JP7524766B2 - 量子ドットの製造方法 - Google Patents
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Description
オレイルアミン:C18H35NH2、ステアリル(オクタデシル)アミン:C18H37NH2、ドデシル(ラウリル)アミン:C12H25NH2、デシルアミン:C10H21NH2、オクチルアミン:C8H17NH2
(2) 脂肪酸系
オレイン酸:C17H33COOH、ステアリン酸:C17H35COOH、パルミチン酸:C15H31COOH、ミリスチン酸:C13H27COOH、ラウリル酸:C11H23COOH、デカン酸:C9H19COOH、オクタン酸:C7H15COOH
(3) チオール系
オクタデカンチオール:C18H37SH、ヘキサンデカンチオール:C16H33SH、テトラデカンチオール:C14H29SH、ドデカンチオール:C12H25SH、デカンチオール:C10H21SH、オクタンチオール:C8H17SH
(4) ホスフィン系
トリオクチルホスフィン:(C8H17)3P、トリフェニルホスフィン:(C6H5)3P、トリブチルホスフィン:(C4H9)3P
(5)ホスフィンオキシド系
トリオクチルホスフィンオキシド:(C8H17)3P=O、トリフェニルホスフィンオキシド:(C6H5)3P=O、トリブチルホスフィンオキシド:(C4H9)3P=O
続いて、本実施形態の量子ドット5の製造方法について説明する。
実験では、AgInxGa1-xSySe1-y系或いはZnAgInxGa1-xSySe1-y系(0≦X<1、0≦Y≦1)の量子ドットを合成するにあたり以下の原料を用いた。
(溶媒)
オクタデセン:Aldrich株式会社製
オレイルアミン:花王株式会社製
ドデカンチオール:花王株式会社製
オレイン酸:花王株式会社製 ルナックO-V
トリオクチルホスフィン:北興化学株式会社製
(銀原料)
酢酸銀:Aldrich株式会社製
(インジウム原料)
酢酸インジウム:新興化学工業株式会社製
ジエチルジチオカルバミン酸インジウム:発明者らによる合成原料
(ガリウム原料)
塩化ガリウム:新興化学工業株式会社製
ガリウムアセチルアセトナート:東京化成工業株式会社製
(硫黄原料)
硫黄:キシダ化学株式会社製
テトラエチルチウラムジスルフィド:三新化学工業株式会社製
ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド:三新化学工業株式会社製
イソプロピルキサントゲンジスルフィド:三新化学工業株式会社製
テトラメチルチウラムジスルフィド:三新化学工業株式会社製
<測定機器>
蛍光分光計:日本分光株式会社製 F-2700
紫外-可視光分光光度計:日立株式会社製 V-770
量子収率測定装置:大塚電子株式会社製 QE-1100
走査線電子顕微鏡(SEM):日立株式会社製 SU9000
300mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を1.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 165mgと、オレイルアミン:OLAm 28.5mLと、ドデカンチオール:DDT 1.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 73.4mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 91.8mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 73.4mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 73.4mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55.5mgと、オレイルアミン:OLAm 20mLと、ドデカンチオール:DDT3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55.5mgと、オレイルアミン:OLAm 20mLと、ドデカンチオール:DDT3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55.5mgと、オレイルアミン:OLAm 20mLと、ドデカンチオール:DDT3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:AgOAcをオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55.5mgと、オレイルアミン:OLAm 20mLと、ドデカンチオール:DDT3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 53.3mgと、インジウムアセチルアセトナート:In(acac)3をオレイルアミン:OLAmおよびオレイン酸:OLAcに溶解させて得られた0.02Mの溶液を0.25mlと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT2.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、ガリウムアセチルアセトナート:Ga(acac)3 55.5mgと、オレイルアミン:OLAm 20mLと、ドデカンチオール:DDT3mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
100mL反応容器に、酢酸銀:Ag(OAc)をオレイルアミン:OLAmに溶解させて得られた0.2Mの溶液を0.5mlと、酢酸インジウム:In(OAc)3 29mgと、オレイルアミン:OLAm 9.5mLと、ドデカンチオール:DDT 0.5mlを入れた。そして、不活性ガス(N2)雰囲気下で攪拌しながら加熱し、原料を溶解させた。
Claims (8)
- AgInxGa1-xSySe1-y系、或いは、ZnAgInxGa1-xSySe1-y系(0≦x<1、0≦y≦1)からなり、
少なくとも、Agと、Gaと、S、又はAgと、Gaと、Seを含み、Cdを含まず、
反応初期粒子を形成した後、所定元素を後添加して合成し、反応初期には、Inを含まず、
緑色波長域から赤色波長域にて、蛍光半値幅が45nm以下で、蛍光量子収率が35%以上の蛍光特性を示す量子ドットを合成することを特徴とする量子ドットの製造方法。 - Znを、反応初期に加えずに後添加することを特徴とする請求項1に記載の量子ドットの製造方法。
- S源として、チウラム、ジスルフィド、Sをオクタデセンに溶解させたS-ODE、或いは、Sをオレイルアミン及びドデカンチオールに溶解させたS-OLAm/DDTを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の量子ドットの製造方法。
- Se源として、Sをオレイルアミン及びドデカンチオールに溶解させたS-OLAm/DDTを用いることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の量子ドットの製造方法。
- Ga源として、ガリウムアセチルアセトナート(Ga(acac)3)、或いは、塩化ガリウム(GaCl3)を用いることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の量子ドットの製造方法。
- Ag源、Ga源及びS源又はAg源、Ga源及びSe源を混合して得られた反応溶液に対し、TOP添加又はTOPにより分散処理を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の量子ドットの製造方法。
