sensor containing device.
請求項から請求項12までのいずれか一項に記載のセンサ収容装置において、
使用状態において、前記センサ収容装置は、前記一対の電極が前記導電膜を挟んで鉛直方向に互いに対向して配置され、
前記可変抵抗器は、前記一対の電極のうちの鉛直下方側の電極と前記導電膜との間に配置されている、センサ収容装置。
The sensor housing device according to any one of claims 8 to 12 ,
In a usage state, the sensor containing device has the pair of electrodes disposed vertically opposite to each other with the conductive film therebetween,
The variable resistor is disposed between the conductive film and a vertically lower electrode of the pair of electrodes.
電磁波を受信するセンサを収容するセンサ収容装置であって、
前記電磁波を受信するための開口部と、
前記開口部を塞ぎ、前記電磁波の透過性を有するスクリーンと、
前記スクリーンの表面に沿って面状に配置され、導電性と前記電磁波の透過性とを有する導電膜と、
前記導電膜における第1辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第1電極と、
前記導電膜において前記第1辺と対向する第2辺に電気的に接続され、前記導電膜に電圧を印加するための第2電極と、
を備え、
前記第2電極が前記第2辺に接続される接続長さは、前記第1電極が前記第1辺に接続される接続長さよりも小さく、
前記第1電極は、前記第1辺の全体に亘って前記第1辺に電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2辺の全体に亘って前記第2辺に電気的に接続され、
前記第2辺の長さは、前記第1辺の長さよりも小さく、
前記第2辺は、前記センサ収容装置の使用状態において、前記第1辺に対して下方に位置する辺である、
センサ収容装置。
A sensor housing device that houses a sensor that receives electromagnetic waves,
an opening for receiving the electromagnetic wave;
a screen that covers the opening and is transparent to the electromagnetic waves;
a conductive film disposed in a planar shape along a surface of the screen, the conductive film having electrical conductivity and electromagnetic wave permeability;
a first electrode electrically connected to a first side of the conductive film for applying a voltage to the conductive film;
a second electrode electrically connected to a second side of the conductive film opposite to the first side, for applying a voltage to the conductive film;
Equipped with
a connection length of the second electrode connected to the second side is smaller than a connection length of the first electrode connected to the first side;
the first electrode is electrically connected to the first side over the entirety of the first side,
the second electrode is electrically connected to the second side over the entire second side,
The length of the second side is smaller than the length of the first side,
The second side is a side located below the first side when the sensor housing device is in a use state.
Sensor housing device.
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