JP7518373B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
また、上記の発光装置のように、第2枠体が透光性であれば、第2枠体に入射した光源からの光は第2枠体で遮断されることなく透過するので、光取り出し効率を高めることができる。
図1は、実施形態1及び2に係る発光装置100、200の平面図である。図2は、実施形態1に係る発光装置100の断面図であり、図1のII-II線における断面に相当する。図3は、実施形態2に係る発光装置200の断面図であり、図1のII-II線における断面に相当する。なお、図1は、封止層及び枠体を透視して、基体及び光源を図示している。これらの図に示す発光装置100、200は、基体50と、基体50上に配置される光源10と、光源10を囲む枠体20と、枠体20に囲まれた領域に配置される封止層30と、を備えている。図2及び図3に示す発光装置100、200は、基体50上に、光源10と、光源10の周囲に配置される光反射性の第1枠体21と、第1枠体21に囲まれた領域に配置されて、光源10を覆っている第1封止層31と、第1枠体21上に配置される透光性の第2枠体26と、第2枠体26の外側に位置する光反射性の第3枠体27と、第3枠体27に囲まれた領域に配置され、第1封止層31上に位置する第2封止層35と、を備えている。第2枠体26は、第1封止層31の上面に接する。
基体50は、板状の母材と、母材上に配置された配線層53と、を含む。配線層53は、各々の光源10と電気的に接続する配線パターンを形成している。配線パターンは、第1の光源及び第2の光源をそれぞれ直列接続したパターンである。配線層は、枠体20の外側に、外部と電気的に接続される外部接続部を備える。基体50の平面形状は、例えば、図1に示すように矩形とすることができる。基体50の母材は、アルミナ等のセラミック、ガラスエポキシ、窒化アルミ又は金属(アルミニウム、銅)等を適宜利用できる。母材が金属の場合、表面に絶縁膜を設けるのがよい。
光源10として、発光素子15、あるいは発光素子15の表面に波長変換層を1層又は複数層配置しているものが使用できる。発光素子15は、発光部を備える半導体積層体を含む。半導体積層体は、発光特性を有し、液相成長法、HDVPE法やMOCVD法により成長用基板上にZnS、SiC、GaN、GaP、InN、AlN、ZnSe、GaAsP、GaAlAs、InGaN、GaAlN、AlInGaP、AlInGaN等の半導体層を複数層積層し、いずれかの半導体層に発光部を形成させたものが用いられる。半導体層の材料やその混晶度の選択により、発光部から紫外光や可視光を出射させることができる。発光部の材料として、InXAlYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等が利用できる。また、光源10は、発光素子15と、その発光により励起されて、発光素子15のピーク波長と異なるピーク波長の光を発する蛍光体を含む波長変換層16とを組み合わせたものでもよい。複数の蛍光体を用いる場合、複数の蛍光体を1層内に配置してもよいし、波長変換層を複数層で構成しそれぞれの層に異なる蛍光体を配置してもよい。
発光装置100、200は、基体50上に枠体20を備える。発光装置100における枠体20は、第1枠体21、第2枠体26及び第3枠体27で構成される。発光装置200における枠体20は、第1枠体21(内側枠体22、外側枠体23)、第2枠体26、第3枠体27で構成される。発光装置100では、基体50上に第1枠体21が配置され、第1枠体21上に第2枠体26が配置され、第2枠体26の外側の位置に第3枠体27が配置される。発光装置200では、基体50上に、内側枠体22が配置され、内側枠体22上に外側枠体23が配置され、外側枠体23上に第2枠体26が配置され、第2枠体26の外側の位置に第3枠体27が配置される。外側枠体23は内側枠体22の外側を覆い、基体50に接する。第3枠体27は、断面視において、第2枠体26の外側において第1枠体21に接することが好ましい。第1枠体21と第3枠体27がともに光反射性であるため、第3枠体27が第2枠体26の外側で第1枠体21に接することで、光源10から出射し透光性の第2枠体26を通過した光が第1枠体21と第3枠体27との隙間から外部に漏れ出ることを抑制できる。さらに、第3枠体27は基体50から離れるのが好ましい。これにより、枠体20の最外縁の無用な拡大を抑制できる。
