JP7623226B2 - 基板洗浄装置および基板洗浄方法 - Google Patents
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Description
(2)第2の発明に係る基板洗浄装置は、基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、処理位置において、基板保持部により保持された基板の下面を洗浄する下面ブラシと、基板保持部により保持された基板と上下方向に重なりかつ処理位置の下方にある待機位置において、下面ブラシを洗浄するブラシ洗浄部と、処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させる下面ブラシ昇降駆動部とを備え、ブラシ洗浄部による下面ブラシの洗浄は、基板が基板保持部に搬入されてから搬出されるまでの基板洗浄処理中に実行され、ブラシ洗浄部は、下面ブラシが待機位置にあるときには基板に洗浄液が付着しないように下面ブラシに洗浄液を供給する。
(9)第5の発明に係る基板洗浄方法は、基板保持部により基板を水平姿勢で保持することと、処理位置において、基板保持部により保持された基板の下面を下面ブラシにより洗浄することと、基板保持部により保持された基板と上下方向に重なりかつ処理位置の下方にある待機位置において、下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することと、処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させることとを含み、下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、基板が基板保持部に搬入されてから搬出されるまでの基板洗浄処理中に実行され、下面ブラシが待機位置にあるときには基板に洗浄液が付着しないようにブラシ洗浄部により下面ブラシに洗浄液を供給することを含む。
(1)基板処理装置の構成
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図2は、図1の基板洗浄装置1の内部構成を示す外観斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置1においては、位置関係を明確にするために互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を定義する。図1および図2以降の所定の図では、X方向、Y方向およびZ方向が適宜矢印で示される。X方向およびY方向は水平面内で互いに直交し、Z方向は鉛直方向に相当する。
図4~図15は、図1の基板洗浄装置1の概略動作を説明するための模式図である。図4~図15の各々においては、上段に基板洗浄装置1の平面図が示される。また、中段にY方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示され、下段にX方向に沿って見た下側保持装置20およびその周辺部の側面図が示される。中段の側面図は図1のA-A線側面図に対応し、下段の側面図は図1のB-B線側面図に対応する。なお、基板洗浄装置1における各構成要素の形状および動作状態の理解を容易にするために、上段の平面図と中段および下段の側面図との間では、一部の構成要素の拡縮率が異なる。また、図4~図15では、カップ61が二点鎖線で示されるとともに、基板Wの外形が太い一点鎖線で示される。
図16~図21は、図12における基板洗浄装置1の概略動作を説明するための模式図である。図16に示すように、図12の基板Wの上面の洗浄時には、吸着保持部21が基板Wを吸着保持した状態で上下方向の軸の周りで回転するとともに、スプレーノズル73が基板Wの略中心の上方に移動される。この状態で、スプレーノズル73から基板Wの上面に洗浄液と気体との混合流体が噴射される。
図22および図23は、図3の制御装置9による基板洗浄処理を示すフローチャートである。図22および図23の基板洗浄処理は、制御装置9のCPUが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムをRAM上で実行することにより行われる。以下、図22および図23のフローチャートとともに、図3の制御装置9および図4~図21の基板洗浄装置1を用いて基板洗浄処理を説明する。
本実施の形態に係る基板洗浄装置1においては、下面ブラシ51の待機位置は下側保持装置20により保持された基板Wと上下方向に重なるので、下面ブラシ51が比較的大型である場合でも、フットプリントがほとんど増加しない。そのため、比較的大型の下面ブラシ51を用いることにより、短時間で基板Wの下面を洗浄することが可能になる。
(1)基板洗浄装置の構成
第2の実施の形態に係る基板洗浄装置1について、第1の実施の形態に基板洗浄装置1と異なる点を説明する。図24は、第2の実施の形態に係る基板洗浄装置1の下面ブラシ51の近傍の構成を示す拡大断面図である。図24に示すように、本実施の形態に係る基板洗浄装置1は、待機位置に配置された洗浄槽100をさらに含む。洗浄槽100は、カップ形状を有し、洗浄液を貯留する。また、洗浄槽100は、待機位置にある下面ブラシ51を収容する。
図25~図29は、図24の下面ブラシ51の洗浄動作を説明するための模式図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置1は、図4~図15に示した第1の実施の形態に係る基板洗浄装置1と基本的に同様に動作する。そのため、図25~図29においては、図12における下面ブラシ51の洗浄動作以外の基板洗浄装置1の動作の説明を省略するが、基板Wの上面の洗浄も並行して行われる。
本実施の形態に係る基板洗浄装置1においても、下面ブラシ51の待機位置は下側保持装置20により保持された基板Wと上下方向に重なるので、下面ブラシ51が比較的大型である場合でも、フットプリントがほとんど増加しない。そのため、比較的大型の下面ブラシ51を用いることにより、短時間で基板Wの下面を洗浄することが可能になる。したがって、下面ブラシ51を洗浄する工程を設けた場合でも、スループットは変化しない。これにより、スループットを低下させることなく下面ブラシ51の清浄度を維持することができる。
