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JP7565591B2 - Wafer polishing carrier and wafer polishing device - Google Patents
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JP7565591B2 - Wafer polishing carrier and wafer polishing device - Google Patents

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Description

本発明は、ウェハ研磨用キャリアおよびウェハ研磨装置に関し、さらに詳細には、ウェハを保持し、定盤上で回転させて当該ウェハの研磨を行うためのウェハ研磨用キャリア、および当該ウェハ研磨用キャリアを備えて構成されるウェハ研磨装置に関する。 The present invention relates to a wafer polishing carrier and a wafer polishing device, and more specifically to a wafer polishing carrier that holds a wafer and rotates it on a platen to polish the wafer, and a wafer polishing device that is configured with the wafer polishing carrier.

シリコンウェハ等に例示されるウェハの研磨を行う装置の一例として、ウェハの両面の研磨を同時に行うことができるウェハ研磨装置が従来より知られている(特許文献1:特開2011-066342号公報参照)。このウェハ研磨装置においては、被加工物であるウェハがワークホール内に保持されたキャリアを、上下の定盤によって挟持された状態とし、各定盤およびキャリアを回転させることによって当該ウェハの両面の同時研磨が行われる。 As an example of an apparatus for polishing wafers such as silicon wafers, a wafer polishing apparatus capable of polishing both sides of a wafer simultaneously has been conventionally known (see Patent Document 1: JP 2011-066342 A). In this wafer polishing apparatus, a carrier holding a wafer, which is the workpiece, in a work hole is sandwiched between upper and lower surface plates, and both sides of the wafer are polished simultaneously by rotating the surface plates and the carrier.

特開2011-066342号公報JP 2011-066342 A 特開2000-024912号公報JP 2000-024912 A

特許文献1に例示されるウェハ研磨装置においては、研磨時にウェハと金属製のキャリアとが衝突することによってウェハに欠陥(傷)が生じてしまうことを防止するため、キャリアのワークホールの内周部に樹脂製のインナーを備える構成が好適である。例えば、キャリアにインナーを備える従来の研磨装置の例として、特許文献2(特開2000-024912号公報参照)に開示する構成が知られている。 In the wafer polishing device exemplified in Patent Document 1, a suitable configuration is one in which a resin inner liner is provided on the inner periphery of the work hole of the carrier in order to prevent defects (scratches) on the wafer caused by collision between the wafer and the metal carrier during polishing. For example, the configuration disclosed in Patent Document 2 (see JP 2000-024912 A) is known as an example of a conventional polishing device in which the carrier has an inner liner.

本願発明者らが鋭意研究した結果、上記のインナーを備える構成においては、インナーを取付けるキャリア(具体的には、ボディ)の欠損が少なく(すなわち、平面視において欠損領域が小さく)なるように、インナーを薄く(径方向寸法を小さく)且つリング状(環状)に近い形状(平面視において径方向の凹凸が少ない形状)に形成することが好ましいことが確認された。そのような形状とすることによって、研磨布が欠損領域で沈み込んでウェハのエッジ部がアール状に削られる不具合(いわゆる「ダレ」形状が生じる不具合)の発生を抑制することができるためである。 As a result of intensive research by the inventors of the present application, it has been confirmed that in a configuration with the above-mentioned inner, it is preferable to form the inner thin (with small radial dimensions) and in a shape close to a ring (with few radial irregularities in plan view) so that there is less damage to the carrier (specifically, the body) to which the inner is attached (i.e., the damaged area is small in plan view). This is because such a shape can prevent the occurrence of a defect in which the polishing cloth sinks in the damaged area and the edge of the wafer is ground into a rounded shape (a defect that creates a so-called "droop" shape).

その一方で、インナーを薄く且つリング状に近い形状とした場合には、ボディとインナーとの係合力が弱くなってしまい、ウェハの研磨時にボディからインナーが脱落してウェハを破損してしまうリスクが高くなることが究明された。特に、特許文献2に例示される構成のように、係合部におけるインナー形状が平面視円形の場合には、欠損領域が小さい程、係合力が弱くなってインナーが脱落し易くなる課題が生じ得る。また、係合部におけるインナー形状が平面視クサビ形の場合には、欠損領域を挟む対辺の挟角が小さい程、係合力が弱くなってインナーが脱落し易く、挟角が大きい程、欠損領域の増加によってエッジ部のダレが生じ易く、また、インサート成形時に樹脂の未充填部が生じて異物が入り込み、研磨時にウェハに傷がつき易くなる課題が生じ得る。 On the other hand, it has been found that if the inner is thin and has a shape close to a ring, the engagement force between the body and the inner is weak, increasing the risk that the inner will fall off the body during wafer polishing and damage the wafer. In particular, as in the configuration exemplified in Patent Document 2, when the inner shape at the engagement part is circular in plan view, the smaller the missing area, the weaker the engagement force and the easier it is for the inner to fall off. Also, when the inner shape at the engagement part is wedge-shaped in plan view, the smaller the included angle between the opposite sides sandwiching the missing area, the weaker the engagement force and the easier it is for the inner to fall off, and the larger the included angle, the easier it is for the edge to sag due to the increased missing area. Also, during insert molding, unfilled areas of resin may occur, allowing foreign matter to get in, and the wafer may be more likely to be scratched during polishing.

本発明は、上記事情に鑑みてなされ、キャリアのボディとインナーとの係合部に関して、欠損領域を小さくすることができ、また、樹脂の未充填部の発生を抑制することができ、さらに、高い係合力を生じさせることができるウェハ研磨用キャリアおよびウェハ研磨装置を実現することを目的とする。 The present invention was made in consideration of the above circumstances, and aims to realize a wafer polishing carrier and wafer polishing device that can reduce the defective area in the engagement portion between the carrier body and the inner member, suppress the occurrence of unfilled resin areas, and generate a high engagement force.

本発明は、一実施形態として以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。 The present invention solves the above problems by the solution described below as one embodiment.

本発明に係るウェハ研磨用キャリアは、円板状のボディにおいて開口形成されたワークホール内にウェハを保持し、定盤上で回転させて前記ウェハの研磨を行うためのウェハ研磨用キャリアであって、前記ボディは、前記ワークホールの内周部から径方向外方に向かって切欠かれた切欠き部を有すると共に、前記切欠き部に係止されて前記内周部に保持される環状のインナーが設けられており、前記切欠き部は、平面視において、前記内周部に設けられた2つの起点にそれぞれ接続された2つの基線と、前記2つの基線の終端部にそれぞれ接続されて径方向外方に向かって相互に周方向距離が拡大するように配置された2つの中間線と、前記2つの中間線の終端部にそれぞれ接続されて相互に内円部が対向するように配置された2つの第1円弧と、前記2つの第1円弧の終端部同士を結ぶ接続線と、を有する形状に形成されており、前記接続線は、平面視において、前記ワークホールの中心からの半径が一定の円弧状に形成されていることを要件とする。 The wafer polishing carrier of the present invention is a wafer polishing carrier for holding a wafer in a work hole formed as an opening in a disk-shaped body and rotating the wafer on a surface plate to polish the wafer, the body having a notch cut out radially outward from the inner periphery of the work hole, and an annular inner is provided which is engaged with the notch and held on the inner periphery, the notch is formed in a shape having, in a plan view, two base lines respectively connected to two starting points provided on the inner periphery, two intermediate lines respectively connected to the terminal ends of the two base lines and arranged so that the circumferential distance between them increases radially outward, two first circular arcs respectively connected to the terminal ends of the two intermediate lines and arranged so that their inner circular portions face each other, and a connecting line connecting the terminal ends of the two first circular arcs , the connecting line being required to be formed in a circular arc shape with a constant radius from the center of the work hole in a plan view .

また、本発明に係るウェハ研磨装置は、前記ウェハ研磨用キャリアと、上面に研磨面が設けられた下定盤と、前記下定盤の上方に上下動可能に支持され、下面に研磨面が設けられた上定盤と、前記下定盤および前記上定盤を回転駆動する駆動装置と、前記ウェハ研磨用キャリアを回転駆動するキャリア駆動装置と、スラリーの供給を行うスラリー供給装置と、を備え、前記ワークホールに前記ウェハが保持された前記ウェハ研磨用キャリアを前記下定盤と前記上定盤とで挟持した状態で、前記スラリーを前記下定盤上に供給しつつ、前記下定盤、前記上定盤、および前記ウェハ研磨用キャリアをそれぞれ設定された方向に回転させて前記ウェハの両面の研磨を行うことを要件とする。 The wafer polishing apparatus according to the present invention comprises the wafer polishing carrier, a lower platen having a polishing surface on its upper surface, an upper platen supported above the lower platen so as to be movable up and down and having a polishing surface on its lower surface, a drive device for rotating the lower platen and the upper platen, a carrier drive device for rotating the wafer polishing carrier, and a slurry supply device for supplying slurry, and is required to rotate the lower platen, the upper platen, and the wafer polishing carrier in a set direction to polish both sides of the wafer while supplying the slurry onto the lower platen while the wafer polishing carrier with the wafer held in the work hole is sandwiched between the lower platen and the upper platen.

本発明によれば、キャリアのボディとインナーとの係合部に関して、欠損領域を小さくすることができるため、研磨布が欠損領域で沈み込んでウェハのエッジ部がアール状に削られる不具合(ダレ形状)の発生を抑制し、ウェハの平坦度を高めることができる。また、インサート成形時に樹脂の未充填部の発生を抑制することができるため、未充填部に異物が入り込み、当該異物によって研磨時にウェハに傷がつくことを防止することができる。さらに、高い係合力を生じさせることができるため、研磨時にボディからインナーが脱落してウェハを破損してしまうリスクを低減することができる。 According to the present invention, the defective area can be reduced in the engagement portion between the body of the carrier and the inner liner, which prevents the polishing cloth from sinking in the defective area and causing the edge of the wafer to be cut into a rounded shape (drooping), thereby improving the flatness of the wafer. In addition, the occurrence of unfilled resin areas during insert molding can be prevented, which prevents foreign matter from entering the unfilled areas and scratching the wafer during polishing. Furthermore, a high engagement force can be generated, which reduces the risk of the inner liner falling off the body during polishing and damaging the wafer.