- Ag源、Ga源及びS源又はAg源、Ga源及びSe源を混合して合成した反応溶液を、遠心分離することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の量子ドットの製造方法。
- Ag源、Ga源及びS源又はAg源、Ga源及びSe源を混合して合成した反応溶液に、トルエン、メタノール、エタノール、アセトン等の溶媒を加えて遠心分離することを特徴とする請求項7に記載の量子ドットの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021009482A JP7714880B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-01-25 | 量子ドット |
| JP2025120124A JP2025142068A (ja) | 2019-08-23 | 2025-07-17 | 量子ドット、及び、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019153204 | 2019-08-23 | ||
| JP2019153204 | 2019-08-23 | ||
| PCT/JP2020/029529 WO2021039290A1 (ja) | 2019-08-23 | 2020-07-31 | 量子ドット、及び、その製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021009482A Division JP7714880B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-01-25 | 量子ドット |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2021039290A1 JPWO2021039290A1 (ja) | 2021-03-04 |
| JPWO2021039290A5 JPWO2021039290A5 (ja) | 2022-05-09 |
| JP7524766B2 true JP7524766B2 (ja) | 2024-07-30 |
Family
ID=74684692
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020568360A Active JP7524766B2 (ja) | 2019-08-23 | 2020-07-31 | 量子ドットの製造方法 |
| JP2021009482A Active JP7714880B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-01-25 | 量子ドット |
| JP2025120124A Pending JP2025142068A (ja) | 2019-08-23 | 2025-07-17 | 量子ドット、及び、その製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021009482A Active JP7714880B2 (ja) | 2019-08-23 | 2021-01-25 | 量子ドット |
| JP2025120124A Pending JP2025142068A (ja) | 2019-08-23 | 2025-07-17 | 量子ドット、及び、その製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11834596B2 (ja) |
| EP (2) | EP4019608B1 (ja) |
| JP (3) | JP7524766B2 (ja) |
| KR (2) | KR102950817B1 (ja) |
| CN (3) | CN120209829A (ja) |
| TW (1) | TW202113038A (ja) |
| WO (1) | WO2021039290A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10927294B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-02-23 | Nanosys, Inc. | Bright silver based quaternary nanostructures |
| CN120209829A (zh) * | 2019-08-23 | 2025-06-27 | 凸版印刷株式会社 | 荧光纳米粒子 |
| US11926776B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-03-12 | Shoei Chemical Inc. | Films comprising bright silver based quaternary nanostructures |
| US11407940B2 (en) | 2020-12-22 | 2022-08-09 | Nanosys, Inc. | Films comprising bright silver based quaternary nanostructures |
| WO2022191032A1 (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-15 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 半導体ナノ粒子の製造方法、半導体ナノ粒子及び発光デバイス |
| JP7316618B2 (ja) * | 2021-03-08 | 2023-07-28 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 半導体ナノ粒子の製造方法及び発光デバイス |
| US12389724B2 (en) * | 2021-03-08 | 2025-08-12 | National University Corporation Tokai National Higher Education And Research System | Method for producing semiconductor nanoparticles and light-emitting device |
| US11360250B1 (en) | 2021-04-01 | 2022-06-14 | Nanosys, Inc. | Stable AIGS films |
| CN117396581B (zh) * | 2021-04-01 | 2026-04-03 | 昭荣化学工业株式会社 | 稳定的aigs膜 |
| WO2022215376A1 (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 半導体ナノ粒子の製造方法 |
| JP7335520B2 (ja) | 2021-06-21 | 2023-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 波長変換部材、発光装置及び画像表示装置 |
| US12545836B2 (en) | 2021-06-21 | 2026-02-10 | Nichia Corporation | Fluoride phosphor and method of producing the same, wavelength conversion member, and light emitting device |
| CN114518358B (zh) * | 2022-02-16 | 2023-10-27 | 四川农业大学 | 农药残留检测用三色传感探针及其制备方法、应用和深度学习的视觉智能监测装置及方法 |
| JP7832462B2 (ja) * | 2022-02-17 | 2026-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光材料及び発光装置 |
| KR102807530B1 (ko) * | 2022-03-18 | 2025-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노입자, 및 이를 포함하는 색변환패널과 전자소자 |
| JPWO2023176509A1 (ja) | 2022-03-18 | 2023-09-21 | ||
| EP4245821A1 (en) * | 2022-03-18 | 2023-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color conversion panel including luminescent nanoparticles, nanoparticles, and electronic device including the same |
| KR20240072860A (ko) * | 2022-11-17 | 2024-05-24 | 덕산네오룩스 주식회사 | 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치 |
| KR20240072859A (ko) * | 2022-11-17 | 2024-05-24 | 덕산네오룩스 주식회사 | 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치 |
| KR20240072861A (ko) * | 2022-11-17 | 2024-05-24 | 덕산네오룩스 주식회사 | 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치 |
| KR20240074418A (ko) * | 2022-11-21 | 2024-05-28 | 덕산네오룩스 주식회사 | 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치 |
| KR20240164657A (ko) * | 2023-05-11 | 2024-11-20 | 덕산네오룩스 주식회사 | 양자점, 그 양자점의 제조방법, 그 감광성 수지 조성물 및 전자장치 |
| KR20250022962A (ko) * | 2023-08-08 | 2025-02-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노입자, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 전자소자 |
| KR20250022562A (ko) * | 2023-08-08 | 2025-02-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 나노입자, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 전자소자 |
| CN117402612A (zh) * | 2023-08-30 | 2024-01-16 | 南京理工大学 | 一种提高Ag-In-Ga-S四元量子点荧光量子产率的方法 |
| CN117866623A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-04-12 | 北京交通大学 | 窄谱带绿光、红光Ag-In-Ga-Zn-S纳米晶的制备方法 |
| CN120059734B (zh) * | 2025-02-21 | 2025-10-28 | 西湖大学光电研究院 | 一种量子点的制备方法、量子点及其应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2018141141A (ja) | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス |
| WO2019160094A1 (ja) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス |
| WO2019160093A1 (ja) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 国立大学法人大阪大学 | コアシェル型半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス |
| JP6931435B1 (ja) | 2019-06-20 | 2021-09-01 | ナノシス・インク. | 明るい銀をベースとする四元ナノ構造 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102212363B (zh) | 2011-04-15 | 2013-11-20 | 吉林大学 | 一种核壳结构量子点的制备方法 |
| CN102626643B (zh) * | 2012-03-27 | 2013-12-18 | 哈尔滨工业大学 | 一种含镓硫化物光催化剂及其溶剂热制备方法 |
| US9187692B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-11-17 | Pacific Light Technologies Corp. | Nano-crystalline core and nano-crystalline shell pairing having group I-III-VI material nano-crystalline core |
| FR3034097A1 (fr) * | 2015-03-23 | 2016-09-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour augmenter le rendement quantique interne de photoluminescence de nanocristaux, en particulier de nanocristaux d'agins2-zns |
| JP6293710B2 (ja) | 2015-07-22 | 2018-03-14 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子およびその製造方法 |
| KR101665550B1 (ko) * | 2015-08-24 | 2016-10-12 | 홍익대학교 산학협력단 | I-ⅲ-vi계 백색 발광 양자점 및 그 제조 방법 |
| JP6464215B2 (ja) | 2016-03-18 | 2019-02-06 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体ナノ粒子およびその製造方法 |
| US10563122B2 (en) | 2016-03-18 | 2020-02-18 | Osaka University | Semiconductor nanoparticles and method of producing semiconductor nanoparticles |
| JP6466979B2 (ja) | 2016-09-06 | 2019-02-06 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子および半導体ナノ粒子の製造方法ならびに発光デバイス |
| CN106590624A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-04-26 | 河北工业大学 | 一种发光纳米颗粒及其制备方法 |
| KR102604186B1 (ko) | 2017-02-28 | 2023-11-20 | 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 도우카이 고쿠리츠 다이가쿠 기코우 | 반도체 나노 입자 및 그 제조 방법 및 발광 디바이스 |
| CN108659814B (zh) * | 2018-01-10 | 2020-08-14 | 西安电子科技大学 | 一种四元水溶性量子点及其制备方法和应用 |
| JP7092992B2 (ja) | 2018-03-06 | 2022-06-29 | 富士通株式会社 | 文書管理プログラム、文書管理装置および文書管理方法 |
| CN120209829A (zh) * | 2019-08-23 | 2025-06-27 | 凸版印刷株式会社 | 荧光纳米粒子 |
| US20240107792A1 (en) * | 2021-02-18 | 2024-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element |
-
2020
- 2020-07-31 CN CN202510276461.XA patent/CN120209829A/zh active Pending
- 2020-07-31 JP JP2020568360A patent/JP7524766B2/ja active Active
- 2020-07-31 CN CN202080003773.9A patent/CN112752828A/zh active Pending
- 2020-07-31 US US17/257,074 patent/US11834596B2/en active Active
- 2020-07-31 CN CN202510276423.4A patent/CN120209828A/zh active Pending
- 2020-07-31 EP EP20827961.2A patent/EP4019608B1/en active Active
- 2020-07-31 KR KR1020247026454A patent/KR102950817B1/ko active Active
- 2020-07-31 EP EP25167685.4A patent/EP4632036A1/en active Pending
- 2020-07-31 WO PCT/JP2020/029529 patent/WO2021039290A1/ja not_active Ceased
- 2020-07-31 KR KR1020207036976A patent/KR102693926B1/ko active Active
- 2020-08-19 TW TW109128172A patent/TW202113038A/zh unknown
-
2021
- 2021-01-25 JP JP2021009482A patent/JP7714880B2/ja active Active
-
2023
- 2023-10-24 US US18/383,091 patent/US12577464B2/en active Active
-
2025
- 2025-07-17 JP JP2025120124A patent/JP2025142068A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018141141A (ja) | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 国立大学法人名古屋大学 | 半導体ナノ粒子およびその製造方法ならびに発光デバイス |
| WO2019160094A1 (ja) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 国立大学法人大阪大学 | 半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス |
| WO2019160093A1 (ja) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | 国立大学法人大阪大学 | コアシェル型半導体ナノ粒子、その製造方法および発光デバイス |
| JP6931435B1 (ja) | 2019-06-20 | 2021-09-01 | ナノシス・インク. | 明るい銀をベースとする四元ナノ構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022120222A (ja) | 2022-08-18 |
| KR102950817B1 (ko) | 2026-04-13 |
| JPWO2021039290A1 (ja) | 2021-03-04 |
| CN112752828A (zh) | 2021-05-04 |
| TW202113038A (zh) | 2021-04-01 |
| CN120209828A (zh) | 2025-06-27 |
| CN120209829A (zh) | 2025-06-27 |
| US11834596B2 (en) | 2023-12-05 |
| US20210363422A1 (en) | 2021-11-25 |
| EP4632036A1 (en) | 2025-10-15 |
| KR20210027276A (ko) | 2021-03-10 |
| WO2021039290A1 (ja) | 2021-03-04 |
| EP4019608A1 (en) | 2022-06-29 |
| JP7714880B2 (ja) | 2025-07-30 |
| US12577464B2 (en) | 2026-03-17 |
| JP2025142068A (ja) | 2025-09-29 |
| US20240059966A1 (en) | 2024-02-22 |
| KR20240124431A (ko) | 2024-08-16 |
| EP4019608B1 (en) | 2025-05-07 |
| EP4019608A4 (en) | 2023-08-23 |
| KR102693926B1 (ko) | 2024-08-12 |
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| WO2026029143A1 (ja) | 量子ドット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210125 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230721 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230721 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240618 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240701 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7524766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |