JP7622532B2

JP7622532B2 - DEPOSITION MASK, METHOD FOR MANUFACTURING DEPOSITION MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Info

Publication number: JP7622532B2
Application number: JP2021070289A
Authority: JP
Inventors: 幹大新納
Original assignee: Toppan Holdings Inc
Current assignee: Toppan Holdings Inc
Priority date: 2021-04-19
Filing date: 2021-04-19
Publication date: 2025-01-28
Anticipated expiration: 2041-04-19
Also published as: JP2022165092A

Description

本発明は、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a deposition mask, a method for manufacturing a deposition mask, and a method for manufacturing a display device.

有機ＥＬ表示装置の製造において、有機ＥＬ表示素子が備える有機発光層の形成には、真空蒸着が用いられている。真空蒸着によって有機発光層を形成する際には、所定の形状を有した有機発光層を蒸着対象における所定の位置に形成するために、蒸着マスクが用いられている。蒸着マスクは、複数のマスク板と、マスクフレームとを備えている。各マスク板は、複数のマスク孔が形成された金属箔である。複数のマスク孔は、有機発光層の形状および配置に応じた形状および配置を有している。マスクフレームは、マスクフレームに取り付けられたマスク部に対して蒸着材料を到達させるためのフレーム孔を有している。各マスク板は、互いに異なる１つのフレーム孔を塞ぐように、マスクフレームに溶接される（例えば、特許文献１を参照）。 In the manufacture of organic EL display devices, vacuum deposition is used to form the organic light-emitting layer of the organic EL display element. When forming the organic light-emitting layer by vacuum deposition, a deposition mask is used to form the organic light-emitting layer having a predetermined shape at a predetermined position on the deposition target. The deposition mask includes multiple mask plates and a mask frame. Each mask plate is a metal foil with multiple mask holes formed therein. The multiple mask holes have a shape and arrangement corresponding to the shape and arrangement of the organic light-emitting layer. The mask frame has frame holes that allow the deposition material to reach the mask portion attached to the mask frame. Each mask plate is welded to the mask frame so as to cover a different frame hole from the others (see, for example, Patent Document 1).

国際公開第２０１９／０５４４６２号International Publication No. 2019/054462

ところで、マスク板をマスクフレームに溶接する際には、マスク板が備える一対の面のうち、マスクフレームに接する面とは反対側の面に向けてレーザー光線が照射される。マスク板にレーザー光線が照射されると、レーザー光線のエネルギーが与えられた部分が窪み、これにより、当該窪みの回りが盛り上がることによって隆起部が形成される。マスク板において、マスクフレームに接する面とは反対側の面は、蒸着対象に対向する面であるから、当該面に隆起部が位置することによって、蒸着対象に形成されるパターンの精度が低下する程度に、マスク板と蒸着対象とが離間する場合がある。 When welding the mask plate to the mask frame, a laser beam is irradiated toward one of a pair of surfaces of the mask plate, which is opposite the surface that contacts the mask frame. When the mask plate is irradiated with the laser beam, the portion to which the energy of the laser beam is applied is depressed, and as a result, a protuberance is formed by the area around the depression rising. Since the surface of the mask plate opposite the surface that contacts the mask frame faces the deposition target, the location of the protuberance on this surface may cause the mask plate and the deposition target to be separated to such an extent that the accuracy of the pattern formed on the deposition target is reduced.

上記課題を解決するための蒸着マスクは、フレーム孔を画定する枠状を有したマスクフレームと、第１面、第２面、および、前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数のマスク孔を備えるマスク板であって、前記複数のマスク孔が位置するマスク領域と、前記マスク領域を囲む周辺領域とを備え、前記第１面が前記マスクフレームに接した状態で、前記フレーム孔を覆うように前記周辺領域において前記マスクフレームに溶接された前記マスク板と、を備える。前記周辺領域は、溶着痕を含む。前記第２面に直交する断面において、前記第２面の平坦部が含まれる平面が基準面である。前記溶着痕は、前記基準面に対して窪む第１凹部と、前記第１凹部の底部からさらに窪む第２凹部と、前記第１凹部の縁において前記基準面から隆起した隆起部と、を含む。前記基準面と前記隆起部との間の距離における最大値が、１．０μｍ以下である。 The deposition mask for solving the above problem includes a mask frame having a frame shape that defines a frame hole, a mask plate having a first surface, a second surface, and a plurality of mask holes penetrating between the first surface and the second surface, the mask plate including a mask region in which the plurality of mask holes are located and a peripheral region surrounding the mask region, and the mask plate is welded to the mask frame in the peripheral region so as to cover the frame hole with the first surface in contact with the mask frame. The peripheral region includes a welding mark. In a cross section perpendicular to the second surface, a plane including the flat portion of the second surface is a reference surface. The welding mark includes a first recess that is recessed relative to the reference surface, a second recess that is further recessed from the bottom of the first recess, and a raised portion that is raised from the reference surface at the edge of the first recess. The maximum value of the distance between the reference surface and the raised portion is 1.0 μm or less.

上記課題を解決するための蒸着マスクの製造方法は、第１面と第２面とを有する金属板に、前記第１面と前記第２面との間を貫通する複数のマスク孔を形成することによって、前記複数のマスク孔が位置するマスク領域と、前記マスク領域を含む周辺領域とを備えるマスク板を形成すること、フレーム孔を画定する枠状を有したマスクフレームを形成すること、および、前記マスク板を前記マスクフレームに密着させた状態で、前記フレーム孔を覆うように前記周辺領域をレーザー溶接によって前記マスクフレームに溶接すること、を含む。前記溶接することは、前記マスク板に溶着痕を形成することを含む。前記第２面に直交する断面において、前記第２面の平坦部が含まれる平面が基準面である。前記溶着痕は、前記基準面に対して窪む第１凹部と、前記第１凹部の底部からさらに窪む第２凹部と、前記第１凹部の縁において前記基準面から隆起した隆起部と、を含む。前記基準面と前記隆起部との間の距離における最大値が、１．０μｍ以下である。 A method for manufacturing a deposition mask for solving the above problem includes forming a mask plate having a mask region in which the mask holes are located and a peripheral region including the mask region by forming a plurality of mask holes penetrating between a first surface and a second surface in a metal plate having the first surface and the second surface, forming a mask frame having a frame shape that defines a frame hole, and welding the peripheral region to the mask frame by laser welding so as to cover the frame hole while the mask plate is in close contact with the mask frame. The welding includes forming a welding mark on the mask plate. In a cross section perpendicular to the second surface, a plane including the flat portion of the second surface is a reference surface. The welding mark includes a first recess that is recessed relative to the reference surface, a second recess that is further recessed from the bottom of the first recess, and a raised portion that is raised from the reference surface at the edge of the first recess. The maximum value of the distance between the reference surface and the raised portion is 1.0 μm or less.

上記課題を解決するための表示装置の製造方法は、上記蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクを用いて蒸着対象にパターンを形成すること、を含む。
上記蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法によれば、蒸着マスクの平坦部から突き出た第１隆起部の高さが１．０μｍ以下である。そのため、蒸着対象がバンクを備える場合には、蒸着マスクが蒸着対象に接する場合および近接する場合の両方において、マスク板と被蒸着面との間の距離が第１隆起部によって拡張されない。そのため、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。あるいは、蒸着対象がバンクを備えない場合にも、第１隆起部の高さが１．０μｍ以下であれば、マスク板と被蒸着面との間の距離が十分に小さくなるから、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 A manufacturing method of a display device for solving the above problem includes forming a pattern on a deposition target by using a deposition mask manufactured by the above deposition mask manufacturing method.
According to the deposition mask, the method for manufacturing the deposition mask, and the method for manufacturing the display device, the height of the first protrusion protruding from the flat portion of the deposition mask is 1.0 μm or less. Therefore, when the deposition target has a bank, the distance between the mask plate and the deposition surface is not expanded by the first protrusion both when the deposition mask is in contact with the deposition target and when it is close to the deposition target. Therefore, the accuracy of the deposition pattern is prevented from decreasing. Alternatively, even when the deposition target does not have a bank, if the height of the first protrusion is 1.0 μm or less, the distance between the mask plate and the deposition surface is sufficiently small, so that the accuracy of the deposition pattern is prevented from decreasing.

上記蒸着マスクにおいて、前記隆起部は、第１隆起部であり、前記溶着痕は、前記第２凹部の縁において前記第１凹部の前記底部から隆起した第２隆起部をさらに含み、前記第１凹部の前記底部と前記第１隆起部との間の距離における最大値が、前記第１凹部の前記底部と前記第２隆起部との間の距離における最大値以上であってもよい。 In the deposition mask, the raised portion is a first raised portion, the welding mark further includes a second raised portion raised from the bottom of the first recess at the edge of the second recess, and the maximum distance between the bottom of the first recess and the first raised portion may be equal to or greater than the maximum distance between the bottom of the first recess and the second raised portion.

上記蒸着マスクによれば、第２隆起部が第１隆起部よりも突出しないから、第２隆起部がマスク板と蒸着対象の被蒸着面との間の距離を拡張させることが抑えられる。そのため、蒸着マスクを用いて形成した蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 With the deposition mask, the second raised portion does not protrude beyond the first raised portion, so the second raised portion is prevented from expanding the distance between the mask plate and the deposition surface of the deposition target. This prevents a decrease in the accuracy of the deposition pattern formed using the deposition mask.

上記蒸着マスクにおいて、前記マスク板の厚さが、１０μｍ以下であってもよい。この蒸着マスクによれば、溶着痕を形成するための凹部を形成することができないから、溶着痕が第１凹部、第２凹部、および、第１隆起部を備える構造であることによる効果をより顕著に得ることが可能である。 In the deposition mask, the thickness of the mask plate may be 10 μm or less. With this deposition mask, it is not possible to form a recess for forming a welding mark, so that the effect of the welding mark having a structure including a first recess, a second recess, and a first protrusion can be more significantly obtained.

上記蒸着マスクの製造方法において、前記マスクフレームは、強磁性を有する第１磁性部を含み、前記マスク板は、強磁性を有する第２磁性部を含み、前記溶接することは、前記第２磁性部を前記第１磁性部に磁力によって密着させた状態で、前記マスク板を前記マスクフレームに溶接することを含んでもよい。 In the above-mentioned deposition mask manufacturing method, the mask frame may include a first magnetic part having ferromagnetic properties, and the mask plate may include a second magnetic part having ferromagnetic properties, and the welding may include welding the mask plate to the mask frame in a state in which the second magnetic part is closely attached to the first magnetic part by magnetic force.

上記蒸着マスクの製造方法によれば、マスクフレームに対してマスク板を磁力によって密着させることが可能であるから、マスク板とマスクフレームとの積層体に荷重を印加する場合に比べて、マスクフレームに対してマスク板をより高い密着度合いで密着させることが可能である。 According to the above-mentioned deposition mask manufacturing method, the mask plate can be attached to the mask frame by magnetic force, so the mask plate can be attached to the mask frame with a higher degree of adhesion than when a load is applied to the laminate of the mask plate and the mask frame.

本発明によれば、マスク板と蒸着対象との間の距離の拡張を抑えることができる。 The present invention makes it possible to suppress the expansion of the distance between the mask plate and the deposition target.

