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JP7551582B2 - Inverter device, method for measuring offset voltage of inverter device, and program for measuring offset voltage of inverter device - Google Patents
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Inverter device, method for measuring offset voltage of inverter device, and program for measuring offset voltage of inverter device Download PDF

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Description

本発明は直流を交流に変換する技術に関する。 The present invention relates to technology for converting direct current to alternating current.

特許文献1には、直流を交流に変換するインバータが開示されている。このインバータは、直流の高電圧を供給する高電圧ライン(Vpp)と直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に直列に接続されるトランジスタ対を三つ備え、各トランジスタ対のスイッチング動作によって3相の交流をモータに対して出力する。具体的には、インバータにおける各トランジスタは、PWM(Pulse Width Modulation:パルス幅変調)によってデューティ比が制御されたパルスに応じて、オン状態とオフ状態の間でスイッチング動作を行う。 Patent document 1 discloses an inverter that converts direct current to alternating current. This inverter has three transistor pairs connected in series between a high-voltage line (Vpp) that supplies a high voltage direct current and a low-voltage line that supplies a low voltage direct current, and outputs three-phase alternating current to a motor by the switching operation of each transistor pair. Specifically, each transistor in the inverter switches between the on and off states in response to a pulse whose duty ratio is controlled by PWM (Pulse Width Modulation).

理想的なインバータでは、各相のトランジスタ対がいずれもオフ状態にあり、各トランジスタ対の中間点である各交流出力端子から各相の交流が出力されていない時の、当該各交流出力端子の電圧は等しくなる。例えば、3相の交流を出力するインバータにおいて、いずれもオフ状態にあるU相トランジスタ対のU相出力端子の電圧、いずれもオフ状態にあるV相トランジスタ対のV相出力端子の電圧、いずれもオフ状態にあるW相トランジスタ対のW相出力端子の電圧は、互いに等しくなるのが理想である。 In an ideal inverter, when all of the transistor pairs of each phase are in the off state and no AC is being output from each AC output terminal, which is the midpoint of each transistor pair, the voltages of the AC output terminals are equal. For example, in an inverter that outputs three-phase AC, the voltage of the U-phase output terminal of the U-phase transistor pair, which are all in the off state, the voltage of the V-phase output terminal of the V-phase transistor pair, which are all in the off state, and the voltage of the W-phase output terminal of the W-phase transistor pair, which are all in the off state, would ideally be equal to each other.

しかし、実際には、各相のトランジスタ対の製造誤差、UV相間、VW相間、WU相間等の相間電圧を測定する電圧センサの個体差、電圧センサの後段に設けられるオペアンプやADC(アナログデジタル変換回路:Analog-to-Digital Converter)の影響等によって、電圧センサで測定される交流非出力時の各交流出力端子の電圧差は0にならない。この電圧差(交流非出力時の各交流出力端子の間の相間電圧)はオフセット電圧と呼ばれる。このオフセット電圧の影響を除去するために、電圧センサによって各相間のオフセット電圧を予め測定しておくことが考えられる。そして、交流出力時のインバータのフィードバック制御において、電圧センサがリアルタイムに測定する相間電圧を利用する場合は、そこから予め測定されたオフセット電圧を減算する。 However, in reality, the voltage difference between each AC output terminal when no AC is being output, measured by the voltage sensor, does not become zero due to manufacturing errors in the transistor pairs of each phase, individual differences in the voltage sensors that measure the interphase voltages between UV phases, VW phases, WU phases, etc., and the effects of the operational amplifier and ADC (analog-to-digital converter) provided downstream of the voltage sensor. This voltage difference (interphase voltage between each AC output terminal when no AC is being output) is called the offset voltage. In order to eliminate the effects of this offset voltage, it is possible to measure the offset voltage between each phase in advance using a voltage sensor. Then, when using the interphase voltages measured in real time by the voltage sensor in feedback control of the inverter when AC is being output, the offset voltage measured in advance is subtracted from it.

特開2010-63303号公報JP 2010-63303 A

各相のトランジスタには、その電流経路と並列に保護ダイオード要素が設けられることが多い。保護ダイオード要素は、低電圧ライン側から高電圧ライン側に向かう方向のみに電流を流すように設けられるが、トランジスタがオフ状態にある時は高電圧ライン側から低電圧ライン側に向かう方向に漏れ電流が発生する可能性がある。この漏れ電流が保護ダイオード要素を流れる際に電圧が発生するため、電圧センサが各相間のオフセット電圧を測定する際の誤差要因となり得る。 A protective diode element is often provided in parallel with the current path of the transistor of each phase. The protective diode element is provided so that current flows only in the direction from the low voltage line to the high voltage line, but when the transistor is in the off state, leakage current can occur in the direction from the high voltage line to the low voltage line. When this leakage current flows through the protective diode element, a voltage is generated, which can become a source of error when the voltage sensor measures the offset voltage between each phase.

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、高精度にオフセット電圧を測定できるインバータ装置等を提供することにある。 The present invention was made in consideration of these circumstances, and its purpose is to provide an inverter device etc. that can measure offset voltage with high accuracy.

上記課題を解決するために、本発明のある態様のインバータ装置は、直流の高電圧を供給する高電圧ラインと直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に並列に接続される複数のトランジスタのスイッチング動作によって多相の交流を出力するインバータと、各トランジスタの制御端子にスイッチング動作のためのパルスを供給する複数のパルス供給部と、各トランジスタの交流出力端子の間の相間電圧を測定する相間電圧測定部と、インバータが多相の交流を出力していない時の相間電圧であるオフセット電圧を相間電圧測定部が測定している間、各パルス供給部によって各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給させるパルス制御部と、を備える。 In order to solve the above problems, an inverter device according to one embodiment of the present invention includes an inverter that outputs multiphase AC by the switching operation of multiple transistors connected in parallel between a high-voltage line that supplies a high DC voltage and a low-voltage line that supplies a low DC voltage, multiple pulse supply units that supply pulses for the switching operation to the control terminals of each transistor, a phase-to-phase voltage measurement unit that measures the phase-to-phase voltage between the AC output terminals of each transistor, and a pulse control unit that causes each pulse supply unit to supply a pulse with a duty ratio greater than 0 and less than 1 to the control terminal of each transistor while the phase-to-phase voltage measurement unit is measuring an offset voltage, which is the phase-to-phase voltage when the inverter is not outputting multiphase AC.

この態様では、相間電圧測定部がオフセット電圧を測定している間に、各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給することで、各トランジスタが間欠的にオン状態となって電流経路に断続的に電流が流れる結果、保護ダイオード要素等に漏れ電流が流れることを防止できる。 In this embodiment, while the phase-to-phase voltage measuring unit is measuring the offset voltage, a pulse with a duty ratio greater than 0 and less than 1 is supplied to the control terminal of each transistor, causing each transistor to be intermittently turned on and current to flow intermittently through the current path, thereby preventing leakage current from flowing through protective diode elements, etc.

本発明の別の態様は、インバータ装置のオフセット電圧測定方法である。この方法は、直流の高電圧を供給する高電圧ラインと直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に並列に接続される複数のトランジスタのスイッチング動作によって多相の交流を出力するインバータと、各トランジスタの制御端子にスイッチング動作のためのパルスを供給する複数のパルス供給部と、を備えるインバータ装置のオフセット電圧測定方法であって、インバータが多相の交流を出力していない時の各トランジスタの交流出力端子の間の相間電圧であるオフセット電圧を測定している間、各パルス供給部によって各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給させるステップを備える。 Another aspect of the present invention is a method for measuring the offset voltage of an inverter device. This method is a method for measuring the offset voltage of an inverter device that includes an inverter that outputs multiphase AC by switching operations of multiple transistors connected in parallel between a high-voltage line that supplies a high DC voltage and a low-voltage line that supplies a low DC voltage, and multiple pulse supply units that supply pulses for switching operations to the control terminals of each transistor, and includes a step of causing each pulse supply unit to supply a pulse with a duty ratio greater than 0 and less than 1 to the control terminal of each transistor while measuring the offset voltage, which is the phase-to-phase voltage between the AC output terminals of each transistor when the inverter is not outputting multiphase AC.

なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本発明の表現を方法、装置、システム、記録媒体、コンピュータプログラムなどの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。 In addition, any combination of the above components, and any transformation of the present invention into a method, device, system, recording medium, computer program, etc., are also valid aspects of the present invention.

本発明によれば、インバータ装置において高精度にオフセット電圧を測定できる。 The present invention makes it possible to measure the offset voltage in an inverter device with high accuracy.

モータに多相の交流を供給するインバータ装置を模式的に示す。1 shows a schematic diagram of an inverter device that supplies polyphase AC to a motor. インバータが3相の交流を出力している時のUVW各相の交流出力端子の出力電圧波形を模式的に示す。3A and 3B show schematic output voltage waveforms at AC output terminals of the U, V and W phases when the inverter is outputting three-phase AC. 誘導モータの等価回路を示す。The equivalent circuit of an induction motor is shown. インバータ装置における制御装置を示す。1 shows a control device in an inverter device. インバータのオフセット電流およびオフセット電圧を測定する際に、各ライバが各トランジスタ対のゲートに印加するパルスを模式的に示す。Schematically shows the pulses that each driver applies to the gates of each transistor pair when measuring the offset current and offset voltage of the inverter. オフセット電圧の測定結果の例を示す。4 shows an example of the measurement results of the offset voltage.

以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。説明および図面において同一または同等の構成要素、部材、処理には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図示される各部の縮尺や形状は、説明を容易にするために便宜的に設定されており、特に言及がない限り限定的に解釈されるものではない。実施形態は例示であり、本発明の範囲を何ら限定するものではない。実施形態に記述されるすべての特徴やその組合せは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。 Below, the embodiments for implementing the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description and drawings, the same or equivalent components, members, and processes are given the same reference numerals, and duplicated explanations will be omitted. The scale and shape of each part shown in the drawings are set for convenience in order to facilitate explanation, and should not be interpreted as being limiting unless otherwise specified. The embodiments are illustrative and do not limit the scope of the present invention in any way. All features and combinations thereof described in the embodiments are not necessarily essential to the invention.

本発明のインバータ装置は多相の交流で動作する任意の装置に適用できるが、本実施形態ではインバータ装置が供給する多相の交流に基づいて動作する電動機またはモータを備える駆動装置またはモータ装置の例を説明する。図1は、モータ20に多相の交流を供給する本実施形態のインバータ装置10を模式的に示す。インバータ装置10は、商用電源等から供給されるR相、S相、T相の3相の交流を整流して直流(脈流)に変換するコンバータ11と、コンバータ11で変換された直流を平滑して波形を整えるコンデンサ12と、コンデンサ12で平滑された直流を交流に変換するインバータ13を備える。 The inverter device of the present invention can be applied to any device that operates on polyphase AC, but in this embodiment, an example of a drive device or motor device equipped with an electric motor or motor that operates based on polyphase AC supplied by the inverter device is described. FIG. 1 shows a schematic diagram of an inverter device 10 of this embodiment that supplies polyphase AC to a motor 20. The inverter device 10 includes a converter 11 that rectifies three-phase AC of R, S, and T phases supplied from a commercial power source or the like and converts it into DC (pulsating current), a capacitor 12 that smooths the DC converted by the converter 11 to shape the waveform, and an inverter 13 that converts the DC smoothed by the capacitor 12 into AC.

コンバータ11は、商用電源等から供給される3相(R,S,T)の交流を一定の方向(図の下から上に向かう方向)に整流するダイオード111~116を備える。ダイオード111はR相の交流電圧が正の時に電流を流し、ダイオード112はR相の交流電圧が負の時に電流を流し、ダイオード113はS相の交流電圧が正の時に電流を流し、ダイオード114はS相の交流電圧が負の時に電流を流し、ダイオード115はT相の交流電圧が正の時に電流を流し、ダイオード116はT相の交流電圧が負の時に電流を流す。これらのブリッジ状に接続されたダイオード111~116によって、コンバータ11の出力端子間には、方向が一定で大きさが変動する脈流が現われる。コンデンサ12は、コンバータ11で得られた脈流を平滑した直流をインバータ13に供給する。 Converter 11 is equipped with diodes 111 to 116 that rectify three-phase (R, S, T) AC supplied from a commercial power source or the like in a fixed direction (from bottom to top in the figure). Diode 111 passes current when the R-phase AC voltage is positive, diode 112 passes current when the R-phase AC voltage is negative, diode 113 passes current when the S-phase AC voltage is positive, diode 114 passes current when the S-phase AC voltage is negative, diode 115 passes current when the T-phase AC voltage is positive, and diode 116 passes current when the T-phase AC voltage is negative. These diodes 111 to 116 connected in a bridge form cause a pulsating current with a fixed direction and fluctuating magnitude to appear between the output terminals of converter 11. Capacitor 12 supplies DC that has been smoothed from the pulsating current obtained by converter 11 to inverter 13.

以下、コンバータ11およびコンデンサ12を経て、インバータ13の高電圧入力端子131と低電圧入力端子132の間に入力される直流電圧をVDCと表す。高電圧入力端子131が接続される高電圧ラインの電圧をVdd、低電圧入力端子132が接続される低電圧ラインの電圧をVssとすれば、VDC=Vdd-Vssである。 Hereinafter, the DC voltage input between high voltage input terminal 131 and low voltage input terminal 132 of inverter 13 via converter 11 and capacitor 12 will be represented as V DC . If the voltage of the high voltage line to which high voltage input terminal 131 is connected is V dd and the voltage of the low voltage line to which low voltage input terminal 132 is connected is V ss , then V DC = V dd - V ss .

インバータ13は、直流の高電圧Vddを供給する高電圧ラインと直流の低電圧Vssを供給する低電圧ラインの間に並列に接続されるU相、V相、W相の3相のトランジスタ対のスイッチング動作によって3相の交流を出力する。換言すれば、インバータ13は、高電圧入力端子131と低電圧入力端子132の間で入力される直流電圧VDCに基づいて3相の交流を生成する。具体的には、直流電圧VDCに基づいてU相の交流を生成するU相インバータ13Uと、直流電圧VDCに基づいてV相の交流を生成するV相インバータ13Vと、直流電圧VDCに基づいてW相の交流を生成するW相インバータ13Wが並列に設けられる。各相のインバータ13U、13V、13Wの構成は共通であるため、以下では適宜インバータ13と総称してまとめて説明する。 The inverter 13 outputs three-phase AC by switching operations of three-phase transistor pairs of U-phase, V-phase, and W-phase, which are connected in parallel between a high-voltage line supplying a high DC voltage Vdd and a low-voltage line supplying a low DC voltage Vss. In other words, the inverter 13 generates three-phase AC based on a DC voltage VDC input between a high-voltage input terminal 131 and a low-voltage input terminal 132. Specifically, a U-phase inverter 13U that generates a U-phase AC based on the DC voltage VDC, a V-phase inverter 13V that generates a V-phase AC based on the DC voltage VDC, and a W-phase inverter 13W that generates a W-phase AC based on the DC voltage VDC are provided in parallel. Since the inverters 13U, 13V, and 13W of each phase have a common configuration, they will be collectively referred to as inverter 13 as appropriate below for explanation.

インバータ13は、高い直流電源電圧Vddが入力される高電圧入力端子131と、低い直流電源電圧Vssが入力される低電圧入力端子132と、高電圧入力端子131が接続される高電圧ラインと低電圧入力端子132が接続される低電圧ラインの間に設けられてVddとVssの間で変動する交流電圧を出力する交流出力端子133を備える。高電圧ラインと交流出力端子133の間には高電圧側トランジスタ134Hが接続され、低電圧ラインと交流出力端子133の間には低電圧側トランジスタ134Lが接続される。 The inverter 13 includes a high voltage input terminal 131 to which a high DC power supply voltage Vdd is input, a low voltage input terminal 132 to which a low DC power supply voltage Vss is input, and an AC output terminal 133 that is provided between a high voltage line to which the high voltage input terminal 131 is connected and a low voltage line to which the low voltage input terminal 132 is connected and outputs an AC voltage that fluctuates between Vdd and Vss . A high-voltage side transistor 134H is connected between the high voltage line and the AC output terminal 133, and a low-voltage side transistor 134L is connected between the low voltage line and the AC output terminal 133.

