JP7520455B2

JP7520455B2 - ウェーハの加工方法

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Publication number: JP7520455B2
Application number: JP2020125480A
Authority: JP
Inventors: プリワッサーカール; 英之山銅
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-07-22
Filing date: 2020-07-22
Publication date: 2024-07-23
Anticipated expiration: 2040-07-22
Also published as: US20220028742A1; US11894271B2; JP2022021712A; KR20220012174A; KR102861867B1

Description

本発明は、プラズマエッチングによってウェーハを加工するウェーハの加工方法に関する。

デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハをストリートに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に搭載される。

ウェーハの分割には、環状の切削ブレードでウェーハを切削する切削装置が用いられる。切削装置に装着された切削ブレードを回転させてウェーハに切り込ませることにより、ウェーハがストリートに沿って切断される。また、近年では、レーザー加工によってウェーハを分割する技術も着目されている。例えば、ウェーハにレーザービームを照射することにより、ウェーハに溝や改質層等の分割起点がストリートに沿って形成される。分割起点が形成されたウェーハに外力を付与すると、ウェーハが分割起点を起点として破断し、複数のデバイスチップに分割される。

しかしながら、切削加工やレーザー加工によってウェーハを分割すると、ウェーハに加工不良が生じやすい。例えば、切削ブレードでウェーハを分割すると、ウェーハの表面側又は裏面側に欠け（チッピング）が発生することがある。また、ウェーハにレーザー加工を施すと、レーザービームの照射によって生じた熱の影響により、結晶性が局所的に変化した領域（結晶歪み層）や凹凸等が形成されることがある。このような加工不良がウェーハの分割によって得られたデバイスチップに残存すると、デバイスチップの抗折強度（曲げ強度）が低下するという問題がある。

そこで、ウェーハの分割にプラズマエッチングを用いる手法が提案されている。例えば特許文献１には、ウェーハの裏面側にレジスト膜（マスク）を形成し、マスクを介してプラズマ状態のエッチングガスをウェーハに供給することにより、ウェーハをストリートに沿って分割するウェーハの分割方法が開示されている。プラズマエッチングは、切削加工やレーザー加工と比較してウェーハに加工不良を生じさせにくい。そのため、プラズマエッチングによってウェーハを分割することにより、デバイスチップの抗折強度の低下が抑制される。

特開２００６－２９４６８６号公報

プラズマエッチングによってウェーハを分割する場合には、例えばウェーハの上面側にプラズマ状態のガスが供給され、ストリートに沿って溝が形成される。そして、エッチングが進行して溝がウェーハの下面に達すると、ウェーハがストリートに沿って分割される。そのため、エッチングの条件（エッチング時間、ガスの流量等）は、ウェーハの全域で溝がウェーハの下面に達するように設定される。

ただし、プラズマエッチング中の様々な要因（ガスの流動の偏り、プラズマ密度のばらつき等）に起因して、ウェーハ内でエッチングレートのばらつきが生じることがある。この場合、例えばウェーハの中央部では溝がウェーハの下面に到達するにも関わらず、ウェーハの外周部では溝がウェーハの下面に到達せず、ウェーハの分割が不完全になることがある。そこで、ウェーハの分割の確実性を重視して、ウェーハの最もエッチングされにくい領域においても溝がウェーハの下面に達するようにエッチングの条件が調整される。

しかしながら、上記のようにエッチング条件が設定されると、ウェーハのエッチングレートが高い領域（エッチングが進行しやすい領域）では、溝がウェーハの下面に達した状態からさらにエッチングが継続され、ウェーハの下面側が過剰に加工される。その結果、ウェーハの分割によって得られるデバイスチップの形状の崩れ等が生じ、デバイスチップの品質が低下する。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、プラズマエッチングによってウェーハを適切に分割することが可能なウェーハの加工方法の提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、ウェーハの加工方法であって、複数のストリートによって複数の領域に区画された第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面とを備える、測定用ウェーハと製品用ウェーハとを準備するウェーハ準備ステップと、該測定用ウェーハの該第１の面側又は該第２の面側に第１のマスクを形成し、該測定用ウェーハの該第１のマスクから露出し該ストリートに対応する第１の領域にプラズマ状態のガスを供給し、該第１の領域を所定の条件でエッチングして溝を形成する測定用エッチングステップと、該測定用エッチングステップの実施後、該測定用ウェーハの中心から外周に至る領域を複数の同心円状のエリアに区画し、該溝の深さを該エリア毎に測定する測定ステップと、該測定ステップの実施後、該溝が浅い該エリアに対応する領域ほど薄くなるように該製品用ウェーハの厚さを調整する厚さ調整ステップと、該厚さ調整ステップの実施後、該製品用ウェーハの該第１の面側又は該第２の面側に第２のマスクを形成し、該製品用ウェーハの第２のマスクから露出し該ストリートに対応する第２の領域にプラズマ状態のガスを供給し、該第２の領域を所定の条件でエッチングするエッチングステップと、を含むウェーハの加工方法が提供される。

なお、好ましくは、該厚さ調整ステップでは、該製品用ウェーハに研削、研磨又はプラズマエッチングを施すことにより、該製品用ウェーハの厚さを調整する。また、好ましくは、該測定用エッチングステップでは、該測定用ウェーハの該プラズマ状態のガスが供給される面と反対側の面側に、該測定用ウェーハを保護する第１の保護部材を配置した状態で、該プラズマ状態のガスを該測定用ウェーハに供給し、該エッチングステップでは、該製品用ウェーハの該プラズマ状態のガスが供給される面と反対側の面側に、該製品用ウェーハを保護する第２の保護部材を配置した状態で、該プラズマ状態のガスを該製品用ウェーハに供給する。

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、プラズマエッチングによって測定用ウェーハに形成された溝の深さに応じて製品用ウェーハの厚さを調整した後、製品用ウェーハに対してプラズマエッチングを施す。これにより、製品用ウェーハ内のエッチングレートのばらつきが製品用ウェーハの厚さ分布に反映され、製品用ウェーハ内の各領域において分割が完了するタイミングを揃えることができる。これにより、製品用ウェーハ内でエッチングが不完全な領域やエッチングが過剰な領域が発生しにくくなり、製品用ウェーハの適切な分割が実現される。

