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JP7638765B2 - Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method - Google Patents
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JP7638765B2 - Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method - Google Patents

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Description

本開示は、基板液処理装置および基板液処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method.

半導体装置の製造工程には、処理槽に貯留したリン酸水溶液中に半導体ウエハ等の基板を浸漬し、基板の表面に形成したシリコン窒化膜をウエットエッチングするシリコン窒化膜エッチング工程が含まれる。基板は、鉛直姿勢で水平方向に等間隔で並べられた状態で基板支持部材により支持された状態でリン酸水溶液中に浸漬される。 The manufacturing process for semiconductor devices includes a silicon nitride film etching process in which substrates such as semiconductor wafers are immersed in an aqueous phosphoric acid solution stored in a treatment tank, and the silicon nitride film formed on the surface of the substrate is wet etched. The substrates are immersed in the aqueous phosphoric acid solution while being supported by a substrate support member in a vertical position and arranged at equal intervals in the horizontal direction.

基板の処理中には、処理槽内に底部から液面に向かう処理液の流れが形成され、また、処理の均一性を向上させるため窒素ガスバブリングが行われる。このため、基板は基板ホルダから浮き上がる方向の力を受ける。特許文献1の基板液処理装置では、基板が処理液から受ける力により基板が基板支持部材から脱落することあるいは位置ずれすることを防止するために、基板の上方への変位を防止する基板押さえ部材を処理槽の蓋に設けている。 During substrate processing, a flow of processing liquid is formed in the processing tank from the bottom toward the liquid surface, and nitrogen gas bubbling is performed to improve processing uniformity. As a result, the substrate receives a force that tends to lift it up from the substrate holder. In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, a substrate pressing member that prevents the substrate from displacing upward is provided on the lid of the processing tank to prevent the substrate from falling off the substrate support member or becoming misaligned due to the force applied to the substrate by the processing liquid.

特開2019-067995号公報JP 2019-067995 A

本開示は、処理槽に貯留された処理液に浸漬された状態で基板が基板支持部材に適切に保持されていることを確認する技術を提供するものである。 The present disclosure provides a technique for verifying that a substrate is properly held by a substrate support member while immersed in a processing liquid stored in a processing tank.

本開示の一実施形態によれば、基板液処理装置であって、基板搬出入用の上部開口を有し、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を、鉛直姿勢で、水平方向に予め定められた間隔を空けて並べて支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を、前記上部開口を通して、前記処理槽内の処理位置と、前記処理槽の上方の退避位置との間で昇降させる昇降機構と、前記処理槽に貯留された処理液内で前記基板支持部材により支持された前記複数の基板を撮像しうる位置に設けられた撮像部と、前記撮像部が撮像した画像データに基づいて、前記基板支持部材により支持されている前記複数の基板の実際位置と前記基板の存在すべき基準位置との偏差が許容範囲にあるか否かを判定する基板位置判定を行う基板位置判定部と、前記基板液処理装置の動作を制御する制御部と、を備えた基板液処理装置が提供される。 According to one embodiment of the present disclosure, there is provided a substrate liquid processing apparatus comprising: a processing tank having an upper opening for loading and unloading substrates and storing a processing liquid; a substrate support member supporting a plurality of substrates in a vertical position and arranged at a predetermined interval in the horizontal direction; a lifting mechanism for raising and lowering the substrate support member through the upper opening between a processing position in the processing tank and a retracted position above the processing tank; an imaging unit provided at a position capable of imaging the plurality of substrates supported by the substrate support member in the processing liquid stored in the processing tank; a substrate position determination unit for performing substrate position determination for determining whether or not the deviation between the actual positions of the plurality of substrates supported by the substrate support member and the reference position where the substrates should be located is within an acceptable range based on image data captured by the imaging unit; and a control unit for controlling the operation of the substrate liquid processing apparatus.

上記実施形態によれば、処理槽に貯留された処理液に浸漬された状態で基板が基板保持部材に適切に保持されていることを確認することができる。 According to the above embodiment, it is possible to confirm that the substrate is properly held by the substrate holding member while immersed in the processing liquid stored in the processing tank.

基板液処理システムの全体構成を示す概略平面図である。1 is a schematic plan view showing an overall configuration of a substrate liquid processing system. 基板液処理システムに組み込まれたエッチング装置の構成を示す系統図である。1 is a system diagram showing a configuration of an etching apparatus incorporated in a substrate liquid processing system. エッチング装置の処理槽の概略横断方向縦断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a processing tank of an etching apparatus; 処理槽の概略長手方向縦断面図である。FIG. 2 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a treatment tank. 処理槽の概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a treatment tank. 閉鎖位置にある蓋体及びその周辺の部材のみを取り出して詳細に示した処理槽の横断方向縦断面図である。2 is a transverse longitudinal sectional view of the treatment tank showing in detail only the lid body in the closed position and the surrounding members. FIG. 蓋体の斜視図である。FIG. 図6に示した閉鎖位置から開放位置に移動した蓋体を示した横断方向縦断面図である。7 is a transverse longitudinal cross-sectional view showing the cover moved from the closed position shown in FIG. 6 to the open position; FIG. 処理槽の上方に配置されたカメラおよび照明を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a camera and lighting positioned above the treatment vessel. 基板支持部材と基板押さえとの間に基板が適切に配置されている状態を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a state in which a substrate is properly positioned between a substrate support member and a substrate clamp; カメラにより撮像された画像を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an image captured by a camera. グレイ値の分布を示すグラフである。1 is a graph showing the distribution of grey values; 基板支持部材と基板押さえとの間に基板が不適切に配置されている状態(ブリッジが生じている状態)を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing a state in which a substrate is improperly positioned (a bridge is formed) between a substrate support member and a substrate clamp; ブリッジが生じているときのグレイ値の分布を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the distribution of grey values when bridging occurs; 処理槽に基板を沈めた直後の基板の揺れ動きについて説明するグラフである。11 is a graph illustrating the rocking motion of a substrate immediately after the substrate is submerged in a processing tank. カメラおよび照明の他の配置を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing another arrangement of cameras and lighting.

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。まず本発明の一実施形態に係る基板液処理装置1が組込まれた基板液処理システム1A全体について述べる。 Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. First, an overall substrate liquid processing system 1A incorporating a substrate liquid processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention will be described.

図1に示すように、基板液処理システム1Aは、キャリア搬入出部2と、ロット形成部3と、ロット載置部4と、ロット搬送部5と、ロット処理部6と、制御部7とを有する。 As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing system 1A has a carrier loading/unloading section 2, a lot formation section 3, a lot placement section 4, a lot transport section 5, a lot processing section 6, and a control section 7.

このうちキャリア搬入出部2は、複数枚(たとえば、25枚)の基板(シリコンウエハ)8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入及び搬出を行う。 The carrier loading/unloading section 2 loads and unloads a carrier 9 that contains multiple (e.g., 25) substrates (silicon wafers) 8 arranged one above the other in a horizontal position.

このキャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板8をロット処理部6で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板8をロット処理部6で処理した後に一時的に保管する。 This carrier loading/unloading section 2 is provided with a carrier stage 10 on which multiple carriers 9 are placed, a carrier transport mechanism 11 that transports the carriers 9, carrier stocks 12 and 13 that temporarily store the carriers 9, and a carrier placement table 14 on which the carriers 9 are placed. Here, the carrier stock 12 temporarily stores the substrates 8 that will become products before they are processed in the lot processing section 6. Also, the carrier stock 13 temporarily stores the substrates 8 that will become products after they have been processed in the lot processing section 6.

そして、キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。 Then, the carrier loading/unloading section 2 transports the carrier 9 that has been loaded onto the carrier stage 10 from outside to the carrier stock 12 or the carrier mounting table 14 using the carrier transport mechanism 11. The carrier loading/unloading section 2 also transports the carrier 9 that has been placed on the carrier mounting table 14 to the carrier stock 13 or the carrier stage 10 using the carrier transport mechanism 11. The carrier 9 that has been transported to the carrier stage 10 is then transported to the outside.

ロット形成部3は、1又は複数のキャリア9に収容された基板8を組合せて同時に処理される複数枚(たとえば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、隣接する各2枚の基板8のパターンが形成されている表面が互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、パターンが形成されている基板8の表面がすべて同じ方向を向くようにロットを形成してもよい。 The lot forming section 3 combines the substrates 8 housed in one or more carriers 9 to form a lot consisting of multiple substrates 8 (for example, 50 substrates 8) to be processed simultaneously. When forming the lot, the lot may be formed so that the surfaces on which the patterns of two adjacent substrates 8 are formed face each other, or the lot may be formed so that the surfaces of the substrates 8 on which the patterns are formed all face the same direction.

このロット形成部3には、複数枚の基板8を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板8の搬送途中で基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。 This lot formation section 3 is provided with a substrate transport mechanism 15 that transports multiple substrates 8. The substrate transport mechanism 15 can change the position of the substrate 8 from a horizontal position to a vertical position and from a vertical position to a horizontal position during transport of the substrate 8.

そして、ロット形成部3は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9から基板搬送機構15を用いて基板8をロット載置部4に搬送し、ロットを形成する基板8をロット載置部4に載置する。また、ロット形成部3は、ロット載置部4に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア9へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)の基板8を支持する処理前基板支持部と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)の基板8を支持する処理後基板支持部の2種類を有している。これにより、処理前の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の基板8等に転着するのを防止する。 Then, the lot forming section 3 uses the substrate transport mechanism 15 to transport the substrate 8 from the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 to the lot placement section 4, and places the substrate 8 forming the lot on the lot placement section 4. The lot forming section 3 also transports the lot placed on the lot placement section 4 to the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 by the substrate transport mechanism 15. The substrate transport mechanism 15 has two types of substrate support sections for supporting multiple substrates 8: a pre-processing substrate support section that supports the substrate 8 before processing (before being transported by the lot transport section 5), and a post-processing substrate support section that supports the substrate 8 after processing (after being transported by the lot transport section 5). This prevents particles and the like attached to the pre-processing substrate 8 from transferring to the processed substrate 8.

ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置(待機)する。 The lot placement unit 4 temporarily places (stands by) the lots being transported between the lot formation unit 3 and the lot processing unit 6 by the lot transport unit 5 on the lot placement table 16.

このロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。 This lot placement section 4 is provided with an entrance lot placement table 17 on which lots are placed before processing (before being transported by the lot transport section 5), and an exit lot placement table 18 on which lots are placed after processing (after being transported by the lot transport section 5). On the entrance lot placement table 17 and the exit lot placement table 18, multiple substrates 8 for one lot are placed in a vertical position, lined up front to back.

そして、ロット載置部4では、ロット形成部3で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部5を介してロット処理部6に搬入される。また、ロット載置部4では、ロット処理部6からロット搬送部5を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部3に搬送される。 In the lot placement section 4, the lot formed in the lot formation section 3 is placed on the load-side lot placement table 17, and the lot is carried into the lot processing section 6 via the lot transport section 5. In addition, in the lot placement section 4, the lot carried out from the lot processing section 6 via the lot transport section 5 is placed on the load-side lot placement table 18, and the lot is transported to the lot formation section 3.

ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間やロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。 The lot transport section 5 transports lots between the lot placement section 4 and the lot processing section 6, and within the lot processing section 6.

このロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板8を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。 This lot transport section 5 is provided with a lot transport mechanism 19 that transports lots. The lot transport mechanism 19 is composed of rails 20 arranged along the lot placement section 4 and the lot processing section 6, and a moving body 21 that moves along the rails 20 while holding multiple substrates 8. The moving body 21 is provided with a substrate holder 22 that holds multiple substrates 8 lined up in a vertical position and can move forward and backward.

そして、ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部6に受け渡す。また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受け渡す。さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。 Then, the lot transport unit 5 receives the lot placed on the load-side lot placement table 17 at the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, and transfers the lot to the lot processing unit 6. The lot transport unit 5 also receives the lot processed in the lot processing unit 6 at the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, and transfers the lot to the unload-side lot placement table 18. Furthermore, the lot transport unit 5 transports the lot inside the lot processing unit 6 using the lot transport mechanism 19.

ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を1ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。 The lot processing unit 6 treats multiple substrates 8 arranged vertically one behind the other as one lot and performs processes such as etching, cleaning, and drying.

このロット処理部6には、基板8の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板8の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板8のエッチング処理を行う2台の本発明によるエッチング処理装置(基板液処理装置)1とが並べて設けられている。 In this lot processing section 6, a drying processing device 23 for drying the substrates 8, a substrate holder cleaning processing device 24 for cleaning the substrate holders 22, a cleaning processing device 25 for cleaning the substrates 8, and two etching processing devices (substrate liquid processing devices) 1 according to the present invention for etching the substrates 8 are arranged side by side.

乾燥処理装置23は、処理槽27と、処理槽27に昇降自在に設けられた基板昇降機構28とを有する。処理槽27には、乾燥用の処理ガス(IPA(イソプロピルアルコール)等)が供給される。基板昇降機構28には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板8の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。 The drying processing device 23 has a processing tank 27 and a substrate lifting mechanism 28 that is provided in the processing tank 27 so that it can be raised and lowered. A drying processing gas (IPA (isopropyl alcohol) or the like) is supplied to the processing tank 27. The substrate lifting mechanism 28 holds a number of substrates 8 for one lot in a vertical position, arranged front to back. The drying processing device 23 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19 with the substrate lifting mechanism 28, and raises and lowers the lot with the substrate lifting mechanism 28, thereby drying the substrates 8 with the drying processing gas supplied to the processing tank 27. The drying processing device 23 also transfers the lot from the substrate lifting mechanism 28 to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19.

基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29を有し、この処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。 The substrate holder cleaning processing device 24 has a processing tank 29, and is capable of supplying a cleaning processing liquid and a drying gas to the processing tank 29. After supplying the cleaning processing liquid to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, the substrate holder 22 is cleaned by supplying the drying gas.

洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30,31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液(SC-1等)が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。 The cleaning processing device 25 has a cleaning processing tank 30 and a rinsing processing tank 31, and substrate lifting mechanisms 32, 33 are provided in each processing tank 30, 31 so that they can be raised and lowered freely. A cleaning processing liquid (such as SC-1) is stored in the cleaning processing tank 30. A rinsing processing liquid (such as pure water) is stored in the rinsing processing tank 31.

エッチング処理装置1は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36,37が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液(リン酸水溶液)が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。上述のように、エッチング処理装置1は本発明による基板液処理装置となっている。 The etching processing apparatus 1 has a processing tank 34 for etching and a processing tank 35 for rinsing, and each processing tank 34, 35 is provided with a substrate lifting mechanism 36, 37 that can be raised and lowered freely. The processing tank 34 for etching stores a processing liquid for etching (aqueous phosphoric acid solution). The processing tank 35 for rinsing stores a processing liquid for rinsing (pure water, etc.). As described above, the etching processing apparatus 1 is a substrate liquid processing apparatus according to the present invention.

これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置1は、同様の構成となっている。エッチング処理装置(基板液処理装置)1について説明すると、基板昇降機構36には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置1において、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板8のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置1は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。 The cleaning processing device 25 and the etching processing device 1 have the same configuration. Regarding the etching processing device (substrate liquid processing device) 1, the substrate lifting mechanism 36 holds a plurality of substrates 8 for one lot in a vertical position, arranged front to back. In the etching processing device 1, the substrate lifting mechanism 36 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, and the substrate lifting mechanism 36 raises and lowers the lot to immerse the lot in the etching processing liquid in the processing tank 34, thereby performing the etching processing of the substrates 8. Thereafter, the etching processing device 1 transfers the lot from the substrate lifting mechanism 36 to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19. In addition, the substrate lifting mechanism 37 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, and the substrate lifting mechanism 37 raises and lowers the lot to immerse the lot in the rinsing processing liquid in the processing tank 35, thereby performing the rinsing processing of the substrates 8. Thereafter, the substrate lifting mechanism 37 transfers the lot to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19.

制御部7は、基板液処理システム1Aの各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6、エッチング処理装置1)の動作を制御する。 The control unit 7 controls the operation of each part of the substrate liquid processing system 1A (the carrier loading/unloading unit 2, the lot formation unit 3, the lot placement unit 4, the lot transport unit 5, the lot processing unit 6, and the etching processing device 1).

この制御部7は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能なMを備える。記憶媒体38には、基板液処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部7は、記憶媒体38に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部7の記憶媒体38にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。 The control unit 7 is, for example, a computer, and includes a computer-readable M. The storage medium 38 stores programs that control various processes executed in the substrate liquid processing apparatus 1. The control unit 7 controls the operation of the substrate liquid processing apparatus 1 by reading and executing the programs stored in the storage medium 38. The programs may be stored in the computer-readable storage medium 38, or may be installed in the storage medium 38 of the control unit 7 from another storage medium. Examples of computer-readable storage media 38 include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上述のようにエッチング処理装置1の処理槽34では、所定濃度の薬剤(リン酸)の水溶液(リン酸水溶液)を処理液(エッチング液)として用いて基板8に液処理(エッチング処理)が施される。 As described above, in the treatment tank 34 of the etching treatment device 1, an aqueous solution (aqueous phosphoric acid solution) of a chemical (phosphoric acid) with a predetermined concentration is used as a treatment liquid (etching liquid) to perform liquid treatment (etching treatment) on the substrate 8.

次に、エッチング処理装置(基板液処理装置)1の概略構成及び配管系統について図2を参照して説明する。 Next, the schematic configuration and piping system of the etching processing apparatus (substrate liquid processing apparatus) 1 will be described with reference to FIG. 2.

エッチング処理装置1は、処理液として所定濃度のリン酸水溶液を貯留する前述した処理槽34を有している。処理槽34は、内槽34Aと、外槽34Bとを有する。外槽34Bには、内槽34Aからオーバーフローしたリン酸水溶液が流入する。外槽34Bの液位は、内槽34Aの液位よりも低く維持される。 The etching processing device 1 has the aforementioned processing tank 34 that stores a phosphoric acid aqueous solution of a predetermined concentration as the processing liquid. The processing tank 34 has an inner tank 34A and an outer tank 34B. The phosphoric acid aqueous solution that overflows from the inner tank 34A flows into the outer tank 34B. The liquid level of the outer tank 34B is maintained lower than the liquid level of the inner tank 34A.

外槽34Bの底部には、循環ライン50の上流端が接続されている。循環ライン50の下流端は、内槽34A内に設置された処理液供給ノズル49に接続されている。循環ライン50には、上流側から順に、ポンプ51、ヒータ52及びフィルタ53が介設されている。ポンプ51を駆動させることにより、外槽34Bから循環ライン50及び処理液供給ノズル49を経て内槽34A内に送られ、その後再び内槽34Aから外槽34Bへと流出する、リン酸水溶液の循環流が形成される。 The upstream end of the circulation line 50 is connected to the bottom of the outer tank 34B. The downstream end of the circulation line 50 is connected to a treatment liquid supply nozzle 49 installed in the inner tank 34A. In the circulation line 50, a pump 51, a heater 52, and a filter 53 are interposed, in that order from the upstream side. By driving the pump 51, a circulation flow of the phosphoric acid aqueous solution is formed, which is sent from the outer tank 34B through the circulation line 50 and the treatment liquid supply nozzle 49 into the inner tank 34A, and then flows out again from the inner tank 34A to the outer tank 34B.

処理槽34、循環ライン50及び循環ライン50内の機器(51,52,53等)により液処理部39が形成される。また、処理槽34及び循環ライン50により循環系が構成される。 The liquid processing section 39 is formed by the processing tank 34, the circulation line 50, and the equipment (51, 52, 53, etc.) in the circulation line 50. The processing tank 34 and the circulation line 50 also form a circulation system.

内槽34A内の処理液供給ノズル49の下方に、内槽34A内にあるリン酸水溶液中に不活性ガス例えば窒素ガスの気泡を吐出するための(バブリングを行うための)ガスノズル60が設けられている。ガスノズル60には、ガス供給源60Bから、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成される流量調節器60Cを介して、不活性ガス例えば窒素ガスが供給される。 A gas nozzle 60 for discharging bubbles of an inert gas, such as nitrogen gas, into the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A (for bubbling) is provided below the processing liquid supply nozzle 49 in the inner tank 34A. An inert gas, such as nitrogen gas, is supplied to the gas nozzle 60 from a gas supply source 60B via a flow regulator 60C consisting of an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, etc.

処理槽34には、前述した基板昇降機構36が付設されている。基板昇降機構36は、複数の基板8を垂直に起立した姿勢で水平方向に間隔をあけて配列させた状態で保持することができ、また、この状態で昇降することができる。 The processing tank 34 is provided with the aforementioned substrate lifting mechanism 36. The substrate lifting mechanism 36 can hold multiple substrates 8 in a vertically upright position and arranged horizontally at intervals, and can raise and lower them in this state.

エッチング処理装置1は、液処理部39にリン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部40と、液処理部39に純水を供給する純水供給部41と、液処理部39にシリコン溶液を供給するシリコン供給部42と、液処理部39からリン酸水溶液を排出するリン酸水溶液排出部43とを有する。 The etching processing device 1 has a phosphoric acid aqueous solution supply unit 40 that supplies phosphoric acid aqueous solution to the liquid processing device 39, a pure water supply unit 41 that supplies pure water to the liquid processing device 39, a silicon supply unit 42 that supplies silicon solution to the liquid processing device 39, and a phosphoric acid aqueous solution discharge unit 43 that discharges the phosphoric acid aqueous solution from the liquid processing device 39.

リン酸水溶液供給部40は、処理槽34及び循環ライン50からなる循環系内、すなわち液処理部39内のいずれかの部位、好ましくは図示したように外槽34Bに所定濃度のリン酸水溶液を供給する。リン酸水溶液供給部40は、リン酸水溶液を貯留するタンクからなるリン酸水溶液供給源40Aと、リン酸水溶液供給源40Aと外槽34Bとを接続するリン酸水溶液供給ライン40Bと、リン酸水溶液供給ライン40Bに上流側から順に介設された流量計40C、流量制御弁40D及び開閉弁40Eとを有している。リン酸水溶液供給部40は、流量計40C及び流量制御弁40Dを介して、制御された流量で、リン酸水溶液を外槽34Bに供給することができる。 The phosphoric acid aqueous solution supply unit 40 supplies a phosphoric acid aqueous solution of a predetermined concentration to any part of the circulation system consisting of the treatment tank 34 and the circulation line 50, i.e., the liquid treatment unit 39, preferably to the outer tank 34B as shown. The phosphoric acid aqueous solution supply unit 40 has a phosphoric acid aqueous solution source 40A consisting of a tank for storing phosphoric acid aqueous solution, a phosphoric acid aqueous solution supply line 40B connecting the phosphoric acid aqueous solution source 40A and the outer tank 34B, and a flow meter 40C, a flow control valve 40D, and an on-off valve 40E interposed in order from the upstream side on the phosphoric acid aqueous solution supply line 40B. The phosphoric acid aqueous solution supply unit 40 can supply the phosphoric acid aqueous solution to the outer tank 34B at a controlled flow rate via the flow meter 40C and the flow control valve 40D.

純水供給部41は、リン酸水溶液を加熱することにより蒸発した水分を補給するために純水を供給する。この純水供給部41は、所定温度の純水を供給する純水供給源41Aを含み、この純水供給源41Aは外槽34Bに流量調節器41Bを介して接続されている。流量調節器41Bは、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成することができる。 The pure water supply unit 41 supplies pure water to replenish the water evaporated by heating the phosphoric acid aqueous solution. This pure water supply unit 41 includes a pure water supply source 41A that supplies pure water at a predetermined temperature, and this pure water supply source 41A is connected to the outer tank 34B via a flow regulator 41B. The flow regulator 41B can be composed of an on-off valve, a flow control valve, a flow meter, etc.

シリコン供給部42は、シリコン含有化合物溶液例えばコロイダルシリコンを分散させた液を貯留するタンクからなるシリコン供給源42Aと、流量調節器42Bとを有している。流量調節器42Bは、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成することができる。 The silicon supply unit 42 has a silicon supply source 42A consisting of a tank that stores a silicon-containing compound solution, such as a liquid in which colloidal silicon is dispersed, and a flow rate regulator 42B. The flow rate regulator 42B can be composed of an on-off valve, a flow rate control valve, a flow meter, etc.

リン酸水溶液排出部43は、液処理部39及び循環ライン50からなる循環系内、すなわち液処理部39内にあるリン酸水溶液を排出するために設けられる。リン酸水溶液排出部43は、循環ライン50から分岐する排出ライン43Aと、排出ライン43Aに上流側から順次設けられた流量計43B、流量制御弁43C、開閉弁43D及び冷却タンク43Eとを有する。リン酸水溶液排出部43は、流量計43B及び流量制御弁43Cを介して、制御された流量で、リン酸水溶液を排出することができる。 The phosphoric acid aqueous solution discharge section 43 is provided to discharge the phosphoric acid aqueous solution in the circulation system consisting of the liquid treatment section 39 and the circulation line 50, i.e., in the liquid treatment section 39. The phosphoric acid aqueous solution discharge section 43 has a discharge line 43A branching off from the circulation line 50, and a flow meter 43B, a flow control valve 43C, an on-off valve 43D, and a cooling tank 43E provided in sequence from the upstream side on the discharge line 43A. The phosphoric acid aqueous solution discharge section 43 can discharge the phosphoric acid aqueous solution at a controlled flow rate via the flow meter 43B and the flow control valve 43C.

冷却タンク43Eは、排出ライン43Aを流れてきたリン酸水溶液を一時的に貯留するとともに冷却する。冷却タンク43Eから流出したリン酸水溶液(符号43Fを参照)は、工場廃液系(図示せず)に廃棄してもよいし、当該リン酸水溶液中に含まれるシリコンを再生装置(図示せず)により除去した後に、リン酸水溶液供給源40Aに送り再利用してもよい。 The cooling tank 43E temporarily stores and cools the aqueous phosphoric acid solution that has flowed through the discharge line 43A. The aqueous phosphoric acid solution (see reference symbol 43F) that flows out of the cooling tank 43E may be disposed of in a factory waste liquid system (not shown), or may be reused by sending it to the aqueous phosphoric acid solution supply source 40A after silicon contained in the aqueous phosphoric acid solution has been removed by a regeneration device (not shown).

図示例では、排出ライン43Aは、循環ライン50(図ではフィルタドレンの位置)に接続されているが、これには限定されず、循環系内の他の部位、例えば内槽34Aの底部に接続されていてもよい。 In the illustrated example, the discharge line 43A is connected to the circulation line 50 (at the filter drain position in the figure), but is not limited to this and may be connected to another location in the circulation system, for example, the bottom of the inner tank 34A.

排出ライン43Aには、リン酸水溶液中のシリコン濃度を測定するシリコン濃度計43Gが設けられている。また、循環ライン50から分岐して外槽34Bに接続された分岐ライン55Aに、リン酸水溶液中のリン酸濃度を測定するリン酸濃度計55Bが介設されている。外槽34Bには、外槽34B内の液位を検出する液位計44が設けられている。 The discharge line 43A is provided with a silicon concentration meter 43G that measures the silicon concentration in the phosphoric acid aqueous solution. In addition, a phosphoric acid concentration meter 55B that measures the phosphoric acid concentration in the phosphoric acid aqueous solution is interposed in a branch line 55A that branches off from the circulation line 50 and is connected to the outer tank 34B. The outer tank 34B is provided with a liquid level meter 44 that detects the liquid level in the outer tank 34B.

次に、図3~図7を参照してエッチング処理装置1の処理槽34の構成について詳細に説明する。説明の便宜のため、XYZ直交座標系を設定し、必要に応じて参照する。なお、X負方向を「前側」または「前方」、X正方向を「後側」または「後方」、Y負方向を「右側」または「右方」、Y正方向を「左側」または「左方」と呼ぶこともある。 Next, the configuration of the processing tank 34 of the etching processing device 1 will be described in detail with reference to Figures 3 to 7. For ease of explanation, an XYZ orthogonal coordinate system is set and referenced as necessary. Note that the negative X direction is sometimes called the "front" or "forward", the positive X direction is sometimes called the "rear" or "rear", the negative Y direction is sometimes called the "right side" or "rightward", and the positive Y direction is sometimes called the "left side" or "leftward".

前述したように、処理槽34は、上部を開放させた内槽34Aと、上部を開放させた外槽34Bとを有する。内槽34Aは、外槽34Bの内部に収容されている。外槽34Bには、内槽34Aからオーバーフローしたリン酸水溶液が流入する。液処理が実行されている間、内槽34Aの底部を含む大部分は、外槽34B内のリン酸水溶液中に浸漬される。 As described above, the treatment tank 34 has an inner tank 34A with an open top and an outer tank 34B with an open top. The inner tank 34A is housed inside the outer tank 34B. The aqueous phosphoric acid solution that overflows from the inner tank 34A flows into the outer tank 34B. While the liquid treatment is being performed, most of the inner tank 34A, including the bottom, is immersed in the aqueous phosphoric acid solution in the outer tank 34B.

外槽34Bは液受け容器(シンク)80の内部に収容されており、外槽34Bと液受け容器80との間にドレン空間81が形成されている。ドレン空間81の底部にはドレンライン82が接続されている。 The outer tank 34B is housed inside a liquid receiving container (sink) 80, and a drain space 81 is formed between the outer tank 34B and the liquid receiving container 80. A drain line 82 is connected to the bottom of the drain space 81.

処理液供給ノズル49は、内槽34A内をX方向(水平方向)に延びる筒状体からなる。処理液供給ノズル49は、その周面に穿設された複数の吐出口49D(図3及び図4を参照)から、基板昇降機構36に保持された基板8に向かって処理液を吐出する。図では2本の処理液供給ノズル49が設けられているが、3本以上の処理液供給ノズル49を設けてもよい。処理液供給ノズル49には、鉛直方向に延びる配管49Aから処理液(リン酸水溶液)が供給される。 The processing liquid supply nozzle 49 is a cylindrical body extending in the X direction (horizontal direction) inside the inner tank 34A. The processing liquid supply nozzle 49 ejects processing liquid from a plurality of ejection ports 49D (see Figures 3 and 4) drilled on its circumferential surface toward the substrate 8 held by the substrate lifting mechanism 36. Although two processing liquid supply nozzles 49 are provided in the figure, three or more processing liquid supply nozzles 49 may be provided. The processing liquid supply nozzle 49 is supplied with processing liquid (aqueous phosphoric acid solution) from a pipe 49A extending vertically.

ガスノズル60は、内槽34A内の処理液供給ノズル49よりも低い高さ位置をX方向(水平方向)に延びる筒状体からなる。ガスノズル60は、その周面に穿設された複数の吐出口60D(図3及び図4を参照)から、不活性ガス(例えば窒素ガス)の気泡を吐出する。不活性ガスのバブリングにより、内槽34A内におけるリン酸水溶液の沸騰状態を安定化させることができる。ガスノズル60には、鉛直方向に延びる配管60Aから処理液(リン酸水溶液)が供給される。 The gas nozzle 60 is a cylindrical body extending in the X direction (horizontal direction) at a height position lower than the treatment liquid supply nozzle 49 in the inner tank 34A. The gas nozzle 60 ejects bubbles of inert gas (e.g., nitrogen gas) from a plurality of ejection ports 60D (see Figures 3 and 4) drilled on its circumferential surface. The bubbling of the inert gas can stabilize the boiling state of the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A. The gas nozzle 60 is supplied with the treatment liquid (phosphoric acid aqueous solution) from a pipe 60A extending vertically.

基板昇降機構36は、図示しない昇降機構により昇降する鉛直方向(Z方向)に延びる支持板36Aと、支持板36Aにより一端が支持される水平方向(X方向)に延びる一対の基板支持部材36Bとを有している(図9も参照)。各基板支持部材36Bは、水平方向(X方向)に間隔を開けて配列された複数(例えば50~52個)の基板保持溝(図示せず)を有している。基板保持溝には、基板8の周縁部が挿入される。基板昇降機構36は、複数(例えば50~52枚)の基板8を、鉛直姿勢で、水平方向(X方向)に間隔を開けた状態で保持することができる。このような基板昇降機構36は当該技術分野において周知であり、詳細な構造の図示及び説明は省略する。 The substrate lifting mechanism 36 has a support plate 36A extending in the vertical direction (Z direction) that is raised and lowered by a lifting mechanism (not shown), and a pair of substrate support members 36B extending in the horizontal direction (X direction) whose one end is supported by the support plate 36A (see also FIG. 9). Each substrate support member 36B has a plurality of substrate holding grooves (not shown) arranged at intervals in the horizontal direction (X direction). The peripheral portion of the substrate 8 is inserted into the substrate holding grooves. The substrate lifting mechanism 36 can hold a plurality of substrates 8 (e.g., 50 to 52 substrates) in a vertical position with intervals in the horizontal direction (X direction). Such substrate lifting mechanisms 36 are well known in the art, and detailed illustrations and explanations of the structure are omitted.

処理槽34には、内槽34Aの上部開口を開閉するための第1蓋体71及び第2蓋体72が設けられている。第1蓋体71及び第2蓋体72は、それぞれ、水平方向(X方向)に延びる回転軸71S、72Sに結合されている。回転軸71S、72Sは、液受け容器80に固定された軸受け83及び回転アクチュエータ84(図4、図5を参照)に連結されている。回転アクチュエータ84を動作させることにより、第1蓋体71及び第2蓋体72は、水平方向(X方向)に延びる各々の回転軸線を中心として、内槽34Aの上部開口の第1領域(左半部)及び第2領域(右半部)をそれぞれ覆う閉鎖位置(図3及び図6に示す位置)と、概ね直立状態となって内槽34Aの上部開口の第1領域及び第2領域を開放する開放位置(図8に示す位置)との間で回転(旋回)することができる(図3中の矢印SW1,SW2を参照)。 The treatment tank 34 is provided with a first lid 71 and a second lid 72 for opening and closing the upper opening of the inner tank 34A. The first lid 71 and the second lid 72 are respectively connected to rotation shafts 71S and 72S extending in the horizontal direction (X direction). The rotation shafts 71S and 72S are connected to a bearing 83 fixed to the liquid receiving container 80 and a rotation actuator 84 (see Figures 4 and 5). By operating the rotary actuator 84, the first lid 71 and the second lid 72 can rotate (pivot) about their respective rotation axes extending in the horizontal direction (X direction) between a closed position (position shown in FIGS. 3 and 6) in which they cover the first area (left half) and the second area (right half) of the upper opening of the inner tank 34A, respectively, and an open position (position shown in FIG. 8) in which they are in a generally upright state and open the first area and the second area of the upper opening of the inner tank 34A (see arrows SW1 and SW2 in FIG. 3).

第1蓋体71及び第2蓋体72は内槽34Aの上部開口のうち、支持板36A、配管49A,60Aが設けられている領域を覆っていない。 The first lid 71 and the second lid 72 do not cover the area of the upper opening of the inner tank 34A where the support plate 36A and the pipes 49A and 60A are provided.

エッチング処理装置1の通常運転中、第1蓋体71及び第2蓋体72は、基板昇降機構36により保持された基板8の内槽34Aへの搬入/搬出が行われるとき以外は、閉鎖位置に位置し、内槽34A内にあるリン酸水溶液の温度低下を防止するとともに沸騰するリン酸水溶液から生じた水蒸気が処理槽34の外部に逃げることを抑制する。 During normal operation of the etching processing apparatus 1, the first lid 71 and the second lid 72 are in the closed position except when the substrate 8 held by the substrate lifting mechanism 36 is being loaded/unloaded into the inner tank 34A, preventing a drop in the temperature of the aqueous phosphoric acid solution in the inner tank 34A and preventing water vapor generated from the boiling aqueous phosphoric acid solution from escaping to the outside of the processing tank 34.

第1蓋体71は、真上から見て概ね矩形の本体部71Aと、X方向に延びる第1飛沫遮蔽部71B、第2飛沫遮蔽部71C及び閉鎖部71Dと、Y方向に延びる第3飛沫遮蔽部71Eとを有する。同様に、第2蓋体72は、概ね矩形の本体部72Aと、X方向に延びる第1飛沫遮蔽部72B、第2飛沫遮蔽部72C及び閉鎖部72Dと、Y方向に延びる第3飛沫遮蔽部72Eとを有する。 The first lid 71 has a generally rectangular main body 71A when viewed from directly above, a first splash shielding portion 71B, a second splash shielding portion 71C, and a closing portion 71D that extend in the X direction, and a third splash shielding portion 71E that extends in the Y direction. Similarly, the second lid 72 has a generally rectangular main body 72A, a first splash shielding portion 72B, a second splash shielding portion 72C, and a closing portion 72D that extend in the X direction, and a third splash shielding portion 72E that extends in the Y direction.

本体部71Aの上面には大きな矩形の凹所71Rが形成されている。凹所71Rは、底壁711R及び4つの側壁712R、713R,714R,715Rにより画定されている。 A large rectangular recess 71R is formed on the top surface of the main body 71A. The recess 71R is defined by a bottom wall 711R and four side walls 712R, 713R, 714R, and 715R.

第1蓋体71が閉鎖位置にあるときに、内槽34Aから外槽34Bへのリン酸水溶液のオーバーフロー(図6の矢印OFを参照)を妨げないように、内槽34Aの側壁と、これに近接して対面する側壁712R、713Rとの間には隙間が設けられている。なお、図示はしていないが、内槽34Aの4つの側壁の上端には、オーバーフローが円滑に行われるように、間隔を空けて複数のV字形の切り欠きが形成されている。 When the first lid 71 is in the closed position, a gap is provided between the side wall of the inner tank 34A and the adjacent opposing side walls 712R and 713R so as not to prevent the overflow of the phosphoric acid aqueous solution from the inner tank 34A to the outer tank 34B (see arrow OF in FIG. 6). Although not shown, the upper ends of the four side walls of the inner tank 34A have multiple V-shaped notches at intervals to facilitate smooth overflow.

第1蓋体71の底壁711Rは、Y方向に第2蓋体72から離れるに従って(Y方向に内槽34Aの側壁に近づくに従って)高くなるように傾斜している。この傾斜により、上記のオーバーフローがスムーズに行われる。 The bottom wall 711R of the first lid 71 is inclined so that it becomes higher as it moves away from the second lid 72 in the Y direction (as it moves closer to the side wall of the inner tank 34A in the Y direction). This inclination allows the above-mentioned overflow to occur smoothly.

内槽34A内のリン酸水溶液は沸騰状態にあるか、あるいはバブリングが施されているため、内槽34Aから外槽34Bにオーバーフローするリン酸水溶液と一緒にリン酸水溶液の飛沫も内槽34Aから飛び出す。この飛び出した飛沫は、閉鎖位置にある第1蓋体71の第1飛沫遮蔽部71Bに衝突し、内槽34Aの側壁と外槽34Bの側壁との間の空間に落ち、外槽34Bの外側には飛散しない。閉鎖位置にある第1蓋体71の第1飛沫遮蔽部71Bの下端は、近接する内槽34Aの側壁の上端よりも少なくとも低い位置にあることが好ましい。 Since the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A is in a boiling state or is being bubbled, splashes of the phosphoric acid aqueous solution fly out of the inner tank 34A together with the phosphoric acid aqueous solution that overflows from the inner tank 34A into the outer tank 34B. These splashes collide with the first splash shielding portion 71B of the first lid 71 in the closed position, fall into the space between the side wall of the inner tank 34A and the side wall of the outer tank 34B, and do not fly outside the outer tank 34B. It is preferable that the lower end of the first splash shielding portion 71B of the first lid 71 in the closed position is at least lower than the upper end of the adjacent side wall of the inner tank 34A.

第2飛沫遮蔽部71Cは、第1蓋体71が開放位置にあるときに、第1蓋体71が閉鎖位置にあるときの第1飛沫遮蔽部71Bと同様の役割を果たす。開放位置にある第1蓋体71の第1飛沫遮蔽部71Bの下端は、近接する内槽34Aの側壁の上端よりも少なくとも低い位置にあることが好ましい。 When the first lid body 71 is in the open position, the second splash shielding portion 71C plays a role similar to that of the first splash shielding portion 71B when the first lid body 71 is in the closed position. It is preferable that the lower end of the first splash shielding portion 71B of the first lid body 71 in the open position is at least lower than the upper end of the adjacent side wall of the inner tank 34A.

閉鎖部71Dは、第1蓋体71が開放位置にあるときに(図8を参照)、内槽34Aの側壁の上端と外槽34Bの側壁の上端との間の隙間のうちの、回転軸71Sから外槽34Bの側壁までの領域の上方を覆う。閉鎖部71Dは、第1蓋体71が閉鎖位置にあるときに本体部71Aの上面に付着した液(例えば、処理槽34の上方を濡れた基板が通過したときに当該基板から落下した液)を、第1蓋体71が開放位置に位置したときに外槽34Bと液受け容器80との間のドレン空間81に案内し、当該液が外槽34B内に流入することを防止する。ドレン空間81に入った液は、ドレンライン82から廃棄される。 When the first lid 71 is in the open position (see FIG. 8), the closure portion 71D covers the upper part of the gap between the upper end of the side wall of the inner tank 34A and the upper end of the side wall of the outer tank 34B, from the rotation axis 71S to the side wall of the outer tank 34B. When the first lid 71 is in the closed position, the closure portion 71D guides liquid adhering to the upper surface of the main body portion 71A (for example, liquid that falls from a wet substrate when the substrate passes above the processing tank 34) to the drain space 81 between the outer tank 34B and the liquid receiving container 80 when the first lid 71 is in the open position, and prevents the liquid from flowing into the outer tank 34B. The liquid that enters the drain space 81 is discarded from the drain line 82.

第3飛沫遮蔽部71Eは、基板昇降機構36から遠い側において、内槽34Aの側壁と外槽34Bの側壁との間の空間の上方で延びるように設けられている。第3飛沫遮蔽部71Eは、第1蓋体71の端縁に沿って、当該端縁の全長に亘って、回転軸71SからY方向に延びている。第3飛沫遮蔽部71Eは、第1蓋体71が閉鎖位置にあるときに、第1飛沫遮蔽部71Bと同様の役割を果たす。開放位置にある第1蓋体71の第3飛沫遮蔽部71Eの下端は、近接する内槽34Aの側壁の上端よりも少なくとも低い位置にあることが好ましい。 The third splash shielding portion 71E is provided so as to extend above the space between the side wall of the inner tank 34A and the side wall of the outer tank 34B on the side farther from the substrate lifting mechanism 36. The third splash shielding portion 71E extends in the Y direction from the rotation axis 71S along the edge of the first lid body 71 over the entire length of said edge. The third splash shielding portion 71E plays a role similar to that of the first splash shielding portion 71B when the first lid body 71 is in the closed position. It is preferable that the lower end of the third splash shielding portion 71E of the first lid body 71 in the open position is at least lower than the upper end of the adjacent side wall of the inner tank 34A.

基板昇降機構36に近い側には第1蓋体71のY方向に延びる端縁に沿って延びる飛沫遮蔽部を設けなくてもよい。X正方向に飛散するリン酸水溶液は、基板昇降機構36の支持板36A、配管49A,60A等に衝突するため、外槽34Bまでは殆ど到達しないからである。 There is no need to provide a splash shield extending along the edge of the first lid 71 extending in the Y direction on the side closer to the substrate lifting mechanism 36. This is because the phosphoric acid aqueous solution splashing in the positive X direction collides with the support plate 36A of the substrate lifting mechanism 36, the pipes 49A and 60A, etc., and hardly reaches the outer tank 34B.

第2蓋体72は第1蓋体71に対して概ね鏡面対称に形成されており、第1蓋体71及び第2蓋体72の構造は互いに概ね同じである。両者の相違点は、後述する付属部品(板状体73P、基板押さえ74)の有無にある。従って、第1蓋体71の構成及び作用に関する説明は、第2蓋体72の構成及び作用に関する説明に援用することができる。第1蓋体71及び第2蓋体72の互いに対応する部材(対称位置にある部材、同じ機能を有する部材)の参照符号の末尾には同じアルファベットが付けられており、参照符号の頭二桁が「71」であるか「72」であるかの相違しかない。 The second lid 72 is formed generally as a mirror image of the first lid 71, and the structures of the first lid 71 and the second lid 72 are generally the same. The difference between the two lies in the presence or absence of accessory parts (plate-shaped body 73P, board holder 74) described below. Therefore, the explanation of the configuration and function of the first lid 71 can be used to explain the configuration and function of the second lid 72. The same alphabet is added to the end of the reference numbers of corresponding parts of the first lid 71 and the second lid 72 (parts in symmetrical positions, parts with the same function), and the only difference is whether the first two digits of the reference numbers are "71" or "72".

図6に示すように、第1蓋体71及び第2蓋体72が閉鎖位置にあるとき、第1蓋体71の底壁711Rから上方に延びる側壁712Rと第2蓋体72の底壁721Rから上方に延びる側壁722Rとが互いに対面し、両側壁の間に高さHの隙間Gが形成される。凹所71R、72Rを設けることにより、高さHの隙間を設けることに起因する第1蓋体71及び第2蓋体72の重量の増大を抑制することができる。 As shown in FIG. 6, when the first lid body 71 and the second lid body 72 are in the closed position, the side wall 712R extending upward from the bottom wall 711R of the first lid body 71 and the side wall 722R extending upward from the bottom wall 721R of the second lid body 72 face each other, and a gap G of height H is formed between both side walls. By providing the recesses 71R and 72R, it is possible to suppress an increase in the weight of the first lid body 71 and the second lid body 72 caused by providing a gap of height H.

図6に示すように閉鎖位置にある第1蓋体71の本体部71Aの下面(底壁711Rの下面)及び第2蓋体72の本体部72Aの下面(底壁721Rの下面)が内槽34A内の処理液の液面に接している場合、第1蓋体71と第2蓋体との間の隙間から、沸騰しているかあるいはバブリングされているリン酸水溶液が上方に飛び出し、周囲に飛散することがある。しかしながら、上述したように高さHの隙間Gを設けることにより、隙間Gから処理液が外方に飛び出し難くなる。この効果を実現するために、高さHは、例えば約5cm以上とすることができる。 When the underside (underside of bottom wall 711R) of main body 71A of first lid 71 and the underside (underside of bottom wall 721R) of main body 72A of second lid 72 are in contact with the liquid level of the treatment liquid in inner tank 34A as shown in FIG. 6, the boiling or bubbling phosphoric acid aqueous solution may splash upward from the gap between first lid 71 and second lid 71 and splash around. However, by providing gap G of height H as described above, it becomes difficult for the treatment liquid to splash outward from gap G. To achieve this effect, height H can be set to, for example, about 5 cm or more.

内槽34A内の処理液がリン酸水溶液である場合、第1蓋体71及び第2蓋体72のうち少なくとも本体部71A,72Aは処理液により侵されない、例えば石英などの材料により形成される。本体部71A、72Aが石英により形成された場合、石英同士が衝突して割れや欠けが生じるおそれがあるが、これを防止するため、第1蓋体71及び第2蓋体72が閉鎖位置にあるときに本体部71A,72A同士が接触しないように両者の間に隙間を設けることが望ましい。本体部71A,72A同士の間に隙間を設けた場合には、その隙間を通って処理槽34内特に内槽34A内のリン酸水溶液が外方に飛散するおそれがある。しかしながら、上記のような高さHの隙間Gを設けることにより、隙間Gからのリン酸水溶液の飛散を少なくとも大幅に抑制することが可能となる。 When the treatment liquid in the inner tank 34A is an aqueous phosphoric acid solution, at least the main body parts 71A and 72A of the first lid 71 and the second lid 72 are made of a material that is not corroded by the treatment liquid, such as quartz. If the main body parts 71A and 72A are made of quartz, there is a risk that the quartz parts will collide with each other and crack or chip. In order to prevent this, it is desirable to provide a gap between the main body parts 71A and 72A so that they do not come into contact with each other when the first lid 71 and the second lid 72 are in the closed position. If a gap is provided between the main body parts 71A and 72A, there is a risk that the aqueous phosphoric acid solution in the treatment tank 34, especially in the inner tank 34A, will splash outward through the gap. However, by providing a gap G with the height H as described above, it is possible to at least significantly suppress the splashing of the aqueous phosphoric acid solution from the gap G.

また、オーバーフローを円滑にするために、前述したように底壁711R(721R)に傾斜を付け、かつ、底壁711R(721R)を内槽34A内のリン酸水溶液に接液させる場合には、底壁711R(721R)から上方に延びる側壁712R(722R)が無い場合には、底壁711R(721R)の先端がリン酸水溶液中に没してしまう。しかしながら、上記のように底壁711R(721R)から上方に延びる側壁712R(722R)を設けることにより、リン酸水溶液の液面の高さ位置を側壁712R(722R)の上端より低くすることが可能となる。 In addition, in order to facilitate overflow, as described above, when the bottom wall 711R (721R) is inclined and brought into contact with the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A, if there is no side wall 712R (722R) extending upward from the bottom wall 711R (721R), the tip of the bottom wall 711R (721R) will be submerged in the phosphoric acid aqueous solution. However, by providing a side wall 712R (722R) extending upward from the bottom wall 711R (721R) as described above, it is possible to make the liquid level of the phosphoric acid aqueous solution lower than the upper end of the side wall 712R (722R).

図6に示すように、第1蓋体71の本体部71A及び第2蓋体72の本体部72Aのいずれか一方(ここでは本体部71A)に、他方(ここでは本体部72A)の先端の上方まであるいは上方を越えて延び、隙間Gを上方から覆う覆い73を設けることが好ましい。覆い73を設けることにより、隙間Gから処理液が上方に飛び出すことを防止することができる。なお、図3~図5では、図面の煩雑化を防止するため、覆い73(及び板状体73P)が記載されていないことに注意されたい。 As shown in FIG. 6, it is preferable to provide a cover 73 on either the main body 71A of the first lid 71 or the main body 72A of the second lid 72 (main body 71A in this case) that extends above or beyond the tip of the other (main body 72A in this case) and covers the gap G from above. By providing the cover 73, it is possible to prevent the processing liquid from spilling out upward from the gap G. Note that in FIG. 3 to FIG. 5, the cover 73 (and the plate-like body 73P) are not shown to avoid complicating the drawings.

なお、隙間Gが高さHを有しているため、内槽34A内のリン酸水溶液の液面から飛散した処理液の液滴の勢いが、覆い73に衝突するまでに弱まる。このため、覆い73に衝突した処理液が側方に飛び出すことはない。 In addition, because the gap G has a height H, the momentum of the droplets of the treatment liquid that splash from the surface of the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A weakens before they collide with the cover 73. Therefore, the treatment liquid that collides with the cover 73 does not fly out to the side.

覆い73は、例えば図6に示すように、第1蓋体71の凹所71Rの輪廓に合わせた略矩形の切除部73Qを有する板状体73Pを、第1蓋体71の本体部71Aの上面に装着することにより設けることができる。この場合、板状体73Pの端縁部により覆い73が構成される。 The cover 73 can be provided by attaching a plate-like body 73P having a substantially rectangular cutout 73Q that matches the contour of the recess 71R of the first cover 71 to the upper surface of the main body 71A of the first cover 71, as shown in FIG. 6. In this case, the cover 73 is formed by the edge of the plate-like body 73P.

図6に示すように、第1蓋体71及び第2蓋体72が閉鎖位置にあるときに、覆い73と第2蓋体72との間に隙間が設けられていてもよい。これに代えて、第1蓋体71及び第2蓋体72が閉鎖位置にあるときに、覆い73と第2蓋体72とが接触していてもよい。この場合、覆い73は、隙間Gの上端部を塞ぐシールとしての役割を果たす。 As shown in FIG. 6, when the first lid body 71 and the second lid body 72 are in the closed position, a gap may be provided between the cover 73 and the second lid body 72. Alternatively, when the first lid body 71 and the second lid body 72 are in the closed position, the cover 73 and the second lid body 72 may be in contact with each other. In this case, the cover 73 serves as a seal that closes the upper end of the gap G.

覆い73を第2蓋体72に接触させる場合には、石英と衝突しても損傷が生じるおそれがなくかつ石英を損傷させることもない程度の柔軟性があり、かつ、比較的高い耐食性を有する樹脂材料、例えばPTFE、PFA等のフッ素系樹脂材料から覆い73を形成することが好ましい。 When the cover 73 is brought into contact with the second lid 72, it is preferable to form the cover 73 from a resin material that is flexible enough not to cause damage to the quartz even if it collides with the quartz and that has relatively high corrosion resistance, such as a fluororesin material such as PTFE or PFA.

覆い73を第1蓋体71と一体に形成してもよい。また、覆い73は設けなくてもよい。覆い73を設けない場合には、設ける場合よりも上記高さHをより高くすることが好ましい。 The cover 73 may be formed integrally with the first lid 71. Also, the cover 73 does not have to be provided. If the cover 73 is not provided, it is preferable to make the height H higher than if the cover 73 is provided.

また、第1蓋体71の本体部71A及び第2蓋体72の本体部72Aのいずれか一方(図示例では第2蓋体72の本体部72Aの先端部)に基板押さえ74が設けられている。基板押さえ74の下面には、基板8の配列方向(X方向)に沿って、基板支持部材36Bの基板保持溝36BG(図10を参照)と同じピッチで同じX方向位置に配置された複数の基板保持溝74Gが形成されている(図7および図10を参照)。基板保持溝74Gの各々には1枚の基板8の周縁部が収容される。なお、図7の斜視図では基板押さえ74の下端部(基板保持溝74Gが形成されている部分が見えているが、実際には、凹所72Rの底壁721Rに隠れて見えないことに注意されたい。 A substrate holder 74 is provided on either the main body 71A of the first lid 71 or the main body 72A of the second lid 72 (the tip of the main body 72A of the second lid 72 in the illustrated example). A plurality of substrate holding grooves 74G are formed on the underside of the substrate holder 74 along the arrangement direction (X direction) of the substrates 8, and are arranged at the same X-direction positions and at the same pitch as the substrate holding grooves 36BG of the substrate support member 36B (see FIG. 10) (see FIG. 7 and FIG. 10). Each substrate holding groove 74G accommodates the peripheral portion of one substrate 8. Note that the lower end of the substrate holder 74 (where the substrate holding grooves 74G are formed) is visible in the perspective view of FIG. 7, but in reality, it is hidden by the bottom wall 721R of the recess 72R and cannot be seen.

図示された実施形態では、基板押さえ74は、第2蓋体72と別々に形成された細長い板状体からなり、ネジ止めにより第2蓋体72の本体部72Aに固定されている。これに代えて、基板押さえ74を第2蓋体72と一体に形成してもよい。いずれの場合も、基板押さえ74は、第2蓋体72の本体部72Aの側壁722Rの一部を構成することになる。 In the illustrated embodiment, the board holder 74 is an elongated plate-like body formed separately from the second lid body 72, and is fixed to the body portion 72A of the second lid body 72 by screwing. Alternatively, the board holder 74 may be formed integrally with the second lid body 72. In either case, the board holder 74 forms part of the side wall 722R of the body portion 72A of the second lid body 72.

基板8が処理されているときには、閉鎖位置に位置している第2蓋体72に設けられた基板押さえ74が、基板支持部材36Bにより支持された基板8と係合して、当該基板8の上方への変位を防止または抑制する。このため、処理液供給ノズル49から大流量で処理液を吐出したとしても、あるいは内槽34A内の処理液の沸騰レベルが高くなったとしても、あるいは窒素ガスバブリングを激しく行ったとしても、基板8が基板支持部材36Bから脱落するおそれがなくなる。 When the substrate 8 is being processed, the substrate presser 74 provided on the second lid 72 in the closed position engages with the substrate 8 supported by the substrate support member 36B to prevent or suppress the upward displacement of the substrate 8. Therefore, even if the processing liquid is discharged at a high flow rate from the processing liquid supply nozzle 49, or even if the boiling level of the processing liquid in the inner tank 34A becomes high, or even if nitrogen gas bubbling is performed vigorously, there is no risk of the substrate 8 falling off the substrate support member 36B.

図9に概略的に示すように、処理槽34の上方にはカメラ90および照明92が設けられている。後述する画像処理に必要な画像を取得できるのであれば、カメラ90専用の照明92を省略することも可能である。カメラ90から画像信号が有線または無線通信により、画像処理機能を有する基板位置判定部94に出力されるようになっている。基板位置判定部94は、制御部7の一部であってもよいし、別の演算処理ユニットであってもよい。 As shown diagrammatically in FIG. 9, a camera 90 and lighting 92 are provided above the processing tank 34. If the images required for the image processing described below can be acquired, it is possible to omit the lighting 92 dedicated to the camera 90. An image signal is output from the camera 90 via wired or wireless communication to a substrate position determination unit 94 having an image processing function. The substrate position determination unit 94 may be part of the control unit 7, or may be a separate arithmetic processing unit.

カメラ90は、内槽34Aの上部開口の真上であって、かつ、基板支持部材36Bにより支持された基板8の上限位置(基板昇降機構36の基板支持部材36Bとロット搬送機構19の基板保持体22との間で基板8の受け渡しが行われる高さ位置)よりも上方に配置することができる。これに代えて、カメラ90を低い位置(内槽34Aの上部開口に近い高さ位置)に設けるとともに、内槽34Aの真上の位置と、内槽34Aの真上から外れた位置との間でカメラ90を移動させる移動機構を設けてもよい。後述する基板位置判定に必要な画像を取得できるのであれば、カメラ90を上記とは別の位置に設けてもよい。 The camera 90 can be positioned directly above the top opening of the inner tank 34A and above the upper limit position of the substrate 8 supported by the substrate support member 36B (the height position at which the substrate 8 is transferred between the substrate support member 36B of the substrate lifting mechanism 36 and the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19). Alternatively, the camera 90 can be provided at a lower position (a height position close to the top opening of the inner tank 34A) and a moving mechanism can be provided to move the camera 90 between a position directly above the inner tank 34A and a position away from directly above the inner tank 34A. The camera 90 can be provided at a position other than the above as long as it can acquire the images required for substrate position determination, which will be described later.

カメラ90のさらに上方にはファンフィルタユニット(FFU)100が配置されている。ファンフィルタユニット100からは清浄空気が下向きに吹き出される。この清浄空気のダウンフローにより、例えばカメラ90のレンズを曇らせるかあるいはカメラ90を腐食させる可能性のある処理液(薬液)由来のガスまたはミストが処理槽34から立ち上ったとしても、そのようなガスまたはミストがカメラ90に到達することはない。 A fan filter unit (FFU) 100 is disposed further above the camera 90. Clean air is blown downward from the fan filter unit 100. This downflow of clean air prevents gas or mist from reaching the camera 90, even if gas or mist from the treatment liquid (chemical liquid) that may fog the lens of the camera 90 or corrode the camera 90, rises from the treatment tank 34.

カメラ90を包囲するカバー(図示せず)を設け、カバー内に適当なシールドガス(清浄空気または不活性ガス)を流すことにより、カメラ90を処理液由来のガスまたはミストから保護してもよい。 The camera 90 may be protected from gas or mist from the processing liquid by providing a cover (not shown) surrounding the camera 90 and flowing a suitable shielding gas (clean air or inert gas) through the cover.

なお、処理槽34内に貯留される処理液がリン酸の場合には、処理槽34の上方に立ち上るガスは実質的に水蒸気であり、カメラ90への影響は小さい。 When the processing liquid stored in the processing tank 34 is phosphoric acid, the gas rising above the processing tank 34 is essentially water vapor, and has little effect on the camera 90.

次に上記エッチング処理装置1の作用について説明する。まず、リン酸水溶液供給部40がリン酸水溶液を液処理部39の外槽34Bに供給する。リン酸水溶液の供給開始後に所定時間が経過すると、循環ライン50のポンプ51が作動し、上述した循環系内を循環する循環流が形成される。 Next, the operation of the etching processing device 1 will be described. First, the phosphoric acid aqueous solution supply unit 40 supplies the phosphoric acid aqueous solution to the outer tank 34B of the liquid processing unit 39. When a predetermined time has elapsed after the start of the supply of the phosphoric acid aqueous solution, the pump 51 of the circulation line 50 is operated, and a circulation flow that circulates within the above-mentioned circulation system is formed.

さらに、循環ライン50のヒータ52が作動して、内槽34A内のリン酸水溶液が所定温度(例えば160℃)となるようにリン酸水溶液を加熱する。遅くともヒータ52による加熱開始時点までに、第1蓋体71及び第2蓋体72を閉鎖位置に位置させる。160℃のリン酸水溶液は沸騰状態(好ましくは微沸騰状態)となる。沸騰による水分の蒸発によりリン酸濃度が予め定められた管理上限値を超えたことがリン酸濃度計55Bにより検出された場合には、純水供給部41から純水が供給される。 The heater 52 of the circulation line 50 is then operated to heat the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A to a predetermined temperature (e.g., 160°C). The first lid 71 and the second lid 72 are positioned in the closed position at the latest by the time heating by the heater 52 begins. The phosphoric acid aqueous solution at 160°C is in a boiling state (preferably a slight boiling state). When the phosphoric acid concentration meter 55B detects that the phosphoric acid concentration has exceeded a predetermined upper limit due to evaporation of water caused by boiling, pure water is supplied from the pure water supply unit 41.

1つのロットの基板8を内槽34A内のリン酸水溶液中に投入する前に、循環系(内槽34A、外槽34B及び循環ライン50を含む)内に存在するリン酸水溶液中のシリコン濃度(これはシリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比に影響を及ぼす)の調整が行われる。シリコン濃度の調節は、ダミー基板を内槽34A内のリン酸水溶液中に浸漬すること、あるいはシリコン供給部42から外槽34Bにシリコン含有化合物溶液を供給することにより行うことができる。循環系内に存在するリン酸水溶液中のシリコン濃度が予め定められた範囲内にあることを確認するために、排出ライン43Aにリン酸水溶液を流し、シリコン濃度計43Gによりシリコン濃度を測定してもよい。 Before one lot of substrates 8 is introduced into the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A, the silicon concentration (which affects the etching selectivity of silicon nitride film to silicon oxide film) in the phosphoric acid aqueous solution present in the circulation system (including the inner tank 34A, the outer tank 34B, and the circulation line 50) is adjusted. The silicon concentration can be adjusted by immersing a dummy substrate in the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A, or by supplying a silicon-containing compound solution from the silicon supply unit 42 to the outer tank 34B. To confirm that the silicon concentration in the phosphoric acid aqueous solution present in the circulation system is within a predetermined range, the phosphoric acid aqueous solution may be flowed into the discharge line 43A and the silicon concentration measured by the silicon concentration meter 43G.

シリコン濃度調整の終了後、第1蓋体71及び第2蓋体72を開放位置に移動させる。このとき、処理槽34の上方では、ロット搬送機構19の移動体21の基板保持体22から基板8を受け取った基板昇降機構36の基板支持部材36Bが待機している。基板支持部材36Bは、複数枚、すなわち1つのロット(処理ロットまたはバッチとも呼ばれる)を形成する複数例えば50枚の基板8を適切に支持している。「適切に支持」とは、模式図である図10の下半分に示されるように、基板8の下側周縁部が基板支持部材36Bの各基板保持溝36BGに1枚ずつ嵌まり、かつ、基板8が鉛直姿勢で水平方向に所定の配列ピッチ(例えば5mm程度)で並んでいることを意味する。次いで基板支持部材36Bは下降し、これにより基板支持部材36Bにより支持された基板8が内槽34A内のリン酸水溶液中に沈められる。このとき、基板支持部材36Bから基板8が浮き上がることを防止するため、バブリングを停止していることが好ましい。 After the silicon concentration adjustment is completed, the first lid 71 and the second lid 72 are moved to the open position. At this time, above the processing tank 34, the substrate support member 36B of the substrate lifting mechanism 36, which has received the substrate 8 from the substrate holder 22 of the moving body 21 of the lot transport mechanism 19, is waiting. The substrate support member 36B properly supports a plurality of substrates 8, i.e., a plurality of substrates 8, for example 50 substrates, which form one lot (also called a processing lot or batch). "Properly supported" means that, as shown in the lower half of the schematic diagram of FIG. 10, the lower peripheral portion of the substrate 8 fits into each substrate holding groove 36BG of the substrate support member 36B one by one, and the substrates 8 are arranged in a vertical position and horizontally at a predetermined arrangement pitch (for example, about 5 mm). Next, the substrate support member 36B descends, and the substrates 8 supported by the substrate support member 36B are submerged in the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A. At this time, it is preferable to stop bubbling to prevent the substrate 8 from floating up from the substrate support member 36B.

基板8が内槽34A内のリン酸水溶液中に沈められて所定時間(例えば5秒程度)が経過したら、第2蓋体72が閉鎖位置に移動させられる。第2蓋体72に設けられた基板押さえ74が基板8の上側周縁部と係合し、基板8を拘束する。次いで、カメラ90により基板8が撮像される。この撮像結果に基づいて、全ての基板8が適切な位置にあるか否か(特に基板押さえ74が基板8と適切に係合しているか否か)が判定される(以下「基板位置判定」と呼ぶ)。この判定の方法については後述する。全ての基板8が適切な位置にあると判断されたら、第1蓋体71が閉鎖位置に移動させられる。 After the substrates 8 are submerged in the phosphoric acid aqueous solution in the inner tank 34A and a predetermined time (e.g., about 5 seconds) has elapsed, the second lid 72 is moved to the closed position. The substrate holder 74 provided on the second lid 72 engages with the upper peripheral edge of the substrate 8 to restrain the substrate 8. The substrate 8 is then imaged by the camera 90. Based on the image result, it is determined whether all of the substrates 8 are in the appropriate position (in particular, whether the substrate holder 74 is properly engaged with the substrate 8) (hereinafter referred to as "substrate position determination"). The method of this determination will be described later. When it is determined that all of the substrates 8 are in the appropriate position, the first lid 71 is moved to the closed position.

次に、ガスノズル60から窒素ガスを吐出するバブリングが開始される。基板8を所定時間リン酸水溶液に浸漬することにより、基板8にウエットエッチング処理(液処理)が施される。 Next, bubbling begins by discharging nitrogen gas from the gas nozzle 60. The substrate 8 is immersed in the phosphoric acid aqueous solution for a predetermined period of time, whereby a wet etching process (liquid process) is performed on the substrate 8.

基板8のエッチング処理中に第1蓋体71及び第2蓋体72を閉鎖位置に位置させておくことにより、内槽34A内のリン酸水溶液の液面付近の温度低下が抑制され、これにより、内槽34A内のリン酸水溶液の温度分布を小さく抑えることができる。また、内槽34Aが外槽34B内のリン酸水溶液中に浸漬されているため、内槽34Aの壁体からの放熱による内槽34A内のリン酸水溶液の温度低下が抑制され、また、内槽34A内のリン酸水溶液の温度分布を小さく抑えることができる。従って、基板8のエッチング量の面内均一性及び面間均一性を高く維持することができる。 By keeping the first lid 71 and the second lid 72 in the closed position during the etching process of the substrate 8, the temperature drop near the liquid surface of the aqueous phosphoric acid solution in the inner tank 34A is suppressed, and the temperature distribution of the aqueous phosphoric acid solution in the inner tank 34A can be kept small. In addition, since the inner tank 34A is immersed in the aqueous phosphoric acid solution in the outer tank 34B, the temperature drop in the aqueous phosphoric acid solution in the inner tank 34A due to heat radiation from the wall of the inner tank 34A is suppressed, and the temperature distribution of the aqueous phosphoric acid solution in the inner tank 34A can be kept small. Therefore, the in-plane and inter-plane uniformity of the amount of etching of the substrate 8 can be maintained at a high level.

1つのロットの基板8の処理中に、基板8からシリコンが溶出するため、循環系内に存在するリン酸水溶液中のシリコン濃度が上昇する。1つのロットの基板8の処理中に、循環系内に存在するリン酸水溶液中のシリコン濃度を維持するために、あるいは意図的に変化させるために、リン酸水溶液排出部43により循環系内にあるリン酸水溶液を排出しながら、リン酸水溶液供給部40によりリン酸水溶液を供給することができる。 During the processing of one lot of substrates 8, silicon is eluted from the substrates 8, and the silicon concentration in the aqueous phosphoric acid solution present in the circulation system increases. During the processing of one lot of substrates 8, in order to maintain or intentionally change the silicon concentration in the aqueous phosphoric acid solution present in the circulation system, the aqueous phosphoric acid solution can be supplied by the aqueous phosphoric acid solution supply unit 40 while the aqueous phosphoric acid solution in the circulation system is discharged by the aqueous phosphoric acid solution discharge unit 43.

上記のようにして一つのロットの基板8の処理が終了したら、第1蓋体71及び第2蓋体72を開放位置に移動させる。そして、基板支持部材36Bを上昇させて基板8を内槽34Aから搬出する。 When processing of one lot of substrates 8 is completed as described above, the first lid 71 and the second lid 72 are moved to the open position. Then, the substrate support member 36B is raised to remove the substrates 8 from the inner tank 34A.

基板8の処理が終了した後であってかつ基板8を内槽34Aから搬出する前に、第2蓋体72を閉鎖位置に位置させたまま第1蓋体71を開放位置に移動し、この状態で、基板位置判定を行ってもよい。そうすることにより、処理中に生じる可能性のある基板8の位置ずれ(発生確率は非常に低いが)を検出することができる。 After the processing of the substrate 8 is completed and before the substrate 8 is removed from the inner tank 34A, the first lid 71 may be moved to the open position while the second lid 72 is kept in the closed position, and the substrate position may be determined in this state. In this way, it is possible to detect any positional deviation of the substrate 8 that may occur during processing (although the probability of this occurring is very low).

その後、再び第1蓋体71及び第2蓋体72を閉鎖位置に移動し、循環系内にあるリン酸水溶液の温度、リン酸濃度、シリコン濃度の調節を行った後に、上記と同様にして別のロットの基板8の処理を行う。 Then, the first lid 71 and the second lid 72 are moved to the closed position again, and the temperature, phosphoric acid concentration, and silicon concentration of the aqueous phosphoric acid solution in the circulation system are adjusted, and another lot of substrates 8 is processed in the same manner as above.

次に、基板位置判定の一実施形態について説明する。基板位置判定に先立ち、基板支持部材36Bにより支持された複数例えば50枚の基板8が内槽34Aに貯留された処理液中に沈められる。このとき、各基板8の全体が処理液の液面より下に位置する。その後所定時間(例えば5秒)が経過した後に、第1蓋体71を開放位置に位置させ(図9に破線で示す)たままで、基板押さえ74付きの第2蓋体72を閉鎖位置に移動させる。次いで、基板位置判定が実行される。 Next, one embodiment of substrate position determination will be described. Prior to substrate position determination, a number of substrates 8 (e.g., 50 substrates) supported by substrate support members 36B are submerged in the processing liquid stored in inner tank 34A. At this time, the entirety of each substrate 8 is positioned below the liquid surface of the processing liquid. After a predetermined time (e.g., 5 seconds) has elapsed, the second lid 72 with the substrate holder 74 is moved to the closed position while the first lid 71 is kept in the open position (shown by the dashed line in FIG. 9). Next, substrate position determination is performed.

基板位置判定が行われるとき、照明92が点灯され、その状態でカメラ90(撮像部)により基板8の画像が撮影される。このとき、内槽34Aの上部開口のうち第1蓋体71により閉じられていない領域を通って、基板8に照明光が到達し、また、基板8からの反射光(物体光)がカメラ90に到達する。これにより、下記の基板位置判定を支障無く実行できる程度の鮮明度を有する画像がカメラ90により取得される。この画像内には、実質的に、各基板8の全表面のうちのAPEX(基板の最外周縁)およびその近傍のみが現れており、基板の表面(デバイス形成面)および裏面は現れていない(図11の模式図を参照)。照明92は、各基板8のAPEXが最も明るく写るような位置から照明光を照射することが好ましい。 When the substrate position determination is performed, the illumination 92 is turned on, and in this state, an image of the substrate 8 is captured by the camera 90 (imaging unit). At this time, the illumination light reaches the substrate 8 through the area of the upper opening of the inner tank 34A that is not closed by the first lid body 71, and the reflected light (object light) from the substrate 8 reaches the camera 90. As a result, the camera 90 acquires an image with sufficient clarity to perform the substrate position determination described below without any problems. In this image, essentially only the APEX (the outermost edge of the substrate) and its vicinity out of the entire surface of each substrate 8 are visible, and the substrate surface (device formation surface) and back surface are not visible (see the schematic diagram in FIG. 11). It is preferable that the illumination 92 irradiates the illumination light from a position where the APEX of each substrate 8 is most brightly displayed.

基板位置判定部94は、各基板8の液面に近い部分が含まれるように画像の一部の領域ARを切り取る(図11の模式図を参照)。領域ARは、例えば、基板8の配列方向を長手方向とする短冊状の領域とすることができる。領域ARの画像では、図11において見えている各基板8のAPEX(特に照明光の光軸と垂直な部分)が、照明光を良く反射するため、画像内における輝度が最も高くなる。 The substrate position determination unit 94 cuts out a region AR from the image so as to include the portion of each substrate 8 close to the liquid surface (see the schematic diagram in FIG. 11). The region AR can be, for example, a rectangular region whose longitudinal direction is the arrangement direction of the substrates 8. In the image of the region AR, the APEX of each substrate 8 visible in FIG. 11 (particularly the portion perpendicular to the optical axis of the illumination light) reflects the illumination light well, and therefore has the highest brightness in the image.

基板位置判定部94は、領域AR内における基板8の配列方向(これは図11中のX軸と平行な矢印XSに沿った方向である)に沿ったグレイ値(画像の輝度に対応する値)の分布を求める。 The substrate position determination unit 94 determines the distribution of gray values (values corresponding to the brightness of the image) along the arrangement direction of the substrates 8 within the region AR (this is the direction along the arrow XS parallel to the X-axis in FIG. 11).

グレイ値の分布として、基板8の配列方向(X方向)に沿って延びる複数画素分の幅(例えば領域ARの幅に相当する画素数分のY方向幅)を有するラインに沿った分布を用いることができる。この場合、同じX方向位置にあるY方向に並んだ複数の画素からの信号に基づき算出されたグレイ値の平均値を、あるX方向位置におけるグレイ値として扱ってもよい。こうすることにより検出精度を高めることができる。 The distribution of gray values can be a distribution along a line having a width of multiple pixels (for example, a Y-directional width of the number of pixels equivalent to the width of the region AR) extending along the arrangement direction (X-directional) of the substrate 8. In this case, the average gray value calculated based on signals from multiple pixels lined up in the Y-directional at the same X-directional position can be treated as the gray value at a certain X-directional position. This can improve the detection accuracy.

上記に代えて、グレイ値の分布として、矢印XSの方向に沿って延びる1画素分の幅(Y方向の幅)を有するラインに沿った分布を用いてもよい。この場合、撮像部として、カメラ90に代えて、ラインセンサを用いることができる。ラインセンサは、例えば、第1蓋体71または第2蓋体72に設けることができる。第1蓋体71または第2蓋体72が透明ならば、ラインセンサを例えば凹所71R,72Rの内部に設けてもよく、この場合、ラインセンサは第1蓋体71または第2蓋体72を透過した物体光を受光する。 Alternatively, the distribution of gray values may be a distribution along a line having a width of one pixel (width in the Y direction) extending in the direction of the arrow XS. In this case, a line sensor may be used as the imaging unit instead of the camera 90. The line sensor may be provided, for example, in the first lid 71 or the second lid 72. If the first lid 71 or the second lid 72 is transparent, the line sensor may be provided, for example, inside the recess 71R, 72R. In this case, the line sensor receives the object light that has passed through the first lid 71 or the second lid 72.

図11中の矢印XSに沿ったグレイ値の分布の一例が図12に示されている。各基板8のAPEXに相当する画像部分の輝度が最も高く、グレイ値がピークを呈している。隣接する基板8の隙間に相当する画像部分のグレイ値がボトムを呈している。全ての基板8において、各基板8の実際位置(X座標)と当該基板8の存在すべき基準位置との偏差が許容範囲にあるならば、ピークは基板8の所定の配列間隔(例えば5mm±許容範囲内のずれ量)で並び、隣接するピークの間にボトムがある。このとき、図10に概略的に示すように、基板支持部材36Bの各基板保持溝36BGに1つずつ基板8の下部周縁部が嵌まっており、かつ、基板押さえ74の各基板保持溝74Gに1つずつ基板8の上側周縁部が嵌まっている。これを「適切な基板保持状態」とも呼ぶ。 An example of the distribution of gray values along the arrow XS in FIG. 11 is shown in FIG. 12. The image portion corresponding to the APEX of each substrate 8 has the highest brightness and the gray value is at its peak. The gray value of the image portion corresponding to the gap between adjacent substrates 8 is at its bottom. If the deviation between the actual position (X coordinate) of each substrate 8 and the reference position where the substrate 8 should be located is within the allowable range for all substrates 8, the peaks are arranged at a predetermined arrangement interval (for example, 5 mm ± deviation within the allowable range) of the substrates 8, and the bottom is between the adjacent peaks. At this time, as shown diagrammatically in FIG. 10, the lower peripheral portion of each substrate 8 is fitted into each substrate holding groove 36BG of the substrate support member 36B, and the upper peripheral portion of each substrate 8 is fitted into each substrate holding groove 74G of the substrate presser 74. This is also called the "appropriate substrate holding state".

図13には、不適切な基板保持状態が生じる原因が示されている。図13の左側に示すように、ある1つの基板8の上側周縁部が隣接する基板8の上側周縁部に近づいた状態で第2蓋体72を閉じて基板押さえ74を基板8に近づけてゆくと、隣接する基板8の上側周縁部が互いに接触した状態で同じ基板保持溝74Gに嵌まりこむ現象が生じる。これは「ブリッジ(ウエハブリッジ)」と呼ばれる。ブリッジが生じている2つの基板8の間では処理液の流れが悪くなるため、意図した通りの基板処理結果が得られない(例えば面内均一性の悪化)可能性がある。 Figure 13 shows the cause of an improper substrate holding state. As shown on the left side of Figure 13, when the upper edge of one substrate 8 approaches the upper edge of an adjacent substrate 8, the second lid 72 is closed and the substrate presser 74 is brought closer to the substrate 8, causing the upper edges of the adjacent substrates 8 to come into contact with each other and get stuck in the same substrate holding groove 74G. This phenomenon is called a "bridge (wafer bridge)." Because the flow of processing liquid is poor between the two substrates 8 where the bridge occurs, it is possible that the intended substrate processing results will not be obtained (for example, deterioration of in-plane uniformity).

図12は、50枚の基板8に対して得られたグレイ値分布の一例を示している。図12では、基板配列の端の方において、隣接するグレイ値ピーク同士の間隔が広くなっている。これは上記のブリッジが生じているためである。つまり、図13の右側に示すようなブリッジが生じると、図14において破線で示されるように、隣接する2つの基板8のAPEXの画像のグレイ値のピークが、分離不可能な1つのピークとして検出される。また、隣接するピーク間の距離も大きくなる。このことを利用して、ブリッジの発生を検出することができる。なお、図14において、実線は、適切な基板保持状態のときに得られるカーブである。 Figure 12 shows an example of a gray value distribution obtained for 50 substrates 8. In Figure 12, the distance between adjacent gray value peaks is wider at the ends of the substrate array. This is due to the occurrence of the above-mentioned bridge. In other words, when a bridge occurs as shown on the right side of Figure 13, the gray value peaks of the APEX images of two adjacent substrates 8 are detected as a single inseparable peak, as shown by the dashed line in Figure 14. The distance between adjacent peaks also becomes larger. This can be used to detect the occurrence of a bridge. Note that in Figure 14, the solid line is the curve obtained when the substrates are held in an appropriate state.

なお、ブリッジが生じているか否かの判定は、少なくとも1つの基板8の実際位置と基準位置との偏差が許容範囲にあるか否かの判定に含まれる。 The determination of whether a bridge has occurred is included in the determination of whether the deviation between the actual position of at least one substrate 8 and the reference position is within an acceptable range.

基板押さえ74付きの第2蓋体72を閉じた直後に基板位置判定を行い、ブリッジが発生していないこと(つまり全ての基板8が適切な保持状態にあること)が確認された場合には、窒素ガスのバブリングを開始するとともに第1蓋体71を閉じてそのまま液処理(例えばウエットエッチング処理)を進めることができる。 Immediately after closing the second lid 72 with the substrate holder 74, the substrate position is determined. If it is confirmed that no bridges have occurred (i.e., all substrates 8 are properly held), bubbling of nitrogen gas is started and the first lid 71 is closed, allowing the liquid processing (e.g., wet etching) to proceed.

ブリッジが発生していた場合には、第2蓋体72が開かれ、その後再び閉じられる(リトライ)。このとき、第2蓋体72を全開状態まで開く(つまり開放位置まで移動させる)必要はなく、基板押さえ74が一旦基板8から離れれば十分である。基板押さえ74が基板8から離れている間に、基板支持部材36Bを上下に微少量往復させて、基板8を揺すってもよい。第2蓋体72が閉じられた後、再び基板位置判定が行われる。基板8が適切な位置に納まっている(つまりブリッジが発生していない)ことが確認されたら、ガスノズル60(図2~図4を参照)から窒素ガスを吐出してバブリングを開始するとともに、第1蓋体71を閉じて処理を継続する。 If a bridge has occurred, the second lid 72 is opened and then closed again (retry). At this time, it is not necessary to open the second lid 72 to the fully open state (i.e., move it to the open position); it is sufficient if the substrate holder 74 is once separated from the substrate 8. While the substrate holder 74 is separated from the substrate 8, the substrate support member 36B may be moved slightly up and down to shake the substrate 8. After the second lid 72 is closed, the substrate position is determined again. Once it is confirmed that the substrate 8 is in the appropriate position (i.e., no bridge has occurred), nitrogen gas is discharged from the gas nozzle 60 (see Figures 2 to 4) to start bubbling, and the first lid 71 is closed to continue the process.

上記の操作にもかかわらずブリッジが解消されない場合には、ブリッジが解消されるまで第2蓋体72の開閉および基板位置判定を繰り返し行ってもよい。これに代えて、第2蓋体72の開閉および基板位置判定を予め定められた回数行ったら、ブリッジが解消されたか否かに関わらず、バブリングを開始するとともに第1蓋体71を閉じて液処理を継続してもよい。あるいはこれに代えて、最初に第2蓋体72を閉じたときにブリッジが発生していたとしても、バブリングを開始するとともに第1蓋体71を閉じて液処理を継続してもよい。 If the bridge is not eliminated despite the above operations, the second lid 72 may be opened and closed and the substrate position determination may be repeated until the bridge is eliminated. Alternatively, once the second lid 72 has been opened and closed and the substrate position determination has been performed a predetermined number of times, bubbling may be started and the first lid 71 may be closed to continue liquid processing, regardless of whether the bridge has been eliminated. Alternatively, even if a bridge was generated when the second lid 72 was first closed, bubbling may be started and the first lid 71 may be closed to continue liquid processing.

窒素ガスのバブリングは、基板8の処理の面内均一性および面間均一性を高める等の目的で行われている。このため、バブリングを行わずに基板8を処理液中に浸漬させ続けることはあまり好ましくない。この観点からは、第2蓋体72の開閉および基板位置判定の試行回数に制限を設けた方が好ましい。但し、処理の種類によっては上記のような問題は発生しないこともあるので、再試行回数に制限を設けなくてもよい。 The bubbling of nitrogen gas is performed for the purpose of improving the in-plane and inter-plane uniformity of the processing of the substrate 8. For this reason, it is not preferable to continue immersing the substrate 8 in the processing liquid without bubbling. From this perspective, it is preferable to set a limit on the number of attempts to open and close the second lid 72 and determine the substrate position. However, depending on the type of processing, the above-mentioned problems may not occur, so it is not necessary to set a limit on the number of retries.

なお、基板押さえ74により基板8が押さえ付けられていないとバブリングにより基板支持部材36Bから基板8が浮き上がり、基板8の下側周縁部が基板支持部材36Bの基板保持溝から外れる可能性がある。このため、どのような手順で処理を行うにしても、バブリングは、第2蓋体72を閉鎖位置に位置させた状態で行うことが好ましい。 If the substrate 8 is not held down by the substrate holder 74, bubbling may cause the substrate 8 to float up from the substrate support member 36B, and the lower peripheral edge of the substrate 8 may come out of the substrate holding groove of the substrate support member 36B. For this reason, regardless of the procedure used for processing, it is preferable to perform bubbling with the second lid 72 in the closed position.

ブリッジが発生した基板8にソフトウエアマーキングを施してもよい。ソフトウエアマーキングとは、例えば、制御部7の記憶媒体38に、例えば「処理槽34でロットM(MはロットのID)の基板8に対してウエットエッチングを行った際に、N番目の基板8とN+1番目の基板8にブリッジが発生した」といったことを記憶することを意味する。ソフトウエアマーキングに基づいて、後工程において、ブリッジが発生した基板8あるいは当該基板8から得られた半導体装置に念入りな検査を行ってもよい。一度でもブリッジが発生した基板8の全てをソフトウエアマーキングの対象としてもよい。これに代えて、ブリッジが予め定められた回数以上発生した基板8だけをソフトウエアマーキングの対象としてもよい。これに代えて、ブリッジが発生した状態のまま液処理が行われた基板8だけをソフトウエアマーキングの対象としてもよい。 Software marking may be applied to the substrate 8 on which a bridge has occurred. Software marking means, for example, storing in the storage medium 38 of the control unit 7, for example, "When wet etching was performed on substrate 8 of lot M (M is the ID of the lot) in the processing bath 34, bridges occurred on the Nth substrate 8 and the N+1th substrate 8." Based on the software marking, in a later process, a thorough inspection may be performed on the substrate 8 on which a bridge has occurred or on the semiconductor device obtained from the substrate 8. All substrates 8 on which a bridge has occurred even once may be subject to software marking. Alternatively, only substrates 8 on which a bridge has occurred a predetermined number of times or more may be subject to software marking. Alternatively, only substrates 8 on which a liquid processing was performed while a bridge has occurred may be subject to software marking.

最初の基板位置判定においてブリッジが発生したら、その後に第2蓋体72の開閉操作(リトライ)を行うことなく、そのまま処理を進めてもよい。この場合、ブリッジが発生した基板8にソフトウエアマーキングが施される。最初の基板位置判定においてブリッジが発生した後に第2蓋体72の開閉操作を行うか否かを、基板液処理システム1Aの図示しないユーザーインターフェース(キーボード、タッチパネル等)を介してオペレータが設定できるようにしてもよい。 If a bridge occurs in the initial substrate position determination, processing may proceed without subsequently performing an opening/closing operation (retry) of the second lid body 72. In this case, software marking is applied to the substrate 8 on which the bridge occurred. The operator may be able to set whether or not to perform an opening/closing operation of the second lid body 72 after a bridge occurs in the initial substrate position determination via a user interface (keyboard, touch panel, etc.) (not shown) of the substrate liquid processing system 1A.

ブリッジの発生が検出されたら、基板液処理システム1Aの図示しないユーザーインターフェース(ディスプレイ、警報ランプ、警報ブザー等)を介してオペレータにアラーム通知をしてもよい。 If the occurrence of a bridge is detected, an alarm may be notified to the operator via a user interface (not shown) of the substrate liquid processing system 1A (display, alarm lamp, alarm buzzer, etc.).

上記の基板位置判定を用いて基板押さえ74付きの第2蓋体72を閉じるタイミングを決定することもできる。基板8を基板支持部材36Bにより鉛直姿勢で水平方向に等間隔に保持した状態で内槽34Aに貯留した処理液内に沈めてゆく過程で、ラプラス圧の影響により、基板8が揺れ動き、隣接する基板8の上部周縁部間の距離が変動する。図15には、基板8を処理液内に沈めた瞬間を基準(0秒)とし、数組の隣接する基板8間の距離の時間経過に伴う変化が示されている。図15のグラフより、基板8を処理液内に沈めた後ある程度の時間(例えば5秒程度)が経過すると基板の揺れ動きは収束することがわかる。基板8の揺れ動きが問題無いレベルまで低下したら基板押さえ74付きの第2蓋体72を閉じてよい。 The timing for closing the second lid 72 with the substrate holder 74 can also be determined using the substrate position determination described above. During the process of submerging the substrates 8 in the processing liquid stored in the inner tank 34A while being held vertically and equidistantly in the horizontal direction by the substrate support members 36B, the substrates 8 sway due to the influence of Laplace pressure, and the distance between the upper edges of adjacent substrates 8 varies. FIG. 15 shows the change over time in the distance between several pairs of adjacent substrates 8, with the moment when the substrates 8 are submerged in the processing liquid as the reference (0 seconds). From the graph in FIG. 15, it can be seen that the substrate swaying converges after a certain amount of time (for example, about 5 seconds) has passed since the substrates 8 were submerged in the processing liquid. When the substrate 8 swaying has decreased to a level that does not cause problems, the second lid 72 with the substrate holder 74 may be closed.

基板8を内槽34A内の処理液中に沈めてから基板8の揺れ動きが十分に小さくなるまでの時間(例えば5秒程度)は、ほぼ一定であることが実験により確認されている。このため、基板8を内槽34Aに投入してから所定時間(例えば多少の安全マージンをみて6秒程度)が経過したら、基板位置判定を行うことなく、第2蓋体72を閉じてもよい。このようにしても、ブリッジの問題は殆ど生じない。仮にブリッジが発生したしても、第2蓋体72を閉じた後の基板位置判定によりブリッジの発生を把握し、必要に応じた対処をすることができる。 It has been confirmed through experiments that the time (e.g., about 5 seconds) from when the substrate 8 is submerged in the processing solution in the inner bath 34A until the shaking of the substrate 8 becomes sufficiently small is almost constant. For this reason, once a predetermined time (e.g., about 6 seconds to allow for a small safety margin) has elapsed since the substrate 8 was placed in the inner bath 34A, the second lid 72 may be closed without performing substrate position determination. Even in this case, bridging problems rarely occur. Even if bridging does occur, the occurrence of bridging can be identified by substrate position determination after the second lid 72 is closed, and measures can be taken as necessary.

上記に代えて、基板8を処理液中に沈めてから、例えば5秒経過後、6秒経過後、7秒経過後に取得した画像に基づいて基板位置判定を行い、基板8の基準位置に対する基板8の実際位置のずれ(位置偏差)が安定して所定範囲内に収まっていることが確認できたら第2蓋体72を閉じるようにしてもよい。この場合、より確実にブリッジの発生を防止することができる。 Alternatively, the substrate position may be determined based on images acquired, for example, 5 seconds, 6 seconds, or 7 seconds after the substrate 8 is submerged in the processing solution, and the second lid 72 may be closed once it has been confirmed that the deviation (position deviation) of the actual position of the substrate 8 relative to the reference position of the substrate 8 is stable and within a predetermined range. In this case, the occurrence of bridges can be more reliably prevented.

上記実施形態によれば、基板支持部材36Bおよび基板押さえ74により基板8を適切な位置(基準位置)でしっかりと拘束した状態でバッチ処理を行うことができる。ブリッジが発生すると、基板8の処理結果(例えばエッチング量)の面内均一性および面間均一性が低下するおそれがあるが、本実施形態によればそのようなことはない。 According to the above embodiment, batch processing can be performed with the substrate 8 firmly held in an appropriate position (reference position) by the substrate support member 36B and the substrate presser 74. If bridging occurs, there is a risk that the in-plane and inter-plane uniformity of the processing results (e.g., etching amount) of the substrate 8 will decrease, but this does not happen according to this embodiment.

上記実施形態では、基板位置判定においてブリッジの有無のみを考慮したが、これには限定されない。基板位置判定において、各基板8の基準X座標と実際X座標との偏差を個別に判定してもよい。各基板8の基準X座標は、当該基板8が係合すべき基板支持部材36Bの基板保持溝36BGのX座標(あるいは基板押さえ74の基板保持溝74GのX座標)に等しい。各基板8についてそれぞれ、基準X座標と実際X座標との偏差を求め、1つ以上の基板8において偏差が予め定められた閾値を超えた場合に、不適切な基板保持状態が生じているものと判定してもよい。 In the above embodiment, only the presence or absence of a bridge is taken into consideration in determining the substrate position, but this is not limited to the above. In determining the substrate position, the deviation between the reference X coordinate and the actual X coordinate of each substrate 8 may be determined individually. The reference X coordinate of each substrate 8 is equal to the X coordinate of the substrate holding groove 36BG of the substrate support member 36B with which the substrate 8 should engage (or the X coordinate of the substrate holding groove 74G of the substrate holder 74). The deviation between the reference X coordinate and the actual X coordinate may be determined for each substrate 8, and if the deviation exceeds a predetermined threshold value for one or more substrates 8, it may be determined that an inappropriate substrate holding state is occurring.

上記実施形態では、全ての基板8を撮像して全ての基板8に対して位置判定を行っていたが、一部の基板のみを撮像して一部の基板8のみに対して位置判定を行ってもよい。内槽34Aおよびノズル類の配置により、特定の場所にある基板8にのみ位置ずれが発生する場合もあるが、そのような場合には、一部の基板のみを対象とした撮像および基板位置判定を行ってもよい。このために、過去の基板位置判定に基づいてカメラ90の撮像範囲を自動調整する機能を設けてもよい。このようにすることにより、演算処理の負担を軽減することができ、基板位置判定の精度を向上させることもできる。 In the above embodiment, images of all boards 8 were taken and position determination was performed for all boards 8, but images of only some of the boards may be taken and position determination performed for only some of the boards 8. Due to the arrangement of the inner tank 34A and the nozzles, position deviation may occur only in boards 8 located in specific locations. In such cases, images may be taken and board position determination may be performed for only some of the boards. For this reason, a function may be provided that automatically adjusts the imaging range of the camera 90 based on past board position determinations. In this way, the burden of calculation processing can be reduced and the accuracy of board position determination can be improved.

上記実施形態においては、カメラが内槽34Aの上部開口の上方に配置され、第1蓋体71を開放位置に位置させた状態で基板8の撮影が行われている。つまり、物体から出射された物体光(照明92からの照明光が基板8で反射した後にカメラ90へ向かう光)は、処理槽34の構成部材または蓋体71,72を通過することなくカメラ90に入射する。つまり、物体光は、実質的に処理液中を通過するときと、処理液の液面(気液界面)を通過するときに乱されるだけである。上記実施形態の図示された構成より明らかなように、基板8の基板位置判定に関与する部分(上部周縁部)から処理液の液面までの距離は比較的小さい。このため、基板位置判定を支障無く実行できる程度の鮮明度を有する画像をカメラ90により撮像することができる。 In the above embodiment, the camera is placed above the upper opening of the inner tank 34A, and the substrate 8 is photographed with the first lid 71 in the open position. That is, the object light emitted from the object (light from the light source 92 reflected by the substrate 8 and directed toward the camera 90) enters the camera 90 without passing through the components of the processing tank 34 or the lids 71 and 72. That is, the object light is only disturbed when it passes through the processing liquid and when it passes through the liquid surface (gas-liquid interface) of the processing liquid. As is clear from the illustrated configuration of the above embodiment, the distance from the part of the substrate 8 involved in the substrate position determination (upper periphery) to the liquid surface of the processing liquid is relatively small. Therefore, the camera 90 can capture an image with a clarity that allows the substrate position determination to be performed without any problems.

なお、図3に示すように第1蓋体71が閉鎖位置に位置しているときに第1蓋体71が処理液の液面に密接し、かつ第1蓋体71が石英等の透明材料で形成されているなら、第1蓋体71を閉鎖位置に位置させても基板位置判定を支障無く実行できる程度の鮮明度を有する画像をカメラ90により撮像することができる場合もある。このような場合、第1蓋体71が閉鎖位置に位置させた状態で得られた画像に基づいて基板位置判定を行ってもよい。 Note that, as shown in FIG. 3, if the first lid 71 is in close contact with the surface of the processing liquid when the first lid 71 is in the closed position, and if the first lid 71 is made of a transparent material such as quartz, the camera 90 may be able to capture an image with sufficient clarity to allow substrate position determination to be performed without hindrance even when the first lid 71 is in the closed position. In such a case, the substrate position determination may be performed based on an image obtained when the first lid 71 is in the closed position.

また、処理槽34が透明ならば、処理槽34の下方から基板8を撮像してもよい。この場合、基板支持部材36Bにおけるジャンプスロットの有無を判定することができる。ここで言うジャンプスロットとは、例えば、基板を勢いよく処理液中に沈めたときに、基板8に上向きの力がかかり、基板8の下側周縁部が基板支持部材36Bの基板保持溝36BGから外れて、基板8が不適切な位置に移動することを意味している。なお、通常、処理槽34の下方の空間には、液供給ライン、排液ラインおよびこれらラインに付設された各種機器類が設けられるが、これらラインおよび機器類は撮像の邪魔にならないように配置することが好ましい。 If the processing tank 34 is transparent, the substrate 8 may be imaged from below the processing tank 34. In this case, the presence or absence of a jump slot in the substrate support member 36B can be determined. The jump slot here means that, for example, when the substrate is forcefully submerged in the processing liquid, an upward force is applied to the substrate 8, causing the lower peripheral portion of the substrate 8 to come out of the substrate holding groove 36BG of the substrate support member 36B, and the substrate 8 to move to an inappropriate position. Note that, typically, a liquid supply line, a drainage line, and various devices attached to these lines are provided in the space below the processing tank 34, but it is preferable to position these lines and devices so as not to interfere with imaging.

また、処理槽34が透明ならば(例えば処理槽が石英製の場合)、カメラ90が内槽34Aの側方から基板8を撮像してもよい。この場合、より鮮明な画像を得るという観点から、図16に示すように、外槽(34B)が内槽(34A)の上部のみを取り囲むタイプの処理槽を用いることができる。この場合、カメラ90を、カメラレンズが内槽34Aの側面に密着するように設けても良い。なお、基板位置判定を支障無く実行できる程度の鮮明度を有する画像を得ることができるのであれば、外槽(34B)および内槽(34A)を介して基板8の画像を撮像してもよい。 If the processing tank 34 is transparent (for example, if the processing tank is made of quartz), the camera 90 may capture an image of the substrate 8 from the side of the inner tank 34A. In this case, from the viewpoint of obtaining a clearer image, a processing tank in which the outer tank (34B) surrounds only the upper part of the inner tank (34A) can be used, as shown in FIG. 16. In this case, the camera 90 may be installed so that the camera lens is in close contact with the side of the inner tank 34A. Note that, if an image with sufficient clarity that the substrate position determination can be performed without any problems can be obtained, an image of the substrate 8 may be captured through the outer tank (34B) and the inner tank (34A).

基板8の保持のための基板押さえ(74)を用いないで基板支持部材(36B)により基板を下方から支持しただけの状態で基板の処理が行われるタイプの基板液処理装置も存在する。この場合、処理液を勢いよく沸騰させた場合、あるいはバブリングのために勢いよくガスを吐出させた場合に、基板が基板支持部材から浮き上がり、ジャンプスロットが生じることがある。このようなジャンプスロットの発生も、処理槽34の側方または下方に設けたカメラにより撮像した映像に基づいて上記と同様の基板位置判定を行うことにより検出することができる。 There is also a type of substrate liquid processing apparatus in which the substrate is processed while being supported only from below by the substrate support member (36B) without using a substrate presser (74) to hold the substrate 8. In this case, if the processing liquid is boiled vigorously or if gas is ejected vigorously for bubbling, the substrate may float up from the substrate support member, resulting in a jump slot. The occurrence of such a jump slot can also be detected by performing the same substrate position determination as above based on an image captured by a camera installed to the side or below the processing tank 34.

また、液中から引き上げられた基板支持部材36Bに保持された基板8の位置を確認するためのカメラを追加で設けてもよい。これにより、基板の処理中に生じた基板の位置ずれ、あるいは基板を処理液から引き上げるときに生じた基板の位置ずれを検出することができる。 A camera may also be provided to confirm the position of the substrate 8 held by the substrate support member 36B that has been pulled out of the liquid. This makes it possible to detect any misalignment of the substrate that occurs during substrate processing or when the substrate is pulled out of the processing liquid.

上記実施形態では処理液がリン酸水溶液であったが、これに限定されるものではなく、例えば、SC1やリン酸水溶液に酢酸等の添加物を混合した処理液を用いてもよい。また、上記実施形態では、エッチングされる膜をシリコン窒化膜としていたが、これに限らず、その他のエッチング対象となる膜であってもよい。また、処理槽内で基板に施される処理は、エッチング工程を含んでいなくてもよく、洗浄工程のみを含むものであってもよい。すなわち、処理槽において、処理液の液面から飛沫が生じるような条件で処理を行う場合に、本発明は適用される。基板は、半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス、セラミック等の他の材料からなる基板であってもよい。 In the above embodiment, the processing liquid is an aqueous phosphoric acid solution, but this is not limited thereto. For example, a processing liquid obtained by mixing additives such as acetic acid with SC1 or an aqueous phosphoric acid solution may be used. In the above embodiment, the film to be etched is a silicon nitride film, but this is not limited thereto and other films may be etched. The processing performed on the substrate in the processing tank may not include an etching process, and may include only a cleaning process. In other words, the present invention is applicable when processing is performed in the processing tank under conditions that cause splashes from the surface of the processing liquid. The substrate is not limited to a semiconductor wafer, but may be a substrate made of other materials such as glass or ceramic.

なお、明細書中において部材の前に付けられた「第1(の)」、「第2(の)」といった序数と、特許請求の範囲に記載された構成要素の前に付けられた序数とが必ずしも一致していないことに注意されたい(例えば「蓋体」について)。 Please note that the ordinal numbers such as "first" and "second" placed before the components in the specification do not necessarily match the ordinal numbers placed before the components described in the claims (for example, "lid body").

34、34A 処理槽
36B 基板支持部材
36 昇降機構
90 撮像部
94 基板位置判定部
7 制御部
34, 34A Processing tank 36B Substrate support member 36 Lifting mechanism 90 Imaging unit 94 Substrate position determination unit 7 Control unit

Claims (19)

基板液処理装置であって、
基板搬出入用の上部開口を有し、処理液を貯留する処理槽と、
複数の基板を、鉛直姿勢で、水平方向に予め定められた間隔を空けて並べて支持する基板支持部材と、
前記基板支持部材を、前記上部開口を通して、前記処理槽内の処理位置と、前記処理槽の上方の退避位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記処理槽に貯留された処理液内で前記処理位置にある前記基板支持部材により支持された前記複数の基板を撮像しうる位置に設けられた撮像部と、
前記処理槽に貯留された処理液内で前記処理位置にある前記基板支持部材により支持された前記複数の基板を前記撮像部により撮像することにより得られた画像データに基づいて、前記処理槽に貯留された処理液内で前記基板支持部材により支持されている前記複数の基板の実際位置と前記基板の存在すべき基準位置との偏差が許容範囲にあるか否かを判定する基板位置判定を行う基板位置判定部と、
前記基板液処理装置の動作を制御する制御部と、
を備えた基板液処理装置。
A substrate liquid processing apparatus, comprising:
a processing tank having an upper opening for loading and unloading a substrate and storing a processing liquid;
a substrate support member that supports a plurality of substrates in a vertical position and arranged at predetermined intervals in the horizontal direction;
a lifting mechanism that lifts and lowers the substrate support member between a processing position in the processing tank and a retreat position above the processing tank through the upper opening;
an imaging unit provided at a position capable of imaging the plurality of substrates supported by the substrate support member at the processing position in the processing liquid stored in the processing tank;
a substrate position determination unit that performs substrate position determination to determine whether or not a deviation between an actual position of the plurality of substrates supported by the substrate support member in the processing liquid stored in the processing tank and a reference position where the substrate should be located is within an allowable range based on image data obtained by imaging the plurality of substrates supported by the substrate support member at the processing position in the processing liquid stored in the processing tank with the imaging unit;
A control unit for controlling an operation of the substrate liquid processing apparatus;
A substrate liquid processing apparatus comprising:
前記基板支持部材は、前記各基板が上方向に変位可能なように、前記各基板の下半部の周縁部を下方から支持するように構成されており、
前記基板液処理装置は、
前記上部開口の少なくとも一部を閉鎖することができる第1蓋体と、
前記第1蓋体を開閉させる第1蓋体開閉機構と、
前記第1蓋体に設けられた基板押さえ部材であって、前記複数の基板を支持した基板支持部材を前記処理位置に位置させ、かつ、前記第1蓋体を閉鎖位置に位置させたときに、前記基板支持部材により支持されている前記各基板の上半部の周縁部と係合して、前記各基板の上方向の変位を防止するとともに前記水平方向の変位も防止する、前記基板押さえ部材と、
をさらに備えた、請求項1に記載の基板液処理装置。
the substrate support member is configured to support a peripheral portion of a lower half of each of the substrates from below so that each of the substrates is displaceable upward;
The substrate liquid processing apparatus includes:
A first cover capable of closing at least a portion of the upper opening;
a first cover opening/closing mechanism for opening and closing the first cover;
a substrate pressing member provided on the first lid, the substrate pressing member engaging with a peripheral portion of an upper half of each of the substrates supported by the substrate support member when the substrate support member supporting the substrates is positioned at the processing position and the first lid is positioned at the closed position, thereby preventing the substrates from being displaced upward and also in the horizontal direction;
The substrate liquid processing apparatus of claim 1 further comprising:
前記制御部は、
前記複数の基板を支持した基板支持部材を前記処理槽に貯留された処理液に沈めた後であって前記第1蓋体を閉じる前の第1のタイミング、および、
前記複数の基板を支持した基板支持部材を前記処理槽に貯留された処理液に沈めた後であって前記第1蓋体を閉じた後の第2のタイミング、
のうちの少なくとも一方のタイミングで撮像された基板の画像データに基づいて前記基板位置判定部に前記基板位置判定を行わせる、請求項2に記載の基板液処理装置。
The control unit is
a first timing after a substrate support member supporting the plurality of substrates is submerged in the processing liquid stored in the processing tank and before the first lid is closed; and
a second timing after the substrate support member supporting the plurality of substrates is submerged in the processing liquid stored in the processing tank and after the first lid is closed;
The substrate liquid processing apparatus according to claim 2 , wherein the substrate position determination section determines the substrate position based on image data of the substrate captured at at least one of the timings.
前記基板位置判定部は前記第1のタイミングで撮像された基板の画像データに基づいて前記基板位置判定を行い、前記偏差が前記許容範囲内にあると前記基板位置判定部が判定した場合に、前記制御部は前記第1蓋体開閉機構により前記第1蓋体を閉鎖位置に移動させる、請求項3に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate position determination unit determines the substrate position based on image data of the substrate captured at the first timing, and when the substrate position determination unit determines that the deviation is within the allowable range, the control unit moves the first lid to a closed position using the first lid opening/closing mechanism. 前記基板位置判定部は前記第2のタイミングで撮像された基板の画像データに基づいて前記基板位置判定を行い、前記偏差が前記許容範囲内にないと前記基板位置判定部が判定した場合に、前記制御部は、前記第1蓋体を開いてその後再び前記第1蓋体を閉鎖位置に移動させる開閉操作を前記第1蓋体開閉機構に実行させる、請求項3または4に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein the substrate position determination unit performs substrate position determination based on image data of the substrate captured at the second timing, and when the substrate position determination unit determines that the deviation is not within the allowable range, the control unit causes the first lid opening/closing mechanism to perform an opening/closing operation to open the first lid and then move the first lid to a closed position again. 前記制御部は、前記基板位置判定の結果に応じて、前記第1蓋体開閉機構に、前記開閉操作を、前記第1蓋体を最後に閉鎖位置に移動させた後における前記偏差が前記許容範囲内に収まるようになるまで予め定められた回数を上限として繰り返し実行させる、請求項5に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 5, wherein the control unit causes the first lid opening/closing mechanism to repeatedly perform the opening/closing operation up to a predetermined number of times depending on the result of the substrate position determination until the deviation after the first lid is last moved to the closed position falls within the allowable range. 前記制御部は、前記第1蓋体が開かれてその後再び前記第1蓋体が閉鎖位置に移動させられるまでの間に、前記昇降機構により前記基板支持部材を昇降させて前記基板支持部材により支持された前記基板を揺する、請求項5または6に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the control unit causes the lifting mechanism to lift and lower the substrate support member and rock the substrate supported by the substrate support member during the period from when the first lid body is opened until the first lid body is moved to the closed position again. 前記処理位置にある前記基板支持部材の下方において前記処理槽内に設けられ、バブリング用のガスを吐出するガスノズルと、
前記ガスノズルにガスを供給するガス供給機構と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記ガス供給機構を制御して、前記第1蓋体が開かれてその後再び前記第1蓋体が閉鎖位置に移動させられるまでの間に、前記ガスノズルからのバブリング用のガスの吐出を停止させる、請求項5または6に記載の基板液処理装置。
a gas nozzle provided in the processing tank below the substrate support member at the processing position and configured to eject a bubbling gas;
a gas supply mechanism for supplying gas to the gas nozzle;
Further equipped with
7. The substrate liquid processing apparatus of claim 5, wherein the control unit controls the gas supply mechanism to stop ejection of bubbling gas from the gas nozzle between the time when the first lid body is opened and the time when the first lid body is moved to a closed position again.
前記上部開口は、第1の領域および第2の領域からなり、前記第1蓋体は前記第1の領域を閉鎖することができるように設けられ、
前記基板液処理装置は、
前記第2の領域を閉鎖することができるように設けられた第2蓋体と、
前記第2蓋体を開閉させる第2蓋体開閉機構と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記第2のタイミングで基板の撮像を行うときに、前記第2蓋体開閉機構により前記第2蓋体を開いた状態とし、前記上部開口の前記第2の領域を介して前記基板の撮像が行われるようにする、請求項5に記載の基板液処理装置。
the upper opening is composed of a first region and a second region, and the first lid is provided so as to be able to close the first region;
The substrate liquid processing apparatus includes:
a second cover provided so as to be able to close the second region;
a second cover opening/closing mechanism for opening and closing the second cover;
Further equipped with
6. The substrate liquid processing apparatus of claim 5, wherein when imaging the substrate at the second timing, the control unit causes the second lid to be in an open state using the second lid opening/closing mechanism, and images of the substrate are captured through the second region of the upper opening.
前記処理位置にある前記基板支持部材の下方において前記処理槽内に設けられ、バブリング用のガスを吐出するガスノズルと、
前記ガスノズルにガスを供給するガス供給機構と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記ガス供給機構を制御して、前記基板支持部材により支持された前記複数の基板が前記処理槽に貯留された処理液中に沈められた後、前記第1蓋体が閉鎖位置に移動させられるまでは前記ガスノズルからのバブリング用のガスの吐出を停止させ、前記第1蓋体が閉鎖位置に移動した後に前記ガスノズルからバブリング用のガスを吐出させる、請求項2に記載の基板液処理装置。
a gas nozzle provided in the processing tank below the substrate support member at the processing position and configured to eject a bubbling gas;
a gas supply mechanism for supplying gas to the gas nozzle;
Further equipped with
3. The substrate liquid processing apparatus of claim 2, wherein the control unit controls the gas supply mechanism to stop ejecting bubbling gas from the gas nozzle until the first lid body is moved to a closed position after the plurality of substrates supported by the substrate support member are submerged in the processing liquid stored in the processing tank, and to eject bubbling gas from the gas nozzle after the first lid body is moved to the closed position.
前記基板位置判定部は、前記基板位置判定において、前記基板支持部材により支持されている前記複数の基板のうちの少なくとも隣接する2つの基板の間の距離が予め定められた閾値よりも小さいときに、前記偏差が許容範囲にないと判定する、偏差が許容範囲にないと判定する、請求項2に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate position determination unit determines that the deviation is not within an acceptable range when the distance between at least two adjacent substrates among the plurality of substrates supported by the substrate support member is smaller than a predetermined threshold value in the substrate position determination. 前記基板位置判定部は、前記基板位置判定において、前記基板支持部材により支持されている各基板における前記基準位置と前記実際位置との偏差を個別に求め、各基板に対して個別に前記偏差が許容範囲にあるか否かを判定する、請求項2に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 2, wherein the substrate position determination unit, in the substrate position determination, determines the deviation between the reference position and the actual position of each substrate supported by the substrate support member individually, and determines whether the deviation is within an allowable range for each substrate individually. 前記撮像部は、前記処理位置にある前記基板支持部材により保持された前記複数の基板の実質的にAPEXのみが画像上に現れるような方向から前記複数の基板を撮影するような位置に設けられている、請求項1から12のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 12, wherein the imaging unit is provided at a position that captures an image of the plurality of substrates from a direction in which substantially only the APEX of the plurality of substrates held by the substrate support member at the processing position appears on the image. 前記撮像部が前記基板を撮像するために必要な照明光を照射する照明ユニットをさらに備え、前記照明ユニットは前記APEXが最も明るく写るように前記照明光を照射し得る位置に配置されている、請求項13に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 13, further comprising an illumination unit that irradiates illumination light necessary for the imaging unit to image the substrate, and the illumination unit is disposed at a position where the illumination light can be irradiated so that the APEX is most brightly imaged. 前記基板位置判定部は、前記撮像部により取得された画像中において輝度のピークを呈する位置に各基板のAPEXが存在すると見なし、各ピークの位置を各基板の前記実際位置と見なして前記基板位置判定を行うように構成されている、請求項13または14に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to claim 13 or 14, wherein the substrate position determination unit is configured to determine the substrate position by regarding the APEX of each substrate as being present at a position exhibiting a luminance peak in the image acquired by the imaging unit, and regarding the position of each peak as the actual position of each substrate. 前記撮像部は、1つ以上のカメラを含み、前記1つ以上のカメラは、前記処理槽の上方の位置、前記処理槽の側方の位置および前記処理槽の下方の位置の1つ以上の位置に設けられている、請求項1から15うちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 15, wherein the imaging unit includes one or more cameras, and the one or more cameras are provided at one or more positions above the processing tank, to the side of the processing tank, and below the processing tank. 前記撮像部は、前記基板支持部材により支持された前記複数の基板の配列方向に沿って配置された撮像素子を有するリニアイメージセンサを含む、請求項1から15のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 15, wherein the imaging unit includes a linear image sensor having imaging elements arranged along the arrangement direction of the plurality of substrates supported by the substrate support member. 前記基板位置判定部により、隣接する2つの基板が接触したと判断された場合には、前記制御部は、当該2つの基板の各々を、他の基板と接触歴のある基板として記憶する、請求項1から17のうちのいずれか一項に記載の基板液処理装置。 The substrate liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 17, wherein, when the substrate position determination unit determines that two adjacent substrates have come into contact, the control unit stores each of the two substrates as a substrate that has come into contact with another substrate. 基板搬出入用の上部開口を有し、処理液を貯留する処理槽と、複数の基板を、鉛直姿勢で、水平方向に予め定められた間隔を空けて並べて支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を、前記上部開口を通して、前記処理槽内の処理位置と、前記処理槽の上方の退避位置との間で昇降させる昇降機構と、を備えた基板液処理装置を用いて行われる基板液処理方法において、
撮像部により、前記処理槽に貯留された処理液内で前記基板支持部材により支持された前記複数の基板を撮像することと、
前記撮像部が撮像した画像データに基づいて、前記基板支持部材により支持されている前記複数の基板の実際位置と前記基板の存在すべき基準位置との偏差が許容範囲にあるか否かを判定する基板位置判定を、基板位置判定部により行うことと、
前記基板位置判定の結果に応じて、制御部により、前記基板液処理装置の動作を制御することと、
を備えた基板液処理方法。
A substrate liquid processing method using a substrate liquid processing apparatus comprising: a processing tank having an upper opening for loading and unloading a substrate and storing a processing liquid; a substrate support member supporting a plurality of substrates in a vertical position and arranged at predetermined intervals in a horizontal direction; and a lifting mechanism for lifting and lowering the substrate support member through the upper opening between a processing position in the processing tank and a retreat position above the processing tank,
capturing images of the substrates supported by the substrate support member in the processing liquid stored in the processing tank by an imaging unit;
a substrate position determination unit performs substrate position determination to determine whether or not a deviation between an actual position of the plurality of substrates supported by the substrate support member and a reference position where the substrate should be located is within an allowable range based on image data captured by the imaging unit;
controlling an operation of the substrate liquid processing apparatus by a control unit according to a result of the substrate position determination;
A substrate liquid processing method comprising the steps of:
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