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JP7619792B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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JP7619792B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents

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JP7619792B2 JP2020206034A JP2020206034A JP7619792B2 JP 7619792 B2 JP7619792 B2 JP 7619792B2 JP 2020206034 A JP2020206034 A JP 2020206034A JP 2020206034 A JP2020206034 A JP 2020206034A JP 7619792 B2 JP7619792 B2 JP 7619792B2
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Description

本願は、基板処理装置に関する。 This application relates to a substrate processing apparatus.

従来から、基板を洗浄液に浸漬させた上で洗浄液を超音波振動させることで、基板を洗浄する基板洗浄装置が提案されている(例えば特許文献1)。この基板洗浄装置では、洗浄液を貯留する洗浄槽内に超音波振動子が設けられている。超音波振動子は洗浄液に浸漬されており、洗浄液中において、基板と離れて設けられる。超音波振動子は洗浄液を振動させてキャビテーションを発生させ、当該キャビテーションを基板に作用させる。これにより、基板に対する洗浄効果を高めることができる。 Conventionally, substrate cleaning apparatuses have been proposed that clean substrates by immersing the substrates in a cleaning liquid and ultrasonically vibrating the cleaning liquid (for example, Patent Document 1). In this substrate cleaning apparatus, an ultrasonic vibrator is provided in a cleaning tank that stores the cleaning liquid. The ultrasonic vibrator is immersed in the cleaning liquid and is provided in the cleaning liquid at a distance from the substrate. The ultrasonic vibrator vibrates the cleaning liquid to generate cavitation, which is then applied to the substrate. This can improve the cleaning effect on the substrate.

ところで、近年、複雑な3次元構造を有する基板が登場している。例えば、MEMS(微小電気機械システム)デバイスは高性能化に伴って、デバイスの微細化、積層化および3次元化が進行している。当該デバイスの製造途中の基板の表面には3次元構造が形成され、当該3次元構造の内部には空間が形成され得る。 In recent years, substrates with complex three-dimensional structures have appeared. For example, as MEMS (microelectromechanical systems) devices become more sophisticated, they are becoming more miniaturized, layered, and three-dimensional. A three-dimensional structure is formed on the surface of the substrate during the manufacture of the device, and a space may be formed inside the three-dimensional structure.

このような基板に対して特許文献1の基板洗浄装置を適用すると、キャビテーションにより3次元構造が倒壊するおそれがある。 If the substrate cleaning device of Patent Document 1 is applied to such a substrate, there is a risk that the three-dimensional structure will collapse due to cavitation.

これに対して、キャビテーションを利用しない基板処理装置も提案されている(例えば特許文献2)。特許文献2には、複数の基板に対して一括して処理を行うバッチ式の基板処理装置が開示されている。この基板処理装置は、処理液が貯留される貯留槽を含む。貯留槽には、複数の基板を収容したキャリアが搬入される。キャリが処理液に浸漬することにより、処理液が複数の基板に作用し、処理液に応じた処理が複数の基板に対して一括して行われる。 In response to this, substrate processing apparatuses that do not utilize cavitation have also been proposed (for example, Patent Document 2). Patent Document 2 discloses a batch-type substrate processing apparatus that processes multiple substrates at once. This substrate processing apparatus includes a storage tank in which a processing liquid is stored. A carrier containing multiple substrates is carried into the storage tank. The carrier is immersed in the processing liquid, causing the processing liquid to act on the multiple substrates, and processing according to the processing liquid is performed on the multiple substrates at once.

特開2000-107710号公報JP 2000-107710 A 特開2012-199371号公報JP 2012-199371 A

しかしながら、特許文献2に記載の技術では、基板の3次元構造の内部空間に処理液が入り込むと、内部空間が狭いために処理液が内部空間に滞留しやすい。よって、内部空間において古い処理液が新しい処理液に置換されにくく、基板に対する処理が不十分になるおそれがある。 However, with the technology described in Patent Document 2, when the processing liquid enters the internal space of the three-dimensional structure of the substrate, the processing liquid is likely to remain in the internal space because the internal space is narrow. Therefore, it is difficult to replace old processing liquid with new processing liquid in the internal space, and there is a risk that the processing of the substrate will be insufficient.

そこで、本願は、より適切に複数の基板に対して一括して処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present application aims to provide a substrate processing apparatus that can more appropriately process multiple substrates at the same time.

基板処理装置の第1の態様は、複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する貯留槽と、前記貯留槽内に処理液を供給する供給管と、一対の支持脚を有し、複数の基板を起立姿勢で収容し、底部に開口部を備えるキャリアが前記貯留槽内の処理液に浸漬した状態で載置され、前記キャリアに当接する当接部材を有する載置部材と、前記載置部材に設けられる振動子とを備え、前記供給管は前記載置部材の下方に配置され、前記貯留槽の上方に向けて処理液を供給し、前記当接部材は、平面視において前記開口部が閉塞されないように、前記キャリアの下方にある前記支持脚の端部に当接する。
A first aspect of a substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates simultaneously, comprising: a storage tank for storing a processing liquid; a supply pipe for supplying the processing liquid into the storage tank; a mounting member having a pair of support legs, for storing a plurality of substrates in an upright position, and having an opening at its bottom, on which a carrier is placed while immersed in the processing liquid in the storage tank, the mounting member having an abutment member that abuts against the carrier; and a vibrator provided on the mounting member, the supply pipe being positioned below the mounting member and supplying the processing liquid toward above the storage tank , the abutment member abutting against an end of the support leg below the carrier so that the opening is not blocked in a plan view.

基板処理装置の第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理装置であって、前記振動子は、1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動する。 The second aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the first aspect, in which the vibrator vibrates at a frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less.

基板処理装置の第3の態様は、第1または第2の態様にかかる基板処理装置であって、前記振動子は複数設けられており、当該複数の振動子のうち第1振動子は前記一対の支持脚の一方の近傍で前記載置部材に設けられており、当該複数の振動子のうち第2振動子は前記一対の支持脚の他方の近傍で前記載置部材に設けられている。
A third aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to the first or second aspect , in which a plurality of the vibrators are provided, a first vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near one of the pair of support legs, and a second vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near the other of the pair of support legs.

基板処理装置の第4の態様は、第1から第3のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記載置部材および前記キャリアの少なくとも一方は石英によって形成される。 A fourth aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, in which at least one of the mounting member and the carrier is made of quartz.

基板処理装置の第5の態様は、第1から第4のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記載置部材を揺動させる揺動機構をさらに備える。 A fifth aspect of the substrate processing apparatus is a substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, further comprising a rocking mechanism for rocking the placement member.

基板処理装置の第6の態様は、第5の態様にかかる基板処理装置であって、前記揺動機構は、前記複数の基板の厚み方向に沿って前記載置部材を揺動させる。 A sixth aspect of the substrate processing apparatus is the substrate processing apparatus according to the fifth aspect, in which the rocking mechanism rocks the placement member along the thickness direction of the plurality of substrates.

基板処理装置の第1の態様によれば、振動子の振動が載置部材を介してキャリアおよび複数の基板に伝達される。つまり、振動は固体のみを通じて複数の基板に伝達される。これによれば、振動をあまり劣化させずに基板に伝達することができる。したがって、所望の周波数および振幅で基板を振動させることができる。 According to the first aspect of the substrate processing apparatus, the vibration of the vibrator is transmitted to the carrier and the multiple substrates via the mounting member. In other words, the vibration is transmitted to the multiple substrates only through solid objects. This allows the vibration to be transmitted to the substrates without significant degradation. Therefore, the substrates can be vibrated at the desired frequency and amplitude.

そして、基板が処理液内で振動することにより、処理液を基板に対してより効果的に作用させることができる。例えば基板に3次元構造が形成されていても、処理液はその3次元構造の内部空間に出入りしやすいので、当該内部空間において古い処理液が新しい処理液に置換され、基板に対して適切に処理を行うことができる。 The substrate is vibrated within the processing liquid, allowing the processing liquid to act on the substrate more effectively. For example, even if a three-dimensional structure is formed on the substrate, the processing liquid can easily enter and exit the internal space of the three-dimensional structure, so that old processing liquid is replaced with new processing liquid in the internal space, allowing the substrate to be appropriately processed.

基板処理装置の第2の態様によれば、キャビテーションが発生しにくいので、キャビテーションに起因した基板の3次元構造物の倒壊またはパターン倒壊等の不具合を抑制できる。 According to the second aspect of the substrate processing apparatus, cavitation is less likely to occur, so that defects such as the collapse of three-dimensional structures or pattern collapse on the substrate caused by cavitation can be suppressed.

基板処理装置の第3の態様によれば、振動をより均一に基板に伝達することができる。 According to the third aspect of the substrate processing apparatus, vibrations can be transmitted to the substrate more uniformly.

基板処理装置の第4の態様によれば、振動をあまり劣化させずに速やかに基板に伝達することができる。 According to the fourth aspect of the substrate processing apparatus, vibrations can be transmitted to the substrate quickly without causing significant degradation.

基板処理装置の第5の態様によれば、基板の3次元構造内の処理液の置換をさらに促進することができる。 According to the fifth aspect of the substrate processing apparatus, the replacement of the processing liquid within the three-dimensional structure of the substrate can be further promoted.

基板処理装置の第6の態様によれば、厚み方向の揺動によって基板の主面が処理液に対して高い圧力で押圧するので、基板の3次元構造内の処理液の置換をさらに促進することができる。 According to the sixth aspect of the substrate processing apparatus, the main surface of the substrate is pressed against the processing liquid with high pressure by the oscillation in the thickness direction, which further promotes replacement of the processing liquid within the three-dimensional structure of the substrate.

第1の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側断面図である。1 is a side cross-sectional view roughly illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment. キャリアCおよび載置部材の構成の一例を概略的に示す図である。2 is a diagram illustrating an example of a configuration of a carrier C and a mounting member. FIG. 載置部材の構成の一例を概略的に示す平面図である。FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a configuration of a mounting member. 制御部の内部構成の一例を概略的に示す図である。2 is a diagram illustrating an example of an internal configuration of a control unit. FIG. 第2の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側断面図である。FIG. 11 is a side cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a substrate processing apparatus according to a second embodiment. 揺動機構の構成の一例を概略的に示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a configuration of a swing mechanism.

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また各図において、構成要素の位置関係を明確にするため、Z軸方向を鉛直方向とし、XY平面を水平面とするXYZ直交座標系を適宜付している。以下では、Z軸方向の一方側(ここでは鉛直上側)を+Z側と呼び、Z軸方向の他方側(ここでは鉛直下側)を-Z側とも呼ぶ。X軸およびY軸も同様である。 The following describes the embodiments with reference to the attached drawings. The drawings are schematic, and for the sake of convenience, configurations are omitted and simplified as appropriate. The size and positional relationship of the components shown in the drawings are not necessarily described accurately, and may be changed as appropriate. In each drawing, an XYZ orthogonal coordinate system is appropriately attached, with the Z axis direction being the vertical direction and the XY plane being the horizontal plane, in order to clarify the positional relationship of the components. Hereinafter, one side in the Z axis direction (here, the vertical upper side) will be referred to as the +Z side, and the other side in the Z axis direction (here, the vertical lower side) will also be referred to as the -Z side. The same applies to the X axis and Y axis.

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 In addition, in the following description, similar components are illustrated with the same reference symbols, and their names and functions are also similar. Therefore, detailed descriptions of them may be omitted to avoid duplication.

また、以下に記載される説明において、「第1」または「第2」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 In addition, even if ordinal numbers such as "first" or "second" are used in the following description, these terms are used for convenience to facilitate understanding of the contents of the embodiments, and are not limited to the ordering that may result from these ordinal numbers.

相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」など)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」など)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「A,BおよびCの少なくともいずれか一つ」という表現は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A,BおよびCのうち任意の2つ、ならびに、A,BおよびCの全てを含む。 Expressions showing relative or absolute positional relationships (e.g., "in one direction," "along one direction," "parallel," "orthogonal," "center," "concentric," "coaxial," etc.) not only strictly express that positional relationship, but also express a state in which the two are relatively displaced in terms of angle or distance within a range in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Expressions showing an equal state (e.g., "same," "equal," "homogeneous," etc.) not only strictly express a state in which the two are quantitatively equal, but also express a state in which there is a difference in which a tolerance or similar function is obtained, unless otherwise specified. Expressions showing a shape (e.g., "square shape" or "cylindrical shape," etc.) not only strictly express that shape geometrically, but also express a shape that has, for example, irregularities or chamfers, within a range in which a similar effect is obtained, unless otherwise specified. The expressions "comprise," "include," "have," "includes," "includes," or "has" a component are not exclusive expressions that exclude the presence of other components. The expression "at least one of A, B, and C" includes only A, only B, only C, any two of A, B, and C, and all of A, B, and C.

<第1の実施の形態>
図1は、第1の実施の形態にかかる基板処理装置10の構成の一例を概略的に示す側断面図である。この基板処理装置10は、複数の基板Wに対して一括して処理を行うバッチ式の処理装置である。
First Embodiment
1 is a side cross-sectional view showing an example of the configuration of a substrate processing apparatus 10 according to a first embodiment. The substrate processing apparatus 10 is a batch-type processing apparatus that processes a plurality of substrates W collectively.

処理対象となる基板Wは平板状の形状を有しており、基板Wの厚み方向に沿って見て、例えば略円形状を有する。基板Wは例えば半導体基板である。半導体基板としては、例えばシリコン基板または炭化ケイ素基板等の基板を採用できる。基板Wの主面には種々の3次元構造が形成され得る。基板Wは、例えばMEMSデバイスの製造途中の基板である。この3次元構造の内部には、液体が入り込むことが可能な空間が形成され得る。 The substrate W to be processed has a flat plate shape, and has, for example, a substantially circular shape when viewed along the thickness direction of the substrate W. The substrate W is, for example, a semiconductor substrate. As the semiconductor substrate, for example, a silicon substrate or a silicon carbide substrate can be used. Various three-dimensional structures can be formed on the main surface of the substrate W. The substrate W is, for example, a substrate in the process of manufacturing a MEMS device. A space into which liquid can enter can be formed inside this three-dimensional structure.

複数の基板Wはキャリア(基板収容器)Cに収容された状態で基板処理装置10内に搬送される。図2は、キャリアCの構成の一例を概略的に示す正面図である。以下では、まず、キャリアCの一例について述べる。 Multiple substrates W are transported into the substrate processing apparatus 10 while being accommodated in a carrier (substrate container) C. FIG. 2 is a front view showing a schematic configuration of an example of a carrier C. Below, an example of a carrier C will first be described.

<キャリア>
キャリアCは、+Z側および-Z側に開口する箱型形状を有している。以下では、キャリアCの+Z側の開口および-Z側の開口をそれぞれ上側開口9aおよび下側開口9bとも呼ぶ。複数の基板Wの各々は起立姿勢で、キャリアCの上側開口9aからキャリアCの内部に挿入される。ここでいう起立姿勢とは、基板Wの厚み方向が水平方向に沿う姿勢である。複数の基板Wはその厚み方向に沿って並んだ状態で、キャリアCの内部に収容される。
<Career>
The carrier C has a box shape with openings on the +Z side and the -Z side. Hereinafter, the opening on the +Z side and the opening on the -Z side of the carrier C are also referred to as the upper opening 9a and the lower opening 9b, respectively. Each of the multiple substrates W is inserted into the inside of the carrier C from the upper opening 9a of the carrier C in an upright position. The upright position here means a position in which the thickness direction of the substrate W is aligned horizontally. The multiple substrates W are accommodated inside the carrier C in a state lined up along their thickness direction.

図1および図2の例では、キャリアCは前壁91と後壁92と側壁93と側壁94と一対の支持脚95,96とを含む。前壁91および後壁92は基板Wの厚み方向(ここではY方向)において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、前壁91は後壁92よりも-Y側に設けられる。側壁93および側壁94は、基板Wの厚み方向に垂直かつ水平な方向(ここではX方向)において、間隔を空けて互いに向かい合う。ここでは、側壁93は側壁94よりも-X側に設けられる。側壁94は前壁91の+X側の端部および後壁92の+X側の端部を連結し、側壁93は前壁91の-X側の端部および後壁92の-X側の端部を連結する。これにより、前壁91、後壁92、側壁93および側壁94はキャリアCの内部空間を形成する。前壁91、後壁92、側壁93および側壁94によって囲まれたキャリアCの内部空間は、その上部において開口して上側開口9aを形成し、その下部において開口して下側開口9bを形成する。 1 and 2, the carrier C includes a front wall 91, a rear wall 92, a side wall 93, a side wall 94, and a pair of support legs 95, 96. The front wall 91 and the rear wall 92 face each other with a gap in the thickness direction of the substrate W (here, the Y direction). Here, the front wall 91 is provided on the -Y side of the rear wall 92. The side walls 93 and 94 face each other with a gap in a direction perpendicular to the thickness direction of the substrate W and horizontally (here, the X direction). Here, the side wall 93 is provided on the -X side of the side wall 94. The side wall 94 connects the +X side end of the front wall 91 and the +X side end of the rear wall 92, and the side wall 93 connects the -X side end of the front wall 91 and the -X side end of the rear wall 92. As a result, the front wall 91, the rear wall 92, the side wall 93, and the side wall 94 form an internal space of the carrier C. The internal space of the carrier C, surrounded by the front wall 91, the rear wall 92, the side wall 93, and the side wall 94, is open at its upper part to form an upper opening 9a, and at its lower part to form a lower opening 9b.

側壁93および側壁94の内面は、-Z側の端部(下部)において、-Z側に向かうにつれて互いに近づくように傾斜している。複数の基板Wは側壁93,94の内面のうち-Z側の部分に当接し、これによって、キャリアC内で支持される。 The inner surfaces of sidewalls 93 and 94 are inclined at their -Z ends (lower portions) so that they approach each other as they move toward the -Z side. Multiple substrates W abut against the -Z side portions of the inner surfaces of sidewalls 93 and 94, and are thereby supported within carrier C.

側壁93の内面および側壁94の内面には、各基板Wを厚み方向に沿って挟むための突部(不図示)が形成される。より具体的には、側壁93の内面には、複数の突部が基板Wの厚み方向に沿って並んで形成され、側壁94の内面には、複数の突部が基板Wの厚み方向に沿って並んで形成される。これによれば、側壁93,94の各々において、隣り合う2つの突部の間に溝が形成される。各基板Wの周縁部のうち-X側の部分は側壁93の溝に挿入され、各基板Wの周縁部のうち+X側の部分は側壁94の溝に挿入される。これにより、各基板WはキャリアCの突部とも当接し、起立姿勢でキャリアC内に収容される。 The inner surface of the sidewall 93 and the inner surface of the sidewall 94 are formed with protrusions (not shown) for sandwiching each substrate W along the thickness direction. More specifically, the inner surface of the sidewall 93 has a plurality of protrusions formed in a line along the thickness direction of the substrate W, and the inner surface of the sidewall 94 has a plurality of protrusions formed in a line along the thickness direction of the substrate W. As a result, a groove is formed between two adjacent protrusions on each of the sidewalls 93 and 94. The -X side portion of the periphery of each substrate W is inserted into the groove of the sidewall 93, and the +X side portion of the periphery of each substrate W is inserted into the groove of the sidewall 94. As a result, each substrate W abuts against the protrusion of the carrier C and is stored in the carrier C in an upright position.

支持脚95は側壁93の-Z側の端(下端)に設けられ、支持脚96は側壁94の-Z側の端(下端)に設けられる。支持脚95および支持脚96はX方向において互いに間隔を空けて向かい合う。 Support leg 95 is provided at the -Z end (lower end) of side wall 93, and support leg 96 is provided at the -Z end (lower end) of side wall 94. Support leg 95 and support leg 96 face each other with a gap in between in the X direction.

<基板処理装置>
基板処理装置10は貯留槽2と処理液供給部3と載置部材41と振動子5と制御部6とを含んでいる。以下では、各構成を概説した後に、その具体的な一例について詳述する。
<Substrate Processing Apparatus>
The substrate processing apparatus 10 includes a storage tank 2, a processing liquid supply unit 3, a mounting member 41, an oscillator 5, and a control unit 6. Each component will be generally described below, and then a specific example will be described in detail.

貯留槽2は処理液を貯留する。処理液は、複数の基板Wに対する処理を行うための液体である。処理液としては、例えば、純水およびイソプロピルアルコール等のリンス液またはフッ酸等の薬液が採用され得る。ここでは、一例として薬液を採用する。 The storage tank 2 stores a processing liquid. The processing liquid is a liquid for performing processing on a plurality of substrates W. As the processing liquid, for example, a rinse liquid such as pure water and isopropyl alcohol, or a chemical liquid such as hydrofluoric acid can be used. Here, a chemical liquid is used as an example.

処理液供給部3は制御部6によって制御され、貯留槽2に処理液を供給する。処理液供給部3は供給管31を含んでおり、供給管31は吐出口31aを有している。供給管31の吐出口31aは貯留槽2内において開口し、吐出口31aから貯留槽2の内部に処理液が吐出される。これにより、貯留槽2内に処理液が貯留される。 The processing liquid supply unit 3 is controlled by the control unit 6 and supplies processing liquid to the storage tank 2. The processing liquid supply unit 3 includes a supply pipe 31, which has an outlet 31a. The outlet 31a of the supply pipe 31 opens in the storage tank 2, and the processing liquid is discharged from the outlet 31a into the storage tank 2. This causes the processing liquid to be stored in the storage tank 2.

載置部材41は、キャリアCを載置する部材である。載置部材41は貯留槽2の内部に設けられており、キャリアCを支持する。具体的には、載置部材41の+Z側の面(上面)には、キャリアCの-Z側の端(下端)が当接する。キャリアCが載置部材41の上に載置された状態で、キャリアCおよび複数の基板Wは貯留槽2内の処理液に浸漬する。 The mounting member 41 is a member on which the carrier C is placed. The mounting member 41 is provided inside the storage tank 2 and supports the carrier C. Specifically, the -Z side end (lower end) of the carrier C abuts against the +Z side surface (upper surface) of the mounting member 41. With the carrier C placed on the mounting member 41, the carrier C and the multiple substrates W are immersed in the processing liquid in the storage tank 2.

振動子5は載置部材41に設けられている。振動子5は制御部6の制御下で振動する。振動子5は載置部材41に接触しており、具体的な一例として、振動子5は載置部材41に埋設される。 The vibrator 5 is provided on the mounting member 41. The vibrator 5 vibrates under the control of the control unit 6. The vibrator 5 is in contact with the mounting member 41, and as a specific example, the vibrator 5 is embedded in the mounting member 41.

振動子5の振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。振動子5は載置部材41に接触しており、載置部材41はキャリアCの下端(図では支持脚95,96の下端)に接触しており、キャリアCはその内部で複数の基板Wに接触しているので、振動子5からの振動を載置部材41およびキャリアCの固体のみを介して基板Wに伝達することができる。言い換えれば、この振動伝達経路には処理液は介在していない。 The vibration of the vibrator 5 is transmitted to the multiple substrates W via the mounting member 41 and the carrier C. The vibrator 5 is in contact with the mounting member 41, which is in contact with the lower end of the carrier C (the lower ends of the support legs 95, 96 in the figure), and the carrier C is in contact with the multiple substrates W inside it, so that the vibration from the vibrator 5 can be transmitted to the substrates W only via the solid bodies of the mounting member 41 and the carrier C. In other words, no processing liquid is present in this vibration transmission path.

制御部6は、基板処理装置10を統括的に制御する。具体的には、制御部6は処理液供給部3および振動子5を制御する。 The control unit 6 controls the entire substrate processing apparatus 10. Specifically, the control unit 6 controls the processing liquid supply unit 3 and the vibrator 5.

具体的には、まず、制御部6は処理液供給部3を制御して貯留槽2の内部に処理液を供給させる。これにより、貯留槽2に処理液が貯留される。そして、キャリアCが不図示の搬送装置によって載置部材41の上に搬送される。これにより、キャリアCおよび複数の基板Wは貯留槽2内の処理液に浸漬する。制御部6はこの状態で振動子5を振動させる。 Specifically, first, the control unit 6 controls the processing liquid supply unit 3 to supply the processing liquid into the storage tank 2. As a result, the processing liquid is stored in the storage tank 2. Then, the carrier C is transported onto the mounting member 41 by a transport device (not shown). As a result, the carrier C and the multiple substrates W are immersed in the processing liquid in the storage tank 2. In this state, the control unit 6 vibrates the vibrator 5.

振動子5の振動は上記の振動伝達経路を経由して複数の基板Wに伝達されるので、複数の基板Wが処理液に対して振動する。しかも、上記の振動伝達経路は固体のみによって構成されるので、振動の劣化を抑制して基板Wに伝達することができる。つまり、周波数および振幅の低下を抑制しつつ振動を基板Wに速やかに伝達することができる。 The vibration of the vibrator 5 is transmitted to the multiple substrates W via the vibration transmission path, so that the multiple substrates W vibrate relative to the processing liquid. Moreover, since the vibration transmission path is composed only of solids, the vibration can be transmitted to the substrates W with reduced deterioration. In other words, the vibration can be rapidly transmitted to the substrates W while reducing the decrease in frequency and amplitude.

基板Wは処理液に対して所定の周波数かつ振幅で振動するので、処理液は基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすくなる。つまり、3次元構造の内部空間での処理液の滞留を抑制することができ、当該内部空間において古い処理液から新しい処理液への置換を促進させることができる。よって、当該内部空間における基板Wに対する処理不足を抑制または回避することができる。言い換えれば、基板Wに対する処理を適切に行うことができる。 Since the substrate W vibrates with respect to the processing liquid at a predetermined frequency and amplitude, the processing liquid can easily enter and exit the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W. In other words, it is possible to prevent the processing liquid from stagnating in the internal space of the three-dimensional structure, and to promote the replacement of old processing liquid with new processing liquid in the internal space. As a result, it is possible to prevent or avoid insufficient processing of the substrate W in the internal space. In other words, the substrate W can be appropriately processed.

以下、基板処理装置10の各構成の具体的な一例について詳述する。 A specific example of each component of the substrate processing apparatus 10 is described in detail below.

<貯留槽>
図1の例では、貯留槽2は、内槽空間2aと外槽空間2bとを含む二重構造を有する。図1の例では、貯留槽2は底部21と周壁22と仕切部材23とを含む。底部21は板状の形状を有しており、その厚み方向がZ方向に沿う姿勢で設けられる。周壁22は底部21の周縁に立設されており、+Z側に沿って延在する。
<Storage tank>
In the example of Fig. 1, the storage tank 2 has a double structure including an inner tank space 2a and an outer tank space 2b. In the example of Fig. 1, the storage tank 2 includes a bottom 21, a peripheral wall 22, and a partition member 23. The bottom 21 has a plate-like shape and is provided with its thickness direction along the Z direction. The peripheral wall 22 is erected on the periphery of the bottom 21 and extends along the +Z side.

仕切部材23は、底部21および周壁22によって囲まれた貯留槽2の内部空間を、内槽空間2aと外槽空間2bとに仕切る。仕切部材23は貯留槽2の内部空間においてZ方向に沿って延在しており、その-Z側の端(下端)が底部21に連結される。図1の例では、仕切部材23よりも-X側の空間が内槽空間2aに相当し、+X側の空間が外槽空間2bに相当する。仕切部材23の+Z側の端(上端)は周壁22の+Z側の端(上端)よりも-Z側に位置している。つまり、仕切部材23は周壁22よりも低い。処理液は、その液面が仕切部材23の+Z側の端よりも高くなるまで、貯留槽2内に供給される。つまり、処理液は内槽空間2aおよび外槽空間2bの両方に貯留される。 The partition member 23 divides the internal space of the storage tank 2 surrounded by the bottom 21 and the peripheral wall 22 into an inner tank space 2a and an outer tank space 2b. The partition member 23 extends along the Z direction in the internal space of the storage tank 2, and its -Z end (lower end) is connected to the bottom 21. In the example of FIG. 1, the space on the -X side of the partition member 23 corresponds to the inner tank space 2a, and the space on the +X side corresponds to the outer tank space 2b. The +Z end (upper end) of the partition member 23 is located on the -Z side of the +Z end (upper end) of the peripheral wall 22. In other words, the partition member 23 is lower than the peripheral wall 22. The treatment liquid is supplied into the storage tank 2 until the liquid level becomes higher than the +Z end of the partition member 23. In other words, the treatment liquid is stored in both the inner tank space 2a and the outer tank space 2b.

<処理液供給部>
図1の例では、処理液供給部3は供給管31とバルブ32とを含む。図1の例では、供給管31の下流部分が貯留槽2の内槽空間2aにおいて、底部21の近傍に設けられている。図1の例では、載置部材41も貯留槽2の内槽空間2aに設けられており、供給管31の下流部分は載置部材41よりも-Z側に設けられている。供給管31の下流部分は例えばY方向に沿って延在しており、その外周面に複数の吐出口31aが形成されている。複数の吐出口31aはY方向に並んで形成されており、各吐出口31aから処理液が吐出される。
<Processing liquid supply unit>
In the example of Fig. 1, the processing liquid supply unit 3 includes a supply pipe 31 and a valve 32. In the example of Fig. 1, a downstream portion of the supply pipe 31 is provided in the inner tank space 2a of the storage tank 2 near the bottom 21. In the example of Fig. 1, a mounting member 41 is also provided in the inner tank space 2a of the storage tank 2, and the downstream portion of the supply pipe 31 is provided on the -Z side of the mounting member 41. The downstream portion of the supply pipe 31 extends, for example, along the Y direction, and a plurality of discharge ports 31a are formed on its outer circumferential surface. The plurality of discharge ports 31a are formed side by side in the Y direction, and the processing liquid is discharged from each of the discharge ports 31a.

供給管31はその上流端において処理液供給源33に接続されている。処理液供給源33は処理液を供給管31の上流端に供給する。 The supply pipe 31 is connected at its upstream end to a processing liquid supply source 33. The processing liquid supply source 33 supplies processing liquid to the upstream end of the supply pipe 31.

バルブ32は供給管31の上流部分に介装されている。バルブ32は制御部6によって制御され、バルブ32が開くことにより、処理液供給源33から供給管31を通じて貯留槽2の内部に処理液が供給される。具体的には、処理液が内槽空間2aに供給される。これにより、処理液の液面は内槽空間2aにおいて徐々に上昇し、仕切部材23の+Z側の端を超える。これにより、処理液が外槽空間2bに溢れ出る。そして、外槽空間2bにおいても処理液の液面が徐々に上昇し、いずれ仕切部材23の+Z側の端を超える。 The valve 32 is disposed in the upstream portion of the supply pipe 31. The valve 32 is controlled by the control unit 6, and when the valve 32 is opened, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply source 33 through the supply pipe 31 into the inside of the storage tank 2. Specifically, the processing liquid is supplied to the inner tank space 2a. As a result, the liquid level of the processing liquid gradually rises in the inner tank space 2a and exceeds the +Z end of the partition member 23. As a result, the processing liquid overflows into the outer tank space 2b. Then, the liquid level of the processing liquid gradually rises in the outer tank space 2b as well, and eventually exceeds the +Z end of the partition member 23.

なお、貯留槽2には適宜に不図示の排液管が接続され、排液管に介装されたバルブが開くことにより、貯留槽2内の処理液は外部に排出可能となっている。 A drain pipe (not shown) is connected to the storage tank 2 as appropriate, and the treatment liquid in the storage tank 2 can be discharged to the outside by opening a valve installed in the drain pipe.

<循環部>
図1の例では、基板処理装置10には、循環部7が設けられている。循環部7は循環配管71とポンプ72とフィルタ73とを含む。循環配管71の上流端は外槽空間2bにおいて底部21に接続され、循環配管71の下流端は内槽空間2aにおいて底部21に接続される。フィルタ73は循環配管71に介装されており、循環配管71内の処理液の不純物を捕捉する。ポンプ72は循環配管71に介装される。ポンプ72は制御部6によって制御され、循環配管71内の処理液を上流端から下流端に向かって送液する。
<Circulation section>
1, the substrate processing apparatus 10 is provided with a circulation unit 7. The circulation unit 7 includes a circulation pipe 71, a pump 72, and a filter 73. An upstream end of the circulation pipe 71 is connected to the bottom 21 in the outer bath space 2b, and a downstream end of the circulation pipe 71 is connected to the bottom 21 in the inner bath space 2a. The filter 73 is provided in the circulation pipe 71 and captures impurities in the processing liquid in the circulation pipe 71. The pump 72 is provided in the circulation pipe 71. The pump 72 is controlled by the control unit 6 and sends the processing liquid in the circulation pipe 71 from the upstream end to the downstream end.

これにより、貯留槽2内の処理液は循環配管71を通じて再び貯留槽2内に戻る。つまり、処理液は貯留槽2および循環配管71を循環する。 As a result, the treatment liquid in the storage tank 2 returns to the storage tank 2 through the circulation pipe 71. In other words, the treatment liquid circulates through the storage tank 2 and the circulation pipe 71.

<載置部材>
図3は、載置部材41の構成の一例を概略的に示す平面図である。図3の例では、載置部材41には開口41aが形成されている。開口41aは載置部材41をZ方向に沿って貫通している。
<Placement Member>
Fig. 3 is a plan view that shows a schematic example of the configuration of the mounting member 41. In the example of Fig. 3, an opening 41a is formed in the mounting member 41. The opening 41a penetrates the mounting member 41 along the Z direction.

図3の例では、載置部材41は枠体411と4つの当接部材412とを含んでいる。枠体411は平面視において(つまり、Z方向に沿って見て)、矩形の枠形状を有している。枠体411は、その一辺がX方向に沿う姿勢で設けられている。 In the example of FIG. 3, the mounting member 41 includes a frame body 411 and four abutment members 412. The frame body 411 has a rectangular frame shape in a plan view (i.e., when viewed along the Z direction). The frame body 411 is disposed with one side aligned along the X direction.

4つの当接部材412は枠体411の4つの頂点付近にそれぞれ設けられ、より具体的には、枠体411の頂点部の内側面にそれぞれ連結されている。図3の例では、各当接部材412は平面視において矩形形状を有しており、各当接部材412の互いに直交する2辺が枠体411の内側面に連結されている。これらの当接部材412は枠体411の内側面から内側に突出する。 The four abutment members 412 are provided near the four vertices of the frame body 411, and more specifically, are connected to the inner surfaces of the vertices of the frame body 411. In the example of FIG. 3, each abutment member 412 has a rectangular shape in a plan view, and two mutually perpendicular sides of each abutment member 412 are connected to the inner surface of the frame body 411. These abutment members 412 protrude inward from the inner surface of the frame body 411.

4つの当接部材412をそれぞれ当接部材412a~412dとも呼ぶ。当接部材412a,412bはY方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412aは当接部材412bよりも+Y側に位置している。当接部材412c,412dはY方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412cは当接部材412dよりも+Y側に設けられている。当接部材412a,412cはX方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412aは当接部材412cよりも-X側に位置している。当接部材412b,412dはX方向において間隔を空けて設けられ、当接部材412bは当接部材412dよりも-X側に位置している。 The four abutment members 412 are also referred to as abutment members 412a to 412d. The abutment members 412a and 412b are spaced apart in the Y direction, with the abutment member 412a located on the +Y side of the abutment member 412b. The abutment members 412c and 412d are spaced apart in the Y direction, with the abutment member 412c located on the +Y side of the abutment member 412d. The abutment members 412a and 412c are spaced apart in the X direction, with the abutment member 412a located on the -X side of the abutment member 412c. The abutment members 412b and 412d are spaced apart in the X direction, with the abutment member 412b located on the -X side of the abutment member 412d.

このような載置部材41において、枠体411および4つの当接部材412からなる構造体が囲む空間が開口41aに相当する。 In such a mounting member 41, the space surrounded by the structure consisting of the frame body 411 and the four abutment members 412 corresponds to the opening 41a.

キャリアCの支持脚95,96は当接部材412の上に載置される。具体的には、支持脚95の+Y側の部分および-Y側の部分がそれぞれ当接部材412a,412bに接触し、支持脚96の+Y側の部分および-Y側の部分がそれぞれ当接部材412c,412dに接触する。 Support legs 95, 96 of carrier C are placed on abutment members 412. Specifically, the +Y side and -Y side portions of support leg 95 contact abutment members 412a, 412b, respectively, and the +Y side and -Y side portions of support leg 96 contact abutment members 412c, 412d, respectively.

図1の例では、載置部材41は吊り部材42によって支持される。吊り部材42はZ方向に延在しており、その-Z側の端(下端)が載置部材41の+Y側の端部に連結されている。吊り部材42は貯留槽2よりも+Z側に突出しており、基板処理装置10内で固定される。例えば、貯留槽2を収容するチャンバが設けられる場合には、吊り部材42はチャンバに固定される。 In the example of FIG. 1, the mounting member 41 is supported by a hanging member 42. The hanging member 42 extends in the Z direction, and its -Z end (lower end) is connected to the +Y end of the mounting member 41. The hanging member 42 protrudes further toward the +Z side than the storage tank 2, and is fixed within the substrate processing apparatus 10. For example, if a chamber is provided to house the storage tank 2, the hanging member 42 is fixed to the chamber.

なお、載置部材41には、キャリアCの水平方向の位置を決定するための位置決め構造、または、キャリアCを保持する保持機構が適宜に設けられていてもよい。 In addition, the mounting member 41 may be appropriately provided with a positioning structure for determining the horizontal position of the carrier C, or a holding mechanism for holding the carrier C.

<振動子>
振動子5は超音波振動子であって、例えば圧電素子を含む。具体的な一例として、振動子5は、圧電セラミックス等の圧電体と、当該圧電体に設けられた一対の電極とを含む。一対の電極は圧電体に接触しており、一対の電極間に駆動電圧が印加されることで、圧電体に駆動電圧が印加される。圧電体は当該駆動電圧に応じて、収縮したり、膨張したりする。図1の例では、一対の電極は発振器51に電気的に接続されている。発振器51は制御部6によって制御され、振動子5の電極間に駆動電圧を印加する。発振器51は駆動電圧として例えば高周波電圧を振動子5に出力する。振動子5の圧電体は発振器51からの駆動電圧に応じて収縮と膨張とを交互に繰り返すことで振動する。
<Transducer>
The transducer 5 is an ultrasonic transducer, and includes, for example, a piezoelectric element. As a specific example, the transducer 5 includes a piezoelectric body such as a piezoelectric ceramic, and a pair of electrodes provided on the piezoelectric body. The pair of electrodes are in contact with the piezoelectric body, and a driving voltage is applied between the pair of electrodes, so that the driving voltage is applied to the piezoelectric body. The piezoelectric body contracts or expands in response to the driving voltage. In the example of FIG. 1, the pair of electrodes are electrically connected to an oscillator 51. The oscillator 51 is controlled by the control unit 6, and applies a driving voltage between the electrodes of the transducer 5. The oscillator 51 outputs, for example, a high-frequency voltage as a driving voltage to the transducer 5. The piezoelectric body of the transducer 5 vibrates by alternately repeating contraction and expansion in response to the driving voltage from the oscillator 51.

振動子5は例えば載置部材41の内部に埋設され、その少なくとも一部が載置部材41に接触する。これにより、圧電体の振動をその接触箇所を介して載置部材41に直接に伝達することができる。 The vibrator 5 is embedded, for example, inside the mounting member 41, and at least a portion of it is in contact with the mounting member 41. This allows the vibration of the piezoelectric body to be transmitted directly to the mounting member 41 via the contact point.

また、載置部材41は処理液に対する耐薬品性を有する材料で構成されているので、振動子5が載置部材41に埋設されている場合には、載置部材41は振動子5を処理液から保護することができる。耐薬品性を有する材料としては、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂あるいは石英を採用することができる。 In addition, since the mounting member 41 is made of a material that is chemically resistant to the processing liquid, when the vibrator 5 is embedded in the mounting member 41, the mounting member 41 can protect the vibrator 5 from the processing liquid. Examples of the chemically resistant material that can be used include resins such as polyvinyl chloride resin or fluorine-based resin, or quartz.

振動子5が載置部材41に埋設されない場合、振動子5は、圧電体および一対の電極を囲んで封止するための保護部材(パッケージ)をさらに含んでいるとよい。当該保護部材の材料としては、処理液に対する耐薬品性を有する材料を採用することができ、例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂あるいは石英を採用することができる。保護部材は圧電体および一対の電極の少なくともいずれか一方に接触する。このような振動子5は載置部材41の表面に取り付けられ、振動子5のパッケージの少なくとも一部が載置部材41の表面に接触する。これにより、圧電体の振動がパッケージを介して載置部材41へと伝達される。つまり、圧電体の振動を固体のみを介して載置部材41へ伝達させることができる。 When the vibrator 5 is not embedded in the mounting member 41, the vibrator 5 may further include a protective member (package) for surrounding and sealing the piezoelectric body and the pair of electrodes. The material of the protective member may be a material that is chemically resistant to the processing liquid, such as a resin such as polyvinyl chloride resin or a fluororesin, or quartz. The protective member contacts at least one of the piezoelectric body and the pair of electrodes. Such a vibrator 5 is attached to the surface of the mounting member 41, and at least a part of the package of the vibrator 5 contacts the surface of the mounting member 41. This allows the vibration of the piezoelectric body to be transmitted to the mounting member 41 via the package. In other words, the vibration of the piezoelectric body can be transmitted to the mounting member 41 only via a solid.

図3の例では、振動子5として複数(図の例では4つ)の振動子5a~5dが設けられている。4つの振動子5a~5dは、それぞれ、4つの当接部材412に設けられている。これによれば、4つの振動子5a~5dをキャリアCの支持脚95,96の近傍に設けることができる。具体的には、振動子5a,5b(第1振動子に相当)はキャリアCの支持脚95の近傍に設けられ、振動子5c,5d(第2振動子に相当)はキャリアCの支持脚96の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5a,5bは支持脚96よりも支持脚95に近い位置に設けられ、振動子5c,5dは支持脚95よりも支持脚96に近い位置に設けられる。 In the example of FIG. 3, a plurality of (four in the example shown) vibrators 5a to 5d are provided as the vibrator 5. The four vibrators 5a to 5d are provided on the four abutment members 412, respectively. This allows the four vibrators 5a to 5d to be provided near the support legs 95, 96 of the carrier C. Specifically, the vibrators 5a and 5b (corresponding to the first vibrator) are provided near the support leg 95 of the carrier C, and the vibrators 5c and 5d (corresponding to the second vibrator) are provided near the support leg 96 of the carrier C. In other words, the vibrators 5a and 5b are provided at a position closer to the support leg 95 than the support leg 96, and the vibrators 5c and 5d are provided at a position closer to the support leg 96 than the support leg 95.

また、振動子5aは支持脚95の+Y側の端部の近傍に設けられ、振動子5bは支持脚95の-Y側の端部の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5aは支持脚95の-Y側の端部よりも+Y側の端部に近い位置に設けられ、振動子5bは支持脚95の+Y側の端部よりも-Y側の端部に近い位置に設けられる。振動子5cは支持脚96の+Y側の端部の近傍に設けられ、振動子5dは支持脚96の-Y側の端部の近傍に設けられる。言い換えれば、振動子5cは支持脚96の-Y側の端部よりも+Y側の端部に近い位置に設けられ、振動子5dは支持脚96の+Y側の端部よりも-Y側の端部に近い位置に設けられる。 Also, the vibrator 5a is provided near the +Y side end of the support leg 95, and the vibrator 5b is provided near the -Y side end of the support leg 95. In other words, the vibrator 5a is provided at a position closer to the +Y side end of the support leg 95 than the -Y side end, and the vibrator 5b is provided at a position closer to the -Y side end of the support leg 95 than the +Y side end. The vibrator 5c is provided near the +Y side end of the support leg 96, and the vibrator 5d is provided near the -Y side end of the support leg 96. In other words, the vibrator 5c is provided at a position closer to the +Y side end of the support leg 96 than the -Y side end, and the vibrator 5d is provided at a position closer to the -Y side end of the support leg 96 than the +Y side end.

このような配置によれば、4つの振動子5a~5dがキャリアCに対してより均等に振動を伝達させることができる。したがって、複数の基板Wをより均等に振動させることができ、基板Wに対する処理の均一性を向上させることができる。 This arrangement allows the four vibrators 5a to 5d to transmit vibrations more evenly to the carrier C. As a result, multiple substrates W can be vibrated more evenly, improving the uniformity of processing of the substrates W.

<制御部>
図4は、制御部6の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部6は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置61および記憶媒体62を有していてもよい。データ処理装置61は例えばCPU(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体62は非一時的な記憶媒体621(例えばROM(Read Only Memory)またはハードディスク)および一時的な記憶媒体622(例えばRAM(Random Access Memory))を有していてもよい。非一時的な記憶媒体621には、例えば制御部6が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理装置61がこのプログラムを実行することにより、制御部6が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部6が実行する処理の一部または全部が、論理回路などのハードウェア回路によって実行されてもよい。
<Control Unit>
FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 6. The control unit 6 is an electronic circuit device and may have, for example, a data processing device 61 and a storage medium 62. The data processing device 61 may be, for example, an arithmetic processing device such as a CPU (Central Processor Unit). The storage medium 62 may have a non-transient storage medium 621 (for example, a ROM (Read Only Memory) or a hard disk) and a temporary storage medium 622 (for example, a RAM (Random Access Memory)). The non-transient storage medium 621 may store, for example, a program that specifies the processing to be executed by the control unit 6. The data processing device 61 executes this program, so that the control unit 6 can execute the processing specified in the program. Of course, a part or all of the processing executed by the control unit 6 may be executed by a hardware circuit such as a logic circuit.

<基板処理装置の動作>
次に基板処理装置10の動作の具体的な一例について改めて説明する。まず、処理液供給部3が貯留槽2内に処理液を供給する。具体的には、制御部6がバルブ32を開くことで、処理液が供給管31の吐出口31aから吐出される。処理液の液面が仕切部材23よりも高くなると、制御部6がバルブ32を閉じる。これにより、処理液の供給が停止し、処理液は内槽空間2aおよび外槽空間2bの両方に貯留されることとなる。
<Operation of the Substrate Processing Apparatus>
Next, a specific example of the operation of the substrate processing apparatus 10 will be described again. First, the processing liquid supply unit 3 supplies the processing liquid into the storage tank 2. Specifically, the control unit 6 opens the valve 32, so that the processing liquid is discharged from the discharge port 31a of the supply pipe 31. When the liquid level of the processing liquid becomes higher than the partition member 23, the control unit 6 closes the valve 32. This stops the supply of the processing liquid, and the processing liquid is stored in both the inner tank space 2a and the outer tank space 2b.

次に、不図示の搬送装置がキャリアCを貯留槽2の内部に進入させ、キャリアCを載置部材41に載置させる。これにより、キャリアCおよび複数の基板Wが貯留槽2内の処理液に浸漬する。次に、制御部6はポンプ72を作動させる。これにより、処理液は循環配管71を通じて循環する。なお、ポンプ72はキャリアCの搬入前から作動していてもよい。 Next, a transport device (not shown) moves the carrier C into the storage tank 2 and places the carrier C on the placement member 41. As a result, the carrier C and the multiple substrates W are immersed in the processing liquid in the storage tank 2. Next, the control unit 6 operates the pump 72. As a result, the processing liquid circulates through the circulation pipe 71. Note that the pump 72 may be operating before the carrier C is loaded.

次に、制御部6は振動子5を振動させる。具体的には、制御部6は発振器51に駆動電圧を出力させる。これにより、振動子5が当該駆動電圧に応じた周波数で振動する。ここでは、振動子5が発振する振動の周波数は1MHz以上かつ3MHz以下に設定される。言い換えれば、制御部6は振動子5が1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動するように、発振器51の出力電圧を調整する。 Next, the control unit 6 vibrates the vibrator 5. Specifically, the control unit 6 causes the oscillator 51 to output a drive voltage. This causes the vibrator 5 to vibrate at a frequency corresponding to the drive voltage. Here, the frequency of vibration oscillated by the vibrator 5 is set to 1 MHz or more and 3 MHz or less. In other words, the control unit 6 adjusts the output voltage of the oscillator 51 so that the vibrator 5 vibrates at a frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less.

このような基板処理において、ポンプ72が作動しているので、循環配管71の下流端から貯留槽2の内槽空間2aに流入した処理液は、載置部材41の開口41aおよびキャリアCの下側開口9bを順次に経由して、複数の基板Wの相互間を+Z側に流れる。処理液は基板Wの相互間の通過中に基板Wの表面に作用する。これにより、処理液の種類に応じた処理が基板Wに対して行われる。 In this type of substrate processing, the pump 72 is operating, and the processing liquid that has flowed from the downstream end of the circulation piping 71 into the inner tank space 2a of the storage tank 2 passes sequentially through the opening 41a of the mounting member 41 and the lower opening 9b of the carrier C, and flows between the multiple substrates W in the +Z direction. The processing liquid acts on the surfaces of the substrates W as they pass between each other. This allows the substrates W to be processed in accordance with the type of processing liquid.

処理液はキャリアCの上側開口9aから流出し、仕切部材23を超えて外槽空間2bに流入する。そして、処理液は外槽空間2bを-Z側に流れて循環配管71の上流端に流入する。処理液は循環配管71内のフィルタ73によって不純物が除去された上で、再び内槽空間2aに流入する。これにより、より清浄な処理液を複数の基板Wに向けて流すことができる。 The processing liquid flows out from the upper opening 9a of the carrier C, passes over the partition member 23, and flows into the outer bath space 2b. The processing liquid then flows through the outer bath space 2b to the -Z side and flows into the upstream end of the circulation pipe 71. Impurities are removed from the processing liquid by the filter 73 in the circulation pipe 71, and the processing liquid flows back into the inner bath space 2a. This allows cleaner processing liquid to flow toward multiple substrates W.

また、上述の動作において、振動子5が振動する。この振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。これにより、各基板Wが処理液に対して振動するので、処理液は基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすくなる。つまり、当該内部空間において基板Wに作用した古い処理液が新しい処理液に置換されやすくなる。したがって、内部空間における処理不足を抑制または回避でき、当該内部空間においても基板Wに対する処理を適切に行うことができる。 In addition, in the above-mentioned operation, the vibrator 5 vibrates. This vibration is transmitted to the multiple substrates W via the mounting member 41 and the carrier C. As a result, each substrate W vibrates relative to the processing liquid, and the processing liquid can easily enter and exit the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W. In other words, old processing liquid that has acted on the substrate W in the internal space is easily replaced by new processing liquid. Therefore, insufficient processing in the internal space can be suppressed or avoided, and the substrates W can be appropriately processed in the internal space.

複数の基板Wに対する処理が十分に行われると、制御部6は振動子5の振動およびポンプ72の作動を停止させる。次に、搬送装置がキャリアCを貯留槽2から搬出する。 When the processing of the multiple substrates W has been completed sufficiently, the control unit 6 stops the vibration of the vibrator 5 and the operation of the pump 72. Next, the transport device transports the carrier C out of the storage tank 2.

以上のようにして、複数の基板Wに対して一括して処理を行うことができる。 In this manner, multiple substrates W can be processed simultaneously.

ところで、処理液としてフッ酸等の薬液を採用する場合には、基板Wに付着した薬液を洗い流す必要がある。そこで、基板処理装置10にリンス槽(不図示)が設けられてもよい。この場合、搬送装置は貯留槽2による薬液処理の後に、キャリアCを貯留槽2からリンス槽へと搬送する。リンス槽には純水等のリンス液が貯留されており、キャリアCおよび複数の基板Wがリンス液に浸漬することにより、キャリアCおよび複数の基板Wに付着した薬液が洗い流される(リンス処理)。 When using a chemical solution such as hydrofluoric acid as the processing liquid, it is necessary to wash away the chemical solution adhering to the substrates W. Therefore, a rinsing tank (not shown) may be provided in the substrate processing apparatus 10. In this case, after the chemical processing in the storage tank 2, the transport device transports the carrier C from the storage tank 2 to the rinsing tank. A rinsing liquid such as pure water is stored in the rinsing tank, and the carrier C and the multiple substrates W are immersed in the rinsing liquid, thereby washing away the chemical solution adhering to the carrier C and the multiple substrates W (rinsing process).

あるいは、貯留槽2をリンス槽として利用してもよい。具体的には、基板処理装置10は貯留槽2内の処理液を排出した後に、貯留槽2内にリンス液を供給してもよい。これによっても、キャリアCおよび複数の基板Wをリンス液に浸漬させることができ、キャリアCおよび複数の基板Wに付着した薬液を洗い流すことができる。 Alternatively, the storage tank 2 may be used as a rinsing tank. Specifically, the substrate processing apparatus 10 may supply a rinsing liquid into the storage tank 2 after discharging the processing liquid from the storage tank 2. This also allows the carrier C and the multiple substrates W to be immersed in the rinsing liquid, and the chemical liquid adhering to the carrier C and the multiple substrates W to be washed away.

リンス処理後には、キャリアCおよび複数の基板Wに対する乾燥処理が行われる。例えば、基板処理装置10には、高温の不活性ガスを吐出するガス供給部が設けられる。そして、搬送装置がキャリアCを上昇させてリンス液から引き上げたり、あるいは、基板処理装置10がリンス液を排出した後に、ガス供給部が高温の不活性ガスをキャリアCおよび複数の基板Wに供給する。これによって、キャリアCおよび複数の基板Wが乾燥する。 After the rinsing process, a drying process is performed on the carrier C and the multiple substrates W. For example, the substrate processing apparatus 10 is provided with a gas supply unit that discharges a high-temperature inert gas. Then, the transport device raises the carrier C out of the rinsing liquid, or after the substrate processing apparatus 10 discharges the rinsing liquid, the gas supply unit supplies the high-temperature inert gas to the carrier C and the multiple substrates W. This dries the carrier C and the multiple substrates W.

