JP7630322B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置に関する。

半導体装置を配線基板上に高密度に実装するために、配線基板上への表面実装を可能とした表面実装型パッケージがある。この表面実装型パッケージとしては、たとえば、ＭＡＰ（Mold Array Package）タイプのＳＯＮ（Small Outlined Non-leaded Package）およびＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）などが知られている。特許文献１には、ＭＡＰタイプのＱＦＮが適用された半導体装置が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体チップと、ダイパッドと、リードと、ボンディングワイヤと、封止樹脂と、を備えている。前記半導体チップは、前記ダイパッドにボンディングされている。前記リードは、前記ダイパッドの周囲に配置される。前記ボンディングワイヤは、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続する。前記封止樹脂は、前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを封止する。

特開２０１３－２３９７４０号公報

半導体装置の高性能化および高品質化は、半導体チップの高性能化および高品質化だけでなく、半導体装置のパッケージ構造の改変が求められる。

本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、半導体装置の高性能化および高品質化を図った半導体装置を提供することにある。

本開示の半導体装置は、厚さ方向に離間する素子主面および素子裏面を有し、前記素子主面に複数の主面電極が配置された半導体素子と、前記半導体素子が搭載されたダイパッド主面を有するダイパッドと、前記ダイパッドよりも前記厚さ方向に直交する第１方向の一方に配置された第１リードを含み、前記厚さ方向に見て前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、前記第１リードに接合された第１接続部材を含み、前記複数の主面電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数の接続部材と、前記半導体素子、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードの一部ずつ、および前記複数の接続部材を封止する樹脂部材と、を備えており、前記複数のリードは、各々の全体が前記厚さ方向に見て前記樹脂部材に重なり、且つ前記厚さ方向に見て前記樹脂部材の外縁に沿って配置されており、前記ダイパッドは、第１部、第２部、第３部および第４部を含み、前記ダイパッド主面は、前記第１部、前記第２部、前記第３部および前記第４部に跨っており、前記第１部は、前記ダイパッド主面と反対側を向く第１裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なり、前記第２部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記厚さ方向において前記第１裏面よりも前記ダイパッド主面側に位置する第２裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記第１部の外縁に繋がり、前記第３部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第３裏面を有し、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１部の一方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記一方側の端縁まで延びており、前記第４部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第４裏面を有し、前記第２方向において前記第１部の他方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記他方側の端縁まで延びている。

本開示の半導体装置によれば、半導体装置の高性能化および高品質化を図ることができる。

図１は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図（裏側）である。 図２は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す平面図である。 図３は、図２の平面図において樹脂部材を透過させた図である。 図４は、図３の一部（第１リード）を拡大した図である。 図５は、図３の一部（第２リード）を拡大した図である。 図６は、図３の平面図において複数の接続部材を省略した図である。 図７は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す底面図である。 図８は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す正面図である。 図９は、第１実施形態にかかる半導体装置を示す側面図（右側面図）である。 図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図４のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１４は、図４のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 図１５は、図５のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。 図１６は、第２実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図１７は、第３実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図１８は、第４実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図１９は、第５実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図２０は、第６実施形態にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図２１は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させ且つ複数の接続部材を省略した図である。 図２２は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す断面図であり、図１０の断面に対応する。 図２３は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させた図である。 図２４は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させた図である。 図２５は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させた図である。 図２６は、本開示の変形例にかかる半導体装置を示す平面図であり、樹脂部材を透過させた図である。 図２７は、本開示の変形例にかかる第１リードを示す要部拡大断面図である。

本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の要素については、同じ符号を付して重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

図１～図１５は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１を示している。半導体装置Ａ１は、半導体素子１、樹脂部材２、ダイパッド３、複数のリード４、複数の第３リード４３および複数の接続部材７を備えている。複数のリード４は、複数の第１側方リード４１および複数の第２側方リード４２を含みつつ、第１リード５および第２リード６を含む。複数の接続部材７は、複数の第１接続部材７１および複数の第２接続部材７２を含む。図６においては、半導体素子１を想像線で示している。図３～図６においては、樹脂部材２を想像線で示している。

説明の便宜上、半導体素子１、樹脂部材２、ダイパッド３および複数のリード４の各々の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」という。厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。また、以下の説明において、「平面視」とは、厚さ方向ｚに沿って見たときをいう。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｙ」という。第１方向ｙは、半導体装置Ａ１の平面図（図２および図３参照）における上下方向である。厚さ方向ｚおよび第１方向ｙに直交する方向を「第２方向ｘ」という。第２方向ｘは、半導体装置Ａ１の平面図（図２および図３参照）における左右方向である。

半導体装置Ａ１は、表面実装型パッケージである。半導体装置Ａ１のパッケージ構造は、たとえばＭＡＰタイプのＱＦＮである。半導体装置Ａ１は、平面視矩形状である。半導体装置Ａ１は、第１方向ｙの寸法がたとえば３ｍｍ以上１２ｍｍ以下であり、第２方向ｘの寸法がたとえば３ｍｍ以上１２ｍｍ以下である。また、半導体装置Ａ１は、厚さ方向ｚの寸法がたとえば０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。

半導体素子１は、半導体装置Ａ１の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子１は、平面視矩形状である。半導体素子１は、たとえば集積回路素子であるが、能動機能素子あるいは受動機能素子などであってもよい。本実施形態では、半導体素子１は、電力用ＩＣであり、図３に示すように、パワー部１０１および制御回路部１０２を含む。パワー部１０１は、トランジスタなどのパワー素子を含む。制御回路部１０２は、パワー部１０１のパワー素子を制御するための制御回路である。図３に示す例では、平面視において、パワー部１０１は、制御回路部１０２よりも第１方向ｙの一方側（図３における下側）に配置されている。半導体素子１は、パワー部１０１および制御回路部１０２を備える構成に限定されず、パワー部１０１および制御回路部１０２のいずれかのみを備えていてもよい。

半導体素子１は、図１０～図１２に示すように、素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂを有する。素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂは、厚さ方向ｚに離間しており、且つ、互いに反対側を向く。素子主面１０ａは、厚さ方向ｚ上方を向き、素子裏面１０ｂは、厚さ方向ｚ下方を向く。

半導体素子１は、図１０および図１１に示すように、素子主面１０ａに複数の主面電極１１が配置されている。図３に示すように、複数の主面電極１１は、複数の第１主面電極１２および複数の第２主面電極１３を含む。複数の第１主面電極１２はそれぞれ、パワー部１０１に導通する。複数の第２主面電極１３はそれぞれ、制御回路部１０２に導通する。複数の主面電極１１（複数の第１主面電極１２および複数の第２主面電極１３）の数、配置、形状および平面視寸法は、図３に示す例示に限定されず、用いられる半導体素子１に応じて、適宜変化する。

半導体素子１は、たとえば接合材（図示略）によって、ダイパッド３に接合されている。この接合材は、絶縁性であってもよいし、導電性であってもよい。ただし、半導体素子１の素子裏面１０ｂに電極が配置されている場合には、半導体素子１は、導電性の接合材によってダイパッド３に接合され、当該導電性の接合材を介して、素子裏面１０ｂに配置された電極とダイパッド３とが導通する。

樹脂部材２は、半導体素子１を保護する封止材である。樹脂部材２は、絶縁性の樹脂材料により構成される。当該樹脂材料は、たとえば黒色のエポキシ樹脂である。樹脂部材２は、たとえば、半導体素子１、ダイパッド３の一部、複数のリード４の一部ずつ、複数の第３リード４３の一部ずつ、および、複数の接続部材７を覆っている。樹脂部材２は、平面視において矩形状である。樹脂部材２は、樹脂主面２１、樹脂裏面２２、一対の第１樹脂側面２３および一対の第２樹脂側面２４を有する。

樹脂主面２１および樹脂裏面２２は、図８～図１２に示すように、厚さ方向ｚに離間しており、且つ、互いに反対側を向く。樹脂主面２１は、厚さ方向ｚ上方を向き、樹脂裏面２２は、厚さ方向ｚ下方を向く。

一対の第１樹脂側面２３および一対の第２樹脂側面２４はそれぞれ、樹脂主面２１および樹脂裏面２２の両方に繋がっており、厚さ方向ｚにおいてこれらに挟まれている。一対の第１樹脂側面２３および一対の第２樹脂側面２４はそれぞれ、樹脂裏面２２から起立しており、図示された例では直立している。一対の第１樹脂側面２３は、第１方向ｙに離間しており、略平行に配置される。一対の第１樹脂側面２３は、互いに反対側を向く。一対の第２樹脂側面２４は、第２方向ｘに離間しており、略平行に配置される。一対の第２樹脂側面２４は、互いに反対側を向く。図２および図３に示すように、平面視における樹脂部材２の外縁２０は、一対の第１樹脂側面２３および一対の第２樹脂側面２４に重なる。

ダイパッド３は、半導体素子１が搭載される。ダイパッド３は、平面視矩形状である。ダイパッド３は、平面視において、半導体装置Ａ１の中央に位置する。ダイパッド３は、たとえば銅または銅合金により構成される。

ダイパッド３は、図１０～図１２に示すように、ダイパッド主面３０ａを有する。また、ダイパッド３は、図６、図７および図１０～図１２に示すように、第１部３１、第２部３２、第３部３３および第４部３４を含む。

ダイパッド主面３０ａは、図１０～図１２に示すように、厚さ方向ｚの一方（上方）を向く。つまり、ダイパッド主面３０ａは、素子主面１０ａと同じ方向を向く。ダイパッド主面３０ａは、半導体素子１が搭載されており、素子裏面１０ｂに対向する。図６および図１０～図１２から理解されるように、ダイパッド主面３０ａは、第１部３１、第２部３２、第３部３３および第４部３４に跨っている。ダイパッド主面３０ａは、第１部３１の上面、第２部３２の上面、第３部３３の上面および第４部３４の上面により構成されている。ダイパッド主面３０ａには、たとえば素地上にＮｉ層およびＡｇ層の順にめっき処理が施されているが、これらのめっき処理が施されていなくてもよいし、他の導電性材料によるめっき処理が施されていてもよい。

