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JP7623873B2 - Photodetection circuit and measuring device - Google Patents
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JP7623873B2 - Photodetection circuit and measuring device - Google Patents

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Description

本開示は、光検出回路及び計測装置に関する。 This disclosure relates to a photodetection circuit and a measurement device.

特許文献1には、マルチチャネル光検出及び測距システムが開示されている。このシステムは、複数のアクティブチャネルを備える。各アクティブチャネルは、光に露光されるように配置された感光性素子と、各感光性素子からの信号を受信するアナログフロントエンド回路とを含む。更に、このシステムは、少なくとも一つの補償チャネルと、処理ユニットとを備える。補償チャネルは、光に実質的に非感受性である補償素子と、補償素子からの信号を受信するアナログフロントエンド回路とを含む。処理ユニットは、アクティブチャネル及び補償チャネルからの信号を受信し、補償チャネルから受信した信号から補償信号を導き出し、アクティブチャネルのクロストーク干渉及び/またはアナログフロントエンド回路に共通の干渉を、補償信号を用いて補償する。 Patent document 1 discloses a multi-channel optical detection and ranging system. The system includes a plurality of active channels. Each active channel includes a photosensitive element arranged to be exposed to light and an analog front-end circuit that receives a signal from each photosensitive element. The system further includes at least one compensation channel and a processing unit. The compensation channel includes a compensation element that is substantially insensitive to light and an analog front-end circuit that receives a signal from the compensation element. The processing unit receives signals from the active channels and the compensation channel, derives a compensation signal from the signal received from the compensation channel, and compensates for crosstalk interference of the active channels and/or interference common to the analog front-end circuit using the compensation signal.

特開2018-119954号公報JP 2018-119954 A

光パルスの入射位置及び入射タイミングを複数のフォトダイオードにおいて検出する装置として、例えばLiDAR(Light Detection And Ranging)などがある。このような装置において複数のフォトダイオードを配置する場合、隣り合うフォトダイオード間、及び隣り合う出力配線間のうち少なくとも一方において、寄生容量が生じる。或るフォトダイオードから出力されたパルス電流の一部が、この寄生容量を通って、他のフォトダイオードの出力電流を検出する回路に入力されることがある。この現象はクロストークと呼ばれる。その場合、或るフォトダイオードへの光の入射と同時に、他のフォトダイオードにも光パルスが入射したと誤って認識されるおそれがある。例えばLiDARにおいては、このような誤認識が、実際には存在しない物体の検出につながる。 As an example of a device that detects the incident position and timing of a light pulse using multiple photodiodes, there is LiDAR (Light Detection And Ranging). When multiple photodiodes are arranged in such a device, parasitic capacitance occurs at least between adjacent photodiodes and between adjacent output wirings. A part of the pulse current output from a certain photodiode may pass through this parasitic capacitance and be input to a circuit that detects the output current of other photodiodes. This phenomenon is called crosstalk. In such a case, when light is incident on a certain photodiode, it may be mistakenly recognized that a light pulse is also incident on other photodiodes at the same time. For example, in LiDAR, such a misrecognition can lead to the detection of an object that does not actually exist.

本開示は、フォトダイオード間の寄生容量及び出力配線間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因するクロストークを低減可能な光検出回路、及びその光検出回路を備える計測装置を提供することを目的とする。 The present disclosure aims to provide a photodetection circuit capable of reducing crosstalk caused by at least one of the parasitic capacitance between photodiodes and the parasitic capacitance between output wiring, and a measurement device equipped with the photodetection circuit.

本開示の一実施形態による光検出回路は、光パルスを検出する第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードと、第1回路要素と、第2回路要素と、第1回路と、第2回路と、を備える。第1回路要素は、一端と他端との間に容量を有する。第1回路要素の一端は、第1フォトダイオードの出力端と電気的に接続されている。第2回路要素は、一端と他端との間に容量を有する。第2回路要素の一端は、第2フォトダイオードの出力端と電気的に接続されている。第1回路は、第1フォトダイオードの出力端と第1配線を介して電気的に接続されるとともに、第2回路要素の他端と電気的に接続されている。第1回路は、第1配線を通じて受けた電流と、第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号を生成する。第2回路は、第2フォトダイオードの出力端と第2配線を介して電気的に接続されるとともに、第1回路要素の他端と電気的に接続されている。第2回路は、第2配線を通じて受けた電流と、第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号を生成する。 The light detection circuit according to one embodiment of the present disclosure includes a first photodiode and a second photodiode for detecting a light pulse, a first circuit element, a second circuit element, a first circuit, and a second circuit. The first circuit element has a capacitance between one end and the other end. One end of the first circuit element is electrically connected to the output end of the first photodiode. The second circuit element has a capacitance between one end and the other end. One end of the second circuit element is electrically connected to the output end of the second photodiode. The first circuit is electrically connected to the output end of the first photodiode via a first wiring and is electrically connected to the other end of the second circuit element. The first circuit generates a first signal according to the difference between the current received through the first wiring and the current received through the second circuit element. The second circuit is electrically connected to the output end of the second photodiode via a second wiring and is electrically connected to the other end of the first circuit element. The second circuit generates a second signal according to the difference between the current received through the second wiring and the current received through the first circuit element.

本開示による光検出回路及び計測装置によれば、フォトダイオード間の寄生容量及び出力配線間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因するクロストークを低減できる。 The photodetection circuit and measurement device disclosed herein can reduce crosstalk caused by at least one of the parasitic capacitance between photodiodes and the parasitic capacitance between output wiring.

図1は、一実施形態に係る計測装置の構成を模式的に示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a measurement apparatus according to an embodiment. 図2は、PDアレイ及びTIAアレイを含む光検出回路の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a photodetection circuit including a PD array and a TIA array. 図3は、PDアレイの断面構造を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of the PD array. 図4は、PDアレイのPDの個数が2である場合の光検出回路の構成を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing the configuration of a photodetection circuit when the number of PDs in the PD array is two. 図5(a)~(g)は、一実施形態の光検出回路における各信号の時間波形を模式的に示す図である。5A to 5G are diagrams each showing a schematic time waveform of each signal in the photodetector circuit according to an embodiment. 図6は、比較例の光検出回路の構成を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a photodetection circuit of a comparative example. 図7は、比較例の光検出回路における各信号の時間波形を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a schematic time waveform of each signal in the photodetection circuit of the comparative example. 図8(a)及び(b)は、一実施形態及び比較例の各光検出回路の動作に関するシミュレーション結果を示すグラフである。8A and 8B are graphs showing simulation results regarding the operation of each photodetection circuit of the embodiment and the comparative example. 図9は、PDの個数が3以上である場合の、光検出回路の構成を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing the configuration of a photodetection circuit when the number of PDs is three or more. 図10は、光検出回路の動作を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the photodetection circuit. 図11は、一変形例に係る光検出回路の構成を示す回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a photodetection circuit according to one modified example. 図12は、光検出回路の動作を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining the operation of the photodetection circuit. 図13は、PDの個数が3以上である場合の、光検出回路の構成を示す回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of a photodetection circuit when the number of PDs is three or more. 図14は、光検出回路の動作を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining the operation of the photodetection circuit.

本開示の一実施形態による光検出回路は、光パルスを検出する第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードと、第1回路要素と、第2回路要素と、第1回路と、第2回路と、を備える。第1回路要素は、一端と他端との間に容量を有する。第1回路要素の一端は、第1フォトダイオードの出力端と電気的に接続されている。第2回路要素は、一端と他端との間に容量を有する。第2回路要素の一端は、第2フォトダイオードの出力端と電気的に接続されている。第1回路は、第1フォトダイオードの出力端と第1配線を介して電気的に接続されるとともに、第2回路要素の他端と電気的に接続されている。第1回路は、第1配線を通じて受けた電流と、第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号を生成する。第2回路は、第2フォトダイオードの出力端と第2配線を介して電気的に接続されるとともに、第1回路要素の他端と電気的に接続されている。第2回路は、第2配線を通じて受けた電流と、第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号を生成する。 The light detection circuit according to one embodiment of the present disclosure includes a first photodiode and a second photodiode for detecting a light pulse, a first circuit element, a second circuit element, a first circuit, and a second circuit. The first circuit element has a capacitance between one end and the other end. One end of the first circuit element is electrically connected to the output end of the first photodiode. The second circuit element has a capacitance between one end and the other end. One end of the second circuit element is electrically connected to the output end of the second photodiode. The first circuit is electrically connected to the output end of the first photodiode via a first wiring and is electrically connected to the other end of the second circuit element. The first circuit generates a first signal according to the difference between the current received through the first wiring and the current received through the second circuit element. The second circuit is electrically connected to the output end of the second photodiode via a second wiring and is electrically connected to the other end of the first circuit element. The second circuit generates a second signal according to the difference between the current received through the second wiring and the current received through the first circuit element.

この光検出回路では、第1フォトダイオードに光パルスが入射すると、第1フォトダイオードから出力された電流が第1配線を通って第1回路に入力され、第1回路において光パルスの光強度に応じた第1信号が生成される。このとき、第1配線の電位が僅かに変動するので、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因して、第1フォトダイオードから出力された電流の一部が第2配線を通って第2回路に入力される。従来の光検出回路では、この第2回路に入力された一部の電流はクロストークとして検出される。しかしながら、この光検出回路では、第1フォトダイオードから出力された電流の別の一部が、第1回路要素を通じて第2回路に入力される。そして、第2配線を通じて受けたクロストークとしての電流と、第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号が第2回路において生成される。すなわち、第2信号において、寄生容量に起因する成分の少なくとも一部が相殺される。 In this photodetection circuit, when a light pulse is incident on the first photodiode, the current output from the first photodiode is input to the first circuit through the first wiring, and a first signal corresponding to the light intensity of the light pulse is generated in the first circuit. At this time, the potential of the first wiring fluctuates slightly, so that a part of the current output from the first photodiode is input to the second circuit through the second wiring due to at least one of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. In a conventional photodetection circuit, this part of the current input to the second circuit is detected as crosstalk. However, in this photodetection circuit, another part of the current output from the first photodiode is input to the second circuit through the first circuit element. Then, a second signal corresponding to the difference between the current received as crosstalk through the second wiring and the current received through the second circuit element is generated in the second circuit. That is, at least a part of the component caused by the parasitic capacitance is offset in the second signal.

また、第2フォトダイオードに光パルスが入射すると、第2フォトダイオードから出力された電流が第2配線を通って第2回路に入力され、第2回路において光パルスの光強度に応じた第2信号が生成される。このとき、第2配線の電位が僅かに変動するので、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因して、第2フォトダイオードから出力された電流の一部が第1配線を通って第1回路に入力される。従来の光検出回路では、この第1回路に入力された一部の電流はクロストークとして検出される。しかしながら、この光検出回路では、第2フォトダイオードから出力された電流の別の一部が、第2回路要素を通じて第1回路に入力される。そして、第1配線を通じて受けたクロストークとしての電流と、第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号が第1回路において生成される。すなわち、第1信号において、寄生容量に起因する成分の少なくとも一部が相殺される。 When an optical pulse is incident on the second photodiode, the current output from the second photodiode is input to the second circuit through the second wiring, and a second signal corresponding to the optical intensity of the optical pulse is generated in the second circuit. At this time, the potential of the second wiring fluctuates slightly, so that a part of the current output from the second photodiode is input to the first circuit through the first wiring due to at least one of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. In a conventional photodetection circuit, this part of the current input to the first circuit is detected as crosstalk. However, in this photodetection circuit, another part of the current output from the second photodiode is input to the first circuit through the second circuit element. Then, a first signal corresponding to the difference between the current received as crosstalk through the first wiring and the current received through the first circuit element is generated in the first circuit. That is, at least a part of the component caused by the parasitic capacitance is offset in the first signal.

このように、この光検出回路によれば、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因するクロストークを低減できる。 In this way, this photodetection circuit can reduce crosstalk caused by at least one of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring.

上記の光検出回路において、第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードは共通基板にモノリシックに形成されてもよい。この場合、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間には寄生容量が生じ易い。従って、上記の光検出回路の構成が特に有効である。 In the above-mentioned photodetection circuit, the first photodiode and the second photodiode may be monolithically formed on a common substrate. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between the first photodiode and the second photodiode. Therefore, the above-mentioned configuration of the photodetection circuit is particularly effective.

上記の光検出回路において、第1配線及び第2配線は互いに沿って配設された部分を有してもよい。この場合、第1配線と第2配線との間には寄生容量が生じ易い。従って、上記の光検出回路の構成が特に有効である。 In the above-mentioned photodetection circuit, the first wiring and the second wiring may have a portion disposed along each other. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between the first wiring and the second wiring. Therefore, the above-mentioned configuration of the photodetection circuit is particularly effective.

上記の光検出回路において、第1回路要素及び第2回路要素の各容量は、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量の和と等しくてもよい。この場合、第1回路要素を通じて受ける電流の大きさが、第1配線を通じて受けるクロストークとしての電流の大きさとほぼ等しくなる。故に、クロストークをほぼゼロに近づけることができる。 In the above photodetection circuit, the capacitance of each of the first and second circuit elements may be equal to the sum of the parasitic capacitance between the first and second photodiodes and the parasitic capacitance between the first and second wirings. In this case, the magnitude of the current received through the first circuit element is approximately equal to the magnitude of the current received as crosstalk through the first wiring. Therefore, the crosstalk can be reduced to approximately zero.

上記の光検出回路において、第1回路要素及び第2回路要素の各容量は、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量の和の2倍よりも小さくてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。 In the above photodetection circuit, the capacitance of each of the first and second circuit elements may be smaller than twice the sum of the parasitic capacitance between the first and second photodiodes and the parasitic capacitance between the first and second wirings. In this case, crosstalk can be effectively reduced.

上記の光検出回路において、第1回路要素及び第2回路要素の各容量は、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量の和の0.1倍よりも大きくてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。 In the above photodetection circuit, the capacitance of each of the first and second circuit elements may be greater than 0.1 times the sum of the parasitic capacitance between the first and second photodiodes and the parasitic capacitance between the first and second wirings. In this case, crosstalk can be effectively reduced.

なお、上記の各場合において、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量のいずれか一方はゼロであってもよい。 In each of the above cases, either the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode or the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring may be zero.

上記の光検出回路において、第1回路要素及び第2回路要素の各容量は、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分の和の2倍よりも小さい信号が第1回路又は第2回路において生じる大きさに設定されてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。 In the above-mentioned photodetection circuit, the capacitance of each of the first and second circuit elements may be set to a magnitude that generates a signal in the first circuit or the second circuit that is smaller than twice the sum of the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. In this case, crosstalk can be effectively reduced.

上記の光検出回路において、第1回路要素及び第2回路要素の各容量は、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分の和の0.1倍よりも大きい信号が第1回路又は第2回路において生じる大きさに設定されてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。 In the above-mentioned photodetection circuit, the capacitance of each of the first and second circuit elements may be set to a magnitude that generates a signal in the first circuit or the second circuit that is greater than 0.1 times the sum of the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. In this case, crosstalk can be effectively reduced.

なお、上記の各場合において、第1フォトダイオードと第2フォトダイオードとの間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及び第1配線と第2配線との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分のいずれか一方はゼロであってもよい。 In each of the above cases, either the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode or the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring may be zero.

