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JP7640258B2 - Metallic material and joint comprising said metallic material and substrate - Google Patents
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JP7640258B2 - Metallic material and joint comprising said metallic material and substrate - Google Patents

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Description

本発明は、金属材料ならびに該金属材料と基材とを備えた接合体に関する。 The present invention relates to a metal material and a bonded body comprising the metal material and a substrate.

近年、金属を主体とする層(以下、単に「金属層」ともいう)どうしが中間層を介して積層された材料が、半導体分野において広く用いられている。例えば、下記特許文献1には、半導体装置の製造工程でウェーハ等を載置して固定する静電チャックが開示されており、かかる静電チャックは、タングステン層および銀ろうがニッケルめっき層を介して積層された材料を備える旨、記載されている。 In recent years, materials in which metal-based layers (hereinafter simply referred to as "metal layers") are laminated with an intermediate layer between them have been widely used in the semiconductor field. For example, the following Patent Document 1 discloses an electrostatic chuck on which a wafer or the like is placed and fixed during the manufacturing process of a semiconductor device, and describes that such an electrostatic chuck comprises a material in which a tungsten layer and a silver solder are laminated with a nickel-plated layer between them.

特開2010-103393号公報JP 2010-103393 A

ところで、本発明者らの検討によると、金属層どうしがニッケルめっき層を介して積層された場合、ニッケルめっき層の硬くて脆いという性質により、該金属層どうしの密着性が低いことが分かった。
そこで、本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、金属層どうしが中間層を介して密着性高く積層された金属材料を提供することである。また、かかる金属材料と基材とを備える接合体を提供することである。
However, according to the inventors' investigations, it was found that when metal layers are laminated together via a nickel plating layer, the adhesion between the metal layers is low due to the hard and brittle nature of the nickel plating layer.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a metal material in which metal layers are laminated with high adhesion via an intermediate layer, and to provide a joined body including such a metal material and a substrate.

かかる目的を実現するべく、本発明は、ニッケルを含む金属層と、該金属層上に形成された、NiOを主体とする酸化物層と、該酸化物層上に形成された、貴金属微粒子からなる貴金属微粒子焼結体層とを備えた積層構造を有する金属材料を提供する。 To achieve this objective, the present invention provides a metal material having a laminated structure including a metal layer containing nickel, an oxide layer mainly composed of NiO formed on the metal layer, and a precious metal microparticle sintered body layer made of precious metal microparticles formed on the oxide layer.

本発明者は、タングステンを主体として構成される基材上に、ニッケル微粒子を含むペースト状(スラリー状、インク状を包含する。以下同様。)の組成物を塗布し、乾燥させた後、還元雰囲気下、1000℃で焼成することによりニッケルを含む金属層を得た後、該金属層上に貴金属微粒子を含むペーストを塗布し、乾燥させた後、焼成することにより、当該金属層および貴金属微粒子焼結体層が、NiOを主体とする酸化物層を介して密着性高く積層された金属材料が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。 The inventors discovered that a metal material can be obtained in which the metal layer and the sintered precious metal particle layer are laminated with high adhesion via an oxide layer mainly made of NiO by applying a paste-like (including slurry and ink-like; the same applies below) composition containing nickel fine particles to a substrate mainly made of tungsten, drying the composition, and then firing the composition at 1000°C in a reducing atmosphere to obtain a metal layer containing nickel, and then applying a paste containing precious metal fine particles to the metal layer, drying the composition, and then firing the composition, thereby completing the present invention.

ここで開示される金属材料の好ましい一態様において、上記金属層はニッケル-タングステン合金を含む。
従来、ニッケル-タングステン合金(即ち、ニッケルおよびタングステンから構成された金属間化合物)が生じると、その部分が脆くなるため好ましくないとされてきたが、ここで開示される技術によると、ニッケル-タングステン合金を含む金属層が、NiOを主体とする酸化物層を介して貴金属微粒子焼結体層と密着性高く積層された金属材料を提供することができる。
In one preferred embodiment of the metallic material disclosed herein, the metallic layer comprises a nickel-tungsten alloy.
Conventionally, the formation of a nickel-tungsten alloy (i.e., an intermetallic compound composed of nickel and tungsten) has been considered undesirable because it makes that portion brittle. However, according to the technology disclosed herein, it is possible to provide a metal material in which a metal layer containing a nickel-tungsten alloy is laminated with high adhesion to a precious metal fine particle sintered body layer via an oxide layer mainly composed of NiO.

ここで開示される金属材料の好ましい一態様において、上記ニッケル-タングステン合金はNiWを含む。
上述したような理由により、NiWを含むニッケル-タングステン合金は、ここで開示される技術を適応する対象として好適である。
In a preferred embodiment of the metallic material disclosed herein, the nickel-tungsten alloy includes Ni 4 W.
For the reasons described above, nickel-tungsten alloys including Ni 4 W are suitable targets for application of the technology disclosed herein.

ここで開示される金属材料の好ましい一態様において、上記貴金属微粒子焼結体層を構成する貴金属微粒子の主構成金属元素は金(Au)である。
金(Au)は、熱伝導性、電気伝導性等に優れているため、金微粒子焼結体層を備えた金属材料は、種々の工業製品に用いることができるため有用である。
In a preferred embodiment of the metallic material disclosed herein, the main constituent metallic element of the noble metal fine particles constituting the noble metal fine particle sintered layer is gold (Au).
Gold (Au) has excellent thermal conductivity, electrical conductivity, and the like, and therefore metal materials having a gold fine particle sintered body layer are useful because they can be used in various industrial products.

また、上記目的を実現する一つの側面において、ここで開示される金属材料と基材とを備えた接合体が提供される。
かかる接合体は、種々の工業製品に用いることができるため有用である。
In one aspect for achieving the above object, there is provided a joined body comprising the metal material disclosed herein and a substrate.
Such a bonded article is useful since it can be used in various industrial products.

ここで開示される接合体の好ましい一態様においては、上記基材がタングステンを主体として構成される。
かかる構成の接合体は、半導体製品等に好適に用いることができる。
In a preferred embodiment of the joint disclosed herein, the substrate is mainly composed of tungsten.
A bonded body having such a structure can be suitably used in semiconductor products and the like.

かかる態様の接合体において、好ましくは基材および上記金属材料の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が存在し、ここで、該拡散層において、該拡散層に含まれるニッケル量が、当該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分が存在する。 In such a bonded body, a diffusion layer in which nickel is diffused into a tungsten matrix is preferably present between the substrate and the metal material, and the diffusion layer includes a portion in which the amount of nickel contained in the diffusion layer is at least 2 atomic % when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %.

本発明者は、タングステンを主体として構成される基材上に、ニッケル微粒子を含むペーストを塗布し、乾燥させた後、還元雰囲気下、1000℃で焼成することでニッケルを含む金属層を得た際に、該基材および該金属層の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が存在し、該拡散層中にはニッケルが少なくとも2原子%含有される部分が存在することを見出した。なお、タングステンマトリックス中にニッケルが2原子%以上拡散している態様は、これまでに報告されておらず、今回初めて実現されたものである。 The inventors discovered that when a paste containing nickel fine particles is applied to a substrate mainly composed of tungsten, dried, and then fired at 1000°C in a reducing atmosphere to obtain a metal layer containing nickel, a diffusion layer in which nickel is diffused into the tungsten matrix exists between the substrate and the metal layer, and that the diffusion layer contains a portion containing at least 2 atomic % nickel. Note that an embodiment in which nickel is diffused at 2 atomic % or more into a tungsten matrix has not been reported until now, and this is the first time that such a case has been realized.

また、かかる態様の接合体において、好ましくは上記拡散層に含まれるニッケル量が、該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計を100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分の厚みが、5nmまたはそれ以上である部分が存在する。
かかる構成によると、基材上に金属層がより密着性高く形成された接合体を得ることができる。
In the joined body of this embodiment, preferably, there is a portion in which the amount of nickel contained in the diffusion layer is at least 2 atomic %, when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %, and the portion has a thickness of 5 nm or more.
According to this configuration, a bonded body can be obtained in which a metal layer is formed on a base material with higher adhesion.

