JP7588066B2 - 研磨用組成物 - Google Patents
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Description
本出願は、2019年3月26日に出願された日本国特許出願2019-058620に基づく優先権を主張しており、その出願の全内容は本明細書中に参照として組み入れられている。
分散性[nm]=(d84-d16)/2;
により算出される分散性が10.8nm未満であることが好ましい。ここで、上記式中のd84は、粒度分布の累積カーブが84%となる点の粒子径[nm]であり、d16は、粒度分布の累積カーブが16%となる点の粒子径[nm]である。かかる研磨用組成物によると、ポリビニルアルコール系ポリマーを含む構成において、研磨後の研磨対象物表面のヘイズを効果的に改善することができる。
分散性[nm]=(d84-d16)/2;
により算出される分散性が14.2nm未満であることが好ましい。ここで、上記式中のd84およびd16は、上述のとおりである。かかる研磨用組成物によると、ポリビニルアルコール系ポリマーとその他の水溶性高分子とを組み合わせて含む構成において、研磨後の研磨対象物表面のヘイズを効果的に改善することができる。
ここに開示される研磨用組成物は、砥粒を含む。砥粒は、研磨対象物の表面を機械的に研磨する働きをする。砥粒の材質や性状は特に制限されず、研磨用組成物の使用目的や使用態様等に応じて適宜選択することができる。砥粒の例としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子が挙げられる。無機粒子の具体例としては、シリカ粒子、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子;窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子;炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子;ダイヤモンド粒子;炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩等が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)粒子やポリ(メタ)アクリル酸粒子(ここで(メタ)アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。)、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。このような砥粒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子を含む。水溶性高分子は、研磨対象物表面の保護や、研磨後の研磨対象物表面の濡れ性向上等に役立ち得る。
ここに開示される研磨用組成物は、水溶性高分子としてポリビニルアルコール系ポリマーを含む。ポリビニルアルコール系ポリマーとしては、その繰返し単位としてビニルアルコール単位を含む水溶性有機物(典型的には水溶性高分子)が用いられる。ここで、ビニルアルコール単位(以下「VA単位」ともいう。)とは、次の化学式:-CH2-CH(OH)-;により表される構造部分である。ポリビニルアルコール系ポリマーは、繰返し単位としてVA単位のみを含んでいてもよく、VA単位に加えてVA単位以外の繰返し単位(以下「非VA単位」ともいう。)を含んでいてもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーは、VA単位と非VA単位とを含むランダム共重合体であってもよく、ブロック共重合体やグラフト共重合体であってもよい。ポリビニルアルコール系ポリマーは、一種類の非VA単位のみを含んでもよく、二種類以上の非VA単位を含んでもよい。
[GPC測定条件]
サンプル濃度:0.1重量%
カラム:TSKgel GMPWXL
検出器:示差屈折計
溶離液:100mM 硝酸ナトリウム水溶液/アセトニトリル=10~8/0~2
流速:1mL/分
測定温度:40℃
サンプル注入量:200μL
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、その他の水溶性高分子、すなわちポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子を、必要に応じてさらに含有していてもよい。その他の水溶性高分子は、研磨用組成物の分野において公知の水溶性高分子から適宜選択することができる。その他の水溶性高分子の例としては、オキシアルキレン単位を含むポリマー、窒素原子を含有するポリマー等の合成ポリマー;セルロース誘導体やデンプン誘導体等の天然物由来のポリマー;等が挙げられる。
EOとPOとのブロック共重合体またはランダム共重合体において、該共重合体を構成するEOとPOとのモル比(EO/PO)は、水への溶解性や洗浄性等の観点から、1より大きいことが好ましく、2以上であることがより好ましく、3以上(例えば5以上)であることがさらに好ましい。
