JP7597463B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。

特許文献１は、載置台にプラズマ生成用の高周波電力のパルス波と、プラズマ生成用の高周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用の高周波電力のパルス波と、を印加するプラズマ処理方法を提案する。このプラズマ処理方法は、プラズマ生成用の高周波電力のパルス波とバイアス用の高周波電力のパルス波とが位相差を有し、プラズマ生成用の高周波電力のデューティ比はバイアス用の高周波電力のデューティ比以上になるように制御する。これにより、プラズマ生成用の高周波電力のパルス波とバイアス用の高周波電力のパルス波との間にオフセットを設ける。

特開２０１６－１５７７３５号公報

エッチングされた凹部のボーイング、ＣＤサイズのバラツキ、マスクの歪みや閉塞等を抑制又は改善するために、ラジカル、イオン密度、イオンの入射角、側壁保護等を細かく制御することが重要である。

本開示は、プラズマ処理装置において実行されるプロセスの性能を向上させることができる技術を提供する。

本開示の一の態様によれば、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極と、前記第１電極に対向して設けられた第２電極又はアンテナと、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナに接続され、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナにプラズマ生成用の連続する複数の第１の高周波電力パルスを供給する第１の高周波電力供給部と、前記第１電極に接続され、前記第１電極に前記第１の高周波電力パルスと同期し、バイアス用の連続する複数の第２の高周波電力パルスを供給する第２の高周波電力供給部と、前記第１の高周波電力供給部及び前記第２の高周波電力供給部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、１つの被処理対象が有するエッチング対象膜に対するエッチング工程において、前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスのいずれか一方にインターバル期間を設け、かつ、前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスの他方には前記インターバル期間を設けず、前記第１の高周波電力パルスの第１パルス周波数及び前記第２の高周波電力パルスの第２パルス周波数を前記インターバル期間の繰り返し周波数の５倍以上に設定し、前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比を９０％以下で出力し、前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスの出力に応じて、前記処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより前記被処理基板を処理するように制御する、プラズマ処理装置が提供される。

一の側面によれば、プラズマ処理装置において実行されるプロセスの性能を向上させることができる。

実施形態に係るプラズマ処理システムの一例を示す断面模式図。 従来のプラズマ処理方法の一例を示す図。 実施形態に係るプラズマ処理方法の一例を示す図。 実施形態に係るプラズマ処理方法を説明するための図。 変形例１に係るプラズマ処理方法の一例を示す図。 変形例２に係るプラズマ処理方法の一例を示す図。 変形例３に係るプラズマ処理方法を説明するための図。 変形例４に係るプラズマ処理方法を説明するための図。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

［プラズマ処理システム］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理装置１は、真空排気可能なプラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０の内部は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口１３ａと、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口１０ｅとを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、ウェハを一例とする基板Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。実施形態において、本体部１１１は、基台及び静電チャックを含む。基台は、導電性部材を含む。基台の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャックは、基台の上に配置される。静電チャックの上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ＫＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

なお、プラズマ処理チャンバ１０内に設けられた基板支持部１１の基台の導電性部材は、処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極の一例である。シャワーヘッド１３の導電性部材は、第１電極に対向して設けられた第２電極の一例である。第２電極の一例であるシャワーヘッド１３の替わりに第１電極に対向してアンテナを設けてもよい。プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１に替えて誘導結合型のプラズマ処理装置を含んでもよい。誘導結合型のプラズマ処理装置では、被処理基板を支持する第１電極に対向してプラズマ処理チャンバ１０の上部にアンテナが設けられ、アンテナに第１のＲＦ生成部３１ａが接続されてもよい。

第１のＲＦ生成部３１ａは、第１電極、第２電極又はアンテナに接続されてもよい。第１のＲＦ生成部３１ａは、第１電極、第２電極又はアンテナにプラズマ生成用の第１の高周波電力のパルス波である第１の高周波電力パルス（以下、「ＨＦパルス」ともいう。）を供給する第１の高周波電力供給部の一例である。第２のＲＦ生成部３１ｂは、第１電極に接続され、第１電極にバイアス用の第２の高周波電力のパルス波である第２の高周波電力パルス（以下、「ＬＦパルス」ともいう。）を供給する第２の高周波電力供給部の一例である。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂはＲＦ電源３１に加えて設けられている。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。例えば、制御部２は、第１のＲＦ生成部３１ａ、及び第２のＲＦ生成部３１ｂを制御する。実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

次に、従来のプラズマ処理方法の一例について、図２を参照しながら説明し、その後、実施形態に係るプラズマ処理方法について、図３及び図４を参照しながら説明する。なお、実施形態に係るプラズマ処理方法は、制御部２により制御される。第１のＲＦ生成部３１ａから供給されるソースＲＦ信号は、第１の高周波電力又はＨＦとも表記する。第１の高周波電力のパルス波は、ＨＦパルスとも表記する。第２のＲＦ生成部３１ｂから供給されるバイアスＲＦ信号は、第２の高周波電力又はＬＦとも表記する。第２の高周波電力のパルス波は、ＬＦパルスとも表記する。

［従来のプラズマ処理方法］
図２は、従来のプラズマ処理方法の一例を示す図である。従来のプラズマ処理方法では、ＨＦ及びＬＦはパルス波である。ＨＦパルスのＤｕｔｙ比は４０％である。ＬＦパルスのＤｕｔｙ比は２５％である。図２の例では、ＨＦとＬＦの位相は、ＨＦをＯＮする時間を基準として４０％シフトされ、ＨＦとＬＦのオン時間（供給時間、印加時間）は重ならない。ＨＦをオフ（供給停止）するときにＬＦがオンされる。１サイクルのうちの４０％はＨＦをオンし、２５％はＬＦをオンし、３５％はＨＦ及びＬＦをオフし、合計１００％となる。

ＨＦをオンしている間、プラズマ及びラジカルが生成される。ＬＦをオンしている間、プラズマ中のイオンが基板へ引き込まれ、エッチングが促進される。ＨＦ及びＬＦをオフしている間、エッチング時に生成された副生成物（反応生成物）が、エッチング対象物に形成された凹部から排気される。

高いエッチングレートを維持しつつ、高い異方性のエッチング、すなわち、エッチング形状の垂直性を実現するためには、高出力のＬＦのパワーが必要となる。しかしながら、図２の例では、ＬＦをオンしている間、高出力のＬＦのパワーを印加することで高エネルギーのイオンにより基板上のエッチング対象膜へエッチングが行われる一方で、高エネルギーのイオンのエッチングによりマスクも削れる。また、高エネルギーのイオンによりエッチングが促進されることによって多量の副生成物がマスクに付着する。これにより、エッチング対象膜の上のマスクのクロッギングが引き起こされる。マスクのクロッギングは、副生成物がマスクの側壁に付着することでマスクの間口が狭まったり、又はマスクの間口が完全に閉塞したりすることをいう。マスクのクロッギングを回避する方法として、ＨＦとＬＦの両方をオフし、排気を促進する時間（Ｏｆｆ Ｔｉｍｅ）を設ける方法がある。しかし、ＬＦをオフする時間が短いと、エッチング対象物の凹部から副生成物が効率的に排出されない。

そこで、以下に説明する実施形態に係るプラズマ処理方法では、ＨＦパルスとＬＦパルスのオン及びオフ時間を制御しつつ、ＬＦにはさらに低周波数でオン及びオフ時間を設定する。これにより、マスクのクロッギングを回避することができる。

［実施形態に係るプラズマ処理方法］
実施形態に係るプラズマ処理方法について、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係るプラズマ処理方法の一例を示す図である。図４は、実施形態に係るプラズマ処理方法を説明するための図である。

実施形態に係るプラズマ処理方法では、図３に示すように、ＨＦのパルス周波数Ｆ１及びＬＦのパルス周波数Ｆ２を設定し、オン及びオフを繰り返すサイクルを制御する。パルス周波数Ｆ１により示されるＨＦパルス及びパルス周波数Ｆ２により示されるＬＦパルスのパルス周波数は、図３の例では１ＫＨｚである。ＨＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ１）及びＬＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ２）は、５０％である。ＨＦとＬＦとは同期し、１サイクル目及び２サイクル目においてＨＦとＬＦのオンのタイミングとオフのタイミングは同じである。なお、Ｄｕｔｙ１は、ＨＦのオン時間とオフ時間の合計時間に対するＨＦのオン時間を示す。また、Ｄｕｔｙ２は、ＬＦのオン時間とオフ時間の合計時間に対するＬＦのオン時間を示す。１サイクル目及び２サイクル目においてＨＦとＬＦのオン時間及びオフ時間は同期する。ただし、ＨＦとＬＦとは位相がずれてもよい。

３サイクル目～１０サイクル目の間は、ＬＦパルスがオフされる。ＬＦパルスがオフされる時間をインターバル期間ともいう。繰り返し周波数Ｆ３は、ＬＦパルスのインターバル周期（ＬＦパルスのインターバル期間）の繰り返し周波数を示す。インターバル周期の繰り返し周波数である繰り返し周波数Ｆ３は、パルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２よりも低い。図３の例ではパルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２は、繰り返し周波数Ｆ３の１０倍である。繰り返し周波数Ｆ３により示されるＬＦパルスのインターバル周期の繰り返し周波数は、図３の例では０．１ＫＨｚである。Ｄｕｔｙ３は、Ｄｕｔｙ２で示されるＬＦパルスのオン／オフ周期を繰り返す時間（図３の１サイクル及び２サイクルの合計時間）とＬＦのオフ時間の合計時間（図３の３サイクル～１０サイクルの合計時間）に対するＬＦパルスのオン／オフ周期を繰り返す時間を示す。ＨＦのオン時間とオフ時間との合計時間が１サイクル時間以上にならなうように、１サイクル時間に対するＨＦのオン時間の割合がＤｕｔｙ１に設定される。

図３の例では、ＬＦが続けてオフ状態となるインターバル期間は、Ｄｕｔｙ２で示されるＬＦパルスのオン／オフの周期を繰り返す時間の合計時間（１サイクルと２サイクルの合計サイクル時間）とＬＦのインターバル期間との合計時間の８０％に設定されている。Ｄｕｔｙ３は、ＬＦパルスがＤｕｔｙ２で示されるオン及びオフを繰り返す時間（１サイクルと２サイクルの合計サイクル時間）と、ＬＦが続けてオフ状態となるインターバル期間の合計時間の２０％に設定されている。

Ｄｕｔｙ３が２０％のとき、ＨＦパルスのオン／オフの周期が１０回繰り返される間に、ＬＦパルスのオン／オフの周期が２回繰り返される。１サイクル目及び２サイクル目の間、ＨＦパルス及びＬＦパルスのオン／オフが周期的に繰り返される。３サイクル目～１０サイクル目の間、ＨＦパルスのオン／オフは１サイクル目及び２サイクル目と周期的に繰り返されるが、ＬＦは、オフに制御される。図３の例では、１サイクル目及び２サイクル目に、ＬＦパルスがＨＦパルスと同期する例が示されるが、これに限られず、３サイクル目以降でＬＦパルスがＨＦパルスと同期してもよい。

制御部２は、ＨＦパルス及びＬＦパルスの出力に応じて、プラズマ処理チャンバ１０内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより基板Ｗを処理するように制御する。これにより、ＬＦのみをオフするインターバル期間を設けることで、マスクのクロッギングを回避することができる。その理由について、図４を参照しながら説明する。

本実施形態では、例えば、エッチング対象膜１０１としてＳｉＯ_２膜が形成され、その上に有機膜等のマスク１０２が形成されている。ただし、基板Ｗ上の膜構造はこれに限られない。

図４に示す１サイクル目のＡ期間では、ＨＦパルス及びＬＦパルスがオンに制御される。よって、図４（ａ）の上段に示すように、ＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与し、イオン、電子、ラジカルが生成される。また、図４（ａ）の下段に示すように、ＬＦにより高エネルギーのイオンをエッチング対象膜１０１の凹部に引き込む。これにより、Ａ期間では、高いエネルギーを持ったイオンにより、主にエッチングが促進される。イオンエネルギーが高く、エッチングレートが早くなり、イオンの入射角は比較的狭く、エッチングは垂直に進みやすいが、マスク１０２へのダメージが大きくなる。

１サイクル目のＢ期間では、ＨＦパルス及びＬＦパルスがオフに制御される。よって、Ｂ期間では、Ａ期間で生成されたプラズマとラジカルが減衰し、図４（ｂ）の上段に示すように、Ａ期間のエッチング時に生成された副生成物（反応生成物）が、エッチング対象膜１０１の凹部から排出され、排気が促進される。また、図４（ｂ）の下段に示すように、Ａ期間のイオンと比べて弱いエネルギーを持ったイオンがマスク１０２の上部及び側部をエッチングすることで、マスクの側部に付着した副生成物を除去する。

２サイクル目のＡ期間及びＢ期間では、１サイクル目と同じ動作が繰り返され、Ａ期間では主にエッチングが促進され、Ｂ期間では主に排気が促進される。

３サイクル目～１０サイクル目の間は、ＬＦパルスがオフされ、ＨＦパルスのみ、１サイクル目及び２サイクル目と同様に、Ｄｕｔｙ１に設定した５０％のＤｕｔｙ比でオン及びオフが繰り返される。

３サイクル目のＣ期間では、ＨＦがオンに制御され、ＬＦがオフに制御される。よって、図４（ｃ）の上段に示すように、ＨＦによりプラズマ及びラジカルが生成される。また、ＬＦによるイオンの引き込みがないため、図４（ｃ）の下段に示すように、エッチング対象膜１０１の凹部から副生成物の排気が促進される。

３サイクル目のＤ期間では、ＨＦパルス及びＬＦパルスがオフされる。よって、プラズマ及びラジカルが減衰し、かつＬＦによるイオンの引き込みがないため、図４（ｄ）の上段に示すように、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気がより促進される。３サイクル目～１０サイクル目は、（ｃ）及び（ｄ）の減少が繰り返されることで、エッチング対象膜１０１の凹部から副生成物の排気を積極的に行うことができる。このようにして、ＬＦをオフするインターバル期間を設けることで、マスクのクロッギングを回避することができ、スループットを向上させることができる。

[変形例]
（変形例１）
次に、ＨＦパルスにインターバル期間を設けた変形例１について図５を参照して説明する。図５は、変形例１に係るプラズマ処理方法の一例を示す図である。変形例１では、８サイクル目～１０サイクル目の間は、ＨＦパルスがオフされ、ＨＦパルスのインターバル期間となっている。また、変形例１では、ＬＦパルスにインターバル期間は設けられていない。

パルス周波数Ｆ１により示されるＨＦパルス及びパルス周波数Ｆ２により示されるＬＦパルスのパルス周波数は、変形例１では１ＫＨｚである。ＨＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ１は５０％であり、ＬＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ２）は２５％である。ＨＦとＬＦとは同期し、１サイクル目～７サイクル目においてＨＦとＬＦのオンのタイミングは同じであり、オフのタイミングはＬＦがＨＦよりも早い。ただし、ＨＦとＬＦとは位相差があってもよい。

インターバル周期の繰り返し周波数である繰り返し周波数Ｆ３は、パルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２よりも低い。パルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２は、繰り返し周波数Ｆ３の１０倍である。変形例１では、ＨＦが続けてオフ状態となるインターバル期間は、Ｄｕｔｙ１で示されるＨＦパルスのオン／オフの周期を繰り返す時間の合計時間（１サイクル～７サイクルの合計サイクル時間）とＨＦのインターバル期間との合計時間の３０％に設定されている。Ｄｕｔｙ３は、ＨＦパルスがＤｕｔｙ１で示されるオン及びオフを繰り返す時間（１サイクル～７サイクルの合計サイクル時間）と、ＨＦが続けてオフ状態となるインターバル期間の合計時間の７０％に設定されている。

Ｄｕｔｙ３が７０％のとき、ＬＦパルスのオン／オフの周期が１０回繰り返される間に、ＨＦパルスのオン／オフの周期が７回繰り返される。１サイクル目～７サイクル目の間、ＨＦパルス及びＬＦパルスのオン／オフが周期的に繰り返される。８サイクル目～１０サイクル目の間、ＬＦパルスのオン／オフは周期的に繰り返されるが、ＨＦは、オフに制御される。変形例１では、１サイクル目～７サイクル目に、ＬＦパルスがＨＦパルスと同期する例が示されるが、これに限られない。

変形例１の場合、１サイクル目～７サイクル目では、図４のＡ期間及びＢ期間に示す（ａ）及び（ｂ）の動作が繰り返される。ただし、変形例１では、実施形態よりもＬＦのオン時間が短いため、高いエネルギーを持ったイオンの引き込みの程度は小さくなり、エッチングレートが下がるが、マスクへのダメージは少なくなる。８サイクル目～１０サイクル目のインターバル期間では、ＬＦパルスがオン・オフを繰り返し、ＨＦパルスがオフに制御される。この結果、反応生成物とエッチング中のイオンとの衝突が抑制され、マスク選択比が改善される。また、８サイクル目～１０サイクル目のＨＦのインターバル期間では、プラズマ中の電子密度が低下するため、イオンの入射角は比較的狭く、エッチングが垂直に進みやすい。以上が、ＨＦパルスにインターバル期間を設けた変形例１の効果である。

（変形例２）
次に、ＨＦパルス及びＬＦパルスにインターバル期間を設けた変形例２について、図６を参照して説明する。図６は、変形例２に係るプラズマ処理方法の一例を示す図である。

変形例２では、ＨＦパルス及びＬＦパルスの両方にインターバル期間を設けている。図６に示すように、８サイクル目～１０サイクル目の間は、ＬＦパルスがオフされ、ＬＦパルスのインターバル期間となっている。また、変形例２では、６サイクル目～１０サイクル目の間は、ＨＦパルスがオフされ、ＨＦパルスのインターバル期間となっている。このように、変形例２では、ＨＦパルス及びＬＦパルスの両方にインターバル期間が設けられる。

パルス周波数Ｆ１により示されるＨＦパルス及びパルス周波数Ｆ２により示されるＬＦパルスのパルス周波数は、図６の例では１ＫＨｚである。ＨＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ１は５０％であり、ＬＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ２）は２５％である。ＨＦとＬＦとは位相差があり、ＨＦがオフされるタイミングにＬＦがオンされる。１サイクル目～５サイクル目においてＨＦとＬＦの位相差及びオン・オフのタイミングは同じである。ただし、ＨＦとＬＦとは同期していてもよい。

インターバル周期の繰り返し周波数である繰り返し周波数Ｆ３は、パルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２よりも低い。パルス周波数Ｆ１及びパルス周波数Ｆ２は、繰り返し周波数Ｆ３の１０倍である。図６の例では、ＨＦが続けてオフ状態となるインターバル期間は、Ｄｕｔｙ１で示されるＨＦパルスのオン／オフの周期を繰り返す時間の合計時間（１サイクル～５サイクルの合計サイクル時間）とＨＦのインターバル期間との合計時間の５０％に設定されている。ＬＦが続けてオフ状態となるインターバル期間は、Ｄｕｔｙ２で示されるＬＦパルスのオン／オフの周期を繰り返す時間の合計時間（１サイクル～７サイクルの合計サイクル時間）とＬＦのインターバル期間との合計時間の３０％に設定されている。

Ｄｕｔｙ３は、ＨＦパルスがＤｕｔｙ１で示されるオン及びオフを繰り返す時間（１サイクル～５サイクルの合計サイクル時間）と、ＨＦが続けてオフ状態となるインターバル期間の合計時間の５０％に設定されている。Ｄｕｔｙ４は、ＬＦパルスがＤｕｔｙ２で示されるオン及びオフを繰り返す時間（１サイクル～７サイクルの合計サイクル時間）と、ＬＦが続けてオフ状態となるインターバル期間の合計時間の７０％に設定されている。

Ｄｕｔｙ３が５０％であってＤｕｔｙ４が７０％のとき、１サイクル目～５サイクル目の間、ＨＦパルス及びＬＦパルスのオン／オフが周期的に繰り返される。６サイクル目～７サイクル目の間、ＬＦパルスのオン／オフは周期的に繰り返されるが、ＨＦは、オフに制御される。８サイクル目～１０サイクル目の間、ＨＦパルス及びＬＦパルスのいずれもオフされる。変形例２の効果は、６サイクル目～７サイクル目の効果が変形例３の９サイクル目～１０サイクル目の効果となり、８サイクル目～１０サイクル目の効果が変形例３の６サイクル目～８サイクル目の効果となる点を除き、次の変形例３の効果と概ね同じである。

（変形例３）
次に、ＨＦパルス及びＬＦパルスにインターバル期間を設けた変形例３について、図７を参照して説明する。図７は、変形例３に係るプラズマ処理方法を説明するための図である。変形例３では、変形例２に対してＬＦが－２０％シフトしている点が異なり、他の構成は同じである。

変形例３の場合、１サイクル目～５サイクル目では、ＨＦパルスがオンした後ＬＦパルスがオンに制御される。よって、ＨＦパルスがオンしている間、図７（ａ）に示すように、ＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与し、イオン、電子、ラジカルが生成される。また、ＬＦパルスがオンしている間、図７（ｂ）に示すように、ＬＦにより高エネルギーのイオンをエッチング対象膜１０１の凹部に引き込む。これにより、高いエネルギーを持ったイオンにより、主にエッチングが促進される。イオンエネルギーが高く、エッチングレートが早くなり、イオンの入射角は比較的狭く、エッチングは垂直に進みやすくなる。

６サイクル目～８サイクル目では、ＨＦパルス及びＬＦパルスがオフされる。よって、プラズマ及びラジカルが減衰し、図７（ｃ）に示すように、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気がより促進される。９サイクル目～１０サイクル目は、ＬＦパルスのみオンされる。ＨＦがオフしているため、図７（ｄ）に示すように、ＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与していない分中程度のエネルギーのイオンにより、エッチングが促進される。中程度のイオンエネルギーを持つイオンにより、エッチングレートは中程度であり、マスク１０２へのダメージは低減する。このように、ＨＦとＬＦのシフト量を調整することにより、マスク１０２へのダメージ量を調整することができる。

（変形例４）
次に、ＨＦパルス及びＬＦパルスにインターバル期間を設けた変形例４について、図８を参照して説明する。図８は、変形例４に係るプラズマ処理方法を説明するための図である。図６の変形例２では、ＨＦパルスのインターバル期間がＬＦパルスのインターバル期間よりも長いのに対して、変形例４では、ＨＦパルスのインターバル期間がＬＦパルスのインターバル期間よりも短い点が異なる。

変形例４の場合、１サイクル目～６サイクル目では、ＨＦパルスがオンした後ＬＦパルスがオンに制御される。よって、ＨＦパルスがオンしている間、図８（ａ）に示すように、ＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与し、イオン、電子、ラジカルが生成される。また、ＬＦパルスがオンしている間、図８（ｂ）に示すように、ＬＦにより高エネルギーのイオンをエッチング対象膜１０１の凹部に引き込む。これにより、高いエネルギーを持ったイオンにより、主にエッチングが促進される。イオンエネルギーが高く、エッチングレートが早くなり、イオンの入射角は比較的狭く、エッチングは垂直に進みやすいが、マスク１０２へのダメージが大きくなる。ただし、ＨＦとＬＦに位相差があり、ＬＦが－２０％シフトしているため、ＨＦとＬＦとが同期している場合よりもマスク１０２へのダメージが改善される。

７サイクル目～８サイクル目では、ＨＦパルスがオン・オフを繰り返し、ＬＦパルスがオフされる。ＨＦパルスがオンしている間、図８（ａ）に示すように、ＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与し、イオン、電子、ラジカルが生成される。また、ＬＦパルスがオフされているため、図８（ｃ）に示すように、１サイクル目～６サイクル目のイオンと比べて弱いエネルギーを持ったイオンがマスク１０２の上部及び側部をエッチングすることで、マスクの側部に付着した副生成物を除去する。

９サイクル目～１０サイクル目では、ＨＦパルス及びＬＦパルスがオフされる。よって、プラズマ及びラジカルが減衰し、かつＬＦによるイオンの引き込みがないため、図８（ｄ）に示すように、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気がより促進される。

以上に説明したように、変形例１～変形例４に係る発明によれば、ＬＦ及びＨＦをオフするインターバル期間を設けることで、更にマスクのクロッギングを回避しつつ、排気効率を上げることができる。

また、変形例１～変形例４に係る発明においても、ＨＦがオンしている間はＨＦがプラズマ及びラジカルの生成に寄与し、イオン、電子、ラジカルが生成される。ＬＦがオンしている間は高いエネルギーを持ったイオンにより、主にエッチングが促進される。これにより、エッチングレートを維持でき、スループットを向上させることができる。また、ＨＦとＬＦに位相差を設け、ＨＦがオンした後にＬＦをオンすることで、マスク１０２へのダメージを改善できる。

なお、変形例１～変形例４に係る発明においても、ＨＦパルスのパルス周波数Ｆ１及びＬＦパルスのパルス周波数Ｆ２の少なくとも一方をインターバル期間の繰り返し周波数Ｆ３の５倍以上に設定する。また、ＨＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ１）及びＬＦパルスのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ２）を９０％以下で出力する。そして、ＨＦパルス及びＬＦパルスの出力に応じて、処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより基板を処理するように制御する。

（その他の変形例）
ＨＦパルスのパルス周波数を示すパルス周波数Ｆ１は、１ＫＨｚ以上かつ２０ＫＨｚ以下に設定されてもよい。

Ｄｕｔｙ１は、９０％以下に設定される。Ｄｕｔｙ１を９０％以上に設定すると、マスクのクロッギングが発生する可能性が高まり、かつ、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気の促進が阻害されるためである。さらに、Ｄｕｔｙ１は、１０％以上かつ９０％以下であることが好ましい。Ｄｕｔｙ１が１０％未満であると、ＨＦがオンされる時間が短く、プラズマが着火しない可能性があるためである。

ＬＦパルスにおけるインターバル周期の繰り返し周波数を示す繰り返し周波数Ｆ３は、０．１ＫＨｚ以上かつ１ＫＨｚ以下に設定されてもよい。Ｄｕｔｙ２は、１０％以上かつ９０％以下であることが好ましい。Ｄｕｔｙ２を１０％未満に設定すると、ＬＦがオンされる時間が短くなり、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気は良くなるが、エッチングレートが下がる。また、Ｄｕｔｙ２を９０％よりも大きくすると、エッチングレートは上がるが、エッチング対象膜１０１の凹部からの副生成物の排気の悪くなり、マスクのクロッギング（マスク閉塞）を発生させ、エッチストップが発生する可能性がある。

更に、Ｄｕｔｙ２は、６０％以上かつ８０％以下がより好ましい。これにより、ＬＦをオフするインターバルの時間を更に適正化することで、副生成物の排気とエッチングレートとのバランスを最適化し、マスクのクロッギングを回避しつつ、エッチングレートを維持でき、スループットを向上させることができる。

パルス周波数Ｆ１は繰り返し周波数Ｆ３の５倍以上に設定される。パルス周波数Ｆ１は繰り返し周波数Ｆ３の１０倍以上であればより好ましい。これにより、副生成物の排気時間を確保し、マスクのクロッギングを抑制できる。

ＨＦパルスとＬＦパルスとは位相差を有してもよい。つまり、ＬＦパルスのオン時間とＨＦパルスのオン時間のタイミングがずれてもよい。例えば、ＬＦパルスのオン時間とＨＦパルスのオン時間とが１００％シフトしてもよい。ＬＦパルスのオン時間とＨＦパルスのオン時間とが１００％シフトしている場合、ＬＦパルスのオン時間とＨＦパルスのオン時間とは重ならない。

ＨＦパルスは例えば３００Ｗ～２４００Ｗの範囲のパワーである。ＬＦパルスは例えば５００Ｗ～７０００Ｗの範囲のパワーである。

制御部２は、以上に示した範囲で、（１）パルス周波数Ｆ１、（２）Ｄｕｔｙ１、（３）繰り返し周波数Ｆ３、（４）Ｄｕｔｙ２、及び（５）パルス周波数Ｆ１が繰り返し周波数Ｆ３の５倍以上であること、の（１）～（５）の５つの条件をすべて満たすように制御する。この条件で、本実施形態に係るプラズマ処理方法が実行される。

なお、上記５つの条件のうち、ＨＦのオフ時間ではパワーを０Ｗに制御する例を挙げて説明したが、ＨＦをオフする替わりにＬｏｗに制御してもよい。ＨＦをＬｏｗに制御するとは、ＨＦを０Ｗよりも高いパワーであって、オン時間に出力するＨＦの出力レベルよりも低いパワーのＨＦを出力する制御をいう。

同様に、ＬＦのオフ時間ではパワーを０Ｗに制御する例を挙げて説明したが、ＬＦをオフする替わりにＬｏｗに制御してもよい。ＬＦをＬｏｗに制御するとは、ＬＦを０Ｗよりも高いパワーであって、オン時間に出力するＬＦの出力レベルよりも低いパワーのＬＦを出力する制御をいう。

ＨＦをＬｏｗに制御する場合、ＨＦをオフに制御する場合と比べてラジカルを生成できるため、ラジカルの制御を行うことができる。よって、ラジカル制御を行いたい場合には、ＨＦをオンした後にＨＦをオフするよりもＬｏｗに制御した方がよい。ＨＦはＬＦよりも周波数が高いためイオンはＨＦの周波数の変化に追従することができない。このため、ＨＦをＬｏｗに制御することで、主にラジカルを制御する。

ＬＦをＬｏｗに制御する場合、ＬＦをオフに制御する場合と比べてイオンの制御を行うことができる。ＬＦはＨＦよりも周波数が低いためイオンはＬＦの周波数の変化に追従することができる。このため、ＬＦをＬｏｗに制御することで、主にイオンを制御できる。

以上に説明したように、本実施形態に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、ＬＦをオフ又はＬｏｗに制御するインターバル期間を設けることで、マスクのクロッギングを回避することができ、スループットを向上させることができる。

なお、本実施形態に係るプラズマ処理方法によって示される各サイクルにおいて各種のパラメータを調整することにより、エッチング対象膜１０１に対するマスクの高選択比等を達成することができる。例えば、各種パラメータとは、各サイクルの各ステップ（オン、オフ等）の時間、プラズマ処理に使用する処理ガスのガス比、ＨＦ及びＬＦの設定出力（Ｈｉｇｈパワー、Ｌｏｗパワー）、ＨＦ及びＬＦのパルス周波数（パルス周波数Ｆ１，パルス周波数Ｆ２）、ＨＦ及びＬＦのＤｕｔｙ比（Ｄｕｔｙ１、Ｄｕｔｙ２）が挙げられる。

今回開示された実施形態に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

本開示のプラズマ処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。

１ プラズマ処理装置
２ 制御部
２ａ コンピュータ
２ａ１ 処理部
２ａ２ 記憶部
２ａ３ 通信インターフェース
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
２１ ガスソース
２０ ガス供給部
３０ 電源
３１ ＲＦ電源
３１ａ 第１のＲＦ生成部
３１ｂ 第２のＲＦ生成部
３２ａ 第１のＤＣ生成部
３２ｂ 第２のＤＣ生成部
４０ 排気システム
１００ シリコン基板
１０１ エッチング対象膜
１０２ マスク
１１１ 本体部
１１２ リングアセンブリ

Claims (13)

1. 真空排気可能な処理容器と、
   前記処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極と、
   前記第１電極に対向して設けられた第２電極又はアンテナと、
   前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナに接続され、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナにプラズマ生成用の連続する複数の第１の高周波電力パルスを供給する第１の高周波電力供給部と、
   前記第１電極に接続され、前記第１電極に前記第１の高周波電力パルスと同期し、バイアス用の連続する複数の第２の高周波電力パルスを供給する第２の高周波電力供給部と、
   前記第１の高周波電力供給部及び前記第２の高周波電力供給部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記被処理基板が有するエッチング対象膜に対するエッチング工程において、
   前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスのいずれか一方にインターバル期間を設け、かつ、前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスの他方には前記インターバル期間を設けず、
   前記第１の高周波電力パルスの第１パルス周波数及び前記第２の高周波電力パルスの第２パルス周波数を前記インターバル期間の繰り返し周波数の５倍以上に設定し、
   前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比を９０％以下で出力し、
   前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスの出力に応じて、前記処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより前記被処理基板を処理するように制御する、
   プラズマ処理装置。
2. 前記インターバル期間のＤｕｔｙ比は、１０％以上かつ９０％以下である、
   請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記インターバル期間のＤｕｔｙ比は、６０％以上かつ８０％以下である、
   請求項２に記載のプラズマ処理装置。
4. 真空排気可能な処理容器と、
   前記処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極と、
   前記第１電極に対向して設けられた第２電極又はアンテナと、
   前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナに接続され、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナにプラズマ生成用の連続する複数の第１の高周波電力パルスを供給する第１の高周波電力供給部と、
   前記第１電極に接続され、前記第１電極に前記第１の高周波電力パルスと同期し、バイアス用の連続する複数の第２の高周波電力パルスを供給する第２の高周波電力供給部と、
   前記第１の高周波電力供給部及び前記第２の高周波電力供給部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記被処理基板が有するエッチング対象膜に対するエッチング工程において、
   前記第１の高周波電力パルスに第１のインターバル期間を設け、かつ、前記第２の高周波電力パルスに前記第１のインターバル期間と異なる第２のインターバル期間を設け、
   前記第１の高周波電力パルスの第１パルス周波数及び前記第２の高周波電力パルスの第２パルス周波数を前記第１のインターバル期間及び前記第２のインターバル期間の繰り返し周波数の５倍以上に設定し、
   前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比を９０％以下で出力し、
   前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスの出力に応じて、前記処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより前記被処理基板を処理するように制御する、
   プラズマ処理装置。
5. 前記第１のインターバル期間及び前記第２のインターバル期間のそれぞれのＤｕｔｙ比は、１０％以上かつ９０％以下である、
   請求項４に記載のプラズマ処理装置。
6. 前記第１のインターバル期間及び前記第２のインターバル期間のそれぞれのＤｕｔｙ比は、６０％以上かつ８０％以下である、
   請求項５に記載のプラズマ処理装置。
7. 前記第１パルス周波数及び前記第２パルス周波数は前記繰り返し周波数の１０倍以上である、
   請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
8. 前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比は、１０％以上かつ９０％以下である、
   請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
9. 前記繰り返し周波数は、０．１ＫＨｚ以上かつ１ＫＨｚ以下である、
   請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記第１パルス周波数及び前記第２パルス周波数は、１ＫＨｚ以上かつ２０ＫＨｚ以下である、
    請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
11. 前記第１の高周波電力パルスと前記第２の高周波電力パルスとは位相差を有する、
    請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
12. 真空排気可能な処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極と、
    前記第１電極に対向して設けられた第２電極又はアンテナと、
    前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナに接続され、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナにプラズマ生成用の連続する複数の第１の高周波電力パルスを供給する第１の高周波電力供給部と、
    前記第１電極に接続され、前記第１電極に前記第１の高周波電力パルスと同期し、バイアス用の連続する複数の第２の高周波電力パルスを供給する第２の高周波電力供給部と、
    を備えるプラズマ処理装置において実行するプラズマ処理方法であって、
    前記被処理基板が有するエッチング対象膜に対するエッチング工程において、
    前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスのいずれか一方にインターバル期間を設け、かつ、前記第１の高周波電力パルス又は前記第２の高周波電力パルスの他方には前記インターバル期間を設けず、
    前記第１の高周波電力パルスの第１パルス周波数及び前記第２の高周波電力パルスの第２パルス周波数を前記インターバル期間の繰り返し周波数の５倍以上に設定し、
    前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比を９０％以下で出力し、
    前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスの出力に応じて、前記処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより前記被処理基板を処理する、
    プラズマ処理方法。
13. 真空排気可能な処理容器と、
    前記処理容器内に配置され、被処理基板を支持する第１電極と、
    前記第１電極に対向して設けられた第２電極又はアンテナと、
    前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナに接続され、前記第１電極、前記第２電極又は前記アンテナにプラズマ生成用の連続する複数の第１の高周波電力パルスを供給する第１の高周波電力供給部と、
    前記第１電極に接続され、前記第１電極に前記第１の高周波電力パルスと同期し、バイアス用の連続する複数の第２の高周波電力パルスを供給する第２の高周波電力供給部と、
    を備えるプラズマ処理装置において実行するプラズマ処理方法であって、
    前記被処理基板が有するエッチング対象膜に対するエッチング工程において、
    前記第１の高周波電力パルスに第１のインターバル期間を設け、かつ、前記第２の高周波電力パルスに前記第１のインターバル期間と異なる第２のインターバル期間を設け、
    前記第１の高周波電力パルスの第１パルス周波数及び前記第２の高周波電力パルスの第２パルス周波数を前記第１のインターバル期間及び前記第２のインターバル期間の繰り返し周波数の５倍以上に設定し、
    前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスのＤｕｔｙ比を９０％以下で出力し、
    前記第１の高周波電力パルス及び前記第２の高周波電力パルスの出力に応じて、前記処理容器内に供給された処理ガスから生成されるプラズマにより前記被処理基板を処理する、
    プラズマ処理方法。
    

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