JP7572638B2 - Anisotropic Conductive Film - Google Patents
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Description
本発明は、異方性導電フィルムに関する。 The present invention relates to an anisotropic conductive film.
絶縁性樹脂バインダに導電粒子を分散させた異方性導電フィルムが、ICチップ等の電子部品を配線基板等に実装する際に広く使用されているが、このような異方性導電フィルムにおいては、導電粒子同士が連結もしくは凝集した状態で存在していることが知られている。このため、異方性導電フィルムを、電子機器の軽量小型化に伴い狭ピッチ化しているICチップの端子と配線基板の端子との接続に適用した場合、異方性導電フィルム中に連結もしくは凝集した状態で存在している導電粒子により、隣接する端子間で短絡が生ずる場合があった。 Anisotropic conductive films in which conductive particles are dispersed in an insulating resin binder are widely used when mounting electronic components such as IC chips on wiring boards, etc., but it is known that in such anisotropic conductive films, the conductive particles exist in a linked or aggregated state. For this reason, when anisotropic conductive films are used to connect terminals of IC chips and terminals of wiring boards, which are becoming narrower in pitch as electronic devices become lighter and smaller, there are cases where short circuits occur between adjacent terminals due to the conductive particles existing in a linked or aggregated state in the anisotropic conductive film.
従来、このような狭ピッチ化に対応した異方性導電フィルムとして、フィルム中に導電粒子を規則配列させたものが提案されている。例えば、延伸可能なフィルムに粘着層を形成し、その粘着層表面に導電粒子を単層で密集充填した後、このフィルムを導電粒子間距離が所期の距離になるまで2軸延伸処理して導電粒子を規則配列させ、その後、導電粒子に対し異方性導電フィルムの構成要素となる絶縁性接着ベース層を押し当て、導電粒子を絶縁性接着ベース層に転写させて得た異方性導電フィルムが提案されている(特許文献1)。また、凹部を表面に有する転写型の凹部形成面に導電粒子を散布し、凹部形成面をスキージして凹部に導電粒子を保持させ、その上から転写用の粘着層が形成された粘着フィルムを押し当て、粘着層に導電粒子を一次転写させ、次に、粘着層に付着した導電粒子に対し、異方性導電フィルムの構成要素となる絶縁性接着ベース層を押し当て、導電粒子を絶縁性接着ベース層に転写させて得た異方性導電フィルムも提案されている(特許文献2)。これらの異方性導電フィルムについては、一般に、導電粒子側表面に、導電粒子を覆うように絶縁性接着カバー層が積層されている。 Conventionally, anisotropic conductive films that correspond to such narrow pitches have been proposed in which conductive particles are regularly arranged in a film. For example, an anisotropic conductive film has been proposed in which an adhesive layer is formed on a stretchable film, conductive particles are densely packed in a single layer on the surface of the adhesive layer, and the film is biaxially stretched until the distance between the conductive particles becomes a desired distance to arrange the conductive particles regularly, and then an insulating adhesive base layer that is a component of the anisotropic conductive film is pressed against the conductive particles, and the conductive particles are transferred to the insulating adhesive base layer (Patent Document 1). In addition, an anisotropic conductive film has been proposed in which conductive particles are scattered on a recess-forming surface of a transfer mold having a recess on its surface, the recess-forming surface is squeegeeed to hold the conductive particles in the recess, an adhesive film on which an adhesive layer for transfer is formed is pressed from above, and the conductive particles are primarily transferred to the adhesive layer, and then an insulating adhesive base layer that is a component of the anisotropic conductive film is pressed against the conductive particles attached to the adhesive layer, and the conductive particles are transferred to the insulating adhesive base layer (Patent Document 2). These anisotropic conductive films generally have an insulating adhesive cover layer laminated on the surface of the conductive particles to cover the conductive particles.
しかしながら、導電粒子は静電気等により凝集して二次粒子化し易いため、導電粒子を一次粒子として常時単独で存在させることは困難である。このため、特許文献1や特許文献2の技術には以下のような問題が生ずる。即ち、特許文献1の場合には、延伸可能フィルムの全面に導電粒子を欠陥なく単層で密集充填することが難しく、導電粒子が凝集状態で延伸可能フィルムに充填され、ショートの原因となったり、充填されない領域(いわゆる「抜け」)が生じ、導通不良の原因になったりするという問題があった。また、特許文献2の場合、転写型の凹部が粒子径の大きな導電粒子で覆われると、その後のスキージにより取り除かれて、導電粒子を保持していない凹部が生じ、異方性導電フィルムに導電粒子の「抜け」が生じて導通不良の原因になったり、反対に凹部に多数の小さな導電粒子が押し込まれると、絶縁性接着ベース層に転写させた際、導電粒子の凝集が生じたり、また、凹部の底部側に位置している導電粒子が、絶縁性接着ベース層と接触していないため、絶縁性接着ベース層の表面に散らばり、規則配列が損なわれ、ショートや導通不良の原因になったりするという問題があった。 However, because conductive particles tend to aggregate and turn into secondary particles due to static electricity, etc., it is difficult to keep conductive particles present alone as primary particles all the time. For this reason, the techniques of Patent Document 1 and Patent Document 2 have the following problems. That is, in the case of Patent Document 1, it is difficult to densely pack conductive particles in a single layer without defects over the entire surface of the stretchable film, and the conductive particles are packed into the stretchable film in an aggregated state, which can cause short circuits or create unfilled areas (so-called "holes") that can cause poor conductivity. In the case of Patent Document 2, when the recesses of the transfer mold are covered with conductive particles with a large particle diameter, they are subsequently removed by a squeegee, resulting in recesses that do not hold the conductive particles, causing conductive particles to be "lost" in the anisotropic conductive film and resulting in poor conductivity. Conversely, if many small conductive particles are pushed into the recesses, the conductive particles will aggregate when transferred to the insulating adhesive base layer, and since the conductive particles located on the bottom side of the recesses are not in contact with the insulating adhesive base layer, they will be scattered on the surface of the insulating adhesive base layer, damaging the regular arrangement and causing short circuits and poor conductivity.
このように、特許文献1や2では、異方性導電フィルムに規則的パターンで配列されるべき導電粒子の「抜け」と「凝集」とをどのように制御すべきか、ということについては、十分に考慮されていないというのが実情である。 As such, the reality is that Patent Documents 1 and 2 do not fully consider how to control the "disappearance" and "aggregation" of conductive particles that should be arranged in a regular pattern on an anisotropic conductive film.
本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、規則的パターンで配列されるべき導電粒子の「抜け」と「凝集」の観点から、ショートや導通不良の発生が大きく抑制された異方性導電フィルムを提供することである。 The object of the present invention is to solve the problems of the conventional technology described above, and to provide an anisotropic conductive film in which the occurrence of short circuits and poor electrical continuity is greatly suppressed from the viewpoint of "missing" and "aggregation" of conductive particles that should be arranged in a regular pattern.
本発明者らは、平面格子の格子点に導電粒子を配置する際に、異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する、「導電粒子が配置されていない格子点の割合」と「導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合」とを制御することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。また、そのような異方性導電フィルムが、転写体の凹部に導電粒子を配置するのではなく、表面に柱状の凸部が形成された転写体の当該凸部の先端に導電粒子を付着させて転写を行うことにより製造できることを見出し、本発明の製造方法を完成させた。 The inventors discovered that when arranging conductive particles at the lattice points of a planar lattice, the above-mentioned object can be achieved by controlling the "proportion of lattice points where conductive particles are not arranged" and the "proportion of lattice points where conductive particles are arranged in agglomeration" with respect to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in any reference region of an anisotropic conductive film, and thus completed the present invention. In addition, the inventors discovered that such an anisotropic conductive film can be manufactured by adhering conductive particles to the tips of columnar convex portions formed on the surface of a transfer body and transferring the conductive particles, rather than arranging conductive particles in the concave portions of the transfer body, and thus completed the manufacturing method of the present invention.
即ち、本発明は、絶縁性接着ベース層に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムの基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、20%未満であり、
該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合が、15%以下であり、抜けと凝集の合計が20%未満である異方性導電フィルムを提供する。
That is, the present invention provides an anisotropic conductive film having a structure in which conductive particles are arranged at lattice points of a planar lattice pattern on an insulating adhesive base layer,
the ratio of lattice points at which conductive particles are not arranged to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in a reference region of the anisotropic conductive film is less than 20%;
The present invention provides an anisotropic conductive film in which the ratio of lattice points where a plurality of conductive particles are arranged in an aggregated manner to the total lattice points of the planar lattice pattern is 15% or less, and the total of the voids and aggregates is less than 20%.
また、本発明は、異方性導電フィルムの基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、5%未満であり、
該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合が、10%超15%未満である異方性導電フィルムを提供する。この場合も、抜けと凝集の合計は好ましくは20%未満である。
In addition, the present invention provides a method for manufacturing an anisotropic conductive film, the ratio of lattice points at which conductive particles are not arranged to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in a reference region of the anisotropic conductive film being less than 5%;
The present invention provides an anisotropic conductive film in which the ratio of lattice points where a plurality of conductive particles are arranged in an aggregated manner to the total lattice points of the planar lattice pattern is more than 10% and less than 15%. In this case, too, the sum of the voids and the aggregates is preferably less than 20%.
また、本発明は、絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造を有する上述の異方性導電フィルムの製造方法であって、以下の工程(イ)~(ホ):
<工程(イ)>
平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凸部が表面に形成された転写体を用意する工程;
<工程(ロ)>
該転写体の凸部の少なくとも天面を微粘着層とする工程;
<工程(ハ)>
該転写体の凸部の微粘着層に導電粒子を付着させる工程;
<工程(ニ)>
該転写体の導電粒子が付着した側の表面に絶縁性接着ベース層を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着させる工程;及び
<工程(ホ)>
導電粒子が転着した絶縁性接着ベース層に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層を積層する工程
を有する製造方法を提供する。
The present invention also provides a method for producing the above-mentioned anisotropic conductive film having a structure in which an insulating adhesive base layer and an insulating adhesive cover layer are laminated and conductive particles are arranged at lattice points of a planar lattice pattern in the vicinity of the interface between them, the method comprising the steps of (a) to (e):
<Step (A)>
A step of preparing a transfer body having a surface on which columnar protrusions corresponding to the lattice points of the planar lattice pattern are formed;
<Step (b)>
a step of forming a weak adhesive layer on at least the top surface of the convex portion of the transfer body;
<Step (C)>
A step of attaching conductive particles to the slightly adhesive layer of the convex portion of the transfer body;
<Step (D)>
a step of placing an insulating adhesive base layer on the surface of the transfer body on which the conductive particles are attached and pressing the insulating adhesive base layer against the surface, thereby transferring the conductive particles to the insulating adhesive base layer; and <step (e)>
The present invention provides a manufacturing method including a step of laminating an insulating adhesive cover layer onto the insulating adhesive base layer onto which the conductive particles have been transferred, from the conductive particle-transferred surface side.
更に、本発明は、第1の電子部品の端子と、第2の電子部品の端子とが、本発明の異方性導電フィルムにより異方性導電接続された接続構造体を提供する。 The present invention further provides a connection structure in which a terminal of a first electronic component and a terminal of a second electronic component are anisotropically conductively connected by the anisotropic conductive film of the present invention.
本発明の異方性導電フィルムにおいては、基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」の割合が20%未満に設定され、該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合が15%以下に設定され、しかも抜けと凝集の合計が20%未満に設定されている。このため、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合、良好な初期導通性(初期導通抵抗値)とエージング後の良好な導通信頼性とを実現でき、ショートの発生も抑制できる。また、COGのみならず、バンプ面積や距離が十分に大きい電子部品、例えばFOG等に対して、経済性に優れる。 In the anisotropic conductive film of the present invention, the ratio of "lattice points where no conductive particles are arranged" to all lattice points of the planar lattice pattern assumed in the reference region is set to less than 20%, the ratio of lattice points where multiple conductive particles are arranged in agglomeration to all lattice points of the planar lattice pattern is set to 15% or less, and the sum of missing and agglomerated particles is set to less than 20%. Therefore, when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, good initial conductivity (initial conductive resistance value) and good conductive reliability after aging can be achieved, and the occurrence of short circuits can be suppressed. In addition, it is economical not only for COG, but also for electronic components with sufficiently large bump areas and distances, such as FOG.
本発明の好ましい異方性導電フィルムにおいては、任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」の割合が5%未満に設定され、しかも「複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点」の割合が10%超15%未満に設定されている。このため、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合、良好な初期導通抵抗値とエージング後の良好な導通信頼性とを実現でき、ショートの発生も抑制できる。 In a preferred anisotropic conductive film of the present invention, the ratio of "lattice points where no conductive particles are arranged" to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in any reference region is set to less than 5%, and the ratio of "lattice points where multiple conductive particles are arranged in agglomeration" is set to more than 10% and less than 15%. Therefore, when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, it is possible to achieve a good initial conductive resistance value and good conductive reliability after aging, and also to suppress the occurrence of short circuits.
また、本発明の異方性導電フィルムの製造方法においては、平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凸部が表面に形成された転写体を使用し、その凸部の天面に形成した微粘着層に導電粒子を付着させた後に、その導電粒子を絶縁性接着ベース層に転写する。このため、異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」の割合を5%未満とし且つ平面格子パターンの全格子点に対する「複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点」の割合を10%超15%未満にすることができる。よって、本発明の製造方法では、経済的に有利に異方性導電フィルムを製造することができ、この異方性導電フィルムを用いれば、狭ピッチ化したICチップと配線基板とを、ショートや導通不良の発生を大きく抑制しつつ、異方性導電接続が可能となる。 In addition, in the manufacturing method of the anisotropic conductive film of the present invention, a transfer body having a surface formed with columnar convex portions corresponding to the lattice points of the planar lattice pattern is used, and conductive particles are attached to a micro-adhesive layer formed on the top surface of the convex portions, and then the conductive particles are transferred to an insulating adhesive base layer. Therefore, the ratio of "lattice points where no conductive particles are arranged" to all lattice points of the planar lattice pattern assumed in any reference region of the anisotropic conductive film can be made less than 5%, and the ratio of "lattice points where multiple conductive particles are arranged in agglomeration" to all lattice points of the planar lattice pattern can be made more than 10% and less than 15%. Therefore, the manufacturing method of the present invention can manufacture an anisotropic conductive film economically, and by using this anisotropic conductive film, an anisotropic conductive connection can be made between a narrow-pitched IC chip and a wiring board while greatly suppressing the occurrence of short circuits and poor conduction.
本発明の異方性導電フィルムは、絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造を有する。この異方性導電フィルムの基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合は、20%未満であり、該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合は、15%以下であり、抜けと凝集の合計が20%未満である。以下、本発明の異方性導電フィルムを図面を参照しながら詳細に説明する。 The anisotropic conductive film of the present invention has a structure in which an insulating adhesive base layer and an insulating adhesive cover layer are laminated, and conductive particles are arranged at the lattice points of a planar lattice pattern near the interface between them. The ratio of lattice points at which no conductive particles are arranged to all lattice points of the planar lattice pattern assumed in the reference region of this anisotropic conductive film is less than 20%, and the ratio of lattice points at which multiple conductive particles are arranged in an aggregated manner to all lattice points of the planar lattice pattern is 15% or less, and the sum of missing and aggregated particles is less than 20%. The anisotropic conductive film of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
<異方性導電フィルム>
図1(断面図)と図2A、図2B(平面透視図)に示すように、本発明の異方性導電フィルム10は、絶縁性接着ベース層11と絶縁性接着カバー層12とが積層され、それらの界面近傍に導電粒子13が平面格子パターン(図2A、図2Bの点線)の格子点に配置された構造を有する。図1及び図2A、図2Bでは、平面格子パターンは、異方性導電フィルム10の長手方向とそれに直交する方向(短手方向)に沿って想定されているが、長手方向と短手方向とに対し全体が傾斜して想定されてもよい。ここで、矢印Aは、平面格子の格子点に導電粒子が配置されていない位置、いわゆる導電粒子が「抜け」ている位置を示している。なお、矢印Bは、導電粒子同士が接触して凝集(連結)している位置を示しており、矢印Cは、導電粒子同士が非接触で凝集している位置を示している。ここで、「非接触で凝集」するとは、導電粒子同士が導電粒子の平均粒子径の25%を超えない範囲で近接していることを意味する。
<Anisotropic Conductive Film>
As shown in FIG. 1 (cross-sectional view) and FIG. 2A and FIG. 2B (planar perspective view), the anisotropic
(導電粒子の「抜け」)
本発明の異方性導電フィルムにおいては、異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」(図2AのA)の割合(導電粒子が抜けている格子の割合)を5%未満、好ましくは4%以下、より好ましくは1%以上4%以下に設定する。これにより、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合に、良好な初期導通抵抗とエージング後の良好な導通信頼性とを実現でき、ショートの発生も抑制できる。
(Loss of conductive particles)
In the anisotropic conductive film of the present invention, the ratio of "lattice points where no conductive particles are arranged" (A in FIG. 2A) (the ratio of lattices where conductive particles are missing) to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in any reference region of the anisotropic conductive film is set to less than 5%, preferably 4% or less, and more preferably 1% or more and 4% or less. As a result, when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, good initial conductive resistance and good conductive reliability after aging can be achieved, and the occurrence of short circuits can also be suppressed.
(平面格子パターン)
平面格子パターンとしては、斜方格子、六方格子、正方格子、矩形格子、平行体格子が挙げられる。中でも、最密充填可能な六方格子が好ましい。
(Plane grid pattern)
Examples of planar lattice patterns include an oblique lattice, a hexagonal lattice, a square lattice, a rectangular lattice, and a parallelepiped lattice. Among these, a hexagonal lattice that allows closest packing is preferred.
