JP7515583B2 - Breathable plug, substrate support assembly and shower plate - Google Patents
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Description
本開示は、通気性プラグおよびこの通気性プラグを備えてなる基板支持アセンブリに関する。The present disclosure relates to a breathable plug and a substrate support assembly comprising the breathable plug.
従来、プラズマエッチング装置、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置等の半導体製造装置では、特許文献1に示すように、基板支持アセンブリ上に載置される半導体ウェハー等の基板とプラズマ生成用ガスを導入して基板に向って供給するためのシャワープレート(ガス分配プレート)との間に高周波電圧を加えてプラズマ状態にして、基板の表面に成膜したり、基板の表面に形成した薄膜をエッチングしたりすることが行われている。この基板支持アセンブリは、その厚み方向に流路を備えており、この流路に冷却用ガスを供給することにより、被処理部材Wの温度上昇を抑制している。Conventionally, in semiconductor manufacturing equipment such as plasma etching equipment and plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) equipment, as shown in Patent Document 1, a high-frequency voltage is applied between a substrate such as a semiconductor wafer placed on a substrate support assembly and a shower plate (gas distribution plate) for introducing a plasma generating gas and supplying it toward the substrate to create a plasma state, and a film is formed on the surface of the substrate or a thin film formed on the surface of the substrate is etched. This substrate support assembly has a flow path in its thickness direction, and a cooling gas is supplied to this flow path to suppress a temperature rise of the workpiece W.
半導体製造装置の処理室内で基板を処理する場合、基板支持アセンブリの上側から下側に向かってアーク放電が発生し、流路が放電の経路となることがある。そこで、流路が放電の経路にならないようにするため、特許文献2では、多孔質のハニカムからなるセラミックプラグを流路に装着した静電チャック(基板支持アセンブリ)が提案されている。When processing substrates in the processing chamber of a semiconductor manufacturing device, an arc discharge may occur from the top to the bottom of the substrate support assembly, and the flow path may become a discharge path. Therefore, in order to prevent the flow path from becoming a discharge path,
本開示の通気性プラグは、軸方向に複数の貫通孔を有する緻密質セラミックスのハニカム構造体を備える。The breathable plug of the present disclosure comprises a honeycomb structure made of dense ceramics having multiple through holes in the axial direction.
本開示の基板支持アセンブリは、被処理部材が吸着される吸着面と、該吸着面の反対に位置する対向面とを有する板状のセラミックスからなる基材と、該基材内に位置する内部電極と、基材の厚み方向に沿って位置する流路とを有する静電吸着部材と、流路の内部に装着された、上記通気性プラグを備えてなる。The substrate support assembly of the present disclosure comprises a substrate made of a plate-shaped ceramic having an adsorption surface to which a workpiece is adsorbed and an opposing surface located opposite the adsorption surface, an electrostatic adsorption member having an internal electrode located within the substrate and a flow path located along the thickness direction of the substrate, and the above-mentioned breathable plug attached inside the flow path.
本開示のシャワープレートは、プラズマ生成用ガスが通過する複数の第2流路を厚み方向に有する板状のセラミックスからなる第2基材と、前記第2流路の内部に装着された、上記通気性プラグと、を備えてなる。The shower plate of the present disclosure comprises a second substrate made of plate-shaped ceramic having a plurality of second flow paths in the thickness direction through which plasma generating gas passes, and the above-mentioned breathable plug attached inside the second flow paths.
以下、図面を参照して、本開示の通気性プラグの一例について詳細に説明する。ただし、本明細書の全図において、混同を生じない限り、同一部分には同一符号を付し、その説明を適時省略する。An example of a breathable plug according to the present disclosure will be described in detail below with reference to the drawings. However, in all the drawings in this specification, the same parts will be given the same reference numerals, and their explanations will be omitted as appropriate, unless confusion arises.
図1は、本開示の通気性プラグを備えるプラズマ処理装置の一部を示す断面図である。図2は、図1に示すプラズマ処理装置の内部に配置される基板支持アセンブリを拡大した断面図である。1 is a cross-sectional view showing a portion of a plasma processing apparatus including a breathable plug according to the present disclosure. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a substrate support assembly disposed inside the plasma processing apparatus shown in FIG.
図1に示すプラズマ処理装置20は、例えば、プラズマエッチング装置であり、内部に半導体ウェハー等の被処理部材Wを配置するチャンバー1を備え、チャンバー1内の上側にはシャワープレート2が、下側には基板支持アセンブリ3が対向して配置されている。The
シャワープレート2は、板状のセラミックスからなる第2基材であって、プラズマ生成用ガスGを拡散するための内部空間である拡散部2aと、プラズマ生成用ガスGをチャンバー1内に供給するための複数の第2流路2cを有するガス供給部2bとを備えている。The
そして、ガス供給部2bから第2流路2cを通過してシャワー状に排出されたプラズマ生成用ガスGは、高周波電源15から高周波電力(RF)を基板支持アセンブリ3に供給することによりプラズマとなり、プラズマ空間Pを形成する。Then, the plasma generating gas G discharged in a shower-like manner from the
ここで、プラズマ生成用ガスGの例として、SF6、CF4、CHF3、ClF3、NF3、C4F8、HF等のフッ素系ガス、Cl2、HCl、BCl3、CCl4等の塩素系ガスが挙げられる。 Here, examples of the plasma generating gas G include fluorine-based gases such as SF6 , CF4 , CHF3 , ClF3 , NF3 , C4F8 , and HF, and chlorine-based gases such as Cl2 , HCl, BCl3 , and CCl4 .
基板支持アセンブリ3は、取り付け部4、絶縁部5、支持部6、熱伝導部7および静電吸着部8を備えてなる静電チャックであり、静電吸着部8は、例えば、図2に示すように、シリコーン接着剤からなる接合層9を介して熱伝導部7に接合されている。The
静電吸着部8は、静電吸着力によってシリコンウェハー等の被処理部材Wを吸着面8aに吸着する板状のセラミックスからなる基材8bと、基材8b内に位置するクランプ電極(内部電極)8cと、基材8bの厚み方向に沿って位置する流路8dとを有する。クランプ電極(内部電極)8cは、プラズマ生成用ガスGから生成されたプラズマをチャンバー1内で維持するための整合回路を介して高周波電源に電気的に結合されている。The
そして、プラズマに含まれるイオンやラジカルによって、被処理部材Wの表面に形成された被覆膜はエッチング処理されるようになっている。The coating film formed on the surface of the workpiece W is then etched by the ions and radicals contained in the plasma.
Oリング11は、接合層9の周囲に取り付けられており、接合層9を保護するためのものである。絶縁部5は、例えば、プラスチックからなり、取り付け部4から電気的に絶縁している。流路8dは、基板支持アセンブリ3の上下方向を貫通して、冷却用のヘリウムガスをチャンバー1内に供給するためものものである。通気性プラグ13、14は流路8dに装着されている。すなわち、通気性プラグ13は静電吸着部8内の流路8dに、また、通気性プラグ14は絶縁部5内の流路8dにそれぞれ設置されている。The O-
図3は、本開示の通気性プラグの軸方向に垂直な断面の一例を示す断面図である。図4、5は、本開示の通気性プラグの軸方向に垂直な断面の他の例を示す断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view showing an example of a cross section perpendicular to the axial direction of the breathable plug of the present disclosure. Figures 4 and 5 are cross-sectional views showing other examples of cross sections perpendicular to the axial direction of the breathable plug of the present disclosure.
