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JP7643187B2 - Vibration Device - Google Patents
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JP7643187B2 - Vibration Device - Google Patents

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JP7643187B2 JP2021091206A JP2021091206A JP7643187B2 JP 7643187 B2 JP7643187 B2 JP 7643187B2 JP 2021091206 A JP2021091206 A JP 2021091206A JP 2021091206 A JP2021091206 A JP 2021091206A JP 7643187 B2 JP7643187 B2 JP 7643187B2
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Description

本発明は、振動デバイスに関する。 The present invention relates to a vibration device.

近年、各種の電子機器の小型化や薄型化が進んでいる。そのため、これらの電子機器に用いられる水晶発振器等の振動デバイスも小型化への対応が求められている。
例えば、特許文献1には、水晶振動子を搭載したシリコンからなる第1基板と、水晶振動子を収容する凹部が形成されたシリコンからなる第2基板と、を凹部内に水晶振動子を収める状態で重ね、接合しパッケージ化することによって、振動デバイスである圧電発振器を小型化できることが記載されている。
また、例えば、特許文献2には、振動部を有する水晶振動板の一主面と水晶から形成された第1封止部材とが接合され、水晶振動板の他主面と水晶から形成された第2封止部材とが接合されてサンドイッチ構造のパッケージが構成され、これにより、振動デバイスである水晶発振器の小型化が図れることが記載されている。
2. Description of the Related Art In recent years, various electronic devices have become smaller and thinner. This has led to a demand for miniaturization of vibration devices such as crystal oscillators used in these electronic devices.
For example, Patent Document 1 describes how a piezoelectric oscillator, which is a vibration device, can be miniaturized by stacking a first substrate made of silicon carrying a quartz crystal oscillator and a second substrate made of silicon having a recess formed therein for accommodating the quartz crystal oscillator, bonding them together, and packaging them with the quartz crystal oscillator housed in the recess.
Furthermore, for example, Patent Document 2 describes that one main surface of a quartz vibration plate having a vibrating portion is bonded to a first sealing member formed from quartz, and the other main surface of the quartz vibration plate is bonded to a second sealing member formed from quartz, thereby forming a sandwich-structure package, which enables the miniaturization of a quartz oscillator, which is a vibration device.

特開2017-139717号公報JP 2017-139717 A 特開2020-120345号公報JP 2020-120345 A

しかしながら、特許文献1や特許文献2に記載の振動デバイスは、振動デバイスの小型化によるハンドリングのし難さが顕著となり、また、パッケージを構成する部材がシリコン基板や水晶なので、振動デバイスである振動子や発振器が脆く欠け易い、という課題がある。 However, the vibration devices described in Patent Documents 1 and 2 have problems in that the miniaturization of the vibration devices makes them difficult to handle, and because the components that make up the package are silicon substrates and quartz crystal, the vibrator or oscillator that constitutes the vibration device is fragile and prone to chipping.

振動デバイスは、第1面と、前記第1面とは反対側に位置する第2面と、前記第1面を含む第1絶縁層と、前記第2面を含む第2絶縁層と、前記第1面に開口部を有し、少なくとも前記第1絶縁層を貫通する有底の凹部と、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との間に配置される接続用配線層と、を有する多層基板と、収容空間を備える容器と、前記収容空間に収容される振動素子と、前記容器の外面に配置され、前記振動素子と電気的に接続される接続用端子と、を有し、前記凹部内に配置される振動子と、前記接続用配線層と、前記接続用端子と、を電気的に接続する導電性接続部材と、を有する。 The vibration device includes a multilayer substrate having a first surface, a second surface located on the opposite side to the first surface, a first insulating layer including the first surface, a second insulating layer including the second surface, a recess having an opening on the first surface and a bottom penetrating at least the first insulating layer, and a connection wiring layer disposed between the first insulating layer and the second insulating layer, a container having a storage space, a vibration element contained in the storage space, and a connection terminal disposed on the outer surface of the container and electrically connected to the vibration element, and a conductive connection member electrically connecting the vibration element, the connection wiring layer, and the connection terminal to the vibration element, disposed in the recess.

実施形態1に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a first embodiment. 図1中のA-A線断面図。Cross-sectional view taken along line AA in FIG. 実施形態2に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a second embodiment. 図2中のB-B線断面図。Cross-sectional view taken along line BB in FIG. 実施形態3に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a third embodiment. 図5中のC-C線断面図。Cross-sectional view taken along line CC in FIG. 5 . 図5中のD-D線断面図。Cross-sectional view taken along line D-D in Figure 5. 実施形態4に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 13 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a fourth embodiment. 図8中のE-E線断面図。Cross-sectional view taken along line E-E in FIG. 8 . 実施形態5に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 13 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a fifth embodiment. 図10中のG-G線断面図。Cross-sectional view of line GG in Figure 10. 実施形態6に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 13 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a sixth embodiment. 図12中のH-H線断面図。Cross-sectional view taken along line HH in FIG. 12 . 実施形態7に係る振動デバイスの概略構造を示す平面図。FIG. 13 is a plan view showing a schematic structure of a vibration device according to a seventh embodiment. 図14中のI-I線断面図。Cross-sectional view taken along line II in FIG. 14 .

1.実施形態1
実施形態1に係る振動デバイス1について、図1及び図2を参照して説明する。
尚、説明の便宜上、以下の各図には、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、及びZ軸を図示している。また、X軸に沿った方向を「X方向」、Y軸に沿った方向を「Y方向」、Z軸に沿った方向を「Z方向」と言う。また、各軸の矢印側を「プラス側」、矢印と反対側を「マイナス側」とも言う。また、Z方向プラス側を「上」、Z方向マイナス側を「下」とも言う。また、Z方向からの平面視において、Z方向プラス側の面を上面、この上面と反対側となるZ方向マイナス側の面を下面として説明する。
1. Embodiment 1
A vibration device 1 according to a first embodiment will be described with reference to FIGS.
For ease of explanation, the following figures show three mutually orthogonal axes, the X-axis, the Y-axis, and the Z-axis. The direction along the X-axis is called the "X-direction", the direction along the Y-axis is called the "Y-direction", and the direction along the Z-axis is called the "Z-direction". The arrow side of each axis is also called the "plus side", and the opposite side to the arrow is also called the "minus side". The plus side of the Z direction is also called the "upper", and the minus side of the Z direction is also called the "lower". In a plan view from the Z direction, the surface on the plus side of the Z direction is called the upper surface, and the surface on the minus side of the Z direction opposite to the upper surface is called the lower surface.

図1及び図2に示すように、振動デバイス1は、第1面101と、第1面101とは反対側に位置する第2面102と、第1面101を含む第1絶縁層21と、第2面102を含む第2絶縁層22と、第1面101に開口部41を有し、第1絶縁層21を貫通する有底の凹部40と、第1絶縁層21と第2絶縁層22との間に配置される接続用配線層25と、を有する多層基板2と、収容空間52を備える容器51と、収容空間52に収容される振動素子6と、容器51の外面に配置され、振動素子6と電気的に接続される接続用端子70と、を有し、凹部40内に配置される振動子5と、接続用配線層25と、接続用端子70と、を電気的に接続する導電性接続部材8と、を有する。なお、収容空間52のことを収容部とも言う。 1 and 2, the vibration device 1 has a first surface 101, a second surface 102 located on the opposite side to the first surface 101, a first insulating layer 21 including the first surface 101, a second insulating layer 22 including the second surface 102, a multilayer substrate 2 having an opening 41 on the first surface 101, a bottomed recess 40 penetrating the first insulating layer 21, and a connection wiring layer 25 arranged between the first insulating layer 21 and the second insulating layer 22, a container 51 with an accommodation space 52, a vibration element 6 accommodated in the accommodation space 52, and a connection terminal 70 arranged on the outer surface of the container 51 and electrically connected to the vibration element 6, and a conductive connection member 8 that electrically connects the vibration element 5 arranged in the recess 40, the connection wiring layer 25, and the connection terminal 70. The accommodation space 52 is also called the accommodation section.

まず、多層基板2について説明する。
多層基板2は、多層基板2の第1面101に直交するZ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。なお、本実施形態では、第1面101は、多層基板2の上面であり、第2面102は、多層基板2の下面である。
First, the multilayer substrate 2 will be described.
The multilayer substrate 2 is a flat plate having a rectangular outer shape when viewed in a plan view from a Z direction perpendicular to a first surface 101 of the multilayer substrate 2. In this embodiment, the first surface 101 is an upper surface of the multilayer substrate 2, and the second surface 102 is a lower surface of the multilayer substrate 2.

多層基板2は、例えば、複数のプリント配線板をプリント配線板の厚さ方向であるZ方向に積層した基板である。多層基板2としては、ガラスエポキシ基板、ガラスフェノール基板、ガラスポリイミド基板などの樹脂基板を用いることができる。本実施形態では、多層基板2は、ガラスエポキシ基板である。 The multilayer substrate 2 is, for example, a substrate in which multiple printed wiring boards are stacked in the Z direction, which is the thickness direction of the printed wiring boards. As the multilayer substrate 2, a resin substrate such as a glass epoxy substrate, a glass phenol substrate, or a glass polyimide substrate can be used. In this embodiment, the multilayer substrate 2 is a glass epoxy substrate.

多層基板2は、第1面101を含む第1絶縁層21と、第2面102を含む第2絶縁層22と、第1絶縁層21と第2絶縁層22との間に配置される第3絶縁層23と、を有する。第1絶縁層21と、第3絶縁層23と、第2絶縁層22と、は、この順で上方から下方に向かって積層される。 The multilayer substrate 2 has a first insulating layer 21 including a first surface 101, a second insulating layer 22 including a second surface 102, and a third insulating layer 23 disposed between the first insulating layer 21 and the second insulating layer 22. The first insulating layer 21, the third insulating layer 23, and the second insulating layer 22 are stacked from top to bottom in this order.

多層基板2において、積層方向であるZ方向に隣り合う第1絶縁層21と第3絶縁層23との間には、第1配線層26が配置される。積層方向に隣り合う第3絶縁層23と第2絶縁層22との間には、第2配線層27が配置される。 In the multilayer substrate 2, a first wiring layer 26 is disposed between the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23, which are adjacent to each other in the Z direction, which is the stacking direction. A second wiring layer 27 is disposed between the third insulating layer 23 and the second insulating layer 22, which are adjacent to each other in the stacking direction.

また、多層基板2の第2面102には、外部と電気的な接続を行うための外部端子28が配置される。 In addition, external terminals 28 for electrical connection to the outside are arranged on the second surface 102 of the multilayer substrate 2.

第2絶縁層22と、第3絶縁層23と、は、第2絶縁層22と、第3絶縁層23と、のそれぞれの厚さ方向であるZ方向に貫通する貫通穴291と、貫通穴291の内部に埋設される貫通電極29と、を有する。貫通電極29は、第1配線層26と、第2配線層27と、外部端子28と、を電気的に接続する。なお、本実施形態では、第1絶縁層21は、貫通穴291と、貫通電極29とを有さないが、第1絶縁層21は、貫通穴291と、貫通電極29とを有していても構わない。 The second insulating layer 22 and the third insulating layer 23 have a through hole 291 that penetrates the second insulating layer 22 and the third insulating layer 23 in the Z direction, which is the thickness direction of each of them, and a through electrode 29 that is embedded inside the through hole 291. The through electrode 29 electrically connects the first wiring layer 26, the second wiring layer 27, and the external terminal 28. In this embodiment, the first insulating layer 21 does not have the through hole 291 and the through electrode 29, but the first insulating layer 21 may have the through hole 291 and the through electrode 29.

また、多層基板2は、第1面101に開口部41を有する有底の凹部40を有する。
本実施形態では、凹部40は、第1面101を含む第1絶縁層21を貫通している。つまり、第1絶縁層21は、凹部40に相当する貫通部を有する。第1絶縁層21が有する凹部40に相当する貫通部において、第1面101とは反対側に位置する面は、第1絶縁層21と積層方向に隣り合う第3絶縁層23により塞がれる。このようにして、第1面101に開口部41を有し、第1絶縁層21を貫通する有底の凹部40が形成される。凹部40の底面42は、第1絶縁層21が有する凹部40に相当する貫通部を塞ぐ第3絶縁層23における第1絶縁層21に対向する面である。
Furthermore, the multilayer substrate 2 has a bottomed recess 40 having an opening 41 on the first surface 101 .
In this embodiment, the recess 40 penetrates the first insulating layer 21 including the first surface 101. That is, the first insulating layer 21 has a through portion corresponding to the recess 40. In the through portion corresponding to the recess 40 of the first insulating layer 21, the surface located on the opposite side to the first surface 101 is blocked by the third insulating layer 23 adjacent to the first insulating layer 21 in the stacking direction. In this manner, a bottomed recess 40 having an opening 41 in the first surface 101 and penetrating the first insulating layer 21 is formed. The bottom surface 42 of the recess 40 is the surface of the third insulating layer 23 that blocks the through portion corresponding to the recess 40 of the first insulating layer 21, facing the first insulating layer 21.

本実施形態では、凹部40の開口部41は、Z方向からの平面視で、矩形状であり、開口部41は、第1面101で囲まれている。言い換えると、凹部40の周囲は、第1面101で囲まれている。 In this embodiment, the opening 41 of the recess 40 is rectangular in plan view from the Z direction, and the opening 41 is surrounded by the first surface 101. In other words, the periphery of the recess 40 is surrounded by the first surface 101.

上述したように、積層方向に隣り合う第1絶縁層21と、第3絶縁層23と、の間には、第1配線層26が配置されているので、第3絶縁層23における第1絶縁層21に対向する面である凹部40の底面42には、第1配線層26を配置することができる。そして、凹部40の底面42に配置される第1配線層26は、接続用配線層25として機能させることができる。つまり、凹部40の底面42には、接続用配線層25としての第1配線層26が配置される。 As described above, the first wiring layer 26 is disposed between the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23 that are adjacent in the stacking direction, so the first wiring layer 26 can be disposed on the bottom surface 42 of the recess 40, which is the surface of the third insulating layer 23 that faces the first insulating layer 21. The first wiring layer 26 disposed on the bottom surface 42 of the recess 40 can function as the connection wiring layer 25. In other words, the first wiring layer 26 is disposed on the bottom surface 42 of the recess 40 as the connection wiring layer 25.

凹部40の底面42に配置される接続用配線層25としての第1配線層26は、多層基板2の第1面101よりもZ方向マイナス側に位置し、多層基板2の第2面102よりもZ方向プラス側に位置する。つまり、接続用配線層25としての第1配線層26は、多層基板2の第1面101と、多層基板2の第2面102と、の間に配置されている。 The first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 arranged on the bottom surface 42 of the recess 40 is located on the negative side of the Z direction from the first surface 101 of the multilayer substrate 2, and is located on the positive side of the Z direction from the second surface 102 of the multilayer substrate 2. In other words, the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 is arranged between the first surface 101 of the multilayer substrate 2 and the second surface 102 of the multilayer substrate 2.

接続用配線層25としての第1配線層26は、凹部40内に配置される振動子5における容器51の外面に配置される後述する接続用端子70と、導電性接続部材8を介して電気的に接続される。 The first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 is electrically connected to a connection terminal 70 (described later) arranged on the outer surface of the container 51 of the vibrator 5 arranged in the recess 40 via a conductive connection member 8.

また、接続用配線層25としての第1配線層26は、貫通電極29を介して、または、貫通電極29と第2配線層27とを介して、多層基板2の第2面102に配置される外部端子28と電気的に接続される。 The first wiring layer 26 serving as the connection wiring layer 25 is electrically connected to an external terminal 28 arranged on the second surface 102 of the multilayer substrate 2 via a through electrode 29, or via the through electrode 29 and the second wiring layer 27.

次に、振動子5について説明する。 Next, we will explain about the vibrator 5.

振動子5は、収容空間52を備える容器51と、収容空間52に収容される振動素子6と、容器51の外面に配置され、振動素子6と電気的に接続される接続用端子70と、を有する。なお、容器51の外面とは、容器51の外表面を意味し、容器51の上面、下面及び側面を含む。 The vibrator 5 has a container 51 with a storage space 52, a vibration element 6 housed in the storage space 52, and a connection terminal 70 disposed on the outer surface of the container 51 and electrically connected to the vibration element 6. The outer surface of the container 51 means the outer surface of the container 51, and includes the upper surface, lower surface, and side surfaces of the container 51.

容器51は、半導体基板であるベース53と、半導体基板であるリッド54と、を含む。 The container 51 includes a base 53, which is a semiconductor substrate, and a lid 54, which is also a semiconductor substrate.

ベース53は、板状である。ベース53は、リッド54に対向する面55と、リッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56と、を有する。本実施形態では、リッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56が、容器51の下面となる。 The base 53 is plate-shaped. The base 53 has a surface 55 facing the lid 54 and a surface 56 located on the opposite side of the surface 55 facing the lid 54. In this embodiment, the surface 56 located on the opposite side of the surface 55 facing the lid 54 becomes the bottom surface of the container 51.

本実施形態では、ベース53は、単結晶シリコンを含む半導体基板である。なお、ベース53としては、シリコン以外の半導体基板、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、炭化珪素等の半導体基板を用いても構わない。 In this embodiment, the base 53 is a semiconductor substrate containing single crystal silicon. Note that the base 53 may be a semiconductor substrate other than silicon, such as a germanium, gallium arsenide, gallium phosphide, gallium nitride, silicon carbide, or other semiconductor substrate.

リッド54は、箱状である。リッド54は、ベース53に対向する面57と、ベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58と、リッド54においてベース53に対向する面57に開口する有底の凹部541を有する。本実施形態では、ベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58が、容器51の上面となる。 The lid 54 is box-shaped. The lid 54 has a surface 57 facing the base 53, a surface 58 located on the opposite side of the surface 57 facing the base 53, and a bottomed recess 541 that opens into the surface 57 of the lid 54 facing the base 53. In this embodiment, the surface 58 located on the opposite side of the surface 57 facing the base 53 becomes the top surface of the container 51.

本実施形態では、リッド54は、単結晶シリコンを含む半導体基板である。なお、リッド54としては、シリコン以外の半導体基板、例えば、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化ガリウム、窒化ガリウム、炭化珪素等の半導体基板を用いても構わない。 In this embodiment, the lid 54 is a semiconductor substrate containing single crystal silicon. Note that the lid 54 may be a semiconductor substrate other than silicon, such as a germanium, gallium arsenide, gallium phosphide, gallium nitride, silicon carbide, or other semiconductor substrate.

リッド54における凹部541の開口を塞ぐように、ベース53におけるリッド54に対向する面55と、凹部541の外縁に位置するリッド54におけるベース53に対向する面57と、が接合部材511を介して接合される。これにより、振動素子6を収容する収容空間52が形成される。なお、接合部材511を用いずに、ベース53やリッド54に含まれる金属の拡散を利用した拡散接合、シリコン同士の拡散接合、表層を親水化しSi-O-Si結合層を有する親水化接合などにより接合しても構わない。 A surface 55 of the base 53 facing the lid 54 and a surface 57 of the lid 54 located on the outer edge of the recess 541 facing the base 53 are bonded via a bonding member 511 so as to close the opening of the recess 541 in the lid 54. This forms an accommodation space 52 for accommodating the vibration element 6. Note that, instead of using the bonding member 511, bonding may be performed by diffusion bonding utilizing the diffusion of metal contained in the base 53 and lid 54, diffusion bonding between silicon, or hydrophilic bonding in which the surface layer is made hydrophilic to have a Si-O-Si bond layer.

また、ベース53は、ベース53の厚さ方向であるZ方向に貫通する貫通孔531を有する。貫通孔531の内面と、リッド54に対向する面55と、リッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56と、を含むベース53の表面には、絶縁膜532が形成される。貫通孔531内には、貫通電極59が埋設される。 The base 53 also has a through hole 531 that penetrates in the Z direction, which is the thickness direction of the base 53. An insulating film 532 is formed on the surface of the base 53, including the inner surface of the through hole 531, a surface 55 facing the lid 54, and a surface 56 located on the opposite side to the surface 55 facing the lid 54. A through electrode 59 is embedded in the through hole 531.

ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56には、接続用端子70が配置される。言い換えると、接続用端子70は、容器51の外面に配置されており、具体的には、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56である容器51の下面に配置されている。 A connection terminal 70 is disposed on a surface 56 of the base 53 opposite the surface 55 facing the lid 54. In other words, the connection terminal 70 is disposed on the outer surface of the container 51, specifically, on the underside of the container 51, which is the surface 56 opposite the surface 55 of the base 53 facing the lid 54.

ベース53におけるリッド54に対向する面55には、配線71が配置される。接続用端子70と、配線71と、は貫通電極59により電気的に接続される。 Wiring 71 is arranged on the surface 55 of the base 53 facing the lid 54. The connection terminal 70 and the wiring 71 are electrically connected by a through electrode 59.

収容空間52に収納される振動素子6は、水晶基板である振動片61と、振動片61を振動させる励振電極62と、振動素子6をベース53に機械的及び電気的に接続し、振動信号を外部に出力するための接続電極63と、励振電極62と接続電極63とを電気的に接続するリード電極64と、を有する。なお、本実施形態では、振動片61として、ATカット水晶基板を用いているが、SCカット水晶基板、BTカット水晶基板、Zカット水晶基板、STカット水晶基板などを用いても構わない。 The vibration element 6 stored in the storage space 52 has a vibration piece 61 which is a quartz substrate, an excitation electrode 62 which vibrates the vibration piece 61, a connection electrode 63 which mechanically and electrically connects the vibration element 6 to the base 53 and outputs a vibration signal to the outside, and a lead electrode 64 which electrically connects the excitation electrode 62 and the connection electrode 63. Note that in this embodiment, an AT-cut quartz substrate is used as the vibration piece 61, but an SC-cut quartz substrate, a BT-cut quartz substrate, a Z-cut quartz substrate, an ST-cut quartz substrate, etc. may also be used.

振動素子6の接続電極63と、ベース53におけるリッド54に対向する面55に配置される配線71と、は金属バンプ等の導電性部材65を介して接合している。これにより、振動素子6はベース53に機械的に接続されるとともに、振動素子6の接続電極63と、リッド54に対向する面55に配置される配線71と、が電気的に接続される。振動素子6の接続電極63と、リッド54に対向する面55に配置される配線71と、が電気的に接続されることにより、導電性部材65と、配線71と、貫通電極59と、を介して、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56に配置される接続用端子70と、振動素子6と、が電気的に接続される。 The connection electrode 63 of the vibration element 6 and the wiring 71 arranged on the surface 55 of the base 53 facing the lid 54 are joined via a conductive member 65 such as a metal bump. As a result, the vibration element 6 is mechanically connected to the base 53, and the connection electrode 63 of the vibration element 6 is electrically connected to the wiring 71 arranged on the surface 55 facing the lid 54. The connection electrode 63 of the vibration element 6 is electrically connected to the wiring 71 arranged on the surface 55 facing the lid 54, and the connection terminal 70 arranged on the surface 56 located on the opposite side of the surface 55 facing the lid 54 of the base 53 is electrically connected to the vibration element 6 via the conductive member 65, the wiring 71, and the through electrode 59.

