JP7613413B2 - 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 - Google Patents
両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7613413B2 JP7613413B2 JP2022068746A JP2022068746A JP7613413B2 JP 7613413 B2 JP7613413 B2 JP 7613413B2 JP 2022068746 A JP2022068746 A JP 2022068746A JP 2022068746 A JP2022068746 A JP 2022068746A JP 7613413 B2 JP7613413 B2 JP 7613413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- polishing
- double
- carrier body
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/28—Work carriers for double side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
キャリアの平坦度がウェーハの平坦度品質に与える影響を評価した。両面研磨装置としては、直径500mmのキャリアを5枚装填可能なものを用いた。キャリアは単一のウェーハ保持孔を有し、直径300mmのウェーハを1枚装填可能である。ウェーハとしては直径300mmのp型シリコン単結晶ウェーハを用いた。研磨パッドは砥粒を含まないウレタン製研磨パッドを用いた。スラリーは、粒径が60~110nmのシリカ砥粒を含むpHが11~12の無機アルカリ水溶液を用いた。
次に、キャリアの主面の繊維露出率がキャリア摩耗速度に与える影響を評価した。キャリアの材料としては、ガラスクロス基材にエポキシ樹脂を含侵させたシート材を5枚重ねた5層構造の樹脂積層板を用いて構成した。
あるウェーハの厚み及び平坦度規格を考慮して設定されたキャリアの厚み規格の上限から下限までキャリアを繰り返し使用したときのウェーハの処理枚数を評価した。その結果を図11に示す。
2 上定盤
2a 貫通孔
3 下定盤
4 研磨布
5 スラリー供給装置
6 ノズル
7 サンギヤ
8 インターナルギヤ
10 両面研磨用キャリア
11 キャリア本体
12 ウェーハ保持孔
13 外周歯
20 複合シート材
20a 複合シート材
20b 複合シート材
21 繊維基材
22 樹脂
W シリコンウェーハ
Claims (9)
- シリコンウェーハを両面研磨する際に前記シリコンウェーハを保持する両面研磨用キャリアであって、
織布タイプの繊維基材を含む樹脂積層板からなる略円盤状のキャリア本体と、
前記キャリア本体に形成されたウェーハ保持孔とを備え、
前記キャリア本体の主面の繊維露出率が0%よりも大きく50%未満であり、
前記ウェーハ保持孔の外周近傍における前記キャリア本体の平坦度は5μm以下であって、前記キャリア本体の厚み測定値の最大値と最小値との差に基づいて求められることを特徴とする両面研磨用キャリア。 - 前記ウェーハ保持孔の中心から前記厚みの測定点までの距離が1.01r(mm)(ただしrは前記ウェーハ保持孔の半径)である、請求項1に記載の両面研磨用キャリア。
- 前記キャリア本体の厚みが前記シリコンウェーハの研磨前厚みよりも薄く且つ厚み差が5~20μmである、請求項2に記載の両面研磨用キャリア。
- 前記樹脂積層板は、前記繊維基材に樹脂を含侵させた複合シート材を複数枚重ねた多層構造を有し、
前記樹脂は、エポキシ、フェノール又はアラミドであり、
前記繊維基材は、ガラス繊維織布又はカーボン繊維織布であり、
前記多層構造は3層以上である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の両面研磨用キャリア。 - 両面研磨用キャリアを用意するステップと、
研磨布がそれぞれ貼付された上定盤と下定盤との間に配設された前記両面研磨用キャリアにシリコンウェーハを装填した後、前記上定盤と前記下定盤との間にスラリーを供給しながら前記上定盤と前記下定盤をそれぞれ回転させて前記シリコンウェーハを両面研磨するステップとを備え、
前記両面研磨用キャリアは、
織布タイプの繊維基材を含む樹脂積層板からなる略円盤状のキャリア本体と、
前記キャリア本体に形成されたウェーハ保持孔とを備え、前記キャリア本体の主面の繊維露出率が0%よりも大きく50%未満であり、
前記ウェーハ保持孔の外周近傍における前記キャリア本体の平坦度は5μm以下であって、前記キャリア本体の厚み測定値の最大値と最小値との差に基づいて求められることを特徴とするシリコンウェーハの両面研磨方法。 - 前記シリコンウェーハを両面研磨するステップの前に、前記キャリア本体の平坦度が5μm以下且つ前記繊維露出率が0%よりも大きく50%未満となるように前記両面研磨用キャリアを予備研磨するステップをさらに備える、請求項5に記載の両面研磨方法。
- 前記両面研磨用キャリアを予備研磨するステップは、前記シリコンウェーハの研磨前厚みよりも薄く且つ厚み差が5~10μmとなるように前記キャリア本体の厚みを調整する、請求項6に記載の両面研磨方法。
- 前記シリコンウェーハを両面研磨するステップは、前記シリコンウェーハの研磨前厚みとの厚み差が20μm以下の範囲で前記両面研磨用キャリアを使用する、請求項7に記載の両面研磨方法。
- 研磨布がそれぞれ貼付された上定盤及び下定盤と、
前記上定盤と前記下定盤との間に配設されるシリコンウェーハを保持する両面研磨用キャリアとを備え、
前記両面研磨用キャリアは、
織布タイプの繊維基材を含む樹脂積層板からなる略円盤状のキャリア本体と、
前記キャリア本体に形成されたウェーハ保持孔とを備え、
前記キャリア本体の主面の繊維露出率が0%よりも大きく50%未満であり、
前記ウェーハ保持孔の外周近傍における前記キャリア本体の平坦度は5μm以下であって、前記キャリア本体の厚み測定値の最大値と最小値との差に基づいて求められることを特徴とする両面研磨装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022068746A JP7613413B2 (ja) | 2022-04-19 | 2022-04-19 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 |
| TW112107747A TWI872474B (zh) | 2022-04-19 | 2023-03-03 | 兩面研磨用載具及使用此之矽晶圓的兩面研磨方法及裝置 |
| PCT/JP2023/009225 WO2023203915A1 (ja) | 2022-04-19 | 2023-03-10 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022068746A JP7613413B2 (ja) | 2022-04-19 | 2022-04-19 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023158771A JP2023158771A (ja) | 2023-10-31 |
| JP7613413B2 true JP7613413B2 (ja) | 2025-01-15 |
Family
ID=88419678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022068746A Active JP7613413B2 (ja) | 2022-04-19 | 2022-04-19 | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7613413B2 (ja) |
| TW (1) | TWI872474B (ja) |
| WO (1) | WO2023203915A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025099460A (ja) * | 2023-12-21 | 2025-07-03 | 株式会社Sumco | 両面研磨装置用キャリアプレートの製造方法、ワークの両面研磨方法、及び両面研磨装置用キャリアプレート |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006026760A (ja) | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Speedfam Co Ltd | 被研磨物保持用キャリア |
| JP2008044083A (ja) | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Kyocera Chemical Corp | 研磨用保持材 |
| JP2010023217A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Chemical Corp | 被研磨物保持用キャリアディスク |
| WO2014002467A1 (ja) | 2012-06-25 | 2014-01-03 | 株式会社Sumco | ワークの研磨方法およびワークの研磨装置 |
| JP2015125788A (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2015181082A (ja) | 2015-04-28 | 2015-10-15 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板 |
| JP2018022549A (ja) | 2016-03-31 | 2018-02-08 | Hoya株式会社 | キャリアおよび当該キャリアを用いた基板の製造方法 |
| JP2020055065A (ja) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | マーベリックパートナーズ株式会社 | 樹脂製研磨キャリア及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100065562A (ko) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | 주식회사 실트론 | 래핑 캐리어 |
| DE112017005728T5 (de) * | 2016-12-09 | 2019-08-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Träger für doppelseitige Poliervorrichtung, doppelseitige Poliervorrichtung und doppelseitiges Polierverfahren |
| JP7276246B2 (ja) * | 2020-05-19 | 2023-05-18 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 |
-
2022
- 2022-04-19 JP JP2022068746A patent/JP7613413B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-03 TW TW112107747A patent/TWI872474B/zh active
- 2023-03-10 WO PCT/JP2023/009225 patent/WO2023203915A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006026760A (ja) | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Speedfam Co Ltd | 被研磨物保持用キャリア |
| JP2008044083A (ja) | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Kyocera Chemical Corp | 研磨用保持材 |
| JP2010023217A (ja) | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Kyocera Chemical Corp | 被研磨物保持用キャリアディスク |
| WO2014002467A1 (ja) | 2012-06-25 | 2014-01-03 | 株式会社Sumco | ワークの研磨方法およびワークの研磨装置 |
| JP2015125788A (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-06 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2015181082A (ja) | 2015-04-28 | 2015-10-15 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板 |
| JP2018022549A (ja) | 2016-03-31 | 2018-02-08 | Hoya株式会社 | キャリアおよび当該キャリアを用いた基板の製造方法 |
| JP2020055065A (ja) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | マーベリックパートナーズ株式会社 | 樹脂製研磨キャリア及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI872474B (zh) | 2025-02-11 |
| JP2023158771A (ja) | 2023-10-31 |
| TW202342232A (zh) | 2023-11-01 |
| WO2023203915A1 (ja) | 2023-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7582221B2 (en) | Wafer manufacturing method, polishing apparatus, and wafer | |
| US9293318B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method | |
| US8721390B2 (en) | Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer | |
| KR20090029270A (ko) | 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법 | |
| JP6079554B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2009289925A (ja) | 半導体ウェーハの研削方法、研削用定盤および研削装置 | |
| US11453098B2 (en) | Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus, and double-side polishing method | |
| JP7613413B2 (ja) | 両面研磨用キャリア及びこれを用いたシリコンウェーハの両面研磨方法及び装置 | |
| JP2016198864A (ja) | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 | |
| JP2006303136A (ja) | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | |
| JP5870960B2 (ja) | ワークの研磨装置 | |
| JP5381304B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| CN112091811B (zh) | 载体及使用该载体的基板的制造方法 | |
| TW201743374A (zh) | 雙面研磨方法及雙面研磨裝置 | |
| JP2023159656A (ja) | ウェーハの両面研磨方法 | |
| JP6825733B1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2009148892A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
| JP5287982B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP7838501B2 (ja) | 両面研磨方法 | |
| JP5620465B2 (ja) | 円形状研磨パッド | |
| TWI853163B (zh) | 雙面研磨方法 | |
| JPH1199475A (ja) | ポリッシャ修正工具及びその製造方法 | |
| JP2009135180A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231205 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240213 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240410 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240716 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241009 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20241022 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20241126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20241209 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7613413 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |