JP7637217B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本明細書は、表示装置に関し、より詳細には、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた表示装置に関する。

コンピュータのモニタやＴＶ、携帯電話等に使用される表示装置には、自ら光を発光する有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）等と、別途の光源を要する液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）等がある。

表示装置は、コンピュータのモニタ及びＴＶだけではなく、個人携帯機器までその適用範囲が多様になっており、広い表示面積を有しながらも減少した体積及び重さを有する表示装置についての研究が進行している。

また、近年は、ＬＥＤを含む表示装置が次世代の表示装置として注目を集めている。ＬＥＤは、有機物質ではなく無機物質からなるので、信頼性に優れ、液晶表示装置や有機発光表示装置に比して寿命が長い。また、ＬＥＤは、点灯速度が速いだけではなく、発光効率に優れ、耐衝撃性が強くて安定性に優れ、高輝度の映像を表示することができる。

本明細書が解決しようとする課題は、発光素子の固定力を向上させることのできる表示装置を提供することである。

本明細書が解決しようとする他の課題は、製造工程の効率性が向上した表示装置を提供することである。

本明細書の課題は、以上において言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解され得るだろう。

本明細書の一実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む基板、基板上で複数のサブ画素に配置され、互いに離隔されて配置された第１組み立て配線及び第２組み立て配線、第１組み立て配線及び第２組み立て配線上に配置され、第１組み立て配線及び第２組み立て配線と重畳する開口部を有する第１上部平坦化層、開口部に配置され、第１電極、第１半導体層、発光層、第２半導体層及び第２電極を含む発光素子、第１組み立て配線及び第２組み立て配線と第１電極を電気的に連結するコンタクト電極、及び第１上部平坦化層上に配置され、発光素子の側面の一部及び上面の一部を覆う有機絶縁層を含む。従って、発光素子の固定力を向上させることができる。

その他の実施例の具体的な事項は、詳細な説明及び図面に含まれている。

本明細書は、自己組み立て後、発光素子が流動することを最小化し、発光素子の固定力を向上させることができる。

本明細書は、発光素子のボンディング工程の効率を向上させることができる。

本明細書に係る効果は、以上において例示された内容により制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。

本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な構成図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の拡大平面図である。 図２のＸ領域を拡大した平面図である。 図２のＡ－Ａ’及び図３のＢ－Ｂ’に沿った断面図である。 図３のＣ－Ｃ’に沿った断面図である。 図３のＤ－Ｄ’に沿った断面図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。 本明細書の他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。 本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。 本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。 本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。 図９ａのＥ－Ｅ’に沿った断面図である。

本明細書の利点及び特徴、そして、それらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると、明確になるだろう。しかし、本明細書は、以下において開示される実施例に制限されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現され、単に、本実施例は、本明細書の開示が完全なものとなるようにし、本明細書の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。

本明細書の実施例を説明するための図面に開示された形状、寸法（例：長さ、幅、高さ、厚さ、半径、直径、面積）、比率、角度、個数等は、例示的なものであるので、本明細書が図示された事項に制限されるものではない。図面に示された各構成要素の大きさ及び厚さを含む寸法は、説明の便宜のために示されており、本発明が示された構成要素の大きさ及び厚さに限定されるものではなく、図面に例示された構成要素の相対的な大きさ、位置及び厚さは、本開示内容の一部である。明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。また、本明細書を説明するにあたって、関連した公知技術についての具体的な説明が本明細書の要旨を不要に濁す恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上において言及された「含む」、「有する」、「なされる」等が使用される場合、「～だけ」が使用されない以上、他の部分が加えられ得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するにあたって、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～隣に」等と二部分の位置関係が説明される場合、「すぐ」または「直接」が使用されない以上、二部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。

素子または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称されるものは、他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子を介在した場合をいずれも含む。

また、第１、第２等が多様な構成要素を述べるために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語により制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。従って、以下において言及される第１構成要素は、本明細書の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。

明細書全体にわたって、同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。

図面で示された各構成の面積及び厚さは、説明の便宜のために示されたものであり、本明細書は、示された構成の面積及び厚さに必ずしも限定されるものではない。

本明細書の様々な実施例のそれぞれの特徴は、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立して実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。

以下においては、添付の図面を参照して、本明細書の多様な実施例を詳細に説明する。

図１は、本明細書の一実施例に係る表示装置の概略的な平面図である。

図１においては、説明の便宜のために、表示装置１００の多様な構成要素のうち表示パネルＰＮ、ゲート駆動部ＧＤ、データ駆動部ＤＤ及びタイミングコントローラＴＣだけを示している。

図１を参照すると、表示装置１００は、複数のサブ画素ＳＰを含む表示パネルＰＮ、表示パネルＰＮに各種の信号を供給するゲート駆動部ＧＤ及びデータ駆動部ＤＤ、ゲート駆動部ＧＤとデータ駆動部ＤＤを制御するタイミングコントローラＴＣを含む。

表示パネルＰＮは、ユーザに映像を表示するための構成であり、複数のサブ画素ＳＰを含む。表示パネルＰＮで複数のスキャン配線ＳＬ及び複数のデータ配線ＤＬが互いに交差し、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、スキャン配線ＳＬ及びデータ配線ＤＬに連結される。この他にも、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、高電位電源配線ＶＤＤ、低電位電源配線、基準配線ＲＬ等に連結され得る。

複数のサブ画素ＳＰは、画面を構成する最小単位であり、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、発光素子及びそれを駆動するための画素回路を含む。複数の発光素子は、表示パネルＰＮの種類によって異に定義され得る。例えば、表示パネルＰＮが無機発光表示パネルである場合、発光素子は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）またはマイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってよい。

ゲート駆動部ＧＤは、タイミングコントローラＴＣから提供された複数のゲート制御信号ＧＣＳによって複数のスキャン配線ＳＬに複数のスキャン信号ＳＣＡＮを供給する。図１においては、一つのゲート駆動部ＧＤが表示パネルＰＮの一側に離隔されて配置されたものと示したが、ゲート駆動部ＧＤの個数及び配置は、これに制限されない。

データ駆動部ＤＤは、タイミングコントローラＴＣから提供された複数のデータ制御信号ＤＣＳによってタイミングコントローラＴＣから入力される映像データＲＧＢを基準ガンマ電圧を利用してデータ電圧Ｖｄａｔａに変換する。データ駆動部ＤＤは、変換されたデータ電圧Ｖｄａｔａを複数のデータ配線ＤＬに供給できる。

タイミングコントローラＴＣは、外部から入力された映像データＲＧＢを整列してデータ駆動部ＤＤに供給する。タイミングコントローラＴＣは、外部から入力される同期信号、例えば、ドットクロック信号、データイネーブル信号、水平／垂直同期信号を利用してゲート制御信号ＧＣＳ及びデータ制御信号ＤＣＳを生成できる。そして、タイミングコントローラＴＣは、生成されたゲート制御信号ＧＣＳ及びデータ制御信号ＤＣＳをゲート駆動部ＧＤ及びデータ駆動部ＤＤそれぞれに供給してゲート駆動部ＧＤ及びデータ駆動部ＤＤを制御できる。

以下においては、表示装置１００の表示パネルＰＮのより詳細な説明のために、図２乃至図４を共に参照する。

図２は、本明細書の一実施例に係る表示装置の拡大平面図である。図３は、図２のＸ領域を拡大した平面図である。図４ａは、図２のＡ－Ａ’及び図３のＢ－Ｂ’に沿った断面図である。図４ｂは、図３のＣ－Ｃ’に沿った断面図である。図４ｃは、図３のＤ－Ｄ’に沿った断面図である。図２を参照すると、複数のサブ画素ＳＰそれぞれは、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、ストレージキャパシタＣｓｔ及び一つ以上の発光素子ＬＥＤを含む。図２においては、図面の簡潔さのために、組み立て配線１２０及び発光素子ＬＥＤのハッチングを省略し、コンタクト電極ＣＥの図示を省略し、有機絶縁層ＯＬの図示を省略した。図３においては、画素電極ＰＥの図示を省略した。

図２を参照すると、表示装置１００は、複数のサブ画素ＳＰは、行方向に繰り返されるように第１列に配置される第１サブ画素ＳＰ１、第２列に配置される第２サブ画素ＳＰ２及び第３列に配置される第３サブ画素ＳＰ３を含む。

第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれは、発光素子ＬＥＤ及び画素回路を含んで独立して光を発光できる。例えば、第１サブ画素ＳＰ１は赤色サブ画素であり、第２サブ画素ＳＰ２は緑色サブ画素であり、第３サブ画素ＳＰ３は青色サブ画素であってよいが、これに制限されるものではない。また、画素回路は、第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、ストレージキャパシタＣｓｔを含むことができる。

表示パネルＰＮは、基板１１０、バッファ層１１１、ゲート絶縁層１１２、層間絶縁層１１３、第１パッシベーション層１１４、下部平坦化層１１５、第２パッシベーション層１１６、第３パッシベーション層１１７、第１上部平坦化層１１８、有機絶縁層ＯＬ及び第２上部平坦化層１１９を含む。

基板１１０は、表示パネルＰＮに含まれた多様な構成要素を支持するための構成であり、絶縁物質からなり得る。例えば、基板１１０は、ガラスまたは樹脂等からなり得る。また、基板１１０は、高分子またはプラスチックを含んでなってもよく、フレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有する物質からなってもよい。

基板１１０上に高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、基準配線ＲＬ、組み立て配線１２０、遮光層ＬＳ及び第１キャパシタ電極ＳＣ１が配置される。

高電位電源配線ＶＤＤは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに高電位電源電圧を伝達する配線である。複数の高電位電源配線ＶＤＤは、高電位電源電圧を複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第２トランジスタＴ２に伝達できる。高電位電源配線ＶＤＤは、複数のサブ画素ＳＰの間で列方向に沿って延び得る。例えば、高電位電源配線ＶＤＤは、第１サブ画素ＳＰ１と第３サブ画素ＳＰ３との間で列方向に沿って配置され得る。そして、高電位電源配線ＶＤＤは、後述する補助高電位電源配線ＶＤＤＡを通して行方向に配置された複数のサブ画素ＳＰそれぞれに高電位電源電圧を伝達できる。この場合、高電位電源配線ＶＤＤは、第１電源配線と称し得る。そして、列方向は第１方向、行方向は第２方向と称し得る。

複数のデータ配線ＤＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれにデータ電圧Ｖｄａｔａを伝達する配線である。複数のデータ配線ＤＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第１トランジスタＴ１と連結され得る。複数のデータ配線ＤＬは、複数のサブ画素ＳＰの間で列方向に沿って延び得る。例えば、第１サブ画素ＳＰ１と高電位電源配線ＶＤＤとの間で列方向に延びたデータ配線ＤＬは、第１サブ画素ＳＰ１にデータ電圧Ｖｄａｔａを伝達し、第１サブ画素ＳＰ１と第２サブ画素ＳＰ２との間に配置されたデータ配線ＤＬは、第２サブ画素ＳＰ２にデータ電圧Ｖｄａｔａを伝達し、第３サブ画素ＳＰ３と高電位電源配線ＶＤＤとの間に配置されたデータ配線ＤＬは、第３サブ画素ＳＰ３にデータ電圧Ｖｄａｔａを伝達できる。

基準配線ＲＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに基準電圧を伝達する配線である。基準配線ＲＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第３トランジスタＴ３と連結され得る。基準配線ＲＬは、複数のサブ画素ＳＰの間で列方向に沿って延び得る。例えば、基準配線ＲＬは、第２サブ画素ＳＰ２と第３サブ画素ＳＰ３との間で列方向に沿って延び得る。そして、基準配線ＲＬと隣接した第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれの第３トランジスタＴ３の第３ドレイン電極ＤＥ３は、行方向に延びて基準配線ＲＬと電気的に連結され得る。この場合、基準配線ＲＬは、第３電源配線と称し得る。

複数のサブ画素ＳＰそれぞれで基板１１０上に遮光層ＬＳが配置される。遮光層ＬＳは、基板１１０の下部でトランジスタに入射する光を遮断して漏れ電流を最小化することができる。例えば、遮光層ＬＳは、駆動トランジスタである第２トランジスタＴ２の第２アクティブ層ＡＣＴ２に入射する光を遮断することができる。

複数のサブ画素ＳＰそれぞれで基板１１０上に第１キャパシタ電極ＳＣ１が配置される。第１キャパシタ電極ＳＣ１は、他のキャパシタ電極と共にストレージキャパシタＣｓｔを形成することができる。第１キャパシタ電極ＳＣ１は、遮光層ＬＳと一体に形成され得る。

高電位電源配線ＶＤＤ、複数のデータ配線ＤＬ、基準配線ＲＬ、遮光層ＬＳ及び第１キャパシタ電極ＳＣ１上にバッファ層１１１が配置される。バッファ層１１１は、基板１１０を通した水分または不純物の浸透を低減できる。バッファ層１１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。ただし、バッファ層１１１は、基板１１０の種類やトランジスタの種類によって省略されてもよく、これに制限されない。

まず、複数のサブ画素ＳＰそれぞれでバッファ層１１１上に第１トランジスタＴ１が配置される。第１トランジスタＴ１は、データ電圧Ｖｄａｔａを第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に伝達するトランジスタである。第１トランジスタＴ１は、スキャン配線ＳＬからスキャン信号によりターン－オンされ得、データ配線ＤＬからデータ電圧Ｖｄａｔａはターン－オンされた第１トランジスタＴ１を通して第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に伝達され得る。そこで、第１トランジスタＴ１は、スイッチングトランジスタと称され得る。

第１トランジスタＴ１は、第１アクティブ層ＡＣＴ１、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。

バッファ層１１１上に第１アクティブ層ＡＣＴ１が配置される。第１アクティブ層ＡＣＴ１は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。

第１アクティブ層ＡＣＴ１上にゲート絶縁層１１２が配置される。ゲート絶縁層１１２は、第１アクティブ層ＡＣＴ１と第１ゲート電極ＧＥ１を絶縁させるための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

ゲート絶縁層１１２上に第１ゲート電極ＧＥ１が配置される。第１ゲート電極ＧＥ１は、スキャン配線ＳＬと電気的に連結され得る。第１ゲート電極ＧＥ１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

第１ゲート電極ＧＥ１上に層間絶縁層１１３が配置される。層間絶縁層１１３には、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１それぞれが第１アクティブ層ＡＣＴ１に接続するためのコンタクトホールが形成される。層間絶縁層１１３は、層間絶縁層１１３の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

層間絶縁層１１３上に第１アクティブ層ＡＣＴ１と電気的に連結される第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１が配置される。第１ドレイン電極ＤＥ１は、データ配線ＤＬと第１アクティブ層ＡＣＴ１に連結され得、第１ソース電極ＳＥ１は、第１アクティブ層ＡＣＴ１と第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２に連結され得る。第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

複数のサブ画素ＳＰそれぞれでバッファ層１１１上に第２トランジスタＴ２が配置される。第２トランジスタＴ２は、駆動電流を発光素子ＬＥＤに供給するトランジスタである。第２トランジスタＴ２は、ターン－オンされて発光素子ＬＥＤに流れる駆動電流を制御できる。従って、駆動電流を制御する第２トランジスタＴ２は、駆動トランジスタと称され得る。

第２トランジスタＴ２は、第２アクティブ層ＡＣＴ２、第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。

バッファ層１１１上に第２アクティブ層ＡＣＴ２が配置される。第２アクティブ層ＡＣＴ２は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。

第２アクティブ層ＡＣＴ２上にゲート絶縁層１１２が配置され、ゲート絶縁層１１２上に第２ゲート電極ＧＥ２が配置される。第２ゲート電極ＧＥ２は、第１トランジスタＴ１の第１ソース電極ＳＥ１と電気的に連結され得る。第２ゲート電極ＧＥ２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

第２ゲート電極ＧＥ２上に層間絶縁層１１３が配置され、層間絶縁層１１３上に第２アクティブ層ＡＣＴ２と電気的に連結される第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレイン電極ＤＥ２が配置される。第２ドレイン電極ＤＥ２は、第２アクティブ層ＡＣＴ２及び高電位電源配線ＶＤＤに電気的に連結され得、第２ソース電極ＳＥ２は、第２アクティブ層ＡＣＴ２及び発光素子ＬＥＤに電気的に連結され得る。第２ソース電極ＳＥ２及び第２ドレイン電極ＤＥ２は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

複数のサブ画素ＳＰそれぞれでバッファ層１１１上に第３トランジスタＴ３が配置される。第３トランジスタＴ３は、第２トランジスタＴ２の閾値電圧を補償するためのトランジスタである。第３トランジスタＴ３は、第２トランジスタＴ２の第２ソース電極ＳＥ２と基準配線ＲＬとの間に連結される。第３トランジスタＴ３は、ターン－オンされて第２トランジスタＴ２の第２ソース電極ＳＥ２に基準電圧を伝達して第２トランジスタＴ２の閾値電圧をセンシングすることができる。そこで、第２トランジスタＴ２の特性をセンシングする第３トランジスタＴ３は、センシングトランジスタと称され得る。

第３トランジスタＴ３は、第３アクティブ層ＡＣＴ３、第３ゲート電極ＧＥ３、第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３を含む。

バッファ層１１１上に第３アクティブ層ＡＣＴ３が配置される。第３アクティブ層ＡＣＴ３は、酸化物半導体、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような半導体物質からなり得るが、これに制限されない。

第３アクティブ層ＡＣＴ３上にゲート絶縁層１１２が配置され、ゲート絶縁層１１２上に第３ゲート電極ＧＥ３が配置される。第３ゲート電極ＧＥ３は、スキャン配線ＳＬと電気的に連結され得る。第３ゲート電極ＧＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

第３ゲート電極ＧＥ３上に層間絶縁層１１３が配置され、層間絶縁層１１３上に第３アクティブ層ＡＣＴ３と電気的に連結される第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３が配置される。第３ドレイン電極ＤＥ３は、第３アクティブ層ＡＣＴ３及び基準配線ＲＬに電気的に連結され得、第３ソース電極ＳＥ３は、第３アクティブ層ＡＣＴ３及び第２トランジスタＴ２の第２ソース電極ＳＥ２に電気的に連結され得る。第３ソース電極ＳＥ３及び第３ドレイン電極ＤＥ３は、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金で構成され得るが、これに制限されない。

