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JP7544070B2 - Lithium silicate glass plate with sulfate, lithium silicate glass plate, and manufacturing method thereof - Google Patents
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Lithium silicate glass plate with sulfate, lithium silicate glass plate, and manufacturing method thereof Download PDF

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Description

本開示は、硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板、リチウムシリケートガラス板、及びその製造方法に関する。 The present disclosure relates to a sulfate-containing lithium silicate glass plate, a lithium silicate glass plate, and a method for manufacturing the same.

ガラス板の製造方法は、溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンを得る成形工程と、ガラスリボンを複数の搬送ローラで搬送しながら徐冷する徐冷工程とを含む。徐冷工程は、搬送中のガラスリボンの搬送ローラと接触する主面に、亜硫酸(SO)ガスを吹き付け、硫酸塩の被膜を形成することを含む(例えば特許文献1参照)。 The method for producing a glass sheet includes a forming step of forming molten glass into a sheet shape to obtain a glass ribbon, and an annealing step of annealing the glass ribbon while conveying it with a plurality of conveyor rollers. The annealing step includes spraying sulfurous acid (SO 2 ) gas onto a main surface of the glass ribbon that is in contact with the conveyor rollers during conveyance to form a sulfate coating (see, for example, Patent Document 1).

硫酸塩の被膜は、ガラスリボンの主面に分散配置され、ガラスリボンと搬送ローラとの衝突を和らげ、ガラスリボンが傷付くのを抑制する。ガラスがソーダライムガラスである場合、硫酸塩として、主にNaを含むものが形成される。硫酸塩とは、硫酸イオン(SO 2-)を含む無機化合物である。 The sulfate coating is dispersed on the main surface of the glass ribbon to soften the collision between the glass ribbon and the conveying rollers and prevent the glass ribbon from being damaged. When the glass is soda-lime glass, sulfates containing mainly Na are formed. Sulfates are inorganic compounds containing sulfate ions (SO 4 2− ).

ところで、化学強化用ガラスとして、リチウムシリケートガラスが注目されている。化学強化用ガラスを化学強化したものを化学強化ガラスと呼ぶ。化学強化ガラスの用途は、例えば画像表示装置のカバーガラスである。Lithium silicate glass has been attracting attention as a type of glass for chemical strengthening. Glass for chemical strengthening that has been chemically strengthened is called chemically strengthened glass. Chemically strengthened glass is used, for example, as cover glass for image display devices.

化学強化は、ガラス表面に含まれる小さなイオン半径のアルカリ金属イオンと、溶融塩に含まれるイオン半径の大きなアルカリ金属イオンとをイオン交換し、ガラス表面に圧縮応力層を形成する。アルカリ金属として、LiとNaとKとが挙げられる。LiとNaとKとは、この順番でイオン半径が大きくなる。Chemical strengthening involves ion exchange between alkali metal ions with a small ionic radius contained on the glass surface and alkali metal ions with a large ionic radius contained in the molten salt, forming a compressive stress layer on the glass surface. Examples of alkali metals include Li, Na, and K. The ionic radii of Li, Na, and K increase in this order.

リチウムシリケートガラスは、アルカリ金属イオンの中で最も小さいイオン半径のLiイオンを含む。それゆえ、溶融塩のアルカリ金属イオンとして、Kイオンだけではなく、Kイオンよりも小さなイオン半径のNaイオンも選択できる。溶融塩のアルカリ金属イオンの選択幅が広く、化学強化の制御幅が広い。Lithium silicate glass contains Li ions, which have the smallest ionic radius of all alkali metal ions. Therefore, not only K ions but also Na ions, which have a smaller ionic radius than K ions, can be selected as the alkali metal ions in the molten salt. This allows for a wide range of alkali metal ions to be selected for the molten salt, and a wide range of control over chemical strengthening.

リチウムシリケートガラスは、化学強化された後、携帯電話、携帯情報端末(PDA:Personal Data Assistant)、パーソナルコンピュータ、テレビ、車載ナビゲーション等に搭載される。After being chemically strengthened, lithium silicate glass is used in mobile phones, personal data assistants (PDAs), personal computers, televisions, car navigation systems, etc.

国際公開第2002/051767号International Publication No. 2002/051767

リチウムシリケートガラス板の製造においても、ソーダライムガラス板の製造と同様に、硫酸塩の被膜がガラス表面に形成される。但し、リチウムシリケートガラス板は、ソーダライムガラス板に比べ、ガラス表面に異物が混入することが多かった。 In the manufacture of lithium silicate glass sheets, a sulfate coating is formed on the glass surface, just as in the manufacture of soda-lime glass sheets. However, lithium silicate glass sheets are more likely to have foreign matter mixed into the glass surface than soda-lime glass sheets.

本発明者は、過去にリチウムシリケートガラス板に混入した異物を調べ、異物の混入原因が硫酸塩にあることを見出した。ガラス表面に形成された硫酸塩が搬送ローラに付着し、付着した硫酸塩が溶融すると、金属製の搬送ローラが腐食され、錆が生じ、錆が異物としてガラス板に混入することを本発明者は見出した。The inventors have investigated foreign matter that has been mixed into lithium silicate glass sheets in the past and found that the cause of the foreign matter is sulfate. The inventors found that sulfate formed on the glass surface adheres to the transport rollers, and when the adhered sulfate melts, the metal transport rollers corrode, causing rust, which then becomes mixed into the glass sheet as a foreign matter.

本開示の一態様は、リチウムシリケートガラス板への異物の混入を抑制できる、技術を提供する。One aspect of the present disclosure provides technology that can suppress the intrusion of foreign matter into lithium silicate glass sheets.

本開示の一態様に係る硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板は、リチウムシリケートガラス板と、前記リチウムシリケートガラス板の主面に形成されたアルカリ金属イオンを含有する硫酸塩とを有する。前記硫酸塩の融点は、リチウムシリケートガラスのガラス転移点(Tg)に比べて40℃以上高い。A sulfate-containing lithium silicate glass plate according to one embodiment of the present disclosure includes a lithium silicate glass plate and a sulfate containing an alkali metal ion formed on a main surface of the lithium silicate glass plate. The melting point of the sulfate is 40° C. or more higher than the glass transition point (Tg) of the lithium silicate glass.

本開示の一態様に係るリチウムシリケートガラス板では、化学強化前のガラス板におけるLi濃度(単位:モル%)の深さ方向分布は、硫酸塩の形成される主面からの深さ0nm~100nmの領域におけるLi濃度の平均値が、前記主面からの深さ400nm~600nmの領域におけるLi濃度の平均値の88%以下である。In a lithium silicate glass plate according to one embodiment of the present disclosure, the depthwise distribution of the Li concentration (unit: mol %) in the glass plate before chemical strengthening is such that the average Li concentration in a region from 0 nm to 100 nm deep from the main surface where sulfate is formed is 88% or less of the average Li concentration in a region from 400 nm to 600 nm deep from the main surface.

本開示の一態様に係るリチウムシリケートガラス板の製造方法は、溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンを得て、前記ガラスリボンを複数の搬送ローラで搬送しながら徐冷する。また、その製造方法は、搬送中の前記ガラスリボンの前記搬送ローラと接触する主面に、酸化硫黄ガスを吹き付け、硫酸塩を形成する。前記酸化硫黄ガスの吹き付け位置で、前記ガラスリボンの温度は、リチウムシリケートガラスのガラス転移点(Tg)を基準として-30℃以上40℃未満である。前記硫酸塩の融点は、前記ガラス転移点(Tg)に比べて40℃以上高い。A method for producing a lithium silicate glass sheet according to one aspect of the present disclosure includes forming molten glass into a sheet shape to obtain a glass ribbon, and slowly cooling the glass ribbon while transporting it with a plurality of transport rollers. The method also includes spraying sulfur oxide gas onto a main surface of the glass ribbon that is in contact with the transport rollers during transport to form sulfates. At the position where the sulfur oxide gas is sprayed, the temperature of the glass ribbon is -30°C or more and less than 40°C based on the glass transition point (Tg) of the lithium silicate glass. The melting point of the sulfate is 40°C or more higher than the glass transition point (Tg).

