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JP7587428B2 - Wiring Board - Google Patents
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Description

本発明は配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board.

特許文献1には、絶縁層上に形成されていて半導体素子に接合されるパッド部を有する多層配線基板が開示されている。絶縁層上にはソルダーレジストが設けられており、パッド部は、ソルダーレジストの開口中にソルダーレジストから離れた状態となるように配置されている。 Patent Document 1 discloses a multilayer wiring board having a pad portion formed on an insulating layer and bonded to a semiconductor element. A solder resist is provided on the insulating layer, and the pad portion is arranged so as to be separated from the solder resist during the opening of the solder resist.

特開2004-22713号公報JP 2004-22713 A

特許文献1の開示のように形成されたパッド部及びその下地の絶縁層には、銅などの金属からなるパッド部と主に樹脂からなる絶縁層との熱膨張率の相違や、パッド部に接続される外部の部品から加わる外力などによって応力が生じることがある。特に特許文献1の開示のようにソルダーレジストから離れた状態で配置されるパッド部では、金属と樹脂との熱膨張率の相違による応力がパッド部と絶縁層との界面やパッド部の端部付近の絶縁層に集中し易いと考えられる。応力の集中箇所においてクラックや界面剥離などの不具合が生じることがある。 Stress may occur in the pad portion and the underlying insulating layer formed as disclosed in Patent Document 1 due to the difference in thermal expansion coefficient between the pad portion made of metal such as copper and the insulating layer made mainly of resin, and due to external forces applied from external components connected to the pad portion. In particular, in the pad portion that is disposed away from the solder resist as disclosed in Patent Document 1, it is thought that stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal and resin is likely to concentrate on the interface between the pad portion and the insulating layer and on the insulating layer near the end of the pad portion. Defects such as cracks and interfacial peeling may occur at the points where stress is concentrated.

本発明の配線基板は、第1絶縁層と、前記第1絶縁層の表面上に形成されている導体層と、前記第1絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されていて、前記導体層の少なくとも一部を露出させる開口を有するソルダーレジスト層と、を含んでいて、第1面及び前記第1面の反対面である第2面を有している。そして、前記導体層は前記開口によって露出される導体パッドを含み、前記導体パッドにおける前記第1絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体が前記ソルダーレジスト層に覆われずに露出しており、前記導体パッドの縁部が前記第1絶縁層の前記表面から離間している。 The wiring board of the present invention includes a first insulating layer, a conductor layer formed on the surface of the first insulating layer, and a solder resist layer formed on the surface of the first insulating layer and on the conductor layer, the solder resist layer having an opening that exposes at least a portion of the conductor layer, and has a first surface and a second surface that is the opposite surface to the first surface. The conductor layer includes a conductor pad exposed by the opening, and the surface of the conductor pad facing away from the first insulating layer and the entire side surface of the conductor pad are exposed without being covered by the solder resist layer, and the edge of the conductor pad is spaced from the surface of the first insulating layer.

本発明の実施形態によれば、配線基板に設けられる導体パッドにおいて必要な大きさの露出部分を確保しながらその周辺部における不具合の発生を抑制できることがある。 According to an embodiment of the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defects in the surrounding area while ensuring the required size of exposed area in the conductor pad provided on the wiring board.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of a wiring board according to an embodiment of the present invention. 図1のIII部の拡大図。FIG. 2 is an enlarged view of part III in FIG. 1 . 図3のIV部の拡大図。FIG. 4 is an enlarged view of part IV in FIG. 3 . 本発明の一実施形態における導体パッドの縁部の他の例を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of an edge portion of a conductor pad in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態における導体パッドの縁部の他の例を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of an edge portion of a conductor pad in an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程中の状態の一例を示す断面図。4A to 4C are cross-sectional views showing an example of a state during a manufacturing process of the wiring board according to the embodiment of the present invention.

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図が示されており、図2には、図1における下面側からの配線基板1の平面図が示されている。図2のI-I線での断面図が図1である。また図3には、図1のIII部の拡大図が示されている。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view of wiring board 1, which is an example of a wiring board according to an embodiment, and FIG. 2 shows a plan view of wiring board 1 from the underside in FIG. 1. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line I-I in FIG. 2. FIG. 3 shows an enlarged view of part III in FIG. 1.

図1に示されるように、配線基板1は、絶縁層20と、絶縁層20の両面それぞれに交互に積層された導体層及び絶縁層とを含んでいる。絶縁層20の上面20a上には、3つの導体層31のそれぞれと2つの絶縁層21のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層23が積層されている。そして絶縁層23上に導体層(第2導体層)33が形成されている。絶縁層20の上面20aの反対面である下面20b上には、3つの導体層32のそれぞれと2つの絶縁層22のそれぞれとが交互に積層され、その上に、さらに絶縁層(第1絶縁層)2が積層されている。そして絶縁層2の表面2a上に導体層(第1導体層)3が形成されている。絶縁層23及び導体層33上には、ソルダーレジスト層40(第2ソルダーレジスト層)が形成されている。絶縁層2及び導体層3上にはソルダーレジスト層4(第1ソルダーレジスト層)が形成されている。実施形態の配線基板1は、絶縁層2と、絶縁層2の表面2a上に形成されている導体層3と、絶縁層2の表面2a上及び導体層3上に形成されているソルダーレジスト層4と、を少なくとも含んでいる。 As shown in FIG. 1, the wiring board 1 includes an insulating layer 20 and conductor layers and insulating layers alternately stacked on both sides of the insulating layer 20. On the upper surface 20a of the insulating layer 20, three conductor layers 31 and two insulating layers 21 are alternately stacked, and an insulating layer 23 is further stacked thereon. A conductor layer (second conductor layer) 33 is formed on the insulating layer 23. On the lower surface 20b, which is the opposite surface of the upper surface 20a of the insulating layer 20, three conductor layers 32 and two insulating layers 22 are alternately stacked, and an insulating layer (first insulating layer) 2 is further stacked thereon. A conductor layer (first conductor layer) 3 is formed on the surface 2a of the insulating layer 2. A solder resist layer 40 (second solder resist layer) is formed on the insulating layer 2 and the conductor layer 33. A solder resist layer 4 (first solder resist layer) is formed on the insulating layer 2 and the conductor layer 3. The wiring board 1 of the embodiment includes at least an insulating layer 2, a conductor layer 3 formed on the surface 2a of the insulating layer 2, and a solder resist layer 4 formed on the surface 2a of the insulating layer 2 and on the conductor layer 3.

配線基板1は、配線基板1の厚さ方向と直交する方向に広がる2つの表面として第1面11、及び第1面11の反対面である第2面12を有している。配線基板1の厚さ方向は、以下では単に「Z方向」とも称される。配線基板1において、絶縁層23、導体層33、及びソルダーレジスト層40は配線基板1の第1面11側に形成されており、配線基板1の第1面11側の表層部を形成している。第1面11は、絶縁層23、導体層33、及びソルダーレジスト層40それぞれにおけるZ方向に直交する露出面によって構成されている。また、絶縁層2、導体層3、及びソルダーレジスト層4は、配線基板1の第2面12側に形成されており、配線基板1の第2面12側の表層部を形成している。第2面12は、絶縁層2、導体層3、及びソルダーレジスト層4それぞれにおけるZ方向に直交する露出面によって構成されている。 The wiring board 1 has two surfaces extending in a direction perpendicular to the thickness direction of the wiring board 1, a first surface 11, and a second surface 12 opposite the first surface 11. The thickness direction of the wiring board 1 is also simply referred to as the "Z direction" below. In the wiring board 1, the insulating layer 23, the conductor layer 33, and the solder resist layer 40 are formed on the first surface 11 side of the wiring board 1 and form the surface layer portion of the first surface 11 side of the wiring board 1. The first surface 11 is composed of exposed surfaces perpendicular to the Z direction in the insulating layer 23, the conductor layer 33, and the solder resist layer 40. In addition, the insulating layer 2, the conductor layer 3, and the solder resist layer 4 are formed on the second surface 12 side of the wiring board 1 and form the surface layer portion of the second surface 12 side of the wiring board 1. The second surface 12 is composed of exposed surfaces perpendicular to the Z direction in the insulating layer 2, the conductor layer 3, and the solder resist layer 4.