ここで、異方性導電フィルムの基準領域として、異方性導電フィルム全面を選択することも可能であるが、通常、異方性導電フィルムの平面中央部の以下の関係式(A)、好ましくは関係式(1)と、関係式(2)及び(3)とを満たす辺X及び辺Yからなる略方形の領域を基準領域として選択することが好ましい。 Here, it is possible to select the entire surface of the anisotropic conductive film as the reference region of the anisotropic conductive film, but it is usually preferable to select as the reference region a substantially rectangular region consisting of sides X and Y in the planar central portion of the anisotropic conductive film that satisfies the following relational formula (A), preferably relational formula (1) and relational formulas (2) and (3).
なお、接続面積を比較的大きく取れるc接続に適用する場合には、フィルム中の導電粒子の存在量を少なくすることが可能であり、そのような場合には、以下に示すように、XとYとの値をそれぞれ大きくすること、好ましくは20D以上とすることが好ましく、「X+Y」の数値も100Dから400D近傍の数値、最終的には400Dとすることが好ましい。 When applied to c-connection, which allows for a relatively large connection area, it is possible to reduce the amount of conductive particles in the film. In such cases, as shown below, it is preferable to increase the values of X and Y, preferably to 20D or more, and the value of "X+Y" is also preferably between 100D and about 400D, ultimately to 400D.
式(A)及び(1)~(3)、上記式において、Dは、導電粒子の平均粒子径である。導電粒子の平均粒子径は、画像型の粒度分布計により測定することができる。面観察から計測してもよい。また、辺Yは異方性導電フィルムの長手方向(図2A参照)に対し±45°未満の範囲の直線であり、辺Xは辺Yに垂直な直線である。 In the formulas (A) and (1) to (3), D is the average particle diameter of the conductive particles. The average particle diameter of the conductive particles can be measured using an image-type particle size distribution analyzer. It may also be measured by surface observation. Side Y is a straight line within a range of less than ±45° with respect to the longitudinal direction of the anisotropic conductive film (see FIG. 2A), and side X is a straight line perpendicular to side Y.
このように基準領域を規定することにより、基準領域を導電粒子が押圧されるバンプの形状に相似ないしは近似させることができ、結果的に、導電粒子の平面格子パターンからのズレの許容範囲を大きくすることができ、異方性導電接続を経済的に且つ安定して行えるようになる。換言すれば、この基準領域の最小の辺を導電粒子径の5倍以上とすることにより、この範囲内で想定される範囲内で導電粒子の位置ズレや抜け、近接があっても、いずれかのバンプで捕捉され、且つバンプ間スペースで過度に凝集することがないため、異方性導電接続を確実に行うことができる。 By defining the reference area in this way, it is possible to make the reference area similar or approximate to the shape of the bump against which the conductive particles are pressed, and as a result, the allowable range of deviation of the conductive particles from the planar lattice pattern can be increased, making it possible to economically and stably perform anisotropic conductive connection. In other words, by making the smallest side of this reference area at least five times the conductive particle diameter, even if the conductive particles are misaligned, missing, or close to each other within this range, they will be captured by one of the bumps and will not excessively aggregate in the space between the bumps, so that anisotropic conductive connection can be reliably performed.
なお、最小の辺を導電粒子径の5倍以上とする理由は、一般的に、異方性導電接続されるバンプの少なくとも1辺において捕捉を確実にするため導電粒子の平均粒子径よりも大きくする必要があり、しかもバンプ間スペースについてもショート防止の理由から、導電粒子の平均粒子径の望ましくは2倍以上の大きさを設ける必要があるからである。換言すれば、一つの基準となる円形の導電粒子に着目したときに、この導電粒子の平均粒子径Dにその径の4倍の長さ(4D)を足した長さ(即ち5D)を直径とする同心円内で想定外の不良が生じなければ、上記の要件を満たすことができると考えられるからである。また、ファインピッチとする場合のバンプ間の最小距離が、一例として、導電粒子径の4倍未満となるからでもある。 The reason why the minimum side is set to 5 times or more the conductive particle diameter is that, in general, at least one side of the bump connected by anisotropic conductive connection needs to be larger than the average particle diameter of the conductive particles to ensure capture, and the space between the bumps also needs to be preferably at least twice the average particle diameter of the conductive particles to prevent short circuits. In other words, when focusing on a circular conductive particle as a standard, if no unexpected defects occur within a concentric circle whose diameter is the average particle diameter D of the conductive particles plus four times the length (4D) of that diameter (i.e., 5D), the above requirement can be met. Also, the minimum distance between bumps in the case of fine pitch is, for example, less than four times the conductive particle diameter.
(導電粒子の凝集)
また、本発明の異方性導電フィルムにおいては、平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点(図2Aの矢印B及び矢印C)の割合は、15%以下が好ましく、10%超15%未満であってもよく、11%以上14%以下であれば実用上問題はない。凝集配置格子点の割合がこの範囲であると、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。ここで、導電粒子同士が凝集している状態とは、図2Aの矢印Bのように直接連結している場合だけでなく、図2Aの矢印Cのように、導電粒子同士が直接連結してはいないが互いに非常に近接している場合も含まれる。その近接の間隔は導電粒子の平均粒子径の25%以内が好ましい。また、一つの格子点に対する導電粒子の凝集の程度は、2個を超える導電粒子が鎖状に連結している場合もあり得るが、ショート抑制の観点から凝集が小さい方が好ましく、2個を超える導電粒子が凝集しないことが好ましい。
(Agglomeration of Conductive Particles)
In the anisotropic conductive film of the present invention, the ratio of the lattice points (arrows B and C in FIG. 2A) where a plurality of conductive particles are arranged in an aggregated manner to all the lattice points of the planar lattice pattern is preferably 15% or less, and may be more than 10% but less than 15%, and there is no practical problem if it is 11% or more and 14% or less. If the ratio of the aggregated arrangement lattice points is within this range, even when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, better initial conductivity and conductive reliability after aging can be realized, and the occurrence of short circuits can be further suppressed. Here, the state in which conductive particles are aggregated together includes not only the case where they are directly connected as shown by arrow B in FIG. 2A, but also the case where conductive particles are not directly connected to each other but are very close to each other as shown by arrow C in FIG. 2A. The distance between the conductive particles is preferably within 25% of the average particle diameter of the conductive particles. In addition, the degree of aggregation of conductive particles at one lattice point may be such that more than two conductive particles are connected in a chain shape, but from the viewpoint of suppressing short circuits, it is preferable that the aggregation is small, and it is preferable that more than two conductive particles do not aggregate.
本発明において、凝集配置されている導電粒子の凝集の方向(通常、凝集した2個の各導電粒子の重心を結んだライン方向)は、厚み方向でズレており、図1の矢印Bや矢印Cのように、異方性導電フィルムの平面方向に傾斜した方向となる。傾斜の程度は、接続時に押し込みを阻害させないために、好ましくは5~45°、より好ましくは10~40°である。なお、このような傾斜が生ずる理由は、接続時にバンプの端部に存在していた場合に一方だけでも捕捉されるようにできるからである(傾斜せずに重複すると、押し込みに影響するからである)。尚、凝集は水平であっても特に問題はない。 In the present invention, the direction of aggregation of the conductive particles arranged in an aggregated state (usually the direction of a line connecting the centers of gravity of each of the two aggregated conductive particles) is shifted in the thickness direction, and is inclined toward the plane direction of the anisotropic conductive film, as shown by arrows B and C in Figure 1. The degree of inclination is preferably 5 to 45 degrees, more preferably 10 to 40 degrees, so as not to hinder the pushing when connecting. The reason for this inclination is that if the conductive particles are present at the end of the bump when connecting, they can be captured on at least one side (if they overlap without being inclined, it will affect the pushing). There is no particular problem if the aggregation is horizontal.
(導電粒子の配置)
導電粒子は、フィルムの長手方向と垂直な方向に、11個以上連続で配置されていることが好ましく、13個以上連続で配置されていることがより好ましい。これは、バンプの長手方向に対して導電粒子の欠落が生じると、異方性導電接続に支障をきたすおそれが生じるためである。この場合、フィルムの長手方向に沿って連続した3列全てで上の条件を満たすことが好ましく、5列全てで上の条件を満たすことがより好ましい。これにより、バンプに捕捉される導電粒子数を一定以上にすることができ、安定な異方性導電接続を行うことができる。
(Arrangement of Conductive Particles)
The conductive particles are preferably arranged in a continuous array of 11 or more particles in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the film, and more preferably arranged in a continuous array of 13 or more particles. This is because if conductive particles are missing in the longitudinal direction of the bump, this may cause problems with the anisotropic conductive connection. In this case, it is preferable that the above condition be satisfied in all three consecutive rows along the longitudinal direction of the film, and more preferably that the above condition be satisfied in all five rows. This allows the number of conductive particles captured by the bump to be greater than or equal to a certain level, and a stable anisotropic conductive connection can be achieved.
導電粒子が凝集している場合、2個凝集した導電粒子の周囲には、2個連結した導電粒子の組が3つ以下であることが好ましく、より好ましくは2つ以下、更により好ましくは1つ以下である。2個凝集した導電粒子が密集して存在すると、ショート発生の要因になるからである。2個凝集している導電粒子は、上記の条件を満たした上で、配列の一つの方向において、連続して3つ以内であることが好ましい。 When the conductive particles are agglomerated, it is preferable that there are no more than three pairs of connected conductive particles around each pair of agglomerated conductive particles, more preferably no more than two, and even more preferably no more than one. This is because if two agglomerated conductive particles are present in a dense arrangement, this can cause a short circuit. It is preferable that there are no more than three agglomerated conductive particles in a row in one direction of the arrangement, while still satisfying the above conditions.
また、導電粒子の欠落は、フィルムの長手方向に4個以上連続するものと、フィルムの長手方向と垂直な方向に4個以上連続するものが交わっていないことが好ましく、4個以上連続する何れかの欠落が、一つ以上の格子点になる導電粒子を介して隣接していないことがより好ましく、4個以上連続する何れかの欠落が、二つ以上の格子点になる導電粒子を介して隣接していないことが更により好ましい。このような欠落の交わりは、一つの方向の欠落に対して3列まで同時に交わっても問題はない。欠落がこれ以上に連続していなければ、その近傍の導電粒子によってバンプに捕捉されるからである。 It is also preferable that four or more consecutive conductive particle voids in the longitudinal direction of the film do not intersect with four or more consecutive conductive particle voids in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the film, and it is more preferable that any of the four or more consecutive voids are not adjacent to one another via conductive particles that form one or more lattice points, and it is even more preferable that any of the four or more consecutive voids are not adjacent to one another via conductive particles that form two or more lattice points. There is no problem if up to three rows of such voids intersect simultaneously with voids in one direction. If the voids are not continuous beyond this, they will be captured by the bump by the conductive particles nearby.
なお、このように連続する欠落が交わった領域が近傍に複数あることは、一般に好ましくないが、欠落した領域と同数以上の導電粒子の配列を介していれば異方性導電接続の安定性には問題はない。 It is generally not desirable to have multiple areas where consecutive gaps intersect in the vicinity, but as long as there is an arrangement of conductive particles equal to or greater than the number of gaps, there will be no problem with the stability of the anisotropic conductive connection.
また、図2Bに示すように、凝集している導電粒子13を配置している格子点P1と凝集している導電粒子13を内接する円の中心P2との間の距離Lが、導電粒子の平均粒子径に対し25%以下であることが、ショート抑制の点から好ましい。
Furthermore, as shown in FIG. 2B, it is preferable that the distance L between the lattice point P1 at which the aggregated
(粒子面積占有率)
更に、異方性導電フィルムの任意の基準領域の面積に対する、その面積中に存在する全導電粒子の粒子面積占有率は、FOG接続のように、バンプサイズやバンプ間距離が比較的大きいものに対しては、通常0.15%以上、好ましくは0.35%以上、より好ましくは1.4%以上が有効である。この場合の上限は35%以下が好ましく、32%以下がより好ましい。また、バンプサイズやバンプ間距離が比較的小さくなる場合(例えばCOG接続)には、更に好ましくは15~35%、特に好ましくは20~25%である。この範囲であれば、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。ここで、粒子面積占有率は、任意の基準領域の面積Sに対する、その基準領域内に存在する全導電粒子が占有する面積の割合である。全導電粒子が占有する面積とは、導電粒子の平均粒子径をRとし、導電粒子の数をnとした時に(R/2)2×π×nで表される。従って、粒子面積占有率(%)=[{(R/2)2×π×n}/S]×100で表される。
(Particle Area Occupancy Rate)
Furthermore, the particle area occupancy rate of all conductive particles present in an arbitrary reference region of the anisotropic conductive film is usually 0.15% or more, preferably 0.35% or more, and more preferably 1.4% or more, when the bump size and the distance between the bumps are relatively large, such as in FOG connection. In this case, the upper limit is preferably 35% or less, more preferably 32% or less. In addition, when the bump size and the distance between the bumps are relatively small (for example, COG connection), it is more preferably 15 to 35%, particularly preferably 20 to 25%. Within this range, even when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, better initial conductivity and conductivity reliability after aging can be achieved, and the occurrence of short circuits can be further suppressed. Here, the particle area occupancy rate is the ratio of the area occupied by all conductive particles present in an arbitrary reference region to the area S of the reference region. The area occupied by all conductive particles is expressed as (R/2) 2 ×π×n, where R is the average particle diameter of the conductive particles and n is the number of conductive particles. Therefore, the particle area occupancy rate (%) is expressed as [{(R/2) 2 ×π×n}/S]×100.
ちなみに、導電粒子の平均粒子径が2μm、個数密度500個/mm2(0.0005個/μm2)、X=Y=200D、X+Y=400Dとした場合の計算上の粒子面積占有率は、0.157%となる。導電粒子の平均粒子径が3μm、個数密度500個/mm2(0.0005個/μm2)、X=Y=200D、X+Y=400Dとした場合の計算上の粒子面積占有率は、0.35325%となる。導電粒子の平均粒子径が3μm、個数密度2000個/mm2(0.002個/μm2)、X=Y=200D、X+Y=400Dとした場合の計算上の粒子面積占有率は、1.413%となる。また、導電粒子の平均粒子径が30μm、個数密度500個/mm2(0.0005個/μm2)、X=Y=200D、X+Y=400Dとした場合の計算上の粒子面積占有率は、35.325%となる。 Incidentally, when the average particle diameter of the conductive particles is 2 μm, the number density is 500/ mm2 (0.0005/ μm2 ), X=Y=200D, and X+Y=400D, the calculated particle area occupancy is 0.157%. When the average particle diameter of the conductive particles is 3 μm, the number density is 500/ mm2 (0.0005/ μm2 ), X=Y=200D, and X+Y=400D, the calculated particle area occupancy is 0.35325%. When the average particle diameter of the conductive particles is 3 μm, the number density is 2000/ mm2 (0.002/ μm2 ), X=Y=200D, and X+Y=400D, the calculated particle area occupancy is 1.413%. Furthermore, when the average particle diameter of the conductive particles is 30 μm, the particle density is 500 particles/mm 2 (0.0005 particles/μm 2 ), X=Y=200D, and X+Y=400D, the calculated particle area occupancy is 35.325%.
(導電粒子)
導電粒子としては、公知の異方性導電フィルムにおいて使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウムなどの金属粒子、ポリアミド、ポリベンゾグアナミン等の樹脂粒子の表面をニッケルなどの金属で被覆した金属被覆樹脂粒子等を挙げることができる。また、その平均粒子径は、製造時の取り扱い性の観点から、好ましくは1~30μm、より好ましくは1~10μm、特に好ましくは2~6μmである。平均粒子径は、前述したように、画像型ないしはレーザー式の粒度分布計により測定することができる。
(Conductive particles)
The conductive particles may be appropriately selected from those used in known anisotropic conductive films. Examples include metal particles such as nickel, copper, silver, gold, and palladium, and metal-coated resin particles in which the surfaces of resin particles such as polyamide and polybenzoguanamine are coated with a metal such as nickel. The average particle size is preferably 1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm, and particularly preferably 2 to 6 μm, from the viewpoint of ease of handling during production. The average particle size can be measured by an image-type or laser-type particle size distribution meter, as described above.
異方性導電フィルム中の導電粒子の存在量は、平面格子パターンの格子ピッチ並びに導電粒子の平均粒子径に依存しており、通常は、300~40000個/mm2である。 The amount of conductive particles present in the anisotropic conductive film depends on the lattice pitch of the planar lattice pattern and the average particle size of the conductive particles, and is usually 300 to 40,000 particles/mm 2 .
(隣接格子点間距離)
また、異方性導電フィルムに想定される平面格子パターンにおける隣接格子点間距離は、導電粒子の平均粒子径の好ましくは0.5倍より大きく、より好ましくは1倍以上、更に好ましくは1~20倍である。この範囲であれば、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合にも、より良好な初期導通性とエージング後の導通信頼性とを実現でき、ショートの発生もいっそう抑制できる。
(distance between adjacent lattice points)
Furthermore, the distance between adjacent lattice points in a planar lattice pattern assumed for the anisotropic conductive film is preferably greater than 0.5 times the average particle size of the conductive particles, more preferably at least 1 time, and even more preferably from 1 to 20 times. Within this range, even when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, better initial conductivity and conductive reliability after aging can be achieved, and the occurrence of short circuits can be further suppressed.
(絶縁性接着ベース層)
絶縁性接着ベース層11としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着ベース層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。例えば、アクリレート化合物と光ラジカル重合開始剤とを含む光ラジカル重合性樹脂層、アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性樹脂層、エポキシ化合物と熱アニオン重合開始剤とを含む熱アニオン重合性樹脂層等、又はそれらの硬化樹脂層を使用することができる。また、これらの樹脂層には、必要に応じてシランカップリング剤、顔料、酸化防止剤、紫外線吸収剤等を適宜選択して含有させることができる。
(Insulating Adhesive Base Layer)
As the insulating adhesive base layer 11, those used as insulating adhesive base layers in known anisotropic conductive films can be appropriately selected and used. For example, a photoradical polymerizable resin layer containing an acrylate compound and a photoradical polymerization initiator, a thermal radical polymerizable resin layer containing an acrylate compound and a thermal radical polymerization initiator, a thermal cationic polymerizable resin layer containing an epoxy compound and a thermal cationic polymerization initiator, a thermal anionic polymerizable resin layer containing an epoxy compound and a thermal anionic polymerization initiator, or the like, or a cured resin layer thereof can be used. In addition, these resin layers can contain appropriately selected silane coupling agents, pigments, antioxidants, ultraviolet absorbers, etc., as necessary.
なお、絶縁性接着ベース層11は、上述したような樹脂を含むコーティング組成物を塗
布法により成膜し乾燥させることや、更に硬化させることにより、あるいは予め公知の手
法によりフィルム化することにより形成することができる。
The insulating adhesive base layer 11 can be formed by forming a film of a coating composition containing the resin described above by a coating method and drying or further curing it, or by forming it into a film in advance by a known method.
このような絶縁性接着ベース層11の厚みは、好ましくは1~30μm、より好ましくは2~15μmである。 The thickness of such an insulating adhesive base layer 11 is preferably 1 to 30 μm, and more preferably 2 to 15 μm.
(絶縁性接着カバー層)
絶縁性接着カバー層12としては、公知の異方性導電フィルムにおいて絶縁性接着カバー層として使用されているものを適宜選択して使用することができる。また、先に説明した絶縁性接着ベース層11と同じ材料から形成したものも使用することができる。
(Insulating Adhesive Cover Layer)
The insulating adhesive cover layer 12 may be appropriately selected from those used as insulating adhesive cover layers in known anisotropic conductive films, and may be made of the same material as the insulating adhesive base layer 11 described above.
なお、絶縁性接着カバー層12は、上述したような樹脂を含むコーティング組成物を塗布法により成膜し乾燥させることや、更に硬化させることにより、あるいは予め公知の手法によりフィルム化することにより形成することができる。 The insulating adhesive cover layer 12 can be formed by applying a coating composition containing the resin described above and drying or curing the composition, or by forming the composition into a film using a known method.
このような絶縁性接着カバー層12の厚みは、好ましくは1~30μm、より好ましくは2~15μmである。 The thickness of such an insulating adhesive cover layer 12 is preferably 1 to 30 μm, and more preferably 2 to 15 μm.
更に、絶縁性接着ベース層11や絶縁性接着カバー層12には、必要に応じてシリカ微粒子、アルミナ、水酸化アルミニウムなどの絶縁性フィラーを加えてもよい。絶縁性フィラーの配合量は、これらの層を構成する樹脂100質量部に対して3~40質量部とすることが好ましい。これにより、異方性導電接続の際に絶縁接着剤層10が溶融しても、溶融した樹脂で導電粒子2が不要に移動することを抑制することができる。
Furthermore, insulating fillers such as silica fine particles, alumina, and aluminum hydroxide may be added to the insulating adhesive base layer 11 and the insulating adhesive cover layer 12 as necessary. The amount of insulating filler is preferably 3 to 40 parts by mass per 100 parts by mass of the resin that constitutes these layers. This makes it possible to prevent the conductive particles 2 from moving unnecessarily due to the molten resin, even if the insulating
(絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層との積層、導電粒子の埋め込み)
なお、導電粒子13を挟んで絶縁性接着ベース層11と絶縁性接着カバー層12とを積層する場合、公知の手法により行うことができる。この場合、導電粒子13は、これらの層の界面近傍に存在する。ここで、「界面近傍に存在」とは、導電粒子の一部が一方の層に食い込み、残部が他方の層に食い込んでいることを示している。また、導電粒子を絶縁性接着ベース層に埋め込んでもよい。この場合、絶縁性接着カバー層を積層しなくとも形成することができる。
(Lamination of insulating adhesive base layer and insulating adhesive cover layer, embedding of conductive particles)
In addition, when the insulating adhesive base layer 11 and the insulating adhesive cover layer 12 are laminated with the
<異方性導電フィルムの製造>
次に、絶縁性接着ベース層と絶縁性接着カバー層とが積層され、それらの界面近傍に導
電粒子が平面格子パターンの格子点に配置された構造の本発明の異方性導電フィルムの製
造方法を説明する。この製造方法は、以下の工程(イ)~(ホ)を有する。図面を参照し
ながら、工程毎に詳細に説明する。なお、本発明は特にこの製造方法に限定されない。
<Production of anisotropic conductive film>
Next, a method for producing an anisotropic conductive film of the present invention having a structure in which an insulating adhesive base layer and an insulating adhesive cover layer are laminated and conductive particles are arranged at the lattice points of a planar lattice pattern near the interface between them will be described. This production method includes the following steps (a) to (e). Each step will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not particularly limited to this production method.
(工程(イ))
まず、図3Aに示すように、平面格子パターンの格子点に相当する柱状の凸部101が表面に形成されている転写体100を用意する。この柱状は錐体を含む。好ましくは円柱状である。凸部101の高さは、異方性導電接続すべき端子ピッチ、端子巾、スペース巾、導電粒子の平均粒子径等に応じて決定することができるが、使用する導電粒子の平均粒子径の好ましくは2倍以上4倍未満である。また、凸部101の巾(半分の高さでの巾)は、導電粒子の平均粒子径の好ましくは1.4倍以上3.6倍以下である。この高さと巾がこれらの範囲であれば、脱落が過度に発生することなく、抜けも散発的にしか発生しないという効果が得られる。
(Step (A))
First, as shown in FIG. 3A, a transfer body 100 is prepared on the surface of which are formed columnar convex portions 101 corresponding to the lattice points of a planar lattice pattern. The columnar shape includes a cone. It is preferably a cylindrical shape. The height of the convex portion 101 can be determined according to the terminal pitch to be anisotropically conductively connected, the terminal width, the space width, the average particle diameter of the conductive particles, etc., and is preferably 2 times or more and less than 4 times the average particle diameter of the conductive particles used. In addition, the width of the convex portion 101 (width at half height) is preferably 1.4 times or more and 3.6 times or less than the average particle diameter of the conductive particles. If the height and width are within these ranges, the effect of not excessively dropping out and only sporadic dropping out can be obtained.
更に、凸部101は、導電粒子が安定的に付着していられるようなレベルのほぼ平坦な
天面を有する。
Furthermore, the protrusion 101 has a substantially flat top surface to which the conductive particles can be stably attached.
*転写体の具体例
この工程(イ)で用意すべき転写体は、公知の手法を利用して作成することができ、例えば、金属プレートを加工して原盤を作成し、それに硬化性樹脂を塗布し、硬化させることにより作成することができる。具体的には、平坦な金属板を切削加工して、凸部に対応した凹部を形成した転写体原盤も作成し、この原盤の凹部形成面に転写体を構成する樹脂組成物を塗布し、硬化させた後、原盤から引き離すことにより転写体が得られる。
*Specific examples of the transfer body The transfer body to be prepared in this step (a) can be produced using a known method, for example, by processing a metal plate to produce a master, applying a curable resin to it, and curing it. Specifically, a transfer body master in which recesses corresponding to the protrusions are formed is also produced by cutting a flat metal plate, and the resin composition constituting the transfer body is applied to the recessed surface of this master, cured, and then separated from the master to obtain the transfer body.
(工程(ロ))
次に、図3Bに示すように、表面に複数の凸部101が平面格子パターンで形成された転写体100の凸部101の少なくとも天面を微粘着層102とする。
(Step (b))
Next, as shown in FIG. 3B, at least the top surfaces of the convex portions 101 of the transfer body 100 having a surface on which a plurality of convex portions 101 are formed in a planar grid pattern are made into a weakly adhesive layer 102.
*転写体の微粘着層
微粘着層102は、異方性導電フィルムを構成する絶縁性接着ベース層に導電粒子が転着されるまで、導電粒子を一時的に保持できる粘着力を示す層であり、凸部101の少なくとも天面に形成される。従って、凸部101全体が微粘着性であってもよい。微粘着層102の厚みは、微粘着層102の材質、導電粒子の粒子径等に応じて適宜決定することができる。また、“微粘着”とは、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転着する際に、絶縁性接着ベース層よりも粘着力が弱いという意味である。
*Weakly adhesive layer of transfer body The weakly adhesive layer 102 is a layer that exhibits an adhesive force capable of temporarily holding the conductive particles until the conductive particles are transferred to the insulating adhesive base layer constituting the anisotropic conductive film, and is formed on at least the top surface of the convex portion 101. Therefore, the entire convex portion 101 may be weakly adhesive. The thickness of the weakly adhesive layer 102 can be appropriately determined according to the material of the weakly adhesive layer 102, the particle diameter of the conductive particles, etc. In addition, "weakly adhesive" means that the adhesive force is weaker than that of the insulating adhesive base layer when the conductive particles are transferred to the insulating adhesive base layer.
このような微粘着層102は、公知の異方性導電フィルムに使用されている微粘着層を適用することができる。例えば、シリコーン系の粘着剤組成物や絶縁性接着ベース層や絶縁性接着カバー層と同材質の粘着層を、凸部101の天面に塗布することにより形成することができる。 Such a weakly adhesive layer 102 can be a weakly adhesive layer used in known anisotropic conductive films. For example, it can be formed by applying a silicone-based adhesive composition or an adhesive layer made of the same material as the insulating adhesive base layer or insulating adhesive cover layer to the top surface of the convex portion 101.
(工程(ハ))
次に、図3Cに示すように、転写体100の凸部101の微粘着層102に導電粒子103を付着させる。具体的には、転写体100の凸部101の上方から導電粒子103を散布し、微粘着層102に付着しなかった導電粒子103をブロアを用いて吹き飛ばせばよい。この場合、一部の凸部101においては、ある程度の頻度で、その側面に静電気等の作用により導電粒子が付着し、しかもブロアで除去できないことが生ずる。
(Step (C))
3C, conductive particles 103 are attached to the weak adhesive layer 102 of the convex portions 101 of the transfer body 100. Specifically, the conductive particles 103 are dispersed from above the convex portions 101 of the transfer body 100, and the conductive particles 103 that do not adhere to the weak adhesive layer 102 are blown away with a blower. In this case, in some of the convex portions 101, the conductive particles adhere to the side surfaces due to the action of static electricity or the like with a certain frequency, and furthermore, it occurs that the conductive particles cannot be removed by the blower.
なお、図3Cから面の方向を逆転させ、導電粒子を一面に敷き詰めた面に突起の天面を付着させてもよい。導電粒子に不要な応力を加えないためである。このように配置に必要な導電粒子のみを突起天面に付着させることで導電粒子を回収し再利用しやすくなり、開口部に導電粒子を充填し取り出す方法に比べ、経済性にも優れることになる。なお、開口部に導電粒子を充填し取り出す方法の場合、充填されなかった導電粒子には不要な応力がかかりやすくなることが懸念される。 It is also possible to reverse the direction of the surface from FIG. 3C and attach the top surfaces of the protrusions to the surface that is covered with conductive particles. This is to avoid applying unnecessary stress to the conductive particles. By attaching only the conductive particles necessary for placement to the top surfaces of the protrusions in this way, the conductive particles can be easily recovered and reused, and this is more economical than a method in which conductive particles are filled into an opening and then removed. However, when filling conductive particles into an opening and then removing them, there is a concern that unnecessary stress may be applied to the conductive particles that are not filled.
なお、図3Cでは、左半分の凸部101の微粘着層102の巾を、右半分の凸部101の微粘着層102よりも狭く調整している。この結果、左半分と右半分では、図3Cに示すように、導電粒子103の凝集の態様に相違点が生ずることがある。 In FIG. 3C, the width of the weak adhesive layer 102 of the left half of the convex portion 101 is adjusted to be narrower than that of the weak adhesive layer 102 of the right half of the convex portion 101. As a result, as shown in FIG. 3C, there may be differences in the aggregation state of the conductive particles 103 between the left half and the right half.
(工程(ニ))
次に、図3Dに示すように、転写体100の導電粒子103が付着した側の表面に、異方性導電フィルムを構成すべき絶縁性接着ベース層104を重ねて押圧することにより、絶縁性接着ベース層104の片面に導電粒子103を転着させる(図3E)。この場合、転写体100を、その凸部101が下向きになるように絶縁性接着ベース層104に重ねて押圧することが好ましい。下向きにしてブロアすることで、凸部の天面に貼着されていない導電粒子を除去し易くさせることができる。
(Step (D))
Next, as shown in Fig. 3D, the insulating adhesive base layer 104 that is to constitute the anisotropic conductive film is placed on the surface of the transfer body 100 on which the conductive particles 103 are attached and pressed, thereby transferring the conductive particles 103 to one side of the insulating adhesive base layer 104 (Fig. 3E). In this case, it is preferable to place the transfer body 100 on the insulating adhesive base layer 104 and press it so that the convex parts 101 face downward. By blowing with the transfer body facing downward, it is possible to easily remove the conductive particles that are not attached to the top surface of the convex parts.
(工程(ホ))
図3Fに示すように、導電粒子103が転着した絶縁性接着ベース層104に対し、導電粒子転着面側から絶縁性接着カバー層105を積層する。これにより本発明の異方性導電フィルム200が得られる。
(Step (E))
3F, an insulating adhesive cover layer 105 is laminated on the insulating adhesive base layer 104 to which the conductive particles 103 have been transferred from the conductive particle transfer surface side, thereby obtaining an anisotropic conductive film 200 of the present invention.
<接続構造体>
本発明の異方性導電フィルムは、第1の電子部品(例えば、ICチップ)の端子(例えばバンプ)と、第2の電子部品(例えば配線基板)の端子(例えばバンプ、パッド)との間に配置し、第1又は第2の電子部品側から熱圧着により本硬化させて異方性導電接続することにより、ショートや導通不良が抑制された、いわゆるCOG(chip on glass)やFOG(film on glass)等の接続構造体を与えることができる。
<Connection structure>
The anisotropic conductive film of the present invention is disposed between a terminal (e.g., a bump) of a first electronic component (e.g., an IC chip) and a terminal (e.g., a bump, pad) of a second electronic component (e.g., a wiring board), and is fully cured by thermocompression bonding from the first or second electronic component side to form an anisotropic conductive connection, thereby providing a connection structure such as a so-called COG (chip on glass) or FOG (film on glass) in which short circuits and poor conductivity are suppressed.
以下、本発明を具体的に説明する。 The present invention will be described in detail below.
実施例1
厚さ2mmのニッケルプレートを用意し、四方格子パターンで円柱状の凹部(内径6μm、深さ8μm)を形成し、転写体原盤とした。隣接凹部中心間距離は8μmであった。
従って、凹部の密度は16000個/mm2であった。
Example 1
A nickel plate having a thickness of 2 mm was prepared, and cylindrical recesses (inner diameter 6 μm, depth 8 μm) were formed in a square lattice pattern to prepare a transfer master. The distance between the centers of adjacent recesses was 8 μm.
Therefore, the density of the recesses was 16,000/mm 2 .
得られた転写体原盤に、フェノキシ樹脂(YP-50、新日鉄住金化学(株))60質量部、アクリレート樹脂(M208、東亞合成(株))29質量部、及び光重合開始剤(IRGACURE184、BASFジャパン(株))2質量部を含有する光重合性樹脂組成物を、乾燥厚みが30μmとなるようにPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に塗布し、80℃で5分間乾燥後、高圧水銀ランプにて1000mJ光照射することにより転写体を作成した。 A photopolymerizable resin composition containing 60 parts by mass of phenoxy resin (YP-50, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 29 parts by mass of acrylate resin (M208, Toagosei Co., Ltd.), and 2 parts by mass of photopolymerization initiator (IRGACURE184, BASF Japan Ltd.) was applied to the resulting transfer master on a PET (polyethylene terephthalate) film to a dry thickness of 30 μm, and the resulting film was dried at 80°C for 5 minutes, after which it was irradiated with 1000 mJ of light from a high-pressure mercury lamp to create a transfer master.
転写体を原盤から引き剥がし、凸部が外側になるように直径20cmのステンレス製のロールに巻き付け、このロールを、回転させながらエポキシ樹脂(jER828、三菱化学(株))70質量部とフェノキシ樹脂(YP-50、新日鉄住金化学(株)30質量部とを含有する微粘着剤組成物を、不織布に含浸させた粘着シートに接触させ、凸部の天面に微粘着剤組成物を付着させ、厚さ1μmの微粘着層を形成して転写体を得た。 The transfer body was peeled off from the master and wound around a stainless steel roll with a diameter of 20 cm so that the convex parts were on the outside. While rotating the roll, a weak adhesive composition containing 70 parts by mass of epoxy resin (jER828, Mitsubishi Chemical Corporation) and 30 parts by mass of phenoxy resin (YP-50, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.) was brought into contact with the adhesive sheet impregnated into the nonwoven fabric, and the weak adhesive composition was attached to the top surface of the convex parts, forming a weak adhesive layer with a thickness of 1 μm to obtain the transfer body.
この転写体の表面に、平均粒子径4μmの導電粒子(ニッケルメッキ樹脂粒子(AUL704、積水化学工業(株)))を散布した後、ブロアすることにより微粘着層に付着していない導電粒子を除去した。 Conductive particles (nickel-plated resin particles (AUL704, Sekisui Chemical Co., Ltd.)) with an average particle size of 4 μm were sprayed onto the surface of this transfer body, and then the conductive particles that were not attached to the slightly adhesive layer were removed by blowing.
導電粒子が付着した転写体を、その導電粒子付着面から、絶縁性接着ベース層である厚さ5μmのシート状の熱硬化型の絶縁性接着フィルム(フェノキシ樹脂(YP-50、新日鉄住金化学(株))60質量部、エポキシ樹脂(jER828、三菱化学(株))40質量部、カチオン系硬化剤(SI-60L、三新化学工業(株))2質量部、及びシリカ微粒子(アエロジルRY200、日本アエロジル(株))20質量部を含有する絶縁性接着組成物から形成したフィルム)に対し、温度50℃、圧力0.5MPaで押圧することにより、絶縁性接着ベース層に導電粒子を転写させた。 The conductive particles were transferred to the insulating adhesive base layer by pressing the conductive particle-attached surface of the transfer body against a 5 μm-thick sheet-like thermosetting insulating adhesive film (a film formed from an insulating adhesive composition containing 60 parts by mass of phenoxy resin (YP-50, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 40 parts by mass of epoxy resin (jER828, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), 2 parts by mass of cationic curing agent (SI-60L, Sanshin Chemical Co., Ltd.), and 20 parts by mass of silica fine particles (Aerosil RY200, Nippon Aerosil Co., Ltd.)) at a temperature of 50°C and a pressure of 0.5 MPa.
得られた絶縁性接着ベース層の導電粒子転着面に、透明な絶縁性接着カバー層として厚さ15μmのシート状の別の絶縁性接着フィルム(フェノキシ樹脂(YP-50、新日鉄住金化学(株))60質量部、エポキシ樹脂(jER828、三菱化学(株))40質量部、及びカチオン系硬化剤(SI-60L、三新化学工業(株))2質量部を含有する絶縁性接着組成物から形成されたフィルム)を重ね、温度60℃、圧力2MPaで積層した。これにより異方性導電フィルムが得られた。 On the conductive particle transfer surface of the obtained insulating adhesive base layer, another insulating adhesive film in sheet form having a thickness of 15 μm was layered as a transparent insulating adhesive cover layer (a film formed from an insulating adhesive composition containing 60 parts by mass of phenoxy resin (YP-50, Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.), 40 parts by mass of epoxy resin (jER828, Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), and 2 parts by mass of cationic curing agent (SI-60L, Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.)), and laminated at a temperature of 60°C and a pressure of 2 MPa. This produced an anisotropic conductive film.
実施例2
導電粒子の散布量とブロア回数とを実施例1の場合に比べてそれぞれ2倍とすること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
Example 2
An anisotropic conductive film was obtained by repeating Example 1, except that the amount of conductive particles dispersed and the number of blower cycles were doubled compared to Example 1.
実施例3
転写体原盤の円柱状の凹部を内径4.5μm、深さ7.5μmとし、隣接凹部中心間距離を6μmとして凹部の密度を28000個/mm2とし、且つ平均粒子径4μmの導電粒子に代えて平均粒子径3μmの導電粒子(AUL703、積水化学工業(株))を使用すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
Example 3
An anisotropic conductive film was obtained by repeating the procedure of Example 1, except that the cylindrical recesses of the transfer body master had an inner diameter of 4.5 μm and a depth of 7.5 μm, the distance between the centers of adjacent recesses was 6 μm, the density of the recesses was 28,000 pieces/mm2, and conductive particles having an average particle diameter of 3 μm (AUL703, Sekisui Chemical Co., Ltd.) were used instead of the conductive particles having an average particle diameter of 4 μm.
実施例4
導電粒子の散布量とブロア回数とを実施例3の場合に比べてそれぞれ2倍とすること以外、実施例3を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
Example 4
An anisotropic conductive film was obtained by repeating Example 3, except that the amount of conductive particles dispersed and the number of blower cycles were doubled compared to Example 3.
比較例1
転写体原盤の凹部の深さを4.4μm、凹部の内径を4.8μm、隣接凹部中心間距離を5.6μmとして凹部の密度を32000個/mm2とすること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 1
An anisotropic conductive film was obtained by repeating Example 1, except that the depth of the recesses in the transfer master was 4.4 μm, the inner diameter of the recesses was 4.8 μm, the distance between the centers of adjacent recesses was 5.6 μm, and the density of the recesses was 32,000 pcs/ mm2 .
比較例2
転写体原盤の凹部の深さを3.3μm、凹部の内径を3.3μm、隣接凹部中心間距離を4.2μmとして凹部の密度を57000個/mm2とし、且つ平均粒子径4μmの導電粒子に代えて平均粒子径3μmの導電粒子(AUL703、積水化学工業(株))を使用すること以外、実施例1を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
Comparative Example 2
An anisotropic conductive film was obtained by repeating the procedure of Example 1, except that the depth of the recesses in the transfer body master was 3.3 μm, the inner diameter of the recesses was 3.3 μm, the distance between the centers of adjacent recesses was 4.2 μm, the density of the recesses was 57,000 pcs/ mm2 , and conductive particles having an average particle diameter of 3 μm (AUL703, Sekisui Chemical Co., Ltd.) were used instead of the conductive particles having an average particle diameter of 4 μm.
<評価>
(導電粒子の「抜け」と「凝集」)
実施例1~4及び比較例1~2の異方性導電フィルムについて、その透明な絶縁性接着カバー層側から光学顕微鏡(MX50、オリンパス(株))で1cm四方の領域を観察し、想定される平面格子パターンにおいて導電粒子が付着していない格子点の全格子点に対する割合(抜け[%])と、2個以上の導電粒子が凝集している格子点の全格子点に対する割合とを調べた。得られた結果を表1に示す。
<Evaluation>
(Disappearance and aggregation of conductive particles)
For the anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, a 1 cm square area was observed from the transparent insulating adhesive cover layer side with an optical microscope (MX50, Olympus Corporation), and the ratio of lattice points to all lattice points to which no conductive particles were attached (missing points [%)) in an assumed planar lattice pattern, and the ratio of lattice points to all lattice points to which two or more conductive particles were aggregated, were examined. The results are shown in Table 1.
また、凝集した導電粒子同士の最大距離(凝集距離)を測定し、併せて表1に示した。なお、「凝集」方向は、いずれも異方性導電フィルムの水平方向であった。 The maximum distance between the aggregated conductive particles (aggregation distance) was also measured and is shown in Table 1. Note that the "aggregation" direction was the horizontal direction of the anisotropic conductive film in all cases.
(粒子面積占有率)
導電粒子の平均粒子径と、転写体原盤の凹部密度(=転写体の凸部密度)とから、導電粒子の「抜け」と「凝集」とを考慮した上で、粒子面積占有率を計算した。得られた結果を表1に示す。
(Particle Area Occupancy Rate)
The particle area occupancy was calculated from the average particle diameter of the conductive particles and the concave density of the transfer body master (=convex density of the transfer body), taking into consideration the "dropout" and "aggregation" of the conductive particles. The obtained results are shown in Table 1.
(初期導通抵抗)
実施例及び比較例の異方性導電フィルムを用いて、バンプ間スペースが12μmで、高さ15μm、30μm×50μmの金バンプを有するICチップと、12μmスペースの配線が設けられたガラス基板とを180℃、60MPa、5秒という条件で異方性導電接続し、接続構造体を得た。得られた接続構造体について、抵抗測定器(デジタルマルチメーター7565、横河電機(株))を用いて初期導通抵抗値を測定した。得られた結果を表1に示す。0.5Ω以下であることが望まれる。
(Initial Conduction Resistance)
Using the anisotropic conductive films of the examples and comparative examples, an IC chip having gold bumps of 15 μm height and 30 μm×50 μm with a bump spacing of 12 μm was anisotropically conductively connected to a glass substrate having wiring spaced 12 μm apart at 180° C., 60 MPa, and 5 seconds to obtain a connection structure. The initial conduction resistance of the connection structure obtained was measured using a resistance measuring device (digital multimeter 7565, Yokogawa Electric Corporation). The results are shown in Table 1. It is desirable that the resistance be 0.5Ω or less.
(導通信頼性)
初期導通抵抗値の測定に使用した接続構造体を、温度85℃、湿度85%に設定されたエージング試験器中に投入し、500時間放置した後の導通抵抗値を、初期導通抵抗と同様に測定した。得られた結果を表1に示す。5Ω以下であることが望まれる。
(Continuity reliability)
The connection structure used for measuring the initial conduction resistance value was placed in an aging tester set at a temperature of 85° C. and a humidity of 85%, and the conduction resistance value after leaving it for 500 hours was measured in the same manner as the initial conduction resistance. The results are shown in Table 1. It is desirable that the conduction resistance value be 5Ω or less.
(ショート発生率)
初期導通抵抗で使用したものと同じ接続構造体を作成し、隣接する配線間のショートの発生の有無を調べた。得られた結果を表1に示す。ショート発生率が50ppm以下であることが望まれる。
(Short circuit occurrence rate)
The same connection structure as that used for the initial conductive resistance was fabricated, and the occurrence of short circuits between adjacent wirings was examined. The results are shown in Table 1. It is desirable that the rate of occurrence of short circuits is 50 ppm or less.
表1の結果から、実施例1~4の異方性導電フィルムを使用した接続構造体は、初期導通抵抗、導通信頼性、ショート発生率の各評価項目について、良好な結果を示したことがわかる。 The results in Table 1 show that the connection structures using the anisotropic conductive films of Examples 1 to 4 showed good results in the evaluation items of initial conductive resistance, conductive reliability, and short circuit occurrence rate.
他方、比較例1、2の異方性導電フィルムの場合、導電粒子の「抜け」の割合は少ないものの「凝集」の割合が高すぎるため、ショートの発生率が50ppmを大きく超えてしまった。 On the other hand, in the case of the anisotropic conductive films of Comparative Examples 1 and 2, although the rate of "missing" conductive particles was low, the rate of "aggregation" was too high, resulting in a short circuit occurrence rate that far exceeded 50 ppm.
実施例5
凹部密度が500個/mm2である転写原盤を使用するために隣接凹部中心間距離を調整すること以外、実施例2と同様にして転写体を作成し、更に異方性導電フィルムを作成した。得られた異方性導電フィルムについて、実施例2と同様に導電粒子の「抜け」と「凝集」とを測定し、更に粒子面積占有率を算出した。その結果、導電粒子の「抜け」と「凝集」とは実施例2と同等であった。また、粒子面積占有率は0.7%であった。
Example 5
A transfer body was produced in the same manner as in Example 2, except that the distance between the centers of adjacent recesses was adjusted in order to use a transfer master with a recess density of 500/ mm2 , and an anisotropic conductive film was also produced. For the obtained anisotropic conductive film, the "missing" and "aggregation" of conductive particles were measured in the same manner as in Example 2, and the particle area occupancy was calculated. As a result, the "missing" and "aggregation" of conductive particles were found to be the same as in Example 2. In addition, the particle area occupancy was 0.7%.
また、得られた異方性導電フィルムを、ガラス基板(ITOベタ電極)とフレキシブル配線基板(バンプ幅:200μm、L(ライン)/S(スペース)=1、配線高さ10μm)との間に挟み、接続バンプ長さが1mmとなるように、180℃、80MPa、5秒という条件で異方性導電し、評価用の接続構造体を得た。得られた接続構造体について、その「初期導通抵抗値」と、温度85℃で湿度85%RHの恒温槽に500時間投入した後の「導通信頼性」とを、デジタルマルチメータ(34401A、アジレント・テクノロジー株式会社製)を使用して電流1Aで4端子法にて導通抵抗を測定し、「初期導通抵抗値」の場合には、測定値が2Ω以下の場合を良好、2Ωを超えるものを不良と評価し、「導通信頼性」の場合には、測定値が5Ω以下の場合を良好、5Ω以上の場合を不良と評価した。その結果、実施例5の接続構造体は、いずれも「良好」と評価された。また、実施例2と同様に「ショート発生率」を測定したところ、実施例2と同様に良好な結果が得られた。
The anisotropic conductive film obtained was sandwiched between a glass substrate (ITO solid electrode) and a flexible wiring substrate (bump width: 200 μm, L (line) / S (space) = 1,
実施例6
凹部密度が2000個/mm2である転写原盤を使用するために隣接凹部中心間距離を調整すること以外、実施例2と同様にして転写体を作成し、更に異方性導電フィルムを作成した。得られた異方性導電フィルムについて、実施例2と同様に導電粒子の「抜け」と「凝集」とを測定し、更に粒子面積占有率を算出した。その結果、導電粒子の「抜け」と「凝集」とは実施例2と同等であった。また、粒子面積占有率は2.7%であった。
Example 6
A transfer body was produced in the same manner as in Example 2, except that the distance between the centers of adjacent recesses was adjusted in order to use a transfer master with a recess density of 2000/ mm2 , and an anisotropic conductive film was also produced. For the obtained anisotropic conductive film, the "missing" and "aggregation" of conductive particles were measured in the same manner as in Example 2, and the particle area occupancy was calculated. As a result, the "missing" and "aggregation" of conductive particles were found to be equivalent to those in Example 2. In addition, the particle area occupancy was 2.7%.
また、得られた異方性導電フィルムを、実施例5と同様にガラス基板とフレキシブル配線基板との間に挟み異方性導電接続することにより評価用の接続構造体を得た。得られた接続構造体について、実施例5と同様に、「初期導通抵抗値」、「導通信頼性」、「ショート発生率」とを評価したところ、いずれも良好な結果が得られた。 The resulting anisotropic conductive film was sandwiched between a glass substrate and a flexible wiring substrate in the same manner as in Example 5 to form an anisotropic conductive connection, thereby obtaining a connection structure for evaluation. The resulting connection structure was evaluated for "initial conductive resistance value," "conductivity reliability," and "short circuit occurrence rate" in the same manner as in Example 5, and good results were obtained in all cases.
本発明の好ましい異方性導電フィルムにおいては、任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する「導電粒子が配置されていない格子点」の割合が5%未満に設定され、しかも平面格子パターンの全格子点に対する「複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点」の割合が10%超15%未満である。このため、本発明の異方性導電フィルムを異方性導電接続に適用した場合、良好な初期導通性とエージング後の良好な導通信頼性とを実現でき、ショートの発生も抑制できるので、狭ピッチ化したICチップと配線基板とを、異方性導電接続する場合に有用である。 In a preferred anisotropic conductive film of the present invention, the ratio of "lattice points where no conductive particles are arranged" to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in any reference region is set to less than 5%, and the ratio of "lattice points where multiple conductive particles are arranged in agglomeration" to all lattice points of a planar lattice pattern is more than 10% and less than 15%. Therefore, when the anisotropic conductive film of the present invention is applied to an anisotropic conductive connection, good initial conductivity and good conductive reliability after aging can be achieved, and the occurrence of short circuits can be suppressed, making it useful when anisotropically conductively connecting a narrow-pitched IC chip and a wiring board.
10、200 異方性導電フィルム
11、104 絶縁性接着ベース層
12、105 絶縁性接着カバー層
13、103 導電粒子
100 転写体
101 凸部
102 微粘着層
A 格子点に導電粒子が配置されていない位置(導電粒子が抜けている位置)
B 導電粒子同士が接触して凝集している位置
C 導電粒子同士が非接触で凝集している位置
P1 凝集した導電粒子が配置されている格子点
P2 凝集した導電粒子を内接する円の中心
L P1とP2との間の距離
10, 200 Anisotropic conductive film 11, 104 Insulating adhesive base layer 12, 105 Insulating
B: Position where conductive particles are in contact with each other and aggregated. C: Position where conductive particles are not in contact with each other and aggregated. P1: Lattice point where aggregated conductive particles are arranged. P2: Center of circle inscribed in aggregated conductive particles. L: Distance between P1 and P2.
Claims (14)
異方性導電フィルムの基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、20%未満であり、
該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合が、15%以下であり、抜けと凝集の合計が20%未満であり、
導電粒子が凝集している場合、2個凝集した導電粒子の周囲における2個連結した導電粒子の組の数が、3つ以下であり、
平面格子パターンにおける異方性導電フィルムの長手方向に沿って連続した3列それぞれにおいて、導電粒子が、フィルム長手方向と垂直な方向に11個以上連続で配置されており、
基準領域が、異方性導電フィルムの平面中央部の以下の関係式(A)、(2)及び(3):
the ratio of lattice points at which conductive particles are not arranged to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in a reference region of the anisotropic conductive film is less than 20%;
the ratio of lattice points where a plurality of conductive particles are arranged in an aggregated manner to all lattice points of the planar lattice pattern is 15% or less, and the sum of the voids and the aggregates is less than 20%,
When the conductive particles are aggregated, the number of pairs of two connected conductive particles around two aggregated conductive particles is three or less;
In each of three consecutive rows along the longitudinal direction of the anisotropic conductive film in a planar grid pattern, 11 or more conductive particles are consecutively arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the film,
The reference region is a region at the center of the plane of the anisotropic conductive film that satisfies the following relations (A), (2), and (3):
異方性導電フィルムの任意の基準領域に想定される平面格子パターンの全格子点に対する導電粒子が配置されていない格子点の割合が、5%未満であり、
該平面格子パターンの全格子点に対する複数の導電粒子が凝集して配置されている格子点の割合が、10%超15%未満であり、
導電粒子が凝集している場合、2個凝集した導電粒子の周囲における2個連結した導電粒子の組の数が、3つ以下であり、
平面格子パターンにおける異方性導電フィルムの長手方向に沿って連続した3列それぞれにおいて、導電粒子が、フィルム長手方向と垂直な方向に11個以上連続で配置されており、
基準領域が、異方性導電フィルムの平面中央部の以下の関係式(A)、(2)及び(3):
The ratio of lattice points at which conductive particles are not arranged to all lattice points of a planar lattice pattern assumed in any reference region of the anisotropic conductive film is less than 5%;
a ratio of lattice points at which a plurality of conductive particles are arranged in an aggregated manner to all lattice points of the planar lattice pattern is more than 10% and less than 15%;
When the conductive particles are aggregated, the number of pairs of two connected conductive particles around two aggregated conductive particles is three or less;
In each of three consecutive rows along the longitudinal direction of the anisotropic conductive film in a planar grid pattern, 11 or more conductive particles are consecutively arranged in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the film,
The reference region is a region at the center of the plane of the anisotropic conductive film, and the region satisfies the following relations (A), (2), and (3):
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