JP7630970B2 - Cooling device and substrate processing device - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、冷却装置、及び、その冷却装置を有する基板処理装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to a cooling device and a substrate processing apparatus having the cooling device.
例えば矩形状等の円盤状以外の基板の冷却をするにあたって、基板の下面の中心から基板の下面の外周部に向かって円環状に流出させる冷却ガスを用いている。 For example, when cooling a substrate that is not disk-shaped, such as a rectangular substrate, cooling gas is used that flows in a circular pattern from the center of the underside of the substrate toward the outer periphery of the underside of the substrate.
本発明が解決しようとする課題は、冷却対象物の冷却対象領域のうち、冷却ガスの吐出部から近い領域、及び、遠い領域を冷却し易い、冷却装置、及び、その冷却装置を有する基板処理装置を提供することである。 The problem that the present invention aims to solve is to provide a cooling device and a substrate processing apparatus having the cooling device that can easily cool the area of the object to be cooled that is close to and far from the cooling gas discharge portion.
実施形態によれば、冷却装置は、冷却対象物が上側に配置されるブロック体と、冷却対象物を下側から支持する支持部とを有する。ブロック体は、冷却対象物の冷却対象領域に向けて下側から上側に冷却ガスを流す第1の流路、及び、第1の流路に連続し、第1の流路を中心として円環状に広がり、冷却ガスを冷却対象領域の第1の流路に対して径方向外方に流す環状面を有する第2の流路、を形成する。支持部は、ブロック体の外側を囲むように設けられている。支持部は、第2の流路の外側に連続し、冷却対象物の冷却対象領域が上側に配置された状態で、第2の流路よりも狭く、冷却ガスをブロック体の環状面の外側に流す第3の流路を形成する。支持部は、冷却対象領域の内接円又は内接楕円の外側の領域を支持する。
According to an embodiment, the cooling device includes a block body on which an object to be cooled is disposed on an upper side, and a support portion that supports the object to be cooled from the lower side. The block body forms a first flow path that causes a cooling gas to flow from the lower side to the upper side toward a region to be cooled of the object to be cooled, and a second flow path that is continuous with the first flow path, spreads in an annular shape around the first flow path, and has an annular surface that causes the cooling gas to flow radially outward from the first flow path in the region to be cooled. The support portion is provided so as to surround the outside of the block body. The support portion forms a third flow path that is continuous with the outside of the second flow path, is narrower than the second flow path, and causes the cooling gas to flow outside the annular surface of the block body when the region to be cooled of the object to be cooled is disposed on the upper side. The support portion supports a region outside the inscribed circle or inscribed ellipse of the region to be cooled.
(第1実施形態)
図1から図6を用いて第1実施形態に係る基板処理装置10について説明する。
First Embodiment
A substrate processing apparatus 10 according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG.
図1には、基板処理装置10の上面図を示す。図2には、図1中のII-II線に沿う断面図を示す。図3には、図1中のIII-III線に沿う断面図を示す。 Figure 1 shows a top view of the substrate processing apparatus 10. Figure 2 shows a cross-sectional view taken along line II-II in Figure 1. Figure 3 shows a cross-sectional view taken along line III-III in Figure 1.
図1から図3に示すように、基板処理装置10は、基部12と、基部12に設けられた冷却装置14とを有する。本実施形態の冷却対象物(被冷却物)である基板8は、例えば略矩形状であるなど、非円形状の板状である。本実施形態では、説明の簡略化のため、基板8の外形が略正方形状であるものとして説明する。本実施形態では、基板8の下面が冷却対象領域である。基板8の下面は、適宜に設定可能な仮想的な円と、この円の外側の領域とを有する。本実施形態では、仮想的な円は、基板8の下面の内接円と一致する。基板8の仮想的な円の内側の領域を中心部(円の内側領域)8aとし、基板8の仮想的な円の外側の領域を角部(円の外側領域)8bとする。なお、仮想的な円は、基板8の内接円よりも内側の基板8の適宜の位置に設定してもよい。 As shown in FIG. 1 to FIG. 3, the substrate processing apparatus 10 has a base 12 and a cooling device 14 provided on the base 12. The substrate 8, which is the object to be cooled (object to be cooled) in this embodiment, is a non-circular plate-like shape, such as a substantially rectangular shape. In this embodiment, for the sake of simplicity, the outer shape of the substrate 8 is described as being substantially square. In this embodiment, the lower surface of the substrate 8 is the area to be cooled. The lower surface of the substrate 8 has a virtual circle that can be set appropriately and an area outside the circle. In this embodiment, the virtual circle coincides with the inscribed circle of the lower surface of the substrate 8. The area inside the virtual circle of the substrate 8 is the center (inner area of the circle) 8a, and the area outside the virtual circle of the substrate 8 is the corner (outer area of the circle) 8b. The virtual circle may be set at an appropriate position of the substrate 8 inside the inscribed circle of the substrate 8.
基部12は、例えば筒状に形成され、冷却装置14の外周を保持する。すなわち、冷却装置14は、基部12の内側に設けられている。 The base 12 is formed, for example, in a cylindrical shape, and holds the outer periphery of the cooling device 14. In other words, the cooling device 14 is provided inside the base 12.
冷却装置14は、基板8を下側から支持する支持部22と、略円柱状のブロック体24と、複数のガイド部26とを有する。支持部22、ブロック体24及びガイド部26は、基板8を冷却するための冷却ガスの流路40を形成する。本実施形態では、冷却ガスの流路40は、第1の流路42、第2の流路44、第3の流路46及び第4の流路48を含む。 The cooling device 14 has a support portion 22 that supports the substrate 8 from below, a substantially cylindrical block body 24, and a number of guide portions 26. The support portion 22, the block body 24, and the guide portions 26 form a cooling gas flow path 40 for cooling the substrate 8. In this embodiment, the cooling gas flow path 40 includes a first flow path 42, a second flow path 44, a third flow path 46, and a fourth flow path 48.
支持部22、ブロック体24及びガイド部26は、例えばABS樹脂、PE、PI、PTFE、PVDFなどの樹脂材や銅、ステンレスなどの金属材で形成される。支持部22、ブロック体24、及び、ガイド部26は、一体成型により形成されていることが好適である。この場合、冷却ガスの流路40が一体成型により形成される。また、支持部22、ブロック体24、及び、ガイド部26が一体成型により形成された後、冷却ガスの流路40は、除去加工により形成されることも好適である。また、支持部22、ブロック体24、及び、ガイド部26により形成される冷却ガスの流路40は、樹脂材からなる円柱の板に除去加工を実施することで形成されることも好適である。なお、支持部22、ブロック体24、及び、ガイド部26は、必ずしも一体成型でなくてもよい。例えば、支持部22、ブロック体24は、樹脂材から形成され、ガイド部26は、金属材から形成されるようにしてもよい。 The support part 22, the block body 24, and the guide part 26 are formed of resin materials such as ABS resin, PE, PI, PTFE, and PVDF, or metal materials such as copper and stainless steel. It is preferable that the support part 22, the block body 24, and the guide part 26 are formed by integral molding. In this case, the cooling gas flow path 40 is formed by integral molding. It is also preferable that the cooling gas flow path 40 is formed by removal processing after the support part 22, the block body 24, and the guide part 26 are formed by integral molding. It is also preferable that the cooling gas flow path 40 formed by the support part 22, the block body 24, and the guide part 26 is formed by performing removal processing on a cylindrical plate made of a resin material. It is not necessary that the support part 22, the block body 24, and the guide part 26 are formed by integral molding. For example, the support part 22 and the block body 24 may be formed from a resin material, and the guide part 26 may be formed from a metal material.
例えば冷却装置14のブロック体24の下側には、冷却ガス源28が設けられている。冷却対象によるが、冷却ガスとして、本実施形態では、例えば-120℃程度の低温に調整された窒素(N2)ガスを用いる。本実施形態では、冷却ガスは、例えば150L/分の流量で噴射される。 For example, a cooling gas source 28 is provided below the block body 24 of the cooling device 14. Although it depends on the object to be cooled, in this embodiment, the cooling gas used is nitrogen (N 2 ) gas adjusted to a low temperature of, for example, about −120° C. In this embodiment, the cooling gas is sprayed at a flow rate of, for example, 150 L/min.
支持部22は、略筒状に形成されている。本実施形態では、支持部22の外形は、円筒状であるが、基部12の形状との関係で適宜の形状に形成される。 The support portion 22 is formed in a generally cylindrical shape. In this embodiment, the outer shape of the support portion 22 is cylindrical, but it may be formed in an appropriate shape in relation to the shape of the base portion 12.
ブロック体24は、筒状の支持部22の内側に形成される。略円柱状のブロック体24は、冷却対象の基板8が支持部22に支持されたときに基板8に対向する上面24aと、外周面24bとを有する。上面24aは、略ドーナツ状の円環状面である。ブロック体24の上面24aの直径は、冷却対象物である基板8の仮想的な円の直径と同じか、それよりも小さい。なお、ブロック体24の上面24aの直径の下限は適宜に設定可能である。基板8の外縁の近くまで冷却ガスを行きわたらせることが好ましいため、ブロック体24の上面24aの直径の下限は、できるだけ大きいことが好ましい。 The block body 24 is formed inside the cylindrical support portion 22. The roughly cylindrical block body 24 has an upper surface 24a that faces the substrate 8 to be cooled when the substrate 8 is supported by the support portion 22, and an outer peripheral surface 24b. The upper surface 24a is an approximately donut-shaped annular surface. The diameter of the upper surface 24a of the block body 24 is equal to or smaller than the diameter of an imaginary circle of the substrate 8, which is the object to be cooled. The lower limit of the diameter of the upper surface 24a of the block body 24 can be set appropriately. Since it is preferable to have the cooling gas reach close to the outer edge of the substrate 8, it is preferable that the lower limit of the diameter of the upper surface 24a of the block body 24 is as large as possible.
略円柱状のブロック体24は、ブロック体24の中心軸Cに沿って貫通する貫通孔を有する。貫通孔は、冷却ガスの流路40の一部である冷却ガスの第1の流路42として形成されている。第1の流路42は、例えばブロック体24の下側に設けられる冷却ガス源28から基板8を冷却する冷却ガスを、ブロック体24の中心軸Cに沿って下側から上側に向かって流す。このため、第1の流路42は、ブロック体24の上側に配置される基板8の下面(冷却対象領域)の中心部8aに向けて、冷却ガスを下側から上側に流す。 The roughly cylindrical block body 24 has a through hole that penetrates along the central axis C of the block body 24. The through hole is formed as a first flow path 42 of cooling gas, which is part of the cooling gas flow path 40. The first flow path 42 flows the cooling gas that cools the substrate 8 from the cooling gas source 28 provided, for example, on the lower side of the block body 24, from the lower side to the upper side along the central axis C of the block body 24. Therefore, the first flow path 42 flows the cooling gas from the lower side to the upper side toward the center 8a of the lower surface (area to be cooled) of the substrate 8 arranged on the upper side of the block body 24.
冷却ガス源28は、冷却装置14のブロック体24の下側でなく、例えば基板処理装置10の基部12の外側に設けられていてもよい。この場合、冷却ガス源28と基部12とを配管等により接続すればよい。例えば、基部12の下面に孔を設け、支持部22、ブロック体24及びガイド部26と同じ材質から成る配管を介して冷却ガス源28と基部12の下面に設けた孔とを接続するようにすればよい。 The cooling gas source 28 may be provided, for example, outside the base 12 of the substrate processing apparatus 10, instead of under the block body 24 of the cooling device 14. In this case, the cooling gas source 28 and the base 12 may be connected by piping or the like. For example, a hole may be provided on the underside of the base 12, and the cooling gas source 28 may be connected to the hole provided on the underside of the base 12 via piping made of the same material as the support portion 22, the block body 24, and the guide portion 26.
ブロック体24の上面24aは、冷却ガスの流路40の一部である冷却ガスの第2の流路44の環状面として形成されている。本実施形態では、ブロック体24の上面24aは、第1の流路42の開口縁である終端(冷却ガス吐出口)42aからブロック体24の上面24aと外周面24bとの境界までの平面として形成されている。このため、第2の流路44は、第1の流路42に連続し、第1の流路42の終端42aに対して第1の流路42の径方向外方に円環状に広がるように形成されている。このため、支持部22に基板8が支持された場合、第1の流路42を流れた冷却ガスは、第2の流路44の径方向外方へと流れる。また、第2の流路44の高さは、ブロック体24の上面24aと基板8の下面との間の距離D1と同じである。 The upper surface 24a of the block body 24 is formed as an annular surface of the second flow path 44 of the cooling gas, which is a part of the flow path 40 of the cooling gas. In this embodiment, the upper surface 24a of the block body 24 is formed as a plane from the end (cooling gas outlet) 42a, which is the opening edge of the first flow path 42, to the boundary between the upper surface 24a of the block body 24 and the outer peripheral surface 24b. Therefore, the second flow path 44 is formed so as to be continuous with the first flow path 42 and to spread outward in the radial direction of the first flow path 42 in an annular shape relative to the end 42a of the first flow path 42. Therefore, when the substrate 8 is supported by the support part 22, the cooling gas that has flowed through the first flow path 42 flows outward in the radial direction of the second flow path 44. In addition, the height of the second flow path 44 is the same as the distance D1 between the upper surface 24a of the block body 24 and the lower surface of the substrate 8.
ブロック体24と支持部22との間には、ブロック体24の上面24aを通した冷却ガスを基板8の角部8bに向けて案内する複数のガイド部26が設けられている。本実施形態の冷却装置14は、例えば正方形状の基板8を冷却対象とする。ガイド部26は、冷却装置14で基板8が冷却される際に、基板8の角部8bの下側に設けられる。このため、ガイド部26は、ブロック体24の外側に、ブロック体24の中心軸Cに対して周方向に約90°ごとに設けられている。本実施形態では、冷却装置14のガイド部26の数は、基板8の角部8bの数と同じ、4つである。 Between the block body 24 and the support portion 22, a plurality of guide portions 26 are provided to guide the cooling gas that has passed through the upper surface 24a of the block body 24 toward the corners 8b of the substrate 8. The cooling device 14 of this embodiment is intended to cool, for example, a square substrate 8. The guide portions 26 are provided below the corners 8b of the substrate 8 when the substrate 8 is cooled by the cooling device 14. For this reason, the guide portions 26 are provided on the outside of the block body 24 at approximately 90° intervals in the circumferential direction with respect to the central axis C of the block body 24. In this embodiment, the number of guide portions 26 of the cooling device 14 is four, which is the same as the number of corners 8b of the substrate 8.
