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JP7638510B2 - Method for producing alkynylsilanes - Google Patents
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JP7638510B2 - Method for producing alkynylsilanes - Google Patents

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特許法第30条第2項適用 「有機ケイ素機能性化学品製造プロセス技術開発/有機ケイ素プロジェクト」中間成果報告会 開催日 令和2年12月16日 Organometallics 2020,39,2947-2950 発行日 令和2年8月13日Application of Article 30, Paragraph 2 of the Patent Act "Development of Manufacturing Process Technology for Organosilicon Functional Chemicals / Organosilicon Project" Interim Results Report Meeting Date: December 16, 2020 Organometallics 2020, 39, 2947-2950 Issue Date: August 13, 2020

本発明はアルキニルシランの製造方法に関し、より詳しくは、シリルアルキノエートの脱炭酸反応によるアルキニルシランの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing alkynylsilanes, and more specifically, to a method for producing alkynylsilanes by the decarboxylation reaction of silylalkynnoates.

アルキニルシランは合成化学上有用なビルディングブロックである(例えば、非特許文献1参照)。通常は、(1)末端アルキンに有機リチウム試薬やグリニャール試薬を反応させて、金属アセチリドへと変換し、これにハロシランを反応させることで合成される。また、触媒的なアルキニルシランの合成法として、(2)末端アルキンを適切な触媒の存在下でハロシランと反応させる手法(例えば、非特許文献2参照)や、(3)末端アルキンとヒドロシランを脱水素縮合させる手法が知られている(例えば、非特許文献3参照)。しかしながら、(1)は不安定で危険な有機リチウム試薬やグリニャール試薬を用いなければならず、(1)および(2)は非常に加水分解されやすく取り扱いが不便なハロシランを用いなければならないという欠点を有する。また、(3)も可燃性で危険な水素ガスが副生するという欠点を有する。
一方で、シリルアルキノエートの脱炭酸反応により、アルキニルシランを合成する手法が報告されている。この反応の進行に伴って副生するのは通常は無害であり除去の容易な二酸化炭素であるため、アルキニルシランの有用な合成ルートの候補となりうる。トリエチルアミンを用いた手法が報告されているが、適用可能な基質はビス(トリメチルシリル)アセチレンジカルボキシレートの一例しか示されていない(非特許文献4参照)。また、本発明者らは触媒量の銅錯体を用い、シリルアルキノエートの脱炭酸反応によりアルキニルシランを合成する手法を開発してきた(非特許文献5参照)。
Alkynylsilanes are useful building blocks in synthetic chemistry (see, for example, Non-Patent Document 1). Usually, (1) a terminal alkyne is reacted with an organolithium reagent or a Grignard reagent to convert it into a metal acetylide, and then a halosilane is reacted with the metal acetylide. In addition, as a catalytic synthesis method of alkynylsilane, (2) a method of reacting a terminal alkyne with a halosilane in the presence of a suitable catalyst (see, for example, Non-Patent Document 2) and (3) a method of dehydrogenative condensation of a terminal alkyne with a hydrosilane are known (see, for example, Non-Patent Document 3). However, (1) has the disadvantage that an unstable and dangerous organolithium reagent or a Grignard reagent must be used, and (1) and (2) have the disadvantage that a halosilane that is very easily hydrolyzed and difficult to handle must be used. In addition, (3) also has the disadvantage that flammable and dangerous hydrogen gas is produced as a by-product.
On the other hand, a method for synthesizing alkynylsilanes by decarboxylation of silylalkynoates has been reported. The by-product of this reaction is usually carbon dioxide, which is harmless and easy to remove, and therefore may be a useful candidate for the synthesis of alkynylsilanes. A method using triethylamine has been reported, but only one applicable substrate, bis(trimethylsilyl)acetylenedicarboxylate, has been shown (see Non-Patent Document 4). In addition, the present inventors have developed a method for synthesizing alkynylsilanes by decarboxylation of silylalkynoates using a catalytic amount of copper complex (see Non-Patent Document 5).

G.Larson,Synthesis,2018,50,2433.G. Larson, Synthesis, 2018, 50, 2433. I.Kownacki,B.Orwat,B.Marciniec,Organometallics,2014,33,3051.I. Kownacki, B. Orwat, B. Marciniec, Organometallics, 2014, 33, 3051. A.A.Toutov,K.N.Betz,D.P.Schuman,W.-B.Liu,A.Fedorov,B.M.Stoltz,R.H.Grubbs,J.Am.Chem.Soc.,2017,139,1668.A. A. Toutov, K. N. Betz, D. P. Schuman, W. -B. Liu, A. Fedorov, B. M. Stoltz, R. H. Grubbs, J. Am. Chem. Soc. , 2017, 139, 1668. G.Simchen,H.H.Hergott,Chimia,1985,39,53.G. Simchen, H. H. Hergott, Chimia, 1985, 39, 53. T.Kawatsu,K.Aoyagi,Y.Nakajima,J.-C.Choi,K.Sato,K.Matsumoto,Organometallics,2020,39,2947.T. Kawatsu, K. Aoyagi, Y. Nakajima, J.-C. Choi, K. Sato, K. Matsumoto, Organometallics, 2020, 39, 2947.

本発明は、シリルアルキノエートの脱炭酸反応によるアルキニルシランの簡便な製造方法を提供することを目的とする。 The object of the present invention is to provide a simple method for producing alkynylsilanes by decarboxylation of silylalkynates.

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、5配位のケイ素種を形成し得る求核剤を用いることで、シリルアルキノエートの脱炭酸反応が進行し、アルキニルシランが簡便に得られることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は以下を含む。
<1>5配位のケイ素種を形成し得る求核剤の存在下、下記式(a)で表されるシリルアルキノエートを脱炭酸させて下記式(b)で表されるアルキニルシランを生成する反応工程を含むことを特徴とするアルキニルシランの製造方法。

Figure 0007638510000001
<2>前記式(a)で表されるシリルアルキノエートが下記式(A-1)~(A-3)の何れかで表されるシリルアルキノエートである、<1>に記載のアルキニルシランの製造方法。
Figure 0007638510000002
(式(A-1)~(A-3)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基を、nは1~4の整数を、mは1~5の整数を表す。)
<3>前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤が、フッ化物イオン、塩化物イオン、アルコキシドイオン又はカルボキシラートイオンである、<1>又は<2>に記載のアルキニルシランの製造方法。
<4>前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤がフッ化物イオンであり、前記フッ化物イオン源としてアルカリ金属フッ化物、四級アンモニウムフルオリド又はフルオロシリケートを用いる、<3>に記載のアルキニルシランの製造方法。
<5>前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤が塩化物イオンであり、前記塩化物イオン源としてアルカリ金属塩化物又は四級アンモニウムクロリドを用いる、<3>に記載のアルキニルシランの製造方法。
<6>前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤がアルコキシドイオンであり、前記アルコキシドイオン源としてアルカリ金属アルコキシドを用いる、<3>に記載のアルキニルシランの製造方法。
<7>前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤がカルボキシラートイオンであり、前記カルボキシラートイオン源としてアルカリ金属カルボキシラート又は四級アンモニウムカルボキシラートを用いる、<3>に記載のアルキニルシランの製造方法。 Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive research to solve the above problems and have found that the use of a nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species causes a decarboxylation reaction of a silylalkynoate to proceed, thereby enabling an alkynylsilane to be easily obtained, thereby completing the present invention.
That is, the present invention includes the following.
<1> A method for producing an alkynylsilane, comprising a reaction step of decarboxylating a silylalkynoate represented by the following formula (a) in the presence of a nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species to produce an alkynylsilane represented by the following formula (b):
Figure 0007638510000001
<2> The method for producing an alkynylsilane according to <1>, wherein the silylalkynolate represented by the formula (a) is a silylalkynolate represented by any one of the following formulas (A-1) to (A-3):
Figure 0007638510000002
(In formulas (A-1) to (A-3), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; n represents an integer of 1 to 4; and m represents an integer of 1 to 5.)
<3> The method for producing an alkynylsilane according to <1> or <2>, wherein the nucleophilic agent capable of forming a pentacoordinate silicon species is a fluoride ion, a chloride ion, an alkoxide ion, or a carboxylate ion.
<4> The method for producing an alkynylsilane according to <3>, wherein the nucleophilic agent capable of forming a pentacoordinate silicon species is a fluoride ion, and an alkali metal fluoride, a quaternary ammonium fluoride, or a fluorosilicate is used as the fluoride ion source.
<5> The method for producing an alkynylsilane according to <3>, wherein the nucleophilic agent capable of forming a pentacoordinate silicon species is a chloride ion, and an alkali metal chloride or a quaternary ammonium chloride is used as the chloride ion source.
<6> The method for producing an alkynylsilane according to <3>, wherein the nucleophilic agent capable of forming a pentacoordinate silicon species is an alkoxide ion, and an alkali metal alkoxide is used as a source of the alkoxide ion.
<7> The method for producing an alkynylsilane according to <3>, wherein the nucleophilic agent capable of forming a pentacoordinate silicon species is a carboxylate ion, and an alkali metal carboxylate or a quaternary ammonium carboxylate is used as the carboxylate ion source.

本発明によれば、シリルアルキノエートの脱炭酸反応により、ビルディングブロックとして合成化学上有用なアルキニルシランを簡便に製造する方法が提供される。また、本反応の進行に伴って副生するのは通常は無害であり除去の容易な二酸化炭素であるため、ハロシランを用いる既存のアルキニルシランの合成法のように塩の副生を伴わず、得られるアルキニルシランの精製が容易である。 The present invention provides a method for easily producing alkynylsilanes, which are useful in synthetic chemistry as building blocks, by the decarboxylation reaction of silylalkynoates. In addition, the by-product of this reaction is carbon dioxide, which is usually harmless and easy to remove, and therefore does not produce salts as by-products as in existing methods for synthesizing alkynylsilanes using halosilanes, and the resulting alkynylsilanes can be easily purified.

本発明の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。 Specific examples will be given to explain the details of the present invention, but the invention is not limited to the following content and can be modified as appropriate without departing from the spirit of the invention.

<アルキニルシランの製造方法>
本発明の一態様であるアルキニルシランの製造方法は、5配位のケイ素種を形成し得る求核剤の存在下、下記式(a)で表されるシリルアルキノエートを脱炭酸させて下記式(b)で表されるアルキニルシランを生成する反応工程(以下、「反応工程」と略す場合がある。)を含むことを特徴とする。式(a)及び(b)中の波線は、その先の構造が任意であることを意味する。

Figure 0007638510000003
<Method of Producing Alkynylsilane>
The method for producing an alkynylsilane according to one embodiment of the present invention is characterized by comprising a reaction step (hereinafter sometimes abbreviated as "reaction step") of decarboxylating a silylalkynoate represented by the following formula (a) in the presence of a nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species to produce an alkynylsilane represented by the following formula (b): The wavy lines in formulas (a) and (b) mean that the structure following them is arbitrary.
Figure 0007638510000003

本発明者らは、シリルアルキノエートの脱炭酸反応によるアルキニルシランの製造方法について検討を重ねた結果、5配位のケイ素種を形成し得る求核剤を触媒量用いることで、様々なシリルアルキノエートの脱炭酸反応が進行し、ビルディングブロックとして合成化学上有用なアルキニルシランの簡便な合成法となり得ることを見出した。
かかる反応の詳細なメカニズムは、十分に明らかとなっていないが、フッ化物イオン(F)のような求核剤がシリルアルキノエートのケイ素原子に配位することで5配位のケイ素種を形成し、これが脱炭酸反応を起こすことで、アルキニルシランを生成するものと推測している。本発明によれば、ケイ素原子上の置換基が比較的小さなシリルアルキノエートだけでなく、ケイ素原子上にかさ高い置換基を有するシリルアルキノエートの脱炭酸反応によるアルキニルシランの生成が可能であり、様々なシリルアルキノエートを基質としてアルキニルシランを製造することが可能である。
The present inventors have conducted extensive investigations into a method for producing alkynylsilanes by decarboxylation of silylalkynoates, and have found that the use of a catalytic amount of a nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species can cause the decarboxylation of various silylalkynoates to proceed, providing a simple method for synthesizing alkynylsilanes that are useful in synthetic chemistry as building blocks.
Although the detailed mechanism of this reaction has not been fully elucidated, it is speculated that a nucleophile such as a fluoride ion (F - ) coordinates to the silicon atom of a silylalkynoate to form a pentacoordinated silicon species, which then undergoes a decarboxylation reaction to produce an alkynylsilane. According to the present invention, it is possible to produce alkynylsilanes by the decarboxylation reaction of not only silylalkynoates having a relatively small substituent on the silicon atom, but also silylalkynoates having a bulky substituent on the silicon atom, and it is possible to produce alkynylsilanes using various silylalkynoates as substrates.

(式(A-1)~(A-3)で表されるシリルアルキノエート)
反応工程に使用する式(a)で表されるシリルアルキノエートは、特に限定されず、製造目的であるアルキニルシランに応じて適宜選択すべきであるが、例えば、下記式(A-1)~(A-3)の何れかで表されるシリルアルキノエートが好ましく挙げられる。

Figure 0007638510000004
(式(A-1)~(A-3)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基を、nは1~4の整数を、mは1~5の整数を表す。) (Silyl alkynoates represented by formulas (A-1) to (A-3))
The silyl alkynoate represented by formula (a) used in the reaction step is not particularly limited and should be appropriately selected depending on the alkynylsilane to be produced. Preferred examples of the silyl alkynoate include those represented by any of the following formulae (A-1) to (A-3).
Figure 0007638510000004
(In formulas (A-1) to (A-3), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; n represents an integer of 1 to 4; and m represents an integer of 1 to 5.)

(R、R
およびRは、それぞれ独立して「水素原子」、又は「炭素原子数1~20の炭化水素基」を表しているが、「炭化水素基」は、分岐構造及び/又は環状構造を有していてもよく、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基等の何れであってもよい
ものとする。また、「窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい」とは、炭化水素基の水素原子が、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、ハロゲン原子を含む1価の官能基で置換されていてもよいほか、炭化水素基の炭素骨格内部の炭素原子が窒素原子、酸素原子、ケイ素原子等を含む2価以上の官能基(連結基)で置換されていてもよいことを意味する。従って、エーテル基(-O-)等の酸素原子、シリルオキシ基(-O-Si-)等の酸素原子及びケイ素原子、を炭素骨格の内部に含んでいてもよいことを意味する。
(R 1 , R 2 )
R 1 and R 2 each independently represent a "hydrogen atom" or a "hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms", and the "hydrocarbon group" may have a branched structure and/or a cyclic structure, and may be any of a saturated hydrocarbon group, an unsaturated hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, etc. In addition, "may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom" means that the hydrogen atom of the hydrocarbon group may be substituted with a monovalent functional group containing a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, or a halogen atom, and that the carbon atom inside the carbon skeleton of the hydrocarbon group may be substituted with a divalent or higher functional group (linking group) containing a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, or the like. Therefore, it means that the carbon skeleton may contain an oxygen atom such as an ether group (-O-), or an oxygen atom and a silicon atom such as a silyloxy group (-O-Si-).

窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、ハロゲン原子を含む1価の官能基としては、アミノ基、アンモニウム基、アミジノ基、ピロリル基、トリアジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、ピリジル基、ピリミジン基、ピラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、プリニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、ピロリジニル基、ピラゾリル基、アニリン基、アゾ基、ジアゾ基、アジド基、及びシアノ基等の窒素原子を含む官能基;カルボニル基、ケトン基、エーテル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、フラニル基等の酸素原子を含む官能基;アミド基、イミド基、ウレア基、イソシアヌル構造を含む基、ニトロ基、ニトロソ基、シアネート基、イソシアネート基、モルホリノ基、ラクタム環等の酸素原子及び窒素原子を含む官能基;トリメチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基等のアルキルシリル基、トリメチルシリルオキシ等のアルキルシリルオキシ基等のケイ素原子を含む官能基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;等が挙げられる。これらの中でも、好ましくは、アミノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、ジメチルアミノ基、メトキシ基、アセトキシ基、ニトロ基、塩素原子である。 Examples of monovalent functional groups containing a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, or a halogen atom include functional groups containing a nitrogen atom such as an amino group, an ammonium group, an amidino group, a pyrrolyl group, a triazine ring, a triazole ring, a benzotriazolyl group, an imidazolyl group, a benzimidazolyl group, a quinolyl group, a pyridyl group, a pyrimidine group, a pyrazinyl group, a quinazolinyl group, a quinoxalinyl group, a purinyl group, a piperidinyl group, a piperazinyl group, a pyrrolidinyl group, a pyrazolyl group, an aniline group, an azo group, a diazo group, an azide group, and a cyano group; carbonyl groups, keto groups, Examples of the functional groups include functional groups containing oxygen atoms such as an aryl group, an ether group, an alkoxy group, an acyloxy group, and a furanyl group; functional groups containing oxygen atoms and nitrogen atoms such as an amide group, an imide group, a urea group, a group containing an isocyanuric structure, a nitro group, a nitroso group, a cyanate group, an isocyanate group, a morpholino group, and a lactam ring; functional groups containing silicon atoms such as alkylsilyl groups such as a trimethylsilyl group and a tert-butyldimethylsilyl group, and alkylsilyloxy groups such as trimethylsilyloxy; and halogen atoms such as a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom. Among these, preferred are amino groups, alkoxy groups, acyloxy groups, nitro groups, and halogen atoms, and more preferred are dimethylamino groups, methoxy groups, acetoxy groups, nitro groups, and chlorine atoms.

、Rの具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基、n-ヘプタデシル基、n-オクタデシル基、n-ノナデシル基、n-イコシル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;フェニル基、4-メチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、1-トリフェニレニル基、2-トリフェニレニル基等の芳香族炭化水素基;ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基等のアラルキル基;ビニル基、アリル基等のアルケニル基;4-メトキシフェニル基、4-アセトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-フルオロフェニル基、4-ニトロフェニル基等の窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい置換フェニル基等が挙げられる。 Specific examples of R 1 and R 2 include a hydrogen atom, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, an n-hexyl group, an n-heptyl group, an n-octyl group, an n-nonyl group, an n-decyl group, an n-undecyl group, an n-dodecyl group, an n-tridecyl group, an n-tetradecyl group, an n-pentadecyl group, an n-hexadecyl group, an n-heptadecyl group, an n-octadecyl group, an n-nonadecyl group, or an n-icosyl group; a cycloalkyl group such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, or a cyclohexyl group; a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 2,4-dimethylphenyl group, or a 1-naphthyl group. aromatic hydrocarbon groups such as a 2-naphthyl group, a 1-phenanthryl group, a 2-phenanthryl group, a 3-phenanthryl group, a 4-phenanthryl group, a 9-phenanthryl group, a 1-anthryl group, a 2-anthryl group, a 9-anthryl group, a 1-pyrenyl group, a 2-pyrenyl group, a 4-pyrenyl group, a 1-triphenylenyl group, and a 2-triphenylenyl group; aralkyl groups such as a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, and a 2-naphthylmethyl group; alkenyl groups such as a vinyl group and an allyl group; and substituted phenyl groups which may have a substituent containing a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, or a halogen atom, such as a 4-methoxyphenyl group, a 4-acetoxyphenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 4-fluorophenyl group, and a 4-nitrophenyl group.

としては、入手容易性の観点から、好ましくは窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい、炭素原子数1~20のアルキル基若しくはアルケニル基、又は炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり;さらに好ましくは、炭素数1~10のアルキル基若しくはアルケニル基、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい炭素原子数6~10の芳香族炭化水素基であり;特に好ましくはメチル基、エ
チル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、ビニル基、アリル基、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-アセトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-フルオロフェニル基、4-ニトロフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基であり;最も好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-アセトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-フルオロフェニル基、4-ニトロフェニル基である。
としては、反応性の観点から、好ましくは窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい、炭素原子数1~20のアルキル基若しくはアルケニル基、又は炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり;さらに好ましくは、炭素原子数1~10のアルキル基若しくはアルケニル基、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい炭素原子数6~10の芳香族炭化水素基であり;特に好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、ビニル基、アリル基、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-アセトキシフェニル基、4-クロロフェニル基、4-フルオロフェニル基、4-ニトロフェニル基2,4-ジメチルフェニル基であり;最も好ましくは、メチル基、エチル基、ビニル基、アリル基、又はフェニル基である。
mは1~5の整数を表す。反応性の観点から、好ましくは1~3であり、より好ましくは1又は2である。
nは1~4の整数を表す。反応性の観点から、好ましくは1~3であり、より好ましくは1又は2である。
From the viewpoint of availability, R1 is preferably a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom, more preferably an alkyl or alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; and even more preferably an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a group having a substituent containing a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, or a halogen atom. and particularly preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, a vinyl group, an allyl group, a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 4-acetoxyphenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 4-fluorophenyl group, a 4-nitrophenyl group, and a 2,4-dimethylphenyl group; and most preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 4-acetoxyphenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 4-fluorophenyl group, and a 4-nitrophenyl group.
From the viewpoint of reactivity, R2 is preferably a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom, more preferably an alkyl or alkenyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; and even more preferably an alkyl or alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a nitrogen atom. and aromatic hydrocarbon groups having 6 to 10 carbon atoms which may have a substituent containing a carbon atom, an oxygen atom, a silicon atom, or a halogen atom; particularly preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n-pentyl group, an n-hexyl group, a vinyl group, an allyl group, a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a 4-acetoxyphenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 4-fluorophenyl group, a 4-nitrophenyl group, and a 2,4-dimethylphenyl group; and most preferred are a methyl group, an ethyl group, a vinyl group, an allyl group, or a phenyl group.
m represents an integer of 1 to 5. From the viewpoint of reactivity, it is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.
n represents an integer of 1 to 4. From the viewpoint of reactivity, n is preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

式(A-1)~(A-3)で表されるシリルアルキノエートとしては、好ましくは、以下の化合物1a~1rが挙げられる。

Figure 0007638510000005
Preferred examples of the silylalkynoates represented by the formulae (A-1) to (A-3) include the following compounds 1a to 1r.
Figure 0007638510000005

(5配位のケイ素種を形成し得る求核剤)
反応工程は、5配位のケイ素種を形成し得る求核剤の存在下で行う。シリルアルキノエートのケイ素原子に配位することで5配位のケイ素種を形成し得る求核剤としては、ケイ素との親和性が高く立体的に小さな求核剤が好ましく、フッ化物イオン、塩化物イオン、アルコキシドイオン又はカルボキシラートイオンがより好ましい。
(Nucleophiles capable of forming pentacoordinate silicon species)
The reaction step is carried out in the presence of a nucleophile capable of forming a pentacoordinated silicon species. As the nucleophile capable of forming a pentacoordinated silicon species by coordinating with the silicon atom of the silylalkynolate, a nucleophile having high affinity with silicon and small in size is preferred, and a fluoride ion, a chloride ion, an alkoxide ion, or a carboxylate ion is more preferred.

・フッ化物イオン
「フッ化物イオン」の存在下で反応工程を行う場合、フッ化物イオン(F)源となる化合物を用いる。フッ化物イオン源としては、アルカリ金属フッ化物、四級アンモニウムフルオリド、又はフルオロシリケートが好ましい。
「アルカリ金属フッ化物」は特に限定されないが、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムが好ましく挙げられる。
「四級アンモニウムフルオリド」は特に限定されないが、テトラブチルアンモニウムフルオリド、テトラエチルアンモニウムフルオリド、テトラメチルアンモニウムフルオリド等のテトラアルキルアンモニウムフルオリドが好ましく挙げられる。
「フルオロシリケート」は特に限定されないが、ジフルオロトリフェニルケイ酸テトラブチルアンモニウム、ジフルオロトリメチルケイ酸トリス(ジメチルアミノ)スルホニウムが好ましく挙げられる。
Fluoride ions When the reaction step is carried out in the presence of "fluoride ions," a compound that serves as a source of fluoride ions (F - ) is used. The fluoride ion source is preferably an alkali metal fluoride, a quaternary ammonium fluoride, or a fluorosilicate.
The "alkali metal fluoride" is not particularly limited, but preferred examples include cesium fluoride, potassium fluoride, and sodium fluoride.
The "quaternary ammonium fluoride" is not particularly limited, but preferred examples include tetraalkylammonium fluorides such as tetrabutylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, and tetramethylammonium fluoride.
The "fluorosilicate" is not particularly limited, but preferred examples include tetrabutylammonium difluorotriphenylsilicate and tris(dimethylamino)sulfonium difluorotrimethylsilicate.

・塩化物イオン
「塩化物イオン」の存在下で反応工程を行う場合、塩化物イオン(Cl)源となる化合物を用いる。塩化物イオン源は特に限定されないが、アルカリ金属塩化物又は四級アンモニウムクロリド等が好ましく挙げられる。
「アルカリ金属塩化物」は特に限定されないが、塩化セシウム、塩化カリウム又は塩化ナトリウムが好ましく挙げられる。
「四級アンモニウムクロリド」は特に限定されないが、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムクロリド、ジデシルジメチルアンモニウムクロリド、ヘキサデシルトリメチルクロリド等のテトラアルキルアンモニウムクロリドが好ましく挙げられる。
When the reaction step is carried out in the presence of "chloride ions", a compound that serves as a source of chloride ions (Cl - ) is used. The chloride ion source is not particularly limited, but preferred examples include alkali metal chlorides and quaternary ammonium chlorides.
The "alkali metal chloride" is not particularly limited, but preferred examples include cesium chloride, potassium chloride, and sodium chloride.
The "quaternary ammonium chloride" is not particularly limited, but preferred examples include tetraalkylammonium chlorides such as tetrabutylammonium chloride, tetraethylammonium chloride, tetramethylammonium chloride, didecyldimethylammonium chloride, and hexadecyltrimethyl chloride.

・アルコキシドイオン
「アルコキシドイオン」の存在下で反応工程を行う場合、アルコキシドイオン(RO)源となる化合物を用いる。アルコキシドイオン源は特に限定されないが、金属アルコキシドが好ましく挙げられる。またアルコキシドイオン「RO」のRは特に限定されないが、炭素数が12以下であることが好ましく、10以下であることがより好ましい。
「金属アルコキシド」は特に限定されないが、ナトリウムtert-ブトキシド(NaOtBu)、カリウムtert-ブトキシド(KOtBu)、ナトリウムフェノキシド(NaOPh)、カリウムフェノキシド(KOPh)等のアルカリ金属アルコキシドが好ましく挙げられる。
Alkoxide ion When the reaction step is carried out in the presence of "alkoxide ion", a compound that serves as an alkoxide ion (RO - ) source is used. The alkoxide ion source is not particularly limited, but metal alkoxides are preferred. In addition, R in the alkoxide ion "RO - " is not particularly limited, but preferably has 12 or less carbon atoms, more preferably 10 or less carbon atoms.
The "metal alkoxide" is not particularly limited, but preferred examples include alkali metal alkoxides such as sodium tert-butoxide (NaOtBu), potassium tert-butoxide (KOtBu), sodium phenoxide (NaOPh), and potassium phenoxide (KOPh).

・カルボキシラートイオン
「カルボキシラートイオン」の存在下で反応工程を行う場合、カルボキシラートイオン(R’COO)源となる化合物を用いる。カルボキシラートイオン源は特に限定されないが、アルカリ金属カルボキシラート又は四級アンモニウムカルボキシラートが好ましく挙げられる。また、カルボキシラートイオン「R’COO」のR’は特に限定されないが、炭素数が20以下であることが好ましく、12以下であることがより好ましい。
「アルカリ金属カルボキシラート」は特に限定されないが、酢酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、ピバル酸セシウム、ピバル酸カリウム、ピバル酸ナトリウム、オクチル酸カリウム、オクチル酸ナトリウム等が挙げられ、酢酸カリウムが特に好ましい。
「四級アンモニウムカルボキシラート」は特に限定されないが、テトラブチルアンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラブチルアンモニウムベンゾエート、下記式で表される化合物等のテトラアルキルアンモニウムカルボキシラート等が挙げられ、テトラブチルアンモニウムアセテート又は下記式で表される化合物が特に好ましい。

Figure 0007638510000006
Carboxylate ion When the reaction step is carried out in the presence of "carboxylate ion", a compound that serves as a source of carboxylate ion (R'COO - ) is used. The carboxylate ion source is not particularly limited, but preferred examples include alkali metal carboxylates and quaternary ammonium carboxylates. In addition, R' in the carboxylate ion "R'COO - " is not particularly limited, but preferably has a carbon number of 20 or less, more preferably 12 or less.
The "alkali metal carboxylate" is not particularly limited, but examples thereof include cesium acetate, potassium acetate, sodium acetate, cesium pivalate, potassium pivalate, sodium pivalate, potassium octylate, sodium octylate, and the like, with potassium acetate being particularly preferred.
The "quaternary ammonium carboxylate" is not particularly limited, but examples thereof include tetrabutylammonium acetate, tetraethylammonium acetate, tetramethylammonium acetate, tetrabutylammonium benzoate, and tetraalkylammonium carboxylates such as the compounds represented by the following formula, with tetrabutylammonium acetate or the compounds represented by the following formula being particularly preferred.
Figure 0007638510000006

反応工程における5配位のケイ素種を形成し得る求核剤の使用量(仕込量)は、式(a)で表される構造を有するシリルアルキノエートに対して物質量換算で、通常1mol%以上、好ましくは2mol%以上、より好ましくは5mol%以上であり、通常50mol%以下、好ましくは20mol%以下、より好ましくは10mol%以下である。前記範囲内であると、より効率良くアルキニルシランを生成することができる。なお、5配位のケイ素種を形成し得る求核剤は1種を用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。2種以上を併用する場合は、上記の使用量(仕込量)は合計量とする。 The amount (charge amount) of the nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species in the reaction step is, in terms of the amount of substance, usually 1 mol% or more, preferably 2 mol% or more, more preferably 5 mol% or more, and usually 50 mol% or less, preferably 20 mol% or less, more preferably 10 mol% or less, relative to the silyl alkynoate having the structure represented by formula (a). Within the above range, alkynylsilane can be produced more efficiently. The nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species may be used alone or in combination with two or more types. When two or more types are used in combination, the above amount (charge amount) is the total amount.

(溶媒)
反応工程は、通常、溶媒中で行う。反応工程に用いられる溶媒の種類は特に限定されないが、ヘキサン、オクタン、トルエン、トリフルオロメチルベンゼン等の炭化水素系溶媒;1,2-ジクロロエタン、o-ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル(diglym)、テトラヒドロフラン(THF)、ジオキサン等のエーテル系溶媒;アセトニトリル、プロピオニトリル、スクシノニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、バレロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMPA)等のアミド系溶媒;等が挙げられる。反応性の観点から、溶媒は極性溶媒を含むことが好ましく、中でも、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミドからなる群より選択される少なくとも1種を含むことが好ましく、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、及びヘキサメチルリン酸トリアミドからなる群より選択される少なくとも1種を含むことがより好ましい。溶媒は1種を用いてもよいし、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、溶媒全量に対し極性溶媒を5体積%以上含むことが好ましく、10体積%以上含むことがより好ましく、12体積%以上含むことがさらに好ましい。溶媒が極性溶媒をこの範囲で含むことにより、反応がより進行しやすくなる。
(solvent)
The reaction step is usually carried out in a solvent. The type of solvent used in the reaction step is not particularly limited, and examples thereof include hydrocarbon solvents such as hexane, octane, toluene, and trifluoromethylbenzene; halogenated hydrocarbon solvents such as 1,2-dichloroethane and o-dichlorobenzene; ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether (diglym), tetrahydrofuran (THF), and dioxane; nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile, succinonitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, valeronitrile, and benzonitrile; and amide solvents such as N-methylformamide, N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-diethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N-dimethylacetamide (DMAc), and hexamethylphosphoric triamide (HMPA). From the viewpoint of reactivity, the solvent preferably contains a polar solvent, and among them, it is preferable to contain at least one selected from the group consisting of tetrahydrofuran, diethylene glycol dimethyl ether, acetonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and hexamethylphosphoric triamide, and more preferably contains at least one selected from the group consisting of acetonitrile, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and hexamethylphosphoric triamide. One type of solvent may be used, or two or more types may be used in any combination and ratio. In addition, it is preferable to contain 5% by volume or more of the polar solvent with respect to the total amount of the solvent, more preferably 10% by volume or more, and even more preferably 12% by volume or more. By containing the polar solvent in this range, the reaction is more likely to proceed.

(反応条件)
反応工程の反応温度及び反応時間は、基質に応じ適宜決定すればよい。
反応工程の反応温度は、通常20℃以上、好ましくは40℃以上、より好ましくは60℃以上であり、通常200℃以下、好ましくは180℃以下、より好ましくは150℃以下である。前記範囲内であると、より効率良くアルキニルシランを生成することができる。
反応工程の反応時間は、通常10分以上、好ましくは30分以上、より好ましくは1時間以上であり、通常48時間以下、好ましくは24時間以下、より好ましくは12時間以下である。前記範囲内であると、より効率良くアルキニルシランを生成することができる。
反応工程は、通常窒素、アルゴン等の不活性雰囲気下で行う。
反応容器はシリルアルキノエートに対して安定な材質から形成されていれば特に限定されず、例えば、ガラス製、ステンレス製、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂製等の反応容器を用いることができる。生成したアルキニルシランの加水分解を抑制する観点から、PTFE製の反応容器が好ましい。
(Reaction conditions)
The reaction temperature and reaction time in the reaction step may be appropriately determined depending on the substrate.
The reaction temperature in the reaction step is usually 20° C. or higher, preferably 40° C. or higher, more preferably 60° C. or higher, and usually 200° C. or lower, preferably 180° C. or lower, more preferably 150° C. or lower. Within the above range, alkynylsilane can be produced more efficiently.
The reaction time of the reaction step is usually 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, more preferably 1 hour or more, and usually 48 hours or less, preferably 24 hours or less, more preferably 12 hours or less. When it is within the above range, alkynylsilane can be produced more efficiently.
The reaction step is usually carried out under an inert atmosphere such as nitrogen or argon.
The reaction vessel is not particularly limited as long as it is made of a material stable to the silylalkynylsilane, and may be made of, for example, glass, stainless steel, or a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE). From the viewpoint of suppressing hydrolysis of the generated alkynylsilane, a reaction vessel made of PTFE is preferred.

(その他の工程)
本実施形態に係るアルキニルシランの製造方法においては、上記反応工程の他、任意の工程を含んでいてもよい。任意の工程としては、アルキニルシランの純度を高めるための精製工程が挙げられる。精製工程においては、ろ過、吸着、カラムクロマトグラフィー、蒸留等の有機合成分野で通常行われる精製方法を採用することができる。具体的には、反応工程後、例えば、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。
(Other processes)
The method for producing alkynylsilane according to the present embodiment may include any other step in addition to the reaction step. The optional step may include a purification step for increasing the purity of alkynylsilane. In the purification step, a purification method usually performed in the field of organic synthesis, such as filtration, adsorption, column chromatography, distillation, etc., may be adopted. Specifically, after the reaction step, the reaction mixture may be purified, for example, by silica gel column chromatography.

(式(B-1)~(B-3)で表されるアルキニルシラン)
反応工程によって生成する式(b)で表されるアルキニルシランは、特に限定されず、製造目的に応じて適宜選択することができるが、下記式(B-1)~(B-3)の何れかで表されるアルキニルシランが好ましく挙げられる。

Figure 0007638510000007
(Alkynylsilanes represented by formulas (B-1) to (B-3))
The alkynylsilane represented by formula (b) produced by the reaction step is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the production purpose. Preferred examples of the alkynylsilane include alkynylsilanes represented by any of the following formulae (B-1) to (B-3).
Figure 0007638510000007

式(B-1)~(B-3)中、RおよびRはそれぞれ独立して、水素原子、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基を、nは1~4の整数を、mは1~5の整数を表す。
、Rは、「式(A-1)~(A-3)のいずれかで表されるシリルアルキノエート」のものと同義である。
In formulas (B-1) to (B-3), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; n represents an integer of 1 to 4; and m represents an integer of 1 to 5.
R 1 and R 2 have the same meaning as those in the "silyl alkynoate represented by any one of formulas (A-1) to (A-3)."

式(B-1)~(B-3)で表されるアルキニルシランとしては、以下の化合物2a~2rが挙げられる。

Figure 0007638510000008
Alkynylsilanes represented by formulas (B-1) to (B-3) include the following compounds 2a to 2r.
Figure 0007638510000008

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 The present invention will be explained in more detail below with reference to examples, but these can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the specific examples shown below.

<実施例1-1~1-6>

Figure 0007638510000009
<Examples 1-1 to 1-6>
Figure 0007638510000009

窒素雰囲気のグローブボックス内にて、表1に記載のフッ化物(5mol%)にDMF(1.0mL)を加えた。3-フェニルプロピオール酸トリイソプロピルシリル(151.2mg,0.50mmol)を加えたのち、150℃で加熱攪拌した。1時間後、反応生成物の一部をH-NMR(600MHz)で分析した。シリルアルキノエートの転化率、アルキニルシランの収率を表1に示す。 In a glove box under a nitrogen atmosphere, DMF (1.0 mL) was added to the fluoride (5 mol%) shown in Table 1. Triisopropylsilyl 3-phenylpropiolate (151.2 mg, 0.50 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 150° C. After 1 hour, a portion of the reaction product was analyzed by 1 H-NMR (600 MHz). The conversion of silylalkynoate and the yield of alkynylsilane are shown in Table 1.

Figure 0007638510000010

PTFE製反応容器を使用。その他はガラスバイアルを使用。
Figure 0007638510000010

* PTFE reaction vessels are used. Glass vials are used for the rest.

<実施例2-1~2-6、3-1~3-8>

Figure 0007638510000011
<Examples 2-1 to 2-6, 3-1 to 3-8>
Figure 0007638510000011

窒素雰囲気のグローブボックス内にて、ジフルオロトリフェニルケイ酸テトラブチルアンモニウム(13.5mg,5mol%)にDMF(1.0mL)を加えた。表2及び3に記載のシリルアルキノエート(0.50mmol)を加えたのち、表2及び3に記載の温度で加熱攪拌した。表2及び3に示す時間の経過後、反応混合物をジクロロメタン(0.5mL)で希釈し、ショートシリカゲルカラム(溶離液:n-ヘキサン)で精製した。エバポレーターで濃縮後、アルキニルシランが得られた。得られたアルキニルシランをH-NMR(600MHz)で分析したところ、目的化合物が生成していることが確認された。アルキニルシランの単離収率を表2及び3に示す。 In a glove box under nitrogen atmosphere, DMF (1.0 mL) was added to tetrabutylammonium difluorotriphenylsilicate (13.5 mg, 5 mol%). After adding silylalkynoate (0.50 mmol) shown in Tables 2 and 3, the mixture was heated and stirred at the temperature shown in Tables 2 and 3. After the time shown in Tables 2 and 3 had elapsed, the reaction mixture was diluted with dichloromethane (0.5 mL) and purified with a short silica gel column (eluent: n-hexane). After concentrating with an evaporator, an alkynylsilane was obtained. When the obtained alkynylsilane was analyzed by 1 H-NMR (600 MHz), it was confirmed that the target compound was produced. The isolation yield of the alkynylsilane is shown in Tables 2 and 3.

トリメチル(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000012
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.48-7.45 (m, 2H), 7.32-7.28 (m, 3H), 0.25 ppm (s, 9H) Trimethyl(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000012
1H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.48-7.45 (m, 2H), 7.32-7.28 (m, 3H), 0.25 ppm (s, 9H)

トリイソプロピル(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000013
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.49-7.47 (m, 2H), 7.32-7.29 (m, 3H), 1.14 ppm (s, 21H) Triisopropyl(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000013
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.49-7.47 (m, 2H), 7.32-7.29 (m, 3H), 1.14 ppm (s, 21H)

tert-ブチルジメチル(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000014
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.51-7.48 (m, 2H), 7.34-7.28 (m, 3H), 1.02 (s, 9H), 0.20 ppm (s, 6H) tert-Butyldimethyl(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000014
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.51-7.48 (m, 2H), 7.34-7.28 (m, 3H), 1.02 (s, 9H), 0.20 ppm (s, 6H)

tert-ブチルジフェニル(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000015
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.90-7.86 (m, 4H), 7.64-7.59 (m, 2H), 7.45-7.33 (m, 9H), 1.16 ppm (s, 9H) tert-Butyldiphenyl(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000015
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.90-7.86 (m, 4H), 7.64-7.59 (m, 2H), 7.45-7.33 (m, 9H), 1.16 ppm (s, 9H)

ジメチル(フェニルエチニル)(ビニル)シラン

Figure 0007638510000016
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.51-7.45 (m, 2H), 7.35-7.27 (m, 3H), 6.20 (dd, J = 20.1, 14.7 Hz, 1H), 6.06 (dd, J = 14.7, 3.8 Hz, 1H), 5.91 (dd, J = 20.1, 3.8 Hz, 1H), 0.32 ppm (s, 6H) Dimethyl(phenylethynyl)(vinyl)silane
Figure 0007638510000016
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.51-7.45 (m, 2H), 7.35-7.27 (m, 3H), 6.20 (dd, J = 20.1, 14.7 Hz, 1H), 6.06 (dd, J = 14.7, 3.8 Hz, 1H), 5.91 (dd, J = 20.1, 3.8 Hz, 1H), 0.32 ppm (s, 6H)

アリルジメチル(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000017
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.50-7.45 (m, 2H), 7.35-7.28 (m, 3H), 5.94-5.84 (m, 1H), 5.02-4.89 (m, 2H), 1.76-1.69 (m, 2H), 0.25 ppm (s, 6H) Allyldimethyl(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000017
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.50-7.45 (m, 2H), 7.35-7.28 (m, 3H), 5.94-5.84 (m, 1H), 5.02-4.89 (m, 2H), 1.76-1.69 (m, 2H), 0.25 ppm (s, 6H)

トリメチル(p-トリルエチニル)シラン

Figure 0007638510000018
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 7.40-7.34 (m, 2H), 7.13-7.08 (m, 2H), 2.35 (s, 3H), 0.26 ppm (s, 9H) Trimethyl(p-tolylethynyl)silane
Figure 0007638510000018
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ 7.40-7.34 (m, 2H), 7.13-7.08 (m, 2H), 2.35 (s, 3H), 0.26 ppm (s, 9H)

((4-メトキシフェニル)エチニル)トリメチルシラン

Figure 0007638510000019
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 7.46-7.35 (m, 2H), 6.85-6.78 (m, 2H), 3.80 (s, 3H), 0.24 ppm (s, 9H) ((4-Methoxyphenyl)ethynyl)trimethylsilane
Figure 0007638510000019
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ 7.46-7.35 (m, 2H), 6.85-6.78 (m, 2H), 3.80 (s, 3H), 0.24 ppm (s, 9H)

((4-クロロフェニル)エチニル)トリメチルシラン

Figure 0007638510000020
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 7.41-7.37 (m, 2H), 7.29-7.25 (m, 2H), 0.26 ppm (s, 9H) ((4-chlorophenyl)ethynyl)trimethylsilane
Figure 0007638510000020
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ 7.41-7.37 (m, 2H), 7.29-7.25 (m, 2H), 0.26 ppm (s, 9H)

((4―ブロモフェニル)エチニル)トリメチルシラン

Figure 0007638510000021
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.46-7.40 (m, 2H), 7.34-7.29 (m, 2H), 0.25 ppm (s, 9H) ((4-bromophenyl)ethynyl)trimethylsilane
Figure 0007638510000021
1H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.46-7.40 (m, 2H), 7.34-7.29 (m, 2H), 0.25 ppm (s, 9H)

トリメチル((4-ニトロフェニル)エチニル)シラン

Figure 0007638510000022
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ8.24-8.08 (m, 2H), 7.66-7.50 (m, 2H), 0.27 ppm (s, 9H) Trimethyl((4-nitrophenyl)ethynyl)silane
Figure 0007638510000022
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ8.24-8.08 (m, 2H), 7.66-7.50 (m, 2H), 0.27 ppm (s, 9H)

4-((トリメチルシリル)エチニル)フェニルアセテート

Figure 0007638510000023
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.50-7.43 (m, 2H), 7.08-6.99 (m, 2H), 2.29 (s, 3H), 0.24 ppm (s, 9H) 4-((trimethylsilyl)ethynyl)phenylacetate
Figure 0007638510000023
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.50-7.43 (m, 2H), 7.08-6.99 (m, 2H), 2.29 (s, 3H), 0.24 ppm (s, 9H)

ジイソプロピルビス(フェニルエチニル)シラン

Figure 0007638510000024
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.58-7.49 (m, 4H), 7.38-7.29 (m, 6H), 1.26-1.15 ppm (m, 14H) Diisopropylbis(phenylethynyl)silane
Figure 0007638510000024
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.58-7.49 (m, 4H), 7.38-7.29 (m, 6H), 1.26-1.15 ppm (m, 14H)

1,4―ビス((トリイソプロピルシリル)エチニル)ベンゼン

Figure 0007638510000025
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ7.39 (s, 4H), 1.14-1.11 ppm (s, 42H) 1,4-Bis((triisopropylsilyl)ethynyl)benzene
Figure 0007638510000025
1 H NMR (600 MHz, CDCl 3 ): δ7.39 (s, 4H), 1.14-1.11 ppm (s, 42H)

Figure 0007638510000026
Figure 0007638510000026

Figure 0007638510000027
Figure 0007638510000027

<実施例4-1~4-7>

Figure 0007638510000028
<Examples 4-1 to 4-7>
Figure 0007638510000028

窒素雰囲気のグローブボックス内にて、求核剤として表4に記載の金属塩もしくはテトラブチルアンモニウム塩(5mol%)にDMF(1.0mL)を加えた。3-フェニルプロピオール酸トリイソプロピルシリル(151.2mg,0.50mmol)を加えたのち、150℃で加熱攪拌した。表4に示す時間の経過後、反応生成物の一部をH NMR(600MHz)で分析した。アルキニルシランの収率を表4に示す。 In a glove box under a nitrogen atmosphere, DMF (1.0 mL) was added to a metal salt or tetrabutylammonium salt (5 mol%) shown in Table 4 as a nucleophile. Triisopropylsilyl 3-phenylpropiolate (151.2 mg, 0.50 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 150° C. After the time shown in Table 4 had elapsed, a portion of the reaction product was analyzed by 1 H NMR (600 MHz). The yield of alkynylsilane is shown in Table 4.

Figure 0007638510000029
Figure 0007638510000029

上記実施例1―1~1-6、実施例4-1~4-7に示されるように、様々な求核剤を用いて、シリルアルキノエートからアルキニルシランを簡便に製造できる。また、上記実施例2-1~2-6、3-1~3-8に示されるように、様々なシリルアルキノエートからアルキニルシランを簡便に製造できる。また、実施例1-5、実施例2-2に示されるように、反応時間を長くすることにより収率が向上する。 As shown in the above Examples 1-1 to 1-6 and Examples 4-1 to 4-7, alkynylsilanes can be easily produced from silylalkynoates using various nucleophiles. Also, as shown in the above Examples 2-1 to 2-6 and 3-1 to 3-8, alkynylsilanes can be easily produced from various silylalkynoates. Also, as shown in Examples 1-5 and 2-2, the yield can be improved by extending the reaction time.

本発明の製造方法によって、アルキニルシランを簡便に製造することができる。製造されるアルキニルシランは、合成化学上有用なビルディングブロックであり、各種機能性材料やその原料として有用である。
The method of the present invention makes it possible to easily produce alkynylsilanes. The alkynylsilanes produced are useful building blocks in synthetic chemistry and are useful as various functional materials or raw materials thereof.

Claims (6)

5配位のケイ素種を形成し得る求核剤の存在下、下記式(a)で表されるシリルアルキノエートを脱炭酸させて下記式(b)で表されるアルキニルシランを生成する反応工程を含み、
前記シリルアルキノエートが下記式(A-1)又は(A-3)で表されるシリルアルキノエートであり、
前記5配位のケイ素種を形成し得る求核剤が、フッ化物イオン、塩化物イオン、アルコキシドイオン又はカルボキシラートイオンであり、
前記フッ化物イオン源としてアルカリ金属フッ化物、四級アンモニウムフルオリド又はフルオロシリケートが用いられ、
前記塩化物イオン源としてアルカリ金属塩化物又は四級アンモニウムクロリドが用いられ、
前記アルコキシドイオン源としてアルカリ金属アルコキシドが用いられ、
前記カルボキシラートイオン源としてアルカリ金属カルボキシラート又は四級アンモニウムカルボキシラートが用いられる、アルキニルシランの製造方法。
Figure 0007638510000030

Figure 0007638510000031

(式(A-1)及び(A-3)中、R は、それぞれ独立して、水素原子、又は窒素原子
、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基を、R は、それぞれ独立して炭素原子数1~20の炭化水素基を、nは1~4の整数を、mは1~5の整数を表す。)
The method includes a reaction step of decarboxylating a silylalkynoate represented by the following formula (a) in the presence of a nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species to produce an alkynylsilane represented by the following formula (b) :
The silyl alkynoate is represented by the following formula (A-1) or (A-3):
the nucleophile capable of forming a pentacoordinate silicon species is a fluoride ion, a chloride ion, an alkoxide ion, or a carboxylate ion;
The fluoride ion source is an alkali metal fluoride, a quaternary ammonium fluoride, or a fluorosilicate;
an alkali metal chloride or a quaternary ammonium chloride is used as the chloride ion source;
An alkali metal alkoxide is used as the alkoxide ion source,
A method for producing alkynylsilanes , wherein an alkali metal carboxylate or a quaternary ammonium carboxylate is used as the carboxylate ion source .
Figure 0007638510000030

Figure 0007638510000031

In formulae (A-1) and (A-3), R 1 is each independently a hydrogen atom or a nitrogen atom.
R 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom; R 2 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms; n represents an integer of 1 to 4; and m represents an integer of 1 to 5.
前記アルキニルシランが、下記式(B-1)又は(B-3)で表されるアルキニルシランである、請求項1に記載のアルキニルシランの製造方法。The method for producing an alkynylsilane according to claim 1, wherein the alkynylsilane is an alkynylsilane represented by the following formula (B-1) or (B-3):
Figure 0007638510000032
Figure 0007638510000032

(式(B-1)及び(B-3)中、R(In formulas (B-1) and (B-3), R 1 は、それぞれ独立して、水素原子、又は窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも1種の原子を含んでいてもよい炭素原子数1~20の炭化水素基を、Reach independently represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain at least one atom selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom, a silicon atom, and a halogen atom, 2 は、それぞれ独立して炭素原子数1~20の炭化水素基を、nは1~4の整数を、mは1~5の整数を表す。)each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, n represents an integer of 1 to 4, and m represents an integer of 1 to 5.
前記アルカリ金属フッ化物が、フッ化セシウム、フッ化カリウム又はフッ化ナトリウムであり、the alkali metal fluoride is cesium fluoride, potassium fluoride or sodium fluoride;
前記四級アンモニウムフルオリドが、テトラブチルアンモニウムフルオリド、テトラエチルアンモニウムフルオリド又はテトラメチルアンモニウムフルオリドであり、The quaternary ammonium fluoride is tetrabutylammonium fluoride, tetraethylammonium fluoride, or tetramethylammonium fluoride;
前記フルオロシリケートが、ジフルオロトリフェニルケイ酸テトラブチルアンモニウム又はジフルオロトリメチルケイ酸トリス(ジメチルアミノ)スルホニウムである、請求項1又は2に記載のアルキニルシランの製造方法。3. The method for producing alkynylsilanes according to claim 1 or 2, wherein the fluorosilicate is tetrabutylammonium difluorotriphenylsilicate or tris(dimethylamino)sulfonium difluorotrimethylsilicate.
前記アルカリ金属塩化物が、塩化セシウム、塩化カリウム又は塩化ナトリウムであり、the alkali metal chloride is cesium chloride, potassium chloride or sodium chloride;
前記四級アンモニウムクロリドが、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムクロリド、ジデシルジメチルアンモニウムクロリド又はヘキサデシルトリメチルクロリドである、請求項1又は2に記載のアルキニルシランの製造方法。3. The method for producing alkynylsilanes according to claim 1 or 2, wherein the quaternary ammonium chloride is tetrabutylammonium chloride, tetraethylammonium chloride, tetramethylammonium chloride, didecyldimethylammonium chloride or hexadecyltrimethyl chloride.
前記アルカリ金属アルコキシドが、ナトリウムtert-ブトキシド、カリウムtert-ブトキシド、ナトリウムフェノキシド又はカリウムフェノキシドである、請求項1又は2に記載のアルキニルシランの製造方法。3. The method for producing an alkynylsilane according to claim 1, wherein the alkali metal alkoxide is sodium tert-butoxide, potassium tert-butoxide, sodium phenoxide or potassium phenoxide. 前記アルカリ金属カルボキシラートが、酢酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、ピバル酸セシウム、ピバル酸カリウム、ピバル酸ナトリウム、オクチル酸カリウム又はオクチル酸ナトリウムであり、the alkali metal carboxylate is cesium acetate, potassium acetate, sodium acetate, cesium pivalate, potassium pivalate, sodium pivalate, potassium octoate or sodium octoate;
前記四級アンモニウムカルボキシラートが、テトラブチルアンモニウムアセテート、テトラエチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラブチルアンモニウムベンゾエート又は下記式で表されるテトラアルキルアンモニウムカルボキシラートである、請求項1又は2に記載のアルキニルシランの製造方法。The method for producing alkynylsilane according to claim 1 or 2, wherein the quaternary ammonium carboxylate is tetrabutylammonium acetate, tetraethylammonium acetate, tetramethylammonium acetate, tetrabutylammonium benzoate, or a tetraalkylammonium carboxylate represented by the following formula:
Figure 0007638510000033
Figure 0007638510000033
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