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JP7574882B2 - X-ray generator - Google Patents
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Description

本発明は、X線発生装置に関する。 The present invention relates to an X-ray generating device.

物体の内部の情報を非破壊で取得する装置として、例えば下記特許文献に開示されているような、物体にX線を照射するX線源を有し、その物体を透過した透過X線を検出する検出器を備えるX線装置が知られている。 As a device for non-destructively acquiring information about the inside of an object, for example, an X-ray device having an X-ray source that irradiates an object with X-rays and a detector that detects the transmitted X-rays that have passed through the object, as disclosed in the following patent document, is known.

米国特許出願公開第2009/0268869号明細書US Patent Application Publication No. 2009/0268869

本発明の第一の態様によれば、X線発生装置は、電子を放出する電子放出部と、電子放出部からの電子が照射されてX線を放出するX線放出部と、X線放出部からのX線が出射される出射部を有する筐体と、X線放出部からのX線が出射部に至る出射経路に配置される部材と、を備え、部材は、X線放出部より原子番号が小さい元素を少なくとも一部に含む。
本発明の第二の態様によれば、X線装置は、第一の態様に記載のX線発生装置と、出射部から出射されるX線が照射される測定物を保持するステージと、測定物に照射されて透過したX線を検出する検出器とを有する。
本発明の第三の態様によれば、構造物の製造方法は、構造物の形状に関する設計情報を作製する設計工程と、設計情報に基づいて構造物を作成する成形工程と、作製された構造物の形状を第二の態様に記載のX線装置を用いて計測する工程と、計測工程で得られた形状情報と設計情報とを比較する検査工程と、を有する。
本発明の第四の態様によれば、構造物製造システムは、構造物の形状に関する設計情報を作製する設計装置と、設計情報に基づいて構造物を作製する成形装置と、作製された構造物の形状を測定する第二の態様に記載のX線装置と、X線装置によって得られた構造物の形状に関する形状情報と設計情報とを比較する検査装置と、を含む。
According to a first aspect of the present invention, an X-ray generating device includes an electron emitting section that emits electrons, an X-ray emitting section that emits X-rays when irradiated with electrons from the electron emitting section, a housing having an emission section through which X-rays are emitted from the X-ray emitting section, and a member that is disposed on an emission path through which the X-rays from the X-ray emitting section reach the emission section, and the member at least partially contains an element having an atomic number smaller than that of the X-ray emitting section.
According to a second aspect of the present invention, an X-ray device includes the X-ray generating device described in the first aspect, a stage that holds a measured object to be irradiated with X-rays emitted from the emission section, and a detector that detects the X-rays irradiated to and transmitted through the measured object.
According to a third aspect of the present invention, a method for manufacturing a structure includes a design process for producing design information regarding a shape of the structure, a molding process for fabricating the structure based on the design information, a process for measuring the shape of the fabricated structure using the X-ray device described in the second aspect, and an inspection process for comparing the shape information obtained in the measurement process with the design information.
According to a fourth aspect of the present invention, a structure manufacturing system includes a design device that creates design information regarding a shape of a structure, a molding device that creates a structure based on the design information, an X-ray device described in the second aspect that measures the shape of the created structure, and an inspection device that compares shape information regarding the shape of the structure obtained by the X-ray device with the design information.

本実施形態に係る検査装置の一例を示す概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram showing an example of an inspection device according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る検査装置の一例を示す概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram showing an example of an inspection device according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る遮蔽体の模式図である。2 is a schematic diagram of a shield according to the embodiment; FIG. X線が遮蔽体を通った場合の像の一例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an example of an image when X-rays pass through a shield. 本実施形態に係るX線発生装置の模式的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an X-ray generating device according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る収納部の模式的な拡大断面図である。FIG. 2 is a schematic enlarged cross-sectional view of a storage section according to the embodiment. X線の発生を説明する模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating generation of X-rays. X線の発生を説明する模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating generation of X-rays. 検出器に到達するX線の強度の、シミュレーションによる計算結果を説明する図である。FIG. 13 is a diagram for explaining the results of simulation calculations of the intensity of X-rays reaching a detector. 検出器に到達するX線の強度の、シミュレーションによる計算結果を説明するグラフである。11 is a graph illustrating the results of a simulation calculation of the intensity of X-rays reaching a detector. X線発生装置の他の例を示す模式的な断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another example of an X-ray generating device. 検査装置を有するシステムの構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a system having an inspection device. 製造システムのブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram of a manufacturing system. 製造システムによる処理の流れを示したフローチャートである。1 is a flowchart showing a process flow of the manufacturing system.

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。 Embodiments of the present disclosure will be described in detail below with reference to the drawings. The components in the following embodiments include those that a person skilled in the art would easily imagine, those that are substantially the same, and those that are within the so-called equivalent range. Furthermore, the components disclosed in the following embodiments can be combined as appropriate.

以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をZ軸方向、水平面内においてZ軸方向と直交する方向をX軸方向、Z軸方向及びX軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をY軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 In the following explanation, an XYZ Cartesian coordinate system is set, and the positional relationship of each part is explained with reference to this XYZ Cartesian coordinate system. A specific direction in a horizontal plane is the Z-axis direction, a direction perpendicular to the Z-axis direction in the horizontal plane is the X-axis direction, and a direction perpendicular to both the Z-axis direction and the X-axis direction (i.e., the vertical direction) is the Y-axis direction. In addition, the directions of rotation (tilt) around the X-axis, Y-axis, and Z-axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

図1及び図2は、本実施形態に係る検査装置の一例を示す概略構成図である。本実施形態に係るX線装置としての検査装置100は、測定物SにX線を照射して、その測定物Sを透過した透過X線を検出する。X線は、例えば波長1pm~30nm程度の電磁波である。X線は、約50eVの超軟X線、約0.1~2keVの軟X線、約2~20keVのX線、及び約20~1000eKVの硬X線の少なくとも一つを含む。X線を用いた検査装置は、例えば、特開昭60-210087号公報、特開平7-308313号公報、特開2013-113798号公報、特開2013-174495号公報、特開2017-22054号公報、特開2018-536978号公報などに開示されている。 Figures 1 and 2 are schematic diagrams showing an example of an inspection device according to this embodiment. The inspection device 100, which is an X-ray device according to this embodiment, irradiates X-rays onto a measurement object S and detects the transmitted X-rays that have passed through the measurement object S. The X-rays are electromagnetic waves with a wavelength of, for example, about 1 pm to 30 nm. The X-rays include at least one of ultra-soft X-rays of about 50 eV, soft X-rays of about 0.1 to 2 keV, X-rays of about 2 to 20 keV, and hard X-rays of about 20 to 1000 eKV. Inspection devices using X-rays are disclosed, for example, in JP 60-210087 A, JP 7-308313 A, JP 2013-113798 A, JP 2013-174495 A, JP 2017-22054 A, and JP 2018-536978 A.

本実施形態において、検査装置100は、測定物SにX線を照射して、その測定物Sを透過した透過X線を検出して、その測定物Sの内部の情報(例えば、内部構造)を非破壊で取得するX線CT検査装置を含む。本実施形態において、測定物Sは、例えば機械部品、電子部品その他の産業用部品を含む。X線CT検査装置は、産業用部品にX線を照射して、その産業用部品を検査する産業用X線CT検査装置を含む。 In this embodiment, the inspection device 100 includes an X-ray CT inspection device that irradiates the measured object S with X-rays, detects the transmitted X-rays that have passed through the measured object S, and non-destructively acquires information about the inside of the measured object S (e.g., the internal structure). In this embodiment, the measured object S includes, for example, mechanical parts, electronic parts, and other industrial parts. The X-ray CT inspection device includes an industrial X-ray CT inspection device that irradiates the industrial parts with X-rays and inspects the industrial parts.

図1において、検査装置100は、測定物SにX線を照射して透過X線を検出する測定装置1と、測定装置1を含む検査装置100の全体の動作を制御する制御装置7とを備え
ている。測定装置1は、X線XLを射出するX線発生装置2と、X線の少なくとも一部を遮蔽する遮蔽装置3と、測定物Sを保持して移動可能なステージ装置4と、X線源2から射出され、ステージ装置4に保持された測定物Sを透過した透過X線を検出する検出器5とを備えている。
1, the inspection apparatus 100 includes a measuring device 1 that irradiates a measuring object S with X-rays and detects the transmitted X-rays, and a control device 7 that controls the overall operation of the inspection apparatus 100 including the measuring device 1. The measuring device 1 includes an X-ray generating device 2 that emits X-rays XL, a shielding device 3 that blocks at least a portion of the X-rays, a stage device 4 that can move while holding the measuring object S, and a detector 5 that detects the transmitted X-rays that are emitted from the X-ray source 2 and have transmitted through the measuring object S held by the stage device 4.

本実施形態において、X線発生装置2から遮蔽装置3を経て検出器5に向かって射出されるX線XLの光軸がZ軸に沿った方向となるように、X線発生装置2、遮蔽装置3、及び検出器5が設置される。検出器5の検出面は、X線XLの光軸に直交する面(XZ平面)に平行に設置される。本実施形態においては、X線発生装置2と遮蔽装置3とは、台座B上に配置されている。 In this embodiment, the X-ray generator 2, shielding device 3, and detector 5 are installed so that the optical axis of the X-rays XL emitted from the X-ray generator 2 through the shielding device 3 toward the detector 5 is oriented along the Z axis. The detection surface of the detector 5 is installed parallel to a plane (XZ plane) perpendicular to the optical axis of the X-rays XL. In this embodiment, the X-ray generator 2 and shielding device 3 are placed on a base B.

また、本実施形態において、検査装置100は、X線発生装置2から射出されるX線XLが進行する内部空間SPを形成するチャンバ部材6を備えている。本実施形態において、X線発生装置2、遮蔽装置3、ステージ装置4、検出器5、及び台座Bは、内部空間SPに配置される。 In addition, in this embodiment, the inspection device 100 includes a chamber member 6 that forms an internal space SP through which the X-rays XL emitted from the X-ray generator 2 travel. In this embodiment, the X-ray generator 2, the shielding device 3, the stage device 4, the detector 5, and the base B are disposed in the internal space SP.

本実施形態において、チャンバ部材6は、支持面FR上に配置される。支持面FRは、工場等の床面を含む。チャンバ部材6は、複数の支持部材6Sに支持される。チャンバ部材6は、支持部材6Sを介して、支持面FR上に配置される。本実施形態においては、支持部材6Sにより、チャンバ部材6の下面と、支持面FRとが離されている。すなわち、チャンバ部材6の下面と支持面FRとの間に空間が形成されている。なお、チャンバ部材6の下面の少なくとも一部と支持面FRとが接触してもよい。 In this embodiment, the chamber member 6 is placed on the support surface FR. The support surface FR includes the floor surface of a factory or the like. The chamber member 6 is supported by a plurality of support members 6S. The chamber member 6 is placed on the support surface FR via the support members 6S. In this embodiment, the support members 6S separate the lower surface of the chamber member 6 from the support surface FR. That is, a space is formed between the lower surface of the chamber member 6 and the support surface FR. Note that at least a portion of the lower surface of the chamber member 6 may be in contact with the support surface FR.

本実施形態において、チャンバ部材6は、鉛を含む。チャンバ部材6は、内部空間SPのX線XLが、チャンバ部材6の外部空間RPに漏出することを抑制する。 In this embodiment, the chamber member 6 contains lead. The chamber member 6 prevents the X-rays XL in the internal space SP from leaking into the external space RP of the chamber member 6.

本実施形態において、検査装置100は、チャンバ部材6に取り付けられ、チャンバ部材6よりも熱伝導率が小さい部材6Dを有する。本実施形態において、部材6Dは、チャンバ部材6の外面に配置される。部材6Dは、内部空間SPの温度が外部空間RPの温度(温度変化)の影響を受けることを抑制する。すなわち、部材6Dは、外部空間RPの熱が内部空間SPに伝わることを抑制する断熱部材として機能する。部材6Dは、例えばプラスチックを含む。本実施形態において、部材6Dは、例えば発泡スチロールを含む。 In this embodiment, the inspection device 100 has a member 6D attached to the chamber member 6 and having a lower thermal conductivity than the chamber member 6. In this embodiment, the member 6D is disposed on the outer surface of the chamber member 6. The member 6D prevents the temperature of the internal space SP from being affected by the temperature (temperature change) of the external space RP. In other words, the member 6D functions as a heat insulating member that prevents the heat of the external space RP from being transferred to the internal space SP. The member 6D includes, for example, plastic. In this embodiment, the member 6D includes, for example, polystyrene foam.

X線発生装置2は、測定物SにX線XLを照射する。X線発生装置2は、X線XLを射出する出射部50Bを有する。X線発生装置2は、点X線源を形成する。本実施形態において、X線発生装置2は、点X線源(X線の発生点)を含む。X線発生装置2は、測定物Sに円錐状のX線(所謂、コーンビーム)を照射する。なお、X線発生装置2は、射出するX線XLの強度を調整可能でもよい。X線発生装置2から射出されるX線XLの強度を調整する場合、測定物SのX線吸収特性等に基づいてもよい。また、X線発生装置2から射出されるX線の拡がる形状は円錐状に限られず、例えば、扇状のX線(所謂、ファンビーム)でもよい。また、例えば線状のX線(所謂、ペンシルビーム)でもよい。 The X-ray generator 2 irradiates the measured object S with X-rays XL. The X-ray generator 2 has an emission unit 50B that emits X-rays XL. The X-ray generator 2 forms a point X-ray source. In this embodiment, the X-ray generator 2 includes a point X-ray source (a point where X-rays are generated). The X-ray generator 2 irradiates the measured object S with cone-shaped X-rays (so-called cone beam). The X-ray generator 2 may be capable of adjusting the intensity of the emitted X-rays XL. When adjusting the intensity of the X-rays XL emitted from the X-ray generator 2, it may be based on the X-ray absorption characteristics of the measured object S. In addition, the shape of the spread of the X-rays emitted from the X-ray generator 2 is not limited to a cone shape, and may be, for example, a fan-shaped X-ray (so-called fan beam). In addition, it may be, for example, a linear X-ray (so-called pencil beam).

X線発生装置2の出射部50Bは、+Z方向を向いている。本実施形態において、射出部8から射出されたX線XLの少なくとも一部は、内部空間SPにおいて、+Z方向に進行する。X線発生装置2の構成については後述する。 The emission part 50B of the X-ray generator 2 faces the +Z direction. In this embodiment, at least a portion of the X-rays XL emitted from the emission part 8 travels in the +Z direction in the internal space SP. The configuration of the X-ray generator 2 will be described later.

遮蔽装置3は、X線発生装置2の+Z方向側に配置されている。遮蔽装置3は、遮蔽体3Aと、移動部3Mとを備える。図3は、本実施形態に係る遮蔽体の模式図である。遮蔽体3Aは、X線発生装置2から出射されたX線XLが照射される。遮蔽体3Aは、X線発生装置2から出射されたX線XLの一部を透過し、他の一部を遮蔽(吸収)する。図3に示すように、遮蔽体3Aは、透過部材3Bと、遮蔽部3Cとを備える。透過部材3Bは、例えばアクリルなどの、X線XLが透過可能な部材であり、本実施形態では板状部材である。遮蔽部3Cは、X線を遮蔽可能な部材であり、例えば炭化タングステンなどである。遮蔽部3Cは、透過部材3B内に複数設けられる。遮蔽部3Cは、X軸方向及びY軸方向において、透過部材3Bに所定の間隔、ここでは等間隔で配置される。遮蔽部3Cは、本実施形態では軸状の部材であり、+Z方向に向かうに従って放射方向外側を向くように、透過部材3Bに配置されている。ここでの放射方向外側とは、X線XLの光軸AXLを中心とした場合において、光軸AXLから離れる方向を指す。なお、遮蔽部3Cは、軸状の部材に限られず、例えば球状であってもよい。この場合、例えば、透過部材3Bに、+Z方向に向かうに従って放射方向外側を向くように形成される複数の開口が設けられ、それぞれの開口内に、球状の遮蔽部3Cが配置される。 The shielding device 3 is disposed on the +Z direction side of the X-ray generating device 2. The shielding device 3 includes a shielding body 3A and a moving part 3M. FIG. 3 is a schematic diagram of the shielding body according to this embodiment. The shielding body 3A is irradiated with X-rays XL emitted from the X-ray generating device 2. The shielding body 3A transmits a part of the X-rays XL emitted from the X-ray generating device 2 and blocks (absorbs) the other part. As shown in FIG. 3, the shielding body 3A includes a transmitting member 3B and a shielding part 3C. The transmitting member 3B is a member through which the X-rays XL can transmit, such as acrylic, and is a plate-shaped member in this embodiment. The shielding part 3C is a member that can block X-rays, such as tungsten carbide. A plurality of shielding parts 3C are provided in the transmitting member 3B. The shielding parts 3C are arranged on the transmitting member 3B at predetermined intervals, here at equal intervals, in the X-axis direction and the Y-axis direction. In this embodiment, the shielding portion 3C is an axial member and is disposed in the transparent member 3B so as to face outward in the radial direction as it approaches the +Z direction. Here, the outward radial direction refers to a direction away from the optical axis AXL of the X-ray XL when the optical axis AXL is the center. Note that the shielding portion 3C is not limited to an axial member, and may be, for example, spherical. In this case, for example, the transparent member 3B is provided with a plurality of openings formed so as to face outward in the radial direction as it approaches the +Z direction, and a spherical shielding portion 3C is disposed in each opening.

遮蔽体3Aは、遮蔽部3Cがグリッド状に設けられた部材であるといえる。遮蔽体3Aは、遮蔽部3Cが設けられた領域でX線XLを遮蔽(吸収)し、遮蔽部3Cが設けられない領域で、X線XLを透過する。 The shield 3A can be considered a member in which the shielding portions 3C are arranged in a grid pattern. The shield 3A blocks (absorbs) the X-rays XL in the areas where the shielding portions 3C are provided, and transmits the X-rays XL in areas where the shielding portions 3C are not provided.

移動部3Mは、遮蔽体3Aを移動する機構である。移動部3Mは、遮蔽体3Aを移動させることで、方向Zにおいて遮蔽体3AがX線発生装置2の出射部50Bと重なる位置にある重畳状態と、方向Zにおいて遮蔽体3AがX線発生装置2の出射部50Bと重ならない位置にある非重畳状態とを、切り替える。本実施形態では、図2に示すように、移動部3Mは、遮蔽体3Aを方向Xに沿って移動させることで、重畳状態と非重畳状態とを切り替える。例えば、移動部3Mは、遮蔽体3Aを移動させる駆動部が制御装置7によって駆動されることで、遮蔽体3Aを移動させる。 The moving unit 3M is a mechanism that moves the shielding body 3A. The moving unit 3M moves the shielding body 3A to switch between an overlapping state in which the shielding body 3A overlaps with the emission part 50B of the X-ray generating device 2 in direction Z, and a non-overlapping state in which the shielding body 3A does not overlap with the emission part 50B of the X-ray generating device 2 in direction Z. In this embodiment, as shown in FIG. 2, the moving unit 3M moves the shielding body 3A along direction X to switch between the overlapping state and the non-overlapping state. For example, the moving unit 3M moves the shielding body 3A by driving a drive unit that moves the shielding body 3A by the control device 7.

遮蔽装置3は、X線XLの散乱光の強度を算出するために用いられる。図4は、X線が遮蔽体を通った場合の像の一例を示す図である。図4の(A)に示す画像P1は、重畳状態において、測定物Sを透過した透過X線の像の一例を示している。すなわち、画像P1は、移動部3Mによって遮蔽体3Aを重畳状態にして、X線発生装置2によりX線XLを測定物Sに照射させた場合の、測定物Sを透過した透過X線の像である。重畳状態においては、遮蔽体3AがX線発生装置2の出射部50Bと重なる位置にあるため、遮蔽体3Aを通ったX線XLが、測定物Sに照射される。遮蔽体3Aは、遮蔽部3Cが設けられた領域ではX線を透過しないため、重畳状態における画像P1は、測定物Sの像Pに加え、遮蔽部3Cの像Pも含む。一方、図4の(B)に示す画像P2は、非重畳状態において、測定物Sを透過した透過X線の像の一例を示している。すなわち、画像P2は、移動部3Mによって遮蔽体3Aを非重畳状態にして、X線発生装置2によりX線XLを測定物Sに照射させた場合の、測定物Sを透過した透過X線の像である。非重畳状態においては、遮蔽体3AがX線発生装置2の出射部50Bと重ならない位置にあるため、X線発生装置2からのX線XLが、遮蔽体3Aを通らずに測定物Sに照射される。従って、非重畳状態における画像P2は、遮蔽部3Cの像Pを含まず、測定物Sの像Pを含む。 The shielding device 3 is used to calculate the intensity of scattered light of the X-ray XL. FIG. 4 is a diagram showing an example of an image when the X-ray passes through the shield. The image P1 shown in FIG. 4A shows an example of an image of the transmitted X-ray transmitted through the measurement object S in the superimposed state. That is, the image P1 is an image of the transmitted X-ray transmitted through the measurement object S when the shield 3A is placed in the superimposed state by the moving part 3M and the measurement object S is irradiated with the X-ray XL by the X-ray generating device 2. In the superimposed state, the shield 3A is located at a position overlapping with the emission part 50B of the X-ray generating device 2, so that the X-ray XL that has passed through the shield 3A is irradiated to the measurement object S. Since the shield 3A does not transmit X-rays in the area where the shielding part 3C is provided, the image P1 in the superimposed state includes the image P C of the shielding part 3C in addition to the image P S of the measurement object S. On the other hand, image P2 shown in Fig. 4B shows an example of an image of transmitted X-rays transmitted through the measurement object S in a non-overlapping state. That is, image P2 is an image of transmitted X-rays transmitted through the measurement object S when the shield 3A is put into a non-overlapping state by the moving part 3M and the measurement object S is irradiated with X-rays XL by the X-ray generator 2. In the non-overlapping state, since the shield 3A is in a position not overlapping with the emission part 50B of the X-ray generator 2, the X-rays XL from the X-ray generator 2 are irradiated to the measurement object S without passing through the shield 3A. Therefore, image P2 in the non-overlapping state does not include an image P C of the shielding part 3C but includes an image P S of the measurement object S.

ここで、遮蔽部3Cは、X線XLを透過しないため、画像P1における遮蔽部3Cの像Pにおける輝度はゼロとなるはずである。しかし、実際には散乱光が含まれるため、遮蔽部3Cの像Pにおける輝度はゼロとならない。従って、画像P1における遮蔽部3Cの像Pにおける輝度から、散乱光の強度(輝度)が算出できる。画像P1に基づき算出した散乱光の強度(輝度)を、画像P2から差し引くことで、散乱光を除去した測定物Sの像を生成することができる。 Here, since the shielding portion 3C does not transmit the X-rays XL, the luminance of the image PC of the shielding portion 3C in the image P1 should be zero. However, since scattered light is actually included, the luminance of the image PC of the shielding portion 3C is not zero. Therefore, the intensity (luminance) of the scattered light can be calculated from the luminance of the image PC of the shielding portion 3C in the image P1. By subtracting the intensity (luminance) of the scattered light calculated based on the image P1 from the image P2, an image of the measurement object S from which scattered light has been removed can be generated.

図1に示すように、ステージ装置4は、測定物Sを保持して移動可能なステージ9と、ステージ9を移動する駆動システム10とを備えている。 As shown in FIG. 1, the stage device 4 includes a stage 9 that can move while holding the object to be measured S, and a drive system 10 that moves the stage 9.

本実施形態において、ステージ9は、基準物体48及び測定物Sを保持する保持部11を有するテーブル12と、テーブル12を移動可能に支持する第1可動部材13と、第1可動部材13を移動可能に支持する第2可動部材14と、第2可動部材14を移動可能に支持する第3可動部材15とを有する。 In this embodiment, the stage 9 has a table 12 having a holding portion 11 that holds the reference object 48 and the measurement object S, a first movable member 13 that movably supports the table 12, a second movable member 14 that movably supports the first movable member 13, and a third movable member 15 that movably supports the second movable member 14.

テーブル12は、保持部11に測定物Sを保持した状態で回転可能である。テーブル12は、θY方向に移動(回転)可能である。第1可動部材13は、X軸方向に移動可能である。第1可動部材13がX軸方向に移動すると、第1可動部材13とともに、テーブル12がX軸方向に移動する。第2可動部材14は、Y軸方向に移動可能である。第2可動部材14がY軸方向に移動すると、第2可動部材14とともに、第1可動部材13及びテーブル12がY軸方向に移動する。第3可動部材15は、Z軸方向に移動可能である。第3可動部材15がZ軸方向に移動すると、第3可動部材15とともに、第2可動部材14、第1可動部材13、及びテーブル12がZ軸方向に移動する。 The table 12 can rotate with the object S held in the holding section 11. The table 12 can move (rotate) in the θY direction. The first movable member 13 can move in the X-axis direction. When the first movable member 13 moves in the X-axis direction, the table 12 moves in the X-axis direction together with the first movable member 13. The second movable member 14 can move in the Y-axis direction. When the second movable member 14 moves in the Y-axis direction, the first movable member 13 and the table 12 move in the Y-axis direction together with the second movable member 14. The third movable member 15 can move in the Z-axis direction. When the third movable member 15 moves in the Z-axis direction, the second movable member 14, the first movable member 13, and the table 12 move in the Z-axis direction together with the third movable member 15.

本実施形態において、駆動システム10は、第1可動部材13上においてテーブル12をY軸回りに回転させる回転駆動装置16と、第2可動部材14上において第1可動部材13をX軸方向に移動する第1駆動装置17と、第2可動部材14をY軸方向に移動する第2駆動装置18と、第3可動部材15をZ軸方向に移動する第3駆動装置19とを含む。 In this embodiment, the drive system 10 includes a rotation drive device 16 that rotates the table 12 around the Y axis on the first movable member 13, a first drive device 17 that moves the first movable member 13 in the X axis direction on the second movable member 14, a second drive device 18 that moves the second movable member 14 in the Y axis direction, and a third drive device 19 that moves the third movable member 15 in the Z axis direction.

第2駆動装置18は、第2可動部材14が有するナットに配置されるねじ軸20Bと、ねじ軸20Bを回転させるアクチュエータ20とを備える。ねじ軸20Bは、ベアリング21A、21BによってY軸回りに回転可能に支持される。本実施形態において、ねじ軸20Bは、そのねじ軸20Bの軸線とY軸とが実質的に平行となるように、ベアリング21A、21Bに支持される。本実施形態において、第2可動部材14が有するナットとねじ軸20Bとの間にボールが配置される。すなわち、第2駆動装置18は、所謂、ボールねじ駆動機構を含む。 The second drive device 18 includes a screw shaft 20B that is disposed in a nut of the second movable member 14, and an actuator 20 that rotates the screw shaft 20B. The screw shaft 20B is supported by bearings 21A and 21B so that it can rotate around the Y axis. In this embodiment, the screw shaft 20B is supported by the bearings 21A and 21B so that the axis of the screw shaft 20B is substantially parallel to the Y axis. In this embodiment, a ball is disposed between the nut of the second movable member 14 and the screw shaft 20B. That is, the second drive device 18 includes a so-called ball screw drive mechanism.

第3駆動装置19は、第3可動部材15が有するナットに配置されるねじ軸23Bと、ねじ軸23Bを回転させるアクチュエータ23とを備える。ねじ軸23Bは、ベアリング24A、24Bによって回転可能に支持される。本実施形態において、ねじ軸23Bは、そのねじ軸23Bの軸線とZ軸とが実質的に平行となるように、ベアリング24A、24Bに支持される。本実施形態において、第3可動部材15が有するナットとねじ軸23Bとの間にボールが配置される。すなわち、第3駆動装置19は、所謂、ボールねじ駆動機構を含む。 The third drive device 19 includes a screw shaft 23B that is disposed in a nut of the third movable member 15, and an actuator 23 that rotates the screw shaft 23B. The screw shaft 23B is rotatably supported by bearings 24A and 24B. In this embodiment, the screw shaft 23B is supported by the bearings 24A and 24B so that the axis of the screw shaft 23B is substantially parallel to the Z-axis. In this embodiment, a ball is disposed between the nut of the third movable member 15 and the screw shaft 23B. That is, the third drive device 19 includes a so-called ball screw drive mechanism.

第3可動部材15は、第2可動部材14をY軸方向にガイドするガイド機構25を有する。ガイド機構25は、Y軸方向に延びるレール状のガイド部材25A、25Bを含む。アクチュエータ20、及びねじ軸20Bを支持するベアリング21A、21Bを含む第2駆動装置18の少なくとも一部は、第3可動部材15に支持される。アクチュエータ20がねじ軸20Bを回転させることによって、第2可動部材14は、ガイド機構25にガイドされながら、Y軸方向に移動する。 The third movable member 15 has a guide mechanism 25 that guides the second movable member 14 in the Y-axis direction. The guide mechanism 25 includes rail-shaped guide members 25A, 25B that extend in the Y-axis direction. At least a portion of the second drive device 18, including the actuator 20 and bearings 21A, 21B that support the screw shaft 20B, is supported by the third movable member 15. When the actuator 20 rotates the screw shaft 20B, the second movable member 14 moves in the Y-axis direction while being guided by the guide mechanism 25.

本実施形態において、検査装置100は、ベース部材26を有する。ベース部材26は、チャンバ部材6に支持される。本実施形態において、ベース部材26は、支持機構を介して、チャンバ部材6の内壁(内面)に支持される。ベース部材26の位置は、所定の位置で固定される。 In this embodiment, the inspection device 100 has a base member 26. The base member 26 is supported by the chamber member 6. In this embodiment, the base member 26 is supported by the inner wall (inner surface) of the chamber member 6 via a support mechanism. The position of the base member 26 is fixed at a predetermined position.

ベース部材26は、第3可動部材15をZ軸方向にガイドするガイド機構27を有する。ガイド機構27は、Z軸方向に延びるレール状のガイド部材27A、27Bを含む。アクチュエータ23、及びねじ軸23Bを支持するベアリング24A、24Bを含む第3駆動装置19の少なくとも一部は、ベース部材26に支持される。アクチュエータ23がねじ軸23Bを回転することによって、第3可動部材15は、ガイド機構27にガイドされながら、Z軸方向に移動する。 The base member 26 has a guide mechanism 27 that guides the third movable member 15 in the Z-axis direction. The guide mechanism 27 includes rail-shaped guide members 27A, 27B that extend in the Z-axis direction. At least a portion of the third drive device 19, including the actuator 23 and bearings 24A, 24B that support the screw shaft 23B, is supported by the base member 26. When the actuator 23 rotates the screw shaft 23B, the third movable member 15 moves in the Z-axis direction while being guided by the guide mechanism 27.

なお、図示は省略するが、本実施形態において、第2可動部材14は、第1可動部材13をX軸方向にガイドするガイド機構を有する。第1駆動装置17は、第1可動部材13をX軸方向に移動可能なボールねじ機構を含む。回転駆動装置16は、テーブル12をθY方向に移動(回転)可能なモータを含む。 Although not shown in the figures, in this embodiment, the second movable member 14 has a guide mechanism that guides the first movable member 13 in the X-axis direction. The first drive device 17 includes a ball screw mechanism that can move the first movable member 13 in the X-axis direction. The rotation drive device 16 includes a motor that can move (rotate) the table 12 in the θY direction.

本実施形態において、テーブル12上には基準物体48が設置されており、測定物Sは基準物体48上に設置されている。テーブル12上に保持された基準物体48及び測定物Sは、駆動システム10によって、X軸、Y軸、Z軸、及びθY方向の4つの方向に移動可能である。 In this embodiment, a reference object 48 is placed on the table 12, and the measurement object S is placed on the reference object 48. The reference object 48 and the measurement object S held on the table 12 can be moved in four directions, the X-axis, the Y-axis, the Z-axis, and the θY direction, by the drive system 10.

なお、駆動システム10は、テーブル12に保持された測定物Sを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動させてもよい。また、本実施形態においては、駆動システム10は、ボールねじ駆動機構を含むこととしたが、例えば、ボイスコイルモータを含んでもよい。例えば、駆動システム10は、リニアモータを含んでもよいし、平面モータを含んでもよい。 The drive system 10 may move the measurement object S held on the table 12 in six directions, namely, the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX, θY, and θZ directions. In the present embodiment, the drive system 10 includes a ball screw drive mechanism, but may also include, for example, a voice coil motor. For example, the drive system 10 may include a linear motor or a planar motor.

本実施形態において、ステージ9は、内部空間SPにおいて移動可能である。ステージ9は、射出部8の+Z側に配置される。ステージ9は、内部空間SPのうち、射出部8よりも+Z側の空間で移動可能である。ステージ9の少なくとも一部は、射出部8と対向可能である。ステージ9は、保持した測定物Sを、射出部8と対向する位置に配置可能である。ステージ9は、射出部8から射出されたX線XLが通過する経路上に、測定物Sを配置可能である。ステージ9は、射出部8から射出されたX線XLの照射範囲内に、配置可能である。 In this embodiment, the stage 9 is movable in the internal space SP. The stage 9 is disposed on the +Z side of the emission unit 8. The stage 9 is movable in the space of the internal space SP on the +Z side of the emission unit 8. At least a portion of the stage 9 can face the emission unit 8. The stage 9 can position the held measured object S in a position facing the emission unit 8. The stage 9 can position the measured object S on the path through which the X-rays XL emitted from the emission unit 8 pass. The stage 9 can be positioned within the irradiation range of the X-rays XL emitted from the emission unit 8.

本実施形態において、検査装置100は、ステージ9の位置を計測する計測システム28を備えている。本実施形態において、計測システム28は、エンコーダシステムを含む。 In this embodiment, the inspection device 100 is equipped with a measurement system 28 that measures the position of the stage 9. In this embodiment, the measurement system 28 includes an encoder system.

計測システム28は、テーブル12の回転量(θY方向に関する位置)を計測するロータリーエンコーダ29と、X軸方向に関する第1可動部材13の位置を計測するリニアエンコーダ30と、Y軸方向に関する第2可動部材14の位置を計測するリニアエンコーダ31と、Z軸方向に関する第3可動部材15の位置を計測するリニアエンコーダ32とを有する。 The measurement system 28 has a rotary encoder 29 that measures the amount of rotation of the table 12 (position in the θY direction), a linear encoder 30 that measures the position of the first movable member 13 in the X-axis direction, a linear encoder 31 that measures the position of the second movable member 14 in the Y-axis direction, and a linear encoder 32 that measures the position of the third movable member 15 in the Z-axis direction.

本実施形態において、ロータリーエンコーダ29は、第1可動部材13に対するテーブル12の回転量を計測する。リニアエンコーダ30は、第2可動部材14に対する第1可動部材13の位置(X軸方向に関する位置)を計測する。リニアエンコーダ31は、第3可動部材15に対する第2可動部材14の位置(Y軸方向に関する位置)を計測する。リニアエンコーダ32は、ベース部材26に対する第3可動部材15の位置(Z軸方向に関する位置)を計測する。 In this embodiment, the rotary encoder 29 measures the amount of rotation of the table 12 relative to the first movable member 13. The linear encoder 30 measures the position of the first movable member 13 relative to the second movable member 14 (position in the X-axis direction). The linear encoder 31 measures the position of the second movable member 14 relative to the third movable member 15 (position in the Y-axis direction). The linear encoder 32 measures the position of the third movable member 15 relative to the base member 26 (position in the Z-axis direction).

ロータリーエンコーダ29は、例えば第1可動部材13に配置されたスケール部材29Aと、テーブル12に配置され、スケール部材29Aの目盛を検出するエンコーダヘッド29Bとを含む。スケール部材29Aは、第1可動部材13に固定されている。エンコーダヘッド29Bは、テーブル12に固定されている。エンコーダヘッド29Bは、スケール部材29A(第1可動部材13)に対するテーブル12の回転量を計測可能である。 The rotary encoder 29 includes, for example, a scale member 29A arranged on the first movable member 13, and an encoder head 29B arranged on the table 12 and detecting the scale of the scale member 29A. The scale member 29A is fixed to the first movable member 13. The encoder head 29B is fixed to the table 12. The encoder head 29B can measure the amount of rotation of the table 12 relative to the scale member 29A (first movable member 13).

リニアエンコーダ30は、例えば第2可動部材14に配置されたスケール部材30Aと、第1可動部材13に配置され、スケール部材30Aの目盛を検出するエンコーダヘッド30Bとを含む。スケール部材30Aは、第2可動部材14に固定されている。エンコーダヘッド30Bは、第1可動部材13に固定されている。エンコーダヘッド30Bは、スケール部材30A(第2可動部材14)に対する第1可動部材13の位置を計測可能である。 The linear encoder 30 includes, for example, a scale member 30A arranged on the second movable member 14, and an encoder head 30B arranged on the first movable member 13 and detecting the scale of the scale member 30A. The scale member 30A is fixed to the second movable member 14. The encoder head 30B is fixed to the first movable member 13. The encoder head 30B can measure the position of the first movable member 13 relative to the scale member 30A (second movable member 14).

リニアエンコーダ31は、第3可動部材15に配置されたスケール部材31Aと、第2可動部材14に配置され、スケール部材31Aの目盛を検出するエンコーダヘッド31Bとを含む。スケール部材31Aは、第3可動部材15に固定されている。エンコーダヘッド31Bは、第2可動部材14に固定されている。エンコーダヘッド31Bは、スケール部材31A(第3可動部材15)に対する第2可動部材14の位置を計測可能である。 The linear encoder 31 includes a scale member 31A arranged on the third movable member 15, and an encoder head 31B arranged on the second movable member 14 to detect the scale of the scale member 31A. The scale member 31A is fixed to the third movable member 15. The encoder head 31B is fixed to the second movable member 14. The encoder head 31B can measure the position of the second movable member 14 relative to the scale member 31A (third movable member 15).

リニアエンコーダ32は、ベース部材26に配置されたスケール部材32Aと、第3可動部材15に配置され、スケール部材32Aの目盛を検出するエンコーダヘッド32Bとを含む。スケール部材32Aは、ベース部材26に固定されている。エンコーダヘッド32Bは、第3可動部材15に固定されている。エンコーダヘッド32Bは、スケール部材32A(ベース部材26)に対する第3可動部材15の位置を計測可能である。 The linear encoder 32 includes a scale member 32A arranged on the base member 26, and an encoder head 32B arranged on the third movable member 15 and detecting the scale of the scale member 32A. The scale member 32A is fixed to the base member 26. The encoder head 32B is fixed to the third movable member 15. The encoder head 32B can measure the position of the third movable member 15 relative to the scale member 32A (base member 26).

検出器5は、内部空間SPにおいて、X線発生装置2及びステージ9よりも+Z側に配置される。検出器5の位置は、所定の位置で固定される。なお、検出器5が移動可能でもよい。ステージ9は、内部空間SPのうち、X線発生装置2と検出器5との間の空間を移動可能である。 The detector 5 is disposed on the +Z side of the X-ray generator 2 and the stage 9 in the internal space SP. The position of the detector 5 is fixed at a predetermined position. The detector 5 may be movable. The stage 9 is movable in the space between the X-ray generator 2 and the detector 5 in the internal space SP.

検出器5は、測定物Sを透過した透過X線を含むX線発生装置2からのX線XLが入射する入射面33を有するシンチレータ部34と、シンチレータ部34において発生した光を受光する受光部35とを有する。検出器5の入射面33は、ステージ9に保持された測定物Sと対向可能である。 The detector 5 has a scintillator section 34 having an incidence surface 33 on which X-rays XL from the X-ray generator 2, including transmitted X-rays that have passed through the measured object S, are incident, and a light receiving section 35 that receives light generated in the scintillator section 34. The incidence surface 33 of the detector 5 can face the measured object S held on the stage 9.

シンチレータ部34は、X線が当たることによって、そのX線とは異なる波長の光を発生させるシンチレーション物質を含む。受光部35は、光電子倍増管を含む。光電子倍増管は、光電効果により光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電管を含む。受光部35は、シンチレータ部34において発生した光を増幅し、電気信号に変換して出力する。 The scintillator section 34 contains a scintillation material that generates light of a different wavelength from the X-rays when struck by the X-rays. The light receiving section 35 contains a photomultiplier tube. The photomultiplier tube contains a phototube that converts light energy into electrical energy by the photoelectric effect. The light receiving section 35 amplifies the light generated in the scintillator section 34, converts it into an electrical signal, and outputs it.

検出器5は、シンチレータ部34を複数有する。シンチレータ部34は、XY平面内において複数配置される。シンチレータ部34は、アレイ状に配置される。検出器5は、複数のシンチレータ部34のそれぞれに接続するように、受光部35を複数有する。なお、検出器5は、入射するX線を、光に変換することなく直接電気信号に変換してもよい。 The detector 5 has a plurality of scintillator sections 34. A plurality of scintillator sections 34 are arranged in the XY plane. The scintillator sections 34 are arranged in an array. The detector 5 has a plurality of light receiving sections 35 so as to be connected to each of the plurality of scintillator sections 34. Note that the detector 5 may directly convert the incident X-rays into an electrical signal without converting them into light.

移動機構46は、検出器5を移動可能に支持する。移動機構46は、検出器5を少なくともZ軸方向(X線発生装置2及びステージ9に対して進退する方向)に移動させる駆動装置を備えている。移動機構46は、ステージ9と同様に、検出器5をX軸方向、Y軸方向、Z軸方向、及びθY方向に移動させる機構としてもよい。 The moving mechanism 46 supports the detector 5 so that it can move. The moving mechanism 46 is equipped with a drive device that moves the detector 5 at least in the Z-axis direction (the direction toward and away from the X-ray generator 2 and the stage 9). The moving mechanism 46 may be a mechanism that moves the detector 5 in the X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction, and θY direction, similar to the stage 9.

次に、X線発生装置の構造について説明する。図5は、本実施形態に係るX線発生装置の模式的な断面図である。図5に示すように、本実施形態に係るX線発生装置2は、筐体50と、電子放出部52と、収納部54と、X線放出部56と、減圧部58と、電源60、62と、配線収納部64と、配線L1、L2とを備える。筐体50は、収納部54とX線放出部56とを内部に収納する筐体である。筐体50は、+Z方向側の表面50Aに、出射部50Bが設けられる。出射部50Bは、表面50Aにおける開口ではなく、表面50Aにおいて閉塞された部分であるが、周囲よりも厚みが小さくなっている。ただし、出射部50Bの形状は任意であり、周囲より厚みが小さくなっていることに限られない。筐体50は、例えばアルミニウムなどの軽元素部材で構成されているため、出射部50Bも、例えばアルミニウムなどの軽元素部材で構成されている。軽元素部材とは、後述のX線放出部56(例えばタングステン)よりも原子番号が小さい元素を含む部材であり、より好ましくはアルミニウムである。 Next, the structure of the X-ray generating device will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the X-ray generating device according to this embodiment. As shown in FIG. 5, the X-ray generating device 2 according to this embodiment includes a housing 50, an electron emitter 52, a storage section 54, an X-ray emitter 56, a pressure reducing section 58, power sources 60 and 62, a wiring storage section 64, and wiring L1 and L2. The housing 50 is a housing that stores the storage section 54 and the X-ray emitter 56 inside. The housing 50 has an emission section 50B on the surface 50A on the +Z direction side. The emission section 50B is not an opening on the surface 50A, but a closed portion on the surface 50A, but has a smaller thickness than the surrounding area. However, the shape of the emission section 50B is arbitrary and is not limited to being smaller in thickness than the surrounding area. Since the housing 50 is made of a light element material such as aluminum, the emission section 50B is also made of a light element material such as aluminum. A light element member is a member that contains an element with an atomic number smaller than that of the X-ray emitter 56 (e.g., tungsten) described below, and is more preferably aluminum.

筐体50は、減圧部58に接続されている。減圧部58は、筐体50内の空間SP内の気体を排出して、空間SP内を真空にする装置である。減圧部58は、例えば排気ポンプである。筐体50は、減圧部58に内部の気体を排出されることで、空間SP内を真空に保持する。ただし、空間SP内は、真空であることに限られず、大気よりも、酸素などの気体の分圧が低ければよい。すなわち、筐体50は、内部の空間SPを、減圧または真空に保持する。 The housing 50 is connected to a pressure reduction unit 58. The pressure reduction unit 58 is a device that exhausts gas from the space SP inside the housing 50 to create a vacuum in the space SP. The pressure reduction unit 58 is, for example, an exhaust pump. The housing 50 maintains a vacuum in the space SP by having the pressure reduction unit 58 exhaust the gas inside. However, the space SP is not limited to being a vacuum, and it is sufficient that the partial pressure of gas such as oxygen is lower than that of the atmosphere. In other words, the housing 50 maintains the internal space SP at a reduced pressure or vacuum.

電子放出部52は、電子線E(電子)を放出する機構である。電子放出部52は、電子源筐体52Aと、電子源52Bと、中間電極52Cとを備える。電子源筐体52Aは、内部に電子源52Bを収納する筐体である。電子源筐体52Aは、筐体50に接続されており、内部の空間SP1が筐体50の空間SPと連通している。従って、電子源筐体52Aの内部の空間SP1も、減圧部58によって、減圧または真空に保持されている。本実施形態では、電子放出部52(電子源筐体52A)は、筐体50の+Y方向側の面50Cに接続されている。すなわち、電子放出部52は、筐体50の出射部50Bが設けられる表面50Aとは異なる表面50Cに接続されている。ただし、電子放出部52は、表面50Cに限られず、任意の位置に設けられてもよい。 The electron emitter 52 is a mechanism for emitting an electron beam E (electrons). The electron emitter 52 includes an electron source housing 52A, an electron source 52B, and an intermediate electrode 52C. The electron source housing 52A is a housing that houses the electron source 52B inside. The electron source housing 52A is connected to the housing 50, and the internal space SP1 is connected to the space SP of the housing 50. Therefore, the internal space SP1 of the electron source housing 52A is also reduced in pressure or held at a vacuum by the pressure reducing unit 58. In this embodiment, the electron emitter 52 (electron source housing 52A) is connected to the surface 50C on the +Y direction side of the housing 50. That is, the electron emitter 52 is connected to a surface 50C different from the surface 50A on which the emission unit 50B of the housing 50 is provided. However, the electron emitter 52 is not limited to the surface 50C, and may be provided at any position.

電子源52Bは、電子線Eを放出する機構であり、本実施形態ではフィラメントである。電子源52Bは、例えばタングステンを含む材料により構成され、X線放出部56に向けて鋭く尖った先端を有するように構成されている。中間電極52Cは、電子源52Bよりも、X線放出部56が設けられる側、ここでは-Y方向側に配置されている。中間電極52Cは、電子源52B側の表面からX線放出部56側の表面までを貫通する開口52Dが設けられる。 The electron source 52B is a mechanism for emitting the electron beam E, and in this embodiment is a filament. The electron source 52B is made of a material containing tungsten, for example, and is configured to have a sharply pointed tip toward the X-ray emitter 56. The intermediate electrode 52C is disposed on the side where the X-ray emitter 56 is provided, in this case the -Y direction side, of the electron source 52B. The intermediate electrode 52C is provided with an opening 52D that penetrates from the surface on the electron source 52B side to the surface on the X-ray emitter 56 side.

収納部54は、内部にX線放出部56を収納する部材である。収納部54は、空間54Cと入射経路70と出射経路72とが形成される。また、収納部54には、挿入部材76と、軽元素を少なくとも一部に含む部材80とが取付けられる。部材80は、軽元素を含む軽元素部材80である。 The storage section 54 is a member that stores the X-ray emitter 56 inside. The storage section 54 is formed with a space 54C, an entrance path 70, and an exit path 72. In addition, an insertion member 76 and a member 80 that contains at least a part of a light element are attached to the storage section 54. The member 80 is a light element member 80 that contains a light element.

図6は、本実施形態に係る収納部の模式的な拡大断面図である。収納部54は、X線XLを吸収可能な部材で構成されている。本実施形態では、収納部54は、タングステンを含む材料で構成されており、さらに言えば、タングステンで構成される。収納部54は、内部に空間54Cが形成されており、空間54C内にX線放出部56を収納する。入射経路70は、収納部54に形成される開口であり、一方の端部70Aから他方の端部70Bまでにわたって設けられている。入射経路70の端部70Aは、収納部54の表面54Aに形成されており、入射経路70の端部70Bは、空間54Cに連通している。すなわち、入射経路70は、表面54Aから空間54Cまでにわたって設けられている。なお、表面54Aは、収納部54の、電子放出部52側の表面であり、本実施形態では+Y方向側の表面である。従って、入射経路70は、電子放出部52とX線放出部56との間に形成される経路であるといえ、さらに言えば、筐体50内(収納部54内)に配置されて、電子放出部52からの電子線EがX線放出部56に至る経路であるといえる。 6 is a schematic enlarged cross-sectional view of the storage unit according to this embodiment. The storage unit 54 is made of a material capable of absorbing X-rays XL. In this embodiment, the storage unit 54 is made of a material containing tungsten, and more specifically, is made of tungsten. The storage unit 54 has a space 54C formed therein, and stores the X-ray emitter 56 in the space 54C. The incident path 70 is an opening formed in the storage unit 54, and is provided from one end 70A to the other end 70B. The end 70A of the incident path 70 is formed on the surface 54A of the storage unit 54, and the end 70B of the incident path 70 is connected to the space 54C. That is, the incident path 70 is provided from the surface 54A to the space 54C. The surface 54A is the surface of the storage unit 54 on the electron emitter 52 side, and in this embodiment, it is the surface on the +Y direction side. Therefore, the incident path 70 can be said to be a path formed between the electron emitter 52 and the X-ray emitter 56, and more specifically, it can be said to be a path disposed inside the housing 50 (inside the storage section 54) through which the electron beam E from the electron emitter 52 reaches the X-ray emitter 56.

入射経路70は、本実施形態では、円柱状に形成された開口であり、端部70Aから端部70Bまでにわたって内径が一定である。また、入射経路70の中心軸を軸AX1とすると、軸AX1は、Z軸方向に対して交差している。本実施形態では、軸AX1は、-Y方向側に向かうに従って、+Z方向側(X線放出部56から出射部50Bに向かう方向側)に傾斜している。ただし、入射経路70は円柱状に限られず、軸AX1の方向も上記で説明したものに限られない。 In this embodiment, the incident path 70 is an opening formed in a cylindrical shape, and the inside diameter is constant from end 70A to end 70B. Furthermore, if the central axis of the incident path 70 is axis AX1, axis AX1 intersects with the Z-axis direction. In this embodiment, axis AX1 is inclined toward the +Z direction (the direction from the X-ray emitter 56 toward the emitter 50B) as it approaches the -Y direction. However, the incident path 70 is not limited to being cylindrical, and the direction of axis AX1 is not limited to that described above.

出射経路72は、収納部54に形成される開口であり、一方の端部72Aから他方の端部72Bまでにわたって設けられている。出射経路72の端部72Aは、収納部54の表面54Bに形成されており、出射経路72の端部72Bは、空間54Cに連通している。すなわち、出射経路72は、表面54Bから空間54Cまでにわたって設けられている。出射経路72は、端部72Bにおいて入射経路70の端部70Aと接続されているため、出射経路72と入射経路70とは、連通している。なお、表面54Bは、収納部54の、出射部50B側の表面であり、本実施形態では+Z方向側の表面である。従って、出射経路72は、X線放出部56と出射部50Bとの間に形成される経路であるといえ、さらに言えば、筐体50内(収納部54内)に配置されて、X線放出部56からのX線XLが出射部50Bに至る経路であるといえる。 The emission path 72 is an opening formed in the storage section 54, and is provided from one end 72A to the other end 72B. The end 72A of the emission path 72 is formed on the surface 54B of the storage section 54, and the end 72B of the emission path 72 is connected to the space 54C. In other words, the emission path 72 is provided from the surface 54B to the space 54C. Since the emission path 72 is connected to the end 70A of the incident path 70 at the end 72B, the emission path 72 and the incident path 70 are connected. The surface 54B is the surface of the storage section 54 on the emission section 50B side, and in this embodiment, it is the surface on the +Z direction side. Therefore, the emission path 72 can be said to be a path formed between the X-ray emitter 56 and the emission part 50B, and more specifically, it can be said to be a path disposed inside the housing 50 (inside the storage part 54) through which the X-rays XL from the X-ray emitter 56 reach the emission part 50B.

出射経路72は、本実施形態では、円錐台形状に形成された開口となっており、端部72Bに向かうに従って、すなわち出射部50Bに向かうに従って、内径が大きくなる。また、出射経路72は、端部72A側の内径が、入射経路70の内径より小さいことが好ましい。さらに言えば、+Z方向側から見た場合の出射経路72のX線放出部56と重畳していない領域の面積は、小さい方が好ましく、その領域の面積が、入射経路70の内径より小さいことが好ましい。また、出射経路72の中心軸を軸AX2とすると、軸AX2は、入射経路70の軸AX1と交差している。すなわち、出射経路72と入射経路70とは、交差している。本実施形態では、出射経路72の軸AX2は、Z軸方向に沿っている。ただし、出射経路72は円錐台形状に限られず、軸AX2の方向も上記で説明したものに限られない。 In this embodiment, the exit path 72 is an opening formed in a truncated cone shape, and the inner diameter increases toward the end 72B, i.e., toward the exit section 50B. In addition, the inner diameter of the exit path 72 on the end 72A side is preferably smaller than the inner diameter of the entrance path 70. Furthermore, it is preferable that the area of the region of the exit path 72 that does not overlap with the X-ray emission section 56 when viewed from the +Z direction side is small, and the area of that region is preferably smaller than the inner diameter of the entrance path 70. In addition, if the central axis of the exit path 72 is the axis AX2, the axis AX2 intersects with the axis AX1 of the entrance path 70. In other words, the exit path 72 and the entrance path 70 intersect. In this embodiment, the axis AX2 of the exit path 72 is along the Z-axis direction. However, the exit path 72 is not limited to a truncated cone shape, and the direction of the axis AX2 is not limited to that described above.

X線放出部56は、収納部54の空間54C内に設けられる。X線放出部56は、いわゆるターゲットであり、電子が衝突することでX線を発生する部材である。X線放出部56は、本実施形態ではタングステンを含む材料で構成されており、さらに言えば、タングステンで構成される。X線放出部56は、電子放出部52からの電子線Eが照射されることでX線XLを放出する。本実施形態では、X線放出部56は、表面が曲面形状となっており、入射経路70から電子線Eが照射されることで、出射経路72に向けて、すなわち+Z方向に向けて、X線XLを放出する。ただし、X線放出部56の形状は曲面に限られず任意である。 The X-ray emitter 56 is provided in the space 54C of the storage section 54. The X-ray emitter 56 is a so-called target, and is a member that generates X-rays when struck by electrons. In this embodiment, the X-ray emitter 56 is made of a material containing tungsten, and more specifically, is made of tungsten. The X-ray emitter 56 emits X-rays XL when irradiated with the electron beam E from the electron emitter 52. In this embodiment, the X-ray emitter 56 has a curved surface, and when irradiated with the electron beam E from the entrance path 70, it emits X-rays XL toward the exit path 72, i.e., in the +Z direction. However, the shape of the X-ray emitter 56 is not limited to a curved surface and can be any shape.

挿入部材76は、入射経路70に挿入される部材である。挿入部材76は、X線XLを吸収可能な部材で構成されている。本実施形態では、挿入部材76は、タングステンを含む材料で構成されており、さらに言えば、タングステンと銅との合金で構成される。挿入部材76は、一方の端部76Aから他方の端部76Bまで延在する管状の部材であり、端部76Aから端部76Bまでにわたって開口している。端部76Aは、フランジが設けられている。挿入部材76は、端部76B側から入射経路70に挿入されることで、端部76Bが入射経路70の端部70B側に位置し、端部76Aが入射経路70の端部70A側に位置している。ただし、挿入部材76の端部76Bは、入射経路70の端部70Bよりも端部70A側に位置しており、空間54C(X線放出部56)までには至っていない。挿入部材76の端部76Bと空間54C(X線放出部56)との間には、後述する軽元素部材82が設けられる。 The insertion member 76 is a member inserted into the incident path 70. The insertion member 76 is made of a material capable of absorbing X-rays XL. In this embodiment, the insertion member 76 is made of a material containing tungsten, and more specifically, is made of an alloy of tungsten and copper. The insertion member 76 is a tubular member extending from one end 76A to the other end 76B, and is open from the end 76A to the end 76B. The end 76A is provided with a flange. The insertion member 76 is inserted into the incident path 70 from the end 76B side, so that the end 76B is located on the end 70B side of the incident path 70, and the end 76A is located on the end 70A side of the incident path 70. However, the end 76B of the insertion member 76 is located closer to the end 70A side than the end 70B of the incident path 70, and does not reach the space 54C (X-ray emission section 56). A light element member 82, which will be described later, is provided between the end 76B of the insertion member 76 and the space 54C (X-ray emission portion 56).

軽元素部材80は、X線放出部56からのX線XLが出射部50Bに至る経路中に配置される部材である。軽元素部材80は、X線放出部56(ここではタングステン)より原子番号が小さい元素を含む部材である。軽元素部材80は、本実施形態では、例えばアルミニウムである。 The light element member 80 is a member that is disposed in the path along which the X-rays XL from the X-ray emitter 56 reach the emission section 50B. The light element member 80 is a member that contains an element with a smaller atomic number than the X-ray emitter 56 (tungsten in this case). In this embodiment, the light element member 80 is, for example, aluminum.

なお、軽元素部材80は、アルミニウムに限られず、銅でも構わない。
また、例えば、軽元素部材80は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの軽金属系の材料、炭化ケイ素(SiC;Silicon Carbide)などのセラミックス系の材料、パイログラファイト等のカーボン系の材料でも構わない。なお、パイログラファイトは、炭化水素ガスを黒鉛や炭素繊維の基材に沈積させることにより製造する炭素材料である。熱分解黒鉛やパイロカーバイトとも呼ばれる。
また、例えば、軽元素部材80は、アルミニウム合金やチタン合金であってもよい。また、進路中の部材の少なくとも一部は、上記材料(アルミニウム、アルミニウム合金、チタン、チタン合金、炭化ケイ素、パイログラファイトなど)で構成される場合に限られず、上記材料又は上記材料を少なくも一部に含む材料で被覆されてもよい。
また、後述する二次X線の発生を抑制による測定不良を抑制できれば、軽元素部材80にX線放出部材が含まれていても構わない。例えば、X線放出部材がタングステンである場合に、軽元素部材80にタングステンが含まれていても構わない。例えば、タングステンと、タングステンに対する軽元素のアルミ二ウムとを含む合金を用いる場合に、タングステンが重量比で10%含まれていてもかまない。重量比はこれに限られず、5%でも20%でも構わない。測定不良を抑制すべき程度に応じてタングステンや他の物質が含まれていても、構わない。
The light element member 80 is not limited to aluminum, but may be copper.
Also, for example, the light element member 80 may be a light metal-based material such as aluminum (Al) or titanium (Ti), a ceramic-based material such as silicon carbide (SiC), or a carbon-based material such as pyrolytic graphite. Pyrolytic graphite is a carbon material produced by depositing a hydrocarbon gas on a substrate of graphite or carbon fiber. It is also called pyrolytic graphite or pyrocarbide.
For example, the light element member 80 may be an aluminum alloy or a titanium alloy. At least a portion of the member in the path is not limited to being made of the above-mentioned materials (aluminum, aluminum alloy, titanium, titanium alloy, silicon carbide, pyrolytic graphite, etc.), and may be coated with the above-mentioned materials or a material that at least partially contains the above-mentioned materials.
Furthermore, the light element member 80 may contain an X-ray emitting material as long as it can suppress measurement failures due to suppression of generation of secondary X-rays, which will be described later. For example, when the X-ray emitting material is tungsten, the light element member 80 may contain tungsten. For example, when an alloy containing tungsten and aluminum, which is a light element relative to tungsten, is used, the tungsten content may be 10% by weight. The weight ratio is not limited to this, and may be 5% or 20%. Tungsten or other substances may be contained depending on the degree to which measurement failures should be suppressed.

軽元素部材80は、第1軽元素部材82と、第2軽元素部材84と、第3軽元素部材86とを含む。第1軽元素部材82は、入射経路70と出射経路72との間に設けられる。入射経路70の端部70Bと出射経路72の端部72Bとは接続されているため、第1軽元素部材82は、入射経路70の端部70Bと出射経路72の端部72Bとの接続箇所に設けられているといえる。また、入射経路70と出射経路72とは、連通しており互いに交差しているため、第1軽元素部材82は、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78に配置されるともいえる。 The light element member 80 includes a first light element member 82, a second light element member 84, and a third light element member 86. The first light element member 82 is provided between the incident path 70 and the exit path 72. Since the end 70B of the incident path 70 and the end 72B of the exit path 72 are connected, it can be said that the first light element member 82 is provided at the connection point between the end 70B of the incident path 70 and the end 72B of the exit path 72. In addition, since the incident path 70 and the exit path 72 are connected and intersect with each other, it can be said that the first light element member 82 is disposed at the portion 78 where the incident path 70 and the exit path 72 intersect.

より具体的には、第1軽元素部材82は、管部82Aと壁部82Bとを有する。管部82Aは、入射経路70内に設けられて、一方の端部82Aaから他方の端部82Abまで開口する管状の部材である。管部82Aは、入射経路70の端部70Bの箇所に設けられ、入射経路70の端部70Bの箇所の内周面を覆っている。管部82Aは、挿入部材76と空間54C(X線放出部56)との間に設けられており、挿入部材76と空間54C(X線放出部56)との間の、入射経路70の内周面を覆っている。本実施形態では、管部82Aの端部82Aaは、挿入部材76の端部76Bと接触する。管部82Aの端部82Abは、X線放出部56側(-Z方向側)において、X線放出部56の表面の近傍に位置しているが、X線放出部56の表面に接触せず、X線放出部56の表面から離れていることが好ましい。 More specifically, the first light element member 82 has a tube portion 82A and a wall portion 82B. The tube portion 82A is a tubular member that is provided in the incident path 70 and opens from one end 82Aa to the other end 82Ab. The tube portion 82A is provided at the end 70B of the incident path 70 and covers the inner surface of the end 70B of the incident path 70. The tube portion 82A is provided between the insertion member 76 and the space 54C (X-ray emitter 56) and covers the inner surface of the incident path 70 between the insertion member 76 and the space 54C (X-ray emitter 56). In this embodiment, the end 82Aa of the tube portion 82A contacts the end 76B of the insertion member 76. The end 82Ab of the tube portion 82A is located near the surface of the X-ray emitter 56 on the X-ray emitter 56 side (-Z direction side), but it is preferable that it does not contact the surface of the X-ray emitter 56 and is separated from the surface of the X-ray emitter 56.

壁部82Bは、板状(壁状)の部材であり、管部82Aの端部82Abから延在する。壁部82Bは、管部82Aの端部82Abの全周にわたって設けられておらず、管部82Aの端部82Abの全周のうち、端部82Abの出射経路72側(+Z方向側)の部分に設けられている。壁部82Bは、端部82Baが、管部82Aの端部82Abの出射経路72側(+Z方向側)の部分に接続され、端部82Baから端部82Bbまで、空間54C(X線放出部56)側、ここでは-Y方向側に向けて延在する。さらに言えば、管部82Aの端部82Abの出射経路72側(+Z方向側)の部分は、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78に位置している。従って、壁部82Bは、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78から、空間54C(X線放出部56)側に向けて延在しているといえる。従って、壁部82Bは、入射経路70と出射経路72との間に設けられるといえ、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78に設けられ、部分78から空間54C(X線放出部56)側に向けて延在しているといえる。壁部82Bは、このような位置に設けられるため、Z軸方向から見ると、出射経路72に重なっており、出射経路72の少なくとも一部を遮っている。壁部82Bは、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る経路中に配置されているといえる。 The wall portion 82B is a plate-like (wall-like) member and extends from the end 82Ab of the tube portion 82A. The wall portion 82B is not provided around the entire circumference of the end 82Ab of the tube portion 82A, but is provided on the emission path 72 side (+Z direction side) of the end 82Ab of the tube portion 82A. The end 82Ba of the wall portion 82B is connected to the emission path 72 side (+Z direction side) of the end 82Ab of the tube portion 82A, and extends from the end 82Ba to the end 82Bb toward the space 54C (X-ray emitter 56), here the -Y direction side. Furthermore, the emission path 72 side (+Z direction side) part of the end 82Ab of the tube portion 82A is located at the part 78 where the entrance path 70 and the emission path 72 intersect. Therefore, it can be said that the wall portion 82B extends from the portion 78 where the incident path 70 and the exit path 72 intersect toward the space 54C (X-ray emitter 56). Therefore, it can be said that the wall portion 82B is provided between the incident path 70 and the exit path 72, and is provided at the portion 78 where the incident path 70 and the exit path 72 intersect, and extends from the portion 78 toward the space 54C (X-ray emitter 56). Since the wall portion 82B is provided at such a position, it overlaps the exit path 72 when viewed from the Z-axis direction, and blocks at least a part of the exit path 72. It can be said that the wall portion 82B is disposed in the path along which the X-rays from the X-ray emitter 56 reach the exit portion 50B.

なお、管部82Aの端部82Aaから端部82Abまでの方向である延在方向は、入射経路70の延在方向、すなわち軸AX1に沿っている。一方、壁部82Bは、端部82Baから端部82Bbまでの方向である延在方向は、軸AX1に対して傾斜していることが好ましい。壁部82Bは、端部82Baから端部82Bbに向かうに従って、軸AX1に対して、-Z方向側(出射部50BからX線放出部56に向かう方向側)に傾斜していることが好ましい。ただし、壁部82Bの端部82Baから端部82Bbまでの方向である延在方向も、入射経路70の延在方向、すなわち軸AX1に沿っていてもよい。また、軸AX1に沿った方向において、挿入部材76の内周面を軸AX1に沿って仮想的に延長した場合に、挿入部材76の内周面が占める空間を、空間ARとする(図6参照)。この場合、壁部82Bは、空間ARの内側に入ることなく、空間ARの外側に位置していることが好ましい。すなわち、空間ARは、入射経路70において、電子放出部52からの電子線Eが通る空間であり、壁部82Bは、この入射経路70において電子放出部52からの電子線Eが通る空間AR外にあることが好ましい。 The extending direction of the tube portion 82A from the end 82Aa to the end 82Ab is along the extending direction of the incident path 70, i.e., along the axis AX1. On the other hand, the extending direction of the wall portion 82B from the end 82Ba to the end 82Bb is preferably inclined with respect to the axis AX1. The wall portion 82B is preferably inclined toward the -Z direction side (the direction from the emission portion 50B to the X-ray emission portion 56) with respect to the axis AX1 as it moves from the end 82Ba to the end 82Bb. However, the extending direction of the wall portion 82B from the end 82Ba to the end 82Bb may also be along the extending direction of the incident path 70, i.e., along the axis AX1. In addition, when the inner peripheral surface of the insertion member 76 is virtually extended along the axis AX1 in the direction along the axis AX1, the space occupied by the inner peripheral surface of the insertion member 76 is referred to as the space AR (see FIG. 6). In this case, it is preferable that the wall portion 82B is located outside the space AR, without entering inside the space AR. In other words, the space AR is the space through which the electron beam E from the electron emitter 52 passes on the incident path 70, and it is preferable that the wall portion 82B is outside the space AR through which the electron beam E from the electron emitter 52 passes on this incident path 70.

また、壁部82Bの端部82Bbは、X線放出部56の表面の近傍に位置しているが、X線放出部56の表面に接触せず、X線放出部56の表面から離れていることが好ましい。 In addition, the end 82Bb of the wall portion 82B is located near the surface of the X-ray emitter 56, but it is preferable that it does not contact the surface of the X-ray emitter 56 and is separated from the surface of the X-ray emitter 56.

このように、第1軽元素部材82は、管部82Aと壁部82Bとを含むが、管部82Aと壁部82Bとの少なくとも一方を含めばよい。 Thus, the first light element member 82 includes a tube portion 82A and a wall portion 82B, but it is sufficient to include at least one of the tube portion 82A and the wall portion 82B.

第2軽元素部材84は、出射経路72に設けられる。さらに言えば、第2軽元素部材84は、管状の部材であり、出射経路72の内周面に設けられ、出射経路72の内周面を覆う。第2軽元素部材84は、出射経路72の端部72Aから端部72Bまでにおいて、出射経路72の内周面を覆うことが好ましい。また、第2軽元素部材84は、出射経路72の端部72Aから、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78までにわたって設けられ、端部72Aから部分78までにおいて、出射経路72の内周面を覆うことが好ましいともいえる。第2軽元素部材84は、出射経路72の形状に合わせて、端部72Aに向かうに従って、径が大きくなっている。 The second light element member 84 is provided in the emission path 72. More specifically, the second light element member 84 is a tubular member, and is provided on the inner peripheral surface of the emission path 72, covering the inner peripheral surface of the emission path 72. It is preferable that the second light element member 84 covers the inner peripheral surface of the emission path 72 from the end 72A to the end 72B of the emission path 72. It can also be said that the second light element member 84 is provided from the end 72A of the emission path 72 to the portion 78 where the entrance path 70 and the emission path 72 intersect, and preferably covers the inner peripheral surface of the emission path 72 from the end 72A to the portion 78. The diameter of the second light element member 84 increases toward the end 72A in accordance with the shape of the emission path 72.

第3軽元素部材86は、出射経路72に設けられる。さらに言えば、第3軽元素部材86は、板状(壁状)の部材であり、出射経路72の端部72Aに設けられる。第3軽元素部材86は、Z軸方向から見て、出射経路72の端部72Aに重なるように設けられ、Z軸方向から見て、出射経路72の端部72Aの全域に重なる。すなわち、第3軽元素部材86は、Z軸方向から見て、出射経路72を遮っている。ただし、第3軽元素部材86は、出射経路72の全域に重畳することに限られず、Z軸方向から見て、出射経路72の少なくとも一部に重なればよい。 The third light element member 86 is provided in the emission path 72. More specifically, the third light element member 86 is a plate-shaped (wall-shaped) member, and is provided at the end 72A of the emission path 72. The third light element member 86 is provided so as to overlap the end 72A of the emission path 72 when viewed from the Z-axis direction, and overlaps the entire area of the end 72A of the emission path 72 when viewed from the Z-axis direction. In other words, the third light element member 86 blocks the emission path 72 when viewed from the Z-axis direction. However, the third light element member 86 is not limited to overlapping the entire area of the emission path 72, and it is sufficient that it overlaps at least a portion of the emission path 72 when viewed from the Z-axis direction.

図5に示すように、電源60は、配線L1を介して電子源52Bに接続されている。また、筐体50、電子源筐体52A、及び中間電極52Cは、接地されることでグラウンド電位に保持されている。電源60は、グラウンド電位である中間電極52Cに対して負の電圧(例えば-225kV)を、電子源52Bに印加する。また、電源62は、配線L2を介してX線放出部56に接続されている。配線L2は、筐体50内において、配線収納部64に覆われている。電源62は、グラウンド電位である中間電極52Cに対して正の電圧(例えば+225kV)を、X線放出部56に印加する。従って、電子源52Bは、X線放出部56に対して大きな負の電圧(例えば-450kV)が印加されることとなる。なお、収納部54は、接地されることでグラウンド電位に保持されている。また、軽元素部材80は、収納部54と接触するため、収納部54を介して接地されて、グラウンド電位に保持されている。 As shown in FIG. 5, the power supply 60 is connected to the electron source 52B via wiring L1. The housing 50, the electron source housing 52A, and the intermediate electrode 52C are grounded and held at ground potential. The power supply 60 applies a negative voltage (e.g., −225 kV) to the electron source 52B with respect to the intermediate electrode 52C, which is at ground potential. The power supply 62 is connected to the X-ray emitter 56 via wiring L2. The wiring L2 is covered by a wiring storage section 64 inside the housing 50. The power supply 62 applies a positive voltage (e.g., +225 kV) to the X-ray emitter 56 with respect to the intermediate electrode 52C, which is at ground potential. Therefore, the electron source 52B applies a large negative voltage (e.g., −450 kV) with respect to the X-ray emitter 56. The storage section 54 is grounded and held at ground potential. In addition, since the light element member 80 is in contact with the storage section 54, it is grounded through the storage section 54 and is held at ground potential.

このように負の電圧を電子源52Bに印加し、電子源52Bに別途加熱電流を流すことによって、電子源52Bは加熱され、電子源52Bの先端から、電子線E(熱電子)が、照射される。すなわち、電子源52Bは、電源60により高電圧が印加されると、電子線Eを放出するカソードとして機能する。なお、上記説明の通り、本実施形態ではフィラメント加熱による熱電子を使用したカソードであるが、カソードを加熱することなく、カソードの周囲に強い電界を形成されることにより電子線Eを放出されるものや、ショットキー効果を利用したカソードなどであってもよい。 By applying a negative voltage to the electron source 52B and passing a separate heating current through the electron source 52B, the electron source 52B is heated and an electron beam E (thermal electrons) is emitted from the tip of the electron source 52B. That is, when a high voltage is applied to the electron source 52B by the power supply 60, the electron source 52B functions as a cathode that emits an electron beam E. As described above, in this embodiment, the cathode uses thermal electrons generated by filament heating, but it may also be a cathode that emits an electron beam E by forming a strong electric field around the cathode without heating the cathode, or a cathode that utilizes the Schottky effect.

図7及び図8は、X線の発生を説明する模式図である。電子源52Bから放出された電子線Eは、電子源52BとX線放出部56との間の電位差(例えば450kV)により加速されながらX線放出部56に向かう。すなわち、電子源52Bから放出された電子線Eは、電子放出部52に備えられた不図示の電子光学部材により集束され、図5に示すように、中間電極52Cの開口52D、筐体50の空間SPを通って、収納部54の入射経路70に入射する。図7に示すように、電子線Eは、入射経路70の端部70Aから入射経路70内に入射し、入射経路70内を通ってX線放出部56の表面に照射される。X線放出部56は、電子線Eが照射されることで、+Z方向に向けて、X線XLを発生させる。X線放出部56が発生させるX線XLは、出射経路72の端部72Bから出射経路72内に入射し、出射経路72内を進行して、出射経路72の端部72Aから、収納部54の外部、すなわち筐体50の空間SPに出て、図5に示すように、空間SPを通って、出射部50Bから、筐体50の外部に出射される。X線放出部56から放出されるX線XLは、円錐状のいわゆるコーンビーム状となっている。なお、X線放出部56に照射される電子線Eの進行方向は、軸AX1に沿っており、X線放出部56から放出されるX線XLの進行方向は、軸AX2に沿っている。従って、本実施形態において、X線放出部56に入射する電子線Eの進行方向と、X線放出部56から放出されるX線XLの進行方向とは、異なる。 7 and 8 are schematic diagrams for explaining the generation of X-rays. The electron beam E emitted from the electron source 52B is accelerated by the potential difference (e.g., 450 kV) between the electron source 52B and the X-ray emitter 56 and moves toward the X-ray emitter 56. That is, the electron beam E emitted from the electron source 52B is focused by an electron optical member (not shown) provided in the electron emitter 52, and passes through the opening 52D of the intermediate electrode 52C and the space SP of the housing 50, as shown in FIG. 5, and enters the entrance path 70 of the storage unit 54. As shown in FIG. 7, the electron beam E enters the entrance path 70 from the end 70A of the entrance path 70, passes through the entrance path 70, and is irradiated onto the surface of the X-ray emitter 56. The X-ray emitter 56 generates X-rays XL in the +Z direction by being irradiated with the electron beam E. The X-rays XL generated by the X-ray emitter 56 enter the emission path 72 from the end 72B of the emission path 72, travel through the emission path 72, exit from the end 72A of the emission path 72 to the outside of the storage unit 54, i.e., the space SP of the housing 50, and are emitted from the emission unit 50B through the space SP to the outside of the housing 50 as shown in FIG. 5. The X-rays XL emitted from the X-ray emitter 56 are in the form of a cone-shaped, so-called cone beam. The traveling direction of the electron beam E irradiated to the X-ray emitter 56 is along the axis AX1, and the traveling direction of the X-rays XL emitted from the X-ray emitter 56 is along the axis AX2. Therefore, in this embodiment, the traveling direction of the electron beam E incident on the X-ray emitter 56 is different from the traveling direction of the X-rays XL emitted from the X-ray emitter 56.

ここで、X線放出部56は、照射された電子線Eの一部を反射する場合がある。反射された電子線Eは、収納部54の内周面などに衝突し、収納部54からX線が発生する。また、収納部54でも電子線Eが反射され、反射された電子線Eが、収納部54の他の部分やX線放出部56に衝突し、そこからもX線が発生する場合がある。以下、X線放出部56から放出され、出射部50B及び測定物Sを透過して検出器5に到達するX線XLを、一次X線とし、一次X線以外のX線を、二次X線とする。すなわち、二次X線は、散乱光ということもでき、X線放出部56や収納部54で反射された電子線Eにより発生したX線などを含む。このような二次X線は、出射部50Bを通って検出器5に到達する場合がある。さらに、二次X線は、X線発生部の広がりが大きいため、例えば測定物Sを透過せずに検出器5に到達する場合もある。検出器5は、測定物Sを透過した一次X線に加え、このように測定物Sを透過せずに検出器5に到達した二次X線も検出するため、測定物Sの検出に誤差を生じさせるおそれがある。従って、測定物Sの検査精度の低下を抑えるためには、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが有効となる。 Here, the X-ray emitter 56 may reflect a part of the irradiated electron beam E. The reflected electron beam E collides with the inner circumferential surface of the storage section 54, etc., and X-rays are generated from the storage section 54. The electron beam E may also be reflected by the storage section 54, and the reflected electron beam E may collides with other parts of the storage section 54 or the X-ray emitter 56, generating X-rays from there as well. Hereinafter, the X-rays XL emitted from the X-ray emitter 56, passing through the emission section 50B and the measured object S to reach the detector 5 are referred to as primary X-rays, and X-rays other than the primary X-rays are referred to as secondary X-rays. In other words, secondary X-rays can also be referred to as scattered light, and include X-rays generated by the electron beam E reflected by the X-ray emitter 56 or the storage section 54. Such secondary X-rays may reach the detector 5 through the emission section 50B. Furthermore, since the X-ray generating section has a large spread, the secondary X-rays may reach the detector 5 without passing through the measured object S, for example. In addition to the primary X-rays that have passed through the measured object S, the detector 5 also detects the secondary X-rays that have not passed through the measured object S and have reached the detector 5, which may cause errors in the detection of the measured object S. Therefore, in order to prevent a decrease in the inspection accuracy of the measured object S, it is effective to prevent the secondary X-rays from reaching the detector 5.

さらに言えば、反射された電子線Eが出射部50B側に向かうと、電子線Eが例えば出射経路72の内周面などにあたり、出射経路72の内周面から、出射部50B側、すなわち検出器5側に向かう二次X線が発生してしまう。従って、二次X線が検出器5に到達することを抑制するためには、出射部50B側に向かう電子線Eが、出射経路72の内周面などに当たることを抑制することが重要となる。本実施形態に係るX線発生装置2は、軽元素部材80によって出射部50B側に向かう電子線Eを吸収することで、検出器5に到達する二次X線の発生を抑制している。すなわち、軽元素部材80は、X線放出部56より原子番号が小さいため、電子線Eが照射されてもX線を発生させることなく、電子線Eを吸収することができる。さらに、軽元素部材80は、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る経路中に配置されている。従って、軽元素部材80は、出射部50Bに向かう電子線Eを受け止めて吸収することができる。そのため、本実施形態に係るX線発生装置2によると、検出器5に到達する二次X線の起因となる電子線Eを吸収して、二次X線が検出器5に到達することを抑制することができる。 Furthermore, when the reflected electron beam E heads toward the emission unit 50B, the electron beam E hits, for example, the inner peripheral surface of the emission path 72, and secondary X-rays are generated from the inner peripheral surface of the emission path 72 toward the emission unit 50B, i.e., the detector 5. Therefore, in order to prevent the secondary X-rays from reaching the detector 5, it is important to prevent the electron beam E headed toward the emission unit 50B from hitting the inner peripheral surface of the emission path 72. The X-ray generating device 2 according to this embodiment absorbs the electron beam E headed toward the emission unit 50B with the light element member 80, thereby suppressing the generation of secondary X-rays that reach the detector 5. That is, since the light element member 80 has a smaller atomic number than the X-ray emitter 56, even if the electron beam E is irradiated, it can absorb the electron beam E without generating X-rays. Furthermore, the light element member 80 is disposed in the path along which the X-rays from the X-ray emitter 56 reach the emission unit 50B. Therefore, the light element member 80 can receive and absorb the electron beam E headed toward the emission unit 50B. Therefore, the X-ray generating device 2 according to this embodiment can absorb the electron beam E that causes the secondary X-rays to reach the detector 5, thereby preventing the secondary X-rays from reaching the detector 5.

さらに、軽元素部材80は、入射経路70と出射経路72との間に配置された第1軽元素部材82を含む。第1軽元素部材82は、入射経路70と出射経路72との間に配置されることで、出射経路72の少なくとも一部を遮蔽する。従って、X線発生装置2は、出射経路72に向かう電子線E、すなわち出射部50Bに向かう電子線Eを、第1軽元素部材82で吸収することが可能となり、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが可能となる。さらに、第1軽元素部材82の壁部82Bは、端部82Bbに向かうに従って、軸AX1に対して、-Z方向側(出射部50BからX線放出部56に向かう方向側)に傾斜している。従って、例えば軽元素部材80が、照射された電子線E1(図7参照)の一部を反射した場合にも、反射された電子線E2(図7参照)を入射経路70側に向かわせることが可能となり、反射された電子線E2がX線放出部56に照射されてX線放出部56から二次X線が発生することを抑制することができる。 Furthermore, the light element member 80 includes a first light element member 82 arranged between the incident path 70 and the exit path 72. The first light element member 82 is arranged between the incident path 70 and the exit path 72, thereby blocking at least a portion of the exit path 72. Therefore, the X-ray generating device 2 is capable of absorbing the electron beam E toward the exit path 72, i.e., the electron beam E toward the exit portion 50B, with the first light element member 82, and is capable of suppressing secondary X-rays from reaching the detector 5. Furthermore, the wall portion 82B of the first light element member 82 is inclined toward the -Z direction side (the direction from the exit portion 50B toward the X-ray emitter 56) with respect to the axis AX1 as it approaches the end portion 82Bb. Therefore, for example, even if the light element member 80 reflects a portion of the irradiated electron beam E1 (see FIG. 7), it is possible to direct the reflected electron beam E2 (see FIG. 7) toward the incident path 70, and it is possible to prevent the reflected electron beam E2 from being irradiated to the X-ray emitter 56 and generating secondary X-rays from the X-ray emitter 56.

さらに、軽元素部材80の第1軽元素部材82は、入射経路70に配置された管部82Aを有する。入射経路70に管部82Aを設けることで、入射経路70の内周面に向けて照射される電子線E1を、管部82Aで吸収することが可能となり、入射経路70の内周面から二次X線が発生することを抑制することができる。 Furthermore, the first light element member 82 of the light element member 80 has a tube portion 82A arranged in the incident path 70. By providing the tube portion 82A in the incident path 70, the electron beam E1 irradiated toward the inner circumferential surface of the incident path 70 can be absorbed by the tube portion 82A, and secondary X-rays can be prevented from being generated from the inner circumferential surface of the incident path 70.

さらに、軽元素部材80は、出射経路72の内周面に設けられる第2軽元素部材84を含む。従って、本実施形態に係るX線発生装置2によると、図8に示すように、出射経路72の内周面に向けて照射される電子線E1を吸収して、出射経路72の内周面から二次X線が放出されることを抑制して、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが可能となる。さらに、軽元素部材80は、出射経路72の端部72Aに設けられる第3軽元素部材86を含む。従って、本実施形態に係るX線発生装置2によると、図8に示すように、出射経路72から出射される電子線E1を吸収することが可能となる。 Furthermore, the light element member 80 includes a second light element member 84 provided on the inner circumferential surface of the emission path 72. Therefore, according to the X-ray generating device 2 of this embodiment, as shown in FIG. 8, it is possible to absorb the electron beam E1 irradiated toward the inner circumferential surface of the emission path 72, suppress the emission of secondary X-rays from the inner circumferential surface of the emission path 72, and suppress the secondary X-rays from reaching the detector 5. Furthermore, the light element member 80 includes a third light element member 86 provided at the end 72A of the emission path 72. Therefore, according to the X-ray generating device 2 of this embodiment, as shown in FIG. 8, it is possible to absorb the electron beam E1 emitted from the emission path 72.

なお、軽元素部材80は、第1軽元素部材82と第2軽元素部材84と第3軽元素部材86との少なくとも1つを含むものであればよく、言い換えれば、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る経路中に配置されていればよい。軽元素部材80がX線放出部56からのX線が出射部50Bに至る経路中に配置されることで、検出器5に到達する二次X線の起因となる電子線Eを吸収して、二次X線が検出器5に到達することを抑制することができる。 The light element member 80 may include at least one of the first light element member 82, the second light element member 84, and the third light element member 86; in other words, it may be disposed in the path along which the X-rays from the X-ray emitter 56 reach the emission unit 50B. By disposing the light element member 80 in the path along which the X-rays from the X-ray emitter 56 reach the emission unit 50B, the electron beam E that causes the secondary X-rays to reach the detector 5 can be absorbed, thereby preventing the secondary X-rays from reaching the detector 5.

検出器5に到達するX線の強度の、シミュレーションによる算出結果を以下で説明する。図9は、検出器に到達するX線の強度の、シミュレーションによる計算結果を説明する図である。シミュレーションとして、モンテカルロシミュレータを用いて、軸AX1とX線放出部56が交差するZ座標におけるXY平面でのX線の強度の二次元分布を算出した。図9の画像Pは、検出器5に到達するX線情報から算出した、軸AX1とX線放出部56が交差するZ座標におけるXY平面でのX線の強度分布のシミュレーション結果の一例を示している。画像Pの中心Cは、X線の中心点を指し、例えば、軸AX2が重なる位置である。上述のように、二次X線は、一次X線よりもX線発生部の広がりが大きい。従って、画像Pに示すように、二次X線が検出器5に到達する場合、検出器5は、中心C近傍に収束する一次X線の像Paに加え、像Paよりも放射方向外側にある二次X線の像Pbを検出する。軽元素部材80を設けない場合、二次X線の検出器5への到達が抑制できないため、一次X線の強度(像Paの輝度)に対する、二次X線の強度(像Pbの輝度)の割合が高くなる。 The calculation results of the intensity of the X-rays reaching the detector 5 by simulation are described below. FIG. 9 is a diagram for explaining the calculation results of the intensity of the X-rays reaching the detector by simulation. As a simulation, a Monte Carlo simulator was used to calculate a two-dimensional distribution of the intensity of the X-rays in the XY plane at the Z coordinate where the axis AX1 and the X-ray emitter 56 intersect. The image P in FIG. 9 shows an example of the simulation result of the intensity distribution of the X-rays in the XY plane at the Z coordinate where the axis AX1 and the X-ray emitter 56 intersect, calculated from the information on the X-rays reaching the detector 5. The center C of the image P indicates the center point of the X-rays, for example, the position where the axis AX2 overlaps. As described above, the secondary X-rays have a larger spread of the X-ray generating portion than the primary X-rays. Therefore, as shown in the image P, when the secondary X-rays reach the detector 5, the detector 5 detects the image Pb of the secondary X-rays that is located outside the image Pa in the radial direction in addition to the image Pa of the primary X-rays that converges near the center C. If the light element member 80 is not provided, the secondary X-rays cannot be prevented from reaching the detector 5, and the ratio of the intensity of the secondary X-rays (brightness of image Pb) to the intensity of the primary X-rays (brightness of image Pa) becomes high.

図10は、検出器に到達するX線の強度の、シミュレーションによる計算結果を説明するグラフである。図10の横軸は、軸AX1とX線放出部56が交差するZ座標におけるXY平面における中心Cからの距離を指し、縦軸は、X線の強度比率を指す。すなわち、図10は、XY平面の全域におけるX線の強度の合計値に対する、中心Cから距離が離れる毎のX線の強度の比率の、積算値を示している。一次X線は二次X線よりも中心C近傍に収束するため、二次X線の検出器5への到達が抑制されるほど、すなわち二次X線の強度の割合が小さいほど、X線の強度の比率の積算値は、中心Cから距離が近い側で高くなる。逆に、二次X線の検出器5への到達が抑制されない場合、X線の強度の比率の積算値は、中心Cから距離が近い側において低い値となる。図10の線分Dは、本実施形態のように軽元素部材80を設けた場合のX線の強度比率を示し、図10の線分DXは、比較例として、軽元素部材80を設けない場合のX線の強度比率を示している。線分Dに示すように、軽元素部材80を設けた場合、軽元素部材80を設けない線分DXと比較して、X線の強度の比率の積算値は、中心Cから距離が近い側で高くなっていることが分かる。すなわち、軽元素部材80を設けると、二次X線の検出器5への到達が抑制されることが、シミュレーションで示されているといえる。 Figure 10 is a graph illustrating the results of a simulation calculation of the intensity of X-rays reaching the detector. The horizontal axis of Figure 10 indicates the distance from the center C in the XY plane in the Z coordinate where the axis AX1 and the X-ray emitter 56 intersect, and the vertical axis indicates the intensity ratio of X-rays. That is, Figure 10 shows the integrated value of the ratio of X-ray intensity for each distance from the center C to the total value of the intensity of X-rays in the entire XY plane. Since the primary X-rays converge closer to the center C than the secondary X-rays, the more the secondary X-rays are suppressed from reaching the detector 5, i.e., the smaller the ratio of the intensity of the secondary X-rays, the higher the integrated value of the ratio of X-ray intensity becomes on the side closer to the center C. Conversely, if the secondary X-rays are not suppressed from reaching the detector 5, the integrated value of the ratio of X-ray intensity becomes lower on the side closer to the center C. Line D in FIG. 10 shows the X-ray intensity ratio when the light element member 80 is provided as in this embodiment, and line DX in FIG. 10 shows the X-ray intensity ratio when the light element member 80 is not provided as a comparative example. As shown by line D, when the light element member 80 is provided, the integrated value of the X-ray intensity ratio is higher on the side closer to the center C than line DX when the light element member 80 is not provided. In other words, the simulation shows that providing the light element member 80 suppresses the secondary X-rays from reaching the detector 5.

以上説明したように、本実施形態に係るX線発生装置2は、電子(電子線E)を放出する電子放出部52と、電子放出部52からの電子が照射されてX線を放出するX線放出部56と、X線放出部56からのX線が出射される出射部50Bを有する筐体50と、軽元素部材80と、を有する。軽元素部材80は、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る出射経路72に配置され、X線放出部56より原子番号が小さい元素を少なくとも一部に含む。本実施形態に係るX線発生装置2は、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る経路中に軽元素部材80を配置することで、検出器5に到達する二次X線の起因となる電子線Eを吸収して、二次X線が検出器5に到達することを抑制することができる。従って、本実施形態に係るX線発生装置2によると、測定物Sの検査精度の低下を抑えることができる。 As described above, the X-ray generating device 2 according to this embodiment has an electron emitting portion 52 that emits electrons (electron beam E), an X-ray emitting portion 56 that is irradiated with electrons from the electron emitting portion 52 and emits X-rays, a housing 50 having an emission portion 50B from which X-rays are emitted from the X-ray emitting portion 56, and a light element member 80. The light element member 80 is disposed in the emission path 72 through which X-rays from the X-ray emitting portion 56 reach the emission portion 50B, and at least partly contains an element having a smaller atomic number than the X-ray emitting portion 50B. The X-ray generating device 2 according to this embodiment absorbs the electron beam E that causes secondary X-rays to reach the detector 5 and suppresses the secondary X-rays from reaching the detector 5 by disposing the light element member 80 in the path through which X-rays from the X-ray emitting portion 56 reach the emission portion 50B. Therefore, according to the X-ray generating device 2 according to this embodiment, it is possible to suppress a decrease in the inspection accuracy of the measured object S.

また、X線発生装置2は、X線放出部56を収納する収納部54を備え、収納部54内に出射経路72が形成され、出射経路72に軽元素部材80が配置される。本実施形態に係るX線発生装置2は、収納部54内に出射経路72を設けることで、出射経路72内に適切に軽元素部材80を配置できる。 The X-ray generating device 2 also includes a storage section 54 that stores the X-ray emitter 56, an emission path 72 is formed within the storage section 54, and a light element member 80 is disposed in the emission path 72. By providing the emission path 72 within the storage section 54, the X-ray generating device 2 according to this embodiment can appropriately dispose the light element member 80 in the emission path 72.

また、軽元素部材80(第2軽元素部材82)は、出射経路72の内周面に配置される。出射経路72に軽元素部材80を設けることで、出射経路72の内周面に向けて照射される電子線Eを吸収して、二次X線の発生を抑制することができる。 In addition, the light element member 80 (second light element member 82) is disposed on the inner circumferential surface of the emission path 72. By providing the light element member 80 on the emission path 72, the electron beam E irradiated toward the inner circumferential surface of the emission path 72 can be absorbed, thereby suppressing the generation of secondary X-rays.

また、出射経路72は、出射部50Bに向かうに従って内径が大きくなる。このように出射経路72の内径を出射部50Bに向けて大きくすることで、コーンビームであるX線XLを、適切に出射部50Bに導くことができる。 The inner diameter of the emission path 72 also increases as it approaches the emission section 50B. By increasing the inner diameter of the emission path 72 toward the emission section 50B in this manner, the X-rays XL, which are a cone beam, can be appropriately guided to the emission section 50B.

また、X線発生装置2は、収納部54内に、X線放出部56からの電子(電子線E)がX線放出部56に至る入射経路70が形成される。軽元素部材80は、入射経路70と出射経路72との間に設けられる。本実施形態に係るX線発生装置2は、入射経路70と出射経路72との間に軽元素部材80を設けることで、出射部50Bに向かう電子線Eを吸収することが可能となり、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが可能となる。 In addition, the X-ray generating device 2 has an incident path 70 formed in the storage section 54 through which electrons (electron beam E) from the X-ray emitter 56 reach the X-ray emitter 56. The light element member 80 is provided between the incident path 70 and the exit path 72. By providing the light element member 80 between the incident path 70 and the exit path 72, the X-ray generating device 2 according to this embodiment is able to absorb the electron beam E heading toward the exit section 50B, and is able to prevent secondary X-rays from reaching the detector 5.

また、X線発生装置2は、入射経路70と出射経路72とが交差する部分78に、軽元素部材80が配置される。交差する部分78に軽元素部材80を配置することで、出射部50Bに向かう電子線Eを吸収することが可能となり、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが可能となる。 In addition, in the X-ray generating device 2, a light element member 80 is disposed at a portion 78 where the entrance path 70 and the exit path 72 intersect. By disposing the light element member 80 at the intersecting portion 78, it becomes possible to absorb the electron beam E heading toward the exit section 50B, and it becomes possible to prevent the secondary X-rays from reaching the detector 5.

また、X線発生装置2は、電子放出部52からの電子がX線放出部56に至る、筐体50内に配置される入射経路70と、X線放出部56からのX線が出射部50Bに至る、筐体50内に配置される出射経路72と、を備える。軽元素部材80(第1軽元素部材82)は、入射経路70と出射経路72との間に設けられる。本実施形態に係るX線発生装置2は、入射経路70と出射経路72との間に軽元素部材80を設けることで、出射部50Bに向かう電子線Eを吸収することが可能となり、二次X線が検出器5に到達することを抑制することが可能となる。 The X-ray generating device 2 also includes an incident path 70 arranged in the housing 50, through which electrons from the electron emitter 52 reach the X-ray emitter 56, and an exit path 72 arranged in the housing 50, through which X-rays from the X-ray emitter 56 reach the exit unit 50B. A light element member 80 (first light element member 82) is provided between the incident path 70 and the exit path 72. By providing the light element member 80 between the incident path 70 and the exit path 72, the X-ray generating device 2 according to this embodiment is able to absorb the electron beam E heading toward the exit unit 50B, and is able to prevent secondary X-rays from reaching the detector 5.

また、入射経路70と出射経路72とは交差しており、軽元素部材80(第1軽元素部材82)は、入射経路70の延在方向(軸AX1)に沿って配置されている。軽元素部材80が軸AX1に沿って配置されることで、軽元素部材80から電子線Eが反射された場合でも、反射された電子線Eが電子放出部52に照射されることを抑えて、二次X線の発生を抑制することができる。 In addition, the incident path 70 and the exit path 72 intersect, and the light element member 80 (first light element member 82) is arranged along the extension direction (axis AX1) of the incident path 70. By arranging the light element member 80 along the axis AX1, even if the electron beam E is reflected from the light element member 80, the reflected electron beam E is prevented from being irradiated onto the electron emission section 52, thereby suppressing the generation of secondary X-rays.

また、軽元素部材80(第1軽元素部材82の管部82A)は、入射経路70に設けられる。入射経路70に軽元素部材80を設けることで、入射経路70の内周面に向けて照射される電子線Eを吸収して、二次X線の発生を抑制することができる。 The light element member 80 (the tube portion 82A of the first light element member 82) is provided in the incident path 70. By providing the light element member 80 in the incident path 70, the electron beam E irradiated toward the inner peripheral surface of the incident path 70 can be absorbed, thereby suppressing the generation of secondary X-rays.

また、軽元素部材80は、導電性を有する部材であり、電気的に接地されている。軽元素部材80は、接地されることで、電子線Eが照射されても帯電が抑えられる。また、軽元素部材80は、真空状態でガス放出量が少ない材料であることが望ましい。 The light element member 80 is a conductive member and is electrically grounded. By being grounded, the light element member 80 is prevented from becoming charged even when irradiated with the electron beam E. It is also preferable that the light element member 80 is made of a material that emits a small amount of gas in a vacuum state.

また、筐体50は、内部を減圧または真空に保持する。筐体50の内部を減圧又は真空に保持することで、適切にX線XLを発生させることができる。 The housing 50 also maintains a reduced pressure or vacuum inside. By maintaining a reduced pressure or vacuum inside the housing 50, X-rays XL can be generated appropriately.

また、本実施形態に係る検査装置100は、X線発生装置2と、出射部50Bから出射されるX線XLが照射される測定物Sを保持するステージ9と、測定物Sに照射されて透過したX線XLを検出する検出器5と、を備える。検査装置100は、X線発生装置2により、二次X線が検出器5に到達することを抑制して、測定対象となる測定物Sの検査精度の低下を抑制できる。 The inspection device 100 according to this embodiment also includes an X-ray generator 2, a stage 9 that holds a measurement object S that is irradiated with X-rays XL emitted from the emission unit 50B, and a detector 5 that detects the X-rays XL that are irradiated and transmitted through the measurement object S. The inspection device 100 uses the X-ray generator 2 to prevent secondary X-rays from reaching the detector 5, thereby preventing a decrease in the inspection accuracy of the measurement object S to be measured.

なお、X線放出部56の形状は、以上説明したものに限られない。図11は、X線発生装置の他の例を示す模式的な断面図である。図5で示したX線放出部56は、円筒状であり回転しない構成であったが、図11のX線放出部56aに示すように、円筒状でなく、回転する構成であってもよい。例えば、図11のX線放出部56aは、円錐台形状となっており、円錐台の中心軸を中心として回転する。X線放出部56aは、円錐台の側面に電子線Eが照射され、側面からX線XLを発生させる。 The shape of the X-ray emitter 56 is not limited to that described above. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another example of an X-ray generating device. The X-ray emitter 56 shown in FIG. 5 is cylindrical and does not rotate, but as shown in X-ray emitter 56a in FIG. 11, it may be non-cylindrical and rotate. For example, the X-ray emitter 56a in FIG. 11 is truncated cone shaped and rotates around the central axis of the truncated cone. The X-ray emitter 56a is irradiated with an electron beam E on the side of the truncated cone, generating X-rays XL from the side.

上記実施形態の検査装置100は、1台の装置で処理を行ったが複数組み合わせてもよい。図12は、検査装置を有するシステムの構成を示す模式図である。次に、図12を用いて、検査装置を有する製造システム300について説明する。製造システム300は、検査装置100と、複数台(図12では2台)の検査装置100aと、プログラム作成装置302とを、有する。検査装置100、100a、プログラム作成装置302は、有線または無線の通信回線で接続されている。検査装置100aは検査装置100と同様の構成である。プログラム作成装置302は、上述した検査装置100の制御装置で作成する種々の設定やプログラムを作成する。プログラム作成装置302は、作成したプログラムや、データを検査装置100、100aに出力する。検査装置100aは、領域及び範囲の情報や検査プログラムを検査装置100や、プログラム作成装置302から取得し、取得したデータ、プログラムを用いて、処理を行う。製造システム300は、検査装置100や、プログラム作成装置302で作成したデータ、プログラムを用いて、検査装置100aで検査を実行することで、作成したデータ、プログラムを有効活用することができる。 In the above embodiment, the inspection device 100 performs processing using one device, but multiple devices may be combined. FIG. 12 is a schematic diagram showing the configuration of a system having an inspection device. Next, a manufacturing system 300 having an inspection device will be described using FIG. 12. The manufacturing system 300 has an inspection device 100, multiple (two in FIG. 12) inspection devices 100a, and a program creation device 302. The inspection devices 100, 100a, and the program creation device 302 are connected by wired or wireless communication lines. The inspection device 100a has the same configuration as the inspection device 100. The program creation device 302 creates various settings and programs to be created by the control device of the above-mentioned inspection device 100. The program creation device 302 outputs the created programs and data to the inspection devices 100, 100a. The inspection device 100a acquires area and range information and inspection programs from the inspection device 100 and the program creation device 302, and performs processing using the acquired data and programs. The manufacturing system 300 can effectively utilize the created data and programs by performing inspections with the inspection device 100a using the data and programs created by the inspection device 100 and the program creation device 302.

次に、上述した検査装置を備えた製造システムについて、図13を参照して説明する。図13は、製造システムのブロック構成図である。本実施形態の製造システム200は、上記の実施形態において説明したような検査装置100と、設計装置202と、成形装置203と、制御装置204と、リペア装置205とを備える。制御装置204は、内部構造記憶部210及び判断部211を備える。 Next, a manufacturing system equipped with the above-mentioned inspection device will be described with reference to FIG. 13. FIG. 13 is a block diagram of the manufacturing system. The manufacturing system 200 of this embodiment includes the inspection device 100 described in the above embodiment, a design device 202, a molding device 203, a control device 204, and a repair device 205. The control device 204 includes an internal structure memory unit 210 and a judgment unit 211.

設計装置202は、測定物Sの形状や組成に関する設計情報を作成し、作成した設計情報を成形装置203に送信する。また、設計装置202は、作成した設計情報を制御装置204の内部構造記憶部210に記憶させる。 The design device 202 creates design information regarding the shape and composition of the measurement object S, and transmits the created design information to the molding device 203. The design device 202 also stores the created design information in the internal structure memory unit 210 of the control device 204.

成形装置203は、設計装置202から入力された設計情報に基づいて、測定物Sを作成する。検査装置100は、作成された測定物Sの内部構造を検査し、検査結果(例えば画像データ)を制御装置204へ送信する。 The molding device 203 creates a measurement object S based on the design information input from the design device 202. The inspection device 100 inspects the internal structure of the created measurement object S and transmits the inspection results (e.g., image data) to the control device 204.

制御装置204の内部構造記憶部210は、設計情報を記憶する。制御装置204の判断部211は、内部構造記憶部210から設計情報を読み出す。判断部211は、検査装置100から受信した測定物Sの形状の測定結果と、内部構造記憶部210から読み出した設計情報とを比較する。判断部211は、比較結果に基づき、測定物Sが設計情報通りに成形されたか否かを判定する。換言すれば、判断部211は、作成された測定物Sが良品であるか否かを判定する。判断部211は、測定物Sが設計情報通りに成形されていない場合に、測定物Sが修復可能であるか否か判定する。判断部211は、測定物Sが修復できる場合、比較結果に基づいて不良部位と修復内容を算出し、リペア装置205に不良部位を示す情報と修復内容を示す情報とを送信する。 The internal structure memory unit 210 of the control device 204 stores the design information. The judgment unit 211 of the control device 204 reads out the design information from the internal structure memory unit 210. The judgment unit 211 compares the measurement result of the shape of the measured object S received from the inspection device 100 with the design information read out from the internal structure memory unit 210. The judgment unit 211 judges whether the measured object S has been formed according to the design information based on the comparison result. In other words, the judgment unit 211 judges whether the created measured object S is a good product. If the measured object S is not formed according to the design information, the judgment unit 211 judges whether the measured object S can be repaired. If the measured object S can be repaired, the judgment unit 211 calculates the defective part and the repair content based on the comparison result, and transmits information indicating the defective part and information indicating the repair content to the repair device 205.

リペア装置205は、制御装置204から受信した不良部位を示す情報と修復内容を示す情報とに基づき、構造物の不良部位を修復する。 The repair device 205 repairs the defective parts of the structure based on the information indicating the defective parts and the information indicating the repair contents received from the control device 204.

図14は、製造システムによる処理の流れを示したフローチャートである。製造システム200は、まず、設計装置202が測定物Sに関する設計情報を作成する(ステップS101)。次に、成形装置203は、設計情報に基づいて測定物Sを作成する(ステップS102)。次に、検査装置100は、作成された測定物Sの形状を検査(測定)する(ステップS103)。次に、制御装置204の判断部211は、検査装置100で得られた検査結果と上記の設計情報とを比較することにより、測定物Sが設計情報通りに作成されたか否か検査する(ステップS104)。 Figure 14 is a flowchart showing the flow of processing by the manufacturing system. In the manufacturing system 200, the design device 202 first creates design information for the measured object S (step S101). Next, the molding device 203 creates the measured object S based on the design information (step S102). Next, the inspection device 100 inspects (measures) the shape of the created measured object S (step S103). Next, the judgment unit 211 of the control device 204 compares the inspection results obtained by the inspection device 100 with the above design information to inspect whether the measured object S was created according to the design information (step S104).

次に、制御装置204の判断部211は、作成された測定物Sが良品であるか否かを判定する(ステップS105)。製造システム200は、作成された測定物Sが良品であると判断部211が判定した場合(ステップS105でYes)、その処理を終了する。また、判断部211は、作成された測定物Sが良品でないと判定した場合(ステップS105でNo)、作成された測定物Sが修復できるか否か判定する(ステップS106)。 Next, the judgment unit 211 of the control device 204 judges whether the created measured object S is a non-defective product (step S105). If the judgment unit 211 judges that the created measured object S is a non-defective product (Yes in step S105), the manufacturing system 200 ends the process. If the judgment unit 211 judges that the created measured object S is not a non-defective product (No in step S105), the judgment unit 211 judges whether the created measured object S can be repaired (step S106).

製造システム200は、作成された測定物Sが修復できると判断部211が判定した場合(ステップS106でYes)、リペア装置205が測定物Sの修復を実施し(ステップS107)、ステップS103の処理に戻る。製造システム200は、作成された測定物Sが修復できないと判断部211が判定した場合(ステップS106でNo)、その処理を終了し、不良品を回収する。以上で、製造システム200は、図14に示すフローチャートの処理を終了する。 When the judgment unit 211 judges that the created measured object S can be repaired (Yes in step S106), the repair device 205 repairs the measured object S (step S107) and the manufacturing system 200 returns to the processing of step S103. When the judgment unit 211 judges that the created measured object S cannot be repaired (No in step S106), the manufacturing system 200 ends the processing and collects the defective product. With this, the manufacturing system 200 ends the processing of the flowchart shown in FIG. 14.

本実施形態の製造システム200は、上記の実施形態における検査装置100が測定物Sの内部構造を高精度に検査することができるので、作成された測定物Sが良品であるか否か判定することができる。また、製造システム200は、測定物Sが良品でない場合、測定物Sを修復することができる。 The manufacturing system 200 of this embodiment can determine whether the created measured object S is a non-defective product because the inspection device 100 in the above embodiment can inspect the internal structure of the measured object S with high accuracy. Furthermore, the manufacturing system 200 can repair the measured object S if it is not a non-defective product.

なお、本実施形態におけるリペア装置205が実行するリペア工程は、成形装置203が成形工程を再実行する工程に置き換えられてもよい。その際には、制御装置204の判断部211が修復できると判定した場合、成形装置203は、成形工程を再実行する。 The repair process performed by the repair device 205 in this embodiment may be replaced with a process in which the molding device 203 re-executes the molding process. In that case, if the judgment unit 211 of the control device 204 determines that the product can be repaired, the molding device 203 re-executes the molding process.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。前述の実施形態の各構成要素は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令が許容される限りにおいて、前述の各実施形態で引用した検査装置などに関するすべての公開公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。前述した実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態及び運用技術等は、すべて本実施形態の範囲に含まれる。 Although the preferred embodiment of the present invention has been described above with reference to the attached drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to the examples. The shapes and combinations of the components shown in the above examples are merely examples, and various modifications can be made based on design requirements, etc., without departing from the spirit of the present invention. The components of the above embodiments can be combined as appropriate. In addition, some components may not be used. In addition, to the extent permitted by law, the disclosures of all published patent applications relating to the inspection devices, etc. cited in the above embodiments are incorporated by reference and made part of the description in this text. All other embodiments and operational techniques, etc. made by those skilled in the art based on the above embodiments are included in the scope of this embodiment.

1 測定装置
2 X線発生装置
5 検出器
50 筐体
50B 出射部
52 電子放出部
54 収納部
56 X線放出部
54C 空間
70 入射経路
72 出射経路
80 軽元素部材(部材)
82 第1軽元素部材
82A 管部
82B 壁部
84 第2軽元素部材
86 第3軽元素部材
100 検査装置
E 電子線
S 測定物
XL X線
REFERENCE SIGNS LIST 1 Measuring device 2 X-ray generating device 5 Detector 50 Housing 50B Emission section 52 Electron emission section 54 Storage section 56 X-ray emission section 54C Space 70 Incident path 72 Emission path 80 Light element member (member)
82 First light element member 82A Tube portion 82B Wall portion 84 Second light element member 86 Third light element member 100 Inspection device E Electron beam S Measurement object XL X-ray

Claims (14)

電子を放出する電子放出部と、
前記電子放出部からの電子が照射されてX線を放出するX線放出部と、
前記X線放出部を収納する収納部と、
前記X線放出部からのX線が出射される出射部を有する筐体と、
前記収納部内に、前記電子放出部からの電子が前記X線放出部に至る入射経路が形成され、前記入射経路の内周面に設けられる部材と、を備え、
前記収納部と前記部材とは異なる部材であり、
前記部材は、前記X線放出部より原子番号が小さい元素を少なくとも一部に含む、X線発生装置。
an electron emitting portion that emits electrons;
an X-ray emitting portion that emits X-rays when irradiated with electrons from the electron emitting portion;
a housing section for housing the X-ray emitter;
a housing having an emission unit through which X-rays are emitted from the X-ray emission unit;
an incident path through which electrons from the electron emitter reach the X-ray emitter is formed in the storage section, and a member is provided on an inner circumferential surface of the incident path ;
The storage section and the member are different members,
An X-ray generating device, wherein the member at least partially contains an element having an atomic number smaller than that of the X-ray emitting portion.
前記部材は、前記X線放出部と前記出射部の間にも配置される、請求項1に記載のX線発生装置。 The X-ray generating device according to claim 1 , wherein the member is also disposed between the X-ray emitting portion and the X-ray exiting portion. 前記収納部内に、前記X線放出部からのX線が前記出射部に至る出射経路が形成され、前記部材は、前記入射経路と前記出射経路の間に配置される、請求項2に記載の線発生装置。 3. The X-ray generating device according to claim 2, wherein an exit path through which X-rays from the X-ray emission part reach the exit part is formed within the storage part, and the member is disposed between the entrance path and the exit path . 前記部材は、前記出射経路の少なくとも一部を遮う、請求項3に記載のX線発生装置。The X-ray generating device according to claim 3 , wherein the member blocks at least a portion of the emission path. 前記部材は、前記入射経路と前記出射経路とが交差する部分にも配置される、請求項3又は請求項4に記載のX線発生装置。The X-ray generating device according to claim 3 , wherein the member is also disposed at a portion where the entrance path and the exit path intersect. 前記部材は、前記出射経路の内周面に配置される、請求項3~5のいずれか一項に記載のX線発生装置。The X-ray generating device according to any one of claims 3 to 5, wherein the member is disposed on an inner circumferential surface of the emission path. 前記収納部は、前記電子が照射されるとX線を放出する部材である、請求項1~6のいずれか一項に記載のX線発生装置。7. The X-ray generating device according to claim 1, wherein the container is a member that emits X-rays when irradiated with the electrons. 前記部材は、導電性を有する部材である、請求項1~7のいずれか一項に記載のX線発生装置。8. The X-ray generating device according to claim 1, wherein the member is a conductive member. 前記筐体は、内部を減圧または真空に保持する、請求項1~8のいずれか一項に記載のX線発生装置。9. The X-ray generating device according to claim 1, wherein the inside of the housing is maintained at a reduced pressure or a vacuum. 請求項1~9のいずれか一項に記載のX線発生装置と、An X-ray generating device according to any one of claims 1 to 9,
前記出射部から出射されるX線が照射される測定物を保持するステージと、a stage for holding a measurement object to be irradiated with X-rays emitted from the emission unit;
前記測定物に照射されて透過したX線を検出する検出器とを有する、X線装置。and a detector for detecting X-rays irradiated onto and transmitted through the object.
構造物の形状に関する設計情報を作製する設計工程と、A design process for creating design information regarding the shape of a structure;
前記設計情報に基づいて前記構造物を作成する成形工程と、a forming process for forming the structure based on the design information;
作製された前記構造物の形状を請求項10に記載のX線装置を用いて計測する計測工程と、a measuring step of measuring a shape of the fabricated structure by using the X-ray apparatus according to claim 10;
前記計測工程で得られた形状情報と前記設計情報とを比較する検査工程と、を有する、構造物の製造方法。and an inspection step of comparing the shape information obtained in the measurement step with the design information.
前記検査工程の比較結果に基づいて実行され、前記構造物の再加工を実施するリペア工程を有する、請求項11に記載の構造物の製造方法。The method for manufacturing a structure according to claim 11, further comprising a repair step, which is executed based on a comparison result of the inspection step, and which reworks the structure. 前記リペア工程は、前記成形工程を再実行する工程である、請求項12に記載の構造物の製造方法。The method for manufacturing a structure according to claim 12 , wherein the repair step is a step of repeating the molding step. 構造物の形状に関する設計情報を作製する設計装置と、A design device that creates design information regarding the shape of a structure;
前記設計情報に基づいて前記構造物を作製する成形装置と、a forming device that produces the structure based on the design information;
作製された前記構造物の形状を測定する請求項10に記載のX線装置と、The X-ray apparatus according to claim 10, which measures the shape of the fabricated structure;
前記X線装置によって得られた前記構造物の形状に関する形状情報と前記設計情報とを比較する検査装置と、を含む、構造物製造システム。and an inspection device that compares shape information regarding the shape of the structure obtained by the X-ray device with the design information.
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