そして、ガイド部26は、ブロック体24と間隔を空けて対向し、ブロック体24の外周面24bから、基板8の角部8bの下側まで延びている。本実施形態では、ガイド部26は、ブロック体24の外周面24bから離れるにつれて先細に形成される。 The guide portion 26 faces the block body 24 with a gap therebetween, and extends from the outer peripheral surface 24b of the block body 24 to the underside of the corner 8b of the substrate 8. In this embodiment, the guide portion 26 is tapered as it moves away from the outer peripheral surface 24b of the block body 24.
ガイド部26は、ブロック体24の上面24aから径方向外方に延びる延出面26aを有する。ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aは、例えば面一に形成されている。 The guide portion 26 has an extension surface 26a that extends radially outward from the upper surface 24a of the block body 24. The upper surface 24a of the block body 24 and the extension surface 26a of the guide portion 26 are formed, for example, flush with each other.
なお、ブロック体24の外周面24bとガイド部26との間には、本実施形態では、第4の流路48が形成されているが、第4の流路48は第2の流路44の高さ(距離D1)に対して第4の流路48の径方向の開口幅が狭い。このため、ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aに連続していると同一視できる。また、ブロック体24の上面24aと外周面24bとの境界と、ガイド部26の延出面26aのうち、ブロック体24に最も近接する位置において、基板8の下面との間の距離が共通する。つまり、ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aと、基板8の下面との間の距離は、距離D1となる。このため、ガイド部26は、ブロック体24の第2の流路44をブロック体24の外側に延ばす。すなわち、ガイド部26の延出面26aは、第1の流路42から径方向に円環状に広がる冷却ガスの第2の流路44の一部として用いることができる。 In this embodiment, a fourth flow path 48 is formed between the outer peripheral surface 24b of the block body 24 and the guide portion 26, but the radial opening width of the fourth flow path 48 is narrower than the height (distance D1) of the second flow path 44. Therefore, the extension surface 26a of the guide portion 26 can be regarded as being continuous with the upper surface 24a of the block body 24. In addition, the distance between the boundary between the upper surface 24a and the outer peripheral surface 24b of the block body 24 and the lower surface of the substrate 8 at the position of the extension surface 26a of the guide portion 26 closest to the block body 24 is the same. In other words, the distance between the upper surface 24a of the block body 24 and the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8 is the distance D1. Therefore, the guide portion 26 extends the second flow path 44 of the block body 24 to the outside of the block body 24. That is, the extension surface 26a of the guide portion 26 can be used as part of the second flow path 44 for the cooling gas that spreads radially in an annular shape from the first flow path 42.
ブロック体24の外周面24bの外側及びガイド部26の外側には、支持部22が形成されている。 A support portion 22 is formed on the outside of the outer peripheral surface 24b of the block body 24 and on the outside of the guide portion 26.
支持部22は、上面22aを有する。支持部22の上面22aは、ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aに対して上側に位置する。説明の簡略化のため、支持部22の上面22aは、ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aと平行であるとする。 The support portion 22 has an upper surface 22a. The upper surface 22a of the support portion 22 is located above the upper surface 24a of the block body 24 and the extending surface 26a of the guide portion 26. For ease of explanation, the upper surface 22a of the support portion 22 is assumed to be parallel to the upper surface 24a of the block body 24 and the extending surface 26a of the guide portion 26.
支持部22は、支持部22の上面22aとブロック体24の上面24aとの間、及び、支持部22の上面22aとガイド部26の延出面26aとの間に設けられる側面22bを有する。側面22bは、ブロック体24と対向する部分が円弧であり、ガイド部26と接触する部分がガイド部26の外形と同じ形状となるよう、連続する状態に形成されている。支持部22の側面22bは、中心軸Cに平行な面であることが好適である。支持部22の上面22aとガイド部26の延出面26aとの間は、支持部22の側面22bにより、支持部22とガイド部26との段差として形成される。 The support portion 22 has side surfaces 22b provided between the upper surface 22a of the support portion 22 and the upper surface 24a of the block body 24, and between the upper surface 22a of the support portion 22 and the extending surface 26a of the guide portion 26. The side surfaces 22b are formed in a continuous state so that the portion facing the block body 24 is an arc, and the portion in contact with the guide portion 26 has the same shape as the outer shape of the guide portion 26. It is preferable that the side surfaces 22b of the support portion 22 are parallel to the central axis C. Between the upper surface 22a of the support portion 22 and the extending surface 26a of the guide portion 26, the side surfaces 22b of the support portion 22 form a step between the support portion 22 and the guide portion 26.
なお、本実施形態では、支持部22の上面22aと側面22bとの境界は、基板8が支持部22に載置された状態で基板処理装置10を上側から見たとき、基板8の外縁よりも内側に配置される。 In this embodiment, the boundary between the upper surface 22a and the side surface 22b of the support portion 22 is located inside the outer edge of the substrate 8 when the substrate processing apparatus 10 is viewed from above with the substrate 8 placed on the support portion 22.
支持部22は、支持部22に対して基板8が支持部22から上方に離れる方向に移動することを規制する規制部32を有する。規制部32は、支持部22の4箇所に形成されている。規制部32は、上端がそれぞれテーパ状に形成され、基板8の移動を規制する規制ピン32a,32bを有する。規制ピン32a,32bは、支持部22の上面22aに対して突出するように設けられている。基板8の下面の角部8bは、それぞれ対として形成された4箇所の規制部32により、支持部22から離れる上方への移動、及び、中心軸Cの軸周りの方向への移動が規制される。規制ピン32a,32bは、基板8の下面の角部8bを支持したときに、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間に隙間を形成する。このため、規制部32は、基板8を支持部22、ブロック体24及びガイド部26に対して位置決めするとともに、支持部22と基板8の下面の角部8bとの間の距離を規定する。支持部22の上面22aと基板8の下面との間の隙間を冷却ガスの流路40の一部である第3の流路46とする。第3の流路46の高さは、支持部22の上面22aと基板8の下面との間の距離D0と同じである。規制ピン32a,32b間は離間する。規制ピン32a,32b間の隙間は第3の流路46の一部として用いられる。 The support portion 22 has a restricting portion 32 that restricts the movement of the substrate 8 in a direction away from the support portion 22 upward relative to the support portion 22. The restricting portions 32 are formed at four locations on the support portion 22. The restricting portions 32 each have a tapered upper end and have restricting pins 32a and 32b that restrict the movement of the substrate 8. The restricting pins 32a and 32b are provided so as to protrude from the upper surface 22a of the support portion 22. The corners 8b on the lower surface of the substrate 8 are restricted from moving upward away from the support portion 22 and in a direction around the central axis C by the four restricting portions 32 formed in pairs. When the restricting pins 32a and 32b support the corners 8b on the lower surface of the substrate 8, they form a gap between the upper surface 22a of the support portion 22 and the corners 8b on the lower surface of the substrate 8. Therefore, the regulating portion 32 positions the substrate 8 relative to the support portion 22, the block body 24, and the guide portion 26, and also defines the distance between the support portion 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. The gap between the upper surface 22a of the support portion 22 and the lower surface of the substrate 8 is a third flow path 46, which is part of the cooling gas flow path 40. The height of the third flow path 46 is the same as the distance D0 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the lower surface of the substrate 8. The regulating pins 32a and 32b are spaced apart. The gap between the regulating pins 32a and 32b is used as part of the third flow path 46.
なお、支持部22の側面22bは、第2の流路44と第3の流路46との境界に設けられ、第2の流路44に対して第3の流路46を狭くする。 The side surface 22b of the support portion 22 is provided at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, narrowing the third flow path 46 relative to the second flow path 44.
本実施形態では、ブロック体24の外周面24bに冷却ガスを通す、例えば冷却ガスの流路40の一部である環状の第4の流路48が設けられている。第4の流路48は、ブロック体24の外周面24bとガイド部26との間、及び、ブロック体24の外周面24bと支持部22の側面22bとの間に設けられている。第4の流路48は、第2の流路44に対して狭く形成されている。第4の流路48は、第2の流路44に連通する。 In this embodiment, an annular fourth flow passage 48, which is, for example, a part of the cooling gas flow passage 40, is provided on the outer peripheral surface 24b of the block body 24. The fourth flow passage 48 is provided between the outer peripheral surface 24b of the block body 24 and the guide portion 26, and between the outer peripheral surface 24b of the block body 24 and the side surface 22b of the support portion 22. The fourth flow passage 48 is formed narrower than the second flow passage 44. The fourth flow passage 48 is connected to the second flow passage 44.
基板処理装置10の冷却装置14の動作について説明する。 The operation of the cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 will be described.
冷却対象物である基板8の各角部8bが各規制部32の規制ピン32a,32bにより支持される。基板8が規制部32に支持されたとき、支持部22の上面22aと基板8の下面との間の距離D0が規定される。規制部32に基板8が支持されたとき、ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aと、基板8の下面との間の距離D1が規定される。このため、第1の流路42、第2の流路44、第3の流路46、及び、第4の流路48を含む冷却ガスの流路40は、基板8が規制部32に支持された状態で、基板8の下側に形成される。 Each corner 8b of the substrate 8, which is the object to be cooled, is supported by the regulating pins 32a, 32b of each regulating portion 32. When the substrate 8 is supported by the regulating portion 32, the distance D0 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the lower surface of the substrate 8 is defined. When the substrate 8 is supported by the regulating portion 32, the distance D1 between the upper surface 24a of the block body 24 and the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8 is defined. Therefore, the cooling gas flow path 40 including the first flow path 42, the second flow path 44, the third flow path 46, and the fourth flow path 48 is formed on the lower side of the substrate 8 when the substrate 8 is supported by the regulating portion 32.
基板処理装置10の冷却装置14は、冷却ガス源28から例えば-120℃近辺の所定範囲内の温度に調整された冷却ガスを、例えば150L/分の所定の流量で第1の流路42に噴射する。第1の流路42は、ブロック体24の上側に配置される基板8の下面の中心部8aに向かって冷却ガスを導く。すなわち、冷却ガスは、第1の流路42に沿って下側から上側に向かって流され、ブロック体24の上面24aの開口縁である第1の流路42の終端42aを通して、基板8の下面の中心部8aに接触する。 The cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 injects cooling gas, adjusted to a temperature within a predetermined range, for example, near -120°C, from the cooling gas source 28 into the first flow path 42 at a predetermined flow rate, for example, 150 L/min. The first flow path 42 guides the cooling gas toward the center 8a of the underside of the substrate 8 placed on the upper side of the block body 24. That is, the cooling gas flows from the bottom to the top along the first flow path 42, and comes into contact with the center 8a of the underside of the substrate 8 through the end 42a of the first flow path 42, which is the opening edge of the upper surface 24a of the block body 24.
基板8の下面の中心部8aに接触した冷却ガスは、ブロック体24の上面24aと基板8の下面との間の第2の流路44に沿って、中心部8aから第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このとき、第2の流路44の距離D1は、第3の流路46の距離D0よりも大きいため、冷却ガスが第2の流路44に沿って流れる際に圧力損失が生じることを防止し、冷却ガスが第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このため、基板8の下面のうち、ブロック体24の上面24aに対向する領域は、第2の流路44に沿って冷却ガスが流されると冷却される。すなわち、冷却ガスが基板8の下面の中心部8aから基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がるとき、基板8の下面は、冷却ガスにより冷却される。 The cooling gas that has come into contact with the center 8a of the lower surface of the substrate 8 spreads from the center 8a to the radially outward direction of the second flow path 44 in an annular shape along the second flow path 44 between the upper surface 24a of the block body 24 and the lower surface of the substrate 8. At this time, since the distance D1 of the second flow path 44 is greater than the distance D0 of the third flow path 46, pressure loss is prevented when the cooling gas flows along the second flow path 44, and the cooling gas spreads in an annular shape radially outward of the second flow path 44. Therefore, the area of the lower surface of the substrate 8 facing the upper surface 24a of the block body 24 is cooled when the cooling gas flows along the second flow path 44. In other words, when the cooling gas spreads in an annular shape radially outward of the second flow path 44 from the center 8a of the lower surface of the substrate 8 along the lower surface of the substrate 8, the lower surface of the substrate 8 is cooled by the cooling gas.
支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスがブロック体24の上面24aを通して支持部22の側面22bに当たる。このとき、支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスには、基板8の下面の縁部に向かう流れが生じる。 The cooling gas flowing toward the side surface 22b of the support portion 22 hits the side surface 22b of the support portion 22 through the upper surface 24a of the block body 24. At this time, the cooling gas flowing toward the side surface 22b of the support portion 22 generates a flow toward the edge of the lower surface of the substrate 8.
ブロック体24の上面24aを通して支持部22の側面22bに当たり、基板8の下面の縁部に向かって流れた冷却ガスは、基板8の下面の縁部に衝突する衝突流となり、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜ける。すなわち、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。このとき、基板8の外縁近傍に冷却ガスが接触するため、基板8の外縁近傍が冷却される。 The cooling gas that hits the side surface 22b of the support portion 22 through the upper surface 24a of the block body 24 and flows toward the edge of the lower surface of the substrate 8 becomes a collision flow that collides with the edge of the lower surface of the substrate 8, and passes between the upper surface 22a of the support portion 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8. In other words, the cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support portion 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8. At this time, the cooling gas comes into contact with the vicinity of the outer edge of the substrate 8, so that the vicinity of the outer edge of the substrate 8 is cooled.
このとき、支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスは、全て基板8の外側に排出される訳ではない。支持部22の側面22bに衝突した冷却ガスの一部は、支持部22の側面22bに沿って流れ、ガイド部26の延出面26aに向かう。また、冷却ガスは、基板8の下面の中心部8aに当てられた後、ブロック体24の上面24aと基板8の下面との間を通して、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面との間に向かう流れも存在する。このため、適宜の量の冷却ガスが、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面の角部8bとの間に流れる。 At this time, not all of the cooling gas that flows toward the side surface 22b of the support portion 22 is discharged to the outside of the substrate 8. A portion of the cooling gas that collides with the side surface 22b of the support portion 22 flows along the side surface 22b of the support portion 22 toward the extension surface 26a of the guide portion 26. After hitting the center portion 8a of the lower surface of the substrate 8, the cooling gas also flows between the upper surface 24a of the block body 24 and the lower surface of the substrate 8, and toward the area between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8. Therefore, an appropriate amount of cooling gas flows between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the corner portion 8b of the lower surface of the substrate 8.