一実施形態の蒸着マスクを含むマスク装置の構造を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a structure of a mask device including a deposition mask according to an embodiment. 図１が示すマスク装置が含む蒸着マスクの構造を示す断面図。2 is a cross-sectional view showing a structure of a deposition mask included in the mask device shown in FIG. 1 . 図１が示すマスク装置が含むマスク板の構造を示す断面図。2 is a cross-sectional view showing the structure of a mask plate included in the mask device shown in FIG. 1 . 第２面と対向する視点から見た溶着痕の構造を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing the structure of the welding trace as viewed from a viewpoint opposite to the second surface. 第２面と直交する平面に沿う溶着痕の構造を示す端面図。FIG. 4 is an end view showing the structure of a welding mark along a plane perpendicular to the second surface. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 一実施形態の蒸着マスクの製造方法を説明するための工程図。1A to 1C are process diagrams illustrating a method for manufacturing a deposition mask according to an embodiment. 蒸着装置の構成を蒸着マスクおよび蒸着対象とともに模式的に示す装置構成図。FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a deposition apparatus together with a deposition mask and a deposition target. 実施例１の蒸着マスクが有する溶着痕の測定によって得られた溶着痕の断面における各部の高さを示すグラフ。1 is a graph showing the height of each part in a cross section of a welding mark obtained by measuring the welding mark on the deposition mask of Example 1. 実施例２の蒸着マスクが有する溶着痕の測定によって得られた溶着痕の断面における各部の高さを示すグラフ。13 is a graph showing the height of each part in a cross section of a welding mark obtained by measuring the welding mark on the deposition mask of Example 2. 実施例３の蒸着マスクが有する溶着痕の測定によって得られた溶着痕の断面における各部の高さを示すグラフ。13 is a graph showing the height of each part in a cross section of a welding mark obtained by measuring the welding mark on the deposition mask of Example 3. 比較例１の蒸着マスクが有する溶着痕の測定によって得られた溶着痕の断面における各部の高さを示すグラフ。13 is a graph showing the height of each portion in a cross section of a welding mark obtained by measuring the welding mark on the deposition mask of Comparative Example 1.

図１から図２０を参照して、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法の一実施形態を説明する。 With reference to Figures 1 to 20, one embodiment of a deposition mask, a method for manufacturing a deposition mask, and a method for manufacturing a display device will be described.

［マスク装置］
図１から図５を参照して、蒸着マスクを備えるマスク装置を説明する。
図１が示すように、マスク装置１０は、蒸着マスク１１とメインフレーム１２とを備えている。蒸着マスク１１は、マスク板２１とマスクフレーム２２とを備えている。マスクフレーム２２は、フレーム孔２２Ｈ（図２参照）を画定する枠状を有している。マスク板２１は、複数のマスク孔２１Ｈを備えている。マスク板２１は、複数のマスク孔２１Ｈが位置するマスク領域２１Ａと、マスク領域２１Ａを囲む周辺領域２１Ｂとを備えている。 [Mask device]
A mask device including a deposition mask will be described with reference to FIGS. 1 to 5. FIG.
As shown in Fig. 1, the mask device 10 includes a deposition mask 11 and a main frame 12. The deposition mask 11 includes a mask plate 21 and a mask frame 22. The mask frame 22 has a frame shape that defines frame holes 22H (see Fig. 2). The mask plate 21 includes a plurality of mask holes 21H. The mask plate 21 includes a mask region 21A in which the plurality of mask holes 21H are located, and a peripheral region 21B that surrounds the mask region 21A.

蒸着マスク１１は、１つ以上のマスク板２１を備えることができる。図１が示す例では、蒸着マスク１１は、３つのマスク板２１を備えている。マスクフレーム２２は、マスク板２１と同数のフレーム孔２２Ｈを備えている。各マスク板２１は、互いに異なる１つのフレーム孔２２Ｈを塞ぐようにマスクフレーム２２に溶接されている。 The deposition mask 11 can include one or more mask plates 21. In the example shown in FIG. 1, the deposition mask 11 includes three mask plates 21. The mask frame 22 includes the same number of frame holes 22H as the mask plates 21. Each mask plate 21 is welded to the mask frame 22 so as to cover one different frame hole 22H.

マスク板２１は、金属製である。マスク板２１は、例えば、鉄‐ニッケル系合金から形成されてよい。鉄‐ニッケル系合金は、３６質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。あるいは、鉄‐ニッケル系合金は、４２質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。鉄‐ニッケル系合金は、ニッケルおよび鉄以外の金属である不純物を含んでもよい。 The mask plate 21 is made of metal. The mask plate 21 may be formed of, for example, an iron-nickel alloy. The iron-nickel alloy may include 36% by weight of nickel and the remainder being iron. Alternatively, the iron-nickel alloy may include 42% by weight of nickel and the remainder being iron. The iron-nickel alloy may include impurities that are metals other than nickel and iron.

マスクフレーム２２は、マスク板２１と同様に金属製である。マスクフレーム２２は、マスク板２１と同一の材料から形成されてもよいし、マスク板２１とは異なる材料から形成されてもよい。マスクフレーム２２は、例えば、ステンレス鋼から形成されてもよいし、鉄‐ニッケル系合金から形成されてもよい。鉄‐ニッケル系合金は、３６質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。鉄‐ニッケル系合金は、４２質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。鉄‐ニッケル系合金は、ニッケルおよび鉄以外の金属である不純物を含んでもよい。 The mask frame 22 is made of metal, like the mask plate 21. The mask frame 22 may be made of the same material as the mask plate 21, or may be made of a material different from that of the mask plate 21. The mask frame 22 may be made of, for example, stainless steel, or an iron-nickel alloy. The iron-nickel alloy may include 36% nickel by mass and the remainder iron. The iron-nickel alloy may include 42% nickel by mass and the remainder iron. The iron-nickel alloy may include impurities that are metals other than nickel and iron.

メインフレーム１２は、メインフレーム孔１２Ｈを画定する枠状を有している。図１が示す例では、メインフレーム１２の外形は、長方形状を有している。メインフレーム１２は、長方形状のメインフレーム孔１２Ｈを画定している。メインフレーム１２は、金属製である。メインフレーム１２は、例えば、ステンレス鋼から形成されてもよいし、鉄‐ニッケル系合金から形成されてもよい。鉄‐ニッケル系合金は、３６質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。鉄‐ニッケル系合金は、４２質量％のニッケルと残余部の鉄とを含んでもよい。鉄‐ニッケル系合金は、ニッケルおよび鉄以外の金属である不純物を含んでもよい。 The main frame 12 has a frame shape that defines the main frame hole 12H. In the example shown in FIG. 1, the outer shape of the main frame 12 has a rectangular shape. The main frame 12 defines the rectangular main frame hole 12H. The main frame 12 is made of metal. The main frame 12 may be formed, for example, from stainless steel or from an iron-nickel alloy. The iron-nickel alloy may include 36% nickel by mass and the remainder iron. The iron-nickel alloy may include 42% nickel by mass and the remainder iron. The iron-nickel alloy may include impurities that are metals other than nickel and iron.

図２は、マスクフレーム２２が広がる平面に直交する平面に沿う蒸着マスク１１の断面構造を示している。
図２が示すように、マスクフレーム２２は、マスクフレーム２２の厚さ方向においてマスクフレーム２２を貫通するフレーム孔２２Ｈを備えている。マスクフレーム２２には、１つのフレーム孔２２Ｈを１つのマスク板２１が覆うように、マスク板２１が溶接されている。マスク板２１は、マスク領域２１Ａの全体がフレーム孔２２Ｈに露出するように、周辺領域２１Ｂにおいてマスクフレーム２２に溶接されている。 FIG. 2 shows a cross-sectional structure of the deposition mask 11 along a plane perpendicular to the plane in which the mask frame 22 extends.
2, the mask frame 22 has frame holes 22H penetrating the mask frame 22 in the thickness direction of the mask frame 22. The mask plates 21 are welded to the mask frame 22 such that one mask plate 21 covers one frame hole 22H. The mask plate 21 is welded to the mask frame 22 in the peripheral region 21B such that the entire mask region 21A is exposed to the frame hole 22H.

図３は、マスク板２１が広がる平面に直交する平面に沿うマスク板２１の断面構造を示している。
図３が示すように、マスク板２１は、第１面２１Ｆ１と第２面２１Ｆ２とを備えている。第２面２１Ｆ２は、第１面２１Ｆ１とは反対側の面である。マスク孔２１Ｈは、第１面２１Ｆ１と第２面２１Ｆ２との間を貫通している。マスク板２１は、第１面２１Ｆ１がマスクフレーム２２に接した状態で、フレーム孔２２Ｈを覆うように周辺領域２１Ｂにおいてマスクフレーム２２に溶接されている。マスク板２１の厚さＴＭは、１０μｍ以下であってよい。なお、マスクフレーム２２の厚さは、２０μｍ以上１００μｍ以下であってよく、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下であってよい。 FIG. 3 shows a cross-sectional structure of the mask plate 21 along a plane perpendicular to the plane in which the mask plate 21 extends.
As shown in FIG. 3, the mask plate 21 has a first surface 21F1 and a second surface 21F2. The second surface 21F2 is the surface opposite to the first surface 21F1. The mask hole 21H penetrates between the first surface 21F1 and the second surface 21F2. The mask plate 21 is welded to the mask frame 22 in the peripheral region 21B so as to cover the frame hole 22H with the first surface 21F1 in contact with the mask frame 22. The thickness TM of the mask plate 21 may be 10 μm or less. The thickness of the mask frame 22 may be 20 μm or more and 100 μm or less, and preferably 20 μm or more and 50 μm or less.

マスク孔２１Ｈの第１開口２１Ｈ１は、第１面２１Ｆ１に位置している。マスク孔２１Ｈの第２開口２１Ｈ２は、第２面２１Ｆ２に位置している。第１面２１Ｆ１と対向する視点から見て、第２開口２１Ｈ２は、第１開口２１Ｈ１内に位置している。すなわち、第１開口２１Ｈ１は、第２開口２１Ｈ２よりも大きい。マスク孔２１Ｈは、第１開口２１Ｈ１から第２開口２１Ｈ２に向けて先細る形状を有している。 The first opening 21H1 of the mask hole 21H is located on the first surface 21F1. The second opening 21H2 of the mask hole 21H is located on the second surface 21F2. When viewed from a viewpoint facing the first surface 21F1, the second opening 21H2 is located within the first opening 21H1. In other words, the first opening 21H1 is larger than the second opening 21H2. The mask hole 21H has a shape that tapers from the first opening 21H1 toward the second opening 21H2.

マスク装置１０が蒸着装置に搭載された状態において、第１面２１Ｆ１が蒸着源に対向し、第２面２１Ｆ２が蒸着対象に対向する。マスク孔２１Ｈは、第１開口２１Ｈ１から第２開口２１Ｈ２に向けて先細る形状を有するから、マスク孔２１Ｈを画定する側面が蒸着材料に対して影になりにくい。 When the mask device 10 is mounted on the deposition device, the first surface 21F1 faces the deposition source, and the second surface 21F2 faces the deposition target. The mask hole 21H has a shape that tapers from the first opening 21H1 toward the second opening 21H2, so that the side surface that defines the mask hole 21H is unlikely to be shaded by the deposition material.

図４は、マスク板２１の第２面２１Ｆ２と対向する視点から見た溶着痕の平面構造を示している。
図４が示すように、周辺領域２１Ｂは、溶着痕２１Ｗを含んでいる。周辺領域２１Ｂには、複数の溶着痕２１Ｗが位置している。溶着痕２１Ｗは、第１凹部２１ＷＲ１を有している。第２面２１Ｆ２と対向する平面視において、第１凹部２１ＷＲ１は、略円状を有している。第１凹部２１ＷＲ１の縁の回りには、第１隆起部２１ＷＰ１が位置している。第１隆起部２１ＷＰ１は、第１凹部２１ＷＲ１の縁の全体に位置してもよいし、一部に位置してもよい。言い換えれば、第１隆起部２１ＷＰ１は、第２面２１Ｆ２と対向する視点からみて、閉環状を有してもよいし、開環状を有してもよい。 FIG. 4 shows a planar structure of the welding traces as viewed from a viewpoint opposite to the second surface 21F2 of the mask plate 21. As shown in FIG.
As shown in Fig. 4, the peripheral region 21B includes a welding mark 21W. A plurality of welding marks 21W are located in the peripheral region 21B. The welding mark 21W has a first recess 21WR1. In a plan view facing the second surface 21F2, the first recess 21WR1 has a substantially circular shape. A first protrusion 21WP1 is located around the edge of the first recess 21WR1. The first protrusion 21WP1 may be located over the entire edge of the first recess 21WR1 or over a portion of the edge. In other words, the first protrusion 21WP1 may have a closed ring shape or an open ring shape when viewed from a perspective facing the second surface 21F2.

溶着痕２１Ｗは、第２凹部２１ＷＲ２をさらに含んでいる。第２凹部２１ＷＲ２は、第２面２１Ｆ２と対向する視点から見て、第１凹部２１ＷＲ１内に位置している。第２凹部２１ＷＲ２は、第２面２１Ｆ２と対向する視点から見て、略円状を有している。第２凹部２１ＷＲ２の縁の回りには、第２隆起部２１ＷＰ２が位置している。第２隆起部２１ＷＰ２は、第２凹部２１ＷＲ２の縁の全体に位置してもよいし、一部に位置してもよい。言い換えれば、第２隆起部２１ＷＰ２は、第２面２１Ｆ２と対向する視点から見て、閉環状を有してもよいし、開環状を有してもよい。 The welding mark 21W further includes a second recess 21WR2. The second recess 21WR2 is located within the first recess 21WR1 when viewed from a viewpoint opposite the second surface 21F2. The second recess 21WR2 has a substantially circular shape when viewed from a viewpoint opposite the second surface 21F2. A second raised portion 21WP2 is located around the edge of the second recess 21WR2. The second raised portion 21WP2 may be located over the entire edge of the second recess 21WR2, or over a portion of the edge. In other words, the second raised portion 21WP2 may have a closed or open ring shape when viewed from a viewpoint opposite the second surface 21F2.

図５は、マスク板２１の第２面２１Ｆ２に直交する平面に沿う溶着痕２１Ｗの断面構造を示している。
図５が示すように、第２面２１Ｆ２に直交する断面において、第２面２１Ｆ２の平坦部が含まれる平面が基準面ＲＰである。溶着痕２１Ｗは、上述したように、第１凹部２１ＷＲ１、第２凹部２１ＷＲ２、第１隆起部２１ＷＰ１、および、第２隆起部２１ＷＰ２を含んでいる。 FIG. 5 shows a cross-sectional structure of the welding mark 21W along a plane perpendicular to the second surface 21F2 of the mask plate 21. As shown in FIG.
5, in a cross section perpendicular to the second surface 21F2, a plane including the flat portion of the second surface 21F2 is a reference plane RP. As described above, the welding mark 21W includes the first recess 21WR1, the second recess 21WR2, the first raised portion 21WP1, and the second raised portion 21WP2.

第１凹部２１ＷＲ１は、基準面ＲＰに対して窪んでいる。第２凹部２１ＷＲ２は、第１凹部２１ＷＲ１の底部からさらに窪んでいる。第１隆起部２１ＷＰ１は、第１凹部２１ＷＲ１の縁において基準面ＲＰから隆起している。基準面ＲＰと第１隆起部２１ＷＰ１との間の距離における最大値ＭＸ１（以下、第１最大値ＭＸ１）が、１．０μｍ以下である。 The first recess 21WR1 is recessed relative to the reference plane RP. The second recess 21WR2 is recessed further from the bottom of the first recess 21WR1. The first raised portion 21WP1 is raised from the reference plane RP at the edge of the first recess 21WR1. The maximum value MX1 of the distance between the reference plane RP and the first raised portion 21WP1 (hereinafter, the first maximum value MX1) is 1.0 μm or less.

マスク装置１０を用いて蒸着パターンを形成する際には、マスク板２１の第２面２１Ｆ２に蒸着対象が接する、あるいは、マスク板２１の第２面２１Ｆ２が蒸着対象に近接するように、マスク装置１０と蒸着対象とが蒸着装置内に配置される。蒸着対象には、蒸着対象に形成されるパターンを他のパターンから区分するためのバンクが形成される場合がある。蒸着対象においてバンクが形成された面、すなわち被蒸着面と、バンクの頂部との間の距離、すなわちバンクの高さは、例えば２．０μｍに設定される。 When forming a deposition pattern using the mask device 10, the mask device 10 and the deposition target are placed in the deposition device so that the deposition target is in contact with the second surface 21F2 of the mask plate 21 or the second surface 21F2 of the mask plate 21 is close to the deposition target. A bank may be formed on the deposition target to separate the pattern formed on the deposition target from other patterns. The distance between the surface on which the bank is formed on the deposition target, i.e., the surface to be deposited, and the top of the bank, i.e., the height of the bank, is set to, for example, 2.0 μm.

この点、マスク板２１の平坦部から突き出た第１隆起部２１ＷＰ１の高さが１．０μｍ以下である。そのため、マスク板２１が蒸着対象に接する場合および近接する場合の両方において、マスク板２１と被蒸着面との間の距離が第１隆起部２１ＷＰ１によって拡張されない。そのため、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。なお、蒸着パターンの精度は、蒸着対象における蒸着パターンの位置における精度、および、蒸着パターンの形状における精度の少なくとも一方を含む。 In this regard, the height of the first raised portion 21WP1 protruding from the flat portion of the mask plate 21 is 1.0 μm or less. Therefore, in both cases where the mask plate 21 is in contact with the deposition target and in close proximity to the deposition target, the distance between the mask plate 21 and the deposition target surface is not expanded by the first raised portion 21WP1. This prevents the accuracy of the deposition pattern from decreasing. The accuracy of the deposition pattern includes at least one of the accuracy of the position of the deposition pattern on the deposition target and the accuracy of the shape of the deposition pattern.

なお、蒸着対象がバンクを備えない場合にも、第１隆起部２１ＷＰ１の高さが１．０μｍ以下であれば、マスク板２１と被蒸着面との間の距離が十分に小さくなるから、マスク板２１と蒸着対象との間の距離が拡張されることが抑えられる。これによって、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 Even if the deposition target does not have a bank, if the height of the first raised portion 21WP1 is 1.0 μm or less, the distance between the mask plate 21 and the deposition surface is sufficiently small, so that the distance between the mask plate 21 and the deposition target is prevented from expanding. This prevents the accuracy of the deposition pattern from decreasing.

基準面ＲＰと第１隆起部２１ＷＰ１との間の距離は、第１隆起部２１ＷＰ１の高さである。第１隆起部２１ＷＰ１の高さは、第１隆起部２１ＷＰ１の１の全体において等しくてもよい。あるいは、第１隆起部２１ＷＰ１の高さは、第１の大きさと、第１の大きさとは異なる第２の大きさとを含んでもよい。いずれの場合であっても、第１隆起部２１ＷＰ１の高さの最大値ＭＸ１が１．０μｍ以下であれば、第１隆起部２１ＷＰ１の全体において、第１隆起部２１ＷＰ１の高さが１．０μｍ以下である。 The distance between the reference plane RP and the first raised portion 21WP1 is the height of the first raised portion 21WP1. The height of the first raised portion 21WP1 may be equal throughout the entire first raised portion 21WP1. Alternatively, the height of the first raised portion 21WP1 may include a first size and a second size different from the first size. In either case, if the maximum value MX1 of the height of the first raised portion 21WP1 is 1.0 μm or less, the height of the first raised portion 21WP1 is 1.0 μm or less throughout the entire first raised portion 21WP1.

溶着痕２１Ｗにおいて、第１凹部２１ＷＲ１の底部と第１隆起部２１ＷＰ１との間の距離における最大値ＭＸ３が、第１凹部２１ＷＲ１の底部と第２隆起部２１ＷＰ２との間の距離における最大値ＭＸ２以上である。以下、最大値ＭＸ３は第３最大値ＭＸ３であり、最大値ＭＸ２は第２最大値である。第２最大値ＭＸ２は、第１凹部２１ＷＲ１の底部と第１隆起部２１ＷＰ１との間の距離における最小値ＭＭ以下であることがより好ましい。 In the weld mark 21W, the maximum value MX3 of the distance between the bottom of the first recess 21WR1 and the first raised portion 21WP1 is equal to or greater than the maximum value MX2 of the distance between the bottom of the first recess 21WR1 and the second raised portion 21WP2. Hereinafter, the maximum value MX3 is the third maximum value MX3, and the maximum value MX2 is the second maximum value. It is more preferable that the second maximum value MX2 is equal to or less than the minimum value MM of the distance between the bottom of the first recess 21WR1 and the first raised portion 21WP1.

第２隆起部２１ＷＰ２が第１隆起部２１ＷＰ１よりも突出しないから、第２隆起部２１ＷＰ２がマスク板２１と被蒸着面との間の距離を拡張させることが抑えられる。そのため、蒸着マスク１１を用いて形成した蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 Because the second raised portion 21WP2 does not protrude beyond the first raised portion 21WP1, the second raised portion 21WP2 is prevented from expanding the distance between the mask plate 21 and the deposition surface. This prevents the accuracy of the deposition pattern formed using the deposition mask 11 from decreasing.

第１凹部２１ＷＲ１のうちで、基準面ＲＰからの距離が最も大きい部位を含む部分が、第１凹部２１ＷＲ１の底部である。上述したように、第１隆起部２１ＷＰ１の高さは、第１の大きさと第２の大きさとを含んでもよい。そのため、第１凹部２１ＷＲ１の底部と第１隆起部２１ＷＰ１との間の距離も、第１隆起部２１ＷＰ１の高さと同様に、第１の大きさと、第１の大きさとは異なる第２の大きさとを含んでもよい。 The portion of the first recess 21WR1 that includes the portion that is the farthest from the reference plane RP is the bottom of the first recess 21WR1. As described above, the height of the first raised portion 21WP1 may include a first size and a second size. Therefore, the distance between the bottom of the first recess 21WR1 and the first raised portion 21WP1 may also include a first size and a second size different from the first size, similar to the height of the first raised portion 21WP1.

一方で、第１凹部２１ＷＲ１の底部と、第２隆起部２１ＷＰ２との間の距離が、第１隆起部２１ＷＰ１の高さである。第２隆起部２１ＷＰ２の高さは、第２隆起部２１ＷＰ２の全体において等しくてもよい。あるいは、第２隆起部２１ＷＰ２の高さは、第１の大きさと、第１の大きさとは異なる第２の大きさとを含んでもよい。 On the other hand, the distance between the bottom of the first recess 21WR1 and the second raised portion 21WP2 is the height of the first raised portion 21WP1. The height of the second raised portion 21WP2 may be equal throughout the entire second raised portion 21WP2. Alternatively, the height of the second raised portion 21WP2 may include a first size and a second size different from the first size.

そのため、第２最大値ＭＸ２が、第３最大値ＭＸ３以下であれば、第２隆起部２１ＷＰ２が第１隆起部２１ＷＰ１よりも突き出ることはない。すなわち、溶着痕２１Ｗは、基準面ＲＰから１．０μｍを超えて突き出る部分を有しない。また、第２最大値ＭＸ２が上述した最小値ＭＭ以下であれば、第１凹部２１ＷＲ１の縁における周方向の全体において、第２隆起部２１ＷＰ２が第１隆起部２１ＷＰ１よりも突き出ることが抑えられる。 Therefore, if the second maximum value MX2 is equal to or less than the third maximum value MX3, the second raised portion 21WP2 will not protrude beyond the first raised portion 21WP1. In other words, the welding mark 21W will not have a portion that protrudes more than 1.0 μm from the reference plane RP. Furthermore, if the second maximum value MX2 is equal to or less than the minimum value MM described above, the second raised portion 21WP2 is prevented from protruding beyond the first raised portion 21WP1 over the entire circumferential direction at the edge of the first recess 21WR1.

上述したように、マスク板２１の厚さは１０μｍ以下である。マスク板２１の厚さが１００μｍ以上であれば、マスク板２１の第２面２１Ｆ２に数十μｍの深さを有する凹部を形成し、次いで、凹部内に溶着痕２１Ｗが形成されるように、マスク板２１をマスクフレーム２２にレーザー溶接することが可能である。これに対して、マスク板２１の厚さが１０μｍ以下であれば、溶着痕２１Ｗを形成するための凹部を形成することができない。そのため、溶着痕２１Ｗが第１凹部２１ＷＲ１、第２凹部２１ＷＲ２、第１隆起部２１ＷＰ１、および、第２隆起部２１ＷＰ２を備える構造であることによる効果をより顕著に得ることが可能である。 As described above, the thickness of the mask plate 21 is 10 μm or less. If the thickness of the mask plate 21 is 100 μm or more, a recess having a depth of several tens of μm can be formed on the second surface 21F2 of the mask plate 21, and then the mask plate 21 can be laser-welded to the mask frame 22 so that the welding mark 21W is formed in the recess. In contrast, if the thickness of the mask plate 21 is 10 μm or less, a recess for forming the welding mark 21W cannot be formed. Therefore, the effect of the welding mark 21W having a structure including the first recess 21WR1, the second recess 21WR2, the first raised portion 21WP1, and the second raised portion 21WP2 can be more significantly obtained.

［蒸着マスクの製造方法］
図６から図１５を参照して、蒸着マスク１１の製造方法を説明する。
蒸着マスク１１の製造方法は、マスク板２１を形成すること、マスクフレーム２２を形成すること、および、マスク板２１をマスクフレーム２２に溶接することを含む。マスク板２１を形成することでは、第１面と第２面とを有する金属板に、第１面と第２面との間を貫通する複数のマスク孔を形成する。これによって、複数のマスク孔２１Ｈが位置するマスク領域２１Ａと、マスク領域２１Ａを含む周辺領域２１Ｂとを備えるマスク板２１を形成する。 [Method of manufacturing deposition mask]
A method for manufacturing the deposition mask 11 will be described with reference to FIGS.
The manufacturing method of the deposition mask 11 includes forming a mask plate 21, forming a mask frame 22, and welding the mask plate 21 to the mask frame 22. In forming the mask plate 21, a metal plate having a first surface and a second surface is formed with a plurality of mask holes penetrating between the first surface and the second surface. This forms the mask plate 21 including a mask region 21A in which a plurality of mask holes 21H are located and a peripheral region 21B including the mask region 21A.

マスクフレーム２２を形成することでは、フレーム孔２２Ｈを画定する枠状を有したマスクフレーム２２を形成する。マスク板２１をマスクフレーム２２に溶接することでは、マスク板２１をマスクフレーム２２に密着させた状態で、フレーム孔２２Ｈを覆うように周辺領域２１Ｂをレーザー溶接によってマスクフレーム２２に溶接する。溶接することは、マスク板２１に溶着痕２１Ｗを形成することを含む。以下、図面を参照して、蒸着マスク１１の製造方法をより詳しく説明する。 In forming the mask frame 22, the mask frame 22 is formed having a frame shape that defines the frame hole 22H. In welding the mask plate 21 to the mask frame 22, the peripheral region 21B is welded to the mask frame 22 by laser welding so as to cover the frame hole 22H while the mask plate 21 is in close contact with the mask frame 22. The welding includes forming a welding mark 21W on the mask plate 21. The manufacturing method of the deposition mask 11 will be described in more detail below with reference to the drawings.

なお、図６から図１１には、マスク板２１を形成するための基材を準備する工程からマスク板２１を形成するまでの工程が示されている。また、図１２から図１５には、マスク板２１をマスクフレーム２２に接合する工程から、マスク板２１から支持体を取り外す工程までが示されている。なお、図１２から図１５では、図示の便宜上、マスクフレーム２２が１つのフレーム孔２２Ｈのみを有し、かつ、蒸着マスク１１が１つのマスク板２１を有する構造として示されている。 Note that Figs. 6 to 11 show the steps from preparing a base material for forming the mask plate 21 to forming the mask plate 21. Figs. 12 to 15 show the steps from joining the mask plate 21 to the mask frame 22 to removing the support from the mask plate 21. Note that for convenience of illustration, Figs. 12 to 15 show a structure in which the mask frame 22 has only one frame hole 22H and the deposition mask 11 has one mask plate 21.

図６から図１１が示すように、蒸着マスク１１の製造方法では、まず、マスク板２１を形成するための基材３０が準備される（図６参照）。マスク板２１の基材３０は、マスク板２１を形成するための金属板３１と、金属板３１を支持するための支持体３２とを備えている。支持体３２は、樹脂層３２ａおよびガラス基板３２ｂから形成されている。基材３０において、樹脂層３２ａが、金属板３１とガラス基板３２ｂとに挟まれている。 As shown in Figures 6 to 11, in the manufacturing method of the deposition mask 11, first, a substrate 30 for forming the mask plate 21 is prepared (see Figure 6). The substrate 30 of the mask plate 21 includes a metal plate 31 for forming the mask plate 21 and a support 32 for supporting the metal plate 31. The support 32 is formed of a resin layer 32a and a glass substrate 32b. In the substrate 30, the resin layer 32a is sandwiched between the metal plate 31 and the glass substrate 32b.

上述したように、金属板３１は、鉄‐ニッケル系合金から形成されてよい。ガラス基板３２ｂは、石英ガラス、結晶化ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、高ケイ酸ガラス、多孔質ガラス、および、ソーダライムガラスから構成される群から選択されるいずれか１つから形成されてよい。 As described above, the metal plate 31 may be made of an iron-nickel alloy. The glass substrate 32b may be made of any one selected from the group consisting of quartz glass, crystallized glass, borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, high silicate glass, porous glass, and soda-lime glass.

次いで、金属板３１を第１面３１Ｆ１からエッチングすることによって、金属板３１の厚さを薄くする。例えば、金属板３１の厚さをエッチング前の金属板３１の厚さの１／２以下の厚さまで減らすことが可能である（図７参照）。そして、金属板３１の第１面３１Ｆ１にレジスト層ＰＲが形成される（図８参照）。レジスト層ＰＲに対する露光、および、現像が行われることによって、第１面３１Ｆ１にレジストマスクＲＭが形成される（図９参照）。 Next, the thickness of the metal plate 31 is reduced by etching the metal plate 31 from the first surface 31F1. For example, it is possible to reduce the thickness of the metal plate 31 to less than half the thickness of the metal plate 31 before etching (see FIG. 7). Then, a resist layer PR is formed on the first surface 31F1 of the metal plate 31 (see FIG. 8). The resist layer PR is exposed to light and developed, so that a resist mask RM is formed on the first surface 31F1 (see FIG. 9).

次に、レジストマスクＲＭを用いて金属板３１が第１面３１Ｆ１からウェットエッチングされる。これによって、金属板３１に複数のマスク孔２１Ｈが形成される（図１０参照）。金属板３１のウェットエッチングでは、第１開口２１Ｈ１が第１面３１Ｆ１に形成され、その後に、第１開口２１Ｈ１よりも小さい第２開口２１Ｈ２が第２面３１Ｆ２に形成される。次いで、レジストマスクＲＭが表面３１Ｆから除去されることによって、マスク板２１が製造される（図１１参照）。なお、金属板３１の第１面３１Ｆ１が、マスク板２１の第１面２１Ｆ１に対応し、金属板３１の第２面３１Ｆ２が、マスク板２１の第２面２１Ｆ２に対応する。 Next, the metal plate 31 is wet-etched from the first surface 31F1 using the resist mask RM. As a result, a plurality of mask holes 21H are formed in the metal plate 31 (see FIG. 10). In the wet etching of the metal plate 31, a first opening 21H1 is formed in the first surface 31F1, and then a second opening 21H2 smaller than the first opening 21H1 is formed in the second surface 31F2. Next, the resist mask RM is removed from the surface 31F to produce the mask plate 21 (see FIG. 11). Note that the first surface 31F1 of the metal plate 31 corresponds to the first surface 21F1 of the mask plate 21, and the second surface 31F2 of the metal plate 31 corresponds to the second surface 21F2 of the mask plate 21.

基材３０を準備する工程（図６参照）には、金属板３１とガラス基板３２ｂとの間に樹脂層３２ａを挟み、樹脂層３２ａを介して金属板３１とガラス基板３２ｂとを接合する工程が含まれる。金属板３１、樹脂層３２ａ、および、ガラス基板３２ｂが接合されるときには、まず、金属板３１およびガラス基板３２ｂの各々が有する面のなかで、少なくとも樹脂層３２ａと接する面にＣＢ（Chemical bonding）処理が行われる。金属板３１およびガラス基板３２ｂにおいてＣＢ処理が行われる面が対象面である。ＣＢ処理では、例えば、対象面に薬液が塗布されることによって、樹脂層３２ａに対して反応性を有する官能基などが対象面に付与される。ＣＢ処理では、例えばＳｉ系化合物などが対象面に付与される。 The process of preparing the substrate 30 (see FIG. 6) includes a process of sandwiching a resin layer 32a between the metal plate 31 and the glass substrate 32b, and bonding the metal plate 31 and the glass substrate 32b via the resin layer 32a. When the metal plate 31, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b are bonded, a CB (Chemical Bonding) process is first performed on at least the surfaces of the metal plate 31 and the glass substrate 32b that are in contact with the resin layer 32a. The surfaces of the metal plate 31 and the glass substrate 32b on which the CB process is performed are the target surfaces. In the CB process, for example, a chemical solution is applied to the target surface, and functional groups that are reactive to the resin layer 32a are applied to the target surface. In the CB process, for example, a Si-based compound is applied to the target surface.

そして、金属板３１、樹脂層３２ａ、および、ガラス基板３２ｂを記載の順に重ねた後に、これらを熱圧着する。この際に、金属板３１の対象面と、ガラス基板３２ｂの対象面とを、樹脂層３２ａに接触させる。これにより、対象面に付与された官能基と、樹脂層３２ａの表面に位置する官能基とが反応することによって、金属板３１と樹脂層３２ａとが接合され、かつ、ガラス基板３２ｂと樹脂層３２ａとが接合される。 Then, the metal plate 31, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b are stacked in the order described above, and then thermocompression bonded together. At this time, the target surface of the metal plate 31 and the target surface of the glass substrate 32b are brought into contact with the resin layer 32a. As a result, the functional groups imparted to the target surface react with the functional groups located on the surface of the resin layer 32a, bonding the metal plate 31 and the resin layer 32a, and bonding the glass substrate 32b and the resin layer 32a.

樹脂層３２ａは、ポリイミド製であることが好ましい。この場合には、金属板３１の線膨張係数、樹脂層３２ａの線膨張係数、および、ガラス基板３２ｂの線膨張係数が同程度である。そのため、蒸着マスク１１を製造する過程において、金属板３１、樹脂層３２ａ、および、ガラス基板３２ｂから形成される積層体が加熱されても、積層体を形成する層間の線膨張係数の差に起因した積層体の反りが抑えられる。 The resin layer 32a is preferably made of polyimide. In this case, the linear expansion coefficients of the metal plate 31, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b are approximately the same. Therefore, even if the laminate formed from the metal plate 31, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b is heated in the process of manufacturing the deposition mask 11, warping of the laminate caused by the difference in linear expansion coefficient between the layers forming the laminate is suppressed.

金属板３１を製造する方法には、電解または圧延が用いられる。これらの方法によって得られた金属板３１の後処理として、研磨およびアニールなどが適宜用いられる。金属板３１の製造に電解が用いられる場合には、電解に用いられる電極の表面に金属板３１が形成される。その後、電極の表面から金属板３１が離型される。これにより、金属板３１が製造される。上述した接合工程では、樹脂層３２ａを介して１０μｍ以上の厚さを有する金属板３１をガラス基板３２ｂに接合することが好ましい。なお、金属板３１が圧延によって製造される場合には、金属板３１の厚さは１５μｍ以上であることが好ましい。金属板３１が電解によって製造される場合には、金属板３１の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。 Metal plate 31 is manufactured by electrolysis or rolling. As post-treatment of metal plate 31 obtained by these methods, polishing, annealing, etc. are appropriately used. When electrolysis is used to manufacture metal plate 31, metal plate 31 is formed on the surface of an electrode used for electrolysis. Then, metal plate 31 is released from the surface of the electrode. In this way, metal plate 31 is manufactured. In the above-mentioned bonding process, it is preferable to bond metal plate 31 having a thickness of 10 μm or more to glass substrate 32b via resin layer 32a. When metal plate 31 is manufactured by rolling, it is preferable that metal plate 31 has a thickness of 15 μm or more. When metal plate 31 is manufactured by electrolysis, it is preferable that metal plate 31 has a thickness of 10 μm or more.

金属板３１にレジストマスクＲＭを形成する前に金属板３１の厚さを減らす薄板化工程（図７参照）では、ウェットエッチングを用いることができる。上述したように、薄板化工程では、薄板化後の金属板３１の厚さを薄板化前の金属板３１の厚さの１／２以下にまで減らすことが可能である。そのため、金属板３１の厚さを、マスク板２１における厚さの２倍以上とすることが可能である。これにより、マスク板２１に求められる厚さが上述したように１０μｍ以下という薄さであっても、金属板３１がガラス基板３２ｂに接合される前において、蒸着マスク１１が有するマスク板２１よりも剛性の高い金属板３１を用いることができる。そのため、マスク板２１と同じ厚さを有した金属板３１をガラス基板３２ｂに接合することに比べて、金属板３１をガラス基板３２ｂに接合することがより容易である。なお、金属板３１の厚さを減らす工程は、省略することができる。 In the thinning process (see FIG. 7) for reducing the thickness of the metal plate 31 before forming the resist mask RM on the metal plate 31, wet etching can be used. As described above, in the thinning process, it is possible to reduce the thickness of the metal plate 31 after thinning to 1/2 or less of the thickness of the metal plate 31 before thinning. Therefore, it is possible to make the thickness of the metal plate 31 more than twice the thickness of the mask plate 21. As a result, even if the thickness required for the mask plate 21 is as thin as 10 μm or less as described above, a metal plate 31 having higher rigidity than the mask plate 21 of the deposition mask 11 can be used before the metal plate 31 is bonded to the glass substrate 32b. Therefore, it is easier to bond the metal plate 31 to the glass substrate 32b than to bond a metal plate 31 having the same thickness as the mask plate 21 to the glass substrate 32b. The process for reducing the thickness of the metal plate 31 can be omitted.

金属板３１をウェットエッチングすることによって薄板化するためのエッチング液には、酸性のエッチング液を用いることができる。金属板３１がインバーから形成される場合には、エッチング液は、インバーをエッチングすることが可能なエッチング液であればよい。酸性のエッチング液は、例えば、過塩素酸第二鉄液、および、過塩素酸第二鉄液と塩化第二鉄液との混合液のいずれかに対して、過塩素酸、塩酸、硫酸、蟻酸、および、酢酸のいずれかを混合した溶液であってよい。第１面３１Ｆ１をエッチングする方式には、ディップ式、スプレー式、および、スピン式のいずれかを用いることができる。 An acidic etching solution can be used as the etching solution for thinning the metal plate 31 by wet etching. When the metal plate 31 is made of invar, the etching solution may be any etching solution capable of etching invar. The acidic etching solution may be, for example, a solution in which either a ferric perchlorate solution or a mixture of a ferric perchlorate solution and a ferric chloride solution is mixed with either perchloric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, or acetic acid. The method for etching the first surface 31F1 can be any of a dip type, a spray type, and a spin type.

金属板３１に複数のマスク孔２１Ｈを形成するためのエッチング工程（図１０参照）では、エッチング液として酸性のエッチング液を用いることができる。金属板３１が鉄‐ニッケル系合金から形成されるときには、エッチング液には、上述した薄板化工程で用いることが可能なエッチング液のいずれかを用いることができる。マスク孔２１Ｈを形成するためのエッチングの方式にも、薄板化工程で用いることが可能な方式のいずれかを用いることができる。 In the etching process (see FIG. 10) for forming a plurality of mask holes 21H in the metal plate 31, an acidic etching solution can be used as the etching solution. When the metal plate 31 is made of an iron-nickel alloy, any of the etching solutions that can be used in the thinning process described above can be used as the etching solution. The etching method for forming the mask holes 21H can also be any of the methods that can be used in the thinning process.

なお、基材３０を準備する工程は、金属板３１、樹脂層３２ａ、および、ガラス基板３２ｂを互いに接合する前に、金属板３１における１つの面から金属板３１を薄板化する工程を含むことができる。この場合には、基材３０を準備する工程が含む薄板化工程が第１薄板化工程であり、基材３０を準備する工程の後に行われる薄板化工程が第２薄板化工程である。 The process of preparing the substrate 30 may include a process of thinning the metal plate 31 from one surface of the metal plate 31 before bonding the metal plate 31, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b to one another. In this case, the thinning process included in the process of preparing the substrate 30 is the first thinning process, and the thinning process performed after the process of preparing the substrate 30 is the second thinning process.

第１薄板化工程において、金属板３１は、一方の面からエッチングされることによって薄板化される。これに対して、第２薄板化工程において、金属板３１は、第１薄板化工程においてエッチングされた面とは異なる面からエッチングされることによって薄板化される。最初にエッチングされる面が、金属板３１において樹脂層３２ａと接合される第２面３１Ｆ２であって、かつ、ＣＢ処理が行われる面である。 In the first thinning process, the metal plate 31 is thinned by etching from one side. In contrast, in the second thinning process, the metal plate 31 is thinned by etching from a side different from the side etched in the first thinning process. The surface that is etched first is the second surface 31F2 of the metal plate 31 that is joined to the resin layer 32a, and is also the surface on which the CB treatment is performed.

金属板３１の第１面３１Ｆ１と第２面３１Ｆ２との両方をエッチングすることによって、第１面３１Ｆ１と第２面３１Ｆ２との両方から金属板３１の残留応力を調節することが可能である。これにより、一方の面のみをエッチングする場合に比べて、エッチング後における金属板３１の残留応力に偏りが生じることが抑えられる。そのため、金属板３１から得られたマスク板２１をマスクフレーム２２に接合した場合に、マスク板２１にしわが生じることが抑えられる。 By etching both the first surface 31F1 and the second surface 31F2 of the metal plate 31, it is possible to adjust the residual stress of the metal plate 31 from both the first surface 31F1 and the second surface 31F2. This reduces the occurrence of bias in the residual stress of the metal plate 31 after etching, compared to when only one surface is etched. Therefore, when the mask plate 21 obtained from the metal plate 31 is bonded to the mask frame 22, the occurrence of wrinkles in the mask plate 21 is reduced.

なお、金属板３１を第１面３１Ｆ１からエッチングする際のエッチング量が第１エッチング量であり、第２面３１Ｆ２からエッチングする際のエッチング量が第２エッチング量である。第１エッチング量と第２エッチング量とは、等しくてもよいし、異なってもよい。第１エッチング量と第２エッチング量とが異なる場合には、第１エッチング量が第２エッチング量よりも大きくてもよいし、第２エッチング量が第１エッチング量よりも大きくてもよい。ただし、第２エッチング量が第１エッチング量よりも小さい場合には、金属板３１が樹脂層３２ａとガラス基板３２ｂとによって支持された状態でのエッチング量がより大きいため、金属板３１の取り扱い性がよい。それゆえに、金属板３１のエッチングが容易である。 The etching amount when etching the metal plate 31 from the first surface 31F1 is the first etching amount, and the etching amount when etching the metal plate 31 from the second surface 31F2 is the second etching amount. The first etching amount and the second etching amount may be equal or different. When the first etching amount and the second etching amount are different, the first etching amount may be greater than the second etching amount, and the second etching amount may be greater than the first etching amount. However, when the second etching amount is smaller than the first etching amount, the etching amount is greater when the metal plate 31 is supported by the resin layer 32a and the glass substrate 32b, and the metal plate 31 is easy to handle. Therefore, the metal plate 31 is easy to etch.

図１２から図１５が示すように、マスクフレーム２２の一部とマスク板２１一部とが接合される（図１２、図１３参照）。この際に、各マスク板２１が互いに異なるフレーム孔２２Ｈを１つずつ覆うように、複数のマスク板２１が単一のマスクフレーム２２に接合される。そして、樹脂層３２ａからガラス基板３２ｂが取り外される（図１４参照）。次いで、各マスク板２１から樹脂層３２ａが取り外される（図１５参照）。これにより、上述した蒸着マスク１１が得られる。 As shown in Figs. 12 to 15, a part of the mask frame 22 and a part of the mask plate 21 are joined (see Figs. 12 and 13). At this time, multiple mask plates 21 are joined to the single mask frame 22 so that each mask plate 21 covers a different frame hole 22H one by one. Then, the glass substrate 32b is removed from the resin layer 32a (see Fig. 14). Next, the resin layer 32a is removed from each mask plate 21 (see Fig. 15). This results in the deposition mask 11 described above.

図１２が示すように、マスクフレーム２２の一部とマスク板２１の一部とを接合する工程では、まず、マスクフレーム２２が形成される。マスクフレーム２２を形成する際には、まず、マスクフレーム２２を形成するための金属板を準備する。次いで、金属板にフレーム孔２２Ｈを形成し、これによって、マスクフレーム２２が得られる。なお、フレーム孔２２Ｈは、ウェットエッチングによって金属板に形成されてもよいし、レーザー断裁によって金属板に形成されてもよい。 As shown in FIG. 12, in the process of joining a part of the mask frame 22 and a part of the mask plate 21, the mask frame 22 is first formed. When forming the mask frame 22, a metal plate for forming the mask frame 22 is first prepared. Next, frame holes 22H are formed in the metal plate, and the mask frame 22 is obtained. The frame holes 22H may be formed in the metal plate by wet etching or by laser cutting.

マスク板２１をマスクフレーム２２に接合する工程では、レーザー溶接を用いる。この際に、ガラス基板３２ｂと樹脂層３２ａとを通じて、マスク板２１のうち、周辺領域２１Ｂに含まれる部分に第１レーザー光線Ｌ１が照射される。そのため、ガラス基板３２ｂおよび樹脂層３２ａは、第１レーザー光線Ｌ１に対する透過性を有する必要がある。言い換えれば、第１レーザー光線Ｌ１は、ガラス基板３２ｂおよび樹脂層３２ａを透過することが可能な波長を有する必要がある。フレーム孔２２Ｈの縁に沿って間欠的に第１レーザー光線Ｌ１が照射されることによって、間欠的な溶着痕が形成される。これにより、マスク板２１がマスクフレーム２２に溶着される。第１レーザー光線Ｌ１が有する波長は、例えば、３５５ｎｍ、１０６４ｎｍ、または、１０７０ｎｍなどであってもよい。 Laser welding is used in the process of joining the mask plate 21 to the mask frame 22. At this time, the first laser beam L1 is irradiated to the portion of the mask plate 21 included in the peripheral region 21B through the glass substrate 32b and the resin layer 32a. Therefore, the glass substrate 32b and the resin layer 32a must be transparent to the first laser beam L1. In other words, the first laser beam L1 must have a wavelength that can transmit through the glass substrate 32b and the resin layer 32a. The first laser beam L1 is intermittently irradiated along the edge of the frame hole 22H to form intermittent welding marks. As a result, the mask plate 21 is welded to the mask frame 22. The wavelength of the first laser beam L1 may be, for example, 355 nm, 1064 nm, or 1070 nm.

マスク板２１をマスクフレーム２２に接合する工程では、マスク板２１をマスクフレーム２２に磁力によって密着させる。
図１３が示すように、マスクフレーム２２を支持台ＳＳ上に配置し、かつ、マスクフレーム２２上にマスク板２１、樹脂層３２ａ、および、ガラス基板３２ｂの積層体を配置する。この際に、マスクフレーム２２にマスク板２１を接触させる。ガラス基板３２ｂ上に磁石ＭＧを配置する。これにより、磁石ＭＧの磁力によって、マスク板２１をマスクフレーム２２に密着させることが可能である。マスク板２１およびマスクフレーム２２が強磁性体によって形成されることによって、磁石ＭＧの磁力によって、マスク板２１をマスクフレーム２２に密着させることが可能である。そのため、マスク板２１とマスクフレーム２２との積層体に荷重を印加する場合に比べて、マスクフレーム２２に対してマスク板２１をより高い密着度合いで密着させることが可能である。 In the process of joining the mask plate 21 to the mask frame 22, the mask plate 21 is brought into close contact with the mask frame 22 by magnetic force.
13, the mask frame 22 is placed on the support stand SS, and the laminate of the mask plate 21, the resin layer 32a, and the glass substrate 32b is placed on the mask frame 22. At this time, the mask plate 21 is brought into contact with the mask frame 22. The magnet MG is placed on the glass substrate 32b. This allows the mask plate 21 to be closely attached to the mask frame 22 by the magnetic force of the magnet MG. Since the mask plate 21 and the mask frame 22 are made of a ferromagnetic material, the mask plate 21 can be closely attached to the mask frame 22 by the magnetic force of the magnet MG. Therefore, the mask plate 21 can be closely attached to the mask frame 22 with a higher degree of adhesion than when a load is applied to the laminate of the mask plate 21 and the mask frame 22.

磁石ＭＧの磁力によってマスク板２１をマスクフレーム２２に密着させた状態で、マスク板２１に第１レーザー光線Ｌ１を照射する。これにより、マスク板２１をマスクフレーム２２に溶着する。結果として、マスク板２１に溶着痕２１Ｗが形成される。 With the mask plate 21 in close contact with the mask frame 22 by the magnetic force of the magnet MG, the first laser beam L1 is irradiated onto the mask plate 21. This causes the mask plate 21 to be welded to the mask frame 22. As a result, a weld mark 21W is formed on the mask plate 21.

マスク板２１に形成された溶着痕２１Ｗは、上述したように、第１凹部２１ＷＲ１、第２凹部２１ＷＲ２、第１隆起部２１ＷＰ１、および、第２隆起部２１ＷＰ２を含む。上述したように、第１最大値ＭＸ１が、１．０μｍ以下であり、第３最大値ＭＸ３が、第２最大値ＭＸ２以上である。 As described above, the welding mark 21W formed on the mask plate 21 includes the first recess 21WR1, the second recess 21WR2, the first raised portion 21WP1, and the second raised portion 21WP2. As described above, the first maximum value MX1 is 1.0 μm or less, and the third maximum value MX3 is equal to or greater than the second maximum value MX2.

ガラス基板３２ｂに磁石ＭＧを配置することによって、マスク板２１がマスクフレーム２２に対して密着するから、マスクフレーム２２にも第１レーザー光線Ｌ１のエネルギーが伝わりやすくなる。これにより、マスク板２１とマスクフレーム２２との境界において、マスク板２１がマスクフレーム２２に向けて窪みやすくなる。結果として、第１凹部２１ＷＲ１を有する溶着痕が形成されやすくなる。 By placing the magnet MG on the glass substrate 32b, the mask plate 21 is in close contact with the mask frame 22, so that the energy of the first laser beam L1 is easily transmitted to the mask frame 22. This makes it easier for the mask plate 21 to be recessed toward the mask frame 22 at the boundary between the mask plate 21 and the mask frame 22. As a result, a welding mark having the first recess 21WR1 is easily formed.

なお、溶着痕２１Ｗにおいて、第１凹部２１ＷＲ１の深さは、磁石ＭＧの磁力が大きいほど深くなる傾向を有する。また、第１凹部２１ＷＲ１の深さは、レーザーの出力が大きいほど、深くなる傾向を有する。第２凹部２１ＷＲ２の深さは、レーザーの出力が大きいほど、深くなる傾向を有する。第１隆起部２１ＷＰ１の高さは、磁石ＭＧの磁力が大きくなるほど高くなる傾向を有する。また、第１隆起部２１ＷＰ１の高さは、レーザーの出力が大きいほど、高くなる傾向を有する。第２隆起部２１ＷＰ２の高さは、レーザーの出力が大きいほど、高くなる傾向を有する。 In the weld mark 21W, the depth of the first recess 21WR1 tends to be deeper as the magnetic force of the magnet MG is greater. The depth of the first recess 21WR1 also tends to be deeper as the laser output is greater. The depth of the second recess 21WR2 tends to be deeper as the laser output is greater. The height of the first raised portion 21WP1 tends to be higher as the magnetic force of the magnet MG is greater. The height of the first raised portion 21WP1 also tends to be higher as the laser output is greater. The height of the second raised portion 21WP2 tends to be higher as the laser output is greater.

支持体３２を取り外す工程は、第１工程（図１４参照）と第２工程（図１５参照）とを含んでいる。第１工程では、樹脂層３２ａとガラス基板３２ｂとの界面に、第２レーザー光線Ｌ２を照射する。第２レーザー光線Ｌ２は、ガラス基板３２ｂによって透過され、かつ、樹脂層３２ａによって吸収される波長を有する。これによって、樹脂層３２ａからガラス基板３２ｂを取り外す。第２レーザー光線Ｌ２が有する波長は、３０８ｎｍもしくは３５５ｎｍであることが好ましい。 The process of removing the support 32 includes a first process (see FIG. 14) and a second process (see FIG. 15). In the first process, a second laser beam L2 is irradiated onto the interface between the resin layer 32a and the glass substrate 32b. The second laser beam L2 has a wavelength that is transmitted by the glass substrate 32b and absorbed by the resin layer 32a. This causes the glass substrate 32b to be removed from the resin layer 32a. The wavelength of the second laser beam L2 is preferably 308 nm or 355 nm.

第１工程では、樹脂層３２ａとガラス基板３２ｂとの界面に第２レーザー光線Ｌ２を照射することによって、第２レーザー光線Ｌ２による熱エネルギーを樹脂層３２ａに吸収させる。これにより、樹脂層３２ａが加熱されることによって、樹脂層３２ａとガラス基板３２ｂとの間における化学的な結合の強度を低くする。そして、ガラス基板３２ｂを樹脂層３２ａから取り外す。第１工程では、溶接部の全体に第２レーザー光線Ｌ２を照射することが好ましいが、溶接部の全体においてガラス基板３２ｂと樹脂層３２ａとの間における結合の強度を低くすることが可能であれば、溶接部の一部に第２レーザー光線Ｌ２を照射してもよい。 In the first step, the interface between the resin layer 32a and the glass substrate 32b is irradiated with the second laser beam L2, so that the thermal energy from the second laser beam L2 is absorbed by the resin layer 32a. This heats the resin layer 32a, thereby reducing the strength of the chemical bond between the resin layer 32a and the glass substrate 32b. Then, the glass substrate 32b is removed from the resin layer 32a. In the first step, it is preferable to irradiate the second laser beam L2 to the entire welded portion, but if it is possible to reduce the strength of the bond between the glass substrate 32b and the resin layer 32a over the entire welded portion, the second laser beam L2 may be irradiated to a portion of the welded portion.

第２レーザー光線Ｌ２が有する波長において、ガラス基板３２ｂの透過率が、樹脂層３２ａの透過率よりも高いことが好ましい。これにより、ガラス基板３２ｂの透過率が樹脂層３２ａの透過率よりも低い場合と比べて、樹脂層３２ａのなかで、ガラス基板３２ｂと樹脂層３２ａとの界面を形成する部分が加熱される効率を高めることができる。 At the wavelength of the second laser beam L2, it is preferable that the transmittance of the glass substrate 32b is higher than that of the resin layer 32a. This increases the efficiency with which the portion of the resin layer 32a that forms the interface between the glass substrate 32b and the resin layer 32a is heated, compared to when the transmittance of the glass substrate 32b is lower than that of the resin layer 32a.

上述したように、樹脂層３２ａはポリイミド製であることが好ましい。樹脂層３２ａは、ポリイミドのなかでも有色のポリイミドによって形成されることが好ましい。ガラス基板３２ｂは透明であることが好ましい。 As described above, the resin layer 32a is preferably made of polyimide. The resin layer 32a is preferably made of a colored polyimide. The glass substrate 32b is preferably transparent.

第２工程では、第１工程の後に、薬液ＬＭを用いて樹脂層３２ａを溶解することによって、マスク板２１から樹脂層３２ａを取り外す。薬液ＬＭには、樹脂層３２ａを形成する材料を溶解することができる液体であって、かつ、マスク板２１を形成する材料に対する反応性を有しない液体を用いることができる。薬液ＬＭには、例えばアルカリ性の溶液を用いることができる。アルカリ性の溶液は、例えば水酸化ナトリウム水溶液であってよい。なお、図１５では、樹脂層３２ａと薬液ＬＭとを接触させる方法としてディップ法を例示しているが、樹脂層３２ａと薬液ＬＭとを接触させる方法には、スプレー式およびスピン式を用いることも可能である。 In the second step, after the first step, the resin layer 32a is removed from the mask plate 21 by dissolving the resin layer 32a using the chemical liquid LM. The chemical liquid LM can be a liquid that can dissolve the material forming the resin layer 32a and has no reactivity with the material forming the mask plate 21. For example, an alkaline solution can be used for the chemical liquid LM. The alkaline solution can be, for example, an aqueous solution of sodium hydroxide. Note that, although the dipping method is exemplified as a method for contacting the resin layer 32a with the chemical liquid LM in FIG. 15, a spray method or a spin method can also be used for contacting the resin layer 32a with the chemical liquid LM.

このように、マスク板２１から支持体３２を取り外す工程では、第１工程によって樹脂層３２ａからガラス基板３２ｂを取り外し、かつ、第２工程によってマスク板２１から樹脂層３２ａを取り外す。そのため、ガラス基板３２ｂ、樹脂層３２ａ、および、マスク板２１の積層体に加えた外力による界面破壊によってマスク板２１から支持体３２を取り外す場合と比べて、マスク板２１に作用する外力を小さくすることができる。これによって、支持体３２の取り外しに起因したマスク板２１の変形、ひいては、マスク板２１が有するマスク孔２１Ｈの変形が抑えられる。 In this way, in the process of removing the support 32 from the mask plate 21, the glass substrate 32b is removed from the resin layer 32a in the first process, and the resin layer 32a is removed from the mask plate 21 in the second process. Therefore, the external force acting on the mask plate 21 can be reduced compared to the case where the support 32 is removed from the mask plate 21 by interfacial destruction caused by an external force applied to the laminate of the glass substrate 32b, the resin layer 32a, and the mask plate 21. This suppresses deformation of the mask plate 21 caused by removal of the support 32, and thus deformation of the mask holes 21H in the mask plate 21.

［表示装置の製造方法］
図１６を参照して、表示装置の製造方法を説明する。
表示装置の製造方法は、蒸着マスク１１の製造方法によって製造された蒸着マスク１１を用いて蒸着対象Ｓにパターンを形成することを含んでいる。以下、蒸着装置の一例とともに、パターンを形成する工程を説明する。 [Display Device Manufacturing Method]
A method for manufacturing the display device will be described with reference to FIG.
The manufacturing method of the display device includes forming a pattern on the deposition target S using the deposition mask 11 manufactured by the manufacturing method of the deposition mask 11. Hereinafter, a process of forming a pattern will be described along with an example of a deposition apparatus.

図１６が示すように、蒸着装置４０は、マスク装置１０と、蒸着対象Ｓとを収容する収容槽４１を備えている。収容槽４１は、蒸着対象Ｓとマスク装置１０とを収容槽４１内における所定の位置に保持するように構成されている。収容槽４１内には、蒸着材料Ｍｖｄを保持する保持部４２と、蒸着材料Ｍｖｄを加熱する加熱部４３とが位置している。保持部４２に保持される蒸着材料Ｍｖｄは、有機発光材料である。収容槽４１は、蒸着対象Ｓとマスク装置１０とを、蒸着対象Ｓと保持部４２との間にマスク装置１０が位置し、かつ、マスク装置１０と保持部４２とが対向するように、収容槽４１内に位置させる。マスク装置１０は、蒸着マスク１１の第２面２１Ｆ２が蒸着対象Ｓに密着した状態または近接した状態で、収容槽４１内に配置される。 16, the deposition device 40 includes a storage tank 41 that stores the mask device 10 and the deposition target S. The storage tank 41 is configured to hold the deposition target S and the mask device 10 at a predetermined position in the storage tank 41. In the storage tank 41, a holding section 42 that holds the deposition material Mvd and a heating section 43 that heats the deposition material Mvd are located. The deposition material Mvd held in the holding section 42 is an organic light-emitting material. The storage tank 41 positions the deposition target S and the mask device 10 in the storage tank 41 such that the mask device 10 is located between the deposition target S and the holding section 42, and the mask device 10 and the holding section 42 face each other. The mask device 10 is placed in the storage tank 41 with the second surface 21F2 of the deposition mask 11 in close contact with or close to the deposition target S.

パターンを形成する工程では、蒸着材料Ｍｖｄが加熱部４３によって加熱されることにより、蒸着材料Ｍｖｄが気化または昇華する。気化または昇華した蒸着材料Ｍｖｄは、蒸着マスク１１のマスク孔２１Ｈを通過して蒸着対象Ｓに付着する。これにより、蒸着マスク１１が有するマスク孔２１Ｈの形状および位置に対応した形状を有する有機層が、蒸着対象Ｓにおける所定の位置に形成される。有機層は、パターンの一例である。 In the process of forming a pattern, the deposition material Mvd is heated by the heating unit 43, causing the deposition material Mvd to vaporize or sublimate. The vaporized or sublimated deposition material Mvd passes through the mask holes 21H of the deposition mask 11 and adheres to the deposition target S. As a result, an organic layer having a shape corresponding to the shape and position of the mask holes 21H of the deposition mask 11 is formed at a predetermined position on the deposition target S. The organic layer is an example of a pattern.

［実施例］
図１７から図２０を参照して、実施例および比較例を説明する。
［実施例１］
１０μｍの厚さを有し、長さが３００ｍｍであり、幅が３００ｍｍである３６質量％のニッケルを含む鉄‐ニッケル系合金製の金属板を準備した。金属板、２０μｍの厚さを有するポリイミド製の樹脂層、および、２．３ｍｍの厚さを有し、合成石英から形成されたガラス基板を準備した。そして、金属板、樹脂層、および、ガラス基板を順に積層した状態で、金属板、樹脂層、および、ガラス基板を熱圧着した。金属板をウェットエッチングすることによって、長さが２５０ｍｍであり、幅が２２０ｍｍであるマスク領域を金属板に形成した。これにより、金属板からマスク板を形成した。 [Example]
An example and a comparative example will be described with reference to FIGS.
[Example 1]
A metal plate made of an iron-nickel alloy containing 36% by mass of nickel, having a thickness of 10 μm, a length of 300 mm, and a width of 300 mm, was prepared. A metal plate, a polyimide resin layer having a thickness of 20 μm, and a glass substrate made of synthetic quartz having a thickness of 2.3 mm were prepared. Then, the metal plate, the resin layer, and the glass substrate were laminated in order, and the metal plate, the resin layer, and the glass substrate were thermocompression bonded. A mask region having a length of 250 mm and a width of 220 mm was formed on the metal plate by wet etching the metal plate. Thus, a mask plate was formed from the metal plate.

１０ｍｍの厚さを有した３６質量％のニッケルを含む鉄‐ニッケル合金製の金属板を準備した。ウェットエッチングによって金属板にフレーム孔を形成することによって、マスクフレームを得た。 A metal plate made of an iron-nickel alloy containing 36% by mass of nickel and having a thickness of 10 mm was prepared. A mask frame was obtained by forming frame holes in the metal plate by wet etching.

支持台上にマスクフレームを配置し、次いで、マスクフレームに対して蒸着マスクの周辺領域が接するように、マスクフレーム上に蒸着マスク、樹脂層、および、ガラス基板の積層体を配置した。そして、ガラス基板の四隅に１０Ｎ／ｃｍ^２の吸着力を有するネオジム磁石を配置し、これによって、マスク板をマスクフレームに密着させた。 A mask frame was placed on the support table, and then the laminate of the deposition mask, the resin layer, and the glass substrate was placed on the mask frame so that the peripheral region of the deposition mask was in contact with the mask frame. Then, neodymium magnets having an adsorptive force of 10 N/ ^cm2 were placed on the four corners of the glass substrate, thereby closely adhering the mask plate to the mask frame.

１０７０ｎｍの波長を有するレーザー光線を発振し、レーザー光線のスポット径が１００μｍであるマルチモードファイバーレーザーを準備した。マスク板の周辺領域に対して、１ｍｍ間隔でレーザー光線を照射した。レーザーの出力を２０Ｗに設定し、パルス幅を１ミリ秒に設定した。なお、ガラス基板および樹脂層を介してマスク板にレーザー光線を照射した。 A multimode fiber laser was prepared that emitted a laser beam having a wavelength of 1070 nm and had a spot diameter of 100 μm. The laser beam was irradiated at intervals of 1 mm onto the peripheral area of the mask plate. The laser output was set to 20 W, and the pulse width was set to 1 ms. The laser beam was irradiated onto the mask plate through the glass substrate and the resin layer.

［実施例２］
実施例１において、レーザーの出力を４０Ｗに変更した以外は、実施例１と同様の方法によって、実施例２の蒸着マスクを得た。 [Example 2]
A deposition mask of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the laser output was changed to 40 W.

［実施例３］
実施例１において、パルス幅を２ミリ秒に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって、実施例３の蒸着マスクを得た。 [Example 3]
An evaporation mask of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the pulse width was changed to 2 milliseconds.

［比較例１］
実施例において、マスク板にレーザー光線を照射する際に、ガラス基板上にネオジム磁石を配置しない以外は、実施例１と同様の方法によって、比較例１の蒸着マスクを得た。 [Comparative Example 1]
A deposition mask of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1, except that no neodymium magnet was placed on the glass substrate when the mask plate was irradiated with a laser beam.

［評価方法］
各蒸着マスクについて、マスク板の第２面に直交する平面に沿う断面において、溶着痕を含む各部の高さをレーザー顕微鏡（ＬＥＸＴＯＬＳ４０００、オリンパス（株）製）を用いて測定した。各蒸着マスクにおいて、５つの溶着痕における各部の高さを測定した。そして、基準面と第１隆起部との間の距離における第１最大値、第１凹部の底部と第１隆起部との間の距離における第２最大値、および、第１凹部の底部と第２隆起部との間の距離における第３最大値のそれぞれについて、平均値を算出した。 [Evaluation method]
For each deposition mask, the height of each part including the welding marks was measured using a laser microscope (LEXT OLS4000, manufactured by Olympus Corporation) in a cross section along a plane perpendicular to the second surface of the mask plate. For each deposition mask, the height of each part in five welding marks was measured. Then, the average values were calculated for the first maximum value of the distance between the reference surface and the first raised portion, the second maximum value of the distance between the bottom of the first recess and the first raised portion, and the third maximum value of the distance between the bottom of the first recess and the second raised portion.

［評価結果］
実施例１において、第１最大値ＭＸ１が０．６μｍであり、第２最大値ＭＸ２が１．８μｍであり、第３最大値ＭＸ３が９．７μｍであることが認められた。なお、図１７は、実施例１の蒸着マスクが備える溶着痕の形状における代表例を示している。また、図１７から図２０における横軸の単位は、μｍである。 [Evaluation Results]
In Example 1, it was found that the first maximum value MX1 was 0.6 μm, the second maximum value MX2 was 1.8 μm, and the third maximum value MX3 was 9.7 μm. Note that Fig. 17 shows a representative example of the shape of the welding mark provided on the deposition mask of Example 1. Also, the unit of the horizontal axis in Figs. 17 to 20 is μm.

実施例２において、第１最大値ＭＸ１が０．８μｍであり、第２最大値ＭＸ２が５．１μｍであり、第３最大値ＭＸ３が５．９μｍであることが認められた。なお、図１８は、実施例２の蒸着マスクが備える溶着痕の形状における代表例を示している。 In Example 2, it was found that the first maximum value MX1 was 0.8 μm, the second maximum value MX2 was 5.1 μm, and the third maximum value MX3 was 5.9 μm. Note that FIG. 18 shows a representative example of the shape of the deposition marks on the deposition mask of Example 2.

実施例３において、第１最大値ＭＸ１が０．７μｍであり、第２最大値ＭＸ２が６．１μｍであり、第３最大値ＭＸ３が７．３μｍであることが認められた。なお、図１９は、実施例３の蒸着マスクが備える溶着痕の形状における代表例を示している。 In Example 3, it was found that the first maximum value MX1 was 0.7 μm, the second maximum value MX2 was 6.1 μm, and the third maximum value MX3 was 7.3 μm. Note that FIG. 19 shows a representative example of the shape of the deposition marks on the deposition mask of Example 3.

比較例１の溶着痕には、第１の凹部と、凹部の縁に位置する１つの隆起部のみが認められた。また、基準面と隆起部との距離における最大値が２．７μｍであることが認められた。なお、図２０は、比較例１の蒸着マスクが備える溶着痕の形状における代表例を示している。 In the welding mark of Comparative Example 1, only a first recess and one raised portion located on the edge of the recess were observed. In addition, the maximum distance between the reference plane and the raised portion was observed to be 2.7 μm. Note that FIG. 20 shows a representative example of the shape of the welding mark on the deposition mask of Comparative Example 1.

なお、各蒸着マスクの溶着痕において、第２面と対向する視点から見て、第１凹部の直径は、４５０μｍ程度であることが認められた。また、図１７から図１９に示す溶着痕の深さは、マスク板２１の厚さを超えている、すなわち、マスク板の溶着痕の一部がマスク板に食い込んでいることが認められた。 In addition, it was found that the diameter of the first recess in the welding marks of each deposition mask was about 450 μm when viewed from the viewpoint opposite the second surface. In addition, it was found that the depth of the welding marks shown in Figures 17 to 19 exceeded the thickness of the mask plate 21, that is, part of the welding marks of the mask plate was embedded in the mask plate.

第１面と、第１面上に２．０μｍの高さを有したバンクを備える蒸着対象を準備した。実施例１から実施例３の蒸着マスクに蒸着対象を配置したところ、第１最大値ＭＸ１が１．０μｍ以下であるから、蒸着マスクの平坦部にバンクが接することが認められた。これに対して、比較例１の蒸着舞マスクに蒸着対象を配置したところ、蒸着マスクが２．０μｍを超える隆起部を有するから、蒸着マスクの隆起部が蒸着対象に接することが認められた。 A deposition target was prepared that had a first surface and a bank with a height of 2.0 μm on the first surface. When the deposition target was placed on the deposition masks of Examples 1 to 3, it was found that the bank came into contact with the flat portion of the deposition mask because the first maximum value MX1 was 1.0 μm or less. In contrast, when the deposition target was placed on the deposition mask of Comparative Example 1, it was found that the deposition mask had a raised portion exceeding 2.0 μm, so the raised portion of the deposition mask came into contact with the deposition target.

以上説明したように、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法の一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）マスク板２１の平坦部から突き出た第１隆起部２１ＷＰ１の高さが１．０μｍ以下である。そのため、蒸着対象Ｓがバンクを備える場合には、マスク板２１が蒸着対象Ｓに接する場合および近接する場合の両方において、マスク板２１と被蒸着面との間の距離が第１隆起部２１ＷＰ１によって拡張されない。そのため、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。あるいは、蒸着対象Ｓがバンクを備えない場合にも、第１隆起部２１ＷＰ１の高さが１．０μｍ以下であれば、マスク板２１と被蒸着面との間の距離が十分に小さくなるから、蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 As described above, according to the embodiment of the deposition mask, the method for manufacturing the deposition mask, and the method for manufacturing the display device, the following effects can be obtained.
(1) The height of the first raised portion 21WP1 protruding from the flat portion of the mask plate 21 is 1.0 μm or less. Therefore, when the deposition target S has a bank, the distance between the mask plate 21 and the deposition target surface is not expanded by the first raised portion 21WP1 both when the mask plate 21 is in contact with the deposition target S and when it is close to the deposition target S. Therefore, the accuracy of the deposition pattern is prevented from decreasing. Alternatively, even when the deposition target S does not have a bank, if the height of the first raised portion 21WP1 is 1.0 μm or less, the distance between the mask plate 21 and the deposition target surface is sufficiently small, so that the accuracy of the deposition pattern is prevented from decreasing.

（２）第２隆起部２１ＷＰ２が第１隆起部２１ＷＰ１よりも突出しないから、第２隆起部２１ＷＰ２がマスク板２１と被蒸着面との間の距離を拡張させることが抑えられる。そのため、蒸着マスク１１を用いて形成した蒸着パターンの精度が低下することが抑えられる。 (2) Because the second raised portion 21WP2 does not protrude beyond the first raised portion 21WP1, the second raised portion 21WP2 is prevented from expanding the distance between the mask plate 21 and the deposition surface. This prevents a decrease in the accuracy of the deposition pattern formed using the deposition mask 11.

（３）マスク板２１の厚さが１０μｍ以下であれば、溶着痕２１Ｗを形成するための凹部を形成することができない。そのため、溶着痕２１Ｗが第１凹部２１ＷＲ１、第２凹部２１ＷＲ２、第１隆起部２１ＷＰ１、および、第２隆起部２１ＷＰ２を備える構造であることによる効果をより顕著に得ることが可能である。 (3) If the thickness of the mask plate 21 is 10 μm or less, it is not possible to form a recess for forming the welding mark 21W. Therefore, it is possible to obtain a more significant effect of the structure of the welding mark 21W including the first recess 21WR1, the second recess 21WR2, the first raised portion 21WP1, and the second raised portion 21WP2.

（４）マスクフレーム２２に対してマスク板２１を磁力によって密着させることが可能である。そのため、マスク板２１とマスクフレーム２２との積層体に荷重を印加する場合に比べて、マスクフレーム２２に対してマスク板２１をより高い密着度合いで密着させることが可能である。 (4) The mask plate 21 can be brought into close contact with the mask frame 22 by magnetic force. Therefore, it is possible to bring the mask plate 21 into closer contact with the mask frame 22 than when a load is applied to the laminate of the mask plate 21 and the mask frame 22.

なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［溶着痕］
・溶着痕２１Ｗは、第２隆起部２１ＷＰ２を備えなくてもよい。この場合であっても、第１最大値ＭＸ１が１．０μｍ以下であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。第２隆起部２１ＷＰ２を備えていない溶着痕２１Ｗは、例えば、マスク板２１とマスクフレーム２２とを溶着する際に用いるレーザーを、マルチモードファイバーレーザーからシングルモードレーザーに変更すればよい。これにより、第２隆起部２１ＷＰ２の形成が抑えられるから、第２隆起部２１ＷＰ２を有しない溶着痕２１Ｗを形成することも可能である。 The above-described embodiment can be modified as follows.
[Welding marks]
The welding mark 21W may not have the second raised portion 21WP2. Even in this case, as long as the first maximum value MX1 is 1.0 μm or less, the effect equivalent to that of (1) above can be obtained. For the welding mark 21W not having the second raised portion 21WP2, for example, the laser used to weld the mask plate 21 and the mask frame 22 may be changed from a multimode fiber laser to a single mode laser. This suppresses the formation of the second raised portion 21WP2, so it is also possible to form the welding mark 21W not having the second raised portion 21WP2.

［マスク板］
・マスク板２１の厚さは、１０μｍよりも厚くてもよい。この場合であっても、溶着痕２１Ｗにおいて第１最大値が１．０μｍ以下であれば、上述した（１）に準じた効果を得ることができる。 [Mask plate]
The thickness of the mask plate 21 may be greater than 10 μm. Even in this case, as long as the first maximum value in the welding mark 21W is equal to or less than 1.0 μm, the effect equivalent to that of (1) described above can be obtained.

・マスク板２１は、２種以上の材料から形成されてもよい。この場合には、マスク板２１のうち、磁石ＭＧの磁力が作用する部分を含む部分が強磁性体から形成された第１磁性部である一方で、それ以外の部分が強磁性体以外の金属から形成されてもよい。この場合であっても、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。 - The mask plate 21 may be formed from two or more types of material. In this case, the portion of the mask plate 21 that includes the portion on which the magnetic force of the magnet MG acts may be a first magnetic portion formed from a ferromagnetic material, while the other portions may be formed from a metal other than a ferromagnetic material. Even in this case, it is possible to obtain an effect similar to that of (4) above.

［マスクフレーム］
・マスクフレーム２２は、２種以上の材料から形成されてもよい。この場合には、マスクフレーム２２のうち、磁石ＭＧの磁力が作用する部分を含む部分が強磁性体から形成された第２磁性部である一方で、それ以外の部分が強磁性体以外の金属から形成されてもよい。この場合であっても、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。 [Mask frame]
The mask frame 22 may be made of two or more materials. In this case, the portion of the mask frame 22 that includes the portion on which the magnetic force of the magnet MG acts may be a second magnetic portion made of a ferromagnetic material, while the other portions may be made of a metal other than a ferromagnetic material. Even in this case, the effect equivalent to that of (4) above can be obtained.

［蒸着マスクの製造方法］
・マスクフレーム２２に対してマスク板２１を密着させる際には、磁石ＭＧに代えて磁力を有しない重りを用いてもよい。この場合であっても、重りを用いない場合に比べて、マスクフレーム２２に対してマスク板２１を密着させることが可能であるから、第１凹部２１ＷＲ１を有した溶着痕２１Ｗが形成されやすくなる。 [Method of manufacturing deposition mask]
When the mask plate 21 is brought into close contact with the mask frame 22, a weight having no magnetic force may be used instead of the magnet MG. Even in this case, it is possible to bring the mask plate 21 into close contact with the mask frame 22, compared to the case where a weight is not used, and therefore the welding mark 21W having the first recess 21WR1 is more easily formed.

１０…マスク装置
１１…蒸着マスク
１２…メインフレーム
２１…マスク板
２１Ａ…マスク領域
２１Ｂ…周辺領域
２１Ｈ…マスク孔
２１Ｗ…溶着痕
２１ＷＰ１…第１隆起部
２１ＷＰ２…第２隆起部
２１ＷＲ１…第１凹部
２１ＷＲ２…第２凹部
２２…マスクフレーム REFERENCE SIGNS LIST 10 mask device 11 deposition mask 12 main frame 21 mask plate 21A mask area 21B peripheral area 21H mask hole 21W welding mark 21WP1 first raised portion 21WP2 second raised portion 21WR1 first recess 21WR2 second recess 22 mask frame

Claims

a mask frame having a frame shape that defines a frame hole;
a mask plate including a first surface, a second surface, and a plurality of mask holes penetrating between the first surface and the second surface, the mask plate comprising a mask region in which the plurality of mask holes are located, and a peripheral region surrounding the mask region, the mask plate being welded to the mask frame in the peripheral region so as to cover the frame holes with the first surface in contact with the mask frame;
The peripheral region includes a welding mark,
In a cross section perpendicular to the second surface, a plane including a flat portion of the second surface is a reference surface,
The welding marks are
A first recess recessed relative to the reference surface;
a second recess further recessed from a bottom of the first recess;
a protruding portion protruding from the reference surface at an edge of the first recess,
A deposition mask, wherein a maximum value of a distance between the reference surface and the protrusion is 1.0 μm or less.

the raised portion is a first raised portion,
The welding mark further includes a second raised portion that is raised from the bottom portion of the first recess at an edge of the second recess,
The deposition mask according to claim 1 , wherein a maximum value of a distance between the bottom of the first recess and the first raised portion is equal to or greater than a maximum value of a distance between the bottom of the first recess and the second raised portion.

The deposition mask according to claim 1 , wherein the mask plate has a thickness of 10 μm or less.

forming a plurality of mask holes penetrating between a first surface and a second surface in a metal plate having a first surface and a second surface, thereby forming a mask plate having a mask region in which the plurality of mask holes are located and a peripheral region including the mask region;
forming a mask frame having a frame shape that defines a frame hole; and
welding the peripheral area to the mask frame by laser welding so as to cover the frame hole while the mask plate is in close contact with the mask frame;
The welding includes forming a welding mark on the mask plate;
In a cross section perpendicular to the second surface, a plane including a flat portion of the second surface is a reference surface,
The welding marks are
A first recess recessed relative to the reference surface;
a second recess further recessed from a bottom of the first recess;
a protruding portion protruding from the reference surface at an edge of the first recess,
a maximum value of a distance between the reference surface and the protrusion is 1.0 μm or less.

the mask frame includes a first magnetic portion having ferromagnetic properties,
the mask plate includes a second magnetic portion having ferromagnetic properties,
The method for manufacturing a deposition mask according to claim 4 , wherein the welding includes welding the mask plate to the mask frame in a state in which the second magnetic portion is brought into close contact with the first magnetic portion by a magnetic force.

A method for manufacturing a display device, comprising: forming a pattern on a deposition target by using a deposition mask manufactured by the method for manufacturing a deposition mask according to claim 4 or 5.