図１（Ａ）は測定用ウェーハを示す斜視図であり、図１（Ｂ）は製品用ウェーハを示す斜視図である。図２（Ａ）は保護部材が配置された測定用ウェーハを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は保護部材が配置された製品用ウェーハを示す斜視図である。図３（Ａ）はマスク層が形成された測定用ウェーハの一部を示す断面図であり、図３（Ｂ）はマスクが形成された測定用ウェーハの一部を示す断面図である。プラズマ処理装置を示す断面模式図である。プラズマ状態のガスが供給される測定用ウェーハの一部を示す断面図である。図６（Ａ）はプラズマエッチング後の測定用ウェーハの中央部を示す断面図であり、図６（Ｂ）はプラズマエッチング後の測定用ウェーハの外周部を示す断面図である。溝が形成された測定用ウェーハを示す断面図である。研削装置を示す一部断面正面図である。チャックテーブルを示す断面図である。図１０（Ａ）はチャックテーブルが第１の方向に傾いた状態で研削された製品用ウェーハを示す断面図であり、図１０（Ｂ）はチャックテーブルが第２の方向に傾いた状態で研削された製品用ウェーハを示す断面図である。図１１（Ａ）はエッチングステップにおける製品用ウェーハの一部を示す断面図であり、図１１（Ｂ）はプラズマエッチング後の製品用ウェーハの一部を示す断面図である。

以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で使用可能なウェーハの構成例について説明する。本実施形態においては、実際の製品の製造に用いられる製品用ウェーハと、製品用ウェーハの加工条件の選定に用いられる測定用ウェーハとを用いる。

図１（Ａ）は、ウェーハ（測定用ウェーハ）１１を示す斜視図である。ウェーハ１１は、後述の製品用ウェーハ（図１（Ｂ）参照）の加工条件の選定に用いられる測定用ウェーハ（テスト用ウェーハ）である。例えばウェーハ１１は、シリコン等の半導体でなる円盤状の基板であり、表面（第１の面）１１ａと、表面１１ａとは反対側の裏面（第２の面）１１ｂとを備える。

ウェーハ１１の表面１１ａ側は、互いに交差するように格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。そして、ストリート１３によって区画された領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。

図１（Ｂ）は、ウェーハ（製品用ウェーハ）３１を示す斜視図である。ウェーハ３１は、実際の製品（デバイスチップ等）の製造に用いられる製品用ウェーハであり、ウェーハ１１（図１（Ａ）参照）と同様の構成を有する。

具体的には、ウェーハ３１は、表面（第１の面）３１ａと、表面３１ａとは反対側の裏面（第２の面）３１ｂとを備える。ウェーハ３１の表面３１ａ側は、互いに交差するように格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）３３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。そして、ストリート３３によって区画された領域にはそれぞれ、デバイス３５が形成されている。なお、ウェーハ３１の材質等は、ウェーハ１１と同様である。また、ウェーハ３１に形成されたデバイス３５の種類等は、ウェーハ１１に形成されたデバイス１５と同様である。

例えば、ウェーハ３１を加工してストリート３３に沿って分割することにより、デバイス３５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。そして、ウェーハ３１を加工する際の加工条件が、ウェーハ１１を用いた試験の結果に基づいて選定される。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法の具体例について説明する。

まず、測定用ウェーハと製品用ウェーハとを準備する（ウェーハ準備ステップ）。例えばウェーハ準備ステップでは、図１（Ａ）に示すウェーハ１１と、図１（Ｂ）に示すウェーハ３１とを形成する。

後述の通り、ウェーハ１１はウェーハ３１の加工条件の選定に用いられるため、ウェーハ１１はウェーハ３１と類似の構成を有することが好ましい。具体的には、ウェーハ１１とウェーハ３１とは同一の材質でなることが好ましい。また、ストリート１３の本数とストリート３３の本数とは等しいことが好ましく、ストリート１３の幅とストリート３３の幅とは概ね同一であることが好ましい。さらに、ウェーハ１１に形成されたデバイス１５の寸法及び間隔と、ウェーハ３１に形成されたデバイス３５の寸法及び間隔とは、概ね同一であることが好ましい。

ただし、ウェーハ１１の構成は、ウェーハ３１の加工条件を適切に選定可能な範囲内で、ウェーハ３１の構成と異なっていてもよい。例えば、ウェーハ１１は実際のデバイスチップの製造には用いられないため、必ずしもウェーハ１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。

ウェーハ１１及びウェーハ３１に対しては、後の工程でプラズマエッチングが施される。そこで、ウェーハ１１の表面１１ａ側又は裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１を保護する保護部材が設けられる。同様に、ウェーハ３１の表面３１ａ側又は裏面３１ｂ側には、ウェーハ３１を保護する保護部材が設けられる。

図２（Ａ）は、保護部材（第１の保護部材）１７が配置されたウェーハ１１を示す斜視図である。例えば、ウェーハ１１の表面１１ａ側に、ウェーハ１１よりも径が大きい円形の保護部材１７が固定される。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側及び複数のデバイス１５が保護部材１７によって覆われて保護される。

保護部材１７としては、例えばフィルム状のテープが用いられる。このテープは、円形の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを含む。例えば、基材はポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層はエポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層には、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂を用いてもよい。

保護部材１７の外周部は、金属等でなる環状のフレーム１９に貼付される。フレーム１９の中央部には、ウェーハ１１よりも径が大きい円形の開口１９ａが設けられている。ウェーハ１１は、開口１９ａの内側に配置されるように、保護部材１７の中央部に貼付される。これにより、ウェーハ１１が保護部材１７を介してフレーム１９によって支持され、ウェーハ１１の取り扱い（搬送、保持等）が容易になる。

図２（Ｂ）は、保護部材（第２の保護部材）３７が配置されたウェーハ３１を示す斜視図である。例えば、ウェーハ３１の表面３１ａ側に、ウェーハ３１よりも径が大きい円形の保護部材３７が固定される。これにより、ウェーハ３１の表面３１ａ側及び複数のデバイス３５が保護部材３７によって覆われて保護される。

また、保護部材３７の外周部は、金属等でなる環状のフレーム３９に貼付される。フレーム３９の中央部には、ウェーハ３１よりも径が大きい円形の開口３９ａが設けられている。ウェーハ３１は、開口３９ａの内側に配置されるように、保護部材３７の中央部に貼付される。これにより、ウェーハ３１が保護部材３７を介してフレーム３９によって支持される。なお、保護部材３７の形状、構造、材質等は、保護部材１７と同様である。また、フレーム３９の形状、構造、材質等は、フレーム１９と同様である。

ウェーハ１１及びウェーハ３１を形成するタイミングは、適宜選択できる。具体的には、ウェーハ１１は後述の測定用エッチングステップの直前までに準備されればよく、ウェーハ３１は後述の厚さ調整ステップの直前までに準備されればよい。

次に、ウェーハ１１のストリート１３に対応する領域にプラズマ状態のガスを供給し、ウェーハ１１に溝を形成する（測定用エッチングステップ）。測定用エッチングステップでは、ウェーハ１１にプラズマエッチングを施すことにより、ウェーハ１１をストリート１３に沿ってエッチングする。以下では一例として、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にプラズマ状態のガスを供給することによってウェーハ１１をエッチングする場合について説明する。

測定用エッチングステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にプラズマエッチングのためのマスク２３（図３（Ｂ）参照）を形成する。例えばマスク２３は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にマスク層２１（図３（Ａ）参照）を形成した後、マスク層２１のストリート１３に対応する領域を除去することによって形成される。

図３（Ａ）は、マスク層２１が形成されたウェーハ１１の一部を示す断面図である。マスク層２１は、プラズマエッチングの際のマスクとして機能する材質でなり、ウェーハ１１の裏面１１ｂの全体を被覆するように形成される。例えばマスク層２１として、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）等の水溶性の樹脂を用いることができる。

次に、マスク層２１のうちストリート１３に対応する領域を除去する。例えば、マスク層２１にレーザービームをストリート１３に沿って照射することにより、マスク層２１がストリート１３に沿って除去される。この場合、レーザービームの照射条件（波長、パワー、スポット径、繰り返し周波数等）は、レーザービームがマスク層２１に照射された際にマスク層２１にアブレーション加工が施されるように設定される。そして、全てのストリート１３に沿ってマスク層２１を除去すると、マスク層２１にはウェーハ１１の裏面１１ｂの一部を露出させる格子状の開口が形成される。

図３（Ｂ）は、マスク（第１のマスク）２３が形成されたウェーハ１１の一部を示す断面図である。マスク層２１のパターニングにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側のうちストリート１３に対応する領域（ストリート１３と重なる領域）を露出させ、且つ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側のうちデバイス１５に対応する領域（デバイス１５と重なる領域）を覆うマスク２３が形成される。

なお、マスク２３の材質や形成方法に制限はない。例えば、マスク層２１として感光性の樹脂でなるレジストを用い、マスク層２１を露光してパターニングすることによってマスク２３を形成してもよい。

次に、ウェーハ１１のうちマスク２３から露出しストリート１３に対応する領域にプラズマ状態のガスを供給し、該領域を所定の条件でエッチングする。ウェーハ１１のエッチングには、例えばプラズマ処理装置が用いられる。図４は、プラズマ処理装置１０を示す断面模式図である。

プラズマ処理装置１０は、直方体状のチャンバー１２を備える。チャンバー１２は、底壁１２ａと、上壁１２ｂと、第１の側壁１２ｃと、第２の側壁１２ｄと、第３の側壁１２ｅと、第４の側壁（不図示）とを含む。チャンバー１２の内部は、プラズマ処理が実施される処理空間１４に相当する。

第２の側壁１２ｄには、ウェーハ１１の搬入及び搬出のための開口１６が設けられている。開口１６の外側には、開口１６を開閉するゲート（開閉扉）１８が設けられている。ゲート１８は開閉機構２０に接続されており、開閉機構２０はゲート１８を鉛直方向（上下方向）に沿って移動させる。例えば開閉機構２０は、ピストンロッド２４を備えるエアシリンダ２２によって構成される。ピストンロッド２４の上端部は、ゲート１８の下部に連結されている。また、エアシリンダ２２はブラケット２６を介してチャンバー１２の底壁１２ａに固定されている。

開閉機構２０でゲート１８を下降させると、開口１６が露出する。これにより、開口１６を介してウェーハ１１を処理空間１４に搬入し、又は、開口１６を介してウェーハ１１を処理空間１４から搬出することが可能となる。

また、チャンバー１２の底壁１２ａには、チャンバー１２の内部と外部とを接続する排気口２８が形成されている。排気口２８には、処理空間１４を減圧するための排気機構３０が接続されている。排気機構３０は、例えば真空ポンプによって構成される。

処理空間１４には、下部電極３２と上部電極３４とが互いに対向するように配置されている。下部電極３２は導電性の材料でなり、円盤状の保持部３６と、保持部３６の下面の中央部から下方に向かって突出する円柱状の支持部３８とを含む。

支持部３８は、チャンバー１２の底壁１２ａに形成された開口４０に挿入されている。開口４０内の底壁１２ａと支持部３８との間には、環状の絶縁部材４２が配置されており、絶縁部材４２によってチャンバー１２と下部電極３２とが絶縁されている。また、下部電極３２は、チャンバー１２の外部で高周波電源４４に接続されている。

保持部３６の上面側には凹部が形成されており、この凹部には、ウェーハ１１を保持する円盤状のテーブル４６が設けられている。テーブル４６の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面４６ａを構成する。保持面４６ａは、テーブル４６の内部に形成された流路（不図示）と、下部電極３２の内部に形成された流路４８とを介して、エジェクタ等の吸引源５０に接続されている。