なお、ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aに連続していると同一視できるため、冷却ガスがブロック体24の上面24aからガイド部26の延出面26aに流れる際の流路抵抗の発生は抑制される。このため、適宜の量の冷却ガスが、ブロック体24の上面24aからガイド部26の延出面26aに沿って流れる。 The extension surface 26a of the guide portion 26 can be regarded as being continuous with the upper surface 24a of the block body 24, so flow resistance is suppressed when the cooling gas flows from the upper surface 24a of the block body 24 to the extension surface 26a of the guide portion 26. Therefore, an appropriate amount of cooling gas flows from the upper surface 24a of the block body 24 along the extension surface 26a of the guide portion 26.
ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aから遠ざかるにつれて先細となる。このため、第2の流路44は、ブロック体24から遠ざかるにつれて狭くなる。したがって、冷却ガスは、ガイド部26の延出面26aのうち、ブロック体24の上面24aから遠ざかる領域に向かって案内されるとともに、流速が速くなる。 The extension surface 26a of the guide portion 26 tapers away from the upper surface 24a of the block body 24. Therefore, the second flow path 44 narrows away from the block body 24. Therefore, the cooling gas is guided toward the region of the extension surface 26a of the guide portion 26 that is away from the upper surface 24a of the block body 24, and the flow rate increases.
規制ピン32a,32bにより、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間に第3の流路46が形成されている。図4に示すように、冷却ガスが第2の流路44におけるガイド部26の延出面26aと基板8の下面の中心部8aとの間を通して、支持部22の側面22bに当てられると、支持部22の側面22bと上面22aとの境界付近から、基板8の下面の角部8bに向かう冷却ガスの流れが生じる。ガイド部26の延出面26aを通して支持部22の側面22bに当たり、基板8の下面の角部8bに向かって流れた冷却ガスは、基板8の下面の角部8bに衝突する衝突流となり、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間を抜ける。 The regulating pins 32a and 32b form a third flow path 46 between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. As shown in FIG. 4, when the cooling gas is applied to the side surface 22b of the support 22 through the second flow path 44 between the extension surface 26a of the guide 26 and the center portion 8a of the lower surface of the substrate 8, a flow of cooling gas is generated from near the boundary between the side surface 22b and the upper surface 22a of the support 22 toward the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. The cooling gas that hits the side surface 22b of the support 22 through the extension surface 26a of the guide 26 and flows toward the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 becomes a collision flow that hits the corner 8b of the lower surface of the substrate 8, and passes between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8.
第3の流路46における支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間の距離D0は、第2の流路44におけるガイド部26の延出面26aと基板8の下面の角部8bと間の距離D1よりも狭い。このため、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間を通る冷却ガスの流速は、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面の角部8bとの間を通る冷却ガスの流速よりも速くなる。規制ピン32a,32b間の第3の流路46を冷却ガスが通り、基板8の下面の角部8bが冷却ガスにより冷却される。支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。基板8の角部8bの外縁近傍に中心部8aから角部8bに向かって流れてきた冷却ガスが接触するため、基板8の角部8bが冷却される。 The distance D0 between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 in the third flow path 46 is narrower than the distance D1 between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 in the second flow path 44. Therefore, the flow rate of the cooling gas passing between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is faster than the flow rate of the cooling gas passing between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. The cooling gas passes through the third flow path 46 between the regulating pins 32a and 32b, and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is cooled by the cooling gas. The cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8. The cooling gas that flows from the center 8a toward the corner 8b comes into contact with the outer edge of the corner 8b of the substrate 8, so that the corner 8b of the substrate 8 is cooled.
本実施形態に係る冷却装置14によれば、このようにして、冷却ガスの吐出部である第1の流路42から近い基板8の中心部8a、及び、第1の流路42からから遠い角部8bまで、冷却ガスにより冷却される。 In this manner, the cooling device 14 according to this embodiment cools the center 8a of the substrate 8, which is close to the first flow path 42, which is the outlet for the cooling gas, and the corner 8b, which is far from the first flow path 42, with the cooling gas.
冷却ガスがブロック体24の上面24aを通して支持部22の側面22bに当たると、第4の流路48に向かう流れも生じる。このため、冷却ガスの一部は、第2の流路44において、ブロック体24の上面24aから支持部22の上面22a又はガイド部26の延出面26aへと流れるのではなく、第4の流路48に流れる。第4の流路48は冷却ガスの一部をブロック体24の外周面24bに沿って流す。このため、第4の流路48に冷却ガスが流され、ブロック体24が冷却される。 When the cooling gas hits the side surface 22b of the support portion 22 through the upper surface 24a of the block body 24, a flow toward the fourth flow path 48 also occurs. Therefore, part of the cooling gas does not flow from the upper surface 24a of the block body 24 to the upper surface 22a of the support portion 22 or the extension surface 26a of the guide portion 26 in the second flow path 44, but flows into the fourth flow path 48. The fourth flow path 48 causes part of the cooling gas to flow along the outer peripheral surface 24b of the block body 24. Therefore, the cooling gas flows into the fourth flow path 48, and the block body 24 is cooled.
本実施形態では、ブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aは、基板8の下面との間に適宜の距離D1(>D0)を取る第2の流路44を形成する。このため、冷却装置14は、冷却ガスの流れの阻害を抑制しながら、基板8の下側の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間に向けて、適宜の量の冷却ガスを流す。 In this embodiment, the upper surface 24a of the block body 24 and the extending surface 26a of the guide portion 26 form a second flow path 44 with an appropriate distance D1 (>D0) between them and the lower surface of the substrate 8. Therefore, the cooling device 14 flows an appropriate amount of cooling gas toward the space between the lower corner 8b of the substrate 8 and the extending surface 26a of the guide portion 26 while suppressing obstruction of the flow of the cooling gas.
図1に示すように、ガイド部26の延出面26aがブロック体24の上面24aから遠ざかるにつれて先細で、第2の流路44は、ブロック体24から遠ざかるにつれて狭くなる。したがって、ガイド部26の延出面26aのうち、ブロック体24の上面24aから遠ざかる領域に向かって案内されるにつれて、冷却ガスの流速が速められる。そして、基板8の下面の角部8bと支持部22の上面22aとの間の距離D0は、基板8の下面の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間の距離D1よりも小さい。このため、図3に示す断面において、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面との間の第2の流路44に比べて、支持部22の上面22aと基板8の下面との間の第3の流路46は、狭くなる。したがって、第2の流路44と第3の流路46との境界付近において、第2の流路44の体積に比べて、第3の流路46の体積が小さくなる。そして、第2の流路44と第3の流路46とを通る流体の流量は同じであるため、第2の流路44よりも、第3の流路46での冷却ガスの圧力が高まる。したがって、第2の流路44と第3の流路46との境界において、第2の流路44よりも第3の流路46側で冷却ガスの流速が速められる。したがって、第2の流路44と第3の流路46との境界において、基板8の下面の角部8bに向けた冷却ガスの流れを作りだす。このように、第2の流路44と第3の流路46との境界において、基板8の角部8bに向けた冷却ガスの流れを作りだすことができるので、基板8の下面を通す冷却ガスの通過により、基板8の角部8bが冷却される。 1, the extension surface 26a of the guide portion 26 tapers away from the upper surface 24a of the block body 24, and the second flow path 44 narrows away from the block body 24. Therefore, the flow rate of the cooling gas is increased as it is guided toward the region of the extension surface 26a of the guide portion 26 that is farther away from the upper surface 24a of the block body 24. The distance D0 between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support portion 22 is smaller than the distance D1 between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the extension surface 26a of the guide portion 26. Therefore, in the cross section shown in FIG. 3, the third flow path 46 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the lower surface of the substrate 8 is narrower than the second flow path 44 between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8. Therefore, near the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, the volume of the third flow path 46 is smaller than the volume of the second flow path 44. And, since the flow rate of the fluid passing through the second flow path 44 and the third flow path 46 is the same, the pressure of the cooling gas is higher in the third flow path 46 than in the second flow path 44. Therefore, at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, the flow rate of the cooling gas is faster on the third flow path 46 side than in the second flow path 44. Therefore, at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, a flow of the cooling gas toward the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is created. In this way, at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, a flow of the cooling gas toward the corner 8b of the substrate 8 can be created, so that the corner 8b of the substrate 8 is cooled by the passage of the cooling gas through the lower surface of the substrate 8.
図5には、第1実施形態に係る冷却装置14を用いて冷却した基板8の、基板8の中心部8a及び角部8bを含む基板8の1/4カットの温度分布を示す。基板8の一辺は例えば略0.15mである。このため、仮想的な円の半径は、略0.075mであり、基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角までの距離は、略0.11mである。 Figure 5 shows the temperature distribution of a 1/4 cut of the substrate 8, including the center 8a and corner 8b of the substrate 8, cooled using the cooling device 14 according to the first embodiment. One side of the substrate 8 is, for example, approximately 0.15 m. Therefore, the radius of the imaginary circle is approximately 0.075 m, and the distance from the central axis C of the substrate 8 to the corner of the corner 8b, which is the furthest away, is approximately 0.11 m.
基板8の温度は、例えば0℃よりも高温であり、冷却ガスは、基板8の中心部8aから第2の流路44の径方向外方に流れるにつれて冷却性能が低下する。図5の例は、冷却ガスによる基板8の冷却開始から所定時間経過した時点での温度分布を示す。図6に示すように、基板8の中心軸Cから角部8bに向かって離れるにつれて、基板8の温度が上昇する。図6に示す例では、基板8の中心部8a(中心軸Cから略0.075mまでの領域)は、-110℃から-70℃の間の温度であり、中心部8aから外れた角部8bは、-70℃から-45℃の間の温度である。 The temperature of the substrate 8 is, for example, higher than 0°C, and the cooling performance of the cooling gas decreases as it flows from the center 8a of the substrate 8 radially outward in the second flow path 44. The example in FIG. 5 shows the temperature distribution at a predetermined time after the start of cooling the substrate 8 with the cooling gas. As shown in FIG. 6, the temperature of the substrate 8 increases as it moves away from the central axis C of the substrate 8 toward the corner 8b. In the example shown in FIG. 6, the center 8a of the substrate 8 (the region up to approximately 0.075 m from the central axis C) has a temperature between -110°C and -70°C, and the corner 8b away from the center 8a has a temperature between -70°C and -45°C.
基板8の外形が正方形でなく、正五角形や正六角形など、正多角形である場合、基板8の仮想的な円(内接円)の外側の角部8bの位置に応じて、ブロック体24の外側にガイド部26を形成すればよい。 If the outer shape of the substrate 8 is not a square but a regular polygon such as a regular pentagon or regular hexagon, the guide portion 26 can be formed on the outside of the block body 24 according to the position of the outer corner 8b of the imaginary circle (inscribed circle) of the substrate 8.
基板8が例えば長方形状である場合、仮想的な円として内接楕円の内側の短軸と長軸との交点を含む領域を中心部8aとし、基板8の仮想的な円である内接楕円の外側の領域を角部8bとする。上述したブロック体24が略円柱状である場合と同様に、略楕円柱状のブロック体24の楕円状の上面24aの外側にガイド部26の延出面26aが形成されていればよい。 When the substrate 8 is rectangular, for example, the area including the intersection of the inner minor axis and major axis of the inscribed ellipse as an imaginary circle is defined as the center 8a, and the area outside the inscribed ellipse, which is the imaginary circle of the substrate 8, is defined as the corner 8b. As in the case where the block body 24 described above is approximately cylindrical, it is sufficient that the extension surface 26a of the guide portion 26 is formed on the outside of the elliptical upper surface 24a of the approximately elliptical cylindrical block body 24.
図3に示す支持部22の側面22bは、中心軸Cに平行な面である。側面22bは、中心軸Cに平行な面でなくてもよい。支持部22の側面22bは、ガイド部26の延出面26aから、基板8の角部8bに向かうにつれて、次第に基板8の下面との距離を距離D0になるまで小さくする、傾斜面として形成されることも好適である。この場合も、第1の流路42、及び、第2の流路44を通した冷却ガスを、第3の流路46に案内し、基板8の角部8bを冷却することができる。 The side surface 22b of the support portion 22 shown in FIG. 3 is a surface parallel to the central axis C. The side surface 22b does not have to be a surface parallel to the central axis C. It is also preferable that the side surface 22b of the support portion 22 is formed as an inclined surface in which the distance from the bottom surface of the substrate 8 gradually decreases from the extension surface 26a of the guide portion 26 toward the corner portion 8b of the substrate 8 until it reaches distance D0. In this case, too, the cooling gas that has passed through the first flow path 42 and the second flow path 44 can be guided to the third flow path 46 to cool the corner portion 8b of the substrate 8.
図3に示すガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aに面一であるが、ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aに面一でなくてもよい。ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aと外周面24bとの境界から、支持部22の上面22aと側面22bとの境界に向かうにつれて、次第に基板8の下面との距離が距離D0になるまで小さくなる、傾斜面として形成されることも好適である。この場合も、第1の流路42、及び、第2の流路44を通した冷却ガスを、第3の流路46に案内し、基板8の角部8bを冷却することができる。 The extension surface 26a of the guide portion 26 shown in FIG. 3 is flush with the upper surface 24a of the block body 24, but the extension surface 26a of the guide portion 26 does not have to be flush with the upper surface 24a of the block body 24. It is also preferable that the extension surface 26a of the guide portion 26 is formed as an inclined surface in which the distance from the lower surface of the substrate 8 gradually decreases to distance D0 as it moves from the boundary between the upper surface 24a and the outer peripheral surface 24b of the block body 24 to the boundary between the upper surface 22a and the side surface 22b of the support portion 22. In this case, too, the cooling gas that has passed through the first flow path 42 and the second flow path 44 can be guided to the third flow path 46 to cool the corner portion 8b of the substrate 8.
ガイド部26のうち、ブロック体24に対する遠位部は、図1中では鋭角に形成されている。ガイド部26のうち、ブロック体24に対する遠位部は、直角又は鈍角に形成されていてもよい。 The distal portion of the guide portion 26 relative to the block body 24 is formed at an acute angle in FIG. 1. The distal portion of the guide portion 26 relative to the block body 24 may be formed at a right angle or an obtuse angle.