N-ビニル鎖状アミドの具体例としては、N-ビニルアセトアミド、N-ビニルプロピオン酸アミド、N-ビニル酪酸アミド等が挙げられる。
いくつかの態様において、上記重量比(ポリビニルアルコール系ポリマー:その他の水溶性高分子)は、例えば50:50~100:0であってよく、80:20~100:0でもよく、90:10~100:0でもよい。
他のいくつかの態様において、ポリビニルアルコール系ポリマー:その他の水溶性高分子の重量比は、例えば5:95~70:30、15:85~50:50または20:80~40:60であり得る。
3価以上の多価有機酸(塩)の使用による上述の効果は、このようにポリビニルアルコール系ポリマーとその他の水溶性高分子(例えば、オキシアルキレン単位を含むポリマー、窒素原子を含有するポリマー等の合成ポリマー)とを組み合わせて含む態様においても好適に発揮され得る。
研磨用組成物における水溶性高分子の含有量(二種以上を含む場合にはそれらの合計量)は、特に限定されない。研磨性能や表面品質向上等の観点から、いくつかの態様において、上記含有量は、例えば0.0005重量%以上であってよく、通常は0.0025重量%以上とすることが適当であり、好ましくは0.005重量%以上、例えば0.0075重量%以上である。水溶性高分子の含有量の上限は特に限定されず、例えば0.05重量%以下とすることができる。濃縮液段階での安定性や研磨レート、洗浄性等の観点から、いくつかの態様において、水溶性高分子の含有量は、好ましくは0.035重量%以下、より好ましくは0.025重量%以下、さらに好ましくは0.02重量%以下、特に好ましくは0.015重量%以下、例えば0.0125重量%以下、典型的には0.01重量%以下である。
ここに開示される研磨用組成物は、3価以上の多価有機酸(塩)を含む。本発明者らは、水溶性高分子としてポリビニルアルコール系ポリマーを用いる研磨用組成物に、3価以上の多価有機酸(塩)をさらに含有させることにより、研磨後の研磨対象物のヘイズが改善することを見出した。このような効果が奏される理由は、特に限定的に解釈されるものではないが、例えば以下のように考えられる。すなわち、砥粒を含む研磨用組成物にポリビニルアルコール系ポリマーを含有させることは、研磨対象物の保護や研磨後の研磨対象物表面の濡れ性向上等に役立ち得る一方で、上記砥粒の部分的な凝集を招く要因ともなり得る。砥粒が凝集すると、微小な研磨ムラが発生しやすくなり、ヘイズの低減が困難となる。3価以上の多価有機酸(塩)は、砥粒およびポリビニルアルコール系ポリマーを含む研磨用組成物において上記砥粒の凝集を抑制して分散性を向上させる効果を発揮し、このことがヘイズの改善に寄与するものと考えられる。
このような電気伝導度比となるように多価有機酸(塩)の含有量を設定することにより、ヘイズを効果的に改善する研磨用組成物が実現され得る。なお、電気伝導度の測定は、液温25℃の条件で、常法により行うことができる。測定機器としては、例えば、堀場製作所製の導電率計、型式「DS-12」を使用することができる。後述の実施例では、上記導電率計を用いて電気伝導度を測定した。
ここに開示される研磨用組成物は、塩基性化合物を含有する。本明細書において塩基性化合物とは、水に溶解して水溶液のpHを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、リンを含む塩基性化合物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。窒素を含む塩基性化合物の例としては、第四級アンモニウム化合物、アンモニア、アミン(好ましくは水溶性アミン)等が挙げられる。リンを含む塩基性化合物の例としては、第四級ホスホニウム化合物が挙げられる。このような塩基性化合物は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
ここに開示される研磨用組成物には、必要に応じて、界面活性剤を含有させることができる。研磨用組成物に界面活性剤を含有させることにより、研磨後の研磨対象物表面のヘイズをよりよく低減し得る。界面活性剤としては、アニオン性、カチオン性、ノニオン性、両性のいずれのものも使用可能である。通常は、アニオン性またはノニオン性の界面活性剤を好ましく採用し得る。低起泡性やpH調整の容易性の観点から、ノニオン性の界面活性剤がより好ましい。例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のオキシアルキレン重合体;ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等のポリオキシアルキレン誘導体(例えば、ポリオキシアルキレン付加物);複数種のオキシアルキレンの共重合体(例えば、ジブロック型共重合体、トリブロック型共重合体、ランダム型共重合体、交互共重合体);等のノニオン性界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることができる。
