JP7619792B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
Substrate Processing Equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP7619792B2 JP7619792B2 JP2020206034A JP2020206034A JP7619792B2 JP 7619792 B2 JP7619792 B2 JP 7619792B2 JP 2020206034 A JP2020206034 A JP 2020206034A JP 2020206034 A JP2020206034 A JP 2020206034A JP 7619792 B2 JP7619792 B2 JP 7619792B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- processing apparatus
- substrate
- mounting member
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 182
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 170
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 126
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 55
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 39
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 239000003251 chemically resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本願は、基板処理装置に関する。 This application relates to a substrate processing apparatus.
従来から、基板を洗浄液に浸漬させた上で洗浄液を超音波振動させることで、基板を洗浄する基板洗浄装置が提案されている(例えば特許文献1)。この基板洗浄装置では、洗浄液を貯留する洗浄槽内に超音波振動子が設けられている。超音波振動子は洗浄液に浸漬されており、洗浄液中において、基板と離れて設けられる。超音波振動子は洗浄液を振動させてキャビテーションを発生させ、当該キャビテーションを基板に作用させる。これにより、基板に対する洗浄効果を高めることができる。 Conventionally, substrate cleaning apparatuses have been proposed that clean substrates by immersing the substrates in a cleaning liquid and ultrasonically vibrating the cleaning liquid (for example, Patent Document 1). In this substrate cleaning apparatus, an ultrasonic vibrator is provided in a cleaning tank that stores the cleaning liquid. The ultrasonic vibrator is immersed in the cleaning liquid and is provided in the cleaning liquid at a distance from the substrate. The ultrasonic vibrator vibrates the cleaning liquid to generate cavitation, which is then applied to the substrate. This can improve the cleaning effect on the substrate.
ところで、近年、複雑な3次元構造を有する基板が登場している。例えば、MEMS(微小電気機械システム)デバイスは高性能化に伴って、デバイスの微細化、積層化および3次元化が進行している。当該デバイスの製造途中の基板の表面には3次元構造が形成され、当該3次元構造の内部には空間が形成され得る。 In recent years, substrates with complex three-dimensional structures have appeared. For example, as MEMS (microelectromechanical systems) devices become more sophisticated, they are becoming more miniaturized, layered, and three-dimensional. A three-dimensional structure is formed on the surface of the substrate during the manufacture of the device, and a space may be formed inside the three-dimensional structure.
このような基板に対して特許文献1の基板洗浄装置を適用すると、キャビテーションにより3次元構造が倒壊するおそれがある。 If the substrate cleaning device of Patent Document 1 is applied to such a substrate, there is a risk that the three-dimensional structure will collapse due to cavitation.
これに対して、キャビテーションを利用しない基板処理装置も提案されている(例えば特許文献2)。特許文献2には、複数の基板に対して一括して処理を行うバッチ式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、処理液が貯留される貯留槽を含む。貯留槽には、複数の基板を収容したキャリアが搬入される。キャリが処理液に浸漬することにより、処理液が複数の基板に作用し、処理液に応じた処理が複数の基板に対して一括して行われる。
In response to this, substrate processing apparatuses that do not utilize cavitation have also been proposed (for example, Patent Document 2).
しかしながら、特許文献2に記載の技術では、基板の3次元構造の内部空間に処理液が入り込むと、内部空間が狭いために処理液が内部空間に滞留しやすい。よって、内部空間において古い処理液が新しい処理液に置換されにくく、基板に対する処理が不十分になるおそれがある。
However, with the technology described in
そこで、本願は、より適切に複数の基板に対して一括して処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present application aims to provide a substrate processing apparatus that can more appropriately process multiple substrates at the same time.
基板処理装置の第1の態様は、複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する貯留槽と、前記貯留槽内に処理液を供給する供給管と、一対の支持脚を有し、複数の基板を起立姿勢で収容し、底部に開口部を備えるキャリアが前記貯留槽内の処理液に浸漬した状態で載置され、前記キャリアに当接する当接部材を有する載置部材と、前記載置部材に設けられる振動子とを備え、前記供給管は前記載置部材の下方に配置され、前記貯留槽の上方に向けて処理液を供給し、前記当接部材は、平面視において前記開口部が閉塞されないように、前記キャリアの下方にある前記支持脚の端部に当接する。
A first aspect of a substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates simultaneously, comprising: a storage tank for storing a processing liquid; a supply pipe for supplying the processing liquid into the storage tank; a mounting member having a pair of support legs, for storing a plurality of substrates in an upright position, and having an opening at its bottom, on which a carrier is placed while immersed in the processing liquid in the storage tank, the mounting member having an abutment member that abuts against the carrier; and a vibrator provided on the mounting member, the supply pipe being positioned below the mounting member and supplying the processing liquid toward above the storage tank , the abutment member abutting against an end of the support leg below the carrier so that the opening is not blocked in a plan view.
基板処理装置の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理装置であって、前記振動子は、1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動する。 The second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, in which the vibrator vibrates at a frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less.
基板処理装置の第3の態様は、第1または第2の態様にかかる基板処理装置であって、前記振動子は複数設けられており、当該複数の振動子のうち第1振動子は前記一対の支持脚の一方の近傍で前記載置部材に設けられており、当該複数の振動子のうち第2振動子は前記一対の支持脚の他方の近傍で前記載置部材に設けられている。
A third aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect , in which a plurality of the vibrators are provided, a first vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near one of the pair of support legs, and a second vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near the other of the pair of support legs.
基板処理装置の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記載置部材および前記キャリアの少なくとも一方は石英によって形成される。 A fourth aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, in which at least one of the mounting member and the carrier is made of quartz.
基板処理装置の第5の態様は、第1から第4のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記載置部材を揺動させる揺動機構をさらに備える。 A fifth aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, further comprising a rocking mechanism for rocking the placement member.
基板処理装置の第6の態様は、第5の態様にかかる基板処理装置であって、前記揺動機構は、前記複数の基板の厚み方向に沿って前記載置部材を揺動させる。 A sixth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, in which the rocking mechanism rocks the placement member along the thickness direction of the plurality of substrates.
基板処理装置の第1の態様によれば、振動子の振動が載置部材を介してキャリアおよび複数の基板に伝達される。つまり、振動は固体のみを通じて複数の基板に伝達される。これによれば、振動をあまり劣化させずに基板に伝達することができる。したがって、所望の周波数および振幅で基板を振動させることができる。 According to the first aspect of the substrate processing apparatus, the vibration of the vibrator is transmitted to the carrier and the multiple substrates via the mounting member. In other words, the vibration is transmitted to the multiple substrates only through solid objects. This allows the vibration to be transmitted to the substrates without significant degradation. Therefore, the substrates can be vibrated at the desired frequency and amplitude.
そして、基板が処理液内で振動することにより、処理液を基板に対してより効果的に作用させることができる。例えば基板に3次元構造が形成されていても、処理液はその3次元構造の内部空間に出入りしやすいので、当該内部空間において古い処理液が新しい処理液に置換され、基板に対して適切に処理を行うことができる。 The substrate is vibrated within the processing liquid, allowing the processing liquid to act on the substrate more effectively. For example, even if a three-dimensional structure is formed on the substrate, the processing liquid can easily enter and exit the internal space of the three-dimensional structure, so that old processing liquid is replaced with new processing liquid in the internal space, allowing the substrate to be appropriately processed.
基板処理装置の第2の態様によれば、キャビテーションが発生しにくいので、キャビテーションに起因した基板の3次元構造物の倒壊またはパターン倒壊等の不具合を抑制できる。 According to the second aspect of the substrate processing apparatus, cavitation is less likely to occur, so that defects such as the collapse of three-dimensional structures or pattern collapse on the substrate caused by cavitation can be suppressed.
基板処理装置の第3の態様によれば、振動をより均一に基板に伝達することができる。 According to the third aspect of the substrate processing apparatus, vibrations can be transmitted to the substrate more uniformly.
基板処理装置の第4の態様によれば、振動をあまり劣化させずに速やかに基板に伝達することができる。 According to the fourth aspect of the substrate processing apparatus, vibrations can be transmitted to the substrate quickly without causing significant degradation.
基板処理装置の第5の態様によれば、基板の3次元構造内の処理液の置換をさらに促進することができる。 According to the fifth aspect of the substrate processing apparatus, the replacement of the processing liquid within the three-dimensional structure of the substrate can be further promoted.
基板処理装置の第6の態様によれば、厚み方向の揺動によって基板の主面が処理液に対して高い圧力で押圧するので、基板の3次元構造内の処理液の置換をさらに促進することができる。 According to the sixth aspect of the substrate processing apparatus, the main surface of the substrate is pressed against the processing liquid with high pressure by the oscillation in the thickness direction, which further promotes replacement of the processing liquid within the three-dimensional structure of the substrate.
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また各図において、構成要素の位置関係を明確にするため、Z軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。以下では、Z軸方向の一方側(ここでは鉛直上側)を+Z側と呼び、Z軸方向の他方側(ここでは鉛直下側)を-Z側とも呼ぶ。X軸およびY軸も同様である。 The following describes the embodiments with reference to the attached drawings. The drawings are schematic, and for the sake of convenience, configurations are omitted and simplified as appropriate. The size and positional relationship of the components shown in the drawings are not necessarily described accurately, and may be changed as appropriate. In each drawing, an XYZ orthogonal coordinate system is appropriately attached, with the Z axis direction being the vertical direction and the XY plane being the horizontal plane, in order to clarify the positional relationship of the components. Hereinafter, one side in the Z axis direction (here, the vertical upper side) will be referred to as the +Z side, and the other side in the Z axis direction (here, the vertical lower side) will also be referred to as the -Z side. The same applies to the X axis and Y axis.
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 In addition, in the following description, similar components are illustrated with the same reference symbols, and their names and functions are also similar. Therefore, detailed descriptions of them may be omitted to avoid duplication.
また、以下に記載される説明において、「第1」または「第2」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 In addition, even if ordinal numbers such as "first" or "second" are used in the following description, these terms are used for convenience to facilitate understanding of the contents of the embodiments, and are not limited to the ordering that may result from these ordinal numbers.
相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」など)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」など)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「A,BおよびCの少なくともいずれか一つ」という表現は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A,BおよびCのうち任意の2つ、ならびに、A,BおよびCの全てを含む。 Expressions showing relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction," "along one direction," "parallel," "orthogonal," "center," "concentric," "coaxial," etc.) not only strictly express that positional relationship, but also express a state in which the two are relatively displaced in terms of angle or distance within a range in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Expressions showing an equal state (e.g., "same," "equal," "homogeneous," etc.) not only strictly express a state in which the two are quantitatively equal, but also express a state in which there is a difference in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Expressions showing a shape (e.g., "square shape" or "cylindrical shape," etc.) not only strictly express that shape geometrically, but also express a shape that has, for example, irregularities or chamfers, within a range in which a similar effect is obtained, unless otherwise specified. The expressions "comprise," "include," "have," "includes," "includes," or "has" a component are not exclusive expressions that exclude the presence of other components. The expression "at least one of A, B, and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B, and C, and all of A, B, and C.
<第1の実施の形態>
図1は、第1の実施の形態にかかる基板処理装置10の構成の一例を概略的に示す側断面図である。この基板処理装置10は、複数の基板Wに対して一括して処理を行うバッチ式の処理装置である。
First Embodiment
1 is a side cross-sectional view showing an example of the configuration of a
処理対象となる基板Wは平板状の形状を有しており、基板Wの厚み方向に沿って見て、例えば略円形状を有する。基板Wは例えば半導体基板である。半導体基板としては、例えばシリコン基板または炭化ケイ素基板等の基板を採用できる。基板Wの主面には種々の3次元構造が形成され得る。基板Wは、例えばMEMSデバイスの製造途中の基板である。この3次元構造の内部には、液体が入り込むことが可能な空間が形成され得る。 The substrate W to be processed has a flat plate shape, and has, for example, a substantially circular shape when viewed along the thickness direction of the substrate W. The substrate W is, for example, a semiconductor substrate. As the semiconductor substrate, for example, a silicon substrate or a silicon carbide substrate can be used. Various three-dimensional structures can be formed on the main surface of the substrate W. The substrate W is, for example, a substrate in the process of manufacturing a MEMS device. A space into which liquid can enter can be formed inside this three-dimensional structure.
複数の基板Wはキャリア(基板収容器)Cに収容された状態で基板処理装置10内に搬送される。図2は、キャリアCの構成の一例を概略的に示す正面図である。以下では、まず、キャリアCの一例について述べる。
Multiple substrates W are transported into the
<キャリア>
キャリアCは、+Z側および-Z側に開口する箱型形状を有している。以下では、キャリアCの+Z側の開口および-Z側の開口をそれぞれ上側開口9aおよび下側開口9bとも呼ぶ。複数の基板Wの各々は起立姿勢で、キャリアCの上側開口9aからキャリアCの内部に挿入される。ここでいう起立姿勢とは、基板Wの厚み方向が水平方向に沿う姿勢である。複数の基板Wはその厚み方向に沿って並んだ状態で、キャリアCの内部に収容される。
<Career>
The carrier C has a box shape with openings on the +Z side and the -Z side. Hereinafter, the opening on the +Z side and the opening on the -Z side of the carrier C are also referred to as the
図1および図2の例では、キャリアCは前壁91と後壁92と側壁93と側壁94と一対の支持脚95,96とを含む。前壁91および後壁92は基板Wの厚み方向(ここではY方向)において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、前壁91は後壁92よりも-Y側に設けられる。側壁93および側壁94は、基板Wの厚み方向に垂直かつ水平な方向(ここではX方向)において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、側壁93は側壁94よりも-X側に設けられる。側壁94は前壁91の+X側の端部および後壁92の+X側の端部を連結し、側壁93は前壁91の-X側の端部および後壁92の-X側の端部を連結する。これにより、前壁91、後壁92、側壁93および側壁94はキャリアCの内部空間を形成する。前壁91、後壁92、側壁93および側壁94によって囲まれたキャリアCの内部空間は、その上部において開口して上側開口9aを形成し、その下部において開口して下側開口9bを形成する。
1 and 2, the carrier C includes a
側壁93および側壁94の内面は、-Z側の端部(下部)において、-Z側に向かうにつれて互いに近づくように傾斜している。複数の基板Wは側壁93,94の内面のうち-Z側の部分に当接し、これによって、キャリアC内で支持される。
The inner surfaces of
側壁93の内面および側壁94の内面には、各基板Wを厚み方向に沿って挟むための突部(不図示)が形成される。より具体的には、側壁93の内面には、複数の突部が基板Wの厚み方向に沿って並んで形成され、側壁94の内面には、複数の突部が基板Wの厚み方向に沿って並んで形成される。これによれば、側壁93,94の各々において、隣り合う2つの突部の間に溝が形成される。各基板Wの周縁部のうち-X側の部分は側壁93の溝に挿入され、各基板Wの周縁部のうち+X側の部分は側壁94の溝に挿入される。これにより、各基板WはキャリアCの突部とも当接し、起立姿勢でキャリアC内に収容される。
The inner surface of the
支持脚95は側壁93の-Z側の端(下端)に設けられ、支持脚96は側壁94の-Z側の端(下端)に設けられる。支持脚95および支持脚96はX方向において互いに間隔を空けて向かい合う。
<基板処理装置>
基板処理装置10は貯留槽2と処理液供給部3と載置部材41と振動子5と制御部6とを含んでいる。以下では、各構成を概説した後に、その具体的な一例について詳述する。
<Substrate Processing Apparatus>
The
貯留槽2は処理液を貯留する。処理液は、複数の基板Wに対する処理を行うための液体である。処理液としては、例えば、純水およびイソプロピルアルコール等のリンス液またはフッ酸等の薬液が採用され得る。ここでは、一例として薬液を採用する。
The
処理液供給部3は制御部6によって制御され、貯留槽2に処理液を供給する。処理液供給部3は供給管31を含んでおり、供給管31は吐出口31aを有している。供給管31の吐出口31aは貯留槽2内において開口し、吐出口31aから貯留槽2の内部に処理液が吐出される。これにより、貯留槽2内に処理液が貯留される。
The processing
載置部材41は、キャリアCを載置する部材である。載置部材41は貯留槽2の内部に設けられており、キャリアCを支持する。具体的には、載置部材41の+Z側の面(上面)には、キャリアCの-Z側の端(下端)が当接する。キャリアCが載置部材41の上に載置された状態で、キャリアCおよび複数の基板Wは貯留槽2内の処理液に浸漬する。
The mounting
振動子5は載置部材41に設けられている。振動子5は制御部6の制御下で振動する。振動子5は載置部材41に接触しており、具体的な一例として、振動子5は載置部材41に埋設される。
The
振動子5の振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。振動子5は載置部材41に接触しており、載置部材41はキャリアCの下端(図では支持脚95,96の下端)に接触しており、キャリアCはその内部で複数の基板Wに接触しているので、振動子5からの振動を載置部材41およびキャリアCの固体のみを介して基板Wに伝達することができる。言い換えれば、この振動伝達経路には処理液は介在していない。
The vibration of the
制御部6は、基板処理装置10を統括的に制御する。具体的には、制御部6は処理液供給部3および振動子5を制御する。
The
具体的には、まず、制御部6は処理液供給部3を制御して貯留槽2の内部に処理液を供給させる。これにより、貯留槽2に処理液が貯留される。そして、キャリアCが不図示の搬送装置によって載置部材41の上に搬送される。これにより、キャリアCおよび複数の基板Wは貯留槽2内の処理液に浸漬する。制御部6はこの状態で振動子5を振動させる。
Specifically, first, the
振動子5の振動は上記の振動伝達経路を経由して複数の基板Wに伝達されるので、複数の基板Wが処理液に対して振動する。しかも、上記の振動伝達経路は固体のみによって構成されるので、振動の劣化を抑制して基板Wに伝達することができる。つまり、周波数および振幅の低下を抑制しつつ振動を基板Wに速やかに伝達することができる。
The vibration of the
基板Wは処理液に対して所定の周波数かつ振幅で振動するので、処理液は基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすくなる。つまり、3次元構造の内部空間での処理液の滞留を抑制することができ、当該内部空間において古い処理液から新しい処理液への置換を促進させることができる。よって、当該内部空間における基板Wに対する処理不足を抑制または回避することができる。言い換えれば、基板Wに対する処理を適切に行うことができる。 Since the substrate W vibrates with respect to the processing liquid at a predetermined frequency and amplitude, the processing liquid can easily enter and exit the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W. In other words, it is possible to prevent the processing liquid from stagnating in the internal space of the three-dimensional structure, and to promote the replacement of old processing liquid with new processing liquid in the internal space. As a result, it is possible to prevent or avoid insufficient processing of the substrate W in the internal space. In other words, the substrate W can be appropriately processed.
以下、基板処理装置10の各構成の具体的な一例について詳述する。
A specific example of each component of the
<貯留槽>
図1の例では、貯留槽2は、内槽空間2aと外槽空間2bとを含む二重構造を有する。図1の例では、貯留槽2は底部21と周壁22と仕切部材23とを含む。底部21は板状の形状を有しており、その厚み方向がZ方向に沿う姿勢で設けられる。周壁22は底部21の周縁に立設されており、+Z側に沿って延在する。
<Storage tank>
In the example of Fig. 1, the
仕切部材23は、底部21および周壁22によって囲まれた貯留槽2の内部空間を、内槽空間2aと外槽空間2bとに仕切る。仕切部材23は貯留槽2の内部空間においてZ方向に沿って延在しており、その-Z側の端(下端)が底部21に連結される。図1の例では、仕切部材23よりも-X側の空間が内槽空間2aに相当し、+X側の空間が外槽空間2bに相当する。仕切部材23の+Z側の端(上端)は周壁22の+Z側の端(上端)よりも-Z側に位置している。つまり、仕切部材23は周壁22よりも低い。処理液は、その液面が仕切部材23の+Z側の端よりも高くなるまで、貯留槽2内に供給される。つまり、処理液は内槽空間2aおよび外槽空間2bの両方に貯留される。
The
<処理液供給部>
図1の例では、処理液供給部3は供給管31とバルブ32とを含む。図1の例では、供給管31の下流部分が貯留槽2の内槽空間2aにおいて、底部21の近傍に設けられている。図1の例では、載置部材41も貯留槽2の内槽空間2aに設けられており、供給管31の下流部分は載置部材41よりも-Z側に設けられている。供給管31の下流部分は例えばY方向に沿って延在しており、その外周面に複数の吐出口31aが形成されている。複数の吐出口31aはY方向に並んで形成されており、各吐出口31aから処理液が吐出される。
<Processing liquid supply unit>
In the example of Fig. 1, the processing
供給管31はその上流端において処理液供給源33に接続されている。処理液供給源33は処理液を供給管31の上流端に供給する。
The
バルブ32は供給管31の上流部分に介装されている。バルブ32は制御部6によって制御され、バルブ32が開くことにより、処理液供給源33から供給管31を通じて貯留槽2の内部に処理液が供給される。具体的には、処理液が内槽空間2aに供給される。これにより、処理液の液面は内槽空間2aにおいて徐々に上昇し、仕切部材23の+Z側の端を超える。これにより、処理液が外槽空間2bに溢れ出る。そして、外槽空間2bにおいても処理液の液面が徐々に上昇し、いずれ仕切部材23の+Z側の端を超える。
The valve 32 is disposed in the upstream portion of the
なお、貯留槽2には適宜に不図示の排液管が接続され、排液管に介装されたバルブが開くことにより、貯留槽2内の処理液は外部に排出可能となっている。
A drain pipe (not shown) is connected to the
<循環部>
図1の例では、基板処理装置10には、循環部7が設けられている。循環部7は循環配管71とポンプ72とフィルタ73とを含む。循環配管71の上流端は外槽空間2bにおいて底部21に接続され、循環配管71の下流端は内槽空間2aにおいて底部21に接続される。フィルタ73は循環配管71に介装されており、循環配管71内の処理液の不純物を捕捉する。ポンプ72は循環配管71に介装される。ポンプ72は制御部6によって制御され、循環配管71内の処理液を上流端から下流端に向かって送液する。
<Circulation section>
1, the
これにより、貯留槽2内の処理液は循環配管71を通じて再び貯留槽2内に戻る。つまり、処理液は貯留槽2および循環配管71を循環する。
As a result, the treatment liquid in the
<載置部材>
図3は、載置部材41の構成の一例を概略的に示す平面図である。図3の例では、載置部材41には開口41aが形成されている。開口41aは載置部材41をZ方向に沿って貫通している。
<Placement Member>
Fig. 3 is a plan view that shows a schematic example of the configuration of the mounting
図3の例では、載置部材41は枠体411と4つの当接部材412とを含んでいる。枠体411は平面視において(つまり、Z方向に沿って見て)、矩形の枠形状を有している。枠体411は、その一辺がX方向に沿う姿勢で設けられている。
In the example of FIG. 3, the mounting
4つの当接部材412は枠体411の4つの頂点付近にそれぞれ設けられ、より具体的には、枠体411の頂点部の内側面にそれぞれ連結されている。図3の例では、各当接部材412は平面視において矩形形状を有しており、各当接部材412の互いに直交する2辺が枠体411の内側面に連結されている。これらの当接部材412は枠体411の内側面から内側に突出する。
The four
4つの当接部材412をそれぞれ当接部材412a~412dとも呼ぶ。当接部材412a,412bはY方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412aは当接部材412bよりも+Y側に位置している。当接部材412c,412dはY方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412cは当接部材412dよりも+Y側に設けられている。当接部材412a,412cはX方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412aは当接部材412cよりも-X側に位置している。当接部材412b,412dはX方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412bは当接部材412dよりも-X側に位置している。
The four
このような載置部材41において、枠体411および4つの当接部材412からなる構造体が囲む空間が開口41aに相当する。
In such a mounting
キャリアCの支持脚95,96は当接部材412の上に載置される。具体的には、支持脚95の+Y側の部分および-Y側の部分がそれぞれ当接部材412a,412bに接触し、支持脚96の+Y側の部分および-Y側の部分がそれぞれ当接部材412c,412dに接触する。
図1の例では、載置部材41は吊り部材42によって支持される。吊り部材42はZ方向に延在しており、その-Z側の端(下端)が載置部材41の+Y側の端部に連結されている。吊り部材42は貯留槽2よりも+Z側に突出しており、基板処理装置10内で固定される。例えば、貯留槽2を収容するチャンバが設けられる場合には、吊り部材42はチャンバに固定される。
In the example of FIG. 1, the mounting
なお、載置部材41には、キャリアCの水平方向の位置を決定するための位置決め構造、または、キャリアCを保持する保持機構が適宜に設けられていてもよい。
In addition, the mounting
<振動子>
振動子5は超音波振動子であって、例えば圧電素子を含む。具体的な一例として、振動子5は、圧電セラミックス等の圧電体と、当該圧電体に設けられた一対の電極とを含む。一対の電極は圧電体に接触しており、一対の電極間に駆動電圧が印加されることで、圧電体に駆動電圧が印加される。圧電体は当該駆動電圧に応じて、収縮したり、膨張したりする。図1の例では、一対の電極は発振器51に電気的に接続されている。発振器51は制御部6によって制御され、振動子5の電極間に駆動電圧を印加する。発振器51は駆動電圧として例えば高周波電圧を振動子5に出力する。振動子5の圧電体は発振器51からの駆動電圧に応じて収縮と膨張とを交互に繰り返すことで振動する。
<Transducer>
The
振動子5は例えば載置部材41の内部に埋設され、その少なくとも一部が載置部材41に接触する。これにより、圧電体の振動をその接触箇所を介して載置部材41に直接に伝達することができる。
The
また、載置部材41は処理液に対する耐薬品性を有する材料で構成されているので、振動子5が載置部材41に埋設されている場合には、載置部材41は振動子5を処理液から保護することができる。耐薬品性を有する材料としては、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂あるいは石英を採用することができる。
In addition, since the mounting
振動子5が載置部材41に埋設されない場合、振動子5は、圧電体および一対の電極を囲んで封止するための保護部材(パッケージ)をさらに含んでいるとよい。当該保護部材の材料としては、処理液に対する耐薬品性を有する材料を採用することができ、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂あるいは石英を採用することができる。保護部材は圧電体および一対の電極の少なくともいずれか一方に接触する。このような振動子5は載置部材41の表面に取り付けられ、振動子5のパッケージの少なくとも一部が載置部材41の表面に接触する。これにより、圧電体の振動がパッケージを介して載置部材41へと伝達される。つまり、圧電体の振動を固体のみを介して載置部材41へ伝達させることができる。
When the
図3の例では、振動子5として複数(図の例では4つ)の振動子5a~5dが設けられている。4つの振動子5a~5dは、それぞれ、4つの当接部材412に設けられている。これによれば、4つの振動子5a~5dをキャリアCの支持脚95,96の近傍に設けることができる。具体的には、振動子5a,5b(第1振動子に相当)はキャリアCの支持脚95の近傍に設けられ、振動子5c,5d(第2振動子に相当)はキャリアCの支持脚96の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5a,5bは支持脚96よりも支持脚95に近い位置に設けられ、振動子5c,5dは支持脚95よりも支持脚96に近い位置に設けられる。
In the example of FIG. 3, a plurality of (four in the example shown)
また、振動子5aは支持脚95の+Y側の端部の近傍に設けられ、振動子5bは支持脚95の-Y側の端部の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5aは支持脚95の-Y側の端部よりも+Y側の端部に近い位置に設けられ、振動子5bは支持脚95の+Y側の端部よりも-Y側の端部に近い位置に設けられる。振動子5cは支持脚96の+Y側の端部の近傍に設けられ、振動子5dは支持脚96の-Y側の端部の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5cは支持脚96の-Y側の端部よりも+Y側の端部に近い位置に設けられ、振動子5dは支持脚96の+Y側の端部よりも-Y側の端部に近い位置に設けられる。
Also, the
このような配置によれば、4つの振動子5a~5dがキャリアCに対してより均等に振動を伝達させることができる。したがって、複数の基板Wをより均等に振動させることができ、基板Wに対する処理の均一性を向上させることができる。
This arrangement allows the four
<制御部>
図4は、制御部6の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部6は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置61および記憶媒体62を有していてもよい。データ処理装置61は例えばCPU(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体62は非一時的な記憶媒体621(例えばROM(Read Only Memory)またはハードディスク)および一時的な記憶媒体622(例えばRAM(Random Access Memory))を有していてもよい。非一時的な記憶媒体621には、例えば制御部6が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置61がこのプログラムを実行することにより、制御部6が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部6が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。
<Control Unit>
FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the
<基板処理装置の動作>
次に基板処理装置10の動作の具体的な一例について改めて説明する。まず、処理液供給部3が貯留槽2内に処理液を供給する。具体的には、制御部6がバルブ32を開くことで、処理液が供給管31の吐出口31aから吐出される。処理液の液面が仕切部材23よりも高くなると、制御部6がバルブ32を閉じる。これにより、処理液の供給が停止し、処理液は内槽空間2aおよび外槽空間2bの両方に貯留されることとなる。
<Operation of the Substrate Processing Apparatus>
Next, a specific example of the operation of the
次に、不図示の搬送装置がキャリアCを貯留槽2の内部に進入させ、キャリアCを載置部材41に載置させる。これにより、キャリアCおよび複数の基板Wが貯留槽2内の処理液に浸漬する。次に、制御部6はポンプ72を作動させる。これにより、処理液は循環配管71を通じて循環する。なお、ポンプ72はキャリアCの搬入前から作動していてもよい。
Next, a transport device (not shown) moves the carrier C into the
次に、制御部6は振動子5を振動させる。具体的には、制御部6は発振器51に駆動電圧を出力させる。これにより、振動子5が当該駆動電圧に応じた周波数で振動する。ここでは、振動子5が発振する振動の周波数は1MHz以上かつ3MHz以下に設定される。言い換えれば、制御部6は振動子5が1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動するように、発振器51の出力電圧を調整する。
Next, the
このような基板処理において、ポンプ72が作動しているので、循環配管71の下流端から貯留槽2の内槽空間2aに流入した処理液は、載置部材41の開口41aおよびキャリアCの下側開口9bを順次に経由して、複数の基板Wの相互間を+Z側に流れる。処理液は基板Wの相互間の通過中に基板Wの表面に作用する。これにより、処理液の種類に応じた処理が基板Wに対して行われる。
In this type of substrate processing, the
処理液はキャリアCの上側開口9aから流出し、仕切部材23を超えて外槽空間2bに流入する。そして、処理液は外槽空間2bを-Z側に流れて循環配管71の上流端に流入する。処理液は循環配管71内のフィルタ73によって不純物が除去された上で、再び内槽空間2aに流入する。これにより、より清浄な処理液を複数の基板Wに向けて流すことができる。
The processing liquid flows out from the
また、上述の動作において、振動子5が振動する。この振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。これにより、各基板Wが処理液に対して振動するので、処理液は基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすくなる。つまり、当該内部空間において基板Wに作用した古い処理液が新しい処理液に置換されやすくなる。したがって、内部空間における処理不足を抑制または回避でき、当該内部空間においても基板Wに対する処理を適切に行うことができる。
In addition, in the above-mentioned operation, the
複数の基板Wに対する処理が十分に行われると、制御部6は振動子5の振動およびポンプ72の作動を停止させる。次に、搬送装置がキャリアCを貯留槽2から搬出する。
When the processing of the multiple substrates W has been completed sufficiently, the
以上のようにして、複数の基板Wに対して一括して処理を行うことができる。 In this manner, multiple substrates W can be processed simultaneously.
ところで、処理液としてフッ酸等の薬液を採用する場合には、基板Wに付着した薬液を洗い流す必要がある。そこで、基板処理装置10にリンス槽(不図示)が設けられてもよい。この場合、搬送装置は貯留槽2による薬液処理の後に、キャリアCを貯留槽2からリンス槽へと搬送する。リンス槽には純水等のリンス液が貯留されており、キャリアCおよび複数の基板Wがリンス液に浸漬することにより、キャリアCおよび複数の基板Wに付着した薬液が洗い流される(リンス処理)。
When using a chemical solution such as hydrofluoric acid as the processing liquid, it is necessary to wash away the chemical solution adhering to the substrates W. Therefore, a rinsing tank (not shown) may be provided in the
あるいは、貯留槽2をリンス槽として利用してもよい。具体的には、基板処理装置10は貯留槽2内の処理液を排出した後に、貯留槽2内にリンス液を供給してもよい。これによっても、キャリアCおよび複数の基板Wをリンス液に浸漬させることができ、キャリアCおよび複数の基板Wに付着した薬液を洗い流すことができる。
Alternatively, the
リンス処理後には、キャリアCおよび複数の基板Wに対する乾燥処理が行われる。例えば、基板処理装置10には、高温の不活性ガスを吐出するガス供給部が設けられる。そして、搬送装置がキャリアCを上昇させてリンス液から引き上げたり、あるいは、基板処理装置10がリンス液を排出した後に、ガス供給部が高温の不活性ガスをキャリアCおよび複数の基板Wに供給する。これによって、キャリアCおよび複数の基板Wが乾燥する。
After the rinsing process, a drying process is performed on the carrier C and the multiple substrates W. For example, the
以上のように、基板処理装置10によれば、一括して複数の基板Wを処理して乾燥させることができる。
As described above, the
しかも、基板処理装置10によれば、振動子5の振動により基板Wが振動するので、基板Wの3次元構造の内部空間における処理液の置換を促進させることができる。言い換えれば、内部空間における処理液の滞留を抑制することができる。さらに、振動子5の振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。つまり、固体を通じて複数の基板Wに振動を伝達することができる。固体における振動の劣化(減衰)は液体における振動の劣化よりも小さいので、振動子5の振動をあまり劣化させずに、基板Wに伝達することができる。よって、基板Wを所望の周波数および振幅で振動させることができる。
Moreover, according to the
また上述の例では、振動子5は1MHz以上かつ3MHz以下の高周波数で振動する。これによれば、貯留槽2に貯留された処理液にキャビテーションを生じさせずに、基板Wを振動させることができる。したがって、キャビテーションに起因した基板Wの3次元構造の倒壊もしくはパターンの倒壊を抑制または回避することができる。
In the above example, the
また上述の例では、4つの振動子5は、それぞれ、各キャリアCの支持脚95,96と載置部材41との接触箇所の近傍に設けられている。よって、キャリアCにより均等に振動を伝達することができ、ひいては、複数の基板Wにより均等に振動を伝達することができる。よって、複数の基板Wをより均等に処理できる。
In the above example, the four
<載置部材の材料>
振動伝達の観点を考慮すると、載置部材41の材料として、超音波の伝搬速度が高い材料を採用するとよい。より具体的には、石英を採用するとよい。石英における伝搬速度は4400m/secであり、水の4倍近い。載置部材41が石英によって構成される場合には、載置部材41は振動子5からの振動をあまり劣化させずにキャリアCに伝達することができる。つまり、周波数の低下および振幅の低下を抑制して振動をキャリアCに速やかに伝達できる。
<Material of mounting member>
Considering the vibration transmission, it is preferable to use a material with a high ultrasonic propagation speed as the material for the mounting
なお、必ずしも載置部材41の全てが石英で構成される必要はなく、載置部材41のうち、少なくとも、振動子5との接触部からキャリアCとの接触部までの間の部分が石英で形成されていればよい。例えば当接部材412のみが石英によって形成されてもよい。
Note that the entire mounting
<キャリアの材質>
キャリアCの材料としては、処理液に対する耐薬品性を有する材料を採用するとよい。例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂、あるいは、石英を採用することができる。振動伝達の観点からは、超音波の伝搬速度が高い材料を採用するとよく、具体的には、石英を採用するとよい。キャリアCが石英によって形成される場合、キャリアCは振動をあまり劣化させずに複数の基板Wに伝達することができる。
<Carrier material>
The carrier C may be made of a material that is chemically resistant to the processing liquid. For example, a resin such as polyvinyl chloride resin or a fluororesin, or quartz may be used. From the viewpoint of vibration transmission, a material that has a high ultrasonic wave propagation speed may be used, and specifically, quartz may be used. When the carrier C is made of quartz, the carrier C can transmit vibrations to a plurality of substrates W without significant degradation.
なお、必ずしもキャリアCの全てが石英で形成される必要はなく、キャリアCのうち、少なくとも、載置部材41との接触部から複数の基板Wの各々との接触部までの間の部分が石英で形成されていればよい。例えば、キャリアCの支持脚95,96および側壁93,94のみが石英によって形成されてもよい。
Note that it is not necessary for the entire carrier C to be made of quartz; at least the portions of the carrier C between the contact portion with the mounting
なお、基板処理装置10にリンス槽が設けられる場合には、当該リンス槽の内部にも載置部材41および振動子5と同様の載置部材および振動子を設けるとよい。当該振動子が振動することにより、リンス液が基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすいので、3次元構造内の薬液を適切にリンス液に置換することができる。
When a rinsing tank is provided in the
<第2の実施の形態>
図5は、第2の実施の形態にかかる基板処理装置10Aの構成の一例を概略的に示す側断面図である。基板処理装置10Aは揺動機構4の有無を除いて、基板処理装置10と同様の構成を有している。
Second Embodiment
5 is a side cross-sectional view showing an example of a configuration of a
揺動機構4は載置部材41を揺動させる。図5の例では、揺動機構4は吊り部材42と昇降機構43を含む。昇降機構43は制御部6によって制御され、吊り部材42をZ方向に往復移動させる。これにより、吊り部材42に連結された載置部材41もZ方向に往復移動する。つまり、昇降機構43は載置部材41を昇降させる。昇降機構43例えばエアシリンダまたはボールねじ機構などの機構を有する。
The rocking mechanism 4 rocks the mounting
揺動機構4は、キャリアCおよび複数の基板Wが処理液に浸漬した状態で、載置部材41を揺動させる。ここでいう揺動とは、振動子5の振動よりも大きな振幅(距離)での往復移動であり、振動子5の振動の周波数よりも低い、例えば百Hz以下の周波数での往復移動である。
The oscillation mechanism 4 oscillates the mounting
揺動機構4は載置部材41、キャリアCおよび複数の基板Wを処理液に対して比較的にゆっくりと大きくZ方向に沿って往復移動させる。この揺動により、さらに処理液の基板Wの内部空間への出入りをさらに促進できる。
The rocking mechanism 4 moves the mounting
なお、揺動機構4による揺動の周波数は非常に低いので、キャビテーションはほとんど生じない。よって、キャビテーションに起因した基板Wの3次元構造物の倒壊またはパターンの倒壊は抑制または回避される。 In addition, since the frequency of the oscillation caused by the oscillation mechanism 4 is very low, cavitation hardly occurs. Therefore, the collapse of the three-dimensional structure or the pattern of the substrate W caused by cavitation is suppressed or avoided.
図6は、揺動機構4の構成の他の一例を概略的に示す図である。図6の揺動機構4は、基板Wの厚み方向に沿って載置部材41を揺動させる。図6の例では、揺動機構4は吊り部材42とシャフト44と回動機構45とを含む。図6の例では、吊り部材42の-Z側の端部は載置部材41のY方向の中央部に連結されている。吊り部材42はZ方向に長い長尺状の形状を有しており、図6の例では、その+Z側の端部は貯留槽2よりも高い位置に設けられる。吊り部材42はその+Z側の端部においてシャフト44に連結されている。シャフト44は、その中心軸である回動軸線Q1のまわりで回動可能に設けられる。回動軸線Q1はX方向に沿う軸である。このシャフト44は不図示の軸受を介してチャンバに固定される。
Figure 6 is a schematic diagram showing another example of the configuration of the rocking mechanism 4. The rocking mechanism 4 in Figure 6 rocks the mounting
回動機構45は制御部6によって制御され、シャフト44を回動軸線Q1のまわりで回動させる。ここで、載置部材41が水平姿勢となる状態での回動角度をゼロとする。回動機構45は、例えば、ゼロを中心として所定の角度範囲でシャフト44を交互に反対に回動させる。これにより、載置部材41は回動軸線Q1についての周方向に沿って所定の角度範囲で往復移動する。このときの載置部材41の移動方向はおおよそY方向であるといえる。
The
図6の例では、回動機構45はリンク機構451と移動機構452とを含んでいる。リンク機構451はシャフト44と移動機構452との間に設けられており、移動機構452によるY方向の移動をシャフト44の回転方向の移動に変換し、シャフト44を回動軸線Q1のまわりで回動させる。移動機構452は例えばエアシリンダなどの直動機構であって、制御部6によって制御される。
In the example of FIG. 6, the
このような揺動機構4は載置部材41を厚み方向(Y方向)に沿って揺動させるので、載置部材41に載置されたキャリアCおよび複数の基板Wも厚み方向に沿って揺動する。これによれば、基板Wが処理液に対して大きな面積で往復移動するので、基板Wの主面が高い圧力で処理液を押圧する。よって、処理液の基板Wの3次元構造の内部空間への出入りをさらに促進することができる。
Since this type of rocking mechanism 4 rocks the mounting
以上のように、基板処理装置10,10Aは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、基板処理装置10,10Aがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
As described above, the
例えば、循環部7は設けられていなくてもよい。また、上述の例では、貯留槽2は内槽空間2aおよび外槽空間2bの二重構造を有しているものの、一重構造を有していてもよい。
For example, the
また、図6の例では、揺動機構4は回動機構45によって載置部材41を回動軸線Q1についての周方向に沿って往復移動させている。しかるに、揺動機構4は回動機構45に替えて、載置部材41をY方向に沿って移動させる直動機構を有していてもよい。
In the example of FIG. 6, the rocking mechanism 4 reciprocates the mounting
10,10A 基板処理装置
2 貯留槽
31 供給管
4 揺動機構
41 載置部材
5 振動子
5a,5b 第1振動子(振動子)
5c,5d 第2振動子(振動子)
95,96 支持脚
C キャリア
W 基板
REFERENCE SIGNS
5c, 5d Second vibrator (vibrator)
95, 96 Support leg C Carrier W Board
Claims (6)
処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽内に処理液を供給する供給管と、
一対の支持脚を有し、複数の基板を起立姿勢で収容し、底部に開口部を備えるキャリアが前記貯留槽内の処理液に浸漬した状態で載置され、前記キャリアに当接する当接部材を有する載置部材と、
前記載置部材に設けられる振動子と
を備え、
前記供給管は前記載置部材の下方に配置され、前記貯留槽の上方に向けて処理液を供給し、
前記当接部材は、平面視において前記開口部が閉塞されないように、前記キャリアの下方にある前記支持脚の端部に当接する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus that performs processing on a plurality of substrates at once,
a storage tank for storing a processing liquid;
a supply pipe for supplying a treatment liquid into the storage tank;
a carrier having a pair of support legs, the carrier storing a plurality of substrates in an upright position, the carrier having an opening at a bottom, the carrier being placed thereon in a state immersed in the processing liquid in the storage tank, the carrier having an abutment member abutting against the carrier;
a vibrator provided on the mounting member,
the supply pipe is disposed below the placement member and supplies the treatment liquid toward an upper portion of the storage tank ;
The abutment member abuts against an end of the support leg below the carrier so that the opening is not blocked in a plan view.
前記振動子は、1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the vibrator vibrates at a frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less.
前記振動子は複数設けられており、
当該複数の振動子のうち第1振動子は前記一対の支持脚の一方の近傍で前記載置部材に設けられており、当該複数の振動子のうち第2振動子は前記一対の支持脚の他方の近傍で前記載置部材に設けられている、基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1,
The transducer is provided in plurality,
a first vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near one of the pair of support legs, and a second vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near the other of the pair of support legs.
前記載置部材および前記キャリアの少なくとも一方は石英によって形成される、基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 1,
At least one of the mounting member and the carrier is made of quartz.
前記載置部材を揺動させる揺動機構をさらに備える、基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprises a swinging mechanism for swinging the mounting member.
前記揺動機構は、前記複数の基板の厚み方向に沿って前記載置部材を揺動させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5 ,
The substrate processing apparatus, wherein the swing mechanism swings the placement member along a thickness direction of the plurality of substrates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020206034A JP7619792B2 (en) | 2020-12-11 | 2020-12-11 | Substrate Processing Equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020206034A JP7619792B2 (en) | 2020-12-11 | 2020-12-11 | Substrate Processing Equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022092995A JP2022092995A (en) | 2022-06-23 |
| JP7619792B2 true JP7619792B2 (en) | 2025-01-22 |
Family
ID=82068888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020206034A Active JP7619792B2 (en) | 2020-12-11 | 2020-12-11 | Substrate Processing Equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7619792B2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058495A (en) | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | Substrate cleaning equipment |
| JP2004063739A (en) | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for cleaning group 3-5 semiconductor wafer |
| JP2007059841A (en) | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning apparatus and cleaning method, and computer-readable storage medium |
| JP2009202111A (en) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ultrasonic cleaning device and ultrasonic cleaning method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142129A (en) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Fuji Electric Co Ltd | Pretreating method of wafer |
| JP2877411B2 (en) * | 1990-01-24 | 1999-03-31 | 株式会社東芝 | Semiconductor substrate cleaning method and cleaning apparatus |
| JP2609751B2 (en) * | 1990-10-02 | 1997-05-14 | 山形日本電気株式会社 | Wafer carrier cleaning equipment |
| JP3146841B2 (en) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | Wafer rinse equipment |
| JPH08108157A (en) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Sony Corp | Ultrasonic cleaning equipment |
-
2020
- 2020-12-11 JP JP2020206034A patent/JP7619792B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058495A (en) | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | Substrate cleaning equipment |
| JP2004063739A (en) | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for cleaning group 3-5 semiconductor wafer |
| JP2007059841A (en) | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning apparatus and cleaning method, and computer-readable storage medium |
| JP2009202111A (en) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ultrasonic cleaning device and ultrasonic cleaning method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022092995A (en) | 2022-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101571685B1 (en) | Ultrasonic washing apparatus, and ultrasonic washing method | |
| CN102246277B (en) | Apparatus and method for wet processing of objects and fluid diffuser plate and cylinder used therein | |
| WO2010021405A1 (en) | Ultrasonic cleaning apparatus | |
| JP2002280343A (en) | Cleaning equipment, cutting equipment | |
| JP2002093765A (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
| US20040168706A1 (en) | Method and apparatus for megasonic cleaning with reflected acoustic waves | |
| KR100516849B1 (en) | Apparatus For Wet Etching | |
| JP7619792B2 (en) | Substrate Processing Equipment | |
| WO2021060036A1 (en) | Processing liquid nozzle and cleaning device | |
| KR20230101704A (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate | |
| KR100952087B1 (en) | Method and apparatus for megasonic cleaning of patterned substrate | |
| JP4763585B2 (en) | Ultrasonic cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
| JP3913675B2 (en) | Coating and developing apparatus and coating and developing method | |
| JP2004283777A (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2015126167A (en) | Substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
| KR20100042015A (en) | The apparatus and method of single wafer cleaning | |
| JP2005142309A (en) | Substrate cleaning method, apparatus, and system | |
| KR200345186Y1 (en) | Apparatus For Wet Etching | |
| JP2000262989A (en) | Substrate washing device | |
| CN119213540A (en) | Apparatus and method for cleaning a substrate | |
| JP4767769B2 (en) | Ultrasonic cleaning equipment | |
| JPH11307493A (en) | Substrate processing device | |
| KR20100034091A (en) | Wafer cleaning apparatus and method using megasonic | |
| KR20090055415A (en) | Ultrasonic Cleaning Device of Substrate | |
| JP2002086068A (en) | Ultrasonic vibration unit, ultrasonic cleaning device, and ultrasonic cleaning method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230908 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20241119 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250109 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7619792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |