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JP7610248B2 - Acoustic Wave Device Package - Google Patents
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Description

この発明は、弾性波デバイスとパッケージ基板との間に樹脂層で封止された隙間を備えた中空構造を有する弾性波デバイスパッケージの改良に関する。 This invention relates to an improvement to an acoustic wave device package having a hollow structure with a gap sealed with a resin layer between the acoustic wave device and the package substrate.

表面弾性波を用いたフィルタ（弾性波デバイス）は携帯電話の送受信回路に広く用いられている。かかる弾性波デバイスとパッケージ基板との間に樹脂層で封止された隙間を備えた中空構造を有する弾性波デバイスパッケージとして、特許文献１に示されるものがある。 Filters (acoustic wave devices) that use surface acoustic waves are widely used in the transmitting and receiving circuits of mobile phones. Patent Document 1 shows an example of an acoustic wave device package that has a hollow structure with a gap sealed with a resin layer between the acoustic wave device and the package substrate.

この特許文献１のものでは、基板上に、弾性波デバイスを搭載し、カバーシートでカバーする構造をとっている。特許文献１では、カバーシートは、プラスチック、金属、あるいは、金属粒子を混入した樹脂から構成可能とされている。 In the device disclosed in Patent Document 1, an acoustic wave device is mounted on a substrate and covered with a cover sheet. In Patent Document 1, the cover sheet can be made of plastic, metal, or resin mixed with metal particles.

しかるに、カバーシートをプラスチックシートとした場合、プラスチックは熱伝導率が高くないため、送受信時に生じる弾性波デバイスの熱を逃がしがたく、弾性波デバイス１の電気的特性（ＴＣＦ特性）が損なわれる場合が少なくない。また、蓄熱により弾性波デバイスの櫛形電極（IDT）が破壊されてしまう場合もある。 However, if the cover sheet is a plastic sheet, since plastic does not have a high thermal conductivity, it is difficult for the heat generated in the acoustic wave device during transmission and reception to escape, and the electrical characteristics (TCF characteristics) of the acoustic wave device 1 are often impaired. In addition, the interdigital transducer (IDT) of the acoustic wave device may be destroyed due to heat accumulation.

また、カバーシートを金属シートや金属粒子を混入した樹脂から構成した場合、弾性波デバイスの熱膨張率とカバーシートの熱膨張率との差が大きくなるため、カバーシートと弾性波デバイスや基板との接着性を安定させ難く、いわゆる膨れ剥離の問題が生じ易かった。このような剥離が生じると、剥離が生じた箇所ではカバーシートが弾性波デバイスに密着しなくなるから、カバーシートの所期の放熱性が損なわれ、やはり、弾性波デバイスの電気的特性が損なわれることとなる。加えて、このような剥離は、弾性波デバイスとパッケージ基板との一体性を損ない、断線等の原因ともなる。 Furthermore, when the cover sheet is made of a metal sheet or a resin containing metal particles, the difference between the thermal expansion coefficient of the acoustic wave device and that of the cover sheet becomes large, making it difficult to stabilize the adhesion between the cover sheet and the acoustic wave device or substrate, and the problem of so-called blister peeling is likely to occur. When such peeling occurs, the cover sheet no longer adheres closely to the acoustic wave device at the peeled location, impairing the intended heat dissipation properties of the cover sheet and, again, impairing the electrical characteristics of the acoustic wave device. In addition, such peeling impairs the integrity of the acoustic wave device and the package substrate, and can cause disconnections, etc.

特表２００２－５０４７７３号公報Special Publication No. 2002-504773

この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスパッケージに、高放熱特性を、弾性波デバイスとパッケージ基板との一体性を高く確保した状態で、適切に備えさせるようにする点にある。 The main problem that this invention aims to solve is how to provide this type of acoustic wave device package with high heat dissipation characteristics while maintaining a high degree of integrity between the acoustic wave device and the package substrate.