一実施形態に係る金属材料の構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a metal material according to an embodiment. 一実施形態に係る接合体の構成を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a bonded body according to an embodiment. 実施例1に係る金属材料におけるFIB処理の態様を示すHAADF-STEM観察画像(1万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (10,000x magnification) showing the FIB treatment of the metal material of Example 1. 実施例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片におけるTEM-EDX元素マッピングの結果を示すHAADF-STEM観察画像(3万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (30,000x) showing the results of TEM-EDX elemental mapping of a thin section obtained after FIB processing of the metal material of Example 1. 実施例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(50万倍)と、該観察画像中のライン部分PにおけるTEM-EDXライン分析の結果を示すグラフである。1 is a graph showing a HAADF-STEM observation image (500,000 times magnification) of a thin section obtained after FIB processing of the metal material of Example 1, and the results of a TEM-EDX line analysis of a line portion P in the observation image. 図5のグラフのS部分を構成する生データを掲載した表である。6 is a table listing the raw data making up part S of the graph in FIG. 5 . 実施例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(3万倍)と、該観察画像中のA領域およびB領域における電子回折図形である。1 shows an HAADF-STEM observation image (30,000x magnification) of a thin piece obtained after FIB processing of the metal material of Example 1, and electron diffraction patterns in areas A and B in the observation image. 実施例1に係る接合体が備える金属材料のFE-SEM観察画像(2万倍)である。1 is an FE-SEM observation image (20,000 times) of a metal material included in a joint body according to Example 1. 実施例1に係る接合体が備える金属材料のFE-SEM観察画像(10万倍)である。1 is an FE-SEM observation image (100,000 times) of a metal material included in a joint body according to Example 1. 比較例1に係る金属材料におけるFIB処理の態様を示すHAADF-STEM観察画像(1万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (10,000x magnification) showing the state of FIB processing on a metal material according to Comparative Example 1. 比較例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片におけるTEM-EDX元素マッピングの結果を示すHAADF-STEM観察画像(3万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (30,000x) showing the results of TEM-EDX elemental mapping of a thin section obtained after FIB processing of the metal material according to Comparative Example 1. 比較例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(50万倍)と、該観察画像中のライン部分QにおけるTEM-EDXライン分析の結果を示すグラフである。1 is a graph showing a HAADF-STEM observation image (500,000 times magnification) of a thin section obtained after FIB processing of a metal material in Comparative Example 1, and the results of a TEM-EDX line analysis of a line portion Q in the observation image. 図12のグラフのT部分を構成する生データを掲載した表である。13 is a table listing the raw data making up portion T of the graph in FIG. 12. 比較例1に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(3万倍)と、該観察画像中のA領域およびB領域における電子回折図形である。1 shows a HAADF-STEM observation image (30,000x magnification) of a thin piece obtained after FIB treatment of the metal material of Comparative Example 1, and electron diffraction patterns in areas A and B in the observation image. 比較例2に係る金属材料におけるFIB処理の態様を示すHAADF-STEM観察画像(1万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (10,000x) showing the state of FIB processing on a metal material according to Comparative Example 2. 比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片におけるTEM-EDX元素マッピングの結果を示すHAADF-STEM観察画像(3万倍)である。1 is a HAADF-STEM observation image (30,000x) showing the results of TEM-EDX elemental mapping of a thin section obtained after FIB processing of a metal material according to Comparative Example 2. 比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(50万倍)と、該観察画像中のライン部分RにおけるTEM-EDXライン分析の結果を示すグラフである。1 is a graph showing a HAADF-STEM observation image (500,000 times magnification) of a thin section obtained after FIB processing of a metal material according to Comparative Example 2, and the results of a TEM-EDX line analysis of a line portion R in the observation image. 図17のグラフのU部分を構成する生データを掲載した表である。18 is a table listing the raw data making up part U of the graph in FIG. 17. 比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(3万倍)と、該観察画像中のA領域およびB領域における電子回折図形である。1 shows a HAADF-STEM observation image (30,000x magnification) of a thin piece obtained after FIB treatment of the metal material of Comparative Example 2, and electron diffraction patterns in areas A and B in the observation image.

以下、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。なお、以下の実施形態は、ここで開示される技術をかかる実施形態に限定することを意図したものではない。また、本明細書にて示す図面では、同じ作用を奏する部材・部位に同じ符号を付して説明している。そして、各図における寸法関係(長さ、幅、厚さ等)は実際の寸法関係を反映するものではない。
なお、本明細書および特許請求の範囲において、所定の数値範囲をA~B(A、Bは任意の数値)と記すときは、A以上B以下の意味である。したがって、Aを上回り且つBを下回る場合を包含する。
A preferred embodiment of the present invention will be described below. Matters other than those specifically mentioned in this specification and necessary for carrying out the present invention can be understood as design matters of a person skilled in the art based on the conventional technology in the field. The present invention can be carried out based on the contents disclosed in this specification and the technical common sense in the field. The following embodiments are not intended to limit the technology disclosed herein to such embodiments. In addition, in the drawings shown in this specification, the same reference numerals are used to describe members and parts that perform the same function. The dimensional relationships (length, width, thickness, etc.) in each drawing do not reflect the actual dimensional relationships.
In this specification and claims, when a certain numerical range is described as A to B (A and B are arbitrary numerical values), it means A or more and B or less. Therefore, it includes the case where it is greater than A and less than B.

<金属材料の構成>
図1は、一実施形態に係る金属材料1の構成を示す模式図である。図1に示すように、金属材料1は、大まかにいって、金属層4と、該金属層上に形成された酸化物層3と、該酸化物層上に形成された貴金属微粒子焼結体層2とを備える。以下、各構成要素について説明する。
<Composition of Metal Materials>
Fig. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a metal material 1 according to one embodiment. As shown in Fig. 1, the metal material 1 roughly comprises a metal layer 4, an oxide layer 3 formed on the metal layer, and a noble metal fine particle sintered body layer 2 formed on the oxide layer. Each component will be described below.

<金属層>
金属層4は、ニッケルを含む層である。また、金属層4は、ニッケル-タングステン合金を含んでいてもよい。かかるニッケル-タングステン合金としては、例えばNiW、NiW、NiW等が挙げられる。
ここで、金属層4の一態様として、上述したようなニッケル-タングステン合金の層に加えて、さらにニッケル層を含んでいてもよい。金属層4の構成は、例えば<金属材料および接合体の作製方法>に記載されるニッケル微粒子ペースト中のニッケル微粒子の含有量により変化し得る。ニッケル微粒子ペースト中のニッケル微粒子の含有量が、ニッケル微粒子ペーストを100重量%としたときに、例えば70重量%~90重量%である場合に、上述したような構成になり得る。
<Metal Layer>
The metal layer 4 is a layer containing nickel. The metal layer 4 may also contain a nickel-tungsten alloy. Examples of such nickel-tungsten alloys include NiW, Ni 2 W, and Ni 4 W.
Here, as one embodiment of the metal layer 4, in addition to the nickel-tungsten alloy layer as described above, a nickel layer may be further included. The configuration of the metal layer 4 can be changed, for example, depending on the content of nickel fine particles in the nickel fine particle paste described in <Metal material and method for producing joint body>. When the content of nickel fine particles in the nickel fine particle paste is, for example, 70% by weight to 90% by weight when the nickel fine particle paste is 100% by weight, the configuration as described above can be obtained.

<酸化物層>
酸化物層3は、NiO(酸化ニッケル(II))を主体とする層である。ここで、「NiOを主体とする層」とは、層を構成する成分のうち、重量基準で最も多く含まれる成分がNiOであることを意味する。酸化物層3は、好ましくはNiOを90重量%以上、95重量%以上、あるいは99重量%以上含む層であり得る。NiO以外の成分としては、種々の金属元素や非金属元素等が挙げられる。また、酸化物層3の厚みとしては、ここで開示される技術の効果が発揮される限りにおいて特に限定されないが、金属材料1の積層方向において、好ましくは10nm以上、20nm以上であってもよく、より好ましくは30nm以上の部分が存在し得る。かかる構成によると、金属層4および貴金属微粒子焼結体層2がより密着性高く形成された金属材料1を得ることができる。また、典型的には、酸化物層3の厚みは、100nm以下(例えば、50nm程度)の部分が存在する態様であり得る。なお、「酸化物層の厚み」(NiO層の厚みともいう)とは、SEM顕微鏡観察において金属層4表面から酸化物層3の表面までの最短距離を測定したときの値のことをいう。
<Oxide layer>
The oxide layer 3 is a layer mainly composed of NiO (nickel (II) oxide). Here, "a layer mainly composed of NiO" means that the component that is most abundant by weight among the components that constitute the layer is NiO. The oxide layer 3 may be a layer that preferably contains 90% by weight or more, 95% by weight or more, or 99% by weight or more of NiO. Examples of components other than NiO include various metal elements and nonmetal elements. In addition, the thickness of the oxide layer 3 is not particularly limited as long as the effects of the technology disclosed herein are exhibited, but it may be preferably 10 nm or more, 20 nm or more, and more preferably 30 nm or more in the stacking direction of the metal material 1. According to this configuration, a metal material 1 in which the metal layer 4 and the precious metal fine particle sintered layer 2 are formed with higher adhesion can be obtained. In addition, typically, the thickness of the oxide layer 3 may be an embodiment in which a portion of 100 nm or less (for example, about 50 nm) exists. The "thickness of the oxide layer" (also referred to as the thickness of the NiO layer) refers to the value obtained by measuring the shortest distance from the surface of the metal layer 4 to the surface of the oxide layer 3 in observation with a SEM microscope.

<貴金属微粒子焼結体層>
貴金属微粒子焼結体層2は、貴金属微粒子からなる焼結体層である。なお、本明細書および特許請求の範囲において「貴金属微粒子」とは、主構成金属元素が貴金属元素である貴金属微粒子であり、貴金属の種類は限定されない。典型的には、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、ロジウム(Rh)等、またはそれらの合金が挙げられる。また、金(Au)は、熱伝導性、電気伝導性等に優れているため、金微粒子焼結体層を備えた金属材料は、種々の工業製品に用いることができるため有用である。
ここで、主構成金属元素とは、貴金属微粒子を構成する主体となる金属元素のことを意味する。なお、貴金属微粒子は、理想的には貴金属元素のみから構成されるものであるが、不純物として種々の金属元素や非金属元素を含むものであってもよい。例えば、全体の90重量%以上、95重量%以上、98重量%以上が主構成金属元素で構成されていてもよい。なお、TG-DTAに基づいて測定される貴金属微粒子(焼成前の集合体をいう。)全体の重量(100重量%)に占める有機物含有量が、概ね2重量%以下、さらには1.5重量%以下であることが好ましく、1重量%以下であることが特に好ましい。
<Precious metal fine particle sintered layer>
The noble metal microparticle sintered body layer 2 is a sintered body layer made of noble metal microparticles. In this specification and claims, the term "noble metal microparticles" refers to noble metal microparticles whose main constituent metal element is a noble metal element, and the type of noble metal is not limited. Typically, gold (Au), silver (Ag), palladium (Pd), platinum (Pt), rhodium (Rh), etc., or alloys thereof can be mentioned. In addition, since gold (Au) has excellent thermal conductivity, electrical conductivity, etc., a metal material having a gold microparticle sintered body layer is useful because it can be used in various industrial products.
Here, the main constituent metal element means a metal element that is the main constituent of the precious metal fine particles. Note that the precious metal fine particles are ideally composed only of precious metal elements, but may contain various metal elements and nonmetal elements as impurities. For example, 90% by weight or more, 95% by weight or more, or 98% by weight or more of the total may be composed of the main constituent metal elements. Note that the organic matter content of the total weight (100% by weight) of the precious metal fine particles (referring to the aggregate before firing) measured based on TG-DTA is preferably approximately 2% by weight or less, further preferably 1.5% by weight or less, and particularly preferably 1% by weight or less.

<接合体の構成>
図2は、一実施形態に係る接合体10の構成を示す模式図である。なお、図2は、基材がタングステンを主体として構成される場合を表しているが、本発明をかかる構成に限定することを意図したものではない。
図2に示すように、接合体10は、大まかにいって、金属層14と、該金属層上に形成された酸化物層13と、該酸化物層上に形成された貴金属微粒子焼結体層12とを備えた金属材料と、タングステン基材16とを備える。そして、本実施形態においては、かかる金属材料およびタングステン基材16の間に、拡散層15が存在する。
以下、各構成要素について説明する。なお、金属層14、酸化物層13、および貴金属微粒子焼結体層12に関しては、それぞれ金属層4、酸化物層3、および貴金属微粒子焼結体層2と同様な構成であるため、詳細な説明は省略する。
<Configuration of Joint>
Fig. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a bonded body 10 according to one embodiment. Note that Fig. 2 shows a case where the base material is mainly composed of tungsten, but it is not intended that the present invention be limited to such a configuration.
2, the joint 10 roughly comprises a metal material including a metal layer 14, an oxide layer 13 formed on the metal layer, and a precious metal fine particle sintered layer 12 formed on the oxide layer, and a tungsten base material 16. In this embodiment, a diffusion layer 15 exists between the metal material and the tungsten base material 16.
Each component will be described below. Note that the metal layer 14, the oxide layer 13, and the precious metal fine particle sintered layer 12 have the same configuration as the metal layer 4, the oxide layer 3, and the precious metal fine particle sintered layer 2, respectively, and therefore detailed description thereof will be omitted.

<基材>
タングステン基材16は、タングステンを主体として構成される基材である。かかる構成の基材を備える接合体10は、半導体製品等に好適に用いることができる。なお、「タングステンを主体として構成される基材」とは、基材を構成する成分のうち、重量基準で最も多く含まれる成分がタングステンであることを意味する。タングステン基材16は、好ましくはタングステンを90重量%以上、95重量%以上、99重量%以上含む基材であり得る。また、タングステン以外の成分としては、不可避的な不純物としての種々の金属元素や非金属元素等が挙げられる。
なお、ここで開示される接合体が備える基材の種類は、タングステンに限定されず、ここで開示される技術の効果が発揮される限りにおいて特に限定されない。例えば、タングステン以外では、タングステンカーバイド、セラミックス、各種金属材料等を主体として構成されるものが好ましく用いられ得る。また、上述したような基材を用いて、ここで開示される接合体を作製する方法としては、例えば、ニッケル微粒子ペーストの組成物中に、タングステンナノ粒子をNi:W=4:1~5:1(モル比)程度の割合で混合し、かかるペーストを基材上に塗布し、還元雰囲気下等において焼成する方法が挙げられる。
<Substrate>
The tungsten base material 16 is a base material mainly composed of tungsten. The bonded body 10 having such a base material can be suitably used for semiconductor products and the like. The term "base material mainly composed of tungsten" means that the component that is most abundant in the base material by weight is tungsten. The tungsten base material 16 may be a base material that preferably contains 90% by weight or more, 95% by weight or more, or 99% by weight or more of tungsten. In addition, components other than tungsten include various metal elements and nonmetal elements as unavoidable impurities.
The type of the substrate provided in the bonded body disclosed herein is not limited to tungsten, and is not particularly limited as long as the effect of the technology disclosed herein is exerted. For example, other than tungsten, those mainly composed of tungsten carbide, ceramics, various metal materials, etc. can be preferably used. In addition, as a method for producing the bonded body disclosed herein using the above-mentioned substrate, for example, a method of mixing tungsten nanoparticles in a nickel fine particle paste composition at a ratio of Ni:W=4:1 to 5:1 (molar ratio), applying the paste on the substrate, and firing under a reducing atmosphere or the like can be mentioned.

<拡散層>
本実施形態に係る接合体10においては、タングステン基材16および金属層14の間に、拡散層15が存在する。拡散層15は、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した層である。また、拡散層15は、タングステンにニッケルが固溶した層と言及することもできる。
拡散層15において、該拡散層に含まれるニッケル量が、当該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分が存在する。拡散層15においては、該拡散層に含まれるニッケル量が、3原子%以上、4原子%以上、5原子%以上である部分が存在し得る。また、典型的には、拡散層15に含まれるニッケル量は10原子%以下等であり得る。
また、拡散層15の厚みとしては、ここで開示される技術の効果が発揮される限りにおいて特に限定されない。拡散層15において、該拡散層に含まれるニッケル量が、当該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計を100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分の厚みが、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、20nm以上、30nm以上、40nm以上、さらに好ましくは50nm以上である部分が存在する場合が好ましい。例えば、60nm以上、80nm以上、100nm以上の部分が存在してもよい。かかる構成によると、タングステン基材16上に金属層14がより密着性高く形成された接合体10を得ることができる。また、典型的には、拡散層15の厚みは、200nm以下等であり得る。
<Diffusion layer>
In the joined body 10 according to this embodiment, a diffusion layer 15 exists between the tungsten base material 16 and the metal layer 14. The diffusion layer 15 is a layer in which nickel is diffused into a tungsten matrix. The diffusion layer 15 can also be referred to as a layer in which nickel is dissolved in tungsten.
In the diffusion layer 15, there is a portion where the amount of nickel contained in the diffusion layer is at least 2 atomic % when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %. In the diffusion layer 15, there may be a portion where the amount of nickel contained in the diffusion layer is 3 atomic % or more, 4 atomic % or more, or 5 atomic % or more. Typically, the amount of nickel contained in the diffusion layer 15 may be 10 atomic % or less.
The thickness of the diffusion layer 15 is not particularly limited as long as the effect of the technology disclosed herein is exhibited. In the diffusion layer 15, when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %, the thickness of the part where the nickel content in the diffusion layer is at least 2 atomic % is preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, 20 nm or more, 30 nm or more, 40 nm or more, and even more preferably 50 nm or more. For example, there may be a part of 60 nm or more, 80 nm or more, or 100 nm or more. According to this configuration, a bonded body 10 in which the metal layer 14 is formed on the tungsten base material 16 with higher adhesion can be obtained. Typically, the thickness of the diffusion layer 15 may be 200 nm or less.

<金属材料および接合体の作製方法>
続いて、金属材料1および接合体10の作製方法の一例について説明する。
まず、ニッケル微粒子を含むニッケル微粒子ペーストを、タングステンを主体として構成される基材上に塗布し、乾燥させた後、還元雰囲気下において1000℃で焼成することによりニッケルを含む金属層14を得る。続いて、金属層14上に貴金属微粒子を含む貴金属微粒子ペーストを塗布し、乾燥させた後、焼成する。これにより、金属層14および貴金属微粒子焼結体層12が、NiOを主体とする酸化物層13を介して密着性高く積層された金属材料1(および、該金属材料およびタングステン基材16が、拡散層15を介して積層された接合体10)を得ることができる。
<Metal material and method for producing joint>
Next, an example of a method for producing the metal material 1 and the bonded body 10 will be described.
First, a nickel fine particle paste containing nickel fine particles is applied onto a substrate mainly composed of tungsten, dried, and then fired at 1000° C. in a reducing atmosphere to obtain a metal layer 14 containing nickel. Next, a precious metal fine particle paste containing precious metal fine particles is applied onto the metal layer 14, dried, and then fired. This makes it possible to obtain a metal material 1 in which the metal layer 14 and the precious metal fine particle sintered layer 12 are laminated with high adhesion via an oxide layer 13 mainly composed of NiO (and a bonded body 10 in which the metal material and the tungsten substrate 16 are laminated via a diffusion layer 15).

ここで、上記ニッケル微粒子ペーストに含まれるニッケル微粒子および上記貴金属微粒子ペーストに含まれる貴金属微粒子の大きさは、例えば平均粒子径が300nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましく、例えば30nm~200nmとすることができる。なお、本明細書ならびに特許請求の範囲において「平均粒子径」とは、電子顕微鏡観察に基づき測定された個数基準の粒度分布における、累積50%粒子径を意味する。粒度分布は、具体的には、例えば走査型電子顕微鏡(SEM)等を用い、適切な倍率(例えば5万倍)で粒子(ここでは、ニッケル微粒子,貴金属微粒子)を観察し、100個以上(例えば100~1000個)の粒子について求めた円相当径を基に作成することができる。なお、ペースト中の微粒子(ここでは、ニッケル微粒子,貴金属微粒子)の含有量は特に制限されないが、ペースト全体を100重量%としたとき、概ね30重量%以上、典型的には40~95重量%、例えば50~70重量%の範囲内であり得る。
そして、上述したようなニッケル微粒子または貴金属微粒子と、溶剤と、必要に応じてバインダ等の成分を混錬することにより、ペースト状の組成物(即ち、ニッケル微粒子ペースト,貴金属微粒子ペースト)を調整することができる。ここで、上記バインダとしては、例えばアクリル樹脂、セルロース系樹脂等の樹脂を、一種類または二種類以上組み合わせて用いることができる。なお、ペースト中に含まれるバインダの含有量は特に制限されないが、ペースト全体を100重量%としたとき、概ね30重量%以下、典型的には0.1~25重量%、例えば10~20重量%の範囲内であり得る。また、上記溶剤としては、例えばミネラルスピリット等の石油系炭化水素(特に脂肪族炭化水素)、エチレングリコールおよびジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ブチルカルビトール(BC)、ターピネオール、メンタノール、メントール、イソボルニルアセテート、フェニルプロピレングリコール等の溶剤を、一種類または二種類以上組み合わせて用いることができる。なお、ペースト中の溶剤の含有量は特に制限されないが、ペースト全体を100重量%としたとき、概ね70重量%以下、典型的には5~60重量%、例えば10~40重量%の範囲内であり得る。
Here, the size of the nickel fine particles contained in the nickel fine particle paste and the precious metal fine particles contained in the precious metal fine particle paste is, for example, preferably 300 nm or less in average particle diameter, more preferably 200 nm or less, and can be, for example, 30 nm to 200 nm. In this specification and claims, "average particle diameter" means a cumulative 50% particle diameter in a particle size distribution based on the number measured based on electron microscope observation. Specifically, the particle size distribution can be created based on the circle equivalent diameter obtained for 100 or more particles (for example, 100 to 1000 particles) by observing particles (here, nickel fine particles, precious metal fine particles) at an appropriate magnification (for example, 50,000 times) using, for example, a scanning electron microscope (SEM). The content of the fine particles (here, nickel fine particles, precious metal fine particles) in the paste is not particularly limited, but when the entire paste is taken as 100 wt%, it can be in the range of approximately 30 wt% or more, typically 40 to 95 wt%, for example 50 to 70 wt%.
Then, by kneading the nickel fine particles or noble metal fine particles as described above, a solvent, and, if necessary, a binder or other components, a paste-like composition (i.e., nickel fine particle paste, noble metal fine particle paste) can be prepared. Here, as the binder, for example, one or more types of resins such as acrylic resins and cellulose-based resins can be used in combination. The content of the binder contained in the paste is not particularly limited, but when the entire paste is taken as 100% by weight, it can be approximately 30% by weight or less, typically 0.1 to 25% by weight, for example, within the range of 10 to 20% by weight. In addition, as the solvent, for example, one or more types of solvents such as petroleum-based hydrocarbons (particularly aliphatic hydrocarbons) such as mineral spirits, ethylene glycol and diethylene glycol derivatives, toluene, xylene, butyl carbitol (BC), terpineol, menthanol, menthol, isobornyl acetate, and phenylpropylene glycol can be used in combination. The content of the solvent in the paste is not particularly limited, but when the entire paste is taken as 100% by weight, it can be generally 70% by weight or less, typically 5 to 60% by weight, for example, in the range of 10 to 40% by weight.

<金属材料および接合体の用途>
金属材料1および接合体10は、種々の工業製品等に好適に用いることができる。また、金属材料1に関しては、例えば、貴金属焼結体層2および/または金属層4に他の層(例えば、金属層)が接合された態様で用いることもできる。そして、接合体10に関しては、例えば、貴金属微粒子焼結体層12および/または基材16に他の層(例えば、金属層)が接合された態様で用いることもできる。
<Applications of metal materials and joints>
The metal material 1 and the joined body 10 can be suitably used for various industrial products, etc. The metal material 1 can also be used in a form in which, for example, another layer (e.g., a metal layer) is joined to the precious metal sintered body layer 2 and/or the metal layer 4. The joined body 10 can also be used in a form in which, for example, another layer (e.g., a metal layer) is joined to the precious metal fine particle sintered body layer 12 and/or the substrate 16.

以下、ここで開示される金属材料(および、接合体)を使用した実施例を説明するが、かかる実施例は本発明を限定することを意図したものではない。 Below, we will explain examples using the metal materials (and joints) disclosed herein, but these examples are not intended to limit the present invention.

1.金微粒子ペーストの作製
塩化金酸四水和物(乾庄貴金属化工株式会社製品)20.6gにオクタノール(富士フィルム和光純薬株式会社製品)を50mL加え、得られた溶液を氷浴で冷却撹拌した。
次に、金の含有量に対して10モル当量となるn-オクチルアミン(富士フィルム和光純薬株式会社製品)を、発熱を抑えつつ少しずつ上記溶液に加えていき、塩化金酸-オクチルアミンの錯形成溶液を調製した。
この錯形成溶液を大気雰囲気において140℃のオイルバス中で撹拌しながら3時間加熱する還元処理を行い、金イオンを還元し、金微粒子を合成した。
その後、反応液を自然冷却し、工業アルコール(甘糟化学産業製品)を加え、金微粒子を沈降させ、デカンテーションで上澄み液を除いた。この操作を3回繰り返した後、工業アルコールを加えて3000rpm、3分の遠心分離を3回以上行い、上澄みを除いた。ここで、得られた金微粒子を室温で乾燥させ、その平均粒子径を測定したところ、40nmであった。その後、分散媒としてメンタノールを加え、3時間以上静置した後、遠心分離することにより溶媒置換を行った。得られた湿潤粉末を70~80重量%になるように濃度調整し、自転好転ミキサーで混合分散させた。これにより、金微粒子ペーストを得た。
1. Preparation of gold particle paste 50 mL of octanol (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added to 20.6 g of chloroauric acid tetrahydrate (Insuisho Precious Metals Chemical Co., Ltd.), and the resulting solution was cooled and stirred in an ice bath.
Next, n-octylamine (a product of Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) in an amount equivalent to 10 molar equivalents of the gold content was gradually added to the above solution while suppressing heat generation, to prepare a chloroauric acid-octylamine complex-forming solution.
This complex-forming solution was subjected to a reduction treatment in which it was heated in an oil bath at 140° C. in an air atmosphere for 3 hours while being stirred, thereby reducing the gold ions and synthesizing gold fine particles.
After that, the reaction solution was naturally cooled, industrial alcohol (a product of Amakasu Chemical Industry) was added, the gold particles were allowed to settle, and the supernatant was removed by decantation. After repeating this operation three times, industrial alcohol was added, and centrifugation was performed at 3000 rpm for 3 minutes three or more times to remove the supernatant. The gold particles obtained were dried at room temperature, and their average particle diameter was measured to be 40 nm. Then, menthanol was added as a dispersion medium, and the mixture was left to stand for 3 hours or more, and then centrifuged to perform solvent replacement. The concentration of the obtained wet powder was adjusted to 70 to 80% by weight, and the mixture was mixed and dispersed in a rotating mixer. This resulted in a gold particle paste.

2.接合体の作製
実施例1:
ニッケル微粒子(平均粒子径:180nm)と、アクリル樹脂と、イソボルニルアセテートとを混錬し、ニッケル微粒子ペーストを作製した。ここで、各成分の含有量は、上記ニッケル微粒子ペーストを100重量%としたとき、ニッケル微粒子が50重量%、アクリル樹脂が10重量%、残部が溶剤となるようにした。
次に、上記のとおり作製したニッケル微粒子ペーストを、焼成後のニッケル膜厚が1~2μm程度になるように、タングステン基板(縦×横×厚み:15mm×15mm×0.3mm,以下に使用されているタングステン基板は、同様のサイズのものを使用した)上に塗布した。そして、これを120℃で10分間乾燥させた後、3%水素-窒素ガスの雰囲気下(すなわち、還元雰囲気下)において、1000℃で30分間焼成することにより、ニッケル焼成膜(ニッケルを含む金属層に相当する、以下同様)を形成した。
続いて、得られたニッケル焼成膜上に、上記のとおり作製した金微粒子ペーストを、焼成後の膜厚が2μm程度になるように塗布した。そして、これを60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、300℃で30分間焼成することにより、金微粒子焼成膜(金微粒子焼結体層に相当する、以下同様)を形成した。これにより、実施例1に係る接合体を得た。
2. Preparation of Conjugate Example 1:
Nickel fine particles (average particle size: 180 nm), acrylic resin, and isobornyl acetate were mixed to prepare a nickel fine particle paste. Here, the content of each component was 50% by weight of nickel fine particles, 10% by weight of acrylic resin, and the remainder was solvent, when the nickel fine particle paste was taken as 100% by weight.
Next, the nickel fine particle paste prepared as described above was applied onto a tungsten substrate (length x width x thickness: 15 mm x 15 mm x 0.3 mm, the tungsten substrate used below was of a similar size) so that the nickel film thickness after firing would be about 1 to 2 μm. Then, this was dried at 120° C. for 10 minutes, and then fired at 1000° C. for 30 minutes in an atmosphere of 3% hydrogen-nitrogen gas (i.e., in a reducing atmosphere), to form a nickel fired film (corresponding to a metal layer containing nickel, the same applies below).
Next, the gold fine particle paste prepared as described above was applied onto the obtained nickel fired film so that the film thickness after firing would be about 2 μm. Then, this was dried at 60° C. for 1 hour, and then heated at 10° C./min and fired at 300° C. for 30 minutes to form a gold fine particle fired film (corresponding to a gold fine particle sintered layer, the same applies below). This resulted in the bonded body according to Example 1.

実施例2:
イソデカノールとn-ブタノールを混合したものに、シュウ酸銀を投入し、100℃のオイルバスで攪拌しながら加熱した。1時間加熱後、室温へ自然冷却した。その後、6000rpm、5分の遠心分離を行うことにより銀微粒子を沈降させ、上澄みを除去した。ここで、得られた銀微粒子を室温で乾燥させ、その平均粒子径を測定したところ、80nmであった。その後、フェニルプロピレングリコールを加えてスパチュラで攪拌し、再び6000rpm、5分の遠心分離を行うことにより銀微粒子を沈降させ、上澄みを除去した。これを3回繰り返し、銀微粒子ペーストを得た。各成分の含有量は、上記銀微粒子ペーストを100重量%としたとき、銀微粒子が80~90重量%、残部が溶剤となるようにした。
金微粒子ペーストの代わりに、上記のとおり作製した銀微粒子ペーストを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、実施例2に係る接合体を作製した。
Example 2:
Silver oxalate was added to a mixture of isodecanol and n-butanol, and the mixture was heated in a 100°C oil bath while stirring. After heating for 1 hour, the mixture was naturally cooled to room temperature. Then, the silver fine particles were precipitated by centrifuging at 6000 rpm for 5 minutes, and the supernatant was removed. The obtained silver fine particles were dried at room temperature, and the average particle diameter was measured and found to be 80 nm. Then, phenylpropylene glycol was added, the mixture was stirred with a spatula, and the silver fine particles were precipitated by centrifuging at 6000 rpm for 5 minutes again, and the supernatant was removed. This was repeated three times to obtain a silver fine particle paste. The content of each component was such that, when the silver fine particle paste was 100% by weight, the silver fine particles were 80 to 90% by weight, and the remainder was the solvent.
A bonded body according to Example 2 was produced in the same manner as in Example 1, except that the silver fine particle paste produced as described above was used instead of the gold fine particle paste.

比較例1:
ニッケル微粒子ペーストを塗布する代わりに、焼成後の膜厚が1μm程度になるように、タングステン基板上に電気ニッケルめっき膜を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、電気ニッケルめっき焼成膜上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 1:
The same operation as in Example 1 was carried out, except that an electric nickel plating film was formed on a tungsten substrate so that the film thickness after firing would be about 1 μm, instead of applying a nickel fine particle paste. As a result, the obtained gold fine particle fired film was not adhered to the electric nickel plating fired film, and was a separate film.

比較例2:
ニッケル微粒子ペーストを塗布する代わりに、焼成後の膜厚が1μm程度になるように、タングステン基板上に無電解ニッケルめっき膜を形成した以外は、実施例1と同様の操作を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、無電解ニッケルめっき焼成膜上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 2:
The same operation as in Example 1 was carried out except that, instead of applying nickel fine particle paste, an electroless nickel plating film was formed on a tungsten substrate so that the film thickness after firing would be about 1 μm. As a result, the obtained gold fine particle fired film was not adhered to the electroless nickel plating fired film, and was a single film.

比較例3:
焼成後の膜厚が200~300nm程度となるように、タングステン基板上に水金液(株式会社ノリタケカンパニーリミテド社製)を塗布した。そして、これを60℃で1時間乾燥させた後、500℃で30分間焼成することにより、水金焼成膜を形成した。かかる水金焼成膜上に、10mm×10mm×20μmのメタルマスクを用いて上記金微粒子ペーストを塗布した。そして、これを60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、250℃で30分間焼成することにより、金微粒子焼成膜を形成した。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、水金焼成膜上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 3:
A tungsten substrate was coated with a water gold solution (manufactured by Noritake Co., Ltd.) so that the film thickness after firing would be about 200 to 300 nm. This was then dried at 60°C for 1 hour, and then fired at 500°C for 30 minutes to form a water gold fired film. The gold fine particle paste was applied onto the water gold fired film using a metal mask of 10 mm x 10 mm x 20 μm. This was then dried at 60°C for 1 hour, and then heated at a rate of 10°C/min and fired at 250°C for 30 minutes to form a gold fine particle fired film. As a result, the resulting gold fine particle fired film was not adhered to the water gold fired film, and was a separate film.

比較例4:
金粒子と、ポリイミド樹脂と、γ-ブチロラクトンとを用いて混錬し、金粒子含有ポリイミド樹脂ペーストを作製した。
続いて、タングステン基板上に上記のとおり作製した金粒子含有ポリイミド樹脂ペーストを塗布した。そして、これを130℃で15分間、180℃で30分間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、280℃で50分間熱処理することにより、金粒子含有ポリイミド樹脂層を形成した。このとき、溶媒はほぼ完全に除去された状態であった。上記金粒子含有ポリイミド樹脂層上に、上記金微粒子ペーストを塗布し、60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、250℃で30分間焼成することにより、金微粒子焼成膜を形成した。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、金粒子含有ポリイミド樹脂層上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 4:
Gold particles, polyimide resin, and γ-butyrolactone were mixed together to prepare a gold particle-containing polyimide resin paste.
Next, the gold particle-containing polyimide resin paste prepared as described above was applied onto a tungsten substrate. Then, this was dried at 130°C for 15 minutes and at 180°C for 30 minutes, and then heated at 10°C/min and heat-treated at 280°C for 50 minutes to form a gold particle-containing polyimide resin layer. At this time, the solvent was almost completely removed. The gold particle paste was applied onto the gold particle-containing polyimide resin layer, dried at 60°C for 1 hour, heated at 10°C/min, and baked at 250°C for 30 minutes to form a gold particle baked film. As a result, the obtained gold particle baked film was not adhered to the gold particle-containing polyimide resin layer, and became a single film.

比較例5:
金粒子と、熱硬化性エポキシ樹脂と、硬化剤と、ターピネオールCとを混錬し、金粒子含有エポキシ樹脂ペーストを作製した。
続いて、タングステン基板上に上記のとおり作製した金粒子含有エポキシ樹脂ペーストを塗布した。そして、これを60℃で1時間乾燥させたところ、金粒子含有エポキシ樹脂ペーストは流動性を失い、タングステン基板上に接着された状態となった。得られた金粒子含有エポキシ樹脂層上に、上記金属微粒子ペーストを塗布し、60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、250℃で30分間熱処理することにより、エポキシ樹脂の硬化および金微粒子焼成膜の形成を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、金粒子含有エポキシ樹脂層上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 5:
Gold particles, a thermosetting epoxy resin, a curing agent, and terpineol C were kneaded together to prepare a gold particle-containing epoxy resin paste.
Next, the gold particle-containing epoxy resin paste prepared as described above was applied onto a tungsten substrate. When this was dried at 60°C for 1 hour, the gold particle-containing epoxy resin paste lost its fluidity and was adhered to the tungsten substrate. The metal fine particle paste was applied onto the obtained gold particle-containing epoxy resin layer, dried at 60°C for 1 hour, and then heated at 10°C/min and heat-treated at 250°C for 30 minutes to harden the epoxy resin and form a gold fine particle baked film. As a result, the obtained gold fine particle baked film was not adhered to the gold particle-containing epoxy resin layer and became a single film.

比較例6:
ニッケル微粒子ペーストを塗布しない以外は、実施例1と同様の操作を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜はタングステン基板上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 6:
Except for not applying the nickel fine particle paste, the same operation as in Example 1 was carried out. As a result, the obtained gold fine particle fired film was not adhered to the tungsten substrate, and was a single film.

比較例7:
上記金微粒子ペーストを、ガラス基板上に1cm×1cm×100μmのメタルマスクを用いて、ゴムスキージでスクイーズすることにより塗膜した。そして、60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、300℃で30分間焼成を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜は、ガラス基板上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 7:
The gold particle paste was applied to a glass substrate using a metal mask of 1 cm x 1 cm x 100 μm by squeezing with a rubber squeegee. After drying at 60° C. for 1 hour, the temperature was increased at a rate of 10° C./min and baking was performed at 300° C. for 30 minutes. As a result, the obtained gold particle baked film was not adhered to the glass substrate and was a separate film.

比較例8:
上記金微粒子ペーストを、ニッケル基板上に1cm×1cm×100μmのメタルマスクを用いて、ゴムスキージでスクイーズすることにより塗膜した。そして、60℃で1時間乾燥させた後、10℃/分で昇温し、300℃で30分間焼成を行った。その結果、得られた金微粒子焼成膜はニッケル基板上に接着せず、単独膜となった。
Comparative Example 8:
The gold fine particle paste was applied to a nickel substrate by squeezing it with a rubber squeegee using a metal mask of 1 cm x 1 cm x 100 μm. After drying at 60° C. for 1 hour, the temperature was increased at a rate of 10° C./min and sintered at 300° C. for 30 minutes. As a result, the gold fine particle sintered film obtained was not adhered to the nickel substrate and was a separate film.

3.接合体の密着性評価
接合体が得られた実施例1および2について、密着性評価を行った。具体的には、各例に係る接合体において、タングステン基板および貴金属微粒子焼成膜にセロハンテープを貼り付け、90°で引き上げた際に、該貴金属微粒子焼成膜が剥離するか否かを確認した。その結果、実施例1,2ともに剥離は確認されなかった。
3. Adhesion evaluation of the bonded body Adhesion evaluation was performed for the bonded bodies obtained in Examples 1 and 2. Specifically, in each bonded body, cellophane tape was attached to the tungsten substrate and the precious metal fine particle fired film, and when the bonded body was pulled up at 90°, it was confirmed whether the precious metal fine particle fired film peeled off. As a result, in both Examples 1 and 2, peeling was not confirmed.

4.実施例1,比較例1および2に係る金属材料の断面観察
実施例1,比較例1および2に係る金属材料に対して、断面観察を行った。ここで、実施例1に係る金属材料とは、タングステン基板上にニッケル焼成膜を形成した時点のものを表している。また、比較例1に係る金属材料とは、タングステン基板上に電気ニッケルめっき焼成膜を形成した時点のものを表している。そして、比較例2に係る金属材料とは、タングステン基板上に無電解ニッケルめっき焼成膜を形成した時点のものを表している。
以下、試験内容について詳細に説明する。なお、以下の説明では、実施例1,2のうち実施例1に係る金属材料のみを挙げて説明しているが、実施例2に係る金属材料(即ち、タングステン基板上にニッケル焼成膜を形成した時点のもの)についても、実施例1と同様な構成(組成)であることが確認された。
まず、図3,10,15に示すように、各例に係る金属材料を樹脂詰めした後、枠線で囲んだ部分においてFIB(Focused Ion Beam;収束イオンビーム)処理を行い、金属材料の薄片化を行った。そして、かかる薄片の断面に対して、EDX(Energy Dispersive X-ray;エネルギー分散型X線)元素マッピングおよびライン分析を行った。ここで、図4,11,16は、それぞれ実施例1,比較例1,比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片におけるTEM-EDX元素マッピングの結果を示すHAADF-STEM観察画像(3万倍)である。また、図5,12,17は、それぞれ実施例1,比較例1,比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(50万倍)と、該観察画像中のTEM-EDXライン部分(それぞれ、P,Q,R)におけるライン分析の結果を示すグラフである。そして、図6,13、18は、それぞれ図5,12,17のグラフのS,T,U部分を構成する生データを掲載した表である。なお、上記S,T,U部分は、それぞれ図5,12,17グラフにおいて、タングステンの原子%の増加が緩やかになった部分からタングステンが100原子%に到達する部分までを示すものとする。
さらに、各例に係る薄片の断面に対して、SAD(Selective Area Diffraction;制限視野回折)パターンを取得した。ここで、図7,14,19は、それぞれ実施例1,比較例1,比較例2に係る金属材料のFIB処理後に得られた薄片のHAADF-STEM観察画像(3万倍)と、該観察画像中のA領域およびB領域における電子回折図形である。
これらのデータに基づいて、各例に係る金属材料の構成(組成)を確認した。なお、EDX元素マッピング、ライン分析、SADパターンの取得は、株式会社トプコン社製のEM-002BFを用いて実施した。
4. Cross-sectional observation of the metal materials according to Example 1, Comparative Examples 1 and 2 Cross-sectional observation was performed on the metal materials according to Example 1, Comparative Examples 1 and 2. Here, the metal material according to Example 1 represents the metal material at the time when a fired nickel film was formed on the tungsten substrate. The metal material according to Comparative Example 1 represents the metal material at the time when an electrolytic nickel plating fired film was formed on the tungsten substrate. And the metal material according to Comparative Example 2 represents the metal material at the time when an electroless nickel plating fired film was formed on the tungsten substrate.
The test contents will be described in detail below. In the following description, only the metal material according to Example 1 of Examples 1 and 2 is described, but it was confirmed that the metal material according to Example 2 (i.e., the one at the time when the nickel fired film was formed on the tungsten substrate) had the same structure (composition) as Example 1.
First, as shown in Figures 3, 10, and 15, the metal material according to each example was filled with resin, and then FIB (Focused Ion Beam) processing was performed on the part surrounded by the frame line to thin the metal material. Then, EDX (Energy Dispersive X-ray) element mapping and line analysis were performed on the cross section of the thin piece. Here, Figures 4, 11, and 16 are HAADF-STEM observation images (30,000 times) showing the results of TEM-EDX element mapping of the thin piece obtained after FIB processing of the metal material according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, respectively. 5, 12, and 17 are graphs showing HAADF-STEM observation images (500,000 times magnification) of the thin pieces obtained after FIB processing of the metal materials according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, respectively, and the results of line analysis in the TEM-EDX line portions (P, Q, and R, respectively) in the observation images. And, FIGS. 6, 13, and 18 are tables showing the raw data constituting the S, T, and U portions of the graphs in FIGS. 5, 12, and 17, respectively. Note that the above S, T, and U portions represent the portions in the graphs in FIGS. 5, 12, and 17 from the portion where the increase in the atomic percentage of tungsten becomes gentle to the portion where tungsten reaches 100 atomic percentage.
Furthermore, selective area diffraction (SAD) patterns were obtained for the cross sections of the flakes according to each example. Here, Figures 7, 14, and 19 are HAADF-STEM observation images (30,000 times magnification) of the flakes obtained after FIB treatment of the metal materials according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, respectively, and electron diffraction patterns in areas A and B in the observation images.
Based on these data, the structure (composition) of the metal material in each example was confirmed. EDX element mapping, line analysis, and acquisition of SAD patterns were performed using EM-002BF manufactured by Topcon Corporation.

実施例1に係る金属材料の薄片に関しては、図4に示すようなニッケルとタングステンのマッピングが確認された。また、図5のTEM-EDXライン分析のグラフに示すように、ニッケル焼成膜およびタングステン基板の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が確認された。ここで、かかる拡散層は、図5のグラフにおいて、ニッケルの原子%とタングステンの原子%の値の大小が逆転する点から、タングステンの原子%が100原子%に到達するまでの部分を示すものとする(図5のグラフにおける実線矢印部分を参照。図12、図17のグラフにおける拡散層も、同様に定義される)。
また、かかる拡散層は、タングステン基板とニッケル焼成膜とが積層された方向において、厚み40nmで存在することが確認された。そして、図6より、S部分に相当する、厚み44.0nmから74.2nmの部分において、ニッケルの原子%の平均値は4.4原子%(=61.7/14)である(即ち、2原子%またはそれ以上である)ことが確認された。このことから、拡散層に相当する領域において、ニッケルの拡散量が少なくとも2原子%である部分が存在し、かかる部分の厚みは5nmまたはそれ以上であることが分かった。
また、TEM-EDXのライン分析結果では、HAADF-STEM観察画像から判断されるタングステンとニッケルとの界面付近約40nmの領域に、オーバーラップ部分が存在することが確認された。ここで、かかるオーバーラップ部分は、図5のグラフにおけるニッケルとタングステンの原子%の値がほぼ一定の割合で変化する部分を示すものとする(図5のグラフにおける破線矢印部分を参照。図12、図17のグラフにおけるオーバーラップ部分も、同様に定義される)。
さらに、図7に示すように、上記薄片におけるA領域には、Ni、NiO、NiW、Wが含まれており、B領域にはWが含まれていることが確認された。このことから、ニッケル焼成膜はNiWを含み、さらに、該ニッケル焼成膜上に、NiO層が形成されていることが確認された。
ここで、図8および図9は、実施例1に係る接合体が備える金属材料の断面を、イオンミリングにより研磨し、FE-SEM(使用装置:株式会社日立テクノロジー社製,S-8230)を用いて界面観察を行った際に得られた画像である。図8および図9より、NiW層23と、該NiW層層上に形成された、NiO層25と、該NiO層上に形成された、金微粒子からなる金微粒子焼結体層22とを備えた積層構造を有する金属材料が、タングステン基板24上に形成されていることが確認された。また、上記NiO層の厚みは、50nm程度であることも確認された。
For the thin piece of the metal material according to Example 1, the mapping of nickel and tungsten as shown in Figure 4 was confirmed. In addition, as shown in the graph of the TEM-EDX line analysis in Figure 5, a diffusion layer in which nickel is diffused into the tungsten matrix was confirmed between the nickel fired film and the tungsten substrate. Here, such a diffusion layer is defined as the portion from the point where the values of the atomic % of nickel and the atomic % of tungsten are reversed to the point where the atomic % of tungsten reaches 100 atomic % in the graph of Figure 5 (see the solid line arrow portion in the graph of Figure 5. The diffusion layers in the graphs of Figures 12 and 17 are defined in the same way).
It was also confirmed that the diffusion layer had a thickness of 40 nm in the direction in which the tungsten substrate and the nickel fired film were laminated. From Fig. 6, it was confirmed that in the portion of 44.0 nm to 74.2 nm in thickness, which corresponds to the S portion, the average value of the atomic percentage of nickel was 4.4 atomic percentage (=61.7/14) (i.e., 2 atomic percentage or more). From this, it was found that in the region corresponding to the diffusion layer, there was a portion in which the amount of nickel diffused was at least 2 atomic percentage, and the thickness of this portion was 5 nm or more.
In addition, the TEM-EDX line analysis confirmed the presence of an overlapping portion in a region of about 40 nm near the interface between tungsten and nickel, as determined from the HAADF-STEM observation image. Here, the overlapping portion refers to the portion in the graph of FIG. 5 where the atomic percentages of nickel and tungsten change at a nearly constant rate (see the dashed arrow portion in the graph of FIG. 5. The overlapping portions in the graphs of FIG. 12 and FIG. 17 are defined in the same way).
7, it was confirmed that the area A in the above-mentioned flake contains Ni, NiO, Ni 4 W, and W, and the area B contains W. From this, it was confirmed that the nickel fired film contains Ni 4 W, and furthermore, a NiO layer is formed on the nickel fired film.
Here, Figures 8 and 9 are images obtained when the cross section of the metal material of the bonded body according to Example 1 was polished by ion milling and the interface was observed using an FE-SEM (apparatus used: S-8230, manufactured by Hitachi Technology Co., Ltd.). From Figures 8 and 9, it was confirmed that a metal material having a laminated structure including a Ni 4 W layer 23, a NiO layer 25 formed on the Ni 4 W layer, and a gold fine particle sintered body layer 22 made of gold fine particles formed on the NiO layer was formed on the tungsten substrate 24. It was also confirmed that the thickness of the NiO layer was about 50 nm.

次に、比較例1に係る金属材料の薄片に関しては、図11に示すようなニッケルとタングステンのマッピングが確認された。また、図12のTEM-EDXライン分析のグラフに示すように、電気ニッケルめっき焼成膜およびタングステン基板の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が確認された。そして、かかる拡散層は、タングステン基板と電気ニッケルめっき焼成膜とが積層された方向において、50nm存在することが確認された(図12のグラフにおける実線矢印部分を参照)。また、図13より、T部分に相当する、厚み48.7nmから96.0nmの部分において、ニッケルの原子%の平均値は4.6原子%(=68.3/15)であることが確認された。
また、TEM-EDXのライン分析結果では、HAADF-STEM観察画像から判断されるタングステンとニッケルとの界面付近約25nmの領域に、オーバーラップ部分が存在することが確認された(図12のグラフにおける破線矢印部分を参照)。
さらに、図14に示すように、上記薄片におけるA領域には、NiW、Wが含まれており、B領域にはWが含まれていることが確認された。即ち、電気ニッケルめっき焼成膜上に、NiO層が形成されていないことが確認された。
Next, for the flakes of the metal material according to Comparative Example 1, the mapping of nickel and tungsten as shown in FIG. 11 was confirmed. In addition, as shown in the graph of the TEM-EDX line analysis in FIG. 12, a diffusion layer in which nickel is diffused into the tungsten matrix was confirmed between the electrolytic nickel plating baked film and the tungsten substrate. It was confirmed that such a diffusion layer exists at 50 nm in the direction in which the tungsten substrate and the electrolytic nickel plating baked film are laminated (see the solid line arrow in the graph in FIG. 12). In addition, it was confirmed from FIG. 13 that the average value of the atomic percentage of nickel is 4.6 atomic percentage (=68.3/15) in the portion of thickness 48.7 nm to 96.0 nm, which corresponds to the T portion.
In addition, the TEM-EDX line analysis results confirmed that an overlapping portion exists in a region of about 25 nm near the interface between tungsten and nickel as determined from the HAADF-STEM observation image (see the dashed arrow portion in the graph of FIG. 12).
14, it was confirmed that the A region of the above-mentioned thin piece contains Ni 4 W and W, and the B region contains W. That is, it was confirmed that no NiO layer was formed on the electrolytic nickel plating fired film.

続いて、比較例2に係る金属材料の薄片に関しては、図16に示すようなニッケルとタングステンのマッピングが確認された。また、図17のTEM-EDXライン分析のグラフに示すように、無電解ニッケルめっき焼成膜およびタングステン基板の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が確認された。そして、かかる拡散層は、タングステン基板と無電解ニッケルめっき焼成膜とが積層された方向において、100nm存在することが確認された(図17のグラフにおける実線矢印部分を参照)。また、図18より、U部分に相当する、厚み76.0nmから146.0nmの部分において、ニッケルの原子%の平均値は5.2原子%(=98.9/19)であることが確認された。
また、TEM-EDXのライン分析結果では、HAADF-STEM観察画像から判断されるタングステンとニッケルとの界面付近約100nmの領域に渡ってオーバーラップ部分が存在することが確認された(図17のグラフにおける破線矢印部分を参照)。
さらに、図19に示すように、上記薄片におけるA領域には、NiW、Wが含まれており、B領域にはWが含まれていることが確認された。即ち、無電解ニッケルめっき焼成膜上に、NiO層が形成されていないことが確認された。
Next, for the flakes of the metal material according to Comparative Example 2, the mapping of nickel and tungsten as shown in FIG. 16 was confirmed. In addition, as shown in the graph of the TEM-EDX line analysis in FIG. 17, a diffusion layer in which nickel is diffused into the tungsten matrix was confirmed between the electroless nickel plating baked film and the tungsten substrate. It was confirmed that such a diffusion layer exists in a thickness of 100 nm in the direction in which the tungsten substrate and the electroless nickel plating baked film are laminated (see the solid arrow portion in the graph in FIG. 17). In addition, it was confirmed from FIG. 18 that the average value of the atomic percentage of nickel was 5.2 atomic percentage (=98.9/19) in the portion of thickness 76.0 nm to 146.0 nm corresponding to the U portion.
In addition, the results of the TEM-EDX line analysis confirmed that an overlapping portion exists over a region of about 100 nm near the interface between tungsten and nickel as determined from the HAADF-STEM observation image (see the dashed arrow portion in the graph of FIG. 17).
19, it was confirmed that the A region of the above-mentioned thin piece contains Ni 4 W and W, and the B region contains W. That is, it was confirmed that the NiO layer was not formed on the electroless nickel plating fired film.

上記3および4の結果から明らかなように、ニッケル焼成膜(ニッケルを含む金属層に相当)および貴金属微粒子焼成膜(貴金属微粒子焼結体層に相当)が、NiOを主体とする酸化物層を介して積層された金属材料においては、該ニッケル焼成膜と該貴金属微粒子焼成膜の密着性が高いことが確認された。
以下、特に限定解釈されるものではないが、ニッケル焼成膜および貴金属微粒子焼成膜の間にNiO層が形成されることにより、密着性の高い金属材料(および、該金属材料と基材とを備えた接合体)が得られるものと考えられ得る。具体的には、ニッケル焼成膜上にNiO層が存在することにより、貴金属微粒子ペーストとの親和性が向上し、該ニッケル焼成膜と貴金属微粒子焼成膜が接着したものと考えられ得る。そして、比較例3のように焼成後の残留物が金のみの水金膜上や、比較例6~8のような基板上では、金微粒子ペーストとの親和性が高くないため、ペースト中の金微粒子同士の焼結のみが進行し、基板や膜に接着することが困難であるため、剥離したものと考えられ得る。
なお、かかるNiO層は、1000℃での焼成時に、ニッケル微粒子に付着している酸素がニッケル微粒子と反応することにより生成したものであると考えられ得る。そして、電気ニッケルめっき膜および無電解ニッケルめっき膜には、NiOが生成するために十分な酸素が付着していないため、焼成後にかかるNiO層が生成しなかったものと考えられ得る。
このように、ここで開示される技術によると、金属層どうしが中間層を介して密着性高く積層された金属材料および該金属材料と基材とを備える接合体を提供することができる。
As is clear from the results of 3 and 4 above, in a metal material in which a nickel fired film (corresponding to a metal layer containing nickel) and a precious metal microparticle fired film (corresponding to a precious metal microparticle sintered layer) are laminated via an oxide layer mainly composed of NiO, it was confirmed that the nickel fired film and the precious metal microparticle fired film have high adhesion.
Hereinafter, although it is not particularly limited, it is considered that a highly adhesive metal material (and a joint body including the metal material and a substrate) is obtained by forming a NiO layer between the nickel fired film and the precious metal fine particle fired film. Specifically, it is considered that the presence of a NiO layer on the nickel fired film improves the affinity with the precious metal fine particle paste, and the nickel fired film and the precious metal fine particle fired film are bonded together. And, on the water gold film where the residue after firing is only gold as in Comparative Example 3, or on the substrate as in Comparative Examples 6 to 8, the affinity with the gold fine particle paste is not high, so only the sintering of the gold fine particles in the paste progresses, and it is difficult to adhere to the substrate or film, so it is considered that peeling occurs.
It is considered that the NiO layer is formed by the reaction of oxygen attached to the nickel fine particles with the nickel fine particles during firing at 1000° C. In addition, it is considered that the NiO layer is not formed after firing because sufficient oxygen is not attached to the electric nickel plating film and the electroless nickel plating film to generate NiO.
In this way, the technology disclosed herein can provide a metal material in which metal layers are laminated with high adhesion via an intermediate layer, and a bonded body including the metal material and a substrate.

1 金属材料
2,12 貴金属微粒子焼結体層
3,13 酸化物層
4,14 金属層
10 接合体
15 拡散層
16,24 タングステン基材
22 金微粒子焼結体層
23 NiW層
25 NiO層
P,Q,R ライン部分
S,T,U 拡散層に含まれるニッケル量を示す部分

REFERENCE SIGNS LIST 1 Metal material 2, 12 Precious metal fine particle sintered layer 3, 13 Oxide layer 4, 14 Metal layer 10 Bonded body 15 Diffusion layer 16, 24 Tungsten base material 22 Gold fine particle sintered layer 23 Ni 4 W layer 25 NiO layer P, Q, R Line portions S, T, U Portions showing the amount of nickel contained in the diffusion layer

Claims (6)

タングステンを99重量%以上含む基材と、
該基材上に形成された金属材料と、
を備えた接合体であって
ここで、前記金属材料は、
ニッケルを含む金属層と、
該金属層上に形成された、NiOを主体とする酸化物層と、
該酸化物層上に形成された、貴金属微粒子からなる貴金属微粒子焼結体層と、
を備えた積層構造を有する、接合体。
A substrate containing 99% by weight or more of tungsten ;
A metal material formed on the substrate;
A joint comprising:
Here, the metal material is
A metal layer including nickel;
an oxide layer mainly composed of NiO formed on the metal layer;
a precious metal fine particle sintered layer formed on the oxide layer and made of precious metal fine particles;
A bonded body having a laminated structure comprising :
前記金属層は、ニッケル-タングステン合金を含む、請求項1に記載の接合体。The joint of claim 1 , wherein the metal layer comprises a nickel-tungsten alloy. 前記ニッケル-タングステン合金は、NiThe nickel-tungsten alloy is Ni 4 Wを含む、請求項2に記載の接合体。The composite of claim 2 , further comprising W. 前記貴金属微粒子焼結体層を構成する貴金属微粒子の主構成金属元素は金(Au)である、請求項1~3のいずれか一項に記載の接合体。The bonded body according to any one of claims 1 to 3, wherein the main constituent metal element of the precious metal fine particles constituting the precious metal fine particle sintered layer is gold (Au). 前記基材および前記金属材料の間に、タングステンマトリックス中にニッケルが拡散した拡散層が存在し、
前記拡散層において、該拡散層に含まれるニッケル量が、当該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分が存在することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の接合体。
a diffusion layer in which nickel is diffused into a tungsten matrix is present between the substrate and the metal material;
The joint body according to any one of claims 1 to 4, characterized in that in the diffusion layer, there is a portion in which the amount of nickel contained in the diffusion layer is at least 2 atomic % when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %.
前記拡散層において、該拡散層に含まれるニッケル量が、当該拡散層中のタングステンおよびニッケルの原子数の合計を100原子%としたときに、少なくとも2原子%である部分の厚みが、5nmまたはそれ以上である部分が存在する、請求項に記載の接合体。 6. The joined body according to claim 5, wherein the diffusion layer has a thickness of 5 nm or more, and the diffusion layer contains nickel at an amount of at least 2 atomic % when the total number of tungsten and nickel atoms in the diffusion layer is taken as 100 atomic %.
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