本実施の形態において、基板洗浄装置1は閉塞部110を含むが、実施の形態はこれに限定されない。図30は、第1の変形例に係る基板洗浄装置1の下面ブラシ51の近傍の構成を示す拡大断面図である。図30に示すように、本変形例においては、洗浄槽100の開口部101の面積は比較的小さく、下面ブラシ回転駆動部55aの回転軸の断面積よりもわずかに大きい。この場合、単位時間当たりに洗浄槽100から排出される洗浄液の量が比較的小さいので、基板洗浄装置1は閉塞部110を含まない。
(1)上記実施の形態において、上側保持装置10A,10Bにおいて基板Wの下面中央領域の洗浄が実行された後に、下側保持装置20において基板Wの下面外側領域の洗浄と下面ブラシ51の洗浄とが実行されるが、実施の形態はこれに限定されない。下側保持装置20において基板Wの下面外側領域の洗浄と下面ブラシ51の洗浄とが実行された後に、上側保持装置10A,10Bにおいて基板Wの下面中央領域の洗浄が実行されてもよい。また、基板Wの下面中央領域の洗浄が実行されなくてもよい。この場合、基板洗浄装置1は、上側保持装置10A,10Bおよび受渡装置40を含まない。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
[5]参考形態
(1)第1の参考形態に係る基板洗浄装置は、基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、処理位置において、基板保持部により保持された基板の下面を洗浄する下面ブラシと、基板保持部により保持された基板と上下方向に重なりかつ処理位置の下方にある待機位置において、下面ブラシを洗浄するブラシ洗浄部と、処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させる下面ブラシ昇降駆動部とを備える。
この基板洗浄装置においては、下面ブラシの待機位置は基板保持部により保持された基板と上下方向に重なるので、下面ブラシが比較的大型である場合でも、フットプリントがほとんど増加しない。そのため、比較的大型の下面ブラシを用いることにより、短時間で基板の下面を洗浄することが可能になる。したがって、下面ブラシを洗浄する工程を設けた場合でも、スループットはほとんど変化しない。これにより、スループットを低下させることなく下面ブラシの清浄度を維持することができる。
(2)基板洗浄装置は、基板保持部により保持された基板の上面を洗浄する上面洗浄部をさらに備え、下面ブラシ昇降駆動部は、上面洗浄部により基板の上面が洗浄される期間に基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄が実行されるように処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させてもよい。この場合、上面洗浄部により基板の上面が洗浄される期間に基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄が実行されるので、スループットを低下させることなく下面ブラシの清浄度を維持することができる。
(3)下面ブラシ昇降駆動部は、基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄が複数回実行されるように処理位置と待機位置との間で下面ブラシを繰り返し昇降させてもよい。この場合、短時間で下面ブラシを清浄にすることができる。
(4)ブラシ洗浄部は、下面ブラシの中央部に洗浄液を吐出する第1の液ノズルと、下面ブラシの端部に洗浄液を吐出する第2の液ノズルとを含んでもよい。この構成によれば、下面ブラシが比較的大型である場合でも、下面ブラシの全体を容易に洗浄することができる。
(5)ブラシ洗浄部は、下面ブラシが浸漬される洗浄液を貯留する洗浄槽を含んでもよい。この構成によれば、下面ブラシが比較的大型である場合でも、下面ブラシの全体を容易に洗浄することができる。また、短時間で下面ブラシを清浄にすることができる。
(6)基板保持部および下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、下面ブラシの直径は、基板保持部の直径よりも大きくてもよい。この場合、下面ブラシを比較的大型にすることができる。
(7)基板および下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、下面ブラシの直径は、基板の直径の1/3よりも大きくてもよい。この場合、下面ブラシを比較的大型にすることができる。
(8)第2の参考形態に係る基板洗浄方法は、基板保持部により基板を水平姿勢で保持することと、処理位置において、基板保持部により保持された基板の下面を下面ブラシにより洗浄することと、基板保持部により保持された基板と上下方向に重なりかつ処理位置の下方にある待機位置において、下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することと、処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させることとを含む。
この基板洗浄方法によれば、下面ブラシの待機位置は基板保持部により保持された基板と上下方向に重なるので、下面ブラシが比較的大型である場合でも、フットプリントがほとんど増加しない。そのため、比較的大型の下面ブラシを用いることにより、短時間で基板の下面を洗浄することが可能になる。したがって、下面ブラシを洗浄する工程を設けた場合でも、スループットはほとんど変化しない。これにより、スループットを低下させることなく下面ブラシの清浄度を維持することができる。
(9)基板洗浄方法は、基板保持部により保持された基板の上面を上面洗浄部により洗浄することをさらに含み、基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄は、上面洗浄部により基板の上面が洗浄される期間に実行されてもよい。この場合、上面洗浄部により基板の上面が洗浄される期間に基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄が実行されるので、スループットを低下させることなく下面ブラシの清浄度を維持することができる。
(10)処理位置と待機位置との間で下面ブラシを昇降させることは、基板の下面の洗浄および下面ブラシの洗浄が複数回実行されるように繰り返されてもよい。この場合、短時間で下面ブラシを清浄にすることができる。
(11)下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、第1の液ノズルにより下面ブラシの中央部に洗浄液を吐出することと、第2の液ノズルにより下面ブラシの端部に洗浄液を吐出することとを含んでもよい。この構成によれば、下面ブラシが比較的大型である場合でも、下面ブラシの全体を容易に洗浄することができる。
(12)下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、洗浄槽に貯留された洗浄液に下面ブラシを浸漬させることを含んでもよい。この構成によれば、下面ブラシが比較的大型である場合でも、下面ブラシの全体を容易に洗浄することができる。また、短時間で下面ブラシを清浄にすることができる。
(13)基板保持部および下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、下面ブラシの直径は、基板保持部の直径よりも大きくてもよい。この場合、下面ブラシを比較的大型にすることができる。
(14)基板および下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、下面ブラシの直径は、基板の直径の1/3よりも大きくてもよい。この場合、下面ブラシを比較的大型にすることができる。
Claims (14)
- 基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を洗浄する下面ブラシと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシを洗浄するブラシ洗浄部と、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させる下面ブラシ昇降駆動部と、
前記基板保持部により保持された前記基板の上面を洗浄する上面洗浄部とを備え、
前記下面ブラシ昇降駆動部は、前記上面洗浄部により前記基板の上面が洗浄される期間に前記基板の下面の洗浄および前記下面ブラシの洗浄が実行されるように前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させる、基板洗浄装置。 - 基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を洗浄する下面ブラシと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシを洗浄するブラシ洗浄部と、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させる下面ブラシ昇降駆動部とを備え、
前記ブラシ洗浄部による前記下面ブラシの洗浄は、前記基板が前記基板保持部に搬入されてから搬出されるまでの基板洗浄処理中に実行され、
前記ブラシ洗浄部は、前記下面ブラシが前記待機位置にあるときには前記基板に洗浄液が付着しないように前記下面ブラシに洗浄液を供給する、基板洗浄装置。 - 前記下面ブラシ昇降駆動部は、前記基板の下面の洗浄および前記下面ブラシの洗浄が複数回実行されるように前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを繰り返し昇降させる、請求項1または2記載の基板洗浄装置。
- 前記ブラシ洗浄部は、前記下面ブラシの中央部に洗浄液を吐出する第1の液ノズルと、前記下面ブラシの端部に洗浄液を吐出する第2の液ノズルとを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
- 基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を洗浄する下面ブラシと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシを洗浄するブラシ洗浄部と、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させる下面ブラシ昇降駆動部とを備え、
前記ブラシ洗浄部は、前記下面ブラシが浸漬される洗浄液を貯留する洗浄槽を含む、基板洗浄装置。 - 前記基板保持部および前記下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、
前記下面ブラシの直径は、前記基板保持部の直径よりも大きい、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 前記基板および前記下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、
前記下面ブラシの直径は、前記基板の直径の1/3よりも大きい、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。 - 基板保持部により基板を水平姿勢で保持することと、
前記基板保持部により保持された前記基板の上面を上面洗浄部により洗浄することと、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を下面ブラシにより洗浄することと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することと、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させることとを含み、
前記基板の下面の洗浄および前記下面ブラシの洗浄は、前記上面洗浄部により前記基板の上面が洗浄される期間に実行される、基板洗浄方法。 - 基板保持部により基板を水平姿勢で保持することと、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を下面ブラシにより洗浄することと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することと、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させることとを含み、
前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、前記基板が前記基板保持部に搬入されてから搬出されるまでの基板洗浄処理中に実行され、前記下面ブラシが前記待機位置にあるときには前記基板に洗浄液が付着しないように前記ブラシ洗浄部により前記下面ブラシに洗浄液を供給することを含む、基板洗浄方法。 - 前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させることは、前記基板の下面の洗浄および前記下面ブラシの洗浄が複数回実行されるように繰り返される、請求項8または9記載の基板洗浄方法。
- 前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、第1の液ノズルにより前記下面ブラシの中央部に洗浄液を吐出することと、第2の液ノズルにより前記下面ブラシの端部に洗浄液を吐出することとを含む、請求項8~10のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
- 基板保持部により基板を水平姿勢で保持することと、
処理位置において、前記基板保持部により保持された前記基板の下面を下面ブラシにより洗浄することと、
前記基板保持部により保持された前記基板と上下方向に重なりかつ前記処理位置の下方にある待機位置において、前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することと、
前記処理位置と前記待機位置との間で前記下面ブラシを昇降させることとを含み、
前記下面ブラシをブラシ洗浄部により洗浄することは、洗浄槽に貯留された洗浄液に前記下面ブラシを浸漬させることを含む、基板洗浄方法。 - 前記基板保持部および前記下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、
前記下面ブラシの直径は、前記基板保持部の直径よりも大きい、請求項8~12のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。 - 前記基板および前記下面ブラシの各々は、円形の外形を有し、
前記下面ブラシの直径は、前記基板の直径の1/3よりも大きい、請求項8~12のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021098303A JP7623226B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| TW111118928A TWI832253B (zh) | 2021-06-11 | 2022-05-20 | 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 |
| US17/836,009 US12251735B2 (en) | 2021-06-11 | 2022-06-09 | Substrate cleaning device and substrate cleaning method |
| KR1020220070103A KR102667272B1 (ko) | 2021-06-11 | 2022-06-09 | 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법 |
| CN202210659023.8A CN115472527B (zh) | 2021-06-11 | 2022-06-10 | 衬底洗净装置及衬底洗净方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021098303A JP7623226B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022189627A JP2022189627A (ja) | 2022-12-22 |
| JP7623226B2 true JP7623226B2 (ja) | 2025-01-28 |
Family
ID=84364072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021098303A Active JP7623226B2 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12251735B2 (ja) |
| JP (1) | JP7623226B2 (ja) |
| KR (1) | KR102667272B1 (ja) |
| CN (1) | CN115472527B (ja) |
| TW (1) | TWI832253B (ja) |
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| EP4404247A3 (en) * | 2022-12-23 | 2024-08-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method |
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- 2022-05-20 TW TW111118928A patent/TWI832253B/zh active
- 2022-06-09 US US17/836,009 patent/US12251735B2/en active Active
- 2022-06-09 KR KR1020220070103A patent/KR102667272B1/ko active Active
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| JP2021052162A (ja) | 2019-09-17 | 2021-04-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022189627A (ja) | 2022-12-22 |
| US12251735B2 (en) | 2025-03-18 |
| KR20220167230A (ko) | 2022-12-20 |
| US20220395866A1 (en) | 2022-12-15 |
| CN115472527A (zh) | 2022-12-13 |
| KR102667272B1 (ko) | 2024-05-21 |
| CN115472527B (zh) | 2026-01-30 |
| TW202305875A (zh) | 2023-02-01 |
| TWI832253B (zh) | 2024-02-11 |
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