本発明の実施形態に係るウェハ研磨装置の例を示す正面図である。1 is a front view showing an example of a wafer polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1のウェハ研磨装置の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the wafer polishing apparatus of FIG. 1 . 図1のウェハ研磨装置のウェハ研磨用キャリアの例を示す平面図である。2 is a plan view showing an example of a wafer polishing carrier of the wafer polishing apparatus of FIG. 1. 図1のウェハ研磨装置のウェハ研磨用キャリアの他の例を示す平面図である。1. FIG. 4 is a plan view showing another example of the wafer polishing carrier of the wafer polishing apparatus of FIG. 図1のウェハ研磨装置のウェハ研磨用キャリアの切欠き部の例を示す平面図である。2 is a plan view showing an example of a cutout portion of a wafer polishing carrier of the wafer polishing apparatus of FIG. 1 . 図1のウェハ研磨装置のウェハ研磨用キャリアの切欠き部の他の例を示す平面図である。1. FIG. 4 is a plan view showing another example of the notch portion of the wafer polishing carrier of the wafer polishing apparatus of FIG.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明の実施形態に係るウェハ研磨装置1の例を示す正面図(概略図)である。また、図2は、図1に示すウェハ研磨装置1の平面図(概略図)であって、上定盤14から上の機構についての図示を省略することで、キャリア20およびその周辺構造の理解が容易となるようにしている。なお、各実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰返しの説明は省略する場合がある。 The following describes in detail the embodiments of the present invention with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view (schematic diagram) showing an example of a wafer polishing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view (schematic diagram) of the wafer polishing apparatus 1 shown in FIG. 1, in which the mechanism above the upper platen 14 is omitted to facilitate understanding of the carrier 20 and its surrounding structure. In all the drawings used to explain each embodiment, members having the same function are given the same reference numerals, and repeated explanations may be omitted.

本実施形態に係るウェハ研磨装置1は、ウェハWがワークホール22内に保持されたウェハ研磨用キャリア(単に、「キャリア」と称する場合がある)20を、上下の定盤12、14によって挟持させた状態とし、各定盤12,14およびキャリア20を回転させることによって当該ウェハWの両面の同時研磨を行ういわゆる両面研磨装置である。なお、加工対象(研磨対象)のウェハWは、大きさが8~12インチ程度のものが主であるが、これに限定されるものではない。 The wafer polishing apparatus 1 according to this embodiment is a so-called double-sided polishing apparatus in which a wafer polishing carrier (sometimes simply referred to as a "carrier") 20, in which a wafer W is held in a work hole 22, is sandwiched between upper and lower base plates 12, 14, and both sides of the wafer W are polished simultaneously by rotating the base plates 12, 14 and the carrier 20. The wafer W to be processed (polished) is mainly, but not limited to, a wafer with a size of about 8 to 12 inches.

より具体的に、ウェハ研磨装置1は、上面に研磨面が設けられた下定盤12と、下定盤12の上方に上下動可能に支持され、下面に研磨面が設けられた上定盤14とを具備する。下定盤12および上定盤14は、いずれも金属材料(一例として、ステンレス合金)を用いて平面視円形状に形成されている。なお、上記研磨面には、通常、研磨布(不図示)が貼付された状態で、研磨工程が実施される(したがって、本願における「研磨面」は、研磨布が貼付された状態を主たる構成とする)。 More specifically, the wafer polishing apparatus 1 comprises a lower platen 12 having a polishing surface on its upper surface, and an upper platen 14 supported above the lower platen 12 so as to be movable up and down, and having a polishing surface on its lower surface. Both the lower platen 12 and the upper platen 14 are formed in a circular shape in a plan view using a metal material (stainless steel alloy, for example). Note that the polishing process is usually carried out with a polishing cloth (not shown) attached to the polishing surface (therefore, the "polishing surface" in this application refers primarily to the state in which the polishing cloth is attached).

上下定盤12、14は、駆動装置により軸線を中心として互いに反対方向に回転される。すなわち、上定盤14は、支持フレーム10に配設された駆動装置(一例として、電気モータを備えた駆動機構)40によって、軸線を中心に回転自在に設けられている。また、上定盤14は、上下動機構として例えばシリンダ装置41により上下動可能となっている。一方、下定盤12は駆動装置(一例として、電気モータを備えた駆動機構)42によって回転駆動される。また、下定盤12は、その下面をリング状の支持ベアリング43によって支持されている。なお、上定盤14上には、複数本の支持ロッド50を介して上定盤14に取付けられ、上定盤14と共に回転する回転円板52が配設されている。 The upper and lower surface plates 12 and 14 are rotated in opposite directions around the axis by a drive device. That is, the upper surface plate 14 is rotatable around the axis by a drive device (e.g., a drive mechanism equipped with an electric motor) 40 arranged on the support frame 10. The upper surface plate 14 can be moved up and down by a vertical movement mechanism, such as a cylinder device 41. Meanwhile, the lower surface plate 12 is rotated by a drive device (e.g., a drive mechanism equipped with an electric motor) 42. The lower surface plate 12 is supported on its underside by a ring-shaped support bearing 43. A rotating disk 52 is attached to the upper surface plate 14 via a number of support rods 50 and is arranged on the upper surface plate 14, rotating together with the upper surface plate 14.

また、下定盤12と上定盤14との間には、ウェハWを保持するワークホール22を有するキャリア20が配置される。ここで、キャリア20を下定盤12と上定盤14とで挟持した状態で、当該キャリア20を回転駆動するキャリア駆動装置の例として、以下の構成を備えている。具体的に、下定盤12の中心孔と軸線を一致させて配置された太陽ギヤ(内側ピン歯車)16とインターナルギヤ(外側ピン歯車)18とにより、自転、且つ公転するように回転駆動される。太陽ギヤ16、インターナルギヤ18も公知の機構により回転される。なお、本実施形態では、太陽ギヤ16とインターナルギヤ18との間に、5個のキャリア20が配設される構成としているが、これに限定されるものではない。 In addition, a carrier 20 having a work hole 22 for holding a wafer W is disposed between the lower platen 12 and the upper platen 14. Here, an example of a carrier drive device for rotating the carrier 20 while it is sandwiched between the lower platen 12 and the upper platen 14 has the following configuration. Specifically, the carrier 20 is rotated and revolved by a sun gear (inner pin gear) 16 and an internal gear (outer pin gear) 18, which are disposed with their axes aligned with the central hole of the lower platen 12. The sun gear 16 and the internal gear 18 are also rotated by a known mechanism. In this embodiment, five carriers 20 are disposed between the sun gear 16 and the internal gear 18, but this is not limiting.

また、ウェハ研磨装置1は、スラリーの供給を行うスラリー供給装置を備えている。構成例として、回転円板52上には、複数(本実施形態では2個)のリング状樋54、56が同心状に固定されている。さらに、リング状樋54、56の底面には、スラリーの流下孔(不図示)が設けられている。リング状樋54、56には、配管62を介してスラリー貯留部(不図示)からスラリーが供給される。また、上定盤14には、放射状にスラリーの流下孔76が形成され、この上定盤14の流下孔76と、リング状樋54、56に設けられた流下孔とが供給パイプ78により連絡されている。この供給パイプ78を通じて、下定盤12の研磨面上にスラリーが供給される。 The wafer polishing apparatus 1 also includes a slurry supplying device that supplies slurry. As an example of the configuration, a plurality of (two in this embodiment) ring-shaped gutters 54, 56 are fixed concentrically on the rotating disk 52. Furthermore, the bottom surfaces of the ring-shaped gutters 54, 56 are provided with slurry flow holes (not shown). Slurry is supplied to the ring-shaped gutters 54, 56 from a slurry storage section (not shown) via a pipe 62. Furthermore, the upper surface plate 14 is formed with radially arranged slurry flow holes 76, and the flow holes 76 of the upper surface plate 14 and the flow holes provided in the ring-shaped gutters 54, 56 are connected by a supply pipe 78. Slurry is supplied onto the polishing surface of the lower surface plate 12 through the supply pipe 78.

したがって、供給パイプ78を通じてスラリーを下定盤12上に供給しつつ、上定盤14を矢印A方向(ここでは、反時計回り)、下定盤12を矢印B方向(ここでは、時計回り)にそれぞれ回転させ、それに伴う上記キャリア駆動装置の作動によってキャリア20を矢印C方向(ここでは、反時計回り)に回転させることにより、ウェハWは上下定盤12、14に対して相対移動して、上下定盤12、14間に挟まれた当該ウェハWの両面の研磨を行うことができる。なお、上記実施の形態では2つのリング状樋を設けたが、1つのリング状樋を設ける構成でもよく、また3つ以上の複数のリング状樋を同心状に配設するようにしてもよい。 Therefore, while supplying the slurry onto the lower platen 12 through the supply pipe 78, the upper platen 14 is rotated in the direction of arrow A (here, counterclockwise) and the lower platen 12 is rotated in the direction of arrow B (here, clockwise), and the carrier drive device is operated to rotate the carrier 20 in the direction of arrow C (here, counterclockwise), whereby the wafer W moves relative to the upper and lower platens 12, 14, and both sides of the wafer W sandwiched between the upper and lower platens 12, 14 can be polished. Note that, although two ring-shaped troughs are provided in the above embodiment, a configuration in which one ring-shaped trough is provided may be used, or three or more ring-shaped troughs may be arranged concentrically.

また、ウェハ研磨装置1は、複数のウェハWを収容することが可能な収容手段(ここでは、ウェハカセット)19を備えている。さらに、ウェハカセット19とキャリア20(ワークホール22)との間でウェハWの搬送を行う搬送手段(ここでは、ロボットハンド)58を備えている。動作の概要として、ロボットハンド58は、ウェハカセット19から、研磨対象となる所定のウェハWを1枚取り出すと共に、当該ウェハWをキャリア20のワークホール22内へ搬送し、保持させる。また、研磨が終了したウェハWをキャリア20のワークホール22内から取り出して、当該ウェハWをウェハカセット19へ搬送し、所定の収容位置に収容させる。 The wafer polishing apparatus 1 also includes a storage means (here, a wafer cassette) 19 capable of storing multiple wafers W. It also includes a transport means (here, a robot hand) 58 for transporting the wafers W between the wafer cassette 19 and the carrier 20 (work hole 22). In summary, the robot hand 58 takes out one of the specified wafers W to be polished from the wafer cassette 19, transports the wafer W to the work hole 22 of the carrier 20, and holds it there. It also takes out the wafer W that has been polished from the work hole 22 of the carrier 20, transports the wafer W to the wafer cassette 19, and stores it in a specified storage position.

次に、キャリア20の構成について詳しく説明する。前述の通り、キャリア20は、ウェハWを保持して、定盤上で(下定盤12と上定盤14とで挟持した状態で)回転させることによりウェハWの研磨を行うものである。図3は、キャリア20の一例を示す平面図(概略図)である。本実施形態におけるキャリア20は、円板状のボディ21において円形状もしくは多角形状に開口形成(板面を貫通する穴状に形成)されたワークホール22を備えており、このワークホール内にウェハWが保持される。ボディ21の厚みは、ウェハWの仕上がり寸法とほぼ同一の厚さ、例えば、0.7mm~0.8mmに構成されている。本実施形態においては、ワークホール22が周方向に同一間隔をおいて3つ設けられた例を挙げているが、これに限定されるものではない。一方、図4は、キャリア20の他の例を示す平面図(概略図)である。このようにワークホール22を1つのみ設ける構成としてもよい。なお、上記いずれの例においても、スラリーを通過させるための透孔24が設けられている。 Next, the configuration of the carrier 20 will be described in detail. As described above, the carrier 20 holds the wafer W and rotates it on the platen (while being sandwiched between the lower platen 12 and the upper platen 14) to polish the wafer W. FIG. 3 is a plan view (schematic diagram) showing an example of the carrier 20. The carrier 20 in this embodiment has a work hole 22 that is formed in a circular or polygonal shape (a hole penetrating the plate surface) in a disk-shaped body 21, and the wafer W is held in this work hole. The thickness of the body 21 is configured to be approximately the same as the finished dimension of the wafer W, for example, 0.7 mm to 0.8 mm. In this embodiment, an example is given in which three work holes 22 are provided at equal intervals in the circumferential direction, but this is not limited to this. Meanwhile, FIG. 4 is a plan view (schematic diagram) showing another example of the carrier 20. In this way, a configuration in which only one work hole 22 is provided may be used. In any of the above examples, a through hole 24 is provided to allow the slurry to pass through.