絶縁層20には、導体層31と導体層32とを接続するスルーホール導体20cが形成されている。絶縁層20、その上面20a上の導体層31及び下面20b上の導体層32は、配線基板1のコア基板を構成している。絶縁層2及び絶縁層21~23それぞれには、絶縁層2及び絶縁層21~23それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体2vが形成されている。 A through-hole conductor 20c is formed in the insulating layer 20, connecting the conductor layer 31 and the conductor layer 32. The insulating layer 20, the conductor layer 31 on its upper surface 20a, and the conductor layer 32 on its lower surface 20b constitute the core substrate of the wiring board 1. The insulating layer 2 and the insulating layers 21 to 23 each have a via conductor 2v formed therein, connecting the conductor layers sandwiching the insulating layer 2 and the insulating layers 21 to 23, respectively.

絶縁層2及び絶縁層20~23は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材(芯材)及び/又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。 The insulating layer 2 and the insulating layers 20 to 23 are each formed using an insulating resin such as an epoxy resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), or a phenolic resin. Each insulating layer may contain a reinforcing material (core material) such as glass fiber and/or an inorganic filler such as silica.

ソルダーレジスト層4、40は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成されている。ソルダーレジスト層40は、導体層33の一部又は全部を露出させる開口40aを有している。図1の例では、開口40aは、導体層33を部分的に露出させている。一方ソルダーレジスト層4は、導体層3の少なくとも一部を露出させる開口4aを有している。図1及び図2の例では、開口4aは、導体層3の全部を露出させている。 The solder resist layers 4, 40 are formed using any insulating resin, such as epoxy resin or polyimide resin. The solder resist layer 40 has an opening 40a that exposes a part or all of the conductor layer 33. In the example of FIG. 1, the opening 40a partially exposes the conductor layer 33. On the other hand, the solder resist layer 4 has an opening 4a that exposes at least a part of the conductor layer 3. In the examples of FIG. 1 and FIG. 2, the opening 4a exposes the entire conductor layer 3.

導体層3及び導体層31~33、ビア導体2v、及びスルーホール導体20cは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び/又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。従って導体層3及び導体層31~33、ビア導体2v、及びスルーホール導体20cは、2つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。しかし、導体層3及び導体層31~33、ビア導体2v、及びスルーホール導体20cは、単一の金属層だけを含む単層構造を有していてもよい。 The conductor layer 3 and the conductor layers 31 to 33, the via conductor 2v, and the through-hole conductor 20c are formed using any metal such as copper or nickel, and are composed of, for example, a metal foil such as copper foil, and/or a metal film formed by plating or sputtering. Therefore, the conductor layer 3 and the conductor layers 31 to 33, the via conductor 2v, and the through-hole conductor 20c may have a multilayer structure having two or more metal layers. However, the conductor layer 3 and the conductor layers 31 to 33, the via conductor 2v, and the through-hole conductor 20c may have a single-layer structure including only a single metal layer.

図1~図3に例示の配線基板1において導体層3は、図1では見易さのために簡略化されているが、図3に示されるように、金属膜30a及びめっき膜30bを含む2層構造を有している。金属膜30aは絶縁層2の表面2a上に形成されており、めっき膜30bは、金属膜30aにおける絶縁層2と反対側の表面上に形成されている。金属膜30aは、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。めっき膜30bは、例えば金属膜30aを給電層として用いる電解めっきによって形成される。図示されていないが、導体層33、絶縁層21又は絶縁層22上に形成されている導体層31及び導体層32、ビア導体2v、並びにスルーホール導体20cも、図3に示される導体層3と同様の2層構造を有し得る。 In the wiring board 1 illustrated in FIG. 1 to FIG. 3, the conductor layer 3 is simplified in FIG. 1 for ease of viewing, but as shown in FIG. 3, it has a two-layer structure including a metal film 30a and a plating film 30b. The metal film 30a is formed on the surface 2a of the insulating layer 2, and the plating film 30b is formed on the surface of the metal film 30a opposite the insulating layer 2. The metal film 30a is formed, for example, by electroless plating or sputtering. The plating film 30b is formed, for example, by electrolytic plating using the metal film 30a as a power supply layer. Although not shown, the conductor layer 33, the conductor layer 31 and the conductor layer 32 formed on the insulating layer 21 or the insulating layer 22, the via conductor 2v, and the through-hole conductor 20c may also have a two-layer structure similar to that of the conductor layer 3 shown in FIG. 3.

各導体層は、所定の導体パッド及び/又は配線パターンを有するようにパターニングされている。図1の例の配線基板1では、導体層33は複数の部品実装パッド33aを有するようにパターニングされている。すなわち配線基板1は第1面11に形成されている複数の部品実装パッド33aを含んでいる。図1の例では、各部品実装パッド33aは、所謂SMDパッド(Solder Mask Defined)タイプの導体パッドである。すなわち、各部品実装パッド33aの周縁部がソルダーレジスト層40に覆われており、各部品実装パッド33aの周縁部以外の部分がソルダーレジスト層40の開口40aに露出している。 Each conductor layer is patterned to have a predetermined conductor pad and/or wiring pattern. In the example of the wiring board 1 in FIG. 1, the conductor layer 33 is patterned to have a plurality of component mounting pads 33a. That is, the wiring board 1 includes a plurality of component mounting pads 33a formed on the first surface 11. In the example of FIG. 1, each component mounting pad 33a is a so-called SMD pad (Solder Mask Defined) type conductor pad. That is, the peripheral portion of each component mounting pad 33a is covered with the solder resist layer 40, and the portion other than the peripheral portion of each component mounting pad 33a is exposed to the opening 40a of the solder resist layer 40.

各部品実装パッド33aは、配線基板1の使用時に配線基板1に実装される部品E1がその表面に載置される導体パッド(第2導体パッド)である。すなわち第1面11は配線基板1の部品実装面である。部品実装パッド33aには、例えばはんだなどの接合材(図示せず)を介して部品E1の電極E11が電気的及び機械的に接続される。 Each component mounting pad 33a is a conductor pad (second conductor pad) on whose surface a component E1 to be mounted on the wiring board 1 when the wiring board 1 is in use is placed. In other words, the first surface 11 is the component mounting surface of the wiring board 1. An electrode E11 of the component E1 is electrically and mechanically connected to the component mounting pad 33a via a bonding material (not shown) such as solder.

部品E1としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、及び、電気抵抗などの受動部品のような電子部品が例示される。部品E1は、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。しかし、部品E1はこれらに限定されない。 Examples of component E1 include electronic components such as active components, such as semiconductor integrated circuit devices and transistors, and passive components, such as electrical resistors. Component E1 may be a wiring material including fine wiring formed on a semiconductor substrate. However, component E1 is not limited to these.

本実施形態では、導体層3は導体パッド3a(第1導体パッド)を含んでいる。図1~3に示されるように、導体パッド3aは、ソルダーレジスト層4の開口4aによって露出されている。具体的には、導体パッド3aにおける絶縁層2と反対側を向く表面3a1(第1主面)、及び導体パッド3aの側面3a2全体がソルダーレジスト層4に覆われずに露出している。すなわち、導体パッド3aは、その外縁がソルダーレジスト層の開口によって画定されない、所謂NSMDパッド(Non-Solder Mask Defined)タイプの導体パッドである。なお導体パッド3aの側面3a2は、導体パッド3aにおける絶縁層2を向く表面3a3(第2主面)と表面3a1との間の表面であって平面視において導体パッド3aの外縁を構成する表面である。なお「平面視」は、導体パッド3aなどの対象物をZ方向と平行な視線で見ることを意味している。導体パッド3aの表面3a3は、以下では、「導体パッド3aの背面3a3」とも称される。 In this embodiment, the conductor layer 3 includes a conductor pad 3a (first conductor pad). As shown in FIGS. 1 to 3, the conductor pad 3a is exposed by an opening 4a in the solder resist layer 4. Specifically, the surface 3a1 (first main surface) of the conductor pad 3a facing the opposite side of the insulating layer 2 and the entire side surface 3a2 of the conductor pad 3a are exposed without being covered by the solder resist layer 4. In other words, the conductor pad 3a is a so-called NSMD pad (Non-Solder Mask Defined) type conductor pad whose outer edge is not defined by an opening in the solder resist layer. The side surface 3a2 of the conductor pad 3a is a surface between the surface 3a3 (second main surface) facing the insulating layer 2 of the conductor pad 3a and the surface 3a1, which constitutes the outer edge of the conductor pad 3a in a plan view. Note that "plan view" means that an object such as the conductor pad 3a is viewed with a line of sight parallel to the Z direction. The surface 3a3 of the conductor pad 3a is also referred to below as the "rear surface 3a3 of the conductor pad 3a."

図1の例の配線基板1において、第2面12は、第1面11と同様に半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。また第2面12は、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素E2に配線基板1自体が実装される場合に、外部要素E2に接続される接続面であってもよい。すなわち、配線基板1は、例えば第1面11に実装される半導体集積回路などの部品E1のパッケージの一部を構成してもよい。その場合、配線基板1は、図1に示されるように第2面12を外部要素E2に向けて、外部要素E2に部品E1と共に実装されてもよい。 In the wiring board 1 of the example of FIG. 1, the second surface 12 may be a component mounting surface on which electronic components such as semiconductor integrated circuit devices are mounted, similar to the first surface 11. The second surface 12 may also be a connection surface that is connected to an external element E2 when the wiring board 1 itself is mounted on an external wiring board, for example, an external element E2 such as a motherboard of any electrical device. In other words, the wiring board 1 may form part of a package of a component E1, such as a semiconductor integrated circuit mounted on the first surface 11. In that case, the wiring board 1 may be mounted together with the component E1 on the external element E2, with the second surface 12 facing the external element E2, as shown in FIG. 1.

第2面12が外部要素E2との接続面である場合、第2面12は外部要素E2との接続部を備え得る。図1の例の配線基板1は導体パッド3aにおいて外部要素E2と接続される。従って図1の例の導体パッド3aは、配線基板1において外部要素E2に接続される接続パッドであり、図1の配線基板1における外部要素E2との接続パッドは導体パッド3aからなる。前述したように、導体パッド3aの表面3a1の全体及び側面3a2の全体がソルダーレジスト層4に覆われずに開口4a内に露出している。従って、配線基板1と外部要素E2とが大きな面積で強固に接続され得る。 When the second surface 12 is a connection surface with the external element E2, the second surface 12 may have a connection portion with the external element E2. The wiring board 1 in the example of FIG. 1 is connected to the external element E2 at the conductor pad 3a. Therefore, the conductor pad 3a in the example of FIG. 1 is a connection pad that is connected to the external element E2 in the wiring board 1, and the connection pad with the external element E2 in the wiring board 1 in FIG. 1 consists of the conductor pad 3a. As described above, the entire surface 3a1 and the entire side surface 3a2 of the conductor pad 3a are exposed in the opening 4a without being covered by the solder resist layer 4. Therefore, the wiring board 1 and the external element E2 can be firmly connected over a large area.

配線基板1の導体パッド3aは、図2に示されるように矩形の平面形状を有している。「平面形状」は、導体パッド3aのような対象物の平面視における形状である。ここで「矩形」は、互いに平行な2つの辺(線分)と、その2つの辺に直交する互いに平行な2つの辺(線分)とによって囲まれる形状を意味している。この「矩形」において、互いに隣接すると共に直交する二辺は、必ずしもその交点において直角の交角をなすように互いに接していなくてもよく、その交点付近の部分(角部)が、C面取り又はR面取りなどで面取りされた形状を有していてもよい。その場合、上記及び下記の説明における「矩形」の各一辺の直線部分は、好ましくは、その一辺と直交する他の二辺間の距離の1/3以上の長さを有している。図2の例の導体パッド3aでは、平面視における導体パッド3aの4つの角部はいずれもR面取りされている。 The conductor pad 3a of the wiring board 1 has a rectangular planar shape as shown in FIG. 2. The "planar shape" is the shape of an object such as the conductor pad 3a in a planar view. Here, the "rectangle" means a shape surrounded by two parallel sides (line segments) and two parallel sides (line segments) perpendicular to the two sides. In this "rectangle," the two adjacent and perpendicular sides do not necessarily need to be in contact with each other at a right angle at the intersection, and the part (corner) near the intersection may have a chamfered shape such as C-chamfering or R-chamfering. In that case, the straight line part of each side of the "rectangle" in the above and following explanations preferably has a length of 1/3 or more of the distance between the other two sides perpendicular to that side. In the conductor pad 3a of the example in FIG. 2, all four corners of the conductor pad 3a in a planar view are R-chamfered.

導体パッド3aは、例えば、はんだなどの接合材B(図3参照)によって外部要素E2の電極E21に電気的及び機械的に接続され得る。外部要素E2は、前述したように、任意の電気機器を構成するマザーボードであってもよく、配線基板1よりも大きなパッケージサイズを有する任意の電子部品であってもよい。導体パッド3aは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。 The conductor pad 3a can be electrically and mechanically connected to the electrode E21 of the external element E2 by, for example, a bonding material B such as solder (see FIG. 3). As described above, the external element E2 can be a motherboard constituting any electrical device, or any electronic component having a package size larger than the wiring board 1. The conductor pad 3a can be connected to any substrate, electrical component, or mechanical component, including but not limited to these.

図1の例では、導体パッド3aは、第1面11側に設けられている複数の部品実装パッド33aのいずれよりも大きい。例えば、部品E1よりも大きな外部要素E2と配線基板1とが、大きな面積で強固に接続されると考えられる。 In the example of FIG. 1, the conductor pad 3a is larger than any of the multiple component mounting pads 33a provided on the first surface 11. For example, it is considered that an external element E2 larger than the component E1 is firmly connected to the wiring board 1 over a large area.

図1及び図2では省略されているが、配線基板1は、図3に示されるように導体パッド3aの表面3a1及び側面3a2を覆う表面処理層5を含んでいる。表面処理層5は、例えば導体パッド3aの表面3a1及び側面3a2などの露出部分の防食処理及び/又は防錆処理によって形成される被膜である。表面処理層5によって、導体パッド3aの腐食や酸化などが防がれる。 Although omitted in Figs. 1 and 2, the wiring board 1 includes a surface treatment layer 5 that covers the surface 3a1 and side 3a2 of the conductor pad 3a as shown in Fig. 3. The surface treatment layer 5 is a coating formed by, for example, anticorrosive treatment and/or antirust treatment of exposed parts such as the surface 3a1 and side 3a2 of the conductor pad 3a. The surface treatment layer 5 prevents corrosion, oxidation, etc. of the conductor pad 3a.

表面処理層5は、例えば、導体パッド3aとは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッド3aが銅で形成されている場合、表面処理層5は、ニッケル、パラジウム、銀、金、若しくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。図3の例では、表面処理層5は、導体パッド3aの本体側に形成されている下層51と下層51上に形成されている上層52とを含む2層構造を有している。下層51は、例えばニッケル膜若しくはニッケルとパラジウムとの合金膜であり、上層は、例えば金からなる金属膜である。 The surface treatment layer 5 is, for example, a metal coating containing a metal different from the conductor pad 3a, or an organic coating containing an organic substance such as an imidazole compound. When the conductor pad 3a is made of copper, the surface treatment layer 5 can be made of nickel, palladium, silver, gold, or an alloy thereof, or solder. In the example of FIG. 3, the surface treatment layer 5 has a two-layer structure including a lower layer 51 formed on the main body side of the conductor pad 3a and an upper layer 52 formed on the lower layer 51. The lower layer 51 is, for example, a nickel film or an alloy film of nickel and palladium, and the upper layer is, for example, a metal film made of gold.