また、保持部３６の内部には、冷却流路５２が形成されている。冷却流路５２の一端側は、支持部３８に形成された冷媒導入路５４を介して冷媒循環機構５６に接続されている。また、冷却流路５２の他端側は、支持部３８に形成された冷媒排出路５８を介して冷媒循環機構５６に接続されている。冷媒循環機構５６を作動させると、冷媒が冷媒導入路５４、冷却流路５２、冷媒排出路５８を順に流れ、下部電極３２が冷却される。

上部電極３４は、導電性の材料でなり、円盤状のガス噴出部６０と、ガス噴出部６０の上面の中央部から上方に向かって突出する円柱状の支持部６２とを含む。支持部６２は、チャンバー１２の上壁１２ｂに形成された開口６４に挿入されている。開口６４内の上壁１２ｂと支持部６２との間には、環状の絶縁部材６６が配置されており、絶縁部材６６によってチャンバー１２と上部電極３４とが絶縁されている。また、上部電極３４は、チャンバー１２の外部で高周波電源６８と接続されている。

支持部６２の上端部には、昇降機構７０と連結された支持アーム７２が装着されている。昇降機構７０及び支持アーム７２によって、上部電極３４は鉛直方向（上下方向）に沿って移動（昇降）する。

ガス噴出部６０の下面側には、複数の噴出口７４が設けられている。この噴出口７４は、ガス噴出部６０の内部に形成されている流路７６と、支持部６２の内部に形成されている流路７８とを介して、第１ガス供給源８０及び第２ガス供給源８２に接続されている。第１ガス供給源８０と第２ガス供給源８２とは、互いに異なる成分のガスを流路７８に供給できる。

プラズマ処理装置１０の各構成要素（開閉機構２０、排気機構３０、高周波電源４４、吸引源５０、冷媒循環機構５６、高周波電源６８、昇降機構７０、第１ガス供給源８０、第２ガス供給源８２等）は、プラズマ処理装置１０を制御する制御部（制御ユニット、制御装置）８４に接続されている。制御部８４は、プラズマ処理装置１０の構成要素それぞれの動作を制御する。

例えば制御部８４は、コンピュータによって構成され、プラズマ処理装置１０の稼働に必要な演算を行う演算部と、演算部による演算に用いられる各種の情報（データ、プログラム等）が記憶される記憶部とを含む。演算部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部は、主記憶装置、補助記憶装置等を構成する各種のメモリを含んで構成される。記憶部に記憶されたプログラムを演算部によって実行することにより、プラズマ処理装置１０の構成要素を制御するための制御信号が生成される。

プラズマ処理装置１０によってウェーハ１１にプラズマエッチングを施す際は、まず、開閉機構２０でプラズマ処理装置１０のゲート１８を下降させて、開口１６を露出させる。そして、搬送機構（不図示）によって、開口１６を介してウェーハ１１をチャンバー１２の処理空間１４に搬入し、テーブル４６上に配置する。このときウェーハ１１は、裏面１１ｂ側（マスク２３側）が上方（上部電極３４側）に露出するように配置される。なお、ウェーハ１１の搬入時には、昇降機構７０で上部電極３４を上昇させ、下部電極３２と上部電極３４との間隔を広げておくことが好ましい。

次に、テーブル４６の保持面４６ａに吸引源５０の負圧を作用させ、ウェーハ１１をテーブル４６によって吸引保持する。また、開閉機構２０でゲート１８を上昇させて開口１６を閉じ、処理空間１４を密閉する。さらに、上部電極３４と下部電極３２とがプラズマ処理に適した所定の位置関係となるように、昇降機構７０で上部電極３４の高さ位置を調節する。そして、排気機構３０を作動させて、処理空間１４を減圧状態（例えば、５０Ｐａ以上３００Ｐａ以下）とする。

なお、処理空間１４が減圧された際にウェーハ１１を吸引源５０の負圧によってテーブル４６上で保持することが困難になる場合は、ウェーハ１１を電気的な力（代表的には静電引力）等によってテーブル４６上に保持する。例えば、テーブル４６の内部には複数の電極が埋め込まれている。この電極に所定の電圧を印加することにより、テーブル４６とウェーハ１１との間にクーロン力を作用させ、ウェーハ１１をテーブル４６に吸着させることができる。すなわち、テーブル４６は静電チャックテーブルとして機能する。

そして、第１ガス供給源８０又は第２ガス供給源８２から、流路７８、流路７６、複数の噴出口７４を介して、下部電極３２と上部電極３４との間にエッチング用のガス（エッチングガス）を供給する。また、下部電極３２及び上部電極３４に、所定の高周波電力（例えば、１０００Ｗ以上３０００Ｗ以下）を付与する。その結果、下部電極３２と上部電極３４との間に存在するガスが、イオンやラジカルを含むプラズマ状態となる。そして、プラズマ状態のガスがウェーハ１１の裏面１１ｂ側に供給される。

図５は、プラズマ状態のガス９０が供給されるウェーハ１１の一部を示す断面図である。プラズマ状態のガス９０は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側のうちマスク２３によって覆われていない領域（第１の領域）１１ｃに供給される。領域１１ｃは、マスク２３から露出し、ストリート１３に対応する領域（ストリート１３と重なる領域）に相当する。その結果、領域１１ｃにプラズマエッチングが施される。

なお、測定用エッチングステップでは、ウェーハ１１のガス９０が供給される面（裏面１１ｂ）とは反対側の面（表面１１ａ）側に保護部材１７が配置された状態で、ガス９０がウェーハ１１に供給される。また、ガス９０の成分は、ウェーハ１１の材質に応じて適宜選択される。例えば、ウェーハ１１がシリコンウェーハである場合には、ＣＦ_４、ＳＦ_６等のフッ素系のガスを含むガス９０を用いることができる。

図６（Ａ）はプラズマエッチング後のウェーハ１１の中央部を示す断面図であり、図６（Ｂ）はプラズマエッチング後のウェーハ１１の外周部を示す断面図である。マスク２３を介してプラズマ状態のガス９０がウェーハ１１の裏面１１ｂ側に供給されると、領域１１ｃがエッチングされる。これにより、領域１１ｃにはウェーハ１１の裏面１１ｂから表面１１ａ側に向かって溝１１ｄが形成される。