図3~5に示すように、通気性プラグ13は、軸方向に複数の貫通孔16a、16bを有する緻密質セラミックスのハニカム構造体16からなり、直胴状の円柱体である。通気性プラグ14は、ハニカム構造体16からなる軸部と、軸部の一端に軸部の直径よりも大きいフランジ部(図示しない)とを備えてなる円柱体である。フランジ部も緻密質セラミックスからなる。
As shown in Figures 3 to 5, the
本開示における通気性プラグ13、14とは、ガス等の流体を流すための流路内に設置され、流路を塞ぐものである。そして、通気性プラグの一部に設けられた貫通孔を通して流体を流すことができる。通気性プラグが設置される流路は、例えば、内径が1mm~10mmの細い流路であり、通気性プラグに設けられた貫通孔の最大の内寸法は、例えば、5μm~20μmほどの細いものである。
The
本開示におけるハニカム構造体とは、軸方向に沿って複数本(例えば10本以上)の貫通孔16a、16bが配置された構造体をいう。複数本の貫通孔の配置は、特に限定されず、例えば蜂の巣状に配置されていると、通気性プラグの強度を高く維持しながら、貫通孔を密に配置することができる。貫通孔の軸方向に垂直な断面は、特に限定されず、例えば、円状、三角形状、四角形状、六角形状である。図3、4における貫通孔16aはハニカム構造体16の軸方向に垂直な断面が円状の例であり、図5における貫通孔16bはハニカム構造体16の軸方向に垂直な断面が六角形状の例である。例えば、貫通孔16aの直径は、5μm~20μmであり、貫通孔16bの対角線の長さは5μm~20μmである。The honeycomb structure in this disclosure refers to a structure in which multiple (e.g., 10 or more) through
通気性プラグ13、14は、流路8d内における二次的なプラズマの生成を抑制することができる。通気性プラグ13,14が緻密質セラミックスのハニカム構造体16からなると、脱粒が生じにくいとともに、チャンバー1内で浮遊するパーティクルが貫通孔16a、16bに侵入しても、パーティクルは内周面16fに吸着しにくく、しかも機械的強度が高くなる。The
緻密質セラミックスは、例えば、酸化アルミニウム(Al2O3)、イットリウムアルミニウム複合酸化物(YAG、YAMおよびYAPの少なくともいずれか)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化珪素(SiO2)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si3N4)、酸化イットリウム(Y2O3)またはジルコン酸イットリウムを主成分とする。ジルコン酸イットリウムは、組成式が、例えば、YZrOx(3≦x≦3.5)、YZr2O7、Y2ZrO5、Y2Zr2O3、Zr0.92Y0.08O1.96等として表わされるものである。 Dense ceramics are mainly composed of aluminum oxide ( Al2O3 ), yttrium aluminum composite oxide (YAG, YAM, or YAP ) , aluminum nitride (AlN), silicon oxide ( SiO2 ), silicon carbide ( SiC ), silicon nitride ( Si3N4 ), yttrium oxide ( Y2O3 ), or yttrium zirconate. Yttrium zirconate has a composition formula of, for example, YZrOx (3≦x≦ 3.5 ), YZr2O7 , Y2ZrO5 , Y2Zr2O3 , Zr0.92Y0.08O1.96 , or the like .
緻密質セラミックスは、相対密度が96%以上のセラミックスをいい、特に、97%以上99.8%以下であるとよい。この相対密度は、セラミックスの理論密度に対するハニカム構造体16の見掛密度の百分率である。Dense ceramics refers to ceramics with a relative density of 96% or more, and preferably 97% or more and 99.8% or less. This relative density is the percentage of the apparent density of the
なお、セラミックスの理論密度については、通気性プラグ13、14の一部をそれぞれ粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析装置(例えば、(株)島津製作所製(ICPS-8100))によって金属成分の含有量を求める。In addition, the theoretical density of the ceramics is determined by crushing a portion of each of the
ハニカム構造体16を構成する各成分はCuKα線を用いたX線回折装置によって同定する。同定された成分が、Al2O3であれば、ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分光分析装置により求めたAlの含有量の値を用いてAl2O3に換算する。同定された成分が、MgOおよびNa2Oであれば、同じ方法で、それぞれMgO、Na2Oに換算すればよい。ハニカム構造体16の見掛密度は、JIS R 1634-1998に準拠して求めればよい。
Each component constituting the
そして、セラミックスを構成する主成分が酸化アルミニウムであり、主成分以外の成分が酸化マグネシウムである場合、含有量がそれぞれa質量%,b質量%であるとすると、酸化アルミニウムおよび酸化マグネシウムのそれぞれの理論密度の値(酸化アルミニウム=3.99g/cm3、酸化マグネシウム=3.58g/cm3)を用いて、以下の式(1)によりセラミックスの理論密度(T.D)を求めることができる。
T.D=1/(0.01×(a/3.99+b/3.58))・・・(1)
例えば、セラミックスを構成する成分の含有量が、酸化アルミニウムが99質量%であり、酸化マグネシウムが1質量%であるときには、式(1)を用いて計算すると、セラミックスの理論密度(T.D)は、3.96g/cm3となり、JIS R 1634-1998に準拠して求めたセラミックスの見掛密度を、この理論密度(T.D)3.96g/cm3で除すことにより相対密度を求めることができる。
When the main component constituting the ceramic is aluminum oxide and the other component is magnesium oxide, assuming that the contents are a% by mass and b% by mass, respectively, the theoretical density (T.D.) of the ceramic can be calculated by the following formula (1) using the theoretical density values of aluminum oxide and magnesium oxide (aluminum oxide = 3.99 g/ cm3 , magnesium oxide = 3.58 g/ cm3 ).
T. D = 1 / (0.01 × (a / 3.99 + b / 3.58)) ... (1)
For example, when the content of the components constituting the ceramic is 99 mass % aluminum oxide and 1 mass % magnesium oxide, the theoretical density (T.D.) of the ceramic is 3.96 g/ cm3 according to the calculation using formula (1), and the relative density can be obtained by dividing the apparent density of the ceramic obtained in accordance with JIS R 1634-1998 by this theoretical density (T.D.) of 3.96 g/ cm3 .
図4、5に示すハニカム構造体16は、軸方向に沿って外周面16eを含む外周側領域16cと、外周側領域16cを除く内周側領域16dとを有する。The
ハニカム構造体16の外周面16eを含む外周側領域16cは、外周側領域16cを除く内周側領域16dよりも開気孔率が小さくてもよい。このような構成であると、開気孔を形成する輪郭の長さが増え、一方の端面から他方の端面までの外周面16eの長さは実質的に内周面16fのそれよりも長くなるので、アーク放電を抑制する効果が高くなる。The outer
逆に、ハニカム構造体16の外周面16eを含む外周側領域16cは、外周側領域16cを除く内周側領域16dよりも開気孔率が大きくてもよい。このような構成であると、基板支持アセンブリ3の流路8d内に接着剤で通気性プラグ13、14を固定した場合、高いアンカー効果が得られるので、長期間に亘って信頼性が向上する。Conversely, the outer
外周側領域16cとは、通気性プラグ14の場合、軸方向に垂直な断面におけるハニカム構造体16の直径に対して、外周面16eから径方向に向かって、例えば、直径の4.5%以内の領域をいう。In the case of a
外周側領域16cおよび内周側領域16dのそれぞれの開気孔率は、JIS R 1634-1998に準拠して求めればよい。いずれの場合も開気孔率の差は0.8%以上であるとよい。The open porosity of each of the outer
本開示における主成分とは、緻密質セラミックスを構成する成分の合計100質量%のうち、最も多い成分を言う。In this disclosure, the term "main component" refers to the component that is present in the greatest amount out of a total of 100% by mass of the components that make up the dense ceramic.
貫通孔16a、16bを形成する内周面16fの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)は、ハニカム構造体16の外周面16eの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)よりも小さくてもよい。The root-mean-square slope (RΔq) of the roughness curve of the
粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)とは、JIS B 0601:2001に準拠して測定される、粗さ曲線の基準長さlにおける局部傾斜dZ/dxの2乗平均平方根であり、以下の式によって規定されるものである。The root mean square slope (RΔq) of a roughness curve is the root mean square of the local slope dZ/dx at the reference length l of the roughness curve, measured in accordance with JIS B 0601:2001, and is defined by the following formula:
2乗平均平方根傾斜(RΔq)の数値が大きいと、表面の凹凸は険しくなり、2乗平均平方根傾斜(RΔq)の数値が小さいと、表面の凹凸はなだらかになる。 If the root mean square slope (RΔq) value is large, the surface irregularities will be steep, and if the root mean square slope (RΔq) value is small, the surface irregularities will be gentle.
