JP7555804B2 - Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method - Google Patents
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Description
本発明は、基板の上面に形成された塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法に関する。 The present invention relates to a reduced-pressure drying apparatus and a reduced-pressure drying method for drying a coating layer formed on the upper surface of a substrate by reducing pressure.
従来、有機ELティスプレイの製造工程では、基板の上面に、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる塗布層を形成する。塗布層は、インクジェット装置により、基板の上面に、部分的に塗布される。そして、塗布層が形成された基板は、減圧乾燥装置のチャンバ内に搬送されて、減圧乾燥処理を受ける。これにより、塗布層に含まれる溶剤が気化して、塗布層が乾燥する。 Conventionally, in the manufacturing process of an organic EL display, a coating layer that will become a hole injection layer, a hole transport layer, or a light emitting layer is formed on the upper surface of a substrate. The coating layer is partially applied to the upper surface of the substrate by an inkjet device. The substrate on which the coating layer has been formed is then transported into the chamber of a reduced pressure drying device and subjected to a reduced pressure drying process. This causes the solvent contained in the coating layer to evaporate, and the coating layer dries.
減圧乾燥装置は、基板を収容するチャンバと、チャンバから気体を吸引する減圧機構とを備える。従来の減圧乾燥装置については、例えば、特許文献1に記載されている。
The reduced pressure drying apparatus includes a chamber that houses the substrate and a reduced pressure mechanism that sucks gas from the chamber. A conventional reduced pressure drying apparatus is described, for example, in
従来の減圧乾燥装置は、チャンバ内の気体を排出する排気口が、チャンバの底面に設けられている。これは、チャンバの減圧時に、基板の上面側に、均一な気流を形成するためである。しかしながら、基板の上面のうち、塗布層に覆われた塗布領域では、減圧に伴い塗布層中の溶剤が気化するのに対し、塗布層に覆われていない非塗布領域では、溶剤が気化しない。このため、基板の上面側における気流の向きが終始一定であると、非塗布領域から塗布領域へ向けて気体が流れる部分と、塗布領域から非塗布領域へ向けて気体が流れる部分とで、溶剤の蒸気の影響で、塗布領域の端縁部における乾燥の進行度合いに差が生じる。その結果、塗布層に乾燥ムラが生じる場合がある。 In conventional reduced pressure drying devices, an exhaust port for discharging gas from the chamber is provided on the bottom surface of the chamber. This is to create a uniform airflow on the upper surface side of the substrate when the chamber is depressurized. However, in the coated area of the upper surface of the substrate that is covered with a coating layer, the solvent in the coating layer evaporates as the pressure is reduced, whereas in the non-coated area that is not covered with a coating layer, the solvent does not evaporate. For this reason, if the direction of the airflow on the upper surface side of the substrate is constant throughout, the effect of the solvent vapor will cause a difference in the degree of drying progress at the edge of the coated area between the area where the gas flows from the non-coated area to the coated area and the area where the gas flows from the coated area to the non-coated area. As a result, uneven drying may occur in the coated layer.
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の上面に形成された塗布層を、均一に乾燥させることができる減圧乾燥装置および減圧乾燥方法を提供することを目的とする。 The present invention has been developed in consideration of these circumstances, and aims to provide a reduced-pressure drying apparatus and a reduced-pressure drying method that can uniformly dry a coating layer formed on the upper surface of a substrate.
上記課題を解決するため、本願の第1発明は、基板の上面に形成された溶剤を含む塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を収容するチャンバと、前記チャンバの内部において、基板を下方から支持するステージと、前記チャンバに設けられた複数の排気口と、前記複数の排気口を介して前記チャンバ内の気体を吸引する減圧機構と、前記減圧機構を制御する制御部と、を備え、前記減圧機構は、前記複数の排気口に一端が接続された複数の個別配管と、前記複数の個別配管の他端に接続された1つの主配管と、前記複数の個別配管のそれぞれに設けられ、前記複数の排気口からの排気量を個別に調節する複数の個別バルブと、前記主配管に設けられた開度調節可能な主バルブと、を有し、前記制御部は、前記主バルブの開度を維持しつつ、前記複数の個別バルブのうち、一部の個別バルブの開閉状態または開度を変更し、前記一部の個別バルブを順次に変更する切替処理を実行する。
In order to solve the above-mentioned problems, a first invention of the present application is a reduced-pressure drying apparatus that dries a coating layer containing a solvent formed on an upper surface of a substrate by reducing pressure, the apparatus comprising: a chamber that accommodates the substrate; a stage that supports the substrate from below inside the chamber; a plurality of exhaust ports provided in the chamber; a reduced-pressure mechanism that sucks in gas from the chamber through the plurality of exhaust ports; and a control unit that controls the reduced-pressure mechanism, the reduced-pressure mechanism having a plurality of individual pipes connected at one end to the plurality of exhaust ports, a main pipe connected to the other end of the plurality of individual pipes, a plurality of individual valves provided in each of the plurality of individual pipes and individually adjusting the amount of exhaust from the plurality of exhaust ports , and a main valve with adjustable opening provided in the main pipe , the control unit changes the open/closed state or opening of some of the plurality of individual valves while maintaining the opening of the main valve , and executes a switching process that sequentially changes the some of the individual valves.
本願の第2発明は、第1発明の減圧乾燥装置であって、前記複数の排気口は、前記ステージに支持された基板の下方に位置する。 The second invention of the present application is the reduced pressure drying apparatus of the first invention, in which the multiple exhaust ports are located below the substrate supported by the stage.
本願の第3発明は、第1発明または第2発明の減圧乾燥装置であって、前記複数の個別バルブは、開閉弁であり、前記制御部は、一部の個別バルブを閉鎖するとともに他の個別バルブを開放し、前記一部の個別バルブを順次に変更する。 The third invention of the present application is a reduced pressure drying apparatus according to the first or second invention, in which the individual valves are open/close valves, and the control unit closes some of the individual valves and opens other individual valves, sequentially changing the state of the individual valves.
本願の第4発明は、第3発明の減圧乾燥装置であって、前記制御部は、1つの個別バルブを閉鎖するとともに他の個別バルブを開放し、前記1つの個別バルブを順次に変更する。 The fourth invention of the present application is the reduced pressure drying device of the third invention, in which the control unit closes one individual valve and opens the other individual valve, sequentially changing the one individual valve.
本願の第5発明は、第1発明から第4発明までのいずれか1発明の減圧乾燥装置であって、前記複数の個別バルブは、開度を調節可能な開度制御弁であり、前記制御部は、一部の個別バルブの開度を他の個別バルブの開度よりも小さくし、前記一部の個別バルブを順次に変更する。 The fifth invention of the present application is a reduced pressure drying apparatus according to any one of the first to fourth inventions, in which the individual valves are adjustable opening control valves, and the control unit sequentially changes the opening of some of the individual valves by making the opening of some of the individual valves smaller than the opening of other individual valves.
本願の第6発明は、第5発明の減圧乾燥装置であって、前記制御部は、1つの個別バルブの開度を他の個別バルブの開度よりも小さくし、前記1つの個別バルブを順次に変更する。 The sixth aspect of the present invention is the reduced pressure drying device of the fifth aspect, in which the control unit makes the opening of one individual valve smaller than the opening of the other individual valves, and sequentially changes the opening of the one individual valve.
本願の第7発明は、第1発明から第6発明までのいずれか1発明の減圧乾燥装置であって、前記制御部は、少なくとも前記塗布層の沸騰時に、前記切替処理を実行する。
A seventh aspect of the present invention is the reduced pressure drying apparatus according to any one of the first to sixth aspects, wherein the control unit executes the switching process at least when the coating layer boils.
本願の第8発明は、第1発明から第7発明までのいずれか1発明の減圧乾燥装置であって、前記基板の上面は、前記塗布層に覆われた部分と、前記塗布層から露出した部分と、を有する。
The eighth invention of the present application is a reduced pressure drying apparatus of any one of the first to seventh inventions, wherein the upper surface of the substrate has a portion covered by the coating layer and a portion exposed from the coating layer.
本願の第9発明は、基板の上面に形成された溶剤を含む塗布層を、減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、a)チャンバ内に基板を収容する工程と、b)チャンバに設けられた複数の排気口を介して、チャンバ内の気体を吸引する工程と、を有し、前記工程b)を行う減圧機構は、前記複数の排気口に一端が接続された複数の個別配管と、前記複数の個別配管の他端に接続された1つの主配管と、前記複数の個別配管のそれぞれに設けられ、前記複数の排気口からの排気量を個別に調節する複数の個別バルブと、主配管に設けられた開度調節可能な主バルブと、を有し、前記工程b)は、前記主バルブの開度を維持しつつ、前記複数の個別バルブのうち、一部の個別バルブの開閉状態または開度を変更し、前記一部の個別バルブを順次に変更する切替処理を含む。 A ninth invention of the present application is a reduced-pressure drying method for drying a coating layer containing a solvent formed on an upper surface of a substrate by reducing pressure, the method comprising the steps of: a) accommodating the substrate in a chamber; and b) sucking gas from the chamber through a plurality of exhaust ports provided in the chamber, the reduced-pressure drying mechanism for performing the step b) comprising a plurality of individual pipes each having one end connected to the plurality of exhaust ports, a main pipe connected to the other end of the plurality of individual pipes, a plurality of individual valves provided in each of the plurality of individual pipes for individually adjusting the amount of exhaust from the plurality of exhaust ports, and a main valve provided in the main pipe and having an adjustable opening, the step b) including a switching process for sequentially changing the open/closed state or opening of some of the plurality of individual valves while maintaining the opening of the main valve.
本願の第1発明~第9発明によれば、チャンバ内の減圧時に、複数の排気口からの排気量が、順次に切り替わる。これにより、基板の上面に沿って形成される気流の向きが変化する。その結果、塗布層から気化した溶剤の蒸気に起因する乾燥ムラを抑制できる。したがって、基板の上面の塗布層を、均一に乾燥させることができる。
According to the first to ninth aspects of the present invention, when the pressure inside the chamber is reduced, the exhaust amount from the multiple exhaust ports is switched sequentially. This changes the direction of the airflow formed along the upper surface of the substrate. As a result, it is possible to suppress uneven drying caused by the vapor of the solvent evaporated from the coating layer. Therefore, it is possible to uniformly dry the coating layer on the upper surface of the substrate.
特に、本願の第2発明によれば、チャンバ内の気体が、基板の下方から排気される。これにより、基板の上面側における気体の流れを均一化できる。 In particular, according to the second aspect of the present invention, the gas in the chamber is exhausted from below the substrate. This makes it possible to uniformize the gas flow on the upper surface side of the substrate.
特に、本願の第4発明によれば、閉鎖する個別バルブを1つのみとすることで、排気量を確保できる。 In particular, according to the fourth aspect of the present invention, by closing only one individual valve, the amount of exhaust can be ensured.
特に、本願の第5発明によれば、開閉弁を使用する場合よりも、基板の上面に沿って形成される気流を、緩やかに変化させることができる。 In particular, according to the fifth aspect of the present invention, the airflow formed along the upper surface of the substrate can be changed more gradually than when an on-off valve is used.
特に、本願の第6発明によれば、開度を絞る個別バルブを1つのみとすることで、排気量を確保できる。 In particular, according to the sixth aspect of the present invention, the exhaust volume can be ensured by using only one individual valve to narrow the opening.
特に、本願の第8発明によれば、減圧機構全体の排気量の変化を抑制できる。 In particular, according to the eighth aspect of the present invention, it is possible to suppress changes in the exhaust volume of the entire pressure reduction mechanism.
特に、本願の第7発明によれば、塗布層の沸騰により多量に発生する溶剤の蒸気が、一方向に流れることを抑制できる。したがって、溶剤の蒸気に起因する乾燥ムラを抑制できる。 In particular, according to the seventh aspect of the present invention, it is possible to prevent solvent vapor, which is generated in large quantities due to boiling of the coating layer, from flowing in one direction, thereby preventing uneven drying caused by the solvent vapor.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 The following describes an embodiment of the present invention with reference to the drawings.
<1.減圧乾燥装置の構成について>
図1は、本発明の一実施形態に係る減圧乾燥装置1の縦断面図である。図2は、減圧乾燥装置1の横断面図である。この減圧乾燥装置1は、有機ELディスプレイの製造工程において、基板9に対して、減圧乾燥処理を行う装置である。基板9には、矩形のガラス基板が使用される。基板9の上面には、予め、有機材料および溶剤を含む塗布層90(図9参照)が、部分的に形成されている。塗布層90は、減圧乾燥装置1で乾燥されることにより、有機ELディスプレイの正孔注入層、正孔輸送層、または発光層となる。
<1. Configuration of the reduced pressure drying device>
Fig. 1 is a longitudinal sectional view of a reduced-
図3は、基板9の斜視図である。基板9は、上面視において、縦横の長さが異なる長方形状である。図2に示すように、基板9の上面には、有機ELディスプレイの回路パターンを形成する回路領域A1が、複数配列されている。図2の例では、基板9の上面に、4つの矩形の回路領域A1が、2行2列のマトリクス状に配列されている。ただし、回路領域A1の形状、数、配置は、この例に限定されるものではない。塗布層90は、減圧乾燥工程よりも前の塗布工程において、インクジェット装置により、各回路領域A1内に、回路パターンに従って形成される。したがって、各回路領域A1は、塗布層90に覆われた部分と、塗布層90から露出した部分とを有する。また、隣り合う回路領域A1の間の境界領域A2は、塗布層90から露出した部分となる。
3 is a perspective view of the
図1および図2に示すように、減圧乾燥装置1は、チャンバ10、ステージ20、減圧機構30、底面整流板40、側面整流板50、給気機構60、圧力計70、および制御部80を備えている。
As shown in Figures 1 and 2, the reduced
チャンバ10は、基板9が収容される内部空間を有する耐圧容器である。チャンバ10は、図示を省略した装置フレーム上に固定される。チャンバ10の形状は、扁平な直方体状である。チャンバ10は、略正方形状の底板部11、4つの側壁部12、および略正方形状の天面部13を有する。4つの側壁部12は、底板部11の4つの端辺と、天面部13の4つの端辺とを、上下方向に接続する。
The
4つの側壁部12のうちの1つには、搬出入口14と、搬入出口14を開閉するシャッタ15とが設けられている。シャッタ15は、エアシリンダ等により構成されるシャッタ駆動機構16と接続されている。シャッタ駆動機構16を動作させると、シャッタ16は、搬入出口14を閉鎖する閉鎖位置と、搬入出口14を開放する開放位置との間で、移動する。シャッタ16が閉鎖位置に配置された状態では、チャンバ10の内部空間が密閉される。シャッタ16が開放位置に配置された状態では、搬入出口14を介して、チャンバ10への基板9の搬入およびチャンバ10からの基板9の搬出を行うことができる。
One of the four
ステージ20は、チャンバ10の内部において、基板9を支持する支持部である。ステージ20は、複数の支持プレート21を有する。複数の支持プレート21は、水平方向に間隔をあけて配列されている。各プレート21の上面には、複数の支持ピン22が立設されている。基板9は、複数のプレート21の上部に配置される。そして、複数の支持ピン22の上端部が基板9の下面に接触することにより、基板9が水平姿勢で支持される。
The
ステージ20の複数の支持プレート21は、昇降機構23に接続されている。図面の煩雑化を避けるため、昇降機構23は、図1において概念的に示されているが、実際には、昇降機構23は、エアシリンダ等のアクチュエータにより構成される。昇降機構23を動作させると、ステージ20は、下降位置H1(図1において実線で示した位置)と、下降位置H1よりも高い上昇位置H2(図1において二点鎖線で示した位置)との間で、上下方向に昇降移動する。このとき、複数のプレート21は、一体として昇降移動する。
The
減圧機構30は、チャンバ10の内部空間から気体を吸引して、チャンバ10内の圧力を低下させる機構である。図1および図2に示すように、チャンバ10の底板部11には、4つの排気口16a~16dが設けられている。4つの排気口16a~16dは、ステージ20に支持された基板9の下方、かつ、後述する底面整流板40の下方に位置する。減圧機構30は、4つの排気口16a~16dに接続された排気配管31と、4つの個別バルブVa~Vdと、主バルブVeと、真空ポンプ32とを有する。
The
排気配管31は、4つの個別配管31a~31dと、1つの主配管31eとを有する。4つの個別配管31a~31dの一端は、4つの排気口16a~16dに、それぞれ接続されている。4つの個別配管31aの他端は、1本に合流して、主配管31eの一端に接続されている。主配管31eの他端は、真空ポンプ32に接続されている。4つの個別バルブVa~Vdは、4つの個別配管31aの経路上に、それぞれ設けられている。主バルブVeは、主配管31eの経路上に設けられている。
The
シャッタ15により搬入出口14を閉鎖した状態で、4つの個別バルブVa~Vdの少なくとも一部と、1つの主バルブVeとを開放し、真空ポンプ32を動作させると、チャンバ10内の気体が、排気配管31を通って、チャンバ10の外部へ排出される。これにより、チャンバ10の内部空間の圧力を低下させることができる。
With the loading/unloading
4つの個別バルブVa~Vdは、4つの排気口16a~16dからの排気量を、個別に調節するためのバルブである。本実施形態の個別バルブVa~Vdは、制御部80からの指令に基づいて、開放状態と閉鎖状態とを切り替える開閉弁である。主バルブVeは、4つの排気口16a~16dからの合計の排気量を調整するためのバルブである。本実施形態の主バルブVeは、制御部80からの指令に基づいて、開度を調節可能な開度制御弁である。
The four individual valves Va to Vd are valves for individually adjusting the exhaust volume from the four
この減圧乾燥装置1では、4つの排気口16a~16dが、ステージ20に支持された基板9の下方に位置する。このため、基板9の上方に排気口がある場合と比べて、基板9の上面側における気体の流れを均一化できる。したがって、基板9の上面に形成された塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
In this reduced
底面整流板40は、チャンバ10内の減圧時における気体の流れを規制するためのプレートである。底面整流板40は、ステージ20に支持される基板9と、チャンバ10の底板部11との間に位置する。より具体的には、底面整流板40は、下降位置H1のステージ20から間隔をあけて下側、かつ、底板部11の上面から間隔をあけて上側に位置する。また、底面整流板40は、底板部11の上面に沿って、水平に拡がる。底面整流板40は、チャンバ10の底板部11に、複数の支柱(図示省略)を介して固定されている。
The
図2に示すように、底面整流板40の形状は、上面視において正方形である。そして、底面整流板40の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、ステージ20上に配置される基板9の向きに拘わらず、上面視において、底面整流板40は、基板9よりも大きい。
As shown in FIG. 2, the shape of the
側面整流板50は、底面整流板40とともに、チャンバ10内の減圧時における気体の流れを規制するためのプレートである。側面整流板50は、下降位置H1のステージ20に支持される基板9と、チャンバ10の側壁部12との間に位置する。より具体的には、側面整流板50は、下降位置H1のステージ20に支持される基板9の端部から間隔をあけて外側、かつ、側壁部12の内面から間隔をあけて内側に位置する。本実施形態では、ステージ20に支持される基板9の周囲に、4つの側面整流板50が配置されている。各側面整流板50は、側壁部12の内面に沿って拡がる。したがって、4つの側面整流板50は、全体として、基板9を包囲する四角筒状の整流板を形成している。また、底面整流板40および4つの側面整流板50は、全体として、有底筒状の箱状整流板を形成している。
The
チャンバ10の内部空間を減圧するときには、チャンバ10内の気体は、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a~16dを通って、チャンバ10の外部へ排出される。このように、気体が基板9から離れた空間を流れることで、基板9の近傍に形成される気流を低減できる。特に、基板9の周縁部において気流が集中することを抑制できる。その結果、基板9の上面に形成された塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
When the internal space of the
図2に示すように、底面整流板40および4つの側面整流板50により形成される箱状整流板は、上面視において正方形である。そして、当該箱状整流板の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、ステージ20上に配置される基板9の向きに拘わらず、減圧時におけるチャンバ10内の気体の流れを、一様とすることができる。すなわち、基板9の向きによって、チャンバ10内の気体の流れが変化することを抑制できる。
As shown in FIG. 2, the box-shaped straightening plate formed by the
また、図2に示すように、4つの排気口16a~16dは、いずれも、上面視において、正方形状の底面整流板40の対角線41上に位置する。このようにすれば、各排気口16a~16dにより、底面整流板40の中央(2本の対角線41の交点)に対して対称な気流を形成できる。これにより、チャンバ10の内部に、より均一な気流を形成できる。
As shown in FIG. 2, all four
3つの側面整流板50は、チャンバ10の側壁部12に固定されている。ただし、残りの1つの側面整流板50は、基板9の搬入および搬出の経路を確保するために、側壁部12および底面整流板40に対して移動可能となっている。当該1つの側面整流板50は、例えば、シャッタ15とともに移動するように構成される。そうすれば、シャッタ15が閉鎖位置から開放位置へ移動すると、当該側面整流板50も移動し、基板9の搬入および搬出の経路を確保することができる。
The three
ただし、移動可能な側面整流板50が、他の側面整流板50または底面整流板50に接触すると、整流板同士の摺接によって、粉塵が発生する可能性がある。このため、移動可能な側面整流板50は、正規の位置(上述した箱状整流板を構成する位置)に配置されたときにも、他の側面整流板50および底面整流板40とは非接触であることが望ましい。ただし、気流を規制する効果をより高めることを重視する場合には、移動可能な側面整流板50と、他の側面整流板50および底面整流板40とを、互いに接触させて、これらの整流板の隙間を閉じてもよい。
However, if the movable
給気機構60は、減圧乾燥処理の最後に、チャンバ10内を大気圧に戻すための機構である。図1に示すように、チャンバ10の底板部11には、給気口16fが設けられている。給気口16fは、底面整流板40の下方に位置する。給気機構60は、給気口16eに接続された給気配管61と、給気バルブVfと、給気源62とを有する。給気配管61の一端は、給気口16fに接続されている。給気配管61の他端は、給気源62に接続されている。給気バルブVfは、給気配管61の経路上に設けられている。
The
給気バルブVfを開放すると、給気源62から給気配管61および給気口16fを通ってチャンバ10の内部空間へ、気体が供給される。これにより、チャンバ10内の気圧を上昇させることができる。なお、給気源62から供給される気体は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよく、あるいは、クリーンドライエアであってもよい。
When the air supply valve Vf is opened, gas is supplied from the
圧力計70は、チャンバ10内の気圧を計測するセンサである。図1に示すように、圧力計70は、チャンバ10の一部分に取り付けられている。圧力計70は、チャンバ10内の気圧を計測し、その計測結果を、制御部70へ出力する。
The
制御部80は、減圧乾燥装置1の各部を動作制御するためのユニットである。制御部80は、CPU等のプロセッサ801、RAM等のメモリ802、およびハードディスクドライブ等の記憶部803を有するコンピュータにより構成される。記憶部803には、減圧乾燥処理を実行するためのコンピュータプログラムおよび各種データが記憶されている。制御部80は、記憶部803からメモリ802にコンピュータプログラムおよび各種データを読み出し、当該コンピュータプログラムおよびデータに従ってプロセッサ801が演算処理を行うことにより、減圧乾燥装置1内の各部を動作制御する。
The
図4は、制御部80において実現される機能を概念的に示したブロック図である。図4に示すように、制御部80は、シャッタ駆動機構16、昇降機構23、4つの個別バルブVa~Vd、主バルブVe、真空ポンプ32、給気バルブVf、および圧力計70と、それぞれ電気的に接続されている。制御部80は、圧力計70から出力される計測値を参照しつつ、上記各部の動作を制御する。
Figure 4 is a block diagram conceptually illustrating the functions realized by the
図4に概念的に示したように、制御部80は、シャッタ制御部81、昇降制御部82、切替制御部83、排気制御部84、ポンプ制御部85、および給気制御部86を有する。シャッタ制御部81は、シャッタ駆動機構16の動作を制御する。昇降制御部82は、昇降機構23の動作を制御する。切替制御部83は、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を個別に制御する。排気制御部84は、主バルブVeの開閉状態および開度を制御する。ポンプ制御部85は、真空ポンプ32の動作を制御する。給気制御部86は、給気バルブVfの開閉状態を制御する。これらの各部の機能は、上述したコンピュータプログラムおよび各種データに基づいて、プロセッサ801が動作することにより実現される。
As conceptually shown in FIG. 4, the
<2.減圧乾燥処理について>
続いて、上記の減圧乾燥装置1を用いた基板9の減圧乾燥処理について、説明する。図5は、減圧乾燥処理の流れを示すフローチャートである。図6は、チャンバ10内の気圧の変化を示すグラフである。
<2. Regarding reduced pressure drying treatment>
Next, a description will be given of the reduced pressure drying process of the
減圧乾燥処理を行うときには、まず、基板9をチャンバ10内に搬入する(ステップS1)。基板9の上面には、未乾燥の塗布層90が形成されている。ステップS1では、まず、シャッタ制御部81が、シャッタ駆動機構16を動作させる。これにより、シャッタ15を閉鎖位置から開放位置へ移動させて、搬入出口14を開放する。そして、図示を省略した搬送ロボットが、フォーク状のハンドに基板9を載置しつつ、チャンバ10の搬入出口14を介して、チャンバ10の内部へ、基板9を搬入する。
When performing the reduced pressure drying process, first, the
この時点では、ステージ20は、下降位置H1に配置されている。搬送ロボットは、ステージ20の複数のプレート21の間へフォーク状のハンドを挿入しつつ、ステージ20の上面に基板9を載置する。ステージ20上に基板9が載置されると、搬送ロボットは、チャンバ10の外部へ退避する。そして、シャッタ制御部81が、再びシャッタ駆動機構16を動作させて、シャッタ15を開放位置から閉鎖位置へ移動させることにより、搬入出口14を閉鎖する。これにより、チャンバ10の内部空間に基板9が収容される。
At this point, the
次に、減圧乾燥装置1は、ステージ20を上昇させる(ステップS2)。具体的には、昇降制御部82が、昇降機構23を動作させることにより、ステージ20を、下降位置H1から上昇位置H2へ移動させる。図7は、ステージ20が上昇位置H2に配置されたときのチャンバ10内の様子を示した図である。図7に示すように、側面整流板50の上端部は、上昇位置H2のステージ20に支持される基板9の高さよりも低い。したがって、ステップS2において、ステージ20に支持された基板9は、側面整流板50の上端部よりも上方の位置まで、上昇する。基板9の上面は、チャンバ10の天面部13と、僅かな隙間を介して対向する。
Next, the reduced
続いて、チャンバ10内の減圧を開始する。すなわち、ポンプ制御部85が、真空ポンプ32の動作を開始する。また、切替制御部83が、個別バルブVa~Vdの一部を開放し、排気制御部84が、主バルブVeを開放する。これにより、チャンバ10から排気配管16への気体の排出を開始する。減圧乾燥装置1は、まず、チャンバ10の内部空間を緩やかに減圧する、第1処理を行う(ステップS3)。この第1処理では、排気制御部84が、主バルブVeの開度を、後述する第2処理~第4処理よりも小さい開度に調整する。これにより、図6の時刻t1~t2のように、チャンバ10内の気圧が、大気圧P0から緩やかに低下する。
Then, the pressure in the
ステップS3では、上述の通り、ステージ20が上昇位置H2に配置されている。このため、チャンバ10内の気体は、図7中の破線矢印のように、基板9の下方の空間から、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a~16dを通って、排気配管61へ流れる。このため、チャンバ10内に形成される気流は、基板9の上面に影響を及ぼしにくい。
In step S3, as described above, the
ただし、このステップS3でも、基板9の上面と天面部13との間の空間において、僅かな気流が生じる。また、減圧により、塗布層90からの溶剤の気化が始まっている。そこで、切替制御部83は、基板9の上面と天面部13との間の気流により、塗布層90の乾燥ムラが生じることを抑制するために、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を、順次に切り替える。
However, even in this step S3, a slight airflow occurs in the space between the upper surface of the
図8は、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態の変化を示すタイミングチャートである。図8に示すように、切替制御部83は、4つの個別バルブVa~Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。具体的には、1つの個別バルブVaを閉鎖して他の3つの個別バルブVb,Vc,Vdを開放する第1状態(時間ta)、1つの個別バルブVbを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vc,Vdを開放する第2状態(時間tb)、1つの個別バルブVcを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vb,Vdを開放する第3状態(時間tc)、および1つの個別バルブVdを閉鎖して他の3つの個別バルブVa,Vb,Vcを開放する第4状態(時間td)、を順次に切り替える。
Figure 8 is a timing chart showing the change in the open/closed state of the four individual valves Va to Vd. As shown in Figure 8, the switching
このようにすれば、第1処理の間に、基板9の上面と天面部13との間の空間に形成される気流の向きが、個別バルブVa~Vdの切り替えに応じて変化する。したがって、基板9の上面の塗布層90を、均一に乾燥させることができる。
In this way, during the first process, the direction of the airflow formed in the space between the upper surface of the
特に、本実施形態では、図9のように、基板9の上面が、塗布層90に覆われた塗布領域A3と、塗布層90から露出した非塗布領域A4とを有する。塗布領域A3からは溶剤が気化するのに対し、非塗布領域A4からは溶剤が気化しない。このため、仮に、気流の向きが一定であったとすると、塗布領域A3から非塗布領域A4へ向けて気体が流れる部分と、非塗布領域A4から塗布領域A3へ向けて気体が流れる部分とで、溶剤の蒸気の影響で、塗布領域A3の端縁部における乾燥の進行度合いに差が生じる。しかしながら、上述のように、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を順次に切り替えて、気流の向きを変化させれば、そのような乾燥の進行度合いの差を低減できる。したがって、溶剤の蒸気に起因する塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
In particular, in this embodiment, as shown in FIG. 9, the upper surface of the
次に、減圧乾燥装置1は、ステージ20を下降させる(ステップS4)。具体的には、昇降制御部82が、昇降機構23を動作させることにより、ステージ20を、上昇位置H2から下降位置H1へ移動させる。図10は、ステージ20が下降位置H1に配置されたときのチャンバ10内の様子を示した図である。図10に示すように、側面整流板50の上端部は、下降位置H1のステージ20に支持される基板9の高さよりも高い。したがって、ステップS4において、ステージ20に支持された基板9は、側面整流板50の上端部よりも下方の位置まで、下降する。