上記の光検出回路において、第1回路は、第1配線を通じて受けた電流を第1電圧信号に変換する第1トランスインピーダンスアンプ(Transimpedance. Amplifier;TIA)と、第2回路要素を通じて受けた電流を第2電圧信号に変換する第2TIAと、第1電圧信号と第2電圧信号との差に応じた信号を生成する回路と、を有してもよい。そして、第2回路は、第2配線を通じて受けた電流を第3電圧信号に変換する第3TIAと、第1回路要素を通じて受けた電流を第4電圧信号に変換する第4TIAと、第3電圧信号と第4電圧信号との差に応じた信号を生成する回路と、を有してもよい。例えばこのような構成を第1回路及び第2回路が有することによって、第1配線を通じて受けた電流と第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号、及び第2配線を通じて受けた電流と第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号を生成することができる。 In the above photodetection circuit, the first circuit may have a first transimpedance amplifier (TIA) that converts the current received through the first wiring into a first voltage signal, a second TIA that converts the current received through the second circuit element into a second voltage signal, and a circuit that generates a signal corresponding to the difference between the first and second voltage signals. The second circuit may have a third TIA that converts the current received through the second wiring into a third voltage signal, a fourth TIA that converts the current received through the first circuit element into a fourth voltage signal, and a circuit that generates a signal corresponding to the difference between the third and fourth voltage signals. For example, by having such a configuration in the first and second circuits, it is possible to generate a first signal corresponding to the difference between the current received through the first wiring and the current received through the second circuit element, and a second signal corresponding to the difference between the current received through the second wiring and the current received through the first circuit element.

上記の光検出回路は、一端と他端との間に容量を有する第3回路要素を更に備えてもよい。そして、第1回路は差動入力型のTIAを含み、該TIAの一方の入力端は第1配線を介して第1フォトダイオードと接続され、他方の入力端は第2回路要素の他端及び第3回路要素の一端と接続されてもよい。そして、第2回路は差動入力型のTIAを含み、該TIAの一方の入力端は第2配線を介して第2フォトダイオードと接続され、他方の入力端は第1回路要素の他端及び第3回路要素の他端と接続されてもよい。例えばこのような構成を第1回路及び第2回路が有することによって、第1配線を通じて受けた電流と第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号、及び第2配線を通じて受けた電流と第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号を生成することができる。また、差動入力型のTIAは、一方の入力端の電位変動の影響を受けて他方の入力端の電位も変動する性質を有する。例えば、第1フォトダイオードから電流が出力されたときには、第1回路のTIAの一方の入力端の電位が僅かに変動するが、その影響を受けて、第1回路のTIAの他方の入力端の電位も変動する。これにより、第2回路要素を通って、クロストーク電流が第2回路のTIAの一方の入力端に入力される。このような場合であっても、第1回路及び第2回路のTIAの他方の入力端同士が第3回路要素を介して接続されることにより、クロストーク電流の少なくとも一部を相殺することができる。 The above-mentioned photodetection circuit may further include a third circuit element having a capacitance between one end and the other end. The first circuit may include a differential input type TIA, one input end of the TIA may be connected to the first photodiode via the first wiring, and the other input end may be connected to the other end of the second circuit element and one end of the third circuit element. The second circuit may include a differential input type TIA, one input end of the TIA may be connected to the second photodiode via the second wiring, and the other input end may be connected to the other end of the first circuit element and the other end of the third circuit element. For example, by having such a configuration in the first circuit and the second circuit, a first signal corresponding to the difference between the current received through the first wiring and the current received through the second circuit element, and a second signal corresponding to the difference between the current received through the second wiring and the current received through the first circuit element can be generated. In addition, the differential input type TIA has a property that the potential of the other input end also fluctuates under the influence of the potential fluctuation of one input end. For example, when a current is output from the first photodiode, the potential of one input terminal of the TIA of the first circuit fluctuates slightly, and as a result, the potential of the other input terminal of the TIA of the first circuit also fluctuates. As a result, the crosstalk current passes through the second circuit element and is input to one input terminal of the TIA of the second circuit. Even in such a case, at least a portion of the crosstalk current can be offset by connecting the other input terminals of the TIAs of the first and second circuits via the third circuit element.

本開示の一実施形態による計測装置は、計測対象物に対してパルス状のレーザ光を照射し、計測対象物からの反射光の入射位置、及びレーザ光の照射から反射光の入射までの時間差に基づいて、計測対象物までの距離及び方向を計測する装置である。この計測装置は、レーザ光を出射する光出射部と、反射光を検出する光検出部と、を備える。光検出部は、上記何れかの光検出回路を有する。この計測装置によれば、光検出部が上記いずれかの光検出回路を有するので、フォトダイオード間の寄生容量及び出力配線間の寄生容量のうち少なくとも一方に起因するクロストークを低減できる。したがって、実際には存在しない物体または形状を誤って検出することを低減できる。 A measurement device according to an embodiment of the present disclosure is a device that irradiates a measurement object with pulsed laser light, and measures the distance and direction to the measurement object based on the incident position of the reflected light from the measurement object and the time difference between the irradiation of the laser light and the incidence of the reflected light. This measurement device includes a light emitting unit that emits laser light, and a light detecting unit that detects the reflected light. The light detecting unit has any of the light detecting circuits described above. According to this measurement device, since the light detecting unit has any of the light detecting circuits described above, crosstalk caused by at least one of the parasitic capacitance between photodiodes and the parasitic capacitance between output wiring can be reduced. Therefore, it is possible to reduce erroneous detection of an object or shape that does not actually exist.

以下、添付図面を参照しながら本開示による光検出回路及び計測装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Below, an embodiment of a light detection circuit and a measurement device according to the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings. Note that in the description of the drawings, the same elements are given the same reference numerals, and duplicate descriptions will be omitted.

図1は、本開示の一実施形態に係る計測装置1の構成を模式的に示す図である。計測装置1は、計測対象物Aに対してパルス状のレーザ光PL1を照射し、計測対象物Aからの反射光PL2の入射位置、及びレーザ光PL1の照射から反射光PL2の入射までの時間差に基づいて、計測対象物Aまでの距離及び方向を計測する。図1に示されるように、本実施形態の計測装置1は、レーザ光PL1を出射する光出射部10と、反射光PL2を検出する光検出部20と、制御器8と、を備える。 FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a measurement device 1 according to an embodiment of the present disclosure. The measurement device 1 irradiates a measurement object A with a pulsed laser light PL1, and measures the distance and direction to the measurement object A based on the incident position of the reflected light PL2 from the measurement object A and the time difference between the irradiation of the laser light PL1 and the incidence of the reflected light PL2. As shown in FIG. 1, the measurement device 1 of this embodiment includes a light emitting unit 10 that emits the laser light PL1, a light detecting unit 20 that detects the reflected light PL2, and a controller 8.

光出射部10は、ドライバー11と、パルスレーザ12と、発光光学系13とを有する。ドライバー11は、制御器8と電気的に接続されており、制御器8からの指示信号に基づいて、パルスレーザ12へのパルス状の駆動電流を周期的に生成する。ドライバー11は、例えばトランジスタを含む電子回路によって構成される。パルスレーザ12は、ドライバー11の電流出力端と電気的に接続されており、ドライバー11から出力された駆動電流を受ける。パルスレーザ12は、この駆動電流に応じたパルス状のレーザ光PL1を周期的に出力する。レーザ光PL1の波長は例えば300nm以上1700nm以下であり、レーザ光PL1のパルス半値幅は例えば0.1nsec以上100nsec以下である。パルスレーザ12は、例えばレーザダイオードである。発光光学系13は、パルスレーザ12と光学的に結合されている。発光光学系13は、パルスレーザ12から出力されたレーザ光PL1のスキャニングを行い、広範囲にわたってレーザ光PL1を照射する。 The light emitting unit 10 has a driver 11, a pulsed laser 12, and an emission optical system 13. The driver 11 is electrically connected to the controller 8, and periodically generates a pulsed driving current to the pulsed laser 12 based on an instruction signal from the controller 8. The driver 11 is configured by an electronic circuit including, for example, a transistor. The pulsed laser 12 is electrically connected to the current output terminal of the driver 11, and receives the driving current output from the driver 11. The pulsed laser 12 periodically outputs a pulsed laser light PL1 according to this driving current. The wavelength of the laser light PL1 is, for example, 300 nm or more and 1700 nm or less, and the pulse half-width of the laser light PL1 is, for example, 0.1 nsec or more and 100 nsec or less. The pulsed laser 12 is, for example, a laser diode. The emission optical system 13 is optically coupled to the pulsed laser 12. The light emission optical system 13 scans the laser light PL1 output from the pulsed laser 12, irradiating the laser light PL1 over a wide range.

光検出部20は、計測対象物Aからの反射光PL2を検出する。光検出部20は、受光光学系21と、フォトダイオード(PD)アレイ22と、トランスインピーダンスアンプ(TIA)アレイ23と、A/D変換器アレイ24とを有する。受光光学系21は、反射光PL2を受け、反射光PL2の入射位置に応じて、反射光PL2をN個(Nは2以上の整数、図1ではN=4の場合を例示)の光路のいずれかに導入する。 The light detection unit 20 detects the reflected light PL2 from the measurement object A. The light detection unit 20 has a light receiving optical system 21, a photodiode (PD) array 22, a transimpedance amplifier (TIA) array 23, and an A/D converter array 24. The light receiving optical system 21 receives the reflected light PL2, and introduces the reflected light PL2 into one of N (N is an integer equal to or greater than 2; FIG. 1 illustrates the case where N=4) optical paths depending on the incident position of the reflected light PL2.

PDアレイ22は、N個のPD22aを含む。各PD22aは、例えばPN型フォトダイオードまたはアバランシェフォトダイオード(APD)である。各PD22aは、受光光学系21の対応する光路と光学的に結合されている。各PD22aは、対応する光路から入力された反射光PL2の光強度に応じた電流信号を生成し、この電流信号を出力端から出力する。N個のPD22aは、所定方向(例えばレーザ光PL1のスキャン方向)に沿って一列または二列に配置されている。 The PD array 22 includes N PDs 22a. Each PD 22a is, for example, a PN-type photodiode or an avalanche photodiode (APD). Each PD 22a is optically coupled to a corresponding optical path of the light receiving optical system 21. Each PD 22a generates a current signal according to the optical intensity of the reflected light PL2 input from the corresponding optical path, and outputs this current signal from an output end. The N PDs 22a are arranged in one or two rows along a predetermined direction (for example, the scanning direction of the laser light PL1).

TIAアレイ23は、PDアレイ22とともに光検出回路2を構成する。TIAアレイ23は、N個のTIA23aを含む。各TIA23aの入力端は、対応するPD22aの出力端と電気的に接続されており、対応するPD22aから電流信号を受ける。各TIA23aは、対応するPD22aから受けた電流信号を電圧信号に変換し、その電圧信号を出力端から出力する。A/D変換器アレイ24は、N個のA/D変換器24aを含む。各A/D変換器24aの入力端は、対応するTIA23aの出力端と電気的に接続されている。各A/D変換器24aは、対応するTIA23aから受けた電圧信号をデジタル信号に変換し、そのデジタル信号を出力端から出力する。 The TIA array 23, together with the PD array 22, constitutes the photodetection circuit 2. The TIA array 23 includes N TIAs 23a. The input terminal of each TIA 23a is electrically connected to the output terminal of the corresponding PD 22a, and receives a current signal from the corresponding PD 22a. Each TIA 23a converts the current signal received from the corresponding PD 22a into a voltage signal, and outputs the voltage signal from its output terminal. The A/D converter array 24 includes N A/D converters 24a. The input terminal of each A/D converter 24a is electrically connected to the output terminal of the corresponding TIA 23a. Each A/D converter 24a converts the voltage signal received from the corresponding TIA 23a into a digital signal, and outputs the digital signal from its output terminal.

制御器8は、例えばCPU及びメモリを含むコンピュータであって、メモリに記憶されたプログラムをCPUが読み込んで実行することにより種々の機能を実現する。制御器8は、ドライバー11と電気的に接続されており、ドライバー11へ指示信号を提供する。また、制御器8は、N個のA/D変換器24aの出力端と電気的に接続されており、各A/D変換器24aから出力されたデジタル信号を受ける。制御器8は、何れのA/D変換器24aからデジタル信号を受けたかに基づいて、受光光学系21における反射光PL2の入射位置を検出し、この入射位置から、計測対象物Aが存在する方向を計測する。また、制御器8は、ドライバー11へ指示信号を提供してからデジタル信号を受け取るまでの時間に基づいて、計測装置1から計測対象物Aまでの距離を算出する。 The controller 8 is, for example, a computer including a CPU and memory, and realizes various functions by the CPU reading and executing programs stored in the memory. The controller 8 is electrically connected to the driver 11 and provides instruction signals to the driver 11. The controller 8 is also electrically connected to the output terminals of the N A/D converters 24a and receives digital signals output from each A/D converter 24a. The controller 8 detects the incident position of the reflected light PL2 in the light receiving optical system 21 based on which A/D converter 24a the controller 8 has received a digital signal from, and measures the direction in which the measurement object A exists from this incident position. The controller 8 also calculates the distance from the measurement device 1 to the measurement object A based on the time from when the controller 8 provides an instruction signal to the driver 11 to when it receives the digital signal.

図2は、PDアレイ22及びTIAアレイ23を含む光検出回路2の平面図である。前述したように、PDアレイ22はN個(図2ではN=4の場合を例示)のPD22aを有する。図示例では、N個のPD22aが一列に並んで配置されている。TIAアレイ23は、PDアレイ22に対して、PD22aの並び方向と交差する方向に間隔をあけて並んで配置されている。TIAアレイ23の各TIA23aの入力端と、対応するPD22aの出力端とは、ワイヤ25を介して電気的に接続されている。N本のワイヤ25は、PD22aの並び方向に並んで配置され、PD22aの並び方向と交差する方向に沿って延びている。言い換えると、N本のワイヤ25は、互いに沿って配設されている。 Figure 2 is a plan view of the photodetection circuit 2 including the PD array 22 and the TIA array 23. As described above, the PD array 22 has N PDs 22a (FIG. 2 illustrates an example in which N=4). In the illustrated example, the N PDs 22a are arranged in a row. The TIA array 23 is arranged in a row with a gap between them in a direction intersecting the arrangement direction of the PDs 22a relative to the PD array 22. The input terminals of the TIAs 23a of the TIA array 23 are electrically connected to the output terminals of the corresponding PDs 22a via wires 25. The N wires 25 are arranged in a row in the arrangement direction of the PDs 22a and extend along a direction intersecting the arrangement direction of the PDs 22a. In other words, the N wires 25 are arranged along each other.

図3は、PD22aがAPDである場合の、PDアレイ22の断面構造を模式的に示す図である。図3に示されるように、N個のPD22aは共通基板221上にモノリシックに形成されている。具体的には、PDアレイ22は、共通基板221と、共通基板221上に形成された第1導電型の半導体層222と、半導体層222内に形成された第1導電型のN個の半導体領域223と、半導体層222内に形成された第2導電型のN個の半導体領域224と、電極225と、N個の電極226と、を有する。各半導体領域224は、各半導体領域223上に配置され、各半導体領域223と接してpn接合を形成している。一例では、共通基板221は高濃度のp型であり、半導体層222は低濃度のp型であり、半導体領域223は高濃度のp型であり、半導体領域224は高濃度のn型である。一つの半導体領域223及び一つの半導体領域224からなる個々のペアは、PD22aを構成する。電極225は共通基板221の裏面上に設けられ、共通基板221の裏面とオーミック接合を成す。各電極226は各半導体領域224上に設けられ、各半導体領域224とオーミック接合を成す。 Figure 3 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of the PD array 22 when the PD 22a is an APD. As shown in Figure 3, the N PDs 22a are monolithically formed on a common substrate 221. Specifically, the PD array 22 has a common substrate 221, a semiconductor layer 222 of a first conductivity type formed on the common substrate 221, N semiconductor regions 223 of the first conductivity type formed in the semiconductor layer 222, N semiconductor regions 224 of a second conductivity type formed in the semiconductor layer 222, an electrode 225, and N electrodes 226. Each semiconductor region 224 is disposed on each semiconductor region 223 and contacts each semiconductor region 223 to form a pn junction. In one example, the common substrate 221 is a high concentration p type, the semiconductor layer 222 is a low concentration p type, the semiconductor region 223 is a high concentration p type, and the semiconductor region 224 is a high concentration n type. Each pair of one semiconductor region 223 and one semiconductor region 224 constitutes PD 22a. Electrode 225 is provided on the rear surface of common substrate 221 and forms an ohmic junction with the rear surface of common substrate 221. Each electrode 226 is provided on each semiconductor region 224 and forms an ohmic junction with each semiconductor region 224.

図4は、光検出回路2の一例として、PDアレイ22のPD22aの個数が2(すなわちN=2)である場合の光検出回路2Aの構成を示す回路図である。図4に示すように、この光検出回路2Aは、2つのPD22a(1)及びPD22a(2)と、ワイヤ25(1)及びワイヤ25(2)と、寄生容量26と、回路要素27(1)及び27(2)と、2つの信号生成回路28(1)及び28(2)と、バイアス電源41とを備える。PD22a(1)及びPD22a(2)は、それぞれ本実施形態における第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードである。ワイヤ25(1)及びワイヤ25(2)は、それぞれ本実施形態における第1配線及び第2配線である。回路要素27(1)及び回路要素27(2)は、それぞれ本実施形態における第1回路要素及び第2回路要素である。 Figure 4 is a circuit diagram showing the configuration of a photodetection circuit 2A when the number of PDs 22a in the PD array 22 is two (i.e., N=2), as an example of the photodetection circuit 2. As shown in Figure 4, the photodetection circuit 2A includes two PDs 22a(1) and PD22a(2), wires 25(1) and 25(2), a parasitic capacitance 26, circuit elements 27(1) and 27(2), two signal generating circuits 28(1) and 28(2), and a bias power supply 41. PD22a(1) and PD22a(2) are the first photodiode and the second photodiode, respectively, in this embodiment. Wire 25(1) and wire 25(2) are the first wiring and the second wiring, respectively, in this embodiment. Circuit element 27(1) and circuit element 27(2) are the first circuit element and the second circuit element, respectively, in this embodiment.

信号生成回路28(1)は本実施形態における第1回路であり、信号生成回路28(2)は本実施形態における第2回路である。信号生成回路28(1)は、シングルエンド入力型のTIA23a(1)及び23b(1)と、差動増幅回路28a(1)とを有する。信号生成回路28(2)は、シングルエンド入力型のTIA23a(2)及び23b(2)と、差動増幅回路28a(2)とを有する。TIA23a(1)及びTIA23b(1)は、それぞれ本実施形態における第1TIA及び第2TIAである。TIA23a(2)及びTIA23b(2)は、それぞれ本実施形態における第3TIA及び第4TIAである。 The signal generating circuit 28(1) is the first circuit in this embodiment, and the signal generating circuit 28(2) is the second circuit in this embodiment. The signal generating circuit 28(1) has single-ended input type TIAs 23a(1) and 23b(1) and a differential amplifier circuit 28a(1). The signal generating circuit 28(2) has single-ended input type TIAs 23a(2) and 23b(2) and a differential amplifier circuit 28a(2). The TIAs 23a(1) and TIA 23b(1) are the first and second TIAs, respectively, in this embodiment. The TIAs 23a(2) and TIA 23b(2) are the third and fourth TIAs, respectively, in this embodiment.

バイアス電源41の負電極は、PD22a(1)及びPD22a(2)の各アノード(PD22a(1)及びPD22a(2)がPIN型である場合は、各カソード)に接続されている。バイアス電源41の正電極は、接地電位線(基準電位線)に接続されている。バイアス電源41は、PD22a(1)及びPD22a(2)に対して負のバイアス電圧を供給する。なお、PD22a(1)及びPD22a(2)の各アノードは、バイアス電源41との接続のための実質的に抵抗がゼロである配線を介して、互いに接続されている。PD22a(1)の出力端は、ワイヤ25(1)を介してTIA23a(1)の入力端と接続されている。PD22a(2)の出力端は、ワイヤ25(2)を介してTIA23a(2)の入力端と接続されている。 The negative electrode of the bias power supply 41 is connected to each anode of PD22a(1) and PD22a(2) (or each cathode if PD22a(1) and PD22a(2) are PIN type). The positive electrode of the bias power supply 41 is connected to the ground potential line (reference potential line). The bias power supply 41 supplies a negative bias voltage to PD22a(1) and PD22a(2). The anodes of PD22a(1) and PD22a(2) are connected to each other via wiring with substantially zero resistance for connection to the bias power supply 41. The output end of PD22a(1) is connected to the input end of TIA23a(1) via wire 25(1). The output end of PD22a(2) is connected to the input end of TIA23a(2) via wire 25(2).

寄生容量26は、TIA23a(1)の入力端とTIA23a(2)の入力端との間に生じる寄生容量である。寄生容量26の大きさは、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量C1と、ワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量C2の和(C1+C2)とほぼ等しい。PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量C1は、互いに隣り合うPD22a(1)とPD22a(2)とが、図3に示された共通基板221及び半導体層222を介して容量的に結合することによって主に生じる。ワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量C2は、互いに隣り合うワイヤ25(1)とワイヤ25(2)とが、図2に示されたように互いに沿って(平行に)配設されることにより主に生じる。 Parasitic capacitance 26 is a parasitic capacitance that occurs between the input terminal of TIA 23a(1) and the input terminal of TIA 23a(2). The magnitude of parasitic capacitance 26 is approximately equal to the sum (C1+C2) of parasitic capacitance C1 between PD22a(1) and PD22a(2) and parasitic capacitance C2 between wire 25(1) and wire 25(2). Parasitic capacitance C1 between PD22a(1) and PD22a(2) occurs mainly due to capacitive coupling between adjacent PD22a(1) and PD22a(2) via common substrate 221 and semiconductor layer 222 shown in FIG. 3. Parasitic capacitance C2 between wire 25(1) and wire 25(2) occurs mainly due to adjacent wire 25(1) and wire 25(2) being arranged along (parallel to) each other as shown in FIG. 2.

回路要素27(1)及び27(2)は、容量性の回路要素である。回路要素27(1)及び27(2)が有する容量は微小であり、例えば10fF~200fFの範囲内である。回路要素27(1)及び27(2)は、微小な容量を有するコンデンサ等の容量素子であってもよく、シリコン基板に作成されたシリコンキャパシタであってもよく、配線基板上において絶縁膜を挟んで配置された二枚の導電膜によって構成されてもよく、或いは、僅かな隙間を空けて隣り合う2本の導電線によって構成されてもよい。その他、微小な容量を実現可能な構成であれば、回路要素27(1)及び27(2)の構成は何ら限定されない。回路要素27(1)及び27(2)は、例えばTIAアレイ23の回路基板上に形成される。 The circuit elements 27(1) and 27(2) are capacitive circuit elements. The capacitance of the circuit elements 27(1) and 27(2) is very small, for example, in the range of 10 fF to 200 fF. The circuit elements 27(1) and 27(2) may be capacitive elements such as capacitors having very small capacitance, silicon capacitors formed on a silicon substrate, two conductive films arranged on a wiring substrate with an insulating film between them, or two conductive lines adjacent to each other with a small gap between them. There are no limitations on the configuration of the circuit elements 27(1) and 27(2) as long as the configuration can realize a very small capacitance. The circuit elements 27(1) and 27(2) are formed on the circuit substrate of the TIA array 23, for example.

回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和の2倍よりも小さいことが好ましい。また、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和の0.1倍よりも大きいことが好ましい。一例では、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和と等しい。また、一例では、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量値は互いに等しい。 It is preferable that each capacitance of the circuit element 27(1) and the circuit element 27(2) is smaller than twice the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2). It is also preferable that each capacitance of the circuit element 27(1) and the circuit element 27(2) is larger than 0.1 times the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2). In one example, each capacitance of the circuit element 27(1) and the circuit element 27(2) is equal to the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2). In one example, the capacitance values of the circuit element 27(1) and the circuit element 27(2) are equal to each other.

PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量と、ワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量との和は、例えば測定により求められる。その場合、製造した個々の計測装置1毎に寄生容量を測定してもよいし、代表していくつかの計測装置1の寄生容量を測定し、その平均値を他の計測装置1に適用してもよい。 The sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2) can be obtained, for example, by measurement. In this case, the parasitic capacitance may be measured for each individual measurement device 1 manufactured, or the parasitic capacitance of several representative measurement devices 1 may be measured and the average value may be applied to the other measurement devices 1.

回路要素27(1)の一端は、PD22a(1)の出力端と電気的に接続されている。図示例では、回路要素27(1)の一端はワイヤ25(1)を介してPD22a(1)の出力端と接続されているが、回路要素27(1)の一端はワイヤ25(1)を介さずにPD22a(1)の出力端と接続されてもよい。回路要素27(1)の他端は、TIA23b(2)の入力端と電気的に接続されている。 One end of the circuit element 27(1) is electrically connected to the output end of the PD22a(1). In the illustrated example, one end of the circuit element 27(1) is connected to the output end of the PD22a(1) via the wire 25(1), but one end of the circuit element 27(1) may be connected to the output end of the PD22a(1) without via the wire 25(1). The other end of the circuit element 27(1) is electrically connected to the input end of the TIA23b(2).

回路要素27(2)の一端は、PD22a(2)の出力端と電気的に接続されている。図示例では、回路要素27(2)の一端はワイヤ25(2)を介してPD22a(2)の出力端と接続されているが、回路要素27(2)の一端はワイヤ25(2)を介さずにPD22a(2)の出力端と接続されてもよい。回路要素27(2)の他端は、TIA23b(1)の入力端と電気的に接続されている。 One end of the circuit element 27(2) is electrically connected to the output end of the PD22a(2). In the illustrated example, one end of the circuit element 27(2) is connected to the output end of the PD22a(2) via the wire 25(2), but one end of the circuit element 27(2) may be connected to the output end of the PD22a(2) without via the wire 25(2). The other end of the circuit element 27(2) is electrically connected to the input end of the TIA23b(1).

信号生成回路28(1)は、PD22a(1)の出力端とワイヤ25(1)を介して電気的に接続されるとともに回路要素27(2)の他端と電気的に接続されている。信号生成回路28(1)は、ワイヤ25(1)を通じて受けた電流と、回路要素27(2)を通じて受けた電流との差に応じた電圧信号である出力信号Vout1(第1信号)を生成する。 The signal generating circuit 28(1) is electrically connected to the output end of the PD 22a(1) via the wire 25(1) and is also electrically connected to the other end of the circuit element 27(2). The signal generating circuit 28(1) generates an output signal Vout1 (first signal), which is a voltage signal corresponding to the difference between the current received through the wire 25(1) and the current received through the circuit element 27(2).

TIA23a(1)は、前述したN個のTIA23aのうちの一つである。TIA23a(1)は、ワイヤ25(1)を通じて受けた電流を、電圧信号Vtp1(第1電圧信号)に変換する。TIA23a(1)の出力端は、差動増幅回路28a(1)の正相入力端と接続されている。TIA23b(1)は、前述したN個のTIA23aとは別に設けられるTIAである。TIA23b(1)は、回路要素27(2)を通じて受けた電流を電圧信号Vtn1(第2電圧信号)に変換する。TIA23b(1)の出力端は、差動増幅回路28a(1)の逆相入力端と接続されている。差動増幅回路28a(1)は、TIA23a(1)から出力された電圧信号Vtp1と、TIA23b(1)から出力された電圧信号Vtn1との差に応じた(例えば比例する)出力信号Vout1を出力する。なお、TIA23b(1)及び差動増幅回路28a(1)は、TIAアレイ23に内蔵されてもよく、TIAアレイ23とは別個に設けられてもよい。 TIA 23a(1) is one of the N TIAs 23a described above. TIA 23a(1) converts the current received through wire 25(1) into a voltage signal Vtp1 (first voltage signal). The output terminal of TIA 23a(1) is connected to the positive input terminal of differential amplifier circuit 28a(1). TIA 23b(1) is a TIA provided separately from the N TIAs 23a described above. TIA 23b(1) converts the current received through circuit element 27(2) into a voltage signal Vtn1 (second voltage signal). The output terminal of TIA 23b(1) is connected to the negative input terminal of differential amplifier circuit 28a(1). The differential amplifier circuit 28a(1) outputs an output signal Vout1 that corresponds to (for example, is proportional to) the difference between the voltage signal Vtp1 output from the TIA 23a(1) and the voltage signal Vtn1 output from the TIA 23b(1). Note that the TIA 23b(1) and the differential amplifier circuit 28a(1) may be built into the TIA array 23, or may be provided separately from the TIA array 23.

信号生成回路28(2)は、PD22a(2)の出力端とワイヤ25(2)を介して電気的に接続されるとともに回路要素27(1)の他端と電気的に接続されている。信号生成回路28(2)は、ワイヤ25(2)を通じて受けた電流と、回路要素27(1)を通じて受けた電流との差に応じた電圧信号である出力信号Vout2(第2信号)を生成する。 The signal generating circuit 28(2) is electrically connected to the output end of the PD 22a(2) via the wire 25(2) and is also electrically connected to the other end of the circuit element 27(1). The signal generating circuit 28(2) generates an output signal Vout2 (second signal), which is a voltage signal corresponding to the difference between the current received through the wire 25(2) and the current received through the circuit element 27(1).

TIA23a(2)は、前述したN個のTIA23aのうちの他の一つである。TIA23a(2)は、ワイヤ25(2)を通じて受けた電流を、電圧信号Vtp2(第3電圧信号)に変換する。TIA23a(2)の出力端は、差動増幅回路28a(2)の正相入力端と接続されている。TIA23b(2)は、前述したN個のTIA23aとは別に設けられるTIAである。TIA23b(2)は、回路要素27(1)を通じて受けた電流を電圧信号Vtn2(第4電圧信号)に変換する。TIA23b(2)の出力端は、差動増幅回路28a(2)の逆相入力端と接続されている。差動増幅回路28a(2)は、TIA23a(2)から出力された電圧信号Vtp2と、TIA23b(2)から出力された電圧信号Vtn2との差に応じた(例えば比例する)出力信号Vout2を出力する。なお、TIA23b(2)及び差動増幅回路28a(2)は、TIAアレイ23に内蔵されてもよく、TIAアレイ23とは別個に設けられてもよい。 TIA23a(2) is another of the N TIAs 23a described above. TIA23a(2) converts the current received through wire 25(2) into a voltage signal Vtp2 (third voltage signal). The output terminal of TIA23a(2) is connected to the positive input terminal of differential amplifier circuit 28a(2). TIA23b(2) is a TIA provided separately from the N TIAs 23a described above. TIA23b(2) converts the current received through circuit element 27(1) into a voltage signal Vtn2 (fourth voltage signal). The output terminal of TIA23b(2) is connected to the negative input terminal of differential amplifier circuit 28a(2). The differential amplifier circuit 28a(2) outputs an output signal Vout2 that corresponds to (for example, is proportional to) the difference between the voltage signal Vtp2 output from the TIA 23a(2) and the voltage signal Vtn2 output from the TIA 23b(2). Note that the TIA 23b(2) and the differential amplifier circuit 28a(2) may be built into the TIA array 23, or may be provided separately from the TIA array 23.

図4に示された光検出回路2Aの作用効果について、比較例の光検出回路が有する課題とともに説明する。図6は、比較例の光検出回路100の構成を示す回路図である。光検出回路100は、PD22a(1)及びPD22a(2)と、TIA23a(1)及びTIA23a(2)と、ワイヤ25(1)及びワイヤ25(2)と、寄生容量26と、バイアス電源41とを有するが、図4に示された回路要素27(1)、回路要素27(2)、TIA23b(1)、TIA23b(2)、差動増幅回路28a(1)、及び差動増幅回路28a(2)を有していない。PD22a(1)、PD22a(2)、TIA23a(1)、TIA23a(2)、ワイヤ25(1)、ワイヤ25(2)、寄生容量26、及びバイアス電源41の接続関係は本実施形態と同様である。 The effect of the photodetection circuit 2A shown in FIG. 4 will be described together with the problems of the photodetection circuit of the comparative example. FIG. 6 is a circuit diagram showing the configuration of the photodetection circuit 100 of the comparative example. The photodetection circuit 100 has PD22a(1) and PD22a(2), TIA23a(1) and TIA23a(2), wires 25(1) and 25(2), parasitic capacitance 26, and bias power supply 41, but does not have circuit elements 27(1), 27(2), TIA23b(1), TIA23b(2), differential amplifier circuit 28a(1), and differential amplifier circuit 28a(2) shown in FIG. 4. The connection relationship of PD22a(1), PD22a(2), TIA23a(1), TIA23a(2), wires 25(1), wires 25(2), parasitic capacitance 26, and bias power supply 41 is the same as in this embodiment.

図7は、光検出回路100において(a)PD22a(1)から出力される電流Jin1、(b)TIA23a(1)から出力される出力信号Vout1、及び(c)TIA23a(2)から出力される出力信号Vout2、の時間波形を模式的に示す図である。PD22a(1)に光パルスが入射すると、PD22a(1)から出力された電流Jin1に含まれるパルスP1がワイヤ25(1)を通ってTIA23a(1)に入力され、TIA23a(1)において、光パルスの光強度に応じたパルスP3を含む出力信号Vout1が生成される。このとき、ワイヤ25(1)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(1)から出力された電流Jin1の一部が寄生容量26及びワイヤ25(2)を通ってTIA23a(2)に入力され、TIA23a(2)において、クロストーク波形P6を含む出力信号Vout2が生成される。クロストーク波形P6は、例えばパルスP1の微分波形である。 Figure 7 is a diagram showing the time waveforms of (a) current Jin1 output from PD22a(1), (b) output signal Vout1 output from TIA23a(1), and (c) output signal Vout2 output from TIA23a(2) in the photodetector circuit 100. When an optical pulse is incident on PD22a(1), pulse P1 contained in current Jin1 output from PD22a(1) is input to TIA23a(1) through wire 25(1), and output signal Vout1 containing pulse P3 corresponding to the optical intensity of the optical pulse is generated in TIA23a(1). At this time, the potential of wire 25(1) fluctuates slightly. Therefore, a portion of the current Jin1 output from PD 22a(1) passes through parasitic capacitance 26 and wire 25(2) and is input to TIA 23a(2), which generates output signal Vout2 including crosstalk waveform P6. Crosstalk waveform P6 is, for example, a differentiated waveform of pulse P1.

図5は、本実施形態の光検出回路2Aにおいて(a)PD22a(1)から出力される電流Jin1、(b)TIA23a(1)から出力される出力電圧Vtp1、(c)TIA23b(1)から出力される出力電圧Vtn1、(d)差動増幅回路28a(1)から出力される出力信号Vout1、(e)TIA23a(2)から出力される出力電圧Vtp2、(f)TIA23b(2)から出力される出力電圧Vtn2、及び(g)差動増幅回路28a(2)から出力される出力信号Vout2、の時間波形を模式的に示す図である。 Figure 5 is a diagram showing schematic time waveforms of (a) current Jin1 output from PD22a(1), (b) output voltage Vtp1 output from TIA23a(1), (c) output voltage Vtn1 output from TIA23b(1), (d) output signal Vout1 output from differential amplifier circuit 28a(1), (e) output voltage Vtp2 output from TIA23a(2), (f) output voltage Vtn2 output from TIA23b(2), and (g) output signal Vout2 output from differential amplifier circuit 28a(2) in the photodetector circuit 2A of this embodiment.

本実施形態の光検出回路2Aでは、PD22a(1)に光パルスが入射すると、PD22a(1)からパルスP1を含む電流Jin1が出力される(図5の(a))。このパルスP1を含む電流Jin1は、ワイヤ25(1)を通って信号生成回路28(1)のTIA23a(1)に入力される。そして、TIA23a(1)において、光パルスの光強度に応じたパルスP2を含む電圧信号Vtp1が生成される(図5の(b))。一方、信号生成回路28(1)のTIA23b(1)にはパルスを含む電流が入力されないので、TIA23b(1)から出力される電圧信号Vtn1にはパルスは含まれない(図5の(c))。その結果、差動増幅回路28a(1)からは、光パルスの光強度に応じたパルスP3を含む出力信号Vout1が出力される(図5の(d))。 In the photodetection circuit 2A of this embodiment, when an optical pulse is incident on the PD 22a(1), the PD 22a(1) outputs a current Jin1 including a pulse P1 (FIG. 5(a)). This current Jin1 including the pulse P1 is input to the TIA 23a(1) of the signal generation circuit 28(1) through the wire 25(1). Then, the TIA 23a(1) generates a voltage signal Vtp1 including a pulse P2 corresponding to the optical intensity of the optical pulse (FIG. 5(b)). On the other hand, since no current including a pulse is input to the TIA 23b(1) of the signal generation circuit 28(1), the voltage signal Vtn1 output from the TIA 23b(1) does not include a pulse (FIG. 5(c)). As a result, the differential amplifier circuit 28a(1) outputs an output signal Vout1 including a pulse P3 corresponding to the optical intensity of the optical pulse (FIG. 5(d)).

このとき、ワイヤ25(1)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(1)から出力された電流Jin1の一部が寄生容量26及びワイヤ25(2)を通って信号生成回路28(2)のTIA23a(2)に入力される。そして、TIA23a(2)において、クロストーク波形P4を含む電圧信号Vtp2が生成される(図5の(e))。一方、PD22a(1)から出力された電流の別の一部が、回路要素27(1)を通じて信号生成回路28(2)のTIA23b(2)に入力される。そして、TIA23b(2)において、擬似クロストーク波形P5を含む電圧信号Vtn2が生成される(図5の(f))。差動増幅回路28a(2)からは、これらの電圧信号Vtp2及び電圧信号Vtn2の差に応じた出力信号Vout2が出力される(図5の(g))。このとき、クロストーク波形P4は擬似クロストーク波形P5によって相殺又は低減され、出力信号Vout2においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。 At this time, the potential of the wire 25(1) fluctuates slightly. Therefore, a part of the current Jin1 output from the PD 22a(1) is input to the TIA 23a(2) of the signal generating circuit 28(2) through the parasitic capacitance 26 and the wire 25(2). Then, in the TIA 23a(2), a voltage signal Vtp2 including a crosstalk waveform P4 is generated ((e) of FIG. 5). Meanwhile, another part of the current output from the PD 22a(1) is input to the TIA 23b(2) of the signal generating circuit 28(2) through the circuit element 27(1). Then, in the TIA 23b(2), a voltage signal Vtn2 including a pseudo crosstalk waveform P5 is generated ((f) of FIG. 5). From the differential amplifier circuit 28a(2), an output signal Vout2 corresponding to the difference between these voltage signals Vtp2 and Vtn2 is output ((g) of FIG. 5). At this time, the crosstalk waveform P4 is offset or reduced by the pseudo crosstalk waveform P5, and no crosstalk waveform occurs or is small in the output signal Vout2.

PD22a(2)に光パルスが入射した場合も上記と同様である。すなわち、PD22a(2)に光パルスが入射すると、PD22a(2)からパルスを含む電流が出力される。この電流は、ワイヤ25(2)を通って信号生成回路28(2)のTIA23a(2)に入力される。そして、TIA23a(2)において、光パルスの光強度に応じたパルスを含む電圧信号Vtp2が生成される。一方、信号生成回路28(2)のTIA23b(2)にはパルスを含む電流が入力されないので、TIA23b(2)から出力される電圧信号Vtn2にはパルスは含まれない。その結果、差動増幅回路28a(2)からは、光パルスの光強度に応じたパルスを含む出力信号Vout2が出力される。 The same is true when an optical pulse is incident on PD22a(2). That is, when an optical pulse is incident on PD22a(2), a current containing a pulse is output from PD22a(2). This current is input to TIA23a(2) of signal generating circuit 28(2) through wire 25(2). Then, in TIA23a(2), a voltage signal Vtp2 containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse is generated. On the other hand, since a current containing a pulse is not input to TIA23b(2) of signal generating circuit 28(2), the voltage signal Vtn2 output from TIA23b(2) does not contain a pulse. As a result, an output signal Vout2 containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse is output from differential amplifier circuit 28a(2).

このとき、ワイヤ25(2)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(2)から出力された電流の一部が寄生容量26及びワイヤ25(1)を通って信号生成回路28(1)のTIA23a(1)に入力される。そして、TIA23a(1)において、クロストーク波形を含む電圧信号Vtp1が生成される。一方、PD22a(2)から出力された電流の別の一部が、回路要素27(2)を通じて信号生成回路28(1)のTIA23b(1)に入力される。そして、TIA23b(1)において、擬似クロストーク波形を含む電圧信号Vtn1が生成される。差動増幅回路28a(1)からは、これらの電圧信号Vtp1及び電圧信号Vtn1の差に応じた出力信号Vout1が出力される。このとき、クロストーク波形は擬似クロストーク波形によって相殺又は低減され、出力信号Vout1においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。 At this time, the potential of the wire 25(2) fluctuates slightly. Therefore, a part of the current output from the PD 22a(2) is input to the TIA 23a(1) of the signal generating circuit 28(1) through the parasitic capacitance 26 and the wire 25(1). Then, in the TIA 23a(1), a voltage signal Vtp1 including a crosstalk waveform is generated. Meanwhile, another part of the current output from the PD 22a(2) is input to the TIA 23b(1) of the signal generating circuit 28(1) through the circuit element 27(2). Then, in the TIA 23b(1), a voltage signal Vtn1 including a pseudo crosstalk waveform is generated. From the differential amplifier circuit 28a(1), an output signal Vout1 according to the difference between these voltage signals Vtp1 and Vtn1 is output. At this time, the crosstalk waveform is offset or reduced by the pseudo crosstalk waveform, and the crosstalk waveform does not occur or is small in the output signal Vout1.

このように、本実施形態の光検出回路2Aによれば、寄生容量26に起因するクロストークを低減できる。なお、本実施形態では、寄生容量26が、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量C1、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量C2の和(C1+C2)である場合を例示した。しかしながら、例えばPD22a(1)とPD22a(2)とがモノリシックに集積されておらず別個の素子であるような場合には、寄生容量26はワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量C2のみからなってもよい。その場合、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、寄生容量C2の2倍よりも小さいことが好ましく、寄生容量C2の0.1倍よりも大きいことが好ましく、一例では、寄生容量C2と等しい。或いは、例えばワイヤ25(1)とワイヤ25(2)とが互いに隣り合っていない又は互いに沿っている部分が無いような場合には、寄生容量26はPD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量C1のみからなってもよい。その場合、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、寄生容量C1の2倍よりも小さいことが好ましく、寄生容量C1の0.1倍よりも大きいことが好ましく、一例では、寄生容量C1と等しい。 In this way, the photodetection circuit 2A of this embodiment can reduce crosstalk caused by the parasitic capacitance 26. In this embodiment, the parasitic capacitance 26 is the sum (C1+C2) of the parasitic capacitance C1 between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance C2 between wire 25(1) and wire 25(2). However, for example, when PD22a(1) and PD22a(2) are not monolithically integrated but are separate elements, the parasitic capacitance 26 may be composed only of the parasitic capacitance C2 between wire 25(1) and wire 25(2). In that case, the capacitance of each of the circuit elements 27(1) and 27(2) is preferably smaller than twice the parasitic capacitance C2, preferably larger than 0.1 times the parasitic capacitance C2, and in one example, equal to the parasitic capacitance C2. Alternatively, for example, when wire 25(1) and wire 25(2) are not adjacent to each other or have no portions along each other, parasitic capacitance 26 may consist only of parasitic capacitance C1 between PD22a(1) and PD22a(2). In that case, the capacitance of each of circuit elements 27(1) and 27(2) is preferably smaller than twice the parasitic capacitance C1, preferably larger than 0.1 times the parasitic capacitance C1, and in one example, equal to the parasitic capacitance C1.

図8は、PD22a(1)に光パルスが入力された場合の、本実施形態の光検出回路2A及び比較例の光検出回路100の動作に関するシミュレーション結果を示すグラフである。図8(a)は、光パルスに対応するパルスP3を含む出力信号Vout1の時間波形を示す。図8(b)のグラフG1は、本実施形態の光検出回路2Aにおける出力信号Vout2の時間波形を示す。図8(b)のグラフG2は、比較例の光検出回路100における出力信号Vout2の時間波形を示す。図8(b)のグラフG2を参照すると、比較例の光検出回路100においては、出力信号Vout2にクロストーク波形が生じていることがわかる。これに対し、図8(b)のグラフG1を参照すると、本実施形態の光検出回路2Aにおいては、出力信号Vout2にクロストーク波形は生じないことがわかる。 Figure 8 is a graph showing the results of a simulation of the operation of the photodetection circuit 2A of this embodiment and the photodetection circuit 100 of the comparative example when an optical pulse is input to PD22a(1). Figure 8(a) shows the time waveform of the output signal Vout1 including the pulse P3 corresponding to the optical pulse. Graph G1 of Figure 8(b) shows the time waveform of the output signal Vout2 in the photodetection circuit 2A of this embodiment. Graph G2 of Figure 8(b) shows the time waveform of the output signal Vout2 in the photodetection circuit 100 of the comparative example. Referring to graph G2 of Figure 8(b), it can be seen that a crosstalk waveform occurs in the output signal Vout2 in the photodetection circuit 100 of the comparative example. In contrast, referring to graph G1 of Figure 8(b), it can be seen that no crosstalk waveform occurs in the output signal Vout2 in the photodetection circuit 2A of this embodiment.

なお、このシミュレーションでは、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量が寄生容量と等しいと仮定しているが、現実には、寄生容量の正確な大きさを知ることは難しく、また寄生容量の大きさは個々の計測装置1毎に僅かに異なる。しかしながら、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量が寄生容量と異なっていても、クロストーク波形の少なくとも一部が擬似クロストーク波形によって相殺されることで、クロストーク波形を小さくすることができる。 In this simulation, it is assumed that the capacitance of each of circuit elements 27(1) and 27(2) is equal to the parasitic capacitance. In reality, however, it is difficult to know the exact magnitude of the parasitic capacitance, and the magnitude of the parasitic capacitance differs slightly for each individual measuring device 1. However, even if the capacitance of each of circuit elements 27(1) and 27(2) differs from the parasitic capacitance, the crosstalk waveform can be reduced by canceling out at least a portion of the crosstalk waveform with the pseudo crosstalk waveform.

本実施形態のように、PD22a(1)及びPD22a(2)は共通基板221にモノリシックに形成されてもよい。この場合、PD22a(1)とPD22a(2)との間には寄生容量が生じ易い。従って、本実施形態の光検出回路2Aの構成が特に有効である。 As in this embodiment, PD22a(1) and PD22a(2) may be monolithically formed on a common substrate 221. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between PD22a(1) and PD22a(2). Therefore, the configuration of the photodetection circuit 2A in this embodiment is particularly effective.

本実施形態のように、ワイヤ25(1)及びワイヤ25(2)は互いに沿って配設された部分を有してもよい。この場合、ワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間には寄生容量が生じ易い。従って、本実施形態の光検出回路2Aの構成が特に有効である。 As in this embodiment, wire 25(1) and wire 25(2) may have portions that are arranged along each other. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between wire 25(1) and wire 25(2). Therefore, the configuration of the photodetection circuit 2A in this embodiment is particularly effective.

本実施形態のように、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和と等しくてもよい。この場合、回路要素27(1)を通じて受ける電流の大きさが、ワイヤ25(1)を通じて受けるクロストークとしての電流の大きさとほぼ等しくなる。故に、クロストークをほぼゼロに近づけることができる。 As in this embodiment, the capacitance of each of circuit elements 27(1) and 27(2) may be equal to the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wires 25(1) and 25(2). In this case, the magnitude of the current received through circuit element 27(1) is approximately equal to the magnitude of the current received as crosstalk through wire 25(1). Therefore, the crosstalk can be reduced to approximately zero.

本実施形態のように、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和の2倍よりも小さくてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。また、本実施形態のように、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量の和の0.1倍よりも大きくてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。なお、これらの各場合において、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量のいずれか一方はゼロであってもよい。 As in this embodiment, the capacitance of each of the circuit elements 27(1) and 27(2) may be smaller than twice the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2). In this case, crosstalk can be effectively reduced. Also, as in this embodiment, the capacitance of each of the circuit elements 27(1) and 27(2) may be larger than 0.1 times the sum of the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2). In this case, crosstalk can be effectively reduced. Note that in each of these cases, either the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) or the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2) may be zero.

なお、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分の和(すなわち図5(e)に示されるクロストーク波形P4)の2倍よりも小さい信号(擬似クロストーク波形P5)が差動増幅回路28a(1)又は28a(2)において生じる大きさに設定されてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。また、回路要素27(1)及び回路要素27(2)の各容量は、上記クロストーク成分の和(クロストーク波形P4)の0.1倍よりも大きい信号(擬似クロストーク波形P5)が差動増幅回路28a(1)又は28a(2)において生じる大きさに設定されてもよい。この場合、クロストークを効果的に低減することができる。これらの各場合において、PD22a(1)とPD22a(2)との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及びワイヤ25(1)とワイヤ25(2)との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分のいずれか一方はゼロであってもよい。 In addition, the capacitance of each of the circuit elements 27(1) and 27(2) may be set to a magnitude that generates a signal (pseudo crosstalk waveform P5) in the differential amplifier circuit 28a(1) or 28a(2) that is smaller than twice the sum of the crosstalk components caused by the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) and the crosstalk components caused by the parasitic capacitance between wires 25(1) and 25(2) (i.e., the crosstalk waveform P4 shown in FIG. 5(e)). In this case, crosstalk can be effectively reduced. In addition, the capacitance of each of the circuit elements 27(1) and 27(2) may be set to a magnitude that generates a signal (pseudo crosstalk waveform P5) in the differential amplifier circuit 28a(1) or 28a(2) that is larger than 0.1 times the sum of the crosstalk components (crosstalk waveform P4). In this case, crosstalk can be effectively reduced. In each of these cases, either the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between PD22a(1) and PD22a(2) or the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between wire 25(1) and wire 25(2) may be zero.

本実施形態のように、信号生成回路28(1)は、ワイヤ25(1)を通じて受けた電流を電圧信号Vtp1に変換するTIA23a(1)と、回路要素27(2)を通じて受けた電流を電圧信号Vtn1に変換するTIA23b(1)と、電圧信号Vtp1と電圧信号Vtn1との差に応じた出力信号Vout1を生成する差動増幅回路28a(1)と、を有してもよい。また、信号生成回路28(2)は、ワイヤ25(2)を通じて受けた電流を電圧信号Vtp2に変換するTIA23a(2)と、回路要素27(1)を通じて受けた電流を電圧信号Vtn2に変換するTIA23b(2)と、電圧信号Vtp2と電圧信号Vtn2との差に応じた出力信号Vout2を生成する差動増幅回路28a(2)と、を有してもよい。例えばこのような構成を信号生成回路28(1)及び28(2)が有することによって、ワイヤ25(1)を通じて受けた電流と回路要素27(2)を通じて受けた電流との差に応じた出力信号Vout1、及びワイヤ25(2)を通じて受けた電流と回路要素27(1)を通じて受けた電流との差に応じた出力信号Vout2を生成することができる。 As in this embodiment, the signal generating circuit 28(1) may have a TIA 23a(1) that converts the current received through the wire 25(1) into a voltage signal Vtp1, a TIA 23b(1) that converts the current received through the circuit element 27(2) into a voltage signal Vtn1, and a differential amplifier circuit 28a(1) that generates an output signal Vout1 according to the difference between the voltage signals Vtp1 and Vtn1. Also, the signal generating circuit 28(2) may have a TIA 23a(2) that converts the current received through the wire 25(2) into a voltage signal Vtp2, a TIA 23b(2) that converts the current received through the circuit element 27(1) into a voltage signal Vtn2, and a differential amplifier circuit 28a(2) that generates an output signal Vout2 according to the difference between the voltage signals Vtp2 and Vtn2. For example, by having such a configuration in signal generating circuits 28(1) and 28(2), it is possible to generate an output signal Vout1 corresponding to the difference between the current received through wire 25(1) and the current received through circuit element 27(2), and an output signal Vout2 corresponding to the difference between the current received through wire 25(2) and the current received through circuit element 27(1).

図9は、PD22aの個数Nが3以上(図示例ではN=4)である場合の、光検出回路2Bの構成を示す回路図である。PD22aの個数が増えても、個々のPD22aに関連する構成は図4に示した光検出回路2Aと同様である。すなわち、この光検出回路2Bは、PD22a(1)~PD22a(N)と、ワイヤ25(1)~25(N)と、寄生容量26(1)~26(N-1)と、回路要素27(1)~27(N)と、信号生成回路28(1)~28(N)と、バイアス電源41とを備える。但し、回路要素27(2)~27(N-1)はそれぞれ2つずつ設けられている。 Figure 9 is a circuit diagram showing the configuration of the photodetection circuit 2B when the number N of PD22a is 3 or more (N=4 in the illustrated example). Even if the number of PD22a increases, the configuration related to each PD22a is the same as that of the photodetection circuit 2A shown in Figure 4. That is, this photodetection circuit 2B includes PD22a(1) to PD22a(N), wires 25(1) to 25(N), parasitic capacitances 26(1) to 26(N-1), circuit elements 27(1) to 27(N), signal generation circuits 28(1) to 28(N), and a bias power supply 41. However, there are two of each of the circuit elements 27(2) to 27(N-1).

PD22a(1)~PD22a(N)のうちいずれかのPDを本実施形態における第1フォトダイオードと定義すると、そのPDと隣り合うPDが第2フォトダイオードに相当する。以下、第n番目のPD22a(n)を第1フォトダイオードとして説明する。この場合、PD22a(n+1)及びPD22a(n-1)(nが1である場合はPD22a(n+1)のみ、nがNである場合はPD22a(n-1)のみ)は、本実施形態における第2フォトダイオードである。ワイヤ25(n)は本実施形態における第1配線であり、ワイヤ25(n+1)及び25(n-1)(nが1である場合はワイヤ25(n+1)のみ、nがNである場合はワイヤ25(n-1)のみ)は本実施形態における第2配線である。回路要素27(n)は本実施形態における第1回路要素であり、回路要素27(n+1)及び27(n-1)(nが1である場合は回路要素27(n+1)のみ、nがNである場合は回路要素27(n-1)のみ)は本実施形態における第2回路要素である。 If any of PD22a(1) to PD22a(N) is defined as the first photodiode in this embodiment, the PD adjacent to that PD corresponds to the second photodiode. In the following, the nth PD22a(n) will be described as the first photodiode. In this case, PD22a(n+1) and PD22a(n-1) (only PD22a(n+1) when n is 1, and only PD22a(n-1) when n is N) are the second photodiodes in this embodiment. Wire 25(n) is the first wiring in this embodiment, and wires 25(n+1) and 25(n-1) (only wire 25(n+1) when n is 1, and only wire 25(n-1) when n is N) are the second wiring in this embodiment. Circuit element 27(n) is the first circuit element in this embodiment, and circuit elements 27(n+1) and 27(n-1) (only circuit element 27(n+1) when n is 1, and only circuit element 27(n-1) when n is N) are the second circuit elements in this embodiment.

信号生成回路28(n)は本実施形態における第1回路であり、信号生成回路28(n+1)及び28(n-1)(nが1である場合は信号生成回路28(n+1)のみ、nがNである場合は信号生成回路28(n-1)のみ)は本実施形態における第2回路である。信号生成回路28(n)は、シングルエンド入力型のTIA23a(n)及び23b(n)と、差動増幅回路28a(n)とを有する。TIA23a(n)及びTIA23b(n)は、それぞれ本実施形態における第1TIA及び第2TIAである。 Signal generating circuit 28(n) is the first circuit in this embodiment, and signal generating circuits 28(n+1) and 28(n-1) (when n is 1, only signal generating circuit 28(n+1) and when n is N, only signal generating circuit 28(n-1)) are the second circuit in this embodiment. Signal generating circuit 28(n) has single-ended input type TIAs 23a(n) and 23b(n) and differential amplifier circuit 28a(n). TIA 23a(n) and TIA 23b(n) are the first TIA and second TIA, respectively, in this embodiment.

バイアス電源41の負電極は、PD22a(1)~22a(N)の各アノードに接続されている。バイアス電源41の正電極は、接地電位線(基準電位線)に接続されている。バイアス電源41は、PD22a(1)~22a(N)に対して負のバイアス電圧を供給する。なお、PD22a(1)~22a(N)の各アノードは、バイアス電源41との接続のための実質的に抵抗がゼロである配線を介して、互いに接続されている。PD22a(n)の出力端は、ワイヤ25(n)を介してTIA23a(n)の入力端と接続されている。 The negative electrode of the bias power supply 41 is connected to each anode of the PDs 22a(1) to 22a(N). The positive electrode of the bias power supply 41 is connected to the ground potential line (reference potential line). The bias power supply 41 supplies a negative bias voltage to the PDs 22a(1) to 22a(N). The anodes of the PDs 22a(1) to 22a(N) are connected to each other via wiring with substantially zero resistance for connection to the bias power supply 41. The output terminal of the PD 22a(n) is connected to the input terminal of the TIA 23a(n) via the wire 25(n).

寄生容量26(n)は、TIA23a(n)の入力端とTIA23a(n+1)の入力端との間に生じる寄生容量である。寄生容量26(n)の大きさは、PD22a(n)とPD22a(n+1)との間の寄生容量C1と、ワイヤ25(n)とワイヤ25(n+1)との間の寄生容量C2の和(C1+C2)とほぼ等しい。PD22a(n)とPD22a(n+1)との間の寄生容量C1は、互いに隣り合うPD22a(n)とPD22a(n+1)とが、図3に示された共通基板221及び半導体層222を介して容量的に結合することによって主に生じる。ワイヤ25(n)とワイヤ25(n+1)との間の寄生容量C2は、互いに隣り合うワイヤ25(n)とワイヤ25(n+1)とが、図2に示されたように互いに沿って(平行に)配設されることにより主に生じる。 Parasitic capacitance 26(n) is a parasitic capacitance that occurs between the input terminal of TIA 23a(n) and the input terminal of TIA 23a(n+1). The magnitude of parasitic capacitance 26(n) is approximately equal to the sum (C1+C2) of the parasitic capacitance C1 between PD22a(n) and PD22a(n+1) and the parasitic capacitance C2 between wire 25(n) and wire 25(n+1). The parasitic capacitance C1 between PD22a(n) and PD22a(n+1) occurs mainly due to the capacitive coupling of adjacent PD22a(n) and PD22a(n+1) via the common substrate 221 and semiconductor layer 222 shown in FIG. 3. The parasitic capacitance C2 between wire 25(n) and wire 25(n+1) occurs mainly because adjacent wires 25(n) and 25(n+1) are arranged along (parallel to) each other as shown in FIG. 2.

回路要素27(n)は、容量性の回路要素である。回路要素27(n)の容量値及び具体的な構成は、図4に示された回路要素27(1)及び回路要素27(2)と同様である。回路要素27(n)の一端は、PD22a(n)の出力端と電気的に接続されている。図示例では、回路要素27(n)の一端はワイヤ25(n)を介してPD22a(n)の出力端と接続されているが、回路要素27(n)の一端はワイヤ25(n)を介さずにPD22a(n)の出力端と接続されてもよい。nが1及びNの何れでもない場合、一つの回路要素27(n)の他端はTIA23b(n-1)の入力端と電気的に接続され、別の回路要素27(n)の他端はTIA23b(n+1)の入力端と電気的に接続されている。回路要素27(1)の他端はTIA23b(2)の入力端と電気的に接続されている。回路要素27(N)の他端はTIA23b(N-1)の入力端と電気的に接続されている。 The circuit element 27(n) is a capacitive circuit element. The capacitance value and specific configuration of the circuit element 27(n) are the same as those of the circuit element 27(1) and the circuit element 27(2) shown in FIG. 4. One end of the circuit element 27(n) is electrically connected to the output end of the PD22a(n). In the illustrated example, one end of the circuit element 27(n) is connected to the output end of the PD22a(n) via the wire 25(n), but one end of the circuit element 27(n) may be connected to the output end of the PD22a(n) without the wire 25(n). When n is neither 1 nor N, the other end of one circuit element 27(n) is electrically connected to the input end of the TIA23b(n-1), and the other end of the other circuit element 27(n) is electrically connected to the input end of the TIA23b(n+1). The other end of the circuit element 27(1) is electrically connected to the input end of the TIA23b(2). The other end of circuit element 27(N) is electrically connected to the input end of TIA 23b(N-1).

信号生成回路28(n)は、PD22a(n)の出力端とワイヤ25(n)を介して電気的に接続されるとともに、回路要素27(n-1)及び27(n+1)の各他端と電気的に接続されている。信号生成回路28(n)は、ワイヤ25(n)を通じて受けた電流と、回路要素27(n-1)を通じて受けた電流又は回路要素27(n+1)を通じて受けた電流との差に応じた出力信号Vout(n)を生成する。 The signal generating circuit 28(n) is electrically connected to the output end of the PD 22a(n) via the wire 25(n), and is also electrically connected to the other end of each of the circuit elements 27(n-1) and 27(n+1). The signal generating circuit 28(n) generates an output signal Vout(n) that corresponds to the difference between the current received through the wire 25(n) and the current received through the circuit element 27(n-1) or the current received through the circuit element 27(n+1).

TIA23a(n)は、前述したN個のTIA23aのうちの一つである。TIA23a(n)は、ワイヤ25(n)を通じて受けた電流を、電圧信号Vtp(n)に変換する。TIA23a(n)の出力端は、差動増幅回路28a(n)の正相入力端と接続されている。TIA23b(n)は、前述したN個のTIA23aとは別に設けられるTIAである。TIA23b(n)は、回路要素27(n-1)を通じて受けた電流及び回路要素27(n+1)を通じて受けた電流を電圧信号Vtn(n)に変換する。TIA23b(n)の出力端は、差動増幅回路28a(n)の逆相入力端と接続されている。差動増幅回路28a(n)は、TIA23a(n)から出力された電圧信号Vtp(n)と、TIA23b(n)から出力された電圧信号Vtn(n)との差に応じた(例えば比例する)出力信号Vout(n)を出力する。なお、TIA23b(n)及び差動増幅回路28a(n)は、TIAアレイ23に内蔵されてもよく、TIAアレイ23とは別個に設けられてもよい。 TIA 23a(n) is one of the N TIAs 23a described above. TIA 23a(n) converts the current received through wire 25(n) into a voltage signal Vtp(n). The output terminal of TIA 23a(n) is connected to the positive input terminal of differential amplifier circuit 28a(n). TIA 23b(n) is a TIA provided separately from the N TIAs 23a described above. TIA 23b(n) converts the current received through circuit element 27(n-1) and the current received through circuit element 27(n+1) into a voltage signal Vtn(n). The output terminal of TIA 23b(n) is connected to the negative input terminal of differential amplifier circuit 28a(n). The differential amplifier circuit 28a(n) outputs an output signal Vout(n) that corresponds to (for example, is proportional to) the difference between the voltage signal Vtp(n) output from the TIA 23a(n) and the voltage signal Vtn(n) output from the TIA 23b(n). Note that the TIA 23b(n) and the differential amplifier circuit 28a(n) may be built into the TIA array 23 or may be provided separately from the TIA array 23.

図10を参照しながら、光検出回路2Bの動作を説明する。光検出回路2Bでは、PD22a(n)に光パルスPLが入射すると、PD22a(n)からパルスを含む電流Jin(n)が出力される(図10には代表して電流Jin(2)を破線で示す)。この電流Jin(n)は、ワイヤ25(n)を通って信号生成回路28(n)のTIA23a(n)に入力される。そして、TIA23a(n)において、光パルスPLの光強度に応じたパルスを含む電圧信号Vtp(n)が生成される(図5(b))。一方、信号生成回路28(n)のTIA23b(n)にはパルスを含む電流が入力されないので、TIA23b(n)から出力される電圧信号Vtn(n)にはパルスは含まれない(図5(c))。その結果、差動増幅回路28a(n)からは、光パルスPLの光強度に応じたパルスを含む出力信号Vout(n)が出力される(図5(d))。 The operation of the photodetection circuit 2B will be described with reference to FIG. 10. In the photodetection circuit 2B, when an optical pulse PL is incident on the PD 22a(n), a current Jin(n) containing a pulse is output from the PD 22a(n) (current Jin(2) is shown by a dashed line in FIG. 10 as a representative). This current Jin(n) is input to the TIA 23a(n) of the signal generation circuit 28(n) through the wire 25(n). Then, in the TIA 23a(n), a voltage signal Vtp(n) containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse PL is generated (FIG. 5(b)). On the other hand, since a current containing a pulse is not input to the TIA 23b(n) of the signal generation circuit 28(n), the voltage signal Vtn(n) output from the TIA 23b(n) does not contain a pulse (FIG. 5(c)). As a result, the differential amplifier circuit 28a(n) outputs an output signal Vout(n) that includes a pulse corresponding to the light intensity of the light pulse PL (Figure 5(d)).

このとき、ワイヤ25(n)の電位が僅かに変動する。したがって、nが1及びNのいずれでもない場合、PD22a(n)から出力された電流Jin(n)の一部Ja(n)が、寄生容量26(n-1)及びワイヤ25(n-1)を通って信号生成回路28(n-1)のTIA23a(n-1)に入力され、電流Jin(n)の別の一部Jb(n)が、寄生容量26(n)及びワイヤ25(n+1)を通って信号生成回路28(n+1)のTIA23a(n+1)に入力される(図10には代表して一部Ja(2)及びJb(2)を破線で示す)。そして、TIA23a(n-1)において、クロストーク波形を含む電圧信号Vtp(n-1)が生成され、TIA23a(n+1)において、クロストーク波形を含む電圧信号Vtp(n+1)が生成される(図5(e))。また、PD22a(n)から出力された電流Jin(n)の更に別の一部Jc(n)が、2つの回路要素27(n)のうち一方を通じて信号生成回路28(n-1)のTIA23b(n-1)に入力され、電流Jin(n)の更に別の一部Jd(n)が、2つの回路要素27(n)のうち他方を通じて信号生成回路28(n+1)のTIA23b(n+1)に入力される(図10には代表して一部Jc(2)及びJd(2)を破線で示す)。そして、TIA23b(n-1)において、擬似クロストーク波形を含む電圧信号Vtn(n-1)が生成され、TIA23b(n+1)において、擬似クロストーク波形を含む電圧信号Vtn(n+1)が生成される(図5(f))。そして、差動増幅回路28a(n-1)からは、電圧信号Vtp(n-1)と電圧信号Vtn(n-1)との差に応じた出力信号Vout(n-1)が出力され、差動増幅回路28a(n+1)からは、電圧信号Vtp(n+1)と電圧信号Vtn(n+1)との差に応じた出力信号Vout(n+1)が出力される(図5(g))。このとき、クロストーク波形は擬似クロストーク波形によって相殺又は低減され、出力信号Vout(n-1)及びVout(n+1)においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。なお、n=1である場合には、上記の動作のうち信号生成回路28(n+1)に関する動作のみ行われ、n=Nである場合には、上記の動作のうち信号生成回路28(n-1)に関する動作のみ行われる。このように、光検出回路2Bによれば、寄生容量26(1)~26(N-1)に起因するクロストークを低減できる。 At this time, the potential of wire 25(n) fluctuates slightly. Therefore, when n is neither 1 nor N, a portion Ja(n) of the current Jin(n) output from PD 22a(n) passes through parasitic capacitance 26(n-1) and wire 25(n-1) and is input to TIA 23a(n-1) of signal generating circuit 28(n-1), and another portion Jb(n) of the current Jin(n) passes through parasitic capacitance 26(n) and wire 25(n+1) and is input to TIA 23a(n+1) of signal generating circuit 28(n+1) (representative portions Ja(2) and Jb(2) are shown by dashed lines in Figure 10). Then, in the TIA 23a(n-1), a voltage signal Vtp(n-1) including a crosstalk waveform is generated, and in the TIA 23a(n+1), a voltage signal Vtp(n+1) including a crosstalk waveform is generated (FIG. 5(e)). In addition, another part Jc(n) of the current Jin(n) output from the PD 22a(n) is input to the TIA 23b(n-1) of the signal generating circuit 28(n-1) through one of the two circuit elements 27(n), and another part Jd(n) of the current Jin(n) is input to the TIA 23b(n+1) of the signal generating circuit 28(n+1) through the other of the two circuit elements 27(n) (representatively, parts Jc(2) and Jd(2) are shown by dashed lines in FIG. 10). Then, in the TIA 23b(n-1), a voltage signal Vtn(n-1) including a pseudo crosstalk waveform is generated, and in the TIA 23b(n+1), a voltage signal Vtn(n+1) including a pseudo crosstalk waveform is generated (FIG. 5(f)). Then, the differential amplifier circuit 28a(n-1) outputs an output signal Vout(n-1) corresponding to the difference between the voltage signal Vtp(n-1) and the voltage signal Vtn(n-1), and the differential amplifier circuit 28a(n+1) outputs an output signal Vout(n+1) corresponding to the difference between the voltage signal Vtp(n+1) and the voltage signal Vtn(n+1) (FIG. 5(g)). At this time, the crosstalk waveform is offset or reduced by the pseudo crosstalk waveform, and the crosstalk waveform does not occur or is small in the output signals Vout(n-1) and Vout(n+1). When n=1, only the operations related to the signal generating circuit 28(n+1) are performed, and when n=N, only the operations related to the signal generating circuit 28(n-1) are performed. In this way, the photodetection circuit 2B can reduce crosstalk caused by the parasitic capacitances 26(1) to 26(N-1).

なお、図10に示すように、寄生容量26(2)は寄生容量26(3)と直列に繋がっているので、電流Jin(2)の一部Jb(2)が寄生容量26(2)を通ったのち、更にその一部Je(2)が寄生容量26(3)及びワイヤ25(4)を通ってTIA23a(4)に入力される。また、回路要素27(2)は回路要素27(4)と直列に繋がっているので、電流Jin(2)の一部Jd(2)が回路要素27(2)を通ったのち、更にその一部Jf(2)が回路要素27(4)を通ってTIA23a(4)に入力される。しかしながら、寄生容量26(2)及び回路要素27(2)のインピーダンスはTIA23a(4)の入力インピーダンスよりも格段に大きいので、一部Je(2)及びJf(2)は微小となり、無視できる。直列に繋がっている他の寄生容量、及び直列に繋がっている他の回路要素についても同様である。 As shown in FIG. 10, the parasitic capacitance 26(2) is connected in series with the parasitic capacitance 26(3), so that a part of the current Jin(2) Jb(2) passes through the parasitic capacitance 26(2), and then a part of it Je(2) passes through the parasitic capacitance 26(3) and the wire 25(4) and is input to the TIA 23a(4). Also, since the circuit element 27(2) is connected in series with the circuit element 27(4), a part of the current Jin(2) Jd(2) passes through the circuit element 27(2), and then a part of it Jf(2) passes through the circuit element 27(4) and is input to the TIA 23a(4). However, since the impedance of the parasitic capacitance 26(2) and the circuit element 27(2) is much larger than the input impedance of the TIA 23a(4), the parts Je(2) and Jf(2) are small and can be ignored. The same is true for other parasitic capacitances connected in series, and other circuit elements connected in series.

図9に示された光検出回路2Bにおいても、PD22a(1)~22a(N)は共通基板221にモノリシックに形成されてもよい。この場合、隣り合うPD間には寄生容量が生じ易い。従って、光検出回路2Bの構成が特に有効である。また、ワイヤ25(1)~25(N)は互いに沿って配設された部分を有してもよい。この場合、隣り合うワイヤ間には寄生容量が生じ易い。従って、光検出回路2Bの構成が特に有効である。
(変形例)
In the photodetection circuit 2B shown in FIG. 9, the PDs 22a(1)-22a(N) may also be monolithically formed on a common substrate 221. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between adjacent PDs. Therefore, the configuration of the photodetection circuit 2B is particularly effective. Furthermore, the wires 25(1)-25(N) may have portions that are arranged parallel to one another. In this case, parasitic capacitance is likely to occur between adjacent wires. Therefore, the configuration of the photodetection circuit 2B is particularly effective.
(Modification)

図11は、上記実施形態の一変形例に係る光検出回路2Cの構成を示す回路図である。この光検出回路2Cは、上記実施形態の信号生成回路28(1)及び28(2)に代えて、信号生成回路29(1)及び29(2)を備える。また、この光検出回路2Cは、上記実施形態の他の構成に加えて、更に回路要素30を備える。その他の構成については上記実施形態の図4と同様なので、詳細な説明を省略する。 Figure 11 is a circuit diagram showing the configuration of a photodetection circuit 2C according to one variation of the above embodiment. This photodetection circuit 2C includes signal generation circuits 29(1) and 29(2) instead of the signal generation circuits 28(1) and 28(2) of the above embodiment. This photodetection circuit 2C also includes a circuit element 30 in addition to the other configurations of the above embodiment. The other configurations are the same as those of Figure 4 of the above embodiment, so detailed explanations will be omitted.

信号生成回路29(1)及び29(2)は、それぞれ本実施形態における第1回路及び第2回路である。信号生成回路29(1)は、PD22a(1)の出力端とワイヤ25(1)を介して電気的に接続されるとともに、回路要素27(1)の一端と電気的に接続されている。また、信号生成回路29(1)は、回路要素27(2)の他端と電気的に接続されるとともに、回路要素30の一端と電気的に接続されている。信号生成回路29(1)は、ワイヤ25(1)を流れる電流と回路要素27(1)を流れる電流との合計と、回路要素27(2)を流れる電流と回路要素30を流れる電流との合計との差に応じた出力信号Vout1(第1信号)を生成する。 Signal generating circuits 29(1) and 29(2) are the first circuit and the second circuit, respectively, in this embodiment. Signal generating circuit 29(1) is electrically connected to the output end of PD22a(1) via wire 25(1) and is electrically connected to one end of circuit element 27(1). Signal generating circuit 29(1) is also electrically connected to the other end of circuit element 27(2) and is electrically connected to one end of circuit element 30. Signal generating circuit 29(1) generates an output signal Vout1 (first signal) according to the difference between the sum of the current flowing through wire 25(1) and the current flowing through circuit element 27(1) and the sum of the current flowing through circuit element 27(2) and the current flowing through circuit element 30.

本変形例において、信号生成回路29(1)はTIA23c(1)を含み、信号生成回路29(2)はTIA23c(2)を含む。TIA23c(1)及び23c(2)は差動入力型のTIAである。TIA23c(1)及び23c(2)は、図4に示されたTIA23a(1)及び23a(2)に代えて、TIAアレイ23を構成する。TIA23c(1)の正相入力端は、ワイヤ25(1)を介してPD22a(1)と接続されている。TIA23c(1)の逆相入力端は、回路要素27(2)の他端と接続されている。TIA23c(2)の正相入力端は、ワイヤ25(2)を介してPD22a(2)と接続されている。TIA23c(2)の逆相入力端は、回路要素27(1)の他端と接続されている。 In this modified example, the signal generating circuit 29(1) includes a TIA 23c(1), and the signal generating circuit 29(2) includes a TIA 23c(2). The TIAs 23c(1) and 23c(2) are differential input type TIAs. The TIAs 23c(1) and 23c(2) constitute the TIA array 23 in place of the TIAs 23a(1) and 23a(2) shown in FIG. 4. The positive input terminal of the TIA 23c(1) is connected to the PD 22a(1) via the wire 25(1). The negative input terminal of the TIA 23c(1) is connected to the other end of the circuit element 27(2). The positive input terminal of the TIA 23c(2) is connected to the PD 22a(2) via the wire 25(2). The inverted input terminal of TIA23c(2) is connected to the other terminal of circuit element 27(1).

回路要素30は、本変形例における第3回路要素である。回路要素30は、容量性の回路要素である。回路要素30が有する容量は、回路要素27(1)及び27(2)が有する容量と同様に微小であり、例えば10fF~200fFの範囲内である。回路要素30は、微小な容量を有するコンデンサ等の容量素子であってもよく、シリコン基板に作成されたシリコンキャパシタであってもよく、配線基板上において絶縁膜を挟んで配置された二枚の導電膜によって構成されてもよく、或いは、僅かな隙間を空けて隣り合う2本の導電線によって構成されてもよい。その他、微小な容量を実現可能な構成であれば、回路要素30の構成は何ら限定されない。回路要素30は、例えばTIAアレイ23の回路基板上に形成される。 The circuit element 30 is a third circuit element in this modified example. The circuit element 30 is a capacitive circuit element. The capacitance of the circuit element 30 is minute, like the capacitance of the circuit elements 27(1) and 27(2), and is, for example, in the range of 10 fF to 200 fF. The circuit element 30 may be a capacitive element such as a capacitor having a minute capacitance, a silicon capacitor formed on a silicon substrate, or may be composed of two conductive films arranged on a wiring substrate with an insulating film between them, or may be composed of two conductive lines adjacent to each other with a small gap between them. There are no other limitations on the configuration of the circuit element 30 as long as it is a configuration that can realize a minute capacitance. The circuit element 30 is formed, for example, on the circuit substrate of the TIA array 23.

回路要素30の容量は、回路要素27(1)及び27(2)の容量の2倍よりも小さいことが好ましい。また、回路要素30の容量は、回路要素27(1)及び27(2)の容量の0.1倍よりも大きいことが好ましい。一例では、回路要素30の容量は、回路要素27(1)及び27(2)の一方又は双方の容量と等しい。回路要素30の一端は、回路要素27(2)の他端とともに、TIA23c(1)の逆相入力端と電気的に接続されている。回路要素30の他端は、回路要素27(1)の他端とともに、TIA23c(2)の逆相入力端と電気的に接続されている。 The capacitance of the circuit element 30 is preferably less than twice the capacitance of the circuit elements 27(1) and 27(2). The capacitance of the circuit element 30 is preferably greater than 0.1 times the capacitance of the circuit elements 27(1) and 27(2). In one example, the capacitance of the circuit element 30 is equal to the capacitance of one or both of the circuit elements 27(1) and 27(2). One end of the circuit element 30, together with the other end of the circuit element 27(2), is electrically connected to the negative phase input terminal of the TIA 23c(1). The other end of the circuit element 30, together with the other end of the circuit element 27(1), is electrically connected to the negative phase input terminal of the TIA 23c(2).

図12を参照しながら、光検出回路2Cの動作を説明する。光検出回路2Cにおいて、PD22a(1)に光パルスが入射すると、PD22a(1)からパルスを含む電流Jin1が出力される。この電流Jin1は、ワイヤ25(1)を通ってTIA23c(1)の正相入力端に入力される。一方、TIA23c(1)の逆相入力端にはパルスを含む電流は入力されない。したがって、TIA23c(1)からは、光パルスの光強度に応じたパルスを含む出力信号Vout1が出力される。 The operation of the photodetection circuit 2C will be described with reference to FIG. 12. In the photodetection circuit 2C, when an optical pulse is incident on PD22a(1), a current Jin1 containing a pulse is output from PD22a(1). This current Jin1 passes through wire 25(1) and is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(1). On the other hand, no current containing a pulse is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(1). Therefore, an output signal Vout1 containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse is output from TIA23c(1).

このとき、ワイヤ25(1)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(1)から出力された電流Jin1の一部Ja1が寄生容量26及びワイヤ25(2)を通ってTIA23c(2)の正相入力端に入力される。また、PD22a(1)から出力された電流の別の一部Jc1が、回路要素27(1)を通じてTIA23c(2)の逆相入力端に入力される。TIA23c(2)からは、一部Ja1及びJc1の差に応じた出力信号Vout2が出力される。このとき、一部Ja1に含まれるクロストーク波形は、一部Jc1に含まれる擬似クロストーク波形によって相殺又は低減される。したがって、出力信号Vout2においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。 At this time, the potential of wire 25(1) fluctuates slightly. Therefore, a part Ja1 of the current Jin1 output from PD22a(1) is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(2) through parasitic capacitance 26 and wire 25(2). Also, another part Jc1 of the current output from PD22a(1) is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(2) through circuit element 27(1). An output signal Vout2 corresponding to the difference between the parts Ja1 and Jc1 is output from TIA23c(2). At this time, the crosstalk waveform contained in the part Ja1 is offset or reduced by the pseudo crosstalk waveform contained in the part Jc1. Therefore, no crosstalk waveform occurs or is small in the output signal Vout2.

PD22a(2)に光パルスが入射した場合も上記と同様である。すなわち、PD22a(2)に光パルスが入射すると、PD22a(2)からパルスを含む電流が出力される。この電流は、ワイヤ25(2)を通ってTIA23c(2)の正相入力端に入力される。一方、TIA23c(2)の逆相入力端にはパルスを含む電流は入力されない。したがって、TIA23c(2)からは、光パルスの光強度に応じたパルスを含む出力信号Vout2が出力される。 The same is true when an optical pulse is incident on PD22a(2). That is, when an optical pulse is incident on PD22a(2), a current containing a pulse is output from PD22a(2). This current passes through wire 25(2) and is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(2). On the other hand, no current containing a pulse is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(2). Therefore, an output signal Vout2 containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse is output from TIA23c(2).

このとき、ワイヤ25(2)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(2)から出力された電流の一部が寄生容量26及びワイヤ25(1)を通ってTIA23c(1)の正相入力端に入力される。また、PD22a(2)から出力された電流の別の一部が、回路要素27(2)を通じてTIA23c(1)の逆相入力端に入力される。TIA23c(1)からは、これらの電流の差に応じた出力信号Vout1が出力される。このとき、TIA23c(1)の正相入力端に入力された電流に含まれるクロストーク波形は、TIA23c(1)の逆相入力端に入力された電流に含まれる擬似クロストーク波形によって相殺又は低減される。したがって、出力信号Vout1においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。 At this time, the potential of wire 25(2) fluctuates slightly. Therefore, a part of the current output from PD22a(2) is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(1) through parasitic capacitance 26 and wire 25(1). Another part of the current output from PD22a(2) is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(1) through circuit element 27(2). An output signal Vout1 corresponding to the difference between these currents is output from TIA23c(1). At this time, the crosstalk waveform contained in the current input to the positive-phase input terminal of TIA23c(1) is offset or reduced by the pseudo crosstalk waveform contained in the current input to the negative-phase input terminal of TIA23c(1). Therefore, no crosstalk waveform occurs or is small in the output signal Vout1.

このように、本変形例の光検出回路2Cによれば、寄生容量26に起因するクロストークを低減できる。 In this way, the photodetection circuit 2C of this modified example can reduce crosstalk caused by the parasitic capacitance 26.

ここで、差動入力型のTIAは、正相入力端に電流が入力されると正相入力端の電位が変動するが、それに加えて逆相入力端の電位も変動するという性質を有する。すなわち、PD22a(1)から電流が出力されたときには、TIA23c(1)の正相入力端の電位が僅かに変動するが、これに加えてTIA23c(1)の逆相入力端の電位も変動する。これにより、回路要素27(2)を通って、クロストーク電流Jg1がTIA23c(2)の正相入力端に入力される。しかしながら本変形例では、TIA23c(1)の逆相入力端とTIA23c(2)の逆相入力端との間に、回路要素30が接続されている。この回路要素30を通って、擬似クロストーク電流Ji1がTIA23c(2)の逆相入力端に入力される。したがって、TIA23c(2)において、クロストーク電流Jg1は擬似クロストーク電流Ji1によって相殺又は低減されるので、出力信号Vout2においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。PD22a(2)から電流が出力されたときも同様である。このように、TIA23c(1)の逆相入力端とTIA23c(2)の逆相入力端との間に回路要素30が接続されることにより、回路要素27(1)及び27(2)に起因するクロストーク電流の少なくとも一部を相殺することができる。 Here, the differential input type TIA has a property that when a current is input to the positive-phase input terminal, the potential of the positive-phase input terminal fluctuates, but in addition, the potential of the negative-phase input terminal also fluctuates. That is, when a current is output from PD22a(1), the potential of the positive-phase input terminal of TIA23c(1) fluctuates slightly, but in addition, the potential of the negative-phase input terminal of TIA23c(1) also fluctuates. As a result, the crosstalk current Jg1 is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(2) through circuit element 27(2). However, in this modified example, a circuit element 30 is connected between the negative-phase input terminal of TIA23c(1) and the negative-phase input terminal of TIA23c(2). Through this circuit element 30, the pseudo crosstalk current Ji1 is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(2). Therefore, in TIA23c(2), the crosstalk current Jg1 is offset or reduced by the pseudo crosstalk current Ji1, so that the crosstalk waveform does not occur or is small in the output signal Vout2. The same is true when a current is output from PD22a(2). In this way, by connecting circuit element 30 between the negative phase input terminal of TIA23c(1) and the negative phase input terminal of TIA23c(2), at least a portion of the crosstalk current caused by circuit elements 27(1) and 27(2) can be offset.

図13は、PD22aの個数Nが3以上(図示例ではN=4)である場合の、光検出回路2Dの構成を示す回路図である。PD22aの個数が増えても、個々のPD22aに関連する構成は図11に示した光検出回路2Cと同様である。すなわち、この光検出回路2Dは、PD22a(1)~PD22a(N)と、ワイヤ25(1)~25(N)と、寄生容量26(1)~26(N-1)と、回路要素27(1)~27(N)と、回路要素30(1)~30(N-1)と、信号生成回路29(1)~29(N)と、バイアス電源41とを備える。但し、回路要素27(2)~27(N-1)はそれぞれ2つずつ設けられている。以下、前述した光検出回路2B(図9)との相違点を主に説明する。 Figure 13 is a circuit diagram showing the configuration of the photodetection circuit 2D when the number N of PD22a is 3 or more (N=4 in the illustrated example). Even if the number of PD22a increases, the configuration related to each PD22a is the same as that of the photodetection circuit 2C shown in Figure 11. That is, this photodetection circuit 2D includes PD22a(1) to PD22a(N), wires 25(1) to 25(N), parasitic capacitances 26(1) to 26(N-1), circuit elements 27(1) to 27(N), circuit elements 30(1) to 30(N-1), signal generation circuits 29(1) to 29(N), and a bias power supply 41. However, there are two of each of the circuit elements 27(2) to 27(N-1). Below, the differences from the photodetection circuit 2B (Figure 9) described above will be mainly explained.

第n番目のPD22a(n)を第1フォトダイオードと定義すると、信号生成回路29(n)は本変形例における第1回路であり、信号生成回路29(n-1)及び29(n+1)は本変形例における第2回路である。信号生成回路29(n)は、PD22a(n)の出力端とワイヤ25(n)を介して電気的に接続されるとともに、回路要素27(n-1)及び27(n+1)の各他端と電気的に接続されている。信号生成回路29(n)は、ワイヤ25(n)を通じて受けた電流と、回路要素27(n-1)又は27(n+1)を通じて受けた電流との差に応じた出力信号Vout(n)を生成する。 If the nth PD 22a(n) is defined as the first photodiode, then the signal generating circuit 29(n) is the first circuit in this modified example, and the signal generating circuits 29(n-1) and 29(n+1) are the second circuit in this modified example. The signal generating circuit 29(n) is electrically connected to the output end of the PD 22a(n) via the wire 25(n), and is also electrically connected to the other ends of the circuit elements 27(n-1) and 27(n+1). The signal generating circuit 29(n) generates an output signal Vout(n) that corresponds to the difference between the current received through the wire 25(n) and the current received through the circuit element 27(n-1) or 27(n+1).

信号生成回路29(1)~29(N)は、TIA23c(1)~23c(N)をそれぞれ含む。TIA23c(1)~23c(N)は差動入力型のTIAである。TIA23c(1)~23c(N)は、図9に示されたTIA23a(1)~23a(N)に代えて、TIAアレイ23を構成する。TIA23c(n)の正相入力端は、ワイヤ25(n)を介してPD22a(n)と接続されている。nが1及びNの何れでもない場合、TIA23c(n)の逆相入力端は、回路要素27(n-1)及び27(n+1)の各他端と接続されている。TIA23c(1)の逆相入力端は回路要素27(2)の他端と接続されている。TIA23c(N)の逆相入力端は回路要素27(N-1)の他端と接続されている。 The signal generating circuits 29(1) to 29(N) each include a TIA 23c(1) to 23c(N). The TIAs 23c(1) to 23c(N) are differential input type TIAs. The TIAs 23c(1) to 23c(N) constitute the TIA array 23 in place of the TIAs 23a(1) to 23a(N) shown in FIG. 9. The positive input terminal of the TIA 23c(n) is connected to the PD 22a(n) via the wire 25(n). When n is neither 1 nor N, the negative input terminal of the TIA 23c(n) is connected to the other terminals of the circuit elements 27(n-1) and 27(n+1). The negative input terminal of the TIA 23c(1) is connected to the other terminal of the circuit element 27(2). The negative input terminal of TIA23c(N) is connected to the other terminal of circuit element 27(N-1).

回路要素30(1)~30(N)は、本変形例における第3回路要素である。回路要素30(1)~30(N)の容量値及び具体的構成は、前述した回路要素30と同様である。回路要素30(n)の一端は、TIA23c(n)の逆相入力端と電気的に接続されている。回路要素30(n)の他端は、TIA23c(n+1)の逆相入力端と電気的に接続されている。 Circuit elements 30(1) to 30(N) are the third circuit elements in this modified example. The capacitance values and specific configurations of circuit elements 30(1) to 30(N) are the same as those of circuit element 30 described above. One end of circuit element 30(n) is electrically connected to the negative phase input terminal of TIA 23c(n). The other end of circuit element 30(n) is electrically connected to the negative phase input terminal of TIA 23c(n+1).

図14を参照しながら、光検出回路2Dの動作を説明する。PD22a(n)に光パルスが入射すると、PD22a(n)からパルスを含む電流Jin(n)が出力される(図14には代表して電流Jin(2)を破線で示す)。この電流Jin(n)は、ワイヤ25(n)を通ってTIA23c(n)の正相入力端に入力される。一方、TIA23c(n)の逆相入力端にはパルスを含む電流は入力されない。したがって、TIA23c(n)からは、光パルスの光強度に応じたパルスを含む出力信号Vout(n)が出力される。 The operation of the photodetection circuit 2D will be described with reference to FIG. 14. When an optical pulse is incident on PD22a(n), a current Jin(n) containing a pulse is output from PD22a(n) (current Jin(2) is shown by a dashed line in FIG. 14 as a representative). This current Jin(n) passes through wire 25(n) and is input to the positive-phase input terminal of TIA23c(n). On the other hand, no current containing a pulse is input to the negative-phase input terminal of TIA23c(n). Therefore, an output signal Vout(n) containing a pulse corresponding to the optical intensity of the optical pulse is output from TIA23c(n).

このとき、ワイヤ25(n)の電位が僅かに変動する。したがって、PD22a(n)から出力された電流Jin(n)の一部Ja(n)が寄生容量26(n-1)及びワイヤ25(n-1)を通ってTIA23c(n-1)の正相入力端に入力される。また、PD22a(n)から出力された電流Jin(n)の別の一部Jb(n)が寄生容量26(n)及びワイヤ25(n+1)を通ってTIA23c(n+1)の正相入力端に入力される。なお、図14には代表して一部Ja(2)及びJb(2)を破線で示す。 At this time, the potential of wire 25(n) fluctuates slightly. Therefore, a portion Ja(n) of the current Jin(n) output from PD22a(n) passes through parasitic capacitance 26(n-1) and wire 25(n-1) and is input to the positive phase input terminal of TIA23c(n-1). Also, another portion Jb(n) of the current Jin(n) output from PD22a(n) passes through parasitic capacitance 26(n) and wire 25(n+1) and is input to the positive phase input terminal of TIA23c(n+1). Note that in FIG. 14, the portions Ja(2) and Jb(2) are shown by dashed lines as representatives.

また、nが1及びNのいずれでもない場合、PD22a(n)から出力された電流Jin(n)の更に別の一部Jc(n)が、2つの回路要素27(n)の一方を通じてTIA23c(n-1)の逆相入力端に入力され、電流Jin(n)の更に別の一部Jd(n)が、2つの回路要素27(n)の他方を通じてTIA23c(n+1)の逆相入力端に入力される(図14には代表して一部Jc(2)及びJd(2)を破線で示す)。TIA23c(n-1)からは、一部Ja(n)と一部Jc(n)との差に応じた出力信号Vout(n-1)が出力される。TIA23c(n+1)からは、一部Jb(n)と一部Jd(n)との差に応じた出力信号Vout(n+1)が出力される。このとき、一部Ja(n)及びJb(n)に含まれるクロストーク波形は、一部Jc(n)及びJd(n)に含まれる擬似クロストーク波形によってそれぞれ相殺又は低減される。したがって、出力信号Vout(n-1)及びVout(n+1)においてクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。なお、n=1である場合には、上記の動作のうちTIA23c(n+1)に関する動作のみ行われ、n=Nである場合には、上記の動作のうちTIA23c(n-1)に関する動作のみ行われる。このように、光検出回路2Dによれば、寄生容量26(1)~26(N-1)に起因するクロストークを低減できる。 In addition, when n is neither 1 nor N, another part Jc(n) of the current Jin(n) output from PD22a(n) is input to the inverting input terminal of TIA23c(n-1) through one of the two circuit elements 27(n), and another part Jd(n) of the current Jin(n) is input to the inverting input terminal of TIA23c(n+1) through the other of the two circuit elements 27(n) (parts Jc(2) and Jd(2) are shown by dashed lines in FIG. 14 as representatives). An output signal Vout(n-1) corresponding to the difference between part Ja(n) and part Jc(n) is output from TIA23c(n-1). An output signal Vout(n+1) corresponding to the difference between part Jb(n) and part Jd(n) is output from TIA23c(n+1). At this time, the crosstalk waveforms contained in Ja(n) and Jb(n) are offset or reduced by the pseudo crosstalk waveforms contained in Jc(n) and Jd(n). Therefore, the crosstalk waveforms do not occur or are small in the output signals Vout(n-1) and Vout(n+1). When n=1, only the operation related to TIA23c(n+1) is performed among the above operations, and when n=N, only the operation related to TIA23c(n-1) is performed among the above operations. In this way, the photodetection circuit 2D can reduce crosstalk caused by the parasitic capacitances 26(1) to 26(N-1).

また、前述したように、差動入力型のTIAは、一方の入力端の電位変動の影響を受けて他方の入力端の電位が変動する性質を有する。すなわち、PD22a(n)から電流Jin(n)が出力されたときには、TIA23c(n)の正相入力端の電位が僅かに変動するが、その影響を受けて、TIA23c(n)の逆相入力端の電位も変動する。これにより、回路要素27(n-1)を通って、クロストーク電流Jg(n)がTIA23c(n-1)の正相入力端に入力され、また、回路要素27(n+1)を通って、クロストーク電流Jh(n)がTIA23c(n+1)の正相入力端に入力される。しかしながら本変形例では、TIA23c(n-1)の逆相入力端とTIA23c(n)の逆相入力端との間に回路要素30(n-1)が接続され、TIA23c(n)の逆相入力端とTIA23c(n+1)の逆相入力端との間に回路要素30(n)が接続されている。したがって、回路要素30(n-1)を通って、擬似クロストーク電流Ji(n)がTIA23c(n-1)の逆相入力端に入力され、回路要素30(n)を通って、擬似クロストーク電流Jj(n)がTIA23c(n+1)の逆相入力端に入力される。故に、TIA23c(n-1)においてクロストーク電流Jg(n)は擬似クロストーク電流Ji(n)によって相殺又は低減され、TIA23c(n+1)においてクロストーク電流Jh(n)は擬似クロストーク電流Jj(n)によって相殺又は低減される。故に、出力信号Vout(n-1)及びVout(n+1)において、回路要素30(n-1)及び30(n)に起因するクロストーク波形は生じないか又は小さくなる。なお、n=1である場合には、上記の動作のうちTIA23c(n+1)に関する動作のみ行われ、n=Nである場合には、上記の動作のうちTIA23c(n-1)に関する動作のみ行われる。このように、TIA23c(n)の逆相入力端とTIA23c(n-1)及び23c(n+1)の各逆相入力端との間に回路要素30(n-1)及び30(n)がそれぞれ接続されることにより、回路要素27(n-1)及び27(n+1)に起因するクロストーク電流の少なくとも一部を相殺することができる。 As mentioned above, the differential input type TIA has the property that the potential of one input terminal fluctuates in response to the influence of the potential fluctuation of the other input terminal. That is, when the current Jin(n) is output from PD22a(n), the potential of the positive phase input terminal of TIA23c(n) fluctuates slightly, but the potential of the negative phase input terminal of TIA23c(n) also fluctuates due to the influence. As a result, the crosstalk current Jg(n) is input to the positive phase input terminal of TIA23c(n-1) through circuit element 27(n-1), and the crosstalk current Jh(n) is input to the positive phase input terminal of TIA23c(n+1) through circuit element 27(n+1). However, in this modification, a circuit element 30(n-1) is connected between the negative phase input terminal of TIA 23c(n-1) and the negative phase input terminal of TIA 23c(n), and a circuit element 30(n) is connected between the negative phase input terminal of TIA 23c(n) and the negative phase input terminal of TIA 23c(n+1). Therefore, the pseudo crosstalk current Ji(n) passes through the circuit element 30(n-1) and is input to the negative phase input terminal of TIA 23c(n-1), and the pseudo crosstalk current Jj(n) passes through the circuit element 30(n) and is input to the negative phase input terminal of TIA 23c(n+1). Therefore, in the TIA 23c(n-1), the crosstalk current Jg(n) is offset or reduced by the pseudo crosstalk current Ji(n), and in the TIA 23c(n+1), the crosstalk current Jh(n) is offset or reduced by the pseudo crosstalk current Jj(n). Therefore, in the output signals Vout(n-1) and Vout(n+1), the crosstalk waveforms caused by the circuit elements 30(n-1) and 30(n) are not generated or are small. Note that, when n=1, only the operation related to the TIA 23c(n+1) is performed among the above operations, and when n=N, only the operation related to the TIA 23c(n-1) is performed among the above operations. In this way, by connecting circuit elements 30(n-1) and 30(n) between the negative phase input terminal of TIA 23c(n) and the negative phase input terminals of TIAs 23c(n-1) and 23c(n+1), respectively, it is possible to cancel at least a portion of the crosstalk current caused by circuit elements 27(n-1) and 27(n+1).

本開示による光検出回路及び計測装置は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、信号生成回路は、上記実施形態及び変形例において説明された構成に限定されず、或る電流と別の電流との差に応じた出力信号を生成できるものであれば、他に様々な構成を採用できる。 The photodetection circuit and measurement device according to the present disclosure are not limited to the above-described embodiments, and various other modifications are possible. For example, the signal generation circuit is not limited to the configurations described in the above embodiments and modifications, and various other configurations can be adopted as long as they can generate an output signal corresponding to the difference between one current and another current.

また、上記実施形態では電圧信号Vtp(n)と電圧信号Vtn(n)との差を示す電圧信号を差動増幅回路28a(n)によって生成しているが、電圧信号Vtp(n)及びVtn(n)をA/D変換してデジタル化したのち、制御器8または他のデジタルデバイスにおいて差を演算してもよい。 In addition, in the above embodiment, the voltage signal indicating the difference between the voltage signal Vtp(n) and the voltage signal Vtn(n) is generated by the differential amplifier circuit 28a(n), but the voltage signals Vtp(n) and Vtn(n) may be A/D converted and digitized, and the difference may then be calculated in the controller 8 or another digital device.

1…計測装置、2…光検出回路、2A~2D…光検出回路、8…制御器、10…光出射部、11…ドライバー、12…パルスレーザ、13…発光光学系、20…光検出部、21…受光光学系、22…PDアレイ、23…TIAアレイ、23a,23a(1)~23a(N)…TIA、23b(1)~23b(N)…TIA、23c(1)~23c(N)…TIA、24…A/D変換器アレイ、24a…A/D変換器、25,25(1)~25(N)…ワイヤ、26,26(1)~26(N-1)…寄生容量、27(1)~27(N)…回路要素、28(1)~28(N),29(1)~29(N)…信号生成回路、28a(1)~28a(N)…差動増幅回路、30,30(1)~30(N)…回路要素、41…バイアス電源、100…光検出回路、221…共通基板、222…半導体層、223,224…半導体領域、225,226…電極、A…計測対象物、PL…光パルス、PL1…レーザ光、PL2…反射光、Vout1,Vout2,Vout(1)~Vout(N)…出力信号、Vtp1,Vtn1,Vtp2,Vtn2,Vtp(1)~Vtp(N),Vtn(1)~Vtn(N)…電圧信号。 1...Measuring device, 2...Photodetection circuit, 2A to 2D...Photodetection circuits, 8...Controller, 10...Light emitting section, 11...Driver, 12...Pulse laser, 13...Light emitting optical system, 20...Photodetection section, 21...Light receiving optical system, 22...PD array, 23...TIA array, 23a, 23a(1) to 23a(N)...TIA, 23b(1) to 23b(N)...TIA, 23c(1) to 23c(N)...TIA, 24...A/D converter array, 24a...A/D converter, 25, 25(1) to 25(N)...Wires, 26, 26(1) to 26(N-1)...Parasitic capacitance, 27(1) to 27(N)...Circuit element, 28(1) 28(N), 29(1) to 29(N)...signal generation circuit, 28a(1) to 28a(N)...differential amplifier circuit, 30, 30(1) to 30(N)...circuit element, 41...bias power supply, 100...photodetection circuit, 221...common substrate, 222...semiconductor layer, 223, 224...semiconductor region, 225, 226...electrode, A...measurement object, PL...light pulse, PL1...laser light, PL2...reflected light, Vout1, Vout2, Vout(1) to Vout(N)...output signal, Vtp1, Vtn1, Vtp2, Vtn2, Vtp(1) to Vtp(N), Vtn(1) to Vtn(N)...voltage signal.

Claims (11)

光パルスを検出する第1フォトダイオード及び第2フォトダイオードと、
一端と他端との間に容量を有し、前記一端が前記第1フォトダイオードの出力端と電気的に接続された第1回路要素と、
一端と他端との間に容量を有し、前記一端が前記第2フォトダイオードの出力端と電気的に接続された第2回路要素と、
前記第1フォトダイオードの出力端と第1配線を介して電気的に接続されるとともに前記第2回路要素の前記他端と電気的に接続され、前記第1配線を通じて受けた電流と前記第2回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第1信号を生成する第1回路と、
前記第2フォトダイオードの出力端と第2配線を介して電気的に接続されるとともに前記第1回路要素の前記他端と電気的に接続され、前記第2配線を通じて受けた電流と前記第1回路要素を通じて受けた電流との差に応じた第2信号を生成する第2回路と、
を備える、光検出回路。
a first photodiode and a second photodiode for detecting a light pulse;
a first circuit element having a capacitance between one end and the other end, the one end being electrically connected to an output end of the first photodiode;
a second circuit element having a capacitance between one end and the other end, the one end being electrically connected to the output end of the second photodiode;
a first circuit electrically connected to an output end of the first photodiode via a first wiring and electrically connected to the other end of the second circuit element, the first circuit generating a first signal according to a difference between a current received through the first wiring and a current received through the second circuit element;
a second circuit electrically connected to an output end of the second photodiode via a second wiring and electrically connected to the other end of the first circuit element, the second circuit generating a second signal corresponding to a difference between a current received through the second wiring and a current received through the first circuit element;
A photodetection circuit comprising:
前記第1フォトダイオード及び前記第2フォトダイオードは共通基板にモノリシックに形成されている、請求項1に記載の光検出回路。 The photodetection circuit of claim 1, wherein the first photodiode and the second photodiode are monolithically formed on a common substrate. 前記第1配線及び前記第2配線は互いに沿って配設された部分を有する、請求項1又は2に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to claim 1 or 2, wherein the first wiring and the second wiring have portions arranged along each other. 前記第1回路要素及び前記第2回路要素の各容量は、前記第1フォトダイオードと前記第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び前記第1配線と前記第2配線との間の寄生容量の和と等しい、請求項1~3のいずれか1項に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the capacitance of each of the first circuit element and the second circuit element is equal to the sum of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. 前記第1回路要素及び前記第2回路要素の各容量は、前記第1フォトダイオードと前記第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び前記第1配線と前記第2配線との間の寄生容量の和の2倍よりも小さい、請求項1~3のいずれか1項に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the capacitance of each of the first circuit element and the second circuit element is smaller than twice the sum of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. 前記第1回路要素及び前記第2回路要素の各容量は、前記第1フォトダイオードと前記第2フォトダイオードとの間の寄生容量、及び前記第1配線と前記第2配線との間の寄生容量の和の0.1倍よりも大きい、請求項1~3及び5のいずれか1項に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to any one of claims 1 to 3 and 5, wherein the capacitance of each of the first circuit element and the second circuit element is greater than 0.1 times the sum of the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. 前記第1回路要素及び前記第2回路要素の各容量は、前記第1フォトダイオードと前記第2フォトダイオードとの間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及び前記第1配線と前記第2配線との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分の和の2倍よりも小さい信号が前記第1回路又は前記第2回路において生じる大きさに設定されている、請求項1~3のいずれか1項に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the capacitance of each of the first circuit element and the second circuit element is set to a magnitude that generates in the first circuit or the second circuit a signal that is smaller than twice the sum of the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and the crosstalk component caused by the parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. 前記第1回路要素及び前記第2回路要素の各容量は、前記第1フォトダイオードと前記第2フォトダイオードとの間の寄生容量によって生じるクロストーク成分、及び前記第1配線と前記第2配線との間の寄生容量によって生じるクロストーク成分の和の0.1倍よりも大きい信号が前記第1回路又は前記第2回路において生じる大きさに設定されている、請求項1~3及び7のいずれか1項に記載の光検出回路。 The photodetection circuit according to any one of claims 1 to 3 and 7, wherein the capacitance of each of the first circuit element and the second circuit element is set to a magnitude that generates in the first circuit or the second circuit a signal that is greater than 0.1 times the sum of a crosstalk component caused by a parasitic capacitance between the first photodiode and the second photodiode and a crosstalk component caused by a parasitic capacitance between the first wiring and the second wiring. 前記第1回路は、
前記第1配線を通じて受けた電流を第1電圧信号に変換する第1トランスインピーダンスアンプと、
前記第2回路要素を通じて受けた電流を第2電圧信号に変換する第2トランスインピーダンスアンプと、
前記第1電圧信号と前記第2電圧信号との差に応じた信号を生成する回路と、
を有し、
前記第2回路は、
前記第2配線を通じて受けた電流を第3電圧信号に変換する第3トランスインピーダンスアンプと、
前記第1回路要素を通じて受けた電流を第4電圧信号に変換する第4トランスインピーダンスアンプと、
前記第3電圧信号と前記第4電圧信号との差に応じた信号を生成する回路と、
を有する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の光検出回路。
The first circuit is
a first transimpedance amplifier that converts the current received through the first wiring into a first voltage signal;
a second transimpedance amplifier that converts the current received through the second circuit element into a second voltage signal;
a circuit for generating a signal corresponding to a difference between the first voltage signal and the second voltage signal;
having
The second circuit is
a third transimpedance amplifier that converts the current received through the second wiring into a third voltage signal;
a fourth transimpedance amplifier that converts the current received through the first circuit element into a fourth voltage signal;
a circuit for generating a signal corresponding to a difference between the third voltage signal and the fourth voltage signal;
The photodetection circuit according to claim 1 , further comprising:
一端と他端との間に容量を有する第3回路要素を更に備え、
前記第1回路は差動入力型のトランスインピーダンスアンプを含み、該トランスインピーダンスアンプの一方の入力端は前記第1配線を介して前記第1フォトダイオードと接続され、他方の入力端は前記第2回路要素の前記他端及び前記第3回路要素の前記一端と接続され、
前記第2回路は差動入力型のトランスインピーダンスアンプを含み、該トランスインピーダンスアンプの一方の入力端は前記第2配線を介して前記第2フォトダイオードと接続され、他方の入力端は前記第1回路要素の前記他端及び前記第3回路要素の前記他端と接続されている、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の光検出回路。
a third circuit element having a capacitance between one end and the other end;
the first circuit includes a differential input type transimpedance amplifier, one input end of the transimpedance amplifier is connected to the first photodiode via the first wiring, and the other input end is connected to the other end of the second circuit element and the one end of the third circuit element,
9. The photodetection circuit according to claim 1, wherein the second circuit includes a differential input type transimpedance amplifier, one input end of the transimpedance amplifier is connected to the second photodiode via the second wiring, and the other input end of the transimpedance amplifier is connected to the other end of the first circuit element and the other end of the third circuit element.
計測対象物に対してパルス状のレーザ光を照射し、前記計測対象物からの反射光の入射位置、及び前記レーザ光の照射から前記反射光の入射までの時間差に基づいて、前記計測対象物までの距離及び方向を計測する装置であって、
前記レーザ光を出射する光出射部と、
前記反射光を検出する光検出部と、
を備え、
前記光検出部は、請求項1~10の何れか1項に記載の光検出回路を有する、計測装置。
1. An apparatus for measuring a distance and a direction to a measurement object based on a position of incidence of reflected light from the measurement object and a time difference between the irradiation of the laser light and the incidence of the reflected light, comprising:
a light emitting unit that emits the laser light;
A light detection unit that detects the reflected light;
Equipped with
A measuring device, wherein the light detection section has the light detection circuit according to any one of claims 1 to 10.
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