図６および図７に示すように、平面視におけるダイパッド主面３０ａの外縁３０１は、一対の端縁３０１ａおよび一対の端縁３０１ｂを有する。一対の端縁３０１ａは、第１方向ｙに離間し、互いに略平行である。一対の端縁３０１ａは、各々が第２方向ｘに延びる。一対の端縁３０１ｂは、第２方向ｘに離間し、互いに略平行である。一対の端縁３０１ｂは、各々が第１方向ｙに延びる。

図６および図１０に示すように、ダイパッド主面３０ａは、一対の開口部３０２を含む。一対の開口部３０２の一方（第２方向ｘの一方側の開口部３０２）は、たとえば、平面視において第１部３１と第３部３３との境界に重なるように形成されている。なお、当該開口部３０２は、第１部３１と第３部３３との境界ではなく、第２方向ｘにおいてこの境界から第１部３１側または第３部３３側のいずれかにずれていてもよい。一対の開口部３０２の他方（第２方向ｘの他方側の開口部３０２）は、たとえば、平面視において第１部３１と第４部３４との境界に重なるように形成されている。なお、当該開口部３０２は、第１部３１と第４部３４との境界ではなく、第２方向ｘにおいてこの境界から第１部３１側または第４部３４側のいずれかにずれていてもよい。図６などに示す例では、各開口部３０２は、平面視において、第１方向ｙに延びる線状に形成されている。この例とは異なり、各開口部３０２は、第１部３１と第３部３３との境界および第１部３１と第４部３４との境界のそれぞれにおいて、ドット状に形成された複数の開口部３０２が第１方向ｙに沿って配置されていてもよい。

第１部３１は、半導体素子１が搭載される部位である。図３および図６などに示すように、第１部３１は、平面視において半導体素子１に重なる。第１部３１は、平面視矩形状である。第１部３１は、平面視において、ダイパッド３の中央に位置する。第１部３１は、平面視において、図７および図１０～図１２に示すように、第１部３１は、裏面３１ａを有する。裏面３１ａは、厚さ方向ｚにおいて、ダイパッド主面３０ａと反対側を向く。図１０～図１２に示すように、裏面３１ａは、樹脂裏面２２と面一であり、樹脂部材２（樹脂裏面２２）から露出する。第１部３１は、平面視において矩形状である。第１部３１の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿うダイパッド主面３０ａから裏面３１ａまでの距離は、たとえば０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。裏面３１ａが、特許請求の範囲に記載の「第１裏面」に相当する。

図６および図７に示すように、平面視における第１部３１の外縁３１０は、一対の端縁３１０ａおよび一対の端縁３１０ｂを含む。一対の端縁３１０ａは、第１方向ｙに離間し、互いに略平行である。一対の端縁３１０ａは、各々が第２方向ｘに延びる。一対の端縁３１０ａは、一対の端縁３０１ａ（ダイパッド主面３０ａ）に平行する。一対の端縁３１０ｂは、第２方向ｘに離間し、互いに略平行である。一対の端縁３１０ｂは、各々が第１方向ｙに延びる。一対の端縁３１０ｂは、一対の端縁３０１ｂ（ダイパッド主面３０ａ）に平行する。

第２部３２は、図６および図７に示すように、平面視において、第１部３１の周囲に配置され、第１部３１の外縁３１０に繋がる。図１１および図１２に示すように、第２部３２は、裏面３２ａを有する。裏面３２ａは、ダイパッド主面３０ａと反対側を向く。図１１および図１２に示すように、裏面３２ａは、厚さ方向ｚにおいて、裏面３１ａよりもダイパッド主面３０ａ側に位置する。また、裏面３２ａは、樹脂部材２に覆われている。第２部３２の裏面３２ａが樹脂部材２で覆われていることにより、樹脂部材２からのダイパッド３の抜けが抑制される。第２部３２は、ダイパッド３の厚さ方向ｚの他方（下方）から薄肉化された部位である。この薄肉化は、たとえばエッチング（ハーフエッチング）により処理されるが、プレス加工であってもよい。第２部３２の厚み（厚さ方向ｚの寸法）は、たとえば第１部３１の厚み（厚さ方向ｚの寸法）の半分程度である。第２部３２の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿うダイパッド主面３０ａから裏面３２ａまでの距離は、たとえば０．０７５ｍｍ以上０．１２５ｍｍ以下である。裏面３２ａが、特許請求の範囲に記載の「第２裏面」に相当する。

第３部３３および第４部３４はそれぞれ、図６および図７に示すように、平面視において、第１部３１の周囲に配置され、第１部３１の外縁３１０から延びる。第３部３３および第４部３４は、たとえば図６に示すように、平面視における第３部３３の中心と平面視における第４部３４との中心とを結ぶ線分Ｌ１が半導体素子１に重なるように、第１部３１の周囲に配置される。当該線分Ｌ１は、平面視における半導体素子１の中心に重なることが好ましい。

第３部３３は、第１部３１の一対の端縁３１０ｂの一方から延びており、ダイパッド主面３０ａの一対の端縁３０１ｂの一方まで延びている。図示された例では、第３部３３は、一対の端縁３１０ｂの一方の第１方向ｙ中央部に繋がっている。図１０に示すように、第３部３３は、裏面３３ａを有する。裏面３３ａは、ダイパッド主面３０ａと反対側を向く。図１０に示すように、裏面３３ａは、厚さ方向ｚにおいて、裏面３１ａと面一である。また、裏面３３ａは、樹脂裏面２２と面一であり、樹脂部材２（樹脂裏面２２）から露出する。第３部３３の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿うダイパッド主面３０ａから裏面３３ａまでの距離は、第１部３１の厚さ方向ｚの寸法と同じである。裏面３３ａが、特許請求の範囲に記載の「第３裏面」に相当する。

第４部３４は、第１部３１の一対の端縁３１０ｂの他方から延びており、ダイパッド主面３０ａの一対の端縁３０１ｂの他方まで延びている。図示された例では、第４部３４は、一対の端縁３１０ｂの他方の第１方向ｙ中央部に繋がっている。図１０に示すように、第４部３４は、裏面３４ａを有する。裏面３４ａは、ダイパッド主面３０ａと反対側を向く。図１０に示すように、裏面３４ａは、厚さ方向ｚにおいて、裏面３１ａと面一である。また、裏面３４ａは、樹脂裏面２２と面一であり、樹脂部材２（樹脂裏面２２）から露出する。第４部３４の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿うダイパッド主面３０ａから裏面３４ａまでの距離は、第１部３１の厚さ方向ｚの寸法および第３部３３の厚さ方向ｚの寸法と同じである。裏面３４ａが、特許請求の範囲に記載の「第４裏面」に相当する。

図６および図７に示すように、第３部３３は、テーパー部３３１および帯状部３３２を含み、第４部３４は、テーパー部３４１および帯状部３４２を含む。テーパー部３３１，３４１は、第１部３１の外縁３１０（一対の端縁３１０ｂ）に繋がる。帯状部３３２，３４２は、テーパー部３３１，３４１からダイパッド主面３０ａの外縁３０１（一対の端縁３０１ｂ）まで延びる。帯状部３３２，３４２は、たとえば平面視矩形状である。平面視において第３部３３および第４部３４が一対の端縁３１０ｂから延びる例では、各開口部３０２の第１方向ｙの両端は、第２方向ｘに見て、帯状部３３２，３４２に重なる。平面視における各開口部３０２の長さｄ３０２（図６参照）は、たとえば０．３ｍｍ以上４．０ｍｍ以下である。当該長さｄ３０２は、一対の端縁３１０ａが延びる方向（第１方向ｙ）における各開口部３０２の寸法である。当該長さｄ３０２は、たとえば各帯状部３３２，３４２の幅（一対の端縁３１０ａが延びる方向の寸法）以下である。テーパー部３３１，３４１は、平面視において、一対の端縁３１０ａから各帯状部３３２、３４２に向かうほど、幅が狭くなる。半導体装置Ａ１における当該幅は、第１方向ｙに沿う寸法である。なお、図６および図７などに示す例とは異なり、第３部３３は、テーパー部３３１を含まず、帯状部３３２により構成されていてもよい。この場合、平面視において、帯状部３３２が第１部３１の外縁３１０（一対の端縁３１０ｂの一方）からダイパッド主面３０ａの外縁３０１（一対の端縁３０１ｂの一方）まで延びる。同様に、第４部３４は、テーパー部３４１を含まず帯状部３４２により構成されていてもよい。この場合、平面視において、帯状部３４２が第１部３１の外縁３１０（一対の端縁３１０ｂの他方）からダイパッド主面３０ａの外縁３０１（一対の端縁３０１ｂの他方）まで延びる。

ダイパッド３は、複数の凹部３５を含む。図１０に示すように、各凹部３５は、ダイパッド主面３０ａから厚さ方向ｚに窪んでいる。図１０に示すように、各凹部３５は、一対の開口部３０２のいずれかを含んでおり、一対の開口部３０２のいずれかから厚さ方向ｚの他方（下方）に延びる。複数の凹部３５および一対の開口部３０２はそれぞれ、たとえばエッチングにより形成される。これらは、エッチングではなく、スタンピングと呼ばれるプレス加工で形成されてもよいし、レーザ加工により形成されてもよい。たとえば、スタンピングで形成された場合、各凹部３５は、図１０に示すようなＵ字状の窪みではなく、Ｖ字状の窪みとなることもある。

ダイパッド３は、一対のクランプ痕３９が形成されている。一対のクランプ痕３９はそれぞれ、ダイパッド主面３０ａから厚さ方向ｚに窪んでいる。各クランプ痕３９は、後述するクランプ部材による押圧痕であり、ダイパッド主面３０ａからわずかに凹む傷状の形態を呈する。一対のクランプ痕３９は、第３部３３上および第４部３４上のそれぞれに１つ形成されている。たとえば、一対のクランプ痕３９は、平面視における第３部３３の中心、および、平面視における第４部３４の中心にそれぞれ形成されている。なお、ダイパッド３にクランプ痕３９が形成されていなくてもよい。

複数のリード４はそれぞれ、図１および図２に示すように、厚さ方向ｚに見て、その全体が樹脂部材２に重なる。複数のリード４は、図２に示すように、厚さ方向ｚに見て、樹脂部材２の外縁２０に沿って配置されている。複数のリード４はそれぞれ、図１に示すように、樹脂裏面２２から露出する。複数のリード４はそれぞれ、たとえば銅または銅合金により構成される。ダイパッド３と複数のリード４とは、たとえば１つのリードフレームから形成される。半導体装置Ａ１において、複数のリード４は、図１および図２に示すように、複数の第１側方リード４１および複数の第２側方リード４２を含む。

複数の第１側方リード４１は、図１～図３、図６および図７に示すように、第１方向ｙにおいてダイパッド３を挟んで配置される。複数の第１側方リード４１は、ダイパッド３に対して、第１方向ｙの一方（図２および図３の上側）に配置されたものと第１方向ｙの他方（図２および図３の下側）に配置されたものとがある。複数の第１側方リード４１は、ダイパッド３の第１方向ｙの両側のそれぞれにおいて、第２方向ｘに沿って配列されている。複数の第１側方リード４１はそれぞれ、一対の第１樹脂側面２３のいずれかから露出する。複数の第１側方リード４１は、一方の第１樹脂側面２３から露出するものと他方の第１樹脂側面２３から露出するものとがある。複数の第１側方リード４１はそれぞれ、一部が樹脂裏面２２から露出する。

複数の第２側方リード４２は、図１～図３、図６および図７に示すように、第２方向ｘにおいてダイパッド３を挟んで配置される。複数の第２側方リード４２は、ダイパッド３に対して、第２方向ｘの一方（図２および図３の右側）に配置されたものと第２方向ｘの他方（図２および図３の左側）に配置されたものとがある。複数の第２側方リード４２は、ダイパッド３の第２方向ｘの両側のそれぞれにおいて、第１方向ｙに沿って配列されている。複数の第２側方リード４２はそれぞれ、一対の第２樹脂側面２４のいずれかから露出する。複数の第２側方リード４２は、一方の第２樹脂側面２４から露出するものと他方の第２樹脂側面２４から露出するものとがある。複数の第２側方リード４２はそれぞれ、一部が樹脂裏面２２から露出する。

複数のリード４（複数の第１側方リード４１および複数の第２側方リード４２）は、第１リード５および第２リード６を含む。半導体装置Ａ１では、図３および図６に示すように、複数の第１側方リード４１は、２つの第１リード５および複数の第２リード６を含んでおり、複数の第２側方リード４２は、複数の第２リード６を含んでいる。

各第１リード５は、図２～図４および図１１に示すように、接続部材７（第１接続部材７１）を介して、半導体素子１の第１主面電極１２に導通する。図３に示すように、半導体装置Ａ１では、各第１リード５は、第１方向ｙにおいて、制御回路部１０２よりもパワー部１０１に近い側に配置されている。図４、図１１および図１３などに示すように、各第１リード５は、第１パッド面５０ａを有するとともに、複数の第１部５１および第２部５２を含む。

各第１リード５において、第１パッド面５０ａは、図１１に示すように、厚さ方向ｚの一方（上方）を向いており、素子主面１０ａと同じ方向を向く。第１パッド面５０ａには、接続部材７（第１接続部材７１）が接合されている。第１パッド面５０ａは、複数の第１部５１および第２部５２に跨っている。第１パッド面５０ａは、複数の第１部５１の各上面および第２部５２の上面により構成される。第１パッド面５０ａには、たとえば素地上にＮｉめっきが施されているが、めっき処理が施されていなくてもよい。第１パッド面５０ａは、図４に示すように、端縁５０１および端縁５０２を有する。

端縁５０１は、図４に示すように、厚さ方向ｚに見て、樹脂部材２の外縁２０（第１樹脂側面２３）に重なる。端縁５０１が延びる方向を「第１幅方向」という。複数の第１側方リード４１に含まれる各第１リード５では、第１幅方向は、第２方向ｘに一致する。なお、第１リード５が複数の第２側方リード４２に含まれる場合、この第２側方リード４２の第１リード５では、第１幅方向は、第１方向ｙに一致する。

端縁５０２は、図４に示すように、厚さ方向ｚに見て、端縁５０１に直交しつつ、端縁５０１からダイパッド３に向かって延びる。端縁５０２が延びる方向を「第１長さ方向」という。複数の第１側方リード４１に含まれる各第１リード５では、第１長さ方向は、第１方向ｙに一致する。なお、第１リード５が複数の第２側方リード４２に含まれる場合、この第２側方リード４２の第１リード５では、第１長さ方向は、第２方向ｘに一致する。

半導体装置Ａ１では、図４に示すように、各第１リード５の第１パッド面５０ａにおいて、端縁５０１は、端縁５０２よりも長い。端縁５０１の長さｄ１１は、たとえば０．７５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、端縁５０２の長さｄ１２は、たとえば０．３ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。端縁５０１の長さｄ１１および端縁５０２の長さｄ１２は、これらの値に限定されず、各第１リード５に接合する接続部材７（第１接続部材７１）の数に応じて適宜変更されうる。

第１パッド面５０ａは、図３、図４および図６に示すように、複数の開口部５０３を含む。図４などに示す例では、複数の開口部５０３はそれぞれ、平面視において線状に形成されている。この構成とは異なり、線状の開口部５０３の代わりに、ドット状の複数の開口部５０３が線状に配列された構成でもよい。複数の開口部５０３は、図４に示すように、一対の第１開口部５０３ａおよび複数の第２開口部５０３ｂを含む。

図４に示すように、一対の第１開口部５０３ａは、複数の開口部５０３のうち、第１幅方向（本実施形態では第２方向ｘ）の一方側および他方側のそれぞれにおいて、最も外側に位置する。一対の第１開口部５０３ａは、平面視において第１長さ方向（本実施形態では第１方向ｙ）に延びる線状である。複数の第２開口部５０３ｂは、第１幅方向（本実施形態では第２方向ｘ）において、一対の第１開口部５０３ａの間に位置する。複数の第２開口部５０３ｂは、平面視において第１幅方向（本実施形態では第２方向ｘ）に延びる線状である。

各第１リード５において、複数の第１部５１はそれぞれ、第１幅方向に配列されている。図７および図１３に示すように、複数の第１部５１はそれぞれ、裏面５１ａを有する。裏面５１ａは、第１パッド面５０ａと反対側を向く。裏面５１ａは、樹脂裏面２２と面一であり、樹脂部材２（樹脂裏面２２）から露出する。各第１部５１の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿う第１パッド面５０ａから裏面５１ａまでの距離は、たとえば０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。ダイパッド３と複数のリード４とが１つのリードフレームから形成される例では、各第１部５１の厚み（厚さ方向ｚの寸法）は、第１部３１の厚み（厚さ方向ｚ）と同じであることが望ましい。

各第１リード５において、複数の第１部５１は、図４に示すように、一対の外方部５１１および１つ以上の内方部５１２（半導体装置Ａ１では２つの内方部５１２）を含む。一対の外方部５１１は、第１幅方向（本実施形態では第２方向ｘ）の両端に位置する。内方部５１２は、第１幅方向において、一対の外方部５１１に挟まれている。接続部材７（第１接続部材７１）は内方部５１２に接合されている。平面視において、各内方部５１２の面積は、一対の外方部５１１の各面積よりも大きい。各内方部５１２の幅（第１幅方向に沿う寸法であり、本実施形態では第２方向ｘの寸法）は、たとえば、後述の第１接続部材７１の線径（直径）以上であり、１．０ｍｍ以下である。各内方部５１２の幅を第１接続部材７１の線径以上にすることで、平面視において第１接続部材７１の接合部分が内方部５１２からはみ出ることを抑制し、第１接続部材７１がぐらつくことを抑制できる。一方、各内方部５１２の幅を１．０ｍｍ以下にすることで、第２部５２の縮小化を抑制して、樹脂部材２からの各第１リード５の抜けを抑制できる。好ましくは、各内方部５１２の幅は、第１接続部材７１の線径の２倍程度である。

図４に示すように、半導体装置Ａ１では、上記する一対の第１開口部５０３ａの各々は、一対の外方部５１１の各々における第１パッド面５０ａに形成されている。各第１開口部５０３ａは、各外方部５１１のうち、第１幅方向（第２方向ｘ）において内方部５１２に近い側に形成されている。各第１開口部５０３ａは、平面視において、外方部５１１と第２部５２（たとえば後述の接続部５２１）との境界に形成されていてもよい。

各第１リード５において、第２部５２は、複数の第１部５１のそれぞれに繋がる。図１３に示すように、第２部５２は、第１リード５の裏面側から窪んでおり、第１部５１よりも薄い。第２部５２は、各第１リード５の厚さ方向ｚの他方（下方）から薄肉化された部位である。この薄肉化は、たとえばエッチング（ハーフエッチング）により処理されるが、プレス加工であってもよい。第２部５２は、裏面５２ａを有する。裏面５２ａは、第１パッド面５０ａと反対側を向く。裏面５２ａは、第１パッド面５０ａに対して略平行する面である。裏面５２ａは、厚さ方向ｚにおいて、裏面５１ａよりも第１パッド面５０ａ側に位置する。裏面５２ａは、樹脂部材２に覆われている。第２部５２の裏面５２ａが樹脂部材２で覆われていることにより、樹脂部材２からの各第１リード５の抜けが抑制される。各第２部５２の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿う第１パッド面５０ａから裏面５２ａまでの距離は、たとえば０．０７５ｍｍ以上０．１２５ｍｍ以下である。ダイパッド３と複数のリード４とが１つのリードフレームから形成される例では、各第１部５１の厚みが第１部３１の厚みと同じとき、各第２部５２の厚み（厚さ方向ｚの寸法）は、各第１部５１の厚みの半分程度であることが望ましい。

各第１リード５において、第２部５２は、図４に示すように、複数の接続部５２１および連結部５２２を含む。複数の接続部５２１はそれぞれ、複数の第１部５１のうちの第１幅方向（本実施形態では第２方向ｘ）に隣り合う２つに、それぞれ繋がり、これらに挟まれている。半導体装置Ａ１では、図４に示すように、複数の接続部５２１は、一方の外方部５１１とこれに隣接する内方部５１２との間、２つの内方部５１２の間、他方の外方部５１１とこれに隣接する内方部５１２との間のそれぞれに位置する。連結部５２２は、複数の接続部５２１に繋がる。連結部５２２は、平面視において帯状であり、第１幅方向に延びる。連結部５２２は、第１長さ方向（本実施形態では第１方向ｙ）において、複数の接続部５２１よりもダイパッド３側に位置する。なお、第２部５２は、連結部５２２を含まず、複数の接続部５２１により構成されてもよい。

図４に示すように、半導体装置Ａ１では、上記する複数の第２開口部５０３ｂの各々は、第２部５２における第１パッド面５０ａに形成されている。図４に示す例では、各第２開口部５０３ｂは、たとえば、平面視において、各接続部５２１と連結部５２２との境界に重なるように形成されている。この例と異なり、各第２開口部５０３ｂは、平面視において、各接続部５２１と連結部５２２との境界よりも、第１長さ方向（第１方向ｙ）のいずれかにずれていてもよい。

各第１リード５は、複数の凹部５５を含む。複数の凹部５５はそれぞれ、図１３および図１４に示すように、第１パッド面５０ａから厚さ方向ｚに窪んでいる。複数の凹部５５はそれぞれ、図１３および図１４に示すように、複数の開口部５０３（複数の第１開口部５０３ａおよび複数の第２開口部５０３ｂ）のいずれかを含んでおり、各開口部５０３から厚さ方向ｚに延びる。複数の凹部５５および複数の開口部５０３はそれぞれ、たとえばエッチングにより形成される。これらは、エッチングではなく、スタンピングと呼ばれるプレス加工で形成されてもよいし、レーザ加工により形成されてもよい。たとえば、スタンピングで形成された場合、各凹部５５は、図１３および図１４に示すようなＵ字状の窪みではなく、Ｖ字状の窪みとなることもある。

半導体装置Ａ１では、各第１リード５は、図４に示すように、切り欠き５０５が形成されている。平面視おいて、切り欠き５０５は、隣接する第３リード４３に沿って形成されており、且つ、隣接する第３リード４３に略平行である。

各第１リード５は、一対のクランプ痕５９が形成されている。一対のクランプ痕５９はそれぞれ、第１パッド面５０ａから厚さ方向ｚに窪んでいる。クランプ痕５９は、後述するクランプ部材による押圧痕であり、第１パッド面５０ａからわずかに凹む傷状の形態を呈する。一対のクランプ痕５９は、一対の外方部５１１にそれぞれ１つずつ形成されている。好ましくは、図４に示すように、各第１リード５において、各第１接続部材７１の接合部分は、平面視において、一対のクランプ痕５９を結ぶ線分Ｌ２に重なる。なお、各第１リード５にクランプ痕５９が形成されていなくてもよい。

第２リード６は、接続部材７（第２接続部材７２）を介して、半導体素子１の第２主面電極１３に導通する。図５、図１１および図１５などに示すように、各第２リード６は、第２パッド面６０ａを有するとともに、第１部６１および第２部６２を含む。

各第２リード６において、第２パッド面６０ａは、第１パッド面５０ａと同じ方向を向く。よって、第２パッド面６０ａは、厚さ方向ｚの一方（上方）を向く。第２パッド面６０ａには、接続部材７（第２接続部材７２）が接合されている。第２パッド面６０ａは、たとえば素地上にＮｉ層およびＡｇ層の順にめっき処理が施されているが、これらのめっき処理が施されていなくてもよいし、他の導電性材料によるめっき処理が施されていてもよい。第２パッド面６０ａは、図５に示すように、端縁６０１および端縁６０２を有する。

端縁６０１は、厚さ方向ｚに見て、樹脂部材２の外縁２０に重なる。端縁６０１が延びる方向を「第２幅方向」という。複数の第１側方リード４１における各第２リード６では、第２幅方向が第２方向ｘに一致し、複数の第２側方リード４２における各第２リード６では、第２幅方向が第１方向ｙに一致する。

端縁６０２は、厚さ方向ｚに見て、端縁６０１に直交しつつ、端縁６０１からダイパッド３に向かって延びる。端縁６０２が延びる方向を「第２長さ方向」という。複数の第１側方リード４１における各第２リード６では、第２長さ方向が第１方向ｙに一致し、複数の第２側方リード４２における各第２リード６では、第２長さ方向が第２方向ｘに一致する。図５に示すように、端縁６０１は、端縁６０２よりも短い。端縁６０１の長さｄ２１は、たとえば０．１５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、端縁６０２の長さｄ２２は、たとえば０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。

各第２リード６において、第１部６１は、図５および図１１に示すように、接続部材７（第２接続部材７２）が接合される。図１１に示すように、第１部６１は、裏面６１ａを有する。裏面６１ａは、第２パッド面６０ａと反対側を向く。裏面６１ａは、樹脂裏面２２と面一であり、樹脂部材２（樹脂裏面２２）から露出する。裏面６１ａの面積は、第１リード５の各内方部５１２の裏面５１ａの面積よりも小さい。第１部６１の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿う第２パッド面６０ａから裏面６１ａまでの距離は、たとえば０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下である。ダイパッド３と複数のリード４とが１つのリードフレームから形成される例では、各第１部６１の厚み（厚さ方向ｚの寸法）は、第１部３１の厚みと同じであることが望ましい。

各第２リード６において、第２部６２は、図５および図１１に示すように、第１部６１に繋がる。第２部６２は、図１１に示すように、第２リード６の裏面側から窪んでおり、第１部６１よりも薄い。第２部６２は、各第２リード６の厚さ方向ｚの他方（下方）から薄肉化された部位である。この薄肉化は、たとえばエッチング（ハーフエッチング）により処理されるが、プレス加工であってもよい。図１１に示すように、第２部６２は、裏面６２ａを有する。裏面６２ａは、第２パッド面６０ａと反対側を向く。裏面６２ａは、第２パッド面６０ａに略平行する面である。裏面６２ａは、厚さ方向ｚにおいて、裏面６１ａよりも第２パッド面６０ａ側に位置する。裏面６２ａは、樹脂部材２に覆われている。第２部６２の裏面６２ａが樹脂部材２で覆われていることにより、樹脂部材２からの各第２リード６の抜けが抑制される。第２部６２の厚さ方向ｚの寸法、つまり、厚さ方向ｚに沿う第２パッド面６０ａから裏面６２ａまでの距離は、たとえば０．０７５ｍｍ以上０．１２５ｍｍ以下である。ダイパッド３と複数のリード４とが１つのリードフレームから形成される例では、第１部６１の厚みが第１部３１の厚みと同じとき、第２部６２の厚み（厚さ方向ｚの寸法）は、第１部６１の厚みの半分程度であることが望ましい。

図３および図６に示すように、第１パッド面５０ａの面積は、第２パッド面６０ａの面積よりも大きい。本実施形態では、端縁５０２の長さｄ１２は、端縁６０２の長さｄ２２と略同じであり、端縁５０１の長さｄ１１は、端縁６０１の長さｄ２１よりも大きい。たとえば、端縁５０１の長さｄ１１は、端縁６０１の長さｄ２１の３倍以上２０倍以下である。

複数の第３リード４３は、図２、図３、図６および図７に示すように、平面視において、ダイパッド３の外縁（ダイパッド主面３０ａの外縁３０１）から樹脂部材２の外縁２０に向かって延びる。半導体装置Ａ１では、複数の第３リード４３はそれぞれ、平面視において、ダイパッド３の四隅から延び、樹脂部材２の四隅に向かって延びている。複数の第３リード４３はそれぞれ、ダイパッド３と一体的に形成されている。複数の第３リード４３はそれぞれ、ダイパッド３よりも厚さ方向ｚに沿う寸法が小さい。複数の第３リード４３はそれぞれ、厚さ方向ｚにおける両面が樹脂部材２に覆われている。複数の第３リード４３はそれぞれ、いわゆる吊りリードである。図１２および図１５に示すように、複数の第３リード４３はそれぞれ、厚さ方向ｚの両面が樹脂部材２に覆われている。各第３リード４３の上面（厚さ方向ｚの一方を向く面）は、ダイパッド主面３０ａと面一であり、各第３リード４３の下面（厚さ方向ｚの他方を向く面）は、第２部３２の裏面３２ａと面一である。各第３リード４３は、平面視において、樹脂部材２の外縁２０（一対の第１樹脂側面２３および一対の第２樹脂側面２４）に重なる端面が樹脂部材２から露出する。複数の第３リード４３はそれぞれ、たとえば銅または銅合金により構成される。

複数の接続部材７は、離間する２つの部位間を導通させる。複数の接続部材７はそれぞれ、複数の主面電極１１のいずれかと、複数のリード４のいずれかとをそれぞれ電気的に接続する。複数の接続部材７は、複数の第１接続部材７１および複数の第２接続部材７２を含む。

複数の第１接続部材７１はそれぞれ、たとえばボンディングワイヤであり、構成材料にアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。複数の第１接続部材７１はそれぞれ、複数の第１主面電極１２のいずれかと複数の第１リード５のいずれかとに接合され、これらを導通させる。各第１接続部材７１は、たとえばウェッジボンディングによって接合される。なお、各第１接続部材７１の材料および接合方法は、上述した例に限定されない。たとえば、各第１部６１の構成材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金ではなく、金もしくは金合金、または、銅もしくは銅合金を含んでいてもよい。また、各第１接続部材７１は、ボールボンディングによって接合されてもよい。さらに、複数の第１接続部材７１はそれぞれ、たとえばボンディングワイヤではなくボンディングリボンであってもよい。

複数の第２接続部材７２はそれぞれ、たとえばボンディングワイヤであり、構成材料に金もしくは金合金、または、銅もしくは銅合金を含む。複数の第２接続部材７２はそれぞれ、複数の第２主面電極１３のいずれかと複数の第２リード６のいずれかとに接合され、これらを導通させる。各第２接続部材７２は、たとえばボールボンディングによって接合される。なお、各第２接続部材７２の材料および接合方法は、上述した例に限定されない。

図２、図３および図１１に示す例では、複数の第１接続部材７１の各々は、たとえば複数の第２接続部材７２の各々よりも線径が大きいが、これに限定されない。

半導体装置Ａ１では、上述の通り、各第１接続部材７１は、ウェッジボンディングにより接合されている。当該ウェッジボンディングでは、第１接続部材７１を被接合対象（第１主面電極１２および第１リード５）に押し付けつつ、超音波振動を加えることで、第１接続部材７１と被接合対象とを接合する。このときの押圧力および超音波振動による被接合対象の揺動を抑制するために、クランプ部材で被接合対象を固定する。クランプ部材は、細い棒状に形成された先端部分があり、この先端部分で被接合対象を押さえることで、被接合対象を固定する。本実施形態では、各第１接続部材７１を、第１主面電極１２と第１リード５とに接合するので、上記クランプ部材により、ダイパッド３と第１リード５とを固定する。このとき、クランプ部材（の先端部分）でダイパッド３を押さえることで、クランプ部材の押圧力によって、一対のクランプ痕３９が形成される。また、クランプ部材（の先端部分）で第１リード５を押さえることで、クランプ部材の押圧力によって、一対のクランプ痕５９が形成される。なお、第２接続部材７２の接合時においても、第２接続部材７２を被接合対象（主面電極１１および第２リード６）に押し付けつつ、超音波振動を加えることがある。しかしながら、そのときの押圧力および超音波振動は、第１接続部材７１の接合に必要な押圧力および超音波振動よりも弱く、第２接続部材７２の接合時に、上記クランプ部材を用いる必要はない。なお、各第２接続部材７２の接合は、各第１接続部材７１の接合後に行われる。

半導体装置Ａ１の作用および効果は、次の通りである。

半導体装置Ａ１では、ダイパッド３は、ダイパッド主面３０ａを有し、且つ、第１部３１、第２部３２、第３部３３および第４部３４を含む。ダイパッド主面３０ａは、第１部３１、第２部３２、第３部３３および第４部３４に跨っている。第１部３１の裏面３１ａ、第３部３３の裏面３３ａおよび第４部３４の裏面３４ａは、面一であり、第２部３２の裏面３２ａは、裏面３１ａよりも厚さ方向ｚにおいてダイパッド主面３０ａ側に位置する。この構成では、第２部３２は、第１部３１よりも薄くなっており、第３部３３および第４部３４は、第１部３１と同じ厚さである。第１接続部材７１の接合時において、たとえばクランプ部材でダイパッド３（およびこれに搭載された半導体素子１）を固定することがある。このとき、クランプ部材は、半導体素子１が搭載された第１部３１の周囲を押さえることになる。半導体装置Ａ１と異なり、ダイパッド３に第３部３３および第４部３４がない半導体装置では、第１部３１の全周に第２部３２が配置されることになる。この場合、ダイパッド３の固定には、第２部３２をクランプ部材で押さえることになる。しかしながら、第２部３２は第１部３１よりも薄いことから、クランプ部材の押圧力により、ダイパッド３に変形および割れが生じる虞がある。このクランプ部材の押圧力によりダイパッド３が変形すると、ダイパッド３に搭載された半導体素子１が剥がれる可能性がある。そこで、半導体装置Ａ１では、第１部３１と同じ厚さの第３部３３および第４部３４を第１部３１の周囲に設けておくことで、第３部３３および第４部３４をクランプ部材で押さえることができる。したがって、半導体装置Ａ１は、ダイパッド３の変形および割れを抑制できるので、高品質化を図る上で好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、第１接続部材７１を第１主面電極１２に接合する際に、第３部３３および第４部３４をクランプ部材で固定することで、半導体素子１を固定する。そこで、半導体装置Ａ１では、第３部３３および第４部３４を、第２方向ｘにおいて、第１部３１を挟んで配置する。このとき、平面視において、第３部３３の中心と第４部３４の中心との結ぶ線分Ｌ１は、半導体素子１に重なる。この構成によると、ダイパッド３をクランプ部材で固定した場合に、半導体素子１を安定した姿勢で固定することができる。つまり、半導体装置Ａ１は、半導体素子１を適切に固定させる上で、好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、ダイパッド３のダイパッド主面３０ａは、一対の開口部３０２が形成されている。一対の開口部３０２は、たとえば、第１部３１と第３部３３との境界および第１部３１と第４部３４との境界に形成されている。この構成によると、一対の開口部３０２を参考に、第３部３３および第４部３４の位置、つまり、クランプ可能な領域を判断することが可能となる。たとえば、図６に示す例では、一対の開口部３０２を参考に、当該開口部３０２よりも外側の部分が、第３部３３および第４部３４の位置、つまり、クランプ可能な領域であると判断できる。

半導体装置Ａ１では、第３部３３は、テーパー部３３１を含み、第３部３３と第１部３１との境界部分には、開口部３０２が形成されている。ダイパッド３において、開口部３０２は、ダイパッド主面３０ａから厚さ方向ｚに窪んだ部分であり、第２部３２は、厚さ方向ｚの下方から窪んだ部分である。そのため、平面視において、開口部３０２と、当該開口部３０２に近接する第２部３２との距離を適度に確保しないと、ダイパッド３の剛性が低下する虞がある。そこで、半導体装置Ａ１では、第３部３３にテーパー部３３１を含ませることで、開口部３０２と、当該開口部３０２に近接する第２部３２との距離を適度に確保することが可能となり、ダイパッド３の剛性が低下することを抑制できる。このことは、第４部３４がテーパー部３４１を含む構成においても同様である。つまり、半導体装置Ａ１は、一対の開口部３０２を形成する上で、ダイパッド３の剛性低下の抑制に好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、複数のリード４は、第１リード５および第２リード６を含む。第１リード５は、第１接続部材７１が接合される第１パッド面５０ａを有し、第２リード６は、第２接続部材７２が接合される第２パッド面６０ａを有する。そして、厚さ方向ｚに見て、第１パッド面５０ａは、第２パッド面６０ａよりも大きい。この構成によると、第１リード５に、より多くの第１接続部材７１を接合したり、線径の大きい接続部材７を接合したりすることが可能となる。したがって、半導体素子１により大きな電流を流すことが可能となる。また、第１リード５は、第２リード６よりも大きくなることから、導電性が良好となる。よって、半導体装置Ａ１は、高性能化を図る上で好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、半導体素子１は、パワー部１０１および制御回路部１０２を含んでいる。パワー部１０１は、制御回路部１０２よりも相対的に大きな電流で動作することが多い。したがって、半導体装置Ａ１において、複数のリード４に第１リード５を設けることは、このような半導体素子１を搭載する上で、好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、第１リード５は、制御回路部１０２よりもパワー部１０１に近い位置に配置されている。この構成によると、半導体素子１の第１主面電極１２と第１リード５との距離を短くすることができるので、第１接続部材７１を接合する上で、好ましい配置となる。

半導体装置Ａ１では、複数の第１側方リード４１は第１リード５を含み、複数の第２側方リード４２は第１リード５を含んでいない。また、各第１接続部材７１は、各第１リード５と半導体素子１（各第１主面電極１２）とに、ウェッジボンディングにより接合されている。複数の第１側方リード４１の第１リード５と、半導体素子１（第１主面電極１２）とに、第１接続部材７１をウェッジボンディングする際、たとえばダイパッド３の第２方向ｘの両側の端部をクランプ部材で押さえる。このとき、クランプ部材は、たとえば、ダイパッド３の第２方向ｘの一方側の端部を、当該端部よりも第２方向ｘの一方側から押さえ、ダイパッド３の第２方向ｘの他方側の端部を、当該端部よりも第２方向ｘの他方側から押さえる。半導体装置Ａ１では、ダイパッド３の第２方向ｘの一方側の端部は、第３部３３であり、ダイパッド３の第２方向ｘの他方側の端部は、第４部３４である。このような押さえ方では、クランプ部材の配置よって、半導体素子１と複数の第２側方リード４２とを、第１接続部材７１で接続することが困難となる。そこで、半導体装置Ａ１では、複数の第２側方リード４２が第１リード５を含まない構成とすることで、各第１接続部材７１を複数の第２側方リード４２に接合する必要がなく、上記のような複数の第２側方リード４２への第１接続部材７１の接合が困難となる問題を抑制することが可能となる。換言すれば、このような問題を抑制するために、第３部３３および第４部３４は、第１部３１に対して、第１リード５を含まない複数の第２側方リード４２が配置された側に配置されている。

半導体装置Ａ１では、第１リード５は、各々が厚さ方向ｚにおいて第１パッド面５０ａと反対側を向き、且つ各々が樹脂裏面２２から露出する複数の第１露出面を有する。半導体装置Ａ１では、第１露出面は、各内方部５１２における裏面５１ａである。また、第２リード６は、厚さ方向ｚにおいて第２パッド面６０ａと反対側を向き、且つ樹脂裏面２２から露出する第２露出面を有する。半導体装置Ａ１では、第２露出面は、第１部６１の裏面６１ａである。そして、厚さ方向ｚに見て、各内方部５１２における裏面５１ａ（各第１露出面）は、裏面６１ａ（第２露出面）よりも大きい。この構成によると、半導体装置Ａ１を電子機器などの回路基板に実装した際、第１部５１の各内方部５１２の裏面５１ａと回路基板との接合面積が、第２リード６の裏面６１ａと回路基板との接合面積よりも大きくなる。したがって、半導体装置Ａ１は、第１リード５から回路基板への導電性を、第２リード６から回路基板への導電性よりも良好にすることができる。また、半導体装置Ａ１では、上述するように、第１リード５の第１パッド面５０ａが、第２リード６の第２パッド面６０ａよりも大きいことから、各内方部５１２における裏面５１ａを各裏面６１ａよりも大きくすることが容易となる。

半導体装置Ａ１では、第１リード５は、第１パッド面５０ａを有し、且つ、第１部５１および第２部５２を含む。第１パッド面５０ａは、第１部５１および第２部５２に跨っている。第２部５２の裏面５２ａは、厚さ方向ｚにおいて、第１部５１の裏面５１ａよりも第１パッド面５０ａ側に位置する。この構成では、第２部５２は、第１部５１よりも薄くなっている。そのため、第２部５２に第１接続部材７１を接合すると、第１リード５に変形および割れが生じる虞がある。これは、第１接続部材７１を接合する際、第１接続部材７１を第１リード５に押し付けるため、この押圧力が第１リード５に加わり、第１リード５に応力が発生するからである。また、第１接続部材７１の接合時に、クランプ部材で第１リード５を押さえつけ、第１リード５を固定することがある。このとき、クランプ部材で第２部５２を押さえると、クランプ部材の押圧力により、第１リード５に変形および割れが生じる虞がある。このクランプ部材の押圧力により第１リード５が変形すると、第１接続部材７１の接合に適度な接合強度を確保できない可能性がある。そこで、半導体装置Ａ１では、第１パッド面５０ａに複数の開口部５０３を形成することで、複数の開口部５０３を参考に、第１部５１の位置を判断することが可能となる。つまり、半導体装置Ａ１は、第１接続部材７１の接合に適した位置およびクランプ部材でのクランプに適した位置判断することができる。したがって、半導体装置Ａ１は、第１リード５の変形および割れを抑制できるので、高品質化を図る上で好ましいパッケージ構造である。

半導体装置Ａ１では、複数の開口部５０３は、複数の第１開口部５０３ａおよび複数の第２開口部５０３ｂを含む。この構成によると、複数の第１開口部５０３ａによって、クランプ部材で押さえる領域（一対の外方部５１１の位置）を判断し、複数の第２開口部５０３ｂによって、第１接続部材７１を接合する領域（内方部５１２の位置）を判断することができる。たとえば、図４などに示す例では、一対の第１開口部５０３ａを参考に、当該一対の第１開口部５０３ａの両外側の部分が、一対の外方部５１１の位置、つまり、クランプ可能な領域であると判断できる。また、たとえば、図４などに示す例では、複数の第２開口部５０３ｂを参考に、当該第２開口部５０３ｂよりも外側の部分が、接続部５２１（第２部５２）の位置、つまり、第１接続部材７１の接合が不適切な領域であると判断できる。

次に、本開示の半導体装置の他の実施の形態について、説明する。

図１６は、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２を示している。同図に示すように、半導体装置Ａ２は、第３部３３および第４部３４がそれぞれ、平面視において矩形状である。つまり、半導体装置Ａ２では、半導体装置Ａ１と比較すると、第３部３３がテーパー部３３１を含まず、第４部３４がテーパー部３４１を含んでいない。

半導体装置Ａ２においても、半導体装置Ａ１と同様の効果を奏する。ただし、半導体装置Ａ２では、第３部３３および第４部３４がテーパー部３３１，３４１を含まないので、各開口部３０２と、各開口部３０２に近接する第２部３２との距離が短くなりうる。そこで、ダイパッド３の剛性低下を抑制するために、第３部３３および第４部３４の幅（図１６において第２方向ｘの寸法）を大きくしたり、各開口部３０２の長さ（図１６において第２方向ｘの寸法）を小さくしたりするとよい。

図１７は、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３を示している。同図に示すように、半導体装置Ａ３は、ダイパッド３が２つの第３部３３および２つの第４部３４を含んでいる。２つの第３部３３は、ダイパッド３の第２方向ｘの一方側において、第１方向ｙに沿って配列されている。図１７に示す例では、２つの第３部３３は、一対の端縁３１０ｂの一方の、第１方向ｙの両端にそれぞれ繋がっている。同様に、２つの第４部３４は、ダイパッド３の第２方向ｘの他方側において、第１方向ｙに沿って配列されている。図１７に示す例では、２つの第４部３４は、一対の端縁３１０ｂの他方の、第１方向ｙの両端にそれぞれ繋がっている。

半導体装置Ａ３では、ダイパッド３をクランプ部材で固定する際、２つの第３部３３および２つの第４部３４の合計４箇所をクランプ部材で押さえることができる。

半導体装置Ａ３では、図１７に示すように、平面視において、第１部３１の各対角にそれぞれ配置された第３部３３と第４部３４とを結ぶ２つの線分Ｌ１がそれぞれ、半導体素子１に重なる。特に、平面視において、２つの線分Ｌ１の交点は、半導体素子１の中心部に重なっている。

半導体装置Ａ３においても、半導体装置Ａ１と同様の効果を奏する。半導体装置Ａ３では、ダイパッド３をクランプ部材で固定する際、４箇所をクランプ部材で押さえる。したがって、半導体装置Ａ３は、半導体装置Ａ１よりも、ダイパッド３（およびこれに搭載された半導体素子１）をより安定して固定する上で、適したパッケージ構造である。特に、平面視において、２つの線分Ｌ１の交点が半導体素子１の中心部に重なることで、半導体素子１の固定に適している。

第３実施形態においては、半導体装置Ａ３は、ダイパッド３が２つの第３部３３および２つの第４部３４を備えた例を示したが、第３部３３の数および第４部３４の数は、３つ以上であってもよい。

図１８は、第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４を示している。同図に示すように、半導体装置Ａ４は、第３部３３と第４部３４とが、第１方向ｙにおいて互いにずれて配置されている。図１８に示す例では、第３部３３は、一対の端縁３１０ｂの一方のうち、第１方向ｙの中央よりも第１方向ｙの他方側（図１８の下側）にずれている。一方、第４部３４は、一対の端縁３１０ｂの他方のうち、第１方向ｙの中央よりも第１方向ｙの一方側（図１８の上側）にずれている。

半導体装置Ａ４においても、同様の効果を奏することができる。半導体装置Ａ４から理解されるように、本開示の半導体装置は、第３部３３と第４部３４との位置関係は、第２方向ｘに見て、互いに重なるものに限定されない。

図１９は、第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５を示している。同図に示すように、半導体装置Ａ５は、第３部３３と第４部３４とが、第１方向ｙの一方または他方のいずれか寄りに配置されている。第１接続部材７１は、第１主面電極１２に接合されており、第１接続部材７１をウェッジボンディングする際の超音波振動は、第１主面電極１２から伝達される。そこで、半導体装置Ａ５では、各第１主面電極１２を基準に第３部３３および第４部３４が配置されている。図１９に示す例では、第３部３３と第４部３４とは、平面視においてこれらを結ぶ線分Ｌ１が、各第１主面電極１２に重なるように配置されている。

半導体装置Ａ５においても、同様の効果を奏することができる。半導体装置Ａ５から理解されるように、本開示の半導体装置は、第３部３３と第４部３４とがそれぞれ、各端縁３１０ａの第１方向ｙ中央部に繋がるものに限定されない。

図１７～図１９に示す例では、各第３部３３は、半導体装置Ａ２と同様に、テーパー部３３１を含まない構成である。この構成とは異なり、各半導体装置Ａ３～Ａ５において、各第３部３３は、半導体装置Ａ１と同様に、テーパー部３３１を含む構成であってもよい。図１７～図１９に示す例では、各第４部３４は、半導体装置Ａ２と同様に、テーパー部３４１を含まない構成である。この構成とは異なり、各半導体装置Ａ３～Ａ５において、各第４部３４は、半導体装置Ａ１と同様に、テーパー部３４１を含む構成であってもよい。

図２０は、第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６を示している。同図に示すように、半導体装置Ａ６は、第３部３３が、一対の端縁３１０ｂの一方の全長にわたって繋がっている。同様に、半導体装置Ａ６は、第４部３４が一対の端縁３１０ｂの他方の全長にわたって繋がっている。第３部３３および第４部３４はそれぞれ、第２方向ｘに見て、第１部３１に一致する。この構成では、第２部３２は、平面視において、第１部３１を挟んで、第１方向ｙの一方側と他方側とに配置される。半導体装置Ａ６のダイパッド３は、たとえば、当該ダイパッド３の平面視における第２方向ｘの対辺にそれぞれハーフエッチングを施さないことで形成される。

半導体装置Ａ６においても、半導体装置Ａ１と同様の効果を奏する。半導体装置Ａ６では、半導体装置Ａ１よりも、第３部３３および第４部３４の各平面視面積が大きい。つまり、半導体装置Ａ６は、半導体装置Ａ１よりも、ダイパッド３をクランプ部材で押さえるのに適切な領域が、拡大化される。これにより、半導体装置Ａ６では、クランプ部材で押さえる箇所をより多く設けたり、クランプ部材の先端部分をより大きくしたりして、ダイパッド３および半導体素子１をより安定して固定することが可能となる。なお、図２０には、一対の開口部３０２および一対のクランプ痕３９が、半導体装置Ａ１と同様に、形成された場合を示しているが、クランプ部材で押さえる箇所の増加、および、クランプ部材の先端部分の変更により、適宜変更されうる。