なお、図7に示すように、第4の流路48は、設けられていなくてもよい。ガイド部26のうち、ブロック体24に対する遠位部は、例えば曲面として形成されていることも好適である。 As shown in FIG. 7, the fourth flow path 48 does not have to be provided. It is also preferable that the distal portion of the guide portion 26 relative to the block body 24 is formed, for example, as a curved surface.
本実施形態では、図1及び図3に示すように、ガイド部26がブロック体24の外側に複数に分かれて存在する場合を説明したが、これに限定されない。例えば、図8又は図9に示すように、ガイド部26がブロック体24の外側で複数に分かれて存在せず、1つのガイド部26がブロック体24を囲む構造としてもよい。この場合、図8に示す例では、第2の流路44の環状面は、ブロック体24の上面24aおよびガイド部26の延出面26aで形成される。図9に示す例では、ブロック体24の上面24aの径方向幅がガイド部26の延出面26aの径方向幅に比べて例えば1/10以下など小さい場合、第2の流路44の環状面は、ガイド部26の延出面26aのみで形成されることと同視できる。 In this embodiment, as shown in FIG. 1 and FIG. 3, the guide portion 26 is divided into a plurality of parts on the outside of the block body 24, but the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 8 or FIG. 9, the guide portion 26 may not be divided into a plurality of parts on the outside of the block body 24, and one guide portion 26 may surround the block body 24. In this case, in the example shown in FIG. 8, the annular surface of the second flow path 44 is formed by the upper surface 24a of the block body 24 and the extending surface 26a of the guide portion 26. In the example shown in FIG. 9, when the radial width of the upper surface 24a of the block body 24 is smaller than the radial width of the extending surface 26a of the guide portion 26, for example, 1/10 or less, the annular surface of the second flow path 44 can be regarded as being formed only by the extending surface 26a of the guide portion 26.
本実施形態の冷却装置14では、冷却対象物として、基板8を冷却する場合を例にした。本実施形態の冷却装置14による冷却対象物は、基板8に限らず、種々の物体を冷却することができる。また、冷却対象物の冷却対象領域は、平面に限らず、凹凸を有する面、曲面を有する面など、種々の形状の面を冷却することができる。 In the cooling device 14 of this embodiment, the cooling object is a substrate 8, for example. The object to be cooled by the cooling device 14 of this embodiment is not limited to a substrate 8, and various objects can be cooled. Furthermore, the area to be cooled of the object to be cooled is not limited to a flat surface, and surfaces of various shapes, such as uneven surfaces and curved surfaces, can be cooled.
冷却ガスが単位時間あたり適宜の流量で冷却対象物に接触したときに、冷却対象物が動かないのであれば、冷却装置14の規制部32は、不要となる。この場合、支持部22の上面22aに、支持部22の上面22aと冷却対象物との間に冷却ガスを通す第3の流路46を形成するためのスペーサが設けられていてもよい。 If the object to be cooled does not move when the cooling gas comes into contact with the object to be cooled at an appropriate flow rate per unit time, the restricting portion 32 of the cooling device 14 is not necessary. In this case, a spacer may be provided on the upper surface 22a of the support portion 22 to form a third flow path 46 through which the cooling gas passes between the upper surface 22a of the support portion 22 and the object to be cooled.
したがって、第1実施形態によれば、冷却対象物の冷却対象領域(基板8の下面)のうち、冷却ガスの吐出部(第1の流路42)から近い領域(基板8の下面の中心部8a)、及び、遠い領域(基板8の下面の角部8b)を冷却し易い、冷却装置14、及び、冷却装置14を有する基板処理装置10を提供することができる。 Therefore, according to the first embodiment, it is possible to provide a cooling device 14 and a substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14 that can easily cool the area to be cooled (the underside of the substrate 8) close to the cooling gas discharge portion (first flow path 42) (the central portion 8a of the underside of the substrate 8) and the area far from the cooling gas discharge portion (the corner portion 8b of the underside of the substrate 8).
(比較例)
ここで、図10から図12を用いて比較例の基板処理装置110の冷却装置114について説明する。比較例の冷却装置114のうち、第1実施形態の冷却装置14と同じ構成は同じ符号を付し、説明を省略する。
(Comparative Example)
Here, the cooling device 114 of the substrate processing apparatus 110 of the comparative example will be described with reference to Fig. 10 to Fig. 12. In the cooling device 114 of the comparative example, the same components as those of the cooling device 14 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
図10及び図11に示すように、比較例の冷却装置114は、支持部22と、ブロック体24とを有する。冷却装置114は、第1実施形態の冷却装置14のガイド部26を有していない。 As shown in Figures 10 and 11, the cooling device 114 of the comparative example has a support portion 22 and a block body 24. The cooling device 114 does not have the guide portion 26 of the cooling device 14 of the first embodiment.
また、比較例の冷却装置114では、支持部22の上面22aとブロック体24の上面24aとが面一である。比較例の冷却装置114のブロック体24の上面24aと基板8の下面との間の距離D2は、第1実施形態の冷却装置14の支持部22の上面22aと基板8の下面との間の距離D0と同程度の長さとなるように形成されている。したがって、比較例の冷却装置114の支持部22の上面22a及びブロック体24の上面24aと基板8の下面との間の距離D2は、第1実施形態の冷却装置14のブロック体24の上面24a及びガイド部26の延出面26aと基板8の下面との間の距離D1よりも小さい。このため、比較例の第2の流路144は、第1実施形態の第2の流路44に比べて狭い。 In addition, in the comparative cooling device 114, the upper surface 22a of the support portion 22 and the upper surface 24a of the block body 24 are flush with each other. The distance D2 between the upper surface 24a of the block body 24 of the comparative cooling device 114 and the lower surface of the substrate 8 is formed to be approximately the same length as the distance D0 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the lower surface of the substrate 8 of the cooling device 14 of the first embodiment. Therefore, the distance D2 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the upper surface 24a of the block body 24 of the comparative cooling device 114 and the lower surface of the substrate 8 is smaller than the distance D1 between the upper surface 24a of the block body 24 of the cooling device 14 of the first embodiment and the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8. Therefore, the second flow path 144 of the comparative example is narrower than the second flow path 44 of the first embodiment.
(第1実施形態の冷却装置14と、比較例の冷却装置114との比較)
第1実施形態の冷却装置14と、比較例の冷却装置114とを比較する。第1実施形態の冷却装置14及び比較例の冷却装置114のブロック体24の大きさ、基板8の大きさが同一であると仮定する。
(Comparison between the cooling device 14 of the first embodiment and the cooling device 114 of the comparative example)
The cooling device 14 of the first embodiment will be compared with the cooling device 114 of the comparative example. It is assumed that the size of the block body 24 and the size of the substrate 8 of the cooling device 14 of the first embodiment and the cooling device 114 of the comparative example are the same.
比較例の冷却装置114では、第1の流路42を流れ、基板8の下面の中心部8aに当たった冷却ガスが、第2の流路144の径方向外方に円環状に広がる。このとき、第2の流路144に沿って、基板8の下面の中心部8aを冷却する。 In the comparative cooling device 114, the cooling gas that flows through the first flow path 42 and hits the central portion 8a of the underside of the substrate 8 spreads outward in a circular ring shape in the radial direction of the second flow path 144. At this time, the central portion 8a of the underside of the substrate 8 is cooled along the second flow path 144.
冷却ガスは、一部を除き、基板8の中心部8aから近い基板8の外縁(基板8の4辺)と支持部22の上面22aとの間を通って排出される。また、一部の冷却ガスは、基板8の下面の角部8bと支持部22の上面22aとの間を通って排出される。基板8の外縁と支持部22の上面22aとの間の方が、基板8の下面の角部8bと支持部22の上面22aとの間よりも中心部8aの中心軸Cからの距離が近く、流路抵抗が小さくなるため、冷却ガスが流れやすい。このため、基板8の角部8bは、基板8の中心部8aから近い外縁近傍に比べて、冷却し難い。 With the exception of a portion of the cooling gas, the cooling gas is discharged between the outer edge (four sides of the substrate 8) of the substrate 8 close to the center 8a of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support 22. In addition, some of the cooling gas is discharged between the corners 8b of the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support 22. The area between the outer edge of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support 22 is closer to the central axis C of the center 8a than the area between the corners 8b of the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support 22, and the flow resistance is smaller, so the cooling gas flows more easily. For this reason, the corners 8b of the substrate 8 are more difficult to cool than the vicinity of the outer edge close to the center 8a of the substrate 8.
図12には、比較例の冷却装置114を用いて基板8を冷却したときの、基板8の中心部8a及び角部8bを含む1/4カットの温度分布を示す。図12の例は、冷却ガスによる基板8の冷却開始から所定時間経過した時点での温度分布を示す。図6に示すように、基板8の中心部8aは、-110℃から-60℃の間の温度であり、角部8bは、-60℃から-30℃の間の温度である。 Figure 12 shows the temperature distribution of a quarter cut including the center 8a and corner 8b of the substrate 8 when the substrate 8 is cooled using the comparative cooling device 114. The example in Figure 12 shows the temperature distribution at a predetermined time after cooling of the substrate 8 by cooling gas begins. As shown in Figure 6, the center 8a of the substrate 8 has a temperature between -110°C and -60°C, and the corner 8b has a temperature between -60°C and -30°C.
なお、第1の流路42を通る冷却ガスは第1実施形態及び比較例において、略同一の温度で略同一の流量である。冷却ガスにより冷却される直前、基板8の温度も略同一である。このため、基板8の中心部8aの中心軸C、及び、中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度を比較したとき、中心部8aの中心軸C及び角部8bの角の温度分布のバラツキが少ない方が、冷却性能が高いと言える。すなわち、中心部8aの中心軸Cと、中心軸Cから最も離間した角部8bの角との間の温度差が少ない方が、冷却性能が高いと言える。 The cooling gas passing through the first flow path 42 has substantially the same temperature and flow rate in the first embodiment and the comparative example. The temperature of the substrate 8 is also substantially the same immediately before being cooled by the cooling gas. For this reason, when comparing the temperatures of the central axis C of the center 8a of the substrate 8 and the corner of the corner 8b furthest from the central axis C, it can be said that the cooling performance is higher when there is less variation in the temperature distribution of the central axis C of the center 8a and the corner of the corner 8b. In other words, it can be said that the cooling performance is higher when the temperature difference between the central axis C of the center 8a and the corner of the corner 8b furthest from the central axis C is smaller.
第1実施形態の基板8の中心部8aの温度は、-110℃から-70℃の温度であり、比較例の基板8の中心部8aの温度は、-110℃から-60℃の温度である。このため、基板8の中心部8aの温度は、第1実施形態及び比較例を比較しても殆ど変わらない。しかしながら、比較例の基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度(-30℃)は、第1実施形態の基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度(-45℃)よりも高い。すなわち、角部8bの冷却性能は、比較例の冷却装置114よりも、第1実施形態の冷却装置14の方が良好である。 The temperature of the center 8a of the substrate 8 in the first embodiment is -110°C to -70°C, while the temperature of the center 8a of the substrate 8 in the comparative example is -110°C to -60°C. Therefore, the temperature of the center 8a of the substrate 8 is almost the same when comparing the first embodiment and the comparative example. However, the temperature (-30°C) of the corner of the corner 8b furthest from the central axis C of the substrate 8 in the comparative example is higher than the temperature (-45°C) of the corner of the corner 8b furthest from the central axis C of the substrate 8 in the first embodiment. In other words, the cooling performance of the corner 8b is better in the cooling device 14 of the first embodiment than in the cooling device 114 of the comparative example.
第1実施形態の冷却装置14では、ガイド部26の延出面26aは、ブロック体24の上面24aと面一で、基板8の下面の角部8bに対向する。このため、基板8の下面の角部8bへの冷却ガスの量を増大させる。このため、基板8の角部8bの下側の第3の流路46に冷却ガスを流しやすい。したがって、第1実施形態の冷却装置14は、基板8の角部8bであっても、ガイド部26の存在により、効率的に冷却が行われる。 In the cooling device 14 of the first embodiment, the extension surface 26a of the guide portion 26 is flush with the upper surface 24a of the block body 24 and faces the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. This increases the amount of cooling gas to the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. This makes it easier to flow the cooling gas into the third flow path 46 below the corner 8b of the substrate 8. Therefore, in the cooling device 14 of the first embodiment, the presence of the guide portion 26 allows efficient cooling even at the corner 8b of the substrate 8.
上述したように、基板8の中心部8aの中心軸Cと、中心軸Cから最も離間した角部8bの角との温度を比較したとき、温度差が少ない方が、冷却性能が高いと言える。比較例の冷却装置114に対する第1実施形態の冷却装置14の冷却性能の改善率を以下の
改善率(%)=100-(TF1-TC1)/(TF0-TC0)×100
を用いて算出した。ここで、TF1は、第1実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度であり、TC1は、第1実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸C上の温度である。TF0は、比較例の冷却装置114により冷却した基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度であり、TC0は、比較例の冷却装置114により冷却した基板8の中心軸C上の温度である。
図6に示すように、TF1=-45℃、TC1=-110℃、TF0=-30℃、TC0=-110℃とすると、比較例の冷却装置114に対する第1実施形態の冷却装置14の冷却性能の改善率は、18.8%となった。
As described above, when comparing the temperature at the central axis C of the center portion 8a of the substrate 8 with the temperature at the corner of the corner portion 8b that is the furthest from the central axis C, the smaller the temperature difference, the higher the cooling performance. The improvement rate of the cooling performance of the cooling device 14 of the first embodiment compared to the cooling device 114 of the comparative example is expressed as follows: Improvement rate (%)=100-(T F1 -T C1 )/(T F0 -T C0 )×100
Here, TF1 is the temperature of the corner of the corner portion 8b that is the furthest from the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the first embodiment, and TC1 is the temperature on the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the first embodiment. TF0 is the temperature of the corner of the corner portion 8b that is the furthest from the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 114 of the comparative example, and TC0 is the temperature on the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 114 of the comparative example.
As shown in FIG. 6, when T F1 =-45°C, T C1 =-110°C, T F0 =-30°C, and T C0 =-110°C, the improvement rate of the cooling performance of the cooling device 14 of the first embodiment compared to the cooling device 114 of the comparative example was 18.8%.
したがって、第1実施形態によれば、冷却対象物の冷却対象領域(基板8の下面)のうち、冷却ガスの吐出部(第1の流路42)から近い領域(基板8の下面の中心部8a)、及び、遠い領域(基板8の下面の角部8b)を冷却し易い、冷却装置14、及び、冷却装置14を有する基板処理装置10を提供することができる。このため、冷却装置14、及び、その冷却装置14を有する基板処理装置10を用いることで、例えば矩形状の基板など、非円形状の冷却対象物の中心部付近、及び、外縁近傍を冷却することができる。 Therefore, according to the first embodiment, it is possible to provide a cooling device 14 and a substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14 that can easily cool the area (the underside of the substrate 8) close to the cooling gas discharge portion (the first flow path 42) and the area far from the cooling gas discharge portion (the corners 8b of the underside of the substrate 8) of the cooling object to be cooled (the underside of the substrate 8). Therefore, by using the cooling device 14 and the substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14, it is possible to cool the area near the center and the area near the outer edge of a non-circular cooling object, such as a rectangular substrate.
(第2実施形態)
第2実施形態の基板処理装置10について、図13から図16を用いて説明する。第2実施形態は第1実施形態の変形例であって、第1実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。
Second Embodiment
A substrate processing apparatus 10 according to a second embodiment will be described with reference to Fig. 13 to Fig. 16. The second embodiment is a modified example of the first embodiment, and the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and will not be described in detail.
冷却装置14は、基板8を支持する支持部22と、ブロック体64とを有する。例えばブロック体64の下側には、冷却ガス源28(図2参照)が設けられている。支持部22及びブロック体64は、基板8とともに冷却ガスの流路40を形成する。 The cooling device 14 has a support 22 that supports the substrate 8, and a block body 64. For example, a cooling gas source 28 (see FIG. 2) is provided below the block body 64. The support 22 and the block body 64, together with the substrate 8, form a flow path 40 for the cooling gas.
なお、第1実施形態の支持部22及びブロック体24との関係と同様に、支持部22及びブロック体64は、一体成型されていることが好適である。また、支持部22及びブロック体64が一体成型により形成された後、冷却ガスの流路40が除去加工により形成されることも好適である。また、支持部22、ブロック体64、及び、冷却ガスの流路40は、樹脂材からなる円柱の板に除去加工を実施することで形成されることも好適である。 As with the relationship between the support part 22 and the block body 24 in the first embodiment, it is preferable that the support part 22 and the block body 64 are integrally molded. It is also preferable that the cooling gas flow path 40 is formed by removal processing after the support part 22 and the block body 64 are formed by integral molding. It is also preferable that the support part 22, the block body 64, and the cooling gas flow path 40 are formed by performing removal processing on a cylindrical plate made of a resin material.
ブロック体64は、略円柱状の部材である。ブロック体64は、冷却対象の基板8が支持部22に支持されたときに基板8に対向する円環状の外縁64aと、外周面64bと、外縁64aの内側に形成された凹部64cとを有する。外縁64aは、ブロック体64の一端の外縁である。ブロック体64の一端は、基板8が支持部22に支持されたときに基板8に対向する。ブロック体64の他端は、冷却ガス源28あるいは、基部12の下面の内壁と対向する。中心軸Cは、ブロック体64の一端の中心と他端の中心とを通る。ブロック体64の中心軸Cと外縁64aとの距離、つまり、ブロック体64の半径r1は、冷却対象物である基板8の仮想的な円の半径よりも小さい。しかし、半径r1は、ブロック体64の外縁64aと基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角とを結ぶ最短距離D3の長さよりも長い。外周面64bは、ブロック体64の一端と他端を接続する側面である。 The block body 64 is a substantially cylindrical member. The block body 64 has an annular outer edge 64a that faces the substrate 8 to be cooled when the substrate 8 is supported by the support portion 22, an outer peripheral surface 64b, and a recess 64c formed inside the outer edge 64a. The outer edge 64a is the outer edge of one end of the block body 64. One end of the block body 64 faces the substrate 8 when the substrate 8 is supported by the support portion 22. The other end of the block body 64 faces the cooling gas source 28 or the inner wall of the lower surface of the base portion 12. The central axis C passes through the center of one end of the block body 64 and the center of the other end. The distance between the central axis C of the block body 64 and the outer edge 64a, that is, the radius r1 of the block body 64, is smaller than the radius of the imaginary circle of the substrate 8, which is the object to be cooled. However, the radius r1 is longer than the shortest distance D3 between the outer edge 64a of the block body 64 and the corner of the corner portion 8b that is farthest from the central axis C of the substrate 8. The outer peripheral surface 64b is the side surface that connects one end of the block body 64 to the other end.
ブロック体64は、中心軸Cに沿って貫通する貫通孔を有する。貫通孔は冷却ガスの第1の流路42として形成されている。第1の流路42は、例えばブロック体64の下側に設けられる冷却ガス源28から冷却ガスを、ブロック体64の中心軸Cに沿って下側から上側に向かって導く。このため、第1の流路42は、基板8を冷却する冷却ガスを、ブロック体64の上側に固定される基板8の中心部8aに向かって導く。 The block body 64 has a through hole that penetrates along the central axis C. The through hole is formed as a first flow path 42 for cooling gas. The first flow path 42 guides cooling gas from a cooling gas source 28 provided, for example, on the lower side of the block body 64, from the lower side to the upper side along the central axis C of the block body 64. Therefore, the first flow path 42 guides the cooling gas that cools the substrate 8 toward the center portion 8a of the substrate 8 fixed to the upper side of the block body 64.
冷却装置14のブロック体64の一端に凹部64cが設けられる。凹部64cは、円環状面として形成されている。第2の流路44は、第1の流路42に連続し、第1の流路42に対して径方向外方に円環状に形成されている。凹部64cは、基板8の下面との間に適宜の距離Dを取る。凹部64cは、基板8の下面又は支持部22の上面22aを基準としたときに、中心軸Cに近いほど、中心軸Cに沿う方向の距離Dが大きくなり、中心軸Cから離れるほど、中心軸Cに沿う方向の距離Dが小さくなる曲面である。すなわち、凹部64cは、第2の流路44に沿って第1の流路42から遠ざかるにつれて、基板8の下面との間の距離を近づける傾斜面として形成されている。本実施形態では、ブロック体64の凹部64cは、第1の流路42の開口縁である終端42aからブロック体64の外縁64aと外周面64bとの境界まで連続する曲面として形成されている。つまり、凹部64cのうち、基板8と対向する開口端の半径は、ブロック体64の半径r1と同じ長さとなる。したがって、凹部64cのうち、基板8と対向する開口端の半径は、基板8の仮想的な円の半径よりも小さいが、ブロック体64の外縁64aと基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角とを結ぶ最短距離D3の長さよりは長い。凹部64cの面は、例えば金管楽器のベル状に形成されている。凹部64cは、外縁64aに連続する。凹部64cは、第1の流路42と連通する第2の流路44として形成されている。 A recess 64c is provided at one end of the block body 64 of the cooling device 14. The recess 64c is formed as a circular ring surface. The second flow path 44 is continuous with the first flow path 42 and is formed in a circular ring shape radially outward from the first flow path 42. The recess 64c has an appropriate distance D between it and the lower surface of the substrate 8. The recess 64c is a curved surface in which, when the lower surface of the substrate 8 or the upper surface 22a of the support part 22 is used as a reference, the closer to the central axis C, the greater the distance D in the direction along the central axis C, and the further away from the central axis C, the smaller the distance D in the direction along the central axis C. In other words, the recess 64c is formed as an inclined surface that reduces the distance between it and the lower surface of the substrate 8 as it moves away from the first flow path 42 along the second flow path 44. In this embodiment, the recess 64c of the block body 64 is formed as a curved surface that continues from the end 42a, which is the opening edge of the first flow path 42, to the boundary between the outer edge 64a and the outer peripheral surface 64b of the block body 64. In other words, the radius of the opening end of the recess 64c that faces the substrate 8 is the same as the radius r1 of the block body 64. Therefore, the radius of the opening end of the recess 64c that faces the substrate 8 is smaller than the radius of the imaginary circle of the substrate 8, but is longer than the shortest distance D3 connecting the outer edge 64a of the block body 64 and the corner of the corner 8b that is farthest from the central axis C of the substrate 8. The surface of the recess 64c is formed, for example, in the shape of a bell of a brass instrument. The recess 64c is continuous with the outer edge 64a. The recess 64c is formed as the second flow path 44 that communicates with the first flow path 42.
第1の流路42の終端42aは、第1実施形態の第1の流路42の終端42aよりも、基板8の下面から離れている。このため、冷却ガスが凹部64cの第2の流路44を通るとき、第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。 The end 42a of the first flow passage 42 is farther from the underside of the substrate 8 than the end 42a of the first flow passage 42 in the first embodiment. Therefore, when the cooling gas passes through the second flow passage 44 of the recess 64c, it spreads outward in the radial direction of the second flow passage 44 in an annular shape.
基板処理装置10の冷却装置14の動作について説明する。第1実施形態で説明した内容については、適宜に説明を省略する。 The operation of the cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 will be described. The contents described in the first embodiment will be omitted as appropriate.
第1実施形態で説明したように、基板8を規制ピン32a,32bに支持させる。規制部32に基板8が支持されたとき、支持部22の上面22aと基板8との間の距離D0が規定される。規制部32に基板8が支持されたとき、ブロック体64の凹部64cと、基板8の下面との間に距離Dが規定される。このため、第1の流路42、第2の流路44、第3の流路46、及び、第4の流路48を含む冷却ガスの流路40は、基板8が規制部32に支持された状態で、基板8の下側に形成される。 As described in the first embodiment, the substrate 8 is supported by the regulating pins 32a and 32b. When the substrate 8 is supported by the regulating portion 32, the distance D0 between the upper surface 22a of the support portion 22 and the substrate 8 is defined. When the substrate 8 is supported by the regulating portion 32, the distance D is defined between the recess 64c of the block body 64 and the lower surface of the substrate 8. Therefore, the cooling gas flow path 40 including the first flow path 42, the second flow path 44, the third flow path 46, and the fourth flow path 48 is formed on the lower side of the substrate 8 when the substrate 8 is supported by the regulating portion 32.
基板処理装置10の冷却装置14は、冷却ガス源28から冷却ガスを第1の流路42に導く。冷却ガスは、第1の流路42に沿って下側から上側に向かって流され、ブロック体64の凹部64cの終端42aを通して、凹部64cの表面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。冷却ガスの一部は、基板8の下面の中心部8aに接触し、基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このため、冷却ガスは、ブロック体64の凹部64cと基板8の下面との間の第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このとき、第2の流路44の基板8の下面の中心部8aの近傍と、中心軸Cに沿って下側の凹部64cの表面との間の距離Dは、第3の流路46の距離D0よりも大きいため、冷却ガスが第2の流路44の径方向外方に円環状に流れる。このため、基板8の下面のうち、ブロック体64の凹部64cの上方の領域は、第2の流路44に沿って冷却ガスが流されると冷却される。すなわち、冷却ガスが基板8の中心部8aから基板8の下面の中心部8aから基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に流れるとき、基板8の下面は、冷却ガスにより冷却される。 The cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 guides the cooling gas from the cooling gas source 28 to the first flow path 42. The cooling gas flows from the bottom to the top along the first flow path 42, and spreads in a circular ring shape radially outward of the second flow path 44 along the surface of the recess 64c through the end 42a of the recess 64c of the block body 64. A part of the cooling gas contacts the center 8a of the lower surface of the substrate 8 and spreads in a circular ring shape radially outward of the second flow path 44 along the lower surface of the substrate 8. Therefore, the cooling gas spreads in a circular ring shape radially outward of the second flow path 44 between the recess 64c of the block body 64 and the lower surface of the substrate 8. At this time, the distance D between the vicinity of the center 8a of the lower surface of the substrate 8 of the second flow path 44 and the surface of the lower recess 64c along the central axis C is greater than the distance D0 of the third flow path 46, so that the cooling gas flows in a circular ring shape radially outward of the second flow path 44. Therefore, the area of the underside of the substrate 8 above the recess 64c of the block body 64 is cooled when the cooling gas flows along the second flow path 44. That is, when the cooling gas flows from the center 8a of the substrate 8 to the center 8a of the underside of the substrate 8 along the underside of the substrate 8 in a circular ring shape radially outward of the second flow path 44, the underside of the substrate 8 is cooled by the cooling gas.
第2の流路44は、ブロック体64の凹部64cからブロック体64の外縁64aに近づくにつれて基板8の下面との距離が距離D0に近づき、狭くなる。このため、冷却ガスは、ブロック体64の外縁64aと基板8の下面との間の領域に向かって案内されるとともに、流速が速くなる。 As the second flow path 44 approaches the outer edge 64a of the block body 64 from the recess 64c of the block body 64, the distance from the bottom surface of the substrate 8 approaches distance D0, and the second flow path 44 becomes narrower. Therefore, the cooling gas is guided toward the region between the outer edge 64a of the block body 64 and the bottom surface of the substrate 8, and the flow rate increases.
ブロック体64の凹部64cを通してブロック体64の外縁64aに到達した冷却ガスは、基板8の下面の縁部に向かって流れる。この冷却ガスは、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜ける。すなわち、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。 The cooling gas that reaches the outer edge 64a of the block body 64 through the recess 64c of the block body 64 flows toward the edge of the lower surface of the substrate 8. This cooling gas passes between the upper surface 22a of the support part 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8. In other words, the cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support part 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8.
規制ピン32a,32bにより、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間に第3の流路46が形成されている。ブロック体64の凹部64cを通してブロック体64の外縁64aに到達した冷却ガスは、適宜の流速を維持し、かつ、流速が速くなる。このため、図15に示すように、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間に向かう冷却ガスの流れが生じる。このため、規制ピン32a,32b間の第3の流路46を冷却ガスが通り、冷却ガスの第3の流路46となっている基板8の角部8bが冷却ガスにより冷却される。支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。 The regulating pins 32a and 32b form a third flow path 46 between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. The cooling gas that reaches the outer edge 64a of the block body 64 through the recess 64c of the block body 64 maintains an appropriate flow rate and increases its flow rate. Therefore, as shown in FIG. 15, a flow of cooling gas is generated toward between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. Therefore, the cooling gas passes through the third flow path 46 between the regulating pins 32a and 32b, and the corner 8b of the substrate 8, which is the third flow path 46 of the cooling gas, is cooled by the cooling gas. The cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8.