ここに開示される研磨用組成物が界面活性剤を含む場合、水溶性高分子の含有量w1と界面活性剤の含有量w2との重量比(w1/w2)は特に制限されず、例えば0.01~200の範囲とすることができ、通常は0.05~100の範囲が好ましく、0.1~70の範囲がより好ましい。
あるいは、組成の単純化等の観点から、ここに開示される研磨用組成物は、界面活性剤を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。
ここに開示される研磨用組成物に含まれる水としては、イオン交換水(脱イオン水)、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。使用する水は、研磨用組成物に含有される他の成分の働きが阻害されることを極力回避するため、例えば遷移金属イオンの合計含有量が100ppb以下であることが好ましい。例えば、イオン交換樹脂による不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって水の純度を高めることができる。
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、例えば防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物(典型的には、シリコンウェーハの仕上げポリシング工程に用いられる研磨用組成物)に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。防腐剤および防カビ剤の例としては、イソチアゾリン系化合物、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。
ここに開示される研磨用組成物のpHは、典型的には8.0以上であり、好ましくは8.5以上、より好ましくは9.0以上である。研磨用組成物のpHが高くなると、研磨能率が向上する傾向にある。一方、砥粒(例えばシリカ粒子)の溶解を防いで機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、研磨用組成物のpHは、通常、12.0以下であることが適当であり、11.0以下であることが好ましく、10.8以下であることがより好ましく、10.5以下であることがさらに好ましい。
ここに開示される技術において、研磨用組成物に含まれる砥粒の分散性の程度は、例えば次式:
分散性[nm]=(d84-d16)/2;
により算出される分散性の数値を目安として把握することができる。ここで、上記式中のd84は、粒度分布の累積カーブが84%となる点の粒子径[nm]であり、d16は、粒度分布の累積カーブが16%となる点の粒子径[nm]である。d84およびd16は、動的光散乱法に基づく測定により求めることができる。測定装置としては、例えば、マイクロトラック・ベル社製の動的光散乱式粒度分布測定装置、商品名「ナノトラックUPA-UT151」またはその相当品を用いることができる。上記分散性の値がより小さいことは、粒度分布幅がより狭いことを表している。一般に、砥粒の凝集が発生すると、該砥粒の粒度分布幅はより広くなる傾向にある。このことから、上記分散性の値がより小さい研磨用組成物は、砥粒の凝集がよりよく抑制されているといえる。
ここに開示される研磨用組成物は、例えばその他の水溶性高分子をさらに含む態様において、上記分散性の値が14.2nm未満であることにより良好なヘイズ改善効果を発揮し得る。かかる態様において、上記分散性の値は、例えば1nm以上でもよく、3nm以上でもよく、5nm以上でもよく、8nm以上でもよく、10nm以上でもよく、さらには12nm以上でもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物の表面上に供給され、その研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を希釈(典型的には、水により希釈)して調製されたものであり得る。あるいは、該研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液(ワーキングスラリー)と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液(研磨液の原液)との双方が包含される。
ここに開示される研磨用組成物は、研磨対象物に供給される前には濃縮された形態(すなわち、研磨液の濃縮液の形態)であってもよい。このように濃縮された形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は特に限定されず、例えば、体積換算で2倍~100倍程度とすることができ、通常は5倍~50倍程度(例えば10倍~40倍程度)が適当である。
このような濃縮液は、所望のタイミングで希釈して研磨液(ワーキングスラリー)を調製し、該研磨液を研磨対象物に供給する態様で使用することができる。上記希釈は、例えば、上記濃縮液に水を加えて混合することにより行うことができる。