内周面16fの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)が外周面16eの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)よりも小さいと、チャンバー1内で浮遊するパーティクルは、内周面16fに、さらに吸着しにくくなる。一方、外周面16eの凹凸は険しくなるため、ハニカム構造体16を接着剤で静電吸着部8、絶縁部5等に固定する場合、凹凸形状の傾きにそって、接着剤が外周面16eから内部に向かって深く浸入するので、ハニカム構造体16は高い接着強度が得られ、長期間に亘って高い信頼性を維持することができる。If the root mean square slope (RΔq) of the roughness curve of the inner
ハニカム構造体16の外周面16eの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)は、貫通孔16a、16bを形成する内周面16fの粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)よりも小さくてもよい。The root-mean-square slope (RΔq) of the roughness curve of the outer
このような構成であると、一方の端面から他方の端面までの内周面16fは、局部的な傾斜が増えたり、急激に傾斜したりし、その長さが実質的に外周面16eよりも長くなるので、アーク放電を抑制する効果がさらに高くなる。ハニカム構造体16を静電吸着部8、絶縁部5等に装着する場合、ハニカム構造体16がこれらの部材の内周面に損傷を与えるような接触が生じても、ハニカム構造体16から脱離する粒子が少なくなり、チャンバー1内の空間を浮遊するパーティクルも少なくなる。また、外周面16eに生じる応力集中も緩和される。With this configuration, the inner
2乗平均平方根傾斜(RΔq)は、JIS B 0601:2001に準拠し、形状解析レーザ顕微鏡((株)キーエンス製、VK-X1100またはその後継機種)を用いて測定することができる。測定条件としては、まず、照明方式を同軸落射方式、倍率を240倍、カットオフ値λsを無し、カットオフ値λcを0.08mm、カットオフ値λfを無し、終端効果の補正を有り、測定対象とする外周面16eおよび内周面16fから1か所当たりの測定範囲を、例えば、1420μm×1070μmに設定して、各測定範囲毎に、測定範囲の長手方向に沿って測定対象とする線を引いて、線粗さ計測を行えばよい。計測の対象とする長さは、例えば、1320μmである。
The root mean square slope (RΔq) can be measured in accordance with JIS B 0601:2001 using a shape analysis laser microscope (Keyence Corporation, VK-X1100 or its successor). The measurement conditions are as follows: first, the illumination method is a coaxial epi-illumination method, the magnification is 240x, there is no cutoff value λs, the cutoff value λc is 0.08 mm, there is no cutoff value λf, there is correction for end effect, and the measurement range per point from the outer
図6(A)は本開示の通気性プラグに形成された貫通孔を示す部分破断斜視図であり、図6(B)は図6(A)に示す領域Xの拡大説明図である。図6(A)および(B)は、ハニカム構造体の外周面から貫通孔の軸心Cに向かって、軸心Cと平行に研磨した状態を示している。 Figure 6(A) is a partially cutaway perspective view showing a through hole formed in a breathable plug of the present disclosure, and Figure 6(B) is an enlarged explanatory view of region X shown in Figure 6(A). Figures 6(A) and (B) show the state in which the honeycomb structure has been polished from the outer peripheral surface toward the axis C of the through hole in a direction parallel to the axis C.
内周面16fと、外周面16eから貫通孔16a、16bの軸心に向かって研磨して得られる観察対象面17との稜線18を起点とする、深さdが10μm以上20μm以下の凹部19の個数が、稜線18の長さ1mm当たり2個以下、好ましくは1個以下であってもよい。凹部19は、例えば、陥没状である。ハニカム構造体16の外周面16eから軸心Cに向かって研磨するのは、凹部19の深さdの測定を容易にするためである。深さdの方向は、観察対象面17内において、稜線18を起点として外周面16eに向かう方向である。The number of
ここで、観察対象面17の算術平均粗さ(Ra)は、例えば、0.01μm以上0.1μm以下であり、算術平均粗さ(Ra)は、JIS B 0601:2013に準拠して求めればよい。また、観察対象面17を得るために、研磨材は平均粒径(D50)が1μmのWA(ホワイトアランダム)を、研磨盤はピッチからなるポリッシャをそれぞれ用いればよい。Here, the arithmetic mean roughness (Ra) of the
なお、外径が3mm以上あるハニカム構造体16の場合、ハニカム構造体16の外周面16eから軸心Cに向かって研磨代を0.1mm以上0.2mm以下残して研削した後、研磨してもよい。In addition, in the case of a
そして、走査型電子顕微鏡で観察対象面17を撮影した画像(例えば、横方向2.3mm、縦方向1.7mm)を対象に、例えば、「挟むものさし」というフリーソフトを用いて、凹部の深さdを測定し、深さdが10μm以上20μm以下の凹部19の個数を数えればよい。Then, for an image (e.g., 2.3 mm horizontally and 1.7 mm vertically) of the
ここで、凹部19の深さを10μm以上としたのは、深さ10μmが、脱粒して浮遊するパーティクルがプラズマ空間Pに顕著な悪影響を与える最小の値、すなわちしきい値であるためである。Here, the depth of the
このように、内周面16fに凹部19が殆ど存在しないので、内周面16fを起点とする脱粒(チッピング)の発生が抑制された状態になっている。そのため、ガス等の流体が貫通孔16a、16b内を通過しても、脱離した粒子が新たなパーティクルとなってプラズマ空間Pを浮遊するのを低減することができる。In this way, since there are almost no
ここで、凹部19とは、言い換えると、内周面16fに開口している窪みをいう。Here, the
観察対象面17において稜線18の真直度は、例えば20μm以下であってもよい。真直度とは、稜線18の幾何学的に正しい直線からの狂いの大きさを意味する。真直度は、光学顕微鏡で観察対象面17を撮影した画像(例えば、横方向1.2mm、縦方向1.4mm)を対象に、例えば、「挟むものさし」というフリーソフトを用いて稜線18の真直度を測定することができる。貫通孔16a、16bの軸方向を画像の縦方向に合わせ、内周面16fを挟んだ左右の稜線18の少なくともいずれかが画像に含まれるようにし、幾何学的に正しい直線の長さは、1.4mmとすればよい。The straightness of the
稜線18の真直度が20μm以下であれば、大きな陥没状の凹部19が内周面16fにほとんど存在しない状態になっているので、ガスの流れが乱流であっても、新たなパーティクルがプラズマ空間Pを浮遊するおそれが低減する。If the straightness of the
緻密質セラミックスは、酸化アルミニウムを主成分とし、ナトリウムを含み、その含有量が20質量ppm以下であってもよい。ナトリウムは、誘電損失を高くする元素であるため、ナトリウムの含有量が20質量ppm以下であると、誘電損失を低減することができ、高い電磁波透過性を得ることができる。The dense ceramics may be mainly composed of aluminum oxide and contain sodium, the sodium content of which may be 20 ppm by mass or less. Since sodium is an element that increases dielectric loss, if the sodium content is 20 ppm by mass or less, the dielectric loss can be reduced and high electromagnetic wave transparency can be obtained.
貫通孔16a、16bは一方の端面から他方の端面まで屈曲しながら貫通していてもよい。貫通孔16a、16bの真直性が高い場合よりも貫通孔16a、16bの軸方向における実質的な流路が長くなるため、アーク放電の発生を抑制しやすくなる。The through
貫通孔16a、16bの円筒度は、例えば、0.05mm以上0.2mm以下であってもよい。貫通孔16a、16bの円筒度が0.05mm以上であると、電流が流れる距離を長くすることができるので、電子が加速されにくくなり、アーク放電の発生をさらに起こりにくくすることができる。貫通孔16a、16bの円筒度が0.2mm以下であると、冷却用ガスの通気抵抗の上昇を抑制することができ、冷却効率を維持することができるとともに、昇降温に繰り返し晒されてもひずみが生じにくいので、長期間に亘って用いることができる。The cylindricity of the through
緻密質セラミックスは、酸化アルミニウムを主成分とし、アルミン酸マグネシウムを含み、内周側領域16dよりも外周側領域16cの方が隣り合うアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の重心間距離の平均値からアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の円相当径の平均値を引いた値が大きくてもよい。The dense ceramics may be primarily composed of aluminum oxide and contain magnesium aluminate, and the value obtained by subtracting the average value of the circle equivalent diameter of the magnesium aluminate crystal particles from the average value of the distance between the centers of gravity of adjacent magnesium aluminate crystal particles may be greater in the outer
このような構成であると、アルミン酸マグネシウムは酸化アルミニウムよりも線膨張率が大きいので、外周側領域16cでは、焼結における降温過程でアルミン酸マグネシウムの結晶粒子は酸化アルミニウムの結晶粒子よりも外周面上で盛り上がるように移動するため、焼結後、ハニカム構造体16を敷粉に載置して反りを低減したり、ひずみを除去したりするために熱処理しても、ハニカム構造体16の被載置面となる外周面への敷粉の溶着を抑制することができる。With this configuration, magnesium aluminate has a greater linear expansion coefficient than aluminum oxide, and therefore in the outer
一方、内周側領域16dでは、アルミン酸マグネシウムの結晶粒子の間隔が小さい、即ち分散が進んだ状態になり、高温で引張荷重が与えられても、クラック状のキャビティが発生しにくくなるので、高温延性が改善される。On the other hand, in the inner
アルミン酸マグネシウムの結晶粒子同士の間隔は、以下の方法で求めることができる。緻密質セラミックスの内周側領域16dおよび外周側領域16cの切断面をそれぞれ100倍の倍率で観察し、平均的な範囲を選択して、例えば、面積が1.044mm2(横方向の長さが1.18mm、縦方向の長さが0.885mm)となる範囲を走査型電子顕微鏡で撮影し、反射電子像を得る。
The spacing between crystal particles of magnesium aluminate can be determined by the following method: The cut surfaces of the inner
この反射電子像を対象として、画像解析ソフト「A像くん(ver2.52)」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製、なお、以降に画像解析ソフト「A像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング(株)製の画像解析ソフトを示すものとする。)を用いて分散度計測の重心間距離法という手法でアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の重心間距離を求めればよい。 Using this backscattered electron image as the subject, the image analysis software "A-zo-kun (ver. 2.52)" (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.; hereafter, when the image analysis software "A-zo-kun" is mentioned, it refers to the image analysis software manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.) can be used to determine the distance between the centers of gravity of the magnesium aluminate crystal particles using the distance between the centers of gravity method of dispersion measurement.
この手法の設定条件としては、例えば、画像の明暗を示す指標であるしきい値を180、明度を明、小図形除去面積を10μm2、雑音除去フィルタを無とすればよい。なお、上述の測定に際し、しきい値は180としたが、観察像の明るさに応じて、しきい値を調整すればよく、明度を明、2値化の方法を手動とし、小図形除去面積を10μm2および雑音除去フィルタを無とした上で、観察像に現れるマーカーがアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の形状と一致するように、しきい値を調整すればよい。 The setting conditions for this method may be, for example, a threshold value, which is an index showing the brightness of an image, of 180, a brightness value of bright, a small figure removal area of 10 μm2 , and no noise removal filter. Note that in the above measurement, the threshold value was set to 180, but the threshold value may be adjusted according to the brightness of the observed image, and the brightness may be set to bright, the binarization method may be set to manual, the small figure removal area may be set to 10 μm2 , and no noise removal filter may be set, and the threshold value may be adjusted so that the markers appearing in the observed image match the shape of the crystal grains of magnesium aluminate.
なお、アルミン酸マグネシウムの結晶粒子が他の部分に対するコントラストが識別しにくい場合は、結晶粒子を黒色化した後、結晶粒子の重心間距離を求めればよい。この場合、例えば、しきい値を85、明度を暗、小図形除去面積を10μm2、雑音除去フィルタを無とすればよい。 If the contrast between the magnesium aluminate crystal grains and other parts is difficult to distinguish, the crystal grains may be blackened before the distance between the centers of gravity of the crystal grains is determined by setting, for example, the threshold value to 85, the brightness to dark, the small figure removal area to 10 μm 2 , and no noise removal filter.
アルミン酸マグネシウムの結晶粒子の円相当径は、上記反射電子像を対象とし、画像解析ソフト「A像くん」を用いて、粒子解析という手法で求めればよい。この手法の設定条件も分散度計測の重心間距離法で用いた設定条件と同じにすればよい。The equivalent circle diameter of magnesium aluminate crystal grains can be determined by particle analysis using the backscattered electron image and the image analysis software "A-image-kun". The settings for this method should be the same as those used for the centroid distance method for measuring dispersion.
ここで、アルミン酸マグネシウムは、X線回折装置を用いて同定し、上記反射電子像で観察される結晶粒子がアルミン酸マグネシウムであるかについては、電子線マイクロアナライザー(EPMA)を用い、アルミニウムおよびマグネシウムが検出されれば、結晶粒子がアルミン酸マグネシウムからなるとみなせばよい。Here, magnesium aluminate is identified using an X-ray diffraction apparatus, and to determine whether the crystal particles observed in the backscattered electron image are magnesium aluminate, an electron probe microanalyzer (EPMA) is used. If aluminum and magnesium are detected, the crystal particles can be deemed to be made of magnesium aluminate.
緻密質セラミックスは、炭化珪素を主成分とし、金属珪素を含んでいてよい。この場合、例えば、炭化珪素は、70質量%以上92質量%以下であり、金属珪素は、8質量%以上30質量%以下である。炭化珪素は金属珪素よりもヤング率(動的弾性率)および3点曲げ強度といった機械的特性に優れている。そのため、炭化珪素の含有量が70質量%以上の場合、緻密質セラミックスの機械的特性が向上する。一方、金属珪素は炭化珪素よりも熱伝導率が高い。そのため、炭化珪素の含有量が92質量%以下の場合、緻密質セラミックス熱伝導性が向上する。したがって、炭化珪素の含有量が70質量%以上92質量%以下であれば、機械的特性と熱伝導性とを両立させることができる。The dense ceramics may contain silicon carbide as the main component and metallic silicon. In this case, for example, the silicon carbide content is 70% by mass or more and 92% by mass or less, and the metallic silicon content is 8% by mass or more and 30% by mass or less. Silicon carbide is superior to metallic silicon in mechanical properties such as Young's modulus (dynamic elastic modulus) and three-point bending strength. Therefore, when the silicon carbide content is 70% by mass or more, the mechanical properties of the dense ceramics are improved. On the other hand, metallic silicon has a higher thermal conductivity than silicon carbide. Therefore, when the silicon carbide content is 92% by mass or less, the thermal conductivity of the dense ceramics is improved. Therefore, when the silicon carbide content is 70% by mass or more and 92% by mass or less, both mechanical properties and thermal conductivity can be achieved.
緻密質セラミックスに含まれる各成分は、X線回折装置で同定し、炭化珪素および珪素の各含有量は、リートベルト法で求めればよい。 The components contained in dense ceramics can be identified using an X-ray diffraction device, and the silicon carbide and silicon contents can be determined using the Rietveld method.
金属珪素の重心間距離の平均値と金属珪素の円相当径の平均値との差は限定されず、例えば、8μm以上20μm以下であってもよい。この差が8μm以上であると、炭化珪素の分布密度が高くなる。そのため、緻密質セラミックスの剛性が向上し、剛性の偏りも低減される。一方、この差が20μm以下であると、緻密質セラミックスの熱伝導性が向上し、熱伝導性の偏りも低減される。The difference between the average distance between the centers of gravity of the metallic silicon and the average circle equivalent diameter of the metallic silicon is not limited, and may be, for example, 8 μm or more and 20 μm or less. If this difference is 8 μm or more, the distribution density of the silicon carbide increases. As a result, the rigidity of the dense ceramic is improved and the bias in rigidity is reduced. On the other hand, if this difference is 20 μm or less, the thermal conductivity of the dense ceramic is improved and the bias in thermal conductivity is reduced.
緻密質セラミックスにおける金属珪素の重心間距離は、以下の方法で求めればよい。 The distance between the centers of gravity of metallic silicon in dense ceramics can be determined by the following method.
まず、緻密質セラミックスの一部を切り出して、ダイヤモンド砥粒を用い、断面を研磨して得られる鏡面から、平均的な範囲を選択して、各面積が0.191mm2(横方向の長さが351μm、縦方向の長さが545μm)となる範囲を走査型電子顕微鏡で撮影して、観察像を得る。 First, a portion of the dense ceramic is cut out, and the cross section is polished with diamond abrasive grains to obtain a mirror surface. An average area is selected from the mirror surface, and an image of the area of 0.191 mm2 (horizontal length 351 μm, vertical length 545 μm) is photographed with a scanning electron microscope to obtain an observation image.
この観察像を対象として、画像解析ソフト「A像くん(ver2.52)」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製、なお、以降の説明において画像解析ソフト「A像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング(株)製の画像解析ソフトを示すものとする。)を用いて分散度計測の重心間距離法という手法で珪素の重心間距離を求める。 Using this observation image as the subject, the image analysis software "A-zo-kun (ver. 2.52)" (registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.; in the following explanation, when the image analysis software "A-zo-kun" is mentioned, it refers to the image analysis software manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.) is used to determine the distance between the centers of gravity of silicon using a method known as the distance between the centers of gravity method for measuring dispersion.
この手法の設定条件としては、画像の明暗を示す指標であるしきい値を190~195、明度を明、小図形除去面積を1μm2、雑音除去フィルタを有とする。 The conditions set for this method are a threshold value, which is an index showing the brightness of an image, of 190 to 195, brightness of bright, a small figure removal area of 1 μm 2 , and a noise removal filter.
珪素の円相当径は、上記観察像を対象として、粒子解析という手法で求める。 The circular equivalent diameter of silicon is determined using a technique called particle analysis on the above observed image.
この手法の設定条件は、重心間距離法で用いた設定条件と同じである。 また、ハニカム構造体16の少なくとも外周面は、導電性を有する層または膜からなる第1導電部を備えていてもよい。The setting conditions for this method are the same as those used in the centroid distance method. In addition, at least the outer peripheral surface of the
昨今、静電吸着部8に印加される高周波(RF)電力は高くなっている。この高周波電力が高くなると、流路8dの内部や近傍でアーク放電等の異常放電が発生する場合がある。即ち、基板支持アセンブリ3に高周波(RF)電力が印加されると、静電吸着部8の静電容量に起因して、被処理部材Wと静電吸着部8の裏面との間で電位差が発生する。この電位差の発生によって、流路8dの内部にRF電位の電位差が生じ、この電位差が放電が発生する限界値を超えると、異常放電が発生する。Recently, the radio frequency (RF) power applied to the
外周面が第1導電部を備えていると、外周面に沿って静電気の除去が容易になるので、流路8d内での異常放電を抑制しやすくなる。
When the outer peripheral surface is provided with the first conductive portion, static electricity can be easily removed along the outer peripheral surface, making it easier to suppress abnormal discharge within the
ハニカム構造体16の少なくともいずれか一方の端面は、導電性を有する層または膜からなる第2導電部を備えていてもよい。端面が第2導電部を備えていると、第2導電部を備えた端面に沿って静電気の除去が容易になるので、流路8d内での異常放電をさらに抑制することができる。At least one of the end faces of the
ハニカム構造体16の内周面は、導電性を有する層または膜からなる第3導電部を備えていてもよい。内周面が第3導電部を備えていると、内周面に沿って静電気の除去が容易になるので、流路8d内での異常放電をさらに抑制することができる。The inner peripheral surface of the
ここで、導電性を有するとは、表面抵抗値が104Ω以下であることを意味する。表面抵抗値は、二針電気抵抗計(PROSTAT社製、PRS-802)を用い、印加電圧を100Vとして求めればよい。
第1導電部、第2導電部および第3導電部は、例えば、グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ、フラーレン、アモルファスカーボンおよびDLC(ダイヤモンドライクカーボン)の少なくともいずれかからなる。
Here, having electrical conductivity means that the surface resistance is 10 4 Ω or less. The surface resistance can be determined by using a two-needle electrical resistance meter (PROSTAT, PRS-802) with an applied voltage of 100 V.
The first conductive portion, the second conductive portion, and the third conductive portion are made of at least one of graphite, graphene, carbon nanotubes, fullerene, amorphous carbon, and DLC (diamond-like carbon), for example.
また、濃度が35質量%である塩酸に浸漬し、浸漬開始から72時間経過した後、以下の式(2)で示される単位面積当たりの質量変化Cが0.3g/cm2以下であるとよい。
C=(W0-W1)/A・・・(2)
(W0:浸漬前の試験片の質量(g)、W1:浸漬開始から72時間経過後の試験片の質量(g)、A :試験片の浸漬前の表面積(cm2))
単位面積当たりの質量変化Cが0.3g/cm2以下であると、第1導電部、第2導電部および第3導電部をそれぞれ構成する粒子が剥がれにくいので、長期間に亘って塩酸に浸漬することができ、汚れの除去効果が高くなる。
In addition, after immersion in hydrochloric acid having a concentration of 35% by mass for 72 hours from the start of immersion, it is preferable that the mass change C per unit area, as expressed by the following formula (2), is 0.3 g/ cm2 or less.
C = (W 0 -W 1 ) / A ... (2)
(W 0 : mass (g) of the test piece before immersion, W 1 : mass (g) of the test piece 72 hours after the start of immersion, A: surface area (cm 2 ) of the test piece before immersion)
When the mass change C per unit area is 0.3 g/ cm2 or less, the particles constituting the first conductive part, the second conductive part, and the third conductive part are less likely to peel off, and therefore the parts can be immersed in hydrochloric acid for a long period of time, thereby improving the effect of removing dirt.
本開示の基板支持アセンブリ3は、上述した通り、被処理部材Wが吸着される吸着面8aを有する板状のセラミックスからなる基材8bと、基材8b内に位置する内部電極10と、基材8bの厚み方向に沿って位置する流路8dとを有する静電吸着部8と、流路8dの内部に装着された、本開示の通気性プラグ13、14と、を備えてなる。As described above, the
通気性プラグ13、14は、脱粒が生じにくい上に、チャンバー1内で浮遊するパーティクルが貫通孔16a、16bに侵入しても、パーティクルが内周面16fに吸着しにくく、しかも機械的強度が高いので、長期間に亘って用いることができる。The breathable plugs 13 and 14 are less susceptible to shedding, and even if particles floating within the chamber 1 enter the through
また、基材8bおよび通気性プラグ13、14は、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなり、酸化アルミニウムの純度(含有量)は、基材8bよりも通気性プラグ13、14の方が高くてもよい。酸化アルミニウムの純度が高くなると、プラズマに対する耐食性が向上するとともに、耐電圧性が高くなるので、アーク放電の発生を抑制することができる。In addition, the
特に、通気性プラグ13、14における酸化アルミニウムの純度は99.6質量%以上であるとよい。また、カルシウムの含有量は0.01質量%以下であるとよい。カルシウムの含有量は0.01質量%以下であると、通気性プラグ13、14をクエン酸で洗浄しても、クエン酸に対する耐食性が低いカルシウムが少ないため、カルシウム源がパーティクルとなってチャンバー1内を汚染するおそれが低減する。In particular, the purity of the aluminum oxide in the
また、図1(b)に示すように、シャワープレート2は、本開示の通気性プラグ2dを第2流路2cの内部に装着されてもよい。このような構成であると、プラズマ空間Pからシャワープレート2に向かって発生するプラズマおよびパーティクルの逆流の抑制や第2流路2c内で生じる異常放電を抑制することができ、異常放電の発生によって生じるおそれのある発火を防ぐことができる。1(b), the
次に、本開示の通気性プラグの製造方法の一例について説明する。Next, an example of a manufacturing method for the breathable plug of the present disclosure will be described.
