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JP7630262B2 - Ultraviolet irradiation equipment - Google Patents
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Description

本発明は、紫外線照射装置に関する。 The present invention relates to an ultraviolet irradiation device.

半導体デバイスチップの製造では、表面にデバイスを形成した基板の裏面を研削して薄化した後、切削等によって個々のデバイスチップに分割する。この際、ウェーハには、研削時にデバイスを保護し、分割時に分割されたチップがバラバラにならないように保持するための保護テープが貼着されている。 In the manufacture of semiconductor device chips, the backside of a substrate on which devices are formed is ground to thin it, and then it is separated into individual device chips by cutting or other methods. During this process, protective tape is attached to the wafer to protect the devices during grinding and to hold the separated chips together so that they do not fall apart when separated.

保護テープには、強力に固定されると共に、剥離時には貼着力が低減していることが望まれるため、紫外線によって糊層を硬化させることで貼着力を制御できる紫外線硬化型のUVテープが用いられることがある。UVテープは、例えば、特許文献1に開示されるような紫外線照射装置によって照射された紫外線が所定の積算光量に達すると、糊層が硬化して所定以下の貼着力になるよう設計されている。 Since it is desirable for protective tape to be strongly fixed and have a reduced adhesive strength when peeled off, ultraviolet-curing UV tape is sometimes used, which can control the adhesive strength by hardening the adhesive layer with ultraviolet light. UV tape is designed so that when the ultraviolet light irradiated by an ultraviolet light irradiation device such as that disclosed in Patent Document 1 reaches a predetermined cumulative light amount, the adhesive layer hardens and the adhesive strength becomes equal to or less than a predetermined level.

特開2007-329300号公報JP 2007-329300 A

ところで、紫外線の照射によってUVテープの粘着力を制御する際には、ウェーハ全面に一定の積算光量で照射することが必要とされる。しかしながら、例えば、ウェーハ全面に紫外線を同時に照射する紫外線照射装置は、多くのUVランプやUVLED等のUVライトが配置される光源を備える必要があるため、製造コストが高くなるという課題がある。また、例えば、UVライトを直線状に並べた棒状の光源でウェーハをスキャンさせる紫外線照射装置は、UVライトの仕様によっては、積算光量を達成させるためにUVライト同士の間隔を狭くする必要があるため、高温に発熱してしまうという課題がある。 When controlling the adhesive strength of a UV tape by irradiating it with ultraviolet light, it is necessary to irradiate the entire surface of the wafer with a constant cumulative light amount. However, for example, an ultraviolet irradiation device that simultaneously irradiates the entire surface of the wafer with ultraviolet light needs to be equipped with a light source in which many UV lamps, UV LEDs, or other UV lights are arranged, which raises the issue of high manufacturing costs. Also, for example, an ultraviolet irradiation device that scans a wafer with a rod-shaped light source in which UV lights are arranged in a straight line has the issue that, depending on the specifications of the UV lights, the spacing between the UV lights needs to be narrowed to achieve the cumulative light amount, which can result in high heat generation.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウェーハに照射される紫外線の積算光量が一定になるようにウェーハ全面に紫外線を照射することができる紫外線照射装置を提供することである。 The present invention was made in consideration of these problems, and its purpose is to provide an ultraviolet irradiation device that can irradiate ultraviolet rays onto the entire surface of a wafer so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated onto the wafer is constant.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の紫外線照射装置は、円板状のウェーハに紫外線硬化型の保護テープが貼着したウェーハユニットに紫外線を照射する紫外線照射装置であって、該ウェーハユニットを保持面で保持し、該保持面と垂直な回転軸で回転するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハユニットに対面し、ウェーハの中心から径方向外側に向かって広がる扇形の領域を覆う基台と、該基台に配置された複数のUVLEDと、を備える紫外線光源部と、を有し、該基台は、該チャックテーブルの回転軸上に位置する角と、該チャックテーブルの外縁部より径方向外側に位置する円弧部分とを有する扇形状であり、該紫外線光源部の該複数のUVLEDは、回転するウェーハユニットに照射される紫外線の積算光量が一定になるように、ウェーハの中心を起点にした渦巻き状の軌跡に対応して該基台に配置され、かつ該渦巻きに沿って隣り合うもの同士の該角を中心とした周方向の間隔が該角から該円弧部分に向かうにしたがって徐々に狭くなるように配置されることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, an ultraviolet irradiation device of the present invention is an ultraviolet irradiation device that irradiates ultraviolet rays onto a wafer unit having an ultraviolet-curable protective tape attached to a disk-shaped wafer, and includes a chuck table that holds the wafer unit with a holding surface and rotates on a rotation axis perpendicular to the holding surface, a base that faces the wafer unit held on the chuck table and covers a sector-shaped area spreading radially outward from the center of the wafer, and an ultraviolet light source unit including a plurality of UVLEDs arranged on the base, the base being sector-shaped having a corner located on the rotation axis of the chuck table and an arc portion located radially outward from the outer edge of the chuck table, the plurality of UVLEDs of the ultraviolet light source unit being arranged on the base in correspondence with a spiral trajectory starting from the center of the wafer so that the integrated light amount of ultraviolet rays irradiated onto the rotating wafer unit is constant , and being arranged such that the circumferential distance between adjacent ones along the spiral, centered on the corner, gradually narrows as it moves from the corner toward the arc portion .

