JP7628033B2 - SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS - Google Patents
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Description
本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
特許文献1は、基板処理装置を開示する。基板処理装置は、液供給部と洗浄液ラインを備える。液供給部は、処理液供給源に接続される。液供給部は、供給路とポンプとフィルタと三方弁とノズルを備える。ポンプとフィルタと三方弁とノズルはそれぞれ、供給路に設けられる。フィルタはポンプの下流側に配置される。三方弁は、フィルタの下流側に配置される。ノズルは、供給路の下流端に接続される。三方弁は、第1位置と第2位置の間で切り替わる。三方弁が第1位置にあるとき、三方弁は、ノズルをフィルタに連通させ、ノズルを洗浄ラインから遮断する。三方弁が第2位置にあるとき、三方弁は、ノズルを洗浄ラインに連通させ、ノズルをフィルタから遮断する。
基板に処理液を供給する場合、三方弁は第1位置に切り替わる。処理液は、ポンプからノズルに流れる。ノズルを洗浄する場合、三方弁は第2位置に切り替わる。洗浄液は、洗浄液ラインから三方弁を通じて供給路に流入する。洗浄液は、三方弁からノズルに流れる。 To supply processing liquid to the substrate, the three-way valve is switched to a first position. Processing liquid flows from the pump to the nozzle. To clean the nozzle, the three-way valve is switched to a second position. Cleaning liquid flows from the cleaning liquid line through the three-way valve into the supply channel. Cleaning liquid flows from the three-way valve to the nozzle.
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。従来例では、洗浄液は、液供給部の一部(例えば、三方弁の下流側に位置する液供給部の部分)のみを流れる。このため、従来例は、液供給部の全部を洗浄しない。従来例は、例えば、ポンプを洗浄しない。よって、液供給部を適切に洗浄できない場合がある。 However, the conventional example having such a configuration has the following problem. In the conventional example, the cleaning liquid flows only through a part of the liquid supply section (for example, the part of the liquid supply section located downstream of the three-way valve). For this reason, the conventional example does not clean the entire liquid supply section. For example, the conventional example does not clean the pump. Therefore, there are cases where the liquid supply section cannot be properly cleaned.
例えば、A-Cの場合、基板処理装置のユーザーが、液供給部の少なくとも一部を着脱する手作業を行う。例えば、A-Cの場合、基板処理装置のユーザーが、液供給部の少なくとも一部を分離する手作業を行う。
A.基板処理装置を立ち上げる
B.処理液供給源および洗浄液供給源の少なくともいずれかに液供給部を着脱する場合
C.液供給部の部品を交換する
ここで、液供給部の部品は、例えば、配管、ポンプ、フィルタ、弁、ノズルである。
For example, in the cases of A to C, a user of the substrate processing apparatus manually attaches and detaches at least a part of the liquid supply unit. For example, in the cases of A to C, a user of the substrate processing apparatus manually detaches at least a part of the liquid supply unit.
A. Starting up the substrate processing apparatus B. When attaching or detaching a liquid supply unit to at least one of a processing liquid supply source and a cleaning liquid supply source C. When replacing parts of the liquid supply unit Here, the parts of the liquid supply unit are, for example, pipes, pumps, filters, valves, and nozzles.
このため、A-Cの場合、パーティクルが液供給部に存在するおそれがある。A-Cの場合、パーティクルが液供給部に進入するおそれがある。よって、A-Cの場合、液供給部の全部を洗浄することが好ましい。A-Cの場合、ポンプを洗浄することが好ましい。しかし、A-Cの場合、従来例は、液供給部を適切に洗浄できない。 For this reason, in cases A-C, there is a risk that particles may be present in the liquid supply section. In cases A-C, there is a risk that particles may enter the liquid supply section. Therefore, in cases A-C, it is preferable to clean the entire liquid supply section. In cases A-C, it is preferable to clean the pump. However, in cases A-C, the conventional example is unable to properly clean the liquid supply section.
近年、基板に形成される半導体デバイスは、より微細になっている。このため、液供給部の洗浄基準が高くなっている。洗浄基準は、例えば、液供給部から吐出された洗浄液中に存在するパーティクルの許容値である。液供給部が洗浄基準を満たすまで、液供給部を洗浄する。液供給部を洗浄する時間が長くなると、基板処理装置の稼働率が低下する。歩留まりが低下する。 In recent years, semiconductor devices formed on substrates have become finer. This has resulted in higher cleaning standards for the liquid supply unit. The cleaning standard is, for example, the allowable number of particles present in the cleaning liquid discharged from the liquid supply unit. The liquid supply unit is cleaned until it meets the cleaning standard. If it takes a long time to clean the liquid supply unit, the operating rate of the substrate processing apparatus decreases. This reduces the yield.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、液供給部を好適に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of these circumstances, and aims to provide a substrate processing method and substrate processing apparatus that can effectively clean the liquid supply unit.
本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意検討し、以下の知見を得た。液供給部は、1つ以上の弁を備える。弁に、異物が付着することがある。異物が金属である場合、弁から異物を除去し難い。洗浄液は金属を溶解し難いからである。異物が弁に付着した状態では、異物はパーティクルを発生し続ける。このため、異物が弁に付着した状態では、液供給部は洗浄基準を満たし難い。異物が弁に付着した状態では、液供給部を効率良く洗浄できない。 The inventors have conducted extensive research to solve the above problems and have come to the following findings. The liquid supply unit includes one or more valves. Foreign matter may adhere to the valves. If the foreign matter is metal, it is difficult to remove the foreign matter from the valve. This is because cleaning liquids have a hard time dissolving metal. When foreign matter adheres to the valve, the foreign matter continues to generate particles. For this reason, when foreign matter adheres to the valve, it is difficult for the liquid supply unit to meet the cleaning standards. When foreign matter adheres to the valve, the liquid supply unit cannot be efficiently cleaned.
本発明者は、さらに、以下の知見を得た。異物が弁に付着する原因の1つは、弁が異物を噛み込むことである。洗浄液の流れを制御するために、弁は開閉する。弁が閉じるとき、弁が異物を噛み込むおそれがある。異物が弁に噛み込まれた場合、異物は弁から離脱し難い。 The inventor further discovered the following: One of the reasons foreign matter adheres to a valve is that the valve catches the foreign matter. The valve opens and closes to control the flow of cleaning liquid. When the valve closes, there is a risk that the valve will catch the foreign matter. If a foreign matter catches the valve, it is difficult for the foreign matter to be removed from the valve.
本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。 The present invention was developed through further intensive research based on these findings, and has the following features:
すなわち、本発明は、液供給部を用いて基板を処理する基板処理方法であって、前記液供給部は、上流端と下流端を有する供給路と、前記供給路に設けられる第1ポンプと、前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの上流側に配置される第1弁と、前記下流端に接続されるノズルと、を備え、前記基板処理方法は、処理液を前記上流端に供給し、前記液供給部から基板に処理液を供給し、基板を処理する処理工程と、洗浄液を前記上流端に供給し、前記液供給部に洗浄液を流し、前記液供給部を洗浄する洗浄工程と、を備え、前記処理工程では、前記第1弁は、開き、かつ、閉じ、前記洗浄工程では、前記第1弁は、第1大開度と前記第1大開度よりも小さな第1小開度の間で切り替わり、前記第1小開度は、前記第1弁が閉じているときの前記第1弁の開度よりも大きい基板処理方法である。 That is, the present invention is a substrate processing method for processing a substrate using a liquid supply unit, the liquid supply unit comprising a supply path having an upstream end and a downstream end, a first pump provided in the supply path, a first valve provided in the supply path and disposed upstream of the first pump, and a nozzle connected to the downstream end, the substrate processing method comprising a processing step of supplying a processing liquid to the upstream end, supplying the processing liquid from the liquid supply unit to the substrate, and processing the substrate, and a cleaning step of supplying a cleaning liquid to the upstream end, causing the cleaning liquid to flow in the liquid supply unit, and cleaning the liquid supply unit, the processing step being a substrate processing method in which the first valve opens and closes, and the cleaning step being a substrate processing method in which the first valve switches between a first large opening and a first small opening smaller than the first large opening, the first small opening being larger than the opening of the first valve when the first valve is closed.
基板処理方法は、液供給部を用いて基板を処理する。液供給部は、供給路と第1ポンプと第1弁とノズルを備える。供給路は、上流端と下流端を有する。第1ポンプおよび第1弁はそれぞれ、供給路に設けられる。第1弁は、第1ポンプと上流端との間に配置される。ノズルは、下流端に接続される。 The substrate processing method processes a substrate using a liquid supply unit. The liquid supply unit includes a supply path, a first pump, a first valve, and a nozzle. The supply path has an upstream end and a downstream end. The first pump and the first valve are each provided in the supply path. The first valve is disposed between the first pump and the upstream end. The nozzle is connected to the downstream end.
基板処理方法は、処理工程を備える。処理工程は、基板に処理を行う。処理工程では、処理液を上流端に供給する。処理工程では、液供給部は基板に処理液を供給する。 The substrate processing method includes a processing step. In the processing step, a processing liquid is supplied to the upstream end. In the processing step, a liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate.
処理工程では、第1弁は、開き、かつ、閉じる。ここで、「閉じる」とは、「全閉する」ことである。第1弁が開くとき、第1弁は、第1ポンプの上流における処理液の流れを許容する。第1弁が閉じるとき、第1弁は、第1ポンプの上流における処理液の流れを止める。このように、処理工程では、第1弁は、第1ポンプの上流における処理液の流れを、厳密に制御する。ここで、「第1ポンプの上流」とは、例えば、第1弁と第1ポンプの間における供給路の部分である。したがって、処理工程では、液供給部は、基板に処理液を適切に供給できる。よって、処理工程は、基板に処理を適切に行うことができる。 In the processing step, the first valve opens and closes. Here, "closed" means "fully closed." When the first valve opens, the first valve allows the flow of processing liquid upstream of the first pump. When the first valve closes, the first valve stops the flow of processing liquid upstream of the first pump. In this way, in the processing step, the first valve strictly controls the flow of processing liquid upstream of the first pump. Here, "upstream of the first pump" refers to, for example, the portion of the supply path between the first valve and the first pump. Therefore, in the processing step, the liquid supply unit can appropriately supply processing liquid to the substrate. Therefore, in the processing step, the substrate can be appropriately processed.
基板処理方法は、洗浄工程を備える。洗浄工程は、液供給部を洗浄する。洗浄工程では、洗浄液を上流端に供給する。洗浄工程は、液供給部に洗浄液を流す。よって、洗浄工程は、液供給部を好適に洗浄できる。例えば、洗浄工程は、第1ポンプを好適に洗浄できる。 The substrate processing method includes a cleaning process. In the cleaning process, the liquid supply unit is cleaned. In the cleaning process, a cleaning liquid is supplied to the upstream end. In the cleaning process, the cleaning liquid is caused to flow through the liquid supply unit. Therefore, the cleaning process can effectively clean the liquid supply unit. For example, the cleaning process can effectively clean the first pump.
洗浄工程では、第1弁は、第1大開度と第1小開度の間で切り替わる。第1小開度は、第1大開度よりも小さい。このため、第1小開度で開く第1弁は、第1大開度で開く第1弁よりも、洗浄液の流れを抑制する。よって、洗浄工程では、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを、実質的に制御する。したがって、洗浄工程は、液供給部に洗浄液を適切に流すことができる。 In the cleaning process, the first valve switches between a first large opening and a first small opening. The first small opening is smaller than the first large opening. Therefore, the first valve opening at the first small opening suppresses the flow of cleaning liquid more than the first valve opening at the first large opening. Thus, in the cleaning process, the first valve essentially controls the flow of cleaning liquid upstream of the first pump. Therefore, the cleaning process can appropriately flow cleaning liquid to the liquid supply section.
ここで、第1弁が第1小開度で開くとき、洗浄液が第1ポンプの上流を多少流れるかも知れない。しかしながら、洗浄工程は基板に処理を行わない。このため、第1弁が洗浄液の流れを厳密に制御しなくても、基板に行う処理の品質は低下しない。 Here, when the first valve is opened to the first small opening, some cleaning liquid may flow upstream of the first pump. However, the cleaning process does not process the substrate. Therefore, even if the first valve does not strictly control the flow of cleaning liquid, the quality of the processing performed on the substrate is not degraded.
さらに、第1弁が第1小開度で開くとき、第1弁は閉じない。勿論、第1弁が第1大開度で開くときも、第1弁は閉じない。このため、洗浄工程では、異物は第1弁に付着しづらい。したがって、洗浄工程は液供給部を効率良く洗浄できる。 Furthermore, when the first valve is open to the first small opening degree, the first valve does not close. Of course, when the first valve is open to the first large opening degree, the first valve does not close. For this reason, foreign matter is less likely to adhere to the first valve during the cleaning process. Therefore, the cleaning process can efficiently clean the liquid supply section.
まとめると、本発明に係る基板処理方法によれば、洗浄工程は、液供給部を好適に洗浄できる。具体的には、洗浄工程では、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを実質的に制御しつつ、異物が第1弁に付着することを抑制する。処理工程は、基板を処理に適切できる。 In summary, according to the substrate processing method of the present invention, the cleaning process can suitably clean the liquid supply unit. Specifically, in the cleaning process, the first valve substantially controls the flow of the cleaning liquid upstream of the first pump while preventing foreign matter from adhering to the first valve. The processing process can make the substrate suitable for processing.
上述の基板処理方法において、前記第1小開度は、前記第1弁が閉じているときの前記第1弁の開度よりも僅かに大きいことが好ましい。第1弁が第1小開度で開くとき、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを、著しく抑制する。よって、洗浄工程において、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを、好適に制御できる。 In the above-described substrate processing method, the first small opening is preferably slightly larger than the opening of the first valve when the first valve is closed. When the first valve opens at the first small opening, the first valve significantly suppresses the flow of cleaning liquid upstream of the first pump. Thus, in the cleaning process, the first valve can suitably control the flow of cleaning liquid upstream of the first pump.
上述の基板処理方法において、前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を吸い込み、前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を吐き出すことが好ましい。洗浄工程において第1弁が第1大開度で開くとき、第1ポンプは洗浄液を吸い込む。このため、第1ポンプが洗浄液を吸い込むとき、洗浄液が第1弁から第1ポンプに流れることを、第1弁は許容する。洗浄工程において第1弁が第1小開度で開くとき、第1ポンプは洗浄液を吐き出す。このため、第1ポンプが吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプから第1弁に逆流することを、第1弁は抑制する。このように、第1ポンプの動作に応じて、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを、実質的に制御できる。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that when the first valve opens to the first large opening in the cleaning process, the first pump sucks in the cleaning liquid, and when the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first pump expels the cleaning liquid. When the first valve opens to the first large opening in the cleaning process, the first pump sucks in the cleaning liquid. Therefore, when the first pump sucks in the cleaning liquid, the first valve allows the cleaning liquid to flow from the first valve to the first pump. When the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first pump expels the cleaning liquid. Therefore, when the first pump expels the cleaning liquid, the first valve suppresses the cleaning liquid from flowing back from the first pump to the first valve. In this way, the first valve can substantially control the flow of the cleaning liquid upstream of the first pump according to the operation of the first pump.
上述の基板処理方法において、前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を第1流量で吸い込み、かつ、洗浄液が前記第1弁を前記第1流量で通過することを前記第1弁は許容し、前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を第2流量で吐き出し、かつ、前記第1弁を通過する洗浄液の流量を前記第2流量未満に前記第1弁は制限することが好ましい。洗浄工程において第1弁が第1大開度で開くとき、第1ポンプは洗浄液を第1流量で吸い込む。洗浄工程において第1弁が第1大開度で開くとき、洗浄液が第1弁を第1流量で通過することを第1弁は許容する。このため、第1ポンプが洗浄液を吸い込むとき、洗浄液が第1弁から第1ポンプに円滑に流れることを、第1弁は許容する。洗浄工程において第1弁が第1小開度で開くとき、第1ポンプは洗浄液を第2流量で吐き出す。洗浄工程において第1弁が第1小開度で開くとき、第1弁を通過する洗浄液の流量を第2流量未満に第1弁は制限する。このため、第1ポンプが洗浄液を吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプから第1弁に逆流することを、第1弁は抑制する。 In the above-mentioned substrate processing method, when the first valve opens to the first large opening in the cleaning process, the first pump sucks in the cleaning liquid at a first flow rate, and the first valve allows the cleaning liquid to pass through the first valve at the first flow rate, and when the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first pump discharges the cleaning liquid at a second flow rate, and the first valve preferably limits the flow rate of the cleaning liquid passing through the first valve to less than the second flow rate. When the first valve opens to the first large opening in the cleaning process, the first pump sucks in the cleaning liquid at the first flow rate. When the first valve opens to the first large opening in the cleaning process, the first valve allows the cleaning liquid to pass through the first valve at the first flow rate. Therefore, when the first pump sucks in the cleaning liquid, the first valve allows the cleaning liquid to flow smoothly from the first valve to the first pump. When the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first pump discharges cleaning liquid at a second flow rate. When the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first valve limits the flow rate of cleaning liquid passing through the first valve to less than the second flow rate. Therefore, when the first pump discharges cleaning liquid, the first valve prevents the cleaning liquid from flowing back from the first pump to the first valve.
上述の基板処理方法において、前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1弁は、前記第1弁を通過する洗浄液の流量を、前記第2流量の20%以下に制限することが好ましい。第1ポンプが洗浄液を吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプから第1弁に逆流することを、第1弁は一層抑制する。 In the above-described substrate processing method, when the first valve opens to the first small opening in the cleaning step, the first valve preferably limits the flow rate of the cleaning liquid passing through the first valve to 20% or less of the second flow rate. When the first pump discharges the cleaning liquid, the first valve further suppresses the cleaning liquid from flowing back from the first pump to the first valve.
上述の基板処理方法において、前記第1弁は、弁座と、前記弁座に接触可能な弁体と、前記弁座に対して前記弁体を移動させ、前記弁座と前記弁体との間の離隔距離を調整する電動モータと、を備えることが好ましい。電動モータは、離隔距離を微調整できる。ここで、離隔距離は、第1弁の開度に相当する。よって、電動モータは、第1弁の開度を微調整できる。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that the first valve includes a valve seat, a valve body that can contact the valve seat, and an electric motor that moves the valve body relative to the valve seat to adjust the separation distance between the valve seat and the valve body. The electric motor can finely adjust the separation distance. Here, the separation distance corresponds to the opening degree of the first valve. Thus, the electric motor can finely adjust the opening degree of the first valve.
上述の基板処理方法において、前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記離隔距離は400μm以上であり、前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記離隔距離は、5μmよりも大きく、かつ、100μmよりも小さいことが好ましい。第1弁が第1大開度で開くとき、離隔距離は400μm以上である。このため、洗浄工程において第1弁が第1大開度で開くとき、洗浄液は弁座と弁体の間を円滑に通過する。すなわち、洗浄工程において第1弁が第1大開度で開くとき、洗浄液が第1弁を円滑に通過することを、第1弁は許容する。第1弁が第1小開度で開くとき、離隔距離は、100μmよりも小さい。このため、洗浄工程において第1弁が第1小開度で開くとき、洗浄液は弁座と弁体の間を通過し難い。すなわち、洗浄工程において第1弁が第1小開度で開くとき、洗浄液が第1弁を通過することを、第1弁は抑制する。第1弁が第1小開度で開くとき、離隔距離は5μmよりも大きい。このため、第1弁が第1小開度で開くとき、異物は、弁座と弁体の間に形成される隙間を容易に通過できる。勿論、第1弁が第1大開度で開くときも、異物は、弁座と弁体の間に形成される隙間を容易に通過できる。よって、異物は、弁体および弁座の少なくともいずれかに付着し難い。 In the above-mentioned substrate processing method, when the first valve opens at the first large opening, the separation distance is preferably 400 μm or more, and when the first valve opens at the first small opening, the separation distance is preferably greater than 5 μm and smaller than 100 μm. When the first valve opens at the first large opening, the separation distance is 400 μm or more. Therefore, when the first valve opens at the first large opening in the cleaning process, the cleaning liquid passes smoothly between the valve seat and the valve body. That is, when the first valve opens at the first large opening in the cleaning process, the first valve allows the cleaning liquid to pass smoothly through the first valve. When the first valve opens at the first small opening, the separation distance is smaller than 100 μm. Therefore, when the first valve opens at the first small opening in the cleaning process, the cleaning liquid does not easily pass between the valve seat and the valve body. That is, when the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first valve prevents the cleaning liquid from passing through the first valve. When the first valve opens to the first small opening, the separation distance is greater than 5 μm. Therefore, when the first valve opens to the first small opening, foreign matter can easily pass through the gap formed between the valve seat and the valve body. Of course, when the first valve opens to the first large opening, foreign matter can also easily pass through the gap formed between the valve seat and the valve body. Therefore, foreign matter is less likely to adhere to at least one of the valve body and the valve seat.
上述の基板処理方法において、前記処理工程は、前記第1弁から前記第1ポンプに前記供給路を通じて処理液を流す第1送り工程と、前記第1ポンプから前記第1ポンプの下流に処理液を流す第2送り工程と、を備え、前記洗浄工程は、前記第1弁から前記第1ポンプに前記供給路を通じて洗浄液を流す第1工程と、前記第1ポンプから前記第1ポンプの下流に洗浄液を流す第2工程と、を備え、前記第1送り工程では、前記第1弁は開き、かつ、前記第1ポンプは処理液を吸い込み、前記第2送り工程では、前記第1弁は閉じ、かつ、前記第1ポンプは処理液を吐き出し、前記第1工程では、前記第1弁は前記第1大開度で開き、かつ、前記第1ポンプは洗浄液を吸い込み、前記第2工程では、前記第1弁は前記第1小開度で開き、かつ、前記第1ポンプは洗浄液を吐き出すことが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, the processing step includes a first feed step of flowing the processing liquid from the first valve to the first pump through the supply path, and a second feed step of flowing the processing liquid from the first pump downstream of the first pump, and the cleaning step includes a first step of flowing the cleaning liquid from the first valve to the first pump through the supply path, and a second step of flowing the cleaning liquid from the first pump downstream of the first pump. In the first feed step, the first valve is opened and the first pump sucks in the processing liquid, and in the second feed step, the first valve is closed and the first pump discharges the processing liquid, and in the first step, the first valve is opened at the first large opening and the first pump sucks in the cleaning liquid, and in the second step, the first valve is opened at the first small opening and the first pump discharges the cleaning liquid.
処理工程は、第1送り工程と第2送り工程を備える。第1送り工程では、第1弁は開き、第1ポンプは吸い込む。このため、第1送り工程では、処理液は、第1弁から第1ポンプに供給路を通じて円滑に流れる。第2送り工程では、第1弁は閉じ、第1ポンプは吐き出す。このため、第2送り工程では、処理液が第1ポンプから第1弁に逆流することを、第1弁は禁止する。その結果、第2送り工程では、処理液は、第1ポンプから第1ポンプの下流流れる。 The processing step includes a first feed step and a second feed step. In the first feed step, the first valve opens and the first pump sucks in. Therefore, in the first feed step, the processing liquid flows smoothly from the first valve to the first pump through the supply path. In the second feed step, the first valve closes and the first pump expels. Therefore, in the second feed step, the first valve prohibits the processing liquid from flowing back from the first pump to the first valve. As a result, in the second feed step, the processing liquid flows from the first pump downstream of the first pump.
洗浄工程は、第1工程と第2工程を備える。第1工程では、第1弁は第1大開度で開き、第1ポンプは洗浄液を吸い込む。このため、第1工程では、洗浄液は、実質的に第1弁から第1ポンプに供給路を通じて、流れる。第2工程では、第1弁は第1小開度で開き、かつ、第1ポンプは洗浄液を吐き出す。このため、第2工程では、洗浄液が第1ポンプから第1弁に逆流することを、第1弁は抑制する。その結果、第2工程では、洗浄液は、実質的に第1ポンプから第1ポンプの下流に流れる。 The cleaning process includes a first process and a second process. In the first process, the first valve opens to a first large opening, and the first pump sucks in the cleaning liquid. Therefore, in the first process, the cleaning liquid flows substantially from the first valve to the first pump through the supply path. In the second process, the first valve opens to a first small opening, and the first pump expels the cleaning liquid. Therefore, in the second process, the first valve prevents the cleaning liquid from flowing back from the first pump to the first valve. As a result, in the second process, the cleaning liquid flows substantially from the first pump downstream of the first pump.
上述の基板処理方法において、前記液供給部は、前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの下流側に配置される第2弁と、を備え、前記第1送り工程では、前記第2弁は閉じ、前記第2送り工程では、前記第2弁は開き、前記第1工程では、前記第1弁は前記第2弁よりも大きく開き、前記第2工程では、前記第2弁は前記第1弁よりも大きく開くことが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, the liquid supply unit includes a second valve provided in the supply path and arranged downstream of the first pump, and it is preferable that the second valve is closed in the first feed process and the second valve is opened in the second feed process, the first valve is opened wider than the second valve in the first process, and the second valve is opened wider than the first valve in the second process.
液供給部は、第2弁を備える。第2弁は、第1ポンプと下流端との間に配置される。 The liquid supply unit includes a second valve. The second valve is disposed between the first pump and the downstream end.
第1送り工程では、第2弁は閉じる。このため、第1送り工程では、処理液が第2弁から第1ポンプに逆流することを、第2弁は禁止する。第2送り工程では、第2弁は開く。このため、第2送り工程では、処理液は、第1ポンプから第2弁に供給路を通じて円滑に流れる。 In the first feed process, the second valve is closed. Therefore, in the first feed process, the second valve prohibits the processing liquid from flowing back from the second valve to the first pump. In the second feed process, the second valve is opened. Therefore, in the second feed process, the processing liquid flows smoothly from the first pump to the second valve through the supply path.
第1工程では、第1弁は第2弁よりも大きく開く。このため、第1工程では、洗浄液は、実質的に第1弁から第1ポンプに供給路を通じて、流れる。第2工程では、第2弁は第1弁よりも大きく開く。このため、第2工程では、洗浄液は、実質的に第1ポンプから第2弁に供給路を通じて、流れる。 In the first step, the first valve opens wider than the second valve. Therefore, in the first step, the cleaning liquid flows substantially from the first valve to the first pump through the supply line. In the second step, the second valve opens wider than the first valve. Therefore, in the second step, the cleaning liquid flows substantially from the first pump to the second valve through the supply line.
上述の基板処理方法において、前記第1工程では、前記第2弁は、前記第1弁よりも小さく開くことが好ましい。第1工程では、洗浄液が第2弁から第1ポンプに逆流することを、第2弁は抑制する。さらに、第1工程では、第2弁は閉じない。勿論、第2工程でも、第2弁は閉じない。このため、異物は、第2弁に付着し難い。よって、洗浄工程は、液供給部を一層効率良く洗浄できる。 In the above-described substrate processing method, it is preferable that in the first step, the second valve opens less than the first valve. In the first step, the second valve prevents the cleaning liquid from flowing back from the second valve to the first pump. Furthermore, in the first step, the second valve does not close. Of course, the second valve does not close in the second step either. For this reason, foreign matter is less likely to adhere to the second valve. Therefore, the cleaning step can clean the liquid supply unit more efficiently.
上述の基板処理方法において、前記第1弁は、前記上流端と前記第1ポンプの間における前記供給路の第1部分に配置され、前記液供給部は、前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの下流側に配置される分岐部と、前記供給路に設けられ、前記分岐部の下流側に配置される第2ポンプと、前記供給路とは分離して設けられ、前記第2ポンプと前記第1ポンプとを連通する戻り路と、前記分岐部に接続され、前記供給路から分岐する排出路と、前記第1ポンプと前記分岐部の間における前記供給路の第2部分に設けられる第2弁と、前記分岐部と前記第2ポンプの間における前記供給路の第3部分に設けられる第3弁と、前記第2ポンプと前記下流端の間における前記供給路の第4部分に設けられる第4弁と、前記戻り路に設けられる第5弁と、前記排出路に設けられる排出弁と、を備え、前記処理工程は、前記上流端から前記第1ポンプに前記第1部分を通じて処理液を流す第1送り工程と、前記第1ポンプから前記第2ポンプに前記第2部分および前記第3部分を通じて処理液を流す第2送り工程と、前記第2ポンプから前記第1ポンプに前記戻り路を通じて処理液を逆流させる戻り工程と、前記第2ポンプから前記ノズルに第4部分を通じて処理液を流す第3送り工程と、を備え、前記洗浄工程は、前記上流端から前記分岐部まで前記第1部分および前記第2部分を通じて洗浄液を流し、かつ、前記分岐部から前記排出路に洗浄液を排出する第1洗浄工程と、前記上流端から前記第1ポンプまで前記第1部分を通じて洗浄液を流し、前記第1ポンプから前記第2ポンプに前記戻り路を通じて洗浄液を流し、前記第2ポンプから前記分岐部に前記第3部分を通じて洗浄液を逆流させ、かつ、前記分岐部から前記排出路に洗浄液を排出する第2洗浄工程と、前記上流端から前記ノズルまで、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分および前記第4部分を通じて、洗浄液を流す第3洗浄工程と、を備えることが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, the first valve is disposed in a first portion of the supply path between the upstream end and the first pump, and the liquid supply unit includes a branch portion provided in the supply path and disposed downstream of the first pump, a second pump provided in the supply path and disposed downstream of the branch portion, a return path provided separately from the supply path and communicating the second pump with the first pump, a discharge path connected to the branch portion and branching off from the supply path, a second valve provided in the second portion of the supply path between the first pump and the branch portion, a third valve provided in a third portion of the supply path between the branch portion and the second pump, a fourth valve provided in a fourth portion of the supply path between the second pump and the downstream end, a fifth valve provided in the return path, and a discharge valve provided in the discharge path, and the processing step includes a first sending step of flowing the processing liquid from the upstream end to the first pump through the first portion, and a second sending step of flowing the processing liquid from the first pump to the first pump through the first portion. The cleaning process preferably includes a second feed process of flowing the treatment liquid from the upstream end to the second pump through the second and third parts, a return process of flowing the treatment liquid back from the second pump to the first pump through the return path, and a third feed process of flowing the treatment liquid from the second pump to the nozzle through the fourth part, and the cleaning process preferably includes a first cleaning process of flowing the cleaning liquid from the upstream end to the first pump through the first and second parts to the branching part and discharging the cleaning liquid from the branching part to the discharge path, a second cleaning process of flowing the cleaning liquid from the upstream end to the first pump through the first part, flowing the cleaning liquid from the first pump to the second pump through the return path, flowing the cleaning liquid back from the second pump to the branching part through the third part, and discharging the cleaning liquid from the branching part to the discharge path, and a third cleaning process of flowing the cleaning liquid from the upstream end to the nozzle through the first, second, third, and fourth parts.
液供給部は、分岐部と第2ポンプと戻り路と排出路を備える。分岐部と第2ポンプはそれぞれ、供給路に設けられる。分岐部は、第1ポンプと下流端の間に配置される。第2ポンプは、分岐部と下流端の間に配置される。戻り路は、供給路とは分離して設けられる。
戻り路は、第2ポンプと第1ポンプを連通する。排出路は、分岐部に接続される。排出路は、供給路から分岐する。
The liquid supply unit includes a branching portion, a second pump, a return path, and a discharge path. The branching portion and the second pump are each provided in the supply path. The branching portion is disposed between the first pump and the downstream end. The second pump is disposed between the branching portion and the downstream end. The return path is provided separately from the supply path.
The return path connects the second pump to the first pump. The discharge path is connected to the branch portion. The discharge path branches off from the supply path.
供給路は、第1部分と第2部分と第3部分と第4部分を含む。第1部分は、上流端と第1ポンプの間における供給路の部分である。第2部分は、第1ポンプと分岐部の間における供給路の部分である。第3部分は、分岐部と第2ポンプの間における供給路の部分である。第4部分は、第2ポンプと下流端の間における供給路の部分である。 The supply path includes a first portion, a second portion, a third portion, and a fourth portion. The first portion is a portion of the supply path between the upstream end and the first pump. The second portion is a portion of the supply path between the first pump and the branching portion. The third portion is a portion of the supply path between the branching portion and the second pump. The fourth portion is a portion of the supply path between the second pump and the downstream end.
液供給部は、第1弁に加えて、第2弁と第3弁と第4弁と第5弁と排出弁を備える。第1弁は、第1部分に設けられる。第2弁は、第2部分に設けられる。第3弁は、第3部分に設けられる。第4弁は、第4部分に設けられる。第5弁は、戻り路に設けられる。排出弁は、排出路に設けられる。 The liquid supply unit includes a first valve, a second valve, a third valve, a fourth valve, a fifth valve, and a discharge valve. The first valve is provided in the first section. The second valve is provided in the second section. The third valve is provided in the third section. The fourth valve is provided in the fourth section. The fifth valve is provided in the return path. The discharge valve is provided in the discharge path.
処理工程は、第1送り工程と第2送り工程と戻り工程と第3送り工程を備える。第1送り工程は、上流端から第1ポンプに第1部分を通じて処理液を流す。第2送り工程は、第1ポンプから第2ポンプに第2部分および第3部分を通じて処理液を流す。戻り工程は、第2ポンプから第1ポンプに戻り路を通じて処理液を逆流させる。第3送り工程は、第2ポンプからノズルに第4部分を通じて処理液を流す。仮に、エアが第2ポンプに混入した場合、戻し工程は、第2ポンプから第1ポンプに処理液とともにエアを戻す。このため、第3送り工程は、エアを含まない処理液をノズルに送ることができる。よって、処理工程において、液供給部は基板に処理液を好適に供給できる。 The processing step includes a first feed step, a second feed step, a return step, and a third feed step. The first feed step flows the processing liquid from the upstream end to the first pump through the first portion. The second feed step flows the processing liquid from the first pump to the second pump through the second and third portions. The return step reverses the processing liquid from the second pump to the first pump through the return path. The third feed step flows the processing liquid from the second pump to the nozzle through the fourth portion. If air gets mixed into the second pump, the return step returns the air together with the processing liquid from the second pump to the first pump. Therefore, the third feed step can send the processing liquid that does not contain air to the nozzle. Therefore, in the processing step, the liquid supply unit can suitably supply the processing liquid to the substrate.
洗浄工程は、第1洗浄工程と第2洗浄工程と第3洗浄工程を備える。第1洗浄工程は、上流端から分岐部まで第1部分および第2部分を通じて洗浄液を流す。第1洗浄工程は、分岐部から排出路に洗浄液を排出する。このため、第1洗浄工程は、第1部分および第2部分を洗浄する。第2洗浄工程は、上流端から第1ポンプまで第1部分を通じて洗浄液を流す。第2洗浄工程は、第1ポンプから第2ポンプに戻り路を通じて洗浄液を流す。第2洗浄工程は、第2ポンプから分岐部に第3部分を通じて洗浄液を逆流させる。第2洗浄工程は、分岐部から排出路に洗浄液を排出する。このため、第2洗浄工程は、第1部分、戻り路および第3部分を洗浄する。第3洗浄工程は、上流端からノズルまで、第1部分、第2部分、第3部分および第4部分を通じて洗浄液を流す。このため、第3洗浄工程は、第1部分、第2部分、第3部分および第4部分を洗浄する。したがって、洗浄工程は、液供給部の全体に洗浄液を効率良く流すことができる。 The cleaning process includes a first cleaning process, a second cleaning process, and a third cleaning process. In the first cleaning process, the cleaning liquid flows from the upstream end to the branching portion through the first and second portions. In the first cleaning process, the cleaning liquid is discharged from the branching portion to the discharge path. Therefore, the first cleaning process cleans the first and second portions. In the second cleaning process, the cleaning liquid flows from the upstream end to the first pump through the first portion. In the second cleaning process, the cleaning liquid flows from the first pump to the second pump through the return path. In the second cleaning process, the cleaning liquid flows back from the second pump to the branching portion through the third portion. In the second cleaning process, the cleaning liquid is discharged from the branching portion to the discharge path. Therefore, the second cleaning process cleans the first portion, the return path, and the third portion. In the third cleaning process, the cleaning liquid flows from the upstream end to the nozzle through the first, second, third, and fourth portions. Therefore, the third cleaning process cleans the first, second, third, and fourth portions. Therefore, the cleaning process can efficiently flow cleaning liquid throughout the entire liquid supply section.
第2洗浄工程において戻り路を流れる洗浄液の向きは、戻り工程において戻り路を流れる処理液の向きと反対である。このため、第2洗浄工程は、戻り路を好適に洗浄できる。 The direction of the cleaning liquid flowing through the return path in the second cleaning process is opposite to the direction of the processing liquid flowing through the return path in the return process. Therefore, the second cleaning process can effectively clean the return path.
第2洗浄工程において第3部分を流れる洗浄液の向きは、第3洗浄工程において第3部分を流れる洗浄液の向きと反対である。このため、第3部分を好適に洗浄できる。 The direction of the cleaning liquid flowing through the third portion in the second cleaning step is opposite to the direction of the cleaning liquid flowing through the third portion in the third cleaning step. This allows the third portion to be cleaned effectively.
上述の基板処理方法において、前記処理工程では、前記第2弁は、開き、かつ、閉じ、前記洗浄工程では、前記第2弁は、第2大開度と前記第2大開度よりも小さな第2小開度の間で切り替わり、前記処理工程では、前記第3弁は、開き、かつ、閉じ、前記洗浄工程では、前記第3弁は、第3大開度と前記第3大開度よりも小さな第3小開度の間で切り替わり、前記処理工程では、前記第5弁は、開き、かつ、閉じ、前記洗浄工程では、前記第5弁は、第5大開度と前記第5大開度よりも小さな第5小開度の間で切り替わり、第2小開度は、前記第2弁が閉じているときの第2弁の開度よりも大きく、第3小開度は、前記第3弁が閉じているときの第3弁の開度よりも大きく、第5小開度は、前記第5弁が閉じているときの第5弁の開度よりも大きいことが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that in the processing step, the second valve opens and closes, in the cleaning step, the second valve switches between a second large opening and a second small opening smaller than the second large opening, in the processing step, the third valve opens and closes, in the cleaning step, the third valve switches between a third large opening and a third small opening smaller than the third large opening, in the processing step, the fifth valve opens and closes, in the cleaning step, the fifth valve switches between a fifth large opening and a fifth small opening smaller than the fifth large opening, the second small opening being larger than the opening of the second valve when the second valve is closed, the third small opening being larger than the opening of the third valve when the third valve is closed, and the fifth small opening being larger than the opening of the fifth valve when the fifth valve is closed.
処理工程では、第2弁は、開き、かつ、閉じる。第2弁が開くとき、第2弁は、第2部分における処理液の流れを許容する。第2弁が閉じるとき、第2弁は、第2部分における処理液の流れを止める。このように、処理工程では、第2弁は、第2部分における処理液の流れを、厳密に制御する。同様に、処理工程では、第3弁は、開き、かつ、閉じる。このため、処理工程では、第3弁は、第3部分における処理液の流れを、厳密に制御する。処理工程では、第5弁は、開き、かつ、閉じる。このため、処理工程では、第5弁は、戻り路における処理液の流れを、厳密に制御する。したがって、処理工程は、液供給部における処理液の流れを厳密に制御する。よって、液供給部は、基板に処理液を適切に供給できる。処理工程は、基板を適切に処理できる。 In the processing step, the second valve opens and closes. When the second valve opens, the second valve allows the flow of the processing liquid in the second portion. When the second valve closes, the second valve stops the flow of the processing liquid in the second portion. In this way, in the processing step, the second valve strictly controls the flow of the processing liquid in the second portion. Similarly, in the processing step, the third valve opens and closes. Therefore, in the processing step, the third valve strictly controls the flow of the processing liquid in the third portion. In the processing step, the fifth valve opens and closes. Therefore, in the processing step, the fifth valve strictly controls the flow of the processing liquid in the return path. Therefore, in the processing step, the flow of the processing liquid in the liquid supply unit strictly controls. Therefore, the liquid supply unit can properly supply the processing liquid to the substrate. In the processing step, the substrate can be properly processed.
洗浄工程では、第2弁は、第2大開度と第2小開度の間で切り替わる。第2小開度は、第2大開度よりも小さい。このため、洗浄工程では、第2弁は、第2部分における洗浄液の流れを実質的に制御する。同様に、洗浄工程では、第3弁は、第3大開度と第3小開度の間で切り替わる。第3小開度は、第3大開度よりも小さい。このため、洗浄工程では、第3弁は、第3部分における洗浄液の流れを実質的に制御する。洗浄工程では、第5弁は、第5大開度と第5小開度の間で切り替わる。第5小開度は、第5大開度よりも小さい。このため、洗浄工程では、第5弁は、戻り路における洗浄液の流れを実質的に制御する。よって、洗浄工程は、液供給部に洗浄液を適切に流すことができる。 In the cleaning process, the second valve switches between the second large opening and the second small opening. The second small opening is smaller than the second large opening. Thus, in the cleaning process, the second valve substantially controls the flow of the cleaning liquid in the second portion. Similarly, in the cleaning process, the third valve switches between the third large opening and the third small opening. The third small opening is smaller than the third large opening. Thus, in the cleaning process, the third valve substantially controls the flow of the cleaning liquid in the third portion. In the cleaning process, the fifth valve switches between the fifth large opening and the fifth small opening. The fifth small opening is smaller than the fifth large opening. Thus, in the cleaning process, the fifth valve substantially controls the flow of the cleaning liquid in the return path. Thus, in the cleaning process, the cleaning liquid can be appropriately flowed to the liquid supply section.
さらに、第2弁が第2小開度で開くとき、第2弁は閉じない。勿論、第2弁が第2大開度で開くときも、第2弁は閉じない。このため、洗浄工程では、異物は第2弁に付着しづらい。同様に、洗浄工程では、異物は第3弁に付着しづらい。洗浄工程では、異物は第5弁に付着しづらい。したがって、洗浄工程は液供給部を効率良く洗浄できる。 Furthermore, when the second valve opens to the second small opening degree, the second valve does not close. Of course, when the second valve opens to the second large opening degree, the second valve does not close. For this reason, foreign matter is less likely to adhere to the second valve during the cleaning process. Similarly, foreign matter is less likely to adhere to the third valve during the cleaning process. Foreign matter is less likely to adhere to the fifth valve during the cleaning process. Therefore, the cleaning process can efficiently clean the liquid supply section.
上述の基板処理方法において、前記第1洗浄工程では、前記第3弁は前記第3小開度で開き、かつ、前記第5弁は前記第5小開度で開き、前記第2洗浄工程では、前記第2弁は前記第2小開度で開き、前記第3洗浄工程では、前記第5弁は前記第5小開度で開くことが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that in the first cleaning step, the third valve opens at the third small opening and the fifth valve opens at the fifth small opening, in the second cleaning step, the second valve opens at the second small opening, and in the third cleaning step, the fifth valve opens at the fifth small opening.
第1洗浄工程では、第5弁は第5小開度で開く。このため、第1洗浄工程では、第5弁は戻り路における洗浄液の流れを抑制する。その結果、第1洗浄工程では、洗浄液は、実質的に第1部分から第2部分に、流れる。 In the first cleaning step, the fifth valve opens to the fifth small opening. Therefore, in the first cleaning step, the fifth valve suppresses the flow of cleaning liquid in the return path. As a result, in the first cleaning step, the cleaning liquid flows substantially from the first part to the second part.
第1洗浄工程では、第3弁は第3小開度で開く。このため、第1洗浄工程では、第3弁は第3部分における洗浄液の流れを抑制する。第1洗浄工程では、洗浄液が第2部分から第3部分に流れることを、第3弁は抑制する。その結果、第1洗浄工程では、洗浄液は、実質的に第2部分から排出路に、流れる。 In the first cleaning step, the third valve opens to the third small opening. Therefore, in the first cleaning step, the third valve suppresses the flow of cleaning liquid in the third portion. In the first cleaning step, the third valve suppresses the flow of cleaning liquid from the second portion to the third portion. As a result, in the first cleaning step, the cleaning liquid substantially flows from the second portion to the discharge path.
第2洗浄工程では、第2弁は第2小開度で開く。このため、第2洗浄工程では、第2弁は第2部分における洗浄液の流れを抑制する。その結果、第2洗浄工程では、洗浄液は、実質的に第1部分から戻り路に、流れる。さらに、第2洗浄工程では、洗浄液は、実質的に第3部分から排出路に、流れる。 In the second cleaning step, the second valve opens to the second small opening. Therefore, in the second cleaning step, the second valve suppresses the flow of cleaning liquid in the second portion. As a result, in the second cleaning step, the cleaning liquid substantially flows from the first portion to the return path. Furthermore, in the second cleaning step, the cleaning liquid substantially flows from the third portion to the discharge path.
第3洗浄工程では、第5弁は第5小開度で開く。このため、第3洗浄工程では、第5弁は戻り路における洗浄液の流れを抑制する。その結果、第3洗浄工程では、洗浄液は、第1部分から第2部分に円滑に流れる。さらに、第3洗浄工程では、洗浄液は、実質的に第3部分から第4部分に、流れる。 In the third cleaning step, the fifth valve opens to the fifth small opening. Therefore, in the third cleaning step, the fifth valve suppresses the flow of cleaning liquid in the return path. As a result, in the third cleaning step, the cleaning liquid flows smoothly from the first part to the second part. Furthermore, in the third cleaning step, the cleaning liquid flows substantially from the third part to the fourth part.
上述の基板処理方法において、前記分岐部は、前記第2部分に接続される第1接続口と、前記第3部分に接続される第2接続口と、前記排出路に接続される第3接続口と、を備え、前記第1洗浄工程では、洗浄液は、前記第1接続口に流入し、前記第3接続口から流出し、前記第2洗浄工程では、洗浄液は、前記第2接続口に流入し、前記第3接続口から流出し、前記第3洗浄工程では、洗浄液は、前記第1接続口に流入し、前記第2接続口から流出することが好ましい。洗浄工程は、分岐部を好適に洗浄できる。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that the branching portion includes a first connection port connected to the second portion, a second connection port connected to the third portion, and a third connection port connected to the discharge path, and in the first cleaning step, the cleaning liquid flows into the first connection port and flows out from the third connection port, and in the second cleaning step, the cleaning liquid flows into the second connection port and flows out from the third connection port, and in the third cleaning step, the cleaning liquid flows into the first connection port and flows out from the second connection port. The cleaning step can suitably clean the branching portion.
上述の基板処理方法において、洗浄液が前記第2部分から前記分岐部を経由して前記排出路に流れるとき、前記第3弁は前記第2弁および前記排出弁よりも小さく開き、洗浄液が前記第3部分から前記分岐部を経由して前記排出路に流れるとき、前記第2弁は前記第3弁および前記排出弁よりも小さく開き、洗浄液が前記第2部分から前記分岐部を経由して前記第3部分に流れるとき、前記第2弁および前記第3弁は前記排出弁よりも大きく開くことが好ましい。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that when the cleaning liquid flows from the second part through the branch part to the discharge path, the third valve opens less than the second valve and the discharge valve, when the cleaning liquid flows from the third part through the branch part to the discharge path, the second valve opens less than the third valve and the discharge valve, and when the cleaning liquid flows from the second part through the branch part to the third part, the second valve and the third valve open more than the discharge valve.
洗浄液が第2部分から分岐部を経由して排出路に流れるとき、第3弁は第2弁および排出弁よりも小さく開く。よって、洗浄液は、実質的に第2部分から分岐部を経由して排出路に流れる。 When the cleaning liquid flows from the second portion through the branch to the drain, the third valve opens less than the second valve and the drain valve. Thus, the cleaning liquid substantially flows from the second portion to the drain via the branch.
洗浄液が第3部分から分岐部を経由して排出路に流れるとき、第2弁は第3弁および排出弁よりも小さく開く。よって、洗浄液は、実質的に第3部分から分岐部を経由して排出路に流れる。 When the cleaning liquid flows from the third portion through the branch to the drain, the second valve opens less than the third valve and the drain valve. Thus, the cleaning liquid essentially flows from the third portion through the branch to the drain.
洗浄液が第2部分から分岐部を経由して第3部分に流れるとき、第2弁および第3弁は排出弁よりも大きく開く。よって、洗浄液は、実質的に第2部分から分岐部を経由して第3部分に流れる。 When the cleaning liquid flows from the second portion to the third portion via the branch, the second valve and the third valve open wider than the drain valve. Thus, the cleaning liquid flows substantially from the second portion to the third portion via the branch.
さらに、洗浄液が第2部分から分岐部を経由して排出路に流れるとき、第3弁は閉じない。同様に、洗浄液が第3部分から分岐部を経由して排出路に流れるとき、第2弁は閉じない。洗浄液が第2部分から分岐部を経由して第3部分に流れるとき、第2弁および第3弁は閉じない。このため、洗浄工程において、異物は第2弁および第3弁の少なくともいずれかに付着しづらい。したがって、洗浄工程は液供給部を効率良く洗浄できる。 Furthermore, when the cleaning liquid flows from the second portion to the discharge path via the branch portion, the third valve does not close. Similarly, when the cleaning liquid flows from the third portion to the discharge path via the branch portion, the second valve does not close. When the cleaning liquid flows from the second portion to the third portion via the branch portion, the second valve and the third valve do not close. Therefore, during the cleaning process, foreign matter is less likely to adhere to at least one of the second valve and the third valve. Therefore, the cleaning process can efficiently clean the liquid supply section.
上述の基板処理方法において、前記分岐部は、フィルタであることが好ましい。フィルタは、洗浄液中のパーティクルを好適に除去する。 In the above-mentioned substrate processing method, the branching portion is preferably a filter. The filter effectively removes particles from the cleaning liquid.
上述の基板処理方法において、前記第1洗浄工程では、前記第4弁は閉じ、前記第2洗浄工程では、前記第4弁は閉じ、前記第3洗浄工程では、前記第4弁は開くことが好ましい。第1洗浄工程では、第4弁は閉じる。このため、第1洗浄工程では、洗浄液は、第4部分を通過せずに、排出路に排出される。同様に、第2洗浄工程では、第4弁は閉じる。このため、第2洗浄工程では、洗浄液は、第4部分を通過せずに、排出路に排出される。したがって、第1洗浄工程および第2洗浄工程では、洗浄液は、ノズルに流れない。言い換えれば、第1洗浄工程および第2洗浄工程では、洗浄液は、ノズルを通じてパーティクルを排出しない。よって、第1洗浄工程および第2洗浄工程は、ノズルの汚染を抑制する。第3洗浄工程では、第4弁は開く。このため、第3洗浄工程では、洗浄液は、第4部分を通じてノズルに流れる。よって、第3洗浄工程は、ノズルを洗浄する。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that the fourth valve is closed in the first cleaning step, the fourth valve is closed in the second cleaning step, and the fourth valve is opened in the third cleaning step. In the first cleaning step, the fourth valve is closed. Therefore, in the first cleaning step, the cleaning liquid is discharged to the discharge path without passing through the fourth portion. Similarly, in the second cleaning step, the fourth valve is closed. Therefore, in the second cleaning step, the cleaning liquid is discharged to the discharge path without passing through the fourth portion. Therefore, in the first cleaning step and the second cleaning step, the cleaning liquid does not flow to the nozzle. In other words, in the first cleaning step and the second cleaning step, the cleaning liquid does not discharge particles through the nozzle. Therefore, the first cleaning step and the second cleaning step suppress contamination of the nozzle. In the third cleaning step, the fourth valve is opened. Therefore, in the third cleaning step, the cleaning liquid flows to the nozzle through the fourth portion. Therefore, the third cleaning step cleans the nozzle.
上述の基板処理方法において、前記第2洗浄工程は、前記第1洗浄工程の後に実行され、前記第3洗浄工程は、前記第2洗浄工程の後に実行されることが好ましい。第1洗浄工程は、第1部分と第2部分を洗浄する。第2洗浄工程は、第3部分を洗浄する。第4洗浄工程は、第4部分を洗浄する。ここで、第3部分は、第2部分の下流側に位置する。第4部分は、第3部分の下流側に位置する。このため、洗浄工程は、上流端から下流端にむかって、供給路を段階的に洗浄する。よって、洗浄工程は、液供給部を効率良く洗浄できる。 In the above-mentioned substrate processing method, it is preferable that the second cleaning step is performed after the first cleaning step , and the third cleaning step is performed after the second cleaning step . The first cleaning step cleans the first portion and the second portion. The second cleaning step cleans the third portion. The fourth cleaning step cleans the fourth portion. Here, the third portion is located downstream of the second portion. The fourth portion is located downstream of the third portion. Therefore, the cleaning step cleans the supply path in stages from the upstream end to the downstream end. Therefore, the cleaning step can efficiently clean the liquid supply unit.
また、本発明は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持される基板に、処理液を供給する液供給部と、前記液供給部を制御する制御部と、を備え、前記液供給部は、上流端と下流端を有する供給路と、前記供給路に設けられる第1ポンプと、前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの上流側に配置される第1弁と、前記下流端に接続されるノズルと、を備え、前記液供給部を洗浄するための洗浄液を前記上流端に供給するとき、前記制御部は、第1大開度と前記第1大開度よりも小さな第1小開度との間で前記第1弁の開度を切り換え、前記第1小開度は、前記第1弁が閉じているときの前記第1弁の開度よりも大きい基板処理装置である。 The present invention also provides a substrate processing apparatus comprising a substrate holding section for holding a substrate, a liquid supply section for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding section, and a control section for controlling the liquid supply section, the liquid supply section comprising a supply path having an upstream end and a downstream end, a first pump provided in the supply path, a first valve provided in the supply path and disposed upstream of the first pump, and a nozzle connected to the downstream end, and when supplying cleaning liquid for cleaning the liquid supply section to the upstream end, the control section switches the opening degree of the first valve between a first large opening degree and a first small opening degree smaller than the first large opening degree, the first small opening degree being larger than the opening degree of the first valve when the first valve is closed.
洗浄液は上流端に供給される。このため、第1ポンプを好適に洗浄できる。 The cleaning liquid is supplied to the upstream end, which allows the first pump to be cleaned effectively.
洗浄液を上流端に供給するとき、制御部は、第1大開度と第1小開度との間で第1弁の開度を切り換える。第1小開度は、第1大開度よりも小さい。このため、洗浄液を上流端に供給するとき、第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを、実質的に制御する。よって、液供給部に洗浄液を適切に流すことができる。 When supplying cleaning liquid to the upstream end, the control unit switches the opening of the first valve between a first large opening and a first small opening. The first small opening is smaller than the first large opening. Therefore, when supplying cleaning liquid to the upstream end, the first valve essentially controls the flow of cleaning liquid upstream of the first pump. This allows the cleaning liquid to flow appropriately to the liquid supply unit.
さらに、第1小開度は、第1弁が閉じているときの第1弁の開度よりも大きい。すなわち、第1弁が第1小開度で開くとき、第1弁は閉じない。第1大開度は、第1小開度よりも大きい。このため、第1弁が第1大開度で開くときも、第1弁は閉じない。よって、洗浄液を上流端に供給するとき、異物は第1弁に付着し難い。したがって、液供給部を効率良く洗浄できる。 Furthermore, the first small opening is greater than the opening of the first valve when it is closed. That is, when the first valve opens at the first small opening, the first valve does not close. The first large opening is greater than the first small opening. Therefore, even when the first valve opens at the first large opening, the first valve does not close. Therefore, when the cleaning liquid is supplied to the upstream end, foreign matter is less likely to adhere to the first valve. Therefore, the liquid supply section can be efficiently cleaned.
まとめると、本発明に係る基板処理装置によれば、液供給部を好適に洗浄できる。具体的には、第1ポンプを好適に洗浄できる。第1弁は、第1ポンプの上流における洗浄液の流れを実質的に制御しつつ、異物が第1弁に付着することを抑制する。 In summary, the substrate processing apparatus according to the present invention can effectively clean the liquid supply unit. Specifically, the first pump can effectively clean the first valve. The first valve effectively controls the flow of the cleaning liquid upstream of the first pump while preventing foreign matter from adhering to the first valve.
本発明によれば、液供給部を好適に洗浄できる。 According to the present invention, the liquid supply section can be cleaned effectively.
第1実施形態
以下、図面を参照して本発明の第1実施形態を説明する。図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。第1実施形態に係る基板処理装置1は、基板Wに処理を行う装置である。
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment. The
基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、または、太陽電池用基板である。 The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an organic electroluminescence (EL), a substrate for a flat panel display (FPD), a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, or a substrate for a solar cell.
1.基板処理装置1の概要
基板処理装置1は、基板保持部5と回転駆動部6を備える。基板保持部5は基板Wを保持する。具体的には、基板保持部5は基板Wを略水平姿勢で保持する。基板保持部5は、例えば、基板Wの裏面(下面)を保持する。回転駆動部6は、基板保持部5に連結する。回転駆動部6は、基板保持部5を回転させる。基板保持部5が回転時、基板保持部5に保持された基板Wは、基板保持部5と一体に回転する。基板Wは、鉛直方向と平行な軸線回りに回転する。
1. Overview of the
基板処理装置1は、カップ7を備える。カップ7は、筒形状を有する。カップ7は、基板保持部5の側方を囲むように配置される。カップ7は、基板Wから飛散した処理液を受ける。
The
基板処理装置1は、液供給部11を備える。液供給部11は、基板Wに処理液を供給する。具体的には、液供給部11は、基板保持部5に保持される基板Wに処理液を供給する。
The
液供給部11は、供給路12を備える。供給路12は、上流端13と下流端14を備える。
The
本明細書では、供給路12に沿って上流端13から下流端14に向かう方向を、適宜に、下流側と呼ぶ。供給路12に沿って下流端14から上流端13に向かう方向を、適宜に、上流側と呼ぶ。供給路12を上流側に流れることを、適宜に、「逆流する」と記載する。
In this specification, the direction from the
液供給部11は、第1ポンプ21とノズル31を備える。第1ポンプ21は、供給路12に設けられる。すなわち、第1ポンプ21は、上流端13と下流端14の間に設けられる。ノズル31は、供給路12の下流端14に接続される。
The
供給路12は、配管15、16を備える。配管15は、第1端と第2端を有する。配管15の第1端は、上流端13に相当する。配管15の第2端は、第1ポンプ21に接続される。配管15は、第1ポンプ21の上流に位置する供給路12の部分に相当する。配管16は、第1端と第2端を有する。配管16の第1端は、第1ポンプ21に接続される。配管16の第2端は、下流端14に相当する。配管16の第2端は、ノズル31に接続される。配管16は、第1ポンプ21の下流に位置する供給路12の部分に相当する。
The
液供給部11は、第1弁41と第2弁42を備える。第1弁41および第2弁42はそれぞれ、供給路12に設けられる。第1弁41は、配管15に設けられる。第1弁41は、第1ポンプ21の上流側に配置される。第2弁42は、配管16に設けられる。第2弁42は、第1ポンプ21の下流側に配置される。
The
基板処理装置1は、ノズル移動機構33を備える。ノズル移動機構33は、ノズル31を移動させる。ノズル移動機構33は、ノズル31を処理位置と待機位置に移動させる。図1は、処理位置に配置されるノズル31を破線で示す。図1は、待機位置に配置されるノズル31を実線で示す。
The
ノズル31が処理位置に位置するとき、ノズル31は、例えば、基板保持部5の上方に位置する。ノズル31が処理位置に位置するとき、ノズル31は、例えば、基板保持部5に保持される基板Wの上面に処理液を吐出する。ノズル31が処理位置に位置するとき、ノズル31は、例えば、平面視において、基板保持部5に保持される基板Wと重なる。
ノズル31が待機位置に位置するとき、ノズル31は、基板保持部5に保持される基板Wに処理液を吐出できない。ノズル31が待機位置に位置するとき、ノズル31は、例えば、平面視において、基板保持部5に保持される基板Wと重ならない。
When the
When the
基板処理装置1は、ノズル待機部35を備える。ノズル待機部35は、例えば、待機ポットである。ノズル待機部35は、カップ7の外方に配置される。ノズル待機部35は、ノズル31の待機位置に配置される。ノズル31が待機位置に位置するとき、ノズル待機部35は、例えば、ノズル31の少なくとも一部を収容する。ノズル待機部35は、例えば、ノズル31から吐出された処理液を受ける。ノズル31がノズル待機部35に位置するとき、ノズル31はダミーディスペンスを行うことが可能である。
The
上流端13は、処理液供給源61に接続される。処理液供給源61は、上流端13に処理液を供給する。処理液供給源61は、例えば、タンクおよびトラップタンクの少なくともいずれかを含む。処理液供給源61は、基板処理装置1の要素であってもよいし、基板処理装置1の要素でなくてもよい。
The
処理液は、基板Wに供給される液体である。処理液は、基板を処理するために使用される液体である。具体的には、処理液は、基板Wに半導体デバイスを形成するために使用される液体である。処理液は、例えば、塗布液である。塗布液は、基板Wに塗膜を形成するための塗膜材料である。塗布液は、例えば、レジスト膜材料である。 The processing liquid is a liquid supplied to the substrate W. The processing liquid is a liquid used to process the substrate. Specifically, the processing liquid is a liquid used to form a semiconductor device on the substrate W. The processing liquid is, for example, a coating liquid. The coating liquid is a coating material for forming a coating film on the substrate W. The coating liquid is, for example, a resist film material.
上流端13は、洗浄液供給源63に接続可能である。洗浄液供給源63は、上流端13に洗浄液を供給する。洗浄液供給源63は、例えば、タンクおよびトラップタンクの少なくともいずれかを含む。さらに、洗浄液供給源63は、ポンプおよびフィルタの少なくともいずれかを含んでもよい。洗浄液供給源63は、基板処理装置1の要素であってもよいし、基板処理装置1の要素でなくてもよい。
The
洗浄液は、液供給部11を洗浄する液体である。具体的には、洗浄液は、液供給部11からパーティクルを除去するために使用される液体である。洗浄液は、基板Wに供給される液体ではない。洗浄液は、基板Wを処理するために使用される液体ではない。具体的には、洗浄液は、基板Wに半導体デバイスを形成するために使用される液体ではない。
洗浄液は、例えば、有機溶剤である。有機溶剤は、例えば、シンナーである。
The cleaning liquid is a liquid that cleans the
The cleaning liquid is, for example, an organic solvent. The organic solvent is, for example, a thinner.
以下では、処理液と洗浄液を区別しない場合、「液体」と呼ぶ。 In the following, when there is no distinction between processing liquid and cleaning liquid, it will be referred to as "liquid."
基板処理装置1のユーザーの手作業によって、液供給部11の一部は、着脱される。
例えば、ユーザーの手作業によって、液供給部11の部品は着脱される。ここで、液供給部11の部品は、配管15、16と第1ポンプ21とノズル31と第1弁41と第2弁42である。例えば、ユーザーの手作業によって、第1ポンプ21は、配管15、16に着脱される。これにより、ユーザーは、第1ポンプ21を交換できる。
A part of the
For example, the parts of the
ユーザーの手作業によって、液供給部11の全部は、着脱される。例えば、ユーザーの手作業によって、液供給部11は、処理液供給源61に着脱される。具体的には、上流端13は、処理液供給源61に着脱される。例えば、ユーザーの手作業によって、液供給部11は、洗浄液供給源63に着脱される。具体的には、上流端13は、洗浄液供給源63に着脱される。
The entire
上流端13は、処理液供給源61と洗浄液供給源63の両方に、同時に接続できない。
よって、処理液供給源61と洗浄液供給源63の間で切り換えるとき、ユーザーは、上流端13と処理液供給源61の間の着脱作業と、上流端13と洗浄液供給源63の間の着脱作業を行う。
The
Therefore, when switching between the processing
基板処理装置1は、制御部65を備える。制御部65は、回転駆動部6を制御する。制御部65は、液供給部11を制御する。具体的には、制御部65は、第1ポンプ21と第1弁41と第2弁42とノズル移動機構33を制御する。
The
制御部65は、例えば、各種処理を実行するプロセッサ(例えば、中央演算処理装置(CPU))、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)と、各種の情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体に記憶される情報は、例えば、基板Wの処理条件を規定する処理レシピ(処理プログラム)である。記憶媒体に記憶される情報は、例えば、液供給部11の洗浄条件を規定する洗浄レシピ(洗浄プログラム)である。
The
2.第1ポンプ21
図2は、第1ポンプ21を例示する部分断面図である。第1ポンプ21は、往復ポンプに分類される。第1ポンプ21は、吸い込みと吐き出しを時間的に交互に行う。
2.
2 is a partial cross-sectional view illustrating the
第1ポンプ21は、ポンプ室24を備える。ポンプ室24は空間である。ポンプ室24は液体(すなわち、処理液および洗浄液)を収容する。ポンプ室24は液体で満たされる。ポンプ室24の容積は可変である。ポンプ室24の容積が増大するとき、第1ポンプ21は、ポンプ室24に液体を吸い込む。ポンプ室24の容積が減少するとき、第1ポンプ21は、ポンプ室24から液体を吐き出す。
The
第1ポンプ21は、筐体25とダイヤフラム26を備える。ダイヤフラム26は筐体25に取り付けられる。筐体25は、ダイヤフラム26の周縁部を固定する。筐体25とダイヤフラム26は、ポンプ室24を区画する。ダイヤフラム26は、可撓性を有する。ダイヤフラム26は、例えば、ローリングダイヤフラムである。ダイヤフラム26の材質は、例えば合成樹脂である。
The
ポンプ室24は、供給路12に連通する。第1ポンプ21は、接続口27a、27bを有する。接続口27a、27bはそれぞれ、筐体25に形成される。接続口27a、27bはそれぞれ、ポンプ室24を供給路12に連通させる。接続口27aは、配管15に接続される。接続口27bは、配管16に接続される。
The
第1ポンプ21はポンプ駆動部29を備える。ポンプ駆動部29は、ポンプ室24の容積を変える。
The
ポンプ駆動部29は、ピストン29aとアクチュエータ29bを備える。ピストン29aは、ダイヤフラム26に取り付けられる。ピストン29aは、例えば、ダイヤフラム26の中央部に取り付けられる。アクチュエータ29bは、ピストン29aを移動する。アクチュエータ29bは、例えば、電動モータである。アクチュエータ29bは、例えば、ステッピングモータである。
The
ポンプ駆動部29は、さらに、変換機構(不図示)を備えてもよい。変換機構は、アクチュエータ29bとピストン29aを連結する。変換機構は、アクチュエータ29bの回転動力を、ピストン29aの直線運動に変換する。
The
ピストン29aは、ポンプ室24に対して往復直線運動する。具体的には、ピストン29aは、正方向Epおよび負方向Enに移動する。負方向Enは、正方向Epの反対方向である。
The
ピストン29aが正方向Epに移動するとき、ポンプ駆動部29はポンプ室24の容積を減少させる。ピストン29aが負方向Enに移動するとき、ポンプ駆動部29はポンプ室24の容積を増大させる。
When the
第1ポンプ21から吐き出される液体の流量は、正方向Epに移動するピストン29aの速度に依存する。第1ポンプ21に吸い込まれる液体の流量は、負方向Enに移動するピストン29aの速度に依存する。
The flow rate of liquid discharged from the
制御部65は、ポンプ駆動部29を制御する。具体的には、制御部65は、アクチュエータ29bを制御する。制御部65がポンプ駆動部29を制御することにより、制御部65は、第1ポンプを駆動する。例えば、制御部65は、吸い込み、および、吐き出しを、第1ポンプ21に行わせる。例えば、制御部65は、第1ポンプに吸い込まれる液体の流量、および、第1ポンプから吐き出される液体の流量を制御する。
The
3.第1弁41
図3(a)、3(b)はそれぞれ、第1弁41を例示する部分断面図である。図3(a)は、開いている第1弁41を示す。図3(b)は、閉じている第1弁41を示す。本明細書では、「閉じる」とは、全閉することを意味する。
3.
3(a) and 3(b) are partial cross-sectional views illustrating the
第1弁41は、電動弁に分類される。
The
第1弁41は、弁座51と弁体52と電動モータ53を備える。弁体52は、弁座51に接触可能である。電動モータ53は、弁座51に対して弁体52を移動させる。
The
第1弁41が開くとき、弁体52は弁座51に接触しない。第1弁41が開くとき、弁体52は弁座51から離れている。第1弁41が閉じるとき、弁体52は弁座51に接触する。
When the
弁座51と弁体52との間における隙間の距離を、離隔距離Dと呼ぶ。第1弁41が開くとき、離隔距離Dは0よりも大きい。第1弁41が閉じるとき、離隔距離Dは0である。
The gap distance between the
電動モータ53は、離隔距離Dを調整する。電動モータ53は、離隔距離Dをきめ細かく調整する。電動モータ53は、例えば、離隔距離Dを、数マイクロメートル単位で微調整する。
The
離隔距離Dは、第1弁41の開度に相当する。離隔距離Dが増加するにしたがって、第1弁41の開度は増大する。よって、電動モータ53は、第1弁41の開度をきめ細かく調整する。
The separation distance D corresponds to the opening degree of the
より詳しくは、第1弁41は、弁箱54とダイヤフラム55を備える。ダイヤフラム55は、弁箱54に取り付けられる。弁箱54は、ダイヤフラム55の周縁部を固定する。ダイヤフラム55は、可撓性を有する。ダイヤフラム55は、例えば、ローリングダイヤフラムである。ダイヤフラム55の材質は、例えば合成樹脂である。
More specifically, the
弁箱54とダイヤフラム55は、内部流路56を区画する。内部流路56は、空間である。
The
弁体52は、例えば、ダイヤフラム55の中央部に形成される。弁座51は、弁箱54に形成される。弁座51は、内部流路56に配置される。弁座51は、弁体52と向かい合う。弁座51は、略環形状を有する。
The
弁体52と弁座51は、内部流路56を、第1内部流路56aと第2内部流路56bに区分する。弁体52が弁座51に接触するとき、弁座51および弁体52は、第1内部流路56aを第2内部流路56bから分離する。弁体52が弁座51に接触しないとき、第1内部流路56aと第2内部流路56bは、弁体52と弁座51の間の隙間を通じて、互いに連通する。
The
第1弁41は、接続口57a、57bを備える。接続口57a、57bは、弁箱54に形成される。接続口57aは、第1内部流路56aに連通する。接続口57bは、第2内部流路56bに連通する。
The
内部流路56は、供給路12に連通する。接続口57a、57bはそれぞれ、配管15に接続される。第1内部流路56aは、接続口57aを通じて、配管15と連通する。第2内部流路56bは、接続口57bを通じて、配管15と連通する。
The
第1弁41は、ロッド58を備える。ロッド58は、弁体52に取り付けられる。ロッド58は、例えば、ダイヤフラム55の中央部に取り付けられる。
The
電動モータ53は、ロッド58を移動する。電動モータ53は、ロッド58を介して、弁体52を移動する。電動モータ53は、例えば、ステッピングモータである。
The
第1弁41は、不図示の変換機構を備える。変換機構は、電動モータ53とロッド58を連結する。変換機構は、電動モータ53の回転動力を、ロッド58の直線運動に変換する。
The
ロッド58は、弁座51に対して往復直線運動する。具体的には、ロッド58は、正方向Fpおよび負方向Fnに移動する。負方向Fnは、正方向Fpの反対方向である。
The
電動モータ53が正回転するとき、ロッド58は正方向Fpに移動する。ロッド58が正方向Fpに移動するとき、離隔距離Dは減少する。すなわち、電動モータ53が正回転するとき、第1弁41の開度は減少する。電動モータ53が逆回転するとき、ロッド58は負方向Fnに移動する。ロッド58が負方向Fnに移動するとき、離隔距離Dは増加する。すなわち、電動モータ53が逆回転するとき、第1弁41の開度は増加する。
When the
ロッド58の移動量は、電動モータ53の回転量に依存する。ロッド58の移動量は、ロッド58のストローク量とも呼ばれる。ロッド58の位置は、電動モータ53の回転角度に依存する。したがって、離隔距離Dは、電動モータ53の回転角度に依存する。
The amount of movement of the
電動モータ53はロッド58の位置を微細に調整可能である。電動モータ53がロッド58の位置を微調整することにより、電動モータ53は離隔距離Dを微調整する。
The
第1弁41は、位置センサ59を備える。位置センサ59は、弁体52の位置を検出する。位置センサ59は、例えば、電動モータ53の回転量または電動モータ53の回転角度を検出する。位置センサ59は、例えば、エンコーダである。
The
制御部65は、電動モータ53を制御する。制御部65は、位置センサ59の検出結果を取得する。制御部65は、例えば、位置センサ59の検出結果を監視する。制御部65は、例えば、位置センサ59の検出結果に基づいて、電動モータ53を制御する。制御部65が電動モータ53を制御することにより、制御部65は第1弁41を開閉させる。さらに、制御部65は第1弁41の開度を制御する。
The
4.第2弁42
第2弁42は、例えば、エアオペレート弁に分類される。図示を省略するが、第2弁42は、弁座と弁体を備える。第2弁42は、上述した電動モータ53に代えて、エア駆動部を備える。エア駆動部は、弁座に対して弁体を移動させる。エア駆動部によって、第2弁42は、開き、かつ、閉じる。しかしながら、エア駆動部は、第2弁の開度を微調整し難い。
4.
The
制御部65は、エア駆動部を制御する。制御部65がエア駆動部を制御することにより、制御部65は第2弁42を開閉させる。
The
5.処理工程の動作例
第1実施形態の基板処理装置1の動作(すなわち、第1実施形態の基板処理方法)を説明する。基板処理方法は、液供給部11を用いて基板Wを処理する。具体的には、基板処理方法は、処理工程を備える。処理工程は、基板Wを処理する。具体的には、処理工程は、基板Wに半導体デバイスを形成する処理を行う。以下の説明において、回転駆動部6および液供給部11は、制御部65にしたがって、動作するものとする。
5. Example of Processing Operation Operation of the
図4は、第1実施形態の処理工程の動作の手順を示すフローチャートである。処理工程は、第1送り工程と第2送り工程を備える。第2送り工程は、第1送り工程の後に実行される。 Figure 4 is a flow chart showing the procedure of the operation of the processing step of the first embodiment. The processing step includes a first feed step and a second feed step. The second feed step is performed after the first feed step.
図5(a)は、第1送り工程における基板処理装置1を示す図である。図5(b)は、第2送り工程における基板処理装置1を示す図である。図5(a)、5(b)はそれぞれ、基板処理装置1を簡略に示す。処理工程では、上流端13は、処理液供給源61に接続される。
Figure 5(a) is a diagram showing the
図5(a)、5(b)はそれぞれ、処理液の流れを模式的に示す。洗浄工程は、上流端13に処理液を供給する。洗浄工程は、上流端13を通じて液供給部11に処理液を供給する。処理工程では、液供給部11は基板Wに処理液を供給する。
Figures 5(a) and 5(b) each show a schematic diagram of the flow of the processing liquid. In the cleaning process, the processing liquid is supplied to the
[ステップS1:第1送り工程]
図5(a)を参照する。第1弁41は開く。第1弁41は、配管15における処理液の流れを許容する。第2弁42は閉じる。第2弁42は、配管16における処理液の流れを禁止する。第1ポンプ21は処理液を吸い込む。このため、処理液は、上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて流れる。第1ポンプ21は、配管15から処理液を吸い込む。
[Step S1: First feeding process]
5(a) . The
処理液は、配管16を流れない。第1ポンプ21は、配管16から処理液を吸い込まない。処理液が配管16から第1ポンプ21に逆流することを、第2弁が禁止するからである。
The treatment liquid does not flow through
[ステップS2:第2送り工程]
図5(b)を参照する。第1弁41は閉じる。第1弁41は、配管15における処理液の流れを禁止する。第2弁42は開く。第2弁42は、配管16における処理液の流れを許容する。第1ポンプ21は処理液を吐き出す。このため、第1ポンプ21は、配管16に処理液を吐き出す。処理液は、第1ポンプ21からノズル31に配管16を通じて流れる。ノズル31は、処理液を吐出する。
[Step S2: Second feeding process]
5B. The
基板保持部5は、基板Wを保持する。回転駆動部6は、基板保持部5に保持される基板Wを回転させる。ノズル31は、処理位置に位置する。ノズル31は、基板保持部5に保持される基板Wに処理液を吐出する。カップ7は、基板Wから飛散した処理液を受ける。
The
処理液は、配管15を流れない。第1ポンプ21は、配管15に処理液を吐き出さない。処理液が第1ポンプ21から配管15に逆流することを、第1弁41が禁止するからである。
The treatment liquid does not flow through the
上述した処理工程における第1弁41および第2弁42の動作を、まとめる。第1弁41は、開き、かつ、閉じる。第2弁42は、開き、かつ、閉じる。第1弁41が開くとき、第2弁42は閉じる。第1弁41が閉じるとき、第2弁42は開く。
The operations of the
6.洗浄工程の動作例
基板処理方法は、洗浄工程を備える。洗浄工程は、液供給部11を洗浄する。洗浄工程は、基板Wに処理を行わない。具体的には、洗浄工程は、基板Wに半導体デバイスを形成する処理を行わない。洗浄工程では、液供給部11は基板Wに処理液を供給しない。洗浄工程では、液供給部11は基板Wに洗浄液を供給しない。以下の説明において、回転駆動部6および液供給部11は、制御部65にしたがって、動作するものとする。
6. Example of Operation of Cleaning Process The substrate processing method includes a cleaning process. In the cleaning process, the
図6は、第1実施形態の洗浄工程の動作の手順を示すフローチャートである。洗浄工程は、第1工程と第2工程を備える。洗浄工程は、さらに、検査工程を備える。第1工程の後に第2工程は、実行される。第2工程の後に検査工程は、実行される。検査工程の前に、第1工程および第2工程を繰り返し行ってもよい。 Figure 6 is a flow chart showing the procedure of the operation of the cleaning process of the first embodiment. The cleaning process includes a first step and a second step. The cleaning process further includes an inspection step. The second step is performed after the first step. The inspection step is performed after the second step. The first and second steps may be performed repeatedly before the inspection step.
図7(a)は、第1工程における基板処理装置1を示す図である。図7(b)は、第2工程における基板処理装置1を示す図である。図7(a)、7(b)はそれぞれ、基板処理装置1を簡略に示す。洗浄工程では、上流端13は、洗浄液供給源63に接続される。
Figure 7(a) is a diagram showing the
図7(a)、7(b)はそれぞれ、洗浄液の流れを模式的に示す。洗浄工程では、上流端13に洗浄液を供給する。洗浄工程では、上流端13を通じて液供給部11に洗浄液を供給する。洗浄工程では、液供給部11に洗浄液を流す。
Figures 7(a) and 7(b) each show a schematic diagram of the flow of the cleaning liquid. In the cleaning process, the cleaning liquid is supplied to the
[ステップS3:第1工程]
図7(a)を参照する。第1弁41は第1大開度A1で開く。第2弁42は閉じる。したがって、第1弁41は第2弁42よりも大きく開く。具体的には、第1弁41は、第2弁42の開度よりも大きな開度で、開く。第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第1流量Q1で吸い込む。
[Step S3: First process]
7A. The
第1大開度A1について、説明する。第1弁41が第1大開度A1で開くとき、離隔距離Dは400μm以上である。
The first large opening degree A1 will now be explained. When the
第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液が第1弁41を第1流量Q1で通過することを、第1弁41は許容する。
When the
第1流量Q1は、例えば、1cc/secである。この場合、第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液が第1弁41を1cc/secで通過することを、第1弁41は許容する。
The first flow rate Q1 is, for example, 1 cc/sec. In this case, when the
したがって、洗浄液は、上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。
第1ポンプ21は、配管15から処理液を吸い込む。処理液は、配管16を流れない。第1ポンプ21は、配管16から処理液を吸い込まない。
Thus, the cleaning liquid flows from the
The
第1工程は、第1弁41を洗浄する。第1工程は、配管15を洗浄する。
The first step is to clean the
[ステップS4:第2工程]
図7(b)を参照する。第1弁41は第1小開度B1で開く。第2弁42は開く。具体的には、第2弁42は、第1弁41よりも大きく開く。第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第2流量Q2で吐き出す。
[Step S4: Second process]
7B, the
第1小開度B1について、説明する。第1小開度B1は、第1大開度A1よりも小さい。第1小開度B1は、第1弁41が閉じているときの第1弁の開度よりも僅かに大きい。
The first small opening degree B1 will now be described. The first small opening degree B1 is smaller than the first large opening degree A1. The first small opening degree B1 is slightly larger than the opening degree of the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、離隔距離Dは100μmよりも小さい。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、離隔距離Dは5μmよりも大きい。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第1弁41は制限する。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2の20%以下に、第1弁41は制限することが好ましい。
When the
第2流量は、例えば、1cc/secである。この場合、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、1cc/sec未満に、第1弁41は制限する。言い換えれば、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は、第1弁41からのリーク量を、1cc/sec未満に制限する。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、0.2cc/sec以下に、第1弁41は制限することが好ましい。0.2cc/secは、12cc/minに相当する。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は、第1弁41からのリーク量を、12cc/min未満に制限することが好ましい。
The second flow rate is, for example, 1 cc/sec. In this case, when the
したがって、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は、配管15における処理液の流れを抑制する。
Therefore, when the
他方、第2弁42は、第1小開度B1よりも大きな開度で開く。このため、洗浄液が第2弁42を第2流量Q2で通過することを、第2弁42は許容する。
On the other hand, the
その結果、第1ポンプ21は、実質的に配管16に、処理液を吐き出す。洗浄液は、実施質的に第1ポンプ21からノズル31に配管16を通じて、流れる。ノズル31は、洗浄液を吐出する。ノズル31は、待機位置に位置する。ノズル待機部35は、洗浄液を受ける。これにより、パーティクルは、洗浄液とともに、液供給部11の内部から液供給部11の外部に排出される。
As a result, the
ここで、第1弁41は、第1小開度B1で開く。すなわち、第1弁41は、閉じない。このため、第1弁41は、配管15における洗浄液の流れを、禁止しない。したがって、洗浄液が第1ポンプ21から配管15に逆流するかも知れない。この場合であっても、第1ポンプ21から配管16に流れる洗浄液の流量は、第1ポンプ21から配管15に流れる洗浄液の流量よりも大きい。第2工程では、第2弁42は第1弁41よりも大きく開くからである。よって、第2工程では、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から配管16に、流れる。
Here, the
第2工程は、第1ポンプ21と第2弁42とノズル31を洗浄する。第2工程は、配管16を洗浄する。
The second step is to clean the
[ステップS5:検査工程]
図示を省略するが、検査工程は、液供給部11の清浄度を検査する。
[Step S5: Inspection process]
Although not shown in the drawing, the inspection step inspects the cleanliness of the
検査工程では、液供給部11から抽出された洗浄液中に存在するパーティクルの量を計測する。例えば、ノズル31から吐出された洗浄液中に存在するパーティクルの量を計測する。例えば、基板保持部5が検査プレート(不図示)を保持し、ノズル31が処理位置に位置し、ノズル31が基板保持部5に保持される検査プレートに洗浄液を吐出する。その後、検査プレート上に存在するパーティクルの量を計測する。例えば、ノズル31が待機位置に位置し、ノズル31がノズル待機部35に洗浄液を吐出する。その後、ノズル待機部35によって受けられた洗浄液中に存在するパーティクルの量を計測する。ここで、計測されたパーティクルの量を、計測値と呼ぶ。
In the inspection process, the amount of particles present in the cleaning liquid extracted from the
検査工程では、ユーザーは、計測値に基づいて、洗浄工程を続けるか、終了するかを判断する。ユーザーが洗浄工程を再開すると判断した場合、上述した第1工程および第2工程を再び実行する。 During the inspection process, the user decides whether to continue or terminate the cleaning process based on the measured values. If the user decides to resume the cleaning process, the first and second steps described above are carried out again.
