JP7591933B2 - インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳなどを製造する技術として、モールド（型）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が知られている。インプリント技術では、基板上に液状のインプリント材を供給し、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた後、その状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを剥離する。これにより、基板上にインプリント材のパターンを形成することができる。

インプリント技術では、インプリント材を硬化させる前に、モールドと基板上にインプリント材とを接触させた状態でモールドと基板との位置合わせが行われる。当該位置合わせでは、インプリント装置が設置されている床からの振動などの外乱の影響により、モールドと基板との位置合わせ精度が低下しうる。特許文献１には、モールドと基板との位置合わせにおいて、インプリント材に光を照射してインプリント材の粘性を増加させる予備硬化（予備露光）を行うことで位置合わせ精度を向上させる方法が提案されている。

特開２０１６－５８７３５号公報

予備硬化（予備露光）においてインプリント材を目標硬度に硬化させる場合、インプリント材に照射される光の照度（光強度）が高いほど、インプリント材の硬化速度が速く、予備硬化に要する時間が短縮されるため、スループットの点で有利である。一方で、インプリント材を当該目標硬度に硬化させるための照射光量を決定する際に、予備硬化での光の照度を適用すると、インプリント材の粘性が急速に変化してしまい、当該照射光量を精度よく決定することが困難になりうる。

そこで、本発明は、インプリント材を予備硬化させるための照射光量の決定において有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント方法は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、前記モールドと前記基板との位置合わせのため、第１光を照射することで前記インプリント材を第１目標硬度に硬化させる予備硬化工程と、前記位置合わせの後、第２光を照射することで前記インプリント材を前記第１目標硬度より高い第２目標硬度に硬化させる本硬化工程と、を含み、前記予備硬化工程における前記第１光の照射時間は、前記予備硬化工程の前において前記第１光より小さい照度の第３光を照射することにより求められたインプリント材が前記第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間と、前記第１光の照度と、前記第３光の照度とに基づいて決定される、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、インプリント材を予備硬化させるための照射光量の決定において有利な技術を提供することができる。

インプリント装置１００の構成例を示す概略図 インプリント処理を示すフローチャート 予備硬化工程を行うことによる位置合わせ工程への影響（効果）を説明するための図 決定処理を説明するための図 決定処理に予備硬化光を用いる影響を説明するための図 第１実施形態の決定処理を説明するための図 第１実施形態の決定処理の変形例を説明するための図 第１実施形態のインプリント方法を示すフローチャート 基板における複数のショット領域の配置例を示す図 第２実施形態のインプリント方法を示すフローチャート 物品の製造方法を説明するための図

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、基板上に液状のインプリント材を供給し、凹凸のパターンが形成されたモールド（型）を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化させる。そして、モールドと基板との間隔を広げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することで、基板上のインプリント材にモールドのパターンを転写することができる。このような一連の処理は「インプリント処理」と呼ばれ、基板における複数のショット領域の各々について行われる。

インプリント材には、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

［インプリント装置の構成］
図１は、本実施形態のインプリント装置１００の構成例を示す概略図である。本実施形態のインプリント装置１００は、例えば、インプリントヘッド１０（モールド保持部）と、基板ステージ２０と、供給部３０と、硬化部４０と、計測部５０と、検出部６０と、制御部７０とを含みうる。制御部７０は、ＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成されており、インプリント装置１００の各部に回線を介して接続され、プログラムなどに従ってインプリント装置１００の各部を制御する（インプリント処理を制御する）。ここで、インプリントヘッド１０は、除振器８１と支柱８２を介してベース定盤８３によって支持されたブリッジ定盤８４に固定されており、基板ステージ２０は、ベース定盤８３の上を移動可能に構成されている。除振器８１は、例えばインプリント装置１００が設置されている床からブリッジ定盤８４に伝わる振動を低減するための機構である。

モールドＭは、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面において基板側に突出した一部の領域（パターン領域Ｍａ）には、基板上のインプリント材Ｒに転写されるべき凹凸のパターンが形成されている。また、基板Ｗとしては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板Ｗとしては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。

インプリントヘッド１０は、例えば真空力などによりモールドＭを保持するモールドチャック１１と、モールドＭと基板Ｗとの間隔を変更するようにモールドＭ（モールドチャック１１）をＺ方向に駆動するモールド駆動部１２とを含みうる。インプリントヘッド１０によりモールドＭをＺ方向に駆動することで、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる接触処理、および、硬化したインプリント材ＲからモールドＭを剥離する離型処理を行うことができる。また、インプリントヘッド１０は、Ｚ方向に限られず、ＸＹ方向およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にモールドＭを駆動するように構成されてもよい。

本実施形態のインプリントヘッド１０には、硬化部４０から射出された光が通過する空間１３が設けられる。この空間１３は、光透過部材１４によって仕切られており、モールドＭがインプリントヘッド１０（モールドチャック１１）によって保持されたときに略密閉された空間となる。そのため、接触処理や離型処理の際に、不図示の圧力調整部によって空間１３の内部圧力を調整することで、モールドＭ（パターン領域Ｍａ）を、その中央部が基板Ｗに向かって突出した凸形状に変形することができる。例えば、接触工程においてモールドＭを凸形状に変形することにより、パターン領域Ｍａをインプリント材Ｒに徐々に接触させ、モールドＭに形成されたパターンの凹部における気体の閉じ込めを低減することができる。