前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスパッケージを、圧電基板の一面に櫛形電極を含んだ電極パターンを形成してなる弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記搭載側に形成されて前記弾性波デバイスの他面の少なくとも一部を覆う第一部分と前記隙間を封止する第二部分とを備える樹脂層と、
前記樹脂層を覆うように形成された金属層とを有する弾性波デバイスパッケージであって、
前記樹脂層の前記第一部分は、前記弾性波デバイスの前記他面を露出させる非被覆箇所を形成させるようにして、形成されており、
前記非被覆箇所に臨む前記弾性波デバイスの前記他面を前記金属層によって覆うようにしてなる、ものとした。 In order to achieve the above object, the present invention provides an acoustic wave device package, comprising: an acoustic wave device having an electrode pattern including a comb-shaped electrode formed on one surface of a piezoelectric substrate;
a package substrate on which the acoustic wave device is mounted with a gap formed between the package substrate and the one surface of the acoustic wave device;
a resin layer formed on the mounting side of the package substrate and including a first portion covering at least a portion of the other surface of the acoustic wave device and a second portion sealing the gap;
a metal layer formed to cover the resin layer,
the first portion of the resin layer is formed to form an uncovered portion that exposes the other surface of the acoustic wave device;
The other surface of the acoustic wave device facing the uncovered portion is covered with the metal layer.

前記樹脂層の前記第一部分を、格子状をなすように形成させておくことが、この発明の態様の一つとされる。 One aspect of the invention is to form the first portion of the resin layer in a lattice pattern.

また、前記金属層を、インバーにより構成させたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。 In addition, one aspect of this invention is that the metal layer is made of Invar.

また、前記金属層を、リンを含有したものとすることが、この発明の態様の一つとされる。 In addition, one aspect of this invention is that the metal layer contains phosphorus.

また、前記金属層を、ニッケルにより構成させたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。 In one aspect of the invention, the metal layer is made of nickel.

また、前記金属層を、前記弾性波デバイスの前記他面に接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜とを積層させたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。 In one aspect of the invention, the metal layer is formed by laminating a metal film made of titanium that contacts the other surface of the acoustic wave device and a metal film made of copper that is formed on the metal film made of titanium.

また、前記金属層を、前記弾性波デバイスの前記他面に接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜と、この銅からなる金属膜上に形成されるニッケルからなる金属膜とを積層させたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。 In one aspect of the invention, the metal layer is a laminate of a metal film made of titanium that is in contact with the other surface of the acoustic wave device, a metal film made of copper that is formed on the metal film made of titanium, and a metal film made of nickel that is formed on the metal film made of copper.

この発明によれば、弾性波デバイスパッケージに、高放熱特性を、弾性波デバイスとパッケージ基板との一体性を高く確保した状態で、適切に備えさせることができる。 This invention allows the acoustic wave device package to be provided with high heat dissipation characteristics while maintaining high integrity between the acoustic wave device and the package substrate.

図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージを構成する弾性波デバイス（第一例）の断面構成図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of an acoustic wave device (first example) constituting an acoustic wave device package according to one embodiment of the present invention. 図２は、前記第一例の要部破断平面構成図である。FIG. 2 is a cutaway plan view showing the main part of the first example. 図３は、前記第一例の弾性波デバイスパッケージを金属層の記載を省略して示した平面構成図である。FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the acoustic wave device package of the first example, with metal layers omitted. 図４は、前記第一例の構成の一部を変更した弾性波デバイスパッケージ（第二例）を金属層の記載を省略して示した平面構成図である。FIG. 4 is a plan view showing the configuration of an acoustic wave device package (second example) which is a partly modified version of the first example, with metal layers omitted. 図５は、前記第一例の構成の一部を変更した弾性波デバイスパッケージ（第三例）を金属層の記載を省略して示した平面構成図である。FIG. 5 is a plan view showing the configuration of an acoustic wave device package (third example) which is a partly modified version of the first example, with metal layers omitted.

以下、図１～図５に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージＤは、弾性波デバイス１（チップ）と、パッケージ基板２（配線基板）と、樹脂層３（モールドレジン）と、金属層４とを備える。 A typical embodiment of the present invention will be described below with reference to Figures 1 to 5. The acoustic wave device package D according to this embodiment includes an acoustic wave device 1 (chip), a package substrate 2 (wiring substrate), a resin layer 3 (mold resin), and a metal layer 4.

（弾性波デバイス１）
弾性波デバイス１は、圧電基板１ａの一面１ｂに、金属膜によって櫛形電極（IDT）を含んだ電極パターン（図示は省略する。）を形成させてなる。すなわち、弾性波デバイス１は、板状をなし、また、その一面１ｂを前記電極パターンの形成面としている。 (Acoustic Wave Device 1)
The acoustic wave device 1 is formed by forming an electrode pattern (not shown) including an interdigital transducer (IDT) on one surface 1b of a piezoelectric substrate 1a using a metal film. That is, the acoustic wave device 1 is plate-shaped, and the one surface 1b is used as the surface on which the electrode pattern is formed.

また、弾性波デバイス１は、前記櫛形電極の形成面（前記一面１ｂ）と反対の他面１ｃを有すると共に、その厚さ方向に沿った端面１ｄとを備える。 The acoustic wave device 1 also has a surface 1c opposite to the surface on which the comb-shaped electrode is formed (the surface 1b), and an end surface 1d along its thickness direction.

図示の例では、弾性波デバイスは、四角形の板状を呈し、四角形の一面１ｂと他面１ｃとを持った形態となっている。 In the illustrated example, the acoustic wave device is in the shape of a rectangular plate with one rectangular surface 1b and the other rectangular surface 1c.

（パッケージ基板２）
パッケージ基板２は、前記弾性波デバイス１の前記一面１ｂとの間に隙間Ｇを形成させた状態で前記弾性波デバイス１を搭載する構成となっている。 (Package Substrate 2)
The package substrate 2 is configured to mount the acoustic wave device 1 thereon with a gap G formed between the package substrate 2 and the surface 1 b of the acoustic wave device 1 .

パッケージ基板２は、絶縁性を備えた板状の材料から構成されている。パッケージ基板２は、前記弾性波デバイス１の搭載側の表面２ａと、この搭載側の表面２ａと反対の裏面２ｂと、厚さ方向に沿った端面２ｃとを備える。 The package substrate 2 is made of an insulating plate-shaped material. The package substrate 2 has a surface 2a on the mounting side of the acoustic wave device 1, a back surface 2b opposite the mounting surface 2a, and an end surface 2c along the thickness direction.

パッケージ基板２は、弾性波デバイス１の端面１ｄの外側にパッケージ基板２の端面２ｃを、弾性波デバイス１の中心を巡るいずれの位置においても位置させる大きさに形成されている。 The package substrate 2 is sized so that the end face 2c of the package substrate 2 is positioned outside the end face 1d of the acoustic wave device 1 at any position around the center of the acoustic wave device 1.

弾性波デバイス１は、典型的には、弾性波デバイス１の前記一面１ｂに形成されたパッド電極（図示は省略する。）と、パッケージ基板２の表面２ａに形成させたパッド電極（図示は省略する。）とを、一般的には、弾性波デバイス１側に先に形成させたバンプ５を介して一体化させた状態でパッケージ基板２の前記表面２ａ上に載置される。前記バンプ５としては、ワイヤーボンディングのファーストボンドによって形成される、金スタッドバンプが典型例である。バンプ５と弾性波デバイス１のパッド電極とは超音波溶着などの公知の手法により固着される。 The acoustic wave device 1 is typically mounted on the surface 2a of the package substrate 2 in such a state that a pad electrode (not shown) formed on the surface 1b of the acoustic wave device 1 and a pad electrode (not shown) formed on the surface 2a of the package substrate 2 are integrated via a bump 5 previously formed on the acoustic wave device 1 side. A typical example of the bump 5 is a gold stud bump formed by the first bond of wire bonding. The bump 5 and the pad electrode of the acoustic wave device 1 are fixed by a known method such as ultrasonic welding.

弾性波デバイス１の一面１ｂと、パッケージ基板２の表面２ａとの間には、少なくとも前記バンプ５の厚さ分の隙間Ｇが、弾性波デバイス１の前記一面１ｂのいずれの箇所においても形成されている。 A gap G, at least the thickness of the bump 5, is formed between the surface 1b of the acoustic wave device 1 and the surface 2a of the package substrate 2 at every location on the surface 1b of the acoustic wave device 1.

パッケージ基板２の裏面２ｂには外部接続端子（図示は省略する。）が形成される。パッケージ基板２に前記のように搭載された弾性波デバイス１はその櫛形電極の少なくとも一部を前記外部接続端子に電気的に接続させるようになっている。 External connection terminals (not shown) are formed on the rear surface 2b of the package substrate 2. The acoustic wave device 1 mounted on the package substrate 2 as described above is configured to electrically connect at least a portion of its comb-shaped electrodes to the external connection terminals.

（樹脂層３）
樹脂層３は、前記パッケージ基板２の前記搭載側に形成される。樹脂層３は、前記弾性波デバイス１の他面１ｃの少なくとも一部を覆う第一部分３ａと前記隙間Ｇを封止する第二部分３ｂとを備えている。この樹脂層３によって、前記パッケージ基板２と前記弾性波デバイス１との間に前記櫛形電極を囲む中空部６が形成される。 (Resin layer 3)
The resin layer 3 is formed on the mounting side of the package substrate 2. The resin layer 3 includes a first portion 3a that covers at least a part of the other surface 1c of the acoustic wave device 1 and a second portion 3b that seals the gap G. The resin layer 3 forms a hollow portion 6 that surrounds the comb-shaped electrode between the package substrate 2 and the acoustic wave device 1.

前記樹脂層３の前記第一部分３ａは、前記弾性波デバイス１の前記他面１ｃを露出させる非被覆箇所３ｃを形成させるようにして、形成されている。 The first portion 3a of the resin layer 3 is formed so as to form an uncovered portion 3c that exposes the other surface 1c of the acoustic wave device 1.

図１～図３に示す第一例では、前記樹脂層３の前記第一部分３ａを、格子状をなすように形成させている。図示の例では、第一部分３ａは、弾性波デバイス１の他面１ｃを縁取る額縁部３ａａ内に、この他面１ｃの一辺に平行な第一線状部３ａｂとこの一辺に直交する第二線状部３ａｃとを複数設けることで、四角形の前記非被覆箇所３ｃを複数備えた形態となっている。 In the first example shown in Figures 1 to 3, the first portion 3a of the resin layer 3 is formed in a lattice pattern. In the illustrated example, the first portion 3a is formed in a frame portion 3aa that borders the other surface 1c of the acoustic wave device 1, and includes a plurality of first linear portions 3ab that are parallel to one side of the other surface 1c and a plurality of second linear portions 3ac that are perpendicular to the first side, thereby providing a plurality of rectangular uncovered portions 3c.

また、図４に示される第二例では、前記樹脂層３の前記第一部分３ａを、散点的に前記非被覆箇所３ｃが形成されるように、形成させている。図示の例では、円形の非被覆箇所３ｃが第一部分３ａに複数形成されている。 In the second example shown in FIG. 4, the first portion 3a of the resin layer 3 is formed so that the uncoated areas 3c are formed in a scattered manner. In the example shown, multiple circular uncoated areas 3c are formed in the first portion 3a.

また、図５に示される第三例では、前記樹脂層３の前記第一部分３ａの少なくとも一部を、散点的に形成させている。図示の例では、第一部分３ａは、弾性波デバイス１の他面１ｃを縁取る額縁部３ａａ内に、四角形のドット状部３ａｄを複数形成させた形態となっている。各ドット状部３ａｄ間、および、額縁部３ａａとドット状部３ａｄとの間に非被覆箇所３ｃが形成されている。 In a third example shown in FIG. 5, at least a portion of the first portion 3a of the resin layer 3 is formed in a scattered manner. In the example shown, the first portion 3a has a shape in which a plurality of rectangular dot-shaped portions 3ad are formed within a frame portion 3aa that borders the other surface 1c of the acoustic wave device 1. Uncovered portions 3c are formed between each dot-shaped portion 3ad and between the frame portion 3aa and the dot-shaped portions 3ad.

また、この実施の形態にあっては、樹脂層３の第二部分３ｂは、弾性波デバイス１の他面１ｃと端面１ｄとが接する隅部１ｅからパッケージ基板２の表面２ａまでの間にあって弾性波デバイス１の端面１ｄを覆う縦向き部分３ｂａと、この縦向き部分３ｂａがパッケージ基板２の表面２ａに接する箇所からパッケージ基板２の端面２ｃ側に延びる横向き部分３ｂｂとを備えている。横向き部分３ｂｂはパッケージ基板２の表面２ａに密着し、かつ、パッケージ基板２の端面２ｃまでは至らず、横向き部分３ｂｂの端末３ｂｃとパッケージ基板２の端面２ｃとの間には間隔が形成されている。 In this embodiment, the second portion 3b of the resin layer 3 includes a vertical portion 3ba that is located between the corner 1e where the other surface 1c of the acoustic wave device 1 and the end surface 1d meet and the surface 2a of the package substrate 2, and covers the end surface 1d of the acoustic wave device 1, and a horizontal portion 3bb that extends from the point where the vertical portion 3ba meets the surface 2a of the package substrate 2 toward the end surface 2c of the package substrate 2. The horizontal portion 3bb is in close contact with the surface 2a of the package substrate 2, but does not reach the end surface 2c of the package substrate 2, and a gap is formed between the terminal 3bc of the horizontal portion 3bb and the end surface 2c of the package substrate 2.

（金属層４）
金属層４は、前記樹脂層３の全体と後述のを非被覆箇所３ｃに臨む前記弾性波デバイス１の他面１ｃとを覆うように形成される。金属層４は、弾性波デバイス１の他面１ｃとの間に樹脂層３の第一部分３ａを挟むようにして形成された第一面部４ａと、弾性波デバイス１の端面１ｃとの間に樹脂層３の第二部分３ｂの縦向き部分３ｂａを挟むようにして形成された第二面部４ｂと、パッケージ基板２との間に樹脂層３の第二部分３ｂの横向き部分３ｂｂを挟むようにして形成された第三面部４ｃとを備えている。第三面部４ｃの端末４ｄはパッケージ基板２の表面２ａと端面２ｃとが接する隅部２ｄに至っており、第三面部４ｃによって樹脂層３の第二部分３ｂの横向き部分３ｂｂの端末３ｂｃも被覆されている。 (Metal Layer 4)
The metal layer 4 is formed so as to cover the entire resin layer 3 and the other surface 1c of the acoustic wave device 1 facing the uncovered portion 3c described below. The metal layer 4 includes a first surface 4a formed so as to sandwich the first portion 3a of the resin layer 3 between the metal layer 4 and the other surface 1c of the acoustic wave device 1, a second surface 4b formed so as to sandwich the vertical portion 3ba of the second portion 3b of the resin layer 3 between the metal layer 4 and the end surface 1c of the acoustic wave device 1, and a third surface 4c formed so as to sandwich the horizontal portion 3bb of the second portion 3b of the resin layer 3 between the metal layer 4 and the package substrate 2. A terminal 4d of the third surface 4c reaches a corner 2d where the surface 2a and the end surface 2c of the package substrate 2 are in contact with each other, and the terminal 3bc of the horizontal portion 3bb of the second portion 3b of the resin layer 3 is also covered by the third surface 4c.

パッケージ基板２をセラミックなどのガスの透過性がないかガスの透過性の低い材料から構成させておけば、このように形成される金属層４によって、前記中空部６のガスバリア性を高く維持することが可能となる。 If the package substrate 2 is made of a material that is not permeable to gas or has low gas permeability, such as ceramic, the metal layer 4 thus formed can maintain high gas barrier properties of the hollow portion 6.

また、このように形成される金属層４によって、前記非被覆箇所３ｃに臨む前記弾性波デバイス１の前記他面１ｃを覆うこととなる。すなわち、前記非被覆箇所３ｃに臨む前記弾性波デバイス１の前記他面１ｃには、金属層４が直接接し、この他面１ｃを覆う。 The metal layer 4 thus formed covers the other surface 1c of the acoustic wave device 1 facing the uncovered portion 3c. That is, the metal layer 4 is in direct contact with the other surface 1c of the acoustic wave device 1 facing the uncovered portion 3c, covering this other surface 1c.

これにより、以下の効果が得られる。
（１）高放熱性：弾性波デバイス１の他面１ｃに金属層４が直接接しているため、弾性波デバイス１から発熱した熱を効率よく熱伝導させ熱放散特性に優れた構造となる。
（２）密着性：弾性波デバイス１の他面１ｃに樹脂層３が接する領域と金属層４が接する領域を形成したことにより、弾性波デバイス１側に対する金属層４の接着性を向上させた構造となる。すなわち、弾性波デバイス１を構成する圧電基板の熱膨張率と金属層４の熱膨張率の差による応力を樹脂層３により応力緩和をすることができ、これにより、非被覆箇所３ｃに臨む前記弾性波デバイス１の前記他面１ｃにおいての前記金属層４のはがれを可及的に防止することが可能となる。
 This provides the following effects:
(1) High heat dissipation: Since the metal layer 4 is in direct contact with the other surface 1c of the acoustic wave device 1, the heat generated from the acoustic wave device 1 is efficiently conducted, resulting in a structure with excellent heat dissipation characteristics.
(2) Adhesion: By forming an area where the resin layer 3 contacts and an area where the metal layer 4 contacts on the other surface 1c of the acoustic wave device 1, a structure is obtained in which the adhesion of the metal layer 4 to the acoustic wave device 1 is improved. That is, the resin layer 3 can relieve stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the piezoelectric substrate constituting the acoustic wave device 1 and the metal layer 4, thereby making it possible to prevent peeling of the metal layer 4 from the other surface 1c of the acoustic wave device 1 facing the uncovered portion 3c as much as possible.

かかる金属層４は、Physical Vapor Deposition（PVD）やChemical Vapor Deposition（CVD）により薄膜を形成させた後に、電解めっき法により形成することができる。 Such a metal layer 4 can be formed by forming a thin film by physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD) and then by electrolytic plating.

また、かかる金属層４は、無電解ニッケルめっき法により、直接形成することもできる。この場合、金属層４はニッケルにより構成されたものとなる。電解めっき法で形成する場合は、電気を通すためのシード層（PVDやCVD）を形成する必要があり、製造プロセスが長くなることから、弾性波デバイスパッケージＤの生産コストを低廉化し難い。これに対して、無電解ニッケルめっき法であれば、このシード層が不要となり、弾性波デバイスパッケージＤの生産コストの可及的な低廉化が可能となる。 The metal layer 4 can also be formed directly by electroless nickel plating. In this case, the metal layer 4 is made of nickel. When formed by electrolytic plating, a seed layer (PVD or CVD) must be formed to conduct electricity, which lengthens the manufacturing process, making it difficult to reduce the production costs of the acoustic wave device package D. In contrast, when electroless nickel plating is used, this seed layer is not necessary, making it possible to reduce the production costs of the acoustic wave device package D as much as possible.

また、かかる無電解ニッケルめっきに、リンを含有させるようにすれば、耐候性を向上させることができる。 In addition, by adding phosphorus to such electroless nickel plating, weather resistance can be improved.

また、かかる金属層４を、インバーめっきにより形成すれば、金属膜の熱膨率を効果的に低減させることができる。 Furthermore, if the metal layer 4 is formed by Invar plating, the thermal expansion coefficient of the metal film can be effectively reduced.

また、かかる前記金属層４は、弾性波デバイス１の他面１ｃに接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜とを積層させたものとしても良い。このようにした場合、チタンからなる金属膜によって弾性波デバイス１と金属層４との密着性を向上させることができると共に、その上に形成される電気伝導性・熱伝導性の高い銅からなる金属膜によって金属層４による熱放散性を向上させることができる。 The metal layer 4 may also be a laminate of a metal film made of titanium that is in contact with the other surface 1c of the acoustic wave device 1 and a metal film made of copper that is formed on the metal film made of titanium. In this case, the metal film made of titanium can improve the adhesion between the acoustic wave device 1 and the metal layer 4, and the metal film made of copper, which has high electrical and thermal conductivity, that is formed on top of the titanium can improve the heat dissipation properties of the metal layer 4.

また、前記金属層４を、弾性波デバイス１の他面１ｃに接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜と、この銅からなる金属膜上に形成されるニッケルからなる金属膜とを積層させたものとしても良い。このようにした場合、酸化によって変色し易い銅からなる金属膜をニッケルからなる金属膜によって覆うことで金属層４の変色を防止することができる。なお、この場合のニッケルからなる金属膜はPVDやCVDで形成しても良いが、コストと厚さを考慮すると電解ニッケルめっきで形成することが望ましい。 The metal layer 4 may also be formed by laminating a metal film made of titanium that is in contact with the other surface 1c of the acoustic wave device 1, a metal film made of copper formed on the metal film made of titanium, and a metal film made of nickel formed on the metal film made of copper. In this case, discoloration of the metal layer 4 can be prevented by covering the metal film made of copper, which is easily discolored by oxidation, with a metal film made of nickel. In this case, the metal film made of nickel may be formed by PVD or CVD, but it is preferable to form it by electrolytic nickel plating considering the cost and thickness.

以上に説明した弾性波デバイス１は、典型的には以下の手順で製造することができる。 The acoustic wave device 1 described above can typically be manufactured by the following procedure.

ステップ１：パッケージ基板２に弾性波デバイス１をフリップチップ実装する。
ステップ２：ステップ１で得られたパッケージ基板２の弾性波デバイス１の搭載側に、樹脂シートを真空中で、加熱加圧して樹脂層３を形成する。
ステップ３：弾性波デバイス１の他面１ｃに形成された樹脂層３を所望の形状にレーザーで除去し非被覆箇所３ｃを形成する。かかるレーザーによる除去により、図１～図３に示される第一例における横向き部分３ｂｂの端末３ｂｃとパッケージ基板２の端面２ｃとの間の間隔も形成することができる。
ステップ４：ステップ３で発生したデブリ等の切削くずを除去する。
ステップ５：ステップ４を経た弾性波デバイス１パッケージに対し無電解ニッケルめっきの密着性を向上させるためのプラズマ洗浄をする。
ステップ６：ステップ５を経た弾性波デバイス１パッケージに対し無電解ニッケルめっきにより金属層４を形成する。
ステップ７：ブレードダイサー等で個片化する。
前記ステップ３は、ブレードダイサーを用いて行うこともできる。 Step 1: The acoustic wave device 1 is flip-chip mounted on the package substrate 2 .
Step 2: A resin sheet is heated and pressurized in a vacuum to form a resin layer 3 on the side of the package substrate 2 obtained in step 1 on which the acoustic wave device 1 is mounted.
Step 3: The resin layer 3 formed on the other surface 1c of the acoustic wave device 1 is removed by a laser in a desired shape to form an uncovered portion 3c. By removing the resin layer 3 by the laser, a space can also be formed between the end 3bc of the lateral portion 3bb and the end surface 2c of the package substrate 2 in the first example shown in FIGS.
Step 4: The cutting waste such as debris generated in step 3 is removed.
Step 5: The acoustic wave device 1 package that has been subjected to step 4 is subjected to plasma cleaning in order to improve the adhesion of the electroless nickel plating.
Step 6: A metal layer 4 is formed on the acoustic wave device 1 package that has been subjected to step 5 by electroless nickel plating.
Step 7: Divide into individual pieces using a blade dicer or the like.
Step 3 can also be performed using a blade dicer.

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。 Naturally, the present invention is not limited to the embodiments described above, but includes all embodiments that can achieve the object of the present invention.

Ｄ 弾性波デバイスパッケージ
Ｇ 隙間
１ 弾性波デバイス
１ａ 圧電基板
１ｂ 一面
１ｃ 他面
１ｄ 端面
１ｅ 隅部
２ パッケージ基板
２ａ 表面
２ｂ 裏面
２ｃ 端面
２ｄ 隅部
３ 樹脂層
３ａ 第一部分
３ａａ 額縁部
３ａｂ 第一線状部
３ａｃ 第二線状部
３ａｄ ドット状部
３ｂ 第二部分
３ｂａ 縦向き部分
３ｂｂ 横向き部分
３ｂｃ 端末
３ｃ 非被覆箇所
４ 金属層
４ａ 第一面部
４ｂ 第二面部
４ｃ 第三面部
４ｄ 端末
５ バンプ
６ 中空部 D Acoustic wave device package G Gap 1 Acoustic wave device 1a Piezoelectric substrate 1b One surface 1c Other surface 1d End surface 1e Corner portion 2 Package substrate 2a Front surface 2b Back surface 2c End surface 2d Corner portion 3 Resin layer 3a First portion 3aa Frame portion 3ab First linear portion 3ac Second linear portion 3ad Dot-shaped portion 3b Second portion 3ba Vertical portion 3bb Horizontal portion 3bc Terminal portion 3c Uncovered portion 4 Metal layer 4a First surface portion 4b Second surface portion 4c Third surface portion 4d Terminal portion 5 Bump 6 Hollow portion

Claims (6)

圧電基板の一面に櫛形電極を含んだ電極パターンを形成してなる弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記搭載側に形成されて前記弾性波デバイスの他面の少なくとも一部を覆う第一部分と前記隙間を封止する第二部分とを備える樹脂層と、
前記樹脂層を覆うように形成された金属層とを有する弾性波デバイスパッケージであって、
前記樹脂層の前記第一部分は、前記弾性波デバイスの前記他面を露出させる非被覆箇所を形成させるようにして、形成されており、
前記非被覆箇所に臨む前記弾性波デバイスの前記他面を前記金属層によって覆うようにしてなり、
しかも、 前記樹脂層の前記第一部分を格子状をなすように形成させて四角形の前記非被覆箇所を複数備えさせてなる、弾性波デバイスパッケージ。 an acoustic wave device having an electrode pattern including a comb-shaped electrode formed on one surface of a piezoelectric substrate;
a package substrate on which the acoustic wave device is mounted with a gap formed between the package substrate and the one surface of the acoustic wave device;
a resin layer formed on the mounting side of the package substrate and including a first portion covering at least a portion of the other surface of the acoustic wave device and a second portion sealing the gap;
a metal layer formed to cover the resin layer,
the first portion of the resin layer is formed to form an uncovered portion that exposes the other surface of the acoustic wave device;
the other surface of the acoustic wave device facing the uncovered portion is covered with the metal layer;
Moreover, the first portion of the resin layer is formed in a lattice pattern to provide a plurality of rectangular uncovered portions. 前記金属層を、インバーにより構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージ。 2. The acoustic wave device package according to claim 1 , wherein the metal layer is made of Invar. 前記金属層を、リンを含有したものとしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージ。 2. The acoustic wave device package according to claim 1 , wherein the metal layer contains phosphorus. 前記金属層を、ニッケルにより構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージ。 2. The acoustic wave device package according to claim 1 , wherein the metal layer is made of nickel. 前記金属層を、前記弾性波デバイスの前記他面に接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜とを積層させたものとしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージ。 2. The acoustic wave device package of claim 1 , wherein the metal layer is a laminate of a metal film made of titanium that is in contact with the other surface of the acoustic wave device and a metal film made of copper that is formed on the metal film made of titanium. 前記金属層を、前記弾性波デバイスの前記他面に接するチタンからなる金属膜と、このチタンからなる金属膜上に形成される銅からなる金属膜と、この銅からなる金属膜上に形成されるニッケルからなる金属膜とを積層させたものとしてなる、請求項１に記載の弾性波デバイスパッケージ。 2. The acoustic wave device package of claim 1, wherein the metal layer is a laminate of a metal film made of titanium that is in contact with the other surface of the acoustic wave device, a metal film made of copper that is formed on the metal film made of titanium, and a metal film made of nickel that is formed on the metal film made of copper.
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