JP7616783B2 - Substrate Processing System - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理システム、及び基板処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate processing system and a substrate processing method.
特許文献1には、キャリアから複数の基板を取り出し、複数の基板を等ピッチで配列する技術が開示されている。複数の基板は、等ピッチで配列した状態で、複数の処理液に順番に浸漬され、複数の処理に順番に供される。複数の処理が実施される間、基板のピッチは変更されない。
本開示の一態様は、基板の処理液毎に、適切な基板のピッチで基板を処理する、技術を提供する。 One aspect of the present disclosure provides a technique for processing substrates at an appropriate substrate pitch for each substrate processing solution.
本開示の一態様に係る基板処理システムは、複数の基板を配列する基板配列装置と、複数の前記基板を第1ピッチで配列した状態で第1処理液に浸漬させる第1槽を含む第1液処理装置と、複数の前記基板を、前記第1ピッチとは異なる第2ピッチで配列した状態で、前記第1処理液とは異なる第2処理液に浸漬させる第2槽を含む第2液処理装置と、前記基板の反り量を測定する反り量測定装置と、を備える。前記基板配列装置は、前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する複数の保持部と、複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、前記基板の前記第1処理液への浸漬後、前記基板の前記第2処理液への浸漬前に、前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを前記第1ピッチから前記第2ピッチに変更する。前記制御部は、前記反り量測定装置の測定結果を取得し、取得した前記反り量に基づき前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを補正する。
A substrate processing system according to an aspect of the present disclosure includes a substrate alignment device that arranges a plurality of substrates, a first liquid processing device including a first tank that immerses the plurality of substrates in a first processing liquid while the substrates are arranged at a first pitch, a second liquid processing device including a second tank that immerses the plurality of substrates in a second processing liquid different from the first processing liquid while the substrates are arranged at a second pitch different from the first pitch, and a warpage measurement device that measures the amount of warpage of the substrates . The substrate alignment device includes a plurality of holding parts that are aligned in the substrate arrangement direction and hold the substrates different from each other, a moving mechanism that moves the plurality of holding parts relatively in the substrate arrangement direction, and a control unit that controls the moving mechanism. After the substrates are immersed in the first processing liquid and before the substrates are immersed in the second processing liquid, the control unit controls the moving mechanism to change the pitch of the substrates from the first pitch to the second pitch. The control unit acquires a measurement result of the warpage measurement device, and controls the moving mechanism based on the acquired amount of warpage to correct the pitch of the substrates.
本開示の一態様によれば、基板の処理液毎に、適切な基板のピッチで基板を処理できる。 According to one aspect of the present disclosure, substrates can be processed at an appropriate substrate pitch for each substrate processing solution.
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. Note that the same or corresponding configurations in each drawing are given the same reference numerals, and descriptions thereof may be omitted.
図1~図3を参照して、基板配列装置1について説明する。基板配列装置1は、複数の基板Wを等ピッチで配列する。また、基板配列装置1は、複数の基板Wを保持した状態で、基板Wのピッチを変更する。基板Wのピッチは、P0~P0×αの範囲内で変更される。αは、1よりも大きい数値である。
The
基板Wは、例えばシリコンウェハを含む。基板Wは、シリコンウェハの上に形成される膜を更に含んでもよい。膜は、例えば酸化膜、又は窒化膜などである。複数種類の膜が積層されてもよい。なお、基板Wは、シリコンウェハの代わりに、化合物半導体ウェハ、又はガラス基板を含んでもよい。 The substrate W includes, for example, a silicon wafer. The substrate W may further include a film formed on the silicon wafer. The film is, for example, an oxide film or a nitride film. Multiple types of films may be stacked. The substrate W may include, instead of a silicon wafer, a compound semiconductor wafer or a glass substrate.
図1に示すように、基板配列装置1は、複数の保持部10と、移動機構20と、制御部40と、を備える。複数の保持部10は、基板Wの配列方向(例えばY軸方向)に等ピッチで並び、互いに異なる基板Wを保持する。移動機構20は、例えば、複数の保持部10を基板Wの配列方向に相対的に移動させる。制御部40は、移動機構20を制御する。
As shown in FIG. 1, the
複数の保持部10は、それぞれ、基板Wの周縁を保持する保持溝11を有する。保持溝11は、例えば断面V字状であり、基板Wを挟んで保持する。複数の保持部10がY軸方向に相対的に移動すればよく、一の保持部10はY軸方向に移動不能に固定されてもよい。例えば、Y軸方向中央の保持部10が、Y軸方向に移動不能に固定される。
Each of the
移動機構20は、例えば、複数の支持部21と、回転軸22と、回転モータ23と、を有する。複数の支持部21は、複数の保持部10を個別に支持する。回転軸22は、複数の支持部21を個別にガイドする複数のガイド溝22aを含む。ガイド溝22aは、回転軸22の周方向に回転するほど、回転軸22の軸方向に移動する曲線である。
The
回転軸22は円筒カムであって、支持部21は円筒カムの受動節である。回転軸22の回転によって、複数の支持部21が相対的にY軸方向に移動する。一の支持部21がY軸方向に移動不能に固定される場合、ガイド溝22aの数は支持部21の数よりも少なくてもよい。
The rotating
回転モータ23は、制御部40による制御下で、回転軸22を回転させる。制御部40は、回転軸22の回転角を制御することで、保持部10のピッチを制御する。保持部10のピッチは、P0~P0×αの範囲内で変更される。保持部10のピッチは、基板Wのピッチに等しい。
The
なお、移動機構20の構成は、図1等に示す構成には限定されない。移動機構20は、複数の保持部10を基板Wの配列方向に相対的に移動させることができればよい。移動機構20は、本実施形態では複数の保持部10を等ピッチのまま基板Wの配列方向に相対的に移動させるが、本開示の技術はこれに限定されない。複数の保持部10を相対的に移動させた後に、複数の保持部10が等ピッチで並んでいればよい。また、基板Wの状態、又は基板Wの処理内容によっては、複数の保持部10は等ピッチではなく不等ピッチで並んでいてもよい。
The configuration of the
制御部40は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)41と、メモリなどの記憶媒体42とを備える。記憶媒体42には、基板配列装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部40は、記憶媒体42に記憶されたプログラムをCPU41に実行させることにより、基板配列装置1の動作を制御する。
The
制御部40は、複数の保持部10で複数の基板Wを保持した状態で、次工程の処理内容に基づき移動機構20を制御する。それゆえ、基板Wの処理毎に、適切な基板Wのピッチで基板Wを処理できる。例えば、基板Wが浸漬される処理液の種類毎に、適切な基板Wのピッチで基板Wを処理できる。
The
基板Wのピッチは、例えば、基板Wの処理均一性と、処理液の使用量とで決められる。一般的には、基板Wのピッチが広いほど、隣り合う基板Wの隙間に存在する処理液の量が多く、基板Wの処理均一性が向上する。一方、基板Wのピッチが狭いほど、処理槽の容積が小さく、処理液の使用量が少ない。 The pitch of the substrates W is determined, for example, by the processing uniformity of the substrates W and the amount of processing liquid used. In general, the wider the pitch of the substrates W, the greater the amount of processing liquid present in the gaps between adjacent substrates W, improving the processing uniformity of the substrates W. On the other hand, the narrower the pitch of the substrates W, the smaller the volume of the processing tank and the less processing liquid used.
本実施形態によれば、処理液の種類毎に、適切な基板Wのピッチで基板Wを処理できる。それゆえ、処理液の種類毎に、処理液の使用量を抑制しつつ、基板Wの処理均一性を向上できる。基板Wのピッチは、処理液の種類の他、処理液の温度又は基板Wの枚数等の処理条件等によって選択されてもよい。 According to this embodiment, the substrates W can be processed at an appropriate pitch for each type of processing liquid. Therefore, the processing uniformity of the substrates W can be improved while suppressing the amount of processing liquid used for each type of processing liquid. The pitch for the substrates W may be selected based on processing conditions such as the type of processing liquid, the temperature of the processing liquid, or the number of substrates W.
処理液の種類としては、例えば、薬液、及びリンス液が挙げられる。薬液は、例えば基板W又は基板Wの汚れをエッチングする。薬液は、特に限定されないが、例えばリン酸溶液である。なお、薬液は、DHF(希フッ酸)、BHF(フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液)、又はSC1(アンモニアと過酸化水素と水の混合液)等であってもよい。リンス液は、基板Wに残る薬液を洗い流す。リンス液は、例えばDIW(脱イオン水)である。 Types of processing liquid include, for example, a chemical liquid and a rinse liquid. The chemical liquid etches, for example, the substrate W or dirt on the substrate W. The chemical liquid is not particularly limited, but is, for example, a phosphoric acid solution. The chemical liquid may be DHF (dilute hydrofluoric acid), BHF (a mixture of hydrofluoric acid and ammonium fluoride), or SC1 (a mixture of ammonia, hydrogen peroxide, and water), etc. The rinse liquid washes away the chemical liquid remaining on the substrate W. The rinse liquid is, for example, DIW (deionized water).
基板Wが薬液に浸漬される場合、基板Wがリンス液に浸漬される場合とは異なるピッチで基板Wが配列される。例えば、薬液が基板Wの間に入り込みやすいように、基板Wのピッチが広げられる。 When the substrates W are immersed in the chemical liquid, the substrates W are arranged at a different pitch than when the substrates W are immersed in the rinse liquid. For example, the pitch of the substrates W is widened so that the chemical liquid can easily penetrate between the substrates W.
基板配列装置1は、筐体30と、カバー32と、を備える。筐体30は、移動機構20の摺動部24を収容する。摺動部24は、擦れ合いながら滑り合う部分である。摺動部24は、例えば、支持部21の端部21aと、回転軸22のガイド溝22aと、を含む。支持部21の端部21aは、回転軸22のガイド溝22aに挿入され、ガイド溝22aに沿って移動する。
The
カバー32は、筐体30の開口部31を覆い、複数の保持部10の相対的な移動に伴い伸縮する。例えば、カバー32は、ベローズである。カバー32は、Y軸方向に隣り合う支持部21の間に配置される。また、カバー32は、Y軸方向一端の支持部21と、筐体30との間に配置される。更に、カバー32は、Y軸方向他端の支持部21と、筐体30との間に配置される。
The
カバー32は、複数の保持部10の相対的な移動に伴い伸縮するので、常に、筐体30の開口部31を被覆できる。移動機構20の摺動部24にて発生するパーティクルが筐体30の開口部31から外部に放出されるのをカバー32によって制限できる。それゆえ、基板Wにパーティクルが付着するのを抑制できる。
The
基板配列装置1は、筐体30の内部の気体を排出する排気部35を備えてもよい。排気部35は、例えば、真空ポンプ等の排気源36と、排気源36と筐体30とを接続する配管37と、を有する。なお、排気源36は、基板配列装置1の外部に設けられてもよく、排気部35は配管37のみを有してもよい。
The
排気部35は、筐体30の内部の気体を排出する際に、気体と共にパーティクルを排出する。よって、移動機構20の摺動部24にて発生するパーティクルが筐体30の開口部31から外部に放出されるのを制限できる。
When exhausting gas from inside the
図3に示すように、基板配列装置1は、基板Wの配列方向であるY軸方向に等ピッチで並ぶ複数の保持部10からなる保持ユニット12を、基板Wの配列方向に直交する方向であるX軸方向に間隔をおいて複数有してもよい。複数の保持ユニット12は、図3ではX軸方向に間隔をおいて配置され且つ基板Wの下側に配置されるが、Z軸方向に間隔をおいて配置され且つ基板Wの上下両側に配置されてもよい。
As shown in FIG. 3, the
複数の基板Wは、水平方向に等ピッチで配列され、それぞれ、複数の保持ユニット12によって鉛直に保持される。一の基板Wを複数点で保持するので、基板Wを安定的に保持しつつ、基板Wと保持部10との接触を制限でき、基板Wの汚染及び損傷を抑制できる。
The multiple substrates W are arranged at equal pitch in the horizontal direction, and are each held vertically by multiple holding
なお、図12及び図13に示すように、複数の基板Wは、鉛直方向に等ピッチで配列され、それぞれ、複数の保持ユニット12によって水平に保持されてもよい。この場合も、一の基板Wを複数点で保持するので、基板Wを安定的に保持しつつ、基板Wと保持部10との接触を制限でき、基板Wの汚染及び損傷を抑制できる。
As shown in Figures 12 and 13, multiple substrates W may be arranged at equal pitch in the vertical direction and each may be held horizontally by multiple holding
図4に示すように、基板配列装置1は、更に、複数の第2保持部15と、第2移動機構25と、を備えてもよい。複数の第2保持部15は、基板Wの配列方向に等ピッチで並び、互いに異なる基板Wを保持する。第2保持部15は、保持部10と同様に構成される。第2移動機構25は、複数の第2保持部15を基板Wの配列方向に相対的に移動させる。第2移動機構25は、移動機構20と同様に構成される。移動機構20と第2移動機構25とは、保持部10のピッチと第2保持部15のピッチとを同一のピッチに維持しつつ、保持部10のピッチと第2保持部15のピッチを同時に変更する。
As shown in FIG. 4, the
保持部10と第2保持部15とは、交互に基板Wを保持する。例えば、第2保持部15で保持される基板W-2は、隣り合う保持部10で保持される基板W-1の間に配置される。また、保持部10で保持される基板W-1は、隣り合う第2保持部15で保持される基板W-2の間に配置される。
The
保持部10と第2保持部15とが交互に基板Wを保持すれば、保持部10のピッチ、及び第2保持部15のピッチが基板Wのピッチの2倍以上(図4では2倍)に広がる。保持部10のピッチは移動機構20の構造上の制約で下限値を有するが、その下限値よりも狭いピッチで基板Wを配列できる。
When the
図示しないが、基板配列装置1は、複数の第3保持部と、第3移動機構と、を更に備えてもよい。複数の第3保持部は、基板Wの配列方向に並び、互いに異なる基板Wを保持する。第3保持部は、保持部10と同様に構成される。第3移動機構は、複数の第3保持部を基板Wの配列方向に相対的に移動させる。第3移動機構は、移動機構20と同様に構成される。
Although not shown, the
保持部10と、第2保持部15と、第3保持部とは、所望の順番で基板Wを保持することを繰り返す。この場合、保持部10のピッチ、第2保持部15のピッチ、第3保持部のピッチが基板Wのピッチの3倍になる。
The holding
次に、図1等に示す基板配列装置1が搭載される基板処理システム2について、図5を参照して説明する。基板処理システム2は、搬入出部5と、インターフェース部6と、処理部7と、を備える。搬入出部5は、複数の基板Wを収容したキャリアCが搬入出されるものである。インターフェース部6は、搬入出部5と処理部7とを接続する。処理部7は、複数の基板Wを一括で処理する。一括で処理される複数の基板Wを、ロットLTとも呼ぶ。
Next, the
搬入出部5は、キャリアCを載置する載置台51を有する。キャリアCは、複数枚(例えば25枚)の基板Wを収容し、搬入出部5に対して搬入出される。載置台51には、複数のキャリアCが載置される。なお、キャリアCの載置数は、特に限定されない。
The loading/
インターフェース部6は、搬送装置61と、ロット形成装置62と、ロット解除装置63と、を備える。搬送装置61は、キャリアCから複数の基板Wを受け取り、受け取った基板Wをロット形成装置62に搬送する。また、搬送装置61は、ロット解除装置63から複数の基板Wを受け取り、受け取った基板WをキャリアCに収容する。
The
ロット形成装置62は、搬送装置61から受け取った複数枚(例えば50枚)の基板Wを等ピッチで配列し、ロットLTを形成する。一方、ロット解除装置63は、処理部7で処理された複数枚(例えば50枚)の基板Wを等ピッチで配列し、基板Wを搬送装置61に渡してロットLTを解除する。
The
処理部7は、X軸方向に延びる搬送領域71を有する。搬送領域71には、搬送装置72が設けられる。搬送装置72は、複数の基板Wを等ピッチで保持する搬送アーム72aを有する。搬送アーム72aは、水平方向(X軸方向及びY軸方向)に移動する。搬送アーム72aは、搬送領域71に隣接する装置同士の間で基板Wを搬送する。
The
搬送アーム72aは、基板Wの周縁を保持する保持溝(不図示)を、基板Wの配列方向に複数有する。保持溝は、第1ピッチP1と、第1ピッチP1とは異なる第2ピッチP2の両方で配列される。それゆえ、搬送アーム72aは、複数枚の基板Wを第1ピッチP1で保持することも、第2ピッチP2で保持することも可能である。搬送アーム72aの本数は、2本には限定されず、1本又は3本以上であってもよい。
The
処理部7は、搬送領域71の隣に、例えば、乾燥装置73と、液処理ユニット74と、基板配列装置1と、を含む。乾燥装置73は、複数の基板Wを乾燥する。液処理ユニット74は複数設けられ、いずれかの液処理ユニット74によってロットLTが処理される。液処理ユニット74は、本実施形態では複数設けられるが、1つ設けられてもよい。液処理ユニット74は、第1液処理装置75と、第2液処理装置76と、を有する。
The
図6に示すように、第1液処理装置75は、複数の基板Wを第1処理液L1に浸漬する。第1処理液L1は、例えばリン酸溶液等の薬液である。第1液処理装置75は、第1槽75aと、第1昇降装置75bとを含む。第1槽75aは、第1処理液L1を貯留する。第1昇降装置75bは、複数の基板Wを等ピッチで配列した状態で、第1槽75aに貯留した第1処理液L1に浸漬する位置と、第1槽75aに貯留した第1処理液L1から引き上げる位置との間で昇降させる。
As shown in FIG. 6, the first
第1昇降装置75bは、複数の基板Wを等ピッチで保持する昇降アーム75cを有する。昇降アーム75cは、基板Wの周縁を保持する保持溝75dを、基板Wの配列方向に第1ピッチP1で有する。それゆえ、昇降アーム75cは、複数枚の基板Wを第1ピッチP1で配列できる。昇降アーム75cの本数は、2本には限定されず、1本又は3本以上であってもよい。
The
図7に示すように、第2液処理装置76は、複数の基板Wを第2処理液L2に浸漬する。第2処理液L2は、例えばDIW(脱イオン水)等のリンス液である。第2液処理装置76は、第1液処理装置75と同様に、第2槽76aと、第2昇降装置76bとを含む。第2槽76aは、第2処理液L2を貯留する。第2昇降装置76bは、複数の基板Wを等ピッチで配列した状態で、第2槽76aに貯留した第2処理液L2に浸漬する位置と、第2槽76aに貯留した第2処理液L2から引き上げる位置との間で昇降させる。
As shown in FIG. 7, the second
第2昇降装置76bは、複数の基板Wを等ピッチで保持する昇降アーム76cを有する。昇降アーム76cは、基板Wの周縁を保持する保持溝76dを、基板Wの配列方向に第2ピッチP2で有する。それゆえ、昇降アーム76cは、複数枚の基板Wを第2ピッチP2で配列できる。昇降アーム76cの本数は、2本には限定されず、1本又は3本以上であってもよい。
The
基板配列装置1は、基板Wの第1処理液L1への浸漬後、基板Wの第2処理液L2への浸漬前に、基板Wのピッチを第1ピッチP1から第2ピッチP2に変更する。基板配列装置1は、複数の液処理ユニット74に共通のものであって、一の液処理ユニット74に隣接して配置される。液処理ユニット74毎に基板配列装置1が設けられる場合に比べて、基板配列装置1の数を低減でき、基板処理システム2を小型化できる。
The
制御装置9は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)91と、メモリなどの記憶媒体92とを備える。記憶媒体92には、基板処理システム2において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置9は、記憶媒体92に記憶されたプログラムをCPU91に実行させることにより、基板処理システム2の動作を制御する。制御装置9は、基板配列装置1の制御部40を含んでもよい。
The
次に、基板処理システム2の動作について説明する。先ず、キャリアCが、複数(例えば25枚)の基板Wを収容した状態で、搬入出部5に搬入され、載置台51に載置される。次に、インターフェース部6の搬送装置61が、キャリアCから複数の基板Wを取り出し、取り出した基板Wをロット形成装置62に搬送する。
Next, the operation of the
次に、ロット形成装置62が、搬送装置61から受け取った複数枚(例えば50枚)の基板Wを等ピッチで配列し、ロットLTを形成する。その後、処理部7の搬送装置72が、ロット形成装置62からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTを第1液処理装置75に搬送する。
Next, the
次に、第1液処理装置75が、搬送装置72からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTを第1処理液L1に浸漬する。第1処理液L1中で、複数枚の基板Wは、第1ピッチP1で配列される。その後、第1液処理装置75は、第1処理液L1からロットLTを引き上げ、引き上げたロットLTを搬送装置72に渡す。続いて、搬送装置72は、受け取ったロットLTを基板配列装置1に搬送する。
Next, the first
次に、基板配列装置1が、搬送装置72からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTの基板Wのピッチを、第1ピッチP1から第2ピッチP2に変更する。その後、搬送装置72は、基板配列装置1からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTを第2液処理装置76に搬送する。
Next, the
次に、第2液処理装置76が、搬送装置72からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTを第2処理液L2に浸漬する。第2処理液L2中で、複数枚の基板Wは、第2ピッチP2で配列される。その後、第2液処理装置は、第2処理液L2からロットLTを引き上げ、引き上げたロットLTを搬送装置72に渡す。続いて、搬送装置72は、受け取ったロットLTを乾燥装置73に搬送する。
The second
次に、乾燥装置73が、搬送装置72からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTを乾燥する。その後、搬送装置72は、乾燥装置73からロットLTを受け取り、受け取ったロットLTをロット解除装置63に搬送する。
Next, the drying
次に、ロット解除装置63は、搬送装置72からロットLTを受け取り、複数枚の基板Wを第2ピッチP2で配列する。その後、インターフェース部6の搬送装置61が、ロット解除装置63から複数枚の基板Wを受け取り、受け取った基板WをキャリアCに収容する。その後、キャリアCが搬入出部5から搬出される。
Next, the
次に、図8を参照して、第1変形例に係る基板処理システム2について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。本変形例では、基板配列装置1は、液処理ユニット74毎に設けられ、第1液処理装置75と第2液処理装置76との間に配置される。本変形例によれば、第1液処理装置75と基板配列装置1と第2液処理装置76とが基板Wの処理の順番で並ぶ。従って、基板Wの搬送経路を短縮でき、スループットを向上できる。
Next, a
次に、図9を参照して、第2変形例に係る基板処理システム2について説明する。以下、本変形例と上記実施形態等との相違点について主に説明する。本変形例では、搬送装置72が基板配列装置1を有する。搬送装置72は、図5等に示す搬送アーム72aに代えて、図1等に示す複数の保持部10と移動機構20とを含む。
Next, a
搬送装置72は、基板配列装置1を有するので、複数の基板Wを保持した状態で基板Wのピッチを変更でき、基板Wの搬送の途中で基板Wのピッチを変更できる。それゆえ、搬送装置72と基板配列装置1とが別々に設けられる場合とは異なり、搬送装置72と基板配列装置1との間で基板Wを受け渡す動作が不要になる。従って、スループットを向上できる。
Since the
次に、図10を参照して、第3変形例に係る基板処理システム2について説明する。以下、本変形例と上記実施形態等との相違点について主に説明する。本変形例では、基板処理システム2が反り量測定装置64を有する。反り量測定装置64は、例えばインターフェース部6に設けられる。
Next, a
反り量測定装置64は、基板Wの反り量WA(図11参照)を測定する。反り量測定装置64は、ロットLTを構成する複数枚の基板Wを、全数検査してもよいし、抜き取り検査してもよい。基板Wのピッチが一定である場合、図11から明らかなように、反り量WAが大きいほど、隣り合う基板Wの間を通過する処理液の流れFの幅FWが小さくなる。 The warpage measuring device 64 measures the warpage WA (see FIG. 11) of the substrate W. The warpage measuring device 64 may inspect all of the substrates W that make up a lot LT, or may inspect selected substrates. When the pitch of the substrates W is constant, as is clear from FIG. 11, the greater the warpage WA, the smaller the width FW of the flow F of the processing liquid passing between adjacent substrates W.
隣り合う基板Wは、電子回路などのデバイスが形成される面同士が向かい合うように配列される。それゆえ、隣り合う基板Wは、図11(A)に示すように、凸曲面同士が向かい合うように配列される。あるいは、隣り合う基板Wは、凹曲面同士が向かい合うように配列されてもよい。 Adjacent substrates W are arranged so that the surfaces on which devices such as electronic circuits are formed face each other. Therefore, adjacent substrates W are arranged so that the convex curved surfaces face each other, as shown in FIG. 11(A). Alternatively, adjacent substrates W may be arranged so that the concave curved surfaces face each other.
なお、隣り合う基板Wは、デバイスが形成される面が同じ向きになるように配列されてもよい。それゆえ、隣り合う基板Wは、図11(B)に示すように、凸曲面と凹曲面とが向かい合うように配列されてもよい。 In addition, adjacent substrates W may be arranged so that the surfaces on which devices are formed face the same direction. Therefore, adjacent substrates W may be arranged so that the convex curved surface and the concave curved surface face each other, as shown in FIG. 11(B).
基板配列装置1の制御部40は、反り量測定装置64の測定結果を取得し、取得した反り量WAに基づき移動機構20を制御し、基板Wのピッチを補正する。例えば、反り量WAが大きいほど、基板Wのピッチが大きく設定される。その結果、流れFの幅FWを所望の幅に調整でき、基板Wの処理均一性を向上できる。
The
本変形例では、第1液処理装置75が、基板配列装置1を有する。第1液処理装置75は、図6に示す昇降アーム75cに代えて、図1等に示す複数の保持部10と移動機構20とを含む。
In this modified example, the first
第1液処理装置75は、基板配列装置1を有するので、第1処理液L1中にて、反り量WAに応じたピッチで基板Wを配列できる。反り量WAがゼロである場合、第1処理液L1中にて基板Wは第1ピッチP1で配列される。第1ピッチP1が基準のピッチであり、反り量WAに応じた適切なピッチへの補正が行われる。その結果、第1処理液L1の流れFの幅FWを所望の幅にでき、基板Wの処理均一性を向上できる。
The first
基板配列装置1が第1処理液L1中に浸漬される間、制御部40は排気部35による排気を禁止してもよい。筐体30の内部が負圧になるのを禁止でき、カバー32と筐体30の隙間から筐体30の内部に第1処理液L1が引き込まれるのを防止できる。制御部40は、基板配列装置1が第1処理液L1から引き上げられた状態で、排気部35による排気を実施すればよい。
While the
但し、カバー32が筐体30の内部を完全に密閉できる場合には、基板配列装置1が第1処理液L1中に浸漬される間、制御部40は排気部35による排気を禁止しなくてもよい。
However, if the
ところで、本変形例では、上記第2変形例と同様に、搬送装置72も基板配列装置1を有するが、有しなくてもよい。第1液処理装置75が基板配列装置1を有すればよい。この場合、第1液処理装置75は、基板Wを搬送装置72から受け取った後であって、基板Wを第1処理液L1に浸漬する前に、基板Wのピッチを反り量WAに応じたピッチに補正する。また、この場合、第1液処理装置75は、基板Wを第1処理液L1から引き上げた後であって、基板Wを搬送装置72に渡す前に、基板Wのピッチを補正前のピッチに戻す。
In this modification, like the second modification, the
なお、本変形例の第2液処理装置76は、基板配列装置1を有しないが、基板配列装置1を有してもよい。後者の場合、第2液処理装置76は、図7に示す昇降アーム76cに代えて、図1等に示す複数の保持部10と移動機構20とを含む。第2液処理装置76は、基板配列装置1を有するので、第2処理液L2中にて、反り量WAに応じたピッチで基板Wを配列できる。反り量WAがゼロである場合、第2処理液L2中にて基板Wは第2ピッチP2で配列される。第2ピッチP2が基準のピッチであり、反り量WAに応じた適切なピッチへの補正が行われる。その結果、第2処理液L2の流れFの幅FWを所望の幅にでき、基板Wの処理均一性を向上できる。
The second
以上、本開示に係る基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although the embodiments of the substrate alignment device, transport device, substrate processing system, and substrate processing method according to the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above-mentioned embodiments. Various changes, modifications, substitutions, additions, deletions, and combinations are possible within the scope of the claims. Naturally, these also fall within the technical scope of the present disclosure.
本出願は、2020年4月15日に日本国特許庁に出願した特願2020-073095号に基づく優先権を主張するものであり、特願2020-073095号の全内容を本出願に援用する。 This application claims priority based on Patent Application No. 2020-073095, filed with the Japan Patent Office on April 15, 2020, and the entire contents of Patent Application No. 2020-073095 are incorporated herein by reference.
1 基板配列装置
10 保持部
20 移動機構
40 制御部
W 基板
1
Claims (10)
複数の前記基板を第1ピッチで配列した状態で第1処理液に浸漬させる第1槽を含む第1液処理装置と、
複数の前記基板を、前記第1ピッチとは異なる第2ピッチで配列した状態で、前記第1処理液とは異なる第2処理液に浸漬させる第2槽を含む第2液処理装置と、
前記基板の反り量を測定する反り量測定装置と、
を備え、
前記基板配列装置は、前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する複数の保持部と、複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる移動機構と、前記移動機構を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の前記第1処理液への浸漬後、前記基板の前記第2処理液への浸漬前に、前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを前記第1ピッチから前記第2ピッチに変更し、
前記制御部は、前記反り量測定装置の測定結果を取得し、取得した前記反り量に基づき前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを補正する、基板処理システム。 a substrate arranging device for arranging a plurality of substrates;
a first liquid processing apparatus including a first tank for immersing the plurality of substrates arranged at a first pitch in a first processing liquid;
a second liquid processing device including a second tank for immersing the plurality of substrates in a second processing liquid different from the first processing liquid while the substrates are arranged at a second pitch different from the first pitch;
a warpage measuring device for measuring the warpage of the substrate;
Equipped with
the substrate arranging device includes a plurality of holding units arranged in an arrangement direction of the substrates and holding different substrates from each other, a moving mechanism that moves the plurality of holding units relatively in the arrangement direction of the substrates, and a control unit that controls the moving mechanism;
the control unit controls the moving mechanism after the substrate is immersed in the first processing liquid and before the substrate is immersed in the second processing liquid to change a pitch of the substrate from the first pitch to the second pitch ;
The control unit acquires a measurement result of the warpage amount measuring device, controls the moving mechanism based on the acquired warpage amount, and corrects a pitch of the substrate .
前記第1ピッチは、前記第2ピッチよりも大きい、請求項1に記載の基板処理システム。 the first processing liquid is a chemical liquid, and the second processing liquid is a rinse liquid that washes away the chemical liquid remaining on the substrate,
The substrate processing system of claim 1 , wherein the first pitch is greater than the second pitch.
前記リンス液は、脱イオン水である、請求項2に記載の基板処理システム。 the chemical solution is an etching solution that etches the substrate or dirt on the substrate,
The substrate processing system of claim 2 , wherein the rinsing liquid is deionized water.
前記搬送装置は、前記基板配列装置を有する、請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理システム。 a transfer device that transfers a plurality of the substrates to the first liquid treatment device and the second liquid treatment device,
The substrate processing system according to any one of claims 1 to 3, wherein the transport device comprises the substrate alignment device.
前記第1液処理装置と前記第2液処理装置とを含む液処理ユニットが複数設けられ、
前記基板配列装置は、前記液処理ユニット毎に、前記第1液処理装置と前記第2液処理装置との間に配置される、請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理システム。 a transfer device that transfers a plurality of the substrates to the first liquid treatment device, the second liquid treatment device, and the substrate arrangement device;
a plurality of liquid processing units each including the first liquid processing device and the second liquid processing device are provided;
4. The substrate processing system according to claim 1, wherein the substrate aligning device is disposed between the first liquid processing device and the second liquid processing device for each of the liquid processing units.
前記第1液処理装置と前記第2液処理装置とを含む液処理ユニットが複数設けられ、
前記基板配列装置は、複数の液処理ユニットに共通のものであって、一の前記液処理ユニットに隣接して配置される、請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理システム。 a transfer device that transfers a plurality of the substrates to the first liquid treatment device, the second liquid treatment device, and the substrate arrangement device;
a plurality of liquid processing units each including the first liquid processing device and the second liquid processing device are provided;
4. The substrate processing system according to claim 1, wherein the substrate aligning device is common to a plurality of liquid processing units and is disposed adjacent to one of the liquid processing units.
前記保持部と前記第2保持部とは、交互に前記基板を保持する、請求項1~8のいずれか1項に記載の基板処理システム。 the substrate aligning device includes a plurality of second holding units arranged in an alignment direction of the substrates and holding different substrates from each other, and a second moving mechanism that relatively moves the plurality of second holding units in the alignment direction of the substrates;
9. The substrate processing system according to claim 1, wherein the holding part and the second holding part alternately hold the substrates.
複数の前記基板は、水平方向に配列され、それぞれ、複数の前記保持ユニットによって鉛直に保持される、請求項1~9のいずれか1項に記載の基板処理システム。
the substrate aligning device has a plurality of holding units, each of which is composed of a plurality of the holding parts aligned in a substrate aligning direction, spaced apart in a direction perpendicular to the substrate aligning direction;
10. The substrate processing system according to claim 1, wherein the plurality of substrates are arranged in a horizontal direction and are held vertically by the plurality of holding units, respectively.
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