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JP7626666B2 - Sample Support - Google Patents
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Description

本開示は、試料支持体に関する。 This disclosure relates to a sample support.

試料の質量分析に用いられる試料支持体に関する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載の技術では、試料支持体の微細凹凸構造面に付着した試料に対してレーザ光が照射されることで、試料がイオン化され、これにより、試料の質量分析が行われている。 Technology relating to a sample support used in mass analysis of a sample is known (see, for example, Patent Document 1). In the technology described in Patent Document 1, a sample attached to the fine uneven surface of a sample support is irradiated with laser light, thereby ionizing the sample, and mass analysis of the sample is performed.

特許第4674875号公報Patent No. 4674875

上述したような技術では、試料について互いに異なる分析を行う場合には、試料を複数の試料支持体のそれぞれに付着させることになるため、作業が煩雑となるおそれがある。また、試料を複数の試料支持体のそれぞれに付着させると、各試料支持体に付着する試料の量又は各試料支持体に付着する試料の状態等にばらつきが生じる場合があり、その場合には、試料についての分析の精度が低下するおそれがある。 In the above-mentioned techniques, when performing different analyses on a sample, the sample must be attached to each of multiple sample supports, which may make the work complicated. Furthermore, when the sample is attached to each of multiple sample supports, there may be variation in the amount of sample attached to each sample support or the condition of the sample attached to each sample support, which may reduce the accuracy of the analysis of the sample.

本開示は、試料について高効率かつ高精度な分析を可能とする試料支持体を提供することを目的とする。 The present disclosure aims to provide a sample support that enables highly efficient and highly accurate analysis of samples.

本開示の一側面に係る試料支持体は、試料のイオン化に用いられる試料支持体であって、表面及び表面に開口する複数の孔を有する基板を備え、基板は、表面のうちの第1表面領域を含む第1測定領域と、表面のうちの第2表面領域を含む第2測定領域と、を少なくとも有し、第1表面領域には、孔を塞がないように第1導電層が設けられており、第2表面領域には、第1導電層が設けられていない。 A sample support according to one aspect of the present disclosure is a sample support used for ionizing a sample, and includes a substrate having a surface and a plurality of holes opening into the surface, the substrate having at least a first measurement region including a first surface region of the surface and a second measurement region including a second surface region of the surface, the first surface region being provided with a first conductive layer so as not to block the holes, and the second surface region being free of the first conductive layer.

この試料支持体では、基板は、第1測定領域及び第2測定領域を有している。これにより、試料に対して試料支持体を一回押し当てることで、第1測定領域及び第2測定領域の両方に試料を付着させることができる。しかも、第1測定領域の第1表面領域には、第1導電層が設けられており、第2測定領域の第2表面領域には、第1導電層が設けられていない。これにより、第1測定領域においては、例えば第1表面領域に対してエネルギー線を照射することで、試料の質量分析等を行うことができ、第2測定領域においては、試料について第1測定領域とは異なる分析を行うことができる。このように、この試料支持体によれば、1つの試料支持体によって、試料について互いに異なる分析を効率的に行うことができる。また、試料に対して試料支持体を一回押し当てることで、第1測定領域及び第2測定領域の両方に試料を付着させることができるため、第1測定領域に付着する試料の量と第2測定領域に付着する試料の量とのばらつきを抑制することができる。これにより、第1測定領域及び第2測定領域における分析を精度良く行うことができる。以上により、この試料支持体によれば、試料について高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。 In this sample support, the substrate has a first measurement region and a second measurement region. Thus, by pressing the sample support against the sample once, the sample can be attached to both the first measurement region and the second measurement region. Moreover, the first surface region of the first measurement region is provided with a first conductive layer, and the second surface region of the second measurement region is not provided with the first conductive layer. Thus, in the first measurement region, for example, mass analysis of the sample can be performed by irradiating the first surface region with an energy beam, and in the second measurement region, an analysis of the sample different from that in the first measurement region can be performed. In this way, according to this sample support, different analyses of the sample can be efficiently performed by one sample support. Furthermore, by pressing the sample support against the sample once, the sample can be attached to both the first measurement region and the second measurement region, so that the variation between the amount of sample attached to the first measurement region and the amount of sample attached to the second measurement region can be suppressed. As a result, the analysis in the first measurement region and the second measurement region can be performed with high accuracy. As described above, according to this sample support, it is possible to perform a highly efficient and highly accurate analysis of the sample.

第1導電層は、試料の質量分析に適した材料によって形成されていてもよい。これにより、第1測定領域において、試料の質量分析を好適に行うことができる。 The first conductive layer may be formed of a material suitable for mass analysis of the sample. This allows the mass analysis of the sample to be suitably performed in the first measurement region.

第2測定領域は、光透過性を有しており、第2測定領域の第2表面領域、及び第2測定領域における第2表面領域とは反対側の表面領域は、露出していてもよい。これにより、第2測定領域においては、光を透過させることで、第2測定領域に付着した試料の光透過率についての分析を行うことができる。 The second measurement area is optically transparent, and the second surface area of the second measurement area and the surface area of the second measurement area opposite the second surface area may be exposed. This allows light to pass through the second measurement area, allowing the light transmittance of the sample attached to the second measurement area to be analyzed.

基板の厚さは、5μm~50μmであってもよい。これにより、基板の強度を確保しつつ、第2測定領域の光透過性を確保することができる。 The thickness of the substrate may be 5 μm to 50 μm. This ensures the strength of the substrate while ensuring the optical transparency of the second measurement region.

第2測定領域の第2表面領域には、孔を塞がないようにかつ第1導電層とは異なる材料によって形成された第2導電層が設けられていてもよい。これにより、第2測定領域においては、試料について第1測定領域とは異なる分析を行うことができる。 A second conductive layer may be provided on the second surface region of the second measurement region so as not to block the holes and which is made of a material different from that of the first conductive layer. This allows a different analysis of the sample to be performed in the second measurement region than in the first measurement region.

第1測定領域と第2測定領域とは、互いに繋がっていてもよい。これにより、第1測定領域及び第2測定領域の面積を確保しつつ、第1測定領域に付着する試料の量と第2測定領域に付着する試料の量とのばらつきをより確実に抑制することができる。 The first and second measurement regions may be connected to each other. This makes it possible to more reliably suppress variation between the amount of sample adhering to the first and second measurement regions while ensuring the areas of the first and second measurement regions.

上記の試料支持体は、第1測定領域と第2測定領域との間に設けられた隔壁部を更に備えてもよい。これにより、第1測定領域と第2測定領域との境界を明確にしつつ、基板の強度を補強することができる。 The sample support may further include a partition provided between the first and second measurement regions. This makes it possible to reinforce the strength of the substrate while clarifying the boundary between the first and second measurement regions.

基板は、表面のうちの第3表面領域を含む第3測定領域を更に有し、第3表面領域には、孔を塞がないようにかつ第1導電層とは異なる材料によって形成された第3導電層が設けられていてもよい。これにより、第3測定領域においては、試料について第1測定領域とは異なる分析を行うことができる。 The substrate may further have a third measurement area including a third surface area of the surface, and the third surface area may be provided with a third conductive layer that does not block the holes and is made of a material different from that of the first conductive layer. This allows the sample to be analyzed in the third measurement area in a manner different from that of the first measurement area.

基板は、矩形板状を呈しており、基板は、基板の厚さ方向から見た場合に、基板の互いに異なる角部に位置する複数のキャリブレーション領域を有していてもよい。これにより、各測定領域の面積を確保しつつ、各測定領域における分析に対応するキャリブレーションを行うことができる。 The substrate has a rectangular plate shape, and may have multiple calibration regions located at different corners of the substrate when viewed in the thickness direction of the substrate. This allows calibration corresponding to the analysis in each measurement region to be performed while ensuring the area of each measurement region.

本開示によれば、試料について高効率かつ高精度な分析を可能とする試料支持体を提供することができる。 The present disclosure provides a sample support that enables highly efficient and highly accurate analysis of samples.

図1は、第1実施形態の試料支持体の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a sample support according to the first embodiment. 図2は、図1のII-II線に沿っての試料支持体の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the sample support taken along the line II-II in FIG. 図3は、図1のIII-III線に沿った試料支持体の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the sample support taken along line III-III in FIG. 図4は、図1の試料支持体の基板の拡大像を示す図である。FIG. 4 shows an enlarged image of the substrate of the sample support of FIG. 図5は、図1の試料支持体のうち、第1測定領域及び第1導電層を含む部分の光透過率と第2測定領域の光透過率との比較結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a comparison result between the light transmittance of a portion including the first measurement region and the first conductive layer and the light transmittance of a second measurement region of the sample support in FIG. 図6は、図1の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing some of the steps of a mass spectrometry method using the sample support of FIG. 図7は、図1の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing some of the steps of a mass spectrometry method using the sample support of FIG. 図8は、図1の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing some of the steps of a mass spectrometry method using the sample support of FIG. 図9は、図1の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing some of the steps of a mass spectrometry method using the sample support of FIG. 図10は、第2実施形態の試料支持体の平面図である。FIG. 10 is a plan view of the sample support of the second embodiment. 図11は、図10のXI-XI線に沿っての断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XI-XI in FIG. 図12は、第1変形例に係る試料支持体の平面図である。FIG. 12 is a plan view of a sample support according to a first modified example. 図13は、第2変形例に係る試料支持体の平面図である。FIG. 13 is a plan view of a sample support according to a second modified example. 図14は、図13のXIV-XIV線に沿っての概略断面図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 図15は、第3変形例に係る試料支持体の平面図である。FIG. 15 is a plan view of a sample support according to a third modified example. 図16は、図15のXVI-XVI線に沿っての概略断面図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional view taken along line XVI-XVI in FIG.

以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図面においては、一部、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分があり、実際の寸法とは異なっている場合がある。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. In each drawing, identical or equivalent parts are given the same reference numerals, and duplicated explanations will be omitted. Note that some parts in the drawings are exaggerated to more clearly explain the characteristic parts of the embodiment, and may differ from the actual dimensions.

[第1実施形態]
[試料支持体の構成]
図1~図4を参照して、第1実施形態の試料支持体1Aについて説明する。試料支持体1Aは、試料をイオン化するために用いられるイオン化支援基板である。本実施形態では、試料支持体1Aは、人の皮膚上(皮膚表面)に塗布される試料のイオン化に用いられる。より具体的には、人の皮膚上に塗布された試料に対して試料支持体1Aを押し当てることにより、試料支持体1Aに試料を付着させる。その後、試料が付着した試料支持体1Aにレーザ光等のエネルギー線を照射することにより、当該試料をイオン化する。試料の例としては、薬剤、化粧料等が挙げられる。
[First embodiment]
[Configuration of sample support]
A sample support 1A of the first embodiment will be described with reference to Figures 1 to 4. The sample support 1A is an ionization-assisting substrate used for ionizing a sample. In this embodiment, the sample support 1A is used for ionizing a sample applied to human skin (skin surface). More specifically, the sample support 1A is pressed against the sample applied to the human skin, thereby attaching the sample to the sample support 1A. Thereafter, the sample support 1A to which the sample has been attached is ionized by irradiating the sample support 1A with an energy beam such as a laser beam. Examples of samples include medicines, cosmetics, and the like.

図1~図3に示されるように、試料支持体1Aは、基板2と、フレーム3と、導電層(第1導電層)5と、を備えている。図1に示されるように、試料支持体1Aは、平面視において略矩形状を有している。本実施形態では、試料支持体1Aの長辺に沿った方向をX軸方向と表し、試料支持体1Aの短辺に沿った方向をY軸方向と表し、X軸方向及びY軸方向に直交する方向(すなわち、試料支持体1Aの厚さ方向)をZ軸方向と表す。一例として、試料支持体1AのX軸方向の長さは3cm程度であり、Y軸方向の長さは2cm程度である。 As shown in Figures 1 to 3, the sample support 1A includes a substrate 2, a frame 3, and a conductive layer (first conductive layer) 5. As shown in Figure 1, the sample support 1A has a substantially rectangular shape in a plan view. In this embodiment, the direction along the long side of the sample support 1A is represented as the X-axis direction, the direction along the short side of the sample support 1A is represented as the Y-axis direction, and the direction perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction (i.e., the thickness direction of the sample support 1A) is represented as the Z-axis direction. As an example, the length of the sample support 1A in the X-axis direction is about 3 cm, and the length in the Y-axis direction is about 2 cm.

基板2は、第1表面2aと、第1表面2aとは反対側の第2表面2bと、を有している。図3に示されるように、基板2には、複数の孔2cが一様に(均一な分布で)形成されている。各孔2cは、基板2の厚さ方向D(第1表面2a及び第2表面2bが互いに対向する方向であり、Z軸方向と一致する方向)に沿って延在しており、第1表面2a及び第2表面2bに開口している。つまり、各孔2cは、基板2を貫通する貫通孔である。なお、図2においては、孔2cの図示が省略されている。第1表面2aは、試料支持体1Aに付着した試料の成分をイオン化させる工程において、レーザ光等のエネルギー線が照射される面である。 The substrate 2 has a first surface 2a and a second surface 2b opposite to the first surface 2a. As shown in FIG. 3, a plurality of holes 2c are uniformly (uniformly distributed) formed in the substrate 2. Each hole 2c extends along the thickness direction D of the substrate 2 (the direction in which the first surface 2a and the second surface 2b face each other and coincide with the Z-axis direction) and opens to the first surface 2a and the second surface 2b. In other words, each hole 2c is a through hole penetrating the substrate 2. Note that the holes 2c are not shown in FIG. 2. The first surface 2a is the surface that is irradiated with an energy beam such as a laser beam in the process of ionizing the components of the sample attached to the sample support 1A.

基板2は、矩形板状を呈している。厚さ方向Dから見た場合における基板2の一辺の長さは、例えば数cm程度である。基板2の厚さは、例えば1μm~50μm程度である。一例として、基板2の厚さは、5μm~50μmである。基板2の厚さは、5μm~20μmであることが好ましい。これにより、基板2の後述する光透過性を確実に確保することができる。厚さ方向Dから見た場合における孔2cの形状は、例えば略円形である。孔2cの幅は、例えば1nm~700nm程度である。基板2は、絶縁性材料によって形成されている。 The substrate 2 has a rectangular plate shape. When viewed from the thickness direction D, the length of one side of the substrate 2 is, for example, about several centimeters. The thickness of the substrate 2 is, for example, about 1 μm to 50 μm. As an example, the thickness of the substrate 2 is 5 μm to 50 μm. The thickness of the substrate 2 is preferably 5 μm to 20 μm. This ensures the optical transparency of the substrate 2, which will be described later. When viewed from the thickness direction D, the shape of the hole 2c is, for example, approximately circular. The width of the hole 2c is, for example, about 1 nm to 700 nm. The substrate 2 is formed from an insulating material.

孔2cの幅は、以下のようにして取得される値である。まず、基板2の第1表面2a及び第2表面2bのそれぞれの画像を取得する。図4は、基板2の第1表面2aの一部のSEM画像の一例を示している。当該SEM画像において、黒色の部分は孔2cであり、白色の部分は孔2c間の隔壁部である。続いて、取得した第1表面2aの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域R内の複数の第1開口(孔2cの第1表面2a側の開口)に対応する複数の画素群を抽出し、1画素当たりの大きさに基づいて、第1開口の平均面積を有する円の直径を取得する。同様に、取得した第2表面2bの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域R内の複数の第2開口(孔2cの第2表面2b側の開口)に対応する複数の画素群を抽出し、1画素当たりの大きさに基づいて、第2開口の平均面積を有する円の直径を取得する。そして、第1表面2aについて取得した円の直径と第2表面2bについて取得した円の直径との平均値を孔2cの幅として取得する。 The width of the hole 2c is a value obtained as follows. First, images of the first surface 2a and the second surface 2b of the substrate 2 are obtained. FIG. 4 shows an example of an SEM image of a part of the first surface 2a of the substrate 2. In the SEM image, the black parts are the holes 2c, and the white parts are the partitions between the holes 2c. Next, the image of the first surface 2a obtained is subjected to, for example, a binarization process to extract a plurality of pixel groups corresponding to a plurality of first openings (openings on the first surface 2a side of the holes 2c) in the measurement region R, and the diameter of a circle having an average area of the first openings is obtained based on the size per pixel. Similarly, the image of the second surface 2b obtained is subjected to, for example, a binarization process to extract a plurality of pixel groups corresponding to a plurality of second openings (openings on the second surface 2b side of the holes 2c) in the measurement region R, and the diameter of a circle having an average area of the second openings is obtained based on the size per pixel. Then, the average value of the diameter of the circle obtained for the first surface 2a and the diameter of the circle obtained for the second surface 2b is obtained as the width of the hole 2c.

図4に示されるように、基板2には、略一定の幅を有する複数の孔2cが一様に形成されている。図4に示される基板2は、Al(アルミニウム)を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。例えば、Al基板に対して陽極酸化処理が施されることにより、Al基板の表面部分が酸化されると共に、Al基板の表面部分に複数の細孔(孔2cになる予定の部分)が形成される。続いて、酸化された表面部分(陽極酸化皮膜)がAl基板から剥離され、剥離された陽極酸化皮膜に対して上記細孔を拡幅するポアワイドニング処理が施されることにより、上述した基板2が得られる。なお、基板2は、Ta(タンタル)、Nb(ニオブ)、Ti(チタン)、Hf(ハフニウム)、Zr(ジルコニウム)、Zn(亜鉛)、W(タングステン)、Bi(ビスマス)、Sb(アンチモン)等のAl以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよいし、Si(シリコン)を陽極酸化することにより形成されてもよい。 As shown in FIG. 4, a plurality of holes 2c having a substantially uniform width are uniformly formed on the substrate 2. The substrate 2 shown in FIG. 4 is an alumina porous film formed by anodizing Al (aluminum). For example, an anodizing process is performed on the Al substrate, whereby the surface portion of the Al substrate is oxidized and a plurality of pores (portions that will become the pores 2c) are formed on the surface portion of the Al substrate. The oxidized surface portion (anodized film) is then peeled off from the Al substrate, and the peeled anodized film is subjected to a pore widening process to widen the pores, thereby obtaining the substrate 2 described above. The substrate 2 may be formed by anodizing a valve metal other than Al, such as Ta (tantalum), Nb (niobium), Ti (titanium), Hf (hafnium), Zr (zirconium), Zn (zinc), W (tungsten), Bi (bismuth), or Sb (antimony), or may be formed by anodizing Si (silicon).

フレーム3は、基板2の第1表面2aに設けられており、第1表面2a側において基板2を支持している。フレーム3は、基板2の第1表面2aに対向する第1面3hと、第1面3hとは反対側の第2面3gとを有している。本実施形態では、厚さ方向Dから見た場合に、フレーム3は、基板2よりも大きい矩形板状に形成されている。 The frame 3 is provided on the first surface 2a of the substrate 2 and supports the substrate 2 on the first surface 2a side. The frame 3 has a first surface 3h that faces the first surface 2a of the substrate 2 and a second surface 3g that is opposite the first surface 3h. In this embodiment, when viewed from the thickness direction D, the frame 3 is formed in a rectangular plate shape that is larger than the substrate 2.

フレーム3の略中央部には、フレーム3の厚さ方向(すなわち、厚さ方向D)に貫通する開口部3aが形成されている。フレーム3の互いに対向する一対の角部には、フレーム3の厚さ方向に貫通する開口部31b,32bが形成されている。フレーム3のX軸方向における縁部3c(すなわち、Y軸方向に沿った縁部)の中央部には、X軸方向の内側に向かって窪んだ凹部3dが設けられている。 An opening 3a is formed in the approximate center of the frame 3, penetrating the frame 3 in the thickness direction (i.e., thickness direction D). Openings 31b, 32b are formed in a pair of opposing corners of the frame 3, penetrating the frame 3 in the thickness direction. A recess 3d is provided in the center of the edge 3c in the X-axis direction (i.e., the edge along the Y-axis direction) of the frame 3, recessed inward in the X-axis direction.

開口部3aは、略円形状に形成されている。本実施形態では、開口部3aは、円の一部(一方向において互いに対向する部分)を弓型に切り欠いた形状を有している。具体的には、開口部3aは、Y軸方向における両側の縁部がX軸方向に平行となるように円の一部を弓型に切り欠いた形状を有している。一例として、開口部3aのY軸方向の幅は、1.5cm程度である。基板2のうち開口部3aに対応する部分(すなわち、厚さ方向Dから見た場合に開口部3aと重なる部分)は、試料の測定を行うための測定領域Rとして機能する。すなわち、フレーム3に設けられた開口部3aによって、測定領域Rが規定されている。言い換えれば、開口部3aは、測定領域Rに対応するように第1面3h及び第2面3gに開口している。つまり、フレーム3は、厚さ方向Dから見た場合に基板2の測定領域Rを包囲するように形成されている。 The opening 3a is formed in a substantially circular shape. In this embodiment, the opening 3a has a shape in which a part of a circle (parts facing each other in one direction) is cut out in a bow shape. Specifically, the opening 3a has a shape in which a part of a circle is cut out in a bow shape so that both edges in the Y-axis direction are parallel to the X-axis direction. As an example, the width of the opening 3a in the Y-axis direction is about 1.5 cm. The part of the substrate 2 corresponding to the opening 3a (i.e., the part overlapping with the opening 3a when viewed from the thickness direction D) functions as a measurement region R for measuring the sample. That is, the measurement region R is defined by the opening 3a provided in the frame 3. In other words, the opening 3a opens on the first surface 3h and the second surface 3g so as to correspond to the measurement region R. That is, the frame 3 is formed so as to surround the measurement region R of the substrate 2 when viewed from the thickness direction D.

開口部31b,32bは、開口部3aよりも小さい円形状に形成されている。一例として、開口部31b,32bの直径は、1mm程度である。基板2のうち開口部31b,32bに対応する部分(すなわち、厚さ方向Dから見た場合に開口部31b,32bと重なる部分)は、キャリブレーション用のキャリブレーション領域C1,C2として機能する。 Openings 31b and 32b are formed in a circular shape smaller than opening 3a. As an example, openings 31b and 32b have a diameter of about 1 mm. The portions of substrate 2 corresponding to openings 31b and 32b (i.e., the portions overlapping openings 31b and 32b when viewed from thickness direction D) function as calibration areas C1 and C2 for calibration.

上述したように、基板2には複数の孔2cが一様に形成されているため、測定領域R及びキャリブレーション領域C1,C2のいずれも、複数の孔2cを含む領域である。測定領域Rにおける孔2cの開口率(厚さ方向Dから見た場合に測定領域Rに対して孔2cが占める割合)は、実用上は10~80%であり、特に60~80%であることが好ましい。複数の孔2cの大きさは互いに不揃いであってもよいし、部分的に複数の孔2c同士が互いに連結していてもよい。キャリブレーション領域C1,C2についても測定領域Rと同様である。 As described above, multiple holes 2c are uniformly formed in the substrate 2, so both the measurement region R and the calibration regions C1 and C2 are regions that include multiple holes 2c. The aperture ratio of the holes 2c in the measurement region R (the proportion of the holes 2c in the measurement region R when viewed from the thickness direction D) is practically 10 to 80%, and preferably 60 to 80%. The multiple holes 2c may be of different sizes, or multiple holes 2c may be partially connected to each other. The same applies to the measurement region R for the calibration regions C1 and C2.