上述した洗浄工程における第1弁41および第2弁42の動作を、まとめる。第1弁41は、第1大開度A1と第1小開度B1の間で切り替わる。第2弁42は、開き、かつ、閉じる。第1弁41が第1大開度A1で開くとき、第2弁42は閉じる。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第2弁42は第1弁41よりも大きく開く。
The operations of the
5.効果
第1実施形態の基板処理方法は、液供給部11を用いて基板Wを処理する。液供給部11は、供給路12と第1ポンプ21と第1弁41とノズル31を備える。供給路12は、上流端13と下流端14を有する。第1ポンプ21と第1弁41はそれぞれ、供給路12に設けられる。第1弁41は、第1ポンプ21の上流側に配置される。ノズル31は、第1ポンプ21の下流端14に接続される。基板処理方法は、処理工程を備える。処理工程は、処理液を上流端13に供給する。処理工程では、第1弁41は、開き、かつ、閉じる。第1弁41が開くとき、第1弁41は、配管15における処理液の流れを許容する。第1弁41が閉じるとき、第1弁41は、配管15における処理液の流れを止める。このように、処理工程では、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における処理液の流れを、厳密に制御する。したがって、処理工程では、液供給部11は、基板Wに処理液を適切に供給できる。処理工程は、液供給部11を用いて、基板Wを適切に処理できる。
5. Effects The substrate processing method of the first embodiment processes the substrate W using the
基板処理方法は、洗浄工程を備える。洗浄工程は、洗浄液を上流端13に供給する。洗浄工程は、液供給部11に洗浄液を流す。よって、洗浄工程は、液供給部11を好適に洗浄できる。洗浄工程は、例えば、第1ポンプ21を好適に洗浄できる。したがって、ユーザーが液供給部11の少なくとも一部を着脱する作業を行った場合、洗浄工程は液供給部11を好適に洗浄できる。例えば、以下のA-Cの場合、洗浄工程は液供給部11を好適に洗浄できる。
A.基板処理装置1を立ち上げる
B.処理液供給源61および洗浄液供給源63の少なくともいずれかに液供給部11を着脱する
C.液供給部11の部品を交換する
The substrate processing method includes a cleaning process. In the cleaning process, a cleaning liquid is supplied to the
A. Starting up the
洗浄工程では、第1弁41は、第1大開度A1と第1小開度B1の間で切り替わる。第1小開度B1は、第1大開度A1よりも小さい。このため、第1小開度B1で開く第1弁41は、第1大開度A1で開く第1弁41よりも、洗浄液の流れを抑制する。言い換えれば、洗浄液は、第1大開度A1で開く第1弁41を比較的に通過し易く、第1小開度B1で開く第1弁41を比較的に通過し難い。よって、洗浄工程では、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを、実質的に制御する。したがって、洗浄工程は、液供給部11に洗浄液を適切に流すことができる。
In the cleaning process, the
ここで、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、洗浄液が第1ポンプ21の上流を多少流れるかも知れない。しかしながら、洗浄工程は基板Wに処理を行わない。このため、第1弁41が洗浄液の流れを厳密に制御しなくても、基板Wに行う処理の品質は低下しない。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は閉じない。勿論、第1弁41が第1大開度A1で開くときも、第1弁41は閉じない。このため、異物は、第1弁41に付着しづらい。言い換えれば、洗浄工程では、第1弁41は汚染され難い。よって、洗浄工程は、液供給部11を効率良く洗浄できる。例えば、洗浄工程に費やす時間が増大することを好適に抑制できる。例えば、洗浄工程において使用する洗浄液の量が増大することを好適に抑制できる。
When the
まとめると、第1実施形態に係る基板処理方法によれば、洗浄工程は、液供給部11を好適に洗浄できる。洗浄工程では、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを実質的に制御しつつ、異物が第1弁41に付着することを抑制する。処理工程は、基板Wを適切に処理できる。
In summary, according to the substrate processing method of the first embodiment, the cleaning process can suitably clean the
第1小開度B1は、第1弁41が閉じているときの第1弁41の開度よりも僅かに大きい。このため、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを、著しく抑制する。よって、洗浄工程において、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを、好適に制御できる。
The first small opening B1 is slightly larger than the opening of the
洗浄工程において第1弁41が第1大開度A1で開くとき、第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。このため、第1ポンプ21が洗浄液を吸い込むとき、洗浄液が第1弁41から第1ポンプ21に流れることを、第1弁41は許容する。洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。このため、第1ポンプ21が吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプ21から第1弁41に逆流することを、第1弁41は抑制する。このように、第1ポンプ21の動作に応じて、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを、実質的に制御できる。
When the
洗浄工程において第1弁41が第1大開度A1で開くとき、第1ポンプ21は洗浄液を第1流量Q1で吸い込む。洗浄工程において第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液が第1弁41を第1流量Q1で通過することを第1弁41は許容する。このため、第1ポンプ21が洗浄液を吸い込むとき、洗浄液が第1弁41から第1ポンプ21に円滑に流れることを、第1弁41は許容する。
When the
洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1ポンプ21は洗浄液を第2流量Q2で吐き出す。洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を第2流量Q2未満に第1弁41は制限する。このため、第1ポンプ21が洗浄液を吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプ21から第1弁41に逆流することを、第1弁41は抑制する。
When the
洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2の20%以下に制限する。このため、第1ポンプ21が洗浄液を吐き出すとき、洗浄液が第1ポンプ21から第1弁41に逆流することを、第1弁41は一層抑制する。
When the
第1弁41は、弁座51と弁体52と電動モータ53を備える。弁体52は、弁座51に接触可能である。電動モータ53は、弁座51に対して弁体52を移動させる。電動モータ53は、離隔距離Dを調整する。このため、電動モータ53は、離隔距離Dを微調整できる。すなわち、電動モータ53は、第1弁41の開度を微調整できる。
The
第1弁41が第1大開度A1で開くとき、離隔距離Dは400μm以上である。このため、洗浄工程において第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液は弁座51と弁体52の間を円滑に通過する。すなわち、洗浄工程において第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液が第1弁41を円滑に通過することを、第1弁41は許容する。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、離隔距離Dは、100μmよりも小さい。このため、洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、洗浄液は弁座51と弁体52の間を通過し難い。すなわち、洗浄工程において第1弁41が第1小開度B1で開くとき、洗浄液が第1弁41を通過することを、第1弁41は抑制する。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、離隔距離Dは5μmよりも大きい。このため、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、異物は、弁座51と弁体52の間に形成される隙間を容易に通過できる。勿論、第1弁41が第1大開度A1で開くときも、異物は、弁座51と弁体52の間に形成される隙間を容易に通過できる。よって、異物は、弁体52および弁座51の少なくともいずれかに付着し難い。例えば、弁座51と弁体52が弁座51と弁体52の間に異物を挟むことを、好適に抑制できる。例えば、弁体52が弁座51に異物を押し付けることを、好適に抑制できる。例えば、弁座51が弁体52に異物を押し付けることを、好適に抑制できる。
When the
処理工程は、第1送り工程と第2送り工程を備える。第1送り工程では、第1弁41は開き、第1ポンプ21は吸い込む。このため、第1送り工程では、処理液は、第1弁41から第1ポンプ21に配管15を通じて円滑に流れる。より具体的には、第1送り工程では、処理液は、上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて円滑に流れる。第2送り工程では、第1弁41は閉じ、第1ポンプ21は吐き出す。このため、第2送り工程では、処理液が第1ポンプ21から第1弁41に逆流することを、第1弁41は禁止する。その結果、第2送り工程では、処理液は、第1ポンプ21から配管16に流れる。
The processing step includes a first feed step and a second feed step. In the first feed step, the
洗浄工程は、第1工程と第2工程を備える。第1工程では、第1弁41は第1大開度A1で開き、第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。このため、第1工程では、洗浄液は、実質的に第1弁41から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。より具体的には、第1工程では、洗浄液は、実質的に上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。第2工程では、第1弁41は第1小開度B1で開き、第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。このため、第2工程では、洗浄液が第1ポンプ21から第1弁41に逆流することを、第1弁41は抑制する。その結果、第2工程では、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から第1ポンプの下流に流れる。
The cleaning process includes a first process and a second process. In the first process, the
液供給部11は、第2弁42を備える。第2弁42は、供給路12に設けられる。第2弁42は、第1ポンプ21の下流側に配置される。処理工程では、第2弁42は、開き、かつ、閉じる。第2弁42が開くとき、第2弁42は、配管16における処理液の流れを許容する。第2弁42が閉じるとき、第2弁42は、配管16における処理液の流れを止める。このように、処理工程では、第2弁42は、第1ポンプ21の下流における処理液の流れを、厳密に制御する。したがって、処理工程では、液供給部11は、基板Wに処理液を一層適切に供給できる。よって、処理工程は、基板Wに処理を一層適切に行うことができる。
The
第1送り工程では、第2弁42は閉じる。このため、第1送り工程では、処理液が第2弁42から第1ポンプ21に逆流することを、第2弁42は禁止する。第2送り工程では、第2弁42は開く。このため、第2送り工程では、処理液は、第1ポンプ21から第2弁42に配管16を通じて円滑に流れる。
In the first feed process, the
第1工程では、第1弁41は第2弁42よりも大きく開く。第1工程では、洗浄液は、第2弁42よりも、第1弁41を円滑に通過する。このため、第1工程では、洗浄液は、実質的に第1弁41から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。第2工程では、第2弁42は第1弁41よりも大きく開く。第2工程では、洗浄液は、第1弁41よりも、第2弁42を円滑に通過する。このため、第2工程では、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から第2弁42に配管16を通じて、流れる。
In the first step, the
基板処理装置1は、基板保持部5と液供給部11と制御部65を備える。液供給部11は、供給路12と第1ポンプ21と第1弁41とノズル31を備える。供給路12は、上流端13を有する。液供給部11を洗浄するための洗浄液は、上流端13に供給される。このため、第1ポンプ21を好適に洗浄できる。
The
洗浄液を上流端13に供給するとき、制御部65は、第1大開度A1と第1小開度B1との間で第1弁41の開度を切り換える。第1小開度B1は、第1大開度A1よりも小さい。このため、洗浄液を上流端13に供給するとき、第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを、実質的に制御する。よって、液供給部11に洗浄液を適切に流すことができる。
When supplying cleaning liquid to the
さらに、第1小開度B1は、第1弁41が閉じているときの第1弁41の開度よりも大きい。すなわち、第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41は閉じない。第1大開度A1は、第1小開度B1よりも大きい。このため、第1弁41が第1大開度A1で開くときも、第1弁41は閉じない。よって、洗浄液を上流端13に供給するとき、異物は第1弁41に付着し難い。したがって、液供給部11を効率良く洗浄できる。
Furthermore, the first small opening degree B1 is larger than the opening degree of the
まとめると、第1実施形態に係る基板処理装置によれば、液供給部11を好適に洗浄できる。具体的には、第1ポンプ21を好適に洗浄できる。第1弁41は、第1ポンプ21の上流における洗浄液の流れを実質的に制御しつつ、異物が第1弁41に付着することを抑制する。
In summary, the substrate processing apparatus according to the first embodiment can effectively clean the
第2実施形態
以下、図面を参照して本発明の第2実施形態を説明する。なお、第1実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
Second Embodiment A second embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings. Note that the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
図8は、第2実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す図である。第2実施形態に係る基板処理装置1は、液供給部11を除いて、第1実施形態と略同じ構成を備える。
Figure 8 is a diagram showing a schematic configuration of a
1.液供給部11
液供給部11は、第1ポンプ21に加えて、第2ポンプ22を備える。第1ポンプ21および第2ポンプ22はそれぞれ、供給路12に設けられる。第2ポンプ22は、第1ポンプ21の下流側に配置される。
1.
The
液供給部11は、フィルタ71を備える。フィルタ71は、供給路12に設けられる。フィルタ71は、第1ポンプ21の下流側、かつ、第2ポンプ22の上流側に配置される。
The
液供給部11は、配管15、16に加えて、配管17、18を備える。配管15は、第1端と第2端を有する。配管15の第1端は、上流端13に相当する。配管15の第2端は、第1ポンプ21に接続される。配管16は、第1ポンプ21とフィルタ71に接続される。配管17は、フィルタ71と第2ポンプ22に接続される。配管18は、第1端と第2端を有する。配管18の第1端は、第2ポンプ22に接続される。配管18の第2端は、下流端14に相当する。配管18の第2端は、ノズル31に接続される。
The
配管15は、本発明の供給路12の第1部分の例である。配管16は、本発明の供給路12の第2部分の例である。配管17は、本発明の供給路12の第3部分の例である。配管18は、本発明の供給路12の第4部分の例である。
液供給部11は、戻り路75を備える。戻り路75は、第1ポンプ21と第2ポンプ22を連通する。戻り路75は、供給路12とは分離して設けられる。
The
本明細書では、第2ポンプ22から第1ポンプ21に戻り路75を通じて流れることを、適宜に、「逆流する」と記載する。
In this specification, flow from the
液供給部11は、排出路77を備える。排出路77は、フィルタ71に接続される。フィルタ71は、供給路12と排出路77を連通させる。排出路77は、供給部12から分岐する。
The
排出路77は、排液設備(不図示)に連通する。供給路12から排出路77に排出された液体は、液供給部11に戻らない。
The
液供給部11は、第1弁41および第2弁42に加えて、第3弁43、第4弁44、第5弁45および排出弁46を備える。第1弁41、第2弁42、第3弁43および第4弁44はそれぞれ、供給路12に設けられる。第1弁41は、配管15に設けられる。第1弁41は、第1ポンプ21の上流側に配置される。第2弁42は、配管16に設けられる。第2弁42は、第1ポンプ21の下流側、かつ、フィルタ71の上流側に配置される。第3弁43は、配管17に設けられる。第3弁43は、フィルタ71の下流側、かつ、第2ポンプ22の上流側に配置される。第4弁44は、配管18に設けられる。第4弁44は、第2ポンプ22の下流側に配置される。第5弁45は、戻り路75に設けられる。排出弁46は、排出路77に設けられる。
The
第2実施形態の第1ポンプ21は、第1実施形態の第1ポンプ21と類似の構造を有する。第2実施形態の第1ポンプ21は、接続口27a、27bに加えて、接続口27cを有する。接続口27aは、配管15に接続される。接続口27bは、配管16に接続される。接続口27a、27bはそれぞれ、ポンプ室24を供給路12に連通させる。接続口27cは、戻り路75に接続される。接続口27cは、ポンプ室24を戻り路75に連通させる。
The
第2ポンプ22は、第1ポンプ21と同じ構造を有する。第2ポンプ22は、接続口28a、28b、28cを有する。接続口28aは、配管17に接続される。接続口28bは、配管18に接続される。接続口28a、28bはそれぞれ、第2ポンプ22のポンプ室(不図示)を供給路12に連通させる。接続口28cは、戻り路75に接続される。接続口28cは、第2ポンプ22のポンプ室を戻り路75に連通させる。
The
第2実施形態では、第2弁42は、第1実施形態の第1弁41と同じ構造を有する。さらに、第3弁43および第5弁45もそれぞれ、第1実施形態の第1弁41と同じ構造を有する。すなわち、第1弁41、第2弁42、第3弁43および第5弁45はそれぞれ、弁座51と弁体52と電動モータ53を備える。第1弁41、第2弁42、第3弁43および第5弁45はそれぞれ、電動弁に分類される。
In the second embodiment, the
第4弁44および排出弁46はそれぞれ、第1実施形態における第2弁42と同じ構造を有する。すなわち、第4弁44および排出弁46はそれぞれ、弁座と弁体とエア駆動部を備える。第4弁44および排出弁46はそれぞれ、エアオペレート弁に分類される。
The
フィルタ71は、フィルタ本体72と第1接続口73aと第2接続口73bと第3接続口73cを備えている。フィルタ本体72は内部流路と濾過材(いずれも不図示)を有する。内部流路は、空間である。濾過材は、内部流路に配置される。濾過材は、例えば多孔性の膜である。第1接続口73aと第2接続口73bと第3接続口73cはそれぞれ、フィルタ71の内部流路に連通する。第1接続口73aは、配管16に接続される。第2接続口73bは、配管17に接続される。第1接続口73aと第2接続口73bはそれぞれ、フィルタ71の内部流路を供給路12に連通させる。第3接続口73cは、排出路77に接続される。第3接続口73cは、フィルタ71の内部流路を排出路77に連通させる。
The
フィルタ71は、本発明における分岐部の例である。
制御部65は、回転駆動部6を制御する。制御部65は、液供給部11を制御する。具体的には、制御部65は、第1ポンプ21と第2ポンプ22を駆動する。制御部65は、第1弁41と第2弁42と第3弁43と第4弁44と第5弁45と排出弁46を開閉させる。さらに、制御部65は、第1弁41と第2弁42と第3弁43と第5弁45の開度を制御する。制御部65は、ノズル移動機構33を駆動する。
The
2.処理工程の動作例
第2実施形態の基板処理装置1の動作(すなわち、第2実施形態の基板処理方法)を説明する。基板処理方法は、液供給部11を用いて基板Wを処理する。具体的には、基板処理方法は、処理工程を備える。処理工程は、基板Wを処理する。以下の説明において、回転駆動部6および液供給部11は、制御部65にしたがって、動作するものとする。
2. Example of Operation of Processing Step The operation of the
図9は、第2実施形態の処理工程の動作の手順を示すフローチャートである。処理工程は、第1送り工程と第2送り工程と圧力解放工程と戻り工程と第3送り工程を備える。第1送り工程の後に、第2送り工程は実行される。第2送り工程の後に、圧力解放工程は実行される。圧力解放工程の後に、戻り工程は実行される。戻り工程の後に、第3送り工程は実行される。 Figure 9 is a flow chart showing the procedure of the operation of the processing process of the second embodiment. The processing process includes a first feed process, a second feed process, a pressure release process, a return process, and a third feed process. After the first feed process, the second feed process is performed. After the second feed process, the pressure release process is performed. After the pressure release process, the return process is performed. After the return process, the third feed process is performed.
図10(a)は、第1送り工程における基板処理装置1を示す図である。図10(b)は、第2送り工程における基板処理装置1を示す図である。図10(c)は、戻り工程における基板処理装置1を示す図である。図10(d)は、第3送り工程における基板処理装置1を示す図である。図10(a)-10(d)はそれぞれ、基板処理装置1を簡略に示す。処理工程では、上流端13は、処理液供給源61に接続される。
Figure 10(a) is a diagram showing the
図10(a)-10(d)はそれぞれ、処理液の流れを模式的に示す。処理工程では、上流端13に処理液を供給する。処理工程では、液供給部11は基板Wに処理液を供給する。
Figures 10(a)-10(d) each show a schematic diagram of the flow of the processing liquid. In the processing process, the processing liquid is supplied to the
[ステップS11:第1送り工程]
図10(a)を参照する。第1弁41は開く。第2弁42は閉じる。第5弁45は閉じる。第1ポンプ21は処理液を吸い込む。このため、処理液は、上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて流れる。第1ポンプ21は、配管15から処理液を吸い込む。処理液は、配管16を流れない。処理液は、戻り路75を流れない。
[Step S11: First feeding process]
10(a) . The
さらに、第3弁43、第4弁44および排出弁46はそれぞれ、閉じる。第2ポンプ22は動作しない。すなわち、第2ポンプ22は、吸い込み、および、吐き出しのいずれも、行わない。このため、処理液は、配管17、18および排出路77を流れない。
Furthermore, the
[ステップS12:第2送り工程]
図10(b)を参照する。第1弁41は閉じる。第2弁42と第3弁43はそれぞれ、開く。第4弁44と第5弁45と排出弁46はそれぞれ、閉じる。第1ポンプ21は処理液を吐き出す。第2ポンプ22は処理液を吸い込む。このため、処理液は、第1ポンプ21から第2ポンプ22に配管16、17を通じて流れる。処理液は、配管15を流れない。処理液は、配管18を流れない。処理液は、排出路77を流れない。
[Step S12: Second feeding process]
10(b), the
[ステップS13:圧力解放工程]
図示を省略するが、第1弁41、第2弁42、第3弁4および第5弁45はそれぞれ、開く。第4弁44と排出弁46はそれぞれ、閉じる。第1ポンプ21および第2ポンプ22はそれぞれ、動作しない。その結果、供給路12における処理液の圧力は、戻り路75における処理液の圧力と等しくなる。第1ポンプ21における処理液の圧力は、第2ポンプ22における処理液の圧力と等しくなる。
[Step S13: Pressure release process]
Although not shown, the
[ステップS14:戻り工程]
図10(c)を参照する。第1弁41は開く。第2弁42と第3弁43と第4弁44はそれぞれ、閉じる。第5弁45は開く。第1ポンプ21は動作しない。第2ポンプ22は処理液を吐き出す。このため、処理液は、第2ポンプ22から第1ポンプ21に戻り路75を通じて逆流する。処理液は、第1ポンプ21から上流端13に配管15を通じて逆流する。処理液は、配管16を流れない。処理液は、配管17を流れない。処理液は、配管18を流れない。
[Step S14: Return process]
10(c) . The
さらに、戻り工程では、排出弁46は閉じる。処理液は、排出路77を流れない。
Furthermore, during the return stroke, the
仮に、第2ポンプ22がエアを含む場合、戻し工程は、第2ポンプ22から第1ポンプ21に処理液とともにエアを戻す。
If the
[ステップS15:第3送り工程]
図10(d)を参照する。第3弁43は閉じる。第4弁44は開く。第5弁45は閉じる。第2ポンプ22は処理液を吐き出す。このため、処理液は、第2ポンプ22からノズル31に配管18を通じて流れる。ノズル31は、処理液を吐出する。処理液は、配管17を流れない。処理液は、戻り路75を流れない。
[Step S15: Third feeding process]
10(d), the
さらに、第1弁41と第2弁42と排出弁46はそれぞれ、閉じる。第1ポンプ21は動作しない。処理液は、配管15を流れない。処理液は、配管16を流れない。処理液は、排出路77を流れない。
Furthermore, the
上述した処理工程における第1-第5弁41-45および排出弁46の動作を、まとめる。第1弁41は、開き、かつ、閉じる。同様に、第2-第5弁42-45はそれぞれ、開き、かつ、閉じる。排出弁46は、閉じる。
The operations of the first to fifth valves 41-45 and the
3.洗浄工程の動作例
基板処理方法は、洗浄工程を備える。洗浄工程は、液供給部11を洗浄する。洗浄工程は、基板Wに処理を行わない。以下の説明において、回転駆動部6および液供給部11は、制御部65にしたがって、動作するものとする。
3. Example of Operation of Cleaning Step The substrate processing method includes a cleaning step. In the cleaning step, the
図11は、第2実施形態の洗浄工程の動作の手順を示すフローチャートである。洗浄工程は、第1洗浄工程と、第2洗浄工程と、第3洗浄工程を備える。第1洗浄工程の後に、第2洗浄工程は実行される。第2洗浄工程の後に、第3洗浄工程は実行される。 Figure 11 is a flow chart showing the procedure of the operation of the cleaning process of the second embodiment. The cleaning process includes a first cleaning process, a second cleaning process, and a third cleaning process. The second cleaning process is performed after the first cleaning process. The third cleaning process is performed after the second cleaning process.
第2洗浄工程の前に、第1洗浄工程を2回以上、行ってもよい。第3洗浄工程の前に、第2洗浄工程を2回以上、行ってもよい。第2洗浄工程の後に、第3洗浄工程を2回以上、行ってもよい。 Before the second cleaning step, the first cleaning step may be performed two or more times.Before the third cleaning step, the second cleaning step may be performed two or more times.After the second cleaning step, the third cleaning step may be performed two or more times.
第1洗浄工程は、第1工程と第2工程を備える。第1工程の後に、第2工程は実行される。第2洗浄工程は、第3工程と第4工程と第5工程を備える。第3工程の後に、第4工程は実行される。第4工程の後に、第5工程は実行される。第3洗浄工程は、第6工程と第7工程と第8工程を備える。第6工程の後に、第7工程は実行される。第7工程の後に、第8工程は実行される。ここで、第3工程の動作は、第1工程の動作と同じである。第6工程の動作も、第1工程の動作と同じである。
The first cleaning process includes
図12(a)、12(b)はそれぞれ、第1洗浄工程における基板処理装置1を示す図である。図13(a)-13(c)はそれぞれ、第2洗浄工程における基板処理装置1を示す図である。図14(a)-14(c)はそれぞれ、第3洗浄工程における基板処理装置1を示す図である。図12(a)-12(b)、13(a)-13(c)および14(a)-14(c)はそれぞれ、基板処理装置1を簡略に示す。洗浄工程では、上流端13は、洗浄液供給源63に接続される。
Figures 12(a) and 12(b) are diagrams showing the
図12(a)-12(b)、13(a)-13(c)および14(a)-14(c)はそれぞれ、洗浄液の流れを模式的に示す。洗浄工程は、上流端13に洗浄液を供給する。洗浄工程は、液供給部11に洗浄液を流す。
Figures 12(a)-12(b), 13(a)-13(c), and 14(a)-14(c) each show a schematic diagram of the flow of the cleaning liquid. In the cleaning process, the cleaning liquid is supplied to the
3-1.ステップS21:第1洗浄工程
図12(a)、12(b)を参照する。第1洗浄工程は、上流端13からフィルタ71まで配管15、16を通じて洗浄液を流し、かつ、フィルタ71から排出路77に洗浄液を排出する。
12(a) and 12(b), in the first cleaning step, a cleaning liquid is caused to flow from the
3-1-1.ステップT1:第1工程
図12(a)を参照する。第1弁41は第1大開度A1で開く。第2弁42は第2小開度B2で開く。第5弁45は第5小開度B5で開く。第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第1流量Q1で吸い込む。
3-1-1. Step T1: First Process Refer to FIG. 12(a). The
ここで、第1大開度A1は、第2小開度B2および第5小開度B5よりも大きい。このため、第1弁41は、第2弁42および第5弁45よりも大きく開く。第2弁42および第5弁45はそれぞれ、第1弁41よりも小さく開く。
Here, the first large opening degree A1 is larger than the second small opening degree B2 and the fifth small opening degree B5. Therefore, the
第2小開度B2は、第2弁42が閉じているときの第2弁42の開度よりも大きい。第2小開度B2は、例えば、第1実施形態で説明した第1小開度B1と等しい。同様に、第5小開度B5は、第5弁45が閉じているときの第5弁45の開度よりも大きい。第5小開度B5は、例えば、第1実施形態で説明した第1小開度B1と等しい。
The second small opening degree B2 is greater than the opening degree of the
第1弁41が第1大開度A1で開くとき、洗浄液が第1弁41を第1流量Q1で通過することを、第1弁41は許容する。
When the
第2弁42が第2小開度B2で開くとき、第2弁42を通過する洗浄液の流量を、第1流量Q1未満に、第2弁42は制限する。第2弁42が第2小開度B2で開くとき、第2弁42を通過する洗浄液の流量を、第1流量Q1の20%以下に、第2弁42は制限することが好ましい。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第1流量Q1未満に、第2弁42は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第1流量Q1の20%以下に、第5弁45は制限することが好ましい。
When the
したがって、洗浄液は、実質的に上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。
The cleaning liquid therefore flows substantially from the
ここで、洗浄液は、配管16から第1ポンプ21に流れるかも知れない。この場合であっても、配管15から第1ポンプ21に流れる洗浄液の流量は、配管16から第1ポンプ21に流れる洗浄液の流量よりも大きい。洗浄液は、戻り路75から第1ポンプ21に流れるかも知れない。この場合であっても、配管15から第1ポンプ21に流れる洗浄液の流量は、戻り路75から第1ポンプ21に流れる洗浄液の流量よりも大きい。したがって、洗浄液は、実質的に配管15から第1ポンプ21に流れる。
Here, the cleaning liquid may flow from the
さらに、第3弁43は、第3小開度B3で開く。第3小開度B3は、第3弁43が閉じているときの第3弁43の開度よりも大きい。第3小開度B3は、例えば、第1実施形態で説明した第1小開度B1と等しい。
Furthermore, the
第4弁44と排出弁46はそれぞれ、閉じる。このため、洗浄液は、配管18を流れない。洗浄液は、排出路77を流れない。
The
3-1-2.ステップT2:第2工程
図12(b)を参照する。第1弁41は第1小開度B1で開く。第2弁42は第2大開度A2で開く。第3弁43は第3小開度B3で開く。第5弁45は第5小開度B5で開く。排出弁46は開く。第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第2流量Q2で吐き出す。
3-1-2. Step T2: Second process See Fig. 12(b). The
ここで、第2大開度A2は、第1小開度B1、第3小開度B3および第5小開度B5よりも大きい。このため、第2弁42は、第1弁41、第3弁43および第5弁45よりも大きく開く。第1弁41、第3弁43および第5弁45はそれぞれ、第2弁42よりも小さく開く。さらに、第3弁43は、排出弁46よりも小さく開く。
Here, the second large opening degree A2 is larger than the first small opening degree B1, the third small opening degree B3, and the fifth small opening degree B5. Therefore, the
第2大開度A2は、第2小開度B2よりも大きい。第2大開度A2は、例えば、第1実施形態で説明した第1大開度A1と等しい。 The second large opening degree A2 is greater than the second small opening degree B2. The second large opening degree A2 is equal to the first large opening degree A1 described in the first embodiment, for example.
第2弁42が第2大開度A2で開くとき、洗浄液が第2弁42を第2流量Q2で通過することを、第2弁42は許容する。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第1弁41は制限する。第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2の20%以下に、第1弁41は制限することが好ましい。第3弁43が第3小開度B3で開くとき、第3弁43を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第3弁43は制限する。第3弁43が第3小開度B3で開くとき、第3弁43を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2の20%以下に、第3弁43は制限することが好ましい。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第5弁45は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2の20%以下に、第5弁45は制限することが好ましい。
When the
したがって、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21からフィルタ71に配管16を通じて流れる。洗浄液は、第1接続口73aに流入し、第3接続口73cから流出する。洗浄液は、フィルタ71から排出路77に排出される。洗浄液は、排出路77を通じて液供給部11の外部にパーティクルを排出する。
The cleaning liquid therefore flows substantially from the
ここで、洗浄液は、第1ポンプ21から戻り路75に多少流れるかもしれない。この場合であっても、第1ポンプ21から配管16に流れる洗浄液の流量は、第1ポンプ21から戻り路75に流れる洗浄液の流量よりも大きい。したがって、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から配管16に、流れる。洗浄液は、フィルタ71から配管17に多少流れるかもしれない。この場合であっても、フィルタ71から排出路77に流れる洗浄液の流量は、フィルタ71から配管17に流れる洗浄液の流量よりも大きい。したがって、洗浄液は、実質的にフィルタ71から排出路77に流れる。
Here, some of the cleaning liquid may flow from the
さらに、第4弁44は、閉じる。このため、洗浄液は、配管18を流れない。
Furthermore, the
以上の通り、第1洗浄工程は、第1弁41と第2弁42と第1ポンプ21とフィルタ71を洗浄する。第1洗浄工程は、配管15、16を洗浄する。
As described above, in the first cleaning step , the
第1洗浄工程における第1-第5弁41-45および排出弁46の動作を、まとめる。第1弁41は、第1大開度A1と第1小開度B1の間で切り替わる。第2弁42は、第2大開度A2と第2小開度B2の間で切り替わる。第3弁43は、第3小開度B3で開く。第4弁44は、閉じる。第5弁45は、第5小開度B5で開く。排出弁46は、開き、かつ、閉じる。
The operations of the first to fifth valves 41-45 and the
第1洗浄工程では、第3弁43は配管17における洗浄液の流れを抑制する。第1洗浄工程では、第5弁45は、戻り路75における洗浄液の流れを抑制する。
In the first cleaning process, the
洗浄液が配管16からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第3弁43は第2弁42および排出弁46よりも小さく開く。
When the cleaning liquid flows from the
第1洗浄工程では、洗浄液は、配管18およびノズル31を通過せずに、液供給部11の外部に排出される。
In the first cleaning process, the cleaning liquid is discharged outside the
3-2.ステップS22:第2洗浄工程
図13(a)、13(b)、13(c)を参照する。第2洗浄工程は、上流端13から第1ポンプ21まで配管15を通じて洗浄液を流し、第1ポンプ21から第2ポンプ22に戻り路75を通じて洗浄液を流し、第2ポンプ22からフィルタ71に配管17を通じて洗浄液を逆流させ、かつ、フィルタ71から排出路77に洗浄液を排出する。
13(a), 13(b), and 13(c). In the second cleaning step, the cleaning liquid is caused to flow from the
3-2-1.ステップT3:第3工程
図13(a)を参照する。第3工程の動作は、第1工程の動作と同じである。すなわち、第1弁41は第1大開度A1で開く。第2弁42は第2小開度B2で開く。第3弁43は第3小開度B3で開く。第4弁44は閉じる。第5弁45は第5小開度B5で開く。排出弁46は閉じる。第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。このため、洗浄液は、実質的に上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。洗浄液は、配管18を流れない。洗浄液は、排出路77を流れない。
3-2-1. Step T3: Third Step See FIG. 13(a). The operation of the third step is the same as that of the first step. That is, the
3-2-2.ステップT4:第4工程
図13(b)を参照する。第1弁41は第1小開度B1で開く。第2弁42は第2小開度B2で開く。第3弁43は第3小開度B3で開く。第4弁44は閉じる。第5弁45は第5大開度A5で開く。排出弁46は閉じる。第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第2流量Q2で吐き出す。第2ポンプ22は洗浄液を吸い込む。具体的には、第2ポンプ22は洗浄液を第3流量Q3で吸い込む。
3-2-2. Step T4: Fourth process See FIG. 13(b). The
ここで、第5大開度A5は、第1小開度B1、第2小開度B2および第3小開度B3よりも大きい。このため、第5弁45は、第1弁41、第2弁4および第3弁43よりも大きく開く。第1弁41、第2弁42および第3弁43はそれぞれ、第5弁45よりも小さく開く。
Here, the fifth large opening degree A5 is larger than the first small opening degree B1, the second small opening degree B2, and the third small opening degree B3. Therefore, the
第5大開度A5は、第5小開度B5よりも大きい。第5大開度A5は、例えば、第1実施形態で説明した第1小開度B1と等しい。 The fifth large opening degree A5 is greater than the fifth small opening degree B5. The fifth large opening degree A5 is equal to the first small opening degree B1 described in the first embodiment, for example.
第5弁45が第5大開度A5で開くとき、洗浄液が第5弁45を第2流量Q2で通過することを、第5弁45は許容する。第5弁45が第5大開度A5で開くとき、洗浄液が第5弁45を第3流量Q3で通過することを、第5弁45は許容する。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第1弁41は制限する。第2弁42が第2小開度B2で開くとき、第2弁42を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第2弁42は制限する。第3弁43が第3小開度B3で開くとき、第3弁43を通過する洗浄液の流量を、第3流量Q3未満に、第3弁43は制限する。
When the
第3流量Q3は、例えば、第2流量Q2と等しい。 The third flow rate Q3 is, for example, equal to the second flow rate Q2.
したがって、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から第2ポンプ22に戻り路75を通じて流れる。
Therefore, the cleaning liquid actually flows from the
ここで、洗浄液は、第1ポンプ21から配管15に多少流れるかもしれない。洗浄液は、第1ポンプ21から配管16に多少流れるかも知れない。これらの場合であっても、洗浄液は、主として、第1ポンプ21から戻り路75に流れる。洗浄液は、配管17から第2ポンプ22に多少流れるかも知れない。この場合であっても、洗浄液は、主として、戻り路75から第2ポンプ22に流れる。
Here, some cleaning liquid may flow from the
3-2-3.ステップT5:第5工程
図13(c)を参照する。第2弁42は第2小開度B2で開く。第3弁43は第3大開度A3で開く。第4弁44は閉じる。第5弁45は第5小開度B5で開く。排出弁46は開く。第2ポンプ22は洗浄液を吐き出す。具体的には、第2ポンプ22は洗浄液を第4流量Q4で吐き出す。
3-2-3. Step T5: Fifth process See FIG. 13(c). The
ここで、第3大開度A3は、第2小開度B2および第5小開度B3よりも大きい。このため、第3弁43は、第2弁42および第5弁45よりも大きく開く。第2弁42および第5弁45はそれぞれ、第3弁43よりも小さく開く。さらに、第3弁43は、第4弁44よりも大きく開く。第2弁42は、排出弁46よりも小さく開く。
Here, the third large opening degree A3 is larger than the second small opening degree B2 and the fifth small opening degree B3. Therefore, the
第3大開度A3は、第3小開度B3よりも大きい。第3大開度A3は、例えば、第1実施形態で説明した第1小開度B1と等しい。 The third large opening degree A3 is greater than the third small opening degree B3. The third large opening degree A3 is equal to the first small opening degree B1 described in the first embodiment, for example.
第3弁43が第3大開度A3で開くとき、洗浄液が第3弁43を第4流量Q4で通過することを、第3弁43は許容する。
When the
第2弁42が第2小開度B2で開くとき、第2弁42を通過する洗浄液の流量を、第4流量Q4未満に、第2弁42は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第4流量Q4未満に、第5弁45は制限する。
When the
第4流量Q4は、例えば、第2流量Q2と等しい。 The fourth flow rate Q4 is, for example, equal to the second flow rate Q2.
したがって、洗浄液は、実質的に第2ポンプ22からフィルタ71に配管17を通じて流れる。洗浄液は、第2接続口73bに流入し、第3接続口73cから流出する。洗浄液は、フィルタ71から排出路77に排出される。洗浄液は、排出路77を通じて液供給部11の外部にパーティクルを排出する。
The cleaning liquid therefore flows substantially from the
ここで、洗浄液は、第2ポンプ22から戻り路75に多少流れるかもしれない。この場合であっても、洗浄液は、主として、第2ポンプ22から配管17に流れる。洗浄液は、フィルタ71から配管16に多少流れるかもしれない。この場合であっても、洗浄液は、主として、フィルタ71から排出路77に流れる。
Here, some cleaning liquid may flow from the
さらに、第1弁41は第1小開度B1で開く。第1弁41は第3弁43よりも小さく開く。第1ポンプ21は動作しない。
Furthermore, the
以上の通り、第2洗浄工程は、第1弁41と第3弁43と第5弁45と第1ポンプ21と第2ポンプ22とフィルタ71を洗浄する。第2洗浄工程は、配管15、17と戻り路75を洗浄する。第2洗浄工程は、配管17に洗浄液を逆流させる。第2洗浄工程は、戻り路75に洗浄液を逆流させる。
As described above, the second cleaning process cleans the
第2洗浄工程における第1-第5弁41-45および排出弁46の動作を、まとめる。第1弁41は、第1大開度A1と第1小開度B1の間で切り替わる。第2弁42は、第2小開度B2で開く。第3弁43は、第3大開度A3と第3小開度B3の間で切り替わる。第4弁44は、閉じる。第5弁45は、第5大開度A1と第5小開度B5の間で切り替わる。排出弁46は、開き、かつ、閉じる。
The operations of the first to fifth valves 41-45 and the
第2洗浄工程では、第2弁42は配管16における洗浄液の流れを抑制する。
During the second cleaning process, the
洗浄液が配管17からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第2弁42は第3弁43および排出弁46よりも小さく開く。
When the cleaning liquid flows from the
第2洗浄工程では、洗浄液は、配管18およびノズル31を通過せずに、液供給部11の外部に排出される。
In the second cleaning process, the cleaning liquid is discharged outside the
3-3.ステップS23:第3洗浄工程
図14(a)、14(b)、14(c)を参照する。第3洗浄工程は、上流端13からノズル31まで、配管15-18を通じて、洗浄液を流す。
14(a), 14(b) and 14(c), in the third cleaning step, a cleaning liquid is caused to flow from the
3-3-1.ステップT6:第6工程
図14(a)を参照する。第6工程の動作は、第1工程の動作と同じである。すなわち、第1弁41は第1大開度A1で開く。第2弁42は第2小開度B2で開く。第3弁43は第3小開度B3で開く。第4弁44は閉じる。第5弁45は第5小開度B5で開く。排出弁46は閉じる。第1ポンプ21は洗浄液を吸い込む。このため、洗浄液は、実質的に上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて、流れる。洗浄液は、配管18を流れない。洗浄液は、排出路77を流れない。
3-3-1. Step T6: Sixth Step See FIG. 14(a). The operation of the sixth step is the same as that of the first step. That is, the
3-3-2.ステップT7:第7工程
図14(b)を参照する。第1弁41は第1小開度B1で開く。第2弁42は第2大開度A2で開く。第3弁43は第3大開度A3で開く。第4弁44は閉じる。第5弁45は第5小開度B5で開く。排出弁46は閉じる。第1ポンプ21は洗浄液を吐き出す。具体的には、第1ポンプ21は洗浄液を第2流量Q2で吐き出す。第2ポンプ22は洗浄液を吸い込む。具体的には、第2ポンプ22は洗浄液を第3流量Q3で吸い込む。
3-3-2. Step T7: Seventh process See FIG. 14(b). The
ここで、第2大開度A2は、第1小開度B1および第5小開度B5よりも大きい。このため、第2弁42は、第1弁41および第5弁45よりも大きく開く。第1弁41および第5弁45はそれぞれ、第2弁42よりも小さく開く。さらに、第2弁42は、排出弁46よりも大きく開く。
Here, the second large opening degree A2 is larger than the first small opening degree B1 and the fifth small opening degree B5. Therefore, the
第3大開度A3は、第1小開度B1および第5小開度B5よりも大きい。このため、第3弁43は、第1弁41および第5弁45よりも大きく開く。第1弁41および第5弁45はそれぞれ、第3弁43よりも小さく開く。さらに、第3弁43は、第4弁44および排出弁46よりも大きく開く。
The third large opening degree A3 is larger than the first small opening degree B1 and the fifth small opening degree B5. Therefore, the
第2弁42が第2大開度A2で開くとき、洗浄液が第2弁42を第2流量Q2で通過することを、第2弁42は許容する。第2弁42が第2大開度A2で開くとき、洗浄液が第2弁42を第3流量Q3で通過することを、第2弁42は許容する。第3弁43が第2大開度A2で開くとき、洗浄液が第3弁43を第2流量Q2で通過することを、第3弁43は許容する。第3弁43が第2大開度A2で開くとき、洗浄液が第3弁43を第3流量Q3で通過することを、第3弁43は許容する。
When the
第1弁41が第1小開度B1で開くとき、第1弁41を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第1弁41は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第2流量Q2未満に、第5弁45は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第3流量Q3未満に、第5弁45は制限する。
When the
このため、洗浄液は、実質的に第1ポンプ21から第2ポンプ22に配管16、17を通じて、流れる。より詳しくは、第1ポンプ21からフィルタ71に配管16を通じて流れる。洗浄液は、第1接続口73aに流入し、第2接続口73bから流出する。洗浄液は、フィルタ71から第2ポンプ22に配管17を通じて流れる。
As a result, the cleaning liquid flows substantially from the
ここで、洗浄液は、第1ポンプ21から配管15に多少流れるかもしれない。洗浄液は、第1ポンプ21から戻り路75に多少流れるかも知れない。これらの場合であっても、洗浄液は、主として、第1ポンプ21から配管16に流れる。洗浄液は、戻り路75から第2ポンプ22に多少流れるかも知れない。この場合であっても、洗浄液は、主として、配管17から第2ポンプ22に流れる。
Here, some cleaning liquid may flow from the
3-3-3.ステップT8:第8工程
図14(c)を参照する。第3弁43は第3小開度B3で開く。第4弁44は開く。第5弁45は第5小開度B5で開く。第2ポンプ22は洗浄液を吐き出す。具体的には、第2ポンプ22は洗浄液を第4流量Q4で吐き出す。
3-3-3. Step T8: Eighth step See FIG. 14C. The
ここで、第4弁は、第3弁43および第5弁45よりも大きく開く。第3弁43および第5弁45はそれぞれ、第4弁44よりも小さく開く。
Here, the fourth valve opens wider than the
第4弁44が開くとき、洗浄液が第4弁44を第4流量Q4で通過することを、第4弁44は許容する。
When the
第3弁43が第3小開度B3で開くとき、第3弁43を通過する洗浄液の流量を、第4流量Q4未満に、第3弁43は制限する。第5弁45が第5小開度B5で開くとき、第5弁45を通過する洗浄液の流量を、第4流量Q4未満に、第5弁45は制限する。
When the
したがって、洗浄液は、実質的に第2ポンプ22からノズル31に配管18を通じて流れる。ノズル31は、洗浄液を吐出する。洗浄液は、ノズル31を通じて液供給部11の外部にパーティクルを排出する。
The cleaning liquid therefore flows substantially from the
ここで、洗浄液は、第2ポンプ22から配管17に多少流れるかもしれない。洗浄液は、第2ポンプ22から戻り路75に多少流れるかも知れない。これらの場合であっても、洗浄液は、主として、第2ポンプ22から配管18に流れる。
Here, some cleaning fluid may flow from the
さらに、第1弁41は第1小開度B1で開く。第2弁42は第2小開度B2で開く。排出弁46は閉じる。第1ポンプ21は動作しない。このため、処理液は排出路77を流れない。
Furthermore, the
以上の通り、第3洗浄工程は、第1弁41と第2弁42と第3弁43と第4弁44と第1ポンプ21と第2ポンプ22とフィルタ71を洗浄する。第3洗浄工程は、配管15-18を洗浄する。
As described above, the third cleaning step cleans the
第3洗浄工程における第1-第5弁41-45および排出弁46の動作を、まとめる。第1弁41は、第1大開度A1と第1小開度B1の間で切り替わる。第2弁42は、第2大開度A2と第2小開度B2の間で切り替わる。第3弁43は、第3大開度A3と第3小開度B3の間で切り替わる。第4弁44は、開き、かつ、閉じる。第5弁45は、第5小開度B5で開く。排出弁46は、閉じる。
The operations of the first to fifth valves 41-45 and the
第3洗浄工程では、第5弁45は戻り路75における洗浄液の流れを抑制する。
In the third cleaning step, the
洗浄液が配管16からフィルタ71を経由して配管17に流れるとき、第2弁42および第3弁43はそれぞれ、排出弁46よりも大きく開く。
When the cleaning liquid flows from
第3洗浄工程では、洗浄液は、配管18およびノズル31を流れる。
第3洗浄工程では、洗浄液は、ノズル31を通じて、液供給部11の外部に排出される。
In the third cleaning step, the cleaning liquid flows through the
In the third cleaning step, the cleaning liquid is discharged to the outside of the
4.効果
第2実施形態によれば、第1実施形態と同様の効果を奏する。さらに、第2実施形態によれば、以下の効果を奏する。
4. Effects According to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment are achieved. Furthermore, according to the second embodiment, the following effects are achieved.
液供給部11は、供給路12と第1ポンプ21と第2ポンプ22とフィルタ71を備える。液供給部11は、戻り路75と排出路77を備える。供給路12は、配管15-18を備える。液供給部11は、第1-第5弁41-45と排出弁46を備える。
The
処理工程は、第1送り工程と第2送り工程と戻り工程と第3送り工程を備える。第1送り工程は、上流端13から第1ポンプ21に配管15を通じて処理液を流す。第2送り工程は、第1ポンプ21から第2ポンプ22に配管16、17を通じて処理液を流す。戻り工程は、第2ポンプ22から第1ポンプ21に戻り路75を通じて処理液を逆流させる。第3送り工程は、第2ポンプ22からノズル31に配管18を通じて処理液を流す。仮に、エアが第2ポンプ22に混入した場合、戻し工程は、第2ポンプ22から第1ポンプ21に処理液とともにエアを戻す。このため、第3送り工程は、エアを含まない処理液をノズル31に送ることができる。よって、処理工程において、液供給部11は基板Wに処理液を好適に供給できる。
The processing step includes a first sending step, a second sending step, a return step, and a third sending step. In the first sending step, the processing liquid is flowed from the
洗浄工程は、第1洗浄工程と第2洗浄工程と第3洗浄工程を備える。第1洗浄工程は、上流端13からフィルタ71まで配管15、16を通じて洗浄液を流す。第1洗浄工程は、フィルタ71から排出路77に洗浄液を排出する。このため、第1洗浄工程は、配管15、16を洗浄する。第2洗浄工程は、上流端13から第1ポンプ21まで配管15を通じて洗浄液を流す。第2洗浄工程は、第1ポンプ21から第2ポンプ22に戻り路75を通じて洗浄液を流す。第2洗浄工程は、第2ポンプ22からフィルタ71に配管17を通じて洗浄液を逆流させる。第2洗浄工程は、フィルタ71から排出路77に洗浄液を排出する。このため、第2洗浄工程は、配管15、戻り路75および配管17を洗浄する。第3洗浄工程は、上流端13からノズル31まで、配管15-18を通じて洗浄液を流す。このため、第3洗浄工程は、配管15-18を洗浄する。ここで、配管15のみが、第1洗浄工程が洗浄する範囲と第2洗浄工程が洗浄する範囲の重複部分である。よって、第1洗浄工程と第2洗浄工程は、配管15-17および戻り路75に洗浄液を効率良く流すことができる。したがって、洗浄工程は、液供給部の全体に洗浄液を効率良く流すことができる。
The cleaning process includes a first cleaning process, a second cleaning process, and a third cleaning process. In the first cleaning process, the cleaning liquid flows from the
第2洗浄工程において戻り路75を流れる洗浄液の向きは、戻り工程において戻り路75を流れる処理液の向きと反対である。このため、第2洗浄工程は、戻り路75を好適に洗浄できる。
The direction of the cleaning liquid flowing through the
第2洗浄工程において配管17を流れる洗浄液の向きは、第3洗浄工程において配管17を流れる洗浄液の向きと反対である。このため、配管17を好適に洗浄できる。第3弁43を好適に洗浄できる。ここで、配管17および第3弁43はそれぞれ、フィルタ71の下流側に配置される。すなわち、フィルタ71は、配管17および第3弁43の下流側に設置されていない。このため、液供給部11の洗浄において、配管17と第3弁43の清浄度を高めることは、重要である。
The direction of the cleaning liquid flowing through the
処理工程では、第2弁42は、開き、かつ、閉じる。第2弁42が開くとき、第2弁42は、配管16における処理液の流れを許容する。第2弁42が閉じるとき、第2弁42は、配管16における処理液の流れを止める。このように、処理工程では、第2弁42は、配管16における処理液の流れを、厳密に制御する。同様に、処理工程では、第3弁43は、開き、かつ、閉じる。このため、処理工程では、第3弁43は、配管17における処理液の流れを、厳密に制御する。処理工程では、第5弁45は、開き、かつ、閉じる。このため、処理工程では、第5弁45は、戻り路75における処理液の流れを、厳密に制御する。したがって、処理工程は、液供給部11における処理液の流れを厳密に制御する。例えば、第1送り工程において、処理液が流れる範囲、処理液が流れる方向および処理液が流れる量を、厳密に制御する。第2送り工程、戻り工程および第3送り工程においても、同様である。よって、液供給部11は、基板Wに処理液を適切に供給できる。処理工程は、基板Wを適切に処理できる。
In the processing step, the
洗浄工程では、第2弁42は、第2大開度A2と第2小開度B2の間で切り替わる。第2小開度B2は、第2大開度A2よりも小さい。このため、洗浄工程では、第2弁42は、配管16における洗浄液の流れを実質的に制御する。同様に、洗浄工程では、第3弁43は、第3大開度A3と第3小開度B3の間で切り替わる。第3小開度B3は、第3大開度A3よりも小さい。このため、洗浄工程では、第3弁43は、配管17における洗浄液の流れを実質的に制御する。洗浄工程では、第5弁45は、第5大開度A5と第5小開度B5の間で切り替わる。第5小開度B5は、第5大開度A5よりも小さい。このため、洗浄工程では、第5弁45は、戻り路75における洗浄液の流れを実質的に制御する。よって、洗浄工程は、液供給部11に洗浄液を適切に流すことができる。
In the cleaning process, the
さらに、第2弁42が第2小開度B2で開くとき、第2弁42は閉じない。勿論、第2弁42が第2大開度A2で開くときも、第2弁42は閉じない。このため、洗浄工程では、異物は第2弁42に付着しづらい。言い換えれば、洗浄工程では、第2弁42は汚染され難い。同様に、第3弁43が第3大開度A3と第3小開度B3の間で切り替わっても、第3弁43は閉じない。このため、洗浄工程では、異物は第3弁43に付着しづらい。第5弁45が第5大開度A5と第5小開度B5の間で切り替わっても、第5弁45は閉じない。このため、洗浄工程では、異物は第5弁45に付着しづらい。したがって、洗浄工程は液供給部11を効率良く洗浄できる。
Furthermore, when the
第1洗浄工程は、第1工程と第2工程を備える。第1工程では、第1弁41は第1大開度A1で開き、第2弁42は第2小開度B2で開く。すなわち、第1工程では、第2弁42は、第1弁41よりも小さく開く。このため、第1工程では、洗浄液が第2弁から第1ポンプに逆流することを、第2弁は抑制する。よって、第1工程では、第1ポンプ21は、実質的に配管15から、洗浄液を吸い込む。第2工程では、第1弁41は第1小開度B1で開き、第2弁42は第2大開度A2で開く。すなわち、第2工程では、第2弁42は、第1弁41よりも大きく開く。よって、第2工程では、第1ポンプ21は、実質的に配管16に、洗浄液を吐き出す。このように、第1弁41および第2弁42は、第1ポンプ21の上流および下流における処理液の流れを、実質的に制御する。
The first cleaning process includes a first process and a second process. In the first process, the
第1洗浄工程では、第5弁45は第5小開度B5で開く。このため、第1洗浄工程では、第5弁45は戻り路75における洗浄液の流れを抑制する。第1洗浄工程では、洗浄液が配管15から戻り路75に流れることを、第5弁45は抑制する。その結果、第1洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管15から配管16に、流れる。
In the first cleaning process, the
第1洗浄工程では、第3弁43は第3小開度B3で開く。このため、第1洗浄工程では、第3弁43は配管17における洗浄液の流れを抑制する。第1洗浄工程では、洗浄液が配管16から配管17に流れることを、第3弁43は抑制する。その結果、第1洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管16から排出路77に、流れる。
In the first cleaning process, the
第2洗浄工程では、第2弁42は第2小開度B2で開く。このため、第2洗浄工程では、第2弁42は配管16における洗浄液の流れを抑制する。第2洗浄工程では、洗浄液が配管15から配管16に流れることを、第2弁42は抑制する。その結果、第2洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管15から戻り路75に、流れる。さらに、第2洗浄工程では、洗浄液が配管17から配管16に流れることを、第2弁42は抑制する。その結果、第2洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管17から排出路77に、流れる。
In the second cleaning process, the
第3洗浄工程では、第5弁45は第5小開度B5で開く。このため、第3洗浄工程では、第5弁45は戻り路75における洗浄液の流れを抑制する。第3洗浄工程では、洗浄液が配管15から戻り路75に流れることを、第5弁45は抑制する。その結果、第3洗浄工程では、洗浄液は、配管15から配管16に円滑に流れる。さらに、第3洗浄工程では、洗浄液が配管17から戻り路75に流れることを、第5弁45は抑制する。その結果、第3洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管17から配管18に、流れる。
In the third cleaning step, the
フィルタ71は、第1接続口73aと第2接続口73bと第3接続口73cを備える。第1接続口73aは、配管16に接続される。第2接続口73bは、配管17に接続される。第3接続口73cは、排出路77に接続される。第1洗浄工程では、洗浄液は、第1接続口73aに流入し、第3接続口73cから流出する。第2洗浄工程では、洗浄液は、第2接続口73bに流入し、第3接続口73cから流出する。第3洗浄工程では、洗浄液は、第1接続口73aに流入し、第2接続口73bから流出する。このため、洗浄工程は、フィルタ71を好適に洗浄できる。
The
洗浄液が配管16からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第3弁43は、第2弁42および排出弁46よりも小さく開く。このため、洗浄液は、配管16および排出路77よりも、配管17を流れ難い。よって、洗浄液は、実質的に配管16からフィルタ71を経由して排出路77に、流れる。
When the cleaning liquid flows from the
洗浄液が配管17からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第2弁42は第3弁43および排出弁46よりも小さく開く。このため、洗浄液は、配管17および排出路77よりも、配管16を流れ難い。よって、第2洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管17からフィルタ71を経由して排出路77に、流れる。
When the cleaning liquid flows from the
洗浄液が配管16からフィルタ71を経由して配管17に流れるとき、第2弁42および第3弁43は排出弁46よりも大きく開く。このため、洗浄液は、配管16および配管17よりも、排出路77を流れ難い。よって、第3洗浄工程では、洗浄液は、実質的に配管16からフィルタ71を経由して配管17に流れる。
When the cleaning liquid flows from
さらに、洗浄液が配管16からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第3弁43は閉じない。同様に、洗浄液が配管17からフィルタ71を経由して排出路77に流れるとき、第2弁42は閉じない。洗浄液が配管17からフィルタ71を経由して配管17に流れるとき、第2弁42および第3弁43はそれぞれ、閉じない。このため、洗浄工程において、異物は第2弁42に付着しづらい。洗浄工程において、異物は第3弁43に付着しづらい。したがって、洗浄工程は液供給部11を効率良く洗浄できる。
Furthermore, when the cleaning liquid flows from the
第1洗浄工程では、第4弁44は閉じる。このため、第1洗浄工程では、洗浄液は、配管18を通過せずに、排出路77に排出される。同様に、第2洗浄工程では、第4弁44は閉じる。このため、第2洗浄工程では、洗浄液は、配管18を通過せずに、排出路77に排出される。したがって、第1洗浄工程および第2洗浄工程では、洗浄液は、ノズル31に流れない。言い換えれば、第1洗浄工程および第2洗浄工程では、洗浄液は、ノズル31を通じてパーティクルを排出しない。よって、第1洗浄工程および第2洗浄工程は、ノズル31の汚染を抑制する。
In the first cleaning step, the
第3洗浄工程では、第4弁44は開く。このため、第3洗浄工程では、洗浄液は、配管18を通じてノズル31に流れる。よって、第3洗浄工程は、ノズル31を洗浄する。
In the third cleaning step, the
第1洗浄工程の後に、第2洗浄工程は実行される。第2洗浄工程の後に、第3洗浄工程は実行される。第1洗浄工程は、配管15と配管16を洗浄する。第2洗浄工程は、配管17を洗浄する。第4洗浄工程は、配管18を洗浄する。ここで、配管17は、配管16の下流側に位置する。配管18は、配管17の下流側に位置する。このため、洗浄工程は、上流端13から下流端14にむかって、供給路12を段階的に洗浄する。よって、洗浄工程は、液供給部11を効率良く洗浄できる。
After the first cleaning process , the second cleaning process is performed. After the second cleaning process , the third cleaning process is performed. In the first cleaning process,
本発明は、第1、第2実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。 The present invention is not limited to the first and second embodiments, and can be modified as follows:
(1)第1実施形態の第1工程(S1)では、第2弁42は閉じる。但し、これに限られない。例えば、第1工程(S1)では、第2弁42は、第1弁41よりも小さく開いてもよい。本変形実施形態によれば、異物は、第2弁42に付着しづらい。よって、第1実施形態の洗浄工程は、液供給部11を一層効率良く洗浄できる。
(1) In the first step (S1) of the first embodiment, the
(2)第1実施形態の第2弁は、第2弁42はエアオペレート弁に分類される。但し、これに限られない。例えば、第1実施形態の第2弁42は、電動弁に分類されてもよい。例えば、第1実施形態の第2弁42は、第1弁41と同じ構造を有してもよい。本変形実施形態によれば、第2弁42の開度を微調整できる。
(2) In the first embodiment, the
(3)第2実施形態の第1-第3洗浄工程(S21-S23)では、第4弁44は、開き、かつ、閉じる。但し、これに限られない。例えば、第1-第3洗浄工程(S21-S23)では、第4弁44は、第4大開度と第4小開度の間で切り替わってもよい。第4大開度は、例えば、第3大開度A3および第5大開度A5の少なくともいずれかと同等である。第4小開度は、例えば、第3小開度B3および第5小開度B5の少なくともいずれかと同等である。本変形実施形態によれば、異物は、第4弁44に付着しづらい。よって、洗浄工程は、液供給部11を一層効率良く洗浄できる。
(3) In the first to third cleaning steps (S21-S23) of the second embodiment, the
(4)第2実施形態では、第4弁44はエアオペレート弁に分類される。但し、これに限られない。例えば、第4弁44は、電動弁に分類されてもよい。例えば、第4弁44は、第1弁41と同じ構造を有してもよい。本変形実施形態によれば、第4弁44の開度を微調整できる。
(4) In the second embodiment, the
(5)第2実施形態の第1-第3洗浄工程(S21-S23)では、排出弁46は、開き、かつ、閉じる。但し、これに限られない。例えば、第1-第3洗浄工程(S21-S23)では、排出弁46は、第6大開度と第6小開度の間で切り替わってもよい。第6大開度は、例えば、第2大開度A2および第3大開度A3の少なくともいずれかと同等である。第6小開度は、例えば、第2小開度B2および第3小開度B3の少なくともいずれかと同等である。本変形実施形態によれば、異物は、排出弁46に付着しづらい。よって、洗浄工程は、液供給部11を一層効率良く洗浄できる。
(5) In the first to third cleaning steps (S21-S23) of the second embodiment, the
(6)第2実施形態では、排出弁46はエアオペレート弁に分類される。但し、これに限られない。例えば、排出弁46は、電動弁に分類されてもよい。例えば、排出弁46は、第1弁41と同じ構造を有してもよい。本変形実施形態によれば、排出弁46の開度を微調整できる。
(6) In the second embodiment, the
(7)第2実施形態では、液供給部11は、フィルタ71を備えた。但し、これに限られない。液供給部11は、フィルタ71に代えて、分岐継ぎ手を備えてもよい。分岐継ぎ手は、配管16、17および排出路77に接続される。分岐継ぎ手は、配管16、17及び排出管77を相互に連通させる。分岐継ぎ手は、本発明の分岐部の例である。
(7) In the second embodiment, the
(8)上述した第1、第2実施形態では、塗布液として、レジスト膜材料を例示した。但し、これに限られない。塗布液は、例えば、反射防止膜材料、保護膜材料、SOG(Spin On Glass)膜材料、SOD(Spin on Dielectric)膜材料であってよい。 (8) In the first and second embodiments described above, a resist film material is exemplified as the coating liquid. However, this is not limited to this. The coating liquid may be, for example, an anti-reflective film material, a protective film material, an SOG (Spin On Glass) film material, or an SOD (Spin on Dielectric) film material.
(9)上述した第1、第2実施形態では、洗浄液として、有機溶剤を例示した。但し、これに限られない。洗浄液は、純水であってもよい。 (9) In the first and second embodiments described above, an organic solvent is exemplified as the cleaning liquid. However, this is not limited to this. The cleaning liquid may be pure water.
(10)上述した第1、第2実施形態では、洗浄液は、処理液と異なる種類の液体であった。但し、これに限られない。洗浄液は、処理液と同種の液体であってもよい。例えば、洗浄液は、処理液供給源61の液体であってもよい。洗浄液が処理液と同種の液体である場合、処理液と同種の液体は、基板Wに供給されない。本変形実施形態によれば、洗浄工程は、液供給部11を一層好適に洗浄できる。
(10) In the first and second embodiments described above, the cleaning liquid is a different type of liquid from the processing liquid. However, this is not limited to this. The cleaning liquid may be the same type of liquid as the processing liquid. For example, the cleaning liquid may be the liquid of the processing
(11)上述した第1、第2実施形態では、洗浄工程は、単一の種類の洗浄液を使用した。但し、これに限られない。洗浄工程は、複数の種類の洗浄液を使用してもよい。例えば、洗浄工程は、処理液供給源61の液体と処理液供給源61の液体を使用してもよい。
(11) In the first and second embodiments described above, a single type of cleaning liquid is used in the cleaning process. However, this is not limited to this. The cleaning process may use multiple types of cleaning liquid. For example, the cleaning process may use the liquid from the processing
(12)上述した第2実施形態では、洗浄工程は、検査工程を含まなかった。但し、これに限られない。第2実施形態の洗浄工程は、さらに、検査工程を含んでもよい。例えば、第2実施形態の検査工程は、第1実施形態の検査工程と同じであってもよい。 (12) In the second embodiment described above, the cleaning process does not include an inspection process. However, this is not limited to this. The cleaning process of the second embodiment may further include an inspection process. For example, the inspection process of the second embodiment may be the same as the inspection process of the first embodiment.
(13)上述した第1、第2実施形態および上記(1)から(12)で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。 (13) The first and second embodiments and the modified embodiments described in (1) to (12) above may be modified as appropriate by replacing or combining each configuration with the configuration of another modified embodiment.
1 … 基板処理装置
11 … 液供給部
12 … 供給路
13 … 上流端
14 … 下流端
15 … 配管(第1部分)
16 … 配管(第2部分)
17 … 配管(第3部分)
18 … 配管(第4部分)
21 … 第1ポンプ
22 … 第2ポンプ
31 … ノズル
41 … 第1弁
42 … 第2弁
43 … 第3弁
44 … 第4弁
45 … 第5弁
46 … 排出弁
51 … 弁座
52 … 弁体
53 … 電動モータ
65 … 制御部
71 … フィルタ(分岐部)
73a … 第1接続部
73b … 第2接続部
73c … 第3接続部
75 … 戻り路
77 … 排出路
A1 … 第1大開度
A2 … 第2大開度
A3 … 第3大開度
A5 … 第5大開度
B1 … 第1大開度
B2 … 第2小開度
B3 … 第3小開度
B5 … 第5小開度
D … 離隔距離
Q1 … 第1流量
Q2 … 第2流量
W … 基板
REFERENCE SIGNS
16... Piping (second part)
17... Piping (third part)
18... Piping (4th part)
21: First pump 22: Second pump 31: Nozzle 41: First valve 42: Second valve 43: Third valve 44: Fourth valve 45: Fifth valve 46: Discharge valve 51: Valve seat 52: Valve body 53: Electric motor 65: Control unit 71: Filter (branching unit)
73a ...
Claims (18)
前記液供給部は、
上流端と下流端を有する供給路と、
前記供給路に設けられる第1ポンプと、
前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの上流側に配置される第1弁と、
前記下流端に接続されるノズルと、
を備え、
前記基板処理方法は、
処理液を前記上流端に供給し、前記液供給部から基板に処理液を供給し、基板を処理する処理工程と、
洗浄液を前記上流端に供給し、前記液供給部に洗浄液を流し、前記液供給部を洗浄する洗浄工程と、
を備え、
前記洗浄工程では、前記第1弁は、第1大開度と前記第1大開度よりも小さな第1小開度の間で切り替わり、
前記第1小開度は、前記第1弁が閉じているときの前記第1弁の開度よりも大きい
基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate using a liquid supply unit, comprising:
The liquid supply unit includes:
a supply channel having an upstream end and a downstream end;
A first pump provided in the supply path;
a first valve provided in the supply passage and arranged upstream of the first pump;
A nozzle connected to the downstream end;
Equipped with
The substrate processing method includes:
a processing step of supplying a processing liquid to the upstream end and supplying the processing liquid from the liquid supply unit to a substrate to process the substrate;
a cleaning step of supplying a cleaning liquid to the upstream end and causing the cleaning liquid to flow through the liquid supply section to clean the liquid supply section;
Equipped with
In the cleaning step, the first valve is switched between a first large opening degree and a first small opening degree smaller than the first large opening degree,
The substrate processing method, wherein the first small opening degree is larger than an opening degree of the first valve when the first valve is closed.
前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を吸い込み、
前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を吐き出す
基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1 ,
When the first valve is opened to the first large opening in the cleaning step, the first pump sucks in the cleaning liquid,
When the first valve is opened to the first small opening in the cleaning step, the first pump discharges the cleaning liquid.
前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を第1流量で吸い込み、かつ、洗浄液が前記第1弁を前記第1流量で通過することを前記第1弁は許容し、
前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1ポンプは洗浄液を第2流量で吐き出し、かつ、前記第1弁を通過する洗浄液の流量を前記第2流量未満に前記第1弁は制限する
基板処理方法。 3. The substrate processing method according to claim 2 ,
When the first valve is opened to the first large opening degree in the cleaning step, the first pump sucks in the cleaning liquid at a first flow rate, and the first valve allows the cleaning liquid to pass through the first valve at the first flow rate;
A substrate processing method, wherein when the first valve opens to the first small opening in the cleaning process, the first pump discharges the cleaning liquid at a second flow rate, and the first valve limits the flow rate of the cleaning liquid passing through the first valve to less than the second flow rate.
前記洗浄工程において前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記第1弁は、前記第1弁を通過する洗浄液の流量を、前記第2流量の20%以下に制限する
基板処理方法。 4. The substrate processing method according to claim 3 ,
When the first valve is opened to the first small opening in the cleaning step, the first valve limits a flow rate of the cleaning liquid passing through the first valve to 20% or less of the second flow rate.
前記第1弁は、
弁座と、
前記弁座に接触可能な弁体と、
前記弁座に対して前記弁体を移動させ、前記弁座と前記弁体との間の離隔距離を調整する電動モータと、
を備える
基板処理方法。 5. The substrate processing method according to claim 1 ,
The first valve is
A valve seat;
a valve body capable of contacting the valve seat;
an electric motor that moves the valve body relative to the valve seat to adjust a distance between the valve seat and the valve body;
A substrate processing method comprising:
前記第1弁が前記第1大開度で開くとき、前記離隔距離は400μm以上であり、
前記第1弁が前記第1小開度で開くとき、前記離隔距離は、5μmよりも大きく、かつ、100μmよりも小さい
基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 5 ,
When the first valve is opened to the first large opening degree, the separation distance is 400 μm or more;
When the first valve is opened to the first small opening, the separation distance is greater than 5 μm and smaller than 100 μm.
前記処理工程は、
前記第1弁から前記第1ポンプに前記供給路を通じて処理液を流す第1送り工程と、
前記第1ポンプから前記第1ポンプの下流に処理液を流す第2送り工程と、
を備え、
前記洗浄工程は、
前記第1弁から前記第1ポンプに前記供給路を通じて洗浄液を流す第1工程と、
前記第1ポンプから前記第1ポンプの下流に洗浄液を流す第2工程と、
を備え、
前記第1送り工程では、前記第1弁は開き、かつ、前記第1ポンプは処理液を吸い込み、
前記第2送り工程では、前記第1弁は閉じ、かつ、前記第1ポンプは処理液を吐き出し、
前記第1工程では、前記第1弁は前記第1大開度で開き、かつ、前記第1ポンプは洗浄液を吸い込み、
前記第2工程では、前記第1弁は前記第1小開度で開き、かつ、前記第1ポンプは洗浄液を吐き出す
基板処理方法。 7. The substrate processing method according to claim 1 ,
The processing step comprises:
a first feeding step of feeding a treatment liquid from the first valve to the first pump through the supply path;
a second sending step of sending a treatment liquid from the first pump to a downstream side of the first pump;
Equipped with
The washing step comprises:
a first step of flowing a cleaning liquid from the first valve to the first pump through the supply path;
a second step of flowing a cleaning liquid from the first pump downstream of the first pump;
Equipped with
In the first feeding step, the first valve is opened and the first pump sucks the processing liquid,
In the second feeding step, the first valve is closed and the first pump discharges the treatment liquid;
In the first step, the first valve is opened to the first large opening degree, and the first pump sucks in the cleaning liquid,
In the second step, the first valve is opened to the first small opening, and the first pump discharges the cleaning liquid.
前記液供給部は、
前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの下流側に配置される第2弁と、
を備え、
前記第1送り工程では、前記第2弁は閉じ、
前記第2送り工程では、前記第2弁は開き、
前記第1工程では、前記第1弁は前記第2弁よりも大きく開き、
前記第2工程では、前記第2弁は前記第1弁よりも大きく開く
基板処理方法。 8. The substrate processing method according to claim 7 ,
The liquid supply unit includes:
a second valve provided in the supply passage and disposed downstream of the first pump;
Equipped with
In the first feeding step, the second valve is closed,
In the second feeding step, the second valve is opened,
In the first step, the first valve is opened wider than the second valve,
In the second step, the second valve opens wider than the first valve.
前記第1工程では、前記第2弁は、前記第1弁よりも小さく開く
基板処理方法。 9. The substrate processing method according to claim 8 ,
In the first step, the second valve opens less than the first valve.
前記第1弁は、前記上流端と前記第1ポンプの間における前記供給路の第1部分に配置され、
前記液供給部は、
前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの下流側に配置される分岐部と、
前記供給路に設けられ、前記分岐部の下流側に配置される第2ポンプと、
前記供給路とは分離して設けられ、前記第2ポンプと前記第1ポンプとを連通する戻り路と、
前記分岐部に接続され、前記供給路から分岐する排出路と、
前記第1ポンプと前記分岐部の間における前記供給路の第2部分に設けられる第2弁と、
前記分岐部と前記第2ポンプの間における前記供給路の第3部分に設けられる第3弁と、
前記第2ポンプと前記下流端の間における前記供給路の第4部分に設けられる第4弁と、
前記戻り路に設けられる第5弁と、
前記排出路に設けられる排出弁と、
を備え、
前記処理工程は、
前記上流端から前記第1ポンプに前記第1部分を通じて処理液を流す第1送り工程と、
前記第1ポンプから前記第2ポンプに前記第2部分および前記第3部分を通じて処理液を流す第2送り工程と、
前記第2ポンプから前記第1ポンプに前記戻り路を通じて処理液を逆流させる戻り工程と、
前記第2ポンプから前記ノズルに第4部分を通じて処理液を流す第3送り工程と、
を備え、
前記洗浄工程は、
前記上流端から前記分岐部まで前記第1部分および前記第2部分を通じて洗浄液を流し、かつ、前記分岐部から前記排出路に洗浄液を排出する第1洗浄工程と、
前記上流端から前記第1ポンプまで前記第1部分を通じて洗浄液を流し、前記第1ポンプから前記第2ポンプに前記戻り路を通じて洗浄液を流し、前記第2ポンプから前記分岐部に前記第3部分を通じて洗浄液を逆流させ、かつ、前記分岐部から前記排出路に洗浄液を排出する第2洗浄工程と、
前記上流端から前記ノズルまで、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分および前記第4部分を通じて、洗浄液を流す第3洗浄工程と、
を備える
基板処理方法。 7. The substrate processing method according to claim 1 ,
the first valve is disposed in a first portion of the supply line between the upstream end and the first pump;
The liquid supply unit includes:
a branch portion provided in the supply path and arranged downstream of the first pump;
a second pump provided in the supply path and disposed downstream of the branching portion;
a return path provided separately from the supply path and communicating between the second pump and the first pump;
a discharge passage connected to the branching portion and branching off from the supply passage;
a second valve disposed in a second portion of the supply line between the first pump and the branch;
a third valve provided in a third portion of the supply line between the branch portion and the second pump;
a fourth valve disposed in a fourth portion of the supply line between the second pump and the downstream end;
A fifth valve provided in the return path;
A discharge valve provided in the discharge path;
Equipped with
The processing step comprises:
a first feeding step of flowing a treatment liquid from the upstream end to the first pump through the first portion;
a second sending step of flowing a treatment liquid from the first pump to the second pump through the second portion and the third portion;
a return step of causing the treatment liquid to flow back from the second pump to the first pump through the return path;
a third sending step of flowing a treatment liquid from the second pump to the nozzle through a fourth portion;
Equipped with
The washing step comprises:
a first cleaning step of flowing a cleaning liquid through the first portion and the second portion from the upstream end to the branching portion and discharging the cleaning liquid from the branching portion to the discharge path;
a second cleaning step of flowing a cleaning liquid from the upstream end to the first pump through the first portion, flowing the cleaning liquid from the first pump to the second pump through the return path, backflowing the cleaning liquid from the second pump to the branching portion through the third portion, and discharging the cleaning liquid from the branching portion to the discharge path;
a third cleaning step of flowing a cleaning liquid from the upstream end to the nozzle through the first portion, the second portion, the third portion and the fourth portion;
A substrate processing method comprising:
前記洗浄工程では、前記第2弁は、第2大開度と前記第2大開度よりも小さな第2小開度の間で切り替わり、
前記洗浄工程では、前記第3弁は、第3大開度と前記第3大開度よりも小さな第3小開度の間で切り替わり、
前記洗浄工程では、前記第5弁は、第5大開度と前記第5大開度よりも小さな第5小開度の間で切り替わり、
第2小開度は、前記第2弁が閉じているときの第2弁の開度よりも大きく、
第3小開度は、前記第3弁が閉じているときの第3弁の開度よりも大きく、
第5小開度は、前記第5弁が閉じているときの第5弁の開度よりも大きい
基板処理方法。 11. The substrate processing method according to claim 10,
In the cleaning step, the second valve is switched between a second large opening degree and a second small opening degree smaller than the second large opening degree,
In the cleaning step, the third valve is switched between a third large opening degree and a third small opening degree smaller than the third large opening degree,
In the cleaning step, the fifth valve is switched between a fifth large opening degree and a fifth small opening degree smaller than the fifth large opening degree,
The second small opening is larger than the opening of the second valve when the second valve is closed,
the third small opening is greater than the opening of the third valve when the third valve is closed;
The fifth small opening degree is larger than the opening degree of the fifth valve when the fifth valve is closed.
前記第1洗浄工程では、前記第3弁は前記第3小開度で開き、かつ、前記第5弁は前記第5小開度で開き、
前記第2洗浄工程では、前記第2弁は前記第2小開度で開き、
前記第3洗浄工程では、前記第5弁は前記第5小開度で開く
基板処理方法。 12. The method of claim 11 , further comprising:
In the first cleaning step, the third valve is opened at the third small opening degree, and the fifth valve is opened at the fifth small opening degree,
In the second cleaning step, the second valve is opened at the second small opening degree,
In the third cleaning step, the fifth valve is opened at the fifth small opening.
前記分岐部は、
前記第2部分に接続される第1接続口と、
前記第3部分に接続される第2接続口と、
前記排出路に接続される第3接続口と、
を備え、
前記第1洗浄工程では、洗浄液は、前記第1接続口に流入し、前記第3接続口から流出し、
前記第2洗浄工程では、洗浄液は、前記第2接続口に流入し、前記第3接続口から流出し、
前記第3洗浄工程では、洗浄液は、前記第1接続口に流入し、前記第2接続口から流出する
基板処理方法。 13. The substrate processing method according to claim 10 ,
The branch portion is
A first connection port connected to the second portion;
A second connection port connected to the third portion;
A third connection port connected to the discharge path;
Equipped with
In the first cleaning step, a cleaning liquid flows into the first connection port and flows out from the third connection port,
In the second cleaning step, a cleaning liquid flows into the second connection port and flows out from the third connection port,
In the third cleaning step, a cleaning liquid flows into the first connection port and flows out from the second connection port.
洗浄液が前記第2部分から前記分岐部を経由して前記排出路に流れるとき、前記第3弁は前記第2弁および前記排出弁よりも小さく開き、
洗浄液が前記第3部分から前記分岐部を経由して前記排出路に流れるとき、前記第2弁は前記第3弁および前記排出弁よりも小さく開き、
洗浄液が前記第2部分から前記分岐部を経由して前記第3部分に流れるとき、前記第2弁および前記第3弁は前記排出弁よりも大きく開く
基板処理方法。 14. The substrate processing method according to claim 10 ,
When the cleaning liquid flows from the second portion through the branch portion to the discharge path, the third valve opens less than the second valve and the discharge valve;
When the cleaning liquid flows from the third portion through the branch portion to the discharge path, the second valve opens less than the third valve and the discharge valve;
When the cleaning liquid flows from the second portion to the third portion via the branch portion, the second valve and the third valve open wider than the exhaust valve.
前記分岐部は、フィルタである
基板処理方法。 15. The substrate processing method according to claim 10 ,
The branching portion is a filter.
前記第1洗浄工程では、前記第4弁は閉じ、
前記第2洗浄工程では、前記第4弁は閉じ、
前記第3洗浄工程では、前記第4弁は開く
基板処理方法。 16. The substrate processing method according to claim 10 ,
In the first cleaning step, the fourth valve is closed,
In the second cleaning step, the fourth valve is closed,
In the third cleaning step, the fourth valve is opened.
前記第2洗浄工程は、前記第1洗浄工程の後に実行され、
前記第3洗浄工程は、前記第2洗浄工程の後に実行される
基板処理方法。 17. The substrate processing method according to claim 10 ,
The second cleaning step is carried out after the first cleaning step ;
The third cleaning step is performed after the second cleaning step .
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持される基板に、処理液を供給する液供給部と、
前記液供給部を制御する制御部と、
を備え、
前記液供給部は、
上流端と下流端を有する供給路と、
前記供給路に設けられる第1ポンプと、
前記供給路に設けられ、前記第1ポンプの上流側に配置される第1弁と、
前記下流端に接続されるノズルと、
を備え、
前記液供給部を洗浄するための洗浄液を前記上流端に供給するとき、前記制御部は、第1大開度と前記第1大開度よりも小さな第1小開度との間で前記第1弁の開度を切り換え、
前記第1小開度は、前記第1弁が閉じているときの前記第1弁の開度よりも大きい
基板処理装置。 A substrate processing apparatus, comprising:
A substrate holder for holding a substrate;
a liquid supply unit that supplies a processing liquid to the substrate held by the substrate holder;
A control unit that controls the liquid supply unit;
Equipped with
The liquid supply unit includes:
a supply channel having an upstream end and a downstream end;
A first pump provided in the supply path;
a first valve provided in the supply passage and arranged upstream of the first pump;
A nozzle connected to the downstream end;
Equipped with
when supplying a cleaning liquid for cleaning the liquid supply unit to the upstream end, the control unit switches the opening degree of the first valve between a first large opening degree and a first small opening degree smaller than the first large opening degree;
The substrate processing apparatus, wherein the first small opening degree is larger than the opening degree of the first valve when the first valve is closed.
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