Next, the reduced
続いて、減圧乾燥装置1は、チャンバ10の内部空間を急速に減圧する、第2処理を行う(ステップS5)。この第2処理では、排気制御部84が、主バルブVeの開度を、第1処理よりも大きい開度に変更する。これにより、図6の時刻t2~t3のように、チャンバ10内の気圧が、急速に低下する。
The reduced
第2処理では、上述の通り、ステージ20が下降位置H1に配置されている。このため、基板9の上面側の空間に存在する気体は、図8中の破線矢印のように、側面整流板50と側壁部12との間の空間、底面整流板40と底板部11との間の空間、および排気口16a~16dを通って、排気配管61へ流れる。これにより、基板9の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。特に、基板9の周縁部において気流が集中することを抑制できる。したがって、気流による塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
In the second process, as described above, the
また、この第2処理では、塗布層90から溶剤が活発に気化する。そこで、切替制御部83は、塗布層90の乾燥ムラを抑制するために、上述した第1処理と同様に、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を、順次に切り替える。すなわち、切替制御部83は、図8のように、4つの個別バルブVa~Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。このようにすれば、第2処理の間に、基板9の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブVa~Vdの切り替えに応じて変化する。したがって、基板9の上面の塗布層90を、均一に乾燥させることができる。
In addition, in this second process, the solvent is actively vaporized from the
チャンバ10の内部空間の気圧が、所定の圧力P1まで低下すると、塗布層90が沸騰する。そして、沸騰が始まると、図6の時刻t3~t4のように、チャンバ10内の気圧が、ほぼ一定となる。このように、減圧乾燥装置1は、塗布層90を沸騰させつつ、チャンバ10からの排気を継続する、第3処理を行う(ステップS6)。
When the air pressure in the internal space of the
この第3処理では、塗布層90から溶剤の気化が、第2処理よりもさらに活発となる。そこで、切替制御部83は、塗布層90の乾燥ムラを抑制するために、上述した第1処理および第2処理と同様に、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を、順次に切り替える。すなわち、切替制御部83は、図8のように、4つの個別バルブVa~Vdのうちの1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の個別バルブを開放する。そして、切替制御部83は、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更する。このようにすれば、第3処理の間に、基板9の上面に沿って形成される気流の向きが、個別バルブVa~Vdの切り替えに応じて変化する。したがって、基板9の上面の塗布層90を、均一に乾燥させることができる。
In this third process, the evaporation of the solvent from the
やがて、塗布層90の溶媒成分が十分に気化すると、塗布層90の沸騰が終了する。そうすると、図6の時刻t4~t5のように、チャンバ10内の気圧が、再び急速に低下する。このように、減圧乾燥装置1は、塗布層90の沸騰後に、チャンバ10の内部空間をさらに減圧する、第4処理を行う(ステップS7)。
Eventually, when the solvent components of the
この第4処理では、塗布層90に残存する僅かな溶媒成分が気化するものの、上述した第1処理~第3処理と比べると、溶媒成分の気化は活発ではない。このため、切替制御部83は、4つの個別バルブVa~Vdを全て開放する。これにより、チャンバ10からの排気を促進して、チャンバ10の内部空間を目標圧力P2まで急速に減圧する。
In this fourth process, the small amount of solvent remaining in the
チャンバ10内の気圧が目標圧力P2に到達すると、排気制御部84は、主バルブVeを閉鎖する。これにより、チャンバ10からの気体の吸引が終了し、塗布層90の乾燥が完了する。
When the air pressure inside the
その後、給気制御部86が、給気バルブVfを開放する。そうすると、給気源62から給気配管61および給気口16fを通ってチャンバ10の内部へ、気体が供給される(ステップS8)。これにより、チャンバ10内の気圧が、再び大気圧P0まで上昇する。このとき、チャンバ10内には、比較的強い気流が発生するが、塗布層90は十分に乾燥済みであるため、気流による乾燥ムラは生じにくい。また、給気口16fから供給される気体は、底面整流板40と底板部11との間、および、側面整流板50と側壁部12との間を通って、チャンバ10の内側へ流れる。これにより、基板9の近傍に強い気流が発生することを抑制できる。
Then, the air
チャンバ10内の気圧が大気圧に到達すると、給気制御部86は、給気バルブVfを閉鎖する。そして、シャッタ制御部81が、シャッタ駆動機構16を動作させる。これにより、シャッタ15を閉鎖位置から開放位置へ移動させて、搬入出口14を開放する。そして、図示を省略した搬送ロボットが、ステージ20に支持された乾燥済みの基板9を、チャンバ10の外部へ搬出する(ステップS9)。以上をもって、1枚の基板9に対する減圧乾燥処理を終了する。
When the air pressure inside the
以上のように、この減圧乾燥装置1では、第1処理~第3処理において、4つの個別バルブVa~Vdの開閉状態を順次に切り替える切替処理を行う。このため、第1処理~第3処理の各処理の間に、4つの排気口16a~16dからの排気量が、順次に切り替わる。これにより、基板9の上面に沿って形成される気流の向きが変化する。したがって、基板9の上面の塗布層90を、均一に乾燥させることができる。
As described above, in the reduced
<3.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。以下では、種々の変形例について、上記実施形態との差異点を中心として説明する。
3. Modifications
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. Various modified examples will be described below, focusing on differences from the above embodiment.