本開示の一態様によれば、リチウムシリケートガラス板への異物の混入を抑制できる。According to one aspect of the present disclosure, the intrusion of foreign matter into a lithium silicate glass plate can be suppressed.

図1は、一実施形態に係るリチウムシリケートガラス板の製造装置を示す側面断面図である。FIG. 1 is a side cross-sectional view showing an apparatus for producing a lithium silicate glass plate according to one embodiment. 図2は、ノズルと第2搬送ローラの配置の一例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of the arrangement of the nozzles and the second transport roller. 図3Aは、M5とM2/M1の関係の一例を示す図である。FIG. 3A is a diagram showing an example of the relationship between M5 and M2/M1. 図3Bは、M5とM4/M3の関係の一例を示す図である。FIG. 3B is a diagram showing an example of the relationship between M5 and M4/M3. 図4は、例3のガラス板におけるLi濃度の深さ方向分布を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the Li concentration distribution in the depth direction in the glass plate of Example 3. 図5は、例5のガラス板の硫酸塩を形成した主面のSEM写真である。FIG. 5 is an SEM photograph of the principal surface of the glass plate of Example 5 on which sulfate salts were formed. 図6は、M4/M3=0.0050の場合の硫酸塩の相図である。FIG. 6 is a phase diagram of sulfate when M4/M3=0.0050. 図7は、M4/M3=0.0100の場合の硫酸塩の相図である。FIG. 7 is a phase diagram of sulfate when M4/M3=0.0100. 図8は、M4/M3=0.0150の場合の硫酸塩の相図である。FIG. 8 is a phase diagram of sulfate when M4/M3=0.0150. 図9は、M4/M3=0.0200の場合の硫酸塩の相図である。FIG. 9 is a phase diagram of sulfate when M4/M3=0.0200. 図10は、M4/M3=0.0250の場合の硫酸塩の相図である。FIG. 10 is a phase diagram of sulfate when M4/M3=0.0250.

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。また、各図面において、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向は互いに垂直な方向であって、X軸方向及びY軸方向は水平方向、Z軸方向は鉛直方向である。X軸方向はガラスリボンGの搬送方向、Y軸方向はガラスリボンGの幅方向である。 Below, an embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings. Note that in each drawing, the same or corresponding configurations are given the same reference symbols, and descriptions thereof may be omitted. In each drawing, the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction are mutually perpendicular, the X-axis direction and Y-axis direction are horizontal directions, and the Z-axis direction is vertical. The X-axis direction is the conveying direction of the glass ribbon G, and the Y-axis direction is the width direction of the glass ribbon G.

明細書中、数値範囲を示す「~」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。また、明細書中、融点とは、固体が融け始める温度を意味する。固相線温度と液相線温度とが存在する場合、融点とは固相線温度を意味する。In the specification, the suffix "~" indicating a range of values means that the values before and after it are included as the lower and upper limits. In addition, in the specification, the melting point means the temperature at which a solid begins to melt. In cases where a solidus temperature and a liquidus temperature exist, the melting point means the solidus temperature.

図1に示すように、製造装置1は、成形装置2と、熱処理装置3とを有する。成形装置2は、溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンGを得る。熱処理装置3は、ガラスリボンGを第1搬送ローラ41と第2搬送ローラ51とで搬送しながら徐冷する。ガラスリボンGは、成形装置2から取り出された後、熱処理装置3で徐冷され、続いて、不図示の加工装置で切断される。その結果、製品として、リチウムシリケートガラス板が得られる。以下、リチウムシリケートガラス板を、単にガラス板とも呼ぶ。As shown in FIG. 1, the manufacturing apparatus 1 has a forming apparatus 2 and a heat treatment apparatus 3. The forming apparatus 2 forms the molten glass into a plate shape to obtain a glass ribbon G. The heat treatment apparatus 3 slowly cools the glass ribbon G while transporting it with a first transport roller 41 and a second transport roller 51. After being removed from the forming apparatus 2, the glass ribbon G is slowly cooled in the heat treatment apparatus 3 and then cut by a processing apparatus (not shown). As a result, a lithium silicate glass plate is obtained as a product. Hereinafter, the lithium silicate glass plate is also simply referred to as a glass plate.

ガラス板は、化学強化用であってよい。化学強化は、ガラス表面に含まれる小さなイオン半径のアルカリ金属イオンと、溶融塩に含まれるイオン半径の大きなアルカリ金属イオンとをイオン交換し、ガラス表面に圧縮応力層を形成する。アルカリ金属として、LiとNaとKとが挙げられる。LiとNaとKとは、この順番でイオン半径が大きくなる。The glass plate may be for chemical strengthening. Chemical strengthening involves ion exchange between alkali metal ions with a small ionic radius contained on the glass surface and alkali metal ions with a large ionic radius contained in the molten salt, forming a compressive stress layer on the glass surface. Examples of alkali metals include Li, Na, and K. The ionic radii of Li, Na, and K increase in this order.

リチウムシリケートガラスは、アルカリ金属イオンの中で最も小さいイオン半径のLiイオンを含む。それゆえ、溶融塩のアルカリ金属イオンとして、Kイオンだけではなく、Kイオンよりも小さなイオン半径のNaイオンも選択できる。溶融塩のアルカリ金属イオンの選択幅が広く、化学強化の制御幅が広い。Lithium silicate glass contains Li ions, which have the smallest ionic radius of all alkali metal ions. Therefore, not only K ions but also Na ions, which have a smaller ionic radius than K ions, can be selected as the alkali metal ions in the molten salt. This allows for a wide range of alkali metal ions to be selected for the molten salt, and a wide range of control over chemical strengthening.

ガラス板は、化学強化された後、携帯電話、携帯情報端末(PDA:Personal Data Assistant)、パーソナルコンピュータ、テレビ、車載ナビゲーション等に搭載される。After being chemically strengthened, the glass plates are used in mobile phones, personal data assistants (PDAs), personal computers, televisions, car navigation systems, etc.

リチウムシリケートガラスは、例えば、酸化物基準のモル%表示で、SiOを50~75%、Alを2~25%、LiOを5~20%、NaO+KOを0.5~15%含有する。好ましくは、酸化物基準のモル%表示で、SiOを55~75%、Alを8~25%、LiOを5~20%、NaO+KOを0.5~15%含有する。 Lithium silicate glass contains, for example, in mole percent on an oxide basis, 50 to 75% SiO 2 , 2 to 25% Al 2 O 3 , 5 to 20% Li 2 O, and 0.5 to 15% Na 2 O + K 2 O. Preferably, it contains, in mole percent on an oxide basis, 55 to 75% SiO 2 , 8 to 25% Al 2 O 3 , 5 to 20% Li 2 O, and 0.5 to 15% Na 2 O + K 2 O.

リチウムシリケートガラスは、酸化物基準のモル%表示で、SiOを60~73%、Alを8~22%、LiOを9~15%、KOを1.2~3.0%、NaO+KOを0.5~10%含有することがより好ましい。 More preferably, the lithium silicate glass contains, in mole percent based on oxides, 60 to 73% SiO2 , 8 to 22% Al2O3 , 9 to 15% Li2O , 1.2 to 3.0% K2O , and 0.5 to 10% Na2O + K2O .

リチウムシリケートガラスのガラス転移点Tgは、例えば510℃以上、好ましくは540℃以上である。また、リチウムシリケートガラスのガラス転移点Tgは、例えば650℃以下、好ましくは630℃以下、より好ましくは600℃以下である。The glass transition temperature Tg of the lithium silicate glass is, for example, 510°C or higher, preferably 540°C or higher. The glass transition temperature Tg of the lithium silicate glass is, for example, 650°C or lower, preferably 630°C or lower, more preferably 600°C or lower.

成形装置2は、例えば、フロート法でガラスリボンGを得る。フロート法は、溶融金属Mの液面の上に溶融ガラスを連続的に供給し、供給した溶融ガラスを溶融金属Mの液面の上でX軸方向負側からX軸方向正側に流動しながら、帯板状に成形する。The forming device 2 obtains the glass ribbon G, for example, by the float method. In the float method, molten glass is continuously supplied onto the liquid surface of the molten metal M, and the supplied molten glass is formed into a strip shape while flowing from the negative side in the X-axis direction to the positive side in the X-axis direction above the liquid surface of the molten metal M.

成形装置2は、溶融金属Mを貯留する浴槽21を有する。溶融金属Mとして、例えば溶融スズ、又は溶融スズ合金が用いられる。成形装置2の内部は、溶融金属Mの酸化を抑制するため、還元性雰囲気で満たされる。還元性雰囲気は、例えば窒素ガスと水素ガスとを含む。また、成形装置2の内部は、成形装置2の外部からの大気の混入を抑制するため、大気圧よりも高い正圧に保たれる。The molding device 2 has a bath 21 for storing molten metal M. For example, molten tin or a molten tin alloy is used as the molten metal M. The inside of the molding device 2 is filled with a reducing atmosphere to suppress oxidation of the molten metal M. The reducing atmosphere contains, for example, nitrogen gas and hydrogen gas. Furthermore, the inside of the molding device 2 is kept at a positive pressure higher than atmospheric pressure to suppress the intrusion of air from outside the molding device 2.

成形装置2は、溶融金属Mの液面を利用し、板状のガラスリボンGを得る。ガラスリボンGは、溶融金属Mの液面上を流動しながら徐々に冷却され固くなる。ガラスリボンGは、浴槽21の下流域において溶融金属Mから引き上げられ、成形装置2の出口22から搬出される。出口22でのガラスリボンGの温度は、第1温度T1未満である。第1温度T1は、ガラス転移点Tgを基準として+40℃の温度である(T1=Tg+40)。The forming device 2 uses the liquid surface of the molten metal M to obtain a plate-shaped glass ribbon G. The glass ribbon G gradually cools and hardens as it flows on the liquid surface of the molten metal M. The glass ribbon G is pulled up from the molten metal M in the downstream area of the bath 21 and discharged from the outlet 22 of the forming device 2. The temperature of the glass ribbon G at the outlet 22 is less than a first temperature T1. The first temperature T1 is a temperature that is +40°C based on the glass transition point Tg (T1 = Tg + 40).

熱処理装置3は、成形装置2の出口22に隣接される。熱処理装置3は、ドロスボックス4と、ドロスボックス4よりも搬送方向下流側に設けられる徐冷炉5とを有する。熱処理装置3の内部にて、ガラスリボンGの温度は、搬送方向上流側から搬送方向下流側に向うほど低くなる。The heat treatment device 3 is adjacent to the outlet 22 of the forming device 2. The heat treatment device 3 has a dross box 4 and an annealing furnace 5 provided downstream in the conveying direction from the dross box 4. Inside the heat treatment device 3, the temperature of the glass ribbon G decreases from the upstream side in the conveying direction to the downstream side in the conveying direction.

熱処理装置3は、ドロスボックス4の内部に、金属製の第1搬送ローラ41を有する。第1搬送ローラ41は、溶融金属Mの液面からガラスリボンGを斜め上に引き上げ、ガラスリボンGを成形装置2からドロスボックス4に搬送する。第1搬送ローラ41は、ガラスリボンGの搬送方向に間隔をおいて複数設けられる。第1搬送ローラ41は、ガラスリボンGの下面と接触し、回転することで、ガラスリボンGを搬送する。The heat treatment device 3 has a first transport roller 41 made of metal inside the dross box 4. The first transport roller 41 pulls the glass ribbon G diagonally upward from the liquid surface of the molten metal M and transports the glass ribbon G from the forming device 2 to the dross box 4. A plurality of first transport rollers 41 are provided at intervals in the transport direction of the glass ribbon G. The first transport roller 41 contacts the underside of the glass ribbon G and transports the glass ribbon G by rotating.

熱処理装置3は、ドロスボックス4の内部に、更に、カーボンブロック42を有する。カーボンブロック42は、第1搬送ローラ41毎に設けられ、第1搬送ローラ41に対して下方から接触し、第1搬送ローラ41の外周面にカーボン保護膜を形成する。カーボン保護膜は、第1搬送ローラ41とガラスリボンGとの衝突を和らげる緩衝材として機能するので、ガラスリボンGが傷付くのを抑制できる。The heat treatment device 3 further has a carbon block 42 inside the dross box 4. The carbon block 42 is provided for each first conveyor roller 41, contacts the first conveyor roller 41 from below, and forms a carbon protective film on the outer circumferential surface of the first conveyor roller 41. The carbon protective film functions as a buffer material that cushions the collision between the first conveyor roller 41 and the glass ribbon G, thereby preventing the glass ribbon G from being damaged.

ドロスボックス4の内部は、カーボンブロック42の酸化による焼失を抑制すべく、成形装置2の出口22から流入する還元性雰囲気で満たされる。また、ドロスボックス4の内部は、ドロスボックス4の外部からの大気の混入を抑制するため、窒素ガスの導入等によって大気圧よりも高い正圧に保たれる。The inside of the dross box 4 is filled with a reducing atmosphere flowing in from the outlet 22 of the molding device 2 to prevent the carbon block 42 from burning due to oxidation. The inside of the dross box 4 is also kept at a positive pressure higher than atmospheric pressure by introducing nitrogen gas or the like to prevent the intrusion of air from outside the dross box 4.

熱処理装置3は、徐冷炉5の内部に、金属製の第2搬送ローラ51を有する。第2搬送ローラ51は、徐冷炉5の入口52から出口53に向けて、ガラスリボンGを水平に搬送する。第2搬送ローラ51は、ガラスリボンGの搬送方向に間隔をおいて複数設けられる。第2搬送ローラ51は、ガラスリボンGの下面と接触し、回転することで、ガラスリボンGを搬送する。The heat treatment device 3 has a metallic second transport roller 51 inside the annealing furnace 5. The second transport roller 51 transports the glass ribbon G horizontally from the entrance 52 to the exit 53 of the annealing furnace 5. A plurality of second transport rollers 51 are provided at intervals in the transport direction of the glass ribbon G. The second transport rollers 51 contact the underside of the glass ribbon G and transport the glass ribbon G by rotating.

熱処理装置3は、徐冷炉5の内部に、ノズル54を有する。ノズル54は、ガラスリボンGの下面に酸化硫黄ガス(SOガス)を吹き付け、硫酸塩を形成する。SOガスは、SOガスおよびSOガスから選ばれる少なくとも1つである。硫酸塩とは、硫酸イオン(SO 2-)を含む無機化合物を意味する。硫酸塩は、第2搬送ローラ51とガラスリボンGとの衝突を和らげる緩衝材として機能するので、ガラスリボンGが傷付くのを抑制できる。 The heat treatment device 3 has a nozzle 54 inside the annealing furnace 5. The nozzle 54 sprays sulfur oxide gas ( SOx gas) onto the lower surface of the glass ribbon G to form sulfates. The SOx gas is at least one selected from SO2 gas and SO3 gas. The sulfates refer to inorganic compounds containing sulfate ions ( SO42- ). The sulfates function as a buffer material that cushions the collision between the second conveyor roller 51 and the glass ribbon G, and therefore can prevent the glass ribbon G from being damaged.

ノズル54は、ガラスリボンGが傷付くのをできるだけ抑制すべく、徐冷炉5の入口52付近に配置される。但し、ノズル54の位置は、徐冷炉5の入口52付近には限定されない。また、ノズル54の数は、本実施形態では1つであるが、複数であってもよい。複数のノズル54は、ガラスリボンGの搬送方向に間隔をおいて複数設けられる。The nozzle 54 is disposed near the entrance 52 of the annealing furnace 5 to minimize damage to the glass ribbon G. However, the position of the nozzle 54 is not limited to near the entrance 52 of the annealing furnace 5. In addition, although the number of nozzles 54 is one in this embodiment, there may be more than one. The multiple nozzles 54 are provided at intervals in the conveying direction of the glass ribbon G.

ノズル54は、SOガスを吐出する吐出口541を有する。吐出口541は、図2に示すように、ガラスリボンGの幅方向全体に亘って硫酸塩を形成すべく、Y軸方向に間隔をおいて複数配置される。複数の吐出口541は、Y軸方向に平行な水平管542に形成される。 The nozzle 54 has an outlet 541 for discharging the SOx gas. As shown in Fig. 2, a plurality of the outlets 541 are arranged at intervals in the Y-axis direction so as to form sulfates over the entire width direction of the glass ribbon G. The plurality of outlets 541 are formed in a horizontal pipe 542 parallel to the Y-axis direction.

ノズル54は、図1に示すように、第1開閉弁61と第1流量制御弁62が途中に設けられる第1配管63を介して第1ガス供給源64と接続される。第1開閉弁61が第1配管63の流路を開放すると、第1ガス供給源64がノズル54にSOガスを供給し、ノズル54がSOガスを吐出する。SOガスの流量は第1流量制御弁62によって制御される。一方、第1開閉弁61が第1配管63の流路を閉塞すると、第1ガス供給源64からノズル54へのSOガスの供給が停止され、ノズル54がSOガスの吐出を停止する。 1, the nozzle 54 is connected to a first gas supply source 64 via a first pipe 63 in which a first on-off valve 61 and a first flow control valve 62 are provided. When the first on-off valve 61 opens the flow path of the first pipe 63, the first gas supply source 64 supplies SOX gas to the nozzle 54, and the nozzle 54 discharges the SOX gas. The flow rate of the SOX gas is controlled by the first flow control valve 62. On the other hand, when the first on-off valve 61 closes the flow path of the first pipe 63, the supply of SOX gas from the first gas supply source 64 to the nozzle 54 is stopped, and the nozzle 54 stops discharging the SOX gas.

ノズル54がSOガスを吐出する場合、SOガスは徐冷炉5の内部で酸化されSOガスになる。SOガスが硫酸塩の結晶の生成に寄与していると推定されるので、SOガスが安定に存在できるように徐冷炉5の内部は酸化性雰囲気とされる。酸化性雰囲気は、徐冷炉5の出口53から流入する大気によって形成される。従って、徐冷炉5の内部雰囲気の酸素ガス濃度は、徐冷炉5の出口53から入口52に向うほど低くなる。 When the nozzle 54 discharges SO2 gas, the SO2 gas is oxidized to SO3 gas inside the annealing furnace 5. Since it is presumed that the SO3 gas contributes to the generation of sulfate crystals, the inside of the annealing furnace 5 is made to be an oxidizing atmosphere so that the SO3 gas can exist stably. The oxidizing atmosphere is formed by the air flowing in from the outlet 53 of the annealing furnace 5. Therefore, the oxygen gas concentration in the internal atmosphere of the annealing furnace 5 decreases from the outlet 53 to the inlet 52 of the annealing furnace 5.

ノズル54は、上記の通り、徐冷炉5の入口52付近に配置される。そこで、ノズル54は、酸素ガス濃度を高めるべく、酸素含有ガスを吐出してもよい。酸素含有ガスは、酸素ガスを含むものであればよく、純粋な酸素ガスでもよいが、本実施形態では空気である。空気は、SOガスと同時に吐出されてもよいし、SOガスと交互に吐出されてもよい。 As described above, the nozzle 54 is disposed near the inlet 52 of the annealing furnace 5. Thus, the nozzle 54 may discharge an oxygen-containing gas in order to increase the oxygen gas concentration. The oxygen-containing gas may be any gas that contains oxygen gas, and may be pure oxygen gas, but in this embodiment, it is air. The air may be discharged simultaneously with the SOx gas, or may be discharged alternately with the SOx gas.

ノズル54は、第2開閉弁71と第2流量制御弁72が途中に設けられる第2配管73を介して第2ガス供給源74と接続される。第2開閉弁71が第2配管73の流路を開放すると、第2ガス供給源74がノズル54に空気を供給し、ノズル54が空気を吐出する。空気の流量は第2流量制御弁72によって制御される。一方、第2開閉弁71が第2配管73の流路を閉塞すると、第2ガス供給源74からノズル54への空気の供給が停止され、ノズル54が空気の吐出を停止する。 The nozzle 54 is connected to the second gas supply source 74 via a second pipe 73 in which a second on-off valve 71 and a second flow control valve 72 are provided. When the second on-off valve 71 opens the flow path of the second pipe 73, the second gas supply source 74 supplies air to the nozzle 54, and the nozzle 54 discharges the air. The flow rate of the air is controlled by the second flow control valve 72. On the other hand, when the second on-off valve 71 closes the flow path of the second pipe 73, the supply of air from the second gas supply source 74 to the nozzle 54 is stopped, and the nozzle 54 stops discharging air.

なお、本実施形態では1本のノズル54がSOガスと空気の両方を吐出するが、SOガス用のノズルと、空気用のノズルとが別々に設けられてもよい。 In this embodiment, one nozzle 54 discharges both SOx gas and air, but a nozzle for SOx gas and a nozzle for air may be provided separately.

硫酸塩は、通常、ガラスリボンGに含まれるアルカリ金属と、SOガスとの反応によって形成される。それゆえ、硫酸塩は、アルカリ金属イオンを含む。なお、硫酸塩は、ガラスリボンGに含まれるアルカリ土類金属と、SOガスとの反応によっても形成されうるので、更にアルカリ土類金属イオンをも含みうる。 The sulfate is usually formed by a reaction between an alkali metal contained in the glass ribbon G and SO3 gas. Therefore, the sulfate contains an alkali metal ion. Note that the sulfate can also be formed by a reaction between an alkaline earth metal contained in the glass ribbon G and SO3 gas, and therefore can further contain an alkaline earth metal ion.

リチウムシリケートガラスはLiを含むので、硫酸塩もLiを含む。硫酸塩は、更にNaとKのいずれか1つ以上を含んでもよい。(Li(1-A-B)、Na、KSOの融点は、AとBに依存する。Aは0~1、Bも0~1である。例えば(Li0.9、Na0.1SOの固相線温度は732℃であるが、固相線温度が530℃以下のAとBの組み合わせも存在する。 Since lithium silicate glass contains Li, sulfates also contain Li. Sulfates may further contain one or more of Na and K. The melting point of (Li (1-A-B) 2 SO 4 depends on A and B. A is 0 to 1, and B is also 0 to 1. For example, the solidus temperature of (Li 0.9 , Na 0.1 ) 2 SO 4 is 732°C, but there are also combinations of A and B whose solidus temperatures are 530°C or lower.

本発明者は、過去にリチウムシリケートガラス板に混入した異物を調べ、異物の混入原因が硫酸塩にあることを見出した。硫酸塩が溶融すると、金属製の第2搬送ローラ51が腐食され、錆が生じ、錆が異物としてガラス板に混入することを本発明者は見出した。また、硫酸塩が溶融するか、溶融しなくても軟化すると、硫酸塩が緩衝材としての機能を失い、ガラスリボンGの傷が増えることを本発明者は見出した。The inventors have investigated foreign matter that has been mixed into lithium silicate glass sheets in the past and found that the cause of the foreign matter is sulfate. The inventors have found that when sulfate melts, it corrodes the second metal conveyor roller 51, causing rust, which then mixes into the glass sheet as foreign matter. The inventors have also found that when sulfate melts or, even if it does not melt, it softens, the sulfate loses its function as a buffer material, causing more scratches on the glass ribbon G.

本実施形態の硫酸塩の融点Tは、Tgに比べて40℃以上高く、第1温度T1以上である(T≧Tg+40=T1)。ガラスリボンGの温度は、上記の通り、成形装置2の出口22にて第1温度T1未満であるので、徐冷炉5の入口52にて第1温度T1未満であり、徐冷炉5の入口52から出口53に向うほど低い。 The melting point T M of the sulfate in this embodiment is higher than Tg by 40° C. or more and is equal to or higher than the first temperature T1 (T M ≧Tg+40=T1). As described above, the temperature of the glass ribbon G is lower than the first temperature T1 at the outlet 22 of the forming device 2, and therefore is lower than the first temperature T1 at the inlet 52 of the annealing furnace 5, and decreases from the inlet 52 to the outlet 53 of the annealing furnace 5.

従って、ガラスリボンGの温度は、徐冷炉5の内部全体にて、硫酸塩の融点Tよりも低い。それゆえ、徐冷炉5の内部において、硫酸塩の溶融を防止できる。その結果、金属製の第2搬送ローラ51の腐食を防止でき、錆の発生を防止できるので、錆が異物としてガラス板に混入するのを防止できる。 Therefore, the temperature of the glass ribbon G is lower than the melting point T M of the sulfate throughout the entire interior of the annealing furnace 5. This makes it possible to prevent the sulfate from melting inside the annealing furnace 5. As a result, it is possible to prevent the corrosion of the metallic second conveyor rollers 51 and the generation of rust, thereby making it possible to prevent the rust from being mixed into the glass sheet as a foreign matter.

硫酸塩の融点Tは、Tgに比べて40℃以上高く(T≧Tg+40)、好ましくはTgに比べて50℃以上高い(T≧Tg+50)。硫酸塩の融点Tは、例えば550℃以上、好ましくは580℃以上、より好ましくは600℃以上である。また、硫酸塩の融点Tは、例えば860℃以下、好ましくは720℃以下である。 The melting point T M of the sulfate is at least 40° C. higher than Tg (T M ≧Tg+40), preferably at least 50° C. higher than Tg (T M ≧Tg+50). The melting point T M of the sulfate is, for example, 550° C. or higher, preferably 580° C. or higher, more preferably 600° C. or higher. The melting point T M of the sulfate is, for example, 860° C. or lower, preferably 720° C. or lower.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、LiイオンとNaイオンの総モル数(M1)に対するNaイオンのモル数(M2)の比(M2/M1=A/(1-B))が、例えば0.1未満、好ましくは0.09以下、より好ましくは0.07以下である。比(M2/M1)が小さいほど、硫酸塩の融点Tが高い。M2/M1は、好ましくは0.01以上である。 The alkali metal ions of the sulfate have a ratio (M2/M1=A/(1-B)) of the number of moles of Na ions (M2) to the total number of moles of Li ions and Na ions (M1) that is, for example, less than 0.1, preferably 0.09 or less, and more preferably 0.07 or less. The smaller the ratio (M2/M1), the higher the melting point T M of the sulfate. M2/M1 is preferably 0.01 or more.

また、硫酸塩のアルカリ金属イオンは、アルカリ金属イオンの総モル数(M3)に対するKイオンのモル数(M4)の比(M4/M3=B)が、例えば0.018以下、好ましくは0.015以下、より好ましくは0.012以下である。比(M4/M3)が小さいほど、硫酸塩の融点Tが高い。M4/M3は、好ましくは0.005以上である。 In addition, the ratio (M4/M3=B) of the moles of K ions (M4) to the total moles of alkali metal ions (M3) of the sulfate is, for example, 0.018 or less, preferably 0.015 or less, and more preferably 0.012 or less. The smaller the ratio (M4/M3), the higher the melting point T M of the sulfate. M4/M3 is preferably 0.005 or more.

比(M2/M1)が0.1未満であって、比(M4/M3)が0.018以下であれば、アルカリ金属イオンに占めるLiイオンの割合が高く、(Li(1-A-B)、Na、KSOの固相線温度が600℃を超える。この場合、徐冷炉5の内部にてガラスリボンGの温度が600℃以下であれば、硫酸塩の溶融を抑制できる。 When the ratio (M2/M1) is less than 0.1 and the ratio (M4/M3) is 0.018 or less, the proportion of Li ions in the alkali metal ions is high, and the solidus temperature of (Li (1-A-B) , NaA , KB ) 2SO4 exceeds 600° C. In this case, when the temperature of the glass ribbon G inside the annealing furnace 5 is 600° C. or less, melting of the sulfate can be suppressed.

本発明者は、リチウムシリケートガラスのガラス組成が同一であって、且つSOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2が同一である場合、単位面積(1m)当たりの硫酸塩の量が増えるほど、比(M2/M1)と比(M4/M3)がどちらも小さくなることを実験で見出した。 The present inventors have found through experiments that, when the glass composition of the lithium silicate glass is the same and the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas is blown is the same, the ratio (M2/M1) and the ratio (M4/M3) both decrease as the amount of sulfate per unit area (1 m2 ) increases.

単位面積当たりの硫酸塩の量は、単位面積当たりの硫黄のモル数M5で表される。M5とM2/M1の関係を図3Aに、M5とM4/M3の関係を図3Bに示す。図3Aに示すように、M5が増えるほど、M2/M1が小さくなる。また、図3Bに示すように、M5が増えるほど、M4/M3が小さくなる。The amount of sulfate per unit area is expressed as the number of moles of sulfur per unit area, M5. The relationship between M5 and M2/M1 is shown in Figure 3A, and the relationship between M5 and M4/M3 is shown in Figure 3B. As shown in Figure 3A, the more M5 increases, the smaller M2/M1 becomes. Also, as shown in Figure 3B, the more M5 increases, the smaller M4/M3 becomes.

M5が増えるほど、M2/M1とM4/M3の両方が小さくなる。M2/M1とM4/M3の両方が小さくなることは、硫酸塩中のアルカリ金属に占めるLiの割合が高くなることを意味し、硫酸塩の融点Tが高くなることを意味する。 As M5 increases, both M2/M1 and M4/M3 decrease. The fact that both M2/M1 and M4/M3 decrease means that the ratio of Li among the alkali metals in the sulfate increases, and this means that the melting point T M of the sulfate increases.

M5は、例えば5.1×10-5モル以上、好ましくは6.0×10-5モル以上、より好ましくは7.5×10-5モル以上である。M5が5.1×10-5モル以上であれば、硫酸塩中のアルカリ金属に占めるLiの割合が高く、硫酸塩の融点Tが高いので、硫酸塩の溶融を抑制できる。M5は、好ましくは15×10-5モル以下である。 M5 is, for example, 5.1×10 −5 mol or more, preferably 6.0×10 −5 mol or more, more preferably 7.5×10 −5 mol or more. If M5 is 5.1×10 −5 mol or more, the ratio of Li to the alkali metals in the sulfate is high, and the melting point T M of the sulfate is high, so that melting of the sulfate can be suppressed. M5 is preferably 15×10 −5 mol or less.

M2/M1、M4/M3、及びM5は、後述の実施例では、ガラス板の硫酸塩が付いた主面(30cm×30cm)を、1規定の塩酸水溶液20mlで擦り洗いし、更に温水で洗浄して得た100mlの液体を分析し、測定した。In the examples described below, M2/M1, M4/M3, and M5 were measured by scrubbing the sulfate-contaminated main surface of a glass plate (30 cm x 30 cm) with 20 ml of 1N hydrochloric acid solution, then rinsing with warm water, and analyzing the 100 ml of liquid obtained.

M2/M1、M4/M3は、原子吸光分析法で測定した。測定には、日立ハイテクサイエンス製、偏光ゼーマン原子吸光光度計(Z-2310)を使用した。 M2/M1 and M4/M3 were measured by atomic absorption spectrometry. A polarized Zeeman atomic absorption spectrophotometer (Z-2310) manufactured by Hitachi High-Tech Science was used for the measurements.

M5は、ICP発光分光分析法を用いて測定した。測定には、日立ハイテクサイエンス製、ICP発光分光分析装置(ICP-OES SPS3100HV UV)を用いた。各元素の定量については、検量線法を用い定量した。 M5 was measured using ICP optical emission spectrometry. A Hitachi High-Tech Science ICP optical emission spectrometry analyzer (ICP-OES SPS3100HV UV) was used for the measurements. Each element was quantified using the calibration curve method.

ところで、硫酸塩は、上記の通り、ガラスリボンGに含まれるアルカリ金属と、SOガスとの反応によって形成される。その際、アルカリ金属が、ガラスリボンGから抜け、ガラス板の主面に硫酸塩を生成する。図4に示すように、ガラス表面からの深さが浅いほど、ガラス中のLi濃度(単位:モル%)が小さい。 As described above, sulfates are formed by a reaction between an alkali metal contained in the glass ribbon G and SO3 gas. At that time, the alkali metal escapes from the glass ribbon G and generates sulfates on the main surface of the glass sheet. As shown in Fig. 4, the shallower the depth from the glass surface, the smaller the Li concentration (unit: mol%) in the glass.

ガラス板の主面からの深さ0nm~100nmの領域におけるLi濃度の平均値をD1、ガラス板の主面からの深さ400nm~600nmの領域におけるLi濃度の平均値をD2と記す。ここで、ガラス板の主面とは、硫酸塩の形成された主面である。D1は、例えばD2の88%以下、好ましくはD2の86%以下である。D1は、好ましくはD2の65%以上である。The average Li concentration in the region from 0 nm to 100 nm deep from the main surface of the glass plate is denoted as D1, and the average Li concentration in the region from 400 nm to 600 nm deep from the main surface of the glass plate is denoted as D2. Here, the main surface of the glass plate is the main surface on which sulfate is formed. D1 is, for example, 88% or less of D2, and preferably 86% or less of D2. D1 is preferably 65% or more of D2.

リチウムシリケートガラスのガラス組成が同一であって、且つ、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2が同一である場合、D1/D2が小さいことは、ガラスリボンGから抜けて硫酸塩の一部となるLiイオンの量が増えることを意味する。Liイオンの量は、リチウムシリケートガラス上に形成された硫酸塩の量に比例し、M5に比例する。M5が増えるほど、上記の通り、硫酸塩の融点Tが高くなる。従って、D1/D2が小さいことは、硫酸塩の融点Tが高いことを意味する。 When the glass composition of the lithium silicate glass is the same and the temperature T2 of the glass ribbon G at the blowing position of the SOx gas is the same, a small D1/D2 means that the amount of Li ions that escape from the glass ribbon G and become part of the sulfate increases. The amount of Li ions is proportional to the amount of sulfate formed on the lithium silicate glass and is proportional to M5. As M5 increases, the melting point T M of the sulfate increases, as described above. Therefore, a small D1/D2 means that the melting point T M of the sulfate is high.

なお、D1/D2は、リチウムシリケートガラスのガラス組成、及びSOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2にも依存する。温度T2は、ガラス転移点(Tg)を基準として-30℃以上40℃未満である(Tg-30≦T2<Tg+40)。 Note that D1/D2 also depends on the glass composition of the lithium silicate glass and the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas is blown. The temperature T2 is −30° C. or more and less than 40° C. with respect to the glass transition point (Tg) (Tg−30≦T2<Tg+40).

D1/D2は、未強化のガラス板で測定する。化学強化によっても、Li濃度の深さ方向分布が変わるからである。D1/D2 is measured on unstrengthened glass plates because chemical strengthening also changes the depth distribution of Li concentration.

ガラス板のLi濃度の深さ方向分布は、後述の実施例では、C60イオンスパッタリングを用いたX線光電子分光法(XPS)により測定した。測定には、アルバック・ファイ社製のESCA5500を使用した。ガラスに含まれる各元素の存在比率は、Si(2p)、Al(2p)、Na(2s)、K(2p)、Li(1s)、Ca(2s)、Mg(2s)、Zr(3d)、Sn(3d5)、O(1s)のピークから測定した。ピークの測定条件は、パスエネルギーが117.4eV、エネルギーステップが0.5eV/step、検出角(試料表面と検出器とのなす角度)が75°であった。スペクトルの解析には、解析ソフトMultiPakを使用した。スペクトルのバックグラウンドは、Shirley法で除去した。In the examples described below, the depth distribution of the Li concentration in the glass plate was measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) using C60 ion sputtering. For the measurement, an ESCA5500 manufactured by ULVAC-PHI was used. The abundance ratio of each element contained in the glass was measured from the peaks of Si (2p), Al (2p), Na (2s), K (2p), Li (1s), Ca (2s), Mg (2s), Zr (3d), Sn (3d5), and O (1s). The peak measurement conditions were a pass energy of 117.4 eV, an energy step of 0.5 eV/step, and a detection angle (angle between the sample surface and the detector) of 75°. Analysis software MultiPak was used to analyze the spectrum. The background of the spectrum was removed by the Shirley method.

例1~例5について説明する。例1~例4は実施例、例5は比較例である。 We will explain Examples 1 to 5. Examples 1 to 4 are working examples, and Example 5 is a comparative example.

(例1)
例1では、フロート法で溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンGを得た後、徐冷炉5の入口52付近でSOガスを吹き付け、ガラスリボンGの下面に硫酸塩を形成した。SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2は、540℃であった。徐冷後にガラスリボンGからガラス板を切り出した。
(Example 1)
In Example 1, molten glass was formed into a sheet by the float process to obtain a glass ribbon G, and then SOx gas was blown onto the glass ribbon G near the inlet 52 of the annealing furnace 5 to form sulfates on the lower surface of the glass ribbon G. The temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown onto the glass ribbon G was 540° C. After annealing, a glass plate was cut out from the glass ribbon G.

ガラス板のガラスは、リチウムシリケートガラスであり、酸化物基準のモル%表示で、SiOを66.2%、Alを11.2%、LiOを10.4%、NaOを5.6%、KOを1.5%、MgOを3.1%、CaOを0.2%、ZrOを1.3%、Yを0.5%含有するガラスであった。このガラスは、ガラス転移点Tgが558℃、徐冷点が552℃であった。ガラス組成は、ガラス板の板厚方向中心で測定した。 The glass of the glass plate was a lithium silicate glass, containing, in mole percent based on oxides, 66.2 % SiO2 , 11.2% Al2O3 , 10.4% Li2O , 5.6% Na2O , 1.5% K2O , 3.1% MgO, 0.2% CaO, 1.3 % ZrO2, and 0.5 % Y2O3 . This glass had a glass transition point Tg of 558°C and an annealing point of 552°C. The glass composition was measured at the center of the glass plate in the thickness direction.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、M2/M1が0.09、M4/M3が0.0178であった。単位面積当たりの硫黄のモル数M5は5.1×10-5モルであった。硫酸塩の融点Tは600℃以上であった。ガラス板のLi濃度の深さ方向分布は、D1がD2の88%であった。 The alkali metal ion ratios of the sulfate salts were M2/M1 0.09 and M4/M3 0.0178. The number of moles of sulfur per unit area M5 was 5.1×10 −5 mol. The melting point T M of the sulfate salts was 600° C. or higher. The Li concentration distribution in the depth direction of the glass plate was 88% of D2 in D1.

硫酸塩の融点Tは、600℃以上であったので、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2よりも高かった。従って、硫酸塩は、徐冷炉5の内部にて溶融しなかったと推定される。硫酸塩を形成したガラス表面には、異物の混入は無かった。第2搬送ローラ51との接触傷が少し有ったが、問題のない程度であった。 The melting point T M of the sulfate was 600° C. or higher, which was higher than the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown. Therefore, it is presumed that the sulfate did not melt inside the annealing furnace 5. No foreign matter was mixed into the glass surface on which the sulfate was formed. There were some scratches due to contact with the second conveyor roller 51, but these were not of any concern.

(例2)
例2では、単位面積当たりの硫酸塩の量を増やすべく、SOガスの流量を増やした以外、例1と同じ条件でガラス板を製造した。SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2は、540℃であった。得られたガラスは、ガラス転移点Tgが558℃、徐冷点が552℃であった。
(Example 2)
In Example 2, a glass plate was produced under the same conditions as in Example 1, except that the flow rate of the SOx gas was increased in order to increase the amount of sulfate per unit area. The temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown was 540° C. The obtained glass had a glass transition point Tg of 558° C. and an annealing point of 552° C.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、M2/M1が0.08、M4/M3が0.0156であった。単位面積当たりの硫黄のモル数M5は5.8×10-5モルであった。硫酸塩の融点Tは600℃以上であった。ガラス板のLi濃度の深さ方向分布は、D1がD2の86%であった。 The alkali metal ion ratios of the sulfate salts were M2/M1 0.08 and M4/M3 0.0156. The number of moles of sulfur per unit area M5 was 5.8×10 −5 mol. The melting point T M of the sulfate salts was 600° C. or higher. The Li concentration distribution in the depth direction of the glass plate was 86% of D2 in D1.

硫酸塩の融点TMは、600℃以上であったので、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2よりも高かった。従って、硫酸塩は、徐冷炉5の内部にて溶融しなかったと推定される。硫酸塩を形成したガラス表面には、異物の混入は無く、また、第2搬送ローラ51との接触傷も無かった。 The melting point TM of the sulfate was 600° C. or higher, which was higher than the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown. Therefore, it is presumed that the sulfate did not melt inside the annealing furnace 5. The glass surface on which the sulfate was formed was free of foreign matter and had no contact scratches with the second conveyor roller 51.

(例3)
例3では、単位面積当たりの硫酸塩の量を増やすべく、SOガスの流量を増やした以外、例1と同じ条件でガラス板を製造した。SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2は、540℃であった。得られたガラスは、ガラス転移点Tgが558℃、徐冷点が552℃であった。
(Example 3)
In Example 3, a glass sheet was produced under the same conditions as in Example 1, except that the flow rate of SOx gas was increased in order to increase the amount of sulfate per unit area. The temperature T2 of the glass ribbon G at the SOx gas blowing position was 540° C. The obtained glass had a glass transition point Tg of 558° C. and an annealing point of 552° C.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、M2/M1が0.03、M4/M3が0.0070であった。単位面積当たりの硫黄のモル数M5は12.9×10-5モルであった。硫酸塩の融点Tは600℃以上であった。例3で得られたガラス板のLi濃度の深さ方向分布を図4に示す。D1はD2の69%であった。 The ratio of alkali metal ions in the sulfate was M2/M1 0.03 and M4/M3 0.0070. The number of moles of sulfur per unit area M5 was 12.9×10 −5 mol. The melting point T M of the sulfate was 600° C. or higher. The Li concentration distribution in the depth direction of the glass plate obtained in Example 3 is shown in FIG. 4. D1 was 69% of D2.

硫酸塩の融点Tは、600℃以上であったので、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2よりも高かった。従って、硫酸塩は、徐冷炉5の内部にて溶融しなかったと推定される。硫酸塩を形成したガラス表面には、異物の混入は無く、また、第2搬送ローラ51との接触傷も無かった。 The melting point T M of the sulfate was 600° C. or higher, which was higher than the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown. Therefore, it is presumed that the sulfate did not melt inside the annealing furnace 5. The glass surface on which the sulfate was formed was free of foreign matter and had no contact scratches with the second conveyor roller 51.

(例4)
例4では、例1~例3とは配合比の異なるガラス原料を溶解し、溶融ガラスを得た後、例1~例3と同様にフロート法で溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンGを得た。その後、徐冷炉5の入口52付近でSOガスを吹き付け、ガラスリボンGの下面に硫酸塩を形成した。SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2は、570℃であった。徐冷後にガラスリボンGからガラス板を切り出した。
(Example 4)
In Example 4, glass raw materials having a different compounding ratio from those in Examples 1 to 3 were melted to obtain molten glass, and the molten glass was then formed into a sheet shape by a float method in the same manner as in Examples 1 to 3 to obtain a glass ribbon G. Thereafter, SOx gas was blown near the inlet 52 of the annealing furnace 5 to form sulfates on the lower surface of the glass ribbon G. The temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown was 570° C. After annealing, a glass plate was cut out from the glass ribbon G.

ガラス板のガラスは、リチウムシリケートガラスであり、酸化物基準のモル%表示で、SiOを70.0%、Alを7.5%、LiOを8.0%、NaOを5.3%、KOを1.0%、MgOを7.0%、CaOを0.2%、ZrOを1.0%含有するガラスであった。このガラスは、ガラス転移点Tgが548℃、徐冷点が542℃であった。ガラス組成は、ガラス板の板厚方向中心で測定した。 The glass of the glass plate was a lithium silicate glass, containing, in mole percent based on oxides, 70.0% SiO2 , 7.5% Al2O3 , 8.0% Li2O , 5.3% Na2O , 1.0% K2O , 7.0% MgO, 0.2% CaO, and 1.0 % ZrO2. This glass had a glass transition point Tg of 548°C and an annealing point of 542°C. The glass composition was measured at the center of the glass plate in the thickness direction.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、M2/M1が0.08、M4/M3が0.0120であった。単位面積当たりの硫黄のモル数M5は5.2×10-5モルであった。硫酸塩の融点Tは600℃以上であった。ガラス板のLi濃度の深さ方向分布は、D1がD2の78%であった。 The alkali metal ion ratios of the sulfate salts were M2/M1 0.08 and M4/M3 0.0120. The number of moles of sulfur per unit area M5 was 5.2×10 −5 moles. The melting point T M of the sulfate salts was 600° C. or higher. The Li concentration distribution in the depth direction of the glass plate was 78% of D2 in D1.

硫酸塩の融点Tは、600℃以上であったので、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2よりも高かった。従って、硫酸塩は、徐冷炉5の内部にて溶融しなかったと推定される。硫酸塩を形成したガラス表面には、異物の混入は無く、また、第2搬送ローラ51との接触傷も無かった。 The melting point T M of the sulfate was 600° C. or higher, which was higher than the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown. Therefore, it is presumed that the sulfate did not melt inside the annealing furnace 5. The glass surface on which the sulfate was formed was free of foreign matter and had no contact scratches with the second conveyor roller 51.

(例5)
例5では、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2を540℃から560℃に変更した以外、例1と同様にガラス板を製造した。SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2は、560℃であった。得られたガラスは、ガラス転移点Tgが558℃、徐冷点が552℃であった。
(Example 5)
In Example 5, a glass plate was produced in the same manner as in Example 1, except that the temperature T2 of the glass ribbon G at the SOx gas blowing position was changed from 540° C. to 560° C. The temperature T2 of the glass ribbon G at the SOx gas blowing position was 560° C. The obtained glass had a glass transition point Tg of 558° C. and an annealing point of 552° C.

硫酸塩のアルカリ金属イオンは、M2/M1が0.12、M4/M3が0.0244であった。単位面積当たりの硫黄のモル数M5は4.2×10-5モルであった。硫酸塩の融点Tは557℃であった。ガラス板のLi濃度の深さ方向分布は、D1がD2の91%であった。 The alkali metal ion ratio of the sulfate was M2/M1 0.12 and M4/M3 0.0244. The number of moles of sulfur per unit area M5 was 4.2×10 −5 mol. The melting point T M of the sulfate was 557° C. The Li concentration distribution in the depth direction of the glass plate was 91% of D2 in D1.

硫酸塩の融点Tは、557℃であったので、SOガスの吹き付け位置でのガラスリボンGの温度T2よりも低かった。従って、硫酸塩は、徐冷炉5の内部にて溶融したと推定される。硫酸塩を形成したガラス表面には、図5に示すように異物Cの混入が認められ、また、第2搬送ローラ51との接触傷も有った。 The melting point T M of the sulfate was 557° C., which was lower than the temperature T2 of the glass ribbon G at the position where the SOx gas was blown. Therefore, it is presumed that the sulfate melted inside the annealing furnace 5. On the glass surface on which the sulfate was formed, the inclusion of foreign matter C was recognized as shown in FIG. 5, and there were also scratches due to contact with the second conveying roller 51.

図5に示す異物Cの組成を分析したところ、異物Cは硫黄と鉄を含んでいた。従って、硫酸塩が溶融し、ステンレス鋼製の第2搬送ローラ51が腐食され、錆が生じ、錆が異物Cとして混入したと推定される。Analysis of the composition of foreign matter C shown in Figure 5 revealed that foreign matter C contained sulfur and iron. Therefore, it is presumed that sulfate melted, corroded the stainless steel second conveyor roller 51, and rust was generated, which was then mixed in as foreign matter C.

(まとめ)
例1~例5の実験結果を表1にまとめる。
(summary)
The experimental results of Examples 1 to 5 are summarized in Table 1.

Figure 0007544070000001
ところで、例1のガラスは、例4のガラスに比べて、カリウム濃度が大きい。ガラス中のカリウム濃度が大きいほど、ガラスから抜けるカリウム量が多く、硫酸塩のカリウム濃度が大きくなり、硫酸塩が溶けやすくなる。従って、例1のガラスのように、酸化物基準のモル%表示でSiOを60~73%、Alを8~22%、LiOを9~15%、KOを1.2~3.0%、NaO+KOを0.5~10%含有するガラスに本願発明を適用する技術的な意義が大きい。
Figure 0007544070000001
The glass of Example 1 has a higher potassium concentration than the glass of Example 4. The higher the potassium concentration in the glass, the more potassium is removed from the glass, the higher the potassium concentration of the sulfate, and the easier it is to dissolve the sulfate. Therefore, there is a great technical significance in applying the present invention to glass such as the glass of Example 1 , which contains, in mole percent on an oxide basis, 60 to 73% SiO2 , 8 to 22% Al2O3 , 9 to 15% Li2O , 1.2 to 3.0% K2O, and 0.5 to 10% Na2O + K2O .

