Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7522344B2 - Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7522344B2 - Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device - Google Patents

Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP7522344B2
JP7522344B2 JP2020159000A JP2020159000A JP7522344B2 JP 7522344 B2 JP7522344 B2 JP 7522344B2 JP 2020159000 A JP2020159000 A JP 2020159000A JP 2020159000 A JP2020159000 A JP 2020159000A JP 7522344 B2 JP7522344 B2 JP 7522344B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor particles
light
phosphor
molded body
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020159000A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022052552A (en
Inventor
哲平 国宗
真美 岩本
利昌 阿宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2020159000A priority Critical patent/JP7522344B2/en
Publication of JP2022052552A publication Critical patent/JP2022052552A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7522344B2 publication Critical patent/JP7522344B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Filters (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

本発明は、成形体の製造方法、成形体及び発光装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a molded body, a molded body, and a light-emitting device.

発光ダイオード(LED)や半導体レーザー(LD)チップ等の発光素子と蛍光体を組み合わせた発光装置は、照明、液晶表示装置のバックライト、車載ライト、プロジェクター用光源等として用いられている。発光装置は適用される用途や場所に応じて小型化が求められている。また、例えばLDを発光素子として用いたプロジェクター用光源は、発光素子から局所的に高いエネルギーの光が発せられるため、発光素子から発せられた光により波長変換する蛍光体を含む部材は、高い耐熱性を有することが求められている。 Light-emitting devices that combine light-emitting elements such as light-emitting diodes (LEDs) and semiconductor laser (LD) chips with phosphors are used as illumination, backlights for liquid crystal display devices, car lights, light sources for projectors, etc. Light-emitting devices are required to be compact depending on the application and location to which they are applied. In addition, for example, in a projector light source that uses an LD as a light-emitting element, high-energy light is emitted locally from the light-emitting element, so the member containing the phosphor that converts the wavelength by the light emitted from the light-emitting element is required to have high heat resistance.

例えば特許文献1には、ガラスや熱伝導率のよいサファイア等の無機材料からなり、光を透過する基材上に、蛍光体と透光性セラミックスとからなる蛍光体層を備えた波長変換部材が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a wavelength conversion member that is made of an inorganic material such as glass or sapphire with good thermal conductivity, and that has a phosphor layer made of phosphor and translucent ceramics on a light-transmitting substrate.

国際公開第2017/126440号International Publication No. 2017/126440

本発明の一態様は、演色性及び耐熱性に優れた成形体の製造方法、成形体及び発光装置を提供することを目的とする。 One aspect of the present invention aims to provide a method for producing a molded body having excellent color rendering properties and heat resistance, and a molded body and a light-emitting device.

本発明は、以下の態様を包含する。
本発明の第一の態様は、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる透光性の基体と、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを混合した第1混合液と、を準備することと、陽イオンを含む電解液中に前記基体を配置することと、前記電解液に前記第1混合液を投入して第2混合液とし、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を沈降させることと、前記第2混合液中の上澄み液を除去することと、前記基体と、前記基体上に配置された前記第2蛍光体粒子と、を60℃以上400℃以下の温度範囲で熱処理して、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を固定することと、を含む、成形体の製造方法である。
The present invention includes the following aspects.
A first aspect of the present invention is a method for manufacturing a molded body, comprising: preparing a light-transmitting substrate made of an inorganic material containing first phosphor particles, and a first mixed liquid obtained by mixing second phosphor particles and an alkali metal silicate aqueous solution; disposing the substrate in an electrolyte solution containing cations; pouring the first mixed liquid into the electrolyte solution to prepare a second mixed liquid, causing the second phosphor particles to settle on the substrate; removing a supernatant liquid from the second mixed liquid; and heat-treating the substrate and the second phosphor particles disposed on the substrate in a temperature range of 60°C or higher and 400°C or lower to fix the second phosphor particles on the substrate.

本発明の第二の態様は、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる基体と、前記基体に配置される第2蛍光体粒子と、前記基体に前記第2蛍光体粒子を固定させるアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜と、前記被膜上に形成される10nm以上1μm以下の厚みの酸化物又は窒化物の透光性の保護膜と、を含む成形体であり、前記成形体の表面は前記第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されている成形体である。 The second aspect of the present invention is a molded body including a base made of an inorganic material containing first phosphor particles, second phosphor particles arranged on the base, a coating of silicon dioxide containing an alkali metal that fixes the second phosphor particles to the base, and a light-transmitting protective film of oxide or nitride having a thickness of 10 nm to 1 μm formed on the coating, and the surface of the molded body has irregularities caused by the second phosphor particles.

本発明の第三の態様は、前記成形体と、前記成形体を照射する光源と、を備えた発光装置である。 A third aspect of the present invention is a light-emitting device comprising the molded body and a light source that irradiates the molded body.

本発明の一態様によれば、演色性及び耐熱性に優れた成形体の製造方法、成形体及び発光装置を提供することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to provide a manufacturing method for a molded body having excellent color rendering properties and heat resistance, and a molded body and a light-emitting device.

製造方法の一例を示すフローチャートである。1 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing method. 製造方法の一例を示すフローチャートである。1 is a flowchart illustrating an example of a manufacturing method. 第1実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to the first embodiment. 第2実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to a second embodiment. 第3実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to a third embodiment. 発光装置の一例である発光モジュールを示す模式的斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a light-emitting module, which is an example of a light-emitting device. 発光装置の一例である発光モジュールを示す模式的平面図である。1 is a schematic plan view showing a light-emitting module which is an example of a light-emitting device. 図6BのVIC-VIC線における断面図である。6C is a cross-sectional view taken along line VIC-VIC in FIG. 6B. 図6BのVID-VID線における断面図である。6C is a cross-sectional view taken along line VID-VID in FIG. 6B. 成形体を光透過性部材として備えた発光装置を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a light-emitting device including a molded body as a light-transmitting member. 発光装置の模式的底面図である。FIG. 2 is a schematic bottom view of the light emitting device. プロジェクター用の光源装置の概要を示す模式的側面図である。FIG. 1 is a schematic side view showing an overview of a light source device for a projector. 図7の矢印Aから見た蛍光体ホイールの一面を示す模式的平面図である。8 is a schematic plan view showing one surface of the phosphor wheel as viewed from the arrow A in FIG. 7 . 図8の矢印Bから見た蛍光体ホイールの一面を示す模式的平面図である。9 is a schematic plan view showing one surface of the phosphor wheel as viewed from the arrow B in FIG. 8 . 図8の矢印Cから見た蛍光体ホイールの一面を示す模式的平面図である。9 is a schematic plan view showing one surface of the phosphor wheel as viewed from the arrow C in FIG. 8 . 光源装置を備えたプロジェクターの構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a projector equipped with a light source device. 照明装置の模式的正面図である。FIG. 2 is a schematic front view of the lighting device. 照明装置の模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a lighting device. 実施例1に係り、基体の断面と、二酸化ケイ素の被膜で固定された第2蛍光体粒子の端面を示すSEM写真である。4 is a SEM photograph showing a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with a silicon dioxide coating according to Example 1. 実施例1に係り、第2蛍光体粒子が基体の表面に固定された成形体の平面を示す外観写真である。4 is a photograph showing the appearance of a plane of a molded body in which second phosphor particles are fixed to the surface of a base according to Example 1. 実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の表面のSEM-EDSスペクトルを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing SEM-EDS spectra of a cross section of a substrate and a surface of second phosphor particles fixed with silicon dioxide in Example 1. 実施例1に係り、SEM-EDSスペクトルを測定し、SEM-EDSマッピングを作成した、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面を示すSEM写真である。1 is an SEM photograph showing a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1, in which an SEM-EDS spectrum was measured and an SEM-EDS mapping was created. 実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面のSEM写真における酸素(O)の存在する箇所を示すSEM-EDS元素マッピング図である。FIG. 2 is a SEM-EDS element mapping diagram showing locations where oxygen (O) is present in SEM photographs of a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1. 実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面のSEM写真におけるアルミニウム(Al)の存在する箇所を示すSEM-EDS元素マッピング図である。FIG. 2 is a SEM-EDS element mapping diagram showing locations where aluminum (Al) is present in SEM photographs of a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1. 実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面のSEM写真におけるケイ素(Si)の存在する箇所を示すSEM-EDS元素マッピング図である。FIG. 2 is a SEM-EDS element mapping diagram showing locations where silicon (Si) is present in SEM photographs of a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1. 実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面のSEM写真におけるカリウム(K)の存在する箇所を示すSEM-EDS元素マッピング図である。FIG. 2 is a SEM-EDS element mapping diagram showing locations where potassium (K) is present in SEM photographs of a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1.

以下、本発明に係る成形体の製造方法、成形体及び発光装置を一実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための例示であって、本発明は、以下の成形体の製造方法、成形体及び発光装置に限定されない。なお、色名と色度座標との関係は、JIS Z8110に従う。 The manufacturing method of the molded body, the molded body, and the light-emitting device according to the present invention will be described below based on one embodiment. However, the embodiment shown below is an example for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention is not limited to the manufacturing method of the molded body, the molded body, and the light-emitting device shown below. The relationship between the color name and the chromaticity coordinates follows JIS Z8110.

上述の特許文献1には、基材にガラスや高い熱伝導性を有するサファイアを使用することが記載されている。しかしながら、基材に蛍光体粒子を用いることは記載されていない。蛍光体層は基材の上に形成されている。蛍光体粒子の粒子径に対して蛍光体層の膜厚が過度に薄くなると、蛍光体粒子によって光が波長変換されずに透過してしまい、光を波長変換する性能が十分発揮されないことが、特許文献1に記載されている。また、蛍光体粒子の粒子径の大きさによって、蛍光体粒子の粒子径を1とした場合に、蛍光体の粒子径1に対して1.5以上の蛍光体層の膜厚が必要となることが開示されており、蛍光体の粒子径によっては、薄型化の要求に応えられない場合がある。さらに、熱伝導率の高い基材を用いることによって、蛍光体層の蓄熱を抑制し、蛍光体粒子の粒子径に対して蛍光体層の膜厚が所定倍を超えると、粒界の熱抵抗が高くなり、蛍光体層の温度が上昇し、発光強度が低下することが、特許文献1には記載されている。蛍光体粒子の粒子径によっては、蛍光体層中に所望の蛍光体を含有させることができない場合があり、所望の発光色が得られない場合がある。また、特許文献1には、蛍光体粒子を例えばエチルシリケートのような無機バインダーと混合しスクリーン印刷により塗布して、有機分を飛ばして蛍光体層を基材に接着している。蛍光体粒子と無機バインダーとを混合すると、蛍光体粒子の周囲に無機バインダーが付着し、蛍光体層中の蛍光体粒子と蛍光体粒子の間及び蛍光体粒子と基材の間には無機バインダーが介在する。このように、蛍光体粒子と蛍光体粒子の間及び蛍光体粒子と基材の間に無機バインダーが介在していると、基材よりも熱伝導率の低い無機バインダーを介して基材に熱が伝わるため、熱伝導率は低くなり、耐熱性は低下する。 The above-mentioned Patent Document 1 describes the use of glass or sapphire, which has high thermal conductivity, as the substrate. However, it does not describe the use of phosphor particles as the substrate. The phosphor layer is formed on the substrate. Patent Document 1 describes that if the thickness of the phosphor layer is excessively thin compared to the particle diameter of the phosphor particles, the light passes through without being wavelength-converted by the phosphor particles, and the performance of converting the wavelength of light is not fully exhibited. In addition, it is disclosed that depending on the particle diameter of the phosphor particles, when the particle diameter of the phosphor particles is set to 1, a thickness of the phosphor layer of 1.5 or more is required for the particle diameter of the phosphor, and depending on the particle diameter of the phosphor, the demand for thinning may not be met. Furthermore, Patent Document 1 describes that by using a substrate with high thermal conductivity, heat storage in the phosphor layer is suppressed, and when the thickness of the phosphor layer exceeds a certain number times the particle diameter of the phosphor particles, the thermal resistance of the grain boundary increases, the temperature of the phosphor layer increases, and the luminous intensity decreases. Depending on the particle diameter of the phosphor particles, it may not be possible to contain the desired phosphor in the phosphor layer, and the desired luminous color may not be obtained. In addition, in Patent Document 1, phosphor particles are mixed with an inorganic binder such as ethyl silicate, and the mixture is applied by screen printing, and the organic components are removed to adhere the phosphor layer to the substrate. When the phosphor particles and the inorganic binder are mixed, the inorganic binder adheres to the periphery of the phosphor particles, and the inorganic binder is interposed between the phosphor particles in the phosphor layer and between the phosphor particles and the substrate. In this way, when the inorganic binder is interposed between the phosphor particles and between the phosphor particles and the substrate, heat is transferred to the substrate via the inorganic binder, which has a lower thermal conductivity than the substrate, resulting in a lower thermal conductivity and reduced heat resistance.

それに対し、本実施形態に係る成形体の製造方法、成形体及び発光装置によれば、演色性及び耐熱性に優れたものを提供することができる。つまり、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる基体を用い、第1蛍光体粒子の演色性の乏しい部分を補うように、第2蛍光体粒子を二酸化ケイ素の被膜で基体に固定することによって、全体として演色性の向上を図ることができる。つまり、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる基体では演色性は十分でなく、さらなる演色性向上が求められるため、この基体に第2蛍光体粒子を固定することにより演色性の向上を図ることができる。また、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを混合した第1混合液を、陽イオンを含む電解液中に配置された基体上に投入して、第2蛍光体粒子を沈降させて、二酸化ケイ素で基体に第2蛍光体粒子を固定すると、第2蛍光体粒子は基体に密着して固定され、第2蛍光体粒子から基体に直接熱が伝達されるため、熱伝導率が高くなり、成形体は、優れた耐熱性を有する。 In contrast, the manufacturing method of the molded body, the molded body, and the light-emitting device according to the present embodiment can provide a molded body having excellent color rendering and heat resistance. In other words, by using a base made of an inorganic material containing first phosphor particles, and fixing the second phosphor particles to the base with a silicon dioxide coating so as to compensate for the poor color rendering of the first phosphor particles, it is possible to improve the color rendering as a whole. In other words, the color rendering is not sufficient with a base made of an inorganic material containing first phosphor particles, and further improvement in color rendering is required, so that the color rendering can be improved by fixing the second phosphor particles to this base. In addition, when the first mixed liquid in which the second phosphor particles and an alkali metal silicate aqueous solution are mixed is poured onto a base placed in an electrolyte containing cations, the second phosphor particles are allowed to settle, and the second phosphor particles are fixed to the base with silicon dioxide, the second phosphor particles are fixed in close contact with the base, and heat is transferred directly from the second phosphor particles to the base, so that the thermal conductivity is increased and the molded body has excellent heat resistance.

成形体の製造方法
成形体の製造方法は、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる透光性の基体と、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを混合した第1混合液と、を準備することと、陽イオンを含む電解液中に前記基体を配置することと、前記電解液に前記第1混合液を投入して第2混合液とし、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を沈降させることと、前記第2混合液中の上澄み液を除去することと、前記基体と、前記基体上に配置された前記第2蛍光体粒子と、を60℃以上400℃以下の温度範囲で熱処理して、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を固定することと、を含む。
Method for manufacturing a molded body The method for manufacturing a molded body includes preparing a light-transmitting base made of an inorganic material containing first phosphor particles and a first mixed liquid obtained by mixing second phosphor particles and an alkali metal silicate aqueous solution, placing the base in an electrolyte solution containing cations, pouring the first mixed liquid into the electrolyte solution to prepare a second mixed liquid and allowing the second phosphor particles to settle on the base, removing the supernatant liquid from the second mixed liquid, and heat-treating the base and the second phosphor particles placed on the base in a temperature range of 60°C or more and 400°C or less to fix the second phosphor particles on the base.

図1及び図2は、成形体の製造方法の一例を示すフローチャートである。図1及び図2を参照にして、成形体の製造方法を説明する。成形体の製造方法は、基体を準備することS101aと、第1混合液を準備することS101bと、陽イオンを含む電解液中に基体を配置することS102と、電解液中に第1混合液を投入して第2混合液とし、基体上に第2蛍光体粒子を沈降させることS103と、第2混合液中の上澄み液を除去することS104と、基体と、基体上に配置された第2蛍光体粒子とを、熱処理して、基体上に第2蛍光体粒子を固定することS105とを含む。成形体の製造方法は、第2蛍光体粒子を固定した後、原子堆積法により保護膜を形成することS106を含んでいてもよい。 1 and 2 are flow charts showing an example of a method for manufacturing a molded body. The method for manufacturing a molded body will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The method for manufacturing a molded body includes preparing a substrate S101a, preparing a first mixed liquid S101b, disposing the substrate in an electrolyte solution containing cations S102, pouring the first mixed liquid into the electrolyte solution to prepare a second mixed liquid S103, and allowing the second phosphor particles to settle on the substrate S103, removing the supernatant liquid from the second mixed liquid S104, and subjecting the substrate and the second phosphor particles disposed on the substrate to a heat treatment to fix the second phosphor particles on the substrate S105. The method for manufacturing a molded body may include forming a protective film by atomic deposition after fixing the second phosphor particles S106.

基体と第1混合液を準備すること
成形体の製造方法において、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる基体と、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを混合した第1混合液と、を準備する。
Preparing a base and a first mixed liquid In a method for manufacturing a molded body, a base made of an inorganic material containing first phosphor particles and a first mixed liquid in which second phosphor particles and an alkali metal silicate aqueous solution are mixed are prepared.

基体を準備すること
成形体の製造方法において、基体を準備する。基体は、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなり、透光性を有する。基体は第1蛍光体粒子のみを焼結や圧接等で固定してなるものであってもよい。第1蛍光体粒子のみで基体が構成されていると、波長変換効率を高くすることができる。また、第1蛍光体粒子のみで基体が構成されていると、他の部材の劣化や他の部材との線膨張係数差を考慮する必要もない。基体は、第1蛍光体粒子と、セラミックス及びガラスから選択される少なくとも1種の無機材料を含んでいてもよい。第1蛍光体粒子を単独で、又は、第1蛍光体粒子と他の無機材料との組み合わせであっても、基体は、無機材料のみで構成されるため熱伝導性に優れ、レーザ耐性、耐熱性及び耐光性の少なくとも1つに優れる。本明細書において、透光性は、基体に照射した光の発光ピーク波長における光透過率が5%以上であることをいい、基体に照射した光の発光ピーク波長における光透過率が10%以上であることが好ましく、20%以上であることがより好ましい。本明細書において、セラミックスは、1000℃以下の温度下において、あらゆる無機非金属材料をいう。
Preparing a base In the method for manufacturing a molded body, a base is prepared. The base is made of an inorganic material containing first phosphor particles and has translucency. The base may be made by fixing only the first phosphor particles by sintering, pressure welding, or the like. If the base is made of only the first phosphor particles, the wavelength conversion efficiency can be increased. In addition, if the base is made of only the first phosphor particles, there is no need to consider deterioration of other members or differences in linear expansion coefficient with other members. The base may contain the first phosphor particles and at least one inorganic material selected from ceramics and glass. Even if the first phosphor particles are used alone or in combination with other inorganic materials, the base is made of only inorganic materials, so it has excellent thermal conductivity and at least one of laser resistance, heat resistance, and light resistance. In this specification, translucency refers to a light transmittance of 5% or more at the emission peak wavelength of light irradiated onto the base, and the light transmittance of 10% or more at the emission peak wavelength of light irradiated onto the base is preferably 20% or more. As used herein, ceramics refers to any inorganic, non-metallic material at temperatures below 1000°C.

基体はセラミックスを含む場合、セラミックスは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト、及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。セラミックスが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト、及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種であれば、透光性を有し、耐熱性に優れた基体が得られる。セラミックスは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。基体に含まれる無機材料として、セラミックスが酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種であると、透光性及び耐熱性を有し、熱伝導率に優れた基体が得られる。 When the substrate contains ceramics, the ceramics are preferably at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, mullite, and silicon nitride. If the ceramics are at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, mullite, and silicon nitride, a substrate having translucency and excellent heat resistance can be obtained. It is more preferable that the ceramics are at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, and silicon nitride. If the ceramics contained in the substrate is at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, and silicon nitride, a substrate having translucency, heat resistance, and excellent thermal conductivity can be obtained.

基体にガラスを含む場合、ガラスは、例えば、ホウケイ酸ガラスが挙げられる。ホウケイ酸ガラスとしては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスが挙げられる。ガラスは、軟化点が500℃以上であってもよく、軟化点が600℃以上であってもよく、軟化点が700℃以上であってもよい。 When the substrate contains glass, the glass may be, for example, borosilicate glass. Examples of borosilicate glass include barium borosilicate glass and aluminoborosilicate glass. The glass may have a softening point of 500°C or higher, a softening point of 600°C or higher, or a softening point of 700°C or higher.

基体の厚みは、特に制限されない。機械的強度や波長変換効率を考慮して、基体は、1μm以上1mm以下の範囲内の厚みであることが好ましく、10μm以上800μm以下の範囲内の厚みでもよく、50μm以上500μm以下の範囲内の厚みでもよく、100μm以上300μm以下の範囲内の厚みでもよい。 The thickness of the substrate is not particularly limited. Taking into consideration mechanical strength and wavelength conversion efficiency, the substrate preferably has a thickness in the range of 1 μm to 1 mm, may have a thickness in the range of 10 μm to 800 μm, may have a thickness in the range of 50 μm to 500 μm, or may have a thickness in the range of 100 μm to 300 μm.

第1蛍光体粒子
第1蛍光体粒子は、光源から照射された光によって発光し、所望の色度を得るために、希土類アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及びβサイアロン蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
First phosphor particles The first phosphor particles emit light when irradiated with light from a light source, and in order to obtain the desired chromaticity, it is preferable that the first phosphor particles are at least one type selected from the group consisting of rare earth aluminate phosphors, alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth metal halosilicate phosphors, and β-sialon phosphors.

第1蛍光体粒子は、光源からの光の照射によって530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子であってもよく、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子であってもよい。 The first phosphor particles may be phosphor particles that have a peak emission wavelength in the range of 530 nm to 590 nm when irradiated with light from a light source, or may be phosphor particles that have a peak emission wavelength in the range of 490 nm to 555 nm.

第1蛍光体粒子が、光源からの光の照射によって、530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、第1蛍光体粒子は、少なくとも1種のアルミン酸塩蛍光体を含むことが好ましい。 When the first phosphor particles are phosphor particles that have an emission peak wavelength in the range of 530 nm to 590 nm when irradiated with light from a light source, it is preferable that the first phosphor particles contain at least one type of aluminate phosphor.