図3に示されるように、実施形態の配線基板1では、導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離間している。なお、導体パッド3aの「縁部」は、導体パッド3aの平面形状の外縁に沿って導体パッド3aの中央部を連続的又は断続的に囲む枠状の部分である。導体パッド3aの「縁部」は、導体パッド3aの外縁からの距離が長さLW以下の領域であり、各辺の幅として長さLWを有する枠状の部分である。長さLWは、例えば、0.01×LD以上、0.1×LD以下である。ここで「LD」は、長さLWと平行な方向において対向する導体パッド3aの二辺間の距離である。 As shown in FIG. 3, in the wiring board 1 of the embodiment, the edge of the conductor pad 3a is spaced from the surface 2a of the insulating layer 2. The "edge" of the conductor pad 3a is a frame-like portion that continuously or intermittently surrounds the center of the conductor pad 3a along the outer edge of the planar shape of the conductor pad 3a. The "edge" of the conductor pad 3a is an area whose distance from the outer edge of the conductor pad 3a is equal to or less than the length LW, and is a frame-like portion having the length LW as the width of each side. The length LW is, for example, 0.01×LD or more and 0.1×LD or less. Here, "LD" is the distance between two opposing sides of the conductor pad 3a in a direction parallel to the length LW.

図4には、配線基板1における導体パッド3aの縁部の断面(例えば図3のIV部)の拡大図が示されている。図4に示されるように、導体パッド3aの縁部は絶縁層2の表面2aから離れている。換言すると、導体パッド3aの縁部では、導体パッド3aが絶縁層2の表面2aから浮き上がっている。導体パッド3aの背面3a3と側面3a2とで構成される角部が切り欠かれている。そのため、図4に示される断面図では、導体パッド3aと絶縁層2の表面2aとの間に、二点鎖線で囲まれている切り欠き状の空間Gが形成されている。 Figure 4 shows an enlarged cross-section of the edge of the conductor pad 3a on the wiring board 1 (e.g., part IV in Figure 3). As shown in Figure 4, the edge of the conductor pad 3a is separated from the surface 2a of the insulating layer 2. In other words, at the edge of the conductor pad 3a, the conductor pad 3a is raised above the surface 2a of the insulating layer 2. The corner formed by the back surface 3a3 and the side surface 3a2 of the conductor pad 3a is cut out. Therefore, in the cross-sectional view shown in Figure 4, a cutout-shaped space G surrounded by a two-dot chain line is formed between the conductor pad 3a and the surface 2a of the insulating layer 2.

導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離れているため、導体パッド3aの側面3a2と、その背面3a3と絶縁層2の表面2aとの界面の外縁(この界面の外縁は単に「外縁F」とも称される)とは、表面2aの垂直方向において一列に並んでいない。すなわち、側面3a2と外縁Fとは平面視で重なっていない。外縁Fは、側面3a2よりも導体パッド3aの内側(中央側)に位置している。また、導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離れているため、導体パッド3aの側面3a2の下端Q(絶縁層2側の先端)は、表面2aと接しておらず、表面2aから離れている。 Because the edge of the conductor pad 3a is separated from the surface 2a of the insulating layer 2, the side 3a2 of the conductor pad 3a and the outer edge of the interface between the back surface 3a3 and the surface 2a of the insulating layer 2 (the outer edge of this interface is also simply called the "outer edge F") are not aligned in a line in the vertical direction of the surface 2a. In other words, the side 3a2 and the outer edge F do not overlap in a planar view. The outer edge F is located inside (towards the center) of the conductor pad 3a relative to the side 3a2. In addition, because the edge of the conductor pad 3a is separated from the surface 2a of the insulating layer 2, the lower end Q (the tip on the insulating layer 2 side) of the side 3a2 of the conductor pad 3a is not in contact with the surface 2a and is separated from the surface 2a.

前述したように、従来の配線基板において導体パッド及びその下層の絶縁層には、両者の間の熱膨張率の相違や外力などによって応力が生じることがある。その応力は、絶縁層の表面上において導体パッドが存在する領域と存在しない領域との境界となる導体パッドの縁部に集中し易い。またこの応力は、絶縁層と導体パッドとの界面の外縁(図4の例では外縁F)から、絶縁層から離れる方向に延びる導体パッドの表面(例えば導体パッドの側面)に沿った方向に作用し易いと考えられる。従って、本実施形態と異なり導体パッドの縁部がその下層の絶縁層の表面から離れていない場合、集中する応力は、導体パッドの側面に沿った方向、すなわち、導体パッドの下層の絶縁層の表面と直交する方向に強く作用すると考えられる。そして、その絶縁層の表面と直交する方向に強く作用する応力によって、絶縁層における導体パッドの側面と接する部分にクラックが生じたり、導体パッドの外縁を発端とする絶縁層と導体パッドとの界面剥離が生じたりすることがある。 As mentioned above, in conventional wiring boards, stress may occur in the conductor pad and the insulating layer below it due to the difference in thermal expansion coefficient between them or external force. The stress tends to concentrate on the edge of the conductor pad, which is the boundary between the area where the conductor pad exists and the area where it does not exist on the surface of the insulating layer. It is also considered that this stress tends to act in a direction along the surface of the conductor pad (for example, the side of the conductor pad) extending from the outer edge of the interface between the insulating layer and the conductor pad (outer edge F in the example of FIG. 4) away from the insulating layer. Therefore, unlike this embodiment, if the edge of the conductor pad is not away from the surface of the insulating layer below it, it is considered that the concentrated stress acts strongly in the direction along the side of the conductor pad, that is, in the direction perpendicular to the surface of the insulating layer below the conductor pad. Then, the stress acting strongly in the direction perpendicular to the surface of the insulating layer may cause cracks in the part of the insulating layer that contacts the side of the conductor pad, or interfacial peeling between the insulating layer and the conductor pad starting from the outer edge of the conductor pad may occur.

これに対して本実施形態では、導体パッド3aの縁部は絶縁層2の表面2aから離間している。そして導体パッド3aにおいて、絶縁層2の表面2aから離れる方向に外縁Fから延びる表面3a4は、絶縁層2の表面2aに直交する方向D1に対して傾いた方向D2に沿って延びている。すなわち、絶縁層2の表面2aと接していて表面2aから離れる方向に延びる導体パッド3aの表面3a4は、表面2aに対して直角よりも小さい角度θをなして表面2aに接している。そのため、導体パッド3aの縁部に集中し易い応力は、方向D1ではなく方向D1に対して傾いた方向D2に強く作用すると考えられる。そしてその方向D2に作用する応力は、絶縁層2の表面2aに直交する方向D1だけでなく、方向D1に直交する方向D3にも分散して作用すると考えられる。すなわち、絶縁層2に対してその表面2aに直交する方向D1に作用する応力が、導体パッドの縁部が下層の絶縁層の表面から離間していない場合と比べて軽減されると考えられる。従って、本実施形態では、絶縁層2におけるクラックの発生や、絶縁層2と導体パッド3aとの界面剥離などが抑制されると考えられる。 In contrast, in this embodiment, the edge of the conductor pad 3a is spaced from the surface 2a of the insulating layer 2. In the conductor pad 3a, the surface 3a4 extending from the outer edge F in a direction away from the surface 2a of the insulating layer 2 extends along a direction D2 inclined with respect to a direction D1 perpendicular to the surface 2a of the insulating layer 2. That is, the surface 3a4 of the conductor pad 3a, which is in contact with the surface 2a of the insulating layer 2 and extends in a direction away from the surface 2a, is in contact with the surface 2a at an angle θ smaller than a right angle with respect to the surface 2a. Therefore, it is considered that the stress that tends to concentrate on the edge of the conductor pad 3a acts strongly not in the direction D1 but in the direction D2 inclined with respect to the direction D1. It is considered that the stress acting in the direction D2 acts not only in the direction D1 perpendicular to the surface 2a of the insulating layer 2 but also in a dispersed manner in the direction D3 perpendicular to the direction D1. That is, it is believed that the stress acting on the insulating layer 2 in the direction D1 perpendicular to its surface 2a is reduced compared to when the edge of the conductor pad is not separated from the surface of the underlying insulating layer. Therefore, in this embodiment, it is believed that the occurrence of cracks in the insulating layer 2 and interfacial peeling between the insulating layer 2 and the conductor pad 3a are suppressed.

特に図1~図4に例示される配線基板1では、前述したように導体パッド3aは、第1面11側に設けられている複数の部品実装パッド33aのいずれよりも大きい。従って、その平面面積は大きく、導体パッド3aは絶縁層2との間に比較的大きな界面を有し得る。従って導体パッド3aの縁部に集中する応力も過大になり易い。導体パッド3aのように比較的大きな平面面積を有する導体パッドにおいて本実施形態は特に有益であると考えられる。 In particular, in the wiring board 1 illustrated in Figures 1 to 4, as described above, the conductor pad 3a is larger than any of the multiple component mounting pads 33a provided on the first surface 11. Therefore, its planar area is large, and the conductor pad 3a can have a relatively large interface with the insulating layer 2. Therefore, the stress concentrated on the edge of the conductor pad 3a is also likely to be excessive. This embodiment is considered to be particularly beneficial for conductor pads with a relatively large planar area such as the conductor pad 3a.

導体パッド3aの表面3a4と絶縁層2の表面2aとの間の角度θは、0°よりも大きく90°よりも小さい。例えば、角度θは、10°以上、80°以下である。 The angle θ between the surface 3a4 of the conductor pad 3a and the surface 2a of the insulating layer 2 is greater than 0° and less than 90°. For example, the angle θ is greater than or equal to 10° and less than or equal to 80°.

導体パッド3aの縁部における絶縁層2の表面2aから離間している部分の表面2a上での長さL(平面視における側面3a2から外縁Fまでの距離)は、導体パッド3aを介して外縁Fに伝わる外力の緩和の観点からは長い方が好ましい。一方で、導体パッド3aと絶縁層2との密着強度の観点では、長さLは短い方が好ましいと考えられる。長さLは、外縁Fに伝わる外力の緩和と導体パッド3aの密着強度の確保との両方が適切に実現されるように、例えば、3μm以上、10μm以下である。 The length L (the distance from the side surface 3a2 to the outer edge F in a plan view) of the portion of the conductor pad 3a on the surface 2a of the insulating layer 2 that is separated from the surface 2a of the insulating layer 2 at the edge of the conductor pad 3a is preferably long from the viewpoint of mitigating the external force transmitted to the outer edge F via the conductor pad 3a. On the other hand, from the viewpoint of the adhesive strength between the conductor pad 3a and the insulating layer 2, it is considered that a short length L is preferable. The length L is, for example, 3 μm or more and 10 μm or less so that both the mitigation of the external force transmitted to the outer edge F and the securing of the adhesive strength of the conductor pad 3a are appropriately realized.

図4の例では、互いから離間している導体パッド3aの縁部と絶縁層2の表面2aとの間隔は、導体パッド3aの外周に向かって拡大している。換言すると、導体パッド3aの縁部を表面2aから離間させている切り欠き状の空間Gの高さ(表面2aからの高さ)は、導体パッド3aの外周に向かうほど高くなっている。すなわち、導体パッド3aにおける絶縁層2の表面2aからの離間部分の表面が、側面3a2や背面3a3と略平行や略直角ではなく傾いている。そのため、前述したように、絶縁層2から離間している導体パッド3aの縁部と絶縁層2との界面に導体パッド3aの熱収縮などによって加わり得る剥離方向の力が、その界面に沿った方向にも分散されると考えられる。導体パッド3aと絶縁層2との界面剥離などが生じ難いと推察される。 In the example of FIG. 4, the distance between the edge of the conductor pad 3a and the surface 2a of the insulating layer 2, which are spaced apart from each other, expands toward the periphery of the conductor pad 3a. In other words, the height (height from the surface 2a) of the notch-shaped space G that separates the edge of the conductor pad 3a from the surface 2a increases toward the periphery of the conductor pad 3a. That is, the surface of the part of the conductor pad 3a that is spaced apart from the surface 2a of the insulating layer 2 is inclined, not approximately parallel or approximately perpendicular to the side surface 3a2 or the back surface 3a3. Therefore, as described above, it is considered that the force in the peeling direction that may be applied to the interface between the edge of the conductor pad 3a that is spaced apart from the insulating layer 2 and the insulating layer 2 due to the thermal contraction of the conductor pad 3a is also distributed in the direction along the interface. It is presumed that interfacial peeling between the conductor pad 3a and the insulating layer 2 is less likely to occur.

さらに図4の例では、導体パッド3aの背面3a3と側面3a2とによって構成される角部が丸まっている。そして、導体パッド3aにおいて絶縁層2から離間している縁部の表面は曲面を含んでいる。すなわち、導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離間していない場合における背面3a3と側面3a2との仮想の交線(図4における点P)付近が丸まっていて導体パッド3aはその交線付近の表面に曲面状の部分を有している。導体パッド3aの縁部が丸まっているので、絶縁層2だけでなく表面処理層5にもクラックが生じ難いと考えられる。 Furthermore, in the example of FIG. 4, the corners formed by the back surface 3a3 and side surface 3a2 of the conductor pad 3a are rounded. The surface of the edge of the conductor pad 3a that is separated from the insulating layer 2 includes a curved surface. In other words, when the edge of the conductor pad 3a is not separated from the surface 2a of the insulating layer 2, the vicinity of the imaginary intersection line (point P in FIG. 4) between the back surface 3a3 and side surface 3a2 is rounded, and the conductor pad 3a has a curved portion on the surface near the intersection line. Because the edge of the conductor pad 3a is rounded, it is believed that cracks are less likely to occur not only in the insulating layer 2 but also in the surface treatment layer 5.

具体的には、導体パッド3aの側面3a2とめっき膜30bの下面(絶縁層2を向く表面)とによって構成されるべき角部が丸まっていて曲面状の表面を有している。一方、金属膜30aにおけるめっき膜30bと絶縁層2との間の端面は略平坦面であって、絶縁層2側ほど導体パッド3aの内周側に向かうように傾斜している。従って、導体パッド3aを構成する金属膜30aの端部も絶縁層2の表面2aから離間している。 Specifically, the corners that should be formed by the side surface 3a2 of the conductor pad 3a and the underside of the plating film 30b (the surface facing the insulating layer 2) are rounded and have a curved surface. On the other hand, the end surface of the metal film 30a between the plating film 30b and the insulating layer 2 is approximately flat and is inclined toward the inner circumference of the conductor pad 3a as it approaches the insulating layer 2. Therefore, the end of the metal film 30a that constitutes the conductor pad 3a is also spaced from the surface 2a of the insulating layer 2.

なお表面処理層5が、導体パッド3aを構成する材料の熱膨張率と絶縁層2の熱膨張率の間の熱膨張率を用いて形成されると、表面処理層5が形成されない場合と比べて、絶縁層2及び導体パッド3aに生じる応力が低減されると考えられる。また、表面処理層5が、絶縁層2との熱膨張率の差が導体パッド3aよりも大きい材料で形成される場合でも、本実施形態では導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離間しているので、クラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。 When the surface treatment layer 5 is formed using a thermal expansion coefficient between that of the material constituting the conductor pad 3a and that of the insulating layer 2, it is believed that the stress generated in the insulating layer 2 and the conductor pad 3a is reduced compared to when the surface treatment layer 5 is not formed. Also, even if the surface treatment layer 5 is formed of a material whose difference in thermal expansion coefficient with the insulating layer 2 is greater than that of the conductor pad 3a, in this embodiment, since the edge of the conductor pad 3a is separated from the surface 2a of the insulating layer 2, it is believed that defects such as cracks are less likely to occur.

さらに図1~図4の例の配線基板1の導体パッド3aでは、前述したように平面視における4つの角部がR面取りされているので、R面取りのない導体パッドに比べて、導体パッド3aと絶縁層2との熱膨張率の違いなどによる応力集中箇所が少ない。従って、絶縁層2のクラックなどの不具合が一層生じ難いと考えられる。 Furthermore, in the conductor pad 3a of the wiring board 1 of the example of Figures 1 to 4, as described above, the four corners in plan view are rounded, so there are fewer points of stress concentration due to differences in the thermal expansion coefficient between the conductor pad 3a and the insulating layer 2 compared to a conductor pad without rounded corners. Therefore, it is considered that defects such as cracks in the insulating layer 2 are even less likely to occur.

本実施形態では、導体パッド3aは、所謂NSMDタイプの導体パッドであるため、導体パッド3aにおいて大きな露出部分が確保される。そのため導体パッド3aに接続される外部要素との広い接続面積が確保され、その外部要素と配線基板1とが強固に接続され得る。一方で、図1~図4を参照して説明が為されたように、導体パッド3aの縁部が絶縁層2から離間しているので、導体パッド3aの周辺部におけるクラックや界面剥離などの不具合が抑制され得る。 In this embodiment, the conductor pad 3a is a so-called NSMD type conductor pad, so that a large exposed portion is secured in the conductor pad 3a. This ensures a large connection area with an external element connected to the conductor pad 3a, and the external element can be firmly connected to the wiring board 1. On the other hand, as described with reference to Figures 1 to 4, the edge of the conductor pad 3a is separated from the insulating layer 2, so that defects such as cracks and interfacial peeling in the periphery of the conductor pad 3a can be suppressed.

図5A及び図5Bには、それそれ、導体パッド3aの縁部の他の例が示されている。図5Aの例では、導体パッド3aは、絶縁層2から離間する縁部において、金属膜30aの表面だけでなくめっき膜30bの表面にも平坦部30b1を有している。図5Aの例の導体パッド3aの縁部の表面は、平坦部30b1と側面3a2との間、及び平坦部30b1とめっき膜30bにおける絶縁層2側の表面との間それぞれに曲面部30b2を有している。2つの曲面部30b2によって、平坦部30b1と側面3a2、及び、めっき膜30bにおける絶縁層2側の表面と平坦部30b1が滑らかに繋がれている。図5Aの例においても、絶縁層2及び/又は表面処理層5にクラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。 5A and 5B show other examples of the edge of the conductor pad 3a. In the example of FIG. 5A, the conductor pad 3a has a flat portion 30b1 not only on the surface of the metal film 30a but also on the surface of the plating film 30b at the edge separated from the insulating layer 2. The surface of the edge of the conductor pad 3a in the example of FIG. 5A has curved portions 30b2 between the flat portion 30b1 and the side surface 3a2, and between the flat portion 30b1 and the surface of the plating film 30b on the insulating layer 2 side. The two curved portions 30b2 smoothly connect the flat portion 30b1 and the side surface 3a2, and the surface of the plating film 30b on the insulating layer 2 side and the flat portion 30b1. In the example of FIG. 5A, it is considered that defects such as cracks are unlikely to occur in the insulating layer 2 and/or the surface treatment layer 5.

図5Bの例の導体パッド3aは、図5Aの例の導体パッド3aと同様に、めっき膜30bの表面上に平坦部30b1を有しているが、図5Aに示される曲面部30b2を備えていない。しかし、図5Bの例においても、導体パッド3aの縁部は絶縁層2の表面2aから離間している。従って、導体パッド3aの縁部が表面2aから離間していない場合に表面2aに直交する方向に作用する力が軽減されると考えられる。従って、図5Bの例においても、絶縁層2にクラックなどの不具合が生じ難いと考えられる。 The conductor pad 3a in the example of FIG. 5B has a flat portion 30b1 on the surface of the plating film 30b, like the conductor pad 3a in the example of FIG. 5A, but does not have the curved portion 30b2 shown in FIG. 5A. However, even in the example of FIG. 5B, the edge of the conductor pad 3a is spaced from the surface 2a of the insulating layer 2. Therefore, it is believed that the force acting in a direction perpendicular to the surface 2a is reduced when the edge of the conductor pad 3a is not spaced from the surface 2a. Therefore, it is believed that defects such as cracks are less likely to occur in the insulating layer 2 in the example of FIG. 5B as well.

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図6A~図6Gを参照して、図1に示される配線基板1が製造される場合を例に、製造方法の一例が概説される。 The wiring board of the embodiment can be manufactured by any general method for manufacturing a wiring board. With reference to Figures 6A to 6G, an example of a manufacturing method will be outlined using the case where the wiring board 1 shown in Figure 1 is manufactured as an example.

図6Aに示されるように、コア基板10が用意され、コア基板10の一面10a側に絶縁層21が積層され、その絶縁層21上に導体層31が形成される。同様に、コア基板10の他面10b側に、絶縁層22が積層され、その絶縁層22上に導体層32が形成される。そしてコア基板10の両面において、各絶縁層の積層と導体層の形成とが繰り返され、コア基板10の一面10a側及び他面10b側に、最表層の絶縁層23及び最表層の絶縁層2が形成される。 As shown in FIG. 6A, a core substrate 10 is prepared, an insulating layer 21 is laminated on one surface 10a of the core substrate 10, and a conductor layer 31 is formed on the insulating layer 21. Similarly, an insulating layer 22 is laminated on the other surface 10b of the core substrate 10, and a conductor layer 32 is formed on the insulating layer 22. Then, lamination of each insulating layer and formation of a conductor layer are repeated on both surfaces of the core substrate 10, and an outermost insulating layer 23 and an outermost insulating layer 2 are formed on the one surface 10a and the other surface 10b of the core substrate 10.

コア基板10の用意では、例えば、絶縁層20を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層31、32を絶縁層20の両面に形成すると共にスルーホール導体20cを絶縁層20内に形成することによってコア基板10が用意される。絶縁層21、22、及び、絶縁層21又は絶縁層22上の導体層31、32は、例えば一般的なビルドアップ基板の製造方法によって、それぞれ形成される。例えば各絶縁層は、フィルム上のエポキシ樹脂を、コア基板10又は先に形成されている各絶縁層及び各導体層上に熱圧着することによって形成される。また、各導体層は、例えば、めっきレジストの形成及びパターンめっきなどを含むセミアディティブ法やフルアディティブ法などの導体パターンの任意の形成方法を用いて形成される。セミアディティブ法などの導体パターンの形成方法を用いる各導体層の形成では、ビア導体2vが各絶縁層内に形成され得る。 In preparing the core substrate 10, for example, a double-sided copper-clad laminate including an insulating layer 20 is prepared. Then, the core substrate 10 is prepared by forming the conductor layers 31 and 32 including a predetermined conductor pattern on both sides of the insulating layer 20 by a subtractive method or the like, and forming the through-hole conductor 20c in the insulating layer 20. The insulating layers 21 and 22, and the conductor layers 31 and 32 on the insulating layer 21 or the insulating layer 22 are each formed by, for example, a general build-up substrate manufacturing method. For example, each insulating layer is formed by thermocompression bonding an epoxy resin on a film onto the core substrate 10 or each insulating layer and each conductor layer formed previously. In addition, each conductor layer is formed by any conductor pattern forming method, such as a semi-additive method or a full-additive method including the formation of a plating resist and pattern plating. In forming each conductor layer using a conductor pattern forming method such as a semi-additive method, a via conductor 2v can be formed in each insulating layer.

図6Bに示されるように、絶縁層2の表面2a上、及びレーザー光の照射などによって形成された絶縁層2の貫通孔内に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜30aが形成される。コア基板10の一面10a側にも同様に金属膜30aが形成される。 As shown in FIG. 6B, a metal film 30a is formed by electroless plating or sputtering on the surface 2a of the insulating layer 2 and in the through holes of the insulating layer 2 formed by irradiation with laser light or the like. A metal film 30a is also formed on the one surface 10a side of the core substrate 10 in a similar manner.

図6B及び図6Cに示されるように、金属膜30a上に、めっきレジストPRが設けられる。図6Cには、図6BのVIC部の拡大図が示されている。絶縁層2の上に設けられるめっきレジストPRには、導体層3(図6E参照)に含まれるべき導体パターンに対応する領域に開口PR1が形成される。 As shown in Figures 6B and 6C, a plating resist PR is provided on the metal film 30a. Figure 6C shows an enlarged view of the VIC portion of Figure 6B. In the plating resist PR provided on the insulating layer 2, an opening PR1 is formed in an area corresponding to the conductor pattern to be included in the conductor layer 3 (see Figure 6E).

各開口PR1を備えるめっきレジストPRは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成される。まず、例えばネガ型の感光性樹脂フィルムを金属膜30a上の全面に積層することによって、めっきレジストPRとなるレジスト膜が形成される。そして、レジスト膜における開口PR1が形成されるべき領域を覆う露光マスクEMが、レジスト膜上に配置される。 The plating resist PR having each opening PR1 is formed using photolithography technology. First, a resist film that will become the plating resist PR is formed, for example, by laminating a negative photosensitive resin film over the entire surface of the metal film 30a. Then, an exposure mask EM that covers the area of the resist film where the opening PR1 is to be formed is placed on the resist film.

図6Cに示されるように、例えば紫外線Uが、露光マスクEMを通してめっきレジストPRとなるレジスト膜に照射される。レジスト膜のうちの露光マスクEMに覆われていない露光部分PRaが架橋反応によって不溶性に変化する。一方、レジスト膜のうち露光マスクEMに覆われている非露光部分PRbの大部分は溶解性のまま変化しない。しかし露光マスクEMの真下の部分のうち、金属膜30a及び露光部分PRaの両方に近接する境界部分BPは、金属膜30aで反射した紫外光Uによって露光されて不溶性へと変化する。その後、露光マスクEMが除去され、非露光部分PRbが現像によって除去される。しかし、境界部分BPは露光部分PRaと共に残存する。その結果、境界部分BPによって金属膜30aに近接する部分が拡幅されたマスク部を有するめっきレジストPRが形成される。境界部分BPは、例えば、金属膜30aの表面を粗化して紫外線Uを適度に乱反射させることによって形成され得る。なお、以下の説明では、境界部分BPは、めっきレジストPRの「拡幅部分BP」とも称される。 As shown in FIG. 6C, for example, ultraviolet light U is irradiated onto the resist film to be the plating resist PR through the exposure mask EM. The exposed portion PRa of the resist film that is not covered by the exposure mask EM becomes insoluble due to a crosslinking reaction. On the other hand, most of the non-exposed portion PRb of the resist film that is covered by the exposure mask EM remains soluble. However, among the portions directly under the exposure mask EM, the boundary portion BP adjacent to both the metal film 30a and the exposed portion PRa is exposed to the ultraviolet light U reflected by the metal film 30a and becomes insoluble. After that, the exposure mask EM is removed, and the non-exposed portion PRb is removed by development. However, the boundary portion BP remains together with the exposed portion PRa. As a result, the plating resist PR is formed having a mask portion in which the portion adjacent to the metal film 30a is widened by the boundary portion BP. The boundary portion BP can be formed, for example, by roughening the surface of the metal film 30a to moderately diffuse reflection of the ultraviolet light U. In the following description, the boundary portion BP is also referred to as the "widened portion BP" of the plating resist PR.

図6Dに示されるように、めっきレジストPRの開口PR1内に、金属膜30aを給電層として用いる電解めっきによって導体層3の各導体パターンが形成される。図6Dに示される開口PR1には、導体層3の導体パッド3aを構成するめっき膜30bが形成される。図6Dに示されるように、縁部における金属膜30aに近接する部分がめっきレジストPRの拡幅部分BPによって切り欠かれためっき膜30bが形成される。その後、めっきレジストPRが除去される。 As shown in FIG. 6D, each conductor pattern of the conductor layer 3 is formed in the opening PR1 of the plating resist PR by electrolytic plating using the metal film 30a as a power supply layer. In the opening PR1 shown in FIG. 6D, a plating film 30b that constitutes the conductor pad 3a of the conductor layer 3 is formed. As shown in FIG. 6D, the plating film 30b is formed such that the portion adjacent to the metal film 30a at the edge is cut out by the widened portion BP of the plating resist PR. The plating resist PR is then removed.

図6E及び図6Fに示されるように、めっきレジストの除去によって露出する金属膜30aの不要部分がフラッシュエッチングなどによって除去される。導体パッド3aなどの所定の導体パターンを有する導体層3が形成される。コア基板10の一面10a側には、所定の導体パターンを有する導体層33が形成される。なお、図6Fには、図6EのVIF部の拡大図が示されている。 As shown in Figures 6E and 6F, unnecessary portions of the metal film 30a exposed by removing the plating resist are removed by flash etching or the like. A conductor layer 3 having a predetermined conductor pattern such as conductor pads 3a is formed. A conductor layer 33 having a predetermined conductor pattern is formed on one surface 10a of the core substrate 10. Note that Figure 6F shows an enlarged view of the VIF portion of Figure 6E.

図6Fに示されるように、導体パッド3aを構成する金属膜30aの端面30a1(図4における導体パッド3aの表面3a4)では、絶縁層2側の方がめっき膜30b側よりも多く除去されている。その結果、端面30a1は、絶縁層2側ほど導体パッド3aの内周側に向かうように傾斜している。めっき膜30bの縁部における金属膜30aとの近傍部分を切り欠かれた形状とすることによって、エッチング液の回り込みに関して絶縁層2側とめっき膜30b側との間において異なる状況を作り出すことができる。その結果、図6Fに示されるように端面30a1を傾斜させることができる。 As shown in FIG. 6F, in the end face 30a1 (surface 3a4 of conductor pad 3a in FIG. 4) of the metal film 30a constituting conductor pad 3a, more is removed on the insulating layer 2 side than on the plating film 30b side. As a result, the end face 30a1 is inclined so as to approach the inner circumference of conductor pad 3a as it approaches the insulating layer 2 side. By making the portion of the edge of plating film 30b adjacent to the metal film 30a into a notched shape, different conditions can be created between the insulating layer 2 side and the plating film 30b side with regard to the wraparound of the etching solution. As a result, the end face 30a1 can be inclined as shown in FIG. 6F.

図6Fの例では、めっき膜30bの縁部における金属膜30aとの近傍部分が切り欠かれたような形状を有しているため、導体パッド3aの縁部が絶縁層2の表面2aから離間している。さらに、金属膜30aの端面30a1が絶縁層2側ほど導体パッド3aの内周側に向かうように傾斜しているため、より長い範囲に渡って導体パッド3aの縁部が絶縁層2から離間している。 In the example of FIG. 6F, the edge of the plating film 30b near the metal film 30a has a notched shape, so the edge of the conductor pad 3a is spaced apart from the surface 2a of the insulating layer 2. Furthermore, the end face 30a1 of the metal film 30a is inclined toward the inner periphery of the conductor pad 3a as it approaches the insulating layer 2, so the edge of the conductor pad 3a is spaced apart from the insulating layer 2 over a longer range.

なお、先に参照した図5A及び図5Bに示されるめっき膜30bの形状も、前述した金属膜30aの表面の粗化の調整や、紫外線の照射角度及び光度の調整によって形成し得ると考えられる。 The shape of the plating film 30b shown in Figures 5A and 5B can also be formed by adjusting the roughness of the surface of the metal film 30a described above and adjusting the irradiation angle and luminous intensity of the ultraviolet light.

そして、図1に示されるように、ソルダーレジスト層40が絶縁層23及び導体層33上に形成され、ソルダーレジスト層4が絶縁層2及び導体層3上に形成される。ソルダーレジスト層4、40それぞれには、開口4a又は開口40aが設けられる。ソルダーレジスト層4、40は、それぞれ、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを塗布したり噴霧したりフィルム状で積層したりすることによって形成される。そして、例えば露光及び現像、又はレーザー加工などによって、開口4a、40aが、それぞれ形成される。 As shown in FIG. 1, the solder resist layer 40 is formed on the insulating layer 23 and the conductor layer 33, and the solder resist layer 4 is formed on the insulating layer 2 and the conductor layer 3. The solder resist layers 4, 40 are each provided with an opening 4a or an opening 40a. The solder resist layers 4, 40 are each formed by, for example, applying or spraying a photosensitive epoxy resin or polyimide resin, or laminating it in a film form. The openings 4a, 40a are then formed, for example, by exposure and development, or laser processing, etc.

開口4a内に露出する導体パッド3aの表面上、及び開口40a内に露出する部品実装パッド33aの表面上には、表面処理層5(図3参照)が形成され得る。表面処理層5は、例えば、導体パッド3aの表面上及び部品実装パッド33aの表面上に、無電解めっき若しくは電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させること、又は、スプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することによって形成され得る。以上の工程を経ることによって図1の例の配線基板1が完成する。 A surface treatment layer 5 (see FIG. 3) may be formed on the surface of the conductor pad 3a exposed in the opening 4a and on the surface of the component mounting pad 33a exposed in the opening 40a. The surface treatment layer 5 may be formed, for example, by depositing a metal such as nickel, palladium, or gold on the surface of the conductor pad 3a and the surface of the component mounting pad 33a by electroless plating or electrolytic plating, or by applying a heat-resistant organic substance by spraying. By going through the above steps, the wiring board 1 of the example of FIG. 1 is completed.

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板は所謂両面基板であってもよく、片面基板であってもよい。導体パターン3aは表面処理層5を備えなくてもよい。縁部において下層の絶縁層の表面から離間する導体パッドは、前述したように、配線基板の両方の表面に設けられていてもよく、いずれか一方の表面だけに設けられていてもよい。ソルダーレジスト層4は、開口4a内に導体パッド3aの全体を露出させながら、導体層3における導体パッド3a以外の部分を覆っていてもよい。部品実装パッド33aは、所謂NSMDパッドタイプの導体パッドであってもよい。導体パッド3aは、絶縁層2から離間する縁部において絶縁層2の表面2aとの間隔が略一定である平行部分を有していてもよい。また、平面視における導体パッド3aの角部は面取りされていなくてもよい。 The wiring board of the embodiment is not limited to those having the structure illustrated in each drawing, and the structure, shape, and material illustrated in this specification. The wiring board of the embodiment may have any laminated structure. For example, the wiring board of the embodiment may be a coreless board that does not include a core board. The wiring board of the embodiment may include any number of conductor layers and insulating layers. The wiring board of the embodiment may be a so-called double-sided board or a single-sided board. The conductor pattern 3a may not have a surface treatment layer 5. The conductor pads separated from the surface of the lower insulating layer at the edge portion may be provided on both surfaces of the wiring board as described above, or may be provided only on one surface. The solder resist layer 4 may cover the parts of the conductor layer 3 other than the conductor pads 3a while exposing the entire conductor pads 3a in the openings 4a. The component mounting pads 33a may be so-called NSMD pad type conductor pads. The conductor pads 3a may have parallel portions at the edge portion separated from the insulating layer 2, with a substantially constant distance from the surface 2a of the insulating layer 2. Additionally, the corners of the conductor pad 3a in plan view do not need to be chamfered.

1 配線基板
11 第1面
12 第2面
2 絶縁層(第1絶縁層)
2a 表面
20~23 絶縁層
3 導体層
3a 導体パッド
3a1 表面
3a2 側面
3a3 表面(背面)
31~33 導体層
33a 部品実装パッド
4 ソルダーレジスト層(第1ソルダーレジスト層)
40 ソルダーレジスト層(第2ソルダーレジスト層)
4a、40a 開口
5 表面処理層
E2 外部要素
1 Wiring board 11 First surface 12 Second surface 2 Insulating layer (first insulating layer)
2a Surface 20-23 Insulating layer 3 Conductive layer 3a Conductive pad 3a1 Surface 3a2 Side 3a3 Surface (rear)
31 to 33: Conductive layer 33a, component mounting pad 4, solder resist layer (first solder resist layer)
40 Solder resist layer (second solder resist layer)
4a, 40a Opening 5 Surface treatment layer E2 External element

Claims (9)

第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の表面上に形成されている導体層と、
前記第1絶縁層の前記表面上及び前記導体層上に形成されていて、前記導体層の少なくとも一部を露出させる開口を有するソルダーレジスト層と、
を含んでいて、第1面及び前記第1面の反対面である第2面を有する配線基板であって、
前記導体層は前記開口によって露出される導体パッドを含み、
前記導体パッドにおける前記第1絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面全体が前記ソルダーレジスト層に覆われずに露出しており、
前記導体パッドの縁部が前記第1絶縁層の前記表面から離間しており、
前記第1面は部品が実装される部品実装面であり、前記導体層は前記第2面側に形成されている。
A first insulating layer;
a conductor layer formed on a surface of the first insulating layer;
a solder resist layer formed on the surface of the first insulating layer and on the conductor layer, the solder resist layer having an opening exposing at least a portion of the conductor layer;
A wiring board having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
the conductor layer includes a conductor pad exposed by the opening;
a surface of the conductor pad facing away from the first insulating layer and an entire side surface of the conductor pad are exposed without being covered by the solder resist layer;
an edge of the contact pad is spaced from the surface of the first insulating layer;
The first surface is a component mounting surface on which components are mounted, and the conductor layer is formed on the second surface side .
請求項1記載の配線基板であって、前記導体パッドは矩形の平面形状を有している。 The wiring board according to claim 1, wherein the conductor pad has a rectangular planar shape. 請求項2記載の配線基板であって、平面視における前記導体パッドの角部がR面取りされている。 The wiring board according to claim 2, wherein the corners of the conductor pads in plan view are rounded. 請求項1記載の配線基板であって、さらに、前記導体パッドを覆う表面処理層を含んでいる。 The wiring board according to claim 1, further comprising a surface treatment layer covering the conductor pads. 請求項記載の配線基板であって、さらに、前記第1面に形成されている複数の部品実装パッドを含み、
前記導体層の前記導体パッドは前記複数の部品実装パッドのいずれよりも大きい。
2. The wiring board according to claim 1 , further comprising a plurality of component mounting pads formed on the first surface,
The conductive pad on the conductive layer is larger than any of the component mounting pads.
請求項記載の配線基板であって、さらに、前記第1面に形成されている部品実装パッドと、前記第1面に設けられている第2ソルダーレジスト層とを含み、
前記第2ソルダーレジスト層は前記部品実装パッドの周縁部を覆っており、
前記第2ソルダーレジスト層の開口には前記部品実装パッドの周縁部以外の部分が露出している。
2. The wiring board according to claim 1 , further comprising: a component mounting pad formed on the first surface; and a second solder resist layer provided on the first surface,
the second solder resist layer covers a peripheral portion of the component mounting pad,
The openings in the second solder resist layer expose the component mounting pads other than their peripheral edges.
請求項1記載の配線基板であって、前記導体パッドにおいて前記第1絶縁層の前記表面から離間している前記縁部と前記第1絶縁層の前記表面との間隔は、前記導体パッドの外周に向かって拡大している。 The wiring board according to claim 1, wherein the distance between the edge of the conductor pad that is spaced from the surface of the first insulating layer and the surface of the first insulating layer increases toward the outer periphery of the conductor pad. 請求項1記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記第1絶縁層を向く表面と前記導体パッドの前記側面とによって構成される角部が丸まっている。 The wiring board according to claim 1, wherein the corners formed by the surface of the conductor pad facing the first insulating layer and the side surface of the conductor pad are rounded. 請求項1記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記第1絶縁層の前記表面から離間している前記縁部の表面は曲面を含んでいる。 The wiring board according to claim 1, wherein the surface of the edge of the conductor pad that is spaced from the surface of the first insulating layer includes a curved surface.
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