酸化アルミニウムが主成分である緻密質セラミックスからなる通気性プラグを得る場合、まず、純度が99.6質量%以上であり、平均粒径(D50)が1μm以上3μm以下の酸化アルミニウムの粉末、バインダ、潤滑剤および溶媒を混合する。To obtain a breathable plug made of dense ceramics whose main component is aluminum oxide, first mix aluminum oxide powder having a purity of 99.6% by mass or more and an average particle size (D50) of 1 μm or more and 3 μm or less, a binder, a lubricant, and a solvent.
酸化アルミニウムの粉末は、酸化マグネシウムやナトリウムを含んでいてもよい。酸化アルミニウムの粉末100質量%における酸化マグネシウムの含有量は、例えば、0.1質量%以上0.3質量%以下である。酸化アルミニウムの粉末100質量%におけるナトリウムの含有量は、例えば、20質量ppm以下である。ここで、平均粒径(D50)は、レーザ回折式粒度分布測定法により求めることができる。The aluminum oxide powder may contain magnesium oxide and sodium. The magnesium oxide content in 100% by mass of the aluminum oxide powder is, for example, 0.1% by mass or more and 0.3% by mass or less. The sodium content in 100% by mass of the aluminum oxide powder is, for example, 20 ppm by mass or less. Here, the average particle size (D50) can be determined by a laser diffraction particle size distribution measurement method.
炭化珪素が主成分である緻密質セラミックスからなる通気性プラグを得る場合、まず、炭化珪素の粉末として、粗粒状粉末および微粒状粉末を準備し、イオン交換水および分散剤とともに、ボールミルまたはビーズミルにより40~60時間粉砕混合してスラリーとする。ここで、粉砕混合した後の微粒状粉末および粗粒状粉末のそれぞれの粒径の範囲は0.4μm以上4μm以下,11μm以上34μm以下である。 When obtaining a gas-permeable plug made of dense ceramics whose main component is silicon carbide, first prepare coarse and fine powders as silicon carbide powder, and grind and mix them with ion-exchanged water and a dispersant in a ball mill or bead mill for 40 to 60 hours to make a slurry. Here, the particle sizes of the fine and coarse powders after grinding and mixing are in the range of 0.4 μm to 4 μm and 11 μm to 34 μm, respectively.
次に、得られたスラリーに、炭化硼素の粉末および非晶質状の炭素の粉末またはフェノール樹脂からなる焼結助剤と、バインダとを添加して混合する。Next, a sintering aid consisting of boron carbide powder and amorphous carbon powder or phenolic resin, and a binder are added to the resulting slurry and mixed.
微粒状粉末と粗粒状粉末との質量比率としては、例えば、微粒状粉末が6質量%以上15質量%以下であってもよく、粗粒状粉末が85質量%以上94質量%以下であってもよい。The mass ratio of the fine powder to the coarse powder may be, for example, 6% by mass or more and 15% by mass or less of the fine powder, and 85% by mass or more and 94% by mass or less of the coarse powder.
バインダは、例えば、メチルセルロース(MC)、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ヒドロキシプロピルセルロ-ス(HPC)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルブチラール(PVB)等である。バインダの総量は、酸化アルミニウムあるいは炭化珪素の粉末100質量部に対して固形分で2質量部以上8質量部以下とすればよい。バインダの固形分がこの範囲であると、押し出し成形における流動性や成形体の保形性を高くすることができる。 Examples of binders include methyl cellulose (MC), carboxymethyl cellulose (CMC), hydroxypropyl cellulose (HPC), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl butyral (PVB), etc. The total amount of binder may be 2 to 8 parts by mass in solid content per 100 parts by mass of aluminum oxide or silicon carbide powder. When the solid content of the binder is within this range, it is possible to improve the fluidity during extrusion molding and the shape retention of the molded body.
潤滑剤は、ワックス、グリセリン、ステアリン酸等である。潤滑剤の総量は、酸化アルミニウムあるいは炭化珪素の粉末100質量部に対して固形分で1質量部以上8質量部以下とすればよい。The lubricant may be wax, glycerin, stearic acid, etc. The total amount of lubricant may be 1 part by mass or more and 8 parts by mass or less in terms of solid content per 100 parts by mass of aluminum oxide or silicon carbide powder.
また、溶媒は、例えば、水であり、特にイオン交換水が不純物の量が少ないのでよい。溶媒は、混練工程における坏土の粘度が15000Pa・s以上22000Pa・s以下になるように、酸化アルミニウムの粉末100質量部に対して、例えば、10質量部以上20質量部以下とする。The solvent is, for example, water, and ion-exchanged water is particularly preferable because it has a small amount of impurities. The solvent is, for example, 10 parts by weight to 20 parts by weight per 100 parts by weight of aluminum oxide powder so that the viscosity of the clay in the kneading process is 15,000 Pa·s to 22,000 Pa·s.
酸化アルミニウムあるいは炭化珪素の粉末、バインダ、潤滑剤および溶媒を上述した配合比率で混合した後、万能混合機や3本ロールなどを用いて混練し、粘度が、例えば、15000Pa・s以上22000Pa・s以下である坏土を得る。粘度の測定は、定荷重押出型レオメータ((株)島津製作所製 島津フローテスタ CFT-500C)を用いた流動特性評価法により求めることができる。 After mixing aluminum oxide or silicon carbide powder, binder, lubricant and solvent in the above-mentioned ratio, knead using a universal mixer or a three-roll mill to obtain a clay with a viscosity of, for example, 15,000 Pa·s or more and 22,000 Pa·s or less. The viscosity can be measured by a flow characteristic evaluation method using a constant-load extrusion rheometer (Shimadzu Flow Tester CFT-500C, manufactured by Shimadzu Corporation).
この坏土を、成形体の貫通孔を形成するためのダイが装着された押出成形機を用いて成形し、軸方向に複数の貫通孔を有するハニカム状の成形体を得る。This clay is molded using an extrusion molding machine equipped with a die for forming through holes in the molded body, to obtain a honeycomb-shaped molded body with multiple through holes in the axial direction.
ここで、ハニカム構造体の貫通孔を形成する内周面およびハニカム構造体の外周面の粗さ曲線における2乗平均平方根傾斜(RΔq)は、ダイの転写面の影響を受けるため、ダイの転写面を適宜調整すればよい。Here, the root mean square slope (RΔq) of the roughness curve of the inner surface forming the through holes of the honeycomb structure and the outer surface of the honeycomb structure is affected by the transfer surface of the die, so the transfer surface of the die can be adjusted appropriately.
成形体を、例えば、長さが20mm以上80mm以下となるように切断した後、乾燥して成形体内の水分を除去する。乾燥温度は、例えば、40~70℃である。乾燥した成形体の主成分が酸化アルミニウムの場合、成形体を大気雰囲気中、保持温度を1550℃~1650℃で0.5時間以上5時間以下で焼成することにより、本開示の通気性プラグを得ることができる。The molded body is cut, for example, to a length of 20 mm or more and 80 mm or less, and then dried to remove moisture from within the molded body. The drying temperature is, for example, 40 to 70°C. When the main component of the dried molded body is aluminum oxide, the molded body can be fired in an air atmosphere at a holding temperature of 1550°C to 1650°C for 0.5 hours to 5 hours to obtain the breathable plug of the present disclosure.
乾燥した成形体の主成分が炭化珪素の場合、窒素雰囲気中、温度を450℃以上650℃以下、保持時間を2時間以上10時間以下として脱脂し、脱脂体を得る。次に、この脱脂体を、アルゴン等の不活性ガスの減圧雰囲気中、保持温度を1800℃~2200℃で0.5時間以上5時間以下で焼成することにより、本開示の通気性プラグを得ることができる。When the main component of the dried molded body is silicon carbide, the degreased body is obtained by degreasing in a nitrogen atmosphere at a temperature of 450°C to 650°C for a holding time of 2 hours to 10 hours. Next, this degreased body is fired in a reduced pressure atmosphere of an inert gas such as argon at a holding temperature of 1800°C to 2200°C for 0.5 hours to 5 hours to obtain the breathable plug of the present disclosure.
本開示の通気性プラグの製造方法の他の例について説明する。
通気性プラグの製造方法は、下記の工程(a)~(e)を含む。
Another example of the method for producing the breathable plug of the present disclosure will now be described.
The method for producing the breathable plug includes the following steps (a) to (e).
工程(a):累積分布曲線における累積95体積%の粒径が6.5μm以下の酸化アルミニウムを主成分とする粉末、ワックス、分散剤および可塑剤を容器に収容し、撹拌してスラリーを得る工程。Step (a): A step of placing a powder mainly composed of aluminum oxide, having a cumulative 95% by volume particle size of 6.5 μm or less in a cumulative distribution curve, wax, a dispersant and a plasticizer in a container and stirring to obtain a slurry.
工程(b):スラリーを予備加熱する工程。Step (b): Preheating the slurry.
工程(c):予備加熱したスラリーを脱泡処理する工程。Step (c): Degassing the preheated slurry.
工程(d):スラリーを、外周側が加熱手段によって囲繞された成形型に注入して成形体を得る工程。Step (d): The slurry is poured into a mold whose outer periphery is surrounded by a heating means to obtain a molded body.
工程(e):成形体を焼成する工程。Step (e): Sintering the molded body.
工程(a)は、原料を容器に収容し、撹拌してスラリーを得る工程である。原料は、酸化アルミニウムを主成分とする粉末、ワックス、分散剤および可塑剤である。Step (a) is a step of placing the raw materials in a container and stirring them to obtain a slurry. The raw materials are a powder mainly composed of aluminum oxide, wax, a dispersant, and a plasticizer.
酸化アルミニウムを主成分とする粉末は、累積分布曲線における累積95体積%の粒径が6.5μm以下である。このような粉末を使用することによって、例えば、相対密度が96%以上である緻密質セラミックスが得られ、内周面16fに凹部19が形成されるのが低減される。特に使用する粉末の平均粒径を小さくすることで凹部19をより低減することができる。主成分の粉末の純度は限定されず、例えば、99.5質量%以上の純度を有する粉末を使用してもよい。The powder mainly composed of aluminum oxide has a cumulative 95% by volume particle size of 6.5 μm or less in the cumulative distribution curve. By using such a powder, for example, a dense ceramic having a relative density of 96% or more is obtained, and the formation of
累積分布曲線とは、2次元のグラフで横軸を粒径、縦軸を粒径の累積百分率とした場合における粒径の累積分布を示す曲線を意味する。累積分布曲線は、レーザー回折散乱法により、例えば、マイクロトラック・ベル社製の粒子径分布測定装置(MT3300またはその後継機種)を用いて求めることができる。A cumulative distribution curve is a curve that shows the cumulative distribution of particle sizes in a two-dimensional graph with particle size on the horizontal axis and cumulative percentage of particle size on the vertical axis. The cumulative distribution curve can be determined by the laser diffraction scattering method using, for example, a particle size distribution measuring device manufactured by Microtrac-Bell (MT3300 or its successor model).
上記粉末100質量部に対して、ワックスが13質量部以上14質量部以下、分散剤が0.4質量部以上0.5質量部以下、可塑剤が1.4質量部以上1.5質量部以下の割合で使用される。ワックスとしては、例えば、パラフィンワックス、蜜蝋などが挙げられる。分散剤としては、例えば、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステルなどが挙げられる。可塑剤としては、例えば、高級脂肪酸、フタル酸エステルなどが挙げられる。 For 100 parts by mass of the powder, the wax is used in an amount of 13 parts by mass to 14 parts by mass, the dispersant is used in an amount of 0.4 parts by mass to 0.5 parts by mass, and the plasticizer is used in an amount of 1.4 parts by mass to 1.5 parts by mass. Examples of the wax include paraffin wax and beeswax. Examples of the dispersant include higher fatty acids and higher fatty acid esters. Examples of the plasticizer include higher fatty acids and phthalate esters.
上記粉末、ワックス、分散剤および可塑剤を、例えば、90℃以上140℃以下に加熱された容器内に収容する。このとき、ワックス、分散剤および可塑剤は、液体となっている。容器は、例えば樹脂製である。容器を撹拌機にセットし、容器を3分間自公転させること(自公転混練処理)により、上記粉末、ワックス、分散剤および可塑剤が撹拌されて、スラリーが得られる。The powder, wax, dispersant and plasticizer are placed in a container that has been heated to, for example, 90°C or higher and 140°C or lower. At this time, the wax, dispersant and plasticizer are in liquid form. The container is made of, for example, resin. The container is set in a stirrer and rotated for three minutes (rotational kneading process), stirring the powder, wax, dispersant and plasticizer to obtain a slurry.
工程(b)では、工程(a)で得られたスラリーを予備加熱する。予備加熱を行うことによって、スラリーの流動性が高くなり、工程(c)で得られる効果をより高くすることができる。予備加熱は、例えば、120℃以上180℃以下の温度で行われる。In step (b), the slurry obtained in step (a) is preheated. Preheating increases the fluidity of the slurry, and the effect obtained in step (c) can be further enhanced. Preheating is performed at a temperature of, for example, 120°C or higher and 180°C or lower.
工程(c)では、工程(b)で予備加熱したスラリーを脱泡処理に供する。脱泡処理を行うことによって、スラリーに含まれる気泡が低減するため、相対密度がより高い緻密質セラミックスを得ることができる。脱泡処理は、例えば、得られたスラリーをシリンジに充填し、脱泡治具を用いて、シリンジを1分間自公転させながら行う。In step (c), the slurry preheated in step (b) is subjected to a degassing treatment. By performing the degassing treatment, the number of bubbles contained in the slurry is reduced, so that dense ceramics with a higher relative density can be obtained. The degassing treatment is performed, for example, by filling the obtained slurry into a syringe and rotating the syringe on its axis for one minute using a degassing tool.
工程(d)では、工程(c)で脱泡処理したスラリーを成形型に注入して成形体を得る。成形型としては、外周側が加熱手段によって囲繞された成形型を使用する。このように、外周側が加熱手段によって囲繞された成形型を使用することによって、図3~5に示すようなハニカム構造体が得られる。加熱手段は限定されず、例えば、ヒーターなどが挙げられる。加熱手段によって、例えば、成形型に注入されるときのスラリーの温度との差が50℃以内になるように加熱されるのがよい。成形体の形状は限定されず、図3~5に示すように、円柱状を有していてもよく、角柱状など他の形状を有していてもよい。In step (d), the slurry degassed in step (c) is poured into a mold to obtain a molded body. As the mold, a mold whose outer periphery is surrounded by a heating means is used. By using a mold whose outer periphery is surrounded by a heating means in this manner, a honeycomb structure as shown in Figures 3 to 5 is obtained. The heating means is not limited, and examples thereof include a heater. It is preferable that the slurry is heated by the heating means so that the difference in temperature between the slurry and the slurry when it is poured into the mold is within 50°C. The shape of the molded body is not limited, and it may be cylindrical as shown in Figures 3 to 5, or may have other shapes such as a rectangular column.
