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JP7594597B2 - ASSEMBLY FOR MATERIAL EVAPORATION, VACUUM DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD FOR MATERIAL EVAPORATION - Patent application - Google Patents
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ASSEMBLY FOR MATERIAL EVAPORATION, VACUUM DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD FOR MATERIAL EVAPORATION - Patent application Download PDF

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Description

[0001]本開示は、材料蒸発、例えば有機材料の蒸発のためのアセンブリおよび方法に関する。本開示の実施形態は、特に、蒸気流を生成するためのアセンブリおよび方法に関し、特に、真空堆積システムにおいて有機発光ダイオード(OLED)を作製するのに適した有機材料蒸気流を生成するためのアセンブリおよび方法に関する。特に、本開示の実施形態は、材料蒸発のためのアセンブリ、真空堆積装置、および材料蒸発のための方法に関する。 [0001] The present disclosure relates to assemblies and methods for material evaporation, e.g., evaporation of organic materials. Embodiments of the present disclosure relate, in particular, to assemblies and methods for generating a vapor flow, and in particular, to an assembly and method for generating an organic material vapor flow suitable for making organic light emitting diodes (OLEDs) in a vacuum deposition system. In particular, embodiments of the present disclosure relate to assemblies for material evaporation, vacuum deposition apparatus, and methods for material evaporation.

[0002]多くの技術分野や用途において、基板上に材料の層を堆積させることは有益である。特に、有機発光ダイオード(OLED)の製造中には、1種類以上の材料の薄膜が、基板上に形成される。特に、有機材料の層は、蒸発によって形成される。材料の蒸発には、蒸気の流れを発生させるために、るつぼを使用することができる。蒸気はマスクを通って、基板上に所定のパターンで膜を形成する。また、OLEDの作製には、ホストとドーパントなどの2種類以上の材料の共堆積も考えられている。 [0002] In many technical fields and applications, it is useful to deposit a layer of material on a substrate. In particular, during the manufacture of organic light emitting diodes (OLEDs), a thin film of one or more materials is formed on a substrate. In particular, the layer of organic material is formed by evaporation. For the evaporation of the material, a crucible can be used to generate a vapor stream. The vapor passes through a mask to form a film on the substrate in a predetermined pattern. Co-deposition of two or more materials, such as a host and a dopant, is also contemplated for the fabrication of OLEDs.

[0003]OLEDは、発光層が特定の有機材料の薄膜を含む発光ダイオードである。OLEDは、特に、テレビ画面、コンピューターモニター、携帯電話などのディスプレイ、照明用途に使用されている。OLEDディスプレイは、従来のLCDディスプレイと比較して、より優れた性能を示す。特に、OLEDディスプレイは、高輝度・高コントラスト、広視野角、色の範囲の向上を提供する。ディスプレイに画素を表示するためにOLEDが使われているが、OLEDは直接発光するので、バックライトが不要である。そのため、性能の向上に加え、OLEDディスプレイのエネルギー消費も、従来のLCDディスプレイに比べて大幅に削減される。OLEDは、フレキシブルな基板上に製造することもできる。 [0003] OLEDs are light-emitting diodes whose light-emitting layer comprises a thin film of certain organic materials. OLEDs are used in display and lighting applications, particularly in television screens, computer monitors, and mobile phones. OLED displays exhibit superior performance compared to conventional LCD displays. In particular, OLED displays offer higher brightness, higher contrast, wider viewing angles, and improved color range. OLEDs are used to display pixels, but because OLEDs emit light directly, no backlighting is required. Thus, in addition to improved performance, OLED displays also consume significantly less energy than conventional LCD displays. OLEDs can also be fabricated on flexible substrates.

[0004]OLEDは、2つの電極の間に1層以上の有機材料を含む。OLEDディスプレイでは、したがって有機蒸発器を用いて基板上に層が堆積され、個別に制御可能な画素を持つマトリックスを形成する。有機蒸発器では、有機材料を加熱して蒸発させる。次に、蒸気がマスクを通して基板上に導かれ、所定のパターンで層を形成する。 [0004] An OLED contains one or more layers of organic material between two electrodes. In an OLED display, layers are therefore deposited onto a substrate using an organic evaporator to form a matrix of individually controllable pixels. In the organic evaporator, the organic material is heated to cause it to evaporate. The vapor is then directed through a mask onto the substrate to form a layer in a predetermined pattern.

[0005]堆積させる材料の蒸発には、るつぼを使用することができる。蒸発させる材料は、通常、粉体として、固体状態で、るつぼ内に配置され、るつぼ内に配置された材料を蒸発させるために、熱が供給される。 [0005] A crucible can be used to evaporate the material to be deposited. The material to be evaporated is placed in the crucible in a solid state, usually as a powder, and heat is supplied to evaporate the material placed in the crucible.

[0006]蒸発時に劣化しやすい非常に不安定な有機材料の劣化を避けながら、るつぼ内の材料の蒸発速度を正確に保証することは、困難な場合がある。 [0006] It can be difficult to accurately guarantee the evaporation rate of the material in the crucible while avoiding degradation of highly unstable organic materials that are prone to degradation upon evaporation.

[0007]それゆえ、材料の劣化を最小限に抑えるために、るつぼ内の熱または熱分布を制御することは、有益である。この利点は、OLEDならびにOLEDスクリーンおよびディスプレイの製造に特に関連する。 [0007] It is therefore beneficial to control the heat or heat distribution within the crucible to minimize material degradation. This advantage is particularly relevant to the manufacture of OLEDs and OLED screens and displays.

[0008]上記に照らして、材料蒸発のためのアセンブリ、真空堆積装置、および材料蒸発のための方法が提供される。さらなる詳細、態様、利点、および特徴が、従属請求項、詳細な説明、および添付の図面から明らかである。 [0008] In light of the above, an assembly for material evaporation, a vacuum deposition apparatus, and a method for material evaporation are provided. Further details, aspects, advantages, and features are apparent from the dependent claims, detailed description, and accompanying drawings.

[0009]一実施形態によれば、材料蒸発のためのアセンブリが提供される。材料蒸発のためのアセンブリは、材料蒸発のための材料を収容するように構成されたるつぼと、るつぼ内に配置された1つ以上のメッシュ構造体と、誘導エネルギーを提供するように構成された1つ以上のコイルとを含み、誘導エネルギーは、材料蒸発のために1つ以上のメッシュ構造体を加熱する。 [0009] According to one embodiment, an assembly for material evaporation is provided. The assembly for material evaporation includes a crucible configured to contain material for material evaporation, one or more mesh structures disposed within the crucible, and one or more coils configured to provide inductive energy, the inductive energy heating the one or more mesh structures for material evaporation.

[0010]一実施形態によれば、真空堆積装置が提供される。真空堆積装置は、本開示のいずれかの実施形態による材料蒸発のためのアセンブリを含む。 [0010] According to one embodiment, a vacuum deposition apparatus is provided. The vacuum deposition apparatus includes an assembly for material evaporation according to any embodiment of the present disclosure.

[0011]一実施形態によれば、材料蒸発のための方法が提供される。材料蒸発のための方法は、1つ以上のメッシュ構造体の少なくとも1つのメッシュ構造体が材料と接触するように、るつぼ内に材料を用意すること、アセンブリの1つ以上のコイルに電流を流すこと、および誘導加熱により材料を蒸発させることを含む。 [0011] According to one embodiment, a method for material evaporation is provided. The method for material evaporation includes providing a material in a crucible such that at least one mesh structure of one or more mesh structures contacts the material, passing a current through one or more coils of the assembly, and evaporating the material by inductive heating.

[0012]本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施態様を参照することによって行われ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、例示的な実施態様のみを示し、したがって、範囲を限定すると見なされるべきではなく、他の同等に有効な実施態様を認めることができることに留意されたい。 [0012] In order that the above features of the present disclosure may be understood in detail, a more particular description of the present disclosure briefly summarized above will be made by reference to embodiments, some of which are illustrated in the accompanying drawings. It should be noted, however, that the accompanying drawings show only exemplary embodiments and therefore should not be considered limiting in scope, as other equally effective embodiments may be recognized.

本開示の実施形態による材料蒸発のためのアセンブリの概略断面図を示す。FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an assembly for material evaporation according to an embodiment of the present disclosure. 分配管を備えた、本開示の実施形態による材料蒸発のためのアセンブリの概略断面図を示す。FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an assembly for material evaporation according to an embodiment of the present disclosure, including a distribution pipe. るつぼの底壁の近くに開口部を備えた、本開示の実施形態による材料蒸発のためのアセンブリの概略断面図を示す。1 shows a schematic cross-sectional view of an assembly for material evaporation according to an embodiment of the present disclosure with an opening near the bottom wall of the crucible. 本開示の実施形態による蒸発装置の概略図を示す。1 shows a schematic diagram of an evaporation device according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の実施形態による材料蒸発のための実施形態を示すフローチャートである。1 is a flow chart illustrating an embodiment for material evaporation according to an embodiment of the present disclosure.