第１実施形態ないし第６実施形態では、各開口部３０２が、平面視において第１方向ｙに延びる線状である例を示した。この構成と異なり、各開口部３０２は、平面視において、ドット状であってもよい。この場合、第１部３１と第３部３３との境界、および、第１部３１と第４部３４との境界のそれぞれにおいて、複数の開口部３０２を第１方向ｙに沿って配置することが好ましい。たとえば、図２１は、半導体装置Ａ１において、先述の各境界に複数のドット状の開口部３０２が形成された例を示している。図２１に示す例では、先述の各境界において、３つの開口部３０２が形成され、３つの開口部３０２が第１方向ｙに沿って配列されている。各境界に形成される開口部３０２の数は、図２１に示す３つに限定されない。平面視において第３部３３および第４部３４が一対の端縁３１０ｂから延びる例では、先述の各境界において、複数の開口部３０２のうちの第１方向ｙの両端に位置する一対の開口部３０２はそれぞれ、第２方向ｘに見て、第３部３３（帯状部３３２）および第４部３４（帯状部３４２）に重なる。図２１に示す例であっても、複数の開口部３０２に基づいて、第３部３３および第４部３４の位置を判断できる。

第１実施形態ないし第６実施形態では、ダイパッド３に複数の凹部３５が形成された例を示したが、各凹部３５の代わりに貫通孔が形成されていてもよい。当該貫通孔は、ダイパッド主面３０ａに形成された各開口部３０２を含んで構成され、ダイパッド３を厚さ方向ｚに貫通する。たとえば、図２２は、開口部３０２を含む貫通孔３６が、ダイパッド３に形成された例を示している。図２２は、断面図であって、図１０の断面に対応する。

第１実施形態ないし第６実施形態において、複数のリード４における第１リード５および第２リード６の数、配置、および、大きさなどは、半導体素子１の構成に応じて、適宜変更されうる。半導体素子１の構成とは、パワー部１０１の数および配置、制御回路部１０２の数および配置、複数の主面電極１１（第１主面電極１２および第２主面電極１３）の数および配置などである。たとえば、図２３に示すように、複数の第１側方リード４１が第２リード６を含まず、複数の第１リード５を含んだ構成であってもよい。図２３に示す例では、たとえば、第１主面電極１２が半導体素子１の第１方向ｙの両側にそれぞれ配置されている際に、各第１主面電極１２から各第１リード５までの距離を短くできる。あるいは、図２４に示すように、複数の第１側方リード４１が、第１リード５および第２リード６を含み、且つ、複数の第２側方リード４２が、第１リード５および第２リード６を含んだ構成であってもよい。図２４に示す例では、たとえば、複数の第１主面電極１２が、平面視における半導体素子１の第１方向ｙの他方側（図中下側）に集約されて配置されている際に、各第１主面電極１２から各第１リード５までの距離を短くできる。さらに、半導体装置Ａ１（図３など参照）および図２３，２４に示す例では、一対の第１樹脂側面２３の一方に沿って２つの第１リード５が配列されているが、一対の第１樹脂側面２３または一対の第２樹脂側面２４のいずれか１つに沿って配列される第１リード５の数は、２つに限定されず、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、各半導体装置Ａ１～Ａ６は、１つの半導体素子１を備えていたが、この構成とは異なり、各半導体装置Ａ１～Ａ６が、複数の半導体素子１を備えていてもよい。たとえば、図２５は、２つの半導体素子１を備えた例を示している。図２５に示す例では、２つの半導体素子１は、パワー部１０１を含む半導体素子１Ａと、制御回路部１０２を含む半導体素子１Ｂとを含む。半導体素子１Ａは、たとえばトランジスタなどのパワー素子である。半導体素子１Ｂは、半導体素子１Ａのスイッチング動作を制御するドライバＩＣである。図２５に示す半導体装置では、半導体素子１Ａと半導体素子１Ｂとを導通させる第３接続部材７３を備えている。第３接続部材７３は、たとえばボンディングワイヤである。半導体素子１Ａから半導体素子１Ｂへの検出信号、および、半導体素子１Ｂから半導体素子１Ａへの、スイッチング動作を制御するための駆動信号は、当該第３接続部材７３を介して伝送される。図２５では、２つの半導体素子１を備えた例を示したが、半導体素子１の数は、３つ以上であってもよい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、各半導体装置Ａ１～Ａ６は、パッケージ構造がＭＡＰタイプのＱＦＮであったが、他のパッケージ構造（たとえばＭＡＰタイプのＳＯＮ）であってもよい。図２６は、パッケージ構造がＭＡＰタイプのＳＯＮである例を示している。図２６に示す半導体装置は、ＳＯＮパッケージであることから、複数のリード４が第２側方リード４２を含まない。このように、図２６に示す例から理解されるように、本開示の半導体装置は、ＱＦＮに限定されず、他のパッケージ構造に適用することが可能である。なお、図２６に示す例では、各半導体装置Ａ１～Ａ６と同様に、複数の第３リード４３は、平面視において、ダイパッド３の四隅から樹脂部材２の四隅に延びるように形成されている。この例と異なり、各第３リード４３がダイパッド３の四隅から第２方向ｘに平行するように延びていてもよい。あるいは、この例と異なり、２つの第３リード４３がダイパッド３の第３部３３および第４部３４からそれぞれ第２方向ｘに沿って延びていてもよい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、各半導体装置Ａ１～Ａ６は、複数の第３リード４３を備えていたが、この構成とは異なり、各半導体装置Ａ１～Ａ６が第３リード４３を備えていなくてもよい。このように第３リード４３を備えない構成は、上述する他の変形例（図２１～図２６）に適用することも可能である。

第１実施形態ないし第６実施形態では、第１リード５は、切り欠き５０５が形成されている例を示したが、この構成とは異なり、第１リード５に切り欠き５０５がなくてもよい。切り欠き５０５がない構成では、第１リード５は、たとえば平面視矩形状である。

第１実施形態ないし第６実施形態では、第１リード５に複数の凹部５５が形成された例を示したが、各凹部５５の代わりに貫通孔が形成されていてもよい。当該貫通孔は、第１パッド面５０ａに形成された各開口部５０３（第１開口部５０３ａまたは第２開口部５０３ｂ）を含んで構成され、第１リード５を厚さ方向ｚに貫通する。たとえば、図２７は、第２開口部５０３ｂを含む貫通孔５６が、第１リード５に形成された例を示している。図２７は、要部拡大断面図であって、図１４の断面に対応する。第２部５２は、第１リード５において厚さ方向ｚの下面からのハーフエッチングにより形成される。そのため、第１パッド面５０ａからのハーフエッチングによって、第２部５２に第２開口部５０３ｂを形成すると、図２７に示すように、第２部５２を貫通する貫通孔５６が形成されやすい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、各第１リード５において、第１接続部材７１の接合が不適切な領域を示すように複数の第２開口部５０３ｂを配置した例を示したが、この例とは反対に、第１接続部材７１への接合が適切な領域を示すように複数の第２開口部５０３ｂを配置してもよい。たとえば、内方部５１２と連結部５２２との境界に複数の第２開口部５０３ｂを配置してもよいし、内方部５１２と連結部５２２との境界に複数の第２開口部５０３ｂを配置してもよい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、ダイパッド３のダイパッド主面３０ａには、一対の開口部３０２が形成されていたが、この構成と異なり、開口部３０２が形成されていなくてもよい。同様に、第１リード５の第１パッド面５０ａには、複数の開口部５０３が形成されていたが、この構成と異なり、開口部５０３が形成されていなくてよい。

第１実施形態ないし第６実施形態では、複数の第１側方リード４１が、第１リード５を含んでいたが、この構成と異なり、第１リード５を含んでいなくてもよい。つまり、複数のリード４（複数の第１側方リード４１および複数の第２側方リード４２）がすべて、第２リード６で構成されていてもよい。このような複数のリード４がすべて第２リード６で構成された例では、ウェッジボンディングを行わないことがある。しかしながら、製造時のダイパッド３の姿勢の安定化およびダイパッド３上への半導体素子１の搭載などにおいて、クランプ部材でダイパッド３を固定することがある。そのため、ウェッジボンディングが必要ない構成であっても、ダイパッド３に第３部３３および第４部３４を設けておいてもよい。

本開示にかかる半導体装置は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の半導体装置は、以下の付記に関する実施形態を含む。
〔付記１〕
厚さ方向に離間する素子主面および素子裏面を有し、前記素子主面に複数の主面電極が配置された半導体素子と、
前記半導体素子が搭載されたダイパッド主面を有するダイパッドと、
前記ダイパッドよりも前記厚さ方向に直交する第１方向の一方に配置された第１リードを含み、前記厚さ方向に見て前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記第１リードに接合された第１接続部材を含み、前記複数の主面電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数の接続部材と、
前記半導体素子、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードの一部ずつ、および前記複数の接続部材を封止する樹脂部材と、
を備えており、
前記複数のリードは、各々の全体が前記厚さ方向に見て前記樹脂部材に重なり、且つ前記厚さ方向に見て前記樹脂部材の外縁に沿って配置されており、
前記ダイパッドは、第１部、第２部、第３部および第４部を含み、
前記ダイパッド主面は、前記第１部、前記第２部、前記第３部および前記第４部に跨っており、
前記第１部は、前記ダイパッド主面と反対側を向く第１裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なり、
前記第２部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記厚さ方向において前記第１裏面よりも前記ダイパッド主面側に位置する第２裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記第１部の外縁に繋がり、
前記第３部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第３裏面を有し、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１部の一方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記一方側の端縁まで延びており、
前記第４部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第４裏面を有し、前記第２方向において前記第１部の他方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記他方側の端縁まで延びている、半導体装置。
〔付記２〕
前記第１部、前記第３部および前記第４部は、前記ダイパッド主面と反対側の面が前記樹脂部材から露出する、付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記ダイパッド主面は、複数の開口部を含み、
前記複数の開口部は、前記第１部と前記第３部とが繋がる部分と、前記第１部と前記第４部とが繋がる部分とにそれぞれ形成されている、付記１または付記２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記ダイパッドは、前記ダイパッド主面から前記厚さ方向に窪む複数の凹部を有し、
前記複数の凹部の各々は、前記複数の開口部の各々をそれぞれ含む、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第３部および前記第４部の各々は、前記第１部の外縁に繋がるテーパー部と、前記テーパー部から前記ダイパッドの外縁まで延びる帯状部と、を含み、
前記テーパー部は、前記厚さ方向に見て、前記第１部の外縁から前記帯状部に向かうほど、幅が狭くなる、付記１ないし付記４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記複数のリードは、第２リードをさらに含み、
前記複数の接続部材は、第２接続部材をさらに含み、
前記第１リードは、前記第１接続部材が接合される第１パッド面を有し、
前記第２リードは、前記第２接続部材が接合される第２パッド面を有し、
前記第１パッド面は、前記厚さ方向に見て前記第２パッド面よりも大きい、付記１ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記樹脂部材は、樹脂裏面、一対の第１樹脂側面および一対の第２樹脂側面を有し、
前記樹脂裏面は、前記厚さ方向に前記素子裏面と同じ方向を向き、
前記一対の第１樹脂側面は、前記第１方向に離間し、
前記一対の第２樹脂側面は、前記第２方向に離間し、
前記複数のリードの各々は、前記樹脂裏面から露出する、付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記複数のリードは、前記第１方向において前記ダイパッドを挟んで配置され、且つ、前記一対の第１樹脂側面のいずれかからそれぞれ露出する複数の第１側方リードを含み、
前記複数の第１側方リードは、少なくとも１つ以上の前記第１リードを含む、付記７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記複数のリードは、前記第２方向において前記ダイパッドを挟んで配置され、且つ、前記一対の第２樹脂側面のいずれかからそれぞれ露出する複数の第２側方リードを含み、
前記複数の第２側方リードは、少なくとも１つ以上の前記第２リードを含む、付記８に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記複数の第２側方リードは、前記第１リードを含まない、付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記複数の主面電極は、前記第１接続部材が接合された第１主面電極と、前記第２接続部材が接続された第２主面電極とを含む、付記６ないし付記１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記半導体素子は、パワー素子を含むパワー部と、前記パワー素子の制御回路を構成する制御回路部とを含み、
前記第１主面電極は、前記パワー部に導通し、
前記第２主面電極は、前記制御回路部に導通する、付記１１に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第１主面電極は、前記厚さ方向に見て、前記第３部および前記第４部の間に位置する、付記１１または付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記第１接続部材は、ウェッジボンディングによって接合されるボンディングワイヤである、付記６ないし付記１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記厚さ方向に見て、前記ダイパッドの外縁から前記樹脂部材の外縁に向かって延びる複数の第３リードをさらに備える、付記１ないし付記１４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記ダイパッドは、前記厚さ方向に見て矩形状であり、
前記複数の第３リードは、前記厚さ方向に見て、前記ダイパッドの四隅のそれぞれから延び出ている、付記１５に記載の半導体装置。
〔付記１７〕
前記複数の第３リードの各々は、前記厚さ方向に見て、前記第２部に繋がる、付記１５または付記１６のいずれかに記載の半導体装置。

Ａ１～Ａ６：半導体装置
１，１Ａ，１Ｂ：半導体素子
１０ａ ：素子主面
１０ｂ ：素子裏面
１０１ ：パワー部
１０２ ：制御回路部
１１ ：主面電極
１２ ：第１主面電極
１３ ：第２主面電極
２ ：樹脂部材
２０ ：外縁
２１ ：樹脂主面
２２ ：樹脂裏面
２３ ：第１樹脂側面
２４ ：第２樹脂側面
３ ：ダイパッド
３０ａ ：ダイパッド主面
３０１ ：外縁
３０１ａ，３０１ｂ：端縁
３０２ ：開口部
３１ ：第１部
３１ａ ：裏面
３１０ ：外縁
３１０ａ，３１０ｂ：端縁
３２ ：第２部
３２ａ ：裏面
３３ ：第３部
３３ａ ：裏面
３３１ ：テーパー部
３３２ ：帯状部
３４ ：第４部
３４ａ ：裏面
３４１ ：テーパー部
３４２ ：帯状部
３５ ：凹部
３６ ：貫通孔
３９ ：クランプ痕
４ ：リード
４１ ：第１側方リード
４２ ：第２側方リード
４３ ：第３リード
５ ：第１リード
５０ａ ：第１パッド面
５０１，５０２：端縁
５０３ ：開口部
５０３ａ ：第１開口部
５０３ｂ ：第２開口部
５０５ ：切り欠き
５１ ：第１部
５１ａ ：裏面
５１１ ：外方部
５１２ ：内方部
５２ ：第２部
５２ａ ：裏面
５２１ ：接続部
５２２ ：連結部
５５ ：凹部
５６ ：貫通孔
５９ ：クランプ痕
６ ：第２リード
６０ａ ：第２パッド面
６０１，６０２：端縁
６１ ：第１部
６１ａ ：裏面
６２ ：第２部
６２ａ ：裏面
７ ：接続部材
７１ ：第１接続部材
７２ ：第２接続部材
７３ ：第３接続部材

Claims (16)

1. 厚さ方向に離間する素子主面および素子裏面を有し、前記素子主面に複数の主面電極が配置された半導体素子と、
   前記半導体素子が搭載されたダイパッド主面を有するダイパッドと、
   前記ダイパッドよりも前記厚さ方向に直交する第１方向の一方に配置された第１リードを含み、前記厚さ方向に見て前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
   前記第１リードに接合された第１接続部材を含み、前記複数の主面電極と前記複数のリードとを電気的に接続する複数の接続部材と、
   前記半導体素子、前記ダイパッドの一部、前記複数のリードの一部ずつ、および前記複数の接続部材を封止する樹脂部材と、
   を備えており、
   前記複数のリードは、各々の全体が前記厚さ方向に見て前記樹脂部材に重なり、且つ前記厚さ方向に見て前記樹脂部材の外縁に沿って配置されており、
   前記ダイパッドは、第１部、第２部、第３部および第４部を含み、
   前記ダイパッド主面は、前記第１部、前記第２部、前記第３部および前記第４部に跨っており、
   前記第１部は、前記ダイパッド主面と反対側を向く第１裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なり、
   前記第２部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記厚さ方向において前記第１裏面よりも前記ダイパッド主面側に位置する第２裏面を有し、前記厚さ方向に見て前記第１部の外縁に繋がり、
   前記第３部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第３裏面を有し、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１部の一方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記一方側の端縁まで延びており、
   前記第４部は、前記ダイパッド主面と反対側を向き且つ前記第１裏面と面一である第４裏面を有し、前記第２方向において前記第１部の他方側の端縁から前記ダイパッド主面の前記他方側の端縁まで延びており、
   前記第３部および前記第４部の各々は、前記第１部の外縁に繋がるテーパー部と、前記テーパー部から前記ダイパッドの外縁まで延びる帯状部と、を含み、
   前記テーパー部は、前記厚さ方向に見て、前記第１部の外縁から前記帯状部に向かうほど、幅が狭くなる、
   半導体装置。
2. 前記第１部、前記第３部および前記第４部は、前記ダイパッド主面と反対側の面が前記樹脂部材から露出する、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記ダイパッド主面は、複数の開口部を含み、
   前記複数の開口部は、前記第１部と前記第３部とが繋がる部分と、前記第１部と前記第４部とが繋がる部分とにそれぞれ形成されている、
   請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
4. 前記ダイパッドは、前記ダイパッド主面から前記厚さ方向に窪む複数の凹部を有し、
   前記複数の凹部の各々は、前記複数の開口部の各々をそれぞれ含む、
   請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記複数のリードは、第２リードをさらに含み、
   前記複数の接続部材は、第２接続部材をさらに含み、
   前記第１リードは、前記第１接続部材が接合される第１パッド面を有し、
   前記第２リードは、前記第２接続部材が接合される第２パッド面を有し、
   前記第１パッド面は、前記厚さ方向に見て前記第２パッド面よりも大きい、
   請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記樹脂部材は、樹脂裏面、一対の第１樹脂側面および一対の第２樹脂側面を有し、
   前記樹脂裏面は、前記厚さ方向に前記素子裏面と同じ方向を向き、
   前記一対の第１樹脂側面は、前記第１方向に離間し、
   前記一対の第２樹脂側面は、前記第２方向に離間し、
   前記複数のリードの各々は、前記樹脂裏面から露出する、
   請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記複数のリードは、前記第１方向において前記ダイパッドを挟んで配置され、且つ、前記一対の第１樹脂側面のいずれかからそれぞれ露出する複数の第１側方リードを含み、
   前記複数の第１側方リードは、少なくとも１つ以上の前記第１リードを含む、
   請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記複数のリードは、前記第２方向において前記ダイパッドを挟んで配置され、且つ、前記一対の第２樹脂側面のいずれかからそれぞれ露出する複数の第２側方リードを含み、
   前記複数の第２側方リードは、少なくとも１つ以上の前記第２リードを含む、
   請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記複数の第２側方リードは、前記第１リードを含まない、
   請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記複数の主面電極は、前記第１接続部材が接合された第１主面電極と、前記第２接続部材が接続された第２主面電極とを含む、
    請求項５ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
11. 前記半導体素子は、パワー素子を含むパワー部と、前記パワー素子の制御回路を構成する制御回路部とを含み、
    前記第１主面電極は、前記パワー部に導通し、
    前記第２主面電極は、前記制御回路部に導通する、
    請求項１０に記載の半導体装置。
12. 前記第１主面電極は、前記厚さ方向に見て、前記第３部および前記第４部の間に位置する、
    請求項１０または請求項１１のいずれかに記載の半導体装置。
13. 前記第１接続部材は、ウェッジボンディングによって接合されるボンディングワイヤである、
    請求項５ないし請求項１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
14. 前記厚さ方向に見て、前記ダイパッドの外縁から前記樹脂部材の外縁に向かって延びる複数の第３リードをさらに備える、
    請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
15. 前記ダイパッドは、前記厚さ方向に見て矩形状であり、
    前記複数の第３リードは、前記厚さ方向に見て、前記ダイパッドの四隅のそれぞれから 延び出ている、
    請求項１４に記載の半導体装置。
16. 前記複数の第３リードの各々は、前記厚さ方向に見て、前記第２部に繋がる、
    請求項１４または請求項１５のいずれかに記載の半導体装置。
    

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