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JP7593326B2 - Release film and method for manufacturing semiconductor package - Google Patents
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Description

本開示は、離型フィルム及び半導体パッケージの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a release film and a semiconductor package.

半導体チップは通常、外気からの遮断及び保護のため樹脂で封止され、パッケージと呼ばれる成型品として基板上に実装される。従来、成型品は封止樹脂の流路であるランナーを介して連結した1チップ毎のパッケージとして成型される。金型から成型品が離型する離型性は、金型の構造、封止樹脂への離型剤の添加等により担保されている。 Semiconductor chips are usually sealed with resin to protect them from the outside air, and are mounted on a board as a molded product called a package. Conventionally, molded products are molded as individual packages with each chip connected via a runner, which is a flow path for the sealing resin. The releasability of the molded product from the mold is ensured by the structure of the mold and the addition of a release agent to the sealing resin, etc.

近年、パッケージの小型化、多ピン化等の要請から、Ball Grid Array(BGA)方式、Quad Flat Non-leaded(QFN)方式、ウエハレベル-Chip Size Package(WL-CSP)方式等のパッケージが増加している。QFN方式においては、スタンドオフの確保及び端子部への封止材バリ発生を防止するため、一方、BGA方式及びWL-CSP方式においては、金型からのパッケージの離型性向上のため、樹脂製の離型フィルムが用いられる(例えば、特許文献1参照)。離型フィルムを使用する成型方法は「フィルムアシスト成型」と呼ばれている。In recent years, due to the demand for smaller packages and more pins, there has been an increase in packages such as Ball Grid Array (BGA), Quad Flat Non-leaded (QFN), and Wafer Level-Chip Size Package (WL-CSP). In the QFN format, a resin release film is used to ensure standoff and prevent burrs from forming on the terminals, while in the BGA and WL-CSP formats, a resin release film is used to improve the releasability of the package from the mold (see, for example, Patent Document 1). The molding method that uses a release film is called "film-assisted molding."

特開2002-158242号公報JP 2002-158242 A

フィルムアシスト成型においては、離型フィルムの離型性によって、封止後の半導体パッケージを金型から離型することは比較的容易である。しかし、BGA方式及びWL-CSP方式において、従来のトランスファーモールド方式からコンプレッションモールド方式へと成型方式が変更された場合、離型フィルムの金型への追従性が不足する場合がある。離型フィルムの金型への追従性が不足すると、成型時に離型フィルムにシワ又は弛みが発生し、離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性がある。また、離型フィルムのシワ又は弛みに起因して半導体パッケージに外観不良が起きる可能性がある。また、離型フィルムのシワ又は弛みに起因して半導体パッケージの封止に欠陥が生じ、半導体パッケージに性能不良が起きる可能性がある。半導体パッケージは今後さらに小型化、薄型化及び高集積化することが予想され、離型フィルムの追従性の向上が求められている。In film-assisted molding, the release properties of the release film make it relatively easy to release the encapsulated semiconductor package from the mold. However, in the BGA and WL-CSP methods, when the molding method is changed from the conventional transfer molding method to the compression molding method, the release film may not be able to conform to the mold. If the release film does not conform to the mold, wrinkles or slack may occur in the release film during molding, which may damage the semiconductor package when the release film is peeled off. In addition, wrinkles or slack in the release film may cause a defective appearance of the semiconductor package. In addition, wrinkles or slack in the release film may cause defects in the encapsulation of the semiconductor package, which may cause poor performance of the semiconductor package. It is expected that semiconductor packages will become even smaller, thinner, and more highly integrated in the future, and there is a demand for improved conformity of the release film.

本開示の実施形態は上記状況のもとになされた。
本開示の実施形態は、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい離型フィルム、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
The embodiments of the present disclosure have been made in light of the above circumstances.
An object of an embodiment of the present disclosure is to provide a release film that has excellent conformability to a mold during resin molding of a semiconductor package, can be easily peeled off from the sealing resin after molding, and is less likely to cause poor appearance of the semiconductor package, and a manufacturing method for a semiconductor package using the same.

前記課題を解決するための具体的手段には、以下の態様が含まれる。 Specific means for solving the above problems include the following aspects:

<1> 温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
<2> 前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が5体積%~65体積%である、<1>に記載の離型フィルム。
<3> 前記基材層がポリエステルフィルムである、<1>又は<2>に記載の離型フィルム。
<4> 基材層と、前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
<5> 前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が5体積%~65体積%である、<4>に記載の離型フィルム。
<6> 前記基材層がポリエステルフィルムである、<4>又は<5>に記載の離型フィルム。
<7> 半導体パッケージのコンプレッション成型に用いるための、<1>~<6>のいずれか1項に記載の離型フィルム。
<8> <1>~<7>のいずれか1項に記載の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージを成型する、半導体パッケージの製造方法。
<1> A release film for use in manufacturing a semiconductor package, comprising: a base layer having a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C; and a release layer disposed on one side of the base layer and containing resin particles.
<2> The release film according to <1>, wherein a volume ratio of the resin particles in the release layer is 5 volume % to 65 volume %.
<3> The release film according to <1> or <2>, wherein the base layer is a polyester film.
<4> A release film for use in manufacturing a semiconductor package, comprising: a base layer; and a release layer disposed on one side of the base layer and containing resin particles, the release film having a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C.
<5> The release film according to <4>, wherein a volume ratio of the resin particles in the release layer is 5 volume % to 65 volume %.
<6> The release film according to <4> or <5>, wherein the base layer is a polyester film.
<7> The release film according to any one of <1> to <6>, which is used in compression molding of a semiconductor package.
<8> A method for producing a semiconductor package, comprising the steps of: sealing a semiconductor chip with a sealing material using a mold on which the release film according to any one of <1> to <7> is arranged, to form a semiconductor package.

本開示の実施形態によれば、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい離型フィルム、及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法が提供される。According to an embodiment of the present disclosure, there is provided a release film that has excellent conformability to a mold during resin molding of a semiconductor package, can be easily peeled off from the sealing resin after molding, and is less likely to cause defects in the appearance of the semiconductor package, and a method for manufacturing a semiconductor package using the same.

本開示の離型フィルムの層構成の一例を概略的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a layer structure of the release film of the present disclosure.

本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部に形成されている場合も含まれる。
本開示において「(メタ)アクリル」はアクリル及びメタクリルの少なくとも一方を意味し、「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの少なくとも一方を意味する。
本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
In the present disclosure, the term "step" includes not only a step that is independent of other steps, but also a step that cannot be clearly distinguished from other steps as long as the purpose of the step is achieved.
In the present disclosure, the numerical ranges indicated using "to" include the numerical values before and after "to" as the minimum and maximum values, respectively.
In the numerical ranges described in the present disclosure in stages, the upper or lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper or lower limit value of another numerical range described in stages. In addition, in the numerical ranges described in the present disclosure, the upper or lower limit value of the numerical range may be replaced with a value shown in the examples.
In the present disclosure, each component may contain multiple types of the corresponding substance. When multiple substances corresponding to each component are present in the composition, the content or amount of each component means the total content or amount of the multiple substances present in the composition, unless otherwise specified.
In the present disclosure, the particles corresponding to each component may include multiple types. When multiple types of particles corresponding to each component are present in the composition, the particle size of each component means the value for a mixture of the multiple types of particles present in the composition, unless otherwise specified.
In this disclosure, the term "layer" includes cases where the layer is formed over the entire area when the area in which the layer exists is observed, as well as cases where the layer is formed over only a part of the area.
In the present disclosure, "(meth)acrylic" means at least one of acrylic and methacrylic, and "(meth)acrylate" means at least one of acrylate and methacrylate.
When an embodiment of the present disclosure is described with reference to the drawings, the configuration of the embodiment is not limited to the configuration shown in the drawings. In addition, the size of the members in each drawing is conceptual, and the relative relationship between the sizes of the members is not limited to this.

本開示において、離型フィルムが有する層の平均厚みは、対象となる層の5点の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる値とする。層の厚みは、マイクロメーターを用いて測定することができる。積層されたうちの1つの層の厚み又は複数の層の総厚みを測定する場合には、電子顕微鏡を用いて離型フィルムの断面を観察することで測定してもよい。In the present disclosure, the average thickness of a layer of a release film is a value obtained by measuring the thickness of the target layer at five points and calculating the arithmetic mean value. The thickness of a layer can be measured using a micrometer. When measuring the thickness of one layer of a laminate or the total thickness of multiple layers, the thickness can be measured by observing the cross section of the release film using an electron microscope.

本開示において、「MD方向」とは、長尺状に製造されるフィルムにおいて長尺方向を意味し、「TD方向」とは、「MD方向」に直交する方向を意味する。本開示において、「MD方向」を「機械方向」ともいい、「TD方向」を「幅方向」ともいう。In this disclosure, "MD direction" refers to the longitudinal direction of a film manufactured in a long shape, and "TD direction" refers to the direction perpendicular to the "MD direction." In this disclosure, "MD direction" is also called "machine direction" and "TD direction" is also called "width direction."

<離型フィルム>
本開示の第一実施形態の離型フィルムは、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である基材層と、前記基材層の片面に配置されている、樹脂粒子を含む離型層と、を有する。
本開示の第二実施形態の離型フィルムは、基材層と、前記基材層の片面に配置されている、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である。
以下、第一実施形態の離型フィルムと第二実施形態の離型フィルムとに共通する事項については、「本開示の離型フィルム」と総称して記載する。
<Release film>
The release film of the first embodiment of the present disclosure has a base layer having a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C, and a release layer containing resin particles arranged on one side of the base layer.
The release film of the second embodiment of the present disclosure has a base layer and a release layer containing resin particles arranged on one side of the base layer, and has a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C.
Hereinafter, matters common to the release film of the first embodiment and the release film of the second embodiment will be collectively referred to as the "release film of the present disclosure."

図1に、本開示の離型フィルムの層構成の一例を概略的に示す。図1に示す離型フィルム10は、基材層20と、基材層20上に配置された離型層30とを備えている。離型層30は、当該層中に樹脂粒子を含む。
本開示の離型フィルムは、図1に示す構成に限られない。本開示の離型フィルムは、例えば、基材層20の離型層30が設けられた面とは反対の面上に、第二の離型層を有していてもよく、基材層20と離型層30との間にほかの層(例えば、帯電防止層、着色層等)を有していてもよい。
An example of the layer structure of the release film of the present disclosure is shown generally in Fig. 1. The release film 10 shown in Fig. 1 includes a base layer 20 and a release layer 30 disposed on the base layer 20. The release layer 30 contains resin particles therein.
The release film of the present disclosure is not limited to the configuration shown in Fig. 1. The release film of the present disclosure may have, for example, a second release layer on the surface of the base layer 20 opposite to the surface on which the release layer 30 is provided, or may have another layer (for example, an antistatic layer, a colored layer, etc.) between the base layer 20 and the release layer 30.

本開示の離型フィルムにおいて樹脂粒子を含む離型層が、半導体パッケージを製造する際に封止樹脂と接触する。
本開示の離型フィルムは、半導体パッケージの樹脂成型において、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂(例えば、エポキシ樹脂)から容易に剥離することができ、半導体パッケージに外観不良を生じさせにくい。本開示の離型フィルムが上記の性能を示す理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。
In the release film of the present disclosure, the release layer containing resin particles comes into contact with the sealing resin when a semiconductor package is produced.
The release film of the present disclosure has excellent conformability to a mold during resin molding of a semiconductor package, can be easily peeled off from a sealing resin (e.g., epoxy resin) after molding, and is unlikely to cause defects in the appearance of the semiconductor package. The reason why the release film of the present disclosure exhibits the above-mentioned performance is not necessarily clear, but is presumed to be as follows.

第一実施形態の離型フィルムが有する基材層は、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上であるので、熱及び外力が加わった際に適度に変形しつつも形状を維持しようとする性質を呈し、その結果、金型に装着する際及び成型時に封止樹脂が流動する際にシワ又は弛みが発生しにくく、金型への追従性に優れるものと推測される。
第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上であるので、熱及び外力が加わった際に適度に変形しつつも形状を維持しようとする性質を呈し、その結果、金型に装着する際及び成型時に封止樹脂が流動する際にシワ又は弛みが発生しにくく、金型への追従性に優れるものと推測される。
The base material layer of the release film of the first embodiment has a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C. Therefore, when heat and external force are applied, the base material layer exhibits a property of maintaining its shape while deforming moderately. As a result, it is presumed that wrinkles or sagging are less likely to occur when the film is attached to a mold or when the sealing resin flows during molding, and the film has excellent conformability to the mold.
The release film of the second embodiment has a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C, and therefore exhibits the property of maintaining its shape while deforming moderately when heat and external force are applied. As a result, it is presumed that the release film has excellent conformability to the mold, being less likely to wrinkle or slacken when attached to the mold or when the sealing resin flows during molding.

そして、本開示の離型フィルムが有する離型層は、樹脂粒子を含む。樹脂粒子は、離型層の外表面に微細な凹凸を形成し、樹脂粒子の微細な凹凸が離型層の外表面の滑り性を高め、離型性の向上に寄与するものと推測される。また、この微細な凹凸が封止樹脂のフロー跡の発生を抑制するので、半導体パッケージに外観不良が発生しにくいものと推測される。さらに、引張弾性率及び復元率が上記範囲であることと相まって、樹脂粒子は無機粒子に比べて離型層から脱落しにくいので、樹脂粒子を含む離型層は、樹脂粒子を含まず無機粒子を含む離型層に比べて、半導体パッケージの表面や金型の表面を汚染させにくい。The release layer of the release film of the present disclosure contains resin particles. The resin particles form fine irregularities on the outer surface of the release layer, and it is presumed that the fine irregularities of the resin particles enhance the slipperiness of the outer surface of the release layer and contribute to improving the release properties. In addition, it is presumed that the fine irregularities suppress the occurrence of flow marks of the sealing resin, so that the semiconductor package is less likely to have a defective appearance. Furthermore, combined with the tensile modulus and recovery rate being within the above ranges, the resin particles are less likely to fall off the release layer than inorganic particles, so that the release layer containing resin particles is less likely to contaminate the surface of the semiconductor package and the surface of the mold than a release layer containing inorganic particles but not resin particles.

本開示の離型フィルムは、成型用の金型への追従性に優れることにより、成型時にシワ又は弛みが発生しにくい。したがって、本開示の離型フィルムによれば、(a)離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性が低く、(b)離型フィルムのシワ又は弛みに起因した外観不良が半導体パッケージに発生しにくく、(c)離型フィルムのシワ又は弛みに起因した半導体パッケージの封止欠陥が発生しにくい。
本開示の離型フィルムは、成型後の封止樹脂からの離型性に優れることにより、離型フィルムの剥離に要する力が少なくて済む。したがって、本開示の離型フィルムによれば、離型フィルムの剥離時に半導体パッケージに損傷を与える可能性が低い。
The release film of the present disclosure has excellent conformability to a molding die, and is therefore unlikely to wrinkle or slacken during molding. Therefore, with the release film of the present disclosure, (a) there is a low possibility that the semiconductor package will be damaged when the release film is peeled off, (b) appearance defects caused by wrinkles or slackness of the release film are unlikely to occur in the semiconductor package, and (c) sealing defects in the semiconductor package are unlikely to occur due to wrinkles or slackness of the release film.
The release film of the present disclosure has excellent releasability from the encapsulating resin after molding, and therefore requires less force to peel off the release film, and therefore the release film of the present disclosure is less likely to damage the semiconductor package when peeled off.

本開示の離型フィルムは、成型する際に金型への追従性に優れ、且つ、成型後の封止樹脂からの離型性に優れることから、複雑な形状を有する金型又は比較的深い溝を有する金型に対応し得る。また、本開示の離型フィルムは、離型フィルムを真空吸着等により金型に配置するコンプレッション成型に好適である。The release film of the present disclosure has excellent conformability to the mold during molding and excellent releasability from the encapsulating resin after molding, so it can be used with molds having complex shapes or molds having relatively deep grooves. In addition, the release film of the present disclosure is suitable for compression molding in which the release film is placed on the mold by vacuum suction or the like.

以下に、本開示の離型フィルムについて、各層の特性、各層に含まれる成分等を説明する。 Below, we will explain the characteristics of each layer of the release film disclosed herein, the components contained in each layer, etc.

[基材層]
本開示の離型フィルムは基材層を有する。基材層としては特に限定されず、本技術分野で使用されている樹脂フィルムから、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である樹脂フィルムを選択することが好ましい。
[Base layer]
The release film of the present disclosure has a base material layer. The base material layer is not particularly limited, and it is preferable to select a resin film having a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170° C. and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170° C. from resin films used in the present technical field.

(引張弾性率)
第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であることが好ましい。
(Tensile Modulus)
In the release film of the first embodiment, the base material layer has a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170° C. In the release film of the second embodiment, the base material layer preferably has a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170° C.

基材層の引張弾性率は、下記の試験方法により求める。
離型フィルムを製造する材料である基材層を用意するか、又は、離型フィルムから基材層以外の層を剥離して基材層を用意する。基材層をJIS K6251:2010に規格されているダンベル状1号形試験片の形状に切り取る。試験片の中央部に40mm離れて平行な2本の標線をつける。JIS K6251:2010に規格されている試験方法に準拠し、温度170℃下で、引張試験機(例えば、(株)エー・アンド・デイ製、型番RTC-1210)を用いて引張試験を行い、引張弾性率を求める。
具体的には、試験片を引張試験機(例えば、(株)エー・アンド・デイ製、型番RTC-1210)に設置し、温度170℃下、引張速度500mm/分にて試験片を100%延伸する(つまり、2本の標線の間が80mmになるまで延伸する)。その際に測定された応力-ひずみ曲線から、ひずみε1=0.0005(0.05%)における応力σ1(MPa)と、ひずみε2=0.0025(0.25%)における応力σ2(MPa)とを求め、下記の式から引張弾性率を算出する。
(式)・・・引張弾性率(MPa)=(σ2-σ1)÷(ε2-ε1)
ここで、基材層が長尺状に製造される樹脂フィルムである場合、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのMD方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのTD方向に一致する試験片とを作製する。MD方向の試験片の引張弾性率とTD方向の試験片の引張弾性率とを平均した値を、基材層の引張弾性率とする。
The tensile modulus of elasticity of the substrate layer is determined by the following test method.
A substrate layer, which is a material for producing a release film, is prepared, or a layer other than the substrate layer is peeled off from a release film to prepare a substrate layer. The substrate layer is cut into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece as specified in JIS K6251:2010. Two parallel marks are drawn 40 mm apart at the center of the test piece. A tensile test is performed using a tensile tester (e.g., model RTC-1210 manufactured by A&D Co., Ltd.) at a temperature of 170°C in accordance with the test method as specified in JIS K6251:2010 to determine the tensile modulus.
Specifically, the test piece is placed in a tensile tester (e.g., model RTC-1210 manufactured by A&D Co., Ltd.) and stretched 100% at a temperature of 170° C. and a tensile speed of 500 mm/min (i.e., stretched until the distance between the two benchmark lines is 80 mm). From the stress-strain curve measured at this time, the stress σ1 (MPa) at strain ε1=0.0005 (0.05%) and the stress σ2 (MPa) at strain ε2=0.0025 (0.25%) are obtained, and the tensile modulus is calculated from the following formula.
(Formula) ... Tensile modulus (MPa) = (σ2 - σ1) ÷ (ε2 - ε1)
Here, when the base layer is a resin film manufactured in a long shape, a test piece is prepared in which the length direction of the test piece coincides with the MD direction of the resin film, and a test piece in which the length direction of the test piece coincides with the TD direction of the resin film. The tensile modulus of the base layer is determined by averaging the tensile modulus of the test piece in the MD direction and the tensile modulus of the test piece in the TD direction.

第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における引張弾性率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、150MPa以下である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における引張弾性率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、150MPa以下であることが好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における引張弾性率は、上記の観点から、130MPa以下がより好ましく、110MPa以下が更に好ましく、100MPa以下が更に好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における引張弾性率の下限は、基材層に求められる強度を確保する観点から、例えば、1MPa以上であり、2MPa以上であり、3MPa以上である。In the release film of the first embodiment, the tensile modulus of the base layer at a temperature of 170°C is 150 MPa or less from the viewpoint of improving the followability of the release film to the mold. In the release film of the second embodiment, the tensile modulus of the base layer at a temperature of 170°C is preferably 150 MPa or less from the viewpoint of improving the followability of the release film to the mold. In the release film of the present disclosure, the tensile modulus of the base layer at a temperature of 170°C is more preferably 130 MPa or less, even more preferably 110 MPa or less, and even more preferably 100 MPa or less from the above viewpoint. In the release film of the present disclosure, the lower limit of the tensile modulus of the base layer at a temperature of 170°C is, for example, 1 MPa or more, 2 MPa or more, or 3 MPa or more from the viewpoint of ensuring the strength required of the base layer.

第一実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であることが好ましい。第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における引張弾性率が150MPa以下である。本開示の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における引張弾性率が130MPa以下であることがより好ましく、110MPa以下であることが更に好ましく、100MPa以下であることが更に好ましく、80MPa以下であることが特に好ましい。本開示の離型フィルムの温度170℃における引張弾性率の下限は、離型フィルムに求められる強度を確保する観点から、例えば、1MPa以上であり、2MPa以上であり、3MPa以上である。
離型フィルムの引張弾性率の求め方は、基材層の引張弾性率の求め方と同じであって、試験片として離型フィルムを使用する。離型フィルムが長尺状に製造される場合、試験片の長さ方向が離型フィルムのMD方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が離型フィルムのTD方向に一致する試験片とを作製する。MD方向の試験片の引張弾性率とTD方向の試験片の引張弾性率とを平均した値を、離型フィルムの引張弾性率とする。
The release film of the first embodiment preferably has a tensile modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole release film. The release film of the second embodiment has a tensile modulus of 150 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole release film. The release film of the present disclosure more preferably has a tensile modulus of 130 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole release film, even more preferably has a tensile modulus of 110 MPa or less, even more preferably has a tensile modulus of 100 MPa or less, and particularly preferably has a tensile modulus of 80 MPa or less at a temperature of 170 ° C. as a whole release film. The lower limit of the tensile modulus of the release film of the present disclosure at a temperature of 170 ° C. is, for example, 1 MPa or more, 2 MPa or more, or 3 MPa or more from the viewpoint of ensuring the strength required for the release film.
The method of determining the tensile modulus of the release film is the same as that of the base layer, and the release film is used as a test piece. When the release film is manufactured in a long shape, a test piece whose length direction coincides with the MD direction of the release film and a test piece whose length direction coincides with the TD direction of the release film are prepared. The average value of the tensile modulus of the test piece in the MD direction and the tensile modulus of the test piece in the TD direction is taken as the tensile modulus of the release film.

(復元率)
第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度170℃における復元率が70%以上である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層は、温度170℃における復元率が70%以上であることが好ましい。
(Recovery rate)
In the release film of the first embodiment, the base material layer has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170° C. In the release film of the second embodiment, the base material layer preferably has a restoration rate of 70% or more at a temperature of 170° C.

基材層の復元率は、下記の試験方法により求める。
離型フィルムを製造する材料である基材層を用意するか、又は、離型フィルムから基材層以外の層を剥離して基材層を用意する。基材層をJIS K6251:2010に規格されているダンベル状1号形試験片の形状に切り取る。試験片の中央部に40mm離れて平行な2本の標線をつける。試験片を引張試験機(例えば、(株)エー・アンド・デイ製、型番RTC-1210)に設置し、温度170℃下、引張速度500mm/分にて試験片を100%延伸し(つまり、2本の標線の間が80mmになるまで延伸し)、次いで、引張試験機の試験片つかみ具をもとの位置まで戻す。1分間静置後、試験片を試験機から外して、2本の標線の間の距離L(mm)を計測し、下記の式から復元率を算出する。
(式)・・・復元率(%)=(80-L)÷40×100
ここで、基材層が長尺状に製造される樹脂フィルムである場合、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのMD方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が樹脂フィルムのTD方向に一致する試験片とを作製する。MD方向の試験片の復元率とTD方向の試験片の復元率とを平均した値を、基材層の復元率とする。
The recovery rate of the base material layer is determined by the following test method.
A base layer, which is a material for producing a release film, is prepared, or a layer other than the base layer is peeled off from a release film to prepare a base layer. The base layer is cut into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece as specified in JIS K6251:2010. Two parallel marks are placed 40 mm apart in the center of the test piece. The test piece is placed in a tensile tester (e.g., A&D Co., Ltd., model number RTC-1210), and the test piece is stretched 100% at a temperature of 170°C and a tensile speed of 500 mm/min (i.e., stretched until the distance between the two marks is 80 mm), and then the test piece grip of the tensile tester is returned to its original position. After leaving it for 1 minute, the test piece is removed from the tester, the distance L (mm) between the two marks is measured, and the recovery rate is calculated from the following formula.
(Formula) ... restoration rate (%) = (80 - L) ÷ 40 x 100
Here, when the base layer is a resin film manufactured in a long shape, a test piece is prepared in which the length direction of the test piece coincides with the MD direction of the resin film, and a test piece in which the length direction of the test piece coincides with the TD direction of the resin film. The average value of the restoration rate of the test piece in the MD direction and the restoration rate of the test piece in the TD direction is defined as the restoration rate of the base layer.

第一実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における復元率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、70%以上である。第二実施形態の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における復元率は、金型に対する離型フィルムの追従性を向上する観点から、70%以上であることが好ましい。本開示の離型フィルムにおいて基材層の温度170℃における復元率は、上記の観点から、75%~100%がより好ましく、80%~100%が更に好ましく、90%~100%が更に好ましい。In the release film of the first embodiment, the restoration rate of the base layer at a temperature of 170°C is 70% or more from the viewpoint of improving the followability of the release film to the mold. In the release film of the second embodiment, the restoration rate of the base layer at a temperature of 170°C is preferably 70% or more from the viewpoint of improving the followability of the release film to the mold. In the release film of the present disclosure, the restoration rate of the base layer at a temperature of 170°C is more preferably 75% to 100%, even more preferably 80% to 100%, and even more preferably 90% to 100%, from the above viewpoints.

第一実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における復元率が70%以上であることが好ましい。第二実施形態の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における復元率が70%以上である。本開示の離型フィルムは、離型フィルム全体として、温度170℃における復元率が75%~100%であることがより好ましく、80%~100%であることが更に好ましく、90%~100%であることが更に好ましい。
離型フィルムの復元率の求め方は、基材層の復元率の求め方と同じであって、試験片として離型フィルムを使用する。離型フィルムが長尺状に製造される場合、試験片の長さ方向が離型フィルムのMD方向に一致する試験片と、試験片の長さ方向が離型フィルムのTD方向に一致する試験片とを作製する。MD方向の試験片の復元率とTD方向の試験片の復元率とを平均した値を、離型フィルムの復元率とする。
The release film of the first embodiment preferably has a restoration rate of 70% or more as a whole at a temperature of 170° C. The release film of the second embodiment preferably has a restoration rate of 70% or more as a whole at a temperature of 170° C. The release film of the present disclosure more preferably has a restoration rate of 75% to 100%, even more preferably 80% to 100%, and even more preferably 90% to 100% as a whole at a temperature of 170° C.
The method of determining the restoration rate of the release film is the same as that of the base material layer, and the release film is used as the test piece. When the release film is manufactured in a long shape, a test piece whose length direction coincides with the MD direction of the release film and a test piece whose length direction coincides with the TD direction of the release film are prepared. The average value of the restoration rate of the test piece in the MD direction and the restoration rate of the test piece in the TD direction is taken as the restoration rate of the release film.

(基材層の成分)
基材層は、半導体パッケージの樹脂成型が高温(100℃~200℃程度)で行われることを考慮すると、この温度以上の耐熱性を有することが望ましい。
(Components of Base Material Layer)
Considering that resin molding of semiconductor packages is carried out at high temperatures (approximately 100° C. to 200° C.), it is desirable for the base material layer to have heat resistance at or above this temperature.

基材層は、耐熱性及び高温時の引張弾性率の観点から、ポリエステル樹脂を含むことが好ましい。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、これらの共重合体又は変性樹脂が挙げられる。From the viewpoints of heat resistance and tensile modulus at high temperatures, it is preferable that the base layer contains a polyester resin. Examples of polyester resins include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and copolymers or modified resins thereof.

基材層としては、ポリエステル樹脂を成型したポリエステルフィルムが好ましく、金型への追従性の観点からは、2軸延伸ポリエステルフィルムがより好ましい。As the base layer, a polyester film molded from polyester resin is preferred, and from the viewpoint of conformability to the mold, a biaxially oriented polyester film is more preferred.

基材層としてポリエステルフィルムを用いる場合、基材層の引張弾性率及び復元率は、ポリエステルフィルムを製造する際の延伸倍率又は延伸温度により制御することができる。When a polyester film is used as the base layer, the tensile modulus and recovery rate of the base layer can be controlled by the stretching ratio or stretching temperature when producing the polyester film.

(基材層の平均厚み)
基材層の平均厚みは特に限定されず、5μm~200μmが好ましく、10μm~100μmがより好ましい。基材層の平均厚みが5μm以上であると、取扱い性に優れ、シワが生じにくい傾向にある。基材層の平均厚みが200μm以下であると、成型時の金型への追従性により優れるので、半導体パッケージにシワ等が発生することがより抑制される。
(Average thickness of substrate layer)
The average thickness of the base layer is not particularly limited, and is preferably 5 μm to 200 μm, and more preferably 10 μm to 100 μm. When the average thickness of the base layer is 5 μm or more, the handleability is excellent and wrinkles tend not to occur. When the average thickness of the base layer is 200 μm or less, the conformability to the mold during molding is excellent, and the occurrence of wrinkles and the like in the semiconductor package is further suppressed.

基材層の外表面(金型と接触する面)には、金型からの剥離を容易にする目的で、表面加工が施されていてもよい。The outer surface of the substrate layer (the surface that comes into contact with the mold) may be surface treated to facilitate peeling from the mold.

[離型層]
本開示の離型フィルムは、樹脂粒子を含む離型層を基材層の片面に有する。離型層は、少なくとも樹脂粒子を含み、さらにバインダー樹脂、その他の成分を含んでいてもよい。
[Release layer]
The release film of the present disclosure has a release layer containing resin particles on one side of a substrate layer. The release layer contains at least the resin particles, and may further contain a binder resin and other components.

(樹脂粒子)
樹脂粒子は、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂及びシリコーン樹脂からなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。樹脂粒子は、離型層の離型性の観点からは、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂及びポリアクリロニトリル樹脂から選択される少なくとも1種を含むことがより好ましい。
(Resin particles)
The resin particles preferably contain at least one selected from the group consisting of acrylic resin, polyolefin resin, polystyrene resin, polyacrylonitrile resin, and silicone resin. From the viewpoint of the releasability of the release layer, the resin particles more preferably contain at least one selected from acrylic resin, polystyrene resin, and polyacrylonitrile resin.

樹脂粒子に含まれるアクリル樹脂としては、(メタ)アクリル単量体の単独重合体又は共重合体が挙げられ、(メタ)アクリル酸樹脂、(メタ)アクリル酸エステル樹脂(例えば、アルキル(メタ)アクリレート樹脂、及びジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート樹脂)等が挙げられる。(メタ)アクリル単量体としては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル、(メタ)アクリル酸エイコシル、(メタ)アクリル酸ドコシル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘプチル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノプロピル、(メタ)アクリル酸2-クロロエチル、(メタ)アクリル酸2-フルオロエチル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
樹脂粒子に含まれるポリオレフィン樹脂としては、オレフィン単量体又はアルケン単量体の単独重合体又は共重合体であれば特に限定されない。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。
樹脂粒子に含まれるポリスチレン樹脂としては、スチレン又はスチレン誘導体の単独重合体又は共重合体が挙げられる。スチレン誘導体としては、α-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、2-エチルスチレン、3-エチルスチレン、4-エチルスチレン等のアルキル鎖を持つアルキル置換スチレン;2-クロロスチレン、3-クロロスチレン、4-クロロスチレン等のハロゲン置換スチレン;4-フルオロスチレン、2,5-ジフルオロスチレン等のフッ素置換スチレン;ビニルナフタレンなどが挙げられる。
樹脂粒子に含まれるポリアクリロニトリル樹脂としては、アクリロニトリル単量体の単独重合体又は共重合体が挙げられる。
The acrylic resin contained in the resin particles may be a homopolymer or copolymer of a (meth)acrylic monomer, such as a (meth)acrylic acid resin or a (meth)acrylic acid ester resin (e.g., an alkyl (meth)acrylate resin or a dimethylaminoethyl (meth)acrylate resin). Examples of the (meth)acrylic monomer include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate, butyl ... Examples thereof include hexadecyl acrylate, octadecyl (meth)acrylate, eicosyl (meth)acrylate, docosyl (meth)acrylate, cyclopentyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, cycloheptyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, phenyl (meth)acrylate, methoxyethyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, diethylaminoethyl (meth)acrylate, dimethylaminopropyl (meth)acrylate, 2-chloroethyl (meth)acrylate, 2-fluoroethyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, etc. These may be used alone or in combination of two or more.
The polyolefin resin contained in the resin particles is not particularly limited as long as it is a homopolymer or copolymer of an olefin monomer or an alkene monomer, and specific examples thereof include polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, and the like.
The polystyrene resin contained in the resin particles may be a homopolymer or copolymer of styrene or a styrene derivative. Examples of the styrene derivative include alkyl-substituted styrenes having an alkyl chain, such as α-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 2-ethylstyrene, 3-ethylstyrene, and 4-ethylstyrene; halogen-substituted styrenes, such as 2-chlorostyrene, 3-chlorostyrene, and 4-chlorostyrene; fluorine-substituted styrenes, such as 4-fluorostyrene and 2,5-difluorostyrene; and vinylnaphthalene.
The polyacrylonitrile resin contained in the resin particles may be a homopolymer or copolymer of an acrylonitrile monomer.

樹脂粒子は、半導体パッケージの外観の均一性の観点から、離型層形成用組成物の調製に使用され得る有機溶媒(例えば、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル)に不溶性又は難溶性であることが好ましい。ここで、有機溶媒に不溶性又は難溶性とは、JIS K6769:2013に準拠するゲル分率試験において、トルエン等の有機溶媒中に樹脂粒子を分散して50℃で24時間保持した後のゲル分率が97%以上であることをいう。有機溶媒に対する樹脂粒子の溶解性を抑制する観点からは、樹脂粒子に含まれる樹脂は架橋樹脂であることが好ましい。From the viewpoint of uniformity of the appearance of the semiconductor package, the resin particles are preferably insoluble or poorly soluble in organic solvents (e.g., toluene, methyl ethyl ketone, ethyl acetate) that can be used to prepare the composition for forming the release layer. Here, insoluble or poorly soluble in organic solvents means that in a gel fraction test conforming to JIS K6769:2013, the resin particles are dispersed in an organic solvent such as toluene and the gel fraction after being kept at 50°C for 24 hours is 97% or more. From the viewpoint of suppressing the solubility of the resin particles in organic solvents, it is preferable that the resin contained in the resin particles is a crosslinked resin.

樹脂粒子の平均粒子径は1μm~55μmであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が1μm以上であると、離型層の外表面に充分に凹凸を形成することが可能であり、離型層の離型性がより優れる。この観点から、樹脂粒子の平均粒子径は3μm以上であることがより好ましく、5μm以上であることが更に好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が55μm以下であると、離型層中に樹脂粒子を保持させるために離型層の厚みを過度に大きくする必要がない。この観点から、樹脂粒子の平均粒子径は、45μm以下であることがより好ましく、35μm以下であることが更に好ましい。The average particle diameter of the resin particles is preferably 1 μm to 55 μm. If the average particle diameter of the resin particles is 1 μm or more, it is possible to form sufficient unevenness on the outer surface of the release layer, and the release properties of the release layer are better. From this viewpoint, the average particle diameter of the resin particles is more preferably 3 μm or more, and even more preferably 5 μm or more. If the average particle diameter of the resin particles is 55 μm or less, it is not necessary to make the thickness of the release layer excessively large in order to retain the resin particles in the release layer. From this viewpoint, the average particle diameter of the resin particles is more preferably 45 μm or less, and even more preferably 35 μm or less.

樹脂粒子の平均粒子径は、下記の測定方法により求める。
離型フィルムを一部切り取り、樹脂に包埋した後、離型フィルムの厚み方向に切断して薄片試料を作製する。この薄片試料を走査型電子顕微鏡(SEM)にて撮像する。SEM画像において、離型層に含まれる樹脂粒子を無作為に100個選び、100個の長径を計測する。100個の長径の算術平均を、樹脂粒子の平均粒子径とする。
The average particle size of the resin particles is determined by the following measurement method.
A part of the release film is cut out, embedded in resin, and then cut in the thickness direction of the release film to prepare a thin sample. This thin sample is imaged with a scanning electron microscope (SEM). In the SEM image, 100 resin particles contained in the release layer are randomly selected, and the major axis of 100 particles is measured. The arithmetic average of the major axis of 100 particles is taken as the average particle diameter of the resin particles.

離型層に含まれる樹脂粒子の形状は特に限定されず、球状、板状、不定形のいずれでもよい。The shape of the resin particles contained in the release layer is not particularly limited and may be spherical, plate-like, or amorphous.

樹脂粒子の具体例としては、アクリル樹脂粒子であるタフチックFH-S010(東洋紡(株))等のタフチックシリーズが挙げられる。 Specific examples of resin particles include the Tuftic series, such as Tuftic FH-S010 (Toyobo Co., Ltd.), which is an acrylic resin particle.

離型層に占める樹脂粒子の体積割合は、離型層の離型性を向上させる観点と、半導体パッケージ表面の汚染を抑制する観点とから、5体積%~65体積%であることが好ましい。樹脂粒子の体積割合が5体積%以上であると、離型層の外表面に充分に凹凸を形成することが可能であり、離型層の離型性がより優れる。この観点から、樹脂粒子の体積割合は、10体積%以上であることがより好ましく、20体積%以上であることが更に好ましい。樹脂粒子の体積割合が65体積%以下であると、離型層からの樹脂粒子の脱落が起きにくく、半導体パッケージ表面の汚染を抑制できる。この観点から、樹脂粒子の体積割合は、60体積%以下であることがより好ましく、50体積%以下であることが更に好ましい。The volume ratio of the resin particles in the release layer is preferably 5% to 65% by volume from the viewpoint of improving the releasability of the release layer and suppressing contamination of the semiconductor package surface. If the volume ratio of the resin particles is 5% by volume or more, it is possible to form sufficient unevenness on the outer surface of the release layer, and the release property of the release layer is more excellent. From this viewpoint, the volume ratio of the resin particles is more preferably 10% by volume or more, and even more preferably 20% by volume or more. If the volume ratio of the resin particles is 65% by volume or less, the resin particles are less likely to fall off from the release layer, and contamination of the semiconductor package surface can be suppressed. From this viewpoint, the volume ratio of the resin particles is more preferably 60% by volume or less, and even more preferably 50% by volume or less.

離型層に占める樹脂粒子の体積割合は、離型層の切断面をSEMで観察し、下記の方法により求めることができる。
先述の方法で作製した薄片試料のSEM画像において、離型層について任意の面積Sを特定し、面積Sに含まれる樹脂粒子の総面積Aを求める。離型層が均質であると仮定し、樹脂粒子の総面積Aを面積Sで除算した値を百分率(%)に換算し、離型層に占める樹脂粒子の体積割合とする。
面積Sは、樹脂粒子の大きさに対して十分大きい面積とする。例えば、樹脂粒子が100個以上含まれる大きさとする。面積Sは、複数個の切断面の合計でもよい。
The volume ratio of the resin particles in the release layer can be determined by observing a cut surface of the release layer with a SEM and by the following method.
In the SEM image of the thin sample prepared by the above-mentioned method, an arbitrary area S of the release layer is specified, and the total area A of the resin particles contained in the area S is calculated. Assuming that the release layer is homogeneous, the total area A of the resin particles is divided by the area S, and the value is converted into a percentage (%), which is the volume ratio of the resin particles in the release layer.
The area S is set to be sufficiently large with respect to the size of the resin particles, for example, a size that includes 100 or more resin particles. The area S may be the total area of a plurality of cut surfaces.

(バインダー樹脂)
離型層はバインダー樹脂を含んでいてもよい。バインダー樹脂を含むことにより、樹脂粒子が離型層内に保持される。
(Binder resin)
The release layer may contain a binder resin, which helps hold the resin particles in the release layer.

離型層のバインダー樹脂は特に限定されない。バインダー樹脂は、半導体パッケージからの離型性、離型層の耐熱性等の観点から、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂が好ましく、架橋型アクリル樹脂(以下「架橋型アクリル共重合体」ともいう。)がより好ましい。The binder resin of the release layer is not particularly limited. From the viewpoints of releasability from the semiconductor package and heat resistance of the release layer, the binder resin is preferably an acrylic resin or a silicone resin, and more preferably a cross-linked acrylic resin (hereinafter also referred to as a "cross-linked acrylic copolymer").

アクリル樹脂は、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル、2-エチルヘキシルアクリレート等の低ガラス転移温度(Tg)モノマーを主モノマーとし、主モノマーと、アクリル酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基モノマーとを共重合することで得られるアクリル共重合体であることが好ましい。架橋型アクリル共重合体は、上記モノマーを架橋剤を使用して架橋することにより製造することができる。The acrylic resin is preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing a low glass transition temperature (Tg) monomer such as butyl acrylate, ethyl acrylate, or 2-ethylhexyl acrylate as the main monomer with a functional group monomer such as acrylic acid, methacrylic acid, hydroxyethyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, acrylamide, or acrylonitrile. Crosslinked acrylic copolymers can be produced by crosslinking the above monomers using a crosslinking agent.

架橋型アクリル共重合体の製造に使用される架橋剤としては、イソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の公知の架橋剤が挙げられる。アクリル樹脂中に緩やかに広がった網目状構造を形成するために、架橋剤は3官能、4官能等の多官能架橋剤であることが好ましい。多官能架橋剤を使用して製造された架橋型アクリル共重合体は、緩やかに広がった網目状構造を有するので、この架橋型アクリル重合体を含む離型層は、基材層の延伸に追従しやすく、金型に対する離型フィルムの追従性を向上させる。 Examples of crosslinking agents used in the production of crosslinked acrylic copolymers include known crosslinking agents such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds. In order to form a gently spreading network structure in the acrylic resin, the crosslinking agent is preferably a multifunctional crosslinking agent such as a trifunctional or tetrafunctional crosslinking agent. Since the crosslinked acrylic copolymer produced using a multifunctional crosslinking agent has a gently spreading network structure, the release layer containing this crosslinked acrylic polymer easily follows the stretching of the base layer, improving the followability of the release film to the mold.

架橋型アクリル共重合体の製造において使用される架橋剤の量は、アクリル共重合体100質量部に対して、3質量部~100質量部が好ましく、5質量部~70質量部がより好ましい。架橋剤の量がアクリル共重合体100質量部に対して3質量部以上であると、離型層の強度が確保されることにより樹脂粒子の脱落が起こりにくく、半導体パッケージ表面の汚染が抑制される。架橋剤の量がアクリル共重合体100質量部に対して100質量部以下であると、架橋型アクリル共重合体の柔軟性が向上し、離型層の延伸性が向上する。The amount of crosslinking agent used in the production of the crosslinked acrylic copolymer is preferably 3 to 100 parts by weight, more preferably 5 to 70 parts by weight, per 100 parts by weight of the acrylic copolymer. When the amount of crosslinking agent is 3 parts by weight or more per 100 parts by weight of the acrylic copolymer, the strength of the release layer is ensured, making it difficult for resin particles to fall off and suppressing contamination of the semiconductor package surface. When the amount of crosslinking agent is 100 parts by weight or less per 100 parts by weight of the acrylic copolymer, the flexibility of the crosslinked acrylic copolymer is improved and the extensibility of the release layer is improved.

(その他の成分)
離型層は、本開示の離型フィルムの効果が奏される限り、必要に応じて、溶媒、アンカリング向上剤、架橋促進剤、帯電防止剤、着色剤等を含んでいてもよい。
(Other ingredients)
The release layer may contain, as necessary, a solvent, an anchoring enhancer, a crosslinking promoter, an antistatic agent, a colorant, and the like, so long as the effects of the release film of the present disclosure are exhibited.

(離型層の平均厚み)
離型層の平均厚みは特に限定されず、離型層に含まれる樹脂粒子の粒子径を考慮して設定してよい。離型層の外表面に凹凸を形成して離型層の離型性を向上させる観点からは、離型層の厚みは厚過ぎないことが好ましい。一方で、離型層に含まれる樹脂粒子が離型層から脱落すると半導体パッケージ表面が汚染されるところ、離型層の厚みは離型層中に樹脂粒子を保持し得る厚みが好ましい。離型層の平均厚みは、具体的には、0.1μm~100μmが好ましく、1μm~50μmがより好ましい。
(Average thickness of release layer)
The average thickness of the release layer is not particularly limited, and may be set in consideration of the particle diameter of the resin particles contained in the release layer. From the viewpoint of improving the releasability of the release layer by forming unevenness on the outer surface of the release layer, it is preferable that the thickness of the release layer is not too thick. On the other hand, if the resin particles contained in the release layer fall off from the release layer, the surface of the semiconductor package will be contaminated, so the thickness of the release layer is preferably a thickness that can hold the resin particles in the release layer. Specifically, the average thickness of the release layer is preferably 0.1 μm to 100 μm, more preferably 1 μm to 50 μm.

(離型層の表面粗さ)
離型層の外表面は微細な凹凸を有することが好ましい。離型層の外表面の微細な凹凸は、算術平均粗さ(Ra)又は十点平均粗さ(Rz)により評価することができる。離型層の離型性を向上させる観点から、離型層の外表面の算術平均粗さ(Ra)は0.5μm~5μmであることが好ましく、離型層の外表面の十点平均粗さ(Rz)は5μm~50μmであることが好ましい。離型層の外表面の表面粗さは、樹脂粒子の平均粒子径と離型層の厚みとを調整することにより調整することができる。
(Surface roughness of release layer)
The outer surface of the release layer preferably has fine irregularities. The fine irregularities of the outer surface of the release layer can be evaluated by the arithmetic mean roughness (Ra) or the ten-point mean roughness (Rz). From the viewpoint of improving the releasability of the release layer, the arithmetic mean roughness (Ra) of the outer surface of the release layer is preferably 0.5 μm to 5 μm, and the ten-point mean roughness (Rz) of the outer surface of the release layer is preferably 5 μm to 50 μm. The surface roughness of the outer surface of the release layer can be adjusted by adjusting the average particle diameter of the resin particles and the thickness of the release layer.

離型層の外表面の算術平均粗さ(Ra)及び十点平均粗さ(Rz)は、表面粗さ測定装置(例えば、(株)小坂研究所、型番SE-3500)を用いて、触針先端径2μm、走査速度0.5mm/s及び走査距離8mmの条件で測定した結果を、JIS B0601:2013又はISO 4287(1997)により解析して求める。The arithmetic mean roughness (Ra) and ten-point mean roughness (Rz) of the outer surface of the release layer are determined by analyzing the results measured using a surface roughness measuring device (e.g., Kosaka Laboratory Co., Ltd., model number SE-3500) under conditions of a stylus tip diameter of 2 μm, a scanning speed of 0.5 mm/s, and a scanning distance of 8 mm in accordance with JIS B0601:2013 or ISO 4287 (1997).

[その他の層]
本開示の離型フィルムは、基材層と離型層との間に、帯電防止層、着色層等を有していてもよい。
[Other layers]
The release film of the present disclosure may have an antistatic layer, a colored layer, or the like between the substrate layer and the release layer.

本開示の離型フィルムは、基材層の一方の面上であって、樹脂粒子を含む離型層(第一の離型層)が設けられた面とは反対の面上に、離型フィルムの金型からの剥離を容易にする目的で、第二の離型層を有していてもよい。第二の離型層の材料としては、先述のバインダー樹脂の中から、金型からの離型性、耐熱性等を考慮して選択することが望ましい。第二の離型層の厚みは、特に限定されないが、0.1μm~100μmであることが好ましい。The release film of the present disclosure may have a second release layer on one side of the base layer opposite to the side on which the release layer (first release layer) containing resin particles is provided, for the purpose of facilitating release of the release film from the mold. It is desirable to select a material for the second release layer from the binder resins described above, taking into consideration releasability from the mold, heat resistance, and the like. The thickness of the second release layer is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm to 100 μm.

<離型フィルムの製造方法>
本開示の離型フィルムは、公知の方法により製造することができる。例えば、樹脂粒子を含む離型層形成用組成物を調製し、離型層形成用組成物を基材層の片面に付与し乾燥することにより、本開示の離型フィルムを製造することができる。本開示の離型フィルムは、必要に応じて、先述のその他の層を設けてもよい。
<Method of producing release film>
The release film of the present disclosure can be manufactured by a known method. For example, a release layer forming composition containing resin particles is prepared, and the release layer forming composition is applied to one side of a substrate layer and dried to manufacture the release film of the present disclosure. The release film of the present disclosure may be provided with the other layers described above as necessary.

[離型層形成用組成物の調製]
離型層形成用組成物の調製方法は特に限定されず、例えば、樹脂粒子を溶媒に分散する方法が挙げられる。離型層形成用組成物は、樹脂粒子のほかにバインダー樹脂及びその他の成分を含んでいてもよい。
[Preparation of Release Layer Forming Composition]
The method for preparing the composition for forming the release layer is not particularly limited, and may be, for example, a method of dispersing resin particles in a solvent. The composition for forming the release layer may contain a binder resin and other components in addition to the resin particles.

離型層形成用組成物の調製に使用する溶媒は、特に限定されない。離型層形成用組成物の調製に使用する溶媒としては、樹脂粒子を分散可能であり、バインダー樹脂を溶解可能である有機溶媒が好ましい。有機溶媒としては、トルエン、メチルエチルケトン、酢酸エチル等が挙げられる。The solvent used to prepare the composition for forming the release layer is not particularly limited. As the solvent used to prepare the composition for forming the release layer, an organic solvent capable of dispersing resin particles and dissolving binder resin is preferable. Examples of the organic solvent include toluene, methyl ethyl ketone, and ethyl acetate.

[離型層形成用組成物の付与及び乾燥]
離型層形成用組成物を基材層の片面に付与する方法は特に限定されず、ロールコート、バーコート、キスコート等の公知の塗布方法を採用することができる。離型層形成用組成物を基材層の片面に付与する際には、乾燥後の組成物層(離型層)の厚みが0.1μm~100μmとなるように付与することが望ましい。
[Application and drying of release layer forming composition]
The method for applying the release layer-forming composition to one side of the base layer is not particularly limited, and any known application method such as roll coating, bar coating, kiss coating, etc. can be used. When applying the release layer-forming composition to one side of the base layer, it is desirable to apply it so that the thickness of the composition layer (release layer) after drying is 0.1 μm to 100 μm.

基材層の片面に付与された離型層形成用組成物を乾燥する方法は特に限定されず、公知の乾燥方法を採用することができる。例えば、温度50℃~150℃の雰囲気に0.1分間~60分間置く乾燥方法が挙げられる。There are no particular limitations on the method for drying the release layer-forming composition applied to one side of the substrate layer, and any known drying method can be used. For example, a drying method in which the composition is placed in an atmosphere at a temperature of 50°C to 150°C for 0.1 to 60 minutes can be used.

<半導体パッケージの製造方法>
本開示の離型フィルムは、半導体パッケージの製造に使用される。すなわち、本開示の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージが成型される。
<Method of manufacturing semiconductor package>
The release film of the present disclosure is used in the manufacture of a semiconductor package. That is, a mold having the release film of the present disclosure disposed thereon is used to encapsulate a semiconductor chip with an encapsulant to mold a semiconductor package.

本開示の離型フィルムは、コンプレッション成型に好適に使用することができる。一般的なコンプレッション成型の工程は下記のとおりである。
コンプレッション成型装置の金型に離型フィルムを配置し、真空吸着等により離型フィルムを金型の形状に追従させる。次いで、半導体パッケージの封止材(例えば、エポキシ樹脂等)を金型に入れ、半導体チップをその上に配置し、加熱しながら金型を圧縮することにより封止材を硬化させて、半導体パッケージを成型する。次いで、金型を開けて、成型された半導体パッケージを取り出す。
The release film of the present disclosure can be suitably used for compression molding. A typical compression molding process is as follows.
A release film is placed on the mold of a compression molding device, and the release film is made to conform to the shape of the mold by vacuum suction or the like. Next, an encapsulant (e.g., epoxy resin, etc.) for the semiconductor package is placed in the mold, a semiconductor chip is placed on it, and the encapsulant is hardened by compressing the mold while heating, thereby molding the semiconductor package. Next, the mold is opened, and the molded semiconductor package is removed.

コンプレッション成型では、通常、離型フィルムを真空吸着等により金型に配置するので、離型フィルムは金型の形状に対する追従性に優れることが求められる。本開示の離型フィルムは、金型への追従性に優れ、コンプレッション成型に好適である。In compression molding, a release film is usually placed on a mold by vacuum suction or the like, so the release film is required to have excellent conformability to the shape of the mold. The release film of the present disclosure has excellent conformability to the mold and is suitable for compression molding.

本開示の離型フィルムを用いて成型された半導体パッケージは、外観が良好である。また、本開示の離型フィルムを用いて成型された半導体パッケージは、離型フィルムのシワ又は弛みに起因した半導体パッケージの封止欠陥が抑制されており、離型フィルムの剥離時に被る可能性のある損傷が抑制されている。A semiconductor package molded using the release film of the present disclosure has a good appearance. In addition, a semiconductor package molded using the release film of the present disclosure has reduced sealing defects of the semiconductor package caused by wrinkles or sagging of the release film, and reduced damage that may occur when the release film is peeled off.

以下、本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。 Below, embodiments of the present disclosure are explained in detail using examples, but the embodiments of the present disclosure are not limited to these examples.

<実施例1>
[離型フィルムの作製]
アクリル樹脂(帝国化学産業(株)、商品名WS-023)100質量部と、架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)、商品名コロネートL)10質量部と、アクリル樹脂粒子(東洋紡(株)、商品名タフチックFH-S010、平均粒子径10μm)10質量部とをトルエンに添加して固形分量15質量%のトルエン溶液とし、離型層形成用組成物を調製した。
基材層として2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人フィルムソリューション(株)、商品名FT3、厚み25μm)を用意し、この2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの引張弾性率及び復元率を既述の試験方法により求めた。
2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムにコロナ処理した後、片面に、ロールコータを用いて、乾燥後の平均厚みが10μmになるように離型層形成用組成物を塗布し、乾燥して離型層を形成し、離型フィルムを得た。
得られた離型フィルムにおいて離型層に含まれる樹脂粒子の平均粒子径及び体積割合を、SEMを用いた既述の試験方法により求めた。また、得られた離型フィルムの引張弾性率及び復元率を既述の試験方法により求めた。測定結果を表1に示す。
Example 1
[Preparation of release film]
A release layer-forming composition was prepared by adding 100 parts by mass of an acrylic resin (Teikoku Chemical Industries Co., Ltd., product name WS-023), 10 parts by mass of a crosslinking agent (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., product name Coronate L), and 10 parts by mass of acrylic resin particles (Toyobo Co., Ltd., product name Tuftic FH-S010, average particle size 10 μm) to toluene to prepare a toluene solution with a solid content of 15% by mass.
A biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Teijin Film Solutions Co., Ltd., product name FT3, thickness 25 μm) was prepared as a substrate layer, and the tensile modulus and recovery rate of this biaxially stretched polyethylene terephthalate film were determined by the above-mentioned test methods.
After subjecting the biaxially oriented polyethylene terephthalate film to corona treatment, a release layer forming composition was applied to one side using a roll coater so that the average thickness after drying would be 10 μm, and the composition was dried to form a release layer, thereby obtaining a release film.
The average particle size and volume ratio of the resin particles contained in the release layer of the obtained release film were determined by the previously described test method using SEM. The tensile modulus and recovery rate of the obtained release film were also determined by the previously described test method. The measurement results are shown in Table 1.

[離型フィルムの性能評価]
コンプレッション成型用金型の下型に半導体ベアチップをセットした。コンプレッション成型用金型の上型に離型フィルムを配置し、真空で固定した後、型締めした。封止材(日立化成(株)、商品名CEL-9750ZHF10)をコンプレッション成型して半導体パッケージを得た。金型温度は180℃、成型圧力は6.86MPa(70kgf/cm)、成型時間は180秒とした。離型フィルムの性能として、下記の項目(1)~(3)を評価した。評価結果を表1に示す。
[Performance evaluation of release film]
A bare semiconductor chip was set on the lower die of the compression molding die. A release film was placed on the upper die of the compression molding die, and the die was then clamped. An encapsulant (Hitachi Chemical Co., Ltd., product name CEL-9750ZHF10) was compression molded to obtain a semiconductor package. The die temperature was 180° C., the molding pressure was 6.86 MPa (70 kgf/cm 2 ), and the molding time was 180 seconds. The performance of the release film was evaluated in the following items (1) to (3). The evaluation results are shown in Table 1.

(1)成型する際の金型への追従性
離型フィルムの金型への追従性を、コンプレッション成型する際に目視で観察し、下記のとおり分類した。
(◎):シワ、弛み及びテント張りがいずれも観察されず、金型への追従が十分である。
A(○):シワ、弛み又はテント張りが観察されるが軽微であり、実用上問題ない。
B(△):シワ、弛み又はテント張りが観察されるが、実用上の許容範囲である。
C(×):シワ、弛み及びテント張りがいずれも観察され、金型への追従が不十分である。
「テント張り」とは、離型フィルムが金型に充分に追従せず、離型フィルムが金型の角から浮いた状態になり、当該角にあたかもテントを張ったように見える状態をいう。
(1) Adherence to Mold During Molding The adherence of the release film to the mold was visually observed during compression molding and classified as follows.
A + (A): No wrinkles, sagging or tenting was observed, and the mold conformance was sufficient.
A (◯): Wrinkles, sagging or tenting are observed, but they are minor and do not pose a problem in practical use.
B (Δ): Wrinkles, sagging or tenting are observed, but are within the practically acceptable range.
C (x): Wrinkles, sagging and tenting were all observed, and the mold conformity was insufficient.
"Tenting" refers to a state in which the release film does not conform sufficiently to the mold and the release film floats over the corners of the mold, giving the appearance of a tent at the corners.

(2)成型後の封止樹脂からの離型性
離型フィルムを、成型後の封止樹脂から、剥離角度180°、剥離速度300mm/分で剥離する剥離試験を行い、剥離に要する力を測定し、下記のとおり分類した。
A(○):0.5N/50mm未満
B(△):0.5N/50mm以上5.0N/50mm未満
C(×):5.0N/50mm以上
(2) Releasability from Molded Encapsulating Resin A peel test was carried out in which the release film was peeled from the molded encapsulating resin at a peel angle of 180° and a peel speed of 300 mm/min. The force required for peeling was measured and classified as follows:
A (○): Less than 0.5N/50mm B (△): 0.5N/50mm or more and less than 5.0N/50mm C (×): 5.0N/50mm or more

(3)半導体パッケージの外観
成型後の半導体パッケージの外観を目視で観察し、離型フィルムのシワ又は弛みに起因する外観不良の有無を下記のとおり分類した。
A(○):シワに起因する外観不良及び弛みに起因する外観不良がいずれも観察されない。
B(△):シワに起因する外観不良又は弛みに起因する外観不良が観察される。
C(×):シワに起因する外観不良及び弛みに起因する外観不良がいずれも観察される。
(3) Appearance of Semiconductor Package The appearance of the semiconductor package after molding was visually observed, and the presence or absence of appearance defects due to wrinkles or slackness of the release film was classified as follows.
A (◯): Neither poor appearance due to wrinkles nor poor appearance due to slackness is observed.
B (Δ): Poor appearance due to wrinkles or poor appearance due to slackness is observed.
C(x): Both poor appearance due to wrinkles and poor appearance due to slackness are observed.

<実施例2~3>
基材層を別の2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Examples 2 to 3>
A release film was produced and its performance was evaluated in the same manner as in Example 1, except that the base layer was changed to another biaxially oriented polyethylene terephthalate film. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例4~7>
離型層形成用組成物に添加するアクリル樹脂粒子(タフチックFH-S010)の添加量を変更して離型層に占める樹脂粒子の体積割合を表1に記載したとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Examples 4 to 7>
Release films were produced and their performance was evaluated in the same manner as in Example 1, except that the amount of acrylic resin particles (Tuftic FH-S010) added to the composition for forming the release layer was changed to change the volume ratio of the resin particles in the release layer as shown in Table 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例1>
実施例1において使用した2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人フィルムソリューション(株)、商品名FT3、厚み25μm)に離型層を設けず離型フィルムとして使用し、性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 1>
The biaxially stretched polyethylene terephthalate film (Teijin Film Solutions Co., Ltd., product name FT3, thickness 25 μm) used in Example 1 was used as a release film without providing a release layer, and the performance was evaluated. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例2>
アクリル樹脂粒子(タフチックFH-S010)を用いずに離型層形成用組成物を調製した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 2>
Except for preparing the composition for forming the release layer without using the acrylic resin particles (Tuftic FH-S010), a release film was produced and its performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例3>
アクリル樹脂粒子(タフチックFH-S010)の代わりにシリカ粒子(東亞合成(株)、商品名HPS-3500、平均粒子径3.5μm)を用いて離型層形成用組成物を調製した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 3>
A release film was produced and its performance was evaluated in the same manner as in Example 1, except that a composition for forming a release layer was prepared using silica particles (Toagosei Co., Ltd., product name HPS-3500, average particle size 3.5 μm) instead of acrylic resin particles (Tuftic FH-S010). The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例4>
基材層を別の2軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 4>
A release film was produced and its performance was evaluated in the same manner as in Example 1, except that the base layer was changed to another biaxially oriented polyethylene terephthalate film. The evaluation results are shown in Table 1.

<比較例5>
基材層を未延伸ポリブチレンテレフタレートフィルムに変更した以外は、実施例1と同様にして離型フィルムを作製し性能を評価した。評価結果を表1に示す。
<Comparative Example 5>
A release film was produced and its performance was evaluated in the same manner as in Example 1, except that the base layer was changed to an unstretched polybutylene terephthalate film. The evaluation results are shown in Table 1.

実施例1~7の離型フィルムは、成型する際に金型への追従性に優れ、成型後の封止樹脂からの離型性が良好であり、半導体パッケージの外観も良好であった。ただし、離型層に占める樹脂粒子の体積割合が65体積%を超える実施例7では、離型層からの樹脂粒子の脱落が観察された。
半導体パッケージのコンプレッション成型に本実施形態の離型フィルムを使用することにより、半導体パッケージに損傷を与えることなく封止材と金型とを容易に離型することが可能であり、且つ、良好な外観を有する半導体パッケージを提供することが可能である。
The release films of Examples 1 to 7 had excellent conformability to the mold during molding, good releasability from the encapsulating resin after molding, and the appearance of the semiconductor package was also good. However, in Example 7, in which the volume ratio of the resin particles in the release layer exceeded 65 volume %, the resin particles were observed to fall off from the release layer.
By using the release film of this embodiment for compression molding of a semiconductor package, it is possible to easily release the sealing material from the mold without damaging the semiconductor package, and it is possible to provide a semiconductor package with a good appearance.

比較例1の離型フィルム(離型層を有しない離型フィルム)は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを剥離することができなかった。 The release film of Comparative Example 1 (a release film without a release layer) could not be peeled off from the sealing resin after molding.

比較例2の離型フィルム(離型層に樹脂粒子を含まない離型フィルム)は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを容易には剥離することができなかった。また、半導体パッケージ表面の外観が不均一であり、封止材のフロー跡が見られた。 The release film of Comparative Example 2 (a release film that does not contain resin particles in the release layer) could not be easily peeled off from the encapsulating resin after molding. In addition, the appearance of the semiconductor package surface was uneven, and traces of flow of the encapsulating material were visible.

比較例3の離型フィルム(離型層に樹脂粒子の代わりにシリカ粒子を含む離型フィルム)は、成型後の封止樹脂から離型フィルムを容易には剥離することができなかった。また、目視及び顕微鏡観察のいずれでも、離型層からのシリカ粒子の脱落が観察された。The release film of Comparative Example 3 (a release film containing silica particles instead of resin particles in the release layer) could not be easily peeled off from the encapsulating resin after molding. In addition, the silica particles were observed to have fallen off from the release layer both visually and under a microscope.

日本国特許出願2019-193307号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
The disclosure of Japanese Patent Application No. 2019-193307 is incorporated herein by reference in its entirety.
All publications, patent applications, and standards mentioned in this specification are herein incorporated by reference to the same extent as if each individual publication, patent application, or standard was specifically and individually indicated to be incorporated by reference.

10 離型フィルム
20 基材層
30 離型層
10 Release film 20 Base layer 30 Release layer

Claims (8)

温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上である基材層と、
前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、
を有し、
前記復元率は、基材層をJIS K6251:2010に規格されているダンベル状1号形試験片の形状に切り取り、試験片の中央部に40mm離れて平行な2本の標線をつけ、試験片を引張試験機に設置し、温度170℃下、引張速度500mm/分にて試験片を100%延伸し、次いで、引張試験機の試験片つかみ具をもとの位置まで戻し、1分間静置後、試験片を試験機から外して、2本の標線の間の距離L(mm)を計測し、下記の式から算出する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
(式)・・・復元率(%)=(80-L)÷40×100
A base layer having a tensile modulus of elasticity of 150 MPa or less at a temperature of 170°C and a recovery rate of 70% or more at a temperature of 170°C;
a release layer disposed on one surface of the base layer and containing resin particles;
having
The recovery rate is calculated by cutting the base layer into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece specified in JIS K6251:2010, marking two parallel benchmark lines 40 mm apart in the center of the test piece, placing the test piece in a tensile tester, stretching the test piece 100% at a temperature of 170°C and a tensile speed of 500 mm/min, returning the test piece gripper of the tensile tester to its original position, leaving the test piece stationary for 1 minute, removing the test piece from the tester, measuring the distance L (mm) between the two benchmark lines, and calculating from the following formula :
(Formula) ... restoration rate (%) = (80 - L) ÷ 40 x 100
前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が5体積%~65体積%である、請求項1に記載の離型フィルム。 The release film according to claim 1, wherein the volume ratio of the resin particles in the release layer is 5 volume % to 65 volume %. 前記基材層がポリエステルフィルムである、請求項1又は請求項2に記載の離型フィルム。 The release film according to claim 1 or 2, wherein the base layer is a polyester film. 基材層と、
前記基材層の片面に配置され、樹脂粒子を含む離型層と、を有し、
温度170℃における引張弾性率が150MPa以下であり且つ温度170℃における復元率が70%以上であり、
前記復元率は、離型フィルムをJIS K6251:2010に規格されているダンベル状1号形試験片の形状に切り取り、試験片の中央部に40mm離れて平行な2本の標線をつけ、試験片を引張試験機に設置し、温度170℃下、引張速度500mm/分にて試験片を100%延伸し、次いで、引張試験機の試験片つかみ具をもとの位置まで戻し、1分間静置後、試験片を試験機から外して、2本の標線の間の距離L(mm)を計測し、下記の式から算出する、半導体パッケージの製造に用いるための離型フィルム。
(式)・・・復元率(%)=(80-L)÷40×100
A base layer;
A release layer is disposed on one surface of the base layer and contains resin particles,
The tensile modulus at a temperature of 170° C. is 150 MPa or less and the recovery rate at a temperature of 170° C. is 70% or more,
The restoration rate is calculated by cutting a release film into the shape of a dumbbell-shaped No. 1 test piece specified in JIS K6251:2010, marking two parallel lines 40 mm apart in the center of the test piece, placing the test piece in a tensile tester, stretching the test piece by 100% at a temperature of 170°C and a tensile speed of 500 mm/min, returning the test piece gripper of the tensile tester to its original position, leaving the test piece still for 1 minute, removing the test piece from the tester, measuring the distance L (mm) between the two marks, and calculating from the following formula: Release film for use in manufacturing semiconductor packages.
(Formula) ... restoration rate (%) = (80 - L) ÷ 40 x 100
前記離型層に占める前記樹脂粒子の体積割合が5体積%~65体積%である、請求項4に記載の離型フィルム。 The release film according to claim 4, wherein the volume ratio of the resin particles in the release layer is 5 volume % to 65 volume %. 前記基材層がポリエステルフィルムである、請求項4又は請求項5に記載の離型フィルム。 The release film according to claim 4 or claim 5, wherein the base layer is a polyester film. 半導体パッケージのコンプレッション成型に用いるための、請求項1~請求項6のいずれか1項に記載の離型フィルム。 The release film according to any one of claims 1 to 6, for use in compression molding of semiconductor packages. 請求項1~請求項7のいずれか1項に記載の離型フィルムが配置された金型を用いて、封止材により半導体チップを封止して半導体パッケージを成型する、半導体パッケージの製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor package, comprising: using a mold on which the release film according to any one of claims 1 to 7 is placed, sealing a semiconductor chip with a sealing material to form a semiconductor package.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024023945A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 株式会社レゾナック Release film and method for manufacturing semiconductor package
CN119855880A (en) * 2022-09-22 2025-04-18 琳得科株式会社 Pressure-sensitive adhesive sheet

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092272A (en) 2014-11-06 2016-05-23 日立化成株式会社 Release sheet for semiconductor compression molding, and semiconductor package molded by use thereof
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049850A (en) * 2004-06-29 2006-02-16 Asahi Glass Co Ltd Release film for semiconductor chip sealing
KR20110044243A (en) * 2008-08-28 2011-04-28 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 Mold release film for semiconductor resin package manufacture, and manufacturing method of semiconductor resin package using the same
JP5335731B2 (en) * 2010-05-17 2013-11-06 三井化学株式会社 Release film and LED package manufacturing method using the same
TWI697406B (en) * 2016-05-20 2020-07-01 日商日立化成股份有限公司 Release sheet for compression molding of a semiconductor, and semiconductor package molded using the same
CN109153155B (en) * 2016-05-20 2020-11-10 昭和电工材料株式会社 release film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092272A (en) 2014-11-06 2016-05-23 日立化成株式会社 Release sheet for semiconductor compression molding, and semiconductor package molded by use thereof
JP2017205902A (en) 2016-05-16 2017-11-24 三井化学東セロ株式会社 Release film suitable for manufacture of multilayer printed wiring board

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