また、ボディ21は、チタンや、ステンレス合金等の金属材料を用いて形成されている。ここで、ワークホール22の周縁部(ボディ21の上下面)には、耐摩耗性を有する材料を用いて、所定幅、所定厚さのコーティング層(不図示)が設けられている。一例として、コーティング層の厚さは、2μm程度、コーティング層の幅は8mm~15mm(より好ましくは、10mm)程度の形状に形成されている。なお、コーティング層の具体的な材料としては、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)が好適である。ここで、DLC膜の形成は、公知のプラズマCVD法によって行うことができる。DLC膜は、ダイヤモンド並みの高い硬度を有し、またダイヤモンドにはない優れた平滑性と耐摩耗性を備えている。したがって、ボディ21にDLC膜が形成されることによって、ボディ21の磨耗を減じることができ、キャリア20の寿命を延ばすことができる。ただし、上記構成に限定されるものではなく、DLCに代えて硬度の高い硬質セラミックスを用いて形成してもよく、あるいは、コーティング層を設けない構成としてもよい。 The body 21 is formed using a metal material such as titanium or stainless steel alloy. Here, a coating layer (not shown) of a predetermined width and thickness is provided on the periphery of the work hole 22 (upper and lower surfaces of the body 21) using a material having wear resistance. As an example, the coating layer is formed to a thickness of about 2 μm and a width of about 8 mm to 15 mm (more preferably, 10 mm). A specific material for the coating layer is preferably DLC (diamond-like carbon). Here, the formation of the DLC film can be performed by a known plasma CVD method. The DLC film has a high hardness comparable to that of diamond, and also has excellent smoothness and wear resistance that diamond does not have. Therefore, by forming the DLC film on the body 21, wear of the body 21 can be reduced and the life of the carrier 20 can be extended. However, the above configuration is not limited to this, and the body may be formed using a hard ceramic with high hardness instead of DLC, or a configuration without a coating layer may be used.

また、キャリア20は、ボディ21に形成されたワークホール22の内周部に環状のインナー26が設けられている。具体的に、ワークホール22の内周部から径方向外方に向かって切欠かれた切欠き部30が設けられており、インナー26は、この切欠き部30に係止されることによってワークホール22の内周部に保持される構成となっている。一例として、インナー26は、樹脂材料(例えば、ナイロン、POM等)を用いて形成されており、ボディ21とほぼ同一厚さで、1mm~2mm程度の幅(径方向寸法)を有する形状に形成されている。インナー26を備えることによって、内部に保持されるウェハWの緩衝材として作用し、ウェハWの外周に傷がつくのを防止することができる。 The carrier 20 also has an annular inner 26 on the inner periphery of the work hole 22 formed in the body 21. Specifically, a notch 30 is provided that is cut out radially outward from the inner periphery of the work hole 22, and the inner 26 is held in the inner periphery of the work hole 22 by engaging with this notch 30. As an example, the inner 26 is formed using a resin material (e.g., nylon, POM, etc.) and is formed into a shape that has approximately the same thickness as the body 21 and a width (radial dimension) of about 1 mm to 2 mm. By providing the inner 26, it acts as a cushioning material for the wafer W held inside, and can prevent the outer periphery of the wafer W from being scratched.

なお、本実施形態においては、インナー26は、ボディ21(ここでは、ワークホール22内周部の切欠き部30)に対して、インサート成形によって係止される構成となっている。ただし、この構成に限定されるものではなく、接着(融着等を含む)によって係止される構成としてもよい。 In this embodiment, the inner 26 is configured to be engaged with the body 21 (here, the notch 30 on the inner circumference of the work hole 22) by insert molding. However, this is not limited to this configuration, and the inner 26 may be configured to be engaged with the body 21 by adhesion (including fusion, etc.).

ここで、図5(図3におけるV部拡大図)に示すように、本実施形態に係る切欠き部30は、平面視において、ワークホール22の内周部に設けられた2つの起点a、bにそれぞれ接続される2つの基線31A、31Bと、2つの基線31A、31Bの終端部c、dにそれぞれ接続されて径方向外方に向かって相互に周方向距離が拡大するように配置された2つの中間線32A、32Bと、当該2つの中間線32A、32Bの終端部e、fにそれぞれ接続されて相互に内円部33a、33bが対向するように配置された2つの第1円弧(一例として、半径0.1mm~0.8mm程度)33A、33Bと、当該2つの第1円弧33A、33Bの終端部g、h同士を結ぶ接続線34とを有する形状に形成されている。なお、上記構成には、基線および中間線(31Aおよび32A、ならびに/または、31Bおよび32B)が直線で且つ同一線上に配置されることで一つの直線のようになる形状が含まれる。 Here, as shown in FIG. 5 (enlarged view of part V in FIG. 3), the cutout portion 30 according to this embodiment is formed in a shape having, in a plan view, two base lines 31A, 31B connected to two starting points a, b provided on the inner periphery of the work hole 22, two intermediate lines 32A, 32B connected to the terminal ends c, d of the two base lines 31A, 31B, respectively, and arranged so that the circumferential distance between them increases radially outward, two first arcs (for example, radii of about 0.1 mm to 0.8 mm) 33A, 33B connected to the terminal ends e, f of the two intermediate lines 32A, 32B, respectively, and arranged so that the inner circular portions 33a, 33b face each other, and a connection line 34 connecting the terminal ends g, h of the two first arcs 33A, 33B. The above configuration includes a shape in which the baseline and intermediate lines (31A and 32A, and/or 31B and 32B) are straight and arranged on the same line, making them look like a single straight line.

これによれば、インナー26を取付けるキャリア20(ここでは、ボディ21)の欠損領域が小さく(すなわち、平面視において切欠き部30の面積が小さく)なる構成であって、インナー26を薄く(径方向寸法を小さく)且つリング状(環状)に近い形状(平面視において径方向の凹凸が少ない形状)に形成された構成を実現することができる。したがって、研磨布が欠損領域で沈み込んでウェハWのエッジ部がアール状に削られる不具合(いわゆる「ダレ」形状が生じる不具合)の発生を抑制することができ、研磨加工された状態におけるウェハWの平坦度を高めることができる。 This allows for a configuration in which the missing area of the carrier 20 (here, the body 21) to which the inner 26 is attached is small (i.e., the area of the cutout portion 30 is small in a plan view), and the inner 26 is thin (the radial dimension is small) and has a shape close to a ring (annular) (a shape with few radial irregularities in a plan view). This makes it possible to prevent the polishing cloth from sinking in the missing area and causing the edge of the wafer W to be ground into a rounded shape (a problem resulting in a so-called "drooping" shape), and increases the flatness of the wafer W in its polished state.

しかしながら、前述の通り、インナー26が係止されるボディ21(ここでは、切欠き部30)の欠損領域が小さく、薄いリング状の形状を有するインナー26の場合には、ウェハW研磨時におけるインナー26脱落のリスクが高まる要因となってしまう。このような課題に対しても、本実施形態に係る上記の構成によって解決を図ることができる。特に、相互に周方向距離が拡大するように配置された2つの中間線32A、32Bによって、インナー26のボディ21からの脱落防止効果を高めることができ、且つ、中間線32A、32Bの終端部e、fにそれぞれ接続される第1円弧33A、33Bによって、欠損領域(切欠き部30の平面視面積)をより一層小さくする効果を得つつ、インサート成形時に切欠き部30内における樹脂の未充填部の発生を抑制することができるため、未充填部に異物が入り込み、当該異物によって研磨時にウェハWに傷がつくことを防止できる。さらに副次的な効果として、インサート成形の際に、樹脂の射出圧力を高めなくてすむため、インナー26が意図せず厚くなってしまう不具合や、厚さにムラが出る不具合の発生を防止できる。 However, as described above, in the case of the inner 26 having a small missing area of the body 21 (here, the notch 30) to which the inner 26 is engaged and a thin ring-shaped inner 26, this increases the risk of the inner 26 falling off during polishing the wafer W. The above-described configuration of this embodiment can also solve this problem. In particular, the two intermediate lines 32A, 32B arranged so that the circumferential distance between them increases the effect of preventing the inner 26 from falling off the body 21, and the first arcs 33A, 33B connected to the end portions e, f of the intermediate lines 32A, 32B, respectively, can further reduce the missing area (planar view area of the notch 30), while suppressing the occurrence of an unfilled portion of resin in the notch 30 during insert molding, thereby preventing foreign matter from entering the unfilled portion and causing scratches on the wafer W during polishing. As a secondary effect, there is no need to increase the resin injection pressure during insert molding, which helps prevent problems such as the inner 26 becoming unintentionally thick or uneven in thickness.

ここで、本実施形態に係る2つの中間線32A、32Bは、平面視において、なす角θが30°~90°(一例として、50°)程度となる形状に形成されている。なす角θは、例えば、中間線32A、32Bが主たる直線を有する場合は直線同士の挟角として定義することができ、主たる直線を有さない場合(曲線や連続する短直線等で構成される場合)は終端部cおよび終端部eを結ぶ直線と終端部dおよび終端部fを結ぶ直線との挟角として定義することができる。 Here, the two intermediate lines 32A, 32B according to this embodiment are formed in a shape such that the angle θ formed is approximately 30° to 90° (for example, 50°) in a plan view. For example, if the intermediate lines 32A, 32B have a main straight line, the angle θ can be defined as the angle between the straight lines, and if they do not have a main straight line (if they are composed of a curve or a series of short straight lines, etc.), the angle θ can be defined as the angle between the straight line connecting the end portions c and e and the straight line connecting the end portions d and f.

これによれば、インナー26の脱落防止の観点で高い効果を得ることができる。特に、本実施形態においては、上記の通り、第1円弧33A、33Bを備えることによって、欠損領域(切欠き部30の平面視面積)を小さくすることができ、且つ、インサート成形時に切欠き部30内における樹脂の未充填部の発生を抑制することができるため、従来技術と比較して、θの角度をより大きく設定することができ、インナー26の脱落防止効果をより高めることができる。 This provides a high level of effectiveness in preventing the inner 26 from falling off. In particular, in this embodiment, as described above, the provision of the first circular arcs 33A and 33B makes it possible to reduce the loss area (area in plan view of the cutout portion 30) and to prevent the occurrence of unfilled areas of resin in the cutout portion 30 during insert molding. This allows the angle θ to be set larger than in the conventional technology, thereby further improving the effectiveness in preventing the inner 26 from falling off.

また、本実施形態に係る2つの基線31A、31Bは、平面視において、相互に外円部35a、35bが対向するように配置された2つの第2円弧(一例として、半径0.1mm~0.8mm程度)35A、35Bを有する形状に形成された構成となっている。なお、上記構成には、基線31A、31Bが角丸め加工によって形成される曲面(平面視における曲線)の形状や、半径が一定でない曲面の形状が含まれる。 The two base lines 31A, 31B according to this embodiment are configured to have two second arcs 35A, 35B (with a radius of about 0.1 mm to 0.8 mm, for example) arranged so that the outer circular portions 35a, 35b face each other in a plan view. The above configuration includes curved surfaces (curves in a plan view) formed by corner rounding of the base lines 31A, 31B, and curved surfaces with non-constant radii.

これによれば、インナー26をインサート成形によって形成する際に、起点a、bおよびその近傍の位置において、樹脂の回り込みを良好にすることができる。したがって、インサート成形時に樹脂の未充填部の発生を抑制することができるため、未充填部に異物が入り込み、当該異物によって研磨時にウェハWに傷がつくことを防止できる。さらに、当該第2円弧35A、35Bを設けなければ、起点a、bの形状が鋭角に尖った構成となってしまうため、ウェハW研磨時に研磨布等を傷つけてしまう可能性が高くなるが、その防止を図ることができる。 This allows the resin to flow well around the starting points a, b and their adjacent positions when the inner 26 is formed by insert molding. This prevents the occurrence of unfilled resin areas during insert molding, preventing foreign matter from entering the unfilled areas and scratching the wafer W during polishing. Furthermore, if the second arcs 35A, 35B are not provided, the shapes of the starting points a, b will be sharply pointed, increasing the possibility of damaging the polishing cloth, etc., during polishing of the wafer W, but this can be prevented.

次に、本実施形態に係る接続線34は、図5に示すように、平面視において、ワークホール22の中心からの半径r1が一定の円弧状に形成された構成となっている。これによれば、切欠き部30における径方向の幅寸法を一定化することができる。したがって、周方向位置によって研磨布の沈み込み状態にばらつきが発生することを回避でき、ウェハW研磨時にエッジ部にダレが発生することを防止できる。 Next, as shown in FIG. 5, the connection line 34 according to this embodiment is configured to be formed in a circular arc shape with a constant radius r1 from the center of the work hole 22 in a plan view. This allows the radial width dimension of the cutout portion 30 to be constant. This makes it possible to avoid variations in the sinking state of the polishing cloth depending on the circumferential position, and prevents sagging of the edge portion when polishing the wafer W.

一方、接続線34の他の例としては、図6(図5と同位置の対応図)に示すように、平面視において、2つの第1円弧33A、33Bと接続された2つの接続位置(具体的には、g、h)における半径r2、r3が相対的に小さく、2つの接続位置(g、h)の中間位置における半径r4が相対的に大きい円弧状に形成された構成としてもよい。これによれば、図5に示す構成と比較して、インナー26をインサート成形によって形成する際に、特に第1円弧33A、33Bの半径が小さい場合等、終端部g、hおよびその近傍の位置において、樹脂の回り込みをより一層良好にすることができる。 On the other hand, as another example of the connection line 34, as shown in FIG. 6 (a view corresponding to the same position as FIG. 5), in plan view, the connection line 34 may be configured to be formed in an arc shape in which the radii r2, r3 at the two connection positions (specifically, g, h) connected to the two first arcs 33A, 33B are relatively small, and the radius r4 at the intermediate position between the two connection positions (g, h) is relatively large. This allows the resin to flow more easily around the terminal ends g, h and their neighboring positions when the inner 26 is formed by insert molding, particularly when the radii of the first arcs 33A, 33B are small, compared to the configuration shown in FIG. 5.

以上、説明した通り、本発明によれば、キャリアのボディとインナーとの係合部に関して、欠損領域を小さくすることができるため、研磨布が欠損領域で沈み込んでウェハのエッジ部がアール状に削られる不具合(ダレ形状)の発生を抑制することができる。また、インサート成形時に樹脂の未充填部の発生を抑制することができるため、未充填部に異物が入り込み、当該異物によって研磨時にウェハに傷がつくことを防止することができる。さらに、高い係合力を生じさせることができるため、研磨時にボディからインナーが脱落してウェハを破損してしまうリスクを低減することができる。 As explained above, according to the present invention, the defective area can be reduced in the engagement portion between the carrier body and the inner liner, which prevents the polishing cloth from sinking in the defective area and causing the edge of the wafer to be cut into a rounded shape (drooping). In addition, the occurrence of unfilled areas of resin during insert molding can be prevented, which prevents foreign matter from entering the unfilled areas and scratching the wafer during polishing. Furthermore, a high engagement force can be generated, which reduces the risk of the inner liner falling off the body during polishing and damaging the wafer.

なお、本発明は、以上説明した実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、研磨を行う対象物としてウェハ(シリコンウェハ)を例に挙げて説明を行ったが、これに限定されるものではなく、他の平板状(特に円板状)のワークに対しても同様に適用することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the above description has been given using a wafer (silicon wafer) as an example of the object to be polished, but the present invention is not limited to this, and can be similarly applied to other flat (particularly disc-shaped) workpieces.

1 ウェハ研磨装置
12 下定盤
14 上定盤
20 ウェハ研磨用キャリア
21 ボディ
22 ワークホール
26 インナー
30 切欠き部
31A、31B 基線
32A、32B 中間線
33A、33B 第1円弧
34 接続線
35A、35B 第2円弧
W ウェハ
Reference Signs List 1 Wafer polishing device 12 Lower surface plate 14 Upper surface plate 20 Wafer polishing carrier 21 Body 22 Work hole 26 Inner 30 Notch portion 31A, 31B Base line 32A, 32B Intermediate line 33A, 33B First circular arc 34 Connection line 35A, 35B Second circular arc W Wafer

Claims (5)

円板状のボディにおいて開口形成されたワークホール内にウェハを保持し、定盤上で回転させて前記ウェハの研磨を行うためのウェハ研磨用キャリアであって、
前記ボディは、前記ワークホールの内周部から径方向外方に向かって切欠かれた切欠き部を有すると共に、前記切欠き部に係止されて前記内周部に保持される環状のインナーが設けられており、
前記切欠き部は、平面視において、前記内周部に設けられた2つの起点にそれぞれ接続された2つの基線と、前記2つの基線の終端部にそれぞれ接続されて径方向外方に向かって相互に周方向距離が拡大するように配置された2つの中間線と、前記2つの中間線の終端部にそれぞれ接続されて相互に内円部が対向するように配置された2つの第1円弧と、前記2つの第1円弧の終端部同士を結ぶ接続線と、を有する形状に形成されており、
前記接続線は、平面視において、前記ワークホールの中心からの半径が一定の円弧状に形成されていること
を特徴とするウェハ研磨用キャリア。
A wafer polishing carrier for holding a wafer in a work hole formed in a disk-shaped body and rotating the wafer on a surface plate to polish the wafer, comprising:
the body has a notch portion that is notched radially outward from an inner periphery of the work hole, and an annular inner is provided that is engaged with the notch portion and held by the inner periphery,
the cutout portion is formed in a shape having, in a plan view, two base lines respectively connected to two starting points provided on the inner peripheral portion, two intermediate lines respectively connected to end portions of the two base lines and arranged such that the circumferential distance between them increases radially outward, two first circular arcs respectively connected to end portions of the two intermediate lines and arranged such that inner circular portions face each other, and a connecting line connecting the end portions of the two first circular arcs ,
The connection line is formed in a circular arc shape having a constant radius from the center of the work hole in a plan view.
A carrier for wafer polishing comprising:
前記2つの基線は、平面視において、相互に外円部が対向するように配置された2つの第2円弧を有する形状に形成されていること
を特徴とする請求項1記載のウェハ研磨用キャリア。
2. The wafer polishing carrier according to claim 1, wherein the two base lines are formed in a shape having two second arcs arranged so that their outer circular portions face each other when viewed in a plane.
前記接続線は、平面視において、前記2つの第1円弧と接続された2つの接続位置における半径が相対的に小さく、前記2つの接続位置の中間位置における半径が相対的に大きい円弧状に形成されていること
を特徴とする請求項1または請求項2記載のウェハ研磨用キャリア。
A wafer polishing carrier as described in claim 1 or claim 2, characterized in that, when viewed in a plane, the connection line is formed into an arc shape in which the radius at the two connection positions connected to the two first arcs is relatively small, and the radius at the intermediate position between the two connection positions is relatively large.
前記2つの中間線は、平面視において、なす角θが30°~90°となる形状に形成されていること
を特徴とする請求項1~のいずれか一項に記載のウェハ研磨用キャリア。
4. The carrier for polishing wafers according to claim 1 , wherein the two intermediate lines are formed so that the angle θ between the two intermediate lines is 30° to 90° in a plan view.
請求項1~のいずれか一項に記載のウェハ研磨用キャリアと、
上面に研磨面が設けられた下定盤と、
前記下定盤の上方に上下動可能に支持され、下面に研磨面が設けられた上定盤と、
前記下定盤および前記上定盤を回転駆動する駆動装置と、
前記ウェハ研磨用キャリアを回転駆動するキャリア駆動装置と、
スラリーの供給を行うスラリー供給装置と、を備え、
前記ワークホールに前記ウェハが保持された前記ウェハ研磨用キャリアを前記下定盤と前記上定盤とで挟持した状態で、前記スラリーを前記下定盤上に供給しつつ、前記下定盤、前記上定盤、および前記ウェハ研磨用キャリアをそれぞれ設定された方向に回転させて前記ウェハの両面の研磨を行うこと
を特徴とするウェハ研磨装置。
A carrier for polishing a wafer according to any one of claims 1 to 4 ,
A lower surface plate having a polishing surface on an upper surface thereof;
an upper surface plate supported above the lower surface plate so as to be movable up and down and having a polishing surface on its lower surface;
A drive device that rotates the lower platen and the upper platen;
a carrier driving device that rotates the wafer polishing carrier;
A slurry supplying device that supplies a slurry,
A wafer polishing apparatus characterized in that the wafer polishing carrier with the wafer held in the work hole is clamped between the lower platen and the upper platen, and the slurry is supplied onto the lower platen while the lower platen, the upper platen, and the wafer polishing carrier are rotated in respective set directions to polish both sides of the wafer.
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