基板ステージ２０は、例えば真空力などにより基板を保持する基板チャック２１と、ベース定盤８３の上をＸＹ方向に移動可能な移動部２２とを含みうる。基板ステージ２０（移動部２２）をＸＹ方向に移動させることで基板ＷをＸＹ方向に駆動し、モールドＭと基板Ｗとの位置決め（相対的な位置）、および供給部３０と基板Ｗとの位置決めを行うことができる。また、基板ステージ２０は、ＸＹ方向に限られず、Ｚ方向やθ方向に基板Ｗを駆動するように構成されてもよい。

供給部３０（吐出部、ディスペンサ）は、基板ステージ２０によって下方に配置された基板上にインプリント材Ｒを供給する。本実施形態では、光の照射によって重合反応する樹脂がインプリント材Ｒとして用いられる。例えば、供給部３０は、基板ステージ２０により基板Ｗが供給部３０に対して相対的に移動している状態で、インプリント材Ｒを複数の液滴として吐出することにより、基板Ｗ（対象ショット領域Ｓ）上にインプリント材Ｒを供給することができる。

硬化部４０（光照射部）は、基板Ｗ上のインプリント材Ｒに光を照射して当該インプリント材を硬化させる。本実施形態の硬化部４０は、例えば、予備硬化部４１と本硬化部４２とを含みうる。予備硬化部４１は、後述する予備硬化工程においてインプリント材Ｒを第１目標硬度に硬化させるための第１光（以下では、予備硬化光Ｌｐと呼ぶことがある）を射出する光源を有する。予備硬化部４１から射出された予備硬化光Ｌｐは、ハーフミラー４３を透過して基板上のインプリント材Ｒに照射される。また、本硬化部４２は、後述する本硬化工程においてインプリント材を第２目標硬度に硬化させる第２光（以下では、本硬化光Ｌｃと呼ぶことがある）を射出する光源を有する。本硬化部４２から射出された本硬化光Ｌｃは、ハーフミラー４３で反射されて基板上のインプリント材Ｒに照射される。ハーフミラー４３は、予備硬化光Ｌｐを透過して本硬化光Ｌｃを反射するダイクロイックミラーなどによって構成されうる。

予備硬化光Ｌｐの照度（光強度）は、例えば本硬化光Ｌｃの照度以下に設定されうるが、スループットの観点から、本実施形態では本硬化光Ｌｃの照度と同程度に設定されるとよい。予備硬化光Ｌｐおよび本硬化光Ｌｃの波長（波長範囲）は、インプリント材Ｒの反応感度に応じて任意に設定することができ、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。また、本実施形態では、予備硬化部４１と本硬化部４２とが別体で設けられているが、それに限られず、一体として設けられてもよい。

ここで、本硬化工程におけるインプリント材Ｒの第２目標硬度は、インプリント材Ｒを固化させることができる硬化の程度として定義されうる。例えば、第２目標硬度は、離型工程でモールドＭをインプリント材Ｒから剥離した後においても、モールドＭの凹凸パターンを転写することで得られたインプリント材Ｒのパターンの形状を維持することができるインプリント材Ｒの硬化の程度として定義されうる。第２目標硬度は、予備硬化工程でインプリント材Ｒが硬化される第１目標硬度よりも高い硬度に設定される。

また、予備硬化工程におけるインプリント材Ｒの第１目標硬度は、供給部３０から基板上への供給時におけるインプリント材Ｒの硬度（粘度）より高いが、第２目標硬度より低いインプリント材Ｒの硬化の程度として定義されうる。つまり、第１目標硬度は、第２目標硬度より高い流動性を有しているが、供給部３０から基板上への供給時におけるインプリント材Ｒより低い流動性を有しているインプリント材Ｒの硬化の程度として定義されうる。第１目標硬度は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させた状態でモールドＭと基板Ｗとを相対駆動することができるのであれば、基板上への供給時におけるインプリント材Ｒの硬度より高く且つ第２目標硬度より低い範囲内で任意に設定されうる。例えば、第１目標硬度は、第２目標硬度の２０％～８０％の範囲内の値、好ましくは第２目標硬度の２０％～４０％の範囲内の値に設定されうる。

計測部５０は、例えば、モールドＭに設けられたマークと基板Ｗに設けられたマークとを検出するＴＴＭ（Through The Mold）スコープを含み、モールドＭのマークと基板Ｗのマークとの位置を計測する。これにより、制御部７０は、計測部５０で計測されたモールドＭのマークと基板Ｗのマークとの相対位置に基づいて、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせ（アライメント）を制御することができる。

検出部６０は、ＸＹ方向におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置を検出する。本実施形態の場合、検出部６０は、インプリントヘッド１０（モールドＭ）が固定されているブリッジ定盤８４に固定されており、ＸＹ方向における基板ステージ２０の位置を検出するように構成される。例えば、検出部６０は、レーザ干渉計を含み、基板ステージ２０に設けられた反射板２３にレーザ光を照射し、反射板２３で反射されたレーザ光によって基板ステージ２０の位置を検出する。このように、検出部６０は、ＸＹ方向における基板ステージ２０の位置を検出することにより、その検出結果に基づいて、インプリントヘッド１０（モールドＭ）と基板ステージ２０（基板Ｗ）との相対位置を検出することができる。また、検出部６０は、基板ステージ２０の位置だけでなく、インプリントヘッド１０（モールドＭ）の位置も検出するように構成されてもよい。

［インプリント処理］
次に、本実施形態のインプリント装置１００で行われるインプリント処理について説明する。図２は、基板上における１つのショット領域に対して行われるインプリント処理を示すフローチャートである。図２に示すフローチャートの各工程は、制御部７０によって制御されうる。

ステップＳ１１では、制御部７０は、基板ステージ２０により供給部３０と基板Ｗとを相対的に移動させながら供給部３０にインプリント材Ｒを吐出させることにより、ショット領域上にインプリント材Ｒを供給する（供給工程）。供給工程が終了したら、制御部７０は、モールドＭ（パターン領域Ｍａ）の下方にショット領域が配置されるように、基板ステージ２０により基板Ｗを駆動する。ステップＳ１２では、制御部７０は、インプリントヘッド１０によりモールドＭを－Ｚ方向に駆動してモールドＭと基板Ｗとの間隔を狭めることで、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとを接触させる（接触工程）。次いで、ステップＳ１３では、制御部７０は、モールドＭのパターン凹部にインプリント材Ｒが充填されるように、所定の時間が経過するまで待機する（充填工程）。

ステップＳ１４では、制御部７０は、モールドＭとインプリント材Ｒとが接触している状態で、硬化部４０（予備硬化部４１）によりインプリント材Ｒに予備硬化光Ｌｐを照射し、インプリント材Ｒを第１目標硬度に硬化させる（予備硬化工程）。予備硬化工程において、予備硬化光Ｌｐは、例えば連続的にインプリント材Ｒに照射される。ステップＳ１５では、制御部７０は、モールドＭとインプリント材Ｒとが接触している状態で、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせを行う（位置合わせ工程）。位置合わせ工程では、モールドＭのマークと基板Ｗのマークとの相対位置を計測部５０に計測させ、その計測結果に基づいて、モールドＭのマークと基板Ｗのマークとが目標相対位置になるように、モールドＭと基板Ｗとの相対位置が制御されうる。

Ｓ１６では、制御部７０は、モールドＭと基板上のインプリント材Ｒとが接触している状態で、硬化部４０（本硬化部４２）によりインプリント材Ｒに本硬化光Ｌｃを照射し、当該インプリント材Ｒを第２目標硬度に硬化させる（本硬化工程）。本硬化工程において、本硬化光Ｌｃは、例えば連続的にインプリント材Ｒに照射される。次いで、ステップＳ１７では、制御部７０は、インプリントヘッド１０によりモールドＭを＋Ｚ方向に駆動してモールドＭと基板Ｗとの間隔を広げることで、第２目標硬度に硬化したインプリント材ＲからモールドＭを剥離する（離型工程）。

ここで、図２では、位置合わせ工程（Ｓ１５）が、予備硬化工程（Ｓ１４）と本硬化工程（Ｓ１６）との間に行われているが、予備硬化工程（Ｓ１４）における少なくとも一部の期間と並行して行われてもよい。即ち、位置合わせ工程（Ｓ１５）は、予備硬化工程（Ｓ１４）の開始から本硬化工程（Ｓ１６）の開始までの少なくとも一部の期間において行われうる。

［予備硬化工程について］
前述したインプリント処理の接触工程（Ｓ１２）および充填工程（Ｓ１３）では、基板上でインプリント材Ｒを拡がり易くするため、インプリント材Ｒの粘度が低い（即ち、流動性が高い）方が好ましい。一方、位置合わせ工程（Ｓ１５）では、床からの振動等の外乱の影響によりモールドＭと基板Ｗとの位置合わせ精度が低下しうるため、インプリント材Ｒの粘度を高めて、当該外乱の影響を低減させることが好ましい。したがって、本実施形態のインプリント処理では、基板上のインプリント材Ｒに予備硬化光Ｌｐを照射することで、当該インプリント材Ｒを第１目標硬度に硬化させる予備硬化工程（Ｓ１４）が行われる。これにより、位置合わせ工程におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置を変動しづらくし、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせ精度を向上させることができる。

図３は、予備硬化工程（Ｓ１４）を行うことによる位置合わせ工程（Ｓ１５）への影響（効果）を説明するための図である。図３（Ａ）は、位置合わせ工程（Ｓ１５）において検出部６０により検出されるモールドＭと基板Ｗとの相対位置（目標相対位置（図中ではゼロ）に対する偏差）を示しており、図３（Ｂ）は、インプリント材Ｒの粘性（硬度）を示している。インプリント材Ｒは、図３（Ｂ）に示されるように、予備硬化光Ｌｐの照射を開始してから所定期間（「不感区間」と呼ばれる）においては粘性が殆ど変化せず、当該所定期間を過ぎてから粘性が増加し始める。そして、インプリント材Ｒが完全に硬化する前、即ち、モールドＭと基板Ｗとの相対位置を変更することができる程度の流動性を保持している状態において、予備硬化光Ｌｐの照射が終了される。この状態においては、モールドＭと基板Ｗとの相対位置を変更しづらいが、床からの振動等の外乱の影響を低減することができるため、図３（Ａ）に示されるように、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせ精度を向上させることができる。なお、インプリント材Ｒは、予備硬化光Ｌｐの照射を終了した後も、過渡応答的に粘性が増加することがあり、この期間は過渡区間と呼ばれる。

［予備硬化光の照射光量の決定方法］
予備硬化工程（Ｓ１４）においてインプリント材Ｒを第１目標硬度に硬化させる場合、予備硬化光Ｌｐの照度が高いほど、インプリント材Ｒの硬化速度が速く、予備硬化工程に要する時間が短縮されるため、スループットの点で有利である。一方で、インプリント材Ｒを第１目標硬度に硬化させるため予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する際、予備硬化工程で用いられる照度（即ち、予備硬化光Ｌｐの照度）を適用すると、インプリント材Ｒの粘性が急速に変化しうる。この場合、インプリント材Ｒが第１目標硬度になるタイミングを精度よく求めることができないため、当該照射光量を精度よく決定することが困難になりうる。

本実施形態の場合、インプリント材Ｒが完全に（即ち、第２目標硬度に）硬化するまで当該インプリント材Ｒに光を照射しながらモールドＭと基板Ｗとの位置合わせを行った結果に基づいて、予備硬化光Ｌｐの照射光量が決定される。このような決定処理では、図４に示されるように、インプリント材Ｒに光を照射しながら検出部６０にモールドＭと基板Ｗとの相対位置を検出させ、その検出結果（相対位置の波形）に基づいて、インプリント材Ｒが第１目標硬度に硬化するまでの時間Ｔを求める。これにより、時間Ｔとインプリント材Ｒに照射した光の照度とに基づいて（例えば、時間Ｔと光の照度との積に基づいて）、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定することができる。

ここで、時間Ｔは、図４に示されるように、相対位置（目標相対位置に対する偏差）が許容範囲Ａに収まるまでの時間として定義されてもよい。当該許容範囲Ａは、例えば、絶対値で０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の値に設定されうる。また、時間Ｔは、図４に示されるように、光の照射を開始してから、相対位置の波形における振幅の変化率Ｒ（例えば、連続する２つのピーク値の比率）が目標値になる時間として定義してもよい。インプリント材Ｒは、光の照射により粘度が増加するため、それに伴って、モールドＭと基板Ｗとの相対位置を変更しづらくなり、相対位置の波形における振幅の変化率Ｒも変化する。つまり、変化率Ｒは、図３（Ｂ）に示されるインプリント材の粘度を反映しているため、インプリント材Ｒが第１目標硬度になるときの変化率Ｒを目標値として、事前の実験やシミュレーション等により、事前に求めておくことができる。

このような決定処理において予備硬化光Ｌｐを用いた場合、インプリント材Ｒの粘度が急速に変化し、図５に示されるように、相対位置の偏差が収まっていない状態でインプリント材Ｒが完全に（相対位置を変動することができない状態に）硬化してしまう。この場合、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定するために使用されたショット領域については、モールドＭのパターンを精度よく転写することができず、製品とすることが困難になりうる。つまり、予備硬化光Ｌｐの照射光量の決定を、後に製品となる基板上のショット領域を用いて行うことが困難になりうる。

そこで、本実施形態では、上記の決定処理において、予備硬化光Ｌｐ（第１光）より小さい照度の第３光（以下では、低照度光Ｌｓと呼ぶことがある）を用いて、予備硬化工程における予備硬化光Ｌｐの照射光量（目標照射光量）を決定する。ここで、低照度光Ｌｓは、例えば、予備硬化光Ｌｐの照度の５％～５０％の範囲内の値、好ましくは１５％～４０％の範囲内の値に設定されうる。また、予備硬化光Ｌｐの照射光量は、インプリント材Ｒに対する予備硬化光Ｌｐの積算露光量として定義され、インプリント材Ｒに照射される予備硬化光Ｌｐの照度の時間積分（例えば、予備硬化光Ｌｐの照度と照射時間との積）で表されうる。

以下に、本実施形態の決定処理について説明する。本実施形態の決定処理では、インプリント材Ｒに低照度光Ｌｓを照射することで当該インプリント材Ｒが第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間Ｔｓを求め、その硬化時間Ｔｓに基づいて、予備硬化工程における予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する。硬化時間Ｔｓは、例えば、基板Ｗの所定領域上のインプリント材Ｒに低照度光Ｌｓを照射しながら検出部６０によりモールドＭと基板Ｗとの相対位置を検出させた結果に基づいて求めることができる。

ここで、所定領域は、予備硬化光Ｌｐを用いた予備硬化工程が行われる対象領域（ショット領域）を有する基板上の領域（即ち、対象領域と同一基板上の領域）であってもよいし、当該対象領域を有する基板とは異なる基板上の領域であってもよい。本実施形態の場合、所定領域は、基板Ｗにおける複数のショット領域の中から選択された特定のショット領域でありうる。特定のショット領域は、基板Ｗ上の複数のショット領域のうちパターンを最初に形成する（即ち、最初にインプリント処理を行う）ショット領域を含んでもよい。また、特定のショット領域は、予備硬化光Ｌｐの目標光量を最後に決定してから所定時間が経過した後に最初にインプリント処理が行われるショット領域を含んでもよい。

図６（Ａ）は、所定領域上のインプリント材Ｒに低照度光Ｌｓを照射しながら検出部６０にモールドＭと所定領域との相対位置を検出させた結果を示す図である。前述した決定処理と同様に、所定領域上のインプリント材Ｒに低照度光Ｌｓを照射しながら検出部６０にモールドＭと所定領域との相対位置を検出させる。これにより、低照度光Ｌｓの照射時間と相対位置との関係を示す情報として、図６（Ａ）に示されるような相対位置の波形が取得される。そして、この情報（相対位置の波形）に基づいて、インプリント材Ｒが第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間Ｔｓを求める。硬化時間Ｔｓは、前述したように、相対位置の偏差が許容範囲Ａに収まるまでの時間として定義されてもよいし、相対位置の波形における振幅の変化率Ｒが目標値になる時間として定義されてもよい。

このように硬化時間Ｔｓを求めることにより、硬化時間Ｔｓに基づいて、予備硬化工程における予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定することができる。例えば、硬化時間Ｔｓ、低照度光Ｌｓの照度、および予備硬化光Ｌｐの照度に基づいて、予備硬化工程における予備硬化光Ｌｐの照射時間Ｔｐを照射光量として決定することができる。具体的には、インプリント材が単分子逐次光反応系である場合、照射光量に対する反応率は照度×時間に比例する。そのため、低照度光Ｌｓの照度をＩｓ、予備硬化光Ｌｐの照度をＩｐとすると、照射時間Ｔｐを、Ｔｐ＝（Ｉｓ／Ｉｐ）×Ｔｓにより決定することができる。また、インプリント材が光ラジカル重合反応系である場合、照射光量に対する反応率は√（照度）×時間に比例するため、照射時間Ｔｐを、Ｔｐ＝√（Ｉｓ／Ｉｐ）×Ｔｓにより決定することができる。

図６（Ｂ）は、上記のように決定された予備硬化光Ｌｐの照射時間Ｔｐ（照射光量）で予備硬化工程を行った場合におけるモールドＭと基板Ｗとの相対位置の時系列波形を示している。上記のように決定された照射時間Ｔｐを用いることにより、インプリント材Ｒの粘度を精度よく制御（調整）すること、即ち、インプリント材Ｒを第１目標硬度に精度よく硬化することができる。つまり、予備硬化工程において、モールドＭと基板Ｗとの相対位置を変更することができない程度にインプリント材Ｒが硬化するといった事象を回避することができ、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせを精度よく行うことができる。

ここで、上記の例では、インプリント材Ｒが第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間Ｔｓを、低照度光Ｌｓを用いて求めたが、図７に示されるように、インプリント材Ｒに予備硬化光Ｌｐを離散的に照射することによって求めることもできる。即ち、インプリント材Ｒへの予備硬化光Ｌｐの照射を、間隔を空けて複数回に分けて間欠的に行う。この場合、硬化時間Ｔｓは、相対位置の偏差が許容範囲Ａに収まるまでに予備硬化光Ｌｐを照射した時間の積算値、或いは、相対位置の波形における振幅の変化率Ｒが目標値になるまでに予備硬化光Ｌｐを照射した時間の積算値である。

［インプリント方法］
次に、本実施形態のインプリント方法について説明する。図８は、本実施形態のインプリント方法を示すフローチャートである。図８に示すフローチャートの各工程は、制御部７０によって制御されうる。本実施形態では、基板Ｗにおける複数のショット領域の予備硬化工程で共通に適用される予備硬化光Ｌｐの照射光量を、当該複数のショット領域のうち１つのショット領域を用いて決定する例について説明する。

ステップＳ２１では、制御部７０は、これからインプリント処理を行う対象ショット領域を用いて予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する（最適化する）か否かを判断する。例えば、制御部７０は、対象ショット領域が、基板Ｗ上の複数のショット領域のうち最初にインプリント処理を行うショット領域である場合に、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定すると判断してもよい。また、制御部７０は、予備硬化光Ｌｐの目標光量を最後に決定してから所定時間が経過している場合に、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定すると判断してもよい。対象ショット領域を用いて予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定すると判断した場合にはステップＳ２２に進み、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定しないと判断した場合にはステップＳ２４に進む。

ステップＳ２２～Ｓ２３は、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する決定工程であり、対象ショット領域のインプリント処理において、上記の決定処理が適用されうる。ステップＳ２２では、制御部７０は、予備硬化工程（Ｓ１４）で用いる光を低照度光Ｌｓに設定する。ステップＳ２３では、制御部７０は、対象ショット領域に対してインプリント処理を行う。当該インプリント処理は、図２に示されるフローチャートに従って行われうるが、予備硬化工程（Ｓ１４）の代わりに上記の決定方法が行われる。これにより、予備硬化光Ｌｐの照射光量（照射時間Ｔｐ）が決定される。

ステップＳ２４～Ｓ２５は、予備硬化光Ｌｐを用いてインプリント処理を行う工程である。ステップＳ２４では、制御部７０は、予備硬化工程（Ｓ１４）で用いる光として予備硬化光Ｌｐを設定する。ステップＳ２５では、制御部７０は、対象ショット領域に対してインプリント処理を行う。当該インプリント処理は、図２に示されるフローチャートに従って行われうる。

ステップＳ２６では、制御部７０は、次にインプリント処理を行うべきショット領域（次のショット領域）が基板上にあるか否かを判断する。次のショット領域がある場合にはＳ２１に進み、次のショット領域がない場合には終了する。

［予備硬化光と低照度光との切り替え］
次に、予備硬化光Ｌｐと低照度光Ｌｓとの切り替え方法について説明する。予備硬化光Ｌｐと低照度光Ｌｓとの切り替えは、予備硬化部４１の光源の出力を切り替えたり、予備硬化部４１に設けられた光学フィルタを切り替えたりすることで実現することができる。また、複数の光源、または、複数の光路、もしくはその両方を備えることでも実現することができる。

例えば、予備硬化光Ｌｐのデューティー制御（Ｄｕｔｙ制御）を行うことにより、低照射光Ｌｓを生成することができる。この場合、光源からの光に対して、インプリント領域の照度分布を空間的かつ時間的に制御できる機構を備えてもよい。光の照度分布を空間的に制御できる機構としては、ＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）が挙げられる。また、ＤＭＤと同じように、ショット領域（インプリント領域）に対して照度分布をもたせた光を照射することができる素子であれば、ＤＭＤ以外の素子を使用してもよい。例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）を使用することもできる。ＤＭＤを使用した場合、光源の電流制御によるＯＮ／ＯＦＦ制御よりも早い時間応答を得ることができる。光源の過渡応答速度は数１００μ秒程度かかるのに対し、ＤＭＤのパターン切り替え制御は十分早く、数１０μ秒程度で切り替えが可能となる。この特性を利用し、照射のデューティー比（Ｄｕｔｙ比）を切り替えることで、単位時間当たりの照射量を制御することができるため、光源の照度を変更することなく、実質的な照度の切り替えを行うことができる。また、ＤＭＤでは、ショット領域の照度分布を制御することができるため、光を照射する面積量を切り変えることによって、実質的な照度の切り替えを行うことができる。これらの場合、元々の強い照度（例えば予備硬化光Ｌｐ）に対して、実質的な照度に大きな差がない場合は、粘性変化が緩やかにならない。また、元々の強い照度（例えば予備硬化光Ｌｐ）に対して、実質的な照度が小さすぎる場合には、照射時間が長くなりすぎてしまい、実用的ではない。これらの理由から、弱い照度（例えば低照度光Ｌｓ）を実現する際は、強い照度（予備硬化光Ｌｐ）に対して、５％以上５０％以下の照度が望ましい。

上述したように、本実施形態のインプリント装置１００は、予備硬化光Ｌｐ（第１光）より小さい照度の低照度光Ｌｓ（第３光）を用いて、予備硬化工程における予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する決定工程を行う。これにより、基板上のショット領域を用いて、予備硬化光Ｌｐの照射光量を精度よく決定することができる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態を基本的に引き継ぐものであり、インプリント装置１００の構成やインプリント処理の内容などについては第１実施形態で説明したとおりである。

上述した第１実施形態では、１つの基板Ｗにおける複数のショット領域のうち選択された特定のショット領域を用いて、予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する方法について説明した。本実施形態では、予備硬化光Ｌｐによる予備硬化工程が行われる基板Ｗとは異なる第２基板を用いて、予備硬化光Ｌｐの照射光量を事前に決定する方法について説明する。また、本実施形態では、予備硬化光Ｌｐの照射光量を、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々について個別に決定する。

ここで、第２基板は、例えば、複数の基板を含むロットの先頭の基板であり、第２基板にも、パターンを形成すべき（即ち、インプリント処理が行われるべき）複数のショット領域が含まれうる。第２基板における複数のショット領域の各々に対するインプリント処理では、予備硬化工程の代わりに、低照度光Ｌｓを用いた上記の決定処理を行い、予備硬化光Ｌｐの照射光量（例えば照射時間Ｔｐ）を決定する。第２基板を用いて決定された予備硬化光Ｌｐの照射光量は、当該ロットの２枚目以降の基板Ｗへのインプリント処理（予備硬化工程）に適用されうる。

図９は、基板Ｗにおける複数のショット領域ＳＲの配置例を示す図である。図９において各ショット領域ＳＲに付与されている符号Ａ１～Ａ１６は、ショット領域の番号であり、インプリント処理を行う順番を表している。複数のショット領域ＳＲは、図９に示されるように、モールドＭとインプリント材との接触面積が互いに異なる少なくとも２つのショット領域ＳＲ（例えば、Ａ１とＡ５）を含む。このように接触面積が互いに異なる少なくとも２つのショット領域ＳＲでは、外乱（振動等）の影響も互いに異なるため、予備硬化光Ｌｐの照射光量を個別に設定することが好ましい。また、当該少なくとも２つのショット領域ＳＲでは、インプリント処理時にインプリント材Ｒの周囲に供給される気体（ヘリウムなど）の量など、インプリント処理時の雰囲気も異なるため、予備硬化工程の開始時におけるインプリント材Ｒの粘度も異なる。この観点からも、当該少なくとも２つのショット領域ＳＲについて、予備硬化光Ｌｐの照射光量を個別に設定することが好ましい。

図１０は、本実施形態のインプリント方法を示すフローチャートである。図１０に示すフローチャートの各工程は、制御部７０によって制御されうる。

ステップＳ３１では、制御部７０は、ロットの先頭の第２基板における複数のショット領域ｉ（「ｉ」はショット領域の番号）の各々に対してインプリント処理を行う。当該インプリント処理は、図２に示されるフローチャートに従って行われうるが、予備硬化工程の代わりに、低照度光Ｌｓを用いて予備硬化光Ｌｐの照射光量を決定する上記の決定処理が行われる。ステップＳ３２では、制御部７０は、各ショット領域ｉのインプリント処理で得られた相対位置の波形（例えば図４に示される波形）に基づいて、インプリント材Ｒが第１目標硬度に硬化する硬化時間Ｔｓを各ショット領域ｉについて求める。ステップＳ３３では、制御部７０は、各ショット領域ｉについて求めた硬化時間Ｔｓに基づいて、予備硬化光Ｌｐの照射光量（例えば照射時間Ｔｐ）を各ショット領域ｉについて決定する。次いで、ステップＳ３４では、制御部７０は、ロットの２枚目以降の基板Ｗに対してインプリント処理を順次行う。当該インプリント処理は、図２に示されるフローチャートに従っておこなれ、予備硬化工程（Ｓ１４）において、ステップＳ３３で決定された予備硬化光Ｌｐの照射光量が適用される。

ここで、基板における複数のショット領域では、接触面積およびインプリント処理時の雰囲気などのインプリント条件が同程度になるショット領域がある。例えば、図９に示されるように、基板Ｗの中央部に配置されたショット領域群（Ａ５，Ａ６，Ａ７，Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２）では、インプリント条件が同程度になりうる。また、基板の周縁部に配置されたショット領域Ａ１，Ａ３，Ａ１４，Ａ１６では、インプリント条件が同程度になりうる。このようにインプリント条件が同程度になるショット領域群がある場合、当該ショット領域群のうち選択された特定のショット領域のみに対して上記の決定処理を行いうる。これにより、他のショット領域では、当該決定処理で決定された予備硬化光Ｌｐの照射光量を採用して、予備硬化光Ｌｐを用いた予備硬化工程を実施することができるため、スループットの点で有利となる。

＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態は、第１～第２実施形態を基本的に引き継ぐものであり、インプリント装置１００の構成やインプリント処理の内容などについては第１実施形態で説明したとおりである。

インプリント装置１００では、予備硬化部４１の光源の劣化、外気の温度や湿度といった外乱条件の変化などにより、これまで設定されていた予備硬化光Ｌｐの照射光量が適さなくなることがある。例えば、予備硬化光Ｌｐの照射光量が多いと、予備硬化工程においてインプリント材Ｒが完全に（モールドＭと基板Ｗとの相対位置を変動することができない程度に）硬化し、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせを精度よく行うことが困難になりうる。一方、予備硬化光Ｌｐの照射光量が少ないと、インプリント材Ｒが第１目標硬度に十分に硬化されずに位置合わせ工程で振動等の外乱の影響を受け、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせを精度よく行うことが困難になりうる。そのため、予備硬化光Ｌｐの照射光量は、適宜補正（更新）されることが好ましい。本実施形態では、予備硬化光Ｌｐの照射光量を容易に補正することができる方法について説明する。

例えば、予備硬化部４１の光源の照度、および／または、外気の温度等の外乱条件を逐次モニタ（監視）しておく。そして、当該光源の照度および／または当該外乱条件に所定値以上の変動が生じた場合、複数のショット領域のうち特定のショット領域を用いて、上記の決定処理を行う。これにより、予備硬化光Ｌｐの照射時間Ｔｓ（照射光量）が新たに決定され、特定のショット領域について照射時間Ｔｓが変更される。

一方、他のショット領域についての予備硬化光Ｌｐの照射時間Ｔｐ（照射光量）は、特定のショット領域についての変更前後での照射時間Ｔｐ（照射光量）の比率に基づいて補正することができる。具体的には、特定のショット領域についての変更前の照射時間Ｔｐを「Ｔｐ１」とし、変更後の照射時間Ｔｐを「Ｔｐ２」とした場合、他のショット領域についての照射時間Ｔｐを補正するための補正係数Ｋｐを、Ｋｐ＝Ｔｐ１／Ｔｐ２により求める。このように補正係数Ｋｐを求めることで、他のショット領域についての照射時間Ｔｐを、例えばＴｐ×Ｋｐにより補正することができる。

ここで、光源の劣化や外乱条件の変動を、変更前の照射時間Ｔｐ１と変更後の照射時間Ｔｐ２との比較によって検知することができる。例えば、各基板の特定の（例えば最初の）ショット領域へのインプリント処理時に、低照度光Ｌｓを用いて上記の決定処理を行い、予備硬化光Ｌｐの照射光量（照射時間Ｔｐ）を新たに決定する。そして、これまで設定されていた照射時間Ｔｐ（Ｔｐ１）と、新たに決定された照射時間Ｔｐ（Ｔｐ２）とを比較することで、当該変動を検知することができる。具体的には、Ｔｐ１とＴｐ２との差分または比率が閾値以上である場合に、当該変動を検知したと判断することができる。このように当該変動を検知した場合、上述したように、補正係数Ｋｐ（＝Ｔｐ１／Ｔｐ２）を求め、他のショット領域についての照射時間Ｔｐを、例えばＴｐ×Ｋｐにより補正することができる。また、この例では、最初のショット領域のインプリント処理においても、粘性変化を緩やかにすることができるため、モールドＭと基板Ｗとの位置合わせ精度を向上することができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置（インプリント方法）を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１１（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１０：インプリントヘッド、２０：基板ステージ、３０：供給部、４０：硬化部、４１：予備硬化部、４２：本硬化部、５０：計測部、６０：検出部、７０：制御部、１００：インプリント装置

Claims (14)

1. モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記モールドと前記基板との位置合わせのため、第１光を照射することで前記インプリント材を第１目標硬度に硬化させる予備硬化工程と、
   前記位置合わせの後、第２光を照射することで前記インプリント材を前記第１目標硬度より高い第２目標硬度に硬化させる本硬化工程と、
   を含み、
   前記予備硬化工程における前記第１光の照射時間は、前記予備硬化工程の前において前記第１光より小さい照度の第３光を照射することにより求められたインプリント材が前記第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間と、前記第１光の照度と、前記第３光の照度とに基づいて決定される、ことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記第３光を所定領域上のインプリント材に照射しながら前記モールドと前記所定領域との相対位置を検出した結果に基づいて、前記硬化時間が求められる、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記第３光を所定領域上のインプリント材に照射しながら前記モールドと前記所定領域との相対位置を検出することにより取得された、前記第３光の照射時間と前記相対位置との関係を示す情報に基づいて、前記硬化時間が求められる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
4. 前記所定領域は、前記第１光を用いた前記予備硬化工程が行われる対象領域を有する基板上の領域である、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント方法。
5. 前記所定領域は、前記第１光を用いた前記予備硬化工程が行われる対象領域を有する基板とは異なる基板上の領域である、ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント方法。
6. 前記基板は、前記インプリント材のパターンがそれぞれ形成される複数のショット領域を含み、
   前記複数のショット領域の前記予備硬化工程で共通に適用される前記照射時間が、前記複数のショット領域のうち特定のショット領域を用いて決定される、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
7. 前記特定のショット領域は、前記複数のショット領域のうち前記インプリント材のパターンを最初に形成するショット領域である、ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
8. 前記基板は、前記インプリント材のパターンがそれぞれ形成される複数のショット領域を含み、
   前記基板とは異なる第２基板を用いて、前記複数のショット領域の各々について前記照射時間が個別に決定される、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
9. 前記複数のショット領域のうち特定のショット領域について前記照射時間を変更した場合、前記特定のショット領域における変更前後での前記照射時間の比率から得られる補正係数に基づいて、他のショット領域についての前記第１光の照射時間が補正される、ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
10. 前記第３光は、前記第１光のデューティー制御を行うことにより生成される、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
11. 前記位置合わせは、前記予備硬化工程の開始から前記本硬化工程の開始までの少なくとも一部の期間において、前記モールドと前記インプリント材とが接触している状態で行われる、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント方法。
12. モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記モールドと前記基板との位置合わせのため、第１光を連続的に照射することで前記インプリント材を第１目標硬度に硬化させる予備硬化工程と、
    前記位置合わせの後、第２光を照射することで前記インプリント材を前記第１目標硬度より高い第２目標硬度に硬化させる本硬化工程と、
    を含み、
    前記予備硬化工程の前において、前記第１光を離散的に照射することにより求められた、インプリント材が前記第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間に基づいて、前記予備硬化工程における前記第１光の照射光量が決定される、ことを特徴とするインプリント方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
    前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
    前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
14. モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成する処理を行うインプリント装置であって、
    光を照射することで前記インプリント材を硬化させる硬化部と、
    前記処理を制御する制御部と、を備え、
    前記処理は、
    前記モールドと前記基板との位置合わせのため、第１光を照射することで前記インプリント材を第１目標硬度に硬化させる予備硬化工程と、
    前記位置合わせの後、第２光を照射することで前記インプリント材を前記第１目標硬度より高い第２目標硬度に硬化させる本硬化工程と、を含み、
    前記制御部は、前記予備硬化工程における前記第１光の照射時間を、前記予備硬化工程の前において前記第１光より小さい照度の第３光を照射することにより求められたインプリント材が前記第１目標硬度に硬化するまでの硬化時間と、前記第１光の照度と、前記第３光の照度とに基づいて決定する、ことを特徴とするインプリント装置。

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