本実施形態に係る冷却装置14によれば、このようにして、冷却ガスの吐出部である第1の流路42から近い基板8の中心部8a、及び、第1の流路42からから遠い角部8bまで、冷却ガスにより冷却される。 In this manner, the cooling device 14 according to this embodiment cools the center 8a of the substrate 8, which is close to the first flow path 42, which is the outlet for the cooling gas, and the corner 8b, which is far from the first flow path 42, with the cooling gas.
基板8の下面と支持部22の上面22aとの間の距離D0は、基板8の下面とブロック体64の凹部64cとの間の距離Dよりも小さい。しかしながら、ブロック体64の中心軸Cから、ブロック体64の外縁64aまで、冷却ガスが適宜の流速を維持しながら進む。このため、第2の流路44よりも狭い第3の流路46であっても、冷却ガスの流速が速められ、冷却ガスは、基板8の角部8bの角まで流れようとする。このように、本実施形態の冷却装置14は、第3の流路46において、基板8の角部8bの角に向けた冷却ガスの流れを作りだすことができるので、基板8の角部8bの下面を通す冷却ガスの通過により、基板8の角部8bが冷却される。 The distance D0 between the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support 22 is smaller than the distance D between the lower surface of the substrate 8 and the recess 64c of the block body 64. However, the cooling gas advances from the central axis C of the block body 64 to the outer edge 64a of the block body 64 while maintaining an appropriate flow rate. Therefore, even in the third flow path 46 which is narrower than the second flow path 44, the flow rate of the cooling gas is increased, and the cooling gas tends to flow to the corner 8b of the substrate 8. In this way, the cooling device 14 of this embodiment can create a flow of cooling gas in the third flow path 46 toward the corner 8b of the substrate 8, so that the corner 8b of the substrate 8 is cooled by the passage of the cooling gas through the lower surface of the corner 8b of the substrate 8.
また、第2実施形態では、ブロック体64に凹部64cが形成されている。凹部64cが形成されることで、基板8の第1の流路42に近い位置は、第1実施形態と比べて冷却ガスの接触が少なくなる。そのため、基板8の第1の流路42に近い位置が過剰に冷却されることを抑制することができる。また、凹部64cが形成されることで、凹部64cの表面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる冷却ガスの流れが形成される。この流れは、基板8の下面の中心部8aに接触し、基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる冷却ガスの流れと比べると、基板8の中心部8aの外周に到達するまでの距離が短い。また、基板8との接触も少ない。このため、冷却ガスは、基板8の中心部8aの外周に低い温度を保ったまま到達することができる。このため、冷却ガスは、基板8の中心部8aの外周をより冷却することができる。したがって、ブロック体64に凹部64cが形成されていることで、基板8の第1の流路42に近い位置が過剰に冷却されることを抑制でき、基板8の中心部8aの外周をより冷却することができる。つまり、基板8の中心部8a内の温度分布のバラツキをより小さくすることができる。 In the second embodiment, a recess 64c is formed in the block body 64. By forming the recess 64c, the position close to the first flow path 42 of the substrate 8 is less in contact with the cooling gas than in the first embodiment. Therefore, it is possible to suppress excessive cooling of the position close to the first flow path 42 of the substrate 8. In addition, by forming the recess 64c, a flow of cooling gas is formed that spreads in an annular shape radially outward of the second flow path 44 along the surface of the recess 64c. This flow contacts the center 8a of the lower surface of the substrate 8, and compared to the flow of cooling gas that spreads in an annular shape radially outward of the second flow path 44 along the lower surface of the substrate 8, the distance to reach the outer periphery of the center 8a of the substrate 8 is shorter. In addition, there is less contact with the substrate 8. Therefore, the cooling gas can reach the outer periphery of the center 8a of the substrate 8 while maintaining a low temperature. Therefore, the cooling gas can cool the outer periphery of the center 8a of the substrate 8 more. Therefore, by forming the recess 64c in the block body 64, it is possible to prevent the position of the substrate 8 close to the first flow path 42 from being excessively cooled, and it is possible to cool the outer periphery of the center portion 8a of the substrate 8 more effectively. In other words, it is possible to reduce the variation in temperature distribution within the center portion 8a of the substrate 8.
基板8の中心部8a内の温度分布のバラツキを小さくするため、ブロック体64の半径r1は、仮想的な円の半径に近い値とすることが好ましく、半径r1は、ブロック体64の外縁64aと基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角とを結ぶ最短距離D3の長さよりも長いことが好ましい。 In order to reduce the variation in temperature distribution within the center 8a of the substrate 8, it is preferable that the radius r1 of the block body 64 is close to the radius of an imaginary circle, and it is preferable that the radius r1 is longer than the shortest distance D3 connecting the outer edge 64a of the block body 64 and the corner of the corner 8b that is furthest from the central axis C of the substrate 8.
図16には、第2実施形態に係る冷却装置14を用いて冷却した基板8の、基板8の中心部8a及び角部8bを含む基板8の1/4カットの温度分布を示す。図16の例は、冷却ガスによる基板8の冷却開始から所定時間経過した時点での温度分布を示す。図6に示すように、基板8の中心部8aは、-90℃から-80℃の間の温度であり、角部8bは、-80℃から-45℃の間の温度である。 Figure 16 shows the temperature distribution of a quarter cut of a substrate 8, including the center 8a and corners 8b of the substrate 8, cooled using the cooling device 14 according to the second embodiment. The example in Figure 16 shows the temperature distribution at a predetermined time after cooling of the substrate 8 by cooling gas has begun. As shown in Figure 6, the center 8a of the substrate 8 has a temperature between -90°C and -80°C, and the corners 8b have a temperature between -80°C and -45°C.
上述したように、中心部8aの中心軸Cと、中心軸Cから最も離間した角部8bの角との間の温度差が少ない方が、冷却性能が高いと言える。第2実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度をTF2とし、第2実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸C上の温度をTC2とする。図6に示すように、TF2=-45℃、TC2=-90℃である。このため、温度TF2と温度とTC2との温度差は、45℃であり、比較例の温度TF0と温度とTC02との温度差である80℃よりも差が小さい。TF2=-45℃、TC2=-90℃とすると、比較例の冷却装置114に対する第2実施形態の冷却装置14の冷却性能の改善率は、43.8%となった。すなわち、角部8bの冷却性能は、比較例の冷却装置114よりも、第2実施形態の冷却装置14の方が良好である。したがって、第2実施形態の冷却装置14は、基板8の角部8bであっても、効率的に冷却が行われる。 As described above, it can be said that the smaller the temperature difference between the central axis C of the center portion 8a and the corner of the corner portion 8b farthest from the central axis C, the higher the cooling performance. The temperature of the corner of the corner portion 8b farthest from the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the second embodiment is T F2 , and the temperature on the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the second embodiment is T C2 . As shown in FIG. 6, T F2 = -45°C, T C2 = -90°C. Therefore, the temperature difference between the temperature T F2 and the temperature T C2 is 45°C, which is smaller than the temperature difference between the temperature T F0 and the temperature T C02 of the comparative example, which is 80°C. If T F2 = -45°C, T C2 = -90°C, the improvement rate of the cooling performance of the cooling device 14 of the second embodiment relative to the cooling device 114 of the comparative example is 43.8%. That is, the cooling performance of the corner portion 8b is better in the cooling device 14 of the second embodiment than in the comparative example cooling device 114. Therefore, the cooling device 14 of the second embodiment efficiently cools even the corner portion 8b of the substrate 8.
第2実施形態による冷却装置14は、基板(冷却対象物)8が上側に配置されるブロック体64と、基板8を下側から支持する支持部22とを有する。ブロック体64は、基板(冷却対象物)8の下面(冷却対象領域)に向けて下側から上側に冷却ガスを流す第1の流路42、及び、第1の流路42に連続し、第1の流路42を中心として円環状に広がり、冷却ガスを基板8の下面の第1の流路42に対して径方向に流す凹部(環状面)64cを有する第2の流路44を形成する。支持部22は、ブロック体64の外側を囲むように設けられ、第2の流路44の外側に連続し、基板8の下面が上側に配置された状態で、第2の流路44よりも狭く、冷却ガスをブロック体64の凹部64cの外側に流す第3の流路46を形成する。
したがって、第2実施形態によれば、冷却対象物の冷却対象領域(基板8の下面)のうち、冷却ガスの吐出部(第1の流路42)から近い領域(基板8の下面の中心部8a)、及び、遠い領域(基板8の下面の角部8b)を冷却し易い、冷却装置14、及び、冷却装置14を有する基板処理装置10を提供することができる。このため、冷却装置14、及び、その冷却装置14を有する基板処理装置10を用いることで、例えば矩形状の基板など、非円形状の冷却対象物の中心部付近、及び、外縁近傍を冷却することができる。
The cooling device 14 according to the second embodiment has a block body 64 on which a substrate (object to be cooled) 8 is disposed, and a support portion 22 that supports the substrate 8 from below. The block body 64 forms a first flow path 42 that flows a cooling gas from the bottom to the top toward the bottom surface (area to be cooled) of the substrate (object to be cooled) 8, and a second flow path 44 that is continuous with the first flow path 42, spreads in an annular shape centered on the first flow path 42, and has a recess (annular surface) 64c that flows the cooling gas in a radial direction relative to the first flow path 42 on the bottom surface of the substrate 8. The support portion 22 is provided so as to surround the outside of the block body 64, and forms a third flow path 46 that is continuous with the outside of the second flow path 44, is narrower than the second flow path 44, and flows the cooling gas to the outside of the recess 64c of the block body 64 when the bottom surface of the substrate 8 is disposed on the top.
Therefore, according to the second embodiment, it is possible to provide the cooling device 14 and the substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14, which can easily cool the area (the lower surface of the substrate 8) close to the cooling gas discharge portion (the first flow path 42) (the central portion 8a of the lower surface of the substrate 8) and the area far from the cooling gas discharge portion (the corner portions 8b of the lower surface of the substrate 8) of the cooling object. Therefore, by using the cooling device 14 and the substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14, it is possible to cool the vicinity of the central portion and the vicinity of the outer edge of a non-circular object to be cooled, such as a rectangular substrate.
(第1変形例)
第2実施形態の冷却装置14の第1変形例について説明する。
(First Modification)
A first modification of the cooling device 14 of the second embodiment will be described.
第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの断面は、図14に示すように、略扇形である。図15には、第2実施形態の冷却装置14を用いて基板8を冷却する際の冷却ガスの流れのシミュレーション結果を示す。第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの表面のうち、第1の流路42に近い位置、及び、ブロック体64の外縁64aに近い位置は、冷却ガスの流量が多い。しかしながら、第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの表面のうち、第1の流路42に近い位置、及び、ブロック体64の外縁64aに近い位置の間の領域は、冷却ガスの接触が少ない。 The cross section of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment is approximately sector-shaped, as shown in FIG. 14. FIG. 15 shows the results of a simulation of the flow of cooling gas when the substrate 8 is cooled using the cooling device 14 of the second embodiment. The flow rate of cooling gas is high at positions on the surface of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment, close to the first flow path 42, and close to the outer edge 64a of the block body 64. However, the area on the surface of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment between the positions close to the first flow path 42 and the positions close to the outer edge 64a of the block body 64 has little contact with the cooling gas.
図17に示すように、第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの表面(傾斜面)は、冷却ガスのシミュレーション結果に沿う面として形成してもよい。凹部64cの表面の曲率半径は、適宜に設定可能である。すなわち、図17に示す凹部64cは、例えば複数の曲率半径の面が連続して形成されている。凹部64cのうち、第1の流路42の終端42aに近い位置は、凹部64cのうち、外縁64aに近い位置に比べて、中心軸Cの軸周りの直径の拡大率が小さい。 As shown in FIG. 17, the surface (inclined surface) of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment may be formed as a surface that follows the simulation results of the cooling gas. The radius of curvature of the surface of the recess 64c can be set appropriately. That is, the recess 64c shown in FIG. 17 is formed, for example, with a continuous surface having a plurality of radii of curvature. The position of the recess 64c near the end 42a of the first flow path 42 has a smaller rate of expansion of the diameter around the central axis C than the position of the recess 64c near the outer edge 64a.
(第2変形例)
第2実施形態の冷却装置14の第2変形例について説明する。
(Second Modification)
A second modification of the cooling device 14 of the second embodiment will be described.
上述したように、図15に示すように、第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの表面のうち、第1の流路42に近い位置、及び、ブロック体64の外縁64aに近い位置は、冷却ガスの流量が多い。しかしながら、第2実施形態の冷却装置14のブロック体64の凹部64cの表面のうち、第1の流路42に近い位置、及び、ブロック体64の外縁64aに近い位置の間の領域は、冷却ガスの接触が少ない。 As described above, as shown in FIG. 15, the flow rate of the cooling gas is high at positions on the surface of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment near the first flow path 42 and near the outer edge 64a of the block body 64. However, the area between the positions on the surface of the recess 64c of the block body 64 of the cooling device 14 of the second embodiment near the first flow path 42 and near the outer edge 64a of the block body 64 has little contact with the cooling gas.
図18に示すように、凹部64cの傾斜面は、第1の流路42から第3の流路46に向かって広がるテーパ状に形成されている。凹部64cの傾斜面が例えば複数段のテーパ状であっても、凹部64cのうち、第1の流路42の終端42aに近い位置は、凹部64cのうち、外縁64aに近い位置に比べて、中心軸Cの軸周りの直径の拡大率が小さい。冷却ガスの拡散を阻害しない形状であれば、第2の流路44は、このように形成されていてもよい。 As shown in FIG. 18, the inclined surface of the recess 64c is formed in a tapered shape that widens from the first flow path 42 toward the third flow path 46. Even if the inclined surface of the recess 64c is tapered in multiple stages, the portion of the recess 64c closer to the end 42a of the first flow path 42 has a smaller rate of expansion of the diameter around the central axis C than the portion of the recess 64c closer to the outer edge 64a. The second flow path 44 may be formed in this manner as long as the shape does not impede the diffusion of the cooling gas.