図6~図10に、M4/M3=0.0050、0.0100、0.0150、0.0200、0.0250の場合の硫酸塩の相図を示す。図6~図10において、ドット模様で示す領域が液相の生成する領域である。図6~図10から明らかなように、M4/M3(硫酸塩のアルカリ金属イオンに占めるKイオンの割合)が大きくなるほど、液相の生成する領域が大きくなるので、硫酸塩が溶けやすくなる。 Figures 6 to 10 show phase diagrams of sulfate when M4/M3 = 0.0050, 0.0100, 0.0150, 0.0200, and 0.0250. In Figures 6 to 10, the areas indicated by dotted patterns are the areas where a liquid phase is produced. As is clear from Figures 6 to 10, the larger M4/M3 (the ratio of K ions to the alkali metal ions in the sulfate), the larger the area where a liquid phase is produced, and therefore the more easily the sulfate dissolves.

以上、本開示に係る硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板、リチウムシリケートガラス板及びその製造方法について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。The sulfate-containing lithium silicate glass plate, lithium silicate glass plate, and manufacturing method thereof according to the present disclosure have been described above, but the present disclosure is not limited to the above-described embodiments. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope of the claims. Naturally, these also fall within the technical scope of the present disclosure.

本出願は、2020年1月20日に日本国特許庁に出願された特願2020-007091号に基づく優先権を主張するものであり、特願2020-007091号の全内容を本出願に援用する。This application claims priority to Patent Application No. 2020-007091, filed with the Japan Patent Office on January 20, 2020, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

G ガラスリボン
51 第2搬送ローラ
G Glass ribbon 51 Second conveying roller

Claims (13)

リチウムシリケートガラス板と、前記リチウムシリケートガラス板の主面に形成されたアルカリ金属イオンを含有する硫酸塩とを有する、硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板であって、
前記硫酸塩の融点は、リチウムシリケートガラスのガラス転移点(Tg)に比べて40℃以上高い、硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。
A lithium silicate glass plate with sulfate, comprising: a lithium silicate glass plate; and a sulfate containing an alkali metal ion formed on a main surface of the lithium silicate glass plate,
A lithium silicate glass plate with sulfate, wherein the melting point of the sulfate is 40° C. or more higher than the glass transition point (Tg) of the lithium silicate glass.
前記硫酸塩のアルカリ金属イオンは、LiイオンとNaイオンの総モル数(M1)に対するNaイオンのモル数(M2)の比(M2/M1)が0.1未満である、請求項1に記載の硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。 The lithium silicate glass plate with sulfate according to claim 1, wherein the ratio (M2/M1) of the number of moles of Na ions (M2) to the total number of moles of Li ions and Na ions (M1) of the alkali metal ions of the sulfate is less than 0.1. 前記硫酸塩のアルカリ金属イオンは、アルカリ金属イオンの総モル数(M3)に対するKイオンのモル数(M4)の比(M4/M3)が0.018以下である、請求項1又は2に記載の硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。 The lithium silicate glass plate with sulfate according to claim 1 or 2, wherein the ratio (M4/M3) of the number of moles of K ions (M4) to the total number of moles of alkali metal ions (M3) of the sulfate is 0.018 or less. 前記硫酸塩の硫黄の量は、前記主面1m2あたり5.1×10-5モル以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載の硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。 The sulfate-attached lithium silicate glass plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the amount of sulfur in the sulfate is 5.1 x 10 -5 mol or more per m 2 of the main surface. 前記ガラス転移点(Tg)は、510℃以上である、請求項1~4のいずれか1項に記載の硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。The sulfate-containing lithium silicate glass sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the glass transition point (Tg) is 510°C or higher. 前記リチウムシリケートガラスは、酸化物基準のモル%表示で、
SiOを50~75%、
Alを2~25%
LiOを5~20%
NaO+KOを0.5~15%
含有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の硫酸塩付きリチウムシリケートガラス板。
The lithium silicate glass has, in mole percent on an oxide basis,
SiO2 50-75%,
Al2O3 2-25 %
5-20% Li 2 O
0.5-15% Na 2 O + K 2 O
The sulfate-containing lithium silicate glass plate according to any one of claims 1 to 5,
化学強化前のガラス板におけるLi濃度(単位:モル%)の深さ方向分布は、硫酸塩の形成される主面からの深さ0nm~100nmの領域におけるLi濃度の平均値が、前記主面からの深さ400nm~600nmの領域におけるLi濃度の平均値の88%以下である、リチウムシリケートガラス板。A lithium silicate glass plate in which the depth distribution of the Li concentration (unit: mol %) in the glass plate before chemical strengthening is such that the average Li concentration in the region from 0 nm to 100 nm deep from the main surface where sulfate is formed is 88% or less of the average Li concentration in the region from 400 nm to 600 nm deep from the main surface. 化学強化前のガラス板におけるLi濃度(単位:モル%)の深さ方向分布は、前記主面からの深さ0nm~100nmの領域におけるLi濃度の平均値が、前記主面からの深さ400nm~600nmの領域におけるLi濃度の平均値の86%以下である、請求項7に記載のリチウムシリケートガラス板。 The lithium silicate glass plate according to claim 7, wherein the depth distribution of the Li concentration (unit: mol %) in the glass plate before chemical strengthening is such that the average Li concentration in a region from 0 nm to 100 nm deep from the main surface is 86% or less of the average Li concentration in a region from 400 nm to 600 nm deep from the main surface. ガラス転移点(Tg)は、510℃以上である、請求項7又は8に記載のリチウムシリケートガラス板。 The lithium silicate glass sheet according to claim 7 or 8, having a glass transition point (Tg) of 510°C or higher. 酸化物基準のモル%表示で、
SiOを50~75%、
Alを2~25%
LiOを5~20%
NaO+KOを0.5~15%
含有する、請求項7~9のいずれか1項に記載のリチウムシリケートガラス板。
In mole percent based on oxide,
SiO2 50-75%,
Al2O3 2-25 %
5-20% Li 2 O
0.5-15% Na 2 O + K 2 O
The lithium silicate glass plate according to any one of claims 7 to 9, comprising:
溶融ガラスを板状に成形し、ガラスリボンを得て、前記ガラスリボンを複数の搬送ローラで搬送しながら徐冷する、リチウムシリケートガラス板の製造方法であって、
搬送中の前記ガラスリボンの前記搬送ローラと接触する主面に、酸化硫黄ガスを吹き付け、硫酸塩を形成し、
前記酸化硫黄ガスの吹き付け位置で、前記ガラスリボンの温度は、リチウムシリケートガラスのガラス転移点(Tg)を基準として-30℃以上40℃未満であり、
前記硫酸塩の融点は、前記ガラス転移点(Tg)に比べて40℃以上高い、リチウムシリケートガラス板の製造方法。
A method for producing a lithium silicate glass sheet, comprising forming molten glass into a sheet shape to obtain a glass ribbon, and gradually cooling the glass ribbon while conveying it by a plurality of conveying rollers,
A sulfur oxide gas is sprayed onto a main surface of the glass ribbon that is in contact with the conveying roller during conveyance to form sulfates;
At the position where the sulfur oxide gas is blown, the temperature of the glass ribbon is −30° C. or more and less than 40° C. based on the glass transition point (Tg) of lithium silicate glass,
The melting point of the sulfate is higher than the glass transition point (Tg) by 40° C. or more.
前記ガラス転移点(Tg)は、510℃以上である、請求項11に記載のリチウムシリケートガラス板の製造方法。 The method for producing a lithium silicate glass sheet according to claim 11, wherein the glass transition point (Tg) is 510°C or higher. 前記リチウムシリケートガラスは、酸化物基準のモル%表示で、
SiOを50~75%、
Alを2~25%
LiOを5~20%
NaO+KOを0.5~15%
含有する、請求項11または12に記載のリチウムシリケートガラス板の製造方法。
The lithium silicate glass has, in mole percent on an oxide basis,
SiO2 50-75%,
Al2O3 2-25 %
5-20% Li 2 O
0.5-15% Na 2 O + K 2 O
The method for producing a lithium silicate glass plate according to claim 11 or 12, comprising:
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