[0018]次に、様々な実施形態について詳細に言及する。実施形態の1つ以上の例が、各図に示されている。各例は、説明のために提供されるものであり、限定を意味するものではない。例えば、ある実施形態の一部として図示または説明された特徴は、他の任意の実施形態で、またはそれと組み合わせて使用されて、さらに別の実施形態をもたらすことができる。本開示は、このような修正および変形を含むことが意図される。図に示された詳細、寸法、角度、その他の特徴の多くは、特定の実施態様を例示したものに過ぎない。したがって、他の実施態様は、本開示の精神または範囲から逸脱することなく、他の詳細、構成要素、および特徴を有することができる。さらに、本開示のさらなる実施態様は、以下に説明する詳細のいくつかがなくても、実施することができる。 [0018] Reference will now be made in detail to the various embodiments. One or more examples of the embodiments are illustrated in the figures. Each example is provided by way of explanation and not meant to be limiting. For example, features illustrated or described as part of one embodiment can be used on or in combination with any other embodiment to yield yet another embodiment. The present disclosure is intended to include such modifications and variations. Many of the details, dimensions, angles, and other features shown in the figures are merely illustrative of particular implementations. Thus, other implementations can have other details, components, and features without departing from the spirit or scope of the present disclosure. Moreover, further implementations of the present disclosure can be practiced without some of the details described below.

[0019]以下の図面の説明において、同じ参照番号は、同じまたは類似の構成要素を示している。一般的には、個々の実施形態に関する相違点のみを説明する。特に断らない限り、ある実施形態における部分または態様の説明は、他の実施形態における対応する部分または態様にも適用することができる。 [0019] In the following description of the drawings, the same reference numbers indicate the same or similar components. Generally, only the differences with respect to the individual embodiments are described. Unless otherwise specified, the description of a part or aspect in one embodiment may also apply to the corresponding part or aspect in other embodiments.

[0020]本明細書に記載されるアセンブリおよび方法は、特に、例えば、OLEDならびにOLEDディスプレイ、スクリーンおよびモニターの製造に用いられるような有機蒸発器における、材料蒸発のために構成されている。 [0020] The assemblies and methods described herein are particularly configured for material evaporation in organic evaporators such as those used in the manufacture of OLEDs and OLED displays, screens and monitors.

[0021]本開示の実施形態において、蒸気は、るつぼ、特にセラミックるつぼ内で誘導によって生成される。るつぼは、1つ以上のメッシュ構造体を含む。例えば、誘導熱を1つ以上のメッシュ構造体に伝達するために、1つ以上の導電体が、るつぼ内に設けられてもよい。いくつかの実施形態では、導電体は、るつぼの内壁に隣接して配置されたリング、特に金属リングとすることができる。 [0021] In embodiments of the present disclosure, steam is generated by induction in a crucible, particularly a ceramic crucible. The crucible includes one or more mesh structures. For example, one or more electrical conductors may be provided within the crucible to transfer induced heat to the one or more mesh structures. In some embodiments, the electrical conductors may be rings, particularly metal rings, disposed adjacent to an inner wall of the crucible.

[0022]本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、材料蒸発のためのアセンブリが提供される。アセンブリは、材料蒸発のための材料を収容するように構成されたるつぼと、るつぼ内に配置された1つ以上のメッシュ構造体とを含む。1つ以上のコイルが、誘導エネルギーを提供するように構成され、誘導エネルギーは、材料蒸発のために1つ以上のメッシュ構造体を加熱する。例えば、1つ以上のコイルは、1つ以上の導電体を加熱することにより、1つ以上のメッシュ構造体を間接的に加熱してもよい。加えて、または代わりに、1つ以上のコイルは、例えば、メッシュ構造体内に誘導電流を発生させることによって、1つ以上のメッシュ構造体を直接加熱してもよい。 [0022] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, an assembly for material evaporation is provided. The assembly includes a crucible configured to contain material for material evaporation and one or more mesh structures disposed within the crucible. One or more coils are configured to provide inductive energy, which heats the one or more mesh structures for material evaporation. For example, the one or more coils may indirectly heat the one or more mesh structures by heating one or more electrical conductors. Additionally or alternatively, the one or more coils may directly heat the one or more mesh structures, for example, by generating an induced current in the mesh structure.

[0023]図1は、本開示の実施形態による材料蒸発のためのアセンブリの概略断面図を示す。材料蒸発のためのアセンブリ100は、るつぼ110と、るつぼ内に配置された1つ以上のメッシュ構造体130と、1つ以上のコイル140とを含む。1つ以上のコイル140のコイルに流れる電流は、1つ以上のメッシュの少なくとも1つのメッシュを加熱する。1つ以上のコイル140のコイルは、るつぼ110内の1つ以上のメッシュ130の少なくとも1つのメッシュに伝達される誘導加熱を提供するように構成される。いくつかの実施形態では、3つ以上のコイルを提供することができ、各コイルは、1つ以上のメッシュ構造体の対応するメッシュ構造体に加熱を提供するように構成される。例えば、6つ以上のコイルを提供することができる。 [0023] FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an assembly for material evaporation according to an embodiment of the present disclosure. The assembly for material evaporation 100 includes a crucible 110, one or more mesh structures 130 disposed within the crucible, and one or more coils 140. Current flowing through the coils of the one or more coils 140 heats at least one mesh of the one or more meshes. The coils of the one or more coils 140 are configured to provide inductive heating that is transferred to at least one mesh of the one or more meshes 130 within the crucible 110. In some embodiments, three or more coils can be provided, each coil configured to provide heating to a corresponding mesh structure of the one or more mesh structures. For example, six or more coils can be provided.

[0024]いくつかの実施形態によれば、3つのメッシュ構造体が、るつぼの充填高さに沿って提供され得る。るつぼ内に提供された材料の量に応じて、複数のメッシュ構造体のうちのメッシュ構造体をオンまたはオフに切り替えることができる。具体的には、より多くの材料が、るつぼに提供されるほど、加熱されるメッシュ構造体の量を減らすことができる。したがって、るつぼに提供された材料への熱負荷を減らすことができ、同時に、メッシュ構造体による蒸発材料の目詰まりを回避することができる。 [0024] According to some embodiments, three mesh structures may be provided along the filling height of the crucible. Depending on the amount of material provided in the crucible, the mesh structures of the plurality of mesh structures may be switched on or off. In particular, the more material is provided to the crucible, the less amount of mesh structures that are heated. Thus, the heat load on the material provided to the crucible may be reduced, while at the same time, clogging of the evaporated material by the mesh structures may be avoided.

[0025]図1に例示的に示すように、1つ以上の導電体120が、るつぼ110内にある。1つ以上のコイル140のうちの1つ以上のコイルに流れる電流は、1つ以上の導体120のうちの1つ以上の導体の内部に電流を誘導する。したがって、1つ以上の導体は、誘導加熱によって加熱される。誘導加熱は、1つ以上の導体から、るつぼ110内に配置された1つ以上のメッシュ構造体130のうちのそれぞれのメッシュ構造体に伝達される。 [0025] As exemplarily shown in FIG. 1, one or more electrical conductors 120 are located within the crucible 110. Current flowing through one or more of the one or more coils 140 induces current within one or more of the one or more conductors 120. Thus, the one or more conductors are heated by induction heating. Induction heating is transferred from the one or more conductors to respective mesh structures of one or more mesh structures 130 disposed within the crucible 110.

[0026]いくつかの実施形態では、るつぼは、材料によって、特に、OLED、例えば、またはOLEDディスプレイもしくはスクリーンの製造のための有機材料によって、少なくとも部分的に満たされている。材料は、1つ以上のメッシュ構造体130のメッシュを通過して、るつぼ110内の容積またはメッシュ構造体間の容積、またはメッシュ構造体とるつぼの壁との間の容積を少なくとも部分的に満たす粉体であり得る。加熱するために、粉体は、1つ以上のメッシュ構造体130のメッシュ構造体に接触することができる。 [0026] In some embodiments, the crucible is at least partially filled with material, particularly with organic material for the manufacture of OLEDs, e.g., or OLED displays or screens. The material can be a powder that passes through the meshes of one or more mesh structures 130 to at least partially fill the volume in the crucible 110 or the volume between the mesh structures, or the volume between the mesh structures and the walls of the crucible. To heat, the powder can contact the mesh structures of one or more mesh structures 130.

[0027]1つ以上のコイル140の少なくとも1つのコイルに電流が流れると、るつぼ内の1つ以上の導電体120の少なくとも1つの導電体が、電磁誘導によって、すなわち誘導加熱によって加熱される。いくつかの実施形態では、熱は、少なくとも1つの導電体から1つ以上のメッシュ構造体130の少なくとも1つのメッシュ構造体へ、さらに伝達される。少なくとも1つの導電体から少なくとも1つのメッシュ構造体に熱が伝達されると、メッシュ構造体が熱くなり、メッシュ構造体に接触している粉体やメッシュ構造体を埋没させている粉体に熱がさらに伝達され、粉体が蒸発する。 [0027] When current flows through at least one of the one or more coils 140, at least one of the one or more electrical conductors 120 in the crucible is heated by electromagnetic induction, i.e., by inductive heating. In some embodiments, heat is further transferred from the at least one electrical conductor to at least one of the mesh structures 130. When heat is transferred from the at least one electrical conductor to the at least one mesh structure, the mesh structure heats up, and heat is further transferred to the powder in contact with or embedded in the mesh structure, causing the powder to vaporize.

[0028]例えば、1つ以上の導電体をリング状またはリングの形になるように設けることが有利である。したがって、1つ以上の導電体は、1つ以上の導電体によって間接的に加熱されるようにメッシュ構造体を囲むことができる。加えて、または代わりに、1つ以上の導電体120は、るつぼの1つ以上の内壁の近くに配置され得る。あるいは、1つ以上の導電体は、誘導によって加熱されるのに適している限り、るつぼ内で異なる位置に配置されていてもよい。1つ以上の導電体、具体的には1つ以上の金属リングが、誘導によって加熱され、熱が、隣接するメッシュ構造体に伝達される。メッシュに接触している材料蒸発のための材料が、加熱され、その間、るつぼの壁は、蒸発している材料に比べ低温である。したがって、特に、るつぼの壁から熱が供給されるようなるつぼと比較して、有機材料への熱負荷を減らすことができる。 [0028] For example, it is advantageous to provide one or more conductors in the form of a ring. Thus, one or more conductors can surround the mesh structure so that it is indirectly heated by the one or more conductors. Additionally or alternatively, one or more conductors 120 can be located near one or more inner walls of the crucible. Alternatively, the one or more conductors can be located at different positions in the crucible, as long as they are suitable for being heated by induction. One or more conductors, in particular one or more metal rings, are heated by induction and the heat is transferred to the adjacent mesh structure. The material for material evaporation in contact with the mesh is heated while the wall of the crucible is at a lower temperature than the material being evaporated. Thus, the heat load on the organic material can be reduced, especially compared to a crucible in which heat is provided from the wall of the crucible.

[0029]いくつかの実施形態では、るつぼは、壁、例えば、頂壁、底壁、側壁を含む。図2に示すように、開口部210が、壁に設けられており、例えば、図1および図2では頂壁に、図3では底壁に設けられている。コイルが、るつぼの外側の側面に巻かれている。いくつかの実施形態では、材料は、るつぼの壁の充填開口部を通して、るつぼ内に移送されることができる。前記充填開口部は、例えば、適切なシールまたはプラグで、密閉可能であってもよい。 [0029] In some embodiments, the crucible includes walls, e.g., a top wall, a bottom wall, and a side wall. As shown in FIG. 2, an opening 210 is provided in the wall, e.g., in the top wall in FIGS. 1 and 2 and in the bottom wall in FIG. 3. A coil is wound around the outer side of the crucible. In some embodiments, material can be transferred into the crucible through a fill opening in the crucible wall. The fill opening may be sealable, e.g., with a suitable seal or plug.

[0030]いくつかの実施形態では、別々に作動できる1つ以上のコイル、例えば3つのコイルが存在し、すなわち、電流を各コイルに別々に流すことができる。例えば、コイルは、例えば、アクティブ水冷などの水冷によって、冷却されることができる。いくつかの実施形態では、1つ以上のコイル140をよりよく冷却するために、水または冷却流体が、1つ以上のコイル140の中空ワイヤ内を流れてもよい。加えて、または代わりに、1つ以上のコイルのワイヤ間または導体間に冷却流体を供給することができる。流体は、気体または液体であり得る。 [0030] In some embodiments, there are one or more coils, e.g., three coils, that can be operated separately, i.e., current can be passed through each coil separately. For example, the coils can be cooled, e.g., by water cooling, such as active water cooling. In some embodiments, water or a cooling fluid can flow within the hollow wires of one or more coils 140 to better cool one or more coils 140. Additionally or alternatively, a cooling fluid can be provided between the wires or conductors of one or more coils. The fluid can be a gas or a liquid.

[0031]図5は、材料蒸発のための方法600のフローチャートを示す。るつぼの内部の上側にあるメッシュ構造体、すなわち図1における上側のメッシュ構造体まで充填され得る、図1に示するつぼを考えると、一番上のコイルのみを作動させることができる(ボックス610で示される)。有機材料の表面、例えば、るつぼに充填されたある量の粉体の上面が、一番上のメッシュによって加熱され、一番上のメッシュは、一番上のコイルによって加熱される。残りのコイルは、作動されない。したがって、残りのメッシュは、能動的に加熱されることがなく、材料の劣化を回避または低減することができる。蒸発器のさらなる動作の間、有機材料は消費され、図1に示される例示的な実施形態において、るつぼ内の有機材料の充填レベルが低下する。充填レベルは、一番上のメッシュ構造体より低くなるように低下し得る。それに応じて、先に作動されたメッシュ構造体より下のさらなるメッシュ構造体が、さらなる別のコイルの作動によって追加的に加熱され得る(ボックス620で示される)。時間とともに、中央のコイル、そして最後に一番下のコイルが、プロセスに加えられ、るつぼ内の材料を全て蒸発させる。 [0031] FIG. 5 shows a flow chart of a method 600 for material evaporation. Considering the crucible shown in FIG. 1, which may be filled up to the upper mesh structure inside the crucible, i.e., the upper mesh structure in FIG. 1, only the top coil may be activated (indicated by box 610). The surface of the organic material, e.g., the top surface of a quantity of powder filled in the crucible, is heated by the top mesh, which is heated by the top coil. The remaining coils are not activated. Thus, the remaining mesh is not actively heated, and material degradation can be avoided or reduced. During further operation of the evaporator, the organic material is consumed and, in the exemplary embodiment shown in FIG. 1, the filling level of the organic material in the crucible decreases. The filling level may decrease to be lower than the top mesh structure. Accordingly, further mesh structures below the previously activated mesh structure may be additionally heated by the activation of further separate coils (indicated by box 620). Over time, the middle coil and finally the bottom coil are added to the process, vaporizing all of the material in the crucible.

[0032]蒸発させる材料だけが蒸発温度になればよいので、上から下へコイルを作動させること、つまり、最初は一番上のコイルだけを作動させ、時間とともに中央のコイル、そして最後に一番下のコイルの作動を追加することが、有利である。それ以外の材料は、より低温のままとすることができる。さらに、後続のより低いコイルの作動、例えば、後続のより低いメッシュの加熱(ボックス620を参照)に際して、より上のコイルは、低い充填レベルに対してより上のメッシュ構造体の目詰まりを回避するために、アクティブなままである。 [0032] Because only the material to be evaporated needs to be at evaporation temperature, it is advantageous to operate the coils from top to bottom, i.e., operate only the top coil at first, and over time add the middle coils and finally the bottom coil. The remaining material can remain at a lower temperature. Furthermore, upon subsequent operation of the lower coils, e.g., subsequent heating of the lower mesh (see box 620), the upper coils remain active to avoid clogging of the upper mesh structure for the lower fill level.

[0033]本開示に関連する1つの特定の利点は、例えば、蒸発プロセス中の材料劣化の回避または低減である。また、蒸発材料の熱負荷が軽減され、より大きな表面積が、蒸発のために利用できる。他の実施形態では、異なる数のコイルが存在してもよく、電流は、上から下への方向に沿って隣接するコイルに順次、流される。電力消費などによりコイルに発生する熱を放散させるために、アクティブ冷却を使用することができる。 [0033] One particular advantage associated with the present disclosure is, for example, avoidance or reduction of material degradation during the evaporation process. Also, the thermal load of the evaporation material is reduced and a larger surface area is available for evaporation. In other embodiments, there may be a different number of coils and current is passed sequentially through adjacent coils along a top-to-bottom direction. Active cooling may be used to dissipate heat generated in the coils due to power consumption, etc.

[0034]図2に示すように、開口部210を、るつぼの頂壁内または頂壁の近くに設けることができ、蒸発した材料の蒸気が、前記開口部を通って、例えば、分配管200内を流れ、開口部202を通って、コーティングされるべき基板上に導かれる。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、1つ以上の導電体120は、例えば伝導によって、1つ以上のメッシュ構造体に熱を伝達するために、1つ以上のメッシュ構造体130に連結されている。上述したように、各導電体は、対応するメッシュ構造体に連結されてもよい。あるいは、各導電体は、対応するメッシュ構造体のセット、例えば、るつぼ内に配置された2つ以上のメッシュ構造体に連結させることができる。 [0034] As shown in FIG. 2, an opening 210 can be provided in or near the top wall of the crucible through which vapor of the evaporated material flows, for example, through distribution tube 200 and through opening 202 onto the substrate to be coated. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, one or more electrical conductors 120 are coupled to one or more mesh structures 130 for transferring heat, for example, by conduction, to the one or more mesh structures. As discussed above, each electrical conductor may be coupled to a corresponding mesh structure. Alternatively, each electrical conductor may be coupled to a corresponding set of mesh structures, for example, two or more mesh structures disposed within the crucible.

[0036]蒸発させる材料、例えば粉体を、るつぼ110内に配置することができる。例えば、粉体を、例えば、るつぼ110の頂壁内もしくは頂壁の近くの開口部210を通して、または密閉可能な開口部を通して導入することができる。分配管は、るつぼに材料を導入することを可能にするため、例えば、粉体の導入を可能にするために、取り外し可能で、一時的に分解されてもよい。るつぼ110内に導入された材料は、るつぼ内のメッシュ構造体を覆うことができる。図2では、3つのコイル140が、例示的に示されている。図5に示すような、材料蒸発のための方法600によれば、ボックス610に従って、図2に示す一番上のコイルに電流が流され、それゆえ、開口部210に最も近い一番上のメッシュ構造体が加熱される。そのため、一番上のメッシュ構造体に接触している材料が、蒸発する。一番上のメッシュ構造体に接触している全ての材料が完全に蒸発すると、ボックス620に従って、図2に示す3つのコイル140のうちの中間のコイルにも電流が流され、図2に示すメッシュ構造体130のうちの中間のメッシュ構造体の上にある材料が蒸発する。中間のメッシュ構造体に接触している材料も完全に蒸発すると、最後に、図5のボックス620に従って、図2に示した3つのメッシュ構造体130のうちの一番下のメッシュ構造体を加熱するために、3つのコイル140のうちの一番下のコイルにも電流が流される。 [0036] The material to be evaporated, e.g., powder, can be placed in the crucible 110. For example, the powder can be introduced, e.g., through an opening 210 in or near the top wall of the crucible 110, or through a sealable opening. The distribution tube may be removable and temporarily disassembled to allow the introduction of material to the crucible, e.g., to allow the introduction of powder. The material introduced into the crucible 110 can cover the mesh structure in the crucible. In FIG. 2, three coils 140 are exemplarily shown. According to the method 600 for material evaporation as shown in FIG. 5, a current is applied to the top coil shown in FIG. 2 according to box 610, thus heating the top mesh structure closest to the opening 210. Thus, the material in contact with the top mesh structure is evaporated. Once all of the material in contact with the top mesh structure has been completely vaporized, current is also passed through the middle coil of the three coils 140 shown in FIG. 2 in accordance with box 620 to vaporize the material on the middle mesh structure of the mesh structures 130 shown in FIG. 2. Finally, once the material in contact with the middle mesh structure has also been completely vaporized, current is also passed through the bottom coil of the three coils 140 in accordance with box 620 in FIG. 5 to heat the bottom mesh structure of the three mesh structures 130 shown in FIG. 2.

[0037]蒸発中、蒸気は、るつぼ110の頂壁内の開口部210または頂壁の近くの開口部210を通過し、分配管200を通って流れ、最後に分配管200の開口部202から均一な流れで出て、本開示の実施形態による真空堆積装置内で基板をコーティングする。 [0037] During evaporation, the vapor passes through openings 210 in or near the top wall of the crucible 110, flows through the distribution tube 200, and finally exits in a uniform flow through openings 202 of the distribution tube 200 to coat a substrate in a vacuum deposition apparatus according to an embodiment of the present disclosure.

[0038]いくつかの実施形態では、メッシュ構造体と導電体を形成するリング(例えば金属リング)との間に良好な熱的接触が提供される。1つ以上のメッシュ構造体は、良好な熱伝導性を示す。いくつかの実施形態では、1つ以上のメッシュ構造体は、セラミック材料を含む。例えば、1つ以上のメッシュ構造体は、AlNまたはシェイパル(Shapal)、すなわちAlNとBNの組み合わせ、例えば70%の窒化アルミニウムと30%の窒化ホウ素を含むことができ、またはそれらから構成されることができる。1つ以上のメッシュ構造体は、炭化ケイ素を含んでもよい。 [0038] In some embodiments, good thermal contact is provided between the mesh structure and the rings (e.g., metal rings) that form electrical conductors. The one or more mesh structures exhibit good thermal conductivity. In some embodiments, the one or more mesh structures include a ceramic material. For example, the one or more mesh structures can include or consist of AlN or Shapal, i.e., a combination of AlN and BN, e.g., 70% aluminum nitride and 30% boron nitride. The one or more mesh structures may include silicon carbide.

[0039]本明細書に記載の実施形態によれば、有機材料は、同程度の低温のるつぼに収容されることができる。そのため、材料の劣化を防ぐことができる。有機材料は、短時間、加熱されて、蒸発し、例えば、メッシュ構造体に近い材料だけが、加熱される。したがって、本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる例示的な実施形態は、同程度の低い熱伝導率のるつぼを有する。るつぼは、セラミック材料を含んでもよい。るつぼは、SiCを含んでもよいが、るつぼの熱伝導率が炭化ケイ素より低くなるようなセラミックが、用いられてもよい。したがって、るつぼと1つ以上のメッシュ構造体のアセンブリに導入された熱による、るつぼの他の領域、例えば、現在加熱されていない領域における温度上昇を、少なくすることができる。いくつかの実施形態によれば、るつぼは、ZrO2、AlO2、またはPBN(熱分解窒化ホウ素)を含むか、またはこれらから構成されてもよい。 [0039] According to the embodiments described herein, the organic material can be contained in a crucible with a similar low temperature. This prevents degradation of the material. The organic material is heated for a short time and vaporizes, e.g., only the material close to the mesh structure is heated. Thus, an exemplary embodiment that can be combined with other embodiments described herein has a crucible with a similar low thermal conductivity. The crucible may include a ceramic material. The crucible may include SiC, but ceramics may be used that provide a lower thermal conductivity for the crucible than silicon carbide. Thus, the heat introduced into the assembly of the crucible and one or more mesh structures can reduce the temperature rise in other areas of the crucible, e.g., areas that are not currently heated. According to some embodiments, the crucible may include or be made of ZrO2, AlO2, or PBN (pyrolytic boron nitride).

[0040]いくつかの実施形態では、1つ以上のコイル140の各コイルを流れる電流を個別に制御することにより、コイルに結合された1つ以上の導電体の誘導加熱を個別に制御することができる。1つ以上のコイル140の各コイルに流れる電流を個別に制御することにより、1つ以上のメッシュ構造体の加熱を個別に制御することができる。 [0040] In some embodiments, the current through each coil of the one or more coils 140 can be individually controlled to individually control the inductive heating of one or more electrical conductors coupled to the coils. The current through each coil of the one or more coils 140 can be individually controlled to individually control the heating of one or more mesh structures.

[0041]いくつかの実施形態では、材料蒸発のためのアセンブリ100は、底壁、頂壁、側壁、頂壁内または頂壁の近くの開口部を含み、1つ以上のコイルが、るつぼの側壁の周りに配置されている。 [0041] In some embodiments, the assembly 100 for material evaporation includes a bottom wall, a top wall, a side wall, an opening in or near the top wall, and one or more coils are disposed around the side wall of the crucible.

[0042]いくつかの実施形態では、材料蒸発のためのアセンブリの底壁および頂壁は、地表に対して平行に配置され、頂壁は、アセンブリの底壁よりも地表から高い距離/高さにある。いくつかの実施形態では、るつぼ内で発生した蒸気は、頂壁内の開口部210または頂壁の近くの開口部210を通って垂直方向に流れる。 [0042] In some embodiments, the bottom and top walls of the assembly for material evaporation are positioned parallel to the ground surface, with the top wall at a higher distance/height from the ground surface than the bottom wall of the assembly. In some embodiments, vapor generated in the crucible flows vertically through openings 210 in or near the top wall.

[0043]1つ以上のコイル140は、さらに、能動的に冷却されてもよい。例えば、るつぼの壁と材料蒸発のためのアセンブリのさらに外側の壁との間の空間において、1つ以上のコイルの周囲に水が流れてもよい。さらに、加えて、または代わりに、コイルは、中空の巻線または導体を含んでもよい。巻線または導体を中空にすることで、コイルの巻線または導体内を冷却することができる。 [0043] The one or more coils 140 may also be actively cooled. For example, water may flow around the one or more coils in the space between the crucible wall and the outermost wall of the material evaporation assembly. Further, in addition, or instead, the coil may include hollow windings or conductors. Making the windings or conductors hollow allows for cooling within the coil windings or conductors.

[0044]いくつかの実施形態では、材料蒸発のためのアセンブリは、底壁、頂壁、側壁、底壁内または底壁の近くの開口部310を含み、1つ以上のコイルが、るつぼの側壁の周りに配置されている。蒸発した材料の蒸気は、底壁内または底壁の近くの開口部310を通って流れ、したがって、蒸気が頂壁の開口部を通って流れる他の実施形態と比較すると、反対方向に進む。 [0044] In some embodiments, the assembly for material evaporation includes a bottom wall, a top wall, a side wall, an opening 310 in or near the bottom wall, and one or more coils are disposed around the side walls of the crucible. Vapor of evaporated material flows through the opening 310 in or near the bottom wall, thus traveling in the opposite direction compared to other embodiments in which the vapor flows through an opening in the top wall.

[0045]いくつかの実施形態では、蒸発させる材料の粉体は、1つ以上のメッシュ構造体のメッシュを通過することができず、したがって、粉体は、1つ以上のメッシュ構造体を埋没させることができない。それらの実施形態では、粉体は、1つ以上のメッシュ構造体によって支持される。図3に例示的に示すように、粉体は、例えば側壁の、例えば追加の開口部を通って、例えば密閉可能な開口部を通って、1つ以上のメッシュ構造体のうちのメッシュ構造体の上に配置されることができ、1つ以上のメッシュ構造体のメッシュを通過することができない。いくつかの実施形態では、1つ以上のコイルの少なくとも1つのコイルに電流が流されると、1つ以上のメッシュ構造体のうちのメッシュ構造体の上にある材料、例えば粉体が、加熱されて、蒸発が起こる。蒸気は、メッシュ構造体のメッシュを通って、メッシュ構造体の下の空間で、るつぼの底部に向かって、広がることができる。 [0045] In some embodiments, the powder of the material to be evaporated cannot pass through the mesh of the one or more mesh structures, and therefore the powder cannot embed the one or more mesh structures. In those embodiments, the powder is supported by the one or more mesh structures. As exemplarily shown in FIG. 3, the powder can be placed on the mesh structure of the one or more mesh structures, for example through an additional opening, for example through a sealable opening, for example in a side wall, and cannot pass through the mesh of the one or more mesh structures. In some embodiments, when an electric current is applied to at least one coil of the one or more coils, the material, for example powder, on the mesh structure of the one or more mesh structures is heated and evaporation occurs. The vapor can spread through the mesh of the mesh structure, in the space below the mesh structure, toward the bottom of the crucible.

[0046]いくつかの実施形態では、図3に例示的かつ概略的に示すように、1つ以上のメッシュ構造体は、1つのメッシュ構造体130であり得る。1つ以上のコイルは、1つのコイル150であり得る。るつぼは、例えば、頂部から、例えば、頂部の開口部から、または頂壁の取り外し可能もしくは密閉可能な部分を通して、充填可能であってもよい。蒸発させる材料の粉体は、例えば1つのメッシュ構造体で、支持されている。図5に示される材料蒸発のための方法600によれば、ボックス610に従って、図3に示される1つのコイル140が、1つのメッシュ構造体を加熱する誘導加熱を提供し、材料が蒸発する。蒸発した材料の蒸気は、図3に示す1つのメッシュ構造体130のメッシュを通過して、るつぼの底部に向かって流れ、そこで蒸気は、最後に、るつぼ110の底壁内または底壁の近くにある開口部310を通過する。図3において、材料蒸発のためのアセンブリ100は、るつぼの底壁内または底壁の近くの開口部310を通過した蒸気を、コーティングされる基板に向かって分配するように構成された1つ以上の開口部302を有する分配管300に、さらに接続されている。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、1つ以上のメッシュ構造体は、粉体と接触している1つのメッシュ構造体であり得る。しかし、さらなるメッシュ構造体を設けることもできる。例えば、さらなるメッシュ構造体は、液体状態の蒸発材料と接触することができ、および/または、粉体と接触している1つのメッシュ構造体の下への液体状態の材料のトリッピングを回避することができる。いくつかの例によれば、さらなるメッシュ構造体は、2段階の蒸発、すなわち、固体状態から液体状態へ、そして液体状態から気体状態への蒸発を改善することができる。加えて、または代わりに、粉体と接触している1つのメッシュ構造体の下への材料の滴下や、1つのメッシュ構造体を通過する材料の落下を低減または回避することができる。さらに、粉体に供給されるエネルギーを増加させるために、さらなるメッシュ構造体が含まれることもある。 [0046] In some embodiments, the one or more mesh structures can be a mesh structure 130, as exemplarily and diagrammatically shown in FIG. 3. The one or more coils can be a coil 150. The crucible can be filled, for example, from the top, for example, from an opening in the top or through a removable or closable portion of the top wall. A powder of the material to be evaporated is supported, for example, on the mesh structure. According to the method 600 for material evaporation shown in FIG. 5, according to box 610, the coil 140 shown in FIG. 3 provides induction heating to heat the mesh structure, and the material is evaporated. Vapor of the evaporated material flows through the mesh of the mesh structure 130 shown in FIG. 3 toward the bottom of the crucible, where the vapor finally passes through an opening 310 in or near the bottom wall of the crucible 110. In FIG. 3, the assembly 100 for material evaporation is further connected to a distribution tube 300 having one or more openings 302 configured to distribute the vapor that has passed through an opening 310 in or near the bottom wall of the crucible towards the substrate to be coated. According to some embodiments, which can be combined with other embodiments described herein, the one or more mesh structures can be a single mesh structure in contact with the powder. However, additional mesh structures can also be provided. For example, the additional mesh structure can be in contact with the evaporated material in a liquid state and/or can avoid tripping of the material in a liquid state below the single mesh structure in contact with the powder. According to some examples, the additional mesh structure can improve two-stage evaporation, i.e., from a solid state to a liquid state and from a liquid state to a gaseous state. Additionally or alternatively, dripping of the material below the single mesh structure in contact with the powder or dropping of the material through the single mesh structure can be reduced or avoided. Additionally, additional mesh structures can be included to increase the energy supplied to the powder.

[0047]本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、材料蒸発のためのアセンブリは、材料の過熱を回避するために、蒸発させる材料の粉体と1つ以上の導電体との間の直接の接触を防止するように構成することができる。例えば、るつぼは、材料の過熱を回避するために、蒸発させる材料の粉体と1つ以上の導電体との間の直接の接触を防止するために、1つ以上の導電体の周りに設けられたシールドを含むことができる。例えば、シールドは、1つ以上の導電体がシールドとるつぼの壁との間に設けられるように設けることができる。有機材料と1つ以上の導電体との接触が減少することで、有機材料の劣化をさらに抑制することができる。 [0047] According to some embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, the assembly for material evaporation may be configured to prevent direct contact between the powder of the material to be evaporated and one or more conductors to avoid overheating of the material. For example, the crucible may include a shield disposed around the one or more conductors to prevent direct contact between the powder of the material to be evaporated and one or more conductors to avoid overheating of the material. For example, the shield may be disposed such that the one or more conductors are disposed between the shield and a wall of the crucible. The reduced contact between the organic material and the one or more conductors may further inhibit degradation of the organic material.

[0048]材料蒸発のための方法は、1つ以上のメッシュ構造体130の少なくとも1つのメッシュ構造体が材料と接触するように、るつぼ110内に材料を用意すること、アセンブリの1つ以上のコイル140に電流を流すこと、および誘導加熱により材料を蒸発させることを含むことができる。例えば、電流は、1つ以上のコイル140の各コイルに順次、流される。図5によれば、材料蒸発のための方法600が提供され、ボックス610で示されるように、一番上のコイルに電流が流され、一番上のコイルに関連する一番上のメッシュ構造体を作動させ、すなわち当該一番上のメッシュ構造体を加熱し、次に、全てのメッシュ構造体が作動されるか、または蒸発もしくは基板のコーティングが完了するまで、反復して、先に作動されたメッシュ構造体より下のさらなるメッシュ構造体が、追加的かつ順次に作動され、すなわち加熱される(ボックス620で示されるように)。 [0048] A method for material evaporation can include providing a material in the crucible 110 such that at least one of the one or more mesh structures 130 is in contact with the material, applying current to one or more coils 140 of the assembly, and evaporating the material by inductive heating. For example, current is applied sequentially to each coil of the one or more coils 140. According to FIG. 5, a method 600 for material evaporation is provided in which current is applied to the top coil, as shown in box 610, to activate the top mesh structure associated with the top coil, i.e., to heat the top mesh structure, and then, in a repeating manner, additional mesh structures below the previously activated mesh structure are additionally and sequentially activated, i.e., heated (as shown in box 620), until all mesh structures have been activated or evaporation or coating of the substrate is completed.

[0049]先ず、るつぼの頂壁に近いコイルにのみ電流を流し、その後、既に電流が流れているコイルに隣接するコイルにも電流を流す。その後、追加のコイルに順次、電流を流し、例えば、既に電流が流されたコイルに隣接する、まだ電流が流されていなかったコイルに順次、電流を流す。いくつかの実施形態では、コイルに電流を流すことは、上から下へ、例えば頂壁から底壁へ、例えば頂壁に近いコイルからるつぼの底壁に近いコイルへ向かう方向に沿って、進行する。一度コイルに電流を流すと、全てのコイルに電流が流れるまで、および/または蒸発プロセスが完了するまで、電流はコイルに流されたままである。いくつかの実施形態では、順次に流される電流は、材料の表面からの材料の均一な蒸発を保証し、蒸発させる材料内の高過ぎる温度による材料の劣化を回避する。 [0049] First, current is applied only to the coils closest to the top wall of the crucible, and then to the coils adjacent to the coils already having current applied thereto. Then, current is applied sequentially to additional coils, e.g., sequentially to coils adjacent to the coils already having current applied thereto that have not yet had current applied thereto. In some embodiments, the application of current to the coils proceeds from top to bottom, e.g., from the top wall to the bottom wall, e.g., from the coils closest to the top wall to the coils closest to the bottom wall of the crucible. Once current is applied to the coils, current remains applied to the coils until all coils have current applied thereto and/or until the evaporation process is complete. In some embodiments, the sequential application of current ensures uniform evaporation of the material from the surface of the material and avoids degradation of the material due to excessive temperatures within the material being evaporated.

[0050]未蒸発材料、詳細には未蒸発材料の粉体は、所定の高さまで、すなわち所定の充填レベル/充填高さまで、るつぼの内部を充填し、充填レベルは、蒸発プロセス中に経時的に可変である。材料蒸発中の未蒸発材料と蒸気との間の境界は、表面を形成し、未蒸発材料がるつぼを充填する充填レベルは、例えば、るつぼの底壁からの前記表面の距離として定義することができる。いくつかの実施形態では、電流は、るつぼが未蒸発材料で充填されている実際の充填レベルまたはその近くである、例えば、るつぼが未蒸発材料の粉体で充填されている充填レベルの近くである、るつぼの底部に対するレベル/高さのコイルに流される。各コイルに電流を順次流すことは、未蒸発材料(例えば粉体)がるつぼを充填する充填レベルに近い、またはそれより上の全てのメッシュ構造体を加熱する効果を有する。 [0050] The unevaporated material, in particular the powder of the unevaporated material, fills the interior of the crucible to a predetermined height, i.e. to a predetermined fill level/fill height, which is variable over time during the evaporation process. The boundary between the unevaporated material and the vapor during the material evaporation forms a surface, and the fill level at which the unevaporated material fills the crucible can be defined, for example, as the distance of said surface from the bottom wall of the crucible. In some embodiments, the current is applied to the coils at a level/height relative to the bottom of the crucible that is at or near the actual fill level at which the crucible is filled with unevaporated material, e.g., near the fill level at which the crucible is filled with powder of the unevaporated material. Applying current to each coil in sequence has the effect of heating all mesh structures close to or above the fill level at which the unevaporated material (e.g., powder) fills the crucible.

[0051]本開示の実施形態によれば、加熱、詳細には誘導加熱は、るつぼ内の未蒸発材料と蒸気との間の境界の近くに位置する蒸発させる材料を最適な温度に保ちつつ、加熱し過ぎることによる蒸発させる材料の内部の劣化を回避するために、提供される。したがって、特に材料の劣化を回避するために、有益な熱分布が提供される。蒸発材料の熱負荷を低減することができる。より大きな表面積が、蒸発のために利用できる。 [0051] According to an embodiment of the present disclosure, heating, particularly induction heating, is provided to keep the material to be evaporated located near the boundary between the unevaporated material in the crucible and the vapor at an optimal temperature while avoiding internal degradation of the material to be evaporated due to overheating. Thus, a beneficial heat distribution is provided, particularly to avoid material degradation. The heat load of the material to be evaporated can be reduced. A larger surface area is available for evaporation.

[0052]図4は、本明細書で説明する実施形態による堆積装置を示す。堆積装置400は、蒸発した材料を基板410上に堆積させるように構成されてもよい。堆積装置400は、堆積チャンバ470、詳細には真空堆積チャンバを含む。図4に示すような堆積装置400の実施形態では、堆積装置400は、堆積チャンバ(特に真空堆積チャンバ)内の、本明細書に記載された実施形態のいずれかによる材料蒸発のためのアセンブリ100と、蒸発した堆積材料を堆積させる分配アセンブリ420とを含んでいる。分配アセンブリ420は、少なくとも1つの分配管を含む。いくつかの実施形態では、分配アセンブリ420は、分配管の軸の周りに回転可能であるように構成されている回転可能な分配管を含んでもよい。いくつかの実施形態では、分配アセンブリ420は、複数の分配管を含んでもよい。いくつかの実施形態では、分配アセンブリ420は、図2に図示された分配管200、すなわち、材料蒸発のためのアセンブリ100の上に配置された分配管を含む。他の実施形態では、分配アセンブリ420は、図3に図示された分配管300、すなわち、材料蒸発のためのアセンブリ100のるつぼ110の底壁内または底壁の近くの開口部を通って流れる蒸気を受け取るように構成された分配管を含む。いくつかの実施形態では、分配アセンブリ420は、加熱ユニットを、さらに含んでもよい。いくつかの実施形態では、分配アセンブリ420は、冷却ユニットを、さらに含んでもよい。 [0052] FIG. 4 illustrates a deposition apparatus according to an embodiment described herein. The deposition apparatus 400 may be configured to deposit evaporated material on a substrate 410. The deposition apparatus 400 includes a deposition chamber 470, particularly a vacuum deposition chamber. In the embodiment of the deposition apparatus 400 as shown in FIG. 4, the deposition apparatus 400 includes an assembly 100 for material evaporation according to any of the embodiments described herein in a deposition chamber (particularly a vacuum deposition chamber) and a distribution assembly 420 for depositing the evaporated deposition material. The distribution assembly 420 includes at least one distribution tube. In some embodiments, the distribution assembly 420 may include a rotatable distribution tube configured to be rotatable about an axis of the distribution tube. In some embodiments, the distribution assembly 420 may include multiple distribution tubes. In some embodiments, the distribution assembly 420 includes the distribution tube 200 illustrated in FIG. 2, i.e., a distribution tube disposed above the assembly 100 for material evaporation. In other embodiments, the distribution assembly 420 includes the distribution pipe 300 illustrated in FIG. 3, i.e., a distribution pipe configured to receive vapor flowing through an opening in or near the bottom wall of the crucible 110 of the assembly 100 for material evaporation. In some embodiments, the distribution assembly 420 may further include a heating unit. In some embodiments, the distribution assembly 420 may further include a cooling unit.

[0053]本明細書に記載された実施形態は、特に、大面積基板上のOLEDディスプレイ製造などのための有機材料の堆積に関する。いくつかの実施形態によれば、大面積基板または1つ以上の基板を支持するキャリアは、0.5m以上、特に1m以上のサイズを有することができる。例えば、堆積装置400は、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に相当するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に相当するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に相当するGEN8.5、あるいは約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に相当するGEN10さえもの基板などの大面積基板を処理するように適合させることもできる。GEN11およびGEN12などのさらに大きな世代とそれに対応する基板面積も、同様に実施可能である。例えば、OLEDディスプレイの製造では、GEN6を含む上記の基板世代のハーフサイズを蒸発でコーティングすることができる。基板世代のハーフサイズは、いくつかのプロセスがフルサイズの基板で実行され、後続のプロセスが以前に処理された基板の半分で実行された結果であってもよい。 [0053] The embodiments described herein relate in particular to the deposition of organic materials, such as for OLED display manufacturing, on large area substrates. According to some embodiments, the large area substrate or a carrier supporting one or more substrates can have a size of 0.5 m2 or more, in particular 1 m2 or more. For example, the deposition apparatus 400 can be adapted to process large area substrates such as GEN5, which corresponds to about 1.4 m2 substrate (1.1 m x 1.3 m), GEN7.5, which corresponds to about 4.29 m2 substrate (1.95 m x 2.2 m), GEN8.5, which corresponds to about 5.7 m2 substrate (2.2 m x 2.5 m), or even GEN10, which corresponds to about 8.7 m2 substrate (2.85 m x 3.05 m). Larger generations such as GEN11 and GEN12 and the corresponding substrate areas are feasible as well. For example, in the manufacture of OLED displays, half sizes of the substrate generations listed above, including GEN 6, can be coated by evaporation. The half size of a substrate generation may be the result of some processes being performed on a full size substrate and subsequent processes being performed on half of the previously processed substrate.

[0054]本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる本明細書の実施形態によれば、基板の厚さは、0.1mm~1.8mmとすることができ、基板のための保持装置は、そのような基板の厚さに適合させることができる。基板の厚さは、約0.9mm以下、例えば0.5mmや0.3mmとすることができ、保持装置は、このような基板の厚さに適合させることができる。通常、基板410は、材料堆積に適した材料で作られてもよい。例えば、基板は、ガラス(例えば、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、または堆積プロセスによってコーティングできる他の材料もしくは材料の組み合わせからなる群から選択される材料で作られてもよい。 [0054] According to embodiments herein that may be combined with other embodiments described herein, the thickness of the substrate may be between 0.1 mm and 1.8 mm, and the holding device for the substrate may be adapted to such a substrate thickness. The thickness of the substrate may be about 0.9 mm or less, such as 0.5 mm or 0.3 mm, and the holding device may be adapted to such a substrate thickness. Typically, the substrate 410 may be made of a material suitable for material deposition. For example, the substrate may be made of a material selected from the group consisting of glass (e.g., soda-lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, or other material or combination of materials that can be coated by a deposition process.

[0055]本明細書に記載の実施形態によれば、材料は、例えば、複数の開口部を有するファインメタルマスク(FMM)などのマスク463を用いることによって、基板上に所定のパターンで堆積させることができる。複数の画素を基板上に堆積させることができる。 [0055] According to embodiments described herein, material can be deposited in a pattern on the substrate, for example, by using a mask 463, such as a fine metal mask (FMM) having a plurality of openings. A plurality of pixels can be deposited on the substrate.

[0056]本明細書に記載される任意の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、堆積チャンバ470は、真空堆積チャンバであってもよい。本開示において、「真空堆積チャンバ」は、真空堆積のために構成されたチャンバとして理解することができる。本明細書で使用する「真空」という用語は、例えば10mbarより低い真空圧を有する技術的真空の意味で理解することができる。一般的には、本明細書に記載の真空チャンバ内の圧力は、10-5mbarと約10-8mbarの間、より一般的には10-5mbarと10-7mbarの間、さらにより一般的には約10-6mbarと約10-7mbarの間であってもよい。 [0056] According to some embodiments, which may be combined with any other embodiment described herein, the deposition chamber 470 may be a vacuum deposition chamber. In the present disclosure, a "vacuum deposition chamber" may be understood as a chamber configured for vacuum deposition. The term "vacuum" as used herein may be understood in the sense of a technical vacuum, for example having a vacuum pressure below 10 mbar. Typically, the pressure in a vacuum chamber described herein may be between 10-5 mbar and about 10-8 mbar, more typically between 10-5 mbar and 10-7 mbar, and even more typically between about 10-6 mbar and about 10-7 mbar.

[0057]いくつかの実施形態によれば、真空チャンバ内の圧力は、真空チャンバ内の蒸発した材料の分圧または全圧(蒸発した材料のみが、真空チャンバ内で堆積される成分として存在する場合、ほぼ同じであり得る)のいずれかであると見なすことができる。いくつかの実施形態では、真空チャンバ内の全圧は、特に、蒸発した材料以外の第2の成分が真空チャンバ内に存在する(ガス等)場合には、約10-4mbar~約10-7mbarの範囲であってよい。 [0057] According to some embodiments, the pressure in the vacuum chamber can be considered to be either the partial pressure of the evaporated material in the vacuum chamber or the total pressure (which can be approximately the same if the evaporated material is the only component present in the vacuum chamber to be deposited). In some embodiments, the total pressure in the vacuum chamber can range from about 10-4 mbar to about 10-7 mbar, especially if a second component other than the evaporated material is present in the vacuum chamber (such as a gas).

[0058]図4に例示的に示すように、材料蒸発のためのアセンブリ100および分配アセンブリ420は、トラックまたはリニアガイド464上に設けることができる。リニアガイド464は、材料蒸発のためのアセンブリ100および分配アセンブリ420の並進移動のために構成されてもよい。さらに、材料蒸発のためのアセンブリおよび分配アセンブリの並進移動を提供するための駆動装置が存在してもよい。詳細には、材料蒸発のためのアセンブリを非接触で搬送する搬送装置が、真空堆積チャンバ内に設けられてもよい。 [0058] As exemplarily shown in FIG. 4, the material evaporation assembly 100 and the distribution assembly 420 can be provided on a track or linear guide 464. The linear guide 464 may be configured for translational movement of the material evaporation assembly 100 and the distribution assembly 420. Further, there may be a drive device for providing translational movement of the material evaporation assembly and the distribution assembly. In particular, a conveying device for contactlessly conveying the material evaporation assembly may be provided in the vacuum deposition chamber.

[0059]図4に例示的に示すように、堆積チャンバ470は、ゲートバルブ465を有してもよく、それを介して、真空堆積チャンバは、隣接するルーティングモジュールまたは隣接するサービスモジュールに接続されることができる。通常、ルーティングモジュールは、さらなる処理のために基板をさらなる真空堆積装置に搬送するように構成され、サービスモジュールは、堆積チャンバ内のメンテナンスのために構成されている。特に、ゲートバルブは、隣接するルーティングモジュールまたは隣接するサービスモジュールなどの、隣接する真空チャンバに対する真空シールを可能にし、基板および/またはマスクを真空堆積装置へ出し入れするために開閉することができる。 [0059] As exemplarily shown in FIG. 4, the deposition chamber 470 may have a gate valve 465, through which the vacuum deposition chamber can be connected to an adjacent routing module or an adjacent service module. Typically, the routing module is configured to transport the substrate to a further vacuum deposition apparatus for further processing, and the service module is configured for maintenance within the deposition chamber. In particular, the gate valve allows a vacuum seal to an adjacent vacuum chamber, such as an adjacent routing module or an adjacent service module, and can be opened or closed to transfer the substrate and/or mask into or out of the vacuum deposition apparatus.

[0060]本明細書に記載された他の任意の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、基板が、堆積装置400内で処理され得る。詳細には、2つの基板、例えば第1の基板と第2の基板が、堆積チャンバ470内のそれぞれの搬送トラック上で支持され得る。さらに、上にマスク463を設けるための2つのトラックを設けることもできる。詳細には、基板キャリアおよび/またはマスクキャリアの搬送のためのトラックは、キャリアを非接触で搬送するためのさらなる搬送装置を備えてもよい。 [0060] According to an embodiment, which may be combined with any other embodiment described herein, a substrate may be processed in the deposition apparatus 400. In particular, two substrates, e.g. a first substrate and a second substrate, may be supported on respective transport tracks in the deposition chamber 470. Furthermore, two tracks for providing a mask 463 thereon may also be provided. In particular, the tracks for transporting the substrate carrier and/or the mask carrier may be provided with further transport devices for contactless transport of the carrier.

[0061]通常、基板410上に材料を堆積させることは、基板を、それぞれのマスク463によって、例えば、エッジ除外マスクによって、またはシャドウマスクによって、マスクすることを含み得る。いくつかの実施形態によれば、マスク463、例えば、第1の基板に対応する第1のマスクおよび第2の基板に対応する第2のマスクは、それぞれのマスクを所定の位置に保持するためのマスクフレームに設けられる。 [0061] Typically, depositing material on the substrate 410 may include masking the substrate with a respective mask 463, e.g., with an edge exclusion mask or with a shadow mask. According to some embodiments, the masks 463, e.g., a first mask corresponding to the first substrate and a second mask corresponding to the second substrate, are provided in a mask frame for holding the respective masks in place.

[0062]図4に示すように、リニアガイド464は、材料蒸発のためのアセンブリおよび分配アセンブリ420の並進移動の方向を提供する。アセンブリ100の両側には、マスク463、例えば、第1の基板をマスクするための第1のマスクと第2の基板をマスクするための第2のマスクが、設けられることができる。マスクは、材料蒸発のためのアセンブリの並進移動の方向と本質的に平行に延びることができる。さらに、堆積源の対向する両側の基板もまた、並進移動の方向と本質的に平行に延びることができる。 [0062] As shown in FIG. 4, the linear guide 464 provides a direction of translation of the assembly for material evaporation and the dispensing assembly 420. On both sides of the assembly 100, masks 463 can be provided, e.g., a first mask for masking the first substrate and a second mask for masking the second substrate. The masks can extend essentially parallel to the direction of translation of the assembly for material evaporation. Furthermore, the substrates on opposite sides of the deposition source can also extend essentially parallel to the direction of translation.

[0063]図4を例示的に参照すると、リニアガイド464に沿った材料蒸発のためのアセンブリ100および分配アセンブリ420の並進移動のために構成されたアセンブリ支持体461が、提供されてもよい。通常、図4に模式的に示すように、アセンブリ支持体461は、材料蒸発のためのアセンブリ100と、るつぼの上に設けられた分配アセンブリ420とを支持する。したがって、材料蒸発のためのアセンブリ内で生成された蒸発した材料は、上方に移動し、分配アセンブリの少なくとも1つの分配管の1つ以上の開口部から出ることができる。したがって、本明細書で説明するように、分配アセンブリは、蒸発した材料、詳細には蒸発した有機材料のプルームを、分配アセンブリ220から基板10に提供するように構成される。分配管が回転可能である実施形態では、分配アセンブリ420の対向する両側に配置された基板410に向かって蒸発した材料の蒸気を分配するために、単一の分配管を回転させることができる。そのような実施形態では、分配アセンブリ420は、基板410に対して平行に並進することができ、最初に第1の基板に向かって蒸発した材料の蒸気を分配し、次に第2の基板に向かって蒸発した材料の蒸気を分配するために、回転することができる。回転と並進は、1つ以上の基板のコーティング中に複数回繰り返すことができる。 [0063] With exemplary reference to FIG. 4, an assembly support 461 may be provided that is configured for translational movement of the material evaporation assembly 100 and the distribution assembly 420 along a linear guide 464. Typically, as shown in FIG. 4, the assembly support 461 supports the material evaporation assembly 100 and the distribution assembly 420 disposed above the crucible. Thus, the evaporated material generated in the material evaporation assembly can move upward and exit from one or more openings of at least one distribution tube of the distribution assembly. Thus, as described herein, the distribution assembly is configured to provide a plume of evaporated material, in particular evaporated organic material, from the distribution assembly 220 to the substrate 10. In an embodiment in which the distribution tube is rotatable, a single distribution tube can be rotated to distribute vapors of evaporated material toward substrates 410 disposed on opposite sides of the distribution assembly 420. In such an embodiment, the dispense assembly 420 can be translated parallel to the substrate 410 and can be rotated to dispense the vapor of the evaporated material first toward a first substrate and then toward a second substrate. The rotation and translation can be repeated multiple times during the coating of one or more substrates.

[0064]図5は、本明細書に記載された実施形態による、材料蒸発のためのアセンブリを用いた材料蒸発のための方法600のフロー図を示す。ボックス610は、コイルに電流を流し、少なくとも1つのコイル140によって提供される誘導加熱を用いて、るつぼ110内に温度勾配を与えることによって、メッシュ構造体、例えば、一番上のメッシュ構造体を作動させることを含む。1つ以上の導電体120が、コイルによって誘導加熱され、熱を1つ以上のメッシュ構造体130に伝達してもよい。加えて、または代わりに、1つ以上のメッシュ構造体130は、1つ以上のコイルによる誘導によって直接加熱されてもよい。るつぼ、1つ以上のコイル、1つ以上のメッシュ構造体および/または1つ以上の導電体は、本開示の実施形態に従って提供されてもよい。 5 shows a flow diagram of a method 600 for material evaporation using an assembly for material evaporation according to an embodiment described herein. Box 610 includes actuating a mesh structure, e.g., a top mesh structure, by passing a current through the coil and providing a temperature gradient in the crucible 110 using inductive heating provided by at least one coil 140. One or more electrical conductors 120 may be inductively heated by the coil and transfer heat to one or more mesh structures 130. Additionally or alternatively, one or more mesh structures 130 may be directly heated by induction by one or more coils. The crucible, one or more coils, one or more mesh structures and/or one or more electrical conductors may be provided according to an embodiment of the present disclosure.

[0065]実施形態によれば、るつぼは、基板上に堆積させる材料を提供することができる。材料は、るつぼ110内に配置され、るつぼ内の1つ以上のメッシュ構造体130で蒸発させることができる。1つ以上のメッシュ構造体は、誘導加熱により、堆積させる材料の蒸発温度Tまで加熱させることができる。加熱は、堆積させる材料の蒸発温度Tより低い温度範囲を含む温度勾配を提供することができる。これにより、材料の貯蔵と蒸発を並行して行うことができる。 [0065] According to an embodiment, a crucible can provide material to be deposited on a substrate. The material can be placed in the crucible 110 and evaporated on one or more mesh structures 130 within the crucible. The one or more mesh structures can be heated by induction heating to an evaporation temperature T E of the material to be deposited. The heating can provide a temperature gradient that includes a temperature range below the evaporation temperature T E of the material to be deposited. This allows for storage and evaporation of the material in parallel.

[0066]ボックス620によれば、さらなるメッシュ構造体が、そのメッシュ構造体を加熱するためにコイルに電流を流すことにより、作動され、そのメッシュ構造体は、既に作動しているメッシュ構造体に隣接している。ボックス620は、先に加熱されたメッシュ構造体より下に、それに隣接して配置されたさらなるメッシュ構造体を順次に加熱することを含むことができ、特に、さらなるメッシュ構造体は、蒸発させる材料によって覆われているか、またはそれと接触している、るつぼ内の最も上のメッシュ構造体である。メッシュ構造体は、順番に作動させることができ、ボックス610に従って、コイル、例えば一番上のコイルに電流を流すことによって、例えば一番上のメッシュ構造体が最初に作動され、ボックス620に従って、さらなるメッシュ構造体が順次に作動される。それゆえ、メッシュ構造体の誘導加熱は、一番上のメッシュ構造体から開始され、残りのメッシュ構造体が、上から下へ順次加熱されていく。 [0066] According to box 620, a further mesh structure is activated by passing a current through the coil to heat it, the mesh structure being adjacent to the already activated mesh structure. Box 620 can include sequentially heating the further mesh structure located below and adjacent to the previously heated mesh structure, in particular the further mesh structure being the topmost mesh structure in the crucible that is covered by or in contact with the material to be evaporated. The mesh structures can be activated in sequence, e.g. the topmost mesh structure being activated first by passing a current through a coil, e.g. the topmost coil, according to box 610, and the further mesh structures being activated sequentially according to box 620. Thus, induction heating of the mesh structures starts with the topmost mesh structure, and the remaining mesh structures are heated sequentially from top to bottom.

[0067]実施形態によれば、材料供給システムが、1つ以上のメッシュ構造体で材料を蒸発させるために、るつぼに新たな材料を供給してもよい。材料供給システムは、材料を貯蔵しながら、同時に、材料をるつぼに供給する(例えば、るつぼの壁におけるさらなる開口部を介して)ように構成されてもよい。さらに、材料供給システムは、供給および/または堆積プロセスを妨げることなく簡単に再充填することを可能にする。 [0067] According to an embodiment, a material supply system may supply new material to the crucible for evaporation of material at one or more mesh structures. The material supply system may be configured to store material while simultaneously supplying material to the crucible (e.g., via additional openings in the crucible wall). Additionally, the material supply system allows for easy refilling without interrupting the supply and/or deposition process.

[0068]本書は、ベストモードを含む本開示を開示し、また、当業者が、任意のデバイスまたはシステムの製造および使用、ならびに組み込まれた任意の方法の実行を含んで、記載された主題を実施できるようにするために、例を使用している。以上、様々な具体的な実施形態を開示したが、上述した実施形態の互いに非排他的な特徴は、互いに組み合わされてもよい。特許可能な範囲は、特許請求の範囲によって規定される。 [0068] This document uses examples to disclose the disclosure including the best mode and to enable any person skilled in the art to practice the described subject matter, including making and using any devices or systems, and performing any methods incorporated therein. Although various specific embodiments have been disclosed above, the mutually non-exclusive features of the above-described embodiments may be combined with each other. The patentable scope is defined by the claims.

Claims (17)

材料蒸発のためのアセンブリ(100)であって、
るつぼ内の容積を少なくとも部分的に満たす材料蒸発のための粉体として材料を収容するように構成されたるつぼ(110)、
前記るつぼ内にある、複数のメッシュ構造体(130)および複数の導電体(120)、ここで前記複数の導電体(120)の各導電体は、前記複数のメッシュ構造体(130)の少なくとも1つのメッシュ構造体に熱を伝達するために前記複数のメッシュ構造体(130)の1つの対応するメッシュ構造体に連結されており、前記複数のメッシュ構造体の少なくとも1つは、前記材料に接触するように構成されており、ならびに
複数のコイル(140)、ここで前記複数のコイルの各コイルは、前記複数の導電体の少なくとも1つの対応する導電体に誘導エネルギーを提供するように構成されており、前記誘導エネルギーは、前記複数の導電体の少なくとも1つの対応する導電体を加熱し、熱は、材料蒸発のため、前記複数の導電体の対応する導電体に連結されているとともに前記材料に接触する前記複数のメッシュ構造体の少なくとも1つの対応するメッシュ構造体に伝達される、
を備える、材料蒸発のためのアセンブリ(100)。
An assembly (100) for material evaporation, comprising:
a crucible (110) configured to contain material as a powder for material evaporation at least partially filling a volume within the crucible ;
a plurality of mesh structures (130) and a plurality of electrical conductors (120) within the crucible, wherein each electrical conductor of the plurality of electrical conductors (120) is coupled to a corresponding mesh structure of one of the plurality of mesh structures (130) for transferring heat to at least one mesh structure of the plurality of mesh structures (130) , and at least one of the plurality of mesh structures is configured to contact the material ; and a plurality of coils (140), wherein each coil of the plurality of coils is configured to provide inductive energy to a corresponding electrical conductor of at least one of the plurality of electrical conductors, the inductive energy heating the corresponding electrical conductor of at least one of the plurality of electrical conductors, and the heat being transferred to the corresponding mesh structure of at least one of the plurality of mesh structures that is coupled to the corresponding electrical conductor of the plurality of electrical conductors and in contact with the material for material evaporation .
An assembly (100) for material evaporation comprising:
前記複数の導電体が、リングである、請求項1に記載のアセンブリ。 The assembly of claim 1, wherein the plurality of conductors are rings. 前記リングが、前記るつぼの内壁に隣接して配置されている、請求項2に記載のアセンブリ。 The assembly of claim 2, wherein the ring is disposed adjacent to an inner wall of the crucible. 前記複数のメッシュ構造体のうち先に加熱されたメッシュ構造体の下に隣接して配置された前記複数のメッシュ構造体のさらなるメッシュ構造体を加熱することによって、材料蒸発のために前記複数のメッシュ構造体の少なくとも1つのメッシュ構造体を順次加熱するように構成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 The assembly of any one of claims 1 to 3, configured to sequentially heat at least one mesh structure of the plurality of mesh structures for material evaporation by heating a further mesh structure of the plurality of mesh structures that is disposed adjacently below a previously heated mesh structure of the plurality of mesh structures. 前記るつぼが、セラミックるつぼである、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 The assembly according to any one of claims 1 to 3, wherein the crucible is a ceramic crucible. 前記複数のメッシュ構造体が、セラミック材料を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 The assembly of any one of claims 1 to 3, wherein the plurality of mesh structures comprises a ceramic material. 前記複数のメッシュ構造体が、炭化ケイ素を含む、請求項6に記載のアセンブリ。 The assembly of claim 6, wherein the plurality of mesh structures comprises silicon carbide. 前記複数のコイルを通る電流の流れが、各コイルについて個別に制御可能である、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 An assembly according to any one of claims 1 to 3, wherein the flow of current through the multiple coils is individually controllable for each coil. 前記複数のコイルが、水冷式である、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 The assembly of any one of claims 1 to 3, wherein the coils are water-cooled. 前記複数のコイルのワイヤ間又は導体間に冷却流体を供給する、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。 4. An assembly according to claim 1, further comprising: a cooling fluid supply between the wires or conductors of the coils . 前記るつぼが、
底壁、
頂壁、
側壁、
前記頂壁内または前記頂壁の近くの開口部、
を備え、前記複数のコイルが、前記るつぼの前記側壁の周りに配置されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。
The crucible comprises:
Bottom wall,
Top wall,
Sidewall,
an opening in or near the top wall;
4. The assembly of claim 1 , wherein the plurality of coils are disposed about the side wall of the crucible.
蒸発した材料の分配のために構成された、前記頂壁内または前記頂壁の近くの前記開口部と連通する分配管を、さらに備える、請求項11に記載のアセンブリ。 The assembly of claim 11, further comprising a distribution tube in communication with the opening in or near the top wall configured for distribution of evaporated material. 前記るつぼが、
底壁、
頂壁、
側壁、
前記底壁内または前記底壁の近くの開口部、
を備え、前記複数のコイルが、前記るつぼの前記側壁の周りに配置されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のアセンブリ。
The crucible comprises:
Bottom wall,
Top wall,
Sidewall,
an opening in or near the bottom wall;
4. The assembly of claim 1 , wherein the plurality of coils are disposed about the side wall of the crucible.
前記るつぼが、
底壁、
頂壁、
側壁、
前記底壁内または前記底壁の近くの開口部、
を備え、前記複数のコイルが、前記るつぼの前記側壁の周りに配置されている、請求項4に記載のアセンブリ。
The crucible comprises:
Bottom wall,
Top wall,
Sidewall,
an opening in or near the bottom wall;
5. The assembly of claim 4, wherein the plurality of coils are disposed about the side wall of the crucible.
請求項1から3のいずれか一項に記載の材料蒸発のためのアセンブリ(100)を備える、真空堆積装置(400)。 A vacuum deposition apparatus (400) comprising an assembly (100) for material evaporation according to any one of claims 1 to 3. 材料蒸発のための方法(600)であって、
るつぼ内部の容積を少なくとも部分的に満たすために、粉体として材料を、複数のメッシュ構造体の少なくとも1つのメッシュ構造体が前記材料と接触するように、前記るつぼ内に用意すること、ここで、複数の導電体が、前記るつぼ内に設けられており、前記複数の導電体の各導電体が、前記複数のメッシュ構造体の少なくとも1つのメッシュ構造体に熱を伝達するために前記複数のメッシュ構造体の対応するメッシュ構造体に連結されており、
アセンブリの複数のコイルの少なくとも1つのコイルに電流を流すこと(610、620)、
前記複数のコイルの前記少なくとも1つのコイルから前記複数の導電体の少なくとも1つの対応する導電体に誘導エネルギーを提供し、前記複数の導電体の前記少なくとも1つの対応する導電体を加熱すること、および
前記複数の導電体の対応する導電体に連結された前記複数のメッシュ構造体の少なくとも1つの対応するメッシュ構造体への伝熱により前記材料を蒸発させること、
を含む方法。
1. A method (600) for material evaporation, comprising:
providing a material as a powder in the crucible such that at least one mesh structure of a plurality of mesh structures is in contact with the material to at least partially fill a volume within the crucible , wherein a plurality of electrical conductors are provided in the crucible , each electrical conductor of the plurality of electrical conductors being coupled to a corresponding mesh structure of the plurality of mesh structures for transferring heat to the at least one mesh structure of the plurality of mesh structures;
Passing a current through at least one coil of the assembly (610, 620);
providing inductive energy from the at least one coil of the plurality of coils to at least one corresponding conductor of the plurality of electrical conductors to heat the at least one corresponding conductor of the plurality of electrical conductors; and evaporating the material by heat transfer to at least one corresponding mesh structure of the plurality of mesh structures coupled to the corresponding conductor of the plurality of electrical conductors.
The method includes:
電流が、前記複数のコイルの各コイルに順次に流される、請求項16に記載の方法。 The method of claim 16, wherein the current is passed through each coil of the plurality of coils sequentially.
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