図２に示された第１トランジスタＴ１及び第３トランジスタＴ３は、いずれもスキャン配線ＳＬに連結されて制御されるトランジスタであるが、これに制限されず、画素回路は、発光配線ＥＬに連結されたトランジスタが含まれ得る。

ゲート絶縁層１１２上に第２キャパシタ電極ＳＣ２が配置される。第２キャパシタ電極ＳＣ２は、ストレージキャパシタＣｓｔを形成する電極のうち一つであり、第１キャパシタ電極ＳＣ１に重畳するように配置され得る。第２キャパシタ電極ＳＣ２は、第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と一体に形成され、第２ゲート電極ＧＥ２と電気的に連結され得る。第１キャパシタ電極ＳＣ１と第２キャパシタ電極ＳＣ２は、バッファ層１１１及びゲート絶縁層１１２を挟んで互いに離隔されて配置され得る。

そして、層間絶縁層１１３上に複数のスキャン配線ＳＬ、補助高電位電源配線ＶＤＤＡ及び第３キャパシタ電極ＳＣ３が配置される。

まず、スキャン配線ＳＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれにスキャン信号ＳＣＡＮを伝達する配線である。スキャン配線ＳＬは、複数のサブ画素ＳＰを横切って行方向に延び得る。スキャン配線ＳＬは、複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第１トランジスタＴ１の第１ゲート電極ＧＥ１及び第３トランジスタＴ３の第３ゲート電極ＧＥ３に電気的に連結され得る。

層間絶縁層１１３上に補助高電位電源配線ＶＤＤＡが配置される。補助高電位電源配線ＶＤＤＡは、行方向に延びて複数のサブ画素ＳＰを横切って配置され得る。補助高電位電源配線ＶＤＤＡは、列方向に延びた高電位電源配線ＶＤＤと行方向に沿って配置された複数のサブ画素ＳＰそれぞれの第２トランジスタＴ２の第２ドレイン電極ＤＥ２に電気的に連結され得る。

層間絶縁層１１３上に第３キャパシタ電極ＳＣ３が配置される。第３キャパシタ電極ＳＣ３は、ストレージキャパシタＣｓｔを形成する電極であり、第１キャパシタ電極ＳＣ１及び第２キャパシタ電極ＳＣ２に重畳するように配置され得る。第３キャパシタ電極ＳＣ３は、第２トランジスタＴ２の第２ソース電極ＳＥ２と一体に形成され、第２ソース電極ＳＥ２と電気的に連結され得る。そして、第２ソース電極ＳＥ２は、層間絶縁層１１３及びバッファ層１１１に形成されたコンタクトホールを通して第１キャパシタ電極ＳＣ１とも電気的に連結され得る。そこで、第１キャパシタ電極ＳＣ１及び第３キャパシタ電極ＳＣ３は、第２トランジスタＴ２の第２ソース電極ＳＥ２と電気的に連結され得る。

ストレージキャパシタＣｓｔは、発光素子ＬＥＤが発光する間、第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間の電位差を貯蔵して発光素子ＬＥＤに一定の電流が供給されるようにすることができる。ストレージキャパシタＣｓｔは、基板１１０上に形成され、第２ソース電極ＳＥ２と連結された第１キャパシタ電極ＳＣ１、バッファ層１１１及びゲート絶縁層１１２上に形成され、第２ゲート電極ＧＥ２と連結された第２キャパシタ電極ＳＣ２及び層間絶縁層１１３上に形成され、第２ソース電極ＳＥ２と連結された第３キャパシタ電極ＳＣ３を含んで、第２トランジスタＴ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間の電圧を貯蔵することができる。

第１トランジスタＴ１、第２トランジスタＴ２、第３トランジスタＴ３、及びストレージキャパシタＣｓｔ上に第１パッシベーション層１１４が配置される。第１パッシベーション層１１４は、第１パッシベーション層１１４の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

第１パッシベーション層１１４上に下部平坦化層１１５が配置される。下部平坦化層１１５は、複数のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３及びストレージキャパシタＣｓｔが配置された基板１１０の上部を平坦化できる。下部平坦化層１１５は、単層または複層に構成され得、例えば、フォトレジストやアクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。

下部平坦化層１１５上に第２パッシベーション層１１６が配置される。第２パッシベーション層１１６は、第２パッシベーション層１１６の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

第２パッシベーション層１１６上に連結電極１５０、複数の組み立て配線１２０が配置される。

連結電極１５０は、第２トランジスタＴ２と画素電極ＰＥを電気的に連結する電極である。連結電極１５０は、第２パッシベーション層１１６、下部平坦化層１１５及び第１パッシベーション層１１４に形成されたコンタクトホールを通して第２ソース電極ＳＥ２であり第３キャパシタ電極ＳＣ３に電気的に連結され得る。

連結電極１５０は、第１連結層１５０ａ及び第２連結層１５０ｂからなる複層構造であってよい。第２パッシベーション層１１６上に第１連結層１５０ａが配置され、第１連結層１５０ａを覆う第２連結層１５０ｂが配置される。第２連結層１５０ｂは、第１連結層１５０ａの上面と側面を全て囲むように配置され得る。

第２連結層１５０ｂは、第１連結層１５０ａより腐食に強い物質からなって表示装置１００の製造時、第１連結層１５０ａと隣接した配線の間のマイグレーション（ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）によるショート不良を最小化することができる。例えば、第１連結層１５０ａは、銅（Ｃｕ）及びクロム（Ｃｒ）等のような導電性物質からなり、第２連結層１５０ｂは、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）等からなり得るが、これに制限されるものではない。

第２パッシベーション層１１６上に複数の組み立て配線１２０が配置される。

複数の組み立て配線１２０は、複数の第１組み立て配線１２１及び複数の第２組み立て配線１２２を含む。

複数の第１組み立て配線１２１及び複数の第２組み立て配線１２２は、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれで列方向に延び、一定の間隔を置いて互いに離隔されて配置され得る。

複数の組み立て配線１２０は、低電位電源配線と重畳する領域に配置され、低電位電源配線と電気的に連結され得る。低電位電源配線は、発光素子ＬＥＤに低電位電源電圧を伝達する配線である。低電位電源配線は、複数のサブ画素ＳＰそれぞれで列方向に延び得る。例えば、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３それぞれには、低電位電源配線が配置され得る。

複数の組み立て配線１２０それぞれは、第２パッシベーション層１１６上に配置される導電層１２１ａ、１２２ａ、及び導電層１２１ａ、１２２ａ上に配置され、導電層１２１ａ、１２２ａの上面と側面を全て覆うクラッド層１２１ｂ、１２２ｂを含む。

第１組み立て配線１２１は、第１導電層１２１ａ及び第１クラッド層１２１ｂを含み、第２組み立て配線１２２は、第２導電層１２２ａ及び第２クラッド層１２２ｂを含む。

第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａは、発光素子ＬＥＤと重畳しなくてよい。即ち、第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａの末端は、発光素子ＬＥＤの末端より外側に配置され得る。

第１組み立て配線１２１の第１クラッド層１２１ｂは、第１導電層１２１ａの上面と側面を覆うように配置され得、第２組み立て配線１２２の第２クラッド層１２２ｂは、第２導電層１２２ａの上面と側面を覆うように配置され得る。このとき、第１クラッド層１２１ｂ及び第２クラッド層１２２ｂは、第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａの末端から発光素子ＬＥＤの中央部側に延びて発光素子ＬＥＤと重畳し得る。例えば、第１クラッド層１２１ｂ及び第２クラッド層１２２ｂは、それぞれ発光素子ＬＥＤの下面の面積中の半分未満に該当する領域に重畳するように配置され得る。

第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａは、連結電極１５０の第１連結層１５０ａと同じ工程により同じ物質からなり得る。例えば、第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａは、銅（Ｃｕ）及びクロム（Ｃｒ）等のような導電性物質からなり得る。そして、第１クラッド層１２１ｂ及び第２クラッド層１２２ｂは、連結電極１５０の第２連結層１５０ｂと同じ工程により同じ物質からなり得る。例えば、第１クラッド層１２１ｂ及び第２クラッド層１２２ｂは、第１導電層１２１ａ及び第２導電層１２２ａより腐食に強い物質、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）等からなり得るが、これに制限されるものではない。

連結電極１５０及び組み立て配線１２０上に第３パッシベーション層１１７が配置される。第３パッシベーション層１１７は、第３パッシベーション層１１７の下部の構成を保護するための絶縁層であり、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）の単一層または複層で構成され得るが、これに制限されない。

第３パッシベーション層１１７は、複数の発光素子ＬＥＤと隣接した領域で一部の領域がオープンされ得る。例えば、第３パッシベーション層１１７は、複数の発光素子ＬＥＤの一側面と隣接した領域で第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２の上面の一部を露出させ得る。

第３パッシベーション層１１７上に第１上部平坦化層１１８が配置される。第１上部平坦化層１１８は、第３パッシベーション層１１７の上部を平坦化できる。第１上部平坦化層１１８は、第１組み立て配線１２１の第１クラッド層１２１ｂの一部及び第２組み立て配線１２２の第１クラッド層１２２ｂの一部を覆い得る。

第１上部平坦化層１１８は、単層または複層に構成され得、例えば、アクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。

一方、第１上部平坦化層１１８は、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに対応する位置で配置される複数の開口部１１８ａを含む。複数の開口部１１８ａは、複数の発光素子ＬＥＤが挿入される部分であり、ポケットとも称され得る。

一つの開口部１１８ａは、一つのサブ画素ＳＰで互いに隣り合うように配置された第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２の一部と重畳するように配置され得る。即ち、第１上部平坦化層１１８が配置されていない開口部１１８ａの内側に第１組み立て配線１２１の第１クラッド層１２１ｂの一部及び第２組み立て配線１２２の第１クラッド層１２２ｂの一部が配置され得る。

複数の開口部１１８ａで第３パッシベーション層１１７の一部の領域がオープンされ得る。例えば、第３パッシベーション層１１７は、図４ａ乃至図４ｃに示されたように、複数の開口部１１８ａで有機絶縁層ＯＬが配置される領域を除く領域で第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２の上面の一部を露出させ得る。

複数の開口部１１８ａで第３パッシベーション層１１７上で複数の発光素子ＬＥＤが配置される。一つのサブ画素ＳＰに一つ以上の発光素子ＬＥＤが配置される。図２に示されたように、一つのサブ画素ＳＰに２個の発光素子ＬＥＤが配置され得る。発光素子ＬＥＤは、電流により光を発光する素子である。発光素子ＬＥＤは、赤色光、緑色光、青色光等を発光する発光素子ＬＥＤを含むことができ、これらの組み合わせで白色を含む多様な色相の光を具現できる。また、特定の色相の光を発光する発光素子ＬＥＤと発光素子ＬＥＤから光を他の色相の光に変換させる光変換部材を使用して多様な色相の光を具現することもできる。

発光素子ＬＥＤは、第２トランジスタＴ２から駆動電流の供給を受けて発光できる。発光素子ＬＥＤは、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子を含むことができる。例えば、第１サブ画素ＳＰ１に配置される発光素子ＬＥＤは赤色発光素子であり、第２サブ画素ＳＰ２に配置される発光素子ＬＥＤは緑色発光素子であり、第３サブ画素ＳＰ３に配置される発光素子ＬＥＤは青色発光素子であってよいが、これに制限されるものではない。

このとき、一つのサブ画素ＳＰに配置された複数の発光素子ＬＥＤは、並列に連結され得る。即ち、複数の発光素子ＬＥＤそれぞれの一つの電極は、同じ第２トランジスタＴ２のソース電極ＳＥ２に連結され、他の電極は、同じ組み立て配線１２０に連結され得る。

発光素子ＬＥＤは、第１発光素子１３０及び第２発光素子１４０を含むことができる。複数のサブ画素ＳＰそれぞれに配置された発光素子ＬＥＤは、列方向に配置され得る。例えば、図２及び図３に示されたように、第２発光素子１４０は、第１発光素子１３０の上側に配置され得る。

第１発光素子１３０は、第２発光素子１４０と同じ色を発光できる。このような場合、第１発光素子１３０と第２発光素子１４０は、同じ種類の発光素子ＬＥＤであるので、第１発光素子１３０の大きさは、第２発光素子１４０の大きさと同一であり得る。ここで、発光素子ＬＥＤの大きさは、発光素子ＬＥＤの下面の面積、断面上の幅、体積、高さ等を意味し得るが、これに制限されるものではない。

図２及び図４においては、説明の便宜のために、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに２個の発光素子ＬＥＤが配置されたものと示したが、複数のサブ画素ＳＰそれぞれに配置された発光素子ＬＥＤの個数は、これに制限されない。

図３乃至図４ｃを参照すると、発光素子１３０は、第１半導体層１３１、発光層１３２、第２半導体層１３３、第１電極１３４、第２電極１３５及び封止層１３６を含む。

第３パッシベーション層１１７上に第１半導体層１３１が配置され、第１半導体層１３１上に第２半導体層１３３が配置される。第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３は、特定の物質にｎ型及びｐ型の不純物をドーピングして形成された層であってよい。例えば、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、インジウムアルミニウムリン化物（ＩｎＡｌＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等のような物質にｐ型またはｎ型の不純物がドーピングされた層であってよい。そして、ｐ型の不純物は、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ベリリウム（Ｂｅ）等であってよく、ｎ型の不純物は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）等であってよいが、これに制限されない。

第１半導体層１３１の一部分は、第２半導体層１３３の外側に突出して配置され得る。第１半導体層１３１の上面は、第２半導体層１３３の下面と重畳する部分と第２半導体層１３３の下面外側に配置された部分からなり得る。ただし、第１半導体層１３１と第２半導体層１３３の大きさ及び形状は、多様に変形され得、これに制限されない。

第１半導体層１３１と第２半導体層１３３との間に発光層１３２が配置される。発光層１３２は、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３から正孔及び電子の供給を受けて光を発光できる。発光層１３２は、単層または多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ－Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、ＭＱＷ）構造になされ得、例えば、インジウムガリウム窒化物（ＩｎＧａＮ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）等からなり得るが、これに制限されるものではない。

第１半導体層１３１の下面と側面を囲む第１電極１３４が配置される。第１電極１３４は、第１発光素子１３０と組み立て配線１２０を電気的に連結するための電極である。第１電極１３４は、導電性物質、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のような透明導電物質またはチタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、またはこれらの合金のような不透明導電物質等で構成され得るが、これに制限されない。

第２半導体層１３３の上面に第２電極１３５が配置される。第２電極１３５は、後述する画素電極ＰＥと第２半導体層１３３を電気的に連結する電極である。第２電極１３５は、導電性物質、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のような透明導電物質等で構成され得るが、これに制限されない。

第１半導体層１３１、発光層１３２、第２半導体層１３３、第１電極１３４及び第２電極１３５の少なくとも一部を囲む封止層１３６が配置される。封止層１３６は、絶縁物質からなり、第１半導体層１３１、発光層１３２及び第２半導体層１３３を保護することができる。封止層１３６は、発光層１３２、発光層１３２に隣接した第１半導体層１３１の側面の一部及び発光層１３２に隣接した第２半導体層１３３の側面の一部を覆うように配置され得る。封止層１３６から第１電極１３４と第２電極１３５が露出され得、以後に形成されるコンタクト電極ＣＥ及び画素電極ＰＥと第１電極１３４及び第２電極１３５を電気的に連結できる。

図４ａを参照すると、第３パッシベーション層１１７上に第２発光素子１４０が配置される。第２発光素子１４０は、第１発光素子１３０の上側に配置され、第１発光素子１３０及び画素回路と共に一つのサブ画素ＳＰに配置される。

第２発光素子１４０は、第１半導体層１４１、発光層１４２、第２半導体層１４３、第１電極１４４、第２電極１４５及び封止層１４６を含む。第２発光素子１４０の第１半導体層１４１、発光層１４２、第２半導体層１４３、第２電極１４５及び封止層１４６は、第１発光素子１３０の第１半導体層１３１、発光層１３２、第２半導体層１３３、第２電極１３５及び封止層１３６と実質的に同一であり得る。そこで、重複した説明は省略する。

第２発光素子１４０は、有機絶縁層ＯＬ及び第２上部平坦化層１１９に形成されたコンタクトホールを通して第１発光素子１３０及び画素回路から延びた画素電極ＰＥと電気的に連結され得る。そこで、一つのサブ画素ＳＰで、第１発光素子１３０と第２発光素子１４０は、第２トランジスタＴ２に電気的に連結され得る。

開口部１１８ａの内側にコンタクト電極ＣＥが配置される。コンタクト電極ＣＥは、開口部１１８ａの内側に配置された第１組み立て配線１２１と第２組み立て配線１２２を発光素子ＬＥＤの第１電極１３４、１４４と電気的に連結する電極である。

コンタクト電極ＣＥは、有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１が配置された領域を除く領域で発光素子ＬＥＤの側面と接し得る。例えば、コンタクト電極ＣＥは、開口部１１８ａの内側に配置され、第１電極１３４、１４４の少なくとも一部分と接し得る。このとき、コンタクト電極ＣＥは、第３パッシベーション層１１７がオープンされた領域で第１組み立て配線１２１の第１クラッド層１２１ｂ及び第２組み立て配線１２１の第２クラッド層１２１ｂと接し、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２と第１電極１３４、１４４を電気的に連結できる。

一方、コンタクト電極ＣＥは、導電性物質、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）またはこれに対する合金からなり得る。

第１上部平坦化層１１８上に有機絶縁層ＯＬが配置される。有機絶縁層ＯＬは、開口部１１８ａの内側にも配置され、複数の発光素子ＬＥＤと一部が接し得る。例えば、有機絶縁層ＯＬは、複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部及び上面の一部を覆い得る。このとき、複数の発光素子ＬＥＤは、有機絶縁層ＯＬにより開口部１１８ａの内側に安定して固定され得る。

有機絶縁層ＯＬは、アクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。

有機絶縁層ＯＬは、第１部分ＯＬ１、第２部分ＯＬ２及び第３部分ＯＬ３を含む。

第１部分ＯＬ１は、複数の発光素子ＬＥＤの上面、下面及び側面のうち発光素子ＬＥＤの側面と接する部分である。そこで、第１部分ＯＬ１は、有機絶縁層ＯＬ中、開口部１１８ａに配置された部分であってよい。一方、第１部分ＯＬ１は、発光素子ＬＥＤの側面中、コンタクト電極ＣＥと接する部分を除く部分で配置され得る。

第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａ内で第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のいずれとも重畳し得る。このとき、第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａ内で第３パッシベーション層１１７上に配置され、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２と重畳するように配置され得る。このとき、図３を参照すると、第１部分ＯＬ１が第１組み立て配線１２１と重畳する領域の面積と第１部分ＯＬ１が第２組み立て配線１２２と重畳する領域の面積は同一であり得る。

有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａの外側に延びて第１上部平坦化層１１８上に配置され得る。

有機絶縁層ＯＬの第２部分ＯＬ２は、複数の発光素子ＬＥＤの上面、下面及び側面のうち発光素子ＬＥＤの上面上に配置され、発光素子ＬＥＤの上面の一部を覆う部分である。そこで、第２部分ＯＬ２の側面は、第２電極１３５、１４５の周りのうち一部に沿って配置され得る。

第２部分ＯＬ２は、複数の発光素子ＬＥＤの上面に配置され、発光素子ＬＥＤが離脱せずに発光素子ＬＥＤが固定されるようにすることができる。第３部分ＯＬ３は、複数の発光素子ＬＥＤの上面、下面及び側面のうち発光素子ＬＥＤの下部に配置される部分である。

有機絶縁層ＯＬの第３部分ＯＬ３は、第３パッシベーション層１１７と発光素子ＬＥＤとの間の空間に配置され得る。そこで、第３部分ＯＬ３は、発光素子ＬＥＤの下面と接し得る。また、第３部分ＯＬ３は、複数の発光素子ＬＥＤの下部で第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２上に配置された第３パッシベーション層１１７と重畳するように配置され得る。このとき、第３部分ＯＬ３は、発光素子ＬＥＤが第３パッシベーション層１１７に固定されるように接着層として機能し得る。

有機絶縁層ＯＬ及び有機絶縁層が形成されていない有機絶縁層開口部ＯＬａ上に第２上部平坦化層１１９が配置される。第２上部平坦化層１１９は、有機絶縁層ＯＬ上で基板１１０の上部を平坦化できる。

第２上部平坦化層１１９は、単層または複層に構成され得、例えば、第２上部平坦化層１１９は、アクリル（ａｃｒｙｌ）系有機物質からなり得るが、これに制限されない。

第２上部平坦化層１１９は、開口部１１８ａを充填して複数の発光素子ＬＥＤが配置された基板１１０の上部を平坦化できる。例えば、第２上部平坦化層１１９は、開口部１１８ａ中、有機絶縁層ＯＬが配置された領域を除く領域で開口部１１８ａを充填できる。そこで、第２上部平坦化層１１９は、開口部１１８ａの内側でコンタクト電極ＣＥ上に配置され得る。開口部１１８ａに配置された第２上部平坦化層１１９の平面形状は、図3に示されたように矩形状であってよい。

一方、第２上部平坦化層１１９は、開口部１１８ａで複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部及び発光素子ＬＥＤの上面の一部と接し得る。このとき、図４ａ乃至図４ｃを参照すると、第２上部平坦化層１１９は、発光素子ＬＥＤの上面の一部を露出させるコンタクトホールを含む。第２上部平坦化層１１９のコンタクトホールには、画素電極ＰＥが配置され、複数の発光素子ＬＥＤの第２電極１３５、１４５と電気的に連結され得る。

第２上部平坦化層１１９上に画素電極ＰＥが配置される。

画素電極ＰＥは、複数の発光素子ＬＥＤと連結電極１５０を電気的に連結するための電極である。画素電極ＰＥは、画素回路と電気的に連結され、第１発光素子１３０及び第２発光素子１４０に延びて配置される。即ち、画素電極ＰＥは、第１発光素子１３０で延びて第２発光素子１４０とも連結され得、第２上部平坦化層１１９に形成されたコンタクトホールを通して連結電極１５０及び第２トランジスタＴ２に電気的に連結され得る。

一方、図４ｂを参照すると、画素電極ＰＥは、有機絶縁層ＯＬが配置されていない領域で複数の発光素子ＬＥＤ上に配置され得る。このとき、画素電極ＰＥは、複数の発光素子ＬＥＤの上面中、第２部分ＯＬ２が配置された領域を除く領域で有機絶縁層ＯＬの第２部分ＯＬ２に別途のコンタクトホールを形成せずに第２電極１３５、１４５と接し得る。

画素電極ＰＥは、導電性物質、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等のような透明導電物質等で構成され得るが、これに制限されない。

以下においては、図５ａ乃至図５ｆを参照して、表示装置１００の製造方法を説明する。

図５ａ乃至図５ｆは、本明細書の一実施例に係る表示装置の形成過程を説明するための工程図である。

図５ａを参照すると、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２１を利用して開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てすることができる。第１上部平坦化層１１８は、発光素子ＬＥＤが安着される空間であるポケットを提供し、発光素子ＬＥＤは、開口部１１８ａの内側に配置された第３パッシベーション層１１７上に安着され得る。

次いで、図５ｂを参照すると、基板１１０の前面に有機絶縁層ＯＬを形成する。具体的に、第１上部平坦化層１１８及び発光素子ＬＥＤ上に有機絶縁層ＯＬを形成し得る。有機絶縁層ＯＬは、開口部１１８ａの内側で発光素子ＬＥＤの前面と接するように形成され得る。また、有機絶縁層ＯＬは、基板１１０の前面に形成しながら 第３パッシベーション層１１７及び発光素子ＬＥＤの間に浸透して 第３パッシベーション層１１７及び発光素子ＬＥＤの間の接着剤の役割を果たす有機絶縁層ＯＬの第３部分ＯＬ３になり得る。

次いで、図５ｃを参照すると、有機絶縁層ＯＬをパターニングして開口部１１８ａの内側に配置された有機絶縁層ＯＬの一部分を除去する。パターニング工程を通して開口部１１８ａで第１上部平坦化層１１８の側面、発光素子ＬＥＤの側面及び発光素子ＬＥＤの上側部分を覆う有機絶縁層ＯＬの一部分を除去できる。例えば、図３に示されたように、平面上で、有機絶縁層ＯＬ中、矩形状の領域をアッシング工程を通して除去できる。そこで、発光素子ＬＥＤの側面を覆う有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１のうち一部、発光素子ＬＥＤの上面を覆う第２部分ＯＬ２のうち一部を残し得る。そこで、有機絶縁層ＯＬは、後続工程の進行時、発光素子ＬＥＤを固定して、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

このとき、有機絶縁層ＯＬの下部に配置された第３パッシベーション層１１７の一部分が共に除去され得る。例えば、開口部１１８ａで有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１及び第３部分を除く部分で第３パッシベーション層１１７が除去され得る。そこで、第１組み立て配線１２１の上面の一部、第２組み立て配線１２２の上面の一部が露出され得る。

次いで、図５ｄを参照すると、基板１１０の前面に導電層ＣＬを形成する。具体的に、第１上部平坦化層１１８及び発光素子ＬＥＤを覆うように導電層ＣＬを形成し得る。特に、導電層ＣＬは、開口部１１８ａの内側で第３パッシベーション層１１７により露出された第１組み立て配線１２１の上面及び第２組み立て配線１２１の上面に接するように形成され得る。

次いで、図５ｅを参照すると、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を通して有機絶縁層ＯＬ及び第１上部平坦化層１１８上に配置された導電層ＣＬの一部分を除去する。例えば、開口部１１８ａの内側で第３パッシベーション層１１７のコンタクトホールにより露出された第１組み立て配線１２１の上面及び第２組み立て配線１２１の上面に配置された導電層ＣＬだけが残り得る。従って、第１半導体層１３１の側面に接するコンタクト電極ＣＥを形成することができる。

次いで、図５ｅを参照すると、基板１１０の前面に第２上部平坦化層１１９を形成する。第２上部平坦化層１１９は、第１上部平坦化層１１８が除去された領域を充填できる。例えば、開口部１１８ａの内側で有機絶縁層ＯＬを除く領域に配置され、コンタクト電極ＣＥ及び発光素子ＬＥＤを覆い得る。そこで、開口部１１８ａの内側で第２上部平坦化層１１９は有機絶縁層ＯＬと共に発光素子ＬＥＤをカバーできる。

次いで、図５ｆを参照すると、第２上部平坦化層１１９上に画素電極ＰＥを形成する。具体的に、発光素子ＬＥＤ上で第２上部平坦化層１１９の一部にコンタクトホールを形成して、画素電極ＰＥが発光素子ＬＥＤと連結され得る。

発光素子を開口部の内側に自己組み立てする方式で表示装置を製造する場合、複数の発光素子の下部に配置されたボンディング層で複数の発光素子を基板に固定した。例えば、複数の発光素子の自己組み立てが進行した後に発光素子の下部に有機層が浸透し得るように有機層を基板に前面コーティングした。以後、複数の発光素子の下部に配置された有機層を除く残りの領域で有機層を除去して複数の発光素子の下部に配置された有機層に配置されたボンディング層で複数の発光素子を基板に固定した。このような場合、ボンディング層が発光素子の下面にのみ配置されるので、基板で発光素子の固定力が弱化した。そこで、発光素子を開口部の内側に自己組み立てした後、発光素子上にコンタクト電極、第２上部平坦化層、画素電極等を形成する場合、発光素子が固定されず流動し得、発光素子が開口部内で離脱するか、発光素子が移動されて発光素子上にコンタクト電極等を形成する過程でコンタクト不良が発生し得る問題がある。また、基板の前面に配置された有機層のうち複数の発光素子の下部に配置された有機層を除く領域を全て除去するために高い厚さの有機層除去工程を進行するので、工程の効率性が低下した。

本明細書の一実施例に係る表示装置１００においては、基板１１０上に開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てした後、発光素子ＬＥＤを固定する有機絶縁層ＯＬが少なくとも発光素子ＬＥＤの上面及び発光素子ＬＥＤの側面と接するように形成することができる。即ち、有機絶縁層ＯＬが発光素子ＬＥＤの上面、側面及び下面で発光素子ＬＥＤを開口部１１８ａの内側に固定させることができる。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。また、自己組み立てされた発光素子ＬＥＤ上にコンタクト電極ＣＥ等を形成する後工程を進行する過程で発光素子ＬＥＤの流動による誤差発生を防止できる。

また、本明細書の一実施例に係る表示装置１００においては、開口部１１８ａの外側にも第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬが配置される。そこで、開口部１１８ａの外側で第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬを除去する工程を進行せず有機層除去工程の効率性が向上し得る。

また、本明細書の一実施例に係る表示装置１００においては、第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬは開口部１１８ａで延びてサブ画素ＳＰの画素回路を覆い得る。そこで、別途のパッシベーション層の追加なしに有機絶縁層ＯＬが画素回路と他の構成要素を絶縁させて短絡危険を防止できる。

図６は、本明細書の他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。図６の表示装置６００は、図１乃至図５ｆの表示装置１００と比較してコンタクト電極ＣＥ、有機絶縁層ＯＬ及び第２上部平坦化層だけが異なる点を除けば、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

第１上部平坦化層１１８上に有機絶縁層ＯＬが配置される。有機絶縁層ＯＬは、第１部分ＯＬ１、第２部分ＯＬ２及び第３部分を含む。

第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａで発光素子ＬＥＤの側面の一部と接し得る。第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａ内で第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のいずれとも重畳し得る。第１発光素子１３０上で第１部分ＯＬ１が第１組み立て配線１２１と重畳する領域の面積と第２組み立て配線１２２と重畳する領域の面積は異なり得る。例えば、第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１上に配置された第１発光素子１３０の側面と全て重畳し得る。一方、第１部分ＯＬ１は、第２組み立て配線１２２上に配置された第１発光素子１３０の側面のうち一部と重畳し得る。図６に示されたように、第１部分ＯＬ１は、第２組み立て配線１２2上に配置された第１発光素子１３０の側面中の半分と重畳するように配置され得るが、これに制限されるものではない。また、第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１上に配置された第２発光素子１４０の側面のうち一部と重畳し得る。図６に示されたように、第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１上に配置された第２発光素子１４０の側面中の半分と重畳するように配置され得るが、これに制限されるものではない。一方、第１部分ＯＬ１は、第２組み立て配線１２２上に配置された第２発光素子１４０の側面と全て重畳し得る。

第２部分ＯＬ２は、開口部１１８ａ内で複数の発光素子ＬＥＤ上に配置される。第１発光素子１３０上で第２部分ＯＬ２が第１組み立て配線１２１と重畳する領域の面積と第２組み立て配線１２２と重畳する領域の面積は異なり得る。例えば、第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１上に配置された第１発光素子１３０の上面と全て重畳し得る。一方、第２部分ＯＬ２は、第２組み立て配線１２２上に配置された第１発光素子１３０の上面のうち一部と重畳し得る。図６に示されたように、第２部分ＯＬ２は、第２組み立て配線１２２上に配置された第１発光素子１３０の上面中の半分と重畳するように配置され得るが、これに制限されるものではない。また、第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１上に配置された第２発光素子１４０の上面のうち一部と重畳し得る。図６に示されたように、第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１上に配置された第２発光素子１４０の上面中の半分と重畳するように配置され得るが、これに制限されるものではない。一方、第２部分ＯＬ２は、第２組み立て配線１２２上に配置された第２発光素子１４０の上面と全て重畳し得る。

図６に示していないが、第３部分は、第３パッシベーション層１１７と発光素子ＬＥＤとの間の空間に配置され、発光素子ＬＥＤの下面と接し得る。

開口部１１８ａの内側にコンタクト電極ＣＥが配置される。コンタクト電極ＣＥは、有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１が配置された領域を除く領域に配置される。そこで、発光素子ＬＥＤの側面とコンタクト電極ＣＥが接する面積は、発光素子ＬＥＤの側面と第１部分ＯＬ１が接する面積より狭くなり得る。

図６において示していないが、有機絶縁層ＯＬ上及び有機絶縁層が形成されていない有機絶縁層開口部ＯＬａに第２上部平坦化層が配置される。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａ中、有機絶縁層ＯＬが配置された領域を除く領域で開口部１１８ａを充填できる。そこで、第２上部平坦化層は、開口部１１８ａの内側でコンタクト電極ＣＥ上に配置され得る。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａで複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部及び発光素子ＬＥＤの上面の一部と接し得る。

第２上部平坦化層は、発光素子ＬＥＤの上面の一部を露出させるコンタクトホールを含む。第２上部平坦化層１１９のコンタクトホールには、画素電極ＰＥが配置され、複数の発光素子ＬＥＤの第２電極１３５、１４５と電気的に連結され得る。

本明細書の他の実施例に係る表示装置６００においては、基板１１０上に開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てした後、発光素子ＬＥＤを固定する有機絶縁層ＯＬが少なくとも発光素子ＬＥＤの上面及び発光素子ＬＥＤの側面と接するように形成することができる。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

また、本明細書の他の実施例に係る表示装置６００においては、開口部１１８ａの外側で第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬを除去する工程を進行せず有機層除去工程の効率性が向上し得る。

また、本明細書の他の実施例に係る表示装置６００においては、別途のパッシベーション層の追加なしに第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬが画素回路と他の構成要素を絶縁させて短絡危険を防止できる。

また、本明細書の他の実施例に係る表示装置６００においては、有機絶縁層ＯＬが発光素子ＬＥＤの上面の面積の半分以上、発光素子ＬＥＤの側面の半分以上を覆い得る。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

図７は、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。図７の表示装置７００は、図１乃至図５ｆの表示装置１００と比較してコンタクト電極ＣＥ、有機絶縁層ＯＬ及び第２上部平坦化層だけが異なる点を除けば、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

第１上部平坦化層１１８上に有機絶縁層ＯＬが配置される。有機絶縁層ＯＬは、第１部分ＯＬ１、第２部分ＯＬ２及び第３部分を含む。

第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａで発光素子ＬＥＤの側面の一部と接し得る。第１発光素子１３０と接する第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち一つと重畳し、第２発光素子１４０と接する第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち他の一つと重畳し得る。例えば、図７に示されたように、第１部分ＯＬ１は、第１発光素子１３０の側面中、第１組み立て配線１２１と重畳する領域にのみ配置され得る。一方、第１部分ＯＬ１は、第２発光素子１４０の側面中、第２組み立て配線１２２と重畳する領域にのみ配置され得る。一方、図７においては、第１部分ＯＬ１が第１発光素子１３０の側面中の１／４に該当する領域及び第２発光素子１４０の側面中の１／４に該当する領域にのみ配置されるものと示したが、第１部分ＯＬ１の位置はこれに制限されない。

第２部分ＯＬ２は、開口部１１８ａ内で複数の発光素子ＬＥＤ上に配置される。第１発光素子１３０と接する第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち一つと重畳し、第２発光素子１４０と第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち他の一つと重畳し得る。例えば、図７に示されたように、第２部分ＯＬ２は、第１発光素子１３０の側面中、第１組み立て配線１２１と重畳する領域にのみ配置され得る。一方、第２部分ＯＬ２は、第２発光素子１４０の側面中、第２組み立て配線１２２と重畳する領域にのみ配置され得る。一方、図７においては、第２部分ＯＬ２は、この第１発光素子１３０の側面中の１／４に該当する領域、及び第２部分ＯＬ２は、 第２発光素子１４０の側面中の１／４に該当する領域にのみ配置されるものと示したが、第２部分ＯＬ２の位置はこれに制限されない。

図７に示していないが、第３部分は、第３パッシベーション層１１７と発光素子ＬＥＤとの間の空間に配置され、発光素子ＬＥＤの下面と接し得る。

開口部１１８ａの内側にコンタクト電極ＣＥが配置される。コンタクト電極ＣＥは、有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１が配置された領域を除く領域に配置される。そこで、コンタクト電極ＣＥが発光素子ＬＥＤの側面中の半分以上に重畳するように配置され得る。そこで、発光素子ＬＥＤの側面とコンタクト電極ＣＥが接する面積は、発光素子ＬＥＤの側面と第１部分ＯＬ１が接する面積より広くなり得る。

図７に示していないが、有機絶縁層ＯＬ上及び有機絶縁層が形成されていない有機絶縁層開口部ＯＬａに第２上部平坦化層が配置される。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａ中、有機絶縁層ＯＬが配置された領域を除く領域で開口部１１８ａを充填できる。そこで、第２上部平坦化層は、開口部１１８ａの内側でコンタクト電極ＣＥ上に配置され得る。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａで複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部及び発光素子ＬＥＤの上面の一部と接し得る。

第２上部平坦化層は、発光素子ＬＥＤの上面の一部を露出させるコンタクトホールを含む。第２上部平坦化層１１９のコンタクトホールには、画素電極ＰＥが配置され、複数の発光素子ＬＥＤの第２電極１３５、１４５と電気的に連結され得る。

本明細書の他のまた実施例に係る表示装置７００においては、基板１１０上に開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てした後、発光素子ＬＥＤを固定する有機絶縁層ＯＬが少なくとも発光素子ＬＥＤの上面及び発光素子ＬＥＤの側面と接するように形成することができる。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置７００においては、開口部１１８ａの外側で第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬを除去する工程を進行せず有機層除去工程の効率性が向上し得る。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置７００においては、別途のパッシベーション層の追加なしに第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬが画素回路と他の構成要素を絶縁させて短絡危険を防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置７００においては、発光素子ＬＥＤの側面とコンタクト電極ＣＥが接する面積は、発光素子ＬＥＤの側面と第１部分ＯＬ１が接する面積より広くなり得る。そこで、発光素子ＬＥＤとコンタクト電極ＣＥの接触面積が増加してコンタクト抵抗を改善できる。

図８は、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。図8の表示装置8００は、図１乃至図５ｆの表示装置１００と比較してコンタクト電極ＣＥ、有機絶縁層ＯＬ及び第２上部平坦化層だけが異なる点を除けば、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

第１上部平坦化層１１８上に有機絶縁層ＯＬが配置される。有機絶縁層ＯＬは、第１部分ＯＬ１、第２部分ＯＬ２及び第３部分を含む。

第１部分ＯＬ１は、開口部１１８ａで発光素子ＬＥＤの側面の一部と接し得る。第１部分ＯＬ１が第１組み立て配線１２１と重畳する領域の面積と第１部分ＯＬ１が第２組み立て配線１２２と重畳する領域の面積は異なり得る。第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち一つと完全に重畳し、他の一つと一部重畳し得る。例えば、図８に示されたように、第１部分ＯＬ１は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち第１組み立て配線１２１と完全に重畳し、第２組み立て配線１２２と一部重畳し得る。そこで、第１部分ＯＬ１は、発光素子ＬＥＤの側面中の半分以上と重畳し得る。

第２部分ＯＬ２は、開口部１１８ａ内で複数の発光素子ＬＥＤ上に配置される。第２部分ＯＬ２が第１組み立て配線１２１と重畳する領域の面積と第２部分ＯＬ２が第２組み立て配線１２２と重畳する領域の面積は異なり得る。例えば、図８に示されたように、第２部分ＯＬ２は、第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２のうち第１組み立て配線１２１と完全に重畳し、第２組み立て配線１２２と一部重畳し得る。そこで、第２部分ＯＬ２は、発光素子ＬＥＤの上面中の半分以上と重畳し得る。

図８に示していないが、第３部分は、第３パッシベーション層１１７と発光素子ＬＥＤとの間の空間に配置され、発光素子ＬＥＤの下面と接し得る。

開口部１１８ａの内側にコンタクト電極ＣＥが配置される。

コンタクト電極ＣＥは、有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１が配置された領域を除く領域に配置される。そこで、発光素子ＬＥＤの側面とコンタクト電極ＣＥが接する面積は、発光素子ＬＥＤの側面と第１部分ＯＬ１が接する面積より狭くなり得る。

図８に示していないが、有機絶縁層ＯＬ上及び有機絶縁層が形成されていない有機絶縁層開口部ＯＬａに第２上部平坦化層が配置される。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａ中、有機絶縁層開口部ＯＬａで開口部１１８ａを充填できる。そこで、第２上部平坦化層は、開口部１１８ａの内側でコンタクト電極ＣＥ上に配置され得る。

第２上部平坦化層は、開口部１１８ａで複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部及び発光素子ＬＥＤの上面の一部と接し得る。

第２上部平坦化層は、発光素子ＬＥＤの上面の一部を露出させるコンタクトホールを含む。第２上部平坦化層１１９のコンタクトホールには、画素電極ＰＥが配置され、複数の発光素子ＬＥＤの第２電極１３５、１４５と電気的に連結され得る。

本明細書のまた他の実施例に係る表示装置８００においては、基板１１０上に開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てした後、発光素子ＬＥＤを固定する有機絶縁層ＯＬが少なくとも発光素子ＬＥＤの上面及び発光素子ＬＥＤの側面と接するように形成することができる。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置８００においては、開口部１１８ａの外側で第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬを除去する工程を進行せず有機層除去工程の効率性が向上し得る。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置８００においては、別途のパッシベーション層の追加なしに第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬが画素回路と他の構成要素を絶縁させて短絡危険を防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置８００においては、有機絶縁層ＯＬが発光素子ＬＥＤの上面の面積の半分以上、発光素子ＬＥＤの側面の半分以上を覆い得る。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

図９ａは、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置の拡大平面図である。図９ｂは、図９ａのＥ－Ｅ’に沿った断面図である。図９ａ及び図９ｂの表示装置９００は、図１乃至図５ｆの表示装置１００と比較して有機絶縁層ＯＬの第２部分ＯＬ２、第２上部平坦化層９１９及び画素電極ＰＥだけが異なる点を除けば、他の構成は実質的に同一であるので、重複した説明は省略する。

第１上部平坦化層１１８上に有機絶縁層ＯＬが配置される。有機絶縁層ＯＬは、複数の発光素子ＬＥＤの側面の一部を覆い得る。有機絶縁層ＯＬは、第１部分ＯＬ１及び第３部分ＯＬ３を含む。

第１部分ＯＬ１は、複数の発光素子ＬＥＤの側面と接するように配置され、発光素子ＬＥＤの側面の一部を覆う部分である。

第３部分ＯＬ３は、第３パッシベーション層１１７と発光素子ＬＥＤとの間の空間に配置され、発光素子ＬＥＤの下面と接し得る。

一方、有機絶縁層ＯＬは、複数の発光素子ＬＥＤの上面には配置されなくてよい。そこで、有機絶縁層ＯＬは、図９ａに示されたように、複数の発光素子ＬＥＤの上面に配置された第２電極１３５、１４５を露出させ得る。

コンタクト電極ＣＥは、有機絶縁層ＯＬの第１部分ＯＬ１が配置された領域を除く領域に配置され、発光素子ＬＥＤの第１電極１３４、１４４と第１組み立て配線１２１及び第２組み立て配線１２２を電気的に連結できる。

図９ｂを参照すると、有機絶縁層ＯＬ及び有機絶縁層が形成されていない有機絶縁層開口部ＯＬａに第２上部平坦化層９１９が配置される。

第２上部平坦化層９１９は、開口部１１８ａ中、有機絶縁層ＯＬが配置された領域を除く領域で開口部１１８ａを充填できる。そこで、第２上部平坦化層９１９は、開口部１１８ａの内側でコンタクト電極ＣＥ上に配置され得る。

第２上部平坦化層９１９は、発光素子ＬＥＤの上面を露出させるコンタクトホールを含む。第２上部平坦化層９１９のコンタクトホールには、画素電極ＰＥが配置され、複数の発光素子ＬＥＤの第２電極１３５、１４５と電気的に連結され得る。

第２上部平坦化層９１９上に複数の発光素子ＬＥＤと連結電極１５０を電気的に連結するための画素電極ＰＥが配置される。

本明細書のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、基板１１０上に開口部１１８ａの内側に発光素子ＬＥＤを自己組み立てした後、発光素子ＬＥＤを固定する有機絶縁層ＯＬが発光素子ＬＥＤの側面と接するように形成することができる。そこで、発光素子ＬＥＤと基板１１０の固定力が向上し得、発光素子ＬＥＤが離脱することを防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、開口部１１８ａの外側で第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬを除去する工程を進行せず有機層除去工程の効率性が向上し得る。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、別途のパッシベーション層の追加なしに第１上部平坦化層１１８及び有機絶縁層ＯＬが画素回路と他の構成要素を絶縁させて短絡危険を防止できる。

また、本明細書のまた他の実施例に係る表示装置９００においては、有機絶縁層ＯＬが発光素子ＬＥＤの上面を除く領域に配置される。そこで、発光素子ＬＥＤの上面に配置された第２電極１３５、１４５の前面が画素電極ＰＥとコンタクトできる。そこで、発光素子ＬＥＤと画素電極ＰＥのコンタクト抵抗を改善できる。

本明細書に開示された実施例は、本明細書の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、有機絶縁層ＯＬを残す領域が多いほど発光素子ＬＥＤの固定力を強化でき、有機絶縁層ＯＬをオープンする領域が多いと画素電極ＰＥとのコンタクトをさらに安定にすることができる。発光素子ＬＥＤの大きさや設計によって適切な固定力とコンタクト領域を保障できるように多様に形成が可能である。

本明細書の多様な実施例に係る表示装置は、下記のように説明され得る。

本明細書の一実施例に係る表示装置は、複数のサブ画素を含む基板、基板上で複数のサブ画素に配置され、互いに離隔されて配置された第１組み立て配線及び第２組み立て配線、第１組み立て配線及び第２組み立て配線上に配置され、第１組み立て配線及び第２組み立て配線と重畳する開口部を有する第１上部平坦化層、開口部に配置され、第１電極、第１半導体層、発光層、第２半導体層及び第２電極を含む発光素子、第１組み立て配線及び第２組み立て配線と第１電極を電気的に連結するコンタクト電極、及び第１上部平坦化層上に配置され、発光素子の側面の一部及び上面の一部を覆う有機絶縁層を含む。

本明細書の他の特徴によれば、有機絶縁層は、発光素子の側面中、コンタクト電極と接する部分を除く部分で発光素子の側面と接する第１部分を含むことができる。

本明細書のまた他の特徴によれば、発光素子及び有機絶縁層上に配置される第２上部平坦化層をさらに含み、第２上部平坦化層は、開口部を充填するように配置され得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、第２上部平坦化層は、開口部中、有機絶縁層が配置された領域を除く領域で開口部を充填するように配置され得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、発光素子は、複数のサブ画素それぞれに配置された第１発光素子及び第２発光素子を含み、第１発光素子と接する第１部分は、第１組み立て配線及び第２組み立て配線のうち一つと重畳し、第２発光素子と接する第１部分は、第１組み立て配線及び第２組み立て配線のうち他の一つと重畳し得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、発光素子は、複数のサブ画素それぞれに配置された第１発光素子及び第２発光素子を含み、第１発光素子と接する第１部分及び第２発光素子と接する第１部分は、それぞれ第１組み立て配線及び第２組み立て配線のいずれとも重畳し得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、開口部に配置された第２上部平坦化層の平面形状は、矩形状であってよい。

本明細書のまた他の特徴によれば、第１部分が第１組み立て配線と重畳する領域の面積と第１部分が第２組み立て配線と重畳する領域の面積は同一であり得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、第１部分が第１組み立て配線と重畳する領域の面積と第１部分が第２組み立て配線と重畳する領域の面積は異なり得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、第１部分は、第１組み立て配線及び第２組み立て配線のうち一つと完全に重畳し、他の一つと一部重畳し得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、発光素子の側面とコンタクト電極が接する面積は、発光素子の側面と第１部分が接する面積より広くなり得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、発光素子の側面とコンタクト電極が接する面積は、発光素子の側面と第１部分が接する面積より狭くなり得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、有機絶縁層は、発光素子の上面の一部を覆う第２部分をさらに含むことができる。

本明細書のまた他の特徴によれば、基板上に配置されたトランジスタ及びトランジスタと第２電極を電気的に連結する画素電極をさらに含み、画素電極は、発光素子の上面中、第２部分が配置された領域を除く領域で第２電極と接し得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、第２部分の側面は、第２電極の周りのうち一部に沿って配置され得る。

本明細書のまた他の特徴によれば、有機絶縁層は、発光素子の下部に配置される第３部分をさらに含むことができる。

以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施例をさらに詳細に説明したが、本明細書は、必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内で多様に変形実施され得る。従って、本明細書に開示された実施例は、本明細書の技術思想を制限するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本明細書の技術思想の範囲が制限されるものではない。それゆえ、以上において記述した実施例は、全ての面で例示的なものであり、制限的ではないものと理解すべきである。本明細書の保護範囲は、論議された全ての技術思想に基づいて解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (19)

1. 複数のサブ画素を含む基板；
   前記基板上で前記複数のサブ画素に配置され、互いに離隔されて配置された第１組み立て配線及び第２組み立て配線；
   前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線上に配置される第１上部平坦化層；
   前記第１上部平坦化層に配置され、前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線と重畳する開口部；
   前記開口部に配置され、第１電極、及び前記第１電極上に配置される第２電極を含み、上面と側面を含む発光素子；
   前記第１組み立て配線、前記第２組み立て配線、及び前記第１電極を電気的に連結するコンタクト電極；並びに
   前記開口部の一部分に配置され、前記発光素子の前記側面の一部を覆う有機絶縁層を含み、
   前記発光素子の側面の一部は、前記有機絶縁層の第１部分と接し、前記発光素子の側面の他の一部は、前記コンタクト電極と接する、表示装置。
2. 前記発光素子及び前記有機絶縁層上に配置される第２上部平坦化層をさらに含み、
   前記第２上部平坦化層は、前記開口部内の一部に配置された、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記開口部は、有機絶縁層開口部を含み、
   前記第２上部平坦化層は、前記有機絶縁層開口部に配置された、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記発光素子は、前記複数のサブ画素のそれぞれに配置された第１発光素子及び第２発光素子を含み、
   前記第１発光素子と接する前記第１部分は、前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線のうち一つと重畳し、
   前記第２発光素子と接する前記第１部分は、前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線のうち他の一つと重畳する、請求項１記載の表示装置。
5. 前記発光素子は、前記複数のサブ画素のそれぞれに配置された第１発光素子及び第２発光素子を含み、
   前記第１発光素子と接する前記第１部分及び前記第２発光素子と接する前記第１部分は、それぞれ前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線のいずれとも重畳する、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記有機絶縁層開口部に配置された前記第２上部平坦化層の平面形状は、矩形状である、請求項３に記載の表示装置。
7. 前記第１部分が前記第１組み立て配線と重畳する領域の面積と前記第１部分が前記第２組み立て配線と重畳する領域の面積は同一である、請求項５に記載の表示装置。
8. 前記第１部分が前記第１組み立て配線と重畳する領域の面積と前記第１部分が前記第２組み立て配線と重畳する領域の面積は異なる、請求項５に記載の表示装置。
9. 前記第１部分は、前記第１組み立て配線及び前記第２組み立て配線のうち一つと完全に重畳し、他の一つと一部重畳する、請求項５に記載の表示装置。
10. 前記発光素子の側面と前記コンタクト電極が互いに接する面積は、前記発光素子の側面と前記第１部分が互いに接する面積と同じであるか、前記発光素子の側面と前記第１部分が互いに接する面積より広い、請求項１に記載の表示装置。
11. 前記発光素子の側面と前記コンタクト電極が互いに接する面積は、前記発光素子の側面と前記第１部分が互いに接する面積より狭い、請求項１に記載の表示装置。
12. 前記有機絶縁層は、前記発光素子の上面の一部を覆う第２部分をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記基板上に配置されたトランジスタ；及び
    前記トランジスタと前記第２電極を電気的に連結する画素電極をさらに含み、
    前記画素電極は、前記発光素子の上面の、前記第２部分が配置された領域を除く領域で前記第２電極と接する、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記第２部分の側面は、前記第２電極の周りのうち一部に沿って配置される、請求項１２に記載の表示装置。
15. 前記有機絶縁層は、前記発光素子の下部に配置される第３部分をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
16. 前記第１組み立て配線は、第１導電層と、前記第１導電層の上面と側面を覆う第１クラッド層とを含み、
    前記第２組み立て配線は、第２導電層と、前記第２導電層の上面と側面を覆う第２クラッド層とを含み、
    前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記発光素子と重畳せず、
    前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層は、前記発光素子と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
17. 前記第２上部平坦化層は、前記開口部内で前記コンタクト電極上に配置される、請求項２に記載の表示装置。
18. 前記第１部分は、前記開口部の外側に延びて前記第１上部平坦化層上に配置される、請求項１に記載の表示装置。
19. 表示装置であって、
    基板；
    前記基板上に互いに離隔されて配置される複数の組み立て配線；
    前記複数の組み立て配線上に配置された第１上部平坦化層；
    前記第１上部平坦化層に配置された開口部；
    有機絶縁層；
    前記開口部に配置され、側面を含む発光素子；及び
    前記開口部に配置されるコンタクト電極
    を備え、
    前記コンタクト電極は、前記複数の組み立て配線及び前記発光素子と接するように配置され、
    前記有機絶縁層は、前記開口部で前記複数の組み立て配線と重畳し、前記発光素子の側面と接し、
    前記発光素子の側面の一部は、前記有機絶縁層の第１部分と接し、前記発光素子の側面の他の一部は、前記コンタクト電極と接する、表示装置。

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