本願発明は、ウェーハに照射される紫外線の積算光量が一定になるようにウェーハ全面に紫外線を照射することができる。 The present invention can irradiate the entire surface of a wafer with ultraviolet light so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated onto the wafer is constant.

図1は、実施形態に係る紫外線照射装置の照射対象であるウェーハユニットの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer unit that is an irradiation target of an ultraviolet irradiation device according to an embodiment. 図2は、実施形態に係る紫外線照射装置を模式的に一部断面で示す側面図である。FIG. 2 is a side view, partially in cross section, showing a schematic view of the ultraviolet irradiation device according to the embodiment. 図3は、図2に示す紫外線照射装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the ultraviolet irradiation device shown in FIG. 図4は、図2に示す紫外線照射装置の紫外線光源部の一例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing an example of an ultraviolet light source unit of the ultraviolet irradiation device shown in FIG.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 The following describes in detail the form (embodiment) for carrying out the present invention with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiment. The components described below include those that a person skilled in the art can easily imagine and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.

〔実施形態〕
本発明の実施形態に係る紫外線照射装置1を図面に基づいて説明する。まず、実施形態の紫外線照射装置1の照射対象であるウェーハユニット100の構成について説明する。図1は、実施形態に係る紫外線照射装置1の照射対象であるウェーハユニット100の一例を示す斜視図である。
[Embodiment]
An ultraviolet irradiation device 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, a configuration of a wafer unit 100 that is an object of irradiation by the ultraviolet irradiation device 1 according to the embodiment will be described. Fig. 1 is a perspective view showing an example of a wafer unit 100 that is an object of irradiation by the ultraviolet irradiation device 1 according to the embodiment.

図1に示すように、ウェーハユニット100は、ウェーハ110と、環状フレーム120と、保護テープ121と、を含む。ウェーハ110は、シリコン(Si)、サファイア(Al)、ガリウムヒ素(GaAs)または炭化ケイ素(SiC)等を基板111とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等のウェーハである。ウェーハ110は、基板111の表面112に形成される複数の分割予定ライン113と、格子状に交差する複数の分割予定ライン113によって区画された各領域に形成されるデバイス114とを有する。 1, the wafer unit 100 includes a wafer 110, an annular frame 120, and a protective tape 121. The wafer 110 is a disk-shaped semiconductor wafer, an optical device wafer, or the like, with silicon (Si), sapphire (Al 2 O 3 ), gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), or the like, serving as a substrate 111. The wafer 110 has a plurality of planned division lines 113 formed on a surface 112 of the substrate 111, and devices 114 formed in each region partitioned by the plurality of planned division lines 113 intersecting in a lattice pattern.

デバイス114は、例えば、IC(Integrated Circuit)、あるいやLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、あるいはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサ、またはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等である。デバイス114が形成された表面112と反対側に位置するウェーハ110の裏面115は、例えば、研削装置によって仕上げ厚さまで研削される。ウェーハ110は、例えば、薄化された後、切削ブレードによる切削加工やレーザー光線によるレーザー加工等によって分割予定ライン113に沿って分割されて、個々のデバイスチップに個片化される。 The devices 114 are, for example, integrated circuits such as ICs (Integrated Circuits) or LSIs (Large Scale Integration), image sensors such as CCDs (Charge Coupled Devices) or CMOSs (Complementary Metal Oxide Semiconductors), or MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). The back surface 115 of the wafer 110, which is opposite the front surface 112 on which the devices 114 are formed, is ground to a finishing thickness by, for example, a grinding device. After being thinned, the wafer 110 is divided along the intended division lines 113 by, for example, cutting with a cutting blade or laser processing with a laser beam, and is singulated into individual device chips.

環状フレーム120は、ウェーハ110の外径より大きな開口を有する。環状フレーム120は、金属や樹脂等の材質で構成される。保護テープ121は、外周が環状フレーム120の裏面側に貼着される。ウェーハ110は、環状フレーム120の開口の所定の位置に位置決めされ、表面112が保護テープ121の表面に貼着されることによって、環状フレーム120および保護テープ121に固定される。 The annular frame 120 has an opening larger than the outer diameter of the wafer 110. The annular frame 120 is made of a material such as metal or resin. The outer periphery of the protective tape 121 is attached to the back side of the annular frame 120. The wafer 110 is positioned at a predetermined position in the opening of the annular frame 120, and the surface 112 is attached to the surface of the protective tape 121, thereby fixing the wafer 110 to the annular frame 120 and the protective tape 121.

保護テープ121は、紫外線によって糊層を硬化させることで貼着力を制御できる紫外線硬化型のUVテープである。なお、UVは、「ultraviolet(紫外線)」を意味する。保護テープ121は、粘着性を有し、紫外線が照射されると硬化して粘着力が低下する性質の糊層を有する。保護テープ121は、例えば、合成樹脂により構成された基材層を有し、基材層の表面および裏面の少なくともいずれかに糊層が積層される。 The protective tape 121 is an ultraviolet-curing UV tape that can control the adhesive strength by curing the adhesive layer with ultraviolet light. Note that UV stands for "ultraviolet." The protective tape 121 has an adhesive layer that is adhesive and hardens when irradiated with ultraviolet light, reducing its adhesive strength. The protective tape 121 has a base layer made of, for example, a synthetic resin, and an adhesive layer is laminated on at least one of the front and back surfaces of the base layer.

次に、実施形態に係る紫外線照射装置1の構成を説明する。図2は、実施形態に係る紫外線照射装置1を模式的に一部断面で示す側面図である。図3は、図2に示す紫外線照射装置1の平面図である。図4は、図2に示す紫外線照射装置1の紫外線光源部20の一例を示す斜視図である。紫外線照射装置1は、円板状のウェーハ110に紫外線硬化型の保護テープ121が貼着したウェーハユニット100に紫外線を照射する装置である。紫外線照射装置1は、チャックテーブル10と、紫外線光源部20と、を有する。 Next, the configuration of the ultraviolet irradiation device 1 according to the embodiment will be described. FIG. 2 is a side view showing the ultraviolet irradiation device 1 according to the embodiment, in a schematic partial cross section. FIG. 3 is a plan view of the ultraviolet irradiation device 1 shown in FIG. 2. FIG. 4 is a perspective view showing an example of an ultraviolet light source unit 20 of the ultraviolet irradiation device 1 shown in FIG. 2. The ultraviolet irradiation device 1 is a device that irradiates ultraviolet light onto a wafer unit 100 in which an ultraviolet-curable protective tape 121 is attached to a disk-shaped wafer 110. The ultraviolet irradiation device 1 has a chuck table 10 and an ultraviolet light source unit 20.

