JP7620515B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
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Description
本開示は、基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing system, and a substrate processing method.
特許文献１には、内部を真空雰囲気と大気圧雰囲気との間で切り換え可能な処理室に配置される基板冷却装置が開示されている。この基板冷却装置は、基板を冷却するステージの上面から突出した状態で基板を支持する支持ピンと、支持ピンのステージの上面からの突出高さを調節する伸縮部材とを有する。
本開示は、基板処理の効率化に有用な基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法を提供する。 The present disclosure provides a substrate processing apparatus, a substrate processing system, and a substrate processing method that are useful for improving the efficiency of substrate processing.
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を冷却する冷却板と、冷却板の上面と基板の裏面との間に隙間が形成されるように、基板の裏面を支持する支持部とを備える。支持部は、冷却板の中央領域に配置され、冷却板の上面から突出するように冷却板に設けられた中央支持ピンと、冷却板の外周領域に配置され、冷却板の上面から突出するように冷却板に設けられた外周支持ピンとを有する。外周支持ピンは、基板の裏面を支持するピン本体と、温度に応じて、ピン本体が冷却板の上面から突出する量を変化させる伸縮部材とを含む。伸縮部材は、温度が上昇すると、冷却板の上面から第１突出量でピン本体が突出する第１状態から、第１突出量よりも大きい第２突出量で冷却板の上面からピン本体が突出する第２状態に変化させるように構成されている。第１突出量は、中央支持ピンが冷却板の上面から突出する量よりも小さい。 A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a cooling plate for cooling a substrate, and a support section for supporting the rear surface of the substrate such that a gap is formed between the upper surface of the cooling plate and the rear surface of the substrate. The support section has a central support pin disposed in a central region of the cooling plate and provided on the cooling plate so as to protrude from the upper surface of the cooling plate, and a peripheral support pin disposed in a peripheral region of the cooling plate and provided on the cooling plate so as to protrude from the upper surface of the cooling plate. The peripheral support pin includes a pin body for supporting the rear surface of the substrate, and an expandable member for changing the amount by which the pin body protrudes from the upper surface of the cooling plate according to the temperature. The expandable member is configured to change, when the temperature rises, from a first state in which the pin body protrudes from the upper surface of the cooling plate by a first protrusion amount to a second state in which the pin body protrudes from the upper surface of the cooling plate by a second protrusion amount that is larger than the first protrusion amount. The first protrusion amount is smaller than the amount by which the central support pin protrudes from the upper surface of the cooling plate.
本開示によれば、基板処理の効率化に有用な基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法が提供される。 The present disclosure provides a substrate processing apparatus, a substrate processing system, and a substrate processing method that are useful for improving the efficiency of substrate processing.
以下、図面を参照していくつかの実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が鉛直方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。 Below, several embodiments will be described with reference to the drawings. In the description, identical elements or elements having the same functions are given the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted. Some drawings show an orthogonal coordinate system defined by the X-axis, Y-axis, and Z-axis. In the following embodiments, the Z-axis corresponds to the vertical direction, and the X-axis and Y-axis correspond to the horizontal direction.
［第１実施形態］
最初に、図１～図１１を参照しながら、第１実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
[First embodiment]
First, a substrate processing system according to a first embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 11. The substrate processing system 1 (substrate processing apparatus) shown in Fig. 1 is a system that performs the formation of a photosensitive film on a workpiece W, the exposure of the photosensitive film, and the development of the photosensitive film. The workpiece W to be processed is, for example, a substrate, or a substrate on which a film or a circuit or the like has been formed by performing a predetermined process. As an example, the substrate is a silicon wafer. The workpiece W (substrate) may be circular. The workpiece W may be a glass substrate, a mask substrate, or an FPD (Flat Panel Display), etc. The photosensitive film is, for example, a resist film.
図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、制御装置１００とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。
As shown in Figures 1 and 2, the
（塗布現像装置）
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６とを備える。
(Coating and developing equipment)
The coating and developing
キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
The
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
The
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
The
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
The
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を供給した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジストパターンを形成する（レジスト膜の現像処理を行う）。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
The
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。
A shelf unit U10 is provided on the
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
A shelf unit U11 is provided on the
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
The
制御装置１００は、塗布現像装置２を部分的及び全体的に制御するように構成されている。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
The
次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
The
次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
The
次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
The
次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後、制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
Next, the
次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。
The
以上により１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を塗布現像装置２に実行させる。なお、塗布現像装置２の具体的な構成は、以上に例示した構成に限られない。塗布現像装置２は、熱処理を行うユニットを備えていればどのようなものであってもよい。
This completes the coating and developing process for one workpiece W. The
＜熱処理ユニット＞
続いて、図３～図８を参照しながら、熱処理ユニットＵ２の一例について詳細に説明する。熱処理ユニットＵ２は、加熱処理と冷却処理とを含む熱処理をワークＷに対して施すように構成されている。図３に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、筐体２０と、冷却部３０と、加熱部４０とを備える。
<Heat treatment unit>
Next, an example of the heat-treating unit U2 will be described in detail with reference to Figures 3 to 8. The heat-treating unit U2 is configured to perform heat treatment including heating and cooling treatment on the workpiece W. As shown in Figure 3, the heat-treating unit U2 includes a
筐体２０は、熱処理を行うための空間（以下、「処理空間Ｓ」という。）を形成する。筐体２０は、冷却部３０と加熱部４０とを収容する。筐体２０の１つの側壁には、ワークＷを処理空間Ｓに搬入するための搬入口２２が設けられている。筐体２０は、処理空間Ｓを上方領域と下方領域とに区画する床板２４を有する。上方領域は、ワークＷを移動させる移動領域であり、下方領域はそれ以外の領域（例えば、駆動部等を設置する領域）である。
The
冷却部３０は、処理空間ＳにおいてワークＷの温度を目標温度に低下させる冷却処理を処理対象のワークＷに対して施す。冷却部３０は、熱処理ユニットＵ２の外部の搬送装置Ａ３との間でワークＷの受け渡しを行う機能を有する。冷却部３０は、例えば、冷却板３２と、連結ブラケット３４と、駆動部３６とを有する。
The
冷却板３２は、ワークＷに対する冷却を行うプレート（クールプレート）である。冷却板３２は、加熱部４０により加熱された後のワークＷが上方に位置した状態で、そのワークＷを目標温度まで冷却する。冷却部３０は、円板状に形成されていてもよい（図４参照）。冷却部３０の大きさ（直径）は、ワークＷの大きさ（直径）と同程度であってもよい。冷却板３２は、アルミ、銀、又は銅などの金属によって構成されていてもよい。冷却板３２の内部には、冷却用の水又は冷却用の気体等の冷媒を流通させる冷媒流路（不図示）が形成されている。冷却板３２内を流れる冷媒が、ワークＷから熱を奪うことにより、ワークＷの温度が低下する。
The cooling
連結ブラケット３４は、冷却板３２に連結されている。連結ブラケット３４は、筐体２０内を水平な一方向（例えば、図示のＸ軸方向）に沿って移動可能となるように構成されている。連結ブラケット３４は、例えば、筐体２０の搬入口２２の近傍と加熱部４０との間に延びるガイドレールに沿って移動可能である。連結ブラケット３４が上記ガイドレールに沿って移動することにより、冷却板３２が、冷却位置と受渡位置との間を水平な一方向（例えば、図示のＸ軸方向）に沿って移動する。冷却位置は、冷却板３２が加熱部４０と重ならずワークＷの冷却を行うための位置である。受渡位置は、冷却板３２の少なくとも一部が加熱部４０（より詳細には、後述の熱板４４）と重なり、加熱部４０との間でワークＷの受け渡しを行うための位置である。
The connecting
駆動部３６は、制御装置１００の動作指示に基づいて動作し、連結ブラケット３４を水平な一方向に沿って往復移動させる。駆動部３６は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでおり、冷却板３２が上記冷却位置と上記受渡位置との間で移動するように、連結ブラケット３４を移動させる。搬入口２２、冷却位置、及び受渡位置（加熱部４０の位置）は、水平な一方向に沿って、この順で並んでいる。
The
