JP7537926B2

JP7537926B2 - Chuck table for suction holding of wafer, and method for half-cutting wafer

Info

Publication number: JP7537926B2
Application number: JP2020118375A
Authority: JP
Inventors: 二郎現王園
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2020-07-09
Filing date: 2020-07-09
Publication date: 2024-08-21
Anticipated expiration: 2040-07-09
Also published as: JP2022015497A

Description

本発明は、ウェーハを吸引保持するチャックテーブル、及びウェーハに切削溝を形成するハーフカット方法に関する。 The present invention relates to a chuck table that holds a wafer by suction, and a half-cut method for forming a cutting groove in a wafer.

切削装置（例えば、特許文献１参照）は、表面に複数のデバイスを形成しデバイスとデバイスとの間にストリートが形成されたウェーハをチャックテーブルに吸引保持させ、ストリートに沿って切削ブレードを切り込ませてウェーハを分割して複数のチップの形成を可能にしている。 A cutting device (see, for example, Patent Document 1) holds a wafer, on whose surface multiple devices are formed and on which streets are formed between the devices, by suction on a chuck table, and cuts a cutting blade along the streets to divide the wafer and form multiple chips.

チップの裏面にできるチッピングを小さくする等の目的でウェーハの厚みより小さい切り込み深さでウェーハの表面から切削ブレードを切り込ませ、切削ブレードの切削送り方向にウェーハを移動させ、ウェーハを切断しない所定の深さの切削溝（ハーフカット溝）を形成し、その後、デバイスが形成された表面にテープを貼着し、該テープ側を保持してウェーハの裏面を回転する研削砥石で研削することで、所定の厚みのチップを形成する加工方法がある。該加工方法は、ＤｉｃｉｎｇＢｅｆｏｒｅＧｒｉｎｄｉｎｇ（所謂、ＤＢＧ）と呼ばれている。 In order to reduce chipping on the backside of the chip, a cutting blade is inserted into the front side of the wafer at a depth smaller than the thickness of the wafer, the wafer is moved in the cutting feed direction of the cutting blade, and a cutting groove (half-cut groove) of a predetermined depth that does not cut the wafer is formed. After that, tape is attached to the surface on which the device is formed, and the backside of the wafer is ground with a rotating grinding wheel while holding the tape side, thereby forming a chip of a predetermined thickness. This processing method is called Dicing Before Grinding (DBG).

特開２０１８－１３７３３０号公報JP 2018-137330 A

ＤＢＧにおいて、ウェーハの裏面を研削する研削加工は、切削溝（ハーフカット溝）に達しない粗研削をした後に、砥粒径が小さい仕上げ砥石を用いて切削溝に達する仕上げ研削をしてウェーハをチップに分割することでチッピングを小さくしている。この切削溝内に切削屑が付着しないように、先に説明した切削を行う切削装置は、切削溝、及び切削ブレードに切削水を供給する切削水ノズルを備えている。この切削水ノズルから噴射される切削水の勢いによって切削溝内に発生する切削屑を洗浄除去している。 In DBG, the grinding process for grinding the back surface of the wafer involves rough grinding that does not reach the cut groove (half-cut groove), followed by finish grinding using a finishing grindstone with a small abrasive grain size that reaches the cut groove to divide the wafer into chips, thereby reducing chipping. To prevent cutting debris from adhering to the cut groove, the cutting device that performs the cutting described above is equipped with a cutting water nozzle that supplies cutting water to the cut groove and the cutting blade. The force of the cutting water sprayed from this cutting water nozzle cleans and removes cutting debris that occurs in the cut groove.

しかし、切削水ノズルから噴射される切削水の勢いによってウェーハの外周部分が浮き上がり、外周部分の切削溝の深さが深くなるという現象が発生する。切削溝が深くなると、その後、裏面を大きな砥粒の粗研削砥石で粗研削している際に、粗研削砥石が切削溝に到達してしまい大きなチッピングを発生させてしまうという問題がある。
よって、切削装置を用いてウェーハをハーフカットする場合には、切削溝（ハーフカット溝）の深さを均一にするという解決すべき課題がある。 However, the force of the cutting water sprayed from the cutting water nozzle causes the outer periphery of the wafer to lift up, which deepens the cutting groove in the outer periphery. If the cutting groove becomes deep, when the back surface is subsequently roughly ground with a coarse grinding wheel with large abrasive grains, the coarse grinding wheel may reach the cutting groove, causing large chipping.
Therefore, when half-cutting a wafer using a cutting device, there is a problem to be solved of making the depth of the cut groove (half-cut groove) uniform.

上記課題を解決するための本発明は、ウェーハを加工する加工装置に配置され、円形の吸引面を吸引源に連通させ該吸引面でウェーハを吸引保持するチャックテーブルであって、ウェーハの外周部分を僅かに環状にはみ出させてウェーハの中央部分を吸引する該吸引面を有するポーラス板と、該吸引面を露出させ該ポーラス板を収容し該吸引面と面一の環状上面を有する枠体と、該吸引面と該環状上面との間に形成される凹部と、該凹部に配置され該吸引面に吸引保持されたウェーハの外周部分の下面または側面に接触して該吸引面の外周をシールするリング状の中空弾性部材からなるシール部と、を備え、該中空リング弾性部材は、ウェーハの外周部分の下面に接触する部分にリング状に配置される上開口と、リング内部を吸引源に連通させる下開口とを備え、該下開口を吸引源に連通させるリング吸引路を備えるチャックテーブルである。
In order to solve the above problems, the present invention provides a chuck table that is placed in a processing device for processing wafers, has a circular suction surface that is connected to a suction source and suction-holds a wafer on the suction surface, the chuck table comprising: a porous plate having a suction surface that sucks in a central portion of the wafer with the outer circumferential portion of the wafer slightly protruding in an annular shape; a frame that exposes the suction surface and houses the porous plate and has an annular upper surface that is flush with the suction surface; a recess formed between the suction surface and the annular upper surface; and a seal portion made of a ring-shaped hollow elastic member that is placed in the recess and contacts the underside or side of the outer circumferential portion of the wafer held by suction on the suction surface to seal the outer periphery of the suction surface, the hollow ring elastic member having an upper opening that is arranged in a ring shape at the portion that contacts the underside of the outer circumferential portion of the wafer, and a lower opening that connects the inside of the ring to the suction source, and the chuck table is provided with a ring suction path that connects the lower opening to the suction source .

また、上記課題を解決するための本発明は、チャックテーブルの前記吸引面にウェーハを吸引保持させ、切削ブレードでウェーハにウェーハを切断しない所定の深さの切削溝を形成するハーフカット方法であって、吸引源に連通する該吸引面でウェーハを吸引保持させると共に前記シール部をウェーハ外周部分の下面に接触させ該シール部のリング内部を吸引源に連通させることによって該シール部を該吸引面と面一にさせる保持工程と、該吸引面に吸引保持されたウェーハの上面より所定の距離下に該切削ブレードの先端を位置づけ、該切削ブレードとウェーハとを相対的に切削送り方向に移動させ切削溝を形成する切削工程と、からなるハーフカット方法である。 In addition, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a half-cut method in which a wafer is suction-held on the suction surface of a chuck table and a cutting groove of a predetermined depth is formed in the wafer with a cutting blade without cutting the wafer, the half-cut method comprising: a holding step in which the wafer is suction-held on the suction surface communicating with a suction source and the sealing portion is brought into contact with the underside of the outer periphery of the wafer and the inside of the ring of the sealing portion is communicated with the suction source, thereby making the sealing portion flush with the suction surface; and a cutting step in which the tip of the cutting blade is positioned a predetermined distance below the upper surface of the wafer held by suction on the suction surface and the cutting blade and the wafer are moved relatively in the cutting feed direction to form the cutting groove.

ウェーハを加工する加工装置に配置され、円形の吸引面を吸引源に連通させ吸引面でウェーハを吸引保持する本発明に係るチャックテーブルは、ウェーハの外周部分を僅かに環状にはみ出させてウェーハの中央部分を吸引する吸引面を有するポーラス板と、吸引面を露出させポーラス板を収容し吸引面と面一の環状上面を有する枠体と、吸引面と環状上面との間に形成される凹部と、凹部に配置され吸引面に吸引保持されたウェーハの外周部分の下面または側面に接触して吸引面の外周をシールするリング状のシール部と、を備えることで、切削水ノズルから噴射する切削水の勢いでウェーハの外周部分が浮き上がってしまうことを防止でき、切削溝（例えば、ハーフカット溝）の深さを均一にすることができる。また、例えばハーフカット切削の際に、吸引力によってポーラス板の外周から加工屑が吸引されるのをシール部で防ぐことが可能となる。 The chuck table according to the present invention is arranged in a processing device for processing wafers, and has a circular suction surface connected to a suction source to hold the wafer by suction. The chuck table comprises a porous plate having a suction surface that suctions the central part of the wafer by making the peripheral part of the wafer protrude slightly in an annular shape, a frame that exposes the suction surface and houses the porous plate and has an annular upper surface flush with the suction surface, a recess formed between the suction surface and the annular upper surface, and a ring-shaped seal portion that is arranged in the recess and contacts the lower or side surface of the peripheral part of the wafer held by suction on the suction surface to seal the outer periphery of the suction surface, thereby preventing the peripheral part of the wafer from floating up due to the force of cutting water sprayed from the cutting water nozzle, and making the depth of the cutting groove (e.g., half-cut groove) uniform. In addition, for example, during half-cut cutting, the seal portion can prevent processing waste from being sucked from the outer periphery of the porous plate by the suction force.

シール部は、中空でリング状の中空リング弾性部材であることで、ウェーハの外周部分に押しつぶされた状態となり、吸引面のバキュームリーク、及び切削水ノズルから噴射する切削水の勢いでウェーハの外周部分が浮き上がってしまうことを防ぎ、かつ、ポーラス板の加工屑の吸引を防ぐことが可能となる。 The sealing part is a hollow, ring-shaped elastic member that is pressed against the outer periphery of the wafer, preventing vacuum leaks from the suction surface and the outer periphery of the wafer from floating up due to the force of the cutting water sprayed from the cutting water nozzle, and also preventing the suction of processing debris from the porous plate.

本発明に係るチャックテーブルは、シール部とポーラス板の側面との間で凹部の底面に形成された開口と、開口を吸引源に連通させる外周吸引路と、を備えることで、開口に伝達された吸引力によってウェーハの外周部分を強く吸引して、ウェーハによってシール部を押しつぶしつつウェーハの外周部分の下面、吸引面、及びシール部を面一にし、吸引面のバキュームリーク、及び切削水ノズルから噴射する切削水の勢いでウェーハの外周部分が浮き上がってしまうことを防ぎ、かつ、ポーラス板の加工屑の吸引を防ぐことが可能となる。 The chuck table according to the present invention is provided with an opening formed in the bottom surface of the recess between the seal portion and the side surface of the porous plate, and a peripheral suction path that connects the opening to a suction source. This allows the suction force transmitted to the opening to strongly suck in the peripheral portion of the wafer, crushing the seal portion with the wafer while making the underside of the peripheral portion of the wafer, the suction surface, and the seal portion flush, preventing vacuum leaks on the suction surface and the peripheral portion of the wafer from floating up due to the force of the cutting water sprayed from the cutting water nozzle, and also making it possible to prevent the suction of processing debris from the porous plate.

本発明に係るチャックテーブルは、前記シール部に代えて、凹部にリング状に複数配置され吸引面に吸引保持されたウェーハの外周部分の下面を吸引する吸盤を備え、枠体は吸盤を吸引源に連通させる吸盤連通路を備えることで、吸盤に伝達された吸引力によってウェーハの外周部分を強く吸引して、ウェーハによって吸盤を押しつぶしてウェーハの外周部分の下面、吸引面、及び吸盤を面一にし、吸引面のバキュームリークを防いで、噴射された切削水の勢いによってウェーハの外周部分が浮き上がってしまうことを防止できる。 Instead of the sealing portion, the chuck table according to the present invention is provided with suction cups arranged in a ring shape in the recessed portion to suck the underside of the outer periphery of the wafer held by suction on the suction surface, and the frame is provided with a suction cup connection passage that connects the suction cups to a suction source. This allows the suction force transmitted to the suction cups to strongly suck the outer periphery of the wafer, crushing the suction cups with the wafer and making the underside of the outer periphery of the wafer, the suction surface, and the suction cups flush, preventing vacuum leaks on the suction surface and preventing the outer periphery of the wafer from floating up due to the force of the sprayed cutting water.

前記中空リング弾性部材は、ウェーハの外周部分の下面に接触する部分にリング状に配置される上開口と、リング内部を吸引源に連通させる下開口とを備え、例えば枠体は下開口を吸引源に連通させるリング吸引路を備えることで、上開口に伝達された吸引力によってウェーハの外周部分を強く吸引して、ウェーハによって中空リング弾性部材を押しつぶしてウェーハの外周部分の下面、中空リング弾性部材、及び吸引面を面一にして、吸引面のバキュームリーク、及び切削水ノズルから噴射する切削水の勢いでウェーハの外周部分が浮き上がってしまうことを防止できる。 The hollow ring elastic member has an upper opening arranged in a ring shape at the part that contacts the underside of the outer periphery of the wafer, and a lower opening that connects the inside of the ring to a suction source. For example, the frame has a ring suction path that connects the lower opening to the suction source. This strongly sucks the outer periphery of the wafer with the suction force transmitted to the upper opening, and the wafer crushes the hollow ring elastic member, making the underside of the outer periphery of the wafer, the hollow ring elastic member, and the suction surface flush, preventing vacuum leaks from the suction surface and the outer periphery of the wafer from floating up due to the force of the cutting water sprayed from the cutting water nozzle.

また上記チャックテーブルの吸引面にウェーハを吸引保持させ、切削ブレードでウェーハにウェーハを切断しない所定の深さの切削溝を形成する本発明に係るハーフカット方法は、吸引源に連通する吸引面でウェーハを吸引保持させると共にシール部をウェーハに接触させシール部を吸引面と面一にさせる保持工程と、吸引面に吸引保持されたウェーハの上面より所定の距離下に切削ブレードの先端を位置づけ、切削ブレードとウェーハとを相対的に切削送り方向に移動させ切削溝を形成する切削工程と、からなることで、切削水ノズルから噴射する切削水の勢いでウェーハの外周部分が浮き上がることを防止でき、切削溝（ハーフカット溝）の深さを均一にすることができる。また、ハーフカット切削の際に、吸引力によってポーラス板の外周から加工屑が吸引されるのをシール部で防ぐことが可能となる。 The half-cut method according to the present invention, in which the wafer is held by suction on the suction surface of the chuck table and a cutting groove of a predetermined depth is formed in the wafer by the cutting blade without cutting the wafer, comprises a holding step in which the wafer is held by suction on the suction surface connected to the suction source and the seal part is brought into contact with the wafer to make the seal part flush with the suction surface, and a cutting step in which the tip of the cutting blade is positioned a predetermined distance below the upper surface of the wafer held by suction on the suction surface and the cutting blade and the wafer are moved relatively in the cutting feed direction to form the cutting groove, thereby preventing the outer periphery of the wafer from floating up due to the force of the cutting water sprayed from the cutting water nozzle and making the depth of the cutting groove (half-cut groove) uniform. In addition, the seal part can prevent machining waste from being sucked in from the outer periphery of the porous plate by the suction force during half-cut cutting.

本発明に係るチャックテーブルを備える加工装置（切削装置）の一例を示す斜視図である。1 is a perspective view showing an example of a processing device (cutting device) equipped with a chuck table according to the present invention. 実施形態１のシール部を備えるチャックテーブルの断面図である。4 is a cross-sectional view of a chuck table equipped with a sealing portion of the first embodiment. FIG. 実施形態１のシール部を拡大して説明する断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a seal portion of the first embodiment. FIG. 実施形態１のシール部を備えるチャックテーブルを用いたウェーハの保持工程を拡大して説明する断面図である。1 is an enlarged cross-sectional view for explaining a wafer holding process using a chuck table having a seal portion according to the first embodiment. FIG. 実施形態２のシール部を備えるチャックテーブルの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a chuck table equipped with a sealing portion of a second embodiment. 実施形態２のシール部を拡大して説明する断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view illustrating a seal portion of a second embodiment. 実施形態２のシール部を備えるチャックテーブルを用いたウェーハの保持工程を拡大して説明する断面図である。11 is an enlarged cross-sectional view for explaining a wafer holding process using a chuck table having a seal portion according to the second embodiment. FIG. シール部、凹部の底面に形成された開口、及び外周吸引路を備えるチャックテーブルの断面図である。1 is a cross-sectional view of a chuck table including a seal portion, an opening formed in a bottom surface of a recess, and an outer circumferential suction path; シール部、開口、及び外周吸引路を拡大して説明する断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a sealing portion, an opening, and an outer circumferential suction passage. FIG. シール部、凹部の底面に形成された開口、及び外周吸引路を備えるチャックテーブルを用いたウェーハの保持工程を拡大して説明する断面図である。11 is an enlarged cross-sectional view for explaining a wafer holding process using a chuck table having a sealing portion, an opening formed in a bottom surface of a recess, and a peripheral suction path; FIG. 吸盤、及び吸盤連通路を備えるチャックテーブルの断面図である。4 is a cross-sectional view of a chuck table having a suction cup and a suction cup communication passage. FIG. 吸盤、及び吸盤連通路を拡大して説明する断面図である。4 is an enlarged cross-sectional view illustrating a suction cup and a suction cup communication passage. FIG. 吸盤、及び吸盤連通路を備えるチャックテーブルを用いたウェーハの保持工程を拡大して説明する断面図である。10 is an enlarged cross-sectional view for explaining a wafer holding process using a chuck table having a suction cup and a suction cup communication passage. FIG. 実施形態５のシール部を備えるチャックテーブルの断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view of a chuck table equipped with a sealing portion of a fifth embodiment. 実施形態５のシール部を拡大して説明する断面図である。13 is an enlarged cross-sectional view illustrating a seal portion of the fifth embodiment. FIG. 実施形態５のシール部を備えるチャックテーブルを用いたウェーハの保持工程を拡大して説明する断面図である。13 is an enlarged cross-sectional view for explaining a wafer holding process using a chuck table having a seal portion according to the fifth embodiment. FIG. チャックテーブルで吸引保持されたウェーハを切削手段によってハーフカットしている状態を説明する断面図である。11 is a cross-sectional view illustrating a state in which a wafer held by suction on a chuck table is half-cut by a cutting means. FIG. ウェーハの切削においてチャックテーブルがもたらす有利な効果を説明するための断面図である。1 is a cross-sectional view for explaining the advantageous effect that the chuck table brings about in cutting the wafer. FIG.

図１に示す加工装置１は、例えば、本発明に係るチャックテーブル３に吸引保持されたウェーハ９に対して、切削手段１７の切削ブレード１７３を回転させ切り込ませて切削加工を施す装置である。なお、加工装置１は、ウェーハ９をデュアルダイシング（２軸同時切削）可能な型のものであってもよい。なお、チャックテーブル３が配設される加工装置は、切削装置に限定されず、研削装置、又はエッジトリミング装置等であってもよい。 The processing device 1 shown in FIG. 1 is, for example, a device that performs cutting processing on a wafer 9 held by suction on the chuck table 3 according to the present invention by rotating and cutting the cutting blade 173 of the cutting means 17. The processing device 1 may be of a type that is capable of dual dicing (simultaneous cutting on two axes) the wafer 9. The processing device on which the chuck table 3 is disposed is not limited to a cutting device, and may be a grinding device, an edge trimming device, or the like.

図１に示すウェーハ９は、例えば、シリコンを母材とする外形が円形の半導体ウェーハであり、図１において上側（＋Ｚ方向側）を向いている表面９１（以下、上面９１とする）には、直交差する複数の分割予定ライン９１０が形成されており、分割予定ライン９１０によって格子状に区画された各領域にはＩＣ等のデバイス９１１がそれぞれ形成されている。図１において下側を向いているウェーハ９の下面９０を裏面とする。なお、ウェーハ９はシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、セラミックス、樹脂、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。そして、ウェーハ９は、上面９１側から切削ブレード１７３が切り込まれる。
ウェーハ９は、例えば、外周縁が面取り加工されており断面が略円弧状の面取り部が形成されている。 The wafer 9 shown in Fig. 1 is, for example, a semiconductor wafer with a circular outer shape made of silicon as a base material, and a plurality of dividing lines 910 that intersect at right angles are formed on a surface 91 (hereinafter referred to as the upper surface 91) facing upward (+Z direction side) in Fig. 1, and devices 911 such as ICs are formed in each area partitioned in a lattice shape by the dividing lines 910. The lower surface 90 of the wafer 9 facing downward in Fig. 1 is referred to as the back surface. The wafer 9 may be made of gallium arsenide, sapphire, ceramics, resin, gallium nitride, silicon carbide, or the like, in addition to silicon. A cutting blade 173 is cut into the wafer 9 from the upper surface 91 side.
The wafer 9 has, for example, a chamfered outer periphery, so that a chamfered portion having a cross section in a substantially arc shape is formed.

加工装置１の基台１０上には、切削送り方向（Ｘ軸方向）にチャックテーブル３を往復移動させる切削送り手段１１が配設されている。切削送り手段１１は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ１１０と、ボールネジ１１０と平行に配設された一対のガイドレール１１１と、ボールネジ１１０を回動させるモータ１１２と、内部のナットがボールネジ１１０に螺合し底部がガイドレール１１１に摺接する可動板１１３とから構成される。そして、モータ１１２がボールネジ１１０を回動させると、これに伴い可動板１１３がガイドレール１１１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板１１３上に回転手段１１９を介して配設されたチャックテーブル３がＸ軸方向に移動する。 On the base 10 of the processing device 1, a cutting feed means 11 for reciprocating the chuck table 3 in the cutting feed direction (X-axis direction) is arranged. The cutting feed means 11 is composed of a ball screw 110 having an axis in the X-axis direction, a pair of guide rails 111 arranged parallel to the ball screw 110, a motor 112 for rotating the ball screw 110, and a movable plate 113 whose internal nut is screwed into the ball screw 110 and whose bottom is in sliding contact with the guide rail 111. When the motor 112 rotates the ball screw 110, the movable plate 113 moves in the X-axis direction while being guided by the guide rail 111, and the chuck table 3 arranged on the movable plate 113 via the rotation means 119 moves in the X-axis direction.

基台１０上の後方側（＋Ｘ方向側）には、門型コラム１００が切削送り手段１１を跨ぐように立設されている。門型コラム１００の前面には、Ｘ軸方向に水平面内において直交するＹ軸方向に切削手段１７を往復移動させる割り出し送り手段１２が配設されている。割り出し送り手段１２は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ１２０と、ボールネジ１２０と平行に配設された一対のガイドレール１２１と、ボールネジ１２０を回動させるモータ１２２と、内部のナットがボールネジ１２０に螺合し側部がガイドレール１２１に摺接する可動板１２３とから構成される。そして、モータ１２２がボールネジ１２０を回動させると、これに伴い可動板１２３がガイドレール１２１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板１２３上に切込み送り手段１６を介して配設された切削手段１７がＹ軸方向に割り出し送りされる。 A gate-type column 100 is erected on the rear side (+X direction side) of the base 10 so as to straddle the cutting feed means 11. An indexing feed means 12 that reciprocates the cutting means 17 in the Y-axis direction perpendicular to the X-axis direction in a horizontal plane is arranged in front of the gate-type column 100. The indexing feed means 12 is composed of a ball screw 120 having an axis in the Y-axis direction, a pair of guide rails 121 arranged parallel to the ball screw 120, a motor 122 that rotates the ball screw 120, and a movable plate 123 whose internal nut is screwed into the ball screw 120 and whose side is in sliding contact with the guide rail 121. When the motor 122 rotates the ball screw 120, the movable plate 123 is guided by the guide rail 121 and moves in the Y-axis direction, and the cutting means 17 arranged on the movable plate 123 via the cutting feed means 16 is indexed and fed in the Y-axis direction.

可動板１２３上には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して直交するＺ軸方向（鉛直方向）に切削手段１７を往復移動させる切込み送り手段１６が配設されている。切込み送り手段１６は、Ｚ軸方向の軸心を有するボールネジ１６０と、ボールネジ１６０と平行に配設された一対のガイドレール１６１と、ボールネジ１６０を回動させるモータ１６２と、内部のナットがボールネジ１６０に螺合し側部がガイドレール１６１に摺接する支持部材１６３とから構成される。そして、モータ１６２がボールネジ１６０を回動させると、これに伴い支持部材１６３がガイドレール１６１にガイドされてＺ軸方向に移動し、支持部材１６３が支持する切削手段１７がＺ軸方向に切込み送りされる。 On the movable plate 123, a cutting feed means 16 is disposed to reciprocate the cutting means 17 in the Z-axis direction (vertical direction) perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction. The cutting feed means 16 is composed of a ball screw 160 having an axis in the Z-axis direction, a pair of guide rails 161 disposed parallel to the ball screw 160, a motor 162 that rotates the ball screw 160, and a support member 163 whose internal nut is screwed into the ball screw 160 and whose side is in sliding contact with the guide rail 161. When the motor 162 rotates the ball screw 160, the support member 163 is guided by the guide rail 161 to move in the Z-axis direction, and the cutting means 17 supported by the support member 163 is cut and fed in the Z-axis direction.

切削手段１７は、軸方向がＹ軸方向である回転軸１７０と、支持部材１６３の下端に固定され回転軸１７０を回転可能に支持するハウジング１７１と、回転軸１７０を回転させる図示しないモータと、回転軸１７０に装着される円環状の切削ブレード１７３とを備えており、図示しないモータが回転軸１７０を回転駆動することに伴って切削ブレード１７３も高速で回転する。 The cutting means 17 includes a rotating shaft 170 whose axial direction is in the Y-axis direction, a housing 171 fixed to the lower end of the support member 163 and rotatably supporting the rotating shaft 170, a motor (not shown) that rotates the rotating shaft 170, and an annular cutting blade 173 attached to the rotating shaft 170. As the motor (not shown) drives the rotating shaft 170 to rotate, the cutting blade 173 also rotates at high speed.

ハウジング１７１の側面には、ウェーハ９の切削すべき位置（分割予定ライン９１０）を撮像して検出するためのアライメント手段１３が配設されている。アライメント手段１３は、照明手段と、ウェーハ９からの反射光を捕らえる光学系、および撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラ１３０とを備えており、カメラ１３０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってウェーハ９の上面９１の分割予定ライン９１０を検出することができる。 An alignment means 13 is provided on the side of the housing 171 to capture and detect the position (planned division line 910) where the wafer 9 is to be cut. The alignment means 13 includes an illumination means, an optical system that captures reflected light from the wafer 9, and a camera 130 that is composed of an image sensor (CCD) or the like, and can detect the planned division line 910 on the top surface 91 of the wafer 9 by image processing such as pattern matching based on the image captured by the camera 130.

切削手段１７は、例えば、切削ブレード１７３をカバーするブレードカバー１７９を備えている。ブレードカバー１７９は、その略中央部に切削ブレード１７３を取り付けるための開口部を備えており、ハウジング１７１に装着されることで、開口部に切削ブレード１７３を位置付け、切削ブレード１７３を上方から覆うことができる。 The cutting means 17 includes, for example, a blade cover 179 that covers the cutting blade 173. The blade cover 179 includes an opening for attaching the cutting blade 173 at approximately the center thereof, and when attached to the housing 171, the cutting blade 173 can be positioned in the opening and the cutting blade 173 can be covered from above.

ブレードカバー１７９の－Ｘ方向側の側面には、径方向ノズル支持ブロック１５０が配設されており、径方向ノズル支持ブロック１５０には、切削ブレード１７３の径方向外側から切削ブレード１７３とチャックテーブル３に吸引保持されたウェーハ９との接触部位（加工点）に向かって切削水を噴射する切削水ノズルである径方向ノズル１５１が、例えば一本配設されている。切削ブレード１７３の厚み方向の中心に噴射口を合わせるように配設された径方向ノズル１５１には、継手や樹脂チューブ等を介して純水等を送出可能な切削水供給源１５９が連通している。径方向ノズル１５１から該加工点に供給される切削水は、主にウェーハ９に形成される切削溝内に発生する切削屑を洗浄除去する。 A radial nozzle support block 150 is disposed on the side of the blade cover 179 in the -X direction, and the radial nozzle support block 150 is provided with, for example, a radial nozzle 151, which is a cutting water nozzle that sprays cutting water from the radial outside of the cutting blade 173 toward the contact point (processing point) between the cutting blade 173 and the wafer 9 held by suction on the chuck table 3. The radial nozzle 151, which is disposed so that the nozzle is aligned with the center of the thickness of the cutting blade 173, is connected to a cutting water supply source 159 capable of delivering pure water or the like via a joint, a resin tube, or the like. The cutting water supplied to the processing point from the radial nozzle 151 mainly cleans and removes cutting chips generated in the cutting groove formed in the wafer 9.

ブレードカバー１７９の＋Ｘ方向側の側面には、冷却水ノズル支持ブロック１５３が配設されており、冷却水ノズル支持ブロック１５３は、Ｙ軸方向側から見て略Ｌ字形状の一対の冷却水ノズル１５４を支持している。一対の冷却水ノズル１５４は、冷却水ノズル支持ブロック１５３内を通り下方に延びた後、切削ブレード１７３の下部を挟むようにして－Ｘ方向側に互いに平行に延びている。一対の冷却水ノズル１５４のそれぞれの上端は、切削水供給源１５９に連通している。一対の冷却水ノズル１５４は切削ブレード１７３の側面に向く複数の噴射口を備えており、噴射口から噴射される切削水によって、切削ブレード１７３は冷却及び洗浄される。一対に冷却水ノズル１５４は、例えば、平面視で、切削ブレード１７３を対称軸としてＹ軸方向に互いに対称に配置されている。 A cooling water nozzle support block 153 is disposed on the side surface of the blade cover 179 on the +X direction side, and the cooling water nozzle support block 153 supports a pair of cooling water nozzles 154 that are approximately L-shaped when viewed from the Y direction side. The pair of cooling water nozzles 154 extend downward through the cooling water nozzle support block 153, and then extend parallel to each other on the -X direction side, sandwiching the lower part of the cutting blade 173. The upper ends of the pair of cooling water nozzles 154 are connected to a cutting water supply source 159. The pair of cooling water nozzles 154 have multiple nozzles facing the side surface of the cutting blade 173, and the cutting blade 173 is cooled and washed by cutting water sprayed from the nozzles. The pair of cooling water nozzles 154 are arranged symmetrically with each other in the Y direction with the cutting blade 173 as the axis of symmetry, for example, in a plan view.

加工装置１には、円形の吸引面３００を真空発生装置又はエジェクター機構等の吸引源３９（図２参照）に連通させ吸引面３００でウェーハ９を吸引保持するチャックテーブル３を備えている。図２に示すように、チャックテーブル３は、ウェーハ９の外周部分９０４を僅かに環状にはみ出させてウェーハ９の中央部分９０３を吸引する吸引面３００を有するポーラス板３０と、吸引面３００を露出させポーラス板３０を収容し吸引面３００と面一の環状上面３１０を有する枠体３１と、吸引面３００と環状上面３１０との間に形成される凹部３２と、凹部３２に配置され吸引面３００に吸引保持されたウェーハ９の外周部分９０４の下面９０又は側面（面取り部）に接触して吸引面３００の外周をシールするリング状のシール部と、を備える。 The processing device 1 is provided with a chuck table 3 that has a circular suction surface 300 connected to a suction source 39 (see FIG. 2) such as a vacuum generator or an ejector mechanism, and that suction-holds the wafer 9 on the suction surface 300. As shown in FIG. 2, the chuck table 3 is provided with a porous plate 30 having a suction surface 300 that suctions the central portion 903 of the wafer 9 with the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 protruding slightly in an annular shape, a frame 31 that exposes the suction surface 300 and houses the porous plate 30 and has an annular upper surface 310 that is flush with the suction surface 300, a recess 32 formed between the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and a ring-shaped seal portion that is disposed in the recess 32 and contacts the lower surface 90 or side surface (chamfered portion) of the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 suction-held on the suction surface 300 to seal the outer periphery of the suction surface 300.

ポーラス板３０は、例えば、多孔質部材であるポーラスセラミックス、ポーラスメタル、多孔質ポリテトラフルオロエチレン、又はポーラスカーボン等で構成されており、その外形が円形状であり、その上面である吸引面３００は、平坦面となっている。吸引面３００の直径は、ウェーハ９の直径よりも僅かに小径となっている。 The porous plate 30 is made of a porous material such as porous ceramics, porous metal, porous polytetrafluoroethylene, or porous carbon, and has a circular outer shape. Its upper surface, the suction surface 300, is flat. The diameter of the suction surface 300 is slightly smaller than the diameter of the wafer 9.

枠体３１は、例えば、ステンレス、若しくはアルミニウム合金、又はセラミックス等で構成されており、その外形が平面視円形に形成されている。枠体３１の上面の外周側には所定の高さの環状壁３１２が立設されており、環状壁３１２の内側の領域はポーラス板３０が収容される収容部３１４となっている。収容部３１４の直径は、例えば、ポーラス板３０の直径よりも僅かに小さく設定されており、収容部３１４にポーラス板３０が嵌合可能となっており、収容部３１４の底面に塗られた接着剤によってポーラス板３０と枠体３１とは一体になっている。枠体３１の直径は、ウェーハ９の直径よりも大径となっている。また、環状壁３１２の上面である環状上面３１０は平坦面となっており、吸引面３００と面一となっている。 The frame 31 is made of, for example, stainless steel, aluminum alloy, or ceramics, and has a circular outer shape in a plan view. An annular wall 312 of a predetermined height is erected on the outer periphery of the upper surface of the frame 31, and the area inside the annular wall 312 is a storage section 314 in which the porous plate 30 is stored. The diameter of the storage section 314 is set, for example, slightly smaller than the diameter of the porous plate 30, so that the porous plate 30 can be fitted into the storage section 314, and the porous plate 30 and the frame 31 are integrated by an adhesive applied to the bottom surface of the storage section 314. The diameter of the frame 31 is larger than the diameter of the wafer 9. In addition, the annular upper surface 310, which is the upper surface of the annular wall 312, is a flat surface and is flush with the suction surface 300.

図１に示すように、チャックテーブル３の下面には、スピンドル及びモータ等からなる回転手段１１９が連結されており、チャックテーブル３は、回転手段１１９によりＺ軸方向の回転軸回りに回転可能となっている。 As shown in FIG. 1, a rotating means 119 consisting of a spindle, a motor, etc. is connected to the underside of the chuck table 3, and the chuck table 3 can be rotated around a rotation axis in the Z-axis direction by the rotating means 119.

図２に示すように、枠体３１の収容部３１４の底面には、例えば、枠体３１の回転中心を中心とする同心円状に形成された複数の円環状の吸引用の溝３１４４と、円環状の溝３１４４から周方向に均等に環状吸引溝３１４４同士を連結するように放射状に延びる図示しない連結溝とが形成されている。そして、円環状の溝３１４４及び連結溝は吸引源３９に連通している。吸引源３９が生み出す吸引力は、溝３１４４、連結溝、及びポーラス板３０の細孔を通り吸引面３００に伝達される。 As shown in FIG. 2, the bottom surface of the storage section 314 of the frame body 31 is formed with, for example, a plurality of annular suction grooves 3144 formed concentrically around the rotation center of the frame body 31, and connecting grooves (not shown) extending radially from the annular grooves 3144 so as to connect the annular suction grooves 3144 evenly in the circumferential direction. The annular grooves 3144 and the connecting grooves are connected to the suction source 39. The suction force generated by the suction source 39 is transmitted to the suction surface 300 through the grooves 3144, the connecting grooves, and the pores of the porous plate 30.

図２、３に示す吸引面３００と環状上面３１０との間に形成される凹部３２は、平面視円環状の所定の深さの溝である。
凹部３２に配置されたリング状のシール部は、複数の実施形態がある。以下に、実施形態１のシール部について説明する。 The recess 32 formed between the suction surface 300 and the annular upper surface 310 shown in FIGS. 2 and 3 is a groove having a predetermined depth and an annular shape in a plan view.
There are a number of embodiments of the ring-shaped seal portion disposed in the recess 32. The seal portion of the first embodiment will be described below.

（実施形態１のシール部）
図２、３に示す実施形態１のシール部３４は、ゴム等の変形可能な弾性部材を平面視リング状に形成したものであり、その直径が凹部３２内でシール部３４が変形可能な大きさに設定されている。シール部３４は、凹部３２の底面にその下端が接着固定されており、その上端側は例えば斜め上方外側に徐々に拡径した接触変形部３４０となっている。シール部３４の接触変形部３４０近傍の外側面は、例えば、断面視Ｒ状に内側に向かってえぐれており、接触変形部３４０がより柔軟に変形しやすいようになっている。変形していない状態の接触変形部３４０は、面一な吸引面３００及び環状上面３１０よりも少しだけ高い位置に位置している。 (Sealing portion of embodiment 1)
The seal portion 34 of the first embodiment shown in Figures 2 and 3 is formed of a deformable elastic member such as rubber in a ring shape in a plan view, and its diameter is set to a size that allows the seal portion 34 to deform within the recess 32. The seal portion 34 has its lower end bonded to the bottom surface of the recess 32, and its upper end side forms a contact deformation portion 340 that gradually expands in diameter, for example, diagonally upward and outward. The outer surface of the seal portion 34 near the contact deformation portion 340 is hollowed outward in an R-shaped cross section, for example, so that the contact deformation portion 340 can be more flexibly deformed. The contact deformation portion 340 in an undeformed state is located slightly higher than the flat suction surface 300 and the annular upper surface 310.

以下に、図１に示すウェーハ９を、加工装置１を用いて本発明に係るハーフカット方法を実施して切削する場合の加工装置１の動作及び各工程について説明する。 The following describes the operation of the processing device 1 and each process when cutting the wafer 9 shown in FIG. 1 using the processing device 1 and implementing the half-cut method of the present invention.

（１）保持工程
図１、２に示すチャックテーブル３は、吸引源３９が生み出す吸引力が、溝３１４４、連結溝、及びポーラス板３０の細孔を通り吸引面３００に伝達された状態になっている。まず、図２に示すように、チャックテーブル３の中心とウェーハ９の中心とが略合致するように、ウェーハ９はデバイス９１１（図１参照）が形成された上面９１を上に向けた状態で吸引面３００上に載置される。そして、図４に示すように、ウェーハ９の中央部分９０３の下面９０が吸引面３００によって吸引保持されるとともに、－Ｚ方向に引き寄せられるウェーハ９の外周部分９０４の下面９０がシール部３４の接触変形部３４０を下方に押していく。接触変形部３４０が下面９０にならって変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態で、凹部３２の少なくともシール部３４よりも内側の空間がシール部３４とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態に吸引面３００の外周がシーリングされる。また、例えば、ウェーハ９の外周縁である面取り加工され断面が略円弧状の面取り部との境付近の下面９０が少しだけ環状上面３１０に接した状態になる。
なお、外周部分９０４の側面である面取り部に接触変形部３４０を接触させてもよい。 (1) Holding step The chuck table 3 shown in Figures 1 and 2 is in a state in which the suction force generated by the suction source 39 is transmitted to the suction surface 300 through the groove 3144, the connecting groove, and the pores of the porous plate 30. First, as shown in Figure 2, the wafer 9 is placed on the suction surface 300 with the upper surface 91 on which the device 911 (see Figure 1) is formed facing up so that the center of the chuck table 3 and the center of the wafer 9 are approximately aligned. Then, as shown in Figure 4, the lower surface 90 of the central portion 903 of the wafer 9 is suction-held by the suction surface 300, and the lower surface 90 of the outer peripheral portion 904 of the wafer 9, which is attracted in the -Z direction, presses the contact deformation portion 340 of the seal portion 34 downward. While the contact deformation portion 340 deforms following the lower surface 90 and becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, at least the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sealed by the seal portion 34 and the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed in a state where there is no vacuum leak from the suction surface 300. Also, for example, the lower surface 90 near the boundary with the chamfered portion having a substantially arc-shaped cross section, which is the outer periphery of the wafer 9, comes into slight contact with the annular upper surface 310.
The contact deformation portion 340 may be brought into contact with a chamfered portion that is a side surface of the outer circumferential portion 904 .

（実施形態２のシール部）
図４に示す実施形態１のシール部３４に代えて、チャックテーブル３は、以下に説明する図５～図７に示す実施形態２のシール部３５を備えていてもよい。実施形態２のシール部３５は、ゴム等で形成された中空で平面視リング状の中空リング弾性部材である。図６に示す変形していない状態のシール部３５の断面のリング外径（管径）は、シール部３５の上部側が凹部３２から一部はみ出し、シール部３５が凹部３２内で変形可能な大きさに設定されている。なお、シール部３５の断面は、円環状となっているが、楕円環状となっていてもよい。 (Sealing portion of embodiment 2)
Instead of the seal portion 34 of the first embodiment shown in Fig. 4, the chuck table 3 may include a seal portion 35 of the second embodiment shown in Figs. 5 to 7 described below. The seal portion 35 of the second embodiment is a hollow elastic member made of rubber or the like and having a ring shape in a plan view. The ring outer diameter (tube diameter) of the cross section of the seal portion 35 in the undeformed state shown in Fig. 6 is set to a size such that the upper side of the seal portion 35 partially protrudes from the recess 32 and the seal portion 35 can be deformed within the recess 32. The cross section of the seal portion 35 is circular, but may be elliptical.

シール部３５を備え吸引面３００に吸引力が伝達された状態のチャックテーブル３を用いた保持工程では、先に説明したようにウェーハ９が上面９１を上に向けた状態で吸引面３００上に載置され、図７に示すように、ウェーハ９の中央部分９０３の下面９０が吸引面３００によって吸引保持されるとともに、ウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が、シール部３５の凹部３２から上方にはみ出している部分に接触し下方に押していく。図７に示すように、シール部３５が押圧されて変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態で、少なくとも凹部３２のシール部３５よりも内側の空間がシール部３５とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態に吸引面３００の外周がシーリングされる。また、例えば、ウェーハ９の外周縁である断面視略円弧状の面取り部との境付近の下面９０が少しだけ環状上面３１０に接した状態になる。 In the holding process using the chuck table 3 with the seal portion 35 and the suction force transmitted to the suction surface 300, the wafer 9 is placed on the suction surface 300 with the upper surface 91 facing up as described above, and as shown in FIG. 7, the lower surface 90 of the central portion 903 of the wafer 9 is suction-held by the suction surface 300, while the lower surface 90 of the peripheral portion 904 of the wafer 9 comes into contact with the portion protruding upward from the recess 32 of the seal portion 35 and pushes it downward. As shown in FIG. 7, while the seal portion 35 is pressed and deformed, it becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and at least the space inside the seal portion 35 of the recess 32 is sealed by the seal portion 35 and the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed in a state where there is no vacuum leak from the suction surface 300. Also, for example, the lower surface 90 near the boundary with the chamfered portion, which is the outer peripheral edge of the wafer 9 and has a generally arc-shaped cross section, comes into slight contact with the annular upper surface 310.

（実施形態３：シール部、開口、及び外周吸引路を備えるチャックテーブル）
チャックテーブル３は、例えば、図８、図９、図１０に示すように、シール部３４とポーラス板３０の外側面との間で凹部３２の底面に形成された開口３６０と、開口３６０を吸引源３９に連通させる外周吸引路３６１と、を備えていてもよい。開口３６０は、凹部３２の底面のシール部３４よりも内側となる領域に形成されている。例えば、開口３６０は、チャックテーブル３の周方向に等間隔を空けて複数形成されているが、１つであってもよい。上端側が開口３６０に連通し枠体３１内部を通る外周吸引路３６１は、その下端側が、枠体３１の下面（又は側面）に開口しており、樹脂チューブ等を介して吸引源３９に連通している。 (Embodiment 3: Chuck table having a seal portion, an opening, and a peripheral suction path)
As shown in, for example, FIGS. 8, 9, and 10, the chuck table 3 may include an opening 360 formed on the bottom surface of the recess 32 between the seal portion 34 and the outer surface of the porous plate 30, and an outer circumferential suction path 361 that connects the opening 360 to the suction source 39. The opening 360 is formed in an area that is more inward than the seal portion 34 on the bottom surface of the recess 32. For example, a plurality of openings 360 are formed at equal intervals in the circumferential direction of the chuck table 3, but there may be only one opening. The outer circumferential suction path 361, whose upper end side is connected to the opening 360 and passes through the inside of the frame 31, has its lower end side open to the lower surface (or side surface) of the frame 31 and connects to the suction source 39 via a resin tube or the like.

図１０に示すチャックテーブル３を用いた保持工程では、先に説明したようにウェーハ９が上面９１を上に向けた状態で吸引面３００上に載置され、ウェーハ９の中央部分９０３の下面９０が吸引面３００によって吸引保持されるとともに、ウェーハ９の外周部分９０４の下面９０がシール部３４の凹部３２から上方にはみ出している接触変形部３４０に接触し下方に押していく。また、吸引源３９の生み出す吸引力が、外周吸引路３６１を通り開口３６０に強く伝達されて、凹部３２のシール部３４よりも内側の空間の空気が吸引され、該空間上に位置する外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられる。そして、シール部３４が押圧されて変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態で、凹部３２の少なくともシール部３４よりも内側の空間がシール部３４とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態に吸引面３００の外周がシーリングされる。また、例えば、ウェーハ９の外周縁である面取り部との境付近の下面９０が少しだけ環状上面３１０に接した状態になる。 In the holding process using the chuck table 3 shown in Figure 10, as described above, the wafer 9 is placed on the suction surface 300 with the upper surface 91 facing up, and the lower surface 90 of the central portion 903 of the wafer 9 is suction-held by the suction surface 300, while the lower surface 90 of the peripheral portion 904 of the wafer 9 contacts the contact deformation portion 340 protruding upward from the recess 32 of the seal portion 34 and pushes it downward. In addition, the suction force generated by the suction source 39 is strongly transmitted to the opening 360 through the peripheral suction path 361, and the air in the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sucked in, and the lower surface 90 of the peripheral portion 904 located above the space is strongly pulled downward. Then, while the seal portion 34 is pressed and deformed, it becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and at least the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sealed by the seal portion 34 and the wafer 9, sealing the outer periphery of the suction surface 300 so that there is no vacuum leak from the suction surface 300. Also, for example, the lower surface 90 near the boundary with the chamfered portion, which is the outer periphery of the wafer 9, comes into contact slightly with the annular upper surface 310.

（実施形態４：吸盤、及び吸盤連通路を備えるチャックテーブル）
実施形態１のシール部３４に代えて、チャックテーブル３は、以下に説明する図１１～図１３に示す吸盤３７を備えていてもよい。即ち、チャックテーブル３は、凹部３２に配置され吸引面３００に吸引保持されたウェーハ９の外周部分９０４の下面９０を吸引する吸盤３７を備え、枠体３１は吸盤３７を吸引源３９に連通させる吸盤連通路３７９を備えている。 (Embodiment 4: Chuck table equipped with suction cup and suction cup communication passage)
Instead of the seal portion 34 of the first embodiment, the chuck table 3 may be provided with suction cups 37 described below and shown in Figures 11 to 13. That is, the chuck table 3 is provided with suction cups 37 that are arranged in the recessed portion 32 and suck the lower surface 90 of the outer circumferential portion 904 of the wafer 9 that is suction-held on the suction surface 300, and the frame 31 is provided with suction cup communication passages 379 that connect the suction cups 37 to the suction source 39.

図１２、１３に拡大して示す吸盤３７は、例えば上下に伸縮可能な蛇腹型の吸盤であり、凹部３２から一部が上方に拡径しつつはみ出した接触部３７０と、接触部３７０の下部に一体的に形成された蛇腹部３７１とを備えている。上端側が蛇腹部３７１に連通し枠体３１内部を通る吸盤連通路３７９は、その下端側が、枠体３１の下面（又は側面）に開口しており、樹脂チューブ等を介して吸引源３９に連通している。
なお、吸盤３７は、チャックテーブル３の周方向に均等間隔を空けて複数配設されていてもよいし、チャックテーブル３の周方向にポーラス板３０を一周する長さに設定された形状となっていてもよい。 12 and 13 is, for example, a bellows-type suction cup that is vertically expandable and contractible, and includes a contact portion 370 that protrudes from the recess 32 while partially expanding in diameter upward, and a bellows portion 371 that is integrally formed at the lower portion of the contact portion 370. A suction cup communication passage 379, the upper end of which communicates with the bellows portion 371 and which passes through the inside of the frame 31, has a lower end that opens to the lower surface (or side surface) of the frame 31 and communicates with the suction source 39 via a resin tube or the like.
In addition, the suction cups 37 may be arranged at equal intervals in the circumferential direction of the chuck table 3, or may be shaped to a length that encircles the porous plate 30 in the circumferential direction of the chuck table 3.

図１３に示す吸引面３００に吸引力が伝達された状態のチャックテーブル３を用いた保持工程では、先に説明したようにウェーハ９が上面９１を上に向けた状態で吸引面３００上に載置され、ウェーハ９の中央部分９０３の下面９０が吸引面３００によって吸引保持されるとともに、ウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が凹部３２から上方にはみ出している接触部３７０に接触し下方に押していく。また、吸引源３９の生み出す吸引力が、吸盤連通路３７９を通り吸盤３７に強く伝達されて、吸盤３７上に位置する外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられる。そして、接触部３７０が押圧されて下面９０にならい、また、蛇腹部３７１が縮むように変形しつつ、接触部３７０が吸引面３００及び環状上面３１０と面一となり、かつ、ウェーハ９の外周縁である面取り部との境付近の下面９０が少しだけ環状上面３１０に接した状態になる。そして、凹部３２がウェーハ９により密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態に吸引面３００の外周がシーリングされる。
なお、蛇腹部３７１が縮む際に、－Ｚ方向にのみ変形させＸ軸方向に変形させないように蛇腹部３７１の内部に凹部３２の深さに満たない長さのパイプを備えてもよい。 13, in the holding process using the chuck table 3 with the suction force transmitted to the suction surface 300, as described above, the wafer 9 is placed on the suction surface 300 with the upper surface 91 facing upward, and the lower surface 90 of the central portion 903 of the wafer 9 is sucked and held by the suction surface 300, while the lower surface 90 of the outer circumferential portion 904 of the wafer 9 comes into contact with the contact portion 370 protruding upward from the recess 32 and is pushed downward. Also, the suction force generated by the suction source 39 is strongly transmitted to the suction cups 37 through the suction cup communication passages 379, and the lower surface 90 of the outer circumferential portion 904 located on the suction cups 37 is strongly drawn downward. Then, the contact portion 370 is pressed to conform to the lower surface 90, and the bellows portion 371 is deformed to shrink, so that the contact portion 370 becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and the lower surface 90 near the boundary with the chamfered portion, which is the outer periphery of the wafer 9, comes into slight contact with the annular upper surface 310. Then, the recess 32 is sealed by the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed so that there is no vacuum leak from the suction surface 300.
In addition, a pipe having a length less than the depth of recess 32 may be provided inside bellows portion 371 so that bellows portion 371 is deformed only in the -Z direction and not in the X-axis direction when it contracts.

（実施形態５のシール部）
実施形態２のシール部３５に代えて、チャックテーブル３は、図１４～図１６に示す以下に説明する実施形態５のシール部３８を備えていてもよい。実施形態５のシール部３８は、ゴム等で形成された中空で平面視リング状の中空リング弾性部材であり、ウェーハ９の外周部分９０４の下面９０に接触する部分に平面視でリング状に配置される上開口３８１と、リング内部を吸引源３９に連通させる下開口３８２とを備えている。そして、枠体３１は下開口３８２を吸引源３９に連通させるリング吸引路３８９を備える。 (Sealing portion of embodiment 5)
Instead of the seal portion 35 of the second embodiment, the chuck table 3 may be provided with a seal portion 38 of a fifth embodiment described below and shown in Figures 14 to 16. The seal portion 38 of the fifth embodiment is a hollow ring elastic member made of rubber or the like and shaped like a ring in plan view, and includes an upper opening 381 arranged in a ring shape in plan view at a portion that contacts the lower surface 90 of the outer circumferential portion 904 of the wafer 9, and a lower opening 382 that connects the inside of the ring to the suction source 39. The frame 31 includes a ring suction path 389 that connects the lower opening 382 to the suction source 39.

図１５に示すシール部３８の断面のリング外径（管径）は、シール部３８の上部側が凹部３２から一部はみ出し、シール部３８が凹部３２内で変形可能な大きさに設定されている。なお、シール部３８の断面は、円環状となっているが、楕円環状となっていてもよい。例えば、下開口３８２は、シール部３８の周方向に等間隔を空けて複数形成されているが、１つであってもよい。上端側が下開口３８２に連通し枠体３１内部を通るリング吸引路３８９は、その下端側が、枠体３１の下面（又は側面）に開口しており、樹脂チューブ等を介して吸引源３９に連通している。 The ring outer diameter (tube diameter) of the cross section of the seal portion 38 shown in FIG. 15 is set to a size such that the upper side of the seal portion 38 partially protrudes from the recess 32 and the seal portion 38 can be deformed within the recess 32. The cross section of the seal portion 38 is circular, but may be elliptical. For example, the lower openings 382 are formed in a plurality at equal intervals around the circumference of the seal portion 38, but there may be only one. The ring suction passage 389, whose upper end side is connected to the lower opening 382 and passes through the inside of the frame body 31, has its lower end side opening to the lower surface (or side surface) of the frame body 31 and is connected to the suction source 39 via a resin tube or the like.

図１６に示すシール部３８を備え吸引面３００に吸引力が伝達された状態のチャックテーブル３を用いた保持工程では、先に説明したようにウェーハ９が上面９１を上に向けた状態で吸引面３００上に載置され、ウェーハ９の中央部分９０３の下面９０が吸引面３００によって吸引保持されるとともに、外周部分９０４の下面９０がシール部３８の凹部３２から上方にはみ出している部分に接触し下方に押していく。また、吸引源３９の生み出す吸引力が、リング吸引路３８９、及び下開口３８２を通り上開口３８１に強く伝達されて、上開口３８１上に位置するウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられる。そして、シール部３８が下方に縮むように変形しつつ、シール部３８が吸引面３００及び環状上面３１０と面一となり、かつ、ウェーハ９の外周縁である面取り部との境付近の下面９０が少しだけ環状上面３１０に接した状態になる。そして、凹部３２がウェーハ９により密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態に吸引面３００の外周がシーリングされる。 16, in the holding process using the chuck table 3 with the seal portion 38 and the suction force transmitted to the suction surface 300, the wafer 9 is placed on the suction surface 300 with the upper surface 91 facing upward as described above, and the lower surface 90 of the central portion 903 of the wafer 9 is held by suction by the suction surface 300, while the lower surface 90 of the outer peripheral portion 904 comes into contact with the portion protruding upward from the recess 32 of the seal portion 38 and pushes it downward. In addition, the suction force generated by the suction source 39 is strongly transmitted to the upper opening 381 through the ring suction path 389 and the lower opening 382, and the lower surface 90 of the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 located on the upper opening 381 is strongly pulled downward. Then, as the seal portion 38 shrinks and deforms downward, the seal portion 38 becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and the lower surface 90 near the boundary with the chamfered portion, which is the outer periphery of the wafer 9, comes into slight contact with the annular upper surface 310. The recess 32 is then sealed by the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed so that there is no vacuum leak from the suction surface 300.

（２）切削工程
上記実施形態１～実施形態５のいずれかのシール部を備えるチャックテーブル３を用いて保持工程を行った後、以下に説明する切削工程を実施する。
図１、図１７に示す切削送り手段１１により、チャックテーブル３に吸引保持されたウェーハ９が＋Ｘ方向に送られるとともに、図１に示すカメラ１３０によってウェーハ９の上面９１が撮像される。なお、図１７に示すチャックテーブル３は、実施形態１のシール部３４を備えた例を示している。そして、形成された撮像画像に基づきパターンマッチング等のアライメントが行われ、上面９１の分割予定ライン９１０（図１参照）の位置が検出される。その後、切削手段１７が割り出し送り手段１２によってＹ軸方向に移動されて、位置が検出された分割予定ライン９１０と切削ブレード１７３とのＹ軸方向における位置合わせがなされる。 (2) Cutting Step After the holding step is performed using the chuck table 3 having the seal portion according to any one of the first to fifth embodiments, the cutting step described below is performed.
The wafer 9 held by suction on the chuck table 3 is fed in the +X direction by the cutting feed means 11 shown in Fig. 1 and Fig. 17, and the upper surface 91 of the wafer 9 is imaged by the camera 130 shown in Fig. 1. The chuck table 3 shown in Fig. 17 shows an example equipped with the seal portion 34 of the first embodiment. Then, alignment such as pattern matching is performed based on the formed image, and the position of the planned division line 910 (see Fig. 1) on the upper surface 91 is detected. Thereafter, the cutting means 17 is moved in the Y-axis direction by the indexing feed means 12, and the detected planned division line 910 and the cutting blade 173 are aligned in the Y-axis direction.

図１７に示すように、切削送り手段１１がウェーハ９を吸引保持するチャックテーブル３をさらに所定の切削送り速度で＋Ｘ方向に送り出す。また、切込み送り手段１６が切削手段１７を－Ｚ方向に降下させ、例えば、切削ブレード１７３がウェーハ９の上面９１より所定の距離下に、即ち、ウェーハ９の下面９０を切り抜けない所定の高さ位置にその先端（下端）が到るように、切削手段１７が位置づけられる。なお、該高さ位置は、ウェーハ９の下面９０からウェーハ９に形成される切削溝（ハーフカット溝）までの距離がウェーハ９の研削後の仕上げ厚さとなる位置である。 As shown in FIG. 17, the cutting feed means 11 further feeds the chuck table 3, which holds the wafer 9 by suction, in the +X direction at a predetermined cutting feed speed. The incision feed means 16 lowers the cutting means 17 in the -Z direction, and the cutting means 17 is positioned so that, for example, the cutting blade 173 reaches a predetermined distance below the upper surface 91 of the wafer 9, that is, the tip (lower end) of the cutting blade 173 reaches a predetermined height position that does not cut through the lower surface 90 of the wafer 9. This height position is the position where the distance from the lower surface 90 of the wafer 9 to the cutting groove (half cut groove) formed in the wafer 9 becomes the finished thickness of the wafer 9 after grinding.

そして、図示しないモータが回転軸１７０を高速回転させ、回転軸１７０に固定された切削ブレード１７３が回転軸１７０の回転に伴って例えば紙面手前側から見て時計回り方向に高速回転をしながらウェーハ９に切込み、分割予定ライン９１０を切削していく（ダウンカットしていく）。 Then, a motor (not shown) rotates the rotating shaft 170 at high speed, and the cutting blade 173 fixed to the rotating shaft 170 cuts into the wafer 9 while rotating at high speed, for example, in a clockwise direction as seen from the front side of the page, in conjunction with the rotation of the rotating shaft 170, cutting the planned division line 910 (down-cutting).

ウェーハ９の切削中においては、切削水が一対の冷却水ノズル１５４の噴射口から切削ブレード１７３に噴射され、切削ブレード１７３とウェーハ９との接触部位である加工点、及び切削ブレード１７３の冷却が行われる。また、切削水１５４４が径方向ノズル１５１の噴射口から切削ブレード１７３とウェーハ９との加工点に噴射され、切削溝９６内に発生した切削屑が切削溝９６内から洗浄除去される。 During cutting of the wafer 9, cutting water is sprayed from the nozzles of the pair of cooling water nozzles 154 onto the cutting blade 173 to cool the cutting blade 173 and the processing point, which is the contact point between the cutting blade 173 and the wafer 9. In addition, cutting water 1544 is sprayed from the nozzles of the radial nozzles 151 onto the processing point between the cutting blade 173 and the wafer 9, and cutting chips generated in the cutting groove 96 are washed and removed from within the cutting groove 96.

上記のように切削水１５４４を供給しながら、図１８に示すように、切削ブレード１７３が狙いの分割予定ライン９１０を切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までウェーハ９が＋Ｘ方向に進行する。ここで、径方向ノズル１５１から、切削水１５４４がウェーハ９の外周部分９０４とチャックテーブル３との接触部位に噴射されるが、従来とは異なり、切削水１５４４の勢いによってウェーハ９の外周部分９０４が浮き上がってしまうことが無い。なぜならば、図４、図１７に示すように、シール部３４がウェーハ９によって押圧されて変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態が保たれており、したがって、凹部３２のシール部３４よりも内側の空間がシール部３４とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無い状態、即ち、吸引面３００の外周がシーリングされた状態も保たれているためである。また、従来のようにウェーハ９の直径と吸引面３００との直径が略同一である場合には、ウェーハ９の切削が繰り返されることにより、ポーラス板３０の外周部分が切削屑の吸引を行い、その結果、切削時間の経過とともにポーラス板３０の外周部分（吸引面３００の外周）に切削屑が溜り外周部分の吸引力が減少して、切削水１５４４の勢いによってウェーハ９の外周部分９０４が浮き上がってしまうことがあったが、本発明に係るチャックテーブル３は、吸引面３００がウェーハ９よりも小さく設定されており、シール部３４により切削中に発生した切削屑がポーラス板３０側まで移動してしまうことが防がれるため、従来のような時間経過に伴う吸引面３００の吸引力の低下が発生せず、切削水１５４４の勢いによってウェーハ９の外周部分９０４が浮き上がってばたついてしまうことが無い。 As described above, while the cutting water 1544 is being supplied, as shown in FIG. 18, the wafer 9 advances in the +X direction to a predetermined position in the X-axis direction where the cutting blade 173 finishes cutting the intended dividing line 910. Here, the cutting water 1544 is sprayed from the radial nozzle 151 to the contact portion between the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 and the chuck table 3, but unlike the conventional method, the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 does not float up due to the force of the cutting water 1544. This is because, as shown in FIG. 4 and FIG. 17, the seal portion 34 is pressed and deformed by the wafer 9 while being kept flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and therefore the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sealed by the seal portion 34 and the wafer 9, and there is no vacuum leak from the suction surface 300, i.e., the outer periphery of the suction surface 300 is kept sealed. In addition, in the case where the diameter of the wafer 9 and the diameter of the suction surface 300 are approximately the same as in the conventional case, the outer periphery of the porous plate 30 sucks up the cutting chips as the wafer 9 is repeatedly cut. As a result, the cutting chips accumulate on the outer periphery of the porous plate 30 (the outer periphery of the suction surface 300) over the course of cutting time, reducing the suction force of the outer periphery, and the outer periphery 904 of the wafer 9 may float up due to the force of the cutting water 1544. However, in the chuck table 3 according to the present invention, the suction surface 300 is set smaller than the wafer 9, and the seal portion 34 prevents the cutting chips generated during cutting from moving to the porous plate 30 side. Therefore, the suction force of the suction surface 300 does not decrease over time as in the conventional case, and the outer periphery 904 of the wafer 9 does not float up and flap due to the force of the cutting water 1544.

上記のような有利な効果は、チャックテーブル３が図７に示す実施形態２のシール部３５を備えている場合においても、同様に得ることができる。即ち、切削中においても、図７に示すように、シール部３５が押圧されて変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態で、凹部３２のシール部３５よりも内側の空間がシール部３５とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無いように吸引面３００の外周がシーリングされた状態が保たれ、シール部３５によって切削屑がポーラス板３０に吸引されることも防がれ、切削時間の経過に伴う吸引面３００の外周部分の吸引力の低下が発生しない。 The above advantageous effects can be obtained in the same way even when the chuck table 3 is provided with the seal portion 35 of the second embodiment shown in FIG. 7. That is, even during cutting, as shown in FIG. 7, the seal portion 35 is pressed and deformed, and becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310. The space inside the seal portion 35 of the recess 32 is sealed by the seal portion 35 and the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is kept sealed so that there is no vacuum leak from the suction surface 300. The seal portion 35 also prevents cutting debris from being sucked into the porous plate 30, and the suction force of the outer periphery of the suction surface 300 does not decrease over the course of cutting time.

上記のような有利な効果は、図１０に示すシール部３４、開口３６０、及び外周吸引路３６１を備えるチャックテーブル３においても得ることができる。即ち、切削中においても、図１０に示すように、凹部３２のシール部３４よりも内側の空間の空気が吸引され、該空間上に位置するウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられており、また、シール部３４が押圧されて変形しつつ、吸引面３００及び環状上面３１０と面一となった状態で、凹部３２の少なくともシール部３４よりも内側の空間がシール部３４とウェーハ９とにより密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無いように吸引面３００の外周がシーリングされており、ウェーハ９の外周部分９０４は切削水１５４４によってチャックテーブル３から浮き上がってしまうことはない。また、シール部３４によって切削屑がポーラス板３０に吸引されることも防がれ、切削時間の経過に伴う吸引面３００の外周部分の吸引力の低下が発生しない。 The above advantageous effects can also be obtained in the chuck table 3 having the seal portion 34, the opening 360, and the outer periphery suction path 361 shown in Fig. 10. That is, even during cutting, as shown in Fig. 10, the air in the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sucked in, and the lower surface 90 of the outer periphery portion 904 of the wafer 9 located above the space is strongly pulled downward, and while the seal portion 34 is pressed and deformed, it becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and at least the space inside the seal portion 34 of the recess 32 is sealed by the seal portion 34 and the wafer 9, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed so that there is no vacuum leak from the suction surface 300, and the outer periphery of the suction surface 300 is sealed, and the outer periphery portion 904 of the wafer 9 does not float up from the chuck table 3 due to the cutting water 1544. In addition, the seal portion 34 prevents cutting debris from being sucked into the porous plate 30, so there is no decrease in suction power at the outer periphery of the suction surface 300 over time.

上記のような有利な効果は、図１３に示すように、チャックテーブル３が吸盤３７、及び吸盤連通路３７９を備えている場合においても、同様に得ることができる。即ち、切削中においても、吸引力が伝達された吸盤３７によって、ウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられる。そして、変形した接触部３７０が吸引面３００及び環状上面３１０と面一となり、かつ、凹部３２がウェーハ９により密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無いように吸引面３００の外周がシーリングされる。そのため、ウェーハ９の外周部分９０４は切削水１５４４によってチャックテーブル３から浮き上がってしまうことはない。 The above advantageous effects can be obtained in the same way even when the chuck table 3 is equipped with suction cups 37 and suction cup communication passages 379, as shown in FIG. 13. That is, even during cutting, the lower surface 90 of the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 is strongly pulled downward by the suction cups 37 to which the suction force is transmitted. Then, the deformed contact portion 370 becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and the recess 32 is sealed by the wafer 9, sealing the outer periphery of the suction surface 300 so that there is no vacuum leak from the suction surface 300. Therefore, the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 does not float up from the chuck table 3 due to the cutting water 1544.

上記のような有利な効果は、チャックテーブル３が図１６に示す実施形態５のシール部３８を備えている場合においても、同様に得ることができる。即ち、切削中においても、シール部３８の上開口３８１上に位置するウェーハ９の外周部分９０４の下面９０が強く下方に引き寄せられる。そして、シール部３８が縮むように変形しつつ、シール部３８が吸引面３００及び環状上面３１０と面一となり、かつ、凹部３２がウェーハ９により密閉されて吸引面３００からのバキュームリークが無いように吸引面３００の外周がシーリングされる。そのため、ウェーハ９の外周部分９０４は切削水１５４４によってチャックテーブル３から浮き上がってしまうことはない。また、シール部３８によって切削屑がポーラス板３０に吸引されることも防がれ、切削時間の経過に伴う吸引面３００の外周部分の吸引力の低下が発生しない。 The above advantageous effect can be obtained in the same way even when the chuck table 3 is provided with the seal portion 38 of the fifth embodiment shown in FIG. 16. That is, even during cutting, the lower surface 90 of the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 located on the upper opening 381 of the seal portion 38 is strongly pulled downward. Then, as the seal portion 38 shrinks and deforms, the seal portion 38 becomes flush with the suction surface 300 and the annular upper surface 310, and the recess 32 is sealed by the wafer 9, sealing the outer periphery of the suction surface 300 so that there is no vacuum leak from the suction surface 300. Therefore, the outer peripheral portion 904 of the wafer 9 does not float up from the chuck table 3 due to the cutting water 1544. In addition, the seal portion 38 prevents cutting chips from being sucked into the porous plate 30, and the suction force of the outer peripheral portion of the suction surface 300 does not decrease over the course of cutting time.

狙いの分割予定ライン９１０を１本切削し終えて該分割予定ライン９１０に沿った切削溝９６を形成した後、切削送り手段１１によるウェーハ９の切削送りを一度停止させ、切込み送り手段１６が切削ブレード１７３をウェーハ９から離間させ、次いで、切削送り手段１１がチャックテーブル３を－Ｘ方向へ送り出して元の位置に戻しつつ、かつ、割り出し送り手段１２（図１参照）が隣り合う分割予定ライン９１０の間隔分切削ブレード１７３をＹ軸方向に割り出し送りする。そして、順次上記と同様に新たな狙いの分割予定ライン９１０の切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ライン９１０を切削する。さらに、チャックテーブル３を９０度回転させてから同様の切削を行うと、ウェーハ９は、全ての分割予定ライン９１０が縦横に全てハーフカットされた状態になる。その後、ウェーハ９は、図示しない研削装置に搬送されて、下面９０が研削されてデバイス９１１を備える個々のチップに分割される。 After cutting one of the target division lines 910 and forming a cutting groove 96 along the division line 910, the cutting feed of the wafer 9 by the cutting feed means 11 is stopped once, the incision feed means 16 separates the cutting blade 173 from the wafer 9, and then the cutting feed means 11 sends the chuck table 3 in the -X direction to return it to its original position, while the index feed means 12 (see FIG. 1) indexes and feeds the cutting blade 173 in the Y-axis direction by the interval between the adjacent division lines 910. Then, by sequentially cutting new target division lines 910 in the same manner as above, all division lines 910 in the same direction are cut. Furthermore, when the chuck table 3 is rotated 90 degrees and the same cutting is performed, the wafer 9 is in a state where all division lines 910 are half-cut vertically and horizontally. The wafer 9 is then transferred to a grinding device (not shown) where the lower surface 90 is ground and separated into individual chips each having a device 911.

なお、本発明に係るチャックテーブル３、及びハーフカット方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている加工装置１の各構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。 The chuck table 3 and half-cut method according to the present invention are not limited to the above embodiment, and the configurations of the processing device 1 shown in the attached drawings are not limited to these either, and can be modified as appropriate within the scope of the effects of the present invention.

例えば、本発明に係るチャックテーブル３は、半導体ウェーハとサブストレート等とを貼り合わせた貼り合わせウェーハを研削する場合のような、仕上げ厚みが厚くなる研削においても使用することができる。また、例えば、凹状の反り、即ち、例えば、チャックテーブル３に吸引保持されたウェーハの中央の領域から外周側の領域に向かって徐々に高くなっていくような反りがあるウェーハを吸引面３００に吸引保持させて研削する際に、シール部によってバキュームリークが防がれ、吸引面３００の吸引力を高められるので反りがあるウェーハを吸引面３００にならわせさせて研削を行うことが可能となる。
また、下面に凹凸が複数形成されているワークを吸引面３００に吸引保持させて研削する際にも、シール部によってバキュームリークが防がれ、吸引面３００の吸引力を高められるので、研削砥石による吸引面３００に平行な方向の研削負荷を受けたワークが吸引面から離れる事がない。 For example, the chuck table 3 according to the present invention can also be used in grinding a wafer with a thick finish thickness, such as when grinding a bonded wafer in which a semiconductor wafer and a substrate are bonded together. In addition, when a wafer with a concave warp, that is, a warp that gradually becomes higher from the central region of the wafer held by suction on the chuck table 3 toward the outer periphery, is suction-held on the suction surface 300 and ground, the seal portion prevents vacuum leakage and the suction force of the suction surface 300 is increased, so that the warped wafer can be made to conform to the suction surface 300 and ground.
In addition, even when a workpiece having multiple projections and recesses on its underside is held by suction on the suction surface 300 and ground, the sealing portion prevents vacuum leakage and increases the suction force of the suction surface 300, so that the workpiece subjected to a grinding load by the grinding wheel in a direction parallel to the suction surface 300 does not come off the suction surface.

９：ウェーハ９１：ウェーハの上面９１０：分割予定ライン９１１：デバイス９０：ウェーハの下面
１：加工装置１０：基台１１：切削送り手段
１００：門型コラム１２：割り出し送り手段１６：切込み送り手段
１７：切削手段１７０：回転軸１７１：ハウジング１７３：切削ブレード１７９：ブレードカバー
１３：アライメント手段１３０：カメラ
１５０：径方向ノズル支持ブロック１５１：径方向ノズル
１５３：冷却水ノズル支持ブロック１５４：冷却水ノズル
３：チャックテーブル１１９：回転手段
３０：ポーラス板３００：吸引面
３１：枠体３１０：環状上面３１２：環状壁３１４：収容部
３９：吸引源
３４：実施形態１のシール部３４０：接触変形部
３５：実施形態２のシール部
３６０：開口３６１：外周吸引路
３７：吸盤３７０：接触部３７１：蛇腹部３７９：吸盤連通路
３８：実施形態５のシール部３８１：上開口３８２：下開口３８９：リング吸引路 9: Wafer 91: Upper surface of wafer 910: Planned division line 911: Device 90: Lower surface of wafer 1: Processing device 10: Base 11: Cutting feed means 100: Gate-type column 12: Indexing feed means 16: Cutting feed means 17: Cutting means 170: Rotating shaft 171: Housing 173: Cutting blade 179: Blade cover 13: Alignment means 130: Camera 150: Radial nozzle support block 151: Radial nozzle 153: Cooling water nozzle support block 154: Cooling water nozzle 3: Chuck table 119: Rotating means 30: Porous plate 300: Suction surface 31: Frame 310: Annular upper surface 312: Annular wall 314: Storage section 39: Suction source 34: Sealing section of embodiment 1 340: Contact deformation section 35: Sealing section of embodiment 2 360: Opening 361: Outer suction passage 37: Suction cup 370: Contact portion 371: Bellows portion 379: Suction cup communication passage 38: Seal portion of embodiment 5 381: Upper opening 382: Lower opening 389: Ring suction passage

Claims

A chuck table is disposed in a processing device that processes a wafer, the chuck table having a circular suction surface that communicates with a suction source and suction-holds the wafer on the suction surface,
The wafer holder is provided with a porous plate having a suction surface that causes the peripheral portion of the wafer to protrude slightly in an annular shape and sucks in the central portion of the wafer, a frame that exposes the suction surface and houses the porous plate and has an annular upper surface that is flush with the suction surface, a recess formed between the suction surface and the annular upper surface, and a seal portion made of a ring-shaped hollow elastic member that is disposed in the recess and comes into contact with the lower surface or side surface of the peripheral portion of the wafer held by suction on the suction surface to seal the outer periphery of the suction surface ,
the hollow ring elastic member has an upper opening arranged in a ring shape at a portion that contacts the lower surface of the outer circumferential portion of the wafer, and a lower opening that connects the inside of the ring to a suction source;
The chuck table includes a ring suction passage that connects the lower opening to a suction source .

2. A half-cut method for suction-holding a wafer on the suction surface of the chuck table according to claim 1, and forming a cutting groove of a predetermined depth in the wafer without cutting the wafer with a cutting blade, comprising:
a holding step of sucking and holding the wafer on the suction surface communicating with a suction source, and bringing the seal portion into contact with the lower surface of the outer circumferential portion of the wafer , thereby communicating the inside of the ring of the seal portion with the suction source, thereby making the seal portion flush with the suction surface;
a cutting step of positioning the tip of the cutting blade a predetermined distance below the upper surface of the wafer held by suction on the suction surface and moving the cutting blade and the wafer relatively in the cutting feed direction to form a cutting groove.