チャックテーブル10は、ウェーハ110の裏面115側を保持面11で保持する。保持面11は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状である。保持面11は、実施形態において、水平方向と平行な平面である。保持面11は、例えば、真空吸引経路を介して真空吸引源と接続している。チャックテーブル10は、保持面11上に載置されたウェーハ110を吸引保持する。チャックテーブル10の周囲には、ウェーハ110を支持する環状フレーム120を挟持するクランプ部が複数配置されていてもよい。 The chuck table 10 holds the back surface 115 side of the wafer 110 with a holding surface 11. The holding surface 11 is disk-shaped and made of porous ceramics or the like. In the embodiment, the holding surface 11 is a flat surface parallel to the horizontal direction. The holding surface 11 is connected to a vacuum suction source, for example, via a vacuum suction path. The chuck table 10 holds the wafer 110 placed on the holding surface 11 by suction. A plurality of clamps may be arranged around the chuck table 10 to clamp an annular frame 120 that supports the wafer 110.

チャックテーブル10は、回転ユニット12により保持面11と垂直な回転軸13回りに回転自在である。回転ユニット12は、紫外線照射装置1の装置本体2に対して、チャックテーブル10を回転軸13回りに回転させる。ウェーハユニット100は、ウェーハ110の中心116が回転軸13に一致するように保持される。 The chuck table 10 can be rotated by the rotation unit 12 around a rotation axis 13 perpendicular to the holding surface 11. The rotation unit 12 rotates the chuck table 10 around the rotation axis 13 relative to the main body 2 of the ultraviolet irradiation device 1. The wafer unit 100 is held so that the center 116 of the wafer 110 coincides with the rotation axis 13.

紫外線光源部20は、チャックテーブル10の保持面11に保持されたウェーハユニット100に対して紫外線を照射する。紫外線光源部20は、装置本体2から立設した柱3に設置される。紫外線光源部20は、基台21と、複数のUVLED22と、複数の放熱孔23と、を備える。なお、LEDは、「Light Emitting Diode(発光ダイオード)」を意味する。 The ultraviolet light source unit 20 irradiates ultraviolet light onto the wafer unit 100 held on the holding surface 11 of the chuck table 10. The ultraviolet light source unit 20 is installed on a pillar 3 standing upright from the device main body 2. The ultraviolet light source unit 20 includes a base 21, a number of UVLEDs 22, and a number of heat dissipation holes 23. Note that LED stands for "Light Emitting Diode."

基台21は、装置本体2から立設した柱3に支持される略水平姿勢の板形状である。基台21は、チャックテーブル10に保持されたウェーハユニット100に対面し、ウェーハ110の中心116から径方向外側に向かって広がる扇形の領域117を覆う。基台21は、実施形態において、平面視で角24が約90°の扇形状である。基台21は、平面視において、角24がウェーハ110の中心116、すなわちチャックテーブル10の回転軸13上に位置し、円弧部分25がチャックテーブル10の外縁部より径方向外側に位置して、柱3に支持される。 The base 21 is a plate-like member in a substantially horizontal position supported by pillars 3 erected from the main body 2 of the apparatus. The base 21 faces the wafer unit 100 held on the chuck table 10, and covers a sector-shaped area 117 that spreads radially outward from the center 116 of the wafer 110. In the embodiment, the base 21 is sector-shaped with an angle 24 of approximately 90° in plan view. In plan view, the base 21 is supported by the pillars 3 with the angle 24 located at the center 116 of the wafer 110, i.e., on the rotation axis 13 of the chuck table 10, and the arc portion 25 located radially outward from the outer edge of the chuck table 10.

複数のUVLED22は、基台21に配置される。より詳しくは、UVLED22は、チャックテーブル10に保持されたウェーハユニット100のウェーハ110に紫外線を照射するように、チャックテーブル10に対面する基台21の下面側に配置される。複数のUVLED22は、回転ユニット12によって回転するチャックテーブル10上のウェーハユニット100に照射される紫外線の積算光量が一定になるように、平面視において、ウェーハ110の中心116を起点にした渦巻き状の軌跡に対応して基台21に配置される。複数のUVLED22は、回転ユニット12によって回転するチャックテーブル10上のウェーハユニット100に照射される紫外線の積算光量が一定になるように、前述した渦巻きに沿って隣り合うもの同士の間隔26が、角24から円弧部分25に向かうにしたがって徐々に狭くなるように配置される。 The UVLEDs 22 are arranged on the base 21. More specifically, the UVLEDs 22 are arranged on the underside of the base 21 facing the chuck table 10 so as to irradiate ultraviolet light onto the wafer 110 of the wafer unit 100 held on the chuck table 10. The UVLEDs 22 are arranged on the base 21 in a plan view corresponding to a spiral trajectory starting from the center 116 of the wafer 110 so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated onto the wafer unit 100 on the chuck table 10 rotated by the rotation unit 12 is constant. The UVLEDs 22 are arranged so that the interval 26 between adjacent ones along the above-mentioned spiral gradually narrows from the corner 24 toward the arc portion 25 so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated onto the wafer unit 100 on the chuck table 10 rotated by the rotation unit 12 is constant.

放熱孔23は、基台21のUVLED22が配置されていない部分に形成される貫通孔である。放熱孔23は、基台21を軽量化するとともにUVLED22による紫外線の照射によって発生する熱を外部に放出するための孔である。複数の放熱孔23は、実施形態において、UVLED22の渦巻き状の軌跡の径方向外側に沿って設けられる。なお、基台21のUVLED22が配置されている面(下面)とは反対側の面(上面)に、ヒートシンクが設けられてもよい。これにより、放熱効果をさらに向上させることができる。 The heat dissipation holes 23 are through holes formed in the portion of the base 21 where the UVLEDs 22 are not arranged. The heat dissipation holes 23 are holes for reducing the weight of the base 21 and dissipating heat generated by the irradiation of ultraviolet rays by the UVLEDs 22 to the outside. In the embodiment, the multiple heat dissipation holes 23 are provided along the radial outside of the spiral trajectory of the UVLEDs 22. Note that a heat sink may be provided on the surface (upper surface) of the base 21 opposite to the surface (lower surface) on which the UVLEDs 22 are arranged. This can further improve the heat dissipation effect.

以上説明したように、実施形態に係る紫外線照射装置1は、チャックテーブル10に保持されたウェーハユニット100に対面し、ウェーハ110の中心116から径方向外側に向かって広がる扇形の領域117を覆う基台21と、基台21に配置された複数のUVLED22と、を備える紫外線光源部20を有している。すなわち、複数のUVLED22は、ウェーハ110の中心116から径方向外側に向かって広がる扇形の領域117に対して紫外線を照射できるように配置され、ウェーハ110が回転することによって、ウェーハ110の全面に順次紫外線を照射する。これにより、少ないUVLED22でも効率的にウェーハ110の全面に紫外線を照射することができる。 As described above, the ultraviolet irradiation device 1 according to the embodiment has an ultraviolet light source unit 20 that faces the wafer unit 100 held on the chuck table 10 and includes a base 21 that covers a sector-shaped area 117 that spreads radially outward from the center 116 of the wafer 110, and a plurality of UVLEDs 22 arranged on the base 21. That is, the plurality of UVLEDs 22 are arranged so that they can irradiate ultraviolet light onto the sector-shaped area 117 that spreads radially outward from the center 116 of the wafer 110, and as the wafer 110 rotates, the entire surface of the wafer 110 is sequentially irradiated with ultraviolet light. This allows ultraviolet light to be efficiently irradiated onto the entire surface of the wafer 110 even with a small number of UVLEDs 22.

また、紫外線光源部20の複数のUVLED22は、回転するウェーハユニット100に照射される紫外線の積算光量が一定になるように、ウェーハ110の中心116を起点にした渦巻き状の軌跡に対応して基台21に配置される。このように、UVLED22同士の間隔26を空けつつ、扇形の領域にUVLED22を配置することによって、ウェーハ110を回転させる際に周速が異なるウェーハ110の中心116付近と外周付近とでも同様の積算光量で紫外線を照射できるという効果を奏する。 The UVLEDs 22 of the ultraviolet light source unit 20 are arranged on the base 21 in correspondence with a spiral trajectory starting from the center 116 of the wafer 110 so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated to the rotating wafer unit 100 is constant. In this way, by arranging the UVLEDs 22 in a sector-shaped region while leaving a space 26 between the UVLEDs 22, it is possible to irradiate ultraviolet light with a similar cumulative amount of light even near the center 116 and the outer periphery of the wafer 110, which have different peripheral speeds when the wafer 110 is rotated.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. In other words, the present invention can be implemented in various modifications without departing from the gist of the invention.

1 紫外線照射装置
10 チャックテーブル
11 保持面
13 回転軸
20 紫外線光源部
21 基台
22 UVLED
100 ウェーハユニット
110 ウェーハ
116 中心
117 領域
121 保護テープ
REFERENCE SIGNS LIST 1 Ultraviolet ray irradiation device 10 Chuck table 11 Holding surface 13 Rotation shaft 20 Ultraviolet ray light source unit 21 Base 22 UVLED
100 Wafer unit 110 Wafer 116 Center 117 Area 121 Protective tape

Claims (1)

円板状のウェーハに紫外線硬化型の保護テープが貼着したウェーハユニットに紫外線を照射する紫外線照射装置であって、
該ウェーハユニットを保持面で保持し、該保持面と垂直な回転軸で回転するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウェーハユニットに対面し、ウェーハの中心から径方向外側に向かって広がる扇形の領域を覆う基台と、該基台に配置された複数のUVLEDと、を備える紫外線光源部と、
を有し、
該基台は、該チャックテーブルの回転軸上に位置する角と、該チャックテーブルの外縁部より径方向外側に位置する円弧部分とを有する扇形状であり、
該紫外線光源部の該複数のUVLEDは、回転するウェーハユニットに照射される紫外線の積算光量が一定になるように、ウェーハの中心を起点にした渦巻き状の軌跡に対応して該基台に配置され、かつ該渦巻きに沿って隣り合うもの同士の該角を中心とした周方向の間隔が該角から該円弧部分に向かうにしたがって徐々に狭くなるように配置される、紫外線照射装置。
An ultraviolet irradiation device that irradiates ultraviolet rays onto a wafer unit having a disk-shaped wafer with an ultraviolet-curable protective tape attached thereto,
a chuck table that holds the wafer unit on a holding surface and rotates on a rotation axis perpendicular to the holding surface;
an ultraviolet light source unit including a base that faces the wafer unit held on the chuck table and covers a sector-shaped area extending radially outward from the center of the wafer, and a plurality of UVLEDs arranged on the base;
having
the base is in a sector shape having a corner located on a rotation axis of the chuck table and an arc portion located radially outward from an outer edge of the chuck table,
The multiple UVLEDs of the ultraviolet light source section are arranged on the base in correspondence with a spiral trajectory starting from the center of the wafer so that the cumulative amount of ultraviolet light irradiated to the rotating wafer unit is constant, and are arranged such that the circumferential distance between adjacent ones along the spiral, centered on the corner, gradually narrows from the corner toward the arc portion .
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