熱処理ユニットＵ２は、冷却部３０の冷却板３２に対して冷媒を供給する冷媒供給部２８を有する。冷媒供給部２８は、冷却板３２内の上記冷媒流路に対して冷媒を供給する。冷媒供給部２８から供給される冷媒は、例えば、冷却用の水である。冷媒供給部２８は、塗布現像装置２が稼働している間、冷却板３２への冷媒の供給を継続してもよい。冷媒供給部２８は、筐体２０内に設けられてもよく、図３に示される例とは異なり、その一部が筐体２０の外に配置されてもよい。
The heat treatment unit U2 has a
加熱部４０は、処理空間ＳにおいてワークＷを加熱する加熱処理を処理対象のワークＷに対して施す。加熱部４０は、例えば、支持台４２と、熱板４４と、蓋体４６と、駆動部４８と、複数のリフトピン５２と、駆動部５４とを有する。
The
支持台４２は、熱板４４を支持する台である。支持台４２は、例えば、その中央部分に窪みを有する円板状に形成されている。熱板４４は、載置されたワークＷに対する加熱を行うプレートである。熱板４４は、例えば、円板状に形成されており、支持台４２の窪みに収容されている。熱板４４は、上方を向く載置面４４ａを有する。熱板４４の載置面４４ａとは反対側の下面には、ヒータ４５が設けられている。ヒータ４５は、例えば、抵抗発熱体から構成されている。ヒータ４５に電流が流れることで、ヒータ４５が発熱し、その熱により熱板４４の温度が上昇する。これにより、熱板４４の載置面４４ａに載置されたワークＷが加熱される。
The support table 42 is a table that supports the
蓋体４６は、熱板４４の載置面４４ａを囲むように構成されている。蓋体４６は、天板部４６ａと、側壁部４６ｂとを含む。天板部４６ａは、支持台４２と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板部４６ａは、載置面４４ａと上下方向において対向するように配置されている。側壁部４６ｂは、天板部４６ａの外縁から下方に延びるように構成されている。
The
蓋体４６は、ワークＷの加熱処理を行うための空間が開放される上昇位置と、蓋体４６が下降することでワークＷの加熱処理を行うための空間が形成される下降位置との間を移動可能である。駆動部４８は、制御装置１００の動作指示に基づいて、蓋体４６を昇降させる。駆動部４８は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでおり、上昇位置と下降位置との間で移動するように蓋体４６を昇降させる。
The
リフトピン５２は、ワークＷを昇降させるピンである。リフトピン５２は、支持台４２及び熱板４４を貫通するように上下方向に沿って延びている。複数の（例えば、３つ）リフトピン５２は、熱板４４の中心まわりの周方向に沿って等間隔に配置されていてもよい。リフトピン５２は、ワークＷを熱板４４に載置させる載置位置と、冷却板３２との間でワークＷの受け渡しを行うために熱板４４よりも突出した突出位置との間を昇降可能である。
The lift pins 52 are pins that raise and lower the workpiece W. The lift pins 52 extend in the vertical direction so as to penetrate the
駆動部５４は、制御装置１００の動作指示に基づいて、リフトピン５２を昇降させる。駆動部５４は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでおり、載置位置と突出位置との間で移動するように、複数のリフトピン５２を昇降させる。ワークＷを支持した状態のリフトピン５２が昇降することで、そのワークＷが昇降する。
The
上述のしたように、冷却板３２は、上記受渡位置と上記冷却位置との間を移動可能である。受渡位置に冷却板３２が位置するとき、上下方向において冷却板３２と熱板４４とが離れた状態で、冷却板３２の少なくとも一部が熱板４４に重なる。冷却板３２の少なくとも一部が熱板４４に重なるとは、上方から見て、冷却板３２の少なくとも一部が熱板４４を覆っている状態を意味する。冷却位置に冷却板３２が位置するとき、水平な一方向において冷却板３２と熱板４４とが離れている（上方から見て、冷却板３２が熱板４４を覆っていない）。
As described above, the cooling
続いて、冷却板３２の詳細について説明する。図４に示されるように、冷却板３２には、冷却板３２の移動方向に沿って延びる複数（例えば、２本）のスリット５８が形成されている。各スリット５８は、冷却板３２の厚さ方向において冷却板３２を貫通している。スリット５８は、冷却板３２が熱板４４の上方の位置（上記受渡位置）に移動したときに、冷却板３２と複数のリフトピン５２とが互いに干渉しないように形成されている。
Next, the cooling
冷却部３０は、ワークＷを支持する支持部６０を有する。支持部６０は、ワークＷの中心と冷却板３２の中心とが互いに略一致するように、ワークＷを支持する。支持部６０は、冷却板３２の上面３２ａとワークＷの裏面Ｗｂとの間に隙間が形成されるように、ワークＷの裏面Ｗｂを支持する（図５（ａ）及び図５（ｂ）も参照）。支持部６０にワークＷが支持された状態では、冷却板３２の上面３２ａとワークＷの裏面Ｗｂとの間に隙間が形成される。その隙間は、例えば、冷却板３２によるワークＷの冷却が可能な程度に設定される。一例では、上面３２ａと裏面Ｗｂとの間の隙間は、数百μｍ～数ｍｍ程度である。支持部６０は、例えば、複数の中央支持ピン６４と、複数の第１外周支持ピン６８と、複数の第２外周支持ピン７０（外周支持ピン）とを含む。
The
複数の中央支持ピン６４は、冷却板３２の上面３２ａにおいて中央に位置する領域（以下、「中央領域ＣＡ」という。）に配置されており、ワークＷの裏面Ｗｂの中央部分を支持する。複数の中央支持ピン６４は、中央領域ＣＡにおいて、どのように配置されていてもよい。複数の中央支持ピン６４の一部は、冷却板３２の上面３２ａの中心まわりの周方向に沿って、等間隔に並んで配置されてもよい。複数の中央支持ピン６４の一部は、上面３２ａの径方向に沿って、並んで配置されてもよい。
The multiple central support pins 64 are arranged in a centrally located area (hereinafter referred to as the "central area CA") on the
各中央支持ピン６４は、その上端が冷却板３２の上面３２ａから突出するように、冷却板３２に設けられている。中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量は、数百μｍ～数ｍｍ程度であってもよい。中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量は、中央支持ピン６４の上端と上面３２ａとの間の上下方向（上面３２ａに垂直な方向）における距離で定義される。図５（ａ）では、中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量が、「ｄｃ」で示されている。複数の中央支持ピン６４それぞれが上面３２ａから突出する量は、互いに略一致していてもよい。中央支持ピン６４の上端には、ワークＷの裏面Ｗｂが接触する凸状の球面が形成されていてもよい。
Each
複数の第１外周支持ピン６８と、複数の第２外周支持ピン７０（外周支持ピン）とは、冷却板３２の上面３２ａにおいて外周に位置する領域（以下、「外周領域ＰＡ」という。）に配置されており、ワークＷの裏面Ｗｂの外周部分を支持する。外周領域ＰＡは、上面３２ａの周縁とその近傍の部分であり、円環状に区画される領域である。上記中央領域ＣＡは、上面３２ａにおける外周領域ＰＡ以外の領域であり、外周領域ＰＡの内側に位置する。上面３２ａの周縁と外周領域ＰＡの内縁との間の距離（上面３２ａの半径方向に沿った距離）は、上面３２ａの半径の１／１０～１／５程度であってもよい。
The multiple first outer peripheral support pins 68 and the multiple second outer peripheral support pins 70 (outer peripheral support pins) are arranged in an area (hereinafter referred to as the "outer peripheral area PA") located on the outer periphery of the
第１外周支持ピン６８及び第２外周支持ピン７０は、いずれも、外周領域ＰＡにおいて、上端が上面３２ａから突出するように冷却板３２に設けられている。第２外周支持ピン７０が、自身の温度に応じて上面３２ａからの突出量が変化するように構成されているのに対して、第１外周支持ピン６８は、上面３２ａからの突出量が変化しないように構成されている。複数の第１外周支持ピン６８の個数と、複数の第２外周支持ピン７０の個数とは、互いに同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。
The first outer
複数の第１外周支持ピン６８及び複数の第２外周支持ピン７０は、外周領域ＰＡにおいてどのように配置されていてもよい。複数の第１外周支持ピン６８は、冷却板３２の上面３２ａの中心まわりの周方向に沿って等間隔に配置されてもよい。複数の第２外周支持ピン７０は、上面３２ａの中心まわりの周方向に沿って等間隔に配置されてもよい。上面３２ａの中心まわりの周方向において、互いに隣り合う第２外周支持ピン７０の間に、第１外周支持ピン６８が位置するように、複数の第１外周支持ピン６８及び複数の第２外周支持ピン７０が配置されてもよい。第１外周支持ピン６８と上面３２ａの中心との距離は、第２外周支持ピン７０と上面３２ａの中心との距離に略一致していてもよい。
The first outer peripheral support pins 68 and the second outer peripheral support pins 70 may be arranged in any manner in the outer peripheral region PA. The first outer peripheral support pins 68 may be arranged at equal intervals along the circumferential direction around the center of the
第１外周支持ピン６８が上面３２ａから突出する量は、中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量よりも小さくてもよい。第１外周支持ピン６８が上面３２ａから突出する量は、中央支持ピン６４の突出量の１／２～９／１０程度であってもよい。第１外周支持ピン６８が上面３２ａから突出する量は、第１外周支持ピン６８の上端と上面３２ａとの間の上下方向（上面３２ａに垂直な方向）における距離で定義される。複数の第１外周支持ピン６８それぞれが上面３２ａから突出する量は、互いに略一致していてもよい。第１外周支持ピン６８の上端には、ワークＷの裏面Ｗｂが接触する凸状の球面が形成されていてもよい。
The amount by which the first outer
第２外周支持ピン７０は、自身の温度に応じて、上面３２ａから突出する量が互いに異なる２つの状態に切り替わるように構成されている。第２外周支持ピン７０は、自身の温度が低い状態（以下、「第１状態」という。）において、その温度が上昇してある値に達すると、第１状態に比べて突出量が大きい状態（以下、「第２状態」という。）に変化する。第２外周支持ピン７０は、第２状態に変化した後に、自身の温度が低下してある値を下回ると、第２状態から第１状態に変化する。第１状態から第２状態に変化する温度と、第２状態から第１状態に変化する温度とは、略一致していてもよく、数℃程度だけ異なっていてもよい。
The second outer
第２外周支持ピン７０が上面３２ａから突出する量は、第２外周支持ピン７０の上端と上面３２ａとの間の上下方向（上面３２ａに垂直な方向）における距離で定義される。以下では、第１状態において第２外周支持ピン７０が上面３２ａから突出する量を「第１突出量」と称し、第２状態において第２外周支持ピン７０が上面３２ａから突出する量を「第２突出量」と称する。第２突出量は、第１突出量よりも大きい。
The amount by which the second outer
第１状態において、複数の第２外周支持ピン７０それぞれの第１突出量は、互いに略一致していてもよい。第２状態において、複数の第２外周支持ピン７０それぞれの第２突出量は、互いに略一致していてもよい。第１突出量は、第１外周支持ピン６８が上面３２ａから突出する量と略一致していてもよい。第１突出量は、中央領域ＣＡに位置する中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量よりも小さい。第２突出量は、中央支持ピン６４が上面３２ａから突出する量と同程度であってもよく、中央支持ピン６４の突出量よりも大きくてもよい。
In the first state, the first protrusion amounts of the multiple second outer periphery support pins 70 may be approximately the same as each other. In the second state, the second protrusion amounts of the multiple second outer periphery support pins 70 may be approximately the same as each other. The first protrusion amount may be approximately the same as the amount by which the first outer
図５（ａ）及び図５（ｂ）には、第１状態の第２外周支持ピン７０と中央支持ピン６４とによって、ワークＷが支持されている様子の一例が模式的に示されている。ワークＷの表面Ｗａには種々の膜及び回路が形成されるので、冷却板３２による冷却を開始する前の段階で反りが発生している場合がある。ワークＷの種別によって、反りの状態（反り形状）も異なり得る。図５（ａ）に示されるワークＷでは、反りがほとんど発生しておらず、その形状はフラットである。以下では、反りがほとんど発生していないフラットな形状を有するワークＷについて、その反り形状がフラットであるとして説明する。図５（ｂ）に示されるワークＷでは、ワークＷの中央部分が裏面Ｗｂから表面Ｗａに向かって突出するように反りが発生している。本開示では、中央部分が裏面Ｗｂから表面Ｗａに向かって突出するような反りを、凸状の反りと称し、中央部分が表面Ｗａから裏面Ｗｂに向かって突出するような反り（表面Ｗａの中央部分が窪むような反り）を、凹状の反りと称する。
5(a) and 5(b) are schematic diagrams showing an example of the state in which the workpiece W is supported by the second outer peripheral support pins 70 and the central support pins 64 in the first state. Since various films and circuits are formed on the surface Wa of the workpiece W, warping may occur before cooling by the cooling
図５（ａ）に示されるように、ワークＷの反り形状がフラットである場合（反りがほとんど発生していない場合）、そのワークＷの裏面Ｗｂは、第２外周支持ピン７０に接触せずに、複数の中央支持ピン６４によって支持される。ワークＷの反り形状が凹状の反りである場合も、フラットであると同様に、第２外周支持ピン７０に接触せずに、複数の中央支持ピン６４によって支持される。 As shown in FIG. 5(a), when the warp shape of the workpiece W is flat (when there is almost no warp), the back surface Wb of the workpiece W is supported by the multiple central support pins 64 without contacting the second outer peripheral support pins 70. When the warp shape of the workpiece W is concave, it is supported by the multiple central support pins 64 without contacting the second outer peripheral support pins 70, just as when the workpiece W is flat.
一方、図５（ｂ）に示されるように、ワークＷの反り形状が凸状の反りである場合、そのワークＷの裏面Ｗｂは、複数の第２外周支持ピン７０と複数の中央支持ピン６４とによって支持され得る。なお、反りの程度によっては、中央支持ピン６４に接触せずに、複数の第２外周支持ピン７０が裏面Ｗｂを支持する場合、及び第２外周支持ピン７０に接触せずに、複数の中央支持ピン６４が裏面Ｗｂを支持する場合もあり得る。以下では、裏面Ｗｂが少なくとも第２外周支持ピン７０に接触する程度まで、凸状に反っているワークＷを、冷却板３２により冷却する場合について説明する。
On the other hand, as shown in FIG. 5(b), when the warp shape of the workpiece W is a convex warp, the back surface Wb of the workpiece W can be supported by the multiple second outer peripheral support pins 70 and the multiple central support pins 64. Depending on the degree of warping, the multiple second outer peripheral support pins 70 may support the back surface Wb without contacting the
図６には、第２外周支持ピン７０の内部と上部との構成が模式的に示されている。図６では、第１状態の第２外周支持ピン７０が示されている。図７（ａ）には、第１状態の第２外周支持ピン７０の内部の構成が模式的に示され、図７（ｂ）には、第２状態の第２外周支持ピン７０の内部の構成が模式的に示されている。第２外周支持ピン７０は、ピン本体７１と、ガイド部材８０と、カバー部材８６と、固定部材８８と、伸縮部材９０とを含む。なお、図６では、伸縮部材９０の図示が省略されている。
Figure 6 shows a schematic diagram of the interior and upper portion of the second outer
ピン本体７１は、ワークＷの裏面Ｗｂを支持する部材である。冷却板３２の上面３２ａには、ピン本体７１を収容するピン収容部３８が形成されている。ピン収容部３８は、冷却板３２を貫通しないように形成された凹部であり、ピン収容部３８の空間形状は円柱状である。ピン収容部３８は、例えば、冷却板３２に垂直な方向に沿って延びる側面と、冷却板３２の上面３２ａに沿って延びる底面とを含む。ピン本体７１は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）によって構成されてもよい。ピン本体７１は、天板７２と、側壁７４と、フランジ７６とを含む。
The
天板７２は、ワークＷの裏面Ｗｂが載置される部分である。天板７２は、円板状に形成されている。天板７２は、ワークＷの裏面Ｗｂが載置される平面状の載置面７２ａを含む。載置面７２ａ（載置面７２ａのうちの最も上方に位置する部分）が、ピン本体７１の上端に相当する。上方から見た場合に、天板７２の大きさは、ピン収容部３８の底面の大きさよりも小さい。上方から見た場合に、天板７２の中心が、ピン収容部３８の底面の中心に略一致するように、ピン本体７１がピン収容部３８内に配置されてもよい。
The
側壁７４は、天板７２の周縁部（周縁部の下端）から下方に延びており、円筒状に形成されている。天板７２と側壁７４とによって、ピン本体７１の内部に空間が形成される。側壁７４の上下方向の長さは、ピン収容部３８の深さと同程度であってもよく、ピン収容部３８の深さの半分よりも大きく、且つ、その深さよりも小さくてもよい。フランジ７６は、円筒状の側壁７４の下端部（下端部の側面）から外方に延びる。フランジ７６は、円環状に形成さている。上方から見たときに、フランジ７６の外縁によって囲まれる領域は、ピン収容部３８の底面と同程度であってもよく、その底面よりも小さくてもよい。
The
ガイド部材８０は、ピン本体７１の下方に配置されている。ガイド部材８０は、後述する形状記憶合金バネ９４をガイド（動きを規制）する機能を有する。ガイド部材８０は、ガイド機能に加えて、ピン収容部３８の底面を構成する冷却板３２の一部とピン収容部３８内の空間との間を断熱する機能と、第１状態において天板７２を支持する機能とを有する。ガイド部材８０は、ベース部８２と、シャフト部８４とを有する。ベース部８２とシャフト部８４とは、同じ材料で構成されており、一体に形成されている。ガイド部材８０は、熱可塑性樹脂で構成されてもよい。一例では、ガイド部材８０は、カーボンを含有したＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂で構成されてもよい。カーボン含有のＰＥＥＫ樹脂は、高い断熱性能を有する。
The
ベース部８２は、ピン収容部３８の底面の略全域を覆うように、板状に形成されている。ベース部８２の外周部分は、上下方向においてピン本体７１のフランジ７６と対向する。シャフト部８４は、その下端がベース部８２の上面の略中央に接続されており、上下方向に沿って延びるように円柱状に形成されている。シャフト部８４は、天板７２と側壁７４とによって形成される空間（ピン本体７１内の空間）に配置されている。上方から見て、シャフト部８４の大きさは、ピン収容部３８の底面よりも小さい。シャフト部８４は、天板７２の下方に配置されており、第１状態において天板７２の裏面を支持するように構成されている。
The
シャフト部８４の長さは、ピン本体７１の側壁７４の長さと同程度、又は側壁７４の長さよりも僅かに大きい程度であってもよい。シャフト部８４は、第１状態において天板７２の裏面が接触する凸状の球面８４ａを含む。球面８４ａは、シャフト部８４の上面を形成している。仮にガイド部材８０（ベース部８２）を設けない場合には、ピン収容部３８の底面において冷却板３２の大部分が露出する。これに対して、上記構成では、カーボン含有のＰＥＥＫ樹脂で構成されるガイド部材８０のベース部８２がピン収容部３８の底面の略全域を覆うように設けられるので、冷却板３２とピン収容部３８内の空間との間の断熱が効果的に得られる。
The length of the
カバー部材８６は、ピン収容部３８内の空間のうちピン本体７１（側壁７４）の外側の領域を覆う部材である。カバー部材８６は、傘部８６ａと、板状部８６ｂとを含む。傘部８６ａは、カバー部材８６のうちピン本体７１の上端部を囲むように形成された円筒状の部分である。上方から見たときに、傘部８６ａの外縁は、ピン収容部３８の底面の外縁に略一致する。傘部８６ａは、第１部分８７ａと、第２部分８７ｂとを含む。
The
第１部分８７ａは、傘部８６ａのうちピン収容部３８の側面に沿って延びるように形成された部分であり、円筒状を呈している。第１部分８７ａの外周面は、ピン収容部３８の側面に近接している。第１部分８７ａの内周面は、ピン本体７１の側壁７４と対向しており、第１部分８７ａと側壁７４との間には円筒状の空間が形成されている。第２部分８７ｂは、傘部８６ａのうち第１部分８７ａの上端部の側面から、内側に延びるように形成された部分であり、円環状を呈している。上方から見て、第２部分８７ｂの内周面は、天板７２又は側壁７４の外周面よりも外側に位置している。第２部分８７ｂの内周面とピン本体７１（天板７２又は側壁７４）との間には、ピン本体７１の動作を阻害しない程度の隙間が形成されている。
The
板状部８６ｂは、傘部８６ａの外縁の一部に接続されており、ピン収容部３８よりも外方に膨出する部分である。板状部８６ｂは、第１外周支持ピン６８の外側において、冷却板３２に沿って延びるように板状に形成されている。冷却板３２の上面３２ａには、ピン収容部３８に接続され、板状部８６ｂを収容する収容部が形成されている。カバー部材８６（板状部８６ｂ）は、固定部材８８によって冷却板３２に固定されている。固定部材８８は、例えば、ネジ部材である。
The plate-shaped
傘部８６ａと板状部８６ｂとは、一体に形成されている。カバー部材８６（傘部８６ａ）の熱伝導率は、ガイド部材８０（ベース部８２）の熱伝導率よりも高い。カバー部材８６は、例えば、ステンレス材（一例では、ＳＵＳ３０４）によって構成されている。傘部８６ａの上面と板状部８６ｂの上面とは面一であり、カバー部材８６の上面を形成する。固定部材８８の上面の高さ位置は、カバー部材８６の上面の高さ位置と同程度か、またその高さ位置よりも低い。カバー部材８６の上面の高さ位置は、冷却板３２の上面３２ａの高さ位置に略一致していてもよい。
The
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示される伸縮部材９０は、自身の温度に応じて、ピン本体７１が冷却板３２の上面３２ａから突出する量を変化させる部材である。ピン本体７１の上端は、冷却板３２の上面３２ａよりも上方に位置している（突出している）。ピン本体７１の上端の上面３２ａからの突出量が、第２外周支持ピン７０（第２外周支持ピン７０の上端）の上面３２ａからの突出量に相当する。
The
伸縮部材９０は、温度が上昇すると、第２外周支持ピン７０の状態を、上面３２ａから上記第１突出量でピン本体７１が突出する第１状態から、第１突出量よりも大きい上記第２突出量で上面３２ａからピン本体７１が突出する第２状態に変化させるように構成されている。伸縮部材９０は、第２状態に変化（遷移）させた後に、温度が低下すると、第２外周支持ピン７０の状態を第２状態から第１状態に変化させるように構成されている。上記の動作を実現するために、伸縮部材９０は、金属バネ９２（第１バネ）と、形状記憶合金バネ９４（第２バネ）とを有する。
The
金属バネ９２は、一般的な金属によって構成されているコイルバネ（圧縮コイルバネ）である。金属バネ９２は、例えば、ステンレスによって構成されている。金属バネ９２は、温度によってバネ定数が極端に変化するものではない。
The
金属バネ９２は、ピン本体７１の側壁７４の外周に設けられている。側壁７４は、金属バネ９２をガイドする（動作を規制する）機能を有する。金属バネ９２は、その上端部が固定された状態で、フランジ７６に対して下向きの力を付与するように構成されている。金属バネ９２の上端部は、例えば、傘部８６ａ（第２部分８７ｂの下面）に固定されている。金属バネ９２は、その下端部がフランジ７６の上面に接触するように配置されている。
The
形状記憶合金バネ９４は、形状記憶合金によって構成されているコイルバネ（圧縮コイルバネ）である。形状記憶合金バネ９４は、例えば、Ｎｉ－Ｔｉ合金、又は、Ｎｉ－Ｔｉ－Ｃｕ合金によって構成されている。形状記憶合金バネ９４は、その温度が形状回復温度（変態点）以上になると、形状記憶された状態（全長が伸びた状態）となる。形状記憶合金バネ９４は、その温度が形状回復温度よりも低い温度になると、外力によって縮んだ状態となる。以下、形状記憶合金バネ９４が形状を回復する温度（変態点）を基準に、「低温」及び「高温」の用語を使用する。形状記憶合金バネ９４が低温になると、第２外周支持ピン７０が第１状態となり、形状記憶合金バネ９４が高温になると、第２外周支持ピン７０が第２状態となる。
The shape
形状記憶合金バネ９４は、天板７２の下方に配置されており、シャフト部８４の外周に設けられている。シャフト部８４は、形状記憶合金バネ９４をガイドする（動作を規制する）機能を有する。形状記憶合金バネ９４は、その下端部が固定された状態で、天板７２に対して上向きの力を付与するように構成されている。形状記憶合金バネ９４の下端部は、例えば、ガイド部材８０のベース部８２の上面に固定されている。これにより、上下方向において、形状記憶合金バネ９４と冷却板３２との間には、ベース部８２が設けられる。形状記憶合金バネ９４は、その上端部が天板７２の裏面７２ｂに接触するように配置されている。
The shape
図８（ａ）に示されるように、天板７２の裏面７２ｂには、形状記憶合金バネ９４の上端部が収容される凹部７２ｃが形成されている。図８（ｂ）に示されるように、形状記憶合金バネ９４の上端部が凹部７２ｃに収容される。凹部７２ｃを形成する面は、裏面７２ｂの一部であり、凹部７２ｃに接触することは、裏面７２ｂに接触することに相当する。凹部７２ｃは、裏面７２ｂのうちの凹部７２ｃが形成されていない部分に対して、上方に向かって凹んでいる。凹部７２ｃは、形状記憶合金バネ９４を構成する線状部材の断面形状に対応する形状を有する。凹部７２ｃは、円環状の形状記憶合金バネ９４に対応するように、下方から見て円環状に形成されていてもよい。凹部７２ｃは、下方から見て円弧状に形成されていてもよい。
8(a), a
図７（ａ）及び図７（ｂ）に戻り、変態点よりも低い低温での伸縮部材９０の状態、及び変態点よりも高い高温での伸縮部材９０の状態について説明する。形状記憶合金バネ９４は、低温では柔らかく、高温では硬い特性を有する。図７（ａ）に示されるように、形状記憶合金バネ９４は、低温になると、金属バネ９２によるピン本体７１への下向きの力によって縮む。これにより、第２外周支持ピン７０が第１状態となる。図７（ａ）では、第１突出量が「ｄ１」で示されている。
Returning to Figures 7(a) and 7(b), the state of the
形状記憶合金バネ９４は、高温での全長（形状記憶され、且つ外力が加わっていない形状での長さ）が図７（ａ）で示される縮んだ状態での長さよりも長くなるように構成されている。形状記憶合金バネ９４は、高温になると、形状記憶された状態に回復するので、そのバネ定数が大きくなる。図７（ｂ）に示されるように、形状記憶合金バネ９４が、低温環境よりも伸びて天板７２に対する上向きの力によって金属バネ９２を縮ませる。これにより、第２外周支持ピン７０が第２状態となる。図７（ｂ）では、第２突出量が「ｄ２」で示されている。
The shape
以上の構成により、形状記憶合金バネ９４の温度を低温から高温に変化させることで、ピン本体７１の突出量を大きくすることができ、形状記憶合金バネ９４の温度を高温から低温に変化させることで、ピン本体７１の突出量を小さくすることができる。その結果、ピン本体７１の突出量を変化させることで、ワークＷの支持位置（ワークＷの裏面Ｗｂと冷却板３２の上面３２ａとの間の隙間の大きさ）を変化させることができる。
With the above configuration, the amount of protrusion of the
制御装置１００は、１つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。制御装置１００は、例えば、図９に示される回路１２０を有する。回路１２０は、１つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８と、タイマ１３２とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。
The
メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１３２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
The
（基板処理方法）
続いて、図１０及び図１１を参照しながら、基板処理方法の一例として、熱処理ユニットＵ２において実行される熱処理の一例を説明する。図１０は、１枚のワークＷに対する熱処理において制御装置１００が実行する一連の処理の一例を示すフローチャートである。この一連の処理では、冷却板３２がワークＷの冷却を行うための冷却位置に配置された状態で、制御装置１００がステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１が実行される際の初期状態では、第２外周支持ピン７０は突出量が小さい第１状態となっている。図１１（ａ）には、初期状態での第２外周支持ピン７０が例示されている。また、この一連の処理が実行されている間、冷媒供給部２８から略一定の量で略一定温度の冷媒が供給される状態が継続される。
(Substrate Processing Method)
Next, an example of heat treatment performed in the heat treatment unit U2 will be described as an example of a substrate processing method with reference to Figs. 10 and 11. Fig. 10 is a flow chart showing an example of a series of processes performed by the
ステップＳ１１では、例えば、制御装置１００が、処理対象のワークＷが熱処理ユニットＵ２内に搬入されるように搬送装置Ａ３及び冷却部３０を制御する。制御装置１００は、搬送装置Ａ３から冷却部３０の冷却板３２に処理対象のワークＷが受け渡されるように、搬送装置Ａ３及び冷却部３０を制御する。ステップＳ１１の実行により、処理対象のワークＷが支持部６０に支持された状態となる。
In step S11, for example, the
次に、制御装置１００は、ステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、例えば、制御装置１００が、加熱部４０への処理対象のワークＷの搬送と受け渡しとが行われるように、冷却部３０及び加熱部４０を制御する。一例では、制御装置１００は、支持部６０に支持された状態で処理対象のワークＷが載置された冷却板３２が、冷却位置から熱板４４の上方の受渡位置に移動するように、冷却部３０の駆動部３６を制御する。そして、制御装置１００は、加熱部４０のリフトピン５２が処理対象のワークＷを支持するように（受け取るように）、駆動部５４によりリフトピン５２を上昇させる。その後、制御装置１００は、駆動部３６により冷却板３２を冷却位置に移動させたうえで、熱板４４の載置面４４ａに処理対象のワークＷが載置されるように、駆動部５４によりリフトピン５２を下降させる。
Next, the
次に、制御装置１００は、ステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、例えば、制御装置１００が、加熱部４０において処理対象のワークＷに対して加熱処理が施されるように熱処理ユニットＵ２を制御する。一例では、制御装置１００は、熱板４４の上方において加熱を行うための空間が形成されるように、駆動部４８により蓋体４６を下降させる。その後、制御装置１００は、所定の加熱時間が経過するまで待機する。加熱処理により、ワークＷの温度は、形状記憶合金バネ９４の変態点よりも高い温度（例えば、数百℃程度）まで上昇する。
Next, the
次に、制御装置１００は、ステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、例えば、制御装置１００が、加熱部４０からの処理対象のワークＷの受け取りが行われるように、冷却部３０及び加熱部４０を制御する。一例では、制御装置１００は、駆動部４８により蓋体４６を上昇させ、且つ駆動部５４によりリフトピン５２を上昇させたうえで、冷却位置から受渡位置に冷却板３２を移動させるように駆動部３６を制御する。そして、制御装置１００は、冷却板３２に設けられた支持部６０が処理対象のワークＷを支持するように（受け取るように）、駆動部５４によりリフトピン５２を下降させる。
Next, the
次に、制御装置１００は、ステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、例えば、制御装置１００が、冷却位置において処理対象のワークＷに対して冷却処理が施されるように熱処理ユニットＵ２を制御する。一例では、制御装置１００は、支持部６０の支持により処理対象のワークＷが載置された状態の冷却板３２を、受渡位置から冷却位置に移動させるように駆動部３６を制御する。その後、制御装置１００は、所定の冷却時間が経過するまで待機する。
Next, the
図１１（ｂ）には、冷却処理を開始した直後の第２外周支持ピン７０の様子が例示されている。冷却処理を開始した直後ではワークＷの温度が高いものの、形状記憶合金バネ９４の温度が変態点に達するまで時間を要するので、第２外周支持ピン７０は第１状態に維持される。ワークＷが第１状態の第２外周支持ピン７０に載置された際に、ワークＷが凸状に反っていると、天板７２の一部（ある箇所）がワークＷの裏面に接触する偏った接触状態となり得る。しかしながら、天板７２は、シャフト部８４の上端に形成された球面８４ａと、形状記憶合金バネ９４とによって支持されているので、ワークＷの反りに追従するように天板７２が傾く。これにより、天板７２の載置面７２ａとワークＷの裏面Ｗｂとが面接触する。
11B illustrates the state of the second outer
冷却処理を開始してから、数秒程度経過すると、ワークＷの熱が形状記憶合金バネ９４に伝わり、形状記憶合金バネ９４の温度が変態点を超える。その結果、形状記憶合金バネ９４が伸びて、図１１（ｃ）に示されるように、ピン本体７１の突出量が大きくなる第２状態に第２外周支持ピン７０が変化する。第２外周支持ピン７０が第２状態に変化した場合には、第２外周支持ピン７０の周辺におけるワークＷと冷却板３２との間の隙間が大きくなり、ワークＷの外周部分における温度低下の進行の程度が小さくなる。
After a few seconds have passed since the start of the cooling process, the heat of the workpiece W is transferred to the shape
第２外周支持ピン７０が第２状態に変化（遷移）してから、十数秒～数十秒経過すると、冷却板３２による冷却によって形状記憶合金バネ９４の温度が低下し、形状記憶合金バネ９４の温度が変態点を下回る。その結果、形状記憶合金バネ９４が高温の場合と比べて柔らかくなり、図１１（ｄ）に示されるように、第２外周支持ピン７０が、第２状態から第１状態に変化する。以降、冷却処理の後段では、ワークＷと冷却板３２とが近接した状態で、ワークＷに対する冷却が行われる。
After a dozen to several tens of seconds have passed since the second outer
図１０に戻り、冷却処理の終了後、制御装置１００は、ステップＳ１６，Ｓ１７を実行する。ステップＳ１６では、例えば、制御装置１００が、搬出タイミングとなるまで待機する。搬出タイミングは、冷却処理が終了した時点から所定時間経過後のタイミングに予め設定されていてもよく、搬送装置Ａ３の動作状況に応じて、一連の処理中に設定されたタイミングであってもよい。ステップＳ１７では、例えば、制御装置１００が、冷却板３２に載置されている処理対象のワークＷが、熱処理ユニットＵ２の外に搬出されるように、冷却部３０及び搬送装置Ａ３を制御する。
Returning to FIG. 10, after the cooling process is completed, the
以上により、熱処理ユニットＵ２において１枚のワークＷに対して実行される一連の処理が終了する。以降、制御装置１００は、後続のワークＷに対して、ステップＳ１１～Ｓ１７を繰り返し実行してもよい。
This completes the series of processes performed on one workpiece W in the heat treatment unit U2. Thereafter, the
（変形例）
上述の一連の処理は一例であり、適宜変更可能である。上記一連の処理において、制御装置１００は、一のステップと次のステップとを並列に実行してもよく、上述した例とは異なる順序で各ステップを実行してもよい。制御装置１００は、上述の例とは異なる処理を実行してもよい。
(Modification)
The above-described series of processes is an example and can be modified as appropriate. In the above-described series of processes, the
冷却処理の開始後に、形状記憶合金バネ９４が変態点に達するまでの時間を短縮するために、冷却処理を行っていないときに、冷媒供給部２８による冷却板３２の冷却の程度が調節されてもよい。一例では、制御装置１００は、支持部６０に処理対象のワークＷを支持させない状態で待機する非冷却処理を実行し、非冷却処理の後に、上述したステップＳ１５の冷却処理とを実行してもよい。非冷却処理中に冷却処理以外の処理がワークＷに対して行われてもよい。非冷却処理は、上述のステップＳ１３を実行している期間に、冷却位置において冷却板３２を待機させている処理であってもよい。
In order to shorten the time it takes for the shape
制御装置１００は、冷却処理に比べて、非冷却処理での冷媒による冷却板３２の冷却の程度が小さくなるように、冷媒供給部２８を制御してもよい。制御装置１００は、例えば、冷却処理での単位時間あたりの冷媒の供給量に比べて、非冷却処理での冷媒の供給量が小さくなるように、冷媒供給部２８を制御する。非冷却処理での冷媒の供給量を小さくすることには、非冷却処理において冷却板３２に対して冷媒を供給しないこと（すなわち、冷媒の供給量をゼロとすること）を含む。制御装置１００は、非冷却処理において、冷却処理時に供給される冷媒の温度に比べて、温度を低下させた状態の冷媒を冷却板３２に対して供給するように冷媒供給部２８を制御してもよい。
The
冷却処理の開始後に、形状記憶合金バネ９４が変態点に達するまでの時間を短縮するために、加熱部４０からワークＷを受け取った後の冷却板３２を冷却位置まで移動させる際に、熱板４４の上方に滞在する時間（滞在時間）が調節されてもよい。制御装置１００は、例えば、処理対象のワークＷの反り形状が凸状の反りではないときの滞在時間に比べて、反り形状が凸状の反りである場合の滞在時間が長くなるように、冷却部３０の駆動部３６を制御する。
In order to shorten the time it takes for the shape
一例では、制御装置１００は、処理対象のワークＷの反り形状を示す情報である形状情報を取得する。制御装置１００は、塗布現像装置２に設けられた検査ユニットから形状情報を取得してもよく、ユーザ入力に基づき形状情報を取得する。制御装置１００は、形状情報に応じて、処理対象のワークＷを受け取った後の冷却板３２を受渡位置から冷却位置に移動させる際に、冷却板３２が熱板４４の上方に滞在する時間を調節するように駆動部３６を制御する。熱板４４の上方に滞在する時間は、上方から見て、冷却板３２の少なくとも一部が熱板４４と重なっている時間で定義される。
In one example, the
一例では、制御装置１００は、処理対象のワークＷの反り形状が凸状の反りである場合、受渡位置から冷却位置に移動させる際の移動速度が、反り形状が凸状の反りでない場合に比べて遅くなるように駆動部３６を制御する。あるいは、制御装置１００は、処理対象のワークＷの反り形状が凸状の反りである場合、熱板４４の上方において冷却板３２が停止している時間が、反り形状が凸状の反りでない場合に比べて長くなるように駆動部３６を制御する。
In one example, when the warp shape of the workpiece W to be processed is a convex warp, the
上述の例では、支持部６０が、複数の第１外周支持ピン６８と、複数の第２外周支持ピン７０とを有するが、支持部６０は、複数の第１外周支持ピン６８を有さずに、複数の第２外周支持ピン７０を有してもよい。上述の例では、熱処理ユニットＵ２は、冷却部３０と加熱部４０とを有するが、熱処理ユニットＵ２は、加熱部４０を有さずに、冷却部３０を有してもよい。その冷却部３０が有する冷却板３２の位置が、固定されていてもよい。
In the above example, the
（実施形態の効果）
以上に説明した第１実施形態に係る塗布現像装置２は、ワークＷを冷却する冷却板３２と、冷却板３２の上面３２ａとワークＷの裏面Ｗｂとの間に隙間が形成されるように、ワークＷの裏面Ｗｂを支持する支持部６０とを備える。支持部６０は、冷却板３２の中央領域ＣＡに配置され、冷却板３２の上面３２ａから突出するように冷却板３２に設けられた中央支持ピン６４と、冷却板３２の外周領域ＰＡに配置され、冷却板３２の上面３２ａから突出するように冷却板３２に設けられた第２外周支持ピン７０とを有する。第２外周支持ピン７０は、ワークＷの裏面Ｗｂを支持するピン本体７１と、温度に応じて、ピン本体７１が冷却板３２の上面３２ａから突出する量を変化させる伸縮部材９０とを含む。伸縮部材９０は、温度が上昇すると、冷却板３２の上面３２ａから第１突出量でピン本体７１が突出する第１状態から、第１突出量よりも大きい第２突出量で冷却板３２の上面３２ａからピン本体７１が突出する第２状態に変化させるように構成されている。第１突出量は、中央支持ピン６４が冷却板３２の上面３２ａから突出する量よりも小さい。
(Effects of the embodiment)
The coating and developing
ワークＷ（基板）の高積層化に伴って、ワークＷの反り量が大きくなる傾向がある。ワークＷの中央部分が表面側に向かって突出するように、ワークＷが反っている場合に、加熱処理後のワークＷを冷却板に載置すると、冷却中にワークＷの反り量が増大してしまうおそれがある。この反り量の増大は、ワークＷを冷却板に載置した後の冷却の初期段階において、ワークＷの外周部分が急激に冷却されて、ワークＷの外周部分と中央部分との温度差が増大することに起因すると考えられる。増大した反り量の影響をなくすために、温度差に起因する増大量がゼロとなる程度までワークＷを冷却する時間を十分に長くすることが考えられるが、冷却時間が長くなり、ワークＷの処理効率が低下してしまう懸念がある。 As the workpiece W (substrate) is highly laminated, the amount of warping of the workpiece W tends to increase. If the workpiece W is warped such that its central portion protrudes toward the surface, placing the heat-treated workpiece W on a cooling plate may increase the amount of warping of the workpiece W during cooling. This increase in the amount of warping is thought to be due to the fact that in the initial stage of cooling after the workpiece W is placed on the cooling plate, the outer periphery of the workpiece W is cooled rapidly, increasing the temperature difference between the outer periphery and the central portion of the workpiece W. To eliminate the effects of the increased amount of warping, it is conceivable to make the time for cooling the workpiece W sufficiently long until the increase due to the temperature difference becomes zero, but this would increase the cooling time, and there is a concern that the processing efficiency of the workpiece W would decrease.
これに対して、上記塗布現像装置２では、温度が上昇すると、ピン本体７１が突出する量が大きくなるように第１状態から第２状態に変化させる伸縮部材９０が備えられる。そのため、凸状に反った状態の加熱後のワークＷが冷却板３２に載置されると、ワークＷからの熱により、ピン本体７１が第２突出量で突出する第２状態に遷移する。これにより、冷却の初期段階でのワークＷの外周部分の急激な冷却が発生し難く、ワークＷの外周部分と中央部分との温度差の増大に起因した反り量の増大が抑制される。また、冷却後段では、ワークＷの温度低下によって第２バネの温度が低下し、第２状態から、突出量がより小さい第１状態に遷移するので、第２状態に比べて冷却板３２による冷却が促進される。その結果、反り量が増大することによる影響をなくすために、より長い時間冷却する必要がなく、ワークＷの処理効率の低下を抑えることができる。
In contrast, the coating and developing
また、ワークＷの種別によっては、凸状に反っている場合もあれば、反りがほとんどない場合、及び中央部分が裏面側に向かって突出するように凹状に反っている場合もある。反りがないフラット状、及び凹状の反りである場合には、冷却板３２に載置された際に、ワークＷの外周部分と冷却板３２とが近接せずに、外周部分のみの冷却に起因して外周部分と中央部分との間で上記温度差が生じ難い。そのため、ピン本体７１を突出させないほうが、冷却時間を短くできる場合もある。上記塗布現像装置２では、ワークＷが冷却板３２に載置される前では、第１突出量でピン本体７１が突出しており、その第１突出量は、中央支持ピンが突出する量よりも小さい。そのため、反りがないフラット状のワークＷ、又は、凹状の反りを有するワークＷに対する冷却処理を実行するときに、ワークＷが第２外周支持ピン７０（ピン本体７１）に接触又は近接せずに、第２外周支持ピン７０が第２状態に遷移しない。その結果、反り形状に応じて必要がない場合には、ピン本体７１を初期状態に保つことができ、冷却時間の増加を防ぐことができる。以上のことから、上記塗布現像装置２は、ワークＷに対する処理の効率化に有用である。
Depending on the type of workpiece W, it may be warped in a convex shape, may have almost no warping, or may be warped in a concave shape so that the central part protrudes toward the back side. In the case of a flat shape without warping or a concave warping, when the workpiece W is placed on the
ピン本体７１は、ワークＷの裏面Ｗｂが載置される天板７２と、天板７２の周縁部から下方に延びる側壁７４と、側壁７４の下端部から外方に延びるフランジ７６とを含んでもよい。伸縮部材９０は、側壁７４の外周に設けられ、上端部が固定された状態でフランジ７６に対して下向きの力を付与するように構成された第１バネ（金属バネ９２）と、天板７２の下方に配置され、下端部が固定された状態で天板７２に対して上向きの力を付与するように構成された第２バネ（形状記憶合金バネ９４）とを含んでもよい。第２バネは、第１状態では第１バネによる下向きの力によって縮むように構成されており、且つ、第２状態では第１状態よりも伸びて天板７２に対する上向きの力により第１バネを縮ませるように構成されていてもよい。
The
この場合、第１バネと第２バネとが、冷却板３２の上面３２ａに沿った方向において並んで配置される。そのため、伸縮部材９０を設けることに起因して、第２外周支持ピン７０の長さ（上面３２ａに垂直な方向における長さ）が増大してしまうのを回避できる。従って、冷却板３２の厚さが小さくても、第２外周支持ピン７０を設けることが容易である。
In this case, the first spring and the second spring are arranged side by side in a direction along the
第２外周支持ピン７０は、第１バネ（金属バネ９２）の上端部が固定され、側壁７４を囲むように設けられた傘部８６ａと、第２バネ（形状記憶合金バネ９４）の下端部が固定され、第２バネと冷却板３２との間に設けられたベース部８２とを更に含んでもよい。傘部８６ａの熱伝導率は、ベース部８２の熱伝導率よりも高くてもよい。
The second outer
ワークＷの外周部分に対する急激な冷却に起因した反り量の増大を抑制するには、ワークＷが載置された初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移することが望ましい。ワークＷから第２バネへの伝熱の一部は傘部８６ａを介して行われ、冷却板３２による第２バネの冷却の一部はベース部８２を介して行われる。上記構成では、傘部８６ａの熱伝導率がベース部８２の熱伝導率よりも高いので、冷却板３２から第２バネの熱が奪われ難く、ワークＷが載置された初期段階において、第２バネにワークＷからの熱が伝わりやすい。その結果、上記初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移させることができるので、反り量の増大の抑制に有用である。
In order to prevent an increase in the amount of warping caused by rapid cooling of the outer periphery of the workpiece W, it is desirable to transition to the second state at a relatively early time in the initial stage when the workpiece W is placed. Part of the heat is transferred from the workpiece W to the second spring via the
第２外周支持ピン７０は、天板７２の下方に配置され、第１状態において天板７２の裏面７２ｂを支持するように構成されたシャフト部８４を更に含んでもよい。天板７２は、ワークＷの裏面Ｗｂが載置される平面状の載置面７２ａを含んでもよい。シャフト部８４は、第１状態において天板７２の裏面７２ｂが接触する凸状の球面８４ａを含んでもよい。
The second outer
凸状に反ったワークＷが、天板７２の平面状の載置面７２ａに接触するように載置されると、載置面７２ａの一部にワークＷの裏面Ｗｂが接触してしまう可能性がある。上記構成では、天板７２の裏面７２ｂが、球面８４ａによって支持されているので、ワークＷの反り形状に合わせて、載置面７２ａの傾きが調節される（追従する）。そのため、載置面７２ａと裏面Ｗｂとの接触面積が大きくなり、ワークＷから天板７２を介して第２バネに熱が伝わりやすい。その結果、上記初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移させることができるので、反り量の増大の抑制に有用である。
When a convexly warped workpiece W is placed so as to contact the planar mounting
天板７２の裏面７２ｂには、第２バネ（形状記憶合金バネ９４）の上端部が収容される凹部７２ｃが形成されていてもよい。この場合、凹部７２ｃが形成されていない場合に比べて、ピン本体７１に支持されたワークＷと第２バネとの間の距離が短くなる。そのため、ワークＷから天板７２を介して第２バネに熱が伝わりやすい。その結果、上記初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移させることができるので、反り量の増大の抑制に有用である。
A
以上に説明した基板処理システム１は、塗布現像装置２と、塗布現像装置２を制御する制御装置１００とを備える。塗布現像装置２は、冷却板３２に対して冷媒を供給する冷媒供給部２８を更に有してもよい。制御装置１００は、支持部６０にワークＷを支持させない状態で待機する非冷却処理と、支持部６０にワークＷを支持させて冷却板３２によりワークＷを非冷却処理後に冷却する冷却処理とを実行してもよい。制御装置１００は、冷却処理に比べて、非冷却処理での冷媒による冷却板３２の冷却の程度が小さくなるように、冷媒供給部２８を制御してもよい。
The
冷却処理を行う前の非冷却処理での冷媒による冷却の程度を小さくすることで、非冷却処理中に、冷却板３２によって第２バネが冷やされる程度を小さくすることができる。そのため、非冷却処理中に冷媒による冷却の程度を変化させない場合に比べて、ワークＷが載置された直後の第２バネの温度を大きくすることができる。その結果、上記初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移させることができるので、反り量の増大の抑制に有用である。
By reducing the degree of cooling by the refrigerant in the non-cooling process before the cooling process, the degree to which the second spring is cooled by the cooling
以上に説明した基板処理システム１は、塗布現像装置２と、塗布現像装置２を制御する制御装置１００とを備える。塗布現像装置２は、冷却板３２を収容する筐体２０と、筐体２０内に配置され、ワークＷを加熱する熱板４４とを更に有してもよい。冷却板３２は、熱板４４と冷却板３２とが重なった状態で熱板４４に対してワークＷの受け渡しを行う受渡位置と、熱板４４による加熱後に熱板４４と冷却板３２とが離れた状態でワークＷを冷却する冷却位置との間で移動可能であってもよい。制御装置１００は、ワークＷの反り形状を示す形状情報を取得することと、形状情報に応じて、ワークＷを受け取った後の冷却板３２を受渡位置から冷却位置に移動させる際に冷却板３２が熱板４４の上方に滞在する時間を調節することとを実行してもよい。
The
ワークＷの加熱を行った後の熱板４４は高温状態となっている。そのため、ワークＷを受け取った後での冷却板３２の移動の際に、冷却板３２が熱板４４の上方に滞在する滞在時間を長くすることで、冷却板３２にワークＷが載置された後の第２バネの温度を、熱板４４の熱により上昇させることができる。例えば、反り形状が凸状の反りである場合に、反り形状が他の形状である場合に比べて、熱板４４の上方での滞在時間を長くすることで、第２バネの温度を熱板４４の熱によって、より上昇させることができる。その結果、上記初期段階において、比較的早い時間に第２状態に遷移させることができるので、反り量の増大の抑制に有用である。
After the workpiece W is heated, the
以上に説明した第１実施形態に係る基板処理方法は、中央領域ＣＡに配置された中央支持ピン６４と、外周領域ＰＡに配置された第２外周支持ピン７０を含む支持部６０が上面３２ａに設けられた冷却板３２に対してワークＷを受け渡すことと、冷却板３２の上面３２ａとワークＷの裏面Ｗｂとの間に隙間が形成されるように支持部６０によりワークＷを支持した状態を継続することで、ワークＷを冷却することと、ワークＷを冷却することの後に、冷却板３２からワークＷを搬出することとを含む。冷却板３２に対してワークＷを受け渡すことは、中央支持ピン６４が冷却板３２の上面３２ａから突出する量よりも小さい第１突出量で、第２外周支持ピン７０に含まれるピン本体７１を突出させた第１状態において、冷却板３２に対してワークＷを受け渡すことを含む。ワークＷを支持した状態を継続することは、ピン本体７１が突出する量を変化させるように構成された伸縮部材９０の温度が上昇することで、第１状態から、第１突出量よりも大きい第２突出量でピン本体７１を突出させる第２状態に遷移した後に、第２状態においてワークＷを支持することを含む。ワークＷを搬出することは、伸縮部材９０の温度が低下することで、第２状態から第１状態に遷移した後に、第１状態において冷却板３２からワークＷを搬出することを含む。
The substrate processing method according to the first embodiment described above includes transferring the workpiece W to the
この基板処理方法では、上述した塗布現像装置２と同様に、冷却の初期段階でのワークＷの外周部分の急激な冷却が発生し難く、ワークＷの外周部分と中央部分との温度差の増大に起因した反り量の増大が抑制される。また、反り形状に応じて必要がない場合には、ピン本体７１を初期状態に保つことができ、冷却時間の増加を防ぐことができる。従って、上記基板処理方法は、ワークＷに対する処理の効率化に有用である。
In this substrate processing method, similar to the coating and developing
［第２実施形態］
続いて、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を参照しながら、第２実施形態に係る塗布現像装置２（基板処理装置）について説明する。第２実施形態に係る塗布現像装置２は、冷却部３０が、支持部６０に代えて、支持部６０Ａを有する点において、第１実施形態に係る塗布現像装置２と相違する。支持部６０Ａは、以下の２つの点で支持部６０と相違する。支持部６０Ａが有する第２外周支持ピン７０は、図１２（ａ）に示されるように、第１状態での突出量が、中央支持ピン６４の突出量と略一致する。支持部６０Ａが有する第１外周支持ピン６８の突出量は、中央支持ピン６４の突出量と略一致する。
[Second embodiment]
Next, a coating and developing apparatus 2 (substrate processing apparatus) according to the second embodiment will be described with reference to Figures 12(a) and 12(b). The coating and developing
支持部６０Ａが設けられた冷却板３２に、反り形状がフラットなワークＷが載置された場合、中央支持ピン６４、第１外周支持ピン６８、及び第２外周支持ピン７０の先端に、そのワークＷの裏面Ｗｂが接触し得る。加熱後のワークＷが冷却板３２に載置された後、形状記憶合金バネ９４の温度が上昇すると、図１２（ｂ）に示されるように、支持部６０Ａの第２外周支持ピン７０が、第１突出量で突出していた第１状態から、第２突出量で突出する第２状態に変化する。そして、第２状態に変化した後、形状記憶合金バネ９４の温度が低下すると、支持部６０Ａの第２外周支持ピン７０は、第２状態から第１状態に変化する。凸状に反ったワークＷが冷却板３２に載置される場合も、支持部６０Ａは同様に動作する。
When a workpiece W with a flat warped shape is placed on the
第２実施形態に係る塗布現像装置２においても、伸縮部材９０が備えられる。そのため、加熱後のワークＷが冷却板３２に載置されると、ワークＷからの熱により、ピン本体７１がより突出する第２状態に遷移する。これにより、冷却の初期段階でのワークＷの外周部分の急激な冷却が発生し難く、ワークＷの外周部分と中央部分との温度差の増大に起因した反り量の増大が抑制される。その結果、反り量が増大することによる影響をなくすために、より長い時間冷却する必要がなく、ワークＷの処理効率の低下を抑えることができる。従って、ワークＷに対する処理の効率化に有用である。
The coating and developing
［第３実施形態］
続いて、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）を参照しながら、第３実施形態に係る塗布現像装置２（基板処理装置）について説明する。第３実施形態に係る塗布現像装置２は、冷却部３０が、支持部６０に代えて支持部６０Ｂを有する点において、第１実施形態に係る塗布現像装置２と相違する。支持部６０Ｂは、第２外周支持ピン７０が、伸縮部材９０に代えて伸縮部材９０Ｂを有する点で支持部６０と相違する。
[Third embodiment]
Next, a coating and developing apparatus 2 (substrate processing apparatus) according to a third embodiment will be described with reference to Figures 13(a) and 13(b). The coating and developing
伸縮部材９０Ｂは、伸縮部材９０と同様に、金属バネ９２と形状記憶合金バネ９４とを有する。伸縮部材９０の金属バネ９２が、ピン本体７１の側壁７４の外周に設けられるのに対して、伸縮部材９０Ｂの金属バネ９２は、天板７２の下方において、ガイド部材８０のシャフト部８４の外周に設けられる。伸縮部材９０Ｂの金属バネ９２は、その下端部がベース部８２に固定された状態で天板７２に対して上向きの力を付与するように構成されている。
Like the
伸縮部材９０の形状記憶合金バネ９４が、天板７２の下方においてシャフト部８４の外周に設けられるのに対して、伸縮部材９０Ｂの形状記憶合金バネ９４は、側壁７４の外周に設けられている。伸縮部材９０Ｂの形状記憶合金バネ９４は、その上端部がカバー部材８６（傘部８６ａ）に固定された状態でフランジ７６に対して下向きの力を付与するように構成されている。
The shape
伸縮部材９０Ｂは、温度が上昇すると、第２外周支持ピン７０を、冷却板３２の上面３２ａから第３突出量で突出する第３状態から、第３突出量よりも小さい第４突出量で冷却板３２の上面３２ａから突出する第４状態に変化させるように構成されている。図１３（ａ）に示される第３状態では、形状記憶合金バネ９４が、金属バネ９２による上向きの力によって縮んでいる。図１３（ｂ）に示される第４状態では、形状記憶合金バネ９４が、第３状態よりも伸びてフランジ７６に対する下向きの力により金属バネ９２を縮ませる。
The
第１実施形態に係る冷却処理と同様に、伸縮部材９０Ｂを有する第２外周支持ピン７０に、加熱後のワークＷが載置されて、冷却処理が開始されてもよい。冷却処理の開始時点では、第２外周支持ピン７０は、突出量が大きい第３状態となっている。加熱後のワークＷが載置された直後では、伸縮部材９０Ｂの形状記憶合金バネ９４の温度が変態点に到達せずに、第２外周支持ピン７０は、第３状態に維持される。
As with the cooling process according to the first embodiment, the heated workpiece W may be placed on the second outer
冷却処理を開始してから、ある程度の時間が経過すると、形状記憶合金バネ９４の温度が変態点を超えるので、第２外周支持ピン７０が、第３状態から、突出量が小さい第４状態に変化する。第４状態に変化した後に、形状記憶合金バネ９４の温度が変態点を下回ると、第２外周支持ピン７０が、第４状態から第３状態に変化する。以上のように、冷却処理の前段（初期段階）において、ワークＷの裏面Ｗｂと上面３２ａとの間隔を大きくすることができる。そして、冷却処理の後段において、ワークＷの裏面Ｗｂと上面３２ａとの間隔を小さくすることができる。
After a certain amount of time has passed since the start of the cooling process, the temperature of the shape
第３実施形態に係る塗布現像装置２では、突出量がより大きい第３状態において、加熱後のワークＷが冷却板３２に載置される。これにより、冷却の初期段階でのワークＷの外周部分の急激な冷却が発生し難く、ワークＷの外周部分と中央部分との温度差の増大に起因した反り量の増大が抑制される。その結果、反り量が増大することによる影響をなくすために、より長い時間冷却する必要がなく、ワークＷの処理効率の低下を抑えることができる。また、冷却後段では、伸縮部材９０の温度が上昇して、第３状態から、突出量がより小さい第４状態に遷移するので、第３状態に比べて、冷却板３２による冷却が促進される。以上のことから、ワークＷに対する処理の効率化に有用である。
In the coating and developing
１…基板処理システム、２…塗布現像装置、Ｕ２…熱処理ユニット、２８…冷媒供給部、４４…熱板、３２…冷却板、３２ａ…上面、ＣＡ…中央領域、ＰＡ…外周領域、６０…支持部、６４…中央支持ピン、７０…第２外周支持ピン、７１…ピン本体、７２…天板、７２ａ…載置面、７２ｂ…裏面、７２ｃ…凹部、７４…側壁、７６…フランジ、８２…ベース部、８４…シャフト部、８４ａ…球面、８６ａ…傘部、９０…伸縮部材、９２…金属バネ、９４…形状記憶合金バネ、Ｗ…ワーク、Ｗｂ…裏面。 1...substrate processing system, 2...coating and developing apparatus, U2...heat treatment unit, 28...coolant supply section, 44...hot plate, 32...cooling plate, 32a...upper surface, CA...central region, PA...peripheral region, 60...support section, 64...central support pin, 70...second peripheral support pin, 71...pin body, 72...top plate, 72a...mounting surface, 72b...rear surface, 72c...recess, 74...side wall, 76...flange, 82...base section, 84...shaft section, 84a...spherical surface, 86a...umbrella section, 90...expandable member, 92...metal spring, 94...shape memory alloy spring, W...workpiece, Wb...rear surface.
Claims (8)
前記冷却板の上面と前記基板の裏面との間に隙間が形成されるように、前記基板の裏面を支持する支持部とを備え、
前記支持部は、
前記冷却板の中央領域に配置され、前記冷却板の上面から突出するように前記冷却板に設けられた中央支持ピンと、
前記冷却板の外周領域に配置され、前記冷却板の上面から突出するように前記冷却板に設けられた外周支持ピンとを有し、
前記外周支持ピンは、前記基板の裏面を支持するピン本体と、温度に応じて、前記ピン本体が前記冷却板の上面から突出する量を変化させる伸縮部材とを含み、
前記伸縮部材は、温度が上昇すると、前記冷却板の上面から第１突出量で前記ピン本体が突出する第１状態から、前記第１突出量よりも大きい第２突出量で前記冷却板の上面から前記ピン本体が突出する第２状態に変化させるように構成されており、
前記第１突出量は、前記中央支持ピンが前記冷却板の上面から突出する量よりも小さい、基板処理装置。 A cooling plate for cooling the substrate;
a support portion that supports the rear surface of the substrate such that a gap is formed between an upper surface of the cooling plate and the rear surface of the substrate;
The support portion is
a central support pin disposed in a central region of the cooling plate and provided on the cooling plate so as to protrude from an upper surface of the cooling plate;
a peripheral support pin disposed in a peripheral region of the cooling plate and provided on the cooling plate so as to protrude from an upper surface of the cooling plate;
the outer periphery support pin includes a pin body that supports a rear surface of the substrate, and an expandable member that changes an amount by which the pin body protrudes from an upper surface of the cooling plate in response to a temperature;
the expandable member is configured to change, when a temperature rises, a state in which the pin body protrudes from the upper surface of the cooling plate by a first protrusion amount to a second state in which the pin body protrudes from the upper surface of the cooling plate by a second protrusion amount larger than the first protrusion amount,
the first protrusion amount is smaller than an amount by which the central support pin protrudes from an upper surface of the cooling plate.
前記伸縮部材は、前記側壁の外周に設けられ、上端部が固定された状態で前記フランジに対して下向きの力を付与するように構成された第１バネと、前記天板の下方に配置され、下端部が固定された状態で前記天板に対して上向きの力を付与するように構成された第２バネとを含み、
前記第２バネは、前記第１状態では前記第１バネによる下向きの力によって縮むように構成されており、且つ、前記第２状態では前記第１状態よりも伸びて前記天板に対する上向きの力により前記第１バネを縮ませるように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。 the pin body includes a top plate on which the back surface of the substrate is placed, a side wall extending downward from a peripheral portion of the top plate, and a flange extending outward from a lower end of the side wall;
The elastic member includes a first spring provided on the outer periphery of the side wall and configured to apply a downward force to the flange with an upper end portion fixed, and a second spring disposed below the top plate and configured to apply an upward force to the top plate with a lower end portion fixed,
2. The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the second spring is configured to contract due to a downward force of the first spring in the first state, and is configured to extend more than in the first state in the second state so as to contract the first spring due to an upward force against the top plate.
前記傘部の熱伝導率は、前記ベース部の熱伝導率よりも高い、請求項２に記載の基板処理装置。 the outer periphery support pin further includes an umbrella portion to which an upper end portion of the first spring is fixed and which is provided so as to surround the side wall, and a base portion to which a lower end portion of the second spring is fixed and which is provided between the second spring and the cooling plate,
The substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the heat conductivity of the umbrella portion is higher than the heat conductivity of the base portion.
前記天板は、前記基板の裏面が載置される平面状の載置面を含み、
前記シャフト部は、前記第１状態において前記天板の裏面が接触する凸状の球面を含む、請求項２又は３に記載の基板処理装置。 The outer periphery support pin further includes a shaft portion disposed below the top plate and configured to support a rear surface of the top plate in the first state,
the top plate includes a planar mounting surface on which the back surface of the substrate is placed,
The substrate processing apparatus according to claim 2 , wherein the shaft portion includes a convex spherical surface that comes into contact with a rear surface of the top plate in the first state.
前記基板処理装置を制御する制御装置とを備え、
前記基板処理装置は、前記冷却板に対して冷媒を供給する冷媒供給部を更に有し、
前記制御装置は、
前記支持部に前記基板を支持させない状態で待機する非冷却処理と、前記支持部に前記基板を支持させて前記冷却板により前記基板を前記非冷却処理後に冷却する冷却処理とを実行し、
前記冷却処理に比べて、前記非冷却処理での前記冷媒による前記冷却板の冷却の程度が小さくなるように、前記冷媒供給部を制御する、基板処理システム。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A control device for controlling the substrate processing apparatus,
the substrate processing apparatus further includes a coolant supply unit that supplies a coolant to the cooling plate,
The control device includes:
a non-cooling process in which the substrate is in a standby state without being supported by the supporting portion, and a cooling process in which the substrate is supported by the supporting portion and the substrate is cooled by the cooling plate after the non-cooling process,
the coolant supply unit is controlled so that the degree of cooling of the cooling plate by the coolant in the non-cooling process is smaller than that in the cooling process.
前記基板処理装置を制御する制御装置とを備え、
前記基板処理装置は、前記冷却板を収容する筐体と、前記筐体内に配置され、前記基板を加熱する熱板とを更に有し、
前記冷却板は、前記熱板と前記冷却板とが重なった状態で前記熱板に対して前記基板の受け渡しを行う受渡位置と、前記熱板による加熱後に前記熱板と前記冷却板とが離れた状態で前記基板を冷却する冷却位置との間で移動可能であり、
前記制御装置は、
前記基板の反り形状を示す形状情報を取得することと、
前記形状情報に応じて、前記基板を受け取った後の前記冷却板を前記受渡位置から前記冷却位置に移動させる際に前記冷却板が前記熱板の上方に滞在する時間を調節することとを実行する、基板処理システム。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A control device for controlling the substrate processing apparatus,
the substrate processing apparatus further includes a housing that houses the cooling plate, and a hot plate that is disposed within the housing and heats the substrate;
the cooling plate is movable between a transfer position where the substrate is transferred to the hot plate in a state where the hot plate and the cooling plate are overlapped, and a cooling position where the substrate is cooled after heating by the hot plate in a state where the hot plate and the cooling plate are separated from each other;
The control device includes:
acquiring shape information indicating a warpage shape of the substrate;
and adjusting, in accordance with the shape information, a time during which the cooling plate stays above the hot plate when the cooling plate after receiving the substrate is moved from the transfer position to the cooling position.
前記冷却板の上面と前記基板の裏面との間に隙間が形成されるように前記支持部により前記基板を支持した状態を継続することで、前記基板を冷却することと、
前記基板を冷却することの後に、前記冷却板から前記基板を搬出することとを含み、
前記冷却板に対して前記基板を受け渡すことは、前記中央支持ピンが前記冷却板の上面から突出する量よりも小さい第１突出量で、前記外周支持ピンに含まれるピン本体を突出させた第１状態において、前記冷却板に対して前記基板を受け渡すことを含み、
前記基板を支持した状態を継続することは、前記ピン本体が突出する量を変化させるように構成された伸縮部材の温度が上昇することで、前記第１状態から、前記第１突出量よりも大きい第２突出量で前記ピン本体を突出させる第２状態に遷移した後に、前記第２状態において前記基板を支持することを含み、
前記基板を搬出することは、前記伸縮部材の温度が低下することで、前記第２状態から前記第１状態に遷移した後に、前記第１状態において前記冷却板から前記基板を搬出することを含む、基板処理方法。 transferring the substrate to a cooling plate having a support portion on an upper surface thereof, the support portion including a central support pin arranged in a central region and a peripheral support pin arranged in a peripheral region;
cooling the substrate by continuing to support the substrate by the support portion such that a gap is formed between an upper surface of the cooling plate and a rear surface of the substrate;
removing the substrate from the cooling plate after cooling the substrate;
transferring the substrate to the cooling plate includes transferring the substrate to the cooling plate in a first state in which pin bodies included in the outer periphery support pins are protruded by a first protrusion amount that is smaller than an amount by which the central support pins protrude from an upper surface of the cooling plate,
continuing to support the substrate includes transitioning from the first state to a second state in which the pin body is protruded by a second protrusion amount greater than the first protrusion amount due to an increase in temperature of an expandable member configured to change an amount by which the pin body protrudes, and then supporting the substrate in the second state.
The substrate processing method includes removing the substrate from the cooling plate in the first state after a temperature of the expandable member decreases, causing a transition from the second state to the first state.
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| JP2015050418A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate cooling apparatus, substrate cooling method, and substrate processing apparatus |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210400A (en) | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tokyo Electron Ltd | Cooling processing device |
| JP2008187126A (en) | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | Heating device, heating method and storage medium |
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