高電圧側トランジスタ134Hは、その制御端子に接続されるパルス供給部としての高電圧側ドライバ135Hから供給されるパルスに応じて、電流経路の導通状態が切り替わるスイッチング動作を行う。低電圧側トランジスタ134Lは、その制御端子に接続されるパルス供給部としての低電圧側ドライバ135Lから供給されるパルスに応じて、電流経路の導通状態が切り替わるスイッチング動作を行う。以下、高電圧側トランジスタ134Hおよび低電圧側トランジスタ134Lを、適宜トランジスタ134またはトランジスタ対134と総称し、高電圧側ドライバ135Hおよび低電圧側ドライバ135Lを、適宜ドライバ135またはドライバ対135と総称する。また、以下の説明においては「高電圧側」を意味する「H」および「低電圧側」を意味する「L」を適宜省略するが、図面では必要に応じて「H」および「L」を符号の末尾に付す。 The high-voltage side transistor 134H performs a switching operation in which the conduction state of the current path is switched in response to a pulse supplied from the high-voltage side driver 135H, which serves as a pulse supply unit connected to its control terminal. The low-voltage side transistor 134L performs a switching operation in which the conduction state of the current path is switched in response to a pulse supplied from the low-voltage side driver 135L, which serves as a pulse supply unit connected to its control terminal. Hereinafter, the high-voltage side transistor 134H and the low-voltage side transistor 134L will be collectively referred to as transistor 134 or transistor pair 134, and the high-voltage side driver 135H and the low-voltage side driver 135L will be collectively referred to as driver 135 or driver pair 135. In the following description, "H" meaning "high-voltage side" and "L" meaning "low-voltage side" will be omitted as appropriate, but "H" and "L" will be added to the end of the symbols as necessary in the drawings.

トランジスタ134は、制御端子としてのゲート31と、高電圧ライン側に接続される高電圧端子としてのコレクタ32と、低電圧ライン側に接続される低電圧端子としてのエミッタ33を備える絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)である。なお、トランジスタ134は、制御端子としてのゲートと、高電圧端子としてのドレインと、低電圧端子としてのソースを備える電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)でもよいし、制御端子としてのベースと、高電圧端子としてのコレクタと、低電圧端子としてのエミッタを備えるバイポーラトランジスタでもよい。 Transistor 134 is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) having a gate 31 as a control terminal, a collector 32 as a high-voltage terminal connected to the high-voltage line side, and an emitter 33 as a low-voltage terminal connected to the low-voltage line side. Transistor 134 may be a field effect transistor (FET) having a gate as a control terminal, a drain as a high-voltage terminal, and a source as a low-voltage terminal, or a bipolar transistor having a base as a control terminal, a collector as a high-voltage terminal, and an emitter as a low-voltage terminal.

高電圧側トランジスタ134Hにおいて、ゲート31Hは高電圧側ドライバ135Hに接続され、コレクタ32Hは高電圧入力端子131または高電圧ラインに接続され、エミッタ33Hは交流出力端子133および低電圧側トランジスタ134Lのコレクタ32Lに接続される。低電圧側トランジスタ134Lにおいて、ゲート31Lは低電圧側ドライバ135Lに接続され、コレクタ32Lは交流出力端子133および高電圧側トランジスタ134Hのエミッタ33Hに接続され、エミッタ33Lは低電圧入力端子132または低電圧ラインに接続される。以上の構成において、高電圧側トランジスタ134Hのエミッタ33Hと低電圧側トランジスタ134Lのコレクタ32Lの接続点が交流出力端子133を形成する。 In the high-voltage side transistor 134H, the gate 31H is connected to the high-voltage side driver 135H, the collector 32H is connected to the high-voltage input terminal 131 or the high-voltage line, and the emitter 33H is connected to the AC output terminal 133 and the collector 32L of the low-voltage side transistor 134L. In the low-voltage side transistor 134L, the gate 31L is connected to the low-voltage side driver 135L, the collector 32L is connected to the AC output terminal 133 and the emitter 33H of the high-voltage side transistor 134H, and the emitter 33L is connected to the low-voltage input terminal 132 or the low-voltage line. In the above configuration, the connection point between the emitter 33H of the high-voltage side transistor 134H and the collector 32L of the low-voltage side transistor 134L forms the AC output terminal 133.

各トランジスタ134は、各ドライバ135からゲート31に供給されるパルスに応じて導通状態が切り替わるコレクタ32とエミッタ33の間の電流経路またはチャネルと並列に形成される保護ダイオード要素としての保護ダイオード34を更に備える。保護ダイオード34は、トランジスタ134と別体のディスクリートな素子でもよいし、トランジスタ134を製造する半導体製造プロセスにおいてトランジスタ134と一体的またはモノリシックに形成されるものでもよい。保護ダイオード34は、低電圧ライン側から高電圧ライン側に向かう方向のみに電流を流すように設けられるが、後述するように、トランジスタ134がオフ状態(チャネルが非導通状態)にある時は高電圧ライン側から低電圧ライン側に向かう方向に漏れ電流が発生する可能性がある。 Each transistor 134 further includes a protective diode 34 as a protective diode element formed in parallel with the current path or channel between the collector 32 and the emitter 33, whose conductive state is switched in response to a pulse supplied from each driver 135 to the gate 31. The protective diode 34 may be a discrete element separate from the transistor 134, or may be formed integrally or monolithically with the transistor 134 in the semiconductor manufacturing process for manufacturing the transistor 134. The protective diode 34 is provided so that a current flows only in the direction from the low voltage line side to the high voltage line side, but as described later, when the transistor 134 is in the off state (the channel is in a non-conducting state), leakage current may occur in the direction from the high voltage line side to the low voltage line side.

集積回路(IC:Integrated Circuit)として構成されるドライバ135は、トランジスタ134のゲート31にスイッチング動作のためのパルスを供給するパルス供給部を構成する。具体的には、ドライバ135は、PWMによってデューティ比が制御されたパルスをトランジスタ134のゲート31に印加する。トランジスタ134は、パルスの有無に応じてオン状態とオフ状態の間でスイッチング動作を行う。具体的には、パルスがゲート31に印加されている間はトランジスタ134がオン状態となり、コレクタ32とエミッタ33の間のチャネルが導通状態となる。また、パルスがゲート31に印加されていない間はトランジスタ134がオフ状態となり、コレクタ32とエミッタ33の間のチャネルが非導通状態となる。 The driver 135, which is configured as an integrated circuit (IC), constitutes a pulse supplying unit that supplies a pulse for switching operation to the gate 31 of the transistor 134. Specifically, the driver 135 applies a pulse whose duty ratio is controlled by PWM to the gate 31 of the transistor 134. The transistor 134 performs switching operation between an on state and an off state depending on the presence or absence of a pulse. Specifically, while a pulse is applied to the gate 31, the transistor 134 is in an on state, and the channel between the collector 32 and the emitter 33 is in a conductive state. Meanwhile, while a pulse is not applied to the gate 31, the transistor 134 is in an off state, and the channel between the collector 32 and the emitter 33 is in a non-conductive state.

図2は、インバータ13が3相の交流を出力している時のUVW各相の交流出力端子133U、133V、133Wの出力電圧波形V、V、Vを、UVW各相の高電圧側ドライバ135Hおよび低電圧側ドライバ135Lがトランジスタ対134のゲート31に印加するパルスと共に模式的に示す。各交流出力端子133U、133V、133Wは、高電圧Vddと低電圧Vssの間で変動する正弦波状の交流電圧V、V、Vを出力する。3相交流では各相の交流電圧波形V、V、Vの位相が120度または2/3πずつ異なる。以下の説明では、高電圧Vddと低電圧Vssの平均値を0と置く。 2 shows output voltage waveforms VU , VV , VW of AC output terminals 133U, 133V, 133W of each of the UVW phases when inverter 13 outputs three-phase AC, together with pulses applied to gate 31 of transistor pair 134 by high-voltage side driver 135H and low-voltage side driver 135L of each of the UVW phases. Each of AC output terminals 133U, 133V, 133W outputs AC voltages VU , VV, VW of sinusoidal waveforms fluctuating between high voltage Vdd and low voltage Vss . In three-phase AC, the phases of AC voltage waveforms VU , VV , VW of each phase differ by 120 degrees or 2/3π. In the following description, the average value of high voltage Vdd and low voltage Vss is set to 0.

各交流出力端子133U、133V、133Wが正の電圧を出力している期間では、高電圧側ドライバ135Hが高電圧側トランジスタ134Hのゲート31Hに、0と1の間でデューティ比が段階的に変わるパルスを印加する一方、低電圧側ドライバ135Lは低電圧側トランジスタ134Lのゲート31Lにパルスを印加しない(デューティ比が0)。高電圧側ドライバ135Hが高電圧側トランジスタ134Hのゲート31Hにデューティ比が1のパルスを印加する時、高電圧側トランジスタ134Hのチャネルが高電圧ラインと略完全に導通するため、交流出力端子133にはVddと略等しい高電圧が現れる。 During the period when each of AC output terminals 133U, 133V, and 133W outputs a positive voltage, high-voltage side driver 135H applies a pulse whose duty ratio changes stepwise between 0 and 1 to gate 31H of high-voltage side transistor 134H, while low-voltage side driver 135L does not apply a pulse to gate 31L of low-voltage side transistor 134L (duty ratio is 0). When high-voltage side driver 135H applies a pulse whose duty ratio is 1 to gate 31H of high-voltage side transistor 134H, the channel of high-voltage side transistor 134H is almost completely conductive with the high voltage line, so that a high voltage approximately equal to Vdd appears at AC output terminal 133.

各交流出力端子133U、133V、133Wが負の電圧を出力している期間では、低電圧側ドライバ135Lが低電圧側トランジスタ134Lのゲート31Lに、0と1の間でデューティ比が段階的に変わるパルスを印加する一方、高電圧側ドライバ135Hは高電圧側トランジスタ134Hのゲート31Hにパルスを印加しない(デューティ比が0)。低電圧側ドライバ135Lが低電圧側トランジスタ134Lのゲート31Lにデューティ比が1のパルスを印加する時、低電圧側トランジスタ134Lのチャネルが低電圧ラインと略完全に導通するため、交流出力端子133にはVssと略等しい低電圧が現れる。 During the period when each of AC output terminals 133U, 133V, 133W outputs a negative voltage, low-voltage side driver 135L applies a pulse whose duty ratio changes stepwise between 0 and 1 to gate 31L of low-voltage side transistor 134L, while high-voltage side driver 135H does not apply a pulse to gate 31H of high-voltage side transistor 134H (duty ratio is 0). When low-voltage side driver 135L applies a pulse whose duty ratio is 1 to gate 31L of low-voltage side transistor 134L, the channel of low-voltage side transistor 134L is almost completely conductive with the low voltage line, so that a low voltage approximately equal to Vss appears at AC output terminal 133.

以上のように、インバータ13が3相の交流を出力している通常動作時は、UVW各相のインバータ13U、13V、13Wにおいて、高電圧側トランジスタ134Hおよび低電圧側トランジスタ134Lの一方のみにデューティ比が段階的に変わるパルスが印加され、高電圧側トランジスタ134Hおよび低電圧側トランジスタ134Lの他方にはパルスが印加されない(デューティ比が0)。このような通常動作時のパルスの態様は、後述するオフセット電圧測定時に各トランジスタ134に印加されるパルスの態様と大きく異なる。 As described above, during normal operation when inverter 13 is outputting three-phase AC, in inverters 13U, 13V, and 13W of each of the UVW phases, a pulse with a stepwise changing duty ratio is applied to only one of high-voltage side transistor 134H and low-voltage side transistor 134L, and no pulse is applied to the other of high-voltage side transistor 134H and low-voltage side transistor 134L (duty ratio is 0). The state of the pulse during such normal operation is significantly different from the state of the pulse applied to each transistor 134 when measuring the offset voltage, which will be described later.

インバータ13で生成された3相の交流は、回転動力を発生させるモータ20に供給される。モータ20は、U相、V相、W相の3相のコイル20U、20V、20Wを備える3相ブラシレスモータである。U相コイル20UにはU相インバータ13Uの交流出力端子133UからのU相電流が流れ、V相コイル20VにはV相インバータ13Vの交流出力端子133VからのV相電流が流れ、W相コイル20WにはW相インバータ13Wの交流出力端子133WからのW相電流が流れる。各相のインバータ13U、13V、13Wは、モータ20のホール素子H1、H2、H3が検知した回転子の回転位置に基づき、互いに位相が異なる3相の交流を各相のコイル20U、20V、20Wに印加することで回転磁界を発生させる。この回転磁界によって回転する回転子から所望の回転動力が得られる。なお、モータ20の相の数は3に限られず、2以上の任意の自然数でよい。 The three-phase AC generated by the inverter 13 is supplied to the motor 20, which generates rotational power. The motor 20 is a three-phase brushless motor equipped with three-phase coils 20U, 20V, and 20W of U, V, and W phases. The U-phase coil 20U receives a U-phase current from the AC output terminal 133U of the U-phase inverter 13U, the V-phase coil 20V receives a V-phase current from the AC output terminal 133V of the V-phase inverter 13V, and the W-phase coil 20W receives a W-phase current from the AC output terminal 133W of the W-phase inverter 13W. The inverters 13U, 13V, and 13W of each phase generate a rotating magnetic field by applying three-phase AC of different phases to the coils 20U, 20V, and 20W of each phase based on the rotational position of the rotor detected by the hall elements H1, H2, and H3 of the motor 20. The desired rotational power is obtained from the rotor that rotates due to this rotating magnetic field. The number of phases of the motor 20 is not limited to three, but may be any natural number greater than or equal to two.

モータ20はインバータ13が供給する多相の交流に基づいて動作するものであればタイプを問わないが、後述するように各相間のオフセット電圧を高精度に測定できる本実施形態では、回転子に永久磁石が用いられる同期モータに比べて測定すべきモータ定数(後述)が多い誘導モータまたは非同期モータを用いるのが好ましい。誘導モータでは、一次側としての固定子が多相のコイル20U、20V、20Wを備えるだけでなく、二次側としての回転子も多相のコイルを備える。 The motor 20 can be of any type as long as it operates based on the multi-phase AC supplied by the inverter 13, but in this embodiment, which allows the offset voltage between each phase to be measured with high precision as described below, it is preferable to use an induction motor or an asynchronous motor, which has more motor constants (described below) to be measured compared to a synchronous motor that uses a permanent magnet in the rotor. In an induction motor, not only does the stator on the primary side have multi-phase coils 20U, 20V, and 20W, but the rotor on the secondary side also has multi-phase coils.

図3は、誘導モータ20の等価回路を示す。図の左側が一次側の固定子21を表し、図の右側が二次側の回転子22を表す。固定子21は前述の3相のコイル20U、20V、20Wを備え、回転子22は3相のコイル20u、20v、20wを備える。図示される各パラメータはそれぞれ以下を表し、これらのうち数値が略一定のものは特にモータ定数と呼ばれる。 Figure 3 shows an equivalent circuit of induction motor 20. The left side of the figure represents primary side stator 21, and the right side of the figure represents secondary side rotor 22. Stator 21 has the aforementioned three-phase coils 20U, 20V, and 20W, and rotor 22 has three-phase coils 20u, 20v, and 20w. The illustrated parameters represent the following, and among these, those whose numerical values are approximately constant are specifically called motor constants.

:一次端子電圧
:一次電流
′:一次負荷電流
:一次誘導起電力
:二次端子電圧
:二次電流
:二次誘導起電力
V1 : Primary terminal voltage I1 : Primary current I1 ': Primary load current E1 : Primary induced electromotive force V2 : Secondary terminal voltage I2 : Secondary current E2 : Secondary induced electromotive force

:一次抵抗
:一次リアクタンス
:二次抵抗
:二次リアクタンス
:励磁コンダクタンス
:励磁サセプタンス
r1 : Primary resistance x1 : Primary reactance r2 : Secondary resistance x2 : Secondary reactance g0 : Excitation conductance b0 : Excitation susceptance

:励磁電流
:鉄損電流
:磁化電流
:等価出力抵抗
s:滑り
I 0 : Excitation current I g : Iron loss current I b : Magnetization current R 0 : Equivalent output resistance s : Slip

図4は、本実施形態のインバータ装置10における制御装置をインバータ13およびモータ20と共に示す。制御装置は、モータ20に印加される3相の交流電流をフィードバック制御する外側の電流制御ループ40と、モータ20に印加される3相の交流電圧をフィードバック制御する内側の電圧制御ループ50によって構成される。電流制御ループ40は、電流センサ41と、増幅部42と、AD変換部43と、オフセット電流保持部44と、オフセット電流減算部45と、電流制御部46を備える。電圧制御ループ50は、UV相間電圧センサ51と、VW相間電圧センサ52と、増幅部53と、AD変換部54と、オフセット電圧保持部55と、オフセット電圧減算部56と、電圧制御部57を備える。 Figure 4 shows the control device in the inverter device 10 of this embodiment together with the inverter 13 and the motor 20. The control device is composed of an outer current control loop 40 that feedback controls the three-phase AC current applied to the motor 20, and an inner voltage control loop 50 that feedback controls the three-phase AC voltage applied to the motor 20. The current control loop 40 includes a current sensor 41, an amplifier 42, an AD converter 43, an offset current holding unit 44, an offset current subtraction unit 45, and a current control unit 46. The voltage control loop 50 includes a UV interphase voltage sensor 51, a VW interphase voltage sensor 52, an amplifier 53, an AD converter 54, an offset voltage holding unit 55, an offset voltage subtraction unit 56, and a voltage control unit 57.

電流制御ループ40における電流センサ41は、UVW各相のインバータ13U、13V、13Wの各交流出力端子133U、133V、133Wがモータ20に印加するUVW各相の交流電流を測定する。増幅部42は、オペアンプ等によって構成され、電流センサ41が測定したUVW各相の交流電流を増幅する。AD変換部43は、増幅部42によって増幅されたUVW各相の交流電流をアナログ値からデジタル値に変換する。オフセット電流保持部44は、AD変換部43によってデジタル値に変換されたUVW各相の交流電流に基づいて、インバータ13が3相の交流を出力していない時のUVW各相間の電流差であるオフセット電流を格納および保持する。オフセット電流の具体的な測定方法については後述する。 The current sensor 41 in the current control loop 40 measures the AC current of each UVW phase that is applied to the motor 20 by the AC output terminals 133U, 133V, and 133W of the inverters 13U, 13V, and 13W of the UVW phases. The amplifier 42 is composed of an operational amplifier or the like, and amplifies the AC current of each UVW phase measured by the current sensor 41. The AD conversion unit 43 converts the AC current of each UVW phase amplified by the amplifier 42 from an analog value to a digital value. The offset current holding unit 44 stores and holds the offset current, which is the current difference between each UVW phase when the inverter 13 is not outputting three-phase AC, based on the AC current of each UVW phase converted to a digital value by the AD conversion unit 43. A specific method for measuring the offset current will be described later.

オフセット電流減算部45は、インバータ13が3相の交流を出力している際の電流フィードバック制御時に、電流センサ41が測定するUVW各相のリアルタイムの交流電流から、オフセット電流保持部44が保持するUVW各相間のオフセット電流に相当する電流を減算する。電流制御部46は、オフセット電流減算部45によってオフセット電流の影響が除去されたUVW各相のリアルタイムの交流電流を、図示の制御装置外から提供されるUVW各相の電流指令と比較し、それぞれの偏差に基づいて電圧制御部57に対する電圧指令を生成する。 During current feedback control when the inverter 13 is outputting three-phase AC, the offset current subtraction unit 45 subtracts a current equivalent to the offset current between the UVW phases held by the offset current holding unit 44 from the real-time AC current of each UVW phase measured by the current sensor 41. The current control unit 46 compares the real-time AC current of each UVW phase from which the effects of the offset current have been removed by the offset current subtraction unit 45 with the current commands for each UVW phase provided from outside the illustrated control device, and generates a voltage command for the voltage control unit 57 based on the respective deviations.

電圧制御ループ50におけるUV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52は、それぞれUV相間およびVW相間の電圧差を測定する相間電圧測定部を構成する。具体的には、UV相間電圧センサ51はU相インバータ13Uの交流出力端子133UとV相インバータ13Vの交流出力端子133Vの間のUV相間電圧を測定し、VW相間電圧センサ52はV相インバータ13Vの交流出力端子133VとW相インバータ13Wの交流出力端子133Wの間のVW相間電圧を測定する。なお、W相インバータ13Wの交流出力端子133WとU相インバータ13Uの交流出力端子133Uの間のWU相間電圧は、UV相間電圧センサ51が測定するUV相間電圧とVW相間電圧センサ52が測定するVW相間電圧から演算できるため、これを測定するための電圧センサを設ける必要はない。 The UV-phase voltage sensor 51 and the VW-phase voltage sensor 52 in the voltage control loop 50 constitute an interphase voltage measurement unit that measures the voltage difference between the UV phases and the VW phases, respectively. Specifically, the UV-phase voltage sensor 51 measures the UV-phase voltage between the AC output terminal 133U of the U-phase inverter 13U and the AC output terminal 133V of the V-phase inverter 13V, and the VW-phase voltage sensor 52 measures the VW-phase voltage between the AC output terminal 133V of the V-phase inverter 13V and the AC output terminal 133W of the W-phase inverter 13W. Note that the WU-phase voltage between the AC output terminal 133W of the W-phase inverter 13W and the AC output terminal 133U of the U-phase inverter 13U can be calculated from the UV-phase voltage measured by the UV-phase voltage sensor 51 and the VW-phase voltage measured by the VW-phase voltage sensor 52, so there is no need to provide a voltage sensor for measuring this.

増幅部53は、オペアンプ等によって構成され、UV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52が測定したUVW各相間の電圧差を増幅する。AD変換部54は、増幅部53によって増幅されたUVW各相間の電圧差をアナログ値からデジタル値に変換する。オフセット電圧保持部55は、AD変換部54によってデジタル値に変換されたUVW各相間の電圧差に基づいて、インバータ13が3相の交流を出力していない時のUVW各相間の電圧差であるオフセット電圧を格納および保持する。オフセット電圧の具体的な測定方法については後述する。 The amplifier 53 is composed of an operational amplifier and the like, and amplifies the voltage differences between the UV, VW phases measured by the UV phase-to-phase voltage sensor 51 and the VW phase-to-phase voltage sensor 52. The AD converter 54 converts the voltage differences between the UV, VW phases amplified by the amplifier 53 from analog values to digital values. The offset voltage holding unit 55 stores and holds the offset voltage, which is the voltage difference between the UV, VW phases when the inverter 13 is not outputting three-phase AC, based on the voltage differences between the UV, VW phases converted into digital values by the AD converter 54. A specific method for measuring the offset voltage will be described later.

オフセット減算部としてのオフセット電圧減算部56は、インバータ13が3相の交流を出力している際の電圧フィードバック制御時に、UV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52が測定するUVW各相間のリアルタイムの相間電圧から、オフセット電圧保持部55が保持するUVW各相間のオフセット電圧を減算する。電圧制御部57は、オフセット電圧減算部56によってオフセット電圧の影響が除去されたUVW各相間のリアルタイムの電圧差を、電流制御部46から提供されるUVW各相の電圧指令と比較し、それぞれの偏差に基づいてパルス供給部としての各ドライバ135に対するパルス生成指令を生成する。 During voltage feedback control when the inverter 13 is outputting three-phase AC, the offset voltage subtraction unit 56 as an offset subtraction unit subtracts the offset voltage between each of the UVW phases held by the offset voltage holding unit 55 from the real-time inter-phase voltage between each of the UVW phases measured by the UV phase-to-phase voltage sensor 51 and the VW phase-to-phase voltage sensor 52. The voltage control unit 57 compares the real-time voltage difference between each of the UVW phases from which the effect of the offset voltage has been removed by the offset voltage subtraction unit 56 with the voltage command for each of the UVW phases provided by the current control unit 46, and generates a pulse generation command for each driver 135 as a pulse supply unit based on the respective deviations.

インバータ13が3相の交流を出力している通常動作時には、図2のようにPWMによってデューティ比が制御されたパルスが、電圧制御部57による制御の下で各ドライバ135によって生成される。このように電圧制御部57は、オフセット電圧減算部56によってオフセット電圧が減算された相間電圧に基づいて、各ドライバ135が各トランジスタ134のゲート31に供給するパルスのデューティ比をフィードバック制御するパルス制御部を構成する。 During normal operation when the inverter 13 outputs three-phase AC, pulses whose duty ratios are controlled by PWM as shown in FIG. 2 are generated by each driver 135 under the control of the voltage control unit 57. In this way, the voltage control unit 57 constitutes a pulse control unit that feedback controls the duty ratios of the pulses that each driver 135 supplies to the gate 31 of each transistor 134 based on the interphase voltage from which the offset voltage has been subtracted by the offset voltage subtraction unit 56.

続いて、図4の制御装置によるインバータ13のオフセット電流およびオフセット電圧の測定について説明する。図5は、インバータ13のオフセット電流およびオフセット電圧を測定する際に、UVW各相の高電圧側ドライバ135Hおよび低電圧側ドライバ135Lが各トランジスタ対134のゲート31に印加するパルスを模式的に示す。 Next, the measurement of the offset current and offset voltage of the inverter 13 by the control device of Figure 4 will be described. Figure 5 shows a schematic diagram of the pulses that the high-voltage driver 135H and the low-voltage driver 135L of each UVW phase apply to the gate 31 of each transistor pair 134 when measuring the offset current and offset voltage of the inverter 13.

図5(A)は、従来の典型的なオフセット電流およびオフセット電圧の測定方法を示す。この測定方法では、UVW各相のインバータ13U、13V、13Wにおける全6個のトランジスタ134のゲート31にパルスが印加されない。換言すれば、全トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比は常に0である。この時、全トランジスタ134はオフ状態となってコレクタ32とエミッタ33の間のチャネルには電流が流れないため、UVW各相の交流出力端子133U、133V、133Wは高電圧ラインおよび低電圧ラインから電気的に絶縁された状態となる。この状態のUVW各相の交流出力端子133U、133V、133Wを測定対象として、電流センサ41はUVW各相間のオフセット電流を測定し、UV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52はUVW各相間のオフセット電圧を測定する。測定されたオフセット電流はオフセット電流保持部44に格納および保持され、測定されたオフセット電圧はオフセット電圧保持部55に格納および保持される。 Figure 5 (A) shows a typical conventional method for measuring offset current and offset voltage. In this measurement method, no pulse is applied to the gates 31 of all six transistors 134 in the inverters 13U, 13V, and 13W of the UVW phases. In other words, the duty ratio of the pulses applied to the gates 31 of all transistors 134 is always 0. At this time, all transistors 134 are in the off state and no current flows through the channel between the collector 32 and the emitter 33, so that the AC output terminals 133U, 133V, and 133W of each UVW phase are electrically insulated from the high voltage line and the low voltage line. With the AC output terminals 133U, 133V, and 133W of each UVW phase in this state as the measurement objects, the current sensor 41 measures the offset current between the UVW phases, and the UV phase-to-phase voltage sensor 51 and the VW phase-to-phase voltage sensor 52 measure the offset voltage between the UVW phases. The measured offset current is stored and held in the offset current holding unit 44, and the measured offset voltage is stored and held in the offset voltage holding unit 55.

このような従来のオフセット電流およびオフセット電圧の測定方法では、保護ダイオード34の漏れ電流によって測定精度が悪化する可能性がある。保護ダイオード34は低電圧ライン側から高電圧ライン側に向かう方向のみに電流を流すように設けられるが、図5(A)のように全てのトランジスタ134がオフ状態にある時は、高電圧ライン側から低電圧ライン側に向かう方向の漏れ電流が保護ダイオード34を流れる可能性がある。この漏れ電流は電流センサ41によってオフセット電流を測定する際の誤差要因となると共に、漏れ電流が保護ダイオード34を流れる際に発生する電圧がUV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52によってオフセット電圧を測定する際の誤差要因となる。 In such a conventional method for measuring offset current and offset voltage, the measurement accuracy may be deteriorated due to leakage current of the protective diode 34. The protective diode 34 is provided to pass current only in the direction from the low voltage line to the high voltage line, but when all the transistors 134 are in the off state as shown in FIG. 5(A), leakage current may flow through the protective diode 34 in the direction from the high voltage line to the low voltage line. This leakage current is a cause of error when the offset current is measured by the current sensor 41, and the voltage generated when the leakage current flows through the protective diode 34 is a cause of error when the offset voltage is measured by the UV-phase voltage sensor 51 and the VW-phase voltage sensor 52.

図5(B)は、保護ダイオード34を流れる漏れ電流の影響を低減できるオフセット電流およびオフセット電圧の測定方法を示す。この測定方法では、パルス制御部としての電圧制御部57による制御の下、UVW各相のインバータ13U、13V、13Wにおける全6個のトランジスタ134のゲート31に、0より大きく1より小さいデューティ比のパルスが印加される。この時、全トランジスタ134が間欠的にオン状態となってチャネルに断続的に電流が流れる結果、保護ダイオード34を流れる漏れ電流が低減される。このように漏れ電流の影響が低減された状態で、電流センサ41はUVW各相間のオフセット電流を高精度に測定でき、UV相間電圧センサ51およびVW相間電圧センサ52はUVW各相間のオフセット電圧を高精度に測定できる。 Figure 5 (B) shows a method for measuring offset current and offset voltage that can reduce the influence of leakage current flowing through the protective diode 34. In this measurement method, under the control of the voltage control unit 57 as a pulse control unit, a pulse with a duty ratio greater than 0 and less than 1 is applied to the gates 31 of all six transistors 134 in the inverters 13U, 13V, and 13W of the UVW phases. At this time, all the transistors 134 are intermittently turned on, and current flows intermittently through the channel, resulting in a reduction in the leakage current flowing through the protective diode 34. With the influence of leakage current reduced in this way, the current sensor 41 can measure the offset current between the UVW phases with high accuracy, and the UV phase-to-phase voltage sensor 51 and the VW phase-to-phase voltage sensor 52 can measure the offset voltage between the UVW phases with high accuracy.

なお、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比は互いに異なっていてもよいが、図5(B)のように互いに等しくするのが好ましい。また、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比は、オフセット電流およびオフセット電圧を測定している間に、0より大きく1より小さい範囲で変化させてもよいが、図5(B)のようにそれぞれ一定とするのが好ましい。更に、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスの位相は互いに異なっていてもよいが、図5(B)のように互いに等しくするのが好ましい(但し後述する図5(C)も参照)。 The duty ratios of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 may be different from each other, but are preferably equal to each other as shown in FIG. 5(B). The duty ratios of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 may be changed in a range greater than 0 and less than 1 while the offset current and offset voltage are being measured, but are preferably constant as shown in FIG. 5(B). The phases of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 may be different from each other, but are preferably equal to each other as shown in FIG. 5(B) (see also FIG. 5(C) described later).

また、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比は0より大きく1より小さい範囲で任意に設定できるが、図5(B)のように0.5または50%付近の値とするのが好ましい。このようにすれば、各トランジスタ134がオン状態となる時間とオフ状態となる時間がバランスするため、オフセット電流およびオフセット電圧を測定している間のインバータ13の動作を安定化できる。具体的には、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比は、40%~60%の範囲内の数値とするのが好ましく、45%~55%の範囲内の数値とするのが更に好ましい。 The duty ratio of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 can be set anywhere between 0 and 1, but is preferably set to a value of around 0.5 or 50% as shown in FIG. 5(B). This balances the time each transistor 134 is on and the time each transistor 134 is off, stabilizing the operation of the inverter 13 while measuring the offset current and offset voltage. Specifically, the duty ratio of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 is preferably set to a value within the range of 40% to 60%, and more preferably within the range of 45% to 55%.

なお、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比を0とした場合は、図5(A)の従来の測定方法と同じになり、6個の各トランジスタ134のゲート31に印加されるパルスのデューティ比を1とした場合は、全トランジスタ134が完全導通状態となって高電圧ラインおよび/または低電圧ラインの電源電圧が各交流出力端子133U、133V、133Wに現れるため、オフセット電流およびオフセット電圧を測定できない。また、デューティ比が1の場合は高電圧ラインおよび低電圧ラインが短絡することで、各トランジスタ134に過大な電流が流れてしまう可能性もある。 When the duty ratio of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 is set to 0, the measurement is the same as the conventional measurement method of FIG. 5(A). When the duty ratio of the pulses applied to the gates 31 of the six transistors 134 is set to 1, all the transistors 134 are fully conductive, and the power supply voltage of the high voltage line and/or low voltage line appears at each of the AC output terminals 133U, 133V, 133W, so that the offset current and offset voltage cannot be measured. Also, when the duty ratio is 1, the high voltage line and the low voltage line may be short-circuited, causing an excessive current to flow through each transistor 134.

この点は高電圧側トランジスタ134Hおよび低電圧側トランジスタ134Lが同時にオン状態となる図5(B)でも同様である(但し、短絡する時間は50%のデューティ比によって半分になる)。このような短絡の問題を防止するために、図5(C)のように高電圧側トランジスタ134Hのゲート31Hに印加するパルスと低電圧側トランジスタ134Lのゲート31Lに印加するパルスの位相を互いにずらし、高電圧側トランジスタ134Hと低電圧側トランジスタ134Lが同時にオン状態となる時間を低減してもよい。図5(C)の例では、それぞれ50%のデューティ比のパルスを高電圧側と低電圧側で当該デューティ比の分だけずらすことで、どの時刻においても一方のトランジスタ134のみがオン状態となり高電圧ラインと低電圧ラインの短絡が防止される。 This is also the case in FIG. 5B, where the high-voltage transistor 134H and the low-voltage transistor 134L are simultaneously on (however, the short-circuit time is halved due to the 50% duty ratio). In order to prevent such short-circuit problems, the phases of the pulse applied to the gate 31H of the high-voltage transistor 134H and the pulse applied to the gate 31L of the low-voltage transistor 134L may be shifted from each other as shown in FIG. 5C, thereby reducing the time when the high-voltage transistor 134H and the low-voltage transistor 134L are simultaneously on. In the example of FIG. 5C, by shifting the pulses with a duty ratio of 50% on the high-voltage side and the low-voltage side by the amount of the duty ratio, only one of the transistors 134 is on at any time, preventing a short circuit between the high-voltage line and the low-voltage line.

また、図5(D)のように高電圧側トランジスタ134Hのゲート31Hにパルスを印加する第1の時間帯と低電圧側トランジスタ134Lのゲート31Lにパルスを印加する第2の時間帯を分けてもよい。第1の時間帯で測定された第1のオフセット電流および第1のオフセット電圧では高電圧側トランジスタ134Hの保護ダイオード34Hの漏れ電流の影響が低減されており、第2の時間帯で測定された第2のオフセット電流および第2のオフセット電圧では低電圧側トランジスタ134Lの保護ダイオード34Lの漏れ電流の影響が低減されている。 Also, as shown in FIG. 5(D), a first time period in which a pulse is applied to the gate 31H of the high-voltage side transistor 134H and a second time period in which a pulse is applied to the gate 31L of the low-voltage side transistor 134L may be separated. In the first offset current and first offset voltage measured in the first time period, the effect of the leakage current of the protection diode 34H of the high-voltage side transistor 134H is reduced, and in the second offset current and second offset voltage measured in the second time period, the effect of the leakage current of the protection diode 34L of the low-voltage side transistor 134L is reduced.

そこで、第1のオフセット電流および第2のオフセット電流の平均を取れば、高電圧側保護ダイオード34Hおよび低電圧側保護ダイオード34Lの漏れ電流の影響がバランス良く低減された、精度の高いオフセット電流が得られる。同様に、第1のオフセット電圧および第2のオフセット電圧の平均を取れば、高電圧側保護ダイオード34Hおよび低電圧側保護ダイオード34Lの漏れ電流の影響がバランス良く低減された、精度の高いオフセット電圧が得られる。 Therefore, by taking the average of the first offset current and the second offset current, a highly accurate offset current is obtained in which the effects of the leakage currents of the high-voltage side protection diode 34H and the low-voltage side protection diode 34L are reduced in a well-balanced manner. Similarly, by taking the average of the first offset voltage and the second offset voltage, a highly accurate offset voltage is obtained in which the effects of the leakage currents of the high-voltage side protection diode 34H and the low-voltage side protection diode 34L are reduced in a well-balanced manner.

なお、第1のオフセット電流および/または第2のオフセット電流は、それぞれ単独でも図5(A)の従来の測定方法によるオフセット電流より精度が高いため、これらをオフセット電流保持部44に保持して電流フィードバック制御に利用してもよい。同様に、第1のオフセット電圧および/または第2のオフセット電圧は、それぞれ単独でも図5(A)の従来の測定方法によるオフセット電圧より精度が高いため、これらをオフセット電圧保持部55に保持して電圧フィードバック制御に利用してもよい。 The first offset current and/or the second offset current, even when used alone, are more accurate than the offset current obtained by the conventional measurement method of FIG. 5(A), and therefore these may be held in the offset current holding unit 44 and used for current feedback control. Similarly, the first offset voltage and/or the second offset voltage, even when used alone, are more accurate than the offset voltage obtained by the conventional measurement method of FIG. 5(A), and therefore these may be held in the offset voltage holding unit 55 and used for voltage feedback control.

図6は、図5に示した測定方法によるオフセット電圧の測定結果の例を示す。図6の上方の曲線はUV相間電圧センサ51によって測定されたUV相間のオフセット電圧VUVを表し、図6の下方の曲線はVW相間電圧センサ52によって測定されたVW相間のオフセット電圧VVWを表す。いずれのオフセット電圧VUV、VVWも、AD変換部54でアナログ値から変換されたデジタル値である。時刻Tまでの時間帯では図5(A)の従来の測定方法によってオフセット電圧VUV、VVWを測定し、時刻T以降の時間帯では図5(B)の本実施形態の測定方法によってオフセット電圧VUV、VVWを測定した。 Fig. 6 shows an example of the measurement result of the offset voltage by the measurement method shown in Fig. 5. The upper curve in Fig. 6 represents the UV-phase offset voltage V UV measured by the UV-phase voltage sensor 51, and the lower curve in Fig. 6 represents the VW-phase offset voltage V VW measured by the VW-phase voltage sensor 52. Both offset voltages V UV and V VW are digital values converted from analog values by the AD conversion unit 54. In the time period up to time T, the offset voltages V UV and V VW were measured by the conventional measurement method in Fig. 5(A), and in the time period after time T, the offset voltages V UV and V VW were measured by the measurement method of this embodiment in Fig. 5(B).

この結果、UV相間のオフセット電圧VUVでは従来の測定方法と本実施形態の測定方法の間で0.39Vの差が確認され、VW相間のオフセット電圧VVWでは従来の測定方法と本実施形態の測定方法の間で0.45Vの差が確認された。このように、従来の測定方法では保護ダイオード34の漏れ電流等の影響が約0.4Vの測定誤差となっていたことが分かる。本実施形態の測定方法によれば、この測定誤差を除去できるため、高精度にオフセット電圧およびオフセット電流を測定できる。 As a result, a difference of 0.39 V was confirmed in the UV-phase offset voltage VUV between the conventional measurement method and the measurement method of this embodiment, and a difference of 0.45 V was confirmed in the VW-phase offset voltage VVW between the conventional measurement method and the measurement method of this embodiment. As such, it is understood that with the conventional measurement method, the influence of the leakage current of the protection diode 34, etc., resulted in a measurement error of about 0.4 V. According to the measurement method of this embodiment, this measurement error can be eliminated, so that the offset voltage and offset current can be measured with high accuracy.

以上のようなオフセット電圧および/またはオフセット電流の測定誤差は、特にモータ20のモータ定数(図3)の測定時に大きな悪影響を及ぼす。例えば、実際は60mΩの一次抵抗rに50Aの一次電流Iを流した時の電圧を、UV相間電圧センサ51および/またはVW相間電圧センサ52で測定した場合、保護ダイオード34の漏れ電流等による測定誤差がなければ3Vという正しい測定値が得られ、r=3V/50A=60mΩと正しい抵抗値が得られる。一方、漏れ電流等による測定誤差が0.4Vあった場合、一次抵抗rに50Aの一次電流Iを流した時の電圧の測定値は3.4Vとなり、r=3.4V/50A=68mΩと誤った抵抗値が得られてしまう。 The measurement error of the offset voltage and/or offset current as described above has a significant adverse effect, particularly when measuring the motor constant (FIG. 3) of the motor 20. For example, when the voltage when a primary current I1 of 50 A flows through a primary resistance r1 of 60 mΩ is measured by the UV-interphase voltage sensor 51 and/or the VW-interphase voltage sensor 52, if there is no measurement error due to leakage current of the protective diode 34, the correct measurement value of 3 V is obtained, and the correct resistance value of r1 = 3 V/50 A = 60 mΩ is obtained. On the other hand, if there is a measurement error of 0.4 V due to leakage current, etc., the measurement value of the voltage when a primary current I1 of 50 A flows through the primary resistance r1 is 3.4 V, and the erroneous resistance value of r1 = 3.4 V/50 A = 68 mΩ is obtained.

また、オフセット電圧および/またはオフセット電流の測定誤差は、モータ20の制御にも悪影響を及ぼす。例えば、モータ20の一次抵抗rが100mΩの場合、0.4Vの測定誤差は一次電流Iにおける0.4V/100mΩ=4Aの誤差となって、制御装置におけるフィードバック制御に悪影響を及ぼす。特にモータ20を低トルクで駆動させる場合は、流すべき一次電流Iが小さくなるため、上記の誤差が及ぼす影響が相対的に大きくなってしまう。 Furthermore, measurement errors in the offset voltage and/or offset current also adversely affect the control of the motor 20. For example, if the primary resistance r1 of the motor 20 is 100 mΩ, a measurement error of 0.4 V results in an error in the primary current I1 of 0.4 V/100 mΩ = 4 A, which adversely affects the feedback control in the control device. In particular, when the motor 20 is driven with low torque, the primary current I1 to be passed becomes small, and the effect of the above error becomes relatively large.

従って、オフセット電圧および/またはオフセット電流の測定誤差を低減できる本実施形態によれば、モータ20のモータ定数を高精度に測定できると共に、モータ20を高精度に制御できる。 Therefore, according to this embodiment, which can reduce measurement errors of the offset voltage and/or offset current, the motor constant of the motor 20 can be measured with high accuracy, and the motor 20 can be controlled with high accuracy.

以上、本発明を実施形態に基づいて説明した。実施形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。 The present invention has been described above based on the embodiments. The embodiments are merely examples, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications are possible in the combination of each component and each processing process, and that such modifications are also within the scope of the present invention.

なお、実施形態で説明した各装置の機能構成はハードウェア資源またはソフトウェア資源により、あるいはハードウェア資源とソフトウェア資源の協働により実現できる。ハードウェア資源としてプロセッサ、ROM、RAM、その他のLSIを利用できる。ソフトウェア資源としてオペレーティングシステム、アプリケーション等のプログラムを利用できる。 The functional configuration of each device described in the embodiments can be realized by hardware resources or software resources, or by the cooperation of hardware and software resources. Processors, ROM, RAM, and other LSIs can be used as hardware resources. Programs such as operating systems and applications can be used as software resources.

10 インバータ装置、13 インバータ、20 モータ、31 ゲート、34 保護ダイオード、40 電流制御ループ、41 電流センサ、44 オフセット電流保持部、45 オフセット電流減算部、46 電流制御部、50 電圧制御ループ、51 UV相間電圧センサ、52 VW相間電圧センサ、55 オフセット電圧保持部、56 オフセット電圧減算部、57 電圧制御部、133 交流出力端子、134 トランジスタ、135 ドライバ。 10 inverter device, 13 inverter, 20 motor, 31 gate, 34 protection diode, 40 current control loop, 41 current sensor, 44 offset current holding unit, 45 offset current subtraction unit, 46 current control unit, 50 voltage control loop, 51 UV interphase voltage sensor, 52 VW interphase voltage sensor, 55 offset voltage holding unit, 56 offset voltage subtraction unit, 57 voltage control unit, 133 AC output terminal, 134 transistor, 135 driver.

Claims (8)

直流の高電圧を供給する高電圧ラインと直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に並列に接続される複数のトランジスタのスイッチング動作によって多相の交流を出力するインバータと、
前記各トランジスタの制御端子に前記スイッチング動作のためのパルスを供給する複数のパルス供給部と、
前記各トランジスタの交流出力端子の間の相間電圧を測定する相間電圧測定部と、
前記インバータが多相の交流を出力していない時の前記相間電圧であるオフセット電圧を前記相間電圧測定部が測定している間、前記各パルス供給部によって前記各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給させるパルス制御部と、
を備えるインバータ装置。
an inverter that outputs multiphase AC by switching operations of a plurality of transistors that are connected in parallel between a high voltage line that supplies a high DC voltage and a low voltage line that supplies a low DC voltage;
a plurality of pulse supply units for supplying pulses for the switching operation to a control terminal of each of the transistors;
a phase-to-phase voltage measuring unit for measuring a phase-to-phase voltage between the AC output terminals of each of the transistors;
a pulse control unit that causes each of the pulse supply units to supply a pulse having a duty ratio greater than 0 and less than 1 to a control terminal of each of the transistors while the phase-to-phase voltage measurement unit is measuring an offset voltage, which is the phase-to-phase voltage when the inverter is not outputting a polyphase AC current;
An inverter device comprising:
前記相間電圧測定部が前記オフセット電圧を測定している間、前記パルス制御部によって前記各トランジスタの制御端子に供給されるパルスのデューティ比は互いに等しい、請求項1に記載のインバータ装置。 The inverter device according to claim 1, wherein the duty ratios of the pulses supplied to the control terminals of the transistors by the pulse control unit are equal to each other while the interphase voltage measurement unit is measuring the offset voltage. 前記相間電圧測定部が前記オフセット電圧を測定している間、前記パルス制御部によって前記各トランジスタの制御端子に供給されるパルスのデューティ比はそれぞれ一定である、請求項1または2に記載のインバータ装置。 The inverter device according to claim 1 or 2, wherein the duty ratio of the pulses supplied to the control terminals of the transistors by the pulse control unit is constant while the interphase voltage measurement unit is measuring the offset voltage. 前記相間電圧測定部が前記オフセット電圧を測定している間、前記パルス制御部によって前記各トランジスタの制御端子に供給されるパルスの位相は互いに等しい、請求項1から3のいずれかに記載のインバータ装置。 An inverter device according to any one of claims 1 to 3, wherein the phases of the pulses supplied to the control terminals of the transistors by the pulse control unit are equal to each other while the interphase voltage measurement unit is measuring the offset voltage. 前記インバータが多相の交流を出力している時に前記相間電圧測定部が測定する相間電圧から前記オフセット電圧を減算するオフセット減算部を更に備え、
前記パルス制御部は、前記オフセット電圧が減算された前記相間電圧に基づいて、前記各パルス供給部が前記各トランジスタの制御端子に供給するパルスのデューティ比をフィードバック制御する、
請求項1から4のいずれかに記載のインバータ装置。
an offset subtraction unit that subtracts the offset voltage from the phase-to-phase voltage measured by the phase-to-phase voltage measurement unit when the inverter is outputting a polyphase AC;
the pulse control unit feedback-controls a duty ratio of a pulse supplied from each of the pulse supply units to a control terminal of each of the transistors, based on the inter-phase voltage from which the offset voltage has been subtracted.
5. The inverter device according to claim 1.
前記各トランジスタは、前記パルス供給部から前記制御端子に供給されるパルスに応じて導通状態が切り替わる電流経路と並列に形成される保護ダイオード要素を更に備える、請求項1から5のいずれかに記載のインバータ装置。 The inverter device according to any one of claims 1 to 5, wherein each of the transistors further comprises a protective diode element formed in parallel with a current path whose conduction state is switched in response to a pulse supplied from the pulse supply unit to the control terminal. 直流の高電圧を供給する高電圧ラインと直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に並列に接続される複数のトランジスタのスイッチング動作によって多相の交流を出力するインバータと、前記各トランジスタの制御端子に前記スイッチング動作のためのパルスを供給する複数のパルス供給部と、を備えるインバータ装置のオフセット電圧測定方法であって、
前記インバータが多相の交流を出力していない時の前記各トランジスタの交流出力端子の間の相間電圧であるオフセット電圧を測定している間、前記各パルス供給部によって前記各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給させるステップを備える、
インバータ装置のオフセット電圧測定方法。
1. A method for measuring an offset voltage of an inverter device comprising: an inverter that outputs a multi-phase AC by switching operations of a plurality of transistors connected in parallel between a high voltage line that supplies a high DC voltage and a low voltage line that supplies a low DC voltage; and a plurality of pulse supplying units that supply pulses for the switching operations to control terminals of the transistors,
a step of causing each of the pulse supplying units to supply a pulse having a duty ratio greater than 0 and less than 1 to a control terminal of each of the transistors while measuring an offset voltage, which is a phase-to-phase voltage between the AC output terminals of each of the transistors when the inverter is not outputting a polyphase AC current;
A method for measuring the offset voltage of an inverter device.
直流の高電圧を供給する高電圧ラインと直流の低電圧を供給する低電圧ラインの間に並列に接続される複数のトランジスタのスイッチング動作によって多相の交流を出力するインバータと、前記各トランジスタの制御端子に前記スイッチング動作のためのパルスを供給する複数のパルス供給部と、を備えるインバータ装置のオフセット電圧測定プログラムであって、
前記インバータが多相の交流を出力していない時の前記各トランジスタの交流出力端子の間の相間電圧であるオフセット電圧を測定している間、前記各パルス供給部によって前記各トランジスタの制御端子に0より大きく1より小さいデューティ比のパルスを供給させるステップをコンピュータに実行させる、
インバータ装置のオフセット電圧測定プログラム。
1. An offset voltage measurement program for an inverter device including: an inverter that outputs a polyphase AC by switching operations of a plurality of transistors connected in parallel between a high voltage line that supplies a high DC voltage and a low voltage line that supplies a low DC voltage; and a plurality of pulse supply units that supply pulses for the switching operations to control terminals of the transistors,
a step of causing each of the pulse supplying units to supply a pulse having a duty ratio greater than 0 and less than 1 to a control terminal of each of the transistors while measuring an offset voltage, which is a phase-to-phase voltage between the AC output terminals of each of the transistors when the inverter is not outputting a polyphase AC current;
A program for measuring the offset voltage of inverter devices.
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