ここに開示される技術において使用される研磨用組成物は、一剤型であってもよく、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、研磨用組成物の構成成分のうち少なくとも砥粒を含むパートAと、残りの成分の少なくとも一部を含むパートBとを混合し、これらを必要に応じて適切なタイミングで混合および希釈することにより研磨液が調製されるように構成されていてもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、種々の材質および形状を有する研磨対象物の研磨に適用され得る。研磨対象物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン、ステンレス鋼等の金属もしくは半金属、またはこれらの合金;石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ガラス状カーボン等のガラス状物質;アルミナ、シリカ、サファイア、窒化ケイ素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料;炭化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム等の化合物半導体基板材料;ポリイミド樹脂等の樹脂材料;等であり得る。これらのうち複数の材質により構成された研磨対象物であってもよい。
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物(例えばシリコンウェーハ)を研磨する方法の好適な一態様につき説明する。
すなわち、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整(例えば希釈)、pH調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。
<研磨用組成物の調製>
(実施例1~3)
砥粒、水溶性高分子、酸(塩)、塩基性化合物、界面活性剤および脱イオン水を混合して、各例に係る研磨用組成物を調製した。砥粒としてはコロイダルシリカ(平均一次粒子径:25nm)を使用し、その含有量を0.175%とした。水溶性高分子としては、重量平均分子量(Mw)が約70000、けん化度が98%以上のポリビニルアルコール(非変性PVA)を使用し、その含有量を0.00875%とした。塩基性化合物としてはアンモニアを使用し、その含有量を0.005%とした。界面活性剤としては、エチレンオキサイド付加モル数5のポリオキシエチレンデシルエーテル(C10EO5)を使用し、その含有量を0.00015%とした。酸(塩)としては、表1に示す量のクエン酸三アンモニウムを使用した。
本例では、クエン酸三アンモニウムに代えて、表1に示す量のクエン酸を使用した。その他の点は実施例1と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
本例では、クエン酸三アンモニウムに代えて、表1に示す量のブタンテトラカルボン酸を使用した。その他の点は実施例1と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
実施例1の組成からクエン酸三アンモニウムを除いた他は実施例1と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
クエン酸三アンモニウムに代えて表1に示す種類および量の酸(塩)を使用した他は実施例1と同様にして、比較例2~5に係る研磨用組成物を調製した。
調製した研磨用組成物につき、マイクロトラック・ベル社製の動的光散乱式粒度分布測定装置、商品名「ナノトラックUPA-UT151」を用いて、粒度分布を測定した。累積カーブが84%となる点の粒子径(nm)をd84、累積カーブが16%となる点の粒子径(nm)をd16とし、次式:
分散性[nm]=(d84-d16)/2;
により分散性の数値を算出した。得られた結果を表1に示した。この表1には、上述の方法で測定した電気伝導度の値を併せて示している。
なお、比較例1の研磨用組成物のpHは10.0であり、他の例に係る研磨用組成物のpHはいずれも9.0~9.9の範囲にあった。
研磨対象物として、ラッピングおよびエッチングを終えた直径200mmの市販シリコン単結晶ウェーハ(伝導型:P型、結晶方位:<100>、COP(Crystal Originated Particle:結晶欠陥)フリー)を下記の研磨条件1により予備ポリシングしたシリコンウェーハを用意した。予備ポリシングは、脱イオン水中に砥粒(BET径が35nmのコロイダルシリカ)1.0%および水酸化カリウム0.068%を含む研磨液を使用して行った。
研磨装置:株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨装置 型式「PNX-322」
研磨荷重:15kPa
定盤の回転速度:30rpm
ヘッド(キャリア)の回転速度:30rpm
研磨パッド:フジボウ愛媛株式会社製 製品名「FP55」
予備研磨液の供給レート:550mL/min
予備研磨液の温度:20℃
定盤冷却水の温度:20℃
研磨時間:3min
研磨装置:株式会社岡本工作機械製作所製の枚葉研磨装置 型式「PNX-322」
研磨荷重:15kPa
定盤の回転速度:30rpm
ヘッド(キャリア)の回転速度:30rpm
研磨パッド:フジボウ愛媛株式会社製 製品名「POLYPAS27NX」
研磨液の供給レート:400mL/min
研磨液の温度:20℃
定盤冷却水の温度:20℃
研磨時間:4min
洗浄後のシリコンウェーハ表面につき、ケーエルエー・テンコール社製のウェーハ検査装置、商品名「Surfscan SP2XP」を用いて、DWOモードでヘイズ(ppm)を測定した。得られた結果を、比較例1についてのヘイズ値を100%とする相対値(ヘイズ比)に換算して表1に示した。ヘイズ比が100%未満であれば、へイズ改善効果が有意に確認できるといえる。
<研磨用組成物の調製>
(実施例6)
水溶性高分子として、重量平均分子量(Mw)が約70000、けん化度が98%以上のポリビニルアルコール(非変性PVA)と、重量平均分子量(Mw)が約350,000のポリアクリロイルモルホリン(PACMO)とを使用した。上記ポリビニルアルコールの含有量は0.00263%とし、上記ポリアクリロイルモルホリンの含有量は0.00560%とした。また、C10EO5の含有量を0.00007%とし、クエン酸三アンモニウムの含有量を0.0042%とした。その他は実施例1と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
実施例6の組成からクエン酸三アンモニウムを除いた他は実施例6と同様にして、本例に係る研磨用組成物を調製した。
調製した研磨用組成物につき、上述した実験例1と同様に分散性測定、シリコンウェーハの研磨およびヘイズ測定を行った。結果を表2に示した。実施例6について得られたヘイズ値は、比較例6についてのヘイズ値を100%とする相対値(ヘイズ比)に換算した。結果を表2に示した。
Claims (10)
- シリコンウェーハの仕上げポリシング工程で用いられる研磨用組成物であって、
砥粒と、水溶性高分子としてのポリビニルアルコール系ポリマーと、塩基性化合物と、水と、を含み、
3価以上の多価有機酸(塩)をさらに含み、
前記ポリビニルアルコール系ポリマーの含有量(A HM )に対する前記多価有機酸(塩)の含有量(A OA )の比(A OA /A HM )は、重量基準で、0.01以上10以下である、研磨用組成物。 - 前記多価有機酸(塩)として、3価以上の多価カルボン酸(塩)を含む、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記多価有機酸(塩)として、3価以上の多価有機酸のアンモニウム塩を含む、請求項1または2に記載の研磨用組成物。
- 以下の式:
分散性[nm]=(d84-d16)/2
(ここで、前記式中のd84は、粒度分布の累積カーブが84%となる点の粒子径[nm]を表し、d16は、粒度分布の累積カーブが16%となる点の粒子径[nm]を表す。);
により表される分散性が10.8nm未満である、請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。 - 前記水溶性高分子として前記ポリビニルアルコール系ポリマー以外の水溶性高分子をさらに含み、
以下の式:
分散性[nm]=(d84-d16)/2
(ここで、前記式中のd84は、粒度分布の累積カーブが84%となる点の粒子径[nm]を表し、d16は、粒度分布の累積カーブが16%となる点の粒子径[nm]を表す。);
により表される分散性が14.2nm未満である、請求項1から3のいずれか一項に記載の研磨用組成物。 - 前記多価有機酸(塩)を含むことによる電気伝導度の上昇比が3以下である、請求項1から5のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- pHが8~12である、請求項1から6のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記ポリビニルアルコール系ポリマーの重量平均分子量が10×104以下である、請求項1から7のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- さらに界面活性剤を含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒はシリカ粒子である、請求項1から9のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2019058620 | 2019-03-26 | ||
| JP2019058620 | 2019-03-26 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003124158A (ja) | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
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