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JP7616199B2 - FLUORINE-CONTAINING ETHER COMPOUND, FLUORINE-CONTAINING ETHER COMPOSITION, COATING LIQUID, ARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING ARTICLE - Google Patents
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Description

本発明は、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、および物品の製造方法に関する。The present invention relates to a fluorinated ether compound, a fluorinated ether composition, a coating liquid, an article, and a method for producing an article.

フルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物は、基材の表面に優れた撥水撥油性、耐摩擦性、低指紋付着性、指紋汚れ除去性及び潤滑性を付与できるとして注目されている。当該含フッ素エーテル化合物はこれらの性質を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。 Fluorine-containing ether compounds having a fluoropolyether chain and a hydrolyzable silyl group have attracted attention as they can impart excellent water and oil repellency, abrasion resistance, low fingerprint adhesion, fingerprint stain removability, and lubricity to the surface of a substrate. Since these fluorine-containing ether compounds can form a surface layer exhibiting these properties on the surface of a substrate, they are suitable for use as surface treatment agents.

例えば特許文献1では、指紋汚れ除去性に優れ、耐久性のある表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物として、ペルフルオロポリエーテル鎖と加水分解性シリル基とを有する含フッ素エーテル化合物が提案されている。For example, Patent Document 1 proposes a fluorine-containing ether compound having a perfluoropolyether chain and a hydrolyzable silyl group as a fluorine-containing ether compound that has excellent fingerprint stain removal properties and can form a durable surface layer on the surface of a substrate.

国際公開第2017/038832号International Publication No. 2017/038832

上記特許文献1に記載の含フッ素エーテル化合物等は高い摩耗耐久性を有するとされている。しかしながら、更なる耐摩耗耐久性の需要が高まっており、より優れた耐摩耗性を発現する表面処理剤が求められている。The fluorine-containing ether compounds and the like described in Patent Document 1 above are said to have high abrasion resistance. However, there is an increasing demand for even higher abrasion resistance, and there is a demand for surface treatment agents that exhibit even better abrasion resistance.

本発明は、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物およびコーティング液、耐久性に優れ、撥水撥油性、潤滑性、指紋汚れ除去性を長期間維持できる表面層を有する物品およびその製造方法の提供を目的とする。The present invention aims to provide a fluorine-containing ether compound, a fluorine-containing ether composition and a coating liquid capable of forming a surface layer with excellent durability, an article having a surface layer that is excellent in durability and can maintain water/oil repellency, lubricity and fingerprint stain removability for a long period of time, and a method for manufacturing the same.

本発明は、以下[1]~[12]の構成を有する含フッ素化合物およびその製造方法、含フッ素化合物含有組成物、コーティング液、物品およびその製造方法を提供する。
[1] 下式(1)で表される、含フッ素エーテル化合物。
(T)p1-Q-A-E-A-O-Q-(T)p2 式(1)
ただし、
およびAは、各々独立に炭素数が1~4のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基であって、複数あるAおよび複数あるAは、各々独立に同一であっても異なっていてもよく、
は、炭素数が5~6のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基であり、
は(1+p1)価の連結基であり、
は(1+p2)価の連結基であり、
Tは、-Si(R)3-c(L)であって、複数あるTは互いに同一であっても異なっていてもよく、
Rは、アルキル基であり、
Lは、加水分解性基または水酸基であり、各Tにおいて複数あるLは互いに同一であっても異なっていてもよく、
p1およびp2は、各々独立に1以上の整数である。
[2] 下式(2)で表される、[1]の含フッ素エーテル化合物。
(T)p1-Q-(ORf1k1-(ORf3k3-(ORf2k2-O-Q-(T)p2 式(2)
ただし、
f1およびRf2は、各々独立に炭素数が1~4のフルオロアルキレン基であって、Rf1またはRf2が複数ある場合、複数あるRf1またはRf2は互いに同一であっても異なっていてもよく、
f3は、炭素数が5~6のフルオロアルキル基であって、Rf3が複数ある場合、複数あるRf3は互いに同一であっても異なっていてもよく、
k1およびk2は、各々独立に1~200の整数であり、
k3は、1~20の整数である。
[3] 前記式(2)中の(ORf1k1-(ORf3k3-(ORf2k2部分の分子量が、2,000~20,000である、[2]に記載の含フッ素エーテル化合物。
[4] k1とk2との比(k1/k2)が0.01~200である、[2]または[3]に記載の含フッ素エーテル化合物。
[5] Rf1およびRf2が、各々独立に炭素数が1~2のフルオロアルキル基である、[2]~[4]いずれかの含フッ素エーテル化合物。
[6] k3が1である、[2]~[5]いずれかの含フッ素エーテル化合物。
[7] [1]~[6]いずれかの含フッ素化合物と、他の含フッ素化合物とを含む、含フッ素化合物含有組成物。
[8] [1]~[6]のいずれかの含フッ素エーテル化合物、または[7]の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含有する、コーティング液。
[9] [1]~[6]いずれかの含フッ素エーテル化合物または[7]の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。
[10] [1]~[6]いずれかの含フッ素エーテル化合物、[7]の含フッ素エーテル組成物、または[8]のコーティング液を用いて、ドライコーティング法またはウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。
The present invention provides a fluorine-containing compound having the following configurations [1] to [12] and a method for producing the same, a fluorine-containing compound-containing composition, a coating liquid, an article, and a method for producing the same.
[1] A fluorinated ether compound represented by the following formula (1):
(T) p1 -Q 1 -A 1 -E 1 -A 2 -O-Q 2 -(T) p2 formula (1)
however,
A1 and A2 each independently represent a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of an oxyfluoroalkylene unit having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of A1s and a plurality of A2s each independently may be the same or different;
E1 is a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of oxyfluoroalkylene units having 5 to 6 carbon atoms;
Q1 is a (1+p1)-valent linking group;
Q2 is a (1+p2)-valent linking group;
T is -Si(R) 3-c (L) c , and a plurality of T's may be the same or different;
R is an alkyl group;
L is a hydrolyzable group or a hydroxyl group, and a plurality of L in each T may be the same or different.
p1 and p2 each independently represent an integer of 1 or more.
[2] A fluorinated ether compound according to the above [1], represented by the following formula (2):
(T) p1 -Q 1 -(OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 -O-Q 2 -(T) p2 formula (2)
however,
R f1 and R f2 each independently represent a fluoroalkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and when there are a plurality of R f1s or R f2s , the plurality of R f1s or R f2s may be the same or different from each other,
R f3 is a fluoroalkyl group having 5 to 6 carbon atoms, and when there are a plurality of R f3s , the plurality of R f3s may be the same or different from each other,
k1 and k2 each independently represent an integer from 1 to 200;
k3 is an integer from 1 to 20.
[3] The fluorine-containing ether compound according to [2], wherein the molecular weight of the (OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 portion in the formula (2) is from 2,000 to 20,000.
[4] The fluorine-containing ether compound according to [2] or [3], wherein the ratio of k1 to k2 (k1/k2) is 0.01 to 200.
[5] The fluorine-containing ether compound of any one of [2] to [4], wherein R f1 and R f2 each independently represent a fluoroalkyl group having 1 to 2 carbon atoms.
[6] The fluorinated ether compound according to any one of [2] to [5], wherein k3 is 1.
[7] A fluorine-containing compound-containing composition comprising any one of the fluorine-containing compounds [1] to [6] and another fluorine-containing compound.
[8] A coating liquid comprising the fluorinated ether compound according to any one of [1] to [6] or the fluorinated ether composition according to [7], and a liquid medium.
[9] An article having a surface layer formed on the surface of a substrate from any one of the fluorinated ether compounds [1] to [6] or the fluorinated ether composition [7].
[10] A method for producing an article, comprising forming a surface layer by a dry coating method or a wet coating method using a fluorinated ether compound of any one of [1] to [6], a fluorinated ether composition of [7], or a coating liquid of [8].

本発明により、耐久性に優れた表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物およびコーティング液、耐久性に優れ、撥水撥油性、潤滑性、指紋汚れ除去性を長期間維持できる表面層を有する物品およびその製造方法が提供できる。The present invention provides a fluorine-containing ether compound, a fluorine-containing ether composition and a coating liquid capable of forming a surface layer with excellent durability, an article having a surface layer that is excellent in durability and can maintain water/oil repellency, lubricity and fingerprint stain removability for a long period of time, and a method for producing the same.

本発明の物品の一例を示す模式断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an article of the present invention.

本明細書において、式(1)で表される部分構造を、部分構造(1)と称することがある。また、式(4)で表される化合物を、化合物(4)と称することがある。他の式についてもこれに準ずる。
本明細書においてペルフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換された基を意味する。また、本明細書においてフルオロアルキル基とは、フッ素原子を有するアルキル基を意味し、ペルフルオロアルキル基を含むものとする。フルオロアルキレン基もこれに準ずる。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「反応性シリル基」とは、加水分解性シリル基およびシラノール基(Si-OH)の総称である。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基を形成し得る基を意味する。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
「(ポリ)オキシフルオロアルキレン基」とは、オキシフルオロアルキレン基とポリオキシフルオロアルキレン基を含む総称である。
含フッ素エーテル化合物が、ポリフルオロポリエーテル鎖の鎖長が異なる複数の含フッ素エーテル化合物の混合物である場合、ポリフルオロポリエーテル鎖の「分子量」は、H-NMRおよび19F-NMRによって、末端基を基準にしてオキシフルオロ(シクロ)アルキレン単位の数(平均値)を求めて算出される数平均分子量である。
数値範囲を示す「~」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含むことを意味する。
In this specification, the partial structure represented by formula (1) may be referred to as partial structure (1). Also, the compound represented by formula (4) may be referred to as compound (4). The same applies to other formulas.
In this specification, the term "perfluoroalkyl group" refers to a group in which all hydrogen atoms of an alkyl group are replaced with fluorine atoms. In addition, in this specification, the term "fluoroalkyl group" refers to an alkyl group having a fluorine atom, and includes a perfluoroalkyl group. The same applies to a fluoroalkylene group.
As used herein, the following terms have the following meanings:
The term "reactive silyl group" is a general term for a hydrolyzable silyl group and a silanol group (Si-OH).
The term "hydrolyzable silyl group" refers to a group that can form a silanol group by hydrolysis.
The term "surface layer" refers to a layer formed on the surface of a substrate.
The term "(poly)oxyfluoroalkylene group" is a general term including oxyfluoroalkylene groups and polyoxyfluoroalkylene groups.
When the fluorine-containing ether compound is a mixture of a plurality of fluorine-containing ether compounds having polyfluoropolyether chains of different lengths, the "molecular weight" of the polyfluoropolyether chain is a number average molecular weight calculated by determining the number (average value) of oxyfluoro(cyclo)alkylene units based on the terminal groups by 1H -NMR and 19F -NMR.
The use of "to" indicating a range of numerical values means that the numerical values before and after it are included as the lower limit and upper limit.

[含フッ素エーテル化合物]
本発明の含フッ素エーテル化合物(以下、「本化合物」とも記す。)は、下式(1)で表される化合物である。
(T)p1-Q-A-E-A-O-Q-(T)p2 式(1)
ただし、
およびAは、各々独立に炭素数が1~4のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基であって、複数あるAおよび複数あるAは、各々独立に同一であっても異なっていてもよく、
は、炭素数が5~6のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基であり、
は(1+p1)価の連結基であり、
は(1+p2)価の連結基であり、
Tは、-Si(R)3-c(L)であって、複数あるTは互いに同一であっても異なっていてもよく、
Rは、アルキル基であり、
Lは、加水分解性基または水酸基であり、各Tにおいて複数あるLは互いに同一であっても異なっていてもよく、
p1およびp2は、各々独立に1以上の整数である。
[Fluorine-containing ether compound]
The fluorine-containing ether compound of the present invention (hereinafter also referred to as "the compound") is a compound represented by the following formula (1).
(T) p1 -Q 1 -A 1 -E 1 -A 2 -O-Q 2 -(T) p2 formula (1)
however,
A1 and A2 each independently represent a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of an oxyfluoroalkylene unit having 1 to 4 carbon atoms, and a plurality of A1s and a plurality of A2s each independently may be the same or different;
E1 is a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of oxyfluoroalkylene units having 5 to 6 carbon atoms;
Q1 is a (1+p1)-valent linking group;
Q2 is a (1+p2)-valent linking group;
T is -Si(R) 3-c (L) c , and a plurality of T's may be the same or different;
R is an alkyl group;
L is a hydrolyzable group or a hydroxyl group, and a plurality of L in each T may be the same or different.
p1 and p2 each independently represent an integer of 1 or more.

上記本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)と、反応性シリル基と、当該ポリフルオロポリエーテル鎖と反応性シリル基とを連結する特定の連結基(QおよびQ)とを有する化合物である。 The present compound has a polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ), a reactive silyl group, and specific linking groups (Q 1 and Q 2 ) that link the polyfluoropolyether chain and the reactive silyl group.

本化合物は、両側の末端に反応性シリル基を有する。末端に反応性シリル基を有する本化合物は、基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。また、ポリフルオロポリエーテル鎖を有する。ポリフルオロポリエーテル鎖を有する本化合物は、表面層の指紋汚れ除去性に優れる。更に本化合物のポリエーテル鎖は、炭素数が5~6のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基E(以下、フルオロアルキレンEとも記す。)が、炭素数が1~4のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基AおよびA(以下、フルオロアルキレンAとも記す。)と、連結基を介して、反応性シリル基と連結した構造を有する。前記フルオロアルキレンAは柔軟性を有し、前記フルオロアルキレンEはフルオロアルキレンAよりも剛直な構造と推定される。本化合物はフルオロアルキレンEが存在することで、本化合物分子間で分子間相互作用が生じやすくなり、本化合物により形成された表面層において、フルオロアルキレンEが整列しやすいものと推測される。その結果本化合物により形成された表面層は耐久性に優れている。また、本化合物はこのようなフルオロアルキレンEが柔軟性のあるフルオロアルキレンAを介して反応性シリル基と連結しているため、表面層における耐摩耗性や指滑り性にも優れるものと推定される。
以上のことから、本化合物により形成された表面層は、指滑り性に優れながら、耐摩擦性などの耐久性に優れているという特徴を有する。
This compound has reactive silyl groups at both ends. This compound having reactive silyl groups at the ends is strongly chemically bonded to the substrate, so that the surface layer has excellent abrasion resistance. It also has a polyfluoropolyether chain. This compound having a polyfluoropolyether chain has excellent fingerprint stain removal properties on the surface layer. Furthermore, the polyether chain of this compound has a structure in which a (poly)oxyfluoroalkylene group E 1 (hereinafter also referred to as fluoroalkylene E 1 ) consisting of an oxyfluoroalkylene unit having a carbon number of 5 to 6 is linked to a reactive silyl group via a linking group and (poly)oxyfluoroalkylene groups A 1 and A 2 (hereinafter also referred to as fluoroalkylene A) consisting of an oxyfluoroalkylene unit having a carbon number of 1 to 4. It is presumed that the fluoroalkylene A has flexibility, and the fluoroalkylene E 1 has a structure that is more rigid than the fluoroalkylene A. It is presumed that the presence of fluoroalkylene E 1 in the present compound makes it easier for intermolecular interactions to occur between the molecules of the present compound, and that the fluoroalkylene E 1 is more likely to be aligned in the surface layer formed by the present compound. As a result, the surface layer formed by the present compound has excellent durability. In addition, since the fluoroalkylene E 1 in the present compound is linked to a reactive silyl group via the flexible fluoroalkylene A, it is presumed that the surface layer also has excellent wear resistance and finger slipperiness.
From the above, the surface layer formed by the present compound is characterized by excellent finger sliding property and excellent durability such as abrasion resistance.

およびAは、各々独立に炭素数が1~4のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基である。AおよびAは、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、下式(A-1)および下式(A-2)で表される構造が好ましい。
(ORf1k1 式(A-1)
(ORf2k2 式(A-2)
ただし、Rf1およびRf2は、各々独立に炭素数が1~4のフルオロアルキレン基であって、Rf1またはRf2が複数ある場合、複数あるRf1またはRf2は互いに同一であっても異なっていてもよく、k1およびk2は、各々独立に1~200の整数である。
A1 and A2 are each independently a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of an oxyfluoroalkylene unit having a carbon number of 1 to 4. A1 and A2 are preferably structures represented by the following formula (A-1) and formula (A-2) from the viewpoint of excellent abrasion resistance, fingerprint stain removability, and finger smoothness of the surface layer.
(OR f1 ) k1 formula (A-1)
(OR f2 ) k2 formula (A-2)
Here, R f1 and R f2 each independently represent a fluoroalkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and when there are a plurality of R f1s or R f2s , the plurality of R f1s or R f2s may be the same or different, and k1 and k2 each independently represent an integer of 1 to 200.

k1およびk2は、それぞれAおよびA中のオキシフルオロアルキレン単位数を表す。本化合物においては、表面層の耐久性の点から、k1とk2との比(k1/k2)が0.001~200の範囲内であることが好ましく、0.01~100の範囲内がより好ましく、0.02~50の範囲内がさらに好ましく、0.1~5の範囲内が特に好ましい。 k1 and k2 respectively represent the number of oxyfluoroalkylene units in A1 and A2 . In this compound, from the viewpoint of durability of the surface layer, the ratio of k1 to k2 (k1/k2) is preferably within the range of 0.001 to 200, more preferably within the range of 0.01 to 100, even more preferably within the range of 0.02 to 50, and particularly preferably within the range of 0.1 to 5.

更に式(A-1)および式(A-2)で表される構造は、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、下式(a)で表される構造が好ましい。
(Rf11O)m1(Rf12O)m2(Rf13O)m3(Rf14O)m4 式(a)
ただし、
f11は、炭素数1のフルオロアルキレン基であり、
f12は、炭素数2のフルオロアルキレン基であり、
f13は、炭素数3のフルオロアルキレン基であり、
f14は、炭素数4のフルオロアルキレン基であり、
m1、m2、m3、m4は、それぞれ独立に0または1以上の整数を表し、m1+m2+m3+m4は1~200の整数であり、Rf11~Rf14が複数ある場合、当該複数あるRf11~Rf14は同一であっても異なっていてもよい。
なお、式(a)における(Rf11O)~(Rf14O)の結合順序は任意である。式(A-1)のm1~m4は、それぞれ、(Rf11O)~(Rf14O)の個数を表すものであり、配置を表すものではない。例えば、(Rf11O)m1は、(Rf11O)の数がm1個であることを表し、(Rf1O)m1のブロック配置構造を表すものではない。同様に、(Rf12O)~(Rf14O)の記載順は、それぞれの単位の結合順序を表すものではない。
また、炭素数3~4のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐、または環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。
Of the structures represented by formula (A-1) and formula (A-2), a structure represented by the following formula (a) is preferred in terms of excellent abrasion resistance, fingerprint stain removability, and finger sliding properties of the surface layer.
(R f11 O) m1 (R f12 O) m2 (R f13 O) m3 (R f14 O) m4 formula (a)
however,
R f11 is a fluoroalkylene group having 1 carbon atom;
R f12 is a fluoroalkylene group having 2 carbon atoms;
R f13 is a fluoroalkylene group having 3 carbon atoms,
R f14 is a fluoroalkylene group having 4 carbon atoms;
m1, m2, m3, and m4 each independently represent an integer of 0 or 1 or more, m1+m2+m3+m4 is an integer of 1 to 200, and when there are a plurality of R f11 to R f14 , the plurality of R f11 to R f14 may be the same or different.
In addition, the bonding order of (R f11 O) to (R f14 O) in formula (a) is arbitrary. In formula (A-1), m1 to m4 respectively represent the number of (R f11 O) to (R f14 O), and do not represent the arrangement. For example, (R f11 O) m1 represents that the number of (R f11 O) is m1, and does not represent a block arrangement structure of (R f1 O) m1 . Similarly, the order of (R f12 O) to (R f14 O) does not represent the bonding order of each unit.
The fluoroalkylene group having 3 to 4 carbon atoms may be a straight-chain fluoroalkylene group, or a fluoroalkylene group having a branched or cyclic structure.

f11の具体例としては、-CF-、-CHF-が挙げられる。Rf12の具体例としては、-CFCF-、-CHFCF-、-CHFCHF-、-CHCF-、-CHCHF-などが挙げられる。Rf13の具体例としては、-CFCFCF-、-CFCHFCF-、-CFCHCF-、-CHFCFCF-、-CHFCHFCF-、-CHFCHFCHF-、-CHFCHCF-、-CHFCHCF-、-CHCFCF-、-CHCHFCF-、-CHCHCF-、-CHCFCHF-、-CHCHFCHF-、-CHCHCHF-、-CF(CF)-CF-、-CF(CHF)-CF-、-CF(CHF)-CF-、-CF(CH)-CF-、-CF(CF)-CHF-、-CF(CHF)-CHF-、-CF(CHF)-CHF-、-CF(CH)-CHF-、-CF(CF)-CH-、-CF(CHF)-CH-、-CF(CHF)-CH-、-CF(CH)-CH-、-CH(CF)-CF-、-CH(CHF)-CF-、-CH(CHF)-CF-、-CH(CH)-CF-、-CH(CF)-CHF-、-CH(CHF)-CHF-、-CH(CHF)-CHF-、-CH(CH)-CHF-、-CH(CF)-CH-、-CH(CHF)-CH-、-CH(CHF)-CH-などが挙げられる。Rf14の具体例としては、-CFCFCFCF-、-CHFCFCFCF-、-CHCFCFCF-、-CFCHFCFCF-、-CHFCHFCFCF-、-CHCHFCFCF-、-CFCHCFCF-、-CHFCHCFCF-、-CHCHCFCF-、-CHFCFCHFCF-、-CHCFCHFCF-、-CFCHFCHFCF-、-CHFCHFCHFCF-、-CHCHFCHFCF-、-CFCHCHFCF-、-CHFCHCHFCF-、-CHCHCHFCF-、-CFCHCHCF-、-CHFCHCHCF-、-CHCHCHCF-、-CHFCHCHCHF-、-CHCHCHCHF-、-CF(CF)CFCF-などが挙げられる。 Specific examples of R f11 include -CF 2 - and -CHF-.Specific examples of R f12 include -CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 -, -CHFCHF-, -CH 2 CF 2 - and -CH 2 CHF-. Specific examples of R f13 include -CF 2 CF 2 CF 2 -, -CF 2 CHFCF 2 -, -CF 2 CH 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CF 2 -, -CHFCHFCF 2 -, -CHFCHFCHF-, -CHFCH 2 CF 2 -, -CHFCH 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CHFCF 2 -, -CH 2 CH 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CHF-, -CH 2 CHFCHF-, -CH 2 CH 2 CHF-, -CF(CF 3 )-CF 2 -, -CF(CHF 2 )-CF 2 -, -CF( CH2F ) -CF2- , -CF(CH3)-CF2-, -CF ( CF3 )-CHF- , -CF( CHF2 )-CHF-, -CF( CH2F )-CHF-, -CF( CH3 )-CHF-, -CF(CF3 ) )-CH 2 -, -CF(CHF 2 )-CH 2 -, -CF(CH 2 F)-CH 2 -, -CF(CH 3 )-CH 2 -, -CH(CF 3 )-CF 2 -, -CH(CHF 2 )-CF 2 -, -CH(CH 2 F)-CF 2 -, -CH(CH 3 )-CF 2 -, -CH(CF 3 )-CHF-, -CH(CHF 2 )-CHF-, -CH(CH 2 F)-CHF-, -CH(CH 3 )-CHF-, -CH(CF 3 )-CH 2 -, -CH(CHF 2 )-CH 2 -, -CH(CH 2 F)-CH 2 - and the like. Specific examples of R f14 include -CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CHFCHF 2 CF 2 -, -CH 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CF 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, -CHFCH 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CHFCF 2 -, -CH 2 CF 2 CHFCF 2 -, -CF 2 CHFCHF 2 -, -CHFCHFCHFCF 2 -, -CH 2 CHFCHF 2 -, -CF 2 CH 2 CHFCF 2 -, -CHFCH 2 CHFCF 2 -, -CH 2 CH 2 CHFCF 2 -, -CF 2 CH 2 CH 2 Examples include CF 2 -, -CHFCH 2 CH 2 CF 2 -, -CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, -CHFCH 2 CH 2 CHF-, -CH 2 CH 2 CH 2 CHF-, -CF(CF 3 )CF 2 CF 2 -, and the like.

環構造を有するフルオロアルキレン基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、式中の*は結合手を示し、式中のフッ素原子の一部が水素原子に置き換えられていてもよい。Examples of fluoroalkylene groups having a ring structure include groups of the following formula. In the formula, * indicates a bond, and some of the fluorine atoms in the formula may be replaced with hydrogen atoms.

Figure 0007616199000001
Figure 0007616199000001

本化合物においては、式(A-1)および式(A-2)で表される構造は、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、中でも下式(a1)で表される構造が好ましい。
(Rf11O)m1(Rf12O)m2 式(a1)
ただし、Rf11、Rf12は前述のとおりであり、m1、m2は、それぞれ独立に0または1以上の整数を表し、m1+m2は1~200の整数である。
In the present compound, of the structures represented by formula (A-1) and formula (A-2), the structure represented by the following formula (a1) is preferred from the viewpoints of excellent abrasion resistance of the surface layer, removability of fingerprint stains, and finger smoothness.
(R f11 O) m1 (R f12 O) m2 formula (a1)
Here, R f11 and R f12 are as defined above, m1 and m2 each independently represent an integer of 0 or 1 or more, and m1+m2 is an integer of 1-200.

本化合物のAおよびAが、炭素数が1~2のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基であることにより、耐久性がより向上する。
式(a1)において、m1とm2との比(m1/m2)は、表面層の耐久性の点から、0.02~50の範囲内であることが好ましく、0.05~30の範囲内がより好ましく、0.1~20の範囲内がさらに好ましい。
When A 1 and A 2 of the present compound are (poly)oxyfluoroalkylene groups consisting of oxyfluoroalkylene units having 1 to 2 carbon atoms, durability is further improved.
In formula (a1), the ratio of m1 to m2 (m1/m2) is preferably within a range of 0.02 to 50, more preferably within a range of 0.05 to 30, and even more preferably within a range of 0.1 to 20, from the viewpoint of durability of the surface layer.

は、炭素数が5~6のオキシフルオロアルキレン単位からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基である。Eは、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、下式(E-1)で表される構造が好ましい。
(ORf3k3 式(E-1)
ただし、Rf3は、炭素数が5~6のフルオロアルキル基であって、Rf3が複数ある場合、複数あるRf3は互いに同一であっても異なっていてもよく、k3は、1~20の整数である。
E 1 is a (poly)oxyfluoroalkylene group consisting of an oxyfluoroalkylene unit having a carbon number of 5 to 6. E 1 is preferably a structure represented by the following formula (E 1 -1) from the viewpoints of providing a surface layer with excellent abrasion resistance, fingerprint stain removability, and finger smoothness.
(OR f3 ) k3 formula (E 1 -1)
Here, R f3 is a fluoroalkyl group having 5 to 6 carbon atoms, and when there are a plurality of R f3 , the plurality of R f3 may be the same or different, and k3 is an integer of 1 to 20.

k3は、E中のオキシフルオロアルキレン単位数を表す。本化合物においては、表面層の耐久性および指滑り性の点から、k3が1~15であることが好ましく、1~10がより好ましく、1~6がさらに好ましく、1が特に好ましい。 k3 represents the number of oxyfluoroalkylene units in E 1. In the present compound, from the viewpoints of durability and finger sliding property of the surface layer, k3 is preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, even more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1.

更に式(E-1)で表される構造は、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、下式(b)で表される構造が好ましい。
(Rf15O)m5(Rf16O)m6 式(b)
ただし、
f15は、炭素数5のフルオロアルキレン基であり、
f16は、炭素数6のフルオロアルキレン基であり、
m5、m6は、それぞれ独立に0または1以上の整数を表し、m5+m6は1~20の整数であり、Rf15およびRf16が複数ある場合、当該複数あるRf15およびRf16は同一であっても異なっていてもよい。
なお、式(b)における(Rf15O)および(Rf16O)の結合順序は任意である。式(b)のm5およびm6は、それぞれ(Rf15O)および(Rf16O)の個数を表すものであり、配置を表すものではない。
Further, the structure represented by formula (E 1 -1) is preferably a structure represented by the following formula (b) from the viewpoint of excellent abrasion resistance, fingerprint stain removability and finger sliding properties of the surface layer.
(R f15 O) m5 (R f16 O) m6 formula (b)
however,
R f15 is a fluoroalkylene group having 5 carbon atoms;
R f16 is a fluoroalkylene group having 6 carbon atoms;
m5 and m6 each independently represent an integer of 0 or 1 or more, m5+m6 is an integer of 1 to 20, and when there are a plurality of R f15 and R f16 , the plurality of R f15 and R f16 may be the same or different.
In addition, the bonding order of ( Rf15O ) and ( Rf16O ) in formula (b) is arbitrary. m5 and m6 in formula (b) respectively represent the number of ( Rf15O ) and ( Rf16O ) and do not represent the configuration.

また、炭素数5~6のフルオロアルキレン基は、直鎖フルオロアルキレン基であってもよく、分岐、または環構造を有するフルオロアルキレン基であってもよい。
f15の具体例としては、-CFCFCFCFCF-、-CHFCFCFCFCF-、-CHCHFCFCFCF-、-CFCHFCFCFCF-、-CHFCHFCFCFCF-、-CHCHFCFCFCF-、-CFCHCFCFCF-、-CHFCHCFCFCF-、-CHCHCFCFCF-、-CFCFCHFCFCF-、-CHFCFCHFCFCF-、-CHCFCHFCFCF-、-CFCFCHFCFCF-、-CHFCFCHFCFCF-、-CHCFCHFCFCF-、-CHCFCFCFCH-、などが挙げられる。Rf16の具体例としては、-CFCFCFCFCFCF-、-CFCFCHFCHFCFCF-、-CHFCFCFCFCFCF-、-CHFCHFCHFCHFCHFCHF-、-CHFCFCFCFCFCH-、-CHCFCFCFCFCH-などが挙げられる。
The fluoroalkylene group having 5 to 6 carbon atoms may be a straight-chain fluoroalkylene group, or a fluoroalkylene group having a branched or cyclic structure.
Specific examples of R f15 include -CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CHFCF 2 CF 2 CF 2 -, -CF 2 CHFCF 2 CF 2 CF 2 - , -CHFCHFCF2CF2CF2- , -CH2CHFCF2CF2CF2- , -CF2CH2CF2CF2CF2- , -CHFCH2CF2CF2CF2- , -CH2CH2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CF 2 CF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CF 2 CF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CHFCF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -, and the like. Specific examples of R f16 include -CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CF 2 CF 2 CHFCHFCF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, -CHFCHFCHFCHFCHFCHF-, -CHFCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -, -CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 - , and the like.

本化合物においてポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)は、下式(Rf)で表される構造が好ましい。
(ORf1k1-(ORf3k3-(ORf2k2 式(Rf)
ただし、式中の各符号は前述のとおりである。
なお、式(Rf)中の(ORf1k1、(ORf3k3、および(ORf2k2は各々ブロックを構成している。即ち、本化合物においては、例えば、-ORf3-ORf1-ORf3-などのように、炭素数5~6のフルオロアルキレン基の間に、炭素数1~4のフルオロアルキレン基が配置された構造は含まれない。
In the present compound, the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) preferably has a structure represented by the following formula (Rf).
(OR f1 ) k1 - (OR f3 ) k3 - (OR f2 ) k2 formula (Rf)
Here, each symbol in the formula is as defined above.
In formula (Rf), (OR f1 ) k1 , (OR f3 ) k3 , and (OR f2 ) k2 each constitute a block. That is, this compound does not include a structure in which a fluoroalkylene group having 1 to 4 carbon atoms is disposed between fluoroalkylene groups having 5 to 6 carbon atoms, such as -OR f3 -OR f1 -OR f3 -.

本化合物においてポリフルオロポリエーテル鎖(ORf1k1-(ORf3k3-(ORf2k2のフッ素原子の割合[{フッ素原子数/(フッ素原子数+水素原子数)}×100(%)]は、撥水撥油性および指紋除去性に優れる点から、40%以上が好ましく、50%以上がより好ましく、60%以上がより好ましく、80%以上が更に好ましい。 In the present compound, the proportion of fluorine atoms in the polyfluoropolyether chain (OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 [{number of fluorine atoms/(number of fluorine atoms+number of hydrogen atoms)}×100(%)] is preferably 40% or more, more preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and even more preferably 80% or more, from the viewpoint of excellent water and oil repellency and fingerprint removability.

本化合物においてポリフルオロポリエーテル鎖(ORf1k1-(ORf3k3-(ORf2k2部分の分子量は、表面層の耐摩擦性、指紋汚れ除去性、および、指滑り性に優れる点から、2,000~20,000が好ましく、2,500~15,000がより好ましく、3,000~10,000がさらに好ましい。 In the present compound, the molecular weight of the polyfluoropolyether chain (OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 portion is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 2,500 to 15,000, and even more preferably 3,000 to 10,000, from the viewpoints of excellent abrasion resistance, fingerprint stain removability, and finger smoothness of the surface layer.

ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)の具体例としては、以下のものなどが挙げられる。
-OCFCF(OCFCFCFCFOCFCFm11-OCFCFCFCFCFCF(OCFCFOCFCFCFCFm12-OCFCF-、
-(OCFm13(OCFCFm14OCFCFCFCFCF(OCFCFm15(OCFm16-、
-(OCFm17(OCFCFm18OCFCFCFCFCFCF(OCFCFm19(OCFm20-、
-(OCFCFm21OCFCFCFCFCFCF(OCFCFm22-、
-OCFCF(OCFm23(OCFCFm24OCFCFCFCFCFCF(OCFCFm25(OCFm26OCFCF-、
-(OCFm27(OCFCFm28OCFCHOCFCFCF -(OCFm29(OCFCFm30OCFCFCFCFCFCF(OCFCFCFm31-、
-OCFCF(OCFCFCFCFOCFCFm32OCFCFCFCFCF(OCFCFm33(OCFm34-、
-(OCFCFCFm35OCFCFCFCFCFCF(OCFCFCFm36-。
ただし、m11~m36は1以上の整数であり、m11~m36の上限値は、前記k1およびk2の上限値に合わせて調整される。
Specific examples of the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) include the following.
-OCF2CF2 ( OCF2CF2CF2CF2OCF2CF2 ) m11 -OCF2CF2CF2CF2CF2CF2 ( OCF2CF2OCF2CF2CF2CF2 ) m12 -OCF 2 CF 2 -,
- (OCF 2 ) m13 (OCF 2 CF 2 ) m14 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 ) m15 (OCF 2 ) m16 -,
-(OCF 2 ) m17 (OCF 2 CF 2 ) m18 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 ) m19 (OCF 2 ) m20 -,
-(OCF 2 CF 2 ) m21 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 ) m22 -,
-OCF 2 CF 2 (OCF 2 ) m23 (OCF 2 CF 2 ) m24 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 ) m25 (OCF 2 ) m26 OCF 2 CF 2 -,
-(OCF 2 ) m27 (OCF 2 CF 2 ) m28 OCF 2 CH 2 OCF 2 CF 2 CF 2 -(OCF 2 ) m29 (OCF 2 CF 2 ) m30 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) m31 -,
-OCF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 ) m32 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 ) m33 (OCF 2 ) m34 -,
- (OCF 2 CF 2 CF 2 ) m35 OCF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 (OCF 2 CF 2 CF 2 ) m36 -.
Here, m11 to m36 are integers of 1 or more, and the upper limit values of m11 to m36 are adjusted according to the upper limit values of k1 and k2.

は(1+p1)価の連結基であり、Qは(1+p2)価の連結基である。以下、まずQを代表して説明し、Qについては後述する。 Q1 is a (1+p1)-valent linking group, and Q2 is a (1+p2)-valent linking group. Q1 will be described below as a representative, and Q2 will be described later.

が3価以上のとき、C、N、Si、環構造および(1+p1)価ノールガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも1種の分岐点(以下、「分岐点P」と記す。)を有することが好ましい。 When Q1 is trivalent or greater, it preferably has at least one branch point (hereinafter referred to as "branch point P") selected from the group consisting of C, N, Si, a ring structure, and a (1+p1)-valent noruganopolysiloxane residue.

環構造としては、本化合物を製造しやすい点、および表面層の耐摩擦性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる点から、3~8員環の脂肪族環、3~8員環の芳香族環、3~8員環のヘテロ環、およびこれらの環のうちの2つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる1種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。環構造は、ハロゲン原子、アルキル基(炭素-炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。)、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基(=O)等の置換基を有してもよい。As the ring structure, from the viewpoints of ease of production of the present compound and of further improving the abrasion resistance, light resistance and chemical resistance of the surface layer, one selected from the group consisting of a 3- to 8-membered aliphatic ring, a 3- to 8-membered aromatic ring, a 3- to 8-membered heterocyclic ring and a condensed ring consisting of two or more of these rings is preferred, and the ring structure shown in the following formula is particularly preferred. The ring structure may have a substituent such as a halogen atom, an alkyl group (which may contain an etheric oxygen atom between the carbon-carbon atoms), a cycloalkyl group, an alkenyl group, an allyl group, an alkoxy group, an oxo group (=O), etc.

Figure 0007616199000002
Figure 0007616199000002

(1+p1)価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるRは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、またはフェニル基である。Rのアルキル基およびアルコキシ基の炭素数は、1~10が好ましく、1が特に好ましい。 Examples of the (1+p1)-valent organopolysiloxane residue include the following groups. In the formula below, R5 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a phenyl group. The alkyl group and alkoxy group of R5 preferably have 1 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 1.

Figure 0007616199000003
Figure 0007616199000003

は、アルキレン基、フルオロアルキレン基、ヒドロキシアルキレン基、アルコキシアルキレン基、カルボニル基、アミド結合、エーテル結合、チオエーテル結合、ウレア結合、ウレタン結合、カーボネート結合、エステル結合、-SONR-、-Si(R-、-OSi(R-、-Si(CH-Ph-Si(CH-および2価のオルガノポリシロキサン残基より選択される1種以上を含む基を有していてもよい。ただし、Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基またはフェニル基であり、Phは、フェニレン基である。Rのアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、1~3が好ましく、1~2が特に好ましい。また、Qを構成する各結合または基は、いずれの末端がポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)側に配置されていてもよい。例えば、アミド結合は、炭素原子がポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)側に配置されていてもよく、窒素原子がポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)側に配置されていてもよい。他の結合や基についても同様である。 Q 1 may have a group containing one or more selected from an alkylene group, a fluoroalkylene group, a hydroxyalkylene group, an alkoxyalkylene group, a carbonyl group, an amide bond, an ether bond, a thioether bond, a urea bond, a urethane bond, a carbonate bond, an ester bond, -SO 2 NR 6 -, -Si(R 6 ) 2 -, -OSi(R 6 ) 2 -, -Si(CH 3 ) 2 -Ph-Si(CH 3 ) 2 -, and a divalent organopolysiloxane residue, where R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group, and Ph is a phenylene group. The number of carbon atoms in the alkyl group of R 6 is preferably 1 to 3, particularly preferably 1 to 2, from the viewpoint of ease of production of the present compound. In addition, either end of each bond or group constituting Q1 may be located on the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) side. For example, the carbon atom of the amide bond may be located on the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) side, or the nitrogen atom may be located on the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) side. The same applies to other bonds and groups.

2価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるRは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、またはフェニル基である。Rのアルキル基およびアルコキシ基の炭素数は、1~10が好ましく、1が特に好ましい。 Examples of divalent organopolysiloxane residues include groups of the following formula: In the formula, R7 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a phenyl group. The alkyl group and alkoxy group of R7 preferably have 1 to 10 carbon atoms, and particularly preferably 1.

Figure 0007616199000004
Figure 0007616199000004

は、本化合物を製造しやすい点から、-C(O)NR-、-C(O)-、-C(O)OR-、-NR-、-OC(O)OR-およびO-からなる群から選ばれる少なくとも1種の結合を有することが好ましく、表面層の耐久性がさらに優れる点から、-C(O)NR-またはC(O)-を有することが特に好ましい。 From the viewpoint of ease of production of the present compound, Q1 preferably has at least one bond selected from the group consisting of -C(O)NR 6 -, -C(O)-, -C(O)OR 6 -, -NR 6 -, -OC(O)OR 6 - and O-, and from the viewpoint of further improving the durability of the surface layer, it is particularly preferable for Q1 to have -C(O)NR 6 - or C(O)-.

としては、2個以上の2価の炭化水素基と1個以上の分岐点Pとの組み合わせ、または2個以上の炭化水素基と1個以上の分岐点Pと1個以上の結合Bとの組み合わせが挙げられる。
2価の炭化水素基としては、例えば、2価の脂肪族炭化水素基(アルキレン基、シクロアルキレン基等)、2価の芳香族炭化水素基(フェニレン基等)が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~4が特に好ましい。
Q1 may be a combination of two or more divalent hydrocarbon groups and one or more branching points P, or a combination of two or more hydrocarbon groups, one or more branching points P, and one or more bonds B.
Examples of the divalent hydrocarbon group include divalent aliphatic hydrocarbon groups (alkylene groups, cycloalkylene groups, etc.) and divalent aromatic hydrocarbon groups (phenylene groups, etc.). The divalent hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 4 carbon atoms.

撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性に優れる点から、連結基Qは、下式(Q1)~(Q9)のいずれかで表される基であることが好ましい。 From the viewpoint of achieving excellent water and oil repellency, abrasion resistance, and fingerprint stain removability, the linking group Q1 is preferably a group represented by any one of the following formulae (Q1) to (Q9).

Figure 0007616199000005
Figure 0007616199000005

-A11-C(Re23-e2(-Q22-)e2 式(Q2)
-A11-N(-Q23-) 式(Q3)
-A11-Z(-Q24-)h2 式(Q4)
-A11-Si(Re33-i2(-Q25-)i2 式(Q5)
-A11-Q26- 式(Q6)
-A11-CH(-Q22-)-Si(Re33-i3(-Q25-)i3 式(Q7)
-A11-[CHC(Re4)(-Q27-)]i4-Re5 式(Q8)
-A11-Z(-Q28-)i5 式(Q9)
ただし、式(Q1)~式(Q9)においては、A11側がポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)に接続し、Q22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27およびQ28側が反応性シリル基(T)に接続する。
-A 11 -C(R e2 ) 3-e2 (-Q 22 -) e2 formula (Q2)
-A 11 -N(-Q 23 -) 2 formula (Q3)
-A 11 -Z 1 (-Q 24 -) h2 formula (Q4)
-A 11 -Si(R e3 ) 3-i2 (-Q 25 -) i2 formula (Q5)
-A 11 -Q 26 - Formula (Q6)
-A 11 -CH(-Q 22 -)-Si(R e3 ) 3-i3 (-Q 25 -) i3 formula (Q7)
-A 11 -[CH 2 C(R e4 ) (-Q 27 -)] i4 -R e5 formula (Q8)
-A 11 -Z a (-Q 28 -) i5 formula (Q9)
In the formulae (Q1) to (Q9), A 11 is connected to the polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ), and Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 , and Q 26 , Q27 and Q28 are connected to a reactive silyl group (T).

11は、単結合、アルキレン基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)-、-OC(O)O-、-C(O)NR-、-C(O)ONR-、-NRC(O)-、-NRC(O)O-、-NRC(O)NR-、-O-または-SONR-を有する基であり、各式中、A11が2以上存在する場合、2以上のA11は同一であっても異なっていてもよい。アルキレン基の水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。A11の炭素数は1~6が好ましい。 A 11 is a single bond, an alkylene group, or a group having -C(O)O-, -OC(O)-, -C(O)-, -OC(O)O-, -C(O)NR 8 -, -C(O)ONR 8 -, -NR 8 C(O)-, -NR 8 C(O)O-, -NR 8 C(O)NR 8 -, -O-, or -SO 2 NR 8 - between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, and when there are two or more A 11 in each formula, the two or more A 11 may be the same or different. A hydrogen atom of the alkylene group may be substituted with a fluorine atom. The number of carbon atoms of A 11 is preferably 1 to 6.

11は、単結合、-O-、アルキレン基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-NRC(O)NR-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)O-、-NR-またはO-を有する基である。 Q22は、アルキレン基、炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)-、-NR-または-O-を有する基、アルキレン基のSiに接続しない側の末端に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有しかつSiに接続しない側の末端に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基であり、各式中、Q22が2以上存在する場合、2以上のQ22は同一であっても異なっていてもよい。
23は、アルキレン基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基であり、2個のQ23は同一であっても異なっていてもよい。
24は、Q24が結合するZにおける原子が炭素原子の場合、Q22であり、Q24が結合するZにおける原子が窒素原子の場合、Q23であり、各式中、Q24が2以上存在する場合、2以上のQ24は同一であっても異なっていてもよい。
25は、アルキレン基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基であり、各式中、Q25が2以上存在する場合、2以上のQ25は同一であっても異なっていてもよい。
26は、アルキレン基、または炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基である。
は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基またはフェニル基であり、Rが複数ある場合、複数あるRは同一であっても異なっていてもよい。
27は、単結合またはアルキレン基である。
28は、アルキレン基、または、炭素数2以上のアルキレン基の炭素原子-炭素原子間にエーテル性酸素原子もしくは2価のオルガノポリシロキサン残基を有する基である。
Q 11 is a single bond, —O—, an alkylene group, or an alkylene group having 2 or more carbon atoms having —C(O)NR 8 —, —NR 8 C(O)NR 8 —, —C(O)—, —C(O)O—, —OC(O)O—, —NR 8 — or O— between carbon atoms. Q 22 is an alkylene group, a group having -C(O)-, -NR 8 - or -O- between carbon-carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, a group having -C(O)NR 8 -, -C(O)-, -NR 8 - or -O- at the end of the alkylene group not connected to Si, or a group having -C(O)NR 8 -, -C(O)-, -NR 8 - or -O- between carbon-carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms and having -C(O)NR 8 -, -C(O)-, -NR 8 - or -O- at the end of the side not connected to Si, and when there are two or more Q 22s in each formula, the two or more Q 22s may be the same or different.
Q 23 is an alkylene group or a group having --C(O)NR 8 --, --C(O)--, --NR 8 -- or --O-- between carbon atoms in an alkylene group having 2 or more carbon atoms, and two Q 23 's may be the same or different.
Q24 is Q22 when the atom in Z1 to which Q24 is bonded is a carbon atom, and is Q23 when the atom in Z1 to which Q24 is bonded is a nitrogen atom. In each formula, when there are two or more Q24s , the two or more Q24s may be the same or different.
Q25 is an alkylene group or a group having -C(O) NR8- , -C(O)-, -NR8- or -O- between carbon atoms in an alkylene group having 2 or more carbon atoms, and when there are two or more Q25s in each formula, the two or more Q25s may be the same or different.
Q 26 is an alkylene group, or an alkylene group having 2 or more carbon atoms having --C(O)NR 8 --, --C(O)--, --NR 8 -- or --O-- between carbon atoms.
R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group, and when there are a plurality of R 8 s , the plurality of R 8 s may be the same or different.
Q27 is a single bond or an alkylene group.
Q 28 is an alkylene group or a group having an ether oxygen atom or a divalent organopolysiloxane residue between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms.

は、水素原子、炭素数1~6のアルキル基またはフェニル基である。
は、A11が直接結合する炭素原子または窒素原子を有しかつQ24が直接結合する炭素原子または窒素原子を有する(1+h2)価の環構造を有する基である。
e1は、水素原子またはアルキル基であり、各式中、Re1が2以上存在する場合、2以上のRe1は同一であっても異なっていてもよい。
e2は、水素原子、水酸基、アルキル基またはアシルオキシ基である。
e3は、アルキル基である。
e4は、水素原子またはアルキル基であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。各式中、Re4を2以上存在する場合、2以上のRe4は同一であっても異なっていてもよい。
e5は、水素原子またはハロゲン原子であり、化合物を製造しやすい点から、水素原子が好ましい。
R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a phenyl group.
Z 1 is a group having a (1+h2)-valent ring structure having a carbon atom or nitrogen atom to which A 11 is directly bonded and a carbon atom or nitrogen atom to which Q 24 is directly bonded.
R e1 is a hydrogen atom or an alkyl group, and when two or more R e1 are present in each formula, the two or more R e1 may be the same or different.
R e2 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group or an acyloxy group.
R e3 is an alkyl group.
R e4 is a hydrogen atom or an alkyl group, and is preferably a hydrogen atom in terms of ease of production of the compound. When two or more R e4 are present in each formula, the two or more R e4 may be the same or different.
R e5 is a hydrogen atom or a halogen atom, and is preferably a hydrogen atom in terms of ease of production of the compound.

d2は、0~3の整数であり、1または2が好ましい。d4は、0~3の整数であり、2または3が好ましい。d2+d4は2~5が好ましい。e2は2または3である。
h2は、1以上の整数(2または3が好ましい)である。
i2は、2または3である。
i3は、2または3である。
i4は、1以上(1~10の整数が好ましく、1~6の整数が特に好ましい)である。
i5は、2~7の整数である。
d2 is an integer of 0 to 3, and preferably 1 or 2. d4 is an integer of 0 to 3, and preferably 2 or 3. d2+d4 is preferably 2 to 5. e2 is 2 or 3.
h2 is an integer of 1 or more (preferably 2 or 3).
i2 is 2 or 3.
i3 is 2 or 3.
i4 is 1 or more (preferably an integer from 1 to 10, and particularly preferably an integer from 1 to 6).
i5 is an integer from 2 to 7.

22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27、Q28のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、および表面層の耐摩擦性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる点から、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~4が特に好ましい。ただし、炭素-炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は2である。 The number of carbon atoms in the alkylene group of Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 , Q 26 , Q 27 and Q 28 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 4, from the viewpoints of ease of production of the present compound and of further improving the abrasion resistance, light resistance and chemical resistance of the surface layer. However, in the case where an alkylene group has a specific bond between a carbon-carbon atom, the lower limit of the number of carbon atoms is 2.

における環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Zにおける環構造にはA11やQ24が直接結合するため、環構造にたとえばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にA11やQ24が連結することはない。
は、(i5+1)価ノールガノポリシロキサン残基であり、前述の基が好ましい。
Examples of the ring structure in Z 1 include the ring structures described above, and the preferred embodiments are also the same. Since A 11 and Q 24 are directly bonded to the ring structure in Z 1 , for example, an alkylene group is not bonded to the ring structure, and A 11 and Q 24 are not bonded to the alkylene group.
Z a is an (i5+1)-valent noruganopolysiloxane residue, preferably the groups mentioned above.

有機基Aの好ましい他の形態として、下式(Q11)~(Q19)のいずれかで表される基が挙げられる。Other preferred forms of organic group A include groups represented by any of the following formulas (Q11) to (Q19).

Figure 0007616199000006
Figure 0007616199000006

-A11-C(Re23-e2(-Q22-Ge2 式(Q12)
-A11-N(-Q23-G 式(Q13)
-A11-Z(-Q24-Gh2 式(Q14)
-A11-Si(Re33-i2(-Q25-Gi2 式(Q15)
-A11-Q26-G 式(Q16)
-A11-CH(-Q22-)-Si(Re33-i3(-Q25-Gi3 式(Q17)
-A11-[CHC(Re4)(-Q27-G)]i4-Re5 式(Q18)
-A11-Z(-Q28-Gi5 式(Q19)
ただし、式(Q11)~式(Q19)においては、A側が部分構造(1)に接続し、G側が部分構造(2)に接続する。
-A 11 -C(R e2 ) 3-e2 (-Q 22 -G 1 ) e2 formula (Q12)
-A 11 -N (-Q 23 -G 1 ) 2 formula (Q13)
-A 11 -Z 1 (-Q 24 -G 1 ) h2 formula (Q14)
-A 11 -Si(R e3 ) 3-i2 (-Q 25 -G 1 ) i2 formula (Q15)
-A 11 -Q 26 -G 1 formula (Q16)
-A 11 -CH(-Q 22 -)-Si(R e3 ) 3-i3 (-Q 25 -G 1 ) i3 formula (Q17)
-A 11 -[CH 2 C(R e4 ) (-Q 27 -G 1 )] i4 -R e5 formula (Q18)
-A 11 -Z a (-Q 28 -G 1 ) i5 formula (Q19)
In the formulae (Q11) to (Q19), the A1 side is connected to the partial structure (1), and the G1 side is connected to the partial structure (2).

は、下記(G1)で表される基であり、式(Q11)~式(Q19)中、Gが2以上存在する場合、2以上のGは同一であっても異なっていてもよい。G以外の符号は、式(Q11)~式(Q19)における符号と同じである。
-Si(R3-r1(-Q30-)r1 式(G1)
ただし、式(G1)においては、Si側がQ22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27およびQ28に接続し、Q30側が反応性シリル基(T)に接続する。
は、アルキル基である。Q30は、アルキレン基、炭素数2以上のアルキレン基の炭素-炭素原子間に-C(O)NR-、-C(O)-、-NR-または-O-を有する基、または-(OSi(R10p11-O-であり、2以上のQは同一であっても異なっていてもよい。r1は、2または3である。Rは、水素原子、炭素数1~6のアルキル基またはフェニル基である。R10は、アルキル基、フェニル基またはアルコキシ基であり、2個のR10は同一であっても異なっていてもよい。p11は、0~5の整数であり、pが2以上の場合、2以上の(OSi(R10)は同一であっても異なっていてもよい。
G 1 is a group represented by the following (G1), and when two or more G 1 are present in formulas (Q11) to (Q19), the two or more G 1 may be the same or different. The symbols other than G 1 are the same as the symbols in formulas (Q11) to (Q19).
-Si(R 9 ) 3-r1 (-Q 30 -) r1 formula (G1)
In formula (G1), the Si side is connected to Q 22 , Q 23 , Q 24 , Q 25 , Q 26 , Q 27 and Q 28 , and the Q 30 side is connected to the reactive silyl group (T).
R 9 is an alkyl group. Q 30 is an alkylene group, a group having -C(O)NR 8 -, -C(O)-, -NR 8 - or -O- between carbon atoms of an alkylene group having 2 or more carbon atoms, or -(OSi(R 10 ) 2 ) p11 -O-, and two or more Q 3s may be the same or different. r1 is 2 or 3. R 8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group. R 10 is an alkyl group, a phenyl group or an alkoxy group, and two R 10s may be the same or different. p11 is an integer from 0 to 5, and when p is 2 or more, two or more (OSi(R 10 ) 2 )s may be the same or different.

30のアルキレン基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点、ならびに、表面層の耐摩擦性、耐光性および耐薬品性がさらに優れる点から、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~4が特に好ましい。ただし、炭素-炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は2である。
のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1~2が特に好ましい。
10のアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1~2が特に好ましい。
10のアルコキシ基の炭素数は、本化合物の保存安定性に優れる点から、1~10が好ましく、1~6がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1~2が特に好ましい。
p11は、0または1が好ましい。
The number of carbon atoms in the alkylene group of Q 30 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, and particularly preferably 1 to 4, from the viewpoints of ease of production of the present compound and of further improving the abrasion resistance, light resistance, and chemical resistance of the surface layer. However, in the case where an alkylene group has a specific bond between a carbon and a carbon atom, the lower limit of the number of carbon atoms in the alkylene group is 2.
The number of carbon atoms in the alkyl group of R 9 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 or 2, from the viewpoint of ease of production of the present compound.
The number of carbon atoms in the alkyl group of R 10 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 or 2, from the viewpoint of ease of production of the present compound.
The number of carbon atoms in the alkoxy group of R 10 is preferably 1 to 10, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 or 2, from the viewpoint of excellent storage stability of the present compound.
p11 is preferably 0 or 1.

連結基Qは前記連結基Qにおいてp1をp2に読み替えること以外は、前記連結基Qと同様である。本化合物おいて連結基QとQは同一であっても異なっていてもよい。本化合物の製造の容易性などの点から、連結基QとQは同一であることが好ましい。 The linking group Q2 is the same as the linking group Q1 , except that p1 in the linking group Q1 is replaced with p2. In the present compound, the linking groups Q1 and Q2 may be the same or different. From the viewpoint of ease of production of the present compound, it is preferable that the linking groups Q1 and Q2 are the same.

連結基QおよびQの好ましい具体例として、下式の構造が挙げられる。ただし、Lは各々独立に水素原子またはフッ素原子であり、n=1~6の整数であり、1~4の整数が好ましく、1~2の整数がより好ましい。また、式中のRfは式(1)における(T)p1-Q-A-E-A-Oを示し、Tは式(1)におけるTと同様であり、これらはQには含まれない部分である。下式では連結基Qとして例示しているが、連結基Qについても同様の構造が挙げられる。 Specific preferred examples of the linking groups Q1 and Q2 include structures of the following formulas. Here, each L1 is independently a hydrogen atom or a fluorine atom, and n is an integer of 1 to 6, preferably an integer of 1 to 4, and more preferably an integer of 1 to 2. Rf in the formula represents (T) p1 -Q1- A1 - E1 - A2 - O in formula (1), and T is the same as T in formula (1), and these are moieties not included in Q2 . Although the following formula shows an example of the linking group Q2 , the same structure can also be mentioned for the linking group Q1 .

Figure 0007616199000007
Figure 0007616199000007
Figure 0007616199000008
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Figure 0007616199000009
Figure 0007616199000009

Figure 0007616199000010
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Figure 0007616199000011
Figure 0007616199000011
Figure 0007616199000012
Figure 0007616199000012

Figure 0007616199000013
Figure 0007616199000013

Figure 0007616199000014
Figure 0007616199000014

Figure 0007616199000015
Figure 0007616199000015

Tは、-Si(R)3-c(L)であって、反応性シリル基である。
反応性シリル基は、加水分解性基および水酸基のいずれか一方または両方がケイ素原子に結合した基である。
加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、加水分解性シリル基は、加水分解反応によってシラノール基(Si-OH)となる。シラノール基は、さらに分子間で脱水縮合反応してSi-O-Si結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基(基材-OH)と脱水縮合反応して、化学結合(基材-O-Si)を形成する。
加水分解性基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基、イソシアナート基が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。
ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。
加水分解性基としては、本化合物を製造しやすい点から、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましい。加水分解性基としては、塗布時のアウトガスが少なく、本化合物の保存安定性に優れる点から、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、本化合物の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
Rのアルキル基の炭素数は、本化合物を製造しやすい点から、1~6が好ましく、1~3がより好ましく、1~2が特に好ましい。
cは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、2または3が好ましく、3がより好ましい。
T is --Si(R) 3-c (L) c , a reactive silyl group.
The reactive silyl group is a group in which either or both of a hydrolyzable group and a hydroxyl group are bonded to a silicon atom.
A hydrolyzable group is a group that becomes a hydroxyl group through a hydrolysis reaction. That is, a hydrolyzable silyl group becomes a silanol group (Si-OH) through a hydrolysis reaction. The silanol group further undergoes a dehydration condensation reaction between molecules to form a Si-O-Si bond. The silanol group also undergoes a dehydration condensation reaction with a hydroxyl group (substrate-OH) on the surface of the substrate to form a chemical bond (substrate-O-Si).
Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group, a halogen atom, an acyl group, and an isocyanate group. The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
The halogen atom is preferably a chlorine atom.
As the hydrolyzable group, an alkoxy group or a halogen atom is preferred from the viewpoint of ease of production of the present compound. As the hydrolyzable group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferred from the viewpoint of less outgassing during coating and excellent storage stability of the present compound, an ethoxy group is particularly preferred when the present compound requires long-term storage stability, and a methoxy group is particularly preferred when the reaction time after coating is short.
The number of carbon atoms in the alkyl group for R is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and particularly preferably 1 or 2, from the viewpoint of ease of production of the present compound.
c is preferably 2 or 3, and more preferably 3, in that the adhesion between the surface layer and the substrate is stronger.

本化合物中の反応性シリル基Tの数は2以上であればよく、中でも2~18が好ましく、2~12がより好ましく、4~8がさらに好ましい。反応性シリル基の数が上記下限値以上であれば、基材との結合数が増加して耐久性に優れている。一方、上記上限値以下であれば、本化合物中のフッ素割合が向上して、撥水撥油性や耐摩耗性に優れている。
複数のTは、同一であっても異なっていてもよい。本化合物を製造しやすい点からは、Tは同一の基であることが好ましい。
The number of reactive silyl groups T in the present compound may be 2 or more, and is preferably 2 to 18, more preferably 2 to 12, and even more preferably 4 to 8. If the number of reactive silyl groups is equal to or more than the above lower limit, the number of bonds with the substrate increases, resulting in excellent durability. On the other hand, if the number is equal to or less than the above upper limit, the fluorine ratio in the present compound is increased, resulting in excellent water/oil repellency and abrasion resistance.
A plurality of T's may be the same or different. From the viewpoint of ease of production of the present compound, it is preferable that T's are the same group.

本化合物としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性がさらに優れる。 Examples of the present compound include the compound of the following formula: The compound of the following formula is easy to produce industrially, and the surface layer has excellent water and oil repellency, abrasion resistance, fingerprint stain removal properties, and lubricity.

Figure 0007616199000016
なお、n1~n24は各々独立に1以上の整数であり、n11~n24の上限値は、前記k1およびk2の上限値に合わせて調整される。
Figure 0007616199000016
Note that n1 to n24 are each independently an integer of 1 or more, and the upper limit values of n11 to n24 are adjusted according to the upper limit values of k1 and k2.

[含フッ素エーテル化合物の製造方法]
本化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)またはその前駆体鎖を有する原料を用いる以外は、表面処理剤として用いられている公知の含フッ素エーテル化合物と同様の製造方法により製造できる。上記ポリフルオロポリエーテル鎖に連結基、および、加水分解性シリル基を導入する方法は、例えば、国際公開第2017/187775号、国際公開第2017/038832号などに記載の方法を用いることができる。
以下、ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)またはその前駆体鎖を含む化合物の合成方法について2例を挙げて説明するが、これらの方法に限られるものではない。なお前駆体鎖とは、例えば後述する実施例における合成例1-3などの手法によりフッ素化することで、ポリフルオロポリエーテル鎖となるものをいう。
[Method of producing fluorinated ether compound]
This compound can be produced by the same production method as the known fluorine-containing ether compound used as a surface treatment agent, except that a raw material having a polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) or a precursor chain thereof is used. The method for introducing a linking group and a hydrolyzable silyl group into the polyfluoropolyether chain can be, for example, the method described in WO 2017/187775, WO 2017/038832, etc.
Hereinafter, two examples of methods for synthesizing a compound containing a polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) or a precursor chain thereof will be described, but the methods are not limited to these. Note that the precursor chain refers to a chain that becomes a polyfluoropolyether chain by fluorination, for example, by a method such as Synthesis Example 1-3 in the Examples described later.

ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)またはその前駆体鎖を含む化合物の第1の方法としては、下式(11)で表される化合物と、下式(12)で表される化合物とを反応させて下記化合物(13)を得る方法が挙げられる。
HO-E11-OH 式(11)
C(L11=C(L11)-A21-OH 式(12)
HO-{A21-C(L11-CH(L11)}n11-O-E11-O-{C(L11-CH(L11)-A21n12-OH 式(13)
ただし、
11は、炭素数が5~6のフルオロアルキレン単位およびアルキレン単位より選択される1種以上を有する(ポリ)オキシフルオロアルキレン基または(ポリ)オキシアルキレン基、もしくは、炭素数5~6のフルオロアルキレン基またはアルキレン基であり、
21は、オキシフルオロアルキレン単位およびオキシアルキレン単位より選択される1種以上からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基または(ポリ)オキシアルキレン基であって、複数あるA11は同一であっても異なっていてもよく、
11は、水素原子またはフッ素原子であって、複数あるL11は同一であっても異なっていてもよく、
n11およびn12は各々独立に1~200の整数である。
なお、式(13)における、{A21-C(L11-C(L11n11が式(1)におけるAまたはその前駆体に相当し、{A21-C(L11-C(L11n12がAまたはその前駆体に相当する。
上記第1の方法では、化合物(11)の水酸基と化合物(12)の2重結合とが付加反応し、次いで化合物(12)由来の水酸基と、別の化合物(12)の2重結合とが順次付加反応して、化合物(13)が形成される。
A first method for preparing a compound containing a polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) or a precursor chain thereof includes a method of reacting a compound represented by the following formula (11) with a compound represented by the following formula (12) to obtain the following compound (13):
HO-E 11 -OH Formula (11)
C(L 11 ) 2 =C(L 11 )-A 21 -OH Formula (12)
HO-{A 21 -C(L 11 ) 2 -CH(L 11 )} n11 -OE 11 -O-{C(L 11 ) 2 -CH(L 11 )-A 21 } n12 -OH Formula (13)
however,
E 11 is a (poly)oxyfluoroalkylene group or (poly)oxyalkylene group having one or more selected from a fluoroalkylene unit and an alkylene unit having 5 to 6 carbon atoms, or a fluoroalkylene group or alkylene group having 5 to 6 carbon atoms;
A 21 is a (poly)oxyfluoroalkylene group or a (poly)oxyalkylene group consisting of one or more units selected from an oxyfluoroalkylene unit and an oxyalkylene unit, and a plurality of A 11 may be the same or different,
L 11 represents a hydrogen atom or a fluorine atom, and a plurality of L 11 may be the same or different;
n11 and n12 each independently represents an integer of 1 to 200.
In formula (13), {A 21 -C(L 11 ) 2 -C(L 11 ) 2 } n11 corresponds to A 1 or its precursor in formula (1), and {A 21 -C(L 11 ) 2 -C(L 11 ) 2 } n12 corresponds to A 2 or its precursor.
In the first method, a hydroxyl group of compound (11) and a double bond of compound (12) undergo an addition reaction, and then a hydroxyl group derived from compound (12) and a double bond of another compound (12) undergo an addition reaction in sequence to form compound (13).

また、ポリフルオロポリエーテル鎖(A-E-A)またはその前駆体鎖を含む化合物の第2の方法としては、下式(21)で表される化合物と、下式(22)で表される化合物とを反応させて下記化合物(23)を得る方法が挙げられる。
X-E11-X 式(21)
OH-A22-OH 式(22)
HO-A22-O-E11-O-A12-OH 式(23)
11は、前記式(11)におけるものと同様であり、
22は、オキシフルオロアルキレン単位およびオキシアルキレン単位より選択される1種以上からなる(ポリ)オキシフルオロアルキレン基または(ポリ)オキシアルキレン基であって、複数あるA22は同一であっても異なっていてもよく、
Xは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、またはスルホナート基である。
上記第2の方法では、化合物(21)のXと化合物(22)の水酸基とが付加反応して化合物(23)が形成される。
Xにおけるスルホナート基としては、トシラート基、メシラート基、トリフラート基などが挙げられる。Xとしては、ヨウ素原子またはスルホナート基が好ましく、要素原子がより好ましい。
As a second method for preparing a compound containing a polyfluoropolyether chain (A 1 -E 1 -A 2 ) or a precursor chain thereof, a compound represented by the following formula (21) is reacted with a compound represented by the following formula (22) to obtain the following compound (23).
X-E 11 -X Formula (21)
OH-A 22 -OH Formula (22)
HO-A 22 -OE 11 -OA 12 -OH Formula (23)
E 11 is the same as in the above formula (11),
A 22 is a (poly)oxyfluoroalkylene group or a (poly)oxyalkylene group consisting of one or more units selected from an oxyfluoroalkylene unit and an oxyalkylene unit, and a plurality of A 22 may be the same or different,
X is a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, or a sulfonate group.
In the second method, X in compound (21) and the hydroxyl group of compound (22) undergo an addition reaction to form compound (23).
The sulfonate group in X includes a tosylate group, a mesylate group, a triflate group, etc. X is preferably an iodine atom or a sulfonate group, more preferably an element atom.

[含フッ素化合物含有組成物]
本発明の含フッ素化合物含有組成物(以下、本組成物ともいう。)は、本化合物である前記含フッ素化合物と、当該本化合物以外の含フッ素化合物および下記不純物の少なくともいずれかを含む組成物である。不純物としては、本化合物および他の含フッ素化合物の製造上不可避の化合物等が挙げられる。なお、本組成物は、後述する液状媒体を含まない。
[Fluorine-containing compound-containing composition]
The fluorine-containing compound-containing composition of the present invention (hereinafter also referred to as the present composition) is a composition containing the fluorine-containing compound, which is the present compound, a fluorine-containing compound other than the present compound, and at least one of the following impurities: The impurities include compounds that are unavoidable in the production of the present compound and other fluorine-containing compounds. The present composition does not contain a liquid medium, which will be described later.

他の含フッ素化合物としては、本化合物の製造過程で副生する含フッ素化合物(以下、副生含フッ素化合物ともいう。)、本化合物と同様の用途に用いられる公知の含フッ素化合物等が挙げられる。
他の含フッ素化合物としては、本化合物の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。
他の含フッ素化合物の含有量は、本化合物の特性を十分に発揮する点から、本組成全量中、50質量%未満が好ましく、30質量%未満がより好ましく、10質量%未満がさらに好ましい。
Examples of other fluorine-containing compounds include fluorine-containing compounds produced as a by-product in the production process of the present compound (hereinafter also referred to as by-product fluorine-containing compounds), and known fluorine-containing compounds used for the same purposes as the present compound.
As the other fluorine-containing compound, a compound which is unlikely to deteriorate the properties of the present compound is preferable.
In order to fully exhibit the properties of the present compound, the content of the other fluorine-containing compound is preferably less than 50 mass %, more preferably less than 30 mass %, and even more preferably less than 10 mass %, of the total amount of the present composition.

副生含フッ素化合物としては、本化合物の合成時における未反応の含フッ素化合物等が挙げられる。本組成物が副生含フッ素化合物を含む場合、該副生含フッ素化合物を除去、もしくは該副生含フッ素化合物量を低減させるための精製工程を簡略化することができる。 Examples of by-product fluorine-containing compounds include unreacted fluorine-containing compounds during the synthesis of the present compound. When the present composition contains by-product fluorine-containing compounds, the purification step for removing the by-product fluorine-containing compounds or reducing the amount of the by-product fluorine-containing compounds can be simplified.

公知の含フッ素化合物としては、例えば、下記の文献に記載のものが挙げられる。
日本特開平11-029585号公報に記載のパーフルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特許第2874715号公報に記載のケイ素含有有機含フッ素ポリマー、
日本特開2000-144097号公報に記載の有機ケイ素化合物、
日本特開2000-327772号公報に記載のパ-フルオロポリエーテル変性アミノシラン、
日本特表2002-506887号公報に記載のフッ素化シロキサン、
日本特表2008-534696号公報に記載の有機シリコ-ン化合物、
日本特許第4138936号公報に記載のフッ素化変性水素含有重合体、
米国特許出願公開第2010/0129672号明細書、国際公開第2014/126064号、日本特開2014-070163号公報に記載の化合物、
国際公開第2011/060047号、国際公開第2011/059430号に記載ノールガノシリコン化合物、
国際公開第2012/064649号に記載の含フッ素オルガノシラン化合物、
日本特開2012-72272号公報に記載のフルオロオキシアルキレン基含有ポリマー、
国際公開第2013/042732号、国際公開第2013/121984号、国際公開第2013/121985号、国際公開第2013/121986号、国際公開第2014/163004号、日本特開2014-080473号公報、国際公開第2015/087902号、国際公開第2017/038830号、国際公開第2017/038832号、国際公開第2017/187775号に記載の含フッ素エーテル化合物、
日本特開2014-218639号公報、国際公開第2017/022437号、国際公開第2018/079743号、国際公開第2018/143433号に記載のパ-フルオロ(ポリ)エーテル含有シラン化合物、
日本特開2015-199906号公報、日本特開2016-204656号公報、日本特開2016-210854号公報、日本特開2016-222859号公報に記載のフルオロポリエーテル基含有ポリマー変性シラン
国際公開第2018/216630号、国際公開第2019/039226号、国際公開第2019/039341号、国際公開第2019/039186号、国際公開第2019/044479号、日本特開2019-44158号公報、国際公開第2019/163282号に記載の含フッ素エーテル化合物。
また、含フッ素化合物の市販品としては、信越化学工業社製のKY-100シリーズ(KY-178、KY-185、KY-195等)、AGC社製のAfluid(登録商標)S550、ダイキン工業社製のオプツール(登録商標)DSX、オプツール(登録商標)AES、オプツール(登録商標)UF503、オプツール(登録商標)UD509等が挙げられる。
Examples of known fluorine-containing compounds include those described in the following documents:
Perfluoropolyether-modified aminosilanes described in JP-A-11-029585;
Silicon-containing organic fluorine-containing polymers as described in Japanese Patent No. 2874715;
Organosilicon compounds described in JP-A-2000-144097,
Perfluoropolyether-modified aminosilanes described in JP 2000-327772 A;
Fluorinated siloxanes described in Japanese Patent Publication No. 2002-506887;
Organosilicon compounds described in Japanese Patent Publication No. 2008-534696;
Fluorinated modified hydrogen-containing polymers as described in Japanese Patent No. 4138936;
Compounds described in U.S. Patent Application Publication No. 2010/0129672, WO 2014/126064, and JP 2014-070163 A,
Nolganosilicon compounds described in WO 2011/060047 and WO 2011/059430;
Fluorine-containing organosilane compounds described in WO 2012/064649,
Fluorooxyalkylene group-containing polymers described in JP 2012-72272 A;
Fluorine-containing ether compounds described in WO 2013/042732, WO 2013/121984, WO 2013/121985, WO 2013/121986, WO 2014/163004, JP 2014-080473 A, WO 2015/087902, WO 2017/038830, WO 2017/038832, and WO 2017/187775;
Perfluoro(poly)ether-containing silane compounds described in JP 2014-218639 A, WO 2017/022437 A, WO 2018/079743 A, and WO 2018/143433 A;
Fluoropolyether group-containing polymer-modified silanes described in JP 2015-199906 A, JP 2016-204656 A, JP 2016-210854 A, and JP 2016-222859 A WO 2018/216630 A, WO 2019/039226 A, WO 2019/039341 A, WO 2019/039186 A, WO 2019/044479 A, JP 2019-44158 A, and WO 2019/163282 A fluorine-containing ether compounds described therein.
In addition, examples of commercially available fluorine-containing compounds include the KY-100 series (KY-178, KY-185, KY-195, etc.) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Afluid (registered trademark) S550 manufactured by AGC, OPTOOL (registered trademark) DSX, OPTOOL (registered trademark) AES, OPTOOL (registered trademark) UF503, and OPTOOL (registered trademark) UD509 manufactured by Daikin Industries, Ltd.

本組成物中の本化合物の割合は、100質量%未満であり、60質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましい。
本組成物が他の含フッ素化合物を含む場合、本組成物中の本化合物および他の含フッ素化合物の合計に対する他の含フッ素化合物の割合は、40質量%以下が好ましく、30質量%以下がより好ましく、20質量%以下が更に好ましい。
本組成物中の本化合物および他の含フッ素化合物の合計の割合は、80質量%以上が好ましく、85質量%以上がより好ましい。
本化合物および他の含フッ素化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、外観に優れる。
The proportion of the present compound in the present composition is less than 100% by mass, preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and even more preferably 80% by mass or more.
When the present composition contains other fluorine-containing compounds, the ratio of the other fluorine-containing compounds to the total of the present compound and the other fluorine-containing compounds in the present composition is preferably 40 mass% or less, more preferably 30 mass% or less, and even more preferably 20 mass% or less.
The total proportion of the present compound and other fluorine-containing compounds in the present composition is preferably 80 mass % or more, and more preferably 85 mass % or more.
When the content of this compound and other fluorine-containing compounds is within the above range, the surface layer has excellent water and oil repellency, abrasion resistance, fingerprint stain removability, lubricity and appearance.

[コーティング液]
本発明のコーティング液(以下、本コーティング液ともいう。)は、本化合物または本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、液状であればよく、溶液であってもよく、分散液であってもよい。
本コーティング液は、本化合物または本組成物を含んでいればよく、本化合物の製造工程で生成した副生物等の不純物を含んでもよい。
本化合物または本組成物の濃度は、本コーティング液中、0.001~40質量%が好ましく、0.01~20質量%が好ましく、0.1~10質量%がより好ましい。
[Coating liquid]
The coating liquid of the present invention (hereinafter also referred to as the present coating liquid) contains the present compound or the present composition and a liquid medium. The present coating liquid may be in a liquid state, and may be a solution or a dispersion.
The present coating liquid is only required to contain the present compound or the present composition, and may contain impurities such as by-products produced in the manufacturing process of the present compound.
The concentration of the present compound or the present composition in the present coating liquid is preferably from 0.001 to 40% by mass, more preferably from 0.01 to 20% by mass, and more preferably from 0.1 to 10% by mass.

液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、フッ素系有機溶媒であってもよく、非フッ素系有機溶媒であってもよく、両溶媒を含んでもよい。As the liquid medium, an organic solvent is preferred. The organic solvent may be a fluorine-based organic solvent, a non-fluorine-based organic solvent, or may contain both solvents.

フッ素系有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数4~8の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばC13H(AGC社製、アサヒクリン(登録商標)AC-2000)、C13(AGC社製、アサヒクリン(登録商標)AC-6000)、CCHFCHFCF(ケマーズ社製、バートレル(登録商標)XF)等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、たとえばヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数4~12の化合物が好ましい。市販品としては、たとえばCFCHOCFCFH(AGC社製、アサヒクリン(登録商標)AE-3000)、COCH(3M社製、ノベック(登録商標)7100)、COC(3M社製、ノベック(登録商標)7200)、CCF(OCH)C(3M社製、ノベック(登録商標)7300)等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、たとえばペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、たとえば2,2,3,3-テトラフルオロプロパノール、2,2,2-トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素系有機溶媒としては、水素原子および炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子および酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素系有機溶媒、アルコール系有機溶媒、ケトン系有機溶媒、エーテル系有機溶媒、エステル系有機溶媒が挙げられる。
本コーティング液は、液状媒体を75~99.999質量%含むことが好ましく、85~99.99質量%含むことが好ましく、90~99.9質量%含むことが特に好ましい。
Examples of the fluorine-based organic solvent include fluorinated alkanes, fluorinated aromatic compounds, fluoroalkyl ethers, fluorinated alkylamines, and fluoroalcohols.
The fluorinated alkane is preferably a compound having a carbon number of 4 to 8. Examples of commercially available products include C 6 F 13 H (manufactured by AGC, Asahiklin (registered trademark) AC-2000), C 6 F 13 C 2 H 5 (manufactured by AGC, Asahiklin (registered trademark) AC-6000), and C 2 F 5 CHFCHFCF 3 (manufactured by Chemours, Vertrel (registered trademark) XF).
Examples of the fluorinated aromatic compounds include hexafluorobenzene, trifluoromethylbenzene, perfluorotoluene, and bis(trifluoromethyl)benzene.
The fluoroalkyl ether is preferably a compound having 4 to 12 carbon atoms. Commercially available products include, for example, CF 3 CH 2 OCF 2 CF 2 H (manufactured by AGC, Asahiklin (registered trademark) AE-3000), C 4 F 9 OCH 3 (manufactured by 3M, Novec (registered trademark) 7100), C 4 F 9 OC 2 H 5 (manufactured by 3M, Novec (registered trademark) 7200), and C 2 F 5 CF(OCH 3 )C 3 F 7 (manufactured by 3M, Novec (registered trademark) 7300).
Examples of the fluorinated alkylamine include perfluorotripropylamine and perfluorotributylamine.
Examples of fluoroalcohols include 2,2,3,3-tetrafluoropropanol, 2,2,2-trifluoroethanol, and hexafluoroisopropanol.
As the non-fluorinated organic solvent, a compound consisting only of hydrogen atoms and carbon atoms, and a compound consisting only of hydrogen atoms, carbon atoms and oxygen atoms are preferred, and examples thereof include hydrocarbon organic solvents, alcohol organic solvents, ketone organic solvents, ether organic solvents and ester organic solvents.
The coating liquid preferably contains 75 to 99.999% by mass of the liquid medium, more preferably 85 to 99.99% by mass, and particularly preferably 90 to 99.9% by mass.

本コーティング液は、本化合物または本組成物と液状媒体の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、それら以外の他の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、たとえば、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の公知の添加剤が挙げられる。
本コーティング液における、他の成分の含有量は、10質量%以下が好ましく、1質量%以下がより好ましい。
The present coating liquid may contain, in addition to the present compound or composition and the liquid medium, other components within the scope of not impairing the effects of the present invention.
Examples of other components include known additives such as acid catalysts and base catalysts that promote the hydrolysis and condensation reaction of hydrolyzable silyl groups.
The content of other components in the present coating liquid is preferably 10% by mass or less, and more preferably 1% by mass or less.

本コーティング液の本化合物と他の成分の合計または本組成物と他の成分の合計の濃度(以下、固形分濃度ともいう。)は、0.001~40質量%が好ましく、0.01~20質量%が好ましく、0.01~10質量%がより好ましく、0.01~1質量%がより好ましい。コーティング液の固形分濃度は、加熱前のコーティング液の質量と、120℃の対流式乾燥機にて4時間加熱した後の質量とから算出する値である。The total concentration of the present compound and other components or the total concentration of the present composition and other components in the present coating liquid (hereinafter also referred to as solids concentration) is preferably 0.001 to 40 mass%, preferably 0.01 to 20 mass%, more preferably 0.01 to 10 mass%, and more preferably 0.01 to 1 mass%. The solids concentration of the coating liquid is a value calculated from the mass of the coating liquid before heating and the mass after heating for 4 hours in a convection dryer at 120°C.

[物品]
図1は本発明の物品の一例を示す模式断面図である。本発明の第1の物品は、基材12と、下地層14と、表面層22とをこの順で有する物品20であって、
前記下地層がケイ素を含む酸化物を含有し、前記表面層が、前記本化合物の縮合体を含有する。
[Items]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an article of the present invention. The first article of the present invention is an article 20 having a substrate 12, an undercoat layer 14, and a surface layer 22 in this order,
The underlayer contains an oxide containing silicon, and the surface layer contains a condensate of the present compound.

上記第1の物品における基材の材質および形状は、本物品の用途等に応じて適宜選択すればよい。基材の材質としては、ガラス、樹脂、サファイア、金属、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。特に、撥水撥油性が求められる基材として、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、電子機器の筐体を構成する機材などが挙げられる。タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材は、透光性を有する。「透光性を有する」とは、JIS R3106:1998(ISO 9050:1990)に準じた垂直入射型可視光透過率が25%以上であることを意味する。タッチパネル用基材の材料としては、ガラスまたは透明樹脂が好ましい。The material and shape of the substrate in the first article may be appropriately selected according to the application of the article. Examples of the substrate material include glass, resin, sapphire, metal, ceramic, stone, and composite materials thereof. Glass may be chemically strengthened. In particular, substrates that require water and oil repellency include substrates for touch panels, substrates for displays, and materials that constitute the housings of electronic devices. Substrates for touch panels and substrates for displays have translucency. "Translucency" means that the normal incidence visible light transmittance according to JIS R3106:1998 (ISO 9050:1990) is 25% or more. As the material for the substrate for touch panels, glass or transparent resin is preferable.

基材は、下地層が設けられる面に、コロナ放電処理、プラズマ処理、プラズマグラフト重合処理等の表面処理を施したものであってもよい。表面処理を施した表面は、基材と下地層の接着性がさらに優れ、その結果、表面層の耐摩耗性がさらに向上する。表面処理としては、表面層の耐摩耗性がさらに優れる点から、コロナ放電処理またはプラズマ処理が好ましい。The substrate may be one that has been subjected to a surface treatment such as corona discharge treatment, plasma treatment, or plasma graft polymerization treatment on the surface on which the undercoat layer is to be formed. The surface that has been subjected to the surface treatment has better adhesion between the substrate and the undercoat layer, and as a result, the abrasion resistance of the surface layer is further improved. As the surface treatment, corona discharge treatment or plasma treatment is preferred since it provides better abrasion resistance to the surface layer.

下地層は少なくともケイ素を含む酸化物を含有する層であり、更に他の元素を有していてもよい。下地層が酸化ケイ素を含有することで、前記本化合物の部分構造(2)が脱水縮合し、下地層との間でSi-O-Si結合が形成され摩耗耐久性に優れた表面層が形成される。The underlayer is a layer containing at least an oxide containing silicon, and may further contain other elements. When the underlayer contains silicon oxide, the partial structure (2) of the compound undergoes dehydration condensation, forming Si-O-Si bonds between the underlayer and the underlayer, forming a surface layer with excellent abrasion resistance.

下地層中の酸化ケイ素の含有量は、65質量%以上であればよく、80質量%以上が好ましく、85質量%以上がより好ましく、90質量%以上が更に好ましい。酸化ケイ素の含有量が前記範囲の下限値以上であれば、下地層においてSi-O-Si結合が充分に形成され、下地層の機械特性が充分に確保される。酸化ケイ素の含有量は、他の元素の合計の含有量(酸化物の場合は酸化物換算した量)の合計を下地層の質量から除いた残部である。The silicon oxide content in the underlayer may be 65% by mass or more, preferably 80% by mass or more, more preferably 85% by mass or more, and even more preferably 90% by mass or more. If the silicon oxide content is equal to or greater than the lower limit of the above range, Si-O-Si bonds are sufficiently formed in the underlayer, and the mechanical properties of the underlayer are sufficiently ensured. The silicon oxide content is the remainder obtained by subtracting the total content of other elements (in the case of oxides, the amount converted into oxide) from the mass of the underlayer.

表面層の耐久性の点から、下地層中の酸化物は、さらに、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、白金族元素、ホウ素、アルミニウム、リン、チタン、ジルコニウム、鉄、ニッケル、クロム、モリブデン、およびタングステンより選択される1種以上の元素を含有することが好ましい。これらの元素を含有することで、下地層と前記本化合物との結合が強くなり耐摩耗性が向上する。From the viewpoint of durability of the surface layer, it is preferable that the oxide in the undercoat layer further contains one or more elements selected from alkali metal elements, alkaline earth metal elements, platinum group elements, boron, aluminum, phosphorus, titanium, zirconium, iron, nickel, chromium, molybdenum, and tungsten. By containing these elements, the bond between the undercoat layer and the compound is strengthened, improving the wear resistance.

下地層が、鉄、ニッケルおよびクロムより選択される1種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、酸化ケイ素に対する割合で10~1100質量ppmが好ましく、50~1100質量ppmがより好ましく、50~500質量ppmが更に好ましく、50~250質量ppmが特に好ましい。
下地層が、アルミニウムおよびジルコニウムより選択される1種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、10~2500質量ppmが好ましく、15~2000質量ppmがより好ましく、20~1000質量ppmが更に好ましい。
下地層が、アルカリ金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、0.05~15質量%が好ましく、0.1~13質量%がより好ましく、1.0~10質量%が更に好ましい。なお、アルカリ金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムが挙げられる。
下地層が、白金族元素を含む場合、これらの合計の含有量は、0.02質量ppm以上800質量ppm以下が好ましく、0.04質量ppm以上600質量ppm以下がより好ましく、0.7質量ppm以上200質量ppm以下がさらに好ましい。なお白金族元素としては、白金、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムが挙げられる。
下地層が、ホウ素およびリンより選択される1種以上を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、ホウ素およびリンの合計のモル濃度の比として0.003~9が好ましく、0.003~2が好ましく、0.003~0.5が更に好ましい。
下地層が、アルカリ土類金属元素を含む場合、これらの合計の含有量は、表面層の耐摩耗性の点から、ケイ素のモル濃度に対する、アルカリ土類金属元素の合計のモル濃度の比として0.005~5が好ましく、0.005~2が好ましく、0.007~2が更に好ましい。なお、アルカリ土類金属元素としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムが挙げられる。
When the underlayer contains one or more elements selected from iron, nickel, and chromium, the total content of these elements relative to silicon oxide is preferably 10 to 1100 ppm by mass, more preferably 50 to 1100 ppm by mass, still more preferably 50 to 500 ppm by mass, and particularly preferably 50 to 250 ppm by mass.
When the underlayer contains one or more elements selected from aluminum and zirconium, the total content thereof is preferably from 10 to 2500 ppm by mass, more preferably from 15 to 2000 ppm by mass, and even more preferably from 20 to 1000 ppm by mass.
When the underlayer contains an alkali metal element, the total content of the alkali metal elements is preferably 0.05 to 15 mass %, more preferably 0.1 to 13 mass %, and even more preferably 1.0 to 10 mass %. Examples of the alkali metal element include lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium.
When the underlayer contains a platinum group element, the total content of the platinum group elements is preferably 0.02 mass ppm to 800 mass ppm, more preferably 0.04 mass ppm to 600 mass ppm, and even more preferably 0.7 mass ppm to 200 mass ppm. Examples of the platinum group elements include platinum, rhodium, ruthenium, palladium, osmium, and iridium.
When the underlayer contains one or more elements selected from boron and phosphorus, the total content of these elements is, in terms of the ratio of the molar concentration of the sum of boron and phosphorus to the molar concentration of silicon, preferably 0.003 to 9, more preferably 0.003 to 2, and even more preferably 0.003 to 0.5, in terms of the abrasion resistance of the surface layer.
When the underlayer contains alkaline earth metal elements, the total content thereof, expressed as the ratio of the molar concentration of the total alkaline earth metal elements to the molar concentration of silicon, is preferably 0.005 to 5, more preferably 0.005 to 2, and even more preferably 0.007 to 2, from the viewpoint of the abrasion resistance of the surface layer. Examples of alkaline earth metal elements include lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium.

本化合物の接着性を向上し、物品の撥水撥油性および耐摩耗性の向上の点から、下地層は、アルカリ金属原子を含む酸化ケイ素層であることが好ましい。中でも当該酸化ケイ素層において、前記表面層と接する面からの深さが0.1~0.3nmの領域におけるアルカリ金属原子の濃度の平均値が、2.0×1019atoms/cm以上であることが好ましい。一方、酸化ケイ素層の機械特性を充分に確保する点から、前記アルカリ金属原子の濃度の平均値は、4.0×1022atoms/cm以下であることが好ましい。 From the viewpoint of improving the adhesiveness of the compound and improving the water/oil repellency and abrasion resistance of the article, the underlayer is preferably a silicon oxide layer containing alkali metal atoms. In particular, in the silicon oxide layer, the average concentration of alkali metal atoms in a region 0.1 to 0.3 nm deep from the surface in contact with the surface layer is preferably 2.0×10 19 atoms/cm 3 or more. On the other hand, from the viewpoint of sufficiently ensuring the mechanical properties of the silicon oxide layer, the average concentration of alkali metal atoms is preferably 4.0×10 22 atoms/cm 3 or less.

下地層の厚さは、1~200nmが好ましく、2~20nmが特に好ましい。下地層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、下地層による接着性の向上効果が充分に得られやすい。下地層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、下地層自体の耐摩耗性が高くなる。下地層の厚さを測定する方法としては、電子顕微鏡(SEM、TEM等)による下地層の断面観察による方法や、光干渉膜厚計、分光エリプソメ-タ、段差計等を用いる方法が挙げられる。The thickness of the underlayer is preferably 1 to 200 nm, and particularly preferably 2 to 20 nm. If the thickness of the underlayer is equal to or greater than the lower limit of the above range, the underlayer is likely to have a sufficient effect of improving adhesion. If the thickness of the underlayer is equal to or less than the upper limit of the above range, the underlayer itself will have high abrasion resistance. Methods for measuring the thickness of the underlayer include a method of observing the cross section of the underlayer using an electron microscope (SEM, TEM, etc.), and a method using an optical interference film thickness gauge, a spectroscopic ellipsometer, a step gauge, etc.

下地層の形成方法は、例えば、基材表面に、所望の下地層の組成を有する蒸着材料を蒸着する方法などが挙げられる。
蒸着法は一例として、真空蒸着法が挙げられる。真空蒸着法は、蒸着材料を真空槽内で蒸発させ、基材の表面に付着させる方法である。
蒸着時の温度(例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置するボ-トの温度)は、100~3000℃が好ましく、500~3000℃が特に好ましい。
蒸着時の圧力(例えば、真空蒸着装置を用いる際には、蒸着材料を設置する槽内の絶対圧は、1Pa以下が好ましく、0.1Pa以下が特に好ましい。
蒸着材料を用いて下地層を形成する場合、1つの蒸着材料を用いてもよいし、異なる元素を含む2つ以上の蒸着材料を用いてもよい。
蒸着材料の蒸発方法としては、高融点金属製の抵抗加熱用ボ-ト上で蒸着材料を溶融し、蒸発させる抵抗加熱法、電子ビ-ムを蒸着材料に照射し、蒸着材料を直接加熱して表面を溶融し、蒸発させる電子銃法等が挙げられる。蒸着材料の蒸発方法としては、局所的に加熱できるため高融点物質も蒸発できる点、電子ビ-ムが当たっていないところは低温であるため容器との反応や不純物の混入のおそれがない点から、電子銃法が好ましい。電子銃法に用いる蒸着材料としては、気流が生じても飛散しにくい点から、溶融粒状体または焼結体が好ましい。
The underlayer can be formed, for example, by depositing a deposition material having a desired composition for the underlayer on the surface of the substrate.
An example of the deposition method is a vacuum deposition method in which a deposition material is evaporated in a vacuum chamber and attached to the surface of a substrate.
The temperature during deposition (for example, the temperature of a boat in which a deposition material is placed when a vacuum deposition apparatus is used) is preferably from 100 to 3,000°C, particularly preferably from 500 to 3,000°C.
The pressure during deposition (for example, when using a vacuum deposition apparatus, the absolute pressure in a tank in which the deposition material is placed is preferably 1 Pa or less, particularly preferably 0.1 Pa or less.
When the underlayer is formed using a deposition material, one deposition material may be used, or two or more deposition materials containing different elements may be used.
Examples of methods for evaporating the deposition material include the resistance heating method, in which the deposition material is melted and evaporated on a resistance heating boat made of a high melting point metal, and the electron gun method, in which the deposition material is irradiated with an electron beam and directly heated to melt and evaporate the surface of the deposition material. The electron gun method is preferred as a method for evaporating the deposition material because it can evaporate high melting point substances because it can heat locally, and because the areas not irradiated by the electron beam are at low temperatures, there is no risk of reaction with the container or contamination with impurities. The deposition material used in the electron gun method is preferably a molten granular body or a sintered body because it is less likely to scatter even when an air current is generated.

下地層上の表面層は、前記本化合物の縮合体を含有する。本化合物の縮合体は、本化合物中の加水分解性シリル基が加水分解反応することによってシラノール基(Si-OH)が形成され、シラノール基が分子間で縮合反応してSi-O-Si結合が形成されたもの、および、本化合物中のシラノール基が下地層の表面のシラノール基またはSi-OM基(ただし、Mはアルカリ金属元素である。)と縮合反応してSi-O-Si結合が形成されたものを含む。また、表面層は本化合物以外の含フッ素化合物の縮合体を含んでいてもよい。すなわち、表面層は、反応性シリル基を有する含フッ素化合物を、含フッ素化合物の反応性シリル基の一部または全部が縮合反応した状態で含む。The surface layer on the underlayer contains a condensate of the compound. The condensate of the compound includes those in which a hydrolyzable silyl group in the compound undergoes a hydrolysis reaction to form a silanol group (Si-OH), and the silanol group undergoes a condensation reaction between molecules to form a Si-O-Si bond, and those in which a silanol group in the compound undergoes a condensation reaction with a silanol group or a Si-OM group (wherein M is an alkali metal element) on the surface of the underlayer to form a Si-O-Si bond. The surface layer may also contain a condensate of a fluorine-containing compound other than the compound. That is, the surface layer contains a fluorine-containing compound having a reactive silyl group in a state in which some or all of the reactive silyl groups of the fluorine-containing compound have undergone a condensation reaction.

表面層の厚さは、1~100nmが好ましく、1~50nmが特に好ましい。表面層の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、表面層による効果が充分に得られる。表面層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、利用効率が高い。
表面層の厚さは、薄膜解析用X線回折計で得られた厚さである。表面層の厚さは、薄膜解析用X線回折計を用いて、X線反射率法によって反射X線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。
The thickness of the surface layer is preferably 1 to 100 nm, particularly preferably 1 to 50 nm. When the thickness of the surface layer is equal to or greater than the lower limit of the above range, the effect of the surface layer is sufficiently obtained. When the thickness of the surface layer is equal to or less than the upper limit of the above range, the utilization efficiency is high.
The thickness of the surface layer is the thickness obtained by an X-ray diffractometer for thin film analysis. The thickness of the surface layer can be calculated from the vibration period of the interference pattern obtained by an X-ray reflectance method using an X-ray diffractometer for thin film analysis.

本発明の第2の物品は、基材12と、表面層22とをこの順で有する物品20であって、
前記基材がケイ素を含む酸化物を含有し、
前記表面層が、前記本化合物の縮合体を含有する。
A second article of the present invention is an article 20 having a substrate 12 and a surface layer 22 in this order,
The substrate contains an oxide containing silicon,
The surface layer contains a condensate of the present compound.

第2の物品は、基材が前記第1の物品における下地層の組成を有するため、基材に直接表面層を形成しても表面層の摩耗耐久性に優れている。
第2の物品における基材の材質は、前記下地層の組成を有するものであればよく、例えば、ガラス基材などであってもよい。基材の材質の詳細は、前記下地層の材質と同様であるため、ここでの説明は省略する。また、表面層の構成も前記第1の物品と同様であるため、ここでの説明は省略する。
In the second article, the substrate has the same composition as the undercoat layer in the first article, and therefore the surface layer has excellent abrasion resistance even when the surface layer is formed directly on the substrate.
The material of the substrate in the second article may be any material having the composition of the underlayer, for example, a glass substrate. The details of the substrate material are the same as those of the underlayer, and therefore will not be described here. The configuration of the surface layer is also the same as that of the first article, and therefore will not be described here.

[物品の製造方法]
本発明にかかる物品の製造方法は、前記含フッ素化合物、前記含フッ素化合物含有組成物、または前記コーティング液を用いて、ドライコーティング法またはウェットコーティング法により表面層を形成する方法である。
[Production method of the article]
The method for producing an article according to the present invention is a method for forming a surface layer by a dry coating method or a wet coating method using the fluorine-containing compound, the fluorine-containing compound-containing composition, or the coating liquid.

本化合物および本組成物は、ドライコーティング法にそのまま用いることができる。本化合物および本組成物は、ドライコーティング法によって密着性に優れた表面層を形成するのに好適である。ドライコーティング法としては、真空蒸着、CVD、スパッタリング等の手法が挙げられる。本化合物の分解を抑える点、および装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好適に利用できる。
真空蒸着には、鉄や鋼等の金属材料からなる金属多孔体に本化合物を担持させたペレット状物質を使用してもよい。本化合物を担持させたペレット状物質は、金属多孔体に本化合物の溶液を含浸し、乾燥して液状媒体を除去することにより製造できる。本化合物の溶液としては、本コーティング液を用いることができる。
The compound and the composition can be used as is in the dry coating method. The compound and the composition are suitable for forming a surface layer with excellent adhesion by the dry coating method. Examples of the dry coating method include vacuum deposition, CVD, sputtering, and the like. The vacuum deposition method is suitable for use in terms of suppressing the decomposition of the compound and the simplicity of the device.
For vacuum deposition, a pellet-shaped material in which the present compound is supported on a metal porous body made of a metal material such as iron or steel may be used. The pellet-shaped material in which the present compound is supported can be produced by impregnating a metal porous body with a solution of the present compound, and then drying to remove the liquid medium. The present coating liquid can be used as the solution of the present compound.

本コーティング液は、ウェットコーティング法に好適に用いることができる。ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。This coating liquid can be suitably used in wet coating methods, such as spin coating, wipe coating, spray coating, squeegee coating, dip coating, die coating, inkjet coating, flow coating, roll coating, casting, Langmuir-Blodgett coating, and gravure coating.

表面層の耐摩擦性を向上させるために、必要に応じて、本化合物と基材との反応を促進するための操作を行ってもよい。該操作としては、加熱、加湿、光照射等が挙げられる。たとえば、水分を有する大気中で表面層が形成された基材を加熱して、加水分解性基の加水分解反応、基材の表面の水酸基等とシラノール基との反応、シラノール基の縮合反応によるシロキサン結合の生成、等の反応を促進できる。
表面処理後、表面層中の化合物であって他の化合物や基材と化学結合していない化合物は、必要に応じて除去してもよい。具体的な方法としては、たとえば、表面層に溶媒をかけ流す方法、溶媒をしみ込ませた布でふき取る方法等が挙げられる。
In order to improve the abrasion resistance of the surface layer, if necessary, an operation for promoting the reaction between the present compound and the substrate may be carried out. Such an operation includes heating, humidification, light irradiation, etc. For example, the substrate on which the surface layer is formed can be heated in a humid atmosphere to promote reactions such as hydrolysis reaction of hydrolyzable groups, reaction between hydroxyl groups and silanol groups on the surface of the substrate, and formation of siloxane bonds by condensation reaction of silanol groups.
After the surface treatment, compounds in the surface layer that are not chemically bonded to other compounds or the substrate may be removed as necessary. Specific methods include, for example, pouring a solvent onto the surface layer, wiping it off with a cloth soaked in the solvent, etc.

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、例1~例7及び例10~12が実施例であり、例8~9が比較例である。また、以下において、CClFCClFをR-113、CClFCFCClCFCFをR-419、CFCHOCFCFHをAE-3000、C13HをAC-2000、CFCFCHClをAK-225と記す。 The present invention will be described in more detail below using examples, but the present invention is not limited to these examples. Examples 1 to 7 and 10 to 12 are examples, and Examples 8 to 9 are comparative examples. In the following, CCl 2 FCClF 2 will be referred to as R-113, CClF 2 CF 2 CCl 2 CF 2 CF 3 as R-419, CF 3 CH 2 OCF 2 CF 2 H as AE-3000, C 6 F 13 H as AC-2000, and CF 3 CF 2 CHCl 2 as AK-225.

[例1]化合物Iの合成
(合成例1-1)
200mLのナスフラスコに、HO-CHCFCFCFCFCH-OHの10.0g、炭酸カリウムの11.6gを入れ120℃で撹拌し、CF=CF-O-CFCFCFCH-OHの159.1gを加えて、120℃で2時間撹拌した。25℃に戻し、AC-2000の79.6gと2Nの塩酸の27.6gを入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、下記化合物(1-1)の67gを得た。
[Example 1] Synthesis of Compound I (Synthesis Example 1-1)
In a 200 mL recovery flask, 10.0 g of HO-CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH and 11.6 g of potassium carbonate were added and stirred at 120°C, and 159.1 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH was added and stirred at 120°C for 2 hours. The temperature was returned to 25°C, and 79.6 g of AC-2000 and 27.6 g of 2N hydrochloric acid were added, followed by separation and concentrating the organic phase. The resulting reaction crude liquid was purified by column chromatography to obtain 67 g of the following compound (1-1).

Figure 0007616199000017
x1+y1の平均値は12である。
Figure 0007616199000017
The average value of x1+y1 is 12.

(合成例1-2)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、合成例1-1で得た化合物(1-1)の50g、フッ化ナトリウムの粉末3.2g、AC-2000の50g、CFCFCFOCF(CF)COFの40gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(1-2)の56.9gを得た。
(Synthesis Example 1-2)
50 g of the compound (1-1) obtained in Synthesis Example 1-1, 3.2 g of sodium fluoride powder, 50 g of AC-2000, and 40 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added to a 50 mL eggplant flask connected to a reflux condenser. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 56.9 g of the following compound (1-2).

Figure 0007616199000018
x1+y1の平均値は12である。
Figure 0007616199000018
The average value of x1+y1 is 12.

(合成例1-3)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。合成例1-2で得た化合物(1-2)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(1-2):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(1-2)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(1-2)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(1-3)の28.4gを得た。
(Synthesis Example 1-3)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. A CFE-419 solution of compound (1-2) obtained in Synthesis Example 1-2 (concentration: 10% by mass, compound (1-2): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (1-2) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (1-2) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 28.4 g of compound (1-3).

Figure 0007616199000019
x1+y1の平均値は12である。
Figure 0007616199000019
The average value of x1+y1 is 12.

(合成例1-4)
50mLのナスフラスコに、合成例1-3で得た化合物(1-3)の25g、フッ化ナトリウムの1.8g、AC-2000の25mLを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの1.6gを入れ、25℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(1-4)の19.6gを得た。
(Synthesis Example 1-4)
In a 50 mL recovery flask, 25 g of the compound (1-3) obtained in Synthesis Example 1-3, 1.8 g of sodium fluoride, and 25 mL of AC-2000 were placed and stirred in an ice bath. 1.6 g of methanol was added and stirred at 25° C. for 1 hour. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 19.6 g of compound (1-4).

Figure 0007616199000020
x1+y1の平均値は12である。
Figure 0007616199000020
The average value of x1+y1 is 12.

(合成例1-5)
300mLのナスフラスコに、合成例1-4で得た化合物(1-4)の5.5gおよびHNCHCHCHSi(OCHの0.5gを入れ、6時間撹拌した。未反応物および副生物であるメタノールを減圧留去し、0.2μmメンブレンフィルターでろ過して、下記化合物Iの5.9gを得た。
(Synthesis Example 1-5)
5.5 g of the compound (1-4) obtained in Synthesis Example 1-4 and 0.5 g of H 2 NCH 2 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 ) 3 were placed in a 300 mL recovery flask and stirred for 6 hours. Unreacted materials and methanol as a by-product were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain 5.9 g of the following compound I.

Figure 0007616199000021
x1+y1の平均値は12であり、化合物Iの数平均分子量は5450である。
Figure 0007616199000021
The average value of x1+y1 is 12, and the number average molecular weight of compound I is 5,450.

[例2]化合物IIの合成
(合成例2-1)
500mLのフラスコに、HO-CHCFCFCFCH-OHの10.0gと、トリエチルアミンの23.9gと、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンの0.1gと、ジクロロメタン(CHCl)の150gを入れ、0℃で10分間撹拌した。次いで、ジクロロメタン100gに溶解させた塩化パラトルエンスルホニル22.5gをゆっくりと添加した。窒素シールを行い、0℃で5時間撹拌した。ジエチルエーテルで抽出し、減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(2-1)の10.6gを得た。
[Example 2] Synthesis of Compound II (Synthesis Example 2-1)
In a 500 mL flask, 10.0 g of HO-CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH, 23.9 g of triethylamine, 0.1 g of N,N-dimethyl-4-aminopyridine, and 150 g of dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) were placed and stirred at 0°C for 10 minutes. Then, 22.5 g of paratoluenesulfonyl chloride dissolved in 100 g of dichloromethane was slowly added. Nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 0°C for 5 hours. The mixture was extracted with diethyl ether and concentrated under reduced pressure. Then, the mixture was purified by column chromatography, and the solvent was distilled off to obtain 10.6 g of the following compound (2-1).

Figure 0007616199000022
ただし、Tsはトシル基である。
Figure 0007616199000022
Here, Ts is a tosyl group.

(合成例2-2)
500mLフラスコに、下記化合物(2a)の34.4gと、CsCOの6.6gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの5gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、合成例2-1で得られた化合物(2-1)の5gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シ-ルを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(2-2)の11.9gを得た。
(Synthesis Example 2-2)
In a 500 mL flask, 34.4 g of the following compound (2a), 6.6 g of Cs 2 CO 3 , and 5 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 5 g of the compound (2-1) obtained in Synthesis Example 2-1 in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Next, a nitrogen seal was performed, and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. Thereafter, the mixture was purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 11.9 g of the following compound (2-2) was obtained.

Figure 0007616199000023
x2の平均は7.2、y2の平均は9.2である。
Figure 0007616199000023
The average of x2 is 7.2 and the average of y2 is 9.2.

Figure 0007616199000024
Figure 0007616199000024

(合成例2-3)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、合成例2-2で得た化合物(2-2)の10g、フッ化ナトリウムの粉末0.7g、AC-2000の10g、CFCFCFOCF(CF)COFの9.3gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(2-3)の11.6gを得た。
(Synthesis Example 2-3)
In a 50 mL eggplant flask connected to a reflux condenser, 10 g of the compound (2-2) obtained in Synthesis Example 2-2, 0.7 g of sodium fluoride powder, 10 g of AC-2000, and 9.3 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 11.6 g of the following compound (2-3).

Figure 0007616199000025
Figure 0007616199000025

(合成例2-4)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。合成例2-3で得た化合物(2-3)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(2-3):20g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(2-3)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(2-3)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(2-4)の19.8gを得た。
(Synthesis Example 2-4)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. A CFE-419 solution of compound (2-3) obtained in Synthesis Example 2-3 (concentration: 10% by mass, compound (2-3): 20 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (2-3) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (2-3) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 19.8 g of compound (2-4).

Figure 0007616199000026
Figure 0007616199000026

(合成例2-5)
50mLのナスフラスコに、合成例2-4で得た化合物(2-4)の10.0gと、CsFの0.7gを入れ、80℃まで昇温しエステルの熱分解を行い、副生成物である低沸点成分を系外に除去するため80℃に保ったまま10mmHgまで減圧し、これを1時間保持して、下記化合物(2-5)の8.2gを得た。
(Synthesis Example 2-5)
In a 50 mL recovery flask, 10.0 g of the compound (2-4) obtained in Synthesis Example 2-4 and 0.7 g of CsF were placed, and the temperature was raised to 80° C. to thermally decompose the ester. In order to remove the low-boiling point components as by-products from the system, the pressure was reduced to 10 mmHg while maintaining the temperature at 80° C., and this was maintained for 1 hour to obtain 8.2 g of the following compound (2-5).

Figure 0007616199000027
Figure 0007616199000027

(合成例2-6)
反応容器に、テトラヒドロフラン1.3g、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン2.5gを混合し、0.7Mのアリルマグネシウムブロミド0.7gを滴下した。続いて、合成例2-5で得た化合物(2-5)の300gをゆっくりと滴下した後、60℃で4時間加熱した。加熱終了後、室温まで冷却し、1.2M塩酸水溶液中へ前記溶液を滴下し反応を停止させた。分液操作により、下層であるフッ素化合物層を回収後、アセトンで洗浄した。洗浄後のフッ素化合物層を再び回収し、減圧下、残存溶剤を留去することで、下記化合物(2-6)の3.8gを得た。
(Synthesis Example 2-6)
In a reaction vessel, 1.3 g of tetrahydrofuran and 2.5 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were mixed, and 0.7 g of 0.7 M allylmagnesium bromide was added dropwise. Then, 300 g of the compound (2-5) obtained in Synthesis Example 2-5 was slowly added dropwise, and the mixture was heated at 60° C. for 4 hours. After the heating was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the solution was added dropwise to a 1.2 M aqueous hydrochloric acid solution to stop the reaction. The lower layer, the fluorine compound layer, was recovered by a separation operation, and then washed with acetone. The fluorine compound layer after washing was recovered again, and the remaining solvent was distilled off under reduced pressure, to obtain 3.8 g of the following compound (2-6).

Figure 0007616199000028
Figure 0007616199000028

(合成例2-7)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(2-6)の2.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.04g、HSi(OCHの0.28g、ジメチルスルホキシドの0.02gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の2gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物IIの11.9gを得た。
(Synthesis Example 2-7)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 2.0 g of compound (2-6), 0.04 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.28 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.02 g of dimethyl sulfoxide, and 2 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 11.9 g of compound II shown below.

Figure 0007616199000029
x2+x2の平均は14.4、(y2+1)+(y2+1)の平均は20.4である。
Figure 0007616199000029
The average of x2 + x2 is 14.4, and the average of (y2 + 1) + (y2 + 1) is 20.4.

[例3]化合物IIIの合成
(合成例3-1)
200mLのナスフラスコに、エチレングリコ-ルの49.3g、炭酸ナトリウムの7g、および水の56gを入れ、120℃で撹拌し、CF=CF-O-CFCFCFCFCFCH-OHの30gを加えて、120℃で2時間撹拌した。25℃に戻し、AC-2000の150gと2Nの塩酸の150gを入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、下記化合物(3-1)の12.4gを得た。
[Example 3] Synthesis of Compound III (Synthesis Example 3-1)
49.3 g of ethylene glycol, 7 g of sodium carbonate, and 56 g of water were placed in a 200 mL recovery flask and stirred at 120° C., and 30 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH was added and stirred at 120° C. for 2 hours. The temperature was returned to 25° C., and 150 g of AC-2000 and 150 g of 2N hydrochloric acid were added, followed by separation and concentrating the organic phase. The resulting reaction crude liquid was purified by column chromatography to obtain 12.4 g of the following compound (3-1).

Figure 0007616199000030
Figure 0007616199000030

(合成例3-2)
500mLのフラスコに、前記化合物(3-1)の10gと、トリエチルアミンの11.5gと、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンの0.1gと、ジクロロメタン(CHCl)の150gを入れ、0℃で10分間撹拌した。次いで、ジクロロメタン100gに溶解させた塩化パラトルエンスルホニル10.8gをゆっくりと添加した。窒素シールを行い、0℃で5時間撹拌した。ジエチルエーテルで抽出し、減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(3-2)の8.2gを得た。
(Synthesis Example 3-2)
In a 500 mL flask, 10 g of the compound (3-1), 11.5 g of triethylamine, 0.1 g of N,N-dimethyl-4-aminopyridine, and 150 g of dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) were placed and stirred at 0° C. for 10 minutes. Then, 10.8 g of paratoluenesulfonyl chloride dissolved in 100 g of dichloromethane was slowly added. The mixture was sealed with nitrogen and stirred at 0° C. for 5 hours. The mixture was extracted with diethyl ether and concentrated under reduced pressure. The mixture was then purified by column chromatography, and the solvent was distilled off to obtain 8.2 g of the following compound (3-2).

Figure 0007616199000031
ただし、Tsはトシル基である。
Figure 0007616199000031
Here, Ts is a tosyl group.

(合成例3-3)
500mLフラスコに、下記化合物(3a)の92.3gと、CsCOの7.3gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの8gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、合成例3-2で得られた化合物(3-2)の8gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(3-3)の25.6gを得た。
(Synthesis Example 3-3)
In a 500 mL flask, 92.3 g of the following compound (3a), 7.3 g of Cs 2 CO 3 , and 8 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 8 g of the compound (3-2) obtained in Synthesis Example 3-2 in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 25.6 g of the following compound (3-3) was obtained.

Figure 0007616199000032
x3の平均は20.1、y3の平均は22.6である。
Figure 0007616199000032
The average of x3 is 20.1 and the average of y3 is 22.6.

Figure 0007616199000033
Figure 0007616199000033

(合成例3-4)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、前記化合物(3-3)の25g、フッ化ナトリウムの粉末0.8g、AC-2000の25g、CFCFCFOCF(CF)COFの9.6gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(3-4)の26.3gを得た。
(Synthesis Example 3-4)
Into a 50 mL recovery flask connected to a reflux condenser, 25 g of the compound (3-3), 0.8 g of sodium fluoride powder, 25 g of AC-2000, and 9.6 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 26.3 g of the following compound (3-4).

Figure 0007616199000034
Figure 0007616199000034

(合成例3-5)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(3-4)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(3-4):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(3-4)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(3-4)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(3-5)の24.2gを得た。
(Synthesis Example 3-5)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (3-4) (concentration: 10% by mass, compound (3-4): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (3-4) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (3-4) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally, the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 24.2 g of compound (3-5).

Figure 0007616199000035
Figure 0007616199000035

(合成例3-6)
50mLのナスフラスコに、前記化合物(3-5)の20.0g、フッ化ナトリウムの0.9g、AC-2000の20mLを入れた。窒素雰囲気下、メタノールの0.7gを加え、50℃で2時間撹拌した後、室温で終夜撹拌した。加圧ろ過器でフッ化ナトリウムを除去した後、反応混合物をエバポレータで濃縮し、化合物(3-6)の18.3gを得た。
(Synthesis Example 3-6)
In a 50 mL recovery flask, 20.0 g of the compound (3-5), 0.9 g of sodium fluoride, and 20 mL of AC-2000 were placed. Under a nitrogen atmosphere, 0.7 g of methanol was added, and the mixture was stirred at 50° C. for 2 hours and then at room temperature overnight. After removing the sodium fluoride with a pressure filter, the reaction mixture was concentrated with an evaporator to obtain 18.3 g of compound (3-6).

Figure 0007616199000036
Figure 0007616199000036

(合成例3-7)
100mLの3つ口ナスフラスコ内にて、塩化リチウムの0.18gをテトラヒドロフランの120gに溶解させた。これに化合物(3-6)の16.0gを加えて氷浴で冷却しながら、水素化ホウ素ナトリウムの2.0gをテトラヒドロフラン120gに溶解した溶液をゆっくりと滴下した。AC-2000の240gを添加し、水で1回、飽和食塩水で1回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をエバポレータで濃縮し、化合物(3-7)の14.6gを得た。
(Synthesis Example 3-7)
In a 100 mL three-necked eggplant flask, 0.18 g of lithium chloride was dissolved in 120 g of tetrahydrofuran. 16.0 g of compound (3-6) was added thereto, and while cooling in an ice bath, a solution of 2.0 g of sodium borohydride dissolved in 120 g of tetrahydrofuran was slowly added dropwise. 240 g of AC-2000 was added, and the mixture was washed once with water and once with saturated saline, and the organic phase was recovered. The recovered organic phase was concentrated with an evaporator to obtain 14.6 g of compound (3-7).

Figure 0007616199000037
Figure 0007616199000037

(合成例3-8)
100mLの2つ口ナスフラスコに、化合物(3-7)の5.5g、1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の5.5g、CFSOCl(和光純薬工業社製)の0.2gおよびトリエチルアミンの0.5gを入れ、窒素雰囲気下、室温で4時間撹拌した。反応終了後、AK-225の5.5gを加え、水および飽和食塩水で各1回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をエバポレータで濃縮し、化合物(3-8)の5.6gを得た。
(Synthesis Example 3-8)
In a 100 mL two-necked eggplant flask, 5.5 g of compound (3-7), 5.5 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.2 g of CF 3 SO 2 Cl (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and 0.5 g of triethylamine were placed and stirred for 4 hours at room temperature under a nitrogen atmosphere. After the reaction was completed, 5.5 g of AK-225 was added, washed once each with water and saturated saline, and the organic phase was recovered. The recovered organic phase was concentrated with an evaporator to obtain 5.6 g of compound (3-8).

Figure 0007616199000038
Figure 0007616199000038

(合成例3-9)
50mLのナスフラスコ内に、化合物(3-8)の5.0g、1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の5.0g、HN(CHCH=CH(東京化成工業社製)の0.5g、およびトリエチルアミンの0.1gを入れ、窒素雰囲気下、90℃で24時間撹拌した。反応終了後、AC-6000の10gを加え、水および飽和食塩水で各1回洗浄し、有機相を回収した後、カラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(3-9)の3.4gを得た。
(Synthesis Example 3-9)
In a 50 mL recovery flask, 5.0 g of compound (3-8), 5.0 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 0.5 g of HN(CH 2 CH═CH 2 ) 2 (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and 0.1 g of triethylamine were placed and stirred for 24 hours at 90° C. under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, 10 g of AC-6000 was added, and the mixture was washed once each with water and saturated saline. The organic phase was recovered and then purified by column chromatography to obtain 3.4 g of compound (3-9).

Figure 0007616199000039
Figure 0007616199000039

(合成例3-10)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(3-9)の2.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.06g、HSi(OCHの0.12g、ジメチルスルホキシドの0.01gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の2gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物IIIの2.0gを得た。
(Synthesis Example 3-10)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 2.0 g of compound (3-9), 0.06 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.12 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.01 g of dimethyl sulfoxide, and 2 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 2.0 g of the following compound III.

Figure 0007616199000040
x3+x3の平均は40.2、(y3+3)+(y3+1)の平均は49.2である。
Figure 0007616199000040
The average of x3+x3 is 40.2, and the average of (y3+3)+(y3+1) is 49.2.

[例4]化合物IVの合成
(合成例4-1)
50mLのナスフラスコに、前記合成例1-4で得た化合物(1-4)の15.0g、HN-CH-C(CHCH=CHの4.6g、4-ピロリジノピリジンの3.5g、AC-2000の7.5mLを入れ、48時間撹拌した。未反応物および副生するメタノールは減圧留去した。得られた溶液をAC-6000の10gで希釈したのち、カラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(4-1)の10.3gを得た。
[Example 4] Synthesis of Compound IV (Synthesis Example 4-1)
In a 50 mL recovery flask, 15.0 g of the compound (1-4) obtained in Synthesis Example 1-4, 4.6 g of H 2 N-CH 2 -C(CH 2 CH=CH 2 ) 3 , 3.5 g of 4-pyrrolidinopyridine, and 7.5 mL of AC-2000 were placed and stirred for 48 hours. Unreacted materials and by-product methanol were distilled off under reduced pressure. The resulting solution was diluted with 10 g of AC-6000 and purified by column chromatography to obtain 10.3 g of compound (4-1).

Figure 0007616199000041
x4+y4の平均値は14である。
Figure 0007616199000041
The average value of x4+y4 is 14.

(合成例4-2)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(4-1)の5.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.15g、HSi(OCHの0.53g、ジメチルスルホキシドの0.04gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の5gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物IVの5.4gを得た。
(Synthesis Example 4-2)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 5.0 g of compound (4-1), 0.15 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.53 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.04 g of dimethyl sulfoxide, and 5 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 5.4 g of the following compound IV.

Figure 0007616199000042
x4+y4の平均値は14である。
Figure 0007616199000042
The average value of x4+y4 is 14.

[例5]化合物Vの合成
(合成例5-1)
100mLの2つ口ナスフラスコに、前記合成例3-7で得た化合物(3-7)の5.0g、硫酸水素テトラブチルアンモニウムの0.2g、BrCHCH=CHの0.2gおよび20%水酸化カリウム水溶液の0.4gを加え、60℃で8時間撹拌した。反応終了後、AC-2000の100gを加え、希塩酸水溶液で1回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をカラムクロマトグラフィにて精製し、濃縮して、化合物(5-1)の5gを得た。
[Example 5] Synthesis of Compound V (Synthesis Example 5-1)
In a 100 mL two-necked eggplant flask, 5.0 g of the compound (3-7) obtained in Synthesis Example 3-7, 0.2 g of tetrabutylammonium hydrogen sulfate, 0.2 g of BrCH 2 CH═CH 2 , and 0.4 g of a 20% aqueous potassium hydroxide solution were added, and the mixture was stirred at 60° C. for 8 hours. After the reaction was completed, 100 g of AC-2000 was added, and the mixture was washed once with a dilute aqueous hydrochloric acid solution, and the organic phase was recovered. The recovered organic phase was purified by column chromatography and concentrated to obtain 5 g of compound (5-1).

Figure 0007616199000043
x5+x5の平均は40.2、y5a+y5bの平均は49.2である
Figure 0007616199000043
The average of x5 + x5 is 40.2, and the average of y5a + y5b is 49.2.

(合成例5-2)
還流冷却器、温度計および撹拌機を取り付けた500mLの4つ口フラスコに、化合物(5-1)の4.5g、1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン4.5g、トリアセトキシメチルシラン0.05g、トリクロロシラン0.41gを仕込み、窒素気流下、5℃で30分間撹拌した。続いて、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンのPt錯体を2%含むキシレン溶液を0.18ml加えた後、60℃まで昇温させ、この温度にて5時間撹拌した。その後、減圧下で揮発分を留去することにより、化合物(5-2)の4.4gを得た。
(Synthesis Example 5-2)
In a 500 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, 4.5 g of compound (5-1), 4.5 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, 0.05 g of triacetoxymethylsilane, and 0.41 g of trichlorosilane were charged and stirred for 30 minutes at 5° C. under a nitrogen stream. Then, 0.18 ml of a xylene solution containing 2% of a Pt complex of 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added, and the temperature was raised to 60° C. and stirred at this temperature for 5 hours. Thereafter, volatile matters were distilled off under reduced pressure to obtain 4.4 g of compound (5-2).

Figure 0007616199000044
Figure 0007616199000044

(合成例5-3)
還流冷却器、温度計および撹拌機を取り付けた100mLの4つ口フラスコに、化合物(5-2)の4.0g、AC-2000の4gを仕込み、窒素気流下、5℃で30分間撹拌した。続いて、アリルマグネシウムブロマイドを1mol/L含むジエチルエーテル溶液を2.8ml加えた後、室温まで昇温させ、この温度にて10時間撹拌した。その後、5℃まで冷却し、メタノールを5mL加えた後、室温まで昇温させて不溶物をろ過した。
続いて、減圧下で揮発分を留去した後、AC-2000で希釈し、カラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(5-3)の2.6gを得た。
(Synthesis Example 5-3)
In a 100 mL four-neck flask equipped with a reflux condenser, a thermometer, and a stirrer, 4.0 g of compound (5-2) and 4 g of AC-2000 were charged and stirred for 30 minutes at 5° C. under a nitrogen stream. Then, 2.8 mL of a diethyl ether solution containing 1 mol/L of allyl magnesium bromide was added, and the mixture was warmed to room temperature and stirred at this temperature for 10 hours. Then, the mixture was cooled to 5° C., 5 mL of methanol was added, and the mixture was warmed to room temperature and insoluble matter was filtered.
Subsequently, the volatile matter was distilled off under reduced pressure, and the residue was diluted with AC-2000 and purified by column chromatography to obtain 2.6 g of compound (5-3).

Figure 0007616199000045
Figure 0007616199000045

(合成例5-4)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(5-3)の2.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.12g、HSi(OCHの0.18g、ジメチルスルホキシドの0.02gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の2gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物Vの2.1gを得た。
(Synthesis Example 5-4)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 2.0 g of compound (5-3), 0.12 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.18 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.02 g of dimethyl sulfoxide, and 2 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 2.1 g of compound V shown below.

Figure 0007616199000046
x5+x5の平均は40.2、y5a+y5bの平均は49.2である。
Figure 0007616199000046
The average of x5+x5 is 40.2, and the average of y5a+y5b is 49.2.

[例6]化合物VIの合成
(合成例6-1)
500mLのフラスコに、HO-CHCHCHCHCHCH-OHの20.0gと、トリエチルアミンの85.6gと、N,N-ジメチル-4-アミノピリジンの2.1gと、ジクロロメタン(CHCl)の50gを入れ、0℃で10分間撹拌した。次いで、ジクロロメタン100gに溶解させた塩化パラトルエンスルホニル80.7gをゆっくりと添加した。窒素シールを行い、0℃で5時間撹拌した。ジエチルエーテルで抽出し、減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(6-1)の27.1gを得た。
[Example 6] Synthesis of Compound VI (Synthesis Example 6-1)
In a 500 mL flask, 20.0 g of HO-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -OH, 85.6 g of triethylamine, 2.1 g of N,N-dimethyl-4-aminopyridine, and 50 g of dichloromethane (CH 2 Cl 2 ) were placed and stirred at 0°C for 10 minutes. Then, 80.7 g of paratoluenesulfonyl chloride dissolved in 100 g of dichloromethane was slowly added. Nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 0°C for 5 hours. The mixture was extracted with diethyl ether and concentrated under reduced pressure. Then, the mixture was purified by column chromatography, and the solvent was distilled off to obtain 27.1 g of the following compound (6-1).

Figure 0007616199000047
ただし、Tsはトシル基である。
Figure 0007616199000047
Here, Ts is a tosyl group.

(合成例6-2)
500mLフラスコに、下記化合物(6a)の79.1gと、CsCOの7.2gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの4.5gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、化合物(6-1)の4.5gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(6-2)の26.4gを得た。
(Synthesis Example 6-2)
In a 500 mL flask, 79.1 g of the following compound (6a), 7.2 g of Cs 2 CO 3 , and 4.5 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 4.5 g of compound (6-1) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 26.4 g of the following compound (6-2) was obtained.

Figure 0007616199000048
x6の平均は17.7、y6の平均は19.3である。
Figure 0007616199000048
The average of x6 is 17.7 and the average of y6 is 19.3.

Figure 0007616199000049
Figure 0007616199000049

(合成例6-3)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、化合物(6-2)の25g、フッ化ナトリウムの粉末0.9g、AC-2000の25g、CFCFCFOCF(CF)COFの11.5gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(6-3)の26.6gを得た。
(Synthesis Example 6-3)
25 g of compound (6-2), 0.9 g of sodium fluoride powder, 25 g of AC-2000, and 11.5 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added to a 50 mL recovery flask connected to a reflux condenser. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 26.6 g of the following compound (6-3).

Figure 0007616199000050
x6+x6の平均は35.4、y6+y6の平均は38.6である。
Figure 0007616199000050
The average of x6 + x6 is 35.4, and the average of y6 + y6 is 38.6.

(合成例6-4)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(6-3)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(6-3):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(6-3)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(6-3)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(6-4)の28.4gを得た。
(Synthesis Example 6-4)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (6-3) (concentration: 10% by mass, compound (6-3): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in the compound (6-3) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of the compound (6-3) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally, the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 28.4 g of compound (6-4).

Figure 0007616199000051
Figure 0007616199000051

(合成例6-5)
50mLのナスフラスコに、化合物(6-4)の20g、フッ化ナトリウムの1g、AC-2000の20mLを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの0.8gを入れ、25℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(6-5)の18.3gを得た。
(Synthesis Example 6-5)
20 g of compound (6-4), 1 g of sodium fluoride, and 20 mL of AC-2000 were placed in a 50 mL recovery flask and stirred in an ice bath. 0.8 g of methanol was added and stirred at 25° C. for 1 hour. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 18.3 g of compound (6-5).

Figure 0007616199000052
Figure 0007616199000052

(合成例6-6)
50mLのナスフラスコに、化合物(6-5)の15g、HN-CH-C(CHCH=CHの6.6g、AC-2000の7.5mLを入れ、48時間撹拌した。
未反応物および副生するメタノールは減圧留去した。得られた溶液をAC-6000の10gで希釈したのち、カラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(6-6)の11.9gを得た。
(Synthesis Example 6-6)
Into a 50 mL recovery flask were placed 15 g of the compound (6-5), 6.6 g of H 2 N—CH 2 —C(CH 2 CH═CH 2 ) 3 , and 7.5 mL of AC-2000, and the mixture was stirred for 48 hours.
The unreacted material and by-product methanol were distilled off under reduced pressure. The resulting solution was diluted with 10 g of AC-6000 and purified by column chromatography to obtain 11.9 g of compound (6-6).

Figure 0007616199000053
Figure 0007616199000053

(合成例6-7)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(6-6)の3.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.12g、HSi(OCHの0.3g、ジメチルスルホキシドの0.01gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の3.0gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物VIの3.1gを得た。
(Synthesis Example 6-7)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 3.0 g of compound (6-6), 0.12 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.3 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.01 g of dimethyl sulfoxide, and 3.0 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 3.1 g of compound VI shown below.

Figure 0007616199000054
x6+x6の平均は35.4、(y6+1)+(y6+1)の平均は40.6である。
Figure 0007616199000054
The average of x6 + x6 is 35.4, and the average of (y6 + 1) + (y6 + 1) is 40.6.

[例7]化合物VIIの合成
(合成例7-1)
50mLのフラスコに、HOCHC(CHOCHCHCHCH=CHの20.0gと、AE-3000の60gと、2,6-ルチジンの25.8gを入れ、窒素雰囲気下、0℃で(CFSOOの84.8gを滴下した。室温まで昇温し1時間撹拌した。反応終了後、水洗して有機相を回収し、エバポレータで濃縮した。これをカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(7-1)の33.9gを得た。
[Example 7] Synthesis of Compound VII (Synthesis Example 7-1)
In a 50 mL flask, 20.0 g of HOCH 2 C(CH 2 OCH 2 CH 2 CH 2 CH═CH 2 ) 3 , 60 g of AE-3000, and 25.8 g of 2,6-lutidine were placed, and 84.8 g of (CF 3 SO 2 ) 2 O was added dropwise at 0° C. under a nitrogen atmosphere. The mixture was heated to room temperature and stirred for 1 hour. After the reaction was completed, the organic phase was recovered by washing with water and concentrated with an evaporator. This was purified by column chromatography to obtain 33.9 g of compound (7-1).

Figure 0007616199000055
ただし、TfはCFSO-を表す。
Figure 0007616199000055
Here, Tf represents CF 3 SO 2 —.

(合成例7-2)
100mLのPFA製ナスフラスコに、下記化合物(7a)の27.1g、I-CFCFCFCFCFCF-Iの2g、トリエチルアミンの0.9g、1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンの10gを入れ、窒素雰囲気下、110℃で24分還流した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(7-2)の20.8gを得た。
(Synthesis Example 7-2)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 27.1 g of the following compound (7a), 2 g of I-CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -I, 0.9 g of triethylamine, and 10 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, and the mixture was refluxed at 110° C. for 24 minutes under a nitrogen atmosphere. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, and the solvent was distilled off to obtain 20.8 g of the following compound (7-2).

Figure 0007616199000056
x7の平均は17.7、y7の平均は19.3である。
Figure 0007616199000056
The average of x7 is 17.7 and the average of y7 is 19.3.

Figure 0007616199000057
Figure 0007616199000057

(合成例7-3)
50mLのナスフラスコ内に、化合物(7-2)の10g、化合物(7-1)の2g、1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンの10g、炭酸セシウムの1.1gを入れ、窒素雰囲気下、80℃で8時間撹拌した。反応終了後、水洗して有機相を回収し、エバポレータで濃縮した。これをカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(7-3)の1gを得た。
(Synthesis Example 7-3)
In a 50 mL recovery flask, 10 g of compound (7-2), 2 g of compound (7-1), 10 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, and 1.1 g of cesium carbonate were placed and stirred at 80° C. for 8 hours under a nitrogen atmosphere. After the reaction was completed, the organic phase was recovered by washing with water and concentrated with an evaporator. This was purified by column chromatography to obtain 1 g of compound (7-3).

Figure 0007616199000058
Figure 0007616199000058

(合成例7-4)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(7-3)の2.5g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.13g、HSi(OCHの0.26g、ジメチルスルホキシドの0.01gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の2.5gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物VIIの3.12.6gを得た。
(Synthesis Example 7-4)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 2.5 g of compound (7-3), 0.13 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.26 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.01 g of dimethyl sulfoxide, and 2.5 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 3.12.6 g of compound VII shown below.

Figure 0007616199000059
Figure 0007616199000059

[例8]化合物VIIIの合成
(合成例8-1)
200mLのナスフラスコに、エチレングリコールの2.0g、炭酸カリウムの9.8gを入れ120℃で撹拌し、CF=CF-O-CFCFCFCH-OHの134.4gを加えて、120℃で2時間撹拌した。25℃に戻し、AC-2000の67.2gと2Nの塩酸の23.3gを入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、下記化合物(8-1)の54.5gを得た。
[Example 8] Synthesis of Compound VIII (Synthesis Example 8-1)
2.0 g of ethylene glycol and 9.8 g of potassium carbonate were placed in a 200 mL recovery flask and stirred at 120° C., and 134.4 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH was added and stirred at 120° C. for 2 hours. The temperature was returned to 25° C., and 67.2 g of AC-2000 and 23.3 g of 2N hydrochloric acid were added, followed by separation and concentration of the organic phase. The resulting reaction crude liquid was purified by column chromatography to obtain 54.5 g of the following compound (8-1).

Figure 0007616199000060
x8+y8の平均値は14である。
Figure 0007616199000060
The average value of x8 + y8 is 14.

(合成例8-2)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、化合物(8-1)の40.0g、フッ化ナトリウムの粉末2.6g、AC-2000の40g、CFCFCFOCF(CF)COFの33.6gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(8-2)の44.9gを得た。
(Synthesis Example 8-2)
Into a 50 mL recovery flask connected to a reflux condenser, 40.0 g of compound (8-1), 2.6 g of sodium fluoride powder, 40 g of AC-2000, and 33.6 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 44.9 g of the following compound (8-2).

Figure 0007616199000061
Figure 0007616199000061

(合成例8-3)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(8-2)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(8-2):24g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(8-2)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(8-2)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(8-3)の26.3gを得た。
(Synthesis Example 8-3)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (8-2) (concentration: 10% by mass, compound (8-2): 24 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (8-2) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (8-2) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally, the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 26.3 g of compound (8-3).

Figure 0007616199000062
Figure 0007616199000062

(合成例8-4)
50mLのナスフラスコに、合成例1-3で得た化合物(8-3)の25.0g、フッ化ナトリウムの1.9g、AC-2000の25mLを入れ、氷浴中で撹拌した。メタノールの1.5gを入れ、25℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(8-4)の20.4gを得た。
(Synthesis Example 8-4)
In a 50 mL recovery flask, 25.0 g of the compound (8-3) obtained in Synthesis Example 1-3, 1.9 g of sodium fluoride, and 25 mL of AC-2000 were placed and stirred in an ice bath. 1.5 g of methanol was added and stirred at 25° C. for 1 hour. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 20.4 g of compound (8-4).

Figure 0007616199000063
Figure 0007616199000063

(合成例8-5)
300mLのナスフラスコに、化合物(8-4)の3.0gおよびHNCHCHCHSi(OCHの1.6gを入れ、6時間撹拌した。
未反応物および副生物であるメタノールを減圧留去し、0.2μmメンブレンフィルターでろ過して、下記化合物VIIIの3.2gを得た。
(Synthesis Example 8-5)
Into a 300 mL recovery flask were placed 3.0 g of the compound (8-4) and 1.6 g of H 2 NCH 2 CH 2 CH 2 Si(OCH 3 ) 3 , and the mixture was stirred for 6 hours.
The unreacted material and the by-product methanol were distilled off under reduced pressure, and the residue was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain 3.2 g of the following compound VIII.

Figure 0007616199000064
Figure 0007616199000064

[例9]化合物IXの合成
(合成例9-1)
国際公開第2017/038832号の例7に記載の方法により下記化合物IXを合成した。
[Example 9] Synthesis of Compound IX (Synthesis Example 9-1)
The following compound IX was synthesized by the method described in Example 7 of WO 2017/038832.

Figure 0007616199000065
Figure 0007616199000065

[例10]化合物Xの合成
(合成例10-1)
500mLフラスコに、下記化合物(10a)の439.5gと、CsCOの68.7gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの500gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(6-1)の100gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(10-1)の105.8gを得た。
[Example 10] Synthesis of Compound X (Synthesis Example 10-1)
In a 500 mL flask, 439.5 g of the following compound (10a), 68.7 g of Cs 2 CO 3 , and 500 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 100 g of the compound (6-1) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 105.8 g of the following compound (10-1) was obtained.

Figure 0007616199000066
x10aの平均は7.2、y10aの平均は9.2である。
Figure 0007616199000066
The average of x10a is 7.2 and the average of y10a is 9.2.

Figure 0007616199000067
Figure 0007616199000067

(合成例10-2)
500mLフラスコに、下記化合物(10b)の136.6gと、CsCOの12.5gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの500gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(10-1)の100gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(10-2)の25.7gを得た。
(Synthesis Example 10-2)
In a 500 mL flask, 136.6 g of the following compound (10b), 12.5 g of Cs 2 CO 3 , and 500 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 100 g of the compound (10-1) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 25.7 g of the following compound (10-2) was obtained.

Figure 0007616199000068
x10bの平均は17.7、y10bの平均は19.3である。
Figure 0007616199000068
The average of x10b is 17.7 and the average of y10b is 19.3.

Figure 0007616199000069
Figure 0007616199000069

(合成例10-3)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、合成例10-2で得た化合物(10-2)の25.7g、フッ化ナトリウムの粉末1.3g、AC-2000の25.7g、CFCFCFOCF(CF)COFの15.9gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(10-3)の28.1gを得た。
(Synthesis Example 10-3)
In a 50 mL eggplant flask connected to a reflux condenser, 25.7 g of the compound (10-2) obtained in Synthesis Example 10-2, 1.3 g of sodium fluoride powder, 25.7 g of AC-2000, and 15.9 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added. The mixture was stirred for 24 hours at 50°C under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 28.1 g of the following compound (10-3).

Figure 0007616199000070
(x10a+x10b)の平均は24.9、(y10a+y10b)の平均は28.5である。
Figure 0007616199000070
The average of (x10a + x10b) is 24.9, and the average of (y10a + y10b) is 28.5.

(合成例10-4)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(10-3)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(10-3):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(10-3)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(10-3)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(10-4)の23.9gを得た。
(Synthesis Example 10-4)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (10-3) (concentration: 10% by mass, compound (10-3): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (10-3) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (10-3) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 23.9 g of compound (10-4).

Figure 0007616199000071
Figure 0007616199000071

(合成例10-5)
50mLのナスフラスコに、化合物(10-4)の10g、フッ化ナトリウムの0.7g、AC-2000の10mLを入れ、窒素雰囲気下、メタノールの0.8gを入れ、50℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(10-5)の8.8gを得た。
(Synthesis Example 10-5)
In a 50 mL recovery flask, 10 g of compound (10-4), 0.7 g of sodium fluoride, and 10 mL of AC-2000 were placed, and 0.8 g of methanol was added under a nitrogen atmosphere, followed by stirring for 1 hour at 50° C. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 8.8 g of compound (10-5).

Figure 0007616199000072
(x10a+x10b)の平均は24.9、(y10a+1)+(y10b+1)の平均は30.5である。
Figure 0007616199000072
The average of (x10a + x10b) is 24.9, and the average of (y10a + 1) + (y10b + 1) is 30.5.

(合成例10-6)
50mLのナスフラスコに、化合物(10-5)の15g、HN-CH-C(CHCH=CHの6.6g、AC-2000の7.5mLを入れ、48時間撹拌した。未反応物および副生するメタノールは減圧留去した。得られた溶液をAC-6000の10gで希釈したのち、カラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(10-6)の11.9gを得た。
(Synthesis Example 10-6)
15 g of compound (10-5), 6.6 g of H 2 N—CH 2 —C(CH 2 CH═CH 2 ) 3 , and 7.5 mL of AC-2000 were placed in a 50 mL recovery flask and stirred for 48 hours. Unreacted materials and by-product methanol were distilled off under reduced pressure. The resulting solution was diluted with 10 g of AC-6000 and purified by column chromatography to obtain 11.9 g of compound (10-6).

Figure 0007616199000073
Figure 0007616199000073

(合成例10-7)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(10-6)の3.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.12g、HSi(OCHの0.4g、ジメチルスルホキシドの0.02gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン(東京化成工業社製)の3.0gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物Xの3.2gを得た。
(Synthesis Example 10-7)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 3.0 g of compound (10-6), 0.12 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.4 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.02 g of dimethyl sulfoxide, and 3.0 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 3.2 g of the following compound X.

Figure 0007616199000074
(x10a+x10b)の平均は24.9、(y10a+1)+(y10b+1)の平均は30.5である。
Figure 0007616199000074
The average of (x10a + x10b) is 24.9, and the average of (y10a + 1) + (y10b + 1) is 30.5.

[例11]化合物XIの合成
(合成例11-1)
200mLのナスフラスコに、CF=CF-O-CFCFCFCH-OHの20g、炭酸カリウムの21.9gを入れ120℃で撹拌し、更にCF=CF-O-CFCFCFCH-OHの80gを加えて、120℃で2時間撹拌した。25℃に戻し、AC-2000と2Nの塩酸を入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、下記化合物(11-1)の29.5gを得た。
[Example 11] Synthesis of Compound XI (Synthesis Example 11-1)
20 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH and 21.9 g of potassium carbonate were placed in a 200 mL recovery flask and stirred at 120° C., and 80 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH was added and stirred for 2 hours at 120° C. The temperature was returned to 25° C., AC-2000 and 2N hydrochloric acid were added, the liquids were separated, and the organic phase was concentrated. The resulting reaction crude liquid was purified by column chromatography to obtain 29.5 g of the following compound (11-1).

Figure 0007616199000075
z11の平均は3.0である。
Figure 0007616199000075
The average of z11 is 3.0.

(合成例11-2)
500mLフラスコに、下記化合物(11a)の167.8gと、CsCOの32.1gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの40gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(6-1)の20gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(11-2)の53.4gを得た。
(Synthesis Example 11-2)
In a 500 mL flask, 167.8 g of the following compound (11a), 32.1 g of Cs 2 CO 3 , and 40 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 20 g of the above compound (6-1) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 53.4 g of the following compound (11-2) was obtained.

Figure 0007616199000076
x11の平均は7.2、y11の平均は9.2である。
Figure 0007616199000076
The average of x11 is 7.2 and the average of y11 is 9.2.

Figure 0007616199000077
Figure 0007616199000077

(合成例11-3)
500mLフラスコに、前記化合物(11-1)の41.8gと、CsCOの9.8gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの500gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(11-2)の50gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(11-3)の25.8gを得た。
(Synthesis Example 11-3)
In a 500 mL flask, 41.8 g of the compound (11-1), 9.8 g of Cs 2 CO 3 , and 500 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 50 g of the compound (11-2) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and concentrated under reduced pressure at 60° C. Thereafter, the mixture was purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 25.8 g of the following compound (11-3) was obtained.

Figure 0007616199000078
Figure 0007616199000078

(合成例11-4)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、前記化合物(11-3)の25g、フッ化ナトリウムの粉末1.0g、AC-2000の25g、CFCFCFOCF(CF)COFの13.2gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(11-4)の26.9gを得た。
(Synthesis Example 11-4)
25 g of the compound (11-3), 1.0 g of sodium fluoride powder, 25 g of AC-2000, and 13.2 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added to a 50 mL recovery flask connected to a reflux condenser. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 26.9 g of the following compound (11-4).

Figure 0007616199000079
Figure 0007616199000079

(合成例11-5)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(11-4)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(11-4):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(11-4)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(11-4)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(11-5)の26.5gを得た。
(Synthesis Example 11-5)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (11-4) (concentration: 10% by mass, compound (11-4): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (11-4) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (11-4) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally, the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 26.5 g of compound (11-5).

Figure 0007616199000080
Figure 0007616199000080

(合成例11-6)
50mLのナスフラスコに、化合物(11-5)の20g、フッ化ナトリウムの1.2g、AC-2000の20mLを入れ、窒素雰囲気下、メタノールの0.9gを入れ、50℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(11-6)の17.8gを得た。
(Synthesis Example 11-6)
In a 50 mL recovery flask, 20 g of compound (11-5), 1.2 g of sodium fluoride, and 20 mL of AC-2000 were placed, and 0.9 g of methanol was added under a nitrogen atmosphere, followed by stirring for 1 hour at 50° C. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 17.8 g of compound (11-6).

Figure 0007616199000081
Figure 0007616199000081

(合成例11-7)
100mLの3つ口ナスフラスコ内にて、塩化リチウムの0.18gをテトラヒドロフランの225gに溶解させた。これに化合物(11-6)の15.0gを加えて氷浴で冷却しながら、水素化ホウ素ナトリウムの2.65gをテトラヒドロフラン120gに溶解した溶液をゆっくりと滴下した。AC-2000の225gを添加し、水で1回、飽和食塩水で1回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をエバポレータで濃縮し、化合物(11-7)の14gを得た。
(Synthesis Example 11-7)
In a 100 mL three-necked eggplant flask, 0.18 g of lithium chloride was dissolved in 225 g of tetrahydrofuran. 15.0 g of compound (11-6) was added thereto, and while cooling in an ice bath, a solution in which 2.65 g of sodium borohydride was dissolved in 120 g of tetrahydrofuran was slowly added dropwise. 225 g of AC-2000 was added, and the mixture was washed once with water and once with saturated saline, and the organic phase was recovered. The recovered organic phase was concentrated with an evaporator, and 14 g of compound (11-7) was obtained.

Figure 0007616199000082
Figure 0007616199000082

(合成例11-8)
DiethylDiallylmalonate(60.0g)、塩化リチウム(23.7g)、水(6.5g)、ジメチルスルホキシド(263g)を加え、160℃で撹拌した。室温まで冷却した後、水を加え、酢酸エチルで抽出した。ヘキサンを有機層に加え、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去することで、下記化合物(11-8)を39.5g得た。
(Synthesis Example 11-8)
DiethylDiallylmalonate (60.0 g), lithium chloride (23.7 g), water (6.5 g), and dimethylsulfoxide (263 g) were added and stirred at 160° C. After cooling to room temperature, water was added and extracted with ethyl acetate. Hexane was added to the organic layer, which was washed with saturated saline and dried with sodium sulfate. After filtration, the solvent was distilled off to obtain 39.5 g of the following compound (11-8).

Figure 0007616199000083
Figure 0007616199000083

(合成例11-9)
THF(260mL)、ジイソプロピルアミン(29.8mL)を加えた後、溶液を-78℃まで冷却した。n-ブチルリチウムヘキサン溶液(96.6mL)を加え、0℃まで昇温した。撹拌した後、-78℃まで冷却し、リチウムジイソプロピルアミド(LDA)のTHF溶液を調製した。上記化合物(11-8)(39.5g)をTHF溶液に加え、撹拌した後、臭化アリル(24.1mL)を加えた。0℃に昇温し、1M塩酸(100mL)を加え、THFを減圧留去した。ジクロロメタンで抽出した後、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過後、溶媒を留去し、フラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、化合物(11-9)を45.0g得た。
(Synthesis Example 11-9)
After adding THF (260 mL) and diisopropylamine (29.8 mL), the solution was cooled to -78 ° C. n-Butyl lithium hexane solution (96.6 mL) was added and the temperature was raised to 0 ° C. After stirring, the mixture was cooled to -78 ° C. to prepare a THF solution of lithium diisopropylamide (LDA). The above compound (11-8) (39.5 g) was added to the THF solution, and after stirring, allyl bromide (24.1 mL) was added. The mixture was heated to 0 ° C., 1 M hydrochloric acid (100 mL) was added, and THF was distilled off under reduced pressure. After extraction with dichloromethane, sodium sulfate was added. After filtration, the solvent was distilled off, and flash column chromatography was performed to obtain 45.0 g of compound (11-9).

Figure 0007616199000084
Figure 0007616199000084

(合成例11-10)
上記化合物(11-9)(45.0g)をTHF(620mL)に溶解させ、0℃に冷却した。水素化リチウムアルミニウムのTHF溶液(104mL)を加え、撹拌した。水、15%水酸化ナトリウム水溶液を加え、室温で撹拌した後、ジクロロメタンで希釈した。ろ過後、溶媒を留去し、フラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物(11-10)を31.3g得た。
(Synthesis Example 11-10)
The above compound (11-9) (45.0 g) was dissolved in THF (620 mL) and cooled to 0° C. A THF solution (104 mL) of lithium aluminum hydride was added and stirred. Water and a 15% aqueous sodium hydroxide solution were added, and the mixture was stirred at room temperature and then diluted with dichloromethane. After filtration, the solvent was distilled off, and flash column chromatography was performed to obtain 31.3 g of the following compound (11-10).

Figure 0007616199000085
Figure 0007616199000085

(合成例11-11)
アセトニトリル(380mL)、前記化合物(11-10)(31.3g)、トリフェニルホスフィン(64.3g)、四塩化炭素(33.9g)を加え、90℃で撹拌した。濃縮後、酢酸エチル/ヘキサンを加え撹拌した。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物(11-11)を28.2g得た。
(Synthesis Example 11-11)
Acetonitrile (380 mL), the compound (11-10) (31.3 g), triphenylphosphine (64.3 g), and carbon tetrachloride (33.9 g) were added and stirred at 90° C. After concentration, ethyl acetate/hexane was added and stirred. After filtration and concentration, 28.2 g of the following compound (11-11) was obtained by distillation.

Figure 0007616199000086
Figure 0007616199000086

(合成例11-12)
マグネシウム(2.36g)にTHF(35mL)、ヨウ素(0.180g)を加えて、室温で撹拌した。前記化合物(11-11)(14.0g)のTHF(35mL)溶液を加え、2時間加熱還流することで、下記化合物(11-12)の溶液を調製した。
(Synthesis Examples 11-12)
To magnesium (2.36 g), THF (35 mL) and iodine (0.180 g) were added and stirred at room temperature. A solution of the compound (11-11) (14.0 g) in THF (35 mL) was added and heated under reflux for 2 hours to prepare a solution of the following compound (11-12).

Figure 0007616199000087
Figure 0007616199000087

(合成例11-13)
1-ブロモ-4-クロロブタン(2.9g)、1-フェニル-1-プロピン(0.20g)、CuCl(0.05g)を加え0℃で撹拌した。前記化合物(11-12)(24.0mL)を加え撹拌した。1M塩酸を加え、ジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムを加えた。ろ過、濃縮後、蒸留によって、下記化合物(11-13)を3.45g得た。
(Synthesis Examples 11 to 13)
1-Bromo-4-chlorobutane (2.9 g), 1-phenyl-1-propyne (0.20 g), and CuCl 2 (0.05 g) were added and stirred at 0° C. The compound (11-12) (24.0 mL) was added and stirred. 1M hydrochloric acid was added, and the mixture was extracted with dichloromethane, and sodium sulfate was added. After filtration and concentration, 3.45 g of the following compound (11-13) was obtained by distillation.

Figure 0007616199000088
Figure 0007616199000088

(合成例11-14)
マグネシウム(0.17g)にTHF(2.6mL)、ヨウ素(14.0mg)を加えて、室温で撹拌した。前記化合物(11-13)(1.41g)のTHF(2.6mL)溶液を加え、2時間加熱還流することで、下記化合物(11-14)の溶液(0.74M)を調製した。
(Synthesis Examples 11 to 14)
To magnesium (0.17 g), THF (2.6 mL) and iodine (14.0 mg) were added and stirred at room temperature. A solution of the compound (11-13) (1.41 g) in THF (2.6 mL) was added and heated under reflux for 2 hours to prepare a solution (0.74 M) of the following compound (11-14).

Figure 0007616199000089
Figure 0007616199000089

(合成例11-15)
CuClの0.2g、1-フェニル-1-プロピンの0.1g、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの280mL、前記化合物(11-7)の14gを加えた後、前記化合物(11-14)12mLを加えた。室温で撹拌した後、1M塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、AC-6000を加えた。DMF、MeOHで洗浄した後、フラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物(11-15)を1.5g得た。
(Synthesis Examples 11-15)
0.2 g of CuCl 2 , 0.1 g of 1-phenyl-1-propyne, 280 mL of 1,3-bistrifluoromethylbenzene, and 14 g of the compound (11-7) were added, and then 12 mL of the compound (11-14) was added. After stirring at room temperature, the mixture was washed with 1M hydrochloric acid and dried over sodium sulfate. After filtration, the solvent was distilled off, and AC-6000 was added. After washing with DMF and MeOH, flash column chromatography was performed to obtain 1.5 g of the following compound (11-15).

Figure 0007616199000090
Figure 0007616199000090

(合成例11-16)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(11-15)の1.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.06g、HSi(OCHの0.12g、ジメチルスルホキシドの0.01gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンの1.0gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物XIの1.1gを得た。
(Synthesis Examples 11-16)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 1.0 g of compound (11-15), 0.06 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.12 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.01 g of dimethyl sulfoxide, and 1.0 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 1.1 g of compound XI shown below.

Figure 0007616199000091
x11の平均は7.2、(Y11+1)の平均は22.4、Z11の平均は6.0である。
Figure 0007616199000091
The average of x11 is 7.2, the average of (Y11+1) is 22.4, and the average of Z11 is 6.0.

[例12]化合物XIIの合成
(合成例12-1)
200mLのナスフラスコに、CF=CF-O-CFCFCFCH-OHの20g、炭酸カリウムの21.9gを入れ120℃で撹拌し、更にCF=CF-O-CFCFCFCH-OHの80gを加えて、120℃で2時間撹拌した。25℃に戻し、AC-2000と2Nの塩酸を入れ、分液し、有機相を濃縮した。得られた反応粗液をカラムクロマトグラフィにて精製し、下記化合物(12-1)の29.5gを得た。
[Example 12] Synthesis of Compound XII (Synthesis Example 12-1)
20 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH and 21.9 g of potassium carbonate were placed in a 200 mL recovery flask and stirred at 120° C., and 80 g of CF 2 ═CF-O-CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 -OH was added and stirred for 2 hours at 120° C. The temperature was returned to 25° C., AC-2000 and 2N hydrochloric acid were added, the liquids were separated, and the organic phase was concentrated. The resulting reaction crude liquid was purified by column chromatography to obtain 29.5 g of the following compound (12-1).

Figure 0007616199000092
z12の平均は3.0である。
Figure 0007616199000092
The average of z12 is 3.0.

(合成例11-2)
500mLフラスコに、下記化合物(12a)の419.6gと、CsCOの80.2gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの100gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(6-1)の50gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(12-2)の124.3gを得た。
(Synthesis Example 11-2)
In a 500 mL flask, 419.6 g of the following compound (12a), 80.2 g of Cs 2 CO 3 , and 100 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 50 g of the above compound (6-1) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and then concentrated under reduced pressure at 60° C. The mixture was then purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 124.3 g of the following compound (12-2) was obtained.

Figure 0007616199000093
x12の平均は7.2、y12の平均は9.2である。
Figure 0007616199000093
The average of x12 is 7.2 and the average of y12 is 9.2.

Figure 0007616199000094
Figure 0007616199000094

(合成例12-3)
500mLフラスコに、前記化合物(12-1)の100gと、CsCOの13.1gと、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの1000gを入れ、80℃で30分撹拌した。別途、前記化合物(12-2)の100gを1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンとクロロホルムの混合溶媒(質量比2:1)30gに溶かした溶液を準備し、当該溶液を、ゆっくりと添加した。次いで、窒素シールを行い、80℃で4時間撹拌した。常温に戻し、2NのHClで反応を停止し、AC-2000および水を用いて洗浄し、抽出した後、60℃で減圧濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィにて精製し、溶媒を留去し、下記化合物(12-3)の20.8gを得た。
(Synthesis Example 12-3)
In a 500 mL flask, 100 g of the compound (12-1), 13.1 g of Cs 2 CO 3 , and 1000 g of 1,3-bistrifluoromethylbenzene were placed and stirred at 80° C. for 30 minutes. Separately, a solution was prepared by dissolving 100 g of the compound (12-2) in 30 g of a mixed solvent of 1,3-bistrifluoromethylbenzene and chloroform (mass ratio 2:1), and the solution was slowly added. Then, nitrogen sealing was performed and the mixture was stirred at 80° C. for 4 hours. The mixture was returned to room temperature, the reaction was stopped with 2N HCl, washed with AC-2000 and water, extracted, and concentrated under reduced pressure at 60° C. Thereafter, the mixture was purified by column chromatography, the solvent was distilled off, and 20.8 g of the following compound (12-3) was obtained.

Figure 0007616199000095
Figure 0007616199000095

(合成例12-4)
還流冷却器を接続した50mLのナスフラスコに、前記化合物(12-3)の25g、フッ化ナトリウムの粉末1.3g、AC-2000の25g、CFCFCFOCF(CF)COFの17gを加えた。窒素雰囲気下、50℃で24時間撹拌した。室温に冷却した後、加圧ろ過機でフッ化ナトリウム粉末を除去したあと、過剰のCFCFCFOCF(CF)COFとAC-2000を減圧留去し、下記化合物(12-4)の27.4gを得た。
(Synthesis Example 12-4)
Into a 50 mL recovery flask connected to a reflux condenser, 25 g of the compound (12-3), 1.3 g of sodium fluoride powder, 25 g of AC-2000, and 17 g of CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF were added. The mixture was stirred at 50°C for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature, the sodium fluoride powder was removed using a pressure filter, and then the excess CF 3 CF 2 CF 2 OCF (CF 3 ) COF and AC-2000 were distilled off under reduced pressure to obtain 27.4 g of the following compound (12-4).

Figure 0007616199000096
Figure 0007616199000096

(合成例12-5)
500mLのニッケル製反応器に、CFE-419の250mLを入れ、窒素ガスをバブリングした。酸素ガス濃度が充分に下がった後、窒素ガスで希釈された20体積%のフッ素ガスを1時間バブリングした。前記化合物(12-4)のCFE-419溶液(濃度:10質量%、化合物(12-4):25g)を6時間かけて投入した。フッ素ガスの導入速度(mol/時間)と化合物(12-4)中の水素原子の導入速度(mol/時間)との比が2:1になるように制御した。化合物(12-4)の投入が終わった後、ベンゼンのCFE-419溶液(濃度:0.1質量%、ベンゼン:0.1g)を断続的に投入した。ベンゼンの投入が終わった後、フッ素ガスを1時間バブリングし、最後に窒素ガスで反応容器内を充分に置換した。溶媒を留去し、化合物(12-5)の26.5gを得た。
(Synthesis Example 12-5)
250 mL of CFE-419 was placed in a 500 mL nickel reactor, and nitrogen gas was bubbled through. After the oxygen gas concentration had sufficiently decreased, 20% by volume of fluorine gas diluted with nitrogen gas was bubbled through for 1 hour. The CFE-419 solution of the compound (12-4) (concentration: 10% by mass, compound (12-4): 25 g) was added over 6 hours. The ratio of the introduction rate of fluorine gas (mol/hour) to the introduction rate of hydrogen atoms in compound (12-4) (mol/hour) was controlled to be 2:1. After the introduction of compound (12-4) was completed, a CFE-419 solution of benzene (concentration: 0.1% by mass, benzene: 0.1 g) was intermittently added. After the introduction of benzene was completed, fluorine gas was bubbled through for 1 hour, and finally the inside of the reaction vessel was fully replaced with nitrogen gas. The solvent was distilled off to obtain 26.5 g of compound (12-5).

Figure 0007616199000097
Figure 0007616199000097

(合成例12-6)
50mLのナスフラスコに、化合物(12-5)の20g、フッ化ナトリウムの1.5g、AC-2000の20mLを入れ、窒素雰囲気下、メタノールの1.2gを入れ、50℃で1時間撹拌した。ろ過した後、ろ液をカラムクロマトグラフィにて精製し、化合物(12-6)の17.5gを得た。
(Synthesis Example 12-6)
In a 50 mL recovery flask, 20 g of compound (12-5), 1.5 g of sodium fluoride, and 20 mL of AC-2000 were placed, and 1.2 g of methanol was added under a nitrogen atmosphere, followed by stirring for 1 hour at 50° C. After filtration, the filtrate was purified by column chromatography to obtain 17.5 g of compound (12-6).

Figure 0007616199000098
Figure 0007616199000098

(合成例12-7)
100mLの3つ口ナスフラスコ内にて、塩化リチウムの0.18gをテトラヒドロフランの150gに溶解させた。これに化合物(12-6)の10gを加えて氷浴で冷却しながら、水素化ホウ素ナトリウムの2.27gをテトラヒドロフラン120gに溶解した溶液をゆっくりと滴下した。AC-2000の150gを添加し、水で1回、飽和食塩水で1回洗浄し、有機相を回収した。回収した有機相をエバポレータで濃縮し、化合物(12-7)の9.5gを得た。
(Synthesis Example 12-7)
In a 100 mL three-necked eggplant flask, 0.18 g of lithium chloride was dissolved in 150 g of tetrahydrofuran. 10 g of compound (12-6) was added thereto, and while cooling in an ice bath, a solution in which 2.27 g of sodium borohydride was dissolved in 120 g of tetrahydrofuran was slowly added dropwise. 150 g of AC-2000 was added, and the mixture was washed once with water and once with saturated saline, and the organic phase was recovered. The recovered organic phase was concentrated with an evaporator to obtain 9.5 g of compound (12-7).

Figure 0007616199000099
Figure 0007616199000099

(合成例12-8)
CuClの0.1g、1-フェニル-1-プロピンの0.1g、1,3-ビストリフルオロメチルベンゼンの180mL、前記化合物(12-7)の9gを加えた後、前記化合物(11-14)9.9mLを加えた。室温で撹拌した後、1M塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去し、AC-6000を加えた。DMF、MeOHで洗浄した後、フラッシュカラムクロマトグラフィーを行うことで、下記化合物(12-8)を1.3g得た。
(Synthesis Example 12-8)
0.1 g of CuCl 2 , 0.1 g of 1-phenyl-1-propyne, 180 mL of 1,3-bistrifluoromethylbenzene, and 9 g of the compound (12-7) were added, and then 9.9 mL of the compound (11-14) was added. After stirring at room temperature, the mixture was washed with 1 M hydrochloric acid and dried over sodium sulfate. After filtration, the solvent was distilled off, and AC-6000 was added. After washing with DMF and MeOH, flash column chromatography was performed to obtain 1.3 g of the following compound (12-8).

Figure 0007616199000100
Figure 0007616199000100

(合成例12-9)
100mLのPFA製ナスフラスコに、化合物(12-8)の1.0g、白金/1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体のキシレン溶液(白金含有量:2%)の0.06g、HSi(OCHの0.15g、ジメチルスルホキシドの0.01gおよび1,3-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンの1.0gを入れ、40℃で10時間撹拌した。反応終了後、溶媒等を減圧留去し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過し、下記化合物XIIの1.1gを得た。
(Synthesis Example 12-9)
Into a 100 mL PFA recovery flask were placed 1.0 g of compound (12-8), 0.06 g of a xylene solution of platinum/1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane complex (platinum content: 2%), 0.15 g of HSi(OCH 3 ) 3 , 0.01 g of dimethyl sulfoxide, and 1.0 g of 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene, and the mixture was stirred for 10 hours at 40° C. After completion of the reaction, the solvent and the like were distilled off under reduced pressure, and the mixture was filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm to obtain 1.1 g of compound XII shown below.

Figure 0007616199000101
x12の平均は7.2、(Y12+1)の平均は22.4、Z12の平均は3.0である。
Figure 0007616199000101
The average of x12 is 7.2, the average of (Y12+1) is 22.4, and the average of Z12 is 3.0.

[物品の製造および評価]
例1~12で得た各化合物を用いて基材の表面処理を行い、表面層を有する物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法およびウェットコーティング法をそれぞれ用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表1~2に示す。
[Production and Evaluation of Articles]
The substrate was surface-treated using each of the compounds obtained in Examples 1 to 12 to obtain an article having a surface layer. As the surface treatment method, the following dry coating method and wet coating method were used in each example. Chemically strengthened glass was used as the substrate. The obtained article was evaluated by the following method. The results are shown in Tables 1 and 2.

(ドライコーティング法)
ドライコーティングは、真空蒸着装置(ULVAC社製、VTR-350M)を用いて行った(真空蒸着法)。例1~12で得た各化合物の0.5gを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を1×10-3Pa以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度10℃/分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が1nm/秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への成膜を開始させた。膜厚が約50nmとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への成膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、200℃で30分間加熱処理し、AK-225にて洗浄することによって、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
(Dry coating method)
Dry coating was performed using a vacuum deposition apparatus (ULVAC, VTR-350M) (vacuum deposition method). 0.5 g of each compound obtained in Examples 1 to 12 was loaded into a molybdenum boat in the vacuum deposition apparatus, and the vacuum deposition apparatus was evacuated to 1×10 −3 Pa or less. The boat in which the compound was placed was heated at a temperature increase rate of 10° C./min or less, and when the deposition rate measured by a quartz crystal oscillation film thickness meter exceeded 1 nm/sec, the shutter was opened to start film formation on the surface of the substrate. When the film thickness reached about 50 nm, the shutter was closed to end film formation on the surface of the substrate. The substrate on which the compound was deposited was heat-treated at 200° C. for 30 minutes and washed with AK-225 to obtain an article having a surface layer on the surface of the substrate.

(ウェットコーティング法)
例1~12で得た各化合物と、液状媒体としてのCOC(3M社製、ノベック(登録商標)7200)とを混合して、固形分濃度0.05%のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、30分間放置後、基材を引き上げた(ディップコート法)。塗膜を200℃で30分間乾燥させ、AK-225にて洗浄することによって、基材の表面に表面層を有する物品を得た。
(Wet Coating Method)
Each compound obtained in Examples 1 to 12 was mixed with C 4 F 9 OC 2 H 5 (Novec (registered trademark) 7200, manufactured by 3M) as a liquid medium to prepare a coating liquid with a solid content concentration of 0.05%. A substrate was dipped in the coating liquid, left for 30 minutes, and then pulled out (dip coating method). The coating film was dried at 200°C for 30 minutes and washed with AK-225 to obtain an article having a surface layer on the surface of the substrate.

(評価方法)
<接触角の測定方法>
表面層の表面に置いた、約2μLの蒸留水またはn-ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置(協和界面科学社製、DMo-701)を用いて測定した。表面層の表面における異なる5箇所で測定を行い、その平均値を算出した。接触角の算出には2θ法を用いた。
(Evaluation Method)
<Method for measuring contact angle>
The contact angle of about 2 μL of distilled water or n-hexadecane placed on the surface of the surface layer was measured using a contact angle measuring device (Kyowa Interface Science Co., Ltd., DMo-701). Measurements were taken at five different points on the surface of the surface layer, and the average value was calculated. The 2θ method was used to calculate the contact angle.

<初期接触角>
表面層について、初期水接触角および初期n-ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
初期水接触角:
○(良) :105度以上
△(可) :100度以上105度未満。
×(不可):100度未満。
初期n-ヘキサデカン接触角:
○(良) :63度以上
△(可) :60度以上63度未満。
×(不可):60度未満。
<Initial contact angle>
The surface layer was measured for the initial water contact angle and the initial n-hexadecane contact angle by the above-mentioned measuring method. The evaluation criteria were as follows.
Initial water contact angle:
○ (Good): 105 degrees or more △ (Fair): 100 degrees or more but less than 105 degrees.
× (unacceptable): Less than 100 degrees.
Initial n-hexadecane contact angle:
○ (Good): 63 degrees or more △ (Fair): 60 degrees or more but less than 63 degrees.
× (Not acceptable): Less than 60 degrees.

<耐摩擦性>
表面層について、JIS L0849:2013(ISO 105-X12:2001)に準拠して往復式トラバース試験機(ケイエヌテー社製)を用い、スチールウールボンスター(#0000)を圧力:49kPa、速度:320cm/分で往復させ、1000往復ごとに水接触角を測定した。表面層の水の接触角を測定した。初期接触角に対して、90%を維持していた回数を表1に示す。なお、測定は15000往復を上限として行い、15000往復後の水接触角が初期接触角の90%以上を維持していた場合には、表1中に15000と記載している。
<Abrasion resistance>
For the surface layer, a reciprocating traverse tester (manufactured by KNT Co., Ltd.) was used in accordance with JIS L0849:2013 (ISO 105-X12:2001) to measure the water contact angle every 1000 reciprocations by reciprocating steel wool Bonstar (#0000) at a pressure of 49 kPa and a speed of 320 cm/min. The water contact angle of the surface layer was measured. The number of times that the initial contact angle was maintained at 90% is shown in Table 1. The measurement was performed up to 15,000 reciprocations, and when the water contact angle after 15,000 reciprocations maintained 90% or more of the initial contact angle, it is indicated as 15,000 in Table 1.

Figure 0007616199000102
Figure 0007616199000102

化合物I~VII及び化合物X~XIIのようにポリフルオロポリエーテル鎖が、炭素数が1~4のオキシフルオロアルキレン単位からなるブロックA、炭素数が5~6のオキシフルオロアルキレン単位からなるブロックBとがA-B-Aブロックを構成し、両末端に反応性シリル基が連結している本化合物を用いた表面層は、耐摩擦性がより向上することが明らかとなった。It has been revealed that a surface layer using this compound, such as compounds I to VII and compounds X to XII, in which the polyfluoropolyether chain comprises an A-B-A block, with block A consisting of oxyfluoroalkylene units having 1 to 4 carbon atoms and block B consisting of oxyfluoroalkylene units having 5 to 6 carbon atoms, and in which reactive silyl groups are linked to both ends, has improved abrasion resistance.

本化合物を含む表面層を備えた物品は、一例として、下記の製品の部品の一部として使用される光学物品、タッチパネル、反射防止フィルム、反射防止ガラス、SiO処理ガラス、強化ガラス、サファイアガラス、石英基板、金型金属等として有用である。
製品:カーナビゲーション、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末(PDA)、ポータブルオーディオプレーヤー、カーオーディオ、ゲーム機器、眼鏡レンズ、カメラレンズ、レンズフィルター、サングラス、医療用器機(胃カメラ等)、複写機、パーソナルコンピュータ(PC)、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルディスプレイ、保護フィルム、反射防止フィルム、反射防止ガラス、ナノインプリントのテンプレート、金型等。
An article having a surface layer containing the present compound is useful as, for example, an optical article, a touch panel, an anti-reflective film, an anti-reflective glass, a SiO 2 -treated glass, a tempered glass, a sapphire glass, a quartz substrate, a mold metal, etc., which are used as parts of the following products.
Products: car navigation systems, mobile phones, digital cameras, digital video cameras, personal digital assistants (PDAs), portable audio players, car audio, game devices, eyeglass lenses, camera lenses, lens filters, sunglasses, medical equipment (gastroscopes, etc.), copiers, personal computers (PCs), liquid crystal displays, organic electroluminescence displays, plasma displays, touch panel displays, protective films, anti-reflective films, anti-reflective glass, nanoimprint templates, molds, etc.

この出願は、2020年2月14日に出願された日本出願特願2020-23320を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-23320, filed on February 14, 2020, the disclosure of which is incorporated herein in its entirety.

10:下地層付き基材、 12:基材、 14:下地層、
20:物品、 22:表面層
10: Base material with undercoat layer, 12: Base material, 14: Undercoat layer,
20: Article, 22: Surface layer

Claims (8)

下式()で表され、下式(2)中の(OR f1 k1 -(OR f3 k3 -(OR f2 k2 部分の分子量が、2,000~20,000である、含フッ素エーテル化合物。
(T) p1 -Q -(OR f1 k1 -(OR f3 k3 -(OR f2 k2 -O-Q -(T) p2 式(2)
ただし、
f1 およびR f2 は、各々独立に炭素数が1~4のフルオロアルキレン基であって、R f1 またはR f2 が複数ある場合、複数あるR f1 またはR f2 は互いに同一であっても異なっていてもよく、
f3 は、炭素数が5~6のフルオロアルキル基であって、R f3 が複数ある場合、複数あるR f3 は互いに同一であっても異なっていてもよく、
k1およびk2は、各々独立に1~200の整数であり、
k3は、1~20の整数であり、
は(1+p1)価の連結基であり、
は(1+p2)価の連結基であり、
Tは、-Si(R)3-c(L)であって、複数あるTは互いに同一であっても異なっていてもよく、
Rは、アルキル基であり、
Lは、加水分解性基または水酸基であり、各Tにおいて複数あるLは互いに同一であっても異なっていてもよく、
p1およびp2は、各々独立に1以上の整数である。
A fluorine-containing ether compound represented by the following formula ( 2 ) : wherein the (OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 portion in the formula (2) has a molecular weight of 2,000 to 20,000 .
(T) p1 -Q 1 -(OR f1 ) k1 -(OR f3 ) k3 -(OR f2 ) k2 -O-Q 2 -(T) p2 formula (2)
however,
R f1 and R f2 each independently represent a fluoroalkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and when there are a plurality of R f1s or R f2s , the plurality of R f1s or R f2s may be the same or different from each other,
R f3 is a fluoroalkyl group having 5 to 6 carbon atoms, and when there are a plurality of R f3s , the plurality of R f3s may be the same or different from each other,
k1 and k2 each independently represent an integer from 1 to 200;
k3 is an integer from 1 to 20,
Q1 is a (1+p1)-valent linking group;
Q2 is a (1+p2)-valent linking group;
T is -Si(R) 3-c (L) c , and a plurality of T's may be the same or different;
R is an alkyl group;
L is a hydrolyzable group or a hydroxyl group, and a plurality of L in each T may be the same or different.
p1 and p2 each independently represent an integer of 1 or more.
k1とk2との比(k1/k2)が0.01~200である、請求項に記載の含フッ素エーテル化合物。 2. The fluorine-containing ether compound according to claim 1 , wherein the ratio of k1 to k2 (k1/k2) is 0.01 to 200. f1およびRf2が、各々独立に炭素数が1~2のフルオロアルキル基である、請求項1又は2に記載の含フッ素エーテル化合物。 3. The fluorine-containing ether compound according to claim 1 , wherein R f1 and R f2 each independently represent a fluoroalkyl group having 1 to 2 carbon atoms. k3が1である、請求項1~3のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。 The fluorine-containing ether compound according to any one of claims 1 to 3 , wherein k3 is 1. 請求項1~のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む、含フッ素エーテル組成物。 A fluorinated ether composition comprising the fluorinated ether compound according to any one of claims 1 to 4 and another fluorinated ether compound. 請求項1~のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物、または請求項に記載の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含有する、コーティング液。 A coating liquid comprising the fluorinated ether compound according to any one of claims 1 to 4 or the fluorinated ether composition according to claim 5 , and a liquid medium. 請求項1~のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物または請求項に記載の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する、物品。 An article having a surface layer formed from the fluorinated ether compound according to any one of claims 1 to 4 or the fluorinated ether composition according to claim 5 on the surface of a substrate. 請求項1~のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物、請求項に記載の含フッ素エーテル組成物、または請求項に記載のコーティング液を用いて、ドライコーティング法またはウェットコーティング法により、表面層を形成する、物品の製造方法。 A method for producing an article, comprising forming a surface layer by a dry coating method or a wet coating method using the fluorinated ether compound according to any one of claims 1 to 4 , the fluorinated ether composition according to claim 5 , or the coating liquid according to claim 6 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2563960B2 (en) * 1988-03-05 1996-12-18 株式会社トクヤマ Fluorine-containing ether compound and method for producing the same
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CN110392711B (en) * 2017-03-27 2022-04-12 Agc株式会社 Fluorine-containing ether composition and method for producing the same
CN111057230B (en) * 2019-12-30 2022-07-15 天津市长芦化工新材料有限公司 Double-end-group perfluoropolyether silane and preparation method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018216630A1 (en) 2017-05-26 2018-11-29 Agc株式会社 Fluorine-containing ether compound, fluorine-containing ether composition, coating liquid, article and method for producing same
JP2019006969A (en) 2017-06-26 2019-01-17 信越化学工業株式会社 Thermosetting fluoropolyether adhesive composition and electric / electronic component

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