発光装置100、200は、枠体20に囲まれた領域に、封止層30を備える。図2の発光装置100の封止層30は、第1封止層31及び第2封止層35の2層で構成され、第1封止層31は光源10を覆い、第2封止層35は第1封止層31上に配置される。発光装置100は、第1枠体21に囲まれた領域に第1封止層31が配置され、第3枠体27に囲まれた領域に第2封止層35が配置される。一方、図3の発光装置200の封止層30は、第1下側封止層32、第1上側封止層33、第2下側封止層36及び第2上側封止層37の4層で構成され、第1下側封止層32は光源10を覆い、第1下側封止層32、第1上側封止層33、第2下側封止層36及び第2上側封止層37の順に基体50側から積層する。発光装置200は、内側枠体22に囲まれた領域に第1下側封止層32が配置され、外側枠体23に囲まれた領域に第1上側封止層33が配置され、第2枠体26に囲まれた領域に第2下側封止層36が配置され、第3枠体27に囲まれた領域に第2上側封止層37が配置される。
図5に示す発光装置300は、光反射性の第1枠体21と、第1枠体21に囲まれた領域に配置される光拡散材を含む第1封止層31と、第1枠体21上に配置される透光性の第2枠体26と、第2枠体26の外側に位置する光反射性の第3枠体27と、第3枠体27に囲まれた領域に配置される光拡散材を含まない第2封止層35と、を含む。
図6に示す発光装置400は、光反射性の第1枠体21と、第1枠体21に囲まれた領域に配置される第1封止層31と、第1枠体21上に配置される透光性の第2枠体26と、第2枠体26に囲まれた領域に配置される第2下側封止層36と、第2枠体26の外側に位置する第3枠体27と、第3枠体27に囲まれた領域に配置される光拡散材を含む第2上側封止層37と、を含む。
なお、第1封止層31は、光拡散材を含まなくてもよいし、光拡散材を含んでもよい。また、第1封止層31を第1下側封止層32と第1上側封止層33に分け、第1下側封止層32は光拡散材を含まず、第1上側封止層33が光拡散材を含んでもよい。
図7A~図7Hは、図3に示す発光装置200の製造工程を示す断面図であって、基体50に枠体20と封止層30を配置する工程を示している。
(1)基体50の上において光源10の周囲に光反射材を含む樹脂を塗布して内側枠体22を配置する。(図7A参照)
(2)内側枠体22を堰として、内側枠体22に囲まれた領域に蛍光体を含む透光性の樹脂を充填して第1下側封止層32を配置する。そして、第1下側封止層32に含有された蛍光体を光源50、第1の光源11及び第2の光源12の各上面に沈降させる。(図7B参照)
(3)内側枠体22の外側と基体50の表面を覆うように、光反射性を有する樹脂を塗布して、外側枠体23を配置する。光反射材を含む樹脂を塗布する際、外側枠体23の頂部が内側枠体22の頂部よりも高くなるように塗布する。(図7C参照)
(4)外側枠体23を堰として外側枠体23に囲まれた領域に、光拡散材を含む樹脂を充填して、第1下側封止層32の上に第1上側封止層33を配置する。第1上側封止層33の厚さは、第1下側封止層32の上に積層して外側枠体23を堰として配置するので、内側枠体22の頂部と外側枠体23の頂部の高低差となる。(図7D参照)
(5)第1上側封止層33の上面と外側枠体23に跨がるように、透光性の樹脂を塗布して透光性の第2枠体26を形成する。(図7E参照)
(6)透光性の第2枠体26を堰として、第2枠体26に囲まれた領域に光拡散材が含まれていない透光性の樹脂を充填して第2下側封止層36を配置する。第2下側封止層36の膜厚は、透光性の第2枠体26の頂部の高さで特定される。(図7F参照)
(7)透光性の第2枠体26の外側と外側枠体23上に跨がるように、光反射材を含む樹脂を塗布して、光反射性の第3枠体27を配置する。光反射材を含む樹脂を塗布する際、第3枠体27の頂部が第2枠体26の頂部よりも高くなるように塗布する。(図7G参照)
(8)光反射性の第3枠体27を堰として第3枠体27に囲まれた領域に、光拡散材を含む樹脂を充填して第2上側封止層37を配置する。第2上側封止層37の厚さは、第2下側封止層36の上に積層して光反射性の第3枠体27を堰として配置するので、第2枠体26の頂部と第3枠体27の頂部との高低差となる。(図7H参照)
図2に示す発光装置100の製造工程は下記の通りである。基体50の上に光反射材を含む樹脂を塗布して第1枠体21を配置し、第1枠体21を堰として第1枠体21に囲まれた領域に、光拡散材を含まない透光性の樹脂を充填して第1封止層31を配置する。その後、透光性の第2枠体26、光反射性の第3枠体27を配置し、第3枠体27を堰として第3枠体27に囲まれた領域に、透光性の樹脂を充填して第2封止層35を配置する。
図8の断面図に示す発光装置500は、発光装置200の構成に加えて、透光性の第4枠体28と、光反射性の第5枠体29と、第3下側封止層39と、第3上側封止層40と、を備える。第4枠体28は、第3枠体27上に配置され、第2上側封止層の上面に接する。第3下側封止層39は、第4枠体28に囲まれた領域に配置される。第5枠体29は第4枠体28の外側に位置する。第5枠体29の頂部は、第4枠体28の頂部より高い。第3上側封止層40は、第5枠体29に囲まれた領域に配置される。換言すると、透光性の第4枠体28、光反射性の第5枠体29、第3下側封止層39及び第3上側封止層40の構造は、発光装置200における透光性の第2枠体26、光反射性の第3枠体27、第2下側封止層36及び第2上側封止層37の構造を繰り返した構造である。
第3下側封止層39は、透光層であり、第3上側封止層40は、光拡散層であるのがよい。これにより、封止層30が、透光層と拡散層を交互に繰り返した構成となるため、封止層内における光拡散がより一層促進され、発光領域の発光ムラを抑制することができる。光拡散層と透光層を交互に繰り返す場合、1層ごとでもよいし複数層ごとでもよい。
なお、透光性の第2枠体26、光反射性の第3枠体27、第2下側封止層36及び第2上側封止層37の構造の繰り返しは、1回に限らず、複数回でもよい。
10…光源
11…第1の光源
12…第2の光源
15…発光素子
16A…第1の波長変換層
16B…第2の波長変換層
17…透光性部材
20…枠体
21…第1枠体
22…内側枠体
23…外側枠体
26…第2枠体
27…第3枠体
28…第4枠体
29…第5枠体
30…封止層
31…第1封止層
32…第1下側封止層
33…第1上側封止層
35…第2封止層
36…第2下側封止層
37…第2上側封止層
38…第3封止層
39…第3下側封止層
40…第3上側封止層
50…基体
53…配線層
Claims (12)
- 基体と、
前記基体上に、
光源と、
前記光源の周囲に配置される光反射性の第1枠体と、
前記第1枠体に囲まれた領域に配置され、前記光源を覆い、上面を有する第1封止層と、
前記第1枠体上に配置される透光性の第2枠体と、
前記第2枠体の外側に位置する光反射性の第3枠体と、
前記第3枠体に囲まれた領域に配置され、前記第1封止層上に位置する第2封止層と、
を備え、
前記第2枠体が前記第1封止層の上面に接し、
前記第3枠体が、前記第1枠体と接する発光装置。 - 前記第2封止層は、
前記第2枠体に囲まれた領域に配置される第2下側封止層と、
前記第3枠体に囲まれた領域に配置され、前記第2下側封止層上に位置する第2上側封止層と、
を含む請求項1に記載の発光装置。 - 前記第2上側封止層は、光拡散材を含む請求項2に記載の発光装置。
- 前記第1封止層は、光拡散材を含む請求項3に記載の発光装置。
- 前記第2下側封止層は、光拡散材を実質的に含まない請求項4に記載に発光装置。
- 前記第1封止層は、
前記基体側に位置する第1下側封止層と、
前記第1下側封止層上に位置する第1上側封止層と、
を含み、
前記第1上側封止層は、光拡散材を含む請求項1ないし5のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1枠体は、
基体上に配置される内側枠体と、
前記内側枠体上に配置される外側枠体と、
を含み、
前記第1下側封止層は、前記内側枠体に囲まれた領域に配置される請求項6に記載の発光装置。 - 前記第1封止層は、光拡散材を含み、
前記第2封止層は、透光層を含む請求項1に記載の発光装置。 - 前記第3枠体は、前記基体とは離間する請求項1ないし8のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第2枠体の下面が前記第1封止層に接する面積は、前記第2枠体の下面が前記第1枠体に接する面積より大きい請求項1ないし9のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記基体上に複数の前記光源を配置してなる請求項1ないし10のいずれか一項に記載の発光装置。
- 複数の前記光源は、発光色が異なる請求項11に記載の発光装置。
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