(第3実施形態)
第3実施形態について、図19から図22を用いて説明する。本実施形態は第1実施形態及び第2実施形態の変形例であって、第1実施形態及び第2実施形態で説明した部材と同一の構造を有する部材には極力同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。
Third Embodiment
The third embodiment will be described with reference to Fig. 19 to Fig. 22. This embodiment is a modification of the first and second embodiments, and members having the same structure as those described in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as much as possible, and detailed description thereof will be omitted.
図19から図21に示すように、冷却装置14は、基板8を支持する支持部22と、ブロック体64と、複数のガイド部26とを有する。すなわち、本実施形態の冷却装置14は、第1実施形態で説明した略円柱状のブロック体24を、第2実施形態で説明したブロック体64に変更する。 As shown in Figures 19 to 21, the cooling device 14 has a support portion 22 that supports the substrate 8, a block body 64, and a number of guide portions 26. That is, in the cooling device 14 of this embodiment, the approximately cylindrical block body 24 described in the first embodiment is changed to the block body 64 described in the second embodiment.
また、本実施形態の冷却装置14は、第1実施形態及び第2実施形態で説明した第4の流路48は、備えていない。 In addition, the cooling device 14 of this embodiment does not have the fourth flow path 48 described in the first and second embodiments.
基板処理装置10の冷却装置14の動作について説明する。第1実施形態で説明した内容については、適宜に説明を省略する。 The operation of the cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 will be described. The contents described in the first embodiment will be omitted as appropriate.
第1実施形態で説明したように、基板8を規制ピン32a,32bに支持させる。 As described in the first embodiment, the substrate 8 is supported by the regulating pins 32a and 32b.
規制部32に基板8が支持されたとき、支持部22の上面22aと基板8との間に距離D0が規定される。規制部32に基板8が吸着されたとき、ブロック体64の外縁64a及びガイド部26の延出面26aと、基板8の下面との間に距離D1が規定される。規制部32に基板8が支持されたとき、ブロック体64の凹部64cと、基板8の下面との間に距離Dが規定される。 When the substrate 8 is supported by the restricting portion 32, a distance D0 is defined between the upper surface 22a of the support portion 22 and the substrate 8. When the substrate 8 is attracted to the restricting portion 32, a distance D1 is defined between the outer edge 64a of the block body 64 and the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8. When the substrate 8 is supported by the restricting portion 32, a distance D is defined between the recess 64c of the block body 64 and the lower surface of the substrate 8.
このため、第1の流路42、第2の流路44、及び、第3の流路46を含む冷却ガスの流路40は、基板8が規制部32に支持された状態で、基板8の下側に形成される。 Therefore, the cooling gas flow path 40, including the first flow path 42, the second flow path 44, and the third flow path 46, is formed below the substrate 8 while the substrate 8 is supported by the restricting portion 32.
基板処理装置10の冷却装置14は、冷却ガス源28から冷却ガスを第1の流路42に導く。冷却ガスは、第1の流路42に沿って下側から上側に向かって流され、ブロック体64の凹部64cの終端42aを通して、凹部64cの表面に沿って第2の流路44の径方向に広がる。冷却ガスの一部は、基板8の下面の中心部8aに接触し、基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このため、冷却ガスは、ブロック体64の凹部64cと基板8の下面との間の第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。すなわち、基板8の下面の中心部8aの近傍と、中心軸Cに沿って下側の凹部64cの表面との間の距離D(>D1)は、適宜の大きさがあるため、冷却ガスが第2の流路44の径方向外方に円環状に広がる。このため、基板8の下面のうち、ブロック体64の凹部64cの上方の領域は、第2の流路44に沿って冷却ガスが流されると冷却される。すなわち、冷却ガスが基板8の中心部8aから基板8の下面に沿って第2の流路44の径方向外方に広がるとき、基板8の下面は、冷却ガスにより冷却される。 The cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 guides the cooling gas from the cooling gas source 28 to the first flow path 42. The cooling gas flows from the bottom to the top along the first flow path 42, and spreads radially along the surface of the recess 64c through the end 42a of the recess 64c of the block body 64. A part of the cooling gas contacts the center 8a of the lower surface of the substrate 8 and spreads radially outward in an annular shape along the lower surface of the substrate 8 of the second flow path 44. Therefore, the cooling gas spreads radially outward in an annular shape of the second flow path 44 between the recess 64c of the block body 64 and the lower surface of the substrate 8. That is, the distance D (>D1) between the vicinity of the center 8a of the lower surface of the substrate 8 and the surface of the lower recess 64c along the central axis C has an appropriate size, so that the cooling gas spreads radially outward in an annular shape of the second flow path 44. Therefore, the area of the underside of the substrate 8 above the recess 64c of the block body 64 is cooled when the cooling gas flows along the second flow path 44. That is, when the cooling gas spreads radially outward of the second flow path 44 from the center 8a of the substrate 8 along the underside of the substrate 8, the underside of the substrate 8 is cooled by the cooling gas.
ブロック体64の凹部64cは、ブロック体64の外縁64aに近づき、基板8の角部8bに近づくにつれて基板8の下面との距離が距離D1に近づき、狭くなる。このため、冷却ガスは、ブロック体64の外縁64aと基板8の下面との間の領域に向かって案内されるとともに、流速が速くなる。 As the recess 64c of the block body 64 approaches the outer edge 64a of the block body 64 and the corner 8b of the substrate 8, the distance between the recess 64c and the bottom surface of the substrate 8 approaches distance D1 and becomes narrower. Therefore, the cooling gas is guided toward the region between the outer edge 64a of the block body 64 and the bottom surface of the substrate 8, and the flow rate increases.
支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスがブロック体64の外縁64aを通して支持部22の側面22bに当たる。このとき、支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスには、基板8の下面の縁部に向かう流れが生じる。 The cooling gas flowing toward the side surface 22b of the support portion 22 hits the side surface 22b of the support portion 22 through the outer edge 64a of the block body 64. At this time, the cooling gas flowing toward the side surface 22b of the support portion 22 generates a flow toward the edge of the lower surface of the substrate 8.
ブロック体64の外縁64aを通して支持部22の側面22bに当たり、基板8の下面の縁部に向かって流れた冷却ガスは、基板8の下面の縁部に衝突する衝突流となり、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜ける。すなわち、支持部22の上面22aと基板8の下面の縁部との間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。このとき、基板8の外縁近傍に冷却ガスが接触するため、基板8の外縁近傍が冷却される。 The cooling gas that hits the side surface 22b of the support 22 through the outer edge 64a of the block body 64 and flows toward the edge of the lower surface of the substrate 8 becomes a collision flow that collides with the edge of the lower surface of the substrate 8, and passes between the upper surface 22a of the support 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8. In other words, the cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support 22 and the edge of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8. At this time, the cooling gas comes into contact with the vicinity of the outer edge of the substrate 8, so that the vicinity of the outer edge of the substrate 8 is cooled.
このとき、支持部22の側面22bに向かって流れた冷却ガスは、全て基板8の外側に排出される訳ではない。支持部22の側面22bに衝突した冷却ガスの一部は、支持部22の側面22bに沿って流れ、ガイド部26の延出面26aに向かう。また、冷却ガスは、基板8の下面の中心部8aに当てられた後、ブロック体64の凹部64cと基板8の下面との間を通して、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面との間に向かう流れも存在する。このため、適宜の量の冷却ガスが、ガイド部26の延出面26aと基板8の下面との間に流れる。 At this time, not all of the cooling gas that flows toward the side surface 22b of the support portion 22 is discharged to the outside of the substrate 8. A portion of the cooling gas that collides with the side surface 22b of the support portion 22 flows along the side surface 22b of the support portion 22 toward the extension surface 26a of the guide portion 26. After hitting the center portion 8a of the lower surface of the substrate 8, the cooling gas also flows between the recess 64c of the block body 64 and the lower surface of the substrate 8, and toward the area between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8. Therefore, an appropriate amount of cooling gas flows between the extension surface 26a of the guide portion 26 and the lower surface of the substrate 8.
なお、ブロック体64の外縁64aとガイド部26の延出面26aとは、面一であるから、冷却ガスがブロック体64の外縁64aからガイド部26の延出面26aに流れる際の流路抵抗の発生は抑制される。このため、適宜の量の冷却ガスが、ガイド部26の延出面26aに沿って流れる。 In addition, since the outer edge 64a of the block body 64 and the extension surface 26a of the guide portion 26 are flush with each other, the occurrence of flow resistance when the cooling gas flows from the outer edge 64a of the block body 64 to the extension surface 26a of the guide portion 26 is suppressed. Therefore, an appropriate amount of cooling gas flows along the extension surface 26a of the guide portion 26.
ガイド部26の延出面26aは、ブロック体64の外縁64aから遠ざかるにつれて先細となる。このため、第2の流路44は、ブロック体64から遠ざかるにつれて狭くなる。したがって、冷却ガスは、ガイド部26の延出面26aのうち、ブロック体64の外縁64aから遠ざかる領域に向かって案内されるとともに、流速が速くなる。 The extension surface 26a of the guide portion 26 tapers away from the outer edge 64a of the block body 64. Therefore, the second flow path 44 narrows away from the block body 64. Therefore, the cooling gas is guided toward the area of the extension surface 26a of the guide portion 26 that is farther away from the outer edge 64a of the block body 64, and the flow rate increases.
規制ピン32a,32bにより、支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間に第3の流路46が形成されている。第1実施形態で説明したように、規制ピン32a,32b間の第3の流路46を冷却ガスが通り、冷却ガスの第3の流路46となっている基板8の角部8bが冷却ガスにより冷却される。支持部22の上面22aと基板8の下面の角部8bとの間を抜けた冷却ガスは、基板8の外側に排出される。基板8の角部8bの外縁近傍に中心部8aから角部8bに沿って流れてきた冷却ガスが接触するため、基板8の角部8bが冷却される。 The regulating pins 32a and 32b form a third flow path 46 between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8. As described in the first embodiment, the cooling gas passes through the third flow path 46 between the regulating pins 32a and 32b, and the corner 8b of the substrate 8, which is the third flow path 46 of the cooling gas, is cooled by the cooling gas. The cooling gas that passes between the upper surface 22a of the support 22 and the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is discharged to the outside of the substrate 8. The cooling gas that flows from the center 8a along the corner 8b comes into contact with the vicinity of the outer edge of the corner 8b of the substrate 8, so that the corner 8b of the substrate 8 is cooled.
本実施形態に係る冷却装置14によれば、このようにして、基板8の中心部8aから角部8bまで、冷却ガスにより冷却される。 In this manner, the cooling device 14 according to this embodiment cools the substrate 8 from its center 8a to its corners 8b with cooling gas.
図19に示すように、ガイド部26の延出面26aがブロック体64の凹部64cから遠ざかるにつれて先細で、第2の流路44は、ブロック体64から遠ざかるにつれて狭くなる。したがって、ガイド部26の延出面26aのうち、ブロック体64の凹部64cから遠ざかる領域に向かって案内されるにつれて、冷却ガスの流速が速められる。そして、基板8の下面の角部8bと支持部22の上面22aとの間の距離D0は、基板8の下面の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間の距離D1よりも小さい。また、基板8の下面の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間の距離D1は、基板8の下面の中心部8aとブロック体64の凹部64cとの間の距離Dよりも小さい。このため、第2の流路44において、基板8の下面の中心部8aとブロック体64の凹部64cの間よりも、基板8の下面の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間の方が、冷却ガスの流速が速められる。また、基板8の下面の角部8bとガイド部26の延出面26aとの間よりも、基板8の下面の角部8bと支持部22の上面22aとの間の方が、冷却ガスの流速が速められる。このため、第2の流路44と第3の流路46との境界において、基板8の下面の角部8bに向けた冷却ガスの流れを作りだす。このように、第2の流路44と第3の流路46との境界において、基板8の角部8bに向けた冷却ガスの流れを作りだすことができるので、基板8の下面を通す冷却ガスの通過により、基板8の角部8bが冷却される。 19, the extension surface 26a of the guide portion 26 tapers away from the recess 64c of the block body 64, and the second flow path 44 narrows away from the block body 64. Therefore, the flow rate of the cooling gas is increased as it is guided toward the region of the extension surface 26a of the guide portion 26 that is farther away from the recess 64c of the block body 64. The distance D0 between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support portion 22 is smaller than the distance D1 between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the extension surface 26a of the guide portion 26. The distance D1 between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the extension surface 26a of the guide portion 26 is smaller than the distance D between the center 8a of the lower surface of the substrate 8 and the recess 64c of the block body 64. Therefore, in the second flow path 44, the flow rate of the cooling gas is faster between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the extension surface 26a of the guide portion 26 than between the center portion 8a of the lower surface of the substrate 8 and the recess 64c of the block body 64. Also, the flow rate of the cooling gas is faster between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the upper surface 22a of the support portion 22 than between the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 and the extension surface 26a of the guide portion 26. Therefore, at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, a flow of the cooling gas toward the corner 8b of the lower surface of the substrate 8 is created. In this way, at the boundary between the second flow path 44 and the third flow path 46, a flow of the cooling gas toward the corner 8b of the substrate 8 can be created, so that the corner 8b of the substrate 8 is cooled by the passage of the cooling gas through the lower surface of the substrate 8.
図22には、第3実施形態に係る冷却装置14を用いて冷却した基板8の、基板8の中心部8a及び角部8bを含む基板8の1/4カットの温度分布を示す。図22の例は、冷却ガスによる基板8の冷却開始から所定時間経過した時点での温度分布を示す。図6に示すように、基板8の中心部8aは、-85℃から-80℃の間の温度であり、角部8bは、-80℃から-55℃の間の温度である。 Figure 22 shows the temperature distribution of a quarter cut of a substrate 8, including the center 8a and corners 8b of the substrate 8, cooled using the cooling device 14 according to the third embodiment. The example in Figure 22 shows the temperature distribution at a predetermined time after cooling of the substrate 8 by cooling gas has begun. As shown in Figure 6, the center 8a of the substrate 8 has a temperature between -85°C and -80°C, and the corners 8b have a temperature between -80°C and -55°C.
上述したように、中心部8aの中心軸Cと、中心軸Cから最も離間した角部8bの角との間の温度差が少ない方が、冷却性能が高いと言える。第3実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸Cから最も離間した角部8bの角の温度をTF3とし、第3実施形態の冷却装置14により冷却した基板8の中心軸C上の温度をTC3とする。図6に示すように、TF3=-55℃、TC3=-85℃である。このため、温度TF3と温度とTC3との温度差は、30℃であり、比較例の温度TF0と温度とTC0との温度差である80℃よりも差が小さい。TF3=-55℃、TC3=-85℃とすると、比較例の冷却装置114に対する第3実施形態の冷却装置14の冷却性能の改善率は、62.5%となった。すなわち、角部8bの冷却性能は、比較例の冷却装置114よりも、第3実施形態の冷却装置14の方が良好である。したがって、第3実施形態の冷却装置14は、基板8の角部8bであっても、効率的に冷却が行われる。 As described above, it can be said that the smaller the temperature difference between the central axis C of the center 8a and the corner of the corner 8b farthest from the central axis C, the higher the cooling performance. The temperature of the corner of the corner 8b farthest from the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the third embodiment is T F3 , and the temperature on the central axis C of the substrate 8 cooled by the cooling device 14 of the third embodiment is T C3 . As shown in FIG. 6, T F3 =-55°C, T C3 =-85°C. Therefore, the temperature difference between the temperature T F3 and the temperature T C3 is 30°C, which is smaller than the temperature difference between the temperature T F0 and the temperature T C0 of the comparative example, which is 80°C. If T F3 =-55°C, T C3 =-85°C, the improvement rate of the cooling performance of the cooling device 14 of the third embodiment compared to the cooling device 114 of the comparative example is 62.5%. That is, the cooling performance of the corner portion 8b is better in the cooling device 14 of the third embodiment than in the comparative example cooling device 114. Therefore, the cooling device 14 of the third embodiment efficiently cools even the corner portion 8b of the substrate 8.
したがって、第3実施形態によれば、冷却対象物の冷却対象領域(基板8の下面)のうち、冷却ガスの吐出部(第1の流路42)から近い領域(基板8の下面の中心部8a)、及び、遠い領域(基板8の下面の角部8b)を冷却し易い、冷却装置14、及び、冷却装置14を有する基板処理装置10を提供することができる。このため、冷却装置14、及び、その冷却装置14を有する基板処理装置10を用いることで、例えば矩形状の基板など、非円形状の冷却対象物の中心部付近、及び、外縁近傍を冷却することができる。 Therefore, according to the third embodiment, it is possible to provide a cooling device 14 and a substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14 that can easily cool the area (the underside of the substrate 8) of the object to be cooled that is close to the cooling gas discharge portion (the first flow path 42) (the center portion 8a of the underside of the substrate 8) and the area (the corner portion 8b of the underside of the substrate 8) that is far from the cooling gas discharge portion. Therefore, by using the cooling device 14 and the substrate processing apparatus 10 having the cooling device 14, it is possible to cool the area near the center and the area near the outer edge of a non-circular object to be cooled, such as a rectangular substrate.
なお、第1実施形態、第2実施形態、及び第3実施形態の冷却装置14の性能を比較する。上述したように、比較例の冷却装置114に対する冷却装置14の冷却性能の改善率は、第1実施形態が18.8%、第2実施形態が43.8%、第3実施形態が62.5%となった。このため、第3実施形態の冷却装置14は、第1実施形態の冷却装置14、第2実施形態の冷却装置14に比べて、冷却性能が向上した。すなわち、基板8の中心部8aと角部8bとの間の温度分布は、第1実施形態の冷却装置14を用いるよりも第2実施形態の冷却装置14を用いる方が改善し、第2実施形態の冷却装置14を用いるよりも第3実施形態の冷却装置14を用いる方が改善した。 The performance of the cooling device 14 of the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment will be compared. As described above, the improvement rate of the cooling performance of the cooling device 14 compared to the cooling device 114 of the comparative example was 18.8% for the first embodiment, 43.8% for the second embodiment, and 62.5% for the third embodiment. Therefore, the cooling device 14 of the third embodiment has improved cooling performance compared to the cooling device 14 of the first embodiment and the cooling device 14 of the second embodiment. That is, the temperature distribution between the center 8a and the corner 8b of the substrate 8 is improved by using the cooling device 14 of the second embodiment more than by using the cooling device 14 of the first embodiment, and is improved by using the cooling device 14 of the third embodiment more than by using the cooling device 14 of the second embodiment.
第1実施形態から第3実施形態の基板処理装置10の冷却装置14は、正方形状の基板8など、非円形の冷却対象物を冷却する例について説明した。冷却対象物が正方形状の基板8である場合を例にすると、仮想的な円は、基板8の内接円と一致しなくても、基板8の内接円よりも内側の基板8の適宜の位置に設定してもよい。このとき、基板8が円盤状であると、基板8の仮想的な円は、外縁よりも内側に仮想的な円が形成され、その仮想的な円の外側と円の外縁との間の領域が、支持部22で支持される円の外側の領域となる。このため、冷却装置14で冷却可能な冷却対象物は、冷却対象領域が非円形状の物体に限らず、円形の物体であってもよい。このため、第1実施形態から第3実施形態の基板処理装置10の冷却装置14を用いると、円盤状の基板など、冷却対象領域が円形の冷却対象物であっても、その冷却対象物の冷却対象領域を冷却することができる。 The cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 of the first to third embodiments has been described as an example of cooling a non-circular cooling object, such as a square substrate 8. In the case where the cooling object is a square substrate 8, the virtual circle may be set at an appropriate position on the substrate 8 inside the inscribed circle of the substrate 8, even if it does not coincide with the inscribed circle of the substrate 8. In this case, if the substrate 8 is disk-shaped, the virtual circle of the substrate 8 is formed inside the outer edge, and the area between the outside of the virtual circle and the outer edge of the circle becomes the outer area of the circle supported by the support part 22. Therefore, the cooling object that can be cooled by the cooling device 14 is not limited to an object whose cooling object area is non-circular, but may be a circular object. Therefore, when the cooling device 14 of the substrate processing apparatus 10 of the first to third embodiments is used, even if the cooling object area is a circular cooling object, such as a disk-shaped substrate, the cooling object area of the cooling object can be cooled.
以上述べた少なくともひとつの実施形態によれば、冷却対象物の冷却対象領域のうち、冷却ガスの吐出部から近い領域、及び、遠い領域を冷却し易い、冷却装置14、及び、冷却装置14を有する基板処理装置10を提供することができる。 According to at least one of the embodiments described above, it is possible to provide a cooling device 14 and a substrate processing apparatus 10 having a cooling device 14 that can easily cool the area of the object to be cooled that is close to and far from the cooling gas discharge portion.
例えば、基板処理装置10は、基部12および冷却装置14が回転可能なように、回転駆動部が基部12に設けられていてもよい。なお、冷却ガス源28が基部12の外側に設けられていた場合、冷却ガス源28と基部12の下面とを接続する配管を配管の中心軸と基部12の回転軸とが一致するようにベアリング等を介して基部12と接続すればよい。また、基板8の上面に純水または水溶液を供給するようにしてもよい。基板8上に供給した純水または水溶液が凍結するようにしてもよく、凍結後に解凍するようにしてもよい。 For example, the substrate processing apparatus 10 may have a rotation drive unit provided on the base 12 so that the base 12 and the cooling device 14 can rotate. If the cooling gas source 28 is provided outside the base 12, the piping connecting the cooling gas source 28 and the underside of the base 12 may be connected to the base 12 via a bearing or the like so that the central axis of the piping coincides with the rotation axis of the base 12. Pure water or an aqueous solution may also be supplied to the upper surface of the substrate 8. The pure water or aqueous solution supplied onto the substrate 8 may be frozen, or may be thawed after freezing.
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下、この出願の出願時の特許請求の範囲を付記する。
[付記1]
冷却対象物の冷却対象領域に向けて下側から上側に冷却ガスを流す第1の流路、及び、
前記第1の流路に連続し、前記第1の流路を中心として円環状に広がり、前記冷却ガスを前記冷却対象領域の前記第1の流路に対して径方向外方に流す環状面を有する第2の流路、
を形成し、前記冷却対象物が上側に配置されるブロック体と、
前記ブロック体の外側を囲むように設けられ、前記第2の流路の外側に連続し、前記冷却対象物の前記冷却対象領域が上側に配置された状態で、前記第2の流路よりも狭く、前記冷却ガスを前記ブロック体の前記環状面の外側に流す第3の流路を形成し、前記冷却対象物を下側から支持する支持部と
を有する冷却装置。
[付記2]
前記ブロック体と前記支持部との間に設けられ、前記冷却ガスを前記環状面の外側に案内し、前記ブロック体の前記第2の流路を前記ブロック体の外側に延ばすガイド部を有する、付記1に記載の冷却装置。
[付記3]
前記第2の流路における前記冷却対象物の前記冷却対象領域と前記ブロック体との間の距離は、前記第3の流路における前記冷却対象物の前記冷却対象領域と前記支持部との間の距離よりも大きい、付記1又は付記2に記載の冷却装置。
[付記4]
前記支持部は、前記ブロック体の前記第2の流路と前記支持部の前記第3の流路との境界に設けられ、前記第2の流路に対して前記第3の流路を狭くする側面を有する、付記1乃至付記3のいずれか1に記載の冷却装置。
[付記5]
前記ブロック体は、前記第2の流路に沿って前記第1の流路から遠ざかるにつれて、前記冷却対象物との間の距離を近づける傾斜面を有する、付記1乃至付記4のいずれか1に記載の冷却装置。
[付記6]
前記支持部は、前記冷却対象物を前記支持部に対して位置決めするとともに、前記支持部と前記冷却対象物の前記冷却対象領域との間の距離を規定する規制部を有する、付記1乃至付記5のいずれか1に記載の冷却装置。
[付記7]
前記支持部は、前記冷却対象領域の内接円の前記外側の領域を支持する、付記1乃至付記6のいずれか1に記載の冷却装置。
[付記8]
付記1乃至付記7のいずれか1に記載の冷却装置を有する、基板処理装置。
Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and spirit of the invention, and are included in the scope of the invention and its equivalents described in the claims.
The following claims are as of the time of filing of this application.
[Appendix 1]
A first flow path that allows a cooling gas to flow from the lower side to the upper side toward a region to be cooled of the object to be cooled; and
a second flow passage having an annular surface that is continuous with the first flow passage, spreads in an annular shape around the first flow passage, and causes the cooling gas to flow radially outward with respect to the first flow passage in the region to be cooled;
a block body on which the object to be cooled is disposed;
a support part that is provided so as to surround the outside of the block body, that is continuous with the outside of the second flow path, that forms a third flow path that is narrower than the second flow path and that causes the cooling gas to flow outside the annular surface of the block body in a state in which the cooling target area of the cooling object is disposed on an upper side, and that supports the cooling object from below;
A cooling device having
[Appendix 2]
2. The cooling device according to claim 1, further comprising a guide portion provided between the block body and the support portion, the guide portion guiding the cooling gas to an outside of the annular surface and extending the second flow passage of the block body to an outside of the block body.
[Appendix 3]
3. The cooling device according to claim 1, wherein a distance between the cooling target area of the object to be cooled and the block body in the second flow path is greater than a distance between the cooling target area of the object to be cooled and the support part in the third flow path.
[Appendix 4]
4. The cooling device according to claim 1, wherein the support portion is provided at a boundary between the second flow path of the block body and the third flow path of the support portion, and has a side surface that narrows the third flow path relative to the second flow path.
[Appendix 5]
5. The cooling device according to claim 1, wherein the block body has an inclined surface that reduces a distance between the block body and the object to be cooled as the block body moves away from the first flow path along the second flow path.
[Appendix 6]
6. The cooling device according to claim 1, wherein the support portion has a regulating portion that positions the object to be cooled relative to the support portion and determines the distance between the support portion and the cooling target area of the object to be cooled.
[Appendix 7]
7. The cooling device according to claim 1, wherein the support portion supports an outer region of an inscribed circle of the cooling target region.
[Appendix 8]
8. A substrate processing apparatus comprising the cooling device according to claim 1.
8…基板、8a…中心部、8b…角部、10…基板処理装置、12…基部、14…冷却装置、22…支持部、22a…上面、22b…側面、24…ブロック体、24a…上面、24b…外周面、26…ガイド部、26a…延出面、28…冷却ガス源、32…規制部、32a,32b…規制ピン、40…流路、42…第1の流路、44…第2の流路、46…第3の流路、48…第4の流路。 8...substrate, 8a...center, 8b...corner, 10...substrate processing apparatus, 12...base, 14...cooling device, 22...support, 22a...upper surface, 22b...side surface, 24...block body, 24a...upper surface, 24b...outer periphery, 26...guide, 26a...extending surface, 28...cooling gas source, 32...regulating portion, 32a, 32b...regulating pin, 40...flow path, 42...first flow path, 44...second flow path, 46...third flow path, 48...fourth flow path.
Claims (7)
前記第1の流路に連続し、前記第1の流路を中心として円環状に広がり、前記冷却ガスを前記冷却対象領域の前記第1の流路に対して径方向外方に流す環状面を有する第2の流路、
を形成し、前記冷却対象物が上側に配置されるブロック体と、
前記ブロック体の外側を囲むように設けられ、前記第2の流路の外側に連続し、前記冷却対象物の前記冷却対象領域が上側に配置された状態で、前記第2の流路よりも狭く、前記冷却ガスを前記ブロック体の前記環状面の外側に流す第3の流路を形成し、前記冷却対象物を下側から支持する支持部と
を有し、
前記支持部は、前記冷却対象領域の内接円又は内接楕円の外側の領域を支持する、
冷却装置。 A first flow path that allows a cooling gas to flow from the lower side to the upper side toward a region to be cooled of the object to be cooled; and
a second flow passage having an annular surface that is continuous with the first flow passage, spreads in an annular shape around the first flow passage, and causes the cooling gas to flow radially outward with respect to the first flow passage in the region to be cooled;
a block body on which the object to be cooled is disposed;
a support portion that is provided so as to surround the outside of the block body, that is continuous with the outside of the second flow passage, that is narrower than the second flow passage and that causes the cooling gas to flow outside the annular surface of the block body in a state in which the cooling target area of the object to be cooled is disposed above, and that supports the object to be cooled from below ,
The support portion supports an outer region of an inscribed circle or an inscribed ellipse of the cooling target region.
Cooling system.
A substrate processing apparatus comprising the cooling device according to claim 1 .
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