工程(e)では、工程(c)で得られた成形体を焼成する。焼成は、例えば、大気雰囲気、1400℃以上1700℃以下で、1時間以上3時間以下保持すればよい。このようにして、軸方向に複数の貫通孔を有する緻密質セラミックスのハニカム構造体を備えた本開示の通気性プラグが得られる。このようにして得られた通気性プラグ13、14では、貫通孔16a、16bを形成する内周面16fと、ハニカム構造体の外周面16eから貫通孔16a、16bの軸心Cに向かって研磨して得られる観察対象面17との稜線18を起点とする、深さdが10μm以上20μm以下の凹部19の個数が、稜線18の長さ1mm当たり2個以下である。In step (e), the molded body obtained in step (c) is fired. For example, firing may be performed in an air atmosphere at 1400°C to 1700°C for 1 hour to 3 hours. In this manner, the breathable plug of the present disclosure is obtained, which is provided with a honeycomb structure of dense ceramics having a plurality of through holes in the axial direction. In the
ハニカム構造体の少なくとも外周面が、第1導電部を備える通気性プラグを得るには、乾燥させた成形体の外周面にグラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ、フラーレン、アモルファスカーボン等の炭素を含む2-プロパノール(IPA)溶液を塗布あるいは噴霧した後、上述した焼成を行えばよい。To obtain a breathable plug in which at least the outer peripheral surface of the honeycomb structure is provided with a first conductive portion, a 2-propanol (IPA) solution containing carbon such as graphite, graphene, carbon nanotubes, fullerene, amorphous carbon, etc. may be applied or sprayed onto the outer peripheral surface of the dried molded body, and then the above-mentioned firing may be performed.
ハニカム構造体の少なくともいずれか一方の端面が第2導電部を備える通気性プラグを得るには、乾燥させた成形体の端面に上記2-プロパノール(IPA)溶液を塗布あるいは噴霧した後、上述した焼成を行えばよい。To obtain a breathable plug in which at least one end face of a honeycomb structure has a second conductive portion, the above-mentioned 2-propanol (IPA) solution is applied or sprayed onto the end face of a dried molded body, and then the above-mentioned firing is performed.
ハニカム構造体の内周面が第3導電部を備える通気性プラグを得るには、乾燥させた成形体の内周面に上記2-プロパノール(IPA)溶液を塗布あるいは噴霧した後、上述した焼成を行えばよい。To obtain a breathable plug in which the inner surface of the honeycomb structure is provided with a third conductive portion, the above-mentioned 2-propanol (IPA) solution is applied or sprayed onto the inner surface of the dried molded body, and then the above-mentioned firing is carried out.
第1導電部、第2導電部および第3導電部の少なくともいずれかをDLCによって形成する場合、上記焼成によって得られた焼結体にプラズマイオン注入法を用いてDLCからなる膜を形成した後、温度を200℃以上1000℃以下とし、1時間以上、熱処理すればよい。When at least one of the first conductive part, the second conductive part and the third conductive part is formed from DLC, a film made of DLC is formed on the sintered body obtained by the above-mentioned firing using a plasma ion implantation method, and then the temperature is set to 200°C or higher and 1000°C or lower, and heat treatment is performed for 1 hour or more.
上述した製造方法によって得られた本開示の通気性プラグは、脱粒が生じにくい上に、チャンバー内で浮遊するパーティクルが貫通孔16a、16bに侵入しても、パーティクルは内周面16fに吸着しにくく、しかも機械的強度が高いので、長期間に亘って用いることができる。The breathable plug of the present disclosure obtained by the above-mentioned manufacturing method is less susceptible to shedding, and even if particles floating within the chamber enter the through
1 チャンバー
2 シャワープレート
2a 拡散部
2b ガス供給部
2c 第2流路
2d 通気性プラグ
3 基板支持アセンブリ支持部
4 取り付け部
5 絶縁部
6 支持部
7 熱伝導部
8 静電吸着部
8a 吸着面
8b 基材
8c クランプ電極(内部電極)
8d 流路
9 接合層
11 Oリング
13 通気性プラグ
14 通気性プラグ
15 高周波電源
16 ハニカム構造体
16a、16b 貫通孔
16c 外周側領域
16d 内周側領域
16e 外周面
16f 内周面
17 観察対象面
18 稜線
19 凹部
20 プラズマ処理装置
REFERENCE SIGNS LIST 1
Reference Signs:
Claims (16)
前記緻密質セラミックスは、酸化アルミニウムを主成分とし、アルミン酸マグネシウムを含み、前記貫通孔を形成する内周面を含む内周側領域よりも前記ハニカム構造体の外周面を含む外周側領域の方が隣り合うアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の重心間距離の平均値からアルミン酸マグネシウムの結晶粒子の円相当径の平均値を引いた値が大きい、通気性プラグ。 A honeycomb structure made of dense ceramics having a plurality of through holes in an axial direction is provided .
The dense ceramic is a breathable plug containing aluminum oxide as a main component and magnesium aluminate, and a value obtained by subtracting the average value of the circle equivalent diameter of the magnesium aluminate crystal particles from the average value of the distance between the centers of gravity of adjacent magnesium aluminate crystal particles is larger in an outer peripheral region including the outer peripheral surface of the honeycomb structure than in an inner peripheral region including the inner peripheral surface that forms the through holes .
前記緻密質セラミックスは、炭化珪素を主成分とし、金属珪素を含み、The dense ceramics is mainly composed of silicon carbide and contains metallic silicon,
前記金属珪素の重心間距離の平均値と金属珪素の円相当径の平均値との差が、8μm以上20μm以下である、通気性プラグ。A breathable plug, wherein the difference between the average distance between the centers of gravity of the metallic silicon and the average circle equivalent diameter of the metallic silicon is 8 μm or more and 20 μm or less.
C=(W0-W1)/A・・・(2)
(W0:浸漬前の試験片の質量、W1:浸漬開始から72時間経過後の試験片の質量、A :試験片の浸漬前の表面積(cm2)) 13. The breathable plug according to any one of claims 1 to 12, wherein when the plug is immersed in hydrochloric acid having a concentration of 35% by mass for 72 hours from the start of the immersion, a mass change C per unit area, as represented by the following formula (2), is 0.3 g/ cm2 or less.
C=(W 0 −W 1 )/A (2)
(W 0 : mass of the test piece before immersion, W 1 : mass of the test piece 72 hours after the start of immersion, A : surface area (cm 2 ) of the test piece before immersion)
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020093452 | 2020-05-28 | ||
| JP2020093452 | 2020-05-28 | ||
| JP2020143680 | 2020-08-27 | ||
| JP2020143680 | 2020-08-27 | ||
| PCT/JP2021/020040 WO2021241645A1 (en) | 2020-05-28 | 2021-05-26 | Air-permeable plug, substrate support assembly, and shower plate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021241645A1 JPWO2021241645A1 (en) | 2021-12-02 |
| JP7515583B2 true JP7515583B2 (en) | 2024-07-12 |
Family
ID=78744621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022526618A Active JP7515583B2 (en) | 2020-05-28 | 2021-05-26 | Breathable plug, substrate support assembly and shower plate |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7515583B2 (en) |
| TW (1) | TWI789770B (en) |
| WO (1) | WO2021241645A1 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7483121B2 (en) * | 2022-02-09 | 2024-05-14 | 日本碍子株式会社 | Semiconductor manufacturing equipment parts |
| JP7780001B2 (en) * | 2022-03-30 | 2025-12-03 | 京セラ株式会社 | Ventilated plug and mounting base |
| WO2024150747A1 (en) * | 2023-01-13 | 2024-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma treatment device and substrate support unit |
| CN120513512A (en) * | 2023-01-26 | 2025-08-19 | 日本碍子株式会社 | Wafer carrying table |
| JP7799898B2 (en) * | 2023-02-13 | 2026-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate support and method for regenerating substrate support |
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| JP2020072261A (en) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Toto株式会社 | Electrostatic chuck |
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| JP7085015B2 (en) * | 2018-10-30 | 2022-06-15 | 京セラ株式会社 | Porous ceramics, semiconductor manufacturing equipment components, shower plates and plugs |
-
2021
- 2021-05-26 WO PCT/JP2021/020040 patent/WO2021241645A1/en not_active Ceased
- 2021-05-26 JP JP2022526618A patent/JP7515583B2/en active Active
- 2021-05-28 TW TW110119497A patent/TWI789770B/en active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2021241645A1 (en) | 2021-12-02 |
| WO2021241645A1 (en) | 2021-12-02 |
| TW202202472A (en) | 2022-01-16 |
| TWI789770B (en) | 2023-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240315 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240516 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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