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JP7581766B2 - Optical Modules - Google Patents
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Description

本開示は、光モジュールに関するものである。
The present disclosure relates to an optical module .

第1熱電冷却モジュールと、第2熱電冷却モジュールと、を含み、ペルチェ効果を利用して熱交換を行う温度調節装置を備えるレーザモジュールが知られている(たとえば、特許文献1参照)。また、板状の下基板と、複数の板状の上基板と、を有し、ペルチェ素子によりレーザ素子の温度調節を行う温度調節器を備える光モジュールが知られている(たとえば、特許文献2参照)。また、一対の絶縁基板に形成される各電極の大きさについて、熱電素子の端面を1個だけ接合できる大きさに設定したサーモモジュールが知られている(たとえば、特許文献3参照)。 A laser module is known that includes a first thermoelectric cooling module and a second thermoelectric cooling module and has a temperature regulator that performs heat exchange using the Peltier effect (see, for example, Patent Document 1). Also known is an optical module that has a plate-shaped lower substrate and multiple plate-shaped upper substrates and has a temperature regulator that uses a Peltier element to regulate the temperature of the laser element (see, for example, Patent Document 2). Also known is a thermomodule in which the size of each electrode formed on a pair of insulating substrates is set to a size that allows only one end face of a thermoelectric element to be joined (see, for example, Patent Document 3).

特開2004-134776号公報JP 2004-134776 A 特開2019-140306号公報JP 2019-140306 A 特開2007-266084号公報JP 2007-266084 A

電子冷却モジュールは、放熱板と、吸熱板と、放熱板と吸熱板との間に配置される複数の半導体柱と、を含む。半導体柱はペルチェ素子から構成されており、p型の半導体柱とn型の半導体柱とがそれぞれ交互に隣り合って配置される。隣り合う半導体柱の端部同士を交互に電気的に直列に接続して、電気回路が構成される。電子冷却モジュールにおいては、吸熱板上に温度を検知する部材が載置される。そして、電気回路に電流を流すと、たとえば吸熱板側が冷却され、放熱板側が発熱する。このようにしてペルチェ効果を利用して、たとえば吸熱板上に載置された部材を冷却して、温度を調節する。 The electronic cooling module includes a heat sink, a heat absorption plate, and a number of semiconductor pillars arranged between the heat sink and heat absorption plates. The semiconductor pillars are made up of Peltier elements, with p-type semiconductor pillars and n-type semiconductor pillars arranged alternately next to each other. The ends of adjacent semiconductor pillars are alternately electrically connected in series to form an electrical circuit. In the electronic cooling module, a member that detects temperature is placed on the heat absorption plate. When a current is passed through the electrical circuit, for example, the heat absorption plate side is cooled and the heat sink side generates heat. In this way, the Peltier effect is utilized to cool, for example, a member placed on the heat absorption plate, to adjust the temperature.

電子冷却モジュールにより温度を調節する部材として、たとえば発熱する領域の配置に偏りがある場合がある。このような場合において、電子冷却モジュールにより吸熱板上に配置される部材を一様に冷却すると、温度分布が生じてしまう。このような温度分布が生じることが望まれない場合に、対応することが困難となる。 When using an electronic cooling module to adjust the temperature of a component, there may be cases where the heat-generating area is unevenly positioned. In such cases, if the electronic cooling module uniformly cools the component placed on the heat absorption plate, a temperature distribution will occur. When this type of temperature distribution is undesirable, it can be difficult to address the situation.

特許文献1においては、第1熱電冷却モジュールと第2熱電冷却モジュールとを用いることとしている。しかし、電子冷却モジュールがそれぞれ別個の部品となっているため、製造時において2つの部品を組み付ける必要があり、作業性が劣ってしまう。特許文献2に開示の温度調節器については、吸熱板となる上基板を分割することとしている。しかし、放熱板となる下基板は共通するものの、吸熱板となる上基板は複数設けられているため、たとえば放熱板の温度変化により反りが生じ、2つの上基板上に配置された部材の相対的な位置がずれるおそれがある。よって、厳密な部品の配置が求められる場合に対応することが困難となる。また、特許文献3によると、形状上の制約があり、電子部品の搭載において利便性を損なうおそれがある。上記のようなペルチェ効果を利用した電子冷却モジュールにおいて、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることが望まれる。 In Patent Document 1, a first thermoelectric cooling module and a second thermoelectric cooling module are used. However, since the electronic cooling modules are separate components, it is necessary to assemble two components during manufacturing, which reduces workability. In the temperature regulator disclosed in Patent Document 2, the upper substrate that serves as the heat absorption plate is divided. However, although the lower substrate that serves as the heat dissipation plate is common, multiple upper substrates that serve as heat absorption plates are provided, so there is a risk that warping will occur due to temperature changes in the heat dissipation plate, and the relative positions of the components arranged on the two upper substrates will shift. Therefore, it is difficult to respond to cases where strict component arrangement is required. In addition, according to Patent Document 3, there are shape restrictions, which may impair convenience in mounting electronic components. In the electronic cooling module using the Peltier effect as described above, it is desired to be able to appropriately adjust the temperature of the components that generate temperature distribution, and to improve workability during manufacturing.

そこで、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることができる電子冷却モジュールを提供することを本開示の目的の1つとする。 Therefore, one of the objectives of this disclosure is to provide an electronic cooling module that can appropriately adjust the temperature of components that cause temperature distribution and can improve workability during manufacturing.

本開示に従った電子冷却モジュールは、一枚の放熱板と、一枚の板状であって、第1領域と、厚さ方向に見て第1領域と離れて配置される第2領域とを含み、放熱板と厚さ方向に離れて配置される吸熱板と、放熱板と吸熱板との間であって、吸熱板の厚さ方向に見て第1領域と重なる領域に配置され、放熱板および吸熱板に接続される複数の第1半導体柱と、放熱板と吸熱板との間であって、吸熱板の厚さ方向に見て第2領域と重なる領域に配置され、放熱板および吸熱板に接続される複数の第2半導体柱と、複数の第1半導体柱を電気的に接続して構成される第1の電気回路と、複数の第2半導体柱を電気的に接続して構成される第2の電気回路と、を含む。 The electronic cooling module according to the present disclosure includes a heat sink, a plate-like plate including a first region and a second region spaced apart from the first region in the thickness direction, and a heat absorption plate spaced apart from the heat sink in the thickness direction, a plurality of first semiconductor pillars disposed between the heat sink and the heat absorption plate in a region overlapping with the first region in the thickness direction of the heat absorption plate and connected to the heat sink and the heat absorption plate, a plurality of second semiconductor pillars disposed between the heat sink and the heat absorption plate in a region overlapping with the second region in the thickness direction of the heat absorption plate and connected to the heat sink and the heat absorption plate, a first electric circuit electrically connecting the plurality of first semiconductor pillars, and a second electric circuit electrically connecting the plurality of second semiconductor pillars.

上記電子冷却モジュールによれば、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることができる。 The electronic cooling module described above allows the temperature of components that have temperature distribution to be appropriately adjusted, and also improves workability during manufacturing.

図1は、実施の形態1における電子冷却モジュールの概略側面図である。FIG. 1 is a schematic side view of a thermoelectric cooling module according to a first embodiment. 図2は、図1に示す実施の形態1の電子冷却モジュールの概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the thermoelectric cooling module according to the first embodiment shown in FIG. 図3は、実施の形態1の電子冷却モジュールの一部を模式的に示す概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a part of the thermoelectric cooling module according to the first embodiment. 図4は、実施の形態1における電子冷却モジュールを含む光モジュールの構造を示す外観斜視図である。FIG. 4 is an external perspective view showing the structure of an optical module including a thermoelectric cooling module according to the first embodiment. 図5は、図4に示す光モジュールのキャップを取り外した状態を示す外観斜視図である。FIG. 5 is an external perspective view showing a state in which the cap of the optical module shown in FIG. 4 is removed. 図6は、実施の形態1における電子冷却モジュールを含む光モジュールの概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of an optical module including a thermoelectric cooling module according to the first embodiment. 図7は、実施の形態1における電子冷却モジュールを含む光モジュールの概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of an optical module including a thermoelectric cooling module according to the first embodiment. 図8は、実施の形態3における電子冷却モジュールの概略側面図である。FIG. 8 is a schematic side view of the thermoelectric cooling module according to the third embodiment. 図9は、実施の形態4における電子冷却モジュールの概略側面図である。FIG. 9 is a schematic side view of the electronic cooling module according to the fourth embodiment. 図10は、実施の形態5における電子冷却モジュールの概略側面図である。FIG. 10 is a schematic side view of the thermoelectric cooling module according to the fifth embodiment.

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示に係る電子冷却モジュールは、一枚の放熱板と、一枚の板状であって、第1領域と、厚さ方向に見て第1領域と離れて配置される第2領域とを含み、放熱板と厚さ方向に離れて配置される吸熱板と、放熱板と吸熱板との間であって、吸熱板の厚さ方向に見て第1領域と重なる領域に配置され、放熱板および吸熱板に接続される複数の第1半導体柱と、放熱板と吸熱板との間であって、吸熱板の厚さ方向に見て第2領域と重なる領域に配置され、放熱板および吸熱板に接続される複数の第2半導体柱と、複数の第1半導体柱を電気的に接続して構成される第1の電気回路と、複数の第2半導体柱を電気的に接続して構成される第2の電気回路と、を含む。
[Description of the embodiments of the present disclosure]
First, the embodiments of the present disclosure will be described. The electronic cooling module according to the present disclosure includes a heat sink, a plate-like heat sink including a first region and a second region spaced apart from the first region in the thickness direction, and spaced apart from the heat sink in the thickness direction, a plurality of first semiconductor pillars arranged between the heat sink and the heat absorption plate in a region overlapping with the first region in the thickness direction of the heat absorption plate and connected to the heat sink and the heat absorption plate, a plurality of second semiconductor pillars arranged between the heat sink and the heat absorption plate in a region overlapping with the second region in the thickness direction of the heat absorption plate and connected to the heat sink and the heat absorption plate, a first electric circuit electrically connecting the plurality of first semiconductor pillars, and a second electric circuit electrically connecting the plurality of second semiconductor pillars.

本開示の電子冷却モジュールにおいて、吸熱板は、第1領域と、第1領域と離れて配置される第2領域と、を含む。第1領域において、複数の第1半導体柱を電気的に接続して構成される第1の電気回路に流れる電流量を制御して、第1領域の温度を調節することができる。また、第2領域において、複数の第2半導体柱を電気的に接続して構成される第2の電気回路に流れる電流量を制御して、第2領域の温度を調節することができる。すなわち、吸熱板の第1領域および第2領域において、それぞれ別個に温度を調節することができる。また、吸熱板は一枚の板状の部材から構成されているため、放熱板が温度変化に基づく熱膨張や熱収縮により反った場合でも、この放熱板の反りによる吸熱板上の部材の相対的な位置のずれを抑制することができる。また、複数の電子冷却モジュールを準備して取り付け等を行う必要がなく、作業性の向上を図ることができる。したがって、このような電子冷却モジュールによると、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることができる。 In the electronic cooling module of the present disclosure, the heat absorption plate includes a first region and a second region disposed away from the first region. In the first region, the temperature of the first region can be adjusted by controlling the amount of current flowing through a first electric circuit formed by electrically connecting a plurality of first semiconductor pillars. In the second region, the temperature of the second region can be adjusted by controlling the amount of current flowing through a second electric circuit formed by electrically connecting a plurality of second semiconductor pillars. That is, the temperature can be adjusted separately in the first region and the second region of the heat absorption plate. In addition, since the heat absorption plate is composed of a single plate-shaped member, even if the heat dissipation plate warps due to thermal expansion or thermal contraction based on temperature change, the relative positional deviation of the members on the heat absorption plate due to the warping of the heat dissipation plate can be suppressed. In addition, there is no need to prepare and install a plurality of electronic cooling modules, and workability can be improved. Therefore, according to such an electronic cooling module, the temperature of the member in which a temperature distribution occurs can be appropriately adjusted, and workability during manufacturing can be improved.

上記電子冷却モジュールにおいて、第1領域の温度を検知する第1温度検知部と、第2領域の温度を検知する第2温度検知部と、をさらに備えてもよい。このようにすることにより、第1温度検知部により検知された第1領域の温度および第2温度検知部により検知された第2領域の温度に基づいて、それぞれの領域の温度を調節することができる。したがって、第1領域と第2領域のそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 The electronic cooling module may further include a first temperature detection unit that detects the temperature of the first region, and a second temperature detection unit that detects the temperature of the second region. In this way, the temperature of each region can be adjusted based on the temperature of the first region detected by the first temperature detection unit and the temperature of the second region detected by the second temperature detection unit. This makes it possible to more appropriately adjust the temperature of each of the first and second regions.

上記電子冷却モジュールにおいて、吸熱板の厚さ方向に見て第1領域と第2領域との間に配置され、吸熱板の肉厚を減ずる溝部を有してもよい。このようにすることにより、第1領域と第2領域との間において、吸熱板を通じた伝熱を抑制することができる。したがって、第1領域と第2領域のそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 The electronic cooling module may have a groove that is disposed between the first and second regions when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate and reduces the thickness of the heat absorption plate. In this way, heat transfer through the heat absorption plate between the first and second regions can be suppressed. This makes it possible to more appropriately adjust the temperature of each of the first and second regions.

上記電子冷却モジュールにおいて、吸熱板の厚さ方向に見て、第1領域と第2領域との間隔は、複数の第1半導体柱同士の間隔および複数の第2半導体柱同士の間隔よりも広くてもよい。このようにすることにより、第1領域と第2領域とを物理的に広く間隔をあけて配置することができる。したがって、第1領域と第2領域のそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 In the electronic cooling module, the distance between the first region and the second region when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate may be wider than the distance between the multiple first semiconductor pillars and the distance between the multiple second semiconductor pillars. In this way, the first region and the second region can be physically arranged with a wide distance between them. Therefore, the temperature of each of the first region and the second region can be more appropriately adjusted.

上記電子冷却モジュールにおいて、吸熱板の厚さ方向に見て第1領域と第2領域との間に配置され、第1の電気回路および第2の電気回路のいずれにも電気的に接続されておらず、放熱板および吸熱板を接続する第3半導体柱をさらに含んでもよい。このようにすることにより、第3半導体柱が配置された領域の分だけ第1領域と第2領域とを離隔することができ、第1領域と第2領域との間の伝熱を抑制することができる。したがって、第1領域と第2領域のそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 The electronic cooling module may further include a third semiconductor pillar that is disposed between the first region and the second region when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate, is not electrically connected to either the first electric circuit or the second electric circuit, and connects the heat sink and the heat absorption plate. In this way, the first region and the second region can be separated by the region in which the third semiconductor pillar is disposed, and heat transfer between the first region and the second region can be suppressed. Therefore, the temperature of each of the first region and the second region can be more appropriately adjusted.

本開示に係る光モジュールは、支持板と、支持板上に配置される上記電子冷却モジュールと、光を形成するように構成され、電子冷却モジュール上に配置される光形成部と、を備える。光形成部は、吸熱板の厚さ方向に見て、第1領域内に配置され、光を出射する半導体発光素子を含む。 The optical module according to the present disclosure includes a support plate, the electronic cooling module arranged on the support plate, and a light forming section arranged on the electronic cooling module, the light forming section being configured to form light. The light forming section is arranged in the first region when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate, and includes a semiconductor light emitting element that emits light.

光を出射する半導体発光素子を有する光形成部は、光モジュールに含まれる電子冷却モジュールにより、周囲の環境の温度が変化する場合でも光形成部の温度を調節してある一定の範囲内とし、出射する光の出力を安定させることができる。光形成部において、光の出射時において半導体発光素子が発熱するため、半導体発光素子が配置される領域については発熱による影響が大きく、比較的温度が高くなる。よって、冷却による吸熱を積極的に行う必要がある。一方、半導体発光素子が配置されない領域においては、発熱による影響が小さく、比較的温度が低いままである。よって、冷却による吸熱は積極的に行う必要はない。すなわち、このような光モジュールは、光モジュールの動作時、すなわち、光の出射時において温度分布が生ずる部材である。 The light forming section, which has a semiconductor light emitting element that emits light, can adjust the temperature of the light forming section to within a certain range even when the temperature of the surrounding environment changes, and can stabilize the output of the emitted light, by using an electronic cooling module included in the optical module. In the light forming section, the semiconductor light emitting element generates heat when emitting light, so the area in which the semiconductor light emitting element is located is significantly affected by the heat and the temperature becomes relatively high. Therefore, it is necessary to actively absorb heat by cooling. On the other hand, in areas in which the semiconductor light emitting element is not located, the effect of the heat is small and the temperature remains relatively low. Therefore, it is not necessary to actively absorb heat by cooling. In other words, such an optical module is a component in which a temperature distribution occurs when the optical module is operating, i.e., when light is emitted.

ここで、本開示の光モジュールによると、半導体発光素子が配置される領域を第1領域内に配置することにより、第1領域における第1の電気回路による制御を行うことができる。よって、第1領域と、半導体発光素子が配置されない第2領域とにおいて、それぞれ別個に温度の調節を行うことができる。したがって、このような光モジュールによると、光モジュールを構成する半導体発光素子以外の部材について、温度による影響を低減することができ、適切に温度を調節することができる。 Here, according to the optical module of the present disclosure, by arranging the region in which the semiconductor light-emitting element is arranged within the first region, control by the first electric circuit in the first region can be performed. Therefore, the temperature can be adjusted separately in the first region and in the second region in which the semiconductor light-emitting element is not arranged. Therefore, according to such an optical module, the influence of temperature on the members other than the semiconductor light-emitting element that constitute the optical module can be reduced, and the temperature can be appropriately adjusted.

上記光モジュールにおいて、吸熱板の厚さ方向に見て第2領域内に配置され、半導体発光素子から出射される光を走査するミラー駆動機構を、さらに備えてもよい。ミラー駆動機構は、半導体発光素子から出射された光を反射するミラーを周期的に揺動させることにより、半導体発光素子から出射された光を走査する。光モジュールがミラー駆動機構を含むことにより、半導体発光素子から出射された光を走査して、光モジュール外へ出射することができる。そうすると、光モジュールにより、半導体発光素子から出射された光を用いて描画することができる。ここで、ミラーの揺動運動については、温度依存性が高く、ミラー駆動機構の温度がある一定の温度範囲内でなければ、ミラーの振れ角が大きく変化してしまう。そうすると、半導体発光素子から出射された光を適切に走査することができない。また、温度が変化する環境において、半導体発光素子に対するミラー駆動機構の相対的な位置がずれてしまうと、光モジュールが動作していない状態で調整した光軸のずれ量が大きくなってしまう。すなわち、温度が変化する環境においても、半導体発光素子に対するミラー駆動機構の厳密な配置が要求される。 The optical module may further include a mirror driving mechanism that is disposed in the second region as viewed in the thickness direction of the heat absorption plate and scans the light emitted from the semiconductor light-emitting element. The mirror driving mechanism periodically oscillates the mirror that reflects the light emitted from the semiconductor light-emitting element, thereby scanning the light emitted from the semiconductor light-emitting element. By including the mirror driving mechanism in the optical module, the light emitted from the semiconductor light-emitting element can be scanned and emitted outside the optical module. In this way, the optical module can use the light emitted from the semiconductor light-emitting element to perform drawing. Here, the oscillating motion of the mirror is highly temperature-dependent, and unless the temperature of the mirror driving mechanism is within a certain temperature range, the mirror's deflection angle changes significantly. In this case, the light emitted from the semiconductor light-emitting element cannot be properly scanned. In addition, if the relative position of the mirror driving mechanism with respect to the semiconductor light-emitting element shifts in an environment where the temperature changes, the amount of deviation of the optical axis adjusted when the optical module is not operating increases. In other words, even in an environment where the temperature changes, strict positioning of the mirror driving mechanism with respect to the semiconductor light-emitting element is required.

しかし、ミラー駆動機構を第2領域内に配置することにより、第2領域において、ミラー駆動機構の温度の調節を第2の電気回路により行うことができる。よって、第1領域に配置され、動作時に発熱する半導体発光素子と別にミラー駆動機構の温度を調節することができる。したがって、半導体発光素子およびミラー駆動機構のそれぞれについて、適切に温度を調節することができる。その結果、ミラーの振れ角の変化を小さくすることができる。また、吸熱板は一枚の板状の部材から構成されているため、放熱板が温度変化に基づく熱膨張や熱収縮により反った場合でも、この放熱板の反りによる吸熱板上の部材の相対的な位置のずれを抑制することができる。よって、温度が変化する環境においても、揺動するミラーに対して調整された、半導体発光素子から出射された光の光軸のずれを抑制することができる。その結果、光モジュールによる描画を適切に行うことができる。 However, by arranging the mirror drive mechanism in the second region, the temperature of the mirror drive mechanism can be adjusted in the second region by the second electric circuit. Therefore, the temperature of the mirror drive mechanism can be adjusted separately from the semiconductor light-emitting element arranged in the first region and generating heat during operation. Therefore, the temperature can be appropriately adjusted for each of the semiconductor light-emitting element and the mirror drive mechanism. As a result, the change in the deflection angle of the mirror can be reduced. In addition, since the heat absorption plate is made of a single plate-shaped member, even if the heat dissipation plate warps due to thermal expansion or thermal contraction caused by temperature change, the relative positional deviation of the members on the heat absorption plate due to the warping of the heat dissipation plate can be suppressed. Therefore, even in an environment where the temperature changes, the deviation of the optical axis of the light emitted from the semiconductor light-emitting element, which is adjusted with respect to the oscillating mirror, can be suppressed. As a result, drawing can be performed appropriately using the optical module.

[本開示の実施形態の詳細]
次に、本開示の光モジュールの一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
[Details of the embodiment of the present disclosure]
Next, an embodiment of an optical module according to the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference characters and their description will not be repeated.

(実施の形態1)
本開示の実施の形態1における電子冷却モジュールについて説明する。図1は、実施の形態1における電子冷却モジュールの概略側面図である。図2は、図1に示す実施の形態1の電子冷却モジュールの概略平面図である。図3は、実施の形態1の電子冷却モジュールの一部を模式的に示す概略斜視図である。なお、図2において、後述するサーミスタ101A,101Bの図示を省略し、後述する放熱板31Aおよび吸熱板32Aを破線で図示している。また、図3において、吸熱板32Aを破線で図示している。
(Embodiment 1)
An electronic cooling module according to a first embodiment of the present disclosure will be described. FIG. 1 is a schematic side view of the electronic cooling module according to the first embodiment. FIG. 2 is a schematic plan view of the electronic cooling module according to the first embodiment shown in FIG. 1. FIG. 3 is a schematic perspective view showing a part of the electronic cooling module according to the first embodiment. In FIG. 2, thermistors 101A and 101B described later are omitted, and a heat dissipation plate 31A and a heat absorption plate 32A described later are shown by dashed lines. In FIG. 3, the heat absorption plate 32A is shown by dashed lines.

図1、図2および図3を参照して、実施の形態1における電子冷却モジュール30Aは、放熱板31Aと、吸熱板32Aと、を備える。電子冷却モジュール30Aは、TEC(Thermo-Electric Cooler)と呼ばれる場合もある。放熱板31Aおよび吸熱板32Aは、それぞれ一枚の平板状である。放熱板31Aおよび吸熱板32Aは、厚さ方向に見てそれぞれ矩形状、具体的には長方形の形状を有しており、同じ形状である。また、厚さも同じである。図1、図2および図3において、矢印Xで示す向きまたはその逆の向きで示す方向は、放熱板31Aおよび吸熱板32Aの長手方向を示し、矢印Yで示す向きまたはその逆の向きで示す方向は、放熱板31Aおよび吸熱板32Aの短手方向を示し、矢印Zで示す向きまたはその逆の向きで示す方向は、放熱板31Aおよび吸熱板32Aの厚さ方向を示す。 Referring to Figures 1, 2 and 3, electronic cooling module 30A in embodiment 1 includes heat dissipation plate 31A and heat absorption plate 32A. Electronic cooling module 30A is sometimes called a TEC (Thermo-Electric Cooler). Heat dissipation plate 31A and heat absorption plate 32A are each a flat plate. Heat dissipation plate 31A and heat absorption plate 32A each have a rectangular shape, specifically a rectangular shape, when viewed in the thickness direction, and are the same shape. They also have the same thickness. In Figures 1, 2, and 3, the direction indicated by the arrow X or the opposite direction indicates the longitudinal direction of the heat dissipation plate 31A and the heat absorption plate 32A, the direction indicated by the arrow Y or the opposite direction indicates the transverse direction of the heat dissipation plate 31A and the heat absorption plate 32A, and the direction indicated by the arrow Z or the opposite direction indicates the thickness direction of the heat dissipation plate 31A and the heat absorption plate 32A.

吸熱板32Aは、放熱板31Aと厚さ方向に離れて配置される。なお、放熱板31Aおよび吸熱板32Aの材質としては、たとえばアルミナが選択される。放熱板31Aは、厚さ方向において吸熱板32Aと対向する一方の主面11Aと、一方の主面11Aと厚さ方向の反対側に位置する他方の主面11Bと、を含む。吸熱板32Aは、一方の主面12Aと、一方の主面12Aと厚さ方向の反対側に位置し、放熱板31Aと対向する他方の主面12Bと、を含む。 The heat absorption plate 32A is disposed at a distance from the heat dissipation plate 31A in the thickness direction. The material of the heat dissipation plate 31A and the heat absorption plate 32A is, for example, alumina. The heat dissipation plate 31A includes one main surface 11A that faces the heat absorption plate 32A in the thickness direction, and the other main surface 11B that is located on the opposite side of the one main surface 11A in the thickness direction. The heat absorption plate 32A includes one main surface 12A and the other main surface 12B that is located on the opposite side of the one main surface 12A in the thickness direction and faces the heat dissipation plate 31A.

吸熱板32Aは、二点鎖線で囲まれた領域で示す第1領域34Aと、一点鎖線で囲まれた領域で示す第2領域34Bと、を含む。第1領域34Aと第2領域34Bとは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て離れて配置される。本実施形態においては、第1領域34Aと第2領域34Bとは、X方向に離れて配置される。第1領域34Aおよび第2領域34Bはそれぞれ、吸熱板32Aの厚さ方向に見てY方向の長さがX方向の長さよりも長い矩形状である。 The heat absorbing plate 32A includes a first region 34A indicated by the region surrounded by a two-dot dashed line, and a second region 34B indicated by the region surrounded by a one-dot dashed line. The first region 34A and the second region 34B are arranged apart when viewed in the thickness direction of the heat absorbing plate 32A. In this embodiment, the first region 34A and the second region 34B are arranged apart in the X direction. The first region 34A and the second region 34B are each rectangular in shape with a length in the Y direction longer than the length in the X direction when viewed in the thickness direction of the heat absorbing plate 32A.

電子冷却モジュール30Aは、複数の第1半導体柱33Aと、複数の第2半導体柱33Bと、を含む。複数の第1半導体柱33Aおよび複数の第2半導体柱33Bはそれぞれ、ペルチェ素子から構成されており、p型のものとn型のものを含む。第1半導体柱33Aおよび第2半導体柱33Bは、たとえばBiTe系の材料を用いて製造される。第1半導体柱33Aおよび第2半導体柱33Bはそれぞれ、放熱板31Aと吸熱板32Aとの間に間隔をあけて配置される。複数の第1半導体柱33Aは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て(X-Y平面において)第1領域34Aと重なる領域に配置される。複数の第2半導体柱33Bは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て(X-Y平面において)第2領域34Bと重なる領域に配置される。複数のp型の第1半導体柱33Aと複数のn型の第1半導体柱33Aとが、それぞれ交互に間隔をあけて配置される。同様に、複数のp型の第2半導体柱33Bと複数のn型の第2半導体柱33Bとが、それぞれ交互に間隔をあけて配置される。 The electronic cooling module 30A includes a plurality of first semiconductor pillars 33A and a plurality of second semiconductor pillars 33B. The plurality of first semiconductor pillars 33A and the plurality of second semiconductor pillars 33B are each composed of a Peltier element, and include a p-type and an n-type. The first semiconductor pillars 33A and the second semiconductor pillars 33B are manufactured using, for example, a BiTe-based material. The first semiconductor pillars 33A and the second semiconductor pillars 33B are each arranged at intervals between the heat sink 31A and the heat absorption plate 32A. The plurality of first semiconductor pillars 33A are arranged in a region overlapping the first region 34A when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A (in the X-Y plane). The plurality of second semiconductor pillars 33B are arranged in a region overlapping the second region 34B when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A (in the X-Y plane). A plurality of p-type first semiconductor pillars 33A and a plurality of n-type first semiconductor pillars 33A are alternately arranged at intervals. Similarly, a plurality of p-type second semiconductor pillars 33B and a plurality of n-type second semiconductor pillars 33B are alternately arranged at intervals.

第1半導体柱33Aは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て矩形状であって薄板状の電極35Aを挟んで放熱板31Aに接続される。第1半導体柱33Aは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て矩形状であって薄板状の電極36Aを挟んで吸熱板32Aに接続される。図2において電極35Aは実線で示され、電極36Aは破線で示される。p型の第1半導体柱33Aの端部は、一方側に隣り合うn型の第1半導体柱33Aの端部と薄板状の電極35Aにより接続される。また、p型の第1半導体柱33Aの上記端部と異なる端部は、上記一方側とは異なる側に隣り合うn型の第1半導体柱33Aと薄板状の電極36Aにより接続される。このようにして、全ての第1半導体柱33Aが直列に接続される。直列に接続された第1半導体柱33Aに、電源39Aおよび回路の電気的な制御を行う制御部38Aが電気的に接続され、電子冷却モジュール30Aに含まれる第1の電気回路37Aが構成される。すなわち、第1の電気回路37Aは、複数の第1半導体柱33Aを電気的に接続して構成される。 The first semiconductor pillar 33A is rectangular when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A and is connected to the heat sink 31A with a thin plate-like electrode 35A sandwiched between them. The first semiconductor pillar 33A is rectangular when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A and is connected to the heat absorption plate 32A with a thin plate-like electrode 36A sandwiched between them. In FIG. 2, the electrode 35A is shown by a solid line, and the electrode 36A is shown by a dashed line. The end of the p-type first semiconductor pillar 33A is connected to the end of the adjacent n-type first semiconductor pillar 33A on one side by the thin plate-like electrode 35A. In addition, the end of the p-type first semiconductor pillar 33A different from the end is connected to the adjacent n-type first semiconductor pillar 33A on the other side by the thin plate-like electrode 36A. In this way, all the first semiconductor pillars 33A are connected in series. A power supply 39A and a control unit 38A that electrically controls the circuit are electrically connected to the first semiconductor pillars 33A connected in series, forming a first electric circuit 37A included in the electronic cooling module 30A. In other words, the first electric circuit 37A is formed by electrically connecting multiple first semiconductor pillars 33A.

第2半導体柱33Bは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て矩形状であって薄板状の電極35Bを挟んで放熱板31Aに接続される。第2半導体柱33Bは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て矩形状であって薄板状の電極36Bを挟んで吸熱板32Aに接続される。図2において電極35Bは実線で示され、電極36Bは破線で示される。p型の第2半導体柱33Bの端部は、一方側に隣り合うn型の第2半導体柱33Bの端部と薄板状の電極35Bにより接続される。また、p型の第2半導体柱33Bの上記端部と異なる端部は、上記一方側とは異なる側に隣り合うn型の第2半導体柱33Bと薄板状の電極36Bにより接続される。このようにして、全ての第2半導体柱33Bが直列に接続される。直列に接続された第2半導体柱33Bに、電源39Bおよび回路の電気的な制御を行う制御部38Bが電気的に接続され、電子冷却モジュール30Aに含まれる第2の電気回路37Bが構成される。すなわち、第2の電気回路37Bは、複数の第2半導体柱33Bを電気的に接続して構成される。 The second semiconductor pillar 33B is rectangular when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A and is connected to the heat sink 31A with a thin plate-like electrode 35B sandwiched between them. The second semiconductor pillar 33B is rectangular when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A and is connected to the heat absorption plate 32A with a thin plate-like electrode 36B sandwiched between them. In FIG. 2, the electrode 35B is shown by a solid line, and the electrode 36B is shown by a dashed line. The end of the p-type second semiconductor pillar 33B is connected to the end of the adjacent n-type second semiconductor pillar 33B on one side by the thin plate-like electrode 35B. In addition, the end of the p-type second semiconductor pillar 33B different from the end is connected to the adjacent n-type second semiconductor pillar 33B on the other side different from the one side by the thin plate-like electrode 36B. In this way, all the second semiconductor pillars 33B are connected in series. A power supply 39B and a control unit 38B that electrically controls the circuit are electrically connected to the second semiconductor pillars 33B connected in series, forming a second electric circuit 37B included in the electronic cooling module 30A. In other words, the second electric circuit 37B is formed by electrically connecting multiple second semiconductor pillars 33B.

電子冷却モジュール30Aは、第1領域34Aの温度を検知する第1温度検知部としてのサーミスタ101Aと、第2領域34Bの温度を検知する第2温度検知部としてのサーミスタ101Bと、を備える。サーミスタ101Aは、吸熱板32Aの第1領域34A内における一方の主面12A上に取り付けられる。サーミスタ101Aにより、第1領域34Aにおける吸熱板32Aの温度を検知することができる。サーミスタ101Bは、吸熱板32Aの第2領域34B内における一方の主面12A上に取り付けられる。サーミスタ101Bにより、第2領域34Bにおける吸熱板32Aの温度を検知することができる。 The electronic cooling module 30A includes a thermistor 101A as a first temperature detector that detects the temperature of the first region 34A, and a thermistor 101B as a second temperature detector that detects the temperature of the second region 34B. The thermistor 101A is attached to one of the main surfaces 12A in the first region 34A of the heat absorption plate 32A. The thermistor 101A can detect the temperature of the heat absorption plate 32A in the first region 34A. The thermistor 101B is attached to one of the main surfaces 12A in the second region 34B of the heat absorption plate 32A. The thermistor 101B can detect the temperature of the heat absorption plate 32A in the second region 34B.

このような電子冷却モジュール30Aにおいて、温度分布が生ずる部材について、第1領域34Aと第2領域34Bとの間に温度分布が生じるよう吸熱板32A上に配置した場合を考える。吸熱板32Aは、第1領域34Aと、第1領域34Aと離れて配置される第2領域34Bと、を含む。第1領域34Aにおいて、複数の第1半導体柱33Aを電気的に接続して構成される第1の電気回路37Aに流れる電流量を制御して、第1領域34Aの温度を調節することができる。また、第2領域34Bにおいて、複数の第2半導体柱33Bを電気的に接続して構成される第2の電気回路37Bに流れる電流量を制御して、第2領域34Bの温度を調節することができる。すなわち、吸熱板32Aの第1領域34Aおよび第2領域34Bにおいて、それぞれ別個に温度を調節することができる。具体的にはたとえば、吸熱板32Aの第1領域34Aの方が吸熱板32Aの第2領域34Bよりも温度が高くなるような温度分布で部材が配置された場合、第1の電気回路37Aに流す電流を大きくし、第2の電気回路37Bに流す電流を小さくして、第1領域34Aを第2領域34Bと比較して積極的に冷却することができる。なお、図3において、流れる電流の大きさを矢印の大きさで模式的に図示している。また、吸熱板32Aは一枚の板状の部材から構成されているため、放熱板31Aが温度変化に基づく熱膨張や熱収縮により反った場合でも、この放熱板31Aの反りによる吸熱板32A上の部材の相対的な位置のずれを抑制することができる。また、複数の電子冷却モジュールを準備して取り付け等を行う必要がなく、作業性の向上を図ることができる。したがって、このような電子冷却モジュール30Aによると、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることができる。 In such an electronic cooling module 30A, a member in which a temperature distribution occurs is considered to be arranged on the heat absorbing plate 32A so that a temperature distribution occurs between the first region 34A and the second region 34B. The heat absorbing plate 32A includes a first region 34A and a second region 34B arranged away from the first region 34A. In the first region 34A, the temperature of the first region 34A can be adjusted by controlling the amount of current flowing through the first electric circuit 37A formed by electrically connecting a plurality of first semiconductor pillars 33A. In the second region 34B, the temperature of the second region 34B can be adjusted by controlling the amount of current flowing through the second electric circuit 37B formed by electrically connecting a plurality of second semiconductor pillars 33B. That is, the temperature can be adjusted separately in the first region 34A and the second region 34B of the heat absorbing plate 32A. Specifically, for example, when the members are arranged with a temperature distribution such that the first region 34A of the heat absorbing plate 32A is higher in temperature than the second region 34B of the heat absorbing plate 32A, the current flowing through the first electric circuit 37A is increased and the current flowing through the second electric circuit 37B is decreased, so that the first region 34A can be more actively cooled than the second region 34B. In FIG. 3, the magnitude of the current flowing is shown by the size of the arrow. In addition, since the heat absorbing plate 32A is made of a single plate-shaped member, even if the heat dissipation plate 31A warps due to thermal expansion or thermal contraction caused by temperature change, the relative positional deviation of the members on the heat absorbing plate 32A due to the warping of the heat dissipation plate 31A can be suppressed. In addition, there is no need to prepare and install multiple electronic cooling modules, and workability can be improved. Therefore, with such an electronic cooling module 30A, the temperature of the members in which the temperature distribution occurs can be appropriately adjusted, and workability during manufacturing can be improved.

本実施形態においては、第1領域34Aの温度を検知する第1温度検知部としてのサーミスタ101Aと、第2領域34Bの温度を検知する第2温度検知部としてのサーミスタ101Bを含む。よって、サーミスタ101Aにより検知された第1領域34Aの温度およびサーミスタ101Bにより検知された第2領域34Bの温度に基づいて、それぞれの領域の温度を調節することができる。したがって、第1領域34Aと第2領域34Bのそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 In this embodiment, thermistor 101A is included as a first temperature detector that detects the temperature of first region 34A, and thermistor 101B is included as a second temperature detector that detects the temperature of second region 34B. Therefore, the temperature of each region can be adjusted based on the temperature of first region 34A detected by thermistor 101A and the temperature of second region 34B detected by thermistor 101B. Therefore, the temperature of each of first region 34A and second region 34B can be adjusted more appropriately.

(実施の形態2)
次に、実施の形態2として、実施の形態1における電子冷却モジュール30Aを含む光モジュールについて説明する。図4は、実施の形態1における電子冷却モジュールを含む光モジュールの構造を示す外観斜視図である。図5は、図4に示す光モジュールのキャップを取り外した状態を示す外観斜視図である。図6および図7は、実施の形態1における電子冷却モジュールを含む光モジュールの概略断面図である。図6は、図4に示す光モジュールを、キャップを含み、光形成部を含まないX-Y平面で切断し、支持板の厚さ方向に見た図である。図7は、図4に示す光モジュールを、キャップを含み、光形成部を含まないX-Z平面で切断し、支持板の厚さ方向に垂直な方向、具体的にはY方向に見た図である。
(Embodiment 2)
Next, as a second embodiment, an optical module including the electronic cooling module 30A in the first embodiment will be described. FIG. 4 is an external perspective view showing the structure of the optical module including the electronic cooling module in the first embodiment. FIG. 5 is an external perspective view showing the state in which the cap of the optical module shown in FIG. 4 is removed. FIGS. 6 and 7 are schematic cross-sectional views of the optical module including the electronic cooling module in the first embodiment. FIG. 6 is a view of the optical module shown in FIG. 4 cut in the XY plane including the cap and not including the light forming part, and viewed in the thickness direction of the support plate. FIG. 7 is a view of the optical module shown in FIG. 4 cut in the XZ plane including the cap and not including the light forming part, and viewed in a direction perpendicular to the thickness direction of the support plate, specifically in the Y direction.

図4~図7を併せて参照して、光モジュール1は、上記した実施の形態1の電子冷却モジュール30Aと、光を形成するように構成され、電子冷却モジュール30A上に配置される光形成部20と、光形成部20を取り囲み、光形成部20を封止する保護部材2とを備える。保護部材2は、ベース体としての平板状の支持板10と、支持板10に対して溶接された蓋部であるキャップ40と、を含む。電子冷却モジュール30Aは、放熱板31Aの他方の主面11Bが支持板10の一方の主面10Aに接触するように、支持板10の一方の主面10A上に配置される。光形成部20は、支持板10上に搭載される。具体的には、光形成部20は、支持板10の一方の主面10A上に配置された電子冷却モジュール30A上に配置される。キャップ40は、光形成部20を覆うように支持板10の一方の主面10A上に接触して配置される。光形成部20は、保護部材2により、ハーメチックシールされている。光形成部20が支持板10とキャップ40とによって取り囲まれることにより、光形成部20に含まれる各部材が外部環境から有効に保護される。支持板10の他方の主面10B側から一方の主面10A側まで貫通し、一方の主面10A側および他方の主面10B側の両側に突出するように、複数のリードピン51が支持板10に設置されている。 Referring also to FIG. 4 to FIG. 7, the optical module 1 includes the electronic cooling module 30A of the above-mentioned embodiment 1, a light forming section 20 configured to form light and arranged on the electronic cooling module 30A, and a protective member 2 that surrounds the light forming section 20 and seals the light forming section 20. The protective member 2 includes a flat support plate 10 as a base body and a cap 40 that is a lid section welded to the support plate 10. The electronic cooling module 30A is arranged on one main surface 10A of the support plate 10 so that the other main surface 11B of the heat sink 31A contacts one main surface 10A of the support plate 10. The light forming section 20 is mounted on the support plate 10. Specifically, the light forming section 20 is arranged on the electronic cooling module 30A arranged on one main surface 10A of the support plate 10. The cap 40 is arranged in contact with one main surface 10A of the support plate 10 so as to cover the light forming section 20. The light forming part 20 is hermetically sealed by the protective member 2. By surrounding the light forming part 20 with the support plate 10 and the cap 40, each component included in the light forming part 20 is effectively protected from the external environment. A plurality of lead pins 51 are installed on the support plate 10 so as to penetrate from the other main surface 10B side to one main surface 10A side of the support plate 10 and protrude on both the one main surface 10A side and the other main surface 10B side.

光形成部20は、矢印Lで示す方向に赤色の光を出射する半導体発光素子としての赤色レーザダイオード81と、矢印Lで示す方向に緑色の光を出射する半導体発光素子としての緑色レーザダイオード82と、矢印Lで示す方向に青色の光を出射する半導体発光素子としての青色レーザダイオード83と、第1レンズ91と、第2レンズ92と、第3レンズ93と、第1フィルタ97と、第2フィルタ98と、第3フィルタ99と、板状のレーザダイオードベース60と、直方体形状のブロック部61と、を含む。赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光は合波されて、窓42から光モジュール1の外部へ出射される。 The light forming unit 20 includes a red laser diode 81 as a semiconductor light emitting element emitting red light in the direction indicated by arrow L1 , a green laser diode 82 as a semiconductor light emitting element emitting green light in the direction indicated by arrow L2 , a blue laser diode 83 as a semiconductor light emitting element emitting blue light in the direction indicated by arrow L3 , a first lens 91, a second lens 92, a third lens 93, a first filter 97, a second filter 98, a third filter 99, a plate-shaped laser diode base 60, and a rectangular parallelepiped block portion 61. The light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 is multiplexed and emitted to the outside of the optical module 1 from the window 42.

レーザダイオードベース60は、厚さ方向に見て長方形形状(正方形形状)を有する一方の主面60Aおよび他方の主面60Bを有している。レーザダイオードベース60の他方の主面60Bが吸熱板32Aの一方の主面12Aに接触するように、レーザダイオードベース60は、吸熱板32Aの一方の主面12A上に配置される。レーザダイオードベース60は、第1領域34A内に配置される。ブロック部61は、レーザダイオードベース60の一方の主面60Aの一部上に搭載されている。 The laser diode base 60 has one main surface 60A and the other main surface 60B that have a rectangular shape (square shape) when viewed in the thickness direction. The laser diode base 60 is placed on one main surface 12A of the heat absorption plate 32A so that the other main surface 60B of the laser diode base 60 contacts one main surface 12A of the heat absorption plate 32A. The laser diode base 60 is placed in the first region 34A. The block portion 61 is mounted on a portion of one main surface 60A of the laser diode base 60.

ブロック部61の一方の主面61A上には、平板状の第1サブマウント71、第2サブマウント72および第3サブマウント73が、並べて配置されている。第1サブマウント71上に、赤色レーザダイオード81が配置されている。第2サブマウント72上に、緑色レーザダイオード82が配置されている。第3サブマウント73上に、青色レーザダイオード83が配置されている。なお、ブロック部61の一方の主面61A上において、ブロック部61の温度を検出するサーミスタ101Aが配置されている。ここで、光形成部20は、吸熱板32Aの厚さ方向に見て、第1領域34A内に配置され、光を出射する半導体発光素子としての赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83を含む。 On one main surface 61A of the block portion 61, a flat first submount 71, a second submount 72, and a third submount 73 are arranged side by side. A red laser diode 81 is arranged on the first submount 71. A green laser diode 82 is arranged on the second submount 72. A blue laser diode 83 is arranged on the third submount 73. A thermistor 101A for detecting the temperature of the block portion 61 is arranged on one main surface 61A of the block portion 61. Here, the light forming portion 20 is arranged in the first region 34A when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A, and includes a red laser diode 81, a green laser diode 82, and a blue laser diode 83 as semiconductor light emitting elements that emit light.

レーザダイオードベース60の一方の主面60A上には、光のスポットサイズを変換する第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93が配置されている。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93は、それぞれ赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光のスポットサイズを変換する。第1レンズ91、第2レンズ92および第3レンズ93により、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光がコリメート光に変換される。 A first lens 91, a second lens 92, and a third lens 93 that convert the spot size of light are arranged on one main surface 60A of the laser diode base 60. The first lens 91, the second lens 92, and the third lens 93 convert the spot size of light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83, respectively. The first lens 91, the second lens 92, and the third lens 93 convert the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 into collimated light.

レーザダイオードベース60の一方の主面60A上には、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99が配置される。第1フィルタ97は、赤色の光を反射する。第2フィルタ98は、赤色の光を透過し、緑色の光を反射する。第3フィルタ99は、赤色の光および緑色の光を透過し、青色の光を反射する。このように、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、特定の波長の光を選択的に透過および反射する。その結果、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99は、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射された光を合波する。合波された光は、矢印Lで示す方向に沿って進行する。 A first filter 97, a second filter 98, and a third filter 99 are disposed on one main surface 60A of the laser diode base 60. The first filter 97 reflects red light. The second filter 98 transmits red light and reflects green light. The third filter 99 transmits red light and green light and reflects blue light. In this manner, the first filter 97, the second filter 98, and the third filter 99 selectively transmit and reflect light of a specific wavelength. As a result, the first filter 97, the second filter 98, and the third filter 99 combine the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83. The combined light travels along the direction indicated by the arrow L4 .

また、光モジュール1は、光形成部20により形成された光のビーム整形部としてのアパーチャ部材55を含む。アパーチャ部材55は、平板状の形状を有する。アパーチャ部材55は、アパーチャ部材55を厚み方向に貫通する貫通孔55Aを有する。本実施の形態において、貫通孔55Aの延びる方向に垂直な断面における形状は円形である。アパーチャ部材55は、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光の進行方向に垂直な断面における赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光の形状を整形する。アパーチャ部材55は、吸熱板32Aの一方の主面12Aに配置される。具体的には、アパーチャ部材55は、吸熱板32Aの厚さ方向に見て第2領域34B内に配置される。アパーチャ部材55は、第3フィルタ99から見て第2フィルタ98とは反対側に配置される。貫通孔55Aが、第1フィルタ97、第2フィルタ98および第3フィルタ99において合波された光の光路に対応する領域に位置するように、アパーチャ部材55は配置される。アパーチャ部材55、後述するステージ65Aおよびミラー駆動機構110についても、保護部材2により、光形成部20等と共にハーメチックシールされている。 The optical module 1 also includes an aperture member 55 as a beam shaping section of the light formed by the light forming section 20. The aperture member 55 has a flat plate shape. The aperture member 55 has a through hole 55A penetrating the aperture member 55 in the thickness direction. In this embodiment, the shape in a cross section perpendicular to the extending direction of the through hole 55A is circular. The aperture member 55 shapes the shape of the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 in a cross section perpendicular to the traveling direction of the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83. The aperture member 55 is disposed on one main surface 12A of the heat absorption plate 32A. Specifically, the aperture member 55 is disposed in the second region 34B when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A. The aperture member 55 is disposed on the opposite side of the second filter 98 when viewed from the third filter 99. The aperture member 55 is positioned so that the through hole 55A is located in a region corresponding to the optical path of the light combined in the first filter 97, the second filter 98, and the third filter 99. The aperture member 55, the stage 65A described below, and the mirror drive mechanism 110 are also hermetically sealed by the protective member 2 together with the light forming unit 20 and the like.

また、光モジュール1は、光形成部20から出射される光、具体的には、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射され、合波された光を走査するミラー駆動機構110と、ステージ65Aと、を含む。ミラー駆動機構110は、揺動運動が可能なミラー111を含む。ミラー駆動機構110は、高速で揺動運動させたミラー111により光形成部20から出射される光を反射させて走査する。走査された光の一部を図7中の矢印Lで示す。ステージ65Aは、直三角柱の形状を有する。ステージ65Aは、ミラー駆動機構110を支持する。ミラー駆動機構110を支持するステージ65Aは、吸熱板32A上に配置される。ステージ65Aについても、アパーチャ部材55と同様に、吸熱板32Aの一方の主面12Aに配置される。具体的には、ステージ65Aは、吸熱板32Aの厚さ方向に見て第2領域34B内に配置される。すなわち、光モジュール1は、吸熱板32Aの厚さ方向に見て第2領域34B内に配置され、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射される光を走査するミラー駆動機構110を含む。ステージ65Aおよびミラー駆動機構110は、アパーチャ部材55から見て後述する第3フィルタ99とは反対側に配置される。 The optical module 1 also includes a mirror drive mechanism 110 that scans the light emitted from the light forming unit 20, specifically, the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 and combined, and a stage 65A. The mirror drive mechanism 110 includes a mirror 111 that can oscillate. The mirror drive mechanism 110 reflects and scans the light emitted from the light forming unit 20 by the mirror 111 that oscillates at high speed. A part of the scanned light is indicated by an arrow L5 in FIG. 7. The stage 65A has a shape of a right triangular prism. The stage 65A supports the mirror drive mechanism 110. The stage 65A that supports the mirror drive mechanism 110 is disposed on the heat absorption plate 32A. The stage 65A is also disposed on one main surface 12A of the heat absorption plate 32A, similar to the aperture member 55. Specifically, the stage 65A is disposed within the second region 34B as viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A. That is, the optical module 1 is disposed within the second region 34B as viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32A, and includes a mirror drive mechanism 110 that scans the light emitted from the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83. The stage 65A and the mirror drive mechanism 110 are disposed on the opposite side of the aperture member 55 to a third filter 99, which will be described later.

本開示の光モジュール1によると、半導体発光素子である赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83が配置される領域を第1領域34A内に配置することにより、第1領域34Aにおける第1の電気回路37Aによる制御を行うことができる。よって、第1領域34Aと、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83が配置されない第2領域34Bとにおいて、それぞれ別個に温度の調節を行うことができる。したがって、このような光モジュール1によると、光モジュール1を構成する赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83以外の部材について、温度による影響を低減することができ、適切に温度を調節することができる。 According to the optical module 1 of the present disclosure, the region in which the semiconductor light-emitting elements red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83 are arranged is arranged in the first region 34A, so that control can be performed by the first electric circuit 37A in the first region 34A. Therefore, the temperature can be adjusted separately in the first region 34A and in the second region 34B in which the red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83 are not arranged. Therefore, according to such an optical module 1, the influence of temperature on the members other than the red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83 constituting the optical module 1 can be reduced, and the temperature can be appropriately adjusted.

ここで、ミラー111の揺動運動については、温度依存性が高く、ミラー駆動機構110の温度がある一定の温度範囲内でなければ、ミラー111の振れ角が大きく変化してしまう。そうすると、光形成部20から出射された光を適切に走査することができない。また、温度が変化する環境において、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83に対するミラー駆動機構110の相対的な位置がずれてしまうと、光モジュール1が動作していない状態で調整した光軸のずれ量が大きくなってしまう。すなわち、温度が変化する環境においても、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83に対するミラー駆動機構110の厳密な配置が要求される。上記光モジュール1において、ミラー駆動機構110を第2領域34B内に配置することにより、第2領域34Bにおいて、ミラー駆動機構110の温度の調節を第2の電気回路37Bにより行うことができる。よって、第1領域34Aに配置され、動作時に発熱する赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83と別にミラー駆動機構110の温度を調節することができる。したがって、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83とミラー駆動機構110とのそれぞれについて、適切に温度を調節することができる。その結果、ミラー111の振れ角の変化を小さくすることができる。また、吸熱板32Aは一枚の板状の部材から構成されているため、放熱板31Aが温度変化に基づく熱膨張や熱収縮により反った場合でも、この放熱板31Aの反りによる吸熱板32A上の部材の相対的な位置のずれを抑制することができる。よって、温度が変化する環境においても、揺動するミラー111に対して調整された、赤色レーザダイオード81、緑色レーザダイオード82および青色レーザダイオード83から出射された光の光軸のずれを抑制することができる。その結果、光モジュール1による描画を適切に行うことができる。 Here, the oscillation motion of the mirror 111 is highly temperature-dependent, and unless the temperature of the mirror drive mechanism 110 is within a certain temperature range, the deflection angle of the mirror 111 will change significantly. In that case, the light emitted from the light forming unit 20 cannot be scanned appropriately. In addition, if the relative position of the mirror drive mechanism 110 with respect to the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 shifts in an environment where the temperature changes, the deviation of the optical axis adjusted when the optical module 1 is not operating will increase. That is, even in an environment where the temperature changes, strict arrangement of the mirror drive mechanism 110 with respect to the red laser diode 81, the green laser diode 82, and the blue laser diode 83 is required. In the optical module 1, by arranging the mirror drive mechanism 110 in the second region 34B, the temperature of the mirror drive mechanism 110 can be adjusted in the second region 34B by the second electric circuit 37B. Therefore, the temperature of the mirror drive mechanism 110 can be adjusted separately from the red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83, which are arranged in the first region 34A and generate heat during operation. Therefore, the temperature of each of the red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83 and the mirror drive mechanism 110 can be appropriately adjusted. As a result, the change in the deflection angle of the mirror 111 can be reduced. In addition, since the heat absorption plate 32A is made of a single plate-shaped member, even if the heat dissipation plate 31A warps due to thermal expansion or thermal contraction caused by temperature change, the relative positional deviation of the members on the heat absorption plate 32A due to the warping of the heat dissipation plate 31A can be suppressed. Therefore, even in an environment where the temperature changes, the deviation of the optical axis of the light emitted from the red laser diode 81, green laser diode 82, and blue laser diode 83 adjusted to the oscillating mirror 111 can be suppressed. As a result, drawing by the optical module 1 can be performed appropriately.

(実施の形態3)
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態3について説明する。図8は、実施の形態3における電子冷却モジュールの概略側面図である。実施の形態3の電子冷却モジュールは、吸熱板の形状が実施の形態1の場合と異なっている。
(Embodiment 3)
Next, a third embodiment, which is yet another embodiment, will be described. Fig. 8 is a schematic side view of a thermoelectric cooling module in the third embodiment. The thermoelectric cooling module in the third embodiment has a different shape of a heat absorbing plate from that in the first embodiment.

図8を参照して、実施の形態3の電子冷却モジュール30Bは、放熱板31Bと、吸熱板32Bと、を含む。電子冷却モジュール30Bは、吸熱板32Bの厚さ方向に見て第1領域34Aと第2領域34Bとの間に配置され、吸熱板32Bの肉厚を減ずる溝部13を有する。溝部13は、一方の主面12A側に形成されている。溝部13は、Y方向に延びるように形成されている。このようにすることにより、第1領域34Aと第2領域34Bとの間において、吸熱板32Bを通じた伝熱を抑制することができる。したがって、第1領域34Aと第2領域34Bのそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 Referring to FIG. 8, the electronic cooling module 30B of the third embodiment includes a heat dissipation plate 31B and a heat absorption plate 32B. The electronic cooling module 30B has a groove portion 13 that is disposed between the first region 34A and the second region 34B when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32B and reduces the thickness of the heat absorption plate 32B. The groove portion 13 is formed on one of the main surfaces 12A. The groove portion 13 is formed so as to extend in the Y direction. In this way, heat transfer through the heat absorption plate 32B between the first region 34A and the second region 34B can be suppressed. Therefore, the temperature of each of the first region 34A and the second region 34B can be more appropriately adjusted.

なお、上記の実施の形態において、溝部13は、他方の主面12B側に形成されていてもよい。また、溝部13が、Y方向に連なっておらず、一部に形成されていてもよい。さらに、断続的に複数の溝部13が形成されている構成を採用してもよい。溝部13は、断面が円弧面等の曲面で構成されていてもよい。 In the above embodiment, the grooves 13 may be formed on the other main surface 12B. The grooves 13 may not be continuous in the Y direction, but may be formed in a portion of the Y direction. A configuration in which multiple grooves 13 are formed intermittently may also be adopted. The grooves 13 may have a cross section formed by a curved surface such as an arc surface.

(実施の形態4)
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態4について説明する。図9は、実施の形態4における電子冷却モジュールの概略側面図である。実施の形態4の電子冷却モジュールは、半導体柱の配置の構成が実施の形態1の場合と異なっている。
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment, which is yet another embodiment, will be described. Fig. 9 is a schematic side view of a thermoelectric cooling module in the fourth embodiment. The thermoelectric cooling module in the fourth embodiment differs from the first embodiment in the arrangement of the semiconductor pillars.

図9を参照して、実施の形態4の電子冷却モジュール30Cは、放熱板31Cと、吸熱板32Cと、を含む。吸熱板32Cの厚さ方向に見て、第1領域34Aと第2領域34Bとの間隔は、複数の第1半導体柱33A同士の間隔および複数の第2半導体柱33B同士の間隔よりも広い。この場合、放熱板31Cおよび吸熱板32Cの面積を大きくして、具体的には、X方向の長さを実施の形態1の場合よりも長くして、第1領域34Aと第2領域34Bとの間隔をあけている。このようにすることにより、第1領域34Aと第2領域34Bとを物理的に広く間隔をあけて配置することができる。したがって、第1領域34Aと第2領域34Bのそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。なお、上記の実施の形態において、第1領域34Aと第2領域34Bとの間の領域において、吸熱板32Aの厚さ方向に貫通する切り欠きを設けるようにしてもよい。 9, the electronic cooling module 30C of the fourth embodiment includes a heat sink 31C and a heat absorbing plate 32C. When viewed in the thickness direction of the heat absorbing plate 32C, the interval between the first region 34A and the second region 34B is wider than the interval between the first semiconductor pillars 33A and the interval between the second semiconductor pillars 33B. In this case, the area of the heat sink 31C and the heat absorbing plate 32C is increased, specifically, the length in the X direction is made longer than in the first embodiment, to increase the interval between the first region 34A and the second region 34B. In this way, the first region 34A and the second region 34B can be physically arranged with a wider interval. Therefore, the temperature of each of the first region 34A and the second region 34B can be more appropriately adjusted. In the above embodiment, a notch penetrating the thickness direction of the heat absorbing plate 32A may be provided in the region between the first region 34A and the second region 34B.

(実施の形態5)
次に、さらに他の実施の形態である実施の形態5について説明する。図10は、実施の形態5における電子冷却モジュールの概略側面図である。実施の形態5の電子冷却モジュールは、半導体柱の配置の構成が実施の形態4の場合と異なっている。
(Embodiment 5)
Next, a fifth embodiment, which is yet another embodiment, will be described. Fig. 10 is a schematic side view of a thermoelectric cooling module in the fifth embodiment. The thermoelectric cooling module in the fifth embodiment differs from the fourth embodiment in the arrangement of the semiconductor pillars.

図10を参照して、実施の形態5の電子冷却モジュール30Dは、放熱板31Dと、吸熱板32Dと、を含む。電子冷却モジュール30Dは、吸熱板32Dの厚さ方向に見て第1領域34Aと第2領域34Bとの間に配置され、第1の電気回路37Aおよび第2の電気回路37Bのいずれにも電気的に接続されておらず、放熱板31Dおよび吸熱板32Dを接続する第3半導体柱33Dを含む。このようにすることにより、第3半導体柱33Dが配置された領域の分だけ第1領域34Aと第2領域34Bとを離隔することができ、第1領域34Aと第2領域34Bとの間の伝熱を抑制することができる。したがって、第1領域34Aと第2領域34Bのそれぞれの温度の調節をより適切に行うことができる。 Referring to FIG. 10, the electronic cooling module 30D of the fifth embodiment includes a heat sink 31D and a heat absorption plate 32D. The electronic cooling module 30D includes a third semiconductor pillar 33D that is disposed between the first region 34A and the second region 34B when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate 32D, is not electrically connected to either the first electric circuit 37A or the second electric circuit 37B, and connects the heat sink 31D and the heat absorption plate 32D. In this way, the first region 34A and the second region 34B can be separated by the region in which the third semiconductor pillar 33D is disposed, and heat transfer between the first region 34A and the second region 34B can be suppressed. Therefore, the temperature of each of the first region 34A and the second region 34B can be more appropriately adjusted.

(他の実施の形態)
なお、上記の実施の形態においては、光モジュール1は、赤色レーザダイオード、緑色レーザダイオードおよび青色レーザダイオードを含む構成としたが、これに限らず、少なくともいずれか1色、すなわち、赤色レーザダイオード、緑色レーザダイオードおよび青色レーザダイオードのうちの少なくともいずれか1つを含む構成であってもよい。
Other Embodiments
In the above embodiment, the optical module 1 is configured to include a red laser diode, a green laser diode, and a blue laser diode, but is not limited to this and may be configured to include at least one of the colors, i.e., at least one of the red laser diode, the green laser diode, and the blue laser diode.

また、上記の実施の形態においては、部材を載置する吸熱板側において部材を冷却する場合について説明したが、周囲の環境の温度、あるいは調節したい部材の温度に応じて、吸熱板側で加熱し、放熱板側において冷却する構成としてもよい。 In addition, in the above embodiment, the case where the component is cooled on the heat absorption plate side on which the component is placed is described, but a configuration in which heating is performed on the heat absorption plate side and cooling is performed on the heat dissipation plate side depending on the temperature of the surrounding environment or the temperature of the component to be adjusted may also be used.

なお、上記の実施の形態においては、吸熱板は、第1領域と、厚さ方向に見て第1領域と離れて配置される第2領域と、を含むこととしたが、これに限らず、吸熱板は、第1領域および第2領域と異なる第3領域を含むこととしてもよい。すなわち、吸熱板は、第1領域と、厚さ方向に見て第1領域と離れて配置される第2領域と、厚さ方向に見て第1領域および第2領域のそれぞれと離れて配置される第3領域と、を含むこととしてもよい。そして、電子冷却モジュールは、放熱板と吸熱板との間であって、吸熱板の厚さ方向に見て第3領域と重なる領域に配置され、放熱板および吸熱板に接続される複数の第4半導体柱と、複数の第4半導体柱を電気的に接続して構成される第3の電気回路と、を含むこととしてもよい。このようにすることにより、吸熱板の第1領域および第2領域における温度制御に加え、吸熱板の第3領域においても、第1領域および第2領域とはそれぞれ別の温度制御を行うことができる。よって、吸熱板上におけるさらに緻密な温度制御を行うことができる。もちろん、さらにそれぞれ個別に温度制御がなされる第4領域、第5領域等を設けることにしてもよい。 In the above embodiment, the heat absorption plate includes a first region and a second region that is disposed apart from the first region in the thickness direction, but this is not limited to this. The heat absorption plate may include a third region different from the first region and the second region. That is, the heat absorption plate may include a first region, a second region that is disposed apart from the first region in the thickness direction, and a third region that is disposed apart from each of the first region and the second region in the thickness direction. The electronic cooling module may include a plurality of fourth semiconductor pillars that are disposed between the heat sink and the heat absorption plate and overlap with the third region in the thickness direction of the heat absorption plate, and are connected to the heat sink and the heat absorption plate, and a third electric circuit that is configured by electrically connecting the plurality of fourth semiconductor pillars. In this way, in addition to the temperature control in the first and second regions of the heat absorption plate, the third region of the heat absorption plate can also perform temperature control separate from the first and second regions. Therefore, more precise temperature control can be performed on the heat absorption plate. Of course, it is also possible to provide a fourth area, fifth area, etc., each of which has its own temperature control.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative in all respects and are not limiting in any respect. The scope of the present invention is defined by the claims, not the above description, and is intended to include all modifications within the meaning and scope of the claims.

本開示の電子冷却モジュールおよび光モジュールは、温度分布が生ずる部材の温度を適切に調節することができると共に、製造時における作業性を良好にすることができることが求められる場合に特に有利に適用され得る。 The electronic cooling module and optical module disclosed herein can be particularly advantageously applied in cases where it is required to appropriately adjust the temperature of components that have a temperature distribution, and to improve workability during manufacturing.

1 光モジュール
2 保護部材
4 ベース部材
10 支持板
10A,10B,11A,11B,12A,12B,60A,60B,61A 主面
13 溝部
20 光形成部
30A,30B,30C,30D 電子冷却モジュール
31A,31B,31C,31D 放熱板
32A,32B,32C,32D 吸熱板
33A 第1半導体柱
33B 第2半導体柱
33D 第3半導体柱
34A 第1領域
34B 第2領域
35A,35B,36A,36B 電極
37A 第1の電気回路
37B 第2の電気回路
38A,38B 制御部
39A,39B 電源
40 キャップ
42 窓
51 リードピン
55 アパーチャ部材
55A 貫通孔
60 レーザダイオードベース
61 ブロック部
65A ステージ
71 第1サブマウント
72 第2サブマウント
73 第3サブマウント
81 赤色レーザダイオード
82 緑色レーザダイオード
83 青色レーザダイオード
91 第1レンズ
92 第2レンズ
93 第3レンズ
97 第1フィルタ
98 第2フィルタ
99 第3フィルタ
101A,101B サーミスタ
110 ミラー駆動機構
111 ミラー
,L,L,L,L 矢印
1 Optical module 2 Protective member 4 Base member 10 Support plate 10A, 10B, 11A, 11B, 12A, 12B, 60A, 60B, 61A Main surface 13 Groove portion 20 Light forming portion 30A, 30B, 30C, 30D Electronic cooling module 31A, 31B, 31C, 31D Heat sink 32A, 32B, 32C, 32D Heat absorption plate 33A First semiconductor pillar 33B Second semiconductor pillar 33D Third semiconductor pillar 34A First region 34B Second region 35A, 35B, 36A, 36B Electrode 37A First electric circuit 37B Second electric circuit 38A, 38B Control unit 39A, 39B Power supply 40 Cap 42 Window 51 Lead pin 55 Aperture member 55A Through hole 60 Laser diode base 61 Block portion 65A Stage 71 First submount 72 Second submount 73 Third submount 81 Red laser diode 82 Green laser diode 83 Blue laser diode 91 First lens 92 Second lens 93 Third lens 97 First filter 98 Second filter 99 Third filter 101A, 101B Thermistor 110 Mirror drive mechanism 111 Mirrors L1 , L2 , L3 , L4 , L5 (arrows)

Claims (5)

支持板と、
前記支持板上に配置される電子冷却モジュールと、
光を形成するように構成され、前記電子冷却モジュール上に配置される光形成部と、を備え、
前記電子冷却モジュールは、
一枚の放熱板と、
一枚の板状であって、第1領域と、厚さ方向に見て前記第1領域と離れて配置される第2領域とを含み、前記放熱板と厚さ方向に離れて配置される吸熱板と、
前記放熱板と前記吸熱板との間であって、前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第1領域と重なる領域に配置され、前記放熱板および前記吸熱板に接続される複数の第1半導体柱と、
前記放熱板と前記吸熱板との間であって、前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第2領域と重なる領域に配置され、前記放熱板および前記吸熱板に接続される複数の第2半導体柱と、
前記複数の第1半導体柱を電気的に接続して構成される第1の電気回路と、
前記複数の第2半導体柱を電気的に接続して構成される第2の電気回路と、を含み、
前記光形成部は、前記吸熱板上であって前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第1領域内に配置され、光を出射する半導体発光素子を含み、
前記吸熱板上であって前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第2領域内に配置され、前記半導体発光素子から出射される光を走査するミラー駆動機構と
前記ミラー駆動機構を支持するステージと、をさらに備え
前記ステージは、前記吸熱板上に直接取り付けられ、
前記ミラー駆動機構は、前記ステージ上に直接取り付けられる、光モジュール。
A support plate;
a thermoelectric cooling module disposed on the support plate;
a light forming unit configured to form a light and disposed on the electronic cooling module;
The electronic cooling module includes:
A heat sink and
a heat absorbing plate having a plate shape, the heat absorbing plate including a first region and a second region disposed apart from the first region in a thickness direction, and disposed apart from the heat radiating plate in the thickness direction;
a plurality of first semiconductor pillars connected to the heat sink and the heat absorption plate, the first semiconductor pillars being disposed between the heat sink and the heat absorption plate in a region overlapping the first region when viewed in a thickness direction of the heat absorption plate;
a plurality of second semiconductor pillars that are disposed between the heat sink and the heat absorption plate in a region that overlaps with the second region when viewed in a thickness direction of the heat absorption plate, and are connected to the heat sink and the heat absorption plate;
a first electric circuit formed by electrically connecting the plurality of first semiconductor pillars;
a second electric circuit configured by electrically connecting the second semiconductor pillars;
the light generating unit is disposed on the heat absorbing plate within the first region as viewed in a thickness direction of the heat absorbing plate, and includes a semiconductor light emitting element that emits light;
a mirror driving mechanism that is disposed on the heat absorption plate within the second region as viewed in a thickness direction of the heat absorption plate and that scans the light emitted from the semiconductor light emitting element ;
a stage for supporting the mirror drive mechanism ;
The stage is directly attached onto the heat absorbing plate,
The mirror drive mechanism is mounted directly on the stage .
前記第1領域の温度を検知する第1温度検知部と、
前記第2領域の温度を検知する第2温度検知部と、をさらに備える、請求項1に記載の光モジュール。
a first temperature detection unit that detects the temperature of the first region;
The optical module according to claim 1 , further comprising: a second temperature detector configured to detect a temperature of the second region.
前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第1領域と前記第2領域との間に配置され、前記吸熱板の肉厚を減ずる溝部を有する、請求項1または請求項2に記載の光モジュール。 The optical module according to claim 1 or 2, which has a groove portion disposed between the first region and the second region when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate, and which reduces the thickness of the heat absorption plate. 前記第1領域と前記第2領域との間隔は、前記複数の第1半導体柱同士の間隔および前記複数の第2半導体柱同士の間隔よりも広い、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光モジュール。 The optical module according to any one of claims 1 to 3, wherein the distance between the first region and the second region is greater than the distance between the first semiconductor pillars and the distance between the second semiconductor pillars. 前記吸熱板の厚さ方向に見て前記第1領域と前記第2領域との間に配置され、前記第1の電気回路および前記第2の電気回路のいずれにも電気的に接続されておらず、前記放熱板および前記吸熱板を接続する第3半導体柱をさらに含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光モジュール。 The optical module according to any one of claims 1 to 4, further comprising a third semiconductor pillar that is disposed between the first region and the second region when viewed in the thickness direction of the heat absorption plate, is not electrically connected to either the first electric circuit or the second electric circuit, and connects the heat sink and the heat absorption plate.
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