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JP7615007B2 - 電磁波減衰体及び電子装置 - Google Patents
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JP7615007B2 - 電磁波減衰体及び電子装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、電磁波減衰体及び電子装置に関する。
例えば、電磁シールドシートなどの電磁波減衰体が提案されている。電磁波減衰体及び半導体素子を含む電子装置がある。電磁波減衰体において、電磁波の減衰特性を向上させることが望まれる。
特開２０１２－３８８０７号公報
本発明の実施形態は、電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体及び電子装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、電磁波減衰体は、第１面状部分を含む積層部材を含む。前記第１面状部分は、第１積層体を含む。前記第１積層体は、複数の第１磁性層と、Ｃｒ及びＴｉを含む複数の第１非磁性層と、を含む。前記複数の第１磁性層の１つから前記複数の第１磁性層の別の１つへの方向は、第１方向に沿う。前記複数の第１非磁性層の１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つと、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと、の間にある。前記複数の第１非磁性層の前記１つは、アモルファス領域を含む。前記複数の第１磁性層の前記１つ及び前記複数の第１磁性層の前記別の１つは、結晶領域を含む。
図１は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図２は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、電磁波減衰体の評価結果を例示するグラフである。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体の断面の電子顕微鏡像である。 図５は、第１実施形態に係る電磁波減衰体の断面の電子顕微鏡像である。 図６は、電磁波減衰体の特性を例示するグラフである。 図７は、実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。 図８（ａ）～図８（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。 図９（ａ）～図９（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１１は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１２は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１３は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１４は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。 図１５は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１０は、積層部材１０ＭＡを含む。積層部材１０ＭＡは、第１面状部分１０ｐを含む。
第１面状部分１０ｐは、第１積層体１０Ｍを含む。第１積層体１０Ｍは、複数の第１磁性層１１と、複数の第１非磁性層１１Ｎと、を含む。複数の第１非磁性層１１Ｎは、Ｃｒ及びＴｉを含む。例えば、複数の第１非磁性層１１Ｎは、Ｃｒ及びＴｉを含む合金を含む。
複数の第１磁性層１１の１つから複数の第１磁性層１１の別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つは、複数の第１磁性層１１の１つと、複数の第１磁性層１１の別の１つと、の間にある。例えば、複数の第１磁性層１１の１つは、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つと、複数の第１非磁性層１１Ｎの別の１つと、の間にある。
第１方向Ｄ１をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がる層状である。複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎは、例えば、Ｚ軸方向に沿って交互に並ぶ。
実施形態において、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つは、アモルファス領域を含む。複数の第１磁性層１１の１つ及び複数の第１磁性層１１の別の１つは、結晶領域を含む。
このような電磁波減衰体１０により、電磁波の減衰特性を向上できる。電磁波減衰体の特性に関する実験結果の例については、後述する。
図１に示すように、電磁波減衰体１０は、基体１０ｓを含んでも良い。基体１０ｓから第１面状部分１０ｐへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。例えば、基体１０ｓの上に、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎが交互に形成される。
基体１０ｓは、樹脂を含んで良い。１つの例において、基体１０ｓはモールド樹脂などである。別の例において、基体１０ｓは樹脂層などでも良い。樹脂層は、例えば、プラスチックシートの上に設けられる。実施形態において、基体１０ｓの表面は、凹凸を有しても良い。この場合、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎは、この凹凸に沿うような凹凸状でも良い。
図１に示すように、例えば、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの少なくとも１つは、接地されて使用されて良い。例えば、電磁波減衰体１０に電磁波が入射する。電磁波減衰体１０に入射した電磁波は、電磁波減衰体１０により減衰する。電磁波減衰体１０は、例えば、電磁波シールド体として使用することができる。