プラズマエッチングの条件（エッチング時間、ガスの流量、高周波電力、処理空間１４の圧力等）は、例えば、後の工程においてウェーハ３１を分割する際（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）参照）におけるプラズマエッチングの条件と同一に設定される。また、ウェーハ１１として、ウェーハ３１よりも厚いウェーハが用いられる。その結果、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、表面１１ａに達しない溝１１ｄがストリート１３に沿って形成される。

なお、プラズマ処理装置１０によってウェーハ１１にプラズマエッチングを施す際には、様々な要因（ガスの流動の偏り、プラズマ密度のばらつき等）に起因して、ウェーハ１１内でエッチングレートのばらつきが生じ得る。例えば、ウェーハ１１の中央ではエッチングが進行しやすく、ウェーハ１１の外周部ではエッチングが進行しにくいことがある。この場合、ウェーハ１１の中央部に形成された溝１１ｄ（図６（Ａ）参照）よりも、ウェーハ１１の外周部に形成された溝１１ｄ（図６（Ｂ）参照）の方が浅くなる。

そして、ウェーハ１１に対するプラズマエッチングが完了した後、ウェーハ１１からマスク２３を除去する。なお、マスク２３が水溶性の樹脂でなる場合には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に純水等を供給することにより、マスク２３を容易に除去できる。

次に、ウェーハ１１の中心から外周に至る領域を複数の同心円状のエリアに区画し、溝１１ｄの深さをエリア毎に測定する（測定ステップ）。測定ステップでは、ストリート１３に沿って溝１１ｄが格子状に形成されたウェーハ１１が用いられる。

図７は、溝１１ｄが形成されたウェーハ１１を示す断面図である。前述の測定用エッチングステップにおいてウェーハ１１のエッチングレートにばらつきがあると、ウェーハ１１には深さの異なる複数の溝１１ｄが形成される。例えば図７に示すように、ウェーハ１１の中心に近い領域ほど深い溝１１ｄが形成され、ウェーハ１１の外周に近い領域ほど浅い溝１１ｄが形成される。

測定ステップでは、まず、前述の測定用エッチングステップの実施後のウェーハ１１を、一のストリート１３に沿って切断する。これにより、図７に示すようなウェーハ１１の断面が観察可能になる。そして、ウェーハ１１の中心から外周に至る領域を複数のエリアに区画する。

例えばウェーハ１１は、ウェーハ１１の中心を含む円形のエリアＡ_１と、エリアＡ_１を囲む複数の環状のエリアＡ_２，Ａ_３，Ａ_４，Ａ_５とに区画される。なお、エリアＡ_１～Ａ_５は同心円状に設定され、エリアＡ_２～Ａ_５の径は順に大きくなるように設定される。また、エリアＡ_１の半径とエリアＡ_２～Ａ_５の幅とは、例えば概ね同一に設定される。

ただし、ウェーハ１１を区画するエリアの数及び径（幅）に制限はない。すなわち、ウェーハ１１は、エリアＡ_１と、エリアＡ_１を囲むように設定され互いに径が異なる任意の数の環状のエリアとに区画できる。

次に、溝１１ｄの深さをエリアＡ_１～Ａ_５毎に測定する。溝１１ｄの測定は、例えば、ウェーハ１１の断面を撮像することによって画像を取得し、その画像に表されている溝１１ｄの深さを実測することによって行われる。なお、１つのエリアに複数の溝１１ｄが含まれる場合には、任意の１本の溝１１ｄの深さを測定してもよいし、エリアに含まれる複数の溝１１ｄの深さを測定して平均値を算出してもよい。そして、エリア毎の溝１１ｄの深さが記録される。

溝１１ｄの深さは、プラズマ処理装置１０（図４）でウェーハ１１にプラズマエッチングを施した際のエッチングレートに対応している。すなわち、溝１１ｄが深いエリアほどエッチングが進行しやすく、エッチングレートが高い。したがって、測定ステップを実施すると、ウェーハ１１内におけるエッチングレートのばらつきの分布を確認できる。

次に、製品用ウェーハをプラズマエッチングによって加工する。例えば、ウェーハ３１（図２（Ｂ）参照）をストリート３３に沿ってエッチングして分割することにより、デバイス３５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。ウェーハ３１のエッチングには、プラズマ処理装置１０（図４）が用いられる。

ただし、ウェーハ３１にプラズマエッチングを施す際に、ウェーハ３１内でエッチングレートにばらつきがあると、ウェーハ３１が適切に分割されにくい。例えば、ウェーハ３１の外周部のエッチングレートがウェーハ３１の中央部のエッチングレートよりも低い場合（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）参照）、ウェーハ３１の外周部において分割が不完全になりやすい。一方、ウェーハ３１の外周部においても確実に分割が完了するように加工条件を変更すると、ウェーハ３１の中央部では分割が完了した後もエッチングが継続され、過剰な加工によるデバイスチップの品質低下が生じ得る。

そこで、本実施形態では、まず、上記の測定ステップにおける測定の結果に基づいて、ウェーハ３１の厚さを調整する（厚さ調整ステップ）。具体的には、プラズマエッチングの実施前にウェーハ３１を加工することにより、エッチングレートが高い領域（エッチングが進行しやすい領域）ほど厚く、エッチングレートが低い領域（エッチングが進行しにくい領域）ほど薄くなるように、ウェーハ３１の厚さを調整する。

厚さ調節ステップでは、まず、ウェーハ３１の中心から外周に至る領域を複数の同心円状のエリアに区画する。具体的には、ウェーハ３１をウェーハ１１（図７参照）と同様に、エリアＡ_１～Ａ_５に区画する。なお、ウェーハ３１のエリアＡ_１～Ａ_５の寸法（径及び幅）は、ウェーハ１１のエリアＡ_１～Ａ_５の寸法と同一である。

次に、ウェーハ３１のうち、前述の測定ステップにおいて測定された溝１１ｄ（図７参照）の深さが小さい（浅い）エリアに対応する領域ほど薄くなるように、ウェーハ３１の厚さを調整する。具体的には、図７に示すように、ウェーハ１１の中心に近いエリアほど溝１１ｄが深く、ウェーハ１１の外周に近いエリアほど溝１１ｄが浅い。そこで、ウェーハ３１は、中央部（エリアＡ_１）から外周部（エリアＡ_５）に向かって徐々に薄くなるように加工される。

ウェーハ３１の厚さの調整には、例えば研削装置が用いられる。図８は、研削装置１００を示す一部断面正面図である。研削装置１００は、ウェーハ３１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）１０２と、チャックテーブル１０２によって保持されたウェーハ３１を研削する研削ユニット１０６を備える。

チャックテーブル１０２の上面は、ウェーハ３１を保持する平坦な保持面１０２ａを構成する。保持面１０２ａは、チャックテーブル１０２の内部に形成された流路１０２ｂ（図９参照）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

チャックテーブル１０２には、チャックテーブル１０２を水平方向に沿って移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）と、チャックテーブル１０２を鉛直方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）とが接続されている。また、チャックテーブル１０２の周囲には、ウェーハ３１を支持するフレーム３９を把持して固定する複数のクランプ１０４が設けられている。

チャックテーブル１０２の上方には、研削ユニット１０６が配置されている。研削ユニット１０６は、鉛直方向に沿って配置された円筒状のスピンドル１０８を備える。スピンドル１０８の先端部（下端部）には、円盤状のマウント１１０が固定されている。また、スピンドル１０８の基端部（上端部）には、スピンドル１０８を回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が接続されている。

マウント１１０の下面側には、ウェーハ３１を研削する研削ホイール１１２が装着される。研削ホイール１１２は、ステンレス、アルミニウム等の金属でなりマウント１１０と概ね同径に形成された環状の基台１１４を備える。また、基台１１４の下面側には、複数の研削砥石１１６が固定されている。例えば、複数の研削砥石１１６は直方体状に形成され、基台１１４の外周に沿って概ね等間隔に配列されている。

研削ホイール１１２は、回転駆動源からスピンドル１０８及びマウント１１０を介して伝達される動力により、鉛直方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。また、研削ユニット１０６にはボールねじ式の移動機構（不図示）が接続されており、この移動機構は研削ユニット１０６を鉛直方向に沿って昇降させる。さらに、研削ユニット１０６の近傍には、チャックテーブル１０２によって保持されたウェーハ３１と複数の研削砥石１１６とに純水等の研削液１２０を供給するノズル１１８が設けられている。

ウェーハ３１を研削する際は、まず、ウェーハ３１をチャックテーブル１０２によって保持する。具体的には、ウェーハ３１は、表面３１ａ側（保護部材３７側）が保持面１０２ａに対面し、裏面３１ｂ側が上方に露出するように、チャックテーブル１０２上に配置される。また、複数のクランプ１０４によってフレーム３９を把持して固定する。この状態で、保持面１０２ａに吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ３１が保護部材３７を介してチャックテーブル１０２によって吸引保持される。

次に、チャックテーブル１０２を研削ユニット１０６の下方に移動させる。そして、チャックテーブル１０２と研削ホイール１１２とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール１１２をチャックテーブル１０２に向かって下降させる。このときの研削ホイール１１２の下降速度は、複数の研削砥石１１６が適切な力でウェーハ３１に押し当てられるように調整される。

回転する複数の研削砥石１１６がウェーハ３１の裏面３１ｂ側に接触すると、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側が削り取られる。これにより、ウェーハ３１が研削されて薄化される。また、ウェーハ３１の研削中にノズル１１８から供給される研削液１２０によって、ウェーハ３１及び研削砥石１１６が冷却されるとともに、ウェーハ３１の研削によって生じた屑（研削屑）が洗い流される。そして、ウェーハ３１が所定の厚さ（仕上げ厚さ）になるまで薄化されると、ウェーハ３１の研削が停止される。

ここで、ウェーハ３１を研削装置１００で研削する際、チャックテーブル１０２の角度を調整することにより、研削後のウェーハ３１の形状を制御できる。図９は、チャックテーブル１０２を示す断面図である。

チャックテーブル１０２の上面側には円形の凹部が形成されており、この凹部にはポーラスセラミックス等のポーラス材でなる円盤状の保持部材（吸引部材）１０２ｃが嵌め込まれている。保持部材１０２ｃは、流路１０２ｂを介して吸引源（不図示）に接続されている。また、保持部材１０２ｃの上面は、チャックテーブル１０２の保持面１０２ａを構成している。

保持部材１０２ｃは、その厚さが外周縁から中心に向かって増加するように形成されている。すなわち、保持部材１０２ｃの上面（保持面１０２ａ）は、その中心を頂点とする山形状に形成されている。なお、図１０では説明の便宜上、保持部材１０２ｃの傾斜を誇張して示している。例えば、保持部材１０２ｃの直径が２９０ｍｍ以上３１０ｍｍ以下程度である場合には、保持部材１０２ｃの上面の中心の高さ位置（保持部材１０２ｃの厚さ方向における位置）と、保持部材１０２ｃの上面の外周縁の高さ位置との差は、１０μｍ以上２０μｍ以下程度に設定される。

そして、チャックテーブル１０２は、保持面１０２ａのうち研削砥石１１６（図８参照）と重なる領域１０２ｄが、研削砥石１１６の下面（水平方向）と平行になるように、僅かに傾いた状態で配置される。そして、チャックテーブル１０２は、保持部材１０２ｃの厚さ方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。このとき、保持部材１０２ｃの中心位置は、チャックテーブル１０２の回転軸の位置と一致する。そして、ウェーハ３１は保持面１０２ａに沿って僅かに湾曲した状態でチャックテーブル１０２によって吸引保持され、研削砥石１１６によって研削される。

ここで、チャックテーブル１０２は、傾き角度を変更可能に構成されている。具体的には、チャックテーブル１０２は、回転軸を第１の方向（矢印Ｂで示す方向）と第２の方向（矢印Ｃで示す方向）とに傾斜させることができる。そして、チャックテーブル１０２の傾きを調整することにより、研削後のウェーハ３１の形状を制御できる。図１０（Ａ）はチャックテーブル１０２が第１の方向に傾いた状態で研削されたウェーハ３１を示す断面図であり、図１０（Ｂ）はチャックテーブル１０２が第２の方向に傾いた状態で研削されたウェーハ３１を示す断面図である。

チャックテーブル１０２を第１の方向（図９の矢印Ｂ参照）に傾け、領域１０２ｄにおいて保持面１０２ａの中央部を外周部よりも僅かに下方に配置した状態でウェーハ３１を研削すると、ウェーハ３１の外周部が優先的に研削される。その結果、図１０（Ａ）に示すように、ウェーハ３１は外周部から中央部に向かって徐々に厚くなり、裏面３１ｂが上に凸型となるように研削される。

一方、チャックテーブル１０２を第２の方向（図９の矢印Ｃ参照）に傾け、領域１０２ｄにおいて保持面１０２ａの中央部を外周部よりも僅かに上方に配置した状態でウェーハ３１を研削すると、ウェーハ３１の中央部が優先的に研削される。その結果、図１０（Ｂ）に示すように、ウェーハ３１は外周部から中央部に向かって徐々に薄くなり、裏面３１ｂが下に凸型となるように研削される。

厚さ調整ステップでは、ウェーハ１１の溝１１ｄ（図７参照）が浅いエリアに対応する領域ほど薄く、ウェーハ１１の溝１１ｄが深いエリアに対応する領域ほど厚くなるように、ウェーハ３１を研削する。具体的には、ウェーハ１１においては、外周に近いエリアほどエッチングレートが低く、溝１１ｄが浅い。また、ウェーハ３１はウェーハ１１と同一又は類似の材質でなり、ウェーハ３１のエッチングレートのばらつきの分布はウェーハ１１と同様の傾向を示す。そこで、研削装置１００のチャックテーブル１０２を第１の方向（図９の矢印Ｂ参照）に傾けてウェーハ３１を研削する。これにより、エッチングレートが高い領域（中央部）が厚く、エッチングレートが低い領域（外周部）が薄いウェーハ３１が得られる（図１０（Ａ）参照）。

なお、ウェーハ３１の厚さの調整方法に制限はない。例えば、研削装置１００に変えて研磨装置を用いることにより、ウェーハ３１の厚さを調整してもよい。研磨装置は、ウェーハ３１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）と、ウェーハ３１を研磨する研磨パッドが装着される研磨ユニットとを備える。例えば研磨パッドは、不織布や発泡ウレタンに砥粒（固定砥粒）を分散させることによって形成された円盤状の研磨層を備える。研磨層の砥粒としては、例えば粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下程度のシリカを用いることができる。

ウェーハ３１及び研磨パッドに研磨液を供給しながら、チャックテーブルと研磨パッドとを回転させ、研磨パッドの研磨層をウェーハ３１に押し付けることにより、ウェーハ３１が研磨される。このとき、研削装置１００を用いる場合と同様に、研磨装置のチャックテーブルの傾き角度を調整することにより（図９参照）、研磨後のウェーハ３１の厚さを制御できる（図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）参照）。

さらに、厚さ調整ステップでは、プラズマ処理装置１０（図４参照）を用いてウェーハ３１の全体をエッチングすることにより、ウェーハ３１の厚さを調整してもよい。この場合には、プラズマエッチングを実施する際のウェーハ３１の位置やエッチングの条件を適宜調整することにより、ウェーハ３１を所望の形状に加工できる。

次に、ウェーハ３１のストリート３３に対応する領域にプラズマ状態のガスを供給し、ウェーハ１１をエッチングする（エッチングステップ）。図１１（Ａ）は、エッチングステップにおけるウェーハ３１の一部を示す断面図である。以下では一例として、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側にプラズマ状態のガスを供給することによってウェーハ３１をエッチングする場合について説明する。

エッチングステップでは、まず、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側にプラズマエッチングのためのマスク（第２のマスク）４１を形成する。マスク４１は、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側のうちストリート３３に対応する領域（ストリート３３と重なる領域）を露出させ、且つ、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側のうちデバイス３５に対応する領域（デバイス３５と重なる領域）を覆うように形成される。なお、マスク４１の材質や形成方法は、マスク２３（図３（Ｂ）参照）と同様である。

次に、ウェーハ３１のうちマスク４１から露出しストリート３３に対応する領域にプラズマ状態のガスを供給し、該領域を所定の条件でエッチングする。ウェーハ３１のエッチングには、プラズマ処理装置１０（図４参照）を用いることができる。プラズマ処理装置１０によってウェーハ３１にプラズマエッチングを施す際の手順は、測定用エッチングステップ（図５参照）と同様である。

プラズマ状態のガス９０は、ウェーハ３１の裏面３１ｂ側のうちマスク４１によって覆われていない領域（第２の領域）３１ｃに供給される。領域３１ｃは、マスク４１から露出し、ストリート３３に対応する領域（ストリート３３と重なる領域）に相当する。

エッチングステップでは、ウェーハ３１のガス９０が供給される面（裏面３１ｂ）とは反対側の面（表面３１ａ）側に保護部材３７が配置された状態で、ガス９０がウェーハ１１に供給される。そして、ウェーハ３１の領域３１ｃがエッチングされ、領域３１ｃにはウェーハ３１の裏面３１ｂから表面３１ａ側に向かって溝が形成される。

ウェーハ３１の裏面３１ｂ側に形成された溝がウェーハ３１の表面３１ａに達するまでプラズマエッチングを継続すると、ウェーハ３１の領域３１ｃが除去される。図１１（Ｂ）は、プラズマエッチング後のウェーハ３１の一部を示す断面図である。これにより、ウェーハ３１はストリート３３に沿って分割され、デバイス３５をそれぞれ備える複数のデバイスチップ４３が得られる。

上記のエッチングステップが実施される際、ウェーハ３１は、エッチングレートが高い領域（中央部）ほど厚く、エッチングレートが低い領域（外周部）ほど薄い状態となっている（図１０（Ａ）参照）。そのため、ウェーハ３１の中央部と外周部とで溝がウェーハ３１の表面３１ａに到達するタイミングのずれが低減される。これにより、ウェーハ３１の中心部における過剰なエッチングを回避しつつ、ウェーハ３１の全体を適切に分割することが可能となる。

以上の通り、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、プラズマエッチングによってウェーハ１１に形成された溝１１ｄの深さに応じてウェーハ３１の厚さを調整した後、ウェーハ３１に対してプラズマエッチングを施す。これにより、ウェーハ３１内のエッチングレートのばらつきがウェーハ３１の厚さ分布に反映され、ウェーハ３１内の各領域において分割が完了するタイミングを揃えることができる。これにより、ウェーハ３１内でエッチングが不完全な領域やエッチングが過剰な領域が発生しにくくなり、ウェーハ３１の適切な分割が実現される。

なお、上記の実施形態においては、ウェーハ１１に対してプラズマエッチングが施される際、マスク２３がウェーハ１１の裏面１１ｂ側に形成される例について説明した（図３（Ｂ）参照）。ただし、マスク２３はウェーハ１１の表面１１ａ側に形成されてもよい。この場合には、保護部材１７がウェーハ１１の裏面１１ｂ側に設けられた状態で、プラズマ状態のガス９０がマスク２３を介してウェーハ１１の表面１１ａ側に供給される。

同様に、ウェーハ３１に対してプラズマエッチングが施される際、マスク４１（図１１（Ａ）参照）はウェーハ３１の表面３１ａ側に形成されてもよい。この場合には、保護部材３７がウェーハ３１の裏面３１ｂ側に設けられた状態で、プラズマ状態のガス９０がマスク４１を介してウェーハ３１の表面３１ａ側に供給される。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ウェーハ（測定用ウェーハ）
１１ａ表面（第１の面）
１１ｂ裏面（第２の面）
１１ｃ領域（第１の領域）
１１ｄ溝
１３ストリート（分割予定ライン）
１５デバイス
１７保護部材（第１の保護部材）
１９フレーム
１９ａ開口
２１マスク層
２３マスク（第１のマスク）
３１ウェーハ（製品用ウェーハ）
３１ａ表面（第１の面）
３１ｂ裏面（第２の面）
３１ｃ領域（第２の領域）
３３ストリート（分割予定ライン）
３５デバイス
３７保護部材（第２の保護部材）
３９フレーム
３９ａ開口
４１マスク（第２のマスク）
４３デバイスチップ
１０プラズマ処理装置
１２チャンバー
１２ａ底壁
１２ｂ上壁
１２ｃ第１の側壁
１２ｄ第２の側壁
１２ｅ第３の側壁
１４処理空間
１６開口
１８ゲート（開閉扉）
２０開閉機構
２２エアシリンダ
２４ピストンロッド
２６ブラケット
２８排気口
３０排気機構
３２下部電極
３４上部電極
３６保持部
３８支持部
４０開口
４２絶縁部材
４４高周波電源
４６テーブル
４６ａ保持面
４８流路
５０吸引源
５２冷却流路
５４冷媒導入路
５６冷媒循環機構
５８冷媒排出路
６０ガス噴出部
６２支持部
６４開口
６６絶縁部材
６８高周波電源
７０昇降機構
７２支持アーム
７４噴出口
７６流路
７８流路
８０第１ガス供給源
８２第２ガス供給源
８４制御部（制御ユニット）
９０ガス
１００研削装置
１０２チャックテーブル（保持テーブル）
１０２ａ保持面
１０２ｂ流路
１０２ｃ保持部材（吸引部材）
１０２ｄ領域
１０４クランプ
１０６研削ユニット
１０８スピンドル
１１０マウント
１１２研削ホイール
１１４基台
１１６研削砥石
１１８ノズル
１２０研削液

Claims

ウェーハの加工方法であって、
複数のストリートによって複数の領域に区画された第１の面と、該第１の面と反対側の第２の面とを備える、測定用ウェーハと製品用ウェーハとを準備するウェーハ準備ステップと、
該測定用ウェーハの該第１の面側又は該第２の面側に第１のマスクを形成し、該測定用ウェーハの該第１のマスクから露出し該ストリートに対応する第１の領域にプラズマ状態のガスを供給し、該第１の領域を所定の条件でエッチングして溝を形成する測定用エッチングステップと、
該測定用エッチングステップの実施後、該測定用ウェーハの中心から外周に至る領域を複数の同心円状のエリアに区画し、該溝の深さを該エリア毎に測定する測定ステップと、
該測定ステップの実施後、該溝が浅い該エリアに対応する領域ほど薄くなるように該製品用ウェーハの厚さを調整する厚さ調整ステップと、
該厚さ調整ステップの実施後、該製品用ウェーハの該第１の面側又は該第２の面側に第２のマスクを形成し、該製品用ウェーハの第２のマスクから露出し該ストリートに対応する第２の領域にプラズマ状態のガスを供給し、該第２の領域を所定の条件でエッチングするエッチングステップと、を含むことを特徴とするウェーハの加工方法。
該厚さ調整ステップでは、該製品用ウェーハに研削、研磨又はプラズマエッチングを施すことにより、該製品用ウェーハの厚さを調整することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
該測定用エッチングステップでは、該測定用ウェーハの該プラズマ状態のガスが供給される面と反対側の面側に、該測定用ウェーハを保護する第１の保護部材を配置した状態で、該プラズマ状態のガスを該測定用ウェーハに供給し、
該エッチングステップでは、該製品用ウェーハの該プラズマ状態のガスが供給される面と反対側の面側に、該製品用ウェーハを保護する第２の保護部材を配置した状態で、該プラズマ状態のガスを該製品用ウェーハに供給することを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハの加工方法。