次に、多層基板2における振動子5の配置について説明する。
本実施形態では、多層基板2の上面である第1面101に開口部41を有する有底の凹部40内に、振動子5が配置される。
Next, the arrangement of the vibrator 5 on the multi-layer substrate 2 will be described.
In this embodiment, the vibrator 5 is disposed in a bottomed recess 40 having an opening 41 on a first surface 101 which is the upper surface of the multilayer substrate 2 .

振動子5における容器51の上面であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512となる。振動子5における容器51の下面であるベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56は、多層基板2における凹部40の底面42側に位置する容器51の面513となる。容器51において、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512は、多層基板2における凹部40の底面42側に位置する容器51の面513の反対側に位置する。 Surface 58 located opposite surface 57 facing base 53 of lid 54, which is the upper surface of container 51 in vibrator 5, becomes surface 512 of container 51 located on the opening 41 side of recess 40 in multilayer substrate 2. Surface 56 located opposite surface 55 facing lid 54 of base 53, which is the lower surface of container 51 in vibrator 5, becomes surface 513 of container 51 located on the bottom surface 42 side of recess 40 in multilayer substrate 2. Surface 512 of container 51 located on the opening 41 side of recess 40 in multilayer substrate 2 in container 51 is located opposite surface 513 of container 51 located on the bottom surface 42 side of recess 40 in multilayer substrate 2.

多層基板2における凹部40の底面42に配置される接続用配線層25としての第1配線層26と、多層基板2における凹部40の底面42側に位置する容器51の面513であるベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56に配置される接続用端子70と、は導電性接続部材8により電気的に接続される。 The first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 arranged on the bottom surface 42 of the recess 40 in the multilayer substrate 2 and the connection terminal 70 arranged on the surface 56 located on the opposite side of the surface 55 facing the lid 54 of the base 53, which is the surface 513 of the container 51 located on the bottom surface 42 side of the recess 40 in the multilayer substrate 2, are electrically connected by the conductive connection member 8.

このように、多層基板2の凹部40内に、振動子5が配置されることにより、振動デバイス1の小型化に伴うハンドリングのし難さが改善される。また、振動子5は、多層基板2により保護されるため、振動子5の割れや欠けなどを抑制することができる。 In this way, by arranging the vibrator 5 in the recess 40 of the multilayer substrate 2, the difficulty in handling that accompanies miniaturization of the vibration device 1 is improved. In addition, since the vibrator 5 is protected by the multilayer substrate 2, cracking or chipping of the vibrator 5 can be suppressed.

本実施形態では、上述したように、振動子5における容器51を構成する部材は、シリコン基板である。シリコン基板などの半導体基板は、脆く欠け易い部材である。このような脆く欠け易い半導体基板で構成される容器51を有する振動子5に対して、振動子5の割れや欠けを効果的に抑制することができる。 In this embodiment, as described above, the material constituting the container 51 in the vibrator 5 is a silicon substrate. Semiconductor substrates such as silicon substrates are brittle and easily chipped. For vibrators 5 having a container 51 made of such a brittle and easily chipped semiconductor substrate, cracking and chipping of the vibrator 5 can be effectively suppressed.

また、本実施形態では、上述したように、多層基板2は、ガラスエポキシ基板である。ガラスエポキシ基板のような樹脂基板は、機械的特性に優れ、割れや欠けが生じ難いため、振動デバイス1を容易にハンドリングすることができる。 In addition, in this embodiment, as described above, the multilayer substrate 2 is a glass epoxy substrate. Resin substrates such as glass epoxy substrates have excellent mechanical properties and are less likely to crack or chip, making it easy to handle the vibration device 1.

また、本実施形態では、図2に示すように、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2における凹部40の開口部41が形成される多層基板2の第1面101と面一である。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 2, the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54, which is the surface 512 of the container 51 located on the side of the opening 41 of the recess 40 in the multilayer substrate 2, is flush with the first surface 101 of the multilayer substrate 2 on which the opening 41 of the recess 40 in the multilayer substrate 2 is formed.

具体的には、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58と、多層基板2における凹部40の開口部41が形成される多層基板2の第1面101と、は同一のXY平面である面F1上に位置している。言い換えると、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512と、多層基板2の第1面101と、はZ方向の位置が同じである。 Specifically, surface 58, which is surface 512 of container 51 located on the side of opening 41 of recess 40 in multilayer substrate 2 and is located opposite surface 57 of lid 54 facing base 53, and first surface 101 of multilayer substrate 2 on which opening 41 of recess 40 in multilayer substrate 2 is formed, are located on surface F1, which is the same XY plane. In other words, surface 512 of container 51 located on the side of opening 41 of recess 40 in multilayer substrate 2 and first surface 101 of multilayer substrate 2 are in the same position in the Z direction.

つまり、振動子5は、多層基板2の第1面101に開口部41を有する凹部40から突出しないように、凹部40内に配置される。 In other words, the vibrator 5 is placed in the recess 40 so as not to protrude from the recess 40, which has an opening 41 on the first surface 101 of the multilayer substrate 2.

このように、本実施形態では、振動子5は、多層基板2の第1面101よりも上方に突出しないため、振動子5の割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 In this manner, in this embodiment, the vibrator 5 does not protrude above the first surface 101 of the multilayer substrate 2, so cracks or chips in the vibrator 5 can be effectively prevented.

また、本実施形態では、上述したように、多層基板2の下面である第2面102に外部端子28が配置されている。このため、例えば、吸着コレットを用いて振動デバイス1を外部基板に表面実装する場合、振動デバイス1は、多層基板2の上面である第1面101を吸着コレットにより吸着、保持されることになる。このとき、振動子5は多層基板2の第1面101よりも上方に突出しないため、振動子5は吸着コレットに干渉しない。これにより、吸着コレットによる振動デバイス1の吸着、保持が安定し、振動デバイス1を外部基板に容易に実装することができる。 In addition, in this embodiment, as described above, the external terminals 28 are arranged on the second surface 102, which is the lower surface of the multilayer substrate 2. Therefore, for example, when the vibration device 1 is surface-mounted on an external substrate using an adsorption collet, the vibration device 1 is adsorbed and held by the adsorption collet on the first surface 101, which is the upper surface of the multilayer substrate 2. At this time, the vibrator 5 does not protrude above the first surface 101 of the multilayer substrate 2, so the vibrator 5 does not interfere with the adsorption collet. This stably adsorbs and holds the vibration device 1 by the adsorption collet, making it possible to easily mount the vibration device 1 on an external substrate.

また、本実施形態では、上述したように、Z方向からの平面視で、凹部40の開口部41は、第1面101で囲まれている。これにより、振動子5の割れや欠けなどをさらに効果的に抑制することができる。また、吸着コレットによる振動デバイス1の吸着、保持がさらに安定し、振動デバイス1を外部基板にさらに容易に実装することができる。 In addition, in this embodiment, as described above, the opening 41 of the recess 40 is surrounded by the first surface 101 in a plan view from the Z direction. This makes it possible to more effectively prevent cracking or chipping of the vibrator 5. In addition, the suction and holding of the vibration device 1 by the suction collet becomes more stable, making it easier to mount the vibration device 1 on an external substrate.

また、本実施形態では、接続用端子70と、接続用配線層25としての第1配線層26と、は金属バンプや半田ペーストなどの導電性接続部材8を介して接合されている。これにより、容器51の外面に配置される接続用端子70を有する振動子5と、凹部40の底面42に配置される接続用配線層25としての第1配線層26を有する多層基板2と、は電気的に接続されるとともに、振動子5と、多層基板2と、は機械的に接続される。 In addition, in this embodiment, the connection terminal 70 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 are joined via a conductive connection member 8 such as a metal bump or solder paste. As a result, the vibrator 5 having the connection terminal 70 arranged on the outer surface of the container 51 and the multi-layer substrate 2 having the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 arranged on the bottom surface 42 of the recess 40 are electrically connected, and the vibrator 5 and the multi-layer substrate 2 are mechanically connected.

また、本実施形態では、接続用端子70と、接続用配線層25としての第1配線層26と、はZ方向からの平面視で、重なるように配置されている。これにより、接続用端子70と、接続用配線層25としての第1配線層26と、を導電性接続部材8を介して接合することにより、振動デバイス1を小型化することができる。 In addition, in this embodiment, the connection terminal 70 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 are arranged to overlap when viewed in a plan view from the Z direction. As a result, by joining the connection terminal 70 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 via the conductive connecting member 8, the vibration device 1 can be made smaller.

なお、振動子5における接続用端子70と、多層基板2における接続用配線層25としての第1配線層26と、を導電性接続部材8を介して接合する際には、多層基板2の凹部40内に振動子5を配置する前に、予め、振動子5における接続用端子70に金属バンプや半田ペーストなどの導電性接続部材8を付着させておくことが好ましい。これにより、多層基板2の凹部40内に振動子5を配置する前に、予め、凹部40の底面42に配置される接続用配線層25に導電性接続部材8を付着させておく必要がなく、振動デバイス1を容易に製造することができる。 When joining the connection terminal 70 of the vibrator 5 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25 of the multilayer substrate 2 via the conductive connection member 8, it is preferable to attach the conductive connection member 8 such as a metal bump or solder paste to the connection terminal 70 of the vibrator 5 before placing the vibrator 5 in the recess 40 of the multilayer substrate 2. This makes it possible to easily manufacture the vibration device 1 without having to attach the conductive connection member 8 to the connection wiring layer 25 placed on the bottom surface 42 of the recess 40 before placing the vibrator 5 in the recess 40 of the multilayer substrate 2.

以上述べたように本実施形態の振動デバイス1は、第1面101と、第1面101とは反対側に位置する第2面102と、第1面101を含む第1絶縁層21と、第2面102を含む第2絶縁層22と、第1面101に開口部41を有し、第1絶縁層21を貫通する有底の凹部40と、第1絶縁層21と第2絶縁層22との間に配置される接続用配線層25と、を有する多層基板2と、収容空間52を備える容器51と、収容空間52に収容される振動素子6と、容器51の外面に配置され、振動素子6と電気的に接続される接続用端子70と、を有し、凹部40内に配置される振動素子6と、接続用配線層25と、接続用端子70と、を電気的に接続する導電性接続部材8と、を有する。
これにより、小型化に伴うハンドリングのし難さが改善されるとともに、振動子5の割れや欠けなどが抑制される振動デバイス1を提供することができる。
As described above, the vibration device 1 of this embodiment has a first surface 101, a second surface 102 located opposite the first surface 101, a first insulating layer 21 including the first surface 101, a second insulating layer 22 including the second surface 102, a multilayer substrate 2 having an opening 41 on the first surface 101, a bottomed recess 40 penetrating the first insulating layer 21, and a connection wiring layer 25 arranged between the first insulating layer 21 and the second insulating layer 22, a container 51 with an accommodating space 52, a vibration element 6 accommodated in the accommodating space 52, a connection terminal 70 arranged on the outer surface of the container 51 and electrically connected to the vibration element 6, and a conductive connecting member 8 electrically connecting the vibration element 6 arranged in the recess 40, the connection wiring layer 25, and the connection terminal 70.
This makes it possible to provide a vibration device 1 that alleviates the difficulty in handling that accompanies miniaturization and that suppresses cracking or chipping of the vibrator 5 .

なお、本実施形態では、多層基板2は、第1絶縁層21、第2絶縁層22、及び第3絶縁層23の3層であるが、第1絶縁層21と第2絶縁層22との間に複数の第3絶縁層23を積層することにより、多層基板2を4層以上としても構わない。 In this embodiment, the multilayer board 2 has three layers: a first insulating layer 21, a second insulating layer 22, and a third insulating layer 23. However, the multilayer board 2 may have four or more layers by stacking multiple third insulating layers 23 between the first insulating layer 21 and the second insulating layer 22.

また、本実施形態では、凹部40は、第1絶縁層21を貫通しているが、凹部40は、第1絶縁層21と、第1絶縁層21と積層方向に隣り合う第3絶縁層23と、を貫通していても構わない。つまり、凹部40は、少なくとも第1絶縁層21を貫通していれば構わない。 In addition, in this embodiment, the recess 40 penetrates the first insulating layer 21, but the recess 40 may also penetrate the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23 adjacent to the first insulating layer 21 in the stacking direction. In other words, it is sufficient that the recess 40 penetrates at least the first insulating layer 21.

また、本実施形態では、振動子5における容器51は、半導体基板であるシリコン基板により構成されるが、容器51を半導体基板以外の部材、例えば、半導体基板と同様に脆く欠け易い部材である水晶により構成しても構わない。 In addition, in this embodiment, the container 51 in the vibrator 5 is made of a silicon substrate, which is a semiconductor substrate, but the container 51 may be made of a material other than a semiconductor substrate, for example, quartz, which is a brittle material that is easily chipped, just like a semiconductor substrate.

また、本実施形態では、振動子5は発振回路を有さないが、振動子5が発振回路を有する発振器であっても構わない。 In addition, in this embodiment, the vibrator 5 does not have an oscillation circuit, but the vibrator 5 may be an oscillator that has an oscillation circuit.

2.実施形態2
次に、実施形態2に係る振動デバイス1aについて、図3及び図4を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態2は、多層基板2aにおける凹部40aの深さ、すなわち、凹部40aの底面42aにおけるZ方向の位置が異なること以外は、実施形態1と同様である。
2. Embodiment 2
Next, a vibration device 1a according to a second embodiment will be described with reference to Fig. 3 and Fig. 4. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The second embodiment is similar to the first embodiment, except that the depth of the recess 40a in the multilayer substrate 2a, i.e., the position in the Z direction on the bottom surface 42a of the recess 40a, is different.

図3及び図4に示すように、多層基板2aは、第1面101に開口部41aを有する有底の凹部40aを有する。 As shown in Figures 3 and 4, the multilayer substrate 2a has a bottomed recess 40a with an opening 41a on the first surface 101.

本実施形態では、凹部40aは、第1絶縁層21と、第1絶縁層21と積層方向に隣り合う第3絶縁層23と、を貫通している。つまり、第1絶縁層21は、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43を有し、第3絶縁層23は、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44を有する。本実施形態では、Z方向からの平面視で、第1絶縁層21に形成される凹部40aに対応する第1貫通部43の形状と、第3絶縁層23に形成される凹部40aに対応する第2貫通部44の形状と、は略同一であり、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43と、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44と、は、Z方向からの平面視で重なっている。 In this embodiment, the recess 40a penetrates the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23 adjacent to the first insulating layer 21 in the stacking direction. That is, the first insulating layer 21 has a first penetration portion 43 penetrating the first insulating layer 21, and the third insulating layer 23 has a second penetration portion 44 penetrating the third insulating layer 23. In this embodiment, in a plan view from the Z direction, the shape of the first penetration portion 43 corresponding to the recess 40a formed in the first insulating layer 21 and the shape of the second penetration portion 44 corresponding to the recess 40a formed in the third insulating layer 23 are approximately the same, and the first penetration portion 43 penetrating the first insulating layer 21 and the second penetration portion 44 penetrating the third insulating layer 23 overlap in a plan view from the Z direction.

凹部40aの底面42aは、第3絶縁層23とは積層方向に隣り合う第2絶縁層22における第3絶縁層23に対向する面である。言い換えると、凹部40aの底面42aは、第2絶縁層22における多層基板2aの第2面102とは反対側に位置する面である。 The bottom surface 42a of the recess 40a is the surface facing the third insulating layer 23 in the second insulating layer 22 adjacent to the third insulating layer 23 in the stacking direction. In other words, the bottom surface 42a of the recess 40a is the surface of the second insulating layer 22 located on the opposite side to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a.

つまり、本実施形態では、多層基板2aにおける凹部40aの深さは、凹部40aが貫通する第3絶縁層23の厚さに相当する分、実施形態1よりも深くなっている。言い換えると、凹部40aの底面42aのZ方向の位置は、凹部40aが貫通する第3絶縁層23の厚さに相当する分、実施形態1に比べ、多層基板2aの第2面102側に位置している。 In other words, in this embodiment, the depth of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is deeper than in embodiment 1 by an amount equivalent to the thickness of the third insulating layer 23 through which the recess 40a penetrates. In other words, the position of the bottom surface 42a of the recess 40a in the Z direction is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a than in embodiment 1 by an amount equivalent to the thickness of the third insulating layer 23 through which the recess 40a penetrates.

積層方向に隣り合う第3絶縁層23と、第2絶縁層22と、の間には、第2配線層27が配置されているので、第2絶縁層22における第3絶縁層23に対向する面である凹部40aの底面42aには、第2配線層27を配置することができる。そして、凹部40aの底面42aに配置される第2配線層27は、接続用配線層25aとして機能させることができる。つまり、凹部40aの底面42aには、接続用配線層25aとしての第2配線層27が配置される。 The second wiring layer 27 is disposed between the third insulating layer 23 and the second insulating layer 22, which are adjacent in the stacking direction, so that the second wiring layer 27 can be disposed on the bottom surface 42a of the recess 40a, which is the surface of the second insulating layer 22 facing the third insulating layer 23. The second wiring layer 27 disposed on the bottom surface 42a of the recess 40a can function as the connection wiring layer 25a. In other words, the second wiring layer 27 as the connection wiring layer 25a is disposed on the bottom surface 42a of the recess 40a.

凹部40aの底面42aに配置される接続用配線層25aとしての第2配線層27は、多層基板2aの第1面101よりもZ方向マイナス側に位置し、多層基板2aの第2面102よりもZ方向プラス側に位置する。つまり、接続用配線層25aとしての第2配線層27は、多層基板2aの第1面101と、多層基板2aの第2面102と、の間に配置されている。 The second wiring layer 27 as the connection wiring layer 25a arranged on the bottom surface 42a of the recess 40a is located on the negative side of the Z direction from the first surface 101 of the multilayer substrate 2a and on the positive side of the Z direction from the second surface 102 of the multilayer substrate 2a. In other words, the second wiring layer 27 as the connection wiring layer 25a is arranged between the first surface 101 of the multilayer substrate 2a and the second surface 102 of the multilayer substrate 2a.

接続用配線層25aとしての第2配線層27は、多層基板2aにおける凹部40aの底面42a側に位置する容器51の面513に配置される接続用端子70と、導電性接続部材8を介して電気的に接続される。 The second wiring layer 27 as the connection wiring layer 25a is electrically connected to the connection terminal 70 arranged on the surface 513 of the container 51 located on the bottom surface 42a side of the recess 40a in the multilayer substrate 2a via the conductive connection member 8.

本実施形態では、図4に示すように、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41a側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41aが形成される多層基板2aの第1面101よりも多層基板2aの第2面102側に位置している。 In this embodiment, as shown in FIG. 4, the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 of the lid 54, which is the surface 512 of the container 51 located on the opening 41a side of the recess 40a in the multilayer substrate 2a, is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a than the first surface 101 of the multilayer substrate 2a on which the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is formed.

具体的には、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41a側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41aが形成される多層基板2aの第1面101を含むXY平面である面F1よりも、下方に位置している。つまり、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41a側に位置する容器51の面512と、多層基板2aの第1面101と、はZ方向の位置が異なり、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41a側に位置する容器51の面512は、多層基板2aの第1面101よりも多層基板2aの第2面102側に位置している。 Specifically, the surface 58 of the container 51 located on the side of the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a, which is the surface 512 of the container 51 located opposite the surface 57 of the lid 54 facing the base 53, is located below the surface F1, which is the XY plane including the first surface 101 of the multilayer substrate 2a on which the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is formed. In other words, the surface 512 of the container 51 located on the side of the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a and the first surface 101 of the multilayer substrate 2a are at different positions in the Z direction, and the surface 512 of the container 51 located on the side of the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a than the first surface 101 of the multilayer substrate 2a.

本実施形態によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板2aにおける凹部40aの開口部41a側に位置する振動子5における容器51の面512は、多層基板2aの第1面101よりも多層基板2aの第2面102側に位置している。このように、振動子5は、多層基板2aにおける凹部40aの開口部41aが形成される第1面101よりも凹部40aの底面42a側である多層基板2aの第2面102側に位置しているため、振動子5の割れや欠けなどをさらに効果的に抑制することができる。
According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the following effects can be obtained.
The surface 512 of the container 51 in the vibrator 5 located on the opening 41a side of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a than the first surface 101 of the multilayer substrate 2a. In this way, since the vibrator 5 is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2a, which is closer to the bottom surface 42a of the recess 40a, than the first surface 101 on which the opening 41a of the recess 40a in the multilayer substrate 2a is formed, cracking, chipping, etc. of the vibrator 5 can be more effectively suppressed.

3.実施形態3
次に、実施形態3に係る振動デバイス1bについて、図5~図7を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態3は、多層基板2bにおける凹部40bの形状が異なること以外は、実施形態1と同様である。
3. Embodiment 3
Next, a vibration device 1b according to a third embodiment will be described with reference to Fig. 5 to Fig. 7. Note that the same components as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The third embodiment is similar to the first embodiment, except that the shape of the recess 40b in the multilayer substrate 2b is different.

図5に示すように、多層基板2bは、多層基板2bの第1面101に直交するZ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。多層基板2bは、Z方向からの平面視で、X方向に沿う第1側面20Aと、第1側面20Aに対向しX方向に沿う第2側面20Bと、第1側面20Aと第2側面20Bとに隣り合いY方向に沿う第3側面20Cと、第3側面20Cに対向しY方向に沿う第4側面20Dと、を有する。多層基板2bの上面である第1面101と、多層基板2bの下面である第2面102と、は第1側面20A、第2側面20B、第3側面20C、及び第4側面20Dを介して接続している。 As shown in FIG. 5, the multilayer substrate 2b is a flat plate with a rectangular outer shape in plan view from the Z direction perpendicular to the first surface 101 of the multilayer substrate 2b. In plan view from the Z direction, the multilayer substrate 2b has a first side surface 20A along the X direction, a second side surface 20B facing the first side surface 20A along the X direction, a third side surface 20C adjacent to the first side surface 20A and the second side surface 20B along the Y direction, and a fourth side surface 20D facing the third side surface 20C along the Y direction. The first surface 101, which is the upper surface of the multilayer substrate 2b, and the second surface 102, which is the lower surface of the multilayer substrate 2b, are connected via the first side surface 20A, the second side surface 20B, the third side surface 20C, and the fourth side surface 20D.

図5~図7に示すように、多層基板2bは、第1面101に開口部41bを有する有底の凹部40bを有する。凹部40bは、第1絶縁層21を貫通し、多層基板2bの互いに対向する一方の側面である第1側面20Aから他方の側面である第2側面20Bまで溝状に延設されている。凹部40bは、多層基板2bの第1側面20A及び第2側面20Bにおいて、多層基板2bの外部に連通している。 As shown in Figures 5 to 7, the multilayer substrate 2b has a bottomed recess 40b with an opening 41b on the first surface 101. The recess 40b penetrates the first insulating layer 21 and extends in a groove shape from the first side surface 20A, which is one of the opposing sides of the multilayer substrate 2b, to the second side surface 20B, which is the other side surface. The recess 40b is connected to the outside of the multilayer substrate 2b at the first side surface 20A and the second side surface 20B of the multilayer substrate 2b.

また、本実施形態では、図6に示すように、多層基板2bにおける凹部40bの開口部41b側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2bにおける凹部40bの開口部41bが形成される多層基板2bの第1面101と面一である。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 6, the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 of the lid 54, which is the surface 512 of the container 51 located on the opening 41b side of the recess 40b in the multilayer substrate 2b, is flush with the first surface 101 of the multilayer substrate 2b on which the opening 41b of the recess 40b in the multilayer substrate 2b is formed.

本実施形態によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板2bにおける凹部40bは、多層基板2bの互いに対向する一方の側面である第1側面20Aから他方の側面である第2側面20Bまで溝状に延設されている。このように、多層基板2bにおける凹部40bを、多層基板2bの互いに対向する一方の側面である第1側面20Aから他方の側面である第2側面20Bまで溝状に延設することにより、凹部40bを容易に形成することができる。つまり、凹部40bを有する多層基板2bの製造コストを低減することができ、従って、製造コストを低減させた振動デバイス1bを提供することができる。
According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the following effects can be obtained.
The recess 40b in the multilayer substrate 2b is provided in a groove shape extending from the first side surface 20A, which is one of the mutually opposing side surfaces of the multilayer substrate 2b, to the second side surface 20B, which is the other side surface. In this way, the recess 40b in the multilayer substrate 2b can be easily formed by extending in a groove shape from the first side surface 20A, which is one of the mutually opposing side surfaces of the multilayer substrate 2b, to the second side surface 20B, which is the other side surface. In other words, the manufacturing cost of the multilayer substrate 2b having the recess 40b can be reduced, and therefore, a vibration device 1b with reduced manufacturing cost can be provided.

なお、本実施形態では、多層基板2bにおける凹部40bは、多層基板2bの第1側面20Aから第2側面20Bまで溝状に延設されているが、凹部40bは、多層基板2bの互いに対向する一方の側面である第3側面20Cから他方の側面である第4側面20Dまで溝状に延設されていても構わない。 In this embodiment, the recess 40b in the multilayer substrate 2b extends in a groove shape from the first side surface 20A to the second side surface 20B of the multilayer substrate 2b, but the recess 40b may also extend in a groove shape from the third side surface 20C, which is one of the opposing sides of the multilayer substrate 2b, to the fourth side surface 20D, which is the other side surface.

4.実施形態4
次に、実施形態4に係る振動デバイス1cについて、図8及び図9を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態4は、多層基板2cにおける凹部40cに配置される接続用配線層25cと、振動子5cにおける容器51の外面に配置される接続用端子70と、を電気的に接続する導電性接続部材8cが導電性ワイヤーであることや、凹部40cの形状が異なることや、凹部40c内における接続用配線層25cの配置が異なることや、凹部40c内における振動子5cの配置が異なること以外は、実施形態1と同様である。
4. Embodiment 4
Next, a vibration device 1c according to a fourth embodiment will be described with reference to Fig. 8 and Fig. 9. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The fourth embodiment is similar to the first embodiment, except that the conductive connection member 8c electrically connecting the connection wiring layer 25c arranged in the recess 40c in the multilayer substrate 2c and the connection terminal 70 arranged on the outer surface of the container 51 in the vibrator 5c is a conductive wire, the shape of the recess 40c is different, the arrangement of the connection wiring layer 25c within the recess 40c is different, and the arrangement of the vibrator 5c within the recess 40c is different.

図8及び図9に示すように、多層基板2cは、第1面101に開口部41cを有する有底の凹部40cを有する。凹部40cは、凹部40cの開口部41cと、凹部40cの底面42cと、の間に、凹部40cの内側に突出する段部45を有する。 As shown in Figures 8 and 9, the multilayer substrate 2c has a bottomed recess 40c with an opening 41c on the first surface 101. The recess 40c has a step 45 that protrudes inwardly of the recess 40c between the opening 41c of the recess 40c and the bottom surface 42c of the recess 40c.

本実施形態では、凹部40cは、第1絶縁層21と、第1絶縁層21と積層方向に隣り合う第3絶縁層23と、を貫通している。つまり、第1絶縁層21は、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43cを有し、第3絶縁層23は、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44cを有する。 In this embodiment, the recess 40c penetrates the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23 adjacent to the first insulating layer 21 in the stacking direction. In other words, the first insulating layer 21 has a first penetrating portion 43c that penetrates the first insulating layer 21, and the third insulating layer 23 has a second penetrating portion 44c that penetrates the third insulating layer 23.

凹部40cの底面42cは、第3絶縁層23とは積層方向に隣り合う第2絶縁層22における第3絶縁層23に対向する面である。言い換えると、凹部40cの底面42cは、第2絶縁層22における多層基板2cの第2面102とは反対側に位置する面である。 The bottom surface 42c of the recess 40c is a surface facing the third insulating layer 23 in the second insulating layer 22 adjacent to the third insulating layer 23 in the stacking direction. In other words, the bottom surface 42c of the recess 40c is a surface of the second insulating layer 22 located on the opposite side to the second surface 102 of the multilayer substrate 2c.

Z方向からの平面視で、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43cの形状と、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44cの形状と、は異なる。第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44cのX方向の幅は、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43cのX方向の幅よりも小さく、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44cのY方向の幅は、第1絶縁層21に形成される凹部40cに対応する第1貫通部43cのY方向の幅よりも小さい。 In plan view from the Z direction, the shape of the first penetrating portion 43c penetrating the first insulating layer 21 is different from the shape of the second penetrating portion 44c penetrating the third insulating layer 23. The width in the X direction of the second penetrating portion 44c penetrating the third insulating layer 23 is smaller than the width in the X direction of the first penetrating portion 43c penetrating the first insulating layer 21, and the width in the Y direction of the second penetrating portion 44c penetrating the third insulating layer 23 is smaller than the width in the Y direction of the first penetrating portion 43c corresponding to the recess 40c formed in the first insulating layer 21.

このように、Z方向からの平面視で、第3絶縁層23を貫通する第2貫通部44cは、第1絶縁層21を貫通する第1貫通部43cよりも小さいため、凹部40cの開口部41cと、凹部40cの底面42cと、の間に、凹部40cの内側に突出する段部45となる第3絶縁層23を配置することができる。段部45の上面は、第1絶縁層21とは積層方向に隣り合う第3絶縁層23における第1絶縁層21に対向する面である。 In this way, in a plan view from the Z direction, the second penetration portion 44c penetrating the third insulating layer 23 is smaller than the first penetration portion 43c penetrating the first insulating layer 21, so that the third insulating layer 23 that becomes the step portion 45 that protrudes inward of the recess 40c can be disposed between the opening 41c of the recess 40c and the bottom surface 42c of the recess 40c. The upper surface of the step portion 45 is the surface that faces the first insulating layer 21 in the third insulating layer 23 that is adjacent to the first insulating layer 21 in the stacking direction.

積層方向に隣り合う第1絶縁層21と、第3絶縁層23と、の間には、第1配線層26が配置されているので、凹部40cの内側に突出する段部45の上面には、第1配線層26を配置することができる。そして、段部45の上面に配置される第1配線層26は、接続用配線層25cとして機能させることができる。つまり、段部45の上面には、接続用配線層25cとしての第1配線層26が配置される。 Because the first wiring layer 26 is disposed between the first insulating layer 21 and the third insulating layer 23, which are adjacent in the stacking direction, the first wiring layer 26 can be disposed on the upper surface of the step 45 that protrudes inwardly of the recess 40c. The first wiring layer 26 disposed on the upper surface of the step 45 can function as the connection wiring layer 25c. In other words, the first wiring layer 26 is disposed on the upper surface of the step 45 as the connection wiring layer 25c.

また、本実施形態では、凹部40c内における振動子5cの配置は、実施形態1に比べ、振動子5cの上下が逆転している。つまり、振動子5cにおける容器51の下面は、リッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58であり、リッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58が、多層基板2cにおける凹部40cの底面42c側に位置する容器51の面513となる。そして、振動子5cにおける容器51の上面は、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56であり、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56が、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41c側に位置する容器51の面512となる。 In addition, in this embodiment, the arrangement of the vibrator 5c in the recess 40c is reversed compared to embodiment 1. That is, the lower surface of the container 51 in the vibrator 5c is the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54, and the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54 becomes the surface 513 of the container 51 located on the bottom surface 42c side of the recess 40c in the multilayer substrate 2c. The upper surface of the container 51 in the vibrator 5c is the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 in the base 53, and the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 in the base 53 becomes the surface 512 of the container 51 located on the opening 41c side of the recess 40c in the multilayer substrate 2c.

凹部40cの底面42cと、凹部40cの底面42c側に位置する振動子5cにおける容器51の面513と、は熱硬化型接着剤などの接合部材515を介して接合される。これにより、振動子5cと、多層基板2cと、は機械的に接続される。 The bottom surface 42c of the recess 40c and the surface 513 of the container 51 of the vibrator 5c located on the bottom surface 42c side of the recess 40c are joined via a joining member 515 such as a thermosetting adhesive. This mechanically connects the vibrator 5c and the multilayer substrate 2c.

振動子5cにおける容器51の上面、すなわち、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56には、接続用端子70が配置されている。 A connection terminal 70 is disposed on the upper surface of the container 51 of the vibrator 5c, i.e., on the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 of the base 53.

接続用端子70と、凹部40cにおける段部45の上面に配置される接続用配線層25cとしての第1配線層26と、はワイヤーボンディング技法を用いて導電性接続部材8cである導電性ワイヤーを介して電気的に接続される。 The connection terminal 70 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25c arranged on the upper surface of the step portion 45 in the recess 40c are electrically connected via a conductive wire, which is a conductive connection member 8c, using a wire bonding technique.

また、本実施形態では、図9に示すように、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41c側に位置する容器51の面512であるベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56は、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41cが形成される多層基板2cの第1面101よりも多層基板2cの第2面102側に位置している。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 9, the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 in the base 53, which is the surface 512 of the container 51 located on the opening 41c side of the recess 40c in the multilayer substrate 2c, is located closer to the second surface 102 of the multilayer substrate 2c than the first surface 101 of the multilayer substrate 2c on which the opening 41c of the recess 40c in the multilayer substrate 2c is formed.

具体的には、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41c側に位置する容器51の面512であるベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56は、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41cが形成される多層基板2cの第1面101を含むXY平面である面F1よりも、下方に位置している。これにより、振動子5cの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 Specifically, surface 56, which is surface 512 of container 51 located on the side of opening 41c of recess 40c in multilayer substrate 2c, and is located opposite surface 55 facing lid 54 in base 53, is located below surface F1, which is an XY plane including first surface 101 of multilayer substrate 2c on which opening 41c of recess 40c in multilayer substrate 2c is formed. This makes it possible to effectively prevent cracking or chipping of transducer 5c.

また、本実施形態では、接続用端子70と、接続用配線層25cとしての第1配線層26と、を電気的に接続する導電性接続部材8cである導電性ワイヤーは、多層基板2cにおける凹部40cの開口部41cが形成される多層基板2cの第1面101を含むXY平面である面F1よりも、下方に位置している。これにより、導電性接続部材8cである導電性ワイヤーの破損を効果的に抑制することができる。 In addition, in this embodiment, the conductive wire, which is the conductive connection member 8c that electrically connects the connection terminal 70 and the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25c, is located below the surface F1, which is the XY plane including the first surface 101 of the multilayer substrate 2c on which the opening 41c of the recess 40c in the multilayer substrate 2c is formed. This makes it possible to effectively prevent damage to the conductive wire, which is the conductive connection member 8c.

本実施形態によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
接続用配線層25cとしての第1配線層26と、接続用端子70と、を導電性接続部材8cである導電性ワイヤーを介して接続することにより、接続用配線層25cとしての第1配線層26と、接続用端子70と、の電気的な接続の信頼性を高めることができる。そのため、高い信頼性を有する振動デバイス1cを提供することができる。
According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the following effects can be obtained.
By connecting the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25c and the connection terminal 70 via the conductive wire that is the conductive connection member 8c, it is possible to improve the reliability of the electrical connection between the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25c and the connection terminal 70. Therefore, it is possible to provide a highly reliable resonation device 1c.

5.実施形態5
次に、実施形態5に係る振動デバイス1dについて、図10及び図11を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態5は、多層基板2dの第1面101dに外部端子28dが配置されることや、多層基板2d及び振動子5dの上下が逆転して配置されること以外は、実施形態1と同様である。
5. Embodiment 5
Next, a vibration device 1d according to a fifth embodiment will be described with reference to Fig. 10 and Fig. 11. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The fifth embodiment is similar to the first embodiment, except that an external terminal 28d is disposed on a first surface 101d of a multi-layer substrate 2d, and that a multi-layer substrate 2d and a vibrator 5d are disposed upside down.

図10及び図11に示すように、多層基板2dは、実施形態1に比べ、多層基板2dの上下が逆転している。つまり、多層基板2dの第1面101dは、多層基板2dの下面であり、多層基板2dの第2面102dは、多層基板2dの上面である。 As shown in Figures 10 and 11, the multilayer board 2d is upside down compared to the first embodiment. In other words, the first surface 101d of the multilayer board 2d is the bottom surface of the multilayer board 2d, and the second surface 102d of the multilayer board 2d is the top surface of the multilayer board 2d.

多層基板2dは、第1面101dを含む第1絶縁層21dと、第2面102dを含む第2絶縁層22dと、第1絶縁層21dと第2絶縁層22dとの間に配置される第3絶縁層23dと、を有する。第2絶縁層22dと、第3絶縁層23dと、第1絶縁層21dと、は、この順で上方から下方に向かって積層される。 The multilayer substrate 2d has a first insulating layer 21d including a first surface 101d, a second insulating layer 22d including a second surface 102d, and a third insulating layer 23d disposed between the first insulating layer 21d and the second insulating layer 22d. The second insulating layer 22d, the third insulating layer 23d, and the first insulating layer 21d are stacked from top to bottom in this order.

多層基板2dは、第1面101dに開口部41dを有する有底の凹部40dを有する。凹部40dは、第1絶縁層21dを貫通している。凹部40dの底面42dは、第1絶縁層21dと積層方向に隣り合う第3絶縁層23dにおける第1絶縁層21dに対向する面である。 The multilayer substrate 2d has a bottomed recess 40d with an opening 41d on the first surface 101d. The recess 40d penetrates the first insulating layer 21d. The bottom surface 42d of the recess 40d is the surface of the third insulating layer 23d adjacent to the first insulating layer 21d in the stacking direction that faces the first insulating layer 21d.

積層方向に隣り合う第1絶縁層21dと、第3絶縁層23dと、の間には、第1配線層26が配置されているので、第3絶縁層23dにおける第1絶縁層21dに対向する面である凹部40dの底面42dには、第1配線層26を配置することができる。そして、凹部40dの底面42dに配置される第1配線層26は、接続用配線層25dとして機能させることができる。つまり、凹部40dの底面42dには、接続用配線層25dとしての第1配線層26が配置される。 Because the first wiring layer 26 is disposed between the first insulating layer 21d and the third insulating layer 23d that are adjacent in the stacking direction, the first wiring layer 26 can be disposed on the bottom surface 42d of the recess 40d, which is the surface of the third insulating layer 23d that faces the first insulating layer 21d. The first wiring layer 26 disposed on the bottom surface 42d of the recess 40d can function as the connection wiring layer 25d. In other words, the first wiring layer 26 is disposed as the connection wiring layer 25d on the bottom surface 42d of the recess 40d.

本実施形態では、多層基板2dの第1面101dに、外部と電気的な接続を行うための外部端子28dが配置される。第1面101dを含む第1絶縁層21dは、貫通電極29を有する。外部端子28dは、接続用配線層25dとしての第1配線層26と、貫通電極29を介して電気的に接続される。 In this embodiment, an external terminal 28d for electrical connection to the outside is disposed on the first surface 101d of the multilayer substrate 2d. The first insulating layer 21d including the first surface 101d has a through electrode 29. The external terminal 28d is electrically connected to the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25d via the through electrode 29.

また、本実施形態では、振動子5dは、実施形態1に比べ、振動子5dの上下が逆転している。つまり、振動子5dにおける容器51の下面は、リッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58であり、リッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58が、凹部40dの開口部41d側に位置する容器51の面512となる。そして、振動子5dにおける容器51の上面は、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56であり、ベース53におけるリッド54に対向する面55とは反対側に位置する面56が、凹部40dの底面42d側に位置する容器51の面513となる。 In addition, in this embodiment, the vibrator 5d is upside down compared to the first embodiment. That is, the lower surface of the container 51 in the vibrator 5d is the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54, and the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54 becomes the surface 512 of the container 51 located on the opening 41d side of the recess 40d. The upper surface of the container 51 in the vibrator 5d is the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 in the base 53, and the surface 56 located opposite the surface 55 facing the lid 54 in the base 53 becomes the surface 513 of the container 51 located on the bottom surface 42d side of the recess 40d.

また、本実施形態では、図11に示すように、多層基板2dにおける凹部40dの開口部41d側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2dにおける凹部40dの開口部41dが形成される多層基板2dの第1面101dと面一である。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 11, the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 of the lid 54, which is the surface 512 of the container 51 located on the opening 41d side of the recess 40d in the multilayer substrate 2d, is flush with the first surface 101d of the multilayer substrate 2d on which the opening 41d of the recess 40d in the multilayer substrate 2d is formed.

具体的には、多層基板2dにおける凹部40dの開口部41d側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58と、多層基板2dにおける凹部40dの開口部41dが形成される多層基板2dの第1面101dと、は同一のXY平面である面F2上に位置している。言い換えると、多層基板2dにおける凹部40dの開口部41d側に位置する容器51の面512と、多層基板2dの第1面101dと、はZ方向の位置が同じである。 Specifically, surface 58, which is surface 512 of container 51 located on the side of opening 41d of recess 40d in multilayer substrate 2d, located opposite surface 57 of lid 54 facing base 53, and first surface 101d of multilayer substrate 2d on which opening 41d of recess 40d in multilayer substrate 2d is formed, are located on surface F2, which is the same XY plane. In other words, surface 512 of container 51 located on the side of opening 41d of recess 40d in multilayer substrate 2d and first surface 101d of multilayer substrate 2d are located at the same position in the Z direction.

つまり、振動子5dは、多層基板2dの第1面101dに開口部41dを有する凹部40dから突出しないように、凹部40内に配置される。 In other words, the vibrator 5d is placed in the recess 40 so as not to protrude from the recess 40d having an opening 41d on the first surface 101d of the multilayer substrate 2d.

このように、本実施形態では、振動子5dは、多層基板2dの第1面101dよりも下方に突出しないため、振動子5dの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 In this manner, in this embodiment, the vibrator 5d does not protrude below the first surface 101d of the multilayer substrate 2d, so cracks or chips in the vibrator 5d can be effectively prevented.

また、本実施形態では、上述したように、多層基板2dの下面である第1面101dに外部端子28dが配置されている。このため、例えば、吸着コレットを用いて振動デバイス1dを外部基板に表面実装する場合、振動デバイス1dは、多層基板2dの上面である第2面102dを吸着コレットにより吸着、保持されることになる。このとき、多層基板2dの第2面102dには、凹部40dは配置されていないため、吸着コレットによる振動デバイス1dの吸着、保持が安定し、振動デバイス1dを外部基板に容易に実装することができる。また、振動子5dは吸着コレットに干渉しないため、振動子5dの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 In addition, in this embodiment, as described above, the external terminals 28d are arranged on the first surface 101d, which is the lower surface of the multilayer substrate 2d. Therefore, for example, when the vibration device 1d is surface-mounted on an external substrate using an adsorption collet, the vibration device 1d is adsorbed and held by the adsorption collet on the second surface 102d, which is the upper surface of the multilayer substrate 2d. At this time, since the recess 40d is not arranged on the second surface 102d of the multilayer substrate 2d, the adsorption and holding of the vibration device 1d by the adsorption collet is stable, and the vibration device 1d can be easily mounted on the external substrate. Furthermore, since the vibrator 5d does not interfere with the adsorption collet, cracking or chipping of the vibrator 5d can be effectively suppressed.

本実施形態によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
多層基板2dの第1面101dには、有底の凹部40dにおける開口部41dと、接続用配線層25dとしての第1配線層26と電気的に接続される外部端子28dとが配置されている。このため、多層基板2dの第1面101dとは反対側に位置する第2面102dを保持することにより、振動デバイス1dを外部基板に容易に実装することができ、また、振動子5dの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。
According to this embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the following effects can be obtained.
On the first surface 101d of the multilayer substrate 2d, an opening 41d in the bottomed recess 40d and an external terminal 28d electrically connected to the first wiring layer 26 as the connection wiring layer 25d are arranged. Therefore, by holding the second surface 102d located on the opposite side to the first surface 101d of the multilayer substrate 2d, the vibration device 1d can be easily mounted on an external substrate, and cracks and chips of the vibrator 5d can be effectively suppressed.

6.実施形態6
次に、実施形態6に係る振動デバイス1eについて、図12及び図13を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態6は、振動子5eが発振回路を含む集積回路80を有し、振動子5eが発振器であること以外は、実施形態1と同様である。
6. Embodiment 6
Next, a vibration device 1e according to a sixth embodiment will be described with reference to Fig. 12 and Fig. 13. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The sixth embodiment is similar to the first embodiment, except that the vibrator 5e has an integrated circuit 80 including an oscillation circuit, and the vibrator 5e is an oscillator.

図12及び図13に示すように、振動子5eは集積回路80を有する。集積回路80は、ベース53におけるリッド54に対向する面55に配置される。集積回路80は、図示しない複数のトランジスターなどの能動素子が図示しない配線により電気的に接続された回路である。本実施形態では、集積回路80は、振動素子6を発振させてクロック信号等の基準信号の周波数を生成するための発振回路を含む。なお、集積回路80は、発振回路以外に、例えば、振動素子6の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、発振回路からの出力信号を処理する処理回路、静電気保護回路などを含んでいても構わない。 As shown in Figures 12 and 13, the vibrator 5e has an integrated circuit 80. The integrated circuit 80 is disposed on the surface 55 of the base 53 facing the lid 54. The integrated circuit 80 is a circuit in which a plurality of active elements such as transistors (not shown) are electrically connected by wiring (not shown). In this embodiment, the integrated circuit 80 includes an oscillation circuit for oscillating the vibration element 6 to generate the frequency of a reference signal such as a clock signal. In addition to the oscillation circuit, the integrated circuit 80 may include, for example, a temperature compensation circuit for correcting the vibration characteristics of the vibration element 6 in response to temperature changes, a processing circuit for processing an output signal from the oscillation circuit, an electrostatic protection circuit, etc.

集積回路80の上面には、パッシベーション膜81が形成される。さらに、パッシベーション膜81の上面には、図示しない配線により集積回路80と電気的に接続され、振動素子6を接合するための内部接続端子82が形成されている。 A passivation film 81 is formed on the upper surface of the integrated circuit 80. Furthermore, an internal connection terminal 82 is formed on the upper surface of the passivation film 81, and is electrically connected to the integrated circuit 80 by wiring (not shown) and is used to join the vibration element 6.

振動素子6の接続電極63と、内部接続端子82と、は金属バンプ等の導電性部材65を介して接合している。これにより、振動素子6はベース53に機械的に接続されるとともに、振動素子6と、集積回路80と、は内部接続端子82、導電性部材65、及び図示しない配線を介して電気的に接続される。 The connection electrode 63 of the vibration element 6 and the internal connection terminal 82 are joined via a conductive member 65 such as a metal bump. As a result, the vibration element 6 is mechanically connected to the base 53, and the vibration element 6 and the integrated circuit 80 are electrically connected via the internal connection terminal 82, the conductive member 65, and wiring (not shown).

振動素子6と、集積回路80と、が電気的に接続されることにより、集積回路80から出力される発振信号により振動素子6を発振させることができる。 By electrically connecting the vibration element 6 and the integrated circuit 80, the vibration element 6 can be oscillated by the oscillation signal output from the integrated circuit 80.

また、集積回路80が有する図示しない配線と、接続用端子70と、は貫通電極59を介して電気的に接続されている。接続用端子70と、集積回路80と、が貫通電極59及び図示しない配線を介して電気的に接続されることにより、接続用端子70を介して、集積回路80に接地電位などを供給することや、集積回路80からクロック信号などを出力することができる。 In addition, the wiring (not shown) of the integrated circuit 80 is electrically connected to the connection terminal 70 via the through electrode 59. By electrically connecting the connection terminal 70 and the integrated circuit 80 via the through electrode 59 and the wiring (not shown), it is possible to supply a ground potential or the like to the integrated circuit 80 via the connection terminal 70 and output a clock signal or the like from the integrated circuit 80.

このように、本実施形態では、振動子5eは発振回路を含む集積回路80を有する発振器である。 Thus, in this embodiment, the vibrator 5e is an oscillator having an integrated circuit 80 that includes an oscillation circuit.

また、本実施形態では、図13に示すように、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51の面512であるリッド54におけるベース53に対向する面57とは反対側に位置する面58は、多層基板2における凹部40の開口部41が形成される多層基板2の第1面101と面一である。 In addition, in this embodiment, as shown in FIG. 13, the surface 512 of the container 51 located on the side of the opening 41 of the recess 40 in the multilayer substrate 2, that is, the surface 58 located opposite the surface 57 facing the base 53 in the lid 54, is flush with the first surface 101 of the multilayer substrate 2 on which the opening 41 of the recess 40 in the multilayer substrate 2 is formed.

本実施形態によれば、振動子5eが発振器である場合でも、実施形態1と同様に、振動子5eの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 According to this embodiment, even if the vibrator 5e is an oscillator, cracks, chips, etc. of the vibrator 5e can be effectively suppressed, as in embodiment 1.

7.実施形態7
次に、実施形態7に係る振動デバイス1fについて、図14及び図15を参照して、説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
実施形態7は、振動子5fにおける容器51fを構成する部材が水晶であること以外は、実施形態1と同様である。
7. Embodiment 7
Next, a vibration device 1f according to a seventh embodiment will be described with reference to Fig. 14 and Fig. 15. Note that the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The seventh embodiment is similar to the first embodiment, except that the member constituting the container 51f of the vibrator 5f is made of quartz crystal.

図14及び図15に示すように、振動子5fは、収容空間52fを備える容器51fと、収容空間52fに収容される振動素子6fと、容器51fの外面に配置され、振動素子6fと電気的に接続される接続用端子70fと、を有する。 As shown in Figures 14 and 15, the vibrator 5f has a container 51f with a storage space 52f, a vibration element 6f housed in the storage space 52f, and a connection terminal 70f that is disposed on the outer surface of the container 51f and electrically connected to the vibration element 6f.

容器51fは、水晶基板である第1封止基板85と、振動素子6fを囲む外枠部90を有する水晶基板である振動基板86と、水晶基板である第2封止基板87と、を含む。 The container 51f includes a first sealing substrate 85 which is a quartz substrate, a vibration substrate 86 which is a quartz substrate having an outer frame portion 90 which surrounds the vibration element 6f, and a second sealing substrate 87 which is also a quartz substrate.

第1封止基板85と、振動基板86と、第2封止基板87と、はZ方向からの平面視で、外形が矩形状の平板である。 The first sealing substrate 85, the vibration substrate 86, and the second sealing substrate 87 are flat plates with rectangular shapes when viewed in a plan view from the Z direction.

第1封止基板85は、振動基板86の上方であるZ方向プラス側に位置し、第2封止基板87は、振動基板86の下方であるZ方向マイナス側に位置する。つまり、第1封止基板85と、振動基板86と、第2封止基板87と、は、この順で上方から下方に向かって積層される。 The first sealing substrate 85 is located on the positive side of the Z direction above the vibration substrate 86, and the second sealing substrate 87 is located on the negative side of the Z direction below the vibration substrate 86. In other words, the first sealing substrate 85, the vibration substrate 86, and the second sealing substrate 87 are stacked from top to bottom in this order.

第1封止基板85は、振動基板86に対向する面851と、振動基板86に対向する面851とは反対側に位置する面852と、を有する。振動基板86に対向する面851は、第1封止基板85の下面であり、振動基板86に対向する面851とは反対側に位置する面852は、第1封止基板85の上面である。本実施形態では、第1封止基板85における振動基板86に対向する面851とは反対側に位置する面852が、容器51fの上面となる。 The first sealing substrate 85 has a surface 851 facing the vibration substrate 86 and a surface 852 located on the opposite side to the surface 851 facing the vibration substrate 86. The surface 851 facing the vibration substrate 86 is the lower surface of the first sealing substrate 85, and the surface 852 located on the opposite side to the surface 851 facing the vibration substrate 86 is the upper surface of the first sealing substrate 85. In this embodiment, the surface 852 located on the opposite side to the surface 851 facing the vibration substrate 86 of the first sealing substrate 85 becomes the upper surface of the container 51f.

振動基板86は、振動素子6fを囲む枠状の外枠部90と、外枠部90の内側に設けられる振動素子6fと、を有する。振動基板86は、第1封止基板85に対向する面861と、第1封止基板85に対向する面861とは反対側に位置する面862と、を有する。第1封止基板85に対向する面861とは反対側に位置する面862は、振動基板86において第2封止基板87に対向する面である。 The vibration substrate 86 has a frame-shaped outer frame portion 90 that surrounds the vibration element 6f, and the vibration element 6f that is provided inside the outer frame portion 90. The vibration substrate 86 has a surface 861 that faces the first sealing substrate 85, and a surface 862 that is located on the opposite side to the surface 861 that faces the first sealing substrate 85. The surface 862 that is located on the opposite side to the surface 861 that faces the first sealing substrate 85 is the surface of the vibration substrate 86 that faces the second sealing substrate 87.

振動素子6fは、振動片91と、振動片91と外枠部90とを連結する連結部92と、振動片91を振動させる励振電極62fと、振動素子6fを配線71fに電気的に接続し、振動信号を外部に出力するための接続電極63fと、励振電極62fと接続電極63fとを電気的に接続するリード電極64fと、を有する。 The vibration element 6f has a vibration bar 91, a connecting portion 92 that connects the vibration bar 91 to the outer frame portion 90, an excitation electrode 62f that vibrates the vibration bar 91, a connection electrode 63f that electrically connects the vibration element 6f to the wiring 71f and outputs a vibration signal to the outside, and a lead electrode 64f that electrically connects the excitation electrode 62f and the connection electrode 63f.

振動片91は、外枠部90よりもZ方向の厚さが薄く、振動片91の上面は、振動基板86における第1封止基板85に対向する面861よりもZ方向マイナス側に位置し、振動片91の下面は、振動基板86における第1封止基板85に対向する面861とは反対側に位置する面862よりもZ方向プラス側に位置する。これにより、第1封止基板85と、振動基板86と、第2封止基板87と、が積層されたとき、振動片91と、第1封止基板85及び第2封止基板87と、の接触を抑制することができる。 The vibration bar 91 is thinner in the Z direction than the outer frame portion 90, and the upper surface of the vibration bar 91 is located on the negative side in the Z direction of a surface 861 of the vibration substrate 86 that faces the first sealing substrate 85, and the lower surface of the vibration bar 91 is located on the positive side in the Z direction of a surface 862 that is located on the opposite side of the surface 861 of the vibration substrate 86 that faces the first sealing substrate 85. This makes it possible to suppress contact between the vibration bar 91 and the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 when the first sealing substrate 85, the vibration substrate 86, and the second sealing substrate 87 are stacked.

第2封止基板87は、振動基板86に対向する面871と、振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872と、を有する。振動基板86に対向する面871は、第2封止基板87の上面であり、振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872は、第2封止基板87の下面である。本実施形態では、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872が、容器51fの下面となる。 The second sealing substrate 87 has a surface 871 facing the vibration substrate 86 and a surface 872 located on the opposite side to the surface 871 facing the vibration substrate 86. The surface 871 facing the vibration substrate 86 is the upper surface of the second sealing substrate 87, and the surface 872 located on the opposite side to the surface 871 facing the vibration substrate 86 is the lower surface of the second sealing substrate 87. In this embodiment, the surface 872 located on the opposite side to the surface 871 facing the vibration substrate 86 of the second sealing substrate 87 becomes the lower surface of the container 51f.

第1封止基板85における振動基板86に対向する面851と、振動基板86の外枠部90における第1封止基板85に対向する面861と、は接合部材521を介して接合される。振動基板86の外枠部90における第1封止基板85に対向する面861とは反対側に位置する面862と、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871と、は接合部材522を介して接合される。つまり、第1封止基板85と、第2封止基板87と、は接合部材521と、接合部材522と、振動基板86の外枠部90と、を介して接合される。 A surface 851 of the first sealing substrate 85 facing the vibration substrate 86 and a surface 861 of the outer frame portion 90 of the vibration substrate 86 facing the first sealing substrate 85 are joined via a joining member 521. A surface 862 located on the opposite side of the surface 861 facing the first sealing substrate 85 of the outer frame portion 90 of the vibration substrate 86 and a surface 871 of the second sealing substrate 87 facing the vibration substrate 86 are joined via a joining member 522. In other words, the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 are joined via the joining member 521, the joining member 522, and the outer frame portion 90 of the vibration substrate 86.

このように、第1封止基板85と、第2封止基板87と、が振動基板86の外枠部90を介して接合されることにより、振動素子6fを収容する収容空間52fが形成される。 In this way, the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 are joined via the outer frame portion 90 of the vibration substrate 86, thereby forming an accommodation space 52f that accommodates the vibration element 6f.

また、第2封止基板87は、第2封止基板87の厚さ方向であるZ方向に貫通する貫通孔531fを有する。貫通孔531f内には、貫通電極59fが埋設される。 The second sealing substrate 87 also has a through hole 531f that penetrates in the Z direction, which is the thickness direction of the second sealing substrate 87. A through electrode 59f is embedded in the through hole 531f.

第2封止基板87における振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872には、接続用端子70fが配置される。言い換えると、接続用端子70fは、容器51の外面に配置されており、具体的には、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872である容器51fの下面に配置されている。 A connection terminal 70f is disposed on a surface 872 located opposite to a surface 871 of the second sealing substrate 87 that faces the vibration substrate 86. In other words, the connection terminal 70f is disposed on the outer surface of the container 51, and more specifically, on the underside of the container 51f, which is the surface 872 located opposite to the surface 871 of the second sealing substrate 87 that faces the vibration substrate 86.

第2封止基板87における振動基板86に対向する面871には、配線71fが配置される。接続用端子70fと、配線71fと、は貫通電極59fにより電気的に接続される。 A wiring 71f is arranged on the surface 871 of the second sealing substrate 87 facing the vibration substrate 86. The connection terminal 70f and the wiring 71f are electrically connected by a through electrode 59f.

また、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871に配置される配線71fと、振動素子6fの接続電極63fと、は金属バンプ等の導電性部材65fを介して接合される。振動素子6fの接続電極63fと、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871に配置される配線71fと、が導電性部材65fを介して電気的に接続されることにより、導電性部材65fと、配線71fと、貫通電極59fと、を介して、第2封止基板87における振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872に配置される接続用端子70fと、振動素子6fと、が電気的に接続される。 The wiring 71f arranged on the surface 871 of the second sealing substrate 87 facing the vibration substrate 86 and the connection electrode 63f of the vibration element 6f are joined via a conductive member 65f such as a metal bump. The connection electrode 63f of the vibration element 6f and the wiring 71f arranged on the surface 871 of the second sealing substrate 87 facing the vibration substrate 86 are electrically connected via the conductive member 65f, so that the connection terminal 70f arranged on the surface 872 located on the opposite side of the surface 871 facing the vibration substrate 86 of the second sealing substrate 87 is electrically connected to the vibration element 6f via the conductive member 65f, the wiring 71f, and the through electrode 59f.

本実施形態では、多層基板2の上面である第1面101に開口部41を有する有底の凹部40内に、振動子5fが配置される。 In this embodiment, the vibrator 5f is disposed in a bottomed recess 40 having an opening 41 on the first surface 101, which is the top surface of the multilayer substrate 2.

振動子5fにおける容器51fの上面である第1封止基板85における振動基板86に対向する面851とは反対側に位置する面852は、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51fの面512fとなる。振動子5fにおける容器51fの下面である第2封止基板87における振動基板86に対向する面871とは反対側に位置する面872は、多層基板2における凹部40の底面42側に位置する容器51fの面513fとなる。 The surface 852 located opposite to the surface 851 facing the vibration substrate 86 in the first sealing substrate 85, which is the upper surface of the container 51f in the vibrator 5f, becomes the surface 512f of the container 51f located on the opening 41 side of the recess 40 in the multilayer substrate 2. The surface 872 located opposite to the surface 871 facing the vibration substrate 86 in the second sealing substrate 87, which is the lower surface of the container 51f in the vibrator 5f, becomes the surface 513f of the container 51f located on the bottom surface 42 side of the recess 40 in the multilayer substrate 2.

本実施形態では、図15に示すように、多層基板2における凹部40の開口部41側に位置する容器51fの面512fである第1封止基板85における振動基板86に対向する面851とは反対側に位置する面852は、多層基板2における凹部40の開口部41が形成される多層基板2の第1面101と面一である。 In this embodiment, as shown in FIG. 15, the surface 852 located opposite the surface 851 facing the vibration substrate 86 in the first sealing substrate 85, which is the surface 512f of the container 51f located on the opening 41 side of the recess 40 in the multilayer substrate 2, is flush with the first surface 101 of the multilayer substrate 2 on which the opening 41 of the recess 40 in the multilayer substrate 2 is formed.

本実施形態によれば、振動子5fが水晶基板で構成される場合でも、実施形態1と同様に、振動子5fの割れや欠けなどを効果的に抑制することができる。 According to this embodiment, even if the vibrator 5f is made of a quartz substrate, cracks and chips in the vibrator 5f can be effectively suppressed, as in embodiment 1.

なお、本実施形態では、振動基板86は、ATカット水晶基板であるが、振動基板86は、ATカット水晶基板に限定されず、SCカット水晶基板、BTカット水晶基板、Zカット水晶基板、STカット水晶基板などを用いても構わない。 In this embodiment, the vibration substrate 86 is an AT-cut quartz substrate, but the vibration substrate 86 is not limited to an AT-cut quartz substrate, and may be an SC-cut quartz substrate, a BT-cut quartz substrate, a Z-cut quartz substrate, an ST-cut quartz substrate, or the like.

また、本実施形態では、第1封止基板85及び第2封止基板87は、ATカット水晶基板である。ただし、第1封止基板85及び第2封止基板87は、ATカット水晶基板に限定されず、第1封止基板85及び第2封止基板87の少なくとも一方が振動基板86と異なるカット角の水晶基板から形成されていても構わない。あるいは、第1封止基板85及び第2封止基板87は、カット角は振動基板86と同じであるが結晶軸の方向が振動基板86と異なる方向を向いていても構わない。 In addition, in this embodiment, the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 are AT-cut quartz substrates. However, the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 are not limited to AT-cut quartz substrates, and at least one of the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 may be formed from a quartz substrate with a different cut angle than the vibration substrate 86. Alternatively, the first sealing substrate 85 and the second sealing substrate 87 may have the same cut angle as the vibration substrate 86, but the crystal axis direction may be oriented in a different direction than the vibration substrate 86.

1,1a,1b,1c,1d,1e,1f…振動デバイス、2,2a,2b,2c,2d…多層基板、5,5c,5d,5e,5f…振動子、6,6f…振動素子、8,8c…導電性接続部材、21,21d…第1絶縁層、22,22d…第2絶縁層、23,23d…第3絶縁層、25,25a,25c,25d…接続用配線層、26…第1配線層、27…第2配線層、28,28d…外部端子、40,40a,40b,40c,40d…凹部、41,41a,41b,41c,41d…開口部、42,42a,42c,42d…底面、51,51f…容器、52,52f…収容空間、70,70f…接続用端子、101,101d…第1面、102,102d…第2面、512,512f…面、513,513f…面、F1…面、F2…面。 1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e, 1f...vibration device, 2, 2a, 2b, 2c, 2d...multilayer substrate, 5, 5c, 5d, 5e, 5f...vibrator, 6, 6f...vibration element, 8, 8c...conductive connection member, 21, 21d...first insulating layer, 22, 22d...second insulating layer, 23, 23d...third insulating layer, 25, 25a, 25c, 25d...connection wiring layer, 26...first wiring layer, 27...second wiring layer, 2 8, 28d...external terminal, 40, 40a, 40b, 40c, 40d...recess, 41, 41a, 41b, 41c, 41d...opening, 42, 42a, 42c, 42d...bottom, 51, 51f...container, 52, 52f...accommodation space, 70, 70f...connection terminal, 101, 101d...first surface, 102, 102d...second surface, 512, 512f...surface, 513, 513f...surface, F1...surface, F2...surface.

Claims (11)

第1面と、前記第1面とは反対側に位置する第2面と、前記第1面を含む第1絶縁層と、前記第2面を含む第2絶縁層と、前記第1面に開口部を有し、少なくとも前記第1絶縁層を貫通する有底の凹部と、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との間に配置される接続用配線層と、を有する多層基板と、
収容空間を備える容器と、前記収容空間に収容される振動素子と、前記容器の外面に配置され、前記振動素子と電気的に接続される接続用端子と、を有し、前記凹部内に配置される振動子と、
前記接続用配線層と、前記接続用端子と、を電気的に接続する導電性接続部材と、
を有し、
前記多層基板は、矩形状であり、
前記凹部は、前記多層基板の互いに対向する一方の側面から他方の側面まで溝状に延設されている、振動デバイス。
a multilayer substrate having a first surface, a second surface located opposite to the first surface, a first insulating layer including the first surface, a second insulating layer including the second surface, a bottomed recess having an opening in the first surface and penetrating at least the first insulating layer, and a connection wiring layer disposed between the first insulating layer and the second insulating layer;
a transducer that is disposed in the recess and includes a container having a storage space, a vibration element that is accommodated in the storage space, and a connection terminal that is disposed on an outer surface of the container and electrically connected to the vibration element;
a conductive connection member that electrically connects the connection wiring layer and the connection terminal;
having
The multilayer substrate is rectangular,
The recess is a groove extending from one opposing side surface of the multilayer substrate to the other opposing side surface of the multilayer substrate .
前記多層基板の前記第2面には、前記接続用配線層と電気的に接続される外部端子が配置されている、
請求項1に記載の振動デバイス。
an external terminal electrically connected to the connection wiring layer is disposed on the second surface of the multilayer substrate;
The vibration device according to claim 1 .
前記多層基板の前記第1面には、前記接続用配線層と電気的に接続される外部端子が配置されている、
請求項1に記載の振動デバイス。
An external terminal electrically connected to the connection wiring layer is disposed on the first surface of the multilayer substrate.
The vibration device according to claim 1 .
第1面と、前記第1面とは反対側に位置する第2面と、前記第1面を含む第1絶縁層と、前記第2面を含む第2絶縁層と、前記第1面に開口部を有し、少なくとも前記第1絶縁層を貫通する有底の凹部と、前記第1絶縁層と前記第2絶縁層との間に配置される接続用配線層と、を有する多層基板と、a multilayer substrate having a first surface, a second surface located opposite to the first surface, a first insulating layer including the first surface, a second insulating layer including the second surface, a bottomed recess having an opening in the first surface and penetrating at least the first insulating layer, and a connection wiring layer disposed between the first insulating layer and the second insulating layer;
収容空間を備える容器と、前記収容空間に収容される振動素子と、前記容器の外面に配置され、前記振動素子と電気的に接続される接続用端子と、を有し、前記凹部内に配置される振動子と、a transducer that is disposed in the recess and includes a container having a storage space, a vibration element that is accommodated in the storage space, and a connection terminal that is disposed on an outer surface of the container and electrically connected to the vibration element;
前記接続用配線層と、前記接続用端子と、を電気的に接続する導電性接続部材と、a conductive connection member that electrically connects the connection wiring layer and the connection terminal;
を有し、having
前記多層基板の前記第1面には、前記接続用配線層と電気的に接続される外部端子が配置されている、振動デバイス。A vibration device, wherein an external terminal electrically connected to the connection wiring layer is disposed on the first surface of the multilayer substrate.
前記凹部の前記開口部は、前記多層基板の前記第1面で囲まれている、
請求項4に記載の振動デバイス。
The opening of the recess is surrounded by the first surface of the multilayer substrate.
The vibration device according to claim 4 .
前記凹部の前記開口部側に位置する前記容器の面は、前記多層基板の前記第1面と面一又は前記多層基板の前記第1面よりも前記多層基板の前記第2面側に位置している、
請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の振動デバイス。
a surface of the container located on the opening side of the recess is flush with the first surface of the multilayer substrate or is located closer to the second surface of the multilayer substrate than the first surface of the multilayer substrate;
A vibration device according to any one of claims 1 to 5 .
前記接続用配線層は、前記凹部の底面に配置されており、
前記接続用端子は、前記凹部の前記底面に対向する前記容器の面に配置されており、
前記接続用配線層と、前記接続用端子と、は前記導電性接続部材を介して接合されている、
請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の振動デバイス。
the connection wiring layer is disposed on a bottom surface of the recess,
the connection terminal is disposed on a surface of the container facing the bottom surface of the recess,
the connection wiring layer and the connection terminal are joined via the conductive connection member;
A vibration device according to any one of claims 1 to 6.
前記導電性接続部材は、導電性ワイヤーである、
請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の振動デバイス。
The conductive connecting member is a conductive wire.
A vibration device according to any one of claims 1 to 6.
前記容器は、半導体基板であるベースと、半導体基板であるリッドと、を含み、
前記ベースと、前記リッドと、が接合することにより前記収容空間が形成される、
請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の振動デバイス。
The container includes a base that is a semiconductor substrate and a lid that is a semiconductor substrate;
The base and the lid are joined together to form the storage space.
A vibration device according to any one of claims 1 to 8.
前記容器は、水晶基板である第1封止基板と、前記振動素子を囲む外枠部を有する水晶基板である振動基板と、水晶基板である第2封止基板と、を含み、
前記第1封止基板と、前記第2封止基板と、が前記振動基板の前記外枠部を介して接合することにより前記収容空間が形成される、
請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の振動デバイス。
the container includes a first sealing substrate which is a quartz substrate, a vibration substrate which is a quartz substrate having an outer frame portion which surrounds the vibration element, and a second sealing substrate which is a quartz substrate;
The first sealing substrate and the second sealing substrate are joined via the outer frame portion of the vibration substrate to form the accommodation space.
A vibration device according to any one of claims 1 to 8.
前記多層基板は、樹脂基板である、
請求項9又は請求項10に記載の振動デバイス。
The multilayer substrate is a resin substrate.
A vibration device according to claim 9 or 10.
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