JP7604571B2 - Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern - Google Patents
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Description
本発明は、感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物から硬化レリーフパターンを製造するための方法等に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method for producing a cured relief pattern from the photosensitive resin composition, and the like.
従来、電子部品の絶縁材料、半導体装置のパッシベーション膜、表面保護膜、層間絶縁膜等には、優れた耐熱性、電気特性、及び機械特性を併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。このポリイミド樹脂の中でも、感光性ポリイミド前駆体の形態で供されるものは、該前駆体の塗布、露光、現像、及びキュアによる熱イミド化処理によって、耐熱性のレリーフパターン皮膜を容易に形成することができるため、従来の非感光型ポリイミド樹脂と比較して、大幅な工程短縮を可能にするという特徴を有している。 Conventionally, polyimide resins, which have excellent heat resistance, electrical properties, and mechanical properties, have been used for insulating materials in electronic components, passivation films, surface protective films, interlayer insulating films, etc. in semiconductor devices. Among these polyimide resins, those provided in the form of photosensitive polyimide precursors can easily form heat-resistant relief pattern films by applying the precursor, exposing it to light, developing it, and subjecting it to thermal imidization treatment by curing, and therefore have the characteristic of enabling a significant reduction in the process compared to conventional non-photosensitive polyimide resins.
一方、近年は、集積度及び演算機能の向上、並びにチップサイズの矮小化の観点から、半導体装置のプリント配線基板への実装方法も変化している。従来の金属ピン及び鉛－スズ共晶ハンダによる実装方法から、より高密度実装が可能なＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパッケージング）等の、ポリイミド被膜が、直接ハンダバンプに接触する構造が用いられるようになってきている。このようなバンプ構造を形成するときには、当該ポリイミド被膜には高い耐熱性と耐薬品性とが要求される。 Meanwhile, in recent years, the methods of mounting semiconductor devices on printed wiring boards have also changed in order to improve integration and computing functions, as well as to reduce chip size. Conventional mounting methods using metal pins and lead-tin eutectic solder have been replaced by structures in which a polyimide coating directly contacts the solder bumps, such as BGA (ball grid array) and CSP (chip size packaging), which allow for higher density mounting. When forming such bump structures, the polyimide coating is required to have high heat resistance and chemical resistance.
更に、半導体装置の微細化が進むことで、配線遅延の問題が顕在化している。半導体装置の配線抵抗を改善する手段として、これまで使用されてきた金又はアルミニウム配線から、より抵抗の低い銅又は銅合金の配線への変更が行われている。
また、配線間の絶縁性を高めることで配線遅延を防ぐ方法も採用されている。近年、この絶縁性の高い材料として、低誘電率材料が半導体装置を構成することが多い。しかし、低誘電率材料は脆く、壊れ易い傾向にある。低誘電率材料により構成された半導体装置では、例えばハンダリフロー工程を経て半導体チップとともに基板上に実装されたときに、温度変化による収縮で低誘電率材料部分が破壊されるという問題が存在している。
Furthermore, as semiconductor devices become more miniaturized, problems with wiring delays become apparent. As a means for improving the wiring resistance of semiconductor devices, the gold or aluminum wiring that has been used up until now has been replaced by copper or copper alloy wiring, which has lower resistance.
Also, a method of preventing wiring delay by increasing the insulation between wirings has been adopted. In recent years, semiconductor devices are often made of low-dielectric constant materials as highly insulating materials. However, low-dielectric constant materials tend to be brittle and easily broken. In semiconductor devices made of low-dielectric constant materials, there is a problem that when the semiconductor chip is mounted on a substrate after a solder reflow process, for example, the low-dielectric constant material portion is destroyed due to contraction caused by temperature change.
この問題を解決する手段として、例えば、特許文献１には、末端エチレン結合を有する炭素数４以上の感光性基の一部を炭素数１乃至３の炭化水素基に置換した感光性ポリイミド前駆体を用いることが開示されている。 As a means of solving this problem, for example, Patent Document 1 discloses the use of a photosensitive polyimide precursor in which a portion of the photosensitive group having a terminal ethylene bond and 4 or more carbon atoms is replaced with a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms.
なお、特許文献２は、感光性樹脂組成物に配合可能な熱塩基発生剤を開示する。
なお、特許文献３には、半導体チップの表面に再配線層を形成し、その上にバンプ（電極）を形成した後、該チップを裏返して、プリント基板に直接実装する、フリップチップ実装が提案されている。フリップチップ実装の金属再配線層形成工程時には樹脂層の耐薬品性が求められるが、従来の樹脂組成物では薬液浸漬後に膜厚が変化し、設計通りのパターンを形成することが困難であった。 Patent Document 3 proposes flip-chip mounting, in which a rewiring layer is formed on the surface of a semiconductor chip, bumps (electrodes) are formed on the rewiring layer, and then the chip is turned over and mounted directly on a printed circuit board. During the metal rewiring layer formation process in flip-chip mounting, chemical resistance is required for the resin layer, but with conventional resin compositions, the film thickness changes after immersion in a chemical solution, making it difficult to form a pattern as designed.
なお、特許文献４には、前処理済みのウェハをダイシングして個片チップを製造し、支持体上に個片チップを再構築してモールド樹脂で封止し、支持体を剥離した後に再配線層を形成するファンナウトウェハレベルパッケージ（ＦＯＷＬＰ）と呼ばれる半導体チップ実装技術が提案されている。パッケージ実装技術の多様化に伴い、支持体の種類が多種化し、加えて再配線層が多層化するため、再配線層の積層時に所望の解像性が得られない場合には、当該層を薬液により剥離して再度積層することになるが、その薬液により、下層部の膜がダメージを受け、膜厚が減少したり、再配線層の銅ピラーへの密着性が低下したりすることがあった。
なお、特許文献５にもファンナウト型半導体装置が記述されている。ファンナウト型半導体装置の製造プロセスにおいて、できる限り低温で熱硬化させた感光性ポリイミド樹脂は、イミド化が不十分であり、層間絶縁膜としての膜物性が十分ではなかった。一方、感光性ポリイミド樹脂を完全にイミド化させる熱硬化工程を経てファンナウト型半導体装置を製造すると、熱硬化工程の熱ダメージにより、半導体装置の収率が悪化していた。また、上記製造プロセスにおいて、感光性樹脂組成物を用いて得られた硬化レリーフパターンには、Ｃｕボイドの抑制、再配線層中の層間絶縁膜と封止材の密着性、イミド化率、耐薬品性、モールド樹脂上での解像度などについて改良の余地があった。 Patent Document 5 also describes a fan-out type semiconductor device. In the manufacturing process of a fan-out type semiconductor device, the photosensitive polyimide resin thermally cured at the lowest possible temperature was insufficiently imidized, and the film properties as an interlayer insulating film were insufficient. On the other hand, when a fan-out type semiconductor device was manufactured through a thermal curing process in which the photosensitive polyimide resin was completely imidized, the yield of the semiconductor device was deteriorated due to heat damage in the thermal curing process. In addition, in the above manufacturing process, the cured relief pattern obtained using the photosensitive resin composition had room for improvement in terms of suppression of Cu voids, adhesion between the interlayer insulating film in the rewiring layer and the sealing material, imidization rate, chemical resistance, resolution on the mold resin, etc.
しかしながら、特許文献１に記載のポリイミド前駆体は、銅上でレリーフパターンを形成する際に解像度が不十分であるという問題があった。また、特許文献１に記載のポリイミド前駆体から得られたポリイミド層を備える半導体デバイスでは、高温下で保存した際の銅マイグレーションが原因と考えられる、銅上のボイド形成が問題であった。更に、特許文献１に記載の前駆体から得られたポリイミド膜は、高温高湿下で保存した場合に、膜の伸度が低下するという問題があった。 However, the polyimide precursor described in Patent Document 1 has a problem of insufficient resolution when forming a relief pattern on copper. Also, in a semiconductor device having a polyimide layer obtained from the polyimide precursor described in Patent Document 1, there is a problem of void formation on the copper, which is thought to be caused by copper migration when stored at high temperatures. Furthermore, the polyimide film obtained from the precursor described in Patent Document 1 has a problem of reduced elongation of the film when stored under high temperature and high humidity conditions.
したがって、本発明は、銅上でのレリーフパターン形成時に高い解像性を示し、高温保管時の銅上ボイドが形成され難く、更には高温高湿下で保存した場合でも、優れた伸度を示すネガ型感光性樹脂組成物、及び該ネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化レリーフパターンを製造する方法を提供することを目的とする。 The present invention therefore aims to provide a negative-type photosensitive resin composition that exhibits high resolution when forming a relief pattern on copper, is less likely to cause voids on the copper when stored at high temperatures, and exhibits excellent elongation even when stored under high temperature and high humidity conditions, and a method for producing a cured relief pattern using the negative-type photosensitive resin composition.
本発明者らは、特定の構造の側鎖を有するポリイミド前駆体と、光重合開始剤とを組み合わせることにより、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の第一の態様は以下のとおりである。
［１］
（Ａ）下記一般式（Ｉ－１）：
で表される構造単位を含むポリイミド前駆体：１００質量部、及び
（Ｂ）光重合開始剤：０．１質量部～２０質量部
を含む、ネガ型感光性樹脂組成物。
［２］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ１）：
で表される基を含む、項目１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［３］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中のＲ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基の割合が、５０モル％以上である、項目２に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［４］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）：
で表される基を含む、項目１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［５］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ２）及び（Ｉ－Ｒ３）のそれぞれで表される１価の有機基の合計の割合が、５０モル％以上である、項目４に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［６］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、下記一般式（Ｉ－１－１）：
で表される構造単位を含む、項目１～５のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［７］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ１）：
で表される基を含む、項目６に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［８］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中のＲ１及びＲ２のすべてに対する前記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基の割合が、５０モル％以上である、項目７に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［９］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）：
で表される基を含む、項目６に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１０］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ２）及び（Ｉ－Ｒ３）のそれぞれで表される１価の有機基の合計の割合が、５０モル％以上である、項目９に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１１］
（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、下記一般式（Ｉ－１－２）：
で表される構造単位を含む、項目１～５のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１２］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ１）：
で表される基を含む、項目１１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１３］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する前記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基の割合が、５０モル％以上である、項目１２に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１４］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）：
で表される基を含む、項目１１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１５］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ２）及び（Ｉ－Ｒ３）のそれぞれで表される１価の有機基の合計の割合が、５０モル％以上である、項目１４に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１６］
（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、下記一般式（Ｉ－１－３）：
で表される構造単位を含む、項目１～５のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１７］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ１）：
で表される基を含む、項目１６に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１８］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中のＲ１及びＲ２のすべてに対する前記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基の割合が、５０モル％以上である、項目１７に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［１９］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）：
で表される基を含む、項目１６に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［２０］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ２）及び（Ｉ－Ｒ３）のぞれぞれで表される１価の有機基の合計の割合が、５０モル％以上である、項目１９に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［２１］
更に（Ｃ）防錆剤０．０１～５質量部を含む、項目１～２０のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［２２］
更に（Ｄ）熱塩基発生剤０．５～２０質量部を含む、項目１～２１のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
［２３］
項目１～２２のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化してポリイミドを形成する工程を含む、ポリイミドの製造方法。
［２４］
以下の工程：
（１）項目１～２２のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を前記基板上に形成する工程と、
（２）前記感光性樹脂層を露光する工程と、
（３）前記露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程と、
（４）前記レリーフパターンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程と
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。
The present inventors have found that the above-mentioned problems can be solved by combining a polyimide precursor having a side chain with a specific structure with a photopolymerization initiator, and have thus completed the present invention. That is, a first aspect of the present invention is as follows.
[1]
(A) The following general formula (I-1):
and (B) 0.1 to 20 parts by mass of a photopolymerization initiator.
[2]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R1):
2. The negative type photosensitive resin composition according to item 1, comprising a group represented by the following formula:
[3]
Item 3. The negative type photosensitive resin composition according to
[4]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R2) or (I-R3):
2. The negative type photosensitive resin composition according to item 1, comprising a group represented by the following formula:
[5]
5. The negative type photosensitive resin composition according to
[6]
The structural unit represented by the general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (I-1-1):
6. The negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 5, comprising a structural unit represented by:
[7]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R1):
7. The negative type photosensitive resin composition according to item 6, comprising a group represented by the following formula:
[8]
Item 8. The negative type photosensitive resin composition according to item 7, wherein the ratio of the monovalent organic group represented by the general formula (I-R1) to all of R 1 and R 2 in the polyimide precursor (A) is 50 mol % or more.
[9]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R2) or (I-R3):
7. The negative type photosensitive resin composition according to item 6, comprising a group represented by the following formula:
[10]
[11]
(A) The structural unit represented by the above general formula (I-1) in the polyimide precursor is represented by the following general formula (I-1-2):
6. The negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 5, comprising a structural unit represented by:
[12]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R1):
[13]
[14]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R2) or (I-R3):
[15]
Item 15. The negative type photosensitive resin composition according to item 14, wherein the total ratio of the monovalent organic groups represented by each of the general formulas (I-R2) and (I-R3) to all of R 1 and R 2 in the polyimide precursor (A) is 50 mol % or more.
[16]
(A) The structural unit represented by the above general formula (I-1) in the polyimide precursor is represented by the following general formula (I-1-3):
6. The negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 5, comprising a structural unit represented by:
[17]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R1):
Item 17. The negative photosensitive resin composition according to item 16, comprising a group represented by the following formula:
[18]
Item 18. The negative type photosensitive resin composition according to item 17, wherein the ratio of the monovalent organic group represented by the general formula (I-R1) to all of R 1 and R 2 in the polyimide precursor (A) is 50 mol % or more.
[19]
In the polyimide precursor (A), at least one of R 1 and R 2 is represented by the following general formula (I-R2) or (I-R3):
Item 17. The negative photosensitive resin composition according to item 16, comprising a group represented by the following formula:
[20]
Item 20. The negative type photosensitive resin composition according to item 19, wherein the total ratio of the monovalent organic groups represented by each of the general formulas (I-R2) and (I-R3) to all of R 1 and R 2 in the polyimide precursor (A) is 50 mol % or more.
[21]
21. The negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 20, further comprising 0.01 to 5 parts by mass of a rust inhibitor (C).
[22]
22. The negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 21, further comprising: (D) 0.5 to 20 parts by mass of a thermal base generator.
[23]
23. A method for producing a polyimide, comprising: curing the negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 22 to form a polyimide.
[24]
The following steps:
(1) A step of applying the negative type photosensitive resin composition according to any one of items 1 to 22 onto a substrate to form a photosensitive resin layer on the substrate;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) A method for producing a cured relief pattern, comprising the step of heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern.
また、本発明の第二の態様は以下のとおりである。
［２５］
（Ａ）下記一般式（ＩＩ－１）：
で表される基である。｝及び下記一般式（ＩＩ－３）：
で表される基である。｝
で表される構造を含むポリイミド前駆体；１００質量部、及び
（Ｂ）光重合開始剤；０．１～２０質量部
を含む感光性樹脂組成物。
［２６］
前記一般式（ＩＩ－４）中のＺが、１つ以上の芳香環が窒素原子に直結した芳香族３級アミン構造を有する、項目２５に記載の感光性樹脂組成物。
［２７］
前記一般式（ＩＩ－４）中のＺが、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル（ｂｏｃ）基、又は９－フルオレニルメチルオキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）基で保護されたアミンを含む１価の有機基である、項目２５に記載の感光性樹脂組成物。
［２８］
前記一般式（ＩＩ－４）中のＺが、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル（ｂｏｃ）基で保護された塩基を含む１価の有機基である、項目２５に記載の感光性樹脂組成物。
［２９］
前記一般式（ＩＩ－４）中のＺが、９－フルオレニルメチルオキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）基で保護されたアミンを含む１価の有機基である、項目２５に記載の感光性樹脂組成物。
［３０］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体の前記一般式（ＩＩ－１）及び（ＩＩ－３）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ６、及びＲ７の全てに対する前記一般式（ＩＩ－４）で表される１価の有機基の割合は、１モル％～５０モル％である、項目２５～２９のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［３１］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体の前記一般式（ＩＩ－１）及び（ＩＩ－３）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ６、及びＲ７の全てに対する上記一般式（ＩＩ－４）で表される１価の有機基の割合は、２．５モル％～２５モル％である、項目２５～３０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［３２］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（ＩＩ－５）：
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含む、項目２５～３１のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［３３］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（ＩＩ－６）：
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含む、項目２５～３２のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［３４］
前記感光性樹脂組成物がネガ型である、項目２５～３３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［３５］
以下の工程：
（１）項目２５～３４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
（２）該感光性樹脂層を露光する工程と、
（３）該露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程と、
（４）該レリーフパターンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程と
を含む硬化レリーフパターンの製造方法。
［３６］
項目２５～３４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物をポリイミドに変換する工程を含むポリイミドの製造方法。
The second aspect of the present invention is as follows.
[25]
(A) The following general formula (II-1):
and the following general formula (II-3):
It is a group represented by the following formula:
and (B) 0.1 to 20 parts by mass of a photopolymerization initiator.
[26]
Item 26. The photosensitive resin composition according to item 25, wherein Z in the general formula (II-4) has an aromatic tertiary amine structure in which one or more aromatic rings are directly bonded to a nitrogen atom.
[27]
26. The photosensitive resin composition according to item 25, wherein Z in the general formula (II-4) is a monovalent organic group containing an amine protected by a tert-butoxycarbonyl (boc) group or a 9-fluorenylmethyloxycarbonyl (Fmoc) group.
[28]
26. The photosensitive resin composition according to item 25, wherein Z in the general formula (II-4) is a monovalent organic group containing a base protected by a tert-butoxycarbonyl (boc) group.
[29]
26. The photosensitive resin composition according to item 25, wherein Z in the general formula (II-4) is a monovalent organic group containing an amine protected with a 9-fluorenylmethyloxycarbonyl (Fmoc) group.
[30]
30. The photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 29, wherein the ratio of the monovalent organic group represented by the general formula (II-4) to all of R 1 , R 2 , R 6 , and R 7 in the general formulas (II-1) and (II-3) of the polyimide precursor (A) is 1 mol % to 50 mol %.
[31]
31. The photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 30, wherein the ratio of the monovalent organic group represented by the general formula (II-4) to all of R 1 , R 2 , R 6 , and R 7 in the general formulas (II-1) and (II-3) of the polyimide precursor (A) is 2.5 mol % to 25 mol %.
[32]
The polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-5):
It is a group represented by the following formula:
32. The photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 31, comprising a resin having a structural unit represented by the following formula:
[33]
The polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-6):
It is a group represented by the following formula:
33. The photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 32, comprising a resin having a structural unit represented by the following formula:
[34]
34. The photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 33, wherein the photosensitive resin composition is a negative type.
[35]
The following steps:
(1) A step of applying the photosensitive resin composition according to any one of items 25 to 34 onto a substrate to form a photosensitive resin layer on the substrate;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) A method for producing a cured relief pattern, comprising the step of heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern.
[36]
Item 35. A method for producing a polyimide, comprising a step of converting the photosensitive resin composition according to any one of Items 25 to 34 into a polyimide.
また、本発明の第三の態様は、以下のとおりである。
［３７］
ポリイミドを含む硬化膜であって、
ＡＴＲ（Attenuated Total Reflection）法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であることを特徴とする硬化膜。
［３８］
前記ピークの比が、０．１～０．２５である、項目３７に記載の硬化膜。
［３９］
更に、１３８０ｃｍ－１付近のピークと１５００ｃｍ－１付近のピークの比（１３８０ｃｍ－１付近のピーク／１５００ｃｍ－１付近のピーク）が、０．１～２．１である、項目３７または３８に記載の硬化膜。
［４０］
前記硬化膜の５％重量減少温度が、２８０℃以上３５０℃以下である、項目３７～３９のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４１］
前記ポリイミドは下記一般式（ＩＩＩ－Ａ）の構造を含む、項目３７～４０のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４２］
前記ポリイミドの前記Ｘ１が
下記式（ＩＩＩ－Ｃ１）～（ＩＩＩ－Ｃ３）：
前記ポリイミドの前記Ｙ１が
下記式（ＩＩＩ－Ｄ１）～（ＩＩＩ－Ｄ３）：
から選ばれる少なくとも１種の構造骨格を含む、項目４１に記載の硬化膜。
［４３］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含む、項目４２に記載の硬化膜。
［４４］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含む、項目４２または４３に記載の硬化膜。
［４５］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含む、項目４２～４４のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４６］
前記ポリイミドの前記Ｙ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｄ１）の構造骨格を含む、項目４２～４５のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４７］
前記ポリイミドの前記Ｙ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目４２～４６のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４８］
前記ポリイミドの前記Ｙ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含む、項目４２～４７のいずれか１項に記載の硬化膜。
［４９］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目４２～４８のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５０］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目４２～４９のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５１］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目４２～５０のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５２］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含む、項目４２～５１のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５３］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含む、項目４２～５２のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５４］
前記ポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含む、項目４２～５２のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５５］
前記ポリイミドは、第１のポリイミドと第２のポリイミドを含み、
前記第１のポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、
前記第２のポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、
項目４２～５１のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５６］
前記ポリイミドは、第１のポリイミドと第２のポリイミドを含み、
前記第１のポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、
前記第２のポリイミドの前記Ｘ１は、前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、前記ポリイミドの前記Ｙ１は前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、
項目４２～５１のいずれか１項に記載の硬化膜。
［５７］
（Ａ）ポリイミド前駆体と、（Ｂ）光重合開始剤と、（Ｃ）架橋剤と、（Ｄ）有機溶媒と、を含む感光性樹脂組成物であって、
（１）前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を前記基板上に形成する工程；
（２）前記感光性樹脂層を１０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光する工程；
（３）前記露光後の前記感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程；
さらに、
（４）前記レリーフパターンを窒素雰囲気下２００℃で２時間加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程；
を順に経て得られる硬化膜を、ＡＴＲ法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
［５８］
更に（Ｅ）熱塩基発生剤を含む、項目５７に記載の感光性樹脂組成物。
［５９］
前記ピークの比が、０．１～０．２５である、項目５７に記載の感光性樹脂組成物。
［６０］
更に、１３８０ｃｍ－１付近のピークと１５００ｃｍ－１付近のピークの比（１３８０ｃｍ－１付近のピーク／１５００ｃｍ－１付近のピーク）が、０．４～２．１である、項目５７または５８に記載の感光性樹脂組成物。
［６１］
前記硬化膜の５％重量減少温度が、２８０℃以上３５０℃以下である、項目５７～５９のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［６２］
前記（Ｃ）架橋剤が、テトラエチレングリコールジメタクリレートを含む、項目５７～６１のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［６３］
前記（Ｃ）架橋剤が、分子内にメタクリル基及び／またはアクリル基を２個含有する化合物と、分子内にメタクリル基及び／またはアクリル基を３個以上含有する化合物の混合物である、項目５７～６１のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［６４］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（ＩＩＩ－１）：
または下記一般式（ＩＩＩ－３）：
で表されるポリアミド酸、ポリアミド酸エステルまたはポリアミド酸塩である、項目５７～６３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［６５］
前記一般式（ＩＩＩ－１）において前記Ｘが、下記一般式（ＩＩＩ－４）または（ＩＩＩ－５）で表される４価の基を含む、項目６４に記載の感光性樹脂組成物。
［６６］
前記一般式（ＩＩＩ－１）において前記Ｙが、下記一般式（ＩＩＩ－６）で表される２価の基を含む、項目６４に記載の感光性樹脂組成物。
［６７］
前記ポリイミド前駆体の前記Ｘが下記式（ＩＩＩ－Ｃ１）～（ＩＩＩ－Ｃ３）のいずれかの構造骨格を含む、または、前記ポリイミド前駆体の前記Ｙが下記式（ＩＩＩ－Ｄ１）～（ＩＩＩ－Ｄ３）のいずれかの構造骨格を含む、項目６４に記載の感光性樹脂組成物。
［６８］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含む、項目６７に記載の感光性樹脂組成物。
［６９］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含む、項目６７または６８に記載の感光性樹脂組成物。
［７０］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含む、項目６７～６９のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７１］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ１）の構造骨格を含む、項目６７～７０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７２］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７１のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７３］
前記ポリイミド前駆体は、前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含む、項目６７～７２のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７４］
前記ポリイミド前駆体は、
前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７５］
前記ポリイミド前駆体は、
前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７６］
前記ポリイミド前駆体は、
前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７７］
前記ポリイミド前駆体は、第１のポリイミド前駆体と第２のポリイミド前駆体を含み、
前記第１のポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、
前記第２のポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７８］
前記ポリイミド前駆体は、第１のポリイミド前駆体と第２のポリイミド前駆体を含み、
前記第１のポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、
前記第２のポリイミド前駆体は、前記Ｘが前記式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及び前記Ｙが前記式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含む、項目６７～７７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［７９］
半導体チップと、
前記半導体チップを覆う封止材と、
平面視で前記半導体チップよりも面積が大きい再配線層と、を備え、
前記再配線層の層間絶縁膜は、ＡＴＲ法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が０．０５～０．３５である、硬化膜であることを特徴とする半導体装置。
［８０］
前記封止材は、前記層間絶縁膜と直接接する、項目７９に記載の半導体装置。
［８１］
前記封止材は、エポキシ樹脂を含む、項目７９または８０に記載の半導体装置。
［８２］
前記再配線層は、前記再配線層を断面視したときに、第１の層間絶縁膜層と、第２の層間絶縁膜層と、前記第１の層間絶縁膜層及び前記第２の層間絶縁膜層とは異なる層で前記第１の層間絶縁膜層と前記第２の層間絶縁膜層の間に設けられた中間層と、を含む、項目７９～８１のいずれか１項に記載の半導体装置。
［８３］
前記半導体装置が、ファンナウト型のウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置である、項目７９～８２のいずれか１項に記載の半導体装置。
［８４］
半導体チップを封止材で覆う工程と、
平面視で前記半導体チップよりも面積が大きく、且つ、層間絶縁膜を含む再配線層を形成する工程とを含み、
前記層間絶縁膜として、ＡＴＲ法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５である硬化膜を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Moreover, a third aspect of the present invention is as follows.
[37]
A cured film containing polyimide,
A cured film characterized in that the ratio of a peak near 2950 cm -1 to a peak near 1720 cm -1 (peak near 2950 cm -1 /peak near 1720 cm -1 ) is 0.05 to 0.35 when IR spectrum is measured by an ATR (Attenuated Total Reflection) method.
[38]
Item 38. The cured film according to item 37, wherein the ratio of the peaks is 0.1 to 0.25.
[39]
Item 39. The cured film according to item 37 or 38, wherein the ratio of the peak near 1380 cm −1 to the peak near 1500 cm −1 (peak near 1380 cm −1 / peak near 1500 cm −1 ) is 0.1 to 2.1.
[40]
Item 40. The cured film according to any one of items 37 to 39, wherein the cured film has a 5% weight loss temperature of 280° C. or higher and 350° C. or lower.
[41]
The cured film according to any one of items 37 to 40, wherein the polyimide comprises a structure represented by the following general formula (III-A):
[42]
The X 1 of the polyimide is represented by the following formulas (III-C1) to (III-C3):
The Y 1 of the polyimide is represented by the following formulas (III-D1) to (III-D3):
Item 42. The cured film according to item 41, comprising at least one structural skeleton selected from:
[43]
Item 43. The cured film according to item 42, wherein the X 1 of the polyimide comprises the structural skeleton of formula (III-C1).
[44]
Item 44. The cured film according to item 42 or 43, wherein the X 1 of the polyimide comprises the structural skeleton of formula (III-C2).
[45]
45. The cured film according to any one of items 42 to 44, wherein the X 1 of the polyimide comprises a structural skeleton represented by formula (III-C3).
[46]
46. The cured film according to any one of items 42 to 45, wherein the Y 1 of the polyimide comprises the structural skeleton of the formula (III-D1).
[47]
47. The cured film according to any one of items 42 to 46, wherein the Y 1 of the polyimide comprises the structural skeleton of formula (III-D2).
[48]
Item 48. The cured film according to any one of items 42 to 47, wherein the Y 1 of the polyimide comprises the structural skeleton of formula (III-D3).
[49]
Item 49. The cured film according to any one of items 42 to 48, wherein X 1 of the polyimide includes a structural skeleton of the formula (III-C1), and Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton of the formula (III-D2).
[50]
Item 40. The cured film according to any one of items 42 to 49, wherein X 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C2), and Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D2).
[51]
51. The cured film according to any one of items 42 to 50, wherein the X 1 of the polyimide includes the structural skeleton of the (III-C3), and the Y 1 of the polyimide includes the structural skeleton of the (III-D2).
[52]
52. The cured film according to any one of items 42 to 51, wherein the X 1 of the polyimide includes a structural skeleton of the formula (III-C1), and the Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton of the formula (III-D3).
[53]
53. The cured film according to any one of items 42 to 52, wherein X 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C2), and Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D3).
[54]
53. The cured film according to any one of items 42 to 52, wherein X 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C3), and Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D3).
[55]
the polyimide includes a first polyimide and a second polyimide;
The X 1 of the first polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C1), and the Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D2),
The X 1 of the second polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C3), and the Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D2).
52. The cured film according to any one of items 42 to 51.
[56]
the polyimide includes a first polyimide and a second polyimide;
The X1 of the first polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C2), and the Y1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D2),
The X 1 of the second polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-C3), and the Y 1 of the polyimide includes a structural skeleton represented by the formula (III-D2).
52. The cured film according to any one of items 42 to 51.
[57]
A photosensitive resin composition comprising: (A) a polyimide precursor; (B) a photopolymerization initiator; (C) a crosslinking agent; and (D) an organic solvent,
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying the photosensitive resin composition onto the substrate;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light at an exposure dose of 1000 mJ/ cm2 ;
(3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern;
moreover,
(4) heat-treating the relief pattern at 200° C. for 2 hours under a nitrogen atmosphere to form a hardened relief pattern;
The photosensitive resin composition is characterized in that, when a cured film obtained by sequentially passing through the above steps is subjected to IR spectrum measurement by an ATR method, the ratio of a peak near 2950 cm -1 to a peak near 1720 cm- 1 (peak near 2950 cm -1 /peak near 1720 cm -1 ) is 0.05 to 0.35.
[58]
Item 58. The photosensitive resin composition according to item 57, further comprising (E) a thermal base generator.
[59]
Item 58. The photosensitive resin composition according to item 57, wherein the ratio of the peaks is 0.1 to 0.25.
[60]
Item 59. The photosensitive resin composition according to item 57 or 58, wherein the ratio of the peak near 1380 cm −1 to the peak near 1500 cm −1 ( peak near 1380 cm −1 / peak near 1500 cm −1 ) is 0.4 to 2.1.
[61]
Item 57. The photosensitive resin composition according to any one of items 57 to 59, wherein the 5% weight loss temperature of the cured film is 280° C. or higher and 350° C. or lower.
[62]
62. The photosensitive resin composition according to any one of items 57 to 61, wherein the (C) crosslinking agent comprises tetraethylene glycol dimethacrylate.
[63]
62. The photosensitive resin composition according to any one of items 57 to 61, wherein the (C) crosslinking agent is a mixture of a compound containing two methacryl groups and/or acrylic groups in the molecule and a compound containing three or more methacryl groups and/or acrylic groups in the molecule.
[64]
The polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (III-1):
Or the following general formula (III-3):
64. The photosensitive resin composition according to any one of items 57 to 63, wherein the polyamic acid, polyamic acid ester, or polyamic acid salt is represented by the formula:
[65]
Item 65. The photosensitive resin composition according to item 64, wherein in the general formula (III-1), X contains a tetravalent group represented by the following general formula (III-4) or (III-5):
[66]
Item 65. The photosensitive resin composition according to item 64, wherein in the general formula (III-1), Y contains a divalent group represented by the following general formula (III-6):
[67]
Item 65. The photosensitive resin composition according to item 64, wherein X of the polyimide precursor comprises any one of the structural skeletons of the following formulas (III-C1) to (III-C3), or Y of the polyimide precursor comprises any one of the structural skeletons of the following formulas (III-D1) to (III-D3).
[68]
Item 68. The photosensitive resin composition according to item 67, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-C1).
[69]
Item 69. The photosensitive resin composition according to item 67 or 68, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-C2).
[70]
70. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 69, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-C3), wherein X is a structural skeleton represented by formula (III-C3).
[71]
71. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 70, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-D1).
[72]
72. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 71, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-D2), wherein Y is a structural skeleton represented by formula (III-D2).
[73]
73. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 72, wherein the polyimide precursor includes a structural skeleton represented by formula (III-D3).
[74]
The polyimide precursor is
74. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 73, wherein X comprises the structural skeleton of formula (III-C1), and Y comprises the structural skeleton of formula (III-D2).
[75]
The polyimide precursor is
75. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 74, wherein X comprises the structural skeleton of formula (III-C2), and Y comprises the structural skeleton of formula (III-D2).
[76]
The polyimide precursor is
76. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 75, wherein X comprises the structural skeleton of formula (III-C3), and Y comprises the structural skeleton of formula (III-D2).
[77]
the polyimide precursor includes a first polyimide precursor and a second polyimide precursor;
The first polyimide precursor has a structure represented by the formula (III-C1) and a structure represented by the formula (III-D2),
77. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 76, wherein, in the second polyimide precursor, X comprises the structural skeleton of the formula (III-C3), and Y comprises the structural skeleton of the formula (III-D2).
[78]
the polyimide precursor includes a first polyimide precursor and a second polyimide precursor;
The first polyimide precursor has a structure represented by the formula (III-C2) and a structure represented by the formula (III-D2),
Item 78. The photosensitive resin composition according to any one of items 67 to 77, wherein, in the second polyimide precursor, X comprises the structural skeleton of the formula (III-C3), and Y comprises the structural skeleton of the formula (III-D2).
[79]
A semiconductor chip;
An encapsulant for covering the semiconductor chip;
a redistribution layer having an area larger than that of the semiconductor chip in a plan view;
The interlayer insulating film of the redistribution layer is a cured film, and the ratio of a peak near 2950 cm -1 to a peak near 1720 cm -1 (peak near 2950 cm -1 /peak near 1720 cm -1 ) when IR spectrum measurement is performed by an ATR method is 0.05 to 0.35.
[80]
80. The semiconductor device according to claim 79, wherein the sealing material is in direct contact with the interlayer insulating film.
[81]
Item 81. The semiconductor device according to item 79 or 80, wherein the encapsulant comprises an epoxy resin.
[82]
82. The semiconductor device according to any one of items 79 to 81, wherein the redistribution layer includes, when viewed in cross section of the redistribution layer, a first interlayer insulating film layer, a second interlayer insulating film layer, and an intermediate layer that is a layer different from the first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer and is provided between the first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer.
[83]
83. The semiconductor device according to any one of items 79 to 82, wherein the semiconductor device is a fan-out type wafer level chip size package type semiconductor device.
[84]
A step of covering the semiconductor chip with an encapsulant;
forming a redistribution layer having an area larger than that of the semiconductor chip in a plan view and including an interlayer insulating film;
The method for manufacturing a semiconductor device is characterized in that the interlayer insulating film is a cured film having a ratio of a peak near 2950 cm -1 to a peak near 1720 cm -1 (peak near 2950 cm -1 /peak near 1720 cm -1 ) of 0.05 to 0.35 when IR spectrum measurement is performed by an ATR method.
また、本発明の第四の態様は、以下のとおりである。
［８５］
以下の工程：
（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程、
（２）該感光性樹脂層を露光する工程、
（３）該露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、
（４）該レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程、および
（５）該半硬化レリーフパターンを２００～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程を順に含み、
更に再度、前記（１）～（５）の工程を前記順に行うことを含むことを特徴とする、多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［８６］
前記（１）～（５）の工程を前記順に行うことを３～８回繰り返して行う、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［８７］
前記第一の熱硬化工程の温度範囲が１５０℃～１８０℃である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［８８］
前記第一の熱硬化工程の温度範囲が１５０℃～１７０℃である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［８９］
前記第一の熱硬化工程の温度範囲が１５０℃～１６０℃である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９０］
前記第一の熱硬化工程の温度範囲が１５０℃である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９１］
前記第二の熱硬化工程の最大温度が２６０℃以下である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９２］
前記第二の熱硬化工程の最大温度が２４０℃以下である、項目８５に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９３］
前記第二の熱硬化工程において、最大温度における加熱時間が５分以下である、項目８５～９２のいずれか一項に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９４］
前記第二の熱硬化工程において、最大温度における加熱時間が１分以下である、項目８５～９３のいずれか一項に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９５］
前記基板が、半導体チップと前記半導体チップを覆う封止材から構成される基板である、項目８５～９４のいずれか一項に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９６］
前記感光性樹脂組成物が、感光性ポリイミド樹脂組成物である、項目８５～９５のいずれか一項に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９７］
前記感光性ポリイミド樹脂組成物の樹脂が、下記一般式（ＩＶ－１）：
で表される１価の有機基、又は下記一般式（ＩＶ－３）：
で表されるアンモニウムイオンである。｝
で表される構造を有するポリイミド前駆体である、項目９６に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９８］
前記一般式（ＩＶ－１）において前記Ｘ１は、芳香族基を有する４価の有機基であり、かつ前記Ｙ１は、芳香族基を有する２価の有機基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
［９９］
前記一般式（ＩＶ－１）において前記Ｘ１は、下記式（ＩＶ－７）で表される４価の基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
前記一般式（ＩＶ－１）において前記Ｙ１は、下記式（ＩＶ－１１）で表される２価の基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
前記一般式（ＩＶ－１）において、前記Ｘ１は、下記式（ＩＶ－７）で表される４価の基であり、かつ前記Ｙ１は、下記式（ＩＶ－１１）で表される２価の基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
前記一般式（ＩＶ－１）において前記Ｘ１は、下記式（ＩＶ－５）で表される４価の基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
前記一般式（ＩＶ－１）において、前記Ｘ１は、下記式（ＩＶ－５）で表される４価の基であり、かつ前記Ｙ１は、下記式（ＩＶ－１１）で表される２価の基である、項目９７に記載の多層硬化レリーフパターンの製造方法。
[85]
The following steps:
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition onto the substrate;
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) a first thermal curing step of heat-treating the relief pattern at a temperature in the range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern; and (5) a second thermal curing step of heat-treating the semi-cured relief pattern at a temperature in the range of 200° C. to 260° C., which is higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a hardened relief pattern.
The method for producing a multilayer cured relief pattern further comprises performing the steps (1) to (5) again in the order mentioned above.
[86]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 85, wherein the steps (1) to (5) are repeated in the order described above 3 to 8 times.
[87]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the temperature range of the first thermal curing step is 150°C to 180°C.
[88]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the temperature range of the first thermal curing step is 150°C to 170°C.
[89]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the temperature range of the first thermal curing step is 150°C to 160°C.
[90]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the temperature range of the first thermal curing step is 150° C.
[91]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the maximum temperature of the second thermal curing step is 260° C. or less.
[92]
Item 86. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 85, wherein the maximum temperature of the second thermal curing step is 240° C. or less.
[93]
Item 3. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to any one of items 85 to 92, wherein in the second thermal curing step, the heating time at the maximum temperature is 5 minutes or less.
[94]
Item 94. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to any one of items 85 to 93, wherein in the second heat curing step, the heating time at the maximum temperature is 1 minute or less.
[95]
Item 95. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to any one of items 85 to 94, wherein the substrate is a substrate composed of a semiconductor chip and an encapsulant covering the semiconductor chip.
[96]
Item 96. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to any one of items 85 to 95, wherein the photosensitive resin composition is a photosensitive polyimide resin composition.
[97]
The resin of the photosensitive polyimide resin composition is represented by the following general formula (IV-1):
or a monovalent organic group represented by the following general formula (IV-3):
It is an ammonium ion represented by the formula:
97. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to item 96, wherein the polyimide precursor has a structure represented by:
[98]
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein in the general formula (IV-1), X 1 is a tetravalent organic group having an aromatic group, and Y 1 is a divalent organic group having an aromatic group.
[99]
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein in the general formula (IV-1), X 1 is a tetravalent group represented by the following formula (IV-7):
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein in the general formula (IV-1), Y 1 is a divalent group represented by the following formula (IV-11):
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein, in the general formula (IV-1), X 1 is a tetravalent group represented by the following formula (IV-7), and Y 1 is a divalent group represented by the following formula (IV-11):
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein in the general formula (IV-1), X 1 is a tetravalent group represented by the following formula (IV-5):
Item 98. The method for producing a multilayer cured relief pattern according to Item 97, wherein, in the general formula (IV-1), X 1 is a tetravalent group represented by the following formula (IV-5), and Y 1 is a divalent group represented by the following formula (IV-11):
また、本発明の第五の態様は、以下のとおりである。
［１０４］
（Ａ）ポリイミド前駆体；１００質量部、
（Ｂ）下記一般式（Ｖ－１）及び（Ｖ－３）～（Ｖ－６）の少なくとも１つで表される化合物；０．１～５０質量部、
（Ｃ）感光剤；０．１～５０質量部
を含む、感光性樹脂組成物。
で表される構造であり、ｍ１は１～２の整数であり、ｍ２は０～３の整数であり、ｍ３は０～２の整数であり、Ａが炭素原子である場合、ｍ３は１または２であり、１≦ｍ１＋ｍ２＋ｍ３≦６である。｝
［１０５］
前記（Ｂ）化合物が、下記一般式（Ｖ－７）及び（Ｖ－８）からなる群から選択される少なくとも１種である、項目１０４に記載の感光性樹脂組成物。
［１０６］
前記一般式（Ｖ－１）及び（Ｖ－３）～（Ｖ－６）の少なくとも１つにおいて、前記Ｒ１が、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、シアノ基、スルホニル基、炭素数１～８のハロゲン化アルキル基、およびカルボニル基を含む炭素数１～４の一価の有機基からなる群から選択される少なくとも１種である、項目１０４または１０５に記載の感光性樹脂組成物。
［１０７］
前記一般式（Ｖ－１）及び（Ｖ－３）～（Ｖ－６）の少なくとも１つにおいて、前記Ｒ１が、アミド基、カルボキシル基、フタルイミド基、ホルミル基、および炭素数１～３のエステル基からなる群から選択される少なくとも１種である、項目１０４または１０５に記載の感光性樹脂組成物。
［１０８］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（Ｖ－９）で表される、項目１０４～１０７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１０９］
前記一般式（Ｖ－９）において前記Ｘ１が、下記一般式（Ｖ－１１）、（Ｖ－１２）および（Ｖ－１３）から選択される少なくとも１種を含む、項目１０８に記載の感光性樹脂組成物。
前記一般式（Ｖ－９）において前記Ｙ１が、下記一般式（Ｖ－１４）、および（Ｖ－１５）からなる群から選択される少なくとも１種である、項目１０８に記載の感光性樹脂組成物。
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（Ｖ－１６）で表される構造を含む、項目１０８～１１０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１１２］
（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（Ｖ－１７）で表される構造を含む、項目１０８～１１０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１１３］
前記（Ａ）ポリイミド前駆体が、下記一般式（Ｖ－１６）で表される構造を含むポリイミド前駆体と、下記一般式（Ｖ－１７）で表される構造を含むポリイミド前駆体と、を同時に含む、項目１０８～１１０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１１４］
前記（Ｃ）感光剤が、光ラジカル発生剤であり、かつ前記感光性樹脂組成物がネガ型である、項目１０４～１１３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１１５］
さらに（Ｄ）熱塩基発生剤：０．１～５０質量部
を含む、項目１０４～１１４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
［１１６］
項目１０４～１１５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を硬化するポリイミドの製造方法。
［１１７］
以下の工程：
（１）項目１０４～１１５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
（２）該感光性樹脂層を露光する工程と、
（３）該露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程と、
（４）該レリーフパタ－ンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程と
を含む硬化レリーフパターンの製造方法。
The fifth aspect of the present invention is as follows.
[104]
(A) polyimide precursor: 100 parts by mass,
(B) a compound represented by at least one of the following general formulas (V-1) and (V-3) to (V-6); 0.1 to 50 parts by mass,
(C) A photosensitive resin composition comprising a photosensitizer; 0.1 to 50 parts by mass.
wherein m1 is an integer of 1 to 2, m2 is an integer of 0 to 3, and m3 is an integer of 0 to 2; when A is a carbon atom, m3 is 1 or 2, and 1≦ m1 + m2 + m3 ≦ 6.
[105]
Item 105. The photosensitive resin composition according to item 104, wherein the compound (B) is at least one selected from the group consisting of the following general formulas (V-7) and (V-8):
[106]
Item 106. The photosensitive resin composition according to item 104 or 105, wherein in at least one of the general formulae (V-1) and (V-3) to (V-6), the R 1 is at least one selected from the group consisting of a nitro group, a fluoro group, a chloro group, a bromo group, a cyano group, a sulfonyl group, a halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a monovalent organic group having 1 to 4 carbon atoms including a carbonyl group.
[107]
Item 106. The photosensitive resin composition according to item 104 or 105, wherein in at least one of the general formulae (V-1) and (V-3) to (V-6), the R 1 is at least one selected from the group consisting of an amide group, a carboxyl group, a phthalimido group, a formyl group, and an ester group having 1 to 3 carbon atoms.
[108]
The photosensitive resin composition according to any one of items 104 to 107, wherein the (A) polyimide precursor is represented by the following general formula (V-9):
[109]
Item 109. The photosensitive resin composition according to item 108, wherein in the general formula (V-9), the X 1 includes at least one selected from the following general formulas (V-11), (V-12) and (V-13):
Item 109. The photosensitive resin composition according to item 108, wherein in the general formula (V-9), Y 1 is at least one selected from the group consisting of the following general formulas (V-14) and (V-15):
The photosensitive resin composition according to any one of items 108 to 110, wherein the polyimide precursor (A) comprises a structure represented by the following general formula (V-16):
[112]
(A) The photosensitive resin composition according to any one of items 108 to 110, wherein the polyimide precursor comprises a structure represented by the following general formula (V-17):
[113]
The (A) polyimide precursor simultaneously contains a polyimide precursor having a structure represented by the following general formula (V-16) and a polyimide precursor having a structure represented by the following general formula (V-17). The photosensitive resin composition according to any one of items 108 to 110.
[114]
114. The photosensitive resin composition according to any one of items 104 to 113, wherein the (C) photosensitizer is a photoradical generator, and the photosensitive resin composition is a negative type.
[115]
115. The photosensitive resin composition according to any one of items 104 to 114, further comprising: (D) 0.1 to 50 parts by mass of a thermal base generator.
[116]
Item 116. A method for producing a polyimide, comprising curing the photosensitive resin composition according to any one of items 104 to 115.
[117]
The following steps:
(1) A step of applying the photosensitive resin composition according to any one of items 104 to 115 onto a substrate to form a photosensitive resin layer on the substrate;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) A method for producing a cured relief pattern, comprising the step of heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern.
本発明によれば、銅上でのレリーフパターン形成時に高い解像性を示し、高温保管時に銅上ボイドが形成され難く、高温高湿下で保存した場合でも、優れた伸度を示すネガ型感光性樹脂組成物、及び該感光性樹脂組成物を用いて硬化レリーフパターンを製造する方法が提供される。 The present invention provides a negative photosensitive resin composition that exhibits high resolution when forming a relief pattern on copper, is less likely to form voids on the copper when stored at high temperatures, and exhibits excellent elongation even when stored under high temperature and high humidity conditions, and a method for producing a cured relief pattern using the photosensitive resin composition.
以下、本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」と略記する。）について詳細に説明する。本発明は、以下の本実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本明細書を通じ、一般式において同一符号で表されている構造は、分子中に複数存在する場合には、互いに同一であるか、又は異なっていてもよい。また、図面において同一符号で表される構成要素が複数存在する場合には、それらは、互いに同一であるか、又は異なっていてよい。
Hereinafter, an embodiment of the present invention (hereinafter, abbreviated as "present embodiment") will be described in detail. The present invention is not limited to the following present embodiment, and can be practiced in various modifications within the scope of the gist of the present invention.
Throughout this specification, structures represented by the same symbol in a general formula may be the same or different when present in a molecule, and when components represented by the same symbol in a drawing are present in a plurality of places, they may be the same or different.
本実施の形態に係る第一の態様について説明する。
＜ネガ型感光性樹脂組成物＞
本実施形態に係るネガ型感光性樹脂組成物は、
（Ａ）下記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位を含むポリイミド前駆体：１００質量部、及び
（Ｂ）光重合開始剤：０．１質量部～２０質量部
を含む。
<Negative Photosensitive Resin Composition>
The negative photosensitive resin composition according to this embodiment is
The composition contains: (A) 100 parts by mass of a polyimide precursor containing a structural unit represented by the following general formula (I-1); and (B) 0.1 to 20 parts by mass of a photopolymerization initiator.
ネガ型感光性樹脂組成物は、高感度及び高解像性を得るという観点から、１００質量部の（Ａ）ポリイミド前駆体と、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部を基準として０．１質量部～２０質量部の（Ｂ）光重合開始剤とを含むことが好ましい。 From the viewpoint of obtaining high sensitivity and high resolution, the negative photosensitive resin composition preferably contains 100 parts by mass of (A) polyimide precursor and 0.1 to 20 parts by mass of (B) photopolymerization initiator based on 100 parts by mass of (A) polyimide precursor.
（Ａ）ポリイミド前駆体
本実施形態における（Ａ）ポリイミド前駆体は、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる樹脂成分であり、加熱環化処理を施すことによってポリイミドに変換される。
(A) Polyimide Precursor (A) in the present embodiment is a resin component contained in the negative photosensitive resin composition, and is converted into a polyimide by subjecting it to a heat cyclization treatment.
ポリイミド前駆体は上記一般式（Ｉ－１）で表される構造を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。 The polyimide precursor is preferably a polyimide precursor having a structure represented by the above general formula (I-1).
一般式（Ｉ－１）中、Ｘ１で表される４価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数６～４０の有機基であり、より好ましくは、－ＣＯＯＲ１基及び－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯＮＨ－基とが互いにオルト位置にある芳香族基、又は脂環式脂肪族基である。Ｘ１で表される４価の有機基として、芳香族環を含有する炭素原子数６～４０の有機基を挙げることができ、具体的には例えば、下記一般式（Ｘ１－１）及び（Ｘ１－２）：
のそれぞれで表される構造を有する基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。Ｘ１の構造は、１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（Ｘ１－１）及び（Ｘ１－２）のそれぞれで表される構造を有するＸ１基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で特に好ましく、更に好ましくは上記式（Ｘ１－１）のそれぞれで表される構造である。
In general formula (I-1), the tetravalent organic group represented by X 1 is preferably an organic group having 6 to 40 carbon atoms, from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and is more preferably an aromatic group in which the -COOR 1 group and the -COOR 2 group are in the ortho position relative to the -CONH- group, or an alicyclic aliphatic group. Examples of the tetravalent organic group represented by X 1 include organic groups having 6 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring, and specific examples thereof include those represented by the following general formulae (X 1 -1) and (X 1 -2):
Examples of the structure represented by the formula (X 1 -1) and (X 1 -2) include, but are not limited to, groups having the structure represented by each of the formulas (X 1 -1) and (X 1 -2). The structure represented by the formula (X 1 -1) and (X 1 -2) is particularly preferred in terms of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and the structure represented by the formula (X 1 -1) is more preferred.
Ｘ１基としては、上記式（Ｘ１－１）で表される構造のなかでも特に、下式：
のそれぞれで表される構造は、低温加熱時のイミド化率、脱ガス性、銅密着性、及び耐薬品性の観点から好ましい。
As the X 1 group, among the structures represented by the above formula (X 1 -1), the following formula:
are preferable from the viewpoints of the imidization rate during low-temperature heating, degassing properties, copper adhesion, and chemical resistance.
上記一般式（Ｉ－１）中、Ｙ１で表される２価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数６～４０の芳香族基であり、例えば、下記式（Ｙ１－１）及び（Ｙ１－２）：
のそれぞれで表される構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Ｙ１の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（Ｙ１－１）及び（Ｙ１－２）のそれぞれで表される構造を有するＹ１基は、耐熱性及び感光特性を両立するという点で特に好ましく、更に好ましくは上記式（Ｙ１－１）のそれぞれで表される構造である。
In the above general formula (I-1), the divalent organic group represented by Y 1 is preferably an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms in order to achieve both heat resistance and photosensitive properties, and examples thereof include those represented by the following formulae (Y 1 -1) and (Y 1 -2):
Examples of the structure represented by each of the above formulae (Y 1 -1) and (Y 1 -2) include, but are not limited to, those. The structure of Y 1 may be one type or a combination of two or more types. The Y 1 group having the structure represented by each of the above formulae (Y 1 -1) and (Y 1 -2) is particularly preferred in terms of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and the structure represented by each of the above formulae (Y 1 -1) is more preferred.
Ｙ１基としては、上記式（Ｙ１－１）で表される構造のなかでも特に、下式：
のそれぞれで表される構造は、低温加熱時のイミド化率、脱ガス性、銅密着性、及び耐薬品性の観点から好ましい。
As the Y 1 group, among the structures represented by the above formula (Y 1 -1), the following formula:
are preferable from the viewpoints of the imidization rate during low-temperature heating, degassing properties, copper adhesion, and chemical resistance.
上記一般式（Ｉ－１）中のＲ１及びＲ２の少なくとも一方は、酸重合性基、塩基重合性基、及びラジカル重合性基より成る群から選択される重合性基を二つ以上含む基であることが好ましい。
ここで、酸重合性基、塩基重合性基、及びラジカル重合性基とは、それぞれ、酸、塩基、又はラジカルの作用によって重合可能な基をいう。
At least one of R 1 and R 2 in the above general formula (I-1) is preferably a group containing two or more polymerizable groups selected from the group consisting of acid-polymerizable groups, base-polymerizable groups, and radical-polymerizable groups.
Here, the acid-polymerizable group, base-polymerizable group, and radical-polymerizable group refer to groups which can be polymerized by the action of an acid, a base, or a radical, respectively.
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が有する重合性基の数は、２～６個であることが好ましく、２～４個であることがより好ましく、２個又は３個であることが更に好ましい。
Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が有する重合性基としては、感度の観点から、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれか一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される基を含むことが望ましい。
As the polymerizable group contained in at least one of R1 and R2 , from the viewpoint of sensitivity, it is desirable that at least one of R1 and R2 contains a group represented by the following general formula (I-R1).
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中のＲ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基の割合は、露光時の解像度向上の観点から、５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％以上又は９５％以上であることが特に好ましく、１００％であってもよい。 The ratio of the monovalent organic group represented by the general formula (I-R1) to all of R 1 and R 2 in the polyimide precursor (A) is, from the viewpoint of improving the resolution during exposure, preferably 50 mol % or more, more preferably 70 mol % or more, even more preferably 80 mol % or more, particularly preferably 90 mol % or more or 95% or more, and may be 100%.
更に、解像性の観点から、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、下記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）で表される基を含むことが望ましい。
前記（Ａ）ポリイミド前駆体中の、Ｒ１及びＲ２のすべてに対する上記一般式（Ｉ－Ｒ２）及び（Ｉ－Ｒ３）のそれぞれで表される１価の有機基の合計の割合は、露光時の解像度向上の観点から、５０モル％以上であることが好ましく、７０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％以上又は９５％以上であることが特に好ましく、１００％であってもよい。 In the polyimide precursor (A), the total ratio of the monovalent organic groups represented by each of the general formulae (I-R2) and (I-R3) to all of R 1 and R 2 is, from the viewpoint of improving the resolution during exposure, preferably 50 mol % or more, more preferably 70 mol % or more, even more preferably 80 mol % or more, particularly preferably 90 mol % or more or 95% or more, and may be 100%.
本実施形態のネガ型感光剤樹脂組成物は、ポリイミド前駆体が特定構造の側鎖を含有することで、銅上での解像性、及びボイド形成抑制性に優れ、更に、高温高湿下保管後にも高い伸度を有するポリイミド膜を提供する。
理論に拘束されないが、銅上で解像性が向上する理由としては、樹脂一分子中に含まれる重合性基の数が増えることにより、露光の際に強固な樹脂間の架橋構造を形成するため、現像時の現像液による膨潤が抑えられることによると考えられる。
また、ボイド形成抑制性が優れる理由としては、熱硬化後も光反応で架橋した比較的極性の低いアクリレート／メタクリレートの重合生成物の一部が膜中に残留することにより、銅のマイグレーションを抑制していることによると考えられる。
温高湿下保管後の伸度の維持についても同様であり、アクリレート／メタクリレートの重合生成物の一部が膜中に残留することにより、膜中への水の侵入を抑えることが可能となり、保管後も保管前と変わらず高い伸度を示すと考えられる。
In the negative type photosensitive resin composition of the present embodiment, the polyimide precursor contains a side chain having a specific structure, and thus the composition provides a polyimide film that has excellent resolution on copper and suppresses void formation, and further has high elongation even after storage under high temperature and high humidity conditions.
Without being bound by theory, it is believed that the reason for the improvement in resolution on copper is that an increase in the number of polymerizable groups contained in one resin molecule forms a strong cross-linked structure between the resins upon exposure, thereby suppressing swelling due to the developer during development.
In addition, the reason for the excellent void formation suppression properties is believed to be that some of the relatively low-polarity acrylate/methacrylate polymerization products that are crosslinked by photoreaction remain in the film even after thermal curing, thereby suppressing copper migration.
The same is true for the maintenance of elongation after storage under high temperature and humidity conditions; it is believed that the presence of a portion of the acrylate/methacrylate polymerization product remaining in the film makes it possible to suppress the intrusion of water into the film, resulting in the film showing high elongation even after storage, just as it did before storage.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位は、下記一般式（Ｉ－１－１）：
で表される構造単位を含むことが好ましい。
In one embodiment, the structural unit represented by the above general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (I-1-1):
It is preferable that the copolymer contains a structural unit represented by the following formula:
一般式（Ｉ－１－１）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、感度の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基を含むことがより好ましく、解像性の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）で表される基を含むことがより好ましい。
（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、一般式（Ｉ－１－１）で表される構造単位を含むことで、特に、得られるポリイミド膜の耐薬品性が高くなる。また、低温加熱時のイミド化率、脱ガス性、及び銅密着性の観点からも好ましい。
In general formula (I-1-1), from the viewpoint of sensitivity, at least one of R 1 and R 2 more preferably contains a monovalent organic group represented by general formula (I-R1) above, and from the viewpoint of resolution, more preferably contains a group represented by general formula (I-R2) or (I-R3) above.
The structural unit represented by the general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) contains a structural unit represented by the general formula (I-1-1), which particularly enhances the chemical resistance of the resulting polyimide film, and is also preferable from the viewpoints of the imidization rate during low-temperature heating, degassing properties, and copper adhesion.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位は、下記一般式（Ｉ－１－２）：
で表される構造単位を含むことが好ましい。
In one embodiment, the structural unit represented by the above general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (I-1-2):
It is preferable that the copolymer contains a structural unit represented by the following formula:
一般式（Ｉ－１－２）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、感度の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基を含むことがより好ましく、解像性の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）で表される基を含むことがより好ましい。
（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、一般式（Ｉ－１－２）で表される構造単位を含むことにより、特に、得られるポリイミド膜の耐薬品性が高くなる。また、低温加熱時のイミド化率、脱ガス性、及び銅密着性の観点からも好ましい。
In general formula (I-1-2), from the viewpoint of sensitivity, at least one of R 1 and R 2 more preferably contains a monovalent organic group represented by general formula (I-R1) above, and from the viewpoint of resolution, more preferably contains a group represented by general formula (I-R2) or (I-R3) above.
The structural unit represented by the general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) contains a structural unit represented by the general formula (I-1-2), which particularly enhances the chemical resistance of the resulting polyimide film, and is also preferable from the viewpoints of the imidization rate during low-temperature heating, degassing properties, and copper adhesion.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位は、下記一般式（Ｉ－１－３）：
で表される構造単位を含むことが好ましい。
In one embodiment, the structural unit represented by the above general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (I-1-3):
It is preferable that the copolymer contains a structural unit represented by the following formula:
一般式（Ｉ－１－３）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、感度の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ１）で表される１価の有機基を含むことがより好ましく、解像性の観点から、上記一般式（Ｉ－Ｒ２）又は（Ｉ－Ｒ３）で表される基を含むことがより好ましい。
（Ａ）ポリイミド前駆体における上記一般式（Ｉ－１）で表される構造単位が、一般式（Ｉ－１－３）で表される構造単位を含むことにより、特に解像性の向上効果が更に高くなる。また、低温加熱時のイミド化率、脱ガス性、銅密着性、及び耐薬品性の観点からも好ましい。
In general formula (I-1-3), from the viewpoint of sensitivity, at least one of R 1 and R 2 more preferably contains a monovalent organic group represented by general formula (I-R1) above, and from the viewpoint of resolution, more preferably contains a group represented by general formula (I-R2) or (I-R3) above.
The structural unit represented by the general formula (I-1) in the polyimide precursor (A) contains a structural unit represented by the general formula (I-1-3), which further enhances the effect of improving the resolution, and is also preferable from the viewpoints of the imidization rate during low-temperature heating, degassing properties, copper adhesion, and chemical resistance.
（Ａ）ポリイミド前駆体の調製方法
（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するには、先ず、
前述の４価の有機基Ｘ１を含むテトラカルボン酸二無水物と、
酸重合性基、塩基重合性基、及びラジカル重合性基から成る群より選択される重合性基を二つ以上有するアルコール、及び任意にその他のアルコールと
を反応させて、部分的にエステル化したテトラカルボン酸（以下、アシッド／エステル体ともいう）を調製する。
次いで、部分的にエステル化したテトラカルボン酸（アシッド／エステル体）と、
前述の２価の有機基Ｙ１を含むジアミンと
をアミド重縮合させることにより、本実施形態に所定の（Ａ）ポリイミド前駆体が得られる。
(A) Method for preparing polyimide precursor (A) To prepare a polyimide precursor, first,
The tetracarboxylic dianhydride containing the tetravalent organic group X1 ,
A partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter also referred to as an acid/ester form) is prepared by reacting an alcohol having two or more polymerizable groups selected from the group consisting of an acid-polymerizable group, a base-polymerizable group, and a radical-polymerizable group, and optionally another alcohol.
Next, a partially esterified tetracarboxylic acid (acid/ester form)
By subjecting the above-mentioned diamine containing the divalent organic group Y1 to amide polycondensation, the polyimide precursor (A) specified in this embodiment can be obtained.
（アシッド／エステル体の調製）
本実施形態で、（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、４価の有機基Ｘ１を含むテトラカルボン酸二無水物としては、下記式：
で表される化合物が好ましい。このＸ１は、上記一般式（Ｘ１－１）及び（Ｘ１－２）のそれぞれで表される構造から選択されることがより好ましく、上記一般式（Ｘ１－１）で表される構造であることが更に好ましい。
(Preparation of Acid/Ester Forms)
In the present embodiment, the tetravalent organic group X1- containing tetracarboxylic acid dianhydride preferably used for preparing the polyimide precursor (A) is a tetracarboxylic acid dianhydride represented by the following formula:
It is more preferable that X 1 is selected from the structures represented by the above general formulas (X 1 -1) and (X 1 -2), and it is even more preferable that X 1 is the structure represented by the above general formula (X 1 -1).
テトラカルボン酸二無水物として、特に好ましくは、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物（別名：オキシジフタル酸二無水物、略称「ＯＤＰＡ」）、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物（略称「ＢＰＤＡ」）、ジフェニルスルホン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）プロパン、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができる。とりわけ好ましくは、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらは単独で用いることができるのは勿論のこと、２種以上を混合して用いてもよい。 Particularly preferred examples of tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic anhydride, diphenyl ether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (also known as oxydiphthalic dianhydride, abbreviated as "ODPA"), benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (abbreviated as "BPDA"), diphenylsulfone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)propane, and 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane. Particularly preferred are pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, and biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, but are not limited to these. These can be used alone, or two or more of them can be mixed together.
本実施形態で、（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、酸重合性基、塩基重合性基、及びラジカル重合性基から成る群より選択される重合性基を二つ以上有するアルコールとしては、例えば、グリセロールジアクリレート、１－（アクリロイルオキシ）－３－（メタクリロイルオキシ）－２－プロパノール、グリセロールジメタクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレート等を挙げることができる。 In this embodiment, examples of alcohols having two or more polymerizable groups selected from the group consisting of acid-polymerizable groups, base-polymerizable groups, and radical-polymerizable groups that are preferably used to prepare the polyimide precursor (A) include glycerol diacrylate, 1-(acryloyloxy)-3-(methacryloyloxy)-2-propanol, glycerol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, and pentaerythritol trimethacrylate.
本実施形態で、（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するために任意的に用いることのできるその他のアルコールには、光重合性不飽和二重結合を１つ有するアルコール、及び重合性基を有さないアルコールが含まれる。 In this embodiment, other alcohols that can be optionally used to prepare the polyimide precursor (A) include alcohols having one photopolymerizable unsaturated double bond and alcohols having no polymerizable groups.
光重合性不飽和二重結合を１つ有するアルコールとしては、例えば、２－アクリロイルオキシエチルアルコール、１－アクリロイルオキシ－３－プロピルアルコール、２－アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、２－ヒドロキシエチルビニルケトン、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルアクリレート、２－メタクリロイルオキシエチルアルコール、１－メタクリロイルオキシ－３－プロピルアルコール、２－メタクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、２－ヒドロキシエチルビニルケトン、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルメタクリレート等を挙げることができる。 Examples of alcohols having one photopolymerizable unsaturated double bond include 2-acryloyloxyethyl alcohol, 1-acryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-acrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl acrylate, and 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl acrylate. acrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, 1-methacryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-methacrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl methacrylate, etc.
重合性基を有さないアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ネオペンチルアルコール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、３－ヘプタノール、１－オクタノール、２－オクタノール、３－オクタノール、１－ノナノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、ベンジルアルコール等を挙げることができる。 Examples of alcohols that do not have a polymerizable group include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, tert-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, neopentyl alcohol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 1-nonanol, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, and benzyl alcohol.
（Ａ）ポリイミド前駆体として、上記重合性基を有さないアルコールのみを用いて調製された非感光性ポリイミド前駆体を、本発明所定の感光性ポリイミド前駆体と混合して用いてもよい。この場合、解像性の観点から、非感光性ポリイミド前駆体の配合量は、感光性ポリイミド前駆体１００質量部を基準として、２００質量部以下であることが好ましい。 (A) As the polyimide precursor, a non-photosensitive polyimide precursor prepared using only the alcohol not having the above-mentioned polymerizable group may be used by mixing it with the photosensitive polyimide precursor specified in the present invention. In this case, from the viewpoint of resolution, the amount of the non-photosensitive polyimide precursor is preferably 200 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the photosensitive polyimide precursor.
上記の好適なテトラカルボン酸二無水物と上記のアルコールとを、例えばピリジン等の適当な塩基性触媒の存在下、好ましくは後述するような溶剤中で、好ましくは温度２０～５０℃において、好ましくは４～１０時間、撹拌して、溶解及び混合することにより、テトラカルボン酸二無水物が有する酸無水物基のエステル化反応が進行し、所望のアシッド／エステル体を得ることができる。 The above-mentioned suitable tetracarboxylic dianhydride and the above-mentioned alcohol are dissolved and mixed in the presence of a suitable basic catalyst such as pyridine, preferably in a solvent as described below, preferably at a temperature of 20 to 50°C, preferably for 4 to 10 hours, with stirring, to cause an esterification reaction of the acid anhydride group of the tetracarboxylic dianhydride to proceed, and the desired acid/ester can be obtained.
（ポリイミド前駆体の調製）
上記アシッド／エステル体（典型的には、後述する溶剤中に溶解した溶液状）に、氷冷下、適当な脱水縮合剤、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート等を投入混合して、アシッド／エステル体をポリ酸無水物とした後、これに、本実施形態で好適に用いられる２価の有機基Ｙ１を含むジアミンを、別途溶媒に溶解又は分散させたものを滴下投入し、アミド重縮合させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。
代替的には、塩化チオニル等を用いて上記アシッド／エステル体のアシッド部分を酸クロライド化した後、これに、ピリジン等の塩基存在下に、ジアミンと反応させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。
(Preparation of polyimide precursor)
A suitable dehydration condensation agent, for example, dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N,N'-disuccinimidyl carbonate, or the like is added and mixed with the above acid/ester body (typically in the form of a solution dissolved in a solvent described below) under ice cooling to convert the acid/ester body into a polyacid anhydride, and then a diamine containing a divalent organic group Y1 preferably used in the present embodiment, dissolved or dispersed in a separate solvent, is added dropwise to the polyamine to carry out amide polycondensation, thereby obtaining a target polyimide precursor.
Alternatively, the acid moiety of the acid/ester compound can be converted to an acid chloride using thionyl chloride or the like, and then this can be reacted with a diamine in the presence of a base such as pyridine to obtain the desired polyimide precursor.
本実施形態で好適に用いられる２価の有機基Ｙ１を含むジアミンとしては、式：
Ｈ２Ｎ－Ｙ１－ＮＨ２
｛式中、Ｙ１は、上記一般式（Ｉ－１）に定義したものである。｝
で表される化合物が好ましい。このＹ１は、上記一般式（Ｙ１－１）及び（Ｙ１－２）のそれぞれで表される構造であることがより好ましい。
The diamine containing the divalent organic group Y1 preferably used in this embodiment is a diamine represented by the formula:
H 2 N-Y 1 -NH 2
{In the formula, Y1 is defined as in general formula (I-1) above.}
It is more preferable that Y 1 is a compound represented by the above general formula (Y 1 -1) or (Y 1 -2).
ジアミンとして、更に好ましくは、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４－ジアミノジフェニルエーテル（別名：４，４’－オキシジアニリン、略称「ＯＤＡ」）、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、オルト－トリジンスルホン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン等、及びこれらのベンゼン環上の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ハロゲン等で置換されたもの、例えば３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル等が挙げられるが、これに限定されるものではない。これらは、単独で用いることができ、これらのうちの２種以上を混合して用いてもよい。 More preferred diamines include, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether (also known as 4,4'-oxydianiline, abbreviated as "ODA"), 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diamino 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl nyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, ortho-trimethylsilyl, dimethylsulfone, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, and those in which some of the hydrogen atoms on the benzene ring are substituted with methyl groups, ethyl groups, hydroxymethyl groups, hydroxyethyl groups, halogens, etc., such as 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethytoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, etc., but are not limited thereto. These can be used alone, or two or more of them can be mixed and used.
アミド重縮合反応終了後、反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等の貧溶媒を、得られた重合体成分に投入し、重合体成分を析出させ、更に、再溶解、再沈析出操作等を繰り返すことにより、重合体を精製し、真空乾燥を行い、目的のポリイミド前駆体を単離することができる。精製度を向上させるために、陰イオン交換樹脂若しくは陽イオン交換樹脂又はこれらの双方を適当な有機溶剤で膨潤させて充填したカラムに、この重合体の溶液を通し、イオン性不純物を除去してもよい。 After the amide polycondensation reaction is completed, the water-absorbing by-product of the dehydrating condensing agent coexisting in the reaction solution is filtered off as necessary, and then a poor solvent such as water, aliphatic lower alcohol, or a mixture thereof is added to the resulting polymer component to precipitate the polymer component. The polymer is purified by repeating redissolution and reprecipitation operations, and the polymer is vacuum dried to isolate the desired polyimide precursor. To improve the degree of purification, the polymer solution may be passed through a column packed with an anion exchange resin, a cation exchange resin, or both of these swollen with an appropriate organic solvent to remove ionic impurities.
上記（Ａ）ポリイミド前駆体の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量で測定した場合に、８，０００～１５０，０００であることが好ましく、９，０００～５０，０００であることがより好ましい。重量平均分子量が８，０００以上である場合、機械物性が良好であり、１５０，０００以下である場合現像液への分散性が良好で、レリーフパターンの解像性能が良好である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン、及びＮ－メチル－２－ピロリドンが推奨される。また重量平均分子量は標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては、昭和電工社製、有機溶媒系標準試料「ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５」から選ぶことが推奨される。 The molecular weight of the polyimide precursor (A) is preferably 8,000 to 150,000, more preferably 9,000 to 50,000, when measured by gel permeation chromatography in terms of polystyrene equivalent weight average molecular weight. When the weight average molecular weight is 8,000 or more, the mechanical properties are good, and when it is 150,000 or less, the dispersibility in the developer is good, and the resolution performance of the relief pattern is good. Tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended as the developing solvent for gel permeation chromatography. The weight average molecular weight is determined from a calibration curve prepared using standard monodisperse polystyrene. It is recommended to select the standard monodisperse polystyrene from the organic solvent standard sample "STANDARD SM-105" manufactured by Showa Denko KK.
（Ｂ）光重合開始剤
本実施形態に用いられる（Ｂ）光重合開始剤について説明する。
光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤又は光酸発生剤であることが好ましい。
(B) Photopolymerization Initiator The (B) photopolymerization initiator used in this embodiment will be described.
The photopolymerization initiator is preferably a photoradical polymerization initiator or a photoacid generator.
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン化合物、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン化合物；チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン化合物；ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル化合物；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン化合物；１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム等のオキシム化合物；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン化合物；ベンゾイルパークロライド等の過酸化物、芳香族ビイミダゾール化合物、チタノセン化合物等を挙げることができる。 Examples of photoradical polymerization initiators include benzophenone compounds such as benzophenone, o-benzoylmethylbenzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, and fluorenone; acetophenone compounds such as 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; thioxanthone compounds such as thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, and diethylthioxanthone; benzyl compounds such as benzil, benzil dimethyl ketal, and benzyl-β-methoxyethyl acetal; benzoin compounds such as benzoin and benzoin methyl ether; 1-phenyl Examples of the oxime compounds include 1,2-butanedione-2-(o-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-benzoyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, and 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2-(o-benzoyl)oxime; N-arylglycine compounds such as N-phenylglycine; peroxides such as benzoyl perchloride, aromatic biimidazole compounds, and titanocene compounds.
光酸発生剤としては、例えば、α－（ｎ－オクタンスルフォニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド等が好ましく挙げられる。 Preferred examples of photoacid generators include α-(n-octanesulfonyloxyimino)-4-methoxybenzyl cyanide.
本実施形態で好ましく用いられる（Ｂ）光重合開始剤は、上記の例示に限定されるものではない。
上記の光重合開始剤の中では、光ラジカル重合開始剤がより好ましく、特に光感度の点で、オキシム化合物が更に好ましい。
The photopolymerization initiator (B) preferably used in this embodiment is not limited to the above examples.
Among the above photopolymerization initiators, photoradical polymerization initiators are more preferred, and oxime compounds are even more preferred, particularly in terms of photosensitivity.
（Ｂ）光重合開始剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部であり、より好ましくは１質量部以上８質量部以下である。上記配合量は、光感度又はパターニング性の観点で０．１質量部以上であり、ネガ型感光性樹脂組成物の硬化後の感光性樹脂層の物性の観点から２０質量部以下であることが好ましい。 The amount of the photopolymerization initiator (B) is preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, and more preferably 1 part by mass or more and 8 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). The amount is preferably 0.1 parts by mass or more from the viewpoint of photosensitivity or patterning property, and 20 parts by mass or less from the viewpoint of the physical properties of the photosensitive resin layer after curing of the negative photosensitive resin composition.
（Ｃ）防錆剤
本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて銅又は銅合金から成る基板上に硬化膜を形成する場合には、銅上の変色を抑制するために、ネガ型感光性樹脂組成物は防錆剤を任意に含んでもよい。防錆剤としては、アゾール化合物、プリン化合物等が挙げられる。
(C) Rust inhibitor When the photosensitive resin composition of the present embodiment is used to form a cured film on a substrate made of copper or a copper alloy, the negative photosensitive resin composition may optionally contain a rust inhibitor in order to suppress discoloration on the copper. Examples of the rust inhibitor include an azole compound and a purine compound.
アゾール化合物としては、例えば、１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒドロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α－ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。 Examples of azole compounds include 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4-t-butyl-5-phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1-(2-dimethylaminoethyl)triazole, 5-benzyl-1H-triazole, hydroxyphenyltriazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2-(5-methyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-[2-hydroxy-3,5-bis(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-benzotriazole, benzotriazole, 2-(3,5-di-t-butyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl)-benzotriazole, 2-(3,5-di-t-amyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl)benzotriazole, hydroxyphenylbenzotriazole, tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 1-methyl-1H-tetrazole, etc.
特に好ましくは、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、及び４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールが挙げられる。これらのアゾール化合物は、１種で用いても２種以上の混合物で用いても構わない。 Particularly preferred are tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, and 4-methyl-1H-benzotriazole. These azole compounds may be used alone or in a mixture of two or more.
プリン化合物の具体例としては、例えば、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、２，６－ジアミノプリン、９－メチルアデニン、２－ヒドロキシアデニン、２－メチルアデニン、１－メチルアデニン、Ｎ－メチルアデニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアデニン、２－フルオロアデニン、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、グアニンオキシム、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、８－アミノアデニン、６－アミノ‐８－フェニル‐９Ｈ－プリン、１－エチルアデニン、６－エチルアミノプリン、１－ベンジルアデニン、Ｎ－メチルグアニン、７－（２－ヒドロキシエチル）グアニン、Ｎ－（３－クロロフェニル）グアニン、Ｎ－（３－エチルフェニル）グアニン、２－アザアデニン、５－アザアデニン、８－アザアデニン、８－アザグアニン、８－アザプリン、８－アザキサンチン、８－アザヒポキサンチン等、及びこれらの誘導体が挙げられる。 Specific examples of purine compounds include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, 2,6-diaminopurine, 9-methyladenine, 2-hydroxyadenine, 2-methyladenine, 1-methyladenine, N-methyladenine, N,N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9-(2-hydroxyethyl)adenine, guanine oxime, N-(2-hydroxyethyl)adenine, 8-aminopurine, 9-methyladenine, 2-hydroxyadenine, 1-methyladenine, N-methyladenine, N,N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9-(2-hydroxyethyl)adenine, guanine oxime, N-(2-hydroxyethyl)adenine, 8-aminopurine, 9-aminopurine, 1 ... These include aminoadenine, 6-amino-8-phenyl-9H-purine, 1-ethyladenine, 6-ethylaminopurine, 1-benzyladenine, N-methylguanine, 7-(2-hydroxyethyl)guanine, N-(3-chlorophenyl)guanine, N-(3-ethylphenyl)guanine, 2-azaadenine, 5-azaadenine, 8-azaadenine, 8-azaguanine, 8-azapurine, 8-azaxanthine, 8-azahypoxanthine, and derivatives thereof.
感光性樹脂組成物が（Ｃ）防錆剤を含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．０１～２０質量部であることが好ましく、光感度特性の観点から０．０３～１０質量部であることがより好ましく、０．０５～５質量部が更に好ましく、例えば０．０１～５質量部であってよい。（Ｃ）防錆剤の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．０１質量部以上である場合、本実施形態の感光性樹脂組成物を銅又は銅合金の上に形成した場合に、銅又は銅合金表面の変色が抑制され、一方、２０質量部以下である場合には光感度に優れる。 When the photosensitive resin composition contains the rust inhibitor (C), the blending amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), more preferably 0.03 to 10 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics, and even more preferably 0.05 to 5 parts by mass, and may be, for example, 0.01 to 5 parts by mass. When the blending amount of the rust inhibitor (C) relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.01 part by mass or more, discoloration of the copper or copper alloy surface is suppressed when the photosensitive resin composition of this embodiment is formed on copper or a copper alloy, while when the blending amount is 20 parts by mass or less, excellent photosensitivity is obtained.
（Ｄ）熱塩基発生剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、（Ｄ）熱塩基発生剤を含有していてもよい。塩基発生剤とは、加熱することで塩基を発生する化合物をいう。熱塩基発生剤を含有することで、感光性樹脂組成物のイミド化をさらに促進することができる。
(D) Thermal Base Generator The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (D) a thermal base generator. The base generator refers to a compound that generates a base when heated. By containing the thermal base generator, it is possible to further promote imidization of the photosensitive resin composition.
熱塩基発生剤としては、その種類を特に定めるものではないが、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物、国際公開第２０１７／０３８５９８号に開示された熱塩基発生剤等が挙げられる。しかしながら、これらに限定されず、その他にも公知の熱塩基発生剤を用いることができる。 The thermal base generator is not particularly limited in type, but examples thereof include amine compounds protected by a tert-butoxycarbonyl group, thermal base generators disclosed in WO 2017/038598, and the like. However, the thermal base generator is not limited to these, and other known thermal base generators can also be used.
ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物としては、例えば、エタノールアミン、３－アミノ－１－プロパノール、１－アミノ－２－プロパノール、２－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、２－アミノ－１－ブタノール、１－アミノ－２－ブタノール、３－アミノ－２,２－ジメチル－１－プロパノール、４－アミノ－２－メチル－１－ブタノール、バリノール、３－アミノ－１,２－プロパンジオール、２－アミノ－１,３－プロパンジオール、チラミン、ノルエフェドリン、２－アミノ－１－フェニル－１，３－プロパンジオール、２－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサンエタノール、４－（２－アミノエチル）シクロヘキサノール、Ｎ－メチルエタノールアミン、３－（メチルアミノ）－１－プロパノール、３－（イソプロピルアミノ）プロパノール、Ｎ－シクロヘキシルエタノールアミン、α－［２－（メチルアミノ）エチル］ベンジルアルコール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、３－ピロリジノール、２－ピロリジンメタノール、４－ヒドロキシピペリジン、３－ヒドロキシピペリジン、４－ヒドロキシ－４－フェニルピペリジン、４－(３－ヒドロキシフェニル)ピペリジン、４－ピペリジンメタノール、３－ピペリジンメタノール、２－ピペリジンメタノール、４－ピペリジンエタノール、２－ピペリジンエタノール、２－(４－ピペリジル)－２－プロパノール、１，４－ブタノールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、２，２’－オキシビス（エチルアミン）、１，１４－ジアミノ－３，６，９，１２－テトラオキサテトラデカン、１－アザ－１５－クラウン ５－エーテル、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，１１－ジアミノ－３，６，９－トリオキサウンデカン、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル等、並びに、アミノ酸及びその誘導体のアミノ基をｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護した化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of amine compounds protected by a tert-butoxycarbonyl group include ethanolamine, 3-amino-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, 4-amino-1-butanol, 2-amino-1-butanol, 1-amino-2-butanol, 3-amino-2,2-dimethyl-1-propanol, 4-amino-2-methyl-1-butanol, valinol, 3-amino-1,2-propanediol, 2-amino-1,3-propanediol, tyramine, norephedrine, 2-amino-1-phenyl-1,3-propanediol, 2-aminocyclohexanol, 4-aminocyclohexanol, 4-aminocyclohexaneethanol, 4-(2-aminoethyl)cyclohexanol, N-methylethanolamine, 3-(methylamino)-1-propanol, 3-(isopropyl ... isopropylamino)propanol, N-cyclohexylethanolamine, α-[2-(methylamino)ethyl]benzyl alcohol, diethanolamine, diisopropanolamine, 3-pyrrolidinol, 2-pyrrolidinemethanol, 4-hydroxypiperidine, 3-hydroxypiperidine, 4-hydroxy-4-phenylpiperidine, 4-(3-hydroxyphenyl)piperidine, 4-piperidinemethanol, 3-piperidinemethanol, 2-piperidinemethanol, 4-piperidineethanol, 2-piperidineethanol, 2-(4-piperidyl)-2-propanol, 1,4-butanol bis(3-aminopropyl)ether, 1,2-bis(2-aminoethoxy)ethane, 2,2'-oxybis(ethylamine), 1,14-diamino-3,6,9,12-tetraoxatetradecane, 1-aza-15-crown 5-ether, diethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, 1,11-diamino-3,6,9-trioxaundecane, diethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, and compounds in which the amino group of an amino acid or a derivative thereof is protected with a tert-butoxycarbonyl group, but are not limited to these.
（Ｄ）熱塩基発生剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上３０質量部以下であり、より好ましくは０．５質量部以上１５質量部以下であり、更に好ましくは１質量部以上２０質量部以下であり、例えば０．５質量部以上２０質量部以下であってよい。上記配合量は、イミド化促進効果の観点で０．１質量部以上であり、ネガ型感光性樹脂組成物の硬化後の感光性樹脂層の物性の観点から２０質量部以下であることが好ましい。 The amount of the thermal base generator (D) is preferably 0.1 parts by mass or more and 30 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 15 parts by mass or less, and even more preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, for example, 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). The amount is preferably 0.1 parts by mass or more from the viewpoint of the imidization promotion effect, and 20 parts by mass or less from the viewpoint of the physical properties of the photosensitive resin layer after curing of the negative photosensitive resin composition.
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、上記（Ａ）～（Ｄ）成分以外の成分を更に含有していてもよい。（Ａ）～（Ｄ）成分以外の成分としては、限定されないが、例えば、溶剤、含窒素複素環化合物、ヒンダードフェノール化合物、有機チタン化合物、接着助剤、増感剤、光重合性不飽和モノマー、熱重合禁止剤等が挙げられる。 The negative photosensitive resin composition of this embodiment may further contain components other than the above components (A) to (D). Examples of components other than components (A) to (D) include, but are not limited to, solvents, nitrogen-containing heterocyclic compounds, hindered phenol compounds, organic titanium compounds, adhesion aids, sensitizers, photopolymerizable unsaturated monomers, and thermal polymerization inhibitors.
溶剤
溶剤としては、アミド、スルホキシド、ウレア及びその誘導体、ケトン、エステル、ラクトン、エーテル、ハロゲン化炭化水素、炭化水素、アルコール等が挙げられ、具体的には、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、１，４－ジクロロブタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。中でも、樹脂の溶解性、樹脂組成物の安定性、及び基板への接着性の観点から、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、及びテトラヒドロフルフリルアルコールから成る群から選択される１種以上が好ましい。
solvent Examples of the solvent include amides, sulfoxides, urea and derivatives thereof, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, hydrocarbons, and alcohols. Specific examples of the solvent that can be used include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethyl lactate, methyl lactate, butyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, phenyl glycol, tetrahydrofurfuryl alcohol, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, morpholine, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, anisole, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene, and mesitylene. Among these, from the viewpoints of the solubility of the resin, the stability of the resin composition, and the adhesion to the substrate, one or more selected from the group consisting of N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, benzyl alcohol, phenyl glycol, and tetrahydrofurfuryl alcohol are preferred.
このような溶剤の中で、とりわけ、（Ａ）ポリイミド前駆体を完全に溶解するものが好ましく、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ガンマブチロラクトン等が好適である。 Among these solvents, those that completely dissolve the polyimide precursor (A) are particularly preferred, such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, gamma-butyrolactone, etc.
本実施形態の感光性樹脂組成物において、溶剤の使用量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは１００～１，０００質量部であり、より好ましくは１２０～７００質量部であり、さらに好ましくは１２５～５００質量部の範囲である。 In the photosensitive resin composition of this embodiment, the amount of the solvent used is preferably 100 to 1,000 parts by mass, more preferably 120 to 700 parts by mass, and even more preferably 125 to 500 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
ヒンダードフェノール化合物
銅表面上の変色を抑制するために、ネガ型感光性樹脂組成物は、ヒンダードフェノール化合物を任意に含んでもよい。ヒンダードフェノール化合物としては、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５‐エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
これらの中でも、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が特に好ましい。
Hindered Phenol Compound In order to suppress discoloration on the copper surface, the negative photosensitive resin composition may optionally contain a hindered phenol compound. Examples of the hindered phenol compound include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, isooctyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 4,4'-methylenebis(2,6-di-t-butylphenol), 4,4'-thio-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), and 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol). nol), triethylene glycol-bis[3-(3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,6-hexanediol-bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 2,2-thio-diethylene bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], N,N'-hexamethylene bis(3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 2,2'-methylene-bis(4-methyl-6-t-butylphenol) , 2,2'-methylene-bis(4-ethyl-6-t-butylphenol), pentaerythrityl-tetrakis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], tris-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-isopropylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H, 3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-s-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris[4-(1-ethylpropyl)-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
1,3,5-tris[4-triethylmethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5,6-diethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
Examples of the hydroxyl group include, but are not limited to, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, and 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione.
Among these, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione and the like are particularly preferred.
ヒンダードフェノール化合物の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２０質量部であることが好ましく、光感度特性の観点から０．５～１０質量部であることがより好ましい。ヒンダードフェノール化合物の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、例えば銅又は銅合金の上に本実施形態の感光性樹脂組成物を形成した場合に、銅又は銅合金の変色及び腐食が防止され、一方、２０質量部以下である場合には光感度に優れる。 The amount of the hindered phenol compound is preferably 0.1 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and more preferably 0.5 to 10 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics. When the amount of the hindered phenol compound relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, for example, when the photosensitive resin composition of this embodiment is formed on copper or a copper alloy, discoloration and corrosion of the copper or copper alloy are prevented, while when the amount is 20 parts by mass or less, excellent photosensitivity is achieved.
有機チタン化合物
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、有機チタン化合物を含有してもよい。ネガ型感光性樹脂組成物が有機チタン化合物を含有することにより、低温で硬化した場合であっても耐薬品性に優れる感光性樹脂層を形成できる。
Organic titanium compound The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may contain an organic titanium compound. By containing an organic titanium compound in the negative photosensitive resin composition, a photosensitive resin layer having excellent chemical resistance can be formed even when cured at a low temperature.
使用可能な有機チタン化合物としては、チタン原子に有機基が共有結合又はイオン結合を介して結合しているものが挙げられる。
有機チタン化合物の具体例を、以下のＩ）～ＶＩＩ）に示す：
Ｉ）チタンキレート化合物：中でも、ネガ型感光性樹脂組成物の保存安定性がよく、良好な硬化パターンが得られることから、アルコキシ基を２個以上有するチタンキレート化合物がより好ましい。具体的な例は、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキサイド、チタニウムジ（ｎ－ブトキサイド）ビス（２，４－ペンタンジオネート、チタニウムジイソプロポキサイドビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）等である。
ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ（２－エチルヘキソキサイド）、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ（ｎ－ノニロキサイド）、チタニウムテトラ（ｎ－プロポキサイド）、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス［ビス｛２，２－（アリロキシメチル）ブトキサイド｝］等である。
ＩＩＩ）チタノセン化合物：例えば、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロフェニル）チタニウム、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウム等である。
ＩＶ）モノアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムトリス（ジオクチルホスフェート）イソプロポキサイド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルホネート）イソプロポキサイド等である。
Ｖ）チタニウムオキサイド化合物：例えば、チタニウムオキサイドビス（ペンタンジオネート）、チタニウムオキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、フタロシアニンチタニウムオキサイド等である。
ＶＩ）チタニウムテトラアセチルアセトネート化合物：例えば、チタニウムテトラアセチルアセトネート等である。
ＶＩＩ）チタネートカップリング剤：例えば、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート等である。
Usable organic titanium compounds include those in which an organic group is bonded to a titanium atom via a covalent bond or an ionic bond.
Specific examples of the organotitanium compound are shown below in I) to VII):
I) Titanium chelate compounds: Among these, titanium chelate compounds having two or more alkoxy groups are more preferred because they provide a negative photosensitive resin composition with good storage stability and a good cured pattern. Specific examples include titanium bis(triethanolamine) diisopropoxide, titanium di(n-butoxide) bis(2,4-pentanedionate, titanium diisopropoxide bis(2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis(tetramethylheptanedionate), titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), and the like.
II) Tetraalkoxytitanium compounds: For example, titanium tetra(n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra(2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium tetramethoxide, titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra(n-nonyloxide), titanium tetra(n-propoxide), titanium tetrastearyloxide, titanium tetrakis[bis{2,2-(allyloxymethyl)butoxide}], and the like.
III) Titanocene compounds: For example, pentamethylcyclopentadienyltitanium trimethoxide, bis(η 5 -2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluorophenyl)titanium, bis(η 5 -2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium, and the like.
IV) Monoalkoxytitanium compounds: For example, titanium tris(dioctylphosphate) isopropoxide, titanium tris(dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide, etc.
V) Titanium oxide compounds: For example, titanium oxide bis(pentanedionate), titanium oxide bis(tetramethylheptanedionate), phthalocyanine titanium oxide, and the like.
VI) Titanium tetraacetylacetonate compounds: For example, titanium tetraacetylacetonate.
VII) Titanate coupling agents: for example, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate.
中でも、有機チタン化合物としては、上記Ｉ）チタンキレート化合物、ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物、及びＩＩＩ）チタノセン化合物から成る群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが、より良好な耐薬品性を奏するという観点から好ましい。特に、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、及びビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウムが好ましい。 Among them, the organic titanium compound is preferably at least one compound selected from the group consisting of I) titanium chelate compounds, II) tetraalkoxytitanium compounds, and III) titanocene compounds, from the viewpoint of exhibiting better chemical resistance. In particular, titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), titanium tetra(n-butoxide), and bis(η 5 -2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium are preferred.
有機チタン化合物を配合する場合、その配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．０５～１０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．１～２質量部である。該配合量が０．０５質量部以上である場合、得られる硬化パターンに良好な耐熱性及び耐薬品性が発現し、一方１０質量部以下である場合、感光性樹脂組成物の保存安定性に優れる。 When an organic titanium compound is added, the amount is preferably 0.05 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 2 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). When the amount is 0.05 parts by mass or more, the obtained cured pattern exhibits good heat resistance and chemical resistance, while when the amount is 10 parts by mass or less, the storage stability of the photosensitive resin composition is excellent.
接着助剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される膜と基材との接着性向上のために、ネガ型感光性樹脂組成物は、接着助剤を任意に含んでもよい。
接着助剤としては、アルミニウム系接着助剤、シランカップリング剤等を使用することができる。
Adhesion Aid In order to improve the adhesion between a substrate and a film formed using the negative photosensitive resin composition of the present embodiment, the negative photosensitive resin composition may optionally contain an adhesion aid.
As the adhesion promoter, an aluminum-based adhesion promoter, a silane coupling agent, etc. can be used.
アルミニウム系接着助剤としては、例えば、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等を挙げることができる。 Examples of aluminum-based adhesive aids include aluminum tris(ethylacetoacetate), aluminum tris(acetylacetonate), and ethylacetoacetate aluminum diisopropylate.
シランカップリング剤としては、例えば、γ－アミノプロピルジメトキシシラン、Ｎ－（β－アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ（ｐ－トリル）シラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－［３－（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－［３－トリエトキシシリル］プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－［３－トリエトキシシリル］プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－（トリアルコキシシリル）プロピルスクシン酸無水物、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製：商品名 ＫＢＭ８０３、チッソ株式会社製：商品名 サイラエースＳ８１０）、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７５．０）、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（信越化学工業株式会社製：商品名 ＬＳ１３７５、アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７４．０）、メルカプトメチルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７３．５Ｃ）、メルカプトメチルメチルジメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７３．０）、３－メルカプトプロピルジエトキシメトキシシラン、３－メルカプトプロピルエトキシジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルジエトキシプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルエトキシジプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルジメトキシプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルメトキシジプロポキシシラン、２－メルカプトエチルトリメトキシシラン、２－メルカプトエチルジエトキシメトキシシラン、２－メルカプトエチルエトキシジメトキシシラン、２－メルカプトエチルトリプロポキシシラン、２－メルカプトエチルトリプロポキシシラン、２－メルカプトエチルエトキシジプロポキシシラン、２－メルカプトエチルジメトキシプロポキシシラン、２－メルカプトエチルメトキシジプロポキシシラン、４－メルカプトブチルトリメトキシシラン、４－メルカプトブチルトリエトキシシラン、４－メルカプトブチルトリプロポキシシラン、Ｎ－（３－トリエトキシシリルプロピル）ウレア（信越化学工業株式会社製：商品名 ＬＳ３６１０、アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＵ９０５５．０）、Ｎ－（３－トリメトキシシリルプロピル）ウレア（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＵ９０５８．０）、Ｎ－（３－ジエトキシメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－ジエトキシプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－ジメトキシプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－メトキシジプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－トリメトキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジメトキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－ジメトキシプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－メトキシジプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリメトキシシリルブチル）ウレア、Ｎ－（３－トリエトキシシリルブチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルブチル）ウレア、３－（ｍ－アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９８．０）、ｍ－アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．０）、ｐ－アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．１）アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．２）、２－（トリメトキシシリルエチル）ピリジン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＴ８３９６．０）、２－（トリエトキシシリルエチル）ピリジン、２－（ジメトキシシリルメチルエチル）ピリジン、２－（ジエトキシシリルメチルエチル）ピリジン、（３－トリエトキシシリルプロピル）－ｔ－ブチルカルバメート、（３－グリシドキシプロピル）トリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ－ｎ－プロポキシシラン、テトラ－ｉ－プロポキシシラン、テトラ－ｎ－ブトキシシラン、テトラ－ｉ－ブトキシシラン、テトラ－ｔ－ブトキシシラン、テトラキス（メトキシエトキシシラン）、テトラキス（メトキシ－ｎ－プロポキシシラン）、テトラキス（エトキシエトキシシラン）、テトラキス（メトキシエトキシエトキシシラン）、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エチレン、ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ビス（トリエトキシシリル）オクタジエン、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド、ジ－ｔ－ブトキシジアセトキシシラン、ジ－ｉ－ブトキシアルミノキシトリエトキシシラン、フェニルシラントリオール、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ－プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、ｎ－ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ－ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシジ－ｐ－トリルシラン、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ－プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ－ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ－プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ－ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ－プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ－ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシラノール、トリフェニルシラノール等の他、下記式（Ｓ－１）：
これらの接着助剤のうちでは、接着力の点からシランカップリング剤を用いることがより好ましい。
シランカップリング剤としては、前記したシランカップリング剤の中でも、保存安定性の観点から、フェニルシラントリオール、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ（ｐ－トリル）シラン、ジフェニルシランジオール、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシジ－ｐ－トリルシラン、トリフェニルシラノール、及び上記式（Ｓ１）のそれぞれで表される構造を有するシランカップリング剤から成る群より選択される１種以上を使用することが好ましい。
Of these adhesion aids, it is more preferable to use a silane coupling agent in terms of adhesive strength.
As the silane coupling agent, among the above-mentioned silane coupling agents, from the viewpoint of storage stability, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of phenylsilanetriol, trimethoxyphenylsilane, trimethoxy(p-tolyl)silane, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, triphenylsilanol, and silane coupling agents having structures represented by the above formula (S1).
感光性樹脂組成物が接着助剤を含有する場合、接着助剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．０１～２５質量部の範囲が好ましく、０．５～２０質量部の範囲がより好ましい。
シランカップリング剤を使用する場合の配合量としては、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．０１～２０質量部が好ましい。
When the photosensitive resin composition contains an adhesive aid, the amount of the adhesive aid is preferably in the range of 0.01 to 25 parts by mass, and more preferably in the range of 0.5 to 20 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
When a silane coupling agent is used, the amount added is preferably 0.01 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
増感剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、光感度を向上させるために、増感剤を任意に含んでもよい。該増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン等が挙げられる。これらは単独で又は例えば２～５種類の組合せで用いることができる。
Sensitizer The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may optionally contain a sensitizer to improve photosensitivity. Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4'-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indane, and the like. Non, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)-benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)isonaphthothiazole, 1,3-bis(4'-dimethylaminobenzal)acetone, 1,3-bis(4'-diethylaminobenzal)acetone, 3,3'-carbonyl-bis(7-diethylaminocoumarin), 3-acetone ethyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-p-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzoxazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzthiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)naphtho(1,2-d)thiazole, 2-(p-dimethylaminobenzoyl)styrene, and the like. These may be used alone or in combination of, for example, 2 to 5 types.
光感度を向上させるための増感剤を感光性樹脂組成物が含有する場合、その配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２５質量部であることが好ましい。 When the photosensitive resin composition contains a sensitizer to improve photosensitivity, the amount of the sensitizer is preferably 0.1 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
光重合性不飽和モノマー
ネガ型感光性樹脂組成物は、レリーフパターンの解像性を向上させるために、光重合性の不飽和結合を有するモノマーを任意に含んでもよい。このようなモノマーとしては、光重合開始剤によりラジカル重合反応する（メタ）アクリル化合物が好ましく、特に以下に限定するものではないが、例えば、
エチレングリコールの、モノアクリレート、ジアクリレート、モノメタクリレート、及びジメタクリレート；
ポリエチレングリコールの、モノアクリレート、ジアクリレート、モノメタクリレート、及びジメタクリレート；
プロピレングリコールの、モノアクリレート、ジアクリレート、モノメタクリレート、及びジメタクリレート；
ポリプロピレングリコールの、モノアクリレート、ジアクリレート、モノメタクリレート、及びジメタクリレート；
グリセロールの、モノアクリレート、ジアクリレート、トリアクリレート、モノメタクリレート、ジメタクリレート、及びトリメタクリレート；
シクロヘキサンの、ジアクリレート及びジメタクリレート；
１，４－ブタンジオールの、ジアクリレート及びジメタクリレート；
１，６－ヘキサンジオールの、ジアクリレート及びジメタクリレート；
ネオペンチルグリコールの、ジアクリレート及びジメタクリレート；
ビスフェノールＡの、モノアクリレート、ジアクリレート、モノメタクリレート、及びジメタクリレート；
ベンゼントリメタクリレート；
イソボルニルアクリレート及びイソボロニルメタクリレート；
アクリルアミド及びその誘導体；
メタクリルアミド及びその誘導体；
トリメチロールプロパントリアクリレート及びトリメチロールプロパントリメタクリレート；
ペンタエリスリトールのジアクリレート、トリアクリレート、テトラアクリレート、ジメタクリレート、トリメタクリレート、及びテトラメタクリレート；並びに
これらの化合物のエチレンオキサイド付加物又はプロピレンオキサイド付加物等の化合物を挙げることができる。
Photopolymerizable Unsaturated Monomer The negative photosensitive resin composition may optionally contain a monomer having a photopolymerizable unsaturated bond in order to improve the resolution of the relief pattern. As such a monomer, a (meth)acrylic compound that undergoes a radical polymerization reaction with a photopolymerization initiator is preferable, and is not particularly limited to the following, for example:
Monoacrylates, diacrylates, monomethacrylates, and dimethacrylates of ethylene glycol;
Monoacrylates, diacrylates, monomethacrylates, and dimethacrylates of polyethylene glycol;
Propylene glycol monoacrylates, diacrylates, monomethacrylates, and dimethacrylates;
Monoacrylates, diacrylates, monomethacrylates, and dimethacrylates of polypropylene glycol;
Mono-, di-, tri-, monomethacrylates, dimethacrylates, and trimethacrylates of glycerol;
Diacrylates and dimethacrylates of cyclohexane;
Diacrylate and dimethacrylate of 1,4-butanediol;
Diacrylate and dimethacrylate of 1,6-hexanediol;
Neopentyl glycol diacrylate and dimethacrylate;
Monoacrylate, diacrylate, monomethacrylate, and dimethacrylate of bisphenol A;
Benzene trimethacrylate;
Isobornyl acrylate and isobornyl methacrylate;
Acrylamide and its derivatives;
Methacrylamide and its derivatives;
Trimethylolpropane triacrylate and trimethylolpropane trimethacrylate;
Examples of the compounds include diacrylate, triacrylate, tetraacrylate, dimethacrylate, trimethacrylate, and tetramethacrylate of pentaerythritol; and ethylene oxide or propylene oxide adducts of these compounds.
レリーフパターンの解像性を向上させるための上記の光重合性不飽和モノマーを感光性樹脂組成物が含有する場合、該光重合性不飽和モノマーの配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、１～５０質量部であることが好ましい。 When the photosensitive resin composition contains the above-mentioned photopolymerizable unsaturated monomer for improving the resolution of the relief pattern, the amount of the photopolymerizable unsaturated monomer is preferably 1 to 50 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
熱重合禁止剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、特に溶剤を含む溶液の状態で保存するときの、粘度及び光感度の安定性を向上させるために、熱重合禁止剤を任意に含んでもよい。
熱重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、Ｎ－ニトロソジフェニルアミン、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、フェノチアジン、Ｎ－フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２－シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－メチルフェノール、５－ニトロソ－８－ヒドロキシキノリン、１－ニトロソ－２－ナフトール、２－ニトロソ－１－ナフトール、２－ニトロソ－５－（Ｎ－エチル－Ｎ－スルホプロピルアミノ）フェノール、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ－ニトロソ－Ｎ（１－ナフチル）ヒドロキシルアミンアンモニウム塩等を用いることができる。
Thermal Polymerization Inhibitor The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may optionally contain a thermal polymerization inhibitor in order to improve the stability of viscosity and photosensitivity, particularly when stored in the form of a solution containing a solvent.
Examples of the thermal polymerization inhibitor that can be used include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol ether diaminetetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5-(N-ethyl-N-sulfopropylamino)phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, and N-nitroso-N(1-naphthyl)hydroxylamine ammonium salt.
＜硬化レリーフパターンの製造方法＞
本実施形態の硬化レリーフパターンの製造方法は、
（１）上述した本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を基板上に形成する工程（樹脂層形成工程）と、
（２）上記感光性樹脂層を露光する工程（露光工程）と、
（３）露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程（レリーフパターン形成る工程）と、
（４）上記レリーフパターンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程（硬化レリーフパターン形成る工程）と
を含む。
<Method for Producing Cured Relief Pattern>
The method for producing a cured relief pattern of the present embodiment includes the steps of:
(1) a step of applying the negative type photosensitive resin composition of the present embodiment onto a substrate to form a photosensitive resin layer on the substrate (a resin layer forming step);
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light (exposure step);
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern (relief pattern forming step);
(4) A step of heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern (a step of forming a cured relief pattern).
（１）樹脂層形成工程
本工程では、本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、必要に応じて、その後、乾燥させて感光性樹脂層を形成する。塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
(1) Resin layer formation step In this step, the negative photosensitive resin composition of the present embodiment is applied onto a substrate, and then dried as necessary to form a photosensitive resin layer. As the application method, a method that has been conventionally used for applying a photosensitive resin composition, such as a method of applying with a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printer, etc., or a method of spray application with a spray coater, etc., can be used.
必要に応じて、感光性樹脂組成物を含む塗膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾；オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥；真空乾燥等の方法が用いられる。具体的には、風乾又は加熱乾燥の場合、２０℃～１５０℃で１分～１時間の条件で乾燥を行うことができる。
以上のとおりにして、基板上に感光性樹脂層を形成できる。
If necessary, the coating film containing the photosensitive resin composition can be dried. Examples of the drying method include air drying, heat drying in an oven or a hot plate, and vacuum drying. Specifically, in the case of air drying or heat drying, drying can be performed under conditions of 20° C. to 150° C. for 1 minute to 1 hour.
In this manner, a photosensitive resin layer can be formed on a substrate.
（２）露光工程
本工程では、上記で形成した感光性樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
この露光により、ネガ型感光性樹脂組成物に含有される（Ａ）ポリイミド前駆体が有する重合性基が、（Ｂ）光重合開始剤の作用によって架橋する。この架橋によって、露光部分が後述の現像液に不溶となるため、レリーフパターンの形成が可能となる。
(2) Exposure Step In this step, the photosensitive resin layer formed above is exposed to an ultraviolet light source or the like through a photomask or reticle having a pattern, or directly, using an exposure device such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper.
This exposure causes the polymerizable groups of the polyimide precursor (A) contained in the negative photosensitive resin composition to crosslink due to the action of the photopolymerization initiator (B), which makes the exposed area insoluble in a developer to be described later, thereby enabling the formation of a relief pattern.
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）若しくは現像前ベーク又はこれらの双方を施してもよい。ベーク条件は、温度は４０℃～１２０℃であり、そして時間は１０秒～２４０秒であることが好ましいが、本実施形態の感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限られない。 After this, for the purpose of improving the photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) or a pre-development bake, or both, may be performed at any combination of temperature and time, as necessary. The baking conditions are preferably a temperature of 40°C to 120°C and a time of 10 seconds to 240 seconds, but are not limited to this range as long as they do not impair the properties of the photosensitive resin composition of this embodiment.
（３）レリーフパターン形成工程
本工程では、露光後の感光性樹脂層のうち未露光部を現像除去する。露光（照射）後の感光性樹脂層を現像する現像方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えば、回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法等の中から任意の方法を選択して使用することができる。現像の後、レリーフパターンの形状を調整する等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる現像後ベークを施してもよい。
(3) Relief Pattern Forming Step In this step, the unexposed portion of the exposed photosensitive resin layer is developed and removed. As a developing method for developing the exposed (irradiated) photosensitive resin layer, any method can be selected from conventionally known photoresist developing methods, such as a rotary spray method, a paddle method, and an immersion method accompanied by ultrasonic treatment. After development, post-development baking may be performed at any combination of temperature and time, as necessary, for the purpose of adjusting the shape of the relief pattern, etc.
現像に使用される現像液としては、例えば、本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との組合せが好ましい。
良溶媒としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン等が好ましい。
貧溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び水等が好ましい。
良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、ネガ型感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。溶媒は、２種以上、例えば数種類組合せて用いることもできる。
The developer used for development is preferably, for example, a good solvent for the negative photosensitive resin composition of this embodiment, or a combination of the good solvent and a poor solvent.
Preferred good solvents include, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, and α-acetyl-γ-butyrolactone.
As the poor solvent, for example, toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate, water, and the like are preferable.
When a good solvent and a poor solvent are used in combination, it is preferable to adjust the ratio of the poor solvent to the good solvent depending on the solubility of the polymer in the negative photosensitive resin composition. Two or more kinds of solvents, for example, several kinds of solvents, can be used in combination.
（４）硬化レリーフパターン形成工程
本工程では、上記現像により得られたレリーフパターンを加熱処理して、感光成分を希散させるとともに、（Ａ）ポリイミド前駆体をイミド化させることによって、ポリイミドから成る硬化レリーフパターンに変換する。
加熱処理の方法としては、例えば、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱処理は、例えば、１６０℃～３５０℃で３０分～５時間の条件で行うことができる。加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。加熱硬化時の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。
(4) Step of Forming Cured Relief Pattern In this step, the relief pattern obtained by the above development is subjected to a heat treatment to disperse the photosensitive component and also to imidize the (A) polyimide precursor, thereby converting it into a cured relief pattern made of polyimide.
As the method of heat treatment, various methods can be selected, such as using a hot plate, an oven, or a temperature-programmable heating oven. Heat treatment can be performed, for example, at 160°C to 350°C for 30 minutes to 5 hours. The temperature of the heat treatment is preferably 200°C or lower, more preferably 180°C or lower. Air may be used as the atmospheric gas during heat curing, or an inert gas such as nitrogen or argon may also be used.
なお、露光後の感光性樹脂層は、（Ａ）ポリイミド前駆体が有する重合性基が架橋して形成された架橋構造を有する。しかしこの架橋構造は、硬化レリーフパターン形成工程における加熱の際にポリマーから脱離し、該脱離で生成するアミド酸構造が閉環してイミド環構造を形成することによって、ポリイミドから成る硬化レリーフパターンが得られると考えられる。 After exposure, the photosensitive resin layer has a crosslinked structure formed by crosslinking the polymerizable groups of the polyimide precursor (A). However, this crosslinked structure is eliminated from the polymer during heating in the cured relief pattern formation process, and the amide acid structure generated by this elimination is ring-closed to form an imide ring structure, resulting in a cured relief pattern made of polyimide.
＜ポリイミド＞
したがって、上記感光性樹脂組成物から形成される硬化レリーフパターンは、下記一般式（Ｉ－２）で表される構造のポリイミドを含むと考えられる。
一般式（Ｉ－１）中の好ましいＸ１、Ｙ１は、同じ理由により、一般式（Ｉ－２）のポリイミドにおいても好ましい。また、上記で説明されたネガ型感光性樹脂組成物を硬化してポリイミドを形成する工程を含むポリイミドの製造方法も本発明の別の態様である。
<Polyimide>
Therefore, it is believed that the cured relief pattern formed from the above photosensitive resin composition contains a polyimide having a structure represented by the following general formula (I-2).
For the same reason, the preferred X 1 and Y 1 in the general formula (I-1) are also preferred in the polyimide of the general formula (I-2). Another aspect of the present invention is a method for producing a polyimide, which includes a step of curing the above-described negative photosensitive resin composition to form a polyimide.
＜半導体装置＞
本実施形態では、上述した感光性樹脂組成物から得られる硬化レリーフパターンを有する、半導体装置も提供される。詳しくは、半導体素子である基材と、硬化レリーフパターンとを有する半導体装置が提供される。硬化レリーフパターンは、上述した感光性樹脂組成物を用いて上述した硬化レリーフパターンの製造方法によって製造されたものであってよい。
本実施形態は、基材として半導体素子を用い、上述した本実施形態の硬化レリーフパターンの製造方法を工程の一部として含む、半導体装置の製造方法にも適用できる。この場合、本実施形態の硬化レリーフパターンの製造方法で形成される硬化レリーフパターンを、半導体装置の表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する半導体装置の保護膜等として形成し、既知の半導体装置の製造方法と組合せることで製造することができる。
<Semiconductor Device>
In this embodiment, a semiconductor device having a cured relief pattern obtained from the above-mentioned photosensitive resin composition is also provided. More specifically, a semiconductor device having a substrate that is a semiconductor element and a cured relief pattern is provided. The cured relief pattern may be produced by the above-mentioned method for producing a cured relief pattern using the above-mentioned photosensitive resin composition.
This embodiment can also be applied to a method for manufacturing a semiconductor device, which uses a semiconductor element as a substrate and includes the method for manufacturing a cured relief pattern of this embodiment as part of the steps. In this case, the cured relief pattern formed by the method for manufacturing a cured relief pattern of this embodiment can be formed as a surface protective film, an interlayer insulating film, an insulating film for rewiring, a protective film for a flip chip device, or a protective film for a semiconductor device having a bump structure, and can be manufactured by combining the method with a known method for manufacturing a semiconductor device.
＜表示体装置＞
本実施形態では、表示体素子と該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置であって、該硬化膜は上述の硬化レリーフパターンである、表示体装置が提供される。ここで、当該硬化レリーフパターンは、当該表示体素子に直接接して積層されていてもよく、別の層を間に挟んで積層されていてもよい。該硬化膜は、例えば、ＴＦＴ液晶表示素子及びカラーフィルター素子の、表面保護膜、絶縁膜、平坦化膜等；ＭＶＡ型液晶表示装置用の突起；有機ＥＬ素子陰極用の隔壁；等に適用することができる。
<Display device>
In this embodiment, a display device is provided that includes a display element and a cured film provided on the upper portion of the display element, the cured film being the above-mentioned cured relief pattern. Here, the cured relief pattern may be laminated in direct contact with the display element, or may be laminated with another layer sandwiched therebetween. The cured film can be applied to, for example, a surface protection film, an insulating film, a planarizing film, etc. of a TFT liquid crystal display element and a color filter element; a protrusion for an MVA type liquid crystal display device; a partition wall for a cathode of an organic EL element; and the like.
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、上記のような半導体装置への適用の他、多層回路の層間絶縁、フレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜等の用途にも有用である。 In addition to being applied to semiconductor devices as described above, the negative-type photosensitive resin composition of this embodiment is also useful for applications such as interlayer insulation in multilayer circuits, cover coats for flexible copper-clad boards, solder resist films, and liquid crystal alignment films.
本実施の形態に係る第二の態様について説明する。
本実施の第二の形態では、感光性樹脂組成物は、（Ａ）ポリイミド前駆体と、（Ｂ）光重合開始剤とをを含む。所望により、感光性樹脂組成物は、その他の成分を含んでよい。各成分を以下に順に説明する。
A second aspect of this embodiment will be described.
In the second embodiment, the photosensitive resin composition includes (A) a polyimide precursor and (B) a photopolymerization initiator. If desired, the photosensitive resin composition may include other components. Each component will be described in turn below.
感光性樹脂組成物のネガ型又はポジ型については、所望の用途に応じて選択されることができ、後述される（Ａ）ポリイミド前駆体の物性の観点から、感光性樹脂組成物はネガ型であることが好ましい。 The photosensitive resin composition may be negative or positive depending on the desired application, and from the viewpoint of the physical properties of the polyimide precursor (A) described below, it is preferable that the photosensitive resin composition is negative.
（Ａ）ポリイミド前駆体
本実施形態では、（Ａ）ポリイミド前駆体は、感光性樹脂組成物に含まれる樹脂成分であり、下記一般式（ＩＩ－１）：
で表される基である。｝
で表される構造、及び下記一般式（ＩＩ－３）：
で表される基である。｝
で表される構造を含むポリアミドである。
(A) Polyimide Precursor In this embodiment, (A) polyimide precursor is a resin component contained in the photosensitive resin composition, and is represented by the following general formula (II-1):
It is a group represented by the following formula:
and the following general formula (II-3):
It is a group represented by the following formula:
It is a polyamide containing a structure represented by the following formula:
上記一般式（ＩＩ－４）中、Ｚで表される基は、保存安定性の観点から、１つ以上の芳香環が窒素原子に直結した芳香族アミン構造を有する１価の有機基であることが好ましく、また、イミド化率及び耐薬品性の観点から、芳香族３級アミン構造を有する１価の有機基であることがより好ましい。 In the above general formula (II-4), the group represented by Z is preferably a monovalent organic group having an aromatic amine structure in which one or more aromatic rings are directly bonded to a nitrogen atom from the viewpoint of storage stability, and more preferably a monovalent organic group having an aromatic tertiary amine structure from the viewpoint of imidization rate and chemical resistance.
Ｚで表される基として、芳香族３級アミン構造を有する１価の有機基としては、例えば、下記一般式（ＩＩ－７）：
一実施形態において、上記一般式（ＩＩ－４）中、Ｚで表される基は、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル（ｂｏｃ）基、または９－フルオレニルメチルオキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）基で保護されたアミンを含む１価の有機基であることが好ましく、低温硬化時のイミド化率と耐薬品性の観点から、特にｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル（ｂｏｃ）基で保護されたアミンを含む１価の有機基であることが好ましい。 In one embodiment, the group represented by Z in the above general formula (II-4) is preferably a monovalent organic group containing an amine protected by a tert-butoxycarbonyl (boc) group or a 9-fluorenylmethyloxycarbonyl (Fmoc) group, and from the viewpoint of the imidization rate during low-temperature curing and chemical resistance, it is particularly preferable that the group be a monovalent organic group containing an amine protected by a tert-butoxycarbonyl (boc) group.
ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル（ｂｏｃ）基、または９－フルオレニルメチルオキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）基で保護されたアミンを含む１価の有機基としては、例えば、下記一般式（ＩＩ－８）：
（Ａ）ポリイミド前駆体中に含まれる上記一般式（ＩＩ－１）で表される前駆体のＲ１及びＲ２の全てに対する、上記一般式（ＩＩ－４）で表される１価の有機基の割合は、高イミド化率と感光性の両立という観点から、１モル％～５０モル％が好ましく、さらに、高耐薬品性と感度の観点から、２．５モル％～２５モル％がより好ましい。 The ratio of the monovalent organic group represented by the above general formula (II-4) to all of R 1 and R 2 of the precursor represented by the above general formula (II-1) contained in the polyimide precursor (A) is preferably 1 mol % to 50 mol % from the viewpoint of achieving both a high imidization rate and photosensitivity, and more preferably 2.5 mol % to 25 mol % from the viewpoint of high chemical resistance and sensitivity.
（Ａ）ポリイミド前駆体において、Ｒ６及び／またはＲ７として、少なくとも１つの窒素原子を有する塩基、又は酸、塩基若しくは熱により脱離可能な保護基で保護された塩基を含む１価の有機基を含むことで、イミド化促進剤と類似の化学構造がポリマー鎖の近傍に存在する。これにより、添加剤として用いた場合と比較してイミド化促進が向上すると考えられる。また、沸点の低いイミド化促進剤を添加剤として用いた場合には、熱硬化工程において、イミド化を促進する前に揮発してしまう為、イミド化促進効果が得られないが、本実施形態に示すとおり、樹脂の側鎖部分にイミド化促進効果がある基を導入した場合には、イミド化反応が起こるまでは膜中に留まり、イミド化反応後は、脱離したイミド化促進効果がある基は速やかに揮発することで、熱物性又は耐薬品性の高いイミド効果膜が得られる。 In the (A) polyimide precursor, R 6 and/or R 7 contain a monovalent organic group containing a base having at least one nitrogen atom, or a base protected by a protecting group that can be removed by acid, base, or heat, so that a chemical structure similar to that of the imidization accelerator is present in the vicinity of the polymer chain. This is thought to improve the imidization promotion compared to when used as an additive. In addition, when an imidization accelerator with a low boiling point is used as an additive, it volatilizes before promoting imidization in the thermal curing process, so that the imidization promotion effect cannot be obtained. However, as shown in this embodiment, when a group having an imidization promotion effect is introduced into the side chain portion of the resin, it remains in the film until the imidization reaction occurs, and after the imidization reaction, the group having an imidization promotion effect that has been removed volatilizes quickly, thereby obtaining an imide effect film with high thermal properties or chemical resistance.
上記一般式（ＩＩ－１）及び（ＩＩ－３）におけるｎ１は、２～１５０の整数であれば限定されないが、感光性樹脂組成物の感光特性及び機械特性の観点から、３～１００の整数が好ましく、５～７０の整数がより好ましい。 In the above general formulas (II-1) and (II-3), n1 is not limited as long as it is an integer from 2 to 150, but from the viewpoint of the photosensitive properties and mechanical properties of the photosensitive resin composition, an integer from 3 to 100 is preferable, and an integer from 5 to 70 is more preferable.
上記一般式（ＩＩ－１）及び（ＩＩ－３）中、Ｘ１で表される４価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数６～４０の有機基であり、より好ましくは、－ＣＯＯＲ１基及び－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯＮＨ－基とが互いにオルト位置にある芳香族基、又は脂環式脂肪族基である。Ｘ１で表される４価の有機基として、具体的には、芳香族環を含有する炭素原子数６～４０の有機基、例えば、下記一般式（ＩＩ－２０）：
で表される構造を有する基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Ｘ１の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（ＩＩ－２０）で表される構造を有するＸ１基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で特に好ましい。
In the above general formulas (II-1) and (II-3), the tetravalent organic group represented by X1 is preferably an organic group having 6 to 40 carbon atoms, from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and more preferably an aromatic group in which the -COOR1 group and the -COOR2 group are in the ortho position relative to the -CONH- group, or an alicyclic aliphatic group. Specific examples of the tetravalent organic group represented by X1 include organic groups having 6 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring, such as the following general formula (II-20):
Examples of the structure represented by the formula (II-20) include, but are not limited to, a group having a structure represented by the formula (II-21). The structure represented by the formula (II-22) is particularly preferred in that it has both heat resistance and photosensitive properties.
上記一般式（ＩＩ－１）及び（ＩＩ－３）中、Ｙ１で表される２価の有機基は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数６～４０の芳香族基であり、例えば、下記式（ＩＩ－２１）：
で表される構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Ｙ１の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（ＩＩ－２１）で表される構造を有するＹ１基は、耐熱性及び感光特性を両立するという点で特に好ましい。
In the above general formulas (II-1) and (II-3), the divalent organic group represented by Y1 is preferably an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms in terms of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and is, for example, a group represented by the following formula (II-21):
Examples of the structure represented by the formula (II-21) include, but are not limited to, the structure represented by Y 1. The structure represented by Y 1 may be one type or a combination of two or more types. The Y 1 group having the structure represented by the formula (II-21) is particularly preferred in that it has both heat resistance and photosensitive properties.
Ｙ１基としては、上記式（ＩＩ－２１）で表される構造のなかでも特に、下式：
上記一般式（ＩＩ－２）中のＲ３は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、Ｒ４及びＲ５は、感光特性の観点から水素原子であることが好ましい。また、ｍ１は、感光特性の観点から２以上１０以下の整数、好ましくは２以上４以下の整数である。 In the general formula (II-2), R3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R4 and R5 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of photosensitive properties. Also, m1 is an integer of 2 to 10, preferably an integer of 2 to 4, from the viewpoint of photosensitive properties.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（ＩＩ－５）：
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含むことが好ましい。
一般式（ＩＩ－５）において、Ｒ６及びＲ７の他方は、上記一般式（ＩＩ－２）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（ＩＩ－５）で表されるポリイミド前駆体を含むことで、特に解像性の効果が高くなる。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-5):
It is a group represented by the following formula:
It is preferable that the resin contains a structural unit represented by the following formula:
In general formula (II-5), the other of R 6 and R 7 is more preferably a monovalent organic group represented by general formula (II-2) above. When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by general formula (II-5), the effect of particularly improving the resolution is enhanced.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（ＩＩ－６）：
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含むことが好ましい。
上記一般式（ＩＩ－６）において、Ｒ６及びＲ７の少なくとも一方は、上記一般式（ＩＩ－２）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（ＩＩ－５）で表されるポリイミド前駆体に加えて、一般式（ＩＩ－６）で表されるポリイミド前駆体を含むことにより、特に解像性の効果がさらに高くなる。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-6):
It is a group represented by the following formula:
It is preferable that the resin contains a structural unit represented by the following formula:
In the above general formula (II-6), it is more preferable that at least one of R 6 and R 7 is a monovalent organic group represented by the above general formula (II-2). When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by general formula (II-6) in addition to the polyimide precursor represented by general formula (II-5), the effect of particularly improving the resolution is further improved.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（ＩＩ－９）：
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。
一般式（ＩＩ－９）において、Ｒ６及びＲ７の少なくとも一方は、上記一般式（ＩＩ－４）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（ＩＩ－５）で表されるポリイミド前駆体に加えて、一般式（ＩＩ－９）で表されるポリイミド前駆体を含むことにより、特に解像性の効果がさらに高くなる。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-9):
It is preferable that the polyimide precursor has a structural unit represented by the following formula:
In general formula (II-9), at least one of R 6 and R 7 is more preferably a monovalent organic group represented by general formula (II-4) above. When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by general formula (II-9) in addition to the polyimide precursor represented by general formula (II-5), the effect of particularly improving the resolution is further improved.
［（Ａ）ポリイミド前駆体の調製方法］
本実施形態における上記一般式（ＩＩ－１）及び上記一般式（ＩＩ－３）で表される構造を含むポリイミド前駆体は、例えば、前述の炭素数６～４０の４価の有機基Ｘ１を含むテトラカルボン酸二無水物と、（ａ）上記一般式（ＩＩ－２）で表される１価の有機基と水酸基とが結合して成るアルコール類、及び上記一般式（ＩＩ－４）で表される１価の有機基と水酸基とが結合して成るアルコール類、及び所望により（ａ）上記一般式（ＩＩ－２）又は（ＩＩ－４）で表される基以外のアルコール類を反応させて、部分的にエステル化したテトラカルボン酸（以下、アシッド／エステル体ともいう）を調製し、続いて前述の炭素数６～４０の２価の有機基Ｙ１を含むジアミン類と重縮合させることにより得られる。
[(A) Method for preparing polyimide precursor]
The polyimide precursor including the structure represented by the general formula (II-1) and the general formula (II-3) in this embodiment can be obtained, for example, by reacting a tetracarboxylic acid dianhydride including the tetravalent organic group X1 having 6 to 40 carbon atoms with (a) an alcohol obtained by bonding a monovalent organic group represented by the general formula (II-2) and a hydroxyl group, and an alcohol obtained by bonding a monovalent organic group represented by the general formula (II-4) and a hydroxyl group, and optionally (a) an alcohol other than the group represented by the general formula (II-2) or (II-4) to prepare a partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter also referred to as an acid/ester), and then polycondensing the resulting mixture with a diamine including a divalent organic group Y1 having 6 to 40 carbon atoms.
（アシッド／エステル体の調製）
本実施形態において、炭素数６～４０の４価の有機基Ｘ1を含むテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）プロパン、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができる。また、これらは、１種を単独で、又は２種以上を混合して、使用されることができる。
(Preparation of Acid/Ester Forms)
In this embodiment, examples of tetracarboxylic dianhydrides containing a tetravalent organic group X 1 having 6 to 40 carbon atoms include pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)propane, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, etc. In addition, these can be used alone or in combination of two or more.
（ａ）上記一般式（ＩＩ－２）で表される基以外のアルコール類として、例えば、炭素数５～３０の脂肪族又は炭素数６～３０の芳香族アルコール類、例えば、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ネオペンチルアルコール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、３－ヘプタノール、１－オクタノール、２－オクタノール、３－オクタノール、１－ノナノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、ベンジルアルコール等を挙げることができる。 (a) Examples of alcohols other than the group represented by the general formula (II-2) above include aliphatic alcohols having 5 to 30 carbon atoms or aromatic alcohols having 6 to 30 carbon atoms, such as 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, neopentyl alcohol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 1-nonanol, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, and benzyl alcohol.
ポリイミド前駆体中の上記（ａ）成分の含有量は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、及びＲ７の全ての含有量に対し、５０モル％を以上であることが好ましい。（ａ）成分の含有量が５０モル％を超えると、所望の感光特性を得ることができるので好ましい。
感光性樹脂組成物中の上記（ａ）成分の含有量は、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、及びＲ７の全ての含有量に対し、７５モル％以上であることが好ましい。
The content of the component (a) in the polyimide precursor is preferably 50 mol % or more relative to the total content of R 1 , R 2 , R 6 , and R 7. When the content of the component (a) exceeds 50 mol %, it is preferable since the desired photosensitive characteristics can be obtained.
The content of the component (a) in the photosensitive resin composition is preferably 75 mol % or more based on the total content of R 1 , R 2 , R 6 , and R 7 .
上記のテトラカルボン酸二無水物と上記のアルコール類とを、ピリジン等の塩基性触媒の存在下、反応溶媒中、反応温度２０～５０℃で４～１０時間に亘って撹拌、溶解及び混合することにより、酸二無水物のハーフエステル化反応が進行し、所望のアシッド／エステル体を得ることができる。 By stirring, dissolving and mixing the above tetracarboxylic dianhydride and the above alcohol in a reaction solvent in the presence of a basic catalyst such as pyridine at a reaction temperature of 20 to 50°C for 4 to 10 hours, the half-esterification reaction of the acid dianhydride proceeds, and the desired acid/ester can be obtained.
上記反応溶媒としては、該アシッド／エステル体、及び該アシッド／エステル体とジアミン類との重縮合生成物であるポリイミド前駆体を溶解するものが好ましく、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ガンマブチロラクトン、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、１，４－ジクロロブタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。これらは必要に応じて、単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。 The reaction solvent is preferably one that dissolves the acid/ester and the polyimide precursor, which is a polycondensation product of the acid/ester and diamines, and examples thereof include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, gamma-butyrolactone, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, hydrocarbons, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene, etc. These may be used alone or in combination as needed.
（ポリイミド前駆体の調製）
上記アシッド／エステル体（典型的には上記反応溶媒中の溶液）に、氷冷下、既知の脱水縮合剤、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート等を投入混合してアシッド／エステル体をポリ酸無水物とした後、これに、炭素数６～４０の２価の有機基Ｙ1を含むジアミン類を別途溶媒に溶解又は分散させたものを滴下投入し、重縮合させることにより、実施の形態で用いることができるポリイミド前駆体を得ることができる。
(Preparation of polyimide precursor)
A known dehydration condensation agent, for example, dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N,N'-disuccinimidyl carbonate, or the like is added and mixed with the above acid/ester body (typically a solution in the above reaction solvent) under ice cooling to convert the acid/ester body into a polyacid anhydride, and then a diamine containing a divalent organic group Y1 having 6 to 40 carbon atoms dissolved or dispersed in a separate solvent is dropped into the above acid/ester body to polycondense it, thereby obtaining a polyimide precursor that can be used in the embodiment.
炭素数６～４０の２価の有機基Ｙ1を含むジアミン類としては、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、オルト－トリジンスルホン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、及びこれらのベンゼン環上の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ハロゲン等で置換されたもの、例えば３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル、及びその混合物等が挙げられるが、これに限定されるものではない。 Examples of diamines containing a divalent organic group Y 1 having 6 to 40 carbon atoms include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-aminophenyl)ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, ortho-tolidine sulfone, 9,9-bis Examples of such fluorenes include, but are not limited to, 4-aminophenylfluorene, and those in which some of the hydrogen atoms on the benzene ring are substituted with a methyl group, an ethyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a halogen, or the like, such as 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethytoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, and mixtures thereof.
実施の形態では、ネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって基板上に形成される感光性樹脂層と各種の基板との密着性を向上させるために、（Ａ）ポリイミド前駆体の調製時に、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン等のジアミノシロキサン類を共重合することもできる。 In an embodiment, in order to improve the adhesion between the photosensitive resin layer formed on the substrate by applying the negative photosensitive resin composition onto the substrate and various substrates, diaminosiloxanes such as 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane and 1,3-bis(3-aminopropyl)tetraphenyldisiloxane can also be copolymerized during the preparation of the polyimide precursor (A).
上記重縮合反応終了後、当該反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を、必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等の貧溶媒を、反応液に投入して重合体成分を析出させ、さらに、再溶解、再沈析出操作等を繰り返すことにより、重合体を精製し、真空乾燥を行い、実施の形態で用いることのできるポリイミド前駆体を単離する。精製度を向上させるために、陰イオン及び／又は陽イオン交換樹脂を適当な有機溶媒で膨潤させて充填したカラムに、この重合体の溶液を通し、イオン性不純物を除去してもよい。 After the polycondensation reaction is completed, the water-absorbing by-product of the dehydrating condensation agent coexisting in the reaction solution is filtered off as necessary, and then a poor solvent such as water, aliphatic lower alcohol, or a mixture thereof is added to the reaction solution to precipitate the polymer component. The polymer is purified by repeating redissolution and reprecipitation operations, and is vacuum-dried to isolate a polyimide precursor that can be used in the embodiment. In order to improve the degree of purification, the polymer solution may be passed through a column packed with an anion and/or cation exchange resin swollen with an appropriate organic solvent to remove ionic impurities.
（Ａ）ポリイミド前駆体の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量で測定した場合に、８，０００～１５０，０００であることが好ましく、９，０００～５０，０００であることがより好ましく、２０，０００～４０，０００であることが特に好ましい。重量平均分子量が８，０００以上である場合には、機械物性が良好であるため好ましく、一方で、１５０，０００以下である場合には、現像液への分散性及びレリーフパターンの解像性能が良好であるため好ましい。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン、及びＮ－メチル－２－ピロリドンが推奨される。また分子量は、標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては、昭和電工社製 有機溶媒系標準試料 ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５から選ぶことが推奨される。 The molecular weight of the polyimide precursor (A), as measured by gel permeation chromatography in terms of polystyrene equivalent weight average molecular weight, is preferably 8,000 to 150,000, more preferably 9,000 to 50,000, and particularly preferably 20,000 to 40,000. A weight average molecular weight of 8,000 or more is preferable because of good mechanical properties, while a weight average molecular weight of 150,000 or less is preferable because of good dispersibility in the developer and resolution performance of the relief pattern. Tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended as developing solvents for gel permeation chromatography. The molecular weight is determined from a calibration curve prepared using standard monodisperse polystyrene. It is recommended to select the standard monodisperse polystyrene from among the organic solvent-based standard samples STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK.
（Ｂ）光重合開始剤やその他成分については、第一の態様と同様のものを用いることができる。なお、その他の成分としては、例えば、溶剤、前記（Ａ）ポリイミド前駆体以外の樹脂成分、増感剤、光重合性の不飽和結合を有するモノマー、接着助剤、熱重合禁止剤、アゾール化合物、ヒンダードフェノール化合物、有機チタン化合物などが挙げられる。 (B) The photopolymerization initiator and other components can be the same as those in the first embodiment. Examples of the other components include a solvent, a resin component other than the polyimide precursor (A), a sensitizer, a monomer having a photopolymerizable unsaturated bond, an adhesive aid, a thermal polymerization inhibitor, an azole compound, a hindered phenol compound, and an organic titanium compound.
本実施形態では、ポリマー側鎖にイミド化促進剤（塩基性を示す化合物）と類似構造を持つ化合物を導入することで、添加剤として用いる場合より高いイミド化率が得られ、保存安定性と耐薬品性を両立したネガ型感光性樹脂組成物を実現することができる。 In this embodiment, by introducing a compound having a similar structure to the imidization accelerator (a compound exhibiting basicity) into the polymer side chain, a higher imidization rate can be obtained than when it is used as an additive, and a negative-type photosensitive resin composition that combines storage stability and chemical resistance can be realized.
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、ポリイミド前駆体、光重合開始剤、及び溶剤を含む。
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物は、該樹脂組成物を温度２３℃、湿度５０％Ｒｈで４週間保存した際の樹脂組成物の粘度変化率が初期と比較して５％以内である。
さらに、本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、該樹脂組成物を１７０℃で２時間加熱して硬化塗膜を得た際に、該硬化塗膜のイミド化率が７０％以上であることが好ましく、該硬化塗膜のイミド化率が８５％以上であることがより好ましい。
このように、本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、イミド化率が高く、保存安定性と耐薬品性を両立したものとなる。
The photosensitive resin composition according to this embodiment contains a polyimide precursor, a photopolymerization initiator, and a solvent.
The photosensitive resin composition according to the present embodiment has a viscosity change rate of within 5% compared to the initial value when the resin composition is stored for 4 weeks at a temperature of 23° C. and a humidity of 50% Rh.
Furthermore, in the photosensitive resin composition according to this embodiment, when the resin composition is heated at 170° C. for 2 hours to obtain a cured coating film, the cured coating film preferably has an imidization rate of 70% or more, and more preferably has an imidization rate of 85% or more.
In this way, the photosensitive resin composition according to this embodiment has a high imidization rate and achieves both storage stability and chemical resistance.
＜ポリイミド＞
上記ポリイミド前駆体組成物から形成される硬化レリーフパターンに含まれるポリイミドの構造は、下記一般式（ＩＩ－１０）で表される。
一般式（ＩＩ－１）中の好ましいＸ１とＹ１は、同じ理由により、一般式（ＩＩ－１０）のポリイミドにおいても好ましい。一般式（ＩＩ－１０）の繰り返し単位数ｍは、特に限定は無いが、２～１５０の整数であってもよい。
また、上記で説明された感光性樹脂組成物をポリイミドに変換する工程を含むポリイミドの製造方法も本発明の一態様である。
硬化レリーフパターンの製造方法、半導体装置、表示体装置についても、第一の態様と同様に用いることができる。
<Polyimide>
The structure of the polyimide contained in the cured relief pattern formed from the polyimide precursor composition is represented by the following general formula (II-10).
The preferred X1 and Y1 in the general formula (II-1) are also preferred in the polyimide of the general formula (II-10) for the same reason. The number m of repeating units in the general formula (II-10) is not particularly limited, but may be an integer of 2 to 150.
Another aspect of the present invention is a method for producing a polyimide, which includes a step of converting the above-described photosensitive resin composition into a polyimide.
The method for producing a cured relief pattern, the semiconductor device, and the display device can be used in the same manner as in the first embodiment.
本実施の形態に係る第三の実施態様について説明する。以下の説明では、図面を参照することがある。
本実施の形態に係る硬化膜は、（Ａ）ポリイミド前駆体、を含む感光性樹脂組成物を後述の方法にて塗工、露光、現像、硬化した後のＡＴＲ（Attenuated Total Reflection）法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（ピーク比：２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であれば限定されない。
なお、本実施の形態において、ＡＴＲ法によるＩＲスペクトル測定は、後述する実施例において記載する方法により実施されたものである。
A third embodiment according to the present invention will now be described. In the following description, the drawings may be referenced.
The cured film according to the present embodiment is prepared by coating, exposing, developing and curing a photosensitive resin composition containing (A) a polyimide precursor by the method described below, and then subjecting the composition to IR spectrum measurement by the Attenuated Total Reflection (ATR) method. The ratio of the peak near 2950 cm −1 to the peak near 1720 cm −1 (peak ratio: peak near 2950 cm −1 /peak near 1720 cm −1 ) is not limited to 0.05 to 0.35.
In the present embodiment, the IR spectrum measurement by the ATR method was carried out by the method described in the examples below.
硬化膜は、（Ａ）ポリイミド前駆体、及び／又はポリイミドに加えて、通常、（Ｂ）重合開始剤と、（Ｃ）架橋剤と、（Ｄ）有機溶媒とを含む。また、必要に応じて（Ｅ）熱塩基発生剤を含んでいてもよい。
このような硬化膜は、例えば、半導体チップと、半導体チップを覆う封止材と、平面視で半導体チップよりも面積が大きい再配線層と、を備えた半導体装置において、再配線層の層間絶縁膜として用いられる。
以下、それぞれの含有成分について説明する。
The cured film typically contains, in addition to (A) a polyimide precursor and/or a polyimide, (B) a polymerization initiator, (C) a crosslinking agent, (D) an organic solvent, and may also contain (E) a thermal base generator, if necessary.
Such a cured film is used, for example, as an interlayer insulating film for a redistribution layer in a semiconductor device including a semiconductor chip, a sealing material covering the semiconductor chip, and a redistribution layer having an area larger than that of the semiconductor chip in a planar view.
Each of the components will be explained below.
［（Ａ）ポリイミド前駆体］
本実施の形態に係る（Ａ）ポリイミド前駆体について説明する。
本実施の形態に係る（Ａ）ポリイミド前駆体は、（Ｂ）光重合開始剤の作用により硬化レリーフパターンを形成でき、硬化膜が上述の範囲を与えることができれば限定されない。
本実施の形態に係る（Ａ）ポリイミド前駆体は、例えばポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸塩、及びポリアミド酸アミドから成る群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とするものであることが好ましい。ここで、主成分とは、これら樹脂を、全樹脂に対して、６０質量％以上含有することを意味し、８０質量％以上含有することが好ましい。また、必要に応じて他の樹脂を含んでいてもよい。
[(A) Polyimide precursor]
The polyimide precursor (A) according to the present embodiment will be described.
The polyimide precursor (A) according to the present embodiment is not limited as long as it can form a cured relief pattern by the action of the photopolymerization initiator (B) and the cured film can have the above-mentioned range.
The polyimide precursor (A) according to the present embodiment is preferably composed mainly of at least one resin selected from the group consisting of polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid salt, and polyamic acid amide. Here, the term "main component" means that the resin is contained in an amount of 60% by mass or more, preferably 80% by mass or more, based on the total resin. If necessary, the polyimide precursor may contain other resins.
（Ａ）ポリイミド前駆体の重量平均分子量は、熱処理後に得られる膜の耐熱性及び機械特性の観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値として、１，０００以上であることが好ましい。５，０００以上であることがより好ましい。上限は１００，０００以下であることが好ましい。現像液に対する溶解性の観点から、重量平均分子量は５０，０００以下であることがより好ましい。 From the viewpoint of the heat resistance and mechanical properties of the film obtained after heat treatment, the weight average molecular weight of (A) the polyimide precursor is preferably 1,000 or more, as a polystyrene equivalent value by gel permeation chromatography, and more preferably 5,000 or more. The upper limit is preferably 100,000 or less. From the viewpoint of solubility in the developer, the weight average molecular weight is more preferably 50,000 or less.
本実施の形態に係る樹脂組成物において、耐熱性及び感光性の観点から好ましい（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（ＩＩＩ－１）：
で表される構造である。
これらの基Ｒ1及びＲ2の中で、得られる硬化膜の電気特性の観点から、一般式（ＩＩＩ－２）で示される構造が好ましい。
In the resin composition according to the present embodiment, the polyimide precursor (A) that is preferable from the viewpoint of heat resistance and photosensitivity is represented by the following general formula (III-1):
This is the structure represented by the following formula:
Among these groups R 1 and R 2 , the structure represented by general formula (III-2) is preferred from the viewpoint of the electrical properties of the resulting cured film.
ポリイミド前駆体は、一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｘが、下記一般式（ＩＩＩ－４）または（ＩＩＩ－５）で表される４価の基を含むことが好ましい。
上記一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｘで表される４価の有機基は、好ましくは炭素数６～４０の有機基であり、より好ましくは、－ＣＯＯＲ１基及び－ＣＯＮＨ－基のうちの一方が同一の芳香環に結合し、両者が互いにオルト位置にある、４価の芳香族基であるか、或いは脂環式脂肪族基である。前者の場合、－ＣＯＯＲ１基が結合している芳香環と、－ＣＯＯＲ２基が結合している芳香環とは、同一の芳香環であってもよいし、異なる芳香環であってもよい。この文脈における芳香環は、ベンゼン環であることが好ましい。 In the above general formula (III-1), the tetravalent organic group represented by X is preferably an organic group having 6 to 40 carbon atoms, and more preferably a tetravalent aromatic group in which one of the -COOR 1 group and the -CONH- group is bonded to the same aromatic ring and both are in the ortho position relative to each other, or an alicyclic aliphatic group. In the former case, the aromatic ring to which the -COOR 1 group is bonded and the aromatic ring to which the -COOR 2 group is bonded may be the same aromatic ring or different aromatic rings. In this context, the aromatic ring is preferably a benzene ring.
Ｘで表される４価の有機基として、更に好ましくは、下記式：
特に本発明の感光性樹脂組成物において、上記一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｘで表される４価の有機基として、下記（ＩＩＩ－Ｃ１）～（ＩＩＩ－Ｃ３）：
ポリイミド前駆体がこのような構造を有することにより、得られるポリイミドは、対応する構造骨格を有するものとなる。これにより、耐熱性および感光性が向上し、得られる硬化膜（硬化レリーフパターン）において、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現し、モールド樹脂（封止材）であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下を抑えることができる。
In particular, in the photosensitive resin composition of the present invention, the tetravalent organic group represented by X in the above general formula (III-1) is any one of the following (III-C1) to (III-C3):
By having such a structure of the polyimide precursor, the obtained polyimide has a corresponding structural skeleton, which improves heat resistance and photosensitivity, and the obtained cured film (cured relief pattern) exhibits good chemical resistance and good adhesion to copper pillars, and can suppress deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin (sealant), and a decrease in adhesion.
上記一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｙで表される２価の有機基は、好ましくは炭素数６～４０の芳香族基であり、例えば、下記式：
上記一般式（ＩＩＩ－２）中のＲ３は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、Ｒ４及びＲ５は、感光特性の観点からそれぞれ水素原子であることが好ましい。ｍ１は、感光特性の観点から２以上１０以下の整数であることが好ましく、より好ましくは２以上４以下の整数である。 In the above general formula (III-2), R3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R4 and R5 are each preferably a hydrogen atom from the viewpoint of photosensitive properties. m1 is preferably an integer of 2 to 10, more preferably an integer of 2 to 4, from the viewpoint of photosensitive properties.
ポリイミド前駆体は、一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｙが、下記一般式（ＩＩＩ－６）で表される２価の基を含むことが好ましい。
特に本発明の感光性樹脂組成物において、ポリイミド前駆体は、一般式（ＩＩＩ－１）中、Ｙで表される２価の有機基は、下記（ＩＩＩ－Ｄ１）～（ＩＩＩ－Ｄ３）：
から選ばれる少なくとも１種を含むことがより好ましい。
ポリイミド前駆体がこのような構造を有することにより、耐熱性および感光性がより向上し、得られる硬化膜において、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現し、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下を抑えることができる。
In particular, in the photosensitive resin composition of the present invention, the polyimide precursor is represented by the general formula (III-1), in which the divalent organic group represented by Y is any one of the following (III-D1) to (III-D3):
It is more preferable that the composition contains at least one selected from the following:
Because the polyimide precursor has such a structure, the heat resistance and photosensitivity are further improved, and the resulting cured film exhibits good chemical resistance and good adhesion to the copper pillars, and deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin, and decrease in adhesion can be suppressed.
本発明の感光性樹脂組成物において、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
また、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
また、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物において、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
また、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
また、ポリイミド前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ３）の構造骨格を含むことがさらに好ましい。
ポリイミド前駆体前駆体がこのような構造を有することにより、耐熱性および感光性がさらに向上し、得られる硬化膜において、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現し、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下をさらに確実に抑えることができる。
In the photosensitive resin composition of the present invention, it is more preferable that, in the polyimide precursor, X includes a structural skeleton represented by formula (III-C1) and Y includes a structural skeleton represented by formula (III-D2).
It is more preferable that, in the polyimide precursor, X contains a structural skeleton represented by formula (III-C2) and Y contains a structural skeleton represented by formula (III-D2).
It is more preferable that, in the polyimide precursor, X contains a structural skeleton represented by formula (III-C3) and Y contains a structural skeleton represented by formula (III-D2).
In the photosensitive resin composition of the present invention, it is more preferable that, in the polyimide precursor, X includes a structural skeleton represented by formula (III-C1) and Y includes a structural skeleton represented by formula (III-D3).
It is more preferable that, in the polyimide precursor, X contains a structural skeleton represented by formula (III-C2) and Y contains a structural skeleton represented by formula (III-D3).
It is more preferable that, in the polyimide precursor, X contains a structural skeleton represented by formula (III-C3) and Y contains a structural skeleton represented by formula (III-D3).
Because the polyimide precursor precursor has such a structure, the heat resistance and photosensitivity are further improved, and the resulting cured film exhibits good chemical resistance and good adhesion to the copper pillars, and deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin, and decrease in adhesion can be more reliably suppressed.
本発明の感光性樹脂組成物において、ポリイミド前駆体は、第１のポリイミド前駆体と第２のポリイミド前駆体を含み、第１のポリイミド前駆体前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ１）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、第２のポリイミド前駆体前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含むことが特に好ましい。
ポリイミド前駆体は、第１のポリイミド前駆体と第２のポリイミド前駆体を含み、第１のポリイミド前駆体前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ２）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含み、第２のポリイミド前駆体前駆体は、Ｘが式（ＩＩＩ－Ｃ３）の構造骨格を含み、及びＹが式（ＩＩＩ－Ｄ２）の構造骨格を含むことが特に好ましい。
ポリイミド前駆体がこのような構造を有することにより、耐熱性および感光性が特に向上し、得られる硬化膜において、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現し、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下を特に確実に抑えることができる。
In the photosensitive resin composition of the present invention, the polyimide precursor comprises a first polyimide precursor and a second polyimide precursor. It is particularly preferred that, in the first polyimide precursor, X comprises a structural skeleton of formula (III-C1) and Y comprises a structural skeleton of formula (III-D2), and, in the second polyimide precursor, X comprises a structural skeleton of formula (III-C3) and Y comprises a structural skeleton of formula (III-D2).
It is particularly preferred that the polyimide precursor comprises a first polyimide precursor and a second polyimide precursor, the first polyimide precursor has X comprising a structural skeleton of formula (III-C2) and Y comprising a structural skeleton of formula (III-D2), and the second polyimide precursor has X comprising a structural skeleton of formula (III-C3) and Y comprising a structural skeleton of formula (III-D2).
Because the polyimide precursor has such a structure, the heat resistance and photosensitivity are particularly improved, and the resulting cured film exhibits good chemical resistance and good adhesion to the copper pillars, and it is possible to particularly reliably suppress deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin, and decrease in adhesion.
［（Ａ）ポリイミド前駆体の調製方法］
上記エステル結合型のポリイミド前駆体は、例えば、先ず、所望の４価の有機基Ｘを有するテトラカルボン酸二無水物と、光重合性基（例えば不飽和二重結合）を有するアルコール類とを反応させて、部分的にエステル化したテトラカルボン酸（以下、アシッド／エステル体ともいう）を調製する。その後、このアシッド／エステル体と、２価の有機基Ｙを有するジアミン類とをアミド重縮合させることにより得られる。上記光重合性基を有するアルコール類とともに、任意に飽和脂肪族アルコール類を併用してもよい。
[(A) Method for preparing polyimide precursor]
The ester-bonded polyimide precursor is prepared, for example, by first reacting a tetracarboxylic dianhydride having a desired tetravalent organic group X with an alcohol having a photopolymerizable group (e.g., an unsaturated double bond) to prepare a partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter also referred to as an acid/ester body). Then, the acid/ester body is subjected to amide polycondensation with a diamine having a divalent organic group Y to obtain the polyimide precursor. Saturated aliphatic alcohols may be used in combination with the alcohol having a photopolymerizable group.
（アシッド／エステル体の調製）
本発明において、エステル結合型のポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、４価の有機基Ｘを有するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）プロパン、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独で用いることができるのは勿論のこと、２種以上を混合して用いてもよい。
(Preparation of Acid/Ester Forms)
In the present invention, examples of tetracarboxylic dianhydrides having a tetravalent organic group X that are preferably used to prepare an ester bond-type polyimide precursor include, but are not limited to, pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)propane, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, etc. In addition, these can be used alone, or two or more of them can be mixed and used.
本発明で、エステル結合型のポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、光重合性基を有するアルコール類としては、例えば、２－アクリロイルオキシエチルアルコール、１－アクリロイルオキシ－３－プロピルアルコール、２－アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、２－ヒドロキシエチルビニルケトン、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルアクリレート、２－メタクリロイルオキシエチルアルコール、１－メタクリロイルオキシ－３－プロピルアルコール、２－メタクリルアミドエチルアルコール、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルメタクリレート、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルメタクリレート等を挙げることができる。 In the present invention, examples of alcohols having a photopolymerizable group that are preferably used to prepare an ester bond-type polyimide precursor include 2-acryloyloxyethyl alcohol, 1-acryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-acrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl acrylate, and 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl acrylate. acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl acrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, 1-methacryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-methacrylamidoethyl alcohol, 2-hydroxy-3-methoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl methacrylate, etc.
上記光重合性基を有するアルコール類とともに、任意的に使用できる飽和脂肪族アルコール類としては、炭素数１～４の飽和脂肪族アルコールが好ましい。その具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール等を挙げることができる。 Saturated aliphatic alcohols that can be used together with the alcohols having a photopolymerizable group are preferably saturated aliphatic alcohols having 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, and tert-butanol.
上記の本発明に好適なテトラカルボン酸二無水物と上記のアルコール類とを、好ましくはピリジン等の塩基性触媒の存在下、好ましくは適当な反応溶媒中、温度２０～５０℃で４～１０時間撹拌、混合することにより、酸無水物のエステル化反応が進行し、所望のアシッド／エステル体を得ることができる。 The tetracarboxylic dianhydride suitable for the present invention and the alcohols described above are mixed and stirred in a suitable reaction solvent, preferably in the presence of a basic catalyst such as pyridine, at a temperature of 20 to 50°C for 4 to 10 hours, whereby the esterification reaction of the acid anhydride proceeds and the desired acid/ester can be obtained.
上記反応溶媒としては、原料のテトラカルボン酸二無水物及びアルコール類、並びに生成物であるアシッド／エステル体を完全に溶解するものが好ましい。より好ましくは、更に、該アシッド／エステル体とジアミンとのアミド重縮合生成物であるポリイミド前駆体も完全に溶解する溶媒である。例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等を挙げることができる。これらの具体例としては、
ケトン類として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等を；
エステル類として、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル等を；
ラクトン類として、例えば、γ－ブチロラクトン等を；
エーテル類として、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン等を；
ハロゲン化炭化水素類として、例えば、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、１，４－ジクロロブタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等を；
炭化水素類として、例えば、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を、
それぞれ挙げることができる。これらは必要に応じて、単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
The reaction solvent is preferably one that completely dissolves the raw material tetracarboxylic dianhydride and alcohols, as well as the product acid/ester. More preferably, it is a solvent that also completely dissolves the polyimide precursor, which is an amide polycondensation product of the acid/ester and diamine. Examples of the reaction solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, and hydrocarbons. Specific examples of these include:
Ketones, for example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc.;
Esters, for example, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, etc.;
Lactones include, for example, γ-butyrolactone;
Ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and tetrahydrofuran;
Halogenated hydrocarbons, for example, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, etc.;
Examples of hydrocarbons include hexane, heptane, benzene, toluene, and xylene.
These may be used alone or in combination of two or more kinds, as required.
（ポリイミド前駆体の調製）
上記アシッド／エステル体（典型的には上記反応溶媒中に溶解された溶液状態にある）に、好ましくは氷冷下、適当な脱水縮合剤を投入混合してアシッド／エステル体をポリ酸無水物とする。次いでこれに、本発明で好適に用いられる２価の有機基Ｙを有するジアミン類を別途溶媒に溶解又は分散させたものを滴下投入し、両者をアミド重縮合させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。上記２価の有機基Ｙを有するジアミン類とともに、ジアミノシロキサン類を併用してもよい。
上記脱水縮合剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート等が挙げられる。
以上のようにして、中間体であるポリ酸無水化物が得られる。
(Preparation of polyimide precursor)
The acid/ester body (typically in a solution state dissolved in the reaction solvent) is mixed with a suitable dehydration condensation agent, preferably under ice cooling, to convert the acid/ester body into a polyacid anhydride. Next, a diamine having a divalent organic group Y, which is preferably used in the present invention, dissolved or dispersed in a separate solvent is added dropwise to the acid/ester body, and the two are subjected to amide polycondensation to obtain the desired polyimide precursor. Diaminosiloxanes may be used in combination with the diamine having a divalent organic group Y.
Examples of the dehydration condensation agent include dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, and N,N'-disuccinimidyl carbonate.
In this manner, a polyanhydride intermediate is obtained.
本発明において、上記のようにして得られるポリ酸無水化物との反応に好適に用いられる２価の有機基Ｙを有するジアミン類としては、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、 In the present invention, examples of diamines having a divalent organic group Y that are suitable for use in the reaction with the polyacid anhydride obtained as described above include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4 , 4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane,
１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、オルト－トリジンスルホン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン等；
及びこれらのベンゼン環上の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ハロゲン原子等で置換されたもの；
並びにその混合物等が挙げられる。
1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophen nyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, ortho-tolidine sulfone, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, and the like;
and those in which a portion of the hydrogen atoms on the benzene ring is substituted with a methyl group, an ethyl group, a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, a halogen atom, or the like;
As well as mixtures thereof.
前記置換体の具体例としては、例えば３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル等；及びこれらの混合物等が挙げられる。ジアミン類は、上記の例示に限定されるものではない。 Specific examples of the above-mentioned substitutes include 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethytoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, and the like; and mixtures thereof. The diamines are not limited to the above examples.
ジアミノシロキサン類は、本発明の感光性樹脂組成物から形成される塗膜と各種基板との間の密着性の向上を目的として、（Ａ）感光性ポリイミド前駆体の調製に際して、上記２価の有機基Ｙを含むジアミン類と併用される。このようなジアミノシロキサン類の具体例としては、例えば、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラフェニルジシロキサン等を挙げることができる。 Diaminosiloxanes are used in combination with the diamines containing the divalent organic group Y when preparing the photosensitive polyimide precursor (A) for the purpose of improving adhesion between the coating film formed from the photosensitive resin composition of the present invention and various substrates. Specific examples of such diaminosiloxanes include 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, 1,3-bis(3-aminopropyl)tetraphenyldisiloxane, etc.
アミド重縮合反応終了後、当該反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を、必要に応じて濾別した後、重合体成分を含有する溶液に適当な貧溶媒例えば水、脂肪族低級アルコール、その混合液等）を投入し、重合体成分を析出させ、更に必要に応じて、再溶解及び再沈析出操作等の操作を繰り返して重合体を精製した後、真空乾燥を行うことにより、目的のポリイミド前駆体を単離する。精製度を向上させるために、陰イオン及び／又は陽イオン交換樹脂を適当な有機溶媒で膨潤させて充填したカラムに、この重合体の溶液を通し、イオン性不純物を除去してもよい。 After the amide polycondensation reaction is completed, the water-absorbing by-product of the dehydrating condensation agent coexisting in the reaction solution is filtered off if necessary, and then a suitable poor solvent (e.g., water, aliphatic lower alcohol, a mixture thereof, etc.) is added to the solution containing the polymer component to precipitate the polymer component. If necessary, the polymer is purified by repeating operations such as redissolution and reprecipitation, and then vacuum drying is performed to isolate the desired polyimide precursor. In order to improve the degree of purification, the polymer solution may be passed through a column packed with an anion and/or cation exchange resin swollen with an appropriate organic solvent to remove ionic impurities.
エステル結合型のポリイミド前駆体の重量平均分子量は、熱処理後に得られる膜の耐熱性及び機械特性の観点から、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算値として、１，０００以上であることが好ましい。５，０００以上であることがより好ましい。上限は１００，０００以下であることが好ましい。現像液に対する溶解性の観点から、重量平均分子量は５０，０００以下であることがより好ましい。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン又はＮ－メチル－２－ピロリドンが推奨される。分子量は標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては、昭和電工社製 有機溶媒系標準試料 ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５から選ぶことが推奨される。 From the viewpoint of the heat resistance and mechanical properties of the film obtained after heat treatment, the weight average molecular weight of the ester-bonded polyimide precursor is preferably 1,000 or more, as a polystyrene equivalent value by gel permeation chromatography. More preferably, it is 5,000 or more. The upper limit is preferably 100,000 or less. From the viewpoint of solubility in the developer, the weight average molecular weight is more preferably 50,000 or less. As the developing solvent for gel permeation chromatography, tetrahydrofuran or N-methyl-2-pyrrolidone is recommended. The molecular weight is determined from a calibration curve created using standard monodisperse polystyrene. As the standard monodisperse polystyrene, it is recommended to select from the organic solvent-based standard sample STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK.
［ポリイミド］
上記ポリイミド前駆体組成物を硬化して得られるポリイミドの構造は、下記一般式（ＩＩＩ－Ａ）となる。
一般式（ＩＩＩ－１）中の好ましいＸ、Ｙ、ｎ１は、同じ理由により、一般式（ＩＩＩ－Ａ）中のＸ１、Ｙ１、ｍにおいても好ましい。
[Polyimide]
The structure of the polyimide obtained by curing the polyimide precursor composition is represented by the following general formula (III-A).
For the same reason, the preferred X, Y and n1 in formula (III-1) are also preferred for X 1 , Y 1 and m in formula (III-A).
［（Ｂ）光重合開始剤］
次に、本実施の形態に係る（Ｂ）成分について説明する。
（Ｂ）光重合開始剤は、特定の波長を吸収、分解する事でラジカルを発生する光重合開始剤が好適に用いられる。（Ｂ）光重合開始剤の感光性樹脂組成物中の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、１～５０質量部である。１質量部以上の配合量の時、光感度又はパターニング性が発現し、５０質量部以下の時、硬化後の感光性樹脂層の物性が良くなる。
[(B) Photopolymerization initiator]
Next, the component (B) according to the present embodiment will be described.
The photopolymerization initiator (B) is preferably a photopolymerization initiator that generates radicals by absorbing and decomposing a specific wavelength. The amount of the photopolymerization initiator (B) in the photosensitive resin composition is 1 to 50 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). When the amount is 1 part by mass or more, photosensitivity or patterning property is exhibited, and when the amount is 50 parts by mass or less, the physical properties of the photosensitive resin layer after curing are improved.
光重合開始剤の場合、発生したラジカルが（Ａ）ポリイミド前駆体（樹脂）の主鎖骨格と連鎖移動反応により、又は、（Ａ）ポリイミド前駆体（樹脂）に導入された（メタ）アクリレート基とラジカル重合反応により、（Ａ）ポリイミド前駆体（樹脂）が硬化する。 In the case of a photopolymerization initiator, the generated radicals undergo a chain transfer reaction with the main chain of the polyimide precursor (resin) (A), or undergo a radical polymerization reaction with the (meth)acrylate group introduced into the polyimide precursor (resin) (A), causing the polyimide precursor (resin) to harden.
（Ｂ）光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましく、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体、チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム等のオキシム類、Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリールグリシン類、ベンゾイルパークロライド等の過酸化物類、芳香族ビイミダゾール類、チタノセン類、α－（ｎ－オクタンスルフォニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド等の光酸発生剤類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記の光重合開始剤の中では、特に光感度の点で、オキシム類がより好ましい。 (B) The photopolymerization initiator is preferably a photoradical polymerization initiator, and examples thereof include benzophenone, o-benzoylmethylbenzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylketone, dibenzylketone, fluorenone and other benzophenone derivatives, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 1-hydroxycyclohexylphenylketone and other acetophenone derivatives, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone and other thioxanthone derivatives, benzyl derivatives such as benzil, benzil dimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal and other benzyl derivatives, benzoin, benzoin methyl ether and other benzoin derivatives, 1-phenyl-1,2-butanedione-2-(o-methoxyethyl) ... Preferred examples of the photopolymerization initiator include, but are not limited to, oximes such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-benzoyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, and 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2-(o-benzoyl)oxime, N-arylglycines such as N-phenylglycine, peroxides such as benzoyl perchloride, aromatic biimidazoles, titanocenes, and photoacid generators such as α-(n-octanesulfonyloxyimino)-4-methoxybenzyl cyanide. Of the above photopolymerization initiators, oximes are more preferred, particularly in terms of photosensitivity.
上記オキシム類光重合開始剤の中では、接着性の観点から、下記一般式（ＩＩＩ－７）で表わされる構造をもつものがより好ましく、下記式（ＩＩＩ－８）から（ＩＩＩ－１１）のいずれかで表わされる構造をもつものが最も好ましい。
［（Ｃ）架橋剤］
本実施の形態に係る（Ｃ）架橋剤は、光重合性の不飽和結合を有するモノマーを挙げることができる。
このようなモノマーとしては、光重合開始剤によりラジカル重合反応する（メタ）アクリル化合物が好ましい。以下に限定されるものではないが、特に、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレートをはじめとする、エチレングリコール又はポリエチレングリコールのモノ又はジ（メタ）アクリレート；
プロピレングリコール又はポリプロピレングリコールのモノ又はジ（メタ）アクリレート；
グリセロールのモノ、ジ又はトリ（メタ）アクリレート；
シクロヘキサンジ（メタ）アクリレート；
１，４－ブタンジオールのジアクリレート及びジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールのジ（メタ）アクリレート；
[(C) Crosslinking Agent]
The crosslinking agent (C) according to this embodiment can be a monomer having a photopolymerizable unsaturated bond.
As such a monomer, a (meth)acrylic compound that undergoes a radical polymerization reaction with a photopolymerization initiator is preferred, including, but not limited to, mono- or di(meth)acrylates of ethylene glycol or polyethylene glycol, such as diethylene glycol dimethacrylate and tetraethylene glycol dimethacrylate;
Mono- or di(meth)acrylates of propylene glycol or polypropylene glycol;
Mono-, di- or tri(meth)acrylates of glycerol;
Cyclohexane di(meth)acrylate;
Diacrylate and dimethacrylate of 1,4-butanediol, di(meth)acrylate of 1,6-hexanediol;
ネオペンチルグリコールのジ（メタ）アクリレート；
ビスフェノールＡのモノ又はジ（メタ）アクリレート；
ベンゼントリメタクリレート；
イソボルニル（メタ）アクリレート；
アクリルアミド及びその誘導体；
メタクリルアミド及びその誘導体；
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート；
グリセロールのジ又はトリ（メタ）アクリレート；
ペンタエリスリトールのジ、トリ、又はテトラ（メタ）アクリレート；
並びにこれら化合物のエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイド付加物等の化合物を挙げることができる。
Neopentyl glycol di(meth)acrylate;
Mono- or di(meth)acrylate of bisphenol A;
Benzene trimethacrylate;
Isobornyl (meth)acrylate;
Acrylamide and its derivatives;
Methacrylamide and its derivatives;
Trimethylolpropane tri(meth)acrylate;
Di- or tri(meth)acrylates of glycerol;
Di-, tri-, or tetra(meth)acrylates of pentaerythritol;
Also included are compounds such as ethylene oxide or propylene oxide adducts of these compounds.
ここで、本実施形態の硬化膜のＩＲスペクトル測定のピーク値は、感光性樹脂組成物の（Ｃ）架橋剤の種類や量を適宜選択することにより調整することができる。具体的には、１分子中にアルキル基を含有する架橋剤の量を増加させることによって、２９５０ｃｍ－１付近のピーク強度を高くすることができる。また、架橋剤中の１分子中のアルキル基の含有量が多いほど、２９５０ｃｍ－１付近のピーク強度を高くすることができる。１７２０ｃｍ－１付近のピークは、ポリイミド前駆体、ポリイミド中のカルボニル基に由来するピークであり、酸二無水物とジアミンからなる単位ユニットあたりのカルボニル基の含量を増減させることによって、ピーク強度を変えることができる。 Here, the peak value of the IR spectrum measurement of the cured film of this embodiment can be adjusted by appropriately selecting the type and amount of the (C) crosslinking agent of the photosensitive resin composition. Specifically, by increasing the amount of the crosslinking agent containing an alkyl group in one molecule, the peak intensity near 2950 cm −1 can be increased. In addition, the higher the content of the alkyl group in one molecule of the crosslinking agent, the higher the peak intensity near 2950 cm −1 can be. The peak near 1720 cm −1 is a peak derived from the carbonyl group in the polyimide precursor and polyimide, and the peak intensity can be changed by increasing or decreasing the content of the carbonyl group per unit consisting of the acid dianhydride and the diamine.
（Ｃ）架橋剤が、テトラエチレングリコールジメタクリレートを含むことが好ましく、（Ｃ）架橋剤が、分子内にメタクリル基及び／またはアクリル基を２個含有する化合物と、分子内にメタクリル基及び／またはアクリル基を３個以上含有する化合物の混合物であることが、より好ましい。 It is preferable that the (C) crosslinking agent contains tetraethylene glycol dimethacrylate, and it is more preferable that the (C) crosslinking agent is a mixture of a compound containing two methacryl groups and/or two acrylic groups in the molecule and a compound containing three or more methacryl groups and/or two acrylic groups in the molecule.
本実施の形態に係る架橋剤の含有量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、１～１００質量部であることが好ましく、耐薬品性の観点から５～８０質量部がより好ましく、銅ピラー剥がれを抑制する観点から１０～６０質量部が特に好ましい。 The content of the crosslinking agent in this embodiment is preferably 1 to 100 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), more preferably 5 to 80 parts by mass from the viewpoint of chemical resistance, and particularly preferably 10 to 60 parts by mass from the viewpoint of suppressing peeling of the copper pillar.
［（Ｄ）有機溶媒］
本実施の形態に係る有機溶媒は、本実施の形態に係る（Ａ）ポリイミド前駆体、（Ｂ）光重合開始剤、（Ｃ）架橋剤などを溶解させうるものであれば限定されない。具体的には、例えばＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン、テトラメチル尿素、１，３－ジメチル－２－イミダゾリノン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上の組合せで用いることができる。
[(D) Organic Solvent]
The organic solvent according to the present embodiment is not limited as long as it can dissolve the (A) polyimide precursor, (B) photopolymerization initiator, (C) crosslinking agent, etc. Specific examples include N,N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolinone, and N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, which can be used alone or in combination of two or more kinds.
（Ｅ）熱塩基発生剤
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物には、必要に応じて（Ｅ）熱塩基発生剤を含むことができる。
本実施の形態に係る熱塩基発生剤は、加熱により塩基を発生し得る化合物であれば限定されないが、例えば、４０℃以上に加熱すると塩基を発生し得る酸性化合物、又はｐＫａ１が０～４のアニオンとアンモニウムカチオンとを有するアンモニウム塩を挙げることができる。ここで、ｐＫａ１とは、多価の酸の第一のプロトン解離定数（Ｋａ）の対数表示を示す。
このような化合物を含むことで、例えばポリイミド前駆体の環化反応を低温で行うことができ、より安定性に優れた組成物を提供することできる。特に、本実施の形態に係る感光性樹脂組成物には、多くの架橋剤を含むため、ポリイミド前駆体を低温で環化させることが困難な傾向にある。そこで、熱塩基発生剤を配合することで、イミド化率を制御することができる。
このような化合物として、１～３級アミンを熱で脱保護しうる保護基を用いて保護したものなどを挙げることができる。このような保護基としては、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、Ｆｍｏｃ基が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。ここで、Ｆｍｏｃ基とは、９－フルオレニルメチルオキシカルボニル基を指す。一つ又は複数のアミノ基は、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基で保護されたアミノ基であることがより好ましい。
(E) Thermal Base Generator The photosensitive resin composition according to this embodiment may contain (E) a thermal base generator, if necessary.
The thermal base generator according to the present embodiment is not limited as long as it is a compound capable of generating a base by heating, and examples thereof include an acidic compound capable of generating a base when heated to 40° C. or higher, or an ammonium salt having an ammonium cation and an anion with a pKa1 of 0 to 4. Here, pKa1 indicates the logarithmic representation of the first proton dissociation constant (Ka) of a polyvalent acid.
By including such a compound, for example, the cyclization reaction of the polyimide precursor can be carried out at a low temperature, and a composition having excellent stability can be provided. In particular, since the photosensitive resin composition according to the present embodiment includes many crosslinking agents, it tends to be difficult to cyclize the polyimide precursor at a low temperature. Therefore, by adding a thermal base generator, the imidization rate can be controlled.
Examples of such compounds include those in which primary to tertiary amines are protected with a protecting group that can be deprotected by heat. Examples of such protecting groups include a tert-butoxycarbonyl group and an Fmoc group, but the present invention is not limited thereto. Here, the Fmoc group refers to a 9-fluorenylmethyloxycarbonyl group. It is more preferable that the one or more amino groups are amino groups protected with a tert-butoxycarbonyl group.
保護アミンの分子量は、２５０～６００であることが好ましい。分子量が２５０以上であれば、熱硬化後も塩基保護化合物が膜中に残存し、Ｃｕボイド抑制効果を発揮できる。分子量は３００以上が好ましく、３４０以上であることがより好ましい。一方で、高い解像性を得る観点から、分子量は６００以下が好ましく、５５０以下がより好ましく、４５０以下がより好ましく、４００以下がより好ましい。
このような化合物として、例えば下記式（ＡＭ－１）及び／又は（ＡＭ－２）で表される化合物が好適に用いられる。
As such a compound, for example, compounds represented by the following formula (AM-1) and/or (AM-2) are preferably used.
［（Ｆ）その他の成分］
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物には、上記（Ａ）～（Ｅ）成分以外の成分を更に含有してもよい。
例えば、加熱によって架橋する熱架橋剤、（Ａ）ポリイミド前駆体以外の樹脂、増感剤、接着助剤、熱重合禁止剤、銅変色抑制剤などを添加することができる。
本実施の形態において任意的に用いられる熱架橋剤としては、分子内に複数の官能基を有する任意の化合物を挙げることができる。ここで官能基としては、例えばアクリル基、メタクリル基、エポキシ基、メチロール基、アリル基、ビニル基、マレイミド基等を挙げることができる。
[(F) Other components]
The photosensitive resin composition according to the present embodiment may further contain components other than the above components (A) to (E).
For example, a thermal crosslinking agent which crosslinks when heated, a resin other than the polyimide precursor (A), a sensitizer, an adhesion aid, a thermal polymerization inhibitor, a copper discoloration inhibitor, and the like can be added.
The thermal crosslinking agent optionally used in the present embodiment may be any compound having multiple functional groups in the molecule, such as an acrylic group, a methacrylic group, an epoxy group, a methylol group, an allyl group, a vinyl group, or a maleimide group.
熱架橋剤の配合量は、（Ａ）樹脂１００質量部に対して、１～４０質量部であることが好ましく、より好ましくは２～３０質量部である。 The amount of the thermal crosslinking agent is preferably 1 to 40 parts by mass, and more preferably 2 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the (A) resin.
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物は、上述した（Ａ）ポリイミド前駆体以外の樹脂成分を更に含有してもよい。含有できる樹脂成分としては、例えば、ポリイミド、ポリオキサゾール、ポリオキサゾール前駆体、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、シロキサン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂成分の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは０．０１～２０質量部の範囲である。 The photosensitive resin composition according to the present embodiment may further contain a resin component other than the polyimide precursor (A) described above. Examples of resin components that can be contained include polyimide, polyoxazole, polyoxazole precursor, phenolic resin, polyamide, epoxy resin, siloxane resin, and acrylic resin. The amount of these resin components to be added is preferably in the range of 0.01 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物には、光感度を向上させるために増感剤を任意に配合することができる。該増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、 The photosensitive resin composition of this embodiment may optionally contain a sensitizer to improve photosensitivity. Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4'-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)-benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)isonaphthothiazole, 1,3-bis(4'-dimethylaminobenzal)acetone, 1,3-bis(4'-diethylaminobenzal)acetone,
３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン、ジフェニルアセトアミド、ベンズアニリド、Ｎ－メチルアセトアニリド、３‘，４’－ジメチルアセトアニリド等が挙げられる。これらは単独で又は例えば２種類以上の組合せで用いることができる。 3,3'-carbonyl-bis(7-diethylaminocoumarin), 3-acetyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-p-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, dimethylamino Examples include isoamyl benzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzoxazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzthiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)naphtho(1,2-d)thiazole, 2-(p-dimethylaminobenzoyl)styrene, diphenylacetamide, benzanilide, N-methylacetanilide, and 3',4'-dimethylacetanilide. These can be used alone or in combination of two or more types.
光感度を向上させるための増感剤を感光性樹脂組成物が含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１～２５質量部であることが好ましい。 When the photosensitive resin composition contains a sensitizer to improve photosensitivity, the amount of the sensitizer is preferably 0.1 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
本実施形態に係る感光性樹脂組成物から形成される膜と基材との接着性向上のために、該感光性樹脂組成物には接着助剤を任意に配合することができる。接着助剤としては、例えば、γ－アミノプロピルジメトキシシラン、Ｎ－（β－アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－〔３－（トリエトキシシリル）プロピル〕フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－〔３－トリエトキシシリル〕プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、及びアルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤等が挙げられる。 In order to improve the adhesion between the film formed from the photosensitive resin composition according to this embodiment and the substrate, an adhesion aid can be optionally blended into the photosensitive resin composition. Examples of adhesion aids include γ-aminopropyldimethoxysilane, N-(β-aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N-(3-diethoxymethylsilylpropyl)succinimide, N-[3-(triethoxysilyl)propyl]phthalamine, and the like. Examples of such additives include silane coupling agents such as benzophenone-3,3'-bis(N-[3-triethoxysilyl]propylamide)-4,4'-dicarboxylic acid, benzene-1,4-bis(N-[3-triethoxysilyl]propylamide)-2,5-dicarboxylic acid, 3-(triethoxysilyl)propyl succinic anhydride, and N-phenylaminopropyl trimethoxysilane, as well as aluminum-based adhesion promoters such as aluminum tris(ethylacetoacetate), aluminum tris(acetylacetonate), and ethylacetoacetate aluminum diisopropylate.
これらの接着助剤のうちでは、接着力の点からシランカップリング剤を用いることがより好ましい。感光性樹脂組成物が接着助剤を含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．５～２５質量部の範囲が好ましい。 Among these adhesive aids, it is more preferable to use a silane coupling agent in terms of adhesive strength. When the photosensitive resin composition contains an adhesive aid, the amount of the adhesive aid is preferably in the range of 0.5 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of (A) the polyimide precursor.
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物が特に溶剤を含む溶液状態にある場合、その保存時の粘度及び光感度の安定性を向上させるために、該感光性樹脂組成物に熱重合禁止剤を任意に配合することができる。熱重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、Ｎ－ニトロソジフェニルアミン、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、フェノチアジン、Ｎ－フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２－シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－メチルフェノール、５－ニトロソ－８－ヒドロキシキノリン、１－ニトロソ－２－ナフトール、２－ニトロソ－１－ナフトール、２－ニトロソ－５－（Ｎ－エチル－Ｎ－スルフォプロピルアミノ）フェノール、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ－ニトロソ－Ｎ（１－ナフチル）ヒドロキシルアミンアンモニウム塩等が用いられる。 When the photosensitive resin composition according to the present embodiment is in a solution state containing a solvent, in order to improve the stability of the viscosity and photosensitivity during storage, a thermal polymerization inhibitor can be optionally blended into the photosensitive resin composition. Examples of thermal polymerization inhibitors that can be used include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol ether diaminetetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5-(N-ethyl-N-sulfopropylamino)phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, and N-nitroso-N(1-naphthyl)hydroxylamine ammonium salt.
感光性樹脂組成物に配合する場合の熱重合禁止剤の配合量としては、（Ａ）感光性ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．００５～１２質量部の範囲が好ましい。 When the thermal polymerization inhibitor is incorporated into the photosensitive resin composition, the amount of the thermal polymerization inhibitor is preferably in the range of 0.005 to 12 parts by mass per 100 parts by mass of (A) the photosensitive polyimide precursor.
本実施の形態に係る樹脂組成物を適用する基板が、例えば銅又は銅合金からなる基板を用いる場合には、銅表面の変色を抑制するためにアゾール化合物を任意に配合することができる。アゾール化合物としては、例えば１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒドロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α―ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。特に好ましくは、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、及び４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールから選ばれる１種以上である。これらアゾール化合物は、１種で用いても２種以上の混合物で用いても構わない。 When the substrate to which the resin composition according to the present embodiment is applied is, for example, a substrate made of copper or a copper alloy, an azole compound can be optionally blended to suppress discoloration of the copper surface. Examples of the azole compound include 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4-t-butyl-5-phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1-(2-dimethylaminoethyl)triazole, 5-benzyl-1H-triazole, hydroxyphenyltriazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2-(5-methyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-[2-hydroxy-3,5-bis(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-benzotriazole, and the like. benzotriazole, 2-(3,5-di-t-butyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl)-benzotriazole, 2-(3,5-di-t-amyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl)benzotriazole, hydroxyphenylbenzotriazole, tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 1-methyl-1H-tetrazole, etc. Particularly preferred are at least one selected from tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, and 4-methyl-1H-benzotriazole. These azole compounds may be used alone or in a mixture of two or more.
本実施の形態に係る感光性樹脂組成物が上記アゾール化合物を含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２０質量部である事が好ましく、光感度特性の観点から０．５～５質量部がより好ましい。アゾール化合物の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、本実施の形態に係る感光性樹脂組成物を銅又は銅合金の上に形成した場合に、銅又は銅合金表面の変色が抑制され、一方、１０質量部以下である場合、該感光性樹脂組成物の優れた光感度が維持される。 When the photosensitive resin composition according to the present embodiment contains the azole compound, the blending amount is preferably 0.1 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and more preferably 0.5 to 5 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics. When the blending amount of the azole compound relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, discoloration of the copper or copper alloy surface is suppressed when the photosensitive resin composition according to the present embodiment is formed on copper or a copper alloy, whereas when the blending amount is 10 parts by mass or less, the excellent photosensitivity of the photosensitive resin composition is maintained.
銅表面の変色を抑制するために、前記のアゾール化合物に代えて、或いは前記のアゾール化合物とともに、ヒンダードフェノール化合物を任意に配合することができる。ヒンダードフェノール化合物としては、例えば、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネ－ト、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコール－ビス〔３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６－ヘキサンジオール－ビス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，２－チオ－ジエチレンビス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、 In order to suppress discoloration of the copper surface, a hindered phenol compound can be optionally blended in place of or together with the azole compound. Examples of the hindered phenol compound include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, isooctyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 4,4'-methylenebis(2,6-di-t-butylphenol), 4,4'-thio-bis(3-methyl-6-t- butylphenol), 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), triethylene glycol-bis[3-(3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,6-hexanediol-bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 2,2-thio-diethylene bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate],
Ｎ，Ｎ’ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス〔３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、 N,N'-hexamethylenebis(3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 2,2'-methylene-bis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylene-bis(4-ethyl-6-t-butylphenol), pentaerythrityl-tetrakis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], tris-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-s-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris[4-(1-ethylpropyl)-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、 1,3,5-tris[4-triethylmethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5,6-diethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５‐エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。これらの中でも、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が特に好ましい。 Examples include, but are not limited to, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, and 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione. Among these, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione is particularly preferred.
ヒンダードフェノール化合物の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２０質量部であることが好ましく、光感度特性の観点から０．５～１０質量部であることがより好ましい。ヒンダードフェノール化合物の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、例えば銅又は銅合金の上に本発明の感光性樹脂組成物を形成した場合に、銅又は銅合金の変色・腐食が防止され、一方、２０質量部以下である場合、該感光性樹脂組成物の優れた光感度が維持される。 The amount of the hindered phenol compound is preferably 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and more preferably 0.5 to 10 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics. When the amount of the hindered phenol compound per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, for example, when the photosensitive resin composition of the present invention is formed on copper or a copper alloy, discoloration and corrosion of the copper or copper alloy is prevented, while when the amount is 20 parts by mass or less, the excellent photosensitivity of the photosensitive resin composition is maintained.
本実施の形態の硬化膜の製造方法は、（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を前記基板上に形成する工程、（２）前記感光性樹脂層を１０～１２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量、より好ましくは、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量、より好ましくは、３０～５００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光する工程、（３）前記露光後の前記感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、前記レリーフパターンを窒素雰囲気下２００℃で加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程、を含む。
以下詳細に説明する。
以下、各工程の典型的な態様について説明する。
The method for producing a cured film of the present embodiment includes the steps of: (1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition onto the substrate; (2) exposing the photosensitive resin layer to an exposure amount of 10 to 1200 mJ/ cm2 , more preferably an exposure amount of 10 to 1000 mJ/ cm2 , more preferably an exposure amount of 30 to 500 mJ/ cm2 ; and (3) developing the photosensitive resin layer after the exposure to form a relief pattern, and heat-treating the relief pattern at 200° C. in a nitrogen atmosphere to form a cured relief pattern.
This will be explained in detail below.
A typical embodiment of each step will be described below.
（１）塗布工程
本工程では、本実施の形態に係る感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じて、その後、乾燥させて感光性樹脂層を形成する。
基板としては、例えば：
シリコン、アルミニウム、銅、銅合金等から成る金属基板；
エポキシ、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等の樹脂基板；
前記樹脂基板に金属回路が形成された基板；
複数の金属、又は金属と樹脂とが多層に積層された基板
等を使用することができる。
(1) Coating Step In this step, the photosensitive resin composition according to the present embodiment is coated on a substrate, and then dried as necessary to form a photosensitive resin layer.
The substrate may, for example, be:
Metal substrates made of silicon, aluminum, copper, copper alloys, etc.;
Resin substrates such as epoxy, polyimide, and polybenzoxazole;
a substrate having a metal circuit formed on the resin substrate;
A substrate in which multiple metals or metal and resin are laminated in multiple layers can be used.
塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。 As a coating method, methods that have been conventionally used for coating photosensitive resin compositions, such as coating with a spin coater, bar coater, blade coater, curtain coater, screen printer, etc., or spray coating with a spray coater, can be used.
必要に応じて、感光性樹脂組成物膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。また、塗膜の乾燥は、感光性樹脂組成物中の（Ａ）ポリイミド前駆体（ポリアミド酸エステル）のイミド化が起こらないような条件で行うことが望ましい。具体的には、風乾又は加熱乾燥を行う場合、２０℃～１４０℃で１分～１時間の条件で乾燥を行うことができる。以上により基板上に感光性樹脂層を形成できる。 If necessary, the photosensitive resin composition film can be dried. Drying methods that can be used include air drying, heat drying in an oven or on a hot plate, vacuum drying, and the like. It is preferable to dry the coating film under conditions that do not cause imidization of the (A) polyimide precursor (polyamic acid ester) in the photosensitive resin composition. Specifically, when air drying or heat drying is performed, drying can be performed at 20°C to 140°C for 1 minute to 1 hour. In this manner, a photosensitive resin layer can be formed on the substrate.
（２）露光工程
本工程では、上記で形成した感光性樹脂層を露光する。露光装置としては、例えばコンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置が用いられる。露光は、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して、又は直接に行うことができる。露光に使用する光線は、例えば、紫外線光源等である。
露光量はパターンを形成できれば限定されないが、１０～１２００ｍＪ／ｃｍ２、又は１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲が好適に用いられ、２０～８００ｍＪ／ｃｍ２好ましく、３０～５００ｍＪ／ｃｍ２、又は５０～６００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
(2) Exposure Step In this step, the photosensitive resin layer formed above is exposed to light. As the exposure device, for example, a contact aligner, a mirror projection, a stepper, or other exposure device is used. The exposure can be performed through a photomask or reticle having a pattern, or directly. The light used for exposure is, for example, an ultraviolet light source.
The exposure dose is not limited as long as a pattern can be formed, but is suitably in the range of 10 to 1200 mJ/cm 2 or 10 to 1000 mJ/cm 2 , preferably 20 to 800 mJ/cm 2 , more preferably 30 to 500 mJ/cm 2 , or more preferably 50 to 600 mJ/cm 2 .
露光後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）及び／又は現像前ベークを施してもよい。ベーク条件の範囲は、温度は４０～１２０℃、時間は１０秒～２４０秒が好ましいが、本実施の形態の感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限らない。 After exposure, for the purpose of improving photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) and/or a pre-development bake may be performed at any combination of temperature and time as necessary. The range of baking conditions is preferably a temperature of 40 to 120°C and a time of 10 to 240 seconds, but is not limited to this range as long as it does not impair the various properties of the photosensitive resin composition of this embodiment.
（３）現像工程
本工程では、露光後の感光性樹脂層のうち未露光部を現像除去する。露光（照射）後の感光性樹脂層を現像する現像方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法を選択して使用することができる。例えば回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法等である。また、現像の後、レリーフパターンの形状を調整する等の目的で、必要に応じて任意の温度及び時間の組合せによる現像後ベークを施してもよい。現像後ベークの温度は、例えば８０～１３０℃とすることができ、時間は例えば０．５～１０分とすることができる。
(3) Development Step In this step, the unexposed portion of the exposed photosensitive resin layer is developed and removed. As a development method for developing the exposed (irradiated) photosensitive resin layer, a conventionally known photoresist development method can be selected and used. For example, a rotary spray method, a paddle method, an immersion method accompanied by ultrasonic treatment, etc. After development, post-development baking may be performed at any combination of temperature and time as necessary for the purpose of adjusting the shape of the relief pattern, etc. The temperature of the post-development baking may be, for example, 80 to 130° C., and the time may be, for example, 0.5 to 10 minutes.
現像に使用される現像液としては、感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との組合せが好ましい。良溶媒としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン等が好ましく、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び水等が好ましい。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、ネガ型感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性に応じて、良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。また、各溶媒を２種以上、例えば数種類組合せて用いることもできる。 The developer used for development is preferably a good solvent for the photosensitive resin composition, or a combination of the good solvent and a poor solvent. As good solvents, N-methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, etc. are preferred, and as poor solvents, toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate, water, etc. are preferred. When a good solvent and a poor solvent are used in combination, it is preferred to adjust the ratio of the poor solvent to the good solvent depending on the solubility of the polymer in the negative photosensitive resin composition. In addition, two or more types of each solvent, for example, several types, can be used in combination.
（４）加熱工程
本工程では、上記現像により得られたレリーフパターンを加熱して感光成分を希散させるとともに、（Ａ）ポリイミド前駆体をイミド化させて、ポリイミドからなる硬化レリーフパターンに変換する。
加熱硬化の方法としては、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱硬化の際の雰囲気気体としては空気を用いてもよいし、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。
(4) Heating Step In this step, the relief pattern obtained by the above development is heated to disperse the photosensitive component and also imidize the (A) polyimide precursor, thereby converting it into a cured relief pattern made of polyimide.
As the heat curing method, various methods can be selected, such as using a hot plate, using an oven, using a temperature-programmable heating oven, etc. As the atmospheric gas during heat curing, air or an inert gas such as nitrogen or argon may be used.
加熱温度に特に限定は無いが、他部材への影響の観点から、加熱温度は低い温度であることが好ましい。２５０度以下が好ましく、２３０度以下がより好ましく、２００度以下がより好ましく、１８０度以下が特に好ましい。加熱時間は、他部材への影響の観点から、好ましくは１時間～４時間、より好ましくは１時間３０分～３時間、さらに好ましくは２時間である。
以上のようにして、硬化レリーフパターンを製造することができる。
The heating temperature is not particularly limited, but from the viewpoint of the influence on other members, the heating temperature is preferably a low temperature. It is preferably 250° C. or less, more preferably 230° C. or less, more preferably 200° C. or less, and particularly preferably 180° C. or less. From the viewpoint of the influence on other members, the heating time is preferably 1 hour to 4 hours, more preferably 1 hour and a half to 3 hours, and even more preferably 2 hours.
In this manner, a cured relief pattern can be produced.
本実施形態では、感光性樹脂組成物を露光、及び、現像した後のパターンをレリーフパターンといい、レリーフパターンを加熱硬化したものを硬化レリーフパターンという。この硬化レリーフパターンが硬化膜であり、例えば後述する半導体装置の層間絶縁膜６として用いられる。
このようにして得られる硬化膜は、ポリイミドを含み、ポリイミドは、例えば上述した一般式（ＩＩＩ－Ａ）の構造を有する。
In this embodiment, the pattern obtained by exposing and developing the photosensitive resin composition is called a relief pattern, and the relief pattern that is cured by heating is called a cured relief pattern. This cured relief pattern is a cured film, and is used, for example, as an interlayer insulating film 6 of a semiconductor device described later.
The cured film thus obtained contains a polyimide, and the polyimide has, for example, the structure of the above-mentioned general formula (III-A).
このようにして得られる硬化膜は、２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であれば限定されない。ピークの比が０．０５以上であれば、耐薬品性が良好な傾向にあり、０．３５以下であれば、銅ピラーとの接着性が良好な傾向にある。ピークの比は、０．０７～０．３２が好ましく、０．１～０．２５がより好ましい。
硬化膜を後述する半導体装置の層間絶縁膜６に用いた場合、ピーク比が０．０５～０．３５の範囲内であると、再配線層４中の層間絶縁膜６と封止材３の密着性に優れたものとなる。
更に、耐薬品性、銅ピラーとの接着性、又は封止材との密着性の観点から、１３８０ｃｍ－１付近のピークと１５００ｃｍ－１付近のピークの比（１３８０ｃｍ－１付近のピーク／１５００ｃｍ－１付近のピーク）が、０．１～２．１、又は０．４～２．１であることがより好ましい。同様の観点から、硬化膜の５％重量減少温度は、２８０℃以上３５０℃以下であることが好ましい。
The cured film thus obtained is not limited as long as the ratio of the peak near 2950 cm −1 to the peak near 1720 cm −1 (peak near 2950 cm −1 / peak near 1720 cm −1 ) is 0.05 to 0.35. If the peak ratio is 0.05 or more, the chemical resistance tends to be good, and if it is 0.35 or less, the adhesion to the copper pillar tends to be good. The peak ratio is preferably 0.07 to 0.32, more preferably 0.1 to 0.25.
When the cured film is used as the interlayer insulating film 6 of a semiconductor device described later, if the peak ratio is within the range of 0.05 to 0.35, the adhesion between the interlayer insulating film 6 in the
Furthermore, from the viewpoints of chemical resistance, adhesion to copper pillars, or adhesion to a sealing material, it is more preferable that the ratio of the peak near 1380 cm −1 to the peak near 1500 cm −1 (peak near 1380 cm −1 / peak near 1500 cm −1 ) is 0.1 to 2.1, or 0.4 to 2.1. From the same viewpoint, it is preferable that the 5% weight loss temperature of the cured film is 280° C. or higher and 350° C. or lower.
ここで、該ピーク比は硬化膜中でポリイミド前駆体がポリイミドに閉環した割合（以下イミド化率）を表すものであり、硬化膜のイミド化率を制御することによって、ピーク強度を制御することができる。イミド化率の制御は塩基発生剤等のイミド化促進剤の量によって制御することができる。塩基発生剤としては例えば、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物や、国際公開第２０１７／０３８５９８号公報に開示された熱塩基発生剤等が挙げられる。しかしながら、これらに限定されず、その他にも公知の塩基発生剤を用いることができる。 Here, the peak ratio represents the rate at which the polyimide precursor has closed a ring to form a polyimide in the cured film (hereinafter referred to as the imidization rate), and the peak intensity can be controlled by controlling the imidization rate of the cured film. The imidization rate can be controlled by the amount of an imidization accelerator such as a base generator. Examples of base generators include amine compounds protected by a tert-butoxycarbonyl group and the thermal base generators disclosed in WO 2017/038598. However, the present invention is not limited to these, and other known base generators can also be used.
２９５０ｃｍ－１付近のピークとは、例えば、２９００～３０００ｃｍ－１の範囲にあるピークである。
１７２０ｃｍ－１付近のピークとは、例えば、１６８０～１７５０ｃｍ－１の範囲にあるピークである。
１３８０ｃｍ－１付近のピークとは、例えば、１３５０～１４５０ｃｍ－１の範囲にあるピークである。
１５００ｃｍ－１付近のピークとは、例えば、１４６０～１５５０ｃｍ－１の範囲にあるピークである。
範囲内に複数ピークがある場合は、範囲内のピーク強度が最大のものをその範囲付近のピークとする。
The peak near 2950 cm −1 is, for example, a peak in the range of 2900 to 3000 cm −1 .
The peak near 1720 cm −1 is, for example, a peak in the range of 1680 to 1750 cm −1 .
The peak near 1380 cm −1 is, for example, a peak in the range of 1350 to 1450 cm −1 .
The peak near 1500 cm −1 is, for example, a peak in the range of 1460 to 1550 cm −1 .
If there are multiple peaks within a range, the peak with the greatest intensity within the range is taken as the peak near that range.
さらに、半導体装置及びその製造方法について、図面を参照して以下に詳細に説明する。 Furthermore, the semiconductor device and the manufacturing method thereof will be described in detail below with reference to the drawings.
（半導体装置）
本発明はまた、上述した本発明の硬化膜（硬化レリーフパターン）を有して成る、半導体装置を提供する。
図１に示すように、半導体装置（半導体ＩＣ）１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を覆う封止材（モールド樹脂）３と、半導体チップ２及び封止材３と密着する再配線層４と、を有して構成される。
(Semiconductor device)
The present invention also provides a semiconductor device comprising the above-mentioned cured film (cured relief pattern) of the present invention.
As shown in FIG. 1, a semiconductor device (semiconductor IC) 1 is composed of a
図１に示すように、封止材３は、半導体チップ２の表面を覆うと共に、平面視（Ａ矢視）にて、半導体チップ２の領域よりも大きい面積にて形成されている。
As shown in FIG. 1, the sealing material 3 covers the surface of the
再配線層４は、半導体チップ２に設けられた複数の端子２ａに電気的に接続される複数の配線５と、配線５の間を埋める層間絶縁膜６とを有して構成される。半導体チップ２に設けられた複数の端子２ａと再配線層４内の配線５は電気的に接続されている。配線５の一端が端子２ａに接続され、他端が外部接続端子７に接続される。端子２ａと外部接続端子７の間の配線５は全面に渡って層間絶縁膜６に覆われている。
The
図１に示すように、平面視（Ａ矢視）にて、再配線層４は、半導体チップ２よりも大きく形成されている。図１に示す半導体装置１は、ファンナウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型のウェハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）型の半導体装置である。ファンナウト型の半導体装置では、再配線層４中の層間絶縁膜６は、半導体チップ２のみならず封止材３とも密着する。半導体チップ２は、シリコン等などの半導体から構成されており、内部に回路が形成されている。
As shown in FIG. 1, in plan view (A arrow view), the
（再配線層）
再配線層４は、主に、配線５と配線５の周りを覆う層間絶縁膜６とから構成される。層間絶縁膜６は、配線５との意図しない導通を防止するとの観点から、絶縁性が高い部材であることが好ましい。
(Rewiring layer)
The
ここで、本実施形態における「再配線層４」とは、上記したように、配線５と層間絶縁層６とを有する薄膜の層であり、インターポーザーやプリント配線板を含まない。半導体装置（半導体ＩＣ）１は再配線層４を使用しているため、図４に示す通り、フリップチップＢＧＡ等のインターポーザーが使用される半導体装置と比較して薄い。
Here, the "
本実施形態では、再配線層４の膜厚を、３～３０μｍ程度とすることができる。再配線層４の膜厚は１μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよい。また、再配線層４の膜厚は４０μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよい。
In this embodiment, the thickness of the
半導体装置１を平面視（Ａ矢視）した場合、以下の図２のようになる。尚、封止材３は、省略されている。 When the semiconductor device 1 is viewed from above (as viewed from the direction of arrow A), it appears as shown in Figure 2 below. Note that the sealing material 3 is omitted.
図２に示す半導体装置１は、再配線層４の面積Ｓ１が、半導体チップ２の面積Ｓ２よりも大きくなるように構成されている。再配線層４の面積Ｓ１に特に限定は無いが、外部接続端子の数を多くするとの観点から、再配線層４の面積Ｓ１は、半導体チップ２の面積Ｓ２の１．０５倍以上であることが好ましく、１．１倍以上であることが好ましく、１．２倍以上であることがより好ましく、１．３倍以上であることが特に好ましい。上限については特に限定は無いが、再配線層４の面積Ｓ１は、半導体チップ２の面積Ｓ２の５０倍以下であってもよく、２５倍以下であってもよく、１０倍以下であってもよく、５倍以下であってもよい。尚、図２において、半導体チップ２に覆われている再配線層４の部分の面積も再配線層４の面積Ｓ１に含まれる。
The semiconductor device 1 shown in FIG. 2 is configured so that the area S1 of the
また、半導体チップ２及び、再配線層４の外形は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。図２では、半導体チップ２及び再配線層４の外形が、共に矩形の相似形状であるが、形状は、矩形以外であってもよい。
The external shapes of the
再配線層４は１層でもよく、２層以上の多層でもよい。再配線層４は、配線５と、配線５の間を埋める層間絶縁膜６とを含むが、再配線層４中に層間絶縁膜６のみから構成される層や配線５のみから構成される層が含まれていてもよい。
The
配線５は、導電性が高い部材であれば特に限定は無いが、一般に銅が使用される。 There are no particular limitations on the material used for wiring 5 as long as it is a highly conductive material, but copper is generally used.
（封止材）
封止材３の材料には特に限定は無いが、エポキシ樹脂が、耐熱性、層間絶縁膜との密着性の観点から好ましい。
(Sealing material)
Although there is no particular limitation on the material of the sealing material 3, an epoxy resin is preferable from the viewpoints of heat resistance and adhesion to the interlayer insulating film.
図１に示すように、封止材３は、半導体チップ２、及び、再配線層４に直接接していることが好ましく、層間絶縁膜６と直接接することがより好ましい。これにより、半導体チップ２の表面から再配線層４の表面に至る封止性を効果的に向上させることができる。
As shown in FIG. 1, the sealing material 3 is preferably in direct contact with the
封止材３は、単層であってもよいし、複数の層が積層された構成でもよい。封止材３が積層構造の場合、同種の材料の積層構造でも、異なる材料の積層構造でもよい。 The sealing material 3 may be a single layer or may have a structure in which multiple layers are laminated. If the sealing material 3 has a laminated structure, it may be a laminated structure of the same type of material or a laminated structure of different materials.
（層間絶縁膜）
層間絶縁膜６は、上述したような感光性樹脂組成物を硬化させた硬化膜から構成される。
本実施形態では、層間絶縁膜６をＡＴＲ法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であることを特徴としている。
(Interlayer insulating film)
The interlayer insulating film 6 is made of a cured film obtained by curing the above-mentioned photosensitive resin composition.
In this embodiment, the interlayer insulating film 6 is characterized in that the ratio of the peak near 2950 cm −1 to the peak near 1720 cm −1 (peak near 2950 cm −1 / peak near 1720 cm −1 ) when IR spectrum measurement is performed by the ATR method is 0.05 to 0.35.
本実施形態で、ＩＲスペクトルのピーク比が０．０５～０．３５であると、封止材との密着性に優れる理由は明らかではないが、本発明者らは以下のように考えている。通常、封止材として用いられるエポキシ樹脂と、硬化膜として用いられるポリイミド樹脂は線膨張係数が異なるため、加熱後の冷却過程において残留応力が生じる。その残留応力が一定以上になると剥がれが生じる。ここで、硬化物中に、架橋剤やポリマー側鎖などに由来するアルキル基が存在すると、硬化物の線膨張係数がエポキシ樹脂と同程度になる、あるいは熱履歴中のヤング率が低下することにより残留応力が低下し、密着性が高くなると考えている。 In this embodiment, the reason why the IR spectrum peak ratio of 0.05 to 0.35 provides excellent adhesion to the encapsulant is unclear, but the inventors believe it to be as follows. Normally, the epoxy resin used as the encapsulant and the polyimide resin used as the cured film have different linear expansion coefficients, so residual stress occurs during the cooling process after heating. If the residual stress exceeds a certain level, peeling occurs. Here, it is believed that if alkyl groups derived from a crosslinking agent or polymer side chains are present in the cured product, the linear expansion coefficient of the cured product becomes similar to that of the epoxy resin, or the Young's modulus during thermal history decreases, reducing the residual stress and improving adhesion.
ここで、本実施形態の層間絶縁膜のＩＲスペクトル測定のピーク値は、感光性樹脂組成物の（Ｃ）架橋剤の種類や量を適宜選択することにより調整することができる。また、ポリイミド前駆体などの樹脂の主鎖や側鎖などに炭化水素基を導入することによっても、調整することができる。例えば主鎖や側鎖にアルキル基を導入することにより２９５０ｃｍ－１付近のピーク強度を高くすることができる。具体的には、ポリイミド前駆体の側鎖に２－ヒドロキシエチルメタクリレートなどを導入する場合や、前述の光重合性の不飽和結合を有するモノマーを挙げることができる。（Ｃ）架橋剤の量はＩＲスペクトルにおいて２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５であれば限定されないが、例えば（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、１～１００質量部であることが好ましく、耐薬品性の観点から５～８０質量部がより好ましく、銅ピラー剥がれを抑制する観点から１０～６０質量部が特に好ましい。 Here, the peak value of the IR spectrum measurement of the interlayer insulating film of this embodiment can be adjusted by appropriately selecting the type and amount of the (C) crosslinking agent of the photosensitive resin composition. It can also be adjusted by introducing a hydrocarbon group into the main chain or side chain of a resin such as a polyimide precursor. For example, the peak intensity near 2950 cm −1 can be increased by introducing an alkyl group into the main chain or side chain. Specifically, examples of the peak value include the introduction of 2-hydroxyethyl methacrylate into the side chain of a polyimide precursor, and the above-mentioned monomer having a photopolymerizable unsaturated bond. The amount of the (C) crosslinking agent is not limited as long as the ratio of the peak near 2950 cm −1 to the peak near 1720 cm −1 in the IR spectrum (peak near 2950 cm −1 /peak near 1720 cm −1 ) is 0.05 to 0.35. For example, the amount of the (C) crosslinking agent is preferably 1 to 100 parts by mass relative to 100 parts by mass of the (A) polyimide precursor, more preferably 5 to 80 parts by mass from the viewpoint of chemical resistance, and particularly preferably 10 to 60 parts by mass from the viewpoint of suppressing peeling of the copper pillar.
また、再配線層４中の層間絶縁膜６は多層であってもよい。即ち、再配線層４は、再配線層４を断面視した際に、第１の層間絶縁膜層と、第２の層間絶縁膜層と、第１の層間絶縁膜層及び前記第２の層間絶縁膜層とは異なる層で第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層の間に設けられた中間層を含んでいてもよい。中間層とは例えば配線５である。
The interlayer insulating film 6 in the
第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層は同じ組成であってもよく異なる組成であってもよい。第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層は、前記ピーク比が同じであってもよく、異なるピーク比であってもよい。第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層は同じ膜厚であってもよく、異なる膜厚であってもよい。第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層が異なる組成や異なるピーク比や異なる膜厚であると、各層間絶縁膜層に異なる性質を持たせることが可能となり、好ましい。 The first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer may have the same composition or different compositions. The first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer may have the same peak ratio or different peak ratios. The first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer may have the same film thickness or different film thicknesses. If the first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer have different compositions, different peak ratios, or different film thicknesses, it is possible to give each interlayer insulating film layer different properties, which is preferable.
層間絶縁膜６が多層の場合、複数ある層のうち、少なくとも１層のｉ線透過率が８０％以下であればよいが、封止材３と接する層間絶縁膜層（第１の層間絶縁膜層）のｉ線透過率が８０％以下であることが好ましい。封止材３に接する層間絶縁膜層のｉ線透過率が８０％以下であると、封止材３に接しない層間絶縁膜層を形成する際に、ｉ線を効率よく吸収することができ、封止材の劣化を防止することができる。 When the interlayer insulating film 6 is multi-layered, it is sufficient that at least one of the multiple layers has an i-line transmittance of 80% or less, but it is preferable that the i-line transmittance of the interlayer insulating film layer in contact with the sealing material 3 (first interlayer insulating film layer) is 80% or less. If the i-line transmittance of the interlayer insulating film layer in contact with the sealing material 3 is 80% or less, i-lines can be efficiently absorbed when forming an interlayer insulating film layer that does not contact the sealing material 3, and deterioration of the sealing material can be prevented.
（半導体装置の製造方法）
本実施形態における半導体装置の製造方法について図３を用いて説明する。
半導体装置の製造方法は、半導体チップを封止材で覆う工程と、平面視で前記半導体チップよりも面積が大きく、且つ、層間絶縁膜を含む再配線層を形成する工程とを含む。
図３Ａでは、前工程済みウェハ１０を用意する。そして、図３Ｂにて、前工程済みウェハ１０をダイシングして複数の半導体チップ２を形成する。半導体チップ２は購入品であってもよい。このようにして準備された半導体チップ２を、図３Ｃに示すように、支持体１１上に所定間隔にて貼り付ける。
(Method of manufacturing a semiconductor device)
A method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment will be described with reference to FIG.
The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of covering a semiconductor chip with a sealing material, and a step of forming a redistribution layer having an area larger than that of the semiconductor chip in a plan view and including an interlayer insulating film.
In Fig. 3A, a
続いて、半導体チップ２上から支持体１１上にかけてモールド樹脂１２を塗布し、図３Ｄに示すようにモールド封止する。続いて、支持体１１を剥離し、モールド樹脂１２を反転させる（図３Ｅ参照）。図３Ｅに示すように、半導体チップ２とモールド樹脂１２とは、略同一平面で現れる。続いて、図３Ｆに示す工程では、感光性樹脂組成物１３を、半導体チップ２上及びモールド樹脂１２上に塗布する。そして、塗布された感光性樹脂組成物１３を露光現像して、レリーフパターンを形成する（レリーフパターン形成工程）。なお、感光性樹脂組成物１３は、ポジ型とネガ型のどちらでもよい。更に、レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する（層間絶縁膜形成工程）。更に、硬化レリーフパターンを形成しない箇所に配線を形成する（配線形成工程）。
Next, the
なお、本実施形態では、上記のレリーフパターン形成工程と層間絶縁膜形成工程と配線形成工程を合わせて、半導体チップ２に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程とする。
In this embodiment, the above-mentioned relief pattern forming process, interlayer insulating film forming process, and wiring forming process are combined into a rewiring layer forming process that forms a rewiring layer that is connected to the
再配線層中の層間絶縁膜は多層であってもよい。従って、再配線層形成工程は複数回のレリーフパターン形成工程と複数回の層間絶縁膜形成工程と複数回の配線形成工程を含んでいてもよい。 The interlayer insulating film in the redistribution layer may be multi-layered. Therefore, the redistribution layer formation process may include multiple relief pattern formation processes, multiple interlayer insulating film formation processes, and multiple wiring formation processes.
そして、図３Ｇでは、各半導体チップ２に対応する複数の外部接続端子７を形成し（バンプ形成）、各半導体チップ２間をダイシングする。これにより、図３Ｈに示すように、半導体装置（半導体ＩＣ）１を得ることができる。本実施形態では、図３に示す製造方法により、ファンナウト型の半導体装置１を複数得ることができる。
In FIG. 3G, multiple external connection terminals 7 corresponding to each
本実施形態では、上記工程を経て形成された層間絶縁膜を、ＡＴＲ法にてＩＲスペクトル測定を行った時の２９５０ｃｍ－１付近のピークと１７２０ｃｍ－１付近のピークの比（２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピーク）が、０．０５～０．３５である硬化膜とすることができる。これにより、層間絶縁膜は、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現し、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下を抑えることができる。 In this embodiment, the interlayer insulating film formed through the above steps can be a cured film in which the ratio of the peak near 2950 cm −1 to the peak near 1720 cm −1 (peak near 2950 cm −1 /peak near 1720 cm −1 ) when IR spectrum is measured by the ATR method is 0.05 to 0.35. This allows the interlayer insulating film to exhibit good chemical resistance and good adhesion to the copper pillars, and can suppress deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin, and a decrease in adhesion.
なお、上述した説明では、硬化膜（硬化レリーフパターン）を、半導体装置の再配線層の層間絶縁膜として用いた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば表面保護膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する半導体装置の保護膜等としても用いることもできる。 In the above explanation, the cured film (cured relief pattern) is used as an interlayer insulating film of a rewiring layer of a semiconductor device, but the present invention is not limited to this. For example, the cured film can also be used as a surface protective film, an insulating film for rewiring, a protective film for flip chip devices, or a protective film for a semiconductor device having a bump structure.
本実施の形態に係る第四の態様について図面を参照して説明する。 The fourth aspect of this embodiment will be described with reference to the drawings.
（半導体装置）
図１に示すように、半導体装置（半導体ＩＣ）１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を覆う封止材（モールド樹脂）３と、半導体チップ２及び封止材３と密着する再配線層４と、を有して構成される。
(Semiconductor device)
As shown in FIG. 1, a semiconductor device (semiconductor IC) 1 is composed of a
図１に示すように、封止材３は、半導体チップ２の表面を覆うと共に、平面視（Ａ矢視）にて、半導体チップ２の領域よりも大きい面積にて形成されている。
As shown in FIG. 1, the sealing material 3 covers the surface of the
再配線層４は、半導体チップ２に設けられた複数の端子２ａに電気的に接続される複数の配線５と、配線５の間を埋める層間絶縁膜６とを有して構成される。半導体チップ２に設けられた複数の端子２ａと再配線層４内の配線５は電気的に接続されている。配線５の一端が端子２ａに接続され、他端が外部接続端子７に接続される。端子２ａと外部接続端子７の間の配線５は全面に渡って層間絶縁膜６に覆われている。
The
図１に示すように、平面視（Ａ矢視）にて、再配線層４は、半導体チップ２よりも大きく形成されている。図１に示す半導体装置１は、ファンナウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型のウェハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）型の半導体装置である。ファンナウト型の半導体装置では、再配線層４中の層間絶縁膜６は、半導体チップ２のみならず封止材３とも密着する。半導体チップ２は、シリコン等などの半導体から構成されており、内部に回路が形成されている。
As shown in FIG. 1, in plan view (A arrow view), the
（再配線層）
再配線層４は、主に、配線５と配線５の周りを覆う層間絶縁膜６とから構成される。層間絶縁膜６は、配線５との意図しない導通を防止するとの観点から、絶縁性が高い部材であることが好ましい。
(Rewiring layer)
The
ここで、本実施形態における「再配線層４」とは、上記したように、配線５と層間絶縁層６とを有する薄膜の層であり、インターポーザーやプリント配線板を含まない。半導体装置（半導体ＩＣ）１は再配線層４を使用しているため、図４に示す通り、フリップチップＢＧＡ等のインターポーザーが使用される半導体装置と比較して薄い。
Here, the "
本実施形態では、再配線層４の膜厚を、３～３０μｍ程度とすることができる。再配線層４の膜厚は１μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよい。また、再配線層４の膜厚は４０μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以下でもよい。
In this embodiment, the thickness of the
半導体装置１を平面視（Ａ矢視）した場合、以下の図２のようになる。尚、封止材３は、省略されている。 When the semiconductor device 1 is viewed from above (as viewed from the direction of arrow A), it appears as shown in Figure 2 below. Note that the sealing material 3 is omitted.
図２に示す半導体装置１は、再配線層４の面積Ｓ１が、半導体チップ２の面積Ｓ２よりも大きくなるように構成されている。再配線層４の面積Ｓ１に特に限定は無いが、外部接続端子の数を多くするとの観点から、再配線層４の面積Ｓ１は、半導体チップ２の面積Ｓ２の１．０５倍以上であることが好ましく、１．１倍以上であることが好ましく、１．２倍以上であることがより好ましく、１．３倍以上であることが特に好ましい。上限については特に限定は無いが、再配線層４の面積Ｓ１は、半導体チップ２の面積Ｓ２の５０倍以下であってもよく、２５倍以下であってもよく、１０倍以下であってもよく、５倍以下であってもよい。尚、図２において、半導体チップ２に覆われている再配線層４の部分の面積も再配線層４の面積Ｓ１に含まれる。
The semiconductor device 1 shown in FIG. 2 is configured so that the area S1 of the
また、半導体チップ２及び、再配線層４の外形は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。図２では、半導体チップ２及び再配線層４の外形が、共に矩形の相似形状であるが、形状は、矩形以外であってもよい。
The external shapes of the
再配線層４は２層以上の多層であり、４層以上でもよく、８層以上でもよい。再配線層４は、配線５と、配線５の間を埋める層間絶縁膜６とを含むが、再配線層４中に層間絶縁膜６のみから構成される層や配線５のみから構成される層が含まれていてもよい。
The
配線５は、導電性が高い部材であれば特に限定は無いが、一般に銅が使用される。 There are no particular limitations on the material used for wiring 5 as long as it is a highly conductive material, but copper is generally used.
（封止材）
封止材３の材料には特に限定は無いが、エポキシ樹脂が、耐熱性、層間絶縁膜との密着性の観点から好ましい。
(Sealing material)
Although there is no particular limitation on the material of the sealing material 3, an epoxy resin is preferable from the viewpoints of heat resistance and adhesion to the interlayer insulating film.
図１に示すように、封止材３は、半導体チップ２、及び、再配線層４に直接接していることが好ましい。これにより、半導体チップ２の表面から再配線層４の表面に至る封止性を効果的に向上させることができる。
As shown in FIG. 1, it is preferable that the sealing material 3 be in direct contact with the
封止材３は、単層であってもよいし、複数の層が積層された構成でもよい。封止材３が積層構造の場合、同種の材料の積層構造でも、異なる材料の積層構造でもよい。 The sealing material 3 may be a single layer or may have a structure in which multiple layers are laminated. If the sealing material 3 has a laminated structure, it may be a laminated structure of the same type of material or a laminated structure of different materials.
（層間絶縁膜）
ファンナウト型の半導体装置の製造過程で、再配線層４を形成するために、半導体チップ２及び封止材３から構成されるチップ封止体上に、感光性樹脂組成物を塗布する。続いて、感光性樹脂組成物を、ｉ線を含む光で露光する。その後、感光性樹脂組成物を現像、硬化することで、感光性樹脂組成物の硬化物がある部分と無い部分を選択的に形成する。感光性樹脂組成物の硬化物は、層間絶縁膜６となる。また、感光性樹脂組成物の硬化物が無い部分には、配線５が形成される。通常、再配線層４は多層になることが多い。すなわち、層間絶縁膜６と配線５の上に更に感光性樹脂組成物が塗布、露光、現像、硬化され、また、配線が形成される。層間絶縁膜６を形成する工程や、配線５を形成する工程では様々な薬液が使用される。
(Interlayer insulating film)
In the manufacturing process of a fan-out type semiconductor device, a photosensitive resin composition is applied onto a chip sealing body composed of a
また、再配線層４中の層間絶縁膜６は多層であってもよい。即ち、再配線層４は、再配線層４を断面視した際に、第１の層間絶縁膜層と、第２の層間絶縁膜層と、第１の層間絶縁膜層及び前記第２の層間絶縁膜層とは異なる層で第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層の間に設けられた中間層を含んでいてもよい。中間層とは例えば配線５である。
The interlayer insulating film 6 in the
第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層は同じ組成であってもよく異なる組成であってもよい。第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層は同じ膜厚であってもよく、異なる膜厚であってもよい。第１の層間絶縁膜層と第２の層間絶縁膜層が異なる組成や異なる屈折率差や異なる膜厚であると、各層間絶縁膜層に異なる性質を持たせることが可能となり、好ましい。 The first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer may have the same composition or different compositions. The first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer may have the same film thickness or different film thicknesses. If the first interlayer insulating film layer and the second interlayer insulating film layer have different compositions, different refractive index differences, or different film thicknesses, it is possible to give each interlayer insulating film layer different properties, which is preferable.
（層間絶縁膜の組成）
層間絶縁膜６の組成には特に限定はないが、例えば、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、又は、フェノール性水酸基を有するポリマーから選択される少なくとも１つの化合物を含む膜であることが好ましい。
(Composition of Interlayer Insulating Film)
The composition of the interlayer insulating film 6 is not particularly limited, but it is preferable that the film contains at least one compound selected from, for example, polyimide, polybenzoxazole, or a polymer having a phenolic hydroxyl group.
（層間絶縁膜を形成する樹脂組成物）
層間絶縁膜６の形成に用いる樹脂組成物は、感光性の樹脂組成物であれば特に限定はないが、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、又は、フェノール性水酸基を有するポリマーから選択される少なくとも１つの化合物を含む感光性樹脂組成物であることが好ましい。層間絶縁膜６の形成に用いる樹脂組成物は、液体状でもフィルム状でもよい。また、層間絶縁膜６の形成に用いる樹脂組成物は、ネガ型の感光性樹脂組成物でも、ポジ型の感光性樹脂組成物でもよい。
(Resin composition for forming interlayer insulating film)
The resin composition used to form the interlayer insulating film 6 is not particularly limited as long as it is a photosensitive resin composition, but is preferably a photosensitive resin composition containing at least one compound selected from a polyimide precursor, a polybenzoxazole precursor, or a polymer having a phenolic hydroxyl group. The resin composition used to form the interlayer insulating film 6 may be in the form of a liquid or a film. In addition, the resin composition used to form the interlayer insulating film 6 may be a negative photosensitive resin composition or a positive photosensitive resin composition.
本実施形態では、感光性樹脂組成物を露光、及び、現像した後のパターンをレリーフパターンといい、レリーフパターンを加熱硬化したものを硬化レリーフパターンという。この硬化レリーフパターンが、層間絶縁膜６となる。層間絶縁膜６は、多層硬化レリーフパターンから形成されてもよい。
本実施形態において、多層硬化レリーフパターン（層間絶縁膜６）は、次のような方法によって製造される。
In this embodiment, the pattern obtained after exposing and developing the photosensitive resin composition is referred to as a relief pattern, and the relief pattern cured by heating is referred to as a cured relief pattern. This cured relief pattern becomes the interlayer insulating film 6. The interlayer insulating film 6 may be formed of a multilayer cured relief pattern.
In this embodiment, the multi-layer cured relief pattern (interlayer insulating film 6) is manufactured by the following method.
＜多層硬化レリーフパターンの製造方法＞
多層硬化レリーフパターンの製造方法は、以下の工程：
（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を該基板上に形成する工程、
（２）感光性樹脂層を露光する工程、
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程、および
（５）半硬化レリーフパターンを２００～２６０℃の温度範囲で、且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程を順に含み、
更に再度、（１）～（５）の工程を順に行うことを含む。これにより層間絶縁膜６を多層構造（多層硬化レリーフパターン）とすることができる。（１）～（５）の工程を前記順に行うことを３～８回繰り返して行うことが好ましい。前記基板は、例えば、半導体チップと前記半導体チップを覆う封止材から構成される基板である。
<Method for Producing Multilayer Cured Relief Pattern>
The method for producing a multi-layer cured relief pattern comprises the following steps:
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition onto the substrate;
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) a first thermal curing step of heat-treating the relief pattern at a temperature in the range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern; and (5) a second thermal curing step of heat-treating the semi-cured relief pattern at a temperature in the range of 200° C. to 260° C., which is higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a hardened relief pattern.
This further includes repeating steps (1) to (5) in sequence. This allows the interlayer insulating film 6 to have a multilayer structure (multilayer cured relief pattern). It is preferable to repeat steps (1) to (5) in the above sequence 3 to 8 times. The substrate is, for example, a substrate composed of a semiconductor chip and a sealing material that covers the semiconductor chip.
本発明の製造方法によれば、層間絶縁膜としての感光性樹脂の膜物性が十分となる硬化反応と、熱ダメージによるファンナウト型の半導体装置の収率低下抑制を両立することができる。すなわち、熱硬化時の熱による、半導体チップや封止樹脂に与える熱ダメージを抑制しつつ、感光性樹脂組成物の硬化反応を良好に進行させることで、ポリマー中の樹脂の割合を高くして十分な膜物性や耐薬品性を得ることができる。
（１）～（５）の工程についての具体的な説明は後述する。
According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to achieve both a curing reaction that provides sufficient film properties of the photosensitive resin as an interlayer insulating film and suppression of a decrease in the yield of fan-out type semiconductor devices due to thermal damage. That is, by smoothly progressing the curing reaction of the photosensitive resin composition while suppressing thermal damage to the semiconductor chip and the sealing resin due to heat during thermal curing, it is possible to increase the proportion of resin in the polymer and obtain sufficient film properties and chemical resistance.
The steps (1) to (5) will be described in detail later.
以下、層間絶縁膜６を構成する感光性樹脂組成物として、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、およびフェノール性水酸基を有するポリマーについて順に説明する。 Below, we will explain polyimide, polybenzoxazole, and a polymer having a phenolic hydroxyl group as the photosensitive resin composition that constitutes the interlayer insulating film 6 in order.
＜ポリイミド前駆体組成物＞
（Ａ）感光性樹脂
ポリイミド前駆体組成物に用いる感光性樹脂としては、ポリアミド、ポリアミド酸エステル等を挙げることができる。例えば、ポリアミド酸エステルとしては、下記一般式（ＩＶ－１）で表される繰り返し単位を含むポリアミド酸エステルを用いることができる。
で表される１価の有機基、又は下記一般式（ＩＶ－３）：
で表されるアンモニウムイオンである。｝
で表される構造を有する。
<Polyimide precursor composition>
(A) Photosensitive Resin Examples of the photosensitive resin used in the polyimide precursor composition include polyamides, polyamic acid esters, etc. For example, the polyamic acid ester may be a polyamic acid ester containing a repeating unit represented by the following general formula (IV-1).
or a monovalent organic group represented by the following general formula (IV-3):
It is an ammonium ion represented by the formula:
It has a structure represented by the following formula:
一般式（ＩＶ－１）で表されるポリアミド酸エステルを複数混合してもよい。また、一般式（ＩＶ－１）で表されるポリアミド酸エステル同士を共重合させたポリアミド酸エステルを用いてもよい。 Multiple polyamic acid esters represented by general formula (IV-1) may be mixed. Also, polyamic acid esters obtained by copolymerizing polyamic acid esters represented by general formula (IV-1) may be used.
一般式（ＩＶ－１）においてＸ１に特に限定は無いが、層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、Ｘ１は芳香族基を含む４価の有機基であることが好ましい。具体的には、Ｘ１は、下記式（ＩＶ－４）～一般式（ＩＶ－６）で表される少なくとも１つの構造を含む４価の有機基であることが好ましい。
一般式（ＩＶ－６）中のＲ９は例えば、炭素数１～４０の２価の有機基やハロゲン原子である。Ｒ９は水酸基を含んでもよい。 In the general formula (IV-6), R 9 is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms or a halogen atom. R 9 may contain a hydroxyl group.
層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、一般式（ＩＶ－１）においてＸ１は下記式（ＩＶ－７）で表される構造を含む４価の有機基が特に好ましい。 From the viewpoint of adhesion between the interlayer insulating film 6 and the sealing material 3, X 1 in general formula (IV-1) is particularly preferably a tetravalent organic group containing a structure represented by the following formula (IV-7).
一般式（ＩＶ－１）においてＸ１は、下記式（ＩＶ－７）または式（ＩＶ－５）で表される構造を含む４価の有機基であることが好ましい。
Ｘ１は、下記式（ＩＶ－５）で表される構造を含む４価の有機基であることがより好ましい。
Ｙ１に特に限定は無いが、層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、Ｙ１は芳香族基を含む２価の有機基であることが好ましい。具体的には、Ｙ１は、下記一般式（ＩＶ－８）～一般式（ＩＶ－１０）で表される少なくとも１つの構造を含む２価の有機基であることが好ましい。
一般式（ＩＶ－１０）中のＲ２２は、例えば、炭素数１～４０の２価の有機基、又はハロゲン原子である。 In the general formula (IV-10), R 22 is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms, or a halogen atom.
層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、一般式（ＩＶ－１）のＹ１は、下記式（ＩＶ－１１）で表される構造を含む２価の有機基が特に好ましい。
具体的に、感光性ポリイミド樹脂組成物は、一般式（ＩＶ－１）において、Ｘ１が下記式（ＩＶ－７）で表される基であり、そしてＹ１が下記式（ＩＶ－１１）で表される基であることがより好ましい。
また、感光性ポリイミド樹脂組成物は、一般式（ＩＶ－１）において、Ｘ１が下記式（ＩＶ－５）で表される基であり、Ｙ１が下記式（ＩＶ－１１）で表される基であることがより好ましい。
上記ポリアミド酸エステルにおいて、その繰り返し単位中のＸ１は、原料として用いるテトラカルボン酸二無水物に由来し、Ｙ１は原料として用いるジアミンに由来する。 In the polyamic acid ester, X1 in the repeating unit is derived from the tetracarboxylic dianhydride used as a raw material, and Y1 is derived from the diamine used as a raw material.
原料として用いるテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）プロパン、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独でも、２種以上を混合して用いてもよい。 Examples of tetracarboxylic dianhydrides used as raw materials include, but are not limited to, pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylsulfone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, diphenylmethane-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)propane, and 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane. These may be used alone or in combination of two or more.
原料として用いるジアミンとしては、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、オルト－トリジンスルホン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン等が挙げられる。また、これらのベンゼン環上の水素原子の一部が置換されたものであってもよい。また、これらは単独でも、２種以上を混合して用いてもよい。 Diamines used as raw materials include, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-amino phenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,1 Examples of such compounds include 0-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, ortho-tolidine sulfone, and 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene. In addition, some of the hydrogen atoms on the benzene ring may be substituted. In addition, these compounds may be used alone or in combination of two or more.
ポリアミド酸エステル（Ａ）の合成においては、通常、後述するテトラカルボン酸二無水物のエステル化反応を行って得られたテトラカルボン酸ジエステルを、そのままジアミンとの縮合反応に付す方法が好ましく使用できる。 In the synthesis of polyamic acid ester (A), a method is preferably used in which a tetracarboxylic acid diester obtained by an esterification reaction of a tetracarboxylic acid dianhydride, which will be described later, is directly subjected to a condensation reaction with a diamine.
上記のテトラカルボン酸二無水物のエステル化反応に用いるアルコール類は、オレフィン性二重結合を有するアルコールである。具体的には、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－メタクリロイルオキシエチルアルコール、グリセリンジアクリレート、グリセリンジメタクリレートなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのアルコール類は、単独又は２種以上を混合して用いることができる。 The alcohols used in the esterification reaction of the above tetracarboxylic dianhydride are alcohols having an olefinic double bond. Specific examples include, but are not limited to, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, glycerin diacrylate, and glycerin dimethacrylate. These alcohols can be used alone or in combination of two or more.
本実施形態に用いるポリアミド酸エステル（Ａ）の具体的な合成方法に関しては、従来公知の方法を採用することができる。合成方法については、例えば、国際公開第００／４３４３９号パンフレットに示されている方法を挙げることができる。すなわち、テトラカルボン酸ジエステルを、一度テトラカルボン酸ジエステルジ酸塩化物に変換し、該テトラカルボン酸ジエステルジ酸塩化物とジアミンを塩基性化合物の存在下で縮合反応に付し、ポリアミド酸エステル（Ａ）を製造する方法を挙げることができる。また、テトラカルボン酸ジエステルとジアミンとを有機脱水剤の存在下で縮合反応に付す方法によってポリアミド酸エステル（Ａ）を製造する方法を挙げることができる。 Regarding the specific synthesis method of the polyamic acid ester (A) used in this embodiment, a conventionally known method can be adopted. As an example of the synthesis method, the method shown in the pamphlet of International Publication No. 00/43439 can be mentioned. That is, a method can be mentioned in which a tetracarboxylic acid diester is first converted into a tetracarboxylic acid diester diacid chloride, and the tetracarboxylic acid diester diacid chloride and a diamine are subjected to a condensation reaction in the presence of a basic compound to produce the polyamic acid ester (A). Another example can be a method in which a tetracarboxylic acid diester and a diamine are subjected to a condensation reaction in the presence of an organic dehydrating agent to produce the polyamic acid ester (A).
有機脱水剤の例としては、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）、ジエチルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、エチルシクロヘキシルカルボジイミド、ジフェニルカルボジイミド、１－エチル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド、１－シクロヘキシル－３－（３－ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩などが挙げられる。 Examples of organic dehydrating agents include dicyclohexylcarbodiimide (DCC), diethylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, ethylcyclohexylcarbodiimide, diphenylcarbodiimide, 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide, and 1-cyclohexyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide hydrochloride.
本実施形態に用いるポリアミド酸エステル（Ａ）の重量平均分子量は、６０００～１５００００であることが好ましく、７０００～５００００であることがより好ましく、７０００～２００００であることがより好ましい。 The weight average molecular weight of the polyamic acid ester (A) used in this embodiment is preferably 6,000 to 150,000, more preferably 7,000 to 50,000, and even more preferably 7,000 to 20,000.
（Ｂ１）光開始剤
層間絶縁膜６の形成に用いる樹脂組成物がネガ型の感光性樹脂の場合、光開始剤を添加する。光開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、及びフルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、及び２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン等のアセトフェノン誘導体、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、及びジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール及び、ベンジル－β－メトキシエチルアセタール等のベンジル誘導体、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、２，６－ジ（４’－ジアジドベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、及び２，６’－ジ（４’－ジアジドベンザル）シクロヘキサノン等のアジド類、１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニルプロパンジオン－２－（Ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニルプロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニルプロパンジオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（Ｏ－ベンゾイル）オキシム等のオキシム類、Ｎ－フェニルグリシンなどのＮ－アリールグリシン類、ベンゾイルパーオキシドなどの過酸化物類、芳香族ビイミダゾール類、並びにチタノセン類などが用いられる。これらのうち、光感度の点で上記オキシム類が好ましい。
(B1) Photoinitiator When the resin composition used to form the interlayer insulating film 6 is a negative photosensitive resin, a photoinitiator is added. Examples of photoinitiators include benzophenone, o-benzoyl methyl benzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, and other benzophenone derivatives, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, and other acetophenone derivatives, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, and other thioxanthone derivatives, benzil, benzil dimethyl ketal, and benzyl-β-methoxyethyl acetal, and other benzyl derivatives, benzoin methyl ether, and other benzoin derivatives, 2,6-di(4'-diazidobenzal)-4-methylcyclohexanoate ... Examples of the usable compounds include azides such as 2,6'-di(4'-diazidobenzal)cyclohexanone, 1-phenyl-1,2-butanedione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenylpropanedione-2-(O-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenylpropanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, 1-phenylpropanedione-2-(O-benzoyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(O-ethoxycarbonyl)oxime, and 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2-(O-benzoyl)oxime, N-arylglycines such as N-phenylglycine, peroxides such as benzoyl peroxide, aromatic biimidazoles, and titanocenes. Of these, the above-mentioned oximes are preferred in terms of photosensitivity.
これらの光開始剤の添加量は、ポリアミド酸エステル（Ａ）１００質量部に対し、１～４０質量部が好ましく、２～２０質量部がより好ましい。光開始剤をポリアミド酸エステル（Ａ）１００質量部に対し１質量部以上添加することで、光感度に優れる。また、４０質量部以下添加することで厚膜硬化性に優れる。 The amount of these photoinitiators added is preferably 1 to 40 parts by weight, more preferably 2 to 20 parts by weight, per 100 parts by weight of polyamic acid ester (A). Adding 1 part by weight or more of the photoinitiator per 100 parts by weight of polyamic acid ester (A) provides excellent photosensitivity. Adding 40 parts by weight or less provides excellent thick-film curing properties.
（Ｂ２）光酸発生剤
層間絶縁膜６の形成に用いる樹脂組成物がポジ型の感光性樹脂の場合、光酸発生剤を添加する。光酸発生剤を含有することにより、紫外線露光部に酸が発生し、露光部のアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する。これにより、ポジ型感光性樹脂組成物として用いることができる。
(B2) Photoacid generator When the resin composition used to form the interlayer insulating film 6 is a positive-type photosensitive resin, a photoacid generator is added. By including a photoacid generator, acid is generated in the ultraviolet-exposed area, and the solubility of the exposed area in an alkaline aqueous solution increases. This allows the composition to be used as a positive-type photosensitive resin composition.
光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩などが挙げられる。この中でも優れた溶解抑止効果を発現し、高感度のポジ型感光性樹脂組成物を得られるという点から、キノンジアジド化合物が好ましく用いられる。また、光酸発生剤を２種以上含有してもよい。 Examples of photoacid generators include quinone diazide compounds, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, and iodonium salts. Among these, quinone diazide compounds are preferably used because they exhibit an excellent dissolution inhibition effect and can produce a highly sensitive positive-type photosensitive resin composition. In addition, two or more types of photoacid generators may be contained.
（Ｄ）溶媒
各成分が溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶媒は、塗布膜厚、粘度に応じて、（Ａ）感光性樹脂１００質量部に対し、３０～１５００質量部の範囲で用いることができる。
(D) Solvent There is no particular limitation as long as the solvent is capable of dissolving or dispersing each component. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, acetone, methyl ethyl ketone, dimethyl sulfoxide, etc. These solvents can be used in the range of 30 to 1500 parts by mass per 100 parts by mass of the (A) photosensitive resin, depending on the coating film thickness and viscosity.
（Ｅ）その他
ポリイミド前駆体組成物には架橋剤を含有させてもよい。架橋剤としては、ポリイミド前駆体組成物を露光、現像した後、加熱硬化する際に、（Ａ）感光性樹脂を架橋し得るか、又は架橋剤自身が架橋ネットワークを形成し得る架橋剤を用いることができる。架橋剤を用いることで、硬化膜（層間絶縁膜）の耐熱性及び耐薬品性を更に強化することができる。
(E) Others The polyimide precursor composition may contain a crosslinking agent. As the crosslinking agent, a crosslinking agent capable of crosslinking the (A) photosensitive resin or capable of forming a crosslinked network by itself can be used when the polyimide precursor composition is exposed to light, developed, and then heat cured. By using the crosslinking agent, the heat resistance and chemical resistance of the cured film (interlayer insulating film) can be further enhanced.
その他、光感度を向上させるための増感剤、基材との接着性向上のための接着助剤等を含んでいてもよい。 In addition, it may contain a sensitizer to improve photosensitivity, an adhesion aid to improve adhesion to the substrate, etc.
本実施形態において、ポリイミド前駆体組成物を用いた多層硬化レリーフパターン（層間絶縁膜６）は、次のような方法によって製造される。
＜多層硬化レリーフパターンの製造方法＞
多層硬化レリーフパターンの製造方法は、以下の工程：
（１）感光性樹脂組成物（ポリイミド前駆体組成物）を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
（２）感光性樹脂層を露光する工程、
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程、および
（５）半硬化レリーフパターンを２００～２６０℃の温度範囲で、且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程を順に含み、
更に再度、（１）～（５）の工程を順に行うことを含む。これにより層間絶縁膜６を多層構造（多層硬化レリーフパターン）とすることができる。（１）～（５）の工程を前記順に行うことを３～８回繰り返して行うことが好ましい。
In this embodiment, the multilayer cured relief pattern (interlayer insulating film 6) using the polyimide precursor composition is produced by the following method.
<Method for Producing Multilayer Cured Relief Pattern>
The method for producing a multi-layer cured relief pattern comprises the following steps:
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition (polyimide precursor composition) onto the substrate;
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) a first thermal curing step of heat-treating the relief pattern at a temperature in the range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern; and (5) a second thermal curing step of heat-treating the semi-cured relief pattern at a temperature in the range of 200° C. to 260° C., which is higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a hardened relief pattern.
This further includes repeating steps (1) to (5) in sequence again. This allows the interlayer insulating film 6 to have a multilayer structure (multilayer cured relief pattern). It is preferable to repeat steps (1) to (5) in the above sequence 3 to 8 times.
（１）感光性樹脂組成物を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程
本工程では、感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じて、その後に乾燥させて、樹脂層を形成する。基板は、例えば、半導体チップ２と半導体チップを覆う封止材３から構成される基板である。
塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
(1) Step of forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition onto the substrate In this step, the photosensitive resin composition is applied onto a substrate, and then dried as necessary to form a resin layer. The substrate is, for example, a substrate composed of a
As the coating method, a method that has conventionally been used for coating a photosensitive resin composition, such as a coating method using a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printing machine, or the like, or a spray coating method using a spray coater, can be used.
感光性樹脂組成物を用いてレリーフパターンを形成する方法として、感光性樹脂組成物を基板上に塗布して樹脂層を基板上に形成するだけでなく、感光性樹脂組成物をフィルムの形態にして感光性樹脂組成物の層を基板上に積層することによって樹脂層を形成してもよい。また、支持基材上に本発明に係る感光性樹脂組成物のフィルムを形成し、フィルムを使用する際に積層してから支持基材を除去してもよいし、積層する前に除去してもよい。 As a method for forming a relief pattern using a photosensitive resin composition, not only can the photosensitive resin composition be applied onto a substrate to form a resin layer on the substrate, but the photosensitive resin composition can also be made into a film and a layer of the photosensitive resin composition can be laminated onto a substrate to form a resin layer. Alternatively, a film of the photosensitive resin composition according to the present invention can be formed on a supporting substrate, and the supporting substrate can be removed after lamination when the film is used, or can be removed before lamination.
必要に応じて、感光性樹脂組成物から成る塗膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。具体的には、風乾又は加熱乾燥を行う場合、２０℃～１４０℃で１分～１時間の条件で乾燥を行うことができる。以上の通り、基板上に樹脂層を形成できる。 If necessary, the coating film made of the photosensitive resin composition can be dried. Drying methods that can be used include air drying, heat drying in an oven or on a hot plate, and vacuum drying. Specifically, when air drying or heat drying is performed, drying can be performed at 20°C to 140°C for 1 minute to 1 hour. As described above, a resin layer can be formed on the substrate.
（２）感光性樹脂層を露光する工程
本工程では、工程（１）で形成した感光性樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
(2) Step of Exposing Photosensitive Resin Layer In this step, the photosensitive resin layer formed in step (1) is exposed to an ultraviolet light source or the like through a photomask or reticle having a pattern, or directly, using an exposure device such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper.
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）及び／又は現像前ベークを施してもよい。ベーク条件の範囲は、温度は４０～１２０℃であり、そして時間は１０秒～２４０秒であることが好ましいが、感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限らない。 After this, for the purpose of improving the photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) and/or a pre-development bake may be performed at any combination of temperature and time as necessary. The range of bake conditions is preferably a temperature of 40 to 120°C and a time of 10 to 240 seconds, but is not limited to this range as long as it does not impair the properties of the photosensitive resin composition.
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程
本工程では、ポリイミド前駆体組成物を露光した後、不要部分を現像液で洗い流す。使用する現像液としては、特に制限はないが、溶剤で現像を行うポリイミド前駆体組成物の場合には、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、酢酸エステル類等の良溶媒、これら良溶媒と低級アルコール、水、芳香族炭化水素等の貧溶媒との混合溶媒等が用いられる。現像後は必要に応じて貧溶媒等でリンス洗浄を行う。
(3) Step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern In this step, after the polyimide precursor composition is exposed, unnecessary portions are washed away with a developer. There are no particular limitations on the developer used, but in the case of a polyimide precursor composition that is developed with a solvent, good solvents such as N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, and acetate esters, and mixed solvents of these good solvents with poor solvents such as lower alcohols, water, and aromatic hydrocarbons are used. After development, rinsing is performed with a poor solvent or the like as necessary.
アルカリ性水溶液で現像を行うポリイミド前駆体組成物の場合には、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのアルカリ性を示す化合物の水溶液が好ましい。 In the case of a polyimide precursor composition that is developed with an alkaline aqueous solution, preferred are aqueous solutions of compounds that exhibit alkalinity, such as an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, triethylamine, diethylamine, methylamine, dimethylamine, dimethylaminoethyl acetate, dimethylaminoethanol, dimethylaminoethyl methacrylate, cyclohexylamine, ethylenediamine, and hexamethylenediamine.
（熱硬化）
現像後、加熱することによりポリイミド前駆体を閉環し、ポリイミドを形成する。このポリイミドが硬化レリーフパターン、即ち、層間絶縁膜６となる。ポリマー中のポリイミドの割合が多くなるほど、膜物性や膜の耐薬品性が向上する。通常、熱硬化温度は２５０℃以上１時間以上加熱することが望ましい。
(Thermal curing)
After development, the polyimide precursor is ring-closed by heating to form polyimide. This polyimide becomes the cured relief pattern, i.e., the interlayer insulating film 6. The higher the proportion of polyimide in the polymer, the more improved the film properties and chemical resistance. In general, it is desirable to heat the film at a heat curing temperature of 250° C. or higher for 1 hour or more.
熱硬化温度が２００℃以下になると、熱硬化時間を長時間行ってもポリマー中のポリイミドの割合が低くなり、望ましい膜物性や膜の耐薬品性が得られない。そこで本発明では、ポリイミドの熱硬化を、（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程と、（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程と、の２段階で行う。これによりポリマー中のポリイミドの割合を高くすることができる。 If the heat curing temperature is below 200°C, the proportion of polyimide in the polymer will be low even if the heat curing time is long, and the desired film properties and chemical resistance of the film will not be obtained. Therefore, in the present invention, the heat curing of polyimide is performed in two steps: (4) a first heat curing step in which the relief pattern is heat treated at a temperature range of 150°C to 200°C for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern, and (5) a second heat curing step in which the semi-cured relief pattern is heat treated at a temperature range of 200°C to 260°C, higher than the temperature in the first heat curing step, for 10 minutes or less to form a cured relief pattern. This makes it possible to increase the proportion of polyimide in the polymer.
また、熱硬化時に半導体装置に掛かる熱により、半導体チップや封止樹脂に熱ダメージを与え損傷する。層間絶縁膜６が２層以上の場合は層間絶縁膜層の熱硬化が複数回行われるので、熱ダメージが顕著に増加する。本発明では、第二の熱硬化工程の時間が短いことで、熱硬化時の熱ダメージを少なくすることができる。 In addition, the heat applied to the semiconductor device during thermal curing causes thermal damage to the semiconductor chip and sealing resin. If the interlayer insulating film 6 has two or more layers, the interlayer insulating film layers are thermally cured multiple times, which significantly increases the thermal damage. In the present invention, the time for the second thermal curing step is short, which reduces the thermal damage during thermal curing.
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する工程（第一の熱硬化工程）
第一の熱硬化工程の加熱温度は１５０℃～２００℃が望ましく、１５０℃～１８０℃がより望ましく、１５０℃～１７０℃がより望ましく、１５０℃～１６０℃がより望ましく、１５０℃が最も望ましい。第一の熱硬化工程における加熱温度が１５０℃未満では半硬化レリーフパターンに添加剤成分や溶媒成分が残存し、多層の層間絶縁膜６を形成した際に、層間に気泡が発生し層間剥がれを起こすことがある。加熱温度が２００℃より高い場合、半硬化レリーフパターンが硬化し過ぎて、第二の熱硬化工程において環化反応が起き難く、十分に環化した硬化膜が得られないことがある。
(4) A step of forming a semi-cured relief pattern by heat-treating the relief pattern at a temperature range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes (first heat-curing step).
The heating temperature in the first heat curing step is preferably 150° C. to 200° C., more preferably 150° C. to 180° C., more preferably 150° C. to 170° C., more preferably 150° C. to 160° C., and most preferably 150° C. If the heating temperature in the first heat curing step is less than 150° C., additive components and solvent components remain in the semi-cured relief pattern, and when a multi-layer interlayer insulating film 6 is formed, bubbles may be generated between layers, causing interlayer peeling. If the heating temperature is higher than 200° C., the semi-cured relief pattern may be overcured, making it difficult for a cyclization reaction to occur in the second heat curing step, and a sufficiently cyclized cured film may not be obtained.
第一の熱硬化工程の加熱時間は０～２４０分が望ましい。加熱時間が２４０分より長い場合、半硬化レリーフパターンが硬化し過ぎて、第二の熱硬化工程において環化反応が起き難く、十分に環化した硬化膜が得られないことがあり、また熱ダメージにより半導体チップ又は封止樹脂が損傷することがある。 The heating time for the first heat curing step is preferably 0 to 240 minutes. If the heating time is longer than 240 minutes, the semi-cured relief pattern will be over-cured, making it difficult for the cyclization reaction to occur in the second heat curing step, and a sufficiently cyclized cured film may not be obtained. In addition, the semiconductor chip or encapsulating resin may be damaged by heat.
（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程（第二の熱硬化工程）
第二の熱硬化工程における加熱温度は２００℃～２６０℃が望ましい。２００℃未満では、ポリマー中のポリイミドの割合が低く十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。加熱温度が２６０℃より高い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。第二の熱硬化工程における最大温度は２６０℃以下であることが望ましく、２４０℃以下であることがより望ましい。
(5) A step of forming a cured relief pattern by heat-treating the semi-cured relief pattern for 10 minutes or less at a temperature in the range of 200° C. to 260° C. and at a temperature higher than that in the first heat-curing step (second heat-curing step).
The heating temperature in the second heat curing step is preferably 200°C to 260°C. If the heating temperature is less than 200°C, the proportion of polyimide in the polymer is low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained. If the heating temperature is higher than 260°C, the semiconductor chip and the sealing resin may be damaged by heat. The maximum temperature in the second heat curing step is preferably 260°C or less, and more preferably 240°C or less.
第二の熱硬化工程において、最大温度における加熱時間は１０分以下が望ましく、５分以下がより望ましく、最も望ましくは１分以下である。加熱時間が１０分より長い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。また、第二の熱硬化工程では、最大温度における加熱時間は３０秒以上であることができる。加熱時間が３０秒より短い場合、ポリマー中のポリイミドの割合が低く、十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。 In the second heat curing process, the heating time at the maximum temperature is preferably 10 minutes or less, more preferably 5 minutes or less, and most preferably 1 minute or less. If the heating time is longer than 10 minutes, the semiconductor chip or the encapsulating resin may be damaged by heat. In addition, in the second heat curing process, the heating time at the maximum temperature may be 30 seconds or more. If the heating time is shorter than 30 seconds, the proportion of polyimide in the polymer is low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained.
＜ポリイミド＞
上記ポリイミド前駆体組成物から形成される硬化レリーフパターンの構造は、下記一般式（ＩＶ－１２）となる。
The structure of the cured relief pattern formed from the above polyimide precursor composition is represented by the following general formula (IV-12).
アルカリ可溶性ポリイミドの場合は、ポリイミドの末端を水酸基にしてもよい。 In the case of an alkali-soluble polyimide, the polyimide may be terminated with a hydroxyl group.
＜ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物＞
（Ａ）感光性樹脂
ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物に用いる感光性樹脂としては、下記一般式（ＩＶ－１３）で表される繰り返し単位を含むポリ（ｏ－ヒドロキシアミド）を用いることができる。
<Polybenzoxazole Precursor Composition>
(A) Photosensitive Resin As the photosensitive resin used in the polybenzoxazole precursor composition, a poly(o-hydroxyamide) containing a repeating unit represented by the following general formula (IV-13) can be used.
層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、式（ＩＶ－１３）中のＵは、炭素数１～３０の２価の有機基であることが好ましく、炭素数１～１５の鎖状アルキレン基（但し、鎖状アルキレンの水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい）がより好ましく、炭素数１～８で且つ水素原子がフッ素原子で置換された鎖状アルキレン基が特に好ましい。 From the viewpoint of adhesion between the interlayer insulating film 6 and the sealing material 3, U in formula (IV-13) is preferably a divalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably a chain alkylene group having 1 to 15 carbon atoms (however, the hydrogen atoms of the chain alkylene may be substituted with halogen atoms), and particularly preferably a chain alkylene group having 1 to 8 carbon atoms and in which the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
また、層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、式（ＩＶ－１３）中のＶは、芳香族基を含む２価の有機基であることが好ましく、より好ましくは下記一般式（ＩＶ－８）～（ＩＶ－１０）で表される少なくとも１つの構造を含む２価の有機基であることが好ましい。
一般式（ＩＶ－１０）中のＲ２２は、例えば、炭素数１～４０の２価の有機基やハロゲン原子である。 In the general formula (IV-10), R 22 is, for example, a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms or a halogen atom.
層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、式（ＩＶ－１３）中のＶは、上記一般式（ＩＶ－１１）で表される構造を含む２価の有機基が特に好ましい。 From the viewpoint of adhesion between the interlayer insulating film 6 and the sealing material 3, it is particularly preferable that V in formula (IV-13) is a divalent organic group containing the structure represented by the above general formula (IV-11).
層間絶縁膜６と封止材３との密着性の観点から、式（ＩＶ－１３）中のＶは、炭素数１～４０の２価の有機基が好ましく、炭素数１～４０の２価の鎖状脂肪族基がより好ましく、炭素数１～２０の２価の鎖状脂肪族基が特に好ましい。 From the viewpoint of adhesion between the interlayer insulating film 6 and the sealing material 3, V in formula (IV-13) is preferably a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms, more preferably a divalent chain aliphatic group having 1 to 40 carbon atoms, and particularly preferably a divalent chain aliphatic group having 1 to 20 carbon atoms.
ポリベンゾオキサゾール前駆体は、一般的にジカルボン酸誘導体とヒドロキシ基含有ジアミン類とから合成できる。具体的には、ジカルボン酸誘導体をジハライド誘導体に変換後、ジアミン類との反応を行うことにより合成できる。ジハライド誘導体としては、ジクロリド誘導体が好ましい。 Polybenzoxazole precursors can generally be synthesized from dicarboxylic acid derivatives and hydroxyl group-containing diamines. Specifically, they can be synthesized by converting a dicarboxylic acid derivative into a dihalide derivative and then reacting it with diamines. As the dihalide derivative, a dichloride derivative is preferred.
ジクロリド誘導体は、ジカルボン酸誘導体にハロゲン化剤を作用させて合成することができる。ハロゲン化剤としては、通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用される、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リン等が使用できる。 Dichloride derivatives can be synthesized by reacting dicarboxylic acid derivatives with a halogenating agent. Examples of halogenating agents that can be used include thionyl chloride, phosphoryl chloride, phosphorus oxychloride, and phosphorus pentachloride, which are commonly used in acid chloride reactions of carboxylic acids.
ジクロリド誘導体を合成する方法としては、ジカルボン酸誘導体と上記ハロゲン化剤を溶媒中で反応させる方法、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分を留去する方法等で合成できる。 The dichloride derivative can be synthesized by reacting the dicarboxylic acid derivative with the above halogenating agent in a solvent, or by reacting in an excess of the halogenating agent and then distilling off the excess.
ジカルボン酸誘導体に使用するジカルボン酸としては、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、２，２－ビス（４－カルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、４，４’－ジカルボキシビフェニル、４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテル、４，４’－ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス（４－カルボキシフェニル）スルホン、２，２－ビス（ｐ－カルボキシフェニル）プロパン、５－ｔｅｒｔ－ブチルイソフタル酸、５－ブロモイソフタル酸、５－フルオロイソフタル酸、５－クロロイソフタル酸、２，６－ナフタレンジカルボン酸、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ－ｎ－ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、２，２－ジメチルスクシン酸、２，３－ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、２－メチルグルタル酸、３－メチルグルタル酸、２，２－ジメチルグルタル酸、３，３－ジメチルグルタル酸、３－エチル－３－メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、３－メチルアジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、ピメリン酸、２，２，６，６－テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、１，９－ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸等が挙げられる。これらを混合して使用してもよい。 Examples of dicarboxylic acids used in the dicarboxylic acid derivatives include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis(4-carboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-dicarboxydiphenyl ether, 4,4'-dicarboxytetraphenylsilane, bis(4-carboxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(p-carboxyphenyl)propane, 5-tert-butylisophthalic acid, 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, malonic acid, dimethylmalonic acid, ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methylsuccinic acid, 2,2-dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, hexafluoroglutaric acid, 2-Methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2,2-dimethylglutaric acid, 3,3-dimethylglutaric acid, 3-ethyl-3-methylglutaric acid, adipic acid, octafluoroadipic acid, 3-methyladipic acid, octafluoroadipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberic acid, dodecafluorosuberic acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecafluorosebacic acid, 1,9-nonanedioic acid, dodecane Examples of the diacid include tridecane diacid, tetradecane diacid, pentadecanedioic acid, hexadecanedioic acid, heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid, nonadecanedioic acid, eicosane diacid, heneicosane diacid, docosane diacid, tricosane diacid, tetracosane diacid, pentacosane diacid, hexacosane diacid, heptacosane diacid, octacosane diacid, nonacosane diacid, triacontanedioic acid, hentriacontanedioic acid, dotriacontanedioic acid, and diglycolic acid. These may be used in combination.
ヒドロキシ基含有ジアミンとしては、例えば、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。これらを混合して使用してもよい。 Examples of hydroxyl group-containing diamines include 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)propane, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfone, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and 2,2-bis(4-amino-3-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane. These may be used in combination.
（Ｂ２）光酸発生剤
光酸発生剤は、光照射部のアルカリ水溶液可溶性を増大させる機能を有するものである。光酸発生剤としては、ジアゾナフトキノン化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられる。このうち、ジアゾナフトキノン化合物は、感度が高く好ましい。
(B2) Photoacid generator The photoacid generator has a function of increasing the solubility of the light irradiated portion in an alkaline aqueous solution. Examples of the photoacid generator include diazonaphthoquinone compounds, aryl diazonium salts, diaryliodonium salts, and triaryl sulfonium salts. Among these, diazonaphthoquinone compounds are preferred because of their high sensitivity.
（Ｃ）添加剤
好ましい添加剤の種類や量は、ポリイミド前駆体組成物の項目で記載した内容と同じである。
(C) Additives The preferred types and amounts of additives are the same as those described in the section regarding the polyimide precursor composition.
（Ｄ）溶媒
各成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
(D) Solvent There are no particular limitations on the solvent as long as it is capable of dissolving or dispersing each component.
（Ｅ）その他
ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物は、架橋剤、増感剤、接着助剤、熱酸発生剤等を含むことができる。
(E) Others The polybenzoxazole precursor composition may contain a crosslinking agent, a sensitizer, an adhesion promoter, a thermal acid generator, and the like.
本実施形態において、ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物を用いた多層硬化レリーフパターン（層間絶縁膜６）は、次のような方法によって製造される。
＜多層硬化レリーフパターンの製造方法＞
多層硬化レリーフパターンの製造方法は、以下の工程：
（１）感光性樹脂組成物（ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物）を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
（２）感光性樹脂層を露光する工程、
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程、および
（５）半硬化レリーフパターンを２００～２６０℃の温度範囲で、且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程
を順に含み、
更に再度、（１）～（５）の工程を順に行うことを含む。これにより層間絶縁膜６を多層構造（多層硬化レリーフパターン）とすることができる。（１）～（５）の工程を前記順に行うことを３～８回繰り返して行うことが好ましい。
In this embodiment, the multilayer cured relief pattern (interlayer insulating film 6) using the polybenzoxazole precursor composition is produced by the following method.
<Method for Producing Multilayer Cured Relief Pattern>
The method for producing a multi-layer cured relief pattern comprises the following steps:
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition (polybenzoxazole precursor composition) onto the substrate;
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) a first thermal curing step of heat-treating the relief pattern at a temperature in the range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern; and (5) a second thermal curing step of heat-treating the semi-cured relief pattern at a temperature in the range of 200° C. to 260° C., which is higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a hardened relief pattern.
This further includes repeating steps (1) to (5) in sequence. This allows the interlayer insulating film 6 to have a multilayer structure (multilayer cured relief pattern). It is preferable to repeat steps (1) to (5) in the above sequence 3 to 8 times.
（１）感光性樹脂組成物（ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物）を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程
本工程では、感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じてその後乾燥させて樹脂層を形成する。塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
(1) Step of forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition (polybenzoxazole precursor composition) on the substrate In this step, the photosensitive resin composition is applied on a substrate, and then dried as necessary to form a resin layer. As the application method, a method that has been used conventionally for applying a photosensitive resin composition, such as a method of applying with a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printer, etc., a method of spraying and applying with a spray coater, etc. can be used.
感光性樹脂組成物を用いてレリーフパターンを形成する方法として、感光性樹脂組成物を基板上に塗布して樹脂層を基板上に形成するだけでなく、感光性樹脂組成物をフィルムの形態にして感光性樹脂組成物の層を基板上に積層することによって樹脂層を形成してもよい。また、支持基材上に本発明に係る感光性樹脂組成物のフィルムを形成し、フィルムを使用する際に積層してから支持基材を除去してもよいし、積層する前に除去してもよい。 As a method for forming a relief pattern using a photosensitive resin composition, not only can the photosensitive resin composition be applied onto a substrate to form a resin layer on the substrate, but the photosensitive resin composition can also be made into a film and a layer of the photosensitive resin composition can be laminated onto a substrate to form a resin layer. Alternatively, a film of the photosensitive resin composition according to the present invention can be formed on a supporting substrate, and the supporting substrate can be removed after lamination when the film is used, or can be removed before lamination.
必要に応じて、感光性樹脂組成物から成る塗膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。 If necessary, the coating film made of the photosensitive resin composition can be dried. Drying methods that can be used include air drying, heat drying in an oven or on a hot plate, and vacuum drying.
（２）感光性樹脂層を露光する工程
本工程では、工程（１）で形成した感光性樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
(2) Step of Exposing Photosensitive Resin Layer In this step, the photosensitive resin layer formed in step (1) is exposed to an ultraviolet light source or the like through a photomask or reticle having a pattern, or directly, using an exposure device such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper.
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）及び／又は現像前ベークを施してもよい。 After this, for the purpose of improving photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) and/or a pre-development bake may be performed at any combination of temperature and time as necessary.
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程
ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物を露光した後、不要部分を現像液で洗い流す。使用する現像液としては特に制限はないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいものとして挙げられる。
(3) Step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern After the polybenzoxazole precursor composition is exposed to light, unnecessary portions are washed away with a developer. The developer to be used is not particularly limited, but examples of the developer include aqueous alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, and tetramethylammonium hydroxide.
上記では、ポジ型のポリベンゾオキサゾール前駆体組成物を中心に説明したが、ネガ型のポリベンゾオキサゾール前駆体組成物であってもよい。 The above description focuses on positive-type polybenzoxazole precursor compositions, but negative-type polybenzoxazole precursor compositions may also be used.
（熱硬化）
現像後、加熱することによりポリベンゾオキサゾール前駆体を閉環し、ポリベンゾオキサゾールを形成する。このポリベンゾオキサゾールが硬化レリーフパターン、即ち、層間絶縁膜６となる。ポリマー中のポリベンゾオキサゾールの割合が多くなるほど、膜物性や膜の耐薬品性が向上する。通常、熱硬化温度は２５０℃以上１時間以上加熱することが望ましい。
(Thermal curing)
After development, the polybenzoxazole precursor is ring-closed by heating to form polybenzoxazole. This polybenzoxazole becomes the cured relief pattern, i.e., the interlayer insulating film 6. The higher the proportion of polybenzoxazole in the polymer, the more improved the film properties and chemical resistance of the film. In general, it is desirable to heat the film at a thermal curing temperature of 250° C. or higher for 1 hour or more.
熱硬化温度が２００℃以下になると、熱硬化時間を長時間行ってもポリマー中のポリベンゾオキサゾールの割合が低くなり、望ましい膜物性や膜の耐薬品性が得られない。
そこで本実施形態では、ポリベンゾオキサゾールの熱硬化を、（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程と、（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程と、の２段階で行う。これによりポリマー中のポリベンゾオキサゾールの割合を高くすることができる。
また、熱硬化時に半導体装置に掛かる熱により、半導体チップや封止樹脂に熱ダメージを与え損傷する。層間絶縁膜６が２層以上の場合は層間絶縁膜層の熱硬化が複数回行われるので、熱ダメージが顕著に増加する。本発明では、第二の熱硬化工程の時間が短いことで、熱硬化時の熱ダメージを少なくすることができる。
If the heat curing temperature is below 200° C., the proportion of polybenzoxazole in the polymer will be low even if the heat curing time is extended, and desired film properties and chemical resistance will not be obtained.
In this embodiment, the polybenzoxazole is thermally cured in two steps: (4) a first thermal curing step in which the relief pattern is heated at a temperature range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern, and (5) a second thermal curing step in which the semi-cured relief pattern is heated at a temperature range of 200° C. to 260° C., higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a cured relief pattern. This makes it possible to increase the proportion of polybenzoxazole in the polymer.
Furthermore, the heat applied to the semiconductor device during thermal curing causes thermal damage to the semiconductor chip and the sealing resin. If the interlayer insulating film 6 has two or more layers, the interlayer insulating film layers are thermally cured multiple times, which significantly increases the thermal damage. In the present invention, the time for the second thermal curing step is short, which reduces the thermal damage during thermal curing.
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理する
ことによって半硬化レリーフパターンを形成する工程（第一の熱硬化工程）
第一の熱硬化工程の加熱温度は１５０℃～２００℃が望ましく、１５０℃～１８０℃がより望ましく、１５０℃～１７０℃がより望ましく、１５０℃～１６０℃がより望ましく、１５０℃が最も望ましい。第一の熱硬化工程における加熱温度が１５０℃未満では半硬化レリーフパターンに添加剤成分や溶媒成分が残存し、多層の層間絶縁膜６を形成した際に、層間に気泡が発生し層間剥がれを起こす。加熱温度が２００℃より高い場合、半硬化レリーフパターンが硬化しすぎて第二の熱硬化工程において環化反応が起き難く、十分に環化した硬化膜が得られない。
(4) A step of forming a semi-cured relief pattern by heat-treating the relief pattern at a temperature range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes (first heat-curing step).
The heating temperature in the first heat curing step is preferably 150° C. to 200° C., more preferably 150° C. to 180° C., more preferably 150° C. to 170° C., more preferably 150° C. to 160° C., and most preferably 150° C. If the heating temperature in the first heat curing step is less than 150° C., additive components and solvent components remain in the semi-cured relief pattern, and when a multi-layer interlayer insulating film 6 is formed, bubbles are generated between the layers, causing interlayer peeling. If the heating temperature is higher than 200° C., the semi-cured relief pattern is over-cured, making it difficult for the cyclization reaction to occur in the second heat curing step, and a sufficiently cyclized cured film cannot be obtained.
第一の熱硬化工程の加熱時間は０～２４０分が望ましい。加熱時間が２４０分より長い場合、半硬化レリーフパターンが硬化しすぎて第二の熱硬化工程において環化反応が起き難く、十分に環化した硬化膜が得られないことがあり、また熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。 The heating time for the first heat curing step is preferably 0 to 240 minutes. If the heating time is longer than 240 minutes, the semi-cured relief pattern will be over-cured, making it difficult for the cyclization reaction to occur in the second heat curing step, and a sufficiently cyclized cured film may not be obtained. In addition, the semiconductor chip and encapsulating resin may be damaged by heat.
（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程（第二の熱硬化工程）
第二の熱硬化工程における加熱温度は２００℃～２６０℃が望ましい。２００℃未満では、ポリマー中のポリベンゾオキサゾールの割合が低く十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。加熱温度が２６０℃より高い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。第二の熱硬化工程における最大温度は２６０℃以下であることが望ましく、２４０℃以下であることがより望ましい。
(5) A step of forming a cured relief pattern by heat-treating the semi-cured relief pattern for 10 minutes or less at a temperature in the range of 200° C. to 260° C. and at a temperature higher than that in the first heat-curing step (second heat-curing step).
The heating temperature in the second heat curing step is preferably 200°C to 260°C. If the heating temperature is less than 200°C, the proportion of polybenzoxazole in the polymer is low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained. If the heating temperature is higher than 260°C, the semiconductor chip and the sealing resin may be damaged by heat. The maximum temperature in the second heat curing step is preferably 260°C or less, and more preferably 240°C or less.
第二の熱硬化工程において、最大温度における加熱時間は１０分以下が望ましく、５分以下がより望ましく、最も望ましくは１分以下である。加熱時間が１０分より長い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。加熱時間が３０秒より短い場合、ポリマー中のポリベンゾオキサゾールの割合が低く、十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。 In the second heat curing step, the heating time at the maximum temperature is preferably 10 minutes or less, more preferably 5 minutes or less, and most preferably 1 minute or less. If the heating time is longer than 10 minutes, the semiconductor chip or encapsulating resin may be damaged by heat. If the heating time is shorter than 30 seconds, the proportion of polybenzoxazole in the polymer is low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained.
＜ポリベンゾオキサゾール＞
上記ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物から形成される硬化レリーフパターンの構造は、下記一般式（ＩＶ－１４）となる。
<Polybenzoxazole>
The structure of the cured relief pattern formed from the polybenzoxazole precursor composition is represented by the following general formula (IV-14).
一般式（ＩＶ－１４）中のＵ、Ｖは、一般式（ＩＶ－１３）中のＵ、Ｖと同じである。一般式（ＩＶ－１３）中の好ましいＵ、Ｖは、同じ理由により、一般式（ＩＶ－１４）のポリベンゾオキサゾールにおいても好ましい。 U and V in general formula (IV-14) are the same as U and V in general formula (IV-13). For the same reason, the preferred U and V in general formula (IV-13) are also preferred in the polybenzoxazole of general formula (IV-14).
＜フェノール性水酸基を有するポリマー＞
（Ａ）感光性樹脂
分子中にフェノール性水酸基を有する樹脂であり、アルカリに対して可溶である。その具体例としては、ポリ（ヒドロキシスチレン）等のフェノール性水酸基を有するモノマー単位を含むビニル重合体、フェノール樹脂、ポリ（ヒドロキシアミド）、ポリ（ヒドロキシフェニレン）エーテル、ポリナフトールが挙げられる。これらの中で、コストが安いこと、又は硬化時の体積収縮が小さいことから、フェノール樹脂が好ましく、ノボラック型フェノール樹脂が特に好ましい。
<Polymer having a phenolic hydroxyl group>
(A) Photosensitive resin: A resin having a phenolic hydroxyl group in the molecule, which is soluble in alkali. Specific examples thereof include vinyl polymers containing monomer units having a phenolic hydroxyl group such as poly(hydroxystyrene), phenolic resins, poly(hydroxyamide), poly(hydroxyphenylene) ether, and polynaphthol. Among these, phenolic resins are preferred because of their low cost and small volumetric shrinkage during curing, and novolac-type phenolic resins are particularly preferred.
フェノール樹脂は、フェノール又はその誘導体とアルデヒド類との重縮合生成物である。重縮合は、酸又は塩基等の触媒存在下で行われる。酸触媒を用いた場合に得られるフェノール樹脂を特にノボラック型フェノール樹脂という。 Phenolic resins are the polycondensation products of phenol or its derivatives with aldehydes. Polycondensation is carried out in the presence of a catalyst such as an acid or base. Phenolic resins obtained using an acid catalyst are specifically called novolac-type phenolic resins.
フェノール誘導体としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、アミルフェノール、ベンジルフェノール、アダマンタンフェノール、ベンジルオキシフェノール、キシレノール、カテコール、レゾルシノール、エチルレゾルシノール、ヘキシルレゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール、１，２，４－トリヒドロキシベンゼン、パラロゾール酸、ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルメタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，４－ビス（３－ヒドロキシフェノキシベンゼン）、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）プロパン、α，α’－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－１，４－ジイソプロピルベンゼン、９，９－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、２，２－ビス（３－シクロヘキシル－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（２－ヒドロキシ－５－ビフェニルイル）プロパン、ジヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。 Examples of phenol derivatives include phenol, cresol, ethylphenol, propylphenol, butylphenol, amylphenol, benzylphenol, adamantanephenol, benzyloxyphenol, xylenol, catechol, resorcinol, ethylresorcinol, hexylresorcinol, hydroquinone, pyrogallol, phloroglucinol, 1,2,4-trihydroxybenzene, pararosolic acid, biphenol, bisphenol A, bisphenol AF, bisphenol B, bisphenol F, bisphenol S, Examples include dihydroxydiphenylmethane, 1,1-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane, 1,4-bis(3-hydroxyphenoxybenzene), 2,2-bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)propane, α,α'-bis(4-hydroxyphenyl)-1,4-diisopropylbenzene, 9,9-bis(4-hydroxy-3-methylphenyl)fluorene, 2,2-bis(3-cyclohexyl-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(2-hydroxy-5-biphenylyl)propane, and dihydroxybenzoic acid.
アルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ピバルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンタナール、ヘキサナール、トリオキサン、グリオキザール、シクロヘキシルアルデヒド、ジフェニルアセトアルデヒド、エチルブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド、グリオキシル酸、５－ノルボルネン－２－カルボキシアルデヒド、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グルタルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ナフトアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる。 Examples of aldehyde compounds include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, pivalaldehyde, butyraldehyde, pentanal, hexanal, trioxane, glyoxal, cyclohexylaldehyde, diphenylacetaldehyde, ethylbutyraldehyde, benzaldehyde, glyoxylic acid, 5-norbornene-2-carboxaldehyde, malondialdehyde, succindialdehyde, glutaraldehyde, salicylaldehyde, naphthaldehyde, and terephthalaldehyde.
（Ａ）成分は、（ａ）不飽和炭化水素基を有しないフェノール樹脂と、（ｂ）不飽和炭化水素基を有する変性フェノール樹脂とを、含むものであることが好ましい。前記（ｂ）成分は、フェノール性水酸基と多塩基酸無水物との反応によって更に変性されているものであることがより好ましい。 The (A) component preferably contains (a) a phenolic resin that does not have an unsaturated hydrocarbon group, and (b) a modified phenolic resin that has an unsaturated hydrocarbon group. It is more preferable that the (b) component is further modified by reaction of the phenolic hydroxyl group with a polybasic acid anhydride.
また、（ｂ）成分としては、機械特性（破断伸び、弾性率及び残留応力）をより向上できる観点から、炭素数４～１００の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂を用いることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of further improving the mechanical properties (elongation at break, elastic modulus, and residual stress), it is preferable to use a phenolic resin modified with a compound having an unsaturated hydrocarbon group having 4 to 100 carbon atoms as component (b).
（ｂ）不飽和炭化水素基を有する変性フェノール樹脂は、一般に、フェノール又はその誘導体と不飽和炭化水素基を有する化合物（好ましくは炭素数が４～１００のもの）（以下、場合により単に「不飽和炭化水素基含有化合物」という。）との反応生成物（以下「不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体」という。）と、アルデヒド類との縮重合生成物、又は、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応生成物である。 (b) The modified phenolic resin having an unsaturated hydrocarbon group is generally a reaction product of phenol or a derivative thereof with a compound having an unsaturated hydrocarbon group (preferably one having 4 to 100 carbon atoms) (hereinafter sometimes simply referred to as an "unsaturated hydrocarbon group-containing compound") (hereinafter referred to as an "unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative") and an aldehyde, or a reaction product of a phenolic resin with an unsaturated hydrocarbon group-containing compound.
ここでいうフェノール誘導体は、（Ａ）成分としてのフェノール樹脂の原料として上述したフェノール誘導体と同様のものを用いることができる。 The phenol derivatives referred to here can be the same as those described above as raw materials for the phenolic resin as component (A).
不飽和炭化水素基含有化合物の不飽和炭化水素基は、レジストパターンの密着性及び耐熱衝撃性の観点から、２以上の不飽和基を含むことが好ましい。また、樹脂組成物としたときの相溶性及び硬化膜の可とう性の観点からは、不飽和炭化水素基含有化合物は炭素数８～８０のものが好ましく、炭素数１０～６０のものがより好ましい。 From the viewpoints of adhesion and thermal shock resistance of the resist pattern, it is preferable that the unsaturated hydrocarbon group of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound contains two or more unsaturated groups. Furthermore, from the viewpoints of compatibility when made into a resin composition and flexibility of the cured film, the unsaturated hydrocarbon group-containing compound preferably has 8 to 80 carbon atoms, and more preferably has 10 to 60 carbon atoms.
不飽和炭化水素基含有化合物としては、例えば、炭素数４～１００の不飽和炭化水素、カルボキシル基を有するポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジエン、リノリルアルコール、オレイルアルコール、不飽和脂肪酸及び不飽和脂肪酸エステルである。好適な不飽和脂肪酸としては、クロトン酸、ミリストレイン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、ガドレイン酸、エルカ酸、ネルボン酸、リノール酸、α－リノレン酸、エレオステアリン酸、ステアリドン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、イワシ酸及びドコサヘキサエン酸が挙げられる。これらの中でも特に、炭素数８～３０の不飽和脂肪酸と、炭素数１～１０の１価から３価のアルコールとのエステルがより好ましく、炭素数８～３０の不飽和脂肪酸と３価のアルコールであるグリセリンとのエステルが特に好ましい。 Examples of compounds containing unsaturated hydrocarbon groups include unsaturated hydrocarbons having 4 to 100 carbon atoms, polybutadiene having a carboxyl group, epoxidized polybutadiene, linoleyl alcohol, oleyl alcohol, unsaturated fatty acids, and unsaturated fatty acid esters. Suitable unsaturated fatty acids include crotonic acid, myristoleic acid, palmitoleic acid, oleic acid, elaidic acid, vaccenic acid, gadoleic acid, erucic acid, nervonic acid, linoleic acid, α-linolenic acid, eleostearic acid, stearidonic acid, arachidonic acid, eicosapentaenoic acid, sardine acid, and docosahexaenoic acid. Among these, esters of unsaturated fatty acids having 8 to 30 carbon atoms and monohydric to trihydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms are more preferred, and esters of unsaturated fatty acids having 8 to 30 carbon atoms and glycerin, a trihydric alcohol, are particularly preferred.
炭素数８～３０の不飽和脂肪酸とグリセリンとのエステルは、植物油として商業的に入手可能である。植物油は、ヨウ素価が１００以下の不乾性油、１００を超えて１３０未満の半乾性油又は１３０以上の乾性油がある。不乾性油として、例えば、オリーブ油、あさがお種子油、カシュウ実油、さざんか油、つばき油、ひまし油及び落花生油が挙げられる。半乾性油として、例えば、コーン油、綿実油及びごま油が挙げられる。乾性油としては、例えば、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油、サフラワー油、ひまわり油、荏の油及び芥子油が挙げられる。また、これらの植物油を加工して得られる加工植物油を用いてもよい。 Esters of unsaturated fatty acids having 8 to 30 carbon atoms and glycerin are commercially available as vegetable oils. Vegetable oils include non-drying oils with an iodine value of 100 or less, semi-drying oils with an iodine value of more than 100 and less than 130, and drying oils with an iodine value of 130 or more. Examples of non-drying oils include olive oil, morning glory seed oil, cashew seed oil, camellia oil, castor oil, and peanut oil. Examples of semi-drying oils include corn oil, cottonseed oil, and sesame oil. Examples of drying oils include tung oil, linseed oil, soybean oil, walnut oil, safflower oil, sunflower oil, perilla oil, and mustard oil. Processed vegetable oils obtained by processing these vegetable oils may also be used.
上記植物油の中で、フェノール若しくはその誘導体又はフェノール樹脂と植物油との反応において、過度の反応の進行に伴うゲル化を防ぎ、歩留まりが向上する観点から、不乾性油を用いることが好ましい。一方、レジストパターンの密着性、機械特性及び耐熱衝撃性が向上する観点では乾性油を用いることが好ましい。乾性油の中でも、本発明による効果をより有効かつ確実に発揮できることから、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油及びサフラワー油が好ましく、桐油及び亜麻仁油がより好ましい。 Among the above vegetable oils, it is preferable to use non-drying oils from the viewpoint of preventing gelation due to excessive reaction in the reaction between phenol or its derivatives or phenolic resin and vegetable oil and improving yield. On the other hand, it is preferable to use drying oils from the viewpoint of improving the adhesion, mechanical properties and thermal shock resistance of the resist pattern. Among the drying oils, tung oil, linseed oil, soybean oil, walnut oil and safflower oil are preferable, and tung oil and linseed oil are more preferable, because they can more effectively and reliably exert the effects of the present invention.
これらの不飽和炭化水素基含有化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。 These unsaturated hydrocarbon group-containing compounds may be used alone or in combination of two or more.
（ｂ）成分を調製するにあたり、まず、上記フェノール誘導体と上記不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させ、不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体を作製する。前記反応は、５０～１３０℃で行うことが好ましい。フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜（レジストパターン）の可とう性を向上させる観点から、フェノール誘導体１００質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物１～１００質量部であることが好ましく、５～５０質量部であることがより好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が１質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向があり、１００質量部を超えると、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。上記反応においては、必要に応じて、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。 In preparing component (b), the phenol derivative is first reacted with the unsaturated hydrocarbon group-containing compound to produce an unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative. The reaction is preferably carried out at 50 to 130°C. From the viewpoint of improving the flexibility of the cured film (resist pattern), the reaction ratio of the phenol derivative and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is preferably 1 to 100 parts by mass of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound per 100 parts by mass of the phenol derivative, and more preferably 5 to 50 parts by mass of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound. If the amount of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is less than 1 part by mass, the flexibility of the cured film tends to decrease, and if it exceeds 100 parts by mass, the heat resistance of the cured film tends to decrease. In the above reaction, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, or the like may be used as a catalyst as necessary.
上記反応により生成する不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体と、アルデヒド類とを重縮合させることにより、不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂が生成する。アルデヒド類は、フェノール樹脂を得るために用いられるアルデヒド類として上述したものと同様のものを用いることができる。 The unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative produced by the above reaction is polycondensed with aldehydes to produce a phenol resin modified with an unsaturated hydrocarbon group-containing compound. The aldehydes that can be used are the same as those mentioned above as aldehydes used to obtain the phenol resin.
上記アルデヒド類と上記不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体との反応は、重縮合反応であり、従来公知のフェノール樹脂の合成条件を用いることができる。反応は、酸又は塩基等の触媒の存在下で行うことが好ましく、酸触媒を用いることがより好ましい。酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸、ぎ酸、酢酸、ｐ－トルエンスルホン酸及びシュウ酸が挙げられる。これらの酸触媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 The reaction between the aldehydes and the unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivative is a polycondensation reaction, and conventionally known synthesis conditions for phenolic resins can be used. The reaction is preferably carried out in the presence of a catalyst such as an acid or a base, and more preferably an acid catalyst is used. Examples of acid catalysts include hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, p-toluenesulfonic acid, and oxalic acid. These acid catalysts can be used alone or in combination of two or more.
上記反応は、通常反応温度１００℃～１２０℃で行うことが好ましい。また、反応時間は使用する触媒の種類や量により異なるが、通常１時間～５０時間である。反応終了後、反応生成物を２００℃以下の温度で減圧脱水することで不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂が得られる。なお、反応には、トルエン、キシレン、メタノール等の溶媒を用いることができる。 The above reaction is preferably carried out at a reaction temperature of 100°C to 120°C. The reaction time varies depending on the type and amount of catalyst used, but is usually 1 to 50 hours. After the reaction is completed, the reaction product is dehydrated under reduced pressure at a temperature of 200°C or less to obtain a phenolic resin modified with an unsaturated hydrocarbon group-containing compound. Solvents such as toluene, xylene, and methanol can be used for the reaction.
不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂は、上述の不飽和炭化水素基変性フェノール誘導体を、ｍ－キシレンのようなフェノール以外の化合物とともにアルデヒド類と重縮合することにより得ることもできる。この場合、フェノール誘導体と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得られる化合物に対するフェノール以外の化合物のモル比は、０．５未満であると好ましい。 Phenol resins modified with unsaturated hydrocarbon group-containing compounds can also be obtained by polycondensing the above-mentioned unsaturated hydrocarbon group-modified phenol derivatives with aldehydes together with compounds other than phenol, such as m-xylene. In this case, the molar ratio of the compound other than phenol to the compound obtained by reacting the phenol derivative with the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is preferably less than 0.5.
（ｂ）成分は、前記（ａ）成分のフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得ることもできる。 Component (b) can also be obtained by reacting the phenolic resin of component (a) with a compound containing an unsaturated hydrocarbon group.
フェノール樹脂と反応させる不飽和炭化水素基含有化合物は、上述した不飽和炭化水素基含有化合物と同様のものを使用することができる。 The unsaturated hydrocarbon group-containing compound to be reacted with the phenolic resin can be the same as the unsaturated hydrocarbon group-containing compound described above.
フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、通常、５０℃～１３０℃で行うことが好ましい。また、フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜（レジストパターン）の可とう性を向上させる観点から、フェノール樹脂１００質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物１～１００質量部であることが好ましく、２～７０質量部であることがより好ましく、５～５０質量部であることがさらに好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が１質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向にあり、１００質量部を超えると、反応中にゲル化する可能性が高くなる傾向、及び、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。このとき、必要に応じて、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。なお、反応にはトルエン、キシレン、メタノール、テトラヒドロフランなどの溶媒を用いることができる。 The reaction between the phenolic resin and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is preferably carried out at 50°C to 130°C. In addition, the reaction ratio between the phenolic resin and the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is preferably 1 to 100 parts by mass of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound per 100 parts by mass of the phenolic resin, more preferably 2 to 70 parts by mass, and even more preferably 5 to 50 parts by mass, from the viewpoint of improving the flexibility of the cured film (resist pattern). If the amount of the unsaturated hydrocarbon group-containing compound is less than 1 part by mass, the flexibility of the cured film tends to decrease, and if it exceeds 100 parts by mass, the possibility of gelation during the reaction tends to increase, and the heat resistance of the cured film tends to decrease. At this time, p-toluenesulfonic acid, trifluoromethanesulfonic acid, or the like may be used as a catalyst if necessary. In addition, a solvent such as toluene, xylene, methanol, or tetrahydrofuran can be used for the reaction.
以上のような方法により生成する不飽和炭化水素基含有化合物によって変性されたフェノール樹脂中に残ったフェノール性水酸基に、更に多塩基酸無水物を反応させる。これにより、酸変性したフェノール樹脂を（ｂ）成分として用いることもできる。多塩基酸無水物で酸変性することにより、カルボキシ基が導入され、（ｂ）成分のアルカリ水溶液（現像液）に対する溶解性がより一層向上する。 The phenolic hydroxyl groups remaining in the phenolic resin modified by the unsaturated hydrocarbon group-containing compound produced by the above method are further reacted with a polybasic acid anhydride. This allows the acid-modified phenolic resin to be used as component (b). By acid-modifying with a polybasic acid anhydride, a carboxyl group is introduced, further improving the solubility of component (b) in an alkaline aqueous solution (developer).
多塩基酸無水物は、複数のカルボキシ基を有する多塩基酸のカルボキシ基が脱水縮合して形成された酸無水物基を有していれば、特に限定されない。多塩基酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水コハク酸、オクテニル無水コハク酸、ペンタドデセニル無水コハク酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、３，６－エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸及び無水トリメリット酸等の二塩基酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸及びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の芳香族四塩基酸二無水物が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、多塩基酸無水物は、二塩基酸無水物であることが好ましく、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる１種以上であることがより好ましい。この場合、さらに良好な形状を有するレジストパターンを形成できるという利点がある。 The polybasic acid anhydride is not particularly limited as long as it has an acid anhydride group formed by dehydration condensation of the carboxy groups of a polybasic acid having multiple carboxy groups. Examples of polybasic acid anhydrides include dibasic acid anhydrides such as phthalic anhydride, succinic anhydride, octenyl succinic anhydride, pentadodecenyl succinic anhydride, maleic anhydride, itaconic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, 3,6-endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, and trimellitic anhydride, and aromatic tetrabasic acid dianhydrides such as biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, diphenylethertetracarboxylic dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic dianhydride. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the polybasic acid anhydride is preferably a dibasic acid anhydride, and more preferably at least one selected from the group consisting of tetrahydrophthalic anhydride, succinic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride. In this case, there is an advantage that a resist pattern having a better shape can be formed.
また、（Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂は、更に多塩基酸無水物を反応させて酸変性したフェノール樹脂を含有することができる。（Ａ）成分が多塩基酸無水物で酸変性したフェノール樹脂を含有することにより、（Ａ）成分のアルカリ水溶液（現像液）に対する溶解性がより一層向上する。 In addition, (A) the alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group can further contain a phenolic resin that has been acid-modified by reacting it with a polybasic acid anhydride. When the (A) component contains a phenolic resin that has been acid-modified with a polybasic acid anhydride, the solubility of the (A) component in an aqueous alkaline solution (developer) is further improved.
前記多塩基酸無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水コハク酸、オクテニル無水コハク酸、ペンタドデセニル無水コハク酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、３，６－エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水トリメリット酸等の二塩基酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族、芳香族四塩基酸二無水物等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、多塩基酸無水物は、二塩基酸無水物であることが好ましく、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸及びヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる１種以上であることがより好ましい。 Examples of the polybasic acid anhydrides include dibasic acid anhydrides such as phthalic anhydride, succinic anhydride, octenyl succinic anhydride, pentadodecenyl succinic anhydride, maleic anhydride, itaconic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, 3,6-endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydrophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, and trimellitic anhydride; aliphatic and aromatic tetrabasic acid dianhydrides such as biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, diphenylethertetracarboxylic dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic dianhydride. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, the polybasic acid anhydride is preferably a dibasic acid anhydride, and more preferably, for example, one or more selected from the group consisting of tetrahydrophthalic anhydride, succinic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride.
（Ｂ２）光酸発生剤
光酸発生剤としては、ジアゾナフトキノン化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられる。このうち、ジアゾナフトキノン化合物は、感度が高く好ましい。
(B2) Photoacid generator Examples of the photoacid generator include diazonaphthoquinone compounds, aryl diazonium salts, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts, etc. Among these, diazonaphthoquinone compounds are preferred because of their high sensitivity.
（Ｃ）添加剤
好ましい添加剤の種類や量は、ポリイミド前駆体組成物の項目で記載した内容と同じである。
(C) Additives The preferred types and amounts of additives are the same as those described in the section regarding the polyimide precursor composition.
（Ｄ）溶媒
各成分を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
(D) Solvent There are no particular limitations on the solvent as long as it is capable of dissolving or dispersing each component.
（Ｅ）その他
熱架橋剤、増感剤、接着助剤、染料、界面活性剤、溶解促進剤、架橋促進剤等を含むことができる。このうち、熱架橋剤を含有することにより、パターン形成後の感光性樹脂膜を加熱して硬化する際に、熱架橋剤成分が（Ａ）成分と反応して橋架け構造が形成される。これにより、低温での硬化が可能となり、膜の脆さや膜の溶融を防ぐことができる。熱架橋剤成分として、具体的には、フェノール性水酸基を有する化合物、ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物を好ましいものとして用いることができる。
(E) Others It can contain a thermal crosslinking agent, a sensitizer, an adhesive assistant, a dye, a surfactant, a dissolution promoter, a crosslinking promoter, etc. Among these, by containing a thermal crosslinking agent, when the photosensitive resin film after pattern formation is heated and cured, the thermal crosslinking agent component reacts with the (A) component to form a crosslinked structure. This makes it possible to cure at a low temperature, and prevents the film from becoming brittle or melting. Specifically, as the thermal crosslinking agent component, a compound having a phenolic hydroxyl group, a compound having a hydroxymethylamino group, and a compound having an epoxy group can be preferably used.
本実施形態において、フェノール性水酸基を有するポリマーを用いた多層硬化レリーフパターン（層間絶縁膜６）は、次のような方法によって製造される。
＜多層硬化レリーフパターンの製造方法＞
多層硬化レリーフパターンの製造方法は、以下の工程：
（１）感光性樹脂組成物（フェノール性水酸基を有するポリマー）を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
（２）感光性樹脂層を露光する工程、
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程、
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程、および
（５）半硬化レリーフパターンを２００～２６０℃の温度範囲で、且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程
を順に含み、
更に再度、（１）～（５）の工程を順に行うことを含む。これにより層間絶縁膜６を多層構造（多層硬化レリーフパターン）とすることができる。（１）～（５）の工程を前記順に行うことを３～８回繰り返して行うことが好ましい。
In this embodiment, the multilayer cured relief pattern (interlayer insulating film 6) using a polymer having a phenolic hydroxyl group is produced by the following method.
<Method for Producing Multilayer Cured Relief Pattern>
The method for producing a multi-layer cured relief pattern comprises the following steps:
(1) forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition (a polymer having a phenolic hydroxyl group) onto the substrate;
(2) a step of exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) a first thermal curing step of heat-treating the relief pattern at a temperature in the range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern; and (5) a second thermal curing step of heat-treating the semi-cured relief pattern at a temperature in the range of 200° C. to 260° C., which is higher than that in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a hardened relief pattern.
This further includes repeating steps (1) to (5) in sequence again. This allows the interlayer insulating film 6 to have a multilayer structure (multilayer cured relief pattern). It is preferable to repeat steps (1) to (5) in the above sequence 3 to 8 times.
（１）感光性樹脂組成物（フェノール性水酸基を有するポリマー）を基板上に塗布することによって感光性樹脂層を基板上に形成する工程
本工程では、感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じてその後乾燥させて樹脂層を形成する。塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
(1) Step of forming a photosensitive resin layer on a substrate by applying a photosensitive resin composition (a polymer having a phenolic hydroxyl group) onto the substrate In this step, the photosensitive resin composition is applied onto a substrate, and then dried as necessary to form a resin layer. As the application method, a method that has been conventionally used for applying a photosensitive resin composition, such as a method of applying with a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printer, etc., or a method of spray application with a spray coater, etc., can be used.
感光性樹脂組成物を用いてレリーフパターンを形成する方法として、感光性樹脂組成物を基板上に塗布して樹脂層を基板上に形成するだけでなく、感光性樹脂組成物をフィルムの形態にして感光性樹脂組成物の層を基板上に積層することによって樹脂層を形成してもよい。また、支持基材上に本発明に係る感光性樹脂組成物のフィルムを形成し、フィルムを使用する際に積層してから支持基材を除去してもよいし、積層する前に除去してもよい。 As a method for forming a relief pattern using a photosensitive resin composition, not only can the photosensitive resin composition be applied onto a substrate to form a resin layer on the substrate, but the photosensitive resin composition can also be made into a film and a layer of the photosensitive resin composition can be laminated onto a substrate to form a resin layer. Alternatively, a film of the photosensitive resin composition according to the present invention can be formed on a supporting substrate, and the supporting substrate can be removed after lamination when the film is used, or can be removed before lamination.
必要に応じて、感光性樹脂組成物から成る塗膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。
（２）感光性樹脂層を露光する工程
本工程では、工程（１）で形成した感光性樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
If necessary, the coating film made of the photosensitive resin composition can be dried by air drying, heat drying in an oven or on a hot plate, vacuum drying, or the like.
(2) Step of Exposing Photosensitive Resin Layer In this step, the photosensitive resin layer formed in step (1) is exposed to an ultraviolet light source or the like through a photomask or reticle having a pattern, or directly, using an exposure device such as a contact aligner, a mirror projection, or a stepper.
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）及び／又は現像前ベークを施してもよい。 After this, for the purpose of improving photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) and/or a pre-development bake may be performed at any combination of temperature and time as necessary.
（３）露光後の感光性樹脂層を現像してレリーフパターンを形成する工程
フェノール性水酸基を有するポリマーを露光した後、不要部分を現像液で洗い流す。使用する現像液としては特に制限はないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液が好適に用いられる。
(3) Step of developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern After the polymer having a phenolic hydroxyl group is exposed, unnecessary portions are washed away with a developer. There are no particular limitations on the developer used, but for example, an alkaline aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), or the like is preferably used.
（熱硬化）
現像後、加熱することによりフェノール性水酸基を有するポリマー同士を熱架橋する。この熱架橋体が硬化レリーフパターン、即ち、層間絶縁膜６となる。熱架橋の割合が多くなるほど、膜物性や膜の耐薬品性が向上する。通常、熱硬化温度は２５０℃以上１時間以上加熱することが望ましい。
(Thermal curing)
After development, the polymers having phenolic hydroxyl groups are thermally crosslinked by heating. This thermally crosslinked body becomes the cured relief pattern, i.e., the interlayer insulating film 6. The higher the proportion of thermal crosslinking, the more improved the film properties and chemical resistance. In general, it is desirable to heat the film at a thermal curing temperature of 250° C. or higher for 1 hour or more.
熱硬化温度が２００℃以下になると、熱硬化時間を長時間行っても膜中の熱架橋反応の割合が低くなり、望ましい膜物性や膜の耐薬品性が得られない。そこで本実施形態では、フェノール性水酸基を有するポリマーの熱架橋を、（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する第一の熱硬化工程と、（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する第二の熱硬化工程と、の２段階で行う。これにより熱架橋の割合を高くすることができる。 If the thermal curing temperature is below 200°C, the proportion of thermal crosslinking reaction in the film will be low even if the thermal curing time is long, and the desired film properties and chemical resistance of the film will not be obtained. Therefore, in this embodiment, the thermal crosslinking of the polymer having a phenolic hydroxyl group is performed in two steps: (4) a first thermal curing step in which the relief pattern is heat-treated at a temperature range of 150°C to 200°C for 0 to 240 minutes to form a semi-cured relief pattern, and (5) a second thermal curing step in which the semi-cured relief pattern is heat-treated at a temperature range of 200°C to 260°C, higher than the temperature in the first thermal curing step, for 10 minutes or less to form a cured relief pattern. This makes it possible to increase the proportion of thermal crosslinking.
また、熱硬化時に半導体装置に掛かる熱により、半導体チップや封止樹脂が、熱ダメージを受けて損傷することがある。層間絶縁膜６が２層以上の場合は、層間絶縁膜層の熱硬化が複数回行われるので、熱ダメージが顕著に増加する。本発明では、第二の熱硬化工程の時間が短いことで、熱硬化時の熱ダメージを少なくすることができる。 In addition, the heat applied to the semiconductor device during thermal curing can cause thermal damage to the semiconductor chip and sealing resin. When the interlayer insulating film 6 has two or more layers, the interlayer insulating film layers are thermally cured multiple times, which significantly increases the thermal damage. In the present invention, the time for the second thermal curing step is short, which reduces the thermal damage during thermal curing.
（４）レリーフパターンを１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理することによって半硬化レリーフパターンを形成する工程（第一の熱硬化工程）
第一の熱硬化工程の加熱温度は１５０℃～２００℃が望ましく、１５０℃～１８０℃がより望ましく、１５０℃～１７０℃がより望ましく、１５０℃～１６０℃がより望ましく、１５０℃が最も望ましい。第一の熱硬化工程における加熱温度が１５０℃未満では半硬化レリーフパターンに添加剤成分や溶媒成分が残存し、多層の層間絶縁膜６を形成した際に、層間に気泡が発生し層間剥がれを起こすことがある。加熱温度が２００℃より高い場合、半硬化レリーフパターンが硬化しすぎて第二の熱硬化工程において熱架橋反応が起き難く、十分に熱架橋した硬化膜が得られないことがある。
(4) A step of forming a semi-cured relief pattern by heat-treating the relief pattern at a temperature range of 150° C. to 200° C. for 0 to 240 minutes (first heat-curing step).
The heating temperature in the first heat curing step is preferably 150° C. to 200° C., more preferably 150° C. to 180° C., more preferably 150° C. to 170° C., more preferably 150° C. to 160° C., and most preferably 150° C. If the heating temperature in the first heat curing step is less than 150° C., additive components and solvent components remain in the semi-cured relief pattern, and when a multi-layer interlayer insulating film 6 is formed, bubbles may be generated between layers, causing interlayer peeling. If the heating temperature is higher than 200° C., the semi-cured relief pattern may be over-cured, making it difficult for a thermal crosslinking reaction to occur in the second heat curing step, and a sufficiently thermally crosslinked cured film may not be obtained.
第一の熱硬化工程の加熱時間は０～２４０分が望ましい。加熱時間が２４０分より長い場合、半硬化レリーフパターンが硬化しすぎて第二の熱硬化工程において熱架橋反応が起き難く、十分に熱架橋した硬化膜が得られことがあり、また熱ダメージにより半導体チップ又は封止樹脂が損傷することがある。 The heating time for the first heat curing step is preferably 0 to 240 minutes. If the heating time is longer than 240 minutes, the semi-cured relief pattern may be over-cured, making it difficult for the thermal crosslinking reaction to occur in the second heat curing step, resulting in a sufficiently thermally crosslinked cured film, and the semiconductor chip or encapsulating resin may be damaged by heat.
（５）半硬化レリーフパターンを２００℃～２６０℃の温度範囲で且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理することによって硬化レリーフパターンを形成する工程（第二の熱硬化工程）
第二の熱硬化工程における加熱温度は２００℃～２６０℃が望ましい。２００℃未満では、膜中の熱架橋反応の割合が低く十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。加熱温度が２６０℃より高い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。第二の熱硬化工程における最大温度は２６０℃以下であることが望ましく、２４０℃以下であることがより望ましい。
(5) A step of forming a cured relief pattern by heat-treating the semi-cured relief pattern for 10 minutes or less at a temperature in the range of 200° C. to 260° C. and at a temperature higher than that in the first heat-curing step (second heat-curing step).
The heating temperature in the second heat curing step is preferably 200°C to 260°C. If the heating temperature is less than 200°C, the rate of thermal crosslinking reaction in the film is low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained. If the heating temperature is higher than 260°C, the semiconductor chip and the sealing resin may be damaged by heat. The maximum temperature in the second heat curing step is preferably 260°C or less, and more preferably 240°C or less.
第二の熱硬化工程において、最大温度における加熱時間は１０分以下が望ましく、５分以下がより望ましく、最も望ましくは１分以下である。加熱時間が１０分より長い場合、熱ダメージにより半導体チップや封止樹脂が損傷することがある。加熱時間が３０秒より短い場合、膜中の熱架橋反応の割合が低く十分な膜物性や耐薬品性を得られないことがある。 In the second heat curing step, the heating time at the maximum temperature is preferably 10 minutes or less, more preferably 5 minutes or less, and most preferably 1 minute or less. If the heating time is longer than 10 minutes, the semiconductor chip or sealing resin may be damaged by heat. If the heating time is shorter than 30 seconds, the proportion of thermal crosslinking reaction in the film may be low, and sufficient film properties and chemical resistance may not be obtained.
（半導体装置の製造方法）
本実施形態における半導体装置の製造方法について図３を用いて説明する。図３Ａでは、前工程済みウェハ１０を用意する。そして、図３Ｂにて、前工程済みウェハ１０をダイシングして複数の半導体チップ２を形成する。半導体チップ２は購入品であってもよい。このようにして準備された半導体チップ２を、図３Ｃに示すように、支持体１１上に所定間隔にて貼り付ける。
(Method of manufacturing a semiconductor device)
The manufacturing method of the semiconductor device in this embodiment will be described with reference to Fig. 3. In Fig. 3A, a
続いて、半導体チップ２上から支持体１１上にかけてモールド樹脂１２を塗布し、図３Ｄに示すようにモールド封止する。続いて、支持体１１を剥離し、モールド樹脂１２を反転させる（図３Ｅ参照）。図３Ｅに示すように、半導体チップ２とモールド樹脂１２とは、略同一平面で現れる。続いて、図３Ｆに示す工程では、感光性樹脂組成物１３を、半導体チップ２上及びモールド樹脂１２上に塗布する。そして、塗布された感光性樹脂組成物１３を露光現像して、レリーフパターンを形成する（レリーフパターン形成工程）。なお、感光性樹脂組成物１３は、ポジ型でもネガ型でもどちらでもよい。更に、レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する（層間絶縁膜形成工程）。更に、硬化レリーフパターンを形成しない箇所に配線を形成する（配線形成工程）。
Next, the
なお、本実施形態では、上記のレリーフパターン形成工程と層間絶縁膜形成工程と配線形成工程を合わせて、半導体チップ２に接続する再配線層を形成する再配線層形成工程とする。
In this embodiment, the above-mentioned relief pattern forming process, interlayer insulating film forming process, and wiring forming process are combined into a rewiring layer forming process that forms a rewiring layer that is connected to the
再配線層中の層間絶縁膜は多層であってもよい。従って、再配線層形成工程は複数回のレリーフパターン形成工程と複数回の層間絶縁膜形成工程と複数回の配線形成工程を含んでいてもよい。 The interlayer insulating film in the redistribution layer may be multi-layered. Therefore, the redistribution layer formation process may include multiple relief pattern formation processes, multiple interlayer insulating film formation processes, and multiple wiring formation processes.
そして、図３Ｇでは、各半導体チップ２に対応する複数の外部接続端子７を形成し（バンプ形成）、各半導体チップ２間をダイシングする。これにより、図３Ｈに示すように、半導体装置（半導体ＩＣ）１を得ることができる。本実施形態では、図３に示す製造方法により、ファンナウト型の半導体装置１を複数得ることができる。
In FIG. 3G, multiple external connection terminals 7 corresponding to each
本実施形態では、上記した層間絶縁膜形成工程では、層間絶縁膜を、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、フェノール性水酸基を有するポリマーの少なくとも１つの化合物を形成可能な感光性樹脂組成物で形成することが好ましい。 In this embodiment, in the interlayer insulating film forming process described above, it is preferable to form the interlayer insulating film from a photosensitive resin composition capable of forming at least one compound selected from the group consisting of polyimide, polybenzoxazole, and polymers having phenolic hydroxyl groups.
本実施の形態に係る第五の態様について説明する。
＜感光性樹脂組成物＞
本実施形態に係る感光性樹脂組成物は、
（Ａ）ポリイミド前駆体；１００質量部、
（Ｂ）下記一般式（Ｖ－１）及び（Ｖ－３）～（Ｖ－６）の少なくとも１つで表される化合物；０．１～５０質量部、
（Ｃ）感光剤；０．１～５０質量部
を含む。感光性樹脂組成物は、好ましくはネガ型又はポジ型として使用され、より好ましくはネガ型として使用される。以下、ネガ型感光性樹脂組成物のそれぞれの含有成分について説明する。
A fifth aspect of the present embodiment will be described.
<Photosensitive resin composition>
The photosensitive resin composition according to this embodiment is
(A) polyimide precursor: 100 parts by mass,
(B) a compound represented by at least one of the following general formulas (V-1) and (V-3) to (V-6); 0.1 to 50 parts by mass,
(C) Photosensitizer: 0.1 to 50 parts by mass. The photosensitive resin composition is preferably used as a negative or positive type, more preferably as a negative type. Each of the components contained in the negative type photosensitive resin composition will be described below.
本実施形態における（Ａ）ポリイミド前駆体は、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる樹脂成分であり、加熱環化処理を施すことによってポリイミドに変換される。
ポリイミド前駆体は下記一般式（Ｖ－９）で表される構造を有するポリアミドであることが好ましい。
The polyimide precursor is preferably a polyamide having a structure represented by the following general formula (V-9).
一般式（Ｖ－９）におけるｎ１は、２～１５０の整数であれば限定されないが、ネガ型感光性樹脂組成物の感光特性及び機械特性の観点から、３～１００の整数が好ましく、５～７０の整数がより好ましい。
一般式（Ｖ－９）中、４価の有機基Ｘ１は、耐熱性と感光特性とを両立するという点で、好ましくは炭素数６～４０の有機基であり、より好ましくは、－ＣＯＯＲ１基及び－ＣＯＯＲ２基と－ＣＯＮＨ－基とが互いにオルト位置にある芳香族基、又は脂環式脂肪族基である。４価の有機基Ｘ１として、具体的には、芳香族環を含有する炭素原子数６～４０の有機基、例えば、下記一般式（Ｖ－２０）：
で表される構造を有する基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Ｘ１基の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（Ｖ－２０）で表される構造を有するＸ１基は、耐熱性と感光特性とを両立するという観点で特に好ましい。
その中で、耐熱性と感光特性の両立という観点で、Ｘ１基が下記一般式（Ｖ－１１）～（Ｖ－１３）の少なくとも１種を含むことが好ましい。
In the general formula (V-9), the tetravalent organic group X1 is preferably an organic group having 6 to 40 carbon atoms, from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and more preferably an aromatic group in which the -COOR1 group, the -COOR2 group, and the -CONH- group are in the ortho position relative to each other, or an alicyclic aliphatic group. Specific examples of the tetravalent organic group X1 include organic groups having 6 to 40 carbon atoms containing an aromatic ring, such as those represented by the following general formula (V-20):
Examples of the structure represented by the formula (V-20) include, but are not limited to, a group having a structure represented by the formula (V-30). The structure of the X1 group may be one type or a combination of two or more types. The X1 group having a structure represented by the formula (V-20) is particularly preferred from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties.
Among these, from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties, it is preferable that the X1 group contains at least one of the following general formulae (V-11) to (V-13).
上記一般式（Ｖ－９）中、２価の有機基Ｙ１は、耐熱性と感光特性とを両立するという観点で、好ましくは炭素数６～４０の芳香族基であり、例えば、下記式（Ｖ－２１）：
で表される構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、Ｙ１の構造は１種でも２種以上の組み合わせでもよい。上記式（Ｖ－２１）で表される構造を有するＹ１基は、耐熱性及び感光特性を両立するという観点で好ましい。
In the above general formula (V-9), the divalent organic group Y1 is preferably an aromatic group having 6 to 40 carbon atoms from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties, and is, for example, a group represented by the following formula (V-21):
Examples of the structure represented by the formula (V-21) include, but are not limited to, the structure represented by the formula (V-22). The structure represented by the formula (V- 23 ) is preferable from the viewpoint of achieving both heat resistance and photosensitive properties.
Ｙ１基としては、上記式（Ｖ－２１）で表される構造のなかでも、下式：
上記一般式（Ｖ－１０）中のＲ７は、水素原子又はメチル基であることが好ましく、Ｒ８及びＲ９は、感光特性の観点から水素原子であることが好ましい。また、ｍ４は、感光特性の観点から２以上１０以下の整数、好ましくは２以上４以下の整数である。 In the general formula (V-10), R7 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and R8 and R9 are preferably hydrogen atoms from the viewpoint of photosensitive properties. Also, m4 is an integer of 2 to 10, preferably an integer of 2 to 4, from the viewpoint of photosensitive properties.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（Ｖ－１６）：
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。
一般式（Ｖ－１６）において、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方は、上記一般式（Ｖ－１８）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（Ｖ－１６）で表されるポリイミド前駆体を含むことで、特に解像性の効果が高くなる。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (V-16):
It is preferable that the polyimide precursor has a structural unit represented by the following formula:
In general formula (V-16), at least one of R5 and R6 is more preferably a monovalent organic group represented by general formula (V-18) above. When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by general formula (V-16), the effect of particularly improving the resolution is enhanced.
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（Ｖ－１７）：
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。
一般式（Ｖ－１７）において、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方は、上記一般式（Ｖ－１８）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（Ｖ－１６）で表されるポリイミド前駆体に加えて、一般式（Ｖ－１７）で表されるポリイミド前駆体を含む、又は、（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（Ｖ－１６）で表されるポリイミド前駆体と一般式（Ｖ－１７）で表されるポリイミド前駆体の共重合体を含むことにより、特に解像性の効果がさらに高くなる。一般式（Ｖ－１６）で表されるポリイミド前駆体と一般式（Ｖ－１７）で表されるポリイミド前駆体の共重合体は、一般式（Ｖ－１６）で表されるポリイミド前駆体と一般式（Ｖ－１７）で表されるポリイミド前駆体の混合物と同様の性質を示す。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (V-17):
It is preferable that the polyimide precursor has a structural unit represented by the following formula:
In the general formula (V-17), at least one of R 5 and R 6 is more preferably a monovalent organic group represented by the general formula (V-18). When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by the general formula (V-17) in addition to the polyimide precursor represented by the general formula (V-16), or when the polyimide precursor (A) contains a copolymer of the polyimide precursor represented by the general formula (V-16) and the polyimide precursor represented by the general formula (V-17), the effect of resolution is further enhanced. The copolymer of the polyimide precursor represented by the general formula (V-16) and the polyimide precursor represented by the general formula (V-17) shows the same properties as the mixture of the polyimide precursor represented by the general formula (V-16) and the polyimide precursor represented by the general formula (V-17).
一実施形態において、（Ａ）ポリイミド前駆体は、下記一般式（Ｖ－１９）：
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体であることが好ましい。
一般式（Ｖ－１９）において、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方は、上記一般式（Ｖ－１８）で表される１価の有機基であることがより好ましい。（Ａ）ポリイミド前駆体が、一般式（Ｖ－１６）または一般式（Ｖ－１７）で表されるポリイミド前駆体に加えて、一般式（Ｖ－１９）で表されるポリイミド前駆体を含むことにより、特に解像性の効果がさらに高くなる。
In one embodiment, the polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (V-19):
It is preferable that the polyimide precursor has a structural unit represented by the following formula:
In general formula (V-19), at least one of R 1 and R 2 is more preferably a monovalent organic group represented by general formula (V-18) above. When the polyimide precursor (A) contains a polyimide precursor represented by general formula (V-19) in addition to the polyimide precursor represented by general formula (V-16) or general formula (V-17), the effect of particularly improving the resolution is further improved.
（Ａ）ポリイミド前駆体の調製方法
（Ａ）ポリイミド前駆体は、まず前述の４価の有機基Ｘ１を含むテトラカルボン酸二無水物と、光重合性の不飽和二重結合を有するアルコ－ル類及び任意に不飽和二重結合を有さないアルコ－ル類とを反応させて、部分的にエステル化したテトラカルボン酸（以下、アシッド／エステル体ともいう）を調製した後、これと、前述の２価の有機基Ｙ１を含むジアミン類とをアミド重縮合させることにより得られる。
(A) Method for Preparing Polyimide Precursor (A) The polyimide precursor can be obtained by first reacting a tetracarboxylic acid dianhydride containing the above-mentioned tetravalent organic group X1 with an alcohol having a photopolymerizable unsaturated double bond and, optionally, an alcohol having no unsaturated double bond to prepare a partially esterified tetracarboxylic acid (hereinafter, also referred to as an acid/ester body), and then subjecting this to amide polycondensation with a diamine containing the above-mentioned divalent organic group Y1.
（アシッド／エステル体の調製）
本実施形態で、（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、４価の有機基Ｘ１を含むテトラカルボン酸二無水物としては、上記一般式（Ｖ－２０）に示されるテトラカルボン酸二無水物をはじめ、例えば、無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルスルホン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ジフェニルメタン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）プロパン、２，２－ビス（３，４－無水フタル酸）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン等を、好ましくは無水ピロメリット酸、ジフェニルエーテル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノン－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、これらは単独で用いることができるのは勿論のこと２種以上を混合して用いてもよい。
(Preparation of Acid/Ester Forms)
In the present embodiment, examples of the tetracarboxylic dianhydride containing a tetravalent organic group X1 that is suitably used for preparing the polyimide precursor (A) include the tetracarboxylic dianhydride represented by the above general formula (V-20), as well as, for example, pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, and diphenylsulfone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride. , diphenylmethane-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)propane, 2,2-bis(3,4-phthalic anhydride)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, etc., preferably pyromellitic anhydride, diphenylether-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, benzophenone-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride, but are not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.
本実施形態で、（Ａ）ポリイミド前駆体を調製するために好適に用いられる、光重合性の不飽和二重結合を有するアルコ－ル類としては、例えば、２－アクリロイルオキシエチルアルコ－ル、１－アクリロイルオキシ－３－プロピルアルコ－ル、２－アクリルアミドエチルアルコ－ル、メチロ－ルビニルケトン、２－ヒドロキシエチルビニルケトン、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルアクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルアクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルアクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルアクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルアクリレ－ト、２－メタクリロイルオキシエチルアルコ－ル、１－メタクリロイルオキシ－３－プロピルアルコ－ル、２－メタクリルアミドエチルアルコ－ル、メチロ－ルビニルケトン、２－ヒドロキシエチルビニルケトン、２－ヒドロキシ－３－メトキシプロピルメタクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピルメタクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ブトキシプロピルメタクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－ｔ－ブトキシプロピルメタクリレ－ト、２－ヒドロキシ－３－シクロヘキシルオキシプロピルメタクリレ－ト等を挙げることができる。 In this embodiment, examples of alcohols having a photopolymerizable unsaturated double bond that are preferably used to prepare the polyimide precursor (A) include 2-acryloyloxyethyl alcohol, 1-acryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-acrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl acrylate, 2-hydroxy- Examples of such acrylates include 3-cyclohexyloxypropyl acrylate, 2-methacryloyloxyethyl alcohol, 1-methacryloyloxy-3-propyl alcohol, 2-methacrylamidoethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl methacrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl methacrylate, and 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl methacrylate.
上記光重合性の不飽和二重結合を有するアルコ－ル類に、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、３－ペンタノール、ネオペンチルアルコール、１－ヘプタノール、２－ヘプタノール、３－ヘプタノール、１－オクタノール、２－オクタノール、３－オクタノール、１－ノナノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコールモノエチルエーテル、ベンジルアルコールなどの不飽和二重結合を有さないアルコール類を一部混合して用いることもできる。 The above-mentioned photopolymerizable alcohols having an unsaturated double bond may be mixed with alcohols not having an unsaturated double bond, such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, tert-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, neopentyl alcohol, 1-heptanol, 2-heptanol, 3-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 1-nonanol, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, tetraethylene glycol monomethyl ether, tetraethylene glycol monoethyl ether, and benzyl alcohol.
また、ポリイミド前駆体として、上記不飽和二重結合を有さないアルコール類のみで調製された非感光性ポリイミド前駆体を、感光性ポリイミド前駆体と混合して用いてもよい。解像性の観点から、非感光性ポリイミド前駆体は、感光性ポリイミド前駆体１００質量部を基準として、２００質量部以下であることが好ましい。 In addition, a non-photosensitive polyimide precursor prepared only from alcohols not having the above-mentioned unsaturated double bonds may be used as the polyimide precursor by mixing it with the photosensitive polyimide precursor. From the viewpoint of resolution, it is preferable that the non-photosensitive polyimide precursor is 200 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the photosensitive polyimide precursor.
上記の好適なテトラカルボン酸二無水物と上記のアルコール類とを、ピリジン等の塩基性触媒の存在下、後述するような溶剤中、温度２０～５０℃で４～１０時間撹拌溶解、混合することにより、酸無水物のエステル化反応が進行し、所望のアシッド／エステル体を得ることができる。 By dissolving and mixing the above suitable tetracarboxylic dianhydride and the above alcohol in a solvent as described below at a temperature of 20 to 50°C for 4 to 10 hours in the presence of a basic catalyst such as pyridine, the esterification reaction of the acid anhydride proceeds and the desired acid/ester can be obtained.
（ポリイミド前駆体の調製）
上記アシッド／エステル体（典型的には後述する溶剤中の溶液）に、氷冷下、適当な脱水縮合剤、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート等を投入混合してアシッド／エステル体をポリ酸無水物とした後、これに、本実施形態で好適に用いられる２価の有機基Ｙ１を含むジアミン類を別途溶媒に溶解又は分散させたものを滴下投入し、アミド重縮合させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。代替的には、上記アシッド／エステル体を、塩化チオニル等を用いてアシッド部分を酸クロライド化した後に、ピリジン等の塩基存在下に、ジアミン化合物と反応させることにより、目的のポリイミド前駆体を得ることができる。
(Preparation of polyimide precursor)
The acid/ester (typically a solution in a solvent described below) is mixed with an appropriate dehydration condensation agent, such as dicyclohexylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, or N,N'-disuccinimidyl carbonate, under ice cooling to convert the acid/ester into a polyacid anhydride, and then a diamine containing a divalent organic group Y1 preferably used in the present embodiment, dissolved or dispersed in a separate solvent, is added dropwise to the mixture to carry out amide polycondensation, thereby obtaining a target polyimide precursor. Alternatively, the acid moiety of the acid/ester is converted into an acid chloride using thionyl chloride or the like, and then the mixture is reacted with a diamine compound in the presence of a base such as pyridine to obtain a target polyimide precursor.
本実施形態で好適に用いられる２価の有機基Ｙ１を含むジアミン類としては、上記一般式（Ｖ－２１）に示される構造を有するジアミンをはじめ、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノビフェニル、３，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，４’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジアミノベンゾフェノン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、４，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４－ビス（３－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス〔４－（３－アミノフェノキシ）フェニル〕エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２－ビス〔４－（４－アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（３－アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、オルト－トリジンスルホン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、及びこれらのベンゼン環上の水素原子の一部が、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ハロゲン等で置換されたもの、例えば３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジクロロ－４，４’－ジアミノビフェニル、及びその混合物等が挙げられるが、これに限定されるものではない。 Diamines containing a divalent organic group Y1 that are preferably used in this embodiment include diamines having the structure shown in the above general formula (V-21), as well as, for example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,4'-diaminodiphenyl Aminobiphenyl, 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, 4,4-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 4,4-bis(3-aminophenoxy)phenyl bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, 1,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(4-aminophenyl)benzene, 9,10-bis(4-aminophenyl)anthracene, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane, 1,4-bis(3-aminopropyldimethylsilyl)benzene, ortho-triphenylphosphine Examples of such compounds include, but are not limited to, dimethylsulfone, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, and compounds in which some of the hydrogen atoms on the benzene ring are replaced with methyl, ethyl, hydroxymethyl, hydroxyethyl, halogen, etc., such as 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dimethytoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dichloro-4,4'-diaminobiphenyl, and mixtures thereof.
アミド重縮合反応終了後、当該反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコ－ル、又はその混合液等の貧溶媒を、得られた重合体成分に投入し、重合体成分を析出させ、さらに、再溶解、再沈析出操作等を繰り返すことにより、重合体を精製し、真空乾燥を行い、目的のポリイミド前駆体を単離する。精製度を向上させるために、陰イオン及び／又は陽イオン交換樹脂を適当な有機溶剤で膨潤させて充填したカラムに、この重合体の溶液を通し、イオン性不純物を除去してもよい。 After the amide polycondensation reaction is completed, the water-absorbing by-product of the dehydrating condensing agent coexisting in the reaction solution is filtered off as necessary, and then a poor solvent such as water, aliphatic lower alcohol, or a mixture thereof is added to the resulting polymer component to precipitate the polymer component. The polymer is purified by repeating redissolution and reprecipitation operations, and then vacuum dried to isolate the desired polyimide precursor. To improve the degree of purification, the polymer solution may be passed through a column packed with anion and/or cation exchange resin swollen with an appropriate organic solvent to remove ionic impurities.
上記（Ａ）ポリイミド前駆体の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算重量平均分子量で測定した場合に、８，０００～１５０，０００であることが好ましく、９，０００～５０，０００であることがより好ましい。重量平均分子量が８，０００以上である場合、機械物性が良好であり、１５０，０００以下である場合現像液への分散性が良好で、レリーフパターンの解像性能が良好である。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの展開溶媒としては、テトラヒドロフラン、及びＮ－メチル－２－ピロリドンが推奨される。また重量平均分子量は標準単分散ポリスチレンを用いて作成した検量線から求める。標準単分散ポリスチレンとしては、昭和電工社製 有機溶媒系標準試料 ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５から選ぶことが推奨される。 The molecular weight of the polyimide precursor (A) is preferably 8,000 to 150,000, more preferably 9,000 to 50,000, when measured by gel permeation chromatography in terms of polystyrene equivalent weight average molecular weight. When the weight average molecular weight is 8,000 or more, the mechanical properties are good, and when it is 150,000 or less, the dispersibility in the developer is good, and the resolution performance of the relief pattern is good. Tetrahydrofuran and N-methyl-2-pyrrolidone are recommended as the developing solvent for gel permeation chromatography. The weight average molecular weight is determined from a calibration curve prepared using standard monodisperse polystyrene. It is recommended to select the standard monodisperse polystyrene from among the organic solvent-based standard samples STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko KK.
（Ｂ）芳香族化合物
本実施形態における（Ｂ）芳香族化合物は、芳香族炭化水素化合物又は複素芳香族化合物であることができ、具体的には下記一般式（Ｖ－１）及び（Ｖ－３）～（Ｖ－６）から選択される少なくとも１種である。
で表される構造であり、ｍ１は１～２の整数であり、ｍ２は０～３の整数であり、ｍ３は０～２の整数であり、Ａが炭素原子である場合、ｍ３は１または２であり、１≦ｍ１＋ｍ２＋ｍ３≦６である。｝
wherein m1 is an integer of 1 to 2, m2 is an integer of 0 to 3, and m3 is an integer of 0 to 2; when A is a carbon atom, m3 is 1 or 2, and 1≦ m1 + m2 + m3 ≦ 6.
本実施の形態に係る（Ｂ）芳香族化合物は、イミド化率やＣｕボイドの観点から、上記一般式（Ｖ－１）で表される構造であることが好ましく、下記一般式（Ｖ－７）及び（Ｖ－８）から成る群から選択される少なくとも１種であることがより好ましい。
本実施の形態に係る電子吸引性基は、電子を吸引する官能基であれば限定されない。この中で、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、シアノ基、スルホニル基、炭素数１～８のハロゲン化アルキル基、およびカルボニル基を含む炭素数１～４の一価の有機基が好ましく、アミド基、カルボキシル基、フタルイミド基、ホルミル基、および炭素数１～３のエステル基がより好ましい。 The electron-withdrawing group according to the present embodiment is not limited as long as it is a functional group that withdraws electrons. Among these, a nitro group, a fluoro group, a chloro group, a bromo group, a cyano group, a sulfonyl group, a halogenated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a monovalent organic group having 1 to 4 carbon atoms including a carbonyl group are preferred, and an amide group, a carboxyl group, a phthalimide group, a formyl group, and an ester group having 1 to 3 carbon atoms are more preferred.
上記一般式（Ｖ－１）で表される芳香族化合物としては、下記一般式（Ｖ－２２）：
芳香族化合物として、より具体的には、４－アミノベンズアミド、２－アミノベンズアミド、ニコチンアミド、４－アミノ－Ｎ－メチルベンズアミド、４－アミノアセトアニリド、４－アミノアセトフェノン、ｐ－ジメチルアミノアセトフェノン、４，４‘－ジアミノベンズアニリド、４－アミノフタルイミド、４－アミノベンズニトリル、４－ニトロ－１－ナフチルアミン、４－ニトロアニリンなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。 Specific examples of aromatic compounds include, but are not limited to, 4-aminobenzamide, 2-aminobenzamide, nicotinamide, 4-amino-N-methylbenzamide, 4-aminoacetanilide, 4-aminoacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, 4,4'-diaminobenzanilide, 4-aminophthalimide, 4-aminobenznitrile, 4-nitro-1-naphthylamine, and 4-nitroaniline.
一般式（Ｖ－３）で表される化合物として、下記が挙げられる。
３，６－ジクロロピリダジン、３，５－ジクロロピリダジン、３，６－ジブロモピリダジン、３，５－ジブロモピリダジン、３，４，６－トリクロロピリダジン、１，４－ジクロロフタラジン、３－クロロ－６－メチルピリダジン、３，６－ジクロロ－４－メチルピリダジン、ピリダジン－４－カルボン酸、３－クロロ－６－メトキシピリダジン、６－ヒドロキシピリダジン－３－カルボン酸、３－クロロ－６－フェニルピリダジン、スルファメトキシピリダジン、６－フェニル－３（Ｈ）－ピリダジノン、４，５－ジブロモ－３（２Ｈ）－ピリダジノン
Examples of the compound represented by formula (V-3) include the following.
3,6-dichloropyridazine, 3,5-dichloropyridazine, 3,6-dibromopyridazine, 3,5-dibromopyridazine, 3,4,6-trichloropyridazine, 1,4-dichlorophthalazine, 3-chloro-6-methylpyridazine, 3,6-dichloro-4-methylpyridazine, pyridazine-4-carboxylic acid, 3-chloro-6-methoxypyridazine, 6-hydroxypyridazine-3-carboxylic acid, 3-chloro-6-phenylpyridazine, sulfamethoxypyridazine, 6-phenyl-3(H)-pyridazinone, 4,5-dibromo-3(2H)-pyridazinone
一般式（Ｖ－４）で表される化合物として、下記が挙げられる。
５－ブロモピリミジン、２－ブロモピリミジン、５－クロロピリミジン、２－クロロピリミジン、５－フルオロピリミジン、２－フルオロピリミジン、２－シアノピリミジン、５－シアノピリミジン、４,６－ジクロロピリミジン、５－ブロモ－２－フルオロピリミジン、４，６－ジブロモピリミジン、５－ブロモ－２－クロロピリミジン、２,５－ジクロロピリミジン、２，５－ジブロモピリミジン、５－ブロモ－２－ヨ－ドピリミジン、５－ブロモ－２－メチルピリミジン、２－クロロ５－ヨ－ドピリミジン、２,４－ジクロロピリミジン、２－クロロ－４－メチルピリミジン、２－クロロ－５－フルオロピリミジン、２－クロロ－５－メチルピリミジン、２，４，６－トリクロロピリミジン、２，４，６－トリブチルピリミジン、４－クロロ－２－メチルピリミジン、ピリミジン－２－スルフォニルフルオライド、４,5,６－トリクロロピリミジン、５－ブロモ－２－tert－ブチルピリミジン、４－クロロ－２－（メチルチオ）ピリミジン、ピリミジン－５－カルボン酸、５－ブロモ－ヒロドキシピリミジン、２－アミノ－５－ブロモピリミジン、５－ブロモー２－メトキシピリミジン、５－クロロー２，４，６－トリフルオロピリミジン、ピリミジン－２－カルボン酸、メチルピリミジンー２－カルボキシレート、５－ニトロピリミジン、メチルー５－ブロモピリジンー２－カルボキシレート、ピリミジン－４－カルボン酸、２－アミノー５－ピリミジン、４－アミノピリミジン－５－カルボキシリト、２－アミノ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、５－ブロモ－２，４－ジメトキシピリミジン、２－ヒドロキシ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、６－トリフルオロメチルー４－ピリミジノール、エチルピリミジン－４－カルボキシレート、４，６－ジヒドロキシ－５－ニトロピリミジン、４，６－ジメトキシ－２－（メチルスルホニル）ピリミジン、６－ヒドロキシ－４－ピリミジンカルボン酸、４－ヒドロキシ－２－メチル－６－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４－アミノ－５－フルオロ－２－メトキシピリミジン、２－ヒドラジノ－４－（トリフルオロメチル）ピリミジン、４－ヒドロキシ－６－（トリフルオロメチル）－４－ピリジミノール、４－フェニルピリミジン、５－ブロモ－２－（メチルチオ）ピリミジン－４－カルボン酸、４－アミノ－２，６－ジヒドロキシ－５－ニトロソピリミジン、エチル２－アミノ－４－ヒドロキシピリミジン－５－カルボン酸、２－ブロモ－４，６－ジフェニルピリミジン、２－アミノ－４，６－ジフェニルピリミジン
Examples of the compound represented by formula (V-4) include the following.
5-bromopyrimidine, 2-bromopyrimidine, 5-chloropyrimidine, 2-chloropyrimidine, 5-fluoropyrimidine, 2-fluoropyrimidine, 2-cyanopyrimidine, 5-cyanopyrimidine, 4,6-dichloropyrimidine, 5-bromo-2-fluoropyrimidine, 4,6-dibromopyrimidine, 5-bromo-2-chloropyrimidine, 2,5-dichloropyrimidine, 2,5-dibromopyrimidine, 5-bromo-2-iodopyrimidine, 5-bromo-2-methylpyrimidine, 2-chloro-5-iodopyrimidine, 2,4-dichloropyrimidine, 2-chloro-4-methylpyrimidine, 2-chloro-5- Fluoropyrimidine, 2-chloro-5-methylpyrimidine, 2,4,6-trichloropyrimidine, 2,4,6-tributylpyrimidine, 4-chloro-2-methylpyrimidine, pyrimidine-2-sulfonyl fluoride, 4,5,6-trichloropyrimidine, 5-bromo-2-tert-butylpyrimidine, 4-chloro-2-(methylthio)pyrimidine, pyrimidine-5-carboxylic acid, 5-bromo-hydroxypyrimidine, 2-amino-5-bromopyrimidine, 5-bromo-2-methoxypyrimidine, 5-chloro-2,4,6-trifluoropyrimidine, pyrimidine-2-carboxylic acid, methylpyrimidine -2-carboxylate, 5-nitropyrimidine, methyl-5-bromopyridine-2-carboxylate, pyrimidine-4-carboxylic acid, 2-amino-5-pyrimidine, 4-aminopyrimidine-5-carboxylate, 2-amino-4-(trifluoromethyl)pyrimidine, 5-bromo-2,4-dimethoxypyrimidine, 2-hydroxy-4-(trifluoromethyl)pyrimidine, 6-trifluoromethyl-4-pyrimidinol, ethyl pyrimidine-4-carboxylate, 4,6-dihydroxy-5-nitropyrimidine, 4,6-dimethoxy-2-(methylsulfonyl)pyrimidine, 6-hydroxy- 4-Pyrimidinecarboxylic acid, 4-hydroxy-2-methyl-6-(trifluoromethyl)pyrimidine, 4-amino-5-fluoro-2-methoxypyrimidine, 2-hydrazino-4-(trifluoromethyl)pyrimidine, 4-hydroxy-6-(trifluoromethyl)-4-pyriminol, 4-phenylpyrimidine, 5-bromo-2-(methylthio)pyrimidine-4-carboxylic acid, 4-amino-2,6-dihydroxy-5-nitrosopyrimidine, ethyl 2-amino-4-hydroxypyrimidine-5-carboxylate, 2-bromo-4,6-diphenylpyrimidine, 2-amino-4,6-diphenylpyrimidine
一般式（Ｖ－５）で表される化合物として、下記が挙げられる。
２－ブロモピラジン、２－クロロピラジン、３－クロロピラジン－２－カルボキシアミド、５－クロロピラジン－２－カルボン酸、シアノピラジン、２，５－ジブロモピラジンなどが挙げられる。
Examples of the compound represented by general formula (V-5) include the following.
Examples of the pyrazine derivative include 2-bromopyrazine, 2-chloropyrazine, 3-chloropyrazine-2-carboxamide, 5-chloropyrazine-2-carboxylic acid, cyanopyrazine, and 2,5-dibromopyrazine.
一般式（Ｖ－６）で表される化合物として、下記が挙げられる。
４－ブロモ－１Ｈ－イミダゾール、２－ブロモ－４－ニトロイミダゾール、２－クロロ－１Ｈ－イミダゾール、５－クロロ－１－メチル－４－ニトロイミダゾール、４，５－ジシアノイミダゾールなどが挙げられる。
Examples of the compound represented by formula (V-6) include the following.
Examples of the imidazole include 4-bromo-1H-imidazole, 2-bromo-4-nitroimidazole, 2-chloro-1H-imidazole, 5-chloro-1-methyl-4-nitroimidazole, and 4,5-dicyanoimidazole.
また、前記一般式（Ｖ－１）、（Ｖ－３）、または（Ｖ－４）で表される化合物におけるＲ１がカルボニル基を含む炭素数１～４の一価の有機基である場合、特にイミド化率向上、モ－ルド樹脂上解像度、又は耐薬品性が優れる。中でも、イミド化率と耐薬品性の観点から、４－アミノベンズアミド、２－アミノベンズアミド、またはニコチンアミドが特に好ましい。 Furthermore, when R 1 in the compound represented by the general formula (V-1), (V-3), or (V-4) is a monovalent organic group containing a carbonyl group and having 1 to 4 carbon atoms, the compound is particularly excellent in terms of improving the imidization rate, resolution on molded resin, or chemical resistance. Among these, 4-aminobenzamide, 2-aminobenzamide, or nicotinamide are particularly preferred from the viewpoints of the imidization rate and chemical resistance.
本実施形態のネガ型感光剤樹脂組成物は、上記芳香族化合物を含有することで、保存安定性を維持しつつイミド化率及びモ－ルド樹脂上の解像度が向上し、Ｃｕボイド抑制効果が得られ、さらに耐薬品性が向上する。理論に拘束されないが、イミド化率が向上する理由としては、電子吸引性基と塩基が同一分子内にある分子では、静電相互作用でポリイミド前駆体の分子近傍に集まり易く、イミド化反応の触媒能が高いためであると考えられる。また、良好な解像度が得られる理由としては、適切に分極した芳香族化合物がポリイミド間の相互作用を促進することで、パタ－ンの膨潤を抑制しているためであると考えられる。耐薬品性の向上についても同様である。Ｃｕボイドが抑制された理由については、Ｃｕイオンとイオン対を形成しうる酸性官能基が芳香族化合物中の塩基性官能基とイオン対を形成し、Ｃｕイオンの拡散を抑制しているためであると考えられる。（Ｂ）芳香族化合物の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１～５０質量部であり、好ましくは０．１質量部以上４５質量部であり、より好ましくは１質量部以上４０質量部以下である。 The negative photosensitive resin composition of the present embodiment contains the aromatic compound, which improves the imidization rate and the resolution on the mold resin while maintaining storage stability, provides a Cu void suppression effect, and further improves chemical resistance. Without being bound by theory, it is believed that the reason for the improvement in the imidization rate is that molecules in which an electron-withdrawing group and a base are present in the same molecule tend to gather near the polyimide precursor molecule due to electrostatic interaction, and have high catalytic ability for the imidization reaction. In addition, it is believed that the reason for the good resolution is that the appropriately polarized aromatic compound promotes the interaction between polyimides, thereby suppressing swelling of the pattern. The same is true for the improvement in chemical resistance. It is believed that the reason for the suppression of Cu voids is that an acidic functional group capable of forming an ion pair with Cu ions forms an ion pair with a basic functional group in the aromatic compound, suppressing the diffusion of Cu ions. The amount of the aromatic compound (B) is 0.1 to 50 parts by mass, preferably 0.1 to 45 parts by mass, and more preferably 1 to 40 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
上記式（Ｖ－１）中、Ｒ１は電子吸引性基であることが好ましい。Ｒ１が電子吸引性基である芳香族化合物を添加したネガ型感光性樹脂組成物は、さらに高いイミド化率と良好な耐薬品性を示す。電子吸引性基とは芳香環の電子密度を低下させる官能基を意味し、アミド基、アセチル基、ニトロ基、フタルイミド基、シアノ基、ニトロ基、フルオロ基、カルボキシル基、アルキン基、フェニル基、ヒドロキシ基、及びエステル基が好ましい。 In the above formula (V-1), R 1 is preferably an electron-withdrawing group. A negative photosensitive resin composition containing an aromatic compound in which R 1 is an electron-withdrawing group exhibits a higher imidization rate and better chemical resistance. The electron-withdrawing group means a functional group that reduces the electron density of an aromatic ring, and is preferably an amide group, an acetyl group, a nitro group, a phthalimido group, a cyano group, a nitro group, a fluoro group, a carboxyl group, an alkyne group, a phenyl group, a hydroxyl group, or an ester group.
（Ｃ）感光剤
本実施形態に用いられる（Ｃ）感光剤について説明する。感光剤としては、光ラジカル重合開始剤であることが好ましく、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－ベンゾイル－４’－メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン等のベンゾフェノン誘導体、２，２’－ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン誘導体、チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタ－ル、ベンジル－β－メトキシエチルアセタ－ル等のベンジル誘導体、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾイン誘導体、１－フェニル－１，２－ブタンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１－フェニル－３－エトキシプロパントリオン－２－（ｏ－ベンゾイル）オキシム等のオキシム類、Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－アリ－ルグリシン類、ベンゾイルパ－クロライド等の過酸化物類、芳香族ビイミダゾ－ル類、チタノセン類、α－（ｎ－オクタンスルフォニルオキシイミノ）－４－メトキシベンジルシアニド等の光酸発生剤類等が好ましく挙げられるが、これらに限定されるものではない。上記の光重合開始剤の中では、特に光感度の点で、オキシム類がより好ましい。
(C) Photosensitizer The (C) photosensitizer used in this embodiment will be described. The photosensitizer is preferably a photoradical polymerization initiator, and examples of the photosensitizer include benzophenone, o-benzoyl methyl benzoate, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone and other benzophenone derivatives, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and other acetophenone derivatives, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone and other thioxanthone derivatives, benzyl derivatives, benzyl, benzyl dimethyl ketal, benzyl-β-methoxyethyl acetal and other benzyl derivatives, benzoin, benzoin methyl ether and other benzoin derivatives, 1-phenyl-1,2-butanedione-2-(o-methoxycathionyl) ether derivatives, and the like. Preferred examples of the photopolymerization initiator include, but are not limited to, oximes such as 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-methoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-benzoyl)oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, and 1-phenyl-3-ethoxypropanetrione-2-(o-benzoyl)oxime, N-arylglycines such as N-phenylglycine, peroxides such as benzoyl perchloride, aromatic biimidazoles, titanocenes, and photoacid generators such as α-(n-octanesulfonyloxyimino)-4-methoxybenzyl cyanide. Of the above photopolymerization initiators, oximes are more preferred, particularly in terms of photosensitivity.
上記の光重合開始剤の中では、下記一般式（Ｖ－２３）：
で表されるオキシムエステル化合物が保存安定性や解像性の観点から特に好ましい。
Among the above photopolymerization initiators, those represented by the following general formula (V-23):
From the viewpoints of storage stability and resolution, an oxime ester compound represented by the following formula is particularly preferred.
ここでＲ１～Ｒ３として好ましく用いられるのは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１～２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、アルキルアリ－ル基、アリ－ルアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基から選ばれる基や、複素原子を含む炭素数１～２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、アルキルアリ－ル基、アリ－ルアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基から選ばれる基である。 Here, R 1 to R 3 are preferably each independently a group selected from a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, an arylalkyl group, and a hydroxyalkyloxy group, or a group selected from a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms containing a heteroatom, an alkylaryl group, an arylalkyl group, and a hydroxyalkyloxy group.
保存安定性と解像性の観点から、光重合開始剤として更に好ましく用いられるものとしては下記一般式（Ｖ－２４）：
で表されるオキシムエステル化合物である。
From the viewpoints of storage stability and resolution, the photopolymerization initiator more preferably used is a compound represented by the following formula (V-24):
It is an oxime ester compound represented by the formula:
ここでＲ１５～Ｒ１８として好ましく用いられるのは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１～２０の直鎖、分枝又は環状のアルキル基、アルキルアリ－ル基、アリ－ルアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基から選ばれる基である。具体的には水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、メチルシクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ベンジル基、ヒドロキシエチルオキシ基、ヒドロキシプロピルオキシ基等を挙げることができる。 Here, R 15 to R 18 are each preferably independently a hydrogen atom or a straight-chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, an arylalkyl group, or a hydroxyalkyloxy group. Specific examples include a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a tert-pentyl group, an n-hexyl group, an isohexyl group, an n-octyl group, an isooctyl group, an n-decyl group, an isodecyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclopentyl group, a cyclopentylmethyl group, a methylcyclohexyl group, a cyclohexylmethyl group, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a benzyl group, a hydroxyethyloxy group, and a hydroxypropyloxy group.
これらの光重合開始剤として好適に用いられる具体例としては、下記式：
このようなオキシムエステル系光開始剤を用いることにより、保存安定性が高く、解像性が良好となる。
Specific examples of photopolymerization initiators that can be suitably used include those represented by the following formula:
By using such an oxime ester-based photoinitiator, high storage stability and good resolution can be achieved.
（Ｃ）感光剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．１～５０質量部であり、好ましくは０．１質量部以上２０質量部であり、より好ましくは１質量部以上８質量部以下である。上記配合量は、光感度又はパタ－ニング性の観点で０．１質量部以上であり、ネガ型感光性樹脂組成物の硬化後の感光性樹脂層の物性の観点から２０質量部以下であることが好ましい。 The amount of the photosensitizer (C) is 0.1 to 50 parts by mass, preferably 0.1 to 20 parts by mass, and more preferably 1 to 8 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). The amount is preferably 0.1 parts by mass or more from the viewpoint of photosensitivity or patterning properties, and 20 parts by mass or less from the viewpoint of the physical properties of the photosensitive resin layer after curing of the negative photosensitive resin composition.
（Ｄ）熱塩基発生剤
本実施形態の感光性樹脂組成物は、所望により、（Ｄ）熱塩基発生剤を含有してよい。塩基発生剤とは、加熱することで塩基を発生する化合物をいう。熱塩基発生剤を含有することで、感光性樹脂組成物のイミド化をさらに促進することができる。
(D) Thermal Base Generator The photosensitive resin composition of the present embodiment may contain (D) a thermal base generator, if desired. The base generator refers to a compound that generates a base when heated. By containing the thermal base generator, it is possible to further promote imidization of the photosensitive resin composition.
熱塩基発生剤としては、その種類を特に定めるものではないが、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物、国際公開第２０１７／０３８５９８号に開示された熱塩基発生剤等が挙げられる。しかしながら、これらに限定されず、その他にも公知の熱塩基発生剤を用いることができる。 The thermal base generator is not particularly limited in type, but examples thereof include amine compounds protected by a tert-butoxycarbonyl group, thermal base generators disclosed in WO 2017/038598, and the like. However, the thermal base generator is not limited to these, and other known thermal base generators can also be used.
ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護されたアミン化合物としては、例えば、エタノールアミン、３－アミノ－１－プロパノール、１－アミノ－２－プロパノール、２－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノール、２－アミノ－１－ブタノール、１－アミノ－２－ブタノール、３－アミノ－２,２－ジメチル－１－プロパノール、４－アミノ－２－メチル－１－ブタノール、バリノール、３－アミノ－１,２－プロパンジオール、２－アミノ－１,３－プロパンジオール、チラミン、ノルエフェドリン、２－アミノ－１－フェニル－１，３－プロパンジオール、２－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサノール、４－アミノシクロヘキサンエタノール、４－（２－アミノエチル）シクロヘキサノール、Ｎ－メチルエタノールアミン、３－（メチルアミノ）－１－プロパノール、３－（イソプロピルアミノ）プロパノール、Ｎ－シクロヘキシルエタノールアミン、α－［２－（メチルアミノ）エチル］ベンジルアルコール、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、３－ピロリジノール、２－ピロリジンメタノール、４－ヒドロキシピペリジン、３－ヒドロキシピペリジン、４－ヒドロキシ－４－フェニルピペリジン、４－(３－ヒドロキシフェニル)ピペリジン、４－ピペリジンメタノール、３－ピペリジンメタノール、２－ピペリジンメタノール、４－ピペリジンエタノール、２－ピペリジンエタノール、２－(４－ピペリジル)－２－プロパノール、１，４－ブタノールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，２－ビス（２－アミノエトキシ）エタン、２，２’－オキシビス（エチルアミン）、１，１４－ジアミノ－３，６，９，１２－テトラオキサテトラデカン、１－アザ－１５－クラウン ５－エーテル、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル、１，１１－ジアミノ－３，６，９－トリオキサウンデカン、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル等、並びに、アミノ酸及びその誘導体のアミノ基をｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基によって保護した化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of amine compounds protected by a tert-butoxycarbonyl group include ethanolamine, 3-amino-1-propanol, 1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, 4-amino-1-butanol, 2-amino-1-butanol, 1-amino-2-butanol, 3-amino-2,2-dimethyl-1-propanol, 4-amino-2-methyl-1-butanol, valinol, 3-amino-1,2-propanediol, 2-amino-1,3-propanediol, tyramine, norephedrine, 2-amino-1-phenyl-1,3-propanediol, 2-aminocyclohexanol, 4-aminocyclohexanol, 4-aminocyclohexaneethanol, 4-(2-aminoethyl)cyclohexanol, N-methylethanolamine, 3-(methylamino)-1-propanol, 3-(isopropyl ... isopropylamino)propanol, N-cyclohexylethanolamine, α-[2-(methylamino)ethyl]benzyl alcohol, diethanolamine, diisopropanolamine, 3-pyrrolidinol, 2-pyrrolidinemethanol, 4-hydroxypiperidine, 3-hydroxypiperidine, 4-hydroxy-4-phenylpiperidine, 4-(3-hydroxyphenyl)piperidine, 4-piperidinemethanol, 3-piperidinemethanol, 2-piperidinemethanol, 4-piperidineethanol, 2-piperidineethanol, 2-(4-piperidyl)-2-propanol, 1,4-butanol bis(3-aminopropyl)ether, 1,2-bis(2-aminoethoxy)ethane, 2,2'-oxybis(ethylamine), 1,14-diamino-3,6,9,12-tetraoxatetradecane, 1-aza-15-crown 5-ether, diethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, 1,11-diamino-3,6,9-trioxaundecane, diethylene glycol bis(3-aminopropyl) ether, and compounds in which the amino group of an amino acid or a derivative thereof is protected with a tert-butoxycarbonyl group, but are not limited to these.
（Ｄ）熱塩基発生剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは、０．１質量部以上５０質量部以下、又は０．１質量部以上３０質量部以下であり、より好ましくは０．５質量部以上１５質量部以下であり、更に好ましくは１質量部以上２０質量部以下であり、例えば０．５質量部以上２０質量部以下であってよい。上記配合量は、イミド化促進効果の観点で０．１質量部以上であり、ネガ型感光性樹脂組成物の硬化後の感光性樹脂層の物性の観点から２０質量部以下であることが好ましい。 The amount of the thermal base generator (D) is preferably 0.1 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, or 0.1 parts by mass or more and 30 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 15 parts by mass or less, and even more preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, for example, 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). The amount is preferably 0.1 parts by mass or more from the viewpoint of the imidization promotion effect, and 20 parts by mass or less from the viewpoint of the physical properties of the photosensitive resin layer after curing of the negative photosensitive resin composition.
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、上記（Ａ）～（Ｄ）成分以外の成分をさらに含有していてもよい。（Ａ）～（Ｄ）成分以外の成分としては、限定されないが、溶剤、含窒素複素環化合物、ヒンダードフェノール化合物、有機チタン化合物、接着助剤、増感剤、光重合性不飽和モノマー、熱重合禁止剤等が挙げられる。 The negative photosensitive resin composition of this embodiment may further contain components other than the above components (A) to (D). The components other than components (A) to (D) include, but are not limited to, solvents, nitrogen-containing heterocyclic compounds, hindered phenol compounds, organic titanium compounds, adhesion aids, sensitizers, photopolymerizable unsaturated monomers, thermal polymerization inhibitors, etc.
溶剤
溶剤としては、アミド類、スルホキシド類、ウレア類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類、アルコール類等が挙げられ、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、１，２－ジクロロエタン、１，４－ジクロロブタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。中でも、樹脂の溶解性、樹脂組成物の安定性、及び基板への接着性の観点から、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、及びテトラヒドロフルフリルアルコールが好ましい。
Solvent Examples of the solvent include amides, sulfoxides, ureas, ketones, esters, lactones, ethers, halogenated hydrocarbons, hydrocarbons, and alcohols. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, diethyl oxalate, ethyl lactate, methyl lactate, butyl lactate, γ-butyroacetone, ethyl acetate, butyl lactate ... Lactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, phenyl glycol, tetrahydrofurfuryl alcohol, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, morpholine, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, 1,4-dichlorobutane, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, anisole, hexane, heptane, benzene, toluene, xylene, mesitylene, etc. can be used. Among them, from the viewpoints of the solubility of the resin, the stability of the resin composition, and the adhesion to the substrate, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, benzyl alcohol, phenyl glycol, and tetrahydrofurfuryl alcohol are preferred.
このような溶剤の中で、とりわけ、生成ポリマーを完全に溶解するものが好ましく、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ガンマブチロラクトン等が挙げられる。 Among these solvents, those that completely dissolve the resulting polymer are particularly preferred, such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, and gamma-butyrolactone.
本実施形態の感光性樹脂組成物において、溶剤の使用量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、好ましくは１００～１０００質量部であり、より好ましくは１２０～７００質量部であり、さらに好ましくは１２５～５００質量部の範囲である。 In the photosensitive resin composition of this embodiment, the amount of the solvent used is preferably 100 to 1,000 parts by mass, more preferably 120 to 700 parts by mass, and even more preferably 125 to 500 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
含窒素複素環化合物
本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて銅又は銅合金から成る基板上に硬化膜を形成する場合には、銅上の変色を抑制するために、ネガ型感光性樹脂組成物は、含窒素複素環化合物を任意に含んでもよい。含窒素複素環化合物としては、アゾール化合物、及びプリン誘導体等が挙げられる。
Nitrogen-containing heterocyclic compound When the photosensitive resin composition of the present embodiment is used to form a cured film on a substrate made of copper or a copper alloy, the negative photosensitive resin composition may optionally contain a nitrogen-containing heterocyclic compound in order to suppress discoloration on the copper. Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include an azole compound and a purine derivative.
アゾール化合物としては、１Ｈ－トリアゾール、５－メチル－１Ｈ－トリアゾール、５－エチル－１Ｈ－トリアゾール、４，５－ジメチル－１Ｈ－トリアゾール、５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、４－ｔ－ブチル－５－フェニル－１Ｈ－トリアゾール、５－ヒドロキシフェニル－１Ｈ－トリアゾール、フェニルトリアゾール、ｐ－エトキシフェニルトリアゾール、５－フェニル－１－（２－ジメチルアミノエチル）トリアゾール、５－ベンジル－１Ｈ－トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、１，５－ジメチルトリアゾール、４，５－ジエチル－１Ｈ－トリアゾール、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、２－（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２－ヒドロキシ－３，５－ビス（α，α－ジメチルベンジル）フェニル］－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）－ベンゾトリアゾール、２－（３，５－ジ－ｔ－アミル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－ｔ－オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、１－メチル－１Ｈ－テトラゾール等が挙げられる。 Examples of azole compounds include 1H-triazole, 5-methyl-1H-triazole, 5-ethyl-1H-triazole, 4,5-dimethyl-1H-triazole, 5-phenyl-1H-triazole, 4-t-butyl-5-phenyl-1H-triazole, 5-hydroxyphenyl-1H-triazole, phenyltriazole, p-ethoxyphenyltriazole, 5-phenyl-1-(2-dimethylaminoethyl)triazole, 5-benzyl-1H-triazole, hydroxyphenyltriazole, 1,5-dimethyltriazole, 4,5-diethyl-1H-triazole, 1H-benzotriazole, 2-(5-methyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-[2-hydroxy-3,5-bis(α,α-dimethylbenzyl)phenyl]-benzotriazole, triazole, 2-(3,5-di-t-butyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(3-t-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl)-benzotriazole, 2-(3,5-di-t-amyl-2-hydroxyphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl)benzotriazole, hydroxyphenylbenzotriazole, tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 4-methyl-1H-benzotriazole, 4-carboxy-1H-benzotriazole, 5-carboxy-1H-benzotriazole, 1H-tetrazole, 5-methyl-1H-tetrazole, 5-phenyl-1H-tetrazole, 5-amino-1H-tetrazole, 1-methyl-1H-tetrazole, etc.
特に好ましくは、トリルトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、及び４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールが挙げられる。また、これらのアゾール化合物は、１種で用いても２種以上の混合物で用いても構わない。 Particularly preferred are tolyltriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, and 4-methyl-1H-benzotriazole. These azole compounds may be used alone or in a mixture of two or more.
プリン誘導体の具体例としては、プリン、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、テオブロミン、カフェイン、尿酸、イソグアニン、２，６－ジアミノプリン、９－メチルアデニン、２－ヒドロキシアデニン、２－メチルアデニン、１－メチルアデニン、Ｎ－メチルアデニン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアデニン、２－フルオロアデニン、９－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、グアニンオキシム、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アデニン、８－アミノアデニン、６－アミノ－８－フェニル－９Ｈ－プリン、１－エチルアデニン、６－エチルアミノプリン、１－ベンジルアデニン、Ｎ－メチルグアニン、７－（２－ヒドロキシエチル）グアニン、Ｎ－（３－クロロフェニル）グアニン、Ｎ－（３－エチルフェニル）グアニン、２－アザアデニン、５－アザアデニン、８－アザアデニン、８－アザグアニン、８－アザプリン、８－アザキサンチン、８－アザヒポキサンチン等及びその誘導体が挙げられる。 Specific examples of purine derivatives include purine, adenine, guanine, hypoxanthine, xanthine, theobromine, caffeine, uric acid, isoguanine, 2,6-diaminopurine, 9-methyladenine, 2-hydroxyadenine, 2-methyladenine, 1-methyladenine, N-methyladenine, N,N-dimethyladenine, 2-fluoroadenine, 9-(2-hydroxyethyl)adenine, guanine oxime, N-(2-hydroxyethyl)adenine, 8-amino These include noadenine, 6-amino-8-phenyl-9H-purine, 1-ethyladenine, 6-ethylaminopurine, 1-benzyladenine, N-methylguanine, 7-(2-hydroxyethyl)guanine, N-(3-chlorophenyl)guanine, N-(3-ethylphenyl)guanine, 2-azaadenine, 5-azaadenine, 8-azaadenine, 8-azaguanine, 8-azapurine, 8-azaxanthine, 8-azahypoxanthine, and derivatives thereof.
感光性樹脂組成物が上記アゾール化合物もしくはプリン誘導体を含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２０質量部であることが好ましく、光感度特性の観点から０．５～５質量部がより好ましい。アゾール化合物の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、本実施形態の感光性樹脂組成物を銅又は銅合金の上に形成した場合に、銅又は銅合金表面の変色が抑制され、一方、２０質量部以下である場合には光感度に優れる。 When the photosensitive resin composition contains the azole compound or purine derivative, the blending amount is preferably 0.1 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and more preferably 0.5 to 5 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics. When the blending amount of the azole compound relative to 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, discoloration of the copper or copper alloy surface is suppressed when the photosensitive resin composition of this embodiment is formed on copper or a copper alloy, while when the blending amount is 20 parts by mass or less, excellent photosensitivity is achieved.
ヒンダードフェノール化合物
また、銅表面上の変色を抑制するために、ネガ型感光性樹脂組成物は、ヒンダードフェノール化合物を任意に含んでもよい。ヒンダードフェノール化合物としては、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，５－ジ－ｔ－ブチル－ハイドロキノン、オクタデシル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、イソオクチル－３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、４、４’－メチレンビス（２、６－ジ－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオ－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデン－ビス（３－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、トリエチレングリコ－ル－ビス［３－（３－ｔ－ブチル－５－メチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６－ヘキサンジオール－ビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，２－チオ－ジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレンビス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－ヒドロシンナマミド）、２，２’－メチレン－ビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレン－ビス（４－エチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、ペンタエリスリチル－テトラキス［３－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、トリス－（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）－イソシアヌレイト、１，３，５－トリメチル－２，４，６－トリス（３，５－ジ－ｔ－ブチル－４－ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－イソプロピルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｓ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス［４－（１－エチルプロピル）－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
１，３，５－トリス［４－トリエチルメチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル］－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（３－ヒドロキシ－２，６－ジメチル－４－フェニルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５，６－トリメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－６－エチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５，６－ジエチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、
１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－５－エチル－３－ヒドロキシ－２－メチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。これらの中でも、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン等が特に好ましい。
Hindered Phenol Compound In order to suppress discoloration on the copper surface, the negative photosensitive resin composition may optionally contain a hindered phenol compound. Examples of the hindered phenol compound include 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,5-di-t-butyl-hydroquinone, octadecyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, isooctyl-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 4,4'-methylenebis(2,6-di-t-butylphenol), 4,4'-thio-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol), and 4,4'-butylidene-bis(3-methyl-6-t-butylphenol). ), triethylene glycol bis[3-(3-t-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,6-hexanediol bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 2,2-thio-diethylene bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], N,N'-hexamethylene bis(3,5-di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 2,2'-methylene bis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2 , 2'-methylene-bis(4-ethyl-6-t-butylphenol), pentaerythrityl-tetrakis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], tris-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-isopropylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3 H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-s-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris[4-(1-ethylpropyl)-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
1,3,5-tris[4-triethylmethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl]-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(3-hydroxy-2,6-dimethyl-4-phenylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5,6-trimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) -1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-6-ethyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-5,6-diethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione,
Examples of the hydroxyl group include, but are not limited to, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,5-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione, and 1,3,5-tris(4-t-butyl-5-ethyl-3-hydroxy-2-methylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione. Among these, 1,3,5-tris(4-t-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-(1H,3H,5H)-trione is particularly preferred.
ヒンダードフェノール化合物の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２０質量部であることが好ましく、光感度特性の観点から０．５～１０質量部であることがより好ましい。ヒンダードフェノール化合物の（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対する配合量が０．１質量部以上である場合、例えば銅又は銅合金の上に本発明の感光性樹脂組成物を形成した場合に、銅又は銅合金の変色・腐食が防止され、一方、２０質量部以下である場合には光感度に優れる。 The amount of the hindered phenol compound is preferably 0.1 to 20 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A), and more preferably 0.5 to 10 parts by mass from the viewpoint of photosensitivity characteristics. When the amount of the hindered phenol compound per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A) is 0.1 part by mass or more, for example, when the photosensitive resin composition of the present invention is formed on copper or a copper alloy, discoloration and corrosion of the copper or copper alloy is prevented, while when the amount is 20 parts by mass or less, excellent photosensitivity is achieved.
有機チタン化合物
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、有機チタン化合物を含有してもよい。有機チタン化合物を含有することにより、低温で硬化した場合であっても耐薬品性に優れる感光性樹脂層を形成できる。
Organotitanium Compound The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may contain an organotitanium compound. By containing an organotitanium compound, a photosensitive resin layer having excellent chemical resistance can be formed even when cured at a low temperature.
使用可能な有機チタン化合物としては、チタン原子に有機化学物質が共有結合又はイオン結合を介して結合しているものが挙げられる。
有機チタン化合物の具体的例を以下のＩ）～ＶＩＩ）に示す：
Ｉ）チタンキレート化合物：中でも、ネガ型感光性樹脂組成物の保存安定性及び良好なパタ－ンが得られることから、アルコキシ基を２個以上有するチタンキレートがより好ましい。具体的な例は、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキサイド、チタニウムジ（ｎ－ブトキサイド）ビス（２，４－ペンタンジオネート、チタニウムジイソプロポキサイドビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）等である。
ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ（２－エチルヘキソキサイド）、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ（ｎ－ノニロキサイド）、チタニウムテトラ（ｎ－プロポキサイド）、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス［ビス｛２，２－（アリロキシメチル）ブトキサイド｝］等である。
ＩＩＩ）チタノセン化合物：例えば、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロフェニル）チタニウム、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロ－ル－１－イル）フェニル）チタニウム等である。
ＩＶ）モノアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムトリス（ジオクチルホスフェート）イソプロポキサイド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルホネート）イソプロポキサイド等である。
Ｖ）チタニウムオキサイド化合物：例えば、チタニウムオキサイドビス（ペンタンジオネ－ト）、チタニウムオキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、フタロシアニンチタニウムオキサイド等である。
ＶＩ）チタニウムテトラアセチルアセトネート化合物：例えば、チタニウムテトラアセチルアセトネート等である。
ＶＩＩ）チタネ－トカップリング剤：例えば、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート等である。
Organotitanium compounds that can be used include those in which an organic chemical is bonded to a titanium atom via a covalent or ionic bond.
Specific examples of the organotitanium compound are shown below in I) to VII):
I) Titanium chelate compounds: Among these, titanium chelates having two or more alkoxy groups are more preferred because they provide good storage stability and a good pattern for the negative photosensitive resin composition. Specific examples include titanium bis(triethanolamine) diisopropoxide, titanium di(n-butoxide) bis(2,4-pentanedionate, titanium diisopropoxide bis(2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis(tetramethylheptanedionate), titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), etc.
II) Tetraalkoxytitanium compounds: For example, titanium tetra(n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra(2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium tetramethoxide, titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra(n-nonyloxide), titanium tetra(n-propoxide), titanium tetrastearyloxide, titanium tetrakis[bis{2,2-(allyloxymethyl)butoxide}], and the like.
III) Titanocene compounds: For example, pentamethylcyclopentadienyltitanium trimethoxide, bis(η5-2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluorophenyl)titanium, bis(η5-2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium, and the like.
IV) Monoalkoxytitanium compounds: For example, titanium tris(dioctylphosphate) isopropoxide, titanium tris(dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide, etc.
V) Titanium oxide compounds: For example, titanium oxide bis(pentanedionate), titanium oxide bis(tetramethylheptanedionate), phthalocyanine titanium oxide, and the like.
VI) Titanium tetraacetylacetonate compounds: For example, titanium tetraacetylacetonate.
VII) Titanate coupling agents: for example, isopropyl tridodecylbenzenesulfonyl titanate.
中でも、有機チタン化合物は、上記Ｉ）チタンキレート化合物、ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物、及びＩＩＩ）チタノセン化合物から成る群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが、より良好な耐薬品性を奏するという観点から好ましい。特に、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、及びビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロ－ル－１－イル）フェニル）チタニウムが好ましい。 Among them, it is preferable that the organic titanium compound is at least one compound selected from the group consisting of I) titanium chelate compounds, II) tetraalkoxytitanium compounds, and III) titanocene compounds, from the viewpoint of exhibiting better chemical resistance. In particular, titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), titanium tetra(n-butoxide), and bis(η5-2,4-cyclopentadiene-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium are preferred.
有機チタン化合物を配合する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．０５～１０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．１～２質量部である。該配合量が０．０５質量部以上である場合良好な耐熱性及び耐薬品性が発現し、一方１０質量部以下である場合保存安定性に優れる。 When an organic titanium compound is added, the amount is preferably 0.05 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 2 parts by mass, per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A). When the amount is 0.05 parts by mass or more, good heat resistance and chemical resistance are exhibited, while when the amount is 10 parts by mass or less, excellent storage stability is obtained.
接着助剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される膜と基材との接着性向上のために、ネガ型感光性樹脂組成物は、接着助剤を任意に含んでもよい。接着助剤としては、γ－アミノプロピルジメトキシシラン、Ｎ－（β－アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルジメトキシメチルシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル－３－ピペリジノプロピルシラン、ジエトキシ－３－グリシドキシプロピルメチルシラン、Ｎ－（３－ジエトキシメチルシリルプロピル）スクシンイミド、Ｎ－［３－（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、ベンゾフェノン－３，３’－ビス（Ｎ－［３－トリエトキシシリル］プロピルアミド）－４，４’－ジカルボン酸、ベンゼン－１，４－ビス（Ｎ－［３－トリエトキシシリル］プロピルアミド）－２，５－ジカルボン酸、３－（トリエトキシシリル）プロピルスクシニックアンハイドライド、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３－（トリアルコキシシリル）プロピルスクシン酸無水物等のシランカップリング剤、及びアルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等のアルミニウム系接着助剤等が挙げられる。
Adhesion aid In order to improve the adhesion between a film formed using the negative photosensitive resin composition of the present embodiment and a substrate, the negative photosensitive resin composition may optionally contain an adhesion aid. Examples of the adhesion aid include γ-aminopropyldimethoxysilane, N-(β-aminoethyl)-γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyldimethoxymethylsilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, dimethoxymethyl-3-piperidinopropylsilane, diethoxy-3-glycidoxypropylmethylsilane, N-(3-diethoxymethylsilylpropyl)succinimide, N-[3-(triethoxysilyl)propyl]phthalamic acid, benzophenone-3,3'-bis(N-[3-triethoxysilyl]propyl)propane, and the like. silane coupling agents such as benzene-1,4-bis(N-[3-triethoxysilyl]propylamido)-4,4'-dicarboxylic acid, benzene-1,4-bis(N-[3-triethoxysilyl]propylamido)-2,5-dicarboxylic acid, 3-(triethoxysilyl)propyl succinic anhydride, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-(trialkoxysilyl)propylsuccinic anhydride, and aluminum-based adhesion aids such as aluminum tris(ethylacetoacetate), aluminum tris(acetylacetonate), and ethylacetoacetate aluminum diisopropylate.
これらの接着助剤のうちでは、接着力の点からシランカップリング剤を用いることがより好ましい。感光性樹脂組成物が接着助剤を含有する場合、接着助剤の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．５～２５質量部の範囲が好ましい。 Among these adhesive aids, it is more preferable to use a silane coupling agent in terms of adhesive strength. When the photosensitive resin composition contains an adhesive aid, the amount of the adhesive aid is preferably in the range of 0.5 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
シランカップリング剤としては、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製：商品名 ＫＢＭ８０３、チッソ株式会社製：商品名 サイラエ－スＳ８１０）、３－メルカプトプロピルトリエトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７５．０）、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（信越化学工業株式会社製：商品名 ＬＳ１３７５、アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７４．０）、メルカプトメチルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７３．５Ｃ）、メルカプトメチルメチルジメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＭ６４７３．０）、３－メルカプトプロピルジエトキシメトキシシラン、３－メルカプトプロピルエトキシジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルジエトキシプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルエトキシジプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルジメトキシプロポキシシラン、３－メルカプトプロピルメトキシジプロポキシシラン、２－メルカプトエチルトリメトキシシラン、２－メルカプトエチルジエトキシメトキシシラン、２－メルカプトエチルエトキシジメトキシシラン、２－メルカプトエチルトリプロポキシシラン、２－メルカプトエチルトリプロポキシシラン、２－メルカプトエチルエトキシジプロポキシシラン、２－メルカプトエチルジメトキシプロポキシシラン、２－メルカプトエチルメトキシジプロポキシシラン、４－メルカプトブチルトリメトキシシラン、４－メルカプトブチルトリエトキシシラン、４－メルカプトブチルトリプロポキシシラン、Ｎ－（３－トリエトキシシリルプロピル）ウレア（信越化学工業株式会社製：商品名 ＬＳ３６１０、アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＵ９０５５．０）、Ｎ－（３－トリメトキシシリルプロピル）ウレア（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＵ９０５８．０）、Ｎ－（３－ジエトキシメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジメトキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－ジエトキシプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－ジメトキシプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－メトキシジプロポキシシリルプロピル）ウレア、Ｎ－（３－トリメトキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジメトキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－エトキシジプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－ジメトキシプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－メトキシジプロポキシシリルエチル）ウレア、Ｎ－（３－トリメトキシシリルブチル）ウレア、Ｎ－（３－トリエトキシシリルブチル）ウレア、Ｎ－（３－トリプロポキシシリルブチル）ウレア、３－（ｍ－アミノフェノキシ）プロピルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９８．０）、ｍ－アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．０）、ｐ－アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．１）アミノフェニルトリメトキシシラン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＬＡ０５９９．２）、２－（トリメトキシシリルエチル）ピリジン（アズマックス株式会社製：商品名 ＳＩＴ８３９６．０）、２－（トリエトキシシリルエチル）ピリジン、２－（ジメトキシシリルメチルエチル）ピリジン、２－（ジエトキシシリルメチルエチル）ピリジン、（３－トリエトキシシリルプロピル）－ｔ－ブチルカルバメ－ト、（３－グリシドキシプロピル）トリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ－ｎ－プロポキシシラン、テトラ－ｉ－プロポキシシラン、テトラ－ｎ－ブトキシシラン、テトラ－ｉ－ブトキシシラン、テトラ－ｔ－ブトキシシラン、テトラキス（メトキシエトキシシラン）、テトラキス（メトキシ－ｎ－プロポキシシラン）、テトラキス（エトキシエトキシシラン）、テトラキス（メトキシエトキシエトキシシラン）、ビス（トリメトキシシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）エタン、ビス（トリエトキシシリル）エチレン、ビス（トリエトキシシリル）オクタン、ビス（トリエトキシシリル）オクタジエン、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］ジスルフィド、ビス［３－（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド、ジ－ｔ－ブトキシジアセトキシシラン、ジ－ｉ－ブトキシアルミノキシトリエトキシシラン、フェニルシラントリオール、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、ｎ－プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオ－ル、ｎ－ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、ｔｅｒｔ－ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシジ－ｐ－トリルシラン、エチルメチルフェニルシラノール、ｎ－プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、ｎ－ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルメチルフェニルシラノール、エチルｎ－プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、ｎ－ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、ｎ－プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、ｎ－ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシラノール、トリフェニルシラノール等が挙げられるが、これらに限定されない。これらは単独でも複数組み合わせて用いてもよい。 Silane coupling agents include 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: product name KBM803, manufactured by Chisso Corporation: product name Silaace S810), 3-mercaptopropyltriethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: product name SIM6475.0), 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: product name LS1375, manufactured by Azmax Corporation: product name SIM6474.0), mercaptomethyltrimethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: product name SIM6473.5C), mercaptomethylmethyldimethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: product name SIM6473.0), 3-mercaptopropyl diethoxymethoxysilane, 3-mercaptopropyl ethoxydimethoxysilane, 3-mercaptopropyl tripropoxysilane, 3-mercaptopropyl diethoxypropoxysilane, 3-mercaptopropyl ethoxydipropoxysilane, 3-mercaptopropyl dimethoxypropoxysilane, 3-mercaptopropyl methoxydipropoxysilane, 2-mercaptoethyl trimethoxysilane, 2-mercaptoethyl diethoxymethoxysilane, 2-mercapto triethylethoxydimethoxysilane, 2-mercaptoethyltripropoxysilane, 2-mercaptoethyltripropoxysilane, 2-mercaptoethylethoxydipropoxysilane, 2-mercaptoethyldimethoxypropoxysilane, 2-mercaptoethylmethoxydipropoxysilane, 4-mercaptobutyltrimethoxysilane, 4-mercaptobutyltriethoxysilane, 4-mercaptobutyltripropoxysilane, N-(3-triethoxysilylpropyl)urea (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.: trade name LS3610, manufactured by Azmax Corporation: trade name SIU9055.0), N-(3-trimethoxysilylpropyl)urea (manufactured by Azmax Corporation: trade name SIU9058.0), N-(3-diethoxymethoxysilylpropyl)urea, N-(3-ethoxydimethoxysilylpropyl)urea, N-(3-tripropoxysilylpropyl)urea, N-(3-diethoxypropoxysilylpropyl)urea, N-(3-ethoxydipropoxysilylpropyl)urea, N-(3-dimethoxypropoxysilylpropyl)urea, N-(3-methoxydipropoxysilylpropyl)urea, N-(3-trimethoxysilylethyl)urea, N-(3-ethoxydimethoxysilylethyl) Urea, N-(3-tripropoxysilylethyl)urea, N-(3-tripropoxysilylethyl)urea, N-(3-ethoxydipropoxysilylethyl)urea, N-(3-dimethoxypropoxysilylethyl)urea, N-(3-methoxydipropoxysilylethyl)urea, N-(3-trimethoxysilylbutyl)urea, N-(3-triethoxysilylbutyl)urea, N-(3-tripropoxysilylbutyl)urea, 3-(m-aminophenoxy)propyltrimethoxysilane (trade name: manufactured by Azmax Corporation) SLA0598.0), m-aminophenyltrimethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: trade name SLA0599.0), p-aminophenyltrimethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: trade name SLA0599.1), aminophenyltrimethoxysilane (manufactured by Azmax Corporation: trade name SLA0599.2), 2-(trimethoxysilylethyl)pyridine (manufactured by Azmax Corporation: trade name SIT8396.0), 2-(triethoxysilylethyl)pyridine, 2-(dimethoxysilylmethylethyl)pyridine, 2-(diethoxysilylmethylethyl)pyridine, (3-triethoxysilylpropyl)-t-butylcarbamate, (3-glycidoxypropyl)triethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-i-butoxysilane, tetra-t-butoxysilane, tetrakis(methoxyethoxysilane), tetrakis(methoxy-n-propoxysilane), tetra tetrakis(ethoxyethoxysilane), tetrakis(methoxyethoxyethoxysilane), bis(trimethoxysilyl)ethane, bis(trimethoxysilyl)hexane, bis(triethoxysilyl)methane, bis(triethoxysilyl)ethane, bis(triethoxysilyl)ethylene, bis(triethoxysilyl)octane, bis(triethoxysilyl)octadiene, bis[3-(triethoxysilyl)propyl]disulfide, bis[3-(triethoxysilyl)propyl]tetrasulfide, di-t-butoxydiacetoxysilane, di-i-butoxyaluminoxytriethoxysilane, phenyl p-tolylsilanetriol, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n-propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butyldiphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert-butylphenylsilanediol, diphenylsilanediol, dimethoxydiphenylsilane, diethoxydiphenylsilane, dimethoxydi-p-tolylsilane, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol, n-butylmethylphenylsilanol, isobutylmethylphenylsilanol, Examples of the phenylsilanol include, but are not limited to, phenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol, ethyl n-propylphenylsilanol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, ethyldiphenylsilanol, n-propyldiphenylsilanol, isopropyldiphenylsilanol, n-butyldiphenylsilanol, isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, and triphenylsilanol. These may be used alone or in combination.
シランカップリング剤としては、前記したシランカップリング剤の中でも、保存安定性の観点から、フェニルシラントリオール、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシ（ｐ－トリル）シラン、ジフェニルシランジオ－ル、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシジ－ｐ－トリルシラン、トリフェニルシラノール、及び下記式：
シランカップリング剤を使用する場合の配合量としては、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対して、０．０１～２０質量部が好ましい。 When a silane coupling agent is used, the amount is preferably 0.01 to 20 parts by weight per 100 parts by weight of the polyimide precursor (A).
増感剤
本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、光感度を向上させるために、増感剤を任意に含んでもよい。該増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン等が挙げられる。これらは単独で又は例えば２～５種類の組合せで用いることができる。
Sensitizer The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may optionally contain a sensitizer to improve photosensitivity. Examples of the sensitizer include Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4'-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indane, and the like. Non, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)-benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)isonaphthothiazole, 1,3-bis(4'-dimethylaminobenzal)acetone, 1,3-bis(4'-diethylaminobenzal)acetone, 3,3'-carbonyl-bis(7-diethylaminocoumarin), 3-acetone ethyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-benzyloxycarbonyl-7-dimethylaminocoumarin, 3-methoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, 3-ethoxycarbonyl-7-diethylaminocoumarin, N-phenyl-N'-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-p-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, 4-morpholinobenzophenone, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 2-mercaptobenzimidazole, 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzoxazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)benzthiazole, 2-(p-dimethylaminostyryl)naphtho(1,2-d)thiazole, 2-(p-dimethylaminobenzoyl)styrene, and the like. These may be used alone or in combination of, for example, 2 to 5 types.
光感度を向上させるための増感剤を感光性樹脂組成物が含有する場合の配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、０．１～２５質量部であることが好ましい。 When the photosensitive resin composition contains a sensitizer to improve photosensitivity, the amount of the sensitizer is preferably 0.1 to 25 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
光重合性不飽和モノマー
ネガ型感光性樹脂組成物は、レリーフパターンの解像性を向上させるために、光重合性の不飽和結合を有するモノマーを任意に含んでもよい。このようなモノマーとしては、光重合開始剤によりラジカル重合反応する（メタ）アクリル化合物が好ましく、特に以下に限定するものではないが、ジエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレートなどの、エチレングリコール又はポリエチレングリコールのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、プロピレングリコール又はポリプロピレングリコールのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、グリセロールのモノ、ジ又はトリアクリレート及びメタクリレート、シクロヘキサンジアクリレート及びジメタクリレート、１，４－ブタンジオールのジアクリレート及びジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールのジアクリレート及びジメタクリレート、ネオペンチルグリコールのジアクリレート及びジメタクリレート、ビスフェノールＡのモノ又はジアクリレート及びメタクリレート、ベンゼントリメタクリレート、イソボルニルアクリレート及びメタクリレート、アクリルアミド及びその誘導体、メタクリルアミド及びその誘導体、トリメチロールプロパントリアクリレート及びメタクリレート、グリセロールのジ又はトリアクリレート及びメタクリレート、ペンタエリスリトールのジ、トリ、又はテトラアクリレート及びメタクリレート、並びにこれら化合物のエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイド付加物等の化合物を挙げることができる。
Photopolymerizable Unsaturated Monomer The negative photosensitive resin composition may optionally contain a monomer having a photopolymerizable unsaturated bond in order to improve the resolution of the relief pattern. As such a monomer, a (meth)acrylic compound that undergoes a radical polymerization reaction with a photopolymerization initiator is preferable, and examples thereof include, but are not limited to, mono- or diacrylates and methacrylates of ethylene glycol or polyethylene glycol, such as diethylene glycol dimethacrylate and tetraethylene glycol dimethacrylate, mono- or diacrylates and methacrylates of propylene glycol or polypropylene glycol, mono-, di- or triacrylates and methacrylates of glycerol, cyclohexane diacrylate and dimethacrylate, diacrylates and dimethacrylates of 1,4-butanediol, and 1,6-hexane diacrylate and dimethacrylate. Examples of such compounds include diacrylates and dimethacrylates of diols, diacrylates and dimethacrylates of neopentyl glycol, mono- or diacrylates and methacrylates of bisphenol A, benzene trimethacrylate, isobornyl acrylate and methacrylate, acrylamide and its derivatives, methacrylamide and its derivatives, trimethylolpropane triacrylate and methacrylate, di- or triacrylates and methacrylates of glycerol, di-, tri-, or tetraacrylates and methacrylates of pentaerythritol, and ethylene oxide or propylene oxide adducts of these compounds.
レリーフパターンの解像性を向上させるための上記の光重合性の不飽和結合を有するモノマーを感光性樹脂組成物が含有する場合、光重合性の不飽和結合を有するモノマーの配合量は、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部に対し、１～５０質量部であることが好ましい。 When the photosensitive resin composition contains the above-mentioned monomer having a photopolymerizable unsaturated bond to improve the resolution of the relief pattern, the amount of the monomer having a photopolymerizable unsaturated bond is preferably 1 to 50 parts by mass per 100 parts by mass of the polyimide precursor (A).
熱重合禁止剤
また、本実施形態のネガ型感光性樹脂組成物は、特に溶剤を含む溶液の状態での保存時のネガ型感光性樹脂組成物の粘度及び光感度の安定性を向上させるために、熱重合禁止剤を任意に含んでもよい。熱重合禁止剤としては、ヒドロキノン、Ｎ－ニトロソジフェニルアミン、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、フェノチアジン、Ｎ－フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２－シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－メチルフェノール、５－ニトロソ－８－ヒドロキシキノリン、１－ニトロソ－２－ナフト－ル、２－ニトロソ－１－ナフト－ル、２－ニトロソ－５－（Ｎ－エチル－Ｎ－スルホプロピルアミノ）フェノール、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、Ｎ－ニトロソ－Ｎ（１－ナフチル）ヒドロキシルアミンアンモニウム塩等が用いられる。
Thermal Polymerization Inhibitor The negative photosensitive resin composition of the present embodiment may optionally contain a thermal polymerization inhibitor in order to improve the stability of the viscosity and photosensitivity of the negative photosensitive resin composition, particularly when stored in a state of a solution containing a solvent. Examples of the thermal polymerization inhibitor include hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, p-tert-butylcatechol, phenothiazine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol ether diaminetetraacetic acid, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, 5-nitroso-8-hydroxyquinoline, 1-nitroso-2-naphthol, 2-nitroso-1-naphthol, 2-nitroso-5-(N-ethyl-N-sulfopropylamino)phenol, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine ammonium salt, and N-nitroso-N(1-naphthyl)hydroxylamine ammonium salt.
＜ポリイミド＞
上記ポリイミド前駆体組成物を硬化して得られるポリイミドは、下記一般式（Ｖ－Ａ）で表される構造を有する。
一般式（Ｖ－９）中の好ましいＸ１、Ｙ１、ｎ１は、同じ理由により、一般式（Ｖ－Ａ）中のＸ１、Ｙ１、ｍにおいても好ましい。
<Polyimide>
The polyimide obtained by curing the above polyimide precursor composition has a structure represented by the following general formula (VA).
Preferred X 1 , Y 1 and n 1 in formula (V-9) are also preferred for X 1 , Y 1 and m in formula (VA) for the same reason.
ポリイミドは、上記一般式（Ｖ－１６）または上記一般式（Ｖ－１７）で示される、ポリイミド前駆体の構造に対応する骨格構造を有していることが好ましい。 It is preferable that the polyimide has a backbone structure corresponding to the structure of the polyimide precursor represented by the above general formula (V-16) or the above general formula (V-17).
＜硬化レリーフパタ－ンの製造方法及び半導体装置＞
また、本発明は、（１）上述した本発明のネガ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、樹脂層を上記基板上に形成する工程と、（２）上記樹脂層を露光する工程と、（３）露光後の上記樹脂層を現像してレリーフパタ－ンを形成する工程と、（４）上記レリーフパタ－ンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程とを含む、硬化レリーフパターンの製造方法を提供する。
<Method for manufacturing hardened relief pattern and semiconductor device>
The present invention also provides a method for producing a cured relief pattern, comprising the steps of: (1) applying the above-mentioned negative type photosensitive resin composition of the present invention onto a substrate to form a resin layer on the substrate; (2) exposing the resin layer to light; (3) developing the exposed resin layer to form a relief pattern; and (4) heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern.
（１）樹脂層形成工程
本工程では、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、必要に応じて、その後乾燥させて、樹脂層を形成する。塗布方法としては、従来から感光性樹脂組成物の塗布に用いられていた方法、例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、カーテンコーター、スクリーン印刷機等で塗布する方法、スプレーコーターで噴霧塗布する方法等を用いることができる。
(1) Resin layer forming step In this step, the negative photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate, and then dried as necessary to form a resin layer. As the application method, a method that has been conventionally used for applying a photosensitive resin composition, such as a method of applying with a spin coater, a bar coater, a blade coater, a curtain coater, a screen printer, etc., or a method of spraying with a spray coater, etc., can be used.
必要に応じて、感光性樹脂組成物を含む塗膜を乾燥させることができる。乾燥方法としては、風乾、オーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、真空乾燥等の方法が用いられる。具体的には、風乾又は加熱乾燥を行う場合、２０℃～１４０℃で１分～１時間の条件で乾燥を行うことができる。以上の通り、基板上に感光性樹脂層を形成できる。 If necessary, the coating film containing the photosensitive resin composition can be dried. Drying methods that can be used include air drying, heat drying in an oven or on a hot plate, vacuum drying, and the like. Specifically, when air drying or heat drying is performed, drying can be performed under conditions of 20°C to 140°C for 1 minute to 1 hour. As described above, a photosensitive resin layer can be formed on the substrate.
（２）露光工程
本工程では、上記で形成した樹脂層を、コンタクトアライナー、ミラープロジェクション、ステッパー等の露光装置を用いて、パターンを有するフォトマスク又はレチクルを介して又は直接に、紫外線光源等により露光する。
(2) Exposure Step In this step, the resin layer formed above is exposed to an ultraviolet light source or the like through a photomask or reticle having a pattern, or directly, using an exposure device such as a contact aligner, mirror projection, or stepper.
この後、光感度の向上等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる露光後ベーク（ＰＥＢ）及び／又は現像前ベークを施してもよい。ベーク条件の範囲は、温度は４０℃～１２０℃であり、そして時間は１０秒～２４０秒であることが好ましいが、本発明の感光性樹脂組成物の諸特性を阻害するものでない限り、この範囲に限らない。 After this, for the purpose of improving the photosensitivity, etc., a post-exposure bake (PEB) and/or a pre-development bake may be performed at any combination of temperature and time as necessary. The range of baking conditions is preferably a temperature of 40°C to 120°C and a time of 10 seconds to 240 seconds, but is not limited to this range as long as it does not impair the various properties of the photosensitive resin composition of the present invention.
（３）レリーフパターン形成工程
本工程では、露光後の感光性樹脂層のうち未露光部を現像除去する。露光（照射）後の感光性樹脂層を現像する現像方法としては、従来知られているフォトレジストの現像方法、例えば、回転スプレー法、パドル法、超音波処理を伴う浸漬法等の中から任意の方法を選択して使用することができる。また、現像の後、レリーフパターンの形状を調整する等の目的で、必要に応じて、任意の温度及び時間の組合せによる現像後ベークを施してもよい。
(3) Relief Pattern Forming Step In this step, the unexposed portion of the exposed photosensitive resin layer is developed and removed. As a developing method for developing the exposed (irradiated) photosensitive resin layer, any method can be selected from conventionally known photoresist developing methods, such as a rotary spray method, a paddle method, and an immersion method accompanied by ultrasonic treatment. After development, post-development baking may be performed at any combination of temperature and time, if necessary, for the purpose of adjusting the shape of the relief pattern.
現像に使用される現像液としては、例えば、ネガ型感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との組合せが好ましい。良溶媒としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトン、α－アセチル－γ－ブチロラクトン等が好ましい。貧溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコ－ルメチルエーテルアセテート及び水等が好ましい。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、ネガ型感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。また、各溶媒を２種以上、例えば数種類組合せて用いることもできる。 The developer used for development is preferably, for example, a good solvent for the negative photosensitive resin composition, or a combination of the good solvent and a poor solvent. As the good solvent, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, etc. are preferable. As the poor solvent, for example, toluene, xylene, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate, water, etc. are preferable. When using a mixture of a good solvent and a poor solvent, it is preferable to adjust the ratio of the poor solvent to the good solvent depending on the solubility of the polymer in the negative photosensitive resin composition. In addition, two or more types of each solvent, for example, several types, can be used in combination.
（４）硬化レリーフパターン形成工程
本工程では、上記現像により得られたレリーフパターンを加熱して感光成分を希散させるとともに、（Ａ）ポリイミド前駆体をイミド化させることによって、ポリイミドから成る硬化レリーフパターンに変換する。加熱硬化の方法としては、例えば、ホットプレートによるもの、オーブンを用いるもの、温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いるもの等種々の方法を選ぶことができる。加熱は、例えば、１７０℃～４００℃で３０分～５時間の条件で行うことができる。加熱硬化時の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。
(4) Cured relief pattern formation process In this process, the relief pattern obtained by the above development is heated to disperse the photosensitive component and imidize the polyimide precursor (A), thereby converting it into a cured relief pattern made of polyimide. As a method for heat curing, various methods can be selected, such as a method using a hot plate, a method using an oven, or a method using a temperature-elevating oven that can be set to a temperature program. Heating can be performed, for example, under conditions of 170°C to 400°C for 30 minutes to 5 hours. As the atmospheric gas during heat curing, air may be used, or an inert gas such as nitrogen or argon may also be used.
＜半導体装置＞
本実施形態では、上述した硬化レリーフパターンの製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有する、半導体装置も提供される。したがって、半導体素子である基材と、上述した硬化レリーフパターン製造方法により該基材上に形成されたポリイミドの硬化レリーフパターンとを有する半導体装置が提供されることができる。また、本発明は、基材として半導体素子を用い、上述した硬化レリーフパターンの製造方法を工程の一部として含む半導体装置の製造方法にも適用できる。本発明の半導体装置は、上記硬化レリーフパターン製造方法で形成される硬化レリーフパターンを、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する半導体装置の保護膜等として形成し、既知の半導体装置の製造方法と組合せることで製造することができる。
<Semiconductor Device>
In this embodiment, a semiconductor device having a cured relief pattern obtained by the above-mentioned method for producing a cured relief pattern is also provided. Thus, a semiconductor device can be provided having a substrate that is a semiconductor element and a cured relief pattern of polyimide formed on the substrate by the above-mentioned method for producing a cured relief pattern. The present invention can also be applied to a method for producing a semiconductor device that uses a semiconductor element as the substrate and includes the above-mentioned method for producing a cured relief pattern as part of the process. The semiconductor device of the present invention can be produced by forming the cured relief pattern formed by the above-mentioned method for producing a cured relief pattern as a surface protective film, an interlayer insulating film, an insulating film for rewiring, a protective film for a flip chip device, or a protective film for a semiconductor device having a bump structure, and combining the method with a known method for producing a semiconductor device.
＜表示体装置＞
本実施形態では、表示体素子と該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置であって、該硬化膜は上述の硬化レリーフパターンである表示体装置が提供される。ここで、当該硬化レリーフパターンは、当該表示体素子に直接接して積層されていてもよく、別の層を間に挟んで積層されていてもよい。例えば、該硬化膜として、ＴＦＴ液晶表示素子及びカラーフィルター素子の表面保護膜、絶縁膜、及び平坦化膜、ＭＶＡ型液晶表示装置用の突起、並びに有機ＥＬ素子陰極用の隔壁を挙げることができる。
<Display device>
In this embodiment, a display device is provided that includes a display element and a cured film provided on the upper part of the display element, and the cured film is the above-mentioned cured relief pattern. Here, the cured relief pattern may be laminated in direct contact with the display element, or may be laminated with another layer sandwiched therebetween. For example, the cured film can be a surface protection film, an insulating film, and a planarizing film for a TFT liquid crystal display element and a color filter element, a protrusion for an MVA type liquid crystal display device, and a partition wall for a cathode of an organic EL element.
以下、実施例により本実施形態を具体的に説明するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。実施例、比較例、及び製造例において、感光性樹脂組成物の物性については、以下の方法に従って測定及び評価を行った。 The present embodiment will be described in detail below with reference to examples, but the present embodiment is not limited thereto. In the examples, comparative examples, and production examples, the physical properties of the photosensitive resin composition were measured and evaluated according to the following methods.
本発明の第一の態様に関する例は、以下のとおりである。
（１）重量平均分子量
各樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（標準ポリスチレン換算）を用いて以下の条件に手測定した。
カラム：昭和電工（株）製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ８０５Ｍ／８０６Ｍ直列」
標準単分散ポリスチレン：昭和電工（株）製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ＳＴＡＮＤＡ
ＲＤ ＳＭ－１０５」
展開溶媒：Ｎ－メチル－２－ピロリドン
検出器：昭和電工（株）製、商品名「Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ－９３０」
An example relating to the first aspect of the invention is as follows.
(1) Weight Average Molecular Weight The weight average molecular weight (Mw) of each resin was measured manually under the following conditions using gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent).
Column: Showa Denko K.K., product name "Shodex 805M/806M in series"
Standard monodisperse polystyrene: Produced by Showa Denko K.K., trade name "Shodex STANDA
RD SM-105"
Developing solvent: N-methyl-2-pyrrolidone Detector: Showa Denko K.K., product name "Shodex RI-930"
（２）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの作製
６インチシリコンウェハ（フジミ電子工業株式会社製、厚み６２５±２５μｍ）上に、スパッタ装置（Ｌ－４４０Ｓ－ＦＨＬ型、キヤノンアネルバ社製）を用いて２００ｎｍ厚のＴｉ、及び４００ｎｍ厚のＣｕをこの順にスパッタした。続いて、このウェハのＣｕ上に、後述の方法により調製した感光性樹脂組成物をコーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）を用いて回転塗布し、乾燥することにより１０μｍ厚の塗膜を形成した。この塗膜に、テストパターン付マスクを介して、プリズマＧＨＩ（ウルトラテック社製）により、５００ｍJ／ｃｍ２のエネルギーの紫外線を照射した。次いで、現像液としてシクロペンタノンを用いて、コーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）でこの塗膜をスプレー現像し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートでリンスすることにより、Ｃｕ上のレリーフパターンを得た。
Ｃｕ上にレリーフパターンを形成したウェハを、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、２００℃にて２時間加熱処理することにより、Ｃｕ上に約６～７μｍ厚の樹脂から成る硬化レリーフパターンを得た。
(2) Preparation of a cured relief pattern on Cu On a 6-inch silicon wafer (manufactured by Fujimi Electronics Co., Ltd., thickness 625±25 μm), 200 nm thick Ti and 400 nm thick Cu were sputtered in this order using a sputtering device (L-440S-FHL type, manufactured by Canon Anelva Corporation). Next, a photosensitive resin composition prepared by the method described below was spin-coated on the Cu of this wafer using a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by SOKUDO Co., Ltd.), and dried to form a coating film with a thickness of 10 μm. This coating film was irradiated with ultraviolet light with an energy of 500 mJ/cm 2 using Prisma GHI (manufactured by Ultratech Co., Ltd.) through a test pattern mask. Next, this coating was spray-developed with a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by SOKUDO Co., Ltd.) using cyclopentanone as a developer, and rinsed with propylene glycol methyl ether acetate to obtain a relief pattern on Cu.
The wafer with the relief pattern formed on Cu was heat-treated in a temperature-ramp programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg) in a nitrogen atmosphere at 200° C. for 2 hours to obtain a cured relief pattern made of resin having a thickness of about 6 to 7 μm on Cu.
（３）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの解像性評価
上記の方法で得た硬化レリーフパターンを光学顕微鏡下で観察し、最少開口パターンのサイズを求めた。このとき、得られたパターンの開口部の面積が、対応するパターンマスク開口面積の１／２以上であれば、解像されたものとみなし、解像された開口部のうち最小面積を有するものに対応するマスク開口辺の長さを解像度とした。
解像度が１０μｍ未満のものを「優」、１０μｍ以上１２μｍ未満のものを「良」、１２μｍ以上１４μｍ未満のものを「可」、１４μｍ以上のものを「不可」とした。
(3) Resolution Evaluation of Cured Relief Pattern on Cu The cured relief pattern obtained by the above method was observed under an optical microscope to determine the size of the minimum opening pattern. If the area of the opening of the obtained pattern was 1/2 or more of the corresponding pattern mask opening area, it was considered to be resolved, and the length of the mask opening side corresponding to the resolved opening with the smallest area was taken as the resolution.
Resolutions less than 10 μm were rated "excellent," those between 10 μm and 12 μm were rated "good," those between 12 μm and 14 μm were rated "passable," and those equal to or greater than 14 μm were rated "poor."
（４）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの高温保存（ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｓｔｏｒａｇｅ）後のボイド評価
Ｃｕ上に該硬化レリーフパターンを形成したウェハを、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、空気中、１５０℃で１６８時間加熱した。続いて、プラズマ表面処理装置（ＥＸＡＭ型、神港精機社製）を用いて、Ｃｕ上の樹脂層を全てプラズマエッチングにより除去した。プラズマエッチング条件は下記の通りである。
出力：１３３Ｗ
ガス種・流量：Ｏ２（４０ｍＬ／分）＋ＣＦ４（１ｍＬ／分）
ガス圧：５０Ｐａ
モード：ハードモード
エッチング時間：１８００秒
樹脂層をすべて除去したＣｕの表面を、ＦＥ－ＳＥＭ（Ｓ－４８００型、日立ハイテクノロジーズ社製）によって観察し、画像解析ソフト（Ａ像くん、旭化成社製）を用いて、Ｃｕの表面に占めるボイドの面積を算出した。比較例４に記載の感光性樹脂組成物を評価した際のボイドの総面積を１００％とした際に、ボイドの総面積の比率が５０％未満のものを「優」、５０％以上７５％未満のものを「良」、７５％以上１００％未満のものを「可」１００％以上のものを「不可」と判定した。
(4) Void evaluation after high temperature storage of the cured relief pattern on Cu The wafer on which the cured relief pattern was formed on Cu was heated in air at 150° C. for 168 hours using a temperature-rise programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg). Then, the resin layer on Cu was entirely removed by plasma etching using a plasma surface treatment device (EXAM type, manufactured by Shinko Seiki Co., Ltd.). The plasma etching conditions were as follows:
Output: 133W
Gas type and flow rate: O2 (40 mL/min) + CF4 (1 mL/min)
Gas pressure: 50 Pa
Mode: Hard mode Etching time: 1800 seconds The surface of Cu from which all the resin layers had been removed was observed with an FE-SEM (S-4800 type, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the area of voids on the surface of Cu was calculated using image analysis software (Azo-kun, manufactured by Asahi Kasei Corporation). When the total area of voids in the evaluation of the photosensitive resin composition described in Comparative Example 4 was taken as 100%, those with a ratio of the total void area of less than 50% were judged as "excellent", those with a ratio of 50% or more and less than 75% were judged as "good", those with a ratio of 75% or more and less than 100% were judged as "passable", and those with a ratio of 100% or more were judged as "unacceptable".
（５）高温高湿下保管後の伸度評価
６インチシリコンウェハ上に、硬化後の膜厚が約７μｍとなるように感光性樹脂組成物をスピン塗布乾燥した。その後、アライナー（ＰＬＡ－５０１Ｆ、キャノン社製）を用いて露光量６００ｍＪ／ｃｍ２のｇｈｉ線でウェハを全面露光した後、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、２００℃で２時間加熱して硬化ポリイミド塗膜を得た。硬化ポリイミド塗膜を高度加速寿命試験装置（ＥＨＡ－２２１Ｍ、エスペック社製）中、２気圧、１２１℃、１００％ＲＨにて１６８時間保存した。その後、ポリイミド塗膜をダイシングソー（ＤＡＤ３３５０型、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて３ｍｍ幅の短冊状にカットした後、４６％フッ化水素酸を用いてシリコンウェハから剥がしてポリイミドテープとした。得られたポリイミドテープの引張り伸度を、引張試験機（ＵＴＭ－ＩＩ－２０型、オリエンテック社製）を用いて、ＡＳＴＭ Ｄ８８２－０９に従って測定した。
(5) Evaluation of elongation after storage under high temperature and high humidity A photosensitive resin composition was spin-coated and dried on a 6-inch silicon wafer so that the film thickness after curing was about 7 μm. Thereafter, the wafer was exposed to ghi rays at an exposure dose of 600 mJ/ cm2 using an aligner (PLA-501F, manufactured by Canon Inc.) over the entire surface, and then heated at 200°C for 2 hours in a nitrogen atmosphere using a temperature-programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg Co., Ltd.) to obtain a cured polyimide coating film. The cured polyimide coating film was stored for 168 hours in a highly accelerated life tester (EHA-221M, manufactured by ESPEC Corp.) at 2 atm, 121°C, and 100% RH. Thereafter, the polyimide coating film was cut into strips of 3 mm width using a dicing saw (DAD3350 type, manufactured by DISCO Co., Ltd.), and then peeled off from the silicon wafer using 46% hydrofluoric acid to obtain a polyimide tape. The tensile elongation of the resulting polyimide tape was measured using a tensile tester (UTM-II-20 model, manufactured by Orientec Co., Ltd.) in accordance with ASTM D882-09.
＜製造例１＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―１の合成）
４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇ（０．５ｍｏｌ）を２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、次いでグリセロールジメタクリレート（東京化成社品、１，２－体及び１，３－体の混合物；以下、「ＧＤＭ」と表記）２５１．１ｇ（１．１ｍｏｌ）及びγ―ブチロラクトン４００ｍＬを入れ、攪拌しながらピリジン７９．１ｇを加えた後、オイルバスを用いて７０℃にて５時間攪拌して、反応混合物を得た。反応終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、得られた反応混合物を攪拌しながら、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を４０分かけて加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９０．１ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁した懸濁液を、６０分かけて加えた。室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて更に１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物をろ過して、に生じた沈殿物を取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて、粗ポリマーを沈殿させた。沈殿した粗ポリマーを濾取し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を、２８Ｌの水に滴下してポリマーを再沈殿させた。得られた再沈殿物を濾取した後、真空乾燥することにより、粉末状のポリマー（ポリマーＡ－１）を得た。ポリマー（Ａ）－１の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２５，０００であった。
<Production Example 1> (A) Synthesis of Polymer A-1 as Polyimide Precursor)
155.1 g (0.5 mol) of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2 L separable flask, followed by 251.1 g (1.1 mol) of glycerol dimethacrylate (a product of Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., a mixture of 1,2- and 1,3-isomers; hereinafter referred to as "GDM") and 400 mL of γ-butyrolactone, and 79.1 g of pyridine was added with stirring, followed by stirring at 70°C for 5 hours using an oil bath to obtain a reaction mixture. After completion of the reaction, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, while stirring the resulting reaction mixture, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added over 40 minutes under ice cooling, followed by the addition of a suspension of 90.1 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone over 60 minutes. After stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and the mixture was further stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The reaction mixture was filtered to remove the precipitate formed, and a reaction liquid was obtained.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to precipitate a crude polymer. The precipitated crude polymer was collected by filtration and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to reprecipitate the polymer. The obtained reprecipitate was collected by filtration and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (Polymer A-1). The molecular weight of Polymer (A)-1 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 25,000.
＜製造例２＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―２の合成）
製造例１の４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇに代えて、ビフェニル－３，３’，４，４’－テトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ－２を得た。ポリマーＡ－２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２３，０００であった。
<Production Example 2> (A) Synthesis of Polymer A-2 as Polyimide Precursor)
Polymer A-2 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 147.1 g of biphenyl-3,3',4,4'-tetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) in Production Example 1. The molecular weight of Polymer A-2 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 23,000.
＜製造例３＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―３の合成）
製造例１の４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇに代えて、ｐ－フェニレンジアミン４８．７ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ－３を得た。ポリマーＡ－３の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２１，０００であった。
<Production Example 3> (A) Synthesis of Polymer A-3 as Polyimide Precursor)
Polymer A-3 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 48.7 g of p-phenylenediamine was used instead of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) in Production Example 1. The molecular weight of Polymer A-3 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 21,000.
＜製造例４＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―４の合成）
製造例１のＧＤＭ２５１．１ｇに代えて、ＧＤＭ１４８．４ｇ（０．６５ｍｏｌ）及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）５８．６ｇ（０．４５ｍｏｌ）を用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ－４を得た。ポリマーＡ－４の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２４，０００であった。
<Production Example 4> (A) Synthesis of Polymer A-4 as Polyimide Precursor)
Polymer A-4 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 148.4 g (0.65 mol) of GDM and 58.6 g (0.45 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) were used instead of 251.1 g of GDM in Production Example 1. The molecular weight of Polymer A-4 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 24,000.
＜製造例５＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―５の合成）
製造例１のＧＤＭ２５１．１ｇに代えて、ＧＤＭ９１．３ｇ（０．４ｍｏｌ）及び２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）９１．１ｇ（０．７ｍｏｌ）を用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ－５を得た。ポリマーＡ－５の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２２，０００であった。
<Production Example 5> (A) Synthesis of Polymer A-5 as Polyimide Precursor)
Polymer A-5 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 91.3 g (0.4 mol) of GDM and 91.1 g (0.7 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) were used instead of 251.1 g of GDM in Production Example 1. The molecular weight of Polymer A-5 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 22,000.
＜製造例６＞（（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ―６の合成）
製造例１のＧＤＭ２５１．１ｇに代えて、ペンタエリトリトールトリアクリレート３２８．１ｇ（１．１ｍｏｌ）を用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ－６を得た。ポリマーＡ－６の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２８，０００であった。
<Production Example 6> (A) Synthesis of Polymer A-6 as Polyimide Precursor)
Polymer A-6 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 328.1 g (1.1 mol) of pentaerythritol triacrylate was used instead of 251.1 g of GDM in Production Example 1. The molecular weight of Polymer A-6 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 28,000.
＜製造例７＞（ポリイミド前駆体Ｅ－１の合成（比較合成例））
４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３１．２ｇ及びγ－ブチロラクトン４００ｍＬを入れて室温下で攪拌した。更に、攪拌を継続しながらピリジン８１．５ｇを加えて、反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に反応混合物を室温まで放冷し、１６時間静置した。
次に、得られた反応混合物を撹拌しながら、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を、４０分掛けて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを６０分掛けて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応をろ過して生じた沈殿物を取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて、粗ポリマーを沈殿させた。沈殿した粗ポリマーを濾取し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を、２８Ｌの水に滴下してポリマーを再沈殿させた。得られた再沈殿物を、濾取した後、真空乾燥することにより、粉末状のポリマー（ポリマーＥ－１）を得た。ポリマー（Ｅ－１）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
<Production Example 7> (Synthesis of Polyimide Precursor E-1 (Comparative Synthesis Example))
155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2 L separable flask, followed by the addition of 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 mL of γ-butyrolactone, and the mixture was stirred at room temperature. Furthermore, 81.5 g of pyridine was added while continuing the stirring, to obtain a reaction mixture. After the end of the heat generation due to the reaction, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, while stirring the resulting reaction mixture, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes under ice cooling, followed by the addition of a suspension of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone over 60 minutes. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The reaction was filtered to remove the resulting precipitate, and a reaction liquid was obtained.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to precipitate a crude polymer. The precipitated crude polymer was collected by filtration and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to reprecipitate the polymer. The obtained reprecipitate was collected by filtration and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (polymer E-1). The molecular weight of polymer (E-1) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 20,000.
＜製造例８＞（（Ｄ）熱塩基発生剤Ｄ－１の合成）
容量１Ｌのナス型フラスコ中へ、ジエチレングリコールビス（３－アミノプロピル）エーテル（東京化成工業株式会社製）１００ｇ及びエタノール１００ｇを加えてスターラーで混合撹拌して均一溶液とし、氷水で５℃以下に冷却した。これに、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（東京化成工業株式会社製）２１５ｇをエタノール１２０ｇに溶解したものを滴下ロートにより滴下した。このとき、反応液温が５０℃以下を保つように滴下速度を調整しながら滴下を行った。滴下終了から２時間後、反応液を５０℃で３時間減圧濃縮することにより、式ｔＢｕ－ＯＣＯ－Ｃ３Ｈ６－Ｏ－（Ｃ２Ｈ５－Ｏ）２－Ｃ３Ｈ６－ＣＯＯ－ｔＢｕで表される化合物Ｄ－１を得た。
<Production Example 8> (Synthesis of Thermal Base Generator D-1 (D))
In a 1 L eggplant-shaped flask, 100 g of diethylene glycol bis(3-aminopropyl)ether (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 100 g of ethanol were added and mixed and stirred with a stirrer to obtain a homogeneous solution, which was then cooled to 5°C or lower with ice water. A solution of 215 g of di-tert-butyl dicarbonate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) dissolved in 120 g of ethanol was added dropwise to the solution using a dropping funnel. The dropping rate was adjusted so that the reaction solution temperature was kept at 50°C or lower. Two hours after the end of the dropping, the reaction solution was concentrated under reduced pressure at 50°C for three hours to obtain compound D-1 represented by the formula t Bu-OCO-C 3 H 6 -O-(C 2 H 5 -O) 2 -C 3 H 6 -COO- t Bu.
＜実施例１＞
ポリイミド前駆体Ａ－１を用いて以下の方法でネガ型感光性樹脂組成物を調製し、調製した組成物の評価を行った。
（Ａ）ポリイミド前駆体としてＡ－１：１００ｇ、及び（Ｂ）光重合開始剤として１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム（Ｂ－１）：３ｇを、γ－ブチルラクトン（以下ではＧＢＬと表記）：１００ｇに溶解した。得られた溶液の粘度を、少量のＧＢＬを更に加えることによって、約４０ポイズに調整し、ネガ型感光性樹脂組成物とした。得られた組成物を、前述の方法に従って評価した。結果を表１に示す。
Example 1
Using the polyimide precursor A-1, a negative photosensitive resin composition was prepared by the following method, and the prepared composition was evaluated.
(A) 100 g of A-1 as a polyimide precursor and (B) 3 g of 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)-oxime (B-1) as a photopolymerization initiator were dissolved in 100 g of γ-butyrolactone (hereinafter referred to as GBL). The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 40 poise by further adding a small amount of GBL to obtain a negative type photosensitive resin composition. The obtained composition was evaluated according to the above-mentioned method. The results are shown in Table 1.
＜実施例２～９、及び比較例１＞
各成分を表１に示すとおりに配合することにより、ネガ型感光性樹脂組成物を調製し、実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
表１に記載されている（Ｂ）光重合開始剤Ｂ－１、（Ｃ）防錆剤、並びに（Ｄ）熱塩基発生剤Ｄ－１及びＤ－２は、それぞれ以下のとおりである。
Ｂ－１：１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム
Ｃ－１：８－アザアデニン（東京化成工業株式会社製）
Ｄ－１：製造例８で合成した化合物Ｄ－１
Ｄ－２：１－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル）－４－ヒドロキシピペリジン（東京化成工業株式会社製）
<Examples 2 to 9 and Comparative Example 1>
A negative photosensitive resin composition was prepared by mixing the components as shown in Table 1, and the composition was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
The (B) photopolymerization initiator B-1, (C) rust inhibitor, and (D) thermal base generators D-1 and D-2 described in Table 1 are as follows.
B-1: 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)-oxime C-1: 8-azaadenine (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
D-1: Compound D-1 synthesized in Production Example 8
D-2: 1-(tert-butoxycarbonyl)-4-hydroxypiperidine (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
表１中の各成分欄の数値は、当該成分の配合量（質量部）を示す。 The numbers in each component column in Table 1 indicate the amount (parts by weight) of that component.
表１から明らかなように、実施例１のネガ型感光性樹脂組成物では、解像性では「優」であり、銅ボイド評価では「良」、高温高湿下保管後伸度は４１％と高く、いずれも優れた結果を示した。同様に、実施例２～９のネガ型感光性樹脂組成物も、解像性、銅ボイド評価、及び高温高湿下保管後伸度のすべてで優れた結果を示した。
特に、ポリイミド前駆体Ａ－１～Ａ－３を用いた実施例１～３、８、及び９では、優れた解像性を示した。
また、（Ａ）ポリイミド前駆体１００質量部を基準として、０．１質量部の８－アザアデニン（（Ｃ）防錆剤）加えた実施例７～９では、特に優れた銅ボイド評価結果が得られた。
更に、（Ｄ）熱塩基発生剤Ｄ－１又はＤ－２を加えた実施例８及び９では、特に優れた高温高湿下保管後伸度を示した。
他方、本発明所定の（Ａ）ポリイミド前駆体を用いない比較例１では、解像性、及び銅ボイド評価で「不可」となり、高温高湿下保管後伸度も５％と非常に低い値を示した。
As is clear from Table 1, the negative type photosensitive resin composition of Example 1 showed excellent results in terms of resolution, good in terms of copper void evaluation, and high elongation after storage under high temperature and high humidity of 41%, all of which were excellent results. Similarly, the negative type photosensitive resin compositions of Examples 2 to 9 also showed excellent results in terms of resolution, copper void evaluation, and elongation after storage under high temperature and high humidity.
In particular, Examples 1 to 3, 8, and 9, which used the polyimide precursors A-1 to A-3, showed excellent resolution.
Furthermore, in Examples 7 to 9 in which 0.1 parts by mass of 8-azaadenine ((C) rust inhibitor) was added based on 100 parts by mass of (A) polyimide precursor, particularly excellent copper void evaluation results were obtained.
Furthermore, in Examples 8 and 9 in which the thermal base generator (D) D-1 or D-2 was added, excellent elongation was exhibited after storage under high temperature and high humidity conditions.
On the other hand, in Comparative Example 1, which did not use the polyimide precursor (A) specified in the present invention, the resolution and copper void evaluations were rated as "unacceptable," and the elongation after storage under high temperature and high humidity conditions was also a very low value of 5%.
第二の実施態様における実施例は下記である。
（１）重量平均分子量
各樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（標準ポリスチレン換算）で測定した。測定に用いたカラムは昭和電工（株）製の商標名「Ｓｈｏｄｅｘ ８０５Ｍ／８０６Ｍ直列」であり、標準単分散ポリスチレンは、昭和電工（株）製の商標名「Ｓｈｏｄｅｘ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５」を選択し、展開溶媒はＮ－メチル－２－ピロリドンであり、検出器は昭和電工（株）製の商標名「Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ－９３０」を使用した。
An example of the second embodiment is as follows.
(1) Weight-average molecular weight The weight-average molecular weight (Mw) of each resin was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent). The column used in the measurement was "Shodex 805M/806M in series" manufactured by Showa Denko K.K., the standard monodisperse polystyrene was "Shodex STANDARD SM-105" manufactured by Showa Denko K.K., the developing solvent was N-methyl-2-pyrrolidone, and the detector was "Shodex RI-930" manufactured by Showa Denko K.K.
（２）樹脂組成物の保存安定性試験
感光性樹脂組成物の調製後、室温（２３．０℃±０．５℃、相対湿度５０％±１０％）で３日間攪拌した状態を初期とし、その後室温で４週間静置した際の、樹脂組成物の粘度変化率を測定した。粘度測定は、２３．０℃にて、Ｅ型粘度計（ＲＥ－８０Ｒ、東機産業株式会社製）を用いて行った。評価結果として、粘度変化率が５％以内のものを「良好」、５％を超えるものまたは樹脂組成物がゲル化して測定不能だったものを「不良」とした。
(2) Storage stability test of resin composition After preparing the photosensitive resin composition, the composition was stirred for 3 days at room temperature (23.0°C ± 0.5°C, relative humidity 50% ± 10%) as the initial state, and then left to stand at room temperature for 4 weeks to measure the viscosity change rate of the resin composition. The viscosity measurement was performed at 23.0°C using an E-type viscometer (RE-80R, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.). As an evaluation result, a viscosity change rate of 5% or less was rated as "good", and a viscosity change rate of more than 5% or a viscosity change rate of the resin composition that was gelled and could not be measured was rated as "poor".
（３）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの作製
６インチシリコンウェハ（フジミ電子工業株式会社製、厚み６２５±２５μｍ）上に、スパッタ装置（Ｌ－４４０Ｓ－ＦＨＬ型、キヤノンアネルバ社製）を用いて２００ｎｍ厚のＴｉ、４００ｎｍ厚のＣｕをこの順にスパッタした。続いて、このウェハ上に、後述の方法により調製した感光性樹脂組成物をコーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）を用いて回転塗布し、乾燥することにより１０μｍ厚の塗膜を形成した。この塗膜に、テストパターン付マスクを用いて、プリズマＧＨＩ（ウルトラテック社製）により５００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーを照射した。次いで、この塗膜を、現像液としてシクロペンタノンを用いてコーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）でスプレー現像し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートでリンスすることにより、Ｃｕ上のレリーフパターンを得た。
Ｃｕ上に該レリーフパターンを形成したウェハを、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、１７０℃で２時間加熱処理することにより、Ｃｕ上に約６～７μｍ厚の樹脂からなる硬化レリーフパターンを得た。
(3) Preparation of a cured relief pattern on Cu A 6-inch silicon wafer (manufactured by Fujimi Electronics Co., Ltd., thickness 625±25 μm) was sputtered with a 200 nm thick Ti film and a 400 nm thick Cu film in this order using a sputtering device (L-440S-FHL type, manufactured by Canon Anelva Corporation). Next, a photosensitive resin composition prepared by the method described below was spin-coated on this wafer using a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by SOKUDO Co., Ltd.), and dried to form a coating film with a thickness of 10 μm. This coating film was irradiated with energy of 500 mJ/ cm2 using a Prisma GHI (manufactured by Ultratech Co., Ltd.) using a test pattern mask. The coating was then spray-developed with a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by Sokudo Co., Ltd.) using cyclopentanone as a developer, and rinsed with propylene glycol methyl ether acetate to obtain a relief pattern on Cu.
The wafer with the relief pattern formed on Cu was subjected to a heat treatment in a temperature-rising programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg) at 170° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a cured relief pattern made of resin having a thickness of about 6 to 7 μm on Cu.
（４）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンのイミド化率測定
上記硬化レリーフパターン樹脂部をＡＴＲ－ＦＴＩＲ測定装置（Ｎｉｃｏｌｅｔ Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）にてＳｉプリズムを用いて測定し、１３８０ｃｍ－１のピーク強度を１５００ｃｍ－１のピーク強度で割った値をイミド化指数とし、各実施例及び比較例の膜のイミド化指数を、該当する樹脂組成物を３５０℃で硬化した膜のイミド化指数で割った値をイミド率として算出した。
(4) Measurement of imidization ratio of cured relief pattern on Cu The resin part of the cured relief pattern was measured using an ATR-FTIR measurement device (Nicolet Continuum, manufactured by Thermo Fisher Scientific) with a Si prism. The imidization index was calculated by dividing the peak intensity at 1380 cm -1 by the peak intensity at 1500 cm -1. The imidization index of the film of each Example and Comparative Example was divided by the imidization index of the film obtained by curing the corresponding resin composition at 350°C to calculate the imidization ratio.
（５）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの耐薬品性試験
上記（３）の方法で作製したレリーフパターンを、レジスト剥離膜｛ＡＴＭＩ社製、製品名ＳＴ－４４、主成分は２－（２－アミノエトキシ）エタノール、１－シクロヘキシル－２－ピロリドン｝を５０℃に加熱したものに５分間浸漬し、流水で３０分間洗浄し、風乾した。その後、膜表面を光学顕微鏡で目視観察し、クラック等の薬液によるダメージの有無、及び薬液処理後の膜厚の変化率をもって耐薬品性を評価した。耐薬品性は、以下の基準に基づき、評価した。
「優」：膜厚変化率が薬液浸漬前の膜厚を基準として５％未満
「良」：膜厚変化率が薬液浸漬前の膜厚を基準として５％以上１０％未満
「可」：膜厚変化率が薬液浸漬前の膜厚を基準として１０％以上１５％未満
「不可」：膜厚変化率が薬液浸漬前の膜厚を基準として１５％以上
(5) Chemical resistance test of cured relief pattern on Cu The relief pattern prepared by the method of (3) above was immersed in a resist peeling film {manufactured by ATMI, product name ST-44, main components are 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone} heated to 50°C for 5 minutes, washed with running water for 30 minutes, and air-dried. Thereafter, the film surface was visually observed with an optical microscope, and the chemical resistance was evaluated based on the presence or absence of damage caused by the chemical solution, such as cracks, and the rate of change in film thickness after chemical treatment. The chemical resistance was evaluated based on the following criteria.
"Excellent": The rate of change in film thickness is less than 5% based on the film thickness before immersion in the chemical solution. "Good": The rate of change in film thickness is 5% to less than 10% based on the film thickness before immersion in the chemical solution. "Fair": The rate of change in film thickness is 10% to less than 15% based on the film thickness before immersion in the chemical solution. "Unacceptable": The rate of change in film thickness is 15% or more based on the film thickness before immersion in the chemical solution.
（６）硬化ポリイミド塗膜の５％重量減少温度測定
６インチシリコンウェハ上に、硬化後の膜厚が約１０μｍとなるように感光性樹脂組成物を回転塗布し、１００℃で１８０秒間ホットプレートにてプリベークを行った後、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、１７０℃で２時間加熱して硬化ポリイミド塗膜を得た。膜厚は膜厚測定装置、ラムダエース（大日本スクリーン社製）にて測定した。得られたポリイミド塗膜を削り取り、熱重量測定装置（島津社製、ＴＧＡ－５０）を用いて、室温から１０℃／ｍｉｎで昇温した際に、１７０℃に達した際の膜の重量を１００％として重量が５％減少する温度（５％重量減少温度）を測定した。
(6) Measurement of 5% weight loss temperature of cured polyimide coating film A photosensitive resin composition was spin-coated on a 6-inch silicon wafer so that the film thickness after curing was about 10 μm, and the photosensitive resin composition was pre-baked on a hot plate at 100° C. for 180 seconds, and then heated at 170° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere using a temperature-programmable cure oven (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg Co., Ltd.) to obtain a cured polyimide coating film. The film thickness was measured using a film thickness measuring device, Lambda Ace (manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.). The obtained polyimide coating film was scraped off, and the temperature at which the weight of the film was reduced by 5% (5% weight loss temperature) was measured using a thermogravimetric measuring device (manufactured by Shimadzu Corporation, TGA-50) when the temperature was raised from room temperature at 10° C./min, with the weight of the film at 170° C. being taken as 100%.
＜製造例１＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－１の合成）
４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇ及び２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール１６．５ｇとγ－ブチロラクトン４００ｍＬを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン７９．１ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９０．１ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＡ－１）を得た。ポリマー（Ａ－１）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２９，０００であった。
<Production Example 1> (Synthesis of Polymer A-1 as Resin (A))
155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2 L separable flask, 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA), 16.5 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol, and 400 mL of γ-butyrolactone were added and stirred at room temperature, and 79.1 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generation due to the reaction had ceased, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring, and then a suspension of 90.1 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered off and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (Polymer A-1). The molecular weight of Polymer (A-1) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 29,000.
なお、各製造例で得られた樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、以下の条件で測定し、標準ポリスチレン換算での重量平均分子量を求めた。
ポンプ：ＪＡＳＣＯ ＰＵ－９８０
検出器：ＪＡＳＣＯ ＲＩ－９３０
カラムオーブン：ＪＡＳＣＯ ＣＯ－９６５ ４０℃
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－８０６Ｍ 直列に２本
移動相：０．１ｍｏｌ／Ｌ ＬｉＢｒ／ＮＭＰ
流速：１ｍＬ／ｍｉｎ．
The weight average molecular weight of the resin obtained in each production example was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions, and the weight average molecular weight was calculated in terms of standard polystyrene.
Pump: JASCO PU-980
Detector: JASCO RI-930
Column oven: JASCO CO-965 40°C
Column: Shodex KD-806M, 2 in series Mobile phase: 0.1 mol/L LiBr/NMP
Flow rate: 1 mL/min.
＜製造例２＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－２の合成）
製造例１の２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇ及び２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール１６．５ｇに代えて、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）を７８．１ｇ、２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノールを６６．１ｇ用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－２）を得た。ポリマー（Ａ－２）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２６，０００であった。
<Production Example 2> (Synthesis of Polymer A-2 as Resin (A))
Polymer (A-2) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-described Production Example 1, except that 78.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 66.1 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol were used instead of 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 16.5 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-2) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 26,000.
＜製造例３＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－３の合成）
製造例１の２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇ及び２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール１６．５ｇに代えて、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）を２６．０ｇ、２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノールを１３２．２ｇ用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－３）を得た。ポリマー（Ａ－３）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２５，０００であった。
<Production Example 3> (Synthesis of Polymer A-3 as Resin (A))
Polymer (A-3) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 26.0 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 132.2 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol were used instead of 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 16.5 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-3) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 25,000.
＜製造例４＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－４の合成）
製造例１の２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇ及び２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール１６．５ｇに代えて、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）を１２７．５ｇ、２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノールを３．３ｇ用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－４）を得た。ポリマー（Ａ－４）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２８，０００であった。
<Production Example 4> (Synthesis of Polymer A-4 as Resin (A))
Polymer (A-4) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 127.5 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 3.3 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol were used instead of 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 16.5 g of 2-(N-ethylanilino)ethanol in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-4) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 28,000.
＜製造例５＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－５の合成）
製造例１の４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇに代えて、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－５）を得た。ポリマー（Ａ－５）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２６，０００であった。
<Production Example 5> (Synthesis of Polymer A-5 as Resin (A))
Polymer (A-5) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-5) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 26,000.
＜製造例６＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－６の合成）
製造例１の４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇに代えて、ｐ－フェニレンジアミン４８．７ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－６）を得た。ポリマー（Ａ－６）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２４，０００であった。
<Production Example 6> (Synthesis of Polymer A-6 as Resin (A))
Polymer (A-6) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 48.7 g of p-phenylenediamine was used instead of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-6) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 24,000.
＜製造例７＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－７の合成）
製造例１の２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノールに代えて、４－（ジメチルアミノ）ベンジルアルコール１５．１ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－７）を得た。ポリマー（Ａ－７）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２６，０００であった。
<Production Example 7> (Synthesis of Polymer A-7 as Resin (A))
Polymer (A-7) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 15.1 g of 4-(dimethylamino)benzyl alcohol was used instead of 2-(N-ethylanilino)ethanol in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-7) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 26,000.
＜製造例８＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－８の合成）
Ｎ－メチルエタノールアミン７．５ｇおよびγ－ブチロラクトン５０ｍＬを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れて攪拌し、二炭酸ジ－ｔｅｒｔ－ブチル２１．９ｇをγ－ブチロラクトン２２ｍＬに溶解させた溶液を滴下ロートより滴下した。室温にて３時間攪拌後、高速液体クロマトグラフィーによりＮ－メチルエタノールアミンのアミノ基が１００％ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基で保護されていることを確認した。
次に、同じセパラブルフラスコに、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇとγ―ブチロラクトン３５０ｍＬを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン７９．１ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９０．１ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＡ－８）を得た。ポリマー（Ａ－８）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２８，０００であった。
<Production Example 8> (Synthesis of Polymer A-8 as Resin (A))
7.5 g of N-methylethanolamine and 50 mL of γ-butyrolactone were placed in a 2 L separable flask and stirred, and a solution of 21.9 g of di-tert-butyl dicarbonate dissolved in 22 mL of γ-butyrolactone was added dropwise from a dropping funnel. After stirring at room temperature for 3 hours, it was confirmed by high performance liquid chromatography that 100% of the amino groups of N-methylethanolamine were protected with tert-butoxycarbonyl groups.
Next, 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 350 mL of γ-butyrolactone were added to the same separable flask, and the mixture was stirred at room temperature, and 79.1 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generation due to the reaction had ceased, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring, and then a suspension of 90.1 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered off and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (polymer A-8). The molecular weight of polymer (A-8) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 28,000.
＜製造例９＞（（Ａ）樹脂としてのポリマーＡ－９の合成）
Ｎ－メチルエタノールアミン７．５ｇおよびγ―ブチロラクトン２０ｍＬを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れて攪拌し、クロロ蟻酸９－フルオレニルメチル２６．３ｇをγ－ブチロラクトン３０ｍＬに溶解させた溶液を滴下ロートより滴下した。室温にて終夜攪拌後、高速液体クロマトグラフィーによりＮ－メチルエタノールアミンのアミノ基が１００％９－フルオレニルメチルオキシカルボニル基で保護されていることを確認した。
次に、同じセパラブルフラスコに、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１１７．１ｇとγ―ブチロラクトン３５０ｍＬを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン７９．１ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９０．１ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＡ－９）を得た。ポリマー（Ａ－９）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２４，０００であった。
<Production Example 9> (Synthesis of Polymer A-9 as Resin (A))
7.5 g of N-methylethanolamine and 20 mL of γ-butyrolactone were placed in a 2 L separable flask and stirred, and a solution of 26.3 g of 9-fluorenylmethyl chloroformate dissolved in 30 mL of γ-butyrolactone was added dropwise from a dropping funnel. After stirring overnight at room temperature, it was confirmed by high performance liquid chromatography that 100% of the amino groups of N-methylethanolamine were protected with 9-fluorenylmethyloxycarbonyl groups.
Next, 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), 117.1 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 350 mL of γ-butyrolactone were added to the same separable flask, and the mixture was stirred at room temperature, and 79.1 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generation due to the reaction had ceased, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring, and then a suspension of 90.1 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered off and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (polymer A-9). The molecular weight of polymer (A-9) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 24,000.
＜製造例１０＞ポリイミド前駆体Ｅ－１の合成
４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３１．２ｇとγ－ブチロラクトン４００ｍＬを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に反応混合物を室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を攪拌しながら４０分掛けて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを攪拌しながら６０分掛けて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＥ－１）を得た。ポリマー（Ｅ－１）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
Preparation Example 10: Synthesis of polyimide precursor E-1 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2 L separable flask, 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 mL of γ-butyrolactone were added and stirred at room temperature, and 81.5 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generation due to the reaction had ceased, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by the addition of a suspension of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone over 60 minutes with stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered off and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (polymer E-1). The molecular weight of polymer (E-1) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 20,000.
＜製造例１１＞ポリイミド前駆体Ｅ－２の合成
製造例１０の４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇに代えて、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇを用いた以外は、前述の製造例５に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ｅ－２）を得た。ポリマー（Ｅ－２）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２６，０００であった。
Production Example 11 Synthesis of Polyimide Precursor E-2 Polymer (E-2) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in Production Example 5, except that 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) in Production Example 10. The molecular weight of polymer (E-2) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 26,000.
＜実施例１＞
ポリイミド前駆体Ａ－１を用いて以下の方法でネガ型感光性樹脂組成物を調製し、調製した組成物の評価を行った。（Ａ）ポリイミド前駆体としてＡ－１：１００ｇ、（Ｂ）光重合開始剤として１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム（以下ではＰＤＯと表記）：５ｇを、γ－ブチロラクトン（以下ではＧＢＬと表記）：１００ｇに溶解した。得られた溶液の粘度を、少量のＧＢＬをさらに加えることによって、約４０ポイズに調整し、ネガ型感光性樹脂組成物とした。該組成物を、前述の方法に従って評価した。結果を表１に示す。
Example 1
A negative photosensitive resin composition was prepared using polyimide precursor A-1 by the following method, and the prepared composition was evaluated. (A) 100 g of A-1 as a polyimide precursor, and (B) 5 g of 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)-oxime (hereinafter referred to as PDO) as a photopolymerization initiator were dissolved in 100 g of γ-butyrolactone (hereinafter referred to as GBL). The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 40 poise by further adding a small amount of GBL to obtain a negative photosensitive resin composition. The composition was evaluated according to the above-mentioned method. The results are shown in Table 1.
＜実施例２～１０、比較例１～４＞
表２に示すとおりの配合比で調製したこと以外は、実施例１と同様のネガ型感光性樹脂組成物を調製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表２及び３に示す。表２及び３に記載されている（Ｃ）化合物Ｃ－１～Ｃ－３は、それぞれ以下のとおりである。
<Examples 2 to 10 and Comparative Examples 1 to 4>
Negative photosensitive resin compositions were prepared in the same manner as in Example 1, except that they were prepared in the blending ratios shown in Table 2, and evaluations were carried out in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 2 and 3. Compounds (C) C-1 to C-3 shown in Tables 2 and 3 are as follows, respectively.
Ｃ－１：２－（Ｎ－エチルアニリノ）エタノール
Ｃ－２：Ｎ－（ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル－Ｎ－メチル－２－アミノエタノール）
Ｃ－３：Ｎ－メチル－２－アミノエタノール
C-1: 2-(N-ethylanilino)ethanol C-2: N-(tert-butoxycarbonyl-N-methyl-2-aminoethanol)
C-3: N-methyl-2-aminoethanol
表３から明らかなように、実施例１の感光性樹脂組成物では、保存安定性試験結果は「良好」であり、イミド化率は１００％となり、５％重量減少温度が３００℃、耐薬品性試験結果は「優」であった。同様に実施例２～１０の感光性樹脂組成物はいずれも、保存安定性は「良好」であり、イミド化率は８５％以上と高く、５％重量減少温度も２７０℃以上、耐薬品性試験の結果は可以上であった。
これに対し、比較例１では、保存安定性は「良好」であったが、イミド化率は４０％となり、５％重量減少温度は２６０℃となった。耐薬品性試験の結果、膜厚変化率が浸漬前の膜厚を基準とすると１５％変化しており、評価は「不可」となった。
比較例２では、保存安定性は「良好」であったが、イミド化率は４０％となり、５％重量減少温度は２６０℃となった。耐薬品性試験の結果、膜厚変化率が浸漬前の膜厚を基準とすると１５％変化しており、評価は「不可」となった。
比較例３では、保存安定性は「良好」であったが、イミド化率は３０％となり、５％重量減少温度は２５０℃となった。耐薬品性試験の結果、膜厚変化率が浸漬前の膜厚を基準とすると１５％変化しており、評価は「不可」となった。
比較例４では、樹脂組成物の調製後、室温で３日間攪拌した状態で既にゲル化しており、粘度測定不能であったため、保存安定性は「不良」となった。樹脂組成物はゲル化したため、他の試験は不能であった。
As is clear from Table 3, the photosensitive resin composition of Example 1 had a storage stability test result of "good", an imidization rate of 100%, a 5% weight loss temperature of 300° C., and a chemical resistance test result of "excellent". Similarly, the photosensitive resin compositions of Examples 2 to 10 all had storage stability of "good", an imidization rate as high as 85% or more, a 5% weight loss temperature of 270° C. or more, and chemical resistance test results of fair or better.
In contrast, in Comparative Example 1, the storage stability was "good", but the imidization rate was 40%, and the 5% weight loss temperature was 260° C. As a result of the chemical resistance test, the film thickness change rate changed by 15% based on the film thickness before immersion, and the evaluation was "unacceptable".
In Comparative Example 2, the storage stability was "good", but the imidization rate was 40%, and the 5% weight loss temperature was 260° C. As a result of the chemical resistance test, the film thickness change rate changed by 15% based on the film thickness before immersion, and the evaluation was "unacceptable".
In Comparative Example 3, the storage stability was "good", but the imidization rate was 30%, and the 5% weight loss temperature was 250° C. As a result of the chemical resistance test, the film thickness change rate changed by 15% based on the film thickness before immersion, and the evaluation was "unacceptable".
In Comparative Example 4, the resin composition was already gelled after stirring at room temperature for 3 days after preparation, and the viscosity could not be measured, so the storage stability was rated as "poor." Since the resin composition had gelled, other tests could not be performed.
第三の実施の形態に係る実施例は下記である。
実施例、比較例、及び製造例における感光性樹脂組成物の物性は、以下の方法に従って測定及び評価した。
（１）重量平均分子量
各感光性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（標準ポリスチレン換算）により測定した。測定に用いたカラムは昭和電工社製 商標名 Ｓｈｏｄｅｘ ８０５Ｍ／８０６Ｍ直列であり、標準単分散ポリスチレンは、昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５を選び、展開溶媒はＮ－メチル－２－ピロリドンであり、検出器は昭和電工製 商標名 Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ－９３０を使用した。
An example of the third embodiment is given below.
The physical properties of the photosensitive resin compositions in the Examples, Comparative Examples, and Production Examples were measured and evaluated according to the following methods.
(1) Weight-average molecular weight The weight-average molecular weight (Mw) of each photosensitive resin was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent). The column used in the measurement was a series of Shodex 805M/806M (trade name) manufactured by Showa Denko K.K., the standard monodisperse polystyrene was Shodex STANDARD SM-105 (manufactured by Showa Denko K.K.), the developing solvent was N-methyl-2-pyrrolidone, and the detector was Shodex RI-930 (trade name) manufactured by Showa Denko K.K.
（２）硬化膜作製
６インチシリコンウェハ（フジミ電子工業株式会社製、厚み６２５±２５μｍ）上に、スパッタ装置（Ｌ－４４０Ｓ－ＦＨＬ型、キヤノンアネルバ社製）を用いて２００ｎｍ厚のＴｉ、４００ｎｍ厚のＣｕをこの順にスパッタし、スパッタＣｕウェハ基板を準備した。
後述する方法によりそれぞれ得られた実施例、比較例、及び製造例の感光性樹脂組成物を、スピンコート装置（Ｄ－ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）を使用して上記スパッタＣｕウェハ基板にスピンコートし、１１０℃で１８０秒間加熱乾燥して、膜厚１０μｍ±０．２μｍのスピンコート膜を作製した。
(2) Preparation of Cured Film A 200 nm thick Ti film and a 400 nm thick Cu film were sputtered in this order onto a 6-inch silicon wafer (manufactured by Fujimi Electronics Co., Ltd., thickness 625±25 μm) using a sputtering device (L-440S-FHL type, manufactured by Canon Anelva Corporation) to prepare a sputtered Cu wafer substrate.
The photosensitive resin compositions of the Examples, Comparative Examples, and Production Examples obtained by the methods described below were spin-coated onto the above-mentioned sputtered Cu wafer substrate using a spin coater (D-spin 60A model, manufactured by SOKUDO CORPORATION), and then heated and dried at 110° C. for 180 seconds to prepare spin-coated films having a thickness of 10 μm±0.2 μm.
このスピンコート膜にマスクサイズが直径６μｍの円形パターンを有するテストパターン付レチクルを用いて等倍投影露光装置ＰｒｉｓｍａＧＨＩ Ｓ／Ｎ５５０３（ウルトラテック社製）により、ｇｈ線カットフィルターを取り付け、１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーを照射した。
次いで、スパッタＣｕウェハ上に形成した塗膜を、シクロペンタノンを用いて現像機（Ｄ－ＳＰＩＮ６３６型、大日本スクリーン社製）でスプレー現像し、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートでリンスしてポリアミド酸エステルの丸抜き凹型レリーフパターンを得た。なお、スプレー現像の現像時間は、上記１０μｍのスピンコート膜において、未露光部の樹脂組成物が現像する最小時間の１．４倍の時間と定義した。
上記で得られたパターンを昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、日本国、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、２００℃で２時間加熱処理することにより、シリコンウェハ上に約７～８μｍ厚のポリイミドの硬化レリーフパターンを得た。
This spin-coated film was irradiated with energy of 1000 mJ/cm 2 using a test pattern reticle having a circular pattern with a mask size of 6 μm in diameter, using a Prisma GHI S/N5503 projection exposure apparatus (manufactured by Ultratech Corporation) equipped with a gh-ray cut filter.
The coating film formed on the sputtered Cu wafer was then spray-developed using cyclopentanone with a developer (D-SPIN636, manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.) and rinsed with propylene glycol methyl ether acetate to obtain a polyamic acid ester circular recessed relief pattern. The developing time for spray development was defined as 1.4 times the minimum time required for the resin composition in the unexposed area to develop in the 10 μm spin-coated film.
The pattern obtained above was heat-treated at 200° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere using a temperature-programmable curing oven (VF-2000, manufactured by Koyo Lindberg Co., Ltd., Japan) to obtain a cured relief pattern of polyimide having a thickness of about 7 to 8 μm on a silicon wafer.
（３）ＡＴＲ法によるピーク比の算出
上記で得られた硬化レリーフパターンを、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ＦＴ－ＩＲを用いて、測定範囲４０００～７００ｃｍ－１、測定回数５０回で測定を行った。硬化膜の２９５０ｃｍ－１付近（２９００～３０００ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さと、１７２０ｃｍ－１付近（１６８０～１７５０ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さを求めることより算出した。また、１３８０ｃｍ－１付近（１３５０～１４５０ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さと１５００ｃｍ－１付近（１４６０～１５５０ｃｍ－１、複数ピークがある場合はピーク強度が最大のもの）のピーク高さを求めることにより算出した。
(3) Calculation of peak ratio by ATR method The cured relief pattern obtained above was measured using a Thermo Fisher Scientific FT-IR in the measurement range of 4000 to 700 cm -1 with 50 measurements. The peak height of the cured film was calculated from the peak height near 2950 cm -1 (2900 to 3000 cm -1 , the peak with the maximum intensity if there are multiple peaks) and the peak height near 1720 cm -1 (1680 to 1750 cm -1 , the peak with the maximum intensity if there are multiple peaks). In addition, the peak height was calculated from the peak height near 1380 cm -1 (1350 to 1450 cm -1 , the peak with the maximum intensity if there are multiple peaks) and the peak height near 1500 cm -1 (1460 to 1550 cm -1 , the peak with the maximum intensity if there are multiple peaks).
（４）耐薬品性評価
上記で得られたレリーフパターンについて、薬品（ＤＭＳＯ：７０重量％、２－アミノエタノール：２５重量％、ＴＭＡＨ：５重量％）に５０℃で５分間浸漬した後にＴｅｎｃｏｒ Ｐ－１５型段差計（ケーエルエーテンコール社製）を用いて膜厚測定を行い、薬品処理前と比較することにより溶解レート（ｎｍ／分）として算出した。
(4) Chemical Resistance Evaluation The relief patterns obtained above were immersed in chemicals (DMSO: 70% by weight, 2-aminoethanol: 25% by weight, TMAH: 5% by weight) at 50° C. for 5 minutes, and then the film thickness was measured using a Tencor P-15 step gauge (manufactured by KLA Tencor Corporation). The film thickness was then compared with that before the chemical treatment to calculate a dissolution rate (nm/min).
（５）銅ピラー剥がれ評価
５インチのシリコンウェハ上にアネルバ製スパッタリング装置により２０００オングストローム厚みのクロム層を形成し、さらに２０００オングストロームの銅層を形成させた。これに支持体として１６μｍ厚みのポリエチレンテレフタレートフィルム、３０μｍ厚みの感光性樹脂層および保護フィルムとして２３μｍ厚みのポリエチレンフィルムを有する感光性樹脂積層体を旭化成製ラミネーターＡＬ－７０により、保護フィルムを剥がしながら、感光性樹脂層の面がシリコンウェハに密着するようにラミネートした。ラミネートはロール温度を１００℃、圧力はエアー圧で３ｋｇ／ｃｍ２、速度は１．５ｍ／分で行った。
感光性樹脂積層体がラミネートされたウェハに１００μｍ角の格子状のマスクを置き、オーク社製平行光露光機ＨＭＷ－８０１で２００ｍＪ／ｃｍ２露光した。
支持体を剥がした後、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を１２０秒間スプレーし、未露光部分の感光性樹脂層を現像除去し、全面に１００μｍ角の陥没孔が存在するようなレジストパターンを形成させた。
(5) Evaluation of copper pillar peeling A 2000 angstrom thick chromium layer was formed on a 5-inch silicon wafer using an Anelva sputtering device, and a 2000 angstrom thick copper layer was then formed. A photosensitive resin laminate having a 16 μm thick polyethylene terephthalate film as a support, a 30 μm thick photosensitive resin layer, and a 23 μm thick polyethylene film as a protective film was laminated onto the silicon wafer using an Asahi Kasei laminator AL-70, while peeling off the protective film, so that the surface of the photosensitive resin layer was in close contact with the silicon wafer. Lamination was performed at a roll temperature of 100° C., an air pressure of 3 kg/cm 2 , and a speed of 1.5 m/min.
A lattice-shaped mask of 100 μm square was placed on the wafer laminated with the photosensitive resin laminate, and the wafer was exposed to 200 mJ/cm 2 using a parallel light exposure machine HMW-801 manufactured by Oak Corporation.
After peeling off the support, a 1% aqueous sodium carbonate solution at 30° C. was sprayed for 120 seconds to develop and remove the photosensitive resin layer in the unexposed areas, forming a resist pattern with 100 μm square recesses over the entire surface.
レジストが形成されたウェハを、３０℃の酸性クリーナー（アトテックジャパン製ＦＲＸ）に３分間浸漬することで脱脂を行った後、 はんだめっき液（メルテックス社製プルティンＬＡホウフッ化はんだ浴）中で３時間電解はんだめっきした。電流密度は１．５Ａ／ｄｍ２になるように調整した。めっき後のウェハを５０℃の３％水酸化ナトリウム水溶液に１０分間浸漬してレジストを剥離した。めっき高さは２０±５μｍの範囲であった。 The wafer on which the resist was formed was degreased by immersing it in an acid cleaner (FRX manufactured by Atotech Japan) at 30°C for 3 minutes, and then electrolytic solder plating was performed in a solder plating solution (Plutin LA fluoroborate solder bath manufactured by Meltex) for 3 hours. The current density was adjusted to 1.5 A/ dm2 . The wafer after plating was immersed in a 3% aqueous sodium hydroxide solution at 50°C for 10 minutes to remove the resist. The plating height was in the range of 20±5 μm.
上記で作製した銅ピラーを有するウェハに、実施例、比較例で作成した感光性樹脂組成物を最終膜厚が約３０μｍとなるようにコート、キュアした後に、リフロー（２６０℃、３分間）かけた後にＦＩＢ装置（日本電子社製、ＪＩＢ－４０００）で加速電圧３０ｋＶ、Ｉｅ値１ｎＡで断面を切断した後の銅ピラー部分と硬化膜部分の剥がれの程度を観察した。
全く剥がれていないものを○、わずかな剥がれ（銅部分と硬化膜界面の一部）が見られたものを△、全面的に剥がれが見られたものを×とした。
The photosensitive resin compositions prepared in the Examples and Comparative Examples were coated on the wafers having the copper pillars prepared above so that the final film thickness was about 30 μm, cured, and then reflowed (260° C., 3 minutes). The cross section was then cut with an FIB device (manufactured by JEOL, JIB-4000) at an acceleration voltage of 30 kV and an Ie value of 1 nA, and the degree of peeling of the copper pillar portions and the cured film portions was observed.
Those that had not peeled at all were rated as ◯, those that had slight peeling (part of the interface between the copper portion and the cured film) were rated as Δ, and those that had peeling completely were rated as ×.
（６）封止材劣化試験
エポキシ系封止材として長瀬ケムテックス社製のＲ４０００シリーズを用意した。
次いで、アルミスパッタしたシリコンウェハ上に封止材を厚みが約１５０ミクロンになるようにスピンコートし、１３０℃で熱硬化させてエポキシ系封止材を硬化させた。
上記エポキシ系硬化膜上に実施例で作製した感光性樹脂組成物を最終膜厚が１０ミクロンになるように塗布した。塗布した感光性樹脂組成物を、実施例１～１２ではｉ線１００ｍＪ／ｃｍ２露光条件で全面を露光した後、２００℃２時間熱硬化させて、厚み１０ミクロンの１層目の硬化膜を作製した。
上記１層目の硬化膜上に１層目の硬化膜形成で使用した感光性樹脂組成物を塗布し、１層目の硬化膜作製時と同じ条件で全面を露光した後、熱硬化させて、厚み１０ミクロンの２層目の硬化膜を作製した。
２層目の硬化膜形成後の試験片を、ＦＩＢ装置（日本電子社製、ＪＩＢ－４０００）で断面を切断した後に、エポキシ部分のボイドの有無を確認することにより、劣化の程度を評価した。ボイドが見られないものを○、ボイドが１つでも見られたものを×とした。
(6) Sealing Material Deterioration Test As an epoxy-based sealing material, R4000 series manufactured by Nagase Chemtex Corporation was prepared.
Next, the sealing material was spin-coated onto an aluminum-sputtered silicon wafer to a thickness of about 150 microns, and then thermally cured at 130° C. to harden the epoxy-based sealing material.
The photosensitive resin composition prepared in the examples was applied onto the epoxy-based cured film so that the final film thickness was 10 microns. In Examples 1 to 12, the entire surface of the applied photosensitive resin composition was exposed to i-line at 100 mJ/ cm2 exposure conditions, and then thermally cured at 200°C for 2 hours to prepare a first layer cured film having a thickness of 10 microns.
The photosensitive resin composition used in forming the first cured film was applied onto the first cured film, and the entire surface was exposed to light under the same conditions as when the first cured film was prepared, followed by thermal curing to prepare a second cured film having a thickness of 10 microns.
The test piece after the formation of the second cured film was cut into a cross section using an FIB device (JIB-4000, manufactured by JEOL Ltd.), and the presence or absence of voids in the epoxy part was checked to evaluate the degree of deterioration. Those with no voids were marked with ○, and those with at least one void were marked with ×.
（７）封止材との密着性試験
封止材劣化試験で作製したサンプルの感光性樹脂硬化膜上にエポキシ樹脂を塗布し、続いてピンを立て、引取試験機（クワッドグループ社製、セバスチャン５型）を用いて密着性試験を行った。
評価：接着強度７０ＭＰａ以上 ・・・密着力◎
５０ＭＰａ以上－７０ＭＰａ未満・・・密着力○
３０ＭＰａ以上－５０ＭＰａ未満・・・密着力△
３０ＭＰａ未満 ・・・密着力×
(7) Adhesion test with encapsulant An epoxy resin was applied onto the photosensitive resin cured film of the sample prepared in the encapsulant deterioration test, and then a pin was inserted and an adhesion test was performed using a pull-out tester (Sebastian Model 5, manufactured by Quad Group).
Evaluation: Adhesion strength: 70 MPa or more... Adhesion: ◎
50MPa or more - less than 70MPa...Adhesion strength is good
30MPa or more - less than 50MPa...adhesion strength △
Less than 30MPa...Adhesion strength x
（８）ＨＡＳＴ試験前後のガラス転移温度（Ｔｇ）測定
上述の方法にて硬化後の膜厚が１０μｍとなるようにスピンコート、露光、現像、硬化させて得られたポリイミドを、高温加速試験（ＨＡＳＴと略称する。平山製作所製ＰＣ－４４２Ｒ８Ｄ、１３０℃、８５％ＲＨ、１６８時間）を行った後のＴｇを下記条件にて行った。また、ＨＡＳＴ試験を実施していないものとの比較を下記のように行い、評価を実施した。
装置：島津製作所社製ＴＭＡ－５０
引っ張り荷重：２００ｇ／ｍｍ２
測定雰囲気：窒素（流量５０ｍＬ／分）
昇温速度：１０℃／分
サンプル幅：３ｍｍ
評価 （ＨＡＳＴ試験後のＴｇ－ＨＡＳＴ試験前のＴｇ）の絶対値が５以下：◎
絶対値が５を超えて１０以下：○
絶対値が１０を超えて１５以下：△
絶対値が１５を超えて２０以下：×
(8) Measurement of glass transition temperature (Tg) before and after HAST test Polyimide obtained by spin coating, exposure, development, and curing so that the film thickness after curing was 10 μm by the above-mentioned method was subjected to a high temperature accelerated test (abbreviated as HAST, PC-442R8D manufactured by Hirayama Seisakusho, 130° C., 85% RH, 168 hours), and then Tg was measured under the following conditions. In addition, a comparison was made with a sample that had not been subjected to the HAST test, and an evaluation was performed as follows.
Equipment: Shimadzu Corporation TMA-50
Tensile load: 200g/ mm2
Measurement atmosphere: nitrogen (flow rate 50 mL/min)
Heating rate: 10°C/min Sample width: 3mm
Evaluation: Absolute value of (Tg after HAST test - Tg before HAST test) is 5 or less: ◎
Absolute value is greater than 5 and less than 10: ○
Absolute value is over 10 and 15 or less: △
Absolute value is greater than 15 and less than 20: ×
＜製造例１＞（ポリマーＡ－１の合成）
３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３１．２ｇとγ―ブチロラクトン４００ｍｌを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
<Production Example 1> (Synthesis of Polymer A-1)
147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was placed in a 2 L separable flask, 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 ml of γ-butyrolactone were added and stirred at room temperature, and 81.5 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generation due to the reaction had ceased, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍｌに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９３．０ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍｌに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍｌを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。 Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring, followed by the addition of a suspension of 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DADPE) suspended in 350 ml of γ-butyrolactone over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５ｌｇに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＡ１）を得た。ポリマー１の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２２，０００であった。 The resulting reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The crude polymer produced was filtered off and dissolved in 1.5 g of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The resulting crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (Polymer A1). The molecular weight of Polymer 1 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 22,000.
＜製造例２＞（ポリマーＡ－２の合成）
製造例１の３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇに代えて、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー２を得た。ポリマーＡ２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２２，０００であった。
<Production Example 2> (Synthesis of Polymer A-2)
A reaction was carried out in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 155.1 g of oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was used instead of 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in Production Example 1, to obtain
＜製造例３＞（ポリマーＡ－３の合成）
製造例１の３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇに代えて、４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを用い、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９３．０ｇに代えて、ｐ－フェニレンジアミン(ｐ－ＰＤ)５０．２ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ３を得た。ポリマー３の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
<Production Example 3> (Synthesis of Polymer A-3)
Polymer A3 was obtained by carrying out the reaction in the same manner as in Production Example 1, except that 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was used instead of 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 50.2 g of p-phenylenediamine (p-PD) were used instead of 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DADPE) in Production Example 1. The molecular weight of Polymer 3 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 20,000.
＜製造例４＞（ポリマーＡ－４の合成）
製造例１の３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇに代えて、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９３．０ｇに代えて４，４’－ジアミノ－２，２’－ジメチルビフェニル（ｍ－ＴＢ）９８．６ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ４を得た。ポリマー４の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２１，０００であった。
<Production Example 4> (Synthesis of Polymer A-4)
Polymer A4 was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above-mentioned Production Example 1, except that 155.1 g of oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was used instead of 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and 98.6 g of 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl (m-TB) were used instead of 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DADPE) in Production Example 1. The molecular weight of
＜製造例５＞（ポリマーＡ－５の合成）
製造例１の３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇに代えて、オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）７７．６ｇとピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）５４．５ｇを、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９３．０ｇに代えて４，４’－ジアミノ－２，２’－ジメチルビフェニル（ｍ－ＴＢ）９８．６ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＡ５を得た。ポリマー５の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２３，０００であった。
<Production Example 5> (Synthesis of Polymer A-5)
Polymer A5 was obtained by carrying out the reaction in the same manner as in Production Example 1, except that 77.6 g of oxydiphthalic dianhydride (ODPA) and 54.5 g of pyromellitic dianhydride (PMDA) were used instead of 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) in Production Example 1, and 98.6 g of 4,4'-diamino-2,2'-dimethylbiphenyl (m-TB) was used instead of 93.0 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DADPE). The molecular weight of polymer 5 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and the weight average molecular weight (Mw) was 23,000.
＜製造例６＞（ポリマーＡ－６の合成）
撹拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中にピロメリット酸－ヒドロキシエチルメタクリレートジエステル（ＰＭＤＡ（ＨＥＭＡ））溶液１９５．５６４ｇと４，４’－オキシジフタル酸－ヒドロキシエチルメタクリレートジエステル（ＯＤＰＡ（ＨＥＭＡ））溶液５８．６５２ｇを入れ、その後、氷冷下で塩化チオニル２５．９ｇ（２１７．８ｍｍｏｌ）を反応溶液温度が１０度以下を保つように滴下漏斗を用いて滴下した。塩化チオニルの滴下が終了した後、氷冷下で２時間反応を行いＰＭＤＡ（ＨＥＭＡ）とＯＤＰＡ（ＨＥＭＡ）の酸クロリドの溶液を得た。次いで、滴下漏斗を用いて、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン３１．６９６ｇ（９９．０ｍｍｏｌ）、ピリジン３４．４５７ｇ（４３５．６ｍｍｏｌ）、ハイドロキノン０．０７６ｇ（０．６９３ｍｍｏｌ）のＮ－メチルピロリドン溶液９０．２１１ｇを氷冷化で反応溶液の温度が１０℃を超えないように注意しながら滴下した。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってポリアミド酸エステルを得た。ポリマー５の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は３２，０００であった。
<Production Example 6> (Synthesis of Polymer A-6)
In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 195.564 g of pyromellitic acid-hydroxyethyl methacrylate diester (PMDA(HEMA)) solution and 58.652 g of 4,4'-oxydiphthalic acid-hydroxyethyl methacrylate diester (ODPA(HEMA)) solution were placed, and then 25.9 g (217.8 mmol) of thionyl chloride was added dropwise using a dropping funnel while cooling with ice so that the reaction solution temperature was kept below 10°C. After the dropwise addition of thionyl chloride was completed, the reaction was carried out for 2 hours while cooling with ice, and a solution of acid chloride of PMDA(HEMA) and ODPA(HEMA) was obtained. Next, using a dropping funnel, 90.211 g of an N-methylpyrrolidone solution containing 31.696 g (99.0 mmol) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine, 34.457 g (435.6 mmol) of pyridine, and 0.076 g (0.693 mmol) of hydroquinone was dropped while cooling with ice, taking care not to allow the temperature of the reaction solution to exceed 10°C. This reaction solution was dropped into distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a polyamic acid ester. The molecular weight of polymer 5 was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 32,000.
＜実施例１＞
（Ａ）成分として、ポリマーＡ－１を５０ｇ及びポリマーＡ－２を５０ｇ、（Ｂ）成分として開始剤Ｂ１（４ｇ）、その他成分としてテトラエチレングリコールジメタクリレート３０ｇを、ガンマブチロラクトン及びＤＭＳＯからなる混合溶媒（重量比７５：２５）に溶解し、粘度が約３５ポイズになるように溶媒の量を調整することにより、感光性樹脂組成物溶液とした。
この組成物について、上述の方法により評価した。評価結果は表４及び表５に示した。
Example 1
As the (A) component, 50 g of polymer A-1 and 50 g of polymer A-2, as the (B) component, initiator B1 (4 g), and as the other component, 30 g of tetraethylene glycol dimethacrylate were dissolved in a mixed solvent (weight ratio 75:25) consisting of gamma-butyrolactone and DMSO, and the amount of the solvent was adjusted so that the viscosity was about 35 poise, thereby preparing a photosensitive resin composition solution.
This composition was evaluated by the above-mentioned methods, and the evaluation results are shown in Tables 4 and 5.
表４及び５中の略号の説明は次のとおりである。
開始剤Ｂ１：ＴＲ－ＰＢＧ－３０５
架橋剤Ｃ１：テトラエチレングリコールジメタクリレート
架橋剤Ｃ２：ペンタエリスリトールテトラアクリレート
熱塩基発生剤Ｅ１：下記式（ＡＭ－１）で表される化合物
Initiator B1: TR-PBG-305
Crosslinking agent C1: tetraethylene glycol dimethacrylate Crosslinking agent C2: pentaerythritol tetraacrylate Thermal base generator E1: a compound represented by the following formula (AM-1)
＜実施例２～１２、実施例ｉｉｉ－１～ｉｉｉ－１２、比較例１＞
表４及び５に記載の含有成分及び／又は含有割合で樹脂組成物溶液を形成した以外は、実施例１と同様の方法で評価を行った。評価結果は表４及び５に示した。
<Examples 2 to 12, Examples iii-1 to iii-12, Comparative Example 1>
The evaluation was carried out in the same manner as in Example 1, except that the resin composition solution was formed with the components and/or content ratios shown in Tables 4 and 5. The evaluation results are shown in Tables 4 and 5.
表４及び５から明らかなように、２９５０ｃｍ－１付近のピーク／１７２０ｃｍ－１付近のピークが、０．０５～０．３５である実施例の硬化膜は、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーとの剥がれが少ないことがわかる。また、表４及び５から、上記範囲内にある硬化膜を層間絶縁膜とした半導体装置は、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下を抑えることができることがわかった。
その中でも特に、前記ピーク比が０．１～０．２５である実施例の硬化膜では、より良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーとの剥がれがより少ないことがわかる。また、上記範囲内にある硬化膜を層間絶縁膜とした半導体装置は、モールド樹脂であるエポキシ樹脂の劣化や密着性の低下をより効果的に抑えることができることがわかった。
As is clear from Tables 4 and 5, the cured films of the examples in which the peak near 2950 cm -1 /peak near 1720 cm -1 ratio is 0.05 to 0.35 exhibit good chemical resistance and are less likely to peel off from the copper pillar. Furthermore, from Tables 4 and 5, it was found that a semiconductor device having a cured film within the above range as an interlayer insulating film can suppress deterioration of the epoxy resin, which is the molding resin, and a decrease in adhesion.
In particular, it is found that the cured films of the examples having a peak ratio of 0.1 to 0.25 exhibit better chemical resistance and are less likely to peel off from the copper pillar. It is also found that a semiconductor device having a cured film within the above range as an interlayer insulating film can more effectively prevent deterioration of the epoxy resin used as the mold resin and a decrease in adhesion.
以下、本発明の第四の態様について、効果を明確にするために行った例を以下に説明する。実施例においては、以下の材料および測定方法を用いた。 The following describes examples of the fourth aspect of the present invention that were carried out to clarify the effects. The following materials and measurement methods were used in the examples.
（ポリマーＡ－１：ポリイミド前駆体の合成）
テトラカルボン酸二無水物として４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）を２リットル容量のセパラブルフラスコに入れた。更に、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）とγ－ブチロラクトンを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジンを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
(Synthesis of Polymer A-1: Polyimide Precursor)
4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2-liter separable flask as a tetracarboxylic dianhydride. 2-Hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and γ-butyrolactone were then added and stirred at room temperature, and pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the heat generated by the reaction had ceased, the mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）をγ－ブチロラクトンに溶解した溶液を攪拌しながら４０分かけて反応混合物に加えた。続いてジアミンとして４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）をγ－ブチロラクトンに懸濁したものを攪拌しながら６０分かけて加えた。更に、室温で２時間攪拌した後、エチルアルコールを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトンを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。 Next, under ice cooling, a solution of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes while stirring. Next, a suspension of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DADPE) as a diamine in γ-butyrolactone was added over 60 minutes while stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
得られた反応液を、エチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。
生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフランに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリイミド前駆体（ポリマーＡ－１））を得た。成分Ａ－１で使用した化合物の質量については、下記に示す表６の通りである。
The resulting reaction solution was added to ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer.
The resulting crude polymer was filtered off and dissolved in tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The resulting crude polymer solution was dropped into water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (polyimide precursor (polymer A-1)). The masses of the compounds used in component A-1 are shown in Table 6 below.
（ポリマーＡ－２～Ａ－３の合成）
テトラカルボン酸二無水物とジアミンを下記表６のように変更した以外は前述のポリマーＡ－１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリイミド前駆体（ポリマーＡ－２～Ａ－３）を得た。
(Synthesis of Polymers A-2 and A-3)
The reaction was carried out in the same manner as in the above-mentioned Polymer A-1, except that the tetracarboxylic dianhydride and diamine were changed as shown in Table 6 below, to obtain polyimide precursors (Polymers A-2 to A-3).
（ポリマーＢ－１：ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成）
攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、ジカルボン酸として４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸１５．４８ｇ、Ｎ－メチルピロリドンを仕込んだ。フラスコを、５℃に冷却した後、塩化チオニルを滴下し、３０分間反応させて、ジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ－メチルピロリドンを仕込んだ。ビスアミノフェノールとしてビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１８．３０ｇと、ｍ－アミノフェノール２．１８ｇを攪拌溶解した後、ピリジンを添加した。そして、温度を０～５℃に保ちながら、ジカルボン酸クロリドの溶液を３０分間で滴下した後、３０分間攪拌を続けた。溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で３回洗浄した後、減圧乾燥してポリマー（ポリベンゾオキサゾール前駆体（ポリマーＢ－１））を得た。ポリマーＢ－１で使用した化合物の質量については下記の表６の通りである。
(Synthesis of Polymer B-1: Polybenzoxazole Precursor)
In a 0.5-liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 15.48 g of 4,4'-diphenyl ether dicarboxylic acid and N-methylpyrrolidone were charged as dicarboxylic acid. After the flask was cooled to 5°C, thionyl chloride was dropped and reacted for 30 minutes to obtain a solution of dicarboxylic acid chloride. Next, N-methylpyrrolidone was charged in a 0.5-liter flask equipped with a stirrer and a thermometer. After stirring and dissolving 18.30 g of bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane and 2.18 g of m-aminophenol as bisaminophenol, pyridine was added. Then, while maintaining the temperature at 0 to 5°C, the solution of dicarboxylic acid chloride was dropped over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. The solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed three times with pure water, and then dried under reduced pressure to obtain a polymer (polybenzoxazole precursor (polymer B-1)). The masses of the compounds used in polymer B-1 are as shown in Table 6 below.
（ポリマーＢ－２の合成）
ジカルボン酸とビスアミノフェノールを下記に示す表６のように変更した以外は前述のポリマーＢ－１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリベンゾオキサゾール前駆体（ポリマーＢ－２）を得た。
(Synthesis of Polymer B-2)
A polybenzoxazole precursor (polymer B-2) was obtained by carrying out the reaction in the same manner as in the above-mentioned polymer B-1, except that the dicarboxylic acid and bisaminophenol were changed as shown in Table 6 below.
［実施例１～１５、比較例１～７］
下記に示す表８の通りに配合し、感光性樹脂組成物の溶液を得た。尚、表８の単位は質量部である。また、用いた光開始剤、光酸発生剤、架橋剤および溶媒について、表７に示す。
実施例１～１５、及び、比較例１～７の各感光性樹脂組成物を作製した。
[Examples 1 to 15, Comparative Examples 1 to 7]
The components were mixed as shown in Table 8 below to obtain a solution of a photosensitive resin composition. The units in Table 8 are parts by mass. The photoinitiator, photoacid generator, crosslinking agent, and solvent used are shown in Table 7.
Photosensitive resin compositions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 7 were prepared.
作製した感光性樹脂組成物を用いて半導体デバイスを作製し、（１）絶縁膜層形成後の半導体デバイスの収率、（２）絶縁膜間の気泡の有無、（３）信頼性試験後の半導体デバイスの収率の計測を行った。各試験の結果を、表８に示す。 Semiconductor devices were produced using the photosensitive resin composition prepared, and measurements were made of (1) the yield of the semiconductor devices after the formation of the insulating film layer, (2) the presence or absence of air bubbles between the insulating films, and (3) the yield of the semiconductor devices after a reliability test. The results of each test are shown in Table 8.
（１）絶縁膜層形成後の半導体デバイスの収率
１２インチウェハサイズの支持体上に、半導体チップを１００個貼り付け、モールド樹脂を塗布しモールド封止した。その後、モールド樹脂をダイシングし、モールド樹脂内から半導体チップを露出させた。その後、実施例、比較例で作製した感光性樹脂組成物をスピンコーター（東京エレクトロン社製 ＡＣＴ－１２）を用いて塗布し、露光、現像工程を経て硬化レリーフパターンを形成した。昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気化で表８に示す温度および時間で第一の熱硬化工程を行い、半硬化レリーフパターンを得た。続いて、メッシュベルト式連続焼成炉（光洋サーモシステム社製、型式名６８４１－２０ＡＭＣ－３６）を用いて、半導体装置の評価方法に関する米国半導体業界団体の標準規格であるＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ Ｊ－ＳＴＤ－０２０Ａの７．６項記載の半田リフロー条件に準拠する形で、窒素雰囲気化、表８に示す温度および時間で第二の熱硬化工程を行い、硬化レリーフパターンを得た。上記の塗布～熱硬化の工程を複数回（２回）繰り返すことにより、多層硬化レリーフパターンとした。さらに再配線層を形成した。続けて、同様に絶縁膜層となる硬化レリーフパターンを形成して、さらに外部接続端子を形成することで、２層の絶縁膜層を有するファンナウト型のウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置を作製した。
作製した半導体装置の外部端子と電極を接続して、半導体チップが稼働するかテストを行った。
評価：１００個稼働・・・◎＋
９８～９９個稼働 ・・・◎
９７～９５個稼働 ・・・○＋
９４～９２個稼働 ・・・○
９１～９０個稼働 ・・・△
８９個以下稼働 ・・・×
(1) Yield of semiconductor device after insulating film layer formation 100 semiconductor chips were attached onto a support of 12-inch wafer size, and mold resin was applied and mold-sealed. Thereafter, the mold resin was diced to expose the semiconductor chips from within the mold resin. Thereafter, the photosensitive resin compositions prepared in the Examples and Comparative Examples were applied using a spin coater (ACT-12, manufactured by Tokyo Electron Ltd.), and a cured relief pattern was formed through exposure and development steps. Using a temperature-rising programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindbergh Co., Ltd.), a first thermal curing step was carried out in a nitrogen atmosphere at the temperature and time shown in Table 8 to obtain a semi-cured relief pattern. Next, a second thermal curing step was performed in a nitrogen atmosphere at the temperature and time shown in Table 8 in accordance with the solder reflow conditions described in Section 7.6 of IPC/JEDEC J-STD-020A, a standard of the US semiconductor industry group regarding the evaluation method of semiconductor devices, using a mesh belt type continuous baking furnace (manufactured by Koyo Thermo Systems, model name 6841-20AMC-36), to obtain a cured relief pattern. The above-mentioned coating to thermal curing steps were repeated multiple times (twice) to obtain a multi-layered cured relief pattern. Furthermore, a rewiring layer was formed. Subsequently, a cured relief pattern that would become an insulating film layer was similarly formed, and an external connection terminal was further formed, thereby producing a fan-out type wafer level chip size package type semiconductor device having two insulating film layers.
The external terminals and electrodes of the fabricated semiconductor device were connected, and a test was performed to check whether the semiconductor chip was operational.
Rating: 100 units in operation... ◎+
98 to 99 units in operation... ◎
97 to 95 units in operation...○+
94 to 92 units in operation...○
91 to 90 units in operation...△
Less than 89 units in operation... ×
（２）絶縁膜間の気泡の有無
（１）で作製した２層の絶縁膜層を有するファンナウト型のウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置の絶縁膜層を、集束イオンビーム加工観察装置（ＪＩＢ－４０００型、日本電子株式会社製）を用いて１０か所を割断した。割断した絶縁膜間に気泡が観察されたものを「有」、気泡が観察されなかったものを「無し」とした。
(2) Presence or absence of air bubbles between insulating films The insulating film layer of the fan-out type wafer-level chip size package type semiconductor device having two insulating film layers produced in (1) was fractured at 10 places using a focused ion beam processing and observation device (JIB-4000 type, manufactured by JEOL Ltd.) When air bubbles were observed between the fractured insulating films, it was marked as "present", and when no air bubbles were observed, it was marked as "absent".
（３）信頼性試験後の半導体デバイスの収率
（１）の試験で稼働した半導体デバイスをダイシングし、個片化した。個片化した半導体
デバイス１０個をプレッシャークッカー（１２１℃ 、２ ．０気圧）で１００時間処理を
行い、その後、半導体装置の外部端子と電極を接続して、半導体チップが稼働するかテス
トを行った。
評価：１０個稼働・・・◎＋
９個稼働 ・・・◎
８個稼働 ・・・○＋
７個稼働 ・・・○
６個稼働 ・・・△
５個以下稼働 ・・・×
(3) Yield of semiconductor device after reliability test The semiconductor device operated in the test (1) was diced and divided into individual pieces. Ten individual pieces of the semiconductor device were treated in a pressure cooker (121° C., 2.0 atm) for 100 hours, and then the external terminals and electrodes of the semiconductor device were connected to test whether the semiconductor chips were operational.
Rating: 10 units in operation... ◎+
9 units in operation...
8 units in operation...○+
7 units in operation...○
6 in operation...△
5 or less in operation... ×
表８に記載の感光性樹脂組成物を用いて、モールド樹脂にエポキシ樹脂を含むファンナウト型のウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置を作製したところ、熱硬化工程を、１５０℃～２００℃の温度範囲で０～２４０分加熱処理する第一の熱硬化工程と、２００～２６０℃の温度範囲で、且つ第一の熱硬化工程より高い温度で１０分以下加熱処理する第二の熱硬化工程との２段階で行った実施例１～１５では、絶縁膜層形成後でも半導体デバイスに熱ダメージが少なく、信頼性試験後でも問題なく動作する半導体デバイスを収率良く得られた。 Using the photosensitive resin composition shown in Table 8, fan-out type wafer-level chip size package type semiconductor devices containing epoxy resin as the molding resin were fabricated. In Examples 1 to 15, in which the thermal curing process was performed in two stages, a first thermal curing process in which heat treatment was performed for 0 to 240 minutes in the temperature range of 150°C to 200°C, and a second thermal curing process in which heat treatment was performed for 10 minutes or less in the temperature range of 200 to 260°C and at a higher temperature than the first thermal curing process, the semiconductor device sustained little thermal damage even after the insulating film layer was formed, and semiconductor devices that operated without problems even after reliability tests were obtained with a good yield.
第五の態様の実施例は下記である。
＜測定及び評価方法＞
（１）重量平均分子量
各樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（標準ポリスチレン換算）を用いて以下の条件下で測定した。
ポンプ：ＪＡＳＣＯ ＰＵ－９８０
検出器：ＪＡＳＣＯ ＲＩ－９３０
カラムオーブン：ＪＡＳＣＯ ＣＯ－９６５ ４０℃
カラム：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－８０６Ｍ 直列に２本、又は
昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ ８０５Ｍ／８０６Ｍ直列
標準単分散ポリスチレン：昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ ＳＴＡＮＤＡＲＤ ＳＭ－１０５
移動相：０．１ｍｏｌ／Ｌ ＬｉＢｒ／Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）
流速：１ｍＬ／ｍｉｎ．
An example of the fifth aspect is as follows.
<Measurement and evaluation methods>
(1) Weight Average Molecular Weight The weight average molecular weight (Mw) of each resin was measured using gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) under the following conditions.
Pump: JASCO PU-980
Detector: JASCO RI-930
Column oven: JASCO CO-965 40°C
Column: Showa Denko Shodex KD-806M, 2 in series, or
Shodex 805M/806M series manufactured by Showa Denko K.K. Standard monodisperse polystyrene: Shodex STANDARD SM-105 manufactured by Showa Denko K.K.
Mobile phase: 0.1 mol/L LiBr/N-methyl-2-pyrrolidone (NMP)
Flow rate: 1 mL/min.
（２）Ｃｕ上の硬化レリーフパタ－ンの作製
６インチシリコンウェハ（フジミ電子工業株式会社製、厚み６２５±２５μｍ）上に、スパッタ装置（Ｌ－４４０Ｓ－ＦＨＬ型、キヤノンアネルバ社製）を用いて２００ｎｍ厚のＴｉ、４００ｎｍ厚のＣｕをこの順にスパッタした。続いて、このウェハ上に、後述の方法により調製した感光性樹脂組成物をコーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）を用いて回転塗布し、１１０℃で１８０秒間ホットプレートにてプリベークを行い、約７μｍ厚の塗膜を形成した。この塗膜に、テストパターン付マスクを用いて、プリズマＧＨＩ（ウルトラテック社製）により５００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギ－を照射した。次いで、この塗膜を、現像液としてネガ型の場合はシクロペンタノンを、ポジ型の場合は２．３８％ＴＭＡＨを用いてコーターデベロッパー（Ｄ－Ｓｐｉｎ６０Ａ型、ＳＯＫＵＤＯ社製）でスプレー現像し、ネガ型の場合はプロピレングリコ－ルメチルエーテルアセテートで、ポジ型の場合は純水でリンスすることにより、Ｃｕ上のレリーフパターンを得た。
Ｃｕ上に該レリーフパターンを形成したウェハを、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、窒素雰囲気下、表９及び表１０に記載の温度において２時間加熱処理することにより、Ｃｕ上に約４～５μｍ厚の樹脂から成る硬化レリーフパターンを得た。
(2) Preparation of a cured relief pattern on Cu A 6-inch silicon wafer (manufactured by Fujimi Electronics Co., Ltd., thickness 625±25 μm) was sputtered with a 200 nm thick Ti film and a 400 nm thick Cu film in this order using a sputtering device (L-440S-FHL type, manufactured by Canon Anelva Corporation). Next, a photosensitive resin composition prepared by the method described below was spin-coated on this wafer using a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by SOKUDO Co., Ltd.), and prebaked on a hot plate at 110° C. for 180 seconds to form a coating film with a thickness of about 7 μm. This coating film was irradiated with energy of 500 mJ/cm 2 using a test pattern mask with Prisma GHI (manufactured by Ultratech Co., Ltd.). Next, this coating film was spray-developed with a coater developer (D-Spin 60A type, manufactured by Sokudo Co., Ltd.) using cyclopentanone as a developer for a negative type or 2.38% TMAH as a developer for a positive type, and rinsed with propylene glycol methyl ether acetate for a negative type or with pure water for a positive type to obtain a relief pattern on Cu.
The wafer on which the relief pattern was formed on Cu was subjected to a heat treatment in a temperature-ramp programmable curing furnace (VF-2000 type, manufactured by Koyo Lindberg) for 2 hours at the temperatures shown in Tables 9 and 10 under a nitrogen atmosphere, thereby obtaining a cured relief pattern made of resin having a thickness of about 4 to 5 μm on Cu.
（３）イミド化率測定
上記硬化レリーフパターン樹脂部をＡＴＲ－ＦＴＩＲ測定装置（Ｎｉｃｏｌｅｔ Ｃｏｎｔｉｎｕｕｍ、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）にてＳｉプリズムを用いて測定し、１３８０ｃｍ－１のピ－ク強度を１５００ｃｍ－１のピ－ク強度で割った値をイミド化指数とし、各実施例及び比較例の膜のイミド化指数を、該当する樹脂組成物を３５０℃で硬化した膜のイミド化指数で割った値をイミド率として算出した。イミド化率は、以下の基準に基づき評価した。
(3) Measurement of imidization ratio The resin part of the cured relief pattern was measured using an ATR-FTIR measurement device (Nicolet Continuum, manufactured by Thermo Fisher Scientific) with a Si prism, and the imidization index was calculated by dividing the peak intensity at 1380 cm −1 by the peak intensity at 1500 cm −1 , and the imidization ratio was calculated by dividing the imidization index of the film of each Example and Comparative Example by the imidization index of the film obtained by curing the corresponding resin composition at 350° C. The imidization ratio was evaluated based on the following criteria.
（４）モ－ルド樹脂上の硬化レリーフパターンの解像性評価
エポキシ系封止材として、長瀬ケムテックス社製のＲ４０００シリ－ズを用意した。次いで、アルミスパッタしたシリコーンウェハ上に封止材を厚みが約１５０ミクロンになるようにスピンコートし、１３０℃で熱硬化させてエポキシ系封止材を硬化させた。上記エポキシ系硬化膜上に、各実施例、及び各比較例で作製した感光性樹脂組成物を最終膜厚が７μｍになるように塗布した。この塗膜を、上記Ｃｕ上硬化レリーフパターンと同様の方法により露光することで、モールド樹脂上に硬化レリーフパターンを得た。
上記の方法で得た硬化レリーフパターンを光学顕微鏡下で観察し、最少開口パターンのサイズを求めた。このとき、得られたパターンの開口部の面積が、対応するパターンマスク開口面積の１／２以上であれば解像されたものとみなし、解像された開口部のうち最小面積を有するものに対応するマスク開口辺の長さを解像度とした。解像度が１０μｍ未満のものを「優」、１０μｍ以上１４μｍ未満のものを「良」、１４μｍ以上１８μｍ未満のものを「可」、１８μｍ以上のものを「不可」とした。
(4) Resolution Evaluation of Cured Relief Pattern on Mold Resin As an epoxy-based encapsulant, Nagase Chemtex Corporation's R4000 series was prepared. Next, the encapsulant was spin-coated onto an aluminum-sputtered silicone wafer to a thickness of about 150 microns, and the epoxy-based encapsulant was cured by thermal curing at 130°C. Onto the above epoxy-based cured film, the photosensitive resin composition prepared in each Example and Comparative Example was applied to a final film thickness of 7 μm. This coating film was exposed in the same manner as the above cured relief pattern on Cu, to obtain a cured relief pattern on the mold resin.
The cured relief pattern obtained by the above method was observed under an optical microscope to determine the size of the minimum opening pattern. At this time, if the area of the opening of the obtained pattern was 1/2 or more of the corresponding pattern mask opening area, it was considered to be resolved, and the length of the mask opening side corresponding to the resolved opening having the smallest area was taken as the resolution. Resolutions less than 10 μm were rated as "excellent," those between 10 μm and 14 μm as "good," those between 14 μm and 18 μm as "fair," and those over 18 μm as "poor."
（５）Ｃｕ上の硬化レリーフパターンの高温保存（high temperature storage）試験と、その後のボイド面積評価（Ｃｕボイド評価）
Ｃｕ上に該硬化レリーフパターンを形成したウェハを、昇温プログラム式キュア炉（ＶＦ－２０００型、光洋リンドバーグ社製）を用いて、空気中、１５０℃で１６８時間加熱した。続いて、プラズマ表面処理装置（ＥＸＡＭ型、神港精機社製）を用いて、Ｃｕ上の樹脂層を全てプラズマエッチングにより除去した。プラズマエッチング条件は下記の通りである。
出力：１３３Ｗ
ガス種・流量：Ｏ２：４０ｍＬ／分 ＋ ＣＦ４：１ｍＬ／分
ガス圧：５０Ｐａ
モ－ド：ハードモード
エッチング時間：１８００秒
樹脂層を全て除去したＣｕ表面を、ＦＥ－ＳＥＭ（Ｓ－４８００型、日立ハイテクノロジーズ社製）によって観察し、画像解析ソフト（Ａ像くん、旭化成社製）を用いて、Ｃｕ層の表面に占めるボイドの面積を算出した。比較例１に記載の感光性樹脂組成物を評価した際のボイドの総面積を１００％とした際に、ボイドの総面積比率が５０％未満のものを「優」、５０％以上７５％未満のものを「良」、７５％以上１００％未満のものを「可」１００％以上のものを「不可」と判定した。
(5) High Temperature Storage Test of Cured Relief Pattern on Cu and Subsequent Void Area Evaluation (Cu Void Evaluation)
The wafer with the cured relief pattern formed on Cu was heated in air at 150° C. for 168 hours using a temperature-programmable curing furnace (VF-2000, manufactured by Koyo Lindberg). Then, the resin layer on Cu was entirely removed by plasma etching using a plasma surface treatment device (EXAM, manufactured by Shinko Seiki Co., Ltd.). The plasma etching conditions were as follows:
Output: 133W
Gas type and flow rate: O2: 40 mL/min + CF4: 1 mL/min Gas pressure: 50 Pa
Mode: Hard mode Etching time: 1800 seconds The Cu surface from which the resin layer had been completely removed was observed with an FE-SEM (S-4800 type, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the area of voids on the surface of the Cu layer was calculated using image analysis software (Azo-kun, manufactured by Asahi Kasei Corporation). When the total area of voids in the evaluation of the photosensitive resin composition described in Comparative Example 1 was taken as 100%, those with a total void area ratio of less than 50% were judged as "excellent", those with a total void area ratio of 50% or more and less than 75% were judged as "good", those with a total void area ratio of 75% or more and less than 100% were judged as "passable", and those with a total void area ratio of 100% or more were judged as "unacceptable".
（６）硬化レリーフパターン（ポリイミド塗膜）の耐薬品性評価
Ｃｕ上に形成した該硬化レリーフパターンを、レジスト剥離液｛ＡＴＭＩ社製、製品名ＳＴ－４４、主成分は２－（２－アミノエトキシ）エタノール、１－シクロヘキシル－２－ピロリドン｝を５０℃に加熱したものに５分間浸漬し、流水で１分間洗浄し、風乾した。その後、膜表面を光学顕微鏡で目視観察し、クラック等の薬液によるダメージの有無や、薬液処理後の膜厚の変化率をもって耐薬品性を評価した。評価基準として、クラック等が発生せず、膜厚変化率が薬品浸漬前の膜厚を基準として１０％以内のものを「優」、１０～１５％のものを「良」、１５～２０％のものを「可」とし、クラックが発生したもの、または膜厚変化率が２０％を超えるものを「不可」とした。
(6) Evaluation of Chemical Resistance of Cured Relief Pattern (Polyimide Coating Film) The cured relief pattern formed on Cu was immersed in a resist stripper {manufactured by ATMI, product name ST-44, main components are 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone} heated to 50°C for 5 minutes, washed with running water for 1 minute, and air-dried. Thereafter, the film surface was visually observed with an optical microscope, and the chemical resistance was evaluated based on the presence or absence of damage caused by the chemical solution, such as cracks, and the rate of change in film thickness after chemical treatment. As evaluation criteria, those without cracks and with a film thickness change rate of 10% or less based on the film thickness before chemical immersion were rated as "excellent", those with a film thickness change rate of 10 to 15% were rated as "good", those with a film thickness change rate of 15 to 20% were rated as "passable", and those with cracks or a film thickness change rate of more than 20% were rated as "unacceptable".
＜製造例１～３＞
製造例１：（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ－１の合成
４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇを２Ｌ容量のセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３１．２ｇとγ－ブチロラクトン４００ｍＬを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に反応混合物を室温まで放冷し、１６時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍＬに溶解した溶液を攪拌しながら４０分掛けて反応混合物に加え、続いて４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍＬに懸濁したものを攪拌しながら６０分掛けて加えた。更に室温で２時間攪拌した後、エチルアルコ－ル３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍＬを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を３Ｌのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８Ｌの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマー（ポリマーＡ－１）を得た。ポリマー（Ａ－１）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
<Production Examples 1 to 3>
Production Example 1: (A) Synthesis of Polymer A-1 as a Polyimide Precursor 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) was placed in a 2 L separable flask, 131.2 g of 2-hydroxyethyl methacrylate (HEMA) and 400 mL of γ-butyrolactone were added and stirred at room temperature, and 81.5 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the end of the heat generation due to the reaction, the reaction mixture was allowed to cool to room temperature and left to stand for 16 hours.
Next, under ice cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide (DCC) dissolved in 180 mL of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by the addition of a suspension of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) suspended in 350 mL of γ-butyrolactone over 60 minutes with stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 mL of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 mL of γ-butyrolactone was added. The precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction liquid.
The obtained reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered off and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The obtained crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and then vacuum dried to obtain a powdered polymer (Polymer A-1). The molecular weight of Polymer (A-1) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) to find that the weight average molecular weight (Mw) was 20,000.
製造例２：（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ－２の合成
製造例１の４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇに代えて、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４７．１ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－２）を得た。ポリマー（Ａ－２）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２２，０００であった。
Production Example 2: (A) Synthesis of Polymer A-2 as Polyimide Precursor Polymer (A-2) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above Production Example 1, except that 147.1 g of 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) was used instead of 155.1 g of 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA) in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-2) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 22,000.
製造例３：（Ａ）ポリイミド前駆体としてのポリマーＡ－３の合成
製造例１の４，４’－オキシジアニリン（ＯＤＡ）９３．０ｇに代えて、ｐ－フェニレンジアミン５０．２ｇを用いた以外は、前述の製造例１に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマー（Ａ－３）を得た。ポリマー（Ａ－３）の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は１９，０００であった。
Production Example 3: (A) Synthesis of Polymer A-3 as Polyimide Precursor Polymer (A-3) was obtained by carrying out a reaction in the same manner as in the above Production Example 1, except that 50.2 g of p-phenylenediamine was used instead of 93.0 g of 4,4'-oxydianiline (ODA) in Production Example 1. The molecular weight of polymer (A-3) was measured by gel permeation chromatography (standard polystyrene equivalent) and found to have a weight average molecular weight (Mw) of 19,000.
＜実施例１＞
ポリイミド前駆体Ａ－１を用いて以下の方法でネガ型感光性樹脂組成物を調製し、調製した組成物の評価を行った。（Ａ）ポリイミド前駆体としてＡ－１：１００ｇ、（Ｂ）芳香族化合物としてＢ－１：５ｇ、（Ｃ）感光剤として１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム（以下ではＰＤＯと表記、感光剤Ｃ－１に該当）：３ｇを、γ－ブチルラクトン（以下ではＧＢＬと表記）：１００ｇに溶解した。得られた溶液の粘度を、少量のＧＢＬをさらに加えることによって、約４０ポイズに調整し、ネガ型感光性樹脂組成物とした。該組成物を、前述の方法に従って評価した。結果を表９に示す。
Example 1
A negative photosensitive resin composition was prepared using polyimide precursor A-1 by the following method, and the prepared composition was evaluated. (A) 100 g of A-1 as a polyimide precursor, (B) 5 g of B-1 as an aromatic compound, and (C) 3 g of 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)-oxime (hereinafter referred to as PDO, corresponding to photosensitizer C-1) as a photosensitizer were dissolved in 100 g of γ-butyrolactone (hereinafter referred to as GBL). The viscosity of the obtained solution was adjusted to about 40 poise by further adding a small amount of GBL to obtain a negative photosensitive resin composition. The composition was evaluated according to the above-mentioned method. The results are shown in Table 9.
＜実施例２～２０、比較例１～３＞
表９又は１０に示す通りの配合比で配合すること以外は実施例１と同様のネガ型感光性樹脂組成物を調製し、実施例１と同様の評価を行った。その結果を表９及び１０に示す。
表９及び１０に記載されている（Ｂ）芳香族化合物Ｂ－１～Ｂ－１４、（Ｃ）感光剤Ｃ－１は、それぞれ以下のとおりである。
<Examples 2 to 20, Comparative Examples 1 to 3>
Negative photosensitive resin compositions were prepared in the same manner as in Example 1 except that the components were blended in the blending ratios shown in Tables 9 and 10, and evaluations were carried out in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 9 and 10.
(B) Aromatic compounds B-1 to B-14 and (C) Photosensitizer C-1 described in Tables 9 and 10 are as follows.
Ｂ－１：４－アミノベンズアミド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－２：２－アミノベンズアミド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－３：ニコチンアミド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－４：４－アミノ－Ｎ－メチルベンズアミド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－５：４－アミノアセトアニリド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－６：４－アミノアセトフェノン（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－７：ｐ－ジメチルアミノアセトフェノン（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－８：４，４’－ジアミノベンズアニリド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－９：４－アミノフタルイミド（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－１０：４－アミノベンズニトリル（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－１１：４－ニトロ－１－ナフチルアミン（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－１２：４－ニトロアニリン（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－１３：Ｎ－フェニルジエタノールアミン（東京化成工業株式会社製）
Ｂ－１４：Ｎ，Ｎ－ジエチルアニリン（東京化成工業株式会社製）
Ｃ－１：１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム
B-1: 4-aminobenzamide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-2: 2-aminobenzamide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-3: Nicotinamide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-4: 4-amino-N-methylbenzamide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-5: 4-aminoacetanilide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-6: 4-aminoacetophenone (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-7: p-Dimethylaminoacetophenone (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-8: 4,4'-diaminobenzanilide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-9: 4-aminophthalimide (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-10: 4-aminobenznitrile (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-11: 4-nitro-1-naphthylamine (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-12: 4-nitroaniline (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-13: N-phenyldiethanolamine (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
B-14: N,N-diethylaniline (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
C-1: 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(O-ethoxycarbonyl)-oxime
表９及び１０から明らかなように、実施例１のネガ型感光性樹脂組成物では、イミド化率評価では「１００％」であり、モ－ルド樹脂上解像度評価では「優」、Ｃｕボイド評価では「良」、耐薬品性評価では「優」となった。同様に、実施例２～２０のネガ型感光性樹脂組成物は、いずれも、イミド化率は６０％以上、モ－ルド樹脂上解像度評価、Ｃｕボイド評価、耐薬品性評価は全て「可」以上となった。
特に、（Ａ）ポリイミド前駆体として、Ａ－１を用いた実施例１では、優れた耐薬品性を示した。また、（Ｂ）芳香族化合物としては、Ｂ－１を、ポリマー１００質量部を基準として５質量部加えたときに、特に優れた耐薬品性と脱ガス低減効果が得られた。
他方、（Ｂ）芳香族化合物としてＢ－１３を用いた比較例１では、イミド化率は４０％、他のすべての評価でも「不可」となり、硬化温度を１７０℃から２３０℃にした比較例２でも、モ－ルド樹脂上解像度評価及びＣｕボイド評価で「不可」となった。また、（Ｂ）芳香族化合物としてＢ－１４用いた比較例３では、耐薬品性評価は「可」であったものの、イミド化率は３０％、モ－ルド樹脂上解像度評価とＣｕボイド評価で「不可」となった。
As is clear from Tables 9 and 10, the negative type photosensitive resin composition of Example 1 had an imidization rate of "100%", an evaluation of the resolution on the mold resin of "excellent", an evaluation of Cu voids of "good", and an evaluation of chemical resistance of "excellent". Similarly, the negative type photosensitive resin compositions of Examples 2 to 20 all had an imidization rate of 60% or more, and an evaluation of the resolution on the mold resin, the evaluation of Cu voids, and the evaluation of chemical resistance of "fair" or better.
In particular, Example 1, which used A-1 as the polyimide precursor (A), showed excellent chemical resistance. Also, when 5 parts by mass of B-1 was added as the aromatic compound (B) based on 100 parts by mass of the polymer, particularly excellent chemical resistance and an effect of reducing outgassing were obtained.
On the other hand, in Comparative Example 1, in which B-13 was used as the (B) aromatic compound, the imidization rate was 40% and all other evaluations were "Fail", and in Comparative Example 2, in which the curing temperature was changed from 170° C. to 230° C., the mold resin resolution evaluation and Cu void evaluation were also "Fail". In Comparative Example 3, in which B-14 was used as the (B) aromatic compound, the chemical resistance evaluation was "Acceptable", but the imidization rate was 30%, and the mold resin resolution evaluation and Cu void evaluation were "Fail".
本発明による感光性樹脂組成物を用いることで、保存安定性を有し、かつ／又は高いイミド化率と耐薬品性を有し、銅密着性が高く、熱硬化後の加熱工程において脱ガスの少ない硬化レリーフパターンを得ることができる。また、本発明による感光性樹脂組成物を用いると、Ｃｕボイドが少ない硬化レリ－フパタ－ンも得ることができる。さらに、本発明によれば、再配線層中の層間絶縁膜と封止材の密着性に優れる半導体装置、及びその製造方法を提供することができる。さらに、本発明の硬化物は、良好な耐薬品性を発現し、銅ピラーへの良好な密着性を発現することができる。本発明は、例えば、半導体装置、より詳細には、半導体チップと、半導体チップに接続される再配線層とを有する半導体装置、特にファンナウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型のウェハレベルチップサイズパッケージ型の半導体装置、並びに半導体装置の層間絶縁膜、及び多層配線基板等の電気・電子材料の製造に有用な感光性材料の分野で利用されることができる。 By using the photosensitive resin composition according to the present invention, a cured relief pattern having storage stability and/or a high imidization rate and chemical resistance, high copper adhesion, and little degassing during the heating step after thermal curing can be obtained. In addition, by using the photosensitive resin composition according to the present invention, a cured relief pattern with few Cu voids can also be obtained. Furthermore, according to the present invention, a semiconductor device having excellent adhesion between the interlayer insulating film in the rewiring layer and the sealing material, and a manufacturing method thereof can be provided. Furthermore, the cured product of the present invention can exhibit good chemical resistance and good adhesion to copper pillars. The present invention can be used in the field of photosensitive materials useful for manufacturing electrical and electronic materials such as semiconductor devices, more specifically, semiconductor devices having a semiconductor chip and a rewiring layer connected to the semiconductor chip, particularly fan-out type wafer-level chip size package type semiconductor devices, as well as interlayer insulating films for semiconductor devices, and multilayer wiring boards.
１ 半導体装置
２ 半導体チップ
３ 封止材
４ 再配線層
５ 配線
６ 層間絶縁膜
７ 外部接続端子
１０ ウェハ
１１ 支持体
１２ モールド樹脂
１３ 感光性樹脂組成物
REFERENCE SIGNS LIST 1
Claims (13)
で表される基である。｝及び下記一般式（ＩＩ－３）：
で表される基である。｝
で表される構造を含むポリイミド前駆体；１００質量部、及び
（Ｂ）光重合開始剤；０．１～２０質量部
を含む感光性樹脂組成物。 (A) The following general formula (II-1):
and the following general formula (II-3):
It is a group represented by the following formula:
and (B) 0.1 to 20 parts by mass of a photopolymerization initiator.
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。 The polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-5):
It is a group represented by the following formula:
The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 7, comprising a resin having a structural unit represented by the following formula:
で表される基である。｝
で表される構造単位を有する樹脂を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。 The polyimide precursor (A) is represented by the following general formula (II-6):
It is a group represented by the following formula:
The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 8, comprising a resin having a structural unit represented by the following formula:
（１）請求項１～１０のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を基板上に塗布して、感光性樹脂層を該基板上に形成する工程と、
（２）該感光性樹脂層を露光する工程と、
（３）該露光後の感光性樹脂層を現像して、レリーフパターンを形成する工程と、
（４）該レリーフパターンを加熱処理して、硬化レリーフパターンを形成する工程と
を含む硬化レリーフパターンの製造方法。 The following steps:
(1) applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 10 onto a substrate to form a photosensitive resin layer on the substrate;
(2) exposing the photosensitive resin layer to light;
(3) developing the exposed photosensitive resin layer to form a relief pattern;
(4) A method for producing a cured relief pattern, comprising the step of heat-treating the relief pattern to form a cured relief pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024216473A JP2025038047A (en) | 2018-04-23 | 2024-12-11 | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
Applications Claiming Priority (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018082569 | 2018-04-23 | ||
| JP2018082569 | 2018-04-23 | ||
| JP2018087199 | 2018-04-27 | ||
| JP2018087199 | 2018-04-27 | ||
| JP2018091646 | 2018-05-10 | ||
| JP2018091660 | 2018-05-10 | ||
| JP2018091646 | 2018-05-10 | ||
| JP2018091660 | 2018-05-10 | ||
| JP2018146995 | 2018-08-03 | ||
| JP2018146995 | 2018-08-03 | ||
| JP2019080388A JP7313180B2 (en) | 2018-04-23 | 2019-04-19 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019080388A Division JP7313180B2 (en) | 2018-04-23 | 2019-04-19 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024216473A Division JP2025038047A (en) | 2018-04-23 | 2024-12-11 | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023134612A JP2023134612A (en) | 2023-09-27 |
| JP7604571B2 true JP7604571B2 (en) | 2024-12-23 |
Family
ID=69618630
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019080388A Active JP7313180B2 (en) | 2018-04-23 | 2019-04-19 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern |
| JP2023113844A Active JP7604571B2 (en) | 2018-04-23 | 2023-07-11 | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
| JP2024216473A Pending JP2025038047A (en) | 2018-04-23 | 2024-12-11 | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019080388A Active JP7313180B2 (en) | 2018-04-23 | 2019-04-19 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024216473A Pending JP2025038047A (en) | 2018-04-23 | 2024-12-11 | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP7313180B2 (en) |
| TW (1) | TW202003639A (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2021014914A1 (en) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | ||
| JP7530736B2 (en) * | 2020-04-20 | 2024-08-08 | 旭化成株式会社 | Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, cured relief pattern, semiconductor device, and display device |
| JP7612698B2 (en) | 2020-09-01 | 2025-01-14 | 富士フイルム株式会社 | CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT, LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING CURED PRODUCT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PHOTOBASE GENERATOR |
| JPWO2022162895A1 (en) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | ||
| TW202244130A (en) * | 2021-03-03 | 2022-11-16 | 美商杜邦電子股份有限公司 | Coating solutions and crosslinked polymer films |
| TWI818743B (en) * | 2021-10-13 | 2023-10-11 | 日商旭化成股份有限公司 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI851295B (en) * | 2022-06-28 | 2024-08-01 | 達興材料股份有限公司 | Developer composition, method of forming pattern, and method of manufacturing semiconductor device |
| TW202419534A (en) * | 2022-08-31 | 2024-05-16 | 日商富士軟片股份有限公司 | Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, method for producing laminate, method for producing semiconductor element, and semiconductor element |
| TW202419525A (en) * | 2022-08-31 | 2024-05-16 | 日商富士軟片股份有限公司 | Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, method for producing laminate, method for producing semiconductor element, and semiconductor element |
| CN116482933B (en) * | 2023-03-31 | 2026-01-06 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | A negative photosensitive polyimide precursor resin composition |
| CN121752668A (en) * | 2023-08-30 | 2026-03-27 | 富士胶片株式会社 | Method for manufacturing resin composition and interlayer insulating film for redistribution layer |
| WO2025094691A1 (en) * | 2023-10-30 | 2025-05-08 | Ｈｄマイクロシステムズ株式会社 | Insulating film forming material, insulating film forming material kit, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
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| WO2017038664A1 (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | Composition, cured film, method for manufacturing cured film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3627488B2 (en) * | 1997-12-22 | 2005-03-09 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive polyimide precursor composition and pattern forming method using the same |
| JP2001125266A (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Photosensitive resin composition, method for producing pattern and electronic parts |
| JP6555115B2 (en) * | 2015-12-18 | 2019-08-07 | 住友ベークライト株式会社 | Photosensitive resin material |
| JP6704048B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-06-03 | 富士フイルム株式会社 | Negative-type photosensitive resin composition, cured film, cured film manufacturing method, semiconductor device, laminated body manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and polyimide precursor |
| US11163234B2 (en) * | 2016-08-22 | 2021-11-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Photosensitive resin composition and method for producing cured relief pattern |
| JP7003771B2 (en) | 2017-03-28 | 2022-01-21 | 東レ株式会社 | Photosensitive resin compositions, photosensitive sheets, cured films thereof, and methods for producing them. |
-
2019
- 2019-04-19 JP JP2019080388A patent/JP7313180B2/en active Active
- 2019-04-23 TW TW108114110A patent/TW202003639A/en unknown
-
2023
- 2023-07-11 JP JP2023113844A patent/JP7604571B2/en active Active
-
2024
- 2024-12-11 JP JP2024216473A patent/JP2025038047A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012194520A (en) | 2010-08-05 | 2012-10-11 | Asahi Kasei E-Materials Corp | Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured relief pattern, and semiconductor device |
| WO2017038664A1 (en) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 富士フイルム株式会社 | Composition, cured film, method for manufacturing cured film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020024374A (en) | 2020-02-13 |
| JP2023134612A (en) | 2023-09-27 |
| TW202003639A (en) | 2020-01-16 |
| JP7313180B2 (en) | 2023-07-24 |
| JP2025038047A (en) | 2025-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230711 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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