JP7620001B2 - 半導体処理チャンバ及びそれを洗浄するための方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
［０００１］本出願は、２０１９年７月２９日出願の米国仮特許出願第６２／８７９，７２０号の利益を主張し、その全体的な内容は、あらゆる目的のために全体として参照により本明細書に援用される。

［０００２］本技術は、半導体処理及び装置に関する。より具体的には、本技術は、半導体処理チャンバ及びそれを洗浄するための方法に関する。

［０００３］集積回路は、基板表面上に複雑にパターニングされた材料層を形成する処理によって可能になる。次世代デバイスではデバイスサイズが縮小し続けるため、処理条件の均一性が重要性を増し続けており、チャンバの設計及びシステムのセットアップが、製造されるデバイスの品質に重要な役割を果たす場合がある。したがって、高品質のデバイス及び構造体を製造するために使用することができるシステム及び方法が必要とされる。

［０００４］一態様によれば、処理チャンバは、ガス分布部材と、ガス分布部材の下方に位置決めされた基板支持体とを含み得る。ガス分布部材及び基板支持体は、少なくとも部分的に処理空間を画定し得る。ガス分布部材は、処理空間内への流体アクセスを提供し得る。処理チャンバは、基板支持体から半径方向外向きに配置されたポンピングライナをさらに含み得る。ポンピングライナは、処理空間の周りに円周方向に配置された複数の開孔と、複数の開孔を介して処理空間と流体連結し得る内部空間とを画定し得る。ポンピングライナは、複数の開孔から半径方向外向きに配置されたガス入口をさらに画定し得る。ガス入口は、ポンピングライナの内部空間内への流体アクセスを提供し得る。処理チャンバは、流量制御機構をさらに含み得る。流量制御機構は、ガス分布部材から処理空間への流体分布中に、流体流をガス入口を介して内部空間内へ、その後、ポンピングライナの複数の開孔のサブセットを介して処理空間内へ向けるように動作可能であり得る。

［０００５］いくつかの実施態様では、流量制御機構は、ポンピングライナ内部に配置された第１のチョークプレート及び第２のチョークプレートを含み得る。第１のチョークプレート及び第２のチョークプレートは、ポンピングライナの内部空間を第１の空間と第２の空間とに分割し得る。第１の空間は、複数の開孔の半分を介して処理空間と流体連結し得る。第２の空間は、複数の開孔の他方の半分を介して処理チャンバと流体連結し得る。流量制御機構は、流体流を処理空間を介して第１の空間から第２の空間内へ向けるように動作可能であり得る。

［０００６］いくつかの実施態様では、流量制御機構は、ガス出口の下流且つ排気の上流に配置されたバルブを含み得る。バルブは、処理チャンバ又はポンピングライナの内部空間からガス出口を介して排気への流体流を防ぐために閉鎖するように動作可能であり得る。

［０００７］いくつかの実施態様では、ガス出口は第１のガス出口であり得る。バルブは第１のバルブであり得る。流量制御機構は、第２のガス出口と、第２のガス出口の下流且つ排気口の上流に配置された第２のバルブとをさらに含み得る。ガス入口は第１のガス入口であり得る。ポンピングライナは、第２のガス入口をさらに画定し得る。第２のバルブは、ガス分布部材から処理空間への流体分布中に、流体流を第２のガス入口を介して内部空間内へ、その後、複数の開孔の別のサブセットを介して処理空間内へ向けるために閉鎖するように動作可能であり得る。

［０００８］いくつかの実施態様では、流量制御機構は、第１のガス出口を排気へ結合する第１のダクト内部の圧力と第２のガス出口を排気へ結合する第２のダクト内部の圧力との間の圧力差を生み出すよう動作可能であり得る。

［０００９］いくつかの実施態様では、ポンピングライナは、互いに直径方向に対向した第１の内部バッフルと第２の内部バッフルとを含み得る。いくつかの実施態様では、第１のバッフルは、ガス入口と複数の開孔との間に配置され得る。

［００１０］いくつかの実施態様では、ポンピングライナは、ポンピングライナの内部空間の第１の横方向に延びる空間部分を画定する第１の部分を含み得る。ガス入口は、第１の部分の上面に配置され得る。ポンピングライナは、ポンピングライナの内部空間の第２の横方向に延びる空間部分を画定する第２の部分をさらに含み得る。第１の横方向に延びる空間部分と第２の横方向に延びる空間部分とは、互いに直径方向に対向し得る。ポンピングライナは、ポンピングライナの内部空間の第１のトロイダル形状の空間部分を画定する第３の部分をさらに含み得る。第１のトロイダル形状の空間部分は、第１の横方向に延びる空間部分と第２の横方向に延びる空間部分との間に配置され得る。ポンピングライナは、ポンピングライナの内部空間の第２のトロイダル形状の空間部分を画定する第４の部分をさらに含み得る。第１のトロイダル形状の空間部分と第２のトロイダル形状の空間部分とは、互いに直径方向に対向し得る。

［００１１］いくつかの実施態様では、ガス入口は第１のガス入口であり得る。ポンピングライナは、第２の部分の上面に配置される第２のガス入口をさらに画定し得る。流量制御機構は、ガス分布部材から処理空間内への流体分布中に、第２のガス入口を介してポンピングライナの内部空間内へ、その後、ポンピングライナの複数の開孔の別のサブセットを介して処理空間内へ、流体流を向けるようさらに動作可能であり得る。

［００１２］いくつかの実施態様では、処理チャンバは、基板支持体の周りに環状の間隙をさらに含み、処理チャンバの下部から処理空間及びポンピングライナの内部空間への流体アクセスを提供し得る。いくつかの実施態様では、複数の開孔の各開孔は、複数の開孔の隣接する２つの開孔から等しい距離で配置され得る。

［００１３］別の態様によれば、処理チャンバを洗浄するための方法は、第１のガスを、処理チャンバのガス分布部材を通じて、処理チャンバのガス分布部材と基板支持体とによって少なくとも部分的に画定される処理空間内へ流すことを含み得る。この方法は、第２のガスを処理チャンバのポンピングライナのガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。ポンピングライナは、基板支持体から半径方向外向きに配置され得る。内部空間は、処理空間の周りに円周方向に配置されたポンピングライナの複数の開孔を介して処理空間と流体連結し得る。この方法は、処理空間内の第１のガスの流れを維持しながら、第２のガスの一部をポンピングライナの内部空間から複数の開孔の第１のサブセットの開孔を通じて処理空間内へ流すことをさらに含み得る。この方法は、第２のガスの一部を処理空間から複数の開孔の第２のサブセットの開孔を介してポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。

［００１４］いくつかの実施態様では、ポンピングライナの内部空間は、一対のチョークプレートによって分離された第１の空間と第２の空間とを含み得る。第２のガスをポンピングライナのガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すことは、第２のガスをポンピングライナのガス入口を通じて第１の空間内へ流すことを含み得る。第２のガスの一部をポンピングライナの内部空間から処理空間内へ流すことは、第２のガスの一部を第１の空間から処理空間内へ流すことを含み得る。第２のガスの一部は、処理空間全体に分布され得る。第２のガスの一部を処理空間からポンピングライナの内部空間内へ流すことは、第２のガスの一部を処理空間から第２の空間内へ流すことを含み得る。

［００１５］いくつかの実施態様では、第１のガスは、実質的に均一な濃度で処理空間全体に分布され得る。いくつかの実施態様では、第１のガスは、第１の流量で流され得る。第２のガスは、第１の流量よりも大きい第２の流量で流され得る。

［００１６］いくつかの実施態様では、ガス入口は第１のガス入口であり得、方法は、第２のガスをポンピングライナの第１のガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すのを中止することをさらに含み得る。この方法は、第３のガスをポンピングライナの第２のガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。この方法は、第３のガスの一部をポンピングライナの内部空間から複数の開孔の第２のサブセットの開孔を通じて処理空間内へ流すことをさらに含み得る。この方法は、第３のガスの一部を処理空間から複数の開孔の第１のサブセットの開孔を介してポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。

［００１７］いくつかの実施態様では、方法は、第３のガスを基板支持体を取り囲む環状の間隙を通じて処理空間へ向かって上向きの方向において流すことをさらに含み得る。

［００１８］別の態様によれば、堆積方法は、第１のガスを、処理チャンバのガス分布部材を通じて、上に半導体基板を支持する処理チャンバの基板支持体とガス分布部材とによって少なくとも部分的に画定される処理空間内へ流すことを含み得る。
この堆積方法は、第２のガスを処理チャンバのポンピングライナのガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。ポンピングライナは、基板支持体から半径方向外向きに配置され得る。ポンピングライナの内部空間は、処理空間の周りに円周方向に配置されたポンピングライナの複数の開孔を介して処理空間と流体連結し得る。第１のガスは第１の流量で流され得る。第２のガスは、処理空間内への第２のガスの流れが実質的に防止され得る一方、第１のガスが処理空間から複数の開孔を介してポンピングライナの内部空間内へ流され得るように、第１の流量より小さい第２の流量で流され得る。処理空間内部の２つの周辺位置間の圧力差は、０．１Ｔｏｒｒ未満であり得る。

［００１９］いくつかの実施態様では、ガス入口は第１のガス入口であり得、堆積方法は、第３のガスをポンピングライナの第２のガス入口を通じてポンピングライナの内部空間内へ流すことをさらに含み得る。第１のガス入口と第２のガス入口とは、互いに直径方向に対向し得る。処理空間内への第３のガスの流れが実質的に防止され得るように、第３のガスは、第１の流量よりも小さい第３の流量で流され得る。第１のガスの流れ、第２のガスの流れ、及び第３のガスの流れは、集合的に、処理空間の中心軸の周りの処理空間内部に軸方向に対称な圧力プロファイルを生み出し得る。

［００２０］いくつかの実施態様では、堆積方法は、第３のガスを基板支持体を取り囲む環状の間隙を通じて処理空間へ向かって上向きの方向において流すことをさらに含み得る。

［００２１］本発明の技術は、従来のシステム及び技法よりも多数の利点をもたらし得る。例えば、本発明の技術は、従来のインシトゥ洗浄法よりも有意に速く処理チャンバを洗浄し得るため、製造スループットを改善する。本発明の技術はまた、実質的に均一に処理チャンバを洗浄し得る。これらの実施態様及びその他の実施態様は、その多くの利点や特徴と共に、後述の記載及び添付の図面により詳細に説明され得る。

［００２２］開示された技術の性質及び利点は、本明細書の残りの部分と図面を参照することによってさらに理解を深めることができる。

［００２３］本発明の技術の実施態様による、例示的な処理チャンバの概略断面図を示す。 ［００２４］図１の処理チャンバの選択されたチャンバ部品を概略的に示す。 ［００２５］図１の処理チャンバの選択されたチャンバ部品によって画定される一又は複数の流れ空間の右斜視図を概略的に示す。 ［００２６］本発明の技術の実施態様による、処理チャンバのチャンバ部品を洗浄する方法の例示的な工程を示す。 ［００２７］図４の方法の一又は複数の工程が実施され得る間の処理チャンバの流れ空間を概略的に示す。 ［００２８］本発明の技術の実施態様による流量制御機構を組み込んでいる、処理チャンバの流れ空間のそれぞれ左斜視図及び部分平面図を概略的に示す。 ［００２９］本発明の技術の実施態様による処理チャンバの処理空間内部の圧力プロファイルを概略的に示す。 ［００３０］本発明の技術の実施態様による処理チャンバの流れ空間を概略的に示す。 ［００３１］本発明の技術の実施態様による、処理チャンバのチャンバ部品を洗浄する方法の例示的な工程を示す。 ［００３２］図９の方法の一又は複数の工程が実施され得る間の処理チャンバの流れ空間を概略的に示す。

［００３３］いくつかの図面は、概略図として含まれている。図面は例示を目的としており、縮尺どおりであると明記されていない限り、縮尺どおりであるとみなしてはならないことを理解するべきである。さらに、概略図として、図面は、理解を助けるために提供されており、現実的な描写に比べてすべての態様又は情報を含まない場合があり、例示を目的として強調された素材を含むことがある。

［００３４］添付の図面では、類似の構成要素及び／又は特徴は、同じ参照符号を有し得る。更に、同じ種類の様々な構成要素は、類似の構成要素間を区別する文字により、参照符号に従って区別することができる。本明細書において第１の参照符号のみが使用される場合、その記載は、文字に関わりなく、同じ第１の参照符号を有する類似の構成要素のうちのいずれにも適用可能である。

［００３５］半導体デバイスの製造中、ウエハは、一又は複数の化学気相堆積プロセスなどの一又は複数の堆積プロセスを行うために、半導体処理チャンバの処理空間内に送達され得る。堆積中、ウエハ上に堆積される材料、例えば一又は複数の堆積ガスは、堆積ガスに曝露されたさまざまなチャンバ部品の表面にも堆積され得る。よって、処理チャンバは、時々洗浄され得る。従来のチャンバ設計は、インシトゥ洗浄法を利用し得る。その方法では、洗浄ガスは、堆積ガスが処理空間内へ送達され得るのと同様のやり方で、処理チャンバ内へ送達され得る。よって、インシトゥの洗浄ガスは、処理空間を画定するさまざまなチャンバ部品と、処理空間の上流のチャンバ部品とを洗浄し得る。しかしながら、このようなインシトゥ洗浄は、処理空間の下流のさまざまな処理チャンバを十分に洗浄しない場合があるか、又は、下流の部品が十分に洗浄されるまでにかなりの時間がかかる場合があり、これにより製造スループットが低下する可能性がある。

［００３６］本発明の技術は、処理チャンバのポンピングライナのバイパスガス入口を通じて送達され得るエクスシトゥ洗浄ガスを利用することにより、これらの問題を克服する。エクスシトゥ洗浄ガスは、インシトゥ洗浄ガスと同時に送達され得る。本発明の技術は、一又は複数の流量制御機構をさらに利用して、エクスシトゥ洗浄ガスの流れを調節するため、エクスシトゥ洗浄ガスは、処理空間及び処理空間の下流のさまざまなチャンバ部品を効果的に洗浄し得る。インシトゥ洗浄の代わりに又はそれに加えてエクスシトゥ洗浄を実施することにより、処理チャンバ全体を効率的に洗浄することができ、製造スループットを改善することができる。

［００３７］残りの開示は、開示された技術を利用して処理チャンバを洗浄するためのさまざまな流体流をルーティン的に同定するが、この技術は、洗浄プロセスのみに限定されると見なされるべきではない。本技術は、調節された及び／又は均一な流体流が有益であり得る、堆積、エッチングなどを含むがこれらに限定されない他のプロセスに利用することができる。さらに、例示的な半導体処理チャンバが本発明の技術の理解を助けるために記載されるが、この技術は、半導体処理チャンバの部品のみを洗浄する場合、又は記載した例示的なチャンバに限定されるものと見なされるべきではない。本発明の技術は任意の種類の処理チャンバに利用することができることを理解されたい。

［００３８］図１は、本発明の技術の実施態様による、例示的な処理チャンバ１００の概略断面図を示す。処理チャンバ１００は、ガス分布部材又はシャワーヘッド１０２と、ガス分布部材１０２の下方に位置決めされた基板支持体１０４とを含み得る。ガス分布部材１０２及び基板支持体１０４は、少なくとも部分的に処理空間１０６を画定し得る。ガス分布部材１０２は、処理空間１０６内へ流体アクセスを提供するよう構成された多くの開孔を含み得る。基板支持体１０４の上部部品は、処理中に基板支持体１０４の上面上に置かれ得る基板又はウエハを支持及び加熱するよう構成され得るヒータであり得るか又はそれを含み得る。処理チャンバ１００は、基板支持体１０４から半径方向外向きに配置されたポンピングライナ１１０をさらに含み得る。ポンピングライナ１１０は、処理空間１０６の周りに円周方向に配置された多くの開孔１１２を画定し得る。ポンピングライナ１１０は、開孔１１２を介して処理空間１０６と流体連結し得る内部空間１１４をさらに画定し得る。

［００３９］いくつかの実施態様では、基板支持体１０４は、底部ボウル１２０内部に収納され得る。基板支持体１０４と底部ボウル１２０の間には環状であり得る間隙１２２が形成されて、基板支持体１０４が底部ボウル１２０内部を上下に移動するのを可能にし得る。ガス分布部材１０２から処理空間１０６内へ送達され得る堆積ガスなどの処理ガスが、基板支持体１０４の上面の下方から下向きに流れて、間隙１２２を通じて処理チャンバ１００の下部内へ入るのを制限又は防止するために、アルゴン、窒素等の不活性ガスを含み得るパージガスは、処理空間１０６へ向かって上向きの方向に間隙１２２内へ流され得る。

［００４０］いくつかの実施態様では、パージガスは、処理チャンバ１００の底部のパージ入口１２８を通じてパージ空間１２６内へ送達され得る。パージバッフル１３０は、パージガスの流れを偏向させるためにパージ入口１２８に隣接して配置され、パージ空間１２６全体へのパージガスの分布を容易にし得る。いくつかの実施態様では、処理チャンバ１００は、単一のパージ入口１２８と単一のパージバッフル１３０とを含み得る。いくつかの実施態様では、処理チャンバ１００は、複数のパージ入口１２８と、対応する数のパージバッフル１３０とを含み得る。パージガスは、その後、底部ボウル１２０内に画定された多くのパージ等化器孔１２４を通じて間隙１２２内に入り、処理空間１０６へ向かって上向きに流れ得る。パージガス及び処理ガは、その後、処理空間１０６の外周で組み合わされて、開孔１１２を通じてポンピングライナ１１０により除去され得る。いくつかの実施態様では、パージ等化器孔１２４は共通のサイズを有し得る。いくつかの実施態様では、パージ等化器孔１２４はさまざまなサイズを有し得る。例えば、パージ入口１２８に対するパージ等化器孔１２４の位置に応じて、パージ入口１２８に近いパージ等化器孔１２４は、パージ入口１２８から遠いパージ等化器孔１２４よりも小さい直径を有し得る。パージガスをパージ空間１２６全体に分布し、パージガスを適切なサイズのパージ等化器孔１２４に流すことにより、方位角的に均一なパージガス流が達成され得る。これは、ウエハ上の均一な堆積プロファイルをさらに促進し得る。

［００４１］図２は、選択された部品の構成をよりよく示すために、処理チャンバ１００の選択された部品の部分の斜視断面図を概略的に示している。示されているように、ポンピングライナ１１０の開孔１１２は、ポンピングライナ１１０の内周の周りに円周方向に配置されてもよく、等しい距離で互いに離間されていてもよい。パージガスは、間隙１２２を通じて上向きに流され、基板支持体１０４のエッジ又は周辺部の近くで処理ガスと混合されてもよく、処理空間１０６（図２では図示せず）から開孔１１２を通じてポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ流される。

［００４２］図３は、図１の処理チャンバ１００の選択されたチャンバ部品によって画定される一又は複数の流れ空間の右斜視図を概略的に示している。図３及び他の後続の流れ空間の図に示される流れ空間は、１つ又は複数の流れ空間を画定するさまざまなチャンバ部品の内部空間又は内部形状のみを表すことができることに留意されたい。よって、本明細書に記載される各チャンバ部品では、内部空間又は内部形状は同じであり得るが、外部の形状又は形態は、チャンバ部品が処理チャンバ１００内にどのように統合され得るか及び／又は他のチャンバ部品及びさまざまな他の考慮事項と組み合わされ得るかに応じて、実施態様ごとに変化し得る。さらに、検討の目的で、特定のチャンバ部品は、実際のチャンバ部品が流れ空間の図に示されていなくても、流れ空間の図を参照することによって説明され得る。

［００４３］引き続き図３を参照すると、流れ空間は、ガス分布部材１０２の底面と基板支持体１０４の上面とによって画定される処理空間１０６を含み得、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４は、ポンピングライナ１１０の開孔１１２を介して処理空間１０６に流体連結し得る。流れ空間は、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４と流体連結し、且つその下流にある、一又は複数のフォアライン空間１４０をさらに含み得る。いくつかの実施態様では、第１のフォアライン空間１４０ａは、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４の第１の横方向に延びる空間部分１１６ａと連結していてもよく、第２のフォアライン空間１４０ｂは、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４の第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂと連結していてもよい。流れ空間は、第１及び第２のフォアライン空間１４０ａ、１４０ｂと流体連結し、且つその下流にある、排気空間１４２をさらに含み得る。フォアライン空間１４０ａ、１４０ｂのそれぞれは、ポンピングライナ１１０のガス出口に連結したフォアラインによって画定され得る。排気空間１４２は、流体流を処理チャンバ１００の排気に向かって向け得る排気ダクトによって画定され得る。

［００４４］ポンピングライナ１１０の内部空間１１４は、第１の横方向に延びる空間部分１１６ａと第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂとを含み得る。ポンピングライナ１１０の内部空間１１４は、２つのトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂを、又は第１のトロイダル形状の空間部分１１８ａと第２のトロイダル形状の空間部分１１８ｂとをさらに含み得る。２つのトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂはそれぞれ、２つの横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂの間に配置され得る。２つの横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂは、互いに直径方向に対向し得る。また、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂは、互いに直径方向に対向し得る。

［００４５］いくつかの実施態様では、横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂは、横方向に延び得るポンピングライナ１１０の２つのライナ部分によって画定され得、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂは、トロイダル形状をそれぞれ有し得るポンピングライナ１１０の２つのライナ部分によって画定され得る。しかしながら、すでに上で言及したように、トロイダル形状の又は横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂ、１１８ａ、１１８ｂを画定する個別のライナ部分は、いくつかの実施態様では、対応する又は同様の外部形状又は形態を有しない場合がある。

［００４６］図３に示すように、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４は、２つのトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの中央を通過する対称軸と、２つの横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂのそれぞれの中央を通過する別の対称軸とを有し得る。対応するライナ部分は、ポンピングライナ１１０が、他のチャンバ部品によって支持されることを可能にする、及び／又は処理チャンバ１００の他の流れ空間との上流及び／又は下流の流体連結のための一又は複数のガス入口及びガス出口を画定することを可能にするように、サイズ決定及び成形され得るため、横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂは、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂよりも大きい場合がある。

［００４７］処理空間１０６内部の均一な流体流プロファイルを促進するため、及びポンピングライナ１１０の非軸対称形状の内部空間１１４、又は横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂを画定するライナ部分のガス入口及び出口が、処理空間１０６内部の流体流プロファイルに対して及ぼし得るあらゆる影響を最小限に抑えるために、いくつかの実施態様では、ポンピングライナ１１０は、横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂを画定するライナ部分内に配置された一対の湾曲したバッフルを含み得る。２つのバッフルは、バッフルを通る流体流がない場合があるため、図３では２つの間隙１１７ａ、１１７ｂとして示されている。

［００４８］堆積中、単一ガス又は混合ガス等の処理ガスは、ガス分布部材１０２から処理空間１０６内へ流され得る。余剰の処理ガスは、その後、ポンピングライナ１１０の開孔１１２を通じて、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ流され、その後、処理チャンバ１００の排気へ向かって、フォアライン空間１４０ａ、１４０ｂ及びさまざま他の下流の流れ空間を通じて、下流に流され得る。堆積は、処理ガスの流れに曝露されたさまざまなチャンバ部品の表面上で生じ得る。

［００４９］一又は複数の堆積プロセスが完了すると、処理チャンバ１００は、洗浄ガスをさまざまな流れ空間内へ流して、さまざまなチャンバ部品表面上に堆積されたあらゆる材料を除去することにより、洗浄され得る。洗浄ガスは、単一ガス又は混合ガスを含み得る。いくつかの実施態様では、洗浄ガスは、処理チャンバ１００に連結された遠隔プラズマ源又はユニット内で生成され、その後、処理チャンバ１００内へ流され得るプラズマ放出物を含み得る。いくつかの実施態様では、プラズマ放出物は、処理チャンバ１００内部で生成される容量結合プラズマなど、処理チャンバ１００内で局所的に生成され得る。処理チャンバ１００の洗浄中、パージガスは、継続して、処理チャンバ１００の底部から図１を参照して上で説明した環状の間隙１２２を介して処理チャンバ１００内へ流され、洗浄ガスが基板支持体１０４の下方に流れることを制限又は防止し得る。

［００５０］いくつかの実施態様では、洗浄ガスは、堆積プロセス中に処理ガスが処理チャンバ１００内へ流され得るのと同様のやり方で、処理チャンバ１００内に流され得る。具体的には、洗浄ガスは、ガス分布部材１０２を通じて処理空間１０６内に流され得、これはその後、処理チャンバ１００の排気へ向かってさまざまな下流の流れ空間を通じてポンピングライナ１１０の内部空間１１４内流され得る。よって、処理ガスに曝露された同じ構成要素及び／又は表面もまた、洗浄ガスに曝露され、したがって、洗浄ガスにより洗浄され得る。上記のように洗浄ガスをガス分布部材１０２を通じて処理空間１０６内へ流すことによる処理チャンバ１００の洗浄は、インシトゥ洗浄とも呼ばれる場合がある。インシトゥ洗浄ガスは、処理空間１０６の上流のさまざまなチャンバ部品を効果的に洗浄し得る。しかしながら、処理空間１０６の下流のチャンバ部品を十分に洗浄するためのインシトゥ洗浄サイクルに関連する時間は、長い場合があり、製造スループットに影響を及ぼし得る。

［００５１］いくつかの実施態様では、洗浄時間又は洗浄サイクルを短くするために、エクスシトゥ洗浄が利用され得る。図３に示すように、いくつかの実施態様では、流れ空間は、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４と流体連結したバイパス空間１４４をさらに含み得る。バイパス空間１４４は、ポンピングライナ１１０のバイパスガス入口、又は単にガス入口、に連結したバイパスダクトによって画定され得る。ガス入口は、横方向に延びる空間部分１１６ａ、１１６ｂのうちの一つを画定するライナ部分の上面上に配置され得る。バイパス空間１４４及びポンピングライナ１１０のガス入口又はバイパス入口は、ガス分布部材１０２をバイパスしながら、洗浄ガスがポンピングライナ１１０の内部空間１１４又はさまざまな他の流れ空間（以下で詳述する）内に送達されて、処理チャンバ１００を洗浄することを可能にし得る。バイパス空間１４４を介して送達される洗浄ガスは、単一ガス又は混合ガスを含み得、プラズマ放出物を含み得る。プラズマ放出物は、遠隔プラズマ源又は遠隔プラズマユニットを使用して生成され、その後、処理チャンバ１００を洗浄するために、バイパス空間１４４及びポンピングライナ１１０のガス入口を通じて処理チャンバ１００内へ提供され得る。洗浄ガスをポンピングライナ１１０のバイパスガス入口を通じて処理チャンバ１００内へ流すことによる処理チャンバ１００の洗浄は、エクスシトゥ洗浄とも呼ばれる場合がある。

［００５２］図４は、処理空間１０６の下流のチャンバ部品を洗浄するためのエクスシトゥ洗浄を利用する方法４００の例示的な工程を示している。図５Ａ及び５Ｂは、方法４００を概略的に示している。具体的には、図３と同様に、図５Ａ及び５Ｂは、さまざまなチャンバ部品によって画定された流れ空間を概略的に示している。図５Ａは、下流の洗浄方法４００のうちの一又は複数の工程が実施され得る間の図３に示す流れ空間の前面図を概略的に示している。図５Ｂは、下流の洗浄方法４００のうちの一又は複数の他の工程が実施され得る間の図５Ａと同じ前面図を概略的に示している。パージガス流れ空間の一部又は図１に示す環状の間隙１２２も、図５Ａ及び５Ｂに示している。方法４００のさまざまな工程は、任意の順序で実施されてもよく、除去又は修正されてもよい。

［００５３］方法４００は、工程４０５で第１の又はインシトゥ洗浄ガス１５０をガス分布部材１０２を介して処理空間１０６内に流し、工程４１０で第２のガス１５２を処理空間１０６に向かって上向きの方向において基板支持体１０４を取り囲む間隙１２２を通じて流し、工程４１５で第３の又はエクスシトゥ洗浄ガス１５４をポンピングライナ１１０のバイパスガス入口を介してバイパス空間１４４からポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ流すことによって、開始し得る。

［００５４］第１のガス流１５０は、洗浄ガス流又はより具体的にはさまざまなチャンバ部品のインシトゥ洗浄を行うためのインシトゥ洗浄ガス流であり得るか、又はそれを含み得る。第１のガス流１５０は、ガス分布部材１０２を通じて処理空間１０６内へ継続して送達され得る。よって、エクスシトゥ洗浄及びインシトゥ洗浄は、方法４００では同時に行われ得る。いくつかの実施態様では、インシトゥ洗浄が実行されない場合でも、第１のガス流１５０は、バイパス空間１４４を通じて送達される第３のガス流１５４のいずれもガス分布部材１０２の上流のチャンバ空間内へ入るのを防止するように、不活性ガスをガス分布部材１０２を通じて処理空間１０６内へ流すことによって、依然として維持され得る。

［００５５］パージガス流であり得るか又はそれを含み得、堆積中に送達されるパージガス流と同様であり得るか又は同じであり得る第２のガス流１５２も、第１のガス流１５０及び第３のガス流１５４のいずれも処理チャンバ１００の下部内に入るのを防止するように、維持され得る。第３のガス流１５４は、洗浄ガス流又はより具体的にはさまざまなチャンバ部品のエクスシトゥ洗浄を行うためのエクスシトゥ洗浄ガス流であり得るか、又はそれを含み得る。第３のガス流１５４は、ポンピングライナ１１０のバイパスガス入口を介してバイパス空間１４４からポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ継続して送達され得る。

［００５６］図５Ａを参照すると、第１、第２、及び第３のガス１５０、１５２、１５４は同時に流され、第３のガス１５４の大部分又は実質的にすべては、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４の横方向に延びる空間部分１１６ａを単に通過し、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４の第１の横方向に延びる空間部分１１６の下方の第１のフォアライン空間１４０ａに入り得る。第３のガス流１５４はその後、排気空間１４２へ入り、処理チャンバ１００の排気へ向かって流れ得る。よって、第３のガス流１５４は、第１のフォアライン空間１４０ａ及び排気空間１４２を画定するさまざまなダクトと、他の下流のチャンバ部品とを洗浄し得る。しかしながら、第３のガス流１５４はポンピングライナ１１０の内部空間１１４全体及び第２のフォアライン空間１４０ｂを実質的にバイパスし得るため、ポンピングライナ１１０と、第２のフォアライン空間１４０ｂを画定するダクトとは、洗浄されない場合がある。

［００５７］ポンピングライナ１１０を洗浄するために、いくつかの実施態様では、処理チャンバ１００は、フォアラインアクトに沿って配置された、バルブ１６０などの流量制御機構を含み、第３のガス流１５４の流れを調節し得る。バルブ１６０は、第１のフォアライン空間１４０ａを通る第３のガス流１５４を許可又は防止ために開閉するように構成され得る。これは、次に、第３のガス流１５４をポンピングライナ１１０の内部空間１１４及び第２のフォアライン空間１４０ｂを通って流すように強制し得る。よって、工程４２０では、バルブ１６０は閉鎖されていてよい。図５Ｂに示すように、第１のフォアライン空間１４０ａ内への第３のガス流１５４はその後、防止される場合があり、第３のガス流１５４は、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ入り、排気へ向かって第２のフォアライン空間１４０ｂを通って流れるよう強制されてもよく、ポンピングライナ１１０、第２のフォアライン空間１４０ｂを画定するフォアラインダクト、及び他の下流のチャンバ部品を洗浄する。

［００５８］いくつかの実施態様では、バルブ１６０の代わりに又はそれに加えて、他のデバイス又は機構が実装されて、第３のガス流１５４を内部空間１１４及び第２のフォアライン空間１４０ｂの方へ向けてもよい。例えば、２つのフォアライン空間１４０ａ、１４０ｂ間の圧力差は、第３のガス流１５４をポンピングライナ１１０の内部空間１１４を介して第２のフォアライン空間１４０ｂへ向けるために生み出され得る。具体的には、機構は、第１のフォアライン空間１４０ａ内部の圧力が第２のフォアライン空間１４０ｂ内部の圧力よりも大きくなり得るように、第１のフォアライン空間１４０ａ内部の圧力を増加させるために実装され得る。例えば、別のガス流は、第１のフォアライン空間１４０ａを画定するダクトに沿って生み出され、ガス流を第２のフォアライン空間１４０ｂ内に向け、それによりその中の圧力を増加させ得る。圧力差は、第３のガス流１５４をポンピングライナ１１０の内部空間１１４及び第２のフォアライン空間１４０ｂを通じて流して、ポンピングライナ１１０、第２のフォアライン空間１４０ｂを画定するダクト、及び他のさまざまな下流チャンバ部品を洗浄するように強制し得る。いくつかの実施態様では、少なくとも約０．５ｔｏｒｒ、少なくとも約１ｔｏｒｒ、少なくとも約１．５ｔｏｒｒ、少なくとも約２ｔｏｒｒ、少なくとも約２．５ｔｏｒｒ、少なくとも約３ｔｏｒｒ、少なくとも約３．５ｔｏｒｒ、少なくとも約４ｔｏｒｒ、又はそれ以上の圧力差が生み出され且つ／又は維持され得る。

［００５９］方法４００の工程を実施することにより、処理空間１０６の下流のさまざまなチャンバ部品、例えば、ポンピングライナ１１０、下流ダクトなどは、エクスシトゥ洗浄ガス流１５４によって洗浄され得る。エクスシトゥ洗浄中、第３のガス流１５４の一部は、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ第３のガス１５４の流れを向けるために実装される機構に応じて、内部空間１１４からポンピングライナ１１０の開孔１１２を介して処理空間１０６内へ入り得る。よって、処理空間１０６を画定するチャンバ部品の一部も、第３のガス流１５４によって洗浄され得る。しかしながら、処理空間１０６内部の第３のガス流１５４の濃度は低い場合があり、第３のガス流１５４は処理空間１０６全体に分布されない場合がある。

［００６０］例えば、バルブ１６０が閉鎖されていてよいとき、処理空間１０６からポンピングライナ１１０の内部空間１１４へ向かう第１のガス流１５０及び第２のガス流１５２の流れにより、非常にわずかな量の第３のガス１５４がポンピングライナ１１０の少数の開孔１１２を介して処理空間１０６内へ流れ得る。さらに、第３のガス流１５４は、バイパス空間１４４の近くの処理空間１０６の周辺領域にのみ到達し得、バイパス空間１４４からさらに離れた処理空間１０６の中央領域又は処理容積１０６の周辺領域には到達し得ない。

［００６１］第１のフォアライン空間１４０ａと第２のフォアライン空間１４０ｂとの間の圧力差が、第１のフォアライン空間１４０ａ内部の圧力を増加させることにより生み出され得るとき、第３のガス１５４は、ポンピングライナ１１０の複数の開孔１１２を介して処理空間１０６内へ流され、より高い濃度で処理空間１０６内部へ分布され得る。しかしながら、処理空間１０６内での第３のガス１５４の分布は、均一ではない場合がある。例えば、ポンピングライナ１１０のバッフル近くの処理空間１０６の領域における第３のガス１５４の濃度は、処理空間１０６の他の領域よりも低い場合がある。よって、処理空間１０６を画定するさまざまなチャンバ部品は、エクスシトゥ洗浄ガス１５４によって均一に洗浄されない場合があり、さまざまなチャンバ部品上に堆積されたすべての材料を確実に除去し得るのに非常に長い洗浄時間を必要とする場合があり、これは、製造スループットを低減し得る。

［００６２］図６Ａは、処理空間１０６内への第３のガス流１５４を増加させ得る流量制御機構を組み込んでいる、処理チャンバ１００の流れ空間の左斜視図を概略的に示している。図６Ｂは、流量制御機構を組み込んでいる、処理チャンバ１００の流れ空間の部分平面図を示している。示されているように、流量制御機構は、一対のチョークプレート１７０ａ、１７０ｂ、又は第１のチョークプレート１７０ａ及び第２のチョークプレート１７０ｂを含み得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂのそれぞれは、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４のトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのうちの一つの中央に配置され得る。よって、内部空間１１４は、２つのより小さな空間又は２つのサブ空間、例えば第１の基板空間１１５ａと第２のサブ空間１１５ｂとに分割され得る。第１のサブ空間１１５ａは、第１の横方向に延びる空間部分１１６と、第１及び第２のトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの一部、例えば半分とを含み得る。第２のサブ空間１１５ｂは、第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂと、第１及び第２のトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの残りの部分、例えば残りの半分とを含み得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、ポンピングライナ１１０のバッフルに対して垂直に配向され得る。具体的には、バッフルは、図６Ａ及び６Ｂのバッフルによって生み出される流れ間隙１１７ａ、１７７ｂの延在部によって示されるように、円周方向に延び得るが、それに対して、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは半径方向に延び得るため、バッフルに対して垂直になり得る。

［００６３］チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、第１のサブ空間１１５ａから第２のサブ空間１１５ｂへの、又はその逆の、流体流を直接遮断又は防止し得る。第１のサブ空間１１５ａから第２のサブ空間１１５ｂへの又はその逆の流体アクセスは、ポンピングライナ１１０の開孔１１２及び処理空間１０６を介して確立され得る。具体的には、開孔１１２の半分は、第１のサブ空間１１５ａと処理空間１０６との間の流体アクセスを提供し得、開孔１１２の残りの半分は、第２のサブ空間１１５ｂと処理空間１０６との間の流体アクセスを提供し得る。第１のサブ空間１１５ａから第２のサブ空間１１５ｂへの、又はその逆の直接的な流体流を防ぐことによって、エクスシトゥ洗浄ガス１５４は、図６Ｂに示すように、第１のサブ空間１１５ａ内へ入った後に処理空間１０６内へ入るように強制され得、その後、処理空間１０６から第２のサブ空間１１５ｂ内へ入るように強制され得る。

［００６４］よって、方法４００のさまざまな工程、すなわち、第１のガス流１５０と、第２のガス流１５２と、第３のガス流１５４とを流すこと、及びバルブ１６０を閉鎖することが実施され得るとき、第３のガス１５４は、第１の横方向に延びる空間部分１１６ａ及びトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの半分に入って、ポンピングライナ１１０の半分を洗浄し、その後、開孔１１２の半分を介して処理空間１０６内に入って、チャンバ部品、例えば、処理空間１０６を画定する、ガス分布部材１０２と基板支持体１０４とを洗浄し得る。第３のガス流１５４は、その後、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの残りの半分及び第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂに入って、ポンピングライナ１１０の残りの半分を洗浄し得る。

［００６５］図６Ａ及び６Ｂに示すように、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂはトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂの中央に置かれ得るため、ポンピングライナ１１０の開孔１１２を、第１のサブ空間１１５ａと処理空間１０６との間の流体アクセスを確立するため及び第２のサブ空間１１５ｂと処理空間１０６との間の流体アクセスを確立するための同数の開孔１１２に分割し得る。よって、開孔１１２は、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂのそれぞれのどちらかの側に対称的に分布されて、等流量分布を容易にし得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂはまた、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれを二等分し得る。このような等分は、堆積及び／又は洗浄プロセス中に処理空間１０６内部の均一な流れプロファイルを生み出す及び／又は維持することを容易にし得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂをトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂの中央に置くことによって、第３のガス流１５４は、第１のサブ空間１１５ａと処理空間１０６との間の流体アクセスを確立する開孔１１２のすべてを通って流れるように、及び処理空間１０６と第２のサブ空間１１５ｂとの間の流体アクセスを確立する開孔１１２のすべてを通って流れるように強制され得る。そして、第３のガス１５４は、処理空間１０６全体に分布され得る。

［００６６］さらに、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂが利用され得ないときの処理空間１０６内部の第３のガス流１５４の濃度と比較して、処理空間１０６内部の第３のガス１５４の濃度は、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂをポンピングライナ１１０内に組み込むことによって有意に高くなり得、第３のガス１５４の濃度は、処理空間１０６全体で実質的に均一になり得る。いくつかの実施態様では、ポンピングライナ１１０及び／又は処理空間１０６内部の第３のガス１５４の濃度は、約１０４ｐｐｍ以上、約１０５ｐｐｍ以上、約１０６ｐｐｍ以上、又はそれより大きい場合がある。よって、ポンピングライナ１１０、及び処理空間１０６を画定するさまざまなチャンバ部品の効果的な洗浄が、効率的に達成され得る。

［００６７］チョークプレート１７０ａ、１７０ｂが存在することにより、いくつかの実施態様では、第１のガス１５０が流され得るとき、ポンピングライナ１１０の第１のサブ空間１１５ａ内には第１のガス流１５０又は第２のガス流１５２が存在しない場合がある。よって、ポンピングライナ１１０の第１のサブ空間１１５ａ内の第３のガス１５４の質量分率は、方法４００のさまざまな工程が実施され得るとき、少なくとも約９０％、少なくとも約９５％、又は最大１００％であり得る。第２のサブ空間１１５ｂ内の第３のガス１５４の質量分率は、少なくとも約６０％、少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約７５％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、少なくとも約９０％、少なくとも約９５％、又はそれより高くてもよい。第２のサブ空間１１５ｂ内に第１のガス流１５０及び／又は第２のガス流１５２が存在することにより、第２のサブ空間１１５ｂ内の第３のガス１５４の質量分率は、第１のサブ空間１１５ａ内の第３のガス１５４の質量分率よりも低い場合があるが、ポンピングライナ１１０の第２のサブ空間１１５ｂ内の第３のガス１５４の濃度は、それにもかかわらず非常に高い場合があり、効果的に洗浄するためには、約１０４ｐｐｍ以上、約１０５ｐｐｍ以上、約１０６ｐｐｍ以上、又はそれより大きくてもよい。よって、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂをポンピングライナ１１０内に組み込むことにより、処理空間１０６を画定するさまざまなチャンバ部品、及び、例えば、ポンピングライナ１１０、フォアライン空間１４０ａ、１４０ｂを画定するダクト、排気空間１４２などの、他の下流のチャンバ部品の効果的で効率的な洗浄を実現することができる。

［００６８］いくつかの実施態様では、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、ポンピングライナ１１０の内部空間１１４内に置くことができる別個の構成要素であり得る。いくつかの実施態様では、ポンピングライナ１１０は、下向きの開口部を有する上部と、上部の下向きの開口部と一致する上向きの開口部を有する下部とを組み立てることによって作製され得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、組み立て前に、上部又は下部のうちの一方の内部に置かれてもよく、又はその中に組み込まれてもよい。いくつかの実施態様では、ポンピングライナ１１０は、左側の部分又は左半分と右側の部分又は右半分とを一緒に組み立てることによって作製され得る。左側の部分は、第１の横方向に延びる空間部分１１６ａ、及びトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの半分を画定し得、右側の部分は、第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂ、及びトロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂのそれぞれの半分を画定し得る。左側の部分又は右側の部分のうちの少なくとも一方は、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂの半分を画定する閉端部を含み得る。よって、左側の部分及び右側の部分が組み立てられ得るとき、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂは、閉端部によって分割することができ、これは、上記のチョークプレート１７０ａ、１７０ｂとして効果的に機能し得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂをポンピングライナ１１０内に組み込むさまざまな他のやり方が実装され得る。

［００６９］チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、約０．２ｍｍと約４ｍｍの間、約０．５ｍｍと約３．５ｍｍの間、約１ｍｍと約３ｍｍの間、約１．５ｍｍと約２．５ｍｍの間の範囲の厚さを有し得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂのそれぞれの厚さは、約０．５ｍｍ、約１ｍｍ、約１．５ｍｍ、約２ｍｍ、約２．５ｍｍ、約３ｍｍ、約３．５ｍｍ、又は約４ｍｍであり得る。チョークプレート１７０ａ、１７０ｂは、特定の用途に応じて、ポンピングライナ１１０と同じ材料で作製されてもよく、これには、アルミニウム、アルミナ、及び任意の他の適切なチャンバ部品材料が含まれ得る。２つのチョークプレート１７０ａ、１７０ｂが例として記載されているが、さまざまな他の考慮事項に基づいて、２つを超えるチョークプレート１７０が利用されてもよい。さらに、用途及びさまざまな他の考慮事項に応じて、２つ以上のチョークプレートが、ガス流を調節するために、トロイダル形状の空間部分１１８ａ、１１８ｂの中央に加えて又はその代わりに、任意の他の位置に置かれてもよい。

［００７０］第１のガス１５０、又はインシトゥ洗浄ガスは、単一ガス又は混合ガスであってもよく、且つ／又は、インシトゥ洗浄ガスのラジカルを有するプラズマ放出物を含んでもよい。いくつかの実施態様では、プラズマは、処理チャンバ１００に連結された遠隔プラズマ源又はユニット内で生成され、その後、処理チャンバ１００の処理空間１０６内へ流され得る。いくつかの実施態様では、プラズマ放出物は、処理空間１０６内部で生成される容量結合プラズマなど、処理チャンバ１００内で局所的に生成され得る。上で検討したように、いくつかの実施態様では、処理空間１０６は、第３のガス１５４、又はエクスシトゥ洗浄ガスによって洗浄され得るため、第１のガス１５０は、チャンバ部品上に堆積された材料と能動的に反応し得る洗浄ガスではない場合がある。第１のガス１５０は、一又は複数の不活性ガス、例えば、窒素又は貴ガスを含み、エクスシトゥ洗浄ガス１５４が処理チャンバ１００の上流の部品内へ逆流するのを防止し得る。

［００７１］第２のガス１５２は、チャンバ部品上に堆積される材料又は処理チャンバ１００内に送達される他のガスに対して不活性且つ非反応性であり得る単一ガス又はガス混合物を含み得る。第２のガス１５２は、窒素、一又は複数の貴ガス、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びラドンなどであり得るか、又はそれらを含み得る。第３のガス１５４、又はエクスシトゥ洗浄ガスは、単一ガス又は混合ガスであってもよく、且つ／又は、エクスシトゥ洗浄ガスのラジカルを有するプラズマ放出物を含んでもよい。プラズマは、遠隔プラズマ源又はユニット内で生成されて、その後、バイパス空間１４４を介して処理チャンバ１００内へ流され得る。いくつかの実施態様では、第３のガス１５４は酸素又は酸素ラジカルを含み得るが、さまざまなチャンバ部品から除去される材料堆積に応じて、任意の他の適切な洗浄ガスが利用されてもよい。

［００７２］堆積、インシトゥ洗浄、及び／又はエクスシトゥ洗浄を含む、本明細書に記載されるさまざまなプロセス中、処理チャンバ１００の動作圧力は、約１ｔｏｒｒと約１０ｔｏｒｒの間で維持され得るか、又は、約２ｔｏｒｒ、約４ｔｏｒｒ、約６ｔｏｒｒ、約８ｔｏｒｒ、若しくは約１０ｔｏｒｒで維持され得る。いくつかの実施態様では、動作圧力は、異なるプロセス中に、概して同じレベル又は同様のレベルで維持され得る。いくつかの実施態様では、動作圧力は、プロセスごとに変化し得る。

［００７３］プロセスに応じて、さまざまなガス流、例えば、第１のガス流１５０、第２のガス流１５２、及び／又は第３のガス流１５４の流量は、プロセスごとに変化し得る。エクスシトゥ洗浄中、第２のガス流１５２は、第１のガス流１５０よりも高いレベルで維持され得、第３のガス流１５４は、第２のガス流１５２よりも高いレベルで維持され得る。

［００７４］いくつかの実施態様では、エクスシトゥ洗浄中、第１のガス流１５０は、約２００ｓｃｃｍ以上、約３００ｓｃｃｍ以上、約４００ｓｃｃｍ以上、約５００ｓｃｃｍ以上、約６００ｓｃｃｍ以上、約７００ｓｃｃｍ以上、約８００ｓｃｃｍ以上、約９００ｓｃｃｍ以上、約１０００ｓｃｃｍ以上、約１１００ｓｃｃｍ以上、約１２００ｓｃｃｍ以上、約１３００ｓｃｃｍ以上、約１４００ｓｃｃｍ以上、約１５００ｓｃｃｍ以上、又はそれより高いレベルで維持され得る。

［００７５］いくつかの実施態様では、エクスシトゥ洗浄中、第２のガス流１５２は、約１５００ｓｃｃｍ以上、約２０００ｓｃｃｍ以上、約２５００ｓｃｃｍ以上、約３０００ｓｃｃｍ以上、約３５００ｓｃｃｍ以上、約４０００ｓｃｃｍ以上、又はそれより高いレベルで維持され得る。第３のガス流１５４は、約４０００ｓｃｃｍ以上、約４５００ｓｃｃｍ以上、約５０００ｓｃｃｍ以上、約５５００ｓｃｃｍ以上、約６０００ｓｃｃｍ以上、約６５００ｓｃｃｍ以上、約７０００ｓｃｃｍ以上、約７５００ｓｃｃｍ以上、約８０００ｓｃｃｍ以上、又はそれより高いレベルで維持され得る。

［００７６］いくつかの実施態様では、エクスシトゥ洗浄中、第１のガス１５０の流量の第３のガス１５４の流量に対する比は、１：５と１：１５の間の範囲であり得るか、又は約１：５、約１：６、約１：７、約１：８、約１：９、約１：１０、約１：１１、約１：１２、約１：１３、約１：１４、約１：１５、又はそれ未満であり得る。第２のガス１５２の流量の第３のガス１５４の流量に対する比は、１：２と１：５の間の範囲であり得るか、又は約１：２、約１：３、約１：４、約１：５、又はそれ未満であり得る。

［００７７］堆積中、第３のガス１５４の流れは、継続して維持されて、堆積ガスがバイパス空間１４４及びバイパス空間１４４の上流の他のチャンバ空間内へ流れるのを防止し得る。バルブ１６０は、堆積中に開放され得るため、第３のガス流１５４の実質的にすべては、バイパス空間１４４からポンピングライナ１１０の内部空間１１４の第１の横方向に延びる空間部分１１６ａの小領域を通って、その後、第１のフォアライン空間１４０ａ内へ流れ得る。実質的にゼロ又は非常に限られた量の第３のガス流１５４がバッフルを越えて流れ得るか、又はバッフルの後ろのポンピングライナ１１０の空間又は処理空間１０６に入り得る。しかし、第３のガス流１５４は、処理空間１０６内に存在し得る第３のガス１５４の任意の量を制限するように、及び処理空間１０６内の堆積ガスの圧力及び流れプロファイルに対して有し得る任意の影響を制限するように、エクスシトゥ洗浄中と比較して比較的低いレベルで維持され得る。

［００７８］いくつかの実施態様では、堆積中、第３のガス流１５４は、堆積ガスがバイパス空間１４４及びバイパス空間１４４の上流の他のチャンバ空間へ入るのを効果的に制限又は防止する一方、約６００ｓｃｃｍ以下、約５００ｓｃｃｍ以下、約４００ｓｃｃｍ以下、約３００ｓｃｃｍ以下、約２００ｓｃｃｍ以下、約１００ｓｃｃｍ以下、約７５ｓｃｃｍ以下、約５０ｓｃｃｍ以下、又はそれ未満であり得る。第３のガス１５４の流量の第１のガス１５０の流量に対する比は、１：５と１：１００の間の範囲であり得るか、又は約１：５、約１：８、約１：１０、約１：２０、約１：３０、約１：４０、約１：５０、約１：６０、約１：８０、約１：１００、又はそれ未満であり得る。第３のガス１５４の流量の第２のガス１５２の流量に対する比は、１：２から１：５０の間の範囲であり得るか、又は約１：２、約１：４、約１：８、約１：１０、約１：１５、約１：２０、約１：３０、約１：４０、約１：５０、又はそれ未満であり得る。第３のガス流１５４を比較的低いレベルに維持することにより、処理空間１０６内の第３のガス１５４の濃度は、もしあれば、４ｐｐｍ未満、３ｐｐｍ未満、２ｐｐｍ未満、１ｐｐｍ未満、０．５ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満、又はそれ未満であり得る。

［００７９］いくつかの実施態様では、第１のガス１５０、第２のガス１５２、及び／又は第３のガス１５４の流量に応じて、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂの配向に垂直な方向に沿って、処理空間１０６内に小さな又は最小の圧力スキューが観察され得る。言い換えれば、圧力プロファイルは、処理空間１０６の中心軸の周りで処理空間１０６内部で完全に同心又は軸対称ではない場合がある。

［００８０］図７は、第３のガス１５４の異なる流量についての処理空間１０６内部の圧力プロファイルを概略的に示している。例えば、第３のガス１５４が５００ｓｃｃｍで流され得るとき、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂの配向に垂直な方向に沿って、処理空間１０６の２つの周辺位置で、約０．００１ｔｏｒｒ以下の圧力スキュー又は圧力差が観察され得る。第３のガス１５４が１００ｓｃｃｍで流され得るとき、チョークプレート１７０ａ、１７０ｂの配向に垂直な方向に沿って、同じ２つの周辺位置で、約０．０００２ｔｏｒｒ以下の圧力スキュー又は圧力差が観察され得る。特定の用途に応じて、このような圧力差は無視してもよい。

［００８１］第３のガス流１５４によって生み出され得るあらゆる圧力スキューを排除するために、図８に示すように２つのバイパス流が生み出され得る。上で検討したように、ポンピングライナ１１０は、バイパス空間１４４又は図８に示す第１のバイパス空間１４４ａからポンピングライナ１１０の第１の横方向に延びる空間部分１１６ａ内への流体アクセスを提供するためのバイパスガス入口又は第１のバイパスガス入口を含む。図８に示す実施態様では、ポンピングライナ１１０は、第２のバイパス空間１４４ｂから第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂ内へ流体アクセスを提供するための第２のバイパスガス入口をさらに含み得る。第３のガス１５４は、上で検討した第３のガス流１５４の流量の範囲又はレベルのいずれかなどの共通する流量で、第１のバイパス空間１４４ａを通じて第１の横方向に延びる空間部分１１６ａ内へ、及び第２のバイパス空間１４４ｂを通じて第２の横方向に延びる空間部分１１６ｂ内へ同時に流され得る。第３のガス１５４の並流１５４ａ、１５４ｂは、堆積中の処理空間１０６の同心又は軸方向に対称な圧力プロファイルを生み出すこと及び／又は維持することを容易にし得る。

［００８２］図９は、処理空間１００を洗浄するためのエクスシトゥ洗浄を利用する方法９００の例示的な工程を示している。図１０Ａ及び１０Ｂは、方法９００を概略的に示している。具体的には、図１０Ａ及び１０Ｂは、さまざまなチャンバ部品によって画定された流れ空間を概略的に示している。図１０Ａは、方法９００の一又は複数の工程が実施され得る間の流れ空間の右斜視図を概略的に示している。図１０Ｂは、方法９００の一又は複数の他の工程が実施され得る間の図１０Ｂの同じ斜視図を概略的に示している。方法９００のさまざまな工程は、任意の順序で実施されてもよく、除去又は修正されてもよい。

［００８３］方法９００は、工程９０５で第１の又はインシトゥ洗浄ガスをガス分布部材１０２を介して処理空間１０６内に流し、工程９１０で第２のガス１５２を処理空間１０６に向かって上向きの方向において基板支持体１０４を取り囲む間隙１２２を通じて流し、工程９１５で第３の又はエクスシトゥ洗浄ガスを第１及び第２のバイパス空間１４４ａ、１４４ｂからそれぞれ第１及び第２のバイパス入口を通じてポンピングライナ１１０の内部空間１１４内へ流すことによって、開始し得る。方法９００中の第１のガス、第２のガス、及び第３のガス流は、上記の方法４００中に流される第１のガス１５０、第２のガス１５２、及び第３のガス１５４とそれぞれ同じであり得る。第１のガス１５０の流量、第２のガス１５２の流量、及び第３のガス１５４の流量は、上で検討した流量のいずれかで維持され得る。さらに、処理チャンバ１００の動作圧力は、上で検討した任意の圧力レベル又は範囲で維持され得る。

［００８４］工程９２０では、第２のフォアライン空間１４０ｂを画定するフォアラインに沿って配置されたバルブ１６０ｂは、第２のフォアライン空間１４０ｂを通る流れを防止することができるように、閉鎖することができる。バルブ１６０ｂは、第１のフォアライン空間１４０ａを画定するフォアラインに沿って配置されたバルブ１６０ａと同等であるか、同じであるか、又は同様であり得る。説明のために、バルブ１６０ａ及びバルブ１６０ｂは、それぞれ第１のフォアラインバルブ１６０ａ及び第２のフォアラインバルブ１６０ｂと称され得る。

［００８５］工程９２５では、ポンピングライナ１１０の第１のバイパスガス入口を通じた、第１のバイパス空間１４４ａから内部空間１１４、より具体的には第１のサブ空間１１５ａ内への第３のガス又はエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、例えば、第１のバイパスガス入口の上流に置かれ、第１のバイパス空間１４４ａ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れを制御するよう構成され得るバルブを閉鎖することによって、停止され得る。工程９２５では、第２のバイパス空間１４４ｂからポンピングライナ１１０の第２のバイパスガス入口を通じた第２のサブ空間１１５ｂ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、維持され得る。

［００８６］工程９２５が完了すると、図１０Ａに示されるようなガス流又は流体流が達成され得る。具体的には、エクスシトゥ洗浄ガスが、第２のバイパス空間１４４ｂから第２のサブ空間１１５ｂ内に流され得る。バルブ１６０ｂが閉鎖されること及びチョークプレート１７０ａ、１７０ｂが存在することにより、エクスシトゥ洗浄ガスは、その後、ポンピングライナ１１０の開孔１１２の半分を介して処理空間１０６内へ入り、その後、ポンピングライナ１１０の開孔１１２の残りの半分を介して第１のサブ空間１１５ａ内へ入り得る。エクスシトゥ洗浄ガスは、その後、第１のフォアライン空間１４０ａ及び排気空間１４２を介して排気へ向かって流れ得る。図１０Ａに示されるようなさまざまな流れ空間を通じたエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、ポンピングライナ１１０と、ガス分布部材１０２及び基板支持体１０４などの、処理空間１０６を画定するチャンバ部品と、エクスシトゥ洗浄ガス流に曝露されるさまざまな他の下流のダクト及びチャンバ部品とを洗浄し得る。図１０Ａに示されるようなエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、さまざまなチャンバ部品が十分に洗浄され得るまで維持され得る。

［００８７］工程９３０では、第１のバイパス空間１４４ａからポンピングライナ１１０の第１のバイパスガス入口を通じた内部空間１１４、又はより具体的には第１のサブ空間１１５ａ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れが、再開され得る。工程９３５では、第２のフォアラインバルブ１６０ｂが開放されてもよく、工程９４０では、第１のフォアラインバルブ１６０ａは、第１のフォアライン空間１４０ａを通る流体流を防止するために閉鎖されてもよい。

［００８８］工程９４５では、ポンピングライナ１１０の第２のバイパスガス入口を通じた、第２のバイパス空間１４４ｂから内部空間１１４、より具体的には第２のサブ空間１１５ｂ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、例えば、第２のバイパスガス入口の上流に置かれ、第２のバイパス空間１４４ｂ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れを制御するよう構成され得るバルブを閉鎖することによって、停止され得る。工程９４５では、第１のバイパス空間１４４ａからポンピングライナ１１０の第１のバイパスガス入口を通じた第１のサブ空間１１５ａ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、維持され得る。

［００８９］工程９４５が完了すると、図１０Ｂに示されるようなガス流又は流体流が達成され得る。具体的には、エクスシトゥ洗浄ガスが、第１のバイパス空間１４４ａから第１のサブ空間１１５ａ内に流され得る。バルブ１６０ａが閉鎖されること及びチョークプレート１７０ａ、１７０ｂが存在することにより、エクスシトゥ洗浄ガスは、その後、ポンピングライナ１１０の開孔１１２の半分を介して処理空間１０６内へ入り、その後、ポンピングライナ１１０の開孔１１２の残りの半分を介して第２のサブ空間１１５ｂ内へ入り得る。エクスシトゥ洗浄ガスは、その後、第２のフォアライン空間１４０ｂ及び排気空間１４２を介して排気へ向かって流れ得る。図１０Ｂに示されるようなさまざまな流れ空間を通じたエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、ポンピングライナ１１０と、ガス分布部材１０２及び基板支持体１０４などの、処理空間１０６を画定するチャンバ部品と、エクスシトゥ洗浄ガス流に曝露されるさまざまな他の下流のダクト及びチャンバ部品とをさらに洗浄し得る。図１０Ｂに示されるようなエクスシトゥ洗浄ガスの流れは、さまざまなチャンバ部品が十分に洗浄され得るまで維持され得る。

［００９０］工程９０５から９４５のうちの一部又はすべてを実施することによって、処理チャンバ１００が洗浄され得ると、工程９５０では、第１のバイパス空間１４４ｂからポンピングライナ１１０の第２のバイパスガス入口を通じた内部空間１１４、又はより具体的には第１のサブ空間１１５ａ内へのエクスシトゥ洗浄ガスの流れが、再開され得る。工程９５５では、第１のフォアラインバルブ１６０ａが開放され得る。エクスシトゥ洗浄ガスの流量、並びに第１及び第２のガスの流量は、堆積プロセスを行うために上で検討された適切なレベル、又はさまざまな他のプロセスのための他の適切なレベルに、調整され得る。

［００９１］方法９００の一又は複数の工程を実施することにより、処理空間１０６の下流のチャンバ部品、並びに、ガス分布部材１０２及び基板支持体１０４などの、処理空間１０６を画定するチャンバ部品は、ポンピングライナ１１０のバイパス入口を通じて送達されるエクスシトゥ洗浄ガスを用いて洗浄され得る。エクスシトゥ洗浄は、インシトゥ洗浄と同時に送達され得る。よって、処理空間１０６を画定するチャンバ部品と、処理空間１０６の上流のチャンバ部品と、処理空間１０６の下流のチャンバ部品とは、同時に洗浄され得る。処理チャンバ１００全体は、インシトゥ洗浄単独での利用と比較してより効率的に洗浄することができ、よって、製造スループットを改善することができる。

［００９２］上記の記載では、説明を目的として、本技術の様々な実施態様の理解を促すために、数々の詳細が提示されている。しかしながら、当業者には、これらの詳細のうちの一部がなくても、或いは、追加の詳細があれば、特定の実施態様を実施できることが明らかであろう。

［００９３］いくつかの実施態様を開示したが、当業者は、実施態様の精神から逸脱することなく、様々な修正例、代替構造物、及び均等物を使用できることを認識されよう。さらに、いくつかの周知の処理及び要素は、本技術を不必要に不明瞭にすることを避けるために説明されていない。したがって、上記の説明は、本技術の範囲を限定するものと見なすべきではない。さらに、方法又は処理は、連続的又は段階的に説明され得るが、動作は、同時に行われてもよく、又は、記載よりも異なる順序で行われてもよいことを理解するべきである。

［００９４］値の範囲が提供されている場合、文脈上そうでないと明示されていない限り、当然ながら、その範囲の上限値と下限値との間の各介在値は、下限値の最も小さい単位まで具体的に開示されている。記載された範囲の任意の記載値又は記載されていない介在値の間の任意の狭い範囲、そしてその記載範囲のその他任意の記載された又は介在する値も包含される。これら小さい範囲の上限及び下限は、その範囲に個々に含まれ、又はその範囲から除外される場合があり、小さい範囲に限界値のいずれかが含まれる、どちらも含まれない、又は両方が含まれる各範囲もまた、記載された範囲における明確に除外される任意の限界値を条件として、この技術範囲に包含される。記載された範囲に１つ又は両方の限界値が含まれる場合、これらの含有限界値のいずれか又は両方を除外する範囲もまた含まれる。

［００９５］本明細書及び特許請求の範囲で使用される単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈が他のことを明らかに示していない限り、複数の参照対象を含む。したがって、例えば、「ある前駆体（ａ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」が言及されている場合、複数のこのような前駆体が含まれ、「その層（ｔｈｅ ｌａｙｅｒ）」が言及されている場合、当業者に周知の１つ以上の層及び均等物への言及が含まれ、その他の形にも同様のことが当てはまる。

［００９６］また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ（ｓ））」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ（ｓ））」、「含有している（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ（ｓ））」、及び「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書及び特許請求の範囲で使用された場合、記載された特徴、整数、構成要素、又はステップの存在を特定することを意図しているが、一又は複数のその他の特徴、整数、構成要素、工程、動作、又はグループの存在又は追加を除外するものではない。

Claims (17)

1. 処理チャンバであって、
   ガス分布部材と；
   前記ガス分布部材の下方に位置決めされた基板支持体であって、前記ガス分布部材と前記基板支持体とが少なくとも部分的に処理空間を画定し、前記ガス分布部材が前記処理空間内への流体アクセスを提供する、基板支持体と；
   前記基板支持体から半径方向外向きに配置されたポンピングライナであって、
   前記ポンピングライナが、第１の横方向に延びるライナ部分と、第２の横方向に延びるライナ部分と、第１のトロイダル形状のライナ部分と、第２のトロイダル形状のライナ部分とを画定し；
   前記ポンピングライナが、前記処理空間の周りに円周方向に配置された複数の開孔と、前記複数の開孔を介して前記処理空間と流体連結した内部空間とを画定し；
   前記ポンピングライナの前記内部空間が、第１の横方向に延びる空間部分と、第２の横方向に延びる空間部分と、第１のトロイダル形状の空間部分と、第２のトロイダル形状の空間部分とを含み；
   前記第１の横方向に延びる空間部分及び前記第２の横方向に延びる空間部分が、それぞれ、前記ポンピングライナ内で、前記第１のトロイダル形状の空間部分及び前記第２のトロイダル形状の空間部分と流体連結し；
   前記ポンピングライナが、前記複数の開孔から半径方向外向きに配置されたガス入口をさらに画定し；
   前記ガス入口が、前記ポンピングライナの前記内部空間内への流体アクセスを提供する、
   ポンピングライナと；
   流量制御機構であって、前記ガス分布部材から前記処理空間内への流体分布中に、流体流を、前記ガス入口を介して前記内部空間内へ、その後、前記ポンピングライナの前記複数の開孔のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるように動作可能である、流量制御機構と
   を含む、処理チャンバ。
2. 前記流量制御機構が、前記ポンピングライナ内部に配置された、第１のチョークプレートと第２のチョークプレートとを含み、前記第１のチョークプレートと前記第２のチョークプレートとが、前記ポンピングライナの前記内部空間を第１の空間と第２の空間とに分割し、前記第１の空間が、前記複数の開孔の半分を介して前記処理空間と流体連結しており、前記第２の空間が、前記複数の開孔の残りの半分を介して前記処理チャンバと流体連結しており、前記流量制御機構が、流体流を前記第１の空間から前記処理空間を介して前記第２の空間内へ向けるように動作可能である、請求項１に記載の処理チャンバ。
3. 前記流量制御機構が、ガス出口の下流且つ排気の上流に配置されたバルブを含み、前記バルブが、前記処理チャンバ又は前記ポンピングライナの前記内部空間から前記ガス出口を介した前記排気への流体流を防止するために閉鎖するように動作可能である、請求項１に記載の処理チャンバ。
4. 前記ガス出口が第１のガス出口であり、前記バルブが第１のバルブであり、前記流量制御機構が、第２のガス出口と、前記第２のガス出口の下流且つ前記排気の上流に配置された第２のバルブとをさらに含み、前記ガス入口が第１のガス入口であり、前記ポンピングライナが第２のガス入口をさらに画定し、前記第２のバルブが、前記ガス分布部材から前記処理空間への流体分布中に、流体流を、前記第２のガス入口を介して前記内部空間内へ、その後、前記複数の開孔の別のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるために閉鎖するように動作可能である、請求項３に記載の処理チャンバ。
5. 前記ポンピングライナが、互いに直径方向に対向した第１の内部バッフルと第２の内部バッフルとを含み、前記第１の内部バッフルが、前記ガス入口と前記複数の開孔との間に配置されている、請求項１に記載の処理チャンバ。
6. 前記ポンピングライナが、
   前記ポンピングライナの前記内部空間の前記第１の横方向に延びる空間部分を画定する前記第１の横方向に延びるライナ部分であって、前記ガス入口が前記第１の横方向に延びるライナ部分の上面に配置されている、前記第１の横方向に延びるライナ部分と；
   前記ポンピングライナの前記内部空間の前記第２の横方向に延びる空間部分を画定する前記第２の横方向に延びるライナ部分であって、前記第１の横方向に延びる空間部分と前記第２の横方向に延びる空間部分とが、互いに直径方向に対向している、前記第２の横方向に延びるライナ部分と；
   前記ポンピングライナの前記内部空間の前記第１のトロイダル形状の空間部分を画定する前記第１のトロイダル形状のライナ部分であって、前記第１のトロイダル形状の空間部分が、前記第１の横方向に延びる空間部分と前記第２の横方向に延びる空間部分との間に配置されている、前記第１のトロイダル形状のライナと；
   前記ポンピングライナの前記内部空間の前記第２のトロイダル形状の空間部分を画定する前記第２のトロイダル形状のライナ部分であって、前記第１のトロイダル形状の空間部分と前記第２のトロイダル形状の空間部分とが、互いに直径方向に対向している、前記第２のトロイダル形状のライナ部分と
   を含む、請求項１に記載の処理チャンバ。
7. 前記ガス入口が第１のガス入口であり、前記ポンピングライナが、前記第２の横方向に延びるライナ部分の上面に配置された第２のガス入口をさらに画定し、前記流量制御機構が、前記ガス分布部材から前記処理空間内への流体分布中に、流体流を、前記第２のガス入口を介して前記ポンピングライナの前記内部空間内へ、その後、前記ポンピングライナの前記複数の開孔の別のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるようにさらに動作可能である、請求項６に記載の処理チャンバ。
8. 前記基板支持体の周りに環状の間隙をさらに含み、前記処理チャンバの下部から前記処理空間及び前記ポンピングライナの前記内部空間への流体アクセスを提供する、請求項１に記載の処理チャンバ。
9. 処理チャンバを洗浄するための方法であって、
   第１のガスを、処理チャンバのガス分布部材を通じて、前記処理チャンバの前記ガス分布部材と基板支持体とによって少なくとも部分的に画定される処理空間内へ流すことと；
   第２のガスを、前記処理チャンバのポンピングライナのガス入口を通じて、前記ポンピングライナの内部空間内へ流すことであって、前記ポンピングライナが、前記基板支持体から半径方向外向きに配置されており、前記内部空間が、前記処理空間の周りに円周方向に配置された前記ポンピングライナの複数の開孔を介して前記処理空間と流体連結している、第２のガスを流すことと；
   前記第１のガスの前記流れを前記処理空間内に維持しながら、前記第２のガスの一部を、前記ポンピングライナの前記内部空間から前記複数の開孔の第１のサブセットの開孔を通じて前記処理空間内へ流すことと；
   前記第２のガスの前記一部を、前記処理空間から前記複数の開孔の第２のサブセットの開孔を介して前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことと
   を含む、方法。
10. 前記ポンピングライナの前記内部空間が、一対のチョークプレートによって分離された第１の空間と第２の空間とを含み、
    前記第２のガスを、前記ポンピングライナの前記ガス入口を通じて前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことが、前記第２のガスを前記ポンピングライナの前記ガス入口を通じて前記第１の空間内へ流すことを含み；
    前記第２のガスの前記一部を前記ポンピングライナの前記内部空間から前記処理空間内へ流すことが、前記第２のガスの前記一部を前記第１の空間から前記処理空間内へ流すことを含み、前記第２のガスの前記一部が、前記処理空間全体に分布され；
    前記第２のガスの前記一部を前記処理空間から前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことが、前記第２のガスの前記一部を前記処理空間から前記第２の空間内へ流すことを含む、
    請求項９に記載の方法。
11. 前記第１のガスが、均一な濃度で前記処理空間全体に分布され、前記第１のガスが第１の流量で流され、前記第２のガスが、前記第１の流量よりも大きい第２の流量で流される、請求項９に記載の方法。
12. 前記ガス入口が第１のガス入口であり、
    前記ポンピングライナの前記第１のガス入口を通じた前記ポンピングライナの前記内部空間内への前記第２のガスの流れを中止することと；
    第３のガスを、前記ポンピングライナの第２のガス入口を通じて前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことと；
    前記第３のガスの一部を、前記ポンピングライナの前記内部空間から前記複数の開孔の前記第２のサブセットの開孔を通じて前記処理空間内へ流すことと；
    前記第３のガスの前記一部を、前記処理空間から前記複数の開孔の前記第１のサブセットの開孔を介して前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことと、
    をさらに含む、請求項９に記載の方法。
13. 第３のガスを、前記基板支持体を取り囲む環状の間隙を通じて、前記処理空間へ向かって上向きの方向において流すことをさらに含む、請求項９に記載の方法。
14. 堆積方法であって、
    第１のガスを、処理チャンバのガス分布部材を通じて、上に半導体基板を支持する前記処理チャンバの基板支持体と前記ガス分布部材とによって少なくとも部分的に画定された処理空間内へ流すことと；
    第２のガスを、前記処理チャンバのポンピングライナのガス入口を通じて、前記ポンピングライナの内部空間内へ流すことであって、前記ポンピングライナが、前記基板支持体から半径方向外向きに配置されており、前記ポンピングライナの前記内部空間が、前記処理空間の周りに円周方向に配置された複数の開孔を介して前記処理空間と流体連結しており、前記第１のガスが第１の流量で流され、前記第２のガスが、前記処理空間への前記第２のガスの前記流れが防止される一方で前記第１のガスが前記処理空間から前記複数の開孔を介して前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流されるように、前記第１の流量より小さい第２の流量で流され、前記処理空間内部の２つの周辺位置間の圧力差が０．１ｔｏｒｒ未満である、第２のガスを流すこと
    とを含む、方法。
15. 前記ガス入口が第１のガス入口であり、前記堆積方法が、さらに、
    第３のガスを、前記ポンピングライナの第２のガス入口を通じて、前記ポンピングライナの前記内部空間内へ流すことであって、前記第１のガス入口と前記第２のガス入口とが、互いに直径方向に対向しており、前記第３のガスが、前記処理空間内への前記第３のガスの前記流れが防止されるように、前記第１の流量より小さい第３の流量で流され、前記第１のガスの前記流れと、前記第２のガスの前記流れと、前記第３のガスの前記流れとが、集合的に、前記処理空間の中心軸の周りの前記処理空間内部に軸方向に対称な圧力プロファイルを生み出す、第３のガスを流すことと；
    前記第３のガスを、前記基板支持体を取り囲む環状の間隙を通じて、前記処理空間へ向かって上向きの方向において流すことと
    を含む、請求項１４に記載の方法。
16. 処理チャンバであって、
    ガス分布部材と；
    前記ガス分布部材の下方に位置決めされた基板支持体であって、前記ガス分布部材と前記基板支持体とが少なくとも部分的に処理空間を画定し、前記ガス分布部材が前記処理空間内への流体アクセスを提供する、基板支持体と；
    前記基板支持体から半径方向外向きに配置されたポンピングライナであって、
    前記ポンピングライナが、前記処理空間の周りに円周方向に配置された複数の開孔と、前記複数の開孔を介して前記処理空間と流体連結した内部空間とを画定し；
    前記ポンピングライナが、前記複数の開孔から半径方向外向きに配置されたガス入口をさらに画定し、前記ガス入口が、前記ポンピングライナの前記内部空間内への流体アクセスを提供する、
    ポンピングライナと；
    流量制御機構であって、前記ガス分布部材から前記処理空間内への流体分布中に、流体流を、前記ガス入口を介して前記内部空間内へ、その後、前記ポンピングライナの前記複数の開孔のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるように動作可能である、流量制御機構と
    を含み、
    前記流量制御機構が、ガス出口の下流且つ排気の上流に配置されたバルブを含み、前記バルブが、前記処理チャンバ又は前記ポンピングライナの前記内部空間から前記ガス出口を介した前記排気への流体流を防止するために閉鎖するように動作可能であり、
    前記ガス出口が第１のガス出口であり、前記バルブが第１のバルブであり、前記流量制御機構が、第２のガス出口と、前記第２のガス出口の下流且つ前記排気の上流に配置された第２のバルブとをさらに含み、前記ガス入口が第１のガス入口であり、前記ポンピングライナが第２のガス入口をさらに画定し、前記第２のバルブが、前記ガス分布部材から前記処理空間への流体分布中に、流体流を、前記第２のガス入口を介して前記内部空間内へ、その後、前記複数の開孔の別のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるために閉鎖するように動作可能である、処理チャンバ。
17. 処理チャンバであって、
    ガス分布部材と；
    前記ガス分布部材の下方に位置決めされた基板支持体であって、前記ガス分布部材と前記基板支持体とが少なくとも部分的に処理空間を画定し、前記ガス分布部材が前記処理空間内への流体アクセスを提供する、基板支持体と；
    前記基板支持体から半径方向外向きに配置されたポンピングライナであって、
    前記ポンピングライナが、前記処理空間の周りに円周方向に配置された複数の開孔と、前記複数の開孔を介して前記処理空間と流体連結した内部空間とを画定し；
    前記ポンピングライナが、前記複数の開孔から半径方向外向きに配置されたガス入口をさらに画定し、前記ガス入口が、前記ポンピングライナの前記内部空間内への流体アクセスを提供する、
    ポンピングライナと；
    流量制御機構であって、前記ガス分布部材から前記処理空間内への流体分布中に、流体流を、前記ガス入口を介して前記内部空間内へ、その後、前記ポンピングライナの前記複数の開孔のサブセットを介して前記処理空間内へ向けるように動作可能である、流量制御機構と
    を含み、
    前記ポンピングライナが、互いに直径方向に対向した第１の内部バッフルと第２の内部バッフルとを含み、前記第１の内部バッフルが、前記ガス入口と前記複数の開孔との間に配置されている、処理チャンバ。

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