以上のように、基板処理装置10によれば、一括して複数の基板Wを処理して乾燥させることができる。 As described above, the substrate processing apparatus 10 can process and dry multiple substrates W at the same time.

しかも、基板処理装置10によれば、振動子5の振動により基板Wが振動するので、基板Wの3次元構造の内部空間における処理液の置換を促進させることができる。言い換えれば、内部空間における処理液の滞留を抑制することができる。さらに、振動子5の振動は載置部材41およびキャリアCを介して複数の基板Wに伝達される。つまり、固体を通じて複数の基板Wに振動を伝達することができる。固体における振動の劣化(減衰)は液体における振動の劣化よりも小さいので、振動子5の振動をあまり劣化させずに、基板Wに伝達することができる。よって、基板Wを所望の周波数および振幅で振動させることができる。 Moreover, according to the substrate processing apparatus 10, the substrate W is vibrated by the vibration of the vibrator 5, so that the replacement of the processing liquid in the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W can be promoted. In other words, the stagnation of the processing liquid in the internal space can be suppressed. Furthermore, the vibration of the vibrator 5 is transmitted to the multiple substrates W via the mounting member 41 and the carrier C. In other words, the vibration can be transmitted to the multiple substrates W through a solid. Since the deterioration (attenuation) of vibration in a solid is smaller than the deterioration of vibration in a liquid, the vibration of the vibrator 5 can be transmitted to the substrate W without significant deterioration. Therefore, the substrate W can be vibrated at a desired frequency and amplitude.

また上述の例では、振動子5は1MHz以上かつ3MHz以下の高周波数で振動する。これによれば、貯留槽2に貯留された処理液にキャビテーションを生じさせずに、基板Wを振動させることができる。したがって、キャビテーションに起因した基板Wの3次元構造の倒壊もしくはパターンの倒壊を抑制または回避することができる。 In the above example, the vibrator 5 vibrates at a high frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less. This allows the substrate W to be vibrated without causing cavitation in the processing liquid stored in the storage tank 2. Therefore, it is possible to suppress or avoid the collapse of the three-dimensional structure or pattern of the substrate W caused by cavitation.

また上述の例では、4つの振動子5は、それぞれ、各キャリアCの支持脚95,96と載置部材41との接触箇所の近傍に設けられている。よって、キャリアCにより均等に振動を伝達することができ、ひいては、複数の基板Wにより均等に振動を伝達することができる。よって、複数の基板Wをより均等に処理できる。 In the above example, the four vibrators 5 are provided near the contact points between the support legs 95, 96 of each carrier C and the mounting member 41. This allows the vibrations to be transmitted more evenly by the carrier C, and ultimately to the multiple substrates W. This allows the multiple substrates W to be processed more evenly.

<載置部材の材料>
振動伝達の観点を考慮すると、載置部材41の材料として、超音波の伝搬速度が高い材料を採用するとよい。より具体的には、石英を採用するとよい。石英における伝搬速度は4400m/secであり、水の4倍近い。載置部材41が石英によって構成される場合には、載置部材41は振動子5からの振動をあまり劣化させずにキャリアCに伝達することができる。つまり、周波数の低下および振幅の低下を抑制して振動をキャリアCに速やかに伝達できる。
<Material of mounting member>
Considering the vibration transmission, it is preferable to use a material with a high ultrasonic propagation speed as the material for the mounting member 41. More specifically, it is preferable to use quartz. The propagation speed in quartz is 4400 m/sec, which is nearly four times that of water. When the mounting member 41 is made of quartz, the mounting member 41 can transmit the vibration from the vibrator 5 to the carrier C without significant deterioration. In other words, the vibration can be quickly transmitted to the carrier C while suppressing a decrease in frequency and amplitude.

なお、必ずしも載置部材41の全てが石英で構成される必要はなく、載置部材41のうち、少なくとも、振動子5との接触部からキャリアCとの接触部までの間の部分が石英で形成されていればよい。例えば当接部材412のみが石英によって形成されてもよい。 Note that the entire mounting member 41 does not necessarily need to be made of quartz, and at least the portion of the mounting member 41 between the contact portion with the vibrator 5 and the contact portion with the carrier C may be made of quartz. For example, only the abutment member 412 may be made of quartz.

<キャリアの材質>
キャリアCの材料としては、処理液に対する耐薬品性を有する材料を採用するとよい。例えば、塩化ビニル樹脂またはフッ素系樹脂などの樹脂、あるいは、石英を採用することができる。振動伝達の観点からは、超音波の伝搬速度が高い材料を採用するとよく、具体的には、石英を採用するとよい。キャリアCが石英によって形成される場合、キャリアCは振動をあまり劣化させずに複数の基板Wに伝達することができる。
<Carrier material>
The carrier C may be made of a material that is chemically resistant to the processing liquid. For example, a resin such as polyvinyl chloride resin or a fluororesin, or quartz may be used. From the viewpoint of vibration transmission, a material that has a high ultrasonic wave propagation speed may be used, and specifically, quartz may be used. When the carrier C is made of quartz, the carrier C can transmit vibrations to a plurality of substrates W without significant degradation.

なお、必ずしもキャリアCの全てが石英で形成される必要はなく、キャリアCのうち、少なくとも、載置部材41との接触部から複数の基板Wの各々との接触部までの間の部分が石英で形成されていればよい。例えば、キャリアCの支持脚95,96および側壁93,94のみが石英によって形成されてもよい。 Note that it is not necessary for the entire carrier C to be made of quartz; at least the portions of the carrier C between the contact portion with the mounting member 41 and the contact portions with each of the multiple substrates W must be made of quartz. For example, only the support legs 95, 96 and the side walls 93, 94 of the carrier C may be made of quartz.

なお、基板処理装置10にリンス槽が設けられる場合には、当該リンス槽の内部にも載置部材41および振動子5と同様の載置部材および振動子を設けるとよい。当該振動子が振動することにより、リンス液が基板Wの3次元構造の内部空間に出入りしやすいので、3次元構造内の薬液を適切にリンス液に置換することができる。 When a rinsing tank is provided in the substrate processing apparatus 10, it is advisable to provide a mounting member and an oscillator similar to the mounting member 41 and the oscillator 5 inside the rinsing tank. The oscillator vibrates, making it easier for the rinsing liquid to enter and exit the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W, so that the chemical liquid inside the three-dimensional structure can be appropriately replaced with the rinsing liquid.

<第2の実施の形態>
図5は、第2の実施の形態にかかる基板処理装置10Aの構成の一例を概略的に示す側断面図である。基板処理装置10Aは揺動機構4の有無を除いて、基板処理装置10と同様の構成を有している。
Second Embodiment
5 is a side cross-sectional view showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus 10A according to the second embodiment. The substrate processing apparatus 10A has a similar configuration to the substrate processing apparatus 10, except for the presence or absence of a swing mechanism 4.

揺動機構4は載置部材41を揺動させる。図5の例では、揺動機構4は吊り部材42と昇降機構43を含む。昇降機構43は制御部6によって制御され、吊り部材42をZ方向に往復移動させる。これにより、吊り部材42に連結された載置部材41もZ方向に往復移動する。つまり、昇降機構43は載置部材41を昇降させる。昇降機構43例えばエアシリンダまたはボールねじ機構などの機構を有する。 The rocking mechanism 4 rocks the mounting member 41. In the example of FIG. 5, the rocking mechanism 4 includes a hanging member 42 and a lifting mechanism 43. The lifting mechanism 43 is controlled by the control unit 6, and moves the hanging member 42 back and forth in the Z direction. As a result, the mounting member 41 connected to the hanging member 42 also moves back and forth in the Z direction. In other words, the lifting mechanism 43 lifts and lowers the mounting member 41. The lifting mechanism 43 has a mechanism such as an air cylinder or a ball screw mechanism.

揺動機構4は、キャリアCおよび複数の基板Wが処理液に浸漬した状態で、載置部材41を揺動させる。ここでいう揺動とは、振動子5の振動よりも大きな振幅(距離)での往復移動であり、振動子5の振動の周波数よりも低い、例えば百Hz以下の周波数での往復移動である。 The oscillation mechanism 4 oscillates the mounting member 41 while the carrier C and the multiple substrates W are immersed in the processing liquid. Oscillation here refers to a reciprocating movement with an amplitude (distance) greater than the vibration of the oscillator 5, and a reciprocating movement with a frequency lower than the vibration frequency of the oscillator 5, for example, less than 100 Hz.

揺動機構4は載置部材41、キャリアCおよび複数の基板Wを処理液に対して比較的にゆっくりと大きくZ方向に沿って往復移動させる。この揺動により、さらに処理液の基板Wの内部空間への出入りをさらに促進できる。 The rocking mechanism 4 moves the mounting member 41, the carrier C, and the multiple substrates W back and forth along the Z direction relatively slowly and widely relative to the processing liquid. This rocking motion can further promote the flow of processing liquid into and out of the internal space of the substrates W.

なお、揺動機構4による揺動の周波数は非常に低いので、キャビテーションはほとんど生じない。よって、キャビテーションに起因した基板Wの3次元構造物の倒壊またはパターンの倒壊は抑制または回避される。 In addition, since the frequency of the oscillation caused by the oscillation mechanism 4 is very low, cavitation hardly occurs. Therefore, the collapse of the three-dimensional structure or the pattern of the substrate W caused by cavitation is suppressed or avoided.

図6は、揺動機構4の構成の他の一例を概略的に示す図である。図6の揺動機構4は、基板Wの厚み方向に沿って載置部材41を揺動させる。図6の例では、揺動機構4は吊り部材42とシャフト44と回動機構45とを含む。図6の例では、吊り部材42の-Z側の端部は載置部材41のY方向の中央部に連結されている。吊り部材42はZ方向に長い長尺状の形状を有しており、図6の例では、その+Z側の端部は貯留槽2よりも高い位置に設けられる。吊り部材42はその+Z側の端部においてシャフト44に連結されている。シャフト44は、その中心軸である回動軸線Q1のまわりで回動可能に設けられる。回動軸線Q1はX方向に沿う軸である。このシャフト44は不図示の軸受を介してチャンバに固定される。 Figure 6 is a schematic diagram showing another example of the configuration of the rocking mechanism 4. The rocking mechanism 4 in Figure 6 rocks the mounting member 41 along the thickness direction of the substrate W. In the example of Figure 6, the rocking mechanism 4 includes a hanging member 42, a shaft 44, and a rotating mechanism 45. In the example of Figure 6, the -Z side end of the hanging member 42 is connected to the center of the mounting member 41 in the Y direction. The hanging member 42 has an elongated shape that is long in the Z direction, and in the example of Figure 6, its +Z side end is provided at a position higher than the storage tank 2. The hanging member 42 is connected to the shaft 44 at its +Z side end. The shaft 44 is provided so as to be rotatable around the rotation axis Q1, which is its central axis. The rotation axis Q1 is an axis along the X direction. This shaft 44 is fixed to the chamber via a bearing not shown.

回動機構45は制御部6によって制御され、シャフト44を回動軸線Q1のまわりで回動させる。ここで、載置部材41が水平姿勢となる状態での回動角度をゼロとする。回動機構45は、例えば、ゼロを中心として所定の角度範囲でシャフト44を交互に反対に回動させる。これにより、載置部材41は回動軸線Q1についての周方向に沿って所定の角度範囲で往復移動する。このときの載置部材41の移動方向はおおよそY方向であるといえる。 The rotation mechanism 45 is controlled by the control unit 6 and rotates the shaft 44 around the rotation axis Q1. Here, the rotation angle when the mounting member 41 is in a horizontal position is set to zero. The rotation mechanism 45 rotates the shaft 44 in opposite directions, alternately, within a predetermined angle range, for example, with zero as the center. As a result, the mounting member 41 moves back and forth within a predetermined angle range along the circumferential direction about the rotation axis Q1. The movement direction of the mounting member 41 at this time can be said to be approximately the Y direction.

図6の例では、回動機構45はリンク機構451と移動機構452とを含んでいる。リンク機構451はシャフト44と移動機構452との間に設けられており、移動機構452によるY方向の移動をシャフト44の回転方向の移動に変換し、シャフト44を回動軸線Q1のまわりで回動させる。移動機構452は例えばエアシリンダなどの直動機構であって、制御部6によって制御される。 In the example of FIG. 6, the rotation mechanism 45 includes a link mechanism 451 and a moving mechanism 452. The link mechanism 451 is provided between the shaft 44 and the moving mechanism 452, and converts the movement in the Y direction by the moving mechanism 452 into movement in the rotation direction of the shaft 44, causing the shaft 44 to rotate around the rotation axis Q1. The moving mechanism 452 is, for example, a linear mechanism such as an air cylinder, and is controlled by the control unit 6.

このような揺動機構4は載置部材41を厚み方向(Y方向)に沿って揺動させるので、載置部材41に載置されたキャリアCおよび複数の基板Wも厚み方向に沿って揺動する。これによれば、基板Wが処理液に対して大きな面積で往復移動するので、基板Wの主面が高い圧力で処理液を押圧する。よって、処理液の基板Wの3次元構造の内部空間への出入りをさらに促進することができる。 Since this type of rocking mechanism 4 rocks the mounting member 41 along the thickness direction (Y direction), the carrier C and multiple substrates W mounted on the mounting member 41 also rock along the thickness direction. As a result, the substrates W move back and forth over a large area relative to the processing liquid, so that the main surface of the substrate W presses against the processing liquid with high pressure. This further promotes the entry and exit of the processing liquid into and out of the internal space of the three-dimensional structure of the substrate W.

以上のように、基板処理装置10,10Aは詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、基板処理装置10,10Aがそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 As described above, the substrate processing apparatus 10, 10A has been described in detail, but the above description is merely an example in all respects, and the substrate processing apparatus 10, 10A is not limited thereto. It is understood that countless variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure. The configurations described in the above embodiments and variations can be combined or omitted as appropriate, as long as they are not mutually contradictory.

例えば、循環部7は設けられていなくてもよい。また、上述の例では、貯留槽2は内槽空間2aおよび外槽空間2bの二重構造を有しているものの、一重構造を有していてもよい。 For example, the circulation section 7 does not have to be provided. In addition, in the above example, the storage tank 2 has a double structure of the inner tank space 2a and the outer tank space 2b, but it may have a single structure.

また、図6の例では、揺動機構4は回動機構45によって載置部材41を回動軸線Q1についての周方向に沿って往復移動させている。しかるに、揺動機構4は回動機構45に替えて、載置部材41をY方向に沿って移動させる直動機構を有していてもよい。 In the example of FIG. 6, the rocking mechanism 4 reciprocates the mounting member 41 in the circumferential direction about the rotation axis Q1 by the rotation mechanism 45. However, instead of the rotation mechanism 45, the rocking mechanism 4 may have a linear mechanism that moves the mounting member 41 in the Y direction.

10,10A 基板処理装置
2 貯留槽
31 供給管
4 揺動機構
41 載置部材
5 振動子
5a,5b 第1振動子(振動子)
5c,5d 第2振動子(振動子)
95,96 支持脚
C キャリア
W 基板
REFERENCE SIGNS LIST 10, 10A SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 2 STORAGE TANK 31 SUPPLY PIPE 4 SWINGING MECHANISM 41 PLACING MEMBER 5 TRANSDUCER 5a, 5b FIRST TRANSDUCER (TRANSDUCER)
5c, 5d Second vibrator (vibrator)
95, 96 Support leg C Carrier W Board

Claims (6)

複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽内に処理液を供給する供給管と、
一対の支持脚を有し、複数の基板を起立姿勢で収容し、底部に開口部を備えるキャリアが前記貯留槽内の処理液に浸漬した状態で載置され、前記キャリアに当接する当接部材を有する載置部材と、
前記載置部材に設けられる振動子と
を備え、
前記供給管は前記載置部材の下方に配置され、前記貯留槽の上方に向けて処理液を供給し、
前記当接部材は、平面視において前記開口部が閉塞されないように、前記キャリアの下方にある前記支持脚の端部に当接する、基板処理装置。
A substrate processing apparatus that performs processing on a plurality of substrates at once,
a storage tank for storing a processing liquid;
a supply pipe for supplying a treatment liquid into the storage tank;
a carrier having a pair of support legs, the carrier storing a plurality of substrates in an upright position, the carrier having an opening at a bottom, the carrier being placed thereon in a state immersed in the processing liquid in the storage tank, the carrier having an abutment member abutting against the carrier;
a vibrator provided on the mounting member,
the supply pipe is disposed below the placement member and supplies the treatment liquid toward an upper portion of the storage tank ;
The abutment member abuts against an end of the support leg below the carrier so that the opening is not blocked in a plan view.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記振動子は、1MHz以上かつ3MHz以下の周波数で振動する、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 ,
The substrate processing apparatus, wherein the vibrator vibrates at a frequency of 1 MHz or more and 3 MHz or less.
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記振動子は複数設けられており、
当該複数の振動子のうち第1振動子は前記一対の支持脚の一方の近傍で前記載置部材に設けられており、当該複数の振動子のうち第2振動子は前記一対の支持脚の他方の近傍で前記載置部材に設けられている、基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1,
The transducer is provided in plurality,
a first vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near one of the pair of support legs, and a second vibrator of the plurality of vibrators is provided on the mounting member near the other of the pair of support legs.
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記載置部材および前記キャリアの少なくとも一方は石英によって形成される、基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1,
At least one of the mounting member and the carrier is made of quartz.
請求項1から請求項4のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記載置部材を揺動させる揺動機構をさらに備える、基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprises a swinging mechanism for swinging the mounting member.
請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記揺動機構は、前記複数の基板の厚み方向に沿って前記載置部材を揺動させる、基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 5 ,
The substrate processing apparatus, wherein the swing mechanism swings the placement member along a thickness direction of the plurality of substrates.
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