図１に示すように、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つは、複数の第１磁性層１１の１つ、及び、複数の第１磁性層１１の別の１つと接する。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ１１Ｎとする。厚さｔ１１Ｎは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。複数の第１磁性層１１の１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さを厚さｔ１１とする。厚さｔ１１は、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
複数の第１磁性層１１は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第１磁性層１１は、例えば、軟磁性層である。複数の第１磁性層１１は、例えば、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。１つの例において、複数の第１磁性層１１は、例えば、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。
第１積層体１０Ｍにおいて、複数の第１磁性層１１の数は、複数の第１非磁性層１１Ｎの数と同じでも良く、１大きくても良く、１小さくても良い。例えば、複数の第１磁性層１１の数は、例えば、２以上２００以下である。複数の第１非磁性層１１Ｎの数は、例えば、２以上２００以下である。
以下に説明するように、実施形態において、第１面状部分１０ｐは、第１積層体１０Ｍに加えて別の積層体を含んでも良い。
図２は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１０Ａにおいて、第１面状部分１０ｐは、第２積層体２０Ｍをさらに含む。第１積層体１０Ｍから第２積層体２０Ｍへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。第２積層体２０Ｍは、複数の第２磁性層１２と、複数の第２非磁性層１２Ｎを含む。複数の第２非磁性層１２Ｎは、Ｃｕを含む。電磁波減衰体１０Ａにおいて、第１積層体１０Ｍの構成は、電磁波減衰体１０における第１積層体１０Ｍの構成と同様で良い。
複数の第２磁性層１２の１つから複数の第２磁性層１２の別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。複数の第２非磁性層１２Ｎの１つは、複数の第２磁性層１２の１つと、複数の第２磁性層１２の別の１つと、の間にある。例えば、複数の第２磁性層１２の１つは、複数の第２非磁性層１２Ｎの１つと、複数の第２非磁性層１２Ｎの別の１つと、の間にある。複数の第２磁性層１２及び複数の第２非磁性層１２Ｎは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がる層状である。複数の第２磁性層１２及び複数の第２非磁性層１２Ｎは、例えば、Ｚ軸方向に沿って交互に並ぶ。
複数の第２非磁性層１２Ｎの１つは、複数の第２磁性層１２の１つ、及び、複数の第２磁性層１２の別の１つと接する。複数の第２非磁性層１２Ｎの１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ１２Ｎは、例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。複数の第２磁性層１２の１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ１２は、例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
複数の第２磁性層１２は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第２磁性層１２は、例えば、軟磁性層である。複数の第２磁性層１２は、例えば、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。１つの例において、複数の第２磁性層１２は、例えば、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。
第２積層体２０Ｍにおいて、複数の第２磁性層１２の数は、複数の第２非磁性層１２Ｎの数と同じでも良く、１大きくても良く、１小さくても良い。例えば、複数の第２磁性層１２の数は、例えば、２以上１００以下である。複数の第２非磁性層１２Ｎの数は、例えば、２以上１００以下である。
１つの例において、第２積層体２０Ｍは、基体１０ｓと第１積層体１０Ｍとの間に設けられる。実施形態において、第１積層体１０Ｍは、基体１０ｓと第２積層体２０Ｍとの間に設けられても良い。
この例では第１面状部分１０ｐは、第３積層体３０Ｍをさらに含む。第３積層体３０Ｍは、複数の第３磁性層１３と、複数の第３非磁性層１３Ｎと、を含む。複数の第３磁性層１３の１つから複数の第３磁性層１３の別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１に沿う。複数の第３非磁性層１３Ｎの１つは、複数の第３磁性層１３の１つと、複数の第３磁性層１３の別の１つと、の間にある。例えば、複数の第３磁性層１３の１つは、複数の第３非磁性層１３Ｎの１つと、複数の第３非磁性層１３Ｎの別の１つと、の間にある。複数の第３非磁性層１３Ｎは、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。１つの例において、複数の第３非磁性層１３Ｎは、Ｔａ層である。別の例において、複数の第３非磁性層１３Ｎは、Ｃｒ及びＴｉを含む合金層である。
複数の第３非磁性層１３Ｎの１つは、複数の第３磁性層１３の１つ、及び、複数の第３磁性層１３の別の１つと接する。複数の第３非磁性層１３Ｎの１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ１３Ｎは、例えば、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。複数の第３磁性層１３の１つの第１方向Ｄ１に沿う厚さｔ１３は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
複数の第３磁性層１３は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。複数の第３磁性層１３は、例えば、軟磁性層である。複数の第３磁性層１３は、例えば、Ｃｕ、Ｍｏ及びＣｒよりなる群から選択された少なくとも１つをさらに含んでも良い。１つの例において、複数の第３磁性層１３は、例えば、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。
第３積層体３０Ｍにおいて、複数の第３磁性層１３の数は、複数の第３非磁性層１３Ｎの数と同じでも良く、１大きくても良く、１小さくても良い。例えば、複数の第３磁性層１３の数は、例えば、２以上１００以下である。複数の第３非磁性層１３Ｎの数は、例えば、２以上１００以下である。
例えば、複数の第３非磁性層１３Ｎの少なくとも１つは、アモルファス領域を含んで良い。複数の第３磁性層１３の１つ及び複数の第３磁性層１３の別の１つは、結晶領域を含んで良い。
第１積層体１０Ｍ、第２積層体２０Ｍ及び第３積層体３０Ｍの並ぶ順番は、任意である。
以下、電磁波減衰体に関する実験結果の例について説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、電磁波減衰体の評価結果を例示するグラフである。
これらの図の横軸は、周波数ｆ１である。縦軸は、減衰性能ＭＳＥである。減衰性能ＭＳＥの値の絶対値が大きいことが、減衰量が大きいことに対応する。
図３（ａ）は、第１試料ＳＰ１及び第３試料ＳＰ３の評価結果を例示している。図３（ｂ）は、第２試料ＳＰ２及び第３試料ＳＰ３の評価結果を例示している。図３（ｂ）に示されている第３試料ＳＰ３の特性は、図３（ａ）に示されている第３試料ＳＰ３の特性と同じである。
第１試料ＳＰ１は、上記の電磁波減衰体１０Ａの構成を有する。第１試料ＳＰ１において、第１磁性層１１は、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。第１非磁性層１１Ｎは、ＣｒＴｉ合金層である。厚さｔ１１は、５０ｎｍである。厚さｔ１１Ｎは、５ｎｍである。第１磁性層１１及び第１非磁性層１１Ｎの繰り返しの数は、５５である。第２磁性層１２は、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。第２非磁性層１２Ｎは、Ｃｕ層である。厚さｔ１２は、１００ｎｍである。厚さｔ１２Ｎは、１００ｎｍである。第２磁性層１２及び第２非磁性層１２Ｎの繰り返しの数は、１０である。第３磁性層１３は、ＮｉＦｅＣｕＭｏ層である。第３非磁性層１３Ｎは、ＣｒＴｉ層である。厚さｔ１３は、３００ｎｍでる。厚さｔ１３Ｎは、５ｎｍである。第３磁性層１３及び第３非磁性層１３Ｎの繰り返しの数は、１０である。これらの層は、例えば、スパッタリング法により形成される。
第２試料ＳＰ２は、上記の第１試料ＳＰ１の構成において、第１非磁性層１１Ｎ及び第３非磁性層１３ＮがＴａ層である。第２試料ＳＰ２におけるこれ以外の構成は、第１試料ＳＰ１の構成と同じである。
第３試料ＳＰ３は、第１積層体１０Ｍ、第２積層体２０Ｍ及び第３積層体３０Ｍが設けられず、Ｃｕ層が設けられる。Ｃｕ層の厚さは８μｍである。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、Ｃｕ層の第３試料ＳＰ３においては、高周波数範囲（例えば１００ＭＨｚ以上２ＧＨｚ以下）において、第１試料ＳＰ１及び第２試料ＳＰ２よりも大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。これは、Ｃｕの材料に固有の効果である。しかしながら、Ｃｕ層の第３試料ＳＰ３においては、低周波数領域（例えば１００ＭＨｚ以下）において、減衰性能ＭＳＥは小さい。
図３（ｂ）に示すように、第２試料ＳＰ２において、低周波数領域において、第３試料ＳＰ３よりも大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。第２試料ＳＰ２において、周波数ｆ１が４０ＭＨｚ～５０ＭＨｚにおいて、減衰性能ＭＳＥのピークがある。
図３（ａ）に示すように、第１試料ＳＰ１において、低周波数領域において、第３試料ＳＰ３よりも大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。第１試料ＳＰ１において、周波数ｆ１が約１５ＭＨｚ～５０ＭＨｚの広い範囲で、大きな減衰性能ＭＳＥが得られる。図３（ａ）及び図３（ｂ）を比較すると、第１試料ＳＰ１おいては、５０ＭＨｚ以下の低周波数領域で、第２試料ＳＰ２よりも大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。特に、２０ＭＨｚにおいても大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。
このように、Ｃｒ及びＴｉを含む第１非磁性層１１Ｎを用いることで、大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。実施形態によれば、電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体を提供できる。特に、低周波数領域（例えば１００ＭＨｚ以下）において、大きい減衰性能ＭＳＥが得られる。低周波領域の電磁波を効果的に減衰できる。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体の断面の電子顕微鏡像である。
図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部の拡大像である。これらの像は、第１試料ＳＰ１における第１積層体１０Ｍの断面ＴＥＭ（Transmission Electron Microscopy）像である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、複数の第１磁性層１１は、結晶粒（第１結晶粒１１ｇ）を含む。複数の第１非磁性層１１Ｎにおいては、結晶粒は観察されない。複数の第１非磁性層１１Ｎは、アモルファスである。これらの図において、第１結晶粒１１ｇが見やすくなるように、断面ＴＥＭ像を基に、結晶粒の断面の外形の線が描かれている。
複数の第１磁性層１１の１つと、複数の第１磁性層１１の別の１つと、の間に、アモルファスの第１非磁性層１１Ｎが設けられる。これにより、複数の第１磁性層１１のそれぞれにおける結晶状態が分断される。例えば、複数の第１磁性層１１のそれぞれにおける結晶粒（複数の第１結晶粒１１ｇ）のサイズが小さくなり易い。これにより、大きい減衰性能ＭＳＥが得られると考えられる。
例えば、交換結合相互作用は、強磁性体中のスピンの向きを揃える。例えば、磁性体が多結晶体の場合には、この交換結合相互作用は、結晶粒界で小さくなるかゼロになる。従って、交流磁界が多結晶体の磁性体に印加されたときに、実質的に結晶粒を１つの単位としてまとまってスピンが歳差運動する。結晶粒のサイズが小さいことで、この動的な挙動を行う単位が小さくなり、例えば、静磁気相互作用などがより強くなると考えられる。これにより、例えば、電磁波の減衰特性が向上しやすくなると考えられる。
軟磁性薄膜の場合、結晶粒径が小さいときに、良好な軟磁気特性が得られると考えられる。例えば、結晶粒径が小さいときに、保磁力が小さく、透磁率が大きくなる。実施形態においては、サイズが小さい結晶が得易い。これにより、良好な軟磁気特性を得ることができる。良好なシールド性能を得ることができる。一方、２つの磁性層の間に設けられる第１非磁性層１１Ｎの厚さは薄い。これにより、２つの第１磁性層１１の間に、強い静磁結合相互作用がはたらくと考えられる。これにより、積層した複数の第１磁性層１１の全体において、協働した歳差運動が生じ易いと考えられる。これにより、全体として大きなシールド性能を得ることができると考えられる。
図５は、第１実施形態に係る電磁波減衰体の断面の電子顕微鏡像である。
図５は、第１試料ＳＰ１における第１積層体１０Ｍ及び第２積層体２０Ｍの断面ＴＥＭ像である。図５に示すように、複数の第２磁性層１２は、結晶粒（複数の第２結晶粒１２ｇ）を含む。複数の第１磁性層１１は、結晶粒（複数の第１結晶粒１１ｇ）を含む。複数の第２結晶粒１２ｇの平均の径は、複数の第１結晶粒１１ｇの平均の径よりも大きい。図５において、第２結晶粒１２ｇが見やすくなるように、断面ＴＥＭ像を基に、結晶粒の断面の外形の線が描かれている。
複数の第１結晶粒１１ｇのそれぞれは、第１結晶粒幅１１ｗを有する。第１結晶粒幅１１ｗは、複数の第１結晶粒１１ｇのそれぞれの、垂直方向に沿う幅である。垂直方向は、第１方向Ｄ１に対して垂直である。垂直方向は、例えば、Ｘ軸方向である。複数の第１結晶粒１１ｇにおいて、第１結晶粒幅１１ｗの平均は、例えば、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
複数の第２結晶粒１２ｇのそれぞれは、上記の垂直方向に沿う第２結晶粒幅１２ｗを有する。複数の第２結晶粒１２ｇにおいて、第２結晶粒幅１２ｗの平均は、例えば、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
第２積層体２０Ｍにおいて、第２非磁性層１２ＮはＣｕを含む。Ｃｕの第２非磁性層１２Ｎを含む第２積層体２０Ｍが設けられると、Ｃｕ層中で大きな渦電流損失が発生する。これにより、広い周波数帯域においてシールド効果のベースラインを上げる効果が得られる。Ｃｕの第２非磁性層１２Ｎを含む第２積層体２０Ｍが設けられると、第２積層体２０Ｍが設けられない場合と比べて、広い周波数範囲（例えば２０ＭＨｚ以上６ＧＨｚ以下）におけるシールド特性を上方に押し上げる。この効果は、Ｃｕ固有の効果であると考えられる。
例えば、低周波数領域で大きい減衰性能ＭＳＥが得られる第１積層体１０Ｍと、広い周波数領域で大きい減衰性能ＭＳＥが得られる第２積層体２０Ｍと、が組み合わされる。これにより、低周波数領域で第３試料ＳＰ３よりも大きな減衰性能ＭＳＥが得られ、高周波数領域においても比較的大きな減衰性能ＭＳＥが得られる。
複数の第３磁性層１３の１つと、複数の第３磁性層１３の別の１つと、の間に、アモルファスの第３非磁性層１３Ｎが設けられる。これにより、複数の第３磁性層１３のそれぞれにおける結晶状態が分断される。例えば、複数の第３磁性層１３のそれぞれにおける結晶粒のサイズが小さくなり易くなる。これにより、大きい減衰性能ＭＳＥが得られると考えられる。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に関して説明したように、低周波数領域において、第１試料ＳＰ１（ＣｒＴｉ）における減衰性能ＭＳＥは、第２試料ＳＰ２（Ｔａ）における減衰性能ＭＳＥよりも大きい。これは、以下に説明するように、ＣｒＴｉ層を用いることで良好な軟磁気特性が得られることに関係していると考えられる。
図６は、電磁波減衰体の特性を例示するグラフである。
図６の横軸は、電磁波減衰体に印加される磁界Ｈ１である。縦軸は、磁化Ｍ１である。磁化Ｍ１は、規格化されている。図６には、第１試料ＳＰ１及び第２試料ＳＰ２についての測定結果が示されている。
図６に示すように、第１試料ＳＰ１においては、第２試料ＳＰ２よりもヒステリシスが小さい。第１試料ＳＰ１における保磁力Ｈｃは、約１．４Ｏｅである。第２試料ＳＰ２における保磁力Ｈｃは、約２．４Ｏｅである。第２試料ＳＰ２におけるＴａ層と比べて、第１試料ＳＰ１のＣｒＴｉ層において、保磁力が小さい。ＣｒＴｉ層が用いられることで、良好な軟磁気特性が得られる。ＣｒＴｉ層において保持力が小さいのは、例えば、軟磁性層中に含まれる意図しない元素（例えば残留酸素など）の濃度の違いなどによる可能性がある。
実施形態において、以下に説明するように、複数の第１磁性層１１のそれぞれが凹凸形状を有しても良い。
図７は、実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、複数の第１磁性層１１のそれぞれが凹凸形状を有する。複数の第１非磁性層１１Ｎは、複数の第１磁性層１１の凹凸形状に沿う。
複数の第１磁性層１１の１つは、第１磁性層面１１ｆａを含む。第１磁性層面１１ｆａは、複数の第１非磁性層１１Ｎの１つと対向する。第１磁性層面１１ｆａは、第１頂部１１ｐｐ、第２頂部１１ｐｑ、及び、第１底部１１ｄｐを含む。第１方向Ｄ１と交差する１つの方向を交差方向Ｄｅ２とする。交差方向Ｄｅ２は、例えば、Ｘ軸方向である。
交差方向Ｄｅ２における第１底部１１ｄｐの位置は、交差方向Ｄｅ２における第１頂部１１ｐｐの位置と、交差方向Ｄｅ２における第２頂部１１ｐｑの位置と、の間にある。複数の第１非磁性層１１Ｎの１つの少なくとも一部は、交差方向Ｄｅ２において、第１頂部１１ｐｐと第２頂部１１ｐｑとの間にある。第１頂部１１ｐｐと第１底部１１ｄｐとの間の第１方向Ｄ１に沿う距離は、例えば、１０ｎｍ以上である。距離は、凹凸の高さ（深さ）に対応する。
このような凹凸形状が設けられされることで、例えば、複数の第１磁性層１１の１つと、複数の第１磁性層１１の別の１つと、の間で、磁化の静磁気相互作用がより大きくできると考えられる。
実施形態において、複数の第１非磁性層１１ＮにおけるＣｒの濃度は、例えば、３０ａｔｍ％以上７０ａｔｍ％以下である。このような濃度において、例えば、良好な軟磁気特性が得易い。
（第２実施形態）
第２実施形態は、電子装置に係る。実施形態に係る電子装置は、第１実施形態に係る電磁波減衰体と、任意の電子素子と、を含む。第１実施形態に係る電磁波減衰体は、例えば、電磁波減衰体１０または電磁波減衰体１０Ａなどである。
図８（ａ）～図８（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。
図８（ａ）は、斜視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ１－Ａ２線断面図である。図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ１－Ｂ２線断面図である。図８（ｄ）は、図８（ａ）の矢印ＡＡから見た平面図である。図１または図２は、図８（ｂ）のＣ１－Ｃ２線断面に対応する。
図８（ａ）に示すように、実施形態に係る電子装置１１０は、電子素子５０及び電磁波減衰体（この例では、電磁波減衰体１０）を含む。この例では、基板６０がさらに設けられる。電磁波減衰体１０は、電子素子５０の少なくとも一部を覆う。電子素子５０は、例えば半導体素子である。
図８（ｂ）に示すように、この例では、電子素子５０は、半導体チップ５０ｃ、絶縁部５０ｉ及び配線５０ｗを含む。この例では、基板６０において、電極５０ｅ、基板接続部５０ｆ及び接続部５８が設けられる。配線５０ｗは、半導体チップ５０ｃの一部と電極５０ｅとを電気的に接続する。基板接続部５０ｆにより電極５０ｅと接続部５８とが電気的に接続される。基板接続部５０ｆは、基板６０を貫通する。接続部５８は、半導体チップ５０ｃの入出力部として機能する。接続部５８は、例えば、端子でも良い。半導体チップ５０ｃの周りに絶縁部５０ｉが設けられる。絶縁部５０ｉは、例えば、樹脂及びセラミックなどの少なくともいずれかを含む。絶縁部５０ｉにより半導体チップ５０ｃが保護される。
電子素子５０は、例えば、演算回路、制御回路、記憶回路、スイッチング回路、信号処理回路、及び、高周波回路の少なくともいずれかを含む。
電磁波減衰体１０の基体１０ｓ（図１参照）は、例えば、電子素子５０の少なくとも一部でも良い。電磁波減衰体１０の基体１０ｓは、例えば、絶縁部５０ｉの少なくとも一部でも良い。
図８（ｂ）に例示するように、この例では、電磁波減衰体１０は、基板６０に設けられた端子５０ｔと電気的に接続される。電磁波減衰体１０は、端子５０ｔを介して、１つの電位（例えば接地電位）に設定される。電磁波減衰体１０は、例えば、電子素子５０から放射される電磁波を減衰させる。電磁波減衰体１０は、例えば、シールドとして機能する。
図８（ａ）～図８（ｃ）に示すように、電磁波減衰体１０の積層部材１０ＭＡは、第１面状部分１０ｐを含む。この例では、積層部材１０ＭＡは、第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄをさらに含む。電子素子５０から第１面状部分１０ｐへの方向は、第１方向Ｄ１（例えばＺ軸方向）に沿う。
図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、第１方向Ｄ１において、第１面状部分１０ｐと基板６０との間に、電子素子５０が位置する。
図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すように、Ｘ軸方向において、第１側面部分１０ａと第３側面部分１０ｃとの間に、電子素子５０が位置する。
図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示すように、Ｙ軸方向において、第２側面部分１０ｂと第４側面部分１０ｄとの間に、電子素子５０が位置する。
第１実施形態に関して説明した電磁波減衰体１０を用いることで、例えば、１００ＭＨｚ以下の低周波数領域の電磁波を効果的に減衰できる。電磁波の減衰特性を向上可能な電子装置を提供できる。
例えば、電子素子５０で生じた電磁波が外部に出射することが抑制できる。例えば、外部からの電磁波が電子素子５０に届くことが抑制できる。電子素子５０において、安定した動作が得やすくなる。
第１面状部分１０ｐは、例えば、実質的に四角形（平行四辺形、長方形または正方形を含む）でも良い。
図９（ａ）～図９（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
図９（ａ）に示すように、電磁波減衰体１０の第１側面部分１０ａは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第１側面部分１０ａにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第２方向Ｄ２である。
図９（ｂ）に示すように、電磁波減衰体１０の第２側面部分１０ｂは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第２側面部分１０ｂにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第３方向Ｄ３である。
図９（ｃ）に示すように、電磁波減衰体１０の第３側面部分１０ｃは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第３側面部分１０ｃにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第２方向Ｄ２である。
図９（ｄ）に示すように、電磁波減衰体１０の第４側面部分１０ｄは、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎを含む。第４側面部分１０ｄにおける、複数の第１磁性層１１及び複数の第１非磁性層１１Ｎの積層方向は、第３方向Ｄ３である。
第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄのそれぞれに含まれる第１磁性層１１は、第１面状部分１０ｐに含まれる第１磁性層１１と連続しても良い。第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄのそれぞれに含まれる第１非磁性層１１Ｎは、第１面状部分１０ｐに含まれる第１非磁性層１１Ｎと連続しても良い。
このように、実施形態に係る電子装置１１０は、第１実施形態に係る電磁波減衰体１０と、電子素子５０と、を含む。例えば、電子素子５０から電磁波減衰体１０への方向は、第１方向Ｄ１である。
このように、積層部材１０ＭＡは、第１側面部分１０ａをさらに含んで良い（図９（ａ）参照）。第１側面部分１０ａは、第１側面積層体１０ａＭを含む。第１側面積層体１０ａＭは、複数の第１側面磁性層１１ｓと、複数の第１側面非磁性層１１ｓＮと、を含む。複数の第１側面非磁性層１１ｓＮは、Ｃｒ及びＴｉを含む。複数の第１側面磁性層１１ｓは、第１面状部分１０ｐにおける複数の第１磁性層１１に対応する。複数の第１側面非磁性層１１ｓＮは、第１面状部分１０ｐにおける複数の第１非磁性層１１Ｎに対応する。
複数の第１側面磁性層１１ｓの１つから複数の第１側面磁性層１１ｓの別の１つへの方向は、第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に沿う。複数の第１側面非磁性層１１ｓＮの１つは、複数の第１側面磁性層１１ｓの１つと、複数の第１側面磁性層１１ｓの別の１つと、の間にある。複数の第１側面磁性層１１ｓの１つは、複数の第１側面非磁性層１１ｓＮの１つと、複数の第１側面非磁性層１１ｓＮの別の１つと、の間にある。
複数の第１側面非磁性層１１ｓＮの１つは、アモルファス領域を含む。複数の第１側面磁性層１１ｓの１つ及び複数の第１側面磁性層１１ｓの別の１つは、結晶領域を含む。
例えば、電磁波減衰体１０は、複数の領域（または複数の部分）を含む。電子素子５０の少なくとも一部は、複数の領域の間に設けられる。複数の電磁波減衰体１０が設けられても良い。複数の電磁波減衰体１０は、例えば、第１面状部分１０ｐ及び第１～第４側面部分１０ａ～１０ｄに対応する。例えば、電子素子５０の少なくとも一部は、複数の電磁波減衰体１０の間に設けられても良い。
図１０～図１５は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、実施形態に係る電子装置１１１は、電磁波減衰体１０と、複数の電子素子（電子素子５１、５１Ｂ、５２、５３、５３Ｂ及び５３Ｃなど）と、を含む。
電磁波減衰体１０の複数の領域の間に、電子素子が設けられる。電子素子と、電磁波減衰体１０の複数の領域の１つと、の間に絶縁領域（絶縁部４１及び４２など）が設けられても良い。電子素子と、絶縁領域（絶縁部４１及び４２など）と、の間に樹脂部（樹脂部５１Ｉ、５２Ｉ及び５３Ｉなど）が設けられても良い。複数の電子素子のそれぞれに、接続部材（接続部材５１Ｎ、５２Ｎ及び５３Ｎなど）が設けられても良い。例えば、接続部材により、電子素子と、接続部５８と、が電気的に接続されても良い。
図１１に示す電子装置１１２のように、接続部材５１Ｎが、基板５５に埋め込まれても良い。電子装置１１２においては、複数の電子素子の間に電磁波減衰体１０が設けられる。例えば、複数の電子素子の１つから生じる電磁波が複数の電子素子の別の１つに入射することが抑制される。
図１２に示す電子装置１１３のように、実装部材２２０が設けられても良い。実装部材２２０は、基板５５と電磁波減衰体１０を含む。実装部材２２０と、別の電磁波減衰体１０との間に、電子素子（電子素子５１及び５１Ｂ）が設けられる。
図１３に示す電子装置１１４のように、電子素子５１の側面に電磁波減衰体１０が設けられても良い。側面は、Ｘ－Ｙ平面と交差する。
図１４に示す電子装置１１５のように、複数の電子素子（電子素子５１及び５２）を連続して囲むように電磁波減衰体１０が設けられても良い。
図１５に示す電子装置１１６のように、複数の電子素子の１つ（電子素子５１）は、電磁波減衰体１０の複数の領域の間に設けられる。複数の電子素子の別の１つ（電子素子５２）は、電磁波減衰体１０の複数の領域の間に設けられなくても良い。
電子装置１１１～１１６によっても、電磁波の減衰特性を向上可能な電子装置が提供できる。
実施形態は、例えば、ＥＭＣ（ElectroMagnetic Compatibility）のための電磁波減衰体及び電子装置に応用されても良い。
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
第１面状部分を含む積層部材を備え、
前記第１面状部分は、第１積層体を含み、
前記第１積層体は、複数の第１磁性層と、Ｃｒ及びＴｉを含む複数の第１非磁性層と、を含み、
前記複数の第１磁性層の１つから前記複数の第１磁性層の別の１つへの方向は、第１方向に沿い、
前記複数の第１非磁性層の１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つと、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第１非磁性層の前記１つは、アモルファス領域を含み、
前記複数の第１磁性層の前記１つ及び前記複数の第１磁性層の前記別の１つは、結晶領域を含む、電磁波減衰体。
（構成２）
前記複数の第１非磁性層の前記１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つ、及び、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと接した、構成１に記載の電磁波減衰体。
（構成３）
前記複数の第１非磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、構成１または２に記載の電磁波減衰体。
（構成４）
前記複数の第１磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である、構成１～３のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成５）
前記複数の第１磁性層は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～４のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成６）
前記第１面状部分は、第２積層体をさらに含み、
前記第１積層体から前記第２積層体への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第２積層体は、複数の第２磁性層と、Ｃｕを含む複数の第２非磁性層と、を含み、
前記複数の第２磁性層の１つから前記複数の第２磁性層の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記複数の第２非磁性層の１つは、前記複数の第２磁性層の前記１つと、前記複数の第２磁性層の前記別の１つと、の間にある、構成１～５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成７）
前記複数の第２非磁性層の前記１つは、前記複数の第２磁性層の前記１つ、及び、前記複数の第２磁性層の前記別の１つと接した、構成６に記載の電磁波減衰体。
（構成８）
前記複数の第２非磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、構成６または７に記載の電磁波減衰体。
（構成９）
前記複数の第２磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、構成６～８のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１０）
前記複数の第２磁性層は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成６～９のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１１）
前記複数の第１磁性層の前記１つは、複数の第１結晶粒を含み、
前記複数の第２磁性層の前記１つは、複数の第２結晶粒を含み、
前記複数の第２結晶粒の平均の径は、前記複数の第１結晶粒の平均の径よりも大きい、構成６～１０のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１２）
前記複数の第１結晶粒のそれぞれは、前記第１方向に対して垂直な垂直方向に沿う第１結晶粒幅を有し、
前記複数の第１結晶粒において、前記第１結晶粒幅の平均は、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり。
前記複数の第２結晶粒のそれぞれは、前記垂直方向に沿う第２結晶粒幅を有し、
前記複数の第２結晶粒において、前記第２結晶粒幅の平均は、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、構成１１記載の電磁波減衰体。
（構成１３）
前記第１面状部分は、第３積層体を含み、
前記第３積層体は、複数の第３磁性層と、複数の第３非磁性層と、を含み、
前記複数の第３磁性層の１つから前記複数の第３磁性層の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
前記複数の第３非磁性層の１つは、前記複数の第３磁性層の前記１つと、前記複数の第３磁性層の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第３非磁性層は、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１～１２のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１４）
前記複数の第３非磁性層の前記１つは、前記複数の第３磁性層の前記１つ、及び、前記複数の第３磁性層の前記別の１つと接した、構成１３に記載の電磁波減衰体。
（構成１５）
前記複数の第３非磁性層の前記１つは、アモルファス領域を含み、
前記複数の第３磁性層の前記１つ及び前記複数の第３磁性層の前記別の１つは、結晶領域を含む、構成１３または１４に記載の電磁波減衰体。
（構成１６）
前記複数の第１磁性層の前記１つは、前記複数の第１非磁性層の前記１つと対向する第１磁性層面を含み、
前記第１磁性層面は、第１頂部、第２頂部及び第１底部を含み、
前記第１方向と交差する交差方向における前記第１底部の位置は、前記交差方向における前記第１頂部の位置と、前記交差方向における前記第２頂部の位置と、の間にあり、
前記複数の第１非磁性層の前記１つの少なくとも一部は、前記交差方向において、前記第１頂部と前記第２頂部との間にある、構成１～１５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１７）
基体をさらに備え、
前記基体から前記第１面状部分への方向は、前記第１方向に沿う、構成１～１６のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成１８）
前記基体は、樹脂を含む、構成１７に記載の電磁波減衰体。
（構成１９）
前記積層部材は、第１側面部分をさらに備え、
前記第１側面部分は、第１側面積層体を含み、
前記第１側面積層体は、複数の第１側面磁性層と、Ｃｒ及びＴｉを含む複数の第１側面非磁性層と、を含み、
前記複数の第１側面磁性層の１つから前記複数の第１側面磁性層の別の１つへの方向は、第１方向と交差する第２方向に沿い、
前記複数の第１側面非磁性層の１つは、前記複数の第１側面磁性層の前記１つと、前記複数の第１側面磁性層の前記別の１つと、の間にあり、
前記複数の第１側面非磁性層の前記１つは、アモルファス領域を含み、
前記複数の第１側面磁性層の前記１つ及び前記複数の第１側面磁性層の前記別の１つは、結晶領域を含む、構成１～１８のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（構成２０）
構成１～１９のいずれか１つに記載の電磁波減衰体と、
電子素子と、
を備えた、電子装置。
実施形態によれば、電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体及び電子装置が提供できる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、電磁波減衰体に含まれる積層体、磁性層及び非磁性層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した電磁波減衰体及び電子装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電磁波減衰体及び電子装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０、１０Ａ…電磁波減衰体、 １０Ｍ…第１積層体、 １０ＭＡ…積層部材、 １０ａ～１０ｄ…第１～第４側面部分、 １０ａＭ…第１側面積層体、 １０ｐ…第１面状部分、 １０ｓ…基体、 １１…第１磁性層、 １１Ｎ…第１非磁性層、 １１ｄｐ…第１底部、 １１ｆａ…第１磁性層面、 １１ｇ…第１結晶粒、 １１ｐｐ…第１頂部、 １１ｐｑ…第２頂部、 １１ｓ…第１側面磁性層、 １１ｓＮ…第１側面非磁性層、 １１ｗ…第１結晶粒幅、 １２…第２磁性層、 １２Ｎ…第２非磁性層、 １２ｇ…第２結晶粒、 １２ｗ…第２結晶粒幅、 １３…第３磁性層、 １３Ｎ…第３非磁性層、 ２０Ｍ…第２積層体、 ３０Ｍ…第３積層体、 ４１、４２…絶縁部、 ５０…電子素子、 ５０ｃ…半導体チップ、 ５０ｅ…電極、 ５０ｆ…基板接続部、 ５０ｉ…絶縁部、 ５０ｔ…端子、 ５０ｗ…配線、 ５１、５１Ｂ、５２、５３、５３Ｂ、５３Ｃ…電子素子、 ５１Ｉ、５２Ｉ、５３Ｉ…樹脂部、 ５１Ｎ、５２Ｎ、５３Ｎ…接続部材、 ５５…基板、 ５８…接続部、 ６０…基板、 １１０～１１６…電子装置、 ２２０…実装部材、 ＡＡ…矢印、 Ｄ１～Ｄ３…第１～第３方向、 Ｄｅ２…交差方向、 Ｈ１…磁界、 Ｍ１…磁化、 ＭＳＥ…減衰性能、 ＳＰ１～ＳＰ３…第１～第３試料、 ｆ１…周波数、 ｔ１１、ｔ１１Ｎ、ｔ１２、ｔ１２Ｎ、ｔ１３、ｔ１３Ｎ…厚さ

Claims (6)

  1. 第１面状部分を含む積層部材を備え、
    前記第１面状部分は、第１積層体を含み、
    前記第１積層体は、複数の第１磁性層と、Ｃｒ及びＴｉを含む複数の第１非磁性層と、を含み、
    前記複数の第１磁性層の１つから前記複数の第１磁性層の別の１つへの方向は、第１方向に沿い、
    前記複数の第１非磁性層の１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つと、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと、の間にあり、
    前記複数の第１非磁性層の前記１つは、アモルファス領域を含み、
    前記複数の第１磁性層の前記１つ及び前記複数の第１磁性層の前記別の１つは、結晶領域を含み、
    前記複数の第１非磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満であり、
    前記複数の第１磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
    前記複数の第１磁性層の前記１つは、前記複数の第１非磁性層の前記１つと対向する第１磁性層面を含み、
    前記第１磁性層面は、第１頂部、第２頂部及び第１底部を含み、
    前記第１方向と交差する交差方向における前記第１底部の位置は、前記交差方向における前記第１頂部の位置と、前記交差方向における前記第２頂部の位置と、の間にあり、
    前記複数の第１非磁性層の前記１つの少なくとも一部は、前記交差方向において、前記第１頂部と前記第２頂部との間にあり、
    前記第１頂部と前記第１底部との間の前記第１方向に沿う距離は、１０ｎｍ以上であり、
    前記第１頂部と前記第１底部との間の前記第１方向に沿う前記距離は、前記複数の第１磁性層の前記１つの前記第１方向に沿う前記厚さよりも小さい、電磁波減衰体。
  2. 前記複数の第１非磁性層の前記１つは、前記複数の第１磁性層の前記１つ、及び、前記複数の第１磁性層の前記別の１つと接した、請求項１に記載の電磁波減衰体。
  3. 前記第１面状部分は、第２積層体をさらに含み、
    前記第１積層体から前記第２積層体への方向は、前記第１方向に沿い、
    前記第２積層体は、複数の第２磁性層と、Ｃｕを含む複数の第２非磁性層と、を含み、
    前記複数の第２磁性層の１つから前記複数の第２磁性層の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
    前記複数の第２非磁性層の１つは、前記複数の第２磁性層の前記１つと、前記複数の第２磁性層の前記別の１つと、の間にある、請求項１または２に記載の電磁波減衰体。
  4. 前記複数の第１磁性層の前記１つは、複数の第１結晶粒を含み、
    前記複数の第２磁性層の前記１つは、複数の第２結晶粒を含み、
    前記複数の第２結晶粒の平均の径は、前記複数の第１結晶粒の平均の径よりも大きい、請求項３に記載の電磁波減衰体。
  5. 前記第１面状部分は、第３積層体を含み、
    前記第３積層体は、複数の第３磁性層と、複数の第３非磁性層と、を含み、
    前記複数の第３磁性層の１つから前記複数の第３磁性層の別の１つへの方向は、前記第１方向に沿い、
    前記複数の第３非磁性層の１つは、前記複数の第３磁性層の前記１つと、前記複数の第３磁性層の前記別の１つと、の間にあり、
    前記複数の第３非磁性層は、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１～４のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
  6. 請求項１～５のいずれか１つに記載の電磁波減衰体と、
    電子素子と、
    を備えた、電子装置。
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