アルミン酸塩蛍光体としては、下記式(1A)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体が挙げられる。
(Al,Ga)12:Ce (1A)
式(1A)中、Mは、Y、Lu、Gd及びTbからなる群から選ばれる少なくとも1種である。
本明細書において、組成式中、カンマ(,)で区切られて記載されている複数の元素は、これら複数の元素のうち少なくとも1種の元素を組成中に含有していることを意味する。組成式中のカンマ(,)で区切られて記載されている複数の元素は、組成中にカンマで区切られた複数の元素から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、前記複数の元素から二種以上を組み合わせて含んでいてもよい。本明細書において、蛍光体の組成を表す式中、コロン(:)の前は母体結晶を構成する元素及びそのモル比を表し、コロン(:)の後は賦活元素を表す。
The aluminate phosphor may be a rare earth aluminate phosphor having a composition represented by the following formula (1A).
M 1 3 (Al, Ga) 5 O 12 :Ce (1A)
In formula (1A), M1 is at least one selected from the group consisting of Y, Lu, Gd and Tb.
In this specification, in a composition formula, a plurality of elements separated by a comma (,) means that at least one of these elements is contained in the composition. A plurality of elements separated by a comma (,) in a composition formula includes at least one element selected from the plurality of elements separated by the comma in the composition, and may include a combination of two or more of the plurality of elements. In this specification, in a formula representing the composition of a phosphor, the part before the colon (:) represents the elements constituting the host crystal and their molar ratio, and the part after the colon (:) represents an activator element.

第1蛍光体粒子が、光源から照射された光によって530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合、第1蛍光体粒子としては、YAl12:Ce、Y(Al,Ga)12:Ce、(Y,Gd)Al12:Ce、Lul512:Ce、又はLu(Al,Ga)12:Ceが挙げられる。 When the first phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 530 nm or more and 590 nm or less when irradiated with light from a light source, examples of the first phosphor particles include Y3Al5O12 : Ce , Y3 (Al,Ga )5O12:Ce, (Y,Gd)3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12 : Ce , and Lu3 ( Al , Ga ) 5O12 : Ce.

上記のように、又は上記に代えて、第1蛍光体粒子が、光源から照射された光によって、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、第1蛍光体粒子は、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及びβサイアロン蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも1種の蛍光体であってもよい。例えば、下記式(1B)で表される組成を有するアルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、下記式(1C)で表される組成を有するアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、下記式(1D)で表される組成を有するアルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及び下記式(1E)で表される組成を有するβサイアロン蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも1種であってよい。 As described above, or instead of the above, when the first phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 490 nm to 555 nm by light irradiated from a light source, the first phosphor particles may be at least one phosphor selected from the group consisting of alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth metal halosilicate phosphors, and β-sialon phosphors. For example, the first phosphor particles may be at least one phosphor selected from the group consisting of alkaline earth metal silicate phosphors having a composition represented by the following formula (1B), alkaline earth metal aluminate phosphors having a composition represented by the following formula (1C), alkaline earth metal halosilicate phosphors having a composition represented by the following formula (1D), and β-sialon phosphors having a composition represented by the following formula (1E).

BaSi:Eu (1B)
SrAl1425:Eu (1C)
(Ca,Sr,Ba)MgSi16(F,Cl,Br):Eu (1D)
Si6-aAl8-a:Eu (1E)
式(1E)中、aは0<a<4.2を満たす数である。
BaSi 2 O 2 N 2 :Eu (1B)
Sr 4 Al 14 O 25 :Eu (1C)
(Ca, Sr, Ba) 8 MgSi 4 O 16 (F, Cl, Br) 2 :Eu (1D)
Si 6-a Al a O a N 8-a :Eu (1E)
In formula (1E), a is a number that satisfies 0<a<4.2.

第1蛍光体粒子が、光源から照射された光によって490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合、第1蛍光体粒子としては、具体的には、CaMgSi16Cl:Eu等が挙げられる。 When the first phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 490 nm or more and 555 nm or less by light irradiated from a light source, specific examples of the first phosphor particles include Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 :Eu and the like.

基体中の第1蛍光体粒子の含有量は、所望の色度によって異なる。前述のとおり、基体が第1蛍光体粒子を焼結させたものであってもよく、基体中の第1蛍光体粒子の含有量が100%であってもよい。基体が、第1蛍光体粒子の他に、照射された光を波長変換しないセラミックス及びガラスから選択される少なくとも1種の無機材料を含む場合は、基体を構成する無機材料と第1蛍光体粒子の合計量に対して、第1蛍光体粒子の含有量が0.1質量%以上99.9質量%以下の範囲内でもよい。第1蛍光体粒子の含有量が、より好ましくは0.5質量%以上であり、より好ましくは1質量%以上であり、より好ましくは3質量%以上、特に好ましくは5質量%以上である。また、第1蛍光体粒子の含有量が、より好ましくは95質量%以下であり、より好ましくは80質量%以下であり、より好ましくは70質量%以下、特に好ましくは50質量%以下である。基体が、第1蛍光体粒子と照射された光を波長変換しないセラミックス及びガラスから選択される少なくとも1種の無機材料を含む場合に、第1蛍光体粒子と無機材料との合計量に対して、第1蛍光体粒子の含有量が0.1質量%以上99.9質量%以下の範囲内であれば、第1蛍光体粒子を含む基体と、基体の表面に沿って水平方向に断続的に存在する粒子を含む第2蛍光体粒子によって、照射された光を波長変換して所望の色度を有する混色光を得ることができる。 The content of the first phosphor particles in the base varies depending on the desired chromaticity. As described above, the base may be one in which the first phosphor particles are sintered, and the content of the first phosphor particles in the base may be 100%. When the base contains at least one inorganic material selected from ceramics and glass that does not convert the wavelength of the irradiated light in addition to the first phosphor particles, the content of the first phosphor particles may be in the range of 0.1 mass% or more and 99.9 mass% or less with respect to the total amount of the inorganic material and the first phosphor particles constituting the base. The content of the first phosphor particles is more preferably 0.5 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, more preferably 3 mass% or more, and particularly preferably 5 mass% or more. In addition, the content of the first phosphor particles is more preferably 95 mass% or less, more preferably 80 mass% or less, more preferably 70 mass% or less, and particularly preferably 50 mass% or less. When the base contains first phosphor particles and at least one inorganic material selected from ceramics and glass that does not convert the wavelength of the irradiated light, if the content of the first phosphor particles is within the range of 0.1 mass% to 99.9 mass% relative to the total amount of the first phosphor particles and the inorganic material, the base containing the first phosphor particles and the second phosphor particles containing particles that exist intermittently in the horizontal direction along the surface of the base can convert the wavelength of the irradiated light to obtain mixed color light with the desired chromaticity.

第1蛍光体粒子の平均粒径は、好ましくは1μm以上50μm以下の範囲内である。第1蛍光体粒子の平均粒径は、より好ましくは2μm以上であり、より好ましくは5μm以上である。また、第1蛍光体粒子の平均粒径は、より好ましくは40μm以下であり、さらに好ましくは20μm以下であり、特に好ましくは15μm以下である。第1蛍光体粒子の平均粒径が1μm以上であると、第1蛍光体粒子を基体に略均一に分散させることができる。第1蛍光体粒子の平均粒径が50μm以下であると、基体中の空隙が少なくなるので照射された光の波長変換効率を高くすることができる。本明細書において、蛍光体粒子の平均粒径とは、フィッシャーサブシーブサイザー法(Fisher Sub-Sieve Sizer、以下「FSSS法」ともいう。)により測定した平均粒径(Fisher Sub-Sieve Siezer’s Number)をいう。 The average particle size of the first phosphor particles is preferably in the range of 1 μm or more and 50 μm or less. The average particle size of the first phosphor particles is more preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more. The average particle size of the first phosphor particles is more preferably 40 μm or less, even more preferably 20 μm or less, and particularly preferably 15 μm or less. When the average particle size of the first phosphor particles is 1 μm or more, the first phosphor particles can be dispersed approximately uniformly in the base. When the average particle size of the first phosphor particles is 50 μm or less, the voids in the base are reduced, so that the wavelength conversion efficiency of the irradiated light can be increased. In this specification, the average particle size of the phosphor particles refers to the average particle size (Fisher Sub-Sieve Siezer's Number) measured by the Fisher Sub-Sieve Sizer method (hereinafter also referred to as the "FSSS method").

第1混合液を準備すること
成形体の製造方法において、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを含む第1混合液を準備する。
Preparing First Mixed Liquid In the method for producing a molded body, a first mixed liquid containing second phosphor particles and an aqueous solution of an alkali metal silicate is prepared.

アルカリ金属ケイ酸塩水溶液
第1混合液は、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを含む。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液は、アルカリ金属ケイ酸塩を固形分換算で10質量%以上含有するものが好ましい。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液は、ケイ酸ナトリウム水溶液、ケイ酸カリウム水溶液、ケイ酸リチウム水溶液等が挙げられる。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液は、ケイ酸ナトリウム水溶液又はケイ酸カリウム水溶液であることが好ましい。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液は、ケイ素1モル当たりのアルカリ金属が、好ましくは0.1モル以上であり、より好ましくは0.12モル以上であり、さらに好ましくは0.14モル以上であり、好ましくは1.5モル以下、より好ましくは1.2モル以下、さらに好ましくは1.0モル以下である。アルカリ金属ケイ酸塩は、下記式(I)で表される組成を有するものであってもよい。アルカリ金属ケイ酸塩水溶液の市販品としては、例えばケイ酸カリウム(オーカシール(タイプA)、オーカシール(タイプB)(東京応化工業株式会社製))等が挙げられる。
O・vSiO・wHO (I)
(式(I)中、Aは、Li、Na及びKからなる群から選択される少なくとも1種であり、v及びwは、それぞれ0.4≦v≦3.9、5≦w≦90を満たす。)
Alkali metal silicate aqueous solution The first mixed liquid contains the second phosphor particles and an alkali metal silicate aqueous solution. The alkali metal silicate aqueous solution preferably contains 10 mass % or more of alkali metal silicate in terms of solid content. Examples of the alkali metal silicate aqueous solution include a sodium silicate aqueous solution, a potassium silicate aqueous solution, and a lithium silicate aqueous solution. The alkali metal silicate aqueous solution is preferably a sodium silicate aqueous solution or a potassium silicate aqueous solution. The alkali metal silicate aqueous solution has an alkali metal content per mole of silicon of preferably 0.1 mol or more, more preferably 0.12 mol or more, even more preferably 0.14 mol or more, preferably 1.5 mol or less, more preferably 1.2 mol or less, and even more preferably 1.0 mol or less. The alkali metal silicate may have a composition represented by the following formula (I). Examples of commercially available alkali metal silicate aqueous solutions include potassium silicate (Ohka Seal (Type A), Ohka Seal (Type B) (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.)).
A 1 2 O・vSiO 2・wH 2 O (I)
(In formula (I), A 1 is at least one selected from the group consisting of Li, Na, and K, and v and w satisfy 0.4≦v≦3.9 and 5≦w≦90, respectively.)

アルカリ金属ケイ酸水溶液は、水溶液中にアルカリ金属ケイ酸塩が固形分換算で、1質量%以上50質量%以下の範囲内で含まれていることが好ましく、5質量%以上30質量%以下の範囲内で含まれていることがより好ましい。第1混合液は、蛍光体1質量部に対して、アルカリ金属ケイ酸が固形分換算で前記範囲内で含まれているアルカリ金属ケイ酸塩水溶液を50質量部以上200質量部以下の範囲内で含むことが好ましく、80質量部以上150質量部以下の範囲内で含むことが好ましい。第1混合液中のアルカリ金属ケイ酸塩の固形分の含有量が、5質量%以上30質量%以下の範囲内であれば、第2蛍光体粒子が後述する第2混合液の液面から突出する部位を有する状態で第2蛍光体粒子を基体に配置させることができ、基体の表面に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されるように、第2蛍光体粒子を基体に固定させることができる。 The alkali metal silicate aqueous solution preferably contains alkali metal silicate in the aqueous solution in a range of 1% by mass to 50% by mass in terms of solid content, and more preferably in a range of 5% by mass to 30% by mass. The first mixed liquid preferably contains an alkali metal silicate aqueous solution in which alkali metal silicate is contained within the above range in terms of solid content per 1 part by mass of phosphor in a range of 50 parts by mass to 200 parts by mass, and more preferably in a range of 80 parts by mass to 150 parts by mass. If the content of the solid content of the alkali metal silicate in the first mixed liquid is in a range of 5% by mass to 30% by mass, the second phosphor particles can be arranged on the substrate in a state in which the second phosphor particles have a portion protruding from the liquid surface of the second mixed liquid described later, and the second phosphor particles can be fixed to the substrate so that unevenness due to the second phosphor particles is formed on the surface of the substrate.

第2蛍光体粒子
第2蛍光体粒子は、光源から照射された光によって発光し、第1蛍光体粒子とは異なる波長範囲の光を出射する。第2蛍光体粒子は、所望の色度を得るために、フッ化物蛍光体、アルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体、及びα-サイアロン蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体であることが好ましい。
Second phosphor particles The second phosphor particles emit light by light irradiated from a light source, and emit light in a wavelength range different from that of the first phosphor particles. In order to obtain a desired chromaticity, the second phosphor particles are preferably at least one phosphor selected from the group consisting of a fluoride phosphor, an alkaline earth metal silicon nitride phosphor, and an α-sialon phosphor.

第2蛍光体粒子は、光源から照射された光を波長変換し、600nm以上690nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する光を出射するものであることが好ましい It is preferable that the second phosphor particles convert the wavelength of the light irradiated from the light source and emit light having an emission peak wavelength in the range of 600 nm to 690 nm.

成形体において、第1蛍光体粒子が、530nm以上590nm以下の範囲内の発光ピーク波長を有するものであるときに、第2蛍光体粒子が、600nm以上670nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有するものであることが好ましい。 In the molded body, when the first phosphor particles have an emission peak wavelength in the range of 530 nm or more and 590 nm or less, it is preferable that the second phosphor particles have an emission peak wavelength in the range of 600 nm or more and 670 nm or less.

成形体において、第1蛍光体粒子が、490nm以上555nm以下の範囲内の発光ピーク波長を有するものであるときに、第2蛍光体粒子が、600nm以上690nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有するものであることが好ましい。 In the molded body, when the first phosphor particles have an emission peak wavelength in the range of 490 nm or more and 555 nm or less, it is preferable that the second phosphor particles have an emission peak wavelength in the range of 600 nm or more and 690 nm or less.

第2蛍光体粒子が、光源から出射された光によって、600nm以上690nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、下記式(2A)で表される組成を有するフッ化物蛍光体、下記式(2C)で表される組成を有するアルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体、下記式(2D)で表される組成を有するアルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体、下記式(2E)で表される組成を有するα-サイアロン蛍光体、及び下記式(2F)で表される組成を有するアルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体であることが好ましい。 When the second phosphor particles are phosphor particles that have an emission peak wavelength in the range of 600 nm to 690 nm by light emitted from a light source, it is preferable that the second phosphor particles are at least one phosphor selected from the group consisting of a fluoride phosphor having a composition represented by the following formula (2A), an alkaline earth metal silicon nitride phosphor having a composition represented by the following formula (2C), an alkaline earth metal silicon nitride phosphor having a composition represented by the following formula (2D), an α-sialon phosphor having a composition represented by the following formula (2E), and an alkaline earth metal silicon nitride phosphor having a composition represented by the following formula (2F).

[M 1-bMn4+ ] (2A)
式(2A)中、Aは、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr及びNH からなる群から選択される少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、bは、0<b<0.2を満たす数である。
A 2 2 [M 2 1-b Mn 4+ b F 6 ] (2A)
In formula (2A), A2 is at least one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb, Cs, Fr and NH4 + , and M2 is a Group 4 element and a Group 14 element. The element is at least one element selected from the group consisting of elements, and b is a number that satisfies 0<b<0.2.

(i-j)MgO・(j/2)M ・kMgF・mCaF・(1-n)GeO・(n/2)M :zMn4+ (2B)
式(2B)中、Mは、Li、Na、K、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Al、Ga及Inからなる群から選択される少なくとも1種の元素であり、i、j、k、m、n及びzはそれぞれ、2≦i≦4、0≦j<0.5、0<k<1.5、0≦m<1.5、0<n<0.5、及び0<z<0.05を満たす数である。
(i-j)MgO・(j/2) M32O3 kMgF2mCaF2( 1-n )GeO2・(n/2)M42O3 : zMn4 + (2B )
In formula (2B), M3 is selected from Li, Na, K, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu. M4 is at least one element selected from the group consisting of Al, Ga, and In, and i, j, k, m, n, and z are The following conditions are satisfied: 2≦i≦4, 0≦j<0.5, 0<k<1.5, 0≦m<1.5, 0<n<0.5, and 0<z<0.05. It is a number.

(Ca1-pSr)AlSiN:Eu (2C)
式(2C)中、pは、0≦p≦1.0を満たす数である。
(Ca 1-p Sr p )AlSiN 3 :Eu (2C)
In formula (2C), p is a number that satisfies 0≦p≦1.0.

(Ca1-q-rSrBaSi:Eu (2D)
式(2D)中、q及びrは、それぞれ、0≦q≦1.0、0≦r≦1.0、q+r≦1.0を満たす数である。
(Ca 1-q-r Sr q Bar ) 2 Si 5 N 8 :Eu (2D)
In formula (2D), q and r are numbers that satisfy 0≦q≦1.0, 0≦r≦1.0, and q+r≦1.0, respectively.

Si12-(d+e)Ald+e16-e:Eu (2E)
式(2E)中、Mは、Li、Mg、Ca、Sr、Y及びランタノイド元素(ただし、LaとCeを除く。)からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、c、d及びeは、それぞれ、0<c≦2.0、2.0≦d≦6.0、0≦e≦1.0、を満たす数である。
M 5 c Si 12-(d+e) Al d+e O e N 16-e :Eu (2E)
In formula (2E), M5 is at least one element selected from the group consisting of Li, Mg, Ca, Sr, Y, and lanthanoid elements (excluding La and Ce); c, d, and and e are numbers satisfying 0<c≦2.0, 2.0≦d≦6.0, and 0≦e≦1.0.

Al3-sSi (2F)
式(2F)中、Mは、Sr、Ca、Ba及びMgからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Li、Na及びKからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、Mは、Eu、Ce、Tb及びMnからなる群より選択される少なくとも1種の元素であり、f、g、h、s及びtは、それぞれ0.80≦f≦1.05、0.80≦g≦1.05、0.001<h≦0.1、0≦s≦0.5、3.0≦t≦5.0を満たす数である。
M 6 f M 7 g M 8 h Al 3-s Si s N t (2F)
In formula (2F), M6 is at least one element selected from the group consisting of Sr, Ca, Ba, and Mg, and M7 is at least one element selected from the group consisting of Li, Na, and K. M8 is at least one element selected from the group consisting of Eu, Ce, Tb and Mn, and f, g, h, s and t are each within the range of 0.80≦f≦ These numbers satisfy the following conditions: 1.05, 0.80≦g≦1.05, 0.001<h≦0.1, 0≦s≦0.5, and 3.0≦t≦5.0.

第2蛍光体粒子が、光源から照射された光によって600nm以上670nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合、第2蛍光体粒子としては、具体的には、KSiF:Mn、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn4+等で表されるマグネシウムフルオロジャーマネート蛍光体(MGF:Mn)、CaSi:Eu、(Ba,Sr)Si:Eu、(Sr,Ca)AlSiN:Eu、CaAlSiN:Eu、Sr0.9925Li1.0000Eu0.0075Al等が挙げられる。 When the second phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 600 nm or more and 670 nm or less when irradiated with light from a light source, specific examples of the second phosphor particles include magnesium fluorogermanate phosphors (MGF:Mn) represented by K2SiF6 :Mn, 3.5MgO.0.5MgF2.GeO2: Mn4 + , etc. , Ca2Si5N8 : Eu , (Ba,Sr)2Si5N8 : Eu, (Sr, Ca ) AlSiN3 : Eu , CaAlSiN3 : Eu , Sr0.9925Li1.0000Eu0.0075Al3N4 , etc.

第2蛍光体粒子の平均粒径は、1μm以上50μm以下の範囲内であることが好ましい。第2蛍光体粒子の平均粒径は、好ましくは2μm以上であり、より好ましくは5μm以上である。また、第2蛍光体粒子の平均粒径は、好ましくは40μm以下であり、より好ましくは30μm以下である。第2蛍光体粒子の平均粒径が5μm以上50μm以下の範囲内であれば、後述する第2蛍光体粒子を基体上に沈降させる時間が短時間となり、作業性が向上する。第2蛍光体粒子の平均粒径が1μm以上5μm未満である場合には、後述する第2蛍光体粒子を基体上に沈降させる時間は、第2蛍光体粒子の平均粒径が5μm以上の場合と比較して長時間となるが、基体の表面により均等に第2蛍光体粒子を沈降させ、第2蛍光体粒子を基体の表面に均等に固定することができる。ここでの「均等」は、5μm以上の粒径のものに対して、5μm未満の粒径の方が、沈降させる時間が長くなることによって蛍光体の配置のバラツキを抑えられるという意味である。また、第2蛍光体粒子の平均粒径が1μm以上50μm以下の範囲内であれば、基体の表面に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されやすくなる。第2蛍光体粒子の平均粒径が、1μm以上50μm以下の範囲内であれば、アルカリ金属ケイ酸塩に由来するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素よって、基体の表面に密着するように第2蛍光体粒子が固定され、基体に固定された第2蛍光体粒子と、基体中の第1蛍光体粒子と、光源から照射された光によって、演色性を向上させた混色光が得られる。 The average particle size of the second phosphor particles is preferably in the range of 1 μm to 50 μm. The average particle size of the second phosphor particles is preferably 2 μm or more, more preferably 5 μm or more. The average particle size of the second phosphor particles is preferably 40 μm or less, more preferably 30 μm or less. If the average particle size of the second phosphor particles is in the range of 5 μm to 50 μm, the time for the second phosphor particles to be settled on the base body described later is shortened, and workability is improved. If the average particle size of the second phosphor particles is 1 μm to 5 μm, the time for the second phosphor particles to be settled on the base body described later is longer than when the average particle size of the second phosphor particles is 5 μm or more, but the second phosphor particles can be settled more evenly on the surface of the base and the second phosphor particles can be fixed evenly on the surface of the base. Here, "even" means that the particle size of less than 5 μm is longer than that of 5 μm or more, thereby suppressing the variation in the arrangement of the phosphor. Furthermore, if the average particle size of the second phosphor particles is within the range of 1 μm to 50 μm, unevenness caused by the second phosphor particles is likely to be formed on the surface of the substrate. If the average particle size of the second phosphor particles is within the range of 1 μm to 50 μm, the second phosphor particles are fixed to the surface of the substrate by silicon dioxide containing an alkali metal derived from an alkali metal silicate, and mixed color light with improved color rendering is obtained by the second phosphor particles fixed to the substrate, the first phosphor particles in the substrate, and the light irradiated from the light source.

第1混合液中の第2蛍光体粒子の含有量は、第1混合液の全体量に対して、好ましくは0.2質量%以上1.0質量%以下の範囲内であり、より好ましくは0.3質量%以上0.9質量%以下の範囲内であり、さらに好ましくは0.4質量%以上0.8質量%以下の範囲内である。第1混合液中の第2蛍光体粒子の含有量が、第1混合液の全体量に対して0.2質量%以上1.0質量%以下の範囲内であれば、第2蛍光体粒子を基体上に沈降させて、基体上に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されるように第2蛍光体粒子を基体上に固定することができる。第1混合液中の第2蛍光体粒子の量が少なすぎると、所望の色度を有する発光色が得難い場合がある。第1混合液中の第2蛍光体粒子の量が多すぎると、基体上に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されるように基体上に第2蛍光体粒子を配置し難くなる場合がある。 The content of the second phosphor particles in the first mixture is preferably in the range of 0.2% by mass to 1.0% by mass, more preferably in the range of 0.3% by mass to 0.9% by mass, and even more preferably in the range of 0.4% by mass to 0.8% by mass, relative to the total amount of the first mixture. If the content of the second phosphor particles in the first mixture is in the range of 0.2% by mass to 1.0% by mass, relative to the total amount of the first mixture, the second phosphor particles can be settled on the substrate, and the second phosphor particles can be fixed on the substrate so that unevenness due to the second phosphor particles is formed on the substrate. If the amount of the second phosphor particles in the first mixture is too small, it may be difficult to obtain a luminescent color having a desired chromaticity. If the amount of the second phosphor particles in the first mixture is too large, it may be difficult to arrange the second phosphor particles on the substrate so that unevenness due to the second phosphor particles is formed on the substrate.

第3蛍光体粒子
準備する工程において、第1混合液には、照射された光を波長変換し、第2蛍光体粒子とは異なる波長範囲の光を出射する第3蛍光体粒子をさらに含んでいてもよい。第1混合液にさらに第3蛍光体粒子を含んでいると、基体の表面に第2蛍光体粒子とともに第3蛍光体粒子を凹凸を形成するように基体に固定することができる。基体の表面に固定された第3蛍光体粒子は、第1蛍光体粒子で波長変換されずに基体を透過した光を、さらに基体の表面で波長変換することができ、成形体から所望の色度を有する混色光を得ることができる。
In the step of preparing the third phosphor particles, the first mixed liquid may further contain third phosphor particles that convert the wavelength of the irradiated light and emit light in a wavelength range different from that of the second phosphor particles. When the first mixed liquid further contains the third phosphor particles, the third phosphor particles can be fixed to the base together with the second phosphor particles so as to form unevenness on the surface of the base. The third phosphor particles fixed to the surface of the base can further convert the wavelength of the light that has passed through the base without being wavelength-converted by the first phosphor particles on the surface of the base, and mixed-color light having a desired chromaticity can be obtained from the molded body.

第3蛍光体粒子は、第1蛍光体粒子又は第2蛍光体粒子からの光を波長変換するものでもよいが、光源から照射された光を波長変換するものであることが好ましい。基体に含まれる第1蛍光体粒子で波長変換されずに基体を透過した光を第3蛍光体粒子で波長変換することができ、基体を透過した光と、第1蛍光体粒子で波長変換された光と、第2蛍光体粒子で波長変換された光と、第3蛍光体粒子で波長変換された光と、によって、成形体から所望の色度を有する混色光を得ることができる。第3蛍光体粒子からの発光色が第1蛍光体粒子の発光色と同じ又は近似することにより、第1蛍光体粒子の発光色を補い、発光装置から出射される光は第1蛍光体粒子の発光色側へ色をシフトすることができる。 The third phosphor particles may convert the wavelength of light from the first phosphor particles or the second phosphor particles, but preferably convert the wavelength of light irradiated from a light source. The third phosphor particles can convert the wavelength of light that passes through the base without being wavelength-converted by the first phosphor particles contained in the base, and a mixed color light having a desired chromaticity can be obtained from the molded body by the light that passes through the base, the light that has been wavelength-converted by the first phosphor particles, the light that has been wavelength-converted by the second phosphor particles, and the light that has been wavelength-converted by the third phosphor particles. By making the emission color from the third phosphor particles the same as or similar to the emission color of the first phosphor particles, the emission color of the first phosphor particles is supplemented, and the light emitted from the light emitting device can be shifted in color toward the emission color of the first phosphor particles.

第3蛍光体粒子は、光源から照射された光によって530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子であってもよく、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子であってもよい。 The third phosphor particles may be phosphor particles having a peak emission wavelength in the range of 530 nm to 590 nm when irradiated with light from a light source, or may be phosphor particles having a peak emission wavelength in the range of 490 nm to 555 nm.

第3蛍光体粒子が、光源から照射された光によって、530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、第3蛍光体粒子は、少なくとも1種のアルミン酸塩蛍光体であってもよい。アルミン酸塩蛍光体としては、前記式(1A)で表される組成を有する希土類アルミン酸塩蛍光体が挙げられる。第3蛍光体粒子が、光源から照射された光によって530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合、第3蛍光体粒子としては、YAl12:Ce、Y(Al,Ga)12:Ce、(Y,Gd)Al12:Ce、Lul512:Ce、又はLu(Al,Ga)12:Ceが挙げられる。 When the third phosphor particles are phosphor particles having a peak emission wavelength in the range of 530 nm to 590 nm by light irradiated from a light source, the third phosphor particles may be at least one aluminate phosphor. The aluminate phosphor may be a rare earth aluminate phosphor having a composition represented by the formula (1A). When the third phosphor particles are phosphor particles having a peak emission wavelength in the range of 530 nm to 590 nm by light irradiated from a light source, the third phosphor particles may be Y3Al5O12 :Ce , Y3(Al,Ga)5O12 : Ce , ( Y,Gd) 3Al5O12 : Ce , Lu3Al5O12 : Ce, or Lu3 (Al,Ga) 5O12 : Ce .

第3蛍光体粒子が、光源から照射された光によって、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及びβサイアロン蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも1種の蛍光体であることが好ましい。第3蛍光体粒子が、光源から照射された光によって、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合には、前記式(1B)で表される有するアルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、前記式(1C)で表される組成を有するアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、前記式(1D)で表される組成を有するアルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及び前記式(1E)で表される組成を有するβサイアロン蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも1種であってもよい。第3蛍光体粒子が光源から照射された光によって490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有する蛍光体粒子である場合は、第3蛍光体粒子として、具体的には、BaSi:Eu、SrAl1425:Eu、CaMgSi16Cl:Eu、Si6-aAl8-a:Eu(式中、aは0<a<4.2を満たす数である。)が挙げられる。 When the third phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 490 nm to 555 nm by light irradiated from a light source, the third phosphor particles are preferably at least one phosphor selected from the group consisting of alkaline earth metal silicate phosphors, alkaline earth metal aluminate phosphors, alkaline earth metal halosilicate phosphors, and β-sialon phosphors. When the third phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 490 nm to 555 nm by light irradiated from a light source, the third phosphor particles may be at least one phosphor selected from the group consisting of alkaline earth metal silicate phosphors having the composition represented by the formula (1B), alkaline earth metal aluminate phosphors having the composition represented by the formula (1C), alkaline earth metal halosilicate phosphors having the composition represented by the formula (1D), and β-sialon phosphors having the composition represented by the formula (1E). When the third phosphor particles are phosphor particles having an emission peak wavelength in the range of 490 nm or more and 555 nm or less when irradiated with light from a light source, specific examples of the third phosphor particles include BaSi 2 O 2 N 2 :Eu, Sr 4 Al 14 O 25 :Eu, Ca 8 MgSi 4 O 16 Cl 2 :Eu, and Si 6-a Al a O a N 8-a :Eu (wherein a is a number satisfying 0<a<4.2).

第3蛍光体粒子の平均粒径は、第2蛍光体粒子と同様に、1μm以上50μm以下の範囲内であることが好ましい。第3蛍光体粒子の平均粒径が1μm以上50μm以下の範囲内であることが好ましい理由は、第2蛍光体粒子と同様の理由である。 The average particle size of the third phosphor particles is preferably within the range of 1 μm to 50 μm, similar to the second phosphor particles. The reason why the average particle size of the third phosphor particles is preferably within the range of 1 μm to 50 μm is the same as that of the second phosphor particles.

第1混合液中に第3蛍光体粒子を含有する場合には、第2蛍光体粒子と第3蛍光体粒子の合計量が、第1混合液の全体量に対して、好ましくは0.2質量%以上1.0質量%以下の範囲内であり、より好ましくは0.3質量%以上0.9質量%以下の範囲内であり、さらに好ましくは0.4質量%以上0.8質量%以下の範囲内である。第1混合液中の第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子の合計量が、第1混合液の全体量に対して0.2質量%以上1.0質量%以下の範囲内であれば、第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子を基体上に沈降させて、基体上に第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されるように第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子を基体上に固定することができる。第2蛍光体粒子と第3蛍光体粒子の配合割合は、所望の色度の発光色を得るために、第2蛍光体粒子と第3蛍光体粒子の合計量に対して、第3蛍光体粒子が20質量%以上95質量%以下の範囲内であることが好ましく、40質量%以上92質量%以下の範囲内でもよく、50質量%以上90質量%以下の範囲内でもよい。 When the first mixture contains third phosphor particles, the total amount of the second phosphor particles and the third phosphor particles is preferably in the range of 0.2% by mass to 1.0% by mass, more preferably in the range of 0.3% by mass to 0.9% by mass, and even more preferably in the range of 0.4% by mass to 0.8% by mass, relative to the total amount of the first mixture. If the total amount of the second phosphor particles and the third phosphor particles in the first mixture is in the range of 0.2% by mass to 1.0% by mass, relative to the total amount of the first mixture, the second phosphor particles and the third phosphor particles can be settled on the substrate, and the second phosphor particles and the third phosphor particles can be fixed on the substrate so that unevenness due to the second phosphor particles and the third phosphor particles is formed on the substrate. In order to obtain an emission color of the desired chromaticity, the mixing ratio of the second phosphor particles and the third phosphor particles is preferably in the range of 20% by mass to 95% by mass of the third phosphor particles relative to the total amount of the second phosphor particles and the third phosphor particles, and may be in the range of 40% by mass to 92% by mass, or may be in the range of 50% by mass to 90% by mass.

陽イオンを含む電解液中に基体を配置すること
成形体の製造方法において、基体は、陽イオンを含む電解液中に配置する。陽イオンを含む電解液中の陽イオンは、アルカリ土類金属、アルカリ金属、及びアンモニウムからなる群から選択される少なくとも1種であること好ましい。電解液中に含まれる陽イオンは、バリウムイオン、ストロンチウムイオン、カルシウムイオン、カリウムイオン、ナトリウムイオン、及びアンモニウムイオンからなる群から選択される少なくとも1種であり、バリウムイオン、カリウムイオン及びアンモニウムイオンからなる群から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。陽イオンを含む電解液は、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアンモニウムからなる群から選択される少なくとも1種を含む酢酸溶液、硝酸塩溶液、又は硫酸塩溶液であることが好ましい。陽イオンを含む電解液は、具体的には、酢酸バリウム、硝酸バリウム、硫酸バリウム、酢酸ストロンチウム、硝酸ストロンチウム、硫酸ストロンチウム、酢酸カリウム、硝酸カリウム、硫酸カリウム、硝酸アンモニウムを水又は脱イオン水に溶解させることによって得られる。陽イオンを含む電解液をクッション液という場合もある。電解液中の陽イオン濃度は、300質量ppm以上1000質量ppm以下の範囲内であり、より好ましくは400質量ppm以上900質量ppm以下の範囲内であり、さらに好ましくは500質量ppm以上800質量ppm以下の範囲内である。電解液中の陽イオンが、前記範囲内であると、基体の表面に結合したシラノール基(-Si-OH)と、第2蛍光体粒子の表面に結合したシラノール基の表面負荷電荷を中和し、第2蛍光体粒子と基体表面の反発作用を抑制し、基体の表面のシラノール基と第2蛍光体粒子の表面のシラノール基の縮合反応を促進する。第1混合液中に第3蛍光体粒子を含む場合には、第3蛍光体粒子の表面にもシラノール基が結合する。
Placing the substrate in an electrolyte solution containing cations In the method for producing a molded body, the substrate is placed in an electrolyte solution containing cations. The cations in the electrolyte solution containing cations are preferably at least one selected from the group consisting of alkaline earth metals, alkali metals, and ammonium. The cations contained in the electrolyte solution are at least one selected from the group consisting of barium ions, strontium ions, calcium ions, potassium ions, sodium ions, and ammonium ions, and more preferably at least one selected from the group consisting of barium ions, potassium ions, and ammonium ions. The electrolyte solution containing cations is preferably an acetic acid solution, a nitrate solution, or a sulfate solution containing at least one selected from the group consisting of alkaline earth metals, alkali metals, and ammonium. The electrolyte solution containing cations is specifically obtained by dissolving barium acetate, barium nitrate, barium sulfate, strontium acetate, strontium nitrate, strontium sulfate, potassium acetate, potassium nitrate, potassium sulfate, or ammonium nitrate in water or deionized water. The electrolyte solution containing cations may also be called a cushion solution. The cation concentration in the electrolyte is in the range of 300 mass ppm to 1000 mass ppm, more preferably in the range of 400 mass ppm to 900 mass ppm, and even more preferably in the range of 500 mass ppm to 800 mass ppm. When the cations in the electrolyte are in the above range, the surface charge of the silanol group (-Si-OH) bonded to the surface of the substrate and the silanol group bonded to the surface of the second phosphor particle is neutralized, the repulsive action between the second phosphor particle and the substrate surface is suppressed, and the condensation reaction of the silanol group on the substrate surface and the silanol group on the surface of the second phosphor particle is promoted. When the first mixture contains third phosphor particles, silanol groups are also bonded to the surfaces of the third phosphor particles.

陽イオンを含む電解液は、第1混合液に対して、質量比で3倍以上10倍以下の範囲内であることが好ましく、4倍以上8倍以下の範囲内であってもよい。基体は、電解液中から基体を引き上げ可能な治具上に配置してもよい。また、底部から液体を排出可能な容器に、治具に設置した基体を配置し、容器中に陽イオンを含む電解液を投入してもよい。陽イオンを含む電解液は、配置した基体よりも電解液の液面が上となる量を入れることが好ましい。 The electrolyte solution containing cations is preferably in the range of 3 to 10 times, and may be in the range of 4 to 8 times, by mass, relative to the first mixed liquid. The substrate may be placed on a jig capable of lifting the substrate from the electrolyte. Alternatively, the substrate placed on the jig may be placed in a container capable of discharging liquid from the bottom, and the electrolyte solution containing cations may be poured into the container. It is preferable to pour an amount of electrolyte solution containing cations such that the liquid level of the electrolyte is higher than the substrate placed in the container.

第2蛍光体粒子を沈降させること
成形体の製造方法において、基体を配置した陽イオンを含む電解液に第1混合液を投入して第2混合液とし、基体上に第2蛍光体粒子を沈降させる。第1混合液に第3蛍光体粒子が含まれる場合には、第2蛍光体粒子ととともに、第3蛍光体粒子も基体上に沈降させる。第2蛍光体粒子が基体上に沈降する時間、温度は制限されない。第2蛍光体粒子が沈降する際に、基体は静置されていることが好ましい。
Precipitating the second phosphor particles In the manufacturing method of the molded body, the first mixed liquid is added to the electrolyte containing the cations in which the substrate is disposed to form the second mixed liquid, and the second phosphor particles are precipitated on the substrate. When the first mixed liquid contains the third phosphor particles, the third phosphor particles are also precipitated on the substrate together with the second phosphor particles. The time and temperature at which the second phosphor particles are precipitated on the substrate are not limited. It is preferable that the substrate is left stationary when the second phosphor particles are precipitated.

上澄み液を除去すること
成形体の製造方法において、基体上に第2蛍光体粒子を沈降させた後、第2混合液の上澄み液を除去する。第2混合液の上澄液は、基体上に沈降させた第2蛍光体粒子を動かさないように上澄み液を除去する。第2混合液の上澄み液は、吸引具、例えばスポイトによって吸い取って除去してもよく、容器の底部から排出するようにしてもよい。
Removing the Supernatant In the method for producing a molded body, after the second phosphor particles are allowed to settle on the substrate, the supernatant of the second mixed liquid is removed. The supernatant of the second mixed liquid is removed without disturbing the second phosphor particles that have settled on the substrate. The supernatant of the second mixed liquid may be removed by sucking with a suction tool, such as a dropper, or may be discharged from the bottom of a container.

上澄み液を除去する工程後、第2蛍光体粒子を固定する前において、第2蛍光体粒子は、基体の表面において、第2蛍光体粒子の少なくとも一部が、第2混合液の液面から突出された状態で配置されることが好ましい。第2蛍光体粒子の少なくとも一部が第2混合液の液面から突出された状態で配置されていれば、第2蛍光体粒子が基体に固定される際に、第2蛍光体粒子に起因する凹凸が表面に形成されやすくなる。基体の表面に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されるように第2蛍光体粒子が固定されていると、凹凸によって出射される光が乱反射し、色むらを低減することができる。基体の表面に凹凸が形成されるように第2蛍光体粒子が固定されていると、無機バインダーに分散させた第2蛍光体粒子を塗布して形成する蛍光体層と比較して、薄い二酸化ケイ素の被膜を形成することができ、薄型化の要求に応えることができる。二酸化ケイ素等の被膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば0.005μm以上10μm以下の範囲内であることが好ましく、0.1μm以上5μm以下の範囲内であることがより好ましい。また、第2蛍光体粒子は、基体に接触して固定されるため、セラミックスからなる第2蛍光体粒子と基体が直接伝熱するため、熱伝導率が高くなり、耐熱性に優れる。 After the process of removing the supernatant liquid and before fixing the second phosphor particles, the second phosphor particles are preferably arranged on the surface of the substrate in a state in which at least a portion of the second phosphor particles protrude from the liquid surface of the second mixed liquid. If at least a portion of the second phosphor particles are arranged in a state in which they protrude from the liquid surface of the second mixed liquid, when the second phosphor particles are fixed to the substrate, unevenness caused by the second phosphor particles is easily formed on the surface. If the second phosphor particles are fixed to the substrate so that unevenness caused by the second phosphor particles is formed on the substrate surface, the light emitted by the unevenness is diffusely reflected, and color unevenness can be reduced. If the second phosphor particles are fixed to the substrate so that unevenness is formed on the substrate surface, a thinner silicon dioxide coating can be formed compared to a phosphor layer formed by applying the second phosphor particles dispersed in an inorganic binder, and the demand for thinning can be met. The thickness of the coating of silicon dioxide or the like is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.005 μm to 10 μm, and more preferably in the range of 0.1 μm to 5 μm. In addition, since the second phosphor particles are fixed in contact with the base, heat is directly transferred between the second phosphor particles made of ceramic and the base, resulting in high thermal conductivity and excellent heat resistance.

熱処理して基体に第2蛍光体粒子を固定すること
成形体の製造方法において、基体と、基体上に配置された第2蛍光体粒子を60℃以上400℃以下の温度範囲で熱処理して、固定する。基体の表面及び第2蛍光体粒子の表面には、それぞれアルカリ金属ケイ酸塩に起因するシラノール基が結合している。基体の表面に結合したシラノール基と、第2蛍光体粒子の表面に結合したシラノール基が脱水縮合してシロキサン結合(-Si-O-Si-)を形成することによって、第2蛍光体粒子の一部が基体に接触するように固定される。第1混合液に第3蛍光体粒子が含まれてる場合には、第3蛍光体粒子も同様に第3蛍光体粒子の表面に結合しているシラノール基が脱水縮合して、第3蛍光体粒子の一部が基体に接触するように固定される。以下、第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子をまとめて「蛍光体粒子」という場合がある。蛍光体粒子の表面及び基体の表面に存在する双方のシラノール基が脱水縮合してシロキサン結合を形成し、蛍光体粒子が基体に固定されると、無機バインダー中に蛍光体粒子を分散させて塗布した場合と比べて、膜厚を薄くすることができる。
Fixing the second phosphor particles to the substrate by heat treatment In the manufacturing method of the molded body, the substrate and the second phosphor particles arranged on the substrate are heat treated at a temperature range of 60°C to 400°C to fix them. The surface of the substrate and the surface of the second phosphor particles are bonded with silanol groups resulting from the alkali metal silicate. The silanol groups bonded to the surface of the substrate and the silanol groups bonded to the surfaces of the second phosphor particles are dehydrated and condensed to form siloxane bonds (-Si-O-Si-), thereby fixing a part of the second phosphor particles to the substrate so as to contact the substrate. When the third phosphor particles are contained in the first mixture, the silanol groups bonded to the surfaces of the third phosphor particles are dehydrated and condensed to fix a part of the third phosphor particles to the substrate so as to contact the substrate. Hereinafter, the second phosphor particles and the third phosphor particles may be collectively referred to as "phosphor particles". When the silanol groups present on both the surface of the phosphor particles and the surface of the substrate undergo dehydration condensation to form siloxane bonds and the phosphor particles are fixed to the substrate, the film thickness can be made thinner than when the phosphor particles are dispersed in an inorganic binder and applied.

第2蛍光体粒子を固定する工程において、第2蛍光体粒子及び基体の上面全体を覆うようにアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜にて固定していることが好ましい。第2蛍光体粒子は、第2蛍光体粒子の表面及び基体の表面のそれぞれに結合しているシラノール基が脱水縮合してシロキサン結合を形成して基体に固定されるため、第2蛍光体粒子及び基体の上面全体を覆うようにアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜に覆われて固定されやすくなる。第1混合液に第3蛍光体粒子が含まれる場合には、第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子である蛍光体粒子及び基体の上面全体を覆うようにアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜に覆われて固定されることが好ましい。蛍光体粒子の表面及び基体の表面に結合しているシラノール基が脱水縮合してアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜が形成される。二酸化ケイ素の被膜は、蛍光体粒子の表面又は基体の表面に沿って形成され、蛍光体粒子に起因する凹凸が表面に形成されやすくなる。第2蛍光体粒子及び基体の上面全体を覆うようにアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜にて固定するためには、例えば第2混合液の上澄み液を除去した後、第2混合液で蛍光体粒子及び基体の表面が濡れている状態で熱処理することが好ましい。例えば第2混合液の上澄み液を除去した後、10分以内に熱処理を開始することが好ましく、8分以内に熱処理を開始することが好ましい。 In the step of fixing the second phosphor particles, it is preferable to fix the second phosphor particles with a coating of silicon dioxide containing an alkali metal so as to cover the entire upper surface of the second phosphor particles and the base. The second phosphor particles are fixed to the base by dehydration condensation of silanol groups bonded to the surface of the second phosphor particles and the surface of the base to form siloxane bonds, so that the second phosphor particles are easily fixed by being covered with a coating of silicon dioxide containing an alkali metal so as to cover the entire upper surface of the second phosphor particles and the base. When the first mixture contains third phosphor particles, it is preferable to fix the second phosphor particles and the third phosphor particles by being covered with a coating of silicon dioxide containing an alkali metal so as to cover the entire upper surface of the phosphor particles and the base. The silanol groups bonded to the surface of the phosphor particles and the surface of the base are dehydration condensation to form a coating of silicon dioxide containing an alkali metal. The silicon dioxide coating is formed along the surface of the phosphor particles or the surface of the base, so that unevenness caused by the phosphor particles is easily formed on the surface. In order to fix the second phosphor particles and the entire upper surface of the base with a coating of silicon dioxide containing an alkali metal so as to cover them, it is preferable to perform heat treatment while the surface of the phosphor particles and the base is wet with the second mixed liquid, for example, after removing the supernatant liquid of the second mixed liquid. For example, it is preferable to start the heat treatment within 10 minutes, and preferably within 8 minutes, after removing the supernatant liquid of the second mixed liquid.

熱処理する工程において、熱処理温度は、70℃以上350℃以下の範囲内でもよく、80℃以上300℃以下の範囲内でもよい。熱処理は、大気雰囲気(酸素を20体積%含む雰囲気)下で行ってもよく、大気圧(101.3kPa)下で行ってもよい。熱処理時間は、1分以上1時間以内であってもよく、2分以上50分以内であってよく、5分以上40分以内であってもよい。熱処理は、炉等に第2蛍光体粒子及び必要に応じて第3蛍光体粒子を配置した基体を入れて熱処理してもよく、ホットプレート上に第2蛍光体粒子及び必要に応じて第3蛍光体粒子を配置した基体を載置して熱処理してもよい。 In the heat treatment step, the heat treatment temperature may be in the range of 70°C to 350°C, or in the range of 80°C to 300°C. The heat treatment may be performed in an air atmosphere (an atmosphere containing 20% by volume of oxygen) or under atmospheric pressure (101.3 kPa). The heat treatment time may be 1 minute to 1 hour, 2 minutes to 50 minutes, or 5 minutes to 40 minutes. The heat treatment may be performed by placing the base on which the second phosphor particles and, if necessary, the third phosphor particles are arranged in a furnace or the like, or by placing the base on which the second phosphor particles and, if necessary, the third phosphor particles are arranged on a hot plate.

透光性の保護膜を形成すること
成形体の製造方法は、第2蛍光体粒子を固定した後、前記被膜の表面に原子堆積法(ALD:Atomic Layer Deposition)により透光性の保護膜を形成することを含むことが好ましい。保護膜は、例えば、無機材料によって形成されることが好ましい。無機材料としては、具体的には、酸化アルミニウム(Al)、二酸化ケイ素(SiO)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si)等が挙げられるが、特に酸化アルミニウムが好ましい。これにより、基体、第2蛍光体粒子及び必要に応じて第3蛍光体粒子の表面に被膜の表面を水分等から保護できる緻密な保護膜を形成することができる。
Forming a light-transmitting protective film The manufacturing method of the molded body preferably includes, after fixing the second phosphor particles, forming a light-transmitting protective film on the surface of the coating by atomic layer deposition (ALD). The protective film is preferably formed of, for example, an inorganic material. Specific examples of the inorganic material include aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (Si 3 N 4 ), etc., with aluminum oxide being particularly preferred. This allows a dense protective film to be formed on the surfaces of the base, the second phosphor particles, and, if necessary, the third phosphor particles, which can protect the surface of the coating from moisture and the like.

原子堆積法によって形成された保護膜の形態は、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)等による断面又は端面の観察によって識別することができる。つまり、原子層の単位で形成された膜として識別することができる。具体的には、保護膜は、それを構成する原子同士が、水分子等を通過させるような隙間がないよう、互いに隣接して配置される。また、ALD法は、スパッタ、CVD等と異なり、反応成分の直進性が低いので、凹凸等の障害物近傍であっても、全反応成分が同等に成膜部位に供給され、原子層ごとに形成される。その結果、表面に蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されている場合であっても、略均一な膜厚及び膜質の良質な保護膜が形成される。 The form of the protective film formed by the atomic deposition method can be identified by observing the cross section or end surface with a scanning electron microscope (SEM) or the like. In other words, it can be identified as a film formed in atomic layer units. Specifically, the atoms that compose the protective film are arranged adjacent to each other so that there are no gaps that would allow water molecules to pass through. In addition, unlike sputtering, CVD, etc., the ALD method has low linearity of the reaction components, so even near obstacles such as unevenness, all reaction components are supplied equally to the film formation site and formed in atomic layers. As a result, even if the surface is uneven due to phosphor particles, a protective film with approximately uniform thickness and good film quality is formed.

保護膜は、1つの材料による単層膜又は多層膜であってもよく、2以上の異なる材料による多層膜でもよい。多層膜にすると、より水分等から、蛍光体粒子を保護することができ、成形体から出射する光の取り出しを向上することができる。保護膜は、例えば、10nm以上10μm以下の範囲内の厚みとすることが好ましい。保護膜の厚みが10nm以上10μm以下の範囲内であると、第2蛍光体粒子及び必要に応じて第3蛍光体粒子を十分に保護しつつ、保護膜による成形体から出射する光の発光強度の低下を抑制することができる。 The protective film may be a single layer or multilayer film made of one material, or may be a multilayer film made of two or more different materials. A multilayer film can better protect the phosphor particles from moisture and the like, and can improve the extraction of light emitted from the molded body. The protective film preferably has a thickness in the range of, for example, 10 nm to 10 μm. If the thickness of the protective film is in the range of 10 nm to 10 μm, the second phosphor particles and, if necessary, the third phosphor particles can be sufficiently protected, while the reduction in the luminous intensity of the light emitted from the molded body due to the protective film can be suppressed.

原子堆積法により保護膜は、例えば、以下ように形成することができる。
まず、原子層堆積装置に、第2蛍光体粒子及び必要に応じて第3蛍光体粒子を配置した基体を導入し、続いて、原子層堆積装置内に、例えば、トリメチルアルミニウム(TMA)ガスを導入し、被膜の表面に存在するOH基と、TMAとを反応させる。次に、余剰ガスを排気する。その後、HOガスを導入して、先の反応でOH基と結合したTMAとHOとを反応させる。次に、余剰ガスを排気する。
そして、TMAの反応、排気、OH基との反応及び排気を1サイクルとして繰り返すことにより、所定の膜厚のAlの保護膜を形成することができる。
The protective film can be formed by atomic deposition, for example, as follows.
First, a substrate on which the second phosphor particles and, if necessary, the third phosphor particles are arranged is introduced into an atomic layer deposition apparatus, and then, for example, trimethylaluminum (TMA) gas is introduced into the atomic layer deposition apparatus to react the OH groups present on the surface of the coating with the TMA. Next, the excess gas is exhausted. After that, H 2 O gas is introduced to react the TMA bonded to the OH groups in the previous reaction with the H 2 O. Next, the excess gas is exhausted.
Then, by repeating one cycle of reaction with TMA, evacuation, reaction with OH groups, and evacuation, a protective film of Al 2 O 3 having a predetermined thickness can be formed.

成形体
第1実施形態の成形体は、第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる透光性の基体と、基体に配置される第2蛍光体粒子と、基体に第2蛍光体粒子を固定させるアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜と、被膜上に形成される10nm以上1μm以下の厚みの酸化物又は窒化物の透光性の保護膜とを含む成形体であり、成形体の表面は、第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されている。本明細書において、成形体の表面に第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されている、とは、二酸化ケイ素の被膜及び保護膜が形成される前の状態をいう。二酸化ケイ素の被膜及び保護膜は、第2蛍光体粒子に起因する凹凸に沿って形成されるため、二酸化ケイ素の被膜が形成された状態で第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されていてもよい。保護膜は、原子堆積法によって形成されたものあることが好ましく、保護膜は、第2蛍光体粒子に起因する凹凸に沿って形成された二酸化ケイ素の被膜に沿って形成されるため、二酸化ケイ素の被膜及び保護膜が形成された状態で、第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されていてもよい。
Molded body The molded body of the first embodiment is a molded body including a light-transmitting base made of an inorganic material containing first phosphor particles, second phosphor particles arranged on the base, a silicon dioxide coating containing an alkali metal that fixes the second phosphor particles to the base, and a light-transmitting protective film of oxide or nitride having a thickness of 10 nm to 1 μm formed on the coating, and the surface of the molded body is formed with unevenness due to the second phosphor particles. In this specification, the surface of the molded body is formed with unevenness due to the second phosphor particles, which refers to the state before the silicon dioxide coating and protective film are formed. The silicon dioxide coating and protective film are formed along the unevenness due to the second phosphor particles, so unevenness due to the second phosphor particles may be formed in a state where the silicon dioxide coating is formed. The protective film is preferably formed by atomic deposition, and since the protective film is formed along a silicon dioxide coating that is formed along the unevenness caused by the second phosphor particles, the unevenness caused by the second phosphor particles may be formed when the silicon dioxide coating and the protective film are formed.

図3は、第1実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。成形体31は、第1蛍光体粒子101aを含む無機材料101bからなる透光性の基体101と、基体101に配置された第2蛍光体粒子102aと、基体101に第2蛍光体粒子102aを固定させたアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜103と、被膜103上に形成された10nm以上1μm以下の範囲内の厚みの酸化物又は窒化物の透光性の保護膜104と、を含む成形体であり、成形体31の表面に第2蛍光体粒子102aに起因する凹凸が形成されている。第2蛍光体粒子102aは、アルカリ金属ケイ酸塩水溶液に由来するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素で基体101に固定されるため、第2蛍光体粒子が直接基体に伝熱し、熱伝導率が高くなり、耐熱性に優れる。また、基体101の表面に第2蛍光体粒子102aに起因する凹凸が形成されるように第2蛍光体粒子102aが固定されていると、凹凸によって出射される光が乱反射し、成形体31から出射する光の色むらを低減することができる。また、成形体31は、第2蛍光体粒子102aに起因する凹凸が表面に形成されるように第2蛍光体粒子102aに基体101に固定され、薄い二酸化ケイ素の被膜103及び保護膜104が形成されているため、無機バインダーに分散させた第2蛍光体粒子を塗布して形成する蛍光体層と比較して、成形体の厚みを薄くすることができ、薄型化の要求に応えることができる。 3 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to the first embodiment. The molded body 31 is a molded body including a light-transmitting base 101 made of an inorganic material 101b containing first phosphor particles 101a, second phosphor particles 102a arranged on the base 101, a coating 103 of silicon dioxide containing an alkali metal with the second phosphor particles 102a fixed to the base 101, and a light-transmitting protective film 104 of oxide or nitride having a thickness within a range of 10 nm to 1 μm formed on the coating 103, and the surface of the molded body 31 has unevenness caused by the second phosphor particles 102a. The second phosphor particles 102a are fixed to the base 101 by silicon dioxide containing an alkali metal derived from an alkali metal silicate solution, so that the second phosphor particles are directly transferred to the base, the thermal conductivity is increased, and the heat resistance is excellent. In addition, if the second phosphor particles 102a are fixed to the surface of the base 101 so that unevenness due to the second phosphor particles 102a is formed, the light emitted by the unevenness is diffused, and the color unevenness of the light emitted from the molded body 31 can be reduced. In addition, the molded body 31 is fixed to the base 101 by the second phosphor particles 102a so that unevenness due to the second phosphor particles 102a is formed on the surface, and a thin silicon dioxide coating 103 and a protective film 104 are formed. Therefore, the thickness of the molded body can be made thinner than a phosphor layer formed by applying second phosphor particles dispersed in an inorganic binder, and the demand for a thinner body can be met.

FSSS法により測定した第2蛍光体粒子の平均粒径は、1μm以上50μm以下の範囲内であることが好ましい。第2蛍光体粒子は、成形体の製造方法において説明した第2蛍光体粒子と同様の第2蛍光体粒子を用いることができる。第2蛍光体粒子の平均粒径が5μm以上50μm以下の範囲内であれば、基体の表面に第2蛍光体粒子に起因する凹凸を形成することができる。第2蛍光体粒子の平均粒径が、1μm以上50μm以下の範囲内であれば、アルカリ金属ケイ酸塩に由来するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素よって、基体の表面に密着するように第2蛍光体粒子が固定され、基体に固定された第2蛍光体粒子と、基体中の第1蛍光体粒子と、光源から照射された光によって、演色性を向上させた混色光が得られる。 The average particle size of the second phosphor particles measured by the FSSS method is preferably in the range of 1 μm to 50 μm. The second phosphor particles can be the same as the second phosphor particles described in the manufacturing method of the molded body. If the average particle size of the second phosphor particles is in the range of 5 μm to 50 μm, unevenness due to the second phosphor particles can be formed on the surface of the base. If the average particle size of the second phosphor particles is in the range of 1 μm to 50 μm, the second phosphor particles are fixed to the surface of the base by silicon dioxide containing an alkali metal derived from an alkali metal silicate, and mixed color light with improved color rendering can be obtained by the second phosphor particles fixed to the base, the first phosphor particles in the base, and the light irradiated from the light source.

第2蛍光体粒子を固定するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の厚みは1μm以下であることが好ましい。第2蛍光体粒子は、前述の成形体の製造方法における第1混合液に含まれるアルカリ金属ケイ酸塩水溶液に由来するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素で基体に固定され、アルカリ金属を含む二酸化ケイ素の厚みが1μm以下であれば、薄型化の要求に応えることができる。 The thickness of the alkali metal-containing silicon dioxide that fixes the second phosphor particles is preferably 1 μm or less. The second phosphor particles are fixed to the substrate by the alkali metal-containing silicon dioxide derived from the alkali metal silicate aqueous solution contained in the first mixed liquid in the above-mentioned method for producing a molded body, and if the thickness of the alkali metal-containing silicon dioxide is 1 μm or less, the demand for a thinner substrate can be met.

成形体31は、基体101の表面に沿った水平方向において、第2蛍光体粒子102aが断続的に存在する部分と、第2蛍光体粒子102aが存在しない部分と、を有していてもよい。基体101の表面において、第2蛍光体粒子102aが存在しない部分は、アルカリ金属を含む二酸化ケイ素のみが存在してもよい。 The molded body 31 may have, in the horizontal direction along the surface of the base 101, portions where the second phosphor particles 102a are intermittently present and portions where the second phosphor particles 102a are not present. In the portions of the surface of the base 101 where the second phosphor particles 102a are not present, only silicon dioxide containing an alkali metal may be present.

成形体31からは、基体101の表面に凹凸が存在するように固定された第2蛍光体粒子102aで波長変換された光と、透光性の基体101を透過した光源からの光と、基体101に含まれる第1蛍光体粒子101aで波長変換された光と、の混色光が出射され、光源からの光と、第1蛍光体粒子101aで波長変換された光と、第2蛍光体粒子102aで波長変換された光と、によって、演色性に優れた混色光を出射することができる。 The molded body 31 emits a mixed color light consisting of light whose wavelength has been converted by the second phosphor particles 102a fixed to the surface of the base 101 so that it has unevenness, light from the light source that has passed through the translucent base 101, and light whose wavelength has been converted by the first phosphor particles 101a contained in the base 101, and the light from the light source, the light whose wavelength has been converted by the first phosphor particles 101a, and the light whose wavelength has been converted by the second phosphor particles 102a can emit a mixed color light with excellent color rendering properties.

図4は、第2実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。第2実施形態に係る成形体32は第1実施形態に係る成形体31に比べて、基体101が第1蛍光体粒子101aのみからなる点で異なる。所定の大きさの第1蛍光体粒子101aを所定の温度で焼結し固めたものである。第1蛍光体粒子101aのみで基体101を形成できるため、耐熱性に優れる。第1蛍光体粒子101aは全数のうちの少なくとも一部の粒子の表面の一部又は全部が溶け、第1蛍光体粒子101a同士を固定していることもある。 Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to the second embodiment. The molded body 32 according to the second embodiment differs from the molded body 31 according to the first embodiment in that the base 101 is made of only the first phosphor particles 101a. The first phosphor particles 101a of a predetermined size are sintered and solidified at a predetermined temperature. Since the base 101 can be formed only from the first phosphor particles 101a, it has excellent heat resistance. The surfaces of at least some of the first phosphor particles 101a may be partially or entirely melted, thereby fixing the first phosphor particles 101a together.

図5は、第3実施形態に係る成形体を示す模式的断面図である。第3実施形態に係る成形体33は第1実施形態に係る成形体31に比べて、基体101の表面に配置される蛍光体が、第2蛍光体粒子102aに加え、第3蛍光体粒子102bが配置されている点で異なる。これにより成形体から所望の色度を有する混色光を得ることができる。成形体33は、基体101の表面に沿った水平方向において、アルカリ金属を含む二酸化ケイ素で固定された、第2蛍光体粒子102aとは異なる波長範囲の光を出射する第3蛍光体粒子102bが固定されている。第3蛍光体粒子102bは、基体101の表面に沿った水平方向において、第2蛍光体粒子102aと隣接するように配置されていてもよく、第2蛍光体粒子102aとは離れて配置されていてもよい。第3蛍光体粒子102bは、基体101の表面に第2蛍光体粒子102aが配置されていない部位に配置されていてもよい。また第3蛍光体粒子102bは第2蛍光体粒子102aの凹凸における凹の部分に配置されていてもよい。これにより、第2蛍光体粒子102aと、第3蛍光体粒子102bとで色度を補正しつつ、厚みも薄くすることができる。 Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing a molded body according to the third embodiment. The molded body 33 according to the third embodiment is different from the molded body 31 according to the first embodiment in that the phosphor arranged on the surface of the base 101 is arranged with third phosphor particles 102b in addition to the second phosphor particles 102a. This makes it possible to obtain mixed-color light having a desired chromaticity from the molded body. In the molded body 33, third phosphor particles 102b that emit light in a wavelength range different from that of the second phosphor particles 102a and are fixed with silicon dioxide containing an alkali metal are fixed in the horizontal direction along the surface of the base 101. The third phosphor particles 102b may be arranged adjacent to the second phosphor particles 102a in the horizontal direction along the surface of the base 101, or may be arranged away from the second phosphor particles 102a. The third phosphor particles 102b may be arranged in a portion of the surface of the base 101 where the second phosphor particles 102a are not arranged. The third phosphor particles 102b may also be arranged in the concave portions of the concaves and convexes of the second phosphor particles 102a. This allows the second phosphor particles 102a and the third phosphor particles 102b to correct the chromaticity while also reducing the thickness.

FSSS法により測定した第3蛍光体粒子の平均粒径は、1μm以上50μm以下の範囲内であることが好ましい。第3蛍光体粒子は、成形体の製造方法において説明した第3蛍光体粒子と同様の第3蛍光体粒子を用いることができる。第3蛍光体粒子の平均粒径が5μm以上50μm以下の範囲内であれば、基体の表面に第3蛍光体粒子に起因する凹凸を形成することができる。第3蛍光体粒子の平均粒径が、1μm以上50μm以下の範囲内であれば、アルカリ金属ケイ酸塩に由来するアルカリ金属を含む二酸化ケイ素よって、基体の表面に密着するように第3蛍光体粒子が固定され、基体に固定された第3蛍光体粒子と、基体中の第1蛍光体粒子と、光源から照射された光によって、演色性を向上させた混色光が得られる。 The average particle size of the third phosphor particles measured by the FSSS method is preferably in the range of 1 μm to 50 μm. The third phosphor particles can be the same as the third phosphor particles described in the manufacturing method of the molded body. If the average particle size of the third phosphor particles is in the range of 5 μm to 50 μm, unevenness due to the third phosphor particles can be formed on the surface of the base. If the average particle size of the third phosphor particles is in the range of 1 μm to 50 μm, the third phosphor particles are fixed to the surface of the base by silicon dioxide containing an alkali metal derived from an alkali metal silicate, and mixed color light with improved color rendering is obtained by the third phosphor particles fixed to the base, the first phosphor particles in the base, and the light irradiated from the light source.

発光装置
発光装置は、前記成形体と、成形体を照射する光源とを備える。発光装置は、プロジェクター用光源や照明装置、標示装置などとして用いることができる。
Light-emitting device The light-emitting device includes the molded article and a light source for irradiating the molded article. The light-emitting device can be used as a light source for a projector, a lighting device, a display device, etc.

光源は、発光ダイオード(LED)や半導体レーザー(LD)チップからなる発光素子であることが好ましく、窒化物系半導体(InAlGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いた半導体発光素子を用いることができる。光源として半導体発光素子を用いることによって、高効率で入力に対する出力のリニアリティが高く、機械的衝撃にも強い安定した発光装置を得ることができる。 The light source is preferably a light emitting element made of a light emitting diode (LED) or a semiconductor laser (LD) chip, and a semiconductor light emitting element using a nitride semiconductor ( InXAlYGa1 -X- YN, 0≦X, 0≦Y, X+Y≦1) can be used. By using a semiconductor light emitting element as the light source, it is possible to obtain a stable light emitting device that is highly efficient, has high linearity of output relative to input, and is resistant to mechanical shock.

光源は、半導体レーザーであることがより好ましい。光源である半導体レーザーから出射された光を、成形体に入射させ、成形体によって波長が変換された光を集光させて、レンズアレイ、偏光変換素子、色分離光学系などの複数の光学系によって赤色光、緑色光、及び青色光に分離して、画像情報に応じて変調し、カラーの画像光を形成してもよい。光源として半導体レーザーから出射された光は、ダイクロイックミラー又はコリメート光学系などの光学系を通じて成形体に入射させてもよい。 The light source is preferably a semiconductor laser. Light emitted from the semiconductor laser as the light source may be incident on the molded body, and the light whose wavelength has been converted by the molded body may be condensed and separated into red light, green light, and blue light by a plurality of optical systems such as a lens array, a polarization conversion element, and a color separation optical system, and modulated according to image information to form color image light. The light emitted from the semiconductor laser as the light source may be incident on the molded body through an optical system such as a dichroic mirror or a collimating optical system.

発光装置は、その平均演色評価数Raが70以上であることが好ましい。発光装置の平均演色評価数Raは、より好ましくは71以上、さらに好ましくは72以上である。発光装置の平均演色評価数Raは、JIS Z8726に準拠して測定することができる。発光装置の平均演色評価数Raの値が100に近づくほど、基準光源に近似した演色性となる。平均演色評価数Raが70以上であれば、オフィスや学校等の一般的な作業を行う照明用途に適する光を発する発光装置を提供することができる。 The light emitting device preferably has an average color rendering index Ra of 70 or more. The average color rendering index Ra of the light emitting device is more preferably 71 or more, and even more preferably 72 or more. The average color rendering index Ra of the light emitting device can be measured in accordance with JIS Z8726. The closer the average color rendering index Ra of the light emitting device is to 100, the closer the color rendering is to that of the reference light source. If the average color rendering index Ra is 70 or more, it is possible to provide a light emitting device that emits light suitable for lighting applications for general tasks in offices, schools, etc.

発光装置(発光モジュール)
成形体と光源を備えた発光装置、発光装置を備えた発光モジュール、及び照明装置について説明する。発光装置は、以下の発光モジュールに限定するものではない。以下に説明する発光装置、発光モジュール、及び照明装置の構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、以下の記載のみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。また、各図で示す発光素子は、構成を理解し易いように一例として設定した数で図示している。
Light emitting device (light emitting module)
A light-emitting device having a molded body and a light source, a light-emitting module having a light-emitting device, and a lighting device will be described. The light-emitting device is not limited to the light-emitting module described below. The dimensions, materials, shapes, and relative arrangements of the components of the light-emitting device, light-emitting module, and lighting device described below are merely examples, and are not intended to be limited to the following descriptions unless otherwise specified. Note that the sizes and positional relationships of the components shown in each drawing may be exaggerated to clarify the explanation. In addition, the light-emitting elements shown in each drawing are illustrated with a number set as an example to make the configuration easy to understand.

図6Aは、成形体と、光源と、を備えた発光装置を含む、発光装置の一例である発光モジュールの構成を示す模式的斜視図である。図6Bは、成形体と、光源と、を備えた発光装置を含む、発光装置の一例である発光モジュールの構成を示す模式的平面図である。図6Cは、図6BのVIC-VIC線における断面図である。図6Dは、図6BのVID-VID線における断面図である。図6Eは、一例の発光装置の構成を示す模式的断面図である。図6Fは、一例の発光装置の構成を示す模式的底面図である。 Figure 6A is a schematic perspective view showing the configuration of a light emitting module, which is an example of a light emitting device, including a light emitting device with a molded body and a light source. Figure 6B is a schematic plan view showing the configuration of a light emitting module, which is an example of a light emitting device, including a light emitting device with a molded body and a light source. Figure 6C is a cross-sectional view taken along line VIC-VIC in Figure 6B. Figure 6D is a cross-sectional view taken along line VID-VID in Figure 6B. Figure 6E is a schematic cross-sectional view showing the configuration of an example of a light emitting device. Figure 6F is a schematic bottom view showing the configuration of an example of a light emitting device.

発光装置の一例である発光モジュール200は、発光装置100と、発光装置100が載置されたモジュール基板80と、を備えている。 The light-emitting module 200, which is an example of a light-emitting device, includes a light-emitting device 100 and a module substrate 80 on which the light-emitting device 100 is mounted.

発光装置
発光装置100について説明する。
発光装置100は、発光装置100の光取り出し領域として、上面に複数の発光面を備える。
発光装置100は、サブマウント基板10と、サブマウント基板10上に設けられた発光素子20と、発光素子20上に設けられた前述の成形体からなる光透過性部材30と、光透過性部材30と発光素子20の間に配置される導光部材40と、サブマウント基板10上で発光素子20の側面を被覆する第1被覆部材50と、を備える素子構造体15と、素子構造体15の側面を被覆して複数の素子構造体15を保持する第2被覆部材60と、を備えている。光透過性部材30の上面は、第2被覆部材60から露出しており、発光装置100が備える複数の発光面を構成している。
発光装置100は、それぞれが発光面を有する複数の素子構造体15が第2被覆部材60で保持されている。第2被覆部材60により、それぞれの素子構造体15を所望の配置で保持することができるため、複数の発光面をより狭い距離で高密度に配置することができる。
発光装置100は、導光部材40を用いず、光透過性部材30と発光素子20とを直接接合してもよい。
Light Emitting Device The light emitting device 100 will now be described.
The light emitting device 100 has a plurality of light emitting surfaces on the upper surface thereof as light extraction regions of the light emitting device 100 .
The light emitting device 100 includes a submount substrate 10, a light emitting element 20 provided on the submount substrate 10, a light transmitting member 30 made of the above-mentioned molded body provided on the light emitting element 20, a light guiding member 40 disposed between the light transmitting member 30 and the light emitting element 20, an element structure 15 including a first covering member 50 covering a side surface of the light emitting element 20 on the submount substrate 10, and a second covering member 60 covering a side surface of the element structure 15 and holding a plurality of element structures 15. The upper surface of the light transmitting member 30 is exposed from the second covering member 60 and constitutes a plurality of light emitting surfaces provided in the light emitting device 100.
In the light emitting device 100, a plurality of element structures 15, each having a light emitting surface, are held by a second covering member 60. The second covering member 60 makes it possible to hold each of the element structures 15 in a desired arrangement, so that the plurality of light emitting surfaces can be arranged at a narrower distance and with a higher density.
The light emitting device 100 may not use the light guiding member 40 and may directly bond the light transmitting member 30 and the light emitting element 20 to each other.

以下、発光装置100の各構成について説明する。
サブマウント基板10は、発光素子20及び保護素子25を載置する部材である。サブマウント基板10は、例えば平面視で略長方形に形成されている。
サブマウント基板10としては、絶縁性材料を用いることが好ましく、かつ、発光素子20から出射される光や外光等を透過しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、又は、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又は、フェノール樹脂等の樹脂を用いることができる。なかでも放熱性に優れるセラミックスを用いることが好ましい。
Each component of the light emitting device 100 will now be described.
The submount substrate 10 is a member on which the light emitting element 20 and the protective element 25 are mounted. The submount substrate 10 is formed, for example, in a substantially rectangular shape in a plan view.
For the submount substrate 10, it is preferable to use an insulating material and a material that is difficult to transmit light emitted from the light emitting element 20 and external light. For example, ceramics such as alumina, aluminum nitride, mullite, etc., thermoplastic resins such as polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, etc., and resins such as epoxy resin, silicone resin, modified epoxy resin, urethane resin, phenol resin, etc. Among them, it is preferable to use ceramics that have excellent heat dissipation properties.

サブマウント基板10は、上面、下面、及び内部に、発光素子20や外部電源と電気的に接続するための配線を備えている。配線としては、例えば、Fe、Cu、Ni、Al、Ag、Au、Al、Pt、Ti、W、Pd等の金属又は、これらの少なくとも一種を含む合金を用いて形成することができる。
例えばサブマウント基板10としては、発光素子20が載置される上面に発光素子20と接続される上面配線2を備え、発光素子20が載置される上面と反対側の下面に外部電源と電気的に接続される外部接続電極3(例えば、アノード電極3a及びカソード電極3b)を備えるものが挙げられる。この場合、上面配線2と外部接続電極3とは、上面及び下面の双方におよぶ、つまりサブマウント基板10を貫通するビア4が形成されていてもよい。これによって、上面配線2と外部接続電極3とが電気的に接続される。
The submount substrate 10 has wiring on the upper surface, the lower surface, and inside thereof for electrically connecting to the light emitting element 20 and an external power supply. The wiring can be formed using, for example, a metal such as Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, Al, Pt, Ti, W, or Pd, or an alloy containing at least one of these metals.
For example, the submount substrate 10 may include a substrate having upper surface wiring 2 connected to the light emitting element 20 on the upper surface on which the light emitting element 20 is mounted, and external connection electrodes 3 (e.g., an anode electrode 3a and a cathode electrode 3b) electrically connected to an external power source on the lower surface opposite to the upper surface on which the light emitting element 20 is mounted. In this case, the upper surface wiring 2 and the external connection electrodes 3 may be formed with vias 4 that extend to both the upper and lower surfaces, that is, that penetrate the submount substrate 10. This electrically connects the upper surface wiring 2 and the external connection electrodes 3.

発光装置100において、隣接するサブマウント基板10間の距離L1は、例えば0.05mm以上0.2mm以下であってもよい。これにより、サブマウント基板10間に配置される第2被覆部材60の厚みが0.05mm以上0.2mm以下となるため、隣接するサブマウント基板10同士を密集して接合させることができる。また、複数の素子構造体15を備える発光装置100において、複数の素子構造体15それぞれがサブマウント基板10を備え、かつ、サブマウント基板10間に第2被覆部材60を配置することができる。これにより、個々の素子構造体15で発生した熱及び発光装置実装時の熱履歴等に起因するサブマウント基板10の膨張又は縮小による熱応力の影響を抑制することができる。 In the light emitting device 100, the distance L1 between adjacent submount substrates 10 may be, for example, 0.05 mm or more and 0.2 mm or less. As a result, the thickness of the second covering member 60 arranged between the submount substrates 10 is 0.05 mm or more and 0.2 mm or less, so that adjacent submount substrates 10 can be densely joined to each other. Also, in a light emitting device 100 having a plurality of element structures 15, each of the plurality of element structures 15 has a submount substrate 10, and the second covering member 60 can be arranged between the submount substrates 10. As a result, the influence of thermal stress due to expansion or contraction of the submount substrate 10 caused by heat generated in each element structure 15 and thermal history during mounting of the light emitting device can be suppressed.

発光素子20は、電圧を印加すると自ら発光する半導体素子である。発光素子20の形状や大きさ等は任意のものを選択できる。発光素子20の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色系(波長430nmから500nmの光)、緑色系(波長500nmから570nmの光)の発光素子20としては、前述の窒化物系半導体(InAlGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaP等を用いたものを使用することができる。赤色系(波長610nmから700nmの光)の発光素子20としては、窒化物系半導体素子の他にもGaAlAs、AlInGaP等を用いることができる。発光装置の光源は、半導体発光素子のうち半導体レーザーであることが好ましいが発光ダイオードを用いることもできる。 The light emitting element 20 is a semiconductor element that emits light by itself when a voltage is applied. The shape and size of the light emitting element 20 can be selected arbitrarily. The light emitting element 20 can be selected to emit light of any wavelength depending on the application. For example, the light emitting element 20 of blue (light with a wavelength of 430 nm to 500 nm) or green (light with a wavelength of 500 nm to 570 nm) can be made of the above-mentioned nitride-based semiconductor (In x Al y Ga 1-X-Y N, 0≦X, 0≦Y, X+Y≦1), GaP, or the like. The light emitting element 20 of red (light with a wavelength of 610 nm to 700 nm) can be made of GaAlAs, AlInGaP, or the like in addition to the nitride-based semiconductor element. The light source of the light emitting device is preferably a semiconductor laser among semiconductor light emitting elements, but a light emitting diode can also be used.

発光素子20は、一つの面に正負の素子電極を備えるものを用いることが好ましく、これにより、導電性接着材8によりサブマウント基板10上で配線にフリップチップ実装することができる。導電性接着材8としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ等を用いればよい。 It is preferable to use a light-emitting element 20 that has positive and negative element electrodes on one surface, so that the light-emitting element 20 can be flip-chip mounted to the wiring on the submount substrate 10 using a conductive adhesive 8. As the conductive adhesive 8, for example, eutectic solder, conductive paste, bumps, etc. can be used.

保護素子25は、例えば、ツェナーダイオードである。保護素子25は、一つの面に正負の素子電極を備え、導電性接着材8によりサブマウント基板10上で配線にフリップチップ実装されている。なお、発光装置は、保護素子25を備えないものであってもよい。 The protective element 25 is, for example, a Zener diode. The protective element 25 has positive and negative element electrodes on one surface, and is flip-chip mounted to the wiring on the submount substrate 10 with a conductive adhesive 8. Note that the light emitting device may not include the protective element 25.

光透過性部材30は、前述の成形体を用いることができる。光透過性部材30は、個々の素子構造体15及び発光装置100の主たる発光面となる上面と、上面と対向する下面と、を有する平板状の部材である。光透過性部材30は、発光素子20上に配置されている。光透過性部材30は、発光素子20の上面よりも広い上面を有していることが好ましく、平面視で発光素子20を内包するように配置されていることが好ましい。
発光装置100において、発光装置100の上面で露出する光透過性部材30間の距離L2は例えば0.2mm以下であってもよい。隣接する光透過性部材30間の距離L2が0.2mm以下であれば、光源を小さくすることができる。隣接する光透過性部材30間の距離L2は、0.1mm以下でもよく、0.05mm以下でもよい。光透過性部材30間の距離L2は、発光装置100の製造のし易さの観点から、0.03mm以上でもよい。
The above-mentioned molded body can be used for the light-transmitting member 30. The light-transmitting member 30 is a flat plate-like member having an upper surface that is the main light-emitting surface of each element structure 15 and the light-emitting device 100, and a lower surface opposite to the upper surface. The light-transmitting member 30 is disposed on the light-emitting element 20. The light-transmitting member 30 preferably has an upper surface that is wider than the upper surface of the light-emitting element 20, and is preferably disposed so as to enclose the light-emitting element 20 in a planar view.
In the light emitting device 100, the distance L2 between the light transparent members 30 exposed on the upper surface of the light emitting device 100 may be, for example, 0.2 mm or less. If the distance L2 between adjacent light transparent members 30 is 0.2 mm or less, the light source can be made smaller. The distance L2 between adjacent light transparent members 30 may be 0.1 mm or less, or 0.05 mm or less. From the viewpoint of ease of manufacturing the light emitting device 100, the distance L2 between the light transparent members 30 may be 0.03 mm or more.

光透過性部材30の平面形状は、円形、楕円形、正方形又は六角形等の多角形等種々とすることができる。なかでも、複数の発光面を近接させて配置するという観点から、正方形、長方形等の矩形であることが好ましく、発光素子20の平面形状と類似する形状であることがより好ましい。 The planar shape of the light-transmitting member 30 can be various, such as a circle, an ellipse, a square, or a polygon such as a hexagon. Among them, from the viewpoint of arranging multiple light-emitting surfaces in close proximity, a rectangular shape such as a square or a rectangle is preferable, and a shape similar to the planar shape of the light-emitting element 20 is even more preferable.

導光部材40は、光透過性部材30と発光素子20の間に配置され、発光素子20と光透過性部材30とを接合する部材である。また、導光部材40は、発光素子20から光を取り出し易くし、発光素子20からの光を光透過性部材30に導光する部材である。導光部材40は、光束及び光の取り出し効率を向上させることができる。導光部材40は、発光素子20の側面にも設けられていることが好ましい。
発光素子20の側面を被覆する導光部材40は、光透過性部材30と発光素子20とを接合する接着部材が、発光素子20の側面に濡れ広がることで形成することができる。
The light-guiding member 40 is disposed between the light-transmitting member 30 and the light-emitting element 20, and is a member that joins the light-emitting element 20 and the light-transmitting member 30. The light-guiding member 40 is a member that makes it easier to extract light from the light-emitting element 20, and guides the light from the light-emitting element 20 to the light-transmitting member 30. The light-guiding member 40 can improve the luminous flux and the light extraction efficiency. The light-guiding member 40 is preferably provided also on the side surface of the light-emitting element 20.
The light guide member 40 covering the side surface of the light emitting element 20 can be formed by spreading the adhesive member that bonds the light transmitting member 30 and the light emitting element 20 onto the side surface of the light emitting element 20 .

導光部材40は、断面視で、発光素子20の下面(サブマウント基板10側)から光透過性部材30に向かって、部材幅が広がるように三角形状に形成されている。このような形態とすることで、発光素子20から横方向に進む光が上方に反射され易くなるため、光束及び光の取り出し効率がより向上する。ただし、導光部材40の外側面の断面形状は、直線形状に限らず、湾曲形状であってもよい。例えば、導光部材40の湾曲形状は、第1被覆部材50側に膨らむ湾曲形状でもよいし、発光素子20側に凹む湾曲形状でもよい。 The light guide member 40 is formed in a triangular shape in a cross-sectional view such that the width of the member increases from the underside (submount substrate 10 side) of the light emitting element 20 toward the light-transmitting member 30. This configuration makes it easier for light traveling laterally from the light emitting element 20 to be reflected upward, thereby improving the luminous flux and light extraction efficiency. However, the cross-sectional shape of the outer surface of the light guide member 40 is not limited to a linear shape, and may be a curved shape. For example, the curved shape of the light guide member 40 may be a curved shape that bulges toward the first covering member 50 side, or a curved shape that is recessed toward the light emitting element 20 side.

導光部材40は、発光素子20の側面のうち発光部を含む領域を被覆すればよいが、光束及び光の取り出し効率を向上させる観点から、発光素子20の側面の略全部を被覆していることがより好ましい。
導光部材40としては、例えば、透光性の樹脂材料やガラスやセラミックスを用いることができる。また、導光部材40には拡散材が含有されていてもよい。これにより、光透過性部材30に、より均等に光を入射することができ、発光装置100の色ムラを抑制することができる。
The light-guiding member 40 may cover only the area of the side surface of the light-emitting element 20 that includes the light-emitting portion, but from the viewpoint of improving the luminous flux and light extraction efficiency, it is more preferable that the light-guiding member 40 cover substantially the entire side surface of the light-emitting element 20.
For example, a light-transmitting resin material, glass, or ceramics can be used as the light-guiding member 40. The light-guiding member 40 may contain a diffusing material. This allows light to be more evenly incident on the light-transmitting member 30, and prevents color unevenness in the light-emitting device 100.

第1被覆部材50は、サブマウント基板10上に設けられ、発光素子20の側面を被覆する。第1被覆部材50は、サブマウント基板10と発光素子20との接着力を高めることができる。第1被覆部材50は、導光部材40を介して発光素子20の側面を被覆している。
第1被覆部材50は、断面視で、光透過性部材30側からサブマウント基板10に向かって、部材幅が広がるように、例えば断面視形状が三角形状に形成されている。第1被覆部材50の外側面の断面形状は、直線形状に限らず、湾曲形状であってもよい。例えば、第1被覆部材50の湾曲形状は、第2被覆部材60側に膨らむ湾曲形状でもよいし、発光素子20側に凹む湾曲形状でもよい。
The first covering member 50 is provided on the submount substrate 10 and covers the side surface of the light emitting element 20. The first covering member 50 can increase the adhesive strength between the submount substrate 10 and the light emitting element 20. The first covering member 50 covers the side surface of the light emitting element 20 via the light guiding member 40.
The first covering member 50 is formed, for example, in a triangular cross-sectional shape so that the member width increases from the light-transmitting member 30 side toward the submount substrate 10 in a cross-sectional view. The cross-sectional shape of the outer surface of the first covering member 50 is not limited to a linear shape, and may be a curved shape. For example, the curved shape of the first covering member 50 may be a curved shape that bulges toward the second covering member 60 side, or a curved shape that is recessed toward the light-emitting element 20 side.

第1被覆部材50としては、例えば、透光性の樹脂材料に反射材を含有させたものを用いることができる。第1被覆部材50に用いる樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂を用いることが好ましい。反射材としては、例えば、酸化チタン、シリカ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化硼素等が挙げられる。なかでも、光反射の観点から、屈折率が比較的高い酸化チタンを用いることが好ましい。 The first covering member 50 may be, for example, a translucent resin material containing a reflective material. Examples of the resin material used for the first covering member 50 include silicone resin, epoxy resin, and urea resin. In particular, it is preferable to use silicone resin, which has excellent light resistance and heat resistance. Examples of the reflective material include titanium oxide, silica, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, potassium titanate, zinc oxide, silicon nitride, and boron nitride. Among these, it is preferable to use titanium oxide, which has a relatively high refractive index, from the viewpoint of light reflection.

第1被覆部材50は、発光素子20の側面の少なくとも一部を被覆すればよい。好ましくは、第1被覆部材50が発光素子20の側面全体を被覆するのがよい。さらに好ましくは、発光素子20の側面から延在して光透過性部材30の側面の少なくとも一部を被覆することがよい。これにより、個々の素子構造体15において、発光素子20の側面からの光が直接外部に出射されるのを抑制することができる。これにより、複数の素子構造体15を備える発光装置100において、隣接する素子構造体15への光漏れが抑制され、発光むらの少ない発光装置100とすることができる。また、後述するように、素子構造体15毎に個片化された後に選別工程を行う際に、素子構造体15の色度座標をより把握し易くなる。
また第1被覆部材50は、発光素子20の下面を被覆することが好ましい。これにより、発光素子20の下方に進む光が第1被覆部材50に含有される反射材に照射され反射するため、発光装置100の光束をより高めることができる。また、サブマウント基板10と発光素子20との接着力をより高めることができる。
The first covering member 50 may cover at least a part of the side surface of the light emitting element 20. Preferably, the first covering member 50 covers the entire side surface of the light emitting element 20. More preferably, the first covering member 50 extends from the side surface of the light emitting element 20 to cover at least a part of the side surface of the light transparent member 30. This makes it possible to suppress the light from the side surface of the light emitting element 20 from being directly emitted to the outside in each element structure 15. This makes it possible to suppress light leakage to adjacent element structures 15 in a light emitting device 100 including a plurality of element structures 15, thereby making it possible to provide a light emitting device 100 with less uneven light emission. In addition, as described below, when a sorting process is performed after the element structures 15 are singulated, the chromaticity coordinates of the element structures 15 can be more easily grasped.
Moreover, the first covering member 50 preferably covers the lower surface of the light emitting element 20. This allows light traveling downward from the light emitting element 20 to be irradiated to and reflected by the reflecting material contained in the first covering member 50, thereby further increasing the luminous flux of the light emitting device 100. In addition, the adhesive strength between the submount substrate 10 and the light emitting element 20 can be further increased.

第2被覆部材60は、複数の素子構造体15の周囲に設けられた部材である。第2被覆部材60は樹脂材料を用いることが好ましいがガラスやセラミックスも用いることができる。第2被覆部材60は、例えば、透光性の樹脂材料に反射材を含有させた白色樹脂により、素子構造体15の側面を被覆して形成される。すなわち、第2被覆部材60は、サブマウント基板10の側面、第1被覆部材50の側面及び光透過性部材30の側面を被覆している。第2被覆部材60は、隣接する素子構造体15の間にも設けられており、光透過性部材30の上面を露出させて、複数の素子構造体15それぞれの外周側面を被覆している。 The second covering member 60 is a member provided around the multiple element structures 15. The second covering member 60 is preferably made of a resin material, but glass or ceramics can also be used. The second covering member 60 is formed by covering the side of the element structure 15 with, for example, a white resin made of a translucent resin material containing a reflective material. That is, the second covering member 60 covers the side of the submount substrate 10, the side of the first covering member 50, and the side of the light-transmitting member 30. The second covering member 60 is also provided between adjacent element structures 15, and covers the outer peripheral side of each of the multiple element structures 15 while exposing the upper surface of the light-transmitting member 30.

第2被覆部材60に用いる樹脂材料としては、例えば、第1被覆部材50に用いる樹脂材料として例示したものが挙げられる。第2被覆部材60に用いる樹脂に含有する反射材としては、例えば、第1被覆部材50に用いる反射材として例示したものが挙げられる。 The resin material used for the second covering member 60 may be, for example, one of the resin materials exemplified for the first covering member 50. The reflective material contained in the resin used for the second covering member 60 may be, for example, one of the reflective materials exemplified for the first covering member 50.

発光装置100は、複数の素子構造体15を備え、複数の素子構造体15それぞれが発光素子20の側面を被覆する第1被覆部材50を備えるため、発光素子20から出射された光の横方向への光漏れを抑制することができる。これにより、個々の素子構造体15の光取り出し効率を低下させることなく、複数の素子構造体15をより近接して配置させることが可能となる。
発光装置100は、ここでは一例として、2行2列の行列状に配置された4個の素子構造体15が第2被覆部材60により保持されている。素子構造体15は、それぞれ保護素子25が外側に位置するように配置されている。これにより、4つの光透過性部材30をより狭い間隔で行列状に配置することができる。発光装置は、素子構造体15を3個以下備えるものであってもよく、5個以上備えるものであってもよい。
The light emitting device 100 includes a plurality of element structures 15, each of which includes a first covering member 50 covering a side surface of the light emitting element 20, and therefore can suppress lateral leakage of light emitted from the light emitting element 20. This makes it possible to arrange the plurality of element structures 15 closer to each other without reducing the light extraction efficiency of each element structure 15.
In the light emitting device 100, as an example here, four element structures 15 arranged in a matrix of two rows and two columns are held by the second covering member 60. The element structures 15 are arranged so that the protective elements 25 are located on the outside. This allows the four light transparent members 30 to be arranged in a matrix with narrower intervals. The light emitting device may include three or less element structures 15, or may include five or more element structures 15.

発光装置の製造方法
発光装置100の製造方法は、サブマウント基板10と、サブマウント基板10上に設けられた発光素子20と、発光素子20上に設けられた光透過性部材30と、発光素子20の側面に設けられた導光部材40と、サブマウント基板10上で発光素子20の側面を被覆する第1被覆部材50と、を備える素子構造体15を複数準備する工程である素子構造体準備工程と、素子構造体15のサブマウント基板10がシート部材に対面するように複数の素子構造体15をシート部材に載置する工程である素子構造体載置工程と、複数の素子構造体15の側面を被覆して複数の素子構造体15を保持する第2被覆部材60をシート部材上に形成する工程である第2被覆部材形成工程と、シート部材を除去する工程であるシート部材除去工程と、を含んでいてもよい。発光装置の製造方法は、光透過性部材30として前述の成形体を用いる他、特願2020-006262に記載の製造方法を参照することができる。
Manufacturing method of light-emitting device The manufacturing method of the light-emitting device 100 includes a submount substrate 10, a light-emitting element 20 provided on the submount substrate 10, a light-transmitting member 30 provided on the light-emitting element 20, a light-guiding member 40 provided on the side of the light-emitting element 20, and a first covering member 50 covering the side of the light-emitting element 20 on the submount substrate 10. An element structure preparation step is a step of preparing a plurality of element structures 15, an element structure mounting step is a step of mounting a plurality of element structures 15 on a sheet member so that the submount substrate 10 of the element structure 15 faces the sheet member, a second covering member formation step is a step of forming a second covering member 60 on the sheet member that covers the side of the plurality of element structures 15 and holds the plurality of element structures 15, and a sheet member removal step is a step of removing the sheet member. In addition to using the above-mentioned molded body as the light-transmitting member 30, the manufacturing method described in Japanese Patent Application No. 2020-006262 can be referenced for the manufacturing method of the light-emitting device.

発光モジュール
次に、発光装置である発光モジュール200について説明する。
発光モジュール200は、既に説明した構成の発光装置100と、発光装置100のサブマウント基板10が対面するように発光装置100が載置されたモジュール基板80と、を備えている。
なお、発光装置100に保護素子25を備えない場合、モジュール基板80側に保護素子25を備える構成としてもよい。また、モジュール基板80は、保護素子25以外の他の電子部品を備える構成としてもよい。
Light-Emitting Module Next, a light-emitting module 200, which is a light-emitting device, will be described.
The light emitting module 200 includes the light emitting device 100 having the configuration already described, and a module substrate 80 on which the light emitting device 100 is mounted so that the submount substrate 10 of the light emitting device 100 faces the module substrate 80 .
In addition, when the light emitting device 100 does not include the protective element 25, the protective element 25 may be provided on the module substrate 80. Furthermore, the module substrate 80 may be configured to include electronic components other than the protective element 25.

発光装置100は前記説明した通りの構成を備えている。
モジュール基板80は、発光装置100を載置する部材であり、発光装置100を電気的に外部と接続する。モジュール基板80は、例えば平面視で略長方形に形成されている。
モジュール基板80の材料としては、例えば、サブマウント基板10に用いる材料として例示したものが挙げられる。
モジュール基板80は、上面に、発光装置100と電気的に接続するための配線を備えている。モジュール基板80の配線の材料としては、例えば、サブマウント基板10の配線に用いる材料として例示したものが挙げられる。また、絶縁性材料と金属部材との複合材料を用いてもよい。
The light emitting device 100 has the configuration as described above.
The module substrate 80 is a member on which the light emitting device 100 is mounted, and electrically connects the light emitting device 100 to the outside. The module substrate 80 is formed, for example, in a substantially rectangular shape in a plan view.
Examples of materials for the module substrate 80 include the materials exemplified as those for use in the submount substrate 10 .
The module substrate 80 has wiring on its upper surface for electrically connecting to the light emitting device 100. Examples of materials for the wiring of the module substrate 80 include the materials exemplified as those used for the wiring of the submount substrate 10. A composite material of an insulating material and a metal member may also be used.

発光装置100は、導電性接着材を介してサブマウント基板10の配線とモジュール基板80の配線とが接合するようにモジュール基板80の上面に実装されている。導電性接着材としては、例えば共晶はんだ、導電ペースト、バンプ、金属焼結体等を用いればよい。金属焼結体、例えば銀粒子等の金属粉体を160℃以上、好ましくは180℃以上であり、400℃以下、好ましくは280℃以下で焼結したものを用いることで強固に固定することができる。 The light emitting device 100 is mounted on the upper surface of the module substrate 80 so that the wiring of the submount substrate 10 and the wiring of the module substrate 80 are joined via a conductive adhesive. Examples of the conductive adhesive that can be used include eutectic solder, conductive paste, bumps, and sintered metal bodies. A strong fixation can be achieved by using a sintered metal body, for example, a metal powder such as silver particles sintered at 160°C or higher, preferably 180°C or higher, and 400°C or lower, preferably 280°C or lower.

発光モジュール200を駆動すると、外部電源から発光素子20に電流が供給され、発光素子20が発光する。発光素子20が発光した光は、上方へ進む光が、光透過性部材30を介して発光装置100の上方の外部に取り出される。また、下方へ進む光は、サブマウント基板10で反射され、光透過性部材30を介して発光装置100の外部に取り出される。また、横方向へ進む光は、第1被覆部材50及び/又は第2被覆部材60で反射され、光透過性部材30を介して発光装置100の外部に取り出される。 When the light emitting module 200 is driven, a current is supplied from an external power source to the light emitting element 20, causing the light emitting element 20 to emit light. Of the light emitted by the light emitting element 20, the light traveling upward is extracted to the outside above the light emitting device 100 via the light transparent member 30. The light traveling downward is reflected by the submount substrate 10 and extracted to the outside of the light emitting device 100 via the light transparent member 30. The light traveling laterally is reflected by the first covering member 50 and/or the second covering member 60 and extracted to the outside of the light emitting device 100 via the light transparent member 30.

発光モジュールの製造方法
発光モジュール200の製造方法は、発光装置100の製造方法を用いて発光装置100を準備する工程である発光装置準備工程と、発光装置100をサブマウント基板10がモジュール基板80に対面するように載置する工程である発光装置載置工程と、を含んでいてもよい。発光装置としての発光モジュールの製造方法は、特願2020-006262に記載の製造方法を参照することができる。
A manufacturing method of the light emitting module 200 may include a light emitting device preparation step of preparing the light emitting device 100 using the manufacturing method of the light emitting device 100, and a light emitting device mounting step of mounting the light emitting device 100 so that the submount substrate 10 faces the module substrate 80. The manufacturing method of the light emitting module as the light emitting device can be referred to as described in Japanese Patent Application No. 2020-006262.

プロジェクター用の光源装置
前記成形体と、光源を備える発光装置は、プロジェクター用光源として用いることができる。プロジェクターの一例を図7及び図8A乃至図8Cを用いて説明する。図7は、プロジェクター用の光源装置300の概要を示す模式的な側面図である。
A light emitting device including the molded body and a light source can be used as a light source for a projector. An example of a projector will be described with reference to Fig. 7 and Figs. 8A to 8C. Fig. 7 is a schematic side view showing an overview of a light source device 300 for a projector.

図7に示すように、光源装置300は、光源310と、光源310からの出射光が入射する集光レンズ320と、集光レンズ320の出射光が入射する蛍光体ホイール330と、蛍光体ホイール330の出射光が入射する受光レンズ340とを備えている。蛍光体ホイール330は、光源からの光を透過させる円板状の蛍光体ホイールであって、駆動軸352を介して駆動モータ350によって回転するようになっている。なお、図7においては、光源310、集光レンズ320、蛍光体ホイール330及び受光レンズ340を含めて光源装置300として示してあるが、光源装置300に受光レンズ340を含めずに、光源310、集光レンズ320及び蛍光体ホイール330により光源装置300が構成される場合もあり得る。 As shown in FIG. 7, the light source device 300 includes a light source 310, a condenser lens 320 on which the light emitted from the light source 310 is incident, a phosphor wheel 330 on which the light emitted from the condenser lens 320 is incident, and a light receiving lens 340 on which the light emitted from the phosphor wheel 330 is incident. The phosphor wheel 330 is a disc-shaped phosphor wheel that transmits light from the light source, and is rotated by a drive motor 350 via a drive shaft 352. Note that in FIG. 7, the light source device 300 is shown including the light source 310, the condenser lens 320, the phosphor wheel 330, and the light receiving lens 340, but the light source device 300 may be composed of the light source 310, the condenser lens 320, and the phosphor wheel 330 without including the light receiving lens 340.

次に、光源310から出射した光の流れに沿って、光源装置300の概要を説明する。本実施形態では、光源310として青色光を出射する半導体レーザーを用いた場合を例にとって説明する。光源310から青色光が出射され、出射された青色光は集光レンズ320に入射し、集光レンズ320で集光されて、駆動モータ350によって回転する蛍光体ホイール330に入射する。蛍光体ホイール330は、光が透過する材料で構成され、少なくとも一部の領域に蛍光体を含む成形体33が設けられている。成形体33に限らず、成形体31、32、34、35のいずれも用いることができる。蛍光体ホイール330には、成形体33を設ける領域と、成形体33を設けていない領域に分けられていてもよい。成形体33を設けた領域と、成形体33を設けていない領域に分けられていれば、集光レンズ320から蛍光体ホイール330に青色光が入射すると、蛍光体ホイール330から第1蛍光体粒子の緑色光、第2蛍光体粒子の赤色光、第3蛍光体粒子の黄色光及び光源310の青色光が出射され、受光レンズ340に入射する。そして、受光レンズ340で平行光にされて、光源装置300から出射される。なお、受光レンズ340によって、平行光を出射する場合だけで無く、光が広がる方向に出射することもできるし、所定の位置に集光することもできる。 Next, an overview of the light source device 300 will be described along the flow of light emitted from the light source 310. In this embodiment, an example will be described in which a semiconductor laser that emits blue light is used as the light source 310. Blue light is emitted from the light source 310, and the emitted blue light enters the condenser lens 320, is condensed by the condenser lens 320, and enters the phosphor wheel 330 rotated by the drive motor 350. The phosphor wheel 330 is made of a material that transmits light, and is provided with a molded body 33 containing phosphor in at least a portion of the area. Not limited to the molded body 33, any of the molded bodies 31, 32, 34, and 35 can be used. The phosphor wheel 330 may be divided into an area where the molded body 33 is provided and an area where the molded body 33 is not provided. If the area is divided into an area where the molded body 33 is provided and an area where the molded body 33 is not provided, when blue light enters the phosphor wheel 330 from the condenser lens 320, the green light of the first phosphor particles, the red light of the second phosphor particles, the yellow light of the third phosphor particles, and the blue light of the light source 310 are emitted from the phosphor wheel 330 and enter the light receiving lens 340. The light is then collimated by the light receiving lens 340 and emitted from the light source device 300. Note that the light receiving lens 340 can not only emit parallel light, but can also emit light in a direction that spreads, or can be focused at a specified position.

蛍光体ホイールの説明
次に、図7及び図8A乃至図8Cを用いて、プロジェクター用の光源装置300に用いる蛍光体ホイール330の構造を説明する。蛍光体ホイール330に設ける蛍光体として、前述の成形体を用いることができ、例えば成形体33を用いることができる。
蛍光体ホイール330は、光源310からの光を透過させる透過型の蛍光体ホイールであって、光源310側から順に、第1の基板332と第2の基板334を備える。第1の基板332及び第2の基板334は駆動モータ350の駆動軸352に固定され、駆動モータ350の駆動力により、駆動軸352を中心に回転するようになっている。つまり、第1の基板332及び第2の基板334は、駆動軸352によって互いの位置が固定されている。ただし、第1の基板332及び第2の基板334の相対的な位置の固定方法は、駆動軸352を用いた場合に限られるものではなく、例えば、第1の基板332及び第2の基板334の間にスペーサーを挿入する等、その他の任意手段で固定することができる。
蛍光体ホイール330は、第1の基板332と第2の基板334との間に、例えば成形体33を備える。なお、図7の矢印Bから見た成形体33は、第1蛍光体粒子を含む基体が第1の基板332側に配置されていることが好ましい。また、成形体33の第2蛍光体粒子102a及び第3蛍光体粒子102cが第2の基板334側に配置されていることが好ましい。
7 and 8A to 8C, the structure of the phosphor wheel 330 used in the light source device 300 for a projector will be described. As the phosphor provided in the phosphor wheel 330, the above-mentioned molded body can be used, and for example, the molded body 33 can be used.
The phosphor wheel 330 is a transmissive phosphor wheel that transmits light from the light source 310, and includes, in order from the light source 310 side, a first substrate 332 and a second substrate 334. The first substrate 332 and the second substrate 334 are fixed to a drive shaft 352 of a drive motor 350, and rotate around the drive shaft 352 by the driving force of the drive motor 350. That is, the first substrate 332 and the second substrate 334 are fixed in position relative to each other by the drive shaft 352. However, the method of fixing the relative positions of the first substrate 332 and the second substrate 334 is not limited to the case where the drive shaft 352 is used, and they can be fixed by any other means, for example, by inserting a spacer between the first substrate 332 and the second substrate 334.
The phosphor wheel 330 includes, for example, a molded body 33 between a first substrate 332 and a second substrate 334. In addition, it is preferable that the molded body 33 viewed from the arrow B in Fig. 7 has a base including the first phosphor particles disposed on the first substrate 332 side. It is also preferable that the second phosphor particles 102a and the third phosphor particles 102c of the molded body 33 are disposed on the second substrate 334 side.

蛍光体ホイール330は、光源310側に、光源310からの光の波長域の光を透過し、成形体33に含まれる第1蛍光体粒子、第2蛍光体粒子又は第3蛍光体粒子により波長変換された光の波長域の光を反射するフィルタ360を備えている。図7に示す実施形態では、フィルタ360は、第1の基板332の光源側に設けられている。具体的には、フィルタ360として、青色光の波長域の光を透過し、緑色光、黄色光及び赤色光の波長域の光を反射するショートパスフィルタを用いることができる。 The phosphor wheel 330 is provided with a filter 360 on the light source 310 side that transmits light in the wavelength range of light from the light source 310 and reflects light in the wavelength range of light that has been wavelength converted by the first phosphor particles, the second phosphor particles, or the third phosphor particles contained in the molded body 33. In the embodiment shown in FIG. 7, the filter 360 is provided on the light source side of the first substrate 332. Specifically, the filter 360 can be a short-pass filter that transmits light in the blue wavelength range and reflects light in the green, yellow, and red wavelength ranges.

蛍光体ホイール330は、光源310と反対側に、第1蛍光体粒子、第2蛍光体粒子及び第3蛍光体粒子により波長変換された光の波長域の光を透過し、光源310からの光の波長域の光を反射するフィルタ362を備えている。図7に示す実施形態では、回転方向における成形体33に対応する位置において、第2の基板334に光源310と反対側の面にフィルタ362を備えている。具体的には、フィルタ362として、緑色光、黄色光、及び赤色光の波長域の光を透過し、青色光の光を反射するロングパスフィルタを用いることができる。なお、青色光と赤色光の間の波長域の光、例えば黄色光や緑色光の波長域の光については、フィルタ362は、特定の波長域の光を透過させるようにすることもできるし、反射するようすることもでき、用途に応じて、フィルタの最適な透過波長域を定めることができる。 The phosphor wheel 330 is provided with a filter 362 on the side opposite to the light source 310, which transmits light in the wavelength range of light wavelength-converted by the first phosphor particles, the second phosphor particles, and the third phosphor particles, and reflects light in the wavelength range of light from the light source 310. In the embodiment shown in FIG. 7, the filter 362 is provided on the surface of the second substrate 334 opposite to the light source 310, at a position corresponding to the molded body 33 in the rotation direction. Specifically, a long-pass filter that transmits light in the wavelength ranges of green light, yellow light, and red light and reflects blue light can be used as the filter 362. Note that for light in the wavelength range between blue light and red light, for example, light in the wavelength range of yellow light or green light, the filter 362 can transmit or reflect light in a specific wavelength range, and the optimal transmission wavelength range of the filter can be determined depending on the application.

ここで、図8A乃至図8Cを用いて、第1の基板332及び第2の基板334の各面上の配置について説明する。図8Aは、図7の矢印Aから見た蛍光体ホイール330の第1の基板332の光源側の面を示した図である。第1の基板332は、裏面側に成形体33が設けられた領域に、フィルタ360を備えている。 The arrangement on each surface of the first substrate 332 and the second substrate 334 will now be described with reference to Figures 8A to 8C. Figure 8A is a diagram showing the surface of the first substrate 332 of the phosphor wheel 330 facing the light source as viewed from the arrow A in Figure 7. The first substrate 332 is provided with a filter 360 in the area where the molded body 33 is provided on the back side.

図8Bは、図7の矢印Bから見た蛍光体ホイール330の第2の基板334の光源側の面を示した図である。第2の基板334は、回転方向において成形体33を設けた領域SP、及び蛍光体を設けていない青色出射領域SBが設けられている。 Figure 8B is a diagram showing the surface of the second substrate 334 of the phosphor wheel 330 facing the light source as viewed from the arrow B in Figure 7. The second substrate 334 has an area SP in the rotation direction where the molded body 33 is provided, and a blue emission area SB where no phosphor is provided.

図8Cは、図7の矢印Cから見た蛍光体ホイール330の第2の基板334の光源と反対側の面を示した図である。第2の基板334は、光源側の面の成形体33を備えた領域SPに対応するように、光源側の面と反対の面にフィルタ362が設けられている。また、青色出射領域SBには、蛍光体を有していない。ただし、青色出射領域SBに、誘電体多層膜を蒸着したり、反射防止膜を形成したり、散乱体を含有する層を形成することもできる。 Figure 8C is a diagram showing the surface of the second substrate 334 of the phosphor wheel 330 opposite the light source as viewed from the arrow C in Figure 7. The second substrate 334 has a filter 362 provided on the surface opposite the light source side, so as to correspond to the area SP with the molded body 33 on the light source side. In addition, the blue emission region SB does not have phosphor. However, it is also possible to vapor-deposit a dielectric multilayer film, form an anti-reflection film, or form a layer containing a scatterer on the blue emission region SB.

図7及び図8A乃至図8Cに示す蛍光体ホイール330では、成形体33の基体が第1の基板332の光源310と反対側の面に配置され、かつ第2の基板334の光源310側の面に成形体の第2蛍光体粒子102a及び第3蛍光体粒子102bが配置されている。 In the phosphor wheel 330 shown in Figures 7 and 8A to 8C, the base of the molded body 33 is arranged on the surface of the first substrate 332 opposite the light source 310, and the second phosphor particles 102a and the third phosphor particles 102b of the molded body are arranged on the surface of the second substrate 334 facing the light source 310.

プロジェクターの説明
次に、図9を用いて、上述の光源装置300を、いわゆる1チップ方式のDLPプロジェクターにおける光源装置として用いる場合を説明する。なお、図9は、上述の光源装置300を備えた1つの実施形態に係るプロジェクター400の構成を示すための模式図であって、光源装置300やプロジェクター400を上から見た模式的な平面図である。
図9において、光源装置300から出射された光は、光学系を介して、光空間変調器であるDMD(Digital Micromirror Device)素子(光変調手段)470に入射する。そして、DMD素子470で反射され、投影手段である投影レンズ480によって集光されて、スクリーン490に投影される。DMD素子470は、スクリーン490に投影された画像の各画素に相当する微細なミラーをマトリックス状に配列したものであり、各ミラーの角度を変化させてスクリーンへ出射する光を、マイクロ秒単位でオン/オフすることができる。また、各ミラーをオンにしている時間とオフにしている時間の比率によって、投影レンズへ入射する光の階調を変化させることにより、投影する画像の画像データに基づいた階調表示が可能になる。
Description of the Projector Next, a case where the above-mentioned light source device 300 is used as a light source device in a so-called one-chip type DLP projector will be described with reference to Fig. 9. Fig. 9 is a schematic diagram for showing the configuration of a projector 400 according to one embodiment that includes the above-mentioned light source device 300, and is a schematic plan view of the light source device 300 and the projector 400 as viewed from above.
In FIG. 9, the light emitted from the light source device 300 is incident on a DMD (Digital Micromirror Device) element (light modulation means) 470, which is an optical spatial modulator, via an optical system. The light is then reflected by the DMD element 470, condensed by a projection lens 480, which is a projection means, and projected onto a screen 490. The DMD element 470 is a matrix arrangement of fine mirrors corresponding to each pixel of the image projected onto the screen 490, and can turn on/off the light emitted onto the screen by changing the angle of each mirror in microseconds. In addition, by changing the gradation of the light incident on the projection lens depending on the ratio of the time each mirror is turned on to the time it is turned off, gradation display based on the image data of the image to be projected is possible.

なお、本実施形態では、光変調手段としてDMD素子を用いているが、これに限られるものではなく、用途に応じて、その他任意の光変調素子を用いることができる。また、本発明に係る光源装置300及びこの光源装置300を用いたプロジェクター400は、上述した実施形態に限られるものではなく、その他の様々な実施形態が本発明に含まれる。
また、本実施形態では、受光レンズ340が光源装置300に含まれるようになっているが、これに限られるものではない。例えば、受光レンズ340が光源装置300に含まれずに、光学系の一部に含まれている場合もあり得る。
In this embodiment, a DMD element is used as the light modulation means, but this is not limited to this, and any other light modulation element can be used depending on the application. Furthermore, the light source device 300 according to the present invention and the projector 400 using this light source device 300 are not limited to the above-mentioned embodiment, and various other embodiments are included in the present invention.
In addition, in this embodiment, the light receiving lens 340 is included in the light source device 300, but this is not limited to the above. For example, the light receiving lens 340 may not be included in the light source device 300, but may be included as part of the optical system.

以上のように、本実施形態におけるプロジェクター400は、上述の光源装置300と、画像データに基づいて、光源装置300から出射された複数の波長帯域の光を順次変調して画像を形成するDMD素子470と、画像を拡大して投影する投影レンズ480と、を備えている。
以上の工程により、演色性及び耐熱性に優れた成形体、発光装置を簡易に製造することができる。
As described above, the projector 400 in this embodiment includes the above-mentioned light source device 300, a DMD element 470 that forms an image by sequentially modulating light of multiple wavelength bands emitted from the light source device 300 based on image data, and a projection lens 480 that enlarges and projects the image.
By the above steps, a molded article and a light emitting device having excellent color rendering properties and heat resistance can be easily manufactured.

照明装置
成形体と光源を備えた照明装置について説明する。光源は、レーザー光を出射するものであってもよい。図10Aは、照明装置の一例の概略を示す模式的正面図である。図10Bは、照明装置の模式的断面図である。
Illumination device An illumination device including a molded body and a light source will be described. The light source may emit laser light. Fig. 10A is a schematic front view showing an outline of an example of the illumination device. Fig. 10B is a schematic cross-sectional view of the illumination device.

照明装置500は、筐体512と、反射鏡ユニット510と、複数のレーザー光源ユニット515と、前述の成形体からなる蛍光部材514と、を備えている。図10Aにおいて、複数のレーザー光源ユニット512は、反射鏡ユニット510の裏側の位置(反射面510Aに隠れた位置)に配置されている。 The lighting device 500 includes a housing 512, a reflector unit 510, a plurality of laser light source units 515, and a fluorescent member 514 made of the above-mentioned molded body. In FIG. 10A, the plurality of laser light source units 512 are disposed at positions on the rear side of the reflector unit 510 (positions hidden by the reflecting surface 510A).

筐体512の出射口512Aには、カバー519を備え、筐体512の背面部512Bは、背後に向かって膨出していてもよい。筐体512は、熱伝導性の高い材料、例えばアルミニウム等によって形成されていてもよい。 The emission port 512A of the housing 512 may be provided with a cover 519, and the rear portion 512B of the housing 512 may bulge toward the rear. The housing 512 may be made of a material with high thermal conductivity, such as aluminum.

レーザー光源ユニット515は、レーザー光源516と、レンズ517と、放熱部材518とを備える。レーザー光源516は、半導体レーザー(LD)を用いてもよい。レーザー光源516には、ファイバーレーザーを用いてもよい。レンズ517は、レーザー光源516から出射されたレーザー光を蛍光部材514に集光する。複数のレーザー光源ユニット515は、蛍光部材514からみて同じ角度、かつ同じ距離に配置されていることが好ましい。複数のレーザー光の重なりによる照射対象ががぼけるのを抑制することができ、照射スポット径の広がりを抑制することができる。 The laser light source unit 515 includes a laser light source 516, a lens 517, and a heat dissipation member 518. A semiconductor laser (LD) may be used as the laser light source 516. A fiber laser may be used as the laser light source 516. The lens 517 focuses the laser light emitted from the laser light source 516 onto the fluorescent member 514. It is preferable that the multiple laser light source units 515 are arranged at the same angle and at the same distance from the fluorescent member 514. This can prevent the irradiation target from becoming blurred due to overlapping of multiple laser lights, and can prevent the irradiation spot diameter from widening.

蛍光部材514は、前述の成形体からなるものであることが好ましい。蛍光部材514は、反射鏡ユニット510の端部から中央部に延びる支持部材513によって反射鏡ユニット510の中央部分に支持されていることが好ましい。支持部材513は、熱伝導性の高い材料、例えばアルミニウム等によって形成されていてもよい。 The fluorescent member 514 is preferably made of the above-mentioned molded body. The fluorescent member 514 is preferably supported in the center of the reflector unit 510 by a support member 513 that extends from the end of the reflector unit 510 to the center. The support member 513 may be made of a material with high thermal conductivity, such as aluminum.

反射鏡ユニット510は、凹体形状を有し、凹面が反射面510Aである。反射鏡ユニット510の反射面510Aの裏側にレーザー光源ユニット515が配置されている。反射鏡ユニット510は、レーザー光源ユニット515から出射した光を透過させ、蛍光部材514に集光するための円環スリット状の孔部511を備える。反射鏡ユニット510は、孔部511により、中央部と円周部とが分離可能に分割されていてもよい。 The reflector unit 510 has a concave shape, and the concave surface is the reflecting surface 510A. The laser light source unit 515 is disposed on the rear side of the reflecting surface 510A of the reflector unit 510. The reflector unit 510 has an annular slit-shaped hole 511 for transmitting the light emitted from the laser light source unit 515 and focusing the light on the fluorescent member 514. The reflector unit 510 may be divided by the hole 511 into a central portion and a circumferential portion that can be separated.

レーザー光源ユニット515から出射されたレーザー光は、円環スリット状の孔部511を通って、蛍光部材514に集光される。蛍光部材514に集光されたレーザー光は、蛍光部材514で波長変換され、蛍光部材514から反射鏡ユニット510の反射面510Aに向かって出射される。蛍光部材514から出射された光は、反射鏡ユニット510の反射面510Aで反射される。反射面510Aで反射された光は、光軸Kに略平行な平行光となり、照明装置500から照明光として出射される。 The laser light emitted from the laser light source unit 515 passes through the circular slit-shaped hole 511 and is focused on the fluorescent member 514. The laser light focused on the fluorescent member 514 is wavelength converted by the fluorescent member 514 and is emitted from the fluorescent member 514 toward the reflecting surface 510A of the reflecting mirror unit 510. The light emitted from the fluorescent member 514 is reflected by the reflecting surface 510A of the reflecting mirror unit 510. The light reflected by the reflecting surface 510A becomes parallel light approximately parallel to the optical axis K, and is emitted from the lighting device 500 as illumination light.

以下、本実施形態を実施例により具体的に説明する。本実施形態は、これらの実施例に限定されるものではない。 The present embodiment will be described in detail below with reference to examples. The present embodiment is not limited to these examples.

第1蛍光体粒子a
第1蛍光体粒子aとして、Lu2.984Ce0.016Al12(以下「LAG蛍光体」ともいう。)で表される組成を有し、FSSS法で測定される平均粒径が21.5μmの希土類アルミン酸塩蛍光体粒子を用いた。第1蛍光体粒子aは、490nm以上555nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有していた。LAG第1蛍光体粒子aの真密度は6.69g/cmであった。
First phosphor particle a
The first phosphor particles a were rare earth aluminate phosphor particles having a composition represented by Lu2.984Ce0.016Al5O12 (hereinafter also referred to as "LAG phosphor") and an average particle size measured by the FSSS method of 21.5 μm. The first phosphor particles a had an emission peak wavelength in the range of 490 nm to 555 nm. The true density of the LAG first phosphor particles a was 6.69 g/ cm3 .

第1蛍光体粒子b
第1蛍光体粒子bとして、Y2.955Ce0.045Al12(以下「YAG蛍光体」ともいう。)で表される組成を有し、FSSS法で測定される平均粒径が14.9μmの希土類アルミン酸塩蛍光体粒子を用いた。第1蛍光体粒子aは、530nm以上590nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有していた。YAG第1蛍光体粒子bの真密度は4.60g/cmであった。
First phosphor particle b
The first phosphor particles b were rare earth aluminate phosphor particles having a composition represented by Y2.955Ce0.045Al5O12 (hereinafter also referred to as "YAG phosphor") and an average particle size measured by the FSSS method of 14.9 μm. The first phosphor particles a had an emission peak wavelength in the range of 530 nm to 590 nm. The true density of the YAG first phosphor particles b was 4.60 g/ cm3 .

第2蛍光体粒子c
第2蛍光体粒子として、(Sr,Ca)AlSiN:Eu(以下「SCASN蛍光体」ともいう。)で表される組成を有し、FSSS法で測定される平均粒径が12.5μmのアルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体粒子を用いた。第2蛍光体粒子cは、600nm以上670nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有していた。
Second phosphor particle c
As the second phosphor particles, alkaline earth metal silicon nitride phosphor particles having a composition represented by (Sr,Ca) AlSiN3 :Eu (hereinafter also referred to as "SCASN phosphor") and an average particle size measured by the FSSS method of 12.5 μm were used. The second phosphor particles c had an emission peak wavelength in the range of 600 nm to 670 nm.

第2蛍光体粒子d
第2蛍光体粒子として、CaAlSiN:Eu(以下「CASN蛍光体」ともいう。)で表される組成を有し、FSSS法で測定した平均粒径が12.0μmのアルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体粒子を用いた。第2蛍光体粒子dは、600nm以上670nm以下の範囲内に発光ピーク波長を有していた。
Second phosphor particle d
The second phosphor particles were alkaline earth metal silicon nitride phosphor particles having a composition represented by CaAlSiN 3 :Eu (hereinafter also referred to as "CASN phosphor") and an average particle size measured by the FSSS method of 12.0 μm. The second phosphor particles d had an emission peak wavelength in the range of 600 nm to 670 nm.

FSSS法による平均粒径
第1蛍光体粒子の平均粒径は、Fisher Sub Sieve Sizer Model 95(Fisher Scientific社製)を用いて、気温25℃、相対湿度70%の環境下において、1cm3分の資料を計り取り、専用の管状容器にパッキングした後、一定圧力の乾燥空気を長し、差圧から比表面積を読み取り、FSSS法にょる平均粒径を算出した。
Average particle size by FSSS method The average particle size of the first phosphor particles was determined using a Fisher Sub Sieve Sizer Model 95 (manufactured by Fisher Scientific) in an environment of 25°C temperature and 70% relative humidity by measuring out 1 cm3 of sample, packing it in a dedicated tubular container, passing dry air through it at a constant pressure, reading the specific surface area from the differential pressure, and calculating the average particle size by the FSSS method.

実施例1:基体を準備すること
第1蛍光体粒子a(LAG蛍光体)を26.7質量%と、酸化アルミニウムを73.3質量%を、含み、相対密度が98.8%、厚みが0.18mmである基体A1を準備した。また、第1蛍光体粒子b(YAG蛍光体)を13質量%と、酸化アルミニウムを87質量%を、含み、相対密度が99.7%、厚みが0.18mmである基体B1を準備した。実施例及び参考例において、基体の相対密度は以下の式(1)から(3)に基づき算出した。
Example 1: Preparing a base A1 was prepared, which contained 26.7% by mass of the first phosphor particles a (LAG phosphor) and 73.3% by mass of aluminum oxide, had a relative density of 98.8%, and had a thickness of 0.18 mm. A base B1 was prepared, which contained 13% by mass of the first phosphor particles b (YAG phosphor) and 87% by mass of aluminum oxide, had a relative density of 99.7%, and had a thickness of 0.18 mm. In the examples and reference examples, the relative density of the base was calculated based on the following formulas (1) to (3).

Figure 0007522344000001
Figure 0007522344000001

Figure 0007522344000002
Figure 0007522344000002

Figure 0007522344000003
Figure 0007522344000003

実施例1:第1混合液を準備すること
第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)と、KO・3.40SiO・42.58HOで表されるケイ酸カリウム水溶液(オーカシール(タイプB)、東京応化工業株式会社製)とを混合した第1混合液を準備した。第1混合液100質量%に対して、第2蛍光体粒子d(CASN蛍光体)の含有量は、0.4質量%であった。第2蛍光体粒子c1質量部に対して、ケイ酸カリウム水溶液を120質量部加え、さらに後述する酢酸バリウム水溶液の1/6重量比になり、かつ全体が50gになるよう、つまりは第1混合液として8.57g(50g/7)になるよう純水を加えて第1混合液とした。
Example 1: Preparing the first mixed solution The second phosphor particles c (SCASN phosphor) and a potassium silicate aqueous solution represented by K2O.3.40SiO2.42.58H2O (Ohkasil (Type B ), manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) were mixed to prepare a first mixed solution. The content of the second phosphor particles d (CASN phosphor) was 0.4 mass% relative to 100 mass% of the first mixed solution. 120 mass parts of potassium silicate aqueous solution were added to 1 mass part of the second phosphor particles c, and pure water was added so that the weight ratio of the aqueous solution of barium acetate described later was 1/6 and the total weight was 50 g, that is, the first mixed solution was 8.57 g (50 g/7), to prepare the first mixed solution.

実施例1:陽イオンを含む電解液中に基体を配置すること基体に蛍光体含有組成物を塗布する工程
陽イオンを含む電解液(クッション液)として、酢酸バリウム水溶液を準備した。酢酸バリウム水溶液中のバリウムイオンの濃度は、736質量ppmであった。第1混合液の容積に対して6倍の容積の酢酸バリウム水溶液を準備し、50mLビーカーの容器に投入した。治具に載置した基体A1を酢酸バリウム水溶液中に配置した。
Example 1: Placing a substrate in an electrolyte solution containing cations A process of applying a phosphor-containing composition to a substrate A barium acetate aqueous solution was prepared as an electrolyte solution (cushion solution) containing cations. The concentration of barium ions in the barium acetate aqueous solution was 736 mass ppm. A barium acetate aqueous solution having a volume six times the volume of the first mixed solution was prepared and poured into a 50 mL beaker. The substrate A1 placed on a jig was placed in the barium acetate aqueous solution.

実施例1:第2蛍光体粒子を基体上に沈降させること成形体を得る工程
酢酸バリウム水溶液中に第1混合液を投入して第2混合液とし、第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)を基体A1上に沈降させた。酢酸バリウム水溶液、第1混合液及び第2混合液の温度は室温(20℃±5℃)であり、第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)が沈降した時間は5分以内であった。
Example 1: Step of obtaining a molded body by precipitating second phosphor particles on a substrate The first mixed liquid was poured into a barium acetate aqueous solution to obtain a second mixed liquid, and the second phosphor particles c (SCASN phosphor) were precipitated on the substrate A1. The temperatures of the barium acetate aqueous solution, the first mixed liquid, and the second mixed liquid were room temperature (20°C ± 5°C), and the time it took for the second phosphor particles c (SCASN phosphor) to precipitate was within 5 minutes.

実施例1:第2混合液の上澄み液を除去すること
第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)を基体A1上に沈降させた後、第2蛍光体粒子を流動させないようにスポイトで第2混合液の上澄みを吸い取って除去した。
Example 1: Removing the supernatant of the second mixed solution After the second phosphor particles c (SCASN phosphor) were allowed to settle on the substrate A1, the supernatant of the second mixed solution was sucked up and removed with a dropper without allowing the second phosphor particles to move.

実施例1:熱処理して第2蛍光体粒子cを基体に固定すること
治具ごと容器から第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)を配置した基体A1を取り出し、治具に乗せたまま基体A1をホットプレート上に配置し、80℃で10分間熱処理し、アルカリ金属を含む二酸化ケイ素で第2蛍光体粒子cを基体A1に固定して、成形体を製造した。上澄み液を除去してから5分以内に熱処理を開始した。熱処理は、大気雰囲気(酸素含有量が20体積%以上、大気圧101.3kPa)で行った。
Example 1: Fixing the second phosphor particles c to the base by heat treatment The base A1 on which the second phosphor particles c (SCASN phosphor) were arranged was taken out of the container together with the jig, and the base A1 was placed on a hot plate while still on the jig, and heat-treated at 80°C for 10 minutes, and the second phosphor particles c were fixed to the base A1 with silicon dioxide containing an alkali metal, to produce a molded body. The heat treatment was started within 5 minutes after removing the supernatant. The heat treatment was performed in an air atmosphere (oxygen content of 20% by volume or more, atmospheric pressure of 101.3 kPa).

実施例2
基体として基体B1を用い、第2蛍光体粒子として第2蛍光体粒子d(CASN蛍光体)を用いた以外は、実施例1と同様にして成形体を製造した。
Example 2
A molded body was produced in the same manner as in Example 1, except that the base B1 was used as the base and the second phosphor particles d (CASN phosphor) were used as the second phosphor particles.

実施例3
第1混合液100質量%に対して、第2蛍光体粒子d(CASN蛍光体)の含有量は、0.6質量%としたこと以外は、実施例2と同様にして成形体を製造した。
Example 3
A molded body was produced in the same manner as in Example 2, except that the content of the second phosphor particles d (CASN phosphor) was 0.6 mass % relative to 100 mass % of the first mixed liquid.

実施例4
実施例2と同様にして製造した成形体の二酸化ケイ素の被膜上に原子堆積法(ALD)保護膜を形成した。第2蛍光体粒子d(CASN蛍光体)が基体B1に固定され、二酸化ケイ素の被膜で覆われている基体B1を、原子層堆積装置に導入し、原子層堆積装置内に、トリメチルアルミニウム(TMA)ガスを導入し、二酸化ケイ素の被膜の表面に存在するOH基とTMAを反応させ、余剰ガスを排気した。その後、HOガスを導入して、先の反応でOH基と結合したTMAとHOとを反応させた。次に、余剰ガスを排気した。そして、TMAの反応、排気、OH基との反応及び排気を繰り返し、17.5nmの膜厚のAlの保護膜を形成し、保護膜の形成された成形体を得た。
Example 4
A protective film was formed by atomic layer deposition (ALD) on the silicon dioxide coating of the molded body manufactured in the same manner as in Example 2. The substrate B1, on which the second phosphor particles d (CASN phosphor) were fixed and covered with a silicon dioxide coating, was introduced into an atomic layer deposition apparatus, trimethylaluminum (TMA) gas was introduced into the atomic layer deposition apparatus, and the OH groups present on the surface of the silicon dioxide coating were reacted with TMA, and excess gas was exhausted. Then, H 2 O gas was introduced to react the TMA bonded to the OH groups in the previous reaction with H 2 O. Next, excess gas was exhausted. Then, the reaction of TMA, exhaust, reaction with the OH groups, and exhaust were repeated to form a protective film of Al 2 O 3 with a thickness of 17.5 nm, and a molded body with a protective film was obtained.

参考例1
第2蛍光体粒子を基体に固定してない基体B1を参考例1の基体とした。
Reference Example 1
The substrate B1, on which the second phosphor particles were not fixed, was used as the substrate of Reference Example 1.

参考例2
第2蛍光体粒子を基体に固定してない基体A1を参考例2の基体とした。
Reference Example 2
The substrate A1, on which the second phosphor particles were not fixed, was used as the substrate of Reference Example 2.

比較例1
実施例1と同様の基体A1を用いた。シリカ前駆体であるポリシラノールを1質量%以上10質量%以下の範囲で含み、イソプロピルアルコールを溶媒として含む無機バインダー(ゾルゲル)を50質量%と、第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)を50質量%を混合し、蛍光体含有組成物を形成し、基体A1上にマスクを用いて印刷法により塗布し、基体をホットプレート上に置き、80℃で3分間、乾燥する乾燥工程を行い、無機バインダーに含まれる溶媒を除去した。使用したマスクの厚さは、58μmであった。続いて150℃で5分間、200℃で5分間、250℃で5分間おいて、段階的に昇温し、昇温後300℃で30分間熱処理し、無機バインダー由来の二酸化ケイ素からなる透光性のセラミックスを介して、第2蛍光体粒子c(SCASN蛍光体)を、基体A1の表面に固定させ成形体を得た。さらに実施例4と同様に、原子層堆積層地により17.5nmの膜厚のAlの保護膜を形成し、保護膜の形成された成形体を得た。
Comparative Example 1
The same substrate A1 as in Example 1 was used. 50% by mass of an inorganic binder (sol-gel) containing polysilanol, which is a silica precursor, in the range of 1% by mass to 10% by mass and containing isopropyl alcohol as a solvent, and 50% by mass of the second phosphor particles c (SCASN phosphor) were mixed to form a phosphor-containing composition, which was applied to the substrate A1 by a printing method using a mask, and the substrate was placed on a hot plate and dried at 80 ° C. for 3 minutes to remove the solvent contained in the inorganic binder. The thickness of the mask used was 58 μm. The substrate was then heated stepwise at 150 ° C. for 5 minutes, 200 ° C. for 5 minutes, and 250 ° C. for 5 minutes, and then heat-treated at 300 ° C. for 30 minutes after the temperature increase, and the second phosphor particles c (SCASN phosphor) were fixed to the surface of the substrate A1 through a translucent ceramic made of silicon dioxide derived from the inorganic binder to obtain a molded body. Further, in the same manner as in Example 4, a protective film of Al 2 O 3 having a thickness of 17.5 nm was formed by atomic layer deposition to obtain a molded body having a protective film formed thereon.

比較例2
第2蛍光体粒子として第2蛍光体粒子d(CASN蛍光体)を用いた事、段階的な昇温後の最終熱処理温度を450℃とした事、17.5nmの膜厚のAlの保護膜を形成しなかった事以外は比較例1と同様にして成形体を得た。
Comparative Example 2
A molded body was obtained in the same manner as in Comparative Example 1, except that the second phosphor particles d (CASN phosphor) were used as the second phosphor particles, the final heat treatment temperature after the stepwise temperature increase was 450° C., and no Al 2 O 3 protective film with a thickness of 17.5 nm was formed.

SEM写真
走査型電子顕微鏡(製品名JSM-IT200、JEOL社製)を用いて、各実施例及び参考例の成形体の平面又は断面(端面)のSEM写真を得た。図11及び図14にSEM写真を示す。
SEM Photos SEM photos of the plan or cross-section (end face) of the molded bodies of each Example and Reference Example were obtained using a scanning electron microscope (product name JSM-IT200, manufactured by JEOL Ltd.) SEM photos are shown in Figs.

SEM-EDS元素マッピング
SEM画像上で、SEM-EDS(走査型電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分光法、Energy Dispersive X-ray Spectrometry)により、基体に含まれる元素(Al、O)、二酸化ケイ素の被膜に含まれる元素(K、Si)を分析した。SEM-EDSにおける測定条件は、加速電圧:20kV、焦点距離:11.7mm、試料傾斜角度:0°とした。図13にSEM-EDSスペクトルを示し、図15から図18にSEM-EDSマッピングを示す。
SEM-EDS element mapping On the SEM image, elements (Al, O) contained in the substrate and elements (K, Si) contained in the silicon dioxide coating were analyzed by SEM-EDS (scanning electron microscope/energy dispersive X-ray spectrometry). The measurement conditions for SEM-EDS were acceleration voltage: 20 kV, focal length: 11.7 mm, and sample tilt angle: 0°. FIG. 13 shows the SEM-EDS spectrum, and FIG. 15 to FIG. 18 show the SEM-EDS mapping.

LEDの照射による色度x、y
実施例及び参考例の各成形体に対して、砲弾型LEDから波長が455nmの青色光を照射し、ハンディ型LED分光放射測定器(製品:MK-350、UPRtek社製)を用いて、室温における各成形体の第2蛍光体粒子が存在する側から出射された透過光を測定し、この測定値から、CIE(国際照明委員会:Commission Internationale de l’Eclarirage)1931表色系における色度図のx、y色度座標を求めた。JIS Z8726に準拠して平均演色評価数Ra測定した。演色評価数Ra測定する際の投入電流は、定格順電流とするため20mAであり、そのときの順電圧は3Vであった。
Chromaticity x, y due to LED illumination
Each molded body of the Examples and Reference Examples was irradiated with blue light having a wavelength of 455 nm from a bullet-shaped LED, and a handy LED spectroradiometer (product: MK-350, manufactured by UPRtek) was used to measure the transmitted light emitted from the side where the second phosphor particles of each molded body existed at room temperature, and the x, y chromaticity coordinates of the chromaticity diagram in the CIE (International Commission on Illumination: Commission Internationale de l'Eclairage) 1931 color system were obtained from the measured values. The average color rendering index Ra was measured in accordance with JIS Z8726. The input current when measuring the color rendering index Ra was 20 mA to be the rated forward current, and the forward voltage at that time was 3 V.

耐熱性
実施例及び比較例及び参考例の各成形体の第2蛍光体粒子が固定された側にスポット径0.785mmで波長450nmの青色レーザー光を照射し、レーザー照射のパワー密度を10から126W/mmまで上昇させ、成形体に変化が生じたレーザー照射のパワー密度を測定した。成形体に変化が生じたレーザー照射のパワー密度(W/mm)の数値が大きいほど、耐熱性に優れている。
Heat resistance The side of each molded body of the Examples, Comparative Examples, and Reference Examples where the second phosphor particles were fixed was irradiated with blue laser light having a wavelength of 450 nm and a spot diameter of 0.785 mm2, and the power density of the laser irradiation was increased from 10 to 126 W/ mm2 , and the power density of the laser irradiation at which a change occurred in the molded body was measured. The larger the value of the power density (W/ mm2 ) of the laser irradiation at which a change occurred in the molded body, the more excellent the heat resistance.

ダイシング脱落幅
実施例2及び実施例4の成形体を第2蛍光体粒子が固定された側を上にしてダイシングテープに貼り付け、ダイシング装置(株式会社ディスコ(DISCO)製)を用いて10×10mmサイズに切り出し、第2蛍光体粒子の脱落した部分について脱落幅を測定した。脱落幅は、ダイシングラインから第2蛍光体粒子が脱落した部分における最も大きい部分の幅とした。
The molded bodies of Examples 2 and 4 were attached to a dicing tape with the side on which the second phosphor particles were fixed facing up, and cut into pieces of 10 x 10 mm size using a dicing device (manufactured by DISCO Corporation), and the width of the fallen part of the second phosphor particles was measured. The fallen width was defined as the width of the largest part of the part where the second phosphor particles fell off from the dicing line.

Figure 0007522344000004
Figure 0007522344000004

実施例1に係る成形体は、劣化が認められるレーザー照射密度が47.1(W/mm)であり、第2蛍光体粒子を基体に固定させていない参考例2の成形体と比べて同等以上の耐熱性を有していた。ゾルゲル法によって第2蛍光体粒子を基体に固定させた比較例1及び2の成形体は、レーザー照射密度5.1と10.2(W/mm)で劣化が始まっており、耐熱性が低かった。ゾルゲルは完全に反応すれば無機バインダーとなるが、厚膜になったりすると有機を含む原料が残りやすい。有機残渣の影響で耐熱性が低くなっていると思われる。 The molded body according to Example 1 had a laser irradiation density of 47.1 (W/ mm2 ) at which degradation was observed, and had heat resistance equal to or greater than that of the molded body of Reference Example 2 in which the second phosphor particles were not fixed to the substrate. The molded bodies of Comparative Examples 1 and 2 in which the second phosphor particles were fixed to the substrate by the sol-gel method began to deteriorate at laser irradiation densities of 5.1 and 10.2 (W/ mm2 ), and had low heat resistance. If the sol-gel reacts completely, it becomes an inorganic binder, but if it becomes a thick film, raw materials containing organic matter are likely to remain. It is believed that the heat resistance is low due to the influence of organic residues.

実施例2及び実施例3に係る成形体の第2蛍光体粒子が存在する側から出射された透過光の平均演色評価数Ra(CRI)は、参考例1に比べて高くなっており、第2蛍光体粒子が固定されたことによって演色性が向上された。またケイ酸カリウム水溶液は、耐水性が低いと推測されるが、保護膜を備えた実施例4の成形体は、保護膜を備えていない実施例2の成形体よりも脱落幅が小さく、脱落幅が抑えられていた。保護膜を備えた成形体は、水をかけならがら切るダイシング工程においても、第2蛍光体粒子の脱落が抑えられており、実用レベルに達していた。この結果から、保護膜を含む成形体は、ダイシングが必要な用途においても使用可能である。 The average color rendering index Ra (CRI) of the transmitted light emitted from the side where the second phosphor particles are present in the molded bodies of Examples 2 and 3 is higher than that of Reference Example 1, and color rendering has been improved by fixing the second phosphor particles. In addition, although the potassium silicate aqueous solution is presumed to have low water resistance, the molded body of Example 4 with a protective film had a smaller falling width than the molded body of Example 2 without a protective film, and the falling width was suppressed. The molded body with a protective film suppressed the falling of the second phosphor particles even during the dicing process in which the molded body is cut while being sprayed with water, reaching a practical level. From this result, the molded body including a protective film can be used in applications where dicing is required.

図11は、実施例1に係り、基体の断面と、基体にカリウムを含む二酸化ケイ素の被膜で固定された第2蛍光体粒子の端面を示すSEM写真である。図12は、実施例1に係り、第2蛍光体粒子が基体の表面に固定された成形体の平面を示す外観写真である。
実施例1に係る成形体は、基体の表面に第2蛍光体粒子が固定されていた。実施例1に係る成形体は、第2蛍光体粒子がカリウムを含む二酸化ケイ素によって結合され、第2蛍光体粒子の表面が二酸化ケイ素の被膜で覆われていることが確認できた。
Fig. 11 is a SEM photograph showing a cross section of a substrate and an end face of a second phosphor particle fixed to the substrate with a coating of silicon dioxide containing potassium according to Example 1. Fig. 12 is an external photograph showing a plane of a molded body in which a second phosphor particle is fixed to the surface of a substrate according to Example 1.
In the molded body according to Example 1, the second phosphor particles were fixed to the surface of the base. It was confirmed that in the molded body according to Example 1, the second phosphor particles were bonded by potassium-containing silicon dioxide, and the surfaces of the second phosphor particles were covered with a silicon dioxide coating.

図13は、実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の表面のSEM-EDSスペクトルを示す図である。図14は、実施例1に係り、SEM-EDSスペクトルを測定し、SEM-EDSマッピングを作成した、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面を示すSEM写真である。図15から図18は、実施例1に係り、基体の断面と二酸化ケイ素で固定された第2蛍光体粒子の端面のSEM写真における各元素の存在箇所を示すSEM-EDSマッピング図を示し、図15は酸素(O)の存在する箇所を示し、図16はアルミニウム(Al)の存在箇所を示し、図17はケイ素(Si)の存在箇所を示し、図18はカリウム(K)の存在箇所を示す。
SEM-EDSスペクトルにおいて、実施例1に係る成形体は、酸素(O)、アルミニウム(Al)、ケイ素(Si)及びカリウム(K)のピークが確認できる。基体表面の第2蛍光体粒子103の部分からは酸素(O)、ケイ素(Si)及びカリウム(K)のピークが確認できる。第2蛍光体粒子(SCASN)に含まれるストロンチウム(Sr)等のピークは確認されていない事からバインダーが粒子表面を完全にコーティングしており、またバインダーはケイ酸カリウム由来のカリウム(K)を含む二酸化ケイ素(SiO2)である事を示している。
Fig. 13 is a diagram showing SEM-EDS spectra of the cross section of the base and the surface of the second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1. Fig. 14 is an SEM photograph showing the cross section of the base and the end face of the second phosphor particle fixed with silicon dioxide, for which the SEM-EDS spectrum was measured and SEM-EDS mapping was created according to Example 1. Figs. 15 to 18 show SEM-EDS mapping diagrams showing the location of each element in the SEM photographs of the cross section of the base and the end face of the second phosphor particle fixed with silicon dioxide according to Example 1, with Fig. 15 showing the location where oxygen (O) is present, Fig. 16 showing the location where aluminum (Al) is present, Fig. 17 showing the location where silicon (Si) is present, and Fig. 18 showing the location where potassium (K) is present.
In the SEM-EDS spectrum, peaks of oxygen (O), aluminum (Al), silicon (Si), and potassium (K) can be confirmed for the molded body according to Example 1. Peaks of oxygen (O), silicon (Si), and potassium (K) can be confirmed from the portion of the second phosphor particles 103 on the surface of the substrate. Peaks of strontium (Sr) and the like contained in the second phosphor particles (SCASN) were not confirmed, which indicates that the binder completely coats the particle surface and that the binder is silicon dioxide (SiO2) containing potassium (K) derived from potassium silicate.

本発明の一態様に成形体は、LEDやLDの光源と組み合わせて、車載用や一般照明用の照明装置、液晶表示装置のバックライト、プロジェクター用光源に用いる発光装置の波長変換部材として利用することができる。 In one embodiment of the present invention, the molded article can be used in combination with an LED or LD light source as a wavelength conversion member for light-emitting devices used in lighting devices for vehicles or general lighting, backlights for liquid crystal display devices, and light sources for projectors.

2:上面配線、3:外部接続電極、3a:アノード電極、3b:カソード電極、4:ビア、8:導電性接着材、10:サブマウント基板、15:素子構造体、20:発光素子、25:保護素子、30:光透過性部材(成形体)、31、32、33:成形体、40:導光部材、50:第1被覆部材、60:第2被覆部材、80:モジュール基板、100:発光装置、101:基体、101a:第1蛍光体粒子、101b:無機材料、102a:第2蛍光体粒子、102b:第3蛍光体粒子、103:二酸化ケイ素の被膜、104:保護膜、200:発光モジュール、300:光源装置、310:光源、320:集光レンズ、330:蛍光体ホイール、332:第1の基板、334:第2の基板、340:受光レンズ、350:駆動モータ、352:駆動軸、360:フィルタ、362:フィルタ、400:プロジェクター、470:DMD素子、480:投影レンズ、490:スクリーン、
500:照明装置、510:反射鏡ユニット、510A:反射面、511:孔部、512:筐体、512A:出射口、512B:背面部、513:支持部材、514:蛍光部材、515:レーザー光源ユニット、516:レーザー光源、517:レンズ、518:放熱部材、519:カバー。
2: upper surface wiring, 3: external connection electrode, 3a: anode electrode, 3b: cathode electrode, 4: via, 8: conductive adhesive, 10: submount substrate, 15: element structure, 20: light emitting element, 25: protective element, 30: light-transmitting member (molded body), 31, 32, 33: molded body, 40: light-guiding member, 50: first covering member, 60: second covering member, 80: module substrate, 100: light emitting device, 101: base, 101a: first phosphor particle, 101b: inorganic material, 102a: second No. 2 phosphor particle, 102b: third phosphor particle, 103: silicon dioxide coating, 104: protective film, 200: light emitting module, 300: light source device, 310: light source, 320: condenser lens, 330: phosphor wheel, 332: first substrate, 334: second substrate, 340: light receiving lens, 350: drive motor, 352: drive shaft, 360: filter, 362: filter, 400: projector, 470: DMD element, 480: projection lens, 490: screen,
500: lighting device, 510: reflector unit, 510A: reflecting surface, 511: hole, 512: housing, 512A: light outlet, 512B: rear surface, 513: support member, 514: fluorescent member, 515: laser light source unit, 516: laser light source, 517: lens, 518: heat dissipation member, 519: cover.

Claims (14)

第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる透光性の基体と、第2蛍光体粒子とアルカリ金属ケイ酸塩水溶液とを混合した第1混合液と、を準備することと、
陽イオンを含む電解液中に前記基体を配置することと、
前記電解液に前記第1混合液を投入して第2混合液とし、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を沈降させることと、
前記第2混合液中の上澄み液を除去することと、
前記基体と、前記基体上に配置された前記第2蛍光体粒子と、を60℃以上400℃以下の温度範囲で熱処理して、前記基体上に前記第2蛍光体粒子を固定することと、を含み、
前記第1混合液中の前記第2蛍光体粒子の含有量は、前記第1混合液の全体量に対して、0.2質量%以上1.0質量%以下の範囲内であり、
前記アルカリ金属ケイ酸塩水溶液中のアルカリ金属ケイ酸塩が固形分換算で、1質量%以上50質量%以下の範囲内であり、
前記第1混合液は、前記第2蛍光体粒子の1質量部に対して、前記アルカリ金属ケイ酸塩水溶液を50質量部以上200質量部以下の範囲内で含み、前記第1混合液中のアルカリ金属ケイ酸塩の固形分の含有量が5質量%以上30質量%以下の範囲内であり、
前記第2蛍光体粒子を固定する工程において、前記第2蛍光体粒子及び前記基体の上面全体を覆うようにアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜にて固定している、成形体の製造方法。
preparing a light-transmitting base made of an inorganic material containing first phosphor particles, and a first mixed liquid obtained by mixing second phosphor particles and an aqueous solution of an alkali metal silicate;
placing the substrate in an electrolyte solution containing cations;
adding the first mixed solution to the electrolyte to prepare a second mixed solution, and allowing the second phosphor particles to settle on the substrate;
removing a supernatant liquid from the second mixture;
and heat-treating the base and the second phosphor particles disposed on the base at a temperature in the range of 60° C. to 400° C. to fix the second phosphor particles on the base .
a content of the second phosphor particles in the first mixture is within a range of 0.2% by mass to 1.0% by mass with respect to a total amount of the first mixture,
The alkali metal silicate in the aqueous alkali metal silicate solution is in the range of 1% by mass to 50% by mass in terms of solid content,
the first mixture contains the alkali metal silicate aqueous solution in a range of 50 parts by mass or more and 200 parts by mass or less per part by mass of the second phosphor particles, and a solid content of the alkali metal silicate in the first mixture is in a range of 5% by mass or more and 30% by mass or less;
A method for manufacturing a molded body , wherein in the step of fixing the second phosphor particles, the second phosphor particles are fixed with a coating of silicon dioxide containing an alkali metal so as to cover the second phosphor particles and the entire upper surface of the base .
前記第2蛍光体粒子を固定した後、前記被膜の表面に原子堆積法により透光性の保護膜を形成すること、を含む請求項1に記載の成形体の製造方法。 The method for producing a molded body according to claim 1 , further comprising forming a light-transmitting protective film on a surface of the coating by atomic deposition after the second phosphor particles are fixed. 前記上澄み液を除去する工程後、前記第2蛍光体粒子を固定する工程前において、前記基体上に配置された前記第2蛍光体粒子の少なくとも一部が、前記第2混合液の液面から突出する部位を有する状態とすること、を含む請求項1又は2に記載の成形体の製造方法。 3. The method for producing a molded body according to claim 1 or 2, further comprising, after the step of removing the supernatant liquid and before the step of fixing the second phosphor particles, making at least a portion of the second phosphor particles arranged on the substrate have a portion protruding above the liquid surface of the second mixed liquid. 前記準備する工程において、前記基体が、セラミックス及びガラスの少なくともいずれかを含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の成形体の製造方法。 The method for producing a molded body according to claim 1 , wherein in the preparing step, the base contains at least one of ceramics and glass. 前記準備する工程において、前記セラミックスが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト、及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項4に記載の成形体の製造方法。 5. The method for producing a molded body according to claim 4 , wherein in the preparing step, the ceramic is at least one selected from the group consisting of aluminum oxide, aluminum nitride, mullite, and silicon nitride. 前記準備する工程において、前記第1蛍光体粒子が、希土類アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ハロシリケート蛍光体、及びβサイアロン蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体である、請求項1から5のいずれか1項に記載の成形体の製造方法。 6. The method for producing a molded body according to claim 1, wherein in the preparing step, the first phosphor particles are at least one type of phosphor selected from the group consisting of a rare earth aluminate phosphor, an alkaline earth metal silicate phosphor, an alkaline earth metal aluminate phosphor, an alkaline earth metal halosilicate phosphor, and a β-sialon phosphor. 前記準備する工程において、前記第2蛍光体粒子が、フッ化物蛍光体、アルカリ土類金属シリコンナイトライド蛍光体、及びα-サイアロン蛍光体からなる群から選択される少なくとも1種の蛍光体である、請求項1から6のいずれか1項に記載の成形体の製造方法。 7. The method for producing a molded body according to claim 1, wherein in the preparing step, the second phosphor particles are at least one type of phosphor selected from the group consisting of a fluoride phosphor, an alkaline earth metal silicon nitride phosphor, and an α - sialon phosphor. 前記電解液中に前記基体を配置する工程において、前記陽イオンが、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアンモニウムからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1から7のいずれか1項に記載の成形体の製造方法。 8. The method for producing a molded body according to claim 1, wherein in the step of placing the substrate in the electrolytic solution, the cation is at least one selected from the group consisting of alkaline earth metals, alkali metals, and ammonium. 前記準備する工程において、前記アルカリ金属ケイ酸塩水溶液が、ケイ酸ナトリウム溶液又はケイ酸カリウム溶液である、請求項1から8のいずれか1項に記載の成形体の製造方法。 The method for producing a molded body according to claim 1 , wherein in the preparing step, the aqueous alkali metal silicate solution is a sodium silicate solution or a potassium silicate solution. 第1蛍光体粒子を含む無機材料からなる透光性の基体と、
前記基体に配置される第2蛍光体粒子と、
前記基体に前記第2蛍光体粒子を固定させたアルカリ金属を含む二酸化ケイ素の被膜と、
前記被膜上に形成された10nm以上1μm以下の厚みの酸化物又は窒化物の透光性の保護膜と、を含む成形体であり、
前記第2蛍光体粒子と前記基体との間に存在する前記アルカリ金属を含む二酸化ケイ素の厚みが1μm以下であり、
前記成形体の表面は前記第2蛍光体粒子に起因する凹凸が形成されている成形体。
a light-transmitting base made of an inorganic material containing first phosphor particles;
second phosphor particles disposed on the substrate;
a silicon dioxide coating containing an alkali metal having the second phosphor particles fixed to the substrate;
a light-transmitting protective film of an oxide or nitride having a thickness of 10 nm to 1 μm formed on the coating,
the thickness of the alkali metal-containing silicon dioxide present between the second phosphor particles and the base is 1 μm or less;
The surface of the molded body is formed with irregularities caused by the second phosphor particles.
レーザー回折式粒度分布測定法により測定した前記第2蛍光体粒子の体積基準の粒径が1μm以上50μm以下の範囲内である、請求項10に記載の成形体。 The molded body according to claim 10 , wherein the volume-based particle size of the second phosphor particles is within a range of 1 μm or more and 50 μm or less, as measured by a laser diffraction particle size distribution measurement method. 前記基体の表面に前記第2蛍光体粒子とは異なる波長の光を出射する第3蛍光体粒子が固定されている、請求項10又は11に記載の成形体。 The molded body according to claim 10 or 11 , further comprising third phosphor particles fixed to a surface of the base, the third phosphor particles emitting light of a wavelength different from that of the second phosphor particles. 前記請求項10から12のいずれか1項に記載の成形体と、前記成形体を照射する光源と、を備えた発光装置。 A light emitting device comprising : the molded body according to claim 10 ; and a light source that irradiates the molded body. 前記光源が半導体レーザーである、請求項13に記載の発光装置。
The light emitting device according to claim 13 , wherein the light source is a semiconductor laser.
JP2020159000A 2020-09-23 2020-09-23 Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device Active JP7522344B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020159000A JP7522344B2 (en) 2020-09-23 2020-09-23 Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020159000A JP7522344B2 (en) 2020-09-23 2020-09-23 Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022052552A JP2022052552A (en) 2022-04-04
JP7522344B2 true JP7522344B2 (en) 2024-07-25

Family

ID=80948953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020159000A Active JP7522344B2 (en) 2020-09-23 2020-09-23 Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7522344B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7671609B2 (en) * 2021-03-26 2025-05-02 日本特殊陶業株式会社 Wavelength conversion member, its manufacturing method, and light emitting device
JP7502667B2 (en) 2022-03-29 2024-06-19 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light reflecting member and method for manufacturing light emitting device including light reflecting member
JPWO2023234149A1 (en) * 2022-05-30 2023-12-07
WO2024058087A1 (en) * 2022-09-12 2024-03-21 ローム株式会社 Semiconductor laser device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012185402A (en) 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp Light emitting element and method for producing the same, light source device, and projector
JP2013247067A (en) 2012-05-29 2013-12-09 Nichia Chem Ind Ltd Inorganic molding article for color conversion, method of manufacturing the same and light-emitting device
WO2019111726A1 (en) 2017-12-05 2019-06-13 シャープ株式会社 Phosphor layer composition, fluorescent member, light source, and projection device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06162924A (en) * 1992-11-20 1994-06-10 Ise Electronics Corp Formation method of phosphor surface in display tube for light source

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012185402A (en) 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp Light emitting element and method for producing the same, light source device, and projector
JP2013247067A (en) 2012-05-29 2013-12-09 Nichia Chem Ind Ltd Inorganic molding article for color conversion, method of manufacturing the same and light-emitting device
WO2019111726A1 (en) 2017-12-05 2019-06-13 シャープ株式会社 Phosphor layer composition, fluorescent member, light source, and projection device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022052552A (en) 2022-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7522344B2 (en) Manufacturing method of molded body, molded body and light emitting device
JP5530165B2 (en) Light source device and lighting device
US8872208B2 (en) Light source device and lighting device
KR101549736B1 (en) Inorganic shaped body for converting wavelength and method for manufacturing the same, and light emitting device
CN105423238B (en) Wavelength conversion member, light emitting device, projector, and method of manufacturing wavelength conversion member
JP5311582B2 (en) LED element, and backlight device and display apparatus using the LED element
JP5530171B2 (en) Lighting device
US9519207B2 (en) Wavelength converting device and light emitting device using the same
JP5611690B2 (en) Light source device, color adjustment method, lighting device
WO2021002158A1 (en) Method for manufacturing light emitting device and method for manufacturing light emitting module, and light emitting device and light emitting module
CN103097488A (en) Phosphor and light emitting device
US20220293573A1 (en) Light-emitting device and light-emitting module
JP4417906B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
WO2023167306A1 (en) Composite ceramic, phosphor element, laser lighting device, and method for producing composite ceramic
JP2012243618A (en) Light source device and lighting device
JP7678270B2 (en) Molded body, light-emitting device, and method for manufacturing the molded body
US9200200B2 (en) Phosphor, light emitting device, surface light source device, display device and illumination device
JP7727962B2 (en) Fluorescent light-emitting module and light-emitting device
WO2022118558A1 (en) Fluorescence module and light emitting device
CN113508463B (en) Manufacturing methods for light-emitting devices and light-emitting modules, as well as light-emitting devices and light-emitting modules.
JP7502636B2 (en) Light emitting device manufacturing method and light emitting device
JP7339518B2 (en) Method for manufacturing light-emitting module
JP7260776B2 (en) Method for manufacturing optical component and method for manufacturing light-emitting device
CN114137787B (en) Wavelength conversion device, light emitting device thereof and projection device
JP2024066549A (en) Phosphor device and light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240229

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240611

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240624

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7522344

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150