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JP7606449B2 - 窒化ケイ素基板の製造方法及び窒化ケイ素基材 - Google Patents
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JP7606449B2 - 窒化ケイ素基板の製造方法及び窒化ケイ素基材 - Google Patents

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Description

本発明は、窒化物セラミック基板の製造方法及び窒化物セラミック基材に関する。
電子部品として、窒化物セラミック基板が用いられることがある。窒化物セラミック基板は、様々な観点、例えば、高熱伝導率又は高絶縁性の観点において、優れている。窒化物セラミック基板は、様々な電子装置に用いることができ、例えば、パワーモジュールに用いることができる。
窒化物セラミック基板を含む各種セラミック基板は、例えば特許文献１～３に記載されているように、レーザスクライブによってセラミック基材を分割することで製造可能である。セラミック基材には、レーザスクライブによってスクライブラインが形成される。セラミック基材は、スクライブラインに沿って複数のセラミック基板に分割される。
特許文献１には、窒化物セラミック基材をレーザスクライブによって複数の窒化物セラミック基板に分割することが記載されている。レーザスクライブによって形成されたスクライブラインは、窒化物セラミック基材の表面に一列に形成された複数の凹部を含んでいる。凹部の開口幅は、０．０４ｍｍ～０．５ｍｍであり、凹部の深さは、窒化物セラミック基材の厚さの１／４～１／３であり、複数の凹部の中心間距離は、０．２ｍｍ以下である。
特許文献２には、酸化アルミニウム基材をレーザスクライブによって複数の酸化アルミニウム基板に分割することが記載されている。レーザスクライブによって形成されたスクライブラインは、窒化物セラミック基材の表面に一列に形成された複数の凹部を含んでいる。凹部は、円錐形状を有している。
特許文献３には、窒化ケイ素基材をレーザスクライブによって複数の窒化ケイ素基板に分割することが記載されている。レーザスクライブによって形成されたスクライブラインは、一方向に連続的に延伸する溝を有している。
特開２００７－３２４３０１号公報 特開２０１３－１７５６６７号公報 特開２０１４－４２０６６号公報
窒化物セラミック基材については、窒化物セラミック基材からのろう材の良好な除去、ＳＡＴ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）でのスクライブラインの写り込みの低減及び窒化物セラミック基材の良好な割れが要求される場合がある。
本発明の目的の一例は、窒化物セラミック基材からのろう材の良好な除去、ＳＡＴでのスクライブラインの写り込みの低減及び窒化物セラミック基材の良好な割れを実現することにある。本発明の他の目的は、本明細書の記載から明らかになるであろう。
本発明の一態様は、
レーザによって窒化物セラミック基材の第１面にスクライブラインを形成する工程と、
前記スクライブラインに沿って前記窒化物セラミック基材を分割する工程と、
を含み、
前記スクライブラインは、前記窒化物セラミック基材の前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下である、窒化物セラミック基板の製造方法である。
本発明の他の一態様は、
スクライブラインが形成された第１面を備え、
前記スクライブラインは、前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下である、窒化物セラミック基材である。
本発明の一態様によれば、窒化物セラミック基材からのろう材の良好な除去、ＳＡＴでのスクライブラインの写り込みの低減及び窒化物セラミック基材の良好な割れを実現することができる。
実施形態に係る窒化物セラミック基材の平面図である。 図１のＡ－Ａ´断面図である。 図２に示した凹部の拡大図である。 窒化物セラミック基材の全体の一例の平面図である。 図４に示した領域αの拡大図である。 図４に示した領域βの拡大図である。 実施形態においての窒化物セラミック基板（ベース板）の製造方法の一例を説明するための図である。 実施形態においての窒化物セラミック基板（ベース板）の製造方法の一例を説明するための図である。 実施形態においての窒化物セラミック基板（ベース板）の製造方法の一例を説明するための図である。 実施形態においての窒化物セラミック基板（ベース板）の製造方法の一例を説明するための図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図１は、実施形態に係る窒化物セラミック基材１００の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ´断面図である。図３は、図２に示した凹部１１２の拡大図である。
図２を用いて、実施形態においての窒化物セラミック基板の製造方法の概要を説明する。まず、レーザによって、窒化物セラミック基材１００の第１面１０２にスクライブライン１１０を形成する。次いで、スクライブライン１１０に沿って窒化物セラミック基材１００を分割する。スクライブライン１１０は、複数の凹部１１２を含んでいる。複数の凹部１１２は、窒化物セラミック基材１００の第１面１０２に一列に形成されている。複数の凹部１１２のそれぞれの深さｄは、複数の凹部１１２のそれぞれの開口幅ｗの０．７０倍以上１．１０倍以下である。複数の凹部１１２のそれぞれの開口幅ｗは、複数の凹部１１２の中心間距離ｐの１．００倍以上１．１０倍以下である。
本実施形態によれば、窒化物セラミック基材１００からのろう材の良好な除去、ＳＡＴ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）でのスクライブラインの写り込みの低減及び窒化物セラミック基材１００の良好な割れを実現することができる。詳細を後述するように、本発明者は、窒化物セラミック基材１００からのろう材の除去、ＳＡＴでのスクライブラインの写り込み及び窒化物セラミック基材１００の割れのそれぞれの特性は、各種パラメータ、特に、凹部１１２の深さｄ、凹部１１２の開口幅ｗ及び複数の凹部１１２の中心間距離ｐに依存することを新規に見出した。本発明者が検討したところ、凹部１１２の深さｄ、凹部１１２の開口幅ｗ及び複数の凹部１１２の中心間距離ｐが上述した関係にある場合、窒化物セラミック基材１００からのろう材の良好な除去、ＳＡＴでのスクライブラインの写り込みの低減及び窒化物セラミック基材１００の良好な割れが実現されることが明らかとなった。
図１及び図２を用いて、窒化物セラミック基材１００の詳細を説明する。
窒化物セラミック基材１００は、例えば、窒化ケイ素基材又は窒化アルミニウム基材、より具体的には、窒化ケイ素質焼結体基材又は窒化アルミニウム質焼結体基材にすることができる。
窒化物セラミック基材１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。図１及び図２に示す例では、第１面１０２にスクライブライン１１０が形成されている。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。窒化物セラミック基材１００の厚さｔは、第１面１０２及び第２面１０４の間の距離である。
スクライブライン１１０は、複数の凹部１１２を含んでいる。図１に示すように、各凹部１１２の開口は、円形状を有している。複数の凹部１１２は、実質的に等間隔（中心間距離ｐ）で並んでいる。図１におけるＡ－Ａ´線は、各凹部１１２の中心を通過している。つまり、図２に示す断面は、凹部１１２の中心を含んでいる。図２に示す例において、凹部１１２の幅は、凹部１１２の下端に向かうほど狭まっており、凹部１１２の開口幅ｗは、凹部１１２の上端における幅となっている。図２に示す例において、凹部１１２の深さｄは、凹部１１２の上端及び下端の間の距離である。
凹部１１２の深さｄは、例えば、窒化物セラミック基材１００の厚さｔの９／６４倍以上２／９倍以下にしてもよいし、又は４５μｍ以上９０μｍ以下にしてもよい。凹部１１２の深さｄが浅すぎると、スクライブライン１１０に沿って窒化物セラミック基材１００が良好に分割され得なくなる。一方、凹部１１２の深さｄが深すぎると、凹部１１２に入り込んだろう材の除去が困難になり得る。これに対して、凹部１１２の深さｄが上述した範囲にある場合、これらの支障を低減することができる。
図３を用いて、窒化物セラミック基材１００の詳細を説明する。
凹部１１２は、先端が丸みを帯びた円錐形状を有しており、図３に示す断面においては、丸みを帯びた底面を有している。凹部１１２の中心を含む断面（例えば、図１のＡ－Ａ´断面又は図１のＡ－Ａ´線に直交する方向に沿った断面）において、凹部１１２の両側面は、凹部１１２の一方の内側面の上端ＵＥ１における仮想接線ｌ１及び凹部１１２のもう一方の内側面の上端ＵＥ２における仮想接線ｌ２が角度θ（先端角度）で交わるように、傾いている。先端角度θは、例えば、３０°以上にすることができる。
窒化物セラミック基材１００は、隆起１１４を有していてもよい。隆起１１４は、凹部１１２の周囲に位置している。隆起１１４は、レーザの加熱の影響によって窒化物セラミック基材１００の一部分が盛り上がることによって形成される。
隆起１１４は、除去されてもよい。隆起１１４は、例えば、ウェットブラストによって除去することができる。
図４は、窒化物セラミック基材１００の全体の一例の平面図である。
窒化物セラミック基材１００のスクライブライン１１０は、複数の第１スクライブライン１１０ａ及び複数の第２スクライブライン１１０ｂを含んでいる。第１スクライブライン１１０ａは、第１方向（図４内のＸ方向）に延伸している。第２スクライブライン１１０ｂは、第２方向（図４内のＹ方向）に延伸している。第２方向は、第１方向に交わっており、図４に示す例では、第２方向は、第１方向に直交している。
複数の第１スクライブライン１１０ａ及び複数の第２スクライブライン１１０ｂによって、複数の区画領域ＲＧが画定されている。複数の区画領域ＲＧは、マトリクス状に配置されている。各区画領域ＲＧは、実質的に矩形形状を有している。スクライブライン１１０に沿って窒化物セラミック基材１００を分割することで、窒化物セラミック基材１００から複数の区画領域ＲＧ（複数の窒化物セラミック基板）が切り出される。
図５は、図４に示した領域αの拡大図である。領域αは、第１スクライブライン１１０ａ及び第２スクライブライン１１０ｂの交差によって形成されたスクライブライン１１０の交差を含んでいる。
第１スクライブライン１１０ａは、複数の凹部１１２（第１群の凹部１１２）を含んでいる。第２スクライブライン１１０ｂは、複数の凹部１１２（第２群の凹部１１２）を含んでいる。第２群の凹部１１２の中で最も第１スクライブライン１１０ａの近くに位置する凹部１１２は、第１群の凹部１１２のいずれとも重なっていない。仮に、第１スクライブライン１１０ａに含まれる第１群の凹部１１２及び第２スクライブライン１１０ｂに含まれる第２群の凹部１１２が互いに重なっていると、窒化物セラミック基材１００の分割後において凹部１１２同士の重なり合い部分で窒化物セラミック基材１００の欠けが生じるおそれがある。これに対して、本実施形態によれば、窒化物セラミック基材１００の分割後における窒化物セラミック基材１００の欠けを低減することができる。
第２スクライブライン１１０ｂに含まれる第２群の凹部１１２の中で最も第１スクライブライン１１０ａの近くに位置する凹部１１２の中心は、第２方向（Ｙ方向）において、第１スクライブライン１１０ａの中心線Ｃ１から距離ｇ２だけ離れている。距離ｇ２は、例えば、第２群の凹部１１２の中心間距離ｐ２の１．５０倍以下、好ましくは、１．１０倍以下である。このようにして、第２スクライブライン１１０ｂに含まれる第２群の凹部１１２の中で最も第１スクライブライン１１０ａの近くに位置する凹部１１２は、第１スクライブライン１１０ａの近くに配置させることができる。したがって、第１スクライブライン１１０ａ及び第２スクライブライン１１０ｂの交差における窒化物セラミック基材１００の良好な割れを実現することができる。
図６は、図４に示した領域βの拡大図である。領域βは、第１スクライブライン１１０ａ及び第２スクライブライン１１０ｂの交差によって形成されたスクライブライン１１０の角を含んでいる。
スクライブライン１１０の角（図６）においても、スクライブライン１１０の交差（図５）と同様にして、第２群の凹部１１２の中で最も第１スクライブライン１１０ａの近くに位置する凹部１１２は、第１群の凹部１１２のいずれとも重なっておらず、第２スクライブライン１１０ｂに含まれる第２群の凹部１１２の中で最も第１スクライブライン１１０ａの近くに位置する凹部１１２は、第１スクライブライン１１０ａの近くに配置されている。したがって、スクライブライン１１０の角（図６）においても、窒化物セラミック基材１００後における窒化物セラミック基材１００の欠けを低減することができ、第１スクライブライン１１０ａ及び第２スクライブライン１１０ｂの交差における窒化物セラミック基材１００の良好な割れを実現することができる。
図７～図１０は、実施形態においての窒化物セラミック基板（ベース板）の製造方法の一例を説明するための図である。
まず、図７に示すように、レーザによって窒化物セラミック基材１００の第１面１０２にスクライブライン１１０（凹部１１２）を形成する。このようにして、区画領域ＲＧ（図４も参照）が画定される。レーザは、例えば、炭酸ガスレーザ、ファイバレーザ又はＹＡＧレーザにすることができ、特に、１ｋＨｚ以上のパルス周波数及び２５Ｗ以上５００Ｗ以下のパワーの炭酸ガスレーザにすることができる。
次いで、図８に示すように、窒化物セラミック基材１００の第１面１０２上及び第２面１０４上のそれぞれにろう材１２０及び金属層１３０を形成する。
ろう材１２０は、活性金属ろう材にすることができる。活性金属ろう材は、例えば、金属として、Ａｇ、Ｃｕ及びＳｎの少なくとも一つを含み、活性金属として、Ｔｉ及びＺｒの少なくとも一つを含んでいる。ろう材１２０は、塗布によって形成することができる。この場合、ろう材１２０の一部がスクライブライン１１０（凹部１１２）に入り込み得る。
金属層１３０は、ろう材１２０を介して窒化物セラミック基材１００に接合されている。
次いで、窒化物セラミック基材１００及び金属層１３０の接合を超音波探傷検査によって検査する。本発明者は、一定の条件下において、超音波探傷検査により得られる探傷像にスクライブライン１１０が写ることを見出した。探傷像へのスクライブライン１１０の写り込みは、窒化物セラミック基材１００及び金属層１３０間の接合ボイドと判定され、ろう材１２０に起因する接合ボイドと識別ができない、もしくは、識別しにくいことから、低減されることが望ましい。詳細を後述するように、本発明者は、ＳＡＴへのスクライブライン１１０の写り込みは、各種パラメータ、特に、凹部１１２の深さｄ、凹部１１２の開口幅ｗ及び複数の凹部１１２の中心間距離ｐに依存することを新規に見出した。
次いで、図９に示すように、窒化物セラミック基材１００の第１面１０２上の金属層１３０上にレジスト１４０を形成し、窒化物セラミック基材１００の第２面１０４上の金属層１３０上にレジスト１４０を形成する。
次いで、図１０に示すように、図９に示したレジスト１４０を残したまま、エッチング液（例えば、塩化第２鉄溶液、塩化第２銅溶液、硫酸又は過酸化水素水）によってろう材１２０及び金属層１３０を選択的にエッチングする。窒化物セラミック基材１００の第１面１０２上の金属層１３０は、回路層１３２に形成される。窒化物セラミック基材１００の第２面１０４上の金属層１３０は、放熱層１３４に形成される。
図１０に示すように、スクライブライン１１０（凹部１１２）内には、ろう材１２０が残る場合がある。スクライブライン１１０（凹部１１２）内に残ったろう材１２０は、溶液（例えば、ハロゲン化アンモニウム水溶液、無機酸（例えば、硫酸又は硝酸）又は過酸化水素水）によって除去することができる。詳細を後述するように、本発明者は、この溶液のスクライブライン１１０（凹部１１２）への入り込みやすさ（すなわち、窒化物セラミック基材１００からのろう材１２０の除去の特性）は、各種パラメータ、特に、凹部１１２の深さｄ、凹部１１２の開口幅ｗ及び複数の凹部１１２の中心間距離ｐに依存することを新規に見出した。
次いで、スクライブライン１１０に沿って窒化物セラミック基材１００を分割して、複数の窒化物セラミック基板（ベース板）を形成する。詳細を後述するように、本発明者は、窒化物セラミック基材１００の割れの特性は、各種パラメータ、特に、凹部１１２の深さｄ、凹部１１２の開口幅ｗ及び複数の凹部１１２の中心間距離ｐに依存することを新規に見出した。
窒化物セラミック基材（ベース板）は、電子部品として用いることができる。例えば、窒化物セラミック基材（ベース板）の回路層１３２上には、はんだを介して半導体素子を実装してもよい。
（実施例１）
実施例１では、以下のようにして、窒化物セラミック基材１００を製造した。
窒化物セラミック基材１００は、厚さ０．３２ｍｍの窒化ケイ素質焼結体基材とした。
炭酸ガスレーザによってスクライブライン１１０（複数の凹部１１２）を形成した。凹部１１２の深さｄ（例えば、図２）、凹部１１２の開口幅ｗ（例えば、図２）、複数の凹部１１２の中心間距離ｐ（例えば、図２）及び凹部１１２の先端角度θ（例えば、図３）は、表１に示すようになった。
（実施例２～７及び比較例１～５）
実施例２～７及び比較例１～５は、凹部１１２の深さｄ（例えば、図２）、凹部１１２の開口幅ｗ（例えば、図２）、複数の凹部１１２の中心間距離ｐ（例えば、図２）、凹部１１２の先端角度θ（例えば、図３）及びスクライブライン１１０の形成に用いられたレーザの種類について、表１に示すようになった。実施例２～７及び比較例１～５は、表１に示す点を除いて、実施例１と同様とした。
（窒化物セラミック基材からのろう材の除去）
図７～図１０を用いて説明したように、レジスト１４０及びエッチング液を用いてろう材１２０及び金属層１３０を選択的にエッチングした。さらに、窒化物セラミック基材１００に残ったろう材１２０（例えば、スクライブライン１１０（凹部１１２）内に残ったろう材１２０）を溶液によって除去した。
実施例１～７及び比較例１～４においてのろう材１２０の残りは、表１に示すようになった。表１の「ろう材の除去」の列内において、「○」は、スクライブライン１１０（凹部１１２）内にろう材１２０の残りが確認されなかったことを示し、「×」は、スクライブライン１１０（凹部１１２）内にろう材１２０の残りが確認されたことを示す。
（ＳＡＴでのスクライブラインの写り込み）
窒化物セラミック基材１００にろう材１２０を形成した後、窒化物セラミック基材１００と金属層１３０をろう材１２０により接合した後に、窒化物セラミック基材１００及び金属層１３０の接合を超音波探傷検査によって検査した。
実施例１～７及び比較例１～４においてのＳＡＴでのスクライブライン１１０の写り込みは、表１に示すようになった。表１の「ＳＡＴ」の列内において、「○」は、超音波探傷検査のＳＡＴでのスクライブライン１１０の写り込みが確認されなかったことを示し、「×」は、超音波探傷検査のＳＡＴでのスクライブライン１１０の写り込みが確認されたことを示す。
（窒化物セラミック基材の割れ）
窒化物セラミック基材１００に残ったろう材１２０を除去した後、４点曲げ試験によって窒化物セラミック基材１００をスクライブライン１１０に沿った分割した。
実施例１～７及び比較例１～４においての窒化物セラミック基材１００が割れたときの最大曲げ応力は、表１に示すようになった。
実施例１～７及び比較例１～４においての窒化物セラミック基材１００の分割不良率は、表１に示すようになった。
Figure 0007606449000001
比較例１より、比ｗ／ｐが０．６０以下であると、窒化物セラミック基材１００の良好な割れが難しくなるといえる。
比較例２より、比ｄ／ｗが０．４５以下であると、窒化物セラミック基材１００の良好な割れが難しくなるといえる。
比較例３より、比ｄ／ｗが１．２０以上であると、窒化物セラミック基材１００からのろう材１２０の良好な除去が難しくなるといえる。
比較例４より、比ｗ／ｐが１．１６以上であると、ＳＡＴでのスクライブライン１１０の写り込みの低減が難しくなるといえる。
これらの検討より、比ｄ／ｗは、例えば、０．７０以上１．１０以下、好ましくは、０．７５以上１．０８以下とし、比ｗ／ｐは、例えば、１．００以上１．１０以下、好ましくは、１．００以上１．０７以下にすることができる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． レーザによって窒化物セラミック基材の第１面にスクライブラインを形成する工程と、
前記スクライブラインに沿って前記窒化物セラミック基材を分割する工程と、
を含み、
前記スクライブラインは、前記窒化物セラミック基材の前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下である、窒化物セラミック基板の製造方法。
２． １．に記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記スクライブラインを形成する工程は、前記複数の凹部のそれぞれの周囲に隆起を形成する、窒化物セラミック基板の製造方法。
３． ２．に記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記スクライブラインを形成した後、前記複数の凹部のそれぞれの周囲の前記隆起を除去する工程をさらに含む、窒化物セラミック基板の製造方法。
４． １．から３までのいずれか一つに記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記複数の凹部のそれぞれの前記深さは、前記窒化物セラミック基材の厚さの９／６４倍以上２／９倍以下である、窒化物セラミック基板の製造方法。
５． １．から４．までのいずれか一つに記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記複数の凹部のそれぞれの前記深さは、４５μｍ以上９０μｍ以下である、窒化物セラミック基板の製造方法。
６． １．から５．までのいずれか一つに記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記スクライブラインは、前記複数の凹部のうちの第１群の凹部を含み、第１方向に延伸する第１スクライブラインと、前記複数の凹部のうちの第２群の凹部を含み、前記第１方向に交わる第２方向に延伸する第２スクライブラインと、を含み、
前記第２群の凹部の中で最も前記第１スクライブラインの近くに位置する凹部は、前記第１群の凹部のいずれとも重なっていない、窒化物セラミック基板の製造方法。
７． ６．に記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記第２群の凹部の中で最も前記第１スクライブラインの近くに位置する前記凹部の中心は、前記第２方向において、前記第１スクライブラインの中心線から、前記第２群の凹部の中心間距離の１．５０倍以下の距離だけ離れている、窒化物セラミック基板の製造方法。
８． １．から５．までのいずれか一つに記載の窒化物セラミック基板の製造方法において、
前記窒化物セラミック基材は、窒化ケイ素基材又は窒化アルミニウム基材である、窒化物セラミック基板の製造方法。
９． スクライブラインが形成された第１面を備え、
前記スクライブラインは、前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下である、窒化物セラミック基材。
この出願は、２０１９年３月１５日に出願された日本出願特願２０１９－０４８０７９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１００ 窒化物セラミック基材
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ スクライブライン
１１０ａ 第１スクライブライン
１１０ｂ 第２スクライブライン
１１２ 凹部
１１４ 隆起
１２０ ろう材
１３０ 金属層
１３２ 回路層
１３４ 放熱層
１４０ レジスト

Claims (7)

  1. レーザによって窒化ケイ素基材の第１面にスクライブラインを形成する工程と、
    前記スクライブラインに沿って前記窒化ケイ素基材を分割する工程と、
    を含み、
    前記スクライブラインは、前記窒化ケイ素基材の前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
    前記複数の凹部の各々の開口が円形状であり、
    前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
    前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下であり、
    前記スクライブラインは、前記複数の凹部のうちの第１群の凹部を含み、第１方向に延伸する第１スクライブラインと、前記複数の凹部のうちの第２群の凹部を含み、前記第１方向に交わる第２方向に延伸する第２スクライブラインと、を含み、
    前記第２群の凹部の中で最も前記第１スクライブラインの近くに位置する凹部は、前記第１群の凹部のいずれとも重なっていない、窒化ケイ素基板の製造方法。
  2. 請求項１に記載の窒化ケイ素基板の製造方法において、
    前記スクライブラインを形成する工程は、前記複数の凹部のそれぞれの周囲に隆起を形成する、窒化ケイ素基板の製造方法。
  3. 請求項２に記載の窒化ケイ素基板の製造方法において、
    前記スクライブラインを形成した後、前記複数の凹部のそれぞれの周囲の前記隆起を除去する工程をさらに含む、窒化ケイ素基板の製造方法。
  4. 請求項１から３までのいずれか一項に記載の窒化ケイ素基板の製造方法において、
    前記複数の凹部のそれぞれの前記深さは、前記窒化ケイ素基材の厚さの９／６４倍以上２／９倍以下である、窒化ケイ素基板の製造方法。
  5. 請求項１から４までのいずれか一項に記載の窒化ケイ素基板の製造方法において、
    前記複数の凹部のそれぞれの前記深さは、４５μｍ以上９０μｍ以下である、窒化ケイ素基板の製造方法。
  6. 請求項１から５までのいずれか一項に記載の窒化ケイ素基板の製造方法において、
    前記第２群の凹部の中で最も前記第１スクライブラインの近くに位置する前記凹部の中心は、前記第２方向において、前記第１スクライブラインの中心線から、前記第２群の凹部の中心間距離の１．５０倍以下の距離だけ離れている、窒化ケイ素基板の製造方法。
  7. スクライブラインが形成された第１面を備え、
    前記スクライブラインは、前記第１面に一列に形成された複数の凹部を含み、
    前記複数の凹部の各々の開口が円形状であり、
    前記複数の凹部のそれぞれの深さは、前記複数の凹部のそれぞれの開口幅の０．７０倍以上１．１０倍以下であり、
    前記複数の凹部のそれぞれの前記開口幅は、前記複数の凹部の中心間距離の１．００倍以上１．１０倍以下であり、
    前記スクライブラインは、前記複数の凹部のうちの第１群の凹部を含み、第１方向に延伸する第１スクライブラインと、前記複数の凹部のうちの第２群の凹部を含み、前記第１方向に交わる第２方向に延伸する第２スクライブラインと、を含み、
    前記第２群の凹部の中で最も前記第１スクライブラインの近くに位置する凹部は、前記第１群の凹部のいずれとも重なっていない、窒化ケイ素基材。
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