<3-1.第1変形例>
上記の実施形態では、第1処理~第3処理の間に、4つの個別バルブVa~Vdを順次に切り替える切替処理を行っていた。しかしながら、第1処理~第3処理のうちの一部の処理時にのみ、切替処理を行ってもよい。例えば、塗布層90が沸騰する第3処理の際には、溶剤成分の気化が最も活発となる。このため、第3処理のときにのみ、切替処理を行ってもよい。
<3-1. First modified example>
In the above embodiment, a switching process is performed in which the four individual valves Va to Vd are sequentially switched between the first process and the third process. However, the switching process may be performed only during some of the first process to the third process. For example, during the third process in which the
<3-2.第2変形例>
上記の実施形態では、切替処理において、4つの個別バルブVa~Vdのうち、1つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の3つの個別バルブを開放し、閉鎖する1つの個別バルブを順次に変更していた。しかしながら、4つの個別バルブVa~Vdのうち、2つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の2つの個別バルブを開放し、閉鎖する2つの個別バルブを順次に変更してもよい。あるいは、4つの個別バルブVa~Vdのうち、3つの個別バルブを閉鎖するとともに、他の1つの個別バルブを開放し、閉鎖する3つの個別バルブを順次に変更してもよい。すなわち、切替制御部83は、複数の個別バルブのうち、一部の個別バルブの開閉状態を変更し、当該一部の個別バルブを順次に変更すればよい。ただし、上記の実施形態のように、個別バルブVa~Vdを1つずつ閉鎖する方が、排気配管61全体として排気量を確保しやすい。
<3-2. Second modified example>
In the above embodiment, in the switching process, one of the four individual valves Va to Vd is closed, the other three individual valves are opened, and the individual valve to be closed is changed sequentially. However, two of the four individual valves Va to Vd may be closed, the other two individual valves may be opened, and the two individual valves to be closed may be changed sequentially. Alternatively, three of the four individual valves Va to Vd may be closed, the other one individual valve may be opened, and the three individual valves to be closed may be changed sequentially. That is, the switching
<3-3.第3変形例>
上記の実施形態では、切替処理を行う間は、常に、4つ個別バルブVa~Vdのうちのいずれか1つを閉鎖していた。しかしながら、切替処理において、4つの個別バルブVa~Vdを全て開放する時間が含まれていてもよい。その場合、排気制御部84は、開放状態の個別バルブの数に応じて、主バルブVeの開度を制御してもよい。例えば、4つの個別バルブVa~Vdを全て開放するときには、1つの個別バルブを閉鎖するときよりも、主バルブVeの開度を小さくしてもよい。このようにすれば、排気配管61全体の排気量の変化を抑制できる。
<3-3. Third modified example>
In the above embodiment, one of the four individual valves Va to Vd is always closed during the switching process. However, the switching process may include a period during which all four individual valves Va to Vd are open. In that case, the
<3-4.第4変形例>
上記の実施形態では、4つの個別バルブVa~Vdを、順次に同じ時間だけ閉鎖していた。すなわち、図8の時間ta,tb,tc,tdが、全て同じ時間であった。しかしながら、この切替処理の間にも、塗布層90の乾燥は進行する。このため、切替処理の間に、塗布層90から気化する溶剤の量が、徐々に減少する場合がある。この点を考慮して、時間ta,tb,tc,tdに変化をつけてもよい。具体的には、図11のように、時間ta,tb,tc,tdを、徐々に長くしてもよい(ta<tb<tc<td)。このようにすれば、各時間における溶剤の気化量を均一とすることができる。
<3-4. Fourth Modified Example>
In the above embodiment, the four individual valves Va to Vd are sequentially closed for the same time. That is, the times ta, tb, tc, and td in FIG. 8 are all the same time. However, the drying of the
<3-5.第5変形例>
上記の実施形態では、4つの個別バルブVa~Vdが、開放状態と閉鎖状態との切り替えのみを行う開閉弁であった。しかしながら、4つの個別バルブVa~Vdは、開度を調節可能な開度制御弁であってもよい。そして、切替処理において、一部の個別バルブを完全に閉鎖するのではなく、一部の個別バルブの開度を他の個別バルブの開度よりも小さくしてもよい。すなわち、切替処理は、複数の個別バルブのうち、一部(例えば1つ)の個別バルブの開度を変更するとともに、当該一部の個別バルブを順次に変更する処理であってもよい。このようにすれば、開閉弁を使用する場合よりも、チャンバ10内の気流を、緩やかに変化させることができる。
<3-5. Fifth Modified Example>
In the above embodiment, the four individual valves Va to Vd are on-off valves that only switch between an open state and a closed state. However, the four individual valves Va to Vd may be aperture control valves that can adjust the aperture. In addition, in the switching process, some of the individual valves may not be completely closed, but may be opened less than the other individual valves. That is, the switching process may be a process in which the aperture of some (for example, one) of the multiple individual valves is changed, and the aperture of the some individual valves is changed sequentially. In this way, the airflow in the
<3-6.第6変形例>
上記の実施形態の減圧乾燥装置1は、チャンバ10内に、底面整流板40と、4つの側面整流板50とを備えていた。しかしながら、図12のように、減圧乾燥装置1は、側面整流板50を備えていなくてもよい。この場合でも、底面整流板40の上面視における各辺の長さは、長方形状の基板9の長辺および短辺のいずれよりも長い。このため、ステージ20上に配置される基板9の向きに拘わらず、チャンバ10内の減圧時に、図12の破線矢印のように、基板9の上面側の気体を、側面整流板40の側方を通って、底面整流板40の下方へ流すことができる。これにより、基板9の周縁部に気流が集中することを抑制できる。したがって、基板9の上面に形成された塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
<3-6. Sixth Modified Example>
The reduced
<3-7.第7変形例>
上記の実施形態の減圧乾燥装置1は、チャンバ10内に、底面整流板40と、4つの側面整流板50とを備えていた。しかしながら、減圧乾燥装置1は、底面整流板40および4つの側面整流板50に加えて、図13のように、天面整流板51を備えていてもよい。天面整流板51は、ステージ20に支持される基板9の上面と、チャンバ10の天板部13の下面との間に位置する。また、天面整流板51は、チャンバ10の天板部13の下面に沿って、水平に拡がる。天面整流板51は、チャンバ10の天板部13に、複数の支柱(図示省略)を介して固定されている。
<3-7. Seventh Modified Example>
The reduced
天面整流板51は、気体を通す複数の開口52を有する。このようにすれば、チャンバ10内の減圧時に、基板9の上面側の気体は、複数の開口52を通って、天面整流板51の上側へ流入する。そして、図13の破線矢印のように、天面整流板51と天板部13との間の空間、側面整流板50と側壁部12との間の空間、および底面整流板40と底板部11との間の空間を通って、排気口16a~16dへ向かう気流が形成される。このような構成でも、気体が基板9から離れた空間を流れることで、基板9の近傍に形成される気流を低減できる。また、基板9の周縁部において気流が集中することを抑制できる。したがって、基板9の上面に形成された塗布層90の乾燥ムラを抑制できる。
The top
<3-8.他の変形例>
上記の実施形態では、チャンバ10が、4つの排気口16a~16dを有していた。しかしながら、チャンバ10が有する排気口の数は、2つ、3つ、または5つ以上であってもよい。
<3-8. Other Modifications>
In the above embodiment, the
上記の実施形態の減圧乾燥装置1は、基板9上の塗布層90を、減圧のみにより乾燥させるものであった。しかしながら、減圧乾燥装置1は、減圧および加熱により、基板9上の塗布層90を乾燥させるものであってもよい。
The reduced
上記の実施形態では、チャンバ10の側壁部12に、基板9の搬入出口14が設けられていた。しかしながら、チャンバ10の4つの側壁部12および天板部13が、一体の蓋部を構成し、当該蓋部を底板部11から分離して上方へ退避できる構造であってもよい。この場合、4つの側面整流板50は、蓋部に固定され、蓋部とともに上方へ移動可能としてもよい。
In the above embodiment, the
また、上記の実施形態の減圧乾燥装置1は、有機ELディスプレイ用の基板を処理するものであった。しかしながら、本発明の減圧乾燥装置は、液晶ディスプレイや半導体ウェハなどの他の精密電子部品用の基板を処理するものであってもよい。
The reduced
また、上記の実施形態および変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。 Furthermore, the elements appearing in the above embodiments and variations may be combined as appropriate to the extent that no contradictions arise.
1 減圧乾燥装置
9 基板
10 チャンバ
11 底板部
12 側壁部
13 天板部
16a 排気口
16b 排気口
16c 排気口
16d 排気口
16f 給気口
20 ステージ
21 支持プレート
22 支持ピン
23 昇降機構
30 減圧機構
31 排気配管
32 真空ポンプ
40 底面整流板
50 側面整流板
51 天面整流板
60 給気機構
61 給気配管
70 気圧センサ
80 制御部
90 塗布層
Va 個別バルブ
Vb 個別バルブ
Vc 個別バルブ
Vd 個別バルブ
Ve 主バルブ
Vf 給気バルブ
REFERENCE SIGNS
Claims (9)
基板を収容するチャンバと、
前記チャンバの内部において、基板を下方から支持するステージと、
前記チャンバに設けられた複数の排気口と、
前記複数の排気口を介して前記チャンバ内の気体を吸引する減圧機構と、
前記減圧機構を制御する制御部と、
を備え、
前記減圧機構は、
前記複数の排気口に一端が接続された複数の個別配管と、
前記複数の個別配管の他端に接続された1つの主配管と、
前記複数の個別配管のそれぞれに設けられ、前記複数の排気口からの排気量を個別に調節する複数の個別バルブと、
前記主配管に設けられた開度調節可能な主バルブと、
を有し、
前記制御部は、前記主バルブの開度を維持しつつ、前記複数の個別バルブのうち、一部の個別バルブの開閉状態または開度を変更し、前記一部の個別バルブを順次に変更する切替処理を実行する、減圧乾燥装置。 A reduced pressure drying apparatus for drying a coating layer containing a solvent formed on an upper surface of a substrate by reducing pressure, comprising:
a chamber for housing a substrate;
a stage that supports a substrate from below within the chamber;
A plurality of exhaust ports provided in the chamber;
a pressure reducing mechanism that sucks gas from within the chamber through the plurality of exhaust ports;
A control unit that controls the pressure reduction mechanism;
Equipped with
The pressure reducing mechanism includes:
A plurality of individual pipes each having one end connected to the plurality of exhaust ports;
One main pipe connected to the other end of the plurality of individual pipes;
a plurality of individual valves provided in the plurality of individual pipes, each valve individually adjusting the amount of exhaust from the plurality of exhaust ports;
A main valve whose opening degree is adjustable and is provided in the main pipe;
having
The control unit performs a switching process to change the open/closed state or opening degree of some of the plurality of individual valves while maintaining the opening degree of the main valve, and to sequentially change the opening/closing state or opening degree of some of the individual valves.
前記複数の排気口は、前記ステージに支持された基板の下方に位置する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 1,
The reduced pressure drying apparatus, wherein the plurality of exhaust ports are positioned below a substrate supported by the stage.
前記複数の個別バルブは、開閉弁であり、
前記制御部は、一部の個別バルブを閉鎖するとともに他の個別バルブを開放し、前記一部の個別バルブを順次に変更する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 1 or 2,
The plurality of individual valves are on-off valves,
The control unit closes some of the individual valves and opens other individual valves, thereby sequentially changing the some of the individual valves.
前記制御部は、1つの個別バルブを閉鎖するとともに他の個別バルブを開放し、前記1つの個別バルブを順次に変更する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 3,
The control unit closes one individual valve and opens another individual valve, thereby sequentially changing the one individual valve.
前記複数の個別バルブは、開度を調節可能な開度制御弁であり、
前記制御部は、一部の個別バルブの開度を他の個別バルブの開度よりも小さくし、前記一部の個別バルブを順次に変更する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The plurality of individual valves are valves capable of adjusting the degree of opening,
The control unit sequentially changes the opening degrees of some of the individual valves by making the opening degrees of some of the individual valves smaller than the opening degrees of other individual valves.
前記制御部は、1つの個別バルブの開度を他の個別バルブの開度よりも小さくし、前記1つの個別バルブを順次に変更する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to claim 5,
The control unit sequentially changes the opening degree of one individual valve to be smaller than the opening degrees of other individual valves.
前記制御部は、少なくとも前記塗布層の沸騰時に、前記切替処理を実行する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The control unit executes the switching process at least when the coating layer boils.
前記基板の上面は、
前記塗布層に覆われた部分と、
前記塗布層から露出した部分と、
を有する、減圧乾燥装置。 The reduced pressure drying apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The top surface of the substrate is
A portion covered with the coating layer;
a portion exposed from the coating layer; and
A reduced pressure drying apparatus having
a)チャンバ内に基板を収容する工程と、
b)チャンバに設けられた複数の排気口を介して、チャンバ内の気体を吸引する工程と、
を有し、
前記工程b)を行う減圧機構は、
前記複数の排気口に一端が接続された複数の個別配管と、
前記複数の個別配管の他端に接続された1つの主配管と、
前記複数の個別配管のそれぞれに設けられ、前記複数の排気口からの排気量を個別に調節する複数の個別バルブと、
主配管に設けられた開度調節可能な主バルブと、
を有し、
前記工程b)は、前記主バルブの開度を維持しつつ、前記複数の個別バルブのうち、一部の個別バルブの開閉状態または開度を変更し、前記一部の個別バルブを順次に変更する切替処理を含む、減圧乾燥方法。 A reduced pressure drying method for drying a coating layer containing a solvent formed on an upper surface of a substrate by reducing pressure, comprising the steps of:
a) housing a substrate in a chamber;
b) sucking gas out of the chamber through a plurality of exhaust ports provided in the chamber;
having
The pressure reducing mechanism for performing the step b) is
A plurality of individual pipes each having one end connected to the plurality of exhaust ports;
One main pipe connected to the other end of the plurality of individual pipes;
a plurality of individual valves provided in the plurality of individual pipes, each valve individually adjusting the amount of exhaust from the plurality of exhaust ports;
A main valve with adjustable opening provided in the main pipe;
having
The step b) includes a switching process of sequentially changing an open/closed state or an opening degree of some of the individual valves among the plurality of individual valves while maintaining an opening degree of the main valve.
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