フレーム3は、例えば、金属又はセラミックス等である。本実施形態では、フレーム3は、非磁性であり且つ耐酸性を有する材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、チタン、ステンレス鋼(SUS)等が挙げられる。本実施形態では、フレーム3は、SUSによって形成されている。試料支持体1Aの外形は、主にフレーム3によって規定されている。フレーム3のX軸方向の長さは3cm程度であり、フレーム3のY軸方向の長さは2cm程度である。フレーム3の厚さは、例えば3mm以下である。一例として、フレーム3の厚さは0.2mmである。 The frame 3 is, for example, a metal or a ceramic. In this embodiment, the frame 3 is made of a material that is non-magnetic and acid-resistant. Examples of such materials include titanium and stainless steel (SUS). In this embodiment, the frame 3 is made of SUS. The outer shape of the sample support 1A is determined mainly by the frame 3. The length of the frame 3 in the X-axis direction is about 3 cm, and the length of the frame 3 in the Y-axis direction is about 2 cm. The thickness of the frame 3 is, for example, 3 mm or less. As an example, the thickness of the frame 3 is 0.2 mm.

本実施形態では、図1に示されるように、厚さ方向Dから見た場合に、基板2は、フレーム3のX軸方向に沿った一対の縁部3eの間に収まると共に、フレーム3の一対の凹部3dの各々の底部3fの間に収まっている。基板2のうち測定領域R及びキャリブレーション領域C1,C2以外の部分は、接着層6によってフレーム3に接合されている。このように基板2がフレーム3に接合されて支持されることにより、試料支持体1Aのハンドリングが容易になると共に、温度変化等に起因する基板2の変形が抑制される。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, when viewed from the thickness direction D, the substrate 2 is contained between a pair of edges 3e along the X-axis direction of the frame 3, and is also contained between the bottoms 3f of a pair of recesses 3d of the frame 3. Portions of the substrate 2 other than the measurement region R and the calibration regions C1 and C2 are bonded to the frame 3 by an adhesive layer 6. By bonding and supporting the substrate 2 to the frame 3 in this manner, handling of the sample support 1A is facilitated, and deformation of the substrate 2 due to temperature changes, etc. is suppressed.

図3に示されるように、フレーム3は、接着層6によって基板2の第1表面2aに接合されている。接着層6は、基板2の第1表面2aとフレーム3の第1面3hとの間に形成されており、基板2とフレーム3とを接着している。なお、図2においては、接着層6の図示が省略されている。接着層6は、例えば、放出ガスの少ない接着剤(例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等)によって形成され得る。接着層6は、導電性接着剤によって形成されてもよいし、金属ペーストを塗布することによって形成されてもよい。また、接着層6は、UV硬化性接着剤(光硬化性接着剤)又は無機バインダー等によって形成されてもよい。UV硬化性接着剤の例として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤等が挙げられる。また、無機バインダーの例として、オーデック社製のセラマボンド(登録商標)、東亞合成社製のアロンセラミック(登録商標)等が挙げられる。本実施形態では一例として、接着層6は、UV硬化性接着剤によって形成されている。 As shown in FIG. 3, the frame 3 is bonded to the first surface 2a of the substrate 2 by an adhesive layer 6. The adhesive layer 6 is formed between the first surface 2a of the substrate 2 and the first surface 3h of the frame 3, and bonds the substrate 2 and the frame 3. Note that the adhesive layer 6 is not shown in FIG. 2. The adhesive layer 6 may be formed, for example, of an adhesive that emits little gas (for example, low-melting-point glass, vacuum adhesive, etc.). The adhesive layer 6 may be formed of a conductive adhesive, or may be formed by applying a metal paste. The adhesive layer 6 may be formed of a UV-curable adhesive (photo-curable adhesive) or an inorganic binder, etc. Examples of UV-curable adhesives include acrylic adhesives and epoxy adhesives. Examples of inorganic binders include Ceramabond (registered trademark) manufactured by Odec Co., Ltd. and Aronceramic (registered trademark) manufactured by Toagosei Co., Ltd. As an example, in this embodiment, the adhesive layer 6 is formed of a UV-curable adhesive.

導電層5は、基板2の第1表面2aに設けられている。図3に示されるように、導電層5は、基板2の第1表面2aのうちフレーム3の開口部3aに対応する領域の一部(すなわち、測定領域Rの一部)、開口部3aの内面、及び開口部3aの周縁部のフレーム3の第2面3gに一続きに(一体的に)形成されている。導電層5は、測定領域Rにおいて、基板2の第1表面2aのうち孔2cが形成されていない部分を覆っている。つまり、導電層5は、各孔2cを塞がないように設けられている。従って、測定領域Rにおいては、各孔2cが開口部3aに露出している。また、導電層5は、基板2の第1表面2aのうちフレーム3の開口部31bに対応する領域(すなわち、キャリブレーション領域C1)、開口部31bの内面、及び開口部31bの周縁部のフレーム3の第2面3gにも一続きに(一体的に)形成されている。導電層5は、キャリブレーション領域C1において、基板2の第1表面2aのうち孔2cが形成されていない部分を覆っている。つまり、導電層5は、各孔2cを塞がないように設けられている。従って、キャリブレーション領域C1においても、測定領域Rと同様に、各孔2cが開口部31bに露出している。 The conductive layer 5 is provided on the first surface 2a of the substrate 2. As shown in FIG. 3, the conductive layer 5 is formed continuously (integrally) on a part of the region of the first surface 2a of the substrate 2 corresponding to the opening 3a of the frame 3 (i.e., a part of the measurement region R), the inner surface of the opening 3a, and the second surface 3g of the frame 3 at the periphery of the opening 3a. The conductive layer 5 covers the part of the first surface 2a of the substrate 2 where the holes 2c are not formed in the measurement region R. That is, the conductive layer 5 is provided so as not to block each hole 2c. Therefore, in the measurement region R, each hole 2c is exposed to the opening 3a. The conductive layer 5 is also formed continuously (integrally) on the region of the first surface 2a of the substrate 2 corresponding to the opening 31b of the frame 3 (i.e., the calibration region C1), the inner surface of the opening 31b, and the second surface 3g of the frame 3 at the periphery of the opening 31b. The conductive layer 5 covers the part of the first surface 2a of the substrate 2 where the holes 2c are not formed in the calibration region C1. In other words, the conductive layer 5 is provided so as not to block each hole 2c. Therefore, in the calibration area C1, as in the measurement area R, each hole 2c is exposed to the opening 31b.

導電層5は、導電性材料によって形成されている。導電層5は、試料の質量分析に適した材料によって形成されている。具体的には、導電層5は、例えば、Pt(白金)又はAu(金)によって形成されている。導電層5の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性(反応性)が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。 The conductive layer 5 is formed of a conductive material. The conductive layer 5 is formed of a material suitable for mass analysis of the sample. Specifically, the conductive layer 5 is formed of, for example, Pt (platinum) or Au (gold). For the reasons described below, it is preferable to use a metal that has low affinity (reactivity) with the sample and high conductivity as the material for the conductive layer 5.

例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いCu(銅)等の金属によって導電層5が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にCu原子が付加した状態で試料がイオン化され、Cu原子が付加した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層5の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。 For example, if the conductive layer 5 is made of a metal such as Cu (copper) that has a high affinity with samples such as proteins, during the sample ionization process described below, the sample may be ionized with Cu atoms added to the sample molecules, and the detection results may be shifted by the amount of the added Cu atoms in the mass spectrometry method described below. Therefore, it is preferable to use a metal that has a low affinity with samples as the material for the conductive layer 5.

一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層5が形成されていると、測定領域Rにおいて基板2の第1表面2aに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層5が形成されていると、基板2に照射されたレーザ光(エネルギー線)のエネルギーを、導電層5を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層5の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。 On the other hand, the higher the conductivity of the metal, the easier and more stable the application of a constant voltage. Therefore, when the conductive layer 5 is made of a metal with high conductivity, it becomes possible to uniformly apply a voltage to the first surface 2a of the substrate 2 in the measurement region R. In addition, the higher the conductivity of the metal, the higher the thermal conductivity tends to be. Therefore, when the conductive layer 5 is made of a metal with high conductivity, it becomes possible to efficiently transmit the energy of the laser light (energy ray) irradiated to the substrate 2 to the sample via the conductive layer 5. Therefore, it is preferable to use a metal with high conductivity as the material for the conductive layer 5.

以上の観点から、導電層5の材料としては、例えば、Pt、Au等が用いられることが好ましい。本実施形態では、導電層5は、Ptである。導電層5は、例えば、蒸着又はスパッタリング等によって、厚さ1nm~350nm程度に形成される。なお、導電層5の材料としては、例えば、Cr(クロム)、Ni(ニッケル)、Ti(チタン)、Ag(銀)等が用いられてもよい。 From the above viewpoints, it is preferable to use, for example, Pt, Au, etc. as the material of the conductive layer 5. In this embodiment, the conductive layer 5 is Pt. The conductive layer 5 is formed to a thickness of about 1 nm to 350 nm by, for example, deposition or sputtering. Note that, for example, Cr (chromium), Ni (nickel), Ti (titanium), Ag (silver), etc. may also be used as the material of the conductive layer 5.

試料支持体1Aは、導電性テープ4によってスライドグラス(補強基板)8に固定されている。導電性テープ4は、導電性材料によって形成されている。導電性テープ4は、例えば、アルミテープ、カーボンテープ等である。導電性テープ4の厚さは、例えば100μmである。 The sample support 1A is fixed to a slide glass (reinforcing substrate) 8 by a conductive tape 4. The conductive tape 4 is made of a conductive material. The conductive tape 4 is, for example, an aluminum tape, a carbon tape, or the like. The thickness of the conductive tape 4 is, for example, 100 μm.

導電性テープ4は、フレーム3の第2面3g上に貼り付けられている。本実施形態では、導電性テープ4は、フレーム3のX軸方向における両側に設けられている。具体的には、導電性テープ4は、フレーム3のX軸方向における一方側(図1の図示左側)に設けられた導電性テープ41と、フレーム3のX軸方向における他方側(図1の図示右側)に設けられた導電性テープ42と、を有している。 The conductive tape 4 is attached onto the second surface 3g of the frame 3. In this embodiment, the conductive tape 4 is provided on both sides of the frame 3 in the X-axis direction. Specifically, the conductive tape 4 has a conductive tape 41 provided on one side of the frame 3 in the X-axis direction (the left side in FIG. 1 ) and a conductive tape 42 provided on the other side of the frame 3 in the X-axis direction (the right side in FIG. 1 ).

導電性テープ41は、フレーム3のX軸方向における中央部よりも一方側(図1の図示左側)において、測定領域R及び及びキャリブレーション領域C2を覆わないように設けられている。導電性テープ42には、キャリブレーション領域C2を露出させるための円形状の開口部41aが設けられている。図1に示されるように、本実施形態では、導電性テープ41の縁部は、フレーム3の縁部3c,3e、フレーム3の開口部3aの縁部、及びフレーム3の開口部32bの縁部から若干離間している。一方、導電性テープ41は、厚さ方向Dから見た場合に、フレーム3の凹部3dによって形成された空間と重なる位置にも設けられている。すなわち、導電性テープ41は、厚さ方向Dから見てフレーム3と重ならない部分4b(すなわち、凹部3dによって形成された空間と重なる部分)を有する。 The conductive tape 41 is provided on one side (the left side in FIG. 1) of the center in the X-axis direction of the frame 3 so as not to cover the measurement region R and the calibration region C2. The conductive tape 42 is provided with a circular opening 41a for exposing the calibration region C2. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the edge of the conductive tape 41 is slightly spaced from the edges 3c and 3e of the frame 3, the edge of the opening 3a of the frame 3, and the edge of the opening 32b of the frame 3. On the other hand, the conductive tape 41 is also provided at a position overlapping the space formed by the recess 3d of the frame 3 when viewed from the thickness direction D. That is, the conductive tape 41 has a portion 4b that does not overlap the frame 3 when viewed from the thickness direction D (i.e., a portion that overlaps the space formed by the recess 3d).

導電性テープ42は、フレーム3のX軸方向における中央部よりも他方側(図1の図示右側)において、測定領域R及びキャリブレーション領域C1を覆わないように設けられている。導電性テープ42には、キャリブレーション領域C1を露出させるための円形状の開口部42aが設けられている。図1に示されるように、本実施形態では、導電性テープ42の縁部は、フレーム3の縁部3c,3e、フレーム3の開口部3aの縁部、及びフレーム3の開口部31bの縁部から若干離間している。一方、導電性テープ42は、厚さ方向Dから見た場合に、フレーム3の凹部3dと重なる位置にも設けられている。すなわち、導電性テープ42は、厚さ方向Dから見てフレーム3と重ならない部分4b(すなわち、凹部3dによって形成された空間と重なる部分)を有する。導電性テープ41,42それぞれの部分4bがスライドグラス8の載置面8aに貼り付けられることにより、試料支持体1Aがスライドグラス8に固定される。 The conductive tape 42 is provided on the other side (the right side in FIG. 1) of the center in the X-axis direction of the frame 3 so as not to cover the measurement region R and the calibration region C1. The conductive tape 42 is provided with a circular opening 42a for exposing the calibration region C1. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the edge of the conductive tape 42 is slightly spaced from the edges 3c and 3e of the frame 3, the edge of the opening 3a of the frame 3, and the edge of the opening 31b of the frame 3. On the other hand, the conductive tape 42 is also provided at a position overlapping the recess 3d of the frame 3 when viewed from the thickness direction D. That is, the conductive tape 42 has a portion 4b that does not overlap the frame 3 when viewed from the thickness direction D (i.e., a portion that overlaps with the space formed by the recess 3d). The portions 4b of the conductive tapes 41 and 42 are attached to the mounting surface 8a of the slide glass 8, thereby fixing the sample support 1A to the slide glass 8.

スライドグラス8は、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明導電膜が形成されたガラス基板であり、透明導電膜の表面が載置面8aとなっている。スライドグラス8は、基板2の少なくとも測定領域Rの第2表面2bの全体を覆うように、基板2に対して固定されている。一例として、スライドグラス8は、厚さ方向D(Z軸方向)から見て、フレーム3の外形よりも大きい矩形状を有している。すなわち、厚さ方向Dから見て、上述した試料支持体1Aを構成する全ての要素(基板2及びフレーム3等)が、スライドグラス8内に収まっている。すなわち、スライドグラス8は、測定領域Rだけでなく、基板2の全体を覆っている。試料支持体1Aは、スライドグラス8によって補強されている。なお、試料支持体1Aの補強基板としては、スライドグラス8以外の基板が用いられてもよい。 The slide glass 8 is a glass substrate on which a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed, and the surface of the transparent conductive film serves as the mounting surface 8a. The slide glass 8 is fixed to the substrate 2 so as to cover at least the entire second surface 2b of the measurement region R of the substrate 2. As an example, the slide glass 8 has a rectangular shape larger than the outer shape of the frame 3 when viewed from the thickness direction D (Z-axis direction). That is, when viewed from the thickness direction D, all of the elements (substrate 2, frame 3, etc.) constituting the above-mentioned sample support 1A are contained within the slide glass 8. That is, the slide glass 8 covers not only the measurement region R but also the entire substrate 2. The sample support 1A is reinforced by the slide glass 8. Note that a substrate other than the slide glass 8 may be used as the reinforcing substrate for the sample support 1A.

次に、基板2及び測定領域Rについて詳細に説明する。基板2は、光透過性を有している。具体的には、基板2の孔2c間の隔壁部は、光透過性を有している。基板2は、光透過性を有する材料によって形成されている。光は、例えば紫外線又は可視光等である。測定領域Rは、上述したように、フレーム3の開口部3aによって規定されている。測定領域Rは、基板2の一部である。つまり、測定領域Rは、第1表面2aの一部、第2表面2bの一部及び複数の孔2cを含んでいる。 Next, the substrate 2 and the measurement area R will be described in detail. The substrate 2 is optically transparent. Specifically, the partitions between the holes 2c of the substrate 2 are optically transparent. The substrate 2 is formed of an optically transparent material. The light is, for example, ultraviolet light or visible light. As described above, the measurement area R is defined by the opening 3a of the frame 3. The measurement area R is a part of the substrate 2. In other words, the measurement area R includes a part of the first surface 2a, a part of the second surface 2b, and a plurality of holes 2c.

測定領域Rは、第1測定領域R1と、第2測定領域R2と、を有している。第1測定領域R1は、厚さ方向Dから見た場合に、測定領域RのうちY軸方向における一方側(図1の図示下側)の略半分である。第2測定領域R2は、厚さ方向Dから見た場合に、測定領域RのうちY軸方向における他方側(図1の図示上側)の略半分である。第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに繋がっている。具体的には、第1測定領域R1及び第2測定領域R2のそれぞれは、基板2における互いに連続する一部である。つまり、第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに離れていない。第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、その他の領域を介在していない。第1測定領域R1と第2測定領域R2との境界線Bは、X軸方向に沿って直線状に延びている。 The measurement region R has a first measurement region R1 and a second measurement region R2. When viewed from the thickness direction D, the first measurement region R1 is approximately half of the measurement region R on one side in the Y-axis direction (the lower side in FIG. 1). When viewed from the thickness direction D, the second measurement region R2 is approximately half of the measurement region R on the other side in the Y-axis direction (the upper side in FIG. 1). The first measurement region R1 and the second measurement region R2 are connected to each other. Specifically, the first measurement region R1 and the second measurement region R2 are each a continuous part of the substrate 2. In other words, the first measurement region R1 and the second measurement region R2 are not separated from each other. The first measurement region R1 and the second measurement region R2 are not separated by any other region. The boundary line B between the first measurement region R1 and the second measurement region R2 extends linearly along the X-axis direction.

第1測定領域R1は、第1表面2aのうちの第1表面領域21aを含んでいる。第1表面領域21aには、導電層5が設けられている。第2測定領域R2は、第1表面2aのうちの第2表面領域22aを含んでいる。第2表面領域22aには、導電層5が設けられていない。第2表面領域22aは、露出している。つまり、第2表面領域22aには、成膜されていない。第2測定領域R2における第2表面領域22aとは反対側の表面領域(基板2の第2表面2bの一部)は、露出している。つまり、第2測定領域R2における第2表面領域22aとは反対側の表面領域には、成膜されていない。本実施形態では、基板2の第2表面2bの全体が露出している。つまり、第2表面2bの全体には、成膜されていない。 The first measurement region R1 includes the first surface region 21a of the first surface 2a. The first surface region 21a is provided with a conductive layer 5. The second measurement region R2 includes the second surface region 22a of the first surface 2a. The second surface region 22a is not provided with a conductive layer 5. The second surface region 22a is exposed. That is, no film is formed on the second surface region 22a. The surface region opposite the second surface region 22a in the second measurement region R2 (a part of the second surface 2b of the substrate 2) is exposed. That is, no film is formed on the surface region opposite the second surface region 22a in the second measurement region R2. In this embodiment, the entire second surface 2b of the substrate 2 is exposed. That is, no film is formed on the entire second surface 2b.

試料支持体1Aのうち第2測定領域R2に対応する部分は、光を透過させる。例えば、厚さ方向Dにおける試料支持体1Aの一方の側から第2測定領域R2に対して照射された光は、試料支持体1Aを透過して、厚さ方向Dにおける試料支持体1Aの他方の側に向かって出射する。図5に示されるように、試料支持体1Aのうち第2測定領域R2に対応する部分の光透過率は、試料支持体1Aのうち第1測定領域R1に対応する部分の光透過率よりも大きい。これは、第2測定領域R2に対して照射された光は、試料支持体1Aを透過する一方、第1測定領域R1に対して照射された光は、導電層5によって遮られるためである。 The portion of the sample support 1A corresponding to the second measurement region R2 transmits light. For example, light irradiated from one side of the sample support 1A in the thickness direction D to the second measurement region R2 transmits through the sample support 1A and exits toward the other side of the sample support 1A in the thickness direction D. As shown in FIG. 5, the light transmittance of the portion of the sample support 1A corresponding to the second measurement region R2 is greater than the light transmittance of the portion of the sample support 1A corresponding to the first measurement region R1. This is because the light irradiated to the second measurement region R2 transmits through the sample support 1A, while the light irradiated to the first measurement region R1 is blocked by the conductive layer 5.

キャリブレーション領域C1,C2は、基板2の一部である。つまり、キャリブレーション領域C1,C2は、第1表面2aの一部、第2表面2bの一部及び複数の孔2cを含んでいる。キャリブレーション領域C1,C2は、基板2の互いに異なる角部に位置している。キャリブレーション領域C1は、第1測定領域R1に隣接している。具体的には、キャリブレーション領域C1は、厚さ方向Dから見た場合に、第1測定領域R1と第2測定領域R2との境界線Bに対して、第2測定領域R2とは反対側に位置している。キャリブレーション領域C1は、厚さ方向Dから見た場合に、基板2のうち第1測定領域R1に隣接する1つの角部に位置している。キャリブレーション領域C1の表面領域(第1表面2aの一部)は、導電層5が設けられている。 The calibration areas C1 and C2 are parts of the substrate 2. That is, the calibration areas C1 and C2 include a part of the first surface 2a, a part of the second surface 2b, and a plurality of holes 2c. The calibration areas C1 and C2 are located at different corners of the substrate 2. The calibration area C1 is adjacent to the first measurement area R1. Specifically, the calibration area C1 is located on the opposite side of the second measurement area R2 with respect to the boundary line B between the first measurement area R1 and the second measurement area R2 when viewed from the thickness direction D. The calibration area C1 is located at one corner of the substrate 2 adjacent to the first measurement area R1 when viewed from the thickness direction D. The surface area of the calibration area C1 (a part of the first surface 2a) is provided with a conductive layer 5.

キャリブレーション領域C1は、質量校正(マスキャリブレーション)のための領域として用いられ得る。例えば、試料の測定(後述する質量分析方法)を開始する前に、キャリブレーション領域C1に質量校正用の試料(例えばペプチド等)を配置して測定を実施することにより、マススペクトルの補正を行うことが可能となる。このようなマススペクトルの補正を測定対象試料の測定前に行うことにより、当該測定対象試料を測定した際に当該測定対象試料の正確なマススペクトルを得ることが可能となる。 The calibration area C1 can be used as an area for mass calibration. For example, before starting a sample measurement (a mass spectrometry method described below), a mass calibration sample (e.g., a peptide, etc.) can be placed in the calibration area C1 and the measurement can be performed, thereby correcting the mass spectrum. By performing such mass spectrum correction before measuring the sample to be measured, it is possible to obtain an accurate mass spectrum of the sample to be measured when the sample to be measured is measured.

キャリブレーション領域C2は、第2測定領域R2に隣接している。具体的には、キャリブレーション領域C2は、厚さ方向Dから見た場合に、第1測定領域R1と第2測定領域R2との境界線Bに対して、第1測定領域R1とは反対側に位置している。キャリブレーション領域C2は、厚さ方向Dから見た場合に、基板2のうち第2測定領域R2に隣接する1つの角部に位置している。キャリブレーション領域C2の表面領域(第1表面2aの一部)には、導電層5が設けられていない。キャリブレーション領域C2の表面領域は、露出している。つまり、キャリブレーション領域C2の表面領域には、成膜されていない。 The calibration area C2 is adjacent to the second measurement area R2. Specifically, when viewed from the thickness direction D, the calibration area C2 is located on the opposite side of the boundary line B between the first measurement area R1 and the second measurement area R2 from the first measurement area R1. When viewed from the thickness direction D, the calibration area C2 is located at one corner of the substrate 2 adjacent to the second measurement area R2. No conductive layer 5 is provided on the surface area of the calibration area C2 (part of the first surface 2a). The surface area of the calibration area C2 is exposed. In other words, no film is formed on the surface area of the calibration area C2.

キャリブレーション領域C2は、バックグラウンド測定領域として用いられ得る。例えば、試料が付着していないキャリブレーション領域C2、及びスライドグラス8の光透過率を測定し、試料が付着している第2測定領域R2、及びスライドグラス8の光透過率を測定した後、これらの光透過率の差分を算出することで試料のみの光透過率を得ることが可能となる。なお、第2測定領域R2の一部をバックグラウンド測定領域として用いてもよい。この場合、当該バックグラウンド測定領域に試料が付着しないように、予めマスク等を設けることが好ましい。 The calibration area C2 can be used as a background measurement area. For example, the light transmittance of the calibration area C2, where no sample is attached, and the glass slide 8 can be measured, and the light transmittance of the second measurement area R2, where a sample is attached, and the glass slide 8 can be measured. Then, the difference between these light transmittances can be calculated to obtain the light transmittance of the sample alone. Note that a part of the second measurement area R2 may be used as the background measurement area. In this case, it is preferable to provide a mask or the like in advance to prevent the sample from adhering to the background measurement area.

[質量分析方法]
次に、図6~図9を参照して、試料支持体1Aを用いた質量分析方法(イオン化方法を含む)の一例について説明する。なお、図6~図9においては、孔2c、導電層5、及び接着層6の図示が省略されている。
Mass spectrometry method
Next, an example of a mass spectrometry method (including an ionization method) using the sample support 1A will be described with reference to Figures 6 to 9. Note that in Figures 6 to 9, the hole 2c, the conductive layer 5, and the adhesive layer 6 are omitted.

まず、上述した試料支持体1Aを予め用意する。続いて、図6に示されるように、人の皮膚50上(皮膚50の表面)に、試料Sを塗布する。皮膚50は、人体の任意の部位の皮膚である。皮膚50は、試料Sの種類、用法等に応じて決定され得る。例えば、試料Sが顔に塗布される薬剤等である場合には、皮膚50は額の皮膚であってもよい。また、試料Sが日焼止めクリーム等の場合には、皮膚50は腕の皮膚であってもよい。また、試料Sの塗布前に、皮膚50の表面をアルコール等で消毒してもよい。或いは、試料Sが化粧料等であり、通常使用時における試料Sの状態(すなわち、皮脂と試料Sとが混合した状態)を分析したい場合等には、試料Sの塗布前に皮膚50の消毒をあえて行わないようにしてもよい。 First, the above-mentioned sample support 1A is prepared in advance. Then, as shown in FIG. 6, the sample S is applied to the human skin 50 (the surface of the skin 50). The skin 50 is the skin of any part of the human body. The skin 50 can be determined according to the type and usage of the sample S. For example, if the sample S is a medicine or the like to be applied to the face, the skin 50 may be the skin of the forehead. Also, if the sample S is a sunscreen cream or the like, the skin 50 may be the skin of the arm. Also, before applying the sample S, the surface of the skin 50 may be disinfected with alcohol or the like. Alternatively, if the sample S is a cosmetic or the like and it is desired to analyze the state of the sample S during normal use (i.e., the state in which sebum and the sample S are mixed), it is possible not to disinfect the skin 50 before applying the sample S.

続いて、基板2の第1表面2aを人の皮膚50上に塗布された試料Sに対向させた状態で、試料支持体1Aを皮膚50に押し当てることにより、測定領域Rに試料Sを付着させる。つまり、測定領域Rに試料Sを転写させる。例えば、試料支持体1Aの測定領域Rに十分な量の試料を付着させるために、比較的大きい力で試料支持体1Aを試料Sに対して押し当てる必要が生じる場合がある。一方、試料支持体1Aの基板2は非常に薄い。このため、試料支持体1Aを皮膚50上の試料Sに対して押し当てる力が強すぎた場合、基板2(測定領域R部分)が破損するおそれがある。 Next, with the first surface 2a of the substrate 2 facing the sample S applied to the human skin 50, the sample support 1A is pressed against the skin 50 to attach the sample S to the measurement region R. In other words, the sample S is transferred to the measurement region R. For example, in order to attach a sufficient amount of sample to the measurement region R of the sample support 1A, it may be necessary to press the sample support 1A against the sample S with a relatively large force. On the other hand, the substrate 2 of the sample support 1A is very thin. For this reason, if the force with which the sample support 1A is pressed against the sample S on the skin 50 is too strong, the substrate 2 (measurement region R portion) may be damaged.

試料支持体1Aがスライドグラス8によって補強されているため、試料支持体1Aに試料Sを付着させる工程における試料支持体1A(特に基板2)の破損を効果的に抑制することができる。より具体的には、補強基板としてのスライドグラス8によって基板2の測定領域Rを含む部分の強度を高められるため、試料Sを付着させる工程、及びその後に試料支持体1Aを皮膚50から引き離す工程において、試料支持体1A(基板2)の破損を好適に抑制できる。 Because the sample support 1A is reinforced by the glass slide 8, damage to the sample support 1A (particularly the substrate 2) during the process of attaching the sample S to the sample support 1A can be effectively suppressed. More specifically, the glass slide 8 as a reinforcing substrate increases the strength of the portion of the substrate 2 that includes the measurement region R, so that damage to the sample support 1A (substrate 2) can be suitably suppressed during the process of attaching the sample S and the subsequent process of detaching the sample support 1A from the skin 50.

図7に示されるように、皮膚50上の試料Sの一部である成分S1は、測定領域Rに付着する。成分S1は、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の両方に付着する。成分S1は、1回のサンプリングによって、つまり、試料支持体1Aが試料Sに1回押し当てられることで、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の両方に付着する。そのため、第1測定領域R1に付着する成分S1の量と第2測定領域R2に付着する成分S1の量とは、概ね同じである。測定領域Rに付着する成分S1の量とは、単位面積当たりの成分S1の量のことをいう。 As shown in FIG. 7, component S1, which is part of sample S on skin 50, adheres to measurement region R. Component S1 adheres to both first measurement region R1 and second measurement region R2. Component S1 adheres to both first measurement region R1 and second measurement region R2 by one sampling, that is, by pressing sample support 1A against sample S once. Therefore, the amount of component S1 adhering to first measurement region R1 and the amount of component S1 adhering to second measurement region R2 are approximately the same. The amount of component S1 adhering to measurement region R refers to the amount of component S1 per unit area.

続いて、図8に示されるように、試料支持体1Aは、予めスライドグラス8と一体化された状態で、質量分析装置10の支持部12上に載置される。試料支持体1Aは、導電性テープ41,42によってスライドグラス8に固定されていてもよいし、例えば両面テープ等を介してスライドグラス8に固定されていてもよい。 Next, as shown in FIG. 8, the sample support 1A is placed on the support 12 of the mass spectrometer 10 while being previously integrated with the slide glass 8. The sample support 1A may be fixed to the slide glass 8 by conductive tapes 41 and 42, or may be fixed to the slide glass 8 via, for example, double-sided tape.

質量分析装置10は、支持部12と、試料ステージ18と、カメラ16と、照射部13と、電圧印加部14と、イオン検出部15と、制御部17と、を備えている。支持部12は、試料ステージ18上に載置される。照射部13は、試料支持体1Aの第1表面2aに対してレーザ光L等のエネルギー線を照射する。電圧印加部14は、試料支持体1Aの第1表面2aに対して電圧を印加する。イオン検出部15は、イオン化された試料Sの成分(試料イオンS2)を検出する。カメラ16は、照射部13によるレーザ光Lの照射位置を含むカメラ画像を取得する装置である。カメラ16は、例えば、照射部13に付随する小型のCCDカメラである。 The mass spectrometer 10 includes a support 12, a sample stage 18, a camera 16, an irradiation unit 13, a voltage application unit 14, an ion detection unit 15, and a control unit 17. The support 12 is placed on the sample stage 18. The irradiation unit 13 irradiates the first surface 2a of the sample support 1A with an energy beam such as laser light L. The voltage application unit 14 applies a voltage to the first surface 2a of the sample support 1A. The ion detection unit 15 detects the components of the ionized sample S (sample ions S2). The camera 16 is a device that acquires a camera image including the position irradiated with the laser light L by the irradiation unit 13. The camera 16 is, for example, a small CCD camera attached to the irradiation unit 13.

制御部17は、試料ステージ18、カメラ16、照射部13、電圧印加部14、イオン検出部15の動作を制御する。制御部17は、例えば、プロセッサ(例えば、CPU等)、及びメモリ(例えば、ROM、RAM等)等を備えるコンピュータ装置である。 The control unit 17 controls the operation of the sample stage 18, the camera 16, the irradiation unit 13, the voltage application unit 14, and the ion detection unit 15. The control unit 17 is, for example, a computer device equipped with a processor (e.g., a CPU, etc.) and a memory (e.g., a ROM, a RAM, etc.).

続いて、電圧印加部14によって、スライドグラス8の載置面8a及び導電性テープ4を介して試料支持体1Aの導電層5(図2参照)に電圧が印加される。続いて、制御部17が、カメラ16により取得された画像に基づいて、照射部13を動作させる。具体的には、制御部17は、レーザ照射範囲(例えば、第1測定領域R1のうち、カメラ16により取得された画像に基づいて特定された成分S1が存在する領域)内の第1表面2aに対してレーザ光Lが照射されるように照射部13を動作させる。 Then, the voltage application unit 14 applies a voltage to the conductive layer 5 (see FIG. 2) of the sample support 1A via the mounting surface 8a of the slide glass 8 and the conductive tape 4. The control unit 17 then operates the irradiation unit 13 based on the image acquired by the camera 16. Specifically, the control unit 17 operates the irradiation unit 13 so that the laser light L is irradiated to the first surface 2a within the laser irradiation range (e.g., the region of the first measurement region R1 where the component S1 identified based on the image acquired by the camera 16 exists).

一例として、制御部17は、試料ステージ18を移動させると共に、照射部13によるレーザ光Lの照射動作(照射タイミング等)を制御する。すなわち、制御部17は、試料ステージ18が所定間隔移動したことを確認した後に、照射部13にレーザ光Lの照射を実行させる。例えば、制御部17は、レーザ照射範囲内をラスタスキャンするように試料ステージ18の移動(走査)と照射部13によるレーザ光Lの照射とを繰り返す。なお、第1表面2aに対する照射位置の変更は、試料ステージ18ではなく照射部13を移動させることによって行われてもよいし、試料ステージ18及び照射部13の両方を移動させることによって行われてもよい。 As an example, the control unit 17 moves the sample stage 18 and controls the irradiation operation (irradiation timing, etc.) of the laser light L by the irradiation unit 13. That is, the control unit 17 confirms that the sample stage 18 has moved a predetermined distance, and then causes the irradiation unit 13 to irradiate the laser light L. For example, the control unit 17 repeats the movement (scanning) of the sample stage 18 and the irradiation of the laser light L by the irradiation unit 13 so as to raster scan the laser irradiation range. Note that the irradiation position on the first surface 2a may be changed by moving the irradiation unit 13 instead of the sample stage 18, or by moving both the sample stage 18 and the irradiation unit 13.

このように、導電層5に電圧が印加されつつレーザ照射範囲内の第1表面2aに対してレーザ光Lが照射されることにより、第1測定領域R1に付着した成分S1がイオン化され、試料イオンS2(イオン化された成分S1)が放出される。具体的には、レーザ光Lのエネルギーを吸収した導電層5から、第1測定領域R1に付着した成分S1にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した成分S1が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンS2となる。以上の各工程が、試料支持体1Aを用いた成分S1のイオン化方法(ここでは一例として、質量分析方法の一部としてのレーザ脱離イオン化法)に相当する。 In this way, by applying a voltage to the conductive layer 5 and irradiating the first surface 2a within the laser irradiation range with the laser light L, the component S1 attached to the first measurement region R1 is ionized and the sample ion S2 (ionized component S1) is released. Specifically, energy is transmitted from the conductive layer 5 that absorbs the energy of the laser light L to the component S1 attached to the first measurement region R1, and the component S1 that has acquired the energy is vaporized and acquires an electric charge, becoming the sample ion S2. Each of the above steps corresponds to a method for ionizing component S1 using the sample support 1A (here, as an example, laser desorption ionization as part of a mass spectrometry method).

放出された試料イオンS2は、試料支持体1Aとイオン検出部15との間に設けられたグランド電極(図示省略)に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンS2は、電圧が印加された導電層5とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、イオン検出部15によって試料イオンS2が検出される。 The released sample ions S2 move while accelerating toward a ground electrode (not shown) provided between the sample support 1A and the ion detection unit 15. In other words, the sample ions S2 move while accelerating toward the ground electrode due to the potential difference generated between the conductive layer 5 to which a voltage is applied and the ground electrode. The sample ions S2 are then detected by the ion detection unit 15.

イオン検出部15による試料イオンS2の検出結果は、レーザ光Lの照射位置に関連付けられる。具体的には、イオン検出部15は、レーザ照射範囲内の各位置について個別に試料イオンS2を検出する。これにより、試料Sの質量分布を示す分布画像(MSマッピングデータ)が取得される。さらに、試料Sを構成する分子の二次元分布を画像化することができる。すなわち、イメージング質量分析を行うことができる。なお、ここでの質量分析装置10は、飛行時間型質量分析法(TOF-MS:Time-of-Flight Mass Spectrometry)を利用する質量分析装置である。 The detection result of the sample ions S2 by the ion detection unit 15 is associated with the irradiation position of the laser light L. Specifically, the ion detection unit 15 detects the sample ions S2 individually for each position within the laser irradiation range. As a result, a distribution image (MS mapping data) showing the mass distribution of the sample S is obtained. Furthermore, the two-dimensional distribution of the molecules that make up the sample S can be imaged. In other words, imaging mass analysis can be performed. Note that the mass spectrometer 10 here is a mass spectrometer that utilizes time-of-flight mass spectrometry (TOF-MS).

続いて、第2測定領域R2に付着した成分S1の光透過率を測定する。具体的には、図9に示されるように、試料支持体1Aは、スライドグラス8に固定された状態で、光測定装置20の支持部23上に載置される。光測定装置20は、光源21と、光検出部22と、支持部23と、を備えている。光源21は、試料支持体1Aの第1表面2aに対して紫外線U等の光を照射する。光検出部22は、試料支持体1Aを透過した紫外線Uを検出する。光源21、光検出部22、支持部23の動作は、制御部によって制御される。制御部は、制御部17と同様な構成を備えるコンピュータ装置である。 Then, the light transmittance of the component S1 attached to the second measurement region R2 is measured. Specifically, as shown in FIG. 9, the sample support 1A is fixed to the slide glass 8 and placed on the support 23 of the light measurement device 20. The light measurement device 20 includes a light source 21, a light detection unit 22, and a support 23. The light source 21 irradiates light such as ultraviolet light U onto the first surface 2a of the sample support 1A. The light detection unit 22 detects the ultraviolet light U that has passed through the sample support 1A. The operations of the light source 21, the light detection unit 22, and the support 23 are controlled by the control unit. The control unit is a computer device having a configuration similar to that of the control unit 17.

続いて、光源21によって、キャリブレーション領域C2の表面領域及び第2測定領域R2の第2表面領域22aに対して、紫外線Uが照射される。キャリブレーション領域C2の表面領域に対して照射された紫外線Uは、キャリブレーション領域C2及びスライドグラス8を透過した後、光検出部22によって検出される。第2測定領域R2の第2表面領域22aに対して照射された紫外線Uは、第2測定領域R2、第2測定領域R2に付着した成分S1及びスライドグラス8を透過した後、光検出部22によって検出される。続いて、キャリブレーション領域C2における光透過率と第2測定領域R2における光透過率との差分が算出される。これにより、第2測定領域R2に付着した成分S1の光透過率が得られる。続いて、第1測定領域R1を用いて得られた結果(イメージング質量分析の結果)と第2測定領域R2を用いて得られた結果(光透過率の結果)との相関を分析する。 Then, the light source 21 irradiates ultraviolet light U onto the surface region of the calibration region C2 and the second surface region 22a of the second measurement region R2. The ultraviolet light U irradiated onto the surface region of the calibration region C2 passes through the calibration region C2 and the slide glass 8, and is then detected by the light detection unit 22. The ultraviolet light U irradiated onto the second surface region 22a of the second measurement region R2 passes through the second measurement region R2, the component S1 attached to the second measurement region R2, and the slide glass 8, and is then detected by the light detection unit 22. Next, the difference between the light transmittance in the calibration region C2 and the light transmittance in the second measurement region R2 is calculated. This allows the light transmittance of the component S1 attached to the second measurement region R2 to be obtained. Next, the correlation between the results obtained using the first measurement region R1 (the results of imaging mass spectrometry) and the results obtained using the second measurement region R2 (the results of light transmittance) is analyzed.

以上説明したように、試料支持体1Aでは、基板2が、第1測定領域R1及び第2測定領域R2を有している。これにより、試料Sに対して試料支持体1Aを一回押し当てることで、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の両方に試料Sを付着させることができる。しかも、第1測定領域R1の第1表面領域21aには、導電層5が設けられており、第2測定領域R2の第2表面領域22aには、導電層5が設けられていない。これにより、第1測定領域R1においては、第1表面領域21aに対してレーザ光Lを照射することで、試料Sの質量分析等を行うことができ、第2測定領域R2においては、試料Sについて第1測定領域R1とは異なる分析を行うことができる。更に、第1測定領域R1を用いて得られた結果と第2測定領域R2を用いて得られた結果との相関を分析することで、試料Sについてより詳細な分析を行うことができる。このように、試料支持体1Aによれば、1つの試料支持体1Aによって、試料Sについて互いに異なる分析を効率的に行うことができる。また、試料Sに対して試料支持体1Aを一回押し当てることで(1回のサンプリング)、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の両方に試料Sを付着させることができるため、第1測定領域R1に付着する試料Sの量と第2測定領域R2に付着する試料Sの量とのばらつきを抑制することができる。これにより、第1測定領域R1及び第2測定領域R2における分析を精度良く行うことができる。第1測定領域R1に付着する試料Sの量と第2測定領域R2に付着する試料Sの量とのばらつきが抑制されていると、上記相関の分析の精度が更に向上する。以上により、試料支持体1Aによれば、試料Sについて高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。 As described above, in the sample support 1A, the substrate 2 has the first measurement region R1 and the second measurement region R2. This allows the sample S to be attached to both the first measurement region R1 and the second measurement region R2 by pressing the sample support 1A against the sample S once. Moreover, the conductive layer 5 is provided on the first surface region 21a of the first measurement region R1, and the conductive layer 5 is not provided on the second surface region 22a of the second measurement region R2. This allows the first surface region 21a to be irradiated with laser light L in the first measurement region R1 to perform mass analysis of the sample S, and the second measurement region R2 to perform an analysis of the sample S different from that in the first measurement region R1. Furthermore, by analyzing the correlation between the results obtained using the first measurement region R1 and the results obtained using the second measurement region R2, a more detailed analysis of the sample S can be performed. In this way, according to the sample support 1A, different analyses of the sample S can be efficiently performed by one sample support 1A. Furthermore, by pressing the sample support 1A against the sample S once (one sampling), the sample S can be attached to both the first measurement region R1 and the second measurement region R2, so that the variation between the amount of sample S attached to the first measurement region R1 and the amount of sample S attached to the second measurement region R2 can be suppressed. This allows the analysis in the first measurement region R1 and the second measurement region R2 to be performed with high accuracy. If the variation between the amount of sample S attached to the first measurement region R1 and the amount of sample S attached to the second measurement region R2 is suppressed, the accuracy of the above correlation analysis is further improved. As described above, the sample support 1A makes it possible to perform a highly efficient and highly accurate analysis of the sample S.

導電層5は、試料Sの質量分析に適した材料によって形成されている。これにより、第1測定領域R1において、試料Sの質量分析を好適に行うことができる。 The conductive layer 5 is formed of a material suitable for mass analysis of the sample S. This allows mass analysis of the sample S to be performed favorably in the first measurement region R1.

第2測定領域R2は、光透過性を有している。第2測定領域R2の第2表面領域22a、及び第2測定領域R2における第2表面領域22aとは反対側の表面領域(基板2の第2表面2b)は、露出している。これにより、第2測定領域R2においては、光を透過させることで、第2測定領域R2に付着した試料Sの光透過率についての分析を行うことができる。 The second measurement region R2 is optically transparent. The second surface region 22a of the second measurement region R2 and the surface region opposite the second surface region 22a in the second measurement region R2 (the second surface 2b of the substrate 2) are exposed. This allows light to pass through the second measurement region R2, making it possible to analyze the optical transmittance of the sample S attached to the second measurement region R2.

基板2の厚さは、5μm~50μmである。これにより、基板2の強度を確保しつつ、第2測定領域R2の光透過性を確保することができる。 The thickness of the substrate 2 is 5 μm to 50 μm. This ensures the strength of the substrate 2 while ensuring the optical transparency of the second measurement region R2.

第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに繋がっている。これにより、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の面積を確保しつつ、第1測定領域R1に付着する試料Sの量と第2測定領域R2に付着する試料Sの量とのばらつきをより確実に抑制することができる。すなわち、例えば第1測定領域R1と第2測定領域R2とが互いに離れている場合に比べると、第1測定領域R1と第2測定領域R2との距離が近くなるため、上記のばらつきが抑制される。また、第1測定領域R1と第2測定領域R2とが互いに繋がっていると、測定領域Rの全体に亘って、各測定器(例えばプローブ等)を第1表面2aに近付けることができ、測定の精度を向上させることができる。 The first measurement region R1 and the second measurement region R2 are connected to each other. This ensures the areas of the first measurement region R1 and the second measurement region R2 while more reliably suppressing the variation between the amount of sample S adhering to the first measurement region R1 and the amount of sample S adhering to the second measurement region R2. That is, compared to when the first measurement region R1 and the second measurement region R2 are separated from each other, the distance between the first measurement region R1 and the second measurement region R2 is closer, so the above-mentioned variation is suppressed. Furthermore, when the first measurement region R1 and the second measurement region R2 are connected to each other, each measuring device (e.g., a probe, etc.) can be brought closer to the first surface 2a throughout the entire measurement region R, improving the accuracy of the measurement.

基板2は、矩形板状を呈している。基板2は、厚さ方向Dから見た場合に、基板2の互いに異なる角部に位置するキャリブレーション領域C1,C2を有している。これにより、第1測定領域R1及び第2測定領域R2の面積を確保しつつ、第1測定領域R1及び第2測定領域R2のそれぞれにおける分析に対応するキャリブレーションを行うことができる。 The substrate 2 has a rectangular plate shape. When viewed from the thickness direction D, the substrate 2 has calibration areas C1 and C2 located at different corners of the substrate 2. This allows calibration corresponding to analysis in each of the first measurement area R1 and the second measurement area R2 to be performed while ensuring the area of the first measurement area R1 and the second measurement area R2.

[第2実施形態]
図10及び図11を参照して、第2実施形態の試料支持体1Bについて説明する。図10に示されるように、試料支持体1Bは、基板2Bと、フレーム3Bと、導電層5と、導電層(第3導電層)53と、導電層54と、を備えている。一例として、試料支持体1BのX軸方向の長さは5cm程度であり、Y軸方向の長さは2cm程度である。基板2BのX軸方向における長さは、基板2のX軸方向における長さよりも大きい。基板2Bのその他は、基板2と同じである。
[Second embodiment]
A sample support 1B of the second embodiment will be described with reference to Figures 10 and 11. As shown in Figure 10, the sample support 1B includes a substrate 2B, a frame 3B, a conductive layer 5, a conductive layer (third conductive layer) 53, and a conductive layer 54. As an example, the length of the sample support 1B in the X-axis direction is about 5 cm, and the length of the sample support 1B in the Y-axis direction is about 2 cm. The length of the substrate 2B in the X-axis direction is greater than the length of the substrate 2 in the X-axis direction. The rest of the substrate 2B is the same as the substrate 2.

フレーム3BのX軸方向における長さは、フレーム3のX軸方向における長さよりも大きい。フレーム3Bの開口部3aは、X軸方向に沿って延びる矩形状に形成されている。本実施形態では、開口部3aは、矩形の各角部を直線状に切り欠いた形状に形成されている。 The length of frame 3B in the X-axis direction is greater than the length of frame 3 in the X-axis direction. The opening 3a of frame 3B is formed in a rectangular shape extending along the X-axis direction. In this embodiment, the opening 3a is formed in a shape in which each corner of the rectangle is linearly cut out.

フレーム3Bの各角部には、フレーム3Bの厚さ方向に貫通する開口部31b,32b,33b,34bが形成されている。各開口部31b,32b,33b,34bは、フレーム3の開口部31b,32bと同様な形状に形成されている。基板2Bのうち各開口部31b,32b,33b,34bに対応する部分は、キャリブレーション用のキャリブレーション領域C1,C2,C3,C4として機能する。フレーム3Bのその他は、フレーム3と同じである。試料支持体1Bは、試料支持体1Aと同様に、導電性テープ4によってスライドグラス8に固定されている。 Openings 31b, 32b, 33b, and 34b are formed at each corner of frame 3B, penetrating the frame 3B in the thickness direction. Each opening 31b, 32b, 33b, and 34b is formed in a shape similar to that of openings 31b and 32b of frame 3. The portions of substrate 2B corresponding to each opening 31b, 32b, 33b, and 34b function as calibration areas C1, C2, C3, and C4 for calibration. The rest of frame 3B is the same as frame 3. Like sample support 1A, sample support 1B is fixed to slide glass 8 by conductive tape 4.

導電層53,54は、導電層5と同様に、各孔2cを塞がないように基板2Bの第1表面2aに設けられている。導電層53,54は、導電層5とは異なる材料によって形成されている。本実施形態では、導電層53は、例えばAuであり、導電層54は、例えばAgである。 The conductive layers 53 and 54, like the conductive layer 5, are provided on the first surface 2a of the substrate 2B so as not to block the holes 2c. The conductive layers 53 and 54 are formed of a material different from that of the conductive layer 5. In this embodiment, the conductive layer 53 is, for example, Au, and the conductive layer 54 is, for example, Ag.

基板2Bは、第1測定領域R1及び第2測定領域R2に加えて、第3測定領域R3及び第4測定領域R4を更に有している。本実施形態では、第1測定領域R1、第2測定領域R2、第3測定領域R3及び第4測定領域R4は、X軸方向における試料支持体1Bの一方側(図10の図示左側)から他方側(図10の図示右側)に向かって、この順に配置されている。第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに繋がっている。第2測定領域R2と第3測定領域R3とは、互いに繋がっている。第3測定領域R3と第4測定領域R4とは、互いに繋がっている。第1測定領域R1、第2測定領域R2、第3測定領域R3及び第4測定領域R4の境界線B1,B2,B3は、Y軸方向に沿って直線状に延びている。 In addition to the first and second measurement regions R1 and R2, the substrate 2B further has a third and fourth measurement region R3 and R4. In this embodiment, the first, second, third and fourth measurement regions R1, R2, R3 and R4 are arranged in this order from one side (the left side in FIG. 10) of the sample support 1B in the X-axis direction to the other side (the right side in FIG. 10). The first and second measurement regions R1 and R2 are connected to each other. The second and third measurement regions R3 are connected to each other. The third and fourth measurement regions R3 and R4 are connected to each other. The boundaries B1, B2 and B3 of the first, second, third and fourth measurement regions R3 and R4 extend linearly along the Y-axis direction.

第1測定領域R1のその他は、第1実施形態の第1測定領域R1と同じである。第2測定領域R2のその他は、第1実施形態の第2測定領域R2と同じである。第3測定領域R3は、第1表面2aのうちの第3表面領域23aを含んでいる。第3表面領域23aには、導電層53が設けられている。第4測定領域R4は、第1表面2aのうちの第4表面領域24aを含んでいる。第4表面領域24aには、導電層54が設けられている。 The rest of the first measurement region R1 is the same as the first measurement region R1 of the first embodiment. The rest of the second measurement region R2 is the same as the second measurement region R2 of the first embodiment. The third measurement region R3 includes a third surface region 23a of the first surface 2a. A conductive layer 53 is provided in the third surface region 23a. The fourth measurement region R4 includes a fourth surface region 24a of the first surface 2a. A conductive layer 54 is provided in the fourth surface region 24a.

キャリブレーション領域C1,C2は、厚さ方向Dから見た場合に、基板2Bのうち第1測定領域R1に隣接する2つの角部のそれぞれに位置している。キャリブレーション領域C2,C3は、厚さ方向Dから見た場合に、基板2Bのうち第4測定領域R4に隣接する2つの角部のそれぞれに位置している。 When viewed from the thickness direction D, the calibration areas C1 and C2 are located at two corners of the substrate 2B adjacent to the first measurement area R1. When viewed from the thickness direction D, the calibration areas C2 and C3 are located at two corners of the substrate 2B adjacent to the fourth measurement area R4.

キャリブレーション領域C1の表面領域(第1表面2aの一部)には、導電層5が設けられている。キャリブレーション領域C2の表面領域(第1表面2aの一部)には、導電層5,53,54が設けられていない。キャリブレーション領域C2の表面領域は、露出している。つまり、キャリブレーション領域C2の表面領域には、成膜されていない。キャリブレーション領域C3の表面領域(第1表面2aの一部)には、導電層53が設けられている。キャリブレーション領域C4の表面領域(第1表面2aの一部)には、導電層54が設けられている。 A conductive layer 5 is provided on the surface area of calibration area C1 (part of the first surface 2a). The conductive layers 5, 53, and 54 are not provided on the surface area of calibration area C2 (part of the first surface 2a). The surface area of calibration area C2 is exposed. In other words, no film is formed on the surface area of calibration area C2. A conductive layer 53 is provided on the surface area of calibration area C3 (part of the first surface 2a). A conductive layer 54 is provided on the surface area of calibration area C4 (part of the first surface 2a).

第1測定領域R1及び第2測定領域R2のそれぞれにおいては、試料支持体1Aと同様に、試料Sのイメージング質量分析及び光透過率に関する分析のそれぞれを行うことができる。第3測定領域R3においては、例えば第1測定領域R1とは異なるイメージング質量分析を行うことができる。また、第3測定領域R3においては、例えば表面増強ラマン散乱(SERS:Surface Enhanced Raman Scattering)を生じさせることができる。第4測定領域R4においては、例えば第1測定領域R1とは異なるイメージング質量分析を行うことができる。また、第4測定領域R4においては、例えば表面増強ラマン散乱を生じさせることができる。また、第4測定領域R4においては、例えば2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)を行うことができる。 In the first measurement region R1 and the second measurement region R2, imaging mass analysis and analysis of the light transmittance of the sample S can be performed, respectively, in the same manner as in the sample support 1A. In the third measurement region R3, for example, imaging mass analysis different from that in the first measurement region R1 can be performed. In the third measurement region R3, for example, surface enhanced Raman scattering (SERS) can be generated. In the fourth measurement region R4, for example, imaging mass analysis different from that in the first measurement region R1 can be performed. In the fourth measurement region R4, for example, surface enhanced Raman scattering can be generated. In the fourth measurement region R4, for example, secondary ion mass spectrometry (SIMS) can be performed.

導電性テープ41には、キャリブレーション領域C1,C2を露出させるための円形状の開口部41a,42aが設けられている。導電性テープ42には、キャリブレーション領域C3,C4を露出させるための円形状の開口部43a,44aが設けられている。 The conductive tape 41 has circular openings 41a and 42a for exposing the calibration areas C1 and C2. The conductive tape 42 has circular openings 43a and 44a for exposing the calibration areas C3 and C4.

以上説明したように、試料支持体1Bによれば、試料支持体1Aと同様に、試料Sについて高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。また、第3測定領域R3及び第4測定領域R4のそれぞれにおいては、試料Sについて第1測定領域R1とは異なる分析を行うことができる。 As described above, sample support 1B, like sample support 1A, makes it possible to perform highly efficient and highly accurate analysis of sample S. Furthermore, in each of the third measurement region R3 and the fourth measurement region R4, an analysis of sample S different from that in the first measurement region R1 can be performed.

[変形例]
図12に示されるように、試料支持体1Aにおいて、第1測定領域R1と第2測定領域R2との境界線Bは、Y軸方向に沿って直線状に延びていてもよい。第1測定領域R1及び第2測定領域R2の配置は、必要に応じて任意に設定されていてもよい。また、第2測定領域R2の第2表面領域22aには、孔2cを塞がないように導電層52(第2導電層)が設けられていてもよい。導電層52は、例えばAl等であってもよい。この場合、キャリブレーション領域C2の表面領域には、導電層52が設けられている。このような構成によれば、第2測定領域R2においては、例えば表面増強ラマン散乱を生じさせることができる。
[Modification]
As shown in FIG. 12, in the sample support 1A, the boundary line B between the first measurement region R1 and the second measurement region R2 may extend linearly along the Y-axis direction. The arrangement of the first measurement region R1 and the second measurement region R2 may be set arbitrarily as necessary. In addition, a conductive layer 52 (second conductive layer) may be provided in the second surface region 22a of the second measurement region R2 so as not to block the hole 2c. The conductive layer 52 may be, for example, Al. In this case, the conductive layer 52 is provided in the surface region of the calibration region C2. With this configuration, for example, surface-enhanced Raman scattering can be generated in the second measurement region R2.

図13及び図14に示されるように、試料支持体1Aにおいて、第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに離れていてもよい。具体的には、フレーム3は、隔壁部31を有していてもよい。隔壁部31は、開口部3aを横断している。隔壁部31は、厚さ方向Dから見た場合に、X軸方向に沿って直線状に延びている。隔壁部31は、第1測定領域R1と第2測定領域R2との間に設けられている。基板2における隔壁部31と重なる部分は、接着層6によって隔壁部31に接合されている。このような構成によれば、第1測定領域R1と第2測定領域R2との境界を明確にしつつ、基板2の強度を補強することができる。 As shown in FIG. 13 and FIG. 14, in the sample support 1A, the first measurement region R1 and the second measurement region R2 may be separated from each other. Specifically, the frame 3 may have a partition portion 31. The partition portion 31 crosses the opening 3a. When viewed from the thickness direction D, the partition portion 31 extends linearly along the X-axis direction. The partition portion 31 is provided between the first measurement region R1 and the second measurement region R2. The portion of the substrate 2 that overlaps with the partition portion 31 is bonded to the partition portion 31 by the adhesive layer 6. With this configuration, the strength of the substrate 2 can be reinforced while clarifying the boundary between the first measurement region R1 and the second measurement region R2.

図15及び図16に示されるように、試料支持体1Bにおいて、第1測定領域R1と第2測定領域R2とは、互いに離れていてもよい。第2測定領域R2と第3測定領域R3とは、互いに離れていてもよい。第3測定領域R3と第4測定領域R4とは、互いに離れていてもよい。第3測定領域R3と第4測定領域R4とは、互いに離れていてもよい。具体的には、フレーム3Bは、複数の隔壁部31を有していてもよい。 As shown in FIG. 15 and FIG. 16, in the sample support 1B, the first measurement region R1 and the second measurement region R2 may be separated from each other. The second measurement region R2 and the third measurement region R3 may be separated from each other. The third measurement region R3 and the fourth measurement region R4 may be separated from each other. The third measurement region R3 and the fourth measurement region R4 may be separated from each other. Specifically, the frame 3B may have a plurality of partition portions 31.

各隔壁部31は、開口部3aを横断している。各隔壁部31は、厚さ方向Dから見た場合に、Y軸方向に沿って直線状に延びている。各隔壁部31は、厚さ方向Dから見た場合に、所定の間隔をもってX軸方向において並んでいる。各隔壁部31は、第1測定領域R1、第2測定領域R2、第3測定領域R3及び第4測定領域R4の間に設けられている。基板2Bにおける各隔壁部31と重なる部分は、接着層6によって各隔壁部31に接合されている。 Each partition 31 crosses the opening 3a. When viewed from the thickness direction D, each partition 31 extends linearly along the Y-axis direction. When viewed from the thickness direction D, each partition 31 is lined up in the X-axis direction at a predetermined interval. Each partition 31 is provided between the first measurement region R1, the second measurement region R2, the third measurement region R3, and the fourth measurement region R4. The portions of the substrate 2B that overlap with each partition 31 are bonded to each partition 31 by an adhesive layer 6.

試料Sが人の皮膚50上に塗布されている例を示したが、試料Sは、人の皮膚50上に塗布された試料ではなくてもよい。試料Sは、例えば生体試料等であってもよい。試料Sは、例えば、動物の臓器切片又は植物等であってもよい。 Although an example has been shown in which the sample S is applied onto human skin 50, the sample S does not have to be a sample applied onto human skin 50. The sample S may be, for example, a biological sample. The sample S may be, for example, a slice of an animal organ or a plant.

基板2の第1表面2aを試料Sに対向させた状態で、試料支持体1Aを皮膚50に押し当てることにより、測定領域Rに試料Sを付着させる例を示したが、基板2の第2表面2bを試料Sに対向させた状態で、試料支持体1Aを皮膚50に押し当てることにより、測定領域Rに試料Sを付着させてもよい。これにより、毛細管現象によって試料Sの成分S1を第2表面2b側から第1表面2a側へと各孔2cを介して移動させることができる。その結果、第1表面2aを試料Sの成分S1のイオン化に適した状態にすることができる。このような場合には、試料支持体1Aは、スライドグラス8に固定されていない。 In the above example, the sample S is attached to the measurement region R by pressing the sample support 1A against the skin 50 while the first surface 2a of the substrate 2 faces the sample S. However, the sample S may be attached to the measurement region R by pressing the sample support 1A against the skin 50 while the second surface 2b of the substrate 2 faces the sample S. This allows the component S1 of the sample S to move from the second surface 2b side to the first surface 2a side through the holes 2c by capillary action. As a result, the first surface 2a can be made suitable for ionizing the component S1 of the sample S. In such a case, the sample support 1A is not fixed to the slide glass 8.

各孔2cが基板2を貫通する貫通孔である例を示したが、各孔2cは、基板2を貫通していなくてもよい。各孔2cは、例えば第2表面2bには開口していなくてもよい。つまり、各孔2cにおける第2表面2b側の部分は、塞がれていてもよい。各孔2cは、少なくとも第1表面2aに開口していればよい。 Although an example has been shown in which each hole 2c is a through hole penetrating the substrate 2, each hole 2c does not have to penetrate the substrate 2. Each hole 2c does not have to open to, for example, the second surface 2b. In other words, the portion of each hole 2c on the second surface 2b side may be blocked. Each hole 2c only needs to open to at least the first surface 2a.

導電層5,52,53,54の材料は、限定されない。導電層52,53,54が導電層5と異なっていれば、各導電層5,52,53,54の材料は、様々な組合せを有していてもよい。 The materials of the conductive layers 5, 52, 53, and 54 are not limited. As long as the conductive layers 52, 53, and 54 are different from the conductive layer 5, the materials of each conductive layer 5, 52, 53, and 54 may have various combinations.

第2測定領域R2は、帯電した微小液滴(charged-droplets)を照射することにより、試料を脱離・イオン化する方法である脱離エレクトロスプレーイオン化法(DESI:Desorption Electrospray Ionization)に用いられてもよい。また、第2測定領域R2は、核磁気共鳴(NMR:Nuclear Magnetic Resonance)に用いられてもよい。この場合、隔壁部31が設けられていると、第2測定領域R2のみを試料支持体1A,1Bから容易に剥離させることができる。また、第2測定領域R2は、ラマン分光法によるイメージング分析、又は赤外分光法に用いられてもよい。 The second measurement region R2 may be used for Desorption Electrospray Ionization (DESI), a method of desorbing and ionizing a sample by irradiating charged droplets. The second measurement region R2 may also be used for Nuclear Magnetic Resonance (NMR). In this case, if the partition 31 is provided, only the second measurement region R2 can be easily peeled off from the sample supports 1A and 1B. The second measurement region R2 may also be used for imaging analysis by Raman spectroscopy, or infrared spectroscopy.

試料支持体1Bは、第2測定領域R2、第3測定領域R3及び第4測定領域R4の少なくとも1つを有していてもよい。例えば、試料支持体1Bは、第3測定領域R3又は第4測定領域R4の少なくとも1つを有していなくてもよい。 The sample support 1B may have at least one of the second measurement region R2, the third measurement region R3, and the fourth measurement region R4. For example, the sample support 1B may not have at least one of the third measurement region R3 or the fourth measurement region R4.

導電層5,53,54は、少なくとも第1表面2aに設けられていればよい。導電層5,53,54は、第1表面2aに加えて、例えば、第2表面2bにも設けられてもよいし、各孔2cの内面の全体又は一部にも設けられてもよい。 The conductive layers 5, 53, and 54 may be provided at least on the first surface 2a. In addition to the first surface 2a, the conductive layers 5, 53, and 54 may also be provided, for example, on the second surface 2b, or on the entire or part of the inner surface of each hole 2c.

電圧印加部14によって電圧が印加される対象は、載置面8aに限られない。例えば、電圧は、フレーム3,3B又は導電層5,53,54に直接印加されてもよい。 The target to which the voltage is applied by the voltage application unit 14 is not limited to the mounting surface 8a. For example, the voltage may be applied directly to the frame 3, 3B or the conductive layers 5, 53, 54.

質量分析装置10は、走査型の質量分析装置であってもよいし、投影型の質量分析装置であってもよい。走査型の場合、照射部13による1回のレーザ光Lの照射毎に、レーザ光Lのスポット径に対応する大きさの1画素の信号が取得される。つまり、1画素毎にレーザ光Lの走査(照射位置の変更)及び照射が行われる。一方、投影型の場合、照射部13による1回のレーザ光Lの照射毎に、レーザ光Lのスポット径に対応する画像(複数の画素)の信号が取得される。投影型の場合においてレーザ光Lのスポット径に測定領域Rの全体が含まれる場合には、1回のレーザ光Lの照射によってイメージング質量分析を行うことができる。なお、投影型の場合においてレーザ光Lのスポット径に測定領域Rの全体が含まれない場合には、走査型と同様にレーザ光Lの走査及び照射を行うことにより、測定領域R全体の信号を取得することができる。また、上述したイオン化方法は、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用することができる。 The mass spectrometer 10 may be a scanning type mass spectrometer or a projection type mass spectrometer. In the case of the scanning type, a signal of one pixel having a size corresponding to the spot diameter of the laser light L is obtained for each irradiation of the laser light L by the irradiation unit 13. That is, scanning (changing the irradiation position) and irradiation of the laser light L are performed for each pixel. On the other hand, in the case of the projection type, a signal of an image (multiple pixels) corresponding to the spot diameter of the laser light L is obtained for each irradiation of the laser light L by the irradiation unit 13. In the case of the projection type, if the spot diameter of the laser light L includes the entire measurement region R, imaging mass analysis can be performed by irradiating the laser light L once. Note that in the case of the projection type, if the spot diameter of the laser light L does not include the entire measurement region R, a signal of the entire measurement region R can be obtained by scanning and irradiating the laser light L in the same way as the scanning type. The above-mentioned ionization method can also be used for other measurements and experiments such as ion mobility measurements.

試料支持体の用途は、レーザ光Lの照射による試料のイオン化に限定されない。試料支持体は、レーザ光、イオンビーム、電子線等のエネルギー線の照射による試料のイオン化に用いることができる。上述したイオン化方法及び質量分析方法では、このようなエネルギー線の照射によって試料をイオン化することができる。 The use of the sample support is not limited to ionizing a sample by irradiation with laser light L. The sample support can be used to ionize a sample by irradiation with energy rays such as laser light, ion beams, and electron beams. In the above-mentioned ionization method and mass analysis method, the sample can be ionized by irradiation with such energy rays.

1A,1B…試料支持体、2…基板、2a…第1表面、2c…孔、5…第1導電層、21a…第1表面領域、22a…第2表面領域、23a…第3表面領域、24a…第4表面領域、31…隔壁部、52…第2導電層、53…第3導電層、C1,C2…キャリブレーション領域、R1…第1測定領域、R2…第2測定領域、R3…第3測定領域、S…試料。 1A, 1B... Sample support, 2... Substrate, 2a... First surface, 2c... Hole, 5... First conductive layer, 21a... First surface area, 22a... Second surface area, 23a... Third surface area, 24a... Fourth surface area Area, 31...Partition part, 52...Second conductive layer, 53...Third conductive layer, C1, C2...Calibration area, R1...First measurement area, R2...Second measurement area, R3...Third measurement area, S...Sample.

Claims (9)

試料のイオン化に用いられる試料支持体であって、
表面及び前記表面に開口する複数の孔を有する基板を備え、
前記基板は、前記表面のうちの第1表面領域を含む第1測定領域と、前記表面のうちの第2表面領域を含む第2測定領域と、を少なくとも有し、
前記第1表面領域には、前記孔を塞がないように第1導電層が設けられており、
前記第2表面領域には、前記第1導電層が設けられていない、試料支持体。
A sample support for use in ionizing a sample, comprising:
A substrate having a surface and a plurality of holes opening onto the surface,
the substrate has at least a first measurement area including a first surface area of the surface, and a second measurement area including a second surface area of the surface;
a first conductive layer is provided on the first surface region so as not to block the hole;
The second surface region is free of the first conductive layer.
前記第1導電層は、Pt、Au、Cr、Ni、Ti又はAgによって形成されている、請求項1に記載の試料支持体。 2. The sample support of claim 1, wherein the first conductive layer is formed of Pt, Au, Cr, Ni, Ti or Ag . 前記第2測定領域は、光透過性を有しており、
前記第2測定領域の前記第2表面領域、及び前記第2測定領域における前記第2表面領域とは反対側の表面領域は、露出している、請求項1又は2に記載の試料支持体。
The second measurement area has optical transparency,
3. The sample support according to claim 1, wherein the second surface area of the second measurement area and a surface area of the second measurement area opposite the second surface area are exposed.
前記基板の厚さは、5μm~50μmである、請求項3に記載の試料支持体。 The sample support according to claim 3, wherein the thickness of the substrate is 5 μm to 50 μm. 前記第2測定領域の前記第2表面領域には、前記孔を塞がないようにかつ前記第1導電層とは異なる材料によって形成された第2導電層が設けられている、請求項1又は2に記載の試料支持体。 The sample support according to claim 1 or 2, wherein a second conductive layer is provided on the second surface region of the second measurement region so as not to block the holes and which is made of a material different from that of the first conductive layer. 前記第1測定領域と前記第2測定領域とは、互いに繋がっている、請求項1~5のいずれか一項に記載の試料支持体。 The sample support according to any one of claims 1 to 5, wherein the first measurement area and the second measurement area are connected to each other. 前記第1測定領域と前記第2測定領域との間に設けられた隔壁部を更に備える、請求項1~5のいずれか一項に記載の試料支持体。 The sample support according to any one of claims 1 to 5, further comprising a partition provided between the first measurement area and the second measurement area. 前記基板は、前記表面のうちの第3表面領域を含む第3測定領域を更に有し、
前記第3表面領域には、前記孔を塞がないようにかつ前記第1導電層とは異なる材料によって形成された第3導電層が設けられている、請求項1~7のいずれか一項に記載の試料支持体。
the substrate further comprises a third measurement area including a third surface area of the surface;
The sample support according to any one of claims 1 to 7, wherein the third surface region is provided with a third conductive layer formed of a material different from that of the first conductive layer so as not to block the holes.
前記基板は、矩形板状を呈しており、
前記基板は、前記基板の厚さ方向から見た場合に、前記基板の互いに異なる角部に位置する複数のキャリブレーション領域を有している、請求項1~8のいずれか一項に記載の試料支持体。
The substrate has a rectangular plate shape,
The sample support according to any one of claims 1 to 8, wherein the substrate has a plurality of calibration areas located at different